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Rota tecnolgica para sensores no

infravermelho

Parte 2 Para que sensores no


infravermelho?
Mauricio Pamplona Pires
Instituto de Fsica
UFRJ

Emicro-Manaus, 3 de outubro de 2014


Rota tecnolgica para sensores no
infravermelho

Parte 2 Para que sensores no


infravermelho?
1. O que o infravermelho?
2. Aplicaes
3. Como detectar a luz?

Emicro-Manaus, 3 de outubro de 2014


Espectro Eletromagntico

700 nm

400 nm
E = hc/ = 1.24 / (m.eV)

(m)

100.0 10.0 1.0 0.1 0.01

0.0124 0.124 1.24 12.4 124


E (eV)
Radiao de corpo negro

Objeto que absorve 100% da


radiao incidente.

Lei de Wein
p T = 2898 m.K
Aplicaes para sensores de
infravermelho

Telecomunicaes
Viso infravermelha (imageamento)
Segurana industrial
Monitoramento de processos industriais
Medicina
Militar
Controle ambiental
Controle de pragas agrcolas
Introduction
Modlisation lectromagntique
Applications polarimtriques
Dtection bi-spectrale
Imagerie infrarouge
Conclusion

Infrarouge thermique (images QWIP 640x512)

QWIPs-men Cathdrale Notre Dame de Paris

12/06/2012 6
Controle ambiental e agrcola
Primeira imagem do CBERS-1

Imagem no infravermelho prximo

Focos de incndio.
Antecipao do aparecimento de pragas
agrcolas.
Seleo de frutas.
Localizao de pequenos desmatamentos,
como por exemplo, pistas clandestinas.
Introduction
Modlisation lectromagntique
Applications polarimtriques
Dtection bi-spectrale
Transmission atmosphrique
Conclusion

SWIR MWIR LWIR VLWIR

Transmission atmosphrique
Short-Wave-IR (0.8 - 2.5 m)
Mid-Wave-IR (3 5 m)
Long-Wave-IR (8 11 m) Image METEOSAT
Very-Long-Wave-IR (11 15 m) ( = 11.7 m)

12/06/2012 8
Telecomunicaes Free space
Janela tica em 10 m
Taxa de erro menor que em outras janelas espectrais
Telecomunicaes Free space

10
Controle de vazamento de gases

Emissor Receptor

Equipamento industrial

Vazamento Interrupo do sinal


Aplicaes na medicina
Monitoramento de grande obras
Segurana de voos
Monitoramento circuitos
Detector de mentira
Veterinria e controle de doenas
Olhar para o passado
Obras pequenas em casas
Isolamento trmico de residncias
Astrofsica
Vulcanologia
So muitas as aplicaes

Como fazer isto?

Qual o mecanismo fsico que far com que a luz


seja absorvida?
Como fazer isto?

E = hc/ = 1.24 / (m.eV)

Qual o mecanismo fsico que far com que a luz


seja absorvida?
Como fazer isto?

Detectores trmicos
Bolmetros

Transio banda-banda em semicondutores III-V


at 2m

Transio intra-banda em semicondutores III-V


de 2m 15m
Como fazer isto?

Detectores trmicos
Bolmetros

Transio banda-banda em semicondutores III-V


at 2m

Transio intra-banda em semicondutores III-V


de 2m 15m
Tipos de detectores
Detectores trmicos
Absoro modifica um determinado parmetro fsico

Bolmetros
Resistncia eltrica
Baixa sensibilidade
Resposta lenta
Baratos
Operam a 300K
Pouca seletividade
espectral
Como fazer isto?

Detectores trmicos
Bolmetros

Transio banda-banda em semicondutores III-V


at 2m

Transio intra-banda em semicondutores III-V


de 2m 15m
Tipos de detectores
Detectores de ftons

Absoro de 1 fton

Mudana no nvel de 1 eltron

Gerao de uma corrente eltrica


1a idia:
Transio banda-banda:
Material macio
BC
h
BC
h > Eg
Eg I
h

BV Eg
Vantagem:
Tecnologia mais desenvolvida BV

Desvantagem:
depende do gap do material Campo eltrico
Visvel
Infravermelho

AlAs
GaP InP InAs
GaxAl1-xAs
InxGa1-xP InxGa1-xAs InxAl1-xAs
GaAs
MCT
gap pequeno
Dificuldade - FPA
Como fazer isto?

Detectores trmicos
Bolmetros

Transio banda-banda em semicondutores III-V


at 2m LIMITADO PELO GAP DO MATERIAL

Transio intra-banda em semicondutores III-V


de 2m 15m
Como fazer isto?

Detectores trmicos
Bolmetros

Transio banda-banda em semicondutores III-V


at 2m

Transio intra-banda em semicondutores III-V


de 2m 15m

QWIPs - Quantum Well Infrared Photodetectors

QDIPs - Quantum Dots Infrared Photodetectors


Transio intra-banda

Como fazer isto?

QWIPs - Quantum Well Infrared Photodetectors

QDIPs - Quantum Dots Infrared Photodetectors


Transio intra-banda

Como fazer isto?

QWIPs - Quantum Well Infrared Photodetectors

QDIPs - Quantum Dots Infrared Photodetectors


STOP
Nanotecnologia

Richard P. Feynman
There's Plenty of Room at the Bottom
Fevereiro de 1960

"The principles of physics, as far as I can see, do not speak against the
possibility of maneuvering things atom by atom."
Mecnica Quntica

Comprimento de onde de de Broglie


=h/p
Dualidade onda vs. partcula
Limitao do movimento

aprox. L

Quantizao da energia

tomo de hidrognio Slido

luz nveis eletrnicos

+
w

Partcula livre?

Material B A B
w

Mecnica Clssica
Energia

luz Nveis eletrnicos X

Mecnica Quntica

Posio
O eltron est confinado

Poo quntico

Ponto quntico
Poos Qunticos

Direo de crescimento Material B


Material A
Material B

Confinamento 2D
Direo de crescimento
tA
Mudana do material
depositado com o tempo

Taxa de crescimento A e B

Espessura da camada A (w):


B A B
w w= tA x A
e1 BC
Energia

h w 100

hh1 BV h=Eg+Ee1+Ehh1

Posio
Direo de crescimento
tA

Espessura da camada A (w):


B A B
w
e1 BC
Energia

Cor da luz varia com a


h espessura da camada

hh1 BV

Posio
ok
Transio intra-banda

Como fazer isto?

QWIPs - Quantum Well Infrared Photodetectors

QDIPs - Quantum Dots Infrared Photodetectors


2a idia:
Transio intra-banda:

BC
BC
h = E2-E1
h

E2 E1 I
h

Probabilidade de absorver Campo eltrico

Probabilidade do eltron conseguir sair do material


Depende da polarizao da luz?
Importante:
Eficincia quntica () : define a razo entre
ftons incidentes e eltrons gerados

Ganho (g): relao entre eltrons


fotogerados e eltrons que geram corrente
Resposta espectral: Ri=qg/hc

Ruido: In2 = 2 (G+R) Aetfq2g2

Detectividade: D*=Ri(A0f)1/2/In
QWIPs

Transio intra-banda

Fraco acoplamento com a luz


Componente do campo eltrico
perpendicular a direo de
crescimento no absorvida
Incidncia normal: fraco acoplamento

Formas de melhorar o
acoplamento:
Transio intra-banda:
Material nano-estruturado: poos qunticos
Transio intrabanda
BC
BC
h = E2-E1
h

E2 E1 I
h

w
Vantagem:
Absoro mais seletiva Campo eltrico

Desvantagem:
No acopla radiao com incidncia normal
Fraco acoplamento

Direo de crescimento

Poo quntico
Mximo acoplamento

Poo quntico

Como isto feito?


Heterostructure Sample 1 Waveguide, hand made
Light path
Para acoplar a luz necessrio processar a amostra
Como escolher a geometria da grade?
Obs:

FPA
Focal
Planar
Array
Continuando: BC

E2 E1
Poos qunticos

w
Direo de crescimento

Material B
Material A
Material B

Confinamento 2D
(300 , 27%)

(55 , n)

(300 , 27%)
E2
GaAs/AlxGa1-xAs E1

w
Espectro de absoro
Espectro de fotocorrente

300K
GaAs/AlxGa1-xAs
InGaAs/InAlAs BC
poo/barreira

E2 E1 E

E2 w
E1

14.2m

4.1m
E1
3.54m
InGaAs/InAlAs (Apenas 1 amostra!!!)
InGaAs/InAlAs (Apenas 1 amostra!!!)

E2

E1 300meV
Detector de CO2

Absoro de CO2

Variao 10% do sinal


Medidas a baixa temperatura (77K)

Processamento para melhorar o acoplamento necessrio

Como melhorar isto?


O eltron est confinado

Poo quntico

Ponto quntico
QDIPs
QDIPs - Quantum Dots Infrared Photodetectors

Ponto quntico luz IV

+
eltron Eltron livre

Vantagem:
maior sensibilidade
maior acoplamento com a luz (incidncia normal absorvida)
menor rudo
Desvantagem:
maior complexidade da nano-estrutura
Pontos Qunticos
Confinamento nas 3 dimenses
Pequeno o suficiente para apresentar
efeitos de quantizao
Semelhante a tomos
1980: ZnS sobre vidro
Diversas formas de produo
Como se faz um Ponto
Quntico?
Transferncia de um padro (litografia)
Poo quntico Crescimento
(estrutura 2D)

Confinamento Litografia e
lateral Ataque qumico

Ponto quntico

Mtodo bruto
Pontos qunticos produzidos por
campos externos

Confinamento vertical

Poo quntico

Confinamento 3D

Campo eltrico
Pontos Qunticos
Auto-Organizados
Estruturas auto-organizadas devido a
tenso no material
Dimenses que dependem das condies
de crescimento (4 - 20 nm)
Materiais com diferentes parmetros de
rede
Quantizao da energia nas 3 dimenses

Altas densidades - 1011cm-2


Tipos de crescimento heteroepitaxial
Stranski-Krastanow
Fluxo de gases Temperatura e presso
Tempo de deposio
Tempo de cozimento
Variao das condies de crescimento

Tempo de crescimento dos pontos qunticos


InAs/InGaAs InAs/InGaAs InAs/InGaAs
Casado Casado Tensionado

InAs/InP InAs/InP InAs/InP


c/ defeitos s/ defeitos
Questes interessantes:
Propriedades ticas
Propriedades estruturais

vs.
Parmetros de crescimento
Dopagem
Matriz

Detectores:
Alta densidade
+
Alta homogeneidade
TEM

AFM
Simulao de Nano-estruturas
Semicondutoras
Caracterizao de QDIPs
200 85 200

124 meV
Caracterizao de QDIPs
20
5K 30mV
5K 5mV sample 990

photocurrent (arb. u.)


15
5K -5mV

10

0
0 5 10 15 20 25
wavelength (m)

B3

B1 B2

QW

QD
O que mais...
Deteco de duas cores

Defesa:
Turbina:
700 K 4 m

Contramedida:
2000 K 1 m

Como?
Contato 1

InGaAs:n 500nm
QWIP InAlAs 300nm
4,1 m InGaAs:n 3nm
X 50
InAlAs 30nm
Contato 2
InGaAs:n 500nm
InAlAs:n 200nm
InAlAs 200nm
InAlAs 10nm
PD InGaAs 7nm X 20
1,5 m
InAlAs 200nm

InAlAs:p 100nm Contato 3

InP:p

LUZ
Parmetros importantes

Posso mudar tudo que eu quiser?


Parmetros importantes

Corrente de escuro
Fotocorrente
Rudo
Performance
Desenho otimizado
Desenvolvimento de detectores

Crescimento epitaxial
Fsica bsica
+
Fsica aplicada

Propriedades ticas Optoeletrnica


Nanotecnologia