Cuntos huecos (P) y electrones (N) libres hay en un semiconductor en equilibrio

termodinmico a una temperatura T?

Si T = 0 K, las bandas de valencia estn completamente llenas. N = P = 0

A otra temperatura, algunos electrones tendrn energa para pasar a la banda de conduccin.
Este proceso es estadstico.

1 1
N =2 f ( k )=2 EC (
k )E F
=2 2
k 2
2 k 22 2 k 23
1
k 1 ZB k 1 ZB k 1 ZB E C 0+ + + E F
K BT 2 m *1C 2 m *2 C 2 m *3 C
1+e KB T
1+e

2 k 21 2 k 22 2 k 23 1

( )
E V 0 + + E F
2 m *1 V 2 m *2 V 2 m * 3 V
1
KB T
P =2 1f ( k )=2 1 EV (
k )E F
=2 1+e

k 1 ZB
k 1 ZB k 1 ZB
KBT
1+e

Formalmente est bien, pero estas expresiones son intratables.

Hay que buscar otra manera de proceder.

Tema: Estadstica de Semiconductores 1

Electrnica Fsica - Juan E. Carceller
 Sea Q= Q ( que vare suavemente con k , y si el cristal es de
k ) una funcin de k

k tamao grande:
3
k V Q 1 1
Q= Q ( k ) Q ( 3 )d 3 k

k)
8 3
= 3
8 k
Q ( k ) k q lim
V V
= lim
V 8
3

Q ( k ) 3
k =
8 3 1 Z.B.
Q (k
k k k
V
E max
1
n= 3
f ( 3
k )d k Si E ( k ) es continua (o cuasi-continua) en k : n= f (E ) g (E ) dE
8 1 Z.B. E min

g(E) dE: densidad de niveles de energa (en una banda) entre E y E + dE.
Si participa ms de una banda, sumaremos las contribuciones de cada
k banda.

n: banda ensima
Frmula general: g n (E )= dS3 1

k E n ( k )|
S (E ) 8 |
Sn(E): Superficie isoenergtica determinada
(Sin spin) n

por la banda n-sima

(Ashcroft, N.; Mermin, D., Solid State Physics - Pgs. 143-144)

E C ( max ) E C (max )
1
n= f (E )g C (E )dE = EE F
g C (E )dE
EC0 EC 0 kB T
1+e
EV 0 EV 0
1
p= [1f (E )] gV (E )dE =
EE F
g V (E )dE
E V (min) E V (min ) kBT
1+e

Tema: Estadstica de Semiconductores 2

Electrnica Fsica - Juan E. Carceller
 Clculo de la densidad de estados en una banda - I

Otra forma: 1: Caso 3-D: (Superficies isoenergticas elipsoidales).

2 k 21 2 k 22 2 k 23
E ( k )=E 0 + + +
2 m *1 2 m *2 2 m *3
kz
E=E1=Cte
k 21 k 22 k 23
Si E ( k )=E 1 + + =1
ky 2 m *1 (E 1E 0 ) 2 m *2 (E 1E 0 ) 2 m *3 (E 1 E 0 )
2 2 2

E1+dE1 Las superficies isoenergticas son elipsoides de semiejes:

kx
1/ 2 1/2 1/2
b1 = [ 2 m *1 (E 1 E 0 )/ 2 ] ; b2 = [ 2 m * 2 (E 1E 0 )/ 2 ] ; b 3= [ 2 m * 3 (E 1 E 0 )/ 2 ]

1/ 2
4 4 2(2 m *1 m *2 m * 3 )
V (E <E 1 )= b1 b2 b 3= (E 1 E 0 )3/ 2
3 3 3

Si aumentamos E1 a E1 + dE1, el volumen del elipsoide aumenta en dV:

4 1/ 2 1/2
dV = 3
(2 m * 1 m * 2 m * 3 ) (E 1 E 0 ) dE 1

Tema: Estadstica de Semiconductores 3
Electrnica Fsica - Juan E. Carceller
 Clculo de la densidad de estados en una banda - II

dV ( entre E 1 y E 1 +dE 1 ) dV (VC: Volumen del Cristal)

No. estados entre E 1 y E 1 +dE 1 : = =
Vol. 1 estado en esp. k 8
3

VC
V
= 3C 2 (2 m *1 m *2 m *3 )3/ 2 (E 1 E 0 )1 /2 dE 1
2
En general, la densidad de estados entre E y E + dE, gC(E) dE, es:

(2 m *1 m * 2 m *3 )1 /2
g C (E )dE = (EE 0 )1/ 2 dE g C (E )(E E 0 )1/ 2
2 3 2

2 2 2 2 2 2
k1 k2 k3
Si la banda es de valencia: E ( k )=E 0
2 m *1 2 m * 2 2 m *3

k 21 k 22 k 23
Si E ( k )=E 1 + + =1
2 m *1 (E 0 E 1 ) 2 m * 2 (E 0E 1) 2 m *3 (E 0 E 1 )
2 2 2

(2 m *1 m * 2 m *3 )1/ 2
g V (E )dE = 3 2
(E 0E )1/2 dE
2

Tema: Estadstica de Semiconductores 4

Electrnica Fsica - Juan E. Carceller
 Densidad de estados en la banda de conduccin (B. C.)

MC = No. mnimos equivalentes en la B. C. (m*dc)3 = MC2 m*1 m*2 m*3 = MC2 m*l (m*t)2

m*dc : Masa efectiva de la densidad de estados en la banda de conduccin.

Ec : Mnimo de energa de la banda de conduccin.

3/ 2
2 (2 m *dc ) 1/ 2
En la banda de conduccin: g C (E )dE = 3
(E E C ) dE
h

T=300 K Ge Si GaAs
Mc 4 6 1
(1) S. M. Sze - Physics of Semiconductor Devices
m*l / me 1.64 (1)
0.98 (1)
0,916 (2) 1981
(2) M.A. Green - Journal of Applied Physics, 67(6)
0.067(1) 1990, pags. 2944-2954
m*t / me 0.082(1) 0.19(1) 0.198(2)
m*dc / me 0.56(1) 1.08(1) 1.09(2) 0.067(1)

Si hay que considerar otros mnimos no equivalentes, hay que tratar los distintos tipos de
mnimos independientemente.

Tema: Estadstica de Semiconductores 5

Electrnica Fsica - Juan E. Carceller
 Clculo de la densidad de estados en la banda de valencia (B. V.)

- La banda de valencia est degenerada (2 veces) en k =0 en todos los casos de inters.

- Hay que considerar al menos la banda de huecos ligeros (lh) y la de huecos pesados (hh).

- Otra banda est muy cerca en k =0 (~ 40 meV, kBT ~ 25.86 meV). Es la denominada
split-off band. No la tendremos en cuenta
3/ 2
2 (2 m *lh , hh )
g V (l , h) (E )dE = (E V E )
1/ 2
dE (EV: Mximo de la banda de valencia).
3
h
3/ 2
2 (2 m *dv )
g V (E )dE =g Vl (E )dE +g Vh (E )dE = 3
(E V E )1/ 2 siendo (m * dv )3 /2 =(m *lh )3/ 2 +(m *hh )3/ 2
h

m*dv : Masa efectiva de la densidad de estados en la banda de valencia.

(1) S. M. Sze - Physics of Semiconductor Devices

T=300 K Ge Si GaAs 1981
(2) M.A. Green - Journal of Applied Physics, 67(6)
m*lh / me 0.044(1) 0.16(1) 0.082(1) 1990, pags. 2944-2954

m*hh / me 0.28(1) 0.49(1) 0,45(1) Ejercicio: Obtener la expresin de la

m*dv / me 0.29(1) 0.55(1) 1.15(2) 0.47(1) masa efectiva incluyendo la banda
split-off.

Tema: Estadstica de Semiconductores 6

Electrnica Fsica - Juan E. Carceller
 Clculo de la densidad de estados en sistemas 2D y 1D
2 2 2 2 2 2
k1 k 2 k1 k2
2: Caso 2-D: E ( k )=E 0 + + Si E (
k )=E 1 + =1
2 m *1 2 m *2 2 m *1 (E 1 E 0 ) 2 m * 2 (E 1 E 0 )
2 2

2 2 m *1 (E 1 E 0 ) 2 2 m * 2 (E 1 E 0 )
- Las lneas de energa constante son elipses de semiejes: b1 = 2
; b2 = 2

2
2 2 4
-El rea que ocupa cada estado k en una red de dimensiones L1, L2 es: x =
L1 L2 S C
1 2
g 2D (E )dE =
2 2
m * 1 m * 2 dE =
h2
m *1 m *2 dE
g2D(E) es independiente de la energa.

2 2
k1 2
3: Caso 1-D: E ( k )=E 0 + k 1= L1: Longitud del cristal
2 m *1 L1

1 1/2
g 1 D (E )dE = 2
2 m *1 (EE 0 )1/2 dE = 2 2 m *1 (E E 0 )1/2 dE g 1 D (E )(EE 0 )
4 h

g(E)dE representa la densidad (N. estados / Volumen, rea, longitud) entre E y E+dE

Tema: Estadstica de Semiconductores 7

Electrnica Fsica - Juan E. Carceller
 Densidad de electrones en la banda de conduccin en equilibrio termodinmico

La densidad de electrones (3-D) en la banda de conduccin, n es:

E C (max ) E C (max )
4 (2 m *dc )3/2 1 1/2
n=2 f (E )g C (E )dE =
h
3 E E F
(E E C ) dE
E C (min) EC kBT
1+e

4 (2 m *dc )3/ 2
(EE C )1/ 2 4 (2 m *dc )3 /2
(E E C )1 /2
n
h
3 EE F
dE =
h
3 EE C +E C E F
dE
EC kBT EC kB T
1+e 1+e
E E C E C E F
Haciendo el cambio de variables x= ; =
kBT kBT

4 (2 m *dc k B T )3/2
x 1/ 2
n=
h3
1+e x e dx
0

n/ 2

x
1/2
x
F 1/ 2 ()= dx Integral de Fermi 1/2. En general: F n/ 2 ()= x
dx
x
0 1+e e 0 1+e e

No se conocen expresiones analticas exactas para Fn/2(). Si es necesario se utilizan

aproximaciones analticas (polinmicas) por tramos.

Tema: Estadstica de Semiconductores 8

Electrnica Fsica - Juan E. Carceller
 Densidad de electrones en la banda de conduccin en equilibrio termodinmico

E C E F
4 (2 m *dc )3/ 2
(EE C )1/ 2 k BT
n
h
3 EE F
dE Caso en que EC - EF >> kB T e 1
EC kB T
1+e

2
EE F E C E F
4 (2 m *dc )3/ 2
k BT 1/2 4 (2 m *dc k B T )3/ 2
kBT

n
h3
e (E E C ) dE =
h3
e ex x 1/2 dx
EC 0

NC(T)

3/2 E C E F E C E F 3/ 2
2 m * dc k B T T
( ) ( )

n=2 e kBT
=N C e kB T
N C (T )=N C (300 K)
h 2 300

- NC: Densidad equivalente de estados en la banda de conduccin

Tema: Estadstica de Semiconductores 9

Electrnica Fsica - Juan E. Carceller
 Densidad de huecos en la banda de valencia

La densidad de huecos (3-D) en la banda de valencia, p es:

E Vl (max ) E Vh (max )
E
k
p=2 [ 1f (E )] g Vl (E )dE +2 [1f (E )] g Vh (E )dE
E Vl (min) E Vh (min)

EV EV

dE p2 [1f (E )][ g Vl (E )+g Vh (E )]dE =2 [1f (E )] g V (E )dE

hh

lh E V E
x=
EV kB T
4 (2 m *dv )3/ 2 (E V E )1/ 2 4 (2 m *dv k B T )3/2
x 1/ 2
p
h
3

E F E
dE =
h
3 1+e x e dx E F E V
kBT 0
1+e =
kBT
3/ 2
4 (2 m *dv k B T ) 2

x
1/ 2
= 3
e ( )

e +ex dx
h 2 0

E V E F E V E F
2(2 m *dv k B T )3/ 2 kB T kB T
p= 3
e I =N V (T )e I
h

Es otra forma de la integral de Fermi. Igual de complicado que la usada para el clculo de n.

Tema: Estadstica de Semiconductores 10

Electrnica Fsica - Juan E. Carceller
 Densidad de huecos en la banda de valencia

EV E F E V
4 (2 m *dv )3/ 2 (E V E )1/ 2 k BT
p
h 3

E F E
dE Caso en que EF - EV >> kB T e 1
kB T
1+e
2
EV E F E
4 (2 m *dv )3/ 2
kB T 1/ 2 4 (2 m *dv k B T )3/ 2
p
h
3

e (E V E ) dE =
h
3

e ex x 1/ 2 dx
0

NV

E V E F E V E F 3/ 2
T
( )
3/2
2 m *dv k B T
p=2
( h
3 ) e
k BT
=N V e
kBT N V (T )=N V (300 K )
300

- NV: Densidad equivalente de estados en la banda de valencia

- Un semiconductor tal que EC - EF >> kBT y EF - EV >> kBT se denomina semiconductor no

degenerado.

Tema: Estadstica de Semiconductores 11

Electrnica Fsica - Juan E. Carceller
 Condiciones de validez de la aproximacin de la integral de Fermi

E c E f 1/ 2

k BT 2 x dx
n=N c e x E E F c
0 k T
e +e x B

2 x 1 /2 dx
I= x 0.993<I<1 si <<3.91 e=1/50
0e +e
E v E f 1/ 2
kBT 2 x dx
E E
p=N v e x v F E c E F E F E v 3.91k B T
0 k T
e +e x
B

Para que I introduzca un error 0.7%

T = 300 K Ge Si GaAs
NC (cm-3) 1.04 1019 2.8 1019 2.86 1019 (1) 4.7 1017
NV (cm-3) 6.0 1018 1.04 1019 3.10 1019 (1) 7.0 1018

S. M. Sze - Physics of Semiconductor Devices, 1981

(1) M.A. Green - Journal of Applied Physics, 67(6) 1990, pags. 2944-2954

Tema: Estadstica de Semiconductores 12

Electrnica Fsica - Juan E. Carceller
 Ideograma de la generacin de pares electrn-hueco:

Los electrones quedan libres para el transporte de

corriente.

Los huecos tambin participan en el transporte de

corriente : Un electrn ligado puede ocupar el puesto
de un hueco
En estos materiales ideales n=p=n i Semiconductores intrnsecos
ni (cm-3) (T = 300 K)
Ge Si GaAs
2
n p=n i Ley de accin de masas 2,271013 6,7109 2,0106
Calculado
EG

n 2i = n p = N c N v e
k BT
= 2,41013 1,451010 1,79106
Medido
E 1,071010(1)
G
3 k BT
= Cte(semic ) T e = f (semic . ,T ) S. M. Sze - Physics of Semiconductor Devices, 1981
(1) M.A. Green - Journal of Applied Physics, 67(6) 1990,
pags. 2944-2954

E c +E v 3 m *dc E c +E v
Como n = p E F E Fi =
2
k B Tln
4 ( )
m *dv
E Fi
2
EFi: Nivel de Fermi Intrnseco

Problema: Son buenos conductores el Si y el GaAs a T ambiente? Compararlos con

el aluminio o el cobre. ( = q n n + q p p)
Tema: Estadstica de Semiconductores 13
Electrnica Fsica - Juan E. Carceller
 Semiconductores extrnsecos (I)

Los semiconductores intrnsecos tienen muy poca utilidad. Para su uso en dispositivos electrnicos
se impurifican controladamente. Ej: Si con As y con B.
As : Elemento de la columna V de la Tabla
Peridica: 5 Electrones en la ltima capa:
Un electrn queda sin enlace, debilmente
ligado. Muy facilmente pasa a electrn libre

B : Elemento de la columna III de la Tabla

Peridica: 3 Electrones en la ltima capa:
Un enlace queda sin completar, debilmente
ligado. Muy facilmente pasa a hueco libre

Impurezas donantes: Aquellas cuyo estado Tipo Impurezas Ge, Si GaAs

de carga es 0 o positivo (ceden un electrn). Donantes P, As, Sb S, Se, Te
Impurezas aceptadoras: Aquellas cuyo estado Aceptadoras B, Ga, Al, In Be, Zn, Cd
de carga es 0 o negativo (ceden un hueco) Amfotricas Si, Ge

Tema: Estadstica de Semiconductores 14

Electrnica Fsica - Juan E. Carceller
 Semiconductores extrnsecos (II)

Diagrama de Bandas de los semiconductores

extrnsecos a 0 K y 50 K

Ec - E d Ge ~ 10 meV
Ea - E v Si, GaAs ~ 30 - 60 meV

Niveles actuales de impurificacin:

Na, Nd ~ 1017 a 1018 cm-3

Mayores niveles de impurificacin:

Bandas de impurezas
Otras impurezas: Centros profundos,
niveles recombinantes, trap centers

Factores de ocupacin de las impurezas:

- Na + Nd
N =
a E a E F
N =
d E d E F

kB T kBT
1+g a e 1+g d e

Tema: Estadstica de Semiconductores 15

Electrnica Fsica - Juan E. Carceller
 Ecuaciones para el clculo de n y p en un semiconductor

* Para los niveles de impurezas de 1017~1018 cm-3 (o menores), la estructura del cristal
no se modifica apreciablemente La de bandas tampoco:
2
np=n i

* Condicin de neutralidad Elctrica: En materiales con dopado uniforme o que no vare

muy rpidamente:
E v E F E c E F
k BT Nd
kB T Na
( r )=0 p( r )+N +d (r )=n(r )+N a- ( r ) Nv e + E d E F
= Nce + E a E F

kBT kBT
1+g d e 1+g a e

En condiciones habituales, N +d =N d ; N -a=N a ; p n =N aN d y para concentraciones de

impurezas tpicas:
2
ni
Si N a N d >0 ; pN a N d ; n= pn Semiconductor tipo P
N a N d
n2i
Si N d N a >0 ; nN d N a ; p= n p Semiconductor tipo N
N d N a
Normalmente, se pone slo Na Nd (salvo que tengan valores muy parecidos)

Tema: Estadstica de Semiconductores 16

Electrnica Fsica - Juan E. Carceller