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A otra temperatura, algunos electrones tendrn energa para pasar a la banda de conduccin.
Este proceso es estadstico.
1 1
N =2 f ( k )=2 EC (
k )E F
=2 2
k 2
2 k 22 2 k 23
1
k 1 ZB k 1 ZB k 1 ZB E C 0+ + + E F
K BT 2 m *1C 2 m *2 C 2 m *3 C
1+e KB T
1+e
2 k 21 2 k 22 2 k 23 1
( )
E V 0 + + E F
2 m *1 V 2 m *2 V 2 m * 3 V
1
KB T
P =2 1f ( k )=2 1 EV (
k )E F
=2 1+e
k 1 ZB
k 1 ZB k 1 ZB
KBT
1+e
g(E) dE: densidad de niveles de energa (en una banda) entre E y E + dE.
Si participa ms de una banda, sumaremos las contribuciones de cada
k banda.
n: banda ensima
Frmula general: g n (E )= dS3 1
k E n ( k )|
S (E ) 8 |
Sn(E): Superficie isoenergtica determinada
(Sin spin) n
E C ( max ) E C (max )
1
n= f (E )g C (E )dE = EE F
g C (E )dE
EC0 EC 0 kB T
1+e
EV 0 EV 0
1
p= [1f (E )] gV (E )dE =
EE F
g V (E )dE
E V (min) E V (min ) kBT
1+e
1/ 2
4 4 2(2 m *1 m *2 m * 3 )
V (E <E 1 )= b1 b2 b 3= (E 1 E 0 )3/ 2
3 3 3
4 1/ 2 1/2
dV = 3
(2 m * 1 m * 2 m * 3 ) (E 1 E 0 ) dE 1
Tema: Estadstica de Semiconductores 3
Electrnica Fsica - Juan E. Carceller
Clculo de la densidad de estados en una banda - II
VC
V
= 3C 2 (2 m *1 m *2 m *3 )3/ 2 (E 1 E 0 )1 /2 dE 1
2
En general, la densidad de estados entre E y E + dE, gC(E) dE, es:
(2 m *1 m * 2 m *3 )1 /2
g C (E )dE = (EE 0 )1/ 2 dE g C (E )(E E 0 )1/ 2
2 3 2
2 2 2 2 2 2
k1 k2 k3
Si la banda es de valencia: E ( k )=E 0
2 m *1 2 m * 2 2 m *3
k 21 k 22 k 23
Si E ( k )=E 1 + + =1
2 m *1 (E 0 E 1 ) 2 m * 2 (E 0E 1) 2 m *3 (E 0 E 1 )
2 2 2
(2 m *1 m * 2 m *3 )1/ 2
g V (E )dE = 3 2
(E 0E )1/2 dE
2
MC = No. mnimos equivalentes en la B. C. (m*dc)3 = MC2 m*1 m*2 m*3 = MC2 m*l (m*t)2
T=300 K Ge Si GaAs
Mc 4 6 1
(1) S. M. Sze - Physics of Semiconductor Devices
m*l / me 1.64 (1)
0.98 (1)
0,916 (2) 1981
(2) M.A. Green - Journal of Applied Physics, 67(6)
0.067(1) 1990, pags. 2944-2954
m*t / me 0.082(1) 0.19(1) 0.198(2)
m*dc / me 0.56(1) 1.08(1) 1.09(2) 0.067(1)
Si hay que considerar otros mnimos no equivalentes, hay que tratar los distintos tipos de
mnimos independientemente.
- Hay que considerar al menos la banda de huecos ligeros (lh) y la de huecos pesados (hh).
- Otra banda est muy cerca en k =0 (~ 40 meV, kBT ~ 25.86 meV). Es la denominada
split-off band. No la tendremos en cuenta
3/ 2
2 (2 m *lh , hh )
g V (l , h) (E )dE = (E V E )
1/ 2
dE (EV: Mximo de la banda de valencia).
3
h
3/ 2
2 (2 m *dv )
g V (E )dE =g Vl (E )dE +g Vh (E )dE = 3
(E V E )1/ 2 siendo (m * dv )3 /2 =(m *lh )3/ 2 +(m *hh )3/ 2
h
2 2
k1 2
3: Caso 1-D: E ( k )=E 0 + k 1= L1: Longitud del cristal
2 m *1 L1
1 1/2
g 1 D (E )dE = 2
2 m *1 (EE 0 )1/2 dE = 2 2 m *1 (E E 0 )1/2 dE g 1 D (E )(EE 0 )
4 h
g(E)dE representa la densidad (N. estados / Volumen, rea, longitud) entre E y E+dE
4 (2 m *dc )3/ 2
(EE C )1/ 2 4 (2 m *dc )3 /2
(E E C )1 /2
n
h
3 EE F
dE =
h
3 EE C +E C E F
dE
EC kBT EC kB T
1+e 1+e
E E C E C E F
Haciendo el cambio de variables x= ; =
kBT kBT
4 (2 m *dc k B T )3/2
x 1/ 2
n=
h3
1+e x e dx
0
n/ 2
x
1/2
x
F 1/ 2 ()= dx Integral de Fermi 1/2. En general: F n/ 2 ()= x
dx
x
0 1+e e 0 1+e e
E C E F
4 (2 m *dc )3/ 2
(EE C )1/ 2 k BT
n
h
3 EE F
dE Caso en que EC - EF >> kB T e 1
EC kB T
1+e
2
EE F E C E F
4 (2 m *dc )3/ 2
k BT 1/2 4 (2 m *dc k B T )3/ 2
kBT
n
h3
e (E E C ) dE =
h3
e ex x 1/2 dx
EC 0
NC(T)
3/2 E C E F E C E F 3/ 2
2 m * dc k B T T
( ) ( )
n=2 e kBT
=N C e kB T
N C (T )=N C (300 K)
h 2 300
EV EV
lh E V E
x=
EV kB T
4 (2 m *dv )3/ 2 (E V E )1/ 2 4 (2 m *dv k B T )3/2
x 1/ 2
p
h
3
E F E
dE =
h
3 1+e x e dx E F E V
kBT 0
1+e =
kBT
3/ 2
4 (2 m *dv k B T ) 2
x
1/ 2
= 3
e ( )
e +ex dx
h 2 0
E V E F E V E F
2(2 m *dv k B T )3/ 2 kB T kB T
p= 3
e I =N V (T )e I
h
Es otra forma de la integral de Fermi. Igual de complicado que la usada para el clculo de n.
EV E F E V
4 (2 m *dv )3/ 2 (E V E )1/ 2 k BT
p
h 3
E F E
dE Caso en que EF - EV >> kB T e 1
kB T
1+e
2
EV E F E
4 (2 m *dv )3/ 2
kB T 1/ 2 4 (2 m *dv k B T )3/ 2
p
h
3
e (E V E ) dE =
h
3
e ex x 1/ 2 dx
0
NV
E V E F E V E F 3/ 2
T
( )
3/2
2 m *dv k B T
p=2
( h
3 ) e
k BT
=N V e
kBT N V (T )=N V (300 K )
300
E c E f 1/ 2
k BT 2 x dx
n=N c e x E E F c
0 k T
e +e x B
2 x 1 /2 dx
I= x 0.993<I<1 si <<3.91 e=1/50
0e +e
E v E f 1/ 2
kBT 2 x dx
E E
p=N v e x v F E c E F E F E v 3.91k B T
0 k T
e +e x
B
T = 300 K Ge Si GaAs
NC (cm-3) 1.04 1019 2.8 1019 2.86 1019 (1) 4.7 1017
NV (cm-3) 6.0 1018 1.04 1019 3.10 1019 (1) 7.0 1018
E c +E v 3 m *dc E c +E v
Como n = p E F E Fi =
2
k B Tln
4 ( )
m *dv
E Fi
2
EFi: Nivel de Fermi Intrnseco
Los semiconductores intrnsecos tienen muy poca utilidad. Para su uso en dispositivos electrnicos
se impurifican controladamente. Ej: Si con As y con B.
As : Elemento de la columna V de la Tabla
Peridica: 5 Electrones en la ltima capa:
Un electrn queda sin enlace, debilmente
ligado. Muy facilmente pasa a electrn libre
Ec - E d Ge ~ 10 meV
Ea - E v Si, GaAs ~ 30 - 60 meV
- Na + Nd
N =
a E a E F
N =
d E d E F
kB T kBT
1+g a e 1+g d e
* Para los niveles de impurezas de 1017~1018 cm-3 (o menores), la estructura del cristal
no se modifica apreciablemente La de bandas tampoco:
2
np=n i