UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR

FACULTAD DE INGENIERA Y ARQUITECTURA

ESCUELA DE INGENIERIA MECNICA

Asignatura: Fundamentos de electrnica (FEL115)

Docente: Ing. Mario Martnez

Alumnos:

Lara Bustillo, Carlos Alfredo LB10002

Mendoza, Katherine
Palomo Sosa, Carlos Eduardo

Documento:

Reporte de laboratorio sobre prctica con transistores amplificadores

Ciudad Universitaria, a los 26 das del mes de mayo del 2015.

Contenido
Introduccin........................................................................................................ 3
Marco Terico...................................................................................................... 4
Uniones p-n y dopado...................................................................................... 4
Objetivo A........................................................................................................... 6
Desarrollo:....................................................................................................... 6
Simulacin parte A)......................................................................................... 9
Objetivo B)........................................................................................................ 10
Desarrollo:..................................................................................................... 10
Simulacin parte B)....................................................................................... 12
Conclusiones..................................................................................................... 13
Bibliografa........................................................................................................ 14
Introduccin

Hasta este momento, se ha visto y comprendido el funcionamiento del diodo,

elemento que permite el paso de corriente en una direccin y no en la
direccin inversa. Corresponde al anlisis en la presente prctica de
laboratorio, conocer un nuevo elemento: el transistor.

Existen varios tipos de transistores, pero no compete, a este momento,

conocerlos todos. De forma general, un transistor, es un elemento que se
conforma de la unin de tres materiales bien sean del tipo p o del tipo n, en
una configuracin determinada segn sea el transistor del que se hable.

En esencia, un transistor es un dispositivo que acta en consecuencia de las

seales que recibe, esto es, emite (o deja de emitir) seales segn sean las
que este reciba. En la actualidad, es raro el circuito que no utiliza transistores,
este pues, es un dispositivo ampliamente usado y que en su momento, fue
sumamente revolucionario. A da de hoy, sigue siendo en cuanta til.

Una de las aplicaciones ms sobresalientes del transistor, es en el uso de la

amplificacin de seales. El transistor tiene la utilidad que, para una sea dbil
recibida (como una onda de radio o un pulso elctrico no muy fuerte) se tiene
una seal de salida fortalecida, lo que puede utilizarse para amplificar seales
de micrfonos, en bocinas y mezcladores de audio.

En virtud de lo anterior y, tal como se haba mencionado, se desarrollar la

prctica de forma tal que, se puede observar el comportamiento de los mismos
lo que, debiera devenir en una mejor comprensin sobre su funcionamiento.
Marco Terico

Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el
diseo de circuitos electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y
facilidad de control.

Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de hace unas dcadas.

Gracias a ellos fue posible la construccin de receptores de radio porttiles
llamados comnmente "transistores", televisores que se encendan en un par
de segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los
aparatos a vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban
ms de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningn caso podan
funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenan.

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin)

Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de

radiofrecuencia)

Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de

alimentacin conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura
de impulsos PWM)

Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores)

Los transistores de unin (uno de los tipos ms bsicos) tienen 3 terminales

llamados Base, Colector y Emisor, que dependiendo del encapsulado que tenga
el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.

Por otro lado, los Transistores de Efecto de Campo (FET) tienen tambin 3
terminales, que son Puerta (Gate), Drenador (Drain) y Sumidero (Sink), que
igualmente dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar
distribuidos de varias formas.

La produccin en masa de transistores tiene un costo muy bajo, y los

transistores son la razn de que los computadores sigan siendo cada vez ms
pequeos y poderosos. Cada ao se construyen ms de 60 millones de
transistores, para cada hombre, mujer y nio en la tierra. Los transistores son
la clave de nuestro mundo moderno.
Uniones p-n y dopado

Para entender cmo funcionan los transistores, primero hay que entender el
concepto de la unin p-n. Las uniones p-n tienen algunas similitudes con la
bicapa lipdica (membrana celular) de las neuronas, de la que aprendimos en el
Experimento 3. Recuerda, la bicapa lipdica es la barrera entre el interior y el
exterior de la clula, y se caracteriza por una acumulacin de iones cargados a
ambos lados de la barrera. Los iones cargados generan una diferencia de
potencial elctrico que finalmente permite la generacin de potenciales de
accin. Del mismo modo, una unin p-n es el lmite entre dos materiales con
diferentes cargas sobre ellos. En lugar de los iones, las cargas en una unin p-n
son controladas por la presencia (e-) o ausencia (h +, o agujeros) de
electrones.

La polarizacin de un transistor es la responsable de establecer las corrientes y

tensiones que fijan su punto de trabajo en la regin lineal (bipolares) o
saturacin (FET), regiones en donde los transistores presentan caractersticas
ms o menos lineales. Al aplicar una seal alterna a la entrada, el punto de
trabajo se desplaza y amplifica esa seal.

Los electrones tienen carga negativa, y el movimiento de estas cargas a travs

de un material conductor es la base de la electricidad. En algunos materiales
(llamados semiconductores) podemos manipular la cantidad de electrones
presentes a travs de un proceso llamado dopado, que significa introducir
impurezas en semiconductores extremadamente puros. Saquen sus tablas
peridicas, ya que este proceso slo es posible debido a las propiedades
qumicas de ciertos elementos.

El anlisis del comportamiento del transistor en amplificacin se simplifica

enormemente cuando su utiliza el llamado modelo de pequea seal obtenido
a partir del anlisis del transistor a pequeas variaciones de tensiones y
corrientes en sus terminales.

Bajo adecuadas condiciones, el transistor puede ser modelado a travs de un

circuito lineal que incluye equivalentes Thvenin, Norton y principios de teora
de circuitos lineales. El modelo de pequea seal del transistor es a veces
llamado modelo incremental de seal. Los circuitos que se van a estudiar aqu
son vlidos a frecuencias medias, aspecto que se tendr en cuenta en el
siguiente tema.
Objetivo A
Calcular y medir los voltajes de operacin en DC que se encuentra en un
circuito de emisor comn tpico.

Desarrollo:
1) Se arm el circuito que se presenta en la figura 1. Note que el lado
negativo del voltaje de la fuente DC est conectado a la terminal de
tierra del generador AF.
2) Se ajust el voltaje de la fuente de DC de colector Vcc a +10vDC. El
voltaje de la seal de entrada Vin debe ser cero.
3) Se midi el voltaje en continua en los diferentes puntos en el circuito de
la figura 1. Y se complet la tabla 1, con los siguientes valores.

Tabla 1
Punto Voltaje (V)
vb 1.79
Ve 1.18
vc 5.72

4) Utilizando la ley de OHM se calcul la corriente en continua en los

diferentes puntos en el circuito de la figura 1, y se complet la tabla 2
con los siguientes valores.

8.19V
V R 1=8.19 V = I R 1= =0.819 X 103 Amp
10 Kohm

1.78 V
V R 2=1.78V = I R 2= =0.809 X 103 Amp
2.2 Kohm

4.24 V
V R 3=4.24 V = I R 3= =1.178 X 103 Amp
3.6 Kohm

1.18 V
V R 1=1.18V = I R 1= =1.18 X 103 Amp
1 Kohm

Tabla 2
 IR1 0.819 X 103 Amp
IR2 0.809 X 103 Amp
IR3 3
1.178 X 10 Amp
IR4 1.18 X 103 Amp

5) A partir de la tabla anterior de los resultados obtenidos en la tabla 1 y 2

se determin el factor , , y el punto Q, y se anot el resultado en la
tabla 3.

Para calculara la corriente de base (IB)

2.2 Kohm
V TH = ( 10 V )=1.803 V
10 Kohmn+2.2 Kohm
 (2.2 K )(10 K )
RTH = =1.803 Kohm
10 K +2.2 K

V BE +V E +V TH + I B RTH =0

Despejando para IB.

V BE +V E +V TH ( ( 1.791.18 ) +1.181.803 ) V
I b= = =7.21E-6
R TH 1.803 Kohm

Y tomando en cuenta que:

I E =I R 4 =1.18E-3

I C =I R 3=1.178E-3

Tabla 3
Factor Valor
= IC/IE 0.998
= IC/IB 163.38
Q(IC, VCE) 3
(1.178 X 10 A , 3.94 V )
Simulacin parte A)
Objetivo B)
Mostrar cmo funciona un amplificador de emisor comn tpico y medir su
ganancia de voltaje.

Desarrollo:
1) Se fij el generador de AF en la funcin de onda senoidal a una
frecuencia de 1 KHz.
2) Se ajust el generador de AF a una seal de 100mV de mximo en la
base Q1.
3) Los controles del osciloscopio se calibraron para una deflexin de 0.02
V/cm tiempo de barrido 0.05ms/cm y el disparo en sincronismo normal,
fuente de disparo interna, pendiente + y nivel alto.
NOTA: en algunos casos se tuvo que ajustar el osciloscopio, de tal forma
que se pudiera apreciar de una mejor forma la seal de onda.
4) Se conect la punta de entrada del osciloscopio a la base de Q 1 y la
punta comn a tierra.
5) El valor VIN(p-p) medido mediante la imagen aproximadamente es:

VIN(p-p)=2.5x10-3 Volitos

Imagen demostrativa.
 Nota: Para apreciar de forma ms clara la seal de onda, vase la
simulacin al final del objetivo B.

6) Se conect la punta de prueba de entrada del osciloscopio a la salida del

amplificador de emisor comn, se cambi el control de entrada vertical
para deflexin de 0.2 V7cm para desplegar la onda de salida del
amplificador.
7) En este paso se pudo apreciar que la onda de salida es una reproduccin
amplificada de la onda de entrada.
8) El voltaje de salida de mximo a mximo medido es aproximadamente:

VO(p-p)=0.36 Volitos

Imagen demostrativa.

Nota: Para apreciar de forma ms clara la seal de onda, vase la

simulacin al final del objetivo B.

9) La ganancia de voltaje obtenida mediante los valores medidos es:

 VO
AV = =144
V

Simulacin parte B)
Conclusiones
Habiendo terminado la prctica de laboratorio y, finalizado que fue el presente
informe, a bien tengo concluir lo siguiente:

Cuando un transistor se ha polarizado en algn punto determinado (muy

cerca del medio en la recta de carga) una seal alterna suficientemente
pequea aplicada a la base del mismo, puede producir una seal alterna
amplificada en el colector.
Que la seal alterna de salida en el colector, siempre que se trabaje lejos
de la saturacin, esto es, en la zona adecuada, conserva la misma forma
que la seal de entrada, con la diferencia de la modificacin de las
amplitudes en la misma, que son mayores.
Que para determinar que una onda de salida es una reproduccin
amplificada verdadera de una onda de entrada, debe esta mantener la
misma forma, adems de ser cncava en sus extremos, no teniendo
tramos rectos en los mismos (debido a saturacin).
Que siempre que se utilice un juego de resistencias adecuados, se puede
tener una gran ganancia de potencia en el lado del colector, ganancias
que pueden llegar a ser de hasta 10,000.
Bibliografa.

Principios de electrnica

Albert Paul Malvino

4ta Edicin.