Você está na página 1de 558

i

Materiais e Dispositivos Eletr


onicos

Editora Livaria da Fsica


ii
iii

Materiais e Dispositivos Eletr


onicos

SERGIO M. REZENDE

Departamento de Fsica
Universidade Federal de Pernambuco

Editora Livraria da Fsica


Sao Paulo - 2004 -2a edicao
iv

Copyright 2004: Editora Livraria da Fsica


Editor: Jose Roberto Marinho
Capa: Miguel Pacha
Revisao: Sergio Machado Rezende
Impressao: Graca Paym

Dados de catalogacao na Publicacao (CIP) Internacional


( Camara Brasileira do Livro, SP, Brasil )

Rezende, Sergio Machado


Materiais e Dispositivos Eletronicos / Sergio M. Rezende
2a edicao - Sao Paulo: Editora Livraria da Fsica

Bibliograa

1. Fsica 2. Eletronica 3. Materiais I . Ttulo

XX - XXXX CDD - XXX

Indices para catalogo sistematico


1. Materiais e dispositivos eletronicos
ISBN: XXXXXXXXX
Editora Livraria da Fsica
Telefone: 0xx11 - 3816 7599
Fax: 0xx11 - 3815 8688
e-mail: livraria@if.usp.br
Pagina na internet: www.livrariadasica.com.br
v

I N D I C E

Pref
acio viii

Captulo 1. Materiais para Eletr


onica 1

1.1 Eletronica e Fsica do Estado Solido 2


1.2 Ligacoes Atomicas 5
1.3 Materiais Cristalinos 8
1.4 Materiais para Dispositivos Eletronicos 14

Captulo 2. Ondas e Partculas na Mat


eria 27

2.1 Ondas Eletromagneticas 28


2.2 Ondas Elasticas em Solidos 34
2.3 Efeito Fotoeletrico - Ondas e Partculas 40
2.4 O Eletron como uma Onda - Princpio da Incerteza 46
2.5 Fonons e outras Excitacoes Elementares 50

Captulo 3. Mec
anica Qu
antica: O El
etron no Atomo 55

3.1 Os Postulados da Mecanica Quantica 56


3.2 A Equacao de Schroedinger Independente do Tempo 60
3.3 Aplicacoes Simples da Mecanica Quantica 62
3.4
Eletron no Atomo de Hidrogenio 73
3.5
Atomos de Muitos Eletrons 84
vi

Captulo 4. El
etrons em Cristais 91

4.1 Bandas de Energia em Cristais 92


4.2 Condutores, Isolantes e Semicondutores 98
4.3 Massa Efetiva 101
4.4 Comportamento dos Eletrons em T > 0 - Distribuicao de Fermi-Dirac 103
4.5 O Mecanismo da Corrente Eletrica em Metais 109

Captulo 5. Materiais Semicondutores 117

5.1 Semicondutores 118


5.2 Eletrons e Buracos em Semicondutores Intrnsecos 122
5.3 Semicondutores Extrnsecos 135
5.4 Dinamica de Eletrons e Buracos em Semicondutores 145

Captulo 6. Dispositivos Semicondutores: Diodos 167

6.1 A Juncao p-n 168


6.2 Corrente na Juncao Polarizada 180
6.3 Heterojuncoes 186
6.4 Diodo de Juncao 192
6.5 Diodo de Barreira Schottky 198
6.6 Ruptura na Polarizacao Reversa: Diodo Zener 200
6.7 Outros Tipos de Diodos 202

Captulo 7. Transistores e
Outros Dispositivos Semicondutores 215

7.1 O Transistor 217


7.2 O Transistor Bipolar 219
7.3 Correntes no Transistor Bipolar 225
7.4 Aplicacoes de Transistores 237
7.5 Transistores de Efeito de Campo 241
7.6 O Transistor MOSFET 251
7.7 Dispositivos de Controle de Potencia: SCR e TRIAC 267
7.8 Circuitos Integrados 271
vii

Captulo 8. Materiais e Dispositivos Opto-Eletr


onicos 287

8.1
Propriedades Opticas dos Materiais 289
8.2 Interacao da Radiacao com a Materia - Modelo Classico 298
8.3 Teoria Quantica da Interacao Radiacao-Materia 308
8.4 Fotodetetores 323
8.5 Diodo Emissor de Luz (LED) 342
8.6 Emissao Estimulada e Lasers 348
8.7 O Laser de Diodo Semicondutor 359
8.8 Aplicacoes dos Lasers de Diodo 372

Captulo 9. Materiais e Dispositivos Magn


eticos 383

9.1 Magnetismo e Materiais Magneticos 385


9.2 Propriedades Magneticas da Materia 390
9.3 Materiais Magneticos 400
9.4 Materiais para Aplicacoes Tradicionais 416
9.5 Gravacao Magnetica 425
9.6 Dispositivos de Ferrites para Microondas 442

Captulo 10. Outros Materiais Importantes


para a Eletr
onica 463

10.1 Materiais Dieletricos 465


10.2 Materiais Dieletricos para Opto-Eletronica 484
10.3 Materiais para Mostradores e Telas de Vdeo 493
10.4 Materiais Supercondutores 514

Ap
endice A. Teoria de Perturba
c
ao: C
alculo
da Probabilidade de Transic
ao 535

Ap
endice B. Constantes Fsicas e Tabela de
Conversao de Unidades Energia 539

Ap
endice C. Tabela Peri
odica dos Elementos 540

Indice Analtico 541


viii

Prefacio

O advento da eletronica e das tecnologias a ela relacionadas foi um dos


principais responsaveis pelas grandes transformacoes economicas e sociais ve-
ricadas no nal do Seculo XX. O desenvolvimento destas tecnologias resultou
de um enorme investimento em pesquisa basica e aplicada nos pases industri-
alizados. Como conseq uencia, estes pases passaram a concentrar a maior parte
do conhecimento cientco e tecnologico e, por conseguinte, tem hoje grande
vantagem competitiva em relacao aos demais numa economia globalizada.

O Brasil custou a criar condicoes para dominar as tecnologias relacionadas


a` eletronica. O primeiro curso de engenharia eletronica so foi criado na decada
de 1950, no Instituto Tecnologico de Aeronautica. Em 1958, e portanto dez
anos apos a descoberta do transistor, haviam no Pas menos de dez fsicos do
Estado Solido, a area da ciencia que mais contribuiu para o desenvolvimento da
eletronica. Todavia, a partir da decada de 1960, foi desencadeado um grande
esforco de desenvolvimento cientco e tecnologico no Pas. Foram criados gru-
pos de pesquisa e cursos de pos-graduacao em todas as areas do conhecimento.
Isto resultou numa melhoria consideravel nos cursos de ciencias e engenharia
e, conseq uentemente, na qualidade dos recursos humanos formados para as
universidades, as empresas e a sociedade em geral. A despeito do progresso
recente, ainda e necessario investir muito em ciencia e tecnologia no Brasil.

Este livro tem como objetivo contribuir para o aumento da competencia


do Pas na eletronica, que sem d uvida sera uma tecnologia estrategica para
o seculo XXI. Sua proposta basica e introduzir os materiais e dispositivos
eletronicos no estagio inicial dos cursos de graduacao de engenharia eletrica,
eletronica e de computadores, fsica, informatica e outros cursos de ciencias e
engenharia. Todos sabemos que a compreensao da nalidade e da operacao
basica dos dispositivos e essencial para projetar equipamentos eletronicos. En-
tretanto, as disciplinas de dispositivos, quando constam dos currculos, exigem
inumeros pre-requisitos que acarretam sua apresentacao em estagio avancado
dos cursos universitarios. Este livro possibilita o ensino de materiais e dispo-
sitivos eletronicos a partir do 4o semestre dos cursos, pois apresenta tambem
os conceitos basicos de ondas e de mecanica quantica em nvel acessvel aos
estudantes.

O livro tem carater introdutorio e nao entra nos detalhes tecnicos mais es-
peccos dos dispositivos e dos metodos de fabricacao de materiais. Preferi sa-
cricar o detalhe em favor da abrangencia, apresentando dispositivos e materi-
ix

ais baseados numa grande variedade de fenomenos. A enfase e na conceituacao


fsica das propriedades dos materiais e dos princpios basicos de funcionamento
dos dispositivos. Procurei fazer uma apresentacao bastante didatica, visando
principalmente motivar estudantes, como tambem prossionais de outras areas,
pela eletronica. Esta abordagem da ao livro um carater original.

O material e adequado para dois semestres tradicionais de aulas. Os


tres primeiros captulos apresentam a introducao basica de materiais para
eletronica e a conceituacao fsica necessaria para a compreensao dos fenomenos
que neles ocorrem. Nesta parte o conceito de onda e bastante explorado, pois
ele desempenha papel fundamental na mecanica quantica e, por conseguinte,
nas propriedades de eletrons nos atomos e nos materiais. O Captulo 4 e dedi-
cado ao estudo das principais propriedades dos eletrons nos materiais, sendo,
portanto, tambem basico para os captulos seguintes.

A partir do Captulo 5 os temas tornam-se mais especcos. Neste


captulo sao apresentados as principais caractersticas dos materiais semicon-
dutores. Os Captulos 6 e 7 sao dedicados aos princpios de funcionamento dos
dispositivos fabricados com estes materiais, diodos, transistores e dispositivos
correlatos, que hoje existem numa grande variedade de tipos e categorias. O
diodo de juncao e o transistor de juncao sao estudados em maior detalhe, uma
vez que suas equacoes podem ser inteiramente deduzidas a partir das leis e
equacoes basicas, apresentadas nos captulos iniciais.

O Captulo 8 apresenta as propriedades basicas da interacao da luz com a


materia e uma variedade de dispositivos usados na conversao da luz em corrente
eletrica, ou vice-versa. Estes dispositivos sao responsaveis pela viabilizacao da
opto-eletronica e suas aplicacoes em diversas areas da ciencia, da medicina e da
engenharia. Nesta categoria encontram-se os fotodetetores, como os fotodiodos
e as celulas solares, os diodos emissores de luz (LED) e os lasers. Os princpios
basicos dos lasers de semicondutores e das bras opticas sao estudados em
mais detalhe, em virtude de sua importancia nas comunicacoes opticas.

O Captulo 9 e dedicado a materiais e dispositivos magneticos, que de-


sempenham um papel fundamental na eletronica e que normalmente nao sao

apresentados nos livros de dispositivos. Enfase especial e dada aos processos
de gravacao magnetica, uma vez que esta tecnologia tem importancia crescente
nos computadores e em in umeras aplicacoes da vida diaria. Os dispositivos de
ferrite para utilizacao nos sistemas de microondas tambem tem destaque neste
captulo.

Finalmente, o Captulo 10 apresenta uma variedade de materiais com


x

aplicacoes especcas, porem muito importantes na gama cada vez maior de


dispositivos eletronicos. Entre eles destacam-se os materiais piezoeletricos, os
dieletricos usados na opto-eletronica, os eletretos e os materiais empregados
na fabricacao de telas de vdeo, as ceramicas fosforescentes, os cristais lquidos
e os condutores organicos. A u ltima secao apresenta as propriedades basicas
dos materiais supercondutores, que tem algumas aplicacoes praticas e tem
potencial de futuras aplicacoes em eletronica.

Os materiais e dispositivos apresentados neste livro sao essenciais para


o funcionamento dos equipamentos eletronicos da atualidade e provavelmente
dos que serao utilizados nas proximas decadas. Ao decidir escreve-lo, no incio
da decada de 1990, a motivacao principal era suprir uma lacuna na literatura
tecnica em lngua portuguesa. A primeira edicao foi publicada pela Editora da
UFPE em 1996, com o ttulo A Fsica de Materiais e Dispositivos Eletronicos.
Pela reacao inicial positiva que percebi em professores e estudantes, quei
otimista com a possibilidade de ve-lo adotado como livro texto em diversos
cursos. Isto realmente aconteceu, pelo que tenho conhecimento, ele foi adotado
em pelo menos quinze universidades brasileiras e uma em Portugal. Isto exigiu
que a primeira edicao fosse reimpressa duas vezes.

Nesta segunda edicao retirei a palavra Fsica do ttulo, pois percebi que
em algumas livrarias o livro nao era colocado nas secoes de Engenharia, mas
apenas nas de Fsica. Em relacao a` primeira edicao, a atual tem diversas novi-
dades, como exemplos numericos em todos os captulos, secoes com material
novo, principalmente nos u ltimos captulos, alem de uma revisao completa do
texto, com melhoria de algumas explicacoes e extensa correcao de pequenos
erros.

E com satisfacao que agradeco a colaboracao de varios colegas profes-


sores do Departamento de Fsica da UFPE, feita por meio de sugestoes diver-
sas, crticas e revisoes de textos. Sou grato em particular a Anderson Gomes,
Antonio Azevedo, Celso Melo, Cid Ara ujo, Fernando Machado, Flavio Aguiar
e Jose Marclio Ferreira. Sou muito grato a Gilvani Holanda pelo compe-
tente e dedicado trabalho de digitacao, a Carlos Marrocos e Joaquim Antonio
Soares pela confeccao das guras, a Jairo Coutinho, pelo belo trabalho de di-
agramacao, e a meu genro, o artista plastico Miguel Pacha, que fez a capa
do livro. Minhas atividades de pesquisa, e portanto as condicoes para a re-
alizacao deste livro, nao seriam possveis sem o apoio nanceiro do CNPq,
FINEP, CAPES, MCT e da UFPE. Desde ja deixo os agradecimentos anteci-
pados a todos aqueles que, futuramente, me enviarem crticas e sugestoes para
a melhoria do livro (smr@df.ufpe.br).
xi

Nao posso perder a oportunidade de deixar registrado o reconhecimento


a Leo e Elsa, meus pais, que me educaram e sempre souberam me estimu-
lar, e a Claudia, Isabel e Marta, minhas lhas, que ao se tornarem adultas,
compreenderam bem porque nao dediquei a elas mais tempo quando eram
criancas.

Finalmente, meu maior agradecimento e para Adelia, que sempre me


incentivou nesta empreitada, ajudou a esclarecer in
umeras d
uvidas ortogracas
e acompanhou com grande interesse cada uma das fases da elaboracao das duas
edicoes do livro.

Recife, 29 de janeiro de 2004

O autor
Captulo 1

Materiais para Eletr


onica

1.1 Eletr
onica e Fsica do Estado S
olido 2

1.2 Liga
c
oes At
omicas 5

1.3 Materiais Cristalinos 8

1.3.1 Redes Cristalinas 9


1.3.2 Estruturas Cristalinas Simples 11

1.4 Materiais para Dispositivos Eletr


onicos 14

1.4.1 Monocristais 14
1.4.2 Ceramicas e Vidros 17
1.4.3 Polmeros 19
1.4.4 Cristais Lquidos 20
1.4.5 Filmes Finos e Multicamadas 21


REFERENCIAS 25

PROBLEMAS 25

1
2 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Materiais para Eletr


onica

1.1 Eletr
onica e Fsica do Estado S
olido

A Eletronica e o ramo da tecnologia mais marcante do Seculo XX. Ela surgiu


em 1906 com a invencao por Lee De Forest, nos Estados Unidos, da valvula
triodo, um dispositivo que tornou possvel a amplicacao de sinais eletricos. A
valvula triodo consiste de um tubo a vacuo contendo tres eletrodos: o catodo,
que aquecido emite eletrons, o anodo, no qual os eletrons sao recebidos, e a
grade, situada entre o catodo e o anodo, que serve para controlar o uxo de
eletrons e possibilitar a amplicacao de sinais. Alem do triodo, ha outros tipos
de valvulas, como o diodo, que tem dois eletrodos (apenas catodo e anodo),
os pentodos com cinco, entre outras. O funcionamento de todas as valvulas e
baseado no controle do movimento dos el etrons entre os eletrodos por meio
da acao de um campo eletrico sobre sua carga eletrica. Esta e a origem do
nome Eletr onica.

O principal produto da Eletronica na primeira metade do seculo XX


foi, o radio, que possibilitou a comunicacao e a difusao de informacoes `a
distancia atraves da voz e da m usica. Mais tarde foi desenvolvido o sistema
para a transmissao a` distancia de imagens em movimento, a televisao. Depois
vieram os computadores e tambem uma grande variedade de equipamentos
para diversas nalidades. Porem, a Eletronica baseada nas valvulas a vacuo
tinha grandes limitacoes e inconvenientes. As valvulas eram grandes, frageis,
aqueciam muito, tinham vida curta e fabricacao dispendiosa, alem de varias
desvantagens tecnicas. Por esta razao, desde antes da segunda Grande Guerra
procurava-se um dispositivo que pudesse substituir as valvulas nos equipamen-
tos eletronicos. O grande passo nesta direcao foi dado em 1947 por J. Bardeen,
W. Brattain e W. Shockley, tres fsicos dos laboratorios da Bell Telephone que
Cap. 1 Materiais para Eletr
onica 3

estudavam propriedades de conducao eletronica em semicondutores. Naquele


ano eles descobriram o transistor, um dispositivo de tres elementos que possi-
bilitava o controle da corrente eletrica no interior de um material semicondutor,
e que poderia substituir a valvula triodo. Durante a decada de 1950 o tran-
sistor foi aperfeicoado, tornando-se um dispositivo conavel, com aplicacoes
nos mais diversos equipamentos eletronicos e com custos de fabricacao cada
vez mais baixos. Na decada de 1960 assistimos `a miniaturizacao da eletronica,
com o desenvolvimento dos circuitos integrados, contendo in umeros transis-
tores e diodos, interligados com resistores e capacitores, fabricados na mesma
pastilha de semicondutor. A fabricacao dos circuitos integrados com elemen-
tos de dimensoes da ordem de alguns micrometros (106 metros) deu origem a`
tecnologia da microeletr onica. Com a crescente miniaturizacao dos compo-
nentes, surgiram na decada de 1970 os microprocessadores, com os quais foi
possvel fabricar os microcomputadores. A producao de circuitos integrados e
microprocessadores cada vez mais rapidos e com maior n umero de elementos
esta produzindo uma constante evolucao na Eletronica. Esta evolucao provo-
cou uma enorme mudanca nos costumes da sociedade, proporcionada pelos
modernos sistemas de comunicacao, a ampla utilizacao dos computadores, a
automacao dos meios de producao e os mais variados equipamentos utilizados
em nossa vida diaria. Por esta razao, a Eletronica tornou-se um dos principais
fatores de desenvolvimento do nal do seculo XX e provavelmente continuara
com este papel no seculo que inicia.

Alem dos diodos, transitores, circuitos integrados e microprocessadores,


cuja operacao e baseada nas propriedades de transporte eletronico dos semicon-
dutores, existe um grande n umero de outros dispositivos que dao a` eletronica
uma enorme variedade de aplicacoes. Eles sao baseados em diversas pro-
priedades de materiais solidos, opticas, magneticas, termicas, etc. A desco-
berta desses dispositivos so foi possvel gracas ao conhecimento acumulado
com as atividades de pesquisa em Fsica do Estado S olido. Esta e a area da
Fsica que investiga as propriedades e os fenomenos que ocorrem em materiais
solidos, e que ganhou um grande impulso com a descoberta do transistor. Ate
a decada de 1950, os trabalhos nesta area estavam concentrados nos solidos
cristalinos, que sao aqueles cujos atomos ou ons constituintes tem um arranjo
ordenado periodico. Nesses solidos ocorrem fenomenos que nao existem em
materiais amorfos. Alem disso, como eles tem estrutura cristalina com pro-
priedades de simetria bem denidas, os fenomenos podem ser interpretados
pelas leis da Fsica com mais facilidade. Com o progresso das tecnicas experi-
mentais e teoricas de investigacao, esta area se estendeu a materiais mais com-
plexos, como vidros, polmeros organicos diversos, ligas amorfas e ate mesmo
os lquidos, passando a ser conhecida como Fsica da Mat eria Condensada.
4 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Nesta area da Fsica trabalham atualmente mais de 40% dos fsicos em todo o
mundo e a cada ano surgem novas linhas de pesquisa, impulsionadas pela des-
coberta de novas propriedades, novos fenomenos e novos materiais articiais.
Estes, por sua vez, abrem o potencial para o desenvolvimento de novos dis-
positivos que encontram aplicacoes nos mais variados segmentos tecnologicos,
e cujo interesse economico impulsiona as pesquisas basica e aplicada. Foram
as descobertas em Fsica da Materia Condensada que possibilitaram o desen-
volvimento do transistor, dos circuitos integrados e de in umeros dispositivos
que revolucionaram a eletronica e os computadores. Os lasers encontraram
in
umeras aplicacoes na industria e na medicina e propiciaram o advento das
comunicacoes opticas. Os materiais magneticos novos sao os responsaveis pela
melhoria de dispositivos e de processos de gravacao, que estao tendo enorme
impacto nos meios de comunicacao e nos computadores.

Entretanto, nao foi apenas por causa de sua importancia tecnologica que
a nova area se desenvolveu rapidamente. A enorme variedade de fenomenos
que os eletrons e os n ucleos apresentam coletivamente em solidos deu origem
a descobertas fundamentais excitantes. Esta e uma das razoes para que cerca
de 50% dos premios Nobel nos u ltimos 30 anos tenham sido dados a fsicos
que trabalharam nesta area. Foram eles J. Bardeen, L.N. Cooper e J.R.
Schrieer (1972 - teoria de supercondutividade), L. Esaki, I. Giaever e B.
Josephson (1973 - efeito de tunelamento em solidos), P.W. Anderson, N.F.
Mott e J.H. Van Vleck (1977 - estudos de solidos amorfos e propriedades
magneticas da materia), P. Kaptisa (1978 - estudos em baixas temperatu-
ras), N. Bloembergen, A.L. Schawlow e K.M. Siegbahn (1981 - espectroscopia
com lasers e de fotoeletrons), K.G. Wilson (1982 - teoria de grupo de renor-
malizacao e transicoes de fase), K. von Klitzing (1985 - efeito Hall quantico),
G. Binning, H. Rohrer e E. Ruska (1986 - invencao do microscopio de tunela-
mento e do microscopio eletronico), K.A. M uller e G. Bednorz (1987 - des-
coberta da supercondutividade em altas temperaturas, P. de Gennes (1991 -
estudos de polmeros e cristais lquidos), B.N. Brockhouse e C.G. Shull (1994
- desenvolvimento de tecnicas de espalhamento de neutrons para o estudo de
materiais), D.M. Lee, D.D. Oshero e R.C. Richardson (1996 - descoberta da
superuidez em Helio 3), R.B. Laughlin, H.L. Stormer e D.C. Tsui (1998 -
descoberta de uido quantico com excitacoes de carga fracionaria), e no ano
2000, Z.I. Alferov e H. Kroemer pelo desenvolvimento de heteroestruturas de
semicondutores, juntamente com Jack Kilby, um dos maiores responsaveis pela
invencao dos circuitos integrados. Assim, o premio Nobel de Fsica da virada
do milenio marcou a importancia da area para o desenvolvimento da eletronica.
Foi interessante, tambem, o fato de o premio Nobel de Qumica em 2000 ter
sido agraciado aos fsicos A. Heeger, A. MacDiarmid e H. Shirakawa, pela des-
Cap. 1 Materiais para Eletr
onica 5

coberta e desenvolvimento dos polmeros condutores, materiais que comecam


a ter aplicacoes comerciais na eletronica.

Os materiais solidos investigados na Fsica da Materia Condensada ou


utilizados em dispositivos eletronicos, em geral nao sao encontrados na na-
tureza. Eles sao produzidos articialmente a partir de compostos qumicos com
alto grau de pureza, atraves de processos diversos. Os processos de fabrica-
cao de materiais estao tornando-se cada vez mais sosticados, possibilitando a
obtencao de estruturas articiais nao imaginaveis ha duas decadas. E possvel,
por exemplo, utilizando a tecnica de epitaxia de feixe molecular (MBE), de-
positar camadas atomicas individuais, uma apos outra, formando uma multi-
camada ou super-rede cristalina. O domnio das tecnicas de preparacao de ma-
teriais e entao essencial para a investigacao em Fsica da Materia Condensada
e para a fabricacao de dispositivos eletronicos. A compreensao dos fenomenos
que ocorrem nos solidos requer o domnio de varios conceitos fundamentais
que serao apresentados a partir da proxima secao. Vamos iniciar discutindo
uma questao basica: por que e como os atomos dos diversos elementos formam
materiais solidos?

1.2 Liga
c
oes At
omicas

Vamos considerar inicialmente o caso de solido do tipo do cloreto de sodio,


NaC. Por razoes conhecidas da qumica, e que sao explicadas em detalhe pela
mecanica quantica, um atomo de cloro, com seus 17 eletrons, tende a capturar
outro eletron extra para completar sua terceira camada eletronica e tornar-se
estavel. Por outro lado, um atomo de sodio com 11 eletrons tende a perder seu
u
nico eletron da terceira camada para que as duas camadas interiores formem
um n ucleo fechado. Entao, quando um atomo de cloro esta proximo de outro
de sodio, este passa seu eletron para o de cloro, dando origem a dois ons
com cargas eletricas opostas, que se atraem devido `a interacao eletrostatica.
Em outras palavras, os atomos de cloro e de sodio juntos formam um sistema
que tem menor energia do que quando estao longe um do outro. Entre-
tanto, quando os dois ons se aproximam muito, a repulsao entre os eletrons
mais externos faz com que a energia aumente impedindo uma maior apro-
ximacao. A Fig.1.1 mostra a variacao da energia de interacao entre os dois
ons em funcao da distancia entre eles. Quando os ons estao muito afastados,
a energia eletrostatica diminui com o aumento da distancia r, aproximada-
mente como (1/r). Por outro lado, quando os ons estao muito proximos,
a energia cresce exponencialmente a` medida que a distancia diminui. Existe
6 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 1.1: Energia de interacao efetiva entre um on Na+ e um on C em funcao da


dist
ancia entre seus n
ucleos.

entao uma distancia a na qual a energia e mnima e o sistema pode estar em


equilbrio estavel. Quando temos 1023 atomos de sodio proximos de 1023
atomos de cloro acontece essencialmente o mesmo, mas agora eles tendem a
formar um sistema tridimensional em equilbrio, na forma de um solido cris-
talino. Este tipo de ligacao e chamada ionica, e e a mais simples de entender.
Ha outros tres tipos de ligacoes entre atomos nos materiais: covalente, molecu-
lar e metalica. Todas elas resultam da interacao Coulombiana envolvendo os
eletrons e os n
ucleos dos atomos. O tipo de ligacao e determinante de algumas
propriedades do material, apresentadas brevemente a seguir.

Nos s olidos ionicos, como vimos, a ligacao e devida a` atracao eletros-


tatica entre ons de cargas opostas, como ilustrado esquematicamente em duas
dimensoes, na Fig.1.2(a). Esta ligacao e muito forte e por isso o ponto de
fusao do material e alto. Em outras palavras, e preciso uma grande energia de
agitacao termica para que os atomos libertem-se uns dos outros para formar
o estado lquido. Como os eletrons estao fortemente ligados aos atomos, estes
cristais tem em geral uma pequena condutividade eletrica e termica, isto e,
sao bons isolantes. A ausencia de eletrons livres resulta tambem numa boa
transparencia optica em uma grande parte do espectro eletromagnetico. Al-
guns exemplos tpicos de solidos ionicos sao os halogenetos alcalinos (NaC,
KC, NaBr, LiF, etc.), varios oxidos, sulfetos, selenetos, teluretos, e outros.
Cap. 1 Materiais para Eletr
onica 7

Figura 1.2: Ilustracao esquem atica dos quatro principais tipos de ligacao em solidos:
(a) Ligacao i
onica; (b) Ligacao covalente; (c) Ligacao molecular; (d) Ligacao metalica.

Na ligac
ao covalente os eletrons de valencia sao compartilhados entre
atomos vizinhos, como ilustrado na Fig.1.2(b). Neste caso a atracao e devida
`a presenca dos eletrons entre os atomos, que atraem simultaneamente atomos
vizinhos que foram deixados positivos com sua ausencia. Os solidos covalentes
tem em geral um ponto de fusao menor que os ionicos, porem tem maior
dureza. Alguns dos importantes materiais covalentes sao os semicondutores,
silcio, germanio, GaAs, InSb, etc.

A ligacao molecular e bem mais fraca do que nos dois casos anteriores.
Ela resulta da atracao entre dipolos eletricos formados nos atomos por um
pequeno deslocamento das camadas eletronicas em relacao aos n ucleos, como
na Fig.1.2(c). Solidos com esta ligacao tem ponto de fusao muito baixo, em
geral menor do que 10 K, como e o caso de cristais de gases solidicados, como
oxigenio, nitrogenio e outros gases inertes.

Em metais, de certa maneira a ligacao pode ser considerada ionica.


Estes materiais sao formados por atomos que tem poucos eletrons fora de sua
u
ltima camada cheia sendo, portanto, fracamente ligados ao n ucleo atomico.
Quando postos juntos, estes atomos liberam seus u ltimos eletrons que cam
passeando livremente entre eles, formando um mar de eletrons. Este mar
negativo de eletrons tende a manter juntos os ons positivos devido a` atracao
8 Materiais e Dispositivos Eletronicos

eletrostatica, como mostrado esquematicamente na Fig.1.2(d). Desta forma a


ligacao e razoavelmente fraca, o que resulta em ponto de fusao relativamente
baixo, maleabilidade, ductibilidade e grande condutividade termica e eletrica,
que sao propriedades caractersticas dos metais.

1.3 Materiais Cristalinos

Grande parte dos materiais usados na fabricacao de dispositivos eletronicos tem


a estrutura de solidos cristalinos ou cristais. Um cristal perfeito e aquele que
tem um arranjo regular e periodico de atomos ou ons, formado pela translacao
repetitiva de uma celula unitaria. O ordenamento regular dos atomos ou ons
e o arranjo que minimiza a energia eletrostatica total do conjunto. Por esta
razao, quando um material e fundido e depois resfriado lentamente, os atomos
ou ons procuram as posicoes de menor energia e tendem a formar cristais.

A Fig.1.3(a) mostra a estrutura de um cristal de cloreto de cesio. Ela


pode ser vista como formada por um par de ons de Cs+ e de C , associado a
cada ponto de uma rede cristalina. Os ons do par formam a base do cristal.
A rede cristalina e uma abstracao matematica, constituda de pontos obtidos
pela translacao repetitiva dos pontos da c elula unitaria, denida por tres

vetores unitarios a, b e c. A rede cristalina do cloreto de cesio e c
ubica simples

Figura 1.3: (a) Cristal de cloreto de cesio, CsC. A rede cristalina e c


ubica simples. A
base tem um on Cs+ na posicao 000 e um on C em 12 21 21 . Note que os ons estao
desenhados com tamanho pequeno para facilitar a visualizacao. Num cristal real os ons
vizinhos tocam-se. (b) Celula unitaria do CsC.
Cap. 1 Materiais para Eletr
onica 9

e sua celula unitaria esta mostrada na Fig.1.3(b). Tambem estao indicados na


gura os vetores unitarios e a base da estrutura do cristal. A base e composta
de um on de Cs+ na posicao 000 e outro de C na posicao 12 21 21 (referidas ao
comprimento a dos vetores unitarios).

1.3.1 Redes Cristalinas

Embora o n umero de estruturas de cristais seja muito grande, existem ape-


nas 14 tipos diferentes de redes critalinas em tres dimensoes, mostradas na
Fig.1.4. As redes sao agrupadas em sete sistemas de acordo com o tipo da
celula unitaria: triclnico, monoclnico, ortorrombico, tetragonal, c
ubico, tri-
gonal e hexagonal. Na Fig.1.4 estao indicadas as relacoes entre os angulos ,
, e entre os comprimentos a, b, c das arestas da celula unitaria. a, b, c
sao chamados par ametros da rede. As celulas unitarias mostradas na gura
sao chamadas celulas convencionais. Elas sao as mais faceis de serem visua-
lizadas mas nao sao necessariamente as menores que reproduzem a rede pela
translacao repetitiva. As menores celulas unitarias que reproduzem a rede sao
chamadas c elulas primitivas. A Fig.1.5 mostra os vetores primitivos a , b ,
c da rede cubica de faces centradas (fcc) e da rede c ubica de corpo centrado
(bcc).

Os planos e eixos que passam por pontos da rede cristalina sao representa-
dos por tres algarismos que caracterizam suas coordenadas, chamados ndices
de Miller. Para obter os ndices de um plano e preciso inicialmente deter-
minar suas intersecoes com os eixos a, b, c da celula unitaria. As intersecoes
sao entao representadas por numeros p, q, r que exprimem suas coordenadas
pa, qb, rc naqueles eixos. Os ndices de Miller h, k,  sao os menores n umeros
inteiros na mesma proporcao de 1p , 1q , 1r . Para representar o plano, os ndices
sao colocados entre parenteses (hk). O eixo perpendicular ao plano (hk) e
representado por [hk].

A Fig.1.6 mostra os tres planos e os tres eixos mais importantes de uma


rede c
ubica. Veja que o plano paralelo ao eixo z e que intercepta os eixos x e
y nos pontos x = a e y = a respectivamente, e caracterizado pelas intersecoes
p = 1, q = 1, r = . Os recprocos destes n umeros dao os ndices de Miller
do plano, ou seja (110). Note que como a rede c ubica e invariante em relacao
a rotacoes de 90 em torno do eixo z, o plano (110) e equivalente aos planos
(110), (110) e (110), onde a barra acima do ndice indica a intersecao no lado
negativo do eixo. Esses planos tambem sao equivalentes aos planos (101), (011)
10 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 1.4: Celulas unitarias das 14 possveis redes cristalinas em tres dimens
oes.
Cap. 1 Materiais para Eletr
onica 11

Figura 1.5: Vetores primitivos das redes c


ubicas de face centrada e de corpo centrado.

e seus equivalentes com ndices negativos. O conjunto de planos equivalentes


e representado pelo smbolo {110}. Do mesmo modo, o conjunto de eixos que
podem ser obtidos do eixo [110] por operacoes de simetria e representado pelo
smbolo < 110 >.

Figura 1.6: Ilustracao dos tres principais planos e dos eixos de simetria de uma rede c
ubica.

1.3.2 Estruturas Cristalinas Simples

Em geral muitas substancias diferentes cristalizam com a mesma estrutura


cristalina. Algumas estruturas sao simples e sao caractersticas de certos mate-
riais importantes na Eletronica. A seguir apresentamos algumas das estruturas
mais conhecidas.

A estrutura do cloreto de c
esio, CsC, esta mostrada na Fig.1.3. Ela
e caracterizada por uma rede c
ubica simples com a base formada por dois
12 Materiais e Dispositivos Eletronicos

ons de cargas opostas, o Cs+ na posicao 000 e o C na posicao 12 21 21 . Note


que basta especicar um on C na base pois todos oito ons nos vertices da
celula unitaria sao equivalentes, isto e, qualquer um pode ser obtido a partir do
outro por uma translacao na rede cristalina. Como apenas 18 de cada on C
esta contido no interior da celula unitaria, para todos efeitos a celula contem
apenas um on Cs+ e um on C . O parametro da rede do CsC e a = 4, 11

A. Outros cristais com a mesma estrutura sao TBr (3,97 A), CuZn (2,94 A)
que e o latao tipo , AgMg (3,28 A), e BeCu (2,70 A).

A estrutura do cloreto de sodio, NaC, esta mostrada na Fig.1.7(a). Ela e


formada por uma rede c ubica de faces centradas com dois ons na base, um de
+
Na e outro de C , separados por meia diagonal do cubo da celula unitaria.
Note que a celula primitiva, nao mostrada na gura, contem apenas um on
de cada elemento. Por outro lado, a celula unitaria contem quatro ons de
cada elemento ( 12 dos 6 nas faces e 18 dos 8 nos vertices). Note tambem que
a estrutura do NaC pode ser vista como formada por duas redes c ubicas de
faces centradas entrelacadas, uma de Na+ e outra de C , deslocadas de meia
diagonal do cubo. O NaC tem parametro de rede a = 5,63 A. Outro cristal

que tem a estrutura do NaC e o PbS (5,92 A), conhecido como galena. Ele
e um material semicondutor e foi muito usado para fazer diodos de deteccao
por contato metalico nos radios galena. Ainda hoje o PbS e utilizado como
detetor de radiacao infravermelha. Ha tambem varios materiais importantes

Figura 1.7: (a) Estrutura do cloreto de sodio, NaC, que pode ser construda com duas
ubicas de faces centradas, uma de Na+ e outra de C , deslocadas uma da outra de
redes c
meia diagonal do cubo. (b) Ilustracao do cristal de NaC, no qual o tamanho dos ons e
comparavel a` dist
ancia entre eles.
Cap. 1 Materiais para Eletr
onica 13

para a eletronica que tem a estrutura do NaC, como MgO (4,20 A ), muito

utilizado em componentes opticos, e o NiO (4,18 A), empregado em disposi-
tivos de gravacao magnetica. Note que a Figura 1.7(a) e uma representacao
simplicada da estrutura do NaC. Como as u ltimas camadas eletronicas de
ons vizinhos estao muito proximas umas das outras, tudo se passa como se os
ons vizinhos se tocassem, como ilustrado na Figura 1.7(b). O raio aparente
de cada on e chamado raio ionico. No caso do NaC, o raio ionico do on de

Na e 1,220 A e o do C e 1,595
+ A. A soma desses dois raios ionicos e metade
do parametro de rede do NaC (5,63 A).

A estrutura cristalina do sulfeto de zinco, ZnS, c ubico (zinc-blende),


tambem tem uma rede c ubica de faces centradas, como mostrado na Fig.1.8(a).
A base e formada pelo atomo de um dos elementos na posicao 000 e por um
atomo do outro elemento na posicao 14 41 41 . A estrutura pode ser vista como
formada por duas redes c ubicas de faces centradas entrelacadas, uma com
atomos de Zn e outra com S, deslocadas uma da outra de 14 da diagonal do
cubo. Desta forma, como pode ser visto na Fig.1.8(a), cada atomo de Zn
tem quatro vizinhos de S e vice-versa, possibilitando uma ligacao covalente
tetraedrica entre eles. O parametro da rede do ZnS e a = 5,41 A. Tambem
cristalizam nesta estrutura varios semicondutores importantes formados por
elementos dos grupos III e V da tabela periodica e por elementos dos grupos
II e VI. Exemplos de semicondutores III-V sao o GaAs (5,65 A), AAs (5,66

Figura 1.8: (a) Celula unitaria de sulfeto de zinco, ZnS. A rede tambem pode ser construda
por duas redes c
ubicas de face centradas, uma de Zn e outra de S, deslocadas de um quarto da
diagonal do cubo: (b) Celula unitaria da estrutura cristalina do diamante, na qual tambem
cristalizam os semicondutores Si e Ge.
14 Materiais e Dispositivos Eletronicos

A) e o InSb (6,49
A), enquanto do tipo II-VI podemos citar CdS (5,82
A) e

CdTe (6,48 A).

Nosso u ltimo exemplo de estrutura cristalina importante e a do dia-


mante, cuja celula unitaria convencional esta mostrada na Fig.1.8(b). Ela
e igual a do ZnS, porem todos os atomos sao do mesmo elemento. No caso
do diamante o elemento e o carbono, C, sendo o parametro da rede a = 3,56

A. A estrutura do diamante, caracterizada pelas ligacoes tetraedricas entre os
vizinhos resulta da ligacao covalente. Tambem cristalizam nesta estrutura os
importantes semicondutores silcio, Si (5,43
A), e germanio, Ge (5,65 A).

1.4 Materiais para Dispositivos Eletr


onicos

Tradicionalmente, os livros de Ciencia e Engenharia de Materiais classicavam


os materiais de acordo com suas propriedades mecanicas, nas seguintes catego-
rias: metais, ceramicas, polmeros e compositos. Nos u ltimos anos, eles intro-
duziram a categoria dos semicondutores, por conta de sua grande import ancia

para a eletronica. E melhor classicar os materiais utilizados para fabricar
dispositivos eletronicos de acordo com suas principais propriedades fsicas.
Nos captulos seguintes estudaremos as propriedades e os fenomenos que
ocorrem em semicondutores, materiais o pticos, materiais magn eticos,
dieletricos e supercondutores. Entretanto, do ponto de vista da fabricacao
dos materiais, e conveniente classica-los de acordo com sua microestrutura.
A seguir apresentaremos, brevemente, algumas caractersticas dos materiais e
de seus processos de preparacao, divididos nas seguintes classes: monocristais;
ceramicas e vidros; polmeros; cristais lquidos; lmes nos e multicamadas.

1.4.1 Monocristais

Um monocristal, tambem chamado simplesmente de cristal, e um material


que apresenta ordem cristalina ao longo de toda sua extensao utilizavel, tendo
dimensoes tpicas que variam de alguns milmetros a muitos centmetros. Exis-
tem in umeros metodos para fabricar monocristais, sendo cada um adequado
a certas classes de materiais. Em geral o cristal e produzido a partir de um
lquido contendo os elementos que formam a rede cristalina. Quando uma
pequena amostra do cristal desejado, a semente, e colocada na solucao, se
as condicoes de concentracao e temperatura forem adequadas, seu volume au-
Cap. 1 Materiais para Eletr
onica 15

Figura 1.9: Ilustracao do cadinho com o gradiente de temperatura usado no metodo de


Bridgman estatico.

menta formando um cristal maior. O fator essencial para crescer o cristal a


partir da semente e possibilitar que os atomos da solucao se agreguem lenta-
mente a ela, o que ocorre em posicoes que minimizam a energia total de ligacao,
fazendo a rede cristalina crescer gradualmente. Em alguns casos simples, pode-
se utilizar a solucao lquida da substancia num certo solvente. Este e o caso
do NaC que pode ser diludo em agua. E muito comum tambem derreter
os compostos basicos a altas temperaturas, produzindo uma solucao fundida.
O aquecimento e feito num recipiente, chamado cadinho, usando um forno
resistivo ou de radio freq uencia (RF).

Os dois metodos mais conhecidos para crescer cristais a partir da solucao


fundida sao o de Bridgman e o de Czochralsky. No primeiro, ilustrado na
Fig.1.9, a semente e colocada na parte inferior do cadinho contendo a solucao
derretida. A temperatura do cadinho e diminuida lentamente mantendo-se
um gradiente do tipo da Fig.1.9, de modo que o cristal cresce de baixo para
cima. No metodo de Czochralsky, ilustrado na Fig.1.10, a semente e colocada
na extremidade inferior de uma haste em lento movimento de rotacao, to-
cando a superfcie da solucao derretida. Quando a haste em rotacao e puxada
lentamente para cima, a solucao solidica gradualmente em torno da semente,
fazendo o cristal crescer. A Fig.1.11 mostra um bastao cilndrico (lingote) de
silcio monocristalino crescido pelo metodo de Czochralsky, com diametro 10,2
cm (4 polegadas). Os dispositivos discretos e os circuitos integrados usados
em microeletronica sao fabricados sobre pastilhas, ou laminas, de Si, obtidas
16 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 1.10: Ilustracao do metodo de Czochralsky para crescer monocristais.

Figura 1.11: Bast


ao monocristal de Si crescido pelo metodo de Czochralsky, com 10,2 cm
de di
ametro. A pastilha mostrada na fotograa e obtida pelo corte do bastao e processada
para fabricar uma celula solar (cortesia da Heliodin
amica).
Cap. 1 Materiais para Eletr
onica 17

pelo corte de bastoes, como o da gura. Atualmente, na ind ustria de mi-


croeletronica, utiliza-se lingotes com ate 30 cm de diametro.

E possvel crescer monocristais de certos materiais a temperaturas bem


abaixo de seus pontos de fusao devido a propriedades tpicas de misturas de
duas substancias. Um metodo muito utilizado e o de epitaxia de fase lquida
- LPE, usado para crescer camadas do semicondutor GaAs sobre sementes do
mesmo material. Isto e possvel porque o ponto de fusao de GaAs e 1238 C,
enquanto a mistura de GaAs com o metal Ga tem uma temperatura de fusao
bem menor. Se uma semente de GaAs e mergulhada numa solucao de Ga +
GaAs, derretida a uma temperatura menor que 1238 C, ela se mantem solida
enquanto novas camadas cristalinas sao formadas sobre ela com os atomos de
Ga e As da solucao.

1.4.2 Cer
amicas e Vidros

A palavra ceramica e originaria do grego keramos, que era o nome do barro


utilizado para fazer jarros. Atualmente ela e usada para designar uma varie-
dade de compostos inorganicos nao metalicos, geralmente duros, quebradicos e
com elevado ponto de fusao. Eles podem ser solidos amorfos ou policristalinos.
Para entender a diferenca entre os dois tipos vamos considerar os exemplos da
slica (SiO2 ) e da alumina (A2 O3 ). A ligacao atomica nesses materiais tem um
carater misto de ionica e covalente e, dependendo da forma de preparo, pode
resultar em solidos amorfos ou cristalinos. Se o resfriamento da solucao fun-
dida for lento o material tende a car cristalino. No caso da slica isto ocorre
com uma rede c ubica ou hexagonal de atomos de oxigenio, cando os ons de Si
entre eles com ligacoes tetraedricas, como ilustrado na Fig.1.12(a). Quando a

Figura 1.12: (a) Vista em duas dimens oes das ligacoes atomicas num monocristal de SiO2 ,
o quartzo. (b) Ilustracao de um policristal. (c) Ligacoes em SiO2 amorfo, a slica.
18 Materiais e Dispositivos Eletronicos

cristalizacao e feita a partir de uma semente, forma-se um monocristal de SiO2 ,


chamado quartzo. Entretanto, se nao houver uma semente u nica, a cristali-
zacao ocorrera simultaneamente a partir de muitos pontos no material. Neste
caso formam-se graos cristalinos orientados aleatoriamente, constituindo um
policristal, como ilustrado na Fig.1.12(b). Por outro lado, se o resfriamento
for rapido, os atomos nao terao tempo para encontrar as posicoes de menor
energia e nao sera formada uma rede cristalina. Neste caso nao havera or-
dem de longo alcance e o material sera amorfo, cando com ligacoes atomicas
conforme ilustrado na Fig.1.12(c) para slica (tambem chamado de quartzo
fundido). O caso do A2 O3 e semelhante ao da slica. Ele pode ser encontrado
na forma amorfa, chamada alumina, ou na forma de um cristal, chamado sara.

As ceramicas tambem podem ser preparadas por sinterizacao. Neste pro-


cesso os constituintes do material na forma de po sao misturados e compacta-
dos com o formato nal desejado. O material e entao aquecido ate proximo do
ponto de fusao e depois de resfriado resulta numa ceramica formada de graos
policristalinos com uma forte aderencia entre si. Este e o processo usado para
fabricar objetos de ceramica de uso diario, como jarros, objetos de adorno,
etc. Quando a materia prima e de alta qualidade e o processamento e feito
em condicoes muito controladas, obtem-se as chamadas ceramicas avancadas,
que encontram aplicacoes diversas em eletronica e em outros ramos da tec-
nologia. Atualmente e possvel fabricar partculas com dimensoes na escala
nanometrica (1 nm = 109 m) com grande uniformidade de tamanhos, que ao
serem compactadas e processadas termicamente resultam em ceramicas com
propriedades especiais para diversas aplicacoes.

Os materiais amorfos tambem sao chamados de vidros e sao caracteri-


zados pela ausencia de uma temperatura de fusao bem denida. Quando um
vidro e aquecido ele amolece gradualmente ate tornar-se um lquido, sem uma
transicao brusca da fase solida para a fase lquida, como ocorre em cristais.
Na realidade o vidro pode ser visto como um lquido de altssima viscosi-
dade, que para efeitos praticos comporta-se como se os atomos estivessem
congelados desordenadamente. Do ponto de vista da condutividade eletrica,
os materiais amorfos, ou vidros, podem ser metalicos, isolantes ou semicondu-
tores. Na eletronica eles encontram muitas aplicacoes em qualquer das formas.
Atualmente o silcio cristalino esta sendo substitudo pelo amorfo em varios
dispositivos, como por exemplo nas celulas solares.
Cap. 1 Materiais para Eletr
onica 19

1.4.3 Polmeros

Os polmeros consistem de moleculas com estrutura em cadeias longas, line-


ares ou ramicadas, e que resultam da combinacao qumica de certo n umero
(tipicamente milhares) de unidades mais simples chamadas monomeros, repeti-
das de maneira regular ou aleatoria. Enquanto que polmeros naturais, como a
borracha, sao conhecidos desde tempos imemoriais, so no seculo XX, com o de-
senvolvimento da ind ustria qumica, tornou-se possvel a preparacao em larga
escala de polmeros sinteticos, com as mais variadas propriedades. Nao apenas
alteracoes na natureza qumica dos monomeros, mas mesmo simples diferencas
estruturais no tipo de organizacao da cadeia, podem levar a moleculas com
propriedades fsicas e qumicas profundamente distintas. Isto esta ilustrado
na Fig.1.13 que mostra as cadeias de dois polmeros muito utilizados: o poli-
etileno e o cloreto de polivinila (PVC). O polietileno consiste de monomeros
com um atomo de carbono e dois atomos de hidrogenio. A substituicao de
um atomo de hidrogenio no etileno por outro de cloro resulta no PVC, um
material completamente diferente. Este exemplo explica a enorme diversidade
de polmeros existentes.

Os materiais polimericos mais utilizados na eletronica sao os plasticos


que servem de isolantes eletricos para cobertura de os, para encapsular dis-
positivos e para fabricar pecas com funcoes variadas. Entretanto, nos u ltimos
anos, foram descobertos polmeros e substancias organicas que conduzem cor-
rente eletrica de forma semelhante a metais, semicondutores ou mesmo su-
percondutores. Eles tambem tem propriedades opticas semelhantes `as dos
semicondutores, e comecam a ser empregados em dispositivos eletrolumines-
centes. A atividade de pesquisa em torno deles e muito intensa, e espera-se,
que em poucos anos venham substituir semicondutores e metais tradicionais

Figura 1.13: Cadeias de dois polmeros comuns, (a) polietileno e (b) cloreto de polivinila
(PVC).
20 Materiais e Dispositivos Eletronicos

em diversos dispositivos e sensores eletronicos e optoeletronicos, apresentados


na secao 10.3.

1.4.4 Cristais Lquidos

Os cristais lquidos sao materiais que tem uma estrutura molecular com carac-
tersticas intermediarias entre a ordem orientacional e posicional de longo al-
cance dos cristais e a desordem tpica dos lquidos e gases. Os cristais lquidos
tambem apresentam propriedades que nao sao encontradas nem em lquidos
nem em solidos, tais como: formacao de monocristais com a aplicacao de cam-
pos eletricos; atividade optica muito maior que solidos e lquidos tpicos e
controlavel por campos eletricos; grande sensibilidade a temperatura que pode
resultar em mudancas de sua cor.

Ha duas grandes classes de cristais lquidos: os liotropicos e os ter-


motropicos. Os liotropicos sao em geral obtidos pela dispersao de um com-
posto num solvente. Este e o caso de varios sistemas de importancia biologica,
tais como lipdeo-agua, lipdeo-agua-protena, etc. Os cristais lquidos de
importancia para eletronica sao os termotropicos. Eles sao formados por
moleculas longas, em geral de compostos organicos, dispostas em dois tipos
de estruturas: nematicas ou smeticas. Estas estruturas estao ilustradas na
Figura 1.14, que tambem mostra a orientacao aleatoria das moleculas num

Figura 1.14: Ilustracao da orientacao de moleculas nos seguintes sistemas: (a) lquido
isotr
opico; (b) cristal lquido nematico; (c) cristal lquido smetico A; (d) cristal lquido
smetico C.
Cap. 1 Materiais para Eletr
onica 21

lquido isotropico. Nos cristais lquidos nematicos as moleculas tem um orde-


namento paralelo, ou quase paralelo, como na Fig.1.14(b). Elas sao moveis nas
tres direcoes e portanto apresentam desordem posicional. Nos cristais lquidos
smeticos as moleculas tambem estao orientadas paralelamente entre si, porem
apresentam uma estrutura estraticada em camadas. Dentro de uma mesma
camada as moleculas ocupam posicoes aleatorias, mantendo a mesma distancia
para as moleculas das camadas vizinhas. Nos cristais lquidos smeticos tipo A
a orientacao das moleculas e perpendicular ao plano das camadas, enquanto
que no tipo C elas estao inclinadas em relacao ao plano das camadas.

Os cristais lquidos tem grande aplicacao em eletronica, principalmente


para a confeccao de mostradores, conhecidos como LCD (Liquid Crystal
Display). Esta aplicacao e baseada no fato de que a orientacao das moleculas
pode ser controlada pela aplicacao de um campo eletrico, possibilitando variar
a quantidade de luz transmitida ou reetida pelo material. Isto pode ser feito
por meio de baixas tensoes e com pequeno consumo de energia, dando aos
mostradores de LCD grande vantagem em relacao a outros tipos, como apre-
sentado na secao 10.3.

1.4.5 Filmes Finos e Multicamadas

Muitos materiais empregados em dispositivos eletronicos sao fabricados na


forma de lmes nos, isto e, camadas com espessuras que variam desde alguns
angstroms (1 A = 1010 m) ate dezenas de microns (1 m = 106 m). Os lmes
sao feitos com metais, isolantes, semicondutores ou supercondutores, depen-
dendo da aplicacao desejada. Eles sao usados em in umeras aplicacoes, como
resistores, capacitores, contatos metalicos em dispositivos semicondutores, ca-
madas magneticas em dispositivos de gravacao, camadas dieletricas em dispo-
sitivos opto-eletronicos, dispositivos de lmes semi ou supercondutores, etc.
Os lmes nos podem ser preparados por varios metodos diferentes, depen-
dendo da composicao, estrutura, espessura e aplicacao. Todos eles se baseiam
na deposicao gradual de atomos ou moleculas do material desejado sobre a
superfcie de outro material que serve de apoio, chamado substrato. Dentre
os metodos mais utilizados estao a deposicao em alto vacuo, para lmes mais
nos (de algumas camadas atomicas ate 1000 A), a deposicao eletroqumica,
a deposicao qumica de vapor e a epitaxia de fase lquida, para lmes mais
espessos.

A grande evolucao nas tecnicas de vacuo nas u


ltimas decadas possibilitou
o aperfeicoamento dos processos de deposicao de lmes muito nos. Atual-
22 Materiais e Dispositivos Eletronicos

mente e possvel evacuar camaras com volumes da ordem de 1 m3 , atingindo


rotineiramente pressoes tao baixas quanto 1011 109 Torr (1 Torr = 1 mm
de Hg). Isto possibilita fabricar lmes nos atraves da deposicao de camadas
individuais de atomos ou moleculas, uma sobre a outra, por meio de diver-
sas tecnicas diferentes. Em todas as tecnicas o processamento e feito numa
camara de alto vacuo, e consta de tres etapas: na primeira etapa os materi-
ais que servem de materia-prima sao fragmentados em atomos neutros, ons
ou moleculas, por meio da acao de fontes termicas, ou de um plasma, ou um
laser, ou bombardeio por eletrons ou ons acelerados; na segunda etapa, o va-
por fsico formado pelos fragmentos da materia e transportado na direcao do
substrato; nalmente, na terceira etapa, os fragmentos depositados no subs-
trato interagem fsica e quimicamente entre si, nucleando e formando porcoes
maiores de material, resultando no lme desejado. As principais diferencas en-
tre os diversos metodos estao na primeira etapa. Um dos metodos mais simples
e o da evaporacao termica, no qual a substancia original e aquecida em alta
temperatura ate evaporar. O aquecimento e feito por meio de uma corrente
eletrica num o ou elemento resistivo de material que suporta altas temperatu-
ras, como o tungstenio. Este metodo e utilizado para depositar lmes simples
de metais ou substancias simples, para fazer espelhos ou contatos metalicos,
por exemplo.

Uma das tecnicas mais sosticadas e a epitaxia de feixe molecular


(Molecular Beam Epitaxy - MBE), ilustrada na Figura 1.15. As substancias

Figura 1.15: Ilustracao do processo de epitaxia de feixe molecular-MBE, com fontes de


elementos usados para fabricar multicamadas de GaAs e (GaA)As, dopadas com impurezas
de Sn ou de Be.
Cap. 1 Materiais para Eletr
onica 23

dos elementos que formam o material desejado sao aquecidas separadamente


em fontes individuais, no interior de uma camara de alto vacuo. Cada fonte
e feita de um cadinho fechado, contendo um pequeno orifcio na extremidade.
Ao ser aquecida ate fundir, a substancia gera um vapor sob pressao no in-
terior do cadinho que e ejetado no vacuo atraves do orifcio, produzindo um
feixe atomico ou molecular, que incide sobre o substrato. Atraves do con-
trole preciso das taxas de evaporacao e do movimento dos obturadores de
cada fonte e possvel construir lmes cristalinos de alta qualidade. Com este
metodo e possvel tambem fabricar cristais com mudancas abruptas de com-
posicao formando uma multicamada, ou super-rede. Um sistema de grande
interesse tecnologico e aquele formado por GaAs e AAs, empregado na fabri-
cacao de lasers semicondutores. Os cristais dessas substancias tem a mesma
estrutura cristalina do ZnS, com parametros da rede praticamente iguais, a =
5,65 A. Por causa disto e possvel depositar epitaxialmente camadas atomicas
cristalinas da liga ternaria Ga1x Ax As sobre um substrato cristalino de GaAs,
para construir articialmente multicamadas, super-redes ou pocos quanticos,
com concentracoes x escolhidas. A Figura 1.16(a) ilustra uma multicamada
de GaAs e da liga (GaA)As empregada em lasers semicondutores. Estas
multicamadas tambem podem ser feitas por tecnicas de epitaxia de feixe de
vapor (VPE), das quais a mais comum e a MOCVD (Metal-Organic Chemical
Vapor Deposition). A tecnica de MBE tambem e utilizada para fazer muitos
outros tipos de multicamadas. A Figura 1.16(b) ilustra uma multicamada

Figura 1.16: Ilustracao de dois tipos importantes de multicamadas utilizadas em eletr


onica:
(a) Multicamada de GaAs e (GaA)As, empregada em lasers de semicondutores; (b) Multi-
camada magnetica, empregada em dispositivos de gravacao magnetica.
24 Materiais e Dispositivos Eletronicos

magnetica, formada por varias camadas magneticas, intercaladas por camadas


nao-magneticas, metalicas ou isolantes, empregada em dispositivos de gravacao
magnetica, descritos no Captulo 9.

Outra tecnica de deposicao de lmes e multicamadas muito empregada


em instalacoes industriais e a vaporizac
ao catodica, tambem chamada de
pulveriza cao (sputtering), cujo equipamento basico esta mostrado na Figura
1.17. Antes de iniciar o processo de deposicao, a camara e evacuada per-
manecendo com pressao muito baixa (1011 108 Torr) durante varias horas,
para eliminar gases residuais. Em seguida um gas nobre (Ar, Ne) e injetado na
camara com pressao da ordem de 103 Torr, formando uma atmosfera inerte.
Uma diferenca de potencial da ordem de alguns kV e entao aplicada entre os
suportes do substrato e do alvo que contem a materia-prima a ser pulverizada,
ionizando o gas na regiao e formando um plasma. Os ons do plasma sao acele-
rados pela diferenca de potencial adquirindo energia suciente para fragmentar
o material do alvo e formando o vapor que deposita no substrato. O processo
pode empregar varios alvos, possibilitando assim depositar um lme de certo
material sobre outro diferente, sucessivamente, formando uma multicamada.
Os sistemas atuais de vaporizacao catodica utilizam mas permanentes para
criar um campo magnetico que serve para connar o plasma na regiao do alvo,
aumentando a eciencia do processo (magnetron sputtering). A alta tensao
aplicada pode ser dc, utilizada para vaporizar metais, ou rf, mais adequada
para materiais isolantes. Os aperfeicoamentos recentes na vaporizacao catodica
tem tornado esta tecnica cada vez mais poderosa, contribuindo para dissemi-

Figura 1.17: Componentes b


asicos de um sistema de vaporizacao cat
odica, ou pulverizacao
(sputtering).
Cap. 1 Materiais para Eletr
onica 25

nar seu uso no processamento de dispositivos eletronicos, tanto na pesquisa


em laboratorio quanto em plantas industriais.


REFERENCIAS

W.D. Callister, Jr., Materials Science and Engineering, an Introduction, J.


Wiley , New York, 2000.
P.J. Collings, Liquid Crystals, Princeton University Press, Princeton, 1990.
R.E. Hummel, Electronic Properties of Materials, Springer-Verlag, Berlin,
2001.
C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, J. Wiley, New York, 1996.
D.J. Roulston, An Introducion to the Physics of Semiconductor Devices, Ox-
ford University Press, Oxford, 1999.
B.J. Streetman and S. Banerjee, Solid State Electronic Devices, Prentice-
Hall, New Jersey, 2000.

PROBLEMAS

1.1 Calcule o angulo entre a direcao [111] e o plano (001) numa rede cristalina
c
ubica.
1.2 Calcule os cossenos diretores da direcao [122].
1.3 Mostre, com um desenho claro, quais sao os vetores primitivos de uma
rede 3d tetragonal simples. Mostre porque nao existe rede tetragonal de
faces centradas.
1.4 Silcio, o semicondutor mais importante da Eletronica, cristaliza na es-
trutura do diamante, cuja celula unitaria esta mostrada na Fig.1.8. A `
temperatura ambiente o parametro da rede e 5,42 A. Sendo do grupo IV
da tabela periodica, o atomo de Si tem quatro eletrons de valencia. Cal-
cule o n umero total de eletrons de valencia do Si por unidade de volume,
3
em cm .
1.5 Assim como o Si, o germanio tambem cristaliza na estrutura do diamante,
com parametro de rede 5,65 A. Sabendo que a massa atomica do Ge e
72,59 (referida a massa de H), calcule a massa especca do Ge em g/cm3
e compare com o valor da tabela.
26 Materiais e Dispositivos Eletronicos

1.6 A liga Ax Ga1x As e um importante semicondutor utilizado para fabricar


dispositivos optoeletronicos. Na fase cristalina, ela tem a estrutura do
cristal de GaAs, no qual atomos de Ga numa fracao x sao substitudos
aleatoriamente por atomos de A. Sabendo que GaAs e AAs cristalizam
umero de atomos por cm3 e a
na estrutura do ZnS, Fig.1.8(a), calcule o n
massa especca de A0,3 Ga0,7As.
1.7 Um modelo matematico para a energia total de uma rede cristalina com
ligacao ionica e:
 
U = N eR/ q 2 /R
onde 2N e o n umero de ons da rede, q e a carga ionica, , e sao
constantes que dependem da estrutura cristalina e dos atomos que formam
o cristal e R e a distancia entre dois vizinhos mais proximos. Para o NaC,
que cristaliza na estrutura fcc da Fig.1.7, = 1, 05 1015 J, = 0, 321

A e = 1, 747/40.

a) Faca um graco das duas parcelas da energia por molecula, U/N, em


funcao da distancia R e interprete o signicado de cada parcela. Se voce
tiver um computador com impressora, use-o para fazer um graco quan-
titativo bonito! Observe que a segunda parcela, que resulta da atracao
entre os dois ons de cargas opostas, tende para em R = 0. Na rea-
lidade aquela expressao nao vale para R 0, pois os ons nao sao cargas
pontuais. Para evitar a divergencia de segunda parcela em R 0, faca
um truncamento na energia, considerando que seu valor em R 1 A e
constante e igual ao valor em R = 1 A.
b) Faca o graco da soma das duas parcelas, isto e da energia U/N. (Sugestao:
faca a escala horizontal na faixa 0-10
A. No eixo vertical use como unidade
o joule dividido por uma potencia de 10 conveniente para evidenciar o
mnimo da energia, como na Fig.1.1).
c) Calcule o valor da distancia R de equilbrio e do parametro da rede
cristalina, e compare o valor deste com aquele dado no texto.
d) Calcule a energia por molecula necessaria para desfazer o cristal, isto e,
para que a distancia entre vizinhos seja innita.
1.6 Um lme de Fe monocristalino e crescido no plano (100) com uma certa
tecnica de deposicao, a uma taxa de 1,4
A por segundo. Sabendo que
o Fe cristaliza na estrutura bcc, com parametro de rede 2,8
A, calcule o
numero de atomos depositados durante 20 segundos sobre um substrato
na forma de um disco, com diametro 1,0 cm.
Captulo 2

Ondas e Partculas na Mat


eria

2.1 Ondas Eletromagn


eticas 28

2.2 Ondas El
asticas em S
olidos 34

2.3 Efeito Fotoel


etrico - Ondas e Partculas 40

2.4 O El
etron como uma Onda-Princpio da Incerteza 46

2.5 F
onons e outras Excita
coes Elementares em S
olidos 50


REFERENCIAS 51

PROBLEMAS 52

27
28 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Ondas e Partculas na Mat


eria

2.1 Ondas Eletromagn


eticas

O fenomeno de propagacao de ondas desempenha papel fundamental na


Eletronica e na Fsica da Materia Condensada. Na eletronica, o mais impor-
tante e, sem duvida, o emprego de ondas eletromagneticas para transportar
sinais de audio, de vdeo, ou de dados atraves de cabos, de bras opticas, ou
propagando no ar. Porem nao e este tipo de aplicacao que vai nos interessar
aqui. Vamos concentrar nas ondas de diversas naturezas que propagam no
interior dos materiais. As vibracoes dos atomos da rede cristalina e o movi-
mento dos eletrons nos solidos, por exemplo, sao dois tipos de fenomenos que
ocorrem naturalmente na forma de ondas. Alem destas, ha uma grande va-
riedade de ondas que podem ser produzidas em materiais, tendo elas muitas
caractersticas comuns de qualquer onda. Para rmar alguns conceitos im-
portantes, vamos iniciar este captulo revendo as principais caractersticas das
ondas eletromagneticas.

A evolucao dos campos eletromagneticos no espaco e no tempo e descrita


pelas equacoes de Maxwell,
 =
.D (2.1)
.B
 = 0 (2.2)

B
E = (2.3)
t

H  = J + D . (2.4)
t

onde E e H
 sao os campos eletrico e magnetico, respectivamente, B
 e o vetor
Cap. 2 Ondas e Partculas na Materia 29

inducao magnetica, D e o vetor deslocamento eletrico, e a densidade de carga



livre e J e a densidade de corrente. Num material linear e isotropico, D  = E
eB  = H,  sendo  a permissividade eletrica e a permeabilidade magnetica.
Se o material e isolante e nao tem cargas livres, = 0 e J = 0. Nestas
condicoes, substituindo (2.4) em (2.3) e utilizando (2.1) e conhecidas relacoes
entre operadores diferenciais, obtemos a equacao que descreve a evolucao do
campo eletrico (Problema 2.1),

 r , t)  2 E(
 r, t)
2 E( = 0. (2.5)
t2

Esta e a equa cao de ondas para um campo vetorial em tres dimensoes.


Ela relaciona a variacao espacial do campo com sua variacao temporal. Para
ondas planas propagando na direcao do eixo x de um sistema de coordenadas,
a equacao reduz-se a

2 E(x,
 t) 1 2 E(x,
 t)
= , (2.6)
x2 v2 t2

onde v = 1/ . Uma das solucoes da Eq.(2.6) e (Problema 2.3),

 t) = E0 cos(kx t)
E(x, (2.7)

onde E0 e um vetor constante. A substituicao em (2.6) mostra que (2.7) e sua
solucao se = vk. Utilizando-se (2.1) pode-se mostrar que E0 e necessaria-
mente perpendicular a` direcao de propagacao x. Substituindo (2.7) em (2.3)
e utilizando (2.2) obtemos a solucao para o campo magnetico


H(x,  0 cos(kx t)
t) = H , (2.8)

onde H 0 e perpendicular a` direcao de propagacao x e ao campo E0 , sendo as



amplitudes relacionadas por E0 = / H0 . As equacoes (2.7) e (2.8) mostram
que em um ponto qualquer do espaco, de coordenada x1 , os campos E e H 
variam harmonicamente no tempo com freq uencia angular . Pode-se denir
= 2 e = 1/T , onde e a freq uencia e T o perodo da oscilacao. Elas
mostram tambem que tanto E quanto H
  tem comportamento identico em todos
os pontos do plano x = x1 . Por esta razao, os planos perpendiculares ao eixo
30 Materiais e Dispositivos Eletronicos

de propagacao sao chamados planos de fase da onda. O vetor perpendicular


a estes planos, k = xk, e o vetor de onda, e sua interpretacao esta ligada
ao comportamento espacial da onda. Para entender isto considere a variacao
de E e H
 no espaco em um certo instante qualquer. Como mostra a Fig.2.1,
os campos E e H  variam senoidalmente ao longo da direcao de propagacao,
tendo sua fase repetida a cada distancia , chamada comprimento de onda.
Como o argumento kx correspondente a um perodo completo e 2, a relacao
entre k e e
2
= . (2.9)
k

A variacao espacial do campo num instante t posterior e dada pela


mesma funcao de onda deslocada em x de uma distancia x = t/k, como
na Figura 2.1. Entao, a` medida em que o tempo passa, os campos E e H 
variam como se a funcao de onda transladasse ao longo do eixo x positivo,
com velocidade x/t = /k. Esta relacao e chamada a velocidade de
fase da onda vf , que neste caso e:

c
vf = = , (2.10)
k n


onde n = (/0 0 )1/2 e o ndice de refracao do material e c = 1/ 0 0 
3, 0 108 m/s e a velocidade da luz. Nao e difcil ver que no caso em que
a onda propaga numa direcao qualquer, k e um vetor cuja direcao e sentido
sao os da propagacao. Sua direcao e normal aos planos de fase e seu modulo
e relacionado com o comprimento de onda pela Eq.(2.9). Neste caso geral,

Figura 2.1: Variacao da intensi-


dade do campo eletrico no espaco
em dois instantes, t e t + t.
Cap. 2 Ondas e Partculas na Materia 31

pode-se mostrar que sao solucoes da Eq.(2.5),


 r, t) = E0 cos(k.r t + )
E( , (2.11)

H(  0 cos(k.r t + )
 r, t) = H , (2.12)

onde 
/  
0 =
H k E0 . (2.13)
k

Alem da forma harmonica (2.11), e tambem muito u til representar os campos


na forma complexa, utilizando a identidade de Euler ei = cos + isen. Assim
o campo eletrico da Eq.(2.11) pode ser escrito como
 
 t) = Re E0 ei(k.rt+)
E(r, . (2.14)

A Fig.2.2 mostra os planos de fase e os campos eletrico e magnetico


de uma onda propagando numa direcao generica. A funcao (k) e chamada
relac
ao de dispers
ao e contem informacoes importantes sobre o comporta-
mento das ondas. Uma delas e a velocidade de fase vf = /k. Como vimos,
no caso de ondas eletromagneticas, (k) = ck/n, isto e, a relacao e linear,
como mostra a Fig.2.3. Para outros tipos de ondas em solidos, entretanto,

 0 e k no espaco. (b) Planos de fase de uma onda eletromagnetica


Figura 2.2: (a) Vetores E0 , H
em certo instante. Os vetores nos planos representam o campo eletrico. A dist ancia entre
dois planos consecutivos que tem o mesmo campo eletrico e igual ao comprimento de onda
.
32 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 2.3: Relacao de dispers


ao de uma onda
eletromagnetica em material isotropico, ho-
mogeneo e linear.

essa relacao e uma funcao mais complicada de k. Na secao seguinte veremos,


por exemplo, relacoes de dispersao nao lineares de ondas elasticas em solidos.

Uma forma de gerar ondas eletromagneticas e atraves de cargas eletricas


em movimento. Ondas harmonicas do tipo (2.11) resultam de cargas em movi-
mento oscilatorio, ou correntes alternadas. A freq uencia do movimento, ou
da corrente, determina a freq uencia da onda e portanto o tipo de radiacao
que e produzido. Correntes de freq uencia na faixa de 100 kHz (105 Hz) a 100
8
MHz (10 Hz), geradas por osciladores a transistor ou a valvula, produzem
ondas que sao utilizadas para transportar sinais de audio, chamadas ondas
de radio. A faixa que vai de pouco abaixo de 100 MHz ate 1000 MHz, ou
1 GHz (109 Hz), e utilizada para transportar sinais de televisao. Durante a
decada de 1990, houve uma grande evolucao na telefonia movel, que passou
a utilizar frequencias na faixa de centenas de MHz a alguns GHz. As varias
regioes do espectro eletromagnetico estao ilustradas na Fig.2.4 por meio de
escalas logartmicas de freq uencia , do correspondente comprimento de onda
no vacuo, do inverso de e da energia E (esta sera denida na secao 2.3).
Nao estao representadas na Fig.2.4 a parte superior da faixa de raios-X, que
se estende desde 1016 Hz ate 1019 Hz, e os raios gama (acima de 1019 Hz). A
radiacao na faixa de microondas (1 GHz - 300 GHz) tambem e produzida por
osciladores a valvula ou a transistor. Nas regioes infravermelho, visvel e ul-
travioleta, a radiacao e produzida por lamentos incandescentes de lampadas,
por transicoes atomicas em lampadas de descarga eletrica ou em lasers a gas,
e tambem por transicoes eletronicas em materiais diversos ou em diodos semi-
condutores.

A funcao de onda descrita pela Eq.(2.11) representa um campo eletrico


que preenche todo o espaco, o que, evidentemente, representa uma situacao
irreal. Apesar disto, ela e de grande importancia em fsica por diversas razoes.
Cap. 2 Ondas e Partculas na Materia 33

Figura 2.4: Ilustracao de parte do espectro eletromagnetico em unidades de freq


uencia ,
comprimento de onda , inverso de e energia E.

Uma delas e que qualquer variacao do campo eletrico que ocorre na pratica
pode ser decomposta em uma soma de ondas planas do tipo (2.11), atraves da
tecnica de transformada de Fourier. A transformada de Fourier permite de-
compor qualquer forma de variacao em ondas planas de diferentes freq
uencias
e vetores de onda. Por exemplo, vamos considerar um campo eletrico que varia
somente na direcao x. Em um determinado instante, digamos t = 0, podemos
decompor este campo na seguinte forma:

E(x, 0) =
 Ek eikx dk (2.15)

onde 
1  0) eikx dx
Ek = E(x, . (2.16)
2

A Eq.(2.15) signica que o campo e uma superposicao de varias ondas


planas, cada uma caracterizada por um vetor de onda k e amplitude Ek . O
valor de Ek e dado pela transformada de Fourier (2.16). Vamos considerar o
caso de um campo eletromagnetico connado a uma pequena regiao do espaco,
como o representado na Fig.2.5(a), no instante t = 0. A ` medida que o tempo
passa, este pulso propaga-se no espaco. Pode-se mostrar que a transformada de
Fourier do pulso tem tambem a forma de um pulso, mostrado na Fig.2.5(b).
Em outras palavras, a superposicao de varias ondas planas, com vetores de
onda proximos de k0 e com amplitude do tipo representado em 2.5(b), reproduz
uma variacao espacial na forma do pulso 2.5(a). Pode-se mostrar, ainda, que a`
34 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 2.5: (a) Pulso de campo eletrico no espaco. (b) Amplitude da transformada de
Fourier do pulso mostrado em (a).

medida em que o tempo passa, o pulso de campo propaga com a velocidade


de grupo, dada por 

vg = . (2.17)
k k0
Este resultado vale para qualquer tipo de onda. No caso de ondas eletro-
magneticas no vacuo ou em meios isotropicos, lineares e homogeneos, a ve-
locidade de grupo e igual a velocidade de fase (Problema 2.4). Entretanto,
em outras situacoes como as que encontraremos mais tarde, isto nao ocorre, a
velocidade de propagacao de pulsos e diferente da velocidade de fase.

2.2 Ondas El
asticas em S
olidos

Nesta secao vamos estudar algumas propriedades do tipo de onda em cristais


mais simples de ser entendido, a onda de vibracao da rede cristalina. Uma das
razoes da simplicidade deste fenomeno e que suas propriedades basicas podem
ser deduzidas com a fsica classica, uma vez que os ons que formam a rede sao
relativamente pesados.

Para entender a essencia do fenomeno de vibracao da rede vamos conside-


rar o caso de dois ons, ligados como explicado na secao 1.2. Classicamente, na
situacao de equilbrio, os dois ons ocupam a posicao correspondente a` mnima
Cap. 2 Ondas e Partculas na Materia 35

Figura 2.6: (a) Energia de interacao efetiva entre dois ons. (b) Sistema equivalente na
vizinhanca de x = a.

energia de ligacao, representada na Fig.2.6.

Esta situacao so ocorre em temperatura T = 0 K, e quando nao ha


qualquer perturbacao externa ao sistema. Em solidos a distancia tpica de
equilbrio e de alguns
A. Quando os ons sao desviados da posicao de equilbrio
eles tendem a oscilar em torno dela. Para pequenos desvios, a variacao da
energia de interacao pode ser aproximada por um poco parabolico, fazendo com
que o movimento dos ons seja o de um oscilador harmonico. Considerando
u = x a o desvio em torno do ponto de equilbrio, os primeiros termos da
expansao em serie de Taylor da energia sao:
 
dV 1 d2 V
V (u) = V (0) + u+ u2 + (2.18)
du 0 2 du2 0

No ponto de equilbrio a forca de interacao entre os ons e nula, ou seja,


(dV /du)0 = 0. Entao, no entorno deste ponto, podemos escrever,
1
V (u)  V (0) + Cu2 (2.19)
2

onde C = (d2 V /du2)0 e uma constante caracterstica da ligacao entre os ons.


Nesta aproximacao, a forca de interacao entre os ons e linear,
dV
F (u) = = Cu , (2.20)
du

como ocorre num oscilador harmonico simples. Este resultado permite concluir
36 Materiais e Dispositivos Eletronicos

que os dois ons ligados pela interacao eletrostatica, comportam-se como duas
massas ligadas por uma mola.

Em uma rede cristalina acontece essencialmente o que esta ilustrado na


Fig.2.7, porem o sistema e tridimensional e o n
umero de ons envolvidos e muito
grande. Em T = 0 e sem perturbacao externa a rede esta em equilbrio. A ` me-
dida que aumentamos sua temperatura, seus ons vibram com amplitude cada
vez maior. Essa vibracao e incoerente, aleatoria, no sentido que o movimento
de um on nao tem qualquer correlacao com o de outro. Esta e a principal
maneira com a qual a energia termica e absorvida pelo cristal. Entretanto, a
vibracao coletiva dos ons pode ser vista como uma superposicao de ondas. Em
outras palavras, as excitacoes da rede tem carater ondulatorio. Essas ondas
de vibracao sao chamadas ondas el asticas. Para estuda-las vamos considerar
um modelo simplicado da rede, no qual ons iguais estao ligados por molas na
forma de uma cadeia innita, como representado na Fig.2.7(a). A constante
C e a constante elastica da cadeia. Chamamos de un o deslocamento do on
n de sua posicao de equilbrio, ao longo da cadeia. Sendo a forca de interacao
entre dois ons dada por (2.20), a forca sobre o on n exercida por seus dois
vizinhos e

Fn = C {(un+1 un ) (un un1 )} = C(un+1 2un + un1) . (2.21)

Figura 2.7: (a) Modelo de cadeia monoat


omica em equilbrio. (b) Deslocamentos dos ons
quando da passagem de uma onda longitudinal. (c) Deslocamentos numa onda transversal.
Cap. 2 Ondas e Partculas na Materia 37

Sendo m a massa dos ons, a equacao de movimento do on n e


d2 u n
m m un = C(un+1 2un + un1 ) . (2.22)
dt2

Como era de esperar, o movimento do on n depende dos movimentos


dos ons n 1, que por sua vez dependem dos n 2, e assim por diante. O
movimento da rede e descrito por um n umero innito de equacoes acopladas.
Logo, o movimento da rede e coletivo. Para resolver o sistema innito de
equacoes, escrevemos a possvel solucao de un (x, t) sob a forma de onda

un (x, t) = uk (t) eikna , (2.23)

pois x = na e a coordenada do on n. Substituindo esta funcao na equacao de


movimento (2.22) obtemos

m uk = Cuk (eika 2 + eika )

= 2 Cuk (cos ka 1) . (2.24)

Assim, obtemos uma so equacao para uk (t), a funcao que exprime a


variacao do deslocamento de qualquer on no tempo. A variacao no espaco,
devida ao carater coletivo do movimento, esta contida em (2.23). Veja que
(2.24) e a equacao de um oscilador harmonico simples, cuja solucao e

uk (t) = Aeik t . (2.25)

Substituindo (2.25) em (2.24) obtemos a frequencia de oscilacao da rede em


funcao do n
umero de onda k:
 1/2
2C
(k) = (1 cos ka)1/2 . (2.26)
m

Este resultado signica que quando excitada externamente, a cadeia de


ons oscila coletivamente com frequencia (k), dando origem `as ondas elasticas.
A onda esquematizada na Fig.2.7(b) e longitudinal, pois os deslocamentos tem
a mesma direcao da propagacao. Poderamos ter obtido, de modo semelhante,
as equacoes para as ondas transversais, cujo modo de vibracao esta ilustrado
na Fig.2.7(c).
38 Materiais e Dispositivos Eletronicos

A equacao (2.26) e a relacao de dispersao das ondas elasticas na cadeia


monoatomica linear. Como esta relacao e periodica e (k) = (k), considera-
remos somente os valores de entre k = 0 e k = /a (Fig.2.8), pois este inter-
valo contem toda informacao necessaria sobre (k). A regiao /a < k < /a
e chamada primeira Zona de Brillouin do espaco de vetor de onda.

Observe que em (2.26), ka representa o angulo de fase entre os movimen-


tos de dois ons vizinhos. Para ondas de grande comprimento de onda, a,
este angulo e pequeno e podemos usar a aproximacao cos ka  1 (ka)2 /2, o
que resulta em 
(k) = C/m ka , (2.27)

isto e, para ka
1, a relacao de dispersao e aproximadamente linear, como
em ondas eletromagneticas. Neste caso as velocidades de fase e de grupo da
onda sao iguais, sendo dadas por

v = C/m a . (2.28)

Em geral v e da ordem de 104 m/s, isto e, 104 vezes menor que a veloci-
dade da luz. Para ondas de grande comprimento de onda, podemos aproximar
a funcao deslocamento por uma funcao contnua de x, u(x, t). Neste caso, e
possvel mostrar que a equacao de u(x, t) e igual a equacao de ondas para o
campo eletrico, Eq.(2.6) (Problema 2.5). Por outro lado, quando o compri-
mento de onda e pequeno, a natureza discreta da rede torna-se importante. A
onda com = 2a tem a maxima freq uencia de vibracao. Fazendo ka = em
(2.26) vemos que o maximo valor de e dado por (4C/m)1/2 . O valor desta
freq
uencia varia de um material para outro e esta na faixa de 1 a 10 THz (1
THz = 1012 Hz), que corresponde a` regiao do infravermelho distante no espec-
tro eletromagnetico (Problema 2.6).

Em um cristal qualquer ha dois fatos que tornam o problema das ondas


elasticas mais complexo: o primeiro e que ele e tridimensional; o segundo e
que ele contem ons diferentes. Este segundo fato traz uma caracterstica nova,
que pode ser entendida de maneira simples, no caso da cadeia unidimensional.
Se tivermos uma cadeia com dois tipos de ons intercalados de massas m1
e m2 , ao escrevermos as equacoes de movimento teremos duas equacoes da
forma (2.22), em vez de apenas uma, como no caso dos ons iguais. Teremos
entao duas solucoes para a frequencia de vibracao e, conseq
uentemente, dois
ramos na relacao de dispersao. Sua forma esta mostrada na Fig.2.9. Neste
caso, as frequencias de vibracao possveis do sistema formam duas bandas,
Cap. 2 Ondas e Partculas na Materia 39

Figura 2.8: Relacao de dispers


ao de ondas
elasticas numa cadeia monoat
omica linear.

denidas pelos dois ramos da relacao de dispersao. Entre elas existe uma faixa
proibida, cuja largura depende da diferenca entre as massas. Quando as duas
massas sao iguais, a banda proibida desaparece, isto e, o ramo inferior na
regiao 0 k /2a e o ramo superior na regiao /2a k /a compoem a
relacao de dispersao da cadeia monoatomica da Fig.2.8.

No ramo inferior da Fig.2.9, chamado ac ustico, em uma onda com ka

1, dois ons vizinhos movem-se em fase. No ramo superior, chamado optico,


uma onda com ka
1 tem os dois ons vizinhos movendo em oposicao de fase.
As ondas do ramo ac ustico podem ser excitadas por um tipo de forca que faz
atomos vizinhos irem no mesmo sentido, como em uma onda sonora (da seu
nome, ac ustico). Por outro lado, as ondas do ramo optico sao criadas quando
a excitacao produz efeitos opostos em ons vizinhos, como e o caso do campo
eletrico de luz infravermelha atuando em ons vizinhos de cargas opostas.

Figura 2.9: (a) Relacao de dispers ao de ondas el


asticas na cadeia diatomica linear mostrada
em (b), com os ramos ac ustico e optico.
40 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 2.10: Curvas de dispers ao de ondas el


asticas em um cristal c
ubico diat
omico, com
o vetor de onda na direcao de um eixo principal (L = longitudinal, T = transversal, O =
optico e A = ac
ustico).

A complexidade vinda do carater tridimensional do cristal resulta na


existencia de um maior n umero de graus de liberdade no sistema. Neste caso,
o deslocamento de um on de sua posicao de equilbrio r e caracterizado por
um vetor R( r , t). As solucoes das equacoes de movimento gerais levam a`
 
 i(k.
r t)
R (r, t) = Re Ak e , (2.29)

onde e um ndice que representa o tipo da vibracao e a direcao do deslo-


camento R, ou seja ele exprime a polarizacao da onda e seu tipo (optico ou
ustico). Para uma dada direcao de k temos tres polarizacoes para cada tipo
ac
de onda. Para direcoes particulares podemos ter duas ondas transversais e
uma longitudinal. A freq uencia (k) depende de k e do tipo da onda. A
Fig.2.10 ilustra as formas tpicas das curvas de dispersao para ondas elasticas
em um cristal c ubico com dois ons por celula unitaria.

2.3 Efeito Fotoel


etrico - Ondas e Partculas

No m do seculo passado surgiram as primeiras evidencias de que, em algumas


situacoes, uma onda eletromagnetica se comportava com caractersticas tpicas
de partculas. Hertz, em 1886-87, realizou diversas experiencias que conr-
maram a existencia de ondas eletromagneticas e a teoria de Maxwell. Numa
Cap. 2 Ondas e Partculas na Materia 41

Figura 2.11: Ilustracao do equipamento usado para estudo do efeito fotoeletrico.

dessas experiencias ele observou que a descarga eletrica entre dois eletrodos
ocorria mais facilmente quando luz ultravioleta incidia sobre um dos eletrodos.
Mais tarde Lenard vericou que a descarga ocorria mais facilmente porque a
luz facilitava a emissao de eletrons da superfcie do eletrodo, fenomeno que foi
posteriormente chamado de efeito fotoel etrico.

A Fig.2.11 mostra um equipamento usado para estudar o efeito fo-


toeletrico. Ele consiste de um tubo de vidro evacuado, com uma janela
de quartzo plana por onde passa a luz incidente. A luz monocromatica incide
sobre a placa de metal que forma o catodo C, fazendo-o liberar eletrons. Estes,
chamados fotoel etrons, sao atrados para a superfcie metalica do anodo
A por meio da diferenca de potencial V , produzindo uma corrente eletrica
que e medida pelo microampermetro A. Numa experiencia tpica mede-se
a variacao da corrente em funcao da diferenca de potencial V , que pode ser
variada atraves do potenciometro. Um aparato deste tipo foi usado em 1914
por Millikan, que por seus estudos do efeito fotoeletrico e da carga do eletron
ganhou o premio Nobel de Fsica em 1923.

A curva da Fig.2.12 mostra a variacao da corrente fotoeletrica I com a


tensao V aplicada, para dois valores da intensidade da luz incidente. Quando V
e sucientemente grande e positiva, a corrente tende para o valor de saturacao
Ia correspondente a` intensidade da luz. A saturacao da corrente ocorre quando
todos fotoeletrons emitidos pelo catodo sao coletados pelo anodo. Um dos re-
sultados mais importantes desta experiencia e obtido quando o sinal da tensao
V e trocado. A corrente nao vai bruscamente para zero com a tensao negativa,
indicando que os eletrons sao emitidos de C com certa energia cinetica. En-
42 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 2.12: Variacao da corrente fotoeletrica com a tensao aplicada, para dois valores de
intensidade da luz incidente. A tens ao V0 e independente da intensidade de luz, mas a
corrente de saturacao e diretamente proporcional `a mesma.

tretanto, quando a tensao atinge um valor V0 , mesmo os eletrons de maior


energia sao freados e a corrente vai a zero.

Do resultado desta experiencia pode-se concluir que a tensao V0 , chamada


potencial de retardo, permite medir a energia cinetica Tmax dos eletrons que
sao emitidos com a maxima energia. A relacao entre eles e, entao,
Tmax = e V0 , (2.30)

onde e e a carga do eletron. Esta maxima energia cinetica e independente da


intensidade da luz incidente, como mostrado pela curva b da Fig.2.12, obtida
com metade da intensidade usada em a.

A Fig.2.13 mostra a variacao da tensao V0 em funcao da freq uencia da


luz incidente em sodio, medida por Millikan em 1914. Estas medidas mostram
que ha uma frequencia de corte c , abaixo da qual o efeito fotoeletrico deixa
de ocorrer. O valor desta freq uencia varia de um material para outro, sendo
que para o sodio c = 4, 39 1014 Hz (  683 nm, que corresponde `a luz
vermelha, quase no infravermelho).

Os resultados observados com o efeito fotoeletrico nao puderam ser expli-


cados atraves da teoria classica da luz e durante varios anos constituram um
grande desao para os fsicos. Mas em 1905, Einstein usou as ideias de quan-
tizacao, inicialmente propostas por Planck, para explicar o efeito fotoeletrico.
Sua teoria lhe valeu o premio Nobel de Fsica de 1921. O modelo quantico
Cap. 2 Ondas e Partculas na Materia 43

Figura 2.13: Medidas de Millikan


do limiar de tens ao para efeito fo-
toeletrico em s odio, em funcao da
frequencia da luz incidente.

de Einstein para a radiacao eletromagnetica foi posteriormente explicado de


forma coerente pela teoria quantica de campos. Um dos resultados mais im-
portantes dessa teoria e que uma onda eletromagnetica e quantizada em
energia. Isto signica que se ela tem freq uencia , ela so pode ser gerada
com valores discretos de energia nh, onde n e um inteiro e h e a constante de
Planck (h = 6, 6262 1034 J.s).

Segundo Einstein, a energia da radiacao eletromagnetica e quantizada


na forma de pacotes, chamados f otons. Quando uma onda eletromagnetica
tem energia elevada, isto e, muito maior do que h, o n
umero de fotons e tao
grande, que a natureza discreta da energia nao e percebida. Nesta situacao,
a onda se comporta classicamente. A energia de um foton de radiacao de
freq
uencia , ou freq
uencia angular = 2, e

E = h =  , (2.31)

onde  = h/2. Os fotons tem, em muitas situacoes, comportamento tipo


partcula. No entanto, nao sao partculas comuns, pois so existem com ve-
locidade da luz c e tem massa de repouso nula. A relacao entre energia e
freq
uencia, dada por (2.31), permite representar o espectro eletromagnetico
em unidades de energia, como o eV. Utilizando o valor da constante de Planck
e da carga do eletron e possvel vericar que para converter Hz em eV e preciso
multiplicar por 4, 1357 1015 . Este fator de conversao foi utilizado para cons-
truir a Fig.2.4. Assim, a regiao visvel do espectro tem comprimento de onda
de 700 nm a 400 nm, freq uencia de 4,3 a 7, 5 1014 Hz e energia de 1,7 a 3,1
eV. O Apendice B apresenta uma tabela de conversao entre varias unidades
de energia.
44 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Sabemos da teoria eletromagnetica que o momentum p de uma onda no


vacuo esta relacionado com sua energia E por
E
p= . (2.32)
c

Usando (2.10), com n = 1, e (2.31) em (2.32), obtemos a expressao para o


momentum do foton,
p = k . (2.33)

Segue, portanto, que em uma onda eletromagnetica de freq uencia e


vetor de onda k, tanto a energia quanto o momentum sao quantizados. E
importante chamar a atencao para o fato de que a teoria nao preve uma quan-
tizacao espacial da onda eletromagnetica. Em outras palavras, nao ha nada
possvel ter
que limite a existencia de um foton a uma regiao nita do espaco. E
uma onda eletromagnetica plana, enchendo todo o espaco, correspondendo a
apenas um foton. A quantizacao e feita somente em termos de momentum e de
energia. E possvel, entretanto, ter uma onda eletromagnetica connada numa
regiao limitada do espaco, como por exemplo no pulso de onda da Fig.2.5,
contendo apenas um foton. Neste caso, o foton ca mais parecido com uma
partcula, ou um corp usculo.

No efeito fotoeletrico os fotons sao absorvidos num processo de interacao


que resulta na emissao de eletrons. Como ha conservacao de energia na in-
teracao eletron-foton, quando o eletron e emitido da superfcie do metal sua
energia cinetica e
T = h W , (2.34)

onde W e o trabalho necessario para arrancar o eletron do metal. Como ha


eletrons que estao mais presos aos atomos do que outros, W varia de um eletron
para outro. Os eletrons que estao menos ligados emergem da superfcie com a
maxima energia cinetica. Para eles podemos escrever
Tmax = h W0 , (2.35)

onde W0 , uma grandeza caracterstica de cada metal chamada func ao tra-


balho, e a mnima energia necessaria para que um eletron venca as forcas de
atracao internas e atravesse a superfcie. A teoria de Einstein explica as prin-
cipais observacoes do efeito fotoeletrico. Veja que os eletrons arrancados do
metal por fotons com energia
hc = W0 , (2.36)
Cap. 2 Ondas e Partculas na Materia 45

tem energia cinetica nula, nao produzindo corrente fotoeletrica com V0 = 0.


Entao, o valor de c dado por (2.36) e a frequencia de corte, que e indepen-
dente da intensidade da luz incidente. Quando > c e V > V0 , existe uma
corrente fotoeletrica resultante da emissao de eletrons. Quando a intensidade
de luz aumenta, o n umero de fotons incidentes por unidade de tempo au-
menta proporcionalmente, o que resulta no aumento proporcional da corrente
fotoeletrica.

Com as equacoes (2.30) e (2.35) podemos obter a expressao para o po-


tencial do retardo V0 decorrente da teoria de Einstein,

eV0 = h W0 . (2.37)

Utilizando (2.36), obtemos para c ,

h
V0 = ( c ) , (2.38)
e

que mostra a variacao linear de V0 com c , em acordo com a medida experi-


mental de Millikan (Fig.2.13).

As ideias de quantizacao da energia e das caractersticas corpusculares da


radiacao eletromagnetica provocaram um profundo impacto na Fsica no incio
deste seculo. Com base nestas ideias, varios fsicos passaram a procurar nos
eletrons efeitos de quantizacao e de comportamento ondulatorio. Estes traba-
lhos levaram a` formulacao da mecanica quantica em 1926 por Schroedinger e
independentemente por Heisenberg. As equacoes da mecanica quantica gover-
nam o comportamento dos eletrons nos atomos e nos solidos e seu conhecimento
e fundamental para a compreensao dos fenomenos eletronicos que ocorrem nos
diversos materiais.

Exemplo 2.1: Numa experiencia de efeito fotoeletrico, o material do fotocatodo e o ltio, cuja
funca
o trabalho e 2,3 eV, e o comprimento de onda da luz usada para iluminar o fotocatodo e 300
nm. Determine: a) A freq uencia de corte do ltio; b) O potencial de retardo.

a) A relaca
o entre a funca
o trabalho e a freq
uencia de corte e dada pela Eq. (2.36). Ent
ao,

W0 2, 3 eV 1, 6 1019 coulomb
c = 
h 6, 63 1034 joule-seg
 5, 5 1014 Hz
46 Materiais e Dispositivos Eletronicos

b) O potencial de retardo e relacionado com a freq


uencia de corte e a freq
uencia da luz pela
Eq.(2.38). A freq
uencia da luz e,
c 3, 0 108 m/s
= = = 10, 0 1014 Hz .
300 109 m
Assim,
h 6, 63 1034 joule-seg
V0 = ( c ) = 4, 5 1014 Hz
e 1, 6 1019 coulomb
= 1, 86 V

2.4 O El
etron como uma Onda - Princpio da Incerteza

Como vimos na secao anterior, a radiacao eletromagnetica e quantizada em


energia, adquirindo em certas situacoes comportamento do tipo de corp usculos
ou partculas. Este conceito foi introduzido na Fsica para explicar um resul-
tado experimental, o efeito fotoeletrico, que nao podia ser compreendido num
contexto classico. Ao contrario, o conceito de que o eletron, uma partcula no
sentido classico, e tambem uma onda, resultou de uma deducao teorica que so
mais tarde foi conrmada experimentalmente. Foi Louis de Broglie, em sua
tese de doutorado apresentada em 1924 na Universidade de Paris, que propos a
ideia revolucionaria de ondas de materia. Sua teoria lhe valeu o premio Nobel
de Fsica de 1929, depois que ela foi conrmada experimentalmente.

A hipotese de Broglie de que o eletron pode ter comportamento de


partcula e de onda foi inspirada no conceito, ja aceito na epoca, de que a
radiacao eletromagnetica tem comportamento tipo partcula. Ele postulou
que o eletron e caracterizado por uma freq
uencia e comprimento de onda ,
relacionados com a energia e o momentum exatamente do mesmo modo que
para fotons. Como na Eq.(2.31), a energia do eletron e expressa na forma,
E = h , (2.39)

enquanto que o momentum e:


p = h/ . (2.40)

Multiplicando e dividindo o lado direito de (2.40) por 2, e usando k = 2/,


obtemos
p = k . (2.41)
Cap. 2 Ondas e Partculas na Materia 47

que e igual a Eq.(2.33). Se a materia tem comportamento de onda, por que


nao notamos isto na vida diaria? Considere um objeto de massa m = 1,0 kg
movendo com velocidade v = 100 m/s. O comprimento de onda correspondente
e:
h h 6, 6 1034
= = = = 6, 6 1036 m . (2.42)
p mv 100

Veja que o comprimento de onda e muito pequeno comparado a` dimensao


tpica de objetos comuns. Por isso, os efeitos de difracao e interferencia, que
sao caractersticos de ondas, sao inteiramente desprezveis.

Considere agora um eletron com energia cinetica T = 100 eV. O compri-


mento de onda correspondente e:
h h
= =  1, 2 1010 m = 1, 2
A . (2.43)
p 2mT

Este comprimento de onda e da mesma ordem de grandeza da dimensao dos


atomos e da distancia entre eles na materia. Por isso, os efeitos ondulatorios
sao importantssimos na escala atomica. Esses efeitos foram observados por
Davisson, Germer e G.P. Thomson em 1927, atraves de uma experiencia na
qual um feixe de eletrons acelerados por um potencial eletrico incidia sobre um
cristal. Eles vericaram que o cristal, com sua estrutura atomica periodica,
atuava como uma rede de difracao, produzindo maximos e mnimos de inter-
ferencia no feixe de eletrons espalhados.

O fato dos eletrons com energias de dezenas de eV serem ondas, com


comprimento de onda varias ordens de grandeza menor do que o da luz visvel,
tem uma importante aplicacao pratica. Quando um feixe de eletrons incide
sobre um material, a analise dos eletrons espalhados permite observar detalhes
muito menores do que se consegue com a luz visvel num microscopio optico.
Este e o princpio basico de operacao do microscopio eletronico. No microscopio
optico o observador ve a imagem do objeto ampliada por meio de lentes de
vidro, que processam a luz espalhada pelos detalhes do material analisado.
Como o comprimento de onda mnimo da luz visvel e da ordem de 3000 A,
nao e possvel distinguir detalhes com dimensoes menores que este valor. Por
outro lado, como no microscopio eletronico a onda utilizada e a de um feixe
de eletrons, e possvel observar detalhes com dimensoes de alguns angstroms.
Neste caso, a imagem do objeto e formada por lentes magneticas (campos
magneticos produzidos por bobinas com formatos adequados) e convertida em
sinais eletricos por meio de detetores, de modo a ser observada na tela de um
computador.
48 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Outra aplicacao importante de ondas de materia e no estudo de solidos


cristalinos por meio de difracao. Como o parametro da rede nos cristais e da
ordem de alguns angstroms, a difracao so ocorre com radiacao de comprimento
de onda proximo deste valor. E possvel entao usar feixes de eletrons ou de
neutrons de alta velocidade. A vantagem dos neutrons esta no fato de que
sendo eletricamente neutros, sua penetracao no solido e muito maior que a dos
eletrons.

Exemplo 2.2: Calcule as energias e as velocidades de um feixe de eletrons e outro de neutrons,


para que ambos tenham comprimento de onda de 2 A.

A relaca ao, T = h2 /2m2 .


o entre energia e comprimento de onda e dada pela Eq. (2.43). Ent
Para o feixe de eletrons m = 9, 1 1031 kg, logo,
6, 632 1068
T = = 6, 0 1018 J
2 9, 1 1031 22 1020
6, 0 1018
= eV = 37, 5 eV
1, 6 1019

A velocidade e relacionada com a energia cinetica por T = mv 2 /2. Portanto, a velocidade


dos eletrons e,
 2 6, 0 1018 1/2
v = (2T /m)1/2 = = 3, 6 106 m/s
9, 1 1031

No caso do feixe de neutrons, m = 1, 67 1027 kg. Ent


ao,
6, 632 1068
T = = 3, 3 1021 J
2 1, 67 1027 22 1020
 1/2
2 3, 3 1021
v = = 2, 0 103 m/s
1, 67 1027

As caractersticas de um eletron podem ser descritas de maneira quan-


titativa atraves de uma funcao de onda . No proximo captulo ela sera
denida com precisao. Se o eletron for uma onda plana com um momentum
bem denido p0 , ele tera um vetor de onda k0 = p0 / e sua funcao de onda
pode ser escrita na forma
(x, t) = A eik0 xit , (2.44)

onde sua frequencia angular e relacionada com sua energia por E = .


A funcao de onda (2.44) descreve um eletron que preenche todo o espaco, e
Cap. 2 Ondas e Partculas na Materia 49

que portanto tem uma incerteza em sua posicao x . E evidente que


e muito difcil produzir um eletron com a funcao de onda (2.44) em todo o
espaco. Entretanto, e possvel ter um eletron mais localizado, com uma funcao
de onda como a da Fig.2.14(a). Neste caso, o eletron nao tem um vetor de
onda bem denido k0 . Ele e descrito, digamos em t = 0, por uma funcao de
onda (x, 0) que e uma superposicao de ondas planas com vetores de onda
k proximos de k0 e amplitudes (k) com maximo em k = k0 e largura k
(Fig.2.14(b)), de modo analogo ao caso do campo eletrico E(x, 0) descrito na
secao 2.1. Uma incerteza na determinacao de k implica numa incerteza no
momentum do eletron p = k. E possvel mostrar, pela transformada
de Fourier de uma funcao do tipo da Fig.2.14(a), que xk  1. Para um
eletron descrito por (x, 0) isto signica que

xp   , (2.45)

Este resultado tem a seguinte interpretacao: Se em uma medida ex-


perimental, a posicao do eletron e determinada com uma incerteza x, seu
momentum tambem tem uma incerteza p. Isto foi postulado em 1927 por
Heisenberg, sendo conhecido como o princpio da incerteza. Segundo este
princpio, em uma experiencia nao e possvel determinar exatamente o valor
da posicao do eletron x e seu momentum p simultaneamente. Existe uma
incerteza mnima no processo de medida que e dada por

xp /2 . (2.46)

Figura 2.14: (a) Pacote de ondas que descreve o estado de uma partcula livre localizada
numa regiao do espaco. (b) Transformada de Fourier do pacote de ondas mostrado em (a).
50 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Veja que no caso de uma funcao de onda plana como a da Eq. (2.44), o
momentum e bem determinado (p = 0), em contrapartida x .

Existe uma outra versao do princpio da incerteza, relativa a` deter-


minacao da energia do eletron E e o intervalo de tempo t necessario para
medi-la. Segundo Heisenberg, se a medida e efetuada em um intervalo t
nito, existe uma incerteza E na determinacao de E dada por
E t /2 . (2.47)

O princpio da incerteza, representado pelas equacoes (2.46) e (2.47), foi


assim proposto por Heisenberg numa epoca em que o conceito da funcao de
onda do eletron ainda nao era conhecido. Ele causou um profundo impacto na
Fsica e tambem gerou muitas especulacoes losocas. Na verdade, ele e uma
decorrencia natural do carater ondulatorio das partculas da materia, cuja
formalizacao e dada pela mecanica quantica, que sera estudada no proximo
captulo.

2.5 F
onons e outras Excita
coes Elementares em S
olidos

As quantizacoes da onda eletromagnetica e da onda de eletron sao apenas dois


exemplos de um fenomeno geral que ocorre com qualquer tipo de onda. Este
fenomeno e observado experimentalmente atraves de diversos efeitos e tem
uma explicacao rigorosa na teoria qu antica de campos. Qualquer onda e
formada por pacotes de energia , chamados quanta (plural de quantum)
de energia. Assim sendo, a energia de uma onda e discreta e tem valor igual
a um m ultiplo de . O quantum de uma onda tem comportamento tanto de
onda como de partcula, tendo energia e momentum dados por

E =  , (2.48)

p = k , (2.49)

que sao relacoes identicas `aquelas vistas anteriormente para ondas eletro-
magneticas e para eletrons. As excitacoes num solido tem carater de onda,
sendo portanto quantizadas. Os quanta das diversas ondas sao chamados de
Cap. 2 Ondas e Partculas na Materia 51

excita
coes elementares. Assim, um quantum de vibracao de rede e um
pacote de onda elastica, e recebe o nome de f
onon.

Ha muitas outras excitacoes elementares em solidos, em geral com nomes


terminados em on. O quantum de onda de spin em materiais magneticos e
o magnon. O de uma onda de plasma num metal ou semicondutor chama
plasmon. Outras excitacoes, que nao serao apresentadas neste livro sao os
excitons, polarons, polaritons, helicons, plasmaritons, rotons, etc.


REFERENCIAS

A. Chaves, Fsica, Ondas, Relatividade e Fsica Quantica, Reichmann &


Aonso Editores, Rio de Janeiro, 2001.
R. Eisberg e R. Resnick, Fsica Quantica, Editora Campus, Rio de Janeiro,
1988.
G.R. Fowles, Introduction to Modern Optics, Holt, Rinehart and Winston,
New York, 1975.
D. Halliday, R. Resnick e J. Walker, Fundamentos da Fsica, Livros Tecnicos
e Cientcos, Rio de Janeiro, 1995.
C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, J. Wiley, New York, 1996.
J. Leite Lopes, A Estrutura Qu
antica da Materia, Editora UFRJ, Rio de
Janeiro, 1992.
H.P. Ne, Jr., Introductory Electromagnetics, J. Wiley, New York, 1991.
O. Pessoa, Jr., Conceitos de Fsica Quantica, Livraria Editora da Fsica, Sao
Paulo, 2003.
52 Materiais e Dispositivos Eletronicos

PROBLEMAS

2.1 Aplique o operador rotacional () a` Eq.(2.3), utilize a Eq.(2.4), junta-


mente com as relacoes entre os campos e a identidade vetorial
( ) = ( ) 2 ( )
e mostre que num meio sem cargas ou correntes, o campo eletrico obedece
`a Eq.(2.5).
2.2 Considere um campo eletrico com amplitude que varia no tempo e no
espaco com uma funcao E(x, t): a) Mostre que esta funcao sera solucao
da equacao de ondas (2.6), se o argumento tiver a forma E(x, t) = f (x
vt) + g(x+ vt), onde f e g sao quaisquer funcoes diferenciaveis; b) Escolha
uma funcao f (x) em t = 0 que satisfaca a` equacao de ondas e faca um
graco qualitativo de sua variacao com x em dois instantes de tempo t > 0
quaisquer. Interprete o resultado.
2.3 Considere o campo eletrico E(x,
 t) = y E0 cos(kxt) de uma onda eletro-
magnetica plana: a) Mostre que esta forma de E e solucao da equacao
de ondas pela substituicao direta em (2.6); b) Mostre que esta funcao e
solucao da equacao de ondas, pois e um caso particular da solucao obtida
no problema 2.2; c) Faca um graco qualitativo de E em funcao de x para
t = 0 e obtenha a relacao com k e da distancia entre dois maximos
consecutivos da onda; d) Faca o graco de E em funcao de x para t = t
e relacione a velocidade de deslocamento de um maximo, x/t, com
e k.
2.4 Considere um pulso de onda eletromagnetico de forma gaussiana no ins-
tante t = 0,
2 /2L2
E(x, 0) = E0 ex cos k0 x
a) Faca um graco semi-quantitativo de E em funcao de x para E0 = 1
(unidades arbitrarias) e L = 5 2/k0 . Se voce tiver um computador
com impressora, faca o graco quantitativo usando k0 = 1; b) Determine
a funcao E(x, t) que descreve o pulso num instante arbitrario, t, pela
imposicao de que E(x, t) satisfaca a` Eq.(2.6); c) Repita o item a) para o
campo obtido no item b).
2.5 Mostre que no limite de grandes comprimentos de onda, a, a Eq.(2.22)
se reduz a uma equacao de ondas para uma variavel u contnua,
2u 2
2 u
= v
t2 x2
Cap. 2 Ondas e Partculas na Materia 53

2.6 As vibracoes da rede de um certo cristal podem ser descritas pelo modelo
unidimensional dado pela Eq.(2.22), com atomos de peso atomico 56 e
constante elastica C = 104 g/s2 : a) Calcule a velocidade de propagacao
da onda elastica na cadeia no limite de grandes comprimentos de onda,
a (ou ka
1), em cm/s, e compare com a velocidade da luz; b)
Calcule o valor maximo da freq uencia de vibracao da cadeia em rd/s e
em Hz.
2.7 A partir das medidas do efeito fotoeletrico mostradas na Fig.2.13: a)
Calcule a funcao trabalho do sodio, em eV; b) Calcule o potencial de
retardo V0 de uma celula com fotocatodo de sodio, iluminada por luz de
comprimento de onda = 350 nm.
2.8 Uma montagem de medida do efeito fotoeletrico utiliza uma celula com
fotocatodo de alumnio, cuja funcao trabalho e 4,2 eV. A luz ultravioleta
empregada tem comprimento de onda 180 nm: a) Qual e a freq uencia
de corte do alumnio?; b) Qual o potencial de retardo do alumnio para
este comprimento de onda?; c) Calcule a energia cinetica do eletron mais
rapido emitido; d) Qual e a energia do eletron no alumnio, que ao ser
emitido e o mais lento?
2.9 Um diodo emissor de luz de GaP emite luz de comprimento de onda 549
nm, com potencia 1 W: a) Qual e a energia, em eV, dos fotons emitidos
pelo diodo? b) Quantos fotons por segundo sao emitidos pelo diodo?
2.10 Numa experiencia de efeito fotoeletrico com um laser, luz de intensidade
1,0 watt e certa freq uencia, incide sobre um fotocatodo de ltio, cuja
funcao trabalho e 2,3 eV. a) Qual e o potencial de retardo para uma
frequencia cujo valor e o dobro da freq
uencia de corte? b) Suponha que a
cada dez fotons que chegam ao fotocatodo um eletron e emitido, e que o
potencial positivo aplicado entre anodo e catodo e tal que a corrente esta
saturada. Calcule o valor desta corrente, em amp`ere.
2.11 Um eletron e descrito por uma funcao de onda na forma de um pacote
gaussiano dado, em t = 0, por
2 /2L2
(x, 0) = A ex eik0 x ,

a) Faca um graco qualitativo de |(x, 0)|2 em


 funcao de x; b) A largura
do pacote pode ser caracterizada por x = < x2 > sendo < x2 >
o desvio medio quadratico da funcao em relacao ao seu valor medio xm ,

< x >= |(x, 0)|2(x xm )2 dx
2
54 Materiais e Dispositivos Eletronicos

b) Calcule x para o eletron; c) Calcule a transformada de Fourier (k)


da funcao de onda, utilizando a denicao da Eq.(2.16) com E substitudo
por . Faca um graco qualitativo de |(k)|2 e calcule a largura k do
pacote do mesmo modo que o item b); d) Calcule o produto xk e
interprete o resultado. Dados:
 
y 2 2
e dy = 2 y 2 ey dy =

2.12 Um eletron e um foton tem, cada um, um comprimento de onda de 3,0



A. Calcule as energias e os momentos de cada um e interprete o resultado.
2.13 A maxima resolucao de um microscopio e limitada pelo comprimento
de onda da radiacao utilizada, sendo a menor dist ancia que pode ser
observada igual ao comprimento de onda. Qual deve ser, em eV, a energia
dos eletrons num microscopio eletronico para que sua resolucao seja 10

A?
2.14 Mostre que a relacao de incerteza para uma partcula, em termos das
incertezas na posicao x e no comprimento de onda  que podem ser
medidos simultaneamente, e dada por:
x  2 /4

2.15 Se a incerteza na medida do comprimento de onda de um foton for


/ = 107 , qual sera a incerteza na medida da posicao de fotons
com = 5 104 A (raios ), 5
A (raios X) e 500 nm (luz visvel)?
2.16 As vibracoes da rede de um certo cristal diatomico podem ser descritas
pelo modelo unidimensional estudado na Secao 2.2, com atomos de pesos
atomicos 39 e 80 e constante elastica C = 104 g/s2 . a) Calcule o valor da
freq
uencia de vibracao da cadeia com k = 0, em rd/s e em Hz; b) Qual e
a energia do fonon correspondente a` vibracao do item a) em eV?; c) Para
que o fonon do item b) seja excitado ressonantemente por um foton de
mesma energia, qual deve ser o comprimento de onda deste foton e em
qual regiao do espectro eletromagnetico ele se situa?
Captulo 3

Mecanica Qu
antica: O El
etron

no Atomo

3.1 Os Postulados da Mec


anica Qu
antica 56

3.1.1 A Funcao de Onda 57


3.1.2 Operadores Quanticos 57
3.1.3 Valor Esperado de uma Grandeza 59
3.1.4 A Equacao de Schroedinger 60

3.2 A Equa
cao de Schroedinger Independente do Tempo 60

3.3 Aplica
c
oes Simples da Mec
anica Qu
antica 62

3.3.1 Eletron Livre 62


3.3.2 Eletron num Poco de Potencial Innito 65
3.3.3 Barreira de Potencial-Efeito T
unel 69

3.4 El
etron no Atomo de Hidrog
enio 73


3.5 Atomos de Muitos El
etrons 84


REFERENCIAS 86

PROBLEMAS 87

55
56 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Mec
anica Qu
antica: O El
etron no Atomo

3.1 Os Postulados da Mec


anica Qu
antica

O modelo de Bohr para o atomo com estados estacionarios e baseado no pos-


tulado de que o momentum angular do eletron em orbita circular em torno do
nucleo e quantizado. Este modelo, quando proposto em 1913, teve um grande
sucesso pois conseguiu explicar os resultados experimentais do espectro dis-
creto da radiacao emitida pelos atomos de um gas de hidrogenio. Apesar de
seu sucesso, o modelo de Bohr deixou os fsicos inquietos por causa da quan-
tizacao imposta ad-hoc. Seu misterio era tao grande quanto o da quantizacao
da energia de uma partcula executando um movimento harmonico simples,
proposta em 1900 por Planck. Durante anos os fsicos procuraram uma teo-
ria mais fundamental que explicasse os resultados de Planck e de Bohr. O
postulado de Broglie, relativo a` natureza ondulatoria da materia, abriu o ca-
minho para os princpios da mecanica quantica, enunciados por Schroedinger
em 1926. Na mesma epoca, Heisenberg desenvolveu uma teoria matricial que a`
primeira vista era distinta da de Schroedinger. Posteriormente vericou-se que
as duas formulacoes eram equivalentes e seus resultados eram identicos. Vamos
apresentar aqui apenas a formulacao de Schroedinger que e matematicamente
mais simples.

Alguns autores tentam justicar a equacao basica da mecanica quantica,


a equacao de Schroedinger, utilizando argumentos diversos. Entretanto ela e
uma equacao fundamental da Fsica, que nao pode ser deduzida a partir das
leis classicas. Sua melhor justicativa e o fato de seus resultados explicarem
as observacoes e medidas experimentais. A mecanica quantica e baseada nos
quatro postulados seguintes:
Cap. 3 Mec
anica Quantica: O Eletron no Atomo 57

3.1.1 A Fun
c
ao de Onda

O estado de um eletron, ou de qualquer partcula material, e caracterizado


por uma func ao de onda complexa (x, t). Em tres dimensoes, e na
realidade funcao de r e nao de x, mas vamos manter x por simplicidade.
e suas derivadas em relacao a x sao contnuas, nitas e unvocas. Se num
instante t zermos uma medida para determinar a localizacao da partcula
com funcao de onda (x, t), a probabilidade de encontra-la entre x e x + dx
e dada por P (x, t) dx, onde

P (x, t) = (x, t) (x, t) . (3.1)

Como a probabilidade de encontrar a partcula em todo o espaco e 1,


 
P (x, t) dx = (x, t) (x, t) dx = 1 . (3.2)

Esta condicao e suciente para determinar a amplitude da funcao de


onda com uma forma conhecida. Dizemos que a funcao de onda que satisfaz
(3.2) esta normalizada.

3.1.2 Operadores Qu
anticos

Com a funcao de onda podemos determinar a probabilidade de localizacao


de uma partcula em qualquer instante. Entretanto, para calcular outras
grandezas relativas ao seu movimento e preciso introduzir o conceito de opera-
dor. A cada grandeza fsica corresponde um operador matematico, que opera
na funcao de onda.

O operador relativo ao momentum em uma dimensao, digamos x, e



pop = i , (3.3)
x

onde i e a unidade imaginaria. Veja o que acontece quando (3.3) opera na


funcao de onda plana de um eletron livre dada pela Eq. (2.44)

pop (x, t) = i A eik0 xit = k0 (x, t) . (3.4)
x
58 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Ora, k0 e o momentum de um eletron livre proposto por de Broglie. Entao


importante chamar a atencao de
a denicao (3.3) esta bastante razoavel. E
que quando um operador e aplicado a uma funcao de onda, em geral nao se
obtem diretamente o valor da grandeza fsica a ele associado, como na Eq.
(3.4). Quando um operador aplicado a , reproduz multiplicada por uma
constante, dizemos que e uma autofuncao do operador. Assim, se
pop = p , (3.5)

e uma autofun ao de pop , sendo p o autovalor. Quando isto ocorre, o


c
momentum da partcula e bem determinado, ou seja, sua incerteza e nula.
Este e o caso do eletron descrito por (2.44).

No caso mais geral de tres dimensoes, o operador momentum e




pop = i = i x + y + z . (3.6)
x y z

Outro operador importante e o da energia, dado por,



Eop = i . (3.7)
t

Para um eletron livre



Eop (x, t) = i A eik0 xit =  (x, t) . (3.8)
t

Logo, a funcao de onda de um eletron livre tambem e uma autofuncao


do operador energia, com autovalor
E =  , (3.9)

o que tambem esta em acordo com a teoria de Broglie.

A partir destes operadores e possvel construir outros. Por exemplo, a


energia cinetica e
1 2 2 2
Top = pop =
pop . . = (3.10)
2m 2m 2m

onde m e a massa da partcula e, em coordenadas cartesianas,


2 2 2
2 = + + (3.11)
x2 y 2 z 2
Cap. 3 Mec
anica Quantica: O Eletron no Atomo 59

e o operador Laplaciano. No caso particular de uma dimens


ao
2 2
Top = (3.12)
2m x2

A Tabela abaixo apresenta os operadores quanticos correspondentes a


algumas grandezas classicas importantes.

Grandeza Cl
assica Operador Qu
antico
x x
r r
px i/x
p i
E i/t
T (2 /2m)2

L ir

3.1.3 Valor Esperado de uma Grandeza

Como foi dito anteriormente, quando um operador atua numa funcao de onda,
em geral o valor da grandeza associada nao aparece imediatamente. Neste
caso, o valor da grandeza nao pode ser determinado com precisao, ele tem
uma incerteza. Podemos, no entanto, calcular o valor mais provavel, ou seja,
seu valor medio no sentido estatstico, chamado valor esperado.

Sendo a funcao normalizada,



dxdydz = 1 , (3.13)

o valor esperado < Q > de uma grandeza associada a um operador Qop e dado
por, 
< Q >= Qop dxdydz . (3.14)

comum tambem representar o valor esperado de um operador por Q.


E
60 Materiais e Dispositivos Eletronicos

3.1.4 A Equa
c
ao de Schroedinger

A evolucao da funcao de onda de uma partcula em um sistema fsico e de-


terminada por uma equacao diferencial proposta por Schroedinger. Como foi
dito anteriormente, esta equacao nao pode ser deduzida. E preciso aceita-la,
utiliza-la em varias aplicacoes, ate que ela se torne familiar. A equacao de
Schroedinger exprime que a energia total de uma partcula, em termos de ope-
radores atuando sobre a funcao de onda, e a soma da energia cinetica com a
potencial. Ela pode ser escrita da seguinte forma,
(Top + Vop ) = Eop . (3.15)

Utilizando (3.7) e (3.10) obtemos


2 2 (r, t)
(r, t) + Vop (r, t) = i , (3.16)
2m t

onde o operador Vop representa o potencial de interacao a que a partcula esta


sujeita numa dada situacao fsica, variando, evidentemente, de um problema
para outro. Se o movimento da partcula esta restrito `a coordenada x, a
Equacao de Schroedinger se reduz `a
2 2
2
+ V = i . (3.17)
2m x t

De agora em diante vamos deixar de usar o ndice op no operador para sim-


plicar a notacao. A Eq.(3.16) e uma equacao diferencial de derivadas parciais
que tem, para cada potencial V , uma innidade de solucoes. As solucoes para
cada problema sao limitadas pelas condicoes de contorno que e /x de-
vem obedecer, bem como pela condicao de normalizacao (3.2) que amarra as
amplitudes das funcoes de onda. A Eq. (3.16) tem outra caracterstica impor-
tante, ela e uma equacao diferencial linear, pois os operadores e as funcoes sao
elevados `a potencia um. Uma propriedade importante das equacoes lineares e
que a superposicao de duas ou mais de suas solucoes, tambem, e sua solucao
(ver o Problema 3.1).

3.2 A Equa
cao de Schroedinger Independente do Tempo

Quando o potencial V nao varia no tempo, o primeiro passo para resolver


(3.16) e fazer uma separacao de variaveis. Esta e uma tecnica comum para
Cap. 3 Mec
anica Quantica: O Eletron no Atomo 61

resolver equacoes de derivadas parciais.

Se V nao e funcao de t, e possvel encontrar para (r, t) uma solucao do


tipo
(r, t) = (r)(t) , (3.18)

onde (r) e (t) sao funcoes apenas das variaveis r e t respectivamente. Subs-
tituindo (3.18) em (3.16) obtemos:

2 2 (t)
(r) (t) + V (r)(r)(t) = i (r) . (3.19)
2m t

Dividindo os dois membros pelo produto (r)(t) vem




1 2 2 1 (t)
(r) + V (r)(r = i . (3.20)
(r) 2m (t) t

Veja que o lado direito de (3.20) nao depende de r, enquanto que o lado
esquerdo nao depende de t. Em conseq uencia, o valor comum dos dois lados
nao pode depender de r ou de t, devendo entao ser uma constante, que vamos
chamar de E. A equacao obtida igualando o lado direito de (3.20) a E e,
d(t) E
= i (t) . (3.21)
dt 

Note que substitumos o smbolo da derivada parcial pelo da derivada total,


pois (t) so e funcao de t. A solucao de (3.21) e

E
(t) = exp i t . (3.22)


Vemos que (t) e uma funcao oscilante no tempo com frequencia angular =
E/. Assim sendo, podemos associar a constante E introduzida na separa-
cao de variaveis com a energia do estado cuja funcao de onda e solucao da
Eq.(3.16).

A equacao obtida igualando o lado esquerdo de (3.20) a E e uma equacao


diferencial com variaveis do espaco:
2 2
(r) + V (r) (r) = E (r) . (3.23)
2m
62 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Ela e conhecida como a Equacao de Schroedinger independente do tempo. O


operador energia total tambem e chamado o Hamiltoniano do sistema, o que
permite escrever (3.23) na forma,

H (r) = E (r) , (3.24)

onde
2 2
H= + V (r) . (3.25)
2m

A Eq.(3.24) e uma equacao de autovalores. Sua solucao da a parte es-


pacial das autofun c
oes, bem como os autovalores de energia correspondentes.
A solucao completa de (3.16) ca entao

E
(r, t) = (r) exp i t , (3.26)


onde (r) representa a autofuncao com energia E. Veja que a densidade de


probabilidade de encontrar a partcula com funcao de onda (3.26) na posicao
r,
P (r, t) = (r, t)(r, t) = |(r)|2 , (3.27)

e independente do tempo. Isto signica que se uma partcula tem num certo
instante uma funcao de onda dada por uma autofuncao do tipo (2.44), ela
permanece indenidamente com a mesma funcao. Dizemos que a partcula
nesta situacao permanece num estado estacion ario. Vamos agora utilizar a
equacao de Schroedinger em algumas aplicacoes simples.

3.3 Aplica
c
oes Simples da Mec
anica Qu
antica

3.3.1 El
etron Livre

O exemplo mais simples de aplicacao da equacao de Schroedinger e o de um


potencial uniforme, V (r) = constante. Classicamente, uma partcula nesse
potencial e sujeita a uma forca F = V = 0. Portanto, ela e uma partcula
livre e move-se com velocidade constante. Como o valor do potencial constante
nao inui no movimento, tomamos V = 0. Supondo que o eletron se desloca
Cap. 3 Mec
anica Quantica: O Eletron no Atomo 63

na direcao x, a Eq.(3.23) ca
2 d2 (x)
= E (x) . (3.28)
2m dx2

A solucao desta equacao pode ser escrita na forma


(x) = A eikx + B eikx . (3.29)

Substituindo (3.29) em (3.28) vemos que


2 k 2
E= . (3.30)
2m

Como (t) = exp(iEt/), a primeira parcela de (3.29) representa uma onda


plana propagando na direcao de x positivo:
(x, t) = A eikxit . (3.31)

Esta e a funcao de onda de uma partcula livre, movendo-se com velocidade


constante na direcao +x, como tinha sido antecipado na Eq.(2.44). Da mesma
forma, a funcao de onda correspondente a` segunda parcela de (3.29) corres-
ponde a um eletron movendo-se no sentido x. Em ambos os casos, o momen-
tum p = k e relacionado com a energia pela expressao (3.30), que pode ser
escrita na forma,
p2
E= . (3.32)
2m

Como esperado, a energia e exatamente a energia cinetica, pois trata-se de


uma partcula livre. Veja que neste problema nao ha qualquer condicao que
restrinja o valor de E, que pode variar continuamente entre 0 e . Note que
da Eq. (3.30) pode-se obter a relacao de dispers ao (k) do eletron livre.
Usando E =  obtemos
 2
(k) = k , (3.33)
2m

que e a funcao parabolica ilustrada na Fig.3.1.

A partcula com a funcao de onda (3.31) comporta-se como uma onda


que preenche todo o espaco, tendo comprimento de onda
2
= , (3.34)
k
64 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 3.1: Relacao de dispers


ao
parab
olica de um eletron livre.

onde

2mE
k= . (3.35)


Todos os resultados acima estao em completo acordo com a teoria de


de Broglie estudada no Captulo 2. Veja que se a funcao de onda (3.31) for
normalizada atraves da Eq.(3.2) obtemos A 0. Portanto, nao faz sentido
normalizar (3.31) em todo o espaco. Na verdade, nao ha muito sentido fsico
em considerar uma partcula em todo o espaco. Entretanto, ondas planas do
tipo (3.31) podem ser usadas matematicamente para construir um pacote de
onda como o da Fig.2.14(a), que representa uma partcula connada em uma
regiao do espaco. Ora, sabemos que um pacote como este propaga com a
velocidade de grupo


vg = . (3.36)
k  k0

Utilizando a relacao de dispersao (3.33) obtemos a velocidade de uma partcula


representada por este pacote


vpart = vg = k0 . (3.37)
m

O momentum desta partcula e entao

p = m vpart =  k0 , (3.38)

que esta em acordo com o conceito introduzido por de Broglie.


Cap. 3 Mec
anica Quantica: O Eletron no Atomo 65

3.3.2 El
etron num Poco de Potencial Infinito

Vamos obter os estados estacionarios de uma partcula de massa m que se


movimenta livremente no interior de um poco de potencial com paredes inni-
tamente altas, em uma dimensao. Este poco, mostrado na Fig.3.2, representa
aproximadamente a situacao de um eletron livre connado ao interior de um
solido. O fenomeno que impede sua sada pelas superfcies do solido e a atracao
eletrostatica exercida pelos atomos ou ons do solido. Na verdade, como sabe-
mos, este poco nao e innito, pois o eletron pode ser arrancado do solido, como
no efeito fotoeletrico.

As autofuncoes da equacao de Schroedinger (3.24) para este problema


sao determinadas da mesma forma que para um potencial uniforme, sendo
neste caso:

0 0<x<L
V (x) = (3.39)
x0 ; xL

No intervalo 0 < x < L a equacao e identica a do eletron livre, e portanto


sua solucao e igual a (3.29),
(x) = A eikx + B eikx (0 < x < L) , (3.40)

sendo E = (k)2 /2m. Em x 0 e x L, = 0 pois o potencial innitamente


grande nao permite que o eletron esteja nesta regiao. Como o momentum do
eletron, dado por id/dx, nao pode ser innito, deve ser uma funcao
contnua em x, e portanto
(x = 0) = (x = L) = 0 . (3.41)

Usando a condicao de contorno acima em (3.40) obtemos B = A. As auto-

Figura 3.2: Poco de potencial


com paredes innitamente altas.
66 Materiais e Dispositivos Eletronicos

funcoes do poco de potencial innito sao entao


n (x) = An senkn x . (3.42)

A condicao (L) = 0 imposta a (3.42) restringe os valores de kn a



kn = n (n = 1, 2, 3, 4, ...) . (3.43)
L

Ao contrario do eletron livre, o eletron no poco de potencial innito nao


pode ter um valor qualquer de energia. As energias possveis sao dadas por
E = (k)2 /2m, ou seja, E so pode assumir valores discretos,
2 2 2
En = n , (3.44)
2mL2

onde n e chamado um n umero qu antico, pois corresponde a valores quanti-


zados da energia. Os En sao chamados autovalores e os n sao as autofuncoes
da equacao para o poco innito.

A Fig.3.3 mostra uma representacao das funcoes de onda e das energias


correspondentes, para os quatro primeiros valores do n umero quantico n.

Figura 3.3: Funcoes de onda e correspondentes energias de uma partcula num poco de
potencial innito, para os quatro primeiros valores do n
umero qu
antico n.
Cap. 3 Mec
anica Quantica: O Eletron no Atomo 67

Alguns resultados deste problema simples sao, pelo menos qualitativa-


mente, de validade bastante geral para pocos de potencial, independentemente
de sua forma detalhada. Sao eles:

Partculas cujo movimento e connado a uma regiao limitada do espaco


so podem ocupar estados (estacionarios) de energia discreta, ou seja, tem
energia quantizada. Matematicamente isto decorre das condicoes de
contorno impostas a`s funcoes de onda nos limites da regiao. Esta e a
mesma razao pela qual uma corda presa nas extremidades s o pode vibrar
em certas freq uencias discretas. O estado de menor energia e chamado
estado fundamental.
A funcao de onda de um estado connado a uma regiao do espaco tem um
certo numero de zeros, que e tanto maior quanto maior for sua energia.

Exemplo 3.1: Uma partcula est


a no estado fundamental num poco de potencial innito de largura
L. Calcule: a) Os valores esperados da posicao x e do momentum px ; b) Os desvios medios
aticos de x e de px .
quadr

a) A funca
o de onda da partcula no estado fundamental e dada por (3.42) e (3.43) com n = 1,
= A sen (x/L). Para normalizar a funca o de onda usamos a condica
o (3.1),
L   L   L
    x 
A2 sen2 x dx = A2 sen2 x dx = A2 sen2 x d =1.
0 L 0 L 0 L L

Como sen2 = (1 cos 2)/2, o integrando pode ser dividido em duas parcelas. Fazendo
(x/L), e f
acil ver que a integral da primeira parcela e /2 e a da segunda e nula. Ent
ao,

2L
2
A = 1 , logo A = .
2 L

O valor esperado de x e
 L    L A2  2

x= x dx = A2 x sen2 x dx = x 1 cos x dx
0 L 0 2 L

Para calcular esta express


ao usamos a seguinte integral que pode ser resolvida por partes,
 1 x
x cos ax dx = cos(ax) + sen(ax) .
a2 a

Aplicando este resultado na integral denida e usando a = 2/L, vericamos que a segunda
ao de x e nula. Assim,
parcela da integral na express

A2
L A2 L2 L
x= x dx = =
2 0 2 2 2
68 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Este resultado era, de certa forma, esperado, pois uma partcula que se movimenta livremente
entre x = 0 e x = L tem uma posica o media em x = L/2.
O valor esperado do momentum e,

L    
px = (i) dx = iA2 sen x cos x dx
x L L L

2 L   0

A 2
= i sen x dx = 0
2 L 0 L

Este resultado tambem e natural, pois uma partcula que vai e volta dentro de uma caixa,
com energia constante, tem velocidade media nula.
b) O desvio medio quadr
atico de x e denido por

x2 =< x2 x2 >

Ent
ao
 L L2
  
x2 = A2 x2 sen2 x dx
0 4 L

A2
 L L2
 2

= x2 1 cos x dx
2 0 4 L

Para resolver esta express


ao, usamos o resultado,
 2x cos(ax) a2 x2 2
x2 cos(ax) dx = 2
+ sen(ax) .
a a3

Ap
os algumas contas simples obtemos, nalmente,
 2  
L 2 6
x2 = = 0, 033 L2
2 3

O desvio medio quadr


atico do momentum pode ser calculado de maneira semelhante. O
resultado e,
  2

p2x =
L

interessante notar que as incertezas na determinaca


E o da posica
o e do momentum podem
ser consideradas como as razes quadradas dos desvios medios quadr
aticos. Assim,
 1/2 
x = x2 = 0, 033L = 0, 18 L
 1/2
px = p2x = .
L
O produto dessas duas grandezas d
a,

x px = 0, 18  = 0, 57  .

Este resultado e consistente com o princpio da incerteza, que estabelece como limite mnimo
para o produto das incertezas o valor de /2.
Cap. 3 Mec
anica Quantica: O Eletron no Atomo 69

3.3.3 Barreira de Potencial-Efeito T


unel

Considere um eletron livre, propagando na direcao +x, que encontra uma


barreira de potencial de altura V0 maior do que sua energia E, como ilustrado
na Fig.3.4.

Se a regiao 1 e semi-innita a energia do eletron nao e quantizada. Dese-


jamos saber o que acontece com o eletron ao encontrar a barreira de potencial
maior do que sua energia. Na regiao 1, como vimos anteriormente, a funcao
de onda do eletron e dada por

1 (x) = A eikx + B eikx , (3.45)

sendo k = (2mE)1/2 /. Na regiao 2 a equacao de Schroedinger leva a


d2 2m
= 2 (V0 E) . (3.46)
dx 2 

Sendo (V0 E) > 0, a solucao de (3.46) e

2 (x) = C ex + D ex , (3.47)

onde 
= 2m(V0 E)/ . (3.48)

Veja que na Eq.(3.47) a primeira parcela e uma funcao que cresce expo-
nencialmente com x enquanto a segunda decai exponencialmente. Isto e uma
conseq
uencia do fato de a energia do eletron ser menor que a altura da barreira

Figura 3.4: Barreira de potencial.


70 Materiais e Dispositivos Eletronicos

de potencial. No caso de E > V0 , o expoente em (3.48) e imaginario, e as


duas parcelas em (3.47) representam ondas propagantes (Problema 3.6).

Para determinar as quatro constantes A, B, C e D que aparecem em


(3.45) e (3.47) e preciso usar as condicoes de contorno para a funcao de onda.
Para x , a Eq.(3.47) mostra que 2 se C = 0. Como a funcao de
onda nao pode divergir, a constante C deve ser nula.

Em x = 0 as funcoes de onda nas duas regioes devem ser iguais, pois


e contnua em todo o espaco. Fazendo C = 0, em (3.47), obtemos com
1 (0) = 2 (0),
A+B =D . (3.49)

Em x = 0 a derivada de em relacao a x tambem deve ser contnua,


 
d1  d2 
= , (3.50)
dx 0 dx 0

porque se isto nao fosse verdadeiro, a energia cinetica, que e proporcional a


d2 /dx2 seria innita em x = 0. Usando (3.45) e (3.47) em (3.50), obtemos
ik(A B) = D . (3.51)

Com as duas condicoes (3.49) e (3.51) podemos determinar as amplitudes


da onda reetida B e da onda transmitida D em funcao da amplitude da onda
incidente A:
2k (k i)
D= A , B= A . (3.52)
k + i k + i

Veja que na regiao 2 a funcao de onda do eletron e


2 (x) = D ex , (3.53)

o que mostra que existe uma certa probabilidade do eletron ser encontrado
na regiao 2. Este e um efeito puramente quantico, pois classicamente uma
partcula seria totalmente reetida por uma barreira do potencial maior do
que sua energia. Como ilustrado na Fig.3.5, 2 (x) decai exponencialmente
com x e podemos ter 2 (x = a) > 0. Assim, se a barreira tiver uma espessura
nita a, a probabilidade do eletron atravessa-la sera, aproximadamente,
|2 (a)|2 = e2a . (3.54)
Cap. 3 Mec
anica Quantica: O Eletron no Atomo 71

Figura 3.5: Comportamento espacial da funcao de onda para uma partcula sujeita a uma
barreira de potencial, como na Fig.3.4.

Este fenomeno quantico e chamado efeito t unel, pois classicamente o eletron


so atravessaria a barreira de potencial se houvesse um t unel sob ela. Note que
o resultado (3.54) e aproximado, porque se tivessemos considerado a largura
da barreira nita desde o incio nao poderamos ter feito C = 0. Entretanto,
se exp(2a) e sucientemente pequeno, a amplitude C da onda reetida
em x = a e desprezvel e a expressao (3.54) e uma boa aproximacao para o
resultado exato.

Exemplo 3.2: Outra aplicacao importante da mecanica quantica e a de uma partcula de massa
m submetida a uma interaca
o com um potencial de oscilador harm onico simples do tipo,
1 1
V (x) = kx2 = m 02 x2 ,
2 2

 2
onde 0 = k/m e a freq es 0 (x) = A0 eax
uencia natural do oscilador. Verique que as funco
ax2
e 1 (x) = A1 x e s
ao autofunco
es da equaca
o de Schroedinger para o oscilador harm onico e
determine suas energias.

A equaca
o de Schroedinger para o oscilador harm
onico tem a forma,

2 d2 1
+ m 02 x2 = E .
2m dx2 2

Para o estado fundamental temos as seguintes derivadas de 0 ,


d0 2
= 2ax A0 eax ,
dx
d2 0 2 2
= 2a A0 eax + 4a2 x2 A0 eax .
dx2
72 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Substituindo na equaca
o vem,
2  2 2
 1 2 2
2a A0 eax + 4a2 x2 A0 eax + m 02 x2 A0 eax = E A0 eax .
2m 2

2
Cancelando o fator comum A0 eax obtemos,
2 2 1
a2 a2 x2 + m 02 x2 = E .
m m 2

Para que esta equacao seja satisfeita para qualquer valor de x, e necess
ario que o termo em
x2 seja nulo. Isto permite obter o valor da constante a,
m 0
a= .
2

Substituindo esta express


ao na equaca
o anterior vem,
2 a 1
E= =  0 .
m 2

Esta e a energia do estado fundamental. O procedimento para obter a energia do estado


1 e semelhante. Calculamos a derivada d2 1 /dx2 , substitumos na equaca
o de Schroedinger e
cancelamos o fator comum, obtendo,
2  1
2ax 4ax + 4a2 x3 + m 02 x3 = xE .
2m 2

Neste caso e preciso anular separadamente todos os termos com potencias iguais de x. O
termo em x3 leva ao mesmo valor de a obtido para o estado fundamental, enquanto o termo em x
d
a,
2 a 3
E=3 =  0 .
m 2

Esta e a energia do primeiro estado excitado, cuja funca o de onda e precisamente 1 . A


soluca
o geral da equacao de Schroedinger para o oscilador harm onico, que est
a apresentada em
detalhe nos livros de mec anica qu
antica, e dada por funco
es do tipo,
 2
n (x) = c0 + c1 x + c2 x2 + cn xn eax ,

onde a funcao entre parenteses e conhecida como polinomio de Hermite. A demonstraca o de que esta
expressao e autofunca
o da equaca o de Schroedinger para o oscilador harm
onico e feita de maneira
an
aloga ao que zemos para n = 0 e n = 1, que correspondem aos dois estados de menor energia.
A soluca
o geral mostra que a energia do estado excitado de ordem n e dada por,
 1

En = n+  0 .
2

Este e um resultado importante que mostra que os nveis de energia dos estados do oscilador
harm ao igualmente espacados, com uma diferenca entre dois nveis consecutivos de  0 .
onico est
Cap. 3 Mec
anica Quantica: O Eletron no Atomo 73

3.4 El
etron no Atomo de Hidrog
enio

Uma das aplicacoes simples mais importantes da mecanica quantica e no atomo


de hidrogenio. Foi este um dos primeiros problemas que Schroedinger tratou
com sua equacao. A concordancia que ele obteve com os autovalores de energia
do modelo de Bohr constituiu o primeiro teste importante da validade de sua
teoria.

O atomo de hidrogenio e o mais simples de todos, pois tem apenas um


eletron de carga e em torno de um proton de carga +e. O potencial que atua
sobre o eletron e devido a` energia de interacao eletrostatica:
e2 1
V (r) = , (3.55)
40 r

onde r e a distancia entre o eletron e o proton. Apesar da simplicidade deste


potencial, a solucao da equacao de Schroedinger e razoavelmente complicada
por causa de sua natureza tridimensional. Para resolve-la mais facilmente
devemos usar um sistema de coordenadas esfericas, ilustrado na Fig.3.6, que
utiliza as variaveis r, e para caracterizar a posicao do eletron em relacao
ao nucleo. Em coordenadas esfericas o operador Laplaciano, que aparece na
Equacao de Schroedinger, tem a seguinte forma
 
1 2 1 2 1
= 2
2
r + 2 2 + sen . (3.56)
r r r r sen 2 r 2 sen

Para resolver a equacao de Schroedinger (3.24) com o potencial V (r)


dado por (3.55) e o Laplaciano (3.56), vamos supor que a massa do proton e

Figura 3.6: Coordenadas esfericas


(r, , ) de ponto P com coordenadas
cartezianas (x, y, z).
74 Materiais e Dispositivos Eletronicos

innitamente maior que a do eletron. Isto corresponde a dizer que o eletron


se movimenta em torno do n ucleo sem que este se desloque, o que reduz o
problema de duas partculas ao de apenas uma. Na Eq. (3.24) podemos entao
desprezar a energia cinetica do proton, o que nao seria possvel se sua massa
nao fosse muito grande. Como o potencial (3.55) depende apenas da variavel
r, e possvel encontrar solucoes para a equacao de Schroedinger da forma
(r, , ) = R(r) () () . (3.57)

Esta solucao permite separar a equacao diferencial parcial com tres


variaveis em tres equacoes diferenciais ordinarias nas variaveis r, e , se-
melhantemente ao que foi feito para tratar a Eq.(3.16). Substituindo a solucao
(3.57) na Eq. (3.24) com o Laplaciano (3.56) obtemos:


2 1 2 R 1 2 R
r + +
2m r 2 r r r 2 sen2 2

1 R
sen + V (r) R = E R .
r 2 sen

Operando as derivadas parciais segue que,



 
2 d 2 dR R d2 R d
r + 2 2 + sen
2m r 2 dr dr r sen d2 r 2 sen d

+V (r) R = E R .

Nesta equacao substitumos o smbolo da derivada parcial pelo da


derivada total porque as funcoes dependem de apenas uma variavel. Multipli-
cando todos os termos por 2mr 2 sen2 /(R 2 ) e rearrumando as parcelas
vem
 
1 d2 sen2 d 2 dR sen d d 2m
= r sen 2 r 2 sen2 [E V (r)] .
d 2 R dr dr d d 
(3.58)

Como o lado esquerdo desta equacao nao depende de r ou , enquanto que o


direito nao depende de , seu valor comum deve ser uma constante, que vamos
designar por m2 . Assim obtemos duas equacoes
d2
= m2 , (3.59)
d2
Cap. 3 Mec
anica Quantica: O Eletron no Atomo 75

 
1 d 2 dR 1 d d 2m m2
r sen 2 r 2 [E V (r)] = 2 .
R dr dr sen d d  sen
(3.60)

A Eq.(3.59) pode ser resolvida por uma funcao de , enquanto que a Eq.(3.60)
pode ser reescrita na forma

 
1 d 2 dR 2mr 2 m2 1 d d
r + [E V (r)] = sen ,
R dr dr 2 sen2 sen d d

que tambem pode ser separada nas variaveis r e . Usando como constante de
separacao ( + 1), obtemos as equacoes nas variaveis r e :

1 d d m2
sen +  2 = ( + 1) (3.61)
sen d d sen


1 d 2 dR 2m R
r + 2 [E V (r)]R = ( + 1) 2 . (3.62)
r 2 dr dr  r

As equacoes (3.59), (3.61) e (3.62) sao agora independentes uma das outras
e podem ser resolvidas separadamente. A solucao completa para a funcao de
onda do eletron e o produto das tres solucoes daquelas equacoes.
facil ver
Vamos considerar inicialmente a equacao (3.59) para (). E
que sua solucao e
() = eim . (3.63)

Matematicamente esta funcao e solucao da equacao (3.59) para qualquer valor


de m . Entretanto, sicamente a funcao de onda do eletron deve ter para = 0
o mesmo valor que em = 2, 4, 6, etc. Isto requer que m tenha apenas
os seguintes valores
|m | = 0, 1, 2, 3, ... (3.64)

ou seja, m deve ser um inteiro, positivo ou negativo; ele e um n umero


quantico. As solucoes das Eq.(3.61) e (3.62) sao bem mais complexas. Entre-
tanto elas sao equacoes bem conhecidas, estudadas exaustivamente em disci-
plinas de calculo avancado. As solucoes de (3.61) sao os chamados polinomios
76 Materiais e Dispositivos Eletronicos

de Legendre associados, e sao nitas somente se  for um n


umero inteiro, po-
sitivo, limitado por
|m |  . (3.65)

As solucoes da equacao radial (3.62) sao os polinomios de Laguerre, que sao


nitas se a constante E for dada por
me4
E= , (3.66)
22 (40 )2 n2

onde n tambem e um n
umero inteiro, que satisfaz a relacao
0 n1 . (3.67)

A constante E da Eq.(3.66) e o autovalor de energia da funcao de onda no


atomo de hidrogenio. Este resultado signica que a energia do eletron no
atomo de hidrogenio e quantizada (discreta), semelhantemente ao que ocorre
no poco de potencial innito estudado na secao 3.3. Substituindo as constantes
em (3.66) podemos exprimir a energia em eV,
13, 6
E= eV . (3.68)
n2

A Fig.3.7 ilustra os nveis de energia do poco de potencial innito e do


poco Coulombiano do eletron no atomo (V = A/r). Note que em ambos os
casos o menor valor de energia nao e o do potencial no fundo do poco, mas sim
um valor acima deste chamado energia de ponto-zero, ou energia do estado
fundamental.

A solucao geral da Equacao de Schroedinger para o eletron no atomo de


hidrogenio e dada pelo produto das tres funcoes nas variaveis r, e , solucoes
de (3.59), (3.61) e (3.62), que pode ser escrita na forma
nm (r, , ) = Rn (r)m ()m () , (3.69)

onde

m () = eim

m () = sen|m | (polinomio em cos )

Rn (r) = eCr/n r  (polinomio em r) .


Cap. 3 Mec
anica Quantica: O Eletron no Atomo 77

Figura 3.7: (a) Representacao de um poco de potencial ao qual um eletron esta submetido
pelo n
ucleo de um atomo. (b) Diagrama de um modelo de caixa retangular de potencial que
se aproxima, grosseiramente, do potencial visto pelo eletron em torno de um n ucleo.

sendo C uma constante. Embora os autovalores de energia do eletron no


atomo com o potencial Coulombiano so dependam do n umero quantico n, as
funcoes de onda dependem tambem de  e m . O fato de haver tres n umeros
quanticos, em vez de um apenas como no poco de potencial estudado na secao
3.3, e uma conseq uencia da equacao de Schroedinger para o atomo conter
tres variaveis independentes. Agrupando as condicoes (3.64), (3.65) e (3.67),
podemos escrever as relacoes entre os n umeros quanticos na forma

no quantico principal: n = 1, 2, 3, ...


no quantico azimutal:  = 0, 1, 2, ...n 1
no quantico magnetico: m = ,  + 1, ...0, ... 1,  .

 e chamado n umero quantico azimutal porque ele determina a variacao


angular de nm . m e chamado n umero quantico magnetico porque dene a
separacao de energia entre os nveis quando o atomo e colocado em um campo
magnetico. A Tabela 3.1 mostra as autofuncoes normalizadas correspondentes
aos tres primeiros valores de n para um atomo com n ucleo de carga +Ze (Z e
78 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Nos
qu
anticos Autofun
coes
n  m
3/2
1 0 0 100 = 1 Z
eZr/a0
a0

3/2 
2 0 0 200 = 1 Z
2 Zr
eZr/2a0
4 2 a0 a0

3/2
2 1 0 210 = 1 Z Zr
eZr/2a0 cos
4 2 a0 a0

3/2
1
2 1 1 211 =
8
Z
a0
Zr
a0 eZr/2a0 sen ei

3/2 2 2

1
3 0 0 300 =
81 3
Z
a0 27 18 Zr Z r
a0 + 2 a2 eZr/3a0
0

3/2 
3 1 0 310 = 2 Z
6 Zr Zr
eZr/3a0 cos
81 a0 a0 a0

3/2 
1
3 1 1 311 =
81
Z
a0 6 Zr
a0
Zr
a0 eZr/3a0 sen ei

3/2
1 Z 2 r2
3 2 0 320 =
81 6
Z
a0 a20
eZr/3a0 (3 cos2 1)

3/2
1 Z 2 r2
3 2 1 321 =
81
Z
a0 a20
eZr/3a0 sen cos ei

3/2
1 Z 2 r2
3 2 2 322 = 162
Z
a0 a20
eZr/3a0 sen2 e2i

Tabela 3.1: Autofuncoes de um atomo com Z pr otons no n


ucleo e um eletron para os
primeiros valores de n. a0 = 4 0 2 /me2 e o raio de Bohr.

o n
umero atomico) e apenas um eletron. A funcao de onda 100 corresponde
ao estado de menor energia, chamado estado fundamental.

Veja que as funcoes de onda 200 , 210 e 211 sao bastante diferentes
umas das outras mas tem a mesma auto-energia, pois todas tem n = 2. Os
estados com diferentes funcoes de onda que tem a mesma energia sao chamados
degenerados. E comum encontrar solucoes da equacao de Schroedinger que
sao estados degenerados.
Cap. 3 Mec
anica Quantica: O Eletron no Atomo 79

Para entender o signicado das autofuncoes do atomo de hidrogenio,


vamos calcular algumas grandezas a elas associadas. A primeira e a funcao
densidade de probabilidade . Como nao podemos fazer seu graco em
funcao das tres coordenadas simultaneamente, vamos considerar cada uma
delas separadamente. Inicialmente consideramos a dependencia em r. Como a
probabilidade de encontrar o eletron no volume elementar d3 r e d3 r, nao
faz sentido estudar o comportamento somente de , pois em coordenadas
esfericas d3 r = r 2 sendrdd tambem depende de r. Consideramos entao a
densidade de probabilidade radial P (r), denida de modo que P (r)dr e a
probabilidade de encontrar o eletron com a coordenada radial entre r e r + dr.
Para a funcao de onda nm , esta densidade e dada por (Problema 3.16)

Pn (r) = r 2 Rn (r)Rn (r) , (3.70)

onde o fator r 2 e devido ao volume da regiao entre as esferas de raio r e


r + dr. Veja que o n umero quantico m nao inuencia na densidade radial
pois a funcao exp(im ) desaparece no produto com o complexo conjugado.
A Fig.3.8 representa a densidade de probabilidade radial das autofuncoes do
atomo de hidrogenio para n = 1, 2 e 3, atraves de grandezas adimensionais
nos dois eixos. Esta gura mostra que os eletrons nao sao partculas com
orbitas bem denidas, como previsto no modelo de Bohr. Na verdade cada
eletron ocupa a regiao em torno do nucleo, com uma distribuicao no espaco
tal que a probabilidade de encontra-lo e maxima num certo raio, cujo valor
aumenta quando n cresce. Considere o estado fundamental (n=1), isto e, o
estado de mnima energia. Vamos calcular a posicao de maximo da densidade
de probabilidade. Para isto substitumos a autofuncao 100 da Tabela 3.1 com
Z = 1 e ignorando a constante de normalizacao em (3.70), obtemos:

P10 (r) = e2r/a0 r 2 ,

que e proporcional a` funcao mostrada na Fig.3.8. O maximo desta funcao e


dado por

dP10 (r) 2r/a0 r
= 2r e 1 =0 .
dr a0

Isto leva ao raio de maxima probabilidade de encontrar o eletron no


estado de menor energia. Veja que seu valor e exatamente o raio de Bohr:
40 2
r = a0 =  0, 53
A .
me2
80 Materiais e Dispositivos Eletronicos

A variacao angular da densidade de probabilidade pode ser representada


de varias maneiras diferentes. Uma delas e atraves do graco polar, no qual
a amplitude da densidade de probabilidade de encontrar o eletron na posicao
(x, y, z) e representada pela distancia do ponto (x, y, z) a` origem. A Fig.3.9
mostra os gracos polares correspondentes aos n umeros quanticos  = 0 e
 = 1. Esses gracos dao uma ideia do que seria a nuvem eletronica em
cada estado. Eles mostram claramente que o eletron nao e caracterizado por
uma orbita no sentido classico, mas sim por uma densidade de probabilidade

Figura 3.8: Densidade de probabilidade radial para o eletron num atomo de hidrogenio para
os valores de n e de  indicados. Os tri
angulos indicam os valores medios de r [Eisberg e
Resnick].
Cap. 3 Mec
anica Quantica: O Eletron no Atomo 81

Figura 3.9: Representacao da funcao |()()|2 , que e proporcional a`s densidades de


probabilidade eletr
onicas para  = 0 e  = 1.

de ser encontrado em cada ponto. Entretanto, a variacao da densidade com


a posicao sugere o nome orbital para designar as funcoes de onda atomicas.
Como o n umero quantico  determina a forma de variacao angular do orbital,
ele e muito importante e e designado por letras provenientes da interpretacao
dos espectros de emissao de radiacao do atomo de hidrogenio. Os orbitais com
 = 0, 1, 2, 3, 4, ... sao designados pelas letras s,p,d,f,g,... A Fig.3.10 mostra
outra forma de representar as densidades eletronicas, que leva em conta sua
variacao com a distancia radial e a posicao azimutal.

Antes de encerrar esta secao e preciso mencionar dois fatos importantes


relativos ao atomo de hidrogenio: primeiro e que o eletron tem, alem de massa
e carga, um spin. O nome spin vem do ingles e signica rotacao. Classica-
mente o spin corresponderia a uma rotacao do eletron em torno de si mesmo,
analogamente ao que ocorre com o planeta Terra. Entretanto, o eletron nao
e propriamente uma partcula e nao tem sentido falar em rotacao em torno
dele mesmo. O spin e uma entidade quantica, que surge naturalmente de uma
teoria quantica relativstica. O spin do eletron e caracterizado por um quarto
umero quantico, que pode ter dois valores ms = 1/2 (corresponderia a`
n
rotacao em um sentido em torno de um eixo, ou no sentido oposto). Como
o spin resulta em um dipolo magnetico, o potencial que aparece na equacao
de Schroedinger para o atomo de hidrogenio e na verdade mais complexo do
que (3.55). Conseq uentemente sua solucao e mais complexa do que vimos.
82 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Entretanto, como o efeito do spin e relativamente pequeno, o problema pode


ser tratado aproximadamente com teoria de perturba cao. O principal re-
sultado e que a energia do eletron nao depende apenas do n
umero quantico n,
mas depende tambem do n umero quantico orbital . Entretanto a separacao
de energia de estados com mesmo n e diferentes s e pequena comparada com
a separacao de estados com ns diferentes.

A outra observacao importante e sobre as transicoes eletronicas. Quando


o eletron e colocado num certo estado eletronico caracterizado por uma auto-
funcao da equacao de Schroedinger, ele permanece nesse estado se nao houver
qualquer perturbacao no atomo. Uma perturbacao possvel e a da radiacao
eletromagnetica, que contribui para a equacao de Schroedinger com um poten-
cial variavel no tempo. Como veremos no Captulo 8, a teoria quantica mostra

Figura 3.10: Ilustracoes em diferentes escalas das densidades de probabilidade eletronicas


nos v
arios estados do atomo de hidrogenio. O eixo dos z esta colocado no plano da folha
[Pohl].
Cap. 3 Mec
anica Quantica: O Eletron no Atomo 83

que o eletron pode passar para um estado de maior energia pela absorcao de
um foton de freq
uencia , desde que a diferenca entre as energias do estado
nal f e do estado inicial i seja igual a energia do foton, isto e,
Ef Ei = h. (3.71)

Esta expressao nada mais e do que a equacao de conservacao de energia.


O eletron tambem pode passar de um estado de energia mais alta para outro
de menor energia pela emissao de fotons com freq uencia dada por = E/h,
sendo E a diferenca de energia entre os dois nveis. As medidas dos espectros
de absorcao e emissao de luz no incio do Seculo XX foram muito importantes
para mostrar que era necessaria uma teoria nova para o atomo de hidrogenio.
Posteriormente, a comparacao com resultados experimentais foi decisiva para
a aceitacao da teoria quantica. Ate hoje as tecnicas de espectroscopia otica
sao muito utilizadas para o estudo e para a identicacao de atomos, moleculas
e solidos. A Fig.3.11 mostra diversas transicoes entre nveis de menor energia
no atomo de hidrogenio. A teoria quantica mostra que as transicoes acompa-
nhadas de emissao ou absorcao de fotons so podem ocorrer quando os n umeros
quanticos orbitais dos estados inicial e nal diferem de 1, ou seja,  = 1.

Figura 3.11: Representacao de transicoes com absorcao ou emissao de f


otons entre nveis de
energia do atomo de hidrogenio. As linhas diagonais mostram as transicoes possveis. Os
comprimentos de onda correspondentes est ao indicados em Angstroms.
84 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Isto e uma regra de selec ao. Somente quando dois estados tem distribuicoes
de carga com orbitais diferindo de  = 1, o campo eletrico consegue induzir
transicao de dipolo eletrico entre eles. Por esta razao as linhas que indicam
as transicoes na Fig.3.11 sao diagonais. Se o campo e linearmente polarizado,
outra regra de selecao e m = 0. Mas se o campo e circularmente polarizado,
a regra e m = 1.

3.5
Atomos de Muitos El
etrons

Nos atomos com mais de um eletron o potencial V que entra na equacao de


Schroedinger e muito mais complicado que no atomo de hidrogenio. Isto resulta
do fato de que cada eletron interage nao apenas com o n ucleo, mas tambem
com os outros eletrons. Assim, o movimento de um eletron, e portanto sua
possvel escrever a equacao
funcao de onda, afeta todos os outros eletrons. E
de Schroedinger para o problema, mas nao e possvel resolve-la analiticamente.
A solucao so pode ser obtida aproximadamente atraves de calculos numericos
em computador. Para isto existem varios metodos de aproximacao, sendo o
do campo medio o mais simples.

O metodo do campo m edio, proposto por D.R. Hartree, e essencial-


mente o seguinte: escreve-se a equacao de Schroedinger para um certo eletron
levando em conta a interacao com o n ucleo e com os outros eletrons. Porem, o
potencial de interacao com os outros eletrons e considerado apenas na media,
sendo desprezadas as interacoes instantaneas. Para resolver o problema para
Z eletrons supoe-se inicialmente que cada eletron tenha uma certa funcao de
onda tentativa. Com as densidades eletronicas correspondentes calcula-se o
campo medio ao qual um certo eletron esta submetido devido aos outros Z 1
eletrons. Resolvendo a equacao para este eletron obtem-se uma funcao mais
aproximada da verdadeira: o procedimento e entao repetido para os outros
Z 1 eletrons, ao m do qual todas funcoes de onda sao melhores do que
as originais. Este processo e repetido varias vezes, ate que as diferencas en-
tre as funcoes obtidas em ciclos sucessivos sejam desprezveis. No nal obte-
mos um conjunto auto-consistente de orbitais atomicos, bem como as energias
eletronicas correspondentes.

Uma vez obtidos os orbitais atomicos, a pergunta seguinte e: como os Z


eletrons do atomo se distribuem nesses orbitais, ou seja, nos nveis de energia?
A distribuicao e baseada em dois princpios fundamentais: o primeiro e o que
determina que os eletrons devem ocupar os estados de mais baixa energia
Cap. 3 Mec
anica Quantica: O Eletron no Atomo 85

possvel. Entretanto, eles nao podem ir todos para o estado fundamental,


devido ao princpio de exclus ao de Pauli. De acordo com este princpio,
dois eletrons nao podem ocupar exatamente o mesmo estado. Como cada
eletron pode ter spin ms = 1/2, a distribuicao no atomo e feita preenchendo-
se os estados de menor energia, a partir do estado fundamental, sucessivamente
com dois eletrons cada. Assim, na conguracao de menor energia, um atomo
de n umero atomico Z tem dois eletrons com n umeros quanticos n = 1,  = 0,
m = 0, dois com n = 2,  = 0, m = 0, dois com n = 2,  = 1, m = 1,
e assim sucessivamente. Veja que um orbital  pode ter m = 0, 1, ... ,
e portanto comporta 2(2 + 1) eletrons. Para facilitar a notacao, os orbitais
sao representados por letras correspondentes aos valores do n umero quantico
. Para  = 0, 1, 2, 3, 4... da-se o nome de orbital s,p,d,f,g,... respectivamente.
Da mesma forma, ao n umero quantico n atribui-se uma letra que representa
a camada, sendo as letras K,L,M,N,O,... associadas respectivamente a n =
1, 2, 3, 4, 5, ....

O elemento cujo atomo tem um eletron e o hidrogenio. No estado fun-


damental este eletron tem orbital representado por 1s. No elemento com dois
eletrons, o helio, ambos os eletrons tem orbital 1s. Seu estado fundamental e
representado por 1s2 . Como na camada K, de orbital 1s, somente cabem dois
eletrons, o atomo de helio e formado por uma camada fechada. Este fato
confere a ele uma grande estabilidade qumica, e por isto e chamado de gas
nobre. O atomo seguinte e o ltio, com tres eletrons e portanto representado
pela notacao 1s2 2s. Assim, os eletrons vao preenchendo sucessivamente esta-
dos orbitais e conferindo aos elementos caractersticas qumicas proprias. E
importante notar, entretanto, que varios elementos tem propriedades qumicas
semelhantes, pois ha uma repeticao periodica na formacao das camadas. Por
exemplo, o atomo de argonio tem dez eletrons, com a conguracao 1s2 2s2 2p6 .
Portanto ele tem duas camadas (K e L) fechadas e tem propriedades semelhan-
tes as do helio. O sodio, com onze eletrons, tem conguracao 1s2 2s2 2p6 3s e tem
propriedades semelhantes as do ltio. Esta periodicidade de comportamento
com o n umero atomico Z e a razao do nome Tabela Periodica, na qual os
elementos sao organizados, como mostrado na Tabela 3.2. Nesta Tabela estao
apresentados o n umero atomico Z de cada elemento, bem como o n umero
de eletrons e os orbitais correspondentes das u ltimas camadas ocupadas. A
Tabela Periodica do Apendice C contem outros dados importantes sobre os
elementos.
86 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Tabela 3.2: Tabela Peri odica dos elementos. A notacao espectrosc


opica indica o n
umero de
eletrons e os orbitais correspondentes das u
ltimas camadas ocupadas.


REFERENCIAS

A. Chaves, Fsica, Ondas, Relatividade e Fsica Quantica, Reichman &


Aonso Editores, Rio de Janeiro, 2001.

R. Eisberg e R. Resnick, Fsica Quantica, Editora Campus, Rio de Janeiro,


1988.

S. Gasiorowicz, Fsica Quantica, Editora Guanabara Dois, Rio de Janeiro,


1974.

J. Leite Lopes, A Estrutura Qu


antica da Materia, Editora UFRJ, Rio de
Janeiro, 1992.

H.A. Pohl, Introducao a` Mec


anica Quantica, Edgard Bl
ucher, Universidade
de Sao Paulo, 1971.
Cap. 3 Mec
anica Quantica: O Eletron no Atomo 87

L. Solymar and D. Walsh, Lectures on the Electrical Properties of Materials,


Oxford University Press, Oxford, 1993.
P.A. Tipler, Fsica, Volume 3, 4a Edicao, Livros Tecnicos e Cientcos Edi-
tora S.A., 2000.

PROBLEMAS

3.1 Mostre que a soma das funcoes de onda 1 = A eikxit e 2 = B eikxit


e solucao da equacao de Schroedinger (3.17) para uma partcula de massa
m num potencial constante, V = V0 , e obtenha a relacao entre k e .
3.2 Calcule as constantes A1 e A2 , denidas na Eq.(3.42), de modo a nor-
malizar as duas autofuncoes de onda de menor energia de uma partcula
num poco de potencial innito.
3.3 Calcule a diferenca das energias, em eV, dos dois estados de menor energia
de um eletron num poco de potencial innito de largura: a) L = 30 A; b)
L = 1 cm.
3.4 Considere um eletron num poco de potencial innito de largura L,
no primeiro estado excitado. Calcule: a) O valor esperado da
posicao x do eletron; b) O desvio medio quadratico da posicao,
x2 = < (x < x >)2 >; c) O valor esperado do momentum px ; d) O
desvio medio quadratico do momentum; e) O produto das incertezas
x px .
3.5 Um eletron move-se com velocidade constante na direcao de uma barreira
de potencial, como aquela ilustrada na Fig.3.4. Sendo a energia E do
eletron maior que a altura V0 da barreira, calcule as probabilidades do
eletron reetir ou ultrapassar a barreira, em funcao de E e V0 . Obtenha
os valores numericos para E = 2V0 .
3.6 Um eletron move-se com energia E numa multicamada formada por dois
lmes espessos de um semicondutor A, separados por um lme no de
outro semicondutor B, de espessura d. Em primeira aproximacao, o po-
tencial visto pelo eletron e o que esta mostrado abaixo:
a) Sendo E > V0 , calcule a probabilidade do eletron, inicialmente na ca-
mada A da esquerda, atravessar perpendicularmente a camada B e atingir
88 Materiais e Dispositivos Eletronicos

a camada A da direita; b) Qual e a condicao para que a probabilidade


calculada em a) seja 1; c) Calcule a espessura d para que a probabilidade
do eletron atravessar a barreira seja 1, para E = 1, 0 eV e V0 = 0,8 eV;
d) Sendo V0 = 1,2 eV e d o valor obtido em c), calcule a probabilidade do
eletron atravessar a camada B.
3.7 Considere a situacao do Problema 3.6 com E < V0 . Calcule a probabili-
dade do eletron atravessar a camada B para E = 1, 0 eV, V0 = 1,2 eV e
d=5 A (efeito tunel).
3.8 Obtenha a funcao de onda e a energia do segundo estado excitado do
oscilador harmonico simples. (Sugestao: use a funcao polinomial no nal
do exemplo 3.2 com n = 2).
3.9 Calcule as energias, em eV, dos estados do atomo de hidrogenio com n =
1, 2 e 3 e obtenha as freq
uencias, em Hz, de todas transicoes possveis
entre estes nveis.
3.10 a) Mostre que o comprimento de onda do foton absorvido, ou emitido,
numa transicao entre os nveis n1 e n2 de um atomo de hidrogenio e, em
Angstroms,

911 n21 n22


(A) = 2 .
n2 n21

b) Compare o resultado obtido no Problema 3.9 para os nveis n = 2 e


n = 3 com o desta expressao. Em qual regiao do espectro eletromagnetico
situa-se a radiacao envolvida nesta transicao?
3.11 A atracao de um eletron por um buraco num semicondutor, pode ser
descrita atraves do potencial Coulombiano
e2
U(r) = ,
4r
Cap. 3 Mec
anica Quantica: O Eletron no Atomo 89

onde  e a permissividade do material. Ao contrario do atomo de


Hidrogenio, em que o n ucleo e muito mais pesado do que o eletron, os
nveis de energia dependem da massa reduzida () do par eletron-buraco:
e4
En = Ec 2 .
2 (4)2 n2

Onde Ec e a energia da banda de conducao. Para o Cu2 O, que tem


 = 100 , as freq
uencias das transicoes correspondentes obtidas experi-
mentalmente podem ser descritas por:
800
(cm1 ) = 17.508 .
n2
a) A partir dos resultados acima, determine a massa reduzida do par
eletron-buraco; b) Determine tambem o raio medio da orbita para o estado
100 ; c) Desenhe os nveis de energia em relacao a` energia da banda de
conducao.
3.12 Verique, por substituicao direta, que a autofuncao 100 dada na Tabela
3.1, e solucao da equacao de Schroedinger independente no tempo, e
obtenha os valores das constantes a0 e E.
3.13 Mostre que as autofuncoes 100 e 211 dadas na Tabela 3.1 sao normali-
zadas.
3.14 A partir da expressao do operador momentum angular dada na Secao
3.1.2 , pode-se mostrar que em coordenadas cartesianas sua componente
z e dada por
Lzop = i / .

e seu modulo ao quadrado e




1 1 2
Lop = 
2 2
(sen ) + .
sen sen2 2

a) Mostre que as autofuncoes nm do atomo de hidrogenio sao auto-


funcoes de Lzop e de uma interpretacao para o n
umero quantico m ; b)
Mostre que nm sao autofuncoes de L2op e interprete o n
umero quantico
 (Sugestao: use a expressao acima combinada com a Eq.(3.61).
3.15 Um eletron no atomo de hidrogenio tem funcao de onda = A(6
r/a0 ) ar0 er/3a0 sen ei . Substitua esta funcao na equacao de Schroedinger
e encontre a energia do eletron.
90 Materiais e Dispositivos Eletronicos

3.16 Faca a integral da densidade de probabilidade  no volume com-


preendido entre as esferas de raios r e r + dr, para a funcao de onda do
atomo de hidrogenio dado pela Eq.(3.69), e mostre que a densidade de
probabilidade radial e dada pela Eq.(3.70).
Captulo 4

El
etrons em Cristais

4.1 Bandas de Energia em Cristais 92

4.2 Condutores, Isolantes e Semicondutores 98

4.3 Massa Efetiva 101

4.4 Comportamento dos El etrons em T > 0


Distribui
c
ao de Fermi-Dirac 103

4.5 O Mecanismo da Corrente El


etrica em Metais 109


REFERENCIAS 115

PROBLEMAS 116

91
92 Materiais e Dispositivos Eletronicos

El
etrons em Cristais

4.1 Bandas de Energia em Cristais

Neste Captulo estudaremos algumas propriedades basicas de eletrons em


cristais, que sao fundamentais para a compreensao dos mecanismos respon-
saveis pela corrente eletrica num material e, portanto, por sua utilizacao na
Eletronica.

Como vimos no Captulo anterior, um eletron num atomo isolado tem


estados quanticos estacionarios caracterizados por nveis de energia discretos
e quantizados, correspondendo aos orbitais atomicos designados por 1s, 2s,
2p, 3s, 3p, 3d, etc. Num atomo com muitos eletrons, o estado fundamental
e obtido distribuindo os varios eletrons nos nveis de menor energia possvel,
obedecendo ao Princpio de Exclusao de Pauli. Como o eletron e dotado de
spin, cada estado orbital comporta dois eletrons com spins opostos. A pergunta
que fazemos agora e entao: como sao modicados os estados eletronicos quando
aproximamos um grande n umero de atomos (cerca de 1022 /cm3 ) para fazer um
cristal?

O problema quantico e muito mais complicado do que num atomo iso-


lado, pois os eletrons de cada atomo sao sujeitos a` interacao com os atomos
vizinhos. Uma primeira explicacao do que ocorre e a seguinte: Ao trazermos
um atomo isolado para proximo de outro, os nveis de energia de cada um sao
perturbados levemente pela presenca do vizinho. Se aproximarmos um grande
numero de atomos, teremos um grande n umero de nveis proximos uns dos
outros, formando uma banda de energia quase contnua. Isto esta mostrado
na Fig.4.1, que apresenta a variacao das energias dos estados eletronicos com
a distancia interatomica para N atomos de sodio, cuja conguracao e (1s)2
Cap. 4 Eletrons em Cristais 93

Figura 4.1: Formacao de bandas de nveis de energia devido `a aproximacao dos atomos em
um solido.

(2s)2 (2p)6 (3s). Para uma distancia innita, os nveis de energia de estados
equivalentes coincidem e sao iguais aos de um atomo isolado. A ` medida que
a distancia diminui, os nveis se separam devido a` interacao com os vizinhos,
dando origem `a varias bandas de energia. Na distancia de separacao atomica
de equilbrio r = a, temos quatro bandas, cada uma correspondendo a um
estado orbital. E claro, entao, que o numero de nveis em uma banda e igual
a 2(2 + 1)N sendo  o n umero quantico orbital. Esta descricao do apareci-
mento das bandas de energia e extremamente simplicada e esconde algumas
caractersticas essenciais dos estados eletronicos. Na realidade, e a natureza
ondulatoria dos eletrons nos cristais que da origem a`s bandas de energia, de
maneira analoga a` formacao dos varios ramos na relacao de dispersao de ondas
elasticas, como aqueles da Fig.2.10.

O calculo quantico dos estados eletronicos e das energias num solido e


bastante complexo, e so pode ser feito com varias aproximacoes no problema. A
primeira consiste em supor que os n ucleos dos atomos sao xos e com posicoes
conhecidas na rede cristalina. Outra aproximacao consiste em considerar que o
problema envolve um so eletron (modelo de um eletron), e que todos os outros
eletrons sao considerados parte integrante dos ons que criam um potencial
periodico. Isto esta ilustrado na Fig.4.2, que mostra qualitativamente o poten-
cial visto por um eletron ao longo de um eixo no cristal. O potencial periodico
ao qual o eletron esta submetido leva a` solucoes da equacao de Schroedinger
cujas energias formam bandas. Como a solucao para um potencial periodico,
94 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 4.2: (a) Energia potencial V de um eletron ao longo do eixo x do cristal mostrado
em (b).

mesmo o mais simples, e complexa, vamos entender o que ocorre com um mo-
delo aproximado. No caso dos metais alcalinos, como o sodio, o eletron 3s
da u ltima camada ve um potencial do n ucleo muito blindado pelos eletrons
interiores, de modo que ele ca quase livre. Para este eletron podemos supor,
em primeira aproximacao, que o potencial e um poco com paredes innitas nas
superfcies do cristal e constante no seu interior, como na Fig.3.2. Neste caso,
como vimos na Secao 3.2, as autofuncoes do eletron sao do tipo

(r, t) = A ei(k.rt) , (4.1)

sendo suas energias


2 k 2
E =  = , (4.2)
2m

onde k e sujeito a condicoes do tipo (3.43). A relacao de dispersao (4.2) esta


representada pela curva tracejada na Fig.4.3. Entretanto, como o potencial
nao e constante no interior do poco, sua pequena variacao periodica altera a
propagacao da onda de eletron (4.1) e consequentemente a relacao de dispersao
(4.2). Esta alteracao pode ser compreendida em analogia com o efeito de uma
rede de difracao. Considerando a periodicidade da rede em uma dimensao, as
ondas mais afetadas sao as que tem vetor de onda satisfazendo a condicao de
Bragg
2 a sen = m = m 2/k . (4.3)

As ondas que satisfazem a relacao (4.3) sao reetidas pela rede, dando
origem a uma onda estacionaria. Dependendo da conguracao espacial da onda
Cap. 4 Eletrons em Cristais 95

Figura 4.3: Modicacao da relacao de dispers


ao pelo efeito do potencial periodico no modelo
de eletron quase livre.

estacionaria em relacao a` rede, ela pode ter dois valores de energia. Assim,
nos pontos k = m/a, onde m e um inteiro positivo ou negativo, a curva
de dispersao quebra-se em duas. Isto da origem a`s linhas cheias da Fig.4.3,
que representam a relacao de dispersao do eletron no potencial periodico. A
separacao das linhas resulta em bandas, ou faixas, de energia para os estados
eletronicos. Os eletrons so podem ocupar estados cuja energia esta em uma
das bandas da Fig.4.3.

O modelo de um solido como um poco de potencial com eletron quase


livre e uma aproximacao razoavel para um metal como o sodio. Em um cristal
mais complexo, entretanto, as funcoes de onda do eletron nao tem a forma
da onda plana simples (4.1). Apesar disso o problema ainda pode ser tratado
com ondas planas por causa de um resultado geral de grande importancia, o
teorema de Bloch, que resulta da invariancia dos cristais a translacoes. Vamos
supor que um meio seja caracterizado em certo ponto por uma grandeza U(r),
invariante no tempo. O meio tem simetria de translacao em relacao a esta
grandeza quando o seu deslocamento por um vetor m ultiplo de certo vetor
unitario o deixa inalterado. Em outras palavras quando

U(r + na) = U(r) , (4.4)

onde n e um n umero inteiro qualquer. Um exemplo simples de invariancia


de translacao e o de meio homogeneo e contnuo, no qual (4.4) se aplica para
um vetor a 0. Outro exemplo que nos interessa diretamente e o de um
cristal perfeito, no qual parametros repetem-se regularmente de um ponto
96 Materiais e Dispositivos Eletronicos

para outro distantes de um vetor primitivo da celula unitaria. Na equacao de


Schroedinger, a simetria de translacao (4.4) leva a solucoes do tipo

k (r, t) = eik.r uk (r, t) , (4.5)

onde uk (r, t) e uma funcao com a mesma periodicidade que U(r). Esta funcao
de onda representa uma onda plana, cuja amplitude e modulada por uma
funcao periodica que reete o efeito do potencial cristalino. As funcoes (4.5)
sao chamadas func oes de Bloch. Este resultado, que pode ser demonstrado
por sua substituicao na equacao de Schroedinger e de grande importancia
em cristais, pois se aplica a qualquer tipo de excitacao. As ondas elasticas
estudadas no Captulo 2 sao um exemplo de que (4.5) vale para uma cadeia
periodica. No caso de eletrons, a conseq uencia importante de (4.5) e que eles
sao descritos no cristal por ondas, caracterizadas por um vetor de onda k e
energia Ek . A energia e funcao, nao apenas do modulo de k, mas tambem de
sua direcao no cristal. Por isso, as bandas de energia devem ser representadas
para as varias direcoes de k no cristal. Como k pode ter qualquer direcao, em
geral representa-se a variacao de Ek com k para as direcoes de maior simetria
nos cristais. Assim a Fig.4.3 pode representar a variacao da energia com o
vetor de onda na direcao [100] de um cristal c ubico. Esta forma de representar
a energia dos estados eletronicos e chamada de esquema da zona estendida.

Outra forma mais u til de representar as bandas de energia e no chamado


esquema de zona reduzida. Veja que um eletron com vetor de onda /a < k <
/a esta na primeira zona de Brillouin, e tem energia na primeira banda. Um

Figura 4.4: (a) Ilustracao do deslocamento das bandas na segunda zona de Brillouin de
2/a. (b) Esquema de bandas reduzido a` primeira zona, resultante desse deslocamento.
Cap. 4 Eletrons em Cristais 97

eletron com vetor de onda k  , /a < k  < 2/a, na segunda zona de Brillouin
tem energia em outra banda. Entretanto, se subtrairmos de k  um vetor de
onda G = 2/a, isto resultara num vetor de onda k = k  G que, por causa
do resultado (4.5), tem efeito identico ao de k  . Entao e possvel transladar as
bandas no espaco de momentum de um m ultiplo de G, isto e, n 2/a, de modo
a levar todas as bandas para a primeira zona de Brillouin. Esta operacao,
mostrada na Fig.4.4 para as primeiras bandas, resulta no esquema de bandas
reduzido ` a primeira zona. Neste esquema ca evidente que nao ha estados
eletronicos entre as bandas de energia. Por esta razao, as regioes entre as
bandas sao chamadas faixas proibidas.

No caso de um cristal tridimensional a representacao das bandas e um


pouco mais complicada. A Fig.4.5(b) mostra a estrutura de bandas do co-
bre cristalino com a rede c ubica de faces centradas. A Fig.4.5(a) mostra as
superfcies que limitam a primeira zona de Brillouin para a rede fcc. Evi-
dentemente, no cristal tridimensional nao e possvel representar a variacao da
energia em todas direcoes de k. Entao, escolhe-se as principais direcoes de k na
primeira zona de Brillouin, mostradas em (a). O eixo horizontal e segmentado
e em cada trecho representa-se o modulo de k em cada direcao, indicada pelas
letras que designam os pontos caractersticos da zona de Brillouin. Note que
para cada vetor de onda k o eletron pode ter varias funcoes de onda, cada uma
com energia diferente.

Para encerrar esta secao e importante chamar a atencao de que devido a`s
condicoes de contorno nas superfcies do cristal, k nao pode assumir qualquer
valor, ele varia discretamente. Por isso o n umero de estados em cada banda e
nito. Se o n umero de celulas unitarias no cristal e N, cada banda contem
2N estados eletronicos, onde o fator 2 e devido aos dois estados possveis para
o spin. Este resultado vem da Eq.(3.43) generalizada para tres dimensoes. Em
uma dimensao, k pode assumir valores m/Na, onde N e o n umero de celulas
unitarias de comprimento a. Como m e um inteiro e positivo, entre 0 e /a
ha N valores diferentes para k, e, portanto, o n umero de estados eletronicos
em cada banda e 2N (Note que se deixarmos k assumir valores positivos ou
negativos, como e mais apropriado para uma onda progressiva como (4.1), e
preciso mudar as condicoes de contorno de modo que k = m2/Na, sendo m
inteiro positivo ou negativo).

A formacao do estado fundamental do solido e feita com o preenchi-


mento dos nveis discretos de menor energia pelos eletrons, analogamente ao
que ocorre num atomo. Como veremos na proxima secao, o resultado deste
preenchimento determina se o solido e isolante ou condutor eletrico.
98 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 4.5: (a) Primeira zona de Brillouin de um cristal fcc; (b) Estrutura de bandas de
energia do cobre fcc calculada teoricamente [B. Segal, Phys. Rev. 125, 109 (1962)]. A
energia de Fermi EF sera denida na secao 4.4.

4.2 Condutores, Isolantes e Semicondutores

Num cristal com n eletrons, o estado fundamental e obtido preenchendo os


nveis de menor energia de modo a ter somente um eletron em cada estado.
Como ha 2N estados em cada banda, o n umero de bandas ocupadas no estado
fundamental e n/2N. Como n/N e o n umero de eletrons por celula unitaria, ele
e um n umero inteiro, e portanto n/2N e inteiro ou semi-inteiro. Logo, em um
cristal a T = 0 K (estado fundamental), ha varias bandas cheias com eletrons,
sendo a u ltima necessariamente preenchida por completo ou pela metade. As
propriedades de conducao do cristal dependem fundamentalmente do fato da
Cap. 4 Eletrons em Cristais 99

Figura 4.6: Ocupacao das bandas em isolantes (a) e em condutores (b). As regi
oes hachu-
radas representam as faixas de energia ocupadas pelos eletrons.

ltima banda estar cheia ou nao. Isto e devido ao fato do vetor de onda k ter
u
qualquer direcao e das bandas serem simetricas, o que resulta em:
(4.6)
k = 0
todos estados
de uma banda

Os isolantes, isto e, materiais que nao conduzem corrente eletrica, sao


cristais que tem a u ltima banda completamente cheia. Nestes cristais, a
aplicacao de um campo eletrico externo nao pode alterar o momentum to-
tal dos eletrons que e nulo, pois todos estados disponveis estao ocupados.
Logo nao ha passagem de corrente eletrica quando o campo e aplicado. Entao,
a condicao necessaria para um cristal ser isolante e que ele tenha um n umero
par de eletrons por celula unitaria (a condicao nao e suciente, como veremos
a seguir). A Fig.4.6(a) mostra uma possvel distribuicao das u ltimas bandas e
sua ocupacao por eletrons num cristal isolante. O nvel de energia acima do
qual nao ha estados ocupados a temperatura T = 0 K e chamado nvel de
Fermi E . Na Secao 4.4 discutiremos, em mais detalhe, o importante papel
que o nvel de Fermi desempenha nas propriedades dos solidos.

Os materiais condutores, tambem chamados metais, sao os que tem a


u
ltima banda semi-cheia. Isto ocorre sempre que o n umero de eletrons por
celula unitaria for mpar. Neste caso e possvel mudar os estados dos eletrons
com um campo eletrico, resultando em uma corrente eletrica. Nesta categoria
estao os metais alcalinos (Li3 , Na11 , K19 , etc.) e os metais nobres (Cu29 , Ag47 ,
Au79 ), que tem um n umero mpar de eletrons, sendo os de maior energia ex-
ternos a u ltima camada completa. A Fig.4.6(b) ilustra a ocupacao das bandas
100 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 4.7: Ocupacao das bandas de energia em semi-metais.

nestes metais e o nvel de Fermi. E possvel tambem ter um metal formado


por atomos com n umero par de eletrons na celula unitaria, como os metais
alcalinos terrosos (Be4 , Mg12 , Ca20 , Sr38 , Ba56 ). Nestes metais a distribuicao
de bandas nao e tao simples como as da Fig.4.6. Como mostrado na Fig.4.7,
nesses materiais a banda 1, que normalmente seria a u ltima cheia, tem seu
maximo acima do mnimo da banda 2 seguinte. Como os eletrons ocupam os
estados de menor energia, os eletrons que estariam no topo da banda 1 vao
para a banda 2, cando ambas incompletas. Nestes materiais, a aplicacao de
um campo eletrico externo faz os eletrons mudarem de estados, o que resulta
numa corrente eletrica. Logo, eles tambem sao condutores, mas nao tao bons
como os metais alcalinos. Por isto eles sao tambem chamados de semi-metais.

Em um cristal isolante, somente na temperatura T = 0 K a u ltima banda,


chamada banda de val encia, esta completamente cheia. Quando a tempe-
ratura e maior que zero, eletrons da banda de valencia podem ganhar ener-
gia termica suciente para atingirem a banda seguinte, chamada banda de
conduc ao, que estava vazia a T = 0. A passagem de eletrons para a banda
de conducao deixa na banda de valencia estados que se comportam como por-
tadores de carga eletrica positiva, chamados buracos. Os eletrons na banda
de conducao e os buracos na banda de valencia produzem corrente eletrica
sob a acao de um campo externo. A condutividade do material depende do
numero de eletrons que passam para a banda de conducao, o que pode ser
calculado probabilisticamente, como veremos na proxima secao. Este n umero
e tanto maior quanto maior for a temperatura e quanto menor for a ener-
gia que separa as duas bandas. Esta energia e representada por Eg , onde o
ndice g vem da palavra gap, que signica intervalo, em ingles. (Por ser muito
simples e conveniente, a palavra gap ja foi incorporada ao nosso vocabulario
tecnico, da mesma forma que o spin). Os materiais que sao isolantes a T = 0
Cap. 4 Eletrons em Cristais 101

Figura 4.8: Bandas de valencia e de conducao em semicondutores. As regi


oes hachuradas
representam a ocupacao dos eletrons em T > 0. A distancia entre as bandas e o gap de
energia Eg .

K mas que tem Eg relativamente pequeno, da ordem de 1 eV ou menos, a` tem-


peratura ambiente, tem condutividade signicativa e por isso sao chamados
semicondutores. A Fig.4.8 ilustra a ocupacao das bandas de valencia e de
conducao num semicondutor. Nesses materiais o n umero de eletrons na banda
de conducao pode ser signicativo em relacao a um isolante, mas e ainda muito
menor que o n umero de eletrons livres num metal. Por isso, a condutividade
dos semicondutores e muito menor que a dos metais. A principal diferenca
entre um isolante e um semicondutor e entao o valor de Eg . Por exemplo, o
silcio tem Eg = 1,1 eV e e um semicondutor, enquanto o diamante, que tem
a mesma estrutura do Si formada por atomos de C, tem Eg = 5 eV, sendo
um otimo isolante. O oxido de silcio, SiO2 , tem Eg  8 eV e tambem e um
isolante. A diferenca nos valores de Eg pode nao parecer tao grande para
produzir mudanca tao radical na condutividade. Entretanto, como veremos
posteriormente, a ocupacao da banda de conducao decresce exponencialmente
com o aumento da razao Eg /kB T .

4.3 Massa Efetiva

Para estudar as propriedades eletricas dos metais e dos semicondutores, sera


preciso entender primeiro como um eletron se comporta no material sob a
acao de um campo eletrico externo. Como vimos na Secao 3.3.1, o eletron e
102 Materiais e Dispositivos Eletronicos

descrito por um pacote de onda que se movimenta com a velocidade de grupo


vg = /k. Sendo E =  a energia do eletron, podemos escrever,
E
= vg . (4.7)
k

Se o eletron for submetido a uma forca F , de um campo eletrico por exemplo,


sua energia varia de dE durante um percurso dx, sendo dE = F dx. Usando
(4.7) vemos que a velocidade do eletron esta relacionada com a forca por,
F dx = vg dk .

Como dx = vg dt vem,
dk
F = . (4.8)
dt

Este resultado talvez ja fosse esperado, pois sendo k o momentum do eletron,


(4.8) nada mais e do que a segunda lei de Newton. Entretanto, ele nao deixa de
ser surpreendente, pois talvez esperassemos que o potencial da rede cristalina
tivesse um efeito mais drastico sobre o movimento do eletron. Vemos entao
que a rede nao afeta a forma da equacao da variacao do momentum. O que ela
altera e a dependencia da energia com o momentum, que corresponde a mudar
a massa do eletron. Para mostrar isto exprimimos a aceleracao do eletron, em
funcao de E e k a partir de (4.7):
dvg 2E 2 E dk
a= = 1 = 1 2 . (4.9)
dt kt k dt

Substituindo o valor de dk/dt de (4.8) obtemos


2
F = a . (4.10)
2 E/k 2

Lembrando que F = ma, vemos que sob a acao de uma forca externa o eletron
no cristal age semelhantemente a um eletron livre, porem com uma massa
efetiva
2
m = 2 . (4.11)
E/k 2

Este resultado tambem vale para um eletron livre. Neste caso, usando a relacao
de dispersao (3.30) obtemos m = m, ou seja, a massa efetiva e a propria massa
do eletron livre.
Cap. 4 Eletrons em Cristais 103

A expressao (4.11) foi obtida supondo que a energia so depende do


modulo de k. Na realidade, como mostra a Fig.4.5, ela tambem depende
da direcao de k. Isto signica que a massa efetiva depende da direcao de k.
Na denicao mais geral a massa nao e um escalar, e uma grandeza tensorial
representada por uma matriz, cujo elemento e dado por
2
m = . (4.12)
2 E/k k

Esta denicao vale para eletrons em metais ou em semicondutores.

4.4 Comportamento dos El


etrons em T > 0 Distribui
c
ao
de Fermi-Dirac

Sabemos que em T = 0 K os eletrons ocupam os estados de menor energia


permitidos no cristal, de modo a preencher, um a um, todos os estados ate um
certo nvel EF , o nvel de Fermi. Evidentemente, esta distribuicao e alterada
quando a temperatura do solido e aumentada para T > 0. A distribuicao
em equilbrio termico e calculada em mecanica estatstica e leva em conta
que os eletrons sao partculas indistinguveis umas das outras e que obedecem
ao princpio de exclusao de Pauli. A probabilidade de encontrar os estados
com energia na faixa (E, E + dE) ocupados com eletrons a uma temperatura
absoluta T e dada por f (E)dE, onde

1
f (E) = (4.13)
1+ e(EEF )/kB T

e a distribuicao de Fermi-Dirac. Nesta expressao EF e o nvel de Fermi e kB


e a constante de Boltzmann (kB  1, 38 1023 J/K). A forma de f (E) esta
mostrada na Fig.4.9 para varias temperaturas. Note que em T = 0 a funcao e
descontnua em E = EF , isto e f (E < EF ) = 1, f (E > EF ) = 0. Isto signica
que os estados com E < EF estao ocupados por um eletron enquanto que
aqueles com E > EF estao vazios em T = 0. Em temperaturas acima de 0 K a
distribuicao de Fermi-Dirac se altera principalmente nas proximidades de EF .
A probabilidade dos estados com E > EF estarem ocupados deixa de ser zero
devido a` excitacao termica. Entretanto, seu valor cai quase exponencialmente
com a distancia E EF e aumenta exponencialmente com a temperatura. A
104 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 4.9: Distribuicao de Fermi-Dirac para v


arias temperaturas.

probabilidade f (E) de ocupacao dos estados com E > EF corresponde a uma


probabilidade 1 f (E) de que os estados com E < EF estejam vazios. Note
que a funcao de Fermi-Dirac f (E) e simetrica em torno de EF , no qual seu
valor e f (EF ) = 1/2. Em cada material o valor de EF depende da forma das
bandas e do n umero de eletrons.

A distribuicao de Fermi-Dirac f (E) representa a probabilidade de


ocupacao de um estado com energia E. Para calcular o n umero de eletrons
numa dada faixa de energia, e preciso saber tambem o n umero de estados
nesta faixa. Este n umero e dado pela densidade de estados D(E), que pode
ser calculada a partir da relacao Ek (k). Vamos considerar o modelo de um
metal como o da secao 4.1, no qual eletrons livres estao num poco de poten-
cial innito. Neste caso, a energia do eletron e caracterizada por uma funcao
parabolica em k dada por (4.2),
2 k 2
E= .
2m

Na realidade este resultado foi demonstrado para um poco unidimen-


sional. Entretanto, ele tambem vale para um poco de potencial em tres di-
mensoes com paredes innitas. Neste caso o n umero de onda k da lugar ao

vetor de onda k com tres componentes kx , ky , kz , de modo que a energia ca
2 2
E= (k + ky2 + kz2 ) . (4.14)
2m x

Analogamente ao problema em uma dimensao, as tres componentes do vetor


Cap. 4 Eletrons em Cristais 105

de onda so podem assumir valores discretos, determinados pelas condicoes de


contorno nas superfcies do cristal. Supondo que o cristal e um cubo de lado
L, temos entao:
2 2 2
kx = nx , ky = ny , kz = nz , (4.15)
L L L

onde nx , ny e nz sao n umeros inteiros positivos ou negativos. Este resultado


e uma generalizacao da equacao (3.44) para tres dimensoes e para ondas pro-
gressivas. Devido ao spin do eletron, para cada conjunto de n umeros quanticos
(nx , ny , nz ), e portanto, em cada volume (2/L)3 no espaco k, existem dois
estados eletronicos. A densidade de estados D(E) e a medida do n umero
de estados disponveis com energia E. Por denicao, V D(E)dE e o n umero
de estados com energia entre E e E + dE, sendo V = L3 o volume do cristal.
No espaco de vetor de onda k as superfcies de energia constante sao esferas
de raio k. Portanto, o n umero de estados com energia na faixa (E, E + dE) e
o volume compreendido entre as esferas de raio kE e kE+dE , multiplicado pelo
n
umero de estados por unidade de volume no espaco k. Sendo este dado por
2(L/2)3 , temos
 3
L
V D(E) dE = 2 4kE2 dk , (4.16)
2

onde kE e o modulo do vetor de onda correspondente a energia E. De (4.2)


temos que
 3/2
2 1 2m
kE dk = E 1/2 dE ,
2 2

que, substitudo em (4.16), da para a densidade de estados


 3/2
1 2m
D(E) = 2 E 1/2 . (4.17)
2 2

O graco da Fig.4.10 representa a densidade de estados D(E) dos eletrons


em uma banda parabolica. Note que a energia e colocada no eixo vertical
de modo a facilitar a visualizacao do preenchimento dos estados de menor
energia. Em T = 0, todos estados com energia inferior ao nvel de Fermi EF
estao preenchidos. Havendo N eletrons na banda, por unidade de volume, a
condicao que determina EF e,
 EF
D(E)dE = N . (4.18)
0
106 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 4.10: Densidade de estados


eletr
onicos D(E) em uma banda de
energia parab
olica.

Utilizando (4.17) obtemos


 3/2
1 2m 3/2
EF = N . (4.19)
3 2  2

A partir de (4.19) obtemos entao o nvel de Fermi para uma banda parabolica
com N eletrons em T = 0,
2
EF = (3 2 N)2/3 . (4.20)
2m

Em T = 0 todos estados com energia E EF estao ocupados. Esses estados


sao caracterizados por vetores de onda com modulo k kF , onde kF , dado
por,
2m EF
kF2 = , (4.21)
2

e chamado o vetor de onda de Fermi. A superfcie no espaco k no interior da


qual todos estados estao ocupados em T = 0, e chamada superfcie de Fermi.
Numa banda parabolica ela e uma esfera de raio kF dado por (4.21), ilustrada
na Fig.4.11(a). A banda parabolica (4.14) so e valida exatamente para eletrons
livres. Em cristais, a variacao da energia com k e mais complicada, como esta
ilustrado pelas bandas do cobre na Fig.4.5. Neste caso a superfcie de Fermi
nao e uma esfera, ela tem uma forma mais complexa. A Fig.4.11(b) mostra a
superfcie de Fermi do cobre, que esta contida na primeira zona de Brillouin.
Cap. 4 Eletrons em Cristais 107

Figura 4.11: (a) Superfcie de Fermi para um sistema de eletrons livres. (b) Superfcie de
Fermi (SF) e a primeira zona de Brillouin do cobre fcc.

Exemplo 4.1: O s odio cristaliza na estrutura bcc, tendo dois


atomos por celula unit
aria, cada um
com um eletron 3s. Sabendo que o par ametro de rede do sodio em T = 5K e 4,225 A, calcule: a) A
energia de Fermi; b) a velocidade dos eletrons com energia no nvel de Fermi, chamada velocidade
de Fermi vF .

a) Para calcular a energia de Fermi, atraves da Eq.(4.20), e preciso inicialmente calcular o n


umero
de eletrons livres por unidade de volume. Havendo dois eletrons por celula unit aria com
parametro de rede a,
2 2
N= = = 2, 65 1022 cm3 = 2, 65 1028 m3 .
a3 4, 2253 1024

A energia de Fermi e relacionada com N pela Eq.(4.20),

2
EF = (3 2 N )2/3 .
2m
Em primeira aproximaca o podemos considerar a massa dos eletrons livres como sendo a massa
acuo, 9, 1 1031 kg. Assim,
do eletron no v
 2/3 1, 052 1068
EF = 3 3, 142 2, 65 1028 = 5, 15 1019 J ou
2 9, 1 1031
5, 15 1019 J
EF = = 3, 22 eV
1, 6 1019 C

b) Como a energia dos eletrons livres e de natureza cinetica,


1
EF = m vF2 .
2
108 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Logo
 2E 1/2  2 5, 15 1019 1/2
F
vF = =
m 9, 1 1031
vF = 1, 06 10 m/s = 1, 06 108 cm/s
6

A temperaturas acima de zero a probabilidade de ocupacao dos estados


e dada por f (E), Eq.(4.13), de modo que o numero de eletrons, por unidade
de volume no intervalo de energia entre E e E + dE e
dN = f (E) D(E) dE . (4.22)

A Fig.4.12 ilustra o produto das funcoes f (E) e D(E) e mostra o ele-


mento de area correspondente a dN. Note que os eletrons que passam para
estados acima do nvel de Fermi provem principalmente dos estados com ener-
gias abaixo e proximas de EF . Este resultado e bastante geral. Sempre que
ha uma perturbacao no sistema de eletrons, os estados com energia proxima
de EF sao os mais afetados. Esta perturbacao pode ser devido a` excitacao
termica, ou `a excitacao produzida por campos externos. Na proxima secao
veremos o efeito de um campo eletrico.

Figura 4.12: Populacao de eletrons


N (E) = f (E)D(E) numa banda
parab olica a T = 0. dN e o n
umero
de eletrons na faixa de energia dE.

odio de volume 1 cm3 ,


Exemplo 4.2: Calcule a energia total dos eletrons livres numa amostra de s
em T = 0.

A energia dos eletrons por unidade de volume e a soma das energias dos eletrons livres, que
pode ser calculada usando (4.22),
U
 
= E dN = E f (E) D(E) dE .
V
Cap. 4 Eletrons em Cristais 109

Em T = 0, a distribuica
o de Fermi-Dirac tem valor 1 para E < EF e valor 0 para E > EF ,
logo, com (4.17),
E F
 2m 3/2  E F
U 1
= E D(E) dE = E 3/2 dE
V 2 2 2
0
 2m 3/2 0

1 2 5/2
= E .
2 2 2 5 F

Utilizando (4.20) podemos exprimir este resultado na forma,


U 3
= N EF .
V 5

Portanto, usando os resultados do Exemplo 4.1, obtemos,


U 3
= 2, 65 1028 5, 15 1019 = 8, 19 109 J m3 .
V 5

ao, a energia dos eletrons numa amostra de 1 cm3 e


Ent

U = 8, 19 109 106 = 8, 19 103 J .

4.5 O Mecanismo da Corrente El


etrica em Metais

Para entender o mecanismo da passagem de corrente eletrica em metais, te-


remos que utilizar resultados classicos combinados com conceitos quanticos.
Quando um campo eletrico externo e aplicado ao metal, os eletrons sofrem o
efeito deste campo superposto ao do potencial cristalino. O efeito deste u
ltimo

resulta na massa efetiva do eletron m . Desta forma, se o campo externo e E,
a aceleracao do eletron dada por (4.10) e (4.11) e,

dv e
a= = E . (4.23)
dt m

Este resultado signica que num cristal perfeito, o campo E constante produz
uma aceleracao constante e portanto uma velocidade que aumenta linearmente
no tempo, v = at. A Eq.(4.23) implica tambem que, mesmo sem campo
externo, os eletrons podem ter velocidade constante e nao nula. Isto resulta
do fato de que o estado estacionario do eletron no cristal sem campo externo
e uma onda plana, dada pela Eq.(4.5). Esta onda tem um momentum k, que
110 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 4.13: a) Deslocamento do patinador em movimento zig-zag ao longo de uma leira


regular de obst
aculos. b) Ilustracao da colisao provocada por um obst
aculo fora do lugar.

corresponde a uma velocidade constante. Mas ela so e um estado estacionario


quando o cristal e perfeito, a T = 0 e sem campo externo. Podemos entender
melhor este comportamento do eletron fazendo uma analogia com o movimento
de um patinador. Um patinador pode se deslocar ao longo de uma leira de
obstaculos regularmente espacados, fazendo um movimento zig-zag de modo
a contornar cada obstaculo, como ilustrado na Fig.4.13(a). Se o patinador esta
bem treinado, ele pode executar este movimento de zig-zag naturalmente,
sem se chocar com os obstaculos, e com velocidade media constante ao longo
da leira. Este movimento e analogo ao do eletron no cristal perfeito, descrito
por uma onda plana com amplitude modulada pelo potencial peri odico da rede,
Eq.(4.5). Entretanto, se um obstaculo esta deslocado de sua posicao normal,
ou se ha um obstaculo extra entre aqueles da leira regular, o patinador
provavelmente ira colidir com ele, como ilustrado na Fig.4.13(b). O que ocorre
com um eletron no solido e semelhante. Se a regularidade da rede cristalina e
perturbada, o eletron so permanece num estado estacionario durante um certo
intervalo de tempo. A perturbacao provoca uma colisao do eletron, produzindo
um espalhamento que resulta na passagem para um outro estado estacionario.
As duas principais perturbacoes da regularidade da rede sao a propria vibracao
dos ons devido a` agitacao termica em T = 0 e a presenca de atomos ou ons
de impurezas. A colisao com a rede em movimento termico corresponde ao
espalhamento de eletrons por fonons. Este processo e semelhante ao da colisao
entre partculas, no qual ha conservacao de energia e de momentum. Devido
`as colisoes, a velocidade media do eletron e nula na ausencia de campo eletrico
externo, como ilustrado na Fig.4.14(a). Quando um campo eletrico e aplicado
ao material, ao movimento rapido e aleatorio do eletron, causado pelas colisoes,
superpoe-se um contnuo deslocamento na direcao do campo eletrico. Este
deslocamento resulta numa corrente eletrica chamada de corrente de deriva
(drift current), ou corrente de conduc ao.

Na descricao quantica do comportamento dos eletrons e preciso conside-


rar que a T = 0 e sem campo externo, todos estados no espaco k no interior da
Cap. 4 Eletrons em Cristais 111

Figura 4.14: Ilustracao do movimento de um eletron num solido: a) Sem campo externo
aplicado, a velocidade media e nula. b) Na presenca de campo eletrico, alem do movimento
r
apido e aleat
orio h
a um deslocamento contnuo que resulta numa corrente eletrica.

superfcie de Fermi estao ocupados. Isto esta ilustrado na Fig.4.15(a) por um


corte no plano kx ky da esfera de Fermi, que vale para o caso de eletrons livres.
Como todos estados com k < kF estao preenchidos, a cada estado +k ocupado
corresponde outro k tambem ocupado. Entao k = 0 e por conseguinte a
corrente e nula. Se um campo eletrico E e aplicado na direcao x no instante
t = 0, os eletrons mudam de estado k, de acordo com a Eq.(4.8). Sendo a forca
sobre os eletrons Fx = (e)(E) = eE, a variacao de k no intervalo de tempo
t e,
eE
kx = t . (4.24)


Como conseq uencia de (4.24), cada eletron num estado k passa para outro
estado k + xkx apos um intervalo t, resultando na ocupacao de estados
mostrada na Fig.4.15(b). O resultado lquido e um momentum total Nkx por
unidade de volume, sendo N a concentracao de eletrons na banda. Isto resulta
numa corrente eletrica na direcao +x. Note que embora todos eletrons tenham
seus estados alterados pela acao do campo eletrico, sao os estados proximos da
superfcie de Fermi que contribuem para fazer a soma vetorial das velocidades
ser diferente de zero. Devido a`s colisoes, o deslocamento da esfera de Fermi
estaciona apos um intervalo medio de tempo , chamado tempo de colis ao. A
velocidade media resultante pode ser obtida a partir de (4.23) ou diretamente
de (4.24) usando v = k/m . Esta velocidade media, chamada de velocidade
de deriva, e entao
eE
vx = . (4.25)
m
112 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 4.15: (a) Os pontos representam estados ocupados no espaco k no cristal nao per-
turbado. O crculo representa a intersecao da esfera de Fermi com o plano kx ky . (b) Com
a aplicacao de um campo eletrico na direcao x os estados ocupados se deslocam de kx
dado pela Eq.(4.24).

Considerando que ha N eletrons livres por unidade de volume, obtemos a


densidade de corrente
Jx = (e)Nvx = Ne2 E/m . (4.26)

Esta equacao tem a forma da lei de Ohm que relaciona a tensao aplicada V , a
corrente eletrica I e a resistencia R
V =RI , (4.27)

sendo a resistencia de um condutor de comprimento L e area da secao transver-


sal A dada por
1L
R= , (4.28)
A

onde = 1/ e a condutividade e e a resistividade. Usando (4.28) em (4.27),


juntamente com as relacoes J = I/A e V = EL, a lei de Ohm (4.27) pode ser
escrita na forma
J = E . (4.29)

Substituindo (4.29) em (4.26) obtemos a condutividade do metal,


Ne2
= . (4.30)
m
Cap. 4 Eletrons em Cristais 113

Figura 4.16: Variacao da resistividade


de pot
assio em baixas temperaturas.

Num condutor com uma rede cristalina perfeita a T = 0, o tempo de colisao e


innito e, portanto, a condutividade tambem e innita. Num cristal real, e
limitado por causa do espalhamento dos eletrons pelas impurezas e imperfeicoes
da rede e por fonons. Como a agitacao termica aumenta com a temperatura, o
tempo de colisao devido ao espalhamento por fonons diminui com o aumento
da temperatura. Por outro lado a contribuicao das impurezas e imperfeicoes
nao varia com a temperatura e existe mesmo a T = 0. Isto esta ilustrado na
Fig.4.16 que mostra a variacao da resistividade = 1/ de potassio com a
temperatura T . O aumento de com T e devido ao espalhamento por fonons
enquanto que a contribuicao em T = 0 provem das impurezas e imperfeicoes. A
curva de cima corresponde a um material com maior quantidade de impurezas
que a de baixo e, portanto, tem um valor maior de (0).

A Fig.4.17 mostra a condutividade a` temperatura ambiente para uma


variedade de materiais. Ela varia de 1018 1 m1 no quartzo, que e um
otimo isolante, a cerca de 108 1 m1 no cobre, que e um bom condutor.
Esta faixa de variacao de 1026 e a maior vericada numa mesma grandeza
fsica. Na verdade, a faixa de variacao de e maior ainda pois os materiais
supercondutores tem condutividade varias ordens de grandeza maior do que o
cobre.

Para encerrar este Captulo vamos estimar numericamente algumas


grandezas importantes envolvidas no mecanismo da corrente eletrica. Con-
sidere o caso do cobre, que a` temperatura ambiente tem condutividade
108 1 m1 . Sendo o n umero de eletrons livres N 1023 /cm3 , usando
(4.30) e os valores para a massa e carga do eletron (Apendice B), obtemos para
114 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 4.17: Condutividade em 1 m1 de uma variedade de materiais `a temperatura


ambiente.

o tempo de colisao 1013 s. A distancia que o eletron percorre entre duas


edio . Como os eletrons envolvidos na corrente
colisoes e o livre caminho m
sao aqueles proximos da superfcie de Fermi, o livre caminho medio e
 = vF , (4.31)

onde vF e a velocidade de Fermi, relacionada com o raio da esfera de Fermi


kF pela relacao vF = kF /m . Usando esta relacao e as equacoes (4.20) e
(4.21) obtemos para o cobre vF 106 m/s. Isto da para o livre caminho medio
no cobre  107 m = 103 A, que corresponde `a distancia de centenas de
atomos na rede cristalina. De certa forma e surpreendente que um eletron no
cobre `a temperatura ambiente passe por centenas de atomos sem se chocar
com eles.

A partir da Eq.(4.25) podemos estimar a velocidade de deriva dos


eletrons. Considerando que uma tensao de 10 V e aplicada nas extremidades
de um o de cobre de 1 m de comprimento, o campo eletrico e E = 10 V/m.
Usando = 1013 s obtemos de (4.25) vx 101 m/s. Isto mostra que a ve-
locidade de deriva e varias ordens de grandeza menor que a velocidade vF de
movimento de eletrons entre duas colisoes. Em outras palavras, o movimento
de deriva e muitssimo mais lento que o movimento aleatorio do eletron entre
uma colisao e outra.

Exemplo 4.3: Sabendo que o tempo de colis ao dos eletrons livres na prata a
` temperatura ambiente
e 3,8 1014 s e que a concentracao de eletrons livres e 5,86 1022 cm3 , calcule: a) A resistencia
de um o de prata de secao reta 0,1 mm2 e comprimento 100 m; b) A corrente eletrica no o quando
uma tensao de 1,6 V e aplicada nas extremidades; c) A velocidade de deriva dos eletrons na situaca o
do item b.

a) Para calcular a resistencia e preciso inicialmente obter a condutividade, dada pela Equaca
o
Cap. 4 Eletrons em Cristais 115

(4.30),

N e2 5, 86 1022 106 1, 62 1038 3, 8 1014


= =
m 9, 1 1031
= 6, 26 107 (m)1 .

A resistencia do o e,
1 L 100 m
R= = = 16
A 6, 26 107 1 m1 1 107 m2

b) A corrente no o e,
V 1, 6
I= = = 0, 1 A .
R 16

c) A velocidade de deriva e relacionada com a corrente por meio da Eq. (4.26),


J I 0, 1
v= = =
Ne Ne A 5, 86 1028 1, 6 1019 107
v = 1, 7 104 m/s


REFERENCIAS

R.E. Hummel, Electronic Properties of Materials, Springer-Verlag, Berlin,


2001.
D. Jiles, Electronic Properties of Materials, Chapman & Hall, London, 1994.
C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, J. Wiley, New York, 1996.
D.J. Roulston, An Introducion to the Physics of Semiconductor Devices, Ox-
ford University Press, Oxford, 1999.
L. Solymar and D. Walsh, Lectures on the Electrical Properties of Materials,
Oxford University Press, Oxford, 1993.
F.F.Y. Wang, Introduction to Solid State Electronics, North-Holland, Ams-
terdam, 1980.
116 Materiais e Dispositivos Eletronicos

PROBLEMAS

4.1 A prata cristaliza na estrutura fcc, tendo quatro atomos por celula
unitaria, cada um deles com um eletron 5s. Sabendo que o parametro
de rede da prata e 4,086
A, calcule a concentracao de eletrons livres em
3
cm .
4.2 Em primeira aproximacao, a prata tem banda 5s parabolica. Calcule seu
nvel de Fermi, EF , em eV, considerando que a massa dos eletrons livres
e igual a` massa de eletron no vacuo.
4.3 A partir dos resultados dos Problemas 4.1 e 4.2, calcule: a) a velocidade
de Fermi vF dos eletrons com energia EF ; b) o comprimento de onda do
eletron movendo-se com a velocidade de Fermi e compare com a distancia
entre os atomos ( 4 A); c) Em qual temperatura a probabilidade de
encontrar eletrons com energia E = EF + 0, 1 eV e 10%.
4.4 Um metal tem nvel de Fermi EF = 1 eV. Faca um graco (de preferencia
num computador) da funcao de distribuicao de Fermi-Dirac f (E) para
T = 5, 5 e 300 K.
4.5 Mostre que a probabilidade de um estado eletronico de energia E = EF +
E estar ocupado e igual a probabilidade do estado com energia E =
EF E estar vazio.
4.6 Num o de cobre de secao reta 1 mm2 circula uma corrente de 10 A.
Sabendo que a concentracao de eletrons livres e N = 8, 5 1022 cm3 ,
calcule: a) O nvel de Fermi, nas mesmas aproximacoes do Problema
4.2; b) A velocidade de Fermi; c) A velocidade de deriva dos eletrons.
Compare com vF e interprete o resultado.
4.7 Sabendo que a resistividade do cobre a` temperatura ambiente e 1, 7 108
m, utilize os dados e resultados do problema anterior para calcular: a)
O tempo medio de colisao dos eletrons; b) O livre caminho medio dos
eletrons.
Captulo 5

Materiais Semicondutores

5.1 Semicondutores 118

5.2 El
etrons e Buracos em Semicondutores Intrnsecos 122

5.2.1 Massa Efetiva de Eletrons e Buracos 122


5.2.2 Criacao e Recombinacao de Pares Eletron-Buraco 125
5.2.3 Concentracao de Portadores em Equilbrio Termico 127

5.3 Semicondutores Extrnsecos 135

5.3.1 Nvel de Energia de Impureza num Cristal 135


5.3.2 Concentracao de Portadores em Semicondutores Extrnsecos 139

5.4 Din
amica de El
etrons e Buracos em Semicondutores 145

5.4.1 Corrente de Conducao 145


5.4.2 Movimento em Campo Magnetico-Efeito Hall 150
5.4.3 Corrente de Difusao 152
5.4.4 Injecao de Portadores: Difusao com Recombinacao 158

REFERENCIAS 162

PROBLEMAS 163

117
118 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Materiais Semicondutores

5.1 Semicondutores

Como vimos no captulo anterior, os semicondutores sao caracterizados por


uma banda de valencia cheia e uma banda de conducao vazia a T = 0, sepa-
radas por um gap de energia relativamente pequeno, Eg < 2 eV. Devido ao
pequeno gap, a` temperatura ambiente o n umero de eletrons na banda de
conducao e apreciavel, embora muito menor que o n
umero de eletrons livres em
metais. Isto resulta numa condutividade intermediaria entre a dos isolantes e
a dos metais, como ilustrado na Fig.4.17. Esta e a razao do nome semicondu-
tor. A concentracao de eletrons na banda de conducao de um semicondutor
puro varia exponencialmente com a temperatura, o que faz sua condutivi-
dade depender fortemente da temperatura. Esta e uma das razoes pelas quais
os semicondutores puros, tambem chamado intrnsecos, sao utilizados em
poucos dispositivos.

A condutividade dos semicondutores tambem pode ser drasticamente al-


terada com a presenca de impurezas, ou seja, de atomos diferentes dos que
esta propriedade que possibilita a fabricacao de uma
compoem o cristal puro. E
variedade de dispositivos eletronicos a partir do mesmo material semicondutor.
O processo de colocar impurezas de elementos conhecidos num semicondutor
e chamado dopagem. Semicondutores com impurezas sao chamados dopados
ou extrnsecos.

O semicondutor mais importante para a eletronica e o silcio. Ele tem a


mesma estrutura cristalina do diamante, mostrada na Fig.1.8, formada apenas
Cap. 5 Materiais Semicondutores 119

por atomos do elemento Si, do grupo IV da tabela periodica. A Fig.5.1 mostra


a estrutura de bandas de energia do silcio. O maximo da banda de valencia
ocorre em k = 0, o ponto da zona de Brillouin. O topo da banda de valencia
e tomado como referencia na escala de energia, ou seja E = 0. O mnimo da
banda de conducao ocorre num vetor de onda k = 0 na direcao [100], proximo
do ponto X na fronteira da zona de Brillouin, com energia 1,12 eV. Este e
entao o valor do gap de energia do Si, Eg = 1, 12 eV. Na realidade o valor
do gap varia com a temperatura. Em Si o gap e Eg = 1, 16 eV em T = 0 e
diminui com o aumento de T . Outro semicondutor importante e o germanio,
tambem formado por um elemento do grupo IV, o Ge, e que tambem tem a
estrutura cristalina do diamante. O Ge tem estrutura de bandas semelhante a
do Si, porem com um gap menor, Eg = 0,66 eV a` temperatura ambiente. Isto
faz com que suas propriedades eletricas sejam mais sensveis a mudancas de
temperatura do que em Si.

Em germanio e silcio as bandas de valencia e de conducao resultam de


estados eletronicos s e p que se misturam. Como ha dois estados s e p, ha oito
bandas hbridas s + p, que se separam em dois conjuntos de quatro bandas
cada. As quatro bandas de menor energia podem acomodar 4N eletrons. Como
Si e Ge possuem quatro eletrons de valencia por atomo, as quatro bandas
s + p de menor energia estao completamente cheias, constituindo as bandas
de valencia, mostradas na Fig.5.1 para Si.

Figura 5.1: Estrutura de bandas de energia do silcio (Si) [Hummel].


120 Materiais e Dispositivos Eletronicos

O semicondutor de maior aplicacao em opto-eletronica e o arseneto de


galio, GaAs. Ele e formado pelos elementos Ga e As, dos grupos III e V res-
pectivamente, e cristaliza na estrutura zinc-blende da Fig.1.8(a). Na formacao
do GaAs, o atomo de As perde um eletron que passa para um vizinho de Ga,
cando ambos com quatro eletrons nas camadas 4s2 4p2 . Semelhantemente a Si
e Ge, o GaAs tem 4N eletrons que enchem completamente a banda de valencia,
deixando vazia a banda de conducao. A estrutura de bandas do arseneto de
galio esta mostrada na Fig.5.2. Note que neste caso o mnimo da banda de
conducao ocorre no mesmo vetor de onda, k = 0, que o maximo da banda de
valencia, sendo o gap Eg = 1, 43 eV. Ha varios outros semicondutores forma-
dos por elementos dos grupos III e V, chamados compostos III-V, como InSb
(Eg = 0, 18 eV), InP (1,35 eV) e GaP (2,26 eV), por exemplo. Tambem ha
semicondutores compostos II-IV, como CdS (2,42 eV), PbS (0,35 eV), PbTe
(0,30 eV) e CdTe (1,45 eV), entre outros.

As propriedades de conducao dos semicondutores sao determinadas prin-


cipalmente pelo n umero de eletrons na banda de conducao. Entao elas depen-
dem fortemente da razao Eg /kB T e portanto do valor do gap Eg , mas nao sao
muito inuenciadas pela forma das bandas. Por outro lado, as propriedades
opticas dependem muito da forma das bandas de energia. Como sera mostrado
no Captulo 8, as transicoes eletronicas acompanhadas da emissao ou absorcao
de fotons num cristal devem conservar energia e momentum, ou seja

Ef Ei =  , (5.1)

Figura 5.2: Estrutura de bandas


de energia de arseneto de galio
(GaAs) [Hummel].
Cap. 5 Materiais Semicondutores 121

kf ki = k , (5.2)

sendo Ef e Ei as energias do eletron nos estados nal e inicial, respectivamente,


kf e ki os vetores de onda correspondentes, e k a freq uencia e o vetor de
onda do foton absorvido (Ef > Ei ) ou emitido (Ef < Ei ) na transicao. No
caso do arseneto de galio, a transicao de um eletron do mnimo da banda de
conducao para o maximo da banda de valencia e acompanhada da emissao de
um foton de energia  = Eg = 1, 43 eV, cujo vetor de onda tem modulo
k = 2/ = 7, 2 104 cm1 . Como este valor de k e muito menor que o valor
da fronteira da zona de Brillouin (kZB  /a 108 cm1 ), ele e desprezvel
na escala da Fig.5.2. Desta forma o momentum e conservado na emissao do
foton e a transicao e permitida. Esta transicao, ilustrada na Fig.5.3(a), e
chamada de processo direto de emissao. Correspondentemente o semicondutor
e denominado de gap direto.

No caso do silcio ou do germanio, nao e possvel ter uma transicao entre


o topo da banda de valencia e o mnimo da banda de conducao apenas com
emissao ou absorcao de fotons. Isto porque o foton com energia Eg tem k

kZB e esta transicao requer uma variacao de vetor de onda da ordem de kZB
para conservar momentum. Como vimos no Captulo 2, os fonons tem energia

Eg e vetor de onda na faixa 0 k kZB . E possvel entao, ter uma

Figura 5.3: (a) Bandas de valencia e de conducao em semicondutor de gap direto. Neste
caso, a transicao atraves do gap ocorre com a emissao de um f
oton de freq
uencia g = Eg /
e com vetor de onda desprezvel na escala da gura. (b) No semicondutor de gap indireto,
a transicao atraves do gap envolve um foton de frequencia g e k 0 e um f onon de
uencia muito menor que g e vetor de onda k  kZB , de tal forma a conservar energia
freq
e momentum totais.
122 Materiais e Dispositivos Eletronicos

transicao atraves do gap, com a emissao ou absorcao de um foton, desde que


acompanhada da emissao ou absorcao de um fonon. Esta transicao, ilustrada
na Fig.5.3(b) e chamada de processo indireto. Si e Ge sao semicondutores de
gap indireto. Como a transicao em semicondutores de gap indireto envolve
fonons e fotons, a probabilidade de emissao ou absorcao de fotons e muito
menor que no caso de gap direto. Por esta razao e preciso utilizar semicon-
dutores de gap direto para fabricar lasers e diodos emissores de luz (LED).
Entre os semicondutores de gap direto destacam-se GaAs, InSb, InAs, InP,
PbS, CdS, CdTe. Nem todos compostos do grupo III-V sao de gap direto.
GaP e ASb, por exemplo, tem gap indireto.

5.2 El
etrons e Buracos em Semicondutores Intrnsecos

5.2.1 Massa Efetiva de El


etrons e Buracos

Num semicondutor a uma temperatura nita, a excitacao termica faz com que
um certo numero de eletrons passe da banda de valencia para a de conducao.
Por conseguinte, se ele e submetido a um campo eletrico, as duas bandas con-
tribuem para a conducao de corrente eletrica, pois ambas estao parcialmente
preenchidas. Os eletrons da banda de conducao, sob a acao do campo E,
 sen-
tem uma forca F = eE e movem-se de acordo com a lei de Newton, com massa
 
efetiva dada pela Eq.(4.11). Como os eletrons estao agrupados em torno do
mnimo da banda de conducao, todos tem aproximadamente a mesma massa
efetiva,
2
me = 2 , (5.3)
( E/k 2 )k=kmc

onde kmc corresponde ao mnimo da banda de conducao. Sendo a curvatura


da banda de conducao para cima, a massa efetiva dos eletrons nela situados e
positiva, de modo que eles tem aceleracao no sentido oposto ao campo.

O comportamento dos eletrons da banda de valencia e diferente. Vemos,


em primeiro lugar, que os eletrons proximos do topo da banda de valencia tem
massa efetiva negativa, por causa da curvatura da funcao E(k). Para entender
seu comportamento, vamos supor que ha somente um estado vazio no topo
da banda. A Fig.5.4 ilustra o comportamento deste estado quando o cristal e
submetido a um campo E na direcao x. Antes da aplicacao do campo, o estado
Cap. 5 Materiais Semicondutores 123

Figura 5.4: Movimento de eletrons na banda de valencia: em (a) sem campo aplicado,
kc = 0. Em (b) e (c) com campo no sentido +x.

vazio deve estar no topo, como na Fig.5.4(a) para que a soma algebrica dos
momenta kx de todos eletrons seja nula. Apos a aplicacao do campo, todos os
eletrons tendem a deslocar-se no espaco E(k) no sentido kx negativo, porque,
pela Eq.(4.8),
dkx
 = e Ex . (5.4)
dt

Desta forma, em instantes posteriores teremos as situacoes mostradas na


Fig.5.4(b) e (c). Note que o deslocamento de todos os eletrons da banda no
sentido kx negativo, resulta no deslocamento do estado vazio no mesmo sen-
tido no espaco do momentum. Como todos os outros estados estao ocupados,
a existencia de um estado vazio (ausencia de eletron) com momentum k1
implica em que o momentum total do sistema e +k1 . Assim sendo, o sistema
comporta-se como se fosse formado por um buraco1 de vetor de onda

kb = ke . (5.5)

A equacao da forca pode ser escrita entao como

dke dkb
Fe =  =  . (5.6)
dt dt

Sendo a forca proveniente de um campo eletrico, como a carga do eletron e


negativa, Fe = eE,
 e portanto,
1O e hole. Alguns autores brasileiros usam o nome lacuna.
nome universalmente aceito em ingles
124 Materiais e Dispositivos Eletronicos

dkb
+e E =  .
dt

Isto mostra que o buraco se comporta como uma partcula de carga


positiva. Um desenvolvimento analogo ao das Eqs.(4.9)-(4.11) mostra que
massa efetiva do buraco e

2
mb = , (5.7)
( 2 E/k 2 )k=kmv

onde kmv corresponde ao maximo da banda de valencia. Como 2 /k 2 no


maximo da banda de valencia e negativo, a massa do buraco e positiva.
Isto e consistente com o fato de que se um campo eletrico e aplicado no sentido
+x, os buracos tem momentum kx > 0 e portanto, movimentam-se no sentido
+x no espaco real.

As Eqs.(5.6) e (5.7) levam `a conclusao que os estados vazios, no topo


da banda de valencia, comportam-se como estados de excitacoes elementares
de carga positiva, com modulo igual ao da carga do eletron, e massa efetiva
positiva dada por (5.7). Sao os estados de buracos. Como as curvaturas
das bandas de valencia e de conducao nao sao iguais, as massas efetivas dos
eletrons e dos buracos sao diferentes. Alem disso, e possvel ter cristais com
mais de uma banda de conducao ou de valencia, e tambem curvaturas que
variam com a direcao de k, havendo portanto varias massas de eletrons e de

Cristal Eg (eV) me /m0 mb /m0

Ge 0,66 mc = 0, 55 mv = 0, 31
me = 0, 12 mb = 0, 23
Si 1,12 mc = 1, 10 mv = 0, 56
me = 0, 26 mb = 0, 38
GaAs 1,43 0,068 0,5
InSb 0,18 0,013 0,6
InP 1,29 0,07 0,4

Tabela 5.1: Energias do gap e massas efetivas de semicondutores importantes a 300 K.


m0 = 9, 1 1031 kg e a massa de repouso do eletron. Em Si e Ge, mc e mv sao as massas
que entram no calculo das densidades de estados das bandas de conducao e de valencia,
enquanto me e mb sao as massas de deslocamento de eletrons e buracos [Sze e Yang].
Cap. 5 Materiais Semicondutores 125

buracos. Nas Figuras 5.1 e 5.2 vemos que tanto Si como GaAs tem duas bandas
de valencia degeneradas em k = 0. Os buracos da banda de maior curvatura
(maior modulo de 2 E/k 2 ) tem menor massa efetiva, sendo por isso chamados
buracos leves, enquanto os da banda de menor curvatura sao chamados buracos
pesados. Devido a` multiplicidade de massas efetivas e tambem a divergencias
nas medidas experimentais, os valores das massas encontrados na literatura
variam de uma fonte para outra, mesmo nos casos dos semicondutores mais
estudados, como Si, Ge e GaAs.

A Tabela 5.1 mostra as massas efetivas de alguns semicondutores impor-


tantes para aplicacoes em eletronica, e tambem os valores de Eg em T = 300
K. Note que no caso do silcio e germanio ha duas massas efetivas de eletrons e
duas de buracos. mc e mv sao medias geometricas das massas efetivas usadas
para calcular as densidades de estados nas bandas de conducao e de valencia,
respectivamente. Por outro lado, me e mb sao as massas medias usadas para
calcular o movimento de eletrons e buracos.

5.2.2 Cria
cao e Recombina
cao de Pares El
etron-Buraco

Num cristal semicondutor puro a T = 0 e sem qualquer perturbacao externa,


nao ha eletrons na banda de conducao nem buracos na banda de valencia. Em
outras palavras, nao ha portadores de carga eletrica e o material e um isolante
eletrico. Ha varios processos para levar eletrons para a banda de conducao. O
mais comum e a excitacao termica, pela qual um certo n umero de eletrons do
topo da banda de valencia vai para os primeiros nveis da banda de conducao
quando T > 0. A concentracao de eletrons e de buracos devido a` excitacao
termica sera calculada na proxima secao. O ponto a ressaltar aqui e que, num
semicondutor intrnseco, a passagem de um eletron para a banda de conducao
sempre corresponde `a criacao de um buraco na banda de valencia, ou seja,
eletrons e buracos sao criados aos pares.

Eletrons e buracos tambem sao criados aos pares em outros processos,


como o de absorcao optica. Como ilustrado na Fig.5.5, quando um foton
de energia  e absorvido num semicondutor, um eletron passa da banda de
valencia para a de conducao. Como o vetor de onda do foton e desprezvel, o
eletron criado na banda de conducao tem o mesmo ke do eletron removido da
banda de valencia. Isto corresponde `a criacao de um buraco com vetor de onda
kb = ke . Em outras palavras, a absorcao do foton e acompanhada da criacao
de duas quase-partculas: um eletron e um buraco. Como eles tem momenta
126 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 5.5: Absorcao de um f oton de energia  e vetor de onda desprezvel acompanhada


da criacao de um par eletron-buraco em semicondutor de gap direto.

ke e ke , o momentum total antes e depois da absorcao do foton e nulo, ou


seja, ele e conservado.

Sendo n a concentracao de eletrons por unidade de volume na banda de


conducao do semicondutor puro e p a concentracao de buracos na banda de
valencia, pode-se armar entao que n = p. Em equilbrio termico temos entao,

n = p = ni , (5.8)

onde ni e a concentracao de portadores no semicondutor intrnseco, que sera


calculada na proxima secao. Qualquer que seja o mecanismo de criacao de
pares eletron-buraco, o processo nao e estatico, e dinamico. Eletrons vao para
a banda de conducao, deixando buracos na banda de valencia, com uma certa
taxa g que representa o n umero de pares gerados por unidade de volume e
por unidade de tempo. Simultaneamente eletrons recombinam com buracos
a uma taxa de recombinacao r. Isto e evidente no caso da excitacao termica.
No processo induzido opticamente isto tambem e verdade, pois enquanto a
absorcao de fotons resulta na criacao de pares, a recombinacao produz emissao
de fotons. O fato e que, no regime estacionario, o n umero de pares e constante.
Isto requer que, para cada mecanismo de geracao e recombinacao de pares, as
taxas de criacao e de recombinacao sejam iguais, isto e,
r=g . (5.9)

Este resultado e chamado o princpio do balanceamento detalhado.


Cap. 5 Materiais Semicondutores 127

Exemplo 5.1: Um feixe de laser de comprimento de onda 5145 A com area 1 mm2 e potencia
10 mW incide num semicondutor, sendo totalmente absorvido em processo de geraca o de pares
eletron-buraco ao longo de uma distancia 100 m. Supondo que a eciencia de convers
ao de f
otons
o de pares em cm3 s1 .
em pares eletron-buraco e 10 %, calcule a taxa de criaca

Inicialmente e preciso calcular o n


umero de f
otons por unidade de tempo no feixe de laser.
Usando (2.31), podemos determinar a energia de cada f oton,

c 6, 63 1034 J.s 3, 0 108 m.s1


h = h = = 3, 86 1019 J .
5145 1010 m

O n
umero de f
otons por unidade de tempo e a raz
ao entre a potencia do laser e a energia do
f
oton,

P 10 103 W
= = 2, 59 1016 s1 .
h 3, 86 1019 J

Como a cada 10 f otons absorvidos um par eletron-buraco e gerado, a taxa de criaca


o de
pares por unidade de volume e,

1 2, 59 1016 s1
r= = 2, 59 1019 cm3 s1
10 1 10 cm2 100 104 cm
2

5.2.3 Concentra
c
ao de Portadores em Equilbrio T
ermico

Varias propriedades dos semicondutores, como por exemplo a condutividade,


dependem fundamentalmente da concentracao dos portadores de carga eletrica.
Esta concentracao depende do n umero de estados disponveis para serem ocu-
pados e da probabilidade de ocupacao de cada um. Vamos calcular esta concen-
tracao num semicondutor intrnseco a uma temperatura T utilizando conceitos
apresentados no Captulo 4. A probabilidade dos eletrons ocuparem um es-
tado de energia E e dada pela funcao de Fermi-Dirac f (E), Eq.(4.13). Uma
diculdade adicional nos semicondutores em relacao aos metais e que o nvel
de Fermi EF nao e conhecido, a priori, como veremos a seguir.

Vamos considerar um semicondutor com bandas como na Fig.5.6. O


topo da banda de valencia tem energia Ev e o mnimo da banda de conducao
e Ec , sendo Ec Ev = Eg . Em T = 0 a banda de valencia esta cheia e a de
claro entao que o nvel de Fermi esta situado entre
conducao esta vazia. E
as duas bandas, Ev < EF < Ec , porem sua posicao exata no gap depende da
forma das bandas. Devido a` simetria de f (E) e ao fato de que, em T > 0, o
128 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 5.6: Bandas parab


olicas em semicondutor utilizadas para o c
alculo da densidade de
estados.

numero de eletrons na banda de conducao e igual ao n umero de buracos na


banda de valencia, se as bandas forem simetricas, EF estara exatamente no
meio do gap. Por outro lado, se as bandas nao forem simetricas, EF estara
proximo mas nao exatamente no meio. Na verdade a determinacao de EF e
feita no proprio calculo das concentracoes de portadores.

Para o calculo da concentracao dos portadores no semicondutor e preciso


saber tambem o n umero de estados eletronicos disponveis para ocupacao nas
bandas de energia, o que depende da forma das bandas. Como os estados
envolvidos sao os que estao proximos dos extremos das duas bandas na Fig.5.6,
podemos fazer para ambas a aproximacao parabolica. Supondo que a energia
nao varia com a direcao de k podemos escrever para a banda de conducao,
2 k 2
E Ec = , (5.10)
2mc

e para a banda de valencia,


2 k 2
Ev E = , (5.11)
2mv

onde mc e mv sao, respectivamente, as massas efetivas nas bandas de conducao


e de valencia.

Exceto pelo deslocamento da referencia, as expressoes acima sao iguais


a Eq.(4.14). Desta forma, os vetores de onda dos estados que podem ser
Cap. 5 Materiais Semicondutores 129

ocupados sao discretos e dados pela Eq.(4.15). Assim sendo, a densidade de


estados eletronicos na banda de conducao e dada por (4.17) com E substitudo
por E Ec , e m substitudo por mc ,
 3/2
1 2mc
D(E) = 2 (E Ec )1/2 . (5.12)
2 2

Do mesmo modo, a densidade de estados de buracos na banda de valencia e,


 3/2
1 2mv
D(E) = 2 (Ev E)1/2 . (5.13)
2 2

A partir desses resultados podemos obter as concentracoes de eletrons


e buracos em equilbrio termico nos semicondutores. A concentracao
(n
umero/unidade de volume) de eletrons na banda de conducao e obtida pela
integral do produto da densidade de estados D(E) com a probabilidade de
ocupacao f (E),

n= D(E)f (E)dE . (5.14)
Ec

Nesta equacao zemos o limite superior innito porque a contribuicao dos


estados com energia muito acima de Ec e desprezvel, devido ao fato de que
f (E) cai exponencialmente com E. Para facilitar a integracao, vamos utilizar
uma expressao aproximada para a funcao de Fermi-Dirac. A ` temperatura
ambiente, T  290 K, o fator de Boltzmann e kB T  0, 025 eV. Como EF
esta proximo do meio do gap e Eg e da ordem de 1 eV, podemos considerar
E EF kB T . Logo, (4.13) pode ser aproximada por
f (E)  e(EEF )/kB T . (5.15)

Substituindo (5.12) e (5.15) em (5.14) vem


 3/2 
1 2mc
n = (E Ec )1/2 e(EEF )/kB T dE
2 2 2 Ec

 3/2 
1 2mc (Ec EF )/kB T
= e x1/2 ex/a dx ,
2 2 2 0

onde x (E Ec ) e a kB T . A integral denida pode ser calculada ana-


liticamente e seu valor e a3/2 1/2 /2. A concentracao de eletrons na banda de
conducao e entao
130 Materiais e Dispositivos Eletronicos

n = Nc e(Ec EF )/kB T , (5.16)

onde
 3/2
mc kB T
Nc = 2 . (5.17)
2 2

Podemos dar a` concentracao Nc duas interpretacoes u


teis. Veja que a Eq.(5.16)
seria obtida de (5.14) imediatamente se a densidade de estados fosse uma
funcao delta de Dirac em E = Ec ,

D(E) = Nc (E Ec ) . (5.18)

Esta equacao signica que Nc faz o papel de uma concentracao de estados to-
talmente localizados na energia E = Ec . Tambem pode-se ver a concentracao
de eletrons n como sendo dada, aproximadamente, por uma concentracao efe-
tiva de estados com valor constante Nc entre Ec e Ec + kB T e nula fora deste
intervalo.

De forma analoga, podemos obter a concentracao de buracos na banda


de valencia. Como o n
umero de buracos e dado pela falta de eletrons na banda
de valencia, temos,
 Ev
p= [1 f (E)]D(E)dE . (5.19)

Considerando EF E kB T , podemos usar a aproximacao

1 f (E)  e(EEF )/kB T .

A integral (5.19) pode ser resolvida por um calculo analogo ao de n, levando


ao seguinte resultado para a concentracao de buracos,

p = Nv e(EF Ev )/kB T , (5.20)

onde Nv e a concentracao efetiva de estados com energia no topo da banda de


valencia Ev , dada por,
 3/2
mv kB T
Nv = 2 . (5.21)
2 2
Cap. 5 Materiais Semicondutores 131

Figura 5.7: Ilustracao graca do calculo da concentracao de portadores no semicondutor


intrnseco: (a) As linhas cheias representam as densidades de estados D(E) nas duas bandas;
(b) A distribuicao de Fermi-Dirac f (E); (c) As densidades de portadores nas duas bandas
numa temperatura T > 0. As areas hachuradas em (c) correspondem `as concentracoes
efetivas de estados.

O calculo de n e p esta ilustrado gracamente na Fig.5.7 para o caso de


um semicondutor intrnseco com bandas aproximadamente simetricas. Neste
caso o nvel de Fermi esta aproximadamente no meio do gap. Na verdade, desde
que a funcao de Fermi-Dirac possa ser aproximada pela expressao (5.15), as
equacoes (5.16)-(5.21) valem para semicondutores intrnsecos ou extrnsecos.
O que diferencia os dois casos e a posicao do nvel de Fermi, EF , que ate o
momento nao foi calculada.

Exemplo 5.2: Calcule a probabilidade de ocupaca o f (E) de um estado com energia E acima do
nvel de Fermi, E = EF + 0, 2 eV, a uma temperatura 290 K, usando a express
ao exata e tambem
a aproximada (5.15).

Inicialmente calculamos o valor da energia termica em eV,

1, 38 1023 290
kB T = 1, 38 1023 290 J = = 0, 025 eV .
1, 6 1019
Ent
ao,
e(EEF )/kB T = e0,2/0,025 = e8 = 2980, 96 .

A probabilidade calculada pela distribuica


o de Fermi-Dirac e,
1 1
f (E) = = = 3, 3535 104 .
1 + e(EEF )/kB T 1 + 2980, 96
132 Materiais e Dispositivos Eletronicos

O valor calculado com a express


ao (5.15) e,
1
f (E) = = 3, 3546 104 ,
2980, 96
que e praticamente igual ao calculado com a express
ao exata.

Para determinar o nvel de Fermi EF e preciso utilizar a condicao de


conservacao do numero de eletrons. No caso do semicondutor intrnseco, a
esta condicao impoe que o numero de eletrons na banda de conducao seja
igual ao n umero de buracos na banda de valencia, n = p ni . Igualando
(5.16) e (5.20), fazendo EF = Ei (nvel de Fermi no semicondutor intrnseco)
e utilizando (5.17) e (5.21) obtemos a energia de Fermi no material intrnseco
(Problema 5.2),
1 3 m
Ei = (Ec + Ev ) + kB T n v . (5.22)
2 4 mc

Esta equacao mostra claramente que somente se T = 0, ou se as massas


efetivas de eletrons e buracos forem iguais, o nvel de Fermi no semicondutor
intrnseco estara exatamente no meio do gap. No caso geral em que mc = mv
(bandas nao simetricas), o nvel de Fermi nao esta exatamente no meio e sua

Figura 5.8: Variacao das concen-


tracoes de portadores intrnsecos
em Ge, Si e GaAs medidas ex-
perimentalmente [Sze].
Cap. 5 Materiais Semicondutores 133

posicao depende da temperatura. Entretanto, como a` temperatura ambiente


kB T
Eg , esta correcao e muito pequena em Si, Ge e GaAs.

Uma vez obtida a energia de Fermi Ei do semicondutor intrnseco,


podemos imediatamente calcular a concentracao ni de eletrons na banda de
conducao e de buracos na banda de valencia. Fazendo EF = Ei em (5.16) e
(5.20) obtemos,

ni = Nc e(Ec Ei )/kB T , (5.23)

pi = Nv e(Ei Ev )/kB T . (5.24)

Fazendo o produto dessas duas equacoes e usando o fato de que pi = ni ,


obtemos

ni = pi = ni pi = (Nc Nv )1/2 eEg /2kB T . (5.25)

Este resultado mostra que o numero de portadores no semicondutor intrnseco


varia exponencialmente com Eg /kB T . A Fig.5.8 mostra a variacao de ni
com a temperatura nos tres semicondutores mais importantes, medida ex-
perimentalmente. Esta variacao e devida principalmente ao fator exponencial
da Eq.(5.25), mas tambem contem uma contribuicao em T 3/2 proveniente do
termo (Nc Nv )1/2 (Problema 5.3).

Grandeza Ge Si GaAs


Atomos ou moleculas (1022 /cm3 ) 4,42 5,0 2,21
ametro da rede a (
Par A) 5,658 5,431 5,654
Constante dieletrica / 0 16,0 11,8 10,9
Gap de energia Eg (eV) 0,68 1,12 1,43
Concentracao intrnseca ni (cm3 ) 2,51013 1,51010 107
Concentracao efetiva Nc (cm3 ) 1,041019 2,81019 4,71017
Concentracao efetiva Nv (cm3 ) 6,11018 1,021019 7,01018
Mobilidade n (cm2 /V.s) 3900 1350 8600
Mobilidade p (cm2 /V.s) 1900 480 400
Coeciente de difus ao Dn (cm2 /s) 100 35 220
Coeciente de difus ao Dp (cm2 /s) 50 12,5 10

Tabela 5.2: Valores de grandezas importantes em Ge, Si e GaAs a T = 300 K [Sze e


Streetman].
134 Materiais e Dispositivos Eletronicos

A Tabela 5.2 apresenta os valores das concentracoes de portadores e


outras grandezas importantes para os tres principais semicondutores. A mo-
bilidade e o coeciente de difusao serao denidos na secao 5.5. Note que em
todos eles a concentracao intrnseca esta na faixa 107 1013 cm3 . Este valor
e extremamente pequeno comparado com o n umero de portadores em metais
(1022 cm3 ) e resulta do fato de que kB T
Eg . Note que os valores de Nc ,
Nv e ni dados na Tabela 5.2 foram obtidos atraves de medidas independentes.
Por esta razao existe uma pequena discrepancia entre eles e os valores obtidos
com a Eq.(5.25) (Problema 5.3).

Exemplo 5.3: Obtenha uma express ao numerica para a concentracao de eletrons na banda de
o de um semicondutor hipotetico, intrnseco, com mc = mv = m0 e calcule seu valor para
conduca
Eg = 1, 0 eV e T = 300 K.

Para mc = mv = m0 , (5.17) e (5.21) d


ao

m 3/2
0 kB
Nc = Nv = 2 T 3/2

2 2
 3/2
9, 1 1031 kg 1, 38 1023 J/K
=2 T 3/2
2 3, 14 1, 0542 1068 J2 s2

= 4, 83 1021 T 3/2 (kg s2 /J)3/2 .

Veja que como o joule e a unidade de energia no sistema internacional, 1 J = 1 kg m2 s2 .


Portanto, a unidade da express ao acima e m3 , que e a unidade de concentraca
o (n
umero por
volume) no sistema internacional. Usando (5.25) e convertendo m3 em cm3 , a concentraca o de
eletrons pode ser escrita como,

ni = 4, 83 1015 T 3/2 eEg /2kB T cm3 K3/2 .

Para calcular o valor da exponencial, vamos exprimir a energia termica em 300 K em unidades
de eV,

1, 38 1023 300
kB T = 1, 38 1023 300 J = = 0, 026 eV .
1, 6 1019

Ent
ao,

ni = 4, 83 1015 3003/2 e(1,0/0,052)

ni = 1, 12 1010 cm3
Cap. 5 Materiais Semicondutores 135

5.3 Semicondutores Extrnsecos

Os semicondutores intrnsecos sao pouco utilizados em dispositivos, entre ou-


tras razoes, porque sua condutividade e pequena e depende muito da tem-
peratura. Em geral utiliza-se semicondutores com uma certa quantidade de
impurezas, de tipo e concentracao controlados e colocados propositalmente no
cristal. Semicondutores com impurezas sao chamados extrnsecos. Dizemos
tambem que o semicondutor extrnseco e aquele que e dopado com impurezas.
Atraves da dopagem e possvel fazer com que o numero de eletrons seja maior
que o de buracos, ou vice-versa. Os semicondutores com predominancia de
eletrons sao chamados do tipo n (de negativo), enquanto que os de maior
concentracao de buracos sao do tipo p (de positivo). Os semicondutores
dopados tem condutividade que varia pouco com a temperatura e cujo valor
e controlado pela concentracao de impurezas. E o controle das propriedades
dos semicondutores atraves da dopagem que possibilita utilizar estes materiais
para fabricar uma enorme variedade de dispositivos eletronicos.

O metodo mais comum de dopagem de semicondutores e a difusao em


alta temperatura. Os atomos da impureza desejada sao provenientes de um
gas, como AsH3 no caso de As, e difundem para o interior do material atraves
de sua superfcie. Este processo e feito num forno onde o material e o gas que
fornece a impureza sao aquecidos a uma temperatura na faixa de 400 700C.
A profundidade da camada supercial que ca dopada e a concentracao de
impurezas dependem da temperatura e do tempo de exposicao.

No processo de difusao a fronteira entre a camada dopada e o material


puro nao e bem denida. Devido `a natureza termica do processo, a concen-
tracao de impurezas varia gradualmente na fronteira. Um outro metodo que
permite a obtencao de regioes dopadas com fronteiras melhor denidas e a im-
plantacao ionica. Neste processo um feixe de ons acelerados com energia na
faixa 10 - 100 keV bombardeia a superfcie do material e penetra no interior.
Camadas de impurezas com fronteiras controladas e bem denidas podem ser
produzidas por este processo com espessuras de ate 1 m.

5.3.1 Nvel de Energia de Impureza num Cristal

A presenca de defeitos ou impurezas num cristal modica o potencial eletros-


tatico nas suas vizinhancas, quebrando a simetria de translacao do potencial
periodico. Essa perturbacao pode produzir funcoes de onda eletronicas que
136 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 5.9: Perturbacao do esquema de energia causada por impurezas ou defeitos no cristal.
Alguns nveis de energia das impurezas estao nas faixas proibidas.

sao localizadas nas proximidades da impureza, deixando de ser propagantes


em todo o cristal. As energias dessas funcoes de onda sao obtidas atraves
da equacao de Schroedinger resolvida para o potencial da impureza. Essas
energias aparecem na forma de nveis discretos que podem estar situadas entre
as bandas do cristal perfeito. A Fig.5.9 ilustra possveis nveis de energia de
impurezas nas bandas de um cristal com defeitos. Numa primeira aproximacao,
esses nveis de energia podem ser calculados com um modelo simples. Vamos
considerar por exemplo o caso de semicondutores como germanio ou silcio,
que tem uma ligacao covalente uniforme.

Os elementos do grupo V da tabela periodica (P, As ou Sb, por exemplo)


tem uma camada eletronica interna igual a do Si ou Ge, mas tem cinco eletrons
de valencia em vez de quatro. Em pequenas quantidades esses elementos po-
dem facilmente entrar no cristal no lugar dos atomos de Ge ou Si. Isto nao
produz grandes modicacoes na rede cristalina, resultando na formacao de im-
purezas substitucionais, como ilustrado na Fig.5.10. A dopagem tambem pode
ser feita com elementos do grupo III (B, A, Ga ou In), que tem um eletron
de valencia a menos que Ge ou Si.

No caso das impurezas do grupo V, como As, quatro de seus cinco eletrons
de valencia sao utilizados na ligacao covalente com os atomos vizinhos de Ge
ou Si. O quinto eletron ca fracamente ligado ao atomo, que pode ser ionizado
termicamente a temperaturas relativamente baixas, como acima de 50 K. Com
a ionizacao o quinto eletron ca livre para se movimentar no cristal, o que
equivale a dizer que ele vai para a banda de conducao. Isto signica que
Cap. 5 Materiais Semicondutores 137

Figura 5.10: Modelo esquem atico de


um cristal de Ge ou Si dopado com im-
purezas substitucionais Ga (aceitador)
e As (doador). As bolas brancas repre-
sentam os atomos de Ge ou Si.

o nvel de energia da impureza de As esta proximo da banda de conducao.


As impurezas de As e dos outros elementos do grupo V sao doadoras, pois
doam eletrons para a banda de conducao, como ilustrado na Fig.5.11(a). Os
semicondutores com impurezas doadoras tem maior concentracao de eletrons
do que de buracos e por isso sao chamados do tipo n.

No caso de impurezas do grupo III, como o Ga, ha um eletron a menos


dos quatro necessarios para completar a ligacao covalente com os vizinhos. Em
temperaturas da ordem de 50 a 100 K, eletrons da banda de valencia do cristal
sao capturados para completarem as ligacoes covalentes, deixando buracos na
banda de valencia. As impurezas do grupo III sao chamadas aceitadoras e
formam semicondutores do tipo p. Como ilustrado na Fig.5.11(b), elas tem
nvel de energia eletronica proximo da banda de valencia. Os nveis de energia

Figura 5.11: Representacao esquem


atica dos nveis de impurezas no gap de semicondutores
dopados. Ec e Ev representam as energias mnima e maxima das bandas de conducao
e valencia respectivamente. Note que esta gura representa a energia ao longo de uma
dimensao fsica do semicondutor.
138 Materiais e Dispositivos Eletronicos

das impurezas no gap dos semicondutores podem ser calculados quanticamente


com um modelo simples do atomo de hidrogenio. Vamos considerar o caso do
As em germanio, por exemplo. O calculo e feito supondo que o eletron quase
livre esta ao redor do on positivo de As, com uma massa efetiva me devido
ao potencial periodico da rede cristalina. A energia do nvel de impureza e
dada pela expressao da energia de ionizacao do atomo de hidrogenio no estado
fundamental, Eq.(3.66) com n = 1,
me e4 me 0 2
E= EH , (5.26)
2(4)2 2 m0 

onde  e a permissividade do cristal, me e a massa efetiva de conducao e EH e


a energia no atomo de hidrogenio, cujo valor, calculado com me = m0 e  = 0
e EH = 13, 6 eV. No germanio   16 0 , a massa efetiva de conducao dada na
Tabela 5.1 e me = 0, 12 m0 , de modo que a energia de ionizacao das impurezas
doadoras neste material e,
0, 12
E1 = 13, 6 = 0, 006 eV .
162

Silcio tem  = 120 e maior massa efetiva, tendo portanto uma maior energia
de ionizacao (0,025 eV). Este e o valor de energia necessario para ionizar uma

Figura 5.12: Energias de ionizacao de v


arias impurezas em Ge e Si em T = 300 K. Os
n
umeros indicam as distancias em eV do mnimo da banda de conducao para os nveis
acima do meio do gap e do maximo da banda de valencia para os nveis abaixo do meio do
gap. Note que Cu e Au tem varios nveis de impurezas, tanto doadoras como aceitadoras
[Sze].
Cap. 5 Materiais Semicondutores 139

impureza doadora. Logo ele representa a distancia entre o nvel da impureza e


o mnimo da banda de conducao. E claro que este modelo rudimentar, que nao
leva em conta a natureza detalhada do atomo de impureza, da resultados ape-
nas aproximados. A Fig.5.12 mostra os nveis de energia de varias impurezas
em Ge e em Si. As impurezas comumente usadas para produzir semicondu-
tores tipo n, como Sb, P e As, tem nveis proximos da banda de conducao. Por
outro lado as utilizadas nos semicondutores tipo p como B, A, Ga e In tem
nveis proximos da banda de valencia. No caso de Cu e Au ha varios nveis
de impurezas no gap do Si ou do Ge. Alguns nveis estao longe das bandas e
sao chamados de nveis profundos. Estes nveis sao utilizados para aumentar
a taxa de recombinacao de pares eletron-buraco. As concentracoes utilizadas
variam de 1014 cm3 (1 parte em 108 , considerando 1022 atomos por cm3 ) a
1020 cm3 (1 parte em 102 , que e muito forte).

5.3.2 Concentra
c
ao de Portadores em Semicondutores Extrnsecos

As Equacoes (5.14) e (5.19) nao sao, evidentemente, restritas a semicondutores


intrnsecos. Elas tambem valem para semicondutores dopados, tanto com im-
purezas doadoras como aceitadoras. Assim sendo, os resultados (5.16) e (5.20)
tambem valem para os semicondutores extrnsecos, desde que a aproximacao
(5.15) seja valida. Representando por n0 e p0 as concentracoes em equilbrio
termico de eletrons na banda de conducao e de buracos na banda de valencia,
no semicondutor extrnseco, podemos escrever entao

n0 = Nc e(Ec EF )/kB T , (5.27)

p0 = Nv e(EF Ev )/kB T . (5.28)

O calculo de n0 e p0 num semicondutor tipo n esta ilustrado na Fig.5.13.


O que difere o semicondutor extrnseco do intrnseco e a posicao do nvel de
Fermi. Por exemplo, num semicondutor tipo n com impurezas doadoras com
energia Ed proxima da banda de conducao, em T = 0 os estados com energia Ed
estao cheios enquanto que aqueles com energia E > Ec estao vazios. Portanto
em T = 0 o nvel de Fermi esta entre Ed e Ec . Em T > 0 ele pode estar
abaixo de Ed , mas nao estara muito longe deste nvel. Como EF esta proximo
de Ec , `a temperatura ambiente a exponencial em (5.27) e muito maior do que
aquela em (5.28), de modo que o n umero de eletrons e muito maior que o de
buracos. Fisicamente o que ocorre e que n0 no semicondutor tipo n aumenta
em relacao a ni por causa da ionizacao das impurezas doadoras. Por outro
140 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 5.13: Ilustracao gr


aca do calculo das concentracoes de portadores num semicondutor
tipo n.

lado, o numero de buracos diminui porque ha mais eletrons para recombinar


com eles. O produto das concentracoes de eletrons e buracos e obtido de (5.27)
e (5.28),
n0 p0 = Nc Nv eEg /kB T . (5.29)

Comparando este resultado com (5.25) vemos que

n0 p0 = n2i . (5.30)

Desta forma, o produto n0 p0 e constante e independe do tipo e da con-


centracao de impurezas. Este resultado, conhecido como a lei de a c
ao
das massas, e muito importante e sera usado com frequencia posteriormente.
Usando (5.23) e (5.24) podemos reescrever (5.27) e (5.28) numa forma conve-
niente

n0 = ni e(EF Ei )/kB T , (5.31)

p0 = ni e(Ei EF )/kB T . (5.32)

Estas relacoes mostram claramente que n0 = p0 = ni quando EF = Ei , e que


n0 e p0 variam exponencialmente quando EF se afasta de Ei .
Cap. 5 Materiais Semicondutores 141

Nos semicondutores tipo n o nvel de Fermi EF esta proximo da banda


de conducao, de modo que (EF Ei )/kB T 1. Em conseq uencia n0 ni
e p0
ni , e por isso os eletrons sao chamados portadores majorit arios,
enquanto os buracos sao os portadores minorit arios. Por outro lado, nos
semicondutores tipo p, (EF Ei )/kB T e grande e negativo, de modo que
n0
ni e p0 ni . Neste caso os buracos sao os portadores majoritarios
enquanto os eletrons sao minoritarios.

Outra relacao importante entre as concentracoes de portadores resulta


da neutralidade de cargas. Sendo Nd+ a concentracao de impurezas doadoras
ionizadas (impurezas que cederam eletrons para a banda de conducao e caram
carregadas positivamente) e Na a de impurezas aceitadoras ionizadas (que
receberam eletrons da banda de valencia e caram negativas), a condicao para
que o material seja eletricamente neutro e:

n0 + Na = p0 + Nd+ . (5.33)

Esta e a equacao da neutralidade de cargas. Para um dado semicondutor com


concentracoes de impurezas conhecidas, o conjunto das Equacoes (5.27)-(5.33)
permite calcular o nvel de Fermi e as concentracoes de eletrons e buracos.

Vamos considerar o caso de um semicondutor tipo n com Nd impurezas


doadoras, a uma temperatura tal que todas estao ionizadas, ou seja Nd+  Nd .
Neste caso
n0  p0 + Nd . (5.34)

Usando a lei de acao das massas (5.30) nesta equacao, obtemos


 2 1/2
Nd Nd
n0 = + + n2i , (5.35)
2 2
 2 1/2
Nd Nd
p0 = + + n2i . (5.36)
2 2

Normalmente, no semicondutor dopado, a concentracao de impurezas e muito


maior do que a concentracao intrseca, Nd ni . Neste caso, desprezando ni
em (5.35) obtemos,
n0  Nd , (5.37)
142 Materiais e Dispositivos Eletronicos

como esperado. Por outro lado nao podemos desprezar ni completamente em


(5.36), pois isto levaria a p0 = 0. Usando a aproximacao binomial para a raiz
quadrada em (5.36) obtemos
n2i
p0  , (5.38)
Nd

que e compatvel com (5.30) e (5.37). Tendo as relacoes (5.37) e (5.38) para
as concentracoes de portadores, o nvel de Fermi pode ser determinado com as
Equacoes (5.27) ou (5.31). Por exemplo, substituindo (5.37) em (5.27) vem
Nc
EF = Ec kB T n . (5.39)
Nd

til para EF ,
Ou substituindo (5.37) em (5.31), obtemos outra expressao u
Nd
EF = Ei + kB T n . (5.40)
ni

E importante chamar a atencao de que estas expressoes para EF so valem


para semicondutores tipo n, na condicao Nd ni .

Exemplo 5.4: Calcule as concentraco es de eletrons e de buracos e a posica


o do nvel de Fermi
num cristal de silcio dopado com 1016 cm3 atomos de As, ` a temperatura ambiente T  290 K.

Da Tabela 5.2 temos ni = 1, 5 1010 cm3 . Usando (5.37) e (5.38),

n0  Nd+  Nd = 1016 cm3 ,


n2i
p0  = 2, 25 104 cm3 .
Nd

Usando kB T  0, 025 eV e Nc = 2, 8 1019 cm3 em (5.39) vem

Ec EF = 0, 025
n(2, 8 103 ) = 0, 20 eV .

Comparando este resultado com a energia dada na Fig.(5.12), ve-se que neste caso o nvel de Fermi
est
a pr
oximo e um pouco abaixo do nvel da impureza de As no silcio. Por outro lado com (5.40)
obtemos

EF = Ei + 0, 34 eV .
Cap. 5 Materiais Semicondutores 143

Figura 5.14: Diagrama de energia do silcio: (a) Tipo n, com Nd = 1016 cm3 impurezas
doadoras; (b) Tipo p, com Na = 1017 cm3 impurezas aceitadoras.

O diagrama de energia correspondente a` situacao do Exemplo 5.4 esta


mostrado na Fig.5.14(a). Este diagrama e tpico de semicondutor tipo n, no
importante notar
qual o nvel de Fermi esta proximo da banda de conducao. E
que quando a concentracao de impurezas e grande, ou seja, comparavel com
Nc (2,8 1019 cm3 em Si), o nvel de Fermi se aproxima de Ec . Neste caso
o resultado (5.39) nao vale porque (5.15) nao e uma boa aproximacao para
f (E). O semicondutor com Nd  Nc e chamado degenerado e tem EF  Ec .
facil ver, por analogia com o desenvolvimento das Equacoes (5.34)-
E
(5.40), que num semicondutor tipo p, dopado com Na impurezas aceitadoras,
as expressoes para as concentracoes e o nvel de Fermi sao (Problema 5.6):

n2i
n0  (5.41)
Na
p0  Na (5.42)
Nv
EF = Ev + kB T n (5.43)
Na
Na
EF = Ei kB T n . (5.44)
ni
144 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Exemplo 5.5: Calcule as concentraco es de eletrons e buracos e a posica


o do nvel de Fermi num
cristal de silcio com Na = 1017 cm3 impurezas de Ga, a T = 290 K.

Usando (5.41) e (5.42) vem,

p0  1017 cm3 ,
3 3
n0  2, 25 10 cm .

Usando kB T = 0,025 eV e Nv = 1, 02 1019 cm3 em (5.43) temos

EF = Ev + 0, 025
n (1, 02 102 )
EF = Ev + 0, 11 eV .

O diagrama de energia correspondente ao Exemplo 5.5 esta ilustrado na


Figura 5.14(b). Ele e tpico de semicondutor tipo p, no qual o nvel de Fermi
esta proximo e um pouco acima do nvel de energia da impureza, estando
ambos proximos do topo da banda de valencia.

Para concluir esta secao e importante chamar a atencao de que as apro-


ximacoes Nd+  Nd e Na  Na so valem acima de uma certa temperatura,
que, no caso do silcio, e da ordem de 100 K. Abaixo desta temperatura as
impurezas nao estao todas ionizadas e o n umero de portadores varia com a
temperatura (veja Problema 5.8). Entretanto, como na faixa de 100 a 500 K
as impurezas estao praticamente todas ionizadas, as concentracoes sao quase

Figura 5.15: Concentracao de eletrons


em funcao da temperatura em silcio
tipo n com Nd = 1016 cm3 [Yang].
Cap. 5 Materiais Semicondutores 145

independentes da temperatura, como ilustrado na Fig.5.15. Acima de 500 K


a concentracao intrnseca, que cresce exponencialmente com T , passa a ser
importante e eventualmente domina a extrnseca.

5.4 Din
amica de El
etrons e Buracos em Semicondutores

A operacao dos dispositivos semicondutores e baseada na dinamica dos porta-


dores de carga eletrica, que sao os eletrons e buracos. Os principais processos
dinamicos sao a criacao de pares eletron-buraco, a recombinacao de pares e o
movimento coletivo desses portadores. O movimento coletivo das cargas re-
sulta em corrente eletrica, que consiste no principal mecanismo de transmissao
de informacao nos dispositivos. Ha dois tipos basicos de movimento coletivo
que estudaremos a seguir: o movimento de deriva num campo eletrico e a di-
fusao de cargas devido a um gradiente espacial na concentracao de portadores.

5.4.1 Corrente de Condu


cao

A corrente de conducao, ou deriva (drift current), resulta do lento desloca-


mento medio de portadores de carga produzido por um campo eletrico externo,
simultaneo com o movimento rapido e aleatorio caracterstico das partculas
em agitacao termica. Esta corrente e da mesma natureza que nos metais,
entretanto, nos semicondutores ela e formada tanto por eletrons quanto por
buracos.

Quando um campo eletrico e aplicado ao material, eletrons e buracos


tem movimentos de deriva em sentidos opostos. Porem, como eles tem cargas
opostas, as intensidades das correntes eletricas dos dois tipos de portadores
se somam. Como vimos na Secao 4.5, a densidade de corrente de eletrons e
relacionada com o campo eletrico E por,

Jn = n E , (5.45)

onde n e a condutividade devida aos eletrons. Usando a Eq.(4.25) temos,

e2 n0 e
n = , (5.46)
me
146 Materiais e Dispositivos Eletronicos

onde e e o tempo de colisao dos eletrons. Nesta expressao utilizamos a concen-


tracao de equilbrio n0 de eletrons porque a aplicacao do campo eletrico tem
efeito desprezvel no valor das concentracoes dos portadores. Como a condu-
tividade resulta do movimento medio do conjunto de eletrons, e u til denir uma
nova grandeza, que descreva a facilidade com a qual cada eletron se desloca
no material sob a acao do campo externo. Esta grandeza e a mobilidade,
denida pela razao entre a velocidade de deriva e o campo eletrico,
v
= . (5.47)
E

Comparando (4.25), (5.46) e (5.47) vemos que a condutividade pode ser


escrita como,
n = e n0 n , (5.48)

onde n e a mobilidade dos eletrons, dada por


ee
n = . (5.49)
me

Note que, pela denicao, a mobilidade envolve explicitamente apenas


parametros intrnsecos do material, pois e uma grandeza caracterstica de cada
eletron. Entretanto ela depende indiretamente da concentracao de impurezas,
uma vez que esta e um fator determinante do tempo de colisao e . A Fig.5.16

Figura 5.16: Mobilidade de eletrons


em funcao da temperatura, em silcio
tipo n, para v
arias concentracoes de im-
purezas Nd [Yang].
Cap. 5 Materiais Semicondutores 147

mostra a variacao da mobilidade de eletrons com a temperatura, em silcio tipo


n, para diversas concentracoes de impurezas doadoras. Note que a mobilidade
diminui com o aumento da concentracao de impurezas, devido a` diminuicao de
e resultante da colisao do eletron com as impurezas. Ela tambem diminui com
a temperatura devido ao aumento das colisoes dos eletrons com as vibracoes
termicas da rede.

Por analogia ao que foi feito para os eletrons, vemos que densidade de
corrente de buracos e dada por

Jp = p E , (5.50)

sendo p a condutividade devida aos buracos, dada por,

e2 p0 b
p = e p0 p = , (5.51)
mb

onde b e o tempo de colisao, p0 a concentracao e b a mobilidade de buracos. A


soma de (5.45) e (5.50) da a densidade total da corrente, J = (n + p )E = E,
onde
= e(n0 n + p0 p ) , (5.52)

Figura 5.17: Mobilidade de eletrons e buracos em Si e GaAs em funcao da concentracao de


impurezas em T = 300 K [Sze].
148 Materiais e Dispositivos Eletronicos

e a condutividade total do material. Em cada temperatura, pode ser calcu-


lada a partir das concentracoes de eletrons e buracos, obtidos como na secao
5.3, e do valor da mobilidade. A Fig.5.17 apresenta a variacao de n e p com
a concentracao de impurezas em silcio e arseneto de galio em T = 300 K.
Note que a mobilidade de eletrons em GaAs e cerca de cinco vezes maior que
em Si, devido principalmente a menor massa efetiva dos eletrons em GaAs.
Evidentemente, num semicondutor tipo n a corrente e devida essencialmente
aos eletrons, enquanto que no material tipo p ela e devida aos buracos.

A corrente eletrica numa barra de material semicondutor na qual e apli-


cado um campo externo resulta da mobilidade de eletrons e buracos. Nor-
malmente este campo e estabelecido por uma diferenca de potencial entre as
extremidades da barra, criada por um circuito externo, como o da Fig.5.18.
A corrente no semicondutor e a soma das contribuicoes dos dois tipos de por-
tadores de carga, uma vez que os eletrons se movimentam em sentido oposto
aos buracos. Evidentemente, no o metalico que fornece a diferenca de po-
tencial para a barra, a corrente e inteiramente devida a eletrons. Cabe agora
perguntar o que acontece com os buracos nas extremidades da barra. Como a
corrente no o e igual a corrente na barra, o n umero de eletrons que passa por
uma secao reta do o por unidade de tempo e a soma dos n umeros de eletrons
e de buracos no semicondutor, pois a carga de todos eles tem o mesmo modulo.
Isto so e possvel porque na interface entre o metal e o semicondutor da extre-
midade A, existe um processo de criacao de pares eletron-buraco. Os eletrons

Figura 5.18: Ilustracao do movimento de eletrons e buracos num material semicondutor e


no circuito externo.
Cap. 5 Materiais Semicondutores 149

criados na interface A passam para o o, enquanto os buracos passam a se


mover na barra em direcao a` extremidade B. Na interface B, por outro lado,
os buracos recombinam com o excesso de eletrons provenientes do o metalico,
de tal modo que o n umero de eletrons no semicondutor seja igual a` diferenca
entre o n
umero de eletrons no o e o numero de buracos.

Estes processos de criacao e recombinacao de pares nas interfaces re-


querem que estas funcionem como fontes ou sumidores perfeitos de eletrons
e buracos, sem qualquer tendencia de privilegiar um dos dois portadores de
carga. Um contato metal-semicondutor com essas caractersticas e chamado
contato o hmico. Num contato ohmico a resistencia e a mesma em qualquer
dos dois sentidos da corrente usada para medi-la. Num circuito real, o con-
tato entre um metal e um semicondutor nunca e perfeitamente ohmico. As
caractersticas do contato metal-semicondutor ser
ao estudadas na secao 6.3.1.

Exemplo 5.6: Calcule a resistividade do silcio em T = 300 K em duas situaco


es: a) Intrnseco;
b) Dopado com impurezas de As com concentraca o Nd = 2 1016 cm3 .

a) No Si intrnseco a condutividade total e calculada com a Eq.(5.52), utilizando os par


ametros da
Tabela 5.2

= e(n0 n + p0 p ) = e ni (n + p )
= 1, 6 1019 1, 5 1010 (1350 + 480) C cm3 cm2 /V s
= 4, 39 106 ( cm)1

A resistividade e o inverso da condutividade, logo,


1 1
= = = 2, 28 105 cm .
4, 39 106

b) No Si com impurezas doadoras com Nd  ni , a concentraca


o de eletrons e dada por (5.37),

n0  Nd = 2 1016 cm3 .

Como p0  n0 , a condutividade e  e n0 n , sendo n dado pelo gr


aco da Fig.5.17.

 1, 6 1019 2 1016 103 = 3, 2 ( cm)1

Logo,
1
= = 0, 31 cm
3, 2

Veja que uma dopagem relativamente fraca (1 parte em 106 ) aumenta a resistividade do
silcio em quatro ordens de grandeza.
150 Materiais e Dispositivos Eletronicos

5.4.2 Movimento em Campo Magn


etico - Efeito Hall

Se um campo magnetico estatico e aplicado numa barra de semicondutor,


perpendicularmente a` direcao de movimento de deriva das cargas, estas ten-
dem a ser deetidas lateralmente, crinado um ac umulo de cargas que resultam
numa diferenca de potencial transversal a` barra. Vamos considerar a geome-
tria mostrada na Fig.5.19, na qual a direcao z do sistema de coordenadas e
escolhida como sendo a direcao do campo magnetico B,  x e a direcao da cor-
rente e y e a direcao transversal. A forca do campo magnetico sobre as cargas
e dada por
F = q v B
 . (5.53)

Vamos supor que o semicondutor e tipo p, de modo que a corrente e


devida essencialmente aos buracos. Como estes se movimentam na direcao +x
e tem carga positiva, a forca sobre eles tem o sentido y. Esta forca deete
os buracos e resulta no ac umulo de cargas positivas no lado y = d/2 da
barra deixando, por conseguinte, cargas negativas no lado y = +d/2. Estas
cargas criam um campo eletrico no sentido +y que, apos um transiente inicial,
impedem a continuacao do movimento dos buracos na direcao y. O valor do

Figura 5.19: Efeito Hall num semicondutor. A aplicacao de um campo magnetico numa
barra com corrente resulta numa diferenca de potencial transversal VH que permite medir
a concentracao de portadores.
Cap. 5 Materiais Semicondutores 151

campo eletrico transversal pode ser calculado considerando que a forca total
sobre um buraco e dada por

F = q (E + v B)
 . (5.54)

Em regime estacionario a componente y desta forca deve ser nula. Entao a


componente y do campo eletrico e,

Ey = (v B)
 y = vx Bz . (5.55)

O aparecimento deste campo eletrico transversal e conhecido como o efeito


Hall, em homenagem a E.H. Hall que observou o fenomeno em condutores
em 1879. A tensao transversal que aparece na barra, VH = Ey d, e chamada a
tensao Hall. Utilizando a relacao entre a densidade de corrente de buracos e a
velocidade, Jp = e p0 vx , temos
Jp
Ey = Bz RH Jp Bz , (5.56)
ep0

onde RH = (ep0 )1 e o coeficiente Hall. A medida da tensao Hall permite


determinar a concentracao de portadores p0 com bastante precisao. Na verdade
ela da informacao sobre a diferenca entre as concentracoes de eletrons e de
buracos. Note que no caso da corrente ser produzida por eletrons a velocidade
vx e negativa e, portanto, pela Eq.(5.55) o campo eletrico e a tensao Hall
tem o sentido oposto ao do caso dos buracos. Assim, o sinal da tensao Hall
permite determinar o sinal dos portadores majoritarios de carga. No caso da
concentracao de eletrons ser comparavel com a de buracos, o valor da tensao
Hall permite determinar a diferenca (p0 n0 ).

Apesar de ter sido descoberto ha mais de um seculo, o efeito Hall cons-


titui ainda hoje uma tecnica importante de investigacao das propriedades de
conducao dos materiais. Foi com esta tecnica que o alemao K. von Klitzing
descobriu que quando o movimento de eletrons num semicondutor e connado
a duas dimensoes, a tensao Hall varia com o campo magnetico em degraus.
Este e um efeito quantico resultante da quantizacao dos nveis de energia de
eletrons no campo magnetico. A descoberta do efeito Hall quantico valeu a
von Klitzing o Premio Nobel de Fsica de 1985. O efeito Hall tambem tem
varias aplicacoes praticas. Uma das mais importantes e na medida de campos
magneticos. O sensor Hall e constitudo de uma pequena barra de semicondu-
tor, percorrido por uma certa corrente eletrica. Quando colocado num campo
152 Materiais e Dispositivos Eletronicos

magnetico cuja intensidade deseja-se medir, o valor da tensao que aparece


transversalmente no sensor fornece uma medida direta do campo.

o de impurezas Na = 1014 cm3 , com


Exemplo 5.7: Uma barra de silcio tipo p, com concentraca
espessura d = 0, 5 mm, e usada como sensor Hall. Calcule a tens ao Hall para uma corrente de
prova de 100 mA quando o campo magnetico e perpendicular ao plano da dimens ao maior e tem
intensidade B = 101 T.

A tensao Hall e dada por VH = Ey


e a densidade de corrente e J = I/(
d), onde
e d
ao largura e a espessura da barra. Sendo Na  ni , p0  Na  n0 , a corrente e dominada pelos
s
buracos. Entao, usando (5.56) e convertendo todas as unidades para o sistema internacional temos,

I/(
d) I Bz
VH = Bz
= =
e p0 e p0 d
101 101
= = 1, 25 V .
1, 6 1019 1014 106 0, 5 103

Este exemplo mostra que a tens ao Hall tem um valor relativamente alto, para circuitos
eletr
onicos, para um valor de campo tpico de laborat orios. Isto n
ao ocorre em metais, porque a
o de eletrons livres ( 1022 cm3 ) e muito maior do que em semicondutores.
concentraca

5.4.3 Corrente de Difus


ao

A corrente de conducao resulta do movimento de cargas produzido por um


campo eletrico, ou seja, pelo gradiente de potencial eletrico. Este nao e o
u
nico gradiente que produz corrente eletrica num semicondutor. Quando por-
tadores de carga sao criados nao-uniformemente num material, o gradiente de
concentracao resultante produz movimento de portadores. Este movimento,
chamado de difusao, ocorre no sentido da regiao de maior para a de menor
concentracao. Como os portadores tem carga eletrica, seu movimento de di-
fusao resulta numa corrente eletrica, chamada corrente de difusao.

O movimento de difusao e muito comum na fsica. E atraves dele que


uma gota de tinta azul de caneta, colocada num copo dagua, espalha-se no
copo deixando a agua uniformemente azulada apos um certo tempo. A di-
fusao das moleculas da tinta da agua resulta de seu movimento aleatorio de
agitacao termica. Neste processo, cada molecula, tanto da agua quanto da
tinta, move-se numa direcao arbitraria ate colidir com outra molecula. Apos
o choque a molecula se move em outra direcao, resultando num movimento
Cap. 5 Materiais Semicondutores 153

completamente aleatorio. Desta forma, as moleculas de tinta, que estavam ini-


cialmente concentradas numa certa regiao, apos um certo tempo se encontram
completamente difundidas na agua. No caso do semicondutor, a difusao dos
portadores de carga em excesso, inicialmente concentrados numa certa regiao,
resulta de seu movimento aleatorio na rede cristalina do material.

Para obter a equacao que descreve o movimento de difusao, vamos con-


siderar inicialmente um modelo simples, no qual buracos se movimentam em
uma dimensao, digamos a direcao x. A concentracao de buracos em excesso do
equilbrio e descrita pela funcao p(x). Seja  a distancia media percorrida por
um buraco entre duas colisoes, o livre caminho m edio, e o tempo medio
entre duas colisoes. Considere dois planos perpendiculares a x, com coorde-
nadas x e x + x, sendo x = , como na Fig.5.20. No movimento aleatorio
que caracteriza a difusao, os buracos que estao entre os planos x e x + x tem
igual probabilidade de se moverem no sentido +x ou x. Da mesma forma, os
buracos entre os planos x x e x podem se mover no sentido +x ou x com
igual probabilidade. Se a concentracao de buracos for a mesma a` esquerda ou a`
direita de x, o n umero lquido de buracos que atravessa o plano x e nulo, sendo
nula tambem a corrente eletrica. Por outro lado, se houver um gradiente de
concentracao de buracos, a corrente no plano x sera diferente de zero. Ela sera
proporcional a` diferenca das concentracoes a` esquerda e a` direita de x. Como
metade dos buracos entre x x e x cruza o plano x, no sentido +x, durante
um intervalo de tempo , a corrente devido a esses buracos numa secao reta
de area A e aproximadamente,

Figura 5.20: Ilustracao das correntes entrando e saindo de uma regi


ao com volume Ax de
carga.
154 Materiais e Dispositivos Eletronicos

1 1
e A p(x x/2) ,
2

porque a corrente e a razao entre a carga total que atravessa a secao e o


intervalo de tempo, sendo a carga total igual a` carga do buraco vezes o n
umero
de buracos. Para obter a densidade de corrente no plano x, e preciso subtrair
a contribuicao dos buracos que estao entre x e x + x e que cruzam o plano
x no sentido x, e dividir a diferenca pela area A. O resultado e,


1 x x
e  p(x ) p(x + ) .
2 2 2

Supondo que a variacao de p(x) com x ocorra em distancias muito maiores


que x = , podemos considerar que x e muito pequeno, de modo que a
expressao entre colchetes e x dp/dx. Assim a densidade de corrente de
difus
ao dos buracos na direcao +x e dada por,

dp(x)
Jpdif = e Dp , (5.57)
dx

2
onde Dp =  /2 e o coeficiente de difus ao dos buracos. A corrente de
difusao dos eletrons pode ser obtida do mesmo modo que a de buracos. Como
o eletron tem carga e, sua corrente de difusao e

dn(x)
Jndif = +e Dn , (5.58)
dx

sendo Dn o coeciente de difusao e n(x) a concentracao de eletrons. Tanto


(5.57) quanto (5.58) mostram que, como esperado, a corrente de difusao sera
nula se nao houver variacao espacial da concentracao de portadores. Estas
equacoes, obtidas supondo que as concentracoes so variam na direcao x, re-
presentam as componentes x das correntes de difusao. No caso mais geral de
variacao em tres dimensoes, as componentes y e z sao dadas pelas derivadas em
relacao a y e z. Assim, a generalizacao de (5.57) e (5.58) leva a` duas equacoes
envolvendo o operador gradiente,

Jpdif = e Dp p (5.59)

Jndif = +e Dn n . (5.60)
Cap. 5 Materiais Semicondutores 155

As Equacoes (5.59) e (5.60) permitem calcular as correntes de difusao


de buracos e de eletrons a partir das variacoes de suas concentracoes. Na
maioria das situacoes, entrentanto, estas nao sao conhecidas a priori, precisam
ser calculadas. Para obter as equacoes que fornecem a evolucao das concen-
tracoes e preciso ter outra relacao independente entre a corrente de difusao e
a concentracao. Para obter esta relacao, vamos considerar inicialmente o mo-
delo unidimensional da Fig.5.20 para relacionar a densidade de corrente com
a variacao temporal da densidade. Vamos supor tambem, inicialmente, que
o fenomeno de geracao e recombinacao de pares eletron-buraco e desprezvel.
Veja que a corrente lquida I que entra no volume assinalado na gura, dividida
pelo volume, e a diferenca das densidades de corrente em x e em x + x,
dividida por x,

I J(x) J(x + x)
= .
A x x

Sendo I = dq/dt, este resultado leva, no limite x 0, a` seguinte equacao


diferencial,
J(x)
= , (5.61)
t x

onde = q/(A x) e a densidade volumetrica de carga. Esta e a equa


cao da
continuidade de carga, que exprime o fato de que a carga total e conservada.
Se a densidade de corrente tiver tambem componentes y e z, (5.61) pode ser
generalizada para tres dimensoes

Jx Jy Jz
= + + ,
t x y z

ou

J = . (5.62)
t

Esta e a equacao da continuidade de carga em tres dimensoes. Ela vale


qualquer que seja a origem da corrente. Veja que ela esta contida nas equacoes
de Maxwell estudadas no Captulo 2. Como A  = 0 para qualquer
campo vetorial A, a operacao na Eq.(2.4) juntamente com (2.1) reproduzem

a equacao da continuidade (5.62).

A densidade de carga esta relacionada com as concentracoes de eletrons


e buracos por
156 Materiais e Dispositivos Eletronicos

= e (p n) . (5.63)

Para obter a equacao da evolucao da concentracao, vamos supor, para


simplicar, um semicondutor tipo n, isto e, apenas com eletrons em excesso
do equilbrio. Assim, de (5.62) e (5.63) vem,

n
J = e . (5.64)
t

Substituindo este resultado na Eq.(5.60) submetida ao operador divergencia


(.), obtemos,
n
Dn 2 n =0 . (5.65)
t

Esta e a equa c
ao da difus ao, que permite calcular a evolucao espacial e
temporal da concentracao de eletrons em excesso, sujeitos apenas ao movi-
mento de agitacao termica. Uma equacao identica vale para a concentracao p
de buracos, com o correspondente coeciente de difusao Dp , e tambem para
a concentracao de moleculas de tinta azul no copo dagua. A equacao da di-
fusao mostra que enquanto houver variacao espacial da concentracao, tambem
havera variacao no tempo. A Figura 5.21 mostra a evolucao da concentracao
n(x) apos a producao de um pulso de eletrons na posicao x = 0 e t = 0. Em
t = 0 os eletrons estao concentrados em x = 0 e podemos escrever n(x) = (x).
Em t > 0 os eletrons difundem para regioes de menor concentracao. A solucao
de (5.65) e uma funcao gaussiana (Problema 5.17), que se alarga gradualmente
`a medida que o tempo passa, como mostrado na Fig.5.21. Como o n umero to-
tal de eletrons e conservado, a area sob a curva nao varia com o tempo. Apos
um longo tempo n(x) e uniforme, de modo que 2 n = 0 e portanto n(x) ca
constante.

Se, alem do gradiente de concentracao de portadores, houver um campo


eletrico E aplicado ao semicondutor, as densidades de corrente de eletrons e
de buracos terao componentes de conducao e de difusao,

Jn = e n n E + e Dn n (5.66)
Jp = e p p E e Dp p , (5.67)

sendo a corrente total


J = Jn + Jp . (5.68)
Cap. 5 Materiais Semicondutores 157

Figura 5.21: Ilustracao da difus


ao de eletrons criados por um pulso em x = 0 no instante
t = 0.

Como veremos no proximo Captulo, todas as componentes da corrente


sao relevantes para o funcionamento de dispositivos semicondutores. Sao o
campo eletrico e as concentracoes de portadores na regiao de uma juncao entre
dois semicondutores tipos p e n, que determinam a relacao entre a tensao e a
corrente num dispositivo de juncao e, portanto, o seu funcionamento.

Para concluir esta secao, vamos obter uma importante relacao entre o co-
eciente de difusao e a mobilidade. Quando o semicondutor esta em equilbrio
termico, sem campo externo, tanto a corrente de eletrons quanto a de buracos
devem ser nulas. Nesta situacao se, devido ao movimento termico, as cargas
produzirem uma variacao em sua concentracao, o campo eletrico por ela cri-
ado produzira uma corrente de deriva que cancelara a corrente de difusao. A
relacao entre este campo interno E e o gradiente de concentracao em equilbrio
pode ser obtida de (5.66) e (5.67) com Jn = Jp = 0. Como o campo eletrico e
o gradiente do potencial,
E = , (5.69)

da Eq.(5.67) com Jp = 0 obtemos,


p 1
= p0 , (5.70)
Dp p0

onde p0 e a concentracao de equilbrio de buracos. Uma relacao analoga a


158 Materiais e Dispositivos Eletronicos

(5.70) vale para os eletrons. Substituindo em (5.70) a expressao de p0 dada


por (5.32) obtemos,

p 1
= (Ei EF ) . (5.71)
Dp kB T

O nvel de Fermi nao pode variar com a posicao pois o sistema esta em
equilbrio, logo EF = 0. Por outro lado, a energia de um eletron no po-
tencial eletrico e E = e. Isto signica que se o potencial eletrico variar
no espaco, os nveis e bandas de energia do eletron acompanham o potencial,
ou seja, Ei = e. Usando esta relacao em (5.71) vem,

Dp kB T
= . (5.72)
p e

Como a relacao obtida para eletrons e identica, podemos escrever

Dp Dn kB T
= = . (5.73)
p n e

Este resultado, conhecido como a relac


ao de Einstein, permite calcular
o coeciente de difusao a partir da medida da mobilidade, ou vice-versa. A
Tabela 5.2 apresenta os valores de D e para Ge, Si e GaAs em T = 300 K.
Verique que em todos eles D/  0, 026 eV, que e o valor de kB T /e nesta
temperatura.

5.4.4 Inje
c
ao de Portadores: Difus
ao com Recombina
cao.

Um processo muito importante na operacao de dispositivos, e aquele no qual


portadores em excesso do equilbrio sao introduzidos numa regiao do semicon-
dutor por um mecanismo externo qualquer. Isto e chamado de inje cao de
portadores. Ela ocorre, por exemplo, quando eletrons, que sao os portadores
majoritarios num semicondutor tipo n, passam para o lado p numa juncao
p n. Na regiao da juncao os eletrons sao injetados no semicondutor p.

No processo de injecao de portadores, o mecanismo de recombinacao de


pares eletron-buraco nao pode ser desprezado como foi feito na secao anterior.
Como os portadores injetados estao em excesso da concentracao de equilbrio,
e o processo de recombinacao que faz sua concentracao diminuir e tender para
Cap. 5 Materiais Semicondutores 159

o equilbrio. Considere, por exemplo, buracos injetados num semicondutor de


modo que em certo instante sua concentracao seja

p = p0 + p . (5.74)

A recombinacao do excesso de buracos com os eletrons existentes no semicon-


dutor ocorre numa taxa que e tanto maior quanto maior for p. Em primeira
aproximacao o processo pode ser descrito por
p p
= , (5.75)
t p

onde p e o tempo de recombina c


ao de buracos. Veja que se nao houver
outro mecanismo atuando para a evolucao de p, a solucao da Eq.(5.75) e

p(t) = A et/p , (5.76)

onde A e o valor de p no instante t = 0. Este resultado mostra que a re-


combinacao atua no sentido de fazer o excesso de portadores decair exponen-
cialmente no tempo, com um tempo caracterstico p . No caso de eletrons, o
excesso de concentracao n e descrito por uma equacao analoga a (5.75), com
um tempo de recombinacao n ,
n n
= . (5.77)
t n

Os portadores injetados numa certa regiao do semicondutor produzem


um gradiente de concentracao que, por sua vez, resulta numa corrente de
difusao. Assim, no processo de injecao, a evolucao espacial e temporal da
concentracao de portadores e determinada pelos processos de difusao e de re-
combinacao. Para obter a equacao que descreve este processo, basta subtrair
da derivada temporal da concentracao na equacao da difusao (5.65) o termo
que descreve a recombinacao, dado por (5.77). Combinando (5.65) com (5.77)
e levando em conta que n0 /t = 0, pois a concentracao de equilbrio e cons-
tante, obtemos para os eletrons,
n n
= Dn 2 n . (5.78)
t n

Um desenvolvimento analogo para buracos leva a`,


160 Materiais e Dispositivos Eletronicos

p p
= Dp 2 p . (5.79)
t p

Estas sao as equa coes da difus ao com recombinac ao. Elas permitem
calcular a evolucao no espaco e no tempo das concentracoes de portadores
injetados num certo instante numa regiao do semicondutor. Se um pulso na
concentracao de eletrons e produzido em x = 0 e t = 0, a evolucao do pulso
no tempo e semelhante ao da Figura 5.21. A diferenca para o caso descrito na
secao anterior, enunciado no Problema 5.17, e que agora a area sob a curva
diminui com o tempo. Isto e devido ao processo de recombinacao de pares, que
faz a concentracao de eletrons em excesso do equilbrio decair com o tempo
caracterstico n . Se, alem disso, houver um campo eletrico ao longo da barra,
`a medida que o pulso de concentracao alarga e diminui de area, ele se desloca
devido ao efeito de deriva dos eletrons.

Para encerrar este Captulo, vamos aplicar a equacao da difusao com


recombinacao ao caso de injecao em regime estacionario. Isto e o que ocorre,
por exemplo, quando um feixe de luz incide sobre uma regiao de um semicon-
dutor com intensidade constante. Os fotons produzem pares eletron-buraco na
regiao iluminada. Se a intensidade do feixe for constante, apos o transiente que
ocorre quando a luz comeca a incidir, o processo entra em regime estacionario.
Nesta situacao, a taxa de criacao de pares e constante e a derivada temporal
e nula. Isto tambem e o que ocorre quando uma corrente constante atravessa
uma juncao p-n. Quando os portadores majoritarios de um lado chegam na
juncao, eles sao injetados no outro lado com uma taxa constante. Em regime
estacionario /t = 0, e das Eqs.(5.78) e (5.79) obtemos
n
2 n = , (5.80)
L2n
p
2 p = , (5.81)
L2p


onde Ln = Dn n e Lp = Dp p sao os comprimentos de difus ao de
eletrons e buracos, respectivamente. A razao deste nome cara clara com
o seguinte exemplo: considere uma barra de semicondutor semi-innito, no
qual buracos sao injetados uniformemente em x = 0 com uma taxa constante,
de modo que o excesso de concentracao e mantido constante neste ponto,
p(x = 0) = p. Os buracos injetados difundem ao longo da barra e recombi-
nam com eletrons. Isto resulta numa distribuicao do excesso de concentracao
ao longo da barra, caracterizado pela funcao p(x). Para obter p(x) utilizamos
Cap. 5 Materiais Semicondutores 161

(5.81) e consideramos 2 / 2 y = 2 /z 2 = 0 no Laplaciano, de modo que,

d2 p(x) p
2
= 2 . (5.82)
dx Lp

A solucao desta equacao e

p(x) = C1 ex/Lp + C2 ex/Lp . (5.83)

onde C1 e C2 sao constantes determinadas pelas condicoes de contorno. Devido


`a recombinacao ao longo da barra, p deve tender a zero em x . Assim
C2 = 0. Como em x = 0, p = p, a constante C1 e igual a p. Portanto,

p(x) = p ex/Lp . (5.84)

Esta funcao esta mostrada na Fig.5.22. Os buracos injetados em x = 0 a


uma taxa constante no tempo, resultam numa concentracao p em excesso do
equilbrio p, que cai exponencialmente com x. O comprimento caracterstico
dessa exponencial e Lp , que e precisamente o comprimento de difusao de bu-
racos.

O valor do comprimento de difusao depende do tipo de portador, do


semicondutor e da concentracao de impurezas. A dependencia do portador

Figura 5.22: Concentracao de buracos resultante de um processo de injecao com taxa cons-
tante em x = 0.
162 Materiais e Dispositivos Eletronicos

e do material se da tanto atraves do coeciente de difusao D (veja Tabela


5.2), quanto do tempo de recombinacao . A dependencia da concentracao de
impurezas ocorre atraves de . Quanto maior a concentracao, menor e o tempo
6 7
na faixa 10-200 cm /s e 10 3 102 s, o
2
de recombinacao. Como D varia
comprimento de difusao L = D esta tipicamente na faixa de 10 10 cm,
ou 10100 m.


REFERENCIAS

N.W. Ashcroft e N.D. Mermin, Solid State Physics, Holt, Rinehart and Win-
ston, New York, 1976.
A. Bar-Lev, Semiconductors and Electronic Devices, Prentice-Hall, New Jer-
sey, 1984.
D.A. Fraser, The Physics of Semiconductor Devices, Claredon Press, Oxford,
1983.
R.E. Hummel, Electronic Properties of Materials, Springer-Verlag, Berlin,
2001.
K. Kano, Semiconductor Devices, Prentice-Hall, New Jersey, 1998.
C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, J. Wiley, New York, 1996.
H.A. Melo e R.S. de Biasi, Introducao a` Fsica dos Semicondutores, Edgard
Blucher, 1975.
D.J. Roulston, An Introducion to the Physics of Semiconductor Devices, Ox-
ford University Press, Oxford, 1999.
B.J. Streetman e S. Banerjee, Solid State Electronic Devices, Prentice Hall,
New Jersey, 2000.
S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, J. Wiley, New York, 1981.
E.S. Yang, Fundamentals of Semiconductor Devices, McGraw-Hill, New
York, 1978.
F.F.Y. Wang, Introduction to Solid State Electronics, North-Holland, Ams-
terdam, 1980.
J.A. Zuo, Dispositivos Eletronicos, McGraw-Hill, Sao Paulo, 1976.
Cap. 5 Materiais Semicondutores 163

PROBLEMAS

5.1 Utilize um desenvolvimento analogo ao da secao 4.3 para demonstrar que


a massa efetiva dos buracos e dada pela expressao (5.7).
5.2 Mostre que num semicondutor intrnseco, com bandas parabolicas, o nvel
de Fermi e dado pela Eq.(5.22).
5.3 a) Mostre que as concentracoes efetivas de eletrons e de buracos, Nc e Nv ,
podem ser calculadas numericamente com a expressao

mc,v T 3/2
Nc,v (T ) = 2, 54 1019 cm3 ,
m0 300

onde T e a temperatura em K. Aplique esta expressao para Si e Ge e


compare com os valores da Tabela 5.2; b) Calcule os valores de ni em
T = 300 K para Ge, Si e GaAs a partir dos dados da Tabela 5.2 e compare
com os valores da Tabela e da Figura 5.8.
5.4 Calcule a distancia entre o nvel de Fermi EF e o meio do gap em Si e em
GaAs puro a T = 300 K. Explique porque EF nao esta no meio do gap.
5.5 Usando os dados da Tabela 5.2, calcule a energia de ionizacao de impurezas
doadoras em Si no modelo do atomo de hidrogenio desenvolvido na secao
5.3.1.
5.6 Considere um semicondutor tipo p com Na impurezas aceitadoras, todas
ionizadas, a uma temperatura tal que ni
Na : a) Partindo da lei de acao
das massas (5.30) e da equacao de neutralidade de cargas (5.33), obtenha
as expressoes para as concentracoes de eletrons e buracos (5.41) e (5.42);
b) Utilizando os resultados do item a) e as Eqs.(5.28) e (5.32), mostre que
o nvel de Fermi e dado por (5.43) ou (5.44); c) Mostre que Ei dado por
(5.22) e compatvel com as expressoes obtidas no item c).
5.7 Tres pastilhas de silcio sao dopadas com impurezas de As com concen-
tracoes 1016 , 1017 e 5 1018 atomos/cm3 respectivamente. Considere
T = 300 K e suponha que todas impurezas sejam ionizadas: a) Cal-
cule o nvel de Fermi em cada pastilha; b) Verique se a aproximacao da
Eq.(5.15) para a funcao de Fermi-Dirac e boa nos tres casos; c) Calcule a
resistividade de cada pastilha.
5.8 A probabilidade dos eletrons ocuparem os nveis de energia discretos das
impurezas nao e dada simplesmente pela estatstica de Fermi-Dirac. Pode-
se mostrar que a concentracao de impurezas doadoras ionizadas e dada
164 Materiais e Dispositivos Eletronicos

por (ver Ashcroft e Mermin)


Nd
Nd+ = ,
1+ 1
2
e d Ef )/kB T
(E

onde Ed e o nvel de energia da impureza. a) Verique se a suposicao de


completa ionizacao e boa nas tres pastilhas do Problema 5.7; b) Faca um
graco de Nd+ /Nd em funcao de T para a pastilha do Problema 5.7 com
a maior concentracao, supondo que Eg nao varia em T (0 400 K).
5.9 Uma pastilha de GaAs e dopada com impurezas doadoras com concen-
tracao 1017 atomos/cm3 . Supondo que todas as impurezas estejam ioni-
zadas, calcule a resistividade da pastilha e compare com o valor obtido
no problema 5.7 para o Si com a mesma concentracao.
5.10 Calcule as concentracoes de impurezas doadoras que tornam Si e GaAs
degenerados (EF = Ec ).
5.11 Uma pastilha de silcio tem impurezas aceitadoras com concentracao
Na = 2 1014 cm3 . Suponha que todas estao ionizadas. a) Calcule
as concentracoes de eletrons e de buracos em T = 300 K. Nesta situacao,
o semicondutor e considerado intrnseco ou extrnseco? b) Calcule as
concentracoes de eletrons e buracos em T = 600 K, sabendo que nesta
temperatura o gap diminui para 1,0 eV. Nesta situacao o semicondutor e
intrnseco ou extrnseco?
5.12 a) Explique, qualitativamente, usando poucas palavras e alguns gracos,
porque o nvel de Fermi no semicondutor tipo n esta mais proximo da
banda de conducao do que da de valencia, e no tipo p esta mais proximo da
banda de valencia; b) Explique, qualitativamente, usando poucas palavras
e alguns gracos, como o nvel de Fermi varia com a temperatura num
semicondutor tipo n.
5.13 Um termistor e um resistor cuja resistencia varia com a temperatura.
Considere um termistor feito de silcio intrnseco, cuja resistencia e 500
em T = 300 K: a) Supondo que a mobilidade nao varia com a temperatura,
calcule a taxa de variacao da resistencia com a temperatura em torno de
300 K, expressa em / C; b) Qual e, aproximadamente, a resistencia do
termistor em T = 320 K?
5.14 Uma barra de germanio tem comprimento 1 cm e secao reta quadrada
de lado 1 mm. (a) Calcule a resistencia entre as duas extremidades da
barra a T = 300 K no caso do semicondutor intrnseco; b) Considere que
a barra foi dopada com uma certa concentracao de impurezas doadoras
Cap. 5 Materiais Semicondutores 165

Nd . Supondo que a mobilidade e a mesma do material puro, qual deve


ser o valor de Nd para que a resistencia seja 10 a T = 300 K?
5.15 Uma barra de semicondutor com concentracao de portadores majoritarios
1016 cm3 tem largura d = 1 mm e espessura 0,5 mm. Qual a tensao Hall
na barra quando submetida a um campo magnetico B = 0, 1 weber/m2
(1 kG) e percorrida por uma corrente 100 mA?
5.16 Uma barra semi-innita feita de material semicondutor tem uma dis-
tribuicao estacionaria de buracos mostrada na Figura 5.22. Esta dis-
tribuicao e mantida por uma certa corrente I constante, entrando na
extremidade da barra em x = 0 atraves de um contato metalico. a) Uti-
lizando a expressao (5.57) para a corrente de difusao, calcule a corrente
I = Ip (x = 0) em funcao de Lp , Dp e da concentracao em excesso p
em x = 0; b) Mostre que esta corrente e igual a carga total existente em
x > 0, obtida pela integracao da distribuicao de buracos p(x), dividida
pela vida media p dos buracos. Explique porque este calculo leva ao
mesmo resultado que o do item a).
5.17 Considere a funcao gaussiana para a concentracao de eletrons em excesso
do equilbrio num semicondutor na forma de uma barra como a da Figura
5.20, numa secao de abcissa x no instante t,
N0 2
n(x, t) = ex /4Dn t
2 Dn t

onde N0 e o n umero de eletrons por unidade de area no instante t = 0


na regiao entre duas secoes espacadas de x em torno de x = 0, sendo
x muito pequeno. a) Mostre que esta funcao gaussiana e solucao da
equacao de difusao para eletrons, Eq.(5.65); b) Mostre que em t 0 esta
distribuicao tende para A(x), sendo A uma constante e (x) a funcao
delta de Dirac, que e nula para x = 0, diverge em x = 0 e tem area
igual a unidade. Calcule o valor de A; c) Faca um graco qualitativo
de n(x) para um instante generico t1 . Neste instante, calcule a largura
x da distribuicao, denida como a distancia entre dois pontos nos quais
o valor de n e n(x = 0)/2. Obtenha a relacao entre o coeciente de
difusao Dn , a largura x e o instante t1 . A partir deste resultado sugira
um metodo para medir o coeciente de difusao em semicondutores.
166 Materiais e Dispositivos Eletronicos
Captulo 6

Dispositivos Semicondutores: Diodos

6.1 A Jun
cao p-n 168
6.1.1 Fabricacao da Juncao p-n 168
6.1.2 A Barreira de Potencial na Juncao p-n 170
6.1.3 Carga e Campo na Juncao em Equilbrio 175
6.2 Corrente na Jun
c
ao Polarizada 180
6.3 Heterojun
coes 186
6.3.1 Juncao Metal-Semicondutor 188
6.3.2 Heterojuncoes de Semicondutores 190
6.4 Diodo de Jun
cao 192
6.4.1 Aplicacoes 196
6.5 Diodo de Barreira Schottky 198
6.6 Ruptura na Polarizac
ao Reversa: Diodo Zener 200
6.7 Outros Tipos de Diodos 202
6.7.1 Varactor 202
6.7.2 Diodo Tunel 203
6.7.3 Diodo IMPATT 206
6.7.4 Diodo Gunn 207

REFERENCIAS 210
PROBLEMAS 211

167
168 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Dispositivos Semicondutores: Diodos

6.1 A Jun
cao p-n

O fato de se poder dopar diversas regioes de um mesmo material semicondutor


com diferentes impurezas possibilita a fabricacao de uma grande variedade de
dispositivos eletronicos. Num semicondutor contendo uma regiao tipo p e uma
regiao tipo n, separadas por uma camada na de transicao, e formada o que
chamamos de junc ao p-n. A espessura da camada de transicao depende do
metodo de fabricacao, estando na faixa de 102 a 1 m. Em quase todos dispo-
sitivos semicondutores existe pelo menos uma juncao p-n. O comportamento
de eletrons e buracos nas juncoes de um dispositivo determina as caractersticas
corrente-tensao (IV ) de seus diversos terminais. Por esta razao, este Captulo
e iniciado com um estudo detalhado da juncao p-n. Ele servira de base para a
compreensao da operacao dos dispositivos semicondutores. Na proxima secao
deduziremos a caracterstica I V do diodo de juncao, o dispositivo mais sim-
ples de todos, constitudo de apenas uma juncao p-n. Nas secoes seguintes
descreveremos a operacao de outros tipos de diodos. Os transistores e outros
dispositivos ativos serao apresentados no Captulo 7. As caractersticas mais
detalhadas dos dispositivos semicondutores podem ser encontradas em varios
livros listados nas Referencias. Os dispositivos semicondutores para aplicacoes
opto-eletronicas serao abordados no Captulo 8.

6.1.1 Fabrica
c
ao da Junc
ao p-n

A tecnologia de fabricacao de juncoes evoluiu muito desde que o transistor de


juncao foi inventado em 1948. Os metodos mais empregados atualmente sao
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 169

a difusao e a implantacao ionica, mencionadas na Secao 5.3. A Figura 6.1


mostra as etapas mais importantes na fabricacao de um diodo de juncao p-n
por difusao, com a tecnologia planar introduzida no incio da decada de 60. O
primeiro passo consiste na preparacao da pastilha do cristal semicondutor, o
substrato, mostrado na Fig.6.1(a). Cerca de 90% dos dispositivos semicon-
dutores sao feitos com Si monocristalino. A pastilha, com espessura de alguns
decimos de mm, e obtida pelo corte em fatias de um bastao de Si, como o
mostrado na Fig.1.11, sendo suas superfcies polidas apos o corte. Em geral o
cristal de Si e crescido com alta concentracao de impurezas tipo n, sendo por
isso denominado de n+ . A alta concentracao facilita a formacao de contato
ohmico com a camada metalica depositada posteriormente (Fig.6.1f).

Figura 6.1: Etapas da fabricacao de um diodo de juncao p-n com a tecnologia planar: (a)
pastilha de Si usada como substrato; (b) substrato com camada de Si epitaxial dopado com
impurezas tipo n; (c) camada oxida sobre o Si; (d) ilustracao do processo de fotolitograa
para polimerizar certas regi oes da resina foto-resistiva; (e) difus
ao de impurezas tipo p
atraves da janela aberta no oxido; (f) estrutura completa do diodo de juncao com contatos
metalicos.
170 Materiais e Dispositivos Eletronicos

A etapa seguinte consiste em crescer sobre o substrato uma camada de Si


tipo n, com menor concentracao de impurezas, usando a tecnica de crescimento
epitaxial (Fig.6.1b). A pastilha e entao levada ao forno numa atmosfera de
oxigenio para a formacao de uma na camada (menos de 1 m de espessura) de
oxido SiO2 (Fig.6.1c). A etapa seguinte e a da fotolitografia, que e utilizada
para remover seletivamente o oxido de algumas regioes nos quais deseja-se
fazer a difusao. Uma pelcula de resina foto-resistiva, um lquido organico
polimerico, e espalhada sobre a camada de oxido e levada a um forno para
secar. A resina e sol
uvel em certos solventes, a nao ser que esteja polimerizada.
A polimerizacao, em certas regioes, e feita por luz ultra-violeta que passa pelas
aberturas de uma mascara colocada sobre a resina, e que contem o desenho
desejado. A Fig.6.1(d) mostra a parte opaca da mascara evitando que a area na
qual se deseja fazer a difusao seja exposta a` radiacao ultravioleta. Em seguida
usa-se solvente para remover a resina da regiao nao exposta e depois coloca-se
a pastilha num banho de acido, que corroi a camada de oxido na regiao onde
a resina foi removida. Este processo abre uma janela na camada de oxido
atraves da qual e feita a difusao de impurezas tipo p (Fig.6.1e) num forno a
alta temperatura (da ordem de 1000C). Finalmente, a estrutura e completada
com a deposicao de lmes metalicos para os contatos externos (Fig.6.1f).

A tecnologia planar e empregada para fabricar um simples diodo de


juncao, ou um transistor com varias juncoes, ou um complexo circuito inte-
grado contendo milhares de diodos e transistores na mesma pastilha de Si. Um
componente importante no processamento da pastilha e a mascara contendo o
padrao do circuito a ser produzido. Ate a decada de 1990, o layout original
era desenhado em escala grande, para aumentar sua resolucao, e posterior-
mente reduzido fotogracamente para a escala real da mascara. Atualmente o
processo e todo feito em computadores atraves de softwares especcos. Para
os modernos circuitos de alta integracao, nos quais as dimensoes laterais das
estruturas sao menores que 1 m, as mascaras sao produzidas na escala real
por feixes de eletrons.

6.1.2 A Barreira de Potencial na Junc


ao p-n

Para tratar matematicamente as equacoes que descrevem a carga e o poten-


cial eletrico numa juncao e necessario fazer algumas aproximacoes na juncao
real. A primeira consiste em reduzir o problema para uma dimensao. Veja
na Fig.6.1(f), que devido a` forma da juncao e dos contatos, o movimento dos
eletrons e buracos em grande parte do dispositivo ocorre na direcao normal
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 171

a` superfcie que separa as regioes p e n. Portanto, a suposicao de que as


grandezas variam apenas em uma direcao, digamos x, e uma boa aproximacao
para o problema real. A segunda aproximacao se refere a` separacao entre as
regioes p e n. Na juncao real, a variacao da concentracao de impurezas na
fronteira e gradual. A diferenca de concentracoes, Na Nd , passa gradual-
mente de positiva na regiao p, para negativa na regiao n, como mostrado pela
linha tracejada da Fig.6.2(a). Entretanto, para simplicar o problema, vamos
supor que a juncao e abrupta, isto e, Na Nd varia bruscamente de um valor
constante e positivo em x < 0 para um valor constante e negativo em x > 0,
como na linha cheia da Fig.6.2(a). A Fig.6.2(b) mostra o modelo da juncao
p-n abrupta, unidimensional, que vamos considerar nesta secao.

Para entender o que ocorre na juncao em equilbrio, vamos supor que as


regioes p e n do semicondutor estao sicamente separadas antes da juncao
ser formada. Nesta situacao o nvel de Fermi esta proximo da banda de
conducao no lado n e proximo da banda de valencia no lado p, como ilustrado
na Fig.6.3(a). Suponhamos agora que os dois materiais sao postos em contato
para formar a juncao. Como ha excesso de eletrons em relacao aos buracos
no lado n, ha uma difusao de eletrons do lado n para o lado p. Do mesmo
modo, ocorre difusao de buracos do lado p para o lado n. Esta difusao de
cargas de um lado para o outro produz duas camadas de cargas, ilustradas no
topo da Fig.6.3(b), formadas pelas impurezas ionizadas, doadoras no lado n e
aceitadores no lado p. Estas camadas de cargas criam um campo eletrico E
dirigido do lado n para o lado p, que se opoe a` continuacao do movimento de
cargas causado pela difusao. O campo E empurra os buracos de volta ao lado
p e os eletrons de volta ao lado n, atraves de uma corrente de deriva que se
opoe a` corrente de difusao. No regime de equilbrio as correntes de deriva e
de difusao se anulam, tanto para eletrons quanto para buracos, de modo que
a corrente total e nula. Nesta situacao, a distribuicao de cargas e o campo
eletrico adquirem uma conguracao estacionaria.

A regiao nas proximidades da juncao onde ha cargas nao compensadas,


mostrada nas Figuras 6.2 e 6.3(b), e chamada regiao de carga espacial.
Esta regiao tambem e chamada de transicao ou de deplecao (outro anglicismo
tecnico: to deplete signica exaurir). O campo E criado nesta regiao corres-
ponde a uma diferenca de potencial V0 entre o lado n e o lado p. Esta diferenca
de potencial tende a impedir a passagem de portadores majoritarios do lado p
(buracos) para o lado n e de portadores majoritarios do lado n (eletrons) para
o lado p. Devido a` forma da variacao do potencial, ilustrada na Fig.6.3(b),
ele e chamado barreira de potencial. A formacao da barreira de potencial
e o fenomeno fsico mais importante que ocorre na juncao, sendo o principal
172 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 6.2: (a) Variacao da concentracao de impurezas numa juncao p-n. A linha trace-
jada representa a variacao numa juncao real enquanto a linha cheia representa uma juncao
abrupta ideal. (b) Modelo de juncao abrupta unidimensional.

responsavel por suas caractersticas eletricas. A formacao da barreira tambem


tem uma implicacao importante no comportamento dos nveis de energia na
juncao. Como a energia do eletron e relacionada ao potencial eletrostatico
por E = e, a diferenca das energias da banda de conducao entre o lado p e
o lado n e,
Ecp Ecn = e(p n ) = eV0 . (6.1)
Portanto, a diferenca das energias e, em unidades de eVolt, o proprio valor
do potencial V0 da barreira. Isto signica que quando a juncao e formada, as
referencias para os nveis de energia dos lados p e n se ajustam de modo que a
diferenca das energias da banda de conducao entre os dois lados, bem como da
banda de valencia, correspondam `a diferenca de potencial criada pelo campo
eletrico produzido na juncao. Esta alteracao nos nveis relativos e decorrencia
do fato de que o nvel de Fermi EF deve ser o mesmo nos dois lados da juncao,
como mostra a Fig.6.3(b). Pela gura vemos tambem que como o menor valor
possvel de EF do lado p e Evp e o maior valor do lado n e Ecn , o valor limite
da barreira de potencial e V0 = Eg /e. O potencial se aproxima deste limite
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 173

Figura 6.3: (a) Semicondutores p e n separados. (b) Carga, campo eletrico, potencial e
nveis de energia na regiao de carga espacial da juncao p-n.

quando as duas regioes da juncao estao fortemente dopadas.

Na verdade, a explicacao para a formacao da barreira de potencial pode-


ria ter comecado pela analise do nvel de Fermi. Ele e relacionado com o
potencial qumico de um sistema termodinamico, que e constante quando o
sistema esta em equilbrio. Podemos fazer uma analogia entre o nvel de Fermi
e o nvel da agua num reservatorio, pois todas moleculas da agua tem energia
(gravitacional) menor que as da superfcie. Quando dois reservatorios com
nveis diferentes sao interligados, parte da agua do tanque de nvel mais alto
passa para o outro ate que os nveis se igualem. O que ocorre quando dois
semicondutores sao colocados em contato e semelhante. As cargas uem de
um lado para outro ate que os nveis de Fermi se igualem. Quando isto ocorre,
o sistema atinge o equilbrio.

O valor da diferenca de potencial V0 da barreira na juncao em equilbrio,


tambem chamado potencial de contato, pode ser calculado de varias
maneiras: a mais simples e baseada nos fatos de que o nvel de Fermi e cons-
tante na juncao e o semicondutor intrnseco e o mesmo nas duas regioes. Com
a Eq.(5.32) podemos escrever as relacoes entre as energias e as concentracoes
174 Materiais e Dispositivos Eletronicos

de equilbrio de buracos, pp0 do lado p e pn0 do lado n, nas regioes afastadas


da juncao,

pp0 = ni e(Eip EF )/kB T

pn0 = ni e(Ein EF )/kB T .


A razao entre as duas concentracoes e entao,
pp0
= e(Eip Ein )/kB T . (6.2)
pn0
Como o semicondutor intrnseco e o mesmo nas regioes p e n, vemos na
Fig.6.3(b) que a diferenca entre os nveis de Fermi intrnsecos nos dois la-
dos e precisamente o valor do potencial da barreira em eletron-volt (eV),
Eip Ein = e V0 . Fazendo esta substituicao, obtemos

kB T pp0
V0 = n . (6.3)
e pn0
Este mesmo resultado poderia ser obtido pela integracao da Eq.(5.70) que
exprime o fato de que na juncao em equilbrio a corrente de buracos e nula
(Problema 6.3). Podemos tambem relacionar o potencial de contato com as
concentracoes de eletrons nos dois lados da juncao. Partindo de (5.31) obtemos

kB T nn0
V0 = n . (6.4)
e np0
Este resultado tambem pode ser obtido de (6.3) usando a lei de Acao das
Massas. As Eqs.(6.3) e (6.4) podem ser reescritas na forma
pp0 nn0
= = eeV0 /kB T . (6.5)
pn0 np0
Finalmente, utilizando relacoes obtidas no Captulo 5, podemos exprimir o
potencial de contato em termos das concentracoes de impurezas nos dois lados
da juncao. No lado p, os buracos sao os portadores majoritarios e sua concen-
tracao e, por (5.42), pp0  Na . Por outro lado, na regiao n, de acordo com
(5.38), pn0  n2i /Nd . Usando estes valores em (6.3) obtemos,

kB T Na Nd
V0  n . (6.6)
e n2i

Utilizando (5.25) podemos obter outra expressao para o potencial de contato,


Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 175

Eg kB T Nc Nv
V0  n . (6.7)
e e Na Nd

Para uma juncao de Ge com as mesmas concentracoes de impurezas do Exem-


plo 6.1, pode-se mostrar que (Problema 6.1) V0 = 0,45 V. Veja que a medida
que as concentracoes de impurezas aumentam, a segunda parcela da Eq.(6.7)
diminui e V0 se aproxima de Eg /e. Assim, os maximos valores do potencial de
contato sao 0,68 V em Ge e 1,12 V em Si.

Exemplo 6.1: Considere uma junca es de impurezas Nd = 1016 cm3


o p-n de Si, tendo concentraco
18 3
e Na = 10 cm . Calcule o potencial de contato da juncao em T = 300 K.

Usando kB T = 0, 026 eV e os valores de Eg , Nc e Nv da Tabela 5.2, obtemos com a Eq.(6.7),

2, 6 1019 1, 02 1019
V0 = 1, 12 0, 026
n
1018 1016

= 1, 12 0, 026 10, 18 = 0, 85 V .

6.1.3 Carga e Campo na Jun


c
ao em Equilbrio

O potencial de contato calculado na secao anterior e a diferenca de potencial


eletrico entre um ponto no lado p e outro no lado n, ambos afastados da regiao
da juncao. Para calcular o campo eletrico e preciso obter a variacao do po-
tencial na regiao de carga espacial, que por sua vez depende da distribuicao
de cargas na regiao. Em vez de resolver o problema completo autoconsisten-
temente, vamos aproximar a distribuicao de cargas por uma funcao simples e
calcular o campo e o potencial a partir dela. Para obter esta distribuicao vamos
considerar o que acontece na regiao de carga espacial, ilustrada na Fig.6.4(a).
Eletrons e buracos estao em transito permanente, passando de um lado da
juncao para outro. Alguns eletrons passam do lado n para o lado p por di-
fusao, recombinam com buracos ou sao empurrados de volta para o lado n
pelo campo eletrico. O mesmo acontece com buracos do outro lado. Como
resultado, ha poucos eletrons e buracos na regiao de carga espacial pois eles
sao varridos de la pelo campo eletrico. Esta exaustao de cargas moveis da
regiao de carga espacial faz com que esta regiao tambem seja chamada de de-
plecao (vem do ingles depletion). Desta forma, as cargas da regiao sao devidas
aos ons das impurezas nao compensadas, doadoras do lado n e aceitadoras
176 Materiais e Dispositivos Eletronicos

do lado p. Tendo as impurezas doadoras, com concentracao Nd , perdido seus


eletrons, sua carga e positiva. Por outro lado, as impurezas aceitadoras, com
concentracao Na , recebem eletrons e tornam-se negativas. Em primeira apro-
ximacao podemos entao considerar que no lado n, a densidade de carga tem
valor = +eNd constante numa camada de espessura n e nulo fora dela. Por
outro lado, na regiao p a densidade e = eNa numa camada de espessura p
e nula fora dela, como ilustrado na Fig.6.4(b). Esta e a chamada aproximacao
de deplecao. Como a carga total deve ser nula, pois a juncao e eletricamente
neutra, o modulo da carga de um lado e igual ao modulo da carga no outro.
Sendo a carga igual ao produto da densidade de carga pelo volume, e facil
ver que as espessuras das camadas sao relacionadas com as concentracoes de
impurezas por,
n Nd = p Na . (6.8)

Sendo a espessura total da regiao de carga espacial  = p + n , podemos


exprimir as espessuras das duas camadas de carga em funcao das concentracoes
de impurezas
Nd Na
p =  , n =  . (6.9)
Na + Nd Na + Nd

Estas equacoes mostram que a espessura e maior do lado de menor


dopagem. Para calcular o campo eletrico a partir da distribuicao de cargas,
utilizamos a lei de Gauss na forma diferencial, Eq.(2.1). Como so ha variacao
 = E,
na direcao x, usando a relacao D  a Eq.(2.1) pode ser escrita como:

dE (x)
= , (6.10)
dx 

sendo = eNd em 0 < x < n e = eNa , em p < x < 0. A integracao


de (6.10) com essas densidades resulta numa variacao linear do campo eletrico
em cada um dos lados, como ilustrado na Fig.6.4(c). Em p < x < 0,
eNa
E(x) = x E0 , (6.11)


onde E0 e uma constante de integracao, que corresponde ao valor de E em


x = 0. Como E(x = p ) = 0, pois o campo e nulo fora da regiao de carga
espacial, E0 = eNa p /. De (6.10) vemos tambem que, em 0 < x < n ,
eNd
E(x) = x E0 , (6.12)

Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 177

Figura 6.4: Variacao da densidade de carga, campo eletrico e potencial eletrost


atico no
modelo unidimensional da juncao p-n.

onde a constante de integracao, determinada por E(x = n ) = 0, deve ser a


mesma de (6.11). De fato, usando (6.8), vemos que

eNa p eNd n
E0 = = . (6.13)
 

A Fig.6.4(c) mostra a variacao do campo eletrico dada por (6.11) e (6.12).


Note que o campo so e diferente de zero na regiao de carga espacial, sendo
dirigido no sentido x, como era de se esperar.

A partir das expressoes do campo eletrico podemos obter a variacao do


potencial (x), usando a relacao E(x) = d/dx. A funcao cuja derivada e a
178 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Eq.(6.11) com o sinal trocado e,

1 eNa 2
(x) = x + E0 x + C ,
2 

onde C e uma constante cujo valor depende da escolha da referencia do po-


tencial. Tomando como referencia (x = p ) = 0 e substituindo a expressao
de E0 em (6.13), obtemos C = eNa 2p /2. O potencial em p x 0 e entao

eNa
(x) = (x + p )2 . (6.14)
2

Para calcular (x) em x 0 integramos (6.12) de maneira analoga e deter-


minamos a constante de integracao igualando as expressoes dos potenciais nos
dois lados em x = 0. O resultado e, para 0 x n ,

eNd 1 2 1
(x) = x n x p n . (6.15)
 2 2

A variacao do potencial dado por (6.14) e (6.15) esta mostrada na Fig.6.4(d).


Como era esperado, ela tem a forma da barreira de potencial da Fig.6.3(b).
O valor do potencial de contato V0 e a diferenca de potencial entre os pontos
x = n e x = p , que e simplesmente o valor do potencial em x = n . Usando
(6.15) e a expressao de E0 obtemos,

eNd 1
V0 = (n ) = n  = E 0  . (6.16)
2 2

Como a diferenca de potencial entre dois pontos e a integral do campo eletrico,


o resultado (6.16) poderia ter sido facilmente obtido pela area do triangulo que
representa a variacao de E(x) mostrado na Fig.6.4(c). Partindo das Eqs.(6.9)
e (6.16) e possvel relacionar as espessuras das camadas de carga com as con-
centracoes de impurezas e o potencial de contato. E facil mostrar que,

e Na Nd 2
V0 =  , (6.17)
2 Na + Nd
de onde obtemos
 1/2
2V0 1 1
= + . (6.18)
e Na Nd
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 179

Para obter uma expressao para a espessura  em funcao apenas dos


parametros dos semicondutores que formam a juncao, substumos (6.6) em
(6.18), obtendo

 1/2
2kB T 1 1 Na Nd
= + n 2 . (6.19)
e2 Na Nd ni

A partir desta expressao pode-se calcular as espessuras p e n das camadas de


carga nos lados p e n atraves da Eq.(6.9).

Finalmente notamos que, como a diferenca de potencial entre os dois


lados e produzido por duas camadas de carga, a juncao tem uma capacitancia
C. Sendo A a area da secao reta da juncao, as cargas totais nas camadas sao
+Q e Q, sendo Q = eNd n A. No caso em que as cargas sao distribudas nas
duas camadas, a capacitancia e denida por C = dQ/dV . A partir de (6.9) e
(6.18) obtemos entao (Problema 6.5):
A
C= (6.20)


onde  e dado por (6.19). Ve-se que a capacitancia da juncao varia inversa-
mente proporcional a` espessura  da regiao de carga espacial. Como veremos
na proxima secao,  pode ser alterado pela aplicacao de uma tensao externa,
o que permite entao variar o valor de C.

Exemplo 6.2: Considere uma junca o p-n de Si como a do Exemplo 6.1, tendo uma seca
o reta
circular de di
ametro 200 m. Calcule: a) A espessura da regiao de carga espacial; b) O campo
eletrico m
aximo; c) A capacit
ancia da junca
o.

a) Para calcular a espessura


, usamos a Eq.(6.18), com o valor da carga do eletron e = 1, 6 1019
C, a permissividade do v acuo = 8, 85 1012 Fm1 .
Da Tabela 5.2 temos a constante dieletrica / 0 = 11,8, logo,

2 11, 8 8, 85 1012 0, 85   1/2
1 1

= + 16
1, 6 1019 1018 106 10 106
 2 11, 8 8, 85 1012 0, 85 1/2
 = 3, 3 107 m = 0, 33 m
1, 6 1019 1022

b) De (6.16) vem
2V0 2 0, 85
E0 = = = 5, 2 106 V/m

3, 3 107
180 Materiais e Dispositivos Eletronicos

c) Para calcular a capacit area A = R2 , sendo R = 104 m o raio da


ancia usamos (6.20) com a
seca
o circular.

11, 8 8, 85 1012 3, 14 108


C= = 9, 9 1012 F = 9,9 pF .
3, 3 107

6.2 Corrente na Jun


c
ao Polarizada

Quando uma juncao e polarizada, isto e, submetida a uma diferenca de poten-


cial de um circuito externo, o equilbrio e alterado resultando numa corrente,
cujo sentido depende da tensao aplicada. A caracterstica essencial da juncao
p-n e sua assimetria em relacao ao sentido de aplicacao da tensao externa.
Tensoes em sentidos diferentes produzem correntes com intensidades diferen-
tes. Isto pode ser compreendido examinando o efeito da tensao externa na
barreira de potencial.

Quando uma tensao externa V e aplicada nos terminais da juncao, ela


aparece quase inteiramente atraves da regiao de carga espacial. Isto ocorre
porque a densidade de portadores nesta regiao e muito menor do que nas
regioes neutras dos semicondutores e tem portanto resistencia muito maior.
Assim, a tensao externa soma-se ou subtrai-se do potencial V0 da barreira em
equilbrio, dependendo de seu sentido, como ilustrado na Fig.6.5. Quando a
tensao V e aplicada no sentido do lado p para o lado n, chamado direto, ela
diminui a barreira de potencial, que passa a ter um valor V0 V (Fig.6.5b).
Por outro lado, se V tem o sentido de n para p, chamado reverso, a barreira
aumenta, passando a ter um valor V0 + V (Fig.6.5c). O resultado e que a
corrente que atravessa a juncao quando a tensao e aplicada no sentido direto e
maior que no sentido reverso, dando a juncao p-n uma assimetria que e a base
de operacao dos diodos e dos transistores de juncao.

E facil vericar que o campo eletrico e a espessura da regiao de carga


especial tambem variam com a tensao externa aplicada. Quando a tensao V
tem o sentido direto a diferenca de potencial na barreira diminui, portanto
o campo tambem diminui. Da mesma forma, a espessura da regiao de carga
diminui, podendo ser calculada pela Eq.(6.18) com V0 V em lugar de V0 .
Por outro lado, quando a juncao e polarizada no sentido reverso, a altura
da barreira, o campo eletrico e a espessura da regiao de carga aumentam
simultaneamente.
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 181

Figura 6.5: Efeito de tensao externa na espessura da regi ao de carga espacial e na altura
da barreira de potencial: (a) situacao em equilbrio; (b) polarizacao direta; (c) polarizacao
reversa.

Vamos agora considerar o que ocorre com as diversas componentes da


corrente na juncao, visando calcular sua caracterstica I-V . Vamos adotar a
convencao de que V e positivo se aplicado no sentido direto e negativo no
sentido reverso. Quando uma tensao positiva e aplicada aos terminais da
juncao, a corrente I entra pelo contato metalico do lado p (Fig.6.2) e sai
pelo contato do lado n. Nas duas regioes neutras do semicondutor afastadas
da juncao, a corrente e inteiramente de deriva e dominada pelos portadores
majoritarios, buracos no lado p e eletrons no lado n. Esses portadores se
movem em direcao a` regiao de carga espacial onde se encontram, produzem
recombinacao e tambem passam para o outro lado por difusao. Para calcular
o valor da corrente I produzida pela tensao V e preciso entender, com detalhe,
as varias componentes da corrente na regiao da juncao.

Consideremos o que ocorre com os buracos que se movem do lado p em


direcao a` juncao. Ao atingirem a regiao proxima da juncao, muitos deles
recombinam com eletrons provenientes do lado n. Aqueles que sobrevivem
chegam a` regiao de deplecao, onde a densidade de portadores e bem menor
e portanto ha pouca recombinacao. Ao atingirem a fronteira da regiao de
deplecao, o plano de coordenada x +n na Fig.6.4, os buracos sao injetados
182 Materiais e Dispositivos Eletronicos

na regiao n onde passam a ser portadores minoritarios. Nesta regiao os buracos


difundem mais para dentro do lado n enquanto recombinam com os eletrons,
resultando numa variacao da concentracao como aquela obtida na Secao 5.4.4.
Os buracos injetados na regiao n tem uma concentracao p em excesso do valor
n0 que decai exponencialmente com x. Sendo o comprimento de
de equilbrio p
difusao Lp = Dp p da ordem de 103 cm a 101 cm, ele e muito maior que a
espessura da camada de carga espacial,  1 m = 104 cm. Assim, a variacao
da concentracao de buracos pn no lado n da juncao tem a forma mostrada na
Fig.6.6(a). Comportamento analogo tem os eletrons do lado p, onde sao eles
os portadores minoritarios.

Para calcular a corrente total que atravessa a juncao podemos tomar


como base as correntes dos portadores minoritarios nos dois lados. Elas re-
sultam dos movimentos de difusao dos buracos no sentido de p para n e dos
eletrons no sentido oposto. Para calcula-las e preciso inicialmente obter as
concentracoes dos portadores. Para facilitar a notacao vamos fazer uma mu-
danca de coordenadas: a coordenada no lado n da juncao sera representada
por x, sendo a origem x = 0 na fronteira da regiao de carga espacial (plano
x = +n na Fig.6.4); no lado p representamos a coordenada por x no sentido
x, sendo x = 0 o ponto x = p da Fig.6.4. Esta notacao esta mostrada na
Fig.6.6. De acordo com (6.5), a razao entre as concentracoes de equilbrio de
buracos nos dois lados e
pp0
= eeV0 /kB T . (6.21)
pn0

Quando uma tensao externa V e aplicada na juncao, o potencial da barreira


passa a ser V0 V , de modo que a diferenca entre os nveis de Fermi intrnsecos
nos dois lados ca Eip Ein = e(V0 V ). Como mostra a Figura 6.5, este
resultado e consistente com uma diferenca entre os nveis de Fermi nos lados
p e n de EF = eV , devido ao fato de que a juncao nao esta em equilbrio.
Desta forma, a razao entre as concentracoes de buracos nas fronteiras da regiao
de carga espacial nos lados p e n, obtida por desenvolvimento analogo ao que
levou a Eq.6.2, e dada por,

pp (x = 0)
= ee(V0 V )/kB T . (6.22)
pn (x = 0)

No caso da corrente de juncao nao ser muito elevada, as concentracoes dos por-
tadores majoritarios quase nao variam em relac ao aos valores de equilbrio
com a aplicacao da tensao externa. Assim, pp (x = 0)  pp0 . Fazendo esta
substituicao em (6.22) e dividindo esta por (6.21) obtemos,
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 183

Figura 6.6: Concentracoes dos portadores minorit arios e correntes nas proximidades da
regi
ao de carga espacial em juncao p-n polarizada diretamente.

pn (x = 0)
= eeV /kB T . (6.23)
pn0

Este resultado mostra que as concentracoes de portadores minoritarios nas


fronteiras da regiao de carga espacial aumentam exponencialmente com a
tensao, no caso de polarizacao direta. Ao contrario, elas diminuem exponen-
cialmente com a tensao, no caso de polarizacao reversa. A partir da Eq.(6.23)
e simples obter a corrente de difusao de buracos no lado n usando os resultados
das secoes 5.4.3 e 5.4.4. O incremento na concentracao de buracos em relacao
ao equilbrio em x = 0, e obtido de (6.23),
pn (x = 0) pn (x = 0) pn0 = pn0 (eeV /kB T 1) . (6.24)

A variacao de pn ao longo de x, mostrada na Fig.6.6(a) e obtida uti-


184 Materiais e Dispositivos Eletronicos

lizando (5.84),
pn (x) = pn0 (eeV /kB T 1) ex/Lp . (6.25)

A partir deste resultado podemos obter a densidade de corrente de difusao de


buracos na direcao +x. Usando (6.25) em (5.57) vem
Dp
Jpdif (x) = e pn0 (eeV /kB T 1) ex/Lp . (6.26)
Lp

Sendo A a area da secao reta da juncao, a intensidade de corrente de difusao


de buracos em x = 0 e entao,
Dp
Ipdif (0) = eA pn0 (eeV /kB T 1) . (6.27)
Lp

Na aproximacao de que a recombinacao na regiao de carga espacial e desprez-


vel, a corrente de buracos nao varia nesta regiao, como ilustrado na Fig.6.6(c).
Por outro lado, um desenvolvimento analogo ao das Eqs.(6.21)-(6.27) leva a`
corrente de difusao de eletrons na regiao de carga espacial,
Dn
Indif (0) = eA np0 (eeV /kB T 1) . (6.28)
Ln

Em regime estacionario a corrente total e a mesma em qualquer secao da


juncao e tambem igual a corrente I que passa pelos contatos metalicos. Pode-
mos entao obter I pela soma das correntes de deriva de eletrons e de buracos
na regiao de carga espacial. Veja na Fig.6.6 que como a corrente total I nao
varia ao longo de x, as correntes de deriva de eletrons no lado n e de buracos
no lado p, sao dadas pelas diferencas entre I e as correntes de difusao de bura-
cos e de eletrons, respectivamente. Assim, podemos calcular a corrente total
sem utilizar explicitamente as correntes dos portadores majoritarios. Somando
(6.27) e (6.28) obtemos,
I = Is (eeV /kB T 1) , (6.29)
onde 
Dp Dn
Is = eA pno + npo . (6.30)
Lp Ln

A Eq.(6.29) e chamada a equa c


ao do diodo. Ela foi deduzida pela
primeira vez por W. Shockley, um dos tres fsicos que receberam o Premio No-
bel em 1954 pela descoberta do transistor. Ela permite calcular a corrente I na
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 185

importante chamar a atencao para


juncao em funcao da tensao externa V . E
o fato de que na deducao de (6.29)-(6.30) cou claro que a corrente na juncao
p-n e dominada pelos portadores minorit arios. Note que para tensoes nega-
tivas e muito maiores que kB T /e (0,026 V a` temperatura ambiente), I Is .
Por esta razao Is e chamada a corrente de saturac ao reversa. A Eq.(6.30)
permite calcular Is em termos unicamente dos parametros dos semicondutores
que formam a juncao. Considerando que a` temperatura ambiente as impurezas
estao quase totalmente ionizadas, podemos usar as expressoes (5.38) e (5.41)
para as concentracoes de portadores em equilbrio. Substituindo-as em (6.30)
vem 
2 Dp Dn
Is = eA ni + . (6.31)
Lp Nd Ln Na

Como ni varia exponencialmente com a energia do gap Eg , a corrente de


saturacao (6.31) varia muito de um semicondutor para outro. Evidentemente,
ela tambem varia muito com a temperatura. Consideremos uma juncao de
Ge com concentracoes de impurezas Na = 1018 cm3 e Nd = 1015 cm3 . Uma
juncao como esta com Na Nd e chamada p+ n. Neste caso o primeiro
termo em (6.31) domina completamente o segundo. Considerando uma area
da juncao de A = 104 cm2 e tempo de recombinacao p  0, 1 s, com os
valores de ni e Dp da Tabela 5.2 obtemos,
Is  2, 5 107 A = 0, 25 A .

A Figura 6.7 mostra a curva I V dada pela Equacao (6.29) com este
valor de Is . A parte (b) da gura mostra uma regiao expandida em torno da
origem. Vemos que para V = 0, 1 V a corrente ja tem valor praticamente
igual a da saturacao reversa. Com polarizacao direta, V > 0, a corrente cresce
exponencialmente com V . A Fig.6.7(a) feita numa escala de corrente 105 vezes
maior apresenta um aspecto mais familiar da caracterstica I V da juncao.
Ela e fortemente assimetrica em relacao ao sentido de polarizacao. Com polari-
zacao reversa a corrente e desprezvel comparada com a de polarizacao direta,
que e a caracterstica essencial do diodo. Um aspecto marcante da Fig.6.7(a)
e o aumento abrupto da corrente que ocorre num valor de tensao em torno de
0,3 V. Este aspecto da curva e simplesmente o resultado de um crescimento
exponencial de I com V . O valor da tensao crtica para o qual a corrente cresce
bruscamente depende fundamentalmente do semicondutor. Isto pode ser visto
substituindo (6.31) em (6.29) e usando a Eq.(5.23) para ni . Desprezando a
unidade em presenca da exponencial em (6.29) obtemos,

Dp Dn
I = eA + Nc Nv e(eV Eg )/kB T . (6.32)
Lp Nd Ln Na
186 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 6.7: Caracterstica I-V de juncao p-n ideal dada pela equacao do diodo com Is =
0, 25 A, valor adequado para uma juncao de germ anio. A curva em (b) e a mesma que em
(a), feita em escala ampliada para mostrar o comportamento em torno da origem.

Vemos entao que a corrente cresce exponencialmente com a diferenca entre V


e o valor da energia do gap em eV. A tensao crtica de crescimento brusco
da corrente esta na faixa 0,2-0,4 V para juncoes de germanio e 0,6-0,8 V para
juncoes de silcio.

Finalmente e preciso notar que em juncoes reais a resposta I V desvia de


(6.29) devido aos seguintes fatores: a recombinacao na regiao de carga espacial
nao e completamente desprezvel; a concentracao de portadores majoritarios
nao permanece em equilbrio quando a corrente aumenta muito; a juncao nao
e abrupta, como o modelo que consideramos nesta secao. Estes efeitos sao
tratados em outros livros mais especializados em dispositivos semicondutores.

6.3 Heterojun
coes

Uma juncao formada por dois materiais intrinsecamente diferentes e chamada


uma heterojun c
ao, em contraste com aquela estudada na secao anterior,
que e uma homojun c
ao. Quando os materiais nos dois lados da juncao sao
diferentes, o diagrama de energia exibe uma descontinuidade na interface dos
dois materiais, ao contrario do comportamento contnuo da Fig.6.3. Em geral
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 187

sao chamadas heterojuncoes aquelas formadas de semicondutores diferentes,


como GaAs e (GaA)As, usada em lasers semicondutores. Porem juncoes entre
metais e semicondutores tambem sao heterojuncoes e tem utilidade para a fa-
bricacao de dispositivos. Juncoes envolvendo metais tem algumas propriedades
e aplicacoes semelhantes `as das juncoes p-n, mas tambem tem caractersticas e
atrativos peculiares. Este e o caso de juncoes metal-semicondutor, que sao u teis
em dispositivos de alta freq uencia, e de juncoes metal-isolante-semicondutor,
usadas em circuitos digitais de alta integracao.

O comportamento de um material numa heterojuncao depende forte-


mente de sua func ao trabalho W0 , cujo conceito foi introduzido na Secao
2.3. Ela e denida como a energia necessaria para arrancar um eletron do
interior de um material e leva-lo para longe de sua superfcie. Tendo estu-
dado as propriedades quanticas de eletrons em metais e em semicondutores,
podemos compreender melhor o conceito da funcao trabalho. No caso de um
metal, como os eletrons de energia mais alta estao no nvel de Fermi, e facil
ver que a funcao trabalho e dada por W0 = E0 EF , onde E0 e a energia
do eletron no vacuo e longe do material, como ilustrado na Fig.6.8(a). Em
metais costuma-se escrever W0 = em , onde m e um potencial eletrico com
valor tipicamente da ordem de 2 a 6 V. Nos semicondutores a denicao da
funcao trabalho tambem e W0 = E0 EF . Entretanto como nao existem
eletrons no nvel de Fermi, W0 = es nao e a energia mnima necessaria para
arrancar eletrons do semicondutor. Como os eletrons de mais alta energia
estao na banda de conducao, a energia necessaria para remove-los do material

Figura 6.8: Ilustracao das funcoes trabalho nos diagramas de energia de um metal (a) e de
um semicondutor (b) separados.
188 Materiais e Dispositivos Eletronicos

e E0 Ec eX , onde eX e chamada afinidade eletr onica. A Fig.6.8 ilustra


esquematicamente as funcoes trabalho de um metal e de um semicondutor se-
parados e no vacuo. Note que na gura o nvel de energia E0 de um eletron no
vacuo e o mesmo, quer ele tenha sido removido do metal ou do semicondutor.
Desta forma, quando um metal e um semicondutor estao separados, seus nveis
de Fermi tem posicoes relativas diferentes, que dependem exclusivamente de
suas respectivas funcoes trabalho em es .

6.3.1 Jun
cao Metal-Semicondutor

Quando um metal e colocado em contato direto com um semicondutor, ocorre


uma transferencia de cargas de um lado para o outro de modo a igualar os dois
nveis de Fermi, a semelhanca do que acontece numa juncao p-n. O sentido de
movimento de cargas depende entao dos valores relativos das funcoes trabalho.
A diferenca para o caso da juncao de dois semicondutores e que buracos nao
podem passar do semicondutor para o metal, pois eles sao quase-partculas que
existem apenas nos semicondutores. Essa transferencia cria camadas de cargas
nos dois lados da juncao resultando numa barreira de potencial, chamada bar-
reira de Schottky, em homenagem ao fsico W. Schottky que estudou contatos
metal-semicondutor na decada de 30. A forma da barreira e bastante dife-
rente da juncao p-n, depende do tipo do semicondutor, dos valores relativos
das funcoes trabalho nos dois materiais e da anidade eletronica. As formas
da barreira Schottky para dois casos tpicos estao mostradas na Fig.6.9.

A Fig.6.9(a) corresponde `a juncao de um metal com um semicondutor


tipo n de funcao trabalho menor, isto e, com s < m . Sendo em a energia
necessaria para arrancar um eletron do metal e eX a energia para introduzi-
lo no semicondutor, a altura da barreira de energia eB que um eletron deve
vencer para passar do metal para o semicondutor e eB = e(m X ). Anali-
sando as posicoes relativas de EF e Ec nas Figuras 6.8 e 6.9(a), vemos entao que
a diferenca de energia entre o pico da barreira e o mnimo da banda de conducao
Ec e e(m s ). Esta diferenca caracteriza o potencial de contato entre o
metal e o semicondutor em equilbrio, V0 = m s , que impede a passagem
de eletrons do semicondutor para o metal. Este potencial pode ser reduzido
ou aumentado pela aplicacao de uma tensao externa com polarizacao direta
ou reversa, respectivamente. Por esta razao o contato metal-semicondutor tem
caracterstica I-V semelhante a de uma juncao p-n.

A Fig.6.9(b) ilustra a barreira Schottky no caso de um semicondutor tipo


p com s > m . Neste caso, para ocorrer o alinhamento dos nveis de Fermi, e
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 189

Figura 6.9: Diagramas de energia de juncoes metal-semicondutor em equilbrio: (a) Semi-


condutor tipo n com s < m ; (b) Semicondutor tipo p com s > m .

preciso que haja um acumulo de cargas positivas no lado do metal e de cargas


negativas no lado do semicondutor. Isto ocorre com a transferencia de eletrons
do metal para o semicondutor, onde eles ionizam as impurezas aceitadoras
numa camada de deplecao. As camadas de carga nos dois lados produzem uma
barreira de potencial V0 = s m em equilbrio que impede a continuacao
do movimento de transferencia. Como no caso anterior, esta barreira pode ser
aumentada ou diminuda pela aplicacao de uma tensao externa.

Uma diferenca importante da juncao metal-semicondutor para a juncao


p-n e que na primeira a corrente e dominada por portadores majorit arios,
enquanto que na segunda ela e determinada pelos portadores minorit arios.
O processo pelo qual os portadores majoritarios constituem a corrente na
juncao metal-semicondutor polarizada diretamente envolve a emissao de
eletrons do metal, semelhante a` emissao termionica no catodo quente de uma
valvula a vacuo. Seu estudo quantitativo pode ser encontrado em algumas
referencias citadas no nal deste Captulo.

Finalmente e importante ressaltar que nos casos dos contatos metal-


semicondutor tipo n com m < s e metal-semicondutor tipo p com s < m ,
o potencial de contato e negativo e nao ha formacao da barreira de poten-
190 Materiais e Dispositivos Eletronicos

cial. Contatos deste tipo sao chamados


ohmicos, porque sua resistencia nao
depende do sentido da corrente.

6.3.2 Heterojun
coes de Semicondutores

Numa heterojuncao de semicondutores a descontinuidade de energia na inter-


face resulta dos diferentes gaps de energia nos dois lados. Uma heterojun-
cao com grande aplicacao tecnologica e aquela formada por GaAs e pela liga
Ga1x Ax As. Nesta liga uma certa fracao x de atomos de A substitui os
atomos de Ga de maneira aleatoria na rede cristalina. Como GaAs e AAs
cristalizam na mesma estrutura (zinc-blende, Fig.1.8a) e tem parametros de
rede quase identicos, a substituicao de Ga por A nao produz distorcoes na
rede. O principal efeito do A na rede de GaAs e o aumento do gap de ener-
gia. Como GaAs tem Eg = 1, 43 eV e AAs tem Eg = 2, 16 eV, o gap de
Ga1x Ax As depende da concentracao x do alumnio. Em primeira aproxima-
cao, Eg varia linearmente com x entre os dois valores dos cristais puros.

Devido ao fato de que as redes sao quase identicas, e possvel crescer


Ga1x Ax As em cima da superfcie de um cristal de GaAs, produzindo uma in-
terface cristalina quase perfeita. Isto possibilita a fabricacao de heterojuncoes
nas quais os eletrons e buracos passam de um lado para outro sem sofrer espa-
lhamento causado por imperfeicoes na interface. O crescimento de (GaA)As
sobre GaAs e feito tradicionalmente com a tecnica LPE, mencionada na Secao
1.4. Atualmente, com a tecnica de MBE e outras tecnicas de fabricao de lmes,
e possvel depositar camadas monoatomicas individuais, uma apos outra, pro-
duzindo redes, interfaces, heterojuncoes e super-redes quase perfeitas.

A Fig.6.10(a) mostra os diagramas de energia de GaAs tipo n e


Ga1x Ax As tipo p, com certa concentracao x de A, quando os dois materiais
estao separados. Neste caso, cada material e caracterizado por uma funcao
trabalho e uma anidade eletronica diferentes, referidas ao nvel do vacuo.
Quando os dois materiais sao postos em contato, ocorre passagem de eletrons
e buracos de um lado para outro. Como na homojuncao p-n, no equilbrio os
nveis de Fermi dos dois lados se igualam. Entretanto, sendo os valores de Eg
diferentes, aparecem descontinuidades Ec na banda de conducao e Ev na
banda de valencia, como ilustrado na Fig.6.10(b). Pelo exame dos diagramas
de energia vemos facilmente que,
Ec = e(X1 X2 ) , (6.33)

Ev = Eg2 Eg1 Ec . (6.34)


Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 191

Figura 6.10: Diagramas de energia de uma heterojuncao de n-GaAs e p-(GaA)As:


(a) Materiais separados; (b) Juncao em equilbrio.

Estas descontinuidades sao as mesmas, quer os materiais estejam separados


quer estejam em contato, uma vez que elas dependem das anidades eletronicas
e dos gaps. Vemos em (6.33) e (6.34) que quando os valores de e Eg sao
iguais, Ec = Ev = 0. Como as descontinuidades existem nos materiais
separados, elas nada tem a ver com a formacao das camadas de carga nos
dois lados da juncao, as quais criam a barreira de potencial V0 . Assim sendo,
V0 so depende da variacao no nvel Ec da banda de conducao, descontada a
descontinuidade Ec . A altura da barreira e, portanto, dada por

V0 = V1 + V2 , (6.35)

onde V1 e V2 estao mostrados na Fig.6.10(b).

A diferenca entre os gaps de energia dos semicondutores numa heterojun-


cao possibilita a fabricacao de uma enorme variedade de formas de potenciais
para eletrons na banda de conducao e buracos na banda de valencia. Isto
permite a investigacao de propriedades quanticas de partculas em potenciais
fabricados com formas engenhosas, como tambem a construcao de sostica-
dos dispositivos. Uma heterojuncao importante para investigacoes cientcas
e para aplicacoes esta mostrada na Fig.6.11. Ela e formada por dois semicon-
dutores dopados com impurezas tipo n, n-GaAs e n-Gax A1x As. Devido aos
valores das anidades eletronicas dos dois materiais, as descontinuidades nas
bandas sao Ec = 0, 85 Eg e Ev = 0, 15 Eg , sendo Eg = Eg2 Eg1 .
Estas descontinuidades servem para bloquear a difusao de portadores do GaAs
para o (GaA)As, o que e importante para os lasers semicondutores que serao
estudados no Captulo 8.
192 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 6.11: Heterojuncao de n-GaAs e n-(GaA)As.

6.4 Diodo de Jun


cao

O diodo e um dispositivo eletronico de dois terminais que so deixa passar


corrente eletrica num sentido. Um diodo ideal deveria apresentar resistencia
nula a` corrente num sentido, como um curto-circuito, e resistencia innita,
como um circuito aberto, para a corrente no sentido oposto. Os diodos reais,
no entanto, tem num sentido resistencia pequena, mas nao nula, e resistencia
muito elevada, porem nao innita, no outro sentido. A Figura 6.12 mostra o
smbolo do diodo e a caracterstica I-V de um diodo ideal. A parte triangular
do smbolo representa a ponta de uma seta, indicando o sentido de passagem da
corrente no diodo. O diodo a` valvula, que existia antes da era do semicondutor,
e feito de um tubo a vacuo no interior do qual ha dois elementos, catodo e
anodo. O catodo e aquecido por um lamento e emite eletrons, enquanto o
anodo nao aquecido apenas recebe eletrons provenientes do catodo. Quando
uma diferenca de potencial positiva e aplicada entre o anodo e o catodo, os
eletrons vao do catodo para o anodo e produzem uma corrente. Quando a
tensao e aplicada no sentido oposto, o anodo nao pode emitir eletrons, pois
nao e aquecido, resultando em corrente nula. Os diodos semicondutores sao
feitos com juncoes p-n ou contatos metal-semicondutor. Enquanto na valvula
`a vacuo a assimetria e devida ao fato de que o catodo emite eletrons mas o
anodo nao, nos diodos semicondutores a assimetria e causada pela barreira de
potencial.

O diodo de juncao consiste apenas de uma juncao p-n com dois contatos
metalicos para entrada e para sada de corrente. No lado p o contato entre
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 193

Figura 6.12: (a) Smbolo do diodo. (b) Caracterstica I-V do diodo ideal.

o semicondutor e o lme de alumnio forma naturalmente um bom contato


ohmico, devido aos valores relativos das funcoes trabalho. No lado n o contato
ohmico e obtido atraves de uma dopagem mais forte, produzindo uma regiao
n+ como na Fig.6.1. Por analogia com o diodo a` valvula, o terminal p e
chamado anodo e o terminal n e chamado catodo.

Os diodos de juncao tem caracterstica I-V como aquela mostrada na


Fig.6.7. Quando eles sao polarizados diretamente, a corrente so alcanca inten-
sidade substancial quando a tensao e proxima ou maior que um valor crtico
E0 , que depende do semicondutor da juncao. Em diodos de Ge este valor e
da ordem de 0,2 a 0,4 V, enquanto que em diodos de Si ele varia de 0,6 a 0,8
V. A Fig.6.13 mostra um circuito aproximadamente equivalente ao diodo de
juncao. Para V < E0 a corrente no circuito e nula, pois a presenca da bateria
faz a tensao nos terminais do diodo ideal ser negativa. Para V > E0 a corrente
aumenta linearmente com a diferenca V E0 , devido ao resistor R em serie

Figura 6.13: (a) Circuito aproximado equivalente ao diodo de juncao. A bateria produz a
tensao crtica E0 e o resistor determina a inclinacao nita da caracterstica I-V , mostrada
em (b).
194 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 6.14: Aspectos fsicos comuns de diodos. (a) Baixa corrente. (b) Corrente inter-
mediaria. (c) Alta corrente.

com o diodo e a bateria.

O circuito equivalente da Fig.6.13(a) vale para tensoes dc. Para tensao


alternada, de freq uencia relativamente alta, e preciso considerar o efeito da
capacitancia da juncao. Quando a tensao aplicada ao diodo varia bruscamente,
a carga na regiao de deplecao nao acompanha imediatamente. Isto limita a
resposta em freq uencia do diodo. Este efeito pode ser representado por um
capacitor em paralelo com o circuito da Fig.6.13(a), cuja capacit ancia e, em
parte, dada pela Eq.(6.20). Tambem contribui para a capacitancia o atraso
no tempo do movimento de difusao das cargas nas proximidades da juncao.
Os valores relativos da capacitancia de difusao e da regiao de carga espacial
dependem da geometria da juncao e dos materiais que a formam.

A Figura 6.14 mostra tres aspectos fsicos comuns de diodos comerciais.


Cada tipo de diodo e identicado por um codigo alfanumerico (Exemplos:
1N23 e 1N56. O n umero 1 antes da letra N e usado para identicar diodos). A
identicacao dos terminais do anodo e do catodo, assim como a caracterstica
I-V e outros parametros do diodo, constam das especicacoes de cada tipo de
diodo.

Exemplo 6.3: Calcule as correntes de saturaca acos I V de tres diodos ideais, em T


o e faca os gr
= 300 K, um de Ge, um de Si e um de GaAs, considerando que todos tem os seguintes par ametros:
Na = 1017 cm3 ; Nd = 1015 cm3 ; A = 104 cm2 ; p = n = 0, 5 s.

A corrente desaturaca
o e dada por (6.31). Como Na  Nd , podemos desprezar o segundo
termo. Usand Lp = Dp p vem,
1/2
e A n2i Dp
Is  1/2
.
p Nd
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 195

Utilizando os dados do diodo e os par


ametros da Tabela 5.2 convertidos para o Sistema
Internacional, temos para o diodo de Ge,

1, 6 1019 104 104 (2, 5 1013 106 )2 (50 104 )1/2


Is = A
(0, 5 106 )1/2 1015 106
Is = 1, 0 107 A .

Para o diodo de Si vem

1, 6 1019 104 104 (1, 5 1010 106 )2 (12, 5 104 )1/2


Is = A
(0, 5 106 )1/2 1015 106
Is = 1, 8 1014 A .

Para o diodo de GaAs vem

1, 6 1019 104 (107 106 )2 (10 104 )1/2


Is = A
(0, 5 106 )1/2 1015 106
Is = 7, 2 1021 A .

acos I V dos tres diodos s


Os gr ao feitos calculando I em funca o de V , numericamente,
com a Equacao do Diodo (6.29), usando os tres valores de Is acima. O resultado est a mostrado na
Figura 6.15 e evidencia a diferenca entre as tens
oes crticas dos diodos feitos com os tres materiais.

Figura 6.15: Curvas I V dos diodos de Ge, Si e GaAs do Exemplo 6.3.


196 Materiais e Dispositivos Eletronicos

6.4.1 Aplica
coes

Os diodos de juncao tem in


umeras aplicacoes em circuitos eletronicos. Uma das
mais tradicionais e a reticacao de tensao alternada em fontes de alimentacao,
usadas para fornecer tensao dc para a operacao de equipamentos eletronicos.
A Figura 6.16(a) mostra os elementos basicos do circuito retificador de meia
onda. O transformador tem a funcao de transformar a amplitude da tensao
alternada da rede de distribuicao (em geral 110 V ou 220 V, valor ecaz) para
o valor adequado a` fonte. A Figura 6.16(b) mostra a tensao senoidal v(t) no
secundario do transformador, cujo valor medio e nulo, aplicada na entrada
do reticador. Considerando a tensao crtica E0 do diodo muito menor que
o valor de pico de v(t), o diodo apresenta resistencia desprezvel nos semi-
ciclos positivos de v(t) e resistencia elevada nos semiciclos negativos. Como
resultado, a corrente i(t) que atravessa o diodo em serie com a resistencia de
carga R, acompanha v(t) nos semiciclos positivos, porem e desprezvel durante
os semiciclos negativos, adquirindo a forma mostrada na Fig.6.16(c). A cor-
rente reticada e unidirecional, tem valor medio diferente de zero, porem nao
e constante, como seria desejado numa fonte dc. Entretanto, a simples adicao
ao circuito de um capacitor na posicao mostrada pelas linhas tracejadas, faz a
corrente aproximar-se da forma dc. O capacitor carrega-se durante o semiciclo
de conducao do diodo e descarrega sobre R no semiciclo negativo, fazendo a
corrente adquirir a forma da linha tracejada na Fig.6.16(c). Evidentemente,

Figura 6.16: Ilustracao da operacao de um circuito simples reticador de meia-onda. A


tensao v(t) no secundario do transformador resulta na corrente i(t) no diodo e na carga. A
linha tracejada representa a forma de onda obtida com a adicao do capacitor ao circuito.
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 197

a condicao para que isto ocorra e que a constante de tempo RC seja muito
maior que o perodo da tensao alternada.

Os diodos empregados em circuitos reticadores nao precisam ter res-


posta rapida, uma vez que a tensao ac nesses circuitos tem baixa freq uencia
(tipicamente 60 Hz nas redes de distribuicao). Porem eles precisam satisfazer
dois requisitos basicos: o primeiro e que a sua corrente maxima seja maior
que a exigida pela carga. Devido a`s colisoes de eletrons e buracos com a rede
cristalina, a passagem de corrente aquece o diodo, havendo um valor limite
que danica a juncao por superaquecimento. Desta forma, cada diodo, depen-
dendo de suas caractersticas fsicas, suporta uma corrente maxima; o outro
requisito e que a tensao de pico no semiciclo negativo seja menor que a tensao
de ruptura do diodo na polarizacao reversa. A origem desta tensao de ruptura
sera apresentada na Secao 6.6.

Outra aplicacao do diodo, baseada em sua propriedade de reticacao, e


como detetor de pico, empregado na deteccao de onda modulada em ampli-
tude em receptores de radio AM. Na transmissao por radio AM, a onda de alta
freq uencia, chamada portadora, tem uma amplitude que varia de acordo com
o sinal de baixa freq uencia (por exemplo, de audio) da informacao. Uma onda
AM tpica esta mostrada na Figura 6.17(a), na qual a portadora senoidal de
alta freq uencia e modulada por um sinal, tambem senoidal, de baixa freq
uencia.
Se a tensao desta onda AM e aplicada a um circuito com diodo, capacitor e re-
sistencia de carga, como o da Fig.6.16, sem o transformador, a tensao na carga
tem a forma da Fig.6.17(b). O circuito reticador de meia onda com capacitor
corta os semiciclos negativos da portadora, produzindo um sinal que corres-
ponde a` variacao do valor dos picos positivos. Este sinal e aproximadamente

Figura 6.17: a) Onda senoidal de alta freq


uencia modulada por sinal senoidal de audio.
A linha formada pelos valores de pico corresponde ao sinal de audio. b) Sinal de audio
produzido pelo detetor de pico com diodo.
198 Materiais e Dispositivos Eletronicos

igual ao sinal senoidal de audio que modula a amplitude da onda portadora.


Os diodos usados em detetores de pico trabalham com tensoes muito pequenas
e portanto podem ter baixa corrente maxima. Por outro lado, ao contrario dos
diodos de reticacao de fontes de alimentacao, eles devem responder a altas
freq
uencias.

6.5 Diodo de Barreira Schottky

Como mencionado na Secao 6.3.1, um contato metal-semicondutor com bar-


reira de Schottky tem caracterstica I-V semelhante `a da juncao p-n sendo,
portanto, tambem um diodo. Na realidade, historicamente o primeiro disposi-
tivo semicondutor construdo foi o diodo de contato metal-semicondutor. Nos
primeiros anos da eletronica costumava-se fabricar diodos detetores de sinal
pressionando uma agulha metalica na superfcie de um cristal semicondutor.
Um semicondutor usado popularmente era o PbS, a galena, encontrado na na-
tureza na forma cristalina. Da surgiu o nome radio galena, dado aos receptores
de radio constitudos apenas de um circuito LC de sintonia, um diodo detetor
de galena e um fone de ouvido. Foi tambem com contatos metal-semicondutor
que Bardeen e Brattain construram em 1947 o primeiro transistor, que se
constituiu na maior descoberta tecnologica do seculo 20. No decorrer dos
anos 50 os diodos e os transistores de contato metal-semicondutor, chama-
dos simplesmente de ponto-contato, foram abandonados devido a` diculdade
de reproducao das caractersticas I-V . Eles foram entao substitudos pelos
dispositivos de juncao p-n que sao os mais utilizados ate hoje. Entretanto,
com o aperfeicoamento da tecnologia de fabricacao e a compreensao teorica
de seu funcionamento, os dispositivos de ponto-contato voltaram a ter grande
utilidade em certas aplicacoes.

Apesar do diodo de barreira de Schottky ter caracterstica I-V seme-


lhante ao diodo de juncao, ha importantes diferencas entre os dois tipos de
diodo. Elas decorrem fundamentalmente do fato de que a corrente na bar-
reira de Schottky e devida a portadores majoritarios, enquanto na juncao
p-n e devida aos portadores minoritarios. Quando a tensao numa juncao p-
n e chaveada bruscamente de polarizacao direta para reversa, os portadores
minoritarios nao sao removidos para o outro lado instantaneamente devido
ao tempo de recombinacao (Secao 5.4.4). Este efeito limita a resposta de
frequencia de diodos de juncao p-n. Nos diodos de barreira de Schottky nao
ha portadores minoritarios para serem removidos, de modo que o tempo de
resposta e muito menor. Por esta razao eles tem grande aplicacao em circuitos
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 199

detetores de alta freq


uencia ou de chaveamento rapido.

Outra diferenca entre o diodo Schottky e o de juncao p-n esta no valor


da tensao crtica E0 da caracterstica I-V . Como vimos na Secao 6.1, ela
resulta de uma combinacao entre o valor da corrente de saturacao Is e o efeito
do crescimento exponencial de I com V , dada pela Eq.(6.29). Num diodo
Schottky feito com um mesmo semicondutor e com a mesma area que outro
diodo de juncao p-n, a corrente de saturacao e muito maior no primeiro, pois
e devida a portadores majoritarios. Como ilustrado na Fig.6.18 isto resulta
numa tensao crtica bem menor no diodo Schottky que no de juncao p-n,
aproximando-o mais de um diodo ideal na polarizacao direta.

Os diodos Schottky nao suportam correntes elevadas, pois sendo a area


de contato muito pequena, a densidade de corrente torna-se muito grande e
danica o contato. Por esta razao eles nao servem para circuitos reticadores.
Sua maior aplicacao e em circuitos detetores, que exigem resposta em alta
freq
uencia e alta sensibilidade (grande inclinacao da curva I-V proximo da
origem).

Figura 6.18: Comparacao entre as caractersticas I-V de um diodo Schottky (a) e um diodo
de juncao p-n (b) de Silcio. Ambas as curvas foram obtidas da Eq.(6.29), sendo usado
Is = 2, 5 A em (a) e Is = 1 nA em (b).
200 Materiais e Dispositivos Eletronicos

6.6 Ruptura na Polarizac


ao Reversa: Diodo Zener

De acordo com o modelo apresentado na Secao 6.1, na juncao p-n polarizada


reversamente circula uma pequena corrente, cuja intensidade tende para um
valor de saturacao Is `a medida que a tensao reversa aumenta. Na verdade
isto so ocorre enquanto a tensao reversa for menor (em modulo) que um certo
valor VR , chamado tensao de ruptura (breakdown, em ingles). Se a tensao
atingir este valor crtico, a corrente aumenta bruscamente, como resultado de
um processo de ruptura eletronica da juncao. Desde que o circuito externo
limite a intensidade da corrente nao a deixando ultrapassar um valor maximo
(que depende das caractersticas do dispositivo), este processo de ruptura nada
tem de destrutivo. Ele e perfeitamente reprodutivo e pode ser repetido uma
innidade de vezes. O processo de ruptura de uma juncao pode ocorrer por dois
mecanismos diferentes: o chamado efeito Zener e o mecanismo de avalanche.
Embora diferentes, ambos resultam do efeito do campo eletrico que existe na
regiao de carga espacial da juncao p-n, sobre os portadores de carga. Na
juncao polarizada reversamente, este campo cresce acompanhando a altura da
barreira de potencial, como ilustrado na Figura 6.5(c). O processo de ruptura
acontece quando o campo atinge um valor crtico.

O efeito Zener ocorre em tensoes relativamente pequenas, de alguns


volts, em juncoes de semicondutores fortemente dopados. Como mostra a
Eq.(6.18), se as concentracoes de impurezas Na e Nd nos dois lados da juncao
aumentam, a espessura  da camada de deplecao diminui. Com concentracoes
da ordem de 1019 1020 cm3 , para tensoes reversas de alguns volts a es-
pessura e da ordem de 105 cm, o que resulta em campos da ordem de 106
V/cm. Campos eletricos com esta intensidade quebram as ligacoes covalentes
e ionizam atomos da rede cristalina. Os eletrons liberados na ionizacao sao
acelerados no sentido oposto ao campo, passando para o lado n da juncao e pro-
duzindo corrente no sentido reverso, muito maior que a corrente de saturacao
reversa.

Em juncoes com menores concentracoes de impurezas, o campo eletrico


na regiao de deplecao pode nao ser suciente para produzir ionizacao direta
dos atomos do semicondutor, nao havendo, portanto, efeito Zener. Entretanto,
sempre havera um valor de tensao reversa para o qual ocorrera ruptura na
juncao atraves do mecanismo de avalanche. Como o nome sugere, este e um
processo no qual ocorrem eventos sucessivos, resultando numa multiplicacao
no n umero de portadores. O primeiro evento resulta da aceleracao, pelo campo
eletrico, de um eletron que entra na juncao proveniente do lado p. Se o eletron
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 201

tiver energia suciente, sua colisao com a rede cristalina pode produzir um par
eletron-buraco, resultando na multiplicacao por um fator dois no n umero de
portadores. Em seguida, o eletron criado e acelerado para o lado n, enquanto o
buraco e acelerado para o lado p. Se a tensao reversa for sucientemente alta,
cada um deles produzira um par eletron-buraco, que por sua vez produzirao
outros pares, num processo de reacao em cadeia. O valor de tensao reversa
para o qual esta avalanche produz um brusco crescimento na corrente reversa
e a tensao de ruptura VR , cujo valor pode variar entre alguns volts e milhares
de volts.

Independentemente do mecanismo responsavel pela ruptura na juncao,


Zener ou avalanche, a caracterstica I-V completa do diodo tem a forma
mostrada na Fig.6.19(a). Na polarizacao reversa o diodo apresenta uma grande
resistencia, sendo atravessada por uma corrente pequena de valor pr oximo a
Is , desde que a tensao seja menor que VR . Para tensoes proximas de VR , qual-
quer variacao em V produz enormes variacoes na corrente reversa causada pela
ruptura da juncao. Os diodos que sao fabricados para operar na regiao de rup-
tura sao chamados diodos Zener. Apesar do nome, em geral o mecanismo
de ruptura dos diodos Zener e o processo de avalanche. Eles tem o smbolo
mostrado na Figura 6.19(b), e podem ser fabricados para apresentar tensao de
ruptura VR escolhida, variando na faixa de 1 V a centenas de volts. Nos diodos
Zener de boa qualidade a corrente de ruptura e representada por uma linha
quase vertical, o que signica que a tensao nos terminais e mantida constante

Figura 6.19: (a) Caracterstica I-V do diodo de juncao, mostrando o brusco aumento da
corrente reversa na tensao de ruptura VR . (b) Smbolo do diodo Zener.
202 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 6.20: a) Circuito regulador com diodo Zener. b) Tens


ao vari
avel na entrada.
c) Tensao constante na sada do regulador.

e igual a VR , independentemente do valor da corrente.

A aplicacao mais importante dos diodos Zener e como regulador de


tens ao em fontes de alimentacao. A Fig.6.20 mostra a sada de um circuito
regulador com um diodo Zener de 9 V, quando alimentado por uma tensao
tpica de um reticador de meia onda. A tensao de entrada tem uma pequena
ondulacao em torno de um valor medio de 12 V, como a forma de onda da
Fig.6.16(c). A presenca do diodo Zener com polarizacao reversa faz com que
a tensao de sada seja VR = 9 V, independentemente da variacao da tensao de
entrada. A diferenca entre a tensao de entrada e a de sada ca aplicada no
resistor, cujo papel e absorver as utuacoes da entrada.

6.7 Outros Tipos de Diodos

6.7.1 Varactor

As Eqs.(6.18) e (6.20) mostram que o diodo de juncao p-n tem uma ca-
pacitancia que varia com a tensao da barreira de potencial. Considerando que
na polarizacao reversa com uma tensao V o potencial da barreira e V + V0 , e
supondo que V V0 , a Eq.(6.18) da para a espessura da regiao de deplecao
(Problema 6.4),
 V 1/2 . (6.36)
Como conseq uencia deste resultado e da Eq.(6.20), a capacitancia da juncao
varia com a tensao reversa na forma
C V 1/2 . (6.37)
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 203

Um diodo com corrente de saturacao muito pequena, submetido a uma


tensao de polarizacao reversa, comporta-se entao como um capacitor cuja ca-
pacitancia e variavel com a tensao. Ele e chamado varactor, termo formado
pela uniao de partes das palavras variable reactor. A dependencia da ca-
pacitancia com a tensao da Eq.(6.37) e valida apenas para uma juncao abrupta,
como aquela da Fig.6.2. Se a variacao da concentracao na regiao da juncao
for gradual, a dependencia de C com V sera diferente. Utilizando tecnicas
de crescimento epitaxial ou de implantacao ionica, e possvel fabricar juncoes
com diferentes pers de variacao da concentracao, escolhidos de modo a obter
funcoes C(V ) adequadas para aplicacoes especcas do varactor.

Os varactores sao utilizados em circuitos LC de sintonia de receptores


de radio, no lugar dos capacitores de placa variaveis manualmente. O fato
de sua capacitancia ser controlada pela tensao possibilita o controle eletronico
da frequencia de sintonia do circuito. Para esta aplicacao utiliza-se varactores
cuja capacitancia varia na forma C V 2 . Neste caso, a freq uencia de sin-
tonia do circuito, = (LC)1/2 , e proporcional a` tensao aplicada ao diodo.
Eles tambem sao empregados em ltros ativos, geradores de harmonicos e em
circuitos de microondas.

6.7.2 Diodo T
unel

O diodo t unel e feito com uma juncao p-n na qual, em certa faixa de tensao
de polarizacao direta, a corrente e dominada pelo efeito de tunelamento de
eletrons atraves da barreira de potencial na juncao. Como mostrado na Secao
3.3.3, existe uma probabilidade nita para um eletron atravessar uma barreira
com potencial maximo maior que sua energia cinetica. Este e o efeito t unel,
de natureza inteiramente quantica.

Como vimos na Secao 6.2, a corrente numa juncao p-n comum e devida
ao movimento de difusao de portadores minoritarios nos dois sentidos. Isto
resulta numa corrente que decresce exponencialmente com a tensao aplicada,
tendendo a zero quando V 0. O diodo t unel e feito com semicondutores
fortemente dopados nos dois lados da juncao, o que resulta no tunelamento
direto de eletrons do lado n para o lado p, produzindo uma corrente maior que a
corrente de difusao quando V e pequena. Para que isto ocorra e essencial, como
veremos a seguir, que os dois lados da juncao estejam fortemente dopados.

O cenario de nveis de energia que apresentamos na Secao 5.3 so e valido


quando a concentracao de impurezas e relativamente pequena, N
1020 cm3 .
204 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Nesta situacao as impurezas estao muito afastadas umas das outras, de modo
que a interacao entre elas e desprezvel. Quando a concentracao de impurezas e
da ordem de 1020 cm3 ou maior, a interacao entre elas deixa de ser desprezvel.
Neste caso ocorre um fenomeno como aquele ilustrado na Fig.4.1, os nveis de
energia das impurezas deixam de ser discretos e passam a formar bandas.
Se as impurezas forem doadoras, elas formam uma banda de energia que se
superpoe a banda de conducao, fazendo com que o nvel de Fermi esteja acima
do mnimo desta banda, EF > Ec . Em conseq uencia, os estados de energia
acima de Ec e abaixo de EF estao preenchidos com eletrons, mesmo em T = 0.
Os semicondutores nesta situacao sao chamados degenerados tipo n. De
maneira analoga, um semicondutor fortemente dopado com impurezas tipo p
tem EF < Ev , de modo que os estados entre EF e Ev estao preenchidos com
buracos.

O diodo t unel e feito com uma juncao p-n de dois semicondutores de-
generados, cujo diagrama de energia esta mostrado na Fig.6.21. Na situacao
de equilbrio, com tensao externa V = 0, o nvel de Fermi EF e o mesmo nos
dois lados da juncao. Como EF > Ev no lado p e EF < Ec no lado n, existem
estados preenchidos na banda de conducao no lado n com energia proxima a de
estados vazios na banda de valencia no lado p. Estes estados estao separados
espacialmente pela espessura da regiao de deplecao que, devido a` alta concen-
tracao de impurezas e bastante estreita (veja a Eq.6.18). Como vimos na Secao
3.3.3, estados cheios separados de estados vazios por uma barreira de poten-
cial estreita e de altura nita, criam as condicoes favoraveis ao tunelamento de
eletrons. Quando V = 0, como vemos na Fig.6.21(a) nao ha estados cheios e
vazios exatamente com a mesma energia. Nesta situacao nao ha tunelamento

Figura 6.21: Diagramas de energia de uma juncao p-n no diodo t unel: a) V = 0, juncao
em equilbrio; b) V < 0, corrente de tunelamento no sentido reverso; c) V > 0, corrente de
tunelamento no sentido direto.
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 205

de eletrons. Entretanto, com V = 0, tanto na polarizacao reversa como na


direta, ha estados cheios de um lado com mesma energia de estados vazios do
outro lado porque os nveis de Fermi nos dois lados sao diferentes, resultando
em tunelamento. Se V < 0 ocorre tunelamento de eletrons do lado p para o
lado n, como mostra a Fig.6.21(b), resultando em corrente no sentido reverso.
Por outro lado, se V > 0, pela Fig.6.21(c) vemos que o tunelamento e no
sentido de n para p, produzindo corrente direta.

Com polarizacao direta, V > 0, inicialmente a corrente aumenta com


a tensao, pois o n umero de estados vazios no mesmo nvel de estados cheios
aumenta com V . Entretanto, com o aumento progressivo de V , a partir de um
certo valor a banda de conducao no lado n ca acima da banda de valencia
no lado p, reduzindo o tunelamento. Desta forma, quando uma tensao de
polarizacao direta e aplicada ao diodo, a corrente de tunelamento inicialmente
aumenta com V , passa por um maximo e depois diminui, resultando numa
caracterstica I-V mostrada na Fig.6.22(a). Como a corrente de difusao, que
aumenta monotonicamente com V , se soma a de tunelamento, a caracterstica
I-V completa do diodo t unel tem a forma curiosa mostrada na Fig.6.22(b).

Uma caracterstica importante da curva I-V do diodo t unel e que em


certa faixa de tensao dI/dV < 0. Isto corresponde a uma resist encia nega-
tiva para sinais ac, cujo valor pode ser controlado pela tensao da V aplicada
ao diodo. Quando operando nesta regiao de resistencia negativa, o diodo tunel
fornece potencia ac ao circuito, ao contrario de uma resistencia normal que
sempre absorve energia. Assim, ele encontra aplicacoes em osciladores e am-

Figura 6.22: Caracterstica I-V de diodo tunel: a) somente a componente de tunelamento


da corrente; b) caracterstica I-V completa incluindo a corrente de difus
ao.
206 Materiais e Dispositivos Eletronicos

plicadores de sinal. Como o mecanismo de tunelamento nao apresenta retardo


devido aos processos de deriva e difusao, o diodo t
unel tambem tem aplicacoes
em circuitos de chaveamento rapido.

6.7.3 Diodo IMPATT

O nome IMPATT e feito com as letras das palavras


IMPact Avalanche Transit Time diode. O diodo IMPATT opera
com tensao reversa, proxima do valor de avalanche, tendo uma estrutura
que cria um perl de campo que faz um pacote de eletrons transitar de
uma extremidade a outra do dispositivo, produzindo uma oscilacao de alta
frequencia. A estrutura do diodo IMPATT esta mostrada na Fig.6.23(a). Ela
consiste de uma juncao p+ n, na qual a regiao n e extensa e terminada por
uma estreita regiao n+ com dopagem mais forte. Quando o diodo e polarizado
reversamente, a variacao do potencial tem a forma mostrada na Fig.6.23(b).
O potencial tem uma forte variacao na regiao da juncao polarizada reversa-
mente, resultando num pico do campo eletrico, mostrado na Fig.6.23(c). Na
regiao n o potencial varia monotonicamente, correspondendo a um campo
aproximadamente constante. A regiao n+ tem uma resistividade menor,
resultando numa menor queda de potencial e por conseguinte menor campo
eletrico. O diodo IMPATT normalmente opera com um circuito ressonante
externo, em regime de oscilacao, de modo que as variacoes do campo e do
potencial da Figura 6.23 correspondem aos valores medios daquelas grandezas.
A seguir descrevemos qualitativamente o mecanismo que produz a oscilacao
no diodo.

Quando a tensao externa e aplicada ao diodo, um campo eletrico e ra-


pidamente criado tendendo para uma distribuicao mostrada na Fig.6.23(c),
onde Eav e o valor de campo necessario para produzir avalanche na juncao
p+ n. Quando o campo atinge o valor Eav na juncao, uma avalanche pro-
duz um grande n umero de pares eletron-buraco. Os buracos criados durante
a avalanche deslocam-se no sentido x na regiao p+ e atingem o contato
metalico, onde recombinam com os eletrons provenientes da corrente externa.
Por outro lado, os eletrons criados na avalanche formam um pacote que se
desloca pela regiao n, em movimento de deriva sob a acao do campo eletrico
de valor Ed . Logo que o pacote de eletrons sai da regiao da juncao e penetra
na regiao n, ele produz uma queda de potencial em torno de si, o que provoca
uma diminuicao do campo eletrico na juncao. Isto faz o campo cair abaixo
do valor Eav , interrompendo o processo de avalanche. O pacote de eletrons
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 207

Figura 6.23: a) Estrutura do diodo IMPATT. b) Variacao do potencial medio ao longo do


diodo polarizado reversamente. c) Variacao do valor medio do campo eletrico.

transita na regiao n durante um certo tempo, ate atingir a regiao n+ e passar


para o circuito externo. Quando o pacote deixa a regiao n, o campo eletrico
na juncao volta a aumentar, atinge o valor Eav provocando nova avalanche e
reiniciando o processo. Se o diodo IMPATT estiver conectado a um circuito
LC, ou uma cavidade de microondas ressonante, cujo perodo de oscilacao e
o dobro do tempo de transito do pacote de eletrons, a oscilacao se mantem
indenidamente. Durante cada meio ciclo da oscilacao, um pacote de eletrons
produz corrente no mesmo sentido do meio ciclo, fornecendo energia ao cir-
cuito externo e compensando as perdas que nele existam. Os diodos IMPATT
sao utilizados como geradores de microondas, podendo produzir potencias de
dezenas de watts.

6.7.4 Diodo Gunn

Outro dispositivo utilizado como oscilador de microondas e o diodo Gunn, des-


coberto por J.B. Gunn em 1963. Este dispositivo e chamado de diodo porque
tem dois terminais. Entretanto, ao contrario de todos diodos apresentados
anteriormente, em vez de ser formado por uma juncao p-n, ele e constitudo
apenas de uma amostra de n-GaAs dopada uniformemente. O mecanismo de
208 Materiais e Dispositivos Eletronicos

oscilacao do diodo Gunn e baseado na resistencia negativa que ele apresenta em


certa faixa de tensao, semelhante a do diodo t unel. Entretanto, ao contrario
deste, a resistencia negativa resulta de uma propriedade intrnseca do GaAs.

A Fig.6.24(a) mostra uma parte das bandas de energia do GaAs, obtida


da estrutura completa de bandas da Fig.5.2. No semicondutor dopado com im-
purezas tipo n, no equilbrio os eletrons ocupam os estados proximos do mnimo
da banda de conducao no ponto 1 , tendo massa efetiva m1 = 0, 068 m0
(Tabela 5.1). Quando um campo eletrico pequeno e aplicado a uma amostra
de n-GaAs, os eletrons com momentum em torno do ponto 1 deslocam-se
no material, com velocidade de deriva proporcional ao campo. Isto resulta
numa densidade de corrente J proporcional ao campo E (Eq.5.52), fazendo
com que o material tenha curva J E linear, como a parte inicial do graco
da Fig.6.24(b). Quando o campo eletrico aumenta e atinge certo valor crtico
Ecr  3 105 V/m, os eletrons ganham energia suciente para passar para o
mnimo do ponto X1 , cuja energia esta E = 0, 36 eV acima. Note que sendo
E kB T , esta passagem para o mnimo de X1 nao ocorre por excitacao
termica, o que e uma condicao essencial para a operacao do dispositivo. Sendo
a massa efetiva no ponto X1 muito maior que em 1 , em conseq uencia do maior
raio de curvatura de E(k) e da Eq.5.3, a condutividade do material (Eq.5.46)
diminui. A faixa de resistencia diferencial negativa da Fig.6.24(b) corresponde
a valores de campo para os quais parte dos eletrons de conducao esta em torno
do ponto 1 , e parte esta no ponto X1 . Com o progressivo aumento de E, a

Figura 6.24: Propriedades de n-GaAs: a) detalhe da banda de conducao mostrando dois


mnimos que podem ser ocupados por eletrons. No mnimo do ponto 1 , os eletrons tem
massa efetiva m1 = 0, 068 m0 , onde m0 e a massa do eletron livre. No mnimo do ponto X1 ,
a massa efetiva e m2 = 1, 2 m0 ; b) caracterstica corrente- campo eletrico do material.
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 209

quase totalidade dos eletrons passa para X1 e a caracterstica J E volta a ser


linear, porem com inclinacao bem menor que a inicial.

Ha varios mecanismos pelos quais a oscilacao no diodo Gunn pode ocor-


rer. Vamos considerar aqui apenas o modo de camada de dipolo, ou domnio,
que ocorre em amostras relativamente longas. A Fig.6.25(a) ilustra uma
amostra de n-GaAs submetida a uma diferenca de potencial externa entre
os terminais negativo e positivo, respectivamente catodo e anodo. A amostra
tem eletrons na banda de conducao, cujas cargas negativas sao compensadas
pelas cargas positivas das impurezas doadoras ionizadas xas na rede. Quando
a tensao externa e aplicada, os eletrons injetados atraves do contato metalico
do catodo criam uma camada de carga negativa, que juntamente com as im-
purezas positivas formam uma camada de dipolo eletrico, ou domnio. A
camada de dipolo provoca em torno dela uma brusca variacao do potencial e,
conseq uentemente, um pico de campo eletrico. O gradiente de campo exerce
uma forca sobre a camada de dipolo, que se movimenta em direcao ao anodo.
A Fig.6.25(b) mostra o domnio viajando do catodo para o anodo, enquanto
a Fig.6.25(b) ilustra a variacao do potencial resultante. Quando o domnio
atinge o anodo, um pulso de corrente e produzido no circuito externo. Se a
tensao aplicada ao diodo tiver valor apropriado, o campo eletrico no domnio
estara na regiao de resistencia negativa, resultando em fornecimento energia
ao circuito externo. Se este for um circuito LC ou uma cavidade ressonante,
o pulso de energia tende a manter a oscilacao, desde que o tempo de transito

Figura 6.25: Operacao do diodo Gunn: a) ilustracao da amostra de n-GaAs com uma camada
de dipolo viajando do catodo para o anodo; b) variacao do potencial eletrico na amostra
com a presenca da camada de dipolo.
210 Materiais e Dispositivos Eletronicos

do domnio seja aproximadamente igual a meio perodo da oscilacao. Apos a


extincao no anodo, outro domnio forma-se no catodo e o ciclo se repete.

Os diodos Gunn sao largamente utilizados como osciladores de microon-


das. Eles operam com tensoes na faixa de 5 a 20 V, o que representa uma
vantagem em relacao aos diodos IMPATT, que normalmente requerem tensoes
de dezenas de volts. Como a velocidade de movimento dos domnios aumenta
com o aumento da tensao aplicada, a freq uencia de oscilacao aumenta com a
tensao. Por esta razao, a oscilacao do diodo Gunn e facilmente modulavel em
freq
uencia, pela superposicao de uma tensao variavel a` tensao de polarizacao.


REFERENCIAS

A. Bar-Lev, Semiconductors and Electronic Devices, Prentice-Hall, New Jer-


sey, 1984.
R. Dalven, Introduction to Applied Solid State Physics, Plenum Press, New
York, 1996.
D.A. Fraser, The Physics of Semiconductor Devices, Claredon Press, Oxford,
1983.
P.E. Gray e C.L. Searle, Princpios da Eletr
onica, Livro Tecnico, Rio de
Janeiro, 1974.
P. Horowitz and W. Hill, The Art of Electronics, Cambridge Univ. Press,
Cambridge, 1980.
H.A. Loureiro e L.E.P. Fernandes, Laborat
orio de Dispositivos Eletro- nicos,
Guanabara Dois, Rio de Janeiro, 1982.
R.E. Hummel, Electronic Properties of Materials, Springer-Verlag, Berlin,
2001.
K. Kano, Semiconductor Devices, Prentice-Hall, New Jersey, 1998.
H.A. Melo e R.S. de Biasi, Introducao a` Fsica dos Semicondutores, Edgard
Bl
ucher, 1975.
J. Millman e C.C. Halkias, Eletronica: Dispositivos e Circuitos, McGraw-
Hill, Sao Paulo, 1981.
K.K. Ng, Complete Guide to Semiconductor Devices, McGraw-Hill, New
York, 1995.
D.J. Roulston, An Introduction to the Physics of Semiconductor Devices,
Oxford University Press, Oxford, 1999.
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 211

G.B. Rutkowski and J.E. Oleksy, Solid State Electronics, MacMillan-


McGraw-Hill, Singapore, 1993.
B.J. Streetman and S. Banerjee, Solid State Electronic Devices, Prentice-
Hall, New Jersey, 2000.
S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, J. Wiley, New York, 1981.
S.M. Sze, Semiconductor Devices: Physics and Technology, J. Wiley, New
York, 1985.
E.S. Yang, Fundamentals of Semiconductor Devices, McGraw-Hill, New
York, 1978.
J.A. Zuo, Dispositivos Eletronicos, McGraw-Hill, Sao Paulo, 1976.

PROBLEMAS

6.1 Uma juncao p-n de Ge tem em cada lado impurezas com concentracoes
Nd = 1016 cm3 e Na = 1018 cm3 . a) Calcule as posicoes do nvel de
Fermi em cada lado a T = 300 K, em relacao a`s bandas de valencia e
de conducao. b) Desenhe o diagrama de energia da juncao em equilbrio,
indicando os valores das energias relevantes, e a partir dele determine o
potencial de contato V0 .
6.2 Calcule o campo eletrico maximo, a espessura da regiao de deplecao (em
m) e a capacitancia da juncao p-n do problema 6.1, considerando que
ela tem uma secao circular de diametro 300 m.
6.3 Na situacao de equilbrio de uma juncao p-n, a corrente de difusao cri-
ada pelo gradiente de concentracao cancela a corrente de deriva devido
ao gradiente de potencial, tanto para eletrons como para buracos. Este
equilbrio e expresso pela Eq.(5.70) para buracos. Faca a integral desta
equacao em uma dimensao e utilizando a relacao de Einstein obtenha a
Eq.(6.3) para o potencial de contato.
6.4 Uma diferenca de potencial V e aplicada para polarizar uma juncao p-n
abrupta. Considerando que para V nao muito elevada a condicao de
equilbrio Eq.(5.70) nao e muito alterada, demonstre a Eq.(6.22) e mostre
que a espessura da regiao de deplecao e dada por uma equacao igual a
(6.18), com V0 V no lugar de V0 .
6.5 Utilize o resultado do Problema 6.4 e a expressao da carga de uma juncao
p-n para mostrar que a capacitancia da juncao e dada por (6.20).
6.6 Mostre que a corrente de difusao de eletrons na regiao de deplecao de uma
juncao p-n e dada por (6.28).
212 Materiais e Dispositivos Eletronicos

6.7 Considere duas juncoes p-n abruptas feitas com semicondutores diferen-
tes, uma de Si e outra de Ge. Ambas tem as mesmas concentracoes de
impurezas, Na = 1018 cm3 e Nd = 1016 cm3 , e a mesma secao circular
de diametro 300 m. Suponha tambem que os tempos de recombinacao
sao todos iguais, p = n = 1 s. a) Calcule as correntes de saturacao
das duas juncoes em T = 300 K. b) Faca o graco I - V , preferivelmente
com um computador, com V variando na faixa -1, +1 V e I limitado a
100 mA.
6.8 O campo eletrico de ruptura da juncao de Si do Problema 6.7 e 106 V/cm.
Calcule a tensao de ruptura da juncao.
6.9 Numa juncao p+ n a concentracao de impurezas do lado n e desprezvel
comparada com a do lado p, de modo que n p . Considere uma juncao
deste tipo com n muito menor que o comprimento de difusao de buracos
do lado n, Lp . Mostre que nesta juncao polarizada diretamente, a corrente
de eletrons e desprezvel comparada com a de buracos e que o campo
eletrico no lado n, fora da regiao de deplecao, e dado aproximadamente
por
kB T 1 pn (0)
E(x) = ,
e n Nd + pn (x)
onde x e medido a partir da fronteira da regiao de deplecao.
6.10 Um diodo de juncao p-n de Si polarizado diretamente com uma corrente
constante e utilizado como um termometro. Em T =27 C a tensao no
diodo e 700 mV. a) Calcule o coeciente de temperatura do diodo nesta
temperatura, isto e, a razao V /T . b) Qual sera a variacao na tensao
se a temperatura aumentar para 80 C? Calcule esta variacao exatamente
e compare com o valor obtido supondo que ela e linear e caracterizada
pelo coeciente obtido no item a).
6.11 Uma juncao p+ n de Si com secao reta de area 102 cm2 tem nos dois
lados concentracoes Na = 1017 cm3 e Nd = 1015 cm3 . Os parametros do
Si estao dados na Tabela 5.2. Calcule: a) o campo eletrico maximo; b) a
espessura da regiao de deplecao (em m) e c) a capacitancia da juncao na
situacao de equilbrio e quando ela esta submetida a uma tensao externa
de polarizacao direta de 0,4 V.
6.12 A Eq.(6.25) para a concentracao de buracos no lado n de uma juncao
p-n vale tanto para polarizacao direta como reversa. O mesmo ocorre
com a equacao analoga para a concentracao de eletrons no lado p. Para
uma juncao p-n polarizada reversamente com tensao muito maior que 25
mV: a) De as expressoes e faca gracos qualitativos das concentracoes
Cap. 6 Dispositivos Semicondutores: Diodos 213

dos portadores minoritarios np (x ) e pn (x), em funcao dos parametros da


juncao e de x e x , medidos a partir das fronteiras da regiao de deplecao; b)
Calcule as variacoes com x e x das correntes dos portadores minoritarios
e faca os gracos correspondentes. c) A partir dos resultados do item
b), calcule a corrente total na juncao e explique por que as correntes dos
portadores majoritarios nao sao necessarias para o calculo.
6.13 Considere uma juncao p+ n abrupta de Ge, com concentracoes de im-
purezas Na = 5 1016 cm3 e Nd = 1015 cm3 , secao reta de 103 cm2
e tempos de recombinacao n = p = 2 s. A juncao esta polarizada
diretamente e nela circula uma corrente de 100 mA. a) Calcule a tensao
na juncao. b) Calcule numericamente as concentracoes dos portadores
minoritarios np (x ) e pn (x), e faca gracos mostrando suas variacoes com
x e x, medidas a partir das fronteiras da regiao de deplecao. c) Cal-
cule numericamente as concentracoes dos portadores majoritarios nn (x) e
pp (x ), e faca gracos mostrando suas variacoes com x e x . (Elas podem
ser calculadas usando o fato de que a neutralidade de carga fora da regiao
de deplecao requer que as concentracoes de eletrons e buracos em excesso
do equilbrio sejam iguais em cada ponto, p(x) = n(x).
6.14 Um diodo feito com uma juncao de Si, como a do Problema 6.7, e colo-
cado no circuito da gura abaixo. A bateria tem forca eletromotriz 1,5
V e resistencica interna 0,2 V e o resistor e de 20 . a) Utilizando a
equacao do diodo, calcule analiticamente a corrente e a tensao no diodo.
b) Utilizando a curva I - V obtida no Problema 6.7, calcule gracamente a
corrente e a tensao no diodo e compare com os valores obtidos no item a).
214 Materiais e Dispositivos Eletronicos
Captulo 7

Transistores e Outros
Dispositivos Semicondutores

7.1 O Transistor 217


7.2 O Transistor Bipolar 219
7.3 Correntes no Transistor Bipolar 225
7.3.1 Calculo das Correntes no Modelo Unidimensional 225
7.3.2 Corrente de Base 231
7.3.3 Parametros do Transistor 233
7.3.4 Curvas Caractersticas I-V 234
7.4 Aplica
c
oes de Transistores 237
7.5 Transistores de Efeito de Campo 241
7.5.1 O Transistor do Efeito de Campo de Juncao 242
7.5.2 Caracterstica do Transistor JFET 243
7.5.3 O Transistor de Efeito de Campo Metal-Semicondutor 248
7.6 O Transistor MOSFET 251
7.6.1 O Capacitor MOS 252
7.6.2 A Tensao Crtica de Inversao 257
7.6.3 A Caracterstica I-V do Transistor MOSFET 261
7.6.4 Aplicacoes de Transistores MOSFET 264

215
216 Materiais e Dispositivos Eletronicos

7.7 Dispositivos de Controle de Pot


encia: SCR e TRIAC 267
7.7.1 O Reticador Controlado de Silcio-SCR 267
7.7.2 O TRIAC 270
7.8 Circuitos Integrados 271
7.8.1 Conceitos Basicos e Tecnicas de Fabricacao 272
7.8.2 Dispositivos de Memoria de Semicondutor 277

REFERENCIAS 282
PROBLEMAS 283
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 217

Transistores e Outros Dispositivos


Semicondutores

7.1 O Transistor

O transistor e um dispositivo de tres terminais, utilizado para controlar sinais


eletricos. Um sinal variavel aplicado aos dois terminais de entrada controla
eletronicamente o sinal nos dois terminais de sada, sendo um deles comum
com a entrada. As duas funcoes mais usuais de controle sao a amplifica c
ao
e o chaveamento. Quando usado para amplicacao, o dispositivo fornece na
sada um sinal com a mesma forma de variacao do sinal de entrada, porem com
maior amplitude. Isto esta mostrado na Fig.7.1 para uma variacao senoidal. A
potencia do sinal de sada e em geral maior que a do sinal de entrada, sendo o
acrescimo de potencia fornecido pela fonte de alimentacao dc. Nas aplicacoes
digitais, um sinal digital na entrada faz o transistor chavear entre dois estados,
um com corrente e outro sem corrente, representando os bits 0 e 1. Devido a
sua capacidade de converter energia de uma fonte dc em energia de um sinal
controlado, o transistor e chamado de dispositivo ativo.

A invencao do transistor representou um dos maiores avancos tecnologicos


do seculo XX, porque foi decisivo para a enorme evolucao da eletronica. Ate
meados da decada de 1950 o dispositivo de controle eletronico de maior uso
era a valvula triodo. O triodo e formado por um tubo a vacuo contendo um
catodo aquecido que emite eletrons e um anodo que os recebe, tendo entre
eles um terceiro eletrodo feito de uma malha de os metalicos, chamado grade.
Uma tensao variavel aplicada entre a grade e o catodo controla o uxo de
218 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 7.1: Sinais de entrada e de sada num dispositivo de amplicacao, como um transistor.

eletrons do catodo para o anodo passando pela grade. Desta forma, um sinal
de tensao entre grade e catodo controla a corrente de sada no anodo, tornando
a valvula triodo um dispositivo ativo de controle. A partir da decada de 1950,
as valvulas a vacuo dos equipamentos eletronicos foram gradualmente dando
lugar aos transistores e diodos semicondutores, chamados de dispositivos de
estado s olido.

O desenvolvimento do transistor resultou de investigacoes basicas de pro-


priedades de semicondutores. Em 1947 Brattain e Bardeen estudavam, nos
laboratorios da Bell Telephone nos Estados Unidos, propriedades de superfcie
de germanio com contatos metalicos reticadores. Nesses estudos eles obser-
varam que a corrente no diodo semicondutor variava quando uma outra cor-
rente passava por um segundo contato metalico colocado proximo ao primeiro.
Em dezembro daquele ano eles anunciaram a descoberta do novo dispositivo
de amplicacao, batisado por eles de transistor, signicando um elemento
de transcondutancia variavel. Apesar de seu grande potencial, o transistor
de ponto de contato tinha grandes problemas: ele era muito fragil; o con-
tato degradava com a umidade do ar; seu rudo interno era muito grande. O
proximo passo no desenvolvimento do transistor ocorreu em 1948, quando W.
Shockley, tambem dos laboratorios Bell, publicou um trabalho teorico pro-
pondo a estrutura do transistor de juncao. A partir de entao muitos labo-
ratorios industriais investiram em tecnicas de fabricacao e estudo dos transis-
tores e em poucos anos eles se tornaram dispositivos comerciais.

Existem atualmente dois tipos principais de transistores: o transistor


bipolar de jun c
ao, em geral chamado simplesmente de transistor de juncao,
e o transistor de efeito de campo. O transistor bipolar de juncao e feito
por duas juncoes p-n fabricadas na mesma pastilha de semicondutor, sendo que
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 219

a corrente na primeira juncao controla a injecao de portadores minoritarios na


segunda juncao. Como os portadores minoritarios podem ser tanto eletrons
como buracos, este transistor opera com portadores de cargas positivas e ne-
gativas, da o nome bipolar. O transistor de efeito de campo pode ser feito por
duas juncoes ou por contatos metal-oxido-semicondutor. Em ambos os tipos,
a tensao de entrada controla o uxo dos portadores majoritarios que passam
da entrada para a sada do dispositivo. Como estes portadores sao eletrons
ou buracos, dependendo do tipo de impureza do semicondutor, o transistor
de efeito de campo e um dispositivo unipolar. Nesta secao apresentaremos
os princpios de funcionamento e o modelamento dos transistores bipolares de
juncao. Os transistores de efeito de campo serao estudados na secao 7.5.

7.2 O Transistor Bipolar

O transistor bipolar de juncao e o dispositivo semicondutor mais importante


da atualidade. Com a tecnologia planar, descrita na Secao 6.1.1, ele pode
ser fabricado numa pastilha de semicondutor isoladamente, para formar um
u
nico dispositivo de tres terminais, ou num conjunto com muitos outros diodos
e transistores, formando um circuito integrado. Sua estrutura basica esta
mostrada na Fig.7.2. Ela consiste de tres camadas de dopagens diferentes,
feitas no mesmo semicondutor, formando duas juncoes p-n com polaridades
opostas. As tres camadas sao chamadas de emissor, base e coletor, que
sao ligadas ao circuito externo atraves de contatos metalicos nos quais sao
soldados os condutores. A estrutura da Fig.7.2 e a de um transistor p-n-p.
Se as dopagens p e n forem trocadas obtem-se o transistor n-p-n, que e tao

E B SiO2
Metal

3 mm
2 mm p
n
20 mm
p

Figura 7.2: Estrutura planar do transistor bipolar de juncao com algumas dimensoes tpicas.
As letras E, B e C representam os terminais do emissor, da base e do coletor, respectivamente.
As distancias indicadas representam espessuras tpicas.
220 Materiais e Dispositivos Eletronicos

utilizado quanto o p-n-p. Os dois tipos tem operacao inteiramente analoga,


sendo os papeis dos eletrons e dos buracos trocados entre si.

A Fig.7.3 mostra a representacao esquematica de um transistor p-n-p com


um circuito externo simples para polarizacao de suas juncoes. Convencionamos
que IE , IB e IC , chamadas respectivamente correntes de emissor, base e coletor,
sao positivas quando tem os sentidos indicados na gura. A juncao p-n entre o
emissor e a base e chamada simplesmente de juncao do emissor, enquanto a da
base-coletor e chamada de juncao do coletor. VEB e VCB representam as tensoes
nas juncoes do emissor e do coletor respectivamente. A conguracao do circuito
da Fig.7.3 e chamada de base comum, pois o terminal da base e comum entre
os dois terminais de entrada e os dois de sada do dispositivo. Embora ela
nao seja a mais utilizada para polarizar transistores em circuitos praticos, e
a mais conveniente para a compreensao dos mecanismos de funcionamento do
transistor.

Na operacao normal do transistor bipolar, a juncao do emissor e pola-


rizada diretamente, enquanto a do coletor e polarizada reversamente. Assim,
a resistencia da juncao do emissor e pequena e a corrente IE e relativamente
grande. No transistor p-n-p, longe da juncao, esta corrente e constituda essen-
cialmente de buracos, que sao os portadores majoritarios no emissor e no cole-
tor (componente 1 na Fig.7.4). Na juncao do emissor, os buracos provenientes
do emissor sao injetados na base, onde se movem por difusao, contribuindo
para uma parte da corrente do emissor que chamaremos de IEp . Por outro lado,
eletrons passam da base para o emissor constituindo outra parte da corrente,
IEn , ilustrada na Fig.7.4 (componente 7). Como vimos nas Eqs.(6.29)-(6.31),
e possvel ter IEp IEn se a concentracao de impurezas for muito maior no

Figura 7.3: Representacao esquem


atica de um transistor p-n-p com um circuito simples de
polarizacao de base comum.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 221

lado p que no lado n. Note que se a espessura da base fosse muito grande, a
juncao do coletor estaria isolada da do emissor e o sistema corresponderia a
dois diodos em serie com polaridades opostas. Neste caso a corrente do coletor
seria muito pequena, dada pelo valor de saturacao reversa Is da Eq.(6.30) e,
portanto, independente da corrente do emissor. Entretanto, a espessura da
base e feita propositalmente pequena, menor que o comprimento de difusao
Lp de buracos na base. Desta forma, mesmo sendo portadores minoritarios,
os buracos injetados na base n ao tem tempo de se recombinar completamente
com os eletrons, pois logo atingem a regiao de deplecao da juncao do cole-
tor, onde sao acelerados pelo campo eletrico para o outro lado da juncao. Ao
atingirem o coletor tipo p, os buracos voltam a ser portadores majoritarios e
adquirem um movimento de deriva sob a acao do campo externo, formando
a maior parte da corrente IC (componente 2 da Fig.7.4). Vemos entao que
a corrente no coletor e devida principalmente aos buracos injetados pelo
emissor, sendo muito maior que a corrente de saturacao reversa da juncao do
coletor (componentes 4 e 5 da Fig.7.4). A soma das componentes 2 e 4 forma
a contribuicao dos buracos para a corrente do coletor, que sera chamada de
ICp . A componente 5 e a contribuicao dos eletrons para a corrente do coletor,
chamada ICn .

Para completar o cenario do funcionamento do transistor, e preciso com-

Figura 7.4: Ilustracao do uxo de eletrons e de buracos em transistor p-n-p: 1- Buracos


em movimento de deriva no emissor; 2- Buracos que atingem o coletor em movimento de
difus
ao; 3- Buracos que desaparecem na base por recombinacao; 4 e 5- Buracos e eletrons
gerados termicamente e que formam a corrente de saturacao reversa da juncao do coletor;
6- Eletrons que recombinam com os buracos da componente 3; 7- Eletrons injetados da base
para o emissor formando a corrente IEn .
222 Materiais e Dispositivos Eletronicos

preender o importante papel da corrente da base IB . Como vimos antes, grande


parte da corrente IE passa para o coletor porque a espessura da base e muito
pequena. Isto resulta numa corrente de coletor com valor proximo, porem
menor que a corrente de emissor. Usando a equacao de conservacao de carga,
IE = IB + IC , vemos que fazendo IC  IE , a corrente IB sera pequena mas nao
nula. Ela resulta do uxo de eletrons do circuito externo para a base atraves do
contato B, e consiste de tres contribuicoes distintas: a primeira corresponde aos
eletrons que recombinam com parte dos buracos injetados na base pelo emissor
(componente 6 na Fig.7.4). Esta contribuicao pode ser minimizada fazendo-se
a espessura da base muito menor que Lp ; a segunda e relativa aos eletrons
que passam da base para o emissor constituindo a corrente IEn (componente 7
na Fig.7.4); destas contribuicoes se subtrai uma terceira, ICn , produzida pelo
uxo de eletrons gerados termicamente no coletor e que passam para a base
atraves da juncao do coletor (componente 5 na Fig.7.4).

Como veremos mais adiante, a condicao essencial para a funcao de am-


plicacao do transistor e que a corrente de base seja pequena, IB 102IE .
Devido a` proporcionalidade entre as correntes, uma varia c
ao na pe-
quena corrente de base aparece ampliada na corrente de emissor e
portanto tamb em no coletor. Para fabricar um bom transistor e preciso
entao minimizar IB . Isto e conseguido fazendo-se a base estreita de modo
a diminuir a recombinacao, e com dopagem muito menor que a do emissor,
de modo a reduzir IEn . Entretanto, como a espessura da base nao pode ser
muito menor do que 1 m, devido a`s limitacoes fsicas, o mecanismo de re-
combinacao ainda e signicativo. Este fato estabelece um limite mnimo para
IB . Na proxima secao apresentaremos a deducao das varias componentes das
correntes a partir dos mecanismos microscopicos. Para concluir esta secao,
vamos denir algumas relacoes entre as correntes IE , IB e IC que caracterizam
parametros importantes do transistor.

Como vimos anteriormente, a corrente de coletor e constituda essencial-


mente de buracos injetados pelo emissor e que nao desaparecem na recom-
binacao com eletrons na base. Na regiao linear de operacao do transistor, esta
corrente e proporcional a` componente IEp da corrente no emissor. Portanto,

ICp = B IEp , (7.1)

onde B e o fator de transporte da base, que representa a fracao dos buracos


injetados pelo emissor que conseguem alcancar o coletor. Num transistor p+ -
n-p com uma base muito estreita, B < 1. Por outro lado, a componente IEp
da corrente e um pouco menor e tambem proporcional a` corrente do emissor
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 223

IE ,
IEp = IE , (7.2)

onde < 1 e chamado efici encia de inje cao do emissor. Se a corrente de


saturacao reversa na juncao do coletor, ICn , for desprezvel, podemos conside-
rar IC = ICp + ICn  ICp . Neste caso, com (7.1) e (7.2) podemos relacionar a
corrente do coletor com a do emissor,

IC = B IE IE , (7.3)

onde B e o fator de transfer encia de corrente, que tambem e menor


que 1. A partir de (7.3) e da equacao de continuidade de corrente e possvel
relacionar a corrente de base com a do coletor. Usando (7.3) em IB = IE IC
obtemos,
IC 1
IB = IC = IC ,

ou entao
IC = IB , (7.4)

onde

= (7.5)
1

e o fator de amplifica c
ao ou ganho de corrente. Este fator e um parametro
caracterstico de cada transistor, mas tambem varia com as tensoes de pola-
rizacao das juncoes. Num bom transistor,  1 de modo que o fator e
grande. A Eq.(7.4) exprime a caracterstica basica dos transistores no regime
linear. Ela mostra que atraves de variacoes numa pequena corrente de base, e
possvel controlar a variacao na corrente muito maior que circula no coletor. A
explicacao fsica da proporcionalidade entre as correntes de base e de coletor
e a seguinte. A corrente de coletor IC e formada basicamente pelos buracos
injetados na base pela corrente do emissor, e que atingem o coletor porque
nao tem tempo de recombinar com eletrons na base, porque esta e muito
estreita (espessura muito menor que o comprimento de difusao dos buracos).
Portanto IC aumenta quando aumenta a corrente do emissor IE . A diferenca
entre IE e IC e a corrente de base IB , que e formada principalmente pelos
eletrons que recombinam com os buracos injetados pelo emissor e que nao
alcancam o coletor. Entao, se a corrente de base IB varia, o n
umero de eletrons
disponveis para recombinacao varia, o que forca IC a variar tambem, caso
224 Materiais e Dispositivos Eletronicos

contrario haveria um ac umulo de cargas na base. Desta forma uma variacao


em IB resulta numa variacao em IC e em IE . Em certa faixa de variacao a
relacao entre IB e IC e linear, como expresso na Equacao (7.4). Na proxima
secao obteremos as expressoes que relacionam os parametros B, , e com
as grandezas microscopicas dos semicondutores que compoem o transistor.

Exemplo 7.1: Um transistor p-n-p em regime estacion ario tem as seguintes componentes das
correntes de emissor e de coletor: IEp = 10 mA, IEn = 0,1 mA, ICp = 9,98 mA, ICn = 0,001 mA.
Calcule os par
ametros B, , e do transistor e a corrente de base nesta situaca
o.

O fator de transporte da base B e dado por (7.1),

ICp 9, 98
B= = = 0, 998 .
I Ep 10

o do emissor e dada por (7.2), sendo IE = IEp + IEn . Logo


A eciencia de injeca

I Ep 10
= = = 0, 99 .
I Ep + I En 10 + 0, 1

O fator de transferencia de corrente = B e ent


ao,

= 0, 99 0, 998 = 0, 988 .

Desprezando ICn em presenca de ICp , o ganho de corrente e calculado com (7.5),

0, 988
= = = 82, 33 .
1 1 0, 988

A corrente de base pode ser calculada exatamente pela diferenca entre as correntes de emissor
e de coletor,
 
IB = IE IC = IEp + IEn ICp + ICn = 10, 1 9, 981 = 0, 119 mA .

Podemos tambem calcular IB usando as relaco es (7.4) e (7.5), onde (7.5) foi obtida despre-
zando a contribuica o para IC . O resultado e,
o da corrente de saturaca

IC 9, 981
IB = = = 0, 121 mA .
82, 33

Este valor difere do anterior em 0,002 mA, o que corresponde a uma diferenca de apenas
1,7%.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 225

7.3 Correntes no Transistor Bipolar

Como acontece no diodo de juncao, as correntes no transistor bipolar de juncao


sao determinadas pelo movimento de difusao dos portadores minoritarios nas
proximidades das juncoes. A diferenca fundamental entre o diodo e o transis-
tor e que, enquanto no primeiro a solucao da equacao da difusao e sujeita `a
condicao de contorno na interface de uma juncao, no segundo e preciso con-
siderar as interfaces nas duas juncoes. Para calcular as correntes devemos
entao resolver a equacao da difusao nas tres regioes do transistor e impor as
condicoes de contorno nas duas juncoes. Apos obter a variacao das concen-
tracoes dos portadores minoritarios, calcularemos as correntes de difusao como
zemos para o diodo na Secao 6.2.

7.3.1 C
alculo das Correntes no Modelo Unidimensional

Vamos analisar um transistor p-n-p com o modelo unidimensional ilustrado na


Fig.7.5. Este modelo e bom para o dispositivo da Fig.7.2 porque as dimensoes
laterais sao muito maiores que as espessuras das camadas. Vamos supor que
as espessuras do emissor e do coletor sao muito grandes comparadas com o
comprimento de difusao, enquanto a base tem uma espessura  qualquer. No
emissor e no coletor os portadores minoritarios sao os eletrons, cujas concen-
tracoes sao nE (x) e nC (x) respectivamente. Os buracos injetados pelo emissor
sao portadores minoritarios na base, descritos pela concentracao p(x). Como o
emissor e longo, nE (x) e descrito por uma exponencial que cai quando se afasta
da juncao do emissor. A corrente de difusao correspondente e entao dada pela
mesma expressao obtida na Secao 6.2 para uma juncao. Da Eq.(6.28) podemos
escrever a contribuicao dos eletrons para a corrente de emissor,

DnE  
IEn = e A nE eeVEB /kB T 1 , (7.6)
LnE

onde A e a area da secao reta do transistor, nE e a concentracao de equilbrio de


eletrons no emissor, DnE e LnE sao o coeciente e o comprimento de difusao
respectivamente, e VEB e a tensao entre emissor e base. Do mesmo modo
podemos escrever a contribuicao dos eletrons para a corrente de coletor,
Dn C  
ICn = e A nC eeVCB /kB T 1 , (7.7)
LnC
226 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 7.5: Modelo unidimensional utilizado para calcular as correntes no transistor p-n-p.
Note que as coordenadas x = 0 e x =  estao nas extremidades das regioes de deplecao das
juncoes do emissor e do coletor.

onde a notacao e analoga a da Eq.(7.6) e o sinal e negativo pois o sentido


positivo de IC vai do lado n para o lado p da juncao do coletor e VCB e
normalmente negativo. No caso dos buracos na base, a solucao para a variacao
da concentracao p(x) e mais complicada porque e preciso considerar a solucao
geral da equacao de difusao, dada por (5.83),

p(x) p(x) pB = C1 ex/Lp + C2 ex/Lp , (7.8)

onde pB e a concentracao de equilbrio de buracos na base e Lp e o comprimento


de difusao correspondente. Para obter p(x) basta impor as condicoes de
contorno nas juncoes do emissor e do coletor, em x = 0 e x = , e calcular
as constantes C1 e C2 . Na juncao do emissor, desprezando-se a espessura
da regiao de carga espacial, a Eq.(6.24) permite relacionar a concentracao de
buracos com a tensao de polarizacao,
 
pn (x = 0) pE = pB eeVEB /kB T 1 . (7.9)

Analogamente, na juncao do coletor temos


 
pn () pC = pB eeVCB /kB T 1 . (7.10)

Note que num transistor em condicoes normais de operacao, a juncao do emis-


sor e polarizada diretamente (VEB > 0) enquanto a do coletor e polarizada
reversamente (VCB < 0). Nessa situacao, para VEB , |VCB | kB T /e (0,025 V
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 227

em T = 290 K), as condicoes de contorno (7.9) e (7.10) podem ser aproximadas


por,

pE  pB eeVEB /kB T pB , (7.11)

pC  pB
pE . (7.12)

O resultado (7.12) e devido ao fato de que, na juncao polarizada reversamente,


os buracos em excesso do equilbrio sao puxados rapidamente pelo forte
campo eletrico para o coletor, fazendo sua concentracao car proxima de zero.
Substituindo (7.9) e (7.10) em (7.8) obtemos

pE = C1 + C2 ,

pC = C1 e/Lp + C2 e/Lp ,


das quais obtemos
pE e/Lp pC
C1 = , (7.13)
2 senh(/Lp )

pC pE e/Lp


C2 = , (7.14)
2 senh(/Lp )

Antes de prosseguir na analise das correntes vamos examinar o com-


portamento das concentracoes dos portadores minoritarios nas tres regioes do
transistor. Em condicoes normais de operacao e considerando a concentracao
de equilbrio de buracos na base muito pequena, podemos supor que pC  0.
Substituindo (7.13) e (7.14) em (7.8), e usando esta aproximacao, obtemos
para a regiao 0 < x < ,
senh[( x)/Lp ]
p(x) = pE , (7.15)
senh(/Lp )

No caso dos eletrons no emissor e no coletor, suas concentracoes sao dadas


por exponenciais simples, como discutimos anteriormente. A Fig.7.6 ilustra
a variacao das concentracoes no transistor p+ -n-p em condicoes normais de
polarizacao. Note que em geral a base e feita com espessura pequena, 
Lp ,
de modo a minimizar a corrente de base. Por esta razao a variacao da con-
centracao de buracos e aproximadamente linear. Tendo obtido a distribuicao
de buracos na base do transistor, podemos calcular sua contribuicao para as
228 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 7.6: Variacao das concentracoes dos portadores minoritarios no transistor p-n-p com
polarizacao direta na juncao do emissor e reversa no coletor. O valor de pC  pB esta
exagerado, pois pB
pE .

correntes a partir da equacao da corrente de difusao (5.57),


dp
Ip (x) = eA Dp ,
dx

que aplicada a` (7.8) da,


Dp  
Ip (x) = eA C1 ex/Lp C2 ex/Lp . (7.16)
Lp

As componentes das correntes do emissor e de coletor devidas aos buracos


sao dadas pelos valores da Eq.(7.16) em x = 0 e x = , respectivamente,
Dp
IEp = Ip (0) = e A (C1 C2 ) , (7.17)
Lp
Dp
ICp = Ip () = e A (C1 e/Lp C2 e/Lp ) . (7.18)
Lp

Substituindo as expressoes (7.13) e (7.14) em (7.17) e (7.18) e utilizando


as denicoes das funcoes hiperbolicas vem:

Dp  
IEp = e A pE coth pC csch , (7.19)
Lp Lp Lp

Dp  
ICp = e A pE csch pC coth . (7.20)
Lp Lp Lp
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 229

Somando-se as contribuicoes de eletrons e de buracos, (7.6), (7.7), (7.19) e


(7.20), e utilizando as expressoes (7.9) e (7.10), obtemos as correntes de emissor
e de coletor em funcao das tensoes de polarizacao e dos parametros do material,


Dp  eV /k T    eV /k T  
IE = e A pB e EB B 1 coth e CB B 1 csch
Lp Lp Lp
Dn E  
+eA nE eeVEB /kB T 1 , (7.21)
LnE


Dp  eV /k T    eV /k T  
IC = e A pB e EB B
1 csch e CB B
1 coth
Lp Lp Lp
Dn C  
eA nC eeVCB /kB T 1 . (7.22)
LnC

As Eqs.(7.21) e (7.22) permitem calcular todos parametros e curvas caracte-


rsticas do transistor. A corrente de base pode ser obtida usando-se estas duas
expressoes na equacao de continuidade, IB = IE IC . Os parametros do tran-
sistor podem ser calculados pela substituicao de (7.19)-(7.22) nas denicoes
(7.1)-(7.5). Como na forma geral estas equacoes sao difceis de interpretar,
vamos calcular as grandezas de interesse fazendo algumas aproximacoes sim-
plicadoras.

Exemplo 7.2: Um transistor p+ -n-p+ de Si em T = 300 K tem as seguintes caractersticas: Area


3 2
o A = 10 cm ; espessura da base
= 1 m; concentraca
de seca o de impurezas, no emissor NaE =
1017 cm3 , na base Nd = 5 1015 cm3 , no coletor NaC = 5 1017 cm3 ; tempos de recombinacao
de portadores minorit arios, no emissor e no coletor, n = 0, 5 s, na base p = 1 s. Calcule
as correntes no emissor e no coletor com a junca
o emissor-base polarizada diretamente no regime
o, com VEB = 0,7 V, tendo a junca
de plena conduca o coletor-base polarizada reversamente, com
VCB = - 10V.

Para calcular as correntes por meio das Equaco es (7.21) e (7.22) e preciso, inicialmente,
calcular as concentraco
es dos portadores minorit
arios e os comprimentos de difus ao. A concentraca
o
de equilbrio dos buracos na base e calculada com (5.38), sendo ni o valor dado na Tabela 5.2.
Usando unidades do SI temos,

n2i 1, 52 1020 1012


pB = = = 4, 5 1010 m3 .
Nd 5 1015 106

As concentraco
es de eletrons em equilbrio no emissor e no coletor s
ao dadas por (5.41),

n2i 1, 52 1020 1012


nE = = = 2, 2 109 m3 ,
NaE 1017 106
230 Materiais e Dispositivos Eletronicos

n2i 1, 52 1020 1012


nC = = = 4, 5 108 m3 .
NaC 5 1017 106

Os comprimentos de difusao sao


calculados atraves de sua relaca
o com o coeciente de difus
ao
D e o tempo de recombinaca o , L = D . Usando os valores de D no Si dados na Tabela 5.2 e
os valores de do enunciado, obtemos no SI,
 1/2
Lp = 12, 5 104 1 106 = 3, 5 105 m = 35 m ,
 1/2
Ln = 35 104 0, 5 106 = 4, 2 105 m = 42 m .

Vemos ent ao que


/Lp  1 e portanto as funcoes hiperb
olicas das equaco
es (7.21) e (7.22)
oes binomiais, com x =
/Lp ,
podem ser substitudas por suas expans

1 x 35 1
coth x  + = + = 35, 0095
x 3 1 3 35
1 x 35 1
csch x  = + = 34, 9952
x 6 1 6 35

Finalmente, para comparar os valores relativos dos diversos termos das Equaco es (7.21) e
(7.22), e preciso calcular os valores das exponenciais contendo as tens
oes de polarizaca
o. Lembrando
que em T = 300 K a energia termica e kB T = 0, 026 eV,

eeVEB /kB T = e0,7/0,026 = e26,92 = 4, 9 1011


eeVCB /kB T = e10/0,026 = e384,6  0

Vemos entao que, como exp(eVEB /kB T )  1, tanto em (7.21) quanto em (7.22), os termos
que n
ao contem este fator podem ser desprezados. Ent
ao podemos escrever,

Dp
DnE
IE  e A pB eeVEB /kB T coth + eA nE eeVEB /kB T
Lp Lp LnE
Dp

IC  e A pB eeVEB /kB T csch .


Lp Lp

Usando os par
ametros da Tabela 5,2, os dados do transistor e os valores obtidos anteriormente
temos, no SI,

12, 5 104
IE = 1, 6 1019 107 4, 5 1010 4, 9 1011 35, 0095
3, 5 105
35 104
= 1, 6 1019 107 2, 2 109 4, 9 1011
4, 2 105
= 0, 44112 A + 0, 00144 A = 0, 44256 A

12, 5 104
IC = 1, 6 1019 107 4, 5 1010 4, 9 1011 35, 9952
3, 5 105
= 0, 44094 A .
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 231

Evidentemente, os valores das correntes do emissor e do coletor s ao muito proximos, como


era esperado. E importante notar que, se nas express oes de IE e de IC for usado apenas o primeiro
termo da expans ao binomial da funcao hiperb o IEn for desprezada, as duas
olica, e se a contribuica
correntes carao rigorosamente iguais. Portanto, como a diferenca das duas correntes e a corrente
de base, e essencial usar nas expans oes binomiais os dois primeiros termos. Vemos tambem que,
embora a contribuicao dos eletrons gerados termicamente seja pequena, ela n ao deve ser desprezada
a priori, pois estando presente em IE mas n ao em IC , ela tem signicado importante na diferenca
das duas correntes.

7.3.2 Corrente de Base

Como mostram os calculos feitos no Exemplo 7.2, no transistor p-n-p com


polarizacao normal, o fator exp(e VEB /kB T ) e muito grande, enquanto que o
fator exp(e VCB /kB T ) e desprezvel. Isto permite obter uma expressao aproxi-
mada para a corrente de base, desprezando os termos que nao contem o fator
exp(e VEB /kB T ) nas Equacoes (7.21) e (7.22),


e VEB /kB T Dp   DnE
IB = IE IC = e A e pB coth csch + nE .
Lp L L LnE

Pode-se mostrar (Problema 7.2) que esta expressao se reduz a




e VEB /kB T Dp  DnE
IB = e A e pB tanh + nE . (7.23)
Lp 2Lp LnE

Este resultado mostra que no transistor p-n-p com polarizacao normal,


a corrente de base e dominada por duas contribuicoes. O segundo termo em
(7.23) corresponde a` contribuicao dos eletrons injetados da base para o emis-
sor, representado pela componente 7 da Figura 7.4. Para interpretar a outra
contribuicao, vamos introduzir pE , dado por (7.11), no primeiro termo de
(7.23). Desprezando o termo em nE temos,

Dp 
IB  e A pE tanh .
Lp 2Lp

Supondo que a base e estreita em relacao ao comprimento de difusao, 


Lp ,
podemos usar a aproximacao tanh x  x para obter
eA  pE
IB  , (7.24)
2p
232 Materiais e Dispositivos Eletronicos

onde p = L2p /Dp e o tempo de recombinacao dos buracos. Esta equacao tem
uma interpretacao fsica simples. Sendo a concentracao de buracos na base,
em excesso do equilbrio, dada por pE em x = 0 (emissor) e pC = 0 em
x =  (coletor), epE A /2 Qp e a carga dos buracos que desaparecem da
base por recombinacao. Como a recombinacao ocorre num intervalo de tempo
caracterstico p , a corrente que deve ser fornecida a` base para repor a carga
que desaparece e manter o regime estacionario, e Qp /p . Esta e, precisamente,
a corrente de base dada por (7.24). Este resultado conrma a interpretacao
qualitativa da corrente de base descrita no nal da Secao 7.2. A Equacao (7.24)
mostra que para ter uma corrente IB pequena deve-se fazer a base muito es-
treita comparada com Lp , e com uma concentracao de impurezas relativamente
baixa de modo que o tempo p seja longo.

Exemplo 7.3: Calcule a corrente de base no transistor do Exemplo 7.2, utilizando a Equaca
o
(7.23), e compare com o valor obtido pela diferenca entre IE e IC .

Substituindo em (7.23) os valores das grandezas do Exemplo 7.2 e usando tanh (


/2Lp ) 
(
/2Lp ) vem,

IB = 1, 6 1019 107 4, 9 1011




12, 5 104 10 1 35 104
4, 5 10 + 2, 2 109
3, 5 105 2 35 4, 2 105

= 1, 6 1019 107 4, 9 1011 2, 29 1010 + 1, 83 1011

= 1, 61 103 A = 1, 614 mA .

interessante notar que, neste caso, a contribuica


E o dos eletrons termicos (IEn ) para a
corrente de base, dada pelo segundo termo da equaca
o acima, e maior que a contribuica
o dada pelo
primeiro termo. Num transistor p+ -n-p, com concentraca o de impurezas no emissor muito maior
que na base, nE e muito menor e o termo de recombinacao predomina sobre IEn .

O valor de IB obtido por meio da diferenca entre as correntes calculadas no Exemplo 7.2 e

IB = IE IC = 0, 44256 0, 44094 = 0, 00162 A = 1, 62 mA

que e muito pr
oximo do valor acima. Evidentemente, a diferenca entre os dois valores resulta das
aproximaco
es feitas nas funco
es hiperb
olicas e nos arredondamentos numericos.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 233

7.3.3 Par
ametros do Transistor

Para obter os parametros , B, e do transistor vamos desprezar os termos


em pC e a corrente de saturacao reversa no coletor, nas Eqs.(7.6)-(7.22). Esta
aproximacao e valida porque quando usado como amplicador, o transistor
sempre tem a juncao do coletor polarizada reversamente. Nesta aproximacao,
usando (7.6), (7.11) e (7.19) na denicao da eciencia de injecao (7.2) obtemos,

IEp 1 1
= = = DnE nE Lp
.
IE 1 + IEn /IEp 1+ tanh Lp
Dp pB LnE

Utilizando-se as relacoes (5.38) e (5.41) entre as concentracoes de equilbrio


dos portadores minoritarios e as concentracoes de impurezas doadoras (Nd ) na
base e aceitadoras (Na ) no emissor, esta expressao pode ser escrita na forma
 1
DnE Nd Lp 
= 1+ tanh . (7.25)
Dp Na LnE Lp

Usando apenas o primeiro termo de (7.22) para IC e o primeiro termo


de (7.19) para IEp , com pE dado por (7.9), o fator de transporte da base,
denido por (7.1), ca
IC csch(/Lp ) 
B= = = sech . (7.26)
IEp coth(/Lp ) Lp

Com (7.25) e (7.26), pode-se obter o fator de transferencia de corrente


denido em (7.3)
 1
IC  DnE Nd Lp 
= = B = cosh + senh . (7.27)
IE Lp Dp Na LnE Lp

Finalmente, usando (7.27) em (7.5) obtemos o fator de amplicacao ,


 1
IC  DnE Nd Lp 
= =  cosh + senh 1 . (7.28)
IB 1 Lp Dp Na LnE Lp

Considerando que /Lp


1, podemos obter uma expressao mais simples
para com a utilizacao das expansoes das funcoes hiperbolicas,
senh x  x
1
cosh x  1 + x2 .
2
234 Materiais e Dispositivos Eletronicos

O fator de amplicacao dado por (7.28) ca entao,


 2 1
 DnE Nd 
= + . (7.29)
2L2p Dp Na LnE

As expressoes (7.26)-(7.29) permitem calcular todos os parametros do


transistor a partir das caractersticas de sua construcao com boa precisao.

Exemplo 7.4: Calcule o fator de amplicaca


o do transistor p-n-p de silcio com os mesmos
par
ametros do Exemplo 7.2.

Usando na Eq.(7.29) os par


ametros e as grandezas calculadas no Exemplo 7.2, vem,

1 1 35 5 1015 1
= +
2 352 12, 5 1017 42
1 1 1
= + = 0, 00374 .
2450 300

Portanto, o fator de amplicaca


o dado por (7.29) e,
1
= = 267, 3 .
0, 00374

ao entre IC , calculado no Exemplo


Podemos tambem calcular diretamente, atraves da raz
7.2, e IB , calculado no Exemplo 7.3. O resultado e,
IC 0, 44094
= = = 272, 2 .
IB 0, 00162

A diferenca entre os dois valores decorre das aproximaco


es feitas na deduca
o da Eq.(7.29) e
tambem dos arredondamentos numericos.

7.3.4 Curvas Caractersticas I-V

As Eqs.(7.21) e (7.22) descrevem muito bem as correntes no transistor p-n-p.


Para entender qualitativamente o comportamento das correntes em funcao das
tensoes de polarizacao, e melhor simplicar a notacao e escreve-las na forma,
   
IE = IEs eeVEB /kB T 1 I ICs eeVCB /kB T 1 (7.30)
   
IC = N IEs eeVEB /kB T 1 ICs eeVCB /kB T 1 , (7.31)
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 235

onde
e A Dp pB  e A DnE nE
IEs coth + (7.32)
Lp Lp LnE
e A Dp pB  e A DnC nC
ICs coth + (7.33)
Lp Lp LnC
e A Dp pB 
N csch (7.34)
IEs Lp Lp
e A Dp pB 
I csch . (7.35)
ICs Lp Lp

As relacoes (7.30) e (7.31) foram obtidas originalmente por J.J. Ebers


e J.L. Moll e sao por isso chamadas equa co
es de Ebers-Moll. Elas tem
validade bastante geral, mesmo que o transistor nao possa ser representado
pelo modelo unidimensional simples da Fig.7.4. No caso geral os parametros
das equacoes nao sao dados pelas expressoes (7.32)-(7.35), porem e possvel
mostrar que eles obedecem a relacao
N IEs = I ICs , (7.36)

que tambem e satisfeita por (7.32)-(7.35). As equacoes de Ebers-Moll mostram


que a corrente no emissor e dada por um termo caracterstico do diodo de sua
propria juncao, superposto a outro termo proporcional a` corrente de diodo na
juncao do coletor. Analogamente, a corrente no coletor e a soma de dois ter-
mos, um propocional ao do diodo do emissor e outro do proprio coletor. Essas
equacoes mostram que o transitor pode ser caracterizado por apenas quatro
parametros, relacionados entre si pela expressao (7.36). Esses parametros nao
sao em geral fornecidos pelo fabricante, porem podem ser facilmente medi-
dos no laboratorio. Veja na Eq.(7.30) que se a juncao coletor-base for curto-
circuitada, isto e VCB = 0, a medida de IE e IC em funcao de VEB fornece IEs
e N IEs respectivamente. Analogamente, fazendo VEB = 0 pode-se medir ICs
e I ICs e completar a caracterizacao do transistor descrito pelas Eqs.(7.30) e
(7.31).

As curvas caractersticas I-V do transistor nada mais sao que a repre-


sentacao graca das equacoes de Ebers-Moll. Como nas equacoes ha duas
tensoes, VEB e VCB , e duas correntes, IE e IC , e preciso selecionar algumas
grandezas e exprimi-las em funcao de outras. Multiplicando (7.30) por N e
subtraindo de (7.31) vem
236 Materiais e Dispositivos Eletronicos

IC = N IE (1 N I ) ICs (eeVCB /kB T 1) .


Analogamente, multiplicando (7.31) por I e subtraindo de (7.30) obtemos
IE = I IC + (1 N I ) IEs (eeVEB /kB T 1) .
Estas equacoes podem ser escritas na forma,

IE = I IC + IE0 (eeVEB /kB T 1) , (7.37)

IC = N IE IC0 (eeVCB /kB T 1) , (7.38)


onde
IE0 = (1 N I ) IEs ,

IC0 = (1 N I ) ICs ,

sao, respectivamente, as correntes de saturacao do emissor com a juncao do


coletor aberto (IC = 0) e do coletor com a juncao do emissor aberta (IE = 0).
A Eq.(7.38) permite fazer o graco de IC em funcao de VCB tendo IE como
parametro. Para IE = 0, se VCB < 0, a curva IC VCB e igual a` de uma juncao
polarizada reversamente, como na Fig.6.7. Para pequenos valores de VCB a
corrente atinge a saturacao com valor IC  IC0 . Se IE = 0, podemos fazer
uma curva IC VCB para cada valor de IE , resultando no conjunto de curvas
mostrado na Fig.7.7(a). Note que para IE = 0 e VCB < 0, parte dos buracos
injetados na base pela corrente do emissor atinge a juncao do coletor e produz
uma contribuicao adicional a` corrente de saturacao reversa, IC  IC0 + N IE .
Por esta razao, as varias curvas da Fig.7.7(a) se assemelham a de uma juncao
polarizada reversamente, deslocada de N IE . As curvas da Fig.7.7(a) sao u teis
quando o transistor e usado na conguracao de base comum da Fig.7.3. Neste
caso, se a corrente de base e nula, a corrente de coletor e muito pequena.
Isto pode ser entendido pelo fato de que sendo IC = IE , como a juncao do
coletor esta polarizada reversamente, ambas as correntes devem ser pequenas.
` medida que IB aumenta, a diferenca entre IE e IC cresce e, mesmo estando
A
a juncao do coletor com polarizacao reversa, o mecanismo de injecao faz IC
aumentar. As curvas da Fig.7.7(b) mostram claramente o controle da corrente
IC feito pela pequena corrente IB .

Quando o transistor e usado na conguracao de emissor comum, e mais


importante trabalhar com as curvas IC VCE , tendo a corrente de base IB
como parametro. A Fig.7.7(b) mostra curvas tpicas para o transistor p-n-p
na conguracao de emissor comum. As diversas curvas I-V sao caractersticas
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 237

Figura 7.7: Curvas caractersticas de transistor p-n-p: a) curvas com IE como parametro
usadas na conguracao de base comum; b) curvas com parametro IB para conguracao de
emissor comum.

de cada tipo do transistor e sao fornecidas pelo fabricante. Na verdade elas


variam um pouco de uma medida para outra, mesmo sendo do mesmo tipo,
de modo que as curvas dos fabricantes representam dados medios. Como elas
tambem variam com a temperatura, e comum encontrar as curvas para alguns
valores de temperatura.

Para concluir esta secao observamos que num transistor n-p-n os sentidos
das correntes e das tensoes sao opostos aos do transistor p-n-p. As equacoes
para o transistor n-p-n tem a mesma forma de (7.30)-(7.35), com as letras p e
n trocadas, uma vez que os papeis dos eletrons e dos buracos sao trocados.

7.4 Aplica
c
oes de Transistores

Os transistores bipolares de juncao tem in umeras aplicacoes em circuitos


eletronicos, sendo as mais comuns a amplifica c
ao e o chaveamento. A
Fig.7.8 mostra os smbolos dos transistores n-p-n e p-n-p utilizados em cir-
cuitos, e uma vista externa tpica de um transistor de baixa potencia encapsu-
lado. Nos smbolos de circuito a u nica diferenca entre os tipos n-p-n e p-n-p e
238 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 7.8: a) Smbolos dos transistores n-p-n e p-n-p utilizados em circuitos. b) Vista
externa de transistor de baixa potencia encapsulado.

a seta no terminal do emissor, indicando o sentido direto da corrente. No tran-



sistor encapsulado nao existe qualquer diferenca externa entre os dois tipos. E
preciso consultar os dados do fabricante para se saber qual o seu tipo.

Para operar em uma regiao conveniente de sua caracterstica I-V , o tran-


sistor precisa ter suas juncoes polarizadas adequadamente. A Fig.7.9(a) mostra
um transistor n-p-n na conguracao de emissor comum com um circuito sim-
ples de polarizacao. Note que as tensoes aplicadas a`s juncoes do emissor e do
coletor tem os sentidos opostos aos do transistor p-n-p. Como a resposta do
transistor e altamente nao linear, e preciso usar metodos gracos para deter-
minar o chamado ponto de opera c
ao, cujas coordenadas sao as correntes
e tensoes no regime dc. Como a resistencia da juncao do emissor e muito
pequena, a corrente de base e simplesmente IB  EB /RB . Para calcular a
corrente de coletor, utilizamos a curva correspondente ao valor calculado da
corrente IB nas caractersticas I-V de emissor comum, como as da Fig.7.7(b).
A equacao da malha do coletor e

EC = RC IC + VCE (IC , IB ) . (7.39)

Esta equacao e representada no plano IC VCE por uma reta, chamada reta de
carga. Para determinar sua posicao basta obter os pontos de intersecao com
os eixos IC e VCE . E facil ver na Eq.(7.39) que eles sao dados por IC = EC /RC
e VCE = EC , como mostrado na Fig.7.9(b). O ponto de intersecao da reta de
carga com a curva IC VCE do transistor, o ponto P da Fig.7.9(a), e a solucao
da Eq.(7.39) e portanto o ponto de operacao do circuito. Dependendo da
regiao na caracterstica I-V onde o ponto esta situado, assim como da forma e
amplitude do sinal vs de entrada, o transistor pode exercer diferentes funcoes.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 239

Figura 7.9: a) Circuito amplicador simples com transistor n-p-n na conguracao de emissor
comum. b) Ilustracao do metodo gr
aco para determinacao do ponto de operacao.

Para atuar como um bom amplificador e preciso que o ponto de


operacao esteja na regi ao ativa das curvas caractersticas, mostrada na
Fig.7.7(b). Nesta regiao, uma variacao IB na pequena corrente de base, pro-
duzida por um sinal ac aplicado ao circuito atraves do capacitor na Fig.7.9(a),
produz uma variacao IC na corrente do coletor. Desde que a corrente de base
nao se aproxime das regioes de saturacao ou de corte, mostradas na Fig.7.7(b),
a variacao na corrente de coletor e proporcional a da corrente de base, estando
relacionadas pelo ganho de corrente, IE /IB  . Vemos entao que a
posicao do ponto de operacao e essencial para o bom funcionamento do tran-
sistor. Por esta razao, costuma-se utilizar um circuito de polarizacao mais
complexo que o da Fig.7.9, no qual uma malha de realimentacao serve para
estabilizar o ponto de operacao.

Outra aplicacao importante de transistores e em circuitos de chavea-


mento. A Fig.7.10 mostra um desses circuitos com um transistor p-n-p na
conguracao de emissor comum, com um esquema simples de polarizacao. No
circuito de chaveamento o transistor e geralmente controlado para operar em
dois estados de conducao, um estado on e outro o. No estado on ele deve
comportar-se como uma chave fechada, que deixa passar uma corrente, com
resistencia muito baixa, enquanto no estado o ele se comporta como uma
chave aberta. Este controle e feito na corrente de coletor, por meio de uma
corrente de base muito menor. Os dois estados do transistor podem ser al-
cancados na conguracao de emissor comum, como pode ser visto nas curvas
da Fig.7.7(b). A reta de carga para o circuito da Fig.7.10 e obtida do mesmo
modo que na Fig.7.9. Entretanto, como nao existe a bateria EB , a corrente de
240 Materiais e Dispositivos Eletronicos

base na ausencia do sinal de entrada vs e nula. Nesta situacao a corrente de


coletor e muito pequena e o transistor esta cortado, ou no estado o. Quando
o sinal vs mostrado na Fig.7.10 e aplicado, o circuito opera com a corrente de
base variando entre dois valores, um que corta a corrente do coletor e outro que
leva o transistor a` saturacao. A regiao de corte, mostrada na Fig.7.7(b), e al-
cancada quando a corrente de base e nula ou negativa. Por outro lado, a regiao
de saturacao e atingida quando a corrente de base e positiva e sucientemente
grande. Nesta situacao a corrente de coletor e grande e o transistor esta no
estado on. Desta forma, um sinal de pequena potencia como vs controla o tran-
sistor fazendo-o operar como uma chave que ora esta aberta, ora esta fechada.
Esta chave pode controlar uma corrente de coletor muito maior que a corrente
de base, desempenhando um papel semelhante ao de um rele eletromecanico,
porem com in umeras vantagens. Como o rele tem partes moveis e usa con-
tatos mecanicos, ele e muito mais lento e tem durabilidade muito menor que
o transistor.

Numa chave ideal a passagem do estado o para on, ou vice-versa, deve


ser feita instantaneamente. E evidente que isto nao ocorre no transistor real.
Existe um tempo de transiente nito, devido ao fato de que na passagem do
estado de saturacao para o estado de corte, ou vice-versa, ocorre a remocao ou
introducao de carga distribuda na base. Isto nao pode ser feito instantanea-
mente, pois corresponderia a uma corrente innita. Os tempos de decaimento e
de crescimento da carga na base sao devidos essencialmente aos mesmos efeitos
mencionados no caso do diodo de juncao.

O transistor de chaveamento e utilizado em inumeras aplicacoes de cir-


cuitos digitais, uma vez que seus dois estados correspondem aos bits 0 e 1 do
sistema binario.

Figura 7.10: Circuito simples de chaveamento usando transistor p-n-p na conguracao de


emissor comum.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 241

7.5 Transistores de Efeito de Campo

Os transistores de efeito de campo, abreviadamente TEC ou FET (de Field


Eect Transistor), constituem uma famlia de transistores de grande im-
portancia tecnologica. Do mesmo modo que os transistores bipolares, os FETs
sao dispositivos de tres terminais amplamente utilizados para amplicacao
e chaveamento. Entretanto, do ponto de vista do circuito, ha uma grande
diferenca entre os dois tipos de transistores. Enquanto nos bipolares o sinal
de sada e controlado por uma corrente de entrada, nos FETs ele e controlado
por uma tens ao de entrada.

Os mecanismos de operacao dos transistores de efeito de campo sao bas-


tante diferentes dos que ocorrem nos transistores bipolares, estudados na secao
anterior. Enquanto nos transistores bipolares o controle do sinal de sada e feito
atraves dos portadores minorit arios em movimento de difusao na base, nos
FETs o controle e feito sobre os portadores majorit arios em movimento de
deriva. Estes portadores movem-se de um terminal chamado fonte para outro
chamado dreno, atraves de uma regiao uniforme do semicondutor, o canal.
O controle do movimento dos portadores no canal e feito por um campo criado
pela tensao aplicada entre um terceiro terminal, chamado porta, e a fonte.
Esta e a razao do nome efeito de campo.

Ha tres tipos principais de transistores de efeito de campo: o de junc


ao,
o de metal-semicondutor e o de porta isolada. No de juncao, abreviado
por TECJ em portugues, ou JFET, em ingles, a tensao aplicada a` porta varia
a espessura da regiao de deplecao de uma juncao p-n reversamente polari-
zada. No transistor de efeito de campo metal-semicondutor, abreviado por
TECMS, ou MESFET em ingles, a porta e formada por uma juncao metal-
semicondutor. A operacao do MESFET e muito semelhante a do JFET, porem
ele tem resposta mais rapida, e por isto e muito empregado em aplicacoes de
altas freq
uencias.

Nos transistores de efeito de campo com porta isolada, como o nome


diz, o terminal metalico da porta e isolado do semicondutor por uma camada
isolante. No caso mais comum este isolante e um oxido do proprio semicon-
dutor, como o SiO2 no caso do silcio. Neste caso o transistor e chamado
de metal-oxido-semicondutor, sendo abreviado por TEC-MOS ou MOSFET
(do ingles, Metal-Oxide-Semiconductor-FET). Ambos os tipos sao caracteri-
zados por uma alta impedancia de entrada, uma vez que a tensao de controle
e aplicada a` juncao polarizada reversamente, ou atraves de um isolante. Os
242 Materiais e Dispositivos Eletronicos

MOSFETs tem enorme aplicacao em circuitos digitais integrados e constituem


dispositivos fundamentais na tecnologia de computadores.

7.5.1 O Transistor de Efeito de Campo de Jun


c
ao

No transistor de efeito de campo de juncao, que sera referido aqui por sua
abreviatura em ingles, JFET, uma tensao variavel aplicada a` porta controla
a secao reta efetiva de um canal semicondutor, por onde uem portadores
majoritarios. A Fig.7.11(a) mostra um corte da pastilha de semicondutor de
um JFET de canal n, no qual aparecem as regioes tipo n do canal e tipo p+
das portas, bem como os contatos metalicos da fonte (F), porta (P) e dreno
(D). Note que ha duas regioes p+ das portas, uma superior e outra inferior, que
sao interligadas eletricamente. Devido a sua simetria, a estrutura com duas
portas e mais simples de ser analisada. Entretanto, e comum tambem fabricar
o JFET com apenas uma porta. O JFET de canal p e inteiramente analogo
ao de canal n, tendo as regioes p e n trocadas em relacao a`s da Fig.7.11(a).

Em comparacao com a do transistor bipolar, a operacao do JFET e


muito simples. Vamos considerar o caso de um JFET de canal n, mostrado
na Fig.7.11. A diferenca de potencial VD entre dreno e fonte produz uma
corrente ID no canal, formada predominantemente por eletrons. Os eletrons
se movem por deriva da fonte para o dreno, enquanto o sentido convencional
da corrente e o oposto. O valor desta corrente e determinado pela tensao VD

Figura 7.11: Transistor de efeito de campo de juncao de canal n: a) estrutura planar


mostrando as diversas regioes e os terminais da fonte (F), porta (P) e dreno (D); b) modelo
simetrico para a regi
ao do canal.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 243

e tambem pela resistencia do canal, que por sua vez depende da concentracao
de impurezas, do comprimento e da area efetiva da secao reta do canal. Esta
area pode ser controlada pelo tamanho das regioes de deplecao das juncoes
p+ -n entre as portas e o canal, uma vez que nestas nao existem eletrons de
conducao. Como a espessura da regiao de deplecao depende da tensao reversa
na juncao, a corrente de dreno ID varia com a tensao VP entre a porta e a
fonte. Desta forma a variacao da corrente ID e controlada pela tensao VP .

7.5.2 Caracterstica do Transistor JFET

Para calcular a caracterstica I-V do JFET, vamos considerar o modelo


simetrico mostrado na Fig.7.11(b) para a regiao do canal. O canal tem compri-
mento L, profundidade D (perpendicular ao plano da gura) e altura efetiva
h(x), uma vez que nao ha eletrons nas regioes de deplecao das duas juncoes
canal-porta. Esta altura efetiva e dada por h = 2(a ), sendo que a espes-
sura  da regiao de deplecao depende da tensao reversa na juncao. Esta tensao
varia com x pois a corrente ID do dreno para a fonte produz uma queda de
potencial ao longo do canal. Por conseguinte  e h tambem variam com x, de
modo que a area da secao reta efetiva varia ao longo do canal. Isto faz com
que a resistencia do canal nao seja dada simplesmente pela expressao usual,
L/A. No entanto, a dependencia da corrente ID com as tensoes VD e VP pode
ser calculada a partir de conceitos e relacoes simples.

A densidade de corrente no canal, dada pelas Eqs.(5.45) e (5.48), pode


ser escrita na forma:
d(x)
J(x) = E(x) = enn E(x) = enn , (7.40)
dx

onde (x) e o potencial eletrico no ponto de coordenada x do canal, em relacao


a` fonte (x = 0). A intensidade de corrente ID no canal e dada pelo produto
de J pela area efetiva,
ID = 2[a (x)] D J(x) , (7.41)

onde (x) e a espessura das regioes de deplecao das juncoes p+ n na secao de


abcissa x. Considerando que em x a tensao reversa e V (x), supondo Na Nd
e potencial de contato desprezvel, (x) e dado por (Eq.(6.18) e Problema 6.4)

1/2
2
(x)  V (x) , (7.42)
e Nd
244 Materiais e Dispositivos Eletronicos

onde a tensao reversa na juncao V (x) e dada pela diferenca de potencial entre
um ponto de abcissa x no canal e a porta, ou seja V (x) = (x) VP . Substi-
tuindo (7.40) e (7.42) em (7.41), utilizando esta relacao para V (x) e fazendo
n  Nd , obtemos:

1/2 
2 d
ID  2 eNd n D a ( VP ) .
eNd dx

Podemos agora separar as variaveis e x e fazer as integrais nos dois lados


entre x = 0 e x = L. Como o potencial nas extremidades do canal e (0) = 0
e (L) = VD temos,
 L  VD 
1/2 
2
ID dx = 2eNd n D a ( VP ) d .
0 0 eNd

A integral do lado esquerdo e trivial pois a intensidade de corrente ID nao


varia com x. A integral em tambem e simples de ser efetuada, levando a:
  1/2 
2eNd n Da 2 2  
ID = VD (VD VP )3/2 (VP )3/2 .
L 3 eNd a2
(7.43)

Esta expressao pode ser simplicada utilizando-se as seguintes consideracoes.


O fator multiplicativo que aparece a` esquerda do colchete e o inverso da re-
sistencia do canal, sem as regioes de deplecao, que e chamada condutancia,

1 2Da 2eNd n Da
G0 = = = . (7.44)
R L L

Note que como V (x) aumenta com x, a altura efetiva do canal, h = 2(a ),
diminui com x em virtude da Eq.(7.42), como mostrado na Fig.7.12. Existe
entao um valor crtico de V (x) para o qual  = a, fazendo com que o canal seja
obstrudo. Isto ocorre inicialmente no ponto x = L, no qual V e maximo. O
valor crtico de V , tambem chamado de constricao do canal, e dado por (7.42)
com  = a,
eNd a2
Vc = . (7.45)
2

Substituindo as denicoes (7.44) e (7.45) em (7.43), e observando que o


sinal negativo de (7.43) e devido ao fato de que a corrente tem o sentido x,
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 245

Figura 7.12: Variacao da altura efetiva do canal para dois valores de tens
ao de dreno. Para
VD = Vc + VP o canal sofre uma constricao em x = L.

obtemos a expressao nal para o modulo da corrente em funcao das tensoes:


  3/2  3/2 
VD 2 VP 2 VD VP
|ID | = G0 Vc + . (7.46)
Vc 3 Vc 3 Vc

preciso observar que esta expressao so vale se o canal estiver aberto em todos
E
os pontos, ou seja se V (x) < Vc . Como a tensao reversa maxima na juncao e
V (L) = VD VP , (7.46) so e valida para
VD VP Vc . (7.47)

Para tensoes de dreno maiores que o valor dado por (7.47), a corrente
atinge uma saturacao, com valor igual ao obtido de (7.46) com VD VP = Vc .
Observe tambem que normalmente a porta opera com tensao nula ou negativa
em relacao a fonte, de modo que em todas as expressoes acima VP 0.

Exemplo 7.5: Considere um JFET de Si com Nd = 5 1015 cm3 , Na = 1019 cm3 , a = 1 m,


ametros G0 e Vc e faca as curvas ID VD para diversos
L = 15 m e D = 1 mm. Calcule os par
valores de VP .

Como Na  Nd , a espessura da regi ao de depleca


o pode ser calculada por (7.42). Ent
ao,
usando os dados da Tabela 5.2 e os par
ametros do transistor em (7.44), vem,
2 e Nd n D a 2 1, 6 1019 5 1015 106 1350 104 103 106
G0 = =
L 15 106
2 1
G0 = 1, 44 10

Com (7.45) obtemos,


e Nd a2 1, 6 1019 5 1015 106 1012
Vc = =
2 2 11, 8 8, 85 1012
Vc = 3, 8 V
246 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Como estes valores de G0 e Vc na Eq.(7.46) obtemos numericamente as curvas mostradas na


Figura 7.13.

Para entender o comportamento das curvas I-V da Fig.7.13, tomemos


inicialmente VP = 0. Nesta situacao a corrente dada por (7.46) e:
  3/2 
VD 2 VD
|ID | = G0 Vc . (7.48)
Vc 3 Vc

Observe que para tensoes de dreno baixas, isto e, VD


Vc , o primeiro termo
em (7.48) domina o segundo, sendo |ID |  G0 VD . Esta e a regi ao linear
da curva caracterstica com VP = 0 na Fig.7.13. A presenca do termo com
potencia 3/2 e sinal negativo em (7.48), faz com que a taxa de crescimento de
|ID | diminua com o aumento de VD . Fazendo a derivada de |ID | em relacao a
VD vem,
d|ID |  
= G0 1 (VD /Vc )1/2 V =0 . (7.49)
dVD P

Vemos entao que |ID | atinge o maximo (dID /dV = 0) exatamente em VD = Vc


(para VP = 0). Neste valor de tensao a corrente atinge a satura
cao, dada por
(7.48) com VD = Vc ,

Figura 7.13: Caractersticas I-V de um transistor de efeito de campo de juncao, obtidas da


Eq.(7.46) com Vc = 3, 8 V e G0 = 1, 44 102 .
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 247

IDsat = G0 Vc /3 . (7.50)

Para VD > Vc a corrente mantem este valor, que corresponde `a situacao do


canal quase totalmente obstrudo. Isto ocorre porque, se a corrente diminuisse,
a queda de tensao no canal tambem diminuiria e ele seria desobstrudo. Este
delicado equilbrio mantem a corrente constante para VD > Vc , com valor igual
ao de saturacao (7.50).

Para tensoes de porta VP nao nulas e negativas o comportamento das


curvas ID VD e qualitativamente o mesmo do descrito para VP = 0. As
diferencas fundamentais sao que a corrente de saturacao e o valor crtico de
saturacao na tensao VD diminuem com o aumento de VP . A linha tracejada
na Fig.7.13 indica o lugar geometrico dos pontos de saturacao para VP = 0.

Observe que os valores de tensao e corrente mostrados na Fig. 7.13 sao


tpicos de um JFET. O transistor trabalha com tensoes de dreno e de porta
da ordem de alguns volts e corrente de dreno na faixa de mAmp. As curvas
caractersticas do transistor de efeito de campo se assemelham as do transistor
bipolar mostradas na Fig.7.7(b). A diferenca fundamental e que enquanto no
bipolar o parametro de controle e a corrente de base, no JFET o controle e
feito pela tensao da porta. Entao, como a tensao de porta no JFET e aplicada
numa juncao polarizada reversamente, a corrente de entrada e muito pequena
comparada com a corrente de base no transistor bipolar. Num JFET tpico a
corrente na porta e da ordem de 109 a 1012 A. Como a tensao aplicada a
porta e de alguns volts, a impedancia de entrada excede 108 .

Os transistores de efeito de campo de juncao sao utilizados para am-


plicacao ou chaveamento, em circuitos semelhantes aqueles das Figs. 7.9 e
7.10, em aplicacoes que requerem alta impedancia de entrada. Os smbolos de

Figura 7.14: Smbolos de circuito dos transistores de efeito de campo (JFET) de canal n e
de canal p.
248 Materiais e Dispositivos Eletronicos

circuito dos JFET de canal n e de canal p estao mostrados na Fig.7.14.

7.5.3 O Transistor de Efeito de Campo Metal-Semicondutor

O princpio de funcionamento do transistor de efeito de campo metal-


semicondutor, que passaremos a chamar de MESFET (Metal Semiconductor
Field Eect Transistor), e basicamente o mesmo do JFET. Ele tem tres ter-
minais, fonte, porta e dreno. Os portadores de carga majoritarios uem da
fonte para o dreno atraves de um canal semicondutor, tipo n ou tipo p. O
controle da corrente e feito por meio de uma tensao aplicada a` porta, que
controla a espessura do canal e portanto sua resistencia. A diferenca para o
JFET e que no MESFET o terminal metalico da porta esta em contato direto
com o semicondutor do canal, formando uma juncao Schottky, em vez de uma
juncao p-n. Como na barreira de potencial Schottky nao ha participacao de
portadores minoritarios, a resposta na variacao de espessura do canal devido
`a variacao na tensao da porta, e mais rapida do que nas juncoes p-n. Por isso,
o MESFET e utilizado em aplicacoes de altas freq uencias. Como o GaAs tem
maior mobilidade de eletrons do que Si, ele e o semicondutor mais utilizado
na fabricacao de MESFETs.

A Figura 7.15 mostra duas estruturas comuns de MESFET. Em ambas


o substrato e uma pastilha de alta resistividade, feita com GaAs o mais puro
possvel ou com pequena dopagem com Cr. Como o gap de GaAs e grande,

Figura 7.15: Estruturas de MESFET: a) Estrutura simples, com terminais met alicos da
fonte, porta e dreno, depositados diretamente sobre a camada epitaxial que forma o canal;
b) Estrutura na qual as regi
oes da fonte, canal e dreno s
ao formadas por implantacao i
onica
de impurezas tipo n.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 249

o nvel de Fermi no meio do gap que ocorre no semicondutor intrnseco ou


com dopagem de Cr, resulta em resistividades da ordem de 108 cm. Como
este valor de resistividade torna o material quase isolante, ele e chamado de
semi-isolante. O canal e formado por uma camada de GaAs dopado, com
espessura da ordem de 0,1 m. Como a mobibilidade de eletrons em GaAs
e 22 vezes maior que a de buracos (veja Tabela 5.2), utiliza-se dopagem com
impurezas doadoras para formar um canal n nos MESFETs para aplicacoes
em altas freq uencias. Concentracoes de impurezas do grupo VI, como Se, da
ordem de 10 cm3 , resultam em condutividades adequadas ao canal n, no
17

qual os eletrons uem da fonte para o dreno. A estrutura dos contatos e feita
atraves de processos sucessivos de fotolitograa.

A estrutura mostrada na Figura 7.15(a) e bastante simples, formada ape-


nas por uma na camada de n-GaAs crescido epitaxialmente sobre o substrato
e tres contatos metalicos. O contato da porta e feito de A ou ligas de Ti, W
ou Au, que sao adequados para formar uma barreira Schottky em GaAs. Os
contatos da fonte e do dreno devem ser ohmicos, por isso sao feitos com outro
metal, em geral uma liga de Ge e Au. Como a fabricacao desta estrutura
nao requer o uso de processos de difusao, ela pode ser feita com dimensoes
pequenas e muito precisas. Pode-se entao fazer canais de comprimentos in-
feriores a 1 m, o que possibilita minimizar o tempo de deslocamento dos
eletrons e a capacitancia da porta, requisitos importantes para aplicacoes em
altas frequencias. Na estrutura da Figura 7.15(b), os contatos ohmicos da
fonte e do dreno sao feitos por meio de duas regioes n+ com concentracoes de
impurezas da ordem de 1018 cm3 . Devido aos requisitos de precisao e boa
denicao das fronteiras entre as diversas regioes, as dopagens que formam a
fonte, o canal e o dreno sao feitas por meio de implantacao ionica. Este tipo
de estrutura faz com que haja um otimo isolamento eletrico entre transistores
vizinhos, fabricados numa mesma pastilha para formar um circuito integrado,
por conta da natureza semi-isolante do substrato. Este nao e o caso da es-
trutura da Figura 7.15(a), pois a camada epitaxial tipo n sobre o substrato
estabelece um contato direto entre transistores vizinhos. Para isolar o transis-
tor de elementos vizinhos, ele e circundado por uma vala com cerca de 0,2 m
de profundidade, que atinge o substrato semi-isolante. A vala e produzida por
um processo de corrosao numa linha denida por meio de fotolitograa.

Como mencionado no incio da secao, o funcionamento do MESFET e


basicamente o mesmo do JFET. A juncao Schottky formada entre o terminal da
porta e o canal n e polarizada inversamente, o que faz com que a impedancia de
entrada do transistor seja muito alta. A tensao aplicada entre porta e a fonte
determina a espessura da regiao de deplecao, que e dada aproximadamente
250 Materiais e Dispositivos Eletronicos

pela mesma expressao (7.42) valida para o JFET. Como o potencial varia ao
longo do canal, a espessura da regiao de deplecao tambem varia, formando a
regiao triangular indicada pela area branca nas estruturas da Figura 7.15. O
calculo da corrente no canal e feito exatamente como para o JFET, de modo
que a relacao entre a corrente do dreno ID e as tensoes VP e VD da porta
e do dreno, e dada pela Equacao (7.46). Assim, as curvas caractersticas do
MESFET tem a mesma forma das curvas do JFET, mostradas na Figura 7.13.

Os MESFETs de GaAs podem ser fabricados em circuitos integrados


para processar sinais analogicos ou digitais em altas freq
uencias, alcancando
a faixa de microondas. Atualmente eles tem grande aplicacao em telefonia
movel, empregando freq
uencias de alguns GHz. Os MESFETs sao usados para
fazer osciladores e amplicadores de micro-ondas, que constituem elementos
fundamentais dos circuitos dos telefones celulares e telefones sem o de alta
freq
uencia.

A necessidade de aumentar a freq uencia de geracao e a banda de pas-


sagem nos sistemas de comunicacoes tem estimulado o desenvolvimento de no-
vas estruturas de MESFET. A operacao em freq uencias mais elevadas requer
a diminuicao do tempo de transito dos eletrons e portanto menores dimensoes
fsicas do canal. Para manter a condutancia do canal e preciso entao aumen-
tar sua condutividade. Isto pode ser feito ate certo ponto com o aumento
da concentracao de impurezas no canal. Entretanto, concentracoes excessivas
aumentam o espalhamento dos eletrons e comprometem a mobilidade. Uma
forma engenhosa para aumentar a concentracao de eletrons sem aumentar a
concentracao de impurezas doadoras e fazer o canal com duas camadas, uma
de n-(GaA)As e outra de GaAs puro, esta crescida diretamente sobre o subs-
trato. Isto resulta em uma heterojuncao com estrutura de bandas semelhante
`a da Figura 6.11. A composicao da liga de n-(GaA)As e feita de tal modo que
o nvel de Fermi esta acima do mnimo do poco formado na descontinuidade
da banda de conducao (na Fig.6.11 ele esta um pouco abaixo). O resultado
e que uma parte dos eletrons da camada de n-(GaA)As salta para a camada
de GaAs, cando aprisionados na interface. Energeticamente o que ocorre e
que os eletrons ocupam os estados de energia abaixo do nvel de Fermi, cando
aprisionados no poco de potencial. Como a camada de GaAs e pura, o espa-
lhamento dos eletrons e pequeno, resultando num canal de alta mobilidade.
O transistor MESFET feito com esta estrutura e chamado de HEMT (High
Electron Mobility Transistor). Ele e muito empregado em telefonia movel
utilizando a faixa de microondas, podendo alcancar freq uencias em torno de
10 GHz.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 251

7.6 O Transistor MOSFET

Um outro tipo de transistor de efeito de campo, de importancia tecnologica


muito maior que o de juncao, e o de porta isolada. Neste transistor o controle
da corrente no canal e feito por meio do campo num capacitor, formado pelo
contato metalico da porta e pelo semicondutor do canal, separados por uma
camada de isolante. No caso mais comum o isolante e o oxido de silcio, SiO2 ,
o que da o nome em ingles Metal-Oxide-Semiconductor FET. Vamos aqui nos
referir a este tipo de transistor por sua sigla em ingles, MOSFET.

A Fig.7.16 mostra a estrutura planar de um MOSFET de canal n. Ele e


formado por duas regioes tipo n+ difundidas (ou implantadas) num substrato
tipo p, sendo uma para a fonte (F) e outra para o dreno (D). A fonte e o dreno
sao ligados ao circuito atraves de contatos de alumnio. O canal de conducao
entre a fonte e o dreno e induzido no substrato por uma tensao aplicada a` porta,
cujo contato e isolado do semicondutor por uma camada de oxido, atraves do
fenomeno de invers ao que sera explicado mais tarde.

Se uma tensao for aplicada entre dreno e fonte, em qualquer sentido, uma
das duas juncoes p-n estara polarizada diretamente, enquanto a outra cara
polarizada reversamente. Neste caso, se nao houver tensao na porta nao havera
canal e, portanto, a corrente entre fonte e dreno sera desprezvel devido a` pre-
senca da juncao reversa. Quando uma tensao positiva e aplicada a` porta, uma
camada de cargas negativas e induzida no semicondutor, em frente ao contato
metalico da porta. Esta camada de cargas proporciona um canal de conducao
entre fonte e dreno, resultando numa corrente que varia com a amplitude da
tensao da porta. Para compreender o mecanismo de aparecimento do canal
de conducao e necessario analisar o comportamento das cargas no capacitor
formado pelo conjunto metal-oxido-semicondutor, chamado capacitor MOS,
o que faremos a seguir.

Figura 7.16: Estrutura planar de MOSFET de canal n.


252 Materiais e Dispositivos Eletronicos

7.6.1 O Capacitor MOS

A Fig.7.17 mostra os diagramas de energia nas tres regioes de um capacitor


MOS com semicondutor tipo p, para diversos valores da diferenca de potencial
V aplicada entre o metal e o semicondutor. Em (a) vemos a situacao de
equilbrio com V = 0, na qual os nveis de Fermi do metal e do semicondutor
sao iguais. Na gura estao mostradas as funcoes trabalho em e es do metal e
do semicondutor. Estando o metal e o semicondutor em contato com o isolante,
em e es sao denidas em relacao ao nvel da banda de conducao do oxido
e nao ao nvel do vacuo, como foi feito no caso da Fig.6.8. Por esta razao,
essas grandezas tambem sao chamadas funcoes trabalho modicadas para a
interface metal-oxido. Para simplicar a analise do efeito da tensao aplicada,

Figura 7.17: Diagramas de energia no capacitor MOS para diversos valores da diferenca de
potencial V aplicada entre o metal e o semicondutor (tipo p).
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 253

consideramos na Fig.7.17 que m = s . No caso geral, o efeito de m = s


pode ser facilmente incorporado ao resultado nal.

Na Fig.7.17(b) vemos o efeito de uma tensao V < 0 aplicada entre o metal


e o semicondutor. Neste caso aparecem cargas negativas no metal e cargas po-
sitivas no semicondutor, como num capacitor comum. Estas cargas criam um
campo eletrico E no sentido do semicondutor para o metal. Como no semicon-
dutor tipo p os portadores majoritarios sao buracos, o aparecimento de cargas
positivas corresponde a` acumulac ao de buracos na interface semicondutor-
oxido. Esta acumulacao de buracos e consistente com o comportamento das
energias, como veremos a seguir. Quando a tensao e aplicada entre metal e
semicondutor, as energias dos eletrons no metal variam de eV em relacao
aos seus valores de equilbrio. Portanto, sendo V < 0 as energias no metal
sofrem um acrescimo de e|V |. Em conseq uencia, a banda de conducao do
oxido ca inclinada e o nvel de Fermi no metal EF m ca acima do nvel EF s
no semicondutor, sendo a diferenca entre eles EF m EF s = e|V |. Isto resulta
numa curvatura para cima das energias da banda de valencia Ev , da banda de
conducao Ec e do nvel de Fermi intrnseco Ei nas proximidades da interface,
como mostra a Fig.7.17(b). Por outro lado, como a camada de oxido e isolante,
a aplicacao de uma tensao externa nao resulta em corrente no semicondutor.
Em conseq uencia, o nvel de Fermi EF s nao varia ao longo do semicondutor,
como ocorre nas juncoes p-n e metal-semicondutor. Desta forma, a energia
Ei se afasta do nvel EF s na interface. Sendo a concentracao de buracos dada
pela Eq.(5.32),
p = ni e(Ei EF s)/kB T , (7.51)

vemos que p cresce exponencialmente com a diferenca Ei FF s . Assim, a


variacao das energias mostradas na Fig.7.17(b) e consistente com a acumulacao
de buracos no semicondutor na interface com o oxido.

O comportamento das energias no caso de tensoes positivas do metal


em relacao ao semicondutor est a ilustrado nas Figuras 7.17(c) e (d). Sendo
eV < 0, as energias dos eletrons no metal decrescem em relacao aos valores
de equilbrio, de modo que as curvaturas de Ec , Ev e Ei proximo da interface
sao opostas as do diagrama em (b). Neste caso Ei se aproxima de EF s na
interface, de modo que, pela Eq.(7.51), a concentracao de buracos diminui nas
proximidades do oxido. Se V e menor que um certo valor crtico Vc , Ei EF s
diminui em relacao ao equilbrio porem e ainda positivo em todos os pontos,
como no diagrama em (c). Neste caso a concentracao p na interface e menor
que o valor de equilbrio, o que deixa uma fracao das impurezas aceitadoras
nao compensadas. Portanto o semicondutor ca carregado negativamente en-
254 Materiais e Dispositivos Eletronicos

quanto o metal ca carregado positivamente, como esperado para V > 0. A


ausencia de buracos nas proximidades da interface e um fenomeno analogo ao
que ocorre na regiao de carga espacial, ou de deplecao, de uma juncao p-n.

Se a tensao V ultrapassa um certo valor crtico Vc , a energia Ei na inter-


face cai abaixo do nvel EF s , como mostrado na Fig.7.17(d). Neste caso, como
se ve na Eq.(7.51), p < ni . Sendo p n = n2i (Eq.(5.30), vemos que n > ni , e por
conseguinte os eletrons passam a ser os portadores majoritarios. Este e um
caso muito interessante no qual o semicondutor tipo p passa a comportar-se
como tipo n por acao de uma tensao aplicada e nao por causa de uma dopagem.
Este fenomeno, chamado invers ao constitui a chave para o aparecimento do
canal n no semicondutor tipo p do transistor MOSFET.

Para calcular a tensao aplicada ao transistor MOSFET acima da qual


uma camada de inversao e produzida no semicondutor, e necessario em
primeiro lugar entender como se comporta a queda de potencial no oxido e no
semicondutor. Para isto vamos, inicialmente, considerar um capacitor MOS
ideal no qual nao ha cargas de superfcie e as funcoes trabalho do metal e do
semicondutor sao iguais, m = s . Posteriormente generalizaremos o resultado
para superfcies reais.

Se uma tensao V e aplicada entre o metal e o semicondutor, parte da


queda de potencial ocorre no isolante (Vi ) e parte ocorre no semicondutor (Vs ),
de modo que
V = Vi + Vs . (7.52)

Esta tensao produz cargas Qm na superfcie do metal e Qs no semicondutor,


sendo Qm = Qs = Q, como num capacitor. Se V > 0, evidentemente teremos
Q > 0. A queda de potencial no isolante e relacionada com a carga atraves da
capacitancia obtida como se ele estivesse entre duas placas metalicas,
Q
Vi = , (7.53)
Ci

sendo Ci = i A/d, onde i e a permissividade do isolante, d sua espessura e A


a area. Para relacionar a queda de potencial no semicondutor com a carga, e
preciso resolver o problema da carga distribuda. Como o problema completo e
muito difcil, vamos usar uma aproximacao para a distribuicao de carga, como
foi feito para a juncao p-n na Secao 6.1.3. Ela consiste em supor que toda a
carga no semicondutor esta contida numa camada de espessura , com uma
densidade uniforme, como ilustrado na Fig.7.18. Na aproximacao de deplecao
total consideramos que todas impurezas aceitadoras na camada de espessura 
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 255

estao ionizadas, de modo que a carga no semicondutor e Qs = Q = eNa A.


Nesta situacao, a equacao da lei de Gauss pode ser facilmente integrada para se
obter o campo eletrico e a partir dele a variacao do potencial. A relacao entre
a espessura da regiao de deplecao e a queda de potencial Vs no semicondutor
e igual a Eq.(6.18) com V0 substitudo por Vs e sem o termo em Nd ,
 1/2
2s Vs
= , (7.54)
eNa

onde s e a permissividade do semicondutor. Observe que este resultado foi


obtido na suposicao de que a tensao V aplicada e suciente para produzir
deplecao total na camada de espessura , mas sem inversao. As Eqs.(7.52)-
(7.54) permitem calcular  em funcao de V , desde que V seja menor que o
valor crtico Vc para produzir inversao. Usando (7.54) e Q = eNa A em (7.53)
e substituindo Vs e Vi em (7.52), obtemos
eNa d eNa 2
V = +  . (7.55)
i 2s

Este resultado mostra que a espessura da camada de deplecao  cresce com

Figura 7.18: Distribuicao de carga num capacitor MOS ideal com semicondutor tipo p (canal
n), na aproximacao de deplecao. A linha tracejada indica a carga criada pela invers
ao quando
V > Vc .
256 Materiais e Dispositivos Eletronicos

o aumento da tensao V no capacitor. Na verdade isto so ocorre enquanto V


for menor que Vc . Quando V atinge Vc , a inversao produz uma camada na
de carga na interface com o oxido, mostrada na Fig.7.18 pela linha tracejada.
Qualquer aumento adicional de V acima deste valor resulta em crescimento da
carga de inversao e nao em aumento da camada de deplecao. A partir de (7.55)
podemos obter a capacitancia total do capacitor MOS. Colocando a carga
Q = eNa A em evidencia naquela equacao e usando a denicao C = dQ/dV
vem:
A
C= . (7.56)
d/i + /s

Esta expressao tambem pode ser obtida pela associacao em serie dos capaci-
tores formados pelo isolante (Ci ) e pelo semicondutor. Como a espessura 
aumenta com V , a capacitancia C diminui com o aumento de V na regiao
0 V Vc . Para V Vc o valor de C estabiliza em Cmin , como mostrado na
Fig.7.19. Com tensoes negativas ha uma acumulacao de buracos na superfcie
do semicondutor, de modo que  = 0 e C e devido ao capacitor formado
apenas pelo oxido dieletrico, C = Ci . Observe que quando a medida da ca-
pacitancia e feita com freq
uencia muito baixa, tipicamente menor que 100 Hz,
a capacitancia tende a aproximar-se do valor Ci, como mostrado pelas linhas
tracejadas da Fig.7.19. O mecanismo responsavel por este efeito e a geracao
de portadores na regiao de carga espacial. Quando a variacao da tensao e
muito lenta, a criacao de pares eletron-buraco nesta regiao mascara a variacao
da capacitancia. Os buracos tendem a neutralizar as impurezas aceitadoras,

Figura 7.19: Variacao da capacitancia com a tensao em capacitor MOS de canal n ideal. As
curvas tracejadas para V > Vc sao os resultados obtidos quando a medida de C e feita com
freq
uencias muito baixas (tipicamente menores que 100 Hz).
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 257

eliminando a regiao de deplecao, enquanto os eletrons vao para a interface


semicondutor-oxido. Em conseq uencia  0 e a capacitancia tende para o
valor Ci .

7.6.2 A Tens
ao Crtica de Invers
ao

Para compreender o mecanismo de inversao e o aparecimento do canal n no


semicondutor tipo p, vamos analisar em detalhe o diagrama de energia do
semicondutor quando a tensao aplicada ao capacitor MOS e positiva. Como
mostrado na Fig.7.20, as bandas de conducao e de valencia, bem como o nvel
de Fermi intrnseco Ei , curvam para baixo nas proximidades da interface.
Sendo a energia do eletron relacionada ao potencial eletrico por E = e,
o desvio da banda de conducao de seu valor de equilbrio Ec e e. Como a
curvatura de Ei acompanha a de Ec , o desvio de Ei em cada ponto y tambem e
e, o que pode ser visto na Fig.7.20. Vemos entao que a queda de potencial Vs
no semicondutor, estabelecida pela tensao aplicada V , corresponde ao desvio
de Ei na interface com o semicondutor, isto e, em y = 0. Vemos tambem na
Fig.7.20 que se Vs > F , ha uma pequena faixa de y em que Ei < EF s , onde
portanto a concentracao de eletrons e maior que a de buracos. Entretanto nao
basta ter Ei < EF s para haver um canal de conducao signicativo. O criterio
utilizado para denir a condicao de forte invers ao e que a concentracao n de
eletrons na superfcie seja, no mnimo, tao grande quanto a concentracao de

Figura 7.20: Diagrama de energia no semicondutor p pr


oximo da interface do oxido em
capacitor MOS com tens
ao V > Vc .
258 Materiais e Dispositivos Eletronicos

buracos no substrato, p  Na . Pela Eq.(7.51) vemos que esta condicao e


Na = ni eeF /kB T , (7.57)

onde eF e a diferenca entre os nveis de Fermi Ei e EF s longe da interface.


Como n = n2i /p, vemos na Fig.7.20 que para termos n = Na em y = 0 e preciso
que Vs = 2F . Utilizando (7.57) podemos escrever a condicao para a existencia
de uma camada de inversao no semicondutor,
kB T Na
Vs VsI = 2F = 2 n . (7.58)
e ni

Substituindo este resultado em (7.54) obtemos a maxima espessura da camada


de deplecao, que e atingida na condicao de inversao,
 1/2
1/2
4s F 4s kB T n(Na /ni )
max = = . (7.59)
eNa e2 Na

Esta e a situacao na qual a carga na regiao de deplecao e maxima, sendo


seu modulo dado por
Qd = eNa max A = 2(s eNa F )1/2 A . (7.60)

Substituindo (7.53) e (7.58) em (7.52) obtemos a tensao crtica no capacitor


MOS para a criacao da camada de inversao,
Qd
Vc = + 2F , (7.61)
Ci

onde Qd e dado por (7.60). Este resultado so vale para um capacitor MOS
ideal. Num capacitor real ha dois efeitos que devem ser considerados no calculo
de Vc : as funcoes trabalho m e s em geral sao diferentes; existem cargas no
interior do oxido e na superfcie da interface semicondutor-oxido.

As funcoes trabalho modicadas para a interface metal-SiO2 de alguns


metais utilizados em contatos metalicos estao apresentadas na Tabela 7.1. No
caso dos semicondutores, a funcao trabalho depende tambem da concentracao
de impurezas, porque varia com a posicao no nvel de Fermi EF s . A Figura
7.21 mostra a diferenca das funcoes trabalho modicadas, ms = m s , para
A com Si tipo p e tipo n, em funcao da concentracao de impurezas. Como
se ve, neste caso ms e negativo independentemente do tipo de impureza. E
facil ver que se m < s , o diagrama de energia em equilbrio (V = 0) e
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 259

Figura 7.21: Variacao da diferenca das funcoes trabalho m = m s na interface A-Si


em funcao da concentracao de impurezas [Sze].

semelhante aquele da Fig.7.17(c), valido para m = s e V > 0. Isto signica


que, mesmo em equilbrio, o metal ca carregado positivamente enquanto o
semicondutor ca com cargas negativas. Assim, para tornar as bandas retas
como na Fig.7.17(a), seria preciso aplicar uma tensao negativa para compensar
a diferenca das funcoes trabalho, com valor precisamente igual a ms .

Outro efeito importante nos capacitores MOS e a presenca de cargas no


isolante e na interface semicondutor-oxido. As cargas no interior do isolante re-
sultam de contaminacao no processo de fabricacao, como ocorre frequentemente
com ons de Na+ . Essas cargas positivas criam um campo eletrico que altera a
distribuicao de potencial no capacitor. As cargas na interface Si-SiO2 resultam
da existencia de estados superciais criados pela interrupcao da rede cristalina
na superfcie. No processo de oxidacao do Si para a fabricacao da camada
de SiO2 , atomos de Si sao removidos da superfcie e reagem com o oxigenio.
Quando o processo e interrompido, alguns ons de Si permanecem proximos da
interface, formando uma camada supercial de cargas. O conjunto das cargas

Metal A Ag Au Cu

em (eV) 4,1 5,1 5,0 4,7

Tabela 7.1: Funcoes trabalho de metais modicadas para o isolante SiO2 [Sze].
260 Materiais e Dispositivos Eletronicos

no oxido e na interface pode ser representado por uma carga efetiva Qox . Essa
carga produz uma diferenca de potencial adicional no capacitor Vox = Qox /Ci ,
onde Ci e a capacitancia do isolante.

A tensao crtica calculada anteriormente e valida para a situacao na qual,


com V = 0, as bandas do semicondutor tem curvatura nula. Como a diferenca
das funcoes trabalho ms e a presenca da carga Qox resultam numa tensao
efetiva positiva Vox ms , a tensao externa que deve ser aplicada ao capacitor
para produzir inversao e menor do que Vc obtido para o caso ideal, Eq.(7.61).
Assim, o valor da tensao crtica no caso geral e
Qd Qox
Vc = + 2F + ms . (7.62)
Ci Ci

Este resultado mostra que para obter uma tensao crtica pequena e
necessario fazer a capacitancia Ci maior possvel. Isto requer uma espessura
do oxido isolante muito pequena, em geral da ordem de 0, 1 m.

Exemplo 7.6: Calcule a tens ao crtica de inversao Vc para um MOSFET de A


-SiO2 -pSi com
d = 0, 1 m, Na = 1015 cm3 , com carga no area Qox /A = 8 108 C/cm2 ,
oxido por unidade de
sabendo que a constante dieletrica do oxido e 3,9.

Usando o valor de ni da Tabela 5.2 para Si obtemos, com (7.58),


kB T Na 1015
2F = 2
n = 2 0, 025
n = 0, 56 V .
e ni 1, 5 1010

Usando (7.60) calculamos a carga por unidade de


area,
Qd  1/2
= 2 11, 8 8, 85 1012 1, 6 1019 1015 106 0, 28
A
= 1, 37 104 C/m2 .

A capacit ancia por unidade de area e determinada pela espessura do


oxido e por sua constante
dieletrica. Para SiO2 i = 3, 9 0 , logo
Ci i 3, 9 8, 85 1012
= =
A d 107
 3, 45 104 F/m2 .

Usando o valor ms = 0, 9 V da Fig.7.21 e substituindo os dados e par


ametros calculados em
(7.62) vem,
1, 37 104 8 108 104
Vc = + 0, 56 0, 9
3, 45 104 3, 45 104
= 0, 4 + 0, 56 0, 9 2, 3 = 2, 24 V .
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 261

Note que a invers ao ocorre em baixos valores de tensao, que podem ser fornecidos por peque-
nas baterias. Este fato e importante pois ele possibilita a operaca
o de circuitos l
ogicos alimentados
por baterias em equipamentos port ateis.

7.6.3 A Caracterstica I-V do Transistor MOSFET

Estamos agora em condicoes de entender o mecanismo de operacao de um tran-


sistor MOSFET com a estrutura da Fig.7.16, assim como calcular a corrente de
dreno ID em funcao das tensoes de dreno VD e de porta VP . Se uma diferenca
de potencial VD positiva for aplicada entre dreno e fonte, a juncao p-n entre
substrato e dreno estara polarizada reversamente. Portanto so havera corrente
do dreno para a fonte (eletrons vao da fonte para o dreno) se houver uma
camada de inversao em toda extensao da interface semicondutor-oxido. Esta
camada pode ser induzida por uma tensao VP entre porta e fonte, maior que
um certo valor crtico VP c . Este valor e diferente de Vc da Eq.(7.62), porque
a tensao de dreno eleva o potencial do semicondutor em relacao ao metal da
porta. Devido `a presenca da corrente ID , o potencial do semicondutor aumenta
gradualmente da fonte para o dreno.

Isto resulta numa variacao da tensao crtica ao longo do capacitor e, por


conseguinte, numa diminuicao gradual da espessura da camada de inversao
da fonte para o dreno, como ilustrado na Fig.7.16. Assim, a tensao de porta
mnima VP c para que haja um canal de conducao em toda extensao do semi-
condutor e determinada pelo valor da tensao crtica na extremidade do dreno,

VP c = Vc + VD . (7.63)

Para calcular a corrente ID criada pela tensao VD e preciso, inicialmente,


determinar a carga na camada de inversao. Para isto vamos considerar o
modelo da Fig.7.22 para a variacao da camada entre fonte e dreno. O capacitor
MOS e dividido em capacitores elementares de largura dx, cujas areas sao
dA = Ddx, sendo D a profundidade na direcao perpendicular ao plano do
papel. Pela Eq.(7.53), a carga elementar em cada capacitor e dQ = Vi (x) dCi,
onde dCi = Ci dx/L e Vi (x) e a queda de tensao no isolante no ponto de abcissa
x. Vi (x) e determinada pela tensao de porta VP , a tensao efetiva Vox ms , a
queda de potencial Vs no semicondutor e a diferenca de potencial (x) entre o
ponto x e a fonte (x = 0). Na condicao de inversao no ponto x, Vs = 2F , de
262 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 7.22: Modelo para a variacao da camada de invers


ao em transistor MOSFET de
canal n.

modo que a carga elementar no capacitor em dx e,


Ci
dQ = [VP + (Vox ms 2F ) (x)] dx .
L

Note que na condicao de inversao esta carga e igual a`quela existente na regiao
de deplecao, cujo valor na faixa dx e dQd = Qd dx/L. Qualquer acrescimo da
tensao resulta no aparecimento de uma carga negativa na camada de inversao,
cujo modulo e dQn = dQ dQd , uma vez que a carga na regiao de deplecao
nao aumenta alem do valor dado por (7.60). Temos entao
Ci Qd
dQn = [VP + (Vox ms 2F ) (x)] dx dx .
L L

Utilizando a Eq.(7.62) nesse resultado, podemos escrever


Ci
dQn = [VP Vc (x)] dx . (7.64)
L

Sob a acao de uma tensao VD positiva, esta carga (negativa) move-se no


sentido fonte-dreno, produzindo uma corrente ID no sentido x. Sendo h a al-
tura do canal no ponto x, a densidade volumetrica de carga e = dQn /Dhdx.
A densidade de corrente que ela produz e J = n E, onde n e a mobilidade
das cargas no canal e E = d/dx e o campo eletrico. A corrente de dreno e
entao,
dQn d
ID = J D h = n . (7.65)
dx dx
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 263

Substituindo (7.64) em (7.65) e passando dx para o lado esquerdo, podemos


integrar os dois lados separadamente,
 L 
n Ci VD
ID dx = (VP Vc )d .
0 L 0

Como ID nao varia com x, a integral do lado esquerdo e simplesmente ID L.


Efetuando a integral do lado direito e utilizando a denicao de VP c em (7.63)
obtemos nalmente,


n Ci 1 2
ID = (VP Vc )VD VD . (7.66)
L2 2

Note que n e a mobilidade dos eletrons proximos da superfcie, que em geral


e menor que o valor no interior do substrato tipo p. Na Eq.(7.66) e comum
utilizar a capacitancia por unidade de area, ci = Ci /DL, no lugar de Ci .
Esta equacao descreve bastante bem o comportamento da corrente de dreno,
principalmente para baixos valores de VD . Na verdade este resultado e apenas
aproximado porque desprezamos a variacao de Qd com x. A Eq.(7.66) mostra
que para pequenos valores de VD , a corrente ID cresce linearmente com VD ,
desde que VP > Vc . Para valores maiores de VD , o termo em VD2 faz a taxa de
crescimento de ID diminuir. Observe que a derivada
dID n Ci
= (VP Vc VD ) (7.67)
dVD L2

e nula em VD = VDs VP Vc . Neste valor de tensao, que e exatamente o


mesmo de (7.63), a corrente e maxima. Para tensoes de dreno maiores que este
valor, o canal de conducao e interrompido fazendo a corrente saturar, num
fenomeno semelhante ao que ocorre no JFET. A Fig.7.23 mostra curvas de ID
em funcao de VD para diversos valores de VP , obtidas da Eq.(7.66) para um
MOSFET canal n com Vc = 2 V, Ci /A = 3, 45 108 F/cm2 , L = 10 m,
D = 300 m e n = 675 cm2 /V.s (metade do valor no interior do substrato,
dado na Tabela 5.2). Esses valores dao n Ci /L2 = n DCi /AL  0, 7 mA/V2 .
Na Fig.7.23 a linha tracejada indica os pontos VD ID onde a corrente satura.
Note que o valor da corrente de saturacao e obtido de (7.66) com VP Vc =
VD = VDs ,
n Ci 2
IDsat = V . (7.68)
2L2 Ds

Este resultado mostra que a curva de saturacao e uma parabola.


264 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 7.23: Curvas caractersticas de MOSFET de canal n.

7.6.4 Aplica
coes de Transistores MOSFET

Os transistores MOSFET tem uma variedade de aplicacoes em circuitos di-


gitais e sao largamente utilizados em computadores. Os smbolos de circuito
dos MOSFETs de canal n e de canal p estao mostrados na Fig.7.24. Observe
que eles tem um quarto terminal, correspondente ao substrato. Como o semi-
condutor do substrato forma diodos de juncao com fonte e dreno, ele deve ser
mantido num potencial que faz as juncoes nao conduzirem. Em geral ele e
ligado a` fonte no MOSFET de canal n e ao dreno no de canal p.

No MOSFET que apresentamos em detalhe, o canal e induzido no subs-


trato atraves do mecanismo de inversao, produzido por uma tensao de porta.
Se VP < VP c o canal esta fechado e nao ha corrente de dreno. E possvel

tambem fazer um MOSFET dopando uma regiao n entre fonte e dreno, de
modo que mesmo sem tensao na porta a corrente ID pode ser diferente de zero.
Neste tipo, uma polarizacao negativa na porta repele os eletrons do canal n e
reduz a corrente, como no n-JFET. O primeiro tipo, no qual o canal e induzido
e aumenta com a tensao VP , e chamado de indu c
ao ou de aumento (channel
enhancement, em ingles). O segundo tipo, no qual o canal e deprimido com
a tensao, e chamado de deple c comum utilizar os smbolos da Fig.7.24
ao. E
para representar os dois tipos de MOSFETs.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 265

Figura 7.24: Smbolos dos transistores MOSFET.

A principal caracterstica dos MOSFETs e o isolamento eletrico da porta.


Sua impedancia de entrada e da ordem de 1014 , independentemente do
sentido da tensao na porta. Uma grande vantagem dos MOSFETs em relacao
aos JFETs esta no seu processo de fabricacao, que requer um n
umero reduzido
de etapas. Isto facilita a fabricacao de um grande n umero de transistores de
dimensoes inferiores a 1 m, interconectados por meio de contatos de alumnio
na superfcie de cima, constituindo circuitos integrados de alta integra c
ao
(VLSI, Very Large Scale Integration).

Nos circuitos integrados digitais utilizando MOSFETs, e possvel reduzir


drasticamente o consumo de potencia com o emprego de pares de transisto-
res interligados, sendo um de canal n e o outro de canal p. Esta tecnologia,
chamada de par complementar ou CMOS, possibilita a fabricacao de relogios,
calculadoras e computadores com dissipacao de potencia extremamente pe-
quena. A ttulo de exemplo do emprego de par complementar, mostramos
na Fig.7.25(a) um circuito inversor CMOS com MOSFETs de inducao. Os
dois transistores sao ligados em serie e submetidos a uma tensao +VDD . A
Fig.7.25(b) mostra as curvas ID -VD dos transistores T1 (canal n) e T2 (canal
p), para dois valores das tensoes de porta, 0 e +VDD para T1 , e 0 e VDD para
T2 . Note que as curvas de T2 sao colocadas no mesmo graco de T1 porem
invertidas, de modo que a soma das duas tensoes de dreno e VDD . Desta forma,
o ponto de operacao do circuito e dado pela intersecao das curvas de T1 e T2 ,
pois VD1 + VD2 = +VDD e ID1 = ID2 .

O circuito da Fig.7.25(a) e um circuito logico inversor do tipo NAO.


Seu objetivo e dar na sada um sinal nulo (0) quando o sinal de entrada for
Ve = +VDD (bit 1), e sada +VDD (bit 1) quando a entrada for nula (bit 0).
Este funcionamento pode ser vericado no graco em (b). Se o sinal de entrada
e nulo, as tensoes nas portas de T1 e T2 (em relacao a`s respectivas fontes) sao,
respectivamente, VP 1 = 0 e VP 2 = VDD . Nesta situacao T1 se encontra no
266 Materiais e Dispositivos Eletronicos

estado o e T2 no estado on. A intersecao das duas curvas e o ponto 1 da


gura, sendo a tensao de sada +VDD . Por outro lado, se a entrada e +VDD ,
T1 esta on e T2 esta o, sendo o sinal de sada, dado pelo ponto 0, VD  0.
Note que nas duas situacoes a corrente no circuito e muito pequena. Este
fato permite construir circuitos CMOS com dissipacao de potencia inferior a
10 nW.

As propriedades peculiares dos transistores e capacitores MOS tambem


sao utilizadas para a construcao de varios tipos de dispositivos que trans-
ferem ou armazenam informacao digital. Dentre os mais importantes estao as
mem orias de semicondutores e os dispositivos de acoplamento de carga,
ou CCD (do ingles Charge-Coupled-Device). Ele e formado por uma serie
de capacitores MOS, um ao lado do outro, no mesmo substrato semicondutor.
Quando um pulso de tensao e aplicado num capacitor, com amplitude suciente
para produzir inversao, ele cria um pacote de cargas que ca armazenado no
capacitor durante um certo tempo. A presenca de um pacote de cargas num
capacitor representa o dgito binario 1, enquanto que a ausencia representa 0.
O capacitor MOS e o elemento basico das memorias de semicondutor. Um con-
junto de capacitores e transmissores MOS num circuito integrado, forma uma
memoria que armazena as informacoes expressas em codigos binarios. Atual-
mente ha uma variedade de dispositivos de memoria de semicondutor, alguns

Figura 7.25: (a) Circuito inversor NAO com par complementar de MOSFETs. (b) Curvas
caractersticas para determinacao dos pontos de operacao.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 267

dos quais serao apresentados na secao 7.8.2. Quando os capacitores estao inter-
conectados adequadamente, a aplicacao de um pulso de tensao num capacitor
vizinho, produz nele um poco de potencial, para o qual o pacote de cargas e
transferido atraves do semicondutor. Desta forma e possvel deslocar o dgito
1 ao longo da serie de capacitores, formando um dispositivo CCD, utilizado
para fabricar registros de deslocamento para computadores e em sensores de
imagem, apresentados na secao 8.4.4.

7.7 Dispositivos de Controle de Pot


encia: SCR e TRIAC

Nesta secao, vamos descrever qualitativamente a operacao de dois dispositivos


da famlia dos tiristores. Os tiristores sao dispositivos formados por varias
juncoes p-n, que tem grande aplicacao como chave para controlar altas cor-
rentes. O controle e feito eletronicamente, atraves de uma corrente relativa-
mente pequena aplicada a um dos terminais do dispositivo. Os dois principais
membros da famlia dos tiristores sao o reticador controlado de silcio, ou
SCR (Silicon Controlled Rectier), e o triodo bidirecional para corrente al-
ternada, ou TRIAC. Ambos dispositivos sao feitos de silcio monocristalino,
porque sendo um material de alta condutividade termica, facilita o escoamento
do calor gerado pela corrente eletrica.

7.7.1 O Retificador Controlado de Silcio - SCR

O reticador controlado de silcio (SCR) e formado por um semicondutor com


quatro camadas de impurezas, constituindo uma estrutura p-n-p-n, mostrada
na Fig.7.26(a). O dispositivo tem dois terminais nas extremidades, por onde
circula a corrente principal a ser controlada, o anodo (A) na regiao p1 e o
catodo (C) na regiao n2 . Um terceiro terminal na regiao p2 , chamado porta
(P), serve para a entrada da corrente de controle. A Fig.7.26(b) mostra o
modelo utilizado para representar as quatro regioes do dispositivo, que formam
tres juncoes p-n: J1 , J2 e J3 .

Para compreender o mecanismo de operacao do SCR, vamos analisar ini-


cialmente o que ocorre no dispositivo p-n-p-n sem a porta, tambem conhecido
como diodo Shockley. Se uma tensao externa positiva e aplicada entre anodo
e catodo, as juncoes J1 e J3 cam polarizadas diretamente, enquanto J2 recebe
polarizacao reversa. Em conseq uencia, as resistencias de J1 e J3 sao pequenas,
enquanto a de J2 e muito grande. Entao toda tensao externa aparece em J2 , e
268 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 7.26: Reticador controlado de silcio-SCR: a) Secao reta da estrutura na forma de


um disco; b) Modelo para descrever o dispositivo p-n-p-n.

se ela e menor que o valor de ruptura, a corrente tem o valor de saturacao re-
versa, que e muito pequeno. Este e o regime de bloqueio na polarizacao direta,
indicado na linha cheia da caracterstica I-V mostrada na Fig.7.27(a). Note
que se a tensao externa e negativa, J1 e J3 cam polarizadas reversamente, e
neste caso sao elas que limitam a corrente ao valor de saturacao, resultando
no regime de bloqueio reverso, indicado na curva I-V .

O fenomeno mais interessante do dispositivo p-n-p-n acontece quando


a tensao externa positiva aumenta e atinge o valor de ruptura da juncao J2 .
Nesta situacao ocorre avalanche em J2 e a corrente tende a aumentar rapida-
mente, nao encontrando resistencia nas juncoes J1 e J3 que estao polarizadas
diretamente. Na regiao p1 esta corrente e formada por buracos movendo-se
no sentido anodo-catodo, enquanto em n2 ela e formada por eletrons, indo do
catodo para o anodo. Uma vez iniciado o processo de conducao, uma parte
dos buracos de p1 e injetada na regiao p2 atraves de n1 , como se as regioes
p1 n1 p2 formassem um transistor. Da mesma forma, eletrons de n2 sao
injetados em n1 , como se n2 p2 n1 formassem outro transistor. A corrente
passa entao a ser produzida pelo processo de injecao de portadores, cessando
o processo de avalanche. Isto resulta numa rapida diminuicao e ate na in-
versao do sinal da tensao em J2 , de modo que a juncao passa a ser polarizada
diretamente. No regime de conducao direta, mostrado na Figura 7.27(a), a
corrente pode atingir valores elevados, sendo limitada apenas pela resistencia
do circuito externo ou pelo valor de rompimento do dispositivo. Neste regime
as tres juncoes cam polarizadas diretamente. Como a queda de potencial na
juncao J2 tem o sentido oposto ao das quedas em J1 e J3 , a queda de tensao
total no dispositivo corresponde a de apenas uma juncao, sendo da ordem de
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 269

0,7 V no caso do silcio.

E interessante observar que a curva I-V da Fig.7.27(a) e semelhante a de


um tubo de descarga de gas. Para dar incio ao processo de conducao, e preciso
aumentar a tensao externa ate atingir o valor de disparo VD . Entretanto,
a introducao da porta no dispositivo p-n-p-n transforma-o num reticador
controlado, SCR. Nele e possvel passar diretamente do estado de bloqueio para
o de conducao, por meio de uma corrente relativamente pequena na porta. As
linhas tracejadas da Figura 7.27(a) mostram as curvas I-V do SCR para dois
valores de corrente de porta. O efeito da corrente entrando na porta e injetar
buracos na regiao p2 , que sendo a base do transistor n2 p2 n1 , provoca nele o
incio do processo de conducao. Isto resulta na injecao de eletrons de n2 em n1 ,
o que faz o transistor p1 n1 p2 tambem conduzir. Este processo dispara o
SCR, fazendo-o passar do regime de bloqueio para o de conducao, sem que seja
necessario aumentar a tensao externa ate o valor de ruptura por avalanche. O
efeito da corrente na porta e justamente reduzir o valor da tensao de disparo,
como indicado na Fig.7.27(a). Uma vez disparado, o SCR mantem o processo
de conducao, mesmo que a corrente de porta seja interrompida. Desta forma
o SCR pode ser disparado por um pulso de corrente na porta. Por outro lado,
um pulso negativo de corrente na porta pode cortar o dispositivo, fazendo-o
passar do estado de conducao para o de bloqueio.

Figura 7.27: (a) Caracterstica I-V do SCR: a linha cheia vale para corrente de porta
nula; as duas linhas tracejadas correspondem a dois valores de corrente, sendo IP 2 > IP 1 .
(b) Smbolo de circuito do SCR.
270 Materiais e Dispositivos Eletronicos

O smbolo de circuito do SCR esta mostrado na Fig.7.27(b). Ele e


utilizado em uma grande variedade de aplicacoes em eletronica industrial e
de controle, pois permite controlar a potencia entregue a carga por meio de
chaveamento com baixa potencia.

7.7.2 O TRIAC

O triodo para corrente alternada, ou TRIAC, como o nome diz, e uma chave de
controle para corrente ac. Ele e formado por um semicondutor com seis regioes
de impurezas, constituindo dois SCRs conectados em paralelo e em sentidos
opostos. A estrutura do TRIAC e seu smbolo de circuito estao mostrados
na Fig.7.28. Na estrutura da Figura (a) podemos identicar claramente dois
dispositivos em paralelo, um formado pelas regioes p1 n1 p2 n2 e outro
formado pelas regioes n4 p1 n1 p2 . Sem a porta, eles sao equivalentes
a dois diodos Schockey em paralelo e em sentidos opostos, cuja caracterstica
I-V e dada pela linha cheia da Fig.7.29. Esse dispositivo e chamado de diodo
bidirecional, ou diodo ac (DIAC). Ele pode conduzir corrente em qualquer dos
dois sentidos, desde que a tensao externa atinja o valor de disparo VD .

O terminal da porta serve para disparar o TRIAC em qualquer dos dois


sentidos, por meio de pulsos de corrente. Se a tensao entre anodo e catodo
for positiva, um pulso de corrente na porta dispara o SCR p1 n1 p2 n2 ,
produzindo uma corrente no sentido do anodo para o catodo. Por outro lado,
se a tensao for negativa, o disparo produzido pelo pulso de corrente na porta
faz o SCR p2 n1 p1 n4 conduzir no sentido do catodo para o anodo.

Figura 7.28: Secao reta da estrutura (a) e smbolo de circuito (b) de um TRIAC.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 271

Figura 7.29: Curvas I-V para um TRIAC com tres valores de corrente na porta.

Evidentemente, no TRIAC o anodo e o catodo tem papeis semelhantes e a


distincao de nomes nem se justica. Eles sao usados apenas para facilitar a
descricao.

Os TRIACs sao amplamente utilizados em eletronica de controle de


potencia ac. Eles podem ser construdos de tal modo que tanto no ciclo po-
sitivo ou no negativo, o disparo seja feito por pulsos positivos, negativos, ou
por ambos. A corrente no dispositivo cessa quando a tensao entre anodo e
catodo se anula. Ele pode entao deixar passar uma corrente alternada se for
disparado duas vezes em cada ciclo.

7.8 Circuitos Integrados

Todos dispositivos apresentados nos Captulos 6 e 7 podem ser encapsulados


separadamente, apresentando dois ou mais terminais externos, para que pos-
sam ser conectados a outros dispositivos, formando um circuito eletronico.
Neste caso eles sao chamados dispositivos discretos. Porem, a forma mais
atual de utilizacao desses dispositivos, e atraves dos circuitos integrados.
Um circuito integrado e formado por um grande n umero de transistores, dio-
dos, resistores e capacitores, fabricados na mesma pastilha de semicondutor e
interligados entre si atraves de lmes metalicos, compondo um circuito com-
272 Materiais e Dispositivos Eletronicos

pleto com dimensoes microscopicas. O primeiro circuito integrado foi pro-


duzido em 1958, pelo americano Jack Kilby. Este feito nao representou propri-
amente um avanco cientco, mas sim uma forma engenhosa de conectar dispo-
sitivos cujos princpios de funcionamento ja eram bem conhecidos. Entretanto,
a concepcao do circuito integrado revolucionou a eletronica e possibilitou um
grande avanco nos equipamentos cientcos e na ciencia. Por isto, Kilby foi
agraciado com o premio Nobel de Fsica no ano 2000.

Os primeiros circuitos integrados nao tinham mais do que algumas


dezenas de transistores. Entretanto, em pouco tempo a tecnologia de in-
tegracao foi dominada por diversos fabricantes e a competicao para ganhar
mercado levou a uma corrida para aumentar a quantidade de dispositivos no
mesmo circuito. O resultado foi um rapido aumento na capacidade de inte-
gracao, com a conseq uente melhoria de desempenho e diminuicao dos custos
de fabricacao dos circuitos. No nal da decada de 1960, os dispositivos nos
circuitos integrados tinham dimensoes de alguns micrometros, dando origem
`a tecnologia da microeletr onica. Naquela epoca, Gordon Moore, um dos
fundadores da Intel, atualmente um dos maiores fabricantes de microproces-
sadores, observou que o n umero de transistores por circuito dobrava a cada
dezoito meses, e que o custo de producao por funcao caia a` metade no mesmo
perodo. Esta observacao passou a ser conhecida como a Lei de Moore, que
tem caraterizado a ind ustria de semicondutores ha mais de tres decadas. Esta
lei continua valida no Seculo 21, e o n
umero de transitores nos circuitos inte-
grados de microprocessadores se aproxima de um bilhao. Porem, as dimensoes
laterais dos dispositivos diminuram tanto que atingem a escala de dezenas
de nanometros, e as espessuras de algumas camadas correspondem a poucos
atomos. Isto faz prever que ate 2010 havera uma grande reducao na taxa de
crescimento da integracao, a nao ser que novos fenomenos e novos dispositivos
sejam descobertos nos proximos anos. A pesquisa cientca e tecnologica de
fenomenos e propriedades de materiais na escala nanometrica deu origem a um
novo campo de conhecimento, a nanoci encia e nanotecnologia.

7.8.1 Conceitos B
asicos e T
ecnicas de Fabrica
c
ao

Os circuitos integrados (CI) sao fabricados atraves de in umeras operacoes


fsico-qumicas, como aquelas descritas na Secao 6.1, de tal forma que as diver-
sas etapas de fabricacao sao realizadas simultaneamente em todos os compo-
nentes do circuito. Em cada pastilha de semicondutor sao fabricados centenas
de CIs completos, o que resulta em grande miniaturizacao e diminuicao do
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 273

Figura 7.30: Vista externa de alguns circuitos integrados: a) Circuito regulador de voltagem;
b) Env
olucro de CI comum de dezesseis pinos; c) Pente de memora de computador. A escala
da gura (c) e diferente das outras duas, pois o pente de mem
oria tem dimensoes fsicas bem
maiores que os outros dois.

custo de producao. Apos o processamento, a pastilha e retalhada em pequenos


quadrados ou retangulos de dimensoes da ordem ou inferiores a 11 mm2 , cor-
respondentes aos CIs individuais. Cada um destes chips, como sao chamados,
e entao testado individualmente. Cada chip aprovado e montado numa base,
interligado aos pinos externos atraves de os de ouro ou prata, e nalmente
encapsulado com uma resina isolante (tipo epoxy). O n umero de pinos exter-
nos pode variar de quatro a algumas centenas, dependendo da sosticacao do
circuito. A Fig.7.30 mostra o aspecto externo de alguns circuitos integrados.

Os circuitos integrados podem ser classicados de varias maneiras. Com


relacao a aplicacao, eles sao em geral chamados de digitais ou lineares
(analogicos). Quando sao fabricados na pastilha por meio da mesma tec-
nologia, eles sao chamados monolticos. Quando o circuito envolve diferentes
tipos de tecnologia, por exemplo interligando dispositivos semicondutores com
sensores magneticos, ele e chamado hbrido. Atualmente mais de 90% dos
circuitos monolticos sao feitos com sillico monocristalino. Pastilhas (wafers)
com diametro de 300 mm sao utilizadas largamente na ind ustria de semicon-
dutores. O outro semicondutor mais utilizado na fabricacao de CIs e o GaAs,
que encontra um n umero crescente de aplicacoes em altas frequencias.

Os CIs lineares sao aqueles que desempenham funcoes analogicas, ou


lineares. Os CIs lineares simples mais comuns sao os amplicadores opera-
cionais (conjunto de amplicadores com grande ganho, alta impedancia de
entrada e baixa impedancia de sada), reguladores de voltagem e chaves. Em
geral estes circuitos sao feitos com transistores bipolares e sao utilizados como
componentes discretos em circuitos eletronicos, ou como parte de um CI que
desempenha funcoes completas, como um receptor de radio ou de TV.
274 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Os CIs digitais sao aqueles que processam informacao binaria, na forma


de on ou o. Os CIs digitais podem ser feitos com a tecnologia bipolar ou MOS.
Como vimos na Secao 7.6, o uso de MOSFETs complementares possibilita a
fabricacao de circuitos de VLSI com baixo consumo de energia. Estes circuitos
sao a base dos microprocessadores e das memorias de altssima capacidade,
utilizados na construcao dos modernos computadores.

Uma questao importante nos circuitos integrados e o isolamento eletrico


entre dispositivos vizinhos, uma vez que o material semicondutor da pastilha
permite a passagem de corrente eletrica de um dispositivo para outro. No
caso dos dispositivos MOS e MESFET isto nao e problema, pois a conducao
e restrita `a regiao do canal, o que faz a operacao de cada dispositivo ser
independente do vizinho. Entretanto, no caso dos transistores bipolares, e
preciso tomar precaucoes para isolar um transistor dos vizinhos.

Diversas tecnicas sao utilizadas para isolamento. Conceitualmente, uma


das mais simples e mais ecazes e o isolamento com dieletrico, utilizado em
certos circuitos integrados de silcio. O processo de fabricacao inicia com a
preparacao da pastilha de Si, com pequena dopagem, formando um substrato
tipo n. Em seguida e feita a difusao de impurezas doadoras em toda a su-
perfcie, de modo a formar uma camada n+ . Depois, atraves de um processo
de fotolitograa, e de corrosao com acido, um canal e cavado na camada n+ ,
ate atingir o substrato n, circundando toda a regiao onde sera fabricado o dis-
positivo. O substrato e entao colocado num forno com atmosfera de oxigenio,
produzindo uma camada de oxido isolante (SiO2 ), que cobre toda a superfcie
exposta, incluindo a superfcie interna do canal. O passo seguinte e a deposicao
de uma camada de Si policristalino, que preenche o canal, mas tambem cobre
toda a superfcie. Finalmente, a pastilha e virada para baixo e polida mecani-
camente, de modo a remover todas as camadas sobre a camada epitaxial n+ .

Figura 7.31: Ilustracao do metodo de isolamento com juncoes reversas: a) Substrato tipo p
com camada epitaxial tipo n; b) Canal de isolamento tipo p atingindo o substrato.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 275

O resultado nal e um conjunto de regioes n+ , formando ilhas, circundadas


por canais isolantes (como na Fig.7.33 (c), que sera explicada adiante). Os
dispositivos desejados sao entao fabricados nas ilhas e depois interconectados
por meio de lmes metalicos depositados na superfcie. Uma vantagem do
processo de isolamento dieletrico e a baixa capacitancia parastica entre os
dispositivos vizinhos e a eliminacao de tensoes de polarizacao, necessarias no
processo que sera apresentado a seguir. A maior desvantagem deste metodo e
o grande numero de etapas de processamento e a necessidade de utilizar um
processo mecanico de polimento.

O metodo de isolamento mais comum e o de juncoes reversas. A ideia


basica deste metodo consiste em formar ilhas, nas quais os dispositivos sao
fabricados, circundados por juncoes p-n polarizadas reversamente. Como a
corrente na juncao reversa e muito pequena, as ilhas cam efetivamente iso-
ladas eletricamente umas das outras. A Fig.7.31 ilustra o processo de formacao
das ilhas. Inicialmente uma camada epitaxial tipo n e crescida sobre a pastilha
de silcio tipo p (para o transistor p-n-p seria uma camada p sobre substrato
n). Os passos seguintes consistem em oxidar a superfcie e por meio de proces-

Figura 7.32: Metodos de contatos do transistor bipolar em circuito integrado: a) contatos


para operacao lateral: b) e c) Coletor em camada enterrada.
276 Materiais e Dispositivos Eletronicos

sos de fotolitograa e corrosao abrir janelas na camada de oxido na forma de


linhas que denem as ilhas. Atraves das janelas e feita difusao de impurezas
tipo p, produzindo canais com profundidade tal que atingem o substrato p.
Para polarizar a juncao p-n reversamente e produzir o isolamento das ilhas e
preciso aplicar uma tensao por meio de contatos metalicos.

Uma questao adicional nos circuitos integrados com transistores bipolares


e o contato com o coletor. No dispositivo discreto da Fig.7.2, o contato do
coletor esta situado na face oposta a dos contatos do emissor e da base. Isto nao
pode ser feito no circuito integrado, uma vez que a interligacao dos dispositivos
e feita atraves de lmes metalicos na forma de linhas na superfcie de cima. A
Fig.7.32 ilustra dois metodos utilizados para contato com o coletor na mesma
face do emissor e da base. Em (a) o coletor e formado pela difusao de uma
regiao n+ circundando a base. Neste caso a conducao entre o emissor e o coletor
e feita lateralmente, o que resulta em alta resistencia de coletor. Em aplicacoes
que requerem baixa resistencia do coletor, a estrutura mais empregada e a da
camada enterrada (buried layer). Nesta estrutura o contato efetivo do coletor
e uma camada n+ , fabricada por difusao no substrato p, antes da deposicao
da camada epitaxial tipo n, como na Fig.7.32 (b). A ligacao do terminal do
coletor com a camada enterrada e feita por meio de uma regiao n+ , produzida
por difusao, como ilustrado na Fig.7.32 (c).

Para concluir esta secao, mostramos na Fig.7.33 as etapas de fabricacao

Figura 7.33: Ilustracao das etapas de fabricacao de transistor n-p-n num circuito integrado.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 277

de transistor n-p-n num circuito integrado. Em (a) aparecem as camadas n+


difundidas no substrato tipo p. Em (b) ve-se a camada epitaxial n depositada
sobre o substrato, formando as camadas enterradas. Em (c) aparecem os canais
de isolamento, que podem ser feitos com dieletricos ou com juncoes reversas.
Finalmente, na gura (d), aparecem as regioes do emissor (n), da base (p) e
do contato do coletor (n+ ). Para completar o circuito, um lme metalico e
depositado sobre a superfcie, na forma de linhas, estabelecendo contatos com
as regioes de interesse atraves de janelas na camada de oxido. Os terminais
do circuito sao entao ligados aos pinos externos e o conjunto e encapsulado,
podendo adquirir diversas feicoes, como por exemplo aquelas mostradas na
Fig.7.30.

7.8.2 Dispositivos de Mem


oria de Semicondutor

Dentre os dispositivos mais importantes dos equipamentos eletronicos nos dias


de hoje estao aqueles que armazenam informacoes, chamados dispositivos de
memoria. Eles tem sido essenciais para a operacao dos computadores, desde
que estes foram inventados ha cerca de meio seculo. Por isto mesmo a pesquisa
e o desenvolvimento de memorias tornou-se uma area de grande interesse
cientco e tecnologico. Mas nas u
ltimas decadas, as memorias passaram a ser
utilizadas em uma grande variedade de equipamentos eletronicos, que incorpo-
raram microprocessadores em seus sistemas. Nestes equipamentos as memorias
sao essenciais para armazenar os programas, ou codigos, ou sof tware, que
fazem o sistema executar suas funcoes.

As memorias internas dos computadores e de certos equipamentos sao de


dois tipos principais, dispositivos semicondutores e dispositivos magneticos. Os
meios magneticos armazenam a informacao indenidamente, ate que elas sejam
apagadas ou substitudas. Por isto eles sao chamados n ao-volateis. Nos dis-
positivos de memoria de semicondutores o tempo de armazenamento depende
do seu tipo. Alguns tem tempos de armazenamento de alguns mili-segundos
ou menos, sendo chamados vol ateis, outros podem armazenar a informacao
por muitos anos, sendo considerados nao-volateis. As principais vantagens
das memorias de semicondutores sao a maior densidade, maior velocidade de
gravacao e de leitura, e o fato de nao necessitarem de partes moveis. As
memorias magneticas, que serao apresentadas no Captulo 9, tem maior capaci-
dade de armazenamento e sao nao-volateis. Dentre os dispositivos de memoria
removveis, para transporte ou armazenamento externo, os mais importantes
atualmente sao as tas e discos magneticos e os discos opticos (Captulo 8).
278 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Os dispositivos de memoria de semicondutores podem ser fabricados


tanto com a tecnologia de transistores bipolares, quanto com a tecnologia MOS.
Nos u ltimos anos a tecnologia MOS passou a dominar completamente na fa-
bricacao das memorias de semicondutores, por conta da maior capacidade de
integracao, menor custo e menor consumo de energia. O elemento b asico das
memorias MOS e o capacitor MOS, apresentado na Secao 7.6.1. A presenca de
carga no capacitor representa o bit 1, enquanto a ausencia de carga representa
o bit 0.

Em geral, as celulas basicas das memorias de semicondutores sao consti-


tudas de capacitores e transistores MOS. A Fig.7.34 ilustra uma celula tpica
simples, formada por um transistor MOS de canal n, em serie com um capa-
citor. Os terminais da fonte (F) e da porta (P) do transistor sao utilizados
para as coneccoes com os eletrodos de enderecamento, feitos por tas de lmes
nos metalicos. A regiao n+ do dreno do transistor faz a ligacao em serie
com o capacitor formado pelo semicondutor tipo p do substrato e pelo lme
metalico, separados pela camada isolante, em geral o oxido SiO2. Tambem e
comum utilizar uma camada de silcio policristalino para a placa do capacitor,
no lugar do lme metalico. O terminal da placa do capacitor em geral e ligado
`a terra do circuito. A regiao p+ na extremidade direita da gura e utilizada
para isolar a celula do elemento vizinho.

O processo de carga do capacitor, ou seja, o armazenamento da in-


formacao do bit 1, e feito pela aplicacao simultanea de dois pulsos de tensao,
um entre a fonte e a terra, outro entre a porta e a terra. Os valores das tensoes
de pico devem ser sucientes para criar uma camada de inversao entre a fonte
e o dreno do transistor e outra sob o terminal do capacitor. Apos a aplicacao
dos pulsos, a camada de inversao no transistor desaparece, porem a carga na

Figura 7.34: Ilustracao de uma celula de memoria de semicondutor formada por um tran-
sistor em serie com um capacitor MOS.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 279

Figura 7.35: Ilustracao de parte de um circuito integrado de mem


oria RAM formado por
um arranjo matricial de celulas de memoria, cada uma contendo um transistor em serie com
um capacitor MOS.

camada de inversao do capacitor permanece armazenada. Esta carga tende a


desaparecer depois de um certo tempo devido a` geracao termica de portadores,
o que limita o tempo de armazenagem a alguns mili-segundos. Este tempo e
sucientemente longo para a operacao dinamica de uma memoria nos equipa-
mentos cujos relogios trabalhem com perodos muito inferiores a 1 ms, como
e o caso dos computadores atuais que operam com relogios na regiao de GHz.
Para a operacao contnua do equipamento e necessario entao que a memoria
seja periodicamente refrescada, isto e, que os capacitores das celulas que
armazenam o bit 1 sejam recarregados antes que a carga desapareca. Na-
turalmente, as informacoes sao perdidas quando o equipamento e desligado.
Portanto, uma memoria com celulas como a da Fig.7.34 e do tipo volatil.

As memorias de semicondutores sao formadas por circuitos integrados


contendo um grande n umero de celulas conectadas a malhas de eletrodos de
enderecamento. Um tipo de circuito esta mostrado na Fig.7.35. A malha
tem uma forma matricial, na qual as interligacoes das linhas e das colunas
sao chamadas de linhas de palavras e linhas de bits, que na gura sao repre-
sentadas respectivamente por WL (Word Line) e por BL (Bit Line). Note
que as fontes dos transistores MOS sao ligadas a`s linhas de bits e as portas
sao ligadas a`s linhas de palavras, enquanto que os capacitores sao ligados a`
terra, permitindo carregar os capacitores como explicado anteriormente. Este
arranjo matricial permite acessar aleatoriamente uma celula com qualquer en-
dereco, tanto para gravacao quanto para leitura da informacao. Por esta razao
280 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 7.36: Estrutura de dispositivo FAMOS utilizado em mem


orias n
ao-volateis de semi-
condutores.

este tipo de memoria e chamado de acesso aleatorio, ou mais comumente por


sua sigla em ingles, RAM (de Random Access Memory). O acesso aleatorio
possibilita uma velocidade de operacao, isto e gravacao e leitura, maior que
no acesso serial, caracterstico de tas e discos magneticos, nos quais e pre-

ciso passar por varios enderecos ate atingir um endereco especco desejado. E
possvel construir memorias nao-volateis com semicondutores, utilizando diver-
sas estruturas MOS. A Fig.7.36 mostra uma estrutura de transistor MOSFET,
na qual ha dois eletrodos de porta. Um deles e metalico, usado para contato
externo, enquanto que o outro, chamado de porta utuante, em geral e feito de
uma camada de Si policristalino, completamente envolvido pelo oxido isolante.
Nesta estrutura, chamada de porta utuante, conhecida pela sigla em ingles de
FAMOS (Floating-gate Avalanche-injection MOS), a carga pode permanecer
na porta utuante durante varios anos. O armazenamento de carga na porta
utuante pode ser feito por diversos processos. Um processo comum consiste
na aplicacao de uma tensao na juncao do dreno, com valor sucientemente
alto para produzir uma forte polarizacao reversa. Isto resulta na ruptura por
avalanche, produzindo grande aceleracao dos eletrons na regiao de deplecao da
juncao. Se uma tensao relativamente alta tambem for aplicada ao terminal da
porta, parte dos eletrons passa para a porta utuante por injecao direta ou
por efeito tunel atraves da na camada de oxido.

A utilizacao de uma variedade de estruturas possibilita construir dispo-


sitivos de memoria de semicondutores, volateis ou nao-volateis, para in
umeras
aplicacoes. A Fig.7.37 mostra uma classicacao de memorias, represen-
tadas por suas siglas em ingles. As memorias volateis sao de dois tipos,
estatica (SRAM, de Static Random Access Memory) ou dinamica (DRAM,
de Dynamic Random Access Memory). A memoria dinamica e como a do
tipo das Figuras 7.34 e 7.35, apresentado anteriormente, e que necessita ser
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 281

Figura 7.37: Classicacao dos dispositivos de memoria de semicondutores.

refrescada periodicamente. A memoria estatica retem a informacao gravada


sem a necessidade de refrescar, desde que o dispositivo permaneca energizado.
Isto e feito atraves de circuitos bi-estaveis, tambem conhecidos como ip-ops,
que podem ser chaveados para passar de um estado eletrico estavel para outro,
um deles representando o bit 0 e outro o bit 1.

A variedade de memorias nao-volateis e maior, por isso elas sao subdi-


vididas em dois grupos, ROM (Read Only Memory), usadas somente para
leitura e RAM, que podem ser gravadas e acessadas para leitura. A rigor, as
memorias ROM tambem sao do tipo RAM, pois como vimos anteriormente,
e um nome usado para designar memorias cujos enderecos podem ser aces-
sados aleatoriamente. Porem, o nome RAM e utilizado para os dispositivos
de acesso aleatorio, tanto para gravacao quanto para leitura das informacoes.
Nas memorias chamadas de EEPROM (Electrically Erasable-Programmable
Read Only Memory) as informacoes sao usadas somente para leitura, mas
podem ser gravadas ou apagadas eletricamente. Os outros principais tipos de
memoria ROM sao: PROM (Programmable Read Only Memory), que e um
dispositivo no qual a informacao em cada celula e gravada de forma perma-
nente, por um processo tipo fusvel; EPROM (Electrically Programmable Read
Only Memory), e uma memoria que utiliza dispositivos FAMOS nos quais as
informacoes sao gravadas eletricamente. Esta e a memoria mais comum para
armazenar a programacao que da a partida no processo de operacao de um com-
putador, ou de outros equipamentos contendo micro-processadores, quando
eles sao ligados. As informacoes na memoria EPROM podem ser apagadas
globalmente, isto e, em todos os enderecos, por meio de radiacao ultra-violeta
282 Materiais e Dispositivos Eletronicos

ou raios-X. Os fotons de alta energia levam os eletrons da porta utuante para


a porta de controle ou para o substrato. Para isso, o encapsulamento dos
dispositivos EPROM tem uma abertura com uma janela optica na parte su-
perior, para permitir a passagem da radiacao. Finalmente, a memoria f lash,
uma abreviacao para o nome completo de f lash EEPROM, e uma memoria
na qual as informacoes sao gravadas eletricamente, como na EPROM, mas po-
dem ser apagadas globalmente, de uma so vez, como num f lash. As memorias
f lash encontram um n umero de aplicacoes cada vez maior.

A necessidade de produzir memorias para diversas aplicacoes, com maior


capacidade de gravacao e com maior velocidade de acesso, tem impulsionado
a pesquisa e o desenvolvimento de novos dispositivos e de tecnologias de in-
tegracao cada vez mais sosticados. Estas atividades tem proporcionado um
contnuo aperfeicoamento das memorias e uma busca permanente por novos
dispositivos, fabricados com semicondutores ou outros materiais, que possi-
bilitem a realizacao de funcoes inusitadas para novos equipamentos ou para
inovacoes na ind
ustria eletronica.


REFERENCIAS

A. Bar-Lev, Semiconductors and Electronic Devices, Prentice-Hall, New Jer-


sey, 1984.
D.A. Fraser, The Physics of Semiconductor Devices, Claredon Press, Oxford,
1983.
P.E. Gray e C.L. Searle, Princpios da Eletr onica, Livro Tecnico, Rio de
Janeiro, 1974.
P. Horowitz and W. Hill, The Art of Electronics, Cambridge Univ. Press,
Cambridge, 1980.
H.A. Loureiro e L.E.P. Fernandes, Laborat orio de Dispositivos Eletronicos,
Guanabara Dois, Rio de Janeiro, 1982.
R.E. Hummel, Electronic Properties of Materials, Springer-Verlag, Berlin,
2001.
K. Kano, Semiconductor Devices, Prentice Hall, New Jersey, 1998.
H.A. Melo e R.S. de Biasi, Introducao a` Fsica dos Semicondutores, Edgard
Bl
ucher, 1975.
J. Millman e C.C. Halkias, Eletronica: Dispositivos e Circuitos, McGraw-
Hill, Sao Paulo, 1981.
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 283

K.K. Ng, Complete Guide to Semiconductor Devices, McGraw-Hill, New


York, 1995.
D.J. Roulston, An Introduction to the Physics of Semiconductor Devices,
Oxford University Press, Oxford, 1999.
G.B. Rutkowski and J.E. Oleksy, Solid State Electronics, MacMillan - Mc
Graw-Hill, Singapore, 1993.
B.J. Streetman and S. Banerjee, Solid State Electronic Devices, Prentice
Hall, New Jersey, 2000.
S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, J. Wiley, New York, 1981.
S.M. Sze, Semiconductor Devices: Physics and Technology, J. Wiley, New
York, 1985.
E.S. Yang, Fundamentals of Semiconductor Devices, McGraw-Hill, New
York, 1978.
J.A. Zuo, Dispositivos Eletronicos, McGraw-Hill, Sao Paulo, 1976.
J.A. Zuo, Compendio de Microeletronica, Guanabara Dois, Rio de Janeiro,
1984.

PROBLEMAS

7.1 A variacao da concentracao de buracos em excesso do equilbrio, p(x), em


funcao da posicao x na base de um transistor p-n-p e dada pela Eq.(7.15).
Faca gracos de p(x)/pE (de preferencia num computador), para tres
espessuras da base,  = 2Lp , 0, 5Lp e 0, 1Lp , onde Lp e o comprimento de
difusao. Utilizando os gracos explique qual das espessuras e a melhor
para um bom transistor.
7.2 Mostre que num transistor p+ -n-p+ fortemente polarizado diretamente, a
corrente de base e dada pela Eq.(7.23).
7.3 Considere um transistor p+ -n-p+ simetrico, de Si, com as seguintes ca-
ractersticas da base,  = 2 m, A = 103 cm2 , Nd = 5 1015 cm3 e
p = 0, 5 s. Sabendo que o emissor e o coletor tem Na = 5 1017 cm3
e n = 0, 1s, calcule as correntes do emissor, da base e do coletor, com o
transistor polarizado com VEB = 0, 75 V e VCB = - 10 V.
7.4 Calcule os parametros , e do transistor do Problema 7.3.
7.5 Calcule os parametros IEs , ICs , N e I do transistor do Problema 7.3 e
obtenha as correntes do emissor e do coletor usando as Equacoes (7.37) e
(7.38). Compare os resultados com os do Problema 7.3.
284 Materiais e Dispositivos Eletronicos

7.6 Considere um transistor p+ -n-p+ simetrico, isto e, com todos parametros


do emissor iguais aos do coletor. a) Escreva as equacoes de Ebers-Moll
para o transistor. b) Obtenha a corrente I em funcao de V para o transis-
tor no circuito (a) da gura abaixo. c) Calcule VCB quando o transistor
esta conectado como no circuito (b) da gura a seguir.

7.7 Um transistor p+ -n-p+ simetrico Si tem as seguintes caractersticas da


base:  = 1 m, A = 103 cm2 , Nd = 1015 cm3 e p = 2 s. O emissor e
o coletor tem Na = 51016 cm3 e tem comprimento de difusao metade do
valor na base. Os outros parametros de Si a` temperatura ambiente estao
dados na Tabela 5.2. a) Calcule as correntes de saturacao do emissor e do
coletor, IEs e ICs . b) Escreva as equacoes de Ebers-Moll para o transistor
e de os valores numericos dos quatro parametros que aparecem nelas.
7.8 Considere o transistor p+ -n-p+ do Problema 7.7. A partir das Eqs.(7.37)
e (7.38), obtenha uma equacao para a corrente de coletor IC em funcao
apenas da tensao VCE e da corrente de base IB . Use um computador e
faca os gracos do IC em funcao de (VCE ), para diversos valores de IB ,
e compare o resultado com a Figura 7.7(b).
7.9 Para o transistor do Problema 7.3, calcule a corrente I quando ele esta
conectado, como no circuito abaixo, sendo V = 500 mV.
7.10 Um transistor p-n-p com caractersticas dadas na Fig.7.7, e utilizado
como amplicador num circuito de polarizacao simples, analogo ao da
Fig.7.9(a). Sendo EB = EC = 10 V e RC = 1 k calcule: a) O valor
Cap. 7 Transistores e Outros Dispositivos Semicondutores 285

de RB para que a corrente de base seja 50 A; b) Os valores de IC e


VCE ; c) O ganho de corrente do circuito; d) O maximo sinal de tensao
de entrada para o circuito operar na regiao linear.
7.11 Obtenha a equacao da corrente de dreno de um transistor JFET, como o
da Fig.7.11, correspondente a (7.43), sem desprezar o potencial de contato
V0 das juncoes.
7.12 Obtenha as expressoes da condutancia e da tensao crtica de um JFET,
desprezando o potencial de contato das juncoes mas sem a condicao Na
Nd utilizada na deducao das Equacoes (7.44) e (7.45).
7.13 Um transistor de efeito de campo de juncao como o da Fig.7.11 feito
de silcio, tem regioes p+ com dopagem Na = 1018 cm3 e canal com
Nd = 2 1016 cm3 e meia largura a = 0, 8 m. a) Calcule a tensao
crtica Vc supondo V0 = 0. b) Qual o valor de Vc se V0 nao for desprezado?
c) Qual o valor de VD no qual a corrente satura para VP = 2 V?
7.14 Qual e, aproximadamente, o maior ganho de tensao de um circuito am-
plicador feito com o transistor de juncao da Fig.7.13?
7.15 Um transistor MESFET de GaAs tem barreira de potencial V0 = 0, 8 V e
tem no canal concentracao de impurezas Nd = 1016 cm3 , mobilidade n
= 7 103 cm2 /V s e dimensoes a = 0, 7 m, L = 15 m e D = 10 m.
Calcule a) A condutancia do canal; b) A tensao crtica; c) A corrente de
dreno de saturacao para VP = 0 e VP = 1, 0V .
7.16 Um transistor MOSFET de canal n e feito com eletrodos de alumnio
e semicondutor silcio tipo p, com Na = 2 1017 cm3 . A espessura
da camada de SiO2 e 100 A na regiao da porta, a carga na interface
8 2
e Qi /A = 10 C/cm , e as outras dimensoes relevantes (Fig.7.21) sao
L = 10 m e D = 300 m. Calcule: a) A tensao crtica Vc ; b) A corrente
de saturacao para VP = 6 V; c) A curva ID VD para VP = 4 V.
286 Materiais e Dispositivos Eletronicos
Captulo 8

Materiais e Dispositivos
Opto-Eletronicos


8.1 Propriedades Opticas dos Materiais 289
8.1.1 Ondas Eletromagneticas em Materiais 291
8.1.2 Reetividade de Materiais 295
8.2 Intera
cao da Radiac
ao com a Mat
eria
- Modelo Cl assico 298
8.2.1 Contribuicao dos Eletrons Livres em Metais 299
8.2.2 Contribuicao de Eletrons Ligados 303
8.3 Teoria Quantica da Intera
c
ao Radia
cao
- Mat
eria 308
8.3.1 Transicoes entre Nveis Discretos 309
8.3.2 Absorcao de Luz e Luminescencia 312
8.3.3 Absorcao e Emissao de Luz em Isolantes e Semicondutores 315
8.3.4 Absorcao e Emissao de Luz em Materiais com Impurezas 321
8.4 Fotodetetores 323
8.4.1 Foto-resistores 326
8.4.2 Fotodiodos 330
8.4.3 Celulas Solares 336
8.4.4 Sensor de Imagem CCD 338

287
288 Materiais e Dispositivos Eletronicos

8.5 Diodo Emissor de Luz (LED) 342


8.6 Emiss
ao Estimulada e Lasers 348
8.6.1 O Mecanismo de Amplicacao por Emissao Estimulada 349
8.6.2 Lasers de Solidos com Impurezas 353
8.6.3 Lasers a Gas 357
8.7 O Laser de Diodo Semicondutor 359
8.7.1 O Laser de Juncao p-n 360
8.7.2 Lasers de Heterojuncoes 363
8.7.3 Laser de Poco Quantico 368
8.8 Aplica
c
oes dos Lasers de Diodo 372

8.8.1 Comunicacoes Opticas 372
8.8.2 Gravacao e Reproducao em Discos Compactos 378

REFERENCIAS 380
PROBLEMAS 380
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 289

Materiais e Dispositivos
Opto-Eletronicos

8.1
Propriedades Opticas dos Materiais

As propriedades opticas sao aquelas que caracterizam como os materiais res-


pondem a uma radiacao externa, emitindo, absorvendo, reetindo ou alterando
a polarizacao da luz. Alguns aspectos dessas propriedades estao, sem d
uvida,
entre os mais facilmente identicaveis nos materiais. Desde tempos imemoriais
que o brilho, a cor, a transparencia e a opacidade dos materiais fascinam e in-
trigam a humanidade. Sao antiqussimas a utilizacao de metais para fabricar
espelhos e o emprego de metais e minerais naturais na confeccao de joias e
objetos de adorno.

Os estudos cientcos sobre a cor e o efeito de materiais sobre a luz ganha-


ram grande impulso com as experiencias de Newton no Seculo XVII. Newton
mostrou que, ao passar por um prisma de vidro, um feixe de luz solar dava
origem a uma faixa multicolorida. Na extremidade da faixa formada pelos raios
que sofrem o menor desvio ao passar pelo prisma a cor e vermelha, enquanto na
outra extremidade a cor e violeta. Atualmente sabe-se que a sensacao de cor e
produzida no cerebro, e resulta do efeito de ondas eletromagneticas numa faixa
estreita de freq
uencias ao incidir na retina do olho humano. Comprimentos de
onda em torno de 400 nm produzem a sensacao da cor violeta, enquanto na
outra extremidade do espectro, comprimentos de 700 nm produzem a cor ver-
melha. A Figura 8.1(a) mostra a resposta padrao do olho humano em funcao
do comprimento de onda da luz visvel. A regiao na qual o olho e mais sensvel
esta em torno de 555 nm, que corresponde a uma cor verde-amarelado. A
290 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 8.1: (a) Sensibilidade relativa do olho humano em funcao do comprimento de onda
da luz; (b) Variacao do ndice de refracao de quartzo fundido com o comprimento de onda.

Figura 8.1(b) ilustra a dispersao optica dos materiais transparentes, que e res-
ponsavel pela separacao do feixe de luz branca em varias cores. O ndice de
refracao, denido no Captulo 2, varia com o comprimento de onda da luz. Na
cor violeta (menor comprimento de onda) o ndice de refracao e maior, o que
resulta em maior desvio ao passar pelo prisma. Na cor vermelha o ndice de
refracao e menor e portanto o desvio e menor. A variacao do ndice de refracao
e devida a`s caractersticas da interacao da radiacao com a materia, que serao
estudadas na Secao 8.2.

A regiao visvel do espectro eletromagnetico, com comprimento de onda


na faixa 700-400 nm, corresponde a uma energia de fotons na faixa 1,7-3,1 eV.
Estes valores sao da mesma ordem de grandeza das energias dos gaps em varios
semicondutores e tambem das energias de transicoes eletronicas em atomos
diversos. Por esta razao, foi possvel desenvolver, nas u ltimas decadas, varios
dispositivos que convertem ecientemente luz em corrente eletrica, e vice-versa.
Isto deu origem a` Opto-eletr onica. Este e o ramo da tecnologia no qual sinais
analogicos e digitais sao processados por meio de dispositivos que empregam
luz e corrente eletronica, e que formam a base das comunicacoes opticas. Uma
area correlata, que tambem esta se desenvolvendo rapidamente, e a Fot onica,
na qual o processamento de sinais e feito em dispositivos inteiramente opticos.
Neste captulo estudaremos os principais fenomenos envolvidos na interacao
da radiacao eletromagnetica com a materia, bem como suas aplicacoes em
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 291

dispositivos opto-eletronicos de semicondutores. Outros dispositivos baseados


na interacao da luz com diversos materiais serao apresentados no Captulo 10.

8.1.1 Ondas Eletromagn


eticas em Materiais

Os fenomenos de reexao, refracao e absorcao da luz em materiais, podem


ser descritos macroscopicamente atraves das equacoes de Maxwell (2.1)-(2.4).
No captulo 2, estas equacoes foram resolvidas para ondas planas num meio
isolante perfeito, no qual a densidade de corrente J e nula. Nesta situacao
nao existe absorcao, ou perda de energia, de modo que as amplitudes dos
campos E e H,  dados por (2.7) e (2.8), nao variam durante a propagacao.
No caso em que a onda propaga num meio real, metalico, semicondutor ou
mesmo isolante, sempre existe perda. Esta perda pode ser descrita por uma
densidade de corrente, relacionada ao campo eletrico atraves da condutividade
, J = E.
 Neste caso, a equacao de ondas propagando na direcao do eixo x
contem outro termo que nao aparece em (2.6). A partir de (2.1)-(2.4) pode-
se mostrar facilmente que para = 0, o campo eletrico variando somente na
direcao x e descrito por (Problema 8.1),
2 E(x,
 t) 2 E(x,
 t) E(x,
 t)
=  + (8.1)
x2 t2 t

Na regiao visvel do espectro eletromagnetico os efeitos magneticos sao des-


prezveis, de modo que podemos considerar = 0 . Substituindo em (8.1) a
solucao de campo harmonio (2.14), com k na direcao x obtemos,

k 2 = 0  2 + i0 = 2 2 + i 0 (8.2)
c

onde c = 1/ 0 0 e a velocidade da luz no vacuo e = /0 e a constante
diel
etrica do material (tambem chamada permissividade relativa). Num meio
sem perdas a razao entre k e leva a` denicao do ndice de refrac
ao n, dado
pela Eq.(2.10). Esta denicao pode ser generalizada para meios com perdas,
atraves do ndice de refrac
ao complexo,
 1/2

N() = + i . (8.3)
0

Com esta denicao a Eq.(8.2) adquire a mesma forma de (2.10),



k = N() , (8.4)
c
292 Materiais e Dispositivos Eletronicos

uma vez que 0 c2 = 1/0 . O ndice de refracao complexo foi representado


por N() para nao confundir com o n umero de partculas N e tambem para
explicitar sua dependencia com . Esta dependencia nao surge apenas do
que aparece no denominador do segundo termo em (8.3), mas tambem do
fato de que () e () sempre variam com a freq precisamente
uencia. E
a variacao de e com a freq uencia que determina as propriedades opticas
dos materiais, como veremos mais adiante neste captulo. A vantagem de
introduzir o ndice de refracao complexo e que todas expressoes obtidas no
Captulo 2 podem ser usadas aqui com a simples substituicao do ndice de
refracao n pelo seu correspondente complexo N(). Vamos agora explicitar as
partes real e imaginaria do ndice complexo,
N() = n + i . (8.5)

Para relacionar as duas parcelas de N() com os parametros  e do


meio, elevamos (8.3) e (8.5) ao quadrado e igualamos os dois,

N 2 () = n2 2 + i2n = + i .
0

Como veremos mais tarde, tanto quanto podem ser complexos. Fazendo
=  + i e =  + i  e igualando as partes reais e imaginarias das duas
formas de N 2 () acima obtemos

n2 2 =  (8.6)
0

2n = + . (8.7)
0

Para entender o signicado de n e , substituimos (8.5) em (8.4) e obtemos


para o modulo do vetor de onda,
n
k= +i k  + ik 
c c

O campo eletrico da onda, dado por (2.14), passa a ser, com k na direcao x,
 
 t) = Re E0 ei c nxit e c x
E(x,

= E0 cos nx t e c x . (8.8)
c
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 293

Vemos entao que o campo e descrito por uma funcao harmonica cuja
amplitude decai exponencialmente durante a propagacao. Note que n, a parte
real de N(), e a razao entre a velocidade da luz c e a velocidade de fase
vf = /k  = c/n, e portanto e o proprio ndice
de refrac ao. Somente no
caso de meios sem perdas ( = 0) temos n = , como denido na Eq.(2.10).

A Eq.(8.8) mostra que , a parte imaginaria de N(), produz um de-


caimento exponencial na amplitude do campo. Por esta razao ele e chamado
coeficiente de amortecimento ou coeficiente de extin c
ao. Para com-
preender o signicado de , vamos estudar o que ocorre com a energia da
onda. A grandeza que exprime a energia transportada por uma onda eletro-
 denido pela relacao,
magnetica e o vetor de Poynting S,
 = E H
S  . (8.9)

Pode-se mostrar que o modulo de S  e igual a` energia por unidade de area e


por unidade de tempo transportada pela onda. Utilizando as expressoes (2.11)-
(2.13), e facil vericar que para uma onda plana num meio sem perdas, S  tem
a mesma direcao que o vetor propagacao k e tem modulo dado por (Problema
8.2),
n 2
S(r, t) = E cos2 (k r t + ) , (8.10)
c0 0

o que mostra que S varia harmonicamente no tempo e no espaco. Como nas


consideracoes de energia o mais importante e a media, dene-se a intensidade
de uma onda como o valor medio do modulo do vetor de Poynting. Sendo o
valor medio do cosseno ao quadrado igual a 1/2, temos que a intensidade da
onda e n
I =<S>= E2 . (8.11)
2c0 0

Esta relacao mostra que em meio sem perdas, a intensidade de uma onda
harmonica plana e constante, ou seja, nao varia no espaco nem no tempo. Ela
e proporcional ao quadrado da amplitude do campo eletrico e e igual a energia
media transportada, por unidade de area e por unidade de tempo. Em outras
palavras, a intensidade e a potencia media por unidade de area. No Sistema
Internacional ela e expressa em W/m2 .

E possvel relacionar a intensidade de um feixe de luz com o uxo de


fotons. Um feixe com intensidade I e area da secao reta A tem potencia media
P = IA. Sendo a freq uencia angular da onda, a energia de cada foton e .
Portanto, o uxo de fotons, denido como o n umero de fotons que atravessa
294 Materiais e Dispositivos Eletronicos

uma secao reta do feixe, por unidade de tempo e por unidade de area e dado
por:
I
= . (8.12)


Veja que o n
umero de fotons por unidade de tempo nao varia ao longo do feixe
porque a amplitude e constante. Este resultado nao vale para um material
com perdas, no qual N() tem partes real e imaginaria. Neste caso, o calculo
do vetor de Poynting tem um complicador na defasagem entre os campos E e
H introduzida pela parte imaginaria de N(). Porem, e facil mostrar que a
intensidade de uma onda com campo dado pela Eq.(8.8) varia no espaco da
seguinte forma (Problema 8.3),

I(x) = I(0) e2 c x I(0) ex



. (8.13)

Esta expressao mostra que , a parte imaginaria de N(), produz ao longo de


x um decaimento exponencial na amplitude da onda. A taxa de decaimento e
caracterizada pelo coeficiente de absor c
ao, denido por,
1 dI
= =2 . (8.14)
I dx c

Veja que o coeciente de absorcao tem a dimensao do inverso de distancia.


O seu inverso, 1/, e a distancia caracterstica de decaimento da intensidade
da onda. Como a amplitude do campo eletrico varia com a raiz quadrada da
intensidade, o comprimento caracterstico da penetracao do campo no material
e dado por,
2 c
= = . (8.15)

As equacoes (8.6), (8.7) e (8.14) sao validas em cada valor de freq


uencia
. Como veremos mais tarde, em qualquer material todas as grandezas
denidas nesta secao variam com . Na regiao visvel do espectro eletro-
magnetico os isolantes tem  0, e portanto sao transparentes ( = 0).
Porem, na regiao ultravioleta, sua condutividade e nita e eles absorvem
fortemente a radiacao. O aumento da absorcao e da constante dieletrica na
regiao ultravioleta resulta num gradual aumento do ndice de refracao com
a frequencia na faixa visvel. E isto que faz com que o ndice de refracao
do quartzo fundido diminua com o comprimento de onda (que e inversamente
proporcional a ), como na Fig.8.1(b), e que produz a dispersao da luz branca.
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 295

8.1.2 Refletividade de Materiais

Uma onda eletromagnetica incidindo sobre a superfcie de um material qual-


quer da origem a uma onda reetida e outra refratada. As leis da optica
geometrica relacionam os angulos de incidencia, reexao e refracao, mas nada
dizem em relacao a`s intensidades das ondas. Para obter a relacao entre as
intensidades e preciso utilizar as condicoes de contorno na superfcie decor-
rentes das equacoes de Maxwell. Vamos considerar o caso simples de uma
onda com campo E1 = yE (no vacuo ou no ar) incidindo perpendicularmente
na superfcice plana de um material com ndice de refracao complexo N(),
como ilustrado na Fig.8.2. O calculo dos campos reetidos E2 = yE2 e trans-
mitido (ou refratado) E3 = yE3 e muito semelhante ao do problema do eletron
numa barreira de potencial (Secao 3.3.3 e problema 3.5). O campo complexo
no ar, isto e, em x < 0, e,
Ey = E1 ei c xit + E2 ei c xit

enquanto no material, suposto semi-innito, ele e dado por (8.8) com (8.5),

Ey = E3 ei c N ()xit .

Para obter E2 e E3 em funcao de E1 e preciso aplicar as condicoes de


contorno em x = 0. A continuidade do campo eletrico tangencial em x = 0 da
E3 = E1 + E2 . (8.16)

Para
impor a continuidade do campo H tangencial, usamos a Eq.(2.13) com
substitudo por N(). O resultado e,
N() E3 = E1 E2 . (8.17)

Figura 8.2: Ilustracao das ondas incidente, reetida e transmitida (refratada) na superfcie
de um material.
296 Materiais e Dispositivos Eletronicos

De (8.16) e (8.17) obtemos as amplitudes dos campos reetido e transmitido,


E2 1 N()
= (8.18)
E1 1 + N()
E3 2
= . (8.19)
E1 1 + N()

A refletividade R e denida pela razao entre as intensidades das ondas


reetida e incidente. Usando (8.18) obtemos,
 
 N() 1 2
R =   . (8.20)
N() + 1 

Em funcao das partes real e imaginaria de N(), a reetividade pode ser escrita
como,
(n 1)2 + 2
R= . (8.21)
(n + 1)2 + 2

Note que R e uma grandeza adimensional que freq uentemente e expressa em


percentual. Por exemplo, vidro comum tem n  1, 5 e = 0, o que da
R  0, 04, ou R = 4%. A Eq.(8.21) mostra que a reetividade depende
tanto do ndice de refracao quanto do coeciente de extincao. No caso de
metais em freq uencias abaixo da regiao visvel, a absorcao e muito forte, de
modo que n. Nesta situacao as parcelas em n na Eq.(8.21) podem ser
desprezadas em presenca de 2 de modo que R  1. A reetividade proxima
de 100% e precisamente uma das caractersticas marcantes dos metais. E facil
vericar que a transmissao, denida como a razao entre as intensidades das
ondas transmitida e incidente, e relacionada com R por T = 1 R. Esta
relacao tambem expressa a conservacao de energia no processo de incidencia
de uma onda na superfcie de separacao de dois meios.

Exemplo 8.1: Uma onda eletromagnetica de comprimento de onda 500 nm incide na superfcie
plana de uma amostra de semicondutor de CdTe intrnseco. Considerando que neste comprimento
de onda CdTe tem condutividade desprezvel e constante dieletrica com parte real  = 8,9 e parte
imaginaria  = 2,3. Calcule: a) A velocidade de fase da radiaca
o no comprimento de onda dado;
b) O coeciente de absorcao; c) A reetividade; d) A transmiss
ao total de uma placa de CdTe com
faces paralelas e espessura 0,1 m.

a) Para calcular a velocidade de fase e necess


ario relacionar o ndice de refraca
o n com as partes real
e imaginaria da constante dieletrica. Fazendo = 0 e substituindo (8.7) em (8.6) obtemos a
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 297

equaca
o para n,
  2

n2 =  ,
2n

que leva `
a seguinte equaca
o biquadr
atica,
2
4  
2
n n =0.
4

A soluca
o positiva desta equaca
o e,

1  1/2
n =  + (2 + 2 )1/2 .
2

Logo

1  1/2
n = 8, 9 + (8, 92 + 2, 32 )1/2 = 3, 01 .
2

Ent
ao

c 3 108
vf = = = 9, 97 107 m/s .
n 3, 01

b) O coeciente de extinca
o e calculado por um procedimento an
alogo,

1  1/2
=  + (2 + 2 )1/2 .
2
1  1/2
= 8, 9 + (8, 92 + 2, 32 )1/2 = 0, 38 .
2

O coeciente de absorca
o e dado por (8.14),

2 4 4
= = =
c c
4 3, 14 0, 38
= = 9, 55 106 m1 = 9, 55 m1 .
500 109

c) A reetividade e dada por (8.21),

(3, 01 1)2 + 0, 382


R= = 0, 258 .
(3, 01 + 1)2 + 0, 382

Portanto, a reetividade do CdTe em 500 nm e 25,8 %.


d) Para calcular a transmiss
ao total e preciso considerar a transmiss
ao nas duas superfcies e ao
longo da espessura d da placa,

T = (1 R)2 ed = (1 0, 258)2 e9,550,1 = 0, 21 .


298 Materiais e Dispositivos Eletronicos

8.2 Intera
cao da Radia
cao com a Mat
eria-Modelo
Cl
assico

Nesta secao vamos estudar alguns mecanismos de interacao de ondas eletro-


magneticas com a materia que podem ser descritos por um modelo classico. O
objetivo e compreender alguns fenomenos basicos com modelos simples que per-
mitam calcular () e (). Como vimos na secao anterior, estes parametros
determinam n() e () e portanto as propriedades opticas de cada mate-
rial. Inicialmente estudaremos a interacao da radiacao com eletrons livres,
que tem um papel essencial nas propriedades opticas de metais. Em seguida
estudaremos o modelo classico da interacao com os eletrons ligados. Para com-
preender em detalhe as propriedades opticas de isolantes e semicondutores sera
necessario considerar a natureza quantica desta interacao, o que sera feito na
proxima secao.

A interacao da radiacao com a materia resulta da forca que o campo


eletrico da onda exerce sobre as cargas eletricas dos ons e dos eletrons. Como o
campo varia com uma certa freq uencia , ele tende a criar nas cargas um movi-
mento harmonico com a mesma freq uencia. Porem, este movimento so sera
signicativo se as cargas tiverem um modo natural de vibracao com freq uencia
proxima da freq uencia do campo. Por esta razao, no caso dos ons, a interacao
com o campo eletromagnetico so sera importante se este tiver freq uencia na
faixa 1-10 THz (4-40 meV), caracterstica dos modos opticos de vibracao da
rede cristalina. Como esta faixa corresponde ao infravermelho distante, as vi-
bracoes da rede, ou fonons, so contribuem de maneira mais signicativa para
as propriedades opticas nesta regiao do espectro eletromagnetico. No caso
de isolantes e semicondutores, os fonons dominam as propriedades opticas no
infravermelho. Entretanto, nos metais predomina a interacao do campo com
os eletrons livres, fazendo com que a reetividade seja proxima de 1, como
veremos a seguir.

Nas regioes do infravermelho proximo, visvel e ultravioleta, o movimento


dos ons e desprezvel, de modo que as propriedades opticas nessas faixas sao
dominadas pela interacao do campo eletrico com os eletrons, livres ou ligados
aos atomos. Vamos estudar os diversos aspectos desta interacao separadamente
em varias subsecoes.
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 299

8.2.1 Contribui
c
ao dos El
etrons Livres em Metais

Nos metais, o comportamento dos eletrons livres e determinante para as pro-


priedades opticas numa extensa faixa de freq
uencias. O movimento dos eletrons
sob a acao do campo eletrico de uma onda plana,
E = E0 et , (8.22)

pode ser deduzido pela extensao dos conceitos apresentados na secao 4.5, para
campos variaveis no tempo. Sendo eE a forca que o campo exerce sobre o
eletron, a equacao de movimento do eletron ca,
dv m
m + v = E0 eit , (8.23)
dt

onde m, v e sao respectivamente a massa, a velocidade e o tempo de colisao do


eletron. O segundo termo de (8.23) representa o amortecimento no movimento
do eletron devido `as colisoes com a rede e com impurezas. Substituindo em
(8.23) a solucao para regime estacionario v = v0 exp(it), obtemos
eE0
v0 = . (8.24)
im + m/

Considerando N eletrons livres por unidade de volume, obtemos para a densi-


dade de corrente,
J = eNv0 eit . (8.25)

Substituindo (8.24) em (8.25) e usando a relacao J = E, obtemos para a


condutividade do metal,
Ne2
() = . (8.26)
m(1 i )

Este resultado e conhecido como a condutividade do modelo de Drude. Note


que fazendo = 0 em (8.26), obtemos a condutividade dc dada pela Eq.(4.30),
como esperado. Substituindo (8.26) em (8.3) obtemos para o ndice de refracao
complexo dos metais,
iNe2
N 2 () = c + , (8.27)
m0 (1 i )

onde c e a contribuicao dos eletrons ligados para constante dieletrica. Como


veremos mais tarde, esta contribuicao e mais importante nas regioes visvel e
300 Materiais e Dispositivos Eletronicos

ultravioleta do espectro, sendo aproximadamente constante no infravermelho.


O fato de () ser complexo faz com que as expressoes para as partes real
e imaginaria de N() sejam relativamente grandes e difceis de analisar. Por
esta razao, vamos analisar () aproximadamente em dois limites, baixas e
altas freq
uencias.

uencias fazemos
1. Como nos metais
Na aproximacao de baixas freq
alcalinos (Li, Na, K, Rb e Cs) e nos metais nobres (Cu, Ag e Au), 1013 s,
esta aproximacao corresponde a
1013 s1 . Ela vale entao para a regiao do
infravermelho distante. Nesta regiao, desprezando i na presenca de 1 em
(8.26), vemos que () = n e2 /m = 0 e a propria condutividade dc, dada
por (4.30). Entao, podemos escrever (8.27) na forma,
0
N 2 ()  c + i . (8.28)
0

Usando os valores 0 108 1 m1 (veja Fig.4.17), 1 0 = 36 10 Nm /C


9 2 2

e 1012 s1 , vemos que a parte imaginaria de N 2 () em (8.28) e muito


maior que a parte real, c 1. Assim sendo, no infravermelho distante os
metais tem ndice de refracao complexo,
 1/2  1/2
0 0
N()  1/2
(i) = (1 + i) .
0 20

Portanto, as partes real e imaginaria sao iguais e muito maiores que 1,


 1/2
0
n= 1 . (8.29)
20

A substituicao de (8.29) em (8.21) mostra que R  1. Este resultado ex-


plica porque os metais sao reetores quase perfeitos de ondas eletromagneticas
com freq uencias abaixo do infravermelho. Eles nao sao reetores perfeitos
porque uma pequena fracao da energia da onda penetra numa camada na na
superfcie, sendo absorvida pelos eletrons livres e transformada em calor nos
processos de colisao. Este e o efeito pelicular, caracterizado por um com-
primento de penetrac ao (skin depth) da onda, dado pelo dobro do inverso
do coeciente absorcao. Substituindo (8.29) em (8.15) e usando c = (0 0 )1/2
obtemos  1/2
c 2
= = . (8.30)
00
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 301

Para o cobre a` temperatura ambiente, com 0 = 0, 6108 1 m1 , a Eq.(8.30)


da = 0, 066 mm em = 1 MHz e = 6, 6 m em = 100 MHz.

Na aproximacao de altas freq uencias, 1, valida para as regioes do


infravermelho proximo, visvel e ultravioleta, podemos desprezar a unidade no
denominador de (8.27) e escrever,

p2
N () = c 1 2
2
, (8.31)

onde
Ne2
p2 = . (8.32)
m0 c

p e chamada a freq uencia de plasma do metal. Seu valor e da ordem de


10 Hz (correspondente a uma energia p 4 eV) nos metais comuns, e por-
15

tanto esta situada no nal da faixa visvel e incio do ultravioleta. A Eq.(8.31)


mostra que para < p o ndice de refracao N() e um imaginario puro,

ou seja, n = 0 e = c (p2 / 2 1)1/2 . Nesta situacao a reetividade, dada
por (8.21), e exatamente R = 1. Por esta razao, a` semelhanca do que ocorre
no infravermelho, tambem na regiao visvel os metais sao otimos reetores de
ondas eletromagneticas. Por outro lado, para > p , N() e real, o que faz
com que a absorcao devida aos eletrons livres seja nula.

A Fig. 8.3 mostra a variacao da reetividade da prata, em (a) com a

Figura 8.3: Reetividade da prata: (a) Em funcao da energia do f oton da onda eletro-
magnetica incidente [H. Ehrenreich et al., Phys. Rev. 128, 1622 (1962)]; (b) Em funcao do
comprimento de onda, em escala ampliada.
302 Materiais e Dispositivos Eletronicos

energia do foton incidente e em (b) com o comprimento de onda numa escala


ampliada para realcar detalhes na regiao visvel. Note que a prata tem re-
etividade quase 100% em toda a regiao de energia desde zero ate o nal da
regiao visvel. Por esta razao a prata reete todo o espectro de luz branca
igualmente. A reetividade cai bruscamente para proximo de zero nas proxi-
midades da freq uencia de plasma. Para energias mais altas R apresenta outras
variacoes causadas por transicoes de eletrons ligados, que serao estudadas a
seguir. E interessante notar que no caso do cobre, estas transicoes produzem
uma variacao na reetividade dentro da regiao visvel. Neste caso, a reetivi-
dade e alta em toda a faixa visvel porem e maior no vermelho do que no azul.
Por esta razao, a reexao do cobre tem uma cor alaranjada, que contrasta com
o prateado da prata.

Exemplo 8.2: A concentraca o de eletrons livres na prata e 5, 86 1022 cm3 e o tempo de colis ao
14
e 3, 8 10 s. Calcule: a) O comprimento de penetraca o na prata de uma onda eletromagnetica
com freq uencia de microondas, = 1 GHz; b) O comprimento de penetraca o de um feixe de laser
de argonio com comprimento de onda = 514, 5 nm; c) A atenuaca o sofrida pelo feixe de laser ao
atravessar um lme de prata de espessura 50 A.

a) Inicialmente e preciso calcular o produto ,

= 2 109 3, 8 1014 = 2, 38 103 .

Como  1, o comprimento de penetraca o pode ser calculado por (8.30). Usando o valor
da condutividade da prata calculada no Exemplo 4.3, 0 = 6, 26 107 (m)1 , vem,
 2
1/2  2
1/2
= =
0 0 2 109 4 107 6, 26 107

= 2, 01 106 m = 2, 01 m.

b) A freq
uencia do laser de arg
onio e

c 2 3 108
= 2 = 2 = = 3, 66 1015 s1 ,
514, 5 109

ent
ao

= 3, 66 1015 3, 8 1014 = 1, 39 102 .

Neste caso  1 e o ndice de refraca


o complexo e dado por (8.31). Considerando c = 1,
a freq
uencia de plasma da prata dada por (8.32) e,

N e2 5, 86 1022 106 1, 62 1038 36 109


p2 = =
m 0 c 9, 1 1031

p2 = 1, 86 1032 s2 .
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 303

Logo p = 1, 36 1016 s1 e maior do que , o que faz com que N 2 seja negativo e portanto
N e imagin
ario. De (8.31) vem
 2   1, 86 1032 
p
N=i 1 =i 1 ,
2 3, 662 1030

N = i 12, 9 .

A Equaca
o (8.5) mostra que a parte imaginaria de N e o pr
oprio coeciente de extinca
o .
O comprimento de penetraca
o e ent
ao calculado com (8.15),

c 3 108
= =
3, 66 1015 12, 9

= 6, 35 109 m = 63, 5
A.

c) A atenuaca ancia d = 50
o do feixe numa dist A e

e2d/ = e100/63,5 = e1,57 = 4, 83

Isto signica que ao atravessar o lme de prata, a intensidade do feixe de laser diminui por
um fator 4,83. A atenuaca
o tambem pode ser expressa em decibeis,

A = 10 log 10 e2d/ = 10 log10 4, 83

A = 6, 84 dB .

8.2.2 Contribui
c
ao de El
etrons Ligados

Como mencionado anteriormente, as propriedades opticas dos materiais em


energias da ordem ou maiores que 1 eV sao devidas principalmente a`s transicoes
dos eletrons ligados nos atomos, ou eletrons de valencia. O tratamento cor-
reto dessas transicoes, que sera apresentado na proxima secao, deve ser feito
com a mecanica quantica. Entretanto, e possvel entender certos aspectos do
fenomeno com um modelo simples devido a Lorentz. Neste modelo, baseado
na visao classica do atomo, supoe-se que a aplicacao de um campo eletrico
externo resulta no deslocamento das camadas eletronicas negativas em relacao
ao nucleo positivo, como ilustrado na Figura 8.4(a). Isto produz um momento
de dipolo eletrico que contribui para a permissividade do material. Porem, o
deslocamento relativo das cargas tambem cria uma forca eletrostatica restau-
radora que inuencia o movimento. Na aproximacao linear esta forca e pro-
porcional ao deslocamento, como num oscilador harmonico. O modelo sim-
plicado mostrado na Figura 8.4(b), consiste de um conjunto massa-mola, no
304 Materiais e Dispositivos Eletronicos

ao classica do efeito de campo eletrico externo E sobre as cargas num


Figura 8.4: (a) Vis
tomo; (b) Modelo simplicado de atomo sob acao de campo eletrico.
a

qual uma partcula de massa m e carga e iguais as do eletron, esta sob a


acao da forca do campo eletrico da radiacao. Para um campo eletrico variavel
com freq uencia , como em (8.22), a equacao de movimento do eletron e,
 2
dx dx
m + + 0 x = e E0 eit
2
(8.33)
dt2 dt

onde x e o deslocamento do eletron em relacao a` sua posicao de equilbrio, 0


e a freq
uencia de ressonancia do oscilador e e a taxa de amortecimento do
movimento. O primeiro termo de (8.33) e a aceleracao do eletron, que multi-
plicada pela massa e igual a soma das forcas. O segundo termo e responsavel
pelo amortecimento do movimento, e corresponde a uma forca contraria e
proporcional a` velocidade do eletron. Ele e semelhante ao segundo termo da
Eq.(8.23), porem nao e o inverso do tempo de colisao pois no caso pre-
sente o eletron esta ligado ao atomo. Finalmente, o terceiro termo e a forca
restauradora da mola que simula a ligacao do eletron com o atomo. Sendo k a
constante da mola, esta forca e kx, onde k = 02 m. A solucao de (8.33) no
regime estacionario e
eE0
x(t) = eit . (8.34)
m(0 2 i)
2

O deslocamento do eletron, dado por (8.34), produz no atomo um momento


de dipolo eletrico p = ex. Havendo no material N atomos por unidade de
volume, a polarizacao (momento de dipolo eletrico por unidade de volume)
resultante e P = Nex. Lembrando a relacao entre o vetor deslocamento, a
polarizacao e o campo eletrico, que dene a permissividade,
D = 0 E + P 0 E , (8.35)
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 305

obtemos para a constante dieletrica na freq


uencia ,
2
p
() = 1 + 2 ,
0 2 i

sendo p2 = Ne2 /m0 . Note que o valor de nesta equacao tende para 1
quando . Na verdade isto nao ocorre, pois esta e apenas a contribuicao
de um eletron ligado. A contribuicao de outros eletrons com frequencias de
osciladores maiores faz com que a parte real de em altas freq uencias seja
maior que 1. Representando esta contribuicao por , podemos escrever a
uencias proximas de 0 como,
constante dieletrica em freq
p2
() = + 2 . (8.36)
0 2 i

A partir de (8.36) obtemos as partes real e imaginaria da constante


dieletrica,
p2 (02 2 )
 () = + 2 (8.37)
(0 2 )2 + 22
p2
 () = . (8.38)
(02 2 )2 + 2 2

As variacoes de  e  com a freq uencia estao mostradas na Fig.8.5 para


p = 0, 7 0 , = 0, 05 0 e = 2, 0. Veja que a parte real de () e
desprezvel em toda a faixa de frequencia, exceto nas vizinhancas da freq
uencia

de ressonancia 0 . Como a parte imaginaria () esta relacionada com a
absorcao optica no material (Eqs.(8.7) e (8.14)), este resultado signica que so
existe absorcao em 0 . Esta mesma conclusao e obtida com o tratamento
quantico da interacao da radiacao com a materia, sendo 0 a separacao de
energia entre dois nveis quanticos do eletron.

A representacao graca da funcao que descreve  () e chamada forma


de linha de absor cao. Como para
0 ,  () so e signicativa em
0 , podemos fazer 0 + 20  2 em (8.38) e reescrever  () na
forma,

p2 /40 p2
()  fL () , (8.39)
(0 )2 + (/2)2 20

onde
/2
fL () = (8.40)
(0 )2 + (/2)2
306 Materiais e Dispositivos Eletronicos

10 15

Constante dieltrica

Constante dieltrica
5 10

0 5

-5 0

Figura 8.5: Partes real e imagin aria de () =  () + i () no modelo cl assico de um


uencia de ressonancia 0 , para p = 0, 7 0 , = 0, 05 0 e = 2, 0.
eletron ligado com freq

e a funcao Lorentziana. A constante 2 usada na denicao faz com que a area


sob a curva seja normalizada, fL ()d = 1. O valor maximo desta funcao
ocorre em = 0 , fL (0 ) = 2/, sendo portanto inversamente proporcional
`a taxa de amortecimento . Por outro lado, a largura de linha, denida
como a diferenca entre as duas freq uencias para as quais fL () = fL (0 )/2, e
precisamente (Problema 8.7). Desta forma, quanto menor a taxa de amor-
tecimento menor sera a largura de linha e maior sera o pico da absorcao. Este
mesmo resultado sera obtido na proxima secao atraves do tratamento quantico
da interacao radiacao-eletron ligado.
importante notar que  () tem a forma da derivada de  () em
E
relacao a` freq
uencia. Isto nao e apenas uma coincidencia, e conseq
uencia de um

resultado geral pelo qual () e dado pela integral de uma funcao relacionada
com  (), e vice-versa. Essas equacoes integrais constituem as relacoes de
Kramers-Kronig que valem para as partes real e imaginaria de (), qualquer
que seja o mecanismo da interacao radiacao-materia.

Finalmente, para encerrar esta secao, vamos achar as constantes opticas


de um material descrito pelo modelo classico do eletron ligado. Fazendo = 0
e substituindo (8.7) em (8.6) obtemos equacoes biquadraticas para o ndice de
refracao n e para o coeciente de amortecimento , como mostrado no exemplo
8.1,
1  2 
n2 = + + 2 (8.41)
2
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 307

1  2 
2 = + + 2 (8.42)
2

A Figura 8.6(a) mostra, gracamente, as funcoes n() e () obtidas


de (8.37)-(8.42) com os mesmos parametros usados na Fig.8.5. Observe que o
ndice de refracao e proximo de 1 em toda a faixa de freq uencias, exceto nas vi-
zinhancas da freq uencia de ressonancia, onde ele apresenta uma grande anoma-
lia. Por outro lado o coeciente de extincao, responsavel pela atenuacao da
onda, e desprezvel em toda a faixa mas apresenta um pico em = 0 . Final-
mente, e importante notar que o ndice de refracao aumenta com a freq uencia
na regiao < 0 , como evidenciado na curva n() para o quartzo, mostrada na
Fig.8.1(b). E isto que produz o fenomeno da dispersao em materiais transpa-
rentes. Isto ocorre porque a freq uencia de transicao eletronica desses materiais
esta acima da faixa visvel.

A partir de n e pode-se calcular a reetividade R do material usando


a Eq.(8.21). O graco de R() obtido com n() e () da Fig.8.6(a) esta
mostrado na Figura 8.6(b). A reetividade apresenta um pico em freq uencia

um pouco acima de 0 e com uma linha mais larga que as de () e (),
porque nela tambem ha uma contribuicao importante da dispersao de n().
Note que num material real ha varias transicoes eletronicas com diferentes

Figura 8.6: (a) Variacao do ndice de refracao n e do coeciente de extincao (ou amorteci-
mento) com a frequencia com os mesmos parametros usados na Fig.8.5. (b) Reetividade
calculada com a Eq.8.21.
308 Materiais e Dispositivos Eletronicos

freq um desses picos ocor-


uencias, e portanto R() apresenta varios picos. E
rendo com energia proxima de 2 eV, que da ao cobre a coloracao alaranjada.

Exemplo 8.3: Um material dieletrico tem uma linha de absorca o devido a um fonon no infraver-
uencia angular 0 = 2 1014 s1 , largura de linha = 1013 s1 e com p = 0, 7 0 .
melho, com freq
Sabendo que = 2, 0, calcule o coeciente de absorcao e a reetividade do material para um feixe
de infravermelho com frequencia igual a do pico de absorca
o.

Inicialmente e preciso calcular as componentes real e imagin


aria da constante dieletrica.
Usando (8.37), com = 0 , vem  = = 2, 0. Usando (8.38), com = 0 , vem,

p2 0, 72 2 1014
 = = = 9, 8 .
0 1013

O ndice de refraca
o n e o coeciente de extinca
o s
ao calculados com (8.41) e (8.42)
1  1/2
n = 2 + 4 + 96 = 2, 45
2
1  1/2
= 2 + 4 + 96 = 2, 0
2

O coeciente de absorca
o e dado por (8.14),

2 2 1014 2, 0
= = 2, 67 106 m1
3 108

A reetividade e dada por (8.21),

(2, 45 1)2 + 2, 02 6, 10
R= = = 0, 38 .
(2, 45 + 1)2 + 2, 02 15, 90

Note que os valores obtidos para , n, e R coincidem com os valores das Figuras 8.5 e 8.6
em = 0 . Observe na Figura 8.6 que o pico em R n ao ocorre exatamente em 0 .

8.3 Teoria Qu
antica da Intera
c
ao Radia
cao-Mat
eria

Na secao anterior zemos a suposicao de que os eletrons se comportam como


partculas classicas, ligadas ao atomo por uma forca do tipo de um oscilador
harmonico. Este modelo levou ao resultado de que a absorcao optica ocorre
quando a freq uencia do campo de radiacao e aproximadamente igual a do
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 309

oscilador harmonico. Sabemos, entretanto, que na mecanica quantica o eletron


e descrito por uma funcao de onda, cujo modulo ao quadrado representa a
probabilidade de encontra-lo numa certa posicao. E preciso agora entender
como a natureza quantica do eletron inuencia a absorcao da luz pela materia.
Como veremos a seguir, o resultado quantico da interacao da luz com um
sistema de dois nveis e consistente com o do modelo classico. Entretanto, ha
varios aspectos desta interacao que nao estao contidos no modelo classico e
que sao essenciais para compreender certas propriedades opticas de materiais,
como por exemplo as transicoes interbanda e a emissao estimulada de luz.

8.3.1 Transi
c
oes entre Nveis Discretos

Vamos considerar inicialmente um sistema no qual um eletron pode ocupar es-


tados com nveis discretos de energia. O sistema pode ser um eletron num poco
de potencial innito, ou num atomo por exemplo. Como vimos no Captulo
3, se o potencial do eletron nao varia no tempo, ele pode ocupar estados esta-
cionarios caracterizados por um n umero quantico n, descritos por funcoes de
onda,
(r, t) = n (r) e  En t .
i
(8.43)

Neste caso o valor esperado de qualquer operador nao varia no tempo, em


virtude da denicao (3.14). O eletron permanece nesse estado indenidamente
e sua energia e exatamente En , constante. Vejamos o que acontece se o eletron
estiver num estado dado pela combinacao linear de dois estados estacionarios,
como por exemplo,
(r, t) = 1 e  E1 t + 2 e  E2 t
i i
. (8.44)

Esta equacao pode ser reescrita na forma


(r, t) = e  E1 t (1 + 2 ei12 t )
i
, (8.45)

onde 12 = (E2 E1 )/. Com a denicao (3.14) pode-se escrever o valor


esperado de um operador qualquer F no estado (8.45) como
 
i12 t
< F (t) > = < F >1 + < F >2 + 1 F 2 e dV + 2 F 1 ei12 t dV,

onde < F >1 e < F >2 sao os valores esperados de F nos estados estacionarios
1 e 2, que sao constantes. Se F e um operador hermiteano 2 F 1 dV =
310 Materiais e Dispositivos Eletronicos

 
1 F 2 dV = |F12 |ei . Neste caso
< F (t) > = < F >1 + < F >2 + 2|F12 | cos(12 + ). (8.46)

Vemos entao que se o eletron esta num estado que e uma combinacao
de estados com energias E1 e E2 , o valor esperado de um operador varia har-
monicamente no tempo com freq uencia angular 12 = (E2 E1 )/. Pode-se
mostrar, sem diculdade, que a probabilidade de encontrar o eletron no estado
1, ou no estado 2, tambem varia harmonicamente no tempo com freq uencia
12 . Dizemos que o eletron sofre transicoes de 1 para 2 ou vice-versa. Para
que um eletron que esteja inicialmente no estado 1, ou em 2, passe a sofrer
transicoes entre 1 e 2, e preciso ter uma acao externa que varia no tempo com
frequencia  12 . Usando a mecanica quantica, mostraremos a seguir como
calcular a probabilidade de ocorrencia dessas transicoes.

Consideremos um eletron num atomo, ou num poco de potencial qual-


quer, submetido a uma perturbacao externa dependente do tempo. Esta per-
turbacao pode ser a forca do campo eletrico de uma onda eletromagnetica, por
exemplo. A equacao de Schroedinger (3.24) para o eletron e entao,

[H0 + H (t)] = i , (8.47)
t
onde H0 e o Hamiltoniano constante correspondente ao poco de potencial e
H (t) representa a interacao variavel no tempo devido a` perturbacao externa.
Normalmente H0 H , pois a interacao que mantem o eletron no poco e muito
maior que a perturbacao externa. Como ja sabemos que o efeito da perturbacao
e provocar transicoes entre os estados eletronicos, procuramos solucoes para
(8.47) na forma de uma expansao em auto-funcoes n do Hamiltoniano nao
perturbado H0 , que consideramos conhecidas, na forma,

(t) = an (t) n eiEn t/ . (8.48)
n

Para obter os coecientes an (t) que determinam a funcao de onda, substituimos


(8.48) em (8.47) e usamos a equacao H0 n = En n .
   dan En

iEn t/

an [En + H (t)]n e = i i an n eiEn t/ .
n n
dt 

Com o cancelamento dos termos em En a equacao ca,


 dan 
i n eiEn t/ = an H (t) eiEn t/ .
n
dt n
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 311

+iEm t/
Multiplicando os dois lados a` esquerda por m e , integrando no volume
e usando (3.13) que exprime a condicao de normalizacao e ortogonalidade das
autofuncoes obtemos para os coecientes a expansao,

dam 1  i(Em En )t/
= an (t) e m H (t) n dV . (8.49)
dt i n

Como nenhuma aproximacao foi feita ate o momento, esta equacao e inteira-
mente equivalente a` equacao de Schroedinger dependente no tempo. Ela e a
base da formulacao matricial da mecanica quantica. Agora vamos considerar
que a perturbacao e produzida por um campo harmonico com freq uencia ,
de modo que,
H (t) = H eit . (8.50)

A Eq.(8.49) toma a forma


dam 1  
= an (t) Hmn ei(mn )t , (8.51)
dt i n


onde mn = (Em En )/ e Hmn e o elemento de matriz do operador H entre
os estados m e n, denido por


Hmn = m H n dV . (8.52)

A Eq.(8.51) pode ser utilizada para calcular a evolucao no tempo do


estado do sistema devido a` perturbacao H eit . Vamos supor que um eletron
esta inicialmente num estado discreto n de um Hamiltoniano H0 , quando uma
pequena perturbacao externa do tipo (8.50) e aplicada. A partir de (8.51)
pode-se calcular o coeciente correspondente a um estado m num instante t e
portanto a probabilidade do eletron ser encontrado neste estado, que e dada
por |am |2 . Pode-se mostrar entao (Apendice A) que a probabilidade por
unidade de tempo do eletron sofrer uma transicao para um conjunto de
estados m muito proximos uns dos outros e dada por
2 
Wmn = |Hmn |2 D(Em = En + ) , (8.53)


onde D e a densidade de estados com energia Em = En + . A Eq.(8.53) e


chamada a regra de ouro da teoria de perturbacao. No caso da transicao entre
dois nveis de energia alargados pelo efeito de amortecimento, a densidade de
estados e dada por uma forma de linha Lorentziana. No caso de transicao entre
bandas, a densidade de estados tem a forma daquela estudada no Captulo 4.
312 Materiais e Dispositivos Eletronicos

8.3.2 Absor
c
ao de Luz e Luminesc
encia

Vamos utilizar a teoria de perturbacao para calcular os efeitos da interacao


de uma onda eletromagnetica com um sistema de atomos. Inicialmente consi-
deramos um conjunto de N atomos (por unidade de volume) independentes,
com nveis de energia E1 , E2 , E3 , etc. Esta e a situacao que ocorre em gases
ou em transicoes entre nveis discretos em solidos. Quando o sistema esta em
equilbrio termico numa certa temperatura T , os eletrons sofrem transicoes
de um nvel para outro devido a`s interacoes com fonons termicos, no caso de
solidos, ou as colisoes atomicas, no caso de gases. No entanto, enquanto os
eletrons em um certo n umero saem de um determinado nvel, outros eletrons
em igual n umero chegam naquele nvel (em outros atomos), de modo a manter
o equilbrio termico do sistema. E possvel mostrar que, no equilbrio termico,
as populac oes Ni e Nj dos nveis Ei e Ej (Ni e o n umero de atomos por
unidade de volume com eletrons no nvel Ei ) obedecem `a relacao,
Ni eEi /kB T
= Ej /k T = e(Ei Ej )/kB T . (8.54)
Nj e B

Esta e a distribuicao de Boltzmann, que se aplica a um sistema de partculas


distinguveis, que no caso presente sao os diferentes atomos do sistema. De
acordo com a Eq.(8.54), a populacao de um certo nvel i diminui exponencial-
mente com o aumento da energia Ei ou com a diminuicao da temperatura.
Este e um resultado esperado, porque e exatamente a excitacao termica que
leva os eletrons do estado fundamental para nveis de maior energia.

A presenca de um campo eletromagnetico no sistema tende a produzir


transicoes entre nveis de energia cuja separacao esteja proxima da energia
dos fotons . A Eq.(8.53) mostra que a probabilidade de transicao induzida
pelo campo do nvel m para o nvel n e igual a de n para m. Desta forma,
a tendencia do campo e de igualar as populacoes Nn e Nm . Entretanto, esta
igualdade so ocorreria se a intensidade do campo fosse sucientemente alta
para vencer o papel da excitacao termica. Este efeito e importante no caso
de lasers. Nesta secao vamos supor que o campo e pequeno e que o equilbrio
termico nao e perturbado.

Vamos calcular as constantes opticas de um sistema de atomos con-


siderando, para simplicar, que eles tem apenas dois nveis, E1 e E2 (E2 > E1 ),
com populacoes N1 e N2 . Quando um campo eletrico
E = y E eit
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 313

Figura 8.7: Transicoes eletronicas em sistema de dois nveis, por absorcao (a) e por emissao
(b) de f
otons.

e aplicado ao sistema, os eletrons cam sujeitos a uma interacao com energia


e(y) = eEy y, que resulta num termo de perturbacao do Hamiltoniano dado
por
H (t) = e E y eit E py eit ,

onde py = ey e a componente y do operador momento de dipolo eletrico. De


acordo com a regra de ouro (8.53) as probabilidades de transicao, por unidade
de tempo, para o sistema passar do nvel 1 para o nvel 2, ou vice-versa, sao,
2 2 2
W12 = W21 = E p12 D(E2 E1 = ) , (8.55)


onde p12 e o elemento de matriz do operador py entre os estados 1 e 2 (omitimos


o ndice y para simplicar a notacao) Quando ha N1 eletrons no nvel inferior
(por unidade de volume), a potencia absorvida do campo eletromagnetico pelo
sistema e N1 W12 , pois N1 W12 e o numero de fotons absorvidos por unidade
de tempo e volume. Por outro lado, N2 W21  e a potencia emitida pelos
eletrons que passam do nvel 2 para o nvel 1 pela emissao de fotons. Os
processos de absor c
ao e emiss ao de fotons por transicoes eletronicas num
sistema de dois nveis estao ilustrados na Fig.8.7.

A potencia lquida por unidade de volume absorvida pelo sistema e entao


2
P = (N1 N2 ) E 2 p212 D()  .


Note que a potencia absorvida por unidade de volume pode ser identicada
como dI/dx, uma vez que a intensidade da onda I e a potencia transmitida
314 Materiais e Dispositivos Eletronicos

por unidade de area. Assim sendo, usando (8.11) e (8.14) na relacao dI/dx =
P e observando que D() = D()/, obtemos o coeciente de extincao
2
= (N1 N2 ) p212 D() . (8.56)
n0 

Considerando para D() uma forma de linha Lorentziana fL () dada por


(8.40), a substituicao desta equacao em (8.7) fornece a parte imaginaria da
constante dieletrica

2
 () = (N1 N2 ) p212 , (8.57)
0 (21 )2 + (/2)2

onde 21 = (E2 E1 )/. Esta equacao tem a mesma forma de (8.39) com 21 no
lugar 0 e 2(N1 N2 )p212 /0 lugar de p2 /40 (veja Problema 8.8). Isto mostra
que o resultado classico e consistente com o quantico, como foi antecipado.
Entretanto, ha detalhes importantes do resultado quantico que nao aparecem
no tratamento classico. Da Eq.(8.57) concluimos que para haver absorcao de
energia em transicoes eletronicas entre dois nveis E1 e E2 e preciso que: 1) A
freq uencia da radiacao seja  (E2 E1 )/; 2) A populacao do nvel inferior
seja maior que a do nvel superior, ou seja, N1 N2 > 0; 3) O elemento de
matriz p12 do operador momento de dipolo eletrico entre os estados dos dois
nveis seja diferente de zero. Esta u ltima condicao da origem a`s regras de
selecao para transi cao de dipolo el etrico que determinam quais transicoes
sao possveis por absorcao ou emissao de fotons. Como foi mencionado na
secao 3.4, as regras de selecao para transicoes no atomo de hidrogenio com
campo linearmente polarizado sao  = 1 e m = 0 (Problema 8.10).

O processo de absorcao de luz que acabamos de tratar, ocorre quando


a radiacao eletromagnetica interage com um conjunto de atomos produzindo
transicoes de nveis quanticos de menor energia para outros nveis de maior
energia. Outro processo optico muito importante e a emiss ao espont anea
de radiacao, que ocorre quando os atomos passam de um estado excitado para
outro estado de menor energia, mesmo sem a presenca de radiacao externa.
A probabilidade por unidade de tempo para haver emissao espontanea com
transicao de nvel 2 para o nvel 1, como na Figura 8.7(b), tambem e dada
pela Equacao (8.55). Porem, neste caso o campo E que aparece em (8.55) e
aquele associado a`s utuacoes quanticas do estado fundamental de zero fotons.
Havendo um momento de dipolo eletrico entre os estados 1 e 2, a transicao
de 2 para 1 ocorre com a emissao de um foton, sendo chamada de transi cao
1
radiativa. O tempo caracterstico desta transicao e dado por R = W12 . Se
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 315

o momento de dipolo entre os dois estados for nulo, a transicao de 2 para


1 tambem pode ocorrer, mas neste caso, em vez de haver emissao do foton,
ha emissao de fonon ou de alguma outra excitacao elementar. Este tipo de
transicao e chamada n
ao-radiativa.

O processo pelo qual os atomos sao colocados em estados excitados, e


subseq uentemente decaem por meio de transicoes radiativas, e chamado de lu-
minesc encia. Dentre os varios mecanismos que produzem luminescencia em
materiais, os mais importantes sao a fotoluminescencia e a eletroluminescencia.
A fotoluminescencia e aquela na qual os atomos sao levados para estados ex-
citados por meio da absorcao de fotons de maior energia. Este processo e
importante em lasers de solidos com impurezas, que serao apresentados na
Secao 8.6.2. A eletroluminescencia e aquela na qual a emissao de luz e cau-
sada por um estmulo eletrico, como a passagem de uma corrente eletrica, como
ocorre nos diodos emissores de luz e nos lasers de diodo, ou pela incidencia de
um feixe de eletrons, ou com a aplicacao de um campo eletrico intenso.

8.3.3 Absor
c
ao e Emiss
ao de Luz em Isolantes e Semicondutores

No caso de cristais, o tratamento quantico da interacao radiacao-materia deve


levar em conta o fato de que os eletrons sao descritos por funcoes de onda
com vetor de onda k. Alem disso eles tem energia E(k) na forma de bandas
e nao em nveis discretos. A aplicacao da regra de ouro (8.53) para cristais
com bandas no esquema reduzido a` primeira zona de Brillouin mostra que as
transicoes eletronicas entre bandas devem conservar energia e momentum. No
caso de transicoes produzidas apenas por fotons tem-se
Ef Ei =  , (8.58)

kf ki = k (8.59)

onde Ef e Ei sao as energias do eletron nos estados nal e inicial, respectiva-


mente, kf e ki sao os vetores de onda correspondentes, e k sao a freq
uencia
e o vetor de onda do foton absorvido (Ef > Ei ) ou emitido (Ef < Ei ) na
transicao. Para fotons da regiao visvel k 105 cm1 , sendo portanto des-
prezvel em relacao ao valor da fronteira da zona de Brillouin, de modo que a
transicao entre bandas ocorre com kf  ki. A Fig.8.8 mostra duas transicoes
de absorcao entre as bandas de valencia e de conducao num isolante ou semi-
condutor de gap direto. A transicao com energia mnima e aquela que ocorre
316 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 8.8: Absorcao de f


otons em semicondutor de gap direto. O foton de mnima energia
que e absorvido tem frequencia g = Eg /.

no centro da zona, kf = ki = 0, e com fotons de energia igual ao gap do


semicondutor, g = Eg . Fotons com energia menor que Eg atravessam o
semicondutor sem absorcao por transicao entre as bandas. Por outro lado,
fotons com > g sao facilmente absorvidos porque ha um grande n umero
de estados eletronicos com kf = ki > 0. Usando a Eq.(8.53) para calcular
a probabilidade de transicao entre as bandas de valencia e de conducao, com
densidades de estados dadas por (5.12) e (5.13), pode-se mostrar que o coe-
ciente de absorcao no semicondutor de gap direto varia com a freq uencia na
forma,
() ( Eg )1/2 / , (8.60)

para  Eg e () = 0 para  < Eg . Este resultado, ilustrado na Fig.8.9,


mostra que o coeciente de absorcao aumenta rapidamente com acima do
valor crtico g = Eg /.

A situacao em semicondutores de gap indireto e mais complicada. Como


ilustrado pela seta na Fig.8.10, a transicao de um eletron do topo da banda
de valencia para o mnimo da banda de conducao num semicondutor como
silcio, requer uma grande mudanca no vetor de onda. Isto nao pode ser feito
somente com a absorcao de um foton pois este tem k  0. Esta transicao
pode ocorrer com a absorcao de um foton com energia  e vetor de onda
desprezvel (k  0) acompanhada da absorcao de um fonon de energia  e
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 317

Figura 8.9: Variacao do coeciente de absorcao com a freq


uencia do f
oton em semicondutor
de gap direto.

momentum k, ou da emissao de um fonon com energia  e momentum k.


Neste caso, as equacoes de conservacao de energia e momentum sao
Ef Ei =   (8.61)

kf ki = k , (8.62)

onde os sinais + e em (8.61) correspondem, respectivamente, aos processos


com absorcao e emissao de fonon. Note que no caso do processo com absorcao
de fonon, a energia mnima do foton necessaria para produzir a transicao e
Eg , enquanto no caso do processo com emissao de fonon a energia mnima
e Eg + . Entretanto, os semicondutores de gap indireto tambem podem ter
uma transicao direta (k  0) para um mnimo relativo da banda de conducao,
com energia Eg + E  , como ilustrado na Fig.8.10. Como a transicao indireta
envolve tres excitacoes elementares, ela tem probabilidade de ocorrencia menor
que a direta, na qual os fonons nao participam. Por esta razao, a combinacao
dos processos indireto e direto resulta num coeciente de absorcao que varia
com a freq uencia como ilustrado na Fig.8.11.

Sendo a energia de fonons ( 0, 05-0,1 eV) muito menor que os va-


lores tpicos da energia do gap (Eg 1 eV), em primeira aproximacao a
energia crtica abaixo da qual o semicondutor intrnseco (ou isolante) nao
absorve fotons por transicao interbanda e Eg . Por outro lado, fotons de ener-
gia maior que Eg sao fortemente absorvidos resultando na geracao de pares
eletron-buraco. Este processo possibilita o uso de semicondutores em detetores
de radiacao eletromagnetica. O processo inverso pelo qual fotons sao emitidos
318 Materiais e Dispositivos Eletronicos

()

Eg

Figura 8.10: Transicoes eletronicas do topo da banda de valencia para dois mnimos da
banda de conducao em semicondutor de gap indireto como Si. A transicao indireta envolve
onons e tem energia Eg . A transicao direta tem energia Eg + E  .
f

na recombinacao de pares eletron-buraco, e chamado luminesc encia. Ele e a


base da operacao dos diodos emissores de luz e dos lasers semicondutores. A
Tabela 8.1 apresenta as energias do gap e os comprimentos de onda correspon-
dentes para varios semicondutores importantes, indicando tambem a natureza
do gap, direto (d) ou indireto (i). Ve-se na tabela que existem semicondutores
para fabricar diodos emissores de luz em diversos comprimentos de onda. Alem
disso, atraves da combinacao de compostos diversos na forma de ligas, como
Gax A1x As, e possvel obter materiais com gaps variando continuamente em

Figura 8.11: Variacao do coeciente de absorcao com a freq


uencia em semicondutor de gap
indireto.
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 319

Semicondutor Gap E (eV)  (m)

Si i 1,12 1,11
Ge i 0,67 1,88
AN i 5,90 0,21
AAs i 2,16 0,57
GaN d 3,40 0,36
GaP i 2,26 0,55
GaAs d 1,43 0,86
InP d 1,35 0,92
InAs d 0,35 3,54
InSb d 0,18 6,87
CdS d 2,53 0,49
CdTe d 1,50 0,83

Tabela 8.1: Energias do gap e comprimentos de onda correspondentes de semicondutores


importantes a` temperatura ambiente [Wilson e Hawkes].

extensas faixas das regioes visvel e infravermelho.

Os processos de absorcao e emissao de luz interbanda em isolantes sao


iguais aos dos semicondutores. Entretanto, como a energia do gap nos isolantes
e da ordem de 10 eV, os fotons da regiao visvel, nao tem energia suciente
para produzir transicoes interbanda. Esta e a razao pela qual cristais isolantes,
como diamante, sara, e cloreto de sodio, por exemplo, sao quase inteiramente
transparentes `a luz visvel.

Para ilustrar as propriedades opticas mais importantes dos isolantes,


mostramos na Figura 8.12 espectros de transmissao da sara, a forma cristalina
do A2 O3 . A Fig. 8.12(a) mostra a transmissao em funcao do comprimento
de onda, representado numa escala logartmica para ressaltar toda a faixa
de transparencia. Ele mostra uma transmissao acima de 80% na faixa de
comprimento de onda entre 200 nm (energia de 6,2 eV) e 2500 nm (0,5 eV),
estendendo-se do infravermelho ao ultravioleta proximo e abrangendo toda a
regiao visvel (400 a 700 nm). A depressao na transmissao na forma de um
pico negativo em torno de = 3000 nm e a forte diminuicao em > 6000 nm,
resultam da absorcao da radiacao infravermelha pelos fonons opticos da sara.
Por outro lado, a queda na transmissao na regiao ultravioleta, em < 200 nm,
320 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 8.12: Espectros de transmiss ao medidos em amostras de A2 O3 . (a) Cristal puro,
chamado sara, em escala logartmica de comprimento de onda, para mostrar toda a faixa
de transparencia; (b) comparacao dos espectros de sara (A2 O3 puro) e de rubi (A2 O3
com 0,05% de Cr3+ ).

e devida a` absorcao pelas transicoes interbanda produzidas pelos fotons com


energia  > 6 eV.

Na faixa de transparencia nao ha transicoes para absorver os fotons e


portanto o coeciente de absorcao e desprezvel. Nesta situacao a componente

imaginaria do ndice de refracao e desprezvel e a componente real e n = ,
que no caso da sara tem valor n = 1, 77. Com este valor de n, a reetividade,
dada por (8.21) e R = 0, 077, enquanto a transmissao em uma superfcie e
T = (1 R) = 0, 923. Ocorre que o espectro mostrado na Figura 8.12 foi
medido numa amostra na forma de uma placa na, que reete a onda nas duas
superfcies. Por esta razao, a transmissao e dada por (1 R)2 = 0,85, que e
o valor observado na Figura 8.12. A presenca de uma pequena quantidade de
impurezas de Cr3+ na sara produz duas bandas de forte absorcao, mostradas
na Figura 8.12(b). A banda de maior energia esta no azul, centrada em = 400
nm (3,1 eV), e a de menor energia esta na regiao verde-amarelo, centrada em
= 550 nm (2,25 eV). A presenca destas bandas faz com que o cristal de
Cr3 :A2 O3 tenha uma cor vermelha, como sera explicado na proxima secao.
Este cristal e o rubi, encontrado na natureza como uma pedra preciosa. O rubi
tambem pode ser crescido sinteticamente por meio das tecnicas apresentadas
no Captulo 1.
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 321

Exemplo 8.4: Uma amostra de CdTe tem a forma de uma placa de faces paralelas, de espessura
0,3 m com camadas anti-reetoras nas duas faces. Calcule a transmiss
ao de um feixe de luz de
laser de He-Ne, comprimento de onda 632,8 nm que incide normalmente sobre a placa.

No Exemplo 8.1 calculamos o coeciente de absorcao do CdTe no comprimento de onda 1


= 500 nm, tendo obtido (1 ) = 9,55106 m1 . Como CdTe e um semicondutor de gap direto, a
variaca
o do coeciente de absorca
o com a energia nas proximidades da energia do gap e dada pela
Equacao (8.60). Ent o no comprimento de onda 2 = 632,8 nm pode ser
ao, o coeciente de absorca
calculado com,

(2 ) (2 Eg )1/2 1 (2 Eg )1/2 2


= =
(1 ) (1 Eg ) 1/2 2 (1 Eg )1/2 1

A energia do gap de CdTe dado na Tabela 8.1 e Eg = 1, 5 eV. As energias dos f


otons
correspondentes aos dois comprimentos de onda s
ao,

hc 6, 63 1034 3 108
2 = = = 3, 14 1019 J
2 632, 8 109

3, 14 1019
2 = = 1, 96 eV
1, 6 1019
632, 8
1 = 1, 96 = 2, 48 eV
500

Logo

(1, 96 1, 5)1/2 632, 8


(2 ) = 9, 55 106 = 8, 28 106 m1
(2, 48 1, 5)1/2 500

Como n
ao h
a reex
ao nas superfcies, a transmiss
ao e dada por

T = ed = e8,280,3 = 0, 084 .

Portanto a transmiss
ao e 8,4 %.

8.3.4 Absor
c
ao e Emiss
ao de Luz em Materiais com Impurezas

Em cristais semicondutores ou isolantes contendo impurezas, a presenca de


nveis discretos de energia entre as bandas de valencia e de conducao da origem
a importantes processos de absorcao e emissao de fotons. A Figura 8.13 ilustra
processos de emissao em semicondutores tipo n e tipo p. Em (a) um eletron da
banda de conducao passa para um nvel vazio de impureza aceitadora emitindo
322 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 8.13: Ilustracao de dois tipos de recombinacao eletron-buraco envolvendo nveis de


impureza com emissao de f otons: (a) Impureza aceitadora em semicondutor tipo p; (b)
Impureza doadora em semicondutor tipo n.

um foton de energia Ec Ea . Em (b) um eletron no nvel de impureza doadora


recombina com um buraco da banda de valencia emitindo foton de energia
Ed Ev .

Apesar do n umero de impurezas num solido ser muito pequeno com-


parado com o dos ons de cristal, os processos de emissao e absorcao de fotons
envolvendo nveis de impurezas sao muito importantes, especialmente nos semi-
condutores de gap indireto. Isto e devido ao fato de que a funcao de onda de
um eletron ligado a uma impureza tem uma localizacao espacial x da or-
dem da distancia interatomica a. Esta incerteza na posicao do eletron resulta
numa incerteza no seu momentum p, dada por (2.46), x p /2. Sendo
x a, a incerteza no vetor de onda do eletron e k 1/2a, que cobre uma
larga faixa da zona de Brillouin. Em conseq uencia, as transicoes envolvendo
impurezas podem ocorrer por emissao ou absorcao de fotons, sem a necessidade
da participacao dos fonons para ajudar na conservacao de momentum. Isto
torna estas transicoes muito mais ecientes do que as transicoes interbanda
nos semicondutores de gap indireto. Devido `a facilidade dos eletrons e bura-
cos se recombinarem por este processo de emissao de fotons, as impurezas sao
chamadas de centros de recombina c
ao.

As transicoes entre nveis discretos tambem sao muito importantes em


isolantes contendo impurezas de certos elementos, especialmente os do grupo
de transicao 3d e as terras raras. Como veremos no proximo captulo, nestes
elementos a formacao dos ons das impurezas deixa uma camada eletronica in-
completa, que freq uentemente tem nveis de energias dentro do gap do isolante.
Esta e a origem das bandas de absorcao que aparecem em cristais de A2 O3
(sara) com impurezas de Cr3+ , mostradas na Figura 8.12(b). A presenca das
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 323

Figura 8.14: Nveis de energia e transicoes importantes em Cr3+ :A2 O3 , o rubi.

impurezas introduz no gap dois conjuntos numerosos de nveis que formam as


bandas 4 F1 e 4 F2 , alem dos nveis discretos 2 E e 2 F2 , mostrados na Figura
8.14. Quando o cristal e iluminado com luz branca, ocorrem transicoes do es-
tado fundamental 4 A2 para as bandas 4 F1 e 4 F2 por absorcao de fotons. Essas
transicoes sao responsaveis pelas bandas de absorcao da Figura 8.12(b). Sub-
uentemente os eletrons da banda 4 F2 decaem rapidamente para o nvel 2 E,
seq
por transicoes nao-radiativas, e da voltam para o estado 4 A2 por transicoes
radiativas com a emissao de fotons de comprimento de onda 694,3 nm. Desta
forma o cristal absorve luz branca e emite luz vermelha, dando ao rubi sua
cor vermelho vivo. Este e o processo de fotoluminescencia, no qual se baseia o
laser de rubi, que foi pioneiro dos lasers, descoberto em 1960.

8.4 Fotodetetores

Fotodetetores sao dispositivos que convertem luz num sinal eletrico. Existem
varios fenomenos que possibilitam a fabricacao de um fotodetetor. O primeiro
a ter importancia tecnologica foi o efeito fotoeletrico, descoberto no nal do
seculo XIX e estudado no Captulo 2. Ele e a base da operacao das tradicionais
celulas fotoeletricas, feitas de um bulbo a vacuo contendo um fotocatodo e um
anodo, aos quais e aplicada uma tensao externa (positivo no anodo). Quando
os fotons incidem no fotocatodo, os eletrons emitidos pelo efeito fotoeletrico sao
acelerados para o anodo produzindo uma corrente eletrica. Isto constitui uma
celula fotoeletrica simples. Com a colocacao de eletrodos entre o fotocatodo
e o anodo e possvel multiplicar o n umero de eletrons e amplicar a corrente.
Este e o princpio de funcionamento das valvulas fotomultiplicadoras, que sao
324 Materiais e Dispositivos Eletronicos

dispositivos extremamente sensveis. Atualmente existem valvulas fotomulti-


plicadoras para aplicacoes cientcas que detetam a radiacao contando fotons
individualmente, em nveis de algumas contagens por segundo.

Assim como ocorreu na eletronica, o desenvolvimento dos fotodetetores


e dos fotoemissores de semicondutor possibilitou a substituicao das valvulas
e das lampadas a vacuo e deu um enorme impulso `a opto-eletronica. Os
fotodetetores mais utilizados atualmente nas regioes visvel e infravermelho
proximo sao os fotodiodos e os foto-resistores de semicondutor. Estes disposi-
tivos nao operam no infravermelho medio ou distante, pois os fotons nao tem
energia suciente para produzir pares eletron-buraco. Nessas regioes utiliza-se
fotodetetores termicos, nos quais a absorcao da luz produz um aquecimento
no elemento sensor e varia sua resistencia eletrica. Nesta secao estudaremos
apenas os foto-resistores, os fotodiodos e os sensores de imagem CCD, que
sao os fotodetetores mais importantes para a opto-eletronica. Nestes disposi-
tivos, o mecanismo fundamental de conversao de luz em corrente eletrica e a
geracao de pares eletron-buraco por absorcao de fotons. Este processo provoca
uma diminuicao na intensidade da luz a` medida que esta penetra no material.
Sendo o coeciente de absorcao do material na freq uencia da luz, a variacao
da intensidade ao longo da direcao x de penetracao e dada pela Eq.(8.13),

I(x) = I0 ex

onde I0 e a intensidade da radiacao na superfcie. Como a intensidade cai ex-


ponencialmente com a distancia, para assegurar que todos os fotons incidentes
sejam absorvidos, e preciso que a espessura d do material seja muito maior
que 1 . A Figura 8.15 mostra a variacao do coeciente de absorcao com
o comprimento de onda para varios semicondutores importantes. Em geral
procura-se trabalhar com materiais com 106 m1 na faixa de operacao do
dispositivo. Isto assegura que a quase totalidade dos fotons e absorvida numa
distancia da superfcie de apenas alguns m. Com esta condicao ve-se que
os melhores materiais para fotodetecao na regiao visvel sao Si e GaAs. Nos
comprimentos de onda empregados em comunicacoes opticas, = 1, 3 m e
1,5 m, utiliza-se Ga0,3 In0,7 As0,6 P0,4 e Ga0,5In0,5 As respectivamente.

Considerando que o semicondutor tem espessura tal que toda a radiacao


e absorvida, a taxa de criacao de pares eletron-buraco e determinada pela
intensidade inicial I0 da luz. Logo, o n
umero de fotons absorvidos por unidade
de tempo e de area e dado por (8.12), = I0 /. Na realidade, sempre existe
algum processo de absorcao que nao resulta em criacao de pares eletron-buraco.
Dene-se a eficiencia qu antica de conversao , como a razao entre o n umero
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 325

Figura 8.15: Variacao do coeciente de absorcao com o comprimento de onda para v


arios
semicondutores [Wilson e Hawkes].

de pares produzidos e o n umero de fotons absorvidos. Assim, o numero de


pares criados por unidade de tempo e de area e I0 /. Portanto, a taxa de
geracao de portadores, denida como o numero de pares criados por unidade
de volume e por unidade de tempo e
I0
g= , (8.63)
d

sendo d a espessura do semicondutor. Como os eletrons e buracos sao criados


aos pares, a variacao n na concentracao de eletrons devido a` radiacao e igual a`
variacao na concentracao de buracos, p = n. As taxas de variacao no tempo
dessas concentracoes sao entao
p n
= =g . (8.64)
t t

Esta equacao mostra que se a intensidade da luz incidente no semicondutor for


constante e se nao houver qualquer outro mecanismo alem da geracao de pares
eletron-buraco, o n
umero de portadores crescera indenidamente, linearmente
no tempo. Na realidade, sempre que as concentracoes saem da situacao de
equilbrio, ocorrem mecanismos de recombinacao que tendem a restaurar o
equilbrio. A taxa com a qual os pares sao destrudos e determinada pelo
tempo de recombinacao dos portadores minoritarios, p ou n , dependendo
326 Materiais e Dispositivos Eletronicos

do tipo do semicondutor. Usando r para representar este tempo, a taxa de


recombinacao e dada pela razao entre o excesso de portadores minoritarios, p
ou n, e o tempo r . Sendo p = n, a taxa de recombinacao e
p n
r= = . (8.65)
r r

Em regime estacionario r = g, de modo que as concentracoes de eletrons e de


buracos gerados pela luz, por unidade de tempo, sao dadas por
I0 r
n = p = g r = . (8.66)
d

Esta expressao determina o n


umero de portadores criados nos fotodetetores de
semicondutor, que serao apresentados a seguir.

8.4.1 Foto-resistores

Fotocondutividade e o fenomeno pelo qual a condutividade de um material


varia quando a intensidade da luz que incide sobre ele e alterada. A fotocon-
dutividade e a base de funcionamento do fotodetetor mais simples que existe, o
foto-resistor. Ele e tambem chamado de celula ou dispositivo de fotoconducao,
ou simplesmente LDR (das iniciais de Light Dependent Resistor). A estru-
tura mais simples de um LDR e constituda de uma pequena placa de um
semicondutor intrnseco, ou com uma dopagem muito pequena, tendo nas ex-
tremidades dois eletrodos metalicos para a aplicacao de uma tensao externa,
como ilustrado na Figura 8.16. Na ausencia de luz a resistencia do LDR e
grande porque o n umero de portadores e pequeno. Quando ele e iluminado o
numero de portadores aumenta por causa da criacao de pares eletron-buraco.
Isto pode fazer a resistencia diminuir muito em relacao ao seu valor inicial, o
que resulta num grande aumento da corrente entre os eletrodos.

Para calcular o efeito da luz sobre a corrente utilizamos a Eq.(5.52) para


a condutividade,
= n e n + p e p .

A incidencia da radiacao produz uma variacao nas concentracoes dos porta-


dores dada por (8.66), o que resulta num aumento da condutividade dado
por:
= g r e (n + p ) . (8.67)
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 327

Figura 8.16: Estrutura simples de um foto-resistor, ou LDR.

Se a tensao nos eletrodos da placa for V , a variacao na densidade de


corrente sera J = V /. Portanto, a variacao na intensidade de corrente
sera
bd
I = g r e (n + p )V . (8.68)


comum denir o ganho da fotocondutividade como a razao entre a


E
variacao de corrente devida a` variacao da condutividade, produzida pela tensao
externa dada por (8.68), e a corrente correspondente aos pares eletron-buraco
gerados pela luz. Como esta u ltima e a carga total dos eletrons gerada pela
radiacao por unidade de tempo, o ganho e,
I
G= .
egbd

Usando (8.68) nesta expressao, obtemos para o ganho

r (n + p )V
G= . (8.69)
2

Este resultado mostra que o ganho aumenta com o valor da tensao aplicada e
com a diminuicao da distancia  entre os eletrodos. Evidentemente, os valores
de n , p e r dependem do material utilizado.

A Figura 8.17 mostra a vista de cima do elemento fotocondutivo empre-


gado nos foto-resistores comerciais e a visao do dispositivo encapsulado. O
elemento fotocondutivo e formado por uma pastilha de material isolante, na
328 Materiais e Dispositivos Eletronicos

forma de um disco com diametro que varia de alguns mm a varios cm. So-
bre a pastilha e depositada uma camada policristalina do semicondutor foto-
sensvel (CdS, CdSe, PbS, InSb, Hgx Cd1x Te, entre outros), e sobre ela um
lme metalico (A, Ag, ou Au) para formar os eletrodos. O lme metalico e
evaporado atraves de uma mascara que deixa a area exposta do material foto-
condutivo na forma de zig-zag. Isto resulta numa grande area de iluminacao do
semicondutor, combinada com um pequeno valor da distancia entre os eletro-
dos, de modo a produzir um alto ganho G.

Os materiais mais utilizados para fabricar foto-resistores que operam na


regiao visvel sao CdS e CdSe. No infravermelho proximo usa-se PbS e no in-
fravermelho medio InSb ou Hgx Cd1x Te. Esses materiais tem valores elevados
para o coeciente de absorcao na faixa do espectro de sua operacao, e tambem
para as mobilidades n e p e o tempo de recombinacao r . Alem disso, esses
materiais sao favoraveis a` formacao de armadilhas causadas por defeitos na
rede ou por impurezas. Estas armadilhas tem o papel de aprisionar, tempo-
rariamente, portadores de carga eletrica com determinado sinal. Por exemplo,
impurezas de Mn2+ funcionam como armadilhas de eletrons. Assim, enquanto
os portadores com certa carga estao presos nas armadilhas, os portadores com
a carga oposta podem transitar de um eletrodo para o outro com menor proba-
bilidade de recombinacao. Isto resulta num aumento efetivo de r e portanto
num maior ganho do dispositivo.

Uma consideracao importante em qualquer dispositivo fotodetetor diz


respeito ao rudo que ele gera na ausencia de radiacao. A amplitude deste

Figura 8.17: (a) Vista de cima do elemento fotocondutivo com o eletrodo metalico; (b)
Foto-resistor comercial tpico.
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 329

rudo determina o nvel mnimo da radiacao que pode ser detetada. No caso
dos foto-resistores e dos fotodiodos, a principal fonte de rudo e a geracao
termica de pares eletron-buraco. Como a probabilidade de geracao termica
e proporcional a exp(Eg /2kB T ) [Eq.(5.23)], o rudo depende do material
utilizado e da temperatura de operacao. Entao, como os materiais usados
em fotodetetores de infravermelho tem energia do gap Eg menores que os do
visvel, seu rudo e maior. Para diminuir o rudo dos fotodetetores e comum
resfriar o elemento fotocondutivo. Isto pode ser feito eletricamente atraves de
compactos dispositivos termoeletricos, que facilmente produzem temperaturas
da ordem de 30 C ( 240 K). Embora esta temperatura represente uma
reducao em relacao a` ambiente de apenas 20%, o efeito no rudo e sensvel
devido a` sua variacao exponencial com 1/T .

Em geral os foto-resistores sao dispositivos lentos porque sao feitos com


semicondutores cujos tempos de recombinacao sao muito grandes. Por esta
razao seu uso e restrito a aplicacoes que necessitem de altos valores de ganho
(103 104 ) e que nao requeiram resposta rapida. Por exemplo, os foto-resistores
de CdS e CdSe, cujo tempo de resposta e da ordem de 50 ms, sao utilizados
nos medidores de intensidade de luz de camaras fotogracas.

Para completar esta secao, apresentamos na Fig.8.18 um circuito simples


de polarizacao de um foto-resistor. O foto-resistor, ou LDR, representado
no circuito atraves de seu smbolo mais comum, e colocado em serie com o
resistor de carga RL . Quando a intensidade da luz incidente varia, a corrente
no circuito acompanha a variacao da luz. Isto produz uma tensao atraves de
RL , cuja variacao fornece uma medida da intensidade da luz. Quando apenas
a componente ac da tensao e de interesse, utiliza-se um capacitor na sada para
bloquear a parte dc. O valor utilizado para RL depende do valor da resistencia
RD do LDR e tambem de sua variacao relativa com a maxima intensidade

Figura 8.18: (a) Smbolo de circuito do foto-resistor, ou LDR; (b) Circuito simples utilizado
para polarizar um LDR.
330 Materiais e Dispositivos Eletronicos

de luz incidente. No caso da variacao relativa de RD ser pequena (ate 10%),


a maior variacao de VL e obtida com RL = RD . Por outro lado, quando a
variacao de RD e muito grande, a linearidade entre as variacoes da intensidade
da luz e de VL ocorre aproximadamente com RD RL . Por esta razao, para
que a tensao de sada seja alta, deve-se fabricar foto-resistores com o maior
valor possvel de RD . Este e outro motivo para que a geometria do foto-resistor
tenha a forma de uma longa ta em zig-zag, como mostrado na Fig.8.17(a).

8.4.2 Fotodiodos

Fotodiodos sao detetores de radiacao nos quais o sinal eletrico e produzido pela
geracao de pares eletron-buraco causada por absorcao de fotons nas imediacoes
da regiao de deplecao de uma juncao p-n. Os eletrons e os buracos dos pares
criados pela radiacao sao acelerados em sentidos opostos pelo campo eletrico
da juncao. Como o campo tem sentido do lado n para o lado p, os buracos sao
acelerados no sentido n p, enquanto os eletrons movem-se no sentido p n,
como ilustrado na Figura 8.19. Isto resulta numa corrente gerada pela radiacao
no sentido n p, que e o sentido reverso da corrente na juncao. Uma grande
diferenca dos fotodiodos para os foto-resistores e que neles a fotocorrente e
produzida sem a necessidade da aplicacao de uma tensao externa.

A detecao da radiacao nos fotodiodos pode ser feita em dois modos dis-

Figura 8.19: Ilustracao do processo de criacao de pares eletron-buraco por absorcao de f


otons
na regi
ao de deplecao de uma juncao pn de um fotodiodo, seguida da aceleracao das cargas
em sentidos opostos.
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 331

tintos de operacao: no modo fotovoltaico o fotodiodo opera com circuito


aberto, e quando a juncao e iluminada aparece uma tensao entre os lados p e
n que pode ser medida externamente; no modo fotocondutivo o dispositivo
e curto-circuitado, ou opera sob uma tensao externa no sentido reverso. Nesta
situacao uma corrente ui no sentido reverso quando a juncao e iluminada. A
escolha do modo de operacao do fotodiodo depende de sua aplicacao. Qualquer
um dos modos pode ser empregado na detecao de luz. O modo fotovoltaico
e utilizado para converter energia luminosa em energia eletrica, como no caso
das celulas solares.

Em qualquer modo de operacao, o fotodiodo sob radiacao comporta-


se como uma juncao p n cuja corrente tem duas componentes: a primeira
e aquela que existe sem a geracao de pares por absorcao de fotons. Ela e
chamada de corrente de escuro e e dada por (6.29),
Ie = Is (eeV /kB T 1) , (8.70)

onde Is e a corrente de saturacao reversa, dada por (6.30), e V e a tensao na


juncao; a outra componente e aquela produzida pelos pares eletron-buraco
gerados pelos fotons absorvidos nas proximidades da juncao. Sendo I0 a
intensidade da radiacao absorvida e a eciencia quantica da conversao, o
numero de pares criados por unidade de volume e de tempo e dado por (8.63),
g = I0 /d. Para calcular o n umero total de pares deve-se considerar que
os portadores minoritarios gerados fora da regiao de deplecao (espessura ),
porem dentro de uma distancia da ordem do comprimento de difusao (Ln e
Lp ), sao capazes de difundir para a regiao de deplecao e serem acelerados
pelo campo para o outro lado. Como em geral Ln , Lp , a contribuicao
desses pares para a corrente e importante, fazendo com que o volume efetivo
de geracao de pares seja d A ( + Ln + Lp )A, onde A e a area de iluminacao
da juncao. A corrente na juncao produzida pela luz e entao,
e I0 A
IL = g d A = .


Sendo PL = I0 A a potencia incidente na area efetiva da juncao, usando a


relacao  = hc/ podemos escrever esta contribuicao na forma,
e PL
IL = . (8.71)
hc

A eciencia quantica de conversao depende do material utilizado e tambem


do comprimento de onda da radiacao. Como esta corrente tem o sentido
reverso, a corrente total no fotodiodo e dada por
332 Materiais e Dispositivos Eletronicos

I = Is (eeV /kB T 1) IL . (8.72)

A Figura, 8.20, mostra as caractersticas I V de um fotodiodo no


escuro e sob iluminacao, para dois valores de potencia de luz. O efeito da
radiacao contribui com uma parcela negativa para a corrente, independente de
V , que aumenta proporcionalmente a` intensidade de luz. A Eq.(8.72) e sua
representacao graca sao usadas para analisar os dois modos de operacao do
fotodiodo.

No modo fotocondutivo o fotodiodo opera em curto-circuito. Neste


caso V = 0 e Icc = IL . O ponto de operacao correspondente esta mostrado
na curva I V da Fig.8.20 correspondente a` potencia de luz P2 . No modo
fotovoltaico o fotodiodo opera em circuito aberto, portanto I = 0. Nesta
situacao a absorcao de luz da origem a uma tensao nos terminais do diodo,
cujo valor e obtido diretamente de (8.72),

kB T IL
Vca = n +1 . (8.73)
e Is

O ponto de operacao I = 0, V = Vca e a intersecao do eixo de tensao com a


curva I V , mostrada na Fig.8.20. Na realidade, em nenhuma aplicacao o
fotodiodo opera estritamente nos modos de operacao acima. Como veremos
a seguir, as celulas solares atuam proximo do modo fotovoltaico, enquanto os
fotodetetores atuam proximo do modo fotocondutivo.

Figura 8.20: Caracterstica I V de uma juncao p n no escuro e sob iluminacao, para dois
valores de potencia de luz.
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 333

Para fazer o fotodiodo atuar como fotodetetor, aplica-se uma tensao ex-
terna reversa que faz a juncao operar no terceiro quadrante do diagrama I V ,
de modo que I  Is IL . Se a taxa de geracao termica de pares for muito
menor que a de absorcao de fotons, a corrente de saturacao reversa sera despre-
zvel comparada com IL . Neste caso a corrente no fotodiodo sera proporcional a`
potencia da radiacao incidente na juncao. Alem da linearidade de sua resposta,
o fotodiodo tem outras vantagens em relacao ao foto-resistor como detetor de
radiacao. As mais importantes sao a rapidez de resposta, melhor estabilidade
e maior faixa dinamica de operacao. Em aplicacoes que nao necessitem de res-
posta muito rapida, ele ainda tem a vantagem de poder ser usado num circuito
muito simples, formado apenas por uma pequena resistencia de carga (de um
microampermetro, ou ligada a um voltmetro eletronico).

Para pequenas potencias de luz a corrente sera baixa, de modo que se


RL e pequena, V = RL I
Vca . Neste caso o ponto de operacao esta proximo
de Icc , V = 0, de modo que a corrente e proporcional a` potencia incidente. As
vantagens no uso de uma bateria adicional para polarizar o diodo reversamente,
sao o aumento na rapidez de resposta e tambem na faixa dinamica de operacao.

O material mais utilizado para fabricar fotodiodos para a regiao visvel


e o silcio. A Figura 8.22 mostra a responsividade de um fotodiodo comer-
cial de Si em funcao do comprimento de onda. Esta grandeza, muito usada
para caracterizar a resposta de fotodetetores, e a razao entre a fotocorrente
e a potencia de luz incidente. A linha tracejada mostrada na gura, e a res-
posta de um fotodetetor ideal, dada pela Eq.(8.71), com = 1 para qualquer
comprimento de onda (Problema 8.11). Vemos na gura que a responsividade
do silcio se aproxima da ideal em toda a regiao visvel. A Figura 8.23 mostra
a estrutura tpica de um fotodiodo de Si. Ela e formada de regioes p+ e n+

Figura 8.21: (a) Smbolo de circuito do fotodiodo; (b) Circuito simples para uso do fotodiodo
como detetor de radiacao.
334 Materiais e Dispositivos Eletronicos

nas extremidades para facilitar o contato ohmico com os lmes metalicos. A


principal diferenca para a estrutura do diodo comum, mostrada na Fig.6.1, e
a abertura existente no contato metalico. E comum tambem depositar sobre
a superfcie de entrada uma camada dieletrica anti-reetora para aumentar a
eciencia de conversao. Como os pares sao criados na regiao de deplecao ou em
suas proximidades, deve-se fazer a espessura do lado p+ a menor possvel para
que a luz nao seja absorvida antes de chegar nela. De acordo com a Eq.(6.9),
numa juncao p+ n a espessura da regiao de deplecao no lado n e muito maior
que no lado p+ . Assim sendo, deve-se fazer a espessura da regiao n sucien-
temente grande para assegurar que toda radiacao incidente no fotodiodo seja
absorvida.

Uma outra estrutura comumente utilizada em fotodiodos e a do diodo


PIN, na qual uma camada de semicondutor intrnseco e interposta entre as
regioes p+ e n+ da juncao p-n, como ilustrado na Figura 8.24. A sigla PIN
indica o semicondutor intrnseco entre os lados p e n. Na realidade a camada
nao e intrnseca, porem tem uma concentracao de impurezas doadoras muito
pequena (Nd < 1013 cm3 ), de modo que sua resistividade e muito alta. Isto
resulta numa regiao de deplecao que se estende ate o lado n+ , fazendo com que
a espessura u til do fotodiodo seja muito maior que na estrutura p n. Isto

Figura 8.22: Responsividade de um fotodiodo de Si (linha cheia). A linha tracejada indica


a resposta de um fotodiodo ideal, obtido de (8.71) com = 1.
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 335

Figura 8.23: Estrutura da juncao p+ -n-n+ de um fotodiodo.

melhora a resposta na regiao de maior comprimento de onda, pois assegura


que toda a radiacao e absorvida mesmo nesta regiao de menor coeciente de
absorcao.

Outros fotodetetores muito utilizados sao o fotodiodo de avalanche


e o fototransistor. O fotodiodo de avalanche opera sob tensao reversa com
um valor suciente para produzir multiplicacao por avalanche, que resulta em
ganho de corrente. Isto permite que o dispositivo atue com uma resistencia de
carga pequena, aumentando assim sua rapidez de resposta. Por outro lado o
ganho possibilita gerar na resistencia uma tensao apreciavel. O fototransistor
e um dispositivo no qual a juncao emissor-base pode ser iluminada de modo
a gerar pares eletron-buraco. Isto resulta numa corrente de emissor que varia
com a intensidade da luz, permitindo a detecao da luz com ganho de corrente.

Figura 8.24: (a) Modelo da estrutura do fotodiodo PIN; (b) Variacao do campo eletrico ao
longo do fotodiodo.
336 Materiais e Dispositivos Eletronicos

8.4.3 C
elulas Solares

A c elula solar e um fotodiodo com uma grande area de exposicao a` radiacao,


cuja operacao se da em condicoes de fornecer energia a uma carga externa.
Para que isto ocorra e necessario que ela opere no quarto quadrante da carac-
terstica I V , de tal forma que a potencia absorvida pelo dispositivo, dada
pelo produto V I, seja negativa. Nesta situacao o fotodiodo converte energia
luminosa em energia eletrica. O circuito utilizado para isto e o mesmo da
Fig.8.21 exceto que o valor de RL , em vez de ser pequeno, deve ser escolhido
para maximizar a potencia fornecida. O ponto de operacao do circuito e deter-
minado pela intersecao da reta de carga da resistencia RL com a curva I V
da celula, como ilustrado na Figura 8.25. Note que a area do retangulo cinza
indicado na gura representa a potencia eletrica Pe = V I entregue `a carga.
O melhor valor de RL e aquele no qual Pe e maximo. Os valores Vm e Im
de operacao na condicao de Pe maximo sao determinados por dPe /dV = 0
(Problema 8.14), sendo dados por:


kB T 1 + (IL /Is ) kB T eVm
Vm = n  Vca n 1 + , (8.74)
e 1 + (eVm /kB T ) e kB T

eVm eVm /kB T kB T
Im = Is e  IL 1 . (8.75)
kB T eVm

Como (8.74) e uma equacao transcendental, nao e possvel obter uma expressao

Figura 8.25: Determinacao gr


aca do ponto de operacao de um circuito serie celula solar-
resistencia RL .
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 337

analtica para Vm , da qual seria obtida a expressao para o valor otimo de RL .


No entanto, usando o valor de Vca obtido da curva I V , a Equacao (8.74) pode
ser resolvida numericamente, fornecendo o valor de Vm . Com este valor pode-
se obter Im de (8.75) e portanto a resistencia RL = Vm /Im . A eciencia de
conversao da celula solar e a razao entre a potencia eletrica maxima fornecida
e a potencia de luz incidente PL . Pode-se ver que esta eciencia aumenta com
o aumento de Vca e da razao IL /PL .

Atualmente as melhores celulas solares comerciais sao feitas de Si cris-


talino, com estrutura mostrada na Figura 8.26. A juncao e formada por uma
na camada tipo n produzida por uma forte dopagem Nd 1018 cm3 ) num
substrato tipo p (Na 2 1015 cm3 5 1016 cm3 ). Sendo na, a regiao
n deixa passar a radiacao incidente num largo espectro de freq uencia. Para
aumentar a area de exposicao e ao mesmo tempo manter baixa a resistencia
de contato, o eletrodo superior e feito na forma de um pente, com dentes -
nos, como ilustrado na gura. As celulas solares de Si cristalino em geral tem
forma circular, com diametros da ordem de 10 cm, pois esta e a forma das
laminas obtidas no corte dos lingotes de Si. As celulas feitas de Si amorfo ou
policristalino tem forma retangular ou quadrada, cuja vantagem e ocupar toda
a area de um painel quando colocadas uma ao lado da outra.

As melhores celulas solares de Si tem eciencia de conversao que se apro-


xima de 15%. A radiacao solar no meio de um dia claro, ao nvel do mar,
tem intensidade na faixa 70-80 mW/cm2 . Isto produz numa celula com area
40 cm2 , uma tensao de circuito aberto Vca  0, 6 V e uma corrente de curto
Icc  0, 9 A. Como os valores de operacao sao um pouco menores que estes,

Figura 8.26: Estrutura de uma celula solar de Si retangular: (a) Corte transversal; (b) Vista
de cima.
338 Materiais e Dispositivos Eletronicos

e evidente que as celulas solares devem ser associadas em serie e em para-


lelo para produzirem tensao e corrente adequados para cargas formadas por
lampadas, motores, etc. Em geral as celulas sao colocadas em grandes paineis,
interligados entre si, de modo a coletar energia solar em grandes areas. A
conversao direta de energia solar em energia eletrica ainda e uma fonte de
energia de alto custo. Atualmente ela so e economica em situacoes onde o
acesso a fontes de geracao convencional e difcil. Entretanto, ha uma intensa
atividade de pesquisa para produzir celulas mais ecientes e com menor custo
de fabricacao. Dentre os materiais investigados estao o Si policristalino e o
amorfo, que sao mais baratos que o monocristalino, e semicondutores III-IV,
como GaAs e CdS, que sao mais ecientes. A fabricacao de celulas solares mais
ecientes e de menor custo podera tornar a conversao fotovoltaica de energia
solar uma tecnologia importante no Seculo XXI, principalmente em regioes de
grande insolacao, como e o caso do Nordeste do Brasil.

8.4.4 Sensor de Imagem CCD

Uma imagem preto e branco em duas dimensoes, estatica como numa fo-
tograa, e formada por um grande n umero de pontos, ou pequenas areas (pixel,
em ingles), cada um com uma cor que varia de branco a preto, passando por to-
das as gradacoes de cinza. Quanto maior o n
umero de pixeis, maior a resolucao
da imagem. Uma imagem em movimento, como no cinema ou na televisao,
e formada por uma seq uencia de imagens estaticas, que diferem pouco uma
da outra. Elas sao mostradas uma apos a outra, com um intervalo de tempo
pequeno, de tal modo que o sistema de percepcao humano tenha a sensacao
de um movimento contnuo. A imagem na televisao e formada por 525 linhas
horizontais, com uma taxa de exibicao das imagens de 60 Hz. O sensor de
imagem e um dispositivo que produz um sinal eletrico correspondente a uma
imagem optica. Ele e usado em camaras fotogracas ou camaras de vdeo. O
sinal eletrico do sensor pode ser armazenado em forma analogica ou digital,
ou transmitido atraves de cabos ou ondas eletromagneticas. Um dos sensores
de imagem mais utilizados e o do tipo CCD.

A sigla CCD e formada pelas iniciais do nome em ingles Charge-Coupled


Device, que signica dispositivo de acoplamento de carga (DAC). O CCD e
parte de uma classe de estruturas de dispositivos de transferencia de carga,
desenvolvidos nos Laboratorios Bell em 1969. Eles sao dispositivos dinamicos,
que movem um pacote de carga de uma unidade para outra vizinha, ao longo de
uma cadeia, numa seq uencia determinada pelos pulsos do relogio de comando.
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 339

Figura 8.27: Estrutura b


asica do sensor de imagem CCD de Si.

Esses dispositivos encontram uma variedade de aplicacoes em eletronica, tais


como em memorias, em varias funcoes logicas, processamento de sinais e sen-
sores de imagem. O sensor de imagem CCD e constitudo por um conjunto de
capacitores metal-isolante-semicondutor (MIS), fabricados na mesma pastilha
de semicondutor como num circuito integrado, formando uma rede em duas
dimensoes. O semicondutor usado em sensores de luz visvel e Si, e de luz
infravermelho e InSb ou HgCdTe. No caso do silcio o isolante e SiO2 , e os
capacitores sao do tipo MOS, estudados na Secao 7.6. A Figura 8.27 ilustra a
estrutura basica do sensor de imagem CCD, tambem chamado de fotodetetor
MIS, ou fotodetetor MOS. Os eletrodos metalicos das portas dos capacitores
sao lmes nos, com espessura da ordem de 100-300 nm, que deixam passar
a luz incidente. Cada capacitor tem dimensao da ordem de 1010 m2 e cor-
responde a um pixel da imagem. O conjunto tem dimensao lateral que pode
variar de alguns mm a varios cm. Atualmente os sensores de imagem CCD
tem estruturas mais sosticadas, com porta de silcio policristalino, em vez de
metal, e com eletodos enterrados.

A imagem e formada na area do dispositivo por meio do sistema optico da


camara, fazendo com que sobre cada pixel incida um certo uxo de fotons. Os
fotons com energia maior que a energia do gap criam na regiao da superfcie do
semicondutor pares eletron-buraco, com uma taxa proporcional a` intensidade
de luz em cada pixel. Uma diferenca de potencial aplicada entre a porta e o
eletrodo na outra face da pastilha (ou no eletrodo enterrado, como estudado na
Secao 7.8), atrai os eletrons para a superfcie e afasta os buracos, que difundem
no susbtrato e sao capturados no circuito externo, como ilustrado na Figura
8.27. Durante um intervalo de tempo caracterstico da operacao do dispositivo,
(varia de 100 s a 100 ms), forma-se sob a porta de cada capacitor um pacote de
carga de eletrons, cuja carga total representa a intensidade de luz integrada no
intervalo. Apos este intervalo de exposicao, a informacao armazenada em cada
340 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 8.28: Ilustracao do processo de transferencia de carga num dispositivo CCD:


a) ligacoes dos capacitores MOS; b) Variacao do potencial eletrico da distribuicao de
carga; c) Variacao dos potenciais das tres linhas ao longo do tempo.
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 341

linha de capacitores na forma de pacotes de carga, e deslocada rapidamente


(em intervalo de tempo muito menor que o de exposicao) para a extremidade
da linha, produzindo um sinal de corrente eletrica correspondente a` imagem
na linha. O sinal correspondente a uma linha e seguido do sinal da linha
seguinte, e assim por diante, num processo de varredura vertical, de cima para
baixo. O sinal correspondente ao conjunto de linhas forma um quadro. Uma
imagem estatica e formada por apenas um quadro, enquanto uma imagem em
movimento e formada por uma seq uencia de quadros, tipicamente numa taxa
de 60 Hz.

A transferencia do pacote de cargas de cada capacitor para a extremidade


da cadeia e feita pela acao de uma seq
uencia de pulsos de tensao, aplicados nas
portas dos capacitores, num processo caracterstico dos dipositivos de trans-
ferencia de carga, ou de acoplamento de carga. Esta e a razao do nome CCD
deste tipo de sensor de imagem. Dentre os diversos tipos de estruturas CCD,
as mais utilizadas sao as de duas fases e de tres fases. A Figura 8.28 ilustra a
transferencia de carga numa estrutura de tres fases. Em (a) estao mostrados
alguns capacitores ao longo de uma linha, o esquema de ligacao externa para
aplicacao da sequencia de pulsos de tensao, e um pacote de cargas no capa-
citor 1, num certo instante de tempo t1 . A Figura 8.28(b) ilustra a variacao
do potencial eletrico e da carga ao longo da cadeia de capacitores, em quatro
instantes de tempo.

A Figura 8.28(c) mostra a variacao no tempo das tensoes nas tres linhas
de fase, 1 , 2 e 3 . Elas sao funcoes periodicas com dois valores, um alto e um
baixo, com perodo determinado pelo relogio do sistema. Todas tem a mesma
forma, porem a de 2 esta defasada de 1 por um intervalo de tempo corres-
pondente a um terco do perodo, enquanto 3 esta defasada de 2 tambem por
um terco do perodo. A Fig. 8.28(c) mostra que no instante t1 , o potencial
1 e alto, enquanto 2 e 3 sao baixos. Como a carga do eletron e negativa,
a energia potencial tem a forma de um poco na regiao do capacitor 1, o que
mantem o pacote de cargas naquela regiao, como ilustrado no diagrama de
cima da gura (b). No instante t2 o potencial 2 e alto, enquanto 1 per-
manece alto, de modo que o poco de energia se estende ao capacitor 2, fazendo
com que a carga original que dividida entre os capacitores 1 e 2. No instante
t3 o potencial 1 e menor do que 2 , que permance alto, de modo que a maior
parte da carga passa para o capacitor 2, processo que e concludo quando o
potencial 1 atinge o valor baixo enquanto 2 permanece alto (instante t4 ).
Desta forma, em cada ciclo de variacao das tensoes, a carga passa de um ca-
pacitor para o vizinho, e assim sucessivamente ate atingir a extremidade da
cadeia, dando origem ao sinal de corrente correspondente ao pixel original da
342 Materiais e Dispositivos Eletronicos

imagem na posicao do capacitor 1.

8.5 Diodo Emissor de Luz (LED)

A conversao de um sinal eletrico em sinal luminoso e uma funcao de grande


importancia na eletronica. Sua aplicacao mais elementar e em indicadores e
mostradores luminosos usados em equipamentos eletro-eletronicos, aparelhos
de som e vdeo, equipamentos cientcos e industriais, relogios, etc. Outra
aplicacao importante e na geracao de imagens a partir de um sinal eletronico,
como em cinescopios de computadores e de aparelhos de televisao. A partir
da decada de 1980, esta funcao adquiriu importancia ainda maior com a dis-
seminacao das comunicacoes opticas. Nos sistemas de comunicacao optica, um
sinal eletrico que contem a informacao a ser transmitida e convertido em sinal
luminoso num diodo emissor de luz ou num laser semicondutor. Este propaga
atraves de uma bra optica ate o receptor, onde e convertido outra vez em
sinal eletrico num fotodetetor, reproduzindo a informacao original.

A forma mais simples e mais tradicional de gerar a luz a partir de uma


corrente eletrica e atraves do aquecimento. Quando uma corrente eletrica
passa por um o metalico, os atomos do metal entram em vibracao devido a`s
colisoes dos eletrons da corrente. Isto resulta em aquecimento do o e tambem
em radiacao eletromagnetica produzida pelas cargas atomicas em movimento.
Esta radiacao ocorre numa ampla faixa do espectro eletromagnetico, que pode
se estender do infravermelho ao visvel, em torno de um valor de energia que
aumenta com a temperatura do material. Para que um o possa ser sucien-
temente aquecido e emitir na regiao visvel do espectro, ele deve ser feito de
material com alto ponto de fusao e colocado no vacuo, ou numa atmosfera
inerte, para nao entrar em combustao. As lampadas incandescentes sao feitas
com os de tungstenio, aquecidos a` temperatura de cerca de 6.200 C. Nesta
temperatura o pico do espectro de radiacao ocorre na regiao visvel. Entre-
tanto, a maior parte da energia da corrente eletrica e convertida em calor
ou radiacao infravermelha, fazendo com que a eciencia de conversao em luz
visvel seja muito baixa. Nas lampadas incandescentes comuns, apenas 13% da
energia eletrica sao convertidos em energia luminosa. Alem de inecientes, es-
sas lampadas geram muito calor e tem resposta extremamente lenta. Durante
muitas decadas elas foram usadas em indicadores e mostradores de aparelhos
eletronicos, mas a partir da decada de 70 foram substitudas por diodos emis-
sores de luz e outros dispositivos de estado solido, como os mostradores de
cristal lquido.
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 343

A emissao de luz numa lampada incandescente ocorre devido ao aqueci-


mento, um processo fsico classico. Os modernos dispositivos opto-eletronicos
operam com base em processos quanticos de emissao de radiacao, atraves dos
processos de luminesc encia.

O funcionamento do diodo emissor de luz, o LED (Light Emitting Diode),


e baseado numa forma especial de eletroluminescencia, produzida pela injecao
de portadores numa juncao p-n. Como vimos na Secao 6.2, quando uma juncao
p-n e polarizada no sentido direto, os buracos do lado p e os eletrons do lado
n movem-se em sentidos opostos em direcao a` regiao de deplecao. Os buracos
injetados no lado n recombinam com eletrons que estao chegando na regiao de
deplecao, enquanto os eletrons injetados no lado p recombinam com buracos
que la se encontram. Desta forma, todos eletrons e buracos que participam
da corrente recombinam nas imediacoes da regiao de deplecao, numa camada
de espessura Lp do lado p e Ln do lado n. Se o semicondutor da juncao
tiver gap indireto, como Si ou Ge, alem dos fotons a recombinacao produz
fonons e, portanto, calor. Isto torna a emissao de luz muito pouco eciente nos
semicondutores de gap indireto. Por outro lado, se o semicondutor tiver gap
direto, a recombinacao de cada par eletron-buraco resulta na emissao de um
foton. A Figura 8.29 ilustra o processo de injecao de portadores minoritarios
nos dois lados de uma juncao p-n, produzindo recombinacao de pares e emissao
de fotons por transicoes interbanda. Nos diodos feitos com semicondutores de
gap direto este processo e extremamente eciente na conversao de energia
eletrica em luz. Se os eletrons de conducao estivessem no mnimo da banda de
conducao, com energia Ec , os fotons emitidos na transicao interbanda teriam
energia igual a do gap do semicondutor, Eg . Em geral, devido a` excitacao

Figura 8.29: Ilustracao da recombinacao de pares eletron-buraco com emissao de fotons


em transicoes interbanda, devido a` injecao de portadores minorit
arios numa juncao p-n
polarizada diretamente.
344 Materiais e Dispositivos Eletronicos

termica, a energia media dos eletrons tem valor proximo de Ec + kB T /2. Isto
faz com que a energia dos fotons emitidos na transicao seja um pouco maior
que Eg . Alem da transicao interbanda, mostrada na Fig.8.29, e possvel ter
na juncao p-n transicoes envolvendo nveis de impureza, como ilustrado na
Fig.8.13.

Os materiais mais utilizados na fabricacao de LEDs sao as ligas ternarias


Gax A1x As e GaAs1x Px . GaAs e um semicondutor de gap direto, de baixa
resistividade, que pode ser facilmente dopado com impurezas n ou p, para a
formacao da juncao p-n. As juncoes de GaAs tem grande eciencia de lumi-
nescencia em transicoes interbanda, que ocorrem num comprimento de onda
de aproximadamente 0,87 m. Este valor corresponde `a radiacao no infraver-
melho proximo. Como GaP tem um gap de energia maior, as ligas formadas por
GaAs e GaP tem transicoes interbanda com menor comprimento de onda que
em GaAs. E interessante notar que ao contrario de GaAs, GaP tem gap indi-
reto. Com isto, o gap da liga GaAs1x Px e direto para x < 0, 45, como GaAs,
porem torna-se indireto para x > 0, 45. A liga de composicao GaAs0,6 P0,4 ,
com gap direto, e muito utilizada na fabricacao de LEDs que produzem luz
vermelha em transicoes interbanda, com = 0, 65m.

A liga Gax A1x As tambem e muito usada para fabricar LEDs de


alta eciencia. E comum encontrar dispositivos feitos com heterojuncoes de
Ga0,3 A0,7 As tipo n e Ga0,6 A0,4 As tipo p. Nesse sistema, os eletrons do lado n
sao injetados no lado p, onde produzem transicoes para os nveis das impurezas
aceitadoras (como na Fig.8.13a), com emissao de fotons de 0,65 m (vermelho).
A radiacao produzida no lado p atravessa o lado n sem absorcao, pois este tem
um gap de energia maior, o que faz com que estes LEDs tenham eciencia
proxima de 100%. No nal da decada de 1990 foi desenvolvida a tecnologia
de fabricacao de LEDs ecientes de GaN, que tem um gap correspondente
`a luz azul. Isto permitiu a fabricacao de paineis contendo agrupamentos de

Figura 8.30: Estrutura tpica de um diodo emissor de luz (LED).


Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 345

Figura 8.31: Estrutura tpica de l


ampada LED utilizada em paineis de equipamentos eletro-
eletr
onicos.

LEDs com as tres cores basicas do espectro visvel, simulando uma fonte de
luz branca.

O material mais utilizado na fabricacao de LEDs de infravermelho e a


liga quaternaria Gax In1x Asy P1y . Dependendo das concentracoes dos cons-
tituintes, o LED feito com esta liga pode emitir em qualquer comprimento de
onda na faixa 1,1-1,6 m, utilizada para comunicacoes opticas.

A Figura 8.30 mostra a estrutura tpica de um LED de Ga(AsP) que


opera no vermelho. Como nos fotodiodos, o contato metalico no lado de cima
tem um orifcio que forma uma janela para a passagem da radiacao. Nor-
malmente o lado p e uma camada na na parte de cima, feita com dopagem
muito menor que no lado n. Isto faz com que a radiacao seja produzida ma-

Figura 8.32: Estrutura tpica do LED tipo Burrus.


346 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 8.33: (a) Smbolo de circuito do LED; (b) Circuito simples de alimentacao.

joritariamente no lado p, proximo da janela de sada, por eletrons injetados do


lado n, o que minimiza a absorcao da radiacao emitida pelo LED. As varias
camadas da estrutura do LED sao produzidas por crescimento epitaxial sobre
um substrato de GaAs. Como o GaAs0,6 P0,4 tem parametro de rede muito di-
ferente de GaAs, ele nao deve ser crescido diretamente sobre o substrato, para
evitar o aparecimento de defeitos cristalinos que formam centros de recom-
binacao nao-radiativos. Esta e a razao da existencia da camada intermediaria
de GaAs1y Py . Ela e feita com uma concentracao y que varia gradualmente
de 0 a 0,4, produzindo um casamento entre as redes cristalinas de GaAs0,6 P0,4
e de GaAs.

Figura 8.34: Dois tipos de mostradores de LEDs: (a) Mostrador numerico de 7 segmentos;
(b) Mostrador alfanumerico de matriz 75.
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 347

Os LEDs que operam no visvel sao muito utilizados para fazer lampadas
indicadoras para paineis de equipamentos eletro-eletronicos. Estas lampadas
sao feitas com uma grande variedade de formatos e de cores. A Figura 8.31
mostra uma estrutura tpica de uma lampada de LED. O chip do LED e
montado sobre um dos pinos metalicos utilizados como terminal externo. O
contato com o outro terminal e feito por um o soldado no lme metalico no
lado da janela do LED. O conjunto e encapsulado num plastico colorido, cuja
parte superior forma uma lente para colimar parcialmente a radiacao.

Os LEDs de infravermelho sao utilizados em sistemas de comunicacoes


opticas. Como sera mostrado na Secao 8.8, estes sistemas sao baseados na
transmissao de informacao por meio de um feixe de luz infravermelho, que
propaga connado numa bra optica com diametro de alguns m. Os LEDs
para esta nalidade sao feitos com uma estrutura conhecida pelo nome de
inventor, Burrus. Na estrutura do LED tipo Burrus, mostrada na Fig.8.32, o
contato metalico com o semicondutor e connado a uma regiao de diametro
semelhante ao da bra optica. Isto faz com que a regiao ativa de emissao de
luz seja pequena, resultando num eciente acoplamento com a bra optica. A
bra e montada rigidamente na estrutura e presa por meio de resina de epoxi,
como mostrado na Fig.8.32.

Os circuitos de alimentacao dos LEDs sao bastante simples. Para a


emissao de luz com intensidade constante basta fazer passar no sentido di-
reto do diodo uma corrente constante. Nos sistemas de comunicacao optica
e preciso incorporar um circuito de modulacao da corrente para produzir as
variacoes correspondentes na intensidade da luz. A Fig.8.33 mostra o smbolo
de circuito do LED e um circuito simples de alimentacao. O resistor Rs em
serie e necessario para limitar a corrente que passa no LED, pois como este
opera com polarizacao direta, sua resistencia e muito pequena.

Os LEDs que operam no visvel tambem sao muito utilizados atualmente


para fazer mostradores luminosos alfanumericos. A Fig.8.34 mostra dois tipos
de mostradores muito comuns. Em (a) esta apresentado o sistema de 7 seg-
mentos, utilizado para indicar os algarismos de 0 a 9. Cada segmento e for-
mado por um conjunto de LEDs, conectados em paralelo e encapsulados numa
mesma peca, de modo a produzir iluminacao uniforme em toda sua extensao.
A Fig.8.34(b) mostra a matriz de 75 LEDs individuais, que permite exibir
algarismos e letras, formando um mostrador alfanumerico.
348 Materiais e Dispositivos Eletronicos

8.6 Emiss
ao Estimulada e Lasers

A radiacao produzida por uma fonte tradicional de luz, como as lampadas


incandescentes e uorescentes, ou por um LED, e composta por fotons emi-
tidos espontaneamente por atomos ou moleculas independentes. No processo
de emiss ao espontanea, um sistema quantico passa de um certo nvel de
energia para outro de menor energia devido a utuacoes aleatorias. Em con-
seq
uencia, a fase do campo resultante varia aleatoriamente no espaco e no
tempo, fazendo com que a radiacao seja incoerente. Outro tipo de radiacao
e aquela produzida por um laser, nome adotado em portugues, para os dis-
positivos de amplicacao por emissao estimulada de radiacao (do ingles Light
Amplication by Stimulated Emission of Radiation).

A radiacao de um laser resulta das emissoes de atomos ou moleculas in-


duzidas, ou estimuladas, por um campo eletromagnetico macroscopico. Neste
processo as fases dos campos dos fotons emitidos sao correlacionadas, e em con-
sequencia a radiacao e coerente. Alem de coerente, a radiacao do laser e alta-
mente monocromatica, isto e, tem freq uencias numa estreita faixa do espectro.
A intensidade depende do tipo de laser e da magnitude da excitacao, podendo
variar numa ampla faixa de valores. Os estudos teoricos sobre a operacao de
lasers foram publicados por C.H. Townes e A.L. Schawlow dos Laboratorios
Bell em 1958, pelos quais eles receberam o premio Nobel de Fsica em 1964
e em 1981, respectivamente. Em 1960 foram descobertos o laser de Rubi e o
laser de Helio-Neonio. Desde entao foram descobertas in umeras variedades de
lasers e desenvolvidas muitas aplicacoes na medicina, na ind ustria e na ciencia.
O desenvolvimento do laser semicondutor operando a` temperatura ambiente,
feito no nal da decada de 1960, possibilitou uma revolucao na comunicacao a`
distancia, feita atraves de bras opticas.

Os principais componentes de um laser sao: o ressoador ou cavidade


optica; o meio ativo; e o mecanismo de bombeamento. A cavidade e

formada por dois espelhos parciais, um em frente ao outro, que reetem a maior
parte da radiacao emitida de volta para a regiao do meio ativo existente entre os
espelhos. A estrutura entra em ressonancia em certos comprimentos de onda,
resultando num campo eletromagnetico macroscopico que produz a emissao
estimulada nos atomos ou moleculas do meio. Esta emissao amplica o campo
na cavidade e mantem a radiacao do laser. As principais caractersticas do laser
sao determinadas pela natureza do meio ativo. Os lasers mais comuns sao de
gas, de lquidos organicos, de solidos com nveis de impurezas luminescentes
e de diodos semicondutores. Para entender o papel do meio ativo e preciso
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 349

estudar a emissao estimulada.

8.6.1 O Mecanismo de Amplifica


c
ao por Emiss
ao Estimulada.

Como vimos na Secao 8.3, um sistema quantico de dois nveis de energia,


E2 > E1 , com populacoes N2 e N1 , tem um coeciente de absorcao dado por
(8.14) e (8.56),
4
=2 = (N1 N2 ) p212 D() , (8.76)
c n c 0 

onde p12 e o elemento de matriz do momento de dipolo eletrico entre os dois


nveis e D() representa a forma de linha espectral da transicao entre os dois
nveis. Quando uma radiacao de freq
uencia atravessa o meio, sua intensidade
varia no espaco de acordo com (8.13),
I(x) = I(0) ex .

Em equilbrio termico, a populacao N1 do nvel de menor energia e maior


que a do nvel de maior energia, N2 , de modo que > 0. Nesta situacao a
radiacao e absorvida pelas transicoes de E1 para E2 , fazendo com que sua inten-
sidade diminua a` medida que ela atravessa o meio. Entretanto, se houver um
mecanismo externo de invers ao de populac ao, tornando N2 > N1 , teremos
< 0 e portanto a radiacao sera amplificada pela emiss ao estimulada.
Assim, quando N2 > N1 , denimos o ganho do meio como () = (). Na-
turalmente o sistema tem perdas, principalmente causadas pela radiacao que
sai da cavidade ressonante. Desta forma, e preciso que o processo de bombea-
mento faca a inversao de populacao ultrapassar um valor crtico (N2 N1 )c
para que o ganho total seja maior que as perdas. Nesta situacao o sistema
gera uma radiacao pela emissao estimulada.

O valor crtico da diferenca de populacao e determinado pela condicao


na qual o ganho na intensidade ao longo do comprimento do meio ativo iguala
`as perdas. As perdas tem duas origens, a atenuacao ao longo do feixe, causada
pela difracao e por interacoes com outras excitacoes, e a perda por radiacao
para fora da cavidade optica. Esta u ltima e grande para freq
uencias diferentes
das freq
uencias de ressonancia da cavidade. Por esta razao, o laser opera so-
mente nos comprimentos de onda correspondentes a`s ressonancias da cavidade,
dados por
2L
 = (8.77)
m
350 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 8.35: Espectro de emiss


ao da luz de um laser de He-Ne mostrando os modos longi-
tudinais.

onde  e o comprimento de onda no meio ativo, L e a distancia entre os


espelhos da cavidade e m e um n umero inteiro. Sendo  relacionado com o
comprimento de onda no vacuo (praticamente igual ao do ar) por = n ,
onde n e o ndice de refracao, obtemos as freq
uencias de operacao do laser,
c c
= =m . (8.78)
2nL

Os lasers operam em uma ou mais freq uencias dadas por esta relacao e
que estao na faixa da curva de ganho do meio ativo. Em geral os lasers operam
simultaneamente em varios modos da cavidade, chamados modos longitudinais,
cada um com largura de linha da ordem de alguns MHz, que e muito menor que
a largura da curva de ganho. Por exemplo, a curva de ganho do laser de He-Ne
tem uma largura de cerca de 1 GHz, que comporta 20 modos longitudinais
espacados de 500 MHz, que e o valor obtido com (8.48) para uma cavidade
optica com 30 cm de comprimento. A Figura 8.35 mostra um espectro tpico
de um laser de He-Ne.

A Figura 8.36 ilustra o que ocorre com a curva de ganho () de um laser,


para tres valores da diferenca de populacao N = N2 N1 . Na curva 1 N e
tal que o ganho e menor que a taxa de perdas em qualquer valor de freq uencia.
Nesta situacao o laser nao emite radiacao. A curva 2 corresponde a` taxa de
bombeamento crtica, para a qual N faz o maximo de () igualar a perda.
Com uma taxa de bombeamento maior, o ganho supera a perda numa certa
faixa de freq uencias. Nesta situacao, o sistema mantem uma radiacao com
uencia c determinada pela cavidade ressonante. A depressao que aparece
freq
na curva 3 resulta do fato de que a intensa radiacao criada na cavidade aumenta
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 351

Figura 8.36: Curvas de ganho de um laser para tres valores da diferenca de populacao
N = N2 N1 : N3 > N2 > N1 .

as transicoes do nvel 2 para o nvel 1, tendendo a igualar as populacoes. O


regime estacionario de operacao e atingido quando a taxa de ganho e igual a
taxa de perdas. O requisito fundamental para ocorrer emissao estimulada de
radiacao e ganho e a inversao de populacao no meio ativo. Ha varios metodos
para inverter as populacoes de dois nveis, dos quais os mais importantes sao:

Bombeamento optico ou excitacao por fotons;


Excitacao eletronica;
Colisao inelastica entre atomos;
Injecao de portadores em semicondutores.

A inversao de populacao entre dois nveis envolvidos na emissao estimu-


lada em sistemas homogeneos requer a existencia de pelo menos outro nvel
de energia. A Figura 8.37 mostra dois modos de operacao num sistema de
tres nveis. Em (a) os eletrons passam do estado fundamental E1 para um ter-
ceiro estado E3 atraves de um dos possveis processos de bombeamento. Este
terceiro estado e selecionado de tal maneira que as transicoes de E1 para E3
sejam bastante ecientes pelo processo de bombeamento usado. De E3 para
E2 as transicoes devem ser rapidas e nao radiativas. Com isto ha um ac umulo
de populacao em E2 , o que resulta numa inversao de populacao em relacao ao
nvel E1 . A radiacao do laser ocorre entao nas transicoes do nvel E2 para o
nvel Ei . A Figura 8.37(b) ilustra o outro modo possvel de operacao com tres
nveis, no qual a radiacao ocorre em transicoes do nvel mais alto para outro
intermediario, que por sua vez relaxa para o estado fundamental.

Nos processos de bombeamento optico utiliza-se uma fonte de luz ex-


352 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 8.37: Processos de emiss


ao estimulada em sistemas de 3 nveis.

terna, que pode ser uma lampada de ash de alta potencia, para aumentar a
populacao de uma banda acima dos dois nveis de interesse. Este metodo de
excitacao e empregado em lasers com materiais solidos, como os de rubi, de
outros cristais ou de vidros dopados com impurezas apropriadas.

Os processos de excitacao eletronica sao em geral utilizados em gases. Na


descarga eletrica num gas, os eletrons da corrente sao acelerados pela tensao
aplicada e colidem com os ons do gas. Nesta colisao eles transferem energia
aos ons, fazendo com que eletrons do estado fundamental passem para estados
excitados. Este processo e utilizado em lasers de Argonio.

Outro processo de bombeamento importante em gases e o de colisao


atomo-atomo, no qual numa descarga eletrica um certo tipo de atomo colide
com outro deixando este no estado excitado para irradiar. Este processo e
importante nos lasers com misturas de gases, como o de Helio-Neonio.

Finalmente, outro metodo importante e o de injecao de portadores numa


juncao de semicondutores. Como vimos na Secao 8.5, a corrente eletrica numa
juncao p+ -n faz buracos do lado p+ difundirem para o lado n, resultando num
excesso de buracos em relacao aos eletrons. Assim, na regiao da juncao ocorre
uma inversao de populacao, no sentido em que ha mais portadores minoritarios
que haveria na situacao de equilbrio termico. Isto resulta na recombinacao de
pares eletron-buraco e na geracao de fotons, por emissao espontanea como num
LED, ou por radiacao estimulada. A seguir apresentaremos alguns detalhes de
diversos lasers importantes comercialmente. Devido a sua grande importancia
na opto-eletronica, o laser de diodo semicondutor sera apresentado em maior
detalhe na proxima secao.
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 353

8.6.2 Lasers de S
olidos com Impurezas

Nos lasers de solidos com impurezas, tambem chamados lasers de estado solido,
o meio ativo e um bastao de material cristalino transparente, ou de vidro,
dopado com ons de impurezas cujos nveis de energia sao adequados para
emissao estimulada. A cavidade optica e, em geral, formada por dois espelhos
externos, sendo um deles totalmente reetor enquanto o outro transmite uma
atraves do espelho parcial que uma
pequena fracao da radiacao incidente. E
parte da energia da radiacao armazenada na cavidade passa para o exterior,
produzindo o feixe de laser. Os estados excitados das impurezas sao populados
por bombeamento optico, produzido por lampadas de ash ou por outro laser.

A Figura 8.38 mostra o arranjo original utilizado no laser de rubi. O


rubi e um cristal de sara, A2 O3 , contendo impurezas de Cr3+ em pequenas
concentracoes, de 0,01 a 0,1%. Os nveis de energia do Cr3+ em A2 O3 e as
tres transicoes envolvidas na acao do laser estao mostrados na Fig.8.14. O
bombeamento optico leva os eletrons do estado fundamental, nvel 1, para
uma banda relativamente larga (3). Eles entao decaem num tempo curto, da
ordem de 108 s, para o nvel 2. Como o tempo de decaimento de 2 para 1
e longo ( 103 s), ocorre um ac umulo de eletrons no nvel 2 e inversao de
populacao em relacao ao nvel 1. A transicao estimulada de 2 para 1 gera
a radiacao vermelha do laser de rubi, com comprimento de onda 694,3 nm.
Como a lampada de ash e acionada pela descarga de um capacitor, indicado
na Fig.8.38, a luz de bombeamento tem a forma de pulsos com duracao de

Figura 8.38: Arranjo utilizado em laser de rubi bombeado por l


ampada de flash.
354 Materiais e Dispositivos Eletronicos

alguns ms. Por esta razao, em vez de gerar uma radiacao contnua, o laser
emite pulsos de luz com uma taxa de repeticao determinada pelo circuito de
descarga. A escolha da taxa de repeticao depende da capacidade de resfriar
o bastao de rubi. Este refriamento pode ser feito circulando agua em contato
com o bastao, como mostrado na Fig.8.38. Note que nos atuais lasers de solidos
com impurezas que empregam lampada de ash, ela nao e enrolada em torno
do bastao, como no arranjo original da Fig.8.38. Ela tem a forma de um tubo
cilndrico, colocado paralelo ao bastao do solido, no interior de uma cavidade
metalica, de secao elptica, polida internamente. A lampada e colocada num
dos focos da elipse e o bastao no outro, de modo que a radiacao do ash e
focalizada no bastao.

Um dos lasers de estado solido mais importantes da atualidade e o de


neodmio-YAG, Nd-YAG. Sua acao ocorre nos nveis de energia de impurezas
de Nd3+ no cristal da granada de alumnio e trio, cuja formula qumica e
Y3 A5 O12 . O nome YAG vem das iniciais em ingles, Yttrium Aluminum
Garnet. A Figura 8.39 ilustra os nveis de energia e as transicoes impor-
tantes do laser de Nd-YAG. O bombeamento optico feito pela radiacao de
uma lampada de ash, ou de um laser de diodo semicondutor, leva os eletrons
do estado fundamental para uma banda larga de estados excitados. De la
eles caem para o estado 4 F3/2 por transicoes nao-radiativas. A transicao deste
estado para o estado 4 I11/2 produz a radiacao laser no comprimento de onda

Figura 8.39: Esquema de energias e de transicoes responsaveis pela radiacao de comprimento


de onda 1064 nm no laser de Nd-YAG.
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 355

= 1064 nm, situado no infravermelho proximo. O ganho do laser de Nd-YAG


e cerca de 75 vezes maior que o de rubi. Por isto ele pode ser bombeado com
luz contnua de um laser de diodo, como ilustrado na Figura 8.40. O feixe
do laser de diodo passa por duas lentes que o focalizam no eixo do bastao de
Nd-YAG. A superfcie de entrada do bastao e esferica e recoberta por camadas
dieletricas que transmitem a radiacao de 809 nm e reetem a radiacao de 1064
nm. A superfcie plana, na outra extremidade, tem uma camada reetora, for-
mando a cavidade optica. Quando operado com lampadas de ash, ele atinge
potencias de pico muito altas. Apesar de operar no infravermelho, o laser de
Nd-YAG e mais utilizado para aplicacoes na regiao visvel. Isto e conseguido
fazendo o feixe pulsado passar por um cristal gerador de segundo harmonico,
que converte a maior parte da radiacao em luz verde, com = 532 nm. (veja
Secao 10.2.2).

Os lasers de estado solido bombeados com a luz do feixe de um laser de


diodo, como na Figura 8.40, produzem radiacao contnua, designada de CW
(do ingles Continuous Wave). Os lasers bombeados por lampadas de ash
produzem luz na forma de pulsos emitidos periodicamente. Os pulsos sao lon-
gos, com duracao de alguns ms, e a taxa de repeticao e baixa, com alguns
tiros por segundo, porque estas sao as caractersticas da descarga eletrica na
lampada de ash. Os lasers pulsados sao importantes em aplicacoes que re-
querem alta potencia de luz, pois a energia acumulada no perodo e emitida
num intervalo de tempo muito menor. Existem outros metodos para pro-
duzir pulsos de luz em lasers de estado solido e outros tipos, como a gas e de
lquidos corantes, com bombeamento contnuo. Dois metodos que possibilitam
obter pulsos muito curtos sao o chaveamento-Q (Q-switching em ingles) e o
travamento de modos (mode locking). Em ambos os metodos, os espelhos da

Figura 8.40: Esquema de bombeamento do laser de Nd-YAG com radiacao contnua de um


laser de diodo.
356 Materiais e Dispositivos Eletronicos

cavidade devem ser externos ao meio ativo, pois o mecanismo requer a insercao
de um dispositivo no caminho do feixe no interior da cavidade.

O metodo de Q-switching consiste em deteriorar o Q da cavidade durante


um certo tempo, impedindo a acao de laser. Como o bombeamento e contnuo,
enquanto o Q esta baixo e nao ha radiacao estimulada, a populacao dos estados
excitados aumenta e ultrapassa muito o valor crtico emissao de luz com o Q
normal. Periodicamente entao o Q e restaurado, proporcionando a emissao de
pulsos curtos de alta potencia. Um dos mecanismos utilizados para variar o Q
e a modulacao da polarizacao da luz por meio de um modulador eletro-optico
(secao 10.2) colocado no interior da cavidade. Quando a polarizacao da luz e
alterada numa passagem do feixe, o feixe reetido num espelho retorna com
uma polarizacao diferente do incidente e nao produz interferencia construtiva
necessaria para a ressonancia.

O metodo de mode locking tambem utiliza uma modulacao interna na


cavidade, mas o mecanismo e baseado na existencia de um grande n umero
de modos longitudinais. Pode-se mostrar que a modulacao de amplitude com
freq
uencia igual a da separacao dos modos produz o travamento das fases dos
modos. Como eles tem freq uencias diferentes, periodicamente as fases de todos
eles coincidem, o que resulta num trem de pulsos de radiacao. O perodo de
emissao dos pulsos e o inverso da frequencia de espacamento dos modos.

Outro laser de estado solido muito utilizado atualmente por conta de sua
versatilidade e o laser de titanio-sara (Ti3+ :A2 O3 ). Este laser pode operar

Figura 8.41: Bandas de absorcao e de emissao em Ti3+ :A2 O3 .


Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 357

nos regimes CW ou pulsado (Q-switching ou mode-locking).

As impurezas de Ti3 tem uma banda de absorcao com pico em torno


de 500 nm, como mostrado na Figura 8.41, e uma banda de emissao larga,
podendo operar em toda a faixa de 660 nm1180 nm, com o uso adequado
de ltros e espelhos na cavidade optica. Sua eciencia de conversao, denida
como a potencia optica emitida dividida pela potencia eletrica gasta, e de apro-
ximadamente 0,01%. Este valor e baixo comparado com o do laser de Nd:YAG
(0,5%), mas e da mesma ordem dos lasers a gas. O laser de Ti:sara e comu-
mente bombeado por um laser de Argonio (514 nm) ou pelo segundo harmonico
de um laser de Nd:YAG (532 nm). Para potencias opticas de bombeamento
tpicas da ordem de 10 W, cerca de 1,5 W pode ser emitido no laser de Ti:sara
em regime CW. Ele tambem opera em regime de mode-locking, emitindo pul-
sos ultracurtos. Como a largura da linha de transicao de Ti:sara e de 100
THz, pulsos de duracao curta como 10 fs (1 fs = 1015 s) sao produzidos em
laboratorios de pesquisa. Os lasers comerciais de Ti:sara emitem pulsos da
ordem de 50 fs.

8.6.3 Lasers a G
as

Nos lasers a gas, a emissao estimulada ocorre entre estados quanticos de atomos
ou moleculas, que sao em geral excitados por meio de colisoes numa descarga
eletrica. A Figura 8.42 mostra os componentes basicos de um laser a gas.
A alta tensao aplicada aos eletrodos do tubo mantem uma descarga eletrica
no gas, que pode estar connado ou circulando. Quando a cavidade optica e
formada por espelhos externos, as extremidades do tubo sao feitas com placas
transparentes, inclinadas com angulo de Brewster, para minimizar as perdas

Figura 8.42: Componentes b


asicos de um laser a g
as.
358 Materiais e Dispositivos Eletronicos

por reexao. Nos pequenos lasers a gas, os espelhos sao feitos internamente
nas proprias extremidades do tubo.

O laser de Helio-Neonio foi o primeiro laser a gas descoberto, sendo ainda


hoje muito utilizado em aplicacoes simples de baixa potencia. Na descarga
atraves da mistura dos dois gases, os atomos de He sao facilmente excitados
por colisoes eletronicas. As excitacoes desses atomos sao transferidas para
os estados 2S e 3S do Ne, que coincidentemente tem energias quase iguais
as do He. As transicoes com emissao estimulada ocorrem nos atomos de Ne
entre os nveis ilustrados na Fig.8.43, que tambem mostra os comprimentos
de onda correspondentes `as transicoes. As transicoes 3S-3p e 2S-2p ocorrem
no infravermelho, enquanto a transicao 3S-2p tem = 632,8 nm, situada na
regiao vermelha do espectro. O laser de He-Ne e de fabricacao simples e opera
continuamente com baixa corrente, sendo por isto muito utilizado numa grande
variedade de aplicacoes de baixa potencia (alguns mW).

Outro laser a gas importante com radiacao de luz visvel e o laser de


Argonio. Ele opera com transicoes eletronicas nos ons de Ar, produzindo
radiacao em varias linhas do espectro visvel. As mais intensas ocorrem em
= 488 nm (azul) e 514,5 nm (verde). Geralmente, o laser de Ar opera

Figura 8.43: Nveis de energia e transicoes de laser em atomos de Neonio.


Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 359

continuamente com potencias que vao desde centenas de mW a dezenas de W,


encontrando in
umeras aplicacoes medicas, industriais e cientcas.

Na categoria de lasers a gas moleculares, o mais importante e o de dioxido


de carbono, CO2 . Neste sistema os nveis quanticos envolvidos nas transicoes
do laser estao associados a`s vibracoes da molecula de CO2 . A emissao estimu-
lada tem comprimento de onda em torno de 10 m, correspondente `a radiacao
infravermelha. O laser de CO2 tem construcao facil e robusta e produz ra-
diacao contnua com potencia de dezenas a centenas de W, sendo tambem
muito empregado na ind ustria e na medicina.

8.7 O Laser de Diodo Semicondutor

O laser de diodo semicondutor, mais conhecido como laser de diodo, e, de longe,


o mais importante para a opto-eletronica. Enquanto todos os lasers menciona-
dos na secao anterior sao grandes, dispendiosos e necessitam de potencias sig-
nicativas para funcionar, o de semicondutor tem dimensoes submilimetricas,
baixo custo e requer baixa potencia de alimentacao. Ele foi descoberto em
1962, porem foram necessarios muitos anos de pesquisa e desenvolvimento para
que ele chegasse ao atual estagio tecnologico. Os primeiros lasers eram forma-
dos de diodos de juncao simples de GaAs e so operavam em temperatura de
helio lquido (4,2 K) com correntes relativamente altas. No nal da decada de
1960 alguns laboratorios conseguiram materializar propostas teoricas do russo
Zhores Alferov e do alemao-americano Herbert Kroemer, que mostravam a
possibilidade de aumentar o ganho do laser com um connamento de eletrons
e buracos em heterojuncoes. Dentre os grupos que conseguiram fabricar lasers
de heterojuncoes operando a` temperatura ambiente, estava o do Laboratorio
Bell, integrado pelo fsico brasileiro Jose Ripper Filho.

Atualmente os lasers de diodo sao feitos com heterojuncoes m ultiplas


de ligas de semicondutores de gap direto, operam a` temperatura ambiente e
com baixas correntes, e produzem potencias de luz que variam de alguns mW,
comparaveis com as do laser de He-Ne, a dezenas de watts. O laser de diodo
semicondutor tornou-se um componente essencial dos sistemas de comunicacao
optica, de inumeros equipamentos eletronicos e de outras aplicacoes, o que
contribuiu para que Alferov e Kroemer fossem agraciados com o premio Nobel
de Fsica no ano 2000.
360 Materiais e Dispositivos Eletronicos

8.7.1 O Laser de Diodo de Jun


cao p-n

Um dos mecanismos basicos para operacao de um laser, a inversao de po-


pulacao, ocorre naturalmente numa juncao p-n feita de semicondutor de gap
direto, polarizada diretamente. Isto porque os eletrons do lado n que se movem
em direcao a` regiao da juncao e sao injetados no lado p, produzem na banda
de conducao do lado p uma concentracao maior que a de equilbrio termico.
Situacao semelhante tambem acontece com os buracos injetados no lado n.
A recombinacao de pares eletron-buraco, que ocorre para fazer com que as
concentracoes atinjam o equilbrio nos dois lados, produz a emissao espontanea
caracterstica dos LEDs. Entretanto, quando a injecao e sucientemente forte,
a condicao crtica de operacao laser pode ser alcancada e o diodo emite radiacao
estimulada.

Para atingir a condicao de laser, a juncao p-n deve ter grandes dopagens
nos dois lados, ou seja, deve ser formada por semicondutores degenerados.
Nesta juncao, o nvel de Fermi EF n do lado n esta acima do mnimo da banda
de conducao, Ecn , enquanto no lado p o nvel EF p esta abaixo do maximo
da banda de valencia, Evp . A Figura 8.44 ilustra as bandas de energia numa
juncao deste tipo. Em (a) nao existe tensao aplicada, de modo que o nvel de
Fermi e o mesmo nos dois lados. Em (b) a juncao esta polarizada diretamente,
de modo que as energias do lado p diminuem em relacao a`s energias do lado n,
sendo a diferenca das energias dos nveis de Fermi nos dois lados igual a eV ,
onde V e a tensao aplicada. Finalmente, a Fig.8.44(c) mostra o que ocorre
com uma tensao ainda maior: na regiao de transicao da juncao a banda de
conducao e preenchida com eletrons provenientes do lado n, enquanto a banda
de valencia recebe buracos do lado p. Isto produz inversao de populacao nesta
regiao, o que resulta em altas taxas de recombinacao acompanhada de emissao
espontanea de luz. Os fotons criados neste processo e que cam connados na
regiao da juncao, fazem a taxa de recombinacao aumentar ainda mais atraves
da emissao estimulada. A acao de laser ocorre quando a corrente no diodo
ultrapassa um certo valor crtico para o qual o ganho optico iguala as perdas
no sistema.

A freq
uencia dos fotons emitidos na transicao banda-a-banda e dada, no
mnimo, por h = Eg . Por outro lado, pela condicao de inversao de populacao
ilustrada na Fig.8.44(c), vemos que o maximo valor de e dado por EF n
EF p h. Portanto, a condicao de operacao de um laser de juncao p-n e,

EF n EF p h Eg . (8.79)
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 361

Figura 8.44: Diagramas de energia em juncao p-n formada por semicondutores degenerados:
(a) Sem tensao aplicada; (b) Com polarizacao direta; (c) Com tens
ao sucientemente alta
para produzir inversao de populacao na regi
ao de transicao.

Para aumentar o ganho, diminuir as perdas e fazer a radiacao sair apenas


numa direcao, e preciso construir uma cavidade optica na juncao. As duas
superfcies planas e paralelas que formam os espelhos da cavidade sao feitas
atraves da clivagem do chip da juncao nos planos cristalinos, como ilustrado na
Figura 8.45. Como o ndice de refracao de GaAs e n = 3, 6, a reetividade de
um espelho deste tipo, dada pela Eq.(8.21), e R = 0, 32. Este valor e suciente
para criar uma cavidade optica entre os dois planos de clivagem. Entretanto,
para aumentar o ganho e fazer a radiacao sair apenas num sentido, cobre-se um
dos lados com lme metalico. Alem disso, para evitar que a radiacao tambem
saia lateralmente, usa-se um abrasivo para tornar asperas as duas superfcies
laterais. Isto elimina o efeito da cavidade ressonante na direcao lateral, fazendo
com que o feixe de radiacao saia apenas pela superfcie frontal.
362 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 8.45: Ilustracao de um laser de juncao p-n.

A Figura 8.46 mostra o comportamento da intensidade e do espectro


da radiacao do laser com a corrente na juncao. Na Fig. 8.46(a) vemos que
quando a corrente e menor que um valor crtico Ic , a intensidade da radiacao
e pequena. Nesta situacao ela e devida a` emissao espontanea que ocorre nas
vizinhancas da juncao, como num LED. Neste caso o espectro de radiacao e
largo, como ilustrado na Fig.8.46(b). Entretanto, se I > Ic , a radiacao passa a
ter intensidade muito maior, com um espectro connado a uma faixa estreita
de frequencias. Estas duas caractersticas constituem as principais diferencas
entre o LED e o laser de juncao: o laser emite radiacao estimulada com um

Figura 8.46: Comportamento da potencia luminosa emitida por um laser semicondutor.


Quando a corrente I e maior que um valor crtico Ic , a potencia aumenta bruscamente (a)
e seu espectro torna-se estreito (b).
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 363

espectro estreito, enquanto o LED emite radiacao espontanea com espectro


largo; o laser so opera com corrente acima de um valor crtico, ao passo que
o LED opera com qualquer corrente. Na realidade, o laser de diodo opera
em varios modos longitudinais, com freq uencias dentro da faixa da curva de
ganho.

Exemplo 8.5: Calcule o espacamento entre os modos longitudinais de um laser de diodo de GaAs,
com cavidade
optica de comprimento 1 mm.

Sendo  o comprimento de onda da luz no GaAs, a condica


o de resson
ancia na cavidade
optica e

c
L = m = m =m ,
n n

onde n e o ndice de refraca


o, e o comprimento de onda no vacuo e a freq
uencia. Ent
ao, a
uencias de dois modos vizinhos (m e m 1) e = c/nL. Considerando o
diferenca entre as freq
ndice de refraca
o do GaAs n = 3, 6, vem,

3 108
= = 8, 3 1010 Hz = 83 GHz .
3, 6 103

O laser de semicondutor formado por apenas uma juncao p-n, tambem


chamado laser de homojuncao, foi o primeiro a ser desenvolvido. Este tipo
de laser apresenta varios problemas, sendo os principais: sua corrente crtica
e alta; para evitar super-aquecimento ele deve ser colocado em baixas tempe-
raturas ou operar em modo pulsado; a largura espectral da radiacao e grande
comparada com outros tipos de laser; a potencia luminosa e pequena com-
parada com outros tipos de laser; como a radiacao e emitida numa regiao de
espessura (< 1 m) menor que o comprimento de onda, a difracao e grande e
o feixe nao sai colimado. Varios desses problemas sao contornados nos lasers
de heterojuncoes, descritos a seguir.

8.7.2 Lasers de Heterojun


coes

No laser de homojuncao a inversao de populacao que produz a recombinacao de


pares eletron-buraco com emissao de fotons ocorre apenas na regiao de carga
espacial, como mostrado na Fig.8.44(c). Mas nem todos eletrons e buracos que
chegam na juncao participam deste processo. Muitos deles sao injetados no
outro lado como portadores minoritarios e difundem numa regiao de espessura
364 Materiais e Dispositivos Eletronicos

na faixa de 1-10 m. Desta forma, para que a taxa de emissao de fotons seja
maior que as perdas opticas e produzir a operacao do laser, e necessario que a
corrente seja alta. Este fato e o maior responsavel pela elevada corrente crtica
do laser de homojuncao, que e da ordem de 40-100 kA/cm2 em juncoes de
GaAs `a temperatura ambiente. Outro efeito que contribui para o alto valor da
corrente crtica no laser de homojuncao e a forte difracao da luz. Ela faz com
que muitos fotons emitidos saiam da regiao da juncao, deixando de contribuir
para a emissao estimulada.

Nos lasers de heterojuncoes estes dois efeitos sao muito menores, de modo
que as correntes crticas sao reduzidas em varias ordens de grandeza em relacao
ao laser de homojuncao, situando-se na faixa de 100-500 A/cm2 . Como vimos
na secao 6.3.2, numa heterojuncao existe uma barreira de potencial devido

Figura 8.47: Estruturas de lasers de heterojuncoes: (a) heterojuncao simples; (b) hetero-
juncao dupla; (c) heterojuncao dupla em geometria estriada.
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 365

a` diferenca entre os gaps de energia dos dois lados. Isto permite construir
estruturas de heterojuncoes com barreiras de potencial que produzem conna-
mento de eletrons e buracos numa camada na, com espessura da ordem de
0,1-0,5 m. Ao mesmo tempo, como os ndices de refracao nos dois lados da
heterojuncao sao diferentes, devido tambem `a diferenca dos gaps de energia
dos semicondutores, ha um connamento dos fotons emitidos. O aumento da
concentracao de pares eletron-buraco e de fotons na mesma regiao espacial,
resulta numa maior taxa de recombinacao e portanto numa menor corrente
crtica.

A Figura 8.47 mostra tres estruturas de lasers de heterojuncoes de GaAs


e (GaA)As. As estruturas sao feitas depositando-se camadas de espessuras
e composicoes desejadas sobre um substrato de GaAs monocristalino. A de-
posicao pode ser feita pela tecnica mais simples de epitaxia de fase lquida
(LPE) ou pela sosticada tecnica de epitaxia de feixe molecular (MBE). A
concentracao x do A na liga Ga1x Ax As determina o valor do gap de energia
Eg , que varia entre 1,43 eV (x = 0) e 2,16 eV (x = 1). O semicondutor tipo p e
feito com difusao de atomos do grupo II, Zn por exemplo, formando impurezas
aceitadoras. Para dopagem tipo n podem ser utilizados elementos do grupo
IV, como Sn. Os atomos desses elementos doam um eletron para os atomos
de Ga ou A, que sao do grupo III, formando impurezas doadoras.

A Figura 8.48(a) apresenta o modelo unidimensional de um laser


com uma juncao p-n simples de GaAs e uma heterojuncao de p GaAsp
Ga1x Ax As. A gura 8.48(b) mostra o diagrama de energia sem tensao apli-
cada e a gura (c) mostra o diagrama com polarizacao direta. A regiao central
da estrutura e feita do tipo p porque a injecao de eletrons para o lado p e
mais eciente do que a injecao de buracos no sentido oposto. Quando uma
tensao e aplicada para polarizar a juncao p-n no sentido direto, os eletrons
provenientes do lado n sao injetados na regiao central tipo p. A barreira de
potencial criada na heterojuncao impede a passagem dos eletrons para o lado
p GaAAs. Como a espessura da regiao central e muito menor que o com-
primento de difusao, os pares eletron-buraco cam connados nesta regiao e
distribudos uniformemente.

A diferenca entre os ndices de refracao de GaAs e GaAAs faz com que


os fotons emitidos na recombinacao sejam reetidos na interface entre os dois
materiais, aumentando a taxa de emissao estimulada. A operacao do laser
ocorre quando a corrente ultrapassa um certo valor crtico, com emissao de
fotons com energia aproximadamente igual a do gap de GaAs, Eg = 1, 43 eV.
Isto corresponde `a radiacao no infravermelho proximo, com comprimento de
366 Materiais e Dispositivos Eletronicos

Figura 8.48: Laser de diodo semicondutor com uma juncao p-n de GaAs e uma hete-
rojuncao de GaAs GaAAs: (a) modelo unidimensional; (b) diagrama de energia em
equilbrio; (c) diagrama de energia com polarizacao direta. As linhas tracejadas indicam
o nvel de Fermi. As bolas pretas representam os eletrons e as bolas brancas representam
os buracos.

onda = 860 nm.

A descoberta no nal da decada de 1960 do laser de heterojuncao


operando a` temperatura ambiente, impulsionou as atividades de pesquisa
nesses lasers, principalmente pelo seu potencial na opto-eletronica e nas co-
municacoes opticas. Durante os anos 70 e 80, laboratorios de todo o mundo
competiram para desenvolver estruturas de heterojuncoes com menor corrente
crtica, melhor colimacao do feixe de radiacao e maior estabilidade de operacao
de lasers em diferentes comprimentos de onda. O desenvolvimento da Fsica do
Estado Solido no Brasil propiciou a criacao de um grupo de pesquisa em laser
semicondutor na Universidade Estadual de Campinas, liderado por Ripper,
que acompanhou de perto a maturacao desta tecnologia e a transferiu para
empresas nacionais.

A estrutura da Fig.8.47(b), chamada de heterojuncao dupla, representa


um avanco em relacao a de heterojuncao simples pois aumenta o connamento
Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletr
onicos 367

de portadores e de fotons na regiao central. A estrutura e o esquema de


bandas da heterojuncao dupla estao ilustrados na Figura 8.49. O fato da
camada de GaAs estar situada entre camadas de GaAAs, que tem um gap de
energia maior, acentua o poco de potencial tanto para os eletrons na banda de
conducao quanto para os buracos na banda de valencia. Uma reducao maior
na corrente crtica e na largura do feixe e alcancada utilizando um contato
metalico na forma de uma faixa estreita, com largura da ordem de 20 m, com
a geometria mostrada na Fig.8.47(