Você está na página 1de 118

Rota tecnolgica para sensores no

infravermelho

Mauricio Pamplona Pires


Instituto de Fsica
UFRJ

Emicro-Manaus, 3 de outubro de 2014


Rota tecnolgica para sensores no
infravermelho
Lembrando o que so Semicondutores
Para que sensores no infravermelho? Aplicaes.
Como detectar?
Como fabricar?
O que so nano-estruturas?
Como podemos medir isto?

Emicro-Manaus, 3 de outubro de 2014


Rota tecnolgica para sensores no
infravermelho

Parte 1 Introduo aos semicondutores

Emicro-Manaus, 3 de outubro de 2014


Rota tecnolgica para sensores no
infravermelho

Parte 1 Introduo aos semicondutores


1. Motivao
2. O que so Semicondutores, Isolantes e
Condutores?
3. Dopagem n e p
4. Crescimento epitaxial
5. Caracterizao
Emicro-Manaus, 3 de outubro de 2014
Motivao
Tecnologias diferentes
Luz visvel Infravermelho Infravermelho
amplificada prximo trmico
Espectro Eletromagntico

Luz visvel
Espectro Eletromagntico

700 nm

400 nm
E = hc/ = 1.24 / (m.eV)

(m)

100.0 10.0 1.0 0.1 0.01

0.0124 0.124 1.24 12.4 124


E (eV)
Espectro Eletromagntico

700 nm

400 nm
E = hc/ = 1.24 / (m.eV)

(m)

100.0 10.0 1.0 0.1 0.01

0.0124 0.124 1.24 12.4 124


E (eV)
Radiao de corpo negro

Objeto que absorve 100% da


radiao incidente.

Lei de Wein
p T = 2898 m.K
Comprimento de
Regio Temperatura
onda O que?
Espectral (K)
(m)

(0.7-1) 740 Motores,


Infravermelho
a a mquinas de
prximo
5 (3,000-5,200) combusto,

5 (92.5-140)
Infravermelho Absoro gasosa,
a a
mdio animais,
(25-40) 740

(25-40) (10.6-18.5)
Infravermelho
a a Objetos frios
distante
(200-350) (92.5-140)

Como seria se eu pudesse ver isto?


Imageamento infravermelho:
300 K 10 m

Turbina:
700 K 4 m

Contramedida:
2000 K 1 m
Imageamento infravermelho:
segurana industrial
2. O que so semicondutores?
Nem condutores nem isolantes...
Resistividade ( m) Resistncia ()
10-3 10-8
Metais
(L=1m, d =1mm)
Alumnio 2.8x10-8 3.6x10-2
Resistividade a T ambiente (.m)

Cobre 1.7x10-8 2.2x10-2


Platina 10x10-8 12.7x10-2
Semicondutores

Prata 1.6x10-8 2.1x10-2


Germnio 0.45 5.7x105
107

Silcio 640 6x108


Porcelana 1010 - 1012 1016 - 1018
Teflon 1014 1020
Sangue 1.5 1.9x106
Gordura 24 3x107
Isolantes

d
1014

L
Slidos cristalinos
Como os tomos se organizam nos slidos?

Rede cbica Rede cbica de corpo centrado Rede cbica de face centrada

IMPORTANTE a parmetro de rede do cristal


Usados para eletrnica...
Rede cristalina do diamante, do silcio e do germnio

Rede do diamante Rede cbica de face centrada

C, Si ou Ge Duas redes transladadas de


da diagonal central
Cada tomo est ligado a 4 outros
... e na opto-eletrnica
Rede cristalina do GaAs, InP, AlGaAs, InAlAs...

Rede Zincblend

Ga, In, Al
As, P
O que o eltron sente?

Rede Zincblend

Ga, In, Al
As, P
Clculos de estrutura de bandas (energia do eltron para direes diferentes)
Si GaAs

Gap Gap
Clculos de estrutura de bandas (energia do eltron para direes diferentes)
Si GaAs

Gap Gap
Clculos de estrutura de bandas (energia do eltron para direes diferentes)
Si GaAs

Gap Gap
Gap indireto Gap direto

BC

Gap Gap

BV
A transies ocorre: A transies ocorre:
eltron + fonon ltron

Gap indireto Gap direto

BC

Gap Gap

BV
Optoeletrnica

Gap indireto Gap direto

BC

Gap Gap

BV
Tabela peridica dos elementos
III IV V
Surgimento de bandas de energias

tomo de hidrognio Slido

luz nveis eletrnicos

+
1 tomo Vrios tomos?
Surgimento de bandas de energias

+ +
2 tomos distantes

independentes
Bandas

+ + +
tomos prximos Surgimento de bandas de energias

Quais bandas estaro cheias e vazias?


Trs possibilidades ... metais, isolantes e semicondutores
Metais
Prxima banda
Energia do eltron

ltima banda incompleta

Posio
METAL
Metais
Prxima banda
Energia do eltron

eltron livre

ltima banda incompleta

Posio
Prximo estado disponvel: METAL
+

Outra possibilidade ...


Isolantes e semicondutores

Banda de Conduo (1a banda vazia)


Energia do eltron

Banda de Valncia (ltima banda cheia)


Si

Posio

Si (14 eltrons) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2

Ne + 3s2 3p2 4 eltrons disponveis


Si Si Si Si Si

Si Si Si Si Si

Eltrons ligados
(BV)

Si Si Si Si Si

Qual a energia necessria para liberar estes eltrons?


Si Si Si Si Si

Eltrons livre
(BC)

Si Si Si Si Si

Falta de 1 eltron
buraco

Si Si Si Si Si
Banda de Conduo (1a banda vazia)
Energia do eltron

eltron livre tem massa e carga


Eg
buraco tambm tem massa e carga ...

Banda de Valncia (ltima banda cheia)

Posio

Eg grande ISOLANTE (vrios eV)

Eg pequeno SEMICONDUTOR
Metal Isolante Semicondutor
E= hc/

E= 1240 / (eV/nm)
E= 1,24 / (eV/m)
Semicondutores
BC BC
Energia do eltron

Energia do eltron
Eg Eg

BV BV

Posio Posio

Eg pequeno Facilidade para eltrons sarem da BV para a BC

Temperatura e luz
Ge Si
BC

Energia do eltron
Eg

BV

Posio

Probabilidade: e-Eg/kT

Inclinaes diferentes:
Gaps deferentes
Mecanismos de conduo diferentes

Aumento no nmero de
(.m) d/dT portadores de carga

Silcio 3 x 103 -70 x 10-3 - T

Cobre 2 x 10-8 4 x 10-3 + T


O aumento das vibraes
cristalinas dificulta a
passagem do eltron
3. Dopagem p e n
Em relao ao Si:
III IV V Si Ne + 3s2 3p2

B: He + 3s2 3p1
menos um eltron (grupo III) tipo p

As: Ar + 3s2 3p3


mais um eltron (grupo V) tipo n
Doador tipo n
Si Si Si Si Si

Sobra 1 eltron

Si Si As Si Si

Si Si Si Si Si

Qual a energia necessria para liberar este eltron?


Doador tipo n
BC BC
Energia do eltron

Energia do eltron
Ed + Ed

BV BV

Posio Posio

D o + Ed = D + + e -
Doador tipo p
Si Si Si Si Si

Falta 1 eltron

Si Si B Si Si

Si Si Si Si Si

Qual a energia necessria para liberar este buraco?


Doador tipo p
BC BC
Energia do eltron

Energia do eltron
-
Ea Ea

BV BV

Posio Posio

Ao + Ea = A- + h+
Como fabricar estes materiais ?
Crescimento de Camadas
Epitaxiais
LPE
VPE
MBE Molecular Beam Epitaxy
MOCVD - Metal Organic Chemical Vapour
Deposition
Reator MBE

No final dos anos de 60 foi desenvolvido tambm na Bell-Labs,


por Cho a tcnica chamada epitaxia por feixe molecular.(Molecular
Beam Epitaxy MBE). Este tem sido o mais sofisticado mtodo de
crescimento.

O princpio deste crescimento reside na evaporao de fontes


slidas altamente purificadas em alto vcuo (10-10 torr sem
crescimento e 10-8 a 10-6 torr durante o crescimento), produzindo
feixes moleculares irecionados sobre a superfcie aquecida do
substrato.

Cho, A. Y. e Arthur J. R.; Molecular Beam Epitaxy, Progress in Solid State Chemistry, 10, 3, 157-191 (1975).
Reator MBE
Reator MBE
MOVPE
Metal
Organic
Vapour
Phase
Epitaxy
Reator MOCVD
Uma outra tcnica distinta chama-se deposio qumica por fase
vapor (Chemical Vapour Deposition CVD). Uma variante desta
tcnica a epitaxia por fase gasosa de organo-metlicos
(Metal Organic Vapour Phase epitaxy MOVPE, ou Metal
Organic Chemical Vapour Deposition MOCVD).

O princpio de crescimento do MOVPE baseia-se num fluxo


laminar sobre o substrato aquecido por rdio freqncia ou
lmpadas infra-vermelhas. Embora o MOVPE tenha sido
desenvolvido no final dos anos 60, ele s apareceu como
alternativa a partir do comeo da dcada de 80. Houve, nesta
ltima dcada, o desenvolvimento e a purificao das fontes
organometlicas para o uso no processo MOVPE.

Manasevit, H., Applied Physics Letters, 12, 156 (1968).


Reator MOCVD
Temperatura
Presso T
Fluxos P
Gases: f
Grupo III:
TMGa
TMIn
TMAl
Grupo V:
AsH3
PH3
Dopagem:
n - SiH4
p - CBr4, DMZn
Onde ?

2 x MOCVD
Rio de Janeiro

MBE
So Paulo
Campinas
Belo Horizonte
Crescimento de amostras
semicondutoras Novo Reator MOCVD
Temperatura Caracterizao in-situ

Presso
Fluxos
Gases:
Grupo III:
TMGa
TMIn
TMAl
Grupo V:
AsH3 ,TBAs
PH3,TBP
Dopagem:
n - SiH4
p - CBr4, DMZn
Chegou em 1989
1o do hemisfrio sul
Novo reator MOVPE
Temperatura
Presso
Fluxos
Gases
Temperatura
Presso
Fluxos
Gases
Vantagem Desvantagem
LPE Simples Baixa produtividade
Barata Baixa pureza
Alta taxa de crescimento No pode crescer poos
Segura qunticos
Baixa manuteno Filme no uniforme
Interfaces no abruptas
MBE Simples Alto custo
Uniforme Alta manuteno
Excelente morfologia Defeitos ovais
Interface abrupta
Controle in-situ
Alta pureza
Crescimento de nanoestruturas
MOVPE Fexvel Segurana
Interface abrupta Fontes caras
Excelente morfologia Crescimento complicado
Alta pureza
Escalabilidade
Crescimento de nanoestruturas
Crescimento Epitaxial

TMGa TMAl,TMIn
AsH3 PH3

Substrato GaAs
AlAs
GaP InP InAs
GaxAl1-xAs
InxGa1-xP InxGa1-xAs InxAl1-xAs
GaAs
Material casado Material descasado

a > a InAs

AlGaAs InAs tensionado

a GaAs a GaAs
Caracterizao

Como saber o que fizemos?

Aspecto visual antes e depois idntico.


MOVPE
Como fazer medidas in-situ?

Presso: 50 mbar a 150 mbar

Livre caminho mdio dos


RHEED
eltrons muito pequeno

Soluo:

Tcnicas pticas
Modos de
medio de
R e r/R
De onde
vem o sinal
do RAS?
Exemplos
Q - InGaAsP
Crescimento epitaxial
Fsica bsica
+
Fsica aplicada

Propriedades ticas Optoeletrnica


Propriedades ticas
Fotoluminescncia Interao
Absoro Luz-Matria
Fotocorrente
Fotorefletncia
Fotoluminescncia de excitao
Estrutura
eletrnica
Fotoluminescncia

E1
Laser

Amostra

Detector Monocromador


L2 E2 L1

Referncia

Sinal Lock-in Amp Computador

Sada
Visvel
IV

AlAs
GaP InP InAs
GaxAl1-xAs
InxGa1-xP InxGa1-xAs InxAl1-xAs
GaAs
Fotocorrente

Amostra

Lmpada Monocromador


L2 E2 L1

Referncia
Sinal
Lock-in Amp

Computador
Sada
Fotocorrente

BC e2
e1

hh1
lh2
hh2
BV

n
i PQ I
p
Fotocorrente

BC

e2

e1
h

hh1
lh2

BV hh2

w
n V
i PQ I
p
Raio-X

Slido
Raio-X

Camada Material B
crescida

Substrato
InP Material A

Slido
AlAs
GaP InP InAs
GaxAl1-xAs
InxGa1-xP InxGa1-xAs InxAl1-xAs
GaAs
Camada Material B
crescida

Substrato
InP Material A

Slido
Estruturas mais complexas:
Simulao x medida
Rota tecnolgica para sensores no
infravermelho

Continua ...

Mauricio Pamplona Pires


Instituto de Fsica
UFRJ

Emicro-Manaus, 3 de outubro de 2014