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APENDICE Parametros Hibridos — Equacoes de Conversao (Exatas e Aproximadas) Al EXATAS Configuracao Emissor-Comum = = TE Hg fa) + hah aoa Fiyhas — ho + Ap) OF hig — fg) + hasliy = —aholl = ho) = ha (EF ig = Fa) # alt ly a (Fag a) # Tals he =-d tho I= Configuracao Base-Comum "TERM ha) "Tacky Tha —hghs og = len Hilt in) B= fhe) + Be (TF He JO the) Pale Tighic igh whi = Ita) = fale (+ fie) = helt TF l= te) + Hale Filip i ae ei he TERM hi) Fick lg—ighy Configuracao Coletor-Comum i hy i = Tht) # Tale : Lt hy a fe TEM ta) Flaky iy =I he = ig tg «Fig Ml hy) Fhiohy fe TF Tig MO = hg) * hag A.2 APROXIMADAS. Configuracao Emissor-Comum Configuracao Coletor-Comum ema tetae eee yramui b= 1 epee peerage ea hs b= STF hy APENDICE Fator de Ripple e Calculos de Tensao B.1 FATOR DE RIPPLE DO RETIFICADOR fator de ripple de uma tensao é definido por __. valor rms da componente ac do sinal valor médio do sinal que pode ser expressa por = ¥lems) Vex ‘Como a componente ac de um sinal contendo um nivel de é y— Va valor rms da componente ac & vim = [Lf ea] “Ef o- vera)” =[E former)” {V>¢rms) ~ 2V3. + V3eN"? Vrms) — V3}! onde V(rms) é 0 valor rms da tensdo total. Para o sinal retificado de meia-onda, “ey -eT f(t) V.drms) = 0,385 V,_(meia-onda) B1 ara o sinal retificado de onda-completa, Vrms) = [V*¢ems) — Vi.}" “(ey -@2)] ev(.—4)" Vrms) B.2 TENSAO DE RIPPLE DO CAPACITOR DE FILTRAGEM Assumindo uma tensdo de ripple triangular, como mostrado na Fig. B.1, podemos escrever (ver Fig. B.2) ¥(p-P) y (B3) Var = Va = Durante a descarga do capacitor, a variago da tensdo através, deste é Vien) = 4) Da forma da onda triangular na Fig. B.1 ¥.(p-p) Viems) = BS ‘(rms) ws 5) (obtido de calculos, no mostrados), ‘Analisando a forma de onda da Fig. B.1, podemos escrever Vitep) _ Vm Tr Ti 7, = YAB-PMTS) H 7 Forma de onda Fig. B.1 Tensio de ripple triangular aproximada para o capacitor de fitragem, 1 Ten Fig. B.2 Tensio de ripple T_ Vdep\is) _ Também, T= > — T= > va 7 = 2a = Vow a Wn = Wm = Viprp) Tr T= Vn 4 (B.6) Escrevendo a Eq. (B.3) da forma ve Matl~) 2 podemos combinar a dltima equagio com a Eq, (B.6): navel Y, 2 B.7) Apéndice B— Fator de Ripple e Calculos de Tensto 635, Combinando as Eqs. (B.S) ¢ (B.7), solucionamos para V,(rms): Va V,(rms) (Bs) 2 IV3IC Vn B.3 RELACAO DE Vi. E Vn COM O RIPPLE, r A tensio sobre um capacitor de filtragem originada de um trans- formador com uma tensio de pico igual a V,, relaciona-se com 0 ripple da seguinte forma: _ Vsems) __ Vip ra BBV Vg = VP-P) _ Vio-py/2 _ Vito) “WB Var V3r Vn = Vac = VirVe Va = (1+ Vie 1+ V3r (B.19) A relagio da Eq. (B.9) aplica-se aos circuitos de filtroe retifica- dor de meia-onda e onda-completa. Por exemplo, em um ripple de 5% a tensiio de 6 de Vs. = 0,92 Vp, ou mais de 90% da tensa0 carga eve 65%) Fig. B3 Tragado de V,/¥, como fungio de % r 636 Dispositivos Eletronicos e Teoria de Circuitos de pico; e para um ripple de 20%, a tensio de & apenas 0,74 Vy inferior a 75% da tensio do pico. Observe que V,, € mais de 90% da tensio de pico para um ripple menor do que 6,5%. Esta quan- tidade de ripple representa o limite para a condigio de carga leve. B.4_ RELACAO DE V, (RMS) E V,, COM O RIPPLE, r Podemos também obter uma relagdo entre V,(rms), Vj, € a quan- tidade de ripple para os circuitos de filtragem com retificador de ‘meia-onda e onda-completa: Vp-p) 2 Velp-py2 Vo V3V tems) Vn Utilizando a Eq, (B.9), ficamos com V3viems) Ve) 14V3r Vers) __1 (el) Vie Va 14 Var @B.10) ‘A Equagdo (B.10) € tragada na Fig. B4. ‘Como V,.é maior do que 90% de V,, para um ripple = 6,5%, Vrms) _ Vrms) _ Ve Ve ¢ podemos usar V,(ems/V, = rpara ripple = 65%. (carga leve) Vetems) B.5 RELACAO ENTRE ANGULO DE CONDUCAO, % RIPPLE, E Ipico/lac PARA OS CIRCUITOS DE FILTRAGEM E RETIFICADOR DE MEIA-ONDA E ONDA-COMPLETA Na Fig, B.1, podemos determinar o fngulo @ no qual 0 diodo omega a conduzir da seguinte forma: Como = VySenO=Vq—Vi(prp) para = 8 yee var | 4, = sen {i oa Usando a Eq. (B.10) e V,(rms) = V,(p-p)/2-V/3 resulta Vetp-p) _ 2V3V,{ems) Vin Var _ Vapp) _ , _ 2V3V (ems) _ tatque 1 47Ph = 1 - EE : wilve) 1- V3r 1+ V3r e In = Bl) Te Var onde 6, € 0 Angulo no qual a condugdo se inicia. Quando a corrente cai a zero apds o carregamento das impe- ra 33. Ip = 1 mA, r= 52.9. 55.9132) Ip = 15 mA, rq= 1,73 0 vs, 2.00432) 38. 22,5 0 vs. 24,4 01434) 37. Considerando a melhor aproximacéo para acura de Vp = 0,1 Vr, = 42 39. Decresce rapidamente com 0 aumento da tenséo da polarizagio reverse 41. Escala log, T= 25°C:Ie T= 100°C:lp = 60 nA Sim, a 95°C I, aumentou para 64 2A 30 V:300 Ma. 0,5 nA 43. T = 25°C: Py = 500 mW, Ip, = 714,29 mA T= 100°C:Prug = 260 MW, Tr, = 371,43 mA 45. (a) Ve = ~25 V:Cr = 0,75 pF Vg = ~10 V:Cy = 1,25 pF AC AV = 0.033 9 ) Vs = 1,25 pF Vee 3 oF ACy/AVs = 0,194 pEIV (©) 0,194 pF/V:0,033 pF/V = 5,88: Sensibilidade elevada proximo de V, = 0V 49. Ip = 1 mA, Ip = 0,5 mA 13 ns, f= Ons $1. T, = 129,17° 53. 20 V:Te = 0,06%°C 5 V:Te = -0,025%C 55. 0,2 mA: ~ 4000 T mA = 950, 10 mA = 13.0 Relagéo no linear entre Ze impedéneia dindmica 31. Vp=23V 59. (8) Iya = 37MA Ine 56mA CAPITULO 2 1. (@) Ip, ~ 21,5 mA, Vo, = 0,92 V, Ve = 7,08 V (6) log ~ 22,2 mA, Vo, V_=4,3V © lp, = 24,24 mA, Vp, = 0 V, ve=8V 3. R= 0,62 kD 5. (a) = 0 mA (6) 1 = 0,965 A ory, 2B. V:Vq = 6,98 Vs ve! max. pos= 047 V, pico neg. = 6,98 V 1 pulso pos. de 2,85 mA. 25. Pulso pos., pico = 155,56 V, Va. = 49,47 V 27. (@) Ig, = 20 MA () Iran = 36.71 mA"C) Ip = 18,36 mA (A) Sim (©) fp = 36,71 MA > Ip,,, = 20 mA 29. Forma de onda retiicada completamente, pico = ~100 V: TPL = 100 31. Forma de onda retficada completamente, pico = 56,67 V; Vac = 36,04 V 33. (a) Pulso pos. de 3,28 V (©) Pulso pos. de 14.3 V 35. (a) Ceifado em 4,7 V (b) Corte pos. em 0.7 V, pico neg = ~12 V 37. (a) 0 V a 40 V de excursio (b) -3 Va 35 'V de excurséo 39. (a) 28 ms (b) 56:1 (6) -13 Va 3 V de exeursio ;uito da Fig. 2.161 com bateria inver: 4. tida 43. (a) Rs = 20.0, Vz=12V ©) Fen 24 W AS. RS = 0,5 kD, lang = 47. V, = 339,36 V 40 mA CAPITULO 3 3, Direta e reversamente polarizado Influensiapouco 13. (@) Io = 4,5 mA (b) le = 4,5 mA (©) Desprezivel @) Le ~ Ie 3,992 mA (b) a = 0,993 21. (@) Bac = 117,65 (b) aac © Iceo = 0,3 MA (@) levo 23. (@) Bac = 83,75 (b) Bac (© Bac = 113,33 25. Bsc = 116, a = 0,991, Ie = 2,93 mA Be be = eggs Ve Vew = Vewaes te Io=4mA, Veo Vow = 10 V, Le BB. Ie Vee Ie Veg = 20 V, fe = 31,25 mA 0,992 Hea Ver 642 38. pele = 0,1 MA, pe = 43 Te = 10 mA, hee = 98 gil = 0,1 mA, hye = 72 Te = 10 mA, hye * 160 31. fe = mA, hg = 120 To = 10 mA, hye = 160 39. (8) Bue = 190 (b) Bye = 201,7 (©) Buc = 200 (A) Bae = 230,77 (e) Sim CAPITULO + 1. (a) Ip, = 32,55 WA (0) Icy 2,93 mA (0) Vez, = 8,09 V (A) Ve= 8,09 V (e) Vp = 0,7 V (f) Ve =OV 3. (a) Ie = 3,98 mA (b) Ver 15,96 V (c) B = 199 (d) Rp S. (b) Rg = 812 kO (c) deg 3,4 mA, Veg, = 10,75 V (d) Bac = 136 (@) @ = 8,992 (0) Ie, = 7 mA (8) Pp = 36,55 mW (i) F 71,92 mW ()) Pr = 35,37 mW T. (a) Re = 2,2 kO (b) Re = 1.2 kO (c) Ry = 356 kO (4) Veg = 5,2 V © Vp=31V 9. fe, = 5,13 mA AL. (@) fe = 2,93 mA, Vex = 8,09 V (b) fe = 4,39 mA, Ver = 4,15 V (0) %Ale = 49,83%, %AVee = 48,70% (d) Ic = 2,92 mA, Veg = 8,61 V (@) Ic = 3,93 mA, Veg = 4,67 V () Sle = 34,59%, SVee = 46,16% 13. (@) fo = 1,28 mA (b) Ve = 1,54 V (©) Vp = 2,24 V (a) Ry = 39,4 KO 1S. Ic, = 3,49 mA. 1, (a) Ic = 2,28 mA (b) Veg = 8,2 V (©) ln = 19,02 pA (@) Ve = 2,28 V (e) Vp = 2,98 VE valida a andlise sproximada 19. (a) Re = 2,4 kM, Re = 0,8 KO (0) Ve=4V (6) Va = 4,7 V (@) R= 5,84 KO (©) Bac = 129,8 (€) 103,84 KO = 58,4 0 (confirma) 21. L. (a) Ie = 2,43 mA, Vee = 7,55.V (0) fc = 2,33 mA, Vex = 7,98 Vs (6) Método aprox. Sc = 0%, %MVer = 0% Método exato: %AMc = 2,19%, AVee = 2,68% (€) Alc = 2,19% vs. 49,83% para Prob. 11, %AVc— = 2,68% vs 49,70% para Prob. 11 (©) Contiguraséo divisor de tenséo éa menos sensivel I. %A © SAV ce so muito pequenos 01 mA (b) Ve = 3,02. V @) Vor = Dispositivas Eletronicos e Teoria de Cireuitos 25. Vode 5.98 Va831V 21, (@) Ip = 13,04 BA (b) Io = 2,56 mA (c) B= 196,32 (d) Vee = 8 V 29. (a) Ip = 13,95 HA (b) lo = L81 mA (©) Ve = ~4,42 V (@) Vee = 5,95 V 31. (@) fe = 3,32 mA (b) Vo = 4,02 V (©) Ver = 4,72 V 33. Rp = 430 KO, Re= 1,6 kM, Re = 3900 38. Re = 1,1 kM, Re = 51 KO, Ro = 15 KO 43 KO, Re = 0,62 kD 39. (a) Circuito aberto, transistor danificado 1 de coletor, jungio base- 6k, 41. @ Rol styl ste, Vet (b) BL, Je} (©) Inalterado (©) Veet tabs tel (OBE 1CE, Vacd s Vacs Veet 43, (a) Ry adeno, fp = OHA, Le = Teo ™ 0'mA, Ve ™ Voc = 18 V W) BT tots Vets Vagts Voed (Rel stat tet» Vet (@) Cai para uma testo 0 105 ¥ (6) Terminal de base aberto 43. Ve = -13,53 V, Ip 47. (a) Silico) = 91 (b) (Vee) 1,92 x 10-4 S (c) S(B) = 32,56 x 107° A (4) Alc = 1,66 mA 49. (a) S(lco) = 11,08 (b) S(Vag) = —1,27 x 10° S (c) S(B) = 2,41 x 10° A (d) Alc = 0,411 mA SI. S(Fcq) — Divsor de tenséo menor do que os outros tds iV) — Divisor de tensio mais sensivel do aeons ue apres neo 5/8) — Divisor de tensio € 0 menos sensvel. com a configuracio de polaiasio fina mais tensive Em geal aconigurago com divisor detensio éamenos sensvel, a conigurasio com polar zacio ira € a mais sensivel CAPITULO 5 3. (a) Vos = 1,4 V (b) re = 233,33 2 (©) Vos ~ 1,6 V (d) ra= 533,33 © (©) Vos ~ 1,4 V (£) ra = 933,33 (@) ra = 414,81 0 (h) ry = 933,2.0 G) Em geral, sim 1, (@) fp = 9 MA (b) Ip = 1,653 mA (©) Ip = 0 mA (@) Ip = 0 mA 15. Ipss = 12 mA. 17. Vps = 25 V, In 10 mA, Vos mA, Vps = 21, Ip = 4 mA (exatamemte de acordo) 29. Ipss = 11,11 mA 31. Vos = 25°V 35. Vp=2V, k= 5,31 x 10 Ip = 5,31 X 10™* (Vos = 2 VP 37. Vos = 27,36 V CAPITULO 6 1. (©) Ing = 4,7 MA, Vos, = 6,36 V (@ Ip, = 4,69 mA, Vos, = 6,37 V 3. (@) Ip = 3,125 mA (b) Vos = 9 V (©) Veo = 1,5 V $. Vo= 18V 7. Ip, = 2,6 mA, Ves = — 1.95 V 9 (8) Ing = 3,33 MA (b) Vos, ~ =1,7-V @ pss = 10,06 mA (8) Vo = 11,34 V (©) Vos = 9,64 V AL. Vs= 1,4 13. (a) Ip, = 5,8 mA, Vas, ~ 0,85 V. Ip, . Vos, ) (b) 216 0 18. (a) fog = 2,7 MA, Vos = —2 V (©) Vos = 8,12 V, Ve= 20 19. (2) Io, ~ 8,25 mA (b) Vos, = Vos, = 7,8 V (©) Vo = 12,1 V, V5 = 4,21 V (@) Vos = 7,89 V 2A. (@) Vo = 3,3 V (b) Ves, =1,25 V, Ip, = 3,75 mA (C) le 3,75 mA @) Ip = 23,44 WA (€) Vo 11,56 V (f) Ve= 15,88 V 2. R 27. D-S em curto-ctcuito:lp,,0uV;, ou combi nasfo com valores sna prtia do que 0 especifcado 29. (a) Ip, = 3 MA, Vos, = 1,55 V (©) Vos = -9,87 V (©) Vp = “114 V 4,68 mA vs. 4,69 mA de 16,38 V vs. 6,37 V de #1 CAPITULO 7 1. (2) 0 (b) Clipping (c) 80.4% 3. 1 kHz:Xe = 15,92 2 100 kHz: X¢ = 0,1592 0 ‘Sim, melhor em 100 kHz 7. (@) Z, 50 KO (b) fy, 8 WA (b) Z, =720 mV (4) f 5,747 mA 176,25 (£) A, ML (@) r= 15 2 (b) Z, (©) I, = 3,168 mA (4) V, = 6,97 V (6) Ay = 145,21 (9) fy = 32 WA 1B.) r= 8,571 0 (b) fy = 25 HA (©) l= 3,5 mA (d) A, = 132,84 (¢) A, = = 298,89 19, (a) Vo = ~160 V; (b) fy = 9,68 x 10 V, (@) y= 1 X 10” V, (4) 3,2% () Primeira aproximagéo valida 2A, (a) V, = 180 V, (b) fy 10 V, (€) y= 2,5 x 10-*Y, (a) 7,2% (€) Sim, menor do que 10% 2B. (a) hye = 100 (b) hi, = 120 28. (a) hie = 15 KO (6) he 2. he 2. 1 i 31. (@) 75% (b) 70% 33. (2) hie = 200 HS (b) 5 KM, nfo é uma boa aproximacéo 35. (a) hye (D) fe () Maximo: h,, ~ 30 (normalizado) imo: h, ~ 0,1 (normalizado) I. pequeno (@) Regito media 32 Ps CAPITULO 8 1) (b) A, (d) A, = =238,27, 4; = 53 3. (a) Ip = 23,85 HA, Le = 2,38 mA, r= 10,79 0 (b) Z, = 746,17 Q, Z, (c) A, = 411,99, A, = 139,73, (d) Z, = 746,17 ©, Z, = 1,98 KO A, = ~370,19, A, = 125,76 HL (a) r, = 8,72 0, Br, = 959,20 (b) Z, = 142,25 KO, Z, = 8,69 0 (c) A, ~ 0,997, A, = ~52,53 13. (a) fy = 4,81 WA, Le = 0,922 mA (b) 7. = 28,050 (e) Z, = 7,03 kO, Z, = 27,660 (4) A, = 0,986, A = ~3,47 15, A, = 163,2, A, = 0,9868 17. Re= 1,6KQ, Ry = 33,59 KO, Veo = 5,28V 19. (a) Z, = 0,62 KO, Z, = 1,66 kA Solugdes para Problemas impares Selecionados 643, (©) a= 0,992, B= 124, 1, = 9,450, r= IMO 2. (a) Z, 27. (a) Nao! (b) R, desconectado na base CAPITULO 9 3. Moss = 2,4 mS 40 KO, A, IL. (@) Smo = 4 MS, (b) Bm = 2,8 mS, =180 9. Z, ‘mS (d)2 mS (ec) 2 mS 0,75 mS, ry 6 mS, Fa © &m 21,2, = 1 MO, Z, =730.0.,A,=-2,19 23, Z, =9,7 MO, Z, =1,96k0, Vo= 5214.4 mV. 28. 29,7 MO, Z, =1,82k2.,A,= 198,8mV 27. Z, =10 MO, Z, = 512,99, 0.754 29. Z,=10 MO, Z, = 1k, A,= 0,66 31. Z, = 386,10, Z, = 292kD,Vo 0,636 mV 33. 11,73 mV 35. Z, =10 MM, Z, = 168k... =9.07 37. Z,= 9 MQ, Z, = 242,10 Ay = 0816 39. Z, = 1,T3MO, Z, = 215 kOAs= 477 41. 203 mv 43, -3,51mV 45, Re=180 9, Ry =2 KO CAPITULO 10 (€) © mesmo 4,7 kO:A, = ~ 191,65 “130,49 05 KOA, = —42,42 Como R, 4, A, | 5. (@) Ay, = 557,36, Z) = 616,52 0.°2, = 4,3 ka (©) A.= ~214,98, A, (a) A= 49,08 (©) A, = ~120,12, Como R, 1. A,, t 81,91 (6) Ay, = ~118,67, Como R, 4, A,, T (g) Inalterado 7. (b) A, = ~160 vs. ~162,4(#6) 9 (@) Avg = —3,61, Z; = 81,17 KO, Z,=3kO (©) A, = =2,2, Ay, = 2,18 (4) Nenhuma (e) A, = nenhuma, 4,, = ~2,17, quando R, 1... | (@auite poueco alterado para variag6es moderadas de R,, uma vez que Z, € normal- mente muito grande) AL. (@) Z, = 10,74 9, Z,= 4,7 KO, Age = 435,59 (0) A, = 236,83, Ay, = 22,97 (@) O mesmo (©) A, = 138,88 4,, = 2.92, A, bastante sensi- vel a um aumento em R, devido ao pequeno ZRLALAGL 1B. (a) Avy = 0,737, Z,= 2 MO, Z, = 0,867 KO (6) Ay, = Ay = 0,529 (@) Ay, = A, = 0,622, RA (€) Pouco efeito jd que R, >> Ry (0) Nao altera Z,0u Z, 1S. (a) A,, = ~97,67, A,, = 189 () A,, = 18,46 x 10", Ao, = USA X10? (A, = 97,67, A,,= 70 (2) A, = 6,84 10? (6) Sem efeito (f) Semeteito (9) Em fase CAPITULO 11 1. (@) 3, 1,699, ~0,151 (b) 6,908, 3,912, ~0,347 (©) Os resultados diferem por um fator de 2,3 3. (a) Igual: 13,98 (b) Igual: ~13,015 (©) Igual 0,699 S. Gapm = 43,98 dBm 7. Gap ~ 61,96 4B 9. (8) Gap = 69,83 dB (b) G, 82,83 dB (©) R, = 2 KO (d) Ve 1385,64 V 1. (@ [A = VT + 1950,43 Ha? () 100 Hz:[4,] = 0,051 1 kH2:|4,! = 0,456 2 kz:|A] = 0,716 5 kHz:/A,| = 0,932 10 kHz: |A,| = 0,982 (6) fi = 1950,43 Hz 13, (a) 10 kHz (b) 1 kHz (©) 5 kHz (@) 100 kz 15. (@) r. = 28,48. OA, = —72,91 (©) 2,7 2,455 KO (@ Ay, = ~54,68 (©) fi, = 103,4 Hz, f,, = 38,05 Hz, fi, = 235,79 He 644 DispostivosEletrdnicos e Teoria de Cienitos (DA * fie 17. (@) F, = 30,23. 0) Aug = 04983 (©) 2, 21,13 ko @A, = 0,955 (©) fi. 71,93 He, fi, = 193,16 Hz (A= Jig fh = 210 Hz Spice) 1B. (2) Vos, = ~2,45 Vs log 21 mA @) Sne =2 MS, fq = 1,18 mS 2A. (@) Vee 3,3 mA ©) &me 2,55 V, Ing = 91 mS f= fig = 41 He Z consderavelmente menor, mas ainda suf entemente maior do que Ry para produzit Ghnse neni efeio sobre AZ, pequeno; Sttrctanto, pode aumentaro vlor 3 fa, 23. (a) fis, 3,22 MHz ©) fa = 803 Mitz, f; = 883,3 MHz 25. (a) fy, = 584 MH2, fy, = 2,93 MHz (©) fo = 5,01 MHz, f; = 400, 27. (8) mo = 3,33 MS, gq = 1,91 mS 439, A, 29. f= 1,09 MHz 31. (@) v= 12,73 X 10°? [sen 2m{100 x 10°) + 4 sén 21300 10°) + # sen 224500 X 10°) + # sen 2n(700 x 108) + & sen 21900 x 10°)e] (b) BW = 500 kHz (©) f,, ~ 3,53 kHz CAPITULO 12, 1. Vo=0V, Vs= 14V, Vo = 9,86V 3. Vo = OV, Ve=1,4V, Vo = 103 5. Z;= 10MM, Z, = 21k 7. Ay: = ~75,8, Avz = ~311,% Ay = 23,682 9. Vp = 2,55 V, Ve = 1,85 V, 17. Vax = 4,88 V, Veo = 5,58 Vs Tc= 104,2 mA 19. (@) Q, on, Q2 on, Qs off, Qs off (b) Qs off, Qs off, Qs on, Qs on (©) Q; on, 2 off, Qs on, Qs off CAPITULO 14 1. CMRI 75,56 4B 18,75 V i. 1B. 1S. 17. 9. 21. Ac = 80 23. V, (deslocamento) = 105 mV CAPITULO 15 |. V, = 175 mV, rms v, 1S. fon = 1,45 kHz 17. fou = 318,3 Hz, fou = 397,9 Hz CAPITULO 16 10,4 W, P, = 640 mW 2,1 W 5 kM 3. Pe 5. Reet) Ta=447 9. Gn = 37% 13. (a) Maximo P= 8,7 W (©) Maximo P, = 39,06. (©) Méximo Sey = 78.5% 17. (@ P,= 27 W (b) Po ©) Sn = 29,6% (8) Pag 19. %Dz = 14,3%, %D3 = 48%, CAPITULO 17 9.V,=13V 13. Periodo = 204,8 us 17. f= 60 KH. 19. C = 133 pF 21. C, = 300 pF CAPITULO 18 14 3. 4 24k 5, Sem realimentagéo: A, Z,= 118 kO, Z, = 4,7 KO. (Com realimentagéo: Ay, = ~3,82, Zy = 45,8 KO. 7. fy= 4,2 Ki 9. fo = 1,05 MHz 11. f= 159,2 kHz -9,95 =14,3, Ry = 31,5 kD, Ry = -303,2, CAPITULO 19 1. Fator de ripple = 0,028 3. Tenso de ripple = 24,2 V 5. V,=12V 7. V, = 0,6 V rms, Va = 17 V 0,12 V rms 3,7 V 2 3.1% 0,325 V rms 7,6 V, fz = 3,66 mA 4,6 V 125 mA 27. V,=9,9V CAPITULO 20 3. 30:1 ou melhor € tipico, curto periodo de tempo, tipo de encapsulamento 5. 124% de aumento Vz = 25 V 4185 pF (b) k= 71 9. (a) C= 5,17 pF (b) Grético C= 5 pF UL. 7, = 50°C 13. Q = 26,93, Q cai sigificativamente com ‘aumento da freqdencia 2. fp 23. (a) 3750 A> 7500 A (&) = 8400 A (@) BW = 4200 A 25. (a) Silicio (b) Laranja 27. (a) = 0,9 Mife (b) = 380 Mufe (©) = TBA Regito de iluminagéo redu- ida 29. Vi=21V $31. Quando fe aumenta, ef diminuem expo- nencialmente 33. (a) @ = 5 mW (b) 2,27 lm 35. > = 3,44 mW 41, Niveis menores 45. R= 200. 47. R (vermistor) = 909 CAPITULO 21 5. (a) Sim (b) Nao (c) Nao (4) Sim, no 11. (a) = 0,7 mWiem? (b) 82,35% Solugdes para Problemas Impares Selecionados 645 19. Ip = 25 BA, Ie = 1 mA 21, (a) Para temperaturas decrescentes, 0,53 IC (b) Sim 23. [cll = 0,44 Relativamente eficiente 28. (a) [c= 3 mA (b) AR:At = 2,3:1 21. Zp = 87 KO, Zy = 181,8 9, ‘Até um certo aivel 29. (a) Sim, 8,18 V (b) R<2kM (© R= 1,82 KO.

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