Você está na página 1de 68

Universidade Federal do Rio Grande do Norte UFRN

Departamento de Engenharia de Petrleo

Disciplina:

Perfilagem de poos - PTR0403

Professor:
German Garabito

Natal-RN, Semestre 2016.2


Programa da disciplina
5. Perfis eltricos de resistividade
5.1. Princpios bsicos
5.1.1. Distribuio radial de resistividades no poo
5.1.2. Classificao dos perfis de resistividade
5.1.3. Aplicaes
5.2. Medies de resistividade
5.3. Sondas no focalizadas
5.3.1. Configuraes normal e lateral
5.3.2. Resistividade aparente
5.3.3. Raio de investigao
5.3.4. Correes ambientais
5.3.5. Exemplos de perfis normal e lateral
5.3.6. Microperfil
5.4. Sondas focalizadas
5.4.1. Lateroperfis LL3, LL7, LL8
5.4.2. Duplo lateroperfil DLL
5.4.3. Perfil focalizado esfrico (SFL)
5.4.4. Microperfis - MLL, PL, MSFL
5.5. Exemplos de aplicaes

Disciplina: Perfilagem de Poos DPET/UFRN Prof. German Garabito


5. Perfis de resistividade
5.1. Princpios bsicos
Resistividade eltrica dos materiais

A lei de Ohm estabelece que para determinado condutor mantido


temperatura constante a voltagem aplicada nos terminais do condutor
proporcional corrente eltrica que o percorre:
V=RI ou R = V/ I (1)
V diferena de potencial em Volts (V);
I corrente eltrica em Ampere (A);
R resistncia eltrica em Ohm ().

Devido dificuldade que os eltrons livres encontram para se deslocar, h


uma resistncia passagem de corrente eltrica no condutor, que pode
ser medida atravs da resistncia eltrica do condutor.

A resistncia eltrica pode ser entendida como a dificuldade de se


estabelecer uma corrente eltrica num determinado condutor
5. Perfis de resistividade
5.1. Princpios bsicos
Resistividade eltrica dos materiais
Os fatores que influenciam na resistncia eltrica de um condutor so:
Geometria do condutor (comprimento L (m) e rea transversal S (m2))
Tipo de material
Temperatura

L
R V
S
Resistividade
L I

V RI I
S rea S
Comprimento L
V S S
R (2)
I L L

Sendo resistividade eltrica do condutor expressa em ohm-m2/m ou


ohm-m; -m, que depende do tipo material de e da sua temperatura.
5. Perfis de resistividade
5.1. Princpios bsicos
Resistividade eltrica dos materiais
A condutividade eltrica de um material a habilidade de permitir o
fluxo de corrente eltrica atravs dela.
A condutividade, , definida como o reciproco da resistividade, , dada
por:

1 I L
(1)
V S

As unidades so:

Siemens m
1
mSiemens m
ou
1000
[ohm m] [ohm m]

Tanto a resistividade como a condutividade podem ser medidos


diretamente pelos perfis geofsicos de poo.
5. Perfis de resistividade
5.1. Princpios bsicos
Resistividade eltrica dos materiais

A resistividade eltrica de uma formao geolgica sua habilidade de


impedir o fluxo de corrente eltrica atravs dela.

A resistividade de uma formao depende:

Presena de fluidos (gua da formao e hidrocarbonetos)

Salinidade da gua da formao

Temperatura da gua da formao

Volume de gua saturada nos poros

Geometria dos poros

Morfologia e tipos de minerares argilosos


5. Perfis de resistividade
5.1. Princpios bsicos
Resistividade eltrica
dos materiais

Valores tpicos de
resistividade de alguns
elementos, minerais,
rochas e fluidos.

Fonte: Serra, (2007)


5. Perfis de resistividade
5.1. Princpios bsicos
Resistividade eltrica dos materiais

Resistividades e condutividades de minerais e Variaes das resistividades em


rochas ( Telford et al., ; Aktaraki, 2008) rochas e alguns sedimentos.
5. Perfis de resistividade
5.1. Princpios bsicos
Resistividade eltrica dos materiais
Medidas de resistividade da formao so de particular importncia para
a avaliao da saturao de hidrocarboneto, em particular da zona no
invadida do reservatrio.
Com base no arranjo dos eletrodos, podem ser medidas as resistividades
da formao de diferentes zonas:

Zona infiltrada ou lavada, Rxo


Zona de transio ou invadida, Ri
Zona no invadida ou virgem, Rt

Combinaes dessas resistividades com medies de porosidade, , e


resistividade da gua da formao, Rw, permitem o clculo da saturao de
agua, Sw, tanto na zonas rasas ou profundas da formao.

A comparao dos dois valores de saturao fornece uma ideia da


mobilidade do fluido e, como consequncia, permitira a avaliao da
produtividade do reservatrio.
5. Perfis de resistividade

Zoneamento radial do fluido no poo e resistividades

Rm Resistividade da lama de perfurao


Rmc Resistividade do reboco de lama
Rmf Resistividade da lama filtrada
Rxo Resistividade da zona lavada
Rt Resistividade da zona no invadida
Rw Resistividade da agua da formao
Sxo Saturao de agua da zona lavada
Sw Saturao de agua da zona no invadida
5. Perfis de resistividade
Distribuio radial de resistividades no poo

Perfis de resistividade para uma


formao saturada com agua.

a) Lama com agua no salgada


b) Lama com agua salgada
5. Perfis de resistividade
Distribuio radial de resistividades no poo

Perfis de resistividade para uma


formao saturada com hidrocarboneto e
gua.

a) Lama de perfurao com gua no


salgada (Rmf >> Rw)

b) Lama de perfurao com gua


salgada (Rmf ~ Rw)
5. Perfis de resistividade
Principais aplicaes dos perfis de resistividade

Identificao de zonas porosa-permeveis


Determinao de zonas com hidrocarboneto e zonas com gua
Clculo da saturao

A saturao de gua da formao, Sw, pode ser determinada a partir da


relao Archie:
1 1
a Rw n
Rw n
S w m FR
Rt Rt

a Fator de tortuosidade
m Fator de cimentao
n Exponente de saturao
Rw Resistividade da gua da formao
Porosidade
Rt Resistividade da formao (perfis de resistividade profundos)
5. Perfis de resistividade
Classificao dos perfis de resistividade e condutividade

Fonte: Asquith, G., and D. Krygowski (2004)


5. Perfis de resistividade
5.2. Medies de resistividade

Considera-se um eletrodo A num meio


homogneo infinito, emitindo uma
corrente com intensidade I, e um
eletrodo B na superfcie.

A corrente irradiada uniformemente


em todas as direes e as superfcies
equipotenciais so esferas concntricas
com relao ao ponto A.

Sendo V(r) o potencial a uma distancia r,


ento, a diferena de potencial dV entre
dois equipotenciais separadas por dr
dada por:

dV = ( R I / 4 r2 ) dr (3)
Fonte: Serra, (2007)
em que R denota a resistividade do meio.
5. Perfis de resistividade
5.2. Medies de resistividade

Integrando dV entre r e infinito (potencial zero), obtm-se



dr RI 1 RI 1 1 RI
V RI (4)
r 4 r 2 4 r r 4 r 4 r

Portanto, a resistividade expressa por:


R = 4 r (V / I ) (5)

A partir de (3) pode ser obtido o campo eltrico, H, como:

H = dV / dr = RI / 4 r2 (6)
Colocando em evidencia a resistividade obtm-se:
R = (4 r2 / I )(dV / dr) (7)

Segundo as equaes (5) e (7) as resistividades podem ser medidas de


duas maneiras, ou seja, por meio de dois tipos de arranjos de eletrodos:
normal e lateral.
5. Perfis de resistividade
5.2.1. Ferramentas no focalizadas com espaamento longo
Configurao Normal:

Para um meio homogneo, o


potencial VM medido em M,
usando a eq. (5) resulta:

VM = R I / 4 AM

Como I mantido constante, VM


proporcional a R, assim 4 AM
o coeficiente da ferramenta
normal KN:

R = KN ( V / I )

Portanto, do registro ou
Configurao normal. a) principio da ferramenta
medio continua de VM resulta
normal e b) configurao real.
o perfil de resistividade.
Fonte: Serra, (2007)

- Normal Curta (SN), espaamento AM = 16 = 40,65 cm


- Normal Longa (LN), espaamento AM = 64 = 162,56 cm
5. Perfis de resistividade
5.2.1. Ferramentas no focalizadas com espaamento longo
Configurao Lateral e Inversa:
A diferena de potencial V, entre as
superfcies equipotenciais esfricas em
M e N pode ser obtida de:

VM = RI / 4 AM

VN = RI / 4 AN

Somando ambos obtm-se V como:

V =VM - VN = R I (MN / 4 AMAN)

O coeficiente da ferramenta lateral KL


dada por:

KL = 4 AM AN / MN Configurao lateral. a) principio da ferramenta


assim lateral e b) configurao real. O espaamento
entre AO (ou MO para a inversa) em geral 18,8
R = KL (V / I )
(47,75 cm) Fonte: Serra, (2007)
Para I constante a resistividade proporcional a V.
5. Perfis de resistividade
5.2.1. Ferramentas no focalizadas com espaamento longo
Resistividade aparente
A resistividade medida no corresponde a resistividade da formao
virgem devido a diversos fatores como: extenso finita, heterogeneidade
causada pelas formaes adjacentes, fluido do poo, zonas de invaso, etc.
As superfcies equipotenciais no so mais esferas, mas a seguinte relao
geral ainda valida:
Ra = K ( V / I )
Em que Ra a resistividade aparente (ou medida), V igual a V para a
configurao normal e igual a V para a configurao lateral. K o
coeficiente geomtrico para a configurao de eletrodos utilizada.
Aps a correo de Ra pelo efeito do poo (Ra)c, uma boa aproximao de Rt
pode ser obtida considerando as zonas invadida e virgem em serie:
(Ra)c= Ji Rxo + ( 1 - Ji ) Rt

em que Ji o fator pseudo-geomtrico correspondente a prof. de invaso.


Para determinar Rt pela relao acima necessrio conhecer Rxo .
5. Perfis de resistividade
5.2.1. Ferramentas no focalizadas com espaamento longo
Raio de investigao da sonda Normal

Considerando um meio homogneo e


isotrpico, o raio de investigao
da ferramenta normal
aproximadamente igual a dois vezes
o espaamento AM.

Raio de investigao para a configurao


normal:
a) Posio dos eletrodos
b) Contribuio das varias zonas em funo Fonte: from Desbrandes (1868), In Serra, (2007)
da distancia a partir da sonda.
5. Perfis de resistividade
5.2.1. Ferramentas no focalizadas com espaamento longo
Raio de investigao da sonda Lateral
O raio de investigao na ferramenta lateral aproximadamente igual a
distancia AO (ou MO para a configurao inversa), com a maior parte do
sinal que vem da parte mais afastada da esfera.

Raio de investigao para a configurao


lateral:
a) Posio dos eletrodos no poo.
b) Contribuio das varias zonas em
funo da distancia a partir da sonda.

Fonte: from Desbrandes (1868), In Serra, (2007)


5. Perfis de resistividade
5.2.1. Ferramentas no focalizadas com espaamento longo
Raio de investigao
A profundidade de investigao em meios heterogneos no pode ser
descrita considerando uma simples esfera.
O volume do material que contribui ao sinal depende muito das condies
do poo e/ou resistividade das zonas heterogneas, como: dimetro do
poo, reboco da lama, formao invadida e virgem.
Portanto, o raio de investigao depende do meio e da configurao de
eletrodos:

Em geral, o raio de investigao maior que o espaamento entre o


arranjo de eletrodos.

Para uma dada configurao de eletrodos, o raio de investigao pode


ser pequena quando a formao mais resistiva que a lama.

Para um dado espaamento, a configurao normal tem um raio de


investigao maior que a configurao lateral ou inversa.
5. Perfis de resistividade
5.2.1. Ferramentas no focalizadas com espaamento longo
Correes ambientais
A resistividade aparente medida pela sonda pode ser expressa como:

Ra = f ( Rm , dh , Rmc , hmc , Rxo , di , Rt , h , Rs )

Portanto, para obter Rt necessrio corrigir Ra por todos os efeitos


ambientais.

As correes ambientais podem ser realizados utilizando formulas ou


grficos disponveis para:

Correo do poo
Correo da zona de invaso
Espessura da camada
outros
5. Perfis de resistividade
5.2.1. Ferramentas no focalizadas com espaamento longo
Correes ambientais - Exemplo

Grfico para correo do dimetro


do poo considerando zero de
invaso e espessura infinita da
camada, aplicvel para as
ferramentas lateral e/ou inversa de
188 e normal curta de 16.

Fonte: Courtesy of Slumberger, In Serra, (2007)


5. Perfis de resistividade
5.2.1. Ferramentas no focalizadas com espaamento longo
Apresentao do perfil Normal

Fonte: Adaptado de Doll el al., em


Ellis & Singer, 2008.

Sonda short normal e respostas em duas situaes: Espessura da camada maior a


AM e menor AM. Sendo e a espessura da camada e d o dimetro do poo.
5. Perfis de resistividade
5.2.1. Ferramentas no focalizadas com espaamento longo
Apresentao do perfil Normal

Influencia da espessura da camada e resistividades nas repostas do perfil normal.


(a) camadas com alta resistividade e (b) camadas com baixa resistividade
Fonte: Schlumberger (1989)
5. Perfis de resistividade
5.2.1. Ferramentas no focalizadas com espaamento longo
Apresentao do perfil Lateral

Fonte: Cortesia Schlumberger., em


Ellis & Singer, 2008.

Sonda Lateral e respostas em duas situaes: Espessura da camada maior a AO e


menor AO. O o ponto mdio entre M e N, h a espessura da camada.
5. Perfis de resistividade
5.2.1. Ferramentas no focalizadas com espaamento longo
Apresentao do perfil Lateral

Fonte: Schlumberger (1989)

Influencia da espessura da camada e resistividades nas repostas do perfil normal.


(a) camadas com alta resistividade e (b) camadas com baixa resistividade
5. Perfis de resistividade
5.2.1. Ferramentas no focalizadas com espaamento longo
Apresentao dos perfis Normal e Lateral

a) Camada resistiva e com espessura


maior que a distancia de separao
entre eletrodos (h > AM ou h > AO)

b) Camada resistiva e com espessura


menor que a distancia de separao
entre eletrodos (h < AM ou h < AO)

c) e d) Camadas condutivas com


espessuras pouco maiores que a
distancia de separao entre eletrodos
(h < AM ou h < AO)

e) Camada com muito alta resistividade


e espessura maior que a separao
entre eletrodos ( h > AM ou h > AO)

Fonte: Serra, (2007)


5. Perfis de resistividade
5.2.1. Ferramentas no focalizadas com espaamento curto
Porque o conhecimento da resistividade Rxo importante?

- Para a correo da resistividade de zonas profundas devido influencia


da zona invadida, quando a invaso moderada a profunda.

- Alguns mtodos requerem do conhecimento da razo Rxo/Rt. para o


clculo da saturao de gua na zona virgem.

- Em formaes limpas, o clculo do fator de formao, F, e da


porosidade, , pode ser realizado a partir do conhecimento de Rxo e Rmf,
presumindo Sxo ser estimado ou fixado como 100%.

Para medir Rxo a ferramenta deve ter uma profundidade de investigao


rasa, porque a zona lavada pode-se estender somente alguns poucos
centmetros da parede do poo.

Portanto, para que as medidas no sejam afetadas pela lama de


perfurao, usa-se a ferramenta microlog com eletrodos num patim que
deslocado sobre a parede do poo
5. Perfis de resistividade
5.2.1. Ferramentas no focalizadas com espaamento curto

A sonda microlog composta


por trs eletrodos em forma
de botes que so montados
num patim de borracha
preenchida com leo.

Os micrologs so registrados
simultaneamente com os
eletrodos separados de 1
por 1 micro-inversa (R1x1) e
2 micro-normal (R2). Microlog Fotografia e representao
esquemtica de um patim hidrulico (Fonte:
Courtesy of Schlumberger, In Serra, 2007)
5. Perfis de resistividade
5.2.1. Ferramentas no focalizadas com espaamento curto

Exemplo de micro-perfis (microlog) normal e


inversa num reservatrio poroso e permevel.

A separao entre micro-normal e micro-inverso


em frente do reboco do poo indica, em geral,
uma zona porosa e permevel.
5. Perfis de resistividade
5.2.1. Ferramentas no focalizadas com espaamento curto

Exemplos de micro perfis:

Perfil micro-normal (MNOR),


linha tracejada, mede a
resistividade da zona lavada.

Perfil micro-inverso (MINV), linha


continua, mede a resistividade do
reboco da lama presente no
poo.

Reboco e permeabilidade so
indicados pela separao
positiva que acontece onde o
perfil MNOR mostra maior
resistividade que o perfil MINV.
5. Analise de perfis de resistividade

Classificao dos perfis de resistividade

Fonte: Asquith, G., and D. Krygowski (2004)


5. Analise de perfis de resistividade
5.2. Lateroperfis (laterologs)
As ferramentas de resistividade no focalizadas podem ser bastante
afetadas pelas condies do poo e as formaes adjacentes.
- Em camadas finas (com espessura
aprox. igual ao espaamento dos
eletrodos) a resistividade aparente
uma pobre estimativa do valor
real, por causa da influencia das
camadas adjacentes.
- Os limites das camadas so difceis
de definir com preciso.

- Os efeitos das condies do poo


(coluna de lama, dimetro, etc) e zona
invadida so, em geral, bastante
significativos.
- Os grficos ou equaes disponveis
para correes ambientais so
raramente 100% efetivos.
5. Analise de perfis de resistividade
5.2. Lateroperfis (laterologs)

O principio da focalizao
consiste em forar a emisso de
corrente focalizada, I0, para a
formao por meio de eletrodos
guard ou de monitoramento
simetricamente distribudos.

Todas as correntes dos


eletrodos focalizantes retornam
a um eletrodo localizado longe
de A0.

O ponto de medio para todas


as ferramentas focalizadas
corresponde ao centro do
eletrodo A0.
Fonte: Serra, (2007)
5. Analise de perfis de resistividade
5.2. Lateroperfis (laterologs)

Tipos de lateroperfis:

Lateroperfil-3 (LL3)
Lateroperfil-7 (LL7)
Lateroperfil-8 (LL8)
Duplo Lateroperfil (DLL -> LLd e LLs)
Perfil focalizado esfrico (SFL)
Micro-perfis

- As sondas LL3, LL7, LL8 so obsoletas

- A sonda DLL contem as sondas LLd e LLs que podem ser registradas
simultaneamente.
5. Analise de perfis de resistividade
5.2. Resoluo vertical e profundidade de investigao de Lateroperfis
Resoluo vertical

A definio da espessura mnima da


camada corresponde espessura do
disco de corrente focalizado, I0, ou
ainda igual a distancia 01 O2.

Fonte: Serra, (2007)


5. Analise de perfis de resistividade
5.2. Resoluo vertical e profundidade de investigao de Lateroperfis

Profundidade de investigao
O raio de investigao dos laterologs
depende de dois fatores:
- comprimento dos eletrodos
focalizantes e
- contraste de resistividade das
zonas virgem e invadida.

Exemplos:
Leituras de zonas rasas, Rxo, so
realizados com MFSL.

Leituras de zonas rasas, prximas de 0,51 1,02 2,02

Rxo, so realizados com LLs e LL8.


Leituras de zonas profundas, Fator geomtrico integrado
prximas de Rt, so realizados com as
sondas LLd, LL3 e LL7.
5. Analise de perfis de resistividade
5.2. Lateroperfis
Lateroperfil-3 (LL3)
O eletrodo A0 emite corrente varivel I0
atravs da formao para um eletrodo remoto.

Os eletrodos A1-A1 foram as linhas de


corrente de A0 para dentro da formao.

O potencial V0 de A0 mantido igual al


potencial de A1-A1 por meio da variao da
corrente I0 .

Assim A1-A0-A1 formam superfcies


equipotenciais de forma que a corrente I0 flui
perpendicularmente, como um disco, com
espessura 0-0 (12 in ou 30,48 cm).

A intensidade I0 medida inversamente


proporcional resistividade da formao:
Fonte: Ellis & Singer, (2008)
R = K V0 / I0
5. Analise de perfis de resistividade
5.2. Lateroperfis
Lateroperfil-3 (LL3)

Influencia de formaes condutivas com alto contraste nas medidas de


resistividade aparente com a ferramenta LL3:
(a) a corrente passa atravs da lama para a camada inferior condutiva,
(b) efeito de uma camada fina condutiva.
Fonte: Serra, (2007)
5. Analise de perfis de resistividade
5.2. Lateroperfis
Lateroperfil-7 (LL7)
Composto por um eletrodo central A0 e trs
pares de eletrodos M1-M2, M1-M2 e A1-A1.

Uma corrente constante I0 emitida de A0


para um eletrodo de retorno remoto.

Uma corrente de focalizao IB flui a partir dos


eletrodos A1-A1 , e ela ajustada para manter
com o mesmo potencial os eletrodos de
monitoramento M1-M1 e M2-M2.

A corrente emitida de A0 forada pelos


equipotenciais para fluir na formao em
forma de um disco perpendicular sonda.

Em geral, a espessura entre O-O 32 in


(81,28 cm) e a distancia entre A1-A1 80 in
(203,0 cm).
Fonte: Serra, (2007)
Sendo I0 constante, o potencial medido em
um dos eletrodos M proporcional
resistividade da formao.
5. Analise de perfis de resistividade
5.2. Lateroperfis

Exemplo:

Faixa 2 - Lateroperfil-3 (LL3) que mede a


resistividade da formao Rt .

Valor de resistividade:
21 ohm-m na profundidade de 3948 ft

Faixa 3 Mircro-lateroperfil (MLL) que mede a


resistividade da zona lavada Rxo.

Valor de resistividade:
8 ohm-m na profundidade de 3948 ft

Fonte: Asquith & Krygowski (2012)


5. Analise de perfis de resistividade
5.2. Lateroperfis

Exemplo:

Faixa 1 Perfis GR, Caliper, Bit Size, SP

Faixa 2 Perfis de resistividade: Short


Normal, Long Normal, LL3 e RMF.

Fonte: http://www.pacificsurveys.com/images/02_ll3a.jpg
5. Analise de perfis de resistividade
5.4. Perfil com focalizao esfrica
O perfil focalizado esfrico tambm foi projetado para compensar o efeito do
poo, e tem sido adotado para medidas de resistividades rasas e intermediarias.

Linhas de corrente aproximadas e superfcies Configurao de eletrodos para um arranjo


equipotenciais para a sonda Normal Curta focalizado esfrico. Cortesia Schlumberger.

Fonte: Ellis & Singer, 2008.


5. Analise de perfis de resistividade
5.4. Perfil com focalizao esfrica
Consiste de 1 eletrodo central A0 e 8
eletrodos simetricamente distribudos,
conectados em pares M0-M0, A1-A1, M1-
M1 e M2-M2.
Uma corrente varivel, I0, transmitida
de A0 para manter com os mesmos
potenciais os eletrodos M1-M1 e M2-M2.
Uma corrente de focalizao, Ia, flui entre
A0 e A1-A1 para manter a diferencia de
potencial entre M0-M0 e M1-M1 igual a
um nvel de referencia fixo Vref.
Dessa forma, as superfcies B e C
mantem-se com uma diferencia de
potencial constante igual a Vref.
A corrente varivel I0 forada para fluir
na formao, fazendo que as superfcies
equipotenciais entre B e C sejam
aproximadamente esfricos.
A intensidade de corrente I0
inversamente proporcional resistividade Fonte: Serra, (2007)
da formao.
5. Analise de perfis de resistividade
5.4. Perfil com focalizao esfrica

http://www.kgs.ku.edu/Dakota/vol1/petro/petro06.htm

Faixa 1: Potencial espontneo. Perfil eltrico focalizado (SFL), Perfil de induo media (ILM) e
perfil de induo profunda (ILD). Fonte: KGS Jones #1.
5. Analise de perfis de resistividade
5.2. Lateroperfis

Tipos de lateroperfis:

Lateroperfil-3 (LL3)
Lateroperfil-7 (LL7)
Lateroperfil-8 (LL8)
Perfil focalizado esfrico (SFL)
Duplo Lateroperfil (DLL -> LLd e LLs)
Micro-perfis
5. Analise de perfis de resistividade
5.3. Duplo lateroperfil - DLL

14 ft ~ 4.27 m

Fonte: Serra, (2007)


5. Analise de perfis de resistividade
5.3. Duplo lateroperfil - DLL

Consiste de 8 eletrodos simetricamente


distribudos e conectados em pares A2-A2, A1-
A1, M2-M2 e M1-M1, e um eletrodo central, A0,
com corrente focalizada I0.

DLLd (deep) - usa eletrodos de retorno


remotos para a corrente principal e tambm
para os eletrodos das correntes focalizantes.

DLLs (shalow) - usa os eletrodos A2-A2 como


retorno para as correntes de focalizao de
A1-A1.

A ferramenta DLL opera simultaneamente com


frequncias de 35 Hz para DLLd e 280 Hz
para DLLs.

A medio da resistividade realizada por um


sistema denominado de potencia constante,
em que a corrente I0 e a voltagem V0 mudam,
Fonte: Serra, (2007) e so medidas de forma a permanecer
constante o produto entre elas I0V0.
5. Analise de perfis de resistividade
5.3. Duplo lateroperfil

Fonte: Serra, (2007)


Fonte: Serra, (2007)

Efeito Delaware. Leituras LLD com aumento Efeito Groningen. Leituras anmalas altas LLD,
gradual anmalo da resistividade (em similares ao efeito Delaware, que iniciam abaixo
reservatrios com baixa resistividade) que (~100ft ou 30,48m) de uma camada espessa
comeam abaixo (~80ft ou 24,38m) de altamente resistiva. Correntes confinadas no poo
camadas espessas resistivas (anidrita). causam um potencial negativo no eletrodo de
referencia N.
5. Analise de perfis de resistividade
5.6. Principio da medio dos Lateroperfis
A seguinte relao geral tambm valida para medies com Lateroperfis:

Ra = KLL ( V / I )

Sob os seguintes modos de operao:

1. Quando a corrente I constante (LL3 e LL7), ento V


ser diretamente proporcional resistividade.

2. Quando o potencial V constante (LL8, SFL), ento I


ser inversamente proporcional a resistividade.

3. Quando V e I so variveis (LLD e LLS) ento deve-se


medir tanto V como I, que devem resultar num valor
constante (potencia constante).
5. Analise de perfis de resistividade
5.6. Microperfis de resistividade focalizados

Os microperfis tm objetivo de:

- reduzir os efeitos do poo,


- realizar medies com profundidades de investigao rasas (2 a 5 cm)

Tipos de microperfis:
Microlaterolog (MLL)
Proximity log (PL)
MicroSFL (MSFL)

O efeito do reboco nos microperfis pode ser ainda significativo e devem ser aplicadas
as correes correspondentes.
5. Analise de perfis de resistividade
5.6. Microperfis de resistividade focalizados

Microlaterolog (MLL) O principio de funcionamento igual ao LL7.


O arranjo dos eletrodos montado sobre um
patim de borracha preenchido com leo.

O eletrodo central A0 rodeado por trs anis


concntricos de botes, constituindo os
eletrodos M1, M2 e A1.

Uma corrente constante I0 emitida por A0.

Pelo eletrodo A1 transmitida uma corrente


varivel e automaticamente ajustada de forma
que a diferencia de potencial entre os
eletrodos de monitorao M1 e M2 seja
mantida igual a zero, forando assim o fluxo
do feixe de corrente I0 perpendicular face do
patim.

Fonte: Serra, (2007) Sendo I0 constante, o potencial V0 de M1 ou


M2 proporcional resistividade da formao.
O MLL utilizado em poos com baixa
resistividade do fluido de perfurao e
espessura moderada do reboco (< 3/98 in).
5. Analise de perfis de resistividade
5.6. Microperfis de resistividade focalizados

Proximity log (PL)


Desenhada para diminuir o efeito do reboco,
proporciona maior penetrao radial e utiliza
um sistema de corrente potente.

O principio de funcionamento igual ao LL3,


mas com eletrodos retangulares concntricos
montados sobre um patim slido de borracha
(com maior rea que o patim do MLL)

O sistema automaticamente focalizado


pelos eletrodos de monitorao.

A resoluo vertical aproximada de 6 in (15,24


cm).
Fonte: Serra, (2007)
5. Analise de perfis de resistividade
5.6. Microperfis de resistividade focalizados

Perfil focalizado micro-esfrico (MSFL)

O principio de funcionamento igual ao SFL,


mas montado em um patim de borracha
flexvel.

O perfil MSFL tem as seguintes vantagens


sobre MLL e PL:

Menor sensibilidade ao reboco de lama


que o microperfil MLL.

Leituras mais rasas que do perfil PL.

Direita: Sonda mostrando o patim do MFSL e


os braos do Caliper. Esquerda: Arranjo de
eletrodos MFSL. Fonte: Serra (2007)
5. Analise de perfis de resistividade
5.6. Microperfis de resistividade focalizados
Exemplo 3: perfis MSFL e DDL.

A separao entre os perfis LLs e LLd e


tambm com o perfil MSFL, pode indicar a
presena de formaes permeveis com
hidrocarbonetos.

Este perfil indica a presena de gs numa


formao com 15% de porosidade.

(Fonte: Cortesia de Rider (1966) em ...)


5. Analise de perfis de resistividade
5.6. Microperfis de resistividade focalizados

Exemplo 2: perfil MSFL

Na figura o perfil MSFL fornece medidas


dentro de uma faixa estreita, ou seja, tem
pouca variao.

Os perfis LLD and LLS mostram uma


inverso com relao ao perfil MSFL

Este comportamento se deve ao fato que


o perfil MSFL mede somente a
resistividade da formao saturada com a
lama infiltrada.
5. Analise de perfis de resistividade
5.3. Duplo lateroperfil DLL
Correo de Rxo e Rt devido a zona de
invaso:

Exemplo de perfis de resistividade:

Perfil duplo laterolog (LLd e LLs) e perfil


focalizado micro-esfrico.

Resistividades na profundidade 9324ft:

LLd = 16 ohm-m resistividade da zona


profunda

LLs = 10 ohm-m resistividade da zona


rasa

MSFL = 4,5 ohm-m resistividade na zona


lavada

Fonte: Asquith & Krygowski (2004)


5. Analise de perfis de resistividade
5.3. Duplo lateroperfil
Correo de Rxo e Rt devido a zona de
invaso:
Correo da resistividade LLd para Rt

LLD = RLLD = 16,6 ohm-m


LLS = RLLS = 10,0 ohm-m
MSFL = RMFSL = 4,5 ohm-m
RLLD / RMSFL = RLLD / Rxo = 3,6
RLLD / RLLS = 1,6

Rt /RLLD = 1,32
Correo de Rt
dj = 43 in
Rt = (Rt/RLLD) RLLD Rt / Rxo = 4,8

Rt = 1,32 16.6 ohm-m = 21,9 ohm-m

Correo de Rxo considerando o dimetro de


zona de invaso dj = 43 in.
Rxo = Rt / (Rt / Rxo)
Rxo = 21,9 ohm-m / 4,8 = 4,6 ohm-m
Fonte: Asquith & Krygowski (2004)
Referncias

Asquith G. and Krygowski D., 2004, Basic Well Log Analysis, AAPG
Methods in Exploration Series, No. 16., Tulsa, Oklahoma.
Ellis, V. D., and Singer, M, J., 2008, Well Logging for Earth Scientists, 2nd
Edition. Springer, The Netherlands.
Schlumberger, 1989, Log Interpretation Principles / Applications,
Schlumberger Wireline & Testing, Texas.
Serra, O., 2007, Well Logging. Vol. 1 Data Acquisition and Applications.
TECHNIP, France.
Universidade Federal do Rio Grande do Norte UFRN
Departamento de Engenharia de Petrleo

Disciplina:

Perfilagem de poos - PTR0403

Professor:
German Garabito

Natal-RN, Semestre 2015.2


Programa da disciplina
5. Perfis eltricos de resistividade
5.1. Princpios bsicos
5.1.1. Distribuio radial de resistividades no poo
5.1.2. Classificao dos perfis de resistividade
5.1.3. Aplicaes
5.2. Medies de resistividade
5.3. Sondas no focalizadas
5.3.1. Configuraes normal e lateral
5.3.2. Resistividade aparente
5.3.3. Raio de investigao
5.3.4. Correes ambientais
5.3.5. Exemplos de perfis normal e lateral
5.3.6. Microperfil
5.4. Sondas focalizadas
5.4.1. Lateroperfis LL3, LL7, LL8
5.4.2. Duplo lateroperfil DLL
5.4.3. Perfil focalizado esfrico (SFL)
5.4.4. Microperfis - MLL, PL, MSFL
5.5. Interpretao de perfis

Disciplina: Perfilagem de Poos DPET/UFRN Prof. German Garabito


Interpretao de perfis de resistividade

Rocha com baixa porosidade -


permeabilidade

Folhelho

Rocha com baixa porosidade -


permeabilidade

Folhelho

Folhelho com matria orgnica

Rocha com porosidade e


permeabilidade
Folhelho

Rocha com porosidade-


permeabilidade

Folhelho

Fonte: Selley (1998)


Interpretao de perfis de resistividade

Rocha com baixa porosidade -


permeabilidade

Folhelho

Rocha com baixa porosidade -


permeabilidade

Folhelho

Folhelho com matria orgnica

Rocha com porosidade e


permeabilidade
Folhelho

Rocha com porosidade-


permeabilidade

Folhelho

Fonte: Selley (1998)


Interpretao de perfis de resistividade
Interpretao de perfis de resistividade

Hidrocarboneto

gua
Referncias

Asquith G. and Krygowski D., 2004, Basic Well Log Analysis, AAPG
Methods in Exploration Series, No. 16., Tulsa, Oklahoma.
Ellis, V. D., and Singer, M, J., 2008, Well Logging for Earth Scientists, 2nd
Edition. Springer, The Netherlands.
Schlumberger, 1989, Log Interpretation Principles / Applications,
Schlumberger Wireline & Testing, Texas.
Serra, O., 2007, Well Logging. Vol. 1 Data Acquisition and Applications.
TECHNIP, France.

Você também pode gostar