JFET

Introduccin

A los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente como FET

(Field Effect Transistor) y entre ellos podemos distinguir dos grandes tipos:

Transistor de Efecto de Campo de Unin: JFET (Junction Field Effect

Transistor)
Transistor de Efecto de Campo Metal - xido - Semiconductor: MOSFET
(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

En ambos casos, la corriente del circuito de salida es controlada por un parmetro

del circuito de entrada, en un caso el nivel de corriente y en el otro el nivel de
tensin aplicada.
En los transistores FET se crea un campo elctrico que controla la anchura del
camino de conduccin del circuito de salida sin que exista contacto directo entre
la magnitud controlada (corriente) y la magnitud controladora (tensin).

El transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo de tres terminales que se

utiliza en varias aplicaciones que coinciden, en gran medida, con las del transistor
BJT.

a) controlado por corriente b) controlado por voltaje

Comparacin con BJT vs FET

Las diferencias principales entre los dos tipos de transistor radican en el hecho de
que:

BJT
Es un dispositivo controlado por
corriente. En otras palabras IC es
funcin directa de IB
Es un dispositivo bipolares, es decir,
en la corriente intervienen los dos
tipos de portadores (electrones y
huecos),
Transistores bipolares npn y pnp
FET
Es un dispositivo controlado por
voltaje. La corriente ID ser funcin
del voltaje VGE
Son unipolares, en los que el nivel de
conduccin depender nicamente
de un nico tipo de portadores: de los
electrones en los de canal n y de los
huecos en los de canal p.
Transistor de efecto canal n y canal p
presentan los transistores bipolares Alta impedancia de entrada,
que presentan impedancias de caracterstica importante en el diseo
entrada del orden de unos pocos de amplificadores de ca. Se
kilohmios encuentra entre 1 hasta cientos
megaohmios
Sensible a los cambios de seal La variacin de corriente es menor
aplicada, la variacin de corriente es con el mismo cambio de voltaje.
mayor con el mismo cambio de
voltaje.
La ganancia de voltaje de ca es La ganancia de voltaje de ca es
mucho mayor que para FET mucho menor que para BJT
Estables a la temperatura y son ms
pequeos. Por su tamao es ms
empleado en los circuitos, chip, etc

Tres tipos de FET

El transistor de efecto de campo de unin(JFET)
El transistor de efecto de campo semiconductor de xido metlico
(MOSFET).- ha llegado a ser uno de los dispositivos ms importantes
utilizados en el diseo y construccin de circuitos integrados para
computadoras digitales. Su estabilidad trmica y otras caractersticas
generales hacen que sean extremadamente populares en el diseo de
circuitos de computadora
El transistor de efecto de campo semiconductor metlico (MESFET).-Es un
desarrollo ms reciente y aprovecha al mximo la ventaja de las
caractersticas de alta velocidad del GaAs como material semiconductor
base. Aun cuando en la actualidad es la opcin ms cara

Construccin y caractersticas JFET

Como lo mencionamos antes, el JFET es un dispositivo de tres terminales con
una terminal capaz de controlar la corriente entre las otras dos.
La construccin bsica del JFET de canal n se muestra en la figura que la parte
principal de la estructura es el material tipo n, el cual forma el canal entre las
capas incrustadas de material p. La parte superior del canal tipo n est conectada
mediante un contacto hmico a un material conocido como drenaje (D), en tanto
que el extremo inferior del mismo material est conectado mediante un contacto
hmico a una terminal conocida como fuente
(S). Los dos materiales tipo p estn conectados entre s y a la terminal de
compuerta (G).
En esencia, por consiguiente, el drenaje y la fuente estn conectados a los
extremos del canal tipo n y la compuerta a las dos capas de material tipo p. Sin
potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n en condiciones sin
polarizacin. El resultado es una regin de empobrecimiento en cada unin, como
se muestra en la figura, la cual se asemeja a la misma regin de un diodo en
condiciones sin polarizacin. Recuerde tambin que una regin de
empobrecimiento no contiene portadores libres, y por consiguiente es incapaz de
conducir.

Las analogas rara vez son perfectas y en ocasiones pueden ser engaosas, pero
la del agua de la figura da una idea del control de JFET en la compuerta y de lo
apropiado de la terminologa aplicada a las terminales del dispositivo. La fuente
de la presin de agua puede ser vinculada al voltaje aplicado del drenaje a la
fuente, el cual establece un flujo de agua (electrones) desde el grifo (fuente). La
compuerta gracias a una seal aplicada (potencial), controla el flujo de agua
(carga) dirigido hacia el drenaje.

VGS _ 0 V, VDS algn valor positivo

En la figura se aplica un voltaje positivo VDS a travs del canal y la compuerta
est conectada directamente a la fuente para establecer la condicin VGS =0 V.
El resultado son una compuerta y una fuente al mismo potencial y una regin de
empobrecimiento en el extremo bajo de cada material p similar a la distribucin de
las condiciones sin polarizacin de la figura. En el instante en que se aplica VDD
(=VDS), los electrones son atrados hacia el drenaje y se establece la corriente
convencional ID con la direccin definida de la figura
La trayectoria del flujo de carga revela claramente que las corrientes a travs del
drenaje y la fuente son equivalentes (ID = IS). En las condiciones de la figura, el
flujo de la carga est relativamente desinhibido y limitado slo por la resistencia
del canal n entre la fuente y el drenaje.

Es importante observar que la regin de empobrecimiento es ms ancha cerca de

la parte superior de ambos materiales tipo p. La razn del cambio de ancho de la
regin se describe mejor.

Suponiendo una resistencia uniforme en el canal n, podemos descomponer la

resistencia del canal en las divisiones que aparecen en la figura. La corriente ID
establecer los niveles de voltaje a travs del canal como se indica en la misma
figura.

El resultado es que la regin superior del material tipo p se polarizar en inversa

alrededor de 1.5 V, con la regin inferior polarizada en inversa con slo 0.5 V.
Recuerde por el anlisis de la operacin de un diodo que cuanto ms grande es la
polarizacin en inversa aplicada, ms ancha es la regin de empobrecimiento: de
ah la distribucin de la regin de empobrecimiento que se muestra en la figura. El
hecho de que la unin p-n se polarice en inversa a lo largo del canal produce una
corriente de cero amperes en la compuerta, como se muestra en la misma figura.
El hecho es que IG =0 A es una caracterstica importante del JFET. Conforme el
voltaje VDS aumente de 0 V a algunos volts, la corriente tambin lo har de
acuerdo con la ley de Ohm. Se mostrar la grfica de ID con VDS. La pendiente
constante relativa de la grfica revela que en la regin de valores bajos de VDS,
la resistencia en esencia es constante. A medida que VDS se incrementa y se
aproxima un nivel conocido como Vp, las regiones de empobrecimiento se
ensanchan, lo que reduce notablemente el ancho del canal. La ruta reducida de
conduccin hace que la resistencia se incremente, y ocurra la curva en la grfica.
Cuanto ms horizontal sea la curva, ms alta ser la resistencia, lo que indica que
la resistencia se est acercando a un valor infinito de ohms en la regin
horizontal.

Si VDS se incrementa a un nivel donde pareciera que las dos regiones de

empobrecimiento se tocarn; se originar una condicin conocida como
estrangulamiento.
El nivel de VDS que establece esta condicin se conoce como voltaje de
estrangulamiento y lo denota Vp, como se muestra en la figura. La corriente ID se
reduce a 0 A. Como se muestra en la figura; sin embargo, difcilmente ste es el
caso, pues ID mantiene un nivel de saturacin definido como IDSS en la figura.
En realidad sigue existiendo un canal muy pequeo, con una corriente de muy
alta densidad.

El hecho de que ID no se reduzca durante el estrangulamiento y de que mantenga

el nivel de saturacin, lo comprueba el siguiente hecho: sin corriente de drenaje
se eliminara la posibilidad de que los diferentes niveles de potencial a travs del
material tipo p establezcan los niveles variables de polarizacin en inversa a lo
largo de la unin p-n. El resultado, ante todo, sera la prdida de la regin de
empobrecimiento que provoc el estrangulamiento.
MOSFET
Introduccin
El transistor de efecto de campo metal- oxido semiconductor o MOSFET.
Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales elctricas. Es el
transistor mas utilizado en la industria por su costo, adicionalmente cuenta con un
gran porcentaje de uso en la micro-electrnica, ya sea en circuitos analgicos o
digitales. Aunque el transistor bipolar fue mucho ms famoso en otros tiempos,
prcticamente en la actualidad los microprocesadores estn basados en
transistores MOSFET, es un dispositivo de cuatro terminales llamado surtidor (S),
drenador (D), compuerta (G) y sustrato (S). El sustrato generalmente se
encuentra conectado internamente a la terminal del surtidor, por este motivo se
suele encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros transistores de
efecto de campo.

Estructura: surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (S). la compuerta
est separada del cuerpo por medio de una capa de aislante blanco.

Tambin se lo suele llamar FET de metal oxido semiconductor o FET de

compuerta aislada. Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versin
PNP y otra NPN. El NPN es llamado MOSFET de cana N y el PNP es llamado
MOSFET de canal P.
Se suelen daar muy rpido debido a que la capa de oxido es muy delgada.

Caractersticas
Utilizado para amplificar seales elctricas
Bajo costo en comparacin de a MESFET
El sustrato se encuentra conectado directamente al surtidor
Cuenta con una delgada capa de material aislante formada de dixido de
silicio es colocada del lado del semiconductor y una delgada capa es
colocada del lado de la compuerta.
La corriente de salida es controlada por la tensin de entrada. Y para el
caso no existe corriente de entrada.