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Verso

2012
Apostila de Eletrnica Bsica
Mdulo D

Antonio Luiz dos Santos Filho


IFSP/Campus Cubato
1
CONTEDO
Captulo 7 - Transistor de Efeito de Campo (FET - Field Effect Transistor) ..............................................12
Famlias de Transistores de Efeito de campo ....................................................................................................13
Transistor de Efeito de Campo de Juno - JFET .........................................................................................13
O JFET Operando na Regio Linear ou Resistiva .........................................................................................18
o JFET Operando na Regio de Pinch-Off .......................................................................................................23
O JFET Como Amplificador - Modelo Para Pequenos Sinais e Baixas Frequncias .......................29
Transistor de Efeito de Campo de Porta Isolada - IGFET ou MOSFET .....................................................33
O MOSFET de Induo ............................................................................................................................................33
MOS Complementar (CMOS) ................................................................................................................................40
O MOSFET de Depleo ..........................................................................................................................................41
Observaes Gerais Sobre os MOSFETs de Induo e de Depleo .....................................................44
MOSFETs de Potncia ..................................................................................................................................................45
Transistor Bipolar de Porta Isolada .......................................................................................................................46
Captulo 8 - Amplificadores Operacionais: Fundamentos .................................................................................48
Amplificador Diferencial.............................................................................................................................................50
Caractersticas Importantes de um OPAMP Real .............................................................................................51
Ganho de Tenso em Malha Aberta (Ao) .........................................................................................................52
Tenso de Offset de Entrada (vio) .......................................................................................................................52
Corrente de Polarizao de Entrada (IB) .........................................................................................................53
Corrente de Offset de Entrada (Ios) ....................................................................................................................54
Slew Rate (Mxima Taxa de Variao do Sinal de Sada - SR) ................................................................54
Produto Ganho x Banda Passante (GBW - Gain x Band Width) .............................................................55
Tenso Diferencial de Entrada (VID) .................................................................................................................56
Faixa Permitida de Tenses de Entrada (VI) .................................................................................................56
Mxima Excurso do Sinal de Sada (VOM) ......................................................................................................56
Drift (Desvio) ..............................................................................................................................................................56
Amplificador Operacional Ideal ...............................................................................................................................58
Princpios Fundamentais na Anlise de Circuitos com OPAMPs Ideais .............................................59
Circuitos Utilizando Amplificadores Operacionais .....................................................................................60
Captulo 9 - Aplicaes Lineares dos Amplificadores Operacionais..............................................................61
Amplificadores com OPAMPs ...................................................................................................................................61
Amplificador Inversor.............................................................................................................................................61
Amplificador Somador Inversor .........................................................................................................................63
2
Amplificador No-Inversor ...................................................................................................................................64
Seguidor de Tenso ou Buffer Analgico .......................................................................................................64
Amplificador Subtrator ou Diferencial.............................................................................................................65
Amplificadores de Instrumentao ...................................................................................................................66
Integrao e Derivao em Circuitos Eltricos .............................................................................................68
Amplificador Integrador Inversor .....................................................................................................................68
Amplificador Diferenciador Inversor ...............................................................................................................71
Conversores de Sinal ....................................................................................................................................................72
Conversor de Corrente para Tenso .................................................................................................................72
Conversor de Tenso para Corrente .................................................................................................................73
Reguladores de Tenso ..........................................................................................................................................74
Filtros Ativos ...................................................................................................................................................................76
Filtro Passa-Baixas Ativo com Amplificador Operacional .......................................................................77
Filtro Passa-Baixas Ativo com Amplificador Operacional .......................................................................77
Filtro Passa-Faixa Ativo com Amplificador Operacional ..........................................................................78
Filtro Rejeita-Faixa Ativo com Amplificador Operacional .......................................................................79
Captulo 10 - Aplicaes No-Lineares dos Amplificadores Operacionais ................................................80
Comparadores de Tenso...........................................................................................................................................80
Circuitos Integrados Especiais Para Uso Como Comparadores.............................................................82
Detetor de Janela .......................................................................................................................................................84
Detetor Para Quatro Nveis de Tenso.............................................................................................................86
Disparador de Schmitt (Schmitt Trigger) .......................................................................................................86
Amplificadores No-Lineares ...................................................................................................................................89
Amplificador Logartmico .....................................................................................................................................89
Amplificadores Exponenciais...............................................................................................................................90
Retificadores Ativos......................................................................................................................................................91
Retificador Ativo de Meia-Onda ..........................................................................................................................92
Retificador Ativo de Onda Completa.................................................................................................................93
Detetor de Pico...........................................................................................................................................................94
Captulo 11 Osciladores com Circuitos Integrados ...........................................................................................95
Osciladores Harmnicos .............................................................................................................................................96
Oscilador Harmnico Ponte de Wien Usando Operacional .....................................................................98
Oscilador Harmnico por Deslocamento de Fase (Phase Shift) ......................................................... 100
Oscilador Phase Shift Utilizando Amplificador Operacional................................................................ 101
Oscilador Harmnico de Quadratura com Operacional ......................................................................... 102
3
Osciladores de Relaxao ........................................................................................................................................ 103
Multivibrador Astvel com OPAMP ................................................................................................................ 103
Gerador de Ondas Triangulares e Quadradas ............................................................................................ 105
O Circuito Integrado 555 ......................................................................................................................................... 107
Operao do 555 Como Multivibrador Astvel ......................................................................................... 108
Operao do 555 Como Temporizador (Multivibrador Monoestvel - One-Shot) .............. 110
Captulo 12 TIRISTORES ........................................................................................................................................... 113
SCR - Retificador Controlado de Silcio.............................................................................................................. 113
Mtodos de Disparo de um SCR ....................................................................................................................... 114
Comutao de um SCR ......................................................................................................................................... 119
Aplicaes do SCR....................................................................................................................................................... 120
Utilizao do SCR em Regime de Tenso Contnua e Constante......................................................... 121
Utilizao do SCR com Tenso Contnua Pulsante (Tenso Senoidal Retificada) ....................... 125
TRIAC - Triodo de Corrente Alternada .............................................................................................................. 127
Curva Caracterstica de um TRIAC.................................................................................................................. 129
Comutao de um TRIAC .................................................................................................................................... 130
Circuitos de Disparo Para Tiristores .................................................................................................................. 130
Circuito Resistivo ................................................................................................................................................... 130
Circuito Capacitivo ................................................................................................................................................ 132
Circuitos de Disparo com Dispositivos de Resistncia Negativa........................................................ 133
Circuitos de Disparo Usando Circuitos Integrados Especiais .............................................................. 140
Circuitos de Disparo com Atuao On/Off................................................................................................... 145

4
NDICE DE FIGURAS
Figura 7-1 Estrutura Interna e Simbologia dos JFETs Canal N e Canal P .................................................13
Figura 7-2 Polarizao de um JFET Canal N.........................................................................................................14
Figura 7-3 Corrente de Dreno de um JFET em Funo da Tenso Entre Dreno e Source.................15
Figura 7-4 Comportamento do JFET Para Tenses VGS Diferentes de Zero ..........................................16
Figura 7-5 Detalhamento do Limite Entre as Regies Linear e de Pinch-off de um JFET .................17
Figura 7-6 Detalhamento da Regio Linear de Operao de um JFET Canal N .....................................18
Figura 7-7 - JFET Utilizado em Controle Automtico de Ganho ......................................................................20
Figura 7-8 - Circuito Bsico de Chaveamento com JFET e Respectivas Formas de Onda.....................21
Figura 7-9 JFET Como Chave em Paralelo ............................................................................................................22
Figura 7-10 Diagrama Bsico de Multiplexador Analgico Utilizando JFET ..........................................22
Figura 7-11 Curva de Transferncia de um JFET Operando na Regio de Pinch-off ..........................23
Figura 7-12 Limites para as Curvas de Transcondutncia de um JFET ....................................................25
Figura 7-13 Polarizao Independente para o Gate e Efeito da Variao dos Parmetros do JFET
...................................................................................................................................................................................................................25
Figura 7-14 Circuito de Autopolarizao e Efeito da Variao dos Parmetros do JFET ..................26
Figura 7-15 Polarizao com Divisor de Tenso e Efeito da Variao dos Parmetros do JFET ..28
Figura 7-16 Modelo para Pequenos Sinais de um JFET...................................................................................29
Figura 7-17 Modelo Alternativo para Pequenos Sinais de um JFET .........................................................31
Figura 7-18 - Estrutura dos MOSFETs de Induo com Canal N e Canal P .................................................33
Figura 7-19 - Formao do Canal pela Tenso entre o Gate e o Substrato num NMOS de Induo .34
Figura 7-20 Curvas Caractersticas de Transferncia e de Sada para um NMOS de Induo ........35
Figura 7-21 Smbolos Mais Comuns para o NMOS de Induo ....................................................................36
Figura 7-22 Smbolos Mais Comuns para o PMOS de Induo .....................................................................36
Figura 7-23 Circuito de Polarizao Fixa para um NMOS de Induo ......................................................37
Figura 7-24 - Circuito de Polarizao Autopolarizante para um NMOS de Induo...............................38
Figura 7-25 - Circuito de Polarizao com Divisor de Tenso No Gate para um NMOS de Induo 39
Figura 7-26 Estrutura Bsica de um Dispositivo CMOS ..................................................................................40
Figura 7-27 Circuito Lgico com Clula CMOS e Circuito Equivalente para vi = 0 e vi = 1 .......40
Figura 7-28 - Estrutura dos MOSFETs de Depleo com Canal N e Canal P ...............................................41
Figura 7-29 - MOSFET de Depleo de Canal N nos Modos de Induo e de Depleo .........................42
Figura 7-30 - Curvas Caractersticas de Transferncia e de Sada para um NMOS de Depleo .......43
Figura 7-31 Smbolos Mais Usados para Representar o Nmos e o PMOS de Depleo ......................43
Figura 7-32 - Estrutura, Smbolo e Circuito Equivalente de um IGBT ..........................................................46
Figura 8-1 Diagrama em Blocos de um Amplificador Operacional Genrico .........................................48
Figura 8-2 Diagrama Interno de Um Amplificador Operacional Simples ................................................49
Figura 8-3 Smbolo do Amplificador Operacional, Aspecto Fsico e Conexes .....................................49
Figura 8-4 Amplificador Diferencial Polarizado por Fonte de Corrente Constante ............................50
Figura 8-5 Tcnica de Compensao da Tenso de Offset de Entrada de um OPAMP Real .............52
Figura 8-6- Tcnicas para a Compensao Externa da Tenso de Offset de Entrada ............................53
Figura 8-7 Efeito das Correntes de Polarizao de Entrada de um OPAMP Real .................................53
Figura 8-8 Efeito do Slew Rate Sobre o Sinal de Sada de um OPAMP Real ............................................54
Figura 8-9 Relao entre Ganho de Tenso e Banda Passante num OPAMP Real................................55

5
Figura 9-1 Diagrama Bsico do Amplificador Inversor com OPAMP ........................................................61
Figura 9-2 Diagrama do Amplificador Somador Inversor com OPAMP ...................................................63
Figura 9-3 Diagrama do Amplificador No-Inversor com OPAMP .............................................................64
Figura 9-4 Obtendo um Buffer Analgico a Partir de um Amplificador No-Inversor ......................64
Figura 9-5 Exemplo Prtico de Utilizao do Seguidor de Tenso com OPAMP...................................65
Figura 9-6 Diagrama Bsico do Amplificador Subtrator ................................................................................65
Figura 9-7 Subtrator Utilizado Para Processar o Sinal de uma Ponte de Wheatstone .......................66
Figura 9-8 Diagrama Bsico de um Amplificador de Instrumentao ......................................................67
Figura 9-9 Diagrama Bsico de um Integrador Inversor com Operacional ............................................68
Figura 9-10 Circuito Prtico de Integrador com Operacional ......................................................................70
Figura 9-11 Circuito Integrador com MOSFET para a Descarga do Capacitor ......................................70
Figura 9-12 Diagrama Bsico de um Diferenciador Inversor com Operacional ...................................71
Figura 9-13 Circuito Prtico de Diferenciador com Operacional ................................................................71
Figura 9-14 Influncia da Resistncia Interna de uma Fonte de Corrente .............................................72
Figura 9-15 Diagrama Bsico de um Conversor Corrente-Tenso .............................................................72
Figura 9-16 Conversor de Tenso Para Corrente Usando OPAMP .............................................................73
Figura 9-17 Conversores Tenso-Corrente com Transistor Bipolar .........................................................74
Figura 9-18 Regulador de Tenso Usando Amplificador Operacional......................................................74
Figura 9-19 Regulador de Tenso com Proteo Contra Sobrecorrente .................................................75
Figura 9-20 Aspecto Fsico e Smbolo de um CI Regulador de Tenso com Trs Terminais ...........75
Figura 9-21 Curvas de Resposta dos Diversos Tipos de Filtro.....................................................................76
Figura 9-22 Filtro Ativo Passa-Baixas No-Inversor ........................................................................................77
Figura 9-23 Filtro Ativo Passa-Altas No-Inversor ...........................................................................................77
Figura 9-24 Filtro Ativo Passa-Faixa No-Inversor ..........................................................................................78
Figura 9-25 Mtodo para a Implementao de um Filtro Rejeita-Faixa ..................................................79
Figura 10-1 Diagrama Bsico de um Comparador de Tenses com OPAMP..........................................80
Figura 10-2 Diagrama Bsico de um Comparador Inversor .........................................................................81
Figura 10-3 Comparador com Nveis de Tenso de Sada com Mdulos Diferentes ..........................81
Figura 10-4 Sada do Tipo Coletor Aberto e Ligao do Resistor Externo ..............................................83
Figura 10-5 Pinagem dos Circuitos Integrados da Famlia X39...................................................................83
Figura 10-6 Pinagem da Famlia X11 e Circuito de Aplicao Usando o Terminal de Strobe .........84
Figura 10-7 Diagrama Bsico de um Detetor de Janela e Comportamento do Seu Sinal de Sada .85
Figura 10-8 Implementao de Detetor de Janela Usando Operacionais Convencionais .................85
Figura 10-9 Detetor de Janela com Quatro Nveis de Referncia .................................................................86
Figura 10-10 Transies Esprias na Sada de um Comparador, Devidas Presena de Rudo ...87
Figura 10-11 Diagrama Bsico de um Disparador de Schmitt .....................................................................87
Figura 10-12 Curva de Transferncia de um Disparador de Schmitt........................................................88
Figura 10-13 - Diagrama, Curva de Transferncia e Equaes de um Schmitt Trigger No-inversor
...................................................................................................................................................................................................................88
Figura 10-14 Diagrama Bsico de um Amplificador Logartmico com Operacional ...........................89
Figura 10-15 Amplificador Inversor Logartmico Realimentado com Transistor Bipolar ...............90
Figura 10-16 Diagramas Bsicos de Amplificador Exponencial com Operacional ..............................90
Figura 10-17 Efeito da Tenso de Limiar de um Diodo Sobre os Sinais Retificados...........................91
Figura 10-18 Diagrama de um Retificador Ativo de Meia-Onda .................................................................92
Figura 10-19 Diagrama Aperfeioado de Retificador Ativo de Meia-Onda.............................................92

6
Figura 10-20 Diagrama de um Retificador Ativo de Onda Completa ........................................................93
Figura 10-21 Diagrama Bsico e Formas de Onda de um Detetor de Pico com OPAMP ....................94
Figura 10-22 Detetor de Pico com Buffer de Sada e Circuito de Reset....................................................94
Figura 11-1 Princpio de Operao de um Oscilador Harmnico ...............................................................96
Figura 11-2 Efeito do Produto dos Ganhos Sobre o Sinal de Sada do Oscilador Harmnico .........97
Figura 11-3 Duas Diferentes Representaes do Oscilador Ponte de Wien Bsico com OPAMP ..98
Figura 11-4 Diagramas de Oscilador Ponte de Wien com Estabilizao de Amplitude .....................99
Figura 11-5 Diagramas Bsicos dos Osciladores por Deslocamento de Fase ..................................... 100
Figura 11-6 Oscilador Phase-Shift com Amplificador Operacional ......................................................... 101
Figura 11-7 Oscilador por Deslocamento de Fase com Estabilizao de Amplitude ....................... 101
Figura 11-8 Oscilador de Quadratura com Amplificadores Operacionais ........................................... 102
Figura 11-9 Grfico dos Sinais de Sada vo1 e vo2 .......................................................................................... 103
Figura 11-10 Diagrama de um Multivibrador Astvel com OPAMP ....................................................... 103
Figura 11-11 Formas de Onda num Multivibrador Astvel com OPAMP ............................................. 104
Figura 11-12 Diagrama e Formas de Onda Num Gerador de Ondas Triangulares e Quadradas 105
Figura 11-13 Oscilador com Limitao de Amplitude Usando Diodos Zener ..................................... 106
Figura 11-14 - Diagrama em Blocos e Aspecto Fsico de Diversos Encapsulamentos do C.I. 555 . 107
Figura 11-15 Tabela-Verdade de um Flip-Flop RS ......................................................................................... 108
Figura 11-16 Diagrama de um Multivibrador Astvel com o CI 555 ...................................................... 108
Figura 11-17 Formas de Onda Principais de um Multivibrador Astvel Usando o CI 555 ............ 109
Figura 11-18 Diagrama do Multivibrador Monoestvel (Temporizador) com o CI 555 ................ 110
Figura 11-19 Formas de Onda num Temporizador em Funo dos Pulsos de Entrada ................. 111
Figura 12-1 Estrutura Interna, Simbologia e Aspectos Fsicos de um SCR .......................................... 113
Figura 12-2 Mecanismo de Disparo de um SCR Atravs de Aplicao de Corrente no Gate......... 114
Figura 12-3 Curva Caracterstica de um SCR .................................................................................................... 115
Figura 12-4 Smbolo E Estrutura do Retificador Controlado de Silcio Foto-Ativado ..................... 117
Figura 12-5 Mecanismo de Disparo por Variao de Tenso .................................................................... 118
Figura 12-6 Exemplos de Redes Amortecedoras ............................................................................................ 118
Figura 12-7 Smbolos para um GTO ..................................................................................................................... 119
Figura 12-8 Circuito de Chaveamento com SCR e Seu Equivalente com Chave Comum ................ 121
Figura 12-9 Dois Mtodos Para Permitir a Comutao do SCR ................................................................ 122
Figura 12-10 Circuito de Chaveamento Utilizando o Mtodo de Comutao Forada ................... 122
Figura 12-11 Circuito Equivalente Aps o Disparo do SCR Principal .................................................... 123
Figura 12-12 Mecanismo de Comutao Forada do SCR Principal ....................................................... 123
Figura 12-13 Tenso Sobre a Carga em Funo dos Pulsos de Disparo dos SCRs ............................ 124
Figura 12-14 Influncia do Intervalo Entre os Disparos Sobre o Ciclo de Trabalho........................ 124
Figura 12-15 Utilizao do SCR em Regime Senoidal, Sem e Com Retificao Prvia..................... 125
Figura 12-16 SCR Como Interruptor (com Retificao Prvia da Tenso de Entrada)................... 125
Figura 12-17 Utilizao do SCR Como Controlador de Potncia .............................................................. 126
Figura 12-18 Ligao Antiparalela de Dois SCRs ............................................................................................ 128
Figura 12-19 Simbologia e Estrutura Interna de um TRIAC ...................................................................... 128
Figura 12-20 Quadrantes de Disparo de um TRIAC ...................................................................................... 129
Figura 12-21 Curva Caracterstica de um TRIAC ............................................................................................ 130
Figura 12-22 Circuitos Resistivos Para o Disparo de Tiristores............................................................... 131
Figura 12-23 Circuito de Disparo Capacitivo Para SCR................................................................................ 132

7
Figura 12-24 Curva Caracterstica de um Dispositivo Unilateral de Resistncia Negativa ........... 133
Figura 12-25 Diagrama Genrico de um Oscilador de Relaxao com DRN........................................ 134
Figura 12-26 Formas de Onda no Oscilador de Relaxao com DRN ..................................................... 134
Figura 12-27 Estrutura, Smbolo, Circuito Equivalente e Aspecto Fsico de um UJT....................... 135
Figura 12-28 Oscilador de Relaxao com UJT ................................................................................................ 136
Figura 12-29 Estrutura Interna e Simbologia de um DIAC ......................................................................... 137
Figura 12-30 Diagrama de um Oscilador de Relaxao Utilizando DIAC ............................................. 138
Figura 12-31 Circuito com Sincronismo Direto com a Rede e Algumas Formas de Onda .............. 138
Figura 12-32 Circuito Para Controle de Potncia Sobre Cargas AC ........................................................ 139
Figura 12-33 - Circuito de Controle de Potncia com Dupla Rede RC, Filtro e Amortecedor.......... 140
Figura 12-34 Pinagem e Diagrama em Blocos do Circuito Integrado TCA785................................... 141
Figura 12-35 Influncia do Pino 12 Sobre a Durao dos Pulsos de Disparo ..................................... 143
Figura 12-36 Circuito de Disparo Tpico Utilizando o CI TCA785 ........................................................... 144
Figura 12-37 Circuito de Disparo Foto-Ativado .............................................................................................. 146

8
Informaes teis
1) Ementa do Curso: O contedo programtico ser dividido em unidades, a saber:

Transistores de Efeito de Campo


Amplificadores Operacionais
Osciladores com Amplificadores Operacionais e com o Circuito Integrado 555
Tiristores.

Esse programa ser desenvolvido conforme a capacidade de absoro da Turma e de acordo com
a durao do Mdulo, podendo, eventualmente, no ser ministrado em sua totalidade.

Ao final de cada unidade ser dada uma Lista de Exerccios, que poder ser resolvida
individualmente ou por grupos de at quatro alunos.

2) Provas Escritas: Sero realizadas 2 Provas Escritas, compostas das seguintes sees:

Laboratrio: Essa seo vale 2 pontos e conter de 1 a 3 questes referentes aos experimentos
de Laboratrio realizados at a data da Prova. Nessa seo no h possibilidade de escolha das
questes a serem resolvidas nem de seu valor.
Parte Discursiva: Essa seo vale 3 pontos e conter 5 questes, das quais o aluno dever
responder 3, escolhidas a seu critrio. O aluno tambm poder escolher o valor de cada questo,
desde que, simultaneamente: a soma dos valores atribudos s trs questes escolhidas seja igual
a 3 pontos, nenhuma delas receba valor maior do que 2 pontos, e nenhuma delas receba valor
inferior a 0,5 pontos.

Parte de Clculos e Anlise: Essa seo vale 5 pontos e conter 4 questes, das quais o aluno
dever resolver 3, escolhidas a seu critrio. O aluno tambm poder escolher o valor de cada
questo, desde que, simultaneamente: a soma dos valores atribudos s trs questes escolhidas
seja igual a 5 pontos, nenhuma delas receba valor maior do que 2 pontos, e nenhuma delas receba
valor inferior a 1 ponto.
Qualquer situao diferente das acima descritas, seja no que se refere ao nmero de questes
respondidas em cada seo da prova, seja no que se refere aos valores atribudos s questes, ser
resolvida a critrio exclusivo do professor. O contedo das Provas Escritas ser o mesmo coberto pelas
duas ltimas Listas de Exerccios realizadas anteriormente. Aps cada duas Listas de Exerccios ser
realizada uma Prova Escrita. Assim, a divulgao do gabarito da 2 e da 4 Lista de Exerccios serve,
respectivamente, como aviso quanto realizao da 1 e da 2 Prova Escrita.

3) Prova Substitutiva: De acordo com as Normas Acadmicas do Curso, o aluno que faltar num dia de
Prova tem direito a realizar uma Prova Substitutiva, desde que requeira tal direito junto CAE, num
prazo mximo de 48 horas aps a realizao da prova perdida. Esse direito cobre apenas a perda de uma
prova, ou seja, o aluno que perder as duas provas poder fazer apenas uma substitutiva. Essa prova
poder ser aplicada, a critrio do Professor, fora do horrio normal das aulas, ou ao final do mdulo, na
aula imediatamente anterior realizao do Processo Final de Avaliao. Ressalta-se que a Prova
Substitutiva dada apenas aos alunos que tiverem perdido uma prova, e no queles que fizeram a prova
e foral mal sucedidos.

9
4) Recuperao Paralela: Ser proporcionado ao aluno que tiver nota inferior a 6,0 em qualquer das 2
Provas Escritas um processo paralelo de recuperao. Esse processo ser realizado atravs da incluso
em cada Prova (com a bvia exceo da primeira) de questes referentes prova anterior. As questes
de recuperao paralela tero seu valor medido em porcentagem. 20% sero referentes a duas questes
discursivas, 20% sero referentes a uma ou duas questes de Laboratrio e os 60% restantes sero
referentes a uma questo de clculo e/ou anlise. O aluno que obtiver 100% nessas questes ter o valor
da nota da prova anterior alterado para 6. Para porcentagens inferiores, a nota ser alterada de modo
proporcional.

5) Orientaes Sobre os Relatrios de Experimentos Prticos: Os Relatrios dos experimentos devem


ser redigidos em conformidade com os princpios estudados em Metodologia do Trabalho Cientfico,
devendo conter: uma breve introduo terica a respeito do assunto (no ser aceita uma mera
transcrio da apostila), os requisitos de projeto (quando houver), o diagrama do circuito, a memria de
clculo, os valores efetivamente utilizados, explicao sobre o procedimento experimental, resultados
obtidos (descries, grficos, tabelas, etc.). O item mais relevante a comparao entre os resultados
obtidos e aqueles previstos pela teoria. Isso deve incluir os clculos tericos e comentrios explicando as
razes para eventual discrepncia e as concluses decorrentes da realizao do experimento. Os
Relatrios devem incluir tambm as referncias bibliogrficas consultadas. Obviamente, nem todos esses
itens sero aplicveis a todos os experimentos. Deve ser entregue um relatrio por grupo de trabalho
(bancada) e o prazo para a entrega at a realizao do prximo experimento, a menos que especificado
em contrrio pelo professor.

6) Critrio de Avaliao: A Nota do Componente Curricular (NCC) do curso ser obtida atravs da
Pfff
1f
f
f+fffff
f
f
Pf
ff
2f
f
f
frmula: NCC = , onde P1 a Nota da 1 metade do Mdulo e onde P2 a Nota da 2 metade do
2
Mdulo.

A nota da Nota da 1 metade do Mdulo ser obtida pela frmula:


ff
ff
ff
f
5BPVf
ff
ff
ff
ff
f
1f
ff
+ffff
ff
ff
ff
f
3BMRf
ff
ff
ff
ff
ff
f
1f
ff
+fffff
ff
ff
ff
f
2BMLf
ff
ff
ff
ff
f
1f
ff
P1 = , onde PV1 a nota da 1 Prova Escrita, MR1 a mdia das notas dos
10
Relatrios das experincias de Laboratrio referentes primeira parte da matria e ML1 a mdia das
notas das Listas de Exerccios referentes primeira parte da matria.

A nota da Nota da 2 metade do Mdulo ser obtida pela frmula:


ff
ff
ff
f
5BPVf
ff
ff
ff
ff
f
2f
ff
+fffff
ff
ff
ff
f
3BMRf
ff
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ff
ff
ff
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2f
ff
+ffff
ff
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2BMLf
ff
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ff
ff
ff
2f
ff
P1 = , onde PV2 a nota da 2 Prova Escrita, MR2 a mdia das notas dos
10
Relatrios das experincias de Laboratrio referentes parte final da matria e ML1 a mdia das notas
das Listas de Exerccios referentes parte final da matria. Eventual arredondamento de nota ser
realizado apenas aps o clculo da Nota do Componente Curricular.

Como se pode notar pelo critrio exposto acima, metade da Nota do Componente Curricular se
refere a atividades individuais (Provas Escritas) e a outra metade se refere a atividades em grupo
(Relatrios de Experincias de Laboratrio e Listas de Exerccios).

Alunos com NCC 5,75 (valor que arredondado para 6,0) estaro aprovados na disciplina e
alunos com NCC < 3,75 (que arredondado para 4,0) estaro retidos. Nesses dois casos, a Mdia Final
ser igual Nota do Componente Curricular.

10
7) Processo Final de Avaliao (PFA): Os alunos que obtiverem Nota do Componente Curricular
inferior a 6 (seis) e igual ou superior a 4 (quatro) podero participar do Processo Final de Avaliao
(PFA), a ser realizado na ltima semana do mdulo. O PFA consistir de uma terceira Prova Escrita
abrangendo toda a matria do Mdulo e que ser composta por 4 questes discursivas, cada uma valendo
0,5 (meio ponto), num total de 2,0 (dois pontos); por 4 questes de clculo e/ou anlise, cada uma
valendo 1,5 (um ponto e meio), num total de 6,0 (seis pontos); e 2 questes de Laboratrio, cada uma
valendo 1,0 (um ponto), num total de 2,0 (dois pontos). No haver nessa prova escolha de questes a
serem resolvidas nem de seus valores. A Mdia Final ser o maior valor entre a Nota do Componente
Curricular e a nota obtida no Processo Final de Avaliao.

Note-se que a Recuperao Paralela da 2 Prova Escrita ser realizada em conjunto com o PFA.
Se, por acaso, a nota obtida aps a recuperao for suficiente para a aprovao do aluno, o PFA ser
desconsiderado.

8) Apostila: O curso baseado na presente apostila, e sua impresso fortemente recomendada. O


aluno dever acompanhar as aulas tendo em seu poder a apostila. A princpio, as nicas anotaes
necessrias se referem resoluo dos Exemplos Numricos que sero propostos durante as aulas, alm
de correes de eventuais erros presentes no texto.

9) Devoluo e Guarda dos Trabalhos: Todos os trabalhos realizados ao longo do Curso (Listas de
Exerccios, Relatrios e Provas Escritas) sero devolvidos aos alunos aps sua correo. Essa devoluo
ser feita durante o horrio oficial de aulas e, se o aluno no estiver presente, o trabalho ser entregue ao
Representante da Turma ou ao seu vice. Os trabalhos devero ser cuidadosamente guardados at o
encerramento do mdulo, para comprovao no caso de notas no lanadas ou lanadas com erro. Tais
retificaes sero feitas exclusivamente mediante a apresentao do trabalho correspondente, antes da
data estipulada para a entrega dos resultados finais Secretaria.

10) Resultado Final: Realizadas todas as atividades previstas neste documento e calculada a Mdia Final
de acordo com o exposto nos itens 4 e 5 deste documento, no caber qualquer recurso junto ao
professor para que a Mdia Final seja alterada (realizao de prova-extra, trabalho-extra, etc.). Isso deve
estar bem claro para o aluno, a fim de que sejam evitadas situaes constrangedoras para si mesmo e
para o professor.

11) Bibliografia Recomendada: A apostila que serve como base para o Curso possui o contedo
estritamente necessrio. As fontes de referncia mais completas so livros, que abrangem um nmero
maior de tpicos e, em geral, com maior profundidade. Um nico livro pode servir como referncia para
vrias disciplinas do Curso. Portanto, sempre que possvel, os livros devem ser adquiridos.
Recomendam-se as seguintes obras, listadas em ordem crescente de complexidade:
a. Eletrnica (2 volumes) Autor: Malvino Editora Makron Books
b. Eletrnica (2 volumes) Autores: Millmann e Halkias Editora Makron Books
c. Microeletrnica Autores: Sedra e Smith Editora Pearson Education
Todas essas obras esto disponveis na Biblioteca da Escola.

12) Site: O material referente ao curso (Apostila, Listas de Exerccios, Resoluo de Listas e Provas, etc.)
estar disponvel no site www.prof-antonio-luiz.webnode.com.

11
CAPTULO 7 - TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (FET -
FIELD EFFECT TRANSISTOR)

No estudo sobre o transistor bipolar de juno, vimos que a conduo de corrente eltrica nesse
dispositivo se d por meio de dois tipos de portadores de carga eltrica: os eltrons livres e as lacunas,
sendo essa a razo para o adjetivo bipolar.
Existe, entretanto, um tipo de transistor no qual apenas um dos tipos de portadores responsvel
pela conduo da corrente, sendo, portanto, um dispositivo unipolar trata-se do transistor de efeito
de campo (FET - de Field Effect Transistor), assim chamado porque o controle da corrente realizado
pela ao de um campo eltrico convenientemente aplicado.
Tomando como base o conhecimento prvio sobre o transistor bipolar de juno, estudaremos as
caractersticas, a correta polarizao e as aplicaes mais relevantes para o transistor de efeito de campo.
Sempre que possvel, ser feita uma comparao entre esses dois tipos de transistores.
Em termos de histria, a concepo dos transistores de efeito de campo anterior dos
transistores bipolares. As primeiras patentes relacionadas ao transistor de efeito de campo datam da
segunda e da terceira dcadas do sculo XX, enquanto a patente do transistor bipolar de 1948. No
entanto, a produo do transistor bipolar em escala industrial j era uma realidade em 1956, ao passo
que o transistor de efeito de campo s alcanou essa condio no incio da dcada seguinte.
As particularidades desses dois dispositivos fazem com que um apresente vantagens e
desvantagens em relao ao outro, dependendo do tipo de aplicao. Esse fato justifica que ambos
continuem sendo produzidos. A Tabela 7-1 apresenta uma comparao entre eles.

Transistor de Efeito de
Transistor Bipolar
Campo
Mxima corrente menor maior
Frequncia de corte menor maior
Linearidade menor maior
Ganho de tenso menor maior
Ganho de corrente maior menor
Impedncia de entrada maior menor
Imunidade radiao maior menor
Tolerncia temperatura maior menor
Escala de integrao maior menor
Rapidez de chaveamento maior menor
Comportamento como chave normalmente fechado normalmente aberto
Mecanismo de controle corrente tenso

TABELA 7-1 COMPARAO ENTRE TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO E TRANSISTORES BIPOLARES

A principal vantagem dos FETs a maior escala de integrao. Numa pastilha de circuito
integrado podem ser includos sete vezes mais transistores de efeito de campo do que bipolares. Isso
permite funes muito mais complexas para uma mesma rea de chip. A maior desvantagem dos FETs
seu menor produto ganho x banda passante (GBW), ou seja, um amplificador a FET ter, em geral, um
ganho menor do que um amplificador a transistor bipolar que tenha a mesma banda passante.
12
FAMLIAS DE TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Existem duas principais famlias de transistores de efeito de campo: os transistores de efeito de


campo de juno (JFET Junction Field Effect Transistor) e os transistores de efeito de campo de
porta isolada (IGFET - Insulated Gate Field Effect Transistor), mais conhecidos como transistores de
efeito de campo de metal-xido-semicondutor (MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect
Transistor). O desenvolvimento posterior levou ao surgimento de vrias outras famlias, entre as quais
os transistores de efeito de campo de heterojuno (HFET Heterojunction Field Effect Transistor),
os transistores de efeito de campo de metal-semicondutor (MESFET Metal-Semiconductor Field
Effect Transistor) e os transistores de efeito de campo sensveis a ons (ISFETs Ion Sensitive Field
Effect Transistor). Nosso estudo abranger apenas as duas primeiras famlias.

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE JUNO - JFET

O JFET consiste basicamente numa barra semicondutora cuja condutncia controlada pela
aplicao de um campo eltrico perpendicular ao fluxo da corrente. Esse campo eltrico resultante da
polarizao reversa de uma juno PN que se forma na regio intermediria da barra. Em cada uma das
extremidades so feitos contatos hmicos para a colocao de terminais, fazendo-se o mesmo na regio
onde se formou a juno. A barra semicondutora recebe o nome de canal e a regio de dopagem oposta
no meio do canal chamada de porta ou gate (G), sendo a regio de gate muito mais fortemente dopada
do que o canal.
A corrente no canal composta exclusivamente de portadores majoritrios. O terminal por onde
esses portadores entram no canal (a origem dos portadores) chamado de fonte ou source (S) e o
terminal por onde eles saem do canal (o destino dos portadores) chamado de dreno ou drain (D). Da
mesma forma que existem transistores bipolares dos tipos NPN e PNP, existem JFETs de canal N (cuja
corrente constituda de eltrons livres) e de canal P (cuja corrente constituda de lacunas).
Lembrando que os eltrons livres possuem maior mobilidade do que as lacunas, muito mais frequente o
uso de JFETs de canal N do que de JFETs de canal P. A Figura 7-1 mostra o aspecto construtivo e a
simbologia dos JFETs canal N e canal P. Note-se que a diferenciao entre as simbologias feita pelo
terminal de gate. Uma seta apontando para dentro do smbolo indica uma regio com dopagem do tipo P.
Assim, um gate canal P significa que o canal do tipo N. No caso do JFET canal P, a seta representativa
do gate aponta para fora, indicando uma regio com dopagem do tipo N.
Dreno (D) Dreno (D)

Gate (G) Gate (G)

Source (S) Source (S)

FIGURA 7-1 ESTRUTURA INTERNA E SIMBOLOGIA DOS JFETS CANAL N E CANAL P

13
O desenho da estrutura permite observar que,
que, ao contrrio do que ocorre em relao ao emissor e
o coletor de um transistor bipolar, o dreno e o source de um JFET no se encontram em regies
diferentes, mas se encontram em extremidades opostas de uma mesma regio (no caso, o canal). Assim,
caso se aplique uma tenso entre o dreno e o source, existe um caminho livre para a circulao da
corrente, no havendo nenhuma barreira representada por uma juno reversamente polarizada (como
ocorre quando se aplica uma tenso entre o coletor e o emissor de um transistor bipolar).

Outro detalhe importante que a regio de gate se localiza mais prxima


pr ao source do que ao
dreno. Esse fato expresso na simbologia com a colocao da seta indicativa do gate mais prxima ao
terminal que representa o source. Deve-se
Deve se tomar cuidado, no entanto, porque muitos diagramas utilizam
uma simbologia para o JFET em que a seta do gate se encontra exatamente no centro da distncia entre o
dreno e o source. A forma mais segura de identificao dos terminais, portanto, por meio da
configurao dos circuitos de polarizao, que iremos abordar a seguir.

POLARI
POLARIZAO E PRINCPIO DE OPERAO DO JFET

A polarizao de um JFET requer a aplicao de duas tenses: uma entre o gate e o source (VGS) e
outra entre o dreno e o source (VDS). A correta polarizao de um JFET exige que a juno gate-source
gate
seja reversamente polarizada. dessa forma que se obtm a alta impedncia de entrada do dispositivo.
Com relao tenso entre dreno
dre e source, ela deve ter polaridade tal que os portadores majoritrios do
idade da tenso VDS deve ser oposta da
canal se desloquem do source para o dreno. Para tanto, a polaridade
tenso VGS, considerando o source como o terminal de referncia.

Tomando como exemplo um JFET de canal N (de uso mais frequente), o gate, que do tipo P, deve
ter potencial negativo em relao ao source. Consequentemente,
Consequentemente, o dreno deve ter potencial negativo em
relao ao source. A Figura 7-2
2 ilustra a correta polarizao de um JFET canal N.

regio de regio de
depleo depleo

VDS

WCH
VGS

FIGURA 7-2 POLARIZAO DE UM JFET CANAL N

Como visto anteriormente, na zona intermediria de uma juno PN existe uma regio desprovida
de cargas mveis (e, assim, isolante), chamada de regio de depleo.. No caso de uma juno
reversamente polarizada, a largura da regio de depleo ser proporcional
cional ao mdulo da tenso
aplicada.
14
Suponhamos inicialmente que a tenso VGS esteja ajustada em zero (curto-circuito entre gate e
source). Com a aplicao da tenso VDS entre dreno e source, os portadores majoritrios do canal
(eltrons livres, no caso de um JFET canal N) passam a fluir atravs do mesmo, estabelecendo-se a
corrente de dreno ID. A Figura 7-3 ilustra essa situao e mostra o comportamento da corrente de dreno
em funo da tenso entre dreno e source.

RD

VDD avalanche

FIGURA 7-3 CORRENTE DE DRENO DE UM JFET EM FUNO DA TENSO ENTRE DRENO E SOURCE

Um fato importante a observar que a tenso VDS tambm contribui para a polarizao reversa
da juno porta-canal. Como o canal N e possui potencial positivo, enquanto a tenso do gate zero, a
juno est, de fato, reversamente polarizada. A tenso VDS se distribui linearmente ao longo do
comprimento l do canal. Logo, quanto mais prximo ao dreno, maior ser a polarizao reversa. Como a
largura da regio de depleo proporcional ao valor da tenso reversa, isso explica porque o canal
mais estreito nas proximidades do dreno do que nas proximidades do source.

Para pequenos valores de VDS, a regio de depleo entre o gate e o canal se mantm
relativamente estreita, e seu efeito sobre a corrente de dreno desprezvel, existindo, portanto, uma
relao linear entre a corrente de dreno e a tenso VDS. Esse o comportamento na primeira parte da
curva caracterstica, que compreende a regio de operao chamada de linear, resistiva ou de triodo.

medida que a tenso VDS aumenta, a regio de depleo avana para o interior do canal,
reduzindo sua largura efetiva. Dessa forma, diminui a variao de corrente devida a uma dada variao
de tenso, isto , a inclinao da curva, vai diminuindo, at que chega o ponto em que o aumento da
tenso VDS acarreta um aumento na mesma proporo na resistncia do canal. A esse fenmeno d-se o
nome de pinamento, estrangulamento, constrio ou pinch-off. Como possvel observar atravs
do grfico, aps o estrangulamento a corrente de dreno varia muito pouco com o aumento da tenso
entre dreno e source, o que caracteriza uma saturao do valor da corrente de dreno. Esse valor
estabilizado de corrente, obtido com VGS = 0 chamado de mxima corrente de saturao de dreno
(IDss).

Note-se que no possvel fechar totalmente o canal apenas aumentando-se o valor de VDS. Com
o canal totalmente fechado, no circularia corrente por ele e a distribuio de tenso que causou o
pinamento no mais existiria. Pelas razes expostas acima, essa regio de operao do JFET chamada
de regio de pinch-off, de corrente constante ou de saturao. O valor de tenso entre dreno e source
que leva ao pinamento de canal chamado de tenso de pinamento ou tenso de pinch-off (VP).
IDss e VP so os dois parmetros mais importantes de um JFET.

15
Aumentando-se ainda mais a tenso entre dreno e source, a juno porta-canal entra na regio de
avalanche, na qual a corrente cresce indefinidamente, podendo danificar o dispositivo caso no existam
elementos limitadores. Trata-se de um processo anlogo ao que ocorre nos diodos Zener. A tenso
entre dreno e source que leva o JFET a entrar na regio de avalanche outro parmetro importante de
um JFET. Esse parmetro denominado como BVDSS ou B(VR)DSS nos manuais e folhas de dados, e
da ordem de algumas dezenas de volts. O projetista de circuitos utilizando JFET deve garantir que este
no entre na regio de avalanche.

Utilizando agora uma tenso VGS entre gate e source diferente de zero, essa se soma tenso VDS
na polarizao reversa da juno gate-canal. Com isso, o valor da corrente de dreno ser, para cada valor
de VDS, menor do que no caso anterior (em que VGS = 0). Como a juno porta-canal est reversamente
polarizada, a corrente de gate IG praticamente nula (da ordem de nA), resultando numa impedncia de
entrada muito alta para o JFET. Assim, o controle da corrente de dreno feito basicamente pelo campo
eltrico gerado pela tenso VGS.

Quanto maior (em mdulo), o valor da tenso VGS, menor ser a largura efetiva do canal, at
chegar ao ponto de seu total fechamento, quando a corrente de dreno ter valor essencialmente nulo. Na
prtica, nessas condies circula uma corrente da ordem de nA, chamada de IDoff. Outra forma de definir
a tenso de pinch-off VP como a tenso entre gate e source que causa o fechamento completo do canal.
Por esse motivo, a tenso de pinch-off simbolizada tambm como VGS(off). Quanto maior o mdulo da
tenso VGS, menor o valor necessrio da tenso VDS para que o JFET atinja a regio de avalanche.

A Figura 7-4 mostra o comportamento do JFET para uma tenso VGS diferente de zero e um
grfico com valores tpicos para as curvas caractersticas do dispositivo, mostrando claramente as trs
regies de operao.

A regio de depleo linear pinchoff avalanche


se alarga com o
aumento de VGS, at
o fechamento total
do canal, cessando o
fluxo da corrente de
dreno ID.

FIGURA 7-4 COMPORTAMENTO DO JFET PARA TENSES VGS DIFERENTES DE ZERO

O grfico das curvas caractersticas permite observar uma diferena essencial entre o JFET e o
transistor bipolar. Enquanto num transistor bipolar a regio de operao depende basicamente da
forma como so polarizadas as duas junes, num JFET a regio de operao depende basicamente do
valor da tenso VDS entre dreno e source, sem qualquer alterao na polaridade das tenses de
polarizao (VDS e VGS).

16
Para pequenos valores de VDS, o JFET est na regio resistiva. Quando a tenso entre dreno e
source aumenta at causar o estrangulamento do canal, o JFET passa para a regio de corrente constante,
na qual permanece at que VDS ultrapassa o valor necessrio para causar a avalanche da juno gate-
canal. Considerando-se a ao combinada das tenses VDS e VGS (ambas tomadas em mdulo, j que
tm polaridades opostas), a regio de operao em que um JFET se encontra pode ser determinada pela
seguinte regra:
L M
 Para VDS LVP @ VGSM, o JFET se encontra na regio linear ou resistiva;
L M L M
 Para LVP @ VGSM < VDS LBDVSS @ VGSM, o JFET se encontra na regio de pinch-off ou de
corrente constante;
L M
 Para VDS >LBDVSS @ VGSM, o JFET se encontra na regio de avalanche (o que deve ser evitado).

A Figura 7-5 mostra em detalhes a fronteira entre as regies resistiva e de corrente constante de
um JFET canal N que possui VP = -3,6 V e IDss = 9 mA. A figura no inclui a regio de avalanche.

ID (mA)
regio resistiva regio de corrente constante
(VDS VP VGS) (VDS > VP VGS)
9 (IDss) VGS = 0,0 V
8

6 VGS = -0,6 V

5 Linha indicativa de
VDS = VP VGS
4 VGS = -1,2 V
3

2 VGS = -1,8 V

1 VGS = -2,4 V
VGS = -3,0 V
0
1,2 2,4 3,6 4,8 6,0 7,2 8,4 VDS (V)
(VP) VGS -3,6 V (ID 0)

FIGURA 7-5 DETALHAMENTO DO LIMITE ENTRE AS REGIES LINEAR E DE PINCH-OFF DE UM JFET

EXEMPLO 7-1: UM JFET POSSUI TENSO DE PINCH-OFF IGUAL A 3 V E TENSO DE AVALANCHE IGUAL A 35 V. EM
QUE REGIO ESSE JFET ESTAR OPERANDO CASO O GATE E O SOURCE ESTEJAM EM CURTO E A SUA TENSO
ENTRE DRENO E SOURCE VALHA:

A) 30 V. B) 2,5 V. C) 5 V. D) 40 V. E) 10 V.

17
O JFET OPERANDO NA REGIO LINEAR OU RESISTIVA

Na parte inicial das curvas caractersticas de um JFET a tenso VDS tem influncia desprezvel na
polarizao reversa da juno. Desse modo, a resistncia do canal depender apenas do valor da tenso
aplicada entre gate e source, e a corrente variar linearmente em funo da tenso VDS entre dreno e
source. Nessas condies, o canal pode ser considerado como um resistor cuja resistncia depende de
VGS (quanto maior VGS, maior ser a resistncia do canal) e chamada de RDSon. O menor valor
possvel para RDSon chamado de Ro e ser obtido, obviamente, quando a tenso entre gate e source for
igual a zero. Os JFETs comerciais possuem valor de Ro situado entre 10 e 100 K.

A Figura 7-6 mostra uma ampliao da parte inicial (VDS na ordem de centenas de milivolts) da
regio resistiva para um JFET canal N.

FIGURA 7-6 DETALHAMENTO DA REGIO LINEAR DE OPERAO DE UM JFET CANAL N

A figura permite visualizar claramente as diferentes inclinaes da curva, em funo da tenso


entre gate e source. Cada inclinao corresponde a um diferente valor de resistncia de canal RDSon.
possvel calcular o valor da resistncia de canal atravs da equao:

RDSON = ffffffffff
f
ff
ff
fff ff ff f
f
Ro
1 @ ffffffffffffffffff
(EQUAO 7-1).
VGS
VP

evidente que para valores de VGS com mdulo igual ou superior a VP, o canal estar totalmente
fechado e a sua resistncia ser infinita. A equao nos mostra que a resistncia do canal pode ser
variada atravs da tenso entre gate e source, ou seja, trata-se de uma resistncia controlada por
tenso , tambm conhecida como VDR (Voltage Dependant Resistance).

Como se pode ver, as curvas passam pela origem (VDS = 0 e ID = 0). Isso significa que o JFET no
possui offset, ou seja, no exige uma tenso mnima para iniciar a conduo (como o caso de um diodo
ou de um transistor bipolar). Isso bastante vantajoso em vrias aplicaes.

Outra caracterstica que pode ser notada que na regio linear as curvas so praticamente
simtricas em relao origem, o que indica que a polaridade de VDS pode ser invertida sem que as
caractersticas de funcionamento se alterem de modo significativo.
18
EXEMPLO 7-2: O JFET UTILIZADO NO CIRCUITO ABAIXO POSSUI TENSO DE PINCH-OFF IGUAL A -2 V E MXIMA
CORRENTE DE SATURAO DE DRENO IGUAL A 6 mA. SABENDO QUE O VALOR DA CORRENTE DE DRENO 4 mA:
A) CALCULAR O VALOR DA TENSO VO CASO A TENSO ENTRE GATE E SOURCE SEJA AJUSTADA PARA -1 V.
B) CALCULAR O VALOR DA TENSO ENTRE GATE E SOURCE PARA QUE A CORRENTE PASSE PARA 2 mA.
RD
1 K

VDD
5V

A frmula genrica que permite o clculo da corrente de dreno de um JFET operando na regio
resistiva em funo dos seus parmetros e das tenses de polarizao :

f
f
ff
ff
f
ff
f
IDssBf
ff
f
ff
ff
f
fff
f
f
VDSf
ff
f
ff
ff
f
f
B ` a C
ID = 2
B 2B VP @ VGS @ VDS (EQUAO 7-2).
VP

Ao se utilizar a equao acima importante ter em mente que sua validade se limita regio
L M
resistiva de operao (quando VDS LVP @ VGSM) e que todas as tenses envolvidas na equao devem ser
consideradas em mdulo. Outro ponto importante que o dispositivo s obedecer equao caso as
condies de polarizao (valor da tenso de alimentao e dos resistores associados) assim o
permitirem.

EXEMPLO 7-3: PARA O CIRCUITO DO EXEMPLO 7-2, CALCULAR O VALOR NECESSRIO DA TENSO DE
ALIMENTAO PARA QUE A CORRENTE DE DRENO DO JFET CHEGUE A IDss, SEM QUE O MESMO SAIA DA REGIO
RESISTIVA.

19
APLICAES DO JFET NA REGIO LINEAR OU RESISTIVA

Como vimos, em sua operao na regio linear a resistncia de um JFET controlada pela tenso
aplicada entre gate e source. Esse comportamento proporciona algumas aplicaes para o dispositivo,
que veremos a seguir.

CIRCUITOS DE CONTROLE AUTOMTICO DE GANHO PARA AMPLIFICADORES

Em algumas situaes importante que se controle o ganho de um amplificador de modo a evitar


alteraes bruscas no comportamento quando o sinal de entrada varia subitamente. Um exemplo dessa
situao quando, numa emissora de TV, o volume aumenta significativamente durante os intervalos
comerciais (prtica proibida pela legislao, mas muito utilizada).

Um circuito de controle automtico de ganho (AGC Automatic Gain Control) diminui o ganho do
amplificador quando a intensidade do sinal de entrada aumenta e aumenta o ganho quando a intensiade
do sinal de entrada diminui, mantendo dessa forma o nvel do sinal de sada. O diagrama em blocos de
um circuito tpico de AGC utilizando JFET mostrado na Figura 7-7.

FIGURA 7-7 - JFET UTILIZADO EM CONTROLE AUTOMTICO DE GANHO

Como sabemos, o mdulo do ganho de tenso de um amplificador transistorizado emissor comum


L M f
ff
f
f
RCf
f
ff
f
ff
sem capacitncia de desvio no emissor dado, aproximadamente, pela equao: LAvMt . No caso do
RE
diagrama da Figura 7-7, a resistncia de emissor dada pela associao paralela entre o resistor RE e a
resistncia de canal RDSon do JFET, de maneira que o mdulo do ganho de tenso deste circuito
L M f
LAvMt ff
f
ff
ff
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
ff
ff
f
ff
ff
ff
ff
f
ff
ff
f
RC
especfico ser: . O JFET no influi sobre a polarizao DC do amplificador
f
ff
f
f
ff
f
REBf
f
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
f
RDSonf
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
RE + RDSon

transistorizado devido presena do capacitor de desacoplamento CAGC., que faz com que a resistncia de
canal s tenha influncia sobre o sinal alternado a ser amplificado.

Se, por qualquer razo, o ganho do amplificador aumenta, o valor do sinal de sada vo tambm
aumenta, bem como o nvel DC na sada do filtro. Se o sinal de sada do filtro polariza reversamente a
juno porta-canal, um aumento nessa tenso acarreta um aumento de RDSon, o que, por sua vez, reduz o
valor do ganho.

20
As relaes de causa e efeito so: Av vo VGS RDSon Av . Logo, um
aumento do ganho acaba acarretando sua prpria diminuio, ou seja, o AGC introduz um efeito
estabilizador sobre o ganho do amplificador. Usando um raciocnio anlogo, constata-se que uma
eventual diminuio do ganho tambm ser compensada por esse circuito.

O JFET COMO DISPOSITIVO DE CHAVEAMENTO

Da mesma forma como o transistor bipolar, o JFET tambm pode ser empregado como dispositivo
de chaveamento, que uma aplicao binria, ou seja, que envolve dois estados. Para tanto, a tenso de
gate deve ser de tal forma que faa o JFET transitar da conduo plena (|VGS| 0, levando o JFET a se
comportar como uma chave fechada) para a condio de canal fechado (|VGS| |VP|, levando o JFET a se
comportar como uma chave aberta).

O desempenho do JFET como chave um pouco inferior ao de um transistor bipolar, pois quando
ligado (|VGS| 0), a resistncia RDSon no nula, mas possui um valor da ordem de dezenas ou at
mesmo centenas de . Quando desligado |VGS| |VP|), a resistncia do canal praticamente infinita, e o
comportamento semelhante ao de uma chave aberta. Com isso em mente, fcil compreender o
funcionamento de um circuito de chaveamento com JFET, como o mostrado na Figura 7-8.

FIGURA 7-8 - CIRCUITO BSICO DE CHAVEAMENTO COM JFET E RESPECTIVAS FORMAS DE ONDA

A tenso de controle vCONTROL, aplicada ao gate do JFET, um sinal binrio. Um dos seus valores
(nvel 1) deve ser levemente positivo e o outro (nvel 0) deve ser mais negativo do que a tenso de
pinch-off. Assim, quando o sinal de controle estiver em nvel 1 a resistncia entre dreno e source ser
mnima e o valor da tenso de sada ser:

f
f
ff
ff
f
ff
ff
f
f
viBf
ff
f
ff
ff
f
f
RLf
ff
f
ff
ff
f
ff
f
vo = v RL = (EQUAO 7-3).
RDSON + RL

Logo, para que o circuito seja eficiente, necessrio que RL >> RDSON. Isso garante que a tenso
sobre RL seja praticamente igual tenso de entrada e tambm que a tenso entre dreno e source VDS
seja prxima de zero, o que essencial para que o JFET apresente um comportamento resistivo (se VDS
>> 0, o JFET entra na regio de saturao).

21
Quando o sinal de controle estiver em nvel 0, o canal do JFET estar fechado, resultando numa
corrente e numa tenso de sada praticamente nulas.

O grfico da Figura 7-8 mostra como exemplo uma tenso de entrada vi constante, representada
pela reta pontilhada. Na prtica, esse sinal pode ter qualquer forma de onda, inclusive alternada, visto
que na regio resistiva o comportamento do JFET praticamente simtrico, ou seja, funciona
corretamente para qualquer polaridade da tenso VDS. As nicas precaues a serem tomadas dizem
respeito aos limites de corrente e de frequncia de operao.
O circuito da Figura 7-8 mostra o JFET como uma chave colocada em srie com a carga. Ele pode
ser tambm colocado em paralelo, como mostra o diagrama da Figura 7-9.

RD
D

vi R vo
L

vCONTROL R
G

FIGURA 7-9 JFET COMO CHAVE EM PARALELO

Para este circuito, quando a tenso de controle estiver em nvel 0, a tenso VGS do JFET ser
nula e a resistncia de canal ter o seu valor mnimo. Supondo que no exista resistncia de carga
conectada, a tenso de sada vo valer:

f
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
f
viBRDSf
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
f
ONf
ff
f
f
vo = v RDSON = (EQUAO 7-4).
RDSON + RD

Sendo RD >> RDSON, a tenso de sada nessa situao ser praticamente zero. Caso a tenso de
controle esteja em nvel 1 (tenso negativa com mdulo igual ou superior a VP), o canal do JFET estar
completamente fechado, no circular corrente pelo circuito e teremos: vo = vi. Caso seja conectada
uma resistncia de carga RL aos terminais de sada, necessrio que RL >> RD, par um bom desempenho
do circuito.

Uma variao interessante da aplicao do JFET como dispositivo de chaveamento como


multiplexador analgico, conforme mostrado no diagrama da Figura 7-10.

vi1

vi2

vi3
vo

R
L
vc1 vc2 vc3

FIGURA 7-10 DIAGRAMA BSICO DE MULTIPLEXADOR ANALGICO UTILIZANDO JFET

22
O princpio de funcionamento bastante simples. Supondo que todos os sinais de controle (vc1,
vc2 e vc3) estejam em nvel 1 (tenso negativa com mdulo igual ou superior a VP), todos os JFETs
estaro cortados e o sinal de sada ser nulo. Se uma das tenses de controle for para nvel 0, o JFET
correspondente entra em conduo plena e o sinal de sada ser aproximadamente igual ao sinal de
entrada aplicado ao source do JFET em questo (observadas as condies comentadas acima). Em geral,
apenas uma das entradas de controle dever estar em nvel 0 num determinado instante. Se houver
mais de uma entrada em nvel 0, o circuito passa a funcionar como misturador de sinais, e no
apresenta um bom desempenho.

Uma ltima observao que as anlises e descries acima se referem a JFETs de canal N. Para
JFETs de canal P, a polaridade da tenso de controle tem que ser invertida.

O JFET OPERANDO NA REGIO DE PINCH-OFF

Conforme vimos anteriormente, medida que a tenso entre o dreno e o source aumenta, dois
processos conflitantes passam a ocorrer: com o aumento da tenso VDS, a corrente de dreno tenderia a
aumentar, mas, simultaneamente, a reduo da largura do canal aumenta a resistncia dessa regio, o que
tenderia a diminuir a corrente de dreno. A soma desses dois efeitos leva a uma estabilizao do valor da
corrente de dreno - a chamada corrente de saturao de dreno (IDs). Isso explica a pequena variao
da corrente de dreno em relao variao de VDS que ocorre na regio de pinch-off, como observado no
grfico da Figura 7-4.
O mesmo grfico permite constatar que valor da corrente de saturao ser dependente da tenso
entre gate e source (VGS). O maior valor para essa corrente ser atingido, evidentemente, quando VGS for
igual a zero. Esse valor mximo da corrente de saturao de dreno chamado de mxima corrente de
saturao de dreno (IDss). Conhecidos os valores de IDss e de VP, possvel calcular o valor da
corrente de saturao de dreno para valores de VGS diferentes de zero atravs da chamada Equao de
Shockley, que vlida somente quando o JFET se encontra na regio de pinch-off:
g2
ff
f
ff
f
VGSf
f
ff
ff
f
f
f
IDs = IDssB 1 @ (EQUAO 7-5).
VP
Colocando a Equao 7.5 em forma grfica, podemos traar a curva de transferncia do JFET
(tambm conhecida como curva de transcondutncia), assim chamada porque relaciona uma grandeza
de sada (IDs) com uma grandeza de entrada (VGS). Essa curva mostrada na Figura 7-11.
IDs
IDss

VP VGS
FIGURA 7-11 CURVA DE TRANSFERNCIA DE UM JFET OPERANDO NA REGIO DE PINCH-OFF
23
Como a Equao 7.5 permite deduzir, a curva mostrada no grfico acima uma parbola. Est
traada no segundo quadrante apenas para deixar evidente que a polaridade da tenso entre gate e
source VGS negativa em relao ao sentido da corrente de dreno IDs. A curva est limitada, na prtica,
pelo eixo vertical, direita, e pelo ponto VGS = VP, IDs = 0, esquerda. Cruzar o eixo vertical significaria
uma inverso na polaridade da tenso VGS, o que no permitido na operao de um JFET. Para valores
de VGS superiores (em mdulo) a VP, o canal se fecha totalmente e a corrente de dreno cai a zero.

A essa altura, conveniente enfatizar o significado dos vrios termos ligados corrente de dreno,
para evitar equvocos desnecessrios:

 ID Trata-se de qualquer valor da corrente de dreno, em qualquer das regies de operao de


um JFET.
 IDs Trata-se da corrente de saturao de dreno, ou seja, o valor relativamente estabilizado que
essa corrente atinge enquanto o JFET se encontra na regio de pinch-off.
 IDss Trata-se do mximo valor possvel para a corrente de saturao de dreno, que obtido
quando o JFET se encontra na regio de pinch-off e est polarizado com VGS = 0.

Estudaremos a seguir os circuitos que permitem polarizar o JFET na regio de operao desejada.

CIRCUITOS DE POLARIZAO PARA O JFET

O conceito de polarizao de um JFET anlogo ao j estudado nos casos do diodo semicondutor e


do transistor bipolar. Basicamente trata-se de proporcionar os valores adequados para as tenses entre
dreno e source (VDS) e entre gate e source (VGS) para levar o dispositivo a operar com o valor desejado
de corrente de dreno. Como vimos, a tenso entre dreno e source tambm tem influncia no valor da
corrente de dreno, e essa influncia poder ser grande (caso o JFET esteja na regio de triodo) ou
pequena (caso o transistor esteja na regio de pinch-off). Logo, assim como num transistor bipolar as
coordenadas do ponto de operao esttica so (VCE, IC), num JFET essas coordenadas sero (VDS, ID).
Voltamos a ressaltar a diferena fundamental entre um JFET e um transistor bipolar no que se
refere regio de operao. Enquanto num transistor bipolar diferentes regies de operao se
estabelecem com diferentes polaridades das tenses entre base e emissor e entre base e coletor, num
JFET as polaridades das tenses entre gate e source e entre dreno e source permanecem inalteradas,
independente da regio de operao. O que muda o valor da tenso entre dreno e source.

Como no caso dos transistores bipolares, as duas tenses (de dreno e de gate) devem
preferencialmente ser obtidas a partir de uma nica fonte de alimentao, com o auxlio de resistores de
polarizao convenientemente dispostos e dimensionados.

Por suas particularidades construtivas e de princpio de funcionamento, o JFET bem menos


influenciado pela temperatura do que um transistor bipolar. Por outro lado, a variao dos parmetros
para uma dada especificao de JFET tende a ser muito grande. Para exemplificar, um JFET canal N
BF245 tem mxima corrente de saturao de dreno variando entre 2 mA (valor mnimo para o tipo A) e
25 mA (valor mximo do tipo C), uma variao de doze vezes e meia. Com relao tenso de pinch-off,
para esse mesmo JFET os valores vo de -0,25 V at -8 V, uma variao de 32 vezes.

Essa variao nos parmetros pode ser vista na Figura 7-12, onde se mostram os limites para a
curva de transcondutncia de um JFET, em funo dos valores mximos e mnimos de VP e IDss.
24
IDs
IDssMX

IDssMN

VGS
VPMX VPMN

FIGURA 7-12 LIMITES PARA AS CURVAS DE TRANSCONDUTNCIA DE UM JFET

A rea hachurada entre as duas curvas-limite representa as possveis localizaes da curva de


transcondutncia de um determinado JFET. Isso indica porque um dos requisitos mais importantes para
um circuito de polarizao que ele mantenha o ponto de operao o mais estvel possvel diante de
variaes na temperatura ou nas caractersticas do JFET.

CIRCUITO COM POLARIZAO INDEPENDENTE PARA O GATE


Essa tcnica de polarizao utiliza uma fonte de tenso independente para fixar o valor de VGS, e
outra para obter o valor desejado para a tenso VDS, como mostra o diagrama da Figura 7-13.

+VDD
IDs
ID R
reta de polarizao
D (equao: VGS = VGG)

IDsmx
+
VDS IDs
R IG
G +
0 IDsmn
VGG VGS
VGG

FIGURA 7-13 POLARIZAO INDEPENDENTE PARA O GATE E EFEITO DA VARIAO DOS PARMETROS DO JFET

O resistor RG tem como nica funo limitar o valor da corrente de gate, caso a polaridade da
tenso de alimentao VGG seja invertida, evitando dessa forma que o JFET seja danificado. Com a
polaridade correta de VGG, a corrente que circular por RG ser desprezvel e a tenso VGS entre gate e
source ter valor praticamente igual a VGG. O valor de RG ser, desde que finito, irrelevante.

O grfico da direita mostra claramente o grande potencial de deslocamento do ponto de operao


devido variao dos parmetros do JFET. Como possvel perceber, apesar de VGS ser constante, a
corrente de dreno pode variar significativamente. Escrevendo a equao LKT da malha de dreno:

+ VDD @ ID B RD @ VDS = 0 [ VDS = VDD @ ID B RD .


25
Em conformidade com a premissa de que o JFET opera na regio de pinch-off, o valor da corrente
de dreno IDs pode ser calculado em funo de VGS (VGG) atravs da equao de Shockley.

Esse circuito de polarizao til apenas para fins experimentais, sendo invivel para aplicaes
prticas. A razo para isso que, alm de requerer duas fontes de tenso independentes, ainda permite
um grande deslocamento da posio do ponto de operao em funo das variaes dos parmetros do
JFET.

EXEMPLO 7-4: UM JFET CANAL P POSSUI COMO CARACTERSTICAS VP = 2 V E IDSS = 5 mA. PROJETAR UM
CIRCUITO DE POLARIZAO INDEPENDENTE PARA FAZER ESSE JFET OPERAR COM VDS = 3 V E ID = 2 mA,
USANDO UMA FONTE DE ALIMENTAO DE 9 V.

CIRCUITO DE AUTOPOLARIZAO
Utiliza uma nica fonte de alimentao para obter as duas tenses necessrias para a polarizao
do JFET. O diagrama desse circuito mostrado na Figura 7-14.

+VDD
+ IDs
reta de carga do circuito de
ID R polarizao independente
(equao: VGS = VGG)
D

IDsmx
IG 0 +
VDS reta de carga do
circuito autopolarizante
IDs
(equao: VGS = -ID RS) P.I.
IDs
VGS A.P.
+
R + IDsmn
G R VGS
ID
malha
S
de gate

FIGURA 7-14 CIRCUITO DE AUTOPOLARIZAO E EFEITO DA VARIAO DOS PARMETROS DO JFET

O resistor RS, localizado entre o source e o terra, o responsvel pela correta polarizao do
gate, como mostra o diagrama. Escrevendo a equao LKT da malha de gate:

+ VGS @ ID B RS + IG B RG = 0 [ VGS = ID B RS @ IG B RG . Como IG praticamente


zero, chega-se a: VGS = ID B RS .
26
Como a expresso encontrada para VGS possui valor positivo, a polaridade real dessa tenso
igual assinalada no diagrama. Conclui-se, portanto, que o gate negativo em relao ao source, que a
polaridade correta para a operao do JFET, que de canal N.

Assim, conhecido o valor necessrio para a tenso VGS, a resistncia de source RS pode ser
ff
f
ff
f
VGSf
f
ff
ff
f
f
calculada pela equao: RS = .
ID

O valor da resistncia de dreno RD pode ser obtido atravs da LKT da malha de dreno:

f
ff
f
ff
f
VDDf
f
ff
ff
f
@f
f
ff
ff
f
ff
ff
f
f
VDSf
ff
f
ff
ff
+ VDD @ IDB RD @ VDS @ IDB RS = 0 [ RD = @ RS .
ID

Como a corrente de gate tem valor praticamente nulo, a resistncia de gate RG pode ter qualquer
valor finito, at mesmo um curto-circuito. No entanto, como veremos adiante, o valor dessa resistncia
ter influncia direta no valor da impedncia de entrada de um circuito amplificador. Por esse motivo,
deve-se escolher um valor elevado para essa resistncia, na ordem de 105 a 106 , de modo a no
desperdiar a caracterstica de alta impedncia de entrada proporcionada pelo JFET.

Ao contrrio do circuito de polarizao independente, o circuito autopolarizante possui um efeito


estabilizador sobre o ponto de operao do JFET. Se por algum motivo a corrente de dreno tender a
aumentar, aumentar tambm a tenso sobre RS e, consequentemente, a tenso entre gate e source. Esse
aumento de VGS anula o aumento de ID. Analogamente, quando a corrente de dreno tende a diminuir,
diminui tambm o valor da tenso entre gate e source, o que eleva o valor da corrente de dreno.

f
f
f
1f
f
ff
f
ff
f
Atravs da equao ID = BVGS , pode ser traada a reta de polarizao do circuito, atravs da
RS
qual possvel determinar graficamente o ponto de operao. Essa reta est traada no grfico da Figura
7-14. Para fins de comparao, a reta de polarizao do circuito anterior (polarizao independente)
est traada no mesmo grfico. fcil perceber que, com relao ao efeito da variao dos parmetros
do JFET sobre a localizao do ponto de operao, o circuito autopolarizante tem um desempenho muito
melhor do que a polarizao independente do gate. Como se pode notar atravs do grfico, o possvel
deslocamento ponto de operao (no grfico, IDs A. P. - autopolarizante) muito menor do que no caso
do circuito de polarizao independente (no grfico, IDs P. I. - polarizao independente).

Quanto maior for o valor da resistncia de source RS, menor ser a inclinao da reta (ficar mais
prxima da horizontal) e, portanto, menor o deslocamento do ponto de operao. Conclui-se que a
estabilidade de ponto de operao aumenta quando se aumenta o valor de RS. No entanto, outras
caractersticas desejadas para o circuito impedem que o valor da resistncia de source seja aumentado
indiscriminadamente.

EXEMPLO 7-5: REFAZER O EXEMPLO 7-4, UTILIZANDO AGORA UM CIRCUITO AUTOPOLARIZANTE.

27
CIRCUITO DE POLARIZAO COM DIVISOR DE TENSO NO GATE

Para reduzir ainda mais o deslocamento do ponto de operao como resultado da variao dos
parmetros do JFET, utiliza-se o circuito de polarizao com divisor de tenso no gate, cujo diagrama
mostrado na Figura 7-15.

+VDD
+
+ R reta de carga do circuito de IDs
R ID polarizao independente
VRG1 D (equao: VGS = VGG)
G
1
reta de carga do circuito
com divisor de tenso IDsmx
IG 0 + (equao:VGS = ID RS - VGG)

VDS IDs IDs


reta de carga do D.T. P.I.
VGS circuito autopolarizante IDs
+ + (equao: VGS = ID RS) A.P.
VRG2 R IDsmn
+
= G
VGG R VGS
2 ID
malha
S VGG
de gate

FIGURA 7-15 POLARIZAO COM DIVISOR DE TENSO E EFEITO DA VARIAO DOS PARMETROS DO JFET

A equao LKT da malha de gate : VGS @ ID B RS + VGG = 0 [ VGS = ID B RS @ VGG .

Para a correta polarizao do JFET, necessrio que o resultado da equao acima seja positivo,
indicando que a polaridade assinalada para a tenso VGS esteja correta (isto , que o gate seja negativo
em relao ao source). Para tanto, preciso que a tenso VGG seja menor do que o produto ID RS. Para
f
ff
f
ff
f
f
VGGf
f
ff
f
ff
f
ff
f
traar a reta de polarizao para esse circuito, faz-se VGS = 0, obtendo-se ID = (1 ponto) e ID = 0,
RS
obtendo-se VGS = -VGG (2 ponto). Com esses dois pontos, possvel traar a reta.

Pela equao se observa que, ao contrrio do que ocorre no circuito de autopolarizao, a reta de
carga nesse caso no passa pela origem. Nota-se que, nesse caso, a variao da corrente de dreno em
funo dos parmetros do JFET um pouco menor do que no circuito autopolarizante, o que significa um
ponto de operao mais estvel. Quanto mais longe da origem estiver o ponto VGS = -VGG, maior ser a
estabilidade. Entretanto, o valor de VGG, pois, como observado anteriormente, esse valor tem que
permanecer abaixo do produto ID RS (no limite, igual).

A tenso sobre o resistor RG2, que chamamos de VGG, pode ser calculada de modo muito simples
ff
f
ff
f
VDDf
f
ff
ff
f
f
Bf
ff
f
ff
ff
f
ff
f
RG2f
f
ff
ff
f
f
aplicando-se o princpio do divisor de tenses: VGG = V RG2 = .
RG1 + RG2

A resistncia de dreno RD ser determinada em funo do valor desejado para a tenso VDS entre
dreno e source. Da mesma forma como no caso do circuito de polarizao anterior, os resistores de gate
RG1 e RG2 devem estar na ordem de grandeza de centenas de K at M.

EXEMPLO 7-6: REFAZER O EXEMPLO 7-4, UTILIZANDO AGORA UM CIRCUITO DE POLARIZAO COM DIVISOR DE
TENSO NO GATE, COM VGG = 2 V.

28
O JFET COMO AMPLIFICADOR - MODELO PARA PEQUENOS SINAIS E BAIXAS FREQUNCIAS

Por suas caractersticas de estabilidade trmica e boa imunidade a rudos, o JFET especialmente
indicado para servir como elemento ativo de amplificadores, que precisem de elevada impedncia de
entrada. Para servir como amplificador, o JFET deve ser polarizado de modo a operar na regio de pinch-
VGS ou vgs -
off (corrente constante). Desse modo, uma variao na tenso entre gate e source (
grandeza de entrada) ocasiona uma variao percentualmente superior na corrente de saturao de
IDs ou id - grandeza de sada).
dreno (

Da mesma forma como no estudo dos amplificadores com transistores bipolares, a anlise de
amplificadores com transistores de efeito de campo realizada pela substituio do dispositivo por um
modelo linear que represente o seu funcionamento.

A Figura 7-16 mostra o modelo para pequenos sinais de um JFET operando na regio de pinch-off.
Como no caso dos transistores bipolares, pequenos sinais so aqueles que no levam o JFET a sair da
regio de pinch-off. Como desprezaremos tanto as capacitncias internas quanto a dos capacitores
utilizados externamente ao JFET, esse modelo permitir a anlise do funcionamento do circuito na faixa
mdia de frequncias (aquela em que tanto os efeitos dos capacitores externos como os da capacitncia
entre a porta e o canal so desprezveis). A curva de resposta em frequncia de um amplificador que usa
o JFET como elemento ativo ter um formato semelhante de um amplificador que utiliza o transistor
bipolar, com a particularidade de apresentar uma banda passante mais estreita, para um mesmo valor
mximo de ganho.

+
gm r
vgs
vgs d
+

FIGURA 7-16 MODELO PARA PEQUENOS SINAIS DE UM JFET

Como se pode ver, esse modelo apresenta na sada um circuito de Norton (fonte de corrente em
paralelo com uma resistncia). Esse modelo vlido para anlise AC, tratando apenas de variaes
incrementais de corrente ou tenso (note que as grandezas so representadas com letras minsculas).
Por isso, ele se aplica igualmente a JFETs canais P ou N, sem qualquer alterao nas polaridades e
sentidos de corrente apresentados.
Como j visto no estudo do princpio de funcionamento do JFET, a corrente de saturao de dreno
IDs inversamente proporcional tenso entre gate e source VGS. Desse modo, uma variao na tenso
entre gate e source causar uma variao proporcional na corrente de dreno. A constante que relaciona
as dias grandezas chamada de transcondutncia do JFET, que representada pelo smbolo gm. A
unidade de transcondutncia ampre por volt (A/V). Expressando em forma matemtica:

f
f
ff
ff
f
ff
f
IDf
f
ff
ff
f
ff f
f
ff
f
idf
f
ff
ff
f f
f
ff
ff
f
ff
f
dIDf
f
ff
ff
f
f
ID = gmB VGS [ gm = = . No limite: gm = (Equao 7-6).
VGS vgs dVGS

29
Em outras palavras, a transcondutncia a derivada da corrente de dreno em funo da tenso
entre gate e source. Como se sabe, a relao entre essas duas grandezas quando o JFET est na regio de
pinch-off dada pela equao de Shockley. Podemos, assim, chegar equao matemtica para a
transcondutncia:
h i
g2
jIDss B 1 @ f ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff m
f
VGS
dl k
VP
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
ff
ff
ff
ff
ff
ff
ff
f
ff
ff
ff
f
f
L
L 2f
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
f ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
fM
gM
dID IDSs VGS
L f M
B
gm = [ gm = [ gm =L B 1 @ M (EQUAO 7-7).
dVGS dVGS VP VP M
L M
L

Reescrevendo a equao em termos da corrente de dreno, obtm-se:


w
ww
w
w
ww
w
ww
ww
w
w
ww
w
ww
w
w
w
ww
wM
w
w
w
w
ww
w
w
ww
w
w
w
ww
w
w
ww
w
w
w
ww
w
w
ww
w
w
w
ww
w
w
ww
w
w
w
ww
w
w
wwM
L L M
ff
f
ff
ff
f
fff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
f f
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f Lfff
fff
f
ff
BpIDsB IDss M
L 2B IDSs IDS 2
Bs
L M L
M M
gm =L
L
M[ gm =L (EQUAO 7-8).
VP IDss M
M L
L VP
M
L M

Tanto a Equao 7.7 quanto a Equao 7.8 permitem concluir que o valor da transcondutncia
depende do ponto de operao do JFET. O valor mximo de transcondutncia obtido quando VGS = 0
e, consequentemente, IDs = IDss. Esse valor mximo, conhecido como gm0, pode ser calculado pela
equao:
L M
f
ff
f
f
L 2Bf
ff
f
fff
f
ff
ff
f
f
IDSsf
ff
f
ff
L M
M
gm0 =L
L M (EQUAO 7-9).
VP M
M
L

Nota-se que, devido ao sentido da corrente id, a polaridade da tenso entre dreno e source tem
polaridade oposta da tenso entre gate e source. Isso ocorre porque as variaes em VGS e IDs
possuem direes contrrias, isto , quando VGS aumenta, IDs diminui e vice-versa.
A resistncia dinmica de canal (rd) a relao entre a variao da tenso entre dreno e source
e a variao da corrente de saturao de dreno em funo. Matematicamente:

ffff
f
ff
ff
f
f
VDSf
ff
f
ff
f vds
f
f
ff
ff
f
ff
ff
f dfff
f
ff
ff
f
f
VDSf
ff
f
ff
f
rd = = . No limite : gm = (EQUAO 7-10).
ID id dID

Como sabemos, na regio de pinch-off a variao da corrente dreno em relao tenso entre
dreno e source muito pequena. Logo, o valor de rd costuma ser bastante elevado (da ordem de dezenas
a centenas de quiloohms).

Pode-se definir tambm o fator de amplificao de tenso () do JFET, como a relao entre a
variao da tenso entre dreno e source e a variao da tenso entre gate e source. Matematicamente:

ffff
f
ff
ff
f
f
VDSf
ff
f
ff
ff vds
ff
f
ff
ff
f
ff
ff dfff
f
ff
ff
f
f
VDSf
ff
f
ff
ff
= = . No limite : = (EQUAO 7-11).
VGS vgs dVGS

O fator de amplificao de tenso , evidentemente, uma grandeza adimensional. gm, rd e


so chamados de parmetros AC do JFET e esto relacionados atravs da equao:

= gmB rd (EQUAO 7-12).

EXEMPLO 7-7: PARA O JFET DO EXEMPLO 7-4, CALCULAR OS VALORES DA TRANSCONDUTNCIA E DO FATOR DE
AMPLIFICAO DE TENSO, SUPONDO QUE O VALOR DA RESISTNCIA DINMICA DE GATE SEJA 10 K.

30
UM MODELO ALTERNATIVO PARA O JFET

Substituindo-se o circuito de sada do modelo dado acima por um circuito de Thvenin (fonte de
tenso em srie com uma resistncia), obtm-se um modelo alternativo para o JFET operando na regio
de pinch-off, que mostrado na Figura 7-17.

rd
+

vgs vgs

FIGURA 7-17 MODELO ALTERNATIVO PARA PEQUENOS SINAIS DE UM JFET

A utilizao desse modelo conduz a resultados numericamente iguais aos obtidos com a utilizao
do modelo original, embora com expresses geralmente mais simples. Esse modelo considerado
alternativo porque representa um dispositivo que tem sua tenso de sada controlada por uma tenso na
entrada e, assim, no descreve com tanta fidelidade o comportamento do JFET na regio de pinch-off.

EXEMPLO 7-8: UTILIZANDO OS DOIS MODELOS ESTUDADOS, OBTER O CIRCUITO EQUIVALENTE AC, DETERMINAR
COMO A FASE DO SINAL DE SADA EM RELAO AO SINAL DE ENTRADA E OBTER AS EXPRESSES
MATEMTICAS PARA O GANHO DE TENSO DO CIRCUITO ABAIXO E PARA A IMPEDNCIA DE ENTRADA DO
CIRCUITO ABAIXO.

+VDD
R
D
Co vo
Ci
vi

R
G R
S

31
CARACTERSTICAS DE ALGUNS JFETS COMERCIAIS (TIRADAS DE MANUAIS)

Para consultar um manual ou folha de dados e obter as informaes necessrias sobre um


JFET, necessrio conhecer a terminologia geralmente empregada nessas publicaes. Os parmetros
AC so representados por letras minsculas e os DC por letras maisculas. As grandezas que estudamos
so normalmente apresentadas da seguinte forma:

 VGS(off) tenso de pinch-off , ou seja, a tenso reversa entre gate e source que provoca o
fechamento do canal, com VDS = 0 (VP = VGS(off)).

 BVGSS ou V(BR)GSS tenso reversa entre gate e source que leva a juno porta-canal
avalanche, com VDS = 0.
 gfs ou yfs transcondutncia ou transadmitncia (gm = gfs = yfs).
h i
f
f
ff
f
f
1f
ff
f
ff
f
 gos condutncia de sada, o inverso da resistncia dinmica de canal jrd = k .
gos

 RDon valor mnimo da resistncia de canal (entre dreno e source), ou seja, com tenso nula
entre gate e source (VGS = 0). Corresponde ao que foi denominado como Ro.

A Tabela 7-2 mostra os valores das principais caractersticas de alguns JFETs comerciais. Como
pode ser notado, comum que os manuais omitam os valores dos parmetros AC (gfs, gos) caso a
aplicao tpica do JFET seja em DC (chaveamento). Nesses casos, informado o valor de RDSon, muito
mais til nesse tipo de aplicaes.

TABELA 7-2 CARACTERSTICAS DE JFETS COMERCIAIS

32
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE PORTA ISOLADA - IGFET OU MOSFET

Num JFET, a elevada impedncia de entrada obtida atravs da polarizao reversa de uma
juno PN (juno porta-canal). Para algumas aplicaes, uma impedncia com essa ordem de grandeza
(1 106 ) ainda no suficientemente elevada. Para tais aplicaes, o dispositivo mais apropriado o
transistor de efeito de campo de porta isolada (Insulated Gate Field Effect Transistor - IGFET),
mais conhecido como MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor).

Nesse dispositivo, as caractersticas de alta impedncia de entrada devem-se ao fato de que o gate
fica eletricamente isolado do canal, atravs de uma camada de dixido de silcio (SiO2), com espessura da
ordem de 1 10-8 m. Desse modo, obtm-se uma impedncia virtualmente infinita, com valor efetivo da
(1 1012 ), que, alm de ser muito mais elevada do que num JFET, mantm seu valor
ordem de T
qualquer que seja a polaridade da tenso de gate.

Grandes avanos tm sido feitos na tecnologia de fabricao e de utilizao do MOSFET. Entre as


caractersticas que o tornam especialmente interessante destacam-se: o baixo consumo de energia, a
facilidade de integrao e as excelentes caractersticas como dispositivo de chaveamento.

Como o JFET, o MOSFET pode ser de canal N ou de canal P. Os dispositivos de canal N so


denominados como NMOS e os de canal P como PMOS. Existem dois tipos de MOSFET: o MOSFET de
induo (tambm chamado de MOSFET de enriquecimento, de acumulao, ou de intensificao) e o
MOSFET de depleo.

O MOSFET DE INDUO

A estrutura bsica e a simbologia dos MOSFETs de induo de canal N e P so mostradas na Figura


7-18.

Source Gate Dreno Source Gate Dreno


(S) (G) (D) (S) (G) (D)

contato contato contato contato contato contato


metlico metlico metlico metlico metlico metlico
camada de xido de silcio (SiO2) camada de xido de silcio (SiO2)
source dreno source dreno
(tipo N) (tipo N) (tipo P) (tipo P)
substrato substrato
(tipo P) (tipo N)

contato contato
metlico metlico

Substrato Substrato
(B) (B)

FIGURA 7-18 - ESTRUTURA DOS MOSFETS DE INDUO COM CANAL N E CANAL P

33
Com relao ao NMOS (estrutura representada esquerda), duas regies N, uma correspondente
ao dreno e outra correspondente ao source, so difundidas sobre uma plataforma do tipo P, qual se d o
nome de substrato, e que dever estar ligada ao potencial mais baixo (referncia ou terra). O substrato
normalmente possui um terminal de acesso externo, que identificado pela letra B (do ingls bulk ou
body, substrato ou corpo). Embora no seja um requisito para o funcionamento do dispositivo, muito
frequente a interligao entre o substrato e o source de um MOSFET. Trata-se de uma prtica to comum
que muitas vezes essa interligao feita internamente ao componente, de forma que ele apresenta
apenas trs terminais, ao invs de quatro.

O gate, como se pode ver, est eletricamente isolado do restante do conjunto pela camada de
dixido de silcio. Visto que as regies de dreno e source esto separadas pelo substrato, na ausncia de
polarizao de gate no existe um canal nesse tipo de MOSFET. A estrutura formada pelas regies de
dreno, substrato e source assemelha-se a um transistor bipolar NPN.

Aplicando-se uma diferena de potencial entre o dreno e o source, no haver, a princpio,


circulao de corrente, pois esse transistor NPN est polarizado no corte (lembre-se de que o substrato,
que funciona como base do transistor, est aterrado). Com a aplicao de uma tenso positiva no gate,
origina-se um campo eltrico entre este e o substrato. Isso leva induo de cargas eltricas negativas
na regio do substrato que faz limite com o gate (exatamente como ocorre nas armaduras de um
capacitor). Quando o acmulo de cargas negativas nessa regio for suficientemente grande, ela passa de
P para N, formando um canal entre dreno e source, que possibilitar a circulao da corrente de dreno.
Esse fenmeno chamado de inverso de camada. A Figura 7-19 ilustra essa situao.
VDS ID = 0 VDS ID 0

VGS IG = 0
S G D S G D
++++++++

source dreno source dreno


(tipo N) (tipo N) (tipo N) (tipo N)
substrato canal N induzido pela tenso
(tipo P) substrato de gate, levando inverso de
(tipo P) camada no substrato

B B

FIGURA 7-19 - FORMAO DO CANAL PELA TENSO ENTRE O GATE E O SUBSTRATO NUM NMOS DE INDUO

necessrio um valor mnimo de tenso entre gate e source para que o canal seja induzido e a
corrente de dreno tenha um valor significativo. A esse valor mnimo d-se o nome de tenso de limiar
(VT). medida que a tenso aplicada ao gate se torna mais positiva, mais cargas negativas vo se
acumulando na regio entre dreno e source, aumentando a condutividade do canal induzido e
proporcionando um maior valor para a corrente de dreno. Assim, tanto VGS quanto VDS colaboram para
o aumento da corrente de dreno ID.

A partir de um determinado valor de VDS, comea o pinamento do canal, da mesma forma como
ocorre num JFET. Nesse ponto, a corrente de dreno se torna menos sensvel influncia de VDS e assume
um valor relativamente estabilizado. Podemos assim compreender o aspecto das curvas caractersticas
de transferncia e de sada de um MOSFET de induo canal N, mostradas na Figura 7-20.
34
VGS VDS

valores crescentes de VGS


VT ID ID

FIGURA 7-20 CURVAS CARACTERSTICAS DE TRANSFERNCIA E DE SADA PARA UM NMOS DE INDUO

Embora exista bastante similaridade em relao ao funcionamento de um JFET de canal N, notam-


se algumas diferenas significativas:

 A tenso de dreno e de gate possuem a mesma polaridade em relao ao source (no caso de um
NMOS, ambas so positivas). Note que a curva de transferncia traada no primeiro quadrante,
e no no segundo, como no JFET.

 No h nenhuma regio semicondutora ligada ao terminal de gate. O gate, portanto, no P, nem


N; simplesmente uma regio metlica isolada do substrato.
 No caso de inverso da polaridade da tenso da tenso entre gate e source, o MOSFET
simplesmente deixa de conduzir. A alta impedncia de entrada se mantm, visto que ela
resultado da isolao eltrica do gate, e no da polarizao reversa de uma juno, como ocorre
num JFET.

 A corrente de dreno diretamente proporcional tenso entre gate e source. No existe o


conceito de mxima corrente de saturao de dreno (IDss). O valor da corrente de dreno pode
aumentar indefinidamente, sendo limitado pela mxima dissipao permitida pelo MOSFET ou, o
que mais frequente, pelas condies do circuito de polarizao.
 No JFET, a corrente de dreno mxima para VGS = 0, e vai diminuindo com o aumento dessa
tenso. No MOSFET de induo, a corrente de dreno zero para VGS = 0, e vai aumentando com o
aumento dessa tenso, uma vez que ela tenha ultrapassado o valor de limiar (VT). A tenso de
limiar definida como o valor de VGS necessrio para que a corrente de dreno alcance um valor
pr-definido pelo fabricante do componente (geralmente 10 A).

Da mesma forma como um JFET, o MOSFET de induo comporta-se aproximadamente como um


resistor para pequenos valores de VDS. A diferena que nesse caso, o valor da resistncia ser
inversamente proporcional ao da tenso de controle VGS. Com o aumento de VDS, o MOSFET de induo
tambm entra numa regio de corrente constante (regio de pinch-off), j que ocorre um estreitamento
do canal, exatamente como no caso do JFET.

Na regio de pinch-off, que corresponde a VDS > VGS VT, a corrente de dreno obedece
` a2
equao da curva de transferncia, que : ID = KB VGS @ VT (EQUAO 7-13).

35
Na regio linear ou resistiva, que corresponde a VDS < VGS VT, a equao que
D E
` a 2
descreve a corrente de dreno : ID = 2 B K B VGS @ VT B VDS @ VDS (EQUAO 7-14).

A constante K especfica de cada dispositivo, dependendo da mobilidade dos portadores, da


constante dieltrica do xido de silcio empregado como isolante, da espessura da camada isolante e das
caractersticas dimensionais. Os valores dessa constante so da ordem de 1 10-4 A/V2.

bvio que para o PMOS de induo o funcionamento totalmente anlogo ao descrito acima,
bastando simplesmente inverter as polaridades das tenses e o sentido da corrente de dreno.
Existem diversos smbolos utilizados para representar o MOSFET de induo num diagrama de
circuito. A Figura 7-21 mostra os smbolos mais comuns para o MOSFET de induo de canal N, sendo
que, em nosso texto, adotaremos o primeiro.
D D D
D

B G B G G
G

S S S
S
FIGURA 7-21 SMBOLOS MAIS COMUNS PARA O NMOS DE INDUO

No primeiro smbolo, a dopagem do canal indicada por uma seta no substrato que, apontando
para dentro do smbolo do componente, indica que se trata de uma regio com dopagem P. Como a
dopagem do dreno e do source oposta do substrato, conclui-se que o canal do tipo N.

No segundo smbolo, a dopagem do canal indicada por uma seta no source, que, apontando para
fora do smbolo do componente, indica que se trata de uma regio com dopagem N. A dopagem do dreno
sempre a mesma do source e a dopagem do substrato oposta das outras duas regies.

A diferena entre o terceiro smbolo e o segundo a supresso do terminal de substrato. Isso


ocorre porque a ligao entre esse terminal e o de source to frequente que muitas vezes ela feita
internamente durante a prpria fabricao do dispositivo, e apenas trs terminais ficam disponveis.

No quarto smbolo, a dopagem do canal indicada por meio do terminal de gate. No possvel
colocar uma seta nesse terminal, pois como discutido acima, ele no est associado a nenhuma regio
semicondutora. A forma de representao utilizada no quart smbolo mostra que se trata de um
dispositivo ativo em nvel 1, ou seja, que conduzir quando a tenso de gate for positiva. Essa uma
caracterstica de um NMOS. Essa representao fica mais clara ao ser comparada com a representao
correspondente para um PMOS, que o quarto smbolo apresentado na Figura 7-22. O crculo no
terminal de gate indica que se trata de um dispositivo ativo em nvel 0, ou seja, que conduzir quando a
tenso de gate for negativa. Nos primeiros trs smbolos, a diferena o sentido das setas.

D D D
DD

G B B G B G G
G

S S S
SS

FIGURA 7-22 SMBOLOS MAIS COMUNS PARA O PMOS DE INDUO

36
CIRCUITOS DE POLARIZAO PARA O MOSFET DE INDUO

Para a compreenso dos circuitos apropriados para a polarizao de MOSFETs de induo deve-se
ter em mente que as tenses VDS e VGS tero a mesma polaridade (ambas positivas, no caso de canal N
ou ambas negativas, no caso de canal P) e que a corrente de gate ser nula, para todos os efeitos prticos.
Utilizando-se as leis de Kirchoff e de Ohm, bem como a equao que descreva adequadamente o
comportamento do MOSFET na regio em que se encontra operando, pode-se chegar aos valores
desejados (obter o ponto de operao a partir dos valores das resistncias de polarizao ou vice-versa).
Em todos os circuitos mostrados a seguir, as resistncias ligadas ao gate devem ser escolhidas na faixa de
M, para no neutralizar a caracterstica de alta impedncia de entrada proporcionada pelos MOSFETs.

CIRCUITO DE POLARIZAO FIXA (TENSO VGS CONSTANTE)

Trata-se o circuito mais simples, mas tem pouca aplicao prtica. A razo para isso que esse
circuito requer que a tenso de alimentao seja exatamente igual tenso VGS necessria para se obter a
corrente de dreno desejada. A probabilidade de que tal situao ocorra na prtica muito reduzida.
Outra desvantagem desse circuito possuir um valor fixo para a tenso entre gate e source, de modo que,
se ocorrerem variaes nos parmetros do MOSFET, o ponto de operao ser deslocado, visto que o
circuito no possui mecanismos de estabilizao. O diagrama desse circuito mostrado na Figura 7-23.

+VDD
+ +
R R ID
G D

+
IG = 0
VDS
+
VGS

FIGURA 7-23 CIRCUITO DE POLARIZAO FIXA PARA UM NMOS DE INDUO

EXEMPLO 7-9: PROJETAR UM CIRCUITO DE POLARIZAO FIXA PARA FAZER UM PMOS DE INDUO QUE POSSUI
VT = 2 V E K = 0,8 A/V 2 OPERAR COM ID = 2 mA E VDS = 1,5 V.

37
CIRCUITO DE POLARIZAO AUTOPOLARIZANTE
Esse circuito utiliza um resistor entre o source e o terra do circuito para obter a tenso
adequada entre o gate e o source do MOSFET. A presena desse resistor introduz um efeito estabilizador
que minimiza o deslocamento do ponto de operao em funo das variaes nos parmetros do
MOSFET. O diagrama desse circuito mostrado na Figura 7-24.

+VDD
+ +
R R ID
G D

+
IG = 0
VDS
+
VGS
+
R ID
malha S
de gate

FIGURA 7-24 - CIRCUITO DE POLARIZAO AUTOPOLARIZANTE PARA UM NMOS DE INDUO

A partir da equao LKT da malha de gate, possvel observar o efeito estabilizador


proporcionado pelo resistor RS:

+ VDD @ IGB RG @ VGS @ IDB RS = 0 [ VGS = VDD @ IGB RG @ IDB RS [ VGS = VDD @ IDB RS

Se, por qualquer razo, a corrente de dreno tender a aumentar, a equao acima mostra que isso
causar a diminuio no valor de VGS, o que, por sua vez, reduzir a corrente de dreno. De forma
anloga, se a corrente de dreno tender a diminuir, isso acarretar ao aumento de VGS e o consequente
aumento da corrente de dreno.

EXEMPLO 7-10: REFAZER O EXEMPLO 7-9, USANDO DESTA VEZ UM CIRCUITO AUTOPOLARIZANTE E UMA TENSO
DE ALIMENTAO DE 15 V.

38
CIRCUITO DE POLARIZAO COM DIVISOR DE TENSO NO GATE
Neste circuito, um resistor introduzido entre o gate e o terra, formando um divisor de tenso
que tem a propriedade de reforar o efeito estabilizador da resistncia de source sobre o ponto de
operao. o nico circuito que tem exatamente a mesma configurao para o JFET e para o MOSFET de
induo. Seu diagrama mostrado na Figura 7-25.

+VDD
+ +
R R ID
VRG1 G D
1
+
IG = 0 VDS
+
+ VGS
VRG2 R +
= G
malha
de gate R ID
VGG
2 S

FIGURA 7-25 - CIRCUITO DE POLARIZAO COM DIVISOR DE TENSO NO GATE PARA UM NMOS DE INDUO

A equao LKT para a malha de gate desse circuito :

@ VGS @ ID B RS + VGG = 0 [ VGS = VGG @ ID B RS .

Para permitir que o MOSFET conduza, o valor de VGS deve ser, no mnimo, igual tenso de limiar
VT. Assim, VGG tem que ser maior do que o produto ID RS. Uma vez observada essa condio, a
equao mostra que tambm nesse circuito o resistor RS contribui para a estabilidade do ponto de
operao.

EXEMPLO 7-11: REFAZER O EXEMPLO 7-10, USANDO AGORA UM CIRCUITO COM DIVISOR DE TENSO NO GATE
COM VGG = 9 V.

39
MOS COMPLEMENTAR (CMOS)

Uma aplicao importante dos MOSFETs de induo a implementao de circuitos integrados


que combinam dispositivos de canais N e P numa nica estrutura. Essa tcnica chamada de MOSFET
com simetria complementar, ou, simplesmente, CMOS. Essa a principal tcnica empregada na
fabricao de circuitos integrados de baixa potncia, caracterizados por um baixssimo consumo de
energia, alta imunidade a rudos e funcionamento estvel numa larga faixa de tenses de alimentao. A
estrutura bsica de um dispositivo CMOS apresentada na Figura 7-26.

NMOS PMOS

BN SN GN DN DP GP SP BP

contato contato contato contato contato contato contato contato


metlico metlico metlico metlico metlico metlico metlico metlico
camada de xido de silcio (SiO2) camada de xido de silcio (SiO2)
source dreno dreno source
(tipo N) (tipo N) (tipo P) (tipo P)

substrato secundrio
(tipo N)

Substrato principal
(tipo P)

FIGURA 7-26 ESTRUTURA BSICA DE UM DISPOSITIVO CMOS

Numa parte do substrato P de um NMOS de induo difundida uma regio N que servir como
substrato para um segundo MOSFET de induo, desta vez um PMOS. Essa regio que abriga o substrato
secundrio conhecida como cavidade ou poo. A espessura da camada isolante de dixido de silcio
bem maior na regio que separa os dois MOSFETs. Isso feito para reforar a isolao entre eles.
Os dispositivos CMOS possuem uma extensa gama de aplicaes. So utilizados em
amplificadores, em sensores ticos, em interruptores (chaves) de estado slido e em circuitos osciladores,
para citar apenas algumas aplicaes. Mas, sem dvida, a aplicao mais frequente dos dispositivos
CMOS na implementao de sistemas lgicos, tanto combinacionais, quanto sequenciais.

A Figura 7-27 mostra o circuito lgico mais simples implementado a partir de uma clula CMOS
bsica e seus circuitos equivalentes para os dois valores possveis para a tenso de entrada vi (nvel 0 e
nvel 1, com valor-exemplo de +5 V).
+VSS +5 V +5 V

SP PMOS
(conduzindo) PMOS
GP (cortado)

DP vi = 0 vo = 1 vi = 1 vo = 0
vo (0 V) (+5 V) (+5 V) (0 V)
vi
DN NMOS
(cortado) NMOS
GN (conduzindo)
SN

FIGURA 7-27 CIRCUITO LGICO COM CLULA CMOS E CIRCUITO EQUIVALENTE PARA vi = 0 E vi = 1
40
O sinal de entrada vi um sinal binrio, com apenas dois valores possveis: o nvel 0 (igual a 0
ou qualquer valor de tenso abaixo da tenso de limiar VT dos MOSFETs) e o nvel 1 (igual a VSS - um
valor de tenso suficiente para saturar os MOSFETs).

Nesse circuito, a tenso entre gate e source do NMOS vale: VGSN = vi, enquanto a tenso entre
gate e source do PMOS vale: VGSP = vi VSS. Se o sinal de entrada estiver em 0, o NMOS ter VGS nulo,
estando dessa forma cortado e equivalendo a um circuito aberto. Por outro lado, o PMOS ter VGS = -VSS
(negativo) e, de acordo com a premissa feita acima em relao ao valor de VSS, estar na regio de
saturao, permitindo a passagem da corrente. O sinal de sada valer, ento:

f
ff
ff
ff
ff
ff
ff
f
RLf
ff
ff
ff
ff
ff
ff
ff
ff
vo = + VSSB (EQUAO 7-15).
RDSON + RL
Para o circuito representado na figura, que possui resistncia de carga de valor infinito, obtm-se
vo = +VSS (nvel 1). Nas aplicaes prticas, deve-se tomar o cuidado de utilizar resistncias de carga
com valores bem superiores ao da resistncia do canal.

Quando o sinal de entrada estiver em 1, o NMOS canal N ter VGS = +VSS (positivo), operar na
regio de saturao e permitir a passagem de corrente. O PMOS, no entanto, ter VGS nulo e se
comportar como um circuito aberto, o que produzir um sinal de sada nulo (nvel 0). Conclui-se que
o circuito em questo funciona como um inversor lgico.

Como sempre haver um dos MOSFETs no estado de corte, a corrente no circuito ser
nominalmente zero. O circuito consome energia apenas durante um curto espao de tempo durante as
transies do sinal de entrada. Isso ocorre porque, como cada um dos MOSFETs demora um certo tempo
para passar da conduo para o corte, haver um pequeno intervalo durante as transies em que ambos
estaro conduzindo. Conclui-se, portanto, que o consumo de energia dos dispositivos CMOS
diretamente proporcional sua frequncia de operao.

O MOSFET DE DEPLEO

Se numa estrutura semelhante de um MOSFET de induo for feita a difuso de com a dopagem
do tipo apropriado entre a regio de dreno e a regio de source, de forma a formar um canal permanente
que permita a circulao de uma corrente de dreno mesmo que no haja tenso aplicada ao gate, obtm-
se o dispositivo denominado MOSFET de depleo. A Figura 7-28 mostra a estrutura e a simbologia de
um MOSFET de depleo Canal P.
Source Gate Dreno Source Gate Dreno
(S) (G) (D) (S) (G) (D)

contato contato contato contato contato contato


metlico metlico metlico metlico metlico metlico
camada de xido de silcio (SiO2) camada de xido de silcio (SiO2)
source canal dreno source canal dreno
(tipo N) (tipo N) (tipo P) (tipo P)
substrato substrato
(tipo P) (tipo N)

contato contato
metlico metlico

Substrato Substrato
(B) (B)
FIGURA 7-28 - ESTRUTURA DOS MOSFETS DE DEPLEO COM CANAL N E CANAL P
41
A figura permite observar que, ao contrrio do que ocorre num MOSFET de induo, no MOSFET
de depleo existe um canal fsico ligando as regies de dreno e source. Por isso, quando se aplica uma
tenso VDS entre os terminais de dreno e source, circula uma corrente de dreno sem a necessidade de
uma tenso VGS aplicada entre gate e source. Em geral, os terminais de gate e substrato so interligados,
exatamente como no MOSFET de induo. A descrio que se segue pressupe essa interligao.
Para entender o que ocorre quando se aplica uma tenso VGS, vamos tomar como exemplo um
NMOS de depleo. Com a aplicao de uma tenso positiva no gate, induzem-se cargas negativas na
regio do canal N, o que resulta num alargamento do canal e consequente aumento no valor da corrente
de dreno. Esse um processo anlogo ao que ocorre num NMOS de induo. Por isso, sempre que a
tenso VGS de um MOSFET de depleo possui a mesma polaridade da tenso VDS, diz-se que o
dispositivo opera no chamado modo de induo.
Se o potencial do gate for negativo em relao ao source, cargas positivas sero induzidas na
regio de canal, as quais se recombinam com os eltrons livres ali existentes, reduzindo o nmero de
portadores disponveis e, com isso, diminuindo a corrente de dreno. um processo anlogo ao que
ocorre num JFET. Por isso, sempre que a tenso VGS de um MOSFET de depleo possui polaridade
oposta da tenso VDS, diz-se que o dispositivo opera no chamado modo de depleo. No modo de
depleo, existe um valor de VGS que leva ao fechamento completo do canal e interrupo da corrente
de dreno. Assim como num JFET, essa tenso conhecida como tenso de pinch-off (VP ou VGSoff).
Outra semelhana com a terminologia empregada para o JFET que o valor saturado da corrente de
dreno de um MOSFET de depleo quando VGS = 0 tambm conhecido como IDss.
A Figura 7-29 ilustra os dois modos de operao de um MOSFET de depleo de canal N. Para um
PMOS, basta inverter em cada caso a polaridade das tenses e o sentido da corrente.

ID ID
(aumenta (diminui
IG = 0 VDS com VGS: IG = 0 com VGS:
INDUO)
VDS
DEPLEO)

S VGS G D S VGS G D
++++++
source dreno source dreno
(tipo N) (tipo N) (tipo N) (tipo N)
substrato
++++++
substrato
(tipo P) (tipo P)

B B

FIGURA 7-29 - MOSFET DE DEPLEO DE CANAL N NOS MODOS DE INDUO E DE DEPLEO

Devido s suas caractersticas, o MOSFET de depleo o mais verstil dos transistores de efeito
de campo. Como demosntrado acima, quando a tenso de gate tem polaridade oposta da tenso de
dreno, ele opera como um JFET. Nessa condio, ter um modelo de pequenos sinais idntico ao de um
JFET e ser utilizado principalmente como amplificador. Os circuitos para polariz-lo nesse modo de
operao sero os mesmos j estudados para o JFET.

Com uma tenso de gate com polaridade igual da tenso de dreno, o MOSFET de depleo
comporta-se como um MOSFET de induo, e utilizado, como este, em aplicaes de chaveamento,
utilizando os mesmos circuitos de polarizao utilizados pelo MOSFET de induo.

42
Como em qualquer transistor de efeito de campo, a regio de operao em que um MOSFET de
depleo se encontra depende do valor da tenso entre gate e source. Desconsiderando-se a regio de
avalanche, que deve ser evitada, a regio de operao de um MOSFET de depleo pode ser determinada
pela seguinte regra, bastante semelhante usada para o JFET:
L M
 Para VDS LVP @ VGSM, o MOSFET se encontra na regio linear ou resistiva;
L M L M
 Para LVP @ VGSM < VDS LBDVSS @ VGSM, o MOSFET se encontra na regio de pinch-off ou de
corrente constante.

Na regio de pinch-off, a relao entre a corrente de dreno e a tenso entre gate e source dada,
g2
f
ff
f
ff
f
f
VGSf
f
ff
f
ff
f
ff
f
como num JFET, pela Equao de Shockley: IDs = IDss B 1 @ . Observando que no modo de
VP
induo VGS e VP possuem sinais opostos e que no modo de depleo essas tenses tm o mesmo sinal, a
equao pode ser desdobrada em duas, aplicveis, respectivamente, aos modos de induo e depleo:

g2 g2
ff
f
ff
f
VGSf
f
ff
ff
f
f ff
f
ff
f
VGSf
f
ff
ff
f
f
f f
IDs = IDssB 1 + (EQUAO 7-16) IDs = IDssB 1 @ (EQUAO 7-17).
VP VP

A maior faixa de controle que os MOSFETs de depleo possuem sobre a corrente de dreno pode
ser vista atravs das curvas caractersticas de sada e da curva de transferncia. A Figura 7-30 mostra
essas curvas para um MOSFET de depleo de canal N hipottico com IDss = 8 mA e VP = -6 V.

modo de
depleo modo de
induo

FIGURA 7-30 - CURVAS CARACTERSTICAS DE TRANSFERNCIA E DE SADA PARA UM NMOS DE DEPLEO

A Figura 7-31 mostra os smbolos mais comuns para a representao dos MOSFETs de depleo
de canal N e P, respectivamente. Eventualmente podem ser empregados smbolos alternativos
semelhantes aos utilizados para representar os MOSFETs de induo.
D
D

G B
G B

S
S

FIGURA 7-31 SMBOLOS MAIS USADOS PARA REPRESENTAR O NMOS E O PMOS DE DEPLEO

43
EXEMPLO 7-12: O CIRCUITO ABAIXO UTILIZA UM PMOS DE DEPLEO CUJAS CARACTERSTICAS SO: VP = 4 V E
IDss = 2 mA. SABENDO QUE O VALOR DA TENSO ENTRE DRENO E SOURCE DE 7 V: A) CALCULAR VALORES
ADEQUADOS PARA RG1 E RG2. B) CALCULAR UM NOVO VALOR PARA RG2 PARA QUE A CORRENTE DE DRENO
PASSE PARA 1,2 mA.

-VDD
25 V
R RD
4,8
G K
1

R RS
G 1,2
2 K

OBSERVAES GERAIS SOBRE OS MOSFETS DE INDUO E DE DEPLEO

Bidirecionalidade Diferente do que ocorre com as regies de coletor e emissor num transistor bipolar
e com os terminais de dreno e source num JFET, as regies de dreno e source dos MOSFETs so fabricadas
com caractersticas semelhantes, de forma que os terminais correspondentes podem ser intercambiados
sem que se altere o desempenho do dispositivo. Em outras palavras, a corrente pode fluir entre o dreno e
o source nos dois sentidos.

Efeito da Polarizao do Substrato Qualquer que seja o tipo de MOSFET, se o substrato for colocado
num potencial diferente do potencial do source, haver alteraes tanto na resistncia do canal como na
tenso de limiar VT (no caso de um MOSFET de induo). Desse modo, o substrato pode ser utilizado
como um segundo gate, razo pela qual esse terminal s vezes chamado de gate2 (G2) ou backgate.
Nesses casos, obviamente, no se faz a interligao entre o substrato e o source.

Mxima Tenso entre Gate e Source Como vimos, os MOSFETs possuem uma finssima camada de
xido de silcio (de 0,08 a 0,2 mcrons de espessura), que isola o gate e o canal. Sendo to fina, essa
camada pode ser facilmente danificada por uma tenso VGS excessiva. Por esse motivo, de extrema
importncia respeitar os limites para essa tenso, estabelecidos pelo fabricante. At mesmo a
eletricidade esttica comum no corpo humano pode ser suficiente para a perfurao da camada isolante.
Essa eletricidade pode ser aplicada ao dispositivo pelo seu simples manuseio. Para evitar danos ao
componente, algumas medidas de proteo podem ser tomadas:

Na embalagem, alguns MOSFETs possuem um fio fazendo um curto-circuito entre os seus


terminais. Assim, elimina-se qualquer tenso acidentalmente aplicada entre os terminais. Aps a
montagem do componente no circuito, quando no haver mais manuseio, esse fio retirado.

Outros MOSFETs possuem na sua estrutura interna um diodo Zener entre o gate e o source. A
tenso de Zener inferior mxima tenso VGS permitida. Caso se tente aplicar uma tenso
superior entre os terminais, o diodo entra na regio de regulao, impedindo danos. Essa soluo
possui a desvantagem de reduzir a impedncia de entrada do MOSFET.

44
MOSFETS DE POTNCIA

At poucas dcadas atrs, a melhor opo para uso de semicondutores em aplicaes de alta
potncia (correntes maiores do que 5 A) eram os transistores bipolares de potncia. Esses dispositivos,
no entanto, apresentam uma srie de limitaes, entre as quais:

 Como se tratam de dispositivos controlados por corrente, necessitam de um elevado valor de


corrente de base (at um quinto da corrente de coletor), o que significa um alto valor de potncia
de controle.
 O tempo de chaveamento dos transistores bipolares de potncia da ordem de dcimos de
microssegundos, muito lento para aplicaes em frequncias elevadas.

 Os transistores bipolares esto sujeitos chamada avalanche trmica, devido ao seu coeficiente
trmico negativo (mais corrente maior temperatura menor resistncia mais corrente).

 Os transistores bipolares so dispositivos relativamente frgeis, requerendo componentes


adicionais para sua proteo e quando falham geralmente causam a destruio de toda o estgio
de sada onde se encontram localizados.

Limitaes como essas fazem com que os circuitos de controle de potncia utilizando transistores
bipolares sejam relativamente complicados. Por este motivo, os transistores de efeito de campo, em
particular os MOSFETs de induo, tm sido cada vez mais utilizados em aplicaes de alta potncia, em
substituio aos transistores bipolares.

Os MOSFETs apresentam um coeficiente trmico positivo, estando assim livres da avalanche


trmica. Seu tempo de chaveamento da ordem de nanossegundos e so dispositivos mais robustos do
que os transistores bipolares. Alm disso, podem ser facilmente arranjados em paralelo, pois a corrente
total tende a se distribuir uniformemente entre os vrios MOSFETs associados.

Como desvantagens em relao aos transistores bipolares, os MOSFETs de potncia so


dispositivos mais caros e, no estado de conduo, tendem a apresentar uma queda de tenso maior. Por
esse motivo, quando o nvel de tenso mais elevado, os transistores bipolares continuam sendo a opo
preferencial. Outra desvantagem a capacitncia relativamente elevada que esses dispositivos
apresentam, o que impede a sua utilizao em frequncias de chaveamento superiores a centenas de
MHz. Pesquisas tm sido realizadas no sentido de superar as deficincias dos MOSFETs nesses aspectos.

Existem variadas estruturas construtivas para possibilitar que os MOSFETs operem em regime de
alta tenso e/ou alta corrente. Cada uma dessas estruturas (todas elas diferentes da utilizada num
MOSFET comum) tem como objetivo proporcionar uma caracterstica adequada para aplicaes de alta
potncia. H basicamente dois tipos de estruturas: as laterais (semelhantes de um MOSFET comum),
que proporcionam baixa resistncia de canal e capacidade de suportar altas tenses; e as verticais, onde
as regies de dreno, source e gate se encontram empilhadas, ao invs de lado a lado, que aumentam a
resistncia de canal, mas conferem capacidade de suportar altas correntes.

Os fabricantes de semicondutores esto continuamente pesquisando variaes sobre essas


estruturas bsicas, de forma a obter MOSFETs que operem em regimes cada vez elevados de tenso e
potncia. As estruturas assim desenvolvidas so batizadas pelos seus fabricantes, tornando-se marcas
registradas. Alguns exemplos so: HEXFET (da International Rectifier), SIPMOS (da Siemens),
MegaMOS (da IXYS) e TrenchMOS (da Philips).
45
Em resumo, pode-se afirmar que em aplicaes de mdia ou baixa tenso que requeiram rpido
chaveamento, os dispositivos mais apropriados so os MOSFETs. Para aplicaes de alta tenso,
independente da frequncia de chaveamento, a escolha recai sobre os transistores bipolares. Se a
aplicao for de baixa ou mdia tenso, mas sem grandes exigncias quanto ao tempo de chaveamento, a
escolha indiferente.

TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA

Uma constatao pode ser feita a partir da discusso acima: embora, no geral, os MOSFETs
apresentem melhores caractersticas para as aplicaes de alta potncia, os transistores bipolares
apresentam vantagens em alguns aspectos especficos. Procurando-se combinar as boas caractersticas
de cada um desses dispositivos (especialmente a baixa queda de tenso sobre o transistor bipolar e o
curto tempo de chaveamento de um MOSFET), foi desenvolvido o transistor bipolar de porta isolada
(IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor). A Figura 7-32 mostra a estrutura bsica, a simbologia e o
circuito equivalente de um IGBT.

FIGURA 7-32 - ESTRUTURA, SMBOLO E CIRCUITO EQUIVALENTE DE UM IGBT

Nota-se que o IGBT possui uma estrutura mista, com a regio de coletor situada verticalmente em
relao s regies de gate e emissor, localizadas lateralmente. Os smbolos N+ e N- representam,
respectivamente, regies N com maior e menor nvel de dopagem. No circuito equivalente, RD e RB
representam as resistncias distribudas ao longo do corpo do dispositivo.

A operao de um IGBT semelhante de um MOSFET de potncia. Uma tenso positiva aplicada


ao emissor em relao ao gate causa o deslocamento de eltrons livres do emissor para o gate. Se essa
tenso for superior tenso de limiar VT, forma-se um canal que permite a circulao de corrente entre o
coletor (ligado ao substrato P) e o emissor, num fenmeno similar ao que ocorre num MOSFET de
induo.

Em seu estado de conduo, o IGBT possui uma resistncia menor do que a do MOSFET. No
entanto, por ser um dispositivo bipolar (conduo de corrente baseada nos dois tipos de portadores), seu
tempo de chaveamento maior, o que limita a mxima frequncia de operao. Assim, a escolha do
dispositivo de potncia mais adequado depende das caractersticas peculiares de cada aplicao.

46
A Tabela 7-3 apresenta um quadro comparativo entre as principais caractersticas de transistores
bipolares, MOSFETs e IGBTs. com base nessas caractersticas que se faz a escolha de um desses
dispositivos para uma aplicao especfica. A Tabela 7-4 mostra as aplicaes mais comuns para cada um
desses dispositivos. Obviamente, a tabela meramente indicativa, havendo muitas aplicaes em que
mais de um (ou qualquer um) dos dispositivos possa ser empregado. Cabe ao projetista examinar todos
os aspectos da situao especfica para escolher o dispositivo mais adequado.

TABELA 7-3 QUADRO COMPARATIVO DAS CARACTERSTICAS DOS DISPOSITIVOS DE POTNCIA

TABELA 7-4 APLICAES TPICAS DOS DISPOSITIVOS DE POTNCIA

47
CAPTULO 8 - AMPLIFICADORES OPERACIONAIS:
FUNDAMENTOS

Durante a dcada de 1940, o esforo de guerra envolvia a necessidade de se resolver rapidamente


problemas que envolviam equaes integrais e diferenciais, sendo essa a origem da computao
analgica. Nessa poca desenvolveu-se o conceito de circuitos chamados amplificadores inversores
realimentados para propsitos gerais, de alto ganho e acoplamento direto entre os estgios,
denominao que anos mais tarde evoluiu para amplificadores operacionais, assim denominados
devido sua utilizao na soluo de operaes matemticas.
Os primeiros amplificadores operacionais foram implementados com vlvulas termoinicas, e
acompanharam o desenvolvimento tecnolgico, passando a ser implementados com transistores
bipolares discretos e, a partir da dcada de 1960, por meio de circuitos integrados (CIs), que a nica
forma em que so atualmente disponveis. Os amplificadores operacionais (OPerational AMPlifiers -
OPAMPs) so os blocos bsicos dos chamados circuitos integrados analgicos ou lineares, em oposio
aos circuitos integrados digitais ou lgicos (portas lgicas, flip-flops, etc.).
Um OPAMP basicamente um amplificador de tenso de altssimo ganho, com alta impedncia de
entrada e baixa impedncia de sada. O acoplamento entre os estgios direto (sem a utilizao de
capacitores ou indutores), com o objetivo de aumentar a banda passante. Dessa forma, um OPAMP
capaz de amplificar sinais constantes (ou seja, com frequncia zero). A Figura 8-1 mostra o diagrama em
blocos genrico de um OPAMP.
entrada
inversora

Primeiro Segundo Estgio de Estgio de sada


Amplificador Amplificador Deslocamento Sada
Diferencial Diferencial de Nvel (Classe AB)
entrada
no-inversora

FIGURA 8-1 DIAGRAMA EM BLOCOS DE UM AMPLIFICADOR OPERACIONAL GENRICO

O segundo amplificador diferencial representado em linhas pontilhadas porque nem sempre


est presente nos diagramas dos OPAMPs comerciais. Da sada para a entrada, as funes bsicas de
cada estgio so:

 Estgio de Sada Trata-se de um amplificador de potncia em Classe AB, com acoplamento


direto e alimentao atravs de fonte simtrica, que permite sinais de sada com qualquer
polaridade, alm de dar ao OPAMP alguma capacidade de fornecimento de corrente.
 Estgio de Deslocamento de Nvel Adapta o sinal proveniente dos estgios amplificadores
diferenciais para o nvel adequado ao estgio de sada. Alm disso, funciona como pr-
amplificador e casador de impedncias.
 Estgios Amplificadores Diferenciais Como ser visto com mais detalhes a seguir, so os
principais responsveis por vrias das caractersticas importantes de um OPAMP.

O diagrama em blocos permite concluir que um amplificador operacional genrico possui dois
terminais de entrada (inversora e no-inversora) e um terminal de sada. Alm destes, esto presentes
tambm dois terminais destinados s tenses de alimentao do operacional. Eventualmente pode existir
um segundo terminal de sada e terminais especficos para o ajuste externo de parmetros do operacional

48
ou para controle de sua(s) sada(s). A Figura 8-2 mostra o diagrama interno de um amplificador
operacional bastante simples, discriminando os diversos blocos.

+VCC

vi+

vi-

vo

Primeiro Segundo Estgio de Estgio de


Amplificador Amplificador Deslocamento Sada
Diferencial Diferencial de Nvel -VEE

FIGURA 8-2 DIAGRAMA INTERNO DE UM AMPLIFICADOR OPERACIONAL SIMPLES

O smbolo mais comum para a representao de um amplificador operacional apresentado na


Figura 8-3, juntamente com o aspecto fsico e as conexes internas de um OPAMP de uso muito frequente,
o 741.

+VCC ajuste de offset sem conexo

vi- entrada inversora +VCC


vo
entrada no-inversora sada
vi+ +
-VEE -VEE ajuste de offset

FIGURA 8-3 SMBOLO DO AMPLIFICADOR OPERACIONAL, ASPECTO FSICO E CONEXES

O smbolo mostra, alm das duas entradas e da sada, a alimentao DC do OPAMP, utilizando
fonte simtrica (+VCC e -VEE). Nos circuitos meramente conceituais (tericos) no h necessidade de
representar as fontes de alimentao. Existem alguns tipos comerciais de OPAMP que podem ser
alimentados tanto a partir de fonte simtrica como a partir de fonte simples. Quando o OPAMP
alimentado com fonte simples e/ou quando o conhecimento da(s) tenso(es) de alimentao relevante
para a compreenso do funcionamento do circuito, conveniente no s que ela(s) seja(m)
representada(s), como tambm assinalar o seu valor.

Um amplificador operacional caracterizado pelo seu ganho de tenso em malha aberta,


simbolizado por Ao. O sinal de sada do dispositivo dado pelo produto entre o ganho de tenso em
malha aberta e a diferena entre os sinais aplicados s duas entradas, ou seja:

49
b c
vo = AoB vi+ @ vi@ (EQUAO 8-1).

Como ser visto adiante, tal caracterstica fundamental para viabilizar a utilizao prtica de um
dispositivo com elevado valor de ganho de tenso.

O valor da tenso de sada de um amplificador operacional limitado pelos valores das tenses de
alimentao, isto , a tenso de sada no pode ser superior a +VCC, nem inferior a VEE. Quando o sinal
de sada de um amplificador operacional igual a uma das tenses de alimentao, diz-se que a sua sada
est saturada. Quando vo = +VCC, a sada est saturada para cima, e quando vo = -VEE, a sada est
saturada para baixo.

AMPLIFICADOR DIFERENCIAL

Entre os estgios que compem um amplificador operacional pelo menos um o circuito


conhecido como amplificador diferencial ou amplificador de diferenas. Trata-se de um amplificador
com acoplamento direto com duas entradas que possui como principal caracterstica amplificar a
diferena entre os sinais v1 e v2 aplicados s suas entradas. Isso significa que, se sinais iguais forem
aplicados a essas entradas, o sinal de sada correspondente ser nulo. Essa propriedade conhecida
como rejeio de modo comum, e de fundamental importncia para o correto funcionamento de um
amplificador operacional. O circuito bsico de um amplificador diferencial mostrado na Figura 8-4.
Para uma operao tima, os transistores devem ter caractersticas tanto quanto possvel idnticas e os
resistores de coletor devem ter o mesmo valor.
+VCC

R R
C C
1 vo1 vo2 2
vD
T1 vc1 T2
vc2

vi1 vi2
IE1 0,5 IF IE2 0,5 IF

ff
f
f
VZf
ff
f
ff
f
@f
f
ff
ff
f
ff
f
0,6f
f
ff
ff
IF t
RE

T3

R
Z R
E fonte de
corrente
constante

-VEE

FIGURA 8-4 AMPLIFICADOR DIFERENCIAL POLARIZADO POR FONTE DE CORRENTE CONSTANTE

Definem-se dois ganhos de tenso distintos para um amplificador diferencial: o ganho comum AC
e o ganho diferencial AD. O ganho comum aquele obtido quando as tenses de entrada vi1 e vi2 so
iguais. Supondo que os transistores possuam caractersticas idnticas, a corrente IF se divide em partes
50
iguais entre os dois transistores, resultando em tenses iguais sobre os resistores de coletor (que
possuem o mesmo valor). Desse modo, vc1 = vc2 vD = 0. Em outras palavras, no caso ideal, o ganho
comum nulo. Por isso, diz-se que os amplificadores diferenciais rejeitam os sinais comuns (aplicados
simultaneamente a ambas as entradas) - a chamada rejeio de modo comum. Essa uma das
caractersticas mais importantes de um amplificador diferencial.

O ganho diferencial a relao entre a tenso no coletor dos transistores e a diferena de tenso
entre as entradas do amplificador. O que se deseja que esse ganho seja o maior possvel (no caso ideal,
infinito).

Na prtica, um ganho diferencial infinito no pode ser obtido, ente outras razes, pelo fato de o
hFE dos transistores ser finito. Igualmente, um ganho comum nulo no pode ser obtido porque, ainda que
os dois transistores tivessem caractersticas absolutamente idnticas, seria necessrio que os dois
resistores de coletor tivessem exatamente o mesmo valor, sendo ambas as condies extremamente
improvveis. Os ganhos diferencial e comum podem ser calculados de forma aproximada atravs das
equaes, vlidas exclusivamente para o circuito da Figura 8-4:

AD = f
IFf
f
f
Bf
ff
f
ff
ff
f
f
RCf
ff
f
f f
f
ff
ff
f
f
RCBfff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
f
hoef
f
ff
fff
f
(EQUAO 8-2) AC = ` a (EQUAO 8-3).
0,052 2B hfe + 1

Nas equaes acima, hfe e hoe so parmetros hbridos dos transistores utilizados no circuito. A
polarizao do amplificador diferencial por meio de uma fonte de corrente constante colabora para o
aumento da impedncia de entrada desse circuito. Caso se deseje uma impedncia de entrada ainda mais
alta, os amplificadores diferenciais podem sem implementados a partir de JFETs ou mesmo de MOSFETS.

A qualidade de um amplificador diferencial pode ser avaliada atravs de sua taxa de rejeio de
modo comum (CMRR - common mode rejection ratio), que pode ser calculada pela frmula:
L M
LAf
f
ff
ff
ff
L M
D M
CMRR =L
L M (EQUAO 8-4).
M
LA M
C

A taxa de rejeio de modo comum mais frequentemente expressa em decibis (dB):


L M
LAf
f
ff
ff
ff
L M
` a D M
CMRR dB = 20B logL
L M (EQUAO 8-5).
M
LA M
C

Quanto maior a CMRR, mais eficiente o amplificador diferencial.

CARACTERSTICAS IMPORTANTES DE UM OPAMP REAL

Como fizemos em relao a todos os dispositivos estudados at aqui, faremos a anlise dos
circuitos com OPAMP utilizando o modelo ideal para esse elemento. Embora o OPAMP seja o dispositivo
cujo comportamento efetivo mais acuradamente descrito pelo modelo ideal, ainda assim necessrio
que o projetista tenha uma clara compreenso do significado e da ordem de grandeza de cada um dos
parmetros de um OPAMP real, para que seja capaz de avaliar o seu impacto no desempenho de circuitos
reais em que o OPAMP seja utilizado.

51
Sero apresentadas a seguir as principais caractersticas de um OPAMP real, com uma breve
explanao sobre o seu significado fsico.

GANHO DE TENSO EM MALHA ABERTA (AO)

a relao entre o sinal de sada (sem saturao) de um OPAMP no realimentado e o sinal


diferencial de entrada (diferena entre as tenses nas entradas no-inversora e inversora). Vale a
relao:

AO = ffffffffffff
vofffffffffff
(EQUAO 8-6).
vi+ @ vi@

desejvel que o ganho de tenso em malha aberta tenha o maior valor possvel.

TENSO DE OFFSET DE ENTRADA (VIO)

Ainda que as tenses nas duas entradas de um OPAMP real tenham exatamente o mesmo valor, a
tenso de sada no ser necessariamente nula. Define-se a tenso de offset de entrada como o valor
da diferena de potencial necessria entre as duas entradas de um OPAMP para que a tenso na sada seja
zero. Conclui-se, portanto, que o valor da tenso de sada de um OPAMP dado, com maior preciso, pela
frmula:
b c
vo = AO B vi + @ vi @ @ vi o (EQUAO 8-7).

Na prtica, isso significa que mesmo que as tenses nas entradas sejam absolutamente iguais, o
OPAMP ir amplificar um sinal da ordem de milivolts. Caso o valor do ganho de tenso do circuito seja
elevado, isso pode ser suficiente para levar a sada do OPAMP saturao.

Quando se utiliza a realimentao negativa, o ganho reduzido e a influncia de vio a introduo


de um nvel DC no sinal de sada. Em boa parte das aplicaes, esse nvel DC pode ser desprezado.
Quando, porm, ele implica num erro significativo, torna-se necessrio empregar tcnicas de
compensao de offset. Muitos CIs comerciais de amplificadores operacionais possuem terminais
especificamente designados para permitir essa compensao. O circuito mais comum est representado
na Figura 8-5.

FIGURA 8-5 TCNICA DE COMPENSAO DA TENSO DE OFFSET DE ENTRADA DE UM OPAMP REAL


52
O valor do potencimetro e o ponto em que seu cursor deve ser ligado (se alimentao positiva
ou alimentao negativa) podem variar de um CI para outro. O caso mais comum o mostrado na figura
(potencimetro de 10 K com o cursor ligado na alimentao
alimenta negativa).

Para se fazer a compensao, ambas as entradas devem ser aterradas, o que garante um sinal
diferencial nulo. Qualquer sinal presente na sada, portanto, ser devido a vio. Em seguida, ajusta-se o
potencimetro at que se obtenha tenso de sada zero.
Nos casos em que o amplificador operacional no dispe de pinos especficos para
pa a compensao
do offset, pode ser usada uma das tcnicas mostradas na Figura 8-6,, que permitem que a tenso de offset
de entrada seja compensada externamente.
externamente Em todos os casos, o potencimetro deve ser ajustado para
proporcionar tenso de sada nula para uma tenso de entrada tambm nula..

RF RF
vi
vi RI vi RI
vo
vo vo

RF
R R
R 1 2 R R
I

POT POT
+VCC -VEE +VCC -VEE POT
+VCC
CC -VEE

FIGURA 8-6- TCNICAS PARA A COMPENSAO EXTERNA DA TENSO DE OFFSET DE ENTRADA

CORRENTE DE POLARIZAO
POLARIZA DE ENTRADA (IB)

Uma vez que as impedncias das entradas no so na verdade infinitas, circulam por elas
pequenas correntes de polarizao (IB+ e IB-), drenadas, respectivamente, pela entrada no-inversora
no e
pela entrada inversora do OPAMP. Define-se como corrente de polarizao de entrada (IB) a mdia
aritmtica dos mdulos das duas correntes de polarizao, ou seja:
L M L M
f
ff
ff
fff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
LIB +M+LIB @M
L M L M
IB = (EQUAO 8-8).
2

Para avaliar o efeito dessas correntes, consideremos o circuito da Figura 8-7, que uma aplicao
tpica de OPAMP, a ser analisada posteriormente.

FIGURA 8-7 EFEITO DAS CORRENTES DE POLARIZAO DE ENTRADA


TRADA DE UM OPAMP REAL
RE
53
Uma corrente de, por exemplo, 100 nA, percorrendo o resistor de 100 K , d origem a uma
tenso de offset de entrada de 10 mV, com sua consequente influncia sobre o sinal de sada. Conclui-se
que no se devem utilizar resistores de alto valor de resistncia em srie com os terminais de entrada de
um OPAMP. Como quase sempre se utilizam resistores ligados entrada inversora (para garantir a
realimentao negativa), uma boa prtica usar tambm um resistor (representado pelo R pontilhado na
figura) entre a entrada no inversora e a terra para que os efeitos de IB+ e IB- se cancelem mutuamente.
Para garantir esse cancelamento, necessrio que a resistncia equivalente dos resistores conectados a
uma entrada seja igual resistncia equivalente dos resistores conectados outra entrada.

CORRENTE DE OFFSET DE ENTRADA (IOS)

Como os circuitos das duas entradas de um operacional real nunca so perfeitamente simtricos,
intuitivo que as correntes de polarizao de entrada IB+ e IB- tenham valores diferentes. O mdulo da
diferena entre as correntes de polarizao de entrada chamado de corrente de offset de entrada, ou
seja:
L M L M
IOS =L
LIB +M@LIB @M
M L M
(EQUAO 8-9).

SLEW RATE (MXIMA TAXA DE VARIAO DO SINAL DE SADA - SR)

Embora os diversos estgios que compreendem um OPAMP sejam diretamente acoplados (isto ,
sem a utilizao de capacitores), seu circuito inclui ao menos um capacitor, que responsvel por
garantir a estabilidade do ganho do dispositivo. Alm desse capacitor fsico, um amplificador
operacional, como qualquer dispositivo semicondutor, apresenta capacitncias internas, que, por terem
valores muito menores, tm influncia desprezvel sobre o comportamento do dispositivo.
A presena de tais capacitncias impossibilita variaes instantneas na tenso de sada do
amplificador operacional, existindo uma taxa mxima possvel para a variao do sinal de sada - o
chamado slew rate (SR). Caso algum sinal aplicado ao operacional tente forar uma variao no sinal de
sada maior do que a determinada pelo slew rate, ocorrer distoro.
O slew rate de um amplificador operacional medido pela aplicao de uma onda quadrada
entrada de um circuito caracterizado por um ganho unitrio (isto , sinal de sada exatamente igual ao
sinal de entrada). A Figura 8-8 ilustra o efeito do slew rate sobre o sinal de sada desse circuito.

FIGURA 8-8 EFEITO DO SLEW RATE SOBRE O SINAL DE SADA DE UM OPAMP REAL
54
ff
ff
f
vof
ff
ff
ff ff
ff
f
dvof
ff
ff
f
f g f g
O valo do slew rate dado por : SR = mx lim = mx (EQUAO 8-10).
t Q 0 t dt

O slew rate constitui uma importante limitao para o desempenho de um OPAMP, ocasionando
aprecivel distoro, especialmente no processamento de sinais que possuam simultaneamente alta
frequncia e alta amplitude.
` a ` a
No caso de um sinal de entrada senoidal, o sinal de sada tem expresso: vo t =vo mx Bsen wt .
Logo:

SR = mx ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
= mx Bvomx Bcos Bt [ SR = mx Bvomx [ fmx = ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
f
dvo SR
f g b ` ac
(EQUAO 8-11).
dt 2 B Bvomx

A Equao 8.11 mostra que, quanto maior a frequncia de um sinal processado por um
amplificador operacional real, menor ser a amplitude possvel para o sinal de sada sem que ocorra
distoro. necessrio, portanto, reduzir a amplitude ou a frequncia do sinal para evitar a distoro.
EXEMPLO 8-1: APLICA-SE ENTRADA DE UM AMPLIFICADOR QUE UTILIZA O OPAMP LF351 UM SINAL SENOIDAL.
SABENDO QUE A AMPLITUDE DO SINAL DE SADA DE 16 V, CALCULAR A MXIMA FREQUNCIA DO SINAL PARA
QUE NO OCORRA DISTORO.

PRODUTO GANHO X BANDA PASSANTE (GBW - GAIN X BAND WIDTH)

Constata-se que o ganho de tenso em malha aberta Ao de um OPAMP diminui medida que a
frequncia do sinal processado aumenta. Isso ocorre devido s capacitncias internas do OPAMP, cujos
efeitos se acentuam nas altas frequncias. Utilizando-se o OPAMP sem realimentao e com acoplamento
direto (sem o uso de capacitores), obtm-se em CC (frequncia igual a zero) o mximo valor para o ganho
de tenso mximo, que o ganho de tenso em malha aberta, discutido no Item 1. Aumentando-se a
f
ff
f
f
Aof
f
ff
f
ff
f
w
w
ww
w
ww
w.
p2
frequncia, atinge-se o ponto em que o ganho de tenso passa a valer A frequncia angular em que

isso ocorre chamada de frequncia angular de corte em malha aberta do OPAMP, a qual chamaremos
de o.

Utilizando-se realimentao negativa, pode-se modificar o valor do ganho mximo para A1 e


f
f
Af
f
ff
f
1f
f
ff
f
f
teremos uma nova frequncia angular de corte 1, na qual o valor do ganho de tenso w
w
ww
w
ww
w.
p2
O mesmo

se pode fazer para os ganhos A2,..., An. Pode-se demonstrar que: Ao o = A1 1 = ... = An n = K.
A Figura 8-9 ilustra essa relao para o OPAMP 741.
Av

f (Hz)

FIGURA 8-9 RELAO ENTRE GANHO DE TENSO E BANDA PASSANTE NUM OPAMP REAL
55
A constante K outro parmetro fundamental de um OPAMP. Esse parmetro conhecido como
produto ganho x banda passante (GBW). Conclui-se que, da mesma forma como nos demais
componentes ativos, ganho e banda passante so caractersticas conflitantes num OPAMP real.

EXEMPLO 8-2: PARA O MESMO CIRCUITO ANALISADO NO EXEMPLO 8-1, CALCULAR O MXIMO VALOR DA
AMPLITUDE DO SINAL DE ENTRADA PARA QUE A LIMITAO DO OPERACIONAL SEJA DADA PELO PRODUTO
GANHO BANDA PASSANTE, E NO PELO SLEW RATE.

TENSO DIFERENCIAL DE ENTRADA (VID)

a mxima diferena de potencial permitida entre as duas entradas do OPAMP. Esse um limite
que, ultrapassado, causa danos ao componente.

FAIXA PERMITIDA DE TENSES DE ENTRADA (VI)

o mximo valor permitido para a tenso em qualquer uma das entradas do OPAMP. Ultrapassar
esse limite tambm causa danos ao componente.

MXIMA EXCURSO DO SINAL DE SADA (VOM)

o mximo valor de pico-a-pico que o sinal de sada do OPAMP pode assumir. Esse valor
limitado basicamente pelas tenses de alimentao, pelas tenses de saturao dos transistores de sada
e pela corrente de sada (que influi sobre a queda de tenso sobre os resistores no estgio de sada do
OPAMP).

DRIFT (DESVIO)

a variao nos valores das caractersticas de um OPAMP real em funo da temperatura ou da


tenso de alimentao, que um fenmeno previsvel em semicondutores.

A Tabela 8-1 d uma ideia sobre os valores numricos das diversas caractersticas relevantes de
um OPAMP real. Constam da tabela os valores tpicos constantes das folhas de dados sobre os OPAMPs
LM741, LF351 e CA3140. Esses amplificadores operacionais representam as trs principais tecnologias
empregadas na fabricao desse dispositivo. O 741 implementado totalmente com transistores
bipolares. O LF351 utiliza transistores de efeito de campo de juno (JFET) nas entradas, no que
conhecido como tecnologia BiFET (Bipolar + JFET). Por fim, o CA3140 utiliza MOSFETs em suas
entradas e chamada tecnologia BiMOS (Bipolar + MOSFET).
56
Um fato digno de nota que esses trs amplificadores operacionais so intercambiveis (qualquer
um deles pode ser diretamente substitudo por qualquer dos outros dois), visto que possuem a mesma
pinagem. A exceo o pino 8, que no CA3140 possui uma funo especial, utilizada ocasionalmente, e
que nos outros dois CIs no possui conexo.

TABELA 8-1 PRINCIPAIS CARACTERSTICAS ELTRICAIS DE TRS TIPOS COMERCIAIS DE OPAMP

57
Os valores constantes da tabela so tpicos, variando em funo da temperatura, das condies de
utilizao do operacional e mesmo de fabricante para fabricante.

AMPLIFICADOR OPERACIONAL IDEAL

Uma vez conhecidas as caractersticas reais de um OPAMP, podemos introduzir o conceito de


OPAMP ideal, que ser o modelo utilizado em nossas anlises de circuitos com amplificadores
operacionais.

As caractersticas mais relevantes de um OPAMP ideal so:

 Ganho de tenso infinito em malha aberta (Ao = ).


 Tenso e corrente de offset nulas.
 Impedncia de entrada infinita (Zi = ), o que equivale a correntes de polarizao de entrada
nulas.
 Impedncia de sada nula (Zo = 0).
 Produto ganho banda passante infinito (GBW = ).
 Slew Rate infinito (SR = ).
 CMRR infinito, ou seja, se aplicados sinais iguais s duas entradas simultaneamente, o sinal de
sada nulo.
 Sem limitaes quanto tenso diferencial ou tenso individual nas entradas.
 Comportamento invarivel com a temperatura e a tenso de alimentao (drift nulo).

A nica limitao do OPAMP ideal se refere aos valores mximo e mnimo que a tenso de sada vo
poder atingir. Ela no poder ser superior a +VCC (tenso positiva de alimentao do operacional) nem
inferior a VEE (tenso negativa de alimentao do operacional). Em outras palavras, a tenso de sada
limitada pelas tenses de alimentao do amplificador operacional, de modo que a mxima excurso do
sinal de sada vai de VEE a +VCC.
Uma vez que o ganho de tenso em malha aberta Ao infinito, conclui-se que se houver qualquer
diferena no nula entre as tenses nas entradas inversora e no inversora, o valor da tenso de sada
tambm ser infinito (+ caso a tenso na entrada no-inversora seja superior e -
caso a tenso na
entrada inversora seja superior).

Como a tenso de sada tem valores limitados pelas tenses de alimentao, uma sada com valor
corresponde na prtica a +VCC. Em tal situao, diz-se que a sada est saturada positivamente ou
+
saturada para cima. Analogamente, uma tenso de sada com valor - corresponde na prtica a VEE.
Nesse caso, diz-se que a sada est saturada negativamente ou saturada para baixo.

O modelo ideal para o OPAMP facilita significativamente a anlise e a compreenso dos circuitos
que utilizam esse dispositivo. Contudo, ao se utilizarem na prtica as concluses obtidas utilizando-se
esse conceito, deve-se ter em mente que os resultados obtidos so apenas aproximados, devendo-se
tomar as medidas impostas pelas limitaes reais do dispositivo (balanceamento de offset, limitao de
slew rate, etc.).

Para que a utilizao do modelo ideal produza resultados compatveis com a realidade,
necessrio que as resistncias utilizadas nos circuitos com OPAMP no sejam nem muito pequenas (para

58
que no se exceda a capacidade de fornecimento de corrente do dispositivo) e nem muito grandes (para
que a influncia da impedncia de entrada do dispositivo seja desprezvel). Como uma regra prtica, as
resistncias devem ficar na faixa entre 500 e 330 K, adequadas para circuitos com o 741.

Outra medida importante manter-se a frequncia em valores que no evidenciem as limitaes


do slew rate e do produto ganho banda passante. Tomando mais uma vez como referncia o OPAMP
741, em frequncias de at 5 KHz tais limitaes no costumam ser perceptveis. Tomadas tais
providncias, o OPAMP o dispositivo eletrnico cujos resultados obtidos a partir do modelo ideal mais
se aproximam aos obtidos na prtica.

PRINCPIOS FUNDAMENTAIS NA ANLISE DE CIRCUITOS COM OPAMPS IDEAIS

Devido ao seu ganho de tenso infinito, a condio necessria para que a sada de um OPAMP
ideal NO esteja saturada que as tenses nas entradas inversora e no inversora sejam exatamente
iguais. Logo, quando o sinal de sada de um OPAMP ideal no est saturado, podemos ter a certeza de
que a tenso na entrada inversora igual tenso na entrada no-inversora. Em outras palavras,
podemos dizer que em tal situao existe um curto-circuito virtual entre as entradas do amplificador
operacional (curto-circuito porque a tenso entre elas zero, e virtual porque elas no esto
eletricamente conectadas). Por outro lado, a existncia de uma diferena entre as tenses nas duas
entradas garantia de que a sada se encontra saturada, seja para cima ou para baixo. Esse o primeiro
princpio fundamental a ser utilizado na anlise de circuitos com OPAMPs ideais.

O segundo princpio fundamental para a anlise deriva do fato de que a impedncia das entradas
infinita. Isso significa que a corrente drenada (ou fornecida) pelas entradas de um OPAMP ideal nula.

Utilizando-se esses princpios fundamentais, as leis de Kirchoff e de Ohm e os teoremas de rede,


possvel determinar os ganhos e outras relaes de interesse entre as grandezas do circuito.

EXEMPLO 8-3: NO CIRCUITO ABAIXO, QUE UTILIZA UM OPAMP IDEAL, A TENSO vo VALE -3 V. A) CALCULAR A
TENSO v A . B) CALCULAR O MXIMO VALOR PARA v B PARA QUE NO OCORRA SATURAO DE vo .

vA R1 1 K R2 1,5 K

+VCC (+6 V)

vo

-VEE (-6 V)

VB R3 1 K R4 1,5 K
+4 V

59
CIRCUITOS UTILIZANDO AMPLIFICADORES OPERACIONAIS

Os circuitos de aplicao dos OPAMPs podem ser divididos em duas grandes categorias:

A) Aplicaes lineares So aquelas em que existe uma relao linear entre o(s) sinal(is) de entrada e
vo = X a iBvii + b , com pelo menos um dos ai sendo diferente de zero.
n
o sinal de sada, ou seja: Essa
i =1

relao, obviamente, deixa de ser linear caso a sada do OPAMP chegue saturao.

As aplicaes lineares so, basicamente, amplificadores. Desse modo, a sada desses circuitos,
em geral, no est saturada. Para se conseguir isso com um sinal de entrada diferente de zero,
necessrio reduzir o ganho de tenso do amplificador operacional, o que obtido por meio do uso de
realimentao negativa.

Para se aplicar realimentao negativa a um amplificador operacional, basta ligar a sua sada
entrada inversora por meio de uma rede de componentes (em geral componentes passivos) que
proporcione ao sinal uma defasagem diferente de 180.

Ainda que se aplique realimentao negativa a um amplificador operacional, necessrio que a


rede de realimentao seja integralmente formada por elementos lineares (resistores, capacitores,
indutores ou um curto-circuito) para que se caracterize a aplicao como linear.

Excepcionalmente, algumas aplicaes lineares podem utilizar realimentao positiva em


conjunto com a realimentao negativa. O que caracteriza tais aplicaes como lineares a existncia de
uma relao de proporcionalidade entre os sinais de entrada e sada.

B) Aplicaes No-Lineares So aquelas em que no existe uma relao linear entre o(s) sinal(is) de
entrada e o sinal de sada. Em algumas dessas aplicaes, OPAMP opera com a sada saturada, ou seja, o
sinal de sada pode assumir apenas dois valores distintos (+VCC ou VEE). Quando tal situao ocorre,
pode-se dizer que a sada de tais circuitos tem um comportamento binrio (digital). Em outros tipos
de aplicaes no-lineares, o sinal de sada pode ser oscilante, ou seja um sinal peridico.

Nas aplicaes no-lineares, o amplificador operacional pode ser utilizado sem realimentao (e a
sada do OPAMP ser saturada), com realimentao positiva (e a sada do OPAMP ser saturada ou
oscilante, dependendo da quantidade de realimentao positiva) e, eventualmente, utilizar apenas
realimentao negativa, mas com elementos no-lineares (um diodo, por exemplo) na rede de
realimentao. Nesse caso, a sada do OPAMP pode no estar saturada, mas no haver uma relao
linear entre ela e a(s) entrada(s) do circuito.

Nos captulos que se seguem, sero analisados os principais circuitos de aplicao dos
amplificadores operacionais.

60
CAPTULO 9 - APLICAES LINEARES DOS AMPLIFICADORES
OPERACIONAIS

Nestas aplicaes, utiliza-se realimentao negativa no OPAMP, com o objetivo de reduzir o ganho
de tenso global do circuito em relao ao ganho infinito do dispositivo. A realimentao negativa num
OPAMP obtida atravs da conexo entre a sada e a entrada inversora, atravs de uma rede de
elementos lineares que introduza uma defasagem diferente de 180. Eventualmente, tais aplicaes
podem empregar tambm realimentao positiva, em conjunto com a negativa.

H uma grande gama de aplicaes lineares dos amplificadores operacionais. Dentre elas,
estudaremos algumas que sero divididas em trs categorias: amplificadores, conversores de sinal e
filtros ativos.

AMPLIFICADORES COM OPAMPs

Os amplificadores com OPAMPs so utilizados para a realizao das operaes matemticas que
deram origem ao nome do dispositivo. Em geral, a sada de um amplificador no est saturada. A
saturao da sada pode ocorrer eventualmente quando o(s) sinal(ais) de entrada aplicado(s) levam o
sinal de sada a tentar ultrapassar o limite imposto pelas tenses de alimentao. Quando isso ocorre,
obviamente, deixa de existir linearidade entre os sinais de entrada e sada.

Veremos a seguir os principais amplificadores utilizando OPAMP. Em todos os casos,


consideraremos os OPAMPs como ideais, e utilizaremos os princpios bsicos apresentados no captulo
anterior para a anlise de circuitos com esse dispositivo.

AMPLIFICADOR INVERSOR

Tem como caracterstica apresentar um sinal de sada com defasagem de 180o em relao ao sinal
de entrada (ou polaridade oposta, no caso de sinal DC). Seu diagrama bsico mostrado na Figura 9-1.

iRI iRF
vi RI RF
X i=0

vd = 0
vo

malha de entrada malha de sada

FIGURA 9-1 DIAGRAMA BSICO DO AMPLIFICADOR INVERSOR COM OPAMP

61
Como em todos os demais circuitos que sero analisados, importante fazer distino entre a(s)
entrada(s) do circuito e a(s) entrada(s) do OPAMP. Como se trata de um amplificador, supe-se que a
sada no est saturada. Logo, a tenso diferencial vd entre as entradas do OPAMP e a corrente i drenada
pela entrada inversora sero necessariamente nulas (primeiro e segundo princpios fundamentais de
anlise).

Na anlise desse circuito e de todos os demais amplificadores, suporemos que os sinais de entrada
e sada so positivos em relao ao terra do circuito. Se essa suposio no for verdadeira, isso ser
evidenciado por um sinal negativo na expresso do ganho de tenso do circuito.

Vamos aplicar as leis de Kirchoff e de Ohm ao circuito em questo para determinar a expresso
ff
f
f
vof
ff
f
f
f g
matemtica de seu ganho de tenso Av = .
vi

A equao LKT da malha de entrada : + vi @ iRI B RI @ vd = 0 [ iRI = ffffffffffffffffffff= ffffffffffffffff[ iRI = ffffff
vi @ vd vi @ 0 vi
.
RI RI RI

Para a malha de sada: + vo + iRFB RF @ vd = 0 [ iRF = ffffffffffffffffffffff= ffffffffffffffffff[ iRF =@ ffffffff


vd @ vo 0 @ vo vo
.
RF RF RF

Aplicando a LKC ao n X: + iRI @ i @ iRF = 0 [ iRF = iRI @ i = iRI @ 0 [ iRF = iRI . Logo: @ ffffffff= ffffff[
vo vi
RF RI

ff
f
vof
ff
ff ff
f
RFf
ff
ff
[ = Av =@ (EQUAO 9-1).
vi RI

O sinal negativo da equao mostra que o circuito , de fato, inversor. O mdulo do ganho de
tenso dado pela relao entre dois resistores, sem a influncia de qualquer parmetro do OPAMP. Isso
torna o projeto bastante simples.

EXEMPLO 9-1: DADO O CIRCUITO ABAIXO E O GRFICO DO SEU SINAL DE ENTRADA, TRAAR O GRFICO DO
SINAL DE SADA CORRESPONDENTE. CADA DIVISO VERTICAL DO GRFICO VALE 3 V.
vi
RA 1,8 K

+VCC (+12 V)
RX 600
vi

vo

-VEE (-12 V) t
0

62
AMPLIFICADOR SOMADOR INVERSOR

Caso se modifique o circuito anterior ligando-se n resistores entrada inversora do OPAMP,


obtm-se a configurao conhecida como amplificador somador inversor, mostrada na Figura 9-2.

iR1 iRF
v1 R1 RF
iR2 i=0
v2 R2
X
iRN vd = 0
RN vo
vN

malha de entrada N malha de sada


malha de entrada 2

malha de entrada 1

FIGURA 9-2 DIAGRAMA DO AMPLIFICADOR SOMADOR INVERSOR COM OPAMP

A malha de sada exatamente igual do amplificador inversor, visto acima. Assim: iRF =@ ffffffff
vo
.
RF

A malha de entrada 1 anloga malha de entrada do amplificador inversor. Logo: iR1 = fffffff
vi
.
R1

Estendendo o mesmo raciocnio s demais malhas da entrada: iR2 = ffffffff


, ..., iRN = fffffffff
vi vi
.
R2 RN
Aplicando a LKC ao n X: + iR1 + iR2 + + iRN @ i @ iRF = 0 [ iRF = + iR1 + iR2 + + iRN . Substituindo as
expresses obtidas acima:

ff
f
vof
ff
ff vf
ff
ff
ff v
f
fff
ff
ff f
vf
ff
ff
ff
f ff
f
RFf
ff
ff ff
f
RFf
ff
ff f
ff
f
RFf
ff
ff
f g
@ = 1 + 2 + + N [ vo =@ v 1B + v 2B + + v NB (EQUAO 9-2).
RF R1 R2 RN R1 R2 RN

Essa expresso mostra que o circuito na realidade um somador ponderado, onde os pesos so as
relaes entre a resistncia de realimentao e as resistncias nas entradas especficas. No caso
b c
particular em que R1 = R2 = ... = RN = RF, teremos: vo =@ v 1 + v 2 + + v N

Esse circuito pode ser utilizado como base para um misturador de sinais (mixer), permitindo
que sinais provenientes de mltiplas fontes sejam processados simultaneamente por meio de um nico
amplificador, sendo que cada uma dessas fontes pode ter ganho (controle de volume) independente das
demais. O controle individual de ganho obtido por meio das resistncias de entrada (R1 a RN) e o
controle geral de ganho feito por meio da resistncia de realimentao (RF).

EXEMPLO 9-2: PROJETAR E DESENHAR O DIAGRAMA DE UM CIRCUITO UTILIZANDO AMPLIFICADORES


3f
f
ff
ff
f
f
BAf
ff
f
ff
ff
f
+f
fff
f
f
2f
ff
f
ff
ff
f
f
BBf
ff
f
ff
ff
+f
ff
ff
f
5f
f
ff
ff
f
f
BCf
ff
f
ff
ff
f
OPERACIONAIS IDEAIS PARA REALIZAR A OPERAO D = . A,B E C SO TENSES QUE VARIAM
10
ENTRE -10 V E +10 V.

63
AMPLIFICADOR NO-INVERSOR

Nesse circuito, o sinal de entrada aplicado entrada no-inversora do OPAMP. Logo, seu sinal
de sada est em fase com o sinal de entrada (ou tem a mesma polaridade, no caso de sinal DC). A Figura
9-3 mostra dois aspectos do diagrama bsico desse circuito.

vi
RI RF
vo

vo RF
vi
RI

FIGURA 9-3 DIAGRAMA DO AMPLIFICADOR NO-INVERSOR COM OPAMP

O ganho de tenso dessa configurao dado por:

ff
f
vof
ff
ff ff
f
RFf
ff
ff
Av = =1+ (EQUAO 9-3).
vi RI

Conclui-se que o ganho de tenso desse tipo de circuito nunca ser inferior unidade. Essa
configurao tem como vantagem em relao ao amplificador inversor o fato de sua impedncia de
entrada ser igual impedncia de entrada do prprio OPAMP utilizado, ou seja, a impedncia de entrada
infinita, caso se considere o OPAMP como ideal. Num amplificador inversor essa impedncia igual
resistncia de entrada RI.

SEGUIDOR DE TENSO OU BUFFER ANALGICO

Observando a expresso do ganho de tenso do circuito anterior, podemos constatar que, se


desejarmos que o ganho de tenso seja unitrio, basta fazer a relao RF/ RI igual a zero. A maneira bvia
de obter esse resultado fazer RF = 0, o que resultaria no circuito A da Figura 9-4. Outra forma seria
fazer RI = , o que resultaria no circuito B. A maneira mais prtica e econmica de consegui-lo a adoo
simultnea das duas providncias, o que resulta no circuito C, que a forma final do seguidor de tenso
ou buffer analgico.

vi vi vi

vo = vi vo = vi vo = vi
A B C
RF
RF = 0
RI RI =

FIGURA 9-4 OBTENDO UM BUFFER ANALGICO A PARTIR DE UM AMPLIFICADOR NO-INVERSOR

64
A princpio pode haver dvidas sobre a utilidade de um circuito cujo sinal de sada exatamente
igual ao de entrada. No entanto, basta lembrar que, no caso ideal, o seguidor de tenso possui
impedncia de entrada infinita e impedncia de sada nula, o que o torna perfeito para o casamento de
impedncias entre dois estgios de um determinado circuito. Em outras palavras, utilizando-se um
seguidor de tenso possvel eliminar a influncia que as impedncias de dois circuitos exercem entre si
quando eles so conectados. A Figura 9-5 ilustra um exemplo prtico desse princpio.

vR vR i=0
R R
iV
iR
C vC vC
V V C iV
iC V
iRC iRC V

FIGURA 9-5 EXEMPLO PRTICO DE UTILIZAO DO SEGUIDOR DE TENSO COM OPAMP

Suponha que seja necessrio medir o valor da tenso armazenada no capacitor, que alimentado
com tenso contnua e constante. Caso seja feita uma conexo direta entre o capacitor e o voltmetro
(que possui baixa impedncia), o capacitor se descarrega sobre o voltmetro, o que leva a uma medida
falsa. Em outras palavras, a colocao do instrumento influi sobre o valor da medida realizada, o que
totalmente inaceitvel.

Colocando-se um seguidor de tenso entre o capacitor e o voltmetro, a elevada impedncia do


seguidor impede a descarga do capacitor, de forma que a tenso sobre o voltmetro, medida na sada do
seguidor, ter o valor real da tenso no capacitor. A corrente do voltmetro passa a ser fornecida pelo
OPAMP, e no mais pelo capacitor. Assim, a incluso do seguidor de tenso elimina a influncia do
voltmetro sobre a grandeza a ser medida.

AMPLIFICADOR SUBTRATOR OU DIFERENCIAL

Este circuito fornece na sada uma tenso proporcional diferena entre as duas tenses de
entrada. O diagrama do circuito mostrado na Figura 9-6.

R2

R1
vb
vo
R3
va

R4

FIGURA 9-6 DIAGRAMA BSICO DO AMPLIFICADOR SUBTRATOR

65
Rffff
2f
ff R
ff
ff
ff
f
Supondo = 4 , o sinal de sada do circuito vale:
R1 R3

Rffff
2f
ff` f
a Rf
ff
ff
f`
B va @ vb = 4 B va @ vb
a
vo = (EQUAO 9-4).
R1 R3

Para o caso especial em que todos os resistores tm o mesmo valor, temos: vo = va @ vb .

AMPLIFICADORES DE INSTRUMENTAO

Os amplificadores diferenciais so especialmente teis para o processamento de sinais


provenientes de transdutores como Pontes de Wheatstone ou termopares. A Figura 9-7 mostra um
subtrator utilizado para amplificar o sinal de uma Ponte de Wheatstone, que um arranjo muito utilizado
em clulas de carga (strain gauges), em transdutores de presso, em transdutores de temperatura, etc.
Uma caracterstica comum desses transdutores a pequena amplitude do sinal por eles fornecido
(dezenas de milivolts ou menor).

R2
RA RB

Y R1
X V

RD RC vo
R3

R4

FIGURA 9-7 SUBTRATOR UTILIZADO PARA PROCESSAR O SINAL DE UMA PONTE DE WHEATSTONE

O subtrator amplifica a diferena entre as tenses nos pontos X e Y da Ponte de Wheatstone, que
por sua vez ser proporcional ao desequilbrio entra os produtos das resistncias opostas da ponte, ou
b c Rfffffff Rfffffff
seja, v XY = KB R A BR C @ R BBR D . Consequentemente, uma vez respeitado o princpio de que 2 = 4 ,
R1 R3
Rfffffff
o sinal de sada ser: vo = 2 B v XY .
R1

Esse circuito apresenta alguns inconvenientes que dificultam a sua aplicao prtica. O primeiro,
e mais grave, que as impedncias das entradas do subtrator so muito baixas, e acabam influindo sobre
os resistores da ponte, alterando indevidamente o seu equilbrio. Isso introduz erro nas medidas
realizadas por meio da ponte.

Um segundo problema que para o ajuste do ganho de tenso do subtrator necessrio ajustar
simultaneamente (e na mesma proporo) os valores de dois resistores (R1 e R3 ou, preferencialmente,
R2 e R4). Tal ajuste de difcil implementao prtica.

66
Para contornar esses inconvenientes, foi desenvolvida uma variao do amplificador subtrator,
que conhecida como amplificador de instrumentao e cujo diagrama mostrado na Figura 9-8.

SEGUIDOR DE TENSO SUBTRATOR

vx
B
vD = 0 R R

iRG R
i=0
vx

R
iRG G vo

vy
i=0
R
iRG

vD = 0 R R
A
vy

SEGUIDOR DE TENSO

FIGURA 9-8 DIAGRAMA BSICO DE UM AMPLIFICADOR DE INSTRUMENTAO

O inconveniente da baixa impedncia de entrada, caracterstica do amplificador subtrator,


solucionado pela adio do estgio de entrada, formado por dois seguidores de tenso, cada um deles
possuindo impedncia de entrada bastante elevada (idealmente infinita).

O estgio de sada um amplificador subtrator com todos os resistores iguais. Logo:


vo = v A @ v B .

Aplicando-se o primeiro princpio fundamental na anlise do circuito acima (diferena nula de


tenso entre as entradas de um OPAMP com sada no saturada), conclui-se que a tenso sobre o resistor
RG ser igual diferena de tenso entre as duas entradas do circuito, ou seja, v RG = v X @ v Y . Pela lei de
Ohm: iRG = fff
ff
ff
ff vf
ff
ff
ff
ff
ff
ff
v RG @ vffff
fff
f
= X Y
.
RG RG

Aplicando-se o segundo princpio (as correntes drenadas pelas entradas de um OPAMP so nulas)
conclui-se que todos os trs resistores localizados entre os pontos A e B so percorridos pela mesma
corrente, isto : iR = iRG . A tenso entre os pontos A e B pode ser calculada atravs da lei de Ohm:

` a vffff
Xf
ff
f
@f
ff
ff
vffff
f
Yff
f` a b c f
ff
f
2Bf
ff
ff
f
Rf
ff
ff
g
v A @ v B = vo = iRGB R + RG + R = B RG + 2R [ vo = v X @ v Y B 1 + (EQUAO 9-5).
RG RG

Essa expresso mostra que o ganho de tenso do amplificador de instrumentao pode ser
variado atravs do ajuste de um nico componente (o resistor RG), eliminando-se assim o outro
inconveniente do amplificador subtrator. Se RG for a associao srie de um resistor fixo com um
potencimetro, o ganho de tenso pode ser convenientemente ajustado entre um valor mnimo e um
valor mximo.

67
Devido grande utilidade prtica do amplificador de instrumentao, existem disponveis no
mercado circuitos integrados que implementam essa funo, bastando ao projetista adicionar
externamente o resistor RG para obter o ganho de tenso desejado. Exemplos desse tipo de CI so o
AD620, da Analog Devices e o INA128, da Texas Instruments.

INTEGRAO E DERIVAO EM CIRCUITOS ELTRICOS

Os elementos reativos de um circuito eltrico (capacitncias e indutncias) tm como propriedade


uma relao integral entre a corrente que os percorre e a queda de tenso sobre eles.

1ffff f
ff
ff
ff
ff
ff
f
tfffff
` a
dv
t = BZ iC t dt + v C t 0
b c
iC t = CB C .
` a ` a ` a
Num capacitor: v C
C dt

ff
f
f
diff 1ffff
BZ v L t dt + iL t 0 .
` a b c
Num indutor: v L t = LB
` a ` a
iL t =
dt L

Logo, caso sejam necessrios circuitos eltricos capazes de realizar as operaes de integrao e
diferenciao, eles podem ser obtidos utilizando-se indutores ou, preferencialmente, capacitores, em
conjunto com amplificadores operacionais, como veremos a seguir. Para se ter uma ideia da importncia
de tais circuitos, basta lembrar que o algoritmo mais utilizado em controle automtico de processos o
PID (proporcional + integral + derivativo).

Os circuitos prticos com OPAMPs dificilmente utilizam indutores, cujo comportamento real
mais distante do ideal do que no caso dos capacitores. Alm disso, a implementao de um indutor na
forma integrada apresenta considerveis dificuldades tcnicas. Por esses motivos, abordaremos apenas
circuitos que utilizam capacitores.

AMPLIFICADOR INTEGRADOR INVERSOR

Esse circuito apresenta na sada um sinal que a integral do sinal de entrada, com a fase invertida
(polaridade contrria, em caso de sinal contnuo). Seu diagrama mostrado na Figura 9-9.

iR iC vC
vi R X i=0

vd = 0
vo

malha de entrada malha de sada

FIGURA 9-9 DIAGRAMA BSICO DE UM INTEGRADOR INVERSOR COM OPERACIONAL

68
A equao LKT da malha de entrada : + vi @ iR B R @ vd = 0 [ iR = ffffffffffffffffffff= ffffffffffffffff[ iR = ffffff
vi @ vd vi @ 0 vi
.
R R R
1ffff
BZ iC t dt .
` a
Para a malha de sada: + vo + v C @ vd = 0 [ vo = vd @ v C [ vo = @ v C = @
C

Aplicando a LKC ao n X: + iR @ i @ iC = 0 [ iC = iR = ffffff


vi
. Substituindo na equao anterior:
R
1ffff vi
ff
ff
ff
ff
tfffff f
ff
ff
1ffffffffff
` a
vo = @ BZ BZ vi t dt
` a
dt [ vo = @ (EQUAO 9-6).
C R RB C

O produto RC chamado de constante de tempo de integrao do circuito.

EXEMPLO 9-3: NO INSTANTE t = 0 , O CIRCUITO ABAIXO RECEBE O SINAL DE ENTRADA REPRESENTADO PELO
GRFICO. SUPONDO QUE A TENSO DE ALIMENTAO DO OPERACIONAL SEJA DE +/-15 V, CALCULAR O TEMPO
NECESSRIO PARA QUE A SADA CHEGUE SATURAO.

C = 0,22 F vi (mV)

+VCC
R 100 K 10
vi

vo

t (s)
-VEE
0

CIRCUITOS PRTICOS PARA INTEGRADORES

O resultado obtido para o exemplo numrico anterior mostra que uma vez alcanada a saturao
da sada do integrador tal situao perdurar at que um sinal de polaridade contrria do sinal original
seja aplicado entrada. Mesmo que no se atinja a saturao da sada, caso um novo sinal de entrada
seja aplicado, a integrao se dar a partir da condio estabelecida pelo sinal de entrada anterior, isto ,
o sinal de sada anterior atua como constante de integrao para o novo sinal de entrada. Tal situao
configura um efeito memria do circuito, o que nem sempre desejvel.

Alm disso, os integradores possuem a tendncia saturao quando operam com sinais DC ou
de baixa frequncia. Enxergando o capacitor em termos de sua reatncia e, desse modo, analisando o

circuito como se fosse um amplificador inversor, seu ganho seria dado por: Av = @ fff
X Cffff
, onde XC a
R

reatncia capacitiva do capacitor, que vale X C = fffffffffffffffffffffffffffffff


1
, sendo f a frequncia do sinal aplicado ao
2B B fB C
circuito. Em baixas frequncias, a reatncia capacitiva ter valor bastante elevado, aumentando o
mdulo do ganho e levando saturao do sinal de sada.

69
Para minimizar essas caractersticas indesejveis, utiliza-se um resistor RF em paralelo com o
capacitor, conforme a Figura 9-10.

RF

R
vi

vo

FIGURA 9-10 CIRCUITO PRTICO DE INTEGRADOR COM OPERACIONAL

Com a incluso do resistor RF, o ganho de tenso do circuito enxergado como um amplificador
Xf
f
ff
f
Cf
ff
f
ff
ff
f
f
BRFf
f
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
ff
ff
ff
ff
f
ff
ff
f
. Assim, para XC infinito (o que ocorre na frequncia 0), Av =@ ffffffff
X + RF RF
inversor passa a ser: Av =@ C
.
R R

Em baixas frequncias, o resistor RF reduz a impedncia de realimentao e seu efeito


praticamente nulo em altas frequncias, nas quais a reatncia capacitiva em paralelo tem valor reduzido.
Alm disso, o capacitor pode se descarregar atravs de RF durante os intervalos entre as aplicaes de
diferentes sinais de entrada. Isso reduz o efeito memria. Para um bom desempenho do circuito, o
valor do resistor RF deve estar entre dez e cem vezes o valor de R. Isso proporcionar um ganho de
tenso com valor mximo entre 10 e 100 (em mdulo).

Caso seja necessria uma rpida descarga nos intervalos entre duas integraes consecutivas,
eliminando-se praticamente todo o efeito memria, deve-se incluir no circuito uma chave analgica que
descarregue o capacitor em resposta a um sinal de comando. Essa tcnica conhecida como reset. A
Figura 9-11 mostra um circuito integrador no qual um MOSFET usado para a realizao do reset. A
razo para o uso de um MOSFET, e no de um transistor bipolar, a caracterstica bidirecional de
conduo do primeiro, que permite descarregar o capacitor qualquer que seja a polaridade da tenso nele
armazenada. A cada pulso positivo aplicado ao gate do NMOS, ele conduz fortemente, descarregando o
capacitor.

RF

R
vi pulsos
de reset
vo

FIGURA 9-11 CIRCUITO INTEGRADOR COM MOSFET PARA A DESCARGA DO CAPACITOR

70
AMPLIFICADOR DIFERENCIADOR INVERSOR

Trata-se de um circuito cujo sinal de sada tem valor proporcional derivada do sinal de entrada
em relao ao tempo, com a fase invertida. Seu diagrama mostrado na Figura 9-12.
vC
iC iR
vi R
C X i=0

vd = 0
vo

malha de entrada malha de sada

FIGURA 9-12 DIAGRAMA BSICO DE UM DIFERENCIADOR INVERSOR COM OPERACIONAL

A equao LKT da malha de entrada : + vi @ v C @ vd = 0 [ vi = v C @ vd [ vi = v C .

Para a malha de sada: + vo + iR B R @ vd = 0 [ iR = ffffffffffffffffffffff= ffffffffffffffffff[ iR =@ ffffffff


vd @ vo 0 @ vo vo
.
R R R

Aplicando a LKC ao n X: + iC @ i @ iR = 0 [ iR = iC @ i [ iC = iR =@ ffffffff


vo
. Lembrando que vi = v C e
R

f
ff
ff
f
ff
ff
ff
tfffff ff
ff
ff
ff
ff
f
tfffff ff
ff
ff
ff ff
ff
ff
ff
ff
f
tfffff
` a ` a ` a
` a dv C dvi vo dvi
iC t = CB , CB =@ [ vo =@ RB CB (EQUAO 9-7).
dt dt RF dt

De forma anloga aos integradores, os circuitos diferenciadores tambm apresentam tendncia


saturao. Neste caso, essa tendncia se manifesta quando o circuito opera com sinais de alta frequncia.
Enxergando o capacitor em termos de sua reatncia e, desse modo, analisando o circuito como se fosse
f
f
f
Rff
ff
um amplificador inversor, seu ganho de tenso seria dado por: Av =@ . Para altas freqncias, a
XC
reatncia capacitiva tende a zero e o ganho de tenso tende ao infinito. Para minimizar esse problema,
coloca-se um resistor RI em srie com o capacitor de entrada, de acordo com a Figura 9-13. O valor de RI
deve ficar entre 0,01 R e 0,1 R, o que proporciona um ganho de tenso mximo entre 10 e 100 (em
mdulo), nas altas frequncias.

C
RI
vi

vo

FIGURA 9-13 CIRCUITO PRTICO DE DIFERENCIADOR COM OPERACIONAL

71
CONVERSORES DE SINAL

No processamento eletrnico de informaes, muitas vezes necessrio realizar converses de


uma grandeza eltrica para outra (corrente para tenso, tenso para corrente, frequncia para tenso,
tenso para frequncia, etc.). Dentre as diversas tcnicas empregadas para esse fim, a utilizao de
amplificadores operacionais ocupa lugar de destaque. Veremos nessa seo alguns circuitos com OPAMP
usados na converso de sinais.

CONVERSOR DE CORRENTE PARA TENSO

O exemplo mais simples de conversor de corrente para tenso um resistor, que obedece lei de
` a
Ohm V = R BI . No entanto, como componente passivo, um resistor apresenta inconvenientes ao
realizar essa converso, sendo que o principal ter sua eficincia influenciada pela resistncia interna da
fonte de corrente de entrada. A Figura 9-14 ilustra esse inconveniente com valores numricos. De
forma proposital, foi atribudo um valor relativamente baixo resistncia interna da fonte de corrente, de
modo a tornar mais clara a limitao do circuito.
iRL iRL

I = 1 mA I = 1 mA
ri RL ri RL
100 iri 10 vo 9,1 V 100 iri 100 vo = 50 V
K K K K

FONTE DE FONTE DE
CORRENTE CORRENTE

FIGURA 9-14 INFLUNCIA DA RESISTNCIA INTERNA DE UMA FONTE DE CORRENTE

Como se pode observar, no primeiro caso a tenso sobre a resistncia de carga RL


aproximadamente 10% menor que a esperada (9,1 V em vez de 10 V). No segundo caso, esse erro de
50% (50 V em vez de 100 V). Conclui-se que, quanto menor o valor da resistncia interna ri da fonte de
corrente em relao resistncia de carga RL, maior ser o erro cometido na converso.

Com a utilizao de um amplificador operacional, possvel obter um conversor de corrente para


tenso cuja resistncia de carga seja virtualmente nula, minimizando a influncia da resistncia interna
da fonte de corrente. Tal circuito ilustrado na Figura 9-15.

I iR = I vR
X i=0 R
I iri
= ri
0 vd = 0
vo
FONTE DE
CORRENTE
malha de sada

FIGURA 9-15 DIAGRAMA BSICO DE UM CONVERSOR CORRENTE-TENSO


72
A equao LKT da malha de sada: + vo + iR B R @ vd = 0 [ vo =@ iR B R + vd [ vo =@ iR B R .

Aplicando a LKC ao n X: + I @ i @ iR = 0 [ iR = I @ i [ iR = I . Logo: vo =@ IB R .

Assim, a tenso de sada diretamente proporcional corrente de entrada, que a corrente


nominal da fonte.
Os conversores de corrente para tenso tambm so conhecidos como amplificadores de
transresistncia ou amplificadores de transimpedncia.

EXEMPLO 9-4: UM SENSOR PRODUZ UM SINAL DE CORRENTE ENTRE 4 E 20 mA, CORRESPONDENTE AOS VALORES
MNIMO E MXIMO DA GRANDEZA MEDIDA. PROJETAR UM CIRCUITO USANDO OPAMPs IDEAIS PARA FAZER A
INTERFACE ENTRE ESSE SENSOR E A ENTRADA ANALGICA DE UM CLP (ENTRE 0 E 5 V).

CONVERSOR DE TENSO PARA CORRENTE

Da mesma forma como observado em relao aos conversores de corrente para tenso, o
dispositivo mais simples para realizar a converso de tenso para corrente um resistor, com
inconvenientes semelhantes aos analisados no caso anterior. A Figura 9-16 mostra um circuito para
fazer essa converso utilizando um amplificador operacional.

vi

vd = 0

R iRL
L

X
i=0
RI iRI = iRL
malha de
entrada

FIGURA 9-16 CONVERSOR DE TENSO PARA CORRENTE USANDO OPAMP

A equao LKT da malha de entrada : + vi @ vd @ iRI B RI = 0 [ iRI = ffffffffffffffffffff= ffffffffffffffff[ iRI = ffffff
vi @ vd vi @ 0 vi
.
RI RI RI

Equao LKC do n X : + iRL @ i @ iRI = 0 [ iRL = iRI @ i = iRI @ 0 [ iRL = iRI [ iRL = ffffff (EQUAO 9-8).
vi
RI

Como se v, a corrente na resistncia de carga RL independe do valor dessa ltima e


diretamente proporcional ao valor da tenso de entrada vi.

73
O circuito da Figura 9-16 apresenta alguns problemas. Um deles que, uma vez que a corrente na
resistncia de carga fornecida pelo amplificador operacional, seu valor ser limitado pela capacidade do
dispositivo. Para um OPAMP 741, por exemplo, a mxima corrente de 20 mA. Para aumentar a
capacidade de corrente so utilizados transistores, como nos circuitos mostrados na Figura 9-17.

+V +V

R RI
L
iRL iRI
vi
T1
T1

vi iRL iRI
R
RI L

FIGURA 9-17 CONVERSORES TENSO-CORRENTE COM TRANSISTOR BIPOLAR

O circuito da esquerda possui a resistncia de carga flutuante, ou seja, no conectada ao terra.


Como a corrente sai da resistncia de carga RL e depois entra no conversor, esse tipo de conversor
chamado de sink (ralo). No circuito da direita, a resistncia de carga est aterrada. A corrente sai
do conversor e depois entra na resistncia de carga. Por isso, tal tipo de conversor chamado de
source (fonte).

Nos dois casos, supondo que seja utilizado um OPAMP 741 e um transistor com hFE igual a 100, o
circuito pode drenar ou fornecer corrente de at 2 A. Os conversores de corrente para tenso tambm
so conhecidos como amplificadores de transcondutncia ou amplificadores de transadmitncia.

REGULADORES DE TENSO

A incluso de amplificadores operacionais e de transistores bipolares ao circuito bsico com diodo


Zener permite a implementao de reguladores de tenso muito mais eficazes. A Figura 9-18 apresenta
um exemplo de tal regulador.

T1
vi vo
R
(entrada no Z
(sada
regulada) regulada
R )
1

DZ
R
2

FIGURA 9-18 REGULADOR DE TENSO USANDO AMPLIFICADOR OPERACIONAL

74
A tenso de sada pode ser calculada pela expresso:
ff
f
R1f
ff
ff
f g
vo = VZB 1 + (EQUAO 9-9).
R2

O divisor de tenso formado por R1 e R2 faz uma amostragem da tenso na sada do regulador.
Caso essa varie, o amplificador operacional varia a corrente de base do transistor de passagem T1 no
sentido oposto, de forma a neutralizar a variao inicial da tenso de sada.

O circuito do regulador de tenso pode ser aperfeioado com a incluso de outro transistor, para
proporcionar proteo contra excesso de corrente na sada. A Figura 9-19 mostra essa modificao.
iRSC iRL
iRL
T1 RSC
vi vRSC
R
=
Z
IBT1 VBET2
T2
ICT2
R
1 vo RL

DZ
R
2

FIGURA 9-19 REGULADOR DE TENSO COM PROTEO CONTRA SOBRECORRENTE

O resistor RSC deve ser dimensionado de tal forma que, nas condies normais (corrente na
resistncia de carga dentro do limite), a tenso sobre ele, que tambm a tenso entre base e emissor do
transistor T2, fique abaixo da tenso de limiar desse transistor (VRSC < 0,5 V). Assim, o transistor T2
estar cortado, e sua corrente de coletor (ICT2) ser nula.

Caso a corrente iRL aumente, o transistor T2 entra em conduo, e ICT2 deixa de ser nula,
roubando corrente da base do transistor de passagem T1. Com isso, a corrente de coletor desse
transistor (que , basicamente, a corrente na resistncia de carga) diminui, removendo-se o excesso de
corrente.

Circuitos como esse, acrescidos de elementos para proteo trmica so to amplamente


utilizados que esto disponveis na forma de circuitos integrados, cujos exemplares mais simples
possuem encapsulamento com apenas trs pinos (entrada, terra e sada). Duas famlias populares de
CIs reguladores desse tipo so a 78XX (reguladores de tenso positiva em relao ao terra) e a 79XX
(reguladores de tenso negativa em relao ao terra). Em ambos os casos, XX representam dois
algarismos que indicam a tenso regulada na sada. Assim, o CI 7812 um regulador para +12 V e o CI
7908 um regulador para -9 V. A Figura 9-20 mostra o aspecto fsico mais comum desses reguladores.

FIGURA 9-20 ASPECTO FSICO E SMBOLO DE UM CI REGULADOR DE TENSO COM TRS TERMINAIS
75
FILTROS ATIVOS

Filtros so circuitos que transferem para a sada os sinais de entrada cuja frequncia esteja dentro
de uma faixa conhecida como faixa de passagem ou banda passante, e retm os sinais cuja frequncia
esteja fora dessa faixa. Os filtros necessariamente utilizam capacitores e/ou indutores, que so
componentes cujo comportamento dependente da frequncia de operao.

Quando a faixa de passagem vai de 0 a um determinado valor, o filtro chamado de filtro passa-
baixas (FPB). Quando a faixa de passagem vai de um determinado valor at o infinito, o filtro chamado
de filtro passa-altas (FPA). Quando a faixa de passagem fica localizada entre dois valores finitos e
maiores que zero, o filtro chamado de filtro passa-faixa (FPF). Quando a faixa de passagem fica abaixo
de um valor mnimo e acima de um valor mximo, o filtro chamado de filtro rejeita-faixa (FRF). A
curva de resposta tpica de cada um desses filtros mostrada na Figura 9-21, com os ganhos em decibis
(dB). Em todos os casos, as linhas pontilhadas representam a curva de resposta ideal e as linhas
contnuas representam a curva de resposta real.

fH fL
filtro passa-baixas filtro passa-altas

fL fH fL fH
filtro passa-faixa filtro rejeita-faixa
FIGURA 9-21 CURVAS DE RESPOSTA DOS DIVERSOS TIPOS DE FILTRO

As frequncias que delimitam a faixa de passagem so chamadas de frequncias de corte. Nos


filtros que possuem duas frequncias de corte (passa-faixa e rejeita-faixa), a menor chamada de
frequncia de corte inferior (fci ou fL - L de low) e a maior chamada de frequncia de corte
superior (fcs ou fH - H de high). Existe ainda um tipo de filtro que possui faixa de passagem infinita, e
que apenas introduz uma defasagem entre os sinais de entrada e sada o filtro passa-tudo (FPT).

Quando, alm de componentes reativos, um filtro utiliza apenas resistores, ele conhecido como
filtro passivo. Os filtros passivos so caracterizados por apresentar um sinal de sada com amplitude
menor do que a do sinal de entrada (ou, na melhor das hipteses, com a mesma amplitude). Possuem,
portanto, ganho de tenso igual ou menor que a unidade (ou igual ou menor do que zero, se medido em
decibis). Alm disso, os filtros passivos apresentam baixa definio da faixa de passagem, isto , a
transio entre as frequncias aceitas ou rejeitadas pelo filtro lenta. Essas limitaes os tornam
inadequados para aplicaes mais sofisticadas.

76
A utilizao de dispositivos com capacidade de amplificao possibilita o desenvolvimento de
filtros com ganho de tenso superior unidade e com transio mais definida entre as faixas de passagem
e de rejeio. So os chamados filtros ativos. Os amplificadores operacionais so especialmente
adequados para a implementao desse tipo de filtros.

Dependendo principalmente dos requisitos quanto definio entre as faixas de passagem e de


reteno, o projeto de filtros ativos pode atingir um nvel de complexidade que foge ao escopo do
presente texto. Apresentam-se a seguir exemplos simples de diagramas dos diversos tipos de filtros
ativos com amplificadores operacionais e algumas de suas equaes mais importantes. O conhecimento
prvio sobre circuitos RLC em regime senoidal e sobre amplificadores operacionais suficiente para a
compreenso dos circuitos, de forma que no sero dadas maiores explicaes.

FILTRO PASSA-BAIXAS ATIVO COM AMPLIFICADOR OPERACIONAL

O diagrama mostrado na Figura 9-22.

vi R

vo

C
RF

RI

FIGURA 9-22 FILTRO ATIVO PASSA-BAIXAS NO-INVERSOR

O valor da frequncia de corte fH e o valor do ganho mximo de tenso (na faixa de passagem, isto
, para f < fH) so dados, respectivamente, pelas equaes 9-10 e 9-11.

f
ff
ff
ff
ff
ff
ff
f
1fffffffffffffffffff ff
f
RFf
ff
ff
fH = (EQUAO 9-10) Av M X = 1 + (EQUAO 9-11).
2B B RB C RI

FILTRO PASSA-BAIXAS ATIVO COM AMPLIFICADOR OPERACIONAL

O diagrama mostrado na Figura 9-23.

vi
C
vo

R
RF

RI

FIGURA 9-23 FILTRO ATIVO PASSA-ALTAS NO-INVERSOR


77
O valor da frequncia de corte fL e o valor do ganho mximo de tenso (na faixa de passagem, isto
, para f > fL) so dados, respectivamente, pelas equaes 9-12 e 9-13.

f
ff
ff
ff
ff
ff
ff
f
1fffffffffffffffffff ff
f
RFf
ff
ff
fL = (EQUAO 9-12) Av M X = 1 + (EQUAO 9-13).
2B B RB C RI

FILTRO PASSA-FAIXA ATIVO COM AMPLIFICADOR OPERACIONAL

O diagrama mostrado na Figura 9-24.

vi

vo

RF

CF
CI

RI

FIGURA 9-24 FILTRO ATIVO PASSA-FAIXA NO-INVERSOR

O valor das frequncias de corte inferior fL, superior fH e o valor do ganho mximo de tenso (na
faixa de passagem, isto , para fL < f < fH) so dados, respectivamente, pelas equaes 9-14, 9-15 e 9-16.

f
ff
ff
ff
ff
ff
ff
ff
f
1fffffffffffffffffffff f
ff
ff
ff
ff
ff
ff
ff
ff
f
1fffffffffffffffffffffff ff
f
RFf
ff
ff
fL = (EQUAO 9-14), fH = (EQUAO 9-15), Av M X = 1 + (EQUAO 9-16).
2B B RIB CI 2B B RFB CF RI

EXEMPLO 9-5: PROJETAR E DESENHAR O DIAGRAMA UM FILTRO PASSA-FAIXA ATIVO COM AMPLIFICADOR
OPERACIONAL QUE POSSUA GANHO DE TENSO IGUAL A 25 DENTRO DA FAIXA DE UDIO-FREQUNCIA. A
AMPLITUDE MXIMA DO SINAL DE ENTRADA DE 0,5 V.

78
FILTRO REJEITA-FAIXA ATIVO COM AMPLIFICADOR OPERACIONAL

O filtro rejeita-faixa o de projeto mais complexo. Uma maneira simples de implement-lo


atravs da subtrao entre o sinal de entrada e a resposta de um filtro passa-faixa a esse mesmo sinal,
conforme esquematizado na Figura 9-25.

R2

R1

vi FILTRO vo
PASSA R3

FAIXA
R4 AMPLIFICADOR
SUBTRATOR

FIGURA 9-25 MTODO PARA A IMPLEMENTAO DE UM FILTRO REJEITA-FAIXA

Uma das entradas do subtrator a sada de um FPF, enquanto a outra o prprio sinal a ser
filtrado. Desse modo, na sada do circuito global o sinal ser mnimo dentro da faixa de passagem do FPF,
e mximo na sua faixa de rejeio. Conclui-se, portanto, que a funo executada pelo circuito a rejeita-
faixa.

No dimensionamento dos resistores R1 a R4 deve-se levar em conta que o sinal de entrada vi


recebe um determinado ganho ao passar pelo FPF antes de ser aplicado entrada no-inversora do
subtrator, mas aplicado diretamente entrada inversora. Os valores dos resistores devem compensar
essa diferena.

OBSERVAES FINAIS SOBRE FILTROS ATIVOS

Configuraes mais complexas de filtros ativos, que apresentam melhor desempenho, podem
utilizar mltiplas malhas de realimentao, combinando realimentao negativa e/ou positiva. Alguns
circuitos pem utilizar mais de um amplificador operacional, com vrios estgios em sequncia para que
se atinjam os requisitos de projeto.

Em suma, o projeto de filtros ativos um tpico muito extenso, que foi abordado aqui apenas em
seus aspectos mais elementares.

79
CAPTULO 10 - APLICAES NO-LINEARES DOS
AMPLIFICADORES OPERACIONAIS

As aplicaes no-lineares so caracterizadas pela ausncia de realimentao ou pela


utilizao de realimentao positiva, que obtida pela ligao entre a sada e a entrada no-inversora.
Eventualmente, a realimentao negativa pode ser utilizada nas aplicaes no-lineares. Nesses casos,
utilizam-se componentes com caractersticas no-lineares na rede de realimentao e/ou a realimentao
negativa utilizada em conjunto com a realimentao positiva.

Estudaremos nesse captulo trs categorias de aplicaes no-lineares de amplificadores


operacionais: os comparadores de tenso, os amplificadores no-lineares e os retificadores ativos.
Num captulo parte, estudaremos tambm os osciladores.

COMPARADORES DE TENSO

Como o nome indica, tratam-se de circuitos cujo sinal de sada depende da relao entre os
valores de duas tenses aplicadas s suas entradas. A tenso na sada de um comparador proporciona
informao apenas qualitativa, ou seja, indica se uma tenso de entrada maior ou menor do que a outra,
mas no d nenhuma indicao sobre a magnitude da diferena entre elas.

bastante comum que uma das tenses de entrada de um comparador tenha um valor conhecido,
que pode ser fixo ou ajustvel trata-se da tenso de referncia (VREF). A outra entrada do
comparador recebe uma tenso varivel cujo valor ser comparado com a tenso de referncia.

Os amplificadores operacionais possuem caractersticas que simplificam significativamente o


projeto de comparadores de tenso. A implementao bsica de um comparador a partir de OPAMP
mostrada na Figura 10-1.

+VCC
vi

vo

-VEE
VREF

FIGURA 10-1 DIAGRAMA BSICO DE UM COMPARADOR DE TENSES COM OPAMP

O princpio de funcionamento muito simples: como se trata de um circuito sem realimentao


negativa, seu ganho de tenso ser o ganho de tenso em malha aberta do operacional (idealmente
infinito). Logo, se houver qualquer diferena entre as tenses nas entradas inversora e no-inversora do
OPAMP, a sada estar saturada. Assim, caso a tenso de entrada vi seja superior tenso de referncia
80
VREF, a sada do OPAMP saturar positivamente (para cima) e ser igual a +VCC. Caso a tenso de
entrada seja inferior tenso de referncia, a sada estar negativamente saturada (para baixo) e ser
igual a -VEE.

No caso pouco provvel de ambas as entradas terem exatamente o mesmo valor, o valor da tenso
de sada seria indeterminado, no caso de um OPAMP ideal, com ganho de tenso infinito em malha aberta.
No caso de OPAMPs reais, cujo ganho finito, a tenso de sada seria determinada pelo offset do
operacional, sendo prxima a zero. Como a situao de absoluta igualdade entre as duas tenses pouco
provvel (a no ser em caso de curto-circuito entre as entradas), pode ser descartada na prtica.

Desse modo, podemos considerar que os comparadores tm apenas dois valores possveis de
tenso de sada: +VCC (nvel alto) ou -VEE (nvel baixo), sendo, portanto, circuitos com sada digital
(binria, para ser mais exato). Quando a tenso de referncia tem valor 0, o comparador recebe o nome
especial de detetor de passagem por zero (DPZ).

O circuito acima possui como caracterstica um sinal de sada com a mesma fase do sinal de
entrada, isto , quando o sinal de entrada superior ao nvel de referncia a sada tem nvel alto e
quando o sinal de entrada inferior ao nvel de referncia a sada tem nvel baixo. Por esse motivo, o
circuito chamado de comparador no-inversor ou seguidor. Caso seja necessrio que o circuito tenha
um comportamento inversor, ou seja, nvel baixo na sada quando a entrada for superior referncia e
nvel alto quando a entrada for inferior referncia, basta aplicar a tenso referncia entrada no-
inversora do operacional e utilizar a entrada inversora como entrada do circuito. Um comparador
inversor mostrado na Figura 10-2.

+VCC
vi

vo

-VEE
VREF

FIGURA 10-2 DIAGRAMA BSICO DE UM COMPARADOR INVERSOR

Seja o comparador seguidor ou inversor, em alguns casos necessrio que o mdulo da tenso de
sada em nvel alto seja diferente do mdulo da tenso de sada em nvel baixo. Para se conseguir
esse efeito, podem ser utilizados diodos Zener, como mostrado na Figura 190.
+VCC
vi
RZ
vo

DZ1
-VEE
VREF DZ2

FIGURA 10-3 COMPARADOR COM NVEIS DE TENSO DE SADA COM MDULOS DIFERENTES

81
EXEMPLO 10-1: NO CIRCUITO ABAIXO UTILIZADO UM SENSOR DE TEMPERATURA QUE TEM A CARACTERSTICA
DE RESISTNCIA EM FUNO DA TEMPERATURA DADA PELA TABELA:

PERGUNTA-SE: A) QUAL DEVE SER O AJUSTE DO POTENCIMETRO PARA QUE OS DOIS LEDs ESTEJAM APAGADOS
QUANDO T = 80 C? B) PARA T = 100 C, QUAL DOS LEDs EST ACESO?

100 560
RA RB
+15 V
B
A
V vo
RLED
POT
RSENSOR
LED1
-15 V DZ2

LED2

CIRCUITOS INTEGRADOS ESPECIAIS PARA USO COMO COMPARADORES

Os comparadores de tenso se caracterizam por um sinal de sada com variaes bruscas entre os
dois valores de saturao. Desse modo, os operacionais utilizados para a implementao desse tipo de
circuito devem possuir excelentes caractersticas de slew rate, sob pena de terem seu desempenho
comprometido.

Por isso, embora OPAMPs comuns, como o 741, possam ser usados no projeto de comparadores,
os requisitos de slew rate tpicos dessa aplicao exigem circuitos integrados especialmente designados
para essa funo. Alguns exemplos desses circuitos integrados so as sries X39 (139, 239 e 339) e X11
(111, 211 e 311). Essas famlias de integrados tm sada do tipo open collector (coletor aberto), cujo
aspecto mostrado na Figura 10-4.

82
+V

R
P
U

vo vo

sada sada
do CI do CI

FIGURA 10-4 SADA DO TIPO COLETOR ABERTO E LIGAO DO RESISTOR EXTERNO

Como se pode notar pela figura, os integrados com sada em coletor aberto s funcionam
corretamente se o terminal de sada for ligado a um potencial positivo +V atravs de um resistor externo
RPU, que chamado de resistor de elevao ou resistor de pull up. Esse potencial positivo no
necessariamente a tenso VCC que alimenta o integrado, podendo ser utilizado qualquer outro valor
positivo de tenso, desde que respeitados os limites particulares do integrado. Por esse motivo, os
integrados com sada em coletor aberto so muito utilizados como conversores de nvel, podendo servir
de interface, por exemplo, entre famlias lgicas diferentes, como TTL e CMOS. Outra caracterstica dos
integrados com sada em coletor aberto a possibilidade de conexo entre sadas. Basta que todas elas
sejam ligadas ao mesmo resistor de pull up.

Os circuitos integrados da famlia X39 possuem quatro comparadores com sada em coletor
aberto, encapsulados numa nica pastilha e tendo todos eles alimentao em comum. Uma vantagem
adicional dos comparadores desta famlia dispensar a utilizao de fonte de alimentao simtrica,
podendo ser alimentados a partir de fonte simples (+VCC e GND). A Figura 10-5 mostra a pinagem dos
comparadores da famlia X39. A diferena entre os diversos componentes da famlia (139, 239 e 339)
consiste nos limites de suas caractersticas eltricas, que, em geral, so mais prximas do ideal no 139 do
que nos demais.

FIGURA 10-5 PINAGEM DOS CIRCUITOS INTEGRADOS DA FAMLIA X39

Outra famlia de circuitos integrados especialmente apropriados para uso em comparadores a


X11 (111, 211 e 311). Essa famlia, alm das caractersticas j mencionadas em relao famlia X39,
possui terminais para o ajuste do offset e um terminal de controle, conhecido como strobe. Quando se
drena uma corrente de certa intensidade do terminal de strobe (tipicamente entre 3 mA e 5 mA) a sada
do comparador levada ao nvel 0, independente das outras condies no circuito. No transistor de
sada dos integrados dessa famlia tanto o coletor como o emissor esto abertos. O funcionamento,
portanto, depende da conexo de ambos os terminais. Assim, h trs diferentes formas de faz-los
funcionar:

83
 Conectando um resistor de pull up entre o coletor aberto e um potencial positivo e conectando o
emissor aberto diretamente ao terra ou a um potencial negativo. Esse modo semelhante ao
visto anteriormente para a famlia X39.
 Conectando um resistor de pull down entre o emissor aberto e o terra ou um potencial negativo
e conectando o coletor aberto diretamente a um potencial positivo.
 Conectando-se simultaneamente um resistor de pull up entre o coletor aberto e um potencial
positivo e um resistor de pull down entre o emissor aberto e o terra ou a um potencial negativo.

Uma diferena importante entre as famlias X39 e X11 que, nesta ltima, cada pastilha possui
apenas um comparador, e no quatro. A Figura 10-6 mostra a pinagem da famlia X11 com seu diagrama
de blocos interno e uma aplicao (acionador de rel) em que se utiliza o terminal de strobe.

-VEE +VCC
REL

4
EMISSOR 2 D1
+VCC vi 8
ABERTO
7
vi+ SADA LM 311
OFFSET / vi 6
vi- STROBE 3 1
-VEE / OFFSET
GND T1

R Pulsos
de
strobe

FIGURA 10-6 PINAGEM DA FAMLIA X11 E CIRCUITO DE APLICAO USANDO O TERMINAL DE STROBE

Os terminais esto identificados na figura com os nmeros dos rescpectivos pinos do circuito
integrado. Quando o pulso de strobe estiver em nvel 1, a sada ir para nvel 0, independente dos
valores de tenso nas entradas. Com isso, a bobina do rel energizada e o contato se fecha. A funo
do diodo reversamente polarizado impedir a formao de uma alta tenso induzida nos terminais da
bobina do rel durante as transies no nvel da tenso de sada. Essa alta tenso poderia danificar o
circuito integrado. O pino 5, que no aparece no desenho, utilizado para balano de offset, em conjunto
com o pino 6. No se deve aterrar o terminal de strobe. Quando ele no for utilizado, a melhor opo
deix-lo desconectado.

DETETOR DE JANELA

Em algumas aplicaes, necessrio saber se a tenso de um determinado ponto se encontra


dentro ou fora da faixa compreendida entre dois valores definidos, que chamaremos de LI (limite
inferior) e LS (limite superior). Nesses casos, utiliza-se uma variao do circuito comparador que
conhecida como detetor de janela, onde janela significa a faixa de tenses compreendida entre os dois
limites. O diagrama tpico de um detetor de janela utilizando comparadores da famlia X39 alimentados
com fonte simples mostrado na Figura 10-7, bem como o grfico do sinal de sada em funo do sinal de
entrada.
84
+V
+VCC R
vo
P
U

LS CP2
vo

vi +V

CP1
vi
LI 0 LI LS

FIGURA 10-7 DIAGRAMA BSICO DE UM DETETOR DE JANELA E COMPORTAMENTO DO SEU SINAL DE SADA

Supondo que o sinal de entrada seja inferior a LI, o comparador CP1 estar saturado para baixo
(sada aterrada, igual a GND). Como a sada do comparador CP2 est ligada com a sada do comparador
CP1, ela tambm arrastada para baixo, ou seja, o aterramento da sada de CP1 causa o aterramento da
sada de CP2.
Se a tenso de entrada estiver dentro da janela, isto , for superior a LI e inferior a LS, as sadas de
ambos os comparadores saturam para cima, resultando num sinal de sada e nvel alto (com valor igual
a +V). No caso de um sinal de entrada com valor superior a LS, a sada do comparador CP2 que satura
para baixo, fazendo com que o sinal de sada do circuito volte a zero. Note-se que a tenso positiva qual
o resistor de elevao ligado no precisa ser a mesma utilizada para a alimentao dos comparadores.
A ligao de duas ou mais sadas em coletor aberto por meio de um nico resistor de elevao,
como realizado no circuito acima chamada de wired AND. um tipo de ligao caracterstico em
todos os integrados com sada em coletor aberto.
Uma implementao de detetor de janela usando amplificadores operacionais com sada
convencional mostrada na Figura 10-8. No exemplo utilizado um CI 1458, que possui dois
amplificadores operacionais com alimentao comum, aceitando fonte simples.
+VCC

vo
LS
+VCC
vi vo

vi
LI 0 LI LS

FIGURA 10-8 IMPLEMENTAO DE DETETOR DE JANELA USANDO OPERACIONAIS CONVENCIONAIS

Quando apenas uma das sadas de comparadores estiver em nvel 0, o diodo ligado a ela fica
reversamente polarizado, uma vez que a outra sada est em nvel 1. Assim, a sada em nvel 0 fica
isolada e a tenso vo ter nvel 1. Conclui-se que a tenso de sada s estar em nvel 0 se os
comparadores estiverem simultaneamente em nvel 0, o que ocorre quando a tenso de entrada est
dentro do intervalo entre LI e LS (note a sequncia das entradas dos operacionais). Por isso, o
comportamento da tenso de sada oposto ao do circuito visto anteriormente.
85
DETETOR PARA QUATRO NVEIS DE TENSO

Com uma combinao apropriada de comparadores, possvel implementar um circuito capaz de


fornecer uma indicao visual sobre a faixa de valores em que se a tenso de entrada. Aproveitando-se o
fato de que um integrado da famlia X39 possui quatro comparadores, um circuito capaz de discriminar a
posio do sinal de entrada entre quatro nveis de valores de referncia mostrado na Figura 10-9.

+VCC

R5

X39 RLED4
R4 LED4

X39 RLED3
R3 LED3

X39 RLED2
R2 LED2

X39 RLED1
R1 vi LED1

FIGURA 10-9 DETETOR DE JANELA COM QUATRO NVEIS DE REFERNCIA

As tenses de referncia so obtidas sobre por meio do divisor resistivo formado pelos resistores
R1 a R5. medida que a tenso de entrada vi aumenta, os LEDs vo acendendo sequencialmente, de
baixo para cima. Quanto maior a tenso, maior o nmero de LEDs acesos. Caso seja necessrio um
nmero maior de nveis de referncia, basta adicionar outros comparadores ao circuito. Esse tipo de
sinalizao conhecido como bargraph.

DISPARADOR DE SCHMITT (SCHMITT TRIGGER)

Suponhamos que, num circuito detetor de passagem por zero, a tenso de entrada vi esteja sujeita
a um sinal de rudo. Nesse caso, a sada do circuito poder mudar de estado indevidamente, como
indicado na Figura 10-10. Note-se que uma tenso de rudo da ordem de mV j ser suficiente para
causar a operao inadequada do circuito.

86
vi

faixa
t de
0 rudo

acionamentos indevidos
vo
+VCC
acionamento
correto
t
0
FIGURA 10-10 TRANSIES ESPRIAS NA SADA DE UM COMPARADOR, DEVIDAS PRESENA DE RUDO

Lembrando que a sada do detetor de passagem por zero pode estar sendo utilizada, por exemplo,
para acionar um motor ou um alarme, evidente que uma situao como essa inaceitvel, sendo
necessria uma providncia para evit-la.

Como soluo para esse problema, acrescenta-se ao comparador uma realimentao positiva,
obtendo-se o circuito chamado de Schmitt trigger ou disparador de Schmitt, cujo diagrama mostrado
na Figura 196. Deve-se ter cuidado para no confundi-lo com o amplificador no-inversor, que utiliza
realimentao negativa.

+VCC
vi

vo
-VEE
R1

R2

FIGURA 10-11 DIAGRAMA BSICO DE UM DISPARADOR DE SCHMITT

Como se pode notar, a rede de realimentao formada por R1 e R2 faz com que a tenso de
entrada e a tenso de sada tenham sempre a mesma polaridade. Isso tende a manter o estado da tenso
de sada. A realimentao positiva faz com que a sada do circuito esteja saturada (para cima ou para
baixo).

Suponhamos que a tenso de sada seja inicialmente igual a -VEE. A tenso na entrada no-
inversora do OPAMP determinada pelo divisor de tenses formado por R1 e R2, ou seja:
f
f
ff
ff
f
ff
f
R2f
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
vi+ = @ VEE B . S ocorrer uma mudana no valor da tenso de sada do circuito quando a tenso
R1 + R2
na entrada inversora do OPAMP (que a entrada do circuito) for menor (mais negativa) do que esse
valor. Quando isso acontece, a sada satura para +VCC e a tenso na entrada no-inversora do OPAMP
passa para vi+ = + VCC B ffffffffffffffffffffffffff.
R2
R1 + R2

Assim, s ocorrer uma nova alterao no valor da tenso de sada quando a tenso de entrada for
superior (mais positiva) que essa nova tenso na entrada no-inversora.

87
Desse modo, para que ocorra transio no valor da tenso de sada do circuito, temos um limite
R2
superior dado por LS = + VCC (quando a tenso de sada positiva), e um limite inferior dado
R1 + R 2
R2 R2
por LI = VEE (quando a tenso de sada negativa). Chamando a relao de ,
R1 + R 2 R1 + R 2
temos: LS = +VCC e LI = -VEE .

Como se pode concluir, o comportamento do circuito quando o sinal de entrada aumenta ser
diferente de seu comportamento quando o sinal de entrada diminui. Essa caracterstica chamada de
histerese e a responsvel pela imunidade a rudos do Schmitt trigger. A diferena LS - LI chamada de
janela de histerese do circuito. O circuito insensvel a qualquer sinal aplicado entrada cuja
amplitude esteja dentro da janela de histerese, ou seja, o estado da sada no muda a no ser que o valor
de pico do sinal de entrada seja superior janela.

Essa caracterstica confere ao circuito um grau de imunidade a rudos determinado pelo


projetista atravs da relao . A Figura 10-12, que mostra o comportamento do sinal de sada em
funo do sinal de entrada, representa de forma grfica a histerese do disparador de Schmitt.

vo

+VCC

X
LI vi
LS

-VEE

FIGURA 10-12 CURVA DE TRANSFERNCIA DE UM DISPARADOR DE SCHMITT

A curva de transferncia mostra claramente que para determinar o valor do sinal de sada de um
disparador de Schmitt no suficiente saber apenas o valor do sinal de entrada, mas o conhecimento do
valor anterior do sinal de sada tambm necessrio. Conclui-se, portanto, que esse circuito exibe
caractersticas de memria, com uma leve semelhana em relao ao estudado anteriormente sobre o
amplificador integrador inversor. A diferena fundamental que, no caso dos disparadores de Schmitt
essa caracterstica desejvel, ao contrrio do que ocorre em relao aos integradores.

O disparador estudado acima tem caracterstica inversora, ou seja, sada negativa para entrada
superior a LS e sada positiva para entrada inferior a LI. A Figura 10-13 mostra o diagrama, a curva de
transferncia e as equaes de um disparador de Schmitt no-inversor.

vo
R2 R1
vi +VCC ff
f
f
R2f
ff
f
+VCC LS = B + VCC = B VCC
X R1
vo
vi
f
ff
f
f
R2ff
f
-VEE
LI LS LI = B@ VEE = B@ VEE
R1
-VEE

FIGURA 10-13 - DIAGRAMA, CURVA DE TRANSFERNCIA E EQUAES DE UM SCHMITT TRIGGER NO-INVERSOR

88
AMPLIFICADORES NO-LINEARES

Esses circuitos, da mesma forma que os amplificadores lineares abordados no captulo anterior,
utilizam realimentao negativa com o objetivo de reduzir o ganho global do circuito. A diferena reside
na presena de elementos nolineares na malha de realimentao, o que impede um relao direta de
proporcionalidade entre os sinais de entrada e sada.

Os amplificadores no-lineares permitem a realizao de operaes matemticas mais complexas


do que as obtidas por meio de amplificadores lineares. Entre elas se encontram o logaritmo, a
exponencial, a multiplicao ou diviso de dois sinais e a radiciao. Examinaremos dois tipos de
amplificadores no-lineares: o amplificador logartmico e o amplificador exponencial.

AMPLIFICADOR LOGARTMICO

Como o nome indica, trata-se de um circuito cujo sinal de sada proporcional ao logaritmo do
sinal de entrada, em geral o logaritmo natural ou neperiano (de base e). Tais amplificadores so bastante
teis em processamento de sinais. O diagrama bsico de um amplificador inversor logartmico utilizando
amplificador operacional mostrado na Figura 10-14.
iR iD vD
vi R D
X i=0

vd = 0
vo

malha de entrada malha de sada

FIGURA 10-14 DIAGRAMA BSICO DE UM AMPLIFICADOR LOGARTMICO COM OPERACIONAL

Aplicando os princpios bsicos de anlise de circuitos com amplificadores operacionais,


possvel obter a expresso do sinal de sada desse circuito. A equao LKT da malha de entrada :
ff
f
vif
ff
f
@f
ff
ff
ff
f
vdf
ff
ff vi
ff
ff
ff
f
@f
ff
ff
f
0f
ff ff
f
vif
ff
+ vi @ iR B R @ vd = 0 [ iR = = [ iR = .
R R R

Para a malha de sada: + vo + v D @ vd = 0 [ vo = vd @ v D = 0 @ v D [ vo =@ v D .

Aplicando a LKC ao n X: + iR @ i @ iD = 0 [ iD = iR @ i = iR @ 0 [ iD = iR .
Como sabemos, a corrente que percorre um diodo diretamente polarizado dada por:
d e
f
f
f
ff
f
ff
f
f
vf
f
ff
df
f
f
ff
f
ff
f
f
ff
f

iD = Is B e B V T @ 1 , onde Is a corrente de saturao reversa do diodo. Desprezando-se a parcela -1


f
f
ff
f
vff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff f
f
ff
f
vf
f
ff
ff
ff
f
ff
ff
f
f f
f
ff
f
vf
f
ff
ff
ff
f
ff
ff
f
f
h i
ff
f
vif
ff ff
ff
ff
f
vif
ff
ff
ff
f B VT ff
ff
ff
f
vif
ff
ff
ff
f
k= ff
ff
f
vffff
fff
ff
ff
ff
D D D
D
dentro dos parnteses: iD = IsBe B VT [ = IsBe B V T [ =e [ lnj [
R RB Is RB Is B V T
h i h i h i
f
ff
ff
f
vif
ff
ff
ff
ff
k= f
f
@f
ff
ff
ff
f
vof
ff
ff
ff
f f
ff
ff
f
vif
ff
ff
ff
ff f
ff
ff
f
vif
ff
ff
ff
ff
[ ln j [ vo =@ B V T B ln j k [ vo t @ 0,052B ln j k (EQUAO 10-1).
RB Is B V T RB Is RB Is

89
O circuito pode ser aperfeioado substituindo-se o diodo por um transistor bipolar, como
mostrado na Figura 10-15. A presena do transistor, com suas propriedades amplificadoras, aumenta a
faixa de valores possveis para o sinal de entrada do circuito.

T1

vi R

vo

FIGURA 10-15 AMPLIFICADOR INVERSOR LOGARTMICO REALIMENTADO COM TRANSISTOR BIPOLAR

AMPLIFICADORES EXPONENCIAIS

Seu sinal de sada proporcional a uma base (geralmente a base e) elevada ao sinal de entrada.
Lembrando que a exponencial a operao inversa do logaritmo, fcil compreender porque os
amplificadores exponenciais so tambm conhecidos como amplificadores antilogartmicos. Fazendo
uma analogia entre os amplificadores integradores e diferenciadores (que tambm realizam operaes
matemticas inversas), podemos concluir que nos amplificadores exponenciais existe uma inverso dos
elementos de entrada e de realimentao, quando comparados com os amplificadores logartmicos. Isso
pode ser visto nos diagramas da Figura 10-16.

R R

vi D vi T1
f
f
ff
ff
f
ff
f
vif
f
ff
ff
f
ff
ff

vo =@ RB IsBe B VT vo

FIGURA 10-16 DIAGRAMAS BSICOS DE AMPLIFICADOR EXPONENCIAL COM OPERACIONAL

evidente que os circuitos analisados, tanto para o amplificador logartmico quanto para o
exponencial, s realizam as operaes adequadamente para sinais de entrada positivos. Um sinal de
entrada negativo causaria a polarizao reversa do diodo ou do transistor, o que resultaria na saturao
do sinal de sada. Assim, a operao com um sinal de entrada negativo, requereria a troca da polaridade
do diodo ou do tipo de transistor utilizado. Alm disso, as expresses para os sinais de sada contm
termos como Is, VT e , que dependem do tipo de componente utilizado e/ou da temperatura.

Para minimizar esses problemas e facilitar a implementao de circuitos mais precisos, versteis e
independentes da temperatura, os fabricantes de circuitos integrados disponibilizam chips que realizam
tanto a operao de logaritmo quanto a de exponenciao, aceitando sinais de qualquer polaridade e
permitindo o uso combinado dessas operaes. Como exemplos desses chips temos o AD538, da Analog
Devices e o 4127, da Burr-Brown.

90
RETIFICADORES ATIVOS

Como sabemos, a tenso mnima para que ocorra uma conduo efetiva de corrente numa juno
PN diretamente polarizada, conhecida como tenso de limiar (V), da ordem de 500 mV (silcio) ou
200 mV (germnio). Isso significa que os diodos somente permitem a conduo para nveis de tenso
superiores a esse valor.

Para a maior parte das aplicaes de diodos, o valor de V muito pequeno em relao ao valor de
pico da tenso a ser retificada, e o diodo pode ser considerado ideal. No entanto, se for necessria a
retificao de tenses com amplitudes na ordem de mV, o uso de diodos comuns pode se tornar invivel,
ou mesmo impossvel. A Figura 10-17 ilustra o problema, supondo a utilizao de um retificador de
meia-onda com diodo de silcio para trs diferentes amplitudes de sinal de entrada.

1 volt
0,4 volts

FIGURA 10-17 EFEITO DA TENSO DE LIMIAR DE UM DIODO SOBRE OS SINAIS RETIFICADOS

A figura mostra claramente que quanto menor a amplitude do sinal a ser retificado, maior a
influncia da tenso de limiar do diodo, chegando-se ao ponto em que o sinal de sada do retificador pode
ser nulo, devido pequena amplitude do sinal de entrada.
Tal problema pode ser significativamente minimizado combinando-se os diodos semicondutores
com amplificadores operacionais, dando origem aos circuitos conhecidos como retificadores ativos ou
retificadores de preciso.
O funcionamento desses circuitos se baseia na diviso a tenso de limiar do diodo pelo ganho de
tenso em malha aberta do amplificador operacional, o que possibilita a retificao de tenses com
amplitudes da ordem de microvolts. Tomando como exemplo um diodo de silcio, com tenso de limiar
de 0,5 V e um amplificador operacional 741 com ganho ganho de tenso em malha aberta de pelo menos
200000, a amplitude mnima de um sinal passvel de ser processado por um retificador ativo formado por
esses dois componentes seria:

viMN = f
ff
f
ff
f
ff
f
f f
= f
f
ff
f
ff
f
ff
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
V 0,5
3 [ viMN = 2,5 V .
Ao 200 B10

Considerando-se o amplificador operacional como ideal (ganho em malha aberta infinito), o


retificador ativo seria capaz de processar sinais de qualquer amplitude, sendo limitado apenas pelas
tenses de alimentao do amplificador operacional.
Veremos a seguir os diagramas de retificadores ativos de meia-onda e de onda completa, bem
como o de um circuito derivado desses primeiros e conhecido como detetor de pico.

91
RETIFICADOR ATIVO DE MEIA-ONDA

A Figura 10-18 mostra o diagrama de um retificador ativo de meia-onda. Como possvel


perceber, trata-se de um seguidor de tenso em cuja rede de realimentao foi inserido um diodo.

vD
D vo
voA
vi

FIGURA 10-18 DIAGRAMA DE UM RETIFICADOR ATIVO DE MEIA-ONDA

Para tenses de entrada negativas, a sada voA do operacional (que no a sada vo do circuito)
satura para baixo, polarizando reversamente o diodo e fazendo com que a tenso de sada do circuito seja
igual a zero.

Para tenses de entrada positivas, a tendncia seria a saturao da sada voA do OPAMP para
cima, o que contribuiria para polarizar diretamente o diodo D, permitindo a conduo. Supondo que o
amplificador operacional real (ganho em malha aberta Ao finito), valem as relaes:
` a ` a
vo = voA @ vD (1); voA = Ao B vi @ vo (2). Substituindo (2) em (1): vo = Ao B vi @ vo @ vD (3). A partir
` a
da expresso (3): vo = Ao Bvi @ Ao Bvo @ vD [ vo + Ao Bvo = Ao Bvi @ vD [ vo B 1 + Ao = Ao Bvi @ vD [

f
f
ff
ff
f
f
Aof
ff
f
ff
ff
f
ff f
f
ff
fvffff
f
f
Dff
f
ff
ff
f
[ vo = viB @ (EQUAO 10-2).
1 + Ao 1 + Ao

A segunda parcela do lado direito da equao acima mostra claramente o efeito do amplificador
operacional sobre a tenso no diodo. Considerando o diodo ideal (ganho Ao infinito), a equao acima se
reduz a vo = vi. Obviamente, a polaridade do diodo pode ser invertida, e o sinal de sada ter apenas os
semiciclos negativos.

O fato de que o circuito opera em malha aberta em um dos semiciclos da tenso de entrada causa
problemas na retificao de sinais de baixa amplitude, devido ao tempo de recuperao reversa do diodo.
A Figura 10-19 mostra uma verso aperfeioada do retificador ativo de meia-onda, com a incluso de
componentes para minimizar o problema citado anteriormente.
R2

D1

vi R1

D2 vo

FIGURA 10-19 DIAGRAMA APERFEIOADO DE RETIFICADOR ATIVO DE MEIA-ONDA

92
O diodo D1 conduz quando a sada do operacional satura para baixo, impedindo a operao em
malha aberta. Para que no se introduza um ganho de tenso da entrada para a sada, necessrio que
os resistores R1 e R2 tenham o mesmo valor numrico. A principal desvantagem deste circuito o fato
de apresentar impedncias de entrada e sada finitas (representadas, respectivamente, por R1 e R2). Isso
pode causar problemas de casamento de impedncia com a fonte de sinal e/ou com a resistncia de carga
do circuito. Tais problemas, contudo, podem ser resolvidos com o uso de seguidores de tenso.

RETIFICADOR ATIVO DE ONDA COMPLETA

Combinando-se um retificador ativo de meia-onda e um amplificador somador, conforme


mostrado na Figura 10-20, obtm-se um retificador ativo de onda completa. A figura mostra as formas
de onda nos pontos de interesse do circuito, supondo uma tenso de entrada senoidal.

vY = vi

R2
t
D1 vo
Y
R3 R5
vi R1
X
D2 R4
t
vo
vX

FIGURA 10-20 DIAGRAMA DE UM RETIFICADOR ATIVO DE ONDA COMPLETA

f
ff
f
f
R5f
f
ff
f
Para o correto funcionamento do circuito necessrio que R3 = R5 e R4 = . Assim sendo, do
2
ponto de vista do somador, o sinal de sada vo ser dado por:

vo = @ v Y B ffffffff+ v X B fffffffff [ vo = @ v Y + 2 B v X [ vo = @ vi + 2 B v X .
R5 R5
f g b c b c

R3 R4

Como vX a tenso de sada de um retificador ativo de meia-onda que permite a passagem apenas
das tenses negativas (note a polaridade dos diodos, que est oposta do diagrama da Figura 10-19), nos
b c B ` aC
semiciclos positivos temos vX = -vi. Logo: vo = @ vi + 2B v X = @ vi + 2B @ vi [ vo = vi .

Nos semiciclos negativos, a tenso no ponto X nula. Lembrando que a tenso de entrada agora
b c b c
negativa: vo = @ vi + 2B v X = @ @ vi + 2B 0 [ vo = vi .

Devido sua caracterstica de apresentar um sinal de sada positivo qualquer polaridade do sinal
de entrada, esse circuito tambm conhecido como circuito de mdulo ou circuito de valor absoluto.
Invertendo-se a polaridade dos diodos, obtm-se na sada o simtrico do valor absoluto do sinal de
entrada.
93
DETETOR DE PICO

Adicionando-se um capacitor sada de um retificador ativo de meia-onda, como mostrado na

Figura 10-21, obtm-se um circuito capaz de armazenar na sada o mximo valor absoluto da
tenso aplicada sua entrada o chamado detetor de pico. A figura apresenta tambm um hipottico
sinal de entrada e o correspondente sinal de sada, levando em conta o fato de que o diodo no ideal.
vi vo

vi R t
C vo L

FIGURA 10-21 DIAGRAMA BSICO E FORMAS DE ONDA DE UM DETETOR DE PICO COM OPAMP

O capacitor se carrega com o valor de pico positivo da tenso de entrada e, como est ligado a uma
carga de alta impedncia, por um lado, e tem um diodo reversamente polarizado, por outro lado, no tem
caminho atravs do qual possa se descarregar e permanece com esse valor de tenso at que seja
aplicado entrada do circuito um sinal com amplitude maior.

Caso seja necessrio que o circuito alimente uma carga de baixa impedncia, que possibilitaria
uma rpida descarga do capacitor e o consequente mau funcionamento do circuito, deve-se colocar um
seguidor de tenso entre o capacitor e a carga, como na Figura 10-22. Desse modo, consegue-se eliminar
a influncia da baixa impedncia da carga sobre a tenso armazenada no capacitor.

O MOSFET colocado em paralelo com o capacitor serve para forar a sua descarga quando se faz
necessrio preparar o circuito para um novo perodo de amostragem. Para tanto, basta aplicar um sinal
conveniente ao gate base do transistor para lev-lo conduo e fazer um curto-circuito entre as
armaduras do capacitor, causando a sua descarga. Esse processo, semelhante ao j estudado para o
amplificador integrador, chamado de reset. Para um bom desempenho de um circuito detetor de pico, o
capacitor utilizado deve ter caractersticas de baixa corrente de fuga.

vo
D
R
vi L
C
pulsos
de reset

FIGURA 10-22 DETETOR DE PICO COM BUFFER DE SADA E CIRCUITO DE RESET

Os circuitos usados acima so adequados apenas para sinais de entrada contnuos (sem inverso
de polaridade ao longo do tempo). Para sinais de entrada alternados, o detetor de pico deve ser
implementado a partir de um retificador ativo de onda completa. Assim, ser armazenado na sada o
maior valor absoluto da tenso de entrada durante o intervalo de amostragem.

94
CAPTULO 11 OSCILADORES COM CIRCUITOS INTEGRADOS

Osciladores so circuitos que possuem a propriedade de fornecer um sinal de sada peridico,


sem a necessidade de aplicao de qualquer sinal sua entrada. Em outras palavras, os osciladores so
geradores de sinais. Obviamente, a energia para a gerao desses sinais provm da fonte DC que
alimenta o circuito.

Os osciladores so circuitos com as mais variadas aplicaes. Nos circuitos digitais sequenciais,
servem como base de tempo (clock), coordenando a operao do sistema; em circuitos de udio, como
os sintetizadores, so responsvel pela gerao de sons; em sistemas de radiofrequncia, permitem a
transmisso e recepo de informaes; etc.

Os osciladores podem ser classificados duas categorias:

 Osciladores Harmnicos So basicamente amplificadores realimentados positivamente que


possuem ganho em malha fechada unitrio num determinado valor de frequncia (que ser a
frequncia de oscilao). Nesse tipo de osciladores, o elemento ativo (amplificador) permanece,
em geral, em sua regio linear de operao. Sua frequncia de oscilao determinada por um
circuito RLC que constitui sua rede de realimentao. Eventualmente, pode ser utilizado um
cristal piezoeltrico para determinar a frequncia com maior preciso. Os osciladores
harmnicos produzem sinal de sada senoidal.

 Osciladores de Relaxao So circuitos que utilizam elementos biestveis (um disparador de


Schmitt, por exemplo) em conjunto com elementos reativos (indutores ou, no caso mais comum,
capacitores). A partir da energizao e desenergizao sucessivas do elemento reativo, o
elemento biestvel, que opera em sua regio no-linear, levado consecutivamente de um estado
para o outro, o que caracteriza um processo oscilatrio. Amplificadores com forte grau de
realimentao positiva tambm operam como osciladores de relaxao. Os osciladores de
relaxao produzem sinais dente-de-serra, quadrados, pulsos, etc., dependendo do circuito
utilizado e do ponto do circuito adotado como sada.

Apesar da classificao acima, possvel, por meio de artifcios, obter formas de onda senoidais a
partir de osciladores de relaxao ou formas de onda no-senoidais a partir de osciladores harmnicos.

Qualquer dispositivo eletrnico que possua caractersticas amplificadoras, ou que possua e sua
curva caracterstica uma regio de resistncia dinmica negativa, pode ser utilizado na implementao de
osciladores. A facilidade de se estabelecer com preciso o ganho de tenso em circuitos que possuem
OPAMPs como elementos ativos faz com que esses dispositivos sejam especialmente apropriados para
esse tipo de aplicao, desde que as frequncias de oscilao se situem dentro de sua faixa til (para os
amplificadores operacionais mais comuns, na ordem de dezenas de KHz).

Neste captulo sero abordados exclusivamente osciladores harmnicos e de relaxao utilizando


OPAMPs e o circuito integrado 555 como elementos ativos.

95
OSCILADORES HARMNICOS

Para compreender o princpio de funcionamento dessa classe de osciladores, examinemos o


diagrama de blocos mostrado na Figura 11-1, onde aparecem os dois elementos que constituem um
oscilador harmnico: o amplificador bsico, com ganho de tenso Av, e a rede de realimentao
passiva, com ganho de tenso f.

AMPLIFICADOR vo
BSICO
GANHO Av

X Y

REDE DE
vi REALIMENTAO
GANHO f

FIGURA 11-1 PRINCPIO DE OPERAO DE UM OSCILADOR HARMNICO

O sinal de sada do amplificador bsico serve como sinal de entrada para a rede passiva, ou seja:
vY = f vo. Assim, caso o ganho de tenso da rede de realimentao seja exatamente igual ao inverso
f
f
f
1f
f
ff
f
ff
f
f g
do ganho de tenso do amplificador bsico f = , bvio que o sinal de sada da rede ter exatamente
Av
o mesmo valor do sinal de entrada do amplificador.

Se, alm de ter a mesma amplitude do sinal de entrada do amplificador, o sinal de sada da rede de
realimentao tiver tambm a mesma fase, a chave S pode passar instantaneamente da posio X para a
posio Y e manter o sistema estvel. O sinal de sada vo continua inalterado, mesmo na ausncia da
fonte de sinal de entrada vi. Temos assim um circuito que fornece um sinal de sada sem a necessidade
da aplicao de um sinal de entrada, ou seja, um oscilador. No se trata, claro, de um moto contnuo,
pois a energia que sustenta o funcionamento do circuito suprida pela(s) fonte(s) DC de alimentao
do(s) elemento(s) ativo(s).

O sistema opera num equilbrio instvel. Se o produto f Av for inferior unidade, o sinal na
sada da rede ser inferior ao sinal de entrada originalmente aplicado, dando origem a um sinal ainda
menor na sada da rede e assim por diante, resultando numa rpida interrupo da oscilao. Se, por
outro lado, o produto f Av for superior unidade, os sinais vo atingindo amplitudes cada vez
maiores, o que leva rapidamente a sada saturao. A Figura 11-2 ilustra essas situaes.

96
vo
f
t
Av
R f Av < 1 (oscilaes amortecidas at a extino)
L

vo
f
t saturao
Av
R f Av > 1 (oscilaes aumentando at a saturao)
L

vo
f
t

Av
R f Av = 1 (oscilaes estveis)
L

FIGURA 11-2 EFEITO DO PRODUTO DOS GANHOS SOBRE O SINAL DE SADA DO OSCILADOR HARMNICO

A figura mostra que quando o produto dos ganhos inferior unidade a oscilao no se mantm.
Se, por outro lado, for superior unidade, a amplitude do sinal de sada aumenta at atingir a regio no-
linear de operao do elemento ativo, distorcendo a forma de onda, que deixa de ser senoidal. Assim, a
condio para uma operao tima que f Av = 1, com defasagem nula. Essa condio conhecida
como critrio de Barkhausen. Na prtica, para compensar as perdas sempre presentes num circuito
real, necessrio que o produto seja ligeiramente superior unidade.

Na prtica, no necessrio aplicar uma fonte de sinal entrada de um oscilador harmnico para
dar incio s suas oscilaes. O estmulo inicial para as oscilaes dado pelo rudo trmico associado a
qualquer dispositivo eletrnico. Esse rudo possui banda passante praticamente infinita, de forma que
abrange, certamente, a frequncia de oscilao do circuito. A rede de realimentao f composta por no
mnimo dois elementos reativos (capacitores e/ou indutores) e a responsvel, em ltima anlise, pela
determinao da frequncia de oscilao.

A amplitude do sinal de sada determinada pela regio linear de operao do(s) elemento(s)
ativo(s). Em circuitos em que o elemento ativo o amplificador operacional, a amplitude ser igual
tenso de saturao do dispositivo (a tenso de alimentao, no caso ideal, e um valor um pouco menor,
no caso de componentes reais). Eventualmente, a amplitude do sinal de sada pode ser artificialmente
modificada pela adio de componentes especialmente designados para esse fim. Como consequncia,
obtm-se tambm um controle sobre a amplitude das oscilaes.

Estudaremos a seguir alguns circuitos de osciladores harmnicos que utilizam como componente
ativo o amplificador operacional.

97
OSCILADOR HARMNICO PONTE DE WIEN USANDO OPERACIONAL

A implementao mais simples de osciladores harmnicos com amplificadores operacionais a


configurao conhecida como Ponte de Wien, cujo diagrama bsico mostrado na Figura 11-3.

REDE DE DEALIMENTAO RC PASSIVA


C1
R1

+VCC
C1 R3 +VCC
R1 vo
C2
vo

C2 -VEE
R2 R4
R2
R3
-VEE AMPLIFICADOR
R4 BSICO GANHO:
f
ff
f
f
R3f
f
ff
f
AV = 1 +
R4

FIGURA 11-3 DUAS DIFERENTES REPRESENTAES DO OSCILADOR PONTE DE WIEN BSICO COM OPAMP

A primeira representao reala a ponte de Wheatstone RC que d nome ao circuito e a segunda


discrimina os dois blocos que compem o oscilador: o amplificador bsico, que um amplificador no-
inversor com OPAMP, e a rede de realimentao, que composta por duas sees RC. Como se pode
observar, o circuito utiliza tanto realimentao positiva (formada por R1, C1, R2 e C2), que ir
determinar a frequncia de oscilao; como realimentao negativa (formada por R3 e R4), que serve
para determinar o ganho do amplificador bsico.

Como o amplificador do tipo no-inversor, ele no introduz no sinal de sada nenhuma


defasagem em relao ao sinal de entrada. Logo, para que o critrio de Barkhausen seja satisfeito,
necessrio que, na frequncia de oscilao, a rede de realimentao tambm no introduza nenhuma
defasagem no sinal. Para que isso ocorra, necessrio que os produtos dos componentes das duas
sees RC sejam iguais, ou seja: R1 BC1 = R 2 BC2 . Em geral, faz-se R1 = R 2 = R e C1 = C2 = C . A frequncia
de oscilao pode ser calculada pela expresso:

fo = ffffffffffffffffffff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
f f
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
1 1
w
ww
w
w
ww
w
w
ww
w
ww
w
w
ww
w
w
ww
w
w
ww
w
ww
w
w
ww
w
w
ww
w
w
ww
w
ww
w
w
ww
w
w
ww
w
w
ww
w
ww
w
w
ww
w
w
ww
w
w (EQUAO 11-1). Se R1 = R 2 = R e C1 = C2 = C , fo =
2B BqR1BC1BR2 BC2
.
2B B RB C

Nessa frequncia, o ganho da rede de realimentao vale: = fffff. Assim, para cumprir o critrio
1
3
de Barkhausen, necessrio que o ganho do amplificador seja igual a 3. Logo:

Av = 1 + ffff
R3fff
= 3 [ fff
R3ffff
= 2 [ R3 = 2BR4 ( EQUAO 11-2 ).
R4 R4

Os osciladores Ponte de Wien tendem a ser muito instveis, gerando uma senide com amplitude
varivel, o que pode levar interrupo das oscilaes (pela reduo do ganho do amplificador) ou
saturao e consequente distoro do sinal gerado (pelo aumento do ganho do amplificador).
98
Essas variaes no ganho de tenso podem ocorrer pela no-linearidade do elemento ativo, pela
variao das caractersticas dos componentes com a temperatura ou pelo seu envelhecimento natural.
Para minimizar essa tendncia e estabilizar a amplitude do sinal gerado por esse tipo de oscilador,
necessrio introduzir no circuito algum tipo de resistncia no-linear, que se encarrega de modificar o
valor do ganho do amplificador quando ocorre variao na amplitude das oscilaes. Os diagramas da
Figura 11-14 ilustram duas possveis solues para esse problema.

C1
R1

+VCC C1
R1
vo
+VCC

vo
-VEE R D2
D1

C2
R2 -VEE
R R2 C2 D1
P
P O R3
O T
T
D2

FIGURA 11-4 DIAGRAMAS DE OSCILADOR PONTE DE WIEN COM ESTABILIZAO DE AMPLITUDE

O princpio de funcionamento simples: quando a amplitude do sinal de sada ultrapassa um


determinado valor (ganho do amplificador muito alto), um dos diodos conduzir em cada semiciclo,
fazendo com que o resistor em paralelo com eles desaparea (por estar em paralelo com a baixa
resistncia do diodo em conduo). Isso causa a diminuio da resistncia de realimentao do
amplificador e, em consequncia, diminuem tambm o seu ganho de tenso do amplificador e a amplitude
do sinal de sada. Caso a amplitude do sinal de sada caia (ganho do amplificador muito baixo), o diodo
correspondente ao semiciclo corta, elevando o ganho e a amplitude do sinal. O ajuste do potencimetro
modifica o ponto de equilbrio, permitindo ajustar a amplitude do sinal de sada.

No circuito da esquerda, os trs resistores e o potencimetro utilizados na rede de realimentao


do amplificador devem ter o mesmo valor nominal.

Existem outras tcnicas de estabilizao alm da mostrada na Figura 11-4. Pode ser utilizada na
rede de realimentao do amplificador bsico uma resistncia no-linear dependente da tenso aplicada
(em geral, uma lmpada incandescente). Quando o ganho do amplificador varia, a variao resultante no
valor dessa resistncia se encarrega de realizar a compensao. Outra tcnica a utilizao de circuitos
de controle automtico de ganho baseados em JFET.

Todas essas tcnicas de estabilizao podem ser utilizadas em qualquer tipo de oscilador
harmnico.

99
OSCILADOR HARMNICO POR DESLOCAMENTO DE FASE (PHASE SHIFT)

Nesse tipo de osciladores senoidais, utiliza-se um amplificador do tipo inversor (sada


defasada de 180o em relao entrada). Assim, para que o sinal de realimentao tenha a mesma fase do
sinal de entrada, a rede passiva de realimentao tambm precisa introduzir uma defasagem de 180 no
sinal de sada. A rede composta por sees RC, cuja caracterstica introduzir uma defasagem inferior
a 90 no sinal aplicado sua entrada. Desse modo, para se obter a defasagem necessria de 180,
requerem-se no mnimo 3 sees RC na rede de realimentao. Os dois circuitos bsicos de osciladores
phase shift com o nmero mnimo de sees na rede de realimentao so mostrados na Figura 11-5.

amplificador amplificador
inversor inversor

C1 C2 C3

vo R1 R2 R3 vo

R1 R2 R3 C1 C2 C3

FIGURA 11-5 DIAGRAMAS BSICOS DOS OSCILADORES POR DESLOCAMENTO DE FASE

Usando-se, como mais comum, trs resistores de igual valor R e trs capacitores de igual valor C
na rede de realimentao, possvel demonstrar que, para o circuito da esquerda (conhecido como rede
defasadora passa-altas), a frequncia de oscilao fo (aquela em que a defasagem introduzida pela rede
de realimentao ser exatamente 180o) dada pela equao:

fo = fffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffff
f
ff
ff
f
ff
f
1
w
w
w
ww
w
p
(EQUAO 11-3).
2B B RB CB 6
Para o circuito da direita (rede defasadora passa-baixas), a frequncia de oscilao vale:
w
ww
w
w
w
p6
f
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
fo = (EQUAO 11-4).
2B B RB C
Ambas as equaes levam em conta o efeito de carregamento que uma seo RC exerce sobre as
sees adjacentes. Quanto maior o nmero de sees RC, mais complexo e dispendioso ser o circuito, e
maior ser o valor da frequncia de oscilao para os mesmos valores de R e de C. Por outro lado, com
maior nmero de sees, diminui o deslocamento de fase em cada seo, o que reduz a atenuao da rede
de realimentao. Assim, pode ser usado um amplificador bsico com menor ganho. Outra vantagem de
um nmero maior de sees o aumento da estabilidade da frequncia de oscilao.

Da mesma forma que os osciladores do tipo Ponte de Wien, os osciladores phase shift so
adequados para a faixa de frequncias que vai de alguns Hz a dezenas de KHz. Sua maior desvantagem
a dificuldade para ajuste da frequncia de oscilao, que requer a variao simultnea de pelo menos trs
componentes.

100
OSCILADOR PHASE SHIFT UTILIZANDO AMPLIFICADOR OPERACIONAL

A Figura 11-6 apresenta o diagrama bsico de um oscilador por deslocamento de fase usando
amplificador operacional. O circuito mostra a opo mais frequentemente utilizada: trs sees, com
iguais valores de resistncia e capacitncia, e configurado com rede defasadora passa-altas.

RF
C C C
+VCC
R

R R vo
-VEE

FIGURA 11-6 OSCILADOR PHASE-SHIFT COM AMPLIFICADOR OPERACIONAL

Para o circuito mostrado na figura, o terceiro resistor da rede de realimentao serve tambm
como resistor de entrada para o amplificador bsico (esse resistor est virtualmente aterrado).

f
f
f
1f
f
ff
f
f
O ganho de tenso da rede de realimentao para esse circuito vale: = @ . Assim, para
29
f
f
f
1f
ff
f
f
garantir a oscilao, o ganho do amplificador bsico deve ser: Av = = @ 29 . Como o amplificador

f
ff
f
f
RFf
f
ff
f
f
bsico um inversor: Av = @ = @ 29 [ RF = 29 BR .
R

Na prtica, deve-se utilizar uma resistncia RF com valor um pouco superior ao obtido pela
equao acima, junto com alguma tcnica de estabilizao de amplitude para o sinal de sada (algumas j
foram apresentadas para o oscilador ponte de Wien). A Figura 11-7 mostra uma das possveis solues,
com a possibilidade de ajuste da amplitude do sinal de sada atravs do potencimetro.

RF POT
+VCC

R1

D1
C C C
+VCC R2
R

R R vo
-VEE R3

D2

R4

-VEE

FIGURA 11-7 OSCILADOR POR DESLOCAMENTO DE FASE COM ESTABILIZAO DE AMPLITUDE


101
Os osciladores por deslocamento de fase no so adequados para operar em frequncias muito
altas (que exigiriam baixos valores de resistncia e capacitncia) nem em frequncias muito baixas (que
exigiriam altos valores de resistncia e capacitncia). Baixos valores de capacitncia seriam afetados
pelas capacitncias parasitas do circuito. Altos valores de resistncia seriam carregados pela
impedncia de entrada do elemento ativo. A faixa usual de operao para esses osciladores, quando
implementados com amplificadores operacionais comuns, vai de alguns hertz a centenas de quilohertz.

OSCILADOR HARMNICO DE QUADRATURA COM OPERACIONAL

Existem alguns sistemas eletrnicos, especialmente na rea de Telecomunicaes, que necessitam


de dois sinais senoidais em quadratura, ou seja, defasados 90 entre si. Lembrando que a integrao de
uma senoide d origem a uma cossenoide e vice-versa, e que existe uma defasagem de 90 entre esses
dois sinais, podemos compreender o princpio de funcionamento de um oscilador harmnico de
quadratura com amplificadores operacionais, cujo diagrama mostrado na Figura 11-8.

DZ1 DZ2
C2
+VCC
R2
C1
+VCC
R1 vo2

-VEE
vo1
-VEE

R3
C3

FIGURA 11-8 OSCILADOR DE QUADRATURA COM AMPLIFICADORES OPERACIONAIS

O circuito composto por dois integradores, sendo o da esquerda um integrador inversor e o da


direita um integrador no-inversor. A razo para isto que a integral do seno o cosseno com o sinal
invertido, mas a integral do cosseno o seno, sem inverso de sinal. Desse modo, o uso de apenas um
integrador inversor garante que o sinal de sada do segundo estgio esteja em fase com o sinal de entrada
do segundo estgio.

Os dois diodos Zener em oposio (que devem ter caractersticas iguais) constituem mais uma das
tcnicas para a estabilizao da amplitude das oscilaes, em adio quelas vistas por ocasio do estudo
dos osciladores do tipo ponte de Wien. Caso a amplitude das oscilaes tenda a ultrapassar o valor da
tenso de regulao, os diodos entram em conduo, estabilizando a amplitude.

Geralmente se utilizam trs capacitores de igual valor (C1 = C2 = C3 = C) e trs resistores de igual
valor (R1 = R2 = R3 = R). Nestas condies, a frequncia de oscilao dada pela j familiar equao:

f
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
1f
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
fo = (EQUAO 11-5).
2B B RB C
102
Em circuitos prticos, o resistor R1 deve ser de valor um pouco menor que os
o demais, para que o
produto f Av seja um pouco superior unidade,, o que garante o incio e manuteno das
da oscilaes. A
Figura 11-9 mostra os grficos das tenses
ten de sada vo1 e vo2, com a defasagem de 90 entre elas.
elas Note-
se que no circuito da Figura 11-8,, a amplitude dos sinais de sada determinada pelas tenses de
regulao dos diodos Zener, e no pelas tenses de alimentao.

vo1
vo2

FIGURA 11-9 GRFICO DOS SINAIS DE SADA vo 1 E vo 2

OSCILADORES DE RELAXAO

Em algumas aplicaes necessria a utilizao de sinais peridicos com formas de onda


no senoidal, como quadrada, triangular ou dente de serra. Nesses casos, devem ser utilizados os
chamados osciladores de relaxao.
relaxao Os osciladores de relaxao so tambm conhecidos como
multivibradores astveis (isto , sem nenhum estado estvel). Estudaremos alguns tipos de
osciladores de relaxao que utilizam circuitos
ci integrados (amplificadores operacionais e o CI 555).
555)

MULTIVIBRADOR ASTVEL
ASTVE COM OPAMP

Trata-se
se do tipo mais simples de oscilador de relaxao com OPAMP. Seu diagrama mostrado
na Figura 11-10. A simplicidade do circuito torna-se
torna se evidente quando ele comparado com o mesmo tipo
de multivibrador implementado com transistores bipolares.
bipola
R3
+VCC
vC

C vo
-VEE
R2
vR1
R1

FIGURA 11-10
10 DIAGRAMA DE UM MULTIVIBRADOR
VIBRADOR ASTVEL COM OPAMP
103
possvel observar que o circuito contm um disparador de Schmitt (formado pelo amplificador
operacional e pelos resistores R1 e R2), cuja sada usada para alimentar o capacitor C (ligado entrada
inversora) atravs do resistor R3.

Suponhamos que no instante t = 0 a sada do OPAMP esteja saturada positivamente e o capacitor


+f
f
ff
f
ff
f
ff
f
f
VCCf
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
f
BR1f
f
ff
f
ff
f
f
esteja descarregado. A tenso na entrada no-inversora do OPAMP valer v + = vR1 = . Assim
R1 + R2
sendo, o capacitor comea a se carregar atravs de R3. Observando que a tenso no capacitor tambm
a tenso na entrada inversora do amplificador operacional, chega o momento em que essa tenso
ultrapassa a da entrada no-inversora.
Quando isso ocorre, a sada do OPAMP satura negativamente e a tenso na entrada no-inversora
f
f
@f
f
ff
f
ff
f
ff
f
f
VEEf
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
f
BR1f
f
ff
f
ff
f
f
passa para v + = vR1 = . O capacitor passa agora a se carregar com a polaridade oposta que
R1 + R2
tinha anteriormente, num processo que continua at que a tenso no capacitor se torne menor (mais
negativa) do que a tenso na entrada no-inversora do operacional. Nesse ponto, a sada volta a saturar
positivamente, iniciando-se um novo ciclo. A Figura 11-11 mostra as formas de onda das tenses vC
(onda dente de serra, na entrada inversora do operacional), vR1 (onda quadrada de menor amplitude, na
entrada no-inversora do operacional) e vo (onda quadrada de maior amplitude, na sada do OPAMP).

vo vC vR1
+VCC

T = tH + tL
+f
f
ff
ff
f
ff
f
VCCf
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
f
BR1f
ff
f
ff
ff
f
R1 + R2

t
0
f
@f
f
ff
ff
f
ff
f
VEEf
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
f
BR1f
f
ff
ff
f
ff
ff
R1 + R2

tH tL
-VEE

FIGURA 11-11 FORMAS DE ONDA NUM MULTIVIBRADOR ASTVEL COM OPAMP

A relao entre as amplitudes da tenso no capacitor e a tenso de sada chamada de , ou seja:


vffff
ff
f
f
Cmf
fff
f
xff
f ff
f
ff
ff
ff
f
f
R1f
ff
f
ff
ff
f
f
= = (EQUAO 11-6).
vo m x R1 + R2

Os intervalos de tempo tH (em que o sinal de sada permanece em +VCC) e tL (em que o sinal de
sada permanece em -VEE) podem ser calculados pela expresso:
h i

tH = tL = R3 B CB lnj fffffffffffffff
1 + k
(EQUAO 11-7).
1@

104
Para o circuito analisado, a carga do capacitor, em ambos os sentidos, ocorre atravs do resistor
R3. Esta a razo pela qual tH e tL tm valores iguais. A partir da Equao 11-7 possvel obter as
equaes para o clculo do perodo T e da frequncia fo dos sinais:
h i

T = tH + tL [ T = 2BR3 B CB lnj fffffffffffffff


1 + k
(EQUAO 11-8).
1@

1ffff ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
f
1f
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
f ff ff fff
ff
ff
fo = [ fo = (EQUAO 11-9).
2BR3 B CB ln ffffffffffffffffff
f g
T 1+
1@

Como o grfico mostra, a tenso sobre o capacitor alternada, o que desaconselha o uso de
capacitores eletrolticos, a no ser que sejam do tipo no-polarizado. Deve-se lembrar, no entanto, que o
valor mdio DC da tenso sobre o capacitor nulo, o que minimiza a ocorrncia de problemas em
frequncias que no sejam muito baixas.

GERADOR DE ONDAS TRIANGULARES E QUADRADAS

Como vimos anteriormente, o oscilador harmnico de quadratura utiliza as propriedades dos


circuitos integradores para gerar duas senides defasadas de 90 entre si. Da mesma forma, possvel
implementar um oscilador no qual uma onda triangular produzida a partir da integrao de uma onda
quadrada. O diagrama e as formas de onda nos pontos de sada desse oscilador so mostrados na Figura
11-12.
vT vQ
vQmx
=
R1 R2 +VCC
vQ C
+VCC
vTmx
Schmitt trigger +VCC
no-inversor R3
Integrador
t
inversor 0
-VEE vT
-VEE

FIGURA 11-12 DIAGRAMA E FORMAS DE ONDA NUM GERADOR DE ONDAS TRIANGULARES E QUADRADAS

Conforme mostra o diagrama, o primeiro estgio do circuito um disparador de Schmitt no-


inversor e o segundo estgio um integrador inversor. A sada de um estgio conectada entrada do
outro. A sada do disparador de Schmitt (sinal vQ) estar ou saturada para cima (vQ = +VCC) ou saturada
para baixo (vQ = -VEE). Essa tenso aplicada entrada do integrador e, como sabemos, a integral de
uma tenso constante uma rampa linear. Como o integrador inversor, se a tenso de entrada for
positiva, a rampa ser decrescente e, se a tenso de entrada for negativa, a rampa ser crescente, como
pode ser observado no grfico.

105
Quando a tenso de sada vT do integrador (que tambm a tenso de entrada do disparador de
f
ff
f
ff
f
ff
f
B + VCC e LI = @ VEE B f
ff
f
ff
f
ff
f
R1 R1
f f g
Schmitt) atinge algum dos nveis de disparo LS = , inverte-se a polaridade
R2 R2
da tenso vQ e a rampa de tenso vT tem a sua inclinao invertida. Esse processo continua
indefinidamente, de forma que vQ uma onda quadrada e vT uma onda triangular.

Chamando a relao entre as amplitudes da onda triangular e da onda quadrada de , teremos:


vfff
f
ff
ff
f
ff
ff
ff
f R1
f
f
ff
ff
f
f
= Tmx
= (EQUAO 11-10).
v Qmx R2

A frequncia das ondas pode ser calculada pela equao:

f
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
f1fffffffffffffffffffffff
fo = (EQUAO 11-11).
4B R3B CB

Note-se que, ao contrrio do que ocorre no circuito estudado anteriormente, neste oscilador o
valor de no necessariamente inferior a 1. Se R1 for maior de R2 ( > 1), a amplitude da onda
triangular seria maior que a amplitude da onda quadrada. Ocorre que a onda quadrada j tem a mxima
amplitude permitida pela tenso de alimentao do primeiro OPAMP e, a menos que o segundo OPAMP
seja alimentado com uma tenso maior do que a do primeiro (o que no usual), a onda triangular ser
cortada e ter, na verdade, forma trapezoidal. O problema pode ser evitado utilizando-se um circuito de
limitao para a amplitude da onda quadrada (limitando, consequentemente, a amplitude da onda
triangular). O aspecto do circuito acrescido do limitador mostrado na Figura 11-13.

R1 R2
vQ
+VCC C

+VCC
RLIM R3

vT
-VEE
-VEE

FIGURA 11-13 OSCILADOR COM LIMITAO DE AMPLITUDE USANDO DIODOS ZENER

O resistor RLIM tem por funo limitar a corrente nos diodos Zener. A mxima amplitude na
sada quadrada ser igual tenso de regulao do diodo Zener reversamente polarizado somada
tenso sobre o diodo diretamente polarizado (vQmx VZ + 0,7 V). A amplitude das ondas triangulares,
como visto anteriormente, valer vezes a amplitude das ondas quadradas.

EXEMPLO 11-1: PROJETAR E DESENHAR O DIAGRAMA DE UM CIRCUITO COM AMPLIFICADORES OPERACIONAIS


IDEAIS PARA GERAR UMA ONDA QUADRADA COM 9 V DE AMPLITUDE E UMA ONDA TRIANGULAR COM 12 V DE
AMPLITUDE. A FREQUNCIA DAS ONDAS DEVE SER AJUSTVEL ENTRE 500 HZ E 2000 HZ. AS TENSES DE
ALIMENTAO DISPONVEIS SO DE 15 V.

106
O CIRCUITO INTEGRADO 555

A frequente utilizao de osciladores e temporizadores em circuitos eletrnicos originou o


desenvolvimento de um circuito integrado especialmente adequado para essas aplicaes, o 555. A
utilizao desse CI facilita o projeto e reduz o nmero de componentes do circuito. Alm disso, sua
grande flexibilidade permite o seu uso em vrias outras aplicaes. O diagrama de blocos interno do CI
555 o aspecto fsico de trs diferentes encapsulamentos (metlico, plstico DIL e plstico SMD) so
apresentados na Figura 11-14.
Pino 8 Pino 4
(+VCC) (Reset)

5 Divisor resistivo
K

Pino 6
555
(Limiar)

Reset
R Q Pino 3
5 (Sada)
K Comparadores Flip-flop
S Q
Pino 5
(Controle)

Pino 7
Pino 2
(Descarga)
(Disparo)
5 Transistor
K de descarga

Pino 8
(Terra)

FIGURA 11-14 - DIAGRAMA EM BLOCOS E ASPECTO FSICO DE DIVERSOS ENCAPSULAMENTOS DO C.I. 555

A identificao 555 precedida por um cdigo de duas letras que indica o fabricante do
dispositivo (LM National Semiconductors, CA Motorola, A Fairchild, etc.). Alm da verso mais
comum, existe tambm uma verso que engloba dois temporizadores (com alimentao compartilhada)
em uma nica pastilha de 14 pinos o CI 556.
Como possvel observar na Figura 11-14, o 555 possui um divisor resistivo formado por trs
resistores de mesmo valor (5 K cada), um par de comparadores de tenso, um flip-flop do tipo RS e um
transistor bipolar. Sendo a tenso de alimentao aplicada aos dois extremos do divisor de tenso, a
tenso na entrada inversora do comparador superior mantida em de VCC e a tenso na entrada no-
inversora do comparador inferior mantida em de VCC. Esses nveis de tenso podem ser
externamente modificados atravs do pino 5 (tenso de controle). O crculo na entrada de Reset do flip-
flop indica que a mesma ativa em 0, ou seja, ir atuar quando seu nvel lgico for baixo.
Para melhor compreenso sobre o funcionamento, importante relembrar a tabela-verdade de
um flip-flop RS, mostrada na Figura 11-15.

107
proibido

FIGURA 11-15 TABELA-VERDADE DE UM FLIP-FLOP RS

Com tenso zero nos terminais de Limiar (pino 6) e Disparo (pino 2), a sada do comparador
superior permanece em nvel baixo (0) e a do comparador inferior permanece em nvel alto (1).
Essas sadas correspondem, respectivamente, s entradas R efff
Sfffdo flip-flop. Assim, o pino 3 (sada), que
a sada Q do flip-flop, permanece em nvel alto. A sada Q , por sua vez, permanece em nvel baixo,
mantendo cortado o transistor de descarga (que deve estar convenientemente conectado a um resistor
externo de pull-up).

Caso a entrada Reset (pino 4) seja aterrada, o pino 3 ir para o estado lgico zero e o transistor
de descarga ser saturado, aterrando qualquer carga que estiver conectada ao pino 7. Isso ocorre
independentemente da condio dos pinos 2 e 6.
O 555 possui a capacidade de fornecer ou drenar uma corrente de at 200 mA, sendo portanto
apropriado para ativar diretamente cargas como lmpadas, rels, etc. alimentado com fonte simples,
aceitando tenso de alimentao entre 4,5 V e 18 V.
Embora o 555 seja empregado em diversas aplicaes, todas elas so, na verdade, variaes sobre
duas configuraes bsicas: multivibrador astvel e temporizador (tambm conhecido como
multivibrador monoestvel).

OPERAO DO 555 COMO MULTIVIBRADOR ASTVEL

Para essa aplicao, devem ser adicionados os componentes externos e feitas as conexes
mostradas nos diagramas da Figura 11-16. O diagrama da direita permite observar a interligao entre
os componentes externos e os blocos internos do 555. Os nmeros correspondem aos pinos do CI.

+VCC 8 4
5
+VCC K

R 6 R
1 8 4 1
7 3 Reset 3
vo R Q
R 5
vo
vCT
2 555 CT
5
K
S Q
6 5
CT
2 1 2 7
CF CF
10 nF
5
K 555 R
2

FIGURA 11-16 DIAGRAMA DE UM MULTIVIBRADOR ASTVEL COM O CI 555

108
Suponhamos o capacitor CT inicialmente descarregado. Isso significa que a tenso na entrada
no-inversora do comparador superior e a entrada inversora do comparador inferior (s quais o
capacitor CT est ligado) esto em 0 V.

Devido ao do divisor resistivo internodo 555, a tenso na entrada inversora do comparador


superior est em de VCC (maior que a tenso na outra entrada) e, portanto, sua sada (que a entrada
R do flip-flop) vai para nvel 0. A entrada no-inversora do comparador inferior, por sua vez, est em
de VCC (maior que a tenso na outra entrada) e a sua sada (que a entrada S do flip-flop) vai para
nvel 1.

f
ff
f
ff
De acordo coom a tabela-verdade, com 0 na entrada R e 1 na entrada S, a sada Q do flip-flop
vai a 1 (vo = +VCC) e a sada Q fica em 0. O transistor de descarga estar, portanto, cortado. Com
isso, o capacitor CT comea a se carregar atravs de R1 e R2. Quando sua tenso ultrapassa de VCC, a
entrada S do flip-flop interno passa para nvel baixo, o que mantm a situao anterior das sadas. O
capacitor continua a se carregar at que a tenso sobre ele chega a de VCC. Nesse instante, a entrada
f
f
ff
f
f
R do flip-flop interno passa para 1, o que leva a sada Q para o nvel baixo (vo = 0) e a sada Q para o
nvel alto, saturando o transistor de descarga.

Com o transistor saturado, o resistor R2 aterrado. Desse modo, o capacitor CT passa a se


descarregar atravs desse resistor. Quando a tenso em CT atinge de VCC, a entrada S do flip-flop
volta para o nvel alto, elevando outra vez o nvel do sinal de sada e cortando o transistor de descarga. A
partir da o capacitor volta a se carregar atravs de R1 e R2, estabelecendo-se um novo ciclo. As formas
de onda vo (pino 3) e vCT (pinos 2 e 6) podem ser vistas na Figura 11-17.

vo vCT
VCC
tH tL
T = tH + tL
VCC

VCC

t
0
FIGURA 11-17 FORMAS DE ONDA PRINCIPAIS DE UM MULTIVIBRADOR ASTVEL USANDO O CI 555

O tempo tH em que a sada fica em nvel alto corresponde ao intervalo em que o capacitor CT est
se carregando. Por outro lado, o tempo tL, durante o qual a sada fica em nvel baixo, corresponde ao
intervalo de descarga de CT. Conforme explanado acima, a carga do capacitor se d atravs dos
resistores R1 e R2 e sua descarga se d unicamente atravs de R2. Essa a razo pela qual, nesse
circuito, tH sempre ser maior do que tL. Essa condio pode ser modificada atravs da incluso de
diodos no circuito, de forma a alterar os caminhos de carga e/ou descarga do capacitor, possibilitando tL
igual ou mesmo maior que que tH. T o perodo total das formas de onda. possvel demonstrar que:

109
` a
tH = 0,693 B R1 + R2 B CT (EQUAO 11-12); tL = 0,693B R2B CT (EQUAO 11-13);
` a
T = tH + tL = 0,693 B R1 + 2 B R2 B CT (EQUAO 11-14).

1ffff fffffffffffffffff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
f
1,443f
ff
f
ff
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
f
Logo, a frequncia de oscilao vale : fo = =` a (EQUAO 11-15).
T R1 + 2B R2 B CT

Deve-se atentar para dois detalhes do circuito da Figura 11-16. O primeiro se refere ao capacitor
CF conectado entre o pino 5 e o terra. Sua funo servir como filtro para impedir que uma tenso
espria (rudo) influa sobre a tenso de referncia do comparador inferior. Tal influncia produziria
alteraes na frequncia e no ciclo de trabalho (duty cycle) das ondas geradas. O valor recomendado
pelo fabricante para o capacitor CF de 0,01 F (10 nF).

O segundo detalhe a ligao do pino 4 (Reset) a +VCC. Como a entrada de Reset ativa em
nvel 0, ela deve ser ligada ao polo positivo da tenso de alimentao sempre que NO se deseja utilizar
a propriedade desse pino (levar a sada do CI ao nvel 0). Caso seja preciso proporcionar a
possibilidade de reset manual, deve-se ligar um resistor entre o pino 4 e +VCC e uma chave normalmente
aberta entre o pino 4 e o terra. Quando for necessrio zerar a sada, basta manter a chave fechada.

, e nenhum deles,
Com relao aos resistores R1 e R2, sua soma no deve ultrapassar 20 M
. A mxima frequncia de trabalho em torno de 2 MHz.
individualmente, deve ser inferior a 1 K

OPERAO DO 555 COMO TEMPORIZADOR (MULTIVIBRADOR MONOESTVEL - ONE-SHOT)

Outra aplicao frequente do 555 em circuitos temporizadores ou de retardo - o chamado


modo monoestvel de operao. Como o nome indica, esse modo de operao possui um estado estvel
(no qual o circuito normalmente permanece) e um estado instvel (no qual o circuito permanece apenas
por certo intervalo de tempo, voltando naturalmente ao estado estvel). O diagrama do circuito
apresentado na Figura 11-18.

+VCC
+VCC R 8 4
S D
R R 5
T D K

S 6 R
8 4 T
7 2
Reset 3
R Q
5
vo
555 CT
K
5 S Q
6 3
vo
5 1 7
2
CT
CF
CF
10 nF
5
K 555
1

FIGURA 11-18 DIAGRAMA DO MULTIVIBRADOR MONOESTVEL (TEMPORIZADOR) COM O CI 555

110
Atravs do resistor RD, a tenso na entrada de disparo (pino 2 - entrada inversora do comparador
inferior) permanece em nvel 1, enquanto a chave S estiver aberta. A entrada no-inversora deste
comparador est em de VCC (valor imposto pelo divisor resistivo) e, portanto, a sada do comparador
inferior (que a entrada S do flip-flop) est em 0. Ao se energizar o circuito, o capacitor CT est,
obviamente, descarregado. Logo, a entrada no-inversora do comparador superior est inicialmente em
0 e a entrada inversora desse comparador est em de VCC (valor imposto pelo divisor resistivo) e,
portanto, a sada do comparador superior (que a entrada R do flip-flop) tambm est em 0. Conclui-
se que no possvel determinar a priori qual a condio inicial da tenso de sada vo do circuito
(tenso do pino 3).
f
f
ff
f
f
Suponhamos que a sada esteja inicialmente em nvel 1. Assim sendo, a sada Q est em nvel
0, o que mantm o transistor interno de descarga cortado. Nessa condio, o capacitor CT comea a se
carregar atravs do resistor RT. Quando a tenso nesse capacitor (que est ligado entrada no-
inversora do comparador superior) ultrapassa de VCC, a entrada R do flip-flop passa para nvel 1,
f
f
ff
f
f
levando a sada do circuito a nvel 1 e a sada Q a nvel 1, saturando o transistor de descarga e
forando a descarga de CT. Dessa forma, tanto a entrada R quanto a entrada S do flip-flop ficam em nvel
ff
f
ff
f
0 e a condio de vo permanecer inalterada, a menos que se aplique uma tenso de nvel 0 na
f
entrada de disparof
f
ff
f
(pino 2). Conclui-se que a situao Q = 0 e Q = 1 o estado estvel do circuito e a
situao Q = 1 e Q = 0 o seu estado no-estvel. A durao desse estado determinada pelo tempo
necessrio para que a tenso no capacitor atinja os de VCC, o que provoca o retorno ao estado estvel.

Estando o circuito em seu estado estvel, se a tenso na entrada de disparo cai para o nvel baixo
(qualquer valor abaixo de de VCC), a entrada S do flip-flop interno vai momentaneamente para o nvel
1, levando o circuito para o estado no-estvel atravs do processo descrito acima. Note-se que o
disparo do circuito no precisa ser feito por meio de uma chave normalmente aberta ligada ao terra
(disparo manual), conforme ilustrado no diagrama da Figura 11-18. possvel tambm realizar o
disparo por meio de pulsos de tenso com transio negativa, que levem a tenso do pino 2 a um valor
inferior a de VCC.

A Figura 11-19 mostra o comportamento da tenso no pino 3 (tenso de sada vo) e da tenso nos
pinos 6 e 7 (tenso sobre o capacitor CT) em funo da tenso aplicada ao pino 2 (entrada de disparo).

vo v2 vCT
VCC
tH tH tH

VCC

VCC

t
0

FIGURA 11-19 FORMAS DE ONDA NUM TEMPORIZADOR EM FUNO DOS PULSOS DE ENTRADA

111
O tempo de durao do estado no-estvel (tH, tempo em que a sada fica em nvel alto) pode ser
calculado atravs da expresso:

tH = 1,1B RT B CT (EQUAO 11-16).

Algumas concluses importantes podem ser tiradas a partir da observao dos grficos da Figura
11-19. Em primeiro lugar, que a entrada de disparo sensvel transio negativa da tenso a ela
aplicada (diminuio a um valor inferior a de VCC). Por isso, os pulsos de disparo devem ter a menor
largura possvel, com o retorno da tenso no pino 2 a um valor superior a de VCC.

Outra observao importante que, caso seja aplicado um pulso de disparo quando a sada j se
encontra em sua condio no-estvel (nvel alto), no h qualquer efeito sobre a durao do pulso de
sada, isto , pulsos de disparo aplicados quando a sada j se encontra em nvel alto so inteis. Esse
tipo de comportamento conhecido como temporizao no-redisparvel. Existem circuitos de
temporizao redisparvel, ou seja, quando recebem um pulso vlido de disparo durante o estado
instvel, a durao desse estado estendida.
Da mesma forma como j estudado no caso da operao como multivibrador astvel, caso o pino 4
do 555 (Reset) seja colocado em nvel baixo, a sada ir imediatamente para o nvel baixo. O pino de
Reset prevalece sobre a entrada de pulsos, ou seja, caso o pino de Reset esteja em nvel baixo, mesmo
que se aplique uma transio negativa na entrada de pulsos o pino de sada permanecer em nvel
baixo.

Entre o pino 5 e o terra tambm deve ser conectado um capacitor de filtragem CF, para evitar
que tenses de rudo influam sobre o intervalo de temporizao.

EXEMPLO 11-2: PROJETAR E DESENHAR O DIAGRAMA DE UM CIRCUITO QUE, DEPOIS QUE PRESSIONADA UMA
CHAVE, FAA UM LED ALTERNAR ENTRE 4 SEGUNDOS ACESO E 2 SEGUNDOS APAGADO DURANTE 10 VEZES,
VOLTANDO DEPOIS AO ESTADO DE REPOUSO, AT QUE SE PRESSIONE OUTRA VEZ A CHAVE. O CIRCUITO DEVE
PERMITIR A INTERRUPO DA SEQUNCIA ANTES DE SUA CONCLUSO NATURAL, CASO O USURIO ASSIM O
DESEJE. A TENSO DE ALIMENTAO DISPONVEL DE 15 V E A CORRENTE DO LED DEVE SER DE 40 mA.

112
CAPTULO 12 TIRISTORES

Chamamos de tiristores a uma famlia de dispositivos semicondutores que possuem,


basicamente, quatro camadas (P-N-P-N) e que tm caractersticas biestveis de funcionamento, ou seja,
permanecem indefinidamente no estado de conduo ou de corte a menos que fatores externos os levem
a uma mudana de estado. Nesses dispositivos, o estado de conduo obtido por meio de um processo
interno de realimentao positiva. A passagem de um tiristor do estado de corte para o de conduo
chamada de disparo e a passagem do estado de conduo para o estado de corte chamada de
comutao.

Os tiristores podem ser classificados quanto ao nmero de terminais e quanto ao sentido de


conduo de corrente eltrica. Desse modo, um tiristor de dois terminais e que permita a passagem de
corrente em ambos os sentidos ser chamado de diodo tiristor bidirecional e um tiristor com quatro
terminais e que permite passagem de corrente em apenas um sentido chamada de tetrodo tiristor
unidirecional ou de tetrodo tiristor de bloqueio reverso.

Dentre os vrios tipos de tiristores existentes, focalizaremos nosso estudo no SCR (Silicon
Controlled Rectifier - Retificador Controlado de Silcio) e no TRIAC (Triode for Alternating Current
- Triodo para Corrente Alternada), muito utilizados no controle de potncia em corrente contnua e
alternada, respectivamente. Alm desses, estudaremos outros tipos de tiristores, utilizados
principalmente como dispositivos auxiliares em circuitos com SCR ou TRIAC.

SCR - RETIFICADOR CONTROLADO DE SILCIO

o tipo mais largamente utilizado de tiristor. Sua aplicao to comum que corrente
utilizarem-se os termos SCR e tiristor como sinnimos, embora isso seja, obviamente, um equvoco.
Tendo trs terminais e permitindo a passagem da corrente eltrica em apenas um sentido, o SCR um
triodo tiristor de bloqueio reverso, ou seja, possui trs terminais e permite a passagem de corrente
eltrica num nico sentido. Seus terminais principais chamam-se, da mesma forma como num diodo
semicondutor, anodo (A) e catodo (K). O terceiro terminal, que serve como eletrodo de controle,
chamado de porta ou gate (G). Utilizaremos essa segunda denominao.

A Figura 12-1 mostra a estrutura simplificada, a simbologia e os tipos mais comuns de


encapsulamento de um SCR, alm de uma analogia com uma conexo entre dois transistores bipolares.

anodo anodo (A) anodo anodo

T1 T1 (PNP)

gate
gate (G) gate T2 (NPN)
gate
catodo (K) T2
catodo catodo catodo

FIGURA 12-1 ESTRUTURA INTERNA, SIMBOLOGIA E ASPECTOS FSICOS DE UM SCR


113
Seria possvel colocar o terminal de gate na primeira camada N, ou mesmo ter dois terminais de
gate, um para disparo com tenses positivas e outro para disparo com tenses negativas. Nesse caso,
teramos o dispositivo conhecido como SCS (chave controlada de silcio). O caso mais comum,
entretanto, e o nico que estudaremos, o representado na figura.

MTODOS DE DISPARO DE UM SCR

O disparo, ou passagem de um SCR do estado de corte para o estado de conduo, pode se dar
atravs de diferentes mecanismos, dos quais apenas dois so considerados como normais, sendo os
demais, em geral, indesejveis, devendo ser evitados. Descreveremos a seguir os mtodos de disparo de
um SCR, comeando por aqueles que so considerados desejveis.

APLICAO DE CORRENTE NO GATE

O mtodo de disparo usual de um SCR atravs da aplicao de uma corrente adequada no


terminal de gate, estando a tenso do anodo positiva em relao do catodo (as duas condies devem
ser simultneas).

Para compreender como uma corrente no gate produz o disparo de um SCR, iremos analis-lo
usando o modelo de dois transistores bipolares conectados entre si como mostra a Figura 12-2.

IA = IET1
R
L

A
T1 S1
IBT1 = ICT2

T2
S2 VT
RG
G
IG ICT1 = IBT2
K
VG
IA = IET2

FIGURA 12-2 MECANISMO DE DISPARO DE UM SCR ATRAVS DE APLICAO DE CORRENTE NO GATE

Suponhamos que a chave S1 est fechada e a chave S2 est aberta. Nessas condies, no haver
corrente no gate, e o transistor T2 estar cortado, j que a sua corrente de base nula. Em
consequncia, sua corrente de coletor tambm ser nula. Como a corrente de coletor do transistor T2
igualmente a corrente de base do transistor T1, este tambm estar cortado. Logo, ambos os
transistores sero percorridos apenas por suas correntes de saturao reversa ICBo, que so da ordem
de nanoampres e, portanto, desprezveis. possvel demonstrar que, em qualquer situao, o valor da
corrente de anodo IA determinado pela equao:

114
b c b c b c
hFE
f
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
T1ff
f
1ffff
+fffff f
f
Bf
ff
f
ff
f
hFE
f
f
ff
ff
f
ff
ff
f
fff
f
f
T2ff
1fffff
+ffff
f
f f
f
Bf
ff
f
f
ICBo
f
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
f
T1ff
ICBo
+fffff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
f
T2ff
f
f
IA = (EQUAO 12-1).
1 @ hFET1BhFET2
O valor do ganho de corrente hFE de um transistor altamente dependente do valor da corrente
de coletor. Para baixos valores de IC, o valor de hFE tambm extremamente baixo. Assim, na condio
de corte, esse valor ser praticamente zero, de forma que o valor da corrente de anodo ser,
aproximadamente, IA = ICBoT1 + ICBoT2.

Fechando-se a chave S2, passa a circular uma corrente de base no transistor T2, levando-o ao
estado de conduo. Logo, o transistor T1 passa a ter corrente de base e tambm entra no estado de
conduo. Voltando Equao 12-1, quando a corrente chega ao ponto em que o produto hFE1 hFE2 se
torna prximo unidade, ela passa a crescer indefinidamente, sendo limitada apenas pelos componentes
externos (resistncia de carga RL e tenso de alimentao VT).

A forma como os dois transistores esto conectados caracteriza uma realimentao positiva
entre eles, que os leva quase que imediatamente saturao. Assim, a queda de tenso entre o anodo e o
catodo cai bruscamente. Na situao de conduo, a tenso entre o anodo e o catodo de um SCR
chamada de VAKon. fcil constatar que:

VAKon = VBEsatT1 + VBEsatT2 (Equao 12-2).

Uma vez iniciada a conduo, o processo de realimentao positiva entre os transistores T1 e T2


mantm o SCR conduzindo, mesmo que a corrente externamente aplicada ao gate seja removida. A nica
condio necessria para que a conduo se mantenha que o produto entre os ganhos de corrente dos
transistores continue prximo de 1. O valor mnimo de corrente para o qual essa condio se mantm
conhecido como corrente de manuteno (holding current - IH), e outro dos parmetros
importantes de um SCR. Uma boa estimativa para o valor da corrente de manuteno de um SCR cerca
de um milsimo da corrente mxima que o dispositivo capaz de suportar. Dessa forma, um SCR com
capacidade de corrente de 50 A ter uma corrente de manuteno de cerca de 50 mA.

Para que o disparo por aplicao de corrente de gate seja efetivo, necessrio que a o anodo seja
positivo em relao ao catodo e que a corrente de gate permanea aplicada at que a corrente de anodo
atinja um valor denominado corrente de reteno (latching current IL). O valor da corrente de
reteno cerca de duas a trs vezes o valor da corrente de manuteno.

A Figura 12-3 mostra a curva caracterstica de um SCR, ou seja, o comportamento da corrente de


anodo IA (tambm conhecida como corrente principal) em funo da tenso entre anodo e catodo VAK.
IA IG = 0
IG1 > IG
IG2 > IG1
IGT > IG2
IH
VRRM (mxima tenso de
bloqueio direto)

VBO
VAK
(mxima tenso de bloqueio direto)

FIGURA 12-3 CURVA CARACTERSTICA DE UM SCR


115
A figura permite observar algumas caractersticas importantes de um SCR. Em primeiro lugar,
quanto maior o valor da corrente aplicada ao gate, menor o valor necessrio da tenso entre anodo e
catodo para que ocorra o disparo. O valor da corrente de gate para disparar um SCR com o mnimo valor
de tenso entre anodo e catodo chamado de IGT (gate trigger current). Assim, aplicando-se no gate
uma corrente com valor igual ou superior a IGT, o disparo acontece independente do valor da tenso VAK,
desde que, obviamente, o anodo seja positivo em relao ao catodo.

A figura mostra tambm que, mesmo sem tenso de gate aplicada (IG = 0), o SCR dispara quando a
tenso entre anodo e catodo atinge a mxima tenso de bloqueio direto (VBO ou VDRM). Trata-se do
disparo por sobretenso, que ser descrito com mais detalhes adiante.
Pode-se perceber que, uma vez ocorrido o disparo, a tenso sobre o SCR diminui bruscamente, ao
mesmo tempo em que a corrente no dispositivo aumenta. Isso acarreta a existncia de uma regio de
f
ff
f
f
dvf
f
ff
f
resistncia dinmica negativa na curva caracterstica, na qual temos ou seja, rd = > 0. Essa uma
di
caracterstica comum nos tiristores e que pode ser usada, como ser visto adiante, para a implementao
de osciladores de relaxao.

O valor do tempo ton necessrio para o disparo de um SCR inversamente proporcional ao valor
da corrente de gate. Lembrando que a corrente de disparo necessria apenas para iniciar o processo
que o leva conduo do SCR, sendo desnecessria depois que essa se estabelece, conclui-se que a forma
de onda mais adequada para a corrente (e a tenso) de disparo de um SCR so pulsos, que possuam alta
amplitude (para garantir uma corrente de gate com valor maior do que IGT) e curta durao (apenas o
suficiente para iniciar o processo de conduo, de forma a no danificar a juno gate-catodo).

Com tenso negativa entre anodo e catodo, duas das junes que compem o SCR ficam
reversamente polarizadas. Desta forma, o dispositivo se comporta de modo semelhante a um diodo
reversamente polarizado, com corrente praticamente nula at que se atinge a tenso em que as junes
reversamente polarizadas entram na regio de avalanche e passam a conduzir. Esse valor de tenso
chamado de mxima tenso reversa ou mxima tenso de bloqueio reverso (VRRM). Quando as
junes atingem a regio de avalanche, a corrente de anodo adquire valor suficiente para iniciar e manter
o processo de conduo.

DISPARO POR RADIAO LUMINOSA

Outro mtodo utilizado para o disparo de um SCR, embora muito menos usual do o descrito acima,
o disparo por radiao luminosa.
Neste mtodo, a corrente de disparo, ao invs de ser fornecida pela aplicao de uma tenso ao
gate, origina-se a partir da interao entre a superfcie semicondutora do SCR e os ftons da luz incidente
atravs de uma janela aberta no dispositivo, exatamente como ocorre num fotodiodo ou fototransistor.
Os SCRs fabricados para permitir essa forma de disparo so conhecidos como LASCR (Ligth
Activated Silicon Controlled Rectifier - Retificador Controlado de Silcio Acionado pela Luz). Sua
simbologia e estrutura so representadas na Figura 12-4.

116
luz incidente
janela transparente

terminal de gate terminal de catodo

selo hermtico selo hermtico

terminal de anodo
conectado
carcaa
regio pastilha de
fotosensvel silcio

FIGURA 12-4 SMBOLO E ESTRUTURA DO RETIFICADOR CONTROLADO DE SILCIO FOTO-ATIVADO

Para uma maior sensibilidade luz, o terminal de gate deve ser deixado aberto (sem conexes). A
sensibilidade pode ser ajustada inserindo-se uma resistncia entre o gate e o terra. Quando isso ocorre,
parte da corrente gerada pela interao com a luz desviada do gate, sendo necessria uma maior
incidncia de luz para que ocorra o disparo do dispositivo. Quanto menor a resistncia conectada ao
gate, menor ser a sensibilidade.

DISPARO POR SOBRETENSO (OU DISPARO POR VBO)

Analisando a estrutura interna de um SCR, observam-se trs junes PN entre o terminal de


anodo e o terminal de catodo (J1, J2 e J3). Com a aplicao de uma tenso positiva entre anodo e catodo,
as junes J1 e J3 ficam diretamente polarizadas e aptas a permitir a passagem de corrente eltrica.
Todavia, a juno intermediria J2 se encontra reversamente polarizada e, consequentemente, a corrente
que flui pelo dispositivo a corrente de saturao reversa de uma juno PN (ordem de nA). Em outras
palavras, o SCR se encontra no estado de corte.

Caso se aumente o valor da tenso VAK entre o anodo e o catodo, chega-se ao ponto em que se
atinge a tenso de avalanche da juno J2, chamada de tenso de bloqueio direto (VBO ou VDRM). Esse
um dos parmetros importantes de um SCR, sendo da ordem de centenas de volts. Quando o disparo por
sobretenso ocorre, a corrente no SCR deixa de ser desprezvel e se atinge o ponto em que o processo de
realimentao positiva inicia e mantm o dispositivo no estado de conduo.

Embora existam tiristores que disponham apenas desse mtodo de disparo, no caso especfico do
SCR, o disparo por sobretenso indesejvel, e deve ser evitado escolhendo-se um SCR adequado para o
nvel de tenso utilizado no circuito de aplicao.

DISPARO POR TEMPERATURA

Numa juno PN reversamente polarizada, a corrente de saturao reversa dobra de valor


aproximadamente a cada acrscimo de 10 C na temperatura da juno. Assim, no caso de um SCR com
tenso positiva entre o anodo e o catodo, caso a temperatura na juno com polarizao reversa aumente
de forma significativa, possvel que ela atinja o valor necessrio para dar incio ao processo de conduo
do SCR. Esse mtodo de disparo tambm indesejvel num SCR.
117
DISPARO POR VARIAO DE TENSO (OU DISPARO POR DV/DT)

Essa modalidade de disparo baseia-se em duas propriedades: que uma juno PN apresenta uma
capacitncia; e que o valor da corrente atravs de uma capacitncia qualquer pode ser calculado pela
frmula: i = C B ffffffffff, onde f
ff
f
ff
f
ff
f
dv dv
a taxa de variao da tenso aplicada sobre a capacitncia. Com isso em
dt dt
mente, para compreender como ocorre o disparo de um SCR por variao de tenso, consideremos o
circuito representado na Figura 12-5.

S
A

i = CB
ff
f
f
dvf
ff
f
f P
J1 (DP)
dt
N
J2 (RP)
VAK
capacitncia P G
da juno J3 (DP)
N

K
FIGURA 12-5 MECANISMO DE DISPARO POR VARIAO DE TENSO

Estando a chave S aberta, a tenso sobre a juno J2 nula. Com o fechamento da chave, o valor
dessa tenso passa rapidamente para VAK (j que essa a nica das trs junes que est reversamente
f
ff
f
f
dvf
f
ff
f
polarizada). Se essa variao de tenso for suficientemente rpida, o produto C B produzir uma
dt
corrente capaz de dar incio ao processo de conduo.

Exemplificando, caso a tenso VAK valha 1000 V, a capacitncia de J2 valha 20 pF e a chave feche
em 1 ms, a corrente produzida ser de 20 A, valor suficiente para o disparo do SCR.

O disparo por variao de tenso tambm indesejvel, e tem probabilidade bem maior de
ocorrer do que o disparo por sobretenso ou o disparo por temperatura. Em aplicaes propensas a essa
ocorrncia, utilizam-se em conjunto com os tiristores as chamadas redes amortecedoras (snubber
networks), que servem para retardar a variao de tenso sobre eles, reduzindo a chance do disparo. A
mostra dois exemplos de redes amortecedoras.

+VT
RL
+VT
RL LS

R
S R
S

FIGURA 12-6 EXEMPLOS DE REDES AMORTECEDORAS

118
COMUTAO DE UM SCR

Como vimos, qualquer que seja o mtodo utilizado para o disparo de um SCR, uma vez iniciada a
conduo ela se mantm, mesmo que a causa do disparo seja removida. Isso ocorre devido ao processo
interno de realimentao positiva, mencionado anteriormente.

A passagem de um tiristor do estado de conduo para o estado de corte chamada de


comutao. Existem basicamente dois mtodos para realizar a comutao de um SCR:

 Comutao Natural Consiste na diminuio da corrente de anodo a um valor inferior ao da


corrente de manuteno. Com isso, o processo interno de realimentao positiva que mantm a
conduo se desfaz e o corte ocorre. Esse mtodo conhecido como comutao natural, porque,
nos circuitos alimentados com corrente alternada, ele ocorre sem qualquer tipo de interveno
externa.

 Comutao Forada Consiste em tornar a tenso de anodo negativa em relao de catodo.


Com isso, as duas junes extremas do SCR se tornam reversamente polarizadas, interrompendo a
conduo. Esse mtodo conhecido como comutao forada por exigir a incluso de
componentes adicionais no circuito de controle. Em geral, utiliza-se a comutao forada em
circuitos alimentados com corrente contnua e constante.

O tempo necessrio para a comutao de um SCR (que chamaremos de tOFF) varia de alguns
microssegundos a centenas de microssegundos.

O TIRISTOR COMUTVEL PELO GATE

A comutao forada exige a incluso de componentes para esse fim, o que torna os circuitos mais
complexos e mais caros. Com o objetivo de contornar esse problema, foi desenvolvido, na dcada de
1960, um tiristor que, alm da comutao forada, pode ser tambm levado ao estado de corte atravs da
aplicao de um pulso negativo de corrente no gate, sendo essa a razo do seu nome, GTO (gate turn-off
- desligamento pelo gate). A Figura 12-7 mostra os dois smbolos mais comuns usados para representar
um GTO.

A A

G G

K K

FIGURA 12-7 SMBOLOS PARA UM GTO

119
Um GTO possui estrutura semelhante de um SCR, mas a dopagem e a geometria das camadas de
gate e catodo so diferentes. Na regio de gate so inseridos dopantes com alta mobilidade, o que facilita
a extrao de portadores pelo terminal de gate. A regio de catodo recebe baixo nvel de dopagem, de
forma que a juno gate-catodo seja capaz de suportar uma polarizao reversa aprecivel sem entrar em
avalanche. Essa juno feita com muitas reentrncias, de forma a aumentar a rea de contato entre as
duas regies e facilitar a absoro de portadores.

Em comparao com o SCR, alm de dispensar a necessidade de comutao forada, o que leva a
circuitos de controle mais simples, o GTO possui menor tempo de comutao, permitindo maior
frequncia de chaveamento. Como desvantagens, o GTO possui uma menor capacidade de bloqueio de
tenso reversa do que a de um SCR do mesmo porte, maior queda de tenso quando e conduo e
necessidade de uma maior corrente de gate para provocar o disparo.

APLICAES DO SCR

Devido s suas caractersticas, o SCR especialmente adequado para o uso como chave
eletrnica de estado slido, substituindo com vantagem rels e contatores. Alm de no possuir partes
mveis, o que lhe garante maior confiabilidade, o SCR possui uma capacidade de corrente muito maior do
que a de um rel com as mesmas dimenses, alm de necessitar de uma corrente de controle
relativamente menor. Uma das desvantagens do SCR em relao aos rels eletromecnicos que a sua
resistncia, quando em conduo, maior que a dos contatos de um rel. Para a grande maioria das
aplicaes, no entanto, essa desvantagem desprezvel.
Mas, sem dvida, a aplicao mais frequente do SCR no controle de potncia de cargas DC e,
eventualmente, AC. Nesse tipo de aplicao, o SCR substitui com grande vantagem dispositivos como
potencimetros, grupos motores-geradores, transistores de potncia e vlvulas, devido ao seu menor
custo, menor corrente de controle e menor dimenso fsica. Para se ter uma ideia, enquanto a corrente
de base mnima para um transistor de potncia com corrente de coletor igual a 15 A (tipo D44VH1, da
General Electric) de 400 mA, a mxima corrente de gate necessria para disparar um SCR de 1000 A de
corrente principal (tipo C431, da General Electric) vale 300 mA.

A Tabela 8 resume algumas vantagens e desvantagens que os tiristores possuem em relao aos
rels:

TABELA 12-1 COMPARAO ENTRE CARACTERSTICAS DE TIRISTORES E DE RELS ELETROMECNICOS

120
Embora a tabela mostre que em muitos casos um rel eletromecnico seja mais adequado para o
chaveamento de uma carga do que um tiristor, isso no deve conduzir concluso de que a utilidade dos
dois tipos de dispositivo seja semelhante. Na verdade, a aplicao mais nobre dos tiristores no o seu
uso como simples interruptor, e sim o controle contnuo da potncia aplicada a uma determinada carga.
Essa uma aplicao para a qual os rels eletromecnicos no podem ser utilizados.
Qualquer que seja a aplicao, os circuitos que utilizam SCR podem ser divididos em duas sees:
a parte de potncia, que composta basicamente pela tenso principal de alimentao, a resistncia e o
SCR propriamente dito (percurso anodo-catodo) e a parte de controle, que compreende os dispositivos
utilizados para provocar o disparo do SCR e para forar (quando necessrio) a sua comutao. A parte de
controle a seo mais complexa dos circuitos com SCR ou com qualquer outro tipo de tiristor.

Veremos a seguir as particularidades da utilizao do SCR com tenso contnua e constante e com
tenso contnua pulsante. Consideraremos os SCRs utilizados nesses circuitos como ideais, ou seja, com
resistncia nula quando em conduo e resistncia infinita quando em corte. Nesse enfoque inicial, ser
analisada exclusivamente a parte de potncia, deixando-se o estudo da parte de controle para uma fase
posterior.

UTILIZAO DO SCR EM REGIME DE TENSO CONTNUA E CONSTANTE

A Figura 12-8 mostra, esquerda, um circuito alimentado com tenso contnua e constante no
qual o SCR utilizado como interruptor e, direita, um circuito equivalente utilizando uma chave comum.

S
RL RL

SG
VT RG VT

VG

FIGURA 12-8 CIRCUITO DE CHAVEAMENTO COM SCR E SEU EQUIVALENTE COM CHAVE COMUM

O princpio de funcionamento bastante simples. Estando o SCR inicialmente cortado, ao se


fechar a chave SG ele dispara (supondo VG e RG corretamente dimensionados) e a resistncia de carga RL
energizada. No entanto, quando se faz necessrio desenergizar a carga, aparece a principal limitao
do SCR operando em regime de tenso contnua e constante: uma vez iniciada a conduo, como
interromp-la?

A Figura 12-9 apresenta dois esquemas que possibilitariam a comutao do SCR. No circuito da
esquerda, abrindo-se a chave S a corrente principal IA iria a zero (valor, obviamente, menor do que o da
corrente de manuteno IH), levando comutao do SCR. No circuito da direita, o mesmo efeito seria
obtido fechando-se momentaneamente a chave S. Em nenhum dos dois circuitos a comutao pode ser
considerada natural, pois algum tipo de interveno tem que ser feita para o fechamento da chave.
121
S
RL RL

S
SG SG
VT RG VT RG

VG VG

FIGURA 12-9 DOIS MTODOS PARA PERMITIR A COMUTAO DO SCR

Os dois circuitos acima so, no entanto, inviveis. Em ambos os casos, a chave S utilizada para
obter a comutao teria que possuir a mesma capacidade de corrente do SCR, ou seja, a presena da chave
S tornaria intil a prpria utilizao do SCR. Esse exemplo mostra que a utilizao em circuitos
alimentados com tenso contnua e constante no a vocao natural do SCR. Para aplicaes de
chaveamento nessas condies, mais comum a utilizao de transistores bipolares ou FETs.

No obstante, possvel contornar esse inconveniente atravs da adio de componentes que


realizem a comutao forada do tiristor sempre que for necessrio desligar a carga. Existem seis
diferentes categorias de circuitos para executar essa funo, com diferentes graus de complexidade e
tendo cada uma suas vantagens e desvantagens.
Uma dessas categorias conhecida como Classe D, e compreende os circuitos que utilizam um
SCR auxiliar em conjunto com um capacitor ou com uma associao entre capacitor e indutor para forar
a comutao de um SCR principal. A Figura 12-10 mostra o diagrama de um circuito com essas
caractersticas. Note-se que est representada apenas a seo de potncia do circuito, omitindo-se a
seo de controle.

R
R c
L o
Ccom m

SCR1 SCR2
(principal) (auxiliar)
VT SG
RG1 RG2

VG1 VG2

FIGURA 12-10 CIRCUITO DE CHAVEAMENTO UTILIZANDO O MTODO DE COMUTAO FORADA

Nesse circuito, o SCR1 o principal e o SCR2 auxiliar. Suponhamos que inicialmente ambos os

SCRs estejam cortados. Disparando-se o SCR1 em t = T1, este entra em conduo e o capacitor Ccom se

carrega atravs do resistor Rcom com, a polaridade indicada na Figura 212. O tempo necessrio para a
carga completa do capacitor depender da constante de tempo do circuito de carga. Com o SCR principal
conduzindo, a resistncia de carga RL estar energizada. Aps algum tempo, o capacitor Ccom ficar
carregado com a tenso VT, com a polaridade assinalada na figura.
122
R
R c
iRL = IA o
L m
Ccom iC

VT
SCR1 SCR2
(conduzindo) (cortado)

FIGURA 12-11 CIRCUITO EQUIVALENTE APS O DISPARO DO SCR PRINCIPAL

Se em t = T2 o SCR2 disparado, ele entra em conduo e faz com que a tenso armazenada no

capacitor Ccom polarize reversamente o SCR1, causando a sua comutao forada e a consequente
inverso no sentido da corrente de carga do capacitor. A Figura 12-12 ilustra essa situao.

R
iRcom = IA2 R
R c R nova corrente de c
iRL = IA1 o o
L m
L carga do capacitor m
Ccom iC Ccom

VT VT
SCR1 tenso VAK SCR1
imposta pelo
SCR2 SCR2
(conduzindo) (cortado)
capacitor (conduzindo) (conduzindo)

FIGURA 12-12 MECANISMO DE COMUTAO FORADA DO SCR PRINCIPAL

Como a resistncia entre o anodo e o catodo do SCR2 muito baixa, a corrente de descarga do
capacitor elevada e de curta durao (o capacitor se descarrega rapidamente). Com o corte do SCR1, o

capacitor Ccom comea a se carregar com a polaridade oposta original. Se, no entanto, a corrente de

anodo iRcom do SCR2 for inferior sua corrente de manuteno, ele voltar ao estado de corte durante a
descarga do capacitor. Essa a situao ideal, pois garante que o SCR2 conduza apenas durante o tempo
necessrio para que o SCR1 seja cortado, evitando desperdcio de energia.

Caso o SCR1 seja novamente disparado e o SCR2 ainda esteja conduzindo (por mau

dimensionamento da resistncia Rcom), a tenso no capacitor Ccom ocasionar a sua comutao forada.
Logo, o disparo do SCR2 leva ao corte do SCR1 e o disparo do SCR1 leva ao corte do SCR2 (caso ainda no
tenha ocorrido).
A Figura 12-13 mostra o diagrama de tempos da tenso sobre a carga em relao aos pulsos de
disparo dos SCRs principal e auxiliar, supondo que eles sejam disparados por pulsos de igual frequncia e
que, em t = 0, ambos os SCRs estejam cortados.
123
vG1

T
t

vG2

T
t
vRL T
VT
tH tL

t
FIGURA 12-13 TENSO SOBRE A CARGA EM FUNO DOS PULSOS DE DISPARO DOS SCRS

Sendo T o perodo dos pulsos de gate, tH o intervalo em que a carga permanece energizada e tL
o intervalo em que a carga permanece desligada. Assim, o ciclo de trabalho da tenso sobre a resistncia
de carga dado por:

DC = fffffff
tHffffffffff tf
= Hffff (EQUAO 12-3).
tH + tL T
Atravs do controle do ciclo de trabalho, possvel ajustar o valor mdio DC da tenso sobre a
resistncia de carga RL. Esse o princpio de funcionamento da modulao de largura de pulsos
(PWM), tcnica utilizada em fontes de tenso chaveadas, amplificadores em Classe D e no controle de
motores DC. O controle do ciclo de trabalho tambm possibilita o controle do valor RMS (eficaz) da
tenso sobre a carga, e, desse modo, o controle da potncia sobre a carga.
Para controlar o ciclo de trabalho, basta variar o intervalo entre o disparo do SCR principal e o
disparo do SCR auxiliar. O intervalo entre o disparo do SCR principal e o disparo do SCR auxiliar
corresponde ao tempo em que a carga permanece energizada (tH).

O valor mdio DC e o valor eficaz da tenso sobre a resistncia de carga podem ser calculados
atravs das equaes:
v
ww
w
w
w
ww
w
w
ww
w
w
ww
www
w
w
ww
ww
w
w
ww
w w
ww
w
w
w
ww
w
w
w
u
f
f
ff
ftff
f
fff
f
ff
ff
f tf
f
fff uf f
f
ff
tff
f
fff
f
ff
ff
f
= V T Bs ffff(EQUAO 12-5).
tf
VLDC = V T B H
= VTB H
(EQUAO 12-4) VLef = V T Bt H H

tH + tL T tH + tL T

Os diagramas da Figura 215 ilustram como o ajuste do intervalo entre os pulsos de disparo dos
dois SCRs influi sobre o ciclo de trabalho. Quanto maior o intervalo, maior o ciclo de trabalho.
vG1 vG1
t t
vG2 vG2
t t
vRL vRL
VT VT

t t
FIGURA 12-14 INFLUNCIA DO INTERVALO ENTRE OS DISPAROS SOBRE O CICLO DE TRABALHO
124
UTILIZAO DO SCR COM TENSO CONTNUA PULSANTE (TENSO SENOIDAL RETIFICADA)

Como sabemos, a tenso senoidal passa periodicamente pelo valor zero. Dessa forma, quando
uma tenso desse tipo aplicada a um circuito com SCR, a corrente principal IA ter, em algum momento,
um valor inferior ao da corrente de manuteno. Isso garante a comutao do SCR, sem a necessidade de
um circuito para esse fim, sendo essa a razo para o nome comutao natural. Esse fato simplifica
bastante a seo de controle nesse tipo de circuito.
Sendo o SCR um retificador, se a tenso senoidal for aplicada diretamente ao SCR, um dos
semiciclos ser cortado e metade da tenso deixar de ser aproveitada. Por esse motivo, mais
conveniente retificar a senoide em onda completa, para alimentar o circuito com tenso DC pulsante. A
Figura 12-15 ilustra as duas situaes.

RL RL

vi
vi
SG SG
Circuito de Circuito de
controle controle
iG iG

FIGURA 12-15 UTILIZAO DO SCR EM REGIME SENOIDAL, SEM E COM RETIFICAO PRVIA

Existem duas possibilidades para a utilizao do SCR:

 Simplesmente permitir ou interromper a passagem de corrente pela resistncia de carga, ou seja,


como um mero interruptor. Para tanto, necessrio que a corrente de gate seja mantida durante
todo o tempo em que se deseja energizar a carga. Removendo-se a corrente de gate, a tenso
senoidal de entrada vi ir atingir o valor zero aps, no mximo, um semiciclo, submetendo o SCR
comutao natural e desenergizando a carga. Esse mtodo ilustrado na Figura 12-16.

vi
viMX

t
0

iG

t
0
vRL
viMX

comutao comutao
natural natural
t
0
FIGURA 12-16 SCR COMO INTERRUPTOR (COM RETIFICAO PRVIA DA TENSO DE ENTRADA)
125
Dentro dos intervalos em que a corrente de gate est aplicada, o SCR passa pela comutao
natural sempre que a tenso de entrada chega a zero. No entanto, ele volta a conduzir logo que a tenso
de entrada atinge um certo valor, uma vez que a corrente de gate continua presente. Apenas quando essa
corrente removida o SCR permanece em corte depois de passar pela comutao natural. No grfico de
vRL acima, considera-se o SCR como ideal, ou seja, basta um valor muito pequeno de tenso positiva entre
anodo e catodo para que seja possvel realizar o seu disparo e, uma vez em conduo, a tenso entre
anodo e catodo se torna nula..

 Controle do nvel de potncia dissipado pela carga. Essa a aplicao mais nobre do SCR. Para
tanto, necessrio que a frequncia dos pulsos de gate seja sincronizada com a frequncia da rede
senoidal e que sua posio no tempo seja ajustvel. Esse tipo de controle chamado de controle
de potncia por fase, e utilizado no controle de velocidade de motores, de intensidade de
lmpadas (dimmers), da temperatura de fornos, etc. A Figura 12-17 ilustra esse tipo de
controle, tomando como base uma entrada senoidal sem retificao prvia.

vi
viMX

t
0

iG
t t t t t

t
0
vRL
viMX

comutao comutao comutao comutao


natural natural natural natural
t
0

FIGURA 12-17 UTILIZAO DO SCR COMO CONTROLADOR DE POTNCIA

A figura deixa claro que a frequncia dos pulsos de disparo exatamente igual frequncia do
sinal de entrada senoidal. A corrente de gate est na forma de pulsos, que. Como discutido
anteriormente, devem ser de alta amplitude e curta durao.

Como no caso ilustrado na figura no h retificao prvia, bvio que o circuito s funcionar
caso os pulsos de disparo sejam aplicados durante os semiciclos positivos do sinal de entrada.
126
O intervalo angular entre o incio de um semiciclo positivo da tenso de entrada e o disparo do
). Em termos de tempo, o ngulo de disparo equivalente ao
SCR chamado de ngulo de disparo (
intervalo t que vai desde o incio do semiciclo positivo at o momento de disparo do SCR. O intervalo
angular entre o disparo do SCR e a sua comutao natural chamado de ngulo de conduo ( ). Fica
evidente atravs do grfico que, para um SCR ideal alimentado com tenso senoidal, vale a relao:
o
+ = = 180 ( EQUAO 12-6 ).

Quanto maior o ngulo de disparo, menor ser o ngulo de conduo e, consequentemente,


menores sero a tenso sobre a carga e a potncia dissipada sobre ela.

O ngulo de disparo se relaciona com o intervalo de tempo t atravs da equao:

= ffffff
Bffff f
f
tf
f
ff
f
Tf
[ = 2B B f B t
f
ff
f
f
(EQUAO 12-7).

Nesta equao, T o perodo da tenso senoidal de entrada e f a sua frequncia. Para o valor
usual de frequncia (60 Hz), teremos t 377 Bt . O mximo valor possvel para t para que o disparo
ocorra durante o semiciclo positivo a metade do perodo do sinal de entrada, o que, para o caso de
senoides de 60 Hz, equivale aproximadamente a 8,33 ms.

No caso em questo (sem retificao prvia do sinal de entrada), os valores mdio DC e eficaz da
tenso sobre a carga so calculados pelas equaes:
w
ww
w
w
ww
ww
www
ww
w
w
ww
w
ww
w
w
ww
w
ww
w
w
w
ww
w
ww
w
w
ww
w
ww
w
w
w
ww
w
ww
w
w
ww
w
ww
w
w
w
ww
w
ww
`w
w
w
www
www
w
w
ww
w
ww
w
w
w
ww
w
ww
w
w
ff
f
f
viff
f
ff
ff
f
ff
f` ffff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
fff
f
2ffff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
fff
a
+ 0,5 sen
s
a B B
VLDC = MX B 1 + cos (EQUAO 12-8) VLef = viMX B (EQUAO 12-9).
2B 4B

Quando se faz a retificao prvia, as equaes passam a ser:


w
ww
w
w
ww
ww
www
ww
w
w
ww
w
ww
w
w
ww
w
ww
w
w
w
ww
w
ww
w
w
ww
w
ww
w
w
w
ww
w
ww
w
w
ww
w
ww
w
w
w
ww
w
ww
`w
w
w
www
www
w
w
ww
w
ww
w
w
w
ww
w
ww
w
w
VLDC = fffff
f
ff
ff
f
ff
ff`
viMX ffff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
fff
f
2ffff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
fff
a
+ 0,5 sen
s
a B B
B 1 + cos (EQUAO 12-10) VLef = viMX B (EQUAO
2B
12-11).

TRIAC - TRIODO DE CORRENTE ALTERNADA

Suponhamos que seja necessrio realizar o controle de potncia por fase de uma carga de
corrente alternada. Para tanto, poderiam ser utilizados dois SCRs conectados entre si na ligao
chamada de anti-paralelo, como mostrado na Figura 12-18. Nessa ligao, cada semiciclo da tenso
alternada de entrada ser controlado por um dos SCRs.
RL

SCR1 Circuito
vi de
controle
SCR2

127
FIGURA 12-18 LIGAO ANTIPARALELA DE DOIS SCRS
Tal configurao seria dispendiosa, alm de necessitar de um circuito de disparo mais complexo
para lidar adequadamente com os dois SCRs. A soluo para esse problema consistiu na criao de um
dispositivo que funciona de modo bastante semelhante a dois SCRs ligados em anti-paralelo e
encapsulados em conjunto. Tal dispositivo, cujo smbolo e estrutura interna esto representados na
Figura 12-19, conhecido como TRIAC (Triode AC - triodo de corrente alternada).

MT2
MT2

N4
P1

N1

G P2
N3 N2

MT1
G MT1

FIGURA 12-19 SIMBOLOGIA E ESTRUTURA INTERNA DE UM TRIAC

Os nomes dos terminais de um TRIAC so terminal principal 2 (MT2 main terminal 2), que
corresponderia ao anodo de um SCR, terminal principal 1 (MT1 main terminal 1), que
corresponderia ao catodo de um SCR, e gate (G). O terminal principal 1 e o terminal principal 2 tambm
so chamados, respectivamente de anodo 1 (A1) e anodo 2 (A2). O terminal principal 1 serve como
referncia, ou seja, o terminal normalmente aterrado.

O TRIAC possui basicamente os mesmos mecanismos de disparo j estudados para o SCR. A


principal particularidade diz respeito ao disparo por aplicao de corrente o gate. Sendo um dispositivo
bidirecional, o TRIAC pode ser disparado qualquer que seja a polaridade da tenso entre os seus
terminais principais e qualquer que seja a polaridade dos pulsos aplicados ao gate. Existem, portanto,
quatro situaes possveis, que so classificadas de acordo com a polaridade do MT2 e do gate em relao
ao MT1. Em cada uma dessas situaes, denominadas quadrantes, algumas das regies P e N da
estrutura interna do dispositivo trabalharo em conjunto para estabelecer um SCR efetivo, que ser o
responsvel pela conduo da corrente.

 1 Quadrante Tanto o MT2 quanto o gate so positivos em relao ao MT1. Nesse caso, o SCR
efetivo formado pela regies P1, N1, P2 e N2, com a regio P2 funcionando como gate. o
modo de disparo em que o TRIAC mais sensvel, isto , em que existe menor possibilidade de
ocorrer uma falha ao se tentar dispar-lo.

 2 Quadrante O MT2 positivo e o gate negativo em relao ao MT1. Nesse caso, teremos o
mesmo SCR efetivo do 1 quadrante. A diferena que o incio da conduo ocorre de modo
indireto, atravs da corrente que flui pela juno N3-P2. Por esse motivo, o TRIAC menos
sensvel nesse modo de operao do que no 1 quadrante.

 3 Quadrante O MT2 e o gate so negativos em relao ao MT1. O SCR efetivo desta vez
formado pela regies P2, N1, P1 e N4. O incio da conduo tambm ocorre indiretamente,
atravs da corrente da juno N3-P2. Nesse modo de operao, o TRIAC quase to sensvel
quanto no 1 quadrante.

128
 4 Quadrante O MT2 negativo e o gate positivo em relao ao MT1. Possui o mesmo SCR
efetivo do 3 quadrante, mas o processo de incio de conduo mais complicado, comeando a
partir da juno P2-N2. o modo de operao em que o TRIAC menos sensvel, sendo maior a
probabilidade de ocorrer uma falha no disparo.

A Figura 12-20 ilustra os quatro quadrantes de operao de um TRIAC.

FIGURA 12-20 QUADRANTES DE DISPARO DE UM TRIAC

Para garantir o disparo do TRIAC, devem-se aplicar pulsos de corrente cujo valor seja, no mnimo,
o requerido pela operao no quarto quadrante, que pode ser at 5 vezes maior do que o exigido no
primeiro quadrante.

CURVA CARACTERSTICA DE UM TRIAC

Devido s particularidades da sua fabricao, o TRIAC tem uma curva caracterstica simtrica e
semelhante caracterstica direta de um SCR, como se pode ver na Figura 12-21. Da mesma forma como
ocorre com o SCR, quanto maior a corrente de gate, menor o mdulo da tenso necessria entre os
terminais principais para que ocorra o disparo do TRIAC.

IA

+IH
-VBO
vMT2-MT1

-IH +VBO

129
FIGURA 12-21 CURVA CARACTERSTICA DE UM TRIAC

COMUTAO DE UM TRIAC

Como o TRIAC admite ambas as polaridades de tenso entre os terminais principais, ele no pode
ser levado ao corte pelo processo de comutao forada. Logo, uma vez disparado, a nica maneira de
interromper a conduo de um TRIAC a comutao natural, ou seja, a reduo do mdulo da corrente
principal a um valor inferior ao da corrente de manuteno IH.

Logo, em regime de corrente alternada senoidal, o TRIAC tem apenas um pequeno intervalo em
torno dos pontos de passagem da tenso por zero para que ocorra a comutao. No caso de cargas
resistivas, isso relativamente simples, mas quando a carga altamente indutiva (como um motor, por
exemplo) a comutao do TRIAC pode tornar-se extremamente problemtica. Isso ocorre devido
defasagem entre a tenso e a corrente caracterstica nas cargas indutivas, que faz com que, enquanto a
tenso zero, a corrente seja diferente de zero. Nesses casos, ao invs de um TRIAC, pode ser mais
recomendvel utilizar dois SCRs em anti-paralelo.

CIRCUITOS DE DISPARO PARA TIRISTORES

A seo de controle, que inclui os circuitos especficos para a tenso de disparo, a parte mais
complexa de um sistema tiristorizado. Veremos a seguir os principais tipos de circuito de disparo,
utilizando como padro sua utilizao com o SCR. Os princpios que estudaremos, no entanto, aplicam-
se igualmente ao disparo de TRIACs, fazendo-se as devidas adaptaes.

CIRCUITO RESISTIVO

o tipo mais simples de circuito de disparo. Embora seu desempenho seja inferior ao de outros
tipos de circuito, possuem como vantagens o menor custo e um funcionamento mais estvel diante de
variaes de temperatura. A Figura 12-22 mostra diagramas de circuitos resistivos de disparo para SCR
e TRIAC, operando, em ambos os casos, em regime de corrente alternada senoidal.

RL POT RL POT

R R
G G
vi SCR IG vi TRIAC
D

S S

130
FIGURA 12-22 CIRCUITOS RESISTIVOS PARA O DISPARO DE TIRISTORES

O princpio de funcionamento muito simples. A nica exigncia que o resistor RG e o


potencimetro POT sejam dimensionados de forma a permitir que, pelo menos no mximo valor de
tenso (do semiciclo positivo, no caso do SCR, ou dos dois semiciclos, no caso do TRIAC), a corrente de
gate (que circula uma vez fechada a chave S) atinja um valor igual ou superior a IGT, o que garante o
disparo do tiristor. No caso do circuito para SCR, o diodo D serve para impedir polarizao reversa na
juno gate-catodo.

Uma vez disparado, o tiristor permanece conduzindo at que ocorra a comutao natural, com a
diminuio do valor de vi no final do semiciclo. Se a chave S continuar fechada, o tiristor volta a conduzir
quando a tenso de entrada voltar a atingir o valor adequado. Esse valor adequado depende do ajuste
do potencimetro POT, o que proporciona o controle do ngulo de disparo do tiristor e,
consequentemente, da potncia dissipada sobre a resistncia de carga RL.

No circuito da esquerda da Figura 12-22, considerando o SCR inicialmente cortado e analisando a


malha percorrida pela corrente de gate IG, chega-se equao:
` a
+ vi @ IGB RL @ IGB POT @ IGB RG @ v D @ v GK = 0 [ vi = IGB RL + POT + RG + v D + v GK (EQUAO
12-12).

Sendo a tenso de entrada senoidal, temos vi = Vimx Bsen Bt . No ngulo de disparo do SCR,
` a

temos vi = Vimx Bsen . Substituindo na Equao 12-12 e objetivando uma corrente de gate igual a IGT,
posso obter o valor do ngulo de disparo:

f
ff
f
ff
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
+f
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
ff
f
vf
f
ff
f
ff
ff
f
+f
f
ff
f
ff
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
f
` a
` a IGT B RL POT + RG + D vGK
Vimx Bsen = IGT B RL + POT + RG + vD + vGK [ = arc sen (EQUAO 12-13).
Vimx

Para simplificar a equao, consideramos RG >> RL (o que sempre ocorrer, na prtica) e


desprezamos os valores de vD e vGK, que so muito pequenos quando comparados aos valores das outras
tenses envolvidas. Assim, chega-se a:

f
ff
fff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
+f
f
ff
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
` a
IGT B POT RG
= arc sen (EQUAO 12-14).
Vimx

O maior de ngulo de disparo possvel de ser obtido com esse circuito de 90. Isso evidente,
pois se a corrente necessria para o disparo no atingida quando a tenso de entrada chega ao seu valor
mximo, no o atingir com nenhum outro valor. Logo, a potncia sobre a carga poder ser ajustada
Pf
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
ff
f Pf
e fff
f
ff
f
ff
f
ff
ff
f
(no caso de circuitos com SCR) ou entre Pmx e ffff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
mx mx Pmx
entre (no caso de circuitos com TRIAC).
2 4 2

EXEMPLO 12-1: NO CIRCUITO ABAIXO, O VALOR DA RESISTNCIA DE CARGA DESPREZVEL EM RELAO AO DAS
DEMAIS RESISTNCIAS. CALCULAR OS VALORES DE RG E POT PARA QUE O NGULO DE DISPARO POSSA SER
AJUSTADO ENTRE 15 E 75, SABENDO QUE O TRIAC NECESSITA DE 5 mA DE CORRENTE PARA DISPARAR.

RL POT

R
220 V
G
60 Hz

131
S
CIRCUITO CAPACITIVO

A limitao no ngulo de disparo entre 0 e 90, inerente ao circuito resistivo de disparo, alm da
dissipao de potncia sobre as resistncias na malha de gate, exige a utilizao de circuitos de disparo
mais elaborados nas aplicaes com maior nvel de exigncia. O passo seguinte em termos de
complexidade dos circuitos de disparo a adio de um capacitor, conforme mostrado na Figura 12-23.

RL

P
O
T
D2
R
vi SCR
G
D1

FIGURA 12-23 CIRCUITO DE DISPARO CAPACITIVO PARA SCR

Nos semiciclos negativos, o capacitor se carrega rapidamente com -Vimx atravs do capacitor C.
Assim, quando comeam os semiciclos positivos, a tenso inicial do capacitor ser sempre a mesma.
Atravs de RG e P, o capacitor comea a se carregar positivamente, at que a tenso de disparo do SCR
alcanada. O tempo em que isso ocorre depende da constante de tempo = RG + POT BC . A defasagem
` a

entre corrente e tenso, proporcionada pela presena do capacitor, permite um ajuste mais amplo do
ngulo de disparo, que pode chegar a 180, desde que corretamente dimensionados os componentes.
Pf
f
ff
f
ff
f
ff
f
f
mxf
ff
f
Com isso, a potncia sobre a carga poder ser ajustada entre 0 e (no caso de circuitos com SCR) ou
2
entre 0 e Pmx (no caso de circuitos com TRIAC).

As desvantagens comuns aos dois tipos de circuito examinados at aqui so:

 Caracterstica de funcionamento altamente no-linear (as variaes na potncia sobre a carga no


so proporcionais variao no ajuste do potencimetro);

 Operao altamente dependente do valor da corrente de gate necessria para o disparo do


tiristor, que varia com a temperatura, com a tenso de alimentao, e mesmo entre exemplares
diferentes de uma mesma especificao de tiristor;

 Alta potncia dissipada na seo de controle, j que a corrente de gate tem que percorrer uma
resistncia relativamente elevada formada pela associao do resistor de gate com o
potencimetro.

Por isso, tais circuitos de disparo so apropriados apenas para aplicaes com requisitos de
desempenho pouco exigentes. Em situaes mais complexas, necessrio incluir no circuito de disparo
132
componentes auxiliares que permitam
permitam um controle mais preciso do ngulo de disparo e que tornem o
comportamento do circuito menos dependente das caractersticas peculiares do tiristor utilizado.

CIRCUITOS DE DISPARO COM DISPOSITIVOS DE RESISTNCIA NEGATIVA

Os dispositivos de resistncia negativa


ne (que chamaremos em diante de DRN) so componentes
que apresentam em sua curva caracterstica alguma regio em que o aumento da tenso corresponde a
uma diminuio da corrente, ou vice-versa.
vice Vimos anteriormente que os tiristores, de uma forma geral,
gera
possuem essa particularidade, mas ela compartilhada por outros tipos de dispositivo.
dispositivo

Os DRN, de uma forma geral, apresentam elevada impedncia (praticamente infinita) at que a
tenso entre dois de seus terminais atinja um determinado valor. A partir
partir desse ponto, a impedncia cai
bruscamente (praticamente zero). O DRN permanece nessa condio enquanto a corrente que o
percorre estiver acima de um valor mnimo (chamado, normalmente, de corrente de manuteno).
Quando a corrente cai abaixo desse valor
valor mnimo, o DRN volta para o estado de alta impedncia.

Os DRN podem ser unilaterais,


unilaterais, quando conduzem corrente num nico sentido, ou bilaterais,
quando conduzem em ambos os sentidos. O aspecto tpico da curva caracterstica de um DRN unilateral
mostrado na Figura 12-24. A figura est fora de escala, para ressaltar os detalhes relevantes.

vale
IV

rd < 0
pico
IV

VV VP v

FIGURA 12-24 CURVA CARACTERSTICA DE UM DISPOSITIVO UNILATERAL DE RESISTNCIA NEGATIVA


NEGAT

A figura ressalta em tom mais escuro a regio da curva em que o dispositivo apresenta resistncia
dinmica negativa. O ponto dessa regio que apresenta o maior valor de tenso chamado de pico, com
coordenadas VP e IP, e o ponto que apresenta o menor valor de tenso chamado de vale, com
coordenadas so VV e IV. O pico corresponde ao disparo do dispositivo e o vale corresponde ao seu
corte.

Note-se
se a semelhana entre essa curva e a curva caracterstica de um SCR ou TRIAC. No caso de
um SCR, a corrente de vale corresponde ao que chamamos de corrente de manuteno
manu (IH) e a tenso de
DRN os pontos VP-IP
pico corresponde tenso de bloqueio direto (VBO). Assim, dependendo do tipo de DRN,
e VV-IV podem ser representados por outros smbolos, mas seu significado fsico o mesmo: so os
pontos de disparo e comutao do dispositivo, respectivamente.

Os circuitos de disparo baseados em DRN so basicamente osciladores de relaxao (que


trabalham com carga
rga e descarga de capacitores). Como veremos a seguir, esses osciladores so usados
133
para gerar pulsos de alta amplitude e curta durao, especialmente adequados para o disparo de um
tiristor. O diagrama bsico de um oscilador de relaxao utilizando DRN mostrado na Figura 12-25.

DRN
Vcontrol
R
C G

FIGURA 12-25 DIAGRAMA GENRICO DE UM OSCILADOR DE RELAXAO COM DRN

Supondo o DRN inicialmente cortado, no passa corrente por ele e o capacitor C se carrega atravs
do resistor R. Sendo a tenso de alimentao Vcontrol superior tenso de disparo VP do DRN, chegar
um momento em que a tenso no capacitor ser suficiente para disparar o DRN. Quando isso ocorrer, ele
passa para a condio de baixa impedncia, o que leva rpida descarga do capacitor sobre o prprio
DRN e sobre RG. gerado ento um pico de tenso sobre RG, que adequado para disparar um tiristor.

Ao final da descarga do capacitor, quando a corrente no DRN cai abaixo da corrente de vale IV, ele
levado de volta ao corte. O capacitor comea a se carregar outra vez, iniciando um novo ciclo. O
diagrama de tempos da Figura 12-26 mostra as formas de onda sobre o capacitor C e sobre o resistor RG.

vC

t
vRG

FIGURA 12-26 FORMAS DE ONDA NO OSCILADOR DE RELAXAO COM DRN

Note-se que a presena do resistor RG no necessria para o funcionamento do oscilador. Ele


includo no circuito apenas para que sobre ele se produzam os pulsos de tenso que dispararo o tiristor.

Para garantir a oscilao necessrio que o ponto de operao do DRN fique localizado na regio
de resistncia negativa. A localizao do ponto de operao determinada pela tenso de alimentao do
circuito e pelo valor da resistncia R. A condio necessria para a oscilao que o valor de R se situe
dentro da faixa:

Vffff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
ff
fff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
f
Vf
f
ff
< R < ffff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
f
ff
ff
ff
CONTROL @ V V CONTROL @ V P
(EQUAO 12-15).
IV IP

Estudaremos a seguir dois exemplos de dispositivos de resistncia negativa: o transistor de


unijuno (UJT unijunction transistor) e o DIAC (Diode for Alternating Current). Esses

134
dispositivos so usados como elementos auxiliares em circuitos de disparo de SCRs e TRIACs,
respectivamente.

TRANSISTOR DE UNIJUNO (UJT)

Como o prprio nome indica, trata-se de um dispositivo semicondutor formado por uma nica
juno PN. O corpo do UJT composto por uma barra de material N em cujas extremidades so ligados
terminais chamados de bases (base 1 - B1 e base 2 - B2). Na parte intermediria da barra, mais
prximo extremidade chamada de base 2, difundida uma regio P. O terminal ligado regio P
chamado de emissor (E). A Figura 12-27 apresenta a estrutura interna, a simbologia e o circuito
equivalente de um UJT, alm do aspecto fsico e a identificao dos terminais para um dos exemplares
mais comuns de UJT, o 2N2646. No diagrama do circuito equivalente, VBB e VE no representam
caractersticas intrnsecas do dispositivo, e sim fontes de alimentao externas utilizadas para a
polarizao do UJT.

B2
B2
B2
R
N B VBB
E 2
P E R
E
D B
B
R
B
VE 1

B1
B1 B1

FIGURA 12-27 ESTRUTURA, SMBOLO, CIRCUITO EQUIVALENTE E ASPECTO FSICO DE UM UJT

Note-se a semelhana entre os smbolos do UJT e do JFET. A diferena a inclinao no terminal


que representa o emissor de um UJT (que corresponde ao terminal que representa o gate de um JFET).

A regio compreendida entre as bases 2 e 1 pode ser vista como um resistor com derivao
central. A resistncia dessa regio, chamada de resistncia interbases (RBB), da ordem de K,
temperatura de 25 C. A resistncia interbases dividida em duas partes: uma que vai da base 2 at o
emissor (RB2) e outra que vai do emissor at a base 1 (RB1).

Utilizando o princpio do divisor de tenses no circuito equivalente, vemos que a tenso sobre o
vRB1 = f
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
[ vRB1 = f
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
ff
f
VBB BRB1 VBB BRB1
resistor RB1 vale: .
RB2 + RB1 RBB

Enquanto a tenso VE for menor do que VRB1, o diodo D estar reversamente polarizado, sendo
percorrido por uma corrente praticamente nula. Se a tenso VE ultrapassar a soma de VRB1 com a tenso
de limiar Vd do diodo, este fica diretamente polarizado e sua corrente cresce rapidamente, sendo limitada
apenas pelos componentes externos.

Essa elevao brusca de corrente no diodo leva a uma forte injeo de portadores na regio entre
o emissor e a base 1, o que reduz consideravelmente o valor de RB1 e, consequentemente, o valor da
tenso entre os dois terminais. Logo, a um aumento da corrente corresponde uma reduo da tenso,
caracterizando assim uma regio de resistncia negativa. Isso o disparo do UJT. Quando a corrente
135
na juno cair abaixo do valor de manuteno, o dispositivo passa pela comutao, ou seja, volta
condio de corte.

RB1
A relao chamada de relao intrnseca de corte e representada pela letra grega
RB 2 + RB1
(eta) e uma caracterstica de fabricao do UJT. Os valores tpicos para esto na faixa entre 0,5 e 0,9.
O valor da tenso VE que produz o disparo do UJT chamado de tenso de pico (VP) e seu valor pode ser
calculado pela equao:

V P = B VBB + v D (EQUAO 12-16), onde V D a tenso de limiar do diodo (cerca de 0,5 V).

Oscilador de Relaxao com UJT

Aplicando ao UJT o diagrama genrico dos osciladores de relaxao baseados em DRN,


visto anteriormente, chegamos ao circuito da Figura 12-28.

+VBB
P
O
T R
2
F RE
I
X

pulsos de tenso que


podem ser usados no
disparo de tiristores
CE
R
1

FIGURA 12-28 OSCILADOR DE RELAXAO COM UJT

Supondo o capacitor inicialmente descarregado e o UJT cortado, quando a tenso de alimentao


ligada, comea a carga do capacitor CE atravs de RE (RE = FIX + POT). Quando a tenso no capacitor
atinge o valor da tenso de disparo VP, a juno passa a conduzir e o capacitor se descarrega atravs dela,
gerando sobre R1 um pulso de tenso que pode ser usado no disparo de um tiristor. R1 tambm serve
para limitar a corrente de descarga do capacitor.
Quando o capacitor se descarrega, a corrente atravs da juno cai abaixo da corrente de
manuteno e o UJT volta ao estado de corte, reiniciando o ciclo. A funo do resistor R2 dar
estabilidade trmica ao circuito. As formas de onda sobre o capacitor e sobre R1 so aquelas j
mostradas no diagrama de tempos do oscilador genrico com DRN. A frequncia de oscilao pode ser
calculada pela equao:

136
fo = fffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffff
f
fff
f
ff
ff
1
(EQUAO 12-17).
REB CEB ln ffffffffffffffffff
1
1 @

No circuito analisado, o valor de RE varia em funo do ajuste do potencimetro POT, resultando


assim numa frequncia de oscilao tambm ajustvel. importante que, em toda a faixa de variao do
potencimetro, os valor da resistncia equivalente RE se situe dentro da faixa que garanta a polarizao
do UJT na regio de resistncia negativa. Se isso no ocorrer, como vimos acima, o circuito no ir
oscilar.
Existem frmulas que auxiliam na determinao de valores timos para os resistores R1 e R2. No
entanto, prefervel utilizar a regra prtica: utilizar R1 na faixa de dezenas de ohms (entre 22 e 68 )
e R2 na faixa de centenas de ohms (entre 470 e 820 ).

DIODO DE CORRENTE ALTERNADA (DIAC - DIODE FOR ALTERNATING CURRENT)

O DIAC pode ser compreendido basicamente como um TRIAC sem gate, cujo disparo ocorre
somente por sobretenso (VBO). A fabricao do DIAC de tal forma que o disparo ocorre quando a
tenso entre os seus terminais atinge cerca de 30 V, independente da polaridade. Sua estrutura interna
um pouco mais simples do que a de um TRIAC. Como ele pode ser utilizado de modo anlogo para ambas
as polaridades de tenso, por ser totalmente simtrico, no possvel e nem necessrio fazer qualquer
diferenciao entre os seus dois terminais. No entanto, costume cham-los de anodo 1 (A1) e anodo 2
(A2). A Figura 12-29 mostra a estrutura interna e os diversos smbolos utilizados para representar um
DIAC.

N3
P1

N1

P2
N2

FIGURA 12-29 ESTRUTURA INTERNA E SIMBOLOGIA DE UM DIAC

Utilizando raciocnio anlogo ao adotado em relao ao UJT, um oscilador de relaxao com DIAC
ter o diagrama mostrado na Figura 12-30. O funcionamento do circuito, da mesma forma como
abordado anteriormente, depende da polarizao do DIAC em sua regio de resistncia dinmica
negativa, o que basicamente determinado pelo valor da resistncia R.

R DIAC

VT
R
C G
137
FIGURA 12-30 DIAGRAMA DE UM OSCILADOR DE RELAXAO UTILIZANDO DIAC

MTODOS DE SINCRONISMO DOS CIRCUITOS DE DISPARO COM A FREQUNCIA DA REDE

O correto funcionamento dos circuitos de controle de potncia por fase depende da gerao de
pulsos de disparo sincronizados com a frequncia da rede de alimentao. Veremos agora dois mtodos
para obter esse sincronismo, utilizando como exemplo um circuito de disparo baseado em UJT. Os
princpios que veremos podem igualmente ser utilizados para sincronizar circuitos de disparo com outros
tipos de dispositivo.

SINCRONISMO DIRETO

A tcnica de sincronismo direto com a rede consiste em alimentar o circuito de disparo com uma
tenso que caia a zero todas as vezes em que se iniciar um semiciclo da tenso da rede. No caso de se
utilizar um TRIAC ou um SCR com retificao prvia da tenso principal, o sincronismo deve ser realizado
tanto nos semiciclos positivos como nos negativos. Caso se utilize um SCR sem retificao prvia, o
sincronismo precisa ser feito apenas nos semiciclos positivos. O circuito da Figura 12-31 utiliza essa
tcnica. No lado direito da figura esto representadas as formas de onda nos pontos mais relevantes do
circuito.

RZ D1 RL vA
vimx
P PONTO B PONTO A
O
T R
2
F RE
I VZ
X
SCR t
DZ vi
(tenso
da rede)
vB

CE VZ
R t
1

SEO DE CONTROLE SEO DE POTNCIA

FIGURA 12-31 CIRCUITO COM SINCRONISMO DIRETO COM A REDE E ALGUMAS FORMAS DE ONDA

O diagrama destaca as duas sees de que se compe o circuito: a seo de controle, responsvel
pelo disparo do SCR, e a seo de potncia, responsvel pela alimentao da resistncia de carga RL. O
diodo D1 retifica a tenso da rede e o resistor RZ limita a corrente para o diodo Zener DZ. Como o valor

138
de pico vimx da tenso da rede, via de regra, muito maior do que o da tenso de regulao VZ do diodo
Zener, o tempo necessrio para a tenso no ponto B ir de zero at VZ desprezvel. Logo, cada vez que
se inicia um semiciclo positivo da tenso da rede, o circuito de controle alimentado e, aps um intervalo
de tempo t, ser gerado um pulso na base 1 do UJT, o qual ser usado para disparar o SCR. O valor
desse intervalo de tempo est relacionado com a operao de um oscilador com UJT, ou seja:
h i
f
f
ff
ff
f
1ff
f
ff
ff
f
t = REB CEB lnj k (EQUAO 12-18).
1@

O intervalo de tempo e, consequentemente, o ngulo de disparo do SCR, podem ser ajustados pelo
do potencimetro P. Como se trata de um circuito com SCR e sem retificao prvia, o valor mximo do
t 8,3 ms, para a frequncia
intervalo de tempo deve ser igual metade do perodo da tenso da rede (
de 60 Hz). Um intervalo superior a esse ocasiona a gerao dos pulsos de disparo durante os semiciclos
negativos da tenso da rede, o que impede na prtica o disparo do SCR.

Com o disparo do SCR, a tenso na seo de controle cai a zero e, enquanto o SCR no voltar
condio de corte, no sero gerados novos pulsos de disparo. Logo, a frequncia dos pulsos gerados
ser necessariamente igual frequncia da rede. Este o motivo pelo qual no se define a frequncia
t) entre o incio dos semiciclos positivos e
(fo) dos pulsos gerados pelo UJT, e sim o intervalo de tempo (
a gerao desses pulsos. Como apenas um pulso gerado a cada ciclo, conclui-se que essa tcnica no
gera pulsos de disparo desnecessrios.

O circuito da Figura 12-31 aproveita apenas os semiciclos positivos da tenso da rede, mas bvio
que, desejando-se se aproveitar os dois semiciclos da tenso de alimentao, a mesma tcnica pode ser
aplicada no caso da retificao prvia da tenso da rede. O sincronismo direto pode ser aplicado tambm
nos circuitos destinados ao controle de cargas AC, nos quais se utiliza o TRIAC. Nestes casos, o elemento
auxiliar mais apropriado ao disparo do tiristor, ao invs do UJT, o DIAC, que bidirecional da mesma
forma como o TRIAC. A Figura 12-32 mostra o diagrama bsico de um circuito de sincronizao direta
utilizando TRIAC e DIAC. Caso a resistncia de carga seja uma lmpada incandescente, o circuito atua
como variador de luminosidade (dimmer).

RL

P
O
T

F R
I TRIAC
X
vi
(tenso
da rede)

C DIAC

FIGURA 12-32 CIRCUITO PARA CONTROLE DE POTNCIA SOBRE CARGAS AC

Quando a tenso no capacitor atinge o valor da tenso de disparo do DIAC, esse conduz, aplicando
um pulso de corrente no gate do TRIAC, que tambm entra em conduo, energizando a carga. O disparo
139
do TRIAC deixa o divisor de tenso formado por R, P e C sem energia, causando o corte imediato do DIAC.
O TRIAC permanece em conduo at cerca do final do semiciclo, quando a corrente diminui, causando a
sua comutao natural. No semiciclo seguinte, repete-se o processo. A potncia dissipada sobre a carga
inversamente proporcional ao tempo necessrio para que o capacitor atinja a tenso suficiente para o
disparo dos tiristores. Esse tempo, por sua vez, determinado pelo ajuste do potencimetro P.

O circuito da Figura 12-32 apresenta um problema de histerese, especialmente para baixos


valores de ngulo de disparo (alta potncia sobre a carga). Esse problema ocasionado pela diferena na
tenso do capacitor antes e depois do disparo do DIAC. Isso faz com que o comportamento do circuito
seja diferente quando se aumenta a potncia (diminuindo-se o ajuste do potencimetro) e quando se
diminui a potncia (aumentando-se o ajuste do potencimetro). Isto torna o ajuste menos preciso e mais
instvel. Um mtodo para minimizar esse problema a utilizao de duas redes RC ao invs de apenas
uma, como mostra a Figura 12-33.

LF
RL

P
O
T
R TRIAC R
1 R3 S
F
I CF
X
CS vi
(tenso
R2 da rede)

C1 C2 DIAC

FIGURA 12-33 - CIRCUITO DE CONTROLE DE POTNCIA COM DUPLA REDE RC, FILTRO E AMORTECEDOR

Nesse circuito, qualquer perda de tenso sofrida pelo capacitor C2 em razo do disparo do DIAC
reposta pela tenso armazenada no capacitor C1. O capacitor CF e o indutor LF formam um filtro para as
harmnicas geradas pelo recorte da tenso senoidal, tpico dos circuitos de controle de potncia que
utilizam tiristores. Valores tpicos para CF e LF so, respectivamente, 0,1 F e 0,1 mH. Esse filtro deve
ser utilizado para minimizar interferncias do circuito sobre outros que estejam ligados mesma rede de
alimentao. O diagrama inclui tambm o resistor RS e o capacitor CS, que formam a rede amortecedora
(snubber) com o objetivo de reduzir a probabilidade de um disparo indesejado do TRIAC por variao
de tenso.

CIRCUITOS DE DISPARO USANDO CIRCUITOS INTEGRADOS ESPECIAIS

Neste mtodo, o circuito responsvel pela gerao dos pulsos de disparo do tiristor tem o seu
funcionamento harmonizado com a rede de alimentao atravs da aplicao de pulsos de sincronismo,
que so gerados a partir dessa prpria rede, tendo, portanto, a mesma frequncia que ela.

140
A obteno desses pulsos de sincronismo requer a utilizao de circuitos razoavelmente
complexos. Em virtude da utilidade e da relativa frequncia com que esses circuitos so empregados,
eles so disponibilizados na forma de circuitos integrados, que contm as funcionalidades para a
gerao dos pulsos, exigindo do usurio apenas a adio de um pequeno nmero de componentes
externos.

Um circuito integrado que possui essa caracterstica TCA785, cuja pinagem e diagrama em
blocos so mostrados na Figura 12-34, incluindo alguns dos componentes externos normalmente usados .

f
ff
ff
ff
ff
ff
ff
ff
ff
f
Inhibit 6 13 LP
VSync
5
Detetor de
passagem
TCA 785
por zero

Circuito
14 Q1
+VCC Regulador
de Circuito f
ff
ff
ff
16 de Tenso Comparador 4 Q1
de Sincronismo de
(3,1 V) descarga
Formao 15 Q2
8
dos f
ff
ff
ff
VRef
2 Q2
Fonte de Pulsos
Corrente de QU
3
Constante
Transistor Disparo
de Comparador 7 QZ
descarga detetor de
disparo

RX 9 CX 10 1 GND 11 VControl 12 CPE

R C10 +VCC C12


9 POT11

FIGURA 12-34 PINAGEM E DIAGRAMA EM BLOCOS DO CIRCUITO INTEGRADO TCA785

A funo de cada pino descrita abaixo:

1. Terra do circuito integrado (GND).


f
ff
ff
ff
2. Sada complementar dos pulsos gerados nos semiciclos positivos ( Q2 ).
3. Sada de pulsos com durao constante de 180 (QU).
f
ff
ff
ff
4. Sada complementar dos pulsos gerados nos semiciclos negativos ( Q1 ).
5. Entrada de amostragem da tenso de rede, para fins de sincronismo (VSync).
f
ff
ff
ff
ff
ff
ff
ff
ff
f
6. Inibidor de pulsos. Quando aterrado, bloqueia a gerao de pulsos ( Inhibit ).
7. Sada de pulsos com equao lgica Q1 + Q 2 (QZ).
8. Tenso de referncia interna de 3,1 V (VREF). Para proteo contra rudos, pode-se ligar a esse pino
um capacitor para a filtragem dessa tenso interna.
141
9. Ligao externa para o resistor que determina o valor da corrente do gerador interno (RX).
10. Ligao externa para o capacitor gerador da rampa de temporizao (CX).
11. Tenso externa de controle do nvel de disparo (VControl). Esse pino possui uma impedncia interna
de 15 K.
12. Ligao externa para o capacitor que determina a largura dos pulsos de disparo fornecidos pelas
sada normais (CPE).
13. Mesma funo do pino 12, em relao s sadas complementares (LP).
14. Sada normal dos pulsos gerados nos semiciclos negativos (Q1).
15. Sada normal dos pulsos gerados nos semiciclos positivos (Q2).
16. Polo positivo da tenso DC de alimentao do CI (+VCC).

Devidamente complementado com o uso de transformadores de pulsos e outros componentes


externos, um nico CI TCA 785 pode ser utilizado para o disparo simultneo de vrios tiristores.
possvel, por exemplo, utilizar apenas um TCA 785 para controlar o disparo dos quatro SCRs necessrios
para a implementao de um retificador monofsico totalmente controlado. Isso representa uma
significativa economia em relao a um circuito de disparo similar implementado a partir de
componentes discretos, sem falar no aumento da confiabilidade.

Conectando-se um capacitor externo ao pino 10, ele ser carregado a partir da fonte de corrente
constante interna ao CI. Logo, a tenso nesse capacitor ser uma rampa linear. O valor IF da corrente
Vfffffffffff
f
Bf
ff
ff
ff
f
1,1f
ff
ff f
ff
ff
f
3,41f
ff
ff
fornecida pela fonte dado por: IF = REF [ IF = , onde R9 o valor da resistncia externa
R9 R9
conectada ao pino 9 do CI e 1,1 o valor de uma constante peculiar ao integrado. Logo a variao da
ff
f
dvf
ff
f fIfffffff
tenso ao longo do tempo ser dada por: = F , onde C10 o valor do capacitor conectado ao pino 10
dt C10
do integrado.

Conhecendo-se os valores de C10, R9 e da tenso de controle aplicada ao pino 11 (VControl),


possvel calcular o tempo necessrio para que o valor da tenso sobre o capacitor ultrapasse a tenso no
Vffffffffffffffffff
ff
f
BCf
ff
ff
ff
ff
fff Vffffffffffffffffff
ff
f
BCf
ff
ff
ff
ff
fff
ff
f
BRf
ff
ff
f
9f
ff
pino 11: t = Control 10
[ t = Control 10
.
IF 3,41

Aps esse intervalo de tempo, a sada do comparador de descarga muda de estado, ocasionando a
gerao de um conjunto de pulsos de disparo. A carga do capacitor continua at que a tenso senoidal
passa por zero. Quando isso ocorre, o circuito de sincronismo aplica um pulso na base de T1, levando-o
saturao, o que causa a descarga do capacitor C10. Assim, garante-se que a carga do capacitor e o incio
da contagem do tempo para a gerao dos pulsos de disparo sempre coincidam com a passagem pelo
zero.

O valor da corrente IF deve ser limitado entre 10 A e 1 mA, o que significa que o resistor R9 deve

ter valores entre 3 K e 300 K. A capacitncia do capacitor C10 deve estar entre 500 pF e 1 F. A
tenso da rampa sobre esse capacitor atinge o valor mximo de VCC - 2 V.

142
Os pinos 14 e 15 so, respectivamente as sadas normais de pulsos 1 e 2. O pino 14 acionado
nos semiciclos negativos da tenso senoidal e o pino 15 acionado nos semiciclos positivos. A durao d
dos pulsos nesses pinos determinada pelo capacitor externo conectado ao pino 12, atravs da equao:
d = 0,62BC12 , onde d dado em segundos e C12 dado em microfarads. Se o pino 12 estiver aberto, a
durao dos pulsos ser constante e igual a 30 s. Se o pino 12 estiver aterrado, os pulsos duram at o
incio do prximo semiciclo, isto , teremos = @ .

Os grficos da Figura 12-35 representam os pulsos nos pinos 15 e 14 em duas situaes


diferentes: com o pino 12 e aberto e com o pino 12 aterrado.

Pino 12 aberto: pulsos com durao de30 s

Pino 12 aterrado: pulsos duram at o incio do prximo semiciclo

FIGURA 12-35 INFLUNCIA DO PINO 12 SOBRE A DURAO DOS PULSOS DE DISPARO

f
ff
ff
ff
Alm das duas sadas de pulsos normais Q1 e Q2, o TCA 785 possui as sadas auxiliares Q1 ,
f
ff
ff
ff f
ff
ff
ff f
ff
ff
ff
Q 2 , QU e QZ . Q1 e Q2 so, respectivamente, as sadas complementares a Q1 e Q2. Essas sadas
auxiliares so do tipo coletor aberto, de forma que para a sua utilizao necessrio conect-las a uma
tenso positiva atravs de um resistor de elevao.

A sada QU acionada ao mesmo tempo em que a sada Q1, mas sua durao do pulso igual a

180, independente da situao do pino 12. A sada QZ igual funo NOR entre as sadas Q1 e Q2, ou
f
ff
ff
ff
ff
ff
ff
ff
ff
ff
eja: QZ = Q1 + Q2 . Essa sada til no disparo de TRIACs.

Aplicando-se uma tenso inferior a 2,5 V ao pino 6, todas as sadas de pulsos ficam bloqueadas.
Para garantir a liberao das sadas de pulsos, a tenso no pino 6 deve ser superior a 4 V. Logo, deve-se
evitar a aplicao de tenses entre 2,5 V e 4 V ao pino 6, pois nessa faixa cega de tenses o
comportamento das sadas imprevisvel.
143
O TCA 785 tpico pode fornecer pulsos com at 55 mA de corrente, e a verso mais robusta do
integrado fornece pulsos de at 250 mA. Para aplicaes que necessitem de correntes mais elevadas,
devem ser utilizados amplificadores com transistores bipolares.

UM CIRCUITO TPICO DE DISPARO UTILIZANDO O TCA 785

O diagrama da Figura 12-36 representa uma aplicao tpica do TCA 785 no circuito de
disparo de um SCR. Ateno para os cruzamentos de linhas que no tm ligao.

R
1
R R
2 L
D1

SCR
R R
1 T 16 5 6
R 2 15
3
D3
C
D2 3 14

vi 4 A 13
(rede) 5 12
C1 6
7 11
P
2
DZ 7 8 10
8 9
5
P
S1 1
C8
R9 C10
R
4

FIGURA 12-36 CIRCUITO DE DISPARO TPICO UTILIZANDO O CI TCA785

O conjunto formado por R1, D1, DZ1 e C1 responsvel pela reduo, retificao, estabilizao e
filtragem da tenso senoidal da rede, originando a tenso DC para a alimentao do integrado. O
conjunto formado por R2, D2 e D3 proporciona a amostragem da tenso da rede necessria para o
sincronismo dos pulsos gerados pelo integrado.

O capacitor C8 faz uma filtragem adicional da tenso de alimentao interna do TCA 785, que vale
3,1 V. A chave S1 serve para aterrar o pino 6, inibindo dessa forma a gerao de pulsos. Quando a chave
est aberta, o resistor R3 serve para garantir uma tenso superior a 4 V no pino 6, permitindo a sada de
pulsos. O potencimetro P em srie com o resistor R permite a variao da corrente fornecida pelo
gerador interno, variando dessa forma o ngulo de disparo. O capacitor C10 tambm colabora na
determinao da inclinao da rampa de carga.

144
R5 e P2 determinam a tenso no pino 11, que tambm influencia o ngulo de disparo. Como o
pino 12 est em aberto, os pulsos gerados tero durao de 30 s. O resistor R4 tem por objetivo manter
o pino 13 no aterrado, para no influenciar na durao dos pulsos nas sadas complementares.

EXEMPLO 12-2: NO CIRCUITO DA FIGURA 12-36, SUPONDO A TENSO NO PINO 11 IGUAL A 5 V, C3 = 470 nF, R1 =
10 K E P1 = 150 K, CALCULAR OS VALORES MNIMO E MXIMO DE NGULO DE DISPARO QUE PODERO SER
OBTIDOS. A FREQNCIA DA REDE DE 60 HZ. QUE MODIFICAES DEVEM SER FEITAS NO CIRCUITO PARA:

a) Gerar pulsos com durao de 100 s ?

b) Permitir a inibio dos pulsos a partir de um sinal TTL (pulso de 5 V) ?

c) Disparar um TRIAC ?

CIRCUITOS DE DISPARO COM ATUAO ON/OFF

Muitas vezes necessrio manter uma carga energizada apenas durante o tempo durante o qual
uma determinada grandeza fsica preencher certas condies. Nesses casos, o tiristor utilizado para o
controle da carga deve ser disparado de acordo com essas condies. O princpio desse tipo de circuito
fazer com que a tenso no gate do tiristor seja suficiente para dispar-lo apenas quando existir a condio
de interesse. Para tanto, necessria a utilizao de um transdutor, elemento que ser responsvel para
transformar a grandeza fsica de controle numa grandeza eltrica (tenso ou corrente). O circuito cujo
diagrama est representado na Figura 12-37 utiliza um LDR (Ligth Dependant Resistor - resistor com
resistncia dependente da iluminao) como transdutor. Esse dispositivo possui como caracterstica
uma resistncia inversamente proporcional iluminao (maior iluminao, menor resistncia, e vice-
versa).

LF
RL

P
O
T
TRIAC R
R1 S
F
I
X
CS CF vi
(tenso
da rede)
DIAC
L
D
R
145
FIGURA 12-37 CIRCUITO DE DISPARO FOTO-ATIVADO

Quando a luminosidade sobre o LDR baixa, sua resistncia aumenta, juntamente com a tenso
sobre ele. Assim essa tenso suficiente para disparar o DIAC, que por sua vez permite o disparo do
TRIAC, energizando a carga. O potencimetro POT, em conjunto com o resistor FIX, permite ajustar o
nvel de luminosidade em que o TRIAC ir disparar. Com o aumento da luminosidade sobre o LDR, sua
resistncia diminui e a tenso sobre ele torna-se insuficiente para o disparo do DIAC, impedindo o
disparo do TRIAC e desenergizando a carga.

Caso a carga seja uma lmpada, esse circuito poder ser utilizado como interruptor crepuscular,
ou seja, para acender a lmpada automaticamente quando estiver escuro e apag-la quando estiver claro.
bvio que o LDR no poder ser exposto luminosidade da lmpada, mas somente iluminao
natural.

Note que, tambm nesse circuito, a seo de controle (formada pelo resistor FIX, pelo
potencimetro POT, pelo LDR e pelo DIAC) fica desenergizada quando o TRIAC est conduzindo. Com o
uso de outros tipos de transdutores, diferentes grandezas fsicas podem ser monitoradas por este tipo de
circuito.

As funes dos componentes LF, CF, RS e CS j foram explanadas na anlise do circuito da Figura
12-33.

Assim como o circuito da Figura 12-37 fez uso conjunto de um dispositivo de resistncia dinmica
negativa (no caso, um DIAC) para efetuar o disparo do tiristor, os circuitos de disparo com atuao
ON/OFF podem ser combinados com outras tcnicas, como um circuito integrado TCA785.

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