Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
ecnicas instrumentales an
alisis de materiales
Cristian Marn
1
Chapter 1
Introducci
on a los materiales
Metales: Los metales y sus aleaciones, incluyendo otros elementos (Fe, Zn, Mg, Al, Cu, Ni, Ti) pre-
sentan caractersticas como: Conductividad electrica y termica, alta rigidez, ductibilidad, resistencia al im-
pacto.
Las aleaciones, combinaci on de metales, mejoran algunas propiedades o permiten una mejor combinaci on de
propiedades.
Ceramicos: Ladrillo, vidrio, porcelana, refractarios poseen: baja conductividad electrica y termica, fuertes
y duros, fragiles y quebradizos, usos como aislante.
Polmeros: Producidos por polimerizacion. Incluye a los plasticos, el hule y adhesivos. Son de baja conduc-
tividad electrica y termica, reducida resistencia, para trabajar a bajas temperaturas.
Semiconductores: Si, Ge, GaAs y otros compuestos. Son fragiles, para aplicaciones electronicas, la con-
ductividad electrica es controlable.
1.1 Relaci
on estructura-propiedades-procesamiento
La relacion entre estas tres variables ayuda a la vida u
til del material. Modificar una variable hace modificar a
cualquiera de las dos, o a ambas, variables.
2
A LOS MATERIALES
CHAPTER 1. INTRODUCCION 3
1.2 Propiedades
Propiedades mec anicas: Describe la forma como el material responde a una fuerza aplicada. Resistencia,
rigidez y ductibilidad.
Impacto: Golpe repentino e intenso
Fatiga: Carga cclica en el tiempo
Termofluencia: Exposicion a altas temperaturas
Desgaste: Expuesto a condiciones abrasivas
Propiedades fsicas: Incluyen el comportamiento electrico, magnetico, optico, termico, elastico, y qumico.
Depende de la estructura como del procesamiento.
Para metales:
fundici on
soldadura
forja
trefilado
extrusi on
laminado
doblado
maquinado
Para ceramicos:
colado
fumado
extrusi on
compactacion
tratamiento con temperatura
Para polmeros
inyeccion de plastico
extrusi on
conformado
Efectos de la temperatura: El cambio de temperatura afecta de manera notable las propiedades de los
materiales. El dise no de materiales resistentes a temperaturas extremas resulta esencial para muchas tec-
nologas.
Efecto de la corrosi on: La mayor parte de los metales y los polmeros reaccionan ante el oxgeno y
otros gases, particularmente a altas temperaturas. Los metales y los ceramicos pueden desintegrarse; los
polmeros volverse fragiles. Los lquidos corrosivos tambien atacan a los materiales provocando fallas pre-
maturas.
A LOS MATERIALES
CHAPTER 1. INTRODUCCION 4
Chapter 2
Estructura at
omica
Estructura electr onica del atomo: Los electrones ocupan niveles de energa discontnuos dentro del
atomo. Cada electron posee una energa en particular; no existe mas de 2 electrones con la misma energa en
cada atomo.
Niveles cu anticos: El nivel de energa al cual corresponde cada electron queda determinado por 4 n umeros
cuanticos. n, l, ml y ms .
Numero cu antico principal, n: se le asignan valores enteros (1,2,3,4....) que se refiere a la capa cuantica a la
cual pertenece el electron. A las capas cuanticas tambien se les asigna una letra:
n=1...k
n=2...L
n=3...M y as sucesivamente
numero cu antico acimutal, l :determina el numero de niveles de energa en cada capa cuantica. tambien tiene
asignados n umero: l=1,2,3,..., n-1. Se designan por letras minusculas
s para l=0
p para l=1
d para l=2
f para l=3
numero cu antico magnetico, ml : esta relacionado con el acimutal y determina lo mismo. El n umero total
de n umeros cuanticos magneticos para cada l esta dado por 2l+1; y esta en valores de -l y +l. Para l =2,
entonces existen 2(2)+1=5 n umeros magneticos con valores: -2,-1,0,1,2.
numero cu antico de spin, ms : por principio de exclusion de Pauli no pueden existir mas de 2 electrones con
giros propios opuestos en cada orbital. Al ms se le asigna el valor de 1 1
2 y 2 para representar los distintos giros.
2.1 Desviaciones de la estructura electr
onica esperada
Para el hierro sera, n umero atomico 26.
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d8
Sin embargo la real es:
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d6 4s2
El nivel 3d sin llenar causa el comportamiento magnetico del hierro, Fe.
5
CHAPTER 2. ESTRUCTURA ATOMICA 6
Valencia: Se relaciona con la capacidad del mismo para entrar en combinacion qumica con otros ele-
mentos y a menudo queda determinado por el numero de electrones en los niveles combinados sp mas exter-
nos.
Estabilidad at omica y electronegatividad: Si un atomo tiene una valencia cero, el elemento es inerte.
Otros atomos se comportan como si sus niveles exteriores sp estuvieran totalmente llenos con 8 electrones o
totalmente vacos.
El atomo de aluminio tiene 3 electrones en su nivel sp externo, por lo cual los cede con facilidad para vaciaar
el nivel 3sp. Los enlaces y el comportamiento qumico del Al queda determinado por como estos 3 electrones
interactuan con los atomos circundantes.
El cloro tiene 7 electrones en su nivel externo sp, por lo cual el Cl reacciona con tal de llenar su nivel aceptando
1 electron.
La electronegatividad es la tendencia de un atomo a ganar 1 electron. atomos con los niveles externos casi
llenos son fuertemente electronegativos (Cl) y aceptan electrones muy facilmente.
2.2 Enlaces at
omicos
Existen 4 mecanismos mediante los cuales los atomos se enlazan formando solidos. En 3 de los 4 mecanismos
esto se consigue cuando los atomos llenan sus niveles externos s y p.
1. Enlace met alico: elementos metalicos, con electronegatividad baja, ceden sus electrones para formar un
mar de electrones rodeando a los atomos. Los centros atomicos cargados positivamente se mantienen unidos
mediante la atraccion mutua con los electrones, produciendo as un fuerte enlace metalico. Los electrones
de valencia se mueven libremente.
2. Enlace covalente: los atomos con este tipo de enlace comparten electrones entre 2 o mas atomos, con el
objetivo de llenar el u
ltimo nivel formando el octeto. Los enlaces covalentes son direccionales, es decir, el
atomo se debe organizar de manera que los enlaces tengan una relacion fija entre ellos. El enlace covalente es
muy fuerte, los materiales enlazados as tienen pobre ductibilidad y mala conductividad electrica y termica.
Romper el enlace requiere de mucha energa. Ceramicos, semiconductores y polmeros pueden estar enlazados
b
b
b b b b + b Enlace covalente
b
+ b b b
b b b
b b b b + b + b
= 109,5
b b b
Estructura tetraedrica
as. posiciones fijas entre electrones
3. Enlace i onico: 2 atomos pueden interactuar donde uno de ellos puede donar sus electrones de valencia,
llenando la capa energetica externa del segundo. Ambos atomos tendran su nivel de energa externo lleno
(o vaco), adquiriendo a la vez una carga electrica y se comportan como iones.
atomo que cede electron queda cargado positivamente y es un cati on
atomo que acepta electron queda cargado negativamente y es un ani on Enlaces de van der Waals:Estos
enlaces unen moleculas o grupos de atomos mediante una atraccion electroestatica debil. Muchas moleculas
CHAPTER 2. ESTRUCTURA ATOMICA 7
estan polarizadas permanentemente; esto es, algunas porciones de la molecula estan cargadas positivamente
y otras negativamente. Una porcion positiva unida a una porcion negativa de otra une debilmente ambas
moleculas. El enlace de hidr
ogeno es cuando una de las regiones son atomos de hidrogeno.
Enlaces mixtos: los materiales pueden presentar 2 o mas tipos de enlaces. Si la diferencia de electroneg-
ativiadad es notable, por ejemplo 1.0 y 1.5, esperamos combinaciones de enlaces metalicos e ionicos. Si es la
misma, por ejemplo 1.5, esperamos enlaces metalicos. Conforme aumenta la diferencia de electronegatividad,
los enlaces se hacen mas ionicos.
Energa de enlace y espaciamiento interat omico: El espaciamiento interatomico tiene que ver con la
distancia entre atomos o iones en la cual se da el estado de mnima energa del atomo o los iones (o cuando la
fuerza de atraccion o repulsion entre atomos o iones es igual a cero).
La energa de union es la mnima energa requerida para crear o romper el enlace. Los materiales con energa
elevada, tendran gran resistencia y una elevada temperatura de fusion.
Energas de union
Ionico: 150-370 kcal/mol
Covalente 125-300 kcal/mol
Metalico 25-200 kcal/mol
van der Waals 10 kcal/mol
Coeficiente de expansi on t
ermica: grado del cambio de dimensiones de un material al modificarse su
temperatura. Esta relacionado con la fuerza de los enlaces.
M odulo de elasticidad: grado de deformacion de un material cuando se aplica una fuerza o un esfuerzo.
Esta relacionado con la pendiente de la curva fuerza.distancia.
Chapter 3
Organizaci
on at
omica
b b
b b b b b b b b b
b b b
b b b b b b b b b
b b b b
b b b b b b b
Sin orden b b b b
b b b b b b
Celdas unitarias:Es la subdivision de la red cristalina que sigue conservando las caractersticas generales de
toda la red. Se identifican 14 tipos de celdas unitarias o redes de Bravais agrupadas en 7 sistemas cristalinos.
Los puntos de red estan localizados en las esquinas de las celdas unitarias, y en algunos casos, en cualquiera de
las cajas o en el centro de la celda unitaria.
b b b
Celda unitaria
b b b b
b b b b
unitaria, incluyen las dimensiones de los costados de la celda unitaria y los angulos entre sus costados. La
longitud de los costados es el parametro a, sus unidades son en nanometros o Armstrong (1nm=10A). Si es
muy compleja la celda los parametros son a, b, c y las medidas de cada uno de sus angulos.
Numero atomo por celda unitaria: Cada celda unitaria esta definido por un n umero especfico de puntos
de red. Al contar el n
umero de puntos de red que corresponden a cada celda unitaria, se deben identificar los
puntos de la red que van a ser compartidos por mas de una celda unitaria. Un punto de red en la esquina de
una celda unitaria estara compartido por 7 celdas unitarias adyacentes; solo una octava parte de cada esquina
corresponde a una celda en particular. Por lo tanto, el n umero de puntos de red proveniente de todas las
posiciones de esquina en una celda unitaria es:
8
ATOMICA
CHAPTER 3. ORGANIZACION 9
( )( )
1 punto de red esquinas punto de red
8 =1 (3.1)
8 esquina celda celda unitaria
Las esquinas contribuyen con 1/8 de un punto, las caras con 1/2 y las posiciones en el centro del cuerpo
contribuyen con todo un punto. El n umero de atomos por celda unitaria es el producto del n
umero de atomos
por punto de red multiplicado por el numero de puntos de red existentes por celda unitaria.
Estructura cristalina ejes angulo entre ejes
Cubica a=b=c todos 90
Tetragonal a = b = c todos 90
Ortorrombica a = b = c todos 90
Hexagonal a = b = c 2=90 y 1=120
Romboedrica a=b=c todos iguales y = de 90
Monoclnico a = b = c 2=90 y 1=120
Triclnico s = b = c todos = y = de 90
Radio at omico: Radio aparente de un atomo que por lo general se calcula a partir de las dimensiones de la
celda unitaria, utilizando direcciones compactas. Estas direcciones son aquellas en los cuales los atomos estan
en contacto contnuo.
n
umero de coordinaci on: Es una indicacion de que tan estrecha y eficazmente estan empaquetados los
atomos, es decir, el n
umero de atomos que tocan a otro en particular (n
umero de vecinos cercanos).
Para cubica simple (CS) el numero de coordinacion=6
Para cubica cuerpo (CC) el n umero de coordinacion=8
Para cubica cara (CCC) el n umero de coordinacion=12
Densidad: La densidad teorica de un metal se puede calcular usando las propiedades de la estructura
cristalina.
Estructura hexagonal compacta: Es una forma especial de la red hexagonal. Tiene un punto de red por
celda -uno proveniente de cada una de las 8 esquinas del prisma- pero con cada punto de la red estan asociados
dos atomos. Un atomo en la esquina y otro al interior de la celda.
Transformaci on alotr opica o polim orfica: Son aquellos materiales que tienen mas de una estructura
cristalina. El termino alotropa se reserva para el comportamiento en elementos puros; el el otro es mas general
por ejemplo Fe, Ti. La temperatura puede cambiar la estructura. Por ello el Fe y el Ti se tratan termicamente.
Este cambio con la temperatura pueede venir acompa nado con un cambio de volumen.
3.1 Puntos, direcciones y planos en la celda unitaria
Coordenadas de los puntos: Construyendo un sistema coordenado dextrogiro es posible localizar los atomos
en la red o en la celda unitaria.
ATOMICA
CHAPTER 3. ORGANIZACION 10
Z
b
0,0,1
b
1,1,1
0,0,0
b Y
b 1 ,1,0
2
b b
1,0,0 1,1,0
X Los n
umero en el esquema se refieren a la distancia desde el origen
en funcion de los n
umero de parametros de red.
Direcciones en la celda unitaria:Alguna direcciones de la celda unitaria son de particular importancia. Los
metales se deforman, por ejemplo, en aquellas direcciones a lo largo de las cuales los atomos estan en contacto
mas estrecho.
Los ndices de Miller para las direcciones son la notacion abreviada de estas direcciones. El procedimiento que
determina los ndices de Miller son:
1. Utilizando sistema de coordenadas dextrogiro, determine las coordenadas de dos puntos que estan en esa
direccion.
2. Reste las coordenadas del punto inicial de los del punto final para obtener el n umero de parametros de red
recorridos en la direccion de cada eje.
3. Reduzca las fracciones o resultados obtenidos de la resta a los mnimos enteros.
4. Encierre los numero en corchetes [ ]. Si se obtiene un n umero negativo representelo con una barra encima
del numero.
Distancia de repetici on: Otra manera de caracterizar direcciones equivalentes es la distancia entre puntos
de la red a lo largo de la direccion.
Densidad lineal: Es el n
umero de puntos de red por unidad de longitud a lo largo de una direccion.
Fracci
on de empaquetamiento: Es la fraccion verdaderamente cubierta por atomos.
Planos en la celda unitaria: Ciertos planos en un cristal son significativos. Se utiliza los ndices de Miller
como una notacion abreviada para identificar estos planos importante, as:
1. Identifique los puntos en los cuales el plano interseca los ejes de coordenada en funcion del n umero de
parametros de red. Si el plano pasa a traves del origen, el sistema coordenado debe moverse.
2. Tome los recprocos de estas intersecciones
3. Elimine las fracciones pero no reduzca a los mnimos enteros
ATOMICA
CHAPTER 3. ORGANIZACION 11
4. Encierre los n
umeros resultantes entre parentesis. Los n
umeros negativos llevan una barra sobre los mismos.
Acerca de los ndices de Miller para planos: los planos y sus negativos son iguales. los planos y sus m
ultiplos
no son identicos.
Indices de Miller-Bravais para celdas unitarias hexagonales: El sistema de coordenadas utiliza 4 ejes
en vez de 3 ejes, a3 redundante.
Chapter 4
T
ecnicas microsc
opicas
Microscopa SPM y SEM. : Microscopa avanzada se refiere una microscopa mayor a la optica. Carac-
tersticas imagenes microscopa son: Magnificacion mayor, resolucion menor y nitidez mayor. Es una tecnica
netamente superficial.
FM de no contacto esta en la zona atractiva de lennard Jones. La fuerza esta en el orden de los pica newton
F (z) = kz +mz, k modula la vibracion. este analisis de no contacto es para proteger la muestra si esta es muy
delicada y propensa a danarse por la punta del AFM.
MFM microscopa de fuerza magn etica : Proviene de la AFM de no contacto. Mide remanencia de
magnetizacion en una muestra. Comportamiento de la magnetizacion.
LFM microscopa de fuerza lateral: Permite ver las diferentes zonas de friccion de la muestra. Necesita
un detector de cuatro Campos para ver componentes en direccion vertical y horizontal.
FMM microscopa por modulaci on de fuerza: Se usa para sensar modulos de Young. Mapear los
modulos. Determina que zonas son mas rgidas y cuales menos rgidas.
Bandas del espectro: Son las interferencias constructivas, los puntos maximos gracias a la ley de difraccion
de Bragg.
Configuraci on DRX: El detector y el emisor de rayos x pueden estar a igual velocidad angular o el detector
puede ir a 2 veces la velocidad del emisor para que la expresion quede de una vez expresada en sen2 en la ley
de Bragg.
XPS: Espectroscopia foto-electronica de rayos x. Nos da informacion composicional qumica. En los espec-
tros se ven solo dobletes o singletes dependiendo del efecto spin-orbita del cada orbital. A partir de la intensidad
de pico puedo hallar la concentraci on del elemento, pero la expresion es complicada.
Chapter 5
Espectroscopia Mossbauer-MS
Esta tecnica estudia las propiedades electricas, magneticas y estructurales. Los elementos mas estudiados por
MS son Fe y Sn.
Sistema paramagn
etico: atomos con momento magnetico debil, respuesta en campo magnetico.
Sistema diamagn
etico: el momento magnetico =0. Magnetizacion muy debil y opuesta al campo apli-
cado.
Sistema ferromagn
etico: momentos magneticos de atomos vecinos tienen igual magnitud y se ordenan
paralelamente.
Magnetizacion
=
M
neto
(5.1)
V
Transici on de Curie: (temperatura de transicion magnetica) Temperatura a la cual los momentos magneticos
apuntan en cualquier direccion. Disminuye o desaparece la magnetizacion espontanea del material. Es re-
versible (ferromagnetico a paramagnetico)
Paredes de dominio: Se forman para minimizar la energa magnetica del solido. El espesor de la pared de
dominio es muy peque
no con el objetivo de disminuir el n
umero de ejes faciles de magnetizacion.
Magnetizaci on en solidos: Reorientaci on gradual de los dominios magneticos bajo la accion de un campo
magnetico externo: explica la histeresis magnetica.
14
CHAPTER 5. ESPECTROSCOPIA MOSSBAUER-MS 15
M
Msat
Mrem
(H)
B
E1 transicion Ee Eg
v foton (nucleo)
E0 Eg Eg
nucleo 1 nucleo 2
P0 = 0
nucleo excitado
PN
v
Pf = k
y
x
P0 = Pf inal
0 = Pf + PN
por lo tanto Pf = PN (ecc. a)
(ecc. b)
PN = mN vN = mN vn ux (5.2)
(ecc. c)
2
Pf = kux = ux = ux (5.3)
2
las ecc. b y c en a:
mN vN ux = ux (5.4)
CHAPTER 5. ESPECTROSCOPIA MOSSBAUER-MS 16
(ecc. d)
1mN E 2 E2
R= = (5.6)
2 m2N c2 2mN c2
E = E0 R (5.7)
Sustituyendo ecc. e en d: [ ( )2 ]
R
E02 1
(E0 R)2 E0
R= = (5.8)
2mN c2 2mN c2
Para el 57 F e el isotopo mas estudiado de la tabla periodica: ER0 1, entonces el termino entre corchetes es
aproximadamente 1, por lo tanto:
E02
R= (5.9)
2mN c2
El efecto Mossbauer solo se produce en isotopos tales que R , : anchura natural de lnea para la emision
de E0 .
Si E0 es alto entonces R es alto.
Si mN es alto entonces R es bajo.
I(E)
I
E
E E
E
I(E)
R Nucleo emisor
Bhf [T]: Campo magnetico hiperfino. Densidad de flujo magnetico que experimenta el n
ucleo Mossbauer.
CHAPTER 5. ESPECTROSCOPIA MOSSBAUER-MS 18
Momento nucleo
Nucleo
hf
B
IS [mm/s] Corrimiento isomerico - Isomer Shift) La energa medida en escala de velocidad. Este parametro
da cuenta de la probabilidad de hallar un electron penetrando el n
ucleo Mossbauer. Da cuenta del estado de
oxidacion de los atomos Mossbauer. Estado de spin (HS, LS)
QS [mm/s] Interacci on cuadrupolar electrica Da cuenta de la simetra de la celda cristalina de los atomos
Mossbauer en la muestra. Es altamente sensible a la distribucion de los ligandos que rodean el n
ucleo Mossbauer
(los vecinos por ejemplo atomos o grupos funcionales.)
5.5 Corrimiento isom
erico () - Singlete
La contribucion del Hamiltoniano
2
HIS = Ze2 R2 |(0)|2 (5.10)
3
Donde Z: n
umero atomico, R: radio promedio del nucleo, : funcion de onda de los electrones.
z
dz
dx
dy
r |(r)|2 dv
b y
Nucleo |(r = 0)|2 dv
5.6 Interacci
on cuadrupolar el
ectrica - Doblete
E
eQ
CHAPTER 5. ESPECTROSCOPIA MOSSBAUER-MS 19
5.7 Interacci
on magn
etica hiperfina - Sexteto
Llamado tambien efecto Zeeman nuclear. Se remueve completamente la degeneracion de los estados del n
ucleo
Mossbauer
H
5.8 Espect
ometros Mossbauer
La espectroscopia Mossbauer se basa en el efecto Mossbauer, es decir, en la absorcion resonante de rayos gamma
sin perdida de energa por retroceso. De las transiciones del efecto Mossbauer la mas observada es la transicion
de 14,4keV del 57 F e. La caracterstica de esta transicion y su abundancia isotopica relativa (2%) hace posi-
ble trabajar a condiciones experimentales razonables y usando cantidades razonables de muestras (orden de
mg).
Debido a la energa de los electrones implicados en el proceso, se puede obtener informacion de los 300nm
superiores a la muestra, aunque esta informacion proviene principalmente de los 50nm mas externos de la mues-
tra. Puede ser sensible a una monocapa. Las mediciones de estos electrones se pueden hacer teniendo en el
espectrometro un contador de avalancha de placas paralelas.
CEMS
El metodo adecuado para el estudio de superficies mediante espectroscopia Mossbauer es el basado en la de-
CHAPTER 5. ESPECTROSCOPIA MOSSBAUER-MS 20
teccion de los electrones emitidos por el absorbente subsiguientemente a la absorcion resonante nuclear. Tras
la absorcion resonante nuclear, el n
ucleo absorbente puede volver a su estado fundamental por dos camino:
Mediante la emision de un foton de la energa de transicion, E0 .
Por un proceso de conversi on interna.
El coeficiente de conversi
on interna se define como
Ne
= (5.12)
N
Donde Ne y N son la cantidad de electrones y fotones respectivamente emitidos por la muestra en el mismo
lapso de tiempo.
El proceso de conversi
on interna es mas probable para los electrones de la capa k (electrones s), los cuales
tienen una densidad de probabilidad no nula de penetrar en el volumen nuclear, y menos probable, para los
electrones pertenecientes a niveles atomicos superiores. Si definimos el coeficiente de conversion interna para la
capa k como:
Nk
k = (5.14)
N
Entonces = k +l +m +...
Tras el proceso de relajacion nuclear por el modo de conversion interna, el atomo al que pertenece el n
ucleo
absorbente queda ionizado en uno (o varios) nivel(es) interno(s) y puede volver a su estado fundamental por
mecanismos de emision de rayos x fluorescentes o por la emision de electrones Auger. El esquema muestra el
proceso durante la desexcitacion.
e e
conversion Auger
muestra
Absorcion resonante
CHAPTER 5. ESPECTROSCOPIA MOSSBAUER-MS 21
En el proceso de desexcitacion del 57 F e, este re-emite principalmente fotones de 14.4keV, rayos x fluorescentes
de 6.3keV, electrones de conversi
on de 7.3keV y electrones Auger de menor energa. Estas radiaciones generadas
durante la desexcitacion se denominan radiaciones resonantes.
Otra posibilidad de generar electrones resonantes, con menor probabilidad, es que el rayo x fluorescente de
6.3keV interactue con otro atomo por efecto fotoelectrico y genere a su vez un nuevo electron que se designe por
XPE (x ray photoelectron). Existen otros procesos con menores probabilidades de generar electrones resonantes
como: que el foron gamma de 14.4 keV procedente de la des-excitacion del 57 F e sea absorbido resonantemente
por otro nucleo 57 F e cuya desexcitacion podra generar de nuevo, por los mismos mecanismos antes citados,
electrones de conversion.
En principio el registro de cualquier tipo de radiacion resonante en funcion de la velocidad de la fuente permite
obtener un espectro Mossbauer. La tecnica basada en la deteccion de los electrones de conversion se conoce
como CEMS. La distancia que la radiacion retrodispersada puede recorrer a traves del absorbente hasta emerger
a la superficie depende de la naturaleza del absorbente, de la naturaleza de la radiacion (foton, electron) y de
su energa.
Los rayos tienen una penetracion en el solido de decimas de milmetros, mientras que los rayos x de 6.4keV
tienen una penetracion del orden de micras. Los electrones de conversion de 7.3keV tienen un poder de pene-
tracion menor. Probabilidad casi nula de penetracion a materiales mayor a 300nm.
ICEMS
Se detectan todos los electrones re-emitidos por la muestra tras la absorcion resonante nuclear independien-
temente de su energa. La naturaleza de estos electrones es muy variada y tambien lo es su distribucion de
energas, que vara desde cero hasta un lmite superior cercano a la energa de conversion k de 7.3keV.
existen electrones de conversi on y Auger sin perdida de energa
existen electrones de conversi on y Auger con perdida de energa
existen electrones no resonantes (por efecto Comptom y fotoelectrico) debido la interaccion de fotones de
la fuente (fotones Mossbauer 14,4keV, fotones de 122 y 136,3keV de desintegracion 57 Co)
He gas
e
muestra Fuente
57 F e 57 Co
Preamplificador
Alto voltage
DCEMS
Este analisis implica varias etapas
Seleccion de la energa de los electrones emergente de la superficie.
Registro de espectros Mossbauer con los electrones seleccionados.
Estimacion de la probabilidad de origen de los electrones en funcion de dicha energa, para realizar la asig-
nacion del espectro correspondiente.
La seleccion de la energa de los electrones implica el uso de sistemas de deflexion electroestatica o magnetica,
es decir, analizadores de electrones y por lo tanto requiere ultra alto vaco. Este metodo conlleva ciertas di-
ficultades como los electrones cuya energa se debe seleccionar en el analizador tienen que ser generados por
irradiaci
on de la fuente y estan, a su vez, tiene que ir acoplada al trasductor, la configuracion del analizador
debe adaptarse a estas circunstancias.
Ademas los electrones son solo una fraccion del haz de electrones que entra al analizador procedente de
la muestra, ademas, la radiacion procedente de la fuente emite rayos x, gamma, fotoelectrones, electrones
Comptom y secundarios que pueden contribuir al fondo del espectro.
La luminosidad de los analizadores DCEMS debe ser lo mas alta posible. El empleo de analizadores cilndricos
se ha abandonado pese a su excelente resolucion (1%) ya que su luminosidad es escasa. Los analizadores esfericos
son mas apropiados ya que son muy simples, resolucion adecuada (2-3%) y buena luminosidad (13-15%).
14000
Cuentas
Auger KLL
Conversion K
Auger LMM
Auger KLM
2000
Energia (eV)
2000 6000 8000
La anterior figura es el espectro de electrones emitidos por una fuente de 57 Co registrada por un analizador
esferico electroestatico. Los picos bien definidos son electrones resonantes (de conversion y Auger) que emergen
de la superficie sin haber sufrido perdidas energeticas por colisiones inelasticas.
CHAPTER 5. ESPECTROSCOPIA MOSSBAUER-MS 23
Se ha descrito que se puede obtener un aumento de la sensibilidad superficial si se detectan electrones reso-
nantes, ya de muy baja energa (15ev) o bien electrones Auger LMM del Fe de 570ev, ambos con profundidad
de escape semejante. Este modo de operacion genera otras dos tecnicas:
LEEMS (Low Energy Electron Mosbauer Spectroscopy)
AEMS (Auger Electron Mossbauer Spectroscopy)
Para emplear DCEMS se requieren fuentes muy activas (con los problemas de manipulacion que eso acarrea)
y que es obligatorio enriquecer las muestras con 57 F e (aun as los tiempos de muestreo con altos: das-semanas).
Ademas, el vaco hace la tecnica muy costosa y cara de mantener. DCEMS es muy compleja y escasa.