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HILTON ANDRADE DE MELLO

RONALDO SRGIO DE BIASI

INTROOUCAo
,
A
FISICA
, DOS
I SEMICONDUTORES

I
I
I
I
I
I
I
I
1
I
I ~
I "
I "
I .,"
I
I .,' "
.,'
.~----------------
~~MEC
I NTRODUCO FSICA
I

DOS SEMICONDUTORES
FICHA CATALOGRFICA
(Preparada pelo Centro de Catalogao-na-fonte,
Cmara Brasileira do Livro, SP)

Meio, Hilton Andrade de.


M485i Introduo fsica dos semicondutores Ipor 1 Hilton
Andrade de Mello [a [Bonaldo Srgio de Biasi. So Paulo,
Edgard Blcher; Braslia, INL, 1975.
p. ilust.

Bibliografia.
1. Semicondutores I. Biasi, Ronaldo Srgio de, 1943-
11. Instituto Nacional do Livro. 111. Ttulo.

COO: 537.622
CCF/CBL/SP-75-1026 COU: 536.311

ndice para catlogo sistemtico (CDD):


1. Semicondutores: Fsica 537.622
Eng.o HILTON ANDRADE DE MELLO
Engenheiro Eletrnico e Nuclear; Enq," pela Stanford University,
California, EUA; Chefe do Laboratrio de Instrumentao e
Controle do Instituto de Engenharia Nuclear

Ph. D. RONALDO SRGIO DE BIASI


Engenheiro Eletrnico; Ph. D. pela University of Washington,
Washington, EU A; Professor de Fsica do Estado Slido
do Instituto Militar de Engenharia

INTRODUCO FSICA I

DOS SEMICONDUTORES

EdiTORA EDGARD BLUCHER lTdA.


EM CONV~NIO COM O INSTITUTO NACIONAL DO LIVRO-
- MINISTRIO DA EDUCAO E CULTURA
1975 Editora Edgard Blcher Ltda.

Este livro foi coeditado com o Instituto Nacional do Livro/Mi-


nistrio da Educao e Cultura, dentro do Programa do Livro
Didtico-Ensino Superior, patrocinado pela Secretaria de Plane-
jamento da Presidncia da Repblica.

proibida a reproduo total ou parcial


por quaisquer meios
sem autorizao escrita da editora

EDITORA EDGARD BLCHER LTDA.


O 1000CAIXA POSTAL 5450 - RUA PEIXOTO GoMIDE, 1400
END. TELEGRFICO: BWCHERLIVRO - FONES (011)287-2043 E 288-5285
SO PAULO - SP - BRASIL

Impresso no Brasil Printed in Brazil


A nossas esposas

MARIA DE PAULA
e
MARLIA
Contedo

Introduo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. IX
Constantes fsicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. XI
Parmetros de alguns semicondutores a 27 DC XII
1. Consideraes clssicas sobre a estrutura atmica................ 1
2. Noes bsicas de mecnica quntica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
3. Aplicaes da mecnica quntica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 13
4. Noes de cristalografia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 27
5. Aplicao da mecnica quntica a um cristal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 42
6. Propriedades bsicas dos materiais semicondutores . . . . . . . . . . . . . . .. 49
7. Distribuies estatsticas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 61
8. Aplicao da distribuio de Fermi-Dirac a um material semicondutor 70
9. Transporte de cargas nos semicondutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 83
10. Junes PN . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . .. 93
11. Transistores de juno 107
12. Outros fenmenos observados nos semicondutores 114

Apndices
A. Teorema de Bloch 119
B. Experincias em semicondutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 121

Respostas e sugestes para os exerccios propostos . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 123


Introduo

Desde a inveno do transistor, o estudo da Eletrnica tem-se concentrado


cada vez mais no projeto e utilizao dos dispositivos semicondutores. Em
conseqncia, passou-se a exigir do estudante de Eletrnica um conhecimento
das propriedades bsicas da matria que at ento no era realmente necessrio
para sua profisso.
Ao mesmo tempo, o estudo dos materiais semicondutores foi includo no
currculo das escolas de Fsca, como uma aplicao de grande interesse prtico
dos conceitos abstratos da Fsica do Estado Slido.
Neste livro, que foi escrito tendo em vista tanto os estudantes de Eletrnica
como os de Fsica, procuramos relacionar as propriedades bsicas dos dispo-
sitivos semicondutores aos conceitos fundamentais da Mecnica Quntica e da
Fsica do Estado Slido.
O Capo 1 uma introduo histrica teoria eletrnica da matria; as
noes fundamentais de Mecnica Quntica so apresentadas no Capo 2.
No Capo 3 so discutidas duas aplicaes importantes da Mecnica Qun-
tica: o estudo da estrutura eletrnica dos tomos e o estudo do Gs de Fermi.
Os conceitos de cristalografia necessrios aos estudo dos slidos so expostos
no Capo 4; no Capo 5, estudamos a aplicao dos princpios de Mecnica Qun-
tica a um slido cristalino, surgindo naturalmente o conceito de faixas de energia
permitidas e faixas proibidas.
O Capo 6 dedicado ao estudo das propriedades bsicas dos materiais
semicondutores; nesse captulo so definidos e discutidos os conceitos de ligao
covalente, buraco, recombinao, impureza, energia de ionizao e massa efetiva.
As distribuies estatsticas, essenciais para a compreenso dos fenmenos
coletivos nos slidos, so examinadas no Capo 7; no Capo 8, a distribuio de
Fermi-Dirac aplicada a um material semicondutor, como meio para calcular
as concentraes de eltrons e buracos.
O Capo 9 trata dos fenmenos de transporte nos semicondutores, introdu-
zindo os conceitos de mobilidade e difuso.
Os Caps. 10 e 11 mostram que os conceitos desenvolvidos nos captulos
anteriores podem ser aplicados diretamente aos dois dispositivos semicondu-
tores mais usados na prtica: os diodos semicondutores (Cap. 10) e os tran-
sistores de juno (Cap. 11).
O Capo 12 trata de alguns fenmenos importantes que no foram discutidos
nos captulos anteriores: Luminescncia, Efeito Tnel e Efeito Hall.
O Teorema de Bloch, essencial para a compreenso dos fenmenos de
conduo nos slidos, demonstrado no Apndice A; o Apndice B uma lista
de referncias a experincias simples que ilustram os fenmenos estudados
neste livro.
No final de cada captulo, o leitor encontrar uma srie de exerccios. As
respostas ou sugestes para alguns exerccios - assinalados com um asterisco -
se encontram no final do livro.
Queremos expressar nossos agradecimentos a todos que colaboraram
conosco, em especial ao fsico Luiz Teimo Auler por seus comentrios e suges-
tes, ao Sr. Luis Antonio Costa Ferreira pela cuidadosa execuo das ilustraes,
e Sr". Eneida A. Mendona pelo excelente trabalho de datilografia dos originais.

H.A.M.
R.S.B.
CONSTANTES FSICAS
Smbolo Nome Valor e unidade
Gerais
c velocidade da luz no vcuo 2,998 x 108 m/s
L nmero de Loschmidt 2,69 x 1025 m-3
No nmero de Avogadro 6,0225 x 1023 moi-I
k constante de Boltzmann 1,381 x 1O-23J/K

Atmicas
h constante de Planck 6,626 x 10- 34 J-s
fi hl2n 1,054 x 10- 34 J-s
ao raio de Bohr 5,292 x 10- 11 m

Eltricas
Eo permissividade do vcuo 8,854 x 10-12 Fim
110 permeabilidade do vcuo 1,257 x 1O-6H/m

Partculas
me massa de repouso do eltron 9,108 x 10- 31 kg
Mp massa de repouso do prton 1,672 x 10- 27 kg
Mn massa de repouso do nutron 1,675 x 1O-27kg
q valor absoluto da carga do eltron 1,601 x 10-19 C

Gases
Ro constante dos gases perfeitos 8,31 Jjmol-K
PARMETROS DE ALGUNS SEMICONDUTORES A 27C
Ge Si GaAs
22 22
Densidade (tomos/em") 4,42 x 10 5,00 X 10 2,21 X 1022
Constante da rede (nm) 0,556 0,543 0,565
Massa especfica (g/cm'') 5,32 2,33 5,32
Largura da faixa proibida (eV) 0,67 1,11 1,40
Concentrao intrnseca
(portadores/em") 2,40 x 1013 1,45 X 1010 9,00 X 106
2
Mobilidade (cm jY s):
Eltrons 3900 1350 8600
Buracos 1900 480 250
Constante dieltrica 16,3 11,7 12,0
Densidade efetiva de estados:
Faixa de conduo: Nc(cm-3) 1,04 x 1019 2,80 X 1019 4,70 X 1017
Faixa de valncia: N,,(cm-3) 6,00 x 1018 1,04 X 1019 7,00 X 1018
1 Consideraes clssicas sobre
a estrutu ra atm ica

No incio deste sculo, no havia unanimidade entre os cientistas a respeito


da estrutura dos tomos. Thomson (1907)(*) props um modelo segundo o qual
as partculas positivas e negativas estariam uniformemente distribudas em
todo o tomo.
Experincias realizadas com partculas alfa (ncleos de hlio) emitidas
por uma substncia radioativa mostraram que essas partculas sofrem um desvio
quando atravessam uma lmina fina de ouro ou prata. O desvio chamado de
espalhamento. De acordo com o modelo de Thomson, o ngulo de espalhamento,
0, deveria ser sempre menor que 90, como na Fig. 1.1 (a).
Entretanto, as experincias de Geiger e Marsden (1909) mostraram que
algumas das partculas alfa sofrem um desvio maior que 90, como na Fig. 1.1 (b).

--,~---
Au
+

<,
-, -,
<,

Figura 1.1 Espalhamento de partculas alfa: (a)

(a) ngulo 0 < 90; (b) ngulo 0> 90 +


Au

------[7---
/ e
/
/
/ (b)
/

Para explicar esse fato, Rutherford (1911) sugeriu que as partculas que
constituem o tomo no esto uniformemente distribudas, mas que toda a
carga positiva est concentrada em uma regio central (ncleo), enquanto que
a carga negativa est distribuda em torno da regio central.
Posteriormente, verificou-se que a regio central do tomo (ncleo) cons-
tituda por dois tipos diferentes de partculas, o prton, que possui uma carga
eltrica positiva, e o nutron, que no possui carga eltrica. As cargas negativas
distribudas em torno do ncleo foram associadas s partculas chamadas eltrons,
que possuem carga eltrica negativa. As cargas e massas dos trs tipos de part-
culas esto indicadas na Tab. 1.1.

(*)No final do captulo o leitor pode encontrar a referncia completa


2 Introduo fsica dos semicondutores

Tabela 1.1

Partcula Massa Carga eltrica

Eltron me = 9,1083 x 10- 31


kg -1,609 X 10-19 coulomb
Nutron Mn = 1838,65 me O
Prton M p = 1836,12 me + 1,609 X 10-19 coulomb

o tomo em seu estado normal eletricamente neutro; como a carga do


prton tem o mesmo valor numrico que a carga do eltron, o nmero de eltrons
em um tomo deve ser igual ao nmero de prtons no ncleo. Esse nmero
chamado de nmero atmico e representado pela letra Z. A soma do nmero
de prtons e do nmero de nutrons chamada de nmero de massa e repre-
sentada pela letra M. Sem nos preocuparmos com a distribuio dos eltrons
em torno do ncleo, podemos representar esquematicamente um tomo como
na Fig. 1.2.
E lt rons

Figura 1.2 Representao esquemtica de um


tomo

Nosso prximo passo ser o estudo da distribuio dos eltrons em torno


do ncleo. Antes, porm, convm mencionar um outro fenmeno, estudado por
Planck, cuja explicao serviu de base para a formulao de duas importantes
teorias: a teoria da emisso fotoeltrica de Einstein e a teoria do espectro do
hidrognio de Bohr, Trata-se do estudo da distribuio da energia irradiada
por um corpo negro'"? em funo do comprimento de onda da radiao (Rayleigh,
1900 - Jeans, 1905). Quando o problema do corpo negro resolvido utilizando-se
a teoria eletromagntica clssica, chega-se concluso de que a intensidade da
radiao do corpo negro deve variar inversamente com a quarta potncia do
comprimento de onda. Na Fig. 1.3 vemos os resultados previstos usando a teoria
eletromagntica clssica e os resultados experimentais.
A frmula de Rayleigh-Jeans concorda com os dados experimentais para
grandes comprimentos de onda, mas conduz a resultados absurdos para pequenos
comprimentos de onda. Planck (1901) verificou que admitindo que o corpo
1*ICorpo negro definido como qualquer corpo cuja emissividade igual a 1, isto , qu irradia
energia com o mximo possvel de eficincia. O corpo negro tambm tem um fator de absoro uni-
trio, isto , absorve toda a energia que incide sobre ele
Consideraes clssicas sobre a estrutura atmica 3

lei de
Rayleigh-Jeans

~
(!}
a:
w
z
w

COMPRIMENTO DE ONDA

Figura 1.3 Distribuio espectral da energia irradiada pelo corpo negro. A teoria ele-
tromagntica clssica conduz Lei de Rayleigh-Jeans, segundo a qual R). = 2n ckTr4

negro no irradia continuamente, como a teoria eletromagntica clssica prev,


mas em quanta'"" de energia, cada quantum com uma energia hv onde v a
freqncia da radiao e h uma constante escolhida convenientemente, era
possvel obter uma boa concordncia com os dados experimentais. Planck
atribuiu a h o valor de 6,55 x 10-27 erg-s.
evidente que uma proposio arbitrria como a de Planck, que contra-
riava a estabelecida teoria eletromagntica de Maxwell, no teve grande recep-
tividade por parte dos cientistas da poca. Entretanto, Einstein (1905) utilizou
a hiptese de Planck para explicar com grande sucesso o fenmeno da emisso
fotoeltrica, que consiste na emisso de eltrons por um metal quando este
exposto a uma fonte Iuminosa'"?",
Passemos agora ao estudo do movimento dos eltrons em torno do ncleo.
Como o eltron possui uma carga eltrica e est em movimento, deveria, de
acordo com a teoria eletrodinmica clssica, irradiar energia continuamente.
Em conseqncia, no existiriam tomos estveis, ao contrrio do que se observa
na prtica. Essa contradio permaneceu at que Bohr (1913, 1915), contra-
riando as leis da eletrodinmica clssica, props que o eltron gira em torno
do ncleo em rbitas estveis, nas quais no emite energia eletromagntica.
Bohr props ainda que as rbitas nas quais o eltron no irradia so rbitas
estacionrias, tais que o momento angular(***l do eltron igual a um nmero
'*'Quanta o plural de quantum
'**'De acordo com Einstein, o fenmeno fotoeltrico representado pela equao: hv = mv2/2 +
+ </>, onde hv o quantum da luz, mv2/2 a energia cintica com que o eltron emitido e </> a funo
trabalho do material, que corresponde energia necessria para deslocar o eltron at a superficie
do metal
,u*IDe um modo geral, chamamos de momento angular o momento da Quantidade de movimento
(m . ;) em relao ao ponto considerado (definido pelo raio vetor r):
momento angular = m . ~ x r
(Nessa expresso x significa produto vetorial)
4 Introduo fsica dos semicondutores

inteiro de h/2n, onde h a mesma constante usada por Planck:


momento angular = mvr = nh/2n
onde n um nmero inteiro.
Finalmente, Bohr introduziu outra hiptese, baseada nos estudos de Planck.
Ele sups que quando o eltron passa de uma rbita de energia E2 para uma
rbita de energia E1 (E2 > E1), irradia energia com uma freqncia tal que a
relao de Planck satisfeita, isto , E2 - E 1 = hv.
Vamos aplicar as hipteses de Bohr ao caso simples do tomo de hidro-
gnio, que possui apenas um eltron. Suponhamos que esse eltron est descre-
vendo uma trajetria circular em torno do ncleo (Fig. 1.4).

Figura 1.4 Representao esquemtica do tomo


de hidrognio

Para que a rbita seja estvel, a fora de atrao que o ncleo exerce sobre
o eltron deve ser equilibrada pela fora centrfuga resultante do movimento
de rotao; isto <*),

(Eq. 1.1)
onde
q a carga do eltron,
m a massa do eltron,
v a velocidade tangencial do eltron,
r o raio da rbita.
A energia total do eltron a soma da energia potencial e da energia cin-
tica; isto ,
mv2 q2
E = Ec + Ep = ----4- - (Eq. 1.2)
2 TCEO r
Vamos agora introduzir a restrio de que o momento angular deve ser
um nmero inteiro de h/2n:
mvr = nh/2n (Eq. 1.3)
<*)0 leitor deve observar que estamos usando o sistema MKS racionalizado, no qual a fora
de atrao entre duas cargas ql e q2 dada por F = Q1Q2/47CEor2, Caso estivssemos usando o sis-
tema no-racionalizado, teramos
Consideraes clssicas sobre a estrutura atmica 5

De acordo com as Eqs. 1.1, 1.2 e 1.3, temos


mq4
E =- 8E2n2h2 (Eq. 1.4)
o
Para duas rbitas 1 e 2, as energias sero dadas por
mq" mq"
El =- 2 2 2 ' E2 =- 2 2 2 ' (Eq. 1.5)
SEonlh 8Eon2h
onde os nmeros inteiros n1 e n2 caracterizam as duas rbitas.
A diferena de energia entre as duas rbitas dada por

!!.E = E2 -
m
El = 8 ;h42
Eo
(~-4\n1 n2)
= hv. (Eq. 1.6)

Finalmente, a freqncia v da radiao dada por

o
v =
1 2,
8:;:3 (:2 - n
12) . (Eq. 1.7)

O resultado anterior, obtido por Bohr, est de pleno acordo com os resul-
tados experimentais. Na verdade, os espectroscopistas j haviam observado o
espectro do hidrognio, chegando a frmulas empricas que permitiam prever
as radiaes monocromticas emitidas. Essas frmulas eram usadas para cal-
cular, no o comprimento de onda ou a freqncia, mas o chamado nmero
de onda (freqncia da radiao dividida pela velocidade da luz). Rydberg, por
exemplo, mostrou que as sries observadas por Lyman, Balmer e Paschen podiam
ser enquadradas na frmula geral seguinte:

nmero de onda = R (~-~} (Eq. 1.8)

onde M e N so nmeros inteiros e R a chamada constante de Rydberg (R =


= 109,737 em - 1).
Em termos de nmeros de onda, a expresso obtida por Bohr (Eq. 1.6)
pode ser escrita:

nmero de onda = Q':!zqh: (~-~), (Eq. 1.9)


=0 c n1. n2
ou

nmero de onda = R' (4-4\


n n j 2)
(Eq. 1.10)

onde:
4
R' - ---.!!!L
- 8E~h3C
A constante R' que aparece na Eq. 1.10 concorda excepcionalmente bem
com o valor experimental (R) obtido por Rydberg.
Na Fig. 1.5 ilustramos algumas transies entre rbitas permissveis para
o tomo de hidrognio.
Neste ponto pode parecer que o problema est completamente resolvido.
Entretanto quando o espectro do hidrognio examinado com mais cuidado,
verifica-se que as linhas previstas pela teoria de Bohr so na realidade compostas
6 Introduo fsica dos semicondutores

Figura 1.5 Algumas transies correspondentes s linhas do espectro do hidrognio

de vrias linhas muito prximas, que constituem a chamada estrutura fina do


espectro. Esse desdobramento das linhas do espectro, que no previsto na
teoria original de Bohr, pode ser explicado a partir dos princpios da Mecnica
quntica.

EXERCCIOS
<*)1.1.Calcule, usando a Eq. 1.4, o raio da rbita de menor energia do tomo de hidro- .
gnio, o chamado raio de Bohr.
(*)1.2.Calcule as freqncias das radiaes correspondentes srie de Lyman e srie
de Balmer,

REFERNCIAS
BOHR, N., "On the Constitution of Atoms and Molecules", Phi/. Mag. 10, 91 (1905).
BOHR, N., "On the Quantum Theory of Radiation and the Structure of the Atom", ibid.,
30 (1915).
EINSTEIN, A., "Uber einen die Erzengung und Verwandlung des Lichtes be treffenden
heuristischen Gesichtspunkt", Ann. Physik 17, 132 (1905).
GEIGER, H. e E. MARSDEN, "On a Diffuse Reflection of the ct - Particles", Proc.
Roy. Soco 82, 495 (1909).
GEIGER, H. e E. MARSDEN, "The Laws of Deflection of (1. - Particles Through Large
Angles", Phil. Mag. 25, 604 (1913).
JEANS, J. H., "On the Partition of Energy between Matter and Aether", Phil. Mag. 10,
91 (1905).

(*IAs respostas e/ou sugestes para os exerccios em todo o livro, indicados com (*l,esto no
Iinal do livro
Consideraes clssicas sobre a estrutura atmica 7

PLANCK, M., "Uber das Gesetz der Energieverteilung in Normalspectrum", Ann. Physik 4,
553 (1901).
RAYLEIGH, J. W., "Remarks upon the Law of Complete Radiation", Phil. Mag. 49,
539 (1900).
RUTHERFORD, E., "The Scattering of IX - and f3 - Particles by Matter and the Struc-
ture of the Atom", Phil. Mag. 21, 669 (1911).
THOMSON, J. J., The Corpuscular Theory of Mat ter, (New York: Charles Scribner 's
Sons, 1907), 103.

BIBLIOGRAFIA
Beiser, A., Conceitos de Fsica Moderna (So Paulo: Editora Polgono, 1969).
Boorse, H. A. e Lloyd Motz, eds., The World of lhe Atom (New York: Basic Books, 1966).
Lopes, J. L., Introduo Teoria Atmica da Matria (Rio de Janeiro; Ao Livro Tcnico,
1959).
2 Noes bsicas de mecnica
quntica

Como vimos no captulo anterior, provara-se que a teoria de Bohr continha


os fundamentos necessrios soluo do problema do espectro dos tomos.
Conceitualmente, a maior dificuldade dessa teoria estava associada prpria
idia de quantizao, usada por Planck, Einstein e Bohr, esse ltimo quanti-
zando inclusive o momento angular. Qual a justificativa para a hiptese de que
a energia e o momento angular tinham que ser mltiplos de uma certa constante?
Por que a mecnica clssica resolvia alguns problemas com preciso suficiente,
enquanto em outros problemas levava a resultados absurdos? Existiria uma
teoria mais geral, da qual a mecnica clssica seria apenas um caso particular?
Um grande passo para resolver essas dificuldades foi dado em 1924, quando
de Broglie (1925, 1926) apresentou sua teoria ondulatria da matria. De acordo
com de Broglie, a matria no apenas corpuscular, mas qualquer partcula
tambm possui propriedades ondulatrias, sendo caracterizada por um compri-
mento de onda dado por
r = -,h (Eq. 2.1)
mv
onde h a constante de Planck, m a massa e v a velocidade da partcula.
Essa hiptese de de Broglie no pode ser demonstrada teoricamente, mas
Davidson e Germer (1927) mostraram que os eltrons so difratados por uma
substncia cristalina e os comprimentos de onda observados so exatamente
os previstos pela teoria de de Broglie.
interessante notar que a teoria proposta por de Broglie d um carter
todo especial s orbitas estacionrias imaginadas por Bohr. De acordo com as
Eqs. 1.3 e 2.1, o permetro da circunferncia de uma rbita de Bohr dado por
c = Znr = 2n nh/2n = n ~
= n (Eq. 2.2)
mv mv
Assim a concepo de de Broglie d s rbitas previstas por Bohr o signi-
ficado de que a circunferncia da rbita igual a um nmero inteiro de compri-
mentos de onda do eltron (onda estacionria). A Fig. 2.1 ilustra esse fato.
Em 1925, Schroedinger criou a Mecnica ondulatria (Schroedinger, 1926),
partindo da equao clssica que descreve as ondas estacionrias e usando a
concepo de de Broglie para definir o comprimento de onda do eltron. Com
isso chegou a uma equao, atualmente conhecida como equao de Schroe-
dinger,que, convenientemente interpretada, conduz soluo geral do problema
das rbitas dos eltrons.
Na mesma poca em que Schroedinger publicou seus trabalhos sobre
Mecnica ondulatria, Max Bom e Werner Heisenberg criaram a chamada
Mecnica matricial'>', que primeira vista era independente da formulao

C*IA formulao matricial envolve o uso de operadores que geralmente so estudados em


cursos mais avanados
Noes bsicas de mecnica quntica 9

Figura 2.1 Onda estacionria


jJ
Ncleo

de Schroedinger. Estudos subseqentes demonstraram a total equivalncia das


duas teorias, que atualmente so englobadas sob a designao geral de Mecnica
quntica. Neste captulo adotaremos a formulao de Schroedinger, j que o
uso da Mecnica matricial exige uma matemtica mais sofisticada.
Do ponto de vista didtico, o maior problema do estudo da Mecnica
quntica o carter postulatrio da apresentao. Em outras palavras, a equao
de Schroedinger tem como nica justificativa o fato de que sua aplicao conduz
a resultados tericos que concordam com os dados experimentais.
Outro ponto que contribui para a dificuldade da Mecnica quntica o
seu carter probabilstico. Vamos estudar, por exemplo, uma funo que se
relaciona probabilidade de encontrarmos um eltron em um determinado
estado. Na Mecnica quntica nunca sabemos com certeza se o eltron est
no estado A ou no estado B; tudo que conhecemos a probabilidade de que
esteja em cada um desses estados.
Schroedinger props que o movimento de um eltron submetido a um
potencial Vobedece seguinte equao:

h2 [82
2m
82
fi? + 8y2 + a?
82 J....
!/I(r, t) -Ver,
.... -+
t)l/I(r, t)
h 8 !/I (;, t)
= T -8-t -, (Eq. 2.3)

onde h = hj2rr.; x, y e z so as coordenadas do eltron; -; o raio vetor que define


a posio do eltron; t o tempo; m a massa do eltron e Ver,
t) o potencial a
que est submetido o eltron.
A funo 1/1(-;, t) que aparece na Eq. 2.3 chamada de funo de onda do
eltron. Como a quantidade i = Ftaparece explicitamente no segundo mem-
bro da Eq. 2.3, a funo de onda em geral uma funo complexa. Mas isso
equivale a dizer que no podemos atribuir-lhe significado fsico algum. O que
possui significado fsico o mdulo da funo I/I(r, t). Postula-sev" que o qua-
drado do mdulo da funo de onda representa a densidade de probabilidade -

(*)No existe qualquer argumento terico que justifique a interpretao atribuda a t/t(;, t).
Por isso, aconselhamos o leitor a aceitar a Equao de Schroedinger da mesma forma como aceitou
a Lei da Gravitao Universal de Newton
10 Introduo fsica dos semicondutores

probabilidade por unidade de volume e por unidade de tempo - de encontrarmos


o eltron entre; e ; + d; e entre t e t + dto Em outras palavras, se chamarmos
de p(r, t) a probabilidade de encontrarmos o eltron entre; e ; + d; e entre
t e t + dt, teremos
pC;, t) = IljJ(;, t) 1
2
dxdydzdt: (Eq. 2.4)

Se chamarmos de PCr, t) a densidade de probabilidade, teremos


PC;, t) = IljJ(;, t) 1
2 = ljJ(r, t) '1/1*(;, t), (Eq. 2.5)

onde 1/1*(;, t) o complexo conjugado de I/I(r, t).


A Eq, 2.3 a Equao de Schroedinger para o caso geral em que o poten-
cial V funo das coordenadas espaciais e do tempo. Quando o potencial
funo apenas das coordenadas espaciais, a equao fica bem mais simples.
Suponhamos que o eltron est submetido a um potencial V(;) independente
do tempo. Nesse caso, podemos usar o mtodo de separao de variveis para
resolver a equao diferencial 2.3. A idia tentar':" escrever a funo de onda
ljJ(;, t) como produto de duas funes, uma que s depende das coordenadas
espaciais, ljJ(r), e outra que s depende do tempo, T(t).

1/1(;, t) = 1/1(;) . T(t). (Eq. 2.6)


Substituindo a Eq. 2.6 na Eq. 2.3, obtemos
. h2 [82 82 82 ] ~ _ _ li 8 _
- -2
2m x
+ -2
y
+ -2
z
ljJ(r) T(t) - Ver) ljJ(r) T(t) = -:- -I/I(r)
I t
. T(t), (Eq. 2.7)

ou
h2 [ 82 82 82] _} _ _ li _ 8T(t)
T(t) - -
{ 2m 8x2
+- +- 1/1(1")- Ver) I/I(r) T(t) = -:-I/I(r) -, (Eq. 2.8)
8y2 8z2 I 8t
e, finalmente,
12 a2 ? ?

2m -8x-z + -8y-Z+ -8z-2 1/1(1') _ h 1 8T(t)


--"'~-I/J-(-=';)------""'-- + Ver) = - T T(t) iJt . (Eq. 2.9)

o primeiro membro da Eq. 2.9 apenas funo das coordenadas espaciais,


enquanto o segundo membro ' apenas funo do tempo. Como no fizemos
qualquer restrio Eq. 2.9, ela deve ser vlida para todos os pontos do espao,
em qualquer instante. Para que isso acontea, preciso que os dois membros
sejam iguais a uma mesma constante. Chamando essa constante de E, devemos
ter

(Eq. 2.10)

(*JMuitas vezes o processo de separao de variveis no permite a soluo da equao. O


leitor pode estudar o assunto em um livro de equaes diferenciais
Noes bsicas de mecnica quntica 11

Obtemos, portanto, duas equaes independentes:

- -
fi2 [ a2
2m
--2
x
a2
+ -2y + -2z
a 2
J _+ t/J(r) V(r) l/J(r) =
.
El/J(r), (Eq.2.11)

aTat(t) = - Efii T(t). (Eq .. 2 12)

A equao original foi desmembrada em duas equaes, uma que s de-


pende das coordenadas espaciais do eltron e outra que s depende do tempo:
A Eq. 2.11 chamada de Equao de Schroedinger independente do tempo.
A interpretao da constante E introduzida na Eq. 2.10 importante. No
segundo termo da Eq. 2.11, a funo de onda l/J aparece multiplicada pela energia
potencial V(r} Assim para que a equao seja dimensionamente correta E deve
ser uma energia. Alm disso, como E uma constante, essa energia deve ser
constante. Ora, de acordo tanto com a Mecnica clssica como com a Mecnica
quntica, a energia total de um sistema constante (Princpio da Conservao
da Energia). Assim, a constante que aparece na soluo da Equao de Schroe-
dinger interpretada como sendo a energia total do eltron (energia cintica
mais energia potencial).
A soluo da Eq. 2.12
T(t) = e-iErlh. (Eq. 2.13)
Assim, de acordo com a Eq. 2.6, temos
t/JCi,t) = l/J(i) e-iErih. (Eq.2.14)
E a densidade de probabilidade dada por!"!
P(r, t) = t/J(r, t) . t/J*(r, t) = l/J*(r) t/J(r). (Eq. 2.15)
A funo t/J(r) possui uma propriedade importante. Suponhamos, por exem-
plo, que estamos estudando o movimento de um eltron em torno de um ncleo.
evidente que em certo instante o eltron estar em algum ponto do espao.
Assim a probabilidade de encontrarmos o eltron em algum ponto do espao deve
ser unitria, de acordo com o conceito clssico de probabilidade. Nesse caso
devemos impor a rjJ(i) a seguinte condio, conhecida como condio de nor-
malizao: .
t/J(r)* . l/J(r) dxdydz = 1
f
todo o espao
(Eq.2.16)

Resumindo, podemos dizer que o movimento de um eltron submetido a


um potencial V que s depende das coordenadas espaciais descrito pelas se-
guintes equaes: .
2 2 2

-fi2 8
[ --2 8 + -2
+ -2 8 ] l/J(r) + [ E- V(r) ] t/J(r) = O; (Eq.2.17)
2m x y z

f T(t)
t(7)* . t/J(7)
= e":",
dxdydz = 1;
(Eq. 2.18)

(Eq. 2.19)

t/J(r, t) = t/J()T(t) = t/J(r) e-iErjh. (Eq. 2.20)


l*)Observe que os fatores e-iEljh, que aparece em .p(;, t), e eiEl;'r, que aparece em .p*(;, tl. se can-
ceIam na Eq. 2.15
12 Introduo f sica dos semicondutores

EXERCCIOS
2.1. Calcule o comprimento de onda de um eltron que foi submetido a uma diferena
de potencial V.
2.2. Por que o modelo de Bohr no explica completamente os resultados experimentais?
2.3. Por que no podemos atribuir sentido fisico algum a t/t? Que significado dado
a 1 t/t12?
2.4. Se o eltron de um tomo de hidrognio substitudo por um mson pi negativo,
temos o chamado tomo pinico. Supondo que a teoria de Bohr se aplica ao tomo
pinico, calcule a freqncia da radiao emitida pelo mson pi ao passar do
primeiro estado excitado para o estado fundamental. (A massa do mson pi
igual a 273 me' onde me a massa do eltron).
<*)2.5. Considere uma partcula de massa m submetida a uma fora F que depende apenas
do deslocamento da partcula em relao a uma certa posio de equilbrio. Um
sistema desse tipo chamado de oscilador harmnico. Definindo a fora aplicada
partcula atravs da equao F = -kx, onde x o deslocamento da partcula
em relao posio de equilbrio e k uma constante de proporcionalidade,
possvel demonstrar que as funes de onda do sistema so dadas por
t/ln(x) = Ane-x2/2Hn(fax), n = 1,2, ... ,
onde

2
!X = :: e Hn o chamado polinmio de Hermite de ordem n.

Determine a constante An'

REFERNCIAS

DAVISSON, C. J. e L. H. GERMER, "Diffraction of Electrons by a Crystal of Nickel",


Phys. Rev. 30, 705 (1927).
de BROGLIE, L., "Recherche Sur Ia Theorie des Quanta", Ann. Phys. 3, 22 (1925).
de BROGLIE, L., "A Tentative Theory of Light Quanta", Phil. Mag. 47, 446 (1926).
SCHROEDINGER, E., Ann. Physik, 79, 361, 489 (1926); 80, 437 (1926) e 81, 109 (1926).

BIBLIOGRAFIA
Dicke, R. H. e J. P. Wittke, Introduction to Quantum Mechanics (New York: Addison-
-Wesley, 1960).
Gamow, G., Mr. Tompkins in Paperback (New York: Cambridge University Press, 1965).
Schiff, L. 1., Quantum Mechanics (New York: McGraw-Hill, 1965).
White, R. L., Basic Quantum Mechanics (New York: McGraw-HiIl, 1966).
3 Aplicaes da mecnica quntica

Agora que dispomos das ferramentas bsicas da Mecnica quntica, po-


demos aplic-Ia a dois exemplos importantes. Em primeiro lugar, estudaremos
a estrutura eletrnica dos tomos, mostrando quais so os estados possveis para
os eltrons de um tomo. No segundo exemplo, vamos examinar as proprie-
dades do chamado Gs de Fermi, de importantes aplicaes para o estudo dos'
materiais semicondutores.

3.1. ESTRUTURA ELETRNICA DOS TOMOS


Consideremos o caso do tomo de hidrognio, representado esquemati-
camente na Fig. 3.1.

-q
Figura 3.1 Representao
tomo de hidrognio
esquemtica do <. Eletron

Nosso problema resolver a Eq. 2.3 para o sistema da Fig. 3.1. Sabemos
que, para o sistema representado, o potencial apenas funo de r e dado por
1 q2
V{r) = -- -' (Eq. 3.1)
47rEo r

O problema se resume portanto soluo de uma equao diferencial.


Infelizmente a soluo completa bastante trabalhosa, de modo que nos li-
mitamos a reproduzir aqui os resultados, deixando os pormenores para uni
livro que trate especificamente de Mecnica quntica (Sherwin, 1959).
Durante a soluo do problema, aparecem trs parmetros; para que haja
soluo, esses parmetros, chamados de n, 1 e m, devem guardar uma certa re-
lao entre si: . .
n = 1,2,3, .
l = O, 1,2, ,n-l
m = 0, 1, 2, ... , l.
O nmero n o mesmo parmetro usado empiricamente por Bohr para
quantizar o momento angular. Os parmetros I, e m s podem ser calculados
pela Mecnica quntica.
Aparentemente poderamos caracterizar o estado de um eltron pelos trs
nmeros n, I e m. Entretanto um outro fenmeno, que somente a teoria da rela-
14 Introduo fsica dos semicondutores

tividade conseguiu explicar de modo satisfatrio, exige um quarto nmero para


completa caracterizao do estado do eltron. Trata-se do spin do eltron, que
pode ser imaginado como o movimento de rotao do eltron em torno de si
mesmo; em outras palavras, um novo tipo de momento angular entra em jogo?".
A Mecnica quntica relativstica demonstra que o parmetro associado
ao spin do eltron (ms) s pode assumir os valores + 1/2 e -1/2.
Em resumo podemos dizer que quatro parmetros, os chamados nmeros
qunticos, so necessrios para descrever completamente o estado de um eltron:
n, I, m e ms . possvel mostrar tambm que a energia total E do eltron"?"
funo apenas do nmero quntico n (tambm chamado de nmero quntico
principal) e do nmero quntico 1<***):
E = funo (n, I). (Eq. 3.2)
Isso equivale dizer que quando dois eltrons tm o mesmo nmero quntico
principal e o mesmo nmero quntico I, eles tm a mesma energia. Os eltrons
podem entretanto estar em estados diferentes, bastando para isso que um dos
outros nmeros qunticos seja diferente. Na Tab. 3.1 vemos todos os estados
possveis de um eltron cujo nmero quntico principal 2.
Tabela 3.1 Estados possveis do eltron de um tomo para n = 2

n m ms

2 O O +1/2 Estados com a mesma energia E


2 O O -1/2 (n = 2, I = O)
2 1 -1 +1/2
2 1 -1 -1/2
2 1 O + 1/2 Estados com a mesma energia E
2 1 O -1/2 (n = 2, 1= 1)
2 1 +1 + 1/2
2 1 +1 -1/2

De acordo com a Tab. 3.1, existem 8 diferentes estados com n = 2. De


modo geral, possvel demonstrar que o nmero de estados diferentes com o
mesmo nmero qunticoprincipal n igual a 2n2 Um grupo de estados que
possui o mesmo nmero quntico principal chamado de camada. Assim, os
estados disponveis do eltron do tomo de hidrognio podem ser dispostos em
camadas. Quanto menor o nmero quntico associado a uma camada, menor
a energia dos estados correspondentes. O estado em que a energia mnima
(no caso do hidrognio, n = 1) chamado de estado fundamental.
Nos tomos dos elementos mais complexos do que o hidrognio, que pos-
suem mais de um eltron, os estados disponveis tambm podem ser dispostos
em camadas, cada uma associada a um valor do nmero quntico principal n.
<*'Anteriormente tnhamos apenas considerado o momento angular do eltron no seu mo-
vimento em torno do ncleo
1**'Na ausncia de um campo magntico externo
(***'Exceto no caso do hidrognio, em que a energia s depende de n
Aplicaes da mecnica quntica 15

Cada um desses estados s pode ser ocupado por um eltron, devido ao impor-
tante princpio de excluso de Pauli. Esse princpio estabelece que num mesmo
sistema fisico dois eltrons no podem ocupar o mesmo estado. Em outras pa-
lavras, os quatro nmeros qunticos no podem ser iguais para dois eltrons.
Assim, por exemplo, se dois eltrons no mesmo tomo possuem os mesmos
valores de n, I e m, o valor de ms para esses eltrons no pode ser o mesmo; um
tem que ter ms = 1/2 e o outro ms = -1/2(*).
Em qualquer tomo a ordem de ocupao dos estados tal que a energia
total do tomo, isto , a soma das energias dos estados ocupados, a menor
possvel. De modo geral, isto significa que as diferentes camadas so ocupadas
sucessivamente, medida que aumenta o nmero de eltrons. Em certos ele-
mentos, entretanto, como a prata, o ndio, o estanho, etc., a interao entre os
eltrons favorece energeticamente a ocupao de uma camada antes que a ca-
mada anterior esteja completa.
Os diferentes estados dos eltrons de um tomo so designados de vrios
modos. A maneira mais conveniente, naturalmente, seria especificar os quatro
nmeros qunticos. Existem, entretanto, dois sistemas de nomenclatura que
datam dos primeiros dias da espectroscopia. O primeiro usado quando estamos
interessados apenas no nmero quntico principal. Nesse caso as camadas so
designadas por letras sucessivas do alfabeto, comeando pela letra K. Assim,
a camada K corresponde a n = 1, a camada L a n = 2, etc. O segundo usado
para especificar os nmeros qunticos n e l. Nesse sistema de nomenclatura,
cada grupo de estados indicado por um nmero e uma letra. O nmero o
nmero quntico principal. A letra indica o valor de l. Por motivos histricos,
os estados correspondentes a I = O so indicados pela letra s (do ingls sharp);
os estados em que I = 1 so indicados pela letra p (principal); os estados em
que I = 2 so indicados pela letra d (diffuse). Os estados em que I = 3 so indi-
cados pela letra f (fundamental). De I = 4 em diante, os estados so indicados
em ordem alfabtica, comeando pela letra g. Assim o grupo de estados 2p inclui
todos os estados em que n = 2 e I = 1; o grupo 5d compreende os estados em
que n = 5 e I = 2, etc., Na Tab. 3.2 vemos os estados normalmente ocupados
dos diferentes elementos.

3.1.1. Espectros dos elementos


A distribuio da Tab. 3.2 se aplica aos tomos no estado normal, no-
-excitado, em que a energia mnima (estado fundamental). Quando um eltron
em um certo estado recebe energia suficiente, pode passar para um estado de
maior energia que se encontre desocupado. A energia necessria para causar
essa transio pode ser fornecida por uma onda eletromagntica ou por um
(OIAspartculas que tm spin 1/2, 3/2, ... so chamadas partculas an-simetricas (o eltron,
o prton e o nutron esto nessa categoria). As partculas que tm spin O, 1, 2, ... so chamadas
partculas simtricas (os ftons esto includos nesse grupo). O Princpio de Excluso de Pauli no
se aplica apenas aos eltrons, mas a todas as partculas anti-smtricas, Assim, o princpio de excluso
de Pauli pode ser enunciado do seguinte modo: "Duas partculas idnticas anti-simtricas no podem
ocupar o mesmo estado". interessante ainda observar que as partculas anti-simtricas obedecem
chamada estatstica de Fermi-Dirac, (Capo 7), sendo portanto chamadas de frmions. As partculas
simtricas obedecem estatstica de Bose-Einstein, sendo portanto chamadas de bsons. O eltron
, conseqentemente, um frmion. Essa nomenclatura muito usada nos livros de Mecnica Quntica
16 Introduo fsica dos semicondutores

Tabela 3.2 Estrutura eletrnica dos elementos

Nmero quntico principal n 1 2 3 4


Nomenclatura das camadas K L M N

Nmero quntico J O O 1 O 1 2 O 1
Notao espectroscpica Is 2s 2p 3s 3p 3d 4s 4p
Z Elemento

1 Hidrognio (H) 1
2 Hlio (He) 2
3 Ltio (Li) 2 1
4 Berlio (Be) 2 2
5 Boro (B) 2 2 1
6 Carbono (C) 2 2 2
7 Nitrognio (N) 2 2 3
8 Oxignio (O) 2 2 4
9 Flor (F) 2 2 5
10 Nenio (Ne) 2 2 6

11 Sdio (Na) 1
12 Magnsio (Mg) 2
13 Alumnio (AI) 2 1
14 Silcio (Si) Configurao 2 2
15 Fsforo (P) do nenio 2 3
16 Enxofre (S) 2 4
17 Cloro (C I) 2 5
18 Argnio (A) 2 6

19 Potssio (K) 1
20 Clcio (Ca) 2
21 Escndio (Sc) 1 2
22 Titnio (Ti) 2 2
23 Vandio (V) 3 2
24 Crmio (Cr) 5 1
25 Mangans (Mn) 5 2
26 Ferro (Fe) 6 2
27 Cobalto (Co) Configurao 7 2
28 Nquel (Ni) do argnio 8 2
29 Cobre (Cu) 10 1
30 Zinco (Zn) 10 2
31 Glio (Ga) 10 2 I
32 Germnio (Ge) 10 2 2
33 Arsnio (As) 10 2 3
34 Selnio (Se) 10 2 4
35 Bromo (Br) 10 2 5
36 Criptnio (Kr) 10 2 6
Aplicaes da mecnica quntica 17

Tabela 3.2 (continuao)

Nmero quntico principal 11 4 5 6


Nomenclatura das camadas N O P

Nmero quntico I. 2 3 O 1 2 O
Notao espectroscpica 4d 4f 5s 5p 5d 6s
Configurao
Z Elemento das camadas
internas

37 Rubdio (Rb) 1
38 Estrncio (Sr) 2
39 trio (Y) 1 2
40 Zircnio (Zr) Configurao 2 2
41 Nibio (Nb) do criptnio 4 1
42 Molibdnio (Mo) 5 1
43 Tecncio (Tc) 6 1
44 Rutnio (Ru) 7 1
45 Rdio (R h) 8 1
46 Paldio (Pd) 10

47 Prata (Ag) 1
48 Cdmio (Cd) 2
49 ndio (In) Configurao 2 1
50 Estanho (Sn) do paldio 2 2
51 Antimnio (Sb) 2 3
52 Telrio (Te) 2 4
53 Iodo (I) 2 5
54 Xennio (Xe) 2 6
55 Csio (Cs) 1
56 Brio (Ba) 2
57 Lantnio (La) 2
58 Crio (Ce) 2 2
59 Praseodmio (Pr) 3 2
60 Neodmio (Nd) 4 2
61 Promcio (Pm) 5 As camadas 2
As camadas Is
62 Samrio (Sm) 6 5s a 5p 2
a 4d contm
63 Eurpio (Eu) 7 contm 8 2
46 eltrons
64 Gadolnio (Gd) 7 eltrons 1 2
65 Trbio (Tb) 8 1 2
66 Disprsio (Dy) 9 1 2
67 Hlmio (Ho) 10 1 2
68 rbio (Er) 11 1 2
69 Tlio (Tm) 12 1 2
70 Itrbio (Yb) 13 1 2
71 Lutcio (Lu) 14 1 2
18 Introduo fsica dos semicondutores

Tabela 3.2 (continuao)


Nmero quntico principal n 5 6 7
Nomenclatura das camadas O p Q
Nmero quntico I 2 3 O 1 2 O
Notao espectroscpica 5d 51 6s 6p 6(1 7s
Configurao
Z Elemento das camadas
internas

72 Hfnio (Hf) 2 2
73 Tntalo (Ta) 3 2
74 Tungstnio (W) As camadas 4 2
75 Rnio (Re) 15a 5p contm 5 2
76 smio (Os) 68 eltrons 6 2
77 Irdio (Ir) 9 O
78 Platina (Pt) 9 1
79 Ouro (Au) 1
80 Mercrio (Hg) 2
81 Tlio (TI) 2 1
82 Chumbo (Pb) 2 2
83 Bismuto (Bi) 2 3
84 Polnio (Po) 2 4
85 Astatnio (At) As camadas 2 5
86 Radnio (Rn) 1s a 5d contm 2 6
87 Frncio (Fr) 78 eltrons 2 6 1
88 Rdio (Ra) 2 6 2
89 Actnio (Ac) 2 6 1 2
90 Trio (Th) 1(-) 2 6 1(2) 2
91 Protactnio (Pa) 2(1) 2 6 1(2) 2
92 Urnio (U) 3 2 6 1 2
93 Netnio (Np) 5(4) 2 6 -(1) 2
94 Plutnio (Pu) 6(5) 2 6 -(1) 2
95 Amercio (Am) 7 2 6 2
96 Crio (Cm) 7 2 6 2
97 Berqulio (Bk) 9 2 6 2
98 Califrnio (Cf) 10 2 6 2
99 Einstenio (Es) 11 2 6 2
100 Frmio (Fm) 12 2 6 2
101 Mendelvio (Md) 13 2 6 2
102 Noblio (No) 14 2 6 2
103 Laurncio (Lw) 14 2 6 1 2

choque com outra partcula. Depois de um certo tempo, o tomo volta espon-
taneamente ao estado fundamental, emitindo o excesso de energia sob a forma
de radiao eletromagntica.
Assim os tomos de um elemento, quando excitados, emitem ondas eletro-
magnticas com comprimentos de onda bem caractersticos, que variam de
elemento para elemento. O conjunto de radiaes emitidas pelos tomos de um
elemento chamado de espectro do elemento.
Aplicaes da mecnica quntica 19

3.1.2. Representao esquemtica de um tomo


Vamos concluir nosso estudo da estrutura eletrnica dos tomos apresen-
tando duas representaes grficas muito usadas na prtica. A primeira dessas
representaes est ilustrada na Fig. 3.2 para o caso do silcio, cuja estrutura
eletrnica, de acordo com a Tab. 3.2, K2L8M\ onde os nmeros representam
o nmero de eltrons em cada camada. Nessa representao grfica, as camadas
so representadas por crculos e os eltrons em cada camada por pontos. O
crculo central representa o ncleo. O nmero indicado no interior do ncleo
representa a carga eltrica total do ncleo, que em um tomo no estado normalv"
igual soma das cargas de todos os eltrons.

Figura 3.2 Representao esquemtica de um tomo


de silcio

O tomo de germamo, cuja estrutura eletrnica K2LsM18N4, repre-


sentado como na Fig. 3.3.

Figura 3.3 Representao esquemtica de um


tomo de germnio

Como os fenmenos que vamos estudar neste livro envolvem apenas os


eltrons da camada externa (os chamados eltrons de valncia], podemos usar
uma representao mais simples, em que apenas os eltrons de valncia so
indicados. Nesse caso, associamos parte central do tomo uma carga igual
diferena entre a carga positiva do ncleo e a carga negativa dos eltrons res-
tantes. Como tanto o silcio como o germnio possuem quatro eltrons de va-
lncia (na camada M e na camada N, respectivamente), essa representao
simplificada a mesma para os dois elementos (Fig. 3.4).

3.2. GS DE FERMI
Duas razes importantes justcam o estudo do Gs de Fermi neste livro.
Em primeiro lugar, o Gs de Fermi um exemplo simples e ilustrativo da apli-
!*lNo-ionizado
20 Introduo fsica dos semicondutores

E lt ron de
/ Valncia

Figura 3.4 Representao esquemtica simplificada dos


tomos de silcio e germnio

cao da Mecnica quntica a um problema prtico. Em segundo lugar, usa-


remos uma das equaes deduzidas nesta seo para o estudo do comporta-
mento dos eltrons em um material semicondutor. .
O Gs de Fermi definido como um conjunto de partculas totalmente
livres, mas sujeitas ao Princpio de Excluso de Pauli. Em muitos metais, os
eltrons de conduo se comportam como se constitussem um Gs de Fermi.
Consideremos por exemplo o caso do cobre, cuja estrutura eletrnica
lS22s22p63s23p63dl04s1 (os sobrescritos indicam o nmero de eltrons em cada
estado). O eltron 4s est fracamente ligado rede cristalina, podendo se mo-
vimentar com liberdade quase completa no interior do material. Quando usamos
o modelo do Gs de Fermi para estudar as propriedades eltricas do cobre,
estamos supondo que os eltrons 4s esto inteiramente livres, isto , que sua
energia potencial nula. claro que na prtica os eltrons "livres" do cobre
interagem com a rede cristalina e com outros eltrons "livres", mas essa inte-
rao to fraca que pode ser desprezada em primeira aproximao. .

3.2.1. Gs de Fermi em uma dimenso


Vamos estudar inicialmente o comportamento do Gs de Fermi em uma
dimenso. Suponhamos um eltron de massa m confinado a uma linha de com-
primento L por barreiras infinitas de potencial nas extremidades da linha (Fig.
3.5).

I I
1,( BARREIRAS ~ I
I INFINITAS DE POTENCIAL I
I I Figura 3.5 Gs de Fermi em uma dimenso
I I
I v=o I
x-o X=L
Nosso problema resolver a Equao de Schroedinger (Eq. 2.17) para o
caso em que V = O no interior da Iinhav", Nesse caso, temos
2
~ d ljJ(x) + Et/J(x) = O. (Eq. 3.3)
2m dx2 .

Como a funo de onda ljJ(x) uma funo contnua e como t/J(x) deve ser
zero para x ::5 O e para x 2: L. j que o eltron no pode atravessar uma bar-
reira infinita de potencial, a soluo da Eq. 3.3 deve satisfazer s condies
(*JA condio V = O significa que o eltron est livre
Aplicaes da mecnica quntica 21

de contorno:
1/1(0) = I/I(L) = O. (Eq. 3.4)

Como estamos interessados em obter todos os estados disponveis para os


eltrons, vamos caracterizar cada estado por um ndice n colocado em I/I(x) e E,
isto , vamos escrever
2
~ d 1/1n(x) + E .1. (x) = O (Eq. 3.5)
2m dX2 n'Pn '

I/In(O) = I/In(L) = o. (Eq. 3.6)


o leitor pode facilmente resolver essa equao diferencial, obtendo
nnx
I/Jn = A sen L ; n = 1,2,3, ... ; (Eq. 3.7)

_ f2 (nn)2.
E --- (Eq. 3.8)
n 2m L

Vamos proceder inversamente e simplesmente mostrar que

uma soluo da equao.


De fato,
dl/ln nnA rmx
-=--cos-,
dx L L
d 21/1 n2n2 nnx
__ n = ---Asen-.
dx2 L2 L

Portanto

s:
2m
d
2
t/1n(x)
dx2
= ~[_
2m
nn
2 2

L2
A seu nnx] =
L

=-
f2 (
[ 2m
tt
"T. )2J nn:x
AsenL=-Enl/ln(x).

Assim para um eltron confinado a uma linha de comprimento L, os estados


disponveis so caracterizados por uma funo de onda da forma
nnx
I/In = Asen
L, (Eq.3.9)

e por uma energia da forma

e, = ;:(n:y. (Eq. 3.10)

Para calcular a constante A, usamos a condio de normalizao:

(Eq. 3.11)
22 Introduo fsica dos semicondutores

No nosso caso, temos


(Eq. 3.12)

1 2
=-=-) (Eq. 3.13)
L L
2

(Eq. 3.14)

Em conseqncia, as expresses finais para as funes de onda e para as energias


permitidas so as seguintes:

t/ln = R sen nlx n = 1,2,3, ... ; (Eq. 3.15)

E" h2.(nrr)2
= 2m L n = 1,2,3,... (Eq. 3.16)

De acordo com a Eq. 3.16, a energia de um eltron confinado linha no


pode variar continuamente; os nicos valores permitidos para a energia do
eltron so da forma
(Eq. 3.17)
onde:
2 (rr)2
Ll=-h - .
2m L

Suponhamos agora que estamos interessados em acomodar N eltrons na


linha. De acordo com o Princpio de Excluso de Pauli, o mesmo estado no
pode ser ocupado por mais de um eltron. Para cada valor de n na Eq. 3.15,
existem dois valores possveis para o spin do eltron, + 1/2 e -1/2, e portanto
dois estados disponveis. temperatura do zero absoluto (OK)" o sistema se
encontra no estado fundamental (estado de mnima energia) e portanto os estados
disponveis so preenchidos em ordem crescente de energia. Assim, por exemplo,
se existem 13 eltrons na linha, a distribuio desses eltrons entre os diferentes
estados a O K ser a seguinte:
n = 1 2 eltrons,
n=2 2 eltrons,
n = 3 2 eltrons,
n=4 2 eltrons,
n = 5 2 eltrons,
n=6 2 eltrons,
n=7 1 eltron, (nvel incompleto),
n>7 O eltrons, (nveis vazios).

A energia mais elevada para a qual ainda existem estados ocupados a O K


(E7' no exemplo anterior) chamada de energia de F ermi.
Aplicaes da mecnica quntica 23

Repare que como a energia uma funo quadrtica do nmero quntico n


(Eq. 3.17), o nmero de estados disponveis dentro de uma dada faixa de ener-
gias fill diminui medida que n aumenta (e portanto medida que E aumenta).
Para analisarmos quantitativamente a variao do nmero de estados com a
energia, definimos a chamada densidade de estados D(E) como o nmero de
estados disponveis por unidade de energia. ,
Vamos agora calcular a densidade de estados do Gs de Fermi em uma
dimenso. Nosso ponto de partida pode ser a Eq. 3.16. Considerando a energia
En como uma Juno contnua de n(*), podemos diferenciar a Eq, 3.16, obtendo

(Eq. 3.18)

dn
-=m
dEn
(L)2
-'-
1th
1
_.
n
(Eq. 3.19)

Como existem dois estados disponveis para cada valor de n, a densidade


de estados dada por

D(E) = 2~
. rlEn
= 2m(Lnh)J2 .Ln = 4L (m.)1/2 ,
21th 2E
(Eq, 3.20)

ou, finalmente,
L
D(E) = - - !2;;;
1th V""'"
E-
.
1/2. (Eq. 3.21)

A Fig. 3.6 um grfico da variao da densidade de estados D(E) com a


energia para o Gs de Fermi em uma dimenso. temperatura de O K, todos
os estados com energias entre O e EF (energia de Fermi) esto ocupados e todos os
estados com energias maiores que EF esto vazios.

O(E}

Figura 3.6 Variao da densidade de estados


com a energia para o Gs de Fenni em uma
dimenso

EF E

(*)Embora no seja estritamente vlida, j que, como vimos, o nmero n s pode assumir va-
lores inteiros, essa aproximao usada em muitos problemas de Mecnica quntica e em geral
conduz a resultados corretos
24 Introduo fsica dos semicondutores

3.2.2. Gs de Fermi em trs dimenses


Embora matematicamente mais complexo, o problema do Gs de Fermi
em trs dimenses no passa de uma extenso do problema unidimensional.
Suponhamos, por exemplo, que os eltrons esto confinados a um cubo de
aresta a (Fig. 3.7).

---..,.,
,,
,/
,/
---(
,
I I Figura 3.7 Gs de Fermi em trs dimenses

Nosso problema resolver a equao de Schroedinger em trs dimenses

h
2

2m 8x2
[8 2
8 8 2

+ 8y2 + 8z2 ]
2

ljJ(x, y, z) + EIjJ(x, y, z) = 0, (Eq. 3.22)

sujeita s seguintes condies de contorno:


1jJ(0,y, z) = ljJ(a, y, z) = O;
ljJ(x, 0, z) = ljJ(x, a, z) = O; (Eq. 3.23)
ljJ(x, y, O) = ljJ(x, y, a) = O.

As Eqs. 3.23 so uma conseqncia do fato de que a funo de onda deve


se anular nas faces do cubo.
Por analogia com a soluo unidimensional, Eqs. 3.7 e 3.8, a soluo da
Eq. 3.22 dada por
nttx n ny n.sts:
ljJ(x, y, z) = A sen -- sen _Y- sen --- ; (Eq. 3.24)
a a a

E n --
h2 n 2 [ 2
-2 ma 2 nx + ny2 + n;2J , (Eq. 3.25)

onde

Fica a cargo do leitor verificar que as funes de onda (Eq. 3.24) satisfazem
equao de Schroedinger (Eq. 3.22).
Para calcularmos a constante A usamos a condio de normalizao seguinte:

fff IIjJ(x, y, z)j2 dxdydz = 1. (Eq. 3.26)


Aplicaes da mecnica quntica 25

Substituindo a Eq. 3.24 na Eq. 3.26, temos

A2 ai
O
n nx
sen2-X--dx
a
ia o
n ny
sen2-Y-dy
a
ia o
nznz
sen2--dz
a
= l. (Eq. 3.27)

Como cada uma das integrais igual a a/2, temos

(Eq. 3.28)
e conseqentemente
nx ttx n
[ffzzsen--sen-Y-sen-- It y Itz tez
I/Iix,y,z) = (Eq. 3.29)
a a a a
Assim o estado de um eltron confinado a uma regio tridimensional carac-
terizado por quatro nmeros qunticos: trs nmeros qunticos espaciais, nx,
n nz, que podem assumir os valores 1,2,3, ... e um nmero quntico de spin,
y,

ms' que pode assumir os valores + 1/2 e -1/2.


Vamos agora calcular a densidade de estados do Gs de Fermi em trs
dimenses.
Nosso ponto de partida ser a equao que nos d as energias permitidas
para o eltron:

(Eq. 3.30)

Se representarmos os valores de I1x, l1y e nz em um sistema de eixos car-


tesianos, o lugar geomtrico dos pontos de mesma energia E ser dado por

11
2
x
+ 112 + 112 = 2ma
y
--E
2 2
z hn
2
= [~a
hn
E1/2J2 . (Eq. 3.31)

o que corresponde superficie de uma esfera de raio


~2ma 1/2
R=--E (Eg. 3.32)
hn '
conforme vemos na Fig. 3.8. nz

E = ete.

Figura 3.8 Superficie de energia constante de


um Gs de Fermi em trs dimenses

ny
26 Introduo fsica dos semicondutores

Como os nmeros qunticos nx' ny e nz so positivos por definio, todos


os estados de energia menor que E esto compreendidos em um volume igual
a 1/8 do volume de uma esfera de centro na origem e raio R. Nesse caso, o n-
mero de estados com energia menor que E dado por

n 1 43
= 2-'-nR =- a3 [2mJ3
_
/ 2
E3/2 (Eq. 3.33)
<E 8 3 3n2 h2 '

onde o fator 2 se deve existncia de duas orientaes possveis para o spin


do eltron.
Procedendo como para o caso unidimensional, diferenciamos a Eq. 3.33,
obtendo
D(E) = ~; = 2: [~~T/2
2 El/2. (Eq. 3.34)

A Eq. 3.34 nos d a densidade de estados de um Gs de Fermi em trs di-


menses. Podemos definir tambm a densidade de estados por unidade de volume
como sendo a relao entre a densidade de estados e o volume no qual os el-
trons esto confinados. Como supusemos que os eltrons estavam confinados
a um cubo de lado a (volume a3), a densidade de estados por unidade de volume
do Gs de Fermi em trs dimenses dada por

D (E) = ~ D(E) = [2mJ3


_1_
/2 E1/2. (E 335)
v V 2n h 2 2 q..
Como veremos no Capo 8, a Eq. 3.35, embora deduzida para o Gs de Fermi,
pode ser reinterpretada de modo a representar a densidade de estados por uni-
dade de volume dos eltrons de conduo de um semicondutor.

EXERCCIOS
3.1. Faa uma lista dos estados possveis de um eltron de um tomo cujo nmero qun-
tico principal 3.
3.2. Mostre que a energia de Fermi do Gs de Fermi em uma dimenso dada por

E F
=~
2m
(Nn)2,
2L
onde N o nmero total de eltrons.
3.3. Neste captulo, para obtermos as densidades de estados nos casos unidimensional
e tridimensional, consideramos a energia como uma funo de n. Analise cuida-
samente a validade dessa aproximao.
3.4. Estude o comportamento de um Gs de Fermi confinado a uma semi-esfera de centro
na origem dos eixos cartesianos, raio R e face plana apoiada no plano xy (z ~ O).

REFERNCIAS
SHERWIN, C. W., Introduction ta Quantum Mechanics (New York: Holt, Rinehart and
Winston, 1966), Capo 4.

BIBLIOGRAFIA
Kittel, C; Introduction to Solid State Physics (New York: John Wiley, 1967), Capo 7.
4 Noes de cristalografia

4.1. SUBSTNCIAS CRISTALINAS


Chamamos de substncia cristalina qualquer substncia cujos tomos esto
dispostos regularmente no espao (Fig. 4.1).

/ / /
/ / /

Figura 4.1 Estrutura de uma substncia cristalina


/ / /
/ V /
V / /
/ V V
Um modo interessante de caracterizar um cristal como o da Fig. 4.1 de-
finir uma estrutura puramente geomtrica, a cujos pontos so associados um
ou mais tomos para reproduzir o cristal. Esse mtodo de representar as
substncias cristalinas est ilustrado na Fig. 4.2.

/ /
A'"'<,
'/ tomo / / ./
/ / / /' / / /
/ / 1/ --:
-o
(b) / V V
l/ / V V V V
/ / V / V /
V V 1/ V V /
(a) (c)
Figura 4.2 A estrutura cristalina que aparece em (c) formada associando-seum tomo
(b) a cada ponto de uma estrutura puramente geomtrica (a)

A estrutura puramente geomtrica chamada de rede cristalina da subs-


tncia consideradav", O conjunto de tomos que associado a cada ponto da
rede cristalina (no caso da Fig. 4.2, apenas um tomo) chamado de base.
Qualquer cristal pode ser definido atravs de uma rede cristalina associada a
uma base apropriada.
A Fig. 4.3 mostra a rede cristalina e a base correspondente para o caso
do cloreto de sdio (NaCI). Repare que neste exemplo a base constituda por
dois tomos diferentes, Na e Cl.
(*)CrystaC Cartice, em ingls
28 Introduo fsica dos semicondutores

/I / /
/ 1/ / / CI

V / 7
Na
( b)
i/ 1/ 1/
'/ / /
/ V /
(a) (c)
Figura 4.3 Cristal de cloreto de sdio. (a) rede cristalina; (b) base; (c) cristal completo

importante observar que o mesmo cristal pode ser representado por mais
de uma redecristalina. Nesse caso, naturalmente, as bases associadas a cada
rede sero diferentes.

4.2. CLULA UNITRIA E SISTEMAS CRISTALINOS


Um fato importante a respeito das redes cristalinas que qualquer rede
cristalina tridimensional pode ser gerada pela translao de um paraleleppedo
ao longo de trs eixos mutuamente perpendiculares. Assim, por exemplo, a rede
cristalina da Fig. 4.2 pode ser gerada pela translao de um cubo (Fig. 4.4).

,I
Figura 4.4 Gerao de uma rede cris-
Y talina pela translao de um cubo

O paraleleppedo que gera a rede cristalina chamado de clula unitria


da rede. A mesma rede cristalina pode ser gerada por paraleleppedos de di-
ferentes tamanhos. O menor paraleleppedo capaz de gerar a rede cristalina
chamado de clula primitiva da rede.
De acordo com as relaes entre os lados e os ngulos da clula unitria,
as redes cristalinas podem ser divididas em sete sistemas cristalinos. Cada um
desses sistemas por sua vez compreende um ou mais tipos de rede cristalina,
de acordo com as simetrias apresentadas pela rede. Existem ao todo 14 tipos
possveis de rede cristalina tridimensional.
As Figs. 4.5 a 4.11 mostram as clulas unitrias (que no so necessariamente
clulas primitivas) dos 14 tipos de redes cristalinas.
Convm lembrar que, como a rede cristalina, a clula unitria uma estru-
tura puramente geomtrica, a cujos pontos deve ser associada uma base ade-
quada para gerar o cristal. evidente que podemos definir qualquer cristal por
Noesde cristalografia 29

l1;DrIlJrIIJ(a) (bl (e)


a = b = c
O( = f3 = '1 = 90'
Figura 4.5 Sistema cbico; (a) cbico simples; (b) cbico de corpo centrado; (c) cbico
de faces centradas

Figura 4.6 Sistema tetragonal; (a) tetragonal sim-


ples; (b) tetragonal de corpo centrado
(al (b)
a = b ;i c
oi.=j3=I=90

D[]DO(a) (bl
a ;i b ;i c
(e) (d)

0\ = f3 = ~ = 90'
Figura 4.7 Sistema ortorrmbico; (a) ortorrmbico simples; (b) ortorrmbico de bases
centradas; (c) ortorrmbico de corpo centrado; (d) ortorrmbico de faces centradas

(a) (b)
a t- b t- e a ;.b ; c
01 =~ = 90;fo rXt:f3t:1
Figura 4.8 Sistema monoclnico; (a) monoclinico Figura 4.9 Sistema triclnico
simples; (b) monoclnico de bases centradas
uma clula unitria com os tomos devidamente posicionados, j que uma
estrutura desse tipo capaz de gerar todo o cristal por translao. Por que,
ento, nos darmos ao trabalho de definir separadamente uma rede cristalina e
uma base? A razo que em um tratamento matemtico mais profundo dos
cristais, a definio do cristal pela rede e pela base torna as equaes mais simples.
30 Introduo fsica dos semicondutores

a = b ;t e
o( = f3 = 90
oI.={J=6 < 120,;, 90 t" 120
Figura 4.10 Sistema trigonal Figura 4.11 Sistema hexagonal
Por outro lado, como estamos interessados apenas nas aplicaes da cris-
talografia ao estudo das propriedades dos materiais semicondutores, vamos nos
ater representao das clulas unitrias j com os tomos posicionados, o que
permite uma visualizao mais simples da estrutura cristalina. A Fig. 4.12 ilustra
o que acabamos de explicar.
Cr

(a) (e)
Figura 4.12 (a) Clula unitria cbica de corpo centrado; (b) base a ser associada
rede cristalina; no caso, tomo de cromo; (c) clula unitria do cromo com os tomos
posicionados

A partir deste momento vamos apresentar as estruturas dos cristais na


forma da Fig. 4.12(c), deixando a cargo do leitor a identificao da rede cristalina
e da base correspondente. Outros elementos que possuem a mesma estrutura
cristalina que o cromo (cbica de corpo centrado) so o ltio, o brio, o nibio,
o csio e o tungstnio.

Cs
~-----
Cs Cs

'---~------.CS

Cs Cs
Figura 4.13 Estrutura cristalina do alumnio Figura 4.14 Estrutura cristalina do
cloreto de csio
Noes de cristalografia 31

A Fig. 4.13 mostra a estrutura cristalina do alumnio (cbica de faces cen-


tradas). Outros elementos com a mesma estrutura so o cobre, o ouro, o chumbo,
o nquel e a prata.
A Fig. 4.14 mostra um exemplo de cristal composto, o cloreto de csio.
A rede cristalina do cloreto de csio cbica simples; a base consiste em dois
tomos, um de cloro e um de csio.
Finalmente apresentamos na Fig. 4.15 a clula unitria do diamante, que
nada mais que o carbono na forma cristalina'?',
Aproveitamos esse exemplo para introduzir o parmetro a, a chamada
constante da rede; como vemos na Fig. 4.15, a constante de rede igual ao lado
da clula unitria.
interessante observar que a estrutura da Fig. 4.15 exatamente a mesma
do germnio e do silcio, duas substncias de vital importncia para a tecnologia
dos dispositivos semicondutores; apenas a constante da rede diferente.

Figura 4.15 Estrutura cristalina do diamante Figura 4.16 Ligaes tetradricas

A Fig. 4.16 mostra a parte inferior esquerda da Fig. 4.15, onde esto loca-
lizados os tomos A, B, C, D e E. .
Os tomos B, C, D e E formam um tetraedro regular, com o tomo A exa-
tamente no centro. Assim, o tomo A est mesma distncia dos quatro tomos
mais prximos, B, C, D e E. Como veremos mais tarde, entre o tomo A e os
tomos B, C, D e E existe uma ligao especial, chamada ligao cova lente, que
mantm os tomos firmemente presos rede cristalina. Essa ligao, que no
caso de cristais como o diamante, o germnio e o silcio tambm chamada
de ligao tetradrica (porque os tomos vizinhos de qualquer tomo consi-
derado formam um tetraedro) tem uma profunda influncia sobre as proprie-
dades dos materiais semicondutores.
(*>Chamamos a ateno do leitor para a diferena extraordinria entre o carbono na sua forma
cristalina (diamante) e amorfa (grafita)
32 Introduo fsica dos semicondutores

4.3. CLCULO DE NMERO DE TOMOS DE UM CRISTAL


POR UNIDADE DE VOLUME

Conhecida a clula unitria de um cristal e a constante de rede, o nmero


de tomos do cristal por unidade de volume pode ser calculado facilmente.
Consideremos, por exemplo, uma substncia cristalina cbica de corpo cen-
trado (Fig. 4.17). .

As
I)-------Q As

Figura 4.17 Exemplo do clculo do nmero de to-


A4 mos por unidade de volume em um cristal
_--t---~Al

Como vimos, a clula unitria deve ser transladada ao longo de trs di-
menses mutuamente perpendiculares para gerar o cristal no espao. Assim um
tomo como Ai' localizado no vrtice do cubo, pertence simultaneamente a
8 clulas adjacentes. Para efeito de clculo, apenas 1/8 desse tomo pertence
clula unitria da Fig. 4.17. Como existem 8 vrtices, a contribuio dos tomos
dos vrtices para uma clula unitria igual a 8 x 1/8 = 1 tomo.
Por outro lado, o tomo A9' localizado no centro do cubo, pertence exclu-
sivamente clula da ilustrao. Assim, o nmero total de tomos pertencentes
clula dado por: N = 1 (contribuio dos tomos dos vrtices) + 1 (con-
tribuio do tomo central) = 2 tomos.
Como o volume da clula a3, onde a a constante de rede, o nmero de
tomos por unidade de volume de um cristal como o da Fig. 4.17 igual a 2/a3
Vamos agora calcular o nmero de tomos por unidade de volume para
os materiais que nos interessam mais de perto, o germnio e o silcio, cuja estru-
tura cristalina a representada na Fig. 4.15.
No caso da estrutura da Fig. 4.15, cada tomo situado no vrtice do cubo
pertence simultaneamente a 8 clulas, exatamente como o exemplo anterior.
Assim a contribuio total dos tomos dos vrtices igual a 1 tomo.
Os tomos situados nos centros das faces do cubo pertencem a duas clulas
vizinhas; como existem faces, a contribuio total para uma clula igual a
6 X 1/2 = 3 tomos.
Os 4 tomos situados no interior da clula pertencem exclusivamente
clula considerada.
Noes de cristalografia 33

Podemos sumarizar o nosso clculo como segue.

Nmero de tomos nos Contribuio de cada tomo Contribuio total para


vrtices da clula = 8 dos vrtices para a clula a clula:
= 1/8 8 x 1/8 = 1
Nmero de tomos nos Contribuio de cada tomo 6 x 1/2 = 3
centros das faces da dos centros das faces para a
clula = 6 clula = 1/2
Nmero de tomos no Contribuio de cada tomo 4 x 1/1 = 4
interior da clula = 4 interior para a clula = 1/1
Nmero total de tomos
da clula 8

Como o volume da clula a3, o nmero por unidade de volume ser


nmero de tomos/unidade de volume = 8/a3
Os valores numricos correspondentes so os seguintes:

Constante
Substncias Nmero de tomos/cm3
de rede (nm)*

diamante 0,356 1,77 X 1023


germnio 0,566 4,42 X 1022
silcio 0,543 5,00 X 1022

Esse processo para o clculo do nmero de tomos por unidade de volume


de um cristal utilizando-se a clula unitria e calculando-se a contribuio de
cada tomo para a clula pode ser aplicado a qualquer cristal.

4.4. POSIO E ORIENTAO DOS PLANOS DE UM CRISTAL


Os tomos de um cristal definem uma srie de planos. A Fig. 4.18, por
exemplo, mostra trs dos planos definidos pelos tomos de um cristal cbico
de faces centradas.
O conhecimento da posio e orientao desses planos em uma dada amostra
pode ser extremamente importante. Muitos cristais, por exemplo, possuem os
chamados "planos de clivagem", que apresentam a seguinte propriedade: quando
golpeamos a amostra na direo de um plano de clivagem, a fratura ocorre
exatamente nesse plano. Quando a direo do golpe no coincide com nenhum
dos planos de clivagem, a fratura irregular e a amostra pode ser estilhaada.
A lapidao das pedras preciosas feita utilizando-se esse princpio.
A maneira mais imediata de definir um plano de um cristal seria indicar
as coordenadas dos traos desse plano nos trs eixos de referncia. Assim, por
exemplo, o plano P da Fig. 4.19 seria definido pelos pontos: A(a, 0, O), B(O, a, O)
e C(O, 0, a), onde a a constante de rede.
Em cristalografia, entretanto, prefere-se definir os planos atravs dos cha-
mados ndices de Miller, obtidos pelo seguinte processo (Fig. 4.20): .
<*)1 nm (1 nanometro) = 10-9 m
34 Introduo fsica dos semicondutores

Figura 4.18 Planos de um cristal

Figura 4.19 Definio de um plano


cristalino por seus traos

-y

a) Calculam-se as distncias da origem aos pontos A, B e C de interseo


do plano com os eixos de referncia, tomando como unidade a constante de
rede. No caso da Fig. 4.20,
DA = 1, DB = 2, De = 2.
Noes de cristalografia 35

Figura 4.20 Exemplo de clculo dos ndices de


Miller a 2a 3a

B y

3a
x

b) Tomam-se os recprocos dos valores encontrados:


l/DA = 1, 1/0B = 1/2, l/De = 1/2.
c) Reduz-se os resultados a nmeros inteiros que guardem entre si a mesma
relao que os valores do item (b).
No caso da Fig. 4.20, multiplicamos todos os nmeros por 2, obtendo:
2 x 1 = 2, 2 x 1/2 = 1, 2 x 1/2 = 1.
Os nmeros obtidos so chamados de ndices de Miller e representados
entre parnteses: (211). evidente que os ndices de Miller no definem apenas
um plano, mas toda uma famlia de planos paralelos.

/
/
Figura 4.21 Plano com trao no semi-
-eixo negativo

y
a

X/2a
36 Introduo fsica dos semicondutores

Quando o plano intercepta um dos eixos no semi-eixo negativo, atribumos


um sinal negativo coordenada correspondente. A Fig. 4.21 ilustra esse caso.
O clculo seria o seguinte:
OA = -2, OB = 2, oe = 3;
1/0A = -1/2 1/0B = 1/2, 1/0e = 1/3;
6 x (-1/2) = -3, 6 x 1/2 = 3, 6 x 1/3 = 2.
ndices de Miller: (3 3 2).
Repare que o sinal negativo colocado sobre o nmero.
A Fig. 4.22 mostra alguns planos de um cristal cbico simples e os ndices
de Miller associados a esses planos. Repare que quando um dos ndices de Miller
zero, isto significa que o plano paralelo ao eixo correspondente.
z z
NDICES DE MILLER (i OO) NDICES DE MILLER (O 2 O)

y T

aF---Y a

x (c)
x (d)

Figura 4.22 Alguns planos de um cristal cbico: (a) plano (100), (b) plano (O2 O),
(c) plano (1 1 1), (d) plano (2 O O)

fcil demonstrar que os ndices de Miller de um plano so proporcionais


aos co-senos diretores da perpendicular traada da origem ao plano considerado;
na Fig. 4.23 esto indicados os parmetros envolvidos.
Noes de cristalografia 37

op= perpendicular ao plano p


c

c
p
n

Figura 4.23 Relao entre os ndices de Miller e os


co-senos diretores da perpendicular baixada da ori-
gem ao plano considerado

Os co-senos diretores da reta definida por OP so dados por


cos o: = dl a, cos f3 = dfb, cos y = dlc,
onde d a distncia da origem ao plano considerado.
Assim os co-senos diretores so proporcionais a l/a, l/h, l/c, do mesmo
modo que os ndices de Miller.

4.5. DIREES EM UM CRISTAL


Convencionalmente, os ndices que caracterizam uma direo em um cristal
so definidos pelos trs menores nmeros inteiros que guardam entre si a mesma
relao que as componentes de um vetor de mdulo arbitrrio, paralelo di-
reo considerada.
~ A Fig. 4.24 mostra um exemplo. A direo dada a direo d. Um vetor
v, traado paralelamente a d, possui as seguintes componentes:
"z = 1, "s = 7/2.
Multiplicando por 2 as componentes de v, obtemos
2 x 1 = 2, 2 x 1 = 2, 2 x 7/2 = 7.
Direo d: [22 7J.
Repare que os ndices que definem a direo so colocados entre colchetes.
Pode-se demonstrar (Prob. 4.5) que em um cristal cbico o plano (h k l)
perpendicular direo [h k I]. Os exemplos da Fig. 4.25 ilustram esse fato.

4.6. IMPORTNCIA DOS NDICES DE MILLER


Provavelmente o leitor ainda no est convencido da utilidade dos ndices
de Miller. Por que indicar um plano cristalino pelos ndices de Miller, quando
38 Introduo fsica dos semicondutores

z
5a

4a

Figura 4.24 Direo em um cristal

2a 3a
y

3a

x
z
PLANO P: (100) PLANO P: (1 1 1 )
DIREO DO EIXO DOS X: [100] DIREO d: [111]

y y

x x Figura 4.25 Exemplos de planos e


direes com os mesmos ndices

seria muito mais simples defini-lo pelas coordenadas dos seus traos? Na ver-
dade, a importncia dos ndices de Miller est intimamente relacionada ao
conceito de rede recproca, que infelizmente foge ao escopo deste livro. Mesmo
assim, fizemos questo de definir os ndices de Miller para que o leitor possa
Noes de cristalografia 39

compreender como so indicados os planos de um cristal nos artigos cientficos.


Por exemplo, se o leitor encontrar a expresso "um cristal de germnio, com
o plano (100) paralelo direo do campo magntico aplicado ... ", saber
imediatamente que o campo magntico paralelo a uma das faces do cubo da
clula unitria do cristal de germnio.

4.7. DETERMINAO DA ESTRUTURA DE UM CRISTAL


A tecnologia atual ainda no permite, exceto em raros casos, a observao
direta da estrutura de um cristal. Como possvel, ento, determinar a posio
dos tomos no interior do cristal, isto , as dimenses e a composio da clula
unitria?
A soluo para esse problema consiste em fazer incidir um feixe de radiao
(ftons, nutrons, eltrons) sobre o cristal. Quando o comprimento de onda da
radiao da mesma ordem de grandeza que a constante de rede do cristal, o
feixe difratado pelos tomos do cristal. A anlise do feixe difratado permite
calcular matematicamente as posies dos tomos do cristal.
Vejamos agora como a anlise do feixe difratado nos permite determinar
a estrutura de um cristal.
Vamos supor que faamos incidir um feixe de raios X em uma amostra
cristalina (Fig. 4.26).
FEIXE INCIDENTE FEIXE/DIFRATADO
(RAIOS X)

Figura 4.26 Feixe de raios


incidindo em um cristal

A Fig. 4.27 uma vista de perfil do cristal da Fig. 4.26, que mostra como
os raios X so difratados pelo conjunto de planos paralelos P l' P 2' ... do cristal.
Como vemos na Fig. 4.27, os raios so refletidos pelos tomos localizados
nos planos P I' P 2' .. e em seguida so registrados em uma placa fotogrfica.
Chamando de d a distncia entre os planos e de ()o ngulo entre o feixe incidente
e o conjunto de planos paralelos, a distncia entre os pontos de incidncia no
filme de dois raios refletidos por planos vizinhos, como P e P igual a (d cos 8).
1 2'

Ora, como a extremamente pequeno, o ponto de incidncia no filme dos raios


refletidos Rl' R2' R3"" praticamente o mesmo. Em conseqncia a imagem
produzida no filme pelos raios RI' R2' R3' etc. ser um ponto.
40 Introduo fsica dos semicondutores

Figura 4.27 Vista de per/il do


cristal da figura anterior, mos-
trando o conjunto de planos pa-
ralelos P 1' P2 ' ...

Para que os raios refletidos produzam uma imagem, entretanto, preciso


que estejam em fase, isto , que a diferena de percurso entre eles seja igual a
um mltiplo inteiro do comprimento de onda da radiao utilizada. De acordo
com a Fig. 4.27, a diferena de percurso entre os raios refletidos por dois planos
vizinhos dada por
e = AO + OB = 2dsen(J. (Eq. 4.1)
Assim a condio para que os planos paralelos P l' P 2' ... produzam uma
imagem na placa fotogrfica expressa pela seguinte equao:
2d sen e = n, (Eq. 4.2)
onde d a distncia entre os planos, O o ngulo de incidncia da radiao, n
qualquer nmero inteiro e o comprimento de onda da radiao. A Eq. 4.2
chamada de Lei de Bragg em homenagem ao fsico ingls W. L. Bragg, que a
deduziu em 1913 (Bragg, 1913).
De acordo com a Lei de Bragg, um conjunto de planos paralelos do cristal
s produz uma imagem na placa fotogrfica para certos ngulos e da radiao
incidente, que satisfaam Eq. 4.2. Por outro lado, como vimos nos pargrafos
anteriores, um cristal possui muitas famlias de planos paralelos. Assim, variando
o ngulo de incidncia, podemos obter as imagens correspondentes a vrias
famlias de planos. A anlise dessas imagens permite deduzir a estrutura do
cristal e sua orientao em relao ao feixe incidente.
Na verdade a Lei de Bragg exprime apenas uma condio necessria para
que o feixe difratado produza uma imagem. Isso porque sua deduo se baseia
apenas na periodicidade da rede cristalina, sem levar em conta os tomos que
esto associados a cada ponto da rede. Assim, a Lei de Bragg pode ser satisfeita
sem que aparea ponto algum na placa fotogrfica.
A influncia da base do cristal pode ser incorporada ao estudo do fenmeno
de difrao atravs da introduo de dois fatores. O primeiro, chamado fator de
estrutura, representa a influncia puramente geomtrica dos tomos da base e
portanto no depende do tipo do tomo considerado. O segundo, o chamado
Noes de cr ista lograf ia 41

fator de forma, uma medida do poder de espalhamento dos tomos que cons-
tituem a base. Para uma discusso elementar desses dois fatores, consulte por
exemplo Kittel (1967). Um estudo mais completo pode ser encontrado em
Azaroff (1968).

EXERCCIOS
<*)4.1.O ouro tem uma massa especfica de 19,32g/cm", um peso atmico de 197,0 e
uma estrutura cbica de faces centradas. (a) Calcule o nmero de tomos de ouro
por centmetro cbico; (b) Calcule a constante de rede.
4.2. O sistema tetragonal de faces centradas equivalente a um dos 14 tipos de rede
cristalina ilustrados nas Figs. 4.5 a 4.11. Qual esse tipo?
4.3. Calcule a distncia entre dois tomos vizinhos em um cristal de silcio.
<*)4.4.Calcule o valor do ngulo existente entre as ligaes tetradricas de um cristal
de Si. Esse valor difere para o caso do Ge e do diamante?
4.5. Prove que em um cristal cbico o plano definido pelos ndices (hkl) sempre per-
pendicular direo [hklJ.
4.6. Mostre as posies atmicas do Ga e do As nos planos (11 O) e (1 OO) de um cristal
de GaAs.
<*)4.7.Quais os planos que contm os trs tipos de direes de baixo ndice, [10 OJ,
[110J e [111]?
4.8. Em uma experincia de difrao, quais as condies que devem ser satisfeitas
para que se tenha uma imagem na chapa fotogrfica, correspondente a um con-
junto de planos paralelos?
4.9. Lembrando que a luz visvel est na faixa de comprimentos de onda de 400 a
800 nm, explique por que no se pode usar luz visvel para estudar a rede cris-
talina de um cristal por difrao.

REFERNCIAS
AZAROFF, L. V., Elements of X-Ray Crystallography (New York: McGraw-Hill, 1966),
Cap.8.
BRAGG, W. L., "Structure ofSome Crystals as Indicated by their Diffraction ofX-Rays",
Proc. Roy. Soco A 89, 248 (1913).
KITIEL, C., lntroduction to Solid State Physics (New York: John Wiley, 1967), Capo 2.

BIBLIOGRAFIA
Kittel, C; Introduction to Solid State Physics (New York: John Wiley, 1967),Capo I.
Wang, S., Solid State Electronics (New York: McGraw-HiIl, 1966), Capo 2.
5 Aplicao da mecnica quntica
a um cristal

Neste captulo vamos aplicar as idias desenvolvidas nos captulos ante-


riores ao estudo dos estados de energia dos eltrons em um cristal. O problema;
em sua forma geral, extremamente complexo, pois os eltrons, alm de serem
atrados pelos ncleos dos tomos que formam a rede cristalina, so repelidos
pelos outros eltrons. No caso de um cristal, a equao de Schroedinger assume
a forma

(Eq. 5.1)

que uma generalizao da Eq. 2.17.


Na Eq. 5.1, os ndices ie i- so usados para distinguir as coordenadas dos
diferentes eltrons e o somatrio se estende a todos os eltrons do cristal.
A energia potencial V(r'ij) pode s.:r decomposta em dois termos, um que s
depende da posio do eltron i, VI (rJ, e que corresponde energia potencial
do eltron i no campo eltrico dos ncleos dos tomos do cristal, e um segundo
termo, Vir'i)' que corresponde energia potencial do eltron i no campo el-
trico de todos os outros eltrons e que portanto depende da posio de todos
os eltrons do cristal.
Se o termo V2(r'i) da energia potencial fosse desprezvel, a Eq. 5.1 assumiria
a forma

(Eq. 5.2)

Vamos agora demonstrar que a soluo da Eq. 5.2 pode ser escrita na forma

onde l/t 1(r 1)' l/tir 2)' ... , l/tk(rk), ... ,l/tll(rll) satisfazem a equaes do tipo

;~ [::~ + :;~ + ::~] l/tlrk) + [Ek- V1(r'k)] = O k = 1,2, ... , n. (Eq.5.4)

Para isso vamos substituir a Eq. 5.3 na Eq. 5.2. Fazendo isso, temos

~ {-
, 2m
h2 [ 82
-3
Xi
2
2
+ ~8 + ~8
uy,
2

UZi
J ~ -->
l/t 1(r 1) . t/I z{r 2) ... t/I kk)
-->
...
Aplicao da mecnica quntica a um cristal 43

(Eq. 5.6)

(Eq. 5.7)

(Eq. 5.8)

equao que satisfeita para


E=I,E;. (Eq. 5.9)
i

Assim a soluo da Eq. 5.2


1/1(;1' 72,,rn) = 1/11(71)l/1irz)I/1/r,.), (Eq. 5.10)
e a energia total dada por
E = El + Ez + ... + En' (Eq.5.11)
onde E l' E2, . , En so as energias individuais dos eltrons.
44 Introduo fsica dos semicondutores

o uso da Eq. 5.10 implica que a probabilidade de encontrar o eltron i


no ponto ri' 1 1/1i 12, depende apenas de ri' isto , da coordenada do eltron i em
relao a uma origem arbitrria. Naturalmente, se existe uma interao entre
o eltron i e o eltron i. a densidade de probabilidade do eltron i envolve tam-
bm as coordenadas do eltron j. Mesmo assim, na aproximao de "um eltron",
muito usada na prtica, supomos que uma funo produto como a da Eq. 5.10
uma boa aproximao para a funo de onda.
Nessa aproximao de "um eltron", a equao de Schroedinger se reduz a
2 2 2
1 [ iP 0 0 ] -+ -+-+
2m ox2 + oy2 + OZ2 I/Ik (r) + [Ek - V(r)] I/Ik (r) = O, (Eq. 5.12)

onde Ver) o potencial no qual o eltron est se movendo (potencial dos ncleos
dos tomos do cristal) e o ndice k serve para distinguir as diferentes solues.
A Eq. 5.12 se aplica a qualquer eltron do cristal, isto , o somatrio da Eq. 5.1
foi transformado em um sistema de n equaes idnticas, quando desprezamos
o termo V2(r'i). Assim podemos estudar o movimento de cada eltron como se
ele estivesse sozinho na rede cristalina (ncleos) e da o nome de aproximao
de "um eltron".
Devido regularidade da disposio dos ncleos em um cristal, o potencial
V(r) peridico no espao. Essa periodicidade, por sua vez, impe certas res-
tries forma das solues da Eq. 5.12. Essas restries so expressas pelo
Teorema de Bloch, que demonstrado no Apndice A.
O Teorema de Bloch diz que a soluo mais geral da equao de Schroedinger
para um eltron em um cristal da forma
-), ik'--;"-+
I/Ik(r) = e J1k (r), (Eq. 5.13)
onde J1k (r) uma funo com a mesma periodicidade espacial que a rede cris-
talina.
A nica restrio imposta funo J1k (r') pelo Teorema de Bloch que
ela deve ter a periodicidade da rede cristalina. Sua forma detalhada depende
da forma do potencial V(r') da Eq. 5.12. Vamos agora examinar o caso simples de
um cristal de uma dimenso apenas e verificar qual a forma assumida pela funo
J1k (r').

5.1. CRISTAL DE UMA DIMENSO


Consideremos um tomo ionizado e um eltron. O potencial do eltron
no campo do tomo ionizado dado por
q2
V = --, (Eq.5.14)
r
onde r a distncia entre o eltron e o ncleo do tomo ionizado. Esse po-
tencial est representado na Fig. 5.1.
Consideremos agora um "cristal unidimensional", isto , o conjunto for-
mado por uma linha de tomos ionizados e uma srie de eltrons. O potencial
de qualquer um desses eltrons no campo dos tomos ionizados est repre-
sentado na Fig. 5.2.
Aplicao da mecnica quntica a um cristal 45

V(r)

Figura 5.1 Energia potencial de um eltron


nas vizinhanas de um tomo ionizado

vrx:

Figura 5.2 Energia potencial dos eltrons no


interior de um cristal unidimensional

Como para um potencial desse tipo no existe soluo analtica da equao


de Schroedinger, vamos substitu-lo por um potencial que, em certas condies,
se parece com o potencial do cristal, e para o qual a equao de Schroedinger
apresenta uma soluo simples. Nesse modelo, mostrado na Fig. 5.3 e sugerido
por Kronig e Penney (1931), o potencial peridico consiste em um nmero
infinito de barreiras de potencial de largura b, com regies de potencial zero
de largura a entre as barreiras. A altura das barreiras Vo (Fig. 5.3).
A equao de Schroedinger do sistema ser

(Eq. 5.15)

onde E a energia do eltron, m a massa do eltron e V(x) a energia potencial.


46 Introduo fsica dos semicondutores

v I)X

Figura 5.3 Energia potencial dos eltrons no


modelo de Kronig-Penney

Vo

- -
-b
-
o a
- -
- x

Na regio O < x < a, V = O, a soluo da Eq. 5.15 assume a forma


I/tl(X) = AeiPx + Be-iPX, (Eq.5.16)
onde f3 = J
2 Em/li. Na regio O > x > -b, V = Vo e E - Vo < O; assim, a soluo
assume a forma
1/t2(X) = Ce" + De :"; (Eq. 5.17)
onde o: = J2m(Va - E)/Ii. Os coeficientes A, B, C e D so relacionados entre si
pelas condies de fronteira. Como o valor de E - V(x) finito na fronteira, a
derivada dljJ/dx e a prpria funo I/t devem ser contnuas na fronteira x = o.
Em outras palavras,
A +B = C + D, (Eq. 5.18)
if3(A-B) = rx(C-D).

No caso de um cristal de uma dimenso, a Eq. 5.13 se torna


IjJ(x) = eikxJ-l(x). (Eq. 5.19)
Como J-l(x) tem a mesma periodicidade que a rede cristalina,
J-l(x) = J-l(x + a + b).
Ento
I/t(x + a + b) = eik(a+bJeikxJ-l(x) = eik(a+bJI/t(x).

Assim, a soluo na regio a < x < a + b da forma


1/t3(x +a + b) = eik(a+bJI/t2(X)
ou:
IjJ3(X) = eik(a+bJI/t2(x-a-b).

As condies de fronteira em x = a so portanto


AeiPa + Be-ipa = (Ce-ab + Deab)eik(a+bJ,
(Eq. 5.20)
if3(Aeipa_Be-iPa) = a(Ce-lXb_DelXb)eik(a+bJ.

Para uma soluo no-trivial, o determinante dos coeficientes deve ser


nulo e portanto (Prob. 5.1)
y2 _ f32 .
2!J.f3 senh ab sen f3a + cosh c cos f3a = cos k(a + b). (Eq. 5.21)
Aplicao da mecnica quntica a um cristal 47

Em princpio, a Eq. 5.21 nos d a energia para qualquer valor de k, ou o


valor de k associado a uma energia particular E. Embora a Eq. 5.21 seja com-
plicada demais para permitir uma soluo analtica, podemos observar que a
um valor de k correspondem vrios valores diferentes de energia.
Para simplificar o problema, vamos fazer b tender a zero e Vo tender a
infinito, de modo que o produto b Va se mantenha finito. Nesse caso, a Eq. 5.21
se reduz a
sen f3a
p -----pa-
+ cos f3a = cos ka (Eq. 5.22)
onde
aba. 2
p=_.
2
Na Fig. 5.4, desenhamos o lado esquerdo da Eq. 5.22 em funo de f3a.
Como I cos kal ~ 1, s so permitidos os valores de f3a para os quais o lado
esquerdo da Eq. 5.22 esteja entre -1 e 1. Dentro dessa faixa, para cada valor de
f3a existe um valor correspondente de ka (Fig. 5.4).

F(~a)

Figura 5.4 Representao grfica da


funo:
sen {3a
F({3a) = p -- + cos f3a
{1a

I I I
TT 2TT 3if

Como f3 est diretamente relacionado energia E do eltron, possvel


obter, a partir da Fig. 5.4, um grfico de E em funo de ka. Esse grfico apa-
rece na Fig. 5.5.
Os trechos AR, CD, EF, etc. das Figs. 5.4 e 5.5 so chamados de faixas
permitidas de energia porque os eltrons que possuem essas energias podem pro-
pagar-se livremente no cristal. Por outro lado, os eltrons com energias entre
B e C,C e D, etc., devem ter um k imaginrio para satisfazerem Eq. 5.22. Assim

vi
Figura 5.5 Energia E dos el-
trons em funo de ka

C
I
I
~D
E vl'
:

I
. I
I
I
I
II
I
I
I
B I I I

-2T -T T 2T 31T 41T ka


48 Introduo fsica dos sernicondutores

o movimento dos eltrons muito atenuado e eles encontram grande dificuldade


para se propagarem no cristal. Essas faixas de energia so chamadas de faixas
proibidas de energia.

5.2. CONDUTORES, ISOLANTES, SEMICONDUTORES


O que dissemos no pargrafo anterior pode ser generalizado para um cristal
tridimensional. Assim ficamos sabendo que um eltron em um cristal s pode
se propagar se sua energia estiver dentro de uma das faixas permitidas.
Em um cristal, os eltrons tendem a ocupar sempre os estados de menor
energia. Assim as faixas permitidas mais baixas esto sempre cheias. Suponhamos
que o nmero de eltrons no cristal seja suficiente para encher completamente
um certo nmero de faixas permitidas" deixando as outras vazias. Nesse caso
os eltrons do cristal, quando submetidos a um campo eltrico, no podem se
propagar, pois qualquer movimento aumentaria sua energia, colocando-os den-
tro da faixa proibida. Nesse caso dizemos que o cristal um isolante. Se, por'
outro lado, os eltrons enchem apenas parcialmente uma das faixas permitidas,
os eltrons podem mover-se com facilidade sob a ao de campos eltricos,
passando para estados de energia ligeiramente maior. Nesse caso, o cristal pode
ser um condutor, um semicondutor ou um semimetal. Em um condutor, as faixas
permitidas parcialmente cheias possuem um grande nmero de eltrons. Em
um semicondutor ou semimetal, as faixas parcialmente cheias possuem um pe-
queno nmero de eltrons ou 'esto quase completamente cheias; em ambos os
casos, a conduo de corrente menor que nos metais. A diferena entre um
semicondutor e um semimetal que na temperatura do zero absoluto um semi-
condutor se torna isolante, enquanto um semimetal continua a conduzir corrente.

EXERCCIOS
5.1. Forme um determinante com os coeficientes A, B, C e D das Eqs. 5.18 e 5.20. Em
seguida, forme um novo determinante somando e subtraindo as colunas da seguinte
forma: l' = (1-2)/2i; 2' = (1 + 2)/2; 3' = (3 + 4)/2; 4' = (4-3)/2, onde os nmeros
1,2,3 e 4 representam as colunas do antigo determinante e os nmeros 1',2',3' e 4'
representam as colunas do novo determinante. Prove a Eq. 5.21 expandindo o novo
determinante.
5.2. Faa um grfico de F(f3a) = (p/fJa) sen fJa + cos fJa, Eq. 5.22, em funo de fJa, para
p = 3n/2, como na Fig. 5.4. Em seguida, use o grfico para obter os valores de ka
para vrios valores de fJa. Use os valores de ka e fJa para traar o grfico de
E = fJ2a2/n2 em funo de ka (Fig. 5.5).
5.3. Explique a diferena entre os nveis permitidos de energia em um tomo e os nveis
permitidos de energia em um cristal.

REFERNCIAS
KRONIG, R. e PENNEY, W. G., Proc. Roy. Soco 130, 499 (1931).

BIBLIOGRAFIA
B!att, F. J., Physics of E/ectronic Conduction in Solids (New York: McGraw-Hill, 1968),
Cap.4.
Hunter, L. P., "Electronic Conduction in Solids", in Handbook of Semiconductor Elec-
tronics (New York: McGraw-Hill, 1962).
6 Propriedades bsicas dos materiais
semicondutores

Como vimos no captulo anterior, os semicondutores se caracterizam por


apresentarem, temperatura ambiente, uma resistividade intermediria entre a
dos metais e a dos isolantes. Na prtica, os semicondutores mais usados so
o germnio e o silcio, dois elementos cuja estrutura cristalina j foi descrita
no Capo 4.
Neste captulo vamos examinar mais de perto as propriedades que fazem
do germnio e do silcio materiais semicondutores.

6.1. ESTABILIDADE DAS SUBSTNCIAS CRISTALINAS


A Mecnica quntica permitiu explicar a estabilidade das substncias cris-
talinas luz da estrutura eletrnica dos tomos. Para compreendermos por
que os tomos se unem para formar um cristal, consideremos primeiramente
o caso dos gases raros.
Os gases raros so os elementos mais estveis da natureza; praticamente
no participam de reao qumica alguma. Ora, examinando a estrutura ele-
trnica dos gases raros (Tab. 6.1), notamos uma peculiaridade; com exceo
do hlio, a ltima camada de todos os gases raros contm exatamente 8 eltrons.
Tabela 6.1 Estrutura eletrnica
dos gases raros

Hlio K2
Nenio K2U
Argnio K2L8M8
Criptnio: K2L8M18NB
Xennio K2L8M18N1808
Radnio : K2L8M18N32018p8

Na verdade, possvel demonstrar que no se trata de uma coincidncia;


para ser quimicamente estvel, um tomo de nmero atmico maior que 2 deve
ter oito eltrons na ltima camada (camada de valncia). por isso que todos
os elementos, exceto os gases raros, so quimicamente ativos; unindo-se em
molculas ou cristais, os tomos dos elementos ativos redistribuem seus el-
trons de tal forma que cada tomo fica efetivamente com 8 eltrons na camada
de valncia.
Assim, por exemplo, o sdio e o cloro possuem as seguintes estruturas
atmicas:
Sdio: K2LBM1,
Cloro: K2L8M7
Quando esses elementos se unem para formar o cloreto de sdio, cada
tomo de sdio cede um eltron a um tomo de cloro. Assim a rede cristalina
50 Introduo fsica dos semicondutores

do cloreto de sdio constituda na realidade por ons de cloro e de sdio, com


a seguinte estrutura eletrnica:
on de sdio: K2L8,
on de cloro: K2L8M8
Repare que tanto os ons de sdio como os ons de cloro possuem 8 eltrons
na camada de valncia.
Esse tipo de ligao, em que um tomo cede um ou mais eltrons a outro
tomo, chamado de ligao inica.

6.2. LIGAES COVALENTES


Nos cristais de germnio e silcio, os tomos so unidos .por um tipo mais
complexo de ligao, a chamada ligao coualente. Para compreendermos me-
lhor a natureza da ligao covalente, consideremos o tetraedro formado pelos
tomos mais prximos de um tomo qualquer de um cristal de germnio ou
silcio (Fig. 6.1)<*).
Como vimos no Capo3, tanto o silcio como o germnio possuem 4 eltrons
na camada de valncia. De acordo com a discusso precedente, de se esperar
que quando os tomos de um desses elementos se unem para formar um cristal,
os eltrons sejam redistribudos de modo que cada tomo fique com 8 eltrons
de valncia.
No caso de uma estrutura como a da Fig. 6.1, uma redistribuio do tipo
ligao inica seria obviamente impossvel,j que todos os tomos so do mesmo
elemento. O que acontece que cada eltron da camada de valncia passa a
pertencer simultaneamente a dois tomos. Esse tipo de ligao chamado de
ligao cova/ente.
Vamos esclarecer melhor a situao. O tomo A da Fig. 6.1 possui 4 eltrons
na camada de valncia. Cada um desses eltrons pertence tambm a um dos
tomos vizinhos. Do mesmo modo, um eltron de cada tomo vizinho pertence
tambm ao tomo A. Assim o tomo A passa a dispor de oito eltrons em sua
camada de valncia, O mesmo ocorre para todos os outros tomos do cristal.

Figura 6.1 tomo de silcio localizado Figura 6.2 Representao esquemtica


no centro do tetraedro formado pelos das ligaes covalentes de um cristal de
4 tomos vizinhos germnio ou silcio
(.,A estrutura cristalina do germnio e do silcio j foi discutida no Capo 4
Propriedades bsicas dos materiais semicondutores 51

Na Fig. 6.2 as ligaes covalentes esto representadas por segmentos de


reta que unem os tomos envolvidos. Cada segmento de reta representa um
dos eltrons que participam da ligao.
Embora permita uma visualizao mais precisa da estrutura do cristal, a
representao tridimensional da Fig. 6.2 desnecessariamente complexa. Para
estudarmos as propriedades bsicas dos semicondutores, podemos usar uma
representao bidimensional, como a da Fig. 6.3.

II II
-=O=O=O~Covalente
II /EI~trons da ligao

-= OII= O11);
= 0=11 ou ~

II II II
Figura 6.3 Representao bidimen-
sional do um cristal do Si ou oe

=0=0=0=
II II II
Repare que a representao bidimensional reproduz corretamente as po-
sies relativas dos tomos e ligaes covalentes, mas que os ngulos entre as
ligaes so alterados. Entretanto esses ngulos no so importantes para as pro-
priedades que vamos estudar. .

6.3. ELTRONS E BURACOS


Como os eltrons de valncia dos semicondutores formam pares covalentes,
eles no so normalmente livres como no caso dos metais. Na verdade em tem-
peraturas muito baixas, prximas do zero absoluto, em que as ligaes cova-
lentes se mantm praticamente intactas, o cristal se comporta como um isolante.
Entretanto medida que a temperatura cresce, algumas ligaes covalentes
se rompem, devido agitao trmica'w.
Na Fig. 6.4 vemos um cristal em que uma das ligaes covalentes deixou
de existir.

II II II
-=0"=0,, ~~ I
eL~~:~~~nJ~~:lente
Incompleta
I

-=O=O=O=-
Figura 6.4 Quebra de uma ligaO" " "
covalente

=O=O=O=-
II II II
(*)Fenmeno conhecido como gerao trmica e estudado no pargrafo 6.3.1
52 Introduo fsica dos semicondutores

Em conseqncia, um dos eltrons ficou livre para vagar por todo o cristal,
e ficou um "vazio" em uma das ligaes covalentes do cristal. A ausncia do
eltron na ligao covalente est representada por uma linha tracejada. Esse
"vazio" chamado de buraco. Os buracos tambm podem servir para o trans-
porte de cargas, pelo mecanismo que explicaremos em seguida. .
Quando uma ligao covalente est incompleta, isto , quando existe um
buraco, o eltron de um tomo vizinho pode deixar sua ligao covalente e vir
preencher esse "vazio". Com isso, entretanto, o eltron deixa um buraco em
sua posio original, que por sua vez pode ser preenchido por outro eltron.
Assim um buraco pode "caminhar" por um cristal, na direo contrria do
movimento dos eltrons que procuram "ench-lo".
No que se refere ao transporte de cargas, o buraco se comporta como uma
carga positiva, com o mesmo valor absoluto da carga do eltron. Na verdade,
para simplificar o estudo, podemos considerar o buraco como uma entidade
real; preciso ter sempre em mente, entretanto, que se trata de um artificio e
que os buracos no passam de "vazios" nas ligaes covalentes do cristal. Outro
ponto que vale a pena destacar o seguinte: o movimento dos eltrons e o mo-
vimento dos buracos se realiza de modo diferente - enquanto os eltrons ca-
minham no cristal de forma mais livre, os buracos s podem passar de ligao
covalente para ligao covalente. por isso que a velocidade com que os el-
trons se movem no interior do cristal em geral maior do que a dos buracos':".

6.3. GERAO E RECOMBINAO


6.3.1. Gerao trmica
Definimos como gerao trmica o processo de criao de pares eltron-
-buraco em um cristal pela rutura de ligaes covalentes devido agitao
trmica da rede cristalina. medida que a temperatura de um cristal aumenta,
a partir do zero absoluto (O K), os tomos da rede comeam a vibrar em torno
de suas posies ideais, fazendo variar as distncias entre os tomos e os ngulos
entre as ligaes covalentes.
Quanto maior a temperatura, maior a amplitude das oscilaes. Parte da
energia das oscilaes transferida para os eltrons de valncia dos tomos
da rede. Alguns dos eltrons recebem energia suficiente para abandonarem a
ligao covalente de que participam. Naturalmente a rutura de uma ligao
covalente resulta na criao de um eltron livre e um buraco.
Para descrevermos a criao de pares eltron-buraco pela agitao trmica
da rede, definimos a chamada taxa de gerao trmica, G(T), que representa o
nmero de pares eltron-buraco criados no cristal, por unidade de volume e
por unidade de tempo. pra um determinado material semicondutor, a taxa de
gerao trmica funo apenas da temperatura.
6.3.2. Recombinao
Definimos como recombinao a associao de um eltron a um buraco,
com a reconstituio de uma ligao covalente e a liberao de uma certa quan-
(*)0 parmetro conhecido como mobilidade, que ser definido no Capo 7, relaciona a velo-
cidade dos eltrons (ou buracos) ao campo eltrico aplicado. Em geral, a mobilidade dos eltrons
maior que a dos buracos
Propriedades bsicas dos materiais semicondutores 53

tidade de energia. Essa energia pode ser irradiada (emisso de ftons) ou absor-
vida pela rede cristalina (emisso de fnons).
Embora os mecanismos da recombinao sejam bastante complexos, o fe-
nmeno pode ser descrito por uma equao fenomenolgica bastante simples:
Como o processo de recombinao depende da presena simultnea de um eltron
e um buraco em um mesmo ponto do cristal, a taxa de recombinao, R, pro-
porcional s concentraes de eltrons e buracos no cristal, isto ,(*)
R = np (Eq. 6.1)
onde R a taxa de recombinao, n e p so as concentraes de eltrons e bu-
racos, respectivamente, e IX um parmetro que depende da temperatura e do
mecanismo de recombinao considerado.
A Eq. 6.1 chamada de Lei da Ao das Massas, por analogia com a lei
que descreve a evoluo das reaes qumicas.

6.3.3. Equilbrio trmico


Dizemos que um sistema est em equilbrio trmico quando sua tempe-
ratura constante e uniforme.
Como vimos nos pargrafos anteriores, as concentraes de eltrons e bu-
racos em um semicondutor dependem de dois processos competitivos, a gerao
trmica e a recombinao. Para uma dada temperatura, a taxa de gerao tr-
mica G(T) tem um valor constante. Assim se o semicondutor estiver em equi-
lbrio trmico, o nmero de pares eltron-buraco gerados por unidade de tempo
e
ser constante. Ora, o nmero de eltrons buracos no cristal no pode aumentar
indefinidamente, j que, como vimos, a taxa de recombinao diretamente
proporcional s concentraes de eltrons e buracos. Em conseqncia, quando
mantemos um semicondutor a uma temperatura constante durante um tempo
suficientemente longo, as concentraes de eltrons e buracos assumem valores
tais que a taxa de recombinao se torna exatamente igual taxa de gerao
trmica:
G(T) = R = anp. (Eq. 6.2)
Naturalmente a Eq. 6.2 s vlida para um semicondutor em equilbrio
trmico.

6.4. SEMICONDUTORES INTRNSECOS


At agora, supusemos implicitamente que o material semicondutor a que
nos referamos era um semicondutor puro, isto , que no continha tomos de
outros elementos (impurezas). Quando um semicondutor no contm impurezas
em quantidade suficiente para alterar-lhe as propriedades, dizemos que se.trata
de um semicondutor intrnseco.
Em um semicondutor intrnseco, o nmero de eltrons igual ao nmero
de buracos, pois cada vez que uma ligao covalente rompida ou formada,
um par eltron-buraco gerado ou eliminado no processo. Usando o ndice i
para indicar que se trata de um material intrnseco, podemos escrever
n p n = = j (Eq.6.3)
(*lA taxa de recombinao definida como o nmero de pares que se recombinam por uni-
dade de volume e por unidade de tempo
54 Introduo fsica dos semicondutores

o parmetro n, chamado de concentrao intrnseca dos portadores e


funo da temperatura e do material considerado. A concentrao intrnseca
dos portadores de um semicondutor ser calculada no Capo 8.

6.5. SEMICONDUTORES EXTRNSECOS OU IMPUROS


A adio de pequenas quantidades de outras substncias a um semicondutor
pode modificar consideravelmente as propriedades do material. Essas impurezas
podem substituir os tomos da rede cristalina (impurezas substitucionais) ou
ocupar posies vagas entre os tomos da rede (impurezas intersticiais).
Na prtica, as propriedades dos semicondutores so controladas atravs
da adio de certas impurezas em concentraes cuidadosamente medidas. As
impurezas substitucionais mais usadas so certos elementos pentavalentes (ars-
nio, fsforo, antimnio) e trivalentes (boro, alumnio, glio, ndio). As Figs. 6.5

/
--
e 6.6 mostram as representaes esquemticas dos tomos dessas impurezas.
/' <,

"-
; \
Figura 6.5 Representao esquemtiea do tomo de
I Q ~ uma impurezapentavalente.Esto indicadosos cinco
I V I eltrons de valncia e a carga positiva equivalente asso-
ciada parte central do tomo. Nessa categoria esto
\ / fsforo, arsnio, o antimnio, ete.

---
'\ /
..... ~

..- ---..
/ "- Figura 6.6 Representao esquemtica do tomo de
/ \ uma impureza trivalente. Esto indicados os trs eltrons
I @) T de valncia e a carga equivalente associada parte
central do tomo. Nessa categoria esto o boro, o alu-
\ / mnio, o glio, o ndio, etc.
\....
-- .-/
/

Vamos analisar primeiro o caso em que acrescentamos a um semicondutor


puro (por exemplo, o silcio) uma pequena quantidade de uma impureza pen-
tavalente (por exemplo, o arsnio). Nesse caso, alguns tomos de arsnio ocupam
o lugar dos tomos de silcio no cristal. Entretanto um tomo de arsnio s
tem quatro tomos vizinhos de silcio para estabelecer ligaes covalentes.
Assim apenas quatro tomos devalncia do arsnio ficam retidos nas ligaes
covalentes; o eltron que sobra fica praticamente livre para vagar pelo cristal,
indo fazer companhia aos eltrons livres j existentes, provenientes da quebra
das ligaes covalentes dos tomos de silcio. Na Fig. 6.7 vemos o que acontece
no interior do cristal.
Como os tomos das impurezas pentavalentes cedem eltrons ao cristal,
essas impurezas so chamadas de impurezas doadoras ou impurezas tipo N (a
letra N a inicial de negativa, referindo-se carga do eltron).
Quando acrescentamos ao silcio uma impureza trivalente - ndio, por
exemplo -, ocorre exatamente o oposto, pois como cada tomo de ndio s
Propriedades bsicas dos materiais semicondutores 55

Figura 6.7 Impureza pentavelmente adi-


cionada a um cristal de Si ou Ge. O eltron
extra fica praticamente livre para se des-
locar no cristal

possui trs eltrons de valncia e pode estabelecer ligaes covalentes com


quatro tomos vizinhos de silcio, uma dessas ligaes covalentes fica incom-
pleta, isto , fica "faltando" um eltron. Ora, como j vimos, a "falta" de um
eltron em uma ligao covalente pode ser considerada como a "presena" de
um buraco. A Fig. 6.8 mostra o efeito da adio de uma impureza trivalente a
um cristal de silcio ou germnio.

Figura 6.8 Impureza trivalente adicionada


a um cristal de Si ou Ge. A ligao cova-
lente incompleta corresponde a um buraco
introduzido pela impureza

Como os tomos das impurezas trivalentes cedem buracos ao cristal (re-


tiram eltrons do cristal), essas impurezas so chamadas de impurezas aceitadoras
ou impurezas tipo P (a letra P a inicial de positiva, referindo-se carga do
buraco).
Os eltrons livres e buracos de um semicondutor so chamados de por-
tadores, pois atravs deles que se realiza qualquer transporte de cargas de um'
ponto para outro do material. Como vimos, em um semicondutor intrnseco
(puro) o nmero de eltrons igual ao nmero de buracos.
Nos semicondutores tipo N, isto , que contm impurezas doadoras, pen-
tavalentes, o nmero de eltrons maior, naturalmente, que nos sernicondutores
intrnsecos. Alm disso, o nmero de buracos menor, pois havendo excesso
de eltrons, os buracos tm maior oportunidade de se recombinarem. Nos se-
micondutores tipo P, contendo impurezas aceitadoras, trivalentes, ocorre o
oposto; como a concentrao de buracos maior que a concentrao de eltrons,
o nmero de eltrons menor que no material intrnseco.
56 Introduo fsica dos semicondutores

o que dissemos anteriormente demonstrado matematicamente no Capo 8,


onde provamos que
(Eq. 6.4)
A Eq. 6.4 vlida para qualquer semicondutor, seja intrnseco, tipo N ou
tipo P. Essa equao nos diz simplesmente que o produto das concentraes
de eltrons e buracos em um semicondutor igual a uma constante, n2 Como
_ I

vimos, a grandeza n- pode ser definida como a concentrao intrnseca de por-


tadores para o material semicondutor em questo. .
Assim o fato de acrescentarmos uma impureza a um semicondutor intrn-
seco no s aumenta o nmero total de portadores, mas tambm altera a pro-
poro entre eltrons e buracos. Nos materiais tipo N, os eltrons so chamados
de portadores em maioria e os buracos de portadores em minoria. Nos materiais
tipo P, os papis se invertem.
Como j vimos, para transformar um eltron firmemente preso a uma
ligao covalente em eltron livre necessrio fornecer-lhe energia. Essa energia
pode ser fornecida, por exemplo, sob a forma de calor. Assim quando dizemos
que a agitao trmica rompe ligaes covalentes, na verdade estamos afirmando
que a energia trmica eleva alguns eltrons de valncia a um nvel mais alto
de energia, tomando-os livres. Por que no acontece o mesmo nos isolantes?
Por que nos metais, mesmo a temperaturas baixssimas, existem muitos eltrons
livres? ESSas perguntas foram respondidas pela Mecnica quntica, como ve-
remos no prximo pargrafo. .

6.5. NVEIS DE ENERGIA NOS SEMICONDUTORES


No captulo anterior, verificamos que em um slido cristalino existem
certas faixas de energias permitidas, separadas por faixas de energias proibidas,
isto , energias que os eltrons no podem assumir. No nosso caso, o que nos
interessa so apenas duas faixas seguintes: a faixa dos eltrons firmemente
presos s ligaes covalentes, chamada de faixa de valncia, e a faixa dos eltrons
de valncia que se tomaram eltrons livres, e que chamada de faixa de conduo.
Em um metal, no existem faixas proibidas entre a faixa de valncia e a
faixa de conduo; as duas se superpem parcialmente. Isso significa que em
um metal, mesmo a temperatura muito baixa, h eltrons com suficiente energia
para serem eltrons livres. Isso explica por que os metais so condutores. Nos
isolantes, por outro lado, a faixa de valncia est completa e separada da faixa
de conduo por uma faixa proibida. Isso significa que para termos um eltron
livre em um isolante, preciso fornecermos a um eltron da faixa de valncia
suficiente energia para que ele passe para a faixa de conduo. Entretanto a
largura da faixa proibida nos isolantes muito grande, isto , a energia neces-
sria para colocar um eltron na faixa de conduo elevada. Assim os isolantes
praticamente no apresentam eltrons livres.
As Figs. 6.9(a) e 6.9(b) mostram como as bandas de energia esto dispostas
nos metais e nos isolantes.
Nos semicondutores tambm existe uma faixa proibida, mas ela muito
mais estreita que no caso dos isolantes. A temperaturas muito baixas, os semi-
condutores se comportam como isolantes, pois seus eltrons no tm energia
Propriedades bsicas dos materiais semicondutores 57

(a) (b)
Figura 6.9 Faixas de energia (a) nos metais; (b) nos isolantes

suficiente para passarem para a faixa de conduo. Nesse caso as ligaes co-
valentes se mantm intactas.
Quando aumentamos a temperatura, entretanto, alguns eltrons adquirem
energia suficiente para transporem a faixa proibida e passarem para a faixa de
conduo, deixando buracos na faixa de valncia.
As Figs. 6.1O(a),(b) e (c) mostram o que acontece nos trs tipos de semi-
condutores.

Conduo { -- -.;;;- --Eltrons ------ - -


-0----0- _Eo
F.proibida{ __ EA
)uracos 0-----0-
+ + + +' + + +++ +++
Valncia {

(a) (b) (c)


Figura 6.10 Faixas de energia nos semicondutores
A Fig. 6.10(a) corresponde ao caso de um semicondutor intrnseco
(n =p = nJ Como vimos, tanto os eltrons da faixa de conduo como os
buracos da faixa de valncia contribuem para o transporte de carga.
Na Fig. 6.10(b) vemos a situao em um semicondutor do tipo N. Repare
que a incluso da impureza doadora deu origem a um nvel permitido de energia
(ED) dentro da faixa proibida, prximo da faixa de conduo. nesse nvel que
esto os eltrons em excesso dos tomos doadores. Assim, temperatura ambi-
ente, quase todos esses eltrons adquirem energia suficiente para passarem para
a faixa de conduo e se tornarem "livres". Com isso os tomos dos doadores
ficam positivamente carregados, como est indicado na Fig. 6.1O(b).A situao
da Fig. 6.10(b) a mesma que a da Fig. 6.7,
Nos cristais do tipo P, em que as impurezas so aceitadoras, o nvel per-
mitido (E.A) est prximo da faixa de valncia. Assim" os eltrons da faixa de
valncia podem passar com grande facilidade para o nvel dos aceitadores,
deixando buracos na faixa de valncia. Com isso, os aceitadores ficam carregados
negativamente, como est indicado na Fig, 6.10(c), que equivale Fig. 6.8.
A Tab. 6.2 mostra as energias de ionizao das impurezas mais comuns,
expressas em eltrons-volt (Conwell, 1958).
58 Introduo fsica dos semicondutores

Tabela 6.2 Energias de ionizao em eltrons-volt (eV)

Semicondutor
Impurezas
Silcio Germnio

D p 0,044 0,0120
O
A As 0,049 0,0130 Conduo
D
O Sb 0,039 0,0096
R
A Li 0,033 0,0010 Valncia
S
A B 0,045 0,010
C
E
I AI 0,057 0,010 Conduo
T
A
D Ga 0,065 0,011
._------.-- ---1
O Valncia
R
A In 0,160 0,011
S

6.6. MASSAS EFETIVAS DOS ELTRONS E BURACOS


EM UM SEMICONDUTOR
Como vimos nos pargrafos anteriores, existem dois tipos de portadores
de carga em um material semicondutor, isto , os eltrons e os buracos. Evi-
dentemente o estudo do movimento desses portadores sob a ao de foras
externas (produzidas, por exemplo, pela aplicao de campos eltricos) extre-
mamente complexo, pois os portadores esto tambm submetidos influncia
dos tomos da rede cristalina, dos tomos das impurezas e dos outros portadores.
Uma maneira simples de resolver o problema definir massas fictcias
para os eltrons e buracos tais que a segunda lei de Newton (F = ma) seja sa-
tisfeita. Em outras palavras, escolhemos valores tais para as "massas" do eltron'
e do buraco que as relaes
Fe = meae (Eq. 6.5)
Fh = mhah (Eq.6.6)
sejam satisfeitas.
Nas equaes anteriores, F a fora externa aplicada, a" e ah so as ace-
leraes dos eltrons e buracos e me e mh so as chamadas massas efetivas dos'
eltrons e buracos, respectivamentel'" (Shockey, 1950). .
(*>Amassa efetiva do buraco representada pelo smbolo mh porque o buraco em ingls
chamado de hole
Propriedades bsicas dos materiais semicondutores 59

Na verdade o uso do conceito de massa efetiva s se justifica porque em


um semicondutor as foras internas do cristal so vrias ordens de grandeza
maiores que as foras externas normalmente aplicadas. Em conseqncia, o
uso de uma massa efetiva reflete adequadamente o efeito do cristal sobre o mo-
vimento dos portadores. '
Repare que ao introduzirmos o conceito de massa efetiva estamos supondo
que o cristal foi substitudo por um meio homogneo, no qual os eltrons e
buracos se deslocam com as respectivas massas efetivas, satisfazendo s leis da
Mecnica clssica e sujeitos apenas a foras externas.
As Figs. 6.11 e 6.12 ilustram melhor essa idia.

II
-O====O-O=-
II II
Figura 6.11 Eltron de massa real mo deslo-
cando-se no interior de um cristal semicon-
/I 11~ll
-=O====O-O===-
dutor sob o efeito de um campo eltrico
externo. Devemos aplicar as leis da Mecnica
II II
quntica 11

TI

r+:
E

Figura 6.12 O cristal foi substitudo por um


meio homogneo que no oferece resistncia
alguma ao movimento. A massa "real" foi subs-
tituda pela massa efetiva. Podemos aplicar as
leis da Mecnica clssica

E
Na prtica, as massas efetivas so determinadas com o auxlio da resso-
nncia de ciclotron dos eltrons e buracosv" (Lax e Mavroids, 1960). .
Voltaremos ao conceito de massa efetiva no Capo 8, quando calcularmos
as concentraes de eltrons e buracos em um semicondutor.

EXERCCIOS
6.1. Verificamos a possibilidade da introduo de impurezas em um material sernicon-
dutor, transformando-o em um semicondutor tipo P ou tipo N, dependendo do

<*)0 nome "ressonnciade ciclotron" provm do fato de que os eltrons e buracos descrevem
rbitas circulares no interior do cristal, sob o efeito de campos eltricos e magnticos. O mesmo
ocorre com as partculas carregadas no interior de um "ciclotron" (acelerador de partculas)
60 Introduo fsica dos semicondutores

tipo de impureza adicionada. Entende-se por solubilidade slida de uma impureza a


mxima concentrao dessa impureza que pode ser "dissolvida" no silcio (ou ger-
mnio) slido, a uma dada temperatura. .
a) Procure explicar fisicamente por que colocamos entre aspas o termo "dissolvida";
b) A mxima solubilidade do arsnio no silcio da ordem de 2 x 1021 tomos/em"
(Trumbore, 1960). Qual a mxima concentrao (%) de As que pode ser utilizada
em um dispositivo semicondutor de silcio?
6.2. Considere um material semicondutor em equilbrio trmico, iluminado por um feixe
de luz cuja freqncia pode ser variada. Um fotodetetor usado para medir a luz que
atravessa o cristal. Pense cuidadosamente e procure explicar o que dever indicar
o detetor, medida que a freqncia da luz for variada.
6.3. Considere um material semicondutor a uma dada temperatura T. Suponha que um
feixe de luz constante aplicado a esse semicondutor. Chamando de G(T) e G(J)
as taxas de gerao devido temperatura e iluminao, respectivamente, qual a
equao de equilbrio do sistema?

REFERNCIAS

CONWELL, E. M., "Properties of Silicon and Germanium", Proc. IRE 46, 1281 (1958).
LAX, B. e J. G. MAVROIDS, "Cyclotron Resonance" in F. Seitz and D. Turnbull (eds.),
Solid State Physics, Vol. 11 (New York: Academic Press, 1960).
SHOCKLEY, W., Electrons and Holes in Semiconductors (New York: Van Nostrand, 1950).
TRUMBORE, F. A., "Solid Solubilities ofImpurity Elements in Germanium and Silicon",
Dell Syst. Tech. J. 39, 205 (1960).

BIBLIOGRAFIA
Gibbons, J. F., Semiconductor Electronics (New York: McGraw-Hill, 1966), Capo 4.
Grove, A. S., Physics and Technology of Semiconductor Devices (New York: Jobn Wiley,
1967), Capo 5.
7 Distribuies estatsticas

J sabemos quais so os estados permitidos para os eltrons em um semi-


condutor. Neste captulo, vamos investigar qual a probabilidade de que esses
estados estejam ocupados. Aproveitaremos a oportunidade para examinar as
distribuies estatsticas de um modo geral.

7.1. NECESSIDADE DAS DISTRIBUIES ESTATSTICAS


O melhor meio de ilustrar a necessidade das distribuies estatsticas para
o estudo das propriedades da matria apresentar algumas perguntas-chave,
conforme segue. .
a) Suponhamos que estamos estudando um sistema constitudo por mo-
lculas que no interagem entre si, a no ser atravs de choques (esse sistema
chamado de gs perfeito). A pergunta que temos a fazer a seguinte: qual a
distribuio de energia das molculas desse gs? Em outras palavras, quantas
molculas estaro em uma determinada faixa de energias? Qual a energia mdia
das molculas?
b) Nos slidos cristalinos, os eltrons de conduo s podem ocupar de-
terminados nveis de energia. Como os eltrons se distribuem entre esses nveis?
Basta uma ligeira reflexo do leitor para verificar que perguntas como
essas s podem ser respondidas estatisticamente. Existe um ramo da Fsica,
chamado Mecnica estatstica, que trata exclusivamente desses problemas. No
restante deste captulo vamos apresentar alguns resultados obtidos pela Me-.
cnica estatstica.
A primeira observao a fazer que os resultados obtidos dependem das
restries impostas ao sistema em estudo. Por exemplo, para o gs perfeito,
definido anteriormente, o nmero de estados permitidos muito maior que o
nmero de partculas presentes; assim, no h sentido em aplicarmos o Princpio
de Excluso de Pauli. Por outro lado, devemos aplic-lopara calcularmos a
distribuio de energia dos eltrons de conduo em Um slido cristalino, j
que nesse caso o nmero de eltrons da mesma ordem de grandeza que o n-
mero de estados permitidos. Com essa idia em mente, vamos estudar algumas
distribuies importantes.

7.2. SISTEMAS DILUDOS - DISTRIBUIO DE BOLTZMANN


Sistemas diludos podem ser definidos como aqueles em que o nmero de
partculas muito menor que o nmero de estados permissveis. Um exemplo
de sistema diludo o gs perfeito. Vamos ver agora como as N partculas de
um sistema diludo se distribuem entre os n estados permissveis de energia.
Nosso clculo ser baseado nas seguintes hipteses:
a) As partculas so distintas. O conceito de partculas distintas e idnticas
muito importante para a formulao estatstica do problema Quando dizemos
que as partculas so distintas, isso significa que podemos localizar uma de-
62 Introduo fsica dos sernicondutores

terminada partcula e ter certeza de que se trata da partcula A e no de B, C ou


outra partcula qualquer. Suponhamos, por exemplo, que o sistema consiste de
apenas trs partculas, A, B e C. Se essas partculas so distintas, ento existem
trs grupamentos distintos de duas partculas, ou seja AB, AC e BC. Grupamentos
como AB e BA so considerados idnticos, porque contm as mesmas par-
tculas. Por outro lado, se as partculas fossem idnticas, no poderamos dis-
tinguir agrupamento AB do grupamento AC, por exemplo. A Fig. 7,1 ilustra
essa diferena?", .

IABCI LQJ 13 PARTI I O 1

L2J IABcl I O 13 PART I


~ ~ 12 PART 1 11 PARTI

~ ~ 11 PARTI ~ARTI

~ ~
(b)
llU ~
Figura 7.1 Diferentes modos de distribuir trs par-
~ LU tculas entre dois estados. (a) partculas distintas. (b)
partculas idnticas. No caso (b), como no podemos
LU ~I distinguir entre as partculas, indicamos apenas o
(a) nmero de partculas em cada estado

b) O nmero total de partculas conservado. Essa hiptese no se apli-


caria, por exemplo, a um sistema contendo partculas jnstveis. '
c) A energia total do sistema conservada. Isso equivale a supormos que
o sistema est livre de influncias externas.
Vamos agora distribuir as N partculas do sistema entre os n estados per-
mitidos,de tal forma que N 1 partculas sejam alojadas no estado 1, N 2 no estado
2 e assim por diante (Fig. 7.2).
estado 1 estado 2 estado i estado n

N 1 part. N 2 part. N, part. N n part.


N1 + N2 + ... + N; + ... + Nn = N = Nmero total de partculas.
Figura 7.2 Distribuio de N partculas entre os estados 1,2, ... , n

Vejamos inicialmente de quantos modos possvel alojar as partculas da


forma indicada na Fig. 7.2" O nmero de modos de colocar N 1 partculas no
primeiro estado CZ'l**). Aps colocarmos as N 1 partculas no estado 1, restam
N - N 1 partculas; existem C~:"N, modos possveis de colocar essas N - N par- 1

(*)0 leitor deve observar que estamos permitindo que mais de uma partcula ocupe o mesmo
estado, isto , estamos ignorando o Princpio de Excluso de Pauli
'**ICZ' representa combinao de N elementos N, a N,
Distribuies estat sticas 63

tculas no estado 2. Do mesmo modo, existem C~'-Nl-N2 modos possveis de


colocar as partculas restantes no estado 3, e assim por diante.
O nmero total de modos possveis de se colocar N 1 partculas no estado 1,
N 2 no estado 2, etc., dado por
w= C'~1
H
x C'Y'~\'
j 1
X C'Nv,-""I _";'12 X ... X C'\\.'~" _.\' _ ...
. '11 2
_"I~n 1
=
N! (N - N I)! (N - N 1- N J!
= x x X
N1 !(N -N1)! N2 !(N -N1 -N2)! N3 !(N -N1 -N2 - N3)!
(N-N1-N2 -Nn_I)! N!
x ... N,,!(N -N -N . -Nn)! N1 !N2 !N ! .. N ! (Eq.7.1)
1 2 3 II

Vamos introduzir agora duas hipteses adicionais que podem ser deduzidas
rigorosamente no contexto da termodinmica, mas que so suficientemente
intuitivas para serem aceitas sem demonstrao:
d) Quando o sistema est em equilbrio, a distribuio de partculas entre
os diferentes estados a mais provvel.
e) A distribuio mais provvel de partculas a que pode ser obtida maior
nmero de vezes, isto , a que maximiza o valor de W na Eq. 7.l.
Estamos agora de posse de todas as informaes necessrias para che-
garmos chamada distribuio de Boltzmann. Essa distribuio tambm
chamada de distribuio clssica, pois ignora o Princpio de Excluso de Pauli.
Vamos recordar as hipteses que conduzem distribuio de Boltzmann:
a) as partculas so distintas;
b) o nmero total de partculas conservado;
c) a energia total conservada;
d) em equilbrio, a distribuio de partculas a mais provvel;
e) a distribuio mais provvel a que maximiza W.
Nosso problema portanto maximizar a funo W (Eq. 7.1) usando como
condies adicionais
N1 + Nz + N3 ... + ... + N" = I:N; = Nmero total de partculas =
= Constante; (Eq.7.2)
N', EI + NzEz + N3E3 + ... = 'LNjEj = Energia total =
= Constante,
(Eq. 7.3)
onde E, a energia do estado i.
Um artificio bastante conveniente para facilitar o desenvolvimento mate-
mtico maximizar ln W<*) em lugar de W, o que evidentemente no altera a
soluo do problema.
A condio necessria para que ln W seja mximo
dlnW = "L. JlnW
aNo dN = O. j
(Eq. 7.4)
I ,

Alm disso de acordo com as Eqs. 7.2 e 7.3, devemos ter


L:N j = constante ydN j = O; (Eq. 7.5)

I.NjEj = constante (Eq. 7.6)


i
(*J/n W = Logaritmo neperiano de W
64 Introduo fsica dos semicondutores

Neste ponto temos que fazer alguns comentrios sobre o problema ma-
temtico que enfrentamos. Suponhamos que queremos maximizar urna funo
f(x, y, z).
Ora, sabemos que
f af af
df = ax dx + ay dy + az dz.
Se os incrementos dx, dy e dz so independentes, a condio necessria
para que f seja mxima
af = af = af = O
x ay z .
No nosso caso, queremos maximizar lnW, mas os incrementos dNi no so
independentes, pois devem satisfazer s Eqs. 7.6 e 7.7. bvio portanto que
no podemos anular diretamente as derivadas de lnW em relao s variveis
Ni, como fizemos para encontrar o mximo da funo f(x, y, z).
Torna-se ento necessrio utilizar um artifcio, os chamados coeficientes
indeterminados de Laqranqe. A idia transformar o problema para o caso mais
simples em que os incrementos so independentes entre si.
Vamos multiplicar as Eqs. 7.5 e 7.6 por Il( e 13, respectivamente, e somar
o resultado Eq. 7.5. Fazendo isso, obtemos
alnW
~ [ aN + r:t. + f3Ei ] dNi = O. (Eq. 7.7)
i

Ora, podemos sempre escolher dois dos incrementos, dN 1 e dN 2' por


exemplo, de tal forma que as Eqs. 7.5 e 7.6 sejam satisfeitas, qualquer que seja
o valor dos outros incrementos. Em seguida, escolhemos os coeficientes o: e 13
de forma que os coeficientes de dN1 e dN2 na Eq. 7.7 se anulem, isto , fazemos
lnW
N + o: + f3El = O,
1

alnW
aN + (:I. + f3E2 = O.
2

Ora, nesse caso, a Eq. 7.7 se reduz a

.I
t* 1,2
[8~~+ t
r:t. + f3EiJ dNi = o, (Eq. 7.8)

em que os incrementos dN 3' dN 4' ... so todos independentes. Em conse-


qncia, podemos igualar separadamente a zero cada uma das parcelas do
somatrio, obtendo':"
81nW
aN + r:t. + f3Ei = O. (Eq. 7.9)
i
Mas de acordo com a Eq. 7.1,
alnW
aN. --~[laN. . L n N i' '] ---~""l N L n N'i' --~l
n N'-""l - N: n N'i' (Eq. 7.10)
I. l I I. I I.

<*lEstritamente falando, a Eq. 7.9 s vlida para i = 3,4,5, ... ; entretanto assim como esco-
lhemos os incrementos dN 1 e dN 2' poderamos ter escolhido qualquer outro par de incrementos;
assim a equao pode ser aplicada, qualquer que seja o valor de i
Distribuies estatfsticas 65

Para qualquer sistema de dimenses prticas, N. um nmero extrema-


mente grande; em conseqncia, podemos usar a aproximao de Stirling para
a funo fatorial:
lnNi! = Ni(lnNi - 1). (Eq. 7.11)
Ento
alnW = I N. (Eq. 7.12)
aNo n t:
I

De acordo com as Eqs. 7.9 e 7.12, temos


lnN i = (J. + {3Ei ;
N, = ea+pEi = eaePEi.

Fazendo ea = A, temos finalmente


Ni = AePE" (Eq. 7.13)
que a chamada distribuio de Boltzmann. Repare que na distribuio de
Boltzmann o nmero de partculas N, com energia E, depende exponencialmente
da energia E, do estado considerado.
Em geral, a Eq. 7.13 escrita sem o ndice i, isto , na forma
(Eq. 7.14)
Uma deduo puramente matemtica, como a apresentada anteriormente,
no permite calcular o valor de {3, que deve ser obtido atravs de consideraes
fsicas. possvel provar, entretanto, utilizando conceitos da termodinmica,
que {3= -1jkT, onde k a constante de Boltzmann e T a temperatura absoluta.
Vamos agora aplicar a Eq. 7.14 a um problema especfico; o clculo da
distribuio de energia potencial das molculas de um gs perfeito.
Chamando de z a cota do ponto onde est localizada a molcula, sua energia
potencial dada por
E = mgz, (Eq. 7.15)
onde m a massa da molcula e g a acelerao da gravidade.
De acordo com a Eq. 7.14, o nmero de molculas com cota z (e conse-
qentemente com energia mgz) dada por .
Nz = Ae-mgz/kT. (Eq. 7.16)

A Eq. 7.16 est representada graficamente na Fig. 7.3.


N

Figura 7.3 Distribuio de Boltzmann

z
66 lntroduo fsica dos semicondutores

Vamos calcular o valor da constante A. Chamando de N T o nmero total


de molcula do gs, temos

e portanto
NTmg
A=-- (Eq. 7.17)
kT
De acordo com as Eqs. 7.16 e 7.17, a distribuio de energia potencial das
molculas de um gs perfeito dada por
N - N mg
_T __ -mgzlkT
(Eq. 7.18)
Z - kT e

7.2. SISTEMAS CONCENTRADOS - DISTRIBUIO


DE FERMI-DIRAC
No pargrafo anterior, estudamos o caso de sistemas diludos de partculas
distintas; consideremos agora o caso de um sistema constitudo por partculas
idnticas; alm disso, suponhamos que o sistema concentrado, isto , que h
necessidade de aplicar o Princpio de Excluso de Pauli. A distribuio que
resulta a chamada distribuio de Fermi-Diracv",
As hipteses que conduzem distribuio de Ferrni-Dirac so as seguintes:
a) as partculas so idnticas;
b) o nmero total de partculas conservado;
c) a energia total conservada;
d) o Princpio de Excluso de Pauli respeitado;
e) a distribuio mais provvel a que maximiza W
Nosso primeiro problema calcular o valor de W Seja N, o nmero de
estados permitidos com energia Ei' e ni o nmero de partculas distribudas
entre estes N, estados (Fig. 7.4).

El
{N 1 estados
n 1 partculas

E2
{N z estados
n2 partculas
:

Ei {Nnii estados
partculas

Figura 7.4 Distribuio das ni partculas entre os estados permissveis

<*IComoa distribuio de Fermi-Dirac leva em conta o Princpio de Excluso de Pauli, que


no tem anlogo algum na Mecnica Clssica, tambm chamada de distribuio quntica
Distribuies estatsticas 67

Consideremos o grupo Ei; como em cada um dos estados N, s pode haver


uma das partculas ni<*l, o nmero total de modos de colocar as ni partculas
nos N, estados dado por
N.!
W = C", = I (Eq. 7.19)
N, ni !(Nj - n)!

o problema agora maximizar a funo W usando como condies adi-


cionars:
Lni = constante; (Eq. 7.20)
"LnjEj = constante. (Eq. 7.21)

Deixamos a cargo do leitor o desenvolvimento completo usando os coe-


ficientes de Lagrange (Problema 7.1). O resultado o seguinte:

n. = Nj (Eq. 7.22)
I 1 + ea-fJE,

Fazendo f = N.'
n
I
vemos que f corresponde probabilidade de encon-
trarmos ni partculas com energia E, (para a qual existem N, estados).
De acordo com a Eq. 7.22, temos
n. 1
f = r-Ji = 1+ ea-fJEi

1
Novamente possvel mostrar que fJ = - kT' obtendo-se ento

1
f = 1+ ea+E;/kT

Definimos uma nova varivel EF tal que

()(~_EF.
kT
N esse caso, temos

ou eliminando o ndice i:
1
(Eq. 7.23)
f = 1+ elE EF)/kT

A Fig. 7.5 mostra o grfico de f em funo da energia para vrias tem-


peraturas.
Repare que para T = O todos os estados com E < EF esto ocupados
(f = 1) e todos os estados com E > Ep esto vazios (f = O).Repare ainda que
(*)1550 uma conseqncia do Princpio de Excluso de Pauli
68 Introduo fsica dos semicondutores

fIE)

Figura 7.5 Distribuio de Fermi-


-Dirac
1
2"

o E

em qualquer temperatura, f = 1/2 para E = Ey, isto , que a probabilidade


de ocupao do nvel Ey sempre igual a 1/2.
A energia EF chamada de nvel de Fermi.
E fcil demonstrar (Prob. 7.2) que para sistemas diludos, isto , quando
ni ~ Ni' a distribuio de Fermi-Dirac se reduz distribuio de Boltzmann.

7.3. OUTRAS DISTRIBUIES


A distribuio de Boltzmann e a distribuio de Fermi-Dirac no so as
nicas distribuies possveis. Dependendo das hipteses iniciais, outras dis-
tribuies podem ser obtidas. Por exemplo: se supusermos que as partculas
so idnticas, mas no obedecem ao Princpio de Excluso de Pauli (como
o caso dos ftons) chegaremos chamada distribuio de Bose-Einstein. O
leitor interessado em maiores pormenores deve consultar um livro de Mecnica
Estatstica (Kittel, 1958).

EXERCCIOS

7.1. Demonstre a Eq. 7.22.


7.2. Mostre que para sistemas diludos a distribuio de Fermi-Dirac se reduz dis-
tribuio de Boltzmann.
(*)7.3. Determine a distribuio de energia cintica das molculas de um gs perfeito
(distribuio de Maxwell). Para calcular a constante multiplicativa, suponha que
o gs contm N molculas.
7.4. Neste exerccio vamos mostrar com um exemplo particular que a constante f3 da
Eq. 7.14 igual a -ljkT. Considere um gs perfeito em um recipiente a uma tem-
peratura T, sob a ao da gravidade. Definindo:
n(z) - nmero de molculas com cota z por unidade de volume,
m - massa de cada molcula;
g - acelerao da gravidade;
p - massa especfica do gs;
k - constante de Boltzmann;
T - temperatura absoluta.
a) Prove, sem usar a distribuio de Boltzmann, que

n(z) = Ae-rngz/kT

onde A uma constante.


Distribuies estatsticas 69

b) Compare essa expresso com a Eq. 7.14 e verifique que


1
f3 =--
kT

REFERNCIA
KITTEL, c., Elementary Statistical Mechanics (New York: John Wiley, 1958).

BIBLIOGRAFIA
Blakemore, J. S., Semiconductor Statistics (New York: Pergamon Press, 1962).
Mayer, J. E. e M. G. Mayer, Statistical Mechanics (New York: John Wiley, 1950).
8 Aplicao da distribuio de
Fermi-Dirac a um material
semicondutor

8.1. APROXIMAES PARA A FUNO DE DISTRIBUIO


DE FERMI-DIRAC
A distribuio de energia dos eltrons em um slido governada pelas
leis de estatstica de Fermi-Dirac, j examinadas no captulo anterior. O prin-
cipal resultado dessa estatstica a funo de distribuio de Fermi-Dirac, que
nos d a probabilidade de que um estado eletrnico com energia E esteja ocupado
por um eltron: .

j.(E) _- 1 + 1 (Eq. 8.1)


e(E-EF)/kT

Essa funo contm um parmetro, EF' que chamado de nvel de Fermi.


Uma definio rigorosa do nvel de Fermi o descreve como o potencial qumico
dos eltrons em um slido. Para nossos propsitos, entretanto, suficiente
observar que o nvel de Fermi a energia para a qual a probabilidade de ocupao
desse nvel de energia exatamente 1/2U = 1/2 se E = EF).
A funo de distribuio de Fermi-Dirac est representada na Fig. 8.l(a)
para o caso de um semicondutor intrnseco. Na faixa de conduo existe um
grande nmero de estados disponveis. Entretanto a probabilidade de ocupao
desses estados pequena; assim, haver um nmero relativamente pequeno de
eltrons na faixa de conduo. A faixa de valncia tambm tem um grande n-
mero de estados disponveis. Quase todos esses estados esto ocupados por
eltrons, j que li- probabilidade de ocupao desses estados grande; assim,
haver um nmero relativamente pequeno de estados desocupados, isto , de
buracos, na faixa de valncia.
A funo de distribuio de Fermi-Dirac simtrica com relao ao nvel
de Fermi EF Assim se o nmero de estados disponveis nas faixas de conduo
e de valncia o mesmo e se o nmero de eltrons na faixa de conduo igual
ao nmero de buracos na faixa de valncia (o que sabemos ser verdade no caso
E E E

-L-.-L-EC ...LLLLL..Ec ~Ec


---EF
___ EF
___ EF
~Ev --,,---Ev ....".."",..Ec
fIE) fIE) f (E)

(aI (bl (e)

Figura 8.1 Aplicao da distribuio de Fermi-Dirac a semicondutores: intrnseco (a),


tipo N (b) e tipo P (c)
Aplicao da distribuio de Fermi-Dirac a um material semicondutor 71

de um semicondutor intrnseco), o nvel de Fermi estar no centro da faixa


proibida. O nvel de Fermi de um semicondutor intrnseco chamado de nvel
de F ermi intrnseco e designado pelo smbolo Ei'
Em um semicondutor tipo N, o nmero de eltrons na faixa de conduo
maior que no caso intrnseco. Como, entretanto, a densidade de estados dis-
ponveis de energia o mesmo que no caso intrnseco, conclui-se que, em um
semicondutor tipo N, o nvel de Fermi, e com ele toda a funo de distribuio
de Fermi-Dirac, ser deslocado para cima, para mais perto da faixa de con-
duo. Ao contrrio, em um semicondutor tipo P o nvel de Fermi e a funo de
distribuio de Fermi-Dirac se deslocam para baixo. Os dois casos esto ilus-
trados nas Figs. 8.1(b) e 8.1(c). .
Para energias muito acima ou muito abaixo do nvel de Fermi, a distri-
buio de Fermi-Dirac pode ser aproximada pelas seguintes expresses: .
f(E)~e-(E-EF)!kT (para IE-EFI~kT, E>E,F)' (Eq.8.2)
f(E) ~ l_e-(ErE)!kT (para IE-EFI ~ kT, E < E,F)' (Eq.8.3)

O segundo termo do segundo membro da Eq. 8.3 pode ser considerado


como a probabilidade de ocupao de um nvel de energia E por um buraco.

8.2. CONCENTRAO DE PORTADORES EM UM CRISTAL


Normalmente, a concentrao de impurezas em um semicondutor tipo N
ou tipo P no suficiente para que o nvel de Fermi se aproxime muito da faixa
de conduo ou de valncia. Nesse caso as aproximaes anteriores so vlidas
e fcil calcular a concentrao dos portadores em funo do nvel de Fermi.

8.2.1. Determinao das concentraes de eltrons e buracos


em funo do nvel de Fermi
A probabilidade de que um estado da faixa de conduo esteja ocupado,
no caso em que E - EF ~ kT, dada por
fc(E) ~ e - (E- Ep)!kT, (Eq. 8.4)

Por outro lado, a densidade de estados por unidade de volume na faixa de


conduo dada pela Eq. 3.35

D (E) = _1_ (2m e)3!2 [E _ E ] 1/2, (E 85)


c. 2n2 h2 G q. ..

onde tomamos como referncia de energia o topo da faixa de valncia (Fig. 8.2).
Repare que a -Eq. 3.35 foi deduzida para o Gs de Fermi. O que fizemos
foi supor que o efeito do cristal sobre os portadores pode ser descrito por uma
massa efetiva, me' usada em lugar da massa "real", m (veja o pargrafo 6.6).
Ora, conhecendo a probabilidade de ocupao dos estados da faixa de
conduo, f(E), e a densidade de estados disponveis nessa mesma faixa, D(E),
podemos calcular a concentrao de portadores, n, atravs da equao: .

n = 1 00

EG
D(E)f(E) dE. (Eq. 8.6)
72 Introduo fsica dos semicondutores

Faixa de
- f-
Conduo

Nvel de
-- -- - f-
Fermi/

Faixa de
Valncia
Figura 8.2 Diagrama ilustrando a referncia de ener-
gias (topo da faixa de valncia)

Substituindo as Eqs. 8.4 e 8.5 em 8.6, obtemos

(Eq. 8.7)

(Eq. 8.8)

A integral anterior pode ser encontrada em qualquer tabela de integrais.


O resultado
(00 kT
Jo xl/2e-x/kT dx = TJ nkT. (Eq. 8.9)

Substituindo a Eq. 8.9 em 8.8 e lembrando que li = hj2n, obtemos

(Eq. 8.10)

A Eq. 8.10 pode ser usada para calcular a concentrao de eltrons a partir
dos parmetros do material considerado. A Eq. 8.10 em geral escrita na forma

(Eq. 8.11)
onde
N = 2 2nmh2e kT)3/2 (Eq. 8.12)
c (

uma constante chamada de densidade efetiva de estados na faixa de conduo.


Para calcular a concentrao de buracos, basta observar que a probabi-
lidade de ocupao dos nveis da faixa de valncia por buracos dada pelo'
segundo termo da Eq. 8.3, que pode ser escrito na forma:
fv{E) = E-EF)/kT (para IE-EFI ~ kT) (Eq.8.13)
Aplicao da distribuio de FermiDirac a um material semicondutor 73

e que a densidade de estados por unidade de volume na faixa de valncia dada


por

D (E)
v.
= _1_
2n2
(2m12h)3/2(_E)1/2.' (E 8 14)
q. .

onde mh a massa efetiva dos buracos.


Deixamos a cargo do leitor o restante da manipulao matemtica para
provar que
(Eq. 8.15)
onde
N = 2 (2nmhkT)3/2 (Eq. 8.16)
v. h2
chamada de densidade efetiva de estados na faixa de valncia.
Por outro lado, se tomarmos como referncia um nvel arbitrrio de energia,
localizado abaixo do topo da faixa de valncia (Fig. 8.3), as Eqs. 8.11 e 8.15 po-
dero ser escritas na forma mais usual
n = NcelEF-EC>/kT, (Eq. 8.17)
p = Nve-(EF-Ev)/kT, (Eq, 8.18)
onde Ec e E; so as energias correspondentes base da faixa de conduo e ao
topo da faixa de valncia, respectivamente. Repare que a escolha do nvel de
referncia totalmente arbitrria, j que as Eqs. 8.17 e 8.18 envolvem apenas
diferenas entre os diversos nveis.

Faixa de
ConduFo

Figura 8,3 Referncia arbitrria para a energia


Faixa de
Ev
Valncia

8.2.2. Produto np
Multiplicando a Eq. 8.11 pela Eq. 8.15, obtemos
np = NcNve-EG/kT. (Eq. 8.19)
A Eq. 8.19 mostra que em qualquer material semicondutor, o produto da
concentrao de eltrons pela concentrao de buracos no depende das impurezas
presentes.

8.2.3. Concentraes de portadores em um semicondutor intrnseco


Em um semicondutor intrnseco, a concentrao de eltrons igual con-
centrao de buracos, isto .
n = p = ni, (Eq. 8.20)
onde ni chamada de concentrao intrnseca de portadores.
74 Introduo fsica dos semicondutores

Combinando a Eq. 8.20 com a Eq. 8.19, obtemos


n~ = N c N v e-EG/kT
l '
(Eq. 8.21)
ou
ni = J NcNve-EG/2kT. (Eq. 8.22)

A Eq. 8.22 permite calcular a concentrao intrnseca de portadores, co-


nhecidos os parmetros do material e a temperatura em que este se encontra.'

8.2.4. Taxa de gerao trmica


Podemos tambm usar as Eqs. 8.10, 8.15 e 8.16 para calcular a taxa de
gerao trmica de um semicondutor em equilbrio trmico. Com efeito, de acordo
com a Eq. 6.2, temos
G(T) = np. (Eq. 8.23)

Substituindo n e p por seus valores, temos


G(T) = AT3e-EG/kT, (Eq. 8.24)
onde
(Eq. 8.25)

uma constante independente da temperatura.


A Eq. 8.24 mostra que a variao da taxa de gerao trmica com a tem-
peratura da forma T3 e - a/To Essa dependncia pode ser verificada experimen-
talmente.

8.2.5. Nvel de Fermi de um semicondutor intrnseco


Como vimos, as seguintes expresses so vlidas para qualquer semicon-
dutor:
n = Nce(EF-Ec)/kT;

p = Nve-(EF-Ev)/kT.

Para um semicondutor intrnseco, n = p = n., Assim chamando o nvel


de Fermi do semicondutor intrnseco de Ei, temos

ou
(Eq. 8.26)

Ora, de acordo com as Eqs. 8.12 e 8.16, a nica diferena entre N, e N v


est no fato de que as massas efetivas dos eltrons e dos buracos no so iguais ..
Como em geral a diferena entre as duas massas no grande, o nvel de Fermi
do material intrnseco est localizado aproximadamente no centro da faixa
proibida. Com efeito, se tomarmos Nc:::: Nv' ln(NJNJ ::::O e portanto
Ec + Ev
Ei ~ . 2 . (Eq. 8.27)
Aplicao da distribuio de Fermi-Dirac a um material semicondutor 75

8.2.6. Concentraes de portadores em funo de n e E, j

As concentraes de eltrons e buracos em um semicondutor tipo P ou


tipo N tambm podem ser expressas em funo da concentrao intrnseca, n.,
e do nvel de Fermi intrnseco, E; Com efeito, combinando as Eqs. 8.17, 8.18,
8.22 e 8.26, fcil demonstrar que
n = n e(EF- Eil/kT, (Eq. 8.28)
i
p = n e<E;- Eyl/kT. (Eq. 8.29)
i

Naturalmente, quando Ep = E, nas equaes anteriores, obtemos n = p = n.,


a concentrao de portadores em um material intrnseco.

8.3. Neutralidade de carga eltrica nos semicondutores


Consideremos um bloco isolado de um semicondutor. evidente que o
bloco como um todo deve ser neutro, isto , o nmero de cargas negativas. no
interior do bloco deve ser igual ao nmero de cargas positivas. Essa neutralidade
global chamada de neutralidade macroscopica.
A neutralidade macroscpica no impede que existam pequenas regies no
cristal em que a neutralidade local (a chamada neutralidade microscpica) no
respeitada. A Fig. 8.4 mostra um exemplo. Se considerarmos a pequena regio
em tomo do tomo de arsnio, encontraremos um saldo de carga positiva.
Entretanto, o eltron cedido faixa de conduo pelo tomo de arsnio no
pode sair do cristal, de modo que o cristal como um todo continua neutro.

Cristal de Si I I Eltron livre


I r -tl---- .
Figura 8.4 Neutralidade macrosc-
pica. O cristal como um todo con-
-(0'I~~i
-- --I-r:+\A+ _I

tinua neutro
II "-11--"
Vejamos agora as implicaes da neutralidade macroscpica para o equi-
lbrio dos portadores em um semicondutor. .
8.3.1. Semicondutores intrnsecos
No caso dos semicondutores intrnsecos, a condio de neutralidade pode
ser expressa pela relao n = p, que satisfeita automaticamente devido na-
tureza dos processos de gerao e recombinao de portadores'?", .

8.3.2. Semicondutores extrnsecos


No caso dos semicondutores extrnsecos (tipo N ou tipo P), a condio
de neutralidade se toma mais complexa, pois alm dos portadores, os tomos
ionizados das impurezas tambm participam do equilbrio de cargas.
Suponhamos um semicondutor que possui uma concentrao NAde impu-
rezas aceitadoras e uma concentrao N D de impurezas doadoras. Essas impurezas
(*'Mais rigorosamente, deveramos escrever qn = qp para a condio de neutralidade, mas
como as cargas dos portadores so iguais em valor absoluto, elas podem ser ignoradas
76 Introduo fsica dos semicondutores

Faixa de
Conduo

,-----
Figura 8.5 Diagrama ilustrando os nveis de energia Ey,
----- Ec,EA,ED

Faixa de
Valncia

introduzem, na faixa proibida, os nveis de energia E A e ED' respectivamente


(Fig. 8.5).
No caso mais geral, nem todos os tomos doadores e aceitadores estaro
ionizados. Vamos chamar de N; a concentrao de tomos doadores ionizados':"
e de N2 a concentrao de tomos doadores neutros. Podemos imediatamente
escrever
(Eq. 8.30)
Do mesmo modo,
N-;' = NA-N~, (Eq.8.31)
onde N;; a concentrao de tomos aceitadores ionizados'<" e N~ a con-
centrao de tomos aceitadores neutros.
. Nesse caso a condio de neutralidade macroscpica assume a seguinte
forma:
n + N;; = p + N;. (Eq. 8.32)

8.4. CONCENTRAES DE PORTADORES EM UM


SEMICONDUTOR EXTRNSECO
As Eqs. 8.17 e 8.18 s permitem calcular as concentraes de portadores
se conhecermos a posio do nvel de Fermi, EF, em relao ao topo da faixa de
valncia ou em relao base da faixa de conduo. No caso de um semicondutor
intrnseco, como vimos, a posio do nvel de Fermi pode ser calculada facil-
mente (Eq. 8.26), a partir da condio n = p.
. No caso de um semicondutor extrinseco, em que n =I: p, a situao mais
complexa. Para determinarmos o nvel de Fermi, temos que usar a equao
de neutralidade (Eq. 8.32). Para isso, entretanto, preciso exprimir N-;' e N;
em funo do nvel de Fermi. o que veremos a seguir.

8.5. CLCULO DAS CONCENTRAES DE IMPUREZAS


IONIZADAS EM FUNO DO NVEL DE FERMI
Vamos comear estudando o caso das impurezas aceitadoras. Podemos
escrever
(Eq. 8.33)
(*)0 sinal positivo indica que os doadores ionizados so ons positivos
(**>0 sinal negativo indica que os aceitadores ionizados so ons negativos
Aplicao da distribuio de Fermi-Dirac a um material semicondutor 77

onde iA a probabilidade de que o estado de energia EA introduzido pela impu-


reza aceitadora na faixa proibida esteja ocupado (ou seja, a probabilidade de
que o tomo da impureza esteja ionizado).
Ora, de acordo com a Eq. 8.1, a probabilidade de que um estado de energia
E A esteja ocupado por um eltron dada por
1
iA = 1 + e<EA - EF)/kT (Eq. 8.34)
De acordo com as Eqs. 8.33 e 8.34,

N-
A
= 1 + e(ENA, EF)/kT (
Eq. 83)
. 5
A

equao que permite calcular a concentrao de tomos aceitadores ionizados


em funo do nvel de Fermi.
No caso das impurezas doadoras, temos
NZ = iDND, (Eq.8.36)
onde a probabilidade de que o estado de energia ED introduzido pela impu-
reza doadora na faixa proibida esteja ocupado (ou seja, a probabilidade de que
o tomo da impureza no esteja ionizado).
Nesse caso, portanto,
= (l-iD)ND' N; (Eq. 8.37)
O valor de iD dado por uma equao anloga Eq. 8.34:
1
iD = 1 + e<ED-EF)/kT
(Eq. 8.38)

De acordo com as Eqs. 8.37 e 8.38,


ND N+ =
, (Eq. 8.39)
D 1 + e<EF-ED)/kT
equao que permite calcular a concentrao de tomos doadores ionizados
em funo do nvel de Fermi.
Substituindo n. p, N~ e Ni, por seus valores na Eq. 8.32, obtemos
N ND
N e-(Ec-EF)/kT + A =N e-(EF-Ev)/kT + --=-'''--;:-:-;-;-;;; (Eq. 8.40)
c 1 + e(EA EF)/kT 1 + e<EF ED)/kT

Teoricamente a Eq. 8.40 permite calcular o nvel de Fermi a uma dada


temperatura, se corrncccmoe u.:t l'UlalU~UVO n'c' n'v' "-TA' "<u> Z:;.c' Z:;A' D,V' DJJ"
Na prtica, entretanto, a Eq, 8.40 no possui soluo analtica, de modo que
preciso recorrer a mtodos numricos ou grficos. Um mtodo grfico que
mostra com clareza a influncia dos diferentes parmetros sobre a posio do
nvel de Fermi e a concentrao dos portadores ser examinado a seguir.
8.6. MTODO DE SCHOCKLEY PARA A DETERMINAO DAS
CONCENTRAES DE PORTADORES EM UM
SEMICONDUTOR INTRNSECO
Voltemos Eq. 8.17, que exprime a concentrao de eltrons em funo
do nvel de Fermi:
(Eq. 8.41)
78 Introduo fsica dos semicondutores

Tomando os logaritmos de ambos os membros da Eq. 8.41, obtemos

1og10n -- 1og10N c - Ec - E,F .


2,3kT (Eq. 8.42)

Assim, se traarmos um grfico de n em funo de EF' usando uma escala


logartmica para n e uma escala linear para EF, obteremos uma linha reta (Fig.
8.6).
log n

Figura 8.6 Variao do logaritmo


da concentrao de eltrons com o
I
. -,-:;t---- nvel de Fermi
I 2.3kT I
1 I
I 1

Ec

A Eq. 8.42 mostra que uma variao de uma dcada na concentrao de


eltrons, n, corresponde a uma variao de 2,3kT no nvel de Fermi, EF
Analogamente, a variao da concentrao de buracos com o nvel de
Fermi pode ser expressa pela equao

1oglOP = 1oglON v =vr:


Ev-EF
(Eq. 8.43)

A Eq. 8.43 est representada graficamente na Fig. 8.7.

log P
1019 ---Nv

1018 - -P2
Figura 8.7 Variao do logaritmo
I da concentrao de buracos com o
1017 - - -4; ,- I -P1
nvel de Fermi
: 2,3kT:

I I

Por outro lado a concentrao de doadores ionizados em funo do nvel


de Fermi dada pela Eq. 8.39:
N+ -
D -
N
D 1+ e 1
(Ev EF)/kT (Eq. 8.44
)

Vamos analisar por partes a variao de N D com E,F' Quando EF = ED,


N;; = ND12. Quando EF ~ ED, (ED - EF)/kT ~ O e portanto N;; ~ ND' Por
Aplicao da distribuio de Fermi-Dirac a um material semicondutor 79

outro lado, quando EF ~ ED, e-(En-EFl/kT ~ 1 e portanto

N+ ~ ND - N -(EF-Enl/kT
D - e (En EFl/kT - De

+ I ED-EF (Eq. 8.45)


logloND = ogloND + kT .

A Eq. 8.45 tem a mesma forma que a Eq. 8.43, o que mostra que quando
EF ~ ED, N; varia com EF da mesma forma que p.
Os casos extremos EF ~ ED e EF ~ ED nos do as assntotas da curva
que representa a variao de logloN; com EF Para obtermos alguns pontos
intermedirios, podemos usar a seguinte tabela, baseada na Eq. 8.44:

ED-EF e-(E[)-EFl/kT
ED-EF N;.
kT

1,1 kT -1,1 0,33 N D/l,33 = 0,75 N D


0,1 kT -0,1 0,90 N D/1,90 = 0,53 N D
1 = 0,50ND

-0,1 kT
kT

+0,1 1,10
ND/2
ND/2,1 = 0,48 ND
-1,1 kT +1,10 3,00 ND/4 = 0,25 ND
-1,39 kT +1,39 4,00 ND/5 = 0,2ND
-1,95 kT +1,95 -7,00 ND/8 = 0,125ND
-2,3 kT +2,30 -9,00 ND/lO = 0,1 ND
Podemos agora traar o grfico da variao de log N; com EF. (Fig. 8.8).

2.3kT/ dcada

Figura 8.8 Variao de log N; com EF. Para EF ~ ED, essa variao linear, com coe-
ficiente angular de uma dcada de variao de N; para cada 2,3 kT de variao de EF
80 Introduo fsica dos semicondutores

Na prtica, trs pontos na regiao intermediria so suficientes para se


conseguir uma preciso razovel no traado da curva.
A anlise do comportamento de N;i em funo de EF inteiramente an-
loga e fica a cargo do leitor (Prob. 8.9).
Agora que descrevemos a variao de n,p, NZ e N;i com o nvel de Fermi,
vejamos em que consiste o mtodo de Schockley, A idia traar em um mesmo
grfico (Moll, 1964) as curvas de n, p, NZ e N;i em funo de EF e resolver a
equao n + N;i = p + N;, procedendo da seguinte forma (Fig. 8.9):
1. Traam-se as curvas de n, p, N;i e N;; ;
2. Somam-se ponto a ponto os valores de n e N;i;
3. Somam-se ponto a ponto os valores de p e N;;
4. Determina-se o ponto de interseo das curvas log(n + N~) e log(p + N;).
log (p,n,Nb,N)

,p ;<N
v -NC
/
N - /

Ev Ec
Figura 8,9 Ilustrao do mtodo de Schockley para a determinao de Ep. No ponto
de interseo, p + N; = n + N;;

A abscissa do ponto de interseo o valor de EF que satisfaz Eq. 8.40.


Os valores de n, p, N;; e N-;;' tambm podem ser obtidos diretamente do grfico.
Na prtica, entretanto, mais conveniente obter do grfico apenas EF (como
se trata de uma escala linear, o erro no muito grande) e calcular n e p atravs
das equaes
(Eq. 8.46)

(Eq. 8.47)
Aplicao da distribuio de Fermi-Dirac a um material semicondutor 81

ou ento atravs das equaes


p = Nve-(EF-Evl/kT, (Eq. 8.48)
n2
n=---L (Eq. 8.49)
p

Do mesmo modo, mais conveniente calcular N; e N atravs das equaes


1
N+
D =N
(Eq. 8.50)
DI + e
(ED EFl/kT

1
N:;' = NA 1 (EA EFl/kT
(Eq. 8.51)
+e

Com referncia Fig. 8.8 convm notar o seguinte:


1) A escala das ordenadas logartmica. Assim para Ep ~ Ev, P + N; ~ P;
para EF ~ Ec" n + N ~ n. Na interseo da curva de p com a curva de
N;, p +N; ~ 2N; (em escala logartmica).
2) A inclinao das curvas de n e p e das assntotas oblquas de N; e N; de-
pende da temperatura.

EXERCCIOS
<*)8.1.Considere um semicondutor tipo N, em equilbrio trmico, que contm uma con-
centrao N D de tomos doadores. Chamando de n. e P. as concentraes de
portadores em maioria e minoria no material, respectivamente: a) calcule nn e Pn'
supondo que todas as impurezas esto ionizadas; b) a aproximao P. = n;/N D
muito usada na prtica. Para um cristal de germnio com ND = 7,5 X 1013 cm" ",
calcule o erro cometido usando essa aproximao.
8.2. Calcule a localizao do nvel de Fermi intrnseco no silcio a -78C, 27C e
300C. razovel supor que o nvel de Fermi est no centro da faixa proibida?
8.3. Desenhe (em escala) o diagrama de nveis de energia para o silcio com 1016 tomos
de boro por centmetro cbico. Indique as faixas de conduo e de valncia, o
nvel de Fermi intrnseco e o nvel de Fermi real.
8.4. O ouro no silcio uma impureza peculiar, pois pode comportar-se tanto como
doador como aceitador. Em outras palavras, o ouro introduz dois nveis na faixa
proibida, um a 0,35eV da banda de valncia e outro a 0,54 eV da banda de con-
duo. Pergunta-se: a) Um cristal de silcio com uma certa concentrao N x de
ouro tipo N ou tipo P?; b) Qual a posio do nvel de Fermi?
8.5. Quando discutimos o fenmeno da neutralidade macroscpica, consideramos
apenas as impurezas mais simples. Existem impurezas, como o zinco no silcio,
que podem se comportar como um aceitador simples ou como um aceitador duplo,
isto , que podem capturar um ou dois eltrons. No caso de um cristal de silcio
com uma concentrao NAde tomos de zinco e N D tomos de fsforo, escreva
a equao de neutralidade macroscpica.
<*)8.6.O zinco introduz no silcio os seguintes nveis na faixa proibida; E1, 0,35 eV acima
do topo da banda de valncia; E2, 0,2 eV acima de El' Para um cristal de silcio
com 2x 1Q15 tomos/em' de As e 0,9 x W5 tomos/em" de Zn, calcule: a) a
posio do nvel de Fermi; b) a concentrao de eltrons; c) a concentrao de
buracos.
82 Introduo fsica dos semicondutores

8.7 -, a) Explique o fenmeno da compensao de impurezas, isto , a diminuio do


nmero de portadores e da condutividade de um cristal quando este contm si-
multaneamente impurezas tipo P e tipo N; b) Podemos verificar se um cristal
intrnseco simplesmente medindo a sua condutividade? Justifique.
8.8. Calcule n, p e EF para um cristal de silcio contendo 1,1 x 1016 tomos/em? de
boro e 9 x 1015 tomos/em? de fsforo a 27 "C,
8.9. Analise a variao' da concentrao de aceitadores ionizados com o nvel de Fermi.
Desenhe a curva de loglo N A em funo de Ep.

REFERNCIA

MOLL, J. L., Physics of Semiconductors (New York: McGraw-Hill, 1964), p. 86.

BIBLIOGRAFIA
Blatt, F. J., Physics of Electronic Conduction in Solids (New York: McGraw Hill, 1968),
Cap.8.
Grove, A. S., Physics and Technology of Semiconductor Devices (New Y ork: John Wiley,
1967), Capo 4.
9 Transporte de cargas nos
semicondutores

Neste captulo vamos estudar o movimento dos portadores de carga nos


semicondutores e apresentar as leis que regem os dois processos bsicos de
transporte de cargas, que so a deriva':" e a difuso.

9.1. ESTUDO DA DERIVA

9.1.1. O processo de deriva


Consideremos um semicondutor tipo N com uma concentrao uniforme
de doadores. Na ausncia de campo eltrico externo, os eltrons do cristal esto
em movimento trmico aleatrio, interrompido por colises (Fig. 9.la).
8 ..
18
8 .
to
I I I I I I I I I I
t,
t, t817 t, t, t, t, t2t1 to Deslocamento
15 15 total em t =19
(a) ( b) (c)

Figura 9.1 Deriva de portadores. (a) Movimento trmico dos portadores na ausncia
de campo eltrico externo. (b) Componente de deriva, produzida pelo campo externo.
(c) Efeito combinado da deriva e da agitao trmica

fcil demonstrar que o deslocamento total do eltron, depois de um


grande nmero de colises, zero, pois no h uma direo preferencial para
o movimento do eltron depois de cada coliso.
Se aplicarmos um campo eltrico ao cristal, o eltron ser acelerado pelo
campo eltrico entre cada duas colises. Essa acelerao tem uma direo pre-
ferencial: a do campo eltrico aplicado. Assim, superposta velocidade tr-
mica, haver uma pequena componente da velocidade devido ao efeito do campo
eltrico [Fig. 9.l(b)]. Essa componente chamada de velocidade de deriva; se
somarmos os efeitos da velocidade trmica aos da velocidade de deriva, teremos
o movimento real do eltron sob a ao do campo eltrico [Fig. 9.1(c)]. Para
termos uma idia de ordens de grandeza, a velocidade trmica dos eltrons no
silcio temperatura de 27C de 105 m/s, enquanto a velocidade de deriva
sob o efeito de um campo eltrico de 10 V/em de 390 m/s, muito menor,
portanto.
C0n10 a velocidade de deriva est sen1pre superposta a uma velocidade
trmica muito maior, no faz sentido acompanharmos o movimento de um
1*)Em ingls, drift
84 Introduo fsica dos semicondutores

eltron em particular; o que devemos fazer calcular o movimento mdio de


muitos eltrons em um momento especfico de tempo.
Suponhamos que a probabilidade de que um eltron sofra uma coliso em
um intervalo de tempo dt dth; onde. uma constante de tempo. Seja no o
nmero de eltrons que sofreram uma coliso no tempo to e suponhamos que
desses eltrons, n no sofreram colises subseqentes no intervalo de tempo
t- to; ento:
dt
dn = -n-, (Eq. 9.1)

n = noe-(t-tol!<. (Eq.9.2)
De acordo com a Eq. 9.1, o nmero de eltrons que sofrem colises entre
t e t + dt igual a ndt] r. Para esses eltrons, o tempo entre colises t - to.
Assim o tempo mdio entre colsesv" para os no eltrons dada por

<t-to> = -1
no
ioo

to
(t-to)n~ dt =i
r
t. . (Eq. 9.3)

A velocidade mdia de deriva pode ser calculada de forma semelhante. A


velocidade de um eltron que sofreu a ltima coliso em to dada por
qe(t - to)
v = vo- m* ' (Eq.9.4)

onde o primeiro termo representa a velocidade inicial depois da coliso e o


segundo termo representa a velocidade causada pelo campo eltrico e(**l. O
smbolo m* representa a massa efetiva dos eltrons no cristal. A massa efetiva
uma grandeza que substitui a massa de um eltron livre (veja o Capo 6) em
vrios clculos. Ela reflete o efeito da rede do cristal sobre o comportamento
do eltron.
Como a velocidade Vo depois da coliso no tem uma direo preferencial,
a mdia de Vo para muitos eltrons zero. Para calcularmos o valor mdio de v
no tempo t, entretanto, precisamos conhecer a distribuio de eltrons em funo
de to.
Seja w a porcentagem de eltrons que ainda no sofreram uma coliso no
tempo t depois de sofrerem uma coliso em to. De acordo com a Eq. 9.2,
w = ~ = e-(t-tol!< (Eq.9.5)
no
Assim o nmero de eltrons que sofreram uma coliso no intervalo de
tempo entre to e to + dto e ainda no sofreram outra coliso no tempo t dado
por
(Eq. 9.6)

<*)Estamos representando o valor mdio de uma grandeza f pelo smbolo <f >
(**.Chamamos a ateno do leitor para a simbologia que estamos utilizando:
E = permissividade,
t: = campo eltrico,
E = energia,
e = base dos logaritmos neperianos
Transporte de cargas nos semicondutores 85

Nesse caso, a velocidade mdia de deriva dos eltrons ser:

<v> = ---*
q8
nom
fI
_ a)
now(t-to)~
dt
7:
=
q8
-*7:
m
= -f1.8. (Eq. 9.7)

A constante f1. = qilm" definida como a mobilidade dos eltrons e ser


estudada na Seco9.1.3.
Naturalmente, a velocidade mdia de deriva independente do tempo. O
sinal negativo da Eq. 9.7 indica que a velocidade de deriva dos eltrons tem
o sentido contrrio ao do campo eltrico C.
De acordo com a Eq. 9.7, a densidade de corrente de deriva dos eltrons
dada por
(Eq. 9.8)

No caso de buracos, a equao correspondente Eq, 9.7 ser


(Eq. 9.9)
onde o segundo membro positivo, porque a velocidade de deriva dos buracos
tem o mesmo sentido que o campo eltrico. Assim, a densidade de corrente
de deriva dos buracos dada por
Jp = tn-:v,> = pqf1.pc. (Eq.9.10)

Quando a corrente de deriva consiste em eltrons e buracos, podemos


combinar as Eqs. 9.8 e 9.10, obtendo
Jc = J" + Jp = q(nf1.n + pf1.pk (Eq.9.11)

9.1.2. Resistividade de um sernicondutor


Considere um bloco de um material qualquer de seo reta A e compri-
mento I, ao qual aplicada uma tenso V, produzindo uma corrente I (Fig. 9.2).

I_ e 1

~I I
Figura 9.2 Definio de resistividade I
~----- ~J RI ~ I

I+ V -I
Por definio, a densidade de corrente J dada por

J=_.
I
A
(*)A equao J = qnv uma equao bsica que relaciona a densidade de corrente (J), em
qualquer material, velocidade dos portadores de carga nesse material (v), densidade de portadores
(11) e carga de cada portador (q)
86 Introduo fsica dos semicondutores

Por outro lado chamando de p a resistividade do material, a resistncia entre


as duas sees transversais ser
I
R=p-'
A
Assim, temos

1
v V 1
=-=-=--v, A
R pilA p I
ou
1 1 V
A=p'T'
porm, Il A = J e VII = e, onde e o campo eltrico no interior do bloco. Con-
seqentemente,
1
J = -' e = ae, (Eq. 9.12)
p
onde a = IIp a condutividade do material.
Comparando essa expresso com a Eq. 9.11, verificamos que em um se-
micondutor
(Eq. 9.13)

(Eq. 9.14)

De acordo com a Eq. 9.14, a resistividade dos semicondutores varia inver-


samente com a mobilidade e com a concentrao de portadores. Assim, a uma
dada temperatura, a resistividade depende apenas da concentrao de impurezas
(doadoras ou aceitadoras) do material. Na prtica, a variao da resistividade
com a concentrao de impurezas s obedece a uma equao simples para
baixas concentraes de impurezas, caso em que a mobilidade dos eltrons e
buracos praticamente constante; para concentraes elevadas, tanto a mo-
bilidade como a concentrao dos portadores dependem da concentrao de
impurezas (veja 9.1.3).
A Fig. 9.3 mostra a variao da resistividade do silcio com a concentrao
de impurezas para cristais tipo P e tipo N. A mobilidade dos portadores se
mantm constante at a concentrao de impurezas atingir valores da ordem
de 1016 tomos/em",

9.1.3. Mobilidade dos portadores em um semicondutor


A mobilidade dos portadores de carga em um cristal depende das interaes
desses portadores com os tomos da rede cristalina, com os tomos de impu-
rezas, com defeitos da rede, com outros portadores, etc. Todas essas interaes
so conhecidas pelo nome genrico de mecanismos de espalhamento iscatterinq
mecnanismss ,
No caso dos semicondutores usados na prtica, que esto relativamente
livres de defeitos e cuja densidade de portadores no muito grande, os me-
Transporte de cargas nos semicondutores 87

1028
6
4
'\ f\
2
101a
6
"-
4
~ 2
r-.
(J
I "- P
~ 1 a
::t: 6
.2- 4
2 N r-,
w i'. r-,
O 10-~
6
Cl <;
s
4
r-,
i=
2 t-,
C/)
10':2
8
u; 6
4
I'..
w
a::
1'-...'
2
16~
6
4

2
'"
10-4 2
468 2468 2468 2468 2468 2468 2468
20
1d4 1015
10
16
1d7
1018
10
19
10 10
21

CONCENTRAO DE IMPUREZAS (CM-3)


Figura 9.3 Resistividade do silcio a 300 K em funo da concentrao de impurezas.
[Irvin, J. c., "Resistivity of Bulk Silicon and of Diffused Layers in Silicon", Reli Syst.
Tech. J. 41, 387 (1962). Reproduzido com a permisso da American Telephone and Te-
legraph Company.]

canismos de espalhamento mais importantes so o espalhamento pela rede (lattice


scattering) e o espalhamento por impurezas ionizadas (ionized impurity scattering)
(Fan, 1955).
O espalhamento pela rede resulta da interao entre os portadores e os
tomos que constituem a rede cristalina. Como vimos no Capo 6, os tomos
da rede cristalina no esto imveis, mas oscilam em relao posio de equi-
lbrio. A amplitude dessas oscilaes diretamente proporcional temperatura
do cristal. fcil ver portanto que o tempo mdio entre colises dos portadores
com a rede, 't'R' deve ser inversamente proporcional temperatura. Por ana-
logia com a Eq. 9.7, podemos definir uma constante flR atravs da equao.

(Eq. 9.15)

onde f.1R a contribuio do espalhamento pela rede para a mobilidade total,


'R o tempo mdio entre colises com a rede e m* a massa efetiva do portador
considerado.
Outro mecanismo importante de espalhamento, principalmente em baixas
temperaturas, ou para grandes concentraes de impurezas, o espalhamento
por impurezas ionizadas. Esse tipo de espalhamento se deve ao fato de que
tanto os portadores como os tomos ionizados das impurezas possuem cargas
eltricas. Ao passar pelas proximidades de um tomo ionizado, o portador
sofre um desvio em sua trajetria, devido interao entre o campo eltrico
88 Introduo fsica dos semicondutores

do tomo ionizado e a carga do portador. Naturalmente, quanto maior a ve-


locidade do portador, menor a deflexo sofrida; assim, o espalhamento por
impurezas ionizadas mais importante em baixas temperaturas, que implicam
em uma menor velocidade trmica dos portadores.
Como no caso do espalhamento pela rede, podemos associar ao espalha-
mento por impurezas ionizadas uma constante de tempo, "I' o tempo mdio
entre colises dos portadores com os tomos das impurezas ionizadas, Podemos
definir tambm uma constante, 11r, atravs da equao:
q"I
l1r = *'
m
(Eq. 9.16)

ondeu, a contribuio do espalhamento por impurezas ionizadas para a mo-


bilidade total. Naturalmente, "I e J.lI so inversamente proporcionais concen-
trao de impurezas ionizadas.
Os outros mecanismos de espalhamento s so importantes em circuns-
tncias especiais. O espalhamento eltron-eltron, o espalhamento buraco-buraco
e o espalhamento eltron-buraco, caracterizados por diferentes tempos mdios
entre colises, "e-e' "h-h e "e-h' resultam da interao direta de portadores e
s so importantes quando a densidade de portadores muito elevada. O espa-
lhamento por impurezas neutras (neutral impurity scattering), caracterizado por
um tempo entre colises "N' resulta da interao de portadores com impurezas
neutras e s importante em temperaturas muito baixas, quando nem todos
os tomos das impurezas esto ionizados.
Se supusermos que Os mecanismos de espalhamento que ocorrem no ma-
terial so independentes entre si (o que nem sempre verdade), a mobilidade
total dos portadores pode ser calculada a partir das mobilidades parciais atravs
de uma equao bastante simples. Com efeito,basta observar que se" 1, "2' "3' ...
so os tempos mdios entre colises para os diversos mecanismos de espalha-
mento, ento 1/" i > 1/"2' l/r 3 ' . .. representam os nmeros mdios de colises
por unidade de tempo para os referidos mecanismos. Assim, supondo que os
mecanismos so independentes, o nmero mdio total de colises por unidade
de tempo dado por
(Eq. 9.17)

Ora, como por definio J.l = q,,/m*, J.ll = q't1/m*, J.lz = q"z/m*, ... , temos
1 1
- =-
J.l J.ll
+ -J.lz1 + J.l3
-1 + ... (Eq. 9.18)

onde J.l a mobilidade total e J.ll ' J.l2 ' J.l3' ... so as contribuies para a mo-
bilidade total dos diversos mecanismos de espalhamento.
Quando os mecanismos de espalhamento considerados so apenas o espa-
lhamento pela rede e o espalhamento por impurezas ionizadas, a Eq. 9.18 se
reduz a uma expresso muito usada na prtica
1 1 1
-=-+-'
It It R ItI
(Eq.9.19)

A mobilidade que aparece na tabela de constantes no incio deste livro


a mobilidade do material intrnseco temperatura ambiente e corresponde
Transporte de cargas nos semicondutores 89

praticamente mobilidade resultante do espalhamento pela rede. Entretanto,


esse valor tambm usado na prtica para materiais tipo P e tipo N, desde que
a concentrao de impurezas no seja muito grande.
Finalmente, completando nosso estudo da mobilidade, vamos discutir a
influncia do campo eltrico sobre a mobilidade dos portadores.
Voltemos equao bsica que relaciona a velocidade de deriva dos por-
tadores, v, ao campo eltrico aplicado, 8: .

v = /1,13. (Eq. 9.20)


Se f1 no dependesse do campo eltrico, o grfico de v em funo de 8 seria uma
linha reta de coeficiente angular igual a u.
A Fig. 9.4 mostra o que acontece na prtica medida que o campo eltrico
aumenta.

Vmax
8
- - - --- - - -~=-=~----
Eltrons
CIO

'" 6
'"
' Buracos
~ 4
;li:
2

Q2 Q4 Q6 0,8 1 1,2 1.4 1.6 1,8 2 x 104 E


E (V/em)

Figura 9.4 Variao da velocidade de deriva com o campo eltrico no silcio (Ryder,
1953)

Para campos eltricos fracos, a velocidade aumenta linearmente com o


campo; para campos eltricos intensos, a velocidade dos portadores passa a
aumentar mais lentamente, tendendo para um valor constante. Esse fenmeno,
que chamado de efeito dos eltrons quentes, se deve ao fato de que os portadores
no se mantm em equilbrio trmico com a rede cristalina quando sua energia
cintica muito grande (Ryder, 1953).

9.2. ESTUDO DA DIFUSO

9.2.1. O processo de difuso


Ao calcularmos a densidade de corrente de deriva, Eq. 9.11, no levamos
em conta a variao espacial das concentraes de portadores, n e p. Se n e p
variarem ao longo do cristal, haver uma outra contribuio para a corrente
que ser somada corrente de deriva.
Consideremos o movimento trmico de partculas no espao unidimensional
da Fig. 9.5, onde VI a velocidade trmica das partculas e I o caminho livre
mdio, definido por 1 = Vtr. (r = tempo mdio entre colises).
O nmero de partculas que atravessam a linha A da esquerda para a direita
por unidade de tempo e por unidade de rea igual a nz v/2, enquanto o n-
90 Introduo fsica dos semicondutores

Figura 9.5 Processo de difuso

mero correspondente da direita para a esquerda n1 v/2, onde n2 e n1 so as


concentraes de partculas esquerda e direita de linha A, respectivamente.
O fluxo total de partculas por unidade de tempo e por unidade de rea dado por
S = VI n2; n1 . (Eq. 9.21)

Como apenas as partculas que esto a uma distncia igualou menor que o
caminho livre mdio da linha A conseguem atravess-Ia, a diferena n2 - nl deve
ser calculada a essa distncia. Assim, nj = no + (njx)l e n2 = no - (njx)l,
tomando apenas os primeiros dois termos da expanso em srie de Taylor.
Substituindo na Eq. 9.21, obtemos
n
S = -v, x l. (Eq. 9.22)

Se as partculas possuem carga eltrica, o movimento dessas partculas


constitui uma corrente, cuja densidade dada por
n qk'T dn dn
Jd = -qS = qv,l x = rn*
dx = qD x' (Eq.9.23)

onde, por definio, I = vt T, m*v: = kT. No caso tridimen sion ai, a Eq. 9.23
fornece a componente x da corrente de difuso se substituirmos Vt pela com-
ponente x da velocidade, vtx' A corrente J definida pela Eq. 9.23 chamada
de corrente de difuso. A constante D chamada de coeficiente de difuso. Re-
pare que de acordo com as Eqs. 9.7 e 9.23 existe uma relao entre D e Jl:
D = kTlljq. Essa relao chamada de relao de Einstein.

9.3. SUPERPOSIO DOS PROCESSOS DE DERIVA E DIFUSO


De acordo com as Eqs. 9.11 e 9.23, a densidade total da corrente de eltrons
ao longo do eixo dos x em um semicondutor dada por

(Eq.9.24)
Transporte de cargas nos semicondutores 91

onde o primeiro termo representa a corrente de difuso e o segundo a corrente


de deriva. Do mesmo modo, a corrente de buracos dada por
ap
Jpx = -qDp ax + qpPpsx' (Eq.9.25)

EXERCCIOS
9.1. Sugira um mtodo para medir a condutividade de um semicondutor.
9.2. Descreva dois mtodos para verificar experimentalmente se um semicondutor
tipo P ou tipo N.
9.3. Calcule a resistividade de um cristal de silcio com 1,4 x 10'6 tomos de fsforo
por cm ' e 1,0 x 10'6 tomos de boro por em", temperatura de 27 "C,
(*'9.4. Uma pequena concentrao de portadores em minoria injetada em um ponto
de um cristal semicondutor homogneo. Um campo eltrico de 10 Vjcm apli-
cado ao cristal; esse campo faz com que os portadores injetados percorram uma
distncia de 1 em em 250 JlS. Calcule a velocidade de deriva e o coeficiente de di-
fuso dos portadores em minoria.
9.5. Em um cristal semicondutor, os eltrons tm uma mobilidade de 500 cm2jV' s.
Calcule o tempo mdio entre colises. Para um campo eltrico de 100 Vjcm, calcule
tambm a distncia mdia percorrida pelos eltrons entre duas colises sucessivas.
Nesses clculos, use m* = m, onde m a massa do eltron livre.
(*19.6. A resistncia: de um cristal de germnio tipo P (figura a seguir), entre os planos
A e B, igual a 100 Q a 300 K. Calcule a concentrao de eltrons e buracos na
0

amostra.
Dados:
para o gerrnamo a 27C, l1i = 2,4 X 10'3 em ~ 3;
2 2
Jlp = 1900cm jV-s; Jln = 3900cm jV-s.

9.7. Considere um bloco retangular de GaAs de dimenses 1 mm x 1 mm (seo) e


comprimento I = 1 em, ao qual aplicada uma tenso de 100 V no sentido do
comprimento do bloco. Sabendo que o material possui 1015 eltrons/em" e que
a mobilidade dos eltrons de 8 x 103 cnr' IV . s, calcule a corrente que circula
no material.
<*)9.8. Considere um semicondutor intrnseco. Raciocinando qualitativamente, podemos
dizer que a condutividade do material deve aumentar com a temperatura, j que
92 . Introduo fsica dos semicondutores

medida que a temperatura aumenta o nmero de ligaes covalentes que so


rompidas tambm aumenta. Prove matematicamente que isso verdade, isto ,
que dald'T maior que zero para qualquer temperatura.
<*)9.9. Mostre que a velocidade mdia dos eltrons em um semicondutor submetido a
um campo eltrico alternado da forma E = Re [Eoeia,,] dada por

<v > = Re r-~


L m* 1+
T
iWT
F. eiWI ]
o

REFERNCIAS
FAN, H. Y., "Valence Semiconductors, Germanium and Silicon", em F. Seitz e D. Turnbull
(eds.), Solid State Physics, Vol. 1 (New York: Academic Press, 1955).
RYDER, E. J., "Mobility of Holes and Electrons in High Electric Fields", Phys. Rev.90,
766 (1953).

BIBLIOGRAFIA
Conwell, E. M., High Field Effects in Semiconductors (New York: Academic Press, 1967).
Paige, E. G. S., The Electrical Conductivity of Germanium, em Progr. Semiconductors,
VaI. 8 (1964).
1 O Junes PN

Vamos agora aplicar os conhecimentos desenvolvidos nos captulos ante-


riores ao estudo de um dispositivo semicondutor muito usado na prtica: a
juno PN, cuja estrutura est representada de forma esquemtica na Fig. 10.l.
Como est indicado na figura, uma juno PN um bloco de material
semicondutor que consiste em duas regies distintas, uma tipo P e outra do tipo N.

Figura 10.1 Representao esque- p


N
mtica de uma juno P-N

10.1. JUNO PN EM EQUILBRIO


Suponhamos, apenas para efeito de discusso, que acabamos de formar
uma juno PN, simplesmente "justapondo" um bloco de material tipo P em
um bloco de material tipo N. claro que existem mais eltrons do lado N e
mais buracos do lado P; assim, existe uma regio em que nlx e plx so
diferentes de zero. Surge naturalmente a pergunta: haver corrente, mesmo na
ausncia de campo eltrico externo? A resposta sim, mas por tempo limitado.
Se os eltrons e buracos no tivessem carga eltrica, as correntes de difuso
continuariam at que as distribuies de eltrons e buracos fossem uniformes
em todo o cristal. Mas como os eltrons e buracos possuem cargas eltricas e
os cristais contm os tomos ionizados das impurezas, a situao bem dife-
rente. medida que, em conseqncia das correntes de difuso, os eltrons do
lado N passam para o lado P e os buracos do lado P passam para o lado N,
este vai se tornando mais positivo devido presena de doadores ionizados, e
o lado P vai se tornando mais negativo devido presena de aceitadores ionizados.
Assim, criado um campo eltrico nas proximidades da juno, como vemos
na Fig. 10.2.
Esse campo eltrico tem um sentido tal que tende a manter os buracos no
lado P da juno e os eltrons no lado N. Assim, depois que um certo nmero
de eltrons e buracos atravessa a juno, criado um campo eltrico que inter-
rompe o movimento de portadores. .

Neoe00o 0 0 0 p
eO eO eO 0 'e 0
Figura 10.2 Distribuio de cargas
no interior de uma juno P-N em
equilibrio
N~+o~+.
~\;!;Ie I-e '00 p
-,",,-
0e0 eee
94 Introduo fsica dos semicondutores

assim que se atinge o equilbrio, no qual a corrente total zero; as cor-


rentes de difuso dos eltrons e buracos so equilibradas exatamente pelas
correntes de deriva devido ao campo eltrico interno.
Vamos agora traduzir essa afirmao em termos matemticos. De acordo
com a Eq. 9.25, a corrente de buracos dada por
op
Jp = -qDpox + qJ.1pPf.. [Eq.9.25J

Substituindo nessa expresso a concentrao de buracos por seu valor


em termos do nvel de Fermi intrnseco (Eq. 8.29)
P = ni elE, - EF)/kT [Eq. 8.29J
e sua derivada

dp _ P [dEi dEp] (Eq. 10.1)


dx - k T dx - dx '
temos

(Eq. 10.2)

Sabemos da eletrosttica que, em uma dimenso,


1 oE .
f. = --, (Eq.1O.3)
q ox
onde e o campo eltrico, E a energia potencial da partcula considerada e q
a carga dessa partcula. Como vimos nos captulos anteriores, a energia po-
tencial do eltron representada pela energia na borda da faixa de conduo,
Ec' e a energia de um buraco representada pela energia na borda da faixa de
valncia, Ev' Entretanto como estamos interessados apenas na derivada da ener-
gia potencial, podemos usar qualquer nvel de energia que seja paralelo s faixas
de conduo e de valncia. Em particular, podemos escolher o nvel de Fermi
intrnseco e escrever
1 .u:
e = - -' . (Eq. 10.4)
q dx
Substituindo a Eq. 10.4 em 10.2 e usando a relao de Einstein J.1p = qD )kT,
obtemos
Dp dEp dEF
Jp = q kTP dx = J.1pP dx . (Eq. 10.5)

Assim, para que a corrente total de buracos seja zero preciso que o nvel
de Fermi no varie ao passarmos de um lado para outro da juno.
Se aplicarmos o mesmo tratamento matemtico corrente de eltrons,
obteremos a expresso

(Eq. 10.6)

e portanto para que a corrente total de eltrons seja zero o nvel de Fermi tam-
bm deve ser constante. Assim, em umajuno PN em equilbrio o nvel de Fermi
constante ao longo de todo o cristal.
Junes PN 95

Para calcularmos as caractersticas da regio de carga espacial que for-


mada nas proximidades da juno, vamos supor que ela consiste inteiramente
nas cargas dos aceitadores e doadores ionizados. Isso equivale a dizer que a
regio de carga espacial est totalmente desprovida de portadores, ou melhor,
que as concentraes de portadores n e p so desprezveis em comparao com
a concentrao de impurezas na regio de carga espacial.
Na Fig. 10.3(a) vemos a distribuio de cargas em uma juno PN em
funo da distncia, para o caso em que a concentrao de impurezas nas regies
p e n uniforme.
I--W--1
~ I c
rxn+-xp-l Cmax
qNo I

qNA
18
x
A

( bl
-
8
x
Ec
(a)
0- Ei
EF
Figura 10.3 Distribuio de cargas, campo
eltrico e nveis de energia em uma juno
-? Ev

abrupta ( c)

Uma juno desse tipo chamada de juno abrupta. As densidades de carga


nos lados N e P da juno so dadas por qND e -qN A' respectivamente. As
larguras das duas partes da regio de carga espacial so xn e xp e a largura total
(XII + xp) chamada de W A distribuio de campo eltrico, obtida por inte-
grao da distribuio de carga, est representada na Fig. lO.3(b).Integrando
a distribuio de campo eltrico, obtemos a energia E, dos eltrons em funo
da distncia [Fig, 10.3(c)].Naturalmente, de acordo com a Eq. 10.4, as bordas das
faixas de conduo e de valncia acompanham as variaes do nvel de Fermi
intrnseco s;
Vamos agora calcular a curvatura das faixas de energia, isto , a variao
da energia quando passamos do lado P para o lado N. Examinando a Fig. lO.3(c),
vemos que, como o nvel de Fermi constante, a variao de energia a soma
de duas parcelas, EFp e EFII' que so definidas do seguinte modo:

(Eq. 10.7)

Para calcularmos os valores de EFp e EFn, vamos supor que na regio P


neutra, isto , fora da regio de carga espacial, p ::::::NA' enquanto que na re-
gio N neutra, n ::::::
N D' Nesse caso, as Eqs. 8.28 e 8.29 fornecem .
N
EFP = -kTln n;; (Eq. 10.8)

E =
N
-kTln---12
r . n (Eq. 10.9)
i

A variao total de energia ET em equilbrio ser a soma de Epp e EFn:

ET = EFP + EFII (Eq. 10.10)


96 Introduo fsica dos semicondutores

Como sabemos da eletrosttica, o potencial eltrico de um eltron dado


por
cp = - ~, (Eq. 10.11)
q
onde E a energia do eltron e q a sua carga. Assim, a variao total do po-
tencial eltrico cp atravs de uma juno PN em equilbrio dada por .
, = _ ET = kT ln NAND. (Eq.l0.12)
'l'B q q. n~
O potencial cpB chamado de potencial de difuso da juno PN.
Como o campo eltrico nas regies neutras do semicondutor deve ser zero,
as cargas totais dos dois lados da juno devem ser iguais e opostas, isto ,
NDxn = NAx P'
(Eq. 10.13)
O campo eltrico mximo da juno dado por
qN x qNAx
e max = -- DE lI
= --, E p (Eq. 10.14)

onde E a permissividade do materialv".


A variao total de potencial eltrico dada pela rea sob a curva da Fig.
W.3(b), ou seja
1
cpT = TBmax W (Eq. 10.15)

Combinando as Eqs. 10.13, 10.14 e 10.15 e lembrando que xn + xp = W,


vemos que nesse caso a largura da regio de carga espacial dada por

W = J 2E q
o NA + N D cpT
NAND
(Eq. 10.16)

onde, em equilbrio, cpT = cpB'


Voltando Eq. 9.25, vemos que em equilbrio trmico, ou seja, quando
Jp = 0, temos
8p
qp. pe
p.
= qD -
p x
(Eg. 10.17)

ou, usando a relao de Einstein flp = D /kT,


!Edx = dp (Eq. 10.18)
o

kT p
Integrando a Eq, 10.18 de A a B [Figo W.3(a)], j que no resto do cristal
o campo eltrico zero, temos
BdJ!. = ..!L fB edx o
(Eq. 10.19)
f
A P kT
A
-'

1 p(B) _ qcpT o

(Eq. 10.20)
n p(A) - kT '

Ppo = eqtPTlkT, (Eq. 10.21)


r;
!*INovamente lembramos que E = permissividade, 6 = campo eltrico
Junes PN 97

onde Ppo e Pno so as concentraes de buracos em equilbrio trmico nas regies


P e N, respectivamente. Para os eltrons, a relao equivalente a Eq. 10.21 ser
npo = e -q<l>TlkT, (Eq. 10.22)
;
onde npo e nno so as concentraes de eltrons nas regies P e N

10.2. JUNO POLARIZADA


10.2.1. Polarizao direta e polarizao inversa
Quando aplicamos juno PN uma tenso J-; tal que o lado N fique po-
sitivo em relao ao lado P, a variao total de potencial eltrico atravs da
juno aumenta de J-;. Assim,
ifJT = ifJB + ~. (Eq. 10.23)
Em conseqncia, a largura da regio de carga espacial aumenta. Essa
situao est ilustrada na Fig. 10.4. Nessas condies, dizemos que a juno
est polarizada inversamente.
E t--Xn---l--xp~
I. W '1 Cmax -1-- 1
I I I 1
L- Xn-+---- Xp---, 1 1
qNo1---1----1 I I I

: ( b)
x
qNA-- - - - ....L.. --I' x
(a)

Figura 10.4 Distribuio de carga, campo


eltrico e nveisde energia em uma juno
P N polarizada inversamente

Substituindo a Eq. 10.23 na Eq. 10.16, podemos calcular a largura da regio


de carga espacial em funo da tenso li aplicada.
Quando a juno polarizada diretamente, isto , quando aplicamos uma
tenso VD tal que o lado N fique negativo em relao ao lado P, a variao total
de potencial eltrico diminui e portanto a largura da regio de carga espacial
tende a diminuir. Entretanto como veremos mais tarde, em uma juno po-
larizada diretamente a corrente muito grande - imensamente maior do que
no caso da polarizao inversa. Assim a concentrao de portadores na regio
de carga espacial se torna considervel e portanto a aproximao de que a carga
espacial se deve apenas aos doadores e aceitadores ionizados, usada para de-
duzir a Eq. 10.16, perde sua validade.

10.2.2. Juno polarizada inversaD1ente

Em condies de equilbrio, pares eltron-buraco so gerados constan-


temente no cristal. Na ausncia de campo eltrico externo, os pares eltron:
98 Introduo fsica dos semicondutores

-buraco se recombinam e a corrente total zero. Entretanto quando aplicamos


uma tenso positiva regio N da juno PN, como na Fig. 10.4, os pares, uma
vez formados, so imediatamente separados e sua probabilidade de recombi-
nao diminui. Esse o mecanismo bsico que d origem corrente nas junes
PN polarizadas inversamente. Todas as correntes em uma juno polarizada
inversamente so devidas a pares eltron-buraco gerados no semicondutor.
Esses pares podem ser gerados em duas regies distintas do cristal: a regio
de carga espacial e as regies neutras P e N longe da juno (Fig. 10.5).
-w-
N p

VI
Figura 10.5 Juno PN polarizada inversamente, np(O) = Pn(O) = O

A corrente que resulta da gerao de pares eltron-buraco na regio de


carga espacial chamada de corrente de gerao. A corrente que resulta de pares
criados nas regies neutras chamada de corrente de difuso. A principal dife-
rena entre essas correntes que enquanto os pares gerados na regio de carga
espacial esto submetidos a um campo eltrico e se movem principalmente por
deriva, os pares gerados nas regies neutras no sofrem a ao de campo el-
trico algum e portanto podem mover-se apenas por difuso.
Demonstra-se que a densidade de corrente de gerao dada aproxima-
damente por .
= ~q-'!i w (Eq. 10.24)
J ger 2 T '

onde n, a concentrao intrnseca de portadores do material, r o tempo


mdio de vida dos portadores (tempo que os portadores levam para se recom-
binarem, depois que so gerados) e W a largura da regio de carga espacial.
A corrente de gerao proporcional intensidade da tenso aplicada:
quanto maior a tenso, maior a largura da regio de carga espacial, W, e por-
tanto maior o nmero de pares produzidos nesta regio. Esta corrente tambm
aumenta com a temperatura, pois ni aumenta com a temperatura.
A densidade de corrente de difuso dada aproximadamente por

(Eq. 10.25)

onde npo e Pno so as densidades de portadores em minoria longe da regio de


carga espacial e n/O) e Pn(O) so as densidades de portadores em minoria na
fronteira entre a regio neutra e a regio de carga espacial (Fig. 10.5).
Junes PN 99

Quando pares eltron-buraco so gerados na regio N neutra, os buracos


que chegam regio de carga espacial so levados imediatamente para a regio
P pelo campo eltrico que.existe na regio de carga espacial. Do mesmo modo,
os eltrons da regio P neutra que chegam regio de carga espacial so logo
carregados para a regio N. Assim, para uma juno polarizada inversamente,
niO) = Pn(O) = O. (Eq. 10.26)
E a Eq. 10.25 se reduz a
!Dn !li;
J dif = qnpo'./ -:t + qPno'./ --:-' (Eq. 10.27)
onde npo e Pno so as densidades de portadores em minoria.
Para avaliarmos a importncia relativa dessas duas correntes, vamos
calcular a relao entre elas. De acordo com as Eqs. 10.24 e 10.27, temos
Jdif
-=2 : + v: __
~ o

Jger , W
Como nponno =PnoPpo = n; e tomando nno ~ NA,ppo ~ ND, temos

Jdif = 2n.(NA + ND).JD,;. (Eq. 10.28)


J ger I NA' N D W
Essa relao portanto diretamente proporcional concentrao intrnseca
de portadores, n., Assim medida que a temperatura aumenta, a corrente de
difuso se torna mais importante.
A corrente total em uma juno PN polarizada inversamente, que cha-
mada de corrente inversa, dada por
1[ = A(Jger + Jdif), (Eq. 10.29)
onde A a rea da juno.

10.2.3. Juno polarizada diretamente


Quando polarizamos diretamente uma juno PN, como na Fig. 10.6, a
variao total de potencial eltrico, <PT, diminui. Em equilbrio, a condio de
corrente zero era estabelecida por uma compensao exata entre as correntes
de deriva e difuso de cada portador. Como em uma juno polarizada di-
retamente a variao de potencial eltrico e portanto o campo eltrico na regio
de carga espacial menor do que em equilbrio, a corrente de deriva dos por-
tadores diminui e o equilbrio entre as correntes de deriva e as correntes de
difuso rompido, o que torna a corrente total diferente de zero.
importante observar que embora a diferena de potencial entre os dois
lados da juno seja menor do que em equilbrio, no desaparece totalmente.
Em conseqncia, o campo eltrico na regio de carga espacial ainda se ope
a que os eltrons no lado N e os buracos do lado P atravessem a juno. Assim,a
corrente ser contra o sentido do campo eltrico. Isso possvel graas aos
enormes gradientes de concentrao njx e p/x que existem perto da juno.
Outro modo de encarar o fenmeno o seguinte: quando aplicamos um
potencial negativo ao lado N e um potencial positivo ao lado P da juno, os
100 Introduo fsica dos semicondutores

0a-vo
J ECN

_- - - ---'./
~ :~p
Evp
Figura 10.6 Nveis de energia em
uma juno PN polarizada direta-
T EVN mente

buracos da regio P so "empurrados" em direo ao lado N e os eltrons da


regio N so "empurrados" em direo ao lado P. Os buracos e eltrons se
encontram nas proximidades da juno, onde se recombinam em grandes quan-
tidades. .

primeira vista, pareceria que em pouco tempo no haveria mais por-


tadores no interior do cristal. Entretanto a fonte de tenso externa est cons-
tantemente injetando eltrons na regio N e buracos na regio P. Assim, os
eltrons e buracos que se recombinam so imediatamente substitudos por
outros. Esse movimento de portadores constitui uma corrente.
De acordo com essa segunda interpretao, a corrente direta resulta da
recombinao de pares eltron-buraco, do mesmo modo que a corrente inversa,
examinada no pargrafo anterior, resultava da gerao de pares eltron-buraco
no cristal. .
Como no caso da corrente inversa, podemos dividir a corrente em duas
componentes. A corrente que resulta da recombinao de pares eltron-buraco
na regio de carga espacial chamada de corrente de recombinao; a corrente
que resulta de recombinao nas regies neutras P e N chamada de corrente
de difuso.
Demonstra-se que a densidade de corrente de recombinao dada apro-
ximadamente por
J rec '"
-
_~
2
q!!.L
't'
u'eQVn/2kT
YY/ ,
(Eq. 10.30)

onde VD a tenso aplicada.


A corrente de recombinao varia exponencialmente com a tenso aplicada.
A densidade de corrente de difuso dada pela mesma expresso que a
usada para o caso da polarizao inversa, Eq. 10.25. Entretanto, no caso da
polarizao direta, as concentraes dos portadores em minoria na fronteira
entre a regio neutra e a regio de carga espacial, n/O) e Pn(O), so diferentes
de zero (Fig. 10.7).
-w-

....
......
N f:=o f:=o p

.... -o
-o
-o -o
~
Pno Pn(o) "piO) "pO

Figura 10.7 Juno PN polarizada diretamente, 'pn(O), np(O) 'f- O


Junes PN 101

Vamos calcular esses dois valores. Em primeiro lugar, evidente que a


diferena entre o nvel de conduo do lado P e o nvel de conduo do lado
N, Ecp - Ectl' que era igual a 4>B em equilbrio, passa a ser igual a (4)B - VD) quando
polarizamos diretamente a juno (Fig. 10.6).Se supusermos que uma equao
semelhante Eq. 10.22 ainda vlida, a concentrao de eltrons em minoria
do lado P ser dada por
n
p
(O) = n e-q(</>B-VD)/kT
n
= n
po
ci>B/kT e-q(ci>B-VD)/kT = n
po'
eqVD/kT (Eq. 10.31)
Do mesmo modo, a concentrao de buracos do lado N ser dada por
Pn(O) = PnoeqVD/kT. (Eq. 10.32)
Substituindo as Eqs. 10.31 e 10.32 em 10.25, temos

Jdif = -[ qnpo~ + qPno~J [eqVDlkT -1]. (Eq. 10.33)

Como no caso da polarizao inversa, vamos calcular a relao entre as


duas correntes. De acordo com as Eqs. 10.30 e 10.33 temos

Jdif = 2 npo + Pno. J Dn r [VDlkT -1J =


Jrec . W
_ (NA +ND)JDnr[eQVD/kT_1J.
- Zn, N N W VD/2kT
(Eq. 10.34)
A D .

No caso da polarizao direta, o fator mais importante da Eq. 10.34 o


fator exponencial. Em geral, para pequenos valores de tenso aplicada, a cor-
rente de recombinao a mais importante. medida que VD aumenta, a influ-
ncia da corrente de difuso se torna cada vez maior. .
A corrente total em uma juno PN polarizada diretamente, que cha-
mada de corrente direta, dada por .
ID = A(Jec + Jdif), (Eq. 10.35)
onde A a rea da juno.

10.3. EQUAO DO DIODO IDEAL


Vamos agora calcular a relao entre a corrente direta e a corrente inversa.
De acordo com as Eqs. 10.24, 10.27, 10.29, 10030, 10034e 10.35, temos

~ ~ WeQVD/2kT + n !D,. + P fIi;) (eqvDlkT - 1)


1
1
/; I~ 2 T 1 n; -"j ~ ~"j ~ .
2 ~ W + ; -:;-+ Pno ~

Se supusermos que tanto a corrente direta como a corrente inversa so


dominadas pelas correntes de difuso, teremos

.\~r\ =
VD kT
/ - 1;
ID = Is(eqVDlkT -1), (Eq. 10.36)
102 Introduo fsica dos semicondutores

onde
ls = -1[ = - (
npo~
it;
--t + Pno ~ ~)
-: A.

A relao entre corrente e tenso dada pela Eq. 10.36 chamada de equao
do diodo ideal e est representada graficamente na Fig. 10.8. Para tenses inversas
r; ~ kTjq, a corrente tende para o valor constante II = -1s' A corrente ls
chamada de corrente inversa de saturao. Para tenses diretas Vn ~ kTjq, a
corrente aumenta exponencialmente: 1D ~ l, eqV"jkT.

1D
rs-

Figura 10.8 Curva caracterstica do


diodo ideal (Eq. 10.36)

qVI Is +5 qVD
I<T kT

10.4. CAPACITNCIA DE UMA JUNO PN


A capacitncia dinmica por unidade de rea de um material qualquer de
seo reta uniforme definida por

(Eq. 10.37)

onde dQ a variao incremental de carga por unidade de rea e dV a va-


riao incremental de tenso aplicada. .
No caso de uma juno PN, uma variao na tenso aplicada faz variar
a carga espacial e portanto a juno PN possui uma capacitncia diferente
de zero.
Para calcularmos o valor desta capacitncia, suponhamos que a carga
espacial total de um dos lados da juno Q (do outro lado da juno, natu-
ralmente, a carga ser -Q). Nesse caso, quando aumentamos a tenso aplicada
juno de uma quantidade dV, a carga aumenta de dQ. De acordo com a
Equao de Poisson, a variao de campo eltrico dada por
dQ
de=-, (Eq. 10.38)
E

onde E a permissividade do material.


Junes PN 103

Por outro lado, a variao dV da tenso aplicada dada por


dV = Wde, (Eq. 10.39)
onde W a largura da regio de carga espacial.
Combinando as Eqs. 10.37, 10.38 e 10.39 obtemos

c=~ (Eq. 10.40)


W
A Eq. 10.40 vlida para qualquer distribuio de impurezas.
Como exemplo, vamos calcular a capacitncia de uma juno abrupta.
De acordo com a Eq. 10.16, a largura da regio de carga espacial de uma
juno abrupta dada por

[Eq. 10.16J

Combinando a Eq. 10.16 com a Eq. 10.40, obtemos

c= (Eq. 10.41)

onde V a tenso externa aplicada juno. Repare que V positivo quando


a polarizao inversa e negativo quando a polarizao direta.
A Eq. 10.41 mostra um fato muito importante: a capacitncia de uma
juno PN depende da tenso externa aplicada. Embora esse fato tenha sido
demonstrado apenas para a juno abrupta, ocorre tambm em outros tipos de
juno. Esse fenmeno utilizado em uma classe de dispositivos semicondutores,
os chamados oaractores, que so usados como capacitores variveis. Os varac-
tores no passam de junes PN cuja capacitncia controlada por uma tenso
externa.

10.5. RUPTURA DE UMA JUNO PN


Como vimos, a juno PN apresenta uma baixa resistncia quando po-
larizada diretamente e uma resistncia elevada quando polarizada inversa-
mente. Entretanto todas as junes PN tambm apresentam uma baixa resis-'
tncia quando so polarizadas inversamente com uma tenso suficientemente
elevada. Esse fenmeno chamado de ruptura da juno. A ruptura pode ser
causada por dois mecanismos, que estudaremos a seguir.

10.5.1. Efeito Zener


Quando um semicondutor submetido a um campo eltrico elevado, como
o que existe por exemplo na regio de carga espacial de uma juno PN pola-
rizada inversamente, as ligaes covalentes ficam distorcidas. Se Q campo el-
trico for suficientementeintenso, as ligaes podem ser rompidas, com a formao'
de pares eltron-buraco. Essa ruptura de ligaes covalentes por efeito direto
do campo eltrico chamada de efeito Zener.
104 Introduo fsica dos semicondutores

10.5.2. Efeito de avalanche


Outro mecanismo que pode provocar a ruptura da juno o efeito de
avalanche,o qual ocorre quando os portadores gerados termicamente no interior
da regio de carga espacial so acelerados pelo campo eltrico aplicado e adqui-
rem suficiente energia cintica para romperem ligaes covalentes. A ruptura
de ligaes covalentes produz novos portadores, que por sua vez so acelerados
pelo campo, rompem novas ligaes covalentes, etc. Devido a essa "reao em
cadeia", o fenmeno chamado de efeito de avalanche.
evidente que a energia cintica adquirida pelos portadores entre duas
colises diretamente proporcional tenso inversa aplicada e ao caminho
livre mdio dos portadores. Para baixas concentraes de portadores, o ca-
minho livre mdio maior e a ruptura provocada pelo efeito de avalanche;
para altas concentraes, a ruptura, em geral, provocada pelo efeito Zener.
A Fig. 10.9 mostra a curva caracterstica de uma juno PN real, onde
podemos ver claramente o fenmeno da ruptura.
Io

Vo
Figura 10.9 Curva caracterstica de
uma juno PN. (a) regio de conduo
direta. (b) regio de conduo inversa;
(C)
(c) regio de ruptura

11

EXERCCIOS

(*)10.1. Em uma juno PN abrupta de gerrnnio, a concentrao NAde tomos aceita-


dores do lado P igual concentrao N D de tomos doadores do lado N:
NA = ND = 1015 tomos/em".
Calcule a largura da regio de carga espacial:
a) para uma polarizao direta de 0,1 v;
b) para uma polarizao inversa de 0,1 V.
Suponha que todas as impurezas esto ionizadas e que a temperatura da juno
300 K.
Junes PN 105

Dados: para o germnio a 300K, 11; = 2,4 x 1Q13cm-3;


E = 16,3 Eo = 1,4 x 10- 12 Fiem ..
10.2. Na figura a seguir, vemos a distribuio de cargas em uma juno PN em funo
da distncia, para o caso em que a distribuio de impurezas varia linearmente
entre as duas regies. Uma juno desse tipo chamada de juno gradual. A
distribuio de cargas (e de impurezas) em uma juno gradual caracterizada
pelo gradiente de concentrao a, definido pela equao
p(x) = - qax (-1112.:: x.:: 1112)
onde p(x) a densidade de carga e q a carga do eltron.

Para uma juno gradual, pede-se


a) o potencial de difuso cfJB da juno;
b) a distribuio de campo eltrico r;(x) na regio de carga espacial,
c) a largura da regio de carga espacial quando uma tenso inversa J-; aplicada
externamente juno.
Dados
l. O gradiente de concentrao, a.
2. A largura da regio de carga espacial em equilbrio, Wo.
3. A temperatura da juno, T.
Suponha conhecidos os parmetros do material de que feita a juno.
1*)10.3. Duas junes PN so ligadas em oposio, como na figura a seguir. Pede-se
a) a tenso entre os terminais de cada uma das junes;
b) a corrente no circuito.
Dados
1. As duas junes obedecem equao do diodo ideal.
2. A corrente inversa de saturao das duas junes 10 f.1A.
3. A temperatura das junes 27C.

10V
10.4. Um meio de detetar a presena de radiaes - raios gama, por exemplo -
utilizar uma juno inversamente polarizada. Se a tenso inversa conveniente-
106 Introduo fsica dos sernicondutores

mente escolhida, a largura da regio de transio tal que os ftons dos raios
gama perdem toda a sua energia dentro da regio de transio.
a) Explique como funciona este detetor de radiao.
b) Qual a necessidade de a partcula perder toda a sua energia dentro da regio
de transio?
c) Que acontece quando a corrente de fuga muito elevada?
d) Que mais vantajoso, dopar mais fortemente a regio N (lado em que a radiao
incide) ou a regio P? Justifique.

BIBILIOGRAFIA
Grave, A. S., Physics and Technology of Semiconductor Devices (New York: John Wiley,
1967), Capo 6
Mello, H. A. e Intrator, E., Dispositivos Semicondutores (Rio de Janeiro: Ao Livra Tcnico,
1972).
1 1 Transistores de juno

o dispositivo semicondutor mais usado hoje em dia sem dvida o tran- .


sistor de juno. Sua inveno revolucionou a eletrnica, tomando possvel a
fabricao de aparelhos mais compactos, mais eficientes e mais econmicos.
Neste captulo vamos estudar os princpios de funcionamento dos transistores
de juno, baseando-nos na teoria das junes P N,estudada no captulo anterior.

11.1. Estrutura do transistor de juno


A estrutura do transistor de juno est representada de forma esquemtica
na Fig. 11.1. Como podemos ver na ilustrao, o transistor de juno um bloco
de material semicondutor que consiste de trs regies distintas. Existem dois
tipos de transistores de juno. No primeiro, o tipo PNP, Fig. l1.1(a), a regio
central do tipo N e as regies externas so do tipo P. No segundo, o tipo NPN,
a regio central do tipo P e as regies externas so do tipo N.
Figura 11.1 Representao es-
quemtica da estrutura de tran-
sistores de juno: (a) PNP; (b)
NPN
c:EEJ (a)
~
( b)

De acordo com o que vimos no captulo anterior, o transistor pode ser


considerado como a combinao de duas junes PN (Fig. 11.2).

[T] + [T] c:EEJ


EEJ+[T]=~
Figura 11.2 Combinao puramente esquemtica de duas junes, compondo um
transistor

11.2. TRANSISTOR EM EQUILBRIO


Quando o transistor no est submetido a tenso externa alguma, ele se
comporta como duas junes PN em equilbrio. Nesse caso" como vimos no
captulo anterior, aparecem campos eltricos nas proximidades das junes que
equilibram as correntes de difuso de eltrons e buracos. A Fig. 11.3 mostra
o diagrama de nveis de energia de um transistor P N P em equilbrio.
P N P
Figura 11.3 Diagrama de nveis de Ec

""-
energia em um transistor PNP em /' EF
equilbrio ./ Ev
108 Introduo fsica dos semicondutores

11.3. TRANSISTOR POLARIZADO


Suponhamos agora que polarizamos diretamente uma das junes e pola-
rizamos inversamente a outra juno (Fig. 11.4).
p

+ +

Figura 11.4 Polarizao das junes


de um transistor

Figura 11.5 Diagrama de nveis de energia em um


transistor polarizado

Nesse caso, o diagrama de nveis de energia ser o representado na Fig. 11.5.


A parte central do transistor chamada de base; a parte externa da juno
polarizada diretamente chamada de emissor; a parte externa da juno pola-
rizada inversamente chamada de coletar.
primeira vista poderia parecer que em um transistor polarizado, como
na Fig. 11.4, a corrente de emissor seria muito maior que a corrente de coletor,
j que a juno emissor-base est polarizada diretamente e a juno base-coletor
est polarizada inversamente. Entretanto, se a base for suficientemente estreita,
a corrente de coletor ser quase igual corrente de emissor.
Para compreendermos por que isso acontece, vamos examinar a Fig. 11.6.
Emissor Base Coletor
Tipo P Tipo N Tipo P

.--
++++
+++++ ++ +
+++++ +++++ + + + +-
+++++ +++++ + + + +
+++++ +++++ + + + +
Figura 11.6 Funcionamento de um
transistor P N P

+, 1- +, l-

I I
Repare que quando a juno emissor-base est polarizada diretamente, um
grande nmero de buracos atravessa a juno e penetra na regio da base. Alguns
desses buracos se combinam com os eltrons da base tipo N, como em uma
juno P N comum; entretanto, se a base for muito estreita, a maioria dos buracos
chegar a juno base-coletor. Assim que cruzam a juno base-coletor, esses
buracos so atrados para o terminal do coletor.
Como vimos no captulo anterior, os buracos que deixam o emissor so
imediatamente substitudos por novos buracos criados nas vizinhanas do ter-
minal de emissor, que retira eltrons da regio tipo P. Da mesma forma, os
eltrons perdidos pela base ao se recombinarem com os buracos que cruzam a
juno emissor-base so substitudos por novos eltrons, introduzidos atravs
Transistores de juno 109

do terminal de base. Os buracos que chegam ao terminal de coletor se combinam


com eltrons injetados por esse terminal na regio tipo P.
Ora o movimento dos eltrons constitui uma corrente eltrica. Usando o
sentido convencional da corrente (sentido contrrio ao do deslocamento dos
eltrons), podemos apresentar as correntes em um transistor P NP como na
Fig. 11.7.

IE Emissor Base Coletor Ic IE Emissor Base Coletor Ic


Tipo P Tipo N Tipo P Tipo N Tipo P Tipo N

I8
Ia
+, - +, - - ,+ - ,+
I I
I I ,
I
Figura 11.7 Correntes em um tran- Figura 11.8 Correntes em um tran-
sistor PNP sistor NPN

No caso de um transistor NPN, a situao est representada na Fig. 11.8.


Repare que nos dois casos devemos ter
IE=Ic+IB. (Eq.ll.1)

11.4. GANHO DO TRANSISTOR DE JUNO


Quando usamos um transistor em um circuito eletrnico, em geral estamos
interessados em obter um ganho, isto , em obter uma corrente ou tenso de
sada maior que a corrente ou tenso de entrada.
No caso de um transistor polarizado como na Fig. 11.7 ou 11.8, consi-
derando o terminal de emissor como o terminal de entrada e o terminal de
coletar como terminal de sada, temos
1 1
Ganho de corrente =~ = c (Eq. 11.2)
IE lc + IB
Esse ganho de corrente representado pelo smbolo a.
Examinando a Eq. 11.2, podemos ver que a sempre menor que 1. Entre-
tanto, se a base for muito estreita, quase toda a corrente de emissor chegar
ao coletor e IX ser muito prximo de 1. Assim, por exemplo, se 98 % dos por-
tadores injetados pelo emissor chegarem ao coletar e apenas 2 % se recom-
binarem na base, teremos
lc 0,98 8
IX = TE = 100
,
= 0,9 .

Surge imediatamente a pergunta: se a corrente de sada sempre menor


que a corrente de entrada, como podemos usar um transistor para amplificar
um sinal? Existem duas respostas para essa pergunta: em primeiro lugar, no
somos obrigados a considerar o emissor como entrada e coletor como sada;
existem outras maneiras de aplicar o sinal ao transistor, como veremos daqui
a pouco, que permitem um ganho de corrente maior que 1. Em segundo lugar,
110 Introduo fsica dos semicondutores

mesmo considerando o emissor como entrada e o coletor como sada, podemos


obter um ganho de tenso e um ganho de potncia maiores que a unidade. Vamos
examinar essa segunda afirmao.
Considerando apenas o transistor, sem levar em conta as resistncias externas
do circuito, a tenso de entrada igual ao produto da corrente de emissor pela
resistncia da juno emissor-base e a tenso de sada igual ao produto da
corrente de coletor pela resistncia da juno base-coletor. Assim, temos
- Tenso de sada fcRBC RBC
G an h o d e tensao = _ = -' - = IX - ,
.. Tensao de entrada fEREB REB
onde IX o ganho de corrente, RBC a resistncia da juno base-coletor e REB
a resistncia da juno emissor-base.
Ora, como a juno emissor-base est polarizada diretamente, sua resis-
tncia pequena; como a juno base-coletor est polarizada inversamente,
sua resistncia elevada. Em conseqncia, a relao RBc/REB muito maior
que a unidade e portanto o ganho de tenso elevado. O ganho de potncia,
que dado pelo produto do ganho de tenso pelo ganho de corrente, tambm
elevado. Vejamos um exemplo numrico.

11.5. EXEMPLO
No circuito da Fig. 11.7, a resistncia da juno emissor-base 25 Q e a
resistncia da juno base-coletor 50 kQ. Sabemos que 98% dos buracos
injetados na base chegam ao coletor. Calcule o ganho de corrente, o ganho de
tenso e o ganho de potncia do transistor.
Soluo:
Ganho de corrente = IX = 0,98;
Ganho de tenso = IX ~BC = 0,98 x ~02~OO= 1960;
EB
Ganho de potncia = Ganho de corrente x Ganho de tenso =
= 0,98 x 1 960= 1 920.
11.6. FUNCIONAMENTO DO TRANSISTOR NA
CONFIGURAO BASE COMUM
Quando o sinal de entrada aplicado ao emissor do transistor e o sinal
de sada colhido no coletor, como supusemos at agora, dizemos que o tran-
r---..,r---..,r---, Ic ""IE= <ts
-
Re RL
Ia- !
(1-") IE- (1-) Is
+ + -
Figura 11.9 Ligao base comum

Ic= IE
~VV'\---
RL
Transistores de juno 111'

sistor est funcionando na configurao base comum, A Fig. 11.9, mostra as


correntes em um circuito base comum.
Quando um transistor funciona na configurao base comum, como na
Fig. 11.9, a corrente de sinal (I s) aplicada ao emissor. A corrente de sada,
l s, atravessa o resistor de carga, RL' produzindo uma queda de tenso que
a tenso de sada do amplificador.
O ganho de corrente a, definido como IelI E' chamado de ganho de cor-
rente base comum.

11.7. FUNCIONAMENTO DE TRANSISTOR NA CONFIGURAO


EMISSOR COMUM
Como vimos no incio deste captulo, o ganho de corrente base comum,
a, muito prximo da unidade, Isso significa que a corrente de base pequena
em comparao com as correntes de emissor e coletor do transistor. Com efeito,
combinando as Eqs. 11.1 e 11.2, obtemos
IB = IE-Ic = IE-aIE = IE(l-ct) (Eq.11.3)
Assim, se tomarmos a = 0,98, teremos
IB = 0,02 IE = 0,0204 Ic
O fato de que a corrente de base de um transistor muito menor que as
correntes de emissor e coletor sugere o uso da base como terminal de entrada.
Quando o sinal de entrada aplicado base e O sinal de sada colhido no co-
letor, dizemos que o transistor est funcionando na configurao emissor comum.
A Fig. 11.10 mostra as correntes em um circuito emissor comum.
Rl

l Ic

P P RL
Is=Is
N N
+
p P
RE
IE : fIE

Figura 11.10 Ligao emissor comum

Quando um transistor funciona na configurao emissor comum como na


Fig. 11.10, a corren te de sinal (I s = 1B) aplicada base. A corrente de sada,
Ie' atravessa o resistor de carga, RL' produzindo uma queda de tenso que
a tenso de sada do amplificador. Vamos calcular o valor dessa corrente de
sada em funo da corrente de entrada.
De acordo com as Eqs. 11.1 e 11.2, temos
112 Introduo fsica dos semieondutores

Ento
ale = Ie-aIB'
a
Ic = -l-IR
-a
Se definirmos agora o ganho de corrente emissor comum, {J, como a relao
entre a corrente de sada e a corrente de entrada nessa configurao teremos
Ie _ a
P=IB-l-a

Tomando a = 0,98, temos


f3 = 49.

Podemos ver portanto que na configurao emissor comum o ganho de


COrrentepode ser bastante elevado. O ganho de tenso e o ganho de potncia,
que tambm so elevados, podem ser calculados do mesmo modo que na con-
figurao base comum, conhecidas as resistncias de entrada e sada do tran-
sistor.

11.8. TRANSISTORES DE DERIV N*>


At agora supusemos que a distribuio de impurezas na base do transistor
era uniforme. Nos transistores de deriva, a concentrao de impurezas na base
muito maior em uma das extremidades da base do que na outra (Fig. 11.11).

Emissor Base: Coletar


Figura 11.11 Distribuio de im-
I
purezas em um transistor de de-
No= ete. I riva NPN

N~= ete.

Naturalmente, a variao na concentrao de impurezas produz uma va-


riao proporcional na concentrao de portadores em maioria. Em conse-
qncia da variao na concentrao de portadores, existe uma corrente de
difuso no interior da base. Entretanto nas condies de equilbrio, a corrente
total na regio da base deve ser zero, de modo que surge um campo eltrico
no interior da base tal que a corrente de deriva seja igual e oposta corrente
de difuso.
No caso de um transistor NPN, a corrente de difuso na base tende a
acumular buracos nas vizinhanas da juno base-coletor, Assim, o sentido do
(*IEm ingls, drift transistors
Transistores de juno 113

campo eltrico deve ser tal que a corrente de deriva dos buracos na base seja
do coletor para o emissor. Ora, um campo eltrico com esse sentido acelera os
eltrons injetados pelo emissor em direo ao coletor. Em conseqncia, o
tempo que os portadores injetados pelo emissor levam para atravessar a base
muito menor nos transistores de deriva do que nos transistores comuns, em que
os portadores se movimentam apenas por difuso. Levando menos tempo para
atravessarem a base, os portadores injetados tm menos tempo para se recom-
binarem com os portadores da base. O resultado que o ganho de corrente
dos transistores de deriva muito elevado.

BmLlOGRAFIA
Phillips, A. B., Transistor Engineering (New York: McGraw-HiIl, 1962)
Mello, H. A. e Intrator, E., Dispositivos Semicondutores (Rio de Janeiro: Ao Livro Tcnico,
1972).
1 2 Outros fenmenos observados
nos semicondutores

12.1. EMISSO DE LUZ


A recombinao de um par eltron-buraco envolve a liberao de uma
certa quantidade de energia, equivalente necessria para romper uma ligao
covalente. Na maioria dos casos, essa energia assume a forma de vibraes
mecnicas (emisso de fnons). Em determinadas circunstncias, entretanto, a
energia pode ser irradiada sob a forma de ondas luminosas (emisso de ftons).
Assim, por exemplo, se submetermos um cristal de fosfeto de glio a ra-
diao ultravioleta, o cristal emitir uma luz vermelho-alaranjada. O que acon-
tece que a radiao ultravioleta rompe muitas ligaes covalentes no cristal,
criando um excesso de pares eltron-buraco. Ao se recombinarem, os pares
emitem uma radiao visvel.
O mesmo fenmeno tambm pode ser observado nas junes P N de certos
semicondutores. Quando uma juno PN polarizada diretamente, ocorre um
grande nmero de recombinaes nas proximidades da juno. Quando as
condies so favorveis, essas recombinaes podem produzir luz visvel.
Normalmente, esse efeito no pode ser observado nos semicondutores mais
comuns, o germnio e o silcio, porque nesses materiais a grande maioria das
recombinaes resulta na emisso de fnons (vibraes mecnicas). Por outro
lado, em alguns semicondutores compostos, como o fosfeto de glio e o arse-
nieto de glio, o efeito bem acentuado.
Finalmente, preciso observar que a luz pode ser emitida pelo cristal de
forma incoerente - sem uma fase definida -, ou de forma coerente - com uma
fase bem definida. No primeiro caso, o fenmeno chamado de luminescncia;
no segundo, de efeito laser.

12.2. EFEITO TNEL


Quando a densidade de portadores nas regies P e N de uma juno P N
atinge o nvel de degenerao, a juno passa a apresentar novas propriedades.
Vejamos como isso acontece.
Na Fig. 12.l(a) vemos o diagrama de nveis de energia de uma juno PN
degeneradaw'. Nesse caso, o nvel de Fermi est acima da base da faixa de con-
duo do lado N da juno e abaixo do topo da faixa de valncia do lado P.
Os nveis ocupados esto indicados pela parte sombreada do desenho.
Se aplicarmos juno uma pequena polarizao (negativa do lado N,
positiva do lado P), haver uma corrente composta de duas parcelas: a primeira
corresponde corrente de uma juno PN normal; a segunda conseqncia
do chamado efeito tnel. De acordo com a Mecnica quntica, uma partcula
tem uma probabilidade finita de atravessar uma barreira de potencial, embora
classicamente no tenha energia suficiente para vencer a barreira. Assim, com
($)Para uma discusso do fenmeno da degenerao, veja Wannier, G. H., Elements of Solid
State Theory (Londres: Cambridge University Press, 1960), p. 149
Outros fenmenos observados nos semicondutores 115

Regio P Regio N

(c)

( b)
Figura 12.1 Efeito tnel em uma juno PN degenerada. (a) Juno em equilbrio; (b)
Juno submetida a uma pequena polarizao direta, que produz o efeito tnel; (c) Juno
submetida a uma polarizao direta mais elevada. O efeito tnel deixou de existir

uma pequena polarizao direta, os eltrons podem passar da regio N para


a regio P, ocupando os estados vagos da faixa de valncia da regio P, como
na Fig. 12.1(b).Entretanto se aumentarmos a polarizao de maneira tal que
a base da faixa de conduo do lado N tenha energia superior ao topo da faixa
de valncia do lado P, como na Fig. 12.1(c),a corrente devido ao efeito tnel
ser reduzida a zero, pois no haver estados disponveis para os eltrons do
lado P com a mesma energia que eles possuam do lado N (no efeito tnel, a
energia conservada). Em conseqncia, a corrente total diminuir. Se aumen-
tarmos ainda mais a polarizao, a corrente tornar a aumentar, devido ao
aumento da corrente normal da juno.
Assim, a caracterstica corrente-tenso de uma juno P N degenerada po-
larizada diretamente tem a forma que vemos na Fig. 12.2. Repare que a curva
apresenta uma regio em que a resistncia negativa.

UJ
Figura 12.2 Curva caracterstica
corrente-tenso de um diodo t-
!z
UJ
I
o::
o::
I
nel
o I Regio de
u
I L.----Resist~ncia
' Negatlva
l-
I I

TENSO
116 Introduo fsica dos semicondutores

o diodo tnel, como chamado o dispositivo baseado nesse efeito, pode


ser usado como elemento ativo nos circuitos, por exemplo, como oscilador de
microondas.
Os diodos tnel em geral so feitos de germnio, silcio ou arsenieto de
glio.

12.3. EFEITO HALL


Suponhamos que um cristal seja submetido simultaneamente a um campo
eltrico e a um campo magntico, perpendiculares entre si (Fig. 12.3).
_

B
Figura 12.3 Geometria do efeito
I Hall

+
v
O campo eltrico pode ser aplicado, por exemplo, ligando-se uma fonte
de tenso V s extremidades do cristal. O campo magntico pode ser aplicado
colocando-se o cristal entre os plos de um eletrom.
Sob a ao do campo eltrico, os portadores do cristal adquirem uma certa
velocidade de deriva, v. Ora, sabemos do eletromagnetismo que uma partcula
carregada sob a ao de um campo magntico est sujeita a uma fora per-
pendicular direo do movimento e direo do campo magntico. Essa fora
dada pela equao vetorial
r; = q(v x ), (Eq. 12.1)
onde q a carga da partcula.
A Fig. 12.4(a) mostra o que acontece quando o portador um eltron.
Quando o portador um buraco, a situao est representada na Fig. 12.4(b).

IE"ll~y_-~--:--~
++++++++++++++++++++
(a)
XB_~_

++++++++++++++++++++

I ~'x l
E"j
(b)

Figura 12.4 Efeito Hall para os dois tipos de portadores. (a) eltrons. (b) buracos. O
sentido do campo magntico para dentro do papel
Outros fenmenos observados nos semicondutores 117

Sob a ao do campo magntico, os portadores se deslocam para uma


das faces do cristal. Surge ento um campo eltrico transversal, SH' produzido
pelo desequilbrio de cargas. Em equilbrio, a fora aplicada ao portador pelo
campo magntico, F m' igual fora aplicada pelo campo eltrico transversal,
Fe. Para a geometria das Figs. 12.3 e 12.4, podemos escrever
Fm = qvB; (Eq. 12.2)
Fe = qsw (Eq. 12.3)
Assim, em equilbrio temos
vB = SH' (Eq. 12.4)
Por outro lado, chamando de J a densidade de corrente e de a a concentrao
de portadores, temos
J = qav. (Eq. 12.5)
Assim, temos (Fig. 12.3)
J I/A I
v=-=-=--' (Eq. 12.6)
qa qa qaht
Em conseqncia, temos
I
SH = vB = -h B. (Eq. 12.7)
qa t

A diferena de potencial que aparece entre a face superior e a face inferior


do cristal dada por

ou
(Eq. 12.8)

onde RH = 1/qa chamado de constante de HaU do material considerado.


Quando os portadores so todos eltrons (carga -q, concentrao n), po-
demos escrever' .

R =-~. (Eq. 12.9)


H qn

Quando os portadores so todos buracos, temos

R =~. (Eq. 12.10)


H qp

As Eqs. 12.9 e 12.10 mostram que a polaridade da tenso VH (que cha-


mada de tenso de HalQ depende do tipo de portador presente no cristal. O
efeito Hall pode ser usado portanto para determinar se um semicondutor
tipo N ou tipo P.
118 Introduo fsica dos semicondutores

EXERCCIOS
<*)Considere a experincia esquematizada na figura a seguir.
+
~------IV

VR
Sabendo que
VR = 0,5 V;
I=10mA;
V = -1 V;
B = 2 X 10-3 T.
Pede-se
a) o tipo dos portadores (eltrons ou buracos),
b) a resistividade do material,
c) a concentrao dos portadores,
d) a mobilidade dos portadores.

BIBLIOGRAFIA
Wang, S., Solid State Electronics (New York: McGraw-Hill, 1966), Capo 11.
Yariv, A., Quantum Electronics (New York: John Wiley, 1967), Capo 17.
Chang, K. K. N., Parametric and Tunnel Diodes (New Jersey: Prentice Hall, 1964).
Blatt, F. J., Physics of Electronic Conduction in Solids (New York: McGraw-Hill, 1968),
Cap.8.
APNDICE A Teorema de Bloch

o teorema de Bloch diz que a soluo mais geral da equao de Schroedinger


para um eltron em um cristal
t/lr(r) = 'o 'JLr(i=), (Eq. A.!)
onde J-I-k(1) uma funo com a mesma periodicidade espacial que a rede cris-
talina.
Prova: Consideremos o operador '0, definido por
'0 F(r) = F(r + R), (Eq. A.2)
onde R7 o vetor de translao da rede, isto
V(r) = V(r + R).
Aplicando o operador ~ Eq. 5.12, temos

~{-;~[::2:;2 + + :z22Jt/lr(Y) + v(r)t/lr(r)} = Er'0t/1r(r)

como
1j[V(r)t/lk'(r)] = V(r + R)1jt/lr(r) = V(r)1jt/lr(Y).
temos
h2 2 ~ -+.... ...
- 2m V ['0l/1r(r,] + V(r)[1jl/lj/(r)] = Er[1jl/lr(r)].
Assim, a funo 1jl/lk(r) satisfaz mesma equao que a funo l/Ik(r) (Eq.
5.12), Nesse caso, ~l/Iy;(r) s pode diferir de t/ly;(r) por um fator constante. Vamos
chamar esse fator constante de aj Assim, temos

(Eq. A.3)
Vamos fazer
aj = eik' Ri, (Eq. A.4)

onde k um vetor complexo. Trata-se de uma maneira perfeitamente geral de


escrever ai .
Consideremos agora a aplicao sucessiva de dois operadores T:
1jT;t/lk{r) = ~.ait/ly;(r) = ajait/l-;C;) = ir. (R.;+ R.j)t/lr(l} (Eq. A.S)

Como a aplicao sucessiva de dois operadores T corresponde translao


de um vetor igual soma dos vetores de transaao individuais, a Eq. A.:> mostra
por 9,ue escolhemos para aj a forma da Eq. A.4. Vemos tambm que preciso
que k seja um vetor real, caso contrrio a funo de onda cresceria indefinida-
mente com a distncia ou seria atenuada rapidamente.
120 Introduo fsica dos semicondutores

Vamos agora definir uma funo 111(r) do seguinte modo:

111(r) = e-ik' ~1(h (Eq. A.6)


Usando as Eqs. A.2, A.3 e AA, temos
1]11-':(;) = 11-,:(r+ R) = 1][e-ik'~1(r)] =

(Eq. A.7)

Assim, a funo I1t(;) tem a periodicidade da rede cristalina, isto ,


I1t(; + Rj) = 11-,:(i\ Multiplicando os dois membros da Eq. A.6 por exp (ik . h
temos finalmente
1/11(r)= ei-':'-;l1tC;) (Eq. A.8)
o que completa a prova do teorema de Bloch.
APNDICE B Experincias em semicondutores

o desenvolvimento da fsica dos semicondutores deve-se sem dvida a um


exaustivo trabalho de pesquisa experimental, que prossegue at hoje em labo-
ratrios de todo o mundo.
Julgamos importante que o estudante Se familiarize desde cedo com as
tcnicas experimentais, utilizadas para investigar o comportamento dos semi-
condutores. Por esse motivo, decidimos apresentar neste apndice uma lista de
referncias a experincias simples em semicondutores. Essas experincias po-
dero ser usadas, a critrio do professor, para ilustrar e/ou expandir os conceitos
tericos desenvolvidos nesta obra.

REFERNCIAS
1. James F. Gibbons, Semiconductor electronics, McGraw-Hill, 1966.
2. R. B. Adler, A. C. Smith e R. L. Longini, Introduction to Semiconductor Physics, SEEC.
VoI. 2, John Wiley, 1964. Este livro contm um apndice dedicado exclusivamente a
experincias de laboratrio
3. Hilton A. Mello e E. Intrator, Dispositivos semicondutores, Ao Livro Tcnico, 1972

EXPERINCIAS

Experincia 1. Ilustrao do crescimento de um cristal utilizando blocos cbicos de ma-


deira ou papel. Ref. 1. p. 58.
Experincia 2. Ilustrao da estrutura de cristais utilizando bolas furadas e hastes ci-
lndricas. Ref. 1. p. 59.
Experincia 3. Determinao da freqncia crtica.j, na qual um cristal comea a absorver
energia de um feixe de luz monocromtica iphotoelectric threshol). Ref. 1. p. 92.
Experincia 4. Estudo do fenmeno da fotocondutividade, ou seja. da variao da con-
dutividade de um material semicondutor em funo do fluxo luminoso incidente.
Ref. 1. p. 93.
Experincia 5. Ilustrao do fenmeno de luminescncia em um cristal. Ref. 1. p. 94.
Experincia 6. Verificao do tipo de semicondutor (P ou N) para materiais fortemente
dopados. Toca-se o cristal com uma ponta aquecida e observa-se a leitura de um
voltmetro de alta impedncia ligado entre essa ponta e um outro ponto do cristal.
Ref. 1. p. 87.
Experincia 7. Experincia de Shockley-Haynes. Essa experincia permite medir as cor-
rentes de deriva e difuso e verificar experimentalmente a relao de Einstein (D/J1. =
= kT/q). Ref. 1. p. 120, 143.
Experincia 8. Medida da condutividade de uma amostra de germnio intrnseco, em
funo da temperatura. Essa experincia permite medir o coeficiente de temperatura
de a e tambm estimar a energia necessria para criar um par eltron-buraco. Ref.
1. p. 143.
Experincia 9. Efeito Hall - Experincia extremamente interessante, que alm de suas
aplicaes industriais (medida de corrente), permite uma confirmao da existncia
de dois tipos de portadores de carga. Ref. 1. p. 126 e Ref. 2. pp. 195, 205.
122 Introduo fsica dos sernicondutores

Experincia 10. Ilustrao dos fenmenos de recombinao e tempo de vida de portadores.


Ref. 1. p. 147.
Experincia 11. Medida da capacitncia de uma juno PN em funo da tenso inversa
aplicada. Ref. 1. p. 180.
Experincia 12. Curva caracterstica de um diodo - Experincia que tem como fina-
lidade levantar experimentalmente a curva caracterstica de um diodo. Ref. 3. pp.
38, 39 e 40.
Experincia 13. Medida da condutividade de um semicondutor em funo da temperatura
(experincia mais elaborada que a experincia 8). Ref. 2. p. 198.
Experincia 14. Produo de pares eltron-buraco e largura da faixa proibida de energias
(energy gap). Ref. 2. p. 213. .
Experincia 15. Medida da mobilidade dos portadores em um material semicondutor.
Ref. 2. p. 222.
Experincia 16. Construo de um diodo tipo liga (alloy). Ref. 2, p. 230.
Respostas e sugestes para
os exerccios propostos

CAPTULO 1
ao = 5,292
1.1. x 10- 11m.

1.2. Use a Fig. 1.5 e a Eq. 1.10.

CAPTULO 2
2.5. possvel provar que a seguinte relao vlida para um polinmio de Hermite
de ordem n:

f~~() e-~2 dI; = 2", n!n


-00

CAPTULO 4

4.1. a) 5,8 x 1022


b) 4,07 .
4.4. 109 28'.
4.7. Observe que [100], [010] e [001] so direes de "mesmo tipo".

O plano (011) contm as direes [100], [011] e [111].


O plano (I01) contm as direes [010], [101] e [111].
O plano (110) contm as direes [OOlJ, [110] e [111].

CAPTULO 7
7.3. Considere o recipiente onde est o gs suficientemente raso e portanto despreze a
variao da energia potencial. Nesse caso
. 2 2 .2
E = ~ ( ,2
2 [x
+ 2
u)'
+ V 2)
z
= Px + 2m
Py + Pz .

CAPTULO 8

8.1. a) P =
-Nn J2 ; + n~

b)~10%.
8.6. Use o mtodo grfico de Schockley.
a) Nvel de Fermi cerca de 8 kT aeima de E2.
b) n ~ 2 x 1014em-3.
c) Desprezvel.

CAPTULO 9
9.4. vd = 4 X 103 em/s.
D = 10 em2fs.
124 Introduo fsica dos sernicondutores

9.6. Suponha N A ~ nj e verifique depois se a suposio correta.


p = 3,3 X 1014 cm "".
n = 1,7 x 1012 cm ":'.
9.8. Prove que
der qEG
dT = U 2 k T1

9.9. Prove primeiro que

CAPTULO 10
10.1. a) 5,0 x 10 - 5 em.
b) 9,9 x 10-5 em.
10J. a) Vi = 0,017 Y;
V2 = 9,983 Y.
b) 10 }-tA.

CAPTULO 12
a) Eltrons.
b) n
1 -cm.
c) 6,2 x 1015 cm-3.
d) 103 em2/ys.
Este trabalho foi elaborado pelo processo de FOTOCOMPOSIo
Monophoto - no Departamento de Composio da Editora
Edgard Blcher Ltda. - So Paulo - Brasil

impresso nas Oficinas


da
EDITORA "AVE MARIA LTDA.
Rua Martim Francisco, 636
C. P., 615 - Tels.: 67-1956 - 66-1828
So Paulo
ASN
EdITORA EDGARD BLUCHER lIdA.

INSTITUTO NACIONAL DO LIVRO

Cr$ 30,00
Este preo s se tornou possvel devido
participao do Instituto Nacional do livro,
que, em regime de coedio, J)ermitiu o aumento
da tiragem e a conseqente reduo do custo industrial

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