Materiais elétricos: propriedades e aplicações

UNIVERSIDADE FEDERAL DE GOIS
ESCOLA DE ENGENHARIA ELTRICA,

MECNICA E DE COMPUTAO
APOSTILA DA DISCIPLINA
MATERIAIS ELTRICOS
VERSO 2017_1
Ementa: estudo dos materiais e dispositivos condutores, semicondutores, isolantes

e magnticos; propriedades, fenmenos e conceitos bsicos de interesse.
Prof. Dr. Gelson Antnio Andra Brigatto

BIBLIOGRAFIA
Bsica:
1. SCHIMIDT, Walfredo. Materiais Eltricos, Vols. I e II, Edgard Blcher, So Paulo, 1979.
2. SHACKELFORD, James F. Cincia dos Materiais, 6 Edio, Prentice-Hall, 2008.
3. CALLISTER, William D. Fundamentos da Cincia e Engenharia de Materiais, 2a Ed., Editora LTC, 2006.
4. SEDRA, Adel S., Microeletrnica, 5o Edio, Makron Books, 2007.
Complementar:
1. SARAIVA, Delcyr B. Materiais Eltricos, Editora Guanabara Dois, Rio de Janeiro, 1983.
2. BOYLESTAD, Robert, NASHELSKY, Louis, Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos, 6 Edio,
Prentice-Hall do Brasil Ltda, 1998.
3. HALLIDAY, D., RESNICK, R., Fsica, 4 Edio, Livros Tcnicos e Cientficos, .
4. MILLMAN, Jacob; Grabel, Arvin. Microeletrnica, Vol. I, Editora McGraw Hill, 1991.
5. COTRIM, Ademaro, Instalaes Eltricas, 4 Edio, Prentice-Hall, 2003
NDICE
CAPTULO 1: Tpicos introdutrios ............................................................................................................................... 1

1.1) Propriedades de interesse dos materiais ................................................................................................................ 1
1.1.1) Propriedades eltricas ..................................................................................................................................... 1
1.1.2) Propriedades magnticas ................................................................................................................................ 1
1.1.3) Propriedade fsicas ......................................................................................................................................... 1
1.1.3.1) Estado fsico ............................................................................................................................................ 1
1.1.3.2) Massa especfica ...................................................................................................................................... 2
1.1.4) Propriedades mecnicas.................................................................................................................................. 3
1.1.4.1) Resistncia mecnica ............................................................................................................................... 3
1.1.4.2) Elasticidade ............................................................................................................................................. 3
1.1.4.3) Outras propriedades mecnicas de interesse ........................................................................................... 4
1.1.5) Propriedades trmicas ..................................................................................................................................... 4
1.1.5.1) Dilatao trmica ..................................................................................................................................... 4
1.1.5.2) Condutividade trmica............................................................................................................................. 5
1.1.5.3) Calor especfico ....................................................................................................................................... 6
1.1.6) Propriedades qumicas - Resistncia corroso ............................................................................................. 7
1.1.7) Fator custo dos materiais ................................................................................................................................ 7
1.1.7.1) Exemplo de caso: cobre versus alumnio ................................................................................................ 8
1.2) Modelo da matria por bandas de energia ............................................................................................................. 9
1.2.1) Nveis de energia estacionrios ...................................................................................................................... 9
1.2.2) Bandas de energia e classificao eltrica dos materiais .............................................................................. 11
1.3) Tpicos complementares ..................................................................................................................................... 12
1.3.1) Pilhas e baterias ............................................................................................................................................ 12
1.3.2) Lmpadas...................................................................................................................................................... 13
1.3.3) Fibra tica ..................................................................................................................................................... 15
1.3.4) Laser ............................................................................................................................................................. 16
1.3.5) Clula combustvel a hidrognio .................................................................................................................. 17
1.4) Exerccios propostos............................................................................................................................................ 17
CAPTULO 2: Materiais e dispositivos condutores ....................................................................................................... 19
2.1) Fenmeno da conduo eltrica .......................................................................................................................... 19
2.1.1) Condutividade e resistncia eltricas............................................................................................................ 19
2.1.2) Fatores que influenciam na resistncia eltrica ............................................................................................ 21
2.1.2.1) Grau de impureza e imperfeies no material ....................................................................................... 21
2.1.2.2) Temperatura........................................................................................................................................... 21
2.1.2.3) Efeito pelicular ...................................................................................................................................... 23
2.2) Materiais e dispositivos condutores..................................................................................................................... 24
2.2.1) Os metais e suas caractersticas .................................................................................................................... 24
2.2.2) Ligas metlicas ............................................................................................................................................. 26
2.2.3) Carvo para fins eltricos ............................................................................................................................. 28
2.2.4) Conexes eltricas ........................................................................................................................................ 28
II
2.2.5) Condutores eltricos ..................................................................................................................................... 29
2.2.6) Resistores e resistncias ............................................................................................................................... 30
2.2.7) Bimetais ........................................................................................................................................................ 32
2.3) Tpicos complementares ..................................................................................................................................... 33
2.3.1) Termoeletricidade ......................................................................................................................................... 33
2.3.2) Supercondutividade ...................................................................................................................................... 34
CAPTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes........................................................................................................... 37
3.1) Propriedades e fenmenos ................................................................................................................................... 37
3.1.1) Rigidez dieltrica .......................................................................................................................................... 37
3.1.2) Polarizao dieltrica ................................................................................................................................... 37
3.1.3) Permissividade dieltrica .............................................................................................................................. 38
3.1.4) Capacitncia ................................................................................................................................................. 39
3.1.5) Perdas, fator de perdas e efeito Corona ........................................................................................................ 39
3.2) Materiais e dispositivos isolantes ........................................................................................................................ 41
3.2.1) Materiais isolantes e dieltricos.................................................................................................................... 41
3.2.2) Isolamentos e isoladores ............................................................................................................................... 41
3.2.3) Capacitores ................................................................................................................................................... 43
3.2.4) Eletretos e cristais piezoeltricos.................................................................................................................. 44
CAPTULO 4: Materiais e dispositivos magnticos ...................................................................................................... 46
4.1) Propriedades e fenmenos ................................................................................................................................... 46
4.1.1) Polarizao magntica .................................................................................................................................. 46
4.1.2) Permeabilidade magntica e classificao dos materiais ............................................................................. 47
4.1.3) Magnetizao, retentividade magntica e ciclo de histerese ........................................................................ 47
4.1.4) Induo eletromagntica, indutncia e correntes de Foucault ...................................................................... 49
4.2) Materiais e dispositivos magnticos .................................................................................................................... 50
4.2.1) Materiais e ligas ferromagnticas ................................................................................................................. 50
4.2.2) Bobinas magnticas ...................................................................................................................................... 51
4.2.3) Mquinas eltricas ........................................................................................................................................ 53
4.2.4) Rels eletromecnicos e transdutores ........................................................................................................... 55
CAPTULO 5: Introduo teoria dos semicondutores ................................................................................................. 57
5.1) Semicondutor intrnseco ...................................................................................................................................... 57
5.1.1) Fenmenos de transporte em semicondutores .............................................................................................. 57
5.1.2) Componentes semicondutores puros ............................................................................................................ 59
5.2) Semicondutor extrnseco .................................................................................................................................... 60
5.2.1) Dopagem e classificao .............................................................................................................................. 61
5.2.2) Condutividade e densidade de corrente de conduo ................................................................................... 61
5.2.3) Efeito Hall .................................................................................................................................................... 63
5.3) Juno PN ........................................................................................................................................................... 64
5.3.1) Corrente de difuso e densidade de corrente total ........................................................................................ 64
5.3.2) Juno PN, camada de depleo e barreira de potencial .............................................................................. 65
5.3.3) Modos de polarizao do cristal PN ............................................................................................................. 67
CAPTULO 6: Dispositivos a juno PN - I: diodos...................................................................................................... 69
6.1) Aspectos gerais .................................................................................................................................................... 69
6.1.1) Smbolos, convenes e especificaes mximas ........................................................................................ 69
6.1.2) Caracterstica corrente-tenso e modos de operao .................................................................................... 70
6.2) Anlise de circuitos com diodos .......................................................................................................................... 71
6.2.1) Conceito de reta de carga ............................................................................................................................. 72
6.2.2) Modelos do diodo para grandes sinais e baixas frequncias ........................................................................ 73
6.2.3) Anlise CC ................................................................................................................................................... 74
6.2.4) Anlise CA ................................................................................................................................................... 76
6.2.4.1) Retificadores com diodos ...................................................................................................................... 78
6.2.4.2) Ceifadores com diodos .......................................................................................................................... 81
6.3) Comportamentos do diodo em pequenos sinais .................................................................................................. 85
6.3.1) Modelo do diodo para pequenos sinais e altas frequncias .......................................................................... 85
6.3.1.1) Resistncia incremental ......................................................................................................................... 85
6.3.1.2) Capacitncia de difuso ......................................................................................................................... 86
6.3.2) Tempo de recuperao reversa ..................................................................................................................... 87
6.4) Cristais PN de finalidade especfica .................................................................................................................... 88
III
6.4.1) Diodo zener .................................................................................................................................................. 88
6.4.1.1) Regulador de tenso com zener ............................................................................................................. 90
6.4.2) Componentes optoeletrnicos ...................................................................................................................... 92
6.4.2.1) Diodos emissores de luz ........................................................................................................................ 92
6.4.2.2) Fotodiodo e clula fotovoltaica ............................................................................................................. 93
6.4.2.3) Optoacopladores .................................................................................................................................... 95
6.4.3) Diodo Schottky ............................................................................................................................................. 95
6.4.4) Varicap ......................................................................................................................................................... 95
6.4.5) Varistores...................................................................................................................................................... 96
CAPTULO 7: Dispositivos a juno PN - II: TBJ ........................................................................................................ 99
7.1) Aspectos gerais .................................................................................................................................................... 99
7.2) Modos de operao do TBJ ............................................................................................................................... 101
7.3) Configuraes do TBJ ....................................................................................................................................... 102
7.3.1) Efeito Early................................................................................................................................................. 103
7.3.2) Configurao base-comum ......................................................................................................................... 103
7.3.3) Configurao emissor-comum.................................................................................................................... 105
7.3.4) Configurao coletor comum ..................................................................................................................... 106
7.4) Anlise CC de circuitos com TBJ ..................................................................................................................... 106
7.4.1) Linhas de alimentao ................................................................................................................................ 106
7.4.2) Reta de carga .............................................................................................................................................. 107
7.4.3) Modelos esquemticos do TBJ ................................................................................................................... 108
7.4.4) Metodologia da anlise CC ........................................................................................................................ 110
7.4.5) Aplicaes bsicas do TBJ ......................................................................................................................... 113
7.5) Tpico complementar: fototransistor ................................................................................................................ 116
7.6) Exerccios propostos.......................................................................................................................................... 117
Apndice: respostas de alguns exerccios propostos......................................................................................................120
PREFCIO
O ramo da Engenharia Eltrica exibe uma permanente seqncia de desenvolvimentos e descobertas

cientficas, ostentando uma surpreendente evoluo na rea de materiais e componentes e no campo dos
mtodos, processos produtivos e de automatizao que perdura at os dias atuais. A evoluo da Fsica
macroscpica e microscpica, aliada capacidade tcnica do engenheiro-pesquisador, tem possibilitado aos
centros de pesquisa uma avaliao mais precisa das propriedades dos materiais, ao determinar as condies
de variao com os parmetros do meio e definir para estes um amplo espectro de contornos e aplicaes.
No raro, o Engenheiro do ramo eltrotcnico solicitado para cooperar com profissionais de outras
especialidades no estabelecimento de especificaes ou caractersticas desejveis a um certo material ou
sistema a ser utilizado em novos equipamentos. Para que este objetivo seja satisfatoriamente alcanado,
torna-se imprescindvel a habilidade tcnica e profissional aliada a um conhecimento mais abrangente sobre
as leis e fenmenos fsicos, estruturas fsico-qumicas da matria e propriedades, para se obter a adequada
especificao nas diversas aplicabilidades encontradas para os materiais em Eletrotcnica.
Materiais Eltricos uma das disciplinas do ncleo especfico do curso de Engenharia Eltrica, por
abordar teorias bsicas para disciplinas como Instalaes Eltricas, Mquinas Eltricas, Transformadores e
Eletrnica, dentre outras. Seu contedo visa a anlise das propriedades e fenmenos dos materiais de que
so constitudos os equipamentos e componentes eletro-eletrnicos, e deve possibilitar ao aluno raciocinar
em termos de matrias primas para proceder sua adaptao s condies de projeto e servio, conferindo
ento ao aluno conhecimentos mais amplos para melhor atuar em sua atividade profissional.
Assim, Materiais Eltricos constitui-se em uma disciplina bsica para a adequada compreenso dos
diversos equipamentos e componentes que sero estudados posteriormente no curso de Engenharia Eltrica.
IV
CAPTULO 1: TPICOS INTRODUTRIOS
Este captulo tem como objetivo realizar um estudo introdutrio sobre diversas propriedades de interesse dos
materiais normalmente empregados em Eletrotcnica e apresentar conceitos sobre modelos de estrutura atmica para
melhor entendimento de alguns fenmenos, bem como conhecer algumas aplicaes tecnolgicas dos materiais.
1.1) PROPRIEDADES DE INTERESSE DOS MATERIAIS
Os materiais raramente atendem a todos os requisitos tcnicos necessrios ao desenvolvimento de um bom

produto final e sua escolha para uma determinada aplicao normalmente justificada pelas diversas propriedades de
interesse que apresentam, tais como eltricas, magnticas, fsicas, mecnicas, trmicas e qumicas, alm do seu custo.
Logo, estas propriedades devem ser consideradas para proceder-se uma anlise criteriosa de quais materiais utilizar e
quais substituir e as escolhas devem recair naqueles com caractersticas mais vantajosas. Um texto introdutrio sobre
diversos fenmenos que definem propriedades dos materiais de interesse em Eletrotcnica visto a seguir.
1.1.1) PROPRIEDADES ELTRICAS
Quando submetidos a campos eltricos, os materiais desempenham determinados comportamentos que definem
suas propriedades eltricas e os classificam dentro das trs classes caracterizados por estes desempenhos: condutores,
semicondutores e isolantes. No campo da Eletrotcnica, as propriedades eltricas de maior interesse so:
Condutividade eltrica: quantifica a maior ou menor disponibilidade do material em permitir um fluxo ordenado
de cargas livres por seu meio (a chamada corrente eltrica), quando este submetido a uma diferena de potencial
(a chamada tenso eltrica). Esta quantificao pode ser tambm descrita pela oposio a este fluxo, denominada
resistividade, ou seja, o inverso da condutividade. Estas propriedades esto diretamente relacionadas com a perda
de energia no material na forma de calor, conhecida como Efeito Joule, que decorre do choque entre eltrons em
movimento com eltrons estacionrios no material, sendo sua determinao essencial para aplicaes onde exige-
se um transporte de energia com mnimas perdas. Estas propriedades eltricas so de maior interesse no estudo dos
materiais ditos condutores, alm dos ditos semicondutores, e sero mais detidamente estudadas no Captulo 2.
Permissividade dieltrica: a propriedade que descreve e quantifica o quanto a estrutura atmica de um material
dito isolante eltrico, se polariza em oposio ao adensamento de um campo eltrico externo aplicado, ou seja, a
capacidade de polarizao do material. Esta propriedade ser mais detidamente estudada no Captulo 3.
Rigidez dieltrica: a propriedade que expressa o limite mximo de diferena de potencial eltrico (tenso) por
unidade de espessura, que um material isolante eltrico pode suportar sem ter sua estrutura fsica rompida, ou seja,
a capacidade de isolao eltrica do material. Esta propriedade ser mais detidamente estudada no Captulo 3.
1.1.2) PROPRIEDADES MAGNTICAS
Quando submetidos a fluxos de campo magntico, os materiais desempenham determinados comportamentos

que definem suas propriedades magnticas. Em Eletrotcnica, as propriedades de maior interesse so definidas por:
Permeabilidade magntica: descreve o grau de polarizao de materiais a fluxos magnticos aplicados, fenmeno
conhecido como magnetizao. Certos materiais exibem ainda um limite para esta polarizao, chamado saturao.
Retentividade: quantifica a capacidade do material em manter um magnetismo residual com a retirada do campo.
Alm disso, os materiais podem apresentar certa capacidade de produzir foras eletromotrizes em sua estrutura,
quando submetidos a fluxos magnticos variantes no tempo, efeito este denominado induo eletromagntica.
Estas propriedades sero mais detidamente vistas no Captulo 4 com o estudo dos materiais ditos magnticos.
1.1.3) PROPRIEDADE FSICAS
As propriedades fsicas esto relacionadas com o grau de agrupamento dos tomos constituintes da estrutura
atmica dos materiais, sendo o estado fsico e a massa especfica as de maior interesse em aplicaes eletrotcnicas.
1.1.3.1) Estado fsico
O estado fsico definido pela distncia guardada entre si pelos tomos de um material e classificados como:
Slidos: so formados por tomos ou molculas que permanecem muito prximos entre si e no se movimentam,
apenas vibram em torno de uma posio de equilbrio, adquirindo, desse modo, forma prpria e volume constante.
De acordo com a distribuio espacial de seus tomos, molculas ou ons, os slidos podem ser classificados em:
1
Captulo 1: Tpicos introdutrios
Arranjos cristalinos: nestes a distribuio ocorre em uma forma

geomtrica bem definida, denominada clula, que se repete em
todas as dimenses, constituindo-se na chamada rede cristalina.
As distribuies mais comuns so: sistema cbico (Figura 1.1),
compreendendo o tipo simples (silcio, germnio, etc.), de corpo
centrado (ferro, tungstnio, cromo, etc.) e face centrada (cobre,
alumnio, prata ouro, nquel, etc.); sistema hexagonal (zinco,
magnsio, cdmio, etc.); e tetragonal (estanho, etc.).
Arranjos amorfos: materiais com distribuio dos tomos sem (a) (b) (c)
uma ordenao definida. Exemplos: grafita, vidros e polmeros.
Em geral, os slidos so usados em aplicaes onde se exige a Figura 1.1: Sistemas cbicos: (a) simples;
manuteno da integridade fsica do material para este manter sua (b) corpo centrado, (c) face centrada.
funo. So os materiais de maior uso em Eletrotcnica (equipamentos, componentes, estruturas de apoio, etc).
Lquidos: so constitudos por molculas mais afastadas que nos slidos e com liberdade de se movimentarem de
modo a no guardar posio entre si, apresentando ento volume constante mas no forma prpria. Exemplos de
materiais lquidos empregados em aplicaes eletrotcnicas so as solues eletrolticas em pilhas e baterias, leos
isolantes eltricos em transformadores e chaves, pastas condutoras trmicas, tintas, esmaltes, vernizes, etc.
Gasosos: so materiais formados por tomos, molculas ou ons (plasma) bastante afastados entre si e que tendem
a se manter em expanso devido ao constante movimento, no apresentando ento forma ou volume constante. Em
aplicaes eletrotcnicas so principalmente gases e vapores em lmpadas (argnio, vapores de sdio e mercrio,
neon etc.) e como meio isolante entre fios e cabos (ar) e em disjuntores de potncia e cabos subterrneos (gs SF6).
Comentrio: as ligaes qumicas so unies estabelecidas entre tomos de acordo com a teoria do octeto (os tomos
alcanam a estabilidade quando adquirem oito eltrons na ltima camada, salvo excees), de forma a constiturem a
estrutura bsica dos diversos materiais e substncias. As ligaes qumicas ocorrem basicamente de trs formas:
Ligao inica: este tipo baseia-se na atrao eletrosttica entre dois ons com cargas opostas, por meio da doao
e recepo de eltrons. A ligao inica formada por um metal, que possui grande eletropositividade (tendncia a
doar eltrons devido sua baixa energia de ionizao), formando um on positivo (ction), e um ametal, que tem
grande eletronegatividade (tendncia a ganhar eltrons), formando um on negativo (nion). Estes ons de sinais
opostos tendem ento a se atrair devido fora eletrosttica e formam a ligao inica. Os compostos inicos (sais
e bases) so slidos nas condies ambientes e conduzem corrente eltrica quando dissolvidos ou fundidos.
Ligao covalente ou molecular: ocorre entre tomos que possuem a tendncia de realizar o compartilhamento de
eltrons em sua camada de valncia, no havendo a formao de ons, pois as estruturas cristalinas formadas so
eletronicamente neutras. Compostos moleculares podem ser encontrados nos trs estados fsicos (exemplos: silcio,
germnio, diamante, cermicas, polmeros, gua, oxignio gasoso, etc.) e no conduzem eletricidade quando puros.
Ligao metlica: este tipo caracterstico de tomos constituintes de um metal. Por ter grande tendncia a perder
eltrons, os eltrons de um metal podem saltar de seus tomos, criando ons positivos, e passam a se movimentar
livremente por entre estes ons formando uma nuvem de eltrons em sua volta. Estes eltrons livres atraem e so
atrados pelos ons positivos, funcionando ento como uma cola que origina uma grande fora de atrao entre
os tomos do material. A disposio resultante, contudo, se compe de um retculo cristalino eletricamente neutro.
1.1.3.2) Massa especfica
A propriedade que descreve a quantidade de massa m de um material necessria para ocupar um determinado
volume V amostral do material denominada massa especfica (unidade usual: g/cm3), sendo ento definida por:
m
(1.1)
V
Como exemplo de aplicao de interesse nesta propriedade tem-se os cabos eltricos de redes areas, cujo peso
est diretamente relacionado com as solicitaes mecnicas transferidas s estruturas destinadas ao seu apoio (postes,
torres, cruzetas, isoladores, etc.). Desse modo, materiais de baixa massa especfica so desejveis para a construo
destes cabos, pois acarretam em estruturas de suporte menores e menos robustas, representando ento economia de
material e, portanto, de custos. A Tabela 1.1 a seguir apresenta a massa especfica de alguns materiais de interesse.
Tabela 1.1: Massa especfica de alguns materiais temperatura padro (20 oC).
Material (g/cm3) Material (g/cm3) Material (g/cm3) Material (g/cm3)
leo de transformador 0,86 alumnio 2,70 manganina 8,4 mercrio 13,6
gua 1,00 zinco 7,14 cobre 8,9 tungstnio 19,0
carbono e grafita 2,10 estanho 7,28 prata 10,5 ouro 19,3
porcelana 2,39 ferro e ao 7,86 chumbo 11,9 platina 21,4
2
1.1.4) PROPRIEDADES MECNICAS
As propriedades mecnicas esto relacionadas capacidade de um material em resistir ou de ser moldado por
esforos mecnicos a ele aplicados. Algumas destas propriedades de interesse em Eletrotcnica so vistas a seguir.
1.1.4.1) Resistncia mecnica
A tenso mecnica () aplicada em um corpo de teste de um material qualquer a grandeza definida por:
F
(1.2)
A
onde F a fora de trao ou compresso aplicada rea A do corpo transversal fora (unidade usual: N/mm2).
A propriedade resistncia mecnica dos materiais uma medida de capacidade destes de oferecer oposio
quando submetidos a esforos de trao ou compresso, definida como razo entre a fora limite aplicada ao material
pela rea transversal fora aplicada, correspondendo ento tenso mecnica mxima suportada pelo material.
As resistncias trao e compresso apresentam valores semelhantes na maioria dos materiais, com exceo
daqueles de comportamento mecnico mais quebradio, onde a resistncia
compresso normalmente bem inferior. A Tabela 1.2 apresenta a resistncia cabo eltrico
mecnica a esforos de trao (t ) para alguns materiais de interesse. poste
Logo, em aplicaes onde esforos mecnicos so exigidos, deve-se cruzeta
determinar os limites de tenso aplicada aos materiais empregados, de modo
parafuso
a no ultrapassar seus limites e comprometer sua integridade fsica. Como
exemplos de aplicao onde a resistncia mecnica dos materiais relevante
barra de estai isolador
pode-se citar: cabos areos (o prprio peso do cabo o submete a esforos de apoio
trao), confinamento de equipamentos e componentes eltricos (gabinetes, braadeira
carcaas de motores e transformadores, etc.), conexes (buchas, braadeiras,
parafusos, terminais, etc.), estruturas de suporte (isoladores, cruzetas, postes, Figura 1.2: Exemplo de elementos
torres de transmisso, etc.), estaiamento (ancoragem de estruturas por cabos, submetidos a esforos mecnicos.
tais como postes e torres, para prover equilbrio e estabilidade), etc.
Tabela 1.2: Resistncia mecnica esforos de trao de alguns materiais.

Material t (N/mm2) Material t (N/mm2) Material t (N/mm2)
concreto 2,07 lato (Cu+Zn) 330 manganina (Cu+Mn) 420
alumnio 91 ferro batido 345 Constantan (Cu+Ni) 460
cobre 220 ao estrutural 413 ferro fundido 620
1.1.4.2) Elasticidade
Todo corpo submetido a tenses mecnicas para esforos de trao sofre um alongamento proporcional fora
aplicada. A propriedade que descreve a capacidade de um material de sofrer alongamentos sob esforos de trao sem
resultar em uma deformao permanente aps a retirada da fora aplicada denominada elasticidade.
A Figura 1.3 mostra o comportamento tpico da deformao D
sofrida por um metal de comportamento dctil quando submetido a uma (N/mm2)
limite B C E
tenso mecnica de trao at a ocorrncia de seu rompimento. Pode- elstico
se observar ento que a deformao apresenta dois estgios distintos:
a) Regio de deformao elstica (A-B): neste estgio os tomos do tenso maxima
material mantm suas posies relativas entre si at o limite elstico ou de ruptura
A
(ponto B), e retornam disposio original quando a tenso aplicada
removida, ou seja, a deformao reversvel. Esta regio define a tg = E regio elstica regio
plstica
propriedade elasticidade do material, sendo o comportamento regido
pela Lei de Hooke, que estabelece: para pequenos alongamentos, a Figura 1.3: Curva tenso x deformao.
tenso aplicada proporcional deformao sofrida, tal que:
E (1.3)
onde (N/mm2) a tenso aplicada, (adimensional) a deformao definida pela razo entre o alongamento
do material (diferena entre comprimentos final e inicial o ) e o comprimento inicial o , ou seja:
o
(1.4)
o o
2
e E (N/mm ), chamado mdulo de elasticidade ou mdulo de Young, define a propriedade elasticidade do material
ao descrever a proporo entre e . A Tabela 1.3 apresenta o mdulo de elasticidade de alguns materiais.
3
Tabela 1.3: Mdulo de elasticidade de alguns materiais de interesse.

Material E ( 104 N/mm2) Material E ( 104 N/mm2) Material E ( 104 N/mm2)
chumbo 1,5 bronze 9,7 ferro forjado 18 a 20
alumnio 7,0 ferro fundido 8,5 a 10 ao estrutural 20,6
prata 7,5 lato 10,5 nquel 20,7
ouro 8,1 cobre 11,0 tungstnio 40,7
b) Regio de deformao plstica (B-E): se ultrapassado o limite elstico, os tomos do material no mais guardam
suas posies relativas e sofrem deslocamentos irreversveis, resultando ento em deformaes permanentes. Entre
os pontos B e C ocorre uma expanso lateral chamada escoamento, caracterizado pelo aumento da deformao
sem aumento de tenso. Entre os pontos C e D ocorre o chamado encruamento, caracterizado por um novo ganho
de resistncia do material. Por fim, entre os pontos D e E ocorre a chamada estrico, que consiste na reduo da
rea da seo do material at sua ruptura (ponto E), sendo o ponto D o limite de tenso antes de ocorrer a ruptura.
Exerccio 1: Um fio de comprimento 4 m e 2,5 mm de dimetro, submetido a uma fora de trao de 1000 N e sofre
deformao elstica at o comprimento de 4,01 m. Determine o mdulo de elasticidade do material em N/mm2.
Soluo
dfio = dimetro do fio = 2,5 mm Afio = rea do fio = (dfio)2 /4 = (2,5)2 /4 4,9 mm2
F 1000 N
Da equao (1.2), tem-se ento que: 204,1
Afio 4,9 mm2
204,1 4 N
Pela Lei de Hooke: E E o
E o
E 8,2 104
o o 4,01 4 mm 2
1.1.4.3) Outras propriedades mecnicas de interesse
Dentre as demais propriedades mecnicas de interesse em aplicaes Eletrotcnicas, pode-se mencionar:

Maleabilidade ou plasticidade: a capacidade de um material em sofrer deformaes permanentes em qualquer
direo sem ter comprometdida sua integridade fsica (tornar-se quebradio). Descreve ento a maior ou menor
possibilidade do material ser moldado em mais de uma dimenso relevante (barras, chapas, esferas, canos, etc.).
Ductibilidade: a capacidade de um material de sofrer deformaes permanentes em somente uma direo sem se
romper. Indica ento a maior ou menor possibilidade de um material ser estirado ou reduzido a fios. Exemplos: a
argila tem boa maleabilidade mas pequena ductilidade; o ouro mais dctil e malevel que o cobre ou o alumnio.
Dureza: a capacidade da estrutura fsica do material em resistir a penetrao ou ser riscado, sendo avaliada por
um teste realizado com base na diviso de uma fora aplicada pela rea de penetrao na superfcie do material.
Tenacidade: a capacidade de um material de resistir a grandes tenses e deformaes sem ruptura, ou ainda, sua
capacidade de resistir a choques mecnicos. Dureza e tenacidade no so sinnimas pois, por exemplo, vidro e
diamante apresentam elevada dureza (difceis de serem gastos), mas pouca resistncia a golpes (pouca tenacidade).
1.1.5) PROPRIEDADES TRMICAS
Temperatura um parmetro muito importante para o desempenho de qualquer dispositivo ou equipamento,

pois muitas das propriedades que caracterizam os materiais dependem da temperatura, devendo ento ser previstas
suas consequncias no comportamento dos materiais. Dentre as propriedades de interesse diretamente relacionadas
com a temperatura, sero estudadas a dilatao trmica e as capacidades de conduo e absoro de calor.
1.1.5.1) Dilatao trmica
As partculas constituintes de um material esto em constante estado de agitao devido energia trmica do
material. A elevao da temperatura de um corpo material devido ao aumento da energia trmica causa um aumento
no grau da agitao das molculas, que aumentam a distncia entre si e passam a ocupar um espao maior, resultando
ento em um aumento de volume do corpo. A propriedade que expressa a capacidade de um material em alterar suas
dimenses fsicas com a temperatura chamada dilatao trmica, traduzida pelo seus coeficientes de dilatao.
No estudo da dilatao trmica de um corpo material, o formato do corpo determina quais dimenses fsicas so
consideradas relevantes. Assim, para um material isotrpico e com pequenas variaes de temperatura, tem-se:
Dilatao linear: quando apenas uma dimenso relevante (exemplos: fios, cabos, barras, pilares, etc.), dada por:
o o T (1.5)
Dilatao superficial: quando duas dimenso so relevantes (exemplos: placas, plataformas, etc.), dada por:
S S So 2 So T (1.6)
4
Dilatao volumtrica: quando as trs dimenses so relevantes (exemplos: esferas, cilindros, etc.), dada por:
V V Vo 3 Vo T (1.7)
onde: , S e V so as variaes linear, superficial e volumtrica do corpo material, respectivamente, ( C ) o
o -1
coeficiente de dilatao linear do material do corpo; o (m), So (m2) e Vo (m3 ) so o comprimento, a rea e o volume
inicial, respectivamente; , S e V so o comprimento, a rea e o volume final, respectivamente; T = T To (oC) a
variao de temperatura a que foi submetido o corpo, sendo T e To as temperaturas final e inicial, respectivamente.
A Tabela 1.4 mostra os valores mdios do coeficiente de dilatao linear de alguns materiais, onde observa-se
que os lquidos (mercrio) possuem coeficientes normalmente mais elevados que os slidos. Observa-se tambm que
os coeficientes de dilatao trmica so em geral positivos (exceo a gua, que apresenta o chamado comportamento
anmalo, devido ao coeficiente negativo abaixo de 4 oC), ou seja, o material se dilata com o aumento da temperatura.
Para o caso de um furo em um corpo slido, tem-se que o volume do furo aumenta com a temperatura como se
o mesmo fosse um slido de mesmo material do corpo. No caso de dois metais soldados de diferentes coeficientes de
dilatao, o encurvamento da pea com a variao de temperatura pode ser aproveitado como sensor trmico.
O guiamento de cabos em torres e postes de redes eltricas areas um exemplo de aplicao com preocupao
sobre os efeitos da dilatao trmica. A contrao dos cabos com a diminuio da tempertura pode ocasionar a ruptura
dos mesmos no ponto de ancoragem, sendo necessrio que os cabos sejam normalmente suspensos em um formato
curvo, conhecido como flexa, para reduzir o problema. De outro modo, o alongamento com o aumento da tempertura
pode prover um contato eltrico indevido dos cabos com estruturas alheias rede (edificaes, rvores, etc.).
Tabela 1.4: Coeficientes de dilatao trmica linear mdio de alguns materiais para o intervalo entre 0 e 100 oC.
Material ( x 10-5 oC 1) Material ( x 10-5 oC 1) Material ( x 10-5 oC 1)
grafita 0,30 cobre 1,70 solda (Pb+Sn) 2,51
porcelana 0,35 lato (Cu+Zn) 1,87 estanho 2,70
ferro 1,25 prata 2,00 zinco 3,50
nquel 1,45 alumnio 2,40 mercrio 18,0
Exerccio 2: A figura ao lado mostra uma plataforma P apoiada horizontalmente sobre um P

pilar de material alumnio e outro de material ferro. Determine os comprimentos dos pilares
para que a plataforma permanea na horizontal a qualquer temperatura. Al
Al Fe
Soluo Fe
Seja oFe e oAl os comprimentos dos pilares a uma temperatura qualquer To na qual eles
sero dimensionados. Com base na figura ao lado nota-se que a plataforma P permanecer na 0,46 m
horizontal a qualquer variao de temperatura T = T To se forem satisfeitas as condies:
1) Na temperatura de dimensionamento To deve-se ter: o Fe o Al 0,46 (1)
2) As variaes de dilatao linear dos pilares a qualquer temperatura T devem ser iguais, ou seja: Fe Al (2)
Da Tabela 1.4, sabe-se que: Fe = 1,25 x 105 oC -1 e Al = 2,4 x 105 oC -1. Logo, do resultado (2), tem-se:
Fe Al Fe o Fe (T To ) Al o Al (T To ) Fe o Fe Al o Al o Fe 1,92 o Al (3)
Com o resultado (3) aplicado em (1): o Fe o Al 0,46 1,92 o Al o Al 0,46 o Al 0,5 m (4)
Por fim, com o resultado (4) aplicado em (3): o Fe 1,92 o Al 1,92 0,5 o Fe 0,96 m
1.1.5.2) Condutividade trmica
Em um meio material submetido a uma diferena de temperatura, ocorre transferncia de energia trmica da
maior para a menor temperatura, at que o corpo atinja o equilbrio trmico (temperatura uniforme). Este trnsito de
energia trmica, motivado exclusivamente por diferena de temperatura, chamado calor e ocorre de trs formas:
Por conduo trmica, atravs da agitao das partculas de um meio material (no ocorre, portanto, no vcuo);
Por conveco, atravs do deslocamento da prpria massa de um meio material (no ocorre, portanto, no vcuo);
Por irradiao trmica, atravs da emisso de radiao infra-vermelha (ocorre, portanto, no vcuo).
A quantidade de calor Q (cal) transmitida perpendicularmente seo A (cm2) de uma amostra de material de
comprimento (cm) e submetida a uma diferena de temperatura T = T2 T1 (oC) durante um tempo t (s) expressa a
conduo trmica do material e proporcional propriedade condutividade trmica K (cal/ oC cm s), tal que:
K
T1 A Q , T2 > T1 A T2 T1 t K A Q K A
Q K T t T (1.8)
t
onde o termo (cal/s), denominado fluxo de calor ou corrente trmica, expressa a quantidade de calor que atravessa a
amostra do material por unidade de tempo, similar ao conceito de corrente eltrica da eletricidade. Observando-se a
5
equao (1.8) pode-se definir a relao: RT = /K A (oC s/cal), chamada resistncia trmica da amostra. Logo, o efeito
da conduo termica pode ser dada pela relao T = RT , que similar Lei de Ohm da eletricidade (V = R I) .
Assim, a propriedade condutividade trmica expressa a facilidade com que um material se deixa atravessar por
um fluxo de calor, sendo a resistncia trmica uma medida quantitativa da dificuldade imposta ao trnsito da energia
trmica por uma amostra do material. A Tabela 1.5 apresenta a condutividade trmica de alguns materiais a 20 oC.
O processo de conduo trmica ocorre quando as partculas da regio mais quente de um corpo, que vibram
com mais intensidade por terem maior energia trmica, transmitem parte de sua energia para outras partculas em sua
vizinhana, que passam a vibrar mais intensamente e tambm transmitem parte de sua energia para a sua vizinhana, e
assim sucessivamente. Como a maior vibrao das partculas um indicador de maior reteno de energia e menor
transferncia de calor, ento materiais de elevada condutividade trmica apresentam menor grau de vibrao de suas
partculas e podem conduzir e dissipar mais rapidamente para o meio exterior o calor presente em seu interior.
Logo, em materiais fortemente coesos em sua estrutura, tais como metais, as foras de coeso impedem grandes
amplitudes de vibrao dos tomos, acarretando em menor reteno de energia e menor possibilidade de choque dos
eltrons constituintes de uma corrente eltrica no material. Desse modo, as condutividades eltrica e trmica esto
relacionadas, pois a resistncia passagem de eletricidade e calor depende das vibraes estruturais. Assim, os metais
so bons condutores de eletricidade e calor, sendo amplamente utilizados como condutores eltricos, por propiciarem
uma rpida eliminao do calor interno ou recebido, e ainda como dissipadores para diversos dispositivos de potncia.
Tabela 1.5: Condutividade trmica de alguns materiais de interesse a 20 oC.
Material K (cal/ oC cm s) Material K (cal/ oC cm s) Material K (cal/ oC cm s)
prata 0,97 ao 0,115 tijolo refratrio 0,000350
cobre 0,92 mercrio 0,0200 amianto 0,000200
alumnio 0,49 concreto 0,0020 l de vidro 0,000100
ferro 0,16 vidro 0,0020 ar 0,000057
Exerccio 3: Seja duas barras A e B de mesma seo e submetidas a temperaturas TJ

diferentes em suas extremidades, mostradas na figura ao lado. Considere o sistema 75 oC A B 35 oC
isolado termicamente (isto , o calor flui apenas no interior das barras) e determine
a temperatura TJ na juno. Dados: KA = 0,52 cal/oC cm s ; KB = 0,02 cal/oC cm s. 10 cm 15 cm
Soluo
Como a temperatura maior na extremidade da barra de material A, o fluxo de calor ser no sentido A para B.
Adicionalmente, como o sistema est isolado termicamente, o fluxo de calor A no material A dever ser igual ao
fluxo de calor B no material B. Desse modo, da equao (1.8), tem-se que: TJ
KA A KB A 75 C A
o B 35 oC
A B (Textr . A TJ ) (TJ Textr . B )
A B T (oC)
0,52 0,02 T = 75 0,1 x
(75 TJ ) (TJ 35) TJ 74 o C 75
T = 100 2,6 x
10 15 74
O grfico ao lado mostra a distribuio linear de temperatura ao longo das
barras (pois o fluxo de calor linearmente proporcional temperatura). Pode-se 35
x (cm)
observar ento que a barra B est submetida maior variao de temperatura, por
apresentar maior resistncia trmica devido menor condutividade trmica. 10 25
1.1.5.3) Calor especfico
Temperatura a grandeza fsica associada ao grau de agitao das partculas de um corpo e define o seu estado
trmico (aquecimento). Contudo, temperatura no mede a quantidade de energia trmica de um corpo pois, entre duas
amostras de mesma massa e materiais diferentes, o fato de uma delas apresentar uma temperatura mais elevada no
significa necessariamente que possua maior quantidade de energia trmica que a outra amostra, pois isto depender da
capacidade de absoro de calor dos materiais, expressa por uma propriedade denominada calor especfico.
A quantidade de calor Q (cal) que deve ser fornecido a uma amostra de massa m (g) de um material para que
sua temperatura se eleve de um valor T (oC) proporcional ao calor especfico c (cal/g oC) do material, tal que:
Q c m T (1.9)
Calor especfico uma propriedade intrnseca de um material (isto , no depende de sua massa) e varia com a
temperatura. A Tabela 1.6 apresenta o valor mdio do calor especfico de alguns materiais entre 0 e 100 oC.
Com base na equao (1.9) pode-se observar ento que materiais de maior calor especfico necessitam absorver
maior quantidade de calor para aumentar sua temperatura. Por exemplo, a gua absorve muito calor sem se aquecer
em demasia porque possui alto calor especfico (Tabela 1.6), o que explica a razo para a potncia dos chuveiros ser
comparativamente elevada, pois sua resistncia necessita converter uma elevada quantidade de energia eltrica na
forma trmica para se obter a quantidade de calor necessria para aquecer a gua at uma temperatura desejada.
6
Tabela 1.6: Calor especfico de alguns materiais.

o
Material c (cal/g C) Material c (cal/g oC) Material c (cal/g oC) Material c (cal/g oC)
gua 1,00 ar 0,24 ferro 0,113 mercrio 0,033
madeira 0,42 alumnio 0,22 cobre 0,094 tungstnio 0,032
l 0,39 mica 0,21 zinco 0,093 ouro 0,032
porcelana 0,26 vidro 0,16 prata 0,056 chumbo 0,031
1.1.6) PROPRIEDADES QUMICAS - RESISTNCIA CORROSO
Qualquer material pode estar sujeito a reaes qumicas ocasionadas pelo meio em que se encontra, que podem
causar danos estrutura fsica do material ao resultar em subprodutos com propriedades distintas do material original.
Estas alteraes indesejveis por reao qumica, chamada corroso, ocorrem principalmente por dois modos:
1) Corroso por dissoluo: ocorre quando o material entra em contato com um meio capaz de atuar como solvente
para este material, resultando em danos permanentes. Exemplo: cido sulfrico em contato com o zinco.
2) Corroso por oxidao eletroqumica: consiste na remoo de eltrons (reao de oxidao) dos tomos de um
material imerso em um meio favorvel reao, como por exemplo um eletrlito. Exemplo: oxidao do ferro pela
umidade (ar + gua), que leva formao do hidrxido frrico, popularmente conhecido como ferrugem.
Desse modo, a corroso constitui-se em um problema de grande preocupao na especificao de materiais para
aplicaes eltricas, razo pela qual conveniente o conhecimento de seus principais mtodos de controle:
Proteo por isolamento: recobre-se o material a ser protegido com outro que no atacado pelo meio, tal como
revestimentos com tinta, resina ou verniz. Outro exemplo consiste no capeamento com material mais resistente, tal
como o revestimento de componentes de ferro com pelcula de zinco ou capa de alumnio (ferro galvanizado).
Proteo por passivao: adiciona-se ao material a ser protegido outros que o tornam mais resistente corroso,
tal como certas ligas metlicas. Exemplos: ao inoxidvel (Fe + C + Cr + Ni), bronze (Cu + Sn) e lato (Cu + Zn).
Proteo catdica: utiliza-se materiais com maior potencial de oxidao, chamados anodos de sacrifcio, para que
seja corrodo primeiro que um material de menor potencial a ser protegido. Como exemplos de aplicao, tem-se:
Em sistemas de aterramento utiliza-se lminas de zinco para proteger hastes e malhas de cobre;
Estruturas de ao subterrneas podem ser protegidas colocando-se pedaos de magnsio nas proximidades.
Alcalinizao: consiste no emprego de substncias alcalinas para a neutralizao de meios materiais acidificados.
1.1.7) FATOR CUSTO DOS MATERIAIS
A escolha dos materiais a serem empregados em uma determinada aplicao (por exemplo, maquinrios, peas,
componentes, dispositivos, instalaes estruturais, ferramentas, equipamentos, etc.) necessita se basear na finalidade
que cada material ir desempenhar e se justificar pelas propriedades intrnsecas de interesse que estes apresentam.
Porm, nenhum material superior a outros em todos os sentidos, cabendo ento ao projetista analisar a convenincia
de se empregar um ou outro. Assim, na avaliao das opes de matria prima a disposio, procura-se especificar os
materiais, conforme o caso, com as propriedades eltricas, magnticas, fsicas, mecnicas, trmicas e qumicas mais
vantajosas, com o objetivo de se obter um produto final qualitativamente satisfatrio em seu funcionamento.
Contudo, em uma economia de mercado, custo e lucro so parmetros essenciais a uma empresa, que procura
avali-los e otimiz-los o mximo possvel. Assim, alm das propriedades intrnsecas, a escolha de um material para
uma determinada aplicao deve tambm se basear no parmetro econmico custo, pois a concorrncia exigida pelo
mercado obriga a empresa a considerar este fator como um aspecto decisivo e um menor custo da matria prima pode
implicar em menor preo para o produto final e acarretar em melhor competitividade e maior possibilidade de lucro.
O fator custo pode inclusive inviabilizar um projeto ou produto independentemente de suas qualidades tcnicas.
Logo, o fator custo, apesar de no ser uma propriedade intrnseca dos materiais, constantemente o parmetro
decisivo na escolha destes para determinada aplicao. O material dever apresentar caractersticas tcnicas que se
adeqem sua finalidade, mas o fator custo que ir ratificar o seu emprego. Assim, os parmetros tcnicos devem
sempre ser avaliados juntamente com o fator custo, pois um produto com menor preo de mercado, mas que atende as
especificaes e exigncias tcnicas mnimas, tem possibilidade de apresentar maior competitividade comercial.
Muitas vezes procura-se obter um produto final com bom desempenho e qualidade, porm a um preo baixo, e
um material de menor custo e inferior em qualidade pode viabiliz-lo como a matria prima a ser empregada, ou seja,
deficincias do material so compensadas pelo seu custo. Por outro lado, o aspecto qualidade pode ser um quesito
valorizado e um material inferior qualitativamente poder ser inferior comercialmente se o produto final, apesar de
inicialmente barato, pode se tornar oneroso a longo prazo se no for pelo menos atualizado e durvel. O problema
pode ento ser resumido em otimizar a avaliao custo-benefcio dos materiais, onde muitas vezes a anlise de sua
viabilidade econmica deve contemplar, no apenas os dispncdios imediatos, mas tambm seus custos futuros.
A anlise econmica dos materiais pode ento se tornar complexa devido a diversos parmetros que necessitam
ser avaliados pois, alm do seu preo de mercado, pode envolver caractersticas como durabilidade (maior tempo de
7
vida mdio do material implica em menor gasto financeiro com reposio), facilidade de manuteno (menor tempo
de parada implica em maior volume de produo ao longo do tempo), disponibilidade na oferta (volume de extrao),
facilidade de fabricao e estocagem, tempo de aquisio e facilidade de transporte (maior agilidade na execuo de
projetos ou produtos pode resultar em menores custos finais), mo de obra qualificada disponvel, linhas de crdito
financeiro para execuo de projetos, etc. Assim, toda a anlise econmica de um projeto ou produto (equipamento,
componente, dispositivo, etc.) visa obter a menor necessidade de investimentos e o maior retorno financeiro.
A escolha de materiais condutores para as diversas aplicaes em Eletrotcnica constitui-se em um exemplo da
anlise tcnica aliada ao fator custo. Metais nobres como ouro e prata so timos condutores de eletricidade e calor,
mas no so empregados como fios eltricos por terem, por exemplo, preo proibitivo e baixa resistncia mecnica.
Contudo, os metais nobres podem ser empregados, juntamente com suas ligas, em aplicaes especiais que envolvam
pequenas correntes, onde sua elevada resistncia corroso e ductilidade so propriedades bastante exigidas.
1.1.7.1) Exemplo de caso: cobre versus alumnio
Um exemplo clssico da avaliao tcnica aliada ao fator custo refere-se comparao entre os dois metais de
emprego mais intenso como condutor eltrico para aplicaes em redes e equipamentos em geral: cobre e alumnio.
O cobre apresenta caractersticas tcnicas mais vantajosas como material condutor para instalaes eltricas em
baixa tenso, bem como em equipamentos e dispositivos (fiao, cabeamento, mquinas eltricas, conexes diversas,
etc.), por apresentar maior condutividade trmica (Tabela 1.5) e eltrica (vide Tabela 2.1 - Captulo 2), propriedades
estas essenciais onde as tenses mais baixas podem envolver correntes eltricas comparativamente mais elevadas.
Alm disso, o cobre apresenta boa resistncia mecnica (Tabela 1.2), propriedade tambm desejvel devido
necessidade de se realizar esforos de trao no momento do guiamento de fios e cabos condutores por canalizadores
de fiaes eltricas utilizadas em instalaes de baixa tenso (eletrodutos, eletrocalhas, caixas de passagem, etc.).
Adicionalmente, instalaes eltricas de baixa tenso apresentam uma grande quantidade de contatos eltricos
(emendas, parafusamentos, soldagem de peas, etc.) necessrias a estas aplicaes, que ficam sujeitas ao oxignio
presente no ar, gs de grande atuao com muitos metais ao produzir xidos e hidrxidos em contato com estes, sendo
o cobre praticamente inerte ao oxignio. O alumnio, porm, sofre rpida corroso em contato com o ar, o que resulta
na formao de uma fina camada de xido de alumnio, que o protege de maior corroso, mas que constitu-se em um
bom isolante eltrico, causando ento na perda de quaisquer contatos eltricos do alumnio com outros elementos da
rede ou equipamento eltrico e tornando a tarefa de reparo dos contatos de custos e logstica proibitivos. Alm disso, a
liga de chumbo-estanho, solda de baixo custo e de uso mais intenso, adere firmemente ao cobre mas no no alumnio,
o que faz este necessitar de tcnicas de soldagem mais sofisticadas e de custos comparativamente mais elevados.
O alumnio, por sua vez, encontra grande aplicabilidade como cabos condutores e conectores em redes eltricas
areas (redes de transmisso e distribuio) por apresentar massa especfica menor que a do cobre (Tabela 1.1), o que
reduz os custos de obra devido economia de material com o emprego de estruturas de suporte menos volumosas.
Alm disso, o alumnio consitui-se no metal de maior abundncia no planeta, alcanando porisso um preo menor que
o cobre no mercado, o que propicia menores custos devido grande extenso das redes areas, que exigem ento uma
elevada quantidade de material para a construo de cabos, alm de no sofrer problemas de furto como o cobre.
Como cabos areos esto sujeitos a grandes esforos de trao devido ao prprio peso e ao vento, o problema
da pequena resistncia mecnica do alumnio atenuado com o uso de um ncleo (chamado alma) de ao, que confere
aos cabos uma maior resistncia mecnica. Quanto difcil soldagem, pode-se utilizar solda eltrica (fundio das
partes em alumnio) ou um material antioxidante para a limpeza das superfcies a serem emendadas e realizar a solda
com o emprego de pastas especiais (exemplo: xido de acetileno), bem como braadeiras para envolver as emendas e
evitar seu contato com o ar, empregada particularmente em linhas de transmisso devido maior seo dos cabos.
Exerccio 4: Seja um fio de cobre e um cabo composto por 3 fios de alumnio de mesmo comprimento e seo do fio
de cobre. Pede-se: compare as resistncias corrente contnua e as massas entre o fio de cobre e o cabo de alumnio.
Adote T = 20 C e desconsidere o encordoamento (tranado helicoidal) do cabo de alumnio.
Soluo
A 20 C, tem-se da Tabela 2.1 (Captulo 2) que: Cu = 1,7 x 10-8 m e Al = 2,8 x 10-8 m . Logo:
R fio de Cu /A 3 C u 3 1,7 108 R fio de Cu
Cu 1,8
Rcabo de Al Al / 3 A Al 2,8 10 8
Rcabo de Al
Portanto, o fio de cobre apresenta maior resistncia eltrica que o cabo de alumnio (80 % maior).
A 20 C, tem-se da Tabela 1.1 que: Cu = 8,9 g/cm3 e Al = 2,7 g/cm3. Logo:
m fio de Cu Cu V fio de Cu 8,9 A m fio de Cu
1,1
mcabo de Al Al Vcabo de Al 2,7 3 A mcabo de Al
Portanto, o fio de cobre apresenta maior massa ( mais pesado) que o cabo de alumnio (10 % mais pesado).
Concluso: se a quantidade de fios fosse 4, o cabo de alumnio seria mais pesado. Logo, com 2 ou 3 fios, um cabo
de alumnio superior a um fio de cobre de mesma seo e comprimento em termos de peso e resistncia eltrica.
8
1.2) MODELO DA MATRIA POR BANDAS DE ENERGIA
O modelo de estrutura atmica da matria baseada em uma abstrao terica chamada bandas de energia, se
mostra bastante didtico para a compreenso de diversos fenmenos e propriedades dos materiais. Para sua definio,
conveniente ter a noo sobre nveis de energia estacionrios, cuja extenso leva ao conceito de bandas de energia.
1.2.1) NVEIS DE ENERGIA ESTACIONRIOS
A radiao eletromagntica apresenta a chamada natureza dual onda-partcula, no sentido de que a observao
de qual comportamento da radiao, ondulatrio ou corpuscular, depender da natureza do fenmeno detectado, no
sendo possvel provar o comportamento dual da radiao com a mesma medida (Princpio da Complementaridade).
Quando em propagao por um meio qualquer, a radiao apresenta comportamento ondulatrio no sentido de
que se observam fenmenos pticos (reflexo, refrao, etc.), pois uma onda tem extenso e no localizada. Neste
caso, o produto do comprimento de onda com a freqncia f da radiao resulta em uma constante, tal que:
f c (1.10)
em que c a constante universal referente velocidade da radiao no vcuo (c 3 x 10 m/s). A Tabela 1.7 apresenta
8
os comprimentos de onda de vrias nomenclaturas dadas s ondas eletromagnticas, onde: = angstron = 1010 m.
No entanto, quando interagindo com a matria, a radiao atua como partcula no sentido de que observa-se um
choque de massas, pelo fato da radiao se comportar como se composta por pacotes indivisveis de energia,
chamados quantum, entendidos com a menor quantidade de energia que pode ser transferida em um processo fsico.
Neste caso, o quantum de energia Ef de uma radiao eletromagntica de frequncia f, chamado fton, definido por:
Ef h f (1.11)
em que h uma constante universal chamada constante de Planck (h = 6,6262 x 10-34 J s). O conceito de fton resume
o comportamento corpuscular da radiao eletromagntica e expressa ento uma natureza distinta da ondulatria.
Tabela 1.7: Comprimentos de onda no vcuo de algumas ondas eletromagnticas.

Nomenclatura (m) Nomenclatura () Nomenclatura ()
energia eltrica 5 x 106
infra-vermelho (IV) 10 7000
7
faixa do azul 5000 4500
udio-freqncia (300 1,5) x104 faixa do vermelho 7000 6500 faixa do violeta 4500 4000
ondas mdias e curtas 600 6 faixa do laranja 6500 6000 ultra-violeta (UV) 4000 40
FM-TV-VHF-UHF 5 0,5 faixa do amarelo 6000 5500 raios X 40 0,1
microondas 0,5 0,001 faixa do verde 5500 5000 raios 0,1 10-3
Em prticas experimentais, observa-se que um tomo isolado absorve e emite radiao apenas de determinados
comprimentos de onda (Figura 1.4-a). Como o fton indivisvel (entrega toda ou nenhuma energia), esta observao
demonstra que os eltrons do tomo podem absorver ou emitir energia apenas de forma discreta, o que sugere um
modelo simples tipo planetrio para a estrutura atmica, em que os eltrons ocupam determinadas rbitas permitidas
(estados qunticos) distribudas em torno do ncleo, denominadas nveis de energia estacionrios ou no irradiantes
(Figura 1.4-b). Desse modo, os eltrons presentes em um tomo podem apenas absorver ou emitir energia tal que esta
quantidade de energia corresponda exata diferena de energia entre dois nveis permitidos quaisquer do tomo.
A Figura 1.4-c mostra uma representao grfica mais prtica do modelo de nveis do tomo, onde n = 1,2 ... ,
corresponde ao ndice dos nveis (1o nmero quntico), cada qual com uma energia absoluta En (E1, E2, ... , E).
n= n energia restante
En
n=2 (energia cintica)
E
4 n=1 fotoionizao
e
ncleo
m Em
fton fton
3 fotoexcitao emitido
absorvido
E1
2 k Ek
E2 e nveis de e e
1 energia
E estacionrios
1 E1
(a) (b) (c)
Figura 1.4: Estrutura atmica de tomos: (a) esquema de absoro de radiao, (b) modelo por rbitas de energia
estacionrias, (c) representao mais prtica e exemplificao dos mecanismos de emisso e absoro de radiao.
9
Assim, quando um eltron absorve (emite) energia, este se desloca para um nvel permitido de maior (menor)
energia e adquire a energia do nvel para o qual se deslocou. Alm de radiao, a absoro de energia pelo eltron
pode ser tambm na forma de calor, campo eltrico e choque de eltrons, porm, a emisso de energia pelo eltron
ocorre sempre na forma de radiao, que pode ser depois emitida ou absorvida pelo material na forma de calor.
A absoro de energia por um eltron para este se deslocar a um nvel menor ou igual a E representa o estado
chamado excitado para o eltron. Porm, se a energia absorvida for superior a E , o eltron ejetado do tomo com a
energia restante, que se converte em energia cintica, resultando na ionizao do tomo. No caso da radiao, o estado
excitado do eltron chamado fotoexcitao e o efeito da ejeo do eltron chamado fotoionizao (Figura 1.4-c).
Em estado excitado, um eltron apresenta sempre a tendncia de retornar ao seu nvel original (chamado nvel
normal ou fundamental) aps um certo tempo (tipicamente, 10 8 s), emitindo o excesso de energia. Neste caso, ao se
deslocar de um nvel m de energia Em para um nvel k de energia Ek < Em (Figura 1.4-c), o eltron emite uma radiao
com energia Em Ek , cujo comprimento de onda do fton correspondente pode ser determinado de forma prtica por:
12400
(1.12)
Em Ek
onde a energia deve ser fornecida em eV (eV = eltron-volt = 1,6 x 1019 J) e o comprimento de onda em . Logo, por
deduo, como a energia necessria a um eltron se deslocar para um outro nvel permitido de maior energia deve ser
igual diferena de energia entre os dois nveis, ento a equao (1.12) vlida tambm para a absoro de radiao.
O retorno de um eltron ao seu nvel fundamental pode ser diretamente ou mesmo ocupando provisoriamente
nveis intermedirios e emitindo o fton correspondente em cada etapa. Em qualquer caso, a soma das energias dos
ftons emitidos igual energia inicialmente absorvida, de modo a respeitar o princpio da conservao de energia.
Como mencionado, a energia trmica consiste em uma outra forma de excitao ou ionizao do tomo. Neste
caso, o quantum de energia a uma temperatura qualquer T dado por KB T (eV), chamado energia trmica associada a
uma partcula temperatura T, onde KB = constante de Boltzmann = 1,38 x 10-23 J/K = 8,62 x 10-5 eV/K. Para o caso da
matria, se a energia trmica absorvida for suficiente para suplantar a chamada barreira de potencial de superfcie do
material, ento eltrons so ejetados para o meio exterior ao material. Este efeito, denominado Emisso Termoinica,
constitui-se no mecanismo bsico do funcioamento dos triodos a vcuo, precursores dos transistores semicondutores.
Exerccio 5: A distribuio de energia do tomo de hidrognio dada por: En = 13,6/n2 (eV), n = 1,...,. Pede-se:
a) O eltron do tomo de hidrognio absorve um fton de comprimento de onda 973 e retorna ao seu nvel normal
emitindo dois ftons. Sabendo-se que um deles de 1216 , determine o comprimento de onda do outro fton.
b) Determine o comprimento de onda limite do fton para ocorrer fotoionizao do hidrognio. Explique o resultado.
c) Explique o que acontece com o eltron se no mesmo incidido um fton de comprimento de onda 1000 .
Soluo
A figura abaixo mostra uma esquematizao da distribuio de energia dos nveis de um tomo de hidrognio
com base na equao fornecida. Como o hidrognio tem apenas 1 eltron, ento seu nvel fundamental n = 1.
a) Energia do fton absorvido: da equao (1.12), tem-se que: n En (eV)
12400 12400
Em Ek E fton absorvido 12,75 eV 0,0
absorvido 973 0,54
5
que, somado energia do 1 nvel, resulta: 13,6 + 12,75 = 0,85 eV. 4 0,85
Logo, o eltron fotoexcitado do 1 para o 4 nvel (vide figura). 3 1,51
A energia do fton emitido conhecido (1216 ) ser dada por: 4863 2,55 eV
12400 12400 3,4
E fton emitido 1 10, 2 eV 2
fton emitido 1 1216 12,75 eV
10,2 eV
o que equivale energia entre nveis 2 e 1 ( 3,4 + 13,6 = 10,2 eV). 973 1216
Assim, o comprimento de onda do 2 fton emitido corresponde 1 13,6
e
emisso da diferena de energia entre os nveis 4 e 2 (vide figura):
12400 12400 12400
foton emitido 2 42 4863
E4 E2 0,85 ( 3,4) 2,55
Da Tabela 1.7 pode-se observar ento que o eltron do tomo de hidrognio absorveu uma radiao ultra-violeta
(973 est na faixa do UV) e emitiu dois ftons: um UV (1216 ) e outro na faixa do espectro azul (4863 ).
b) A energia mnima para ionizar o tomo de hidrognio corresponde diferena entre os nveis 1 e . Logo:
12400 12400 12400 12400
limite 912
Emnima para ionizao E E1 0 (13,6) 13,6
Da equao (1.12) observa-se que o comprimento de onda e energia so inversamente proporcionais. Logo, limite
mximo pois um fton de comprimento de onda menor tem energia maior que o mnimo para extrair o eltron.
c) Efton = 12400/1000 = 12,4 eV. Absorvendo este fton, o eltron se deslocaria para o nvel: 13,6 + 12,4 = 1,2 eV,
que no um nvel permitido. Conclui-se ento que o eltron no absorve este fton, permanecendo no 1 nvel.
10
1.2.2) BANDAS DE ENERGIA E CLASSIFICAO ELTRICA DOS MATERIAIS
Como visto anteriormente, tomos isolados absorvem e emitem radiao eletromagntica em um espectro bem
definido (Figura 1.4-a) e pode-se ento conceber um modelo de tomo com base no conceito de nveis de energia
(Figura 1.4-b). De modo similar, em prticas experimentais observa-se que a matria tambm absorve e emite um
espectro de radiao de forma discreta, porm esta apresenta amplas faixas de comprimentos de onda bem prximos
entre si (Figura 1.5-a). Desse modo, pode-se inferir que eltrons presentes em um meio material podem se deslocar
por combinaes de diferenas de energia entre um grande nmero de nveis permitidos bem prximos entre si.
Esta observao sugere ento que, para respeitar o Princpio da Excluso de Pauli (apenas dois eltrons de spins
contrrios por orbital), a matria comporta-se como se, ao agrupar seus tomos para estabelecer sua estrutura atmica,
cada nvel de energia dos tomos se expandisse para formar faixas de energia contendo subnveis permitidos muito
prximos entre si, chamadas bandas de energia (Figura 1.5-b). Entre estas faixas, no entanto, ocorrem ainda regies
com infinitos nveis de energia no permitidos (Figura 1.5-b), vindo a ser denominadas de bandas proibidas (BP).
Para estudos de fenmenos e propriedades dos materiais, tem-se que apenas as duas ltimas bandas de energia
permitidas, e a respectiva banda proibida entre as mesmas, apresentam aspectos de interesse (Figura 1.5-b), a saber:
Banda de valncia (BV): assim chamada por conter os eltrons de valncia dos tomos constituintes da matria,
que so, desse modo, os ltimos eltrons dos tomos. Estes eltrons, por terem mais energia que os presentes em
bandas abaixo, podem ser mais facilmente excitados por alguma forma de energia e ocupar a banda acima.
Banda de conduo (BC): assim chamada por conter nveis totalmente desocupados e, caso eltrons excitados da
BV vierem a ocupar esta banda, estes adquirem grande liberdade de movimento e podem ser facilmente acelerados
por campos eltricos aplicados ao material, de modo a constiturem correntes eltricas. Desse modo, estes eltrons
comportam-se como portadores de carga com grande liberdade de movimento, denominados eltrons livres.
Gap de energia: banda proibida situada entre a BV e BC, denominada particularmente por EG (energia do gap).
Banda de Conduo (BC)

m
gap de energia (EG)
nvel de valncia
k Banda de Valncia (BV)
2 2o
banda proibida
o
1 1 banda de energia
(a) (b)
Figura 1.5: Estrutura da matria: (a) esquema de absoro de radiao, (b) modelo de bandas de energia.
O conceito de bandas de energia comumente empregado para o entendimento do mecanismo da conduo de
corrente eltrica dos materiais. Neste caso, como os eltrons da banda de valncia podem absorver energia de modo a
se deslocarem para a banda de conduo, se tornando livres, necessrio ento fornecer uma energia no mnimo igual
do gap (EG) e, desse modo, quanto maior o gap, maior ser a dificuldade em deslocar eltrons da BV para a BC.
Assim, de acordo com a estrutura de bandas, os materiais podem ser classificados, do ponto de vista eltrico, como:
1) Isolantes: caracterizam-se por apresentar gaps de energia elevados, em torno de 6,0 eV (Figura 1.6-a), o que impe
grande dificuldade para os eltrons da banda de valncia se moverem para a banda de conduo, sem que a energia
necessria para estes deslocamentos danifique o material. Logo, estes materiais caracterizam-se por apresentar uma
BV quase preenchida e uma BC praticamente vazia, resultando em uma quantidade de eltrons livres muito baixa
para se constituir uma corrente eltrica utilizvel pelo material. Assim, este comportamento qualifica eletricamente
estes materiais como isolantes eltricos, tambm denominados dieltricos em aplicaes capacitivas.
2) Semicondutores: caracterizam-se por apresentar um pequeno gap de energia, em torno de 1 eV (Figura 1.6-b). O
pequeno gap permite a esses materiais apresentar uma BV completamente preenchida e uma BC vazia baixas
temperaturas, comportando-se nestas condies como isolante eltrico. Porm, com um aumento de temperatura,
eltrons da BV podem absorver energia suficiente e moverem-se para a BC e se tornarem livres, deixando rbitas
vazias na BV, chamadas lacunas, que tambm se comportam como cargas livres, facultando ento ao material
condies para conduzir correntes por meio de dois tipos de portador de carga: eltrons livres e lacunas. Este duplo
comportamento com a temperatura qualifica eletricamente estes materiais como semicondutores eltricos.
3) Condutores: carcterizam-se por apresentar um gap de energia nulo (ou muito pequeno) devido superposio das
bandas de valncia e conduo (Figura 1.6-c). Logo, os eltrons da BV podem se encontrar praticamente livres na
BC, ou se deslocarem facilmente para a BC com pouca absoro de energia. Assim, esta abundncia de eltrons de
comportamento livre pelos materiais permite a estes conduzir correntes utilizveis e os qualifica eletricamente
como condutores eltricos, sendo o grau de superposio entre a BV e a BC um indicativo desta capacidade.
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energia energia
energia
BC eltrons livres
BC
EG 6 eV BC
EG 1 eV
BV BV lacunas
BV
(a) (b) (c)
Figura 1.6: Classificao eltrica dos materiais de acordo com a disposio entre bandas
de valncia, conduo e gap de energia: (a) isolante; (b) semicondutor; (c) condutor.
O montante de corrente eltrica gerada em conseqncia de um campo eltrico aplicado a um material depende
ento do nmero de eltrons livres do material que podem ser acelerados. As energias possveis de se obter de campos
eltricos so pequenas comparadas aos gap de energia, porm outras formas como ticas ou trmicas, so dessa ordem
e por isso conseguem gerar eltrons livres. Assim, apesar de suas respectivas estruturas de bandas, todos os materiais
descritos apresentam eltrons livres, gerados basicamente por energia trmica, mas semicondutores puros e isolantes
possuem, mesmo assim, quantidades muito pequenas de eltrons livres se comparados aos materiais condutores.
1.3) TPICOS COMPLEMENTARES
O conhecimento adquirido nos estudos das diversas propriedades e fenmenos apresentados pelos materiais,
tem possibilitado avanos tecnolgicos para o desenvolvimento de diversos dispositivos no campo da Eletrotcnica,
de grande uso nas sociedades industriais. Este tpico tem o objetivo de dissertar sobre algumas destas aplicaes.
1.3.1) PILHAS E BATERIAS
Eletroqumica a parte da Qumica que estuda a relao entre a corrente eltrica e as reaes qumicas, sendo a
corroso por oxidao um processo eletroqumico chamado xido-reduo. A oxidao de um material por um meio
favorvel reao, denominado eletrlito (soluo inica), retira eltrons dos tomos do material e cria ons positivos
que fluem para o meio, com os eltrons permanecendo no material. A medida com que um material se oxida, isto ,
sua capacidade de ceder eltrons, quantificada pelo potencial de oxidao ou eletroqumico, especificado em Volts,
onde um material qualquer ser tanto mais corrosvel (andico) quanto maior for seu potencial eletroqumico.
Quando dois materiais de diferentes potenciais eletroqumicos, cha- e_ e_ e_
mados eletrodos, so imersos em um eletrlito e ligados externamente por anodo catodo
um fio condutor, os eltrons e os ons provenientes da oxidao do mate-
rial de maior potencial de oxidao (chamado anodo ou eletrodo negativo)
fluem para o de menor potencial (catodo ou eletrodo positivo) atravs do eletrlito
fio (eltrons) e do eletrlito (ons), onde so ambos depositados (reduo).
Como resultado, tem-se a conduo de corrente eltrica externamente ao ctions
sistema devido diferena de potencial entre os eletrodos (Figura 1.7).
O conjunto de eletrodos e eletrlito resulta ento em um dispositivo
Figura 1.7: Pilha galvnica simples.
conversor de energia qumica em eltrica, chamada pilha eletroqumica ou
galvnica (Figura 1.7), onde a tenso obtida definida pela diferena entre os potenciais de oxidao dos eletrodos.
Pilhas e baterias (conjunto de pilhas) so fontes de tenso contnua formadas por clulas constitudas de pares
anodo-catodo ligados em srie (para obter maior tenso) e/ou paralelo (para aumentar a capacidade de corrente, o que
chamado ampacidade), diferenciadas por diversas caracterstica como: formatos e tamanhos, tenso nominal, custo,
ampacidade, densidade de energia (energia armazenada por volume), tempo de carga e auto descarga, vida til, etc.,
podendo ser basicamente classificadas em dois tipos, descritos a seguir (aparncias de alguns tipos na Figura 1.8):
a) Primrias: so aquelas de difcil recarga quando seus reagentes se esgotam. Alguns exemplos mais comuns:
a.1) Pilhas de Leclanch: tipo mais comum, disponvel em vrios tamanhos (AAA, AA, C e D) com tenso 1,5 V,
possui pequena ampacidade, baixa vida til e emprego diversos (equipamentos eletrnicos). A pilha tipo B
uma bateria de 9V, formada pelo conjunto de 6 pilhas de Leclanch em srie com tenso 1,5 V cada.
a.2) Pilhas alcalinas: semelhante pilha de Leclanch, difere desta no uso de um composto alcalino (hidrxido de
potssio) como eletrlito, que diminui a resistncia interna da pilha, permitindo ento maior ampacidade. So
fabricadas nos mesmos tamanhos, tenso (1,5 V) e possuem os mesmos empregos das pilhas de Leclanch.
a.3) Baterias de ltio: possui alta densidade de energia, pequeno peso e tamanho, descarga constante e longo tempo
de estocagem. So usadas em calculadoras, relgios, etc. Tenso: entre 2 e 3,6 V dependendo do catodo.
12
a.4) Baterias de zinco-xido de mercrio: pilha de alta capacidade em relao ao seu volume, descarga constante e
boa vida na estocagem. Usada em aparelhos de audio, marca-passos, detectores, etc. Tenso: 1,2 V.
b) Secundrias: so aquelas em que as reaes qumicas so reversveis, sendo ento capazes de serem recarregadas
forando-se o processo inverso ao da reao de xido-reduo, chamado eletrlise, para a reparao dos eletrodos.
O processo consiste em conectar uma fonte de tenso CC de valor maior que a nominal da pilha ou bateria, com a
polaridade tal que resulte em uma corrente de sentido contrrio ao de descarga destas. As secundrias apresentam
normalmente preo maior que as primrias, mas diluem o custo a longo prazo. Alguns exemplos mais comuns:
b.1) Baterias de chumbo-cido: possuem diversos tamanhos, elevada auto-descarga e preos comparativamente
baixos. Apresentam problemas de manuteno devido ao eletrlito utilizado (soluo de cido sulfrico). Tem
amplo emprego em veculos motorizados, instrumentos portteis, iluminao de reserva, no-breaks, etc.
b.2) Baterias de nquel-cdmio (NiCd): possuem alta densidade de energia, longo ciclo de vida e estocagem, bom
desempenho a baixas temperaturas e pouca manuteno. Necessita ser carregada at sua capacidade total e
descarregada at o mnimo (efeito memria). utilizada em iluminao de emergncia, telefones sem fio, etc.
b.3) Baterias de on de ltio (Li-ion): possuem elevada ampacidade e densidade de energia, pequeno peso, rpido
carregamento e no apresentam efeito memria. So empregadas em dispositivos que necessitam de elevada
energia para seu funcionamento e pequeno tempo de recarga, tais como equipamentos eletrnicos portteis
(laptops, celulares, tablets, etc.) e veculos eltricos. Apresentam o dobro da energia que a bateria de hidreto
metlico de nquel (NiMH), esta tambm de recente desenvolvimento e empregos similares.
(a) (b) (c) (d) (e)
Figura 1.8: Aparncias de pilhas e baterias: (a) alcalina; (b) ltio; (c) chumbo-cido; (d) NiCd; (e) Li-on.
1.3.2) LMPADAS
Lmpadas so dispositivos transdutores que transformam energia eltrica em energia luminosa. Do ponto de
vista luminotcnico, as lmpadas apresentam diversas carctersticas, dentre as quais pode-se mencionar:
Rendimento luminoso: indica o quanto da potncia absorvida convertida luz, dado em lm/W (lm = lmens);
Reproduo de cor: indica a capacidade da lmpada em refletir fielmente as cores de um objeto ou superfcie;
Vida til: indica o tempo mdio em horas aps o qual a lmpada se queima ou deixa de emitir luz utilizvel.
Com exceo das lmpadas de LED (diodo emissor de luz), de recente desenvolvimento, as lmpadas de uso
mais comum em Eletrotcnica so classificadas basicamente em duas categorias, descritas brevemente a seguir:
a) Lmpadas incandescentes: produzem luz a partir da incandescncia de um filamento de tungstnio superior a
2000 C. Constituem-se de um bulbo de vidro contendo gs inerte (argnio, nitrognio ou criptnio) para evitar a
evaporao do filamento, este conectado a uma base (tipo rosca ou baioneta) por hastes metlicas (Figura 1.9-a).
Apresentam pequena vida til (1000 horas), boa reproduo de cor e baixo rendimento luminoso (17 lm/W). Alm
da iluminao de ambientes, as lmpadas incandescentes podem tambm ser empregadas como fonte de calor para
incubao de ovos, secagem, aquecimento e esterilizao, sendo produzidas em diversos formatos (Figura 1.9-b).
Um aprimoramento so as chamadas lmpadas halgenas, em que o filamento confinado em uma ampola de
quartzo contendo gases inertes e elementos halgenos (bromo e iodo), com a finalidade de regenerar o filamento
(exemplos na Figura 1.9-c), obtendo-se uma vida til de at 4.000 horas e um rendimento de at 25 lm/W.
filamento
bulbo
haste
base (rosca rosca
tipo Edison) tipo
contatos baioneta
eltricos
(a) (b) (c)
Figura 1.9: Lmpadas incandescentes: (a) aspectos fsicos; (b) formatos diversos; (c) tipo halgena.
13
b) Lmpadas de descarga: constituem-se basicamente de um envoltrio transparente selado contendo dois eletrodos
imersos em certos vapores metlicos (sdio, mercrio, etc.) e gases nobres (argnio, nenio, etc.) em alta ou baixa
presso (gases e vapores tornam-se relativamente condutores quando rarefeitos). Produzem luminosidade quando
nos eletrodos aplicado uma tenso suficientemente alta para ionizar o meio e gerar uma subta corrente eltrica
entre os eletrodos (descarga), cujos eltrons constituintes, uma vez estabelecida a corrente, se chocam com eltrons
dos tomos de gs ou vapor e estes tlimos absorvem energia do choque, se deslocam para nveis de maior energia
e produzem a referida luminosidade no retorno aos seus nveis. Alguns tipos so (aspectos na Figura 1.10):
b.1) Fluorescentes: constituem-se em um tubo de vidro contendo uma gota de mercrio e argnio a baixa presso.
Quando conectadas a um circuito, os eletrodos se aquecem e emitem eltrons (efeito termoinico), que inicia
a ionizao do argnio. Com a aplicao de um pulso de tenso, inicia-se uma corrente eltrica que vaporiza o
mercrio e este passa a emitir radiao. Como parte dessa radiao consiste na faixa do ultravioleta, ento a
parede interna do tubo contm depositada uma substncia denominada fluorescente, que absorve esta radiao
e a converte em luz visvel. So construdas em diversos formatos (Figuras 1.10-a e b) e apresentam bom
tempo de vida til (10.000 horas) e rendimento (40 a 60 lm/W). Encontram diversos empregos em iluminao
de ambientes e decorao, bem como em esterilizao (tipo com tubo sem revestimento fluorescente).
b.2) Vapor de mercrio: possuem um tubo de quartzo contendo eletrodos de tungstnio (principais e auxiliar),
um gs inerte e mercrio sob alta presso, sendo ainda o tubo envolto por um bulbo de vidro coberto com uma
camada de p fluorescente. A partida feita por uma bobina, que inicia um arco eltrico entre os eletrodos
principais e auxiliar, e produz-se energia luminosa. O tempo de partida muito elevado (cerca de 8 minutos)
mas, devido ao bom espectro para reproduo de cores (luz branco-azulada), preo relativamente baixo, bom
rendimento (at 60 lm/W) e tempo de vida til (20.000 horas), so utilizadas em larga escala na iluminao de
ruas, praas, parques, estacionamentos, galpes industriais, ptios, postos de gasolina, espaos esportivos, etc.
b.3) Vapor de sdio: semelhante s lmpadas de vapor de mercrio, utilizam o princpio da descarga em um tubo
de xido de alumnio contendo vapor de sdio, envolto por um bulbo de vidro duro. Fabricadas nas variantes
alta e baixa presso, apresentam rendimento bastante elevado (120 lm/W na verso alta presso e 200 lm/W na
verso baixa presso) e boa vida til (10.000 h), mas emitem luz quase monocromtica (amarela alaranjada),
o que resulta em um baixo ndice de reproduo de cores. So recomendadas para iluminao de exteriores e
de segurana em locais onde a acuidade visual seja importante mas sem necessidade de distino de cores, tal
como estacionamentos, auto-estradas, aeroportos e espaos pblicos (praas), bem como em situaes na qual
a poluio luminosa seja uma restrio ou se pretenda reduzir a interferncia da iluminao na fauna noturna.
b.4) Vapor e multivapor metlico: possuem tubo de descarga em alta presso preenchido com mercrio, haletos
metlicos (iodetos de ndio, tlio e sdio) e gases (argnio e nenio), envolto por bulbo com p fluorescente.
Apresentam alto rendimento (120 lm/W), alto custo e mesmos empregos das lmpadas de vapor de mercrio.
b.5) Luz mista: possuem este nome por constituirem-se de duas fontes de luz: um tubo de descarga de mercrio
ligado em srie com um filamento de tungstnio com a finalidade adicional de limitar a corrente na lmpada.
Possuem boa vida til (10.000 h) s custas de baixa temperatura de funcionamento do filamento, resultando
em baixo rendimento (26 lm/W). Contudo, tem a vantagem de no necessitar de reator, podendo ser ligadas
diretamente rede eltrica. Apresetam boa reproduo de cores e aplicao semelhante s lmpadas a vapor.
b.6) Lmpadas de neon: constituem-se de um tubo de vidro contendo principalmente gs nenio a baixa presso
que emite uma luz vermelha alaranjada, sendo o termo empregado tambm para dispositivos semelhantes que
contm outros gases nobres para produzir outras cores. So largamente empregadas como letreiros luminosos.
b.7) Lmpadas de induo: seu princpio de funcionamento semelhante aos das lmpadas de decarga, diferindo
destas pelo fato da corrente ser induzida por um campo magntico de alta frequncia (2,65 MHz) produzido
por um circuito eletrnico integrado, no necessitando de eletrodos. Devido elevada eficincia (70 lm/W) e
tempo de vida (60.000 h), so aplicadas em iluminao de espaos pblicos e grandes galpes industriais.
espiral de induo
(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (h)
Figura 1.10: Aparncia de diversas lmpadas de descarga: (a) fluorescentes; (b) vapor de mercrio; (c) vapor de
sdio tipo tubular; (d) vapor metlico tubular; (e) multivapor metlico; (f) mista; (g) neon; (h) induo magntica.
14
Comentrios:
1) Fluorescncia: a propriedade de certos materiais em emitir luz no espectro visvel quando expostos a radiaes
de menor comprimento de onda, por exemplo ultravioleta ou raios X. A energia da radiao incidente provoca uma
excitao de eltrons no material que, ao retornarem aos seus nveis, emitem esta energia absorvida na forma de
radiao visvel. Assim, o fenmeno da fluorescncia s perdura enquanto existir uma fonte de radiao incidente.
2) Fosforescncia: um efeito similar fluorescncia, diferindo desta pelo fato dos eltrons excitados por radiao
voltarem lentamente para os nveis fundamentais, ou seja, emitem luz aos poucos, mesmo aps o trmino da fonte
de radiao. Materiais fosforescentes (por exemplo, sulfeto de zinco) podem ento ser aplicados para sinalizao
de dispositivos na ausncia de luz, tais como interruptores, tomadas, ponteiros de relgios e placas de trnsito.
3) Transdutores: so dispositivos de monitoramento por meio de um elemento sensor, que detecta parmetros fsicos
como temperatura, fora, presso, velocidade, etc., e os transformam em um valor de corrente ou tenso eltrica.
1.3.3) FIBRA TICA
As fibras ticas tm sido amplamente utilizadas como meio slido de propagao de informaes e dados em
sistemas telefonia e rede de computadores, por meio do guiamento de ondas eletromagnticas (luz) em seu interior.
Este efeito de guiamento de onda no interior de fibras ticas baseado na aplicao de dois fenmenos pticos:
1) Reflexo: quando um raio de luz, propagando-se em um meio qualquer, incide em uma superfcie com um certo
ngulo i com a normal superfcie no ponto de incidncia, sofre um desvio de um ngulo r = i tambm com a
normal e continua a se propagar no mesmo meio incidente, diz-se que o raio sofreu reflexo (Figura 1.11-a).
2) Refrao: quando um raio de luz, propagando-se em um meio material 1 com velocidade v1, incide em uma super-
fcie limitadora de um meio material 2 com um certo ngulo 1 com a normal superfcie, sofre um desvio em sua
direo e passa a se propagar no meio 2 com um certo ngulo 2 e velocidade v2 , diz-se que o raio sofreu refrao
(Figura 1.11-b). Neste caso, a fronteira que delimita os meios de propagao de um raio de luz chamada diptro.
A medida qualitativa da refrao em um meio chamada refringncia, caracterizada por seu ndice de refrao
absoluto n dado pela razo entre as velocidades c da luz no vcuo e a de propagao v no meio, tal que: n = c/v.
Logo, quanto menor a velocidade da luz em um meio, maior o seu ndice e diz-se que mais refringente o meio.
O fenmeno da refrao da luz regido pela chamada Lei de Snell-Descartes, definida por (Figura 1.11-b):
sen 1 v n
1 2 (1.13)
sen 2 v2 n1
ou seja, a razo entre o seno dos ngulos de incidncia e refrao e entre as velocidades de propagao dos meios
uma constante igual ao inverso da razo entre os ndices de refrao absolutos dos meios que formam o dioptro.
Com base na equao (1.13) nota-se que, se n2 < n1 , ento 2 > 1 , ou seja, na propagao de um meio de maior
para um de menor refringncia, o raio se afasta da normal. Neste caso, o aumento do ngulo de incidncia poder
atingir um valor limite L a partir do qual o raio no mais se refrata e passa a sofrer reflexo total (Figura 1.11-c).
raio de normal (N)

raio de 1 normal (N)
incidncia raio de incidncia L reflexo
i r reflexo v1 meio material 1 (n1) > L total
meio material 2 (n2) n1
meio incidente diptro v2
n2 < n1
meio material 2 raio de
refrao
(a) (b) (c)
Figura 1.11: Fenmenos pticos na propagao de um raio de luz: (a) reflexo; (b) refrao; (c) ngulo limite.
A possibilidade de ocorrer reflexo total de um raio de luz se propagando por um material mais refringente para
um menos refringente, permite que se obtenha o efeito do guiamento de um raio de luz ao longo de um meio material.
Fibras ticas, que representam uma aplicao prtica deste guiamento de luz, consistem em um cabo formado bsica-
mente por um ncleo cilindrico de material altamente transparente, envolvido de forma coaxial por uma fina casca de
material menos refringente que o ncleo, podendo apresentar ainda uma capa plstica de proteo contra choques
mecnicos (Figura 1.12-a). A casca normalmente de material plstico, com o ncleo podendo ser de plstico ou
slica altamente purificada. Desse modo, o sinal de luz a ser transmitido propagado atravs do ncleo por reflexo
interna total no diptro ncleo-casca (Figura 1.12-b). Atualmente, os sistemas pticos utilizam luz infravermelho, por
esta sofrer menor atenuao que a luz visvel, produzida por um dispositivo semicondutor denominado LED laser.
Um sistema de transmisso por fibra ticas (Figura 1.12-c) formado basicamente por um circuito transmissor,
que converte o sinal eltrico em tico, um cabo de fibra tica como meio de propagao do sinal tico, e um circuito
receptor, que converte o sinal tico novamente em eltrico, alm de conectores responsveis pelas ligaes terminais.
O driver, que pode ser um LED laser, fornece o sinal eltrico em condies requerida pelo emissor tico. O detetor
tico pode ser um fotodiodo e a interface de sada basicamente amplifica o sinal eltrico e o regenera, se necessrio.
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A fibra tica apresenta diversas vantagens como meio de comunicao, dentre as quais pode-se citar: baixa
atenuao, elevada largura de banda (maior capacidade de transmisso), imunidade a campos magnticos, baixo peso,
isolao eltrica (no produzem faiscamentos) e segurana (no permitem retirada de sinais sem seu rompimento).
casca
capa
ncleo
(a) (b) (c)
Figura 1.12: Fibra tica: (a) constituio fsica bsica; (b) guiamento de luz; (c) enlace de comunicao tico.
Exerccio 6: Seja um cabo de fibra tica constitudo por um ncleo de ndice de refrao nN = 1,6 e uma casca de
ndice de refrao nC = 1,5. Supondo um feixe de luz incidindo na fibra proveniente do ar, num ngulo com o eixo
da fibra (figura), determine o valor limite de para que o raio passe a se propagar na fibra por reflexo interna total.
Soluo
ar (nAR 1,0) casca (nC = 1,5)
P1
90 P2
fibra tica
M ncleo (nN = 1,6)

Pela figura observa-se que o limite do ngulo um valor mximo M , abaixo do qual ocorre reflexo interna
total do raio no diptro ncleo-casca. Aplicando-se ento a Lei de Snell-Descartes no ponto P1 (figura), tem-se:
nAR sen(M) = nN sen() sen() = sen(M)/ nN
pois nAR 1,0. O ponto P2 (figura) representa o limite para a ocorrncia da reflexo total do raio de luz. Logo:
nN sen(90 ) = nC sen(90) nN [sen(90) cos() sen() cos(90)] = nC cos() = nC / nN
Como sen2 () + cos2() = 1 ento: [sen(M)/ nN] 2 + (nC / nN) 2 = 1 sen2 (M ) nC2 nN2
sen 2 ( M ) nN2 nC2 sen( M ) nN2 nC2 M arcsen nN2 nC2
Assim, para nN = 1,6 e nC = 1,5 tem-se que o ngulo limite M dado por: M 0,59 rad 33,8
1.3.4) LASER
O laser, sigla para amplificao de luz por emisso estimulada de radiao (Light Amplification by Stimulated
Emission of Radiation), um feixe emergente de radiao eletromagntica cujo princpio de funcionamento, como seu
prprio significado sugere, baseado em um fenmeno da matria conhecido como emisso estimulada.
Como visto, um eltron excitado apresenta a tendncia de retornar ao seu nvel natural, emitindo a diferena de
energia entre os nveis na forma radiao (ftons). Este retorno bastante lento nas escalas de tempo atmico, mas o
eltron pode ser estimulado a retornar mais rapidamente se no mesmo incidir um fton, que incentiva o eltron a
emitir um fton de mesmo comprimento de onda e fase do fton incidido. Os ftons originados da estimulao podem
a seguir estimular outros ftons idnticos, estes ltimos estimular outros idnticos, e assim sucessivamente, gerando
um efeito cumulativo que resulta em uma grande quantidade de radiao idntica emergindo do meio material.
Um mecanismo bsico de produo da luz laser consiste de
superfcie bombeamento de energia
um recipiente de paredes internas espelhadas, chamado cavidade
espelhada (luz, eletricidade, etc.)
ptica, preenchido por um meio ativo composto por uma amostra
de material slido, lquido ou gasoso, no qual um grande nmero
cavidade
de tomo so excitados devido a um bobeamento (de luz, campo ptica
eltrico, etc.), que fornece energia a este meio (Figura 1.13). Os feixe laser
meio
eltrons excitados destes tomos produzem inicialmente ftons, ativo
que so refletidos de volta sobre o material devido superfcie
espelhada da cavidade ptica, e estimulam uma nova gerao de espelho
ftons que tambm so re-incididos no material e assim sucessi- semi-
vamente. Aps vrios passos, uma frao dos ftons, que esto se transparente
movimentando na direo do eixo da cavidade, emergem por uma
abertura ou por um espelho que apresenta reflexo parcial. Essa Figura 1.13: Partes constituintes bsicas de um
frao de ftons gerados continuamente emergentes da cavidade dispositivo de produo de feixe de luz laser.
ptica constitui-se ento em um feixe de luz laser (Figura 1.13).
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Assim, o laser apresenta diversas propriedades especiais, tais como: monocromtico (as ondas eletromagnticas
que compem o feixe possuem comprimento onda bem definido), coerente (as ondas oscilam de forma sincronizada,
isto , esto em fase) e colimado (as ondas propagam-se em uma mesma direo de forma praticamente paralela).
Como meio ativo, que define o comprimento de onda do laser, so empregados diversos materiais, tais como:
Hlio-Nenio (11500 ), Rubi (6940 ), Arsenieto de Glio (6000-11000 ), Neodmio-YAG (10600 ), rbio-YAG
(29400 ) e Hlmio-YAG (21000 ), onde o termo YAG um material sinttico dopado semelhante ao diamante.
Comercialmente, o laser pode ser produzido em diversas potncias (0,1 - 500 mW) de acordo com a sua vasta
aplicao, tais como: telecomunicaes (transmisso de informao via luz acoplada a uma fibra tica), cientficas
(praticamente todas as cincias experimentais tem algum emprego para o laser), indstria e comrcio (instrumentos de
corte, soldagem e marcao de peas metlicas, confeces de moldes, impressoras, leitores de cdigo de barras, etc.),
medicina e odontologia (instrumentos de corte cirrgicos, tratamento de enfermidades, bipsias, pinas pticas,
remoo de cries, etc.) e leitura e gravao de dados, informaes e contedo de entretenimento (CDs e DVDs).
1.3.5) CLULA COMBUSTVEL A HIDROGNIO
Clula combustvel (Fuel Cell), tambm chamada de clula a combustvel (CaC) ou clula de combustvel,
um dispositivo em que um agente redutor (combustvel) e um agente oxidante (comburente) so consumidos de forma
a converter a energia qumica da reao envolvida diretamente em energia eltrica. A estrutura bsica de uma clula
combustvel constitui-se de um eletrodo negativo (anodo), que alimentado com um gs combustvel, um eletrodo
positivo (catodo) que recebe o comburente, um eletrlito com a funo de transportar ons positivos produzidos no
anodo para o ctodo, e catalizadores nestes eletrodos para acelerar as reaes eletroqumicas. Como o resultado destas
diversas reaes, pode-se obter a produo de corrente eltrica por um fio externo ao sistema (Figura 1.14).
O modelo de clula combustvel de maior desenvolvimento atual utiliza o hidrognio (combustvel) e oxignio
(comburente) como reagentes, uma membrana polimrica condutora
de prtons como eletrlito (denominada PEM) e lminas de carbono e_ e_ e_
(eletrodos) revestidos de platina (catalizador). O hidrognio (puro ou
retirado de um outro combustvel) introduzido no anodo da clula H2 eletrlito c O2
a
oxidado (ionizado) no catalisador e dissociado em prtons (ons H+) a
n
e eltrons. Os prtons so ento conduzidos atravs da membrana at t
o H+
o
o catodo e os eltrons so forados a percorrer um fio externo na d H+ d H2O
forma de corrente eltrica devido uma diferena de concentrao de o
o
H2 +
eltrons e diferena de potencial estabelecidas entre os eletrodos H+ calor
(Figura 1.14). Por sua vez, o oxignio fornecido ao catodo reage com
os prtons provenientes do eletrlito e os eltrons provenientes do fio
Figura 1.14: Esquema simplificado de uma
externo, produzindo vapor dgua (Figura 1.14). Na prtica, cada par
clula combustvel a hidrognio.
eletrodos/eletrlito produz cerca de 1 V de tenso CC e pares podem
ser conectadas em srie para a obteno de maior tenso, e/ou em paralelo para a obteno de maior corrente.
As tecnologias de maior desenvolvimento na atualidade consistem nas das clulas de membranas polimricas
(chamadas PEFC), bem como nas de xido slido ou cermicos (SOFC) e nas de carbonato fundido (MCFC).
As clulas combustvel tm a vantagem de serem pouco poluentes e altamente eficientes, podendo ser utilizadas
como sistemas de emergncia e fonte de energia eltrica em aparelhos portteis (celulares, notebooks e automveis) e
em regies com carncia de rede eltrica. No entanto, o emprego do hidrognio como combustvel apresenta ainda
vrios problemas prticos a serem superados. O hidrognio altamente inflamvel, o que exige o desenvolvimento de
tecnologias para o reabastecimento seguro das clulas. Alm disso, este gs no se constitui em uma fonte primria de
energia, pois precisa ser fabricado a partir de outras fontes, tais como gasolina, gs natural, metanol, leos, biomassa
gaseificada, etc., necessitando-se para isso o consumo de outra forma de energia (por exemplo, trmica ou eltrica).
Embora clulas combustvel e pilhas eletroqimicas produzam energia eltrica sem a necessidade de combusto
ou dispositivos rotativos e tenham componentes e caractersticas similares, elas diferem no sentido de que todos os
ingredientes necessrios para as pilhas funcionarem esto contidas em seu invlucro, razo pela qual so dispositivos
de armazenamento de energia. As clulas combustvel, por sua vez, empregam dois agentes qumicos (combustvel e
comburente) fornecidos de fontes externas ao sistema e, desse modo, podem produzir continuamente energia eltrica
enquanto for mantido o provimento destes ingredientes, isto , funcionam como dispositivos de converso de energia.
1.4) EXERCCIOS PROPOSTOS
Problema 1: Seja dois fios 1 e 2 de mesmo material e peso desprezvel. O fio 2 tem 6 cm comprimento. O fio 1 tem o
dobro do comprimento e dimetro do fio 2. No fio 1 suspenso um cubo de cobre e, no fio 2, um cubo de material M,
cuja aresta a metade do cubo de cobre (vide figura). Sabendo-se que o comprimento final do fio 1 12,08 cm e do
fio 2 6,009 cm, determine a massa especfica do material M. Considere temperatura ambiente (20 oC).
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Problema 2: Sejam dois lquidos miscveis 1 e 2, de massas especficas 1,1 g/cm3 e 0,9 g/cm3, respectivamente. Qual
a massa especfica de uma mistura homognea composta, em volume, por 60 % de lquido 1 e 40 % de lquido 2?
Problema 3: A figura fornecida mostra a variao do comprimento de duas barras de materiais A e B, em funo do
incremento de temperatura T. Compare os coeficientes de dilatao linear dos materiais e obtenha concluses.
Problema 4: Seja uma placa metlica com um furo no centro (figura dada), cujas dimenses temperatura de 20 oC
so fornecidas na figura. Determine a variao percentual da rea do furo quando a placa sofre um aquecimento at
temperatura de 520 oC. Dado: coeficiente de dilatao linear do material da placa: = 2 x 105 oC 5.
Problema 5: A massa especfica de certo material slido igual a 5,015 g/cm3 a 25 oC e 5 g/cm3 a 75 oC. Determine
o coeficiente de dilatao trmica linear deste material, supondo este independente da temperatura.
Problema 6: A figura dada mostra dois pilares de materiais A e B temperatura inicial de 20 oC, que suportam uma
plataforma P inclinada com um ngulo de 1o. Determine a temperatura final dos pilares A e B tal que a inclinao da
plataforma seja de 0o. Dados: coeficientes de dilatao linear dos materiais: A = 105 oC -1 ; B = 4 x 105 oC 1.
Problema 7: Uma esfera de alumnio tem, a 25 oC , um dimetro de 5 cm. Determine a temperatura que esta esfera
pode ser aquecida para que a mesma ainda consiga passar por um orifcio circular de 5,03 cm de dimetro.
Problema 8: Seja, a 20 oC, uma barra de cobre de comprimento desconhecido e uma barra de alumnio de 3,4 cm de
comprimento. Submetem-se ambas as barras a mesma variao de temperatura e observa-se que a diferena entre os
comprimentos das barras se mantm constante. Determine o comprimento da barra de cobre a 20 oC.
Problema 9: Sejam 3 barras isoladas termicamente, conectadas e submetidas s temperaturas em suas extremidades
tal como mostrado na figura fornecida. A rea da seo de cada barra 1 cm2. Pede-se: determine a temperatura TJ na
juno das barras, o valor e o sentido da corrente trmica em cada barra, e a resistncia trmica das barras. Dados:
condutividade trmica dos materiais: K1 = 0,18 cal/oC cm s , K2 = 0,12 cal/oC cm s e K3 = 0,084 cal/oC cm s.
P
lA, lB (cm)
0,5 m 1o 12 cm
A retas
15 A
g 2 paralelas 0,5 cm 10 oC 50 oC
1 B 1 cm 3m 1 2 15 cm
12 1m TJ
M 10 cm 3 30 cm
Cu 5 cm B
0 T( C)o
80 oC
Problema 1 Problema 3 Problema 4 Problema 6 Problema 9
Problema 10: Sejam dois corpos de materiais A e B de mesmo volume. Sabe-se que o calor especfico do material A
60% maior que do material B e a massa especfica de A 80% de B. Fornecido a mesma quantidade de calor aos
dois corpos, determine qual corpo submetido maior variao de temperatura e a diferena percentual das mesmas.
Problema 11: A afirmao: o eltron emite continuamente energia ao retornar ao seu nvel fundamental, de forma a
obedecer a teoria quntica, est correta? Explique sua resposta.
Problema 12: Para um eltron situado no 4o nvel de energia de certo tomo, esquematize os caminhos (combinaes
de etapas) que este poder percorrer no retorno ao 1o nvel e identifique quantos tipos de ftons ele poder emitir.
Problema 13: Seja um tomo hipottico cuja distribuio de energia dos nveis dada pela equao: En = 36/n2 ,
onde n = 1,2,..., o ndice dos nveis. Para um eltron situado no 2o nvel deste tomo, pede-se:
a) O eltron absorve um fton e, ao retornar ao seu nvel, emite dois ftons de comprimentos de onda 28181,8 e
1640,2 . Determine o comprimento de onda do fton absorvido e o caminho percorrido pelo eltron at seu nvel.
b) Explique o que acontece com o eltron se no mesmo incidir um fton de comprimento de onda 1240 .
c) Determine o comprimento de onda limite para o eltron sofrer fotoexcitao e explique se mnimo ou mximo.
7,2 m
Problema 14: A figura dada mostra uma plataforma circular de dimetro 7,2 m, que flutua
em guas cuja velocidade de propagao da luz 2,4 x 108 m/s. Determine a profundidade
hlim
limite hlim abaixo do centro da plataforma, que um peixe deve se posicionar para que no seja
visto de nenhuma posio fora dgua. Explique se o limite mnimo ou mximo.
18
CAPTULO 2: MATERIAIS E DISPOSITIVOS CONDUTORES
Materiais ditos condutores eltricos so definidos como todo meio que permite o estabelecimento de um fluxo
utilizvel de cargas livres por sua estrutura compatvel com a tenso aplicada. A Eletrotcnica faz uso destes materiais
para o transporte de energia na forma de corrente eltrica e transformao desta energia em outras formas, tais como
mecnica, trmica e luminosa, bem como para armazenamento de energia, propagao de sinais e aes de comando.
Este captulo tem como objetivo realizar um breve estudo sobre os materiais condutores, suas caractersticas e
aplicaes em componentes eltricos, bem como dissertar sobre alguns tpicos complementares ao assunto.
2.1) FENMENO DA CONDUO ELTRICA
O fenmeno da conduo eltrica em um material qualificada pela propriedade denominada condutividade

eltrica. A chamada resistncia eltrica refere-se quantificao desta propriedade em uma amostra do material e
dependente de fatores prprios do material, tais como impurezas, imperfeies e temperatura, bem como parmetros
externos como frequncia da corrente eltrica circulante pela amostra. Estes assuntos so abordados a seguir.
2.1.1) CONDUTIVIDADE E RESISTNCIA ELTRICAS
O movimento ordenado de portadores de carga livres em um meio material (eltrons e ons) chamado corrente
eltrica, sendo o montante desta corrente proporcional quantidade dos portadores livres disponvel no material. A
qualidade condutora de um material reside ento na sua capacidade de conduzir um fluxo de carga utilizvel, o que
em Eletrotcnica se resume a no considerar como efetivas ou vlidas correntes de ordem inferior a microampres.
Como visto no Captulo 1, os materiais ditos condutores eltricos caracterizam-se por apresentar suas bandas de
valncia e conduo superpostas, o que resulta em uma elevada disponibilidade de eltrons na banda de conduo,
que porisso apresentam grande liberdade de movimento e recebem ento a denominao de eltrons livres. Assim, o
surgimento de correntes eltricas em amostras destes materiais podem ser substanciais e, portanto, utilizveis.
Seja ento uma amostra de comprimento e rea A de certo material condutor contendo N eltrons livres
disponveis (Figura 2.1-a). Na ausncia da influncia de um agente externo, estes eltrons apresentam um movimento
totalmente randmico motivado apenas pela agitao trmica (Figura 2.1-a) e no se constituem em um deslocamento
ordenado de carga eltrica em qualquer direo. Contudo, o estabelecimento de um campo eltrico E no interior da
amostra, em conseqncia de uma tenso V aplicada entre suas extremidades, impe uma fora eltrica F e E aos
eltrons livres e determina um movimento preferencial a estas cargas, que passam a se deslcoar pela amostra a uma
velocidade mdia v (devido maior ou menor probabilidade de colises com eltrons estacionrios da rede), chamada
velocidade de deriva, e de sentido contrrio ao campo (Figura 2.1-b). Como resultado, tem-se ento o estabelecimento
de uma corrente eltrica no material, neste caso denominada corrente de conduo, de deriva ou de campo.
N eltrons livres V V
e e v e
v e v<0

e
v e e<0 E,J
e e E
A A A
e v e v e
e v e v e e>0
v>0
x x x
(a) (b) (c)
Figura 2.1: Fenmeno da conduo eltrica nos materiais: (a) cargas livres em movimento randmico; (b) tenso
aplicada e consequentes campo eltrico e corrente eltrica; (c) densidade de corrente de conduo resultante.
Supondo t o tempo mdio necessrio a um eltron livre percorrer a amostra de comprimento , ento pode-se
estimar a velocidade mdia v dos eltrons livres como: v = /t, por esta ter sentido contrrio ao eixo x. Sendo uma
corrente eltrica definida como a variao de carga com o tempo (Q/t), ento a corrente eltrica I na amostra de
material condutor, resultante do movimento ordenado de seus N eltrons livres disponveis, pode ser determinada por:
Q Nq N ( e) N ev
I I
t t ( / v)
ou seja, o montante da corrente de conduo indenpende do sinal do portador de carga considerado (Figura 2.1-c).
Logo, este resultado obtido considerado-se o movimento de cargas positivas, cujo sentido chamado convencional.
Definindo densidade de corrente de conduo, deriva ou de campo J como a corrente que flui atravs da rea A
da seo transversal ao fluxo de portadores (J = I /A), ento a densidade de corrente na amostra ser dada por:
19
CAPTULO 2: Materiais e dispositivos condutores
I N ev
J
A A
Seja n a chamada concentrao de eltrons livres de um material, definida como o nmero de eltrons livres por
unidade de volume. Como h N portadores livres disponveis em um volume A da amostra, ento a concentrao n
do material da amostra ser dada por: n = N / A. Assim, a densidade de corrente J pode ser reescrita como:
N
J ev J n e v (2.1)
A
Seja n = v/E (m2/Vs) a propriedade mobilidade dos eltrons livres de um material, que descreve a velocidade
mdia destes portadores por unidade de campo aplicado. A densidade de corrente J pode ento ser redefinida como:
J n e v n e n E E (2.2)
Na equao (2.2), conhecida como Lei de Ohm na forma vetorial, o termo resultante definido por:
n e n (2.3)
chamado condutividade eltrica (S/m, S = Siemens) e expressa a facilidade com que cargas livres podem fluir por
um meio material quando este submetido a uma tenso, ou seja, sua capacidade em conduzir correntes de conduo.
Com base na equao (2.2), observa-se que o vetor densidade de corrente tem sempre o sentido do vetor campo
eltrico aplicado pois, como visto, a corrente no depende do sinal do portador de carga considerado (Figura 2.1-c).
A propriedade inversa condutividade, ou seja, que define a oposio ou dificuldade imposta por um material
circulao de corrente por seu meio, chamada resistividade eltrica (m), definida ento por: = 1/ = 1/n e n .
Como um campo eltrico definido como o gradiente de potencial eltrico aplicado a um meio material, ou
seja, a variao de potencial ao longo do meio (V/x), tem-se que o campo E na amostra devido tenso V aplicada
entre as extermidades distantes pode ser determinada por E = V/ . Logo, manipulando-se a equao (2.2), tem-se:
I I V 1
J E V I I V RI (2.4)
A A A A
onde a equao resultante chamada Lei de Ohm na forma escalar e o termo R = /A dependente da geometria da
amostra representa uma avaliao quantitativa da resistividade do material denominada resistncia eltrica ().
Para o caso de uma amostra submetida a uma tenso constante em suas extremidades, tem-se como resultado
uma corrente tambm constante (corrente contnua, dita CC), cuja densidade de corrente ocupa uniformemente toda a
rea transversal A da amostra. Neste caso, a chamada resistncia eltrica corrente contnua RCC se resume a:

RCC () ou RCC ( / m) , para 1m (2.5)
A A
onde a segunda equao (por unidade de comprimento) tem emprego prtico na indstria de fios e cabos condutores.
Cabos eltricos consistem de um conjunto de fios de mesma seo ou no. Neste caso, normalmente os fios do
cabo so encordoados (tranados helicoidalmente) para conformao mecnica, fazendo-os maior que o prprio cabo.
Logo, o comprimento dos fios deve ser corrigido por um fator de encordoamento fe, que convencionalmente ser:
Para cabos com at 3 fios: comprimento dos fios em mdia 1% maior que o cabo, ou seja, fe = 1,01.
Para cabos com mais de 3 fios: comprimento dos fios em mdia 2% maior que o cabo, ou seja, fe = 1,02.
Assim, a resistncia CC de um cabo eltrico com nfios de rea Afio cada e comprimento ser determinada por:
fe fe
Afio RCC , cabo ( ) ou RCC , cabo ( / m) (2.6)
Afio n fios Afio n fios
nfios
Comentrios: a seguir so feitas algumas obervaes sobre a condutividade dos materiais em geral e da resistncia.
1) O tipo de portador de carga livre em condutores slidos so exclusivamente eltrons, nos lquidos (eletrlitos) so
exclusivamente ons e apenas os condutores gasosos (plasmas) apresentam eltrons e ons como portadores livres.
2) A concentrao n eltrons livres nos metais aproximadamente 1023 cm-3. Como comparao, a concentrao de
eltrons livres nos isolantes da ordem de 106 cm-3, e nos semicondutores ditos puros, em torno de 1010 cm-3.
3) Como a resistncia proporcional ao comprimento, ento fios resistivos podem ser empregados como sensores de
deformao elstica de peas em equipamentos de medio, denominados extensmetros por resistncia eltrica.
Exerccio 1: Seja um fio metlico de 2,5 mm2 conduzindo corrente contnua de 16 A . Supondo uma concentrao de
eltrons livres no metal tpica da ordem de 1023 cm-3, determine a velocidade de deriva (v) dos eltrons neste fio.
Soluo
Com base na equao (2.1), tem-se ento que: J = I/A = n e v v = I/(n e A)
onde: I = 16 A ; A = 2,5 mm2 = 2,5 x 10 -6 m2 ; n = 1023 cm-3 = 1029 m -3 ; e = 1,6 x 10-19 C
Portanto: v 16 / 10 1,6 10 2,5 10
19 6
29
v 4 104 m / s
A esta velocidade, um eltron necessitaria de 2500 s, ou aproximadamente 42 min, para percorrer 1 m de fio. Assim, a
velocidade de deriva muito pequena comparada com a velocidade da onda de propagao de um campo eltrico ao
longo do fio (propagao de um sinal de tenso), que cerca da velocidade das ondas eletromagnticas (3 x 108 m/s).
20
2.1.2) FATORES QUE INFLUENCIAM NA RESISTNCIA ELTRICA
A resistncia eltrica de amostras dos materiais depende de fatores que influenciam no valor da resistividade do
material, tais como grau de pureza, imperfeies e temperatura, bem como da freqncia do sinal de corrente eltrica
aplicado, que influencia diretamente no valor da resistncia da amostra. Estes aspectos so discutidos a seguir.
2.1.2.1) Grau de impureza e imperfeies no material
A presena de impurezas em materiais condutores, notadamente

nos metais, provoca alteraes na disposio cristalina do material, cuja (x 10-8 .m)
irregularidade dificulta a passagem dos eltrons. Logo, a resisitividade sentidos de maior pureza
dos metais diminui com o aumento do seu grau de pureza. Desse modo, 60
ligas metlicas tendem a apresentar resistividade maior que a dos metais 50
componentes. Por exemplo, a Figura 2.2 mostra a variao da resistivi- 40
dade de uma liga de cobre e nquel, onde observa-se que a resistividade 20 7,2
do Constantan maior que a do cobre e do nquel puros (Tabela 2.1). 1,7
0
Similarmente, a presena de imperfeies na rede cristalina de 100 80 60 40 20 0 % Cu
um material, comumente originadas no momento de sua cristalizao ou 0 20 40 60 80 100 % Ni
pela ao de uma energia aplicada sua estrutura (por exemplo, atuao Constantan
de foras mecnicas, tais como laminaes a frio e trifilao), acarretam
em deformaes que causam um aumento da resistividade do material. Figura 2.2: Variao da resistividade de
Estas imperfeies alteram ainda algumas das caractersticas mecnicas uma composio de cobre com nquel.
do material (por exemplo, aumento da dureza), sendo estes problemas
amenizados mediante um tratamento trmico denominado recozimento. Por exemplo, o cobre do tipo laminado a frio
submetido a esforos mecncios em sua fabricao, o que o faz apresentar resistividade maior que a do tipo fundido.
Comentrio: dentre os processos de conformao mecnica e acabamento dos materiais, pode-se citar:
Recozimento: tratamento trmico que consiste em aquecimento e resfriamento lento para alvio de tenses internas
de um material para diminuio de sua dureza devido, por exemplo, ao chamado encruamento (endurecimento).
Extruso: processo de fabricao por compresso a frio ou a quente, que consiste na sada forada de uma pea em
um molde para a obteno da forma desejada (exemplos: tubos e encapamento de fios). Provoca encruamento.
Trifilao: processo de fabricao por deformao a quente, que consiste em forar a passagem de uma amostra de
material por uma matriz sob esforo de trao, de modo a sofrer deformao plstica. Tem por objetivo reduzir a
seo do material e aumentar seu comprimento para produzir, por exemplo, fios. Este processo aumenta bastante a
resistncia trao e fadiga do material da pea, mas causa um aumento da dureza do material.
Usinagem: processo de submisso de um material bruto ao de uma mquina e/ou ferramenta, de modo a ser
trabalhado, tal como serramento, aplainamento, torneamento, fresamento, furao, eletroeroso, etc.
Prensagem: aplicao de presso para a operao de conformao de peas baseada na compactao, com aditivos
ou no, de materiais inseridos no interior de uma forma rgida ou de um molde flexvel.
Esmerilhagem: processo de desgaste e polimento de peas por meio da rotao de uma pedra circular muito dura.
2.1.2.2) Temperatura
Com base na equao (2.3), observa-se que a condutividade eltrica de um material depende da concentrao e
mobilidade de seus eltrons livres. No caso dos materiais condutores puros (notadamente os metais), praticamente
todos os eltrons de valncia esto livres, o que resulta ento em uma concentrao de eltrons livres praticamente
constante. Contudo, uma elevao da temperatura acarreta em maior vibrao da rede cristalina do material, o que
provoca um aumento das colises entre eltrons em movimento e eltrons fixos da rede, com consequente perda de
mobilidade dos eltrons livres e maior aquecimento do material por Efeito
Joule. Logo, com a concentrao de eltrons livres praticamente constante, a R ()
diminuio na mobilidade destes eltrons devido elevao da temperatura RT2
acarreta em um aumento da resistividade do material e, conseqentemente,
R
resulta no aumento da resistncia eltrica de uma amostra deste material.
RT1
Para faixas de temperaturas normais de trabalho dos materiais em
T
geral, o grfico tpico da variao da resistncia com a temperatura de uma
amostra apresenta um comportamento praticamente linear (Figura 2.3). 0
T1 T2 T(oC)
Desse modo, para uma amostra de comprimento e seo transversal A de
certo material submetido a variaes de temperatura, pode-se determinar a Figura 2.3: Variao da resistncia
declividade do segmento linear do grfico como uma medida da dependncia eltrica com a temperatura.
da resistncia da amostra de material com a temperatura, dada ento por:
21
R R RT1
tg T2
T T2 T1
Como visto, esta declividade representa o comportamento da amostra com a temperatura e no do material da
amostra. Neste caso, supondo desprezvel as variaes nas dimenses e A da amostra quando esta submetida a
uma variao de temperatura (dilatao volumtrica desprezvel) ento, dividindo-se ambos os lados da equao da
declividade pela resistncia eltrica a uma temperatura de referncia qualquer, por exemplo T1 (RT1), obtem-se:
tg 1 RT2 RT1 1 T2 / A T1 / A 1 T2 T1
T 1
RT1 RT1 T2 T1 T1 / A T2 T1 T1 T2 T1
onde observa-se agora que o fator T1 (unidade: oC 1) independente da geometria da amostra e descreve notadamente
a proporcionalidade entre a variao da resistividade e da temperatura do material da amostra. Logo, o parmetro T1
descreve o comportamento da resistividade com a temperatura e representa uma propriedade intrnseca do material,
chamada coeficiente de variao da resistividade com a temperatura ou coeficiente de temperatura da resistividade.
Assim, a resistividade de um material uma temperatura qualquer T2 pode ser obtida a partir da resistividade e
coeficiente de temperatura da resistividade do material tabelados na temperatura de referncia T1 , tal que:
1 T2 T1
T1 T2 T1 1 T1 T2 T1 (2.7)
T1 T2 T1
Adotando-se T1 = 20 oC como temperatura padro, a resistividade T a uma temperatura qualquer T ser tal que:
T 20 [ 1 20 T 20 ] (2.8)
Desse modo, para uma amostra de material de comprimento e seo transversal A submetida a uma variao
de temperatura, a resistncia da amostra temperatura qualquer T (RT) a partir da referncia 20 oC ser dada por:
T ( / A) 20 ( / A) 1 20 T 20 RT R20 1 20 T 20 (2.9)
A Tabela 2.1 apresenta a resistividade e o coeficiente de variao da resistncia com a temperatura para alguns
materiais a 20 oC. Com base nos dados da tabela, observa-se que, de acordo com o mdoulo e sinal do coeficiente de
temperatura, ocorrem basicamente trs classificaes para o comportamento da resistividade eltrica dos materiais:
PTC: a resistividade do material aumenta com o aumento da temperatura, ou seja, o coeficiente positivo ( > 0).
Este comportamento basicamente encontrado nos metais puros em geral (Tabela 2.1) e na maioria de suas ligas.
NTC: a resistividade do material diminui com o aumento da temperatura, ou seja o coeficiente negativo ( < 0).
Este o caso do grafita (Tabela 2.1), de algumas ligas metlicas resistivas, dos semicondutores e dos isolantes.
Termoestvel: a resistividade do material praticamente no se altera com a variao de temperatura, ou seja, o
coeficiente de temperatura muito pequeno ou nulo ( 0). Na Tabela 2.1 tem-se como exemplo o constantan,
que apresenta um coeficiente de temperatura ( 10 6) muito inferior comparado a outros materiais ( 10 3), isto ,
o comportamento de sua resistncia com a temperatura apresenta uma declividade praticamente desprezvel.
Tabela 2.1: Resistividade e coeficiente de temperatura da resistividade de alguns materiais a 20 oC.

Condutor (m) (oC1) Condutor (m) (oC1)
-8 -3 -8
prata 1,6 x 10 3,8 x 10 nquel 7,8 x 10 6,0 x 10-3
cobre 1,7 x 10-8 3,9 x 10-3 ferro 10 x 10-8 5,5 x 10-3
ouro 2,4 x 10-8 3,4 x 10-3 platina 10,5 x 10-8 3,0 x 10-3
alumnio 2,8 x 10-8 4,0 x 10-3 constantan 50 x 10-8 8,0 x 10-6
tungstnio 5,0 x 10-8 5,2 x 10-3 grafita 14 x 10-6 5,0 x 10-4
Exerccio 2: Seja um cabo constitudo por 19 fios de alumnio de seo circular com 1,6 mm de dimetro. Pede-se:
a) Determine a resistncia corrente contnua de um fio do cabo por quilmetro a 50 oC ;
b) Determine a resistncia corrente contnua do cabo por quilmetro a 50 oC ;
Soluo
Da Tabela 2.1, tem-se para o material alumnio a 20 C que: Al, 20C = 2,8 x 108 m , Cu, 20C = 4,0 x 103 oC -1
o
a) Clculo da resistncia corrente contnua de um fio do cabo de alumnio em /km e a 50 oC :

Raio de um fio do cabo: rfio = 1,6 / 2 mm = 0,8 mm = 8 x 10 4 m
Resistividade do alumnio a 50 oC : da equao (2.8) tem-se que:
Al ,50 C Al ,20 C [1 Al ,20 C (50 20)] 2,8 108 [1 4 10 3 30] 3,14 10 8 m
o o o
Da equao (2.5), tem-se ento que a resistncia RCC do fio a 50 oC ser dada por:
Al,50 oC Al,50 oC 3,14 108
RCC, fio,50 oC 15,6 103 15,6
rfio 8 10
2 2
Afio 4 m km
Este resultado pode ser tambm calculado aplicando-se diretamente a equao (2.9), ou seja:
22
Al,20 oC
RCC, fio,50 oC RCC, fio,20 oC 1 Al,20 oC (50 20) 1 30 Al,20 oC 15,6 103 15,6
rfio
2 m km
b) Clculo da resistncia corrente contnua do cabo de alumnio em /km e a 50 oC :
Como nfios = 19 > 3, ento o fator de encordoamento do cabo ser: fe = 1,02. Da equao (2.6), tem-se ento que:
fe 1,02
RCC,cabo,50 oC Al ,50 oC 3,14 108 0,84 103 0,84
rfio n fios 8 10 19
2 2
4 m km
2.1.2.3) Efeito pelicular
Como concepo espacial, a densidade de corrente em uma amostra de material pode ser esquematizada por
infinitas linhas de corrente, que se distribuem pela rea da amostra transversal ao fluxo da corrente (Figura 2.4-a).
No caso de correntes contnuas no tempo, tem-se que as linhas de corrente se distribuem uniformemente pela seo da
amostra e, desse modo, a densidade de corrente distribui-se por toda a seo (Figura 2.4-a) e no clculo da resistncia
corrente contnua (RCC), definido na equao (2.5), considera-se a rea total A. Contudo, para correntes variantes no
tempo, a equao (2.5) pode apresentar resultados muito imprecisos devido ao chamado efeito pelicular ou skin.
Da teoria do Eletromagnetismo, sabe-se que toda corrente eltrica produz campo magntico e, desse modo, uma
corrente variante no tempo (por exemplo: corrente alternada, dita CA), produz um campo magntico tambm variante
no tempo. Sabe-se tambm que as linhas de fluxo de um campo magntico variante no tempo induzem tenso eltrica,
chamada fora eletromotriz (fem), em qualquer material imerso no campo (Lei de Faraday: fem = d/dt), inclusive
no prprio meio por onde circula a corrente. Como resultado, se o meio material prover um caminho, a fem induzida
produz corrente eltrica no material de sentido tal a fazer oposio ao fluxo magntico que a produziu (lei de Lenz).
Seja ento uma amostra de material percorrido por corrente alternada, cujas linhas de corrente produzem fluxos
de linhas de campo magntico alternado que envolvem as linhas de corrente (Figura 2.4-b) e estas produzem foras
eletromotrizes inclusive internamente amostra (fem auto-induzidas). Como cada seo infinitesimal transversal
corrente constitui-se em um meio material para a induo de correntes em resposta s fems auto-induzidas, ento
observa-se que estas correntes induzidas tendem a intensificar as linhas de corrente originais mais externas seo
transversal do condutor, mas a se opor s linhas mais internas (Figura 2.4-b). Como consequncia, os eltrons em
movimento so forados a se deslocarem para a rea mais externa da seo da amostra, o que resulta em um efeito de
diminuio gradativa das linhas de corrente da seo externa para a interna (Figura 2.4-c), chamado efeito pelicular.
Assim, pode-se observar que o efeito pelicular provoca uma desuniformidade na densidade de corrente e, desse
modo, a rea efetivamente ocupada por uma corrente alternada menor do que a ocupada por uma corrente contnua.
Como a resistncia depende inversamente da rea, conclui-se ento que a resistncia de uma amostra de material
passagem de corrente alternada (RCA) poder ser consideravelmente maior que a resistncia corrente contnua (RCC).
corrente 63%
induzida
linhas de
J linha de J r
corrente
fluxo
magntico
linha de corrente original
pelcula
(a) (b) (c) (d)
Figura 2.4: (a) Densidade de corrente contnua; (b) efeitos de correntes induzidas nas linhas de corrente originais;
(c) densidade de corrente CA no uniforme e o efeito pelicular; (d) profundidade de penetrao e rea efetiva.
Anlises tericas tm demonstrado que, quando a seo transversal de um condutor muito maior que a rea
efetivamente ocupada por uma corrente alternada, a densidade de corrente diminui exponencialmente a partir da
superfcie. Neste caso, pode-se obter uma avaliao quantitativa da resistncia apresentada pela amostra de material
considerando-se que a densidade das linhas de corrente alternada est concentrada e distribui-se uniformemente por
apenas uma pelcula de espessura correspondente ao decrscimo de 63% da densidade de corrente na superfcie da
amostra (Figura 2.4-d). Esta espessura, denominada profundidade de penetrao, definida analiticamente por:

(2.10)
f
onde (m) o valor da profundidade, f (Hz) a freqncia do sinal de corrente alternada que percorre a amostra de
material e (m) e = r o (H/m) so, respectivamente, a resistividade e a permeabilidade magntica do material
da amostra, sendo o a permeabilidade do vcuo (o = 4 x 10-7 H/m) e r a permeabilidade relativa do material.
Pela equao (2.10) observa-se ento que o efeito pelicular ser tanto mais pronunciado ( menor) quanto mais
permevel magneticamente () for o material, pois maior a concentrao de fluxo magntico no interior do material
(), e maior for a freqncia f da corrente que o percorre (f d./dt), pois maiores so as fems auto-induzidas (d/dt).
23
Logo, o conceito de profundidade de penetrao propicia uma forma de avaliao simplificada da resistncia
corrente alternada, bastando adequar a equao (2.5) para considerar a rea da pelcula como a efetivamente ocupada
pela corrente CA. Assim, para um condutor de seo circular de raio r em que se observa um efeito pelicular bastante
pronunciado, tal que r >> , a rea da pelcula (Figura 2.4-d) pode ser aproximada para um retngulo de comprimento
2 r e altura e, desse modo, a rea da pelcula pode ser determinada aproximadamente por: 2 r .
Assim, com base na equao (2.5), a resistncia RCA passagem de corrente alternada que um fio condutor de
seo circular de raio rfio e comprimento efetivamente apresenta pode ser determinada aproximadamente por:

RCA () ou RCA ( / m) (2.11)
2 rfio 2 rfio
Similarmente, a resistncia CA de um cabo com nfios de raio rfio e comprimento cada ser determinada por:
fe fe
RCA () ou RCA ( / m) (2.12)
2 rfio n fios 2 rfio n fios
O efeito pelicular tanto mais pronunciado quanto maior a rea do fio ou cabo. Logo, em cabos de maior seo,
onde este efeito pode ser observado mesmo nas freqncias industriais (50 ou 60 Hz), costuma-se utilizar o chamado
cabo segmentado (mltiplos cabos isolados). Similarmente, quando a parte central de um condutor praticamente no
ocupada por correntes de freqncia elevada, pode-se construir cabos tipo anulares para a transmisso de sinais de
udio e rfio-frequncia, denominados coaxiais, formados por dois condutores (interno e externo) isolados entre si.
Exerccio 3: Seja um cabo composto por 7 fios de ferro com 0,14 cm de raio cada. A 60 oC, compare a resistncia
CC do cabo por metro com a resistncia CA do cabo por metro para a frequncia de 60 Hz. Considere: r, Fe = 6000.
Soluo
Dados: Fe, 20C = 10 x 108 m , Fe, 20C = 5,5 x 103 oC -1 (Tabela 2.1) ; rfio = 0,14 cm = 14 x 104 m
Fe = permeabilidade magntica do ferro = r, Fe x o = 6000 x 4 x 10 7,5 x 103 H/m
7
8 3 8
Fe ,60 o C Fe ,20 o C [1 Fe ,20 oC (60 20)] 10 10 [1 5,5 10 40] 12,2 10 m
Fe ,60 o fe 12,2 108 1,02
Da equao (2.5), tem-se ento que: RCC ,cabo ,60 oC 0,003
C
( rfio
2
) n fios (14 10 ) 7
4 2
m
Fe,60 o 12, 2 108
Profundidade de penetrao no ferro a 60 Hz e 60 oC : Fe 2,9 10 4 m
C
f Fe 60 7,5 10 3
Comparando-se Fe com o raio de um fio do cabo de ferro (14 x 104 m), observa-se que uma corrente CA de 60 Hz
est praticamente confinada em cerca de 1/5 do raio do fio, o que evidencia um efeito pelicular pronunciado no fio.
Fe ,20 oC fe 12,2 108 1,02
Da equao (2.11), tem-se: R 0,007
CA ,cabo , 60 o C
(2 rfio Fe ) n fios 2 14 10 2,9 10 7
4 4
m
Observa-se que a resistncia CA do cabo de ferro cerca de 2,3 vezes maior que sua resistncia CC e conclui-se
ento que a elevada permeabilidade magntica do ferro pode causar um elevado efeito pelicular em fios e cabos
deste material, mesmo a baixas freqncias (60 Hz). Logo, o ferro normalmente no utilizado na construo de
condutores eltricos, exceto como alma de ao para cabos de alumnio, cercas eltricas e eletrificao rural.
2.2) MATERIAIS E DISPOSITIVOS CONDUTORES

Com exceo do mercrio e dos eletrlitos, que so lquidos, e de certos gases a baixa presso e ionizados, os
materiais ditos condutores so geralmente slidos e resumem-se aos metais, suas ligas e o grafite. Este item consiste
em um breve estudo sobre os condutores slidos e algumas aplicaes em dispositivos de interesse em Eletrotcnica.
2.2.1) OS METAIS E SUAS CARACTERSTICAS

Os metais consistem nos materiais de maior emprego como meio condutor e resistivo para as mais diversas
aplicaes em Eletrotcnica e, dentre as diversas propriedades e caractersticas de interesse, pode-se mencionar:
Elevadas condutividades eltrica e trmica: a disposio regular, ordenada e repetida em todas as direes de seus
arranjos cristalinos confere aos metais uma elevada capacidade de conduo de eletricidade e calor.
Coeficiente de temperatura da resistividade positivo: os metais puros comportam-se como materiais tipo PTC.
Facilidade de combinao entre si: apresentam grande capacidade de se combinarem na forma de ligas metlicas.
Capacidade de deformao: so de fcil moldagem com a aplicao de esforos mecnicos a frio ou a quente.
Elevada resistncia mecnica: apresentam elevada resistncia a esforos de trao, compresso e cisalhamento.
Converso em derivados metlicos imersos em certos meios: transformam-se em xidos em contato com oxignio
e sais sob a ao de cidos, que geralmente so menos condutores eltricos e trmicos que os metais de origem.
24
A seguir so descritos alguns dos metais mais utilizados em aplicaes eletrotcnicas por suas propriedades e
caractersticas desejveis, onde as resistividades, quando fornecidas, so temperatura de referncia (20 oC):
1) Cobre: constitui-se num dos metais mais importantes para aplicaes eltricas devido suas diversas propriedades
desejveis, dentre as quais destacam-se: baixa resistividade (somente a prata tm valor inferior), fcil deformao a
frio e a quente (por exemplo, facilidade em ser reduzido a fios, ou seja, o cobre bastante dctil), facilidade para
emendar e soldar (o cobre aceita bem a solda comum de chumbo-estanho), alta condutividade trmica, facilidade
de capeamento por outros metais, boa maleabilidade e flexibilidade (facilidade para laminar), elevada resistncia
ao dos agentes qumicos mais comuns (por exemplo: ar, gua, fumaas, sulfatos e carbonatos), baixa dureza,
mdia resistncia trao, mdio ponto de fuso (1083 oC) e baixo preo comparado a outros metais.
Depois do ferro, o cobre o metal de maior uso na indstria eltrica juntamente com suas ligas, conhecidas
como bronzes e lates, e apresenta diversas aplicaes de acordo com sua conformao mecnica.
O cobre encruado usado nos casos em que se exige elevada dureza, resistncia trao e pequeno desgaste,
tais como peas de contato, barramentos, hastes de aterramento, lminas e anis coletores em motores, etc. O cobre
mole ou recozido, por sua vez, usado em aplicaes que exigem boa flexibilidade, tal como fios e cabos eltricos
para baixa tenso, enrolamentos de motores e transformadores, fios telefnicos, malhas de aterramento, etc.
A condutividade do cobre muito influenciada pela presena de impurezas, sendo o cobre padro internacional
definido pelo tipo recozido com 99,7 % de pureza, que apresenta resistividade de 1,72 x 10-8 m.
2) Alumnio: metal inferior ao cobre, tanto eltrica quanto mecanicamente, mas vivel economicamente devido ao
baixo custo em decorrncia de sua grande abundncia, sendo o terceiro metal de maior emprego na eletricidade.
O alumnio bastante malevel e dctil, de pequena resistividade (2,8 x 10-8 m), alta condutividade trmica e
baixa massa especfica e ponto de fuso (659 oC), sendo porm mais frgil a esforos mecnicos que outros metais.
O alumnio encontra aplicao em larga escala em alta tenso como cabos condutores em linhas de transmisso
e distribuio de energia, que podem apresentar um ncleo de ao para mitigar o problema com a baixa resistncia
mecnica a esforos de trao. O alumnio encontra emprego tambm em instalaes eltricas de baixa tenso, mas
apenas nos casos em que as solicitaes mecnicas a que estar sujeito so pequenas, tais como: enrolamentos de
transformadores, placas de capacitores, barras condutoras em ranhuras de motores de induo, barramentos, etc.
O alumnnio exposto umidade sofre rpida oxidao que resulta em uma fina camada de xido de alumnio,
material de elevada rigidez dieltrica e, portanto, altamente isolante, mas que impede a ampliao da corroso.
O alumnio de difcil soldagem (a solda de chumbo-estanho no adere ao alumnio) e para isto deve-se limpar
a superfcie a ser soldada com um material antioxidante e empregar pastas especiais (como o xido de acetileno),
ou mesmo solda eltrica (fundio do prprio alumnio para efetuar as emendas), ou ainda braadeiras metlicas
para realizar conexes, empregadas particularmente em emendas de cabos de alumnio em linhas de transmisso.
Alumnio e o cobre esto separados eletroquimicamente por 2V. Esta diferena de potencial responsvel pela
predisposio de uma juno cobre-alumnio corroso galvnica, o que pode provocar a deteriorao do contato
eltrico entre estes metais. Por essa razo, este tipo de juno precisa ser isolado contra a influncia do ambiente.
Para finalidades eletrotcnicas gerais, emprega-se o alumnio com teor mximo de 0,5 % de impurezas e, para
aplicaes em eletrodos de capacitores, um alumnio mais puro, com teor mximo de 0,05 % de impurezas.
3) Ferro: devido ao fato de apresentar elevado ferromagnetismo (r em torno de 6000 na forma pura) e resistividade
relativamente baixa (10 x 10-8 m), aliadas elevada dureza, plasticidade, resistncia trao, compresso, fadiga
e cisalhamento, grande tenacidade e alto ponto de fuso (1530 oC), o ferro e suas ligas (aos) encontram extensa
aplicao na construo de diversos equipamentos eltricos tais como: ncleos ferromagnticos laminados para
motores, transformadores e rels, ferragens de suporte para equipamentos e instalaes eltricas, chaves de alta
tenso, trilhos condutores em metrs e bondes, barramentos em subestaes, cabos de alta resistncia trao para
estaiamento de torres e postes, ncleo de ao para cabos de alumnio, etc. As restries para a utilizao do ferro
como condutor eltrico em maior escala sua rpida e fcil corroso por oxidao eletroqumica, e por apresentar
elevado efeito pelicular mesmo nas baixas freqncias (50/60 Hz) dos sistemas de energia eltrica convencionais.
4) Prata: o metal de menor resistividade a temperaturas normais (1,62 x 10-8 m), sendo porm sua aplicao
limitada a casos especiais devido ao alto custo. Por ser o melhor condutor, o metal nobre de maior uso industrial,
utilizado, por exemplo, como elo fusvel de preciso para os casos em que a constante de tempo para a proteo do
aparelho seja importante. Devido sua grande estabilidade qumica, empregada tambm como camada externa
(obtida por banho eletroqumico, chamado prateao) em peas para contato eltrico, bem como para proteger
peas de metais sujeitas a corroso e para recobrir fios de bobinas de modo a melhorar seu fator de qualidade. Na
forma de ligas, tambm empregada como resistncia de aparelhos de preciso. Ponto de fuso: 960 oC.
5) Ouro: apresenta baixa resistividade (2,4 x 10-8 m), mdio ponto de fuso (1063 oC), elevado preo e destaca-se
pela sua grande estabilidade qumica (elevada resistncia corroso por oxidao e sulfatao). Devido a sua
grande maleabilidade e ductilidade, pode facilmente ser reduzido a fios, placas e lminas extremamente finos, que
so caractersticas bastante desejveis para muitas aplicaes no ramo eletro-eletrnico. Tal como a prata, o ouro
usado para contatos eltricos que envolvem correntes muito baixas (casos em que qualquer oxidao poderia levar
interrupo eltrica do circuito), tais como peas de contato em telecomunicaes e eletrnica, sendo empregado
na forma pura para melhor aproveitar suas propriedades. tambm utilizado em chaves e rels de baixa corrente e
25
de alta preciso e confiabilidade, em pelculas condutoras e em certos instrumentos especiais de medidas tais como
os chamados eletroscpios (aparelhos para verificar a presena de carga eltrica esttica).
6) Platina: metal nobre bastante estvel quimicamente, de relativa baixa resistividade (10,5 x 10-8 m) e alto ponto
de fuso (1774 oC). relativamente mole, o que permite uma fcil deformao mecnica, bem como sua reduo a
folhas e fios muito finos. Devido alta resistncia oxidao, empregado em peas de contato, eletrodos e fios
para aquecimento. tambm empregada na fabricao de termmetros resistivos at 1000 oC (na faixa de -200 a
500 oC, a platina permite a leitura mais precisa da temperatura dentre os metais), pois at essas temperaturas no
sofre deformaes estruturais, fazendo com que a resistividade varie na mesma proporo da temperatura.
7) Chumbo: metal mole e plstico, de mdia resistividade perante a outros metais (21 x 10-8 m) e de fcil soldagem.
Apresenta elevada resistncia a corroso contra a ao de gua potvel e sais, sendo porm no resistente cidos,
gua destilada, vinagre, materiais orgnicos em decomposio, cal e ainda venenoso. empregado em painis
protetores contra a ao de raios-X, em baterias (tipo chumbo-cido), em ligas de solda devido ao baixo ponto de
fuso (327 oC), como camadas ou placas protetoras contra corroso (blindagem de cabos) e elos fusveis.
8) Estanho: um metal mole, de mdia resistividade (11,4 x 10-8 m) e baixa temperatura de fuso (232 oC). Devido
elevada resistncia corroso em temperaturas normais (o estanho no se oxida com a gua e cidos diludos na
mesma o atacam lentamente), muito empregado como revestimento anticorrosivo em peas e hastes, alm de ser
ingrediente de ligas, se fundindo ao cobre para produzir os bronzes e ao chumbo para produzir soldas de uso geral.
9) Zinco: um metal de baixa resistividade (6 x 10-8 m), baixo ponto de fuso (420 oC) e elevado coeficiente de
dilatao trmica, alm de ser um importante ingrediente em muitas ligas, tais como os lates. Devido sua grande
estabilidade qumica em contao com o ar (forma-se uma pelcula de xido ou carbonato de zinco que impede sua
corroso), usado em processos de recobrimento de metais por banho eletroqumico (galvanizao) para proteo
de tanques de armazenamento contra corroso. Por ser atacado rapidamente por cidos e bases, o zinco tambm
largamente empregado como eletrodo negativo (anodo) em pilhas e baterias eletroqumicas.
10) Tungstnio: um metal de baixa resistividade temperatura ambiente (5 x 10-8 m) e elevada dureza, sendo
porm de comportamento quebradio. Devido ao elevado ponto de fuso (3422 oC), empregado como filamento
em lmpadas incandescentes, que operam a temperaturas em torno de 2000 oC, sendo necessrio a introduo de
gs inerte (por exemplo, argnio) para reduzir a vaporizao do filamento. empregado tambm na forma pura ou
em ligas para peas sujeitas a altas temperaturas, por exemplo, eletrodos para produo de arco eltrico.
11) Nquel: apresenta baixa resistividade (7,8 x 10-8 m) e alta temperatura de fuso (1450 oC), bem como elevada
dureza e resistncia corroso (resiste bem a sais, gases e materiais orgnicos, sendo, porm, sensvel ao enxofre).
bastante utilizado como ingrediente para a obteno de aos inoxidveis e em ligas tipo sensoras termoeltricas,
resistivas e magnticas. O nquel ainda empregado em revestimentos anticorrosivos, fios de eletrodos, catodo de
baterias (nquel-cdmio), termmetros resistivos, parafusos, etc. Suas ligas so tambm empregadas em contatos
eltricos (por exemplo, como suporte de filamento de tungstnio em lmpadas) devido sua elevada resistncia
corroso e bom comportamento trmico. O nquel pode ser soldado ao cobre sem problemas com corroso.
12) Cromo: metal extremamente duro, de elevada resistividade em comparao a outros metais (80 x 10-8 m), e
elevada temperatura de fuso (1920 oC), sendo porisso amplamente empregado na fabricao de fios resistivos na
forma pura ou como liga. Alm disso, o cromo permite bom polimento, possui baixa oxidao em contato com o
ar, sendo mais sensvel ao do enxofre e de sais, e sofre oxidao somente a temperaturas superiores a 500 oC,
sendo porisso empregado como capa protetora para outros metais que se oxidam com maior facilidade (cromao).
13) Mercrio: o nico metal lquido temperatura ambiente, apresentando comparativamente elevada resistividade
(95 x 10-8 m). Encontra aplicao em termmetros resistivos, lmpadas (fluorescentes e vapor de mercrio) e em
termmetros (devido ao seu elevado coeficiente de dilatao trmica). Os vapores de mercrio so venenosos.
14) Cdmio: metal mole, venenoso, de elevado preo e que apresenta facilidade de sofrer corroso galvnica, tendo
maior uso na fabricao de baterias (nquel-cdmio). Resistividade: 7,5 x 10-8 m. Temperatura de fuso: 321 oC.
2.2.2) LIGAS METLICAS
Como visto, os metais puros encontram emprego nas mais diversas aplicaes eletrotcnicas. Contudo, certos
dispositivos ou equipamentos podem requerer que algumas propriedades destes materais sejam melhoradas para se
adequarem s exigncias inerentes aplicao, sem contudo ter prejudicada, pelo menos sensivelmente, outras de
suas propriedades desejveis. Estas exigncias podem ser atendidas por meio da composio dos metais na forma de
ligas, de modo a deslocar algumas caractersticas para condies mais desejveis. Isso permite ento que propriedades
como condutividade trmica, resistncias trao e corroso, mableabilidade, dureza, propriedades magnticas etc.,
possam ser alteradas de forma a atender as necessidades das diversas aplicaes. Desse modo, em Eletrotcnica e
Eletrnica so muito freqentes o emprego de ligas metlicas para a obteno de condutores eltricos em aplicaes
de finalidade especfica, bem como na construo de elementos resistivos para aquecimento ou medio.
As ligas metlicas podem ser basicamente classificadas em dois tipos segundo suas condutividades eltricas e
aplicaes finais, denominadas ligas condutoras e ligas resistivas, algumas descritas a seguir.
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1) LIGAS CONDUTORAS: so ligas que mantm uma boa qualidade condutora de eletricidade dos metais originais
e so, desse modo, utilizadas para o transporte e transformao de energia eltrica com mnimas perdas. Exemplos:
1.1) Ligas de cobre: o cobre pode se misturar a outros metais de modo a melhorar suas propriedades mecnicas,
sem contudo reduzir sensivelmente suas condutividades eltrica e trmica. Exemplos de ligas mais comuns:
1.1.1) Bronzes: o estanho adicionado ao cobre (2 a 11%) para aumentar sua dureza e resistncia corroso,
fadiga e ao desgaste por atrito, mantendo sua ductilidade. So ligas elsticas e de fcil usinagem,
sendo utilizadas como fios e peas de contato em chaves. Com o acrscimo de fsforo, os bronzes se
tornam mais flexveis e so utilizados como elementos de ligao em terminais telefnicos.
1.1.2) Lato: liga de cobre e zinco (30%), possui boa resistncia corroso e grande resistncia trao.
empregada em barramentos de quadros e equipamentos, varas de subestaes, bornes e s vezes como
condutor. No indicada para trabalhar ao tempo devido a formao de rachaduras, sendo uma soluo
para diminuir o problema, submeter o material a um recozimento para alvio das tenses internas.
1.1.3) Outras ligas: nquel e cromo podem ser adicionados ao cobre na necessidade aumentar sua resistncia
mecnica. Uma outra soluo, que no consiste propriamente em uma liga, constitui-se de um condutor
de cobre com ncleo de ao, chamado Copperweld, para combinar a alta condutividade do cobre com
alta resistncia mecnica e tenacidade do ao. Usos: cabos condutores e barras para aterramento.
1.2) Ligas de Alumnio: so ligas que apresentam fcil usinagem, sendo construdas para aproveitar a baixa massa
especfica do alumnio, o que possibilita estruturas de sustentao mais leves. Alguns exemplos:
1.2.1) Duralumnio: liga de elevada resistncia mecnica, aplicada em fios, cabos, tubos, barras e chapas
condutoras e na confeco de dissipadores trmicos. Composio: 4% Cu + 0,5% Mg + 0,5% Mn + Al.
1.2.2) Aldrey: apresenta boas propriedades mecnicas, sendo utilizada como fios para enrolamento de motores
e transformadores e na construo de cabos leves. Composio: 0,3% Mg + 0,7% Si + Fe + Al.
1.2.3) Alumoweld: similar ao Copperweld, constitui-se de um fio de alumnio com ncleo de ao para obter
maior resistncia trao, empregado como condutor de pra-raios e fio neutro em circuitos rurais.
1.3) Ligas de chumbo e estanho: so ligas resistentes corroso e de baixo ponto de fuso (60 a 200 oC), sendo
utilizadas largamente na produo de fios de solda (60% Pb + 40% Sn), elos fusveis, revestimento de fios e
malhas de cobre ou lato para melhorar a soldabilidade e proteo corroso, e tambm como condutor em
circuitos impressos, onde seu baixo ponto de fuso protege os componentes de possveis superaquecimentos.
2) LIGAS RESISTIVAS: so materiais que apresentam resistividades elevadas para um condutor (entre 20 x 10-8 e
150 x 10-8 m), sendo porisso usados em elementos resistivos para aquecimento, medio e controle de corrente.
Estas ligas devem possuir boas caractersticas a altas temperaturas para atender certas condies em funo de
seu emprego. Por exemplo, ligas usadas para aquecimento devem ter elevada resistncia corroso na temperatura
de trabalho e baixa capacidade de dilatao. Por outro lado, ligas resistivas para medio (tal como resistores em
instrumentos de preciso), devem apresentar variao praticamennte linear de sua resistividade com a temperatura.
A seguir so descritas algumas ligas metlicas resistivas de grande aplicao em Eletrotcnica:
2.1) Ligas de cromo-nquel (cromel): so ligas que apresentam resistividade pouco variante com a temperatura e
alta resistncia mecnica e oxidao em altas temperaturas. So empregadas em termopares e na fabricao
de fios ou fitas resistivas para resistores, potencimetros e trimpots de fio, bem como em potencimetros de
potncia chamados reostatos (usados no controle de corrente e de velocidade em motores e geradores) e em
resistncias de aquecimento fornos siderrgicos, estufas, eletrodomsticos (aquecedores de gua, chuveiros,
foges eltricos, etc.), ferros de solda e ferros de passar. Exemplos: Nquel-Cromo 65/15, Nikrothal, Alloy A,
Kromore, Nicromo V (80% Ni + 20% Cr), Cromax (30% Ni + 20% Cr + 50% Fe), etc.
2.2) Ligas de cromo-ferro: constituem-se em timas ligas para utilizao em aquecimento eltrico em geral, tais
como fornos industriais, ferros de solda, chuveiros, placas de cozinha, etc. Composio: Cr + Fe + Al + Co.
2.3) Ligas de cobre-nquel: Constantan (60% Cu + 40% Ni) - liga termoestvel empregada em termopares, bem
como em resistncias de preciso e reostatos para mquinas de preciso; prata alem (18% Ni + 64% Cu +
18% Zn) - liga de boa condutividade e resistncia mecnica, utilizada em contato para chaves e contatores;
Cuprothal (44% Ni + 55% Cu + Mn) - utilizada na tecnologia de resistores de fio para altas dissipaes com
limites de temperatura de at 600 oC; outras: Constanloy, Cupron, Advance e Copel
2.4) Ligas de cobre-mangans: Manganina (86% Cu + 12% Mn + 2% Ni) - liga termoestvel de elevada estabili-
dade trmica, usada em shunt de medidores e na fabricao de resistores de preciso para instrumentos de
medio; Novo Konstatan (82,5% Cu + 12% Mn + 4% Al + 1,5% Fe): liga de baixa variao da resistividade
com a temperatura, usada em resistores de medio, reostatos e para aquecimentos at 400 oC.
2.5) Ligas de prata: ligas de alta resistividade, apresentam variao inversa da resistividade com a temperatura, o
que justifica o seu emprego em circuitos de compensao dependentes da temperatura, tal como em resistores
para circuitos de regulao. Exemplo: ligas de Mg + Ag + Sn com, s vezes, acrscimo de germnio.
2.6) Ligas de ouro-cromo: o ouro, com pequeno acrscimo de cromo, tem sua resistividade bastante aumentada e
que, atravs de adequado tratamento trmico, apresenta comportamento inverso com a temperatura. So ento
utilizadas em resistores de preciso e em padres. Exemplo: liga de 2% Cr + Au.
2.7) Outras ligas de Nquel: Invar (36% Ni + 63% Fe + Mn) - liga de baixa dilatao, empregada em guias de
medidas em aparelhos de preciso; Alumel (94% Ni + 3% Mn + 2% Al + Si) - liga dctil para fios resistivos.
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2.2.3) CARVO PARA FINS ELTRICOS
Carvo um material constitudo por um arranjo cristalino amorfo (sem forma definida) do elemento qumico
carbono. O carvo para fins eltricos, tambm chamado grafita ou grafite, obtido do grafite natural ou do antracito,
que so reduzidos a p e compactados na forma desejada por prensagem ou extruso, podendo ser adicionado ainda
um aglomerante, e submetidos a um tratamento trmico que consiste em longos ciclos de aquecimento sob elevadas
temperaturas (em torno de 2200 oC), geralmente atravs da passagem de corrente eltrica atravs da prpria pea.
Esse processo, chamado grafitizao, resulta em um material de facil conformao por usinagem e esmerilhagem.
Como observado na Tabela 2.1, a grafita apresenta baixa resistividade para um no-metal (1,4 x 10-5 m) e,
diferentemente dos metais puros, apresenta coeficiente de temperatura da resistividade negativo (-5,0 x 10-4). Estas
propriedades, aliadas ao elevado ponto de fuso ( 3500 oC), conferem grafita condies favorveis na construo
de resistores e potencimetros, bem como em aplicaes com temperaturas de trabalho mais elevadas, tais como em
eletrodos para a produo de arco eltrico para ignio de fornos eltricos e caldeiras, e fonte de luz para projetores.
Alm disso, as grafitas porporcionam um baixo coeficiente de atrito, o que abilita estes materiais para emprego
como contato eltrico em peas deslizantes, tal como em escovas de motores (Figura 2.5-a). Nesta aplicao, a grafita
das escovas (pea fixa), em contato com anis coletores ou comutadores de cobre fixados ao rotor (pea mvel), reage
com o cobre e forma sobre este um filme de material condutor chamado patina (carbonato de cobre), que o protege
contra corroso e permite um baixo atrito entre as escovas e o rotor, resultando ento em um bom contato eltrico.
A resistncia eltrica de um p depende do grau de compactao de seus gros. Este efeito aproveitado na
construo de um transdutor eletro-acustico chamado microfone de carvo ou de carbono (aparncia na Figura 2-5-b),
constituda de uma cpsula contendo gros de carvo e coberta com uma pelcula flexvel ligada a um diafragma, na
qual a incidncia de uma onda sonora (udio) no diafragama provoca um processo de presso/descompresso dos gro
do p, alterando o grau de compactao dos gros de acordo com as pulsaes da onda e, com isso, sua resistncia.
Estas variaes de resistncia so ento utilizadas na modulao de uma corrente contnua que circula pelo cpsula,
(Figura 2.5-c), onde um transformador pode ser usado para aumentar a amplitude do sinal de tenso correspondente.
onda grnulos de carvo
sonora
contatos
contatos
de
metlcos tenso de
carvo diafragma I udio
capsula de
microfone V
(a) (b) (c)
Figura 2.5: (a) Contatos de carvo (escovas); microfone de carvo: (b) aparncia, (c) esquema de funcionamento.
2.2.4) CONEXES ELTRICAS
Toda montagem de equipamentos e circuitos eltricos requer o emprego de uma srie de conexes entre partes
para estabelecer um contato eltrico. Estas conexes podem ser realizadas por meio de emendas, soldagem, encaixes e
emprego de parafusos e rebites, que caracterizam-se por proporcionarem um contato fixo e, portanto, permanente.
Alm disso, em instalaes eltricas tambm comum a necessidade de se realizar aes de manobra (abertura
e fechamento de contatos eltricos) entre partes do circuitos e equipamentos, no qual a conexo eltrica se caracteriza
por ser apenas momentnea ou persistir ao longo de certo tempo e, porisso, no permanente. Com exceo de aes
de chaveamento estabelecidas com base em dispositivos semicondutores, as conexes eltricas no permanentes so
normalmente realizadas por meio de um sistema mecnico composto por partes fixas e mveis distintas, generica-
mente conhecidas como peas de contato, que estabelecem a conexo atravs de movimento mecnico. Peas de
contato encontram ento largo emprego em dispositivos de comando, controle ou proteo, tais como interruptores,
chaves, rels, disjuntores, contatores, seccionadores, botoneiras, conjunto plug-tomada, escovas, etc.
Dependendo do tipo de contato (fixo ou mvel) e das condies de trabalho e ambientais, as conexes eltricas
esto sujeitas a diversos problemas e, desse modo, os materiais usados na fabricao dos elementos de contato devem
satisfazer as condies de funcionamento o maior tempo possvel. Tais condies variam de acordo com a funo e
com o ambiente (por exemplo, telefonia ou aplicaes industriais) e, em geral, derivam de problemas como:
1) Resistncia de contato: na conexo eltrica entre elementos distintos ocorre o problema da resistncia de contato
devido ao acoplamento eltrico entre as partes no ser perfeito. Logo, com a passagem de corrente de uma parte
outra, toda conexo eltrica em si gera calor por efeito Joule. Desse modo, os materiais devem apresentar elevada
condutividade eltrica e trmica para se obter um bom acoplamento eltrico, alm de elevada resistncia mecnica
de modo a se estabelecer uma presso de contato adequada (quanto maior a presso, melhor o contato eltrico).
28
2) Solicitaes mecnicas: particularmente para peas de contato, estas podem estar sujeitas a um nmero grande de
manobras de abertura e fechamento, que sujeitam suas partes a demasiadas solicitaes mecnicas que podem
danific-las estruturalmente. Logo, para resistir s deformaes e ao desgaste o maior tempo possvel, os materiais
usados na fabricao de peas de contato devem apresentar elevadas resistncias mecnicas, dureza e tenacidade.
3) Arco eltrico: a interrupo da corrente devido a uma abertura de contato eltrico pode causar o surgimento de um
arco eltrico entre as partes do contato, devido presena de energia armazenada no circuito na forma de campo
magntico (por exemplo, nos motores), que provoca a tendncia dos eltrons em movimento de manter o contato
eltrico no ponto de abertura para anular o campo armazenado. Similarmente, arcos eltricos podem sugir tambm
durante o fechamento dos contatos devido ao chamado ricochete (repulso entre as peas) pois, no breve momento
de estabelecimento do contato, so criadas condies para o surgimento de campos magnticos no circuito.
Um arco eltrico apresenta temperaturas de at 4000 oC e pode fundir as peas do contato se persistir um tempo
suficiente. Logo, os contatos devem contar com algum mecanismo de extino do arco e os materiais das peas
devem apresentar elevado ponto de fuso e condutividade trmica para evitar a soldagem dos contatos e resistir
eroso causada pelo arco eltrico. Quanto ao problema do ricochete, deve-se reduzir a um mnimo o nmero de
repulses com clculos das massas das peas, que devem ser as menores possveis, e da velocidade de fechamento.
4) Corroso: o aquecimento de conexes eltricas por resistncia de contato e arcos eltricos podem reunir condies
corroso das partes do contato. Adicionalmente, os materiais podem estar sujeitos a ambientes com presena de
sais, cidos, poluio e mesmo o prprio ar, que atuam sobre as partes provocando oxidao ou sulfatao. Logo,
estas corroses podem deteriorar a conexo eltrica e, assim, os materiais a serem empregados devem apresentar
elevada resistncia corroso nas temperaturas de trabalho para mitigar o mximo possvel estes problemas.
Outro problema similar pode surgir no contato entre materiais com diferentes potenciais eletroqumicos, o que
causa uma predisposio corroso galvnica. Logo, as partes componentes de um conexo eltrica devem ser
preferencialmente do mesmo material ou, pelo menos, de materiais com pequena diferena de eletronegatividade.
5) Abraso: para o caso de contatos deslizantes, ocorre o problema de desgaste devido ao atrito entre as partes fixas e
mveis. Neste caso, as peas e seus contornos devem ser de material e aspecto o menos abrasivo possvel.
Assim, os materiais empregados para a fabricao de peas de contato devem apresentar qualidades necessrias
para mitigar estes problemas. O cobre normalmente empregado na forma bronzes e lates devido maior resistncia
mecnica e corroso destas ligas, sendo utilizadas em interruptores, plugues, tomadas, chaves, rels, elos fusveis,
disjuntores, contatores, etc. Os aos, por apresentarem elevada resistncia mecnica, so empregados em peas onde
so exigidos presses de contato elevadas e manobras bruscas, tal como chaves seccionadoras. Para o caso de contatos
eltricos deslizantes, emprega-se, como visto, peas de carvo por este propiciar um baixo coeficiente de atrito.
Em conexes que envolvem presses de contato muito baixas e correntes reduzidas, a deteriorao do contato
um problema de grande preocupao, o que exige materiais de maior resistncia a corroso para se obter contatos de
melhor qualidade. Neste caso, pode-se fazer uso de metais que apresentam maior resistncia corroso, tais como
metais nobres. Assim, o ouro e a prata na forma pura so utilizados como finas pelculas em torno da massa de peas
constitudas por outros metais (chamados contatos banhados). Alm disso, os metais nobres so tambm utilizados na
forma de ligas para aumentar sua dureza e resistncia ao desgaste e eroso por arco eltrico, tais como ligas de ouro
e prata, empregadas em peas de contatos para interruptores, chaves, disjuntores, botoneiras e rels especiais, alm da
platina, que utilizada em ligas com irdio e rutnio para emprego em rels especiais e instrumentos de preciso.
2.2.5) CONDUTORES ELTRICOS
Fios e cabos eltricos constituem-se no meio condutor destinado ao transporte de energia ou transmisso de
sinais entre dois pontos de uma instalao, rede ou equipamento eltrico. Em eletrotcnica, denomina-se usualmente
fio eltrico para apenas um meio de seo transversal slido (bitola) ou para um conjunto de fios de pequena seo
(chamado cabinho), e cabo eltrico para um conjunto de fios condutores arranjados por encordoamento ou por um
conjunto de cabos condicionados sob a mesma capa protetora, sendo condutor eltrico o termo genrico para ambos.
Os cabos eltricos so empregados nos casos em que se faz necessrio um aumento da rea de seo transversal
para a obteno de maior capacidade de conduo de corrente de condutores eltricos (chamada ampacidade), obtidos
por meio do agrupamento de fios diversos. Esta conformao adquire uma menor perda de flexibilidade, o que facilita
o guiamento dos cabos em eletrodutos, canaletas e quadros de luz comumente presentes em instalaes eltricas.
Os materiais utilizados como condutores so principalmente cobre, alumnio, e as ligas desses materiais. Como
cobertura isolante, emprega-se-se PVC, EPR (etileno-propileno), neoprene, XLPE (polietileno reticulado), polistireno,
borracha butlica e ainda amianto, teflon, cermicas, nilon, hexafluoreto de enxofre (gs SF6) e fibras orgnicas.
As caractersticas tcnicas de fios e cabos eltricos contemplam diversos aspectos como ampacidade, tenso de
isolao, temperatura mxima suportada pela isolao, capacidade de blindagem, condies ambientais limites de
trabalho (poluio, raios solares, umidade, etc.) e resistncia a choques mecnicos, sendo que o dimensionamento dos
condutores devem atender diversos critrios de projeto como capacidade de conduo e queda de tenso.
Os condutores eltricos so fabricados em uma grande diversidade de tipos, segundo seus detalhes construtivos
e aplicaes finais, sendo algumas de suas denominaes descritas a seguir (aparncias na Figura 2.6):
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Fio esmaltado: condutor slido revestido em esmalte isolante, empregados na construo de bobinas eltricas;
Condutor isolado: fio ou cabo revestido por apenas uma cobertura de material isolante (PVC, EPR, XLPE, etc);
Fio e cabo nu: condutores sem revestimento isolante (no isolados entre si, no caso do cabo);
Cabo compactado: condutor isolado com alto grau de compactao para eliminar todos os vazios entre os fios;
Cordel flexvel: condutor isolado ou par tranado de condutores isolados, de pequena seo e bastante flexveis.
Exemplos: par telefnico e fios de diversas cores usados em placa de circuitos e aparelhos (rdio, TV, etc.);
Cabo unipolar: condutor isolado com camada extra de revestimento chamada cobertura, para proteo mecnica;
Cabo multipolar: condutor setorial ou segmentado formado por dois ou mais condutores isolados entre si e sob
uma mesma capa isolante, podendo conter ainda um revestimento interno metlico como forma de blindagem;
Cabo anular: condutor isolado que apresenta o seu ncleo central oco ou preenchido com material isolante;
Cabo coaxial: cabo composto de um condutor axial de cobre envolvido por outro condutor de cobre estanhado em
forma de malha (para blindagem e referncia), separados por um isolante slido (polietileno) e cobertos por uma
capa de revestimento isolante (PVC, neoprene ou polietileno). Pode ser do tipo rgido ou flexvel.
isolamento capa protetora blindagens

condutor
(b)
(f) isolamento condutor
capa protetora
(c)
(g) blindagem
(d) capa malha metlica condutora

condutor
(a) (e) (h) isolamento
Figura 2.6: Aparncias de condutores eltricos: (a) diversidade de tipos; (b) fio isolado; (c) cabo nu; (d) cabo nu
compactado; (e) cabo de pares tranados; (f) cabo unipolar; (g) cabo multipolar; (h) cabo coaxial e constituio.
Observaes: como informaes adicionais sobre fios e cabos condutores, pode-se mencionar:
1) Os cabos coaxiais tem aplicaes especiais (rdio e audiofreqncia, telefonia, etc.) devido ao fato de apresentarem
imunidade induo de rudos por campos eletromagnticos externos, pois as correntes induzidas nos condutores
interno e externo tem mesma direo mas sentidos contrrios, de forma que se anulam mutuamente.
2) A blindagem dos cabos consistem de um revestimento em fita metlica e visam atender a necessidade de se manter
o campo eltrico confinado no interior do cabo para este no perturbar eletricamente condutores vizinhos, alm de
facilitar o escoamento de correntes de curto-circuito. Desempenham tambm a funo de distribuir uniformemente
o campo eltrico no interior do cabo para evitar que concentraes desuniformes danifiquem o isolamento.
3) Condutores metlicos utilizados em aterramentos requerem proteo contra corroso galvnica baseada em um
princpio: fornecer eltrons ao condutor para que o mesmo se torne catdico e as reaes de corroso deixem de
existir. Isto pode ser conseguido atravs do emprego de anodos de sacrifcio ou tambm por meio de uma fonte de
corrente contnua ligada ao condutor e terra, que fornece os eltrons necessrios ao metal evitar sua corroso.
2.2.6) RESISTORES E RESISTNCIAS
Diferentemente da preocupao de se transportar energia eltrica com mnimas perdas (como nos fios e cabos),
ou a construo de dispositivos de chaveamento (como interruptores, contatores, etc.), ou para armazenamento de
energia (como nos capacitores e indutores), ou ainda para a transformao da energia eltrica em outras formas (como
nos motores), existem diversas aplicaes eletrotcnicas em que se necessita controlar o montante de corrente eltrica
em um circuito, ou provocar quedas de tenso para adequ-la a nveis desejveis, ou ainda aproveitar a dissipao de
calor por efeito Joule para aquecimentos. Nestas aplicaes empregam-se ento os chamados resistores e resistncias
eltricas, cujos elementos resistivos so contrudos com materiais condutores de resistividades mais elevadas.
Resistor (smbolos na Figura 2.7-a) o componente mais simples, comum e barato de um circuito. Diferente de
capacitores e indutores, os resistores no armazenam energia, apenas a dissipa na forma de calor, proporcionando
queda de tenso como conseqncia e, dependendo de como esto conectados, diviso de tenso e desvio de corrente.
30
A Figura 2.7-b mostra os aspectos fsicos do corpo de um resistor em corte. Os resistores so construdos em
uma base de material cermico, que recebe a cobertura resistiva que determinar o valor da resistncia, e ainda uma
metalizao com os terminais metalicos do resistor para a realizao de soldagem de alto ponto de fuso (~300 oC),
para que os ferros de soldar comuns (temperatura 180 oC) no abalem esta ligao. Por fim, o conjunto recebe uma
cobertura de material isolante (esmalte, epoxi, cimento, silicone, etc.) para acabamento e proteo eltrica e mecnica.
R X Y Z T
(a) (b) (c) (d)
Figura 2.7: Resistores: (a) smbolos esquemticos; (b) constituio fsica; (c) aparncias; (d) cdigo de cores.
Os resistores comerciais (aparncias na Figura 2.7-c) apresentam diversas especificaes dadas pelo fabricante.
As principais consistem no valor da resistncia em Ohms (), a potncia mxima dissipada e a chamada tolerncia
(erro percentual mximo da resistncia nominal), que estima o grau de preciso resultante dos cuidados tecnolgicos
utilizados no seu processo de fabricao. Estes dados so indicados no corpo dos resistores por dois modos:
1) Por cdigo de cores: este sistema utiliza faixas de diversas cores, pintadas no corpo do resistor a partir de uma de
suas extremidade (Figura 2.7-d), com as equivalncias numricas dadas na Tabela 2.2. As duas primeiras faixas
(denominadas X e Y) formam uma dezena e a terceira (Z) indica a potncia de 10, tal que o valor hmico seja dado
por: XY x 10Z . A quarta faixa corresponde tolerncia: ouro para 5%, prata para 10% e incolor para 20%, e a
potncia est relacionado s dimenses do resistor (maior tamanho, maior potncia). Este sistema utilizado na
fabricao de resistores de menor potncia (1/8 a 4 W), cuja cobertura resistiva consiste de uma pelcula de grafite
ou metalfilme (fita metlica resistiva) em um tranado helicoidal sobre uma base de suporte cermico.
2) Diretamente impresso: sistema utilizado em resistores de maior potncia (> 4W), fabricados com fios de ligas
metlicas resistivas. Consiste na impresso direta do valor hmico sobre o corpo do resistor, na forma de dgitos
numricos combinados com uma letra para indicar o multiplicador: R (ohms), K (quiloohms), e M (megaohms),
sendo a posio da letra o indicador da vrgula no valor hmico. Exemplos: 470R equivale a 470 ; 4K7 = 4,7 k;
47K = 47 k. A potncia (at 50 W) e a tolerncia (at 20%) tambm vm impressas no corpo do resistor.
Em relao ao comportamento trmico, os resistores tipo fio e fita metlica tem sua resistncia aumentada com
a temperatura de forma praticamente linear, enquanto que nos de pelcula de grafite esta diminui de forma quadrtica.
Tabela 2.2: Cdigo de cores para leitura do valor de resistores de grafite.

Cores X,Y Z Cores X,Y Z Cores X,Y Z
preto 0 0 amarelo 4 4 cinza 8 -
marrom 1 1 verde 5 5 branco 9 -
vermelho 2 2 azul 6 6 ouro - -1
laranja 3 3 roxo 7 7 prata - -2
Resistncias eltricas so elementos resistivos largamente empregados no aproveitamento do calor gerado por
efeito Joule para aquecimento de substncias como gua, ar, etc. (aparncias na Figura 2.8), ou para limitar correntes
em equipamento de potncia, e constitudas por ligas metlicas resistivas capazes de dissipar at milhares de Watts.
Outras aplicaes consistem em aproveitar a transformao de energia eltrica em luminosa, tal como em filamentos
de lmpadas incandescentes, e na forma de raios catdicos, tal como em eletrodos de lmpadas de descarga.
Figura 2.8: Aparncia de diversas resistncias eltricas para aquecimento encontradas no mercado.
Do ponto de vista hmico, os resistores e resistncias at aqui descritos so classificados como fixos, pois no
propiciam qualquer mecanismo de ajuste do valor da resistncia. A introduo de um elemento cursor que permita
realizar uma varredura da distncia entre o cursor e as extremidades do elemento resistivo, possibilita a obteno de
um efeito ajuste da resistncia a qualquer tempo e origina os chamados resistores e resistncias variveis.
31
Potencimetros (smbolos na Figura 2.9-a) so resistores variveis formados por dois terminais fixos e um
terceiro conectado a um cursor mvel ajustado por boto (esquema na Figura 2.9-b), que varre uma trilha de grafite ou
fio resistivo enroldado sob uma base de apoio isolante (por exemplo, cermico), de modo a propiciar uma variao da
resistncia entre o terminal mvel e os fixos. Desse modo, os potencimetros (aparncias na Figura 2.9-c) podem ser
empregados para o controle de determinado parmetro de um circuito a qualquer tempo, bem como propiciar cargas
variveis, acoplamentos resistivos, diviso de tenso e corrente em circuitos eletrnicos, etc. So fabricados em
diversos formatos, tamanhos e potncia e podem apresentar variao de resistncia de forma linear ou logartmica.
O chamado trimpot (aparncias na Figura 2.9-d) a denominao dada a potencimetros com a funo de fixar
permanentemente um determinado ponto de funcionamento de um circuito (ajuste normalmente feito por parafuso),
sendo classificados como resistores tipo ajustveis. Por sua vez, os chamados reostatos (aparncias na Figura 2.9-e),
so resistores variveis de maior potncia, usados em aplicaes que necessitam do controle de altas correntes, tal
como em motores, ou elevadas dissipaes, tal como em ajustes de temperatura de aquecedores em estufas e fornos.
potencimetros
cursor de grafite
trilha
resistiva
terminal terminal
fixo terminal fixo
do cursor potencimetros
de fio
(a) (b) (c) (d) (e)
Figura 2.9: Resistores de valor hmico varivel e ajustvel: (a) smbolos esquemticos, (b) aspectos construtivos
gerais e denominaes; aparncias diversas de componentes: (c) potencimetro, (d) trimpots, (e) reostatos.
2.2.7) BIMETAIS
O bimetal um artefato composto de duas lminas soldadas de metais ou ligas com diferentes coeficientes de
dilatao trmica e que, quando submetido a uma variao de temperatura, sofre um encurvamento devido dilatao
distinta entre as lminas, vindo desse modo a realizar uma fora mecnica devido ao de encurvamento. O bimetal
constitui-se ento de um sensor de temperatura ao ter sua curvatura empregada para abrir ou fechar contatos eltricos.
A Figura 2.10-a exemplifica o funcionamento de bimetal submetido a uma elevao de temperatura devido a
uma conduo de corrente eltrica na prpria pea. A Figura 2.10-b exemplifca o caso da absoro de calor do meio
externo ao bimetal, onde um dos contatos eltricos conectado a uma placa metlica flexvel. O conjunto bimetal e
contatos contatos eltricos pode abarcar ainda um boto, que tem a funo de fixar a temperatura de controle por meio
do ajuste da presso entre os contatos ou a distncia entre o bimetal e a placa flexvel, tal que, quanto maior a presso
ou a distncia, maior a deformao do bimetal para abrir os contatos e, portanto, maior a temperatura ajustada.
As lminas bimetlicas so fabricadas em diversos formatos, tais como retas, espirais, encurvadas e espiraladas
em hlice (aparncias na Figura 2.10-c). No par pode-se empregar diversas combinaes de metais e ligas, tais como
cobre e ao, lato e invar, etc. As lminas so normalmente soldadas por sinterizao, que consiste em um processo de
aglutinagem de slidos por meio do aquecimento a uma temperatura inferior de fuso dos mesmos, mas suficiente
para permitir uma difuso de tomos entre os slidos, obtendo-se com isso uma soldagem bastante resistente.
Peas bimetlicas so ento largamente empregadas como indicadores de temperatura, tal como termmetros
(Figura 2.10-d), dispositivos de controle e proteo (disjuntores e termorels) e na construo do chamado termostato
(aparncia na Figura 2.10-e), usado para regulao automtica de temperatura em ferros de passar, geladeiras, etc.
espiral
lmina B (B < A) boto de ajuste conexes
I lmina A (A) placa metlica I eltricas
flexvel
calor boto
contatos
eltricos I I
calor
helicoidal contatos
eltricos
pea bimetalica
(a) (b) (c) (d) (e)
Figura 2.10: Pea bimetlica: (a) encurvao por corrente na prpria pea; (b) encurvao por calor exterior
pea; (c) exemplo de formatos; (d) exemplo de termmetro bimetlico; (e) aparncia e partes de um termostato.
32
2.3) TPICOS COMPLEMENTARES

O comportamento dos eltrons livres possibilita o surgimento de alguns efeitos com aplicaes muito especiais
em Eletrotcnica, dentre os quais sero vistos os fenmenos chamados termoeletricidade e supercondutividade.
2.3.1) TERMOELETRICIDADE
Termoeletricidade a cincia da transformao de energia trmica diretamente em eltrica. Ela se manifesta

atravs dos efeitos Thomson, Peltier e Seebeck, descritos a seguir, que consistem na produo de tenses e correntes
eltricas por meios puramente trmicos, sendo os materiais empregados chamados transdutores termoeltricos:
a) EFEITO THOMSON: seja um material condutor submetido a uma diferena de temperatura, tal que uma de suas
extremidades mantida a uma temperatura Tr e a outra a uma temperatura Tt > Tr (Figura 2.11-a). Neste caso, a
energia trmica recebida pela extremidade quente (Tt) possibilita aos eltrons desta regio ocupar nveis de maior
energia, o que causa um aumento de densidade de eltrons nesta extremidade e uma diferena de concentrao de
eltrons em relao extremidade fria (Tr). Esta diferena de concentrao resulta um processo natural chamado
corrente de difuso, onde eltrons se deslocam da regio de maior concentrao (Tt), que se torna gradativamente
positiva devido falta de eltrons, para a de menor concentrao (Tr), que se torna gradativamente negativa devido
ao excesso de eltrons. Este fenmeno da separao de carga motivada unicamente por diferena de temperatura
chamado efeito Thomson e resulta ento em um campo eltrico e, por conseguinte, uma ddp entre as extremidades
do material, chamada fem de Thomson (Figura 2.11-a). Como o campo estabelecido retardador para os eltrons, a
corrente de difuso s perdura enquanto a tendncia ao deslocamento maior que o campo eltrico formado.
b) EFEITO PELTIER: seja a juno de dois materiais condutores A e B a mesma temperatura, onde uma corrente
eltrica I (sentido das cargas negativas) flui do material A para o material B (Figura 2.11-b). Devido a diferenas
de distribuio de energia entre os materiais, tem-se que o fluxo dos eltrons constituintes da corrente ocorre em
diferentes nveis de energia em cada material. Neste caso, se o material A permite que se tenha uma corrente com
uma energia EA , enquanto no material B necessria uma energia EB < EA , ento ocorrer na juno uma absoro
de energia do meio na forma de calor e a juno se aquece (Figura 2.11-b), devido ao princpio da conservao de
energia. Por outro lado, se a corrente I for invertida (de B para A), ocorrer o efeito inverso, isto , dissipao de
calor para o meio e a juno se esfria (Figura 2.11-b). O fenmeno da liberao ou absoro de calor na passagem
de corrente eltrica entre dois materiais diferente a mesma temperatura chamado Efeito Peltier. Como em uma
juno de dois condutores diferentes surge uma tenso de contato (devido momentnea difuso de eltrons livres
entre os materiais motivada por diferena de concentrao), chamada fem de Peltier, ento a juno comporta-se
como uma fonte de tenso dentro da qual ocorre converso de energia eltrica em trmica e vice-versa.
c) EFEITO SEEBECK: seja dois materiais condutores A e B conectados em duas junes mantidas a temperaturas
diferentes Tr e Tt > Tr (Figura 2.11-c). Neste caso, o desequilbrio entre as fems de Thomson em cada material e as
fems de Peltier em cada juno dos materiais resulta em uma tenso eltrica entre os materiais, chamada fem de
Seebeck ou fora termoeletromotriz, e origina uma corrente eltrica no lao formado pelo par (Figura 2.11-c). Este
fenmeno chamado Efeito Seebeck e a tenso resultante depende dos materiais constituintes do par, chamados
termoelementos ou par termoeltrico, e da diferena entre as temperaturas das junes e da qualidade do contato,
mas independe do comprimento e da seo dos materiais, bem como da rea e da forma dos contatos.
fem de Thomson fem de Peltier corrente

A B
induzida
Tt > Tr Tr EA EB < E A
I A
e
e
E I fem de
calor Tt > Tr Seebeck Tr
calor
e
B
fonte de calor juno aquece
juno esfria
(a) (b) (c)
Figura 2.11: Esquematizao dos trs efeitos da termoeletricidade: (a) Thomson; (b) Peltier; (c) Seebeck.
A Figura 2.12-a mostra um esquema de produo do efeito Peltier, onde nota-se o surgimento de uma diferena
de temperatura entre as junes do par termoeltrico quando nestas conduzido corrente eltrica devido a uma tenso
aplicada. O efeito Peltier ento aproveitado na construo dos chamados coolers de Peltier, empregados como
dissipadores de calor para controle de temperatura em microprocessadores, e em refrigeradores de pequena potncia
para uso caseiro. Estas dispositivos so geralmente fabricados com semicondutores, devido o efeito ser mais intenso.
A Figura 2.12-b mostra um esquema de deteco da fem de Seebeck entre materiais diferentes submetidos a
temperaturas distintas em suas junes e conclui-se ento que o efeito Seebeck o inverso do efeito Peltier, sendo que
estes dois efeitos podem ser considerados como um s e chamados de efeito Peltier-Seebeck, ou efeito termeltrico.
33
A fem de Seebeck pode ser tambm obtida nos terminais de uma das junes par termoeltrico em aberto, por
exemplo, a juno temperatura Tr . Neste caso, com a temperatura Tr da juno em aberto servindo como valor de
referncia para a temperatura Tt na juno restante, chamada temperatura de teste, tem-se que a fem de Seebeck nos
terminais em aberto pode ser ajustada para variar em funo apenas da temperatura de teste. Assim, o efeito Seebeck
pode ser empregado como um sensor de temperatura, denominado termopar, onde os termoelementos, normalmente
metais e ligas, propiciam um rpido acompanhamento das variaes na temperatura de teste devido ao baixo calor
especfico dos metais, que faz a juno de teste atingir rpidamente o equilbrio trmico com o ponto de medio.
Como a fem do tipo contnua, sua leitura permite tambm a deteco das chamadas perna + e da perna do par.
A Figura 2.12-c apresenta um esquema de medio de temperatura com termopar. A temperatura Tt no local de
inspeo normalmente tomada por imerso, encaixe ou contato e o circuito de medio mantido distante do ponto
de medio por meio de fios longos para garantir que a temperatura Tr nas extremidades 1 e 2 seja constante. A fem
de Seebeck desenvolvida ento lida por um voltmetro, que converte seu valor em oC ou oF (Figura 2.12-c).
Por meio de medidores (Figura 2.12-d), os termopares encontram amplo emprego como elementos sensores de
temperatura, chamados pirmetros, para a verificao de temperatura em fornos, estufas e sistemas de aquecimento
em geral, bem como diagnstico de pontos quentes (mal contatos, falhas, etc.) em equipamentos eltricos (motores,
quadros de luz etc.). So fabricados em diversos formatos de acordo com a natureza dos termoelementos e de suas
resistncias ao calor e corroso (Figura 2.12-e). O par de emprego mais comum consiste de liga de nquel-cromo
(perna +) e de nquel, cobre ou platina (perna ). Outros pares: cobre (+)-constantan () e ferro (+)-constantan ().
Embora as fems sejam pequenas (por exemplo, cerca de 60 mV para o par cobre-constantan), o efeito Seebeck
pode ser explorado como gerador eltrico com pares associados em srie e paralelo, nas chamadas termopilhas.
Tr < Tt
Tr < Tt fios longos circuito de
B medio
B
perna + 1
A A V
V Tr fem V
B Tt perna 2
B
Tt Tt
ajuste
(a) (b) (c) (d) (e)
Figura 2.12: Esquemas de efeitos: (a) Peltier, (b) Seebeck; termopar: (c) medio; (d) medidor; (e) formatos.
2.3.2) SUPERCONDUTIVIDADE
Como visto, diversos fatores contribuem para o aumento da resistividade eltrica de um material, tais como
imperfeies e impurezas. Contudo, quando submetidos a diminuioes de temperatura, certos materiais exibem uma
variao brusca em sua resistividade para um valor imensuravelmente pequeno (Figura 2.13-a) quando a temperatura
do material atinge certo valor chamado temperatura crtica TC. Este fenmeno em que a condutividade atinge um valor
praticamente infinito chamado supercondutividade e os materiais que a exibem so chamados de supercondutores.
O estado supercondutor de um material, porm, corresponde a uma mudana de fase drstica, com propriedades
qualitativamente diferentes e que no podem ser explicadas somente com a hiptese da resistividade nula. Em 1933,
Meissner observou que um material supercondutor mantido temperaturas abaixo do seu valor crtico e na presena
de um campo magntico aplicado antes ou depois de estabelecido o estado supercondutor do material, expulsa o fluxo
magntico de seu interior de forma total (Figura 2.13-b), fenmeno denominado Efeito Meissner. Sendo o efeito de
expulso do campo chamado diamagnetismo, o supercondutor age ento como um material diamagntico perfeito.
Logo, como resultado do Efeito Meissner, se um im permanente for colocado sobre uma placa supercondutora,
flutuar (Figura 2.13-c). Pode-se dizer, ento, que o campo magntico no penetra no interior da placa porque, nesta,
os eltrons de conduo apresentam movimentos totalmente desimpedidos e podem ajustar seus deslocamentos de
forma a gerar um campo magntico repulsivo o suficiente para compensar o peso do im. Para isso, portanto, devem
ser induzidas correntes eltricas na superfcie da placa supercondutores de tal forma a expulsar o campo magntico de
seu interior. Alm disso, estas correntes, por no haver resistncia aos seus deslocamentos, podem persistir no meio
supercondutor sem que se possa detectar seu decaimento, mesmo quando retirado a fonte do campo magntico (no
caso, o im). Pode-se dizer ento que o fluxo magntico externo foi mantido preso no material supercondutor.
Assim, as duas caractersticas principais dos supercondutores, explicitamente, a excluso do fluxo magntico e
a ausncia de resistncia a um fluxo de corrente, esto relacionadas entre si, pois necessrio haver uma corrente
persistente e sem resistncia para manter a excluso do fluxo enquanto houver a presena de um campo magntico
externo. Este fato demonstra a incompatibilidade entre corrente eltrica e campo magntico no estado supercondutor.
No entanto, o estado supercondutor apresenta um limite para o fluxo magntico externo, denominado campo
crtico (HC ), acima do qual o supercondutor retorna para o seu estado normal. Alm disso, o valor do campo crtico
depende da temperatura do material, tal como exemplificado no grfico da Figura 2.13-d. Com base neste grfico,
34
observa-se ento que a temperatura necessria para se atingir o estado supercondutor diminui com aumento do campo
magntico externo e, acima de certo valor crtico HC 1 a 0 K, o material no mais atinge o estado supercondutor. Pelo
grfico observa-se tambm que HC nulo para T = TC e, portanto, para se observar o fenmeno da repulso de um
campo magntico, o supercondutor deve necessariamente estar abaixo de sua temperatura crtica.
Como visto, os metais puros so os melhores condutores eltricos em temperaturas normais de trabalho e, em
geral, aumentam sua condutividade com a diminuio da temperatura. Contudo, nem todos os metais apresentam o
fenmeno da supercondutividade e nem sempre os melhores condutores de eletricidade e calor so supercondutores.
Por exemplo, alumnio (TC = 1,2 K), estanho (TC = 3,8 K), mercrio (TC = 4,2 K) e chumbo (TC = 7,2 K) apresentam
supercondutividade, mas em metais como ouro, prata e cobre no se verifica o estado supercondutor.
(m) T TC im HC (A/m2)
H
HC1 estado
estado normal
placa super-
T < TC condutor
H supercondutora
0 TC T (K) 0 TC T (K)
(a) (b) (c) (d)
Figura 2.13: Supercondutividade: (a) variao da resistividade de um material com a temperatura e ponto
crtico; (b) Efeito Meissner; (c) flutuao de im permanente; (d) variao do campo crtico com a temperatura.
At 1986 havia uma barreira na temperatura crtica, que era TC = 23 K obtida com componentes intermetlicos,
tal como o nibio-germnio. Naquele ano, Mueller e Bednorz descobriram uma nova classe de xidos que exibiam
supercondutividade uma temperatura muito superior s observadas at ento e obtiveram a quebra da barreira com o
xido de cobre (TC = 35 K). Desde ento, novas barreiras vm sendo estabelecidas, sendo as descobertas mais recentes
baseadas no emprego das chamadas terras raras (srie dos lantandeos), tais como compostos de cobre-lantnio-brio
e cobre-lantnio-estrncio. Logo, parece razovel supor que a meta a ser atingida, a temperatura ambiente, vivel.
Apesar da supercondutividade a uma temperatura prtica ser hoje uma realidade, h muitos problemas a serem
superados. Por exemplo, muitos destes materiais so difceis de serem produzidos consistentemente, pois se mostram
mais resistentes mecanicamente em algumas direes do que em outras, e so em geral bastante quebradios para
serem construdos como fios flexveis. Alm disso, estes materiais exibem certas anisotropias cristalinas, fazendo um
fluxo de corrente eltrica variar por um fator de 30 dependendo da direo do fluxo.
A supercondutividade encontra imensas possibilidades de aplicao, dentre as quais pode-se citar:
Transmisso de grandes quantidades de energia com mnimas perdas, por meio de cabos supercondutores;
Construo de enrolamentos supercondutores para utilizao em motores eltricos e geradores;
Transporte de cargas e passageiros por meio de trens levitados sobre campos magnticos;
Blindagem contra interferncia eletromagnticas ou fluxos magnticos indesejveis.
Problema 1: Sejam dois cabos de materiais A e B. Sabe-se que o cabo de material A tem a fios, condutividade A e
massa especfica A , e o cabo de material B tem b fios, condutividade B = 2A e massa especfica B = 5A. Sabe-se
tambm que os fios dos cabos tm mesma seo e comprimento. Determine a faixa de valores que deve ter a razo
a/b para que o cabo de material A tenha, simultaneamente, menor resistncia e menor peso que o cabo de material B.
Problema 2: Sejam dois fios resistivos A e B de mesmo material e mesmo comprimento, onde a seo do fio B
maior que a do fio A. Sabe-se que, com os fios conectados em srie obtm-se uma resistncia equivalente de 10 e,
em paralelo, obtm-se uma resistncia equivalente de 2,1 . Determine o valor das resistncias dos fios A e B.
2,5 mm2
Problema 3: A figura ao lado mostra duas barras de materiais A e B submetidas aos VJ
potenciais de tenso em suas extremidades mostradas. Determine o potencial VJ na 2,5 V A B 0,7 V
juno das barras, a corrente e o grfico da distribuio de potencial ao longo das
8 cm 6 cm
barras. Dados: condutividades eltricas: A = 20 x 104 S/m e B = 120 x 103 S/m.
12 m 15 m
Problema 4: Sejam trs barras de material resistivo, conectadas tal como mostrado na figura ao
lado. A seo de cada barra 1,2 cm2 e as mesmas esto submetidas aos potenciais eltricos em
6V 4V
1 2 suas extremidades mostradas na figura. Determine o potencial na juno das barras, o valor e o
3 30 m sentido da corrente eltrica em cada barra e a resistncia de cada barra. Dado: condutividades
2V eltricas dos materiais das barras: 1 = 5 x 104 S/m, 2 = 6,25 x 104 S/m e 3 = 12,5 x 104 S/m.
35
Problema 5: A figura ao lado mostra um certo fio resistivo no formato de um circuito O 2x 2x

retangular fechado. Deseja-se medir a resistncia entre dois pontos quaisquer do fio
x
com um ohmmetro, onde uma ponta de prova fixada no ponto O e a outra percorre o D
fio. Sabendo-se que o ohmmetro mede 15 quando a ponta de prova mvel atinge o x
ponto A, determine a leitura quando a ponta de prova mvel passa nos pontos B, C e D. A B C
Problema 6: A figura fornecida mostra a variao da resistncia com a temperatura, de dois resistores RA e RB de
materiais A e B, respectivamente. Com base no grfico, determine os coeficientes de temperatura da resistividade dos
materiais A e B a 20 oC. Explique seu raciocnio e compare os resultados.
Problema 7: O grfico fornecido mostra o comportamento da resistncia com a temperatura de dois resistores RA e
RB . A 20 oC, sabe-se que a resistncia equivalente com RA e RB em srie 50 e, para RA e RB em paralelo, 12 .
Determine o valor dos coeficientes de temperatura da resistividade dos materiais A e B a 20 oC .
Problema 8: O grfico dado mostra a variao da resistncia equivalente entre dois resistores RA e RB em srie, em
funo da diferena de temperatura T em relao referncia 20 oC, onde m a declividade da reta. A 20 oC, sabe-se
que RA = 10 e o coeficiente de temperatura da resistividade do material deste resistor 3 x 10-4 oC -1. Pede-se:
a) O coeficiente de variao da resistncia com a temperatura a 20 oC do material do resistor RB , para os seguintes
valores de declividade da reta: m = 0,01 /oC , m = 0 /oC e m = 0,01 /oC.
b) O que se pode concluir sobre a resistncia equivalente quando a declividade nula (m = 0)?
c) Qual a declividade limite, a partir do qual o coeficiente de temperatura do resistor RB negativo? Comente.
Problema 9: Para o circuito fornecido, sabe-se que, quando o resistor R2 submetido a um aumento de temperatura,
observa-se que a luminosidade da lmpada L diminui. Explique qual o tipo de material (PTC ou NTC) do resistor R2.
R () RA , RB ()
RB Req ()
retas RA
51 30,6
paralelas 40
RA R1
m L
49,6
50 19,5 RB V R1 R2
0 20 T (oC) 0 20 T (oC) 0 T (oC)
Problema 6 Problema 7 Problema 8 Problema 9
Problema 10: Sejam dois fios resistivos A e B de mesma seo e comprimento, onde sabe-se que a condutividade do
material do fio A maior que a do material do fio B. Apesar disso, ao aplicar-se a mesma tenso alternada a cada fio,
observa-se que a corrente no fio A menor. Explique um possvel motivo.
Problema 11: Sabe-se que a resistividade, o coeficiente de temperatura da resistividade de certo metal a 20 oC so,
respectivamente, 0,08 mm2/m e 0,004 oC 1, e que a permeabilidade relativa do metal 1000. Pede-se:
a) Calcule a resistncia CC por quilmetro a 50 oC, de um cabo constitudo por 7 fios de 1 mm de dimetro do metal.
b) Em um fio do metal a 50 oC, com 2 mm de dimetro e 10 m de comprimento, aplica-se uma tenso alternada eficaz
de 2 V e nota-se que o mesmo dissipa uma potncia de 10 W. Determine a freqncia do sinal de tenso aplicado.
Problema 12: A figura ao lado mostra uma fonte de tenso contnua alimentando dois fios
resistivos RA e RB de mesmo valor a uma certa temperatura inicial, quando observa-se que os fios RA
dissipam uma certa potncia total PD. Sabe-se que o coeficiente de temperatura da resistividade do RB
V
fio RA na temperatura inicial igual ao do fio RB , mas de sinal contrrios. Sabe-se tambm que o
fio RA no possui propriedades magnticas e que a permeabilidade magntica do fio RB elevada. Pede-se:
a) Explique o que acontece com a potncia PD se a temperatura dos fios aumentar por igual.
b) Explique o que ocorre com a potncia PD se a fonte de tenso contnua for substituda por uma fonte de tenso
alternada de mesmo valor (valor rms da fonte CA igual ao valor da fonte CC).
contatos eltricos fixos
Problema 13: A figura ao lado mostra um sensor bimetlico empregado para
L2
indicar, por meio de duas lmpadas L1 e L2 , se a temperatura se encontra fora bimetal
de certa faixa desejada (no caso da figura, L1 e L2 esto apagadas, indicando A B L1
temperatura dentro da faixa). No par bimetlico, o metal B o que apresenta o V
maior coeficiente de dilatao trmica. Pede-se:
mola contato eltrico mvel
a) Explique qual lmpada indica temperatura abaixo da faixa.
b) Se a distncia entre os contatos eltricos fixos e o mvel aumentar, que parmetro do circuito ser ajustado?
36
CAPTULO 3: MATERIAIS E DISPOSITIVOS ISOLANTES
Diferentemente dos materiais condutores, empregados em Eletrotcnica para o transporte e transformao de
energia eltrica, os materiais conhecidos como isolantes eltricos apresentam propriedades essenciais quando se faz
necessrio separar eletricamente partes de um circuito a potenciais diferentes, ou armazenar energia na forma de
campo eltrico com o aproveitamento de efeitos capacitivos, ou ainda manusear partes energizadas sem riscos.
Este captulo tem como objetivo introduzir alguns aspectos e aplicaes dos materiais isolantes.
3.1) PROPRIEDADES E FENMENOS
Como visto no Captulo 1, os materiais classificados eletricamente como isolantes apresentam um elevado gap
de energia entre as bandas de valncia e conduo ( 6 eV). Consequentemente, estes materiais caracterizam-se por
apresentar baixas concentraes de portadores de carga livres, em torno de 106 cm3, o que resulta em resistividades
eltricas bastante elevadas, da ordem de 108 a 1015 m (para efeito de comparao, em torno de 107 m nos metais).
Este fato revela ento que a conduo de eletricidade nos materiais isolantes praticamente nula quando submetidos a
tenses compatveis, o que revela uma natureza eltrica essencialmente isolante e implica em aplicaes distintas dos
condutores e semicondutores, razo pela qual fenmenos e propriedades mais apropriados devem ser estudados.
3.1.1) RIGIDEZ DIELTRICA
A propriedade rigidez dieltrica descrita como o limite de tenso por unidade de espessura, acima do qual um
material isolante perde bruscamente sua capacidade de isolao eltrica ao permitir a passagem de corrente por sua
estrutura, resultando usualmente em sua inutilizao. Esta propriedade expressa, portanto, a qualidade isolante eltrico
do material, descrita como a capacidade deste de se opor uma descarga eltrica por seu meio sem se danificar.
Para uma amostra de material isolante, que suporta uma tenso mxima Vmax entre faces de espessura d antes de
se romper, a rigidez dieltrica Emax (unidade usual: kV/mm.) do material ento definida experimentalmente por:
V
Emax max (3.1)
d
Esta propriedade reside ento um parmetro essencial para a avaliao dos materais usados com a finalidade de
se manter eletricamente isoladas partes ou superfcies a potenciais diferentes, tais como revestimento isolante para
componentes eltricos, suporte isolante para elementos energizados de instalaes eltricas, compartimentao de
dispositivos e equipamentos eltricos, etc. A Tabela 3.1 apresenta a rigidez dieltrica de alguns materiais de interesse.
Tabela 3.1: Rigidez dieltrica de alguns materiais a 20 oC.

Material Emx (kV/mm) Material Emx (kV/mm) Material Emx (kV/mm)
ar seco 3 EPR 53 vidros 7,5 a 30
poliestireno 20 mica 60 porcelana 100
polietileno 21 teflon 60 a 173 leos de silicone 10 a 15
PVC 50 polietileno reticulado 65 leos minerais 15 a 280
3.1.2) POLARIZAO DIELTRICA
Quando submetidos a campos eltricos, os materiais condutores, notadamente os metais, apresentam a induo
de cargas eltricas de sinais contrrios em sua superfcie, devido ao deslocamento de seus eltrons livres em resposta
fora exercida sobre os mesmos pelo campo aplicado. Esta separao de carga acarreta ento em um campo eltrico
induzido e contrrio ao aplicado, o que causa o anulamento do campo aplicado no interior do material (Figura 3.1-a).
Os materiais isolantes, tambm chamados dieltricos, exibem um comportamento similar mas, como praticamente no
possuem eltrons livres, sua reao a um campo eltrico ocorre por outro mecanismo, chamado polarizao dieltrica.
tomos constituem-se basicamente por um ncleo positivo (prtons) e uma coroa negativa (eltrons). Logo, em
agrupamentos de tomos (molculas) pode-se definir um centro de carga para as cargas positivas e negativas, cuja
posio define os dois tipos de molculas constituintes da matria: polar e apolar (no-polar). No caso das molculas
polares, a no coincidncia dos centros de carga configura-se em uma separao de carga, o que resulta em um campo
eltrico natural entre os centros de carga e define o chamado dipolo eltrico permanente ou natural (Figura 3.1-b),
sendo os dieltricos chamados polares. Para o caso das molculas apolares, a coincidncia dos centros de carga no se
configura em um dipolo resultante (Figura 3.1-c), sendo ento os dieltricos denominados no-polares.
Contudo, em presena de um campo eltrico externo, a reao de ambos os tipos de dieltricos essencialmente
a mesma. Em um dieltrico polar, os dipolos naturais se encontram orientados ao acaso e no apresentam orientao
37
CAPTULO 3: Materiais e dispositivos isolantes
em uma direo resultante, mas a aplicao de um campo eltrico exerce uma fora nos dipolos do material de modo a
orient-los na mesma direo deste campo (Figura 3.1-b). Similarmente, em um dieltrico no-polar submetido a um
campo eltrico, este exerce foras sobre os centros de carga das molculas e pode acarretar em uma separao e um
alinhamento dos centros de carga na direo do campo, resultando no chamado dipolo induzido (Figura 3.1-c). Estas
orientaes, chamadas polarizao dieltrica, no total devido agitao trmica e ser mais intensa quanto maior o
campo eltrico aplicado, sendo o processo reversvel, ou seja, cessado o campo aplicado, os dipolos induzidos so
desfeitos e os naturais voltam s suas posies originais, tal que a carga eltrica por volume no meio permanece nula.
Como a orientao dos dipolos decorre do deslocamento dos centros de carga positivos no mesmo sentido do
campo aplicado e dos centros de carga negativos no sentido oposto, observa-se ento que o campo eltrico dos dipolos
se orientam no sentido contrrio ao do campo externo (Figuras 3.1-b e c). Como consequncia, tem-se que o campo
eletrico aplicado a um determinado dieltrico encontra uma oposio ao seu adensamento no interior do material,
(Figura 3.1-d) e, desse modo, o campo eltrico externo sofre um enfraquecimento no interior do diltrico devido ao
campo eltrico dos dipolos orientados no sentido contrrio (Figura 3.1-e). Assim, similar ao metais, em dieltricos
submetidos a campos eltricos, observa-se uma reduo do campo externo em seu interior e a induo de camadas
superficiais de cargas positivas e negativas em sua superfcie devido orientao de dipolos eltricos (Figura 3.1-e).
dipolo
eltrico
natural
Eint = 0 Eext Eext Eext
camp Eext
o dipolo
eltri Eext
induzido
co
(a) (b) (c) (d) (e)
Figura 3.1: (a) Condutor (metal) perante campo eltrico; polarizao dieltrica: (b) molcula polar, (c) molcula
apolar, (d) dieltrico submetido a um campo eltrico; (e) reao do dieltrico ao adensamento do campo externo.
3.1.3) PERMISSIVIDADE DIELTRICA
A propriedade que descreve o grau de polarizao de um material dieltrico em presena de um campo eltrico
externo, ou ainda, a capacidade do dieltrico em reagir ao adensamento do fluxo de campo eltrico por sua estrutura,
chamada permissividade dieltrica (smbolo: , unidade: F/m, F = Farad). Assim, quanto maior a polarizao dos
dipolos eltricos (naturais ou induzidos) contrrios a um campo externo aplicado, menor o adensamento do campo
eltrico externo no interior do material dieltrico (enfraquecimento) e maior a permissividade deste material.
A permissividade dieltrica do vcuo (o = 8,854 x 10-12 F/m), sendo uma constante universal, empregada para
definir o termo permissividade relativa (r) de um material isolante, que quantifica o quanto o material se polariza em
relao ao vcuo, sendo ento definida como a razo entre a permissividade do isolante e o do vcuo, ou seja:

r (3.2)
o
sendo r adimensional. A permissividade relativa de um material isolante pode ser expressa pela chamada constante
dieltrica K, obtida experimentalmente pela relao entre a capacitncia C (F) de um capacitor contendo isolante e a
capacitncia Co de um capacitor de iguais dimenses e com o material isolante substitudo pelo ar ou vcuo, ou seja:
C
K (3.3)
Co
Alm da temperatura, a permissividade dieltrica dos materiais depende da freqncia de utilizao, em virtude
da dificuldade dos dipolos permanentes acompanharem a variao do campo eltrico aplicado, ocorrendo apenas a
criao de dipolos induzidos, o que resulta em uma queda no valor da constante dieltrica. Logo, dispositivos como
capacitores podem sofrer reduo em sua capacidade de armazenar carga eltrica quanto maior a freqncia do sinal.
A Tabela 3.2 apresenta a constante dieltrica de alguns isolantes temperatura de 25 C e na faixa de 60 Hz a 1 MHz.
Tabela 3.2: Constantes dieltricas de alguns materiais isolantes de interesse em Eletrotcnica.

Material K (adm.) Material K (adm.) Material K (adm.)
ar puro e seco ~ 1,0 leo de transformador 2,5 vidro 5 a 10
porcelana 5,7 xido de alumnio 7,0 borracha EPR 2,6
polietileno 2,26 poliestireno 2,56 papel encerado 3,1
mica 5,0 a 7,8 quartzo 4,0 ebonite 2 a 2,8
PVC 2,6 a 6,5 xido de tntalo 11 araldite 3,6
38
3.1.4) CAPACITNCIA
Seja um condutor eltrico isolado com certa carga Q armazenada, resultando em um potencial V em relao a
um referencial qualquer devido ao campo eltrico emitido pela carga. Supondo uma variao na carga para um valor
nQ, observa-se que o potencial do condutor se altera para nV, tal que a razo Q/V se matem constante. Esta relao
entre carga e potencial consiste em uma qualidade do condutor chamada efeito capacitivo ou capacitncia (C), tal que
Q/V = C, que dependente geometria do condutor e do meio isolante que o envolve. Por extenso, efeitos capacitivos
se estabelecem entre quaisquer superfcies a potenciais diferentes, tal como entre cabos areos e entre estes e o solo.
Seja ento, por exemplo, um condutor A imerso em um meio dieltrico e carregado com certa carga positiva Q
sob um potencial V em relao referncia terra (Figura 3.2-a), resultando em uma capacitncia C. Se um segundo
condutor B aterrado for colocado prximo e isolado de A pelo meio dieltrico, observa-se ento que o campo eltrico
criado pelas cargas positivas em A induziro cargas negativas em B, resultando em uma queda de potencial do prprio
condutor A devido influncia das cargas negativas induzidas em B (Figura 3.2-b). Adicionalmente, se a distncia
entre os condutores diminuir, ou a rea de acoplamento entre estes aumentar, tem-se um aumento na carga induzida
em B e, desse modo, uma reduo no potencial do condutor A. Logo, para o condutor A atingir novamente o potencial
V, deve-se acrescentar mais cargas positivas ao mesmo e, desse modo, a presena do condutor B permite ao condutor
A armazenar mais carga sob mesmo potencial, ou seja, a capacitncia do condutor A aumenta em conjunto com B.
Conclui-se ento que a capacitncia do conjunto ser tanto maior quanto maior for a induo em B e esta atinge o
valor mximo quando ocorre induo total, isto , a carga eltrica em ambos condutores so iguais e de sinais opostos.
Seja ento o conjunto dado na Figura 3.2-c, constitudo por duas placas condutoras separadas pelo dieltrico ar
e carregadas com cargas iguais e opostas +Q e Q produzidas por induo total, o que estabelece um campo eltrico
Eo devido ddp Vo entre as placas. A introduo de um dieltrico de permissividade maior que o ar causa um enfra-
quecimento do campo eltrico estabelecido incialmente, devido maior capacidade de polarizao do dieltrico no
sentido contrrio ao campo, resultando ento em uma diminuio do campo entre as placas para um valor E < Eo e um
decrscimo na ddp para um valor V < Vo (Figura 3.2-d). Logo, este efeito possibilita um aumento da carga eltrica nas
placas de modo a se obter novamente a ddp Vo, ou seja, com a mesma tenso consegue-se armazenar mais carga e
energia na forma de campo eltrico. Assim, conclui-se que a capacitncia de um conjunto de superfcies condutoras
ser tanto maior quanto maior for a permissividade dieltrica do material isolante empregado entre as superfcies.
Um conjunto constitudo por duas superfcies condutoras separadas por um dieltrico e com a funo especfica
de reter cargas eltricas de modo a armazenar energia na forma de campo eltrico denominado capacitor, sendo a
capacitncia, portanto, a grandeza que descreve esta capacidade. O meio dieltrico do capacitor pode ser ar ou vcuo,
que tm a vantagem no se danificarem quando rompidos, mas o emprego de um dieltrico slido com permissividade
maior permite obter um capacitor de maior capacitncia de mesmas dimenses, bem como outras vantagens como:
1) O emprego de um dieltrico slido resolve o problema mecnico decorrente da necessidade de se manter duas ou
mais superfcies condutoras separadas por pequenas distncias sem um contato eltrico efetivo;
2) O emprego de um dieltrico de maior rigidez dieltrica que a do ar permite ao capacitor suportar uma tenso mais
elevada sem se danificar e, portanto, possibilita uma maior quantidade de carga armazenada em seu conjunto.
A (C = Q/V) A (C = Q/V) meio dieltrico ar meio dieltrico de
(permissividade o) permissividade > o
B +Q -Q +Q -Q
E meio
dieltrico
Q Q
V Eo E < Eo
V
Vo V < Vo
0V 0V
(a) (b) (c) (d)
Figura 3.2: Efeitos capacitivos: (a) condutor isolado; (b) conjunto de condutores com induo parcial;
(c) conjunto de condutores com induo total; (d) introduo de dieltrico de maior permissividade.
3.1.5) PERDAS, FATOR DE PERDAS E EFEITO CORONA
A eficincia da capacidade de isolao dos isolantes e dieltricos depende da finalidade e das condies de sua
aplicao. Em geral, estes materiais esto sujeitos a reduo de desempenho devido a condicionantes como:
Fatores em excesso: luz solar incidente, salinidade gases corrosivos presente no ar, poluio e absoro de gua
devido porosidade do material (a chamada higroscopia), podem acelerar o envelhecimento do dieltrico, o que
pode resultar em perdas devido ao aumento substancial de correntes parasitas no interior do material.
39
Regime de trabalho imprprio: tempos prolongados de aplicao de tenses elevadas e/ou impulsos de tenso
podem acarretar em perdas por dissipao de calor na resistncia de corpo do material por correntes parasitas.
Acmulo de agentes do ambiente: a deposio de sujeira e umidade sobre o isolante pode ocasionar caminhos
hmicos para a circulao de correntes de fuga pela superfcie do material, o que resulta em perdas de energia.
Histerese eltrica: na polarizao de um dieltrico, a energia requerida para a orientao de seus dipolos pode no
retornar totalmente ao sistema quando da retirada do campo eltrico aplicado, pelo fato de alguns dos seus dipolos
orientados no retornam completamente s posies originais aps a retirada do campo. Estes atrasos, conhecido
como histerese, necessitam ento de consumo de energia para serem desfeitos e, portanto, representam perdas.
Absoro dieltrica: os dieltricos podem absorver carga eltrica quando em contato com partes energizadas e
passam a se comportar como um material eletrizado por algum tempo, o que representa uma situao com energia
entregue pelo sistema e no devolvida e, portanto, perdas. Certos dieltricos podem apresentar uma absoro de
carga irreversvel, o que pode ser aproveitado na obteno dos chamados eletretos, vistos mais adiante.
Como o vcuo caracteriza-se pela ausncia de matria, ento o mesmo no sofre problemas com perdas por
envelhecimento e polarizao. O vcuo , por conseguinte, o nico exemplo de material dieltrico ideal.
Da teoria de Circuitos Eltricos, sabe-se que a corrente e a tenso CA em um capacitor esto defasadas de 90o.
Como o conjunto de perdas de um dieltrico pode ser modelado por uma resistncia ento, a rigor, este defasamento
menor que 90o por um valor (Figura 3.3) devido s perdas associadas ao dieltrico. O termo ento denominado
ngulo de perdas e sua tangente (tg ) define o chamado fator de perdas de um dieltrico. Logo, este fator consiste em
uma medida da energia perdida ou dissipada na estrutura de um material isolante e, no caso de capacitores, o ngulo
caracteriza o melhor ou pior dieltrico para aplicaes capacitivas pois, quanto menor o fator de perdas, menor o
efeito resistivo resultante destas perdas e mais prximo de 90o ser o defasamento entre tenso e corrente CA.
A Tabela 3.3 mostra o fator de perdas de alguns materiais na freqncia de 1 kHz a 25 oC.
VC IC Tabela 3.3: Fator de perdas de alguns materiais.

Isolante tg Isolante tg
PVC 0,06 EPR 0,007
IC VC porcelanas 0,04 polietileno 0,003
papel 0,02 Mica 0,002
Figura 3.3: ngulo de perdas ().
Um evento de grande preocupao em sistemas eltricos provm de situaes em que a densidade de campo
eltrico em um condutor energizado e imerso no ar, excede um determinado valor e ocasiona o surgimento de regies
de ar ao redor do condutor ligeiramente ionizadas, o que propicia condies para a promoo de pequenas descargas
eltricas do condutor para o ar e resulta na emisso de ondas de rdio-frequncias, bem como emisses luminosas de
cor violeta plida devido formao de gs oznio e rudo audvel devido vibrao do condutor. Este fenmeno,
denominado efeito Corona (aparncia na Figura 3.4-a), representa ento perdas de energia eltrica do sistema, sendo
comum em redes de transmisso e subestaes devido aos elevados nveis de tenso de trabalho envolvidos.
Alm do tipo de tenso aplicada (CA ou CC), o efeito Corona influenciado pelas condies do ar (umidade,
temperatura, presso e poluio) e pelo formato do condutor empregado devido ao chamado efeito das pontas, pois o
campo eltrico se intensifica em regies com formas retas ou pontiagudas de um condutor energizado (Figura 3.4-b).
Assim, as perdas perdas resultantes da ocorrncia de efeito Corona em sistemas de alta tenso necessitam ser
reduzidas o mximo possvel, obrigando os projetistas a tomar cuidados especiais no dimensionamento de chaves de
alta tenso, bem como na avaliao do adequado raio de curvatura dos cabos na passagem pelas ferragens de apoio
(torres e postes) e no espaamento entre barramentos e entre cabos. Desse modo, comum o emprego dos chamados
atenuadores de efeito Corona (aparncias na Figura 3.4-c), que consistem de condutores em formato circular para
mitigar o efeito das pontas ao aumentar a uniformidade do campo eltrico em volta de equipamentos presentes em
torres e subestaes, tais como barramentos e isoladores (Figura 3.4-d), bem como ancoragens e sustentaes.
anel
decarga corona anti-corona
alta
tenso
(a) (b) (c) (d)
Figura 3.4: (a) Visualizao de efeito Corona em linha de transmisso; (b) esquematizao do efeito das
pontas e produo de descarga corona; (c) atenuadores anti-corona; (d) isolador com anel anti-corona.
40
3.2) MATERIAIS E DISPOSITIVOS ISOLANTES
Materiais isolantes encontram amplo emprego em Eletrotcnica para desempenhar funes de revestimento,
suporte e manuseio de partes energizadas de circuitos e equipamentos, bem como na fabricao de capacitores. O
termo isolante geralmente conferido aos materiais para isolamentos em geral e dieltrico para aplicaes capacitivas.
3.2.1) MATERIAIS ISOLANTES E DIELTRICOS
Materiais isolantes e dieltricos se diferenciam por diversas propriedades e caractersticas, tais como rigidez e
permissividade dieltricas, fator de perdas, dureza, etc., e podem ser encontrados nos trs estados fsicos da matria. A
seguir so descritos alguns dos materiais isolantes de aplicao mais comum em componentes e sistemas eltricos:
Isolantes gasosos: por ter custo nulo, o ar aproveitado como meio isolante em instalaes eltricas areas (cabos
nus em redes, barramentos em subestaes, etc). O SF6 (hexafluoreto de enxofre), gs de elevada rigidez dieltrica,
empregado como isolamento em cabos subterrneos, redes e subestaes compactas, disjuntores de potncia, etc.
Dieltricos lquidos: so leos com propriedades isolantes empregados em transformadores para isolamento entre
enrolamentos e carcaa, onde atua tambm como efeito refrigerante, que consiste em absorver o calor gerado por
efeito Joule dos enrolamentos e transferi-lo a radiadores de calor, mantendo admissveis os nveis de temperatura.
So usados tambm em disjuntores a leo, para possibilitar a extino de arco eltrico, e na impregnao de fibras
para revestimento de cabos e dieltricos em capacitores. Exemplos: leos minerais, leos de silicone e Askarel.
Tintas e vernizes: so compostos qumicos de resinas sintticas, que tem largo emprego na tecnologia de isolao
de componentes eletrnicos como: esmaltao de fios e cabos condutores, isolao de laminados ferromagnticos,
proteo de superfcies tais como circuitos impressos, etc. Exemplos: Alkanex, Formex e Permafil.
Resinas plsticas: so de boa rigidez, baixo fator de perda, no higroscpicos e resistentes ao calor. Empregos:
revestimento de condutores eltricos, encapsulamentos, capacitores, isoladores e ncleos de bobinas. Exemplos:
XLPE (polietileno reticulado), polister, polistireno, PVC (cloreto de polivinila), teflon, araldite, baquelite, etc.
Cermicas: materiais de elevada constante e rigidez dieltricas, so usados em isoladores em todas as tenses e
em capacitores de baixa e alta tenso. Exemplos: xido de alumnio, titanato de brio, porcelana e esteatite.
Borrachas sintticas: so materiais elsticos, de boa resistncia a agentes qumicos e elevada rigidez dieltrica.
So usadas como capa externa protetora de cabos e em isoladores polimricos. Exemplos: silicone, neoprene, EPR
(etileno-propileno), EPDM (etileno propileno dieno monmero) e borracha butlica.
Mica: material mineral cristalino de alta rigidez dieltrica e baixo fator de perdas. empregada como dieltrico
em capacitores e como isolante nas ligaes entre transistores de alta potncia e dissipadores trmicos.
Vidros: apresentam elevada rigidez e estabilidade umidade. Emprego: isoladores para cabos em redes eltricas.
Fibras naturais: so materiais baratos e de grande flexibilidade, porm de elevada higroscopia, sendo usados em
suportes isolantes, revestimento de cabos e capacitores. Exemplos: papel, algodo e seda impregnados com leos.
Outros: xido de tntalo e mylar (dieltricos em capacitores), madeira (cruzetas em postes de distribuio), etc.
3.2.2) ISOLAMENTOS E ISOLADORES
Elementos energizados de equipamentos e circuitos eltricos em geral (instalaes eltricas, subestaes, redes
de transmisso e distribuio, etc.), conhecidas como partes vivas, representam perigo segurana de pessoas e
patrimnio e precisam permanecer suspensos eletricamente do meio que os cercam, papel este desempenhado por
diversos tipos de revestimento e suporte isolantes presentes nas instalaes e dispositivos eltricos.
Isolamento o termo geral para revestimentos empregados como encapsulamento, compartimentao ou capa
protetora para isolar eletricamente partes energizadas (exemplos na Figura 3.5), bem como dotar estas de condies
para evitar problemas com choques eltricos, corroso, abraso, inflamabilidade, umidade, microorganismos, etc.
Em geral, o isolamento de fios e cabos eltricos classificam-se, segundo sua composio, em:
Isolamento slido: usados em todos os nveis de tenso, consiste nos materiais orgnicos naturais e polmeros,
alm de amianto, cermicas, teflon, naylon e ebonite para aplicaes especiais. Os polmeros se dividem em:
Termoplsticos: caracterizam-se por mudana de estado com a temperatura (quando queimados, se derretem).
Mxima temperatura de trabalho: 170 oC. Exemplos: polistireno, polietileno, PVC e naylon.
Termofixos: so mais resistentes e carbonizam-se quando queimados, mas tornam-se quebradios com o tempo.
Temperatura mxima de trabalho: 250 oC. Exemplos: borracha butlica, EPR, XLPE e neoprene.
Isolamento estratificado: composto de camadas isolantes geralmente impregnados, utilizados para isolao acima
de 1000 V. Exemplos: papel impregnado com leo e com interstcios ocupados com gs sob presso (gas filled).
A espessura de isolamento de condutores eltricos dimensionada obedecendo a condio de que o campo
eltrico na superfcie do isolamento seja nulo. Para o caso simples de um fio, a espessura dada por (figura 3.5-e):
d r e
Vmax
r Emax
1 (3.4)
41
onde: d (mm) a espessura do material isolante e r (mm) o raio do fio condutor (Figura 3.5-e), Vmax (V) a tenso
mxima de trabalho do fio e Emax (V/mm) a rigidez dieltrica do material isolante a ser empregado.
Alguns cabos para aplicaes especiais apresentam uma capa protetora contra a ao de agentes externos (raios
solares, meios corrosivos, microorganismos, etc.), usualmente PVC ou chumbo, e em cabos para altas tenses usada
uma complementao que visa aumentar a capacidade de isolao devido aos elevados campos eltricos gerados.
caixa de
passagem
eletroduto condutor
d
condutores
isolados r
isolante
(a) (b) (c) (d) (e)
Figura 3.5: Aplicaes de isolamento: (a) guiamento de condutores eltricos, (b) conjunto plugue-tomada; (c) par
de luvas isolantes (borracha e couro); (d) fita isolante; (e) dimensionamento da espessura de isolao simples .
Isolador o termo geral para designar dispositivos empregados como suporte, suspenso ou ancoragem isolante
de peas energizadas (condutores, barramentos, chaves, conexes, etc.) em instalaes eltricas em geral.
Os isoladores so especialmente construdos para assegurar um isolamento eltrico adequado e apresentar boas
caractersiticas mecnicas, devendo ainda ser capazes de fazer o mximo uso do poder isolante do ar que os envolve.
Com estes propsitos, so ento projetados de forma a apresentar contornos fsicos o mais longo possvel, de modo a
assegurar uma distribuio balanceada de potenciais e minimizar a acumulao de linhas campo eltrico, objetivando
impedir o rompimento da isolao por arcos eltricos em sua estrutura (perfurao) ou pelo ar (descarga externa).
Os materiais empregados em isoladores devem apresentar elevada dureza e tenacidade devido s solicitaes
mecnicas a que esto sujeitos (foras sobre eixo de fixao e apoio), que lhes so transmitidos devido ao prprio
peso dos cabos e fora dos ventos sobre os cabos, bem como minimizar problemas com atos de vandalismo.
Alm disso, como a presena de poros e fissuras facilita o acmulo de gua e sujeira (p, fuligem, etc.), o que
possibilita o surgimento de correntes de fuga superficial, os isoladores devem apresentar uma superfcie altamente
polida ou vitrificada, com a finalidade de diminuir a possibilidade de acmulo de sujeira sobre o isolador.
Os isoladores (aparncias na Figura 3.6) apresentam diversas especificaes, dentre as quais pode-se citar:
Caractersticas eltricas: tenses mximas suportadas (disruptivas, corona, de perfurao, RF, etc.).
Caractersticas mecnicas: capacidade de carga mxima de trabalho e resistncia a impactos e choques trmicos.
Material do corpo isolante: porcelanas (argila, quartzo, alumina, etc.), vidro temperado e compsitos polimricos
(EPDM, EPR, silicone, plsticos, etc.), podendo estes ltimos serem construdos sob um basto isolante rgido.
Tipo do corpo isolante: podem ser construdos em uma nica pea, chamados tipo monocorpo ou de barra longa,
cujo comprimento define o nvel de isolamento, bem como em diversas peas em forma de disco, chamados tipo
multicorpo, que permitem a conexo entre si em longas cadeias para se adequar ao nvel de isolao desejado.
Tipo de apoio: diferem pelo tipo de fixao na estrutura de apoio, feito basicamente de 3 maneiras:
Isoladores tipo pilar: so construdos em uma nica pea ou contendo um ncleo de material isolante mais rgido,
com base metlica fixa de alta resistncia mecnica, que acoplada estrutura por arruela e porca.
Isoladores de pino: contm em seu interior um furo rosqueado para permitir a introduo de um pino de ao com
cabea de chumbo filetada, sobre o qual se atarracha o isolador estrutura por arruela e porca.
Isoladores de suspenso: so essencialmente do tipo multicorpo, para permitir ao conjunto grande flexibilidade
ao vento. Alm do corpo isolante (normalmente vidro ou porcelana), estes isoladores apresentam ferragens em
seu eixo para o engate entre peas, de modo a propciar boa resistncia trao. So o tipo de maior importncia
para redes de transmisso de energia eltrica, pois ajustam-se facilmente s condies de servio impostas.
tipo
pino
tipo
pilar isoladores
de disco
(tipo
supenso)
(a) (b) (c) (d)
Figura 3.6: (a) Isoladores cermicos; (b) isoladores de vidro; (c) isoladores polimricos; (d) cadeia de isoladores.
42
3.2.3) CAPACITORES
Como mencionado anteriormente, os capacitores (smbolos esquemticos na Figura 3.7-a) so componentes

eltricos construdos especificamente para aproveitar a capacidade de um conjunto de superfcies condutoras isolados
entre si por um meio isolante (dieltrico) em armazenar energia na forma de campo eltrico devido reteno de
cargas eltricas nestas superfcies, sendo a capacitncia obtida pelo conjunto a medida desta reteno. Alm disso,
observou-se tambm que a capacitncia do conjunto intensificada quanto maior o acoplamento entre as superfcies
(maior rea e menor distncia) e maior a polarizao do dieltrico empregado (permissividade dieltrica).
Como exemplo, a capacitncia de um conjunto formado por duas placas paralelas (Figura 3.7-b) definida por:
A
C (3.5)
d
onde a permissividade do meio dieltrico e d e A a distncia entre as placas e a reas destas, respectivamente.
Capacitores so componentes eltricos largamente empregados em Eletrotcnica para desempenhar funes
diversas, tais como: correo de fator de potncia, osciladores, divisores de tenso capacitivos, defasadores, filtragem,
circuitos tanque ressonantes (sintonizadores), temporizadores, acoplamento de circuitos com bloqueio de corrente
contnua, filtro capacitivo em circuitos retificadores, supressores de transitrios, partida de motores, etc.
Para melhor especificao, os capacitores apresentam diversas caractersticas fsicas e tcnicas, tais como:
Capacitncia nominal: expresso em Farads (F), pode variar de picofarads (pF) at centenas de milifarads (mF).
Tenso nominal ou de trabalho: define o valor mximo da tenso eficaz suportada continuamente pelo dieltrico,
acima do qual poder ocorrer elevada absoro dieltrica e risco de carbonizao por centelhamento ou descarga.
Caractersticas de fabricao: so especificaes de natureza construtiva do capacitor, sendo as mais comuns:
Dieltrico empregado: gs (ar, SF6), cermicas (xido de alumnio, porcelana, mica), xido de tntalo, resinas
plsticas (polister, polistireno, mylar), leos minerais, fibra natural (papel, algodo, etc.), fibra de vidro, etc.
Natureza: podem ser classificados como fixos, variveis e ajustveis. Nos fixos, o valor nominal definido pelo
fabricante. Nos variveis e ajustveis, a capacitncia alterada com a variao do acoplamento entre as placas,
de modo a obter um ponto de operao de um circuito ao fixar algum parmetro deste. Os variveis (aparncia
na Figura 3.7-c) so usados no ajuste do ponto de operao a qualquer tempo, e os ajustveis, conhecidos como
trimmers (aparncias na Figura 3.7-d), usados para determinar um ponto de operao do circuito fixo no tempo.
Formato: podem ser constitudos por placas nas formas em paralelo, disco, cilindros concntricos, espiral, etc.
Polarizao: os no polarizados (mica, cermico, polister, etc) independem de como so ligados no circuito, e
os polarizados (eletrolticos) possuem sinais (+/) para seus terminais, que devem ser respeitados.
Tolerncia: expressa a preciso no processo de fabricao e define o erro (%) mximo da capacitncia nominal.
Classe de perdas: os capacitores so classificados nos tipos de baixa perda e alta estabilidade (mica, polistireno,
cermicos, vidro), de mdia perda (papel, plsticos) e de altas perdas e elevada capacitncia (eletrolticos).
d
C
A

C
(a) (b) (c) (d)
Figura 3.7: (a) Smbolos esquemticos do capacitor; (b) esquema de um capacitor de placas paralelas;
(c) aparncia de um antigo capacitor varivel a dieltrico ar; (d) aparncias de trimmers capacitivos.
As especificaes so indicadas pelo fabricante em catlogos tcnicos e o valor da capacitncia, tolerncia e
tenso nominal podem vir impressos no corpo do capacitor. A tolerncia pode ser expressa diretamente ou atravs de
um cdigo de letras maisculas: F = 1%, H = 2,5%, J = 5%, K = 10% e M = 20%. A capacitncia pode estar expressa
diretamente (exemplo: 0.01 nF / 5 % / 600 V), ou com o emprego de algarismos em diversas formas, tais como:
Especificaes em unidades picofarads (pF):
Forma explcita. Exemplo: 5,6 J 5,6 pF / 5 %.
Cdigo formado por trs nmeros tipo "XYZ", onde XY forma a dezena e Z a potncia de 10, tal que obtm-se:
XY x 10Z pF. Exemplo: 474 47 x 104 pF = 470 x 103 pF = 470 nF.
Emprego das letras K (simbolizando vezes 103 ) e M (106 ), que tambm indica posio da vrgula na dezena.
Exemplos: 10K : 10 x 103 pF = 10 nF ; 5K6 : 5,6 x 103 pF = 5,6 nF ; 4M7 : 4,7 x 106 pF = 4,7 F
Especificao em microfarads (F), com indicao da tenso nominal. Exemplo: .01 250V 0,01 F / 250 V.
O antigo cdigo dos capacitores de polister constitudo de cinco faixas de cores X-Y-Z-T-M (do topo para os
terminais), onde l-se: XY x 10Z pF (cdigo de cores igual ao dos resistores - Tabela 2.2), T = tolerncia (cdigo:
preto = 20%, branco = 10%) e M = tenso nominal (vermelho = 250 V, amarelo = 400 V, azul = 630 V).
43
Capacitores comerciais so frequentemente denominados de acordo com o material empregado como dieltrico
e apresentam diversos formatos de encapsulamento (Figura 3.8). Os mais comuns so listados a seguir:
a) Capacitores de polister metalizado: so construdos por duas lminas de alumnio isoladas por tiras de polister
e enrolados sobre si mesmos. Apresentam baixo fator de perdas, insensibilidade umidade e grande estabilidade,
sendo usados em circuitos de baixa e alta freqncia. Valores entre 1 nF e 10 F e tenses nominais at 500 V.
b) Capacitores eletrolticos: consistem basicamente de uma folha metlica de alumnio (placa positiva), coberta por
uma fina camada de xido de alumnio depositado por eletrlise, que por sua vez est em contato com uma folha
de papel impregnada por um eletrlito lquido ou uma pasta, sendo esta ltima solidria a outra folha metlica
(placa negativa). Apresentam capacitncia entre alguns microfarads a 10 mF com tenses de trabalho at 600 V,
sendo ento usados onde uma grande capacitncia se faz necessria. Apresentam fator de perda aprecivel. Podem
ser polarizados (indicao no corpo) e, neste caso, so utilizados em circuitos nos quais a componente contnua
bem superior componente alternada ou em circuitos de corrente contnua pura (por exemplo, em retificadores).
c) Capacitores cermicos: so fabricados normalmente na forma de disco ou basto, possuindo altssima constante
dieltrica. Possuem valor de 1 pF a 0,5 F e podem atingir tenses de trabalho de at 10 KV. Apresentam fator de
perdas pequeno (< 10-4) em freqncias elevadas. Os trimmers cermicos so obtidos nos valores de 1 a 45 pF.
d) Capacitor de mica: constitudo por camadas alternadas de mica e metal prensadas. Apresenta capacitncia da
ordem de picofaradas, alta tenso de trabalho e indutncia parasita reduzida. Apresenta tambm fator de perdas
baixo em altas freqncias, sendo bastante utilizado em circuitos que processam sinais de freqncia elevada.
e) Capacitor de polipropileno: apresenta baixa perda, alta tenso e resistncia a avarias. Fabricado em picofarads.
f) Capacitores de poliestireno: apresentam geralmente capacitncia na escala de picofarads.
g) Capacitores a leo: empregam papel impregnado de leo mineral ou sinttico como dieltrico. Podem atingir at
30 F. Possuem boas caractersticas, desempenho e vida til longa. So usados em circuitos de baixas freqncias.
h) Capacitores de tntalo: so compactos, de baixa tenso e apresentam capacitncias de at 100 F.
(f)
(d) (e)
(c)
(a) (b)
(g) (h) (i)

(j)
Figura 3.8: Aparncia de alguns capacitores: (a) poliester; (b) eletrolticos; (c) cermicos; (d) mica;
(e) polipropileno; (f) poliestireno; (g) a leo; (h) policarbonato; (i) tntalo; (j) capacitores de potncia.
3.2.4) ELETRETOS E CRISTAIS PIEZOELTRICOS
Eletretos so materiais capazes de manter uma carga eltrica esttica em sua estrutura por um longo tempo sem
sofrer decaimento, comportando-se ento como materiais permanentemente eletrizados. So fabricados por meio da
injeo de eltrons em certos dieltricos que apresentam armadilhas para eltrons (exemplos: teflon e mylar).
Como o efeito desta eletrizao pode ser interpretado como se o eletreto fosse um material permanentemente
polarizado, a combinao deste com placas metlicas produz ento um efeito capacitivo ao contrrio, onde o campo
eltrico produzido pelo dieltrico entre as placas (eletreto) induz tenso eltrica nas placas. Este comportamento pode
ser aproveitado em diversas aplicaes tecnolgicas, tais como em microfones, detetores de ultra-som e dosimetria.
Os chamados microfones de eletreto (Figura 3.9) so transdutores eletro-acsticos constituidos por uma placa
metlica fixa a pequena distncia de uma folha de eletreto metalizada, cujo conjunto se comporta como um capacitor
permanentemente carregado. Uma onda de udio (som) incidente no topo da capsula causa uma vibrao na folha de
eletreto em relao placa metlica fixa, o que varia dinamicamente a distncia entre as mesmas e altera a tenso do
efeito capacitivo (V = Q/C = Q d/ A), convertendo ento a onda de udio em sinal de tenso, sendo este sinal por sua
vez injetado em um FET (transistor de efeito de campo) para pr-amplificao. Estes microfones caracterizam-se por
serem pequenos, baratos, bastante sensveis e possuir uma larga faixa de resposta em frequncia (30 Hz a 30 kHz),
sendo utilizados em celulares, laptops, gravadores de udio, etc. Podem apresentar 2 ou 3 terminais, so polarizados
(+/) e requerem uma fonte de tenso externa de no mnimo 2 V (por exemplo, pilhas) para o funcionamento do FET.
44
cobertura cobertura porosa

metlica
folha de placa metlica fixa
eletreto
FET
cpsula terminais
(a) (b) (c)
Figura 3.9: Microfone de eletreto: (a) esquema construtivo; (b) smbolos; (c) aprncias.
Certos cristais isolantes polares (quartzo monocristalino, titanato de brio, titanato de chumbo, etc.) exibem a
chamada eletrostrico, que consiste na gerao de uma diferena de potencial eltrico entre as duas faces do cristal
quando submetidas a um esforo de trao ou compresso, ocasionada pelo alinhamento dos dipolos eltricos naturais
na direo da fora aplicada (Figura 3.10-b). Este fenmeno, denominado efeito piezoeltrico, reversvel (a tenso
desaparece com a retirada dos esforos) e o efeito inverso tambm ocorre, ou seja, quando o cristal piezoeltrico
submetido a uma tenso eltrica entre suas faces, o mesmo se comprime ou se expande elasticamente na direo do
campo eltrico aplicado, resultanto ento na gerao de uma fora mecnica na direo deste campo (Figura 3.10-c).
Esta capacidade dos cristais piezoeltricos em converter fora mecnica em tenso eltrica, e vice-versa, se
configura ento em um transdutor eletromecnico. Este materiais so aproveitados na construo de medidores de
presso (Figura 3.10-d) e sensores ultrassnicos de transmisso/recepo de vibraes para deteco de imperfeies
em estruturas slidas, bem como em acelermetros, isqueiros e acendedores caseiros, fones auriculares, etc.
O chamado oscilador de cristal (Figura 3.10-e) um circuito eletrnico que utiliza a ressonncia de um cristal
piezo (quartzo) para criar um sinal eltrico de frequncia bastante precisa, comumente usada para medir com mais
exatido o tempo em microcontroladores, relgios, bem como estabilizar frequncias de transmissores de sinais.
Outra emprego destes materiais reside no chamado microfone de cristal (smbolo na Figura 3.10-f e aparncia
na Figura 3.10-g), constitudo basicamente de duas placas metlicas separadas por uma placa de material piezoeltrico
(Figura 3.10-h), onde a presso das ondas sonoras em um diafragma causam vibraes no cristal, que se traduzem em
uma tenso (sinal de udio) entre as placas metlicas em decorrncia do ao efeito capacitivo ao contrrio.
placa metlica cristal piezo
F F
udio
V V
diafragma sinal de
dipolo eltrico udio
(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (h)
Figura 3.10: (a) Cristal piezo no tensionado; (b) efeito piezoeltrico; (c) efeito piezoeltrico reverso; (d) transdutor
de fora; (e) oscilador de cristal; microfone de cristal: (f) smbolo, (g) aparncia, (h) esquema de funcionamento.
Problema 1: Deseja-se isolar para 20 kV um cabo com 1 cm de dimetro, empregando um material isolante de rigidez
dieltrica 10 V/m. Determine a espessura limite do isolamento. Explique se o limite mnimo ou mximo.
Problema 2: A figura ao lado mostra um circuito CC em regime permanente, contendo um k R

capacitor inicialmente com certo dieltrico de constante dieltrica maior que do ar. Retirado o
dieltrico do capacitor, explique o que acontecer com a carga, a capacitncia e a tenso no V C
capacitor em regime permanente se: (a) a chave k mantida fechada durante a retirada do
dieltrico e (b) se a chave k aberta antes da retirada do dieltrico slido.
Problema 3: Dispe-se de dois dieltricos 1 e 2 para construir um capacitor de placas paralelas com 25 cm2 de rea,
que dever apresentar capacitncia de 2 nF e suportar pelo menos uma ddp de 500 V em seus terminais. Sabe-se que a
rigidez dieltrica dos materiais 1 e 2 so 16 kV/mm e 10 kV/mm, respectivamente, e as permissividades relativas so
2,5 e 5, respectivamente. Determine se um dos dieltricos pode ser empregado para a construo do capacitor.
Problema 4: A afirmao o emprego de um material isolante de maior rigidez dieltrica aumenta a capacitncia de
um capacitor de iguais dimenses correta? Explique.
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CAPTULO 4: MATERIAIS E DISPOSITIVOS MAGNTICOS
Diferentemente dos condutores, semicondutores e isolantes, cujas aplicaes Eletrotcnicas esto relacionadas a
propriedades desejveis na presena de campos eltricos, os empregos dos materiais classificados como magnticos
so justificados por seu comportamento favorvel perante a campos magnticos, sendo essenciais para o estabeleci-
mento de acoplamentos magnticos para a gerao e transformao da energia eltrica, bem como para a viabilizao
de diversos equipamentos eletromecnicos que contam com efeitos magnticos para o seu adequado funcionamento.
Este captulo tem como objetivo introduzir alguns aspectos tericos e aplicaes de materiais magnticos.
4.1) PROPRIEDADES E FENMENOS
O comportamento dos materiais submetidos a campos magnticos e os efeitos destes campos na interao entre
dispositivos por acoplamento magntico resumem os chamados fenmenos magnticos, vistos a seguir.
4.1.1) POLARIZAO MAGNTICA
Sabe-se que campos magnticos de orientaes contrrias tendem a se repelir mutuamente e que qualquer carga
eltrica em movimento produz campo magntico. Sabe-se tambm que os tomos e molculas da matria esto em
constante estado de agitao trmica e que seus eltrons executam dois tipos de movimento eletrnico: orbital e spin.
A natureza magntica dos materiais corresponde reao de sua estrutura atmica perante a linhas de um fluxo
de campo magntico aplicado e consiste em trs fenmenos que descrevem o comportamento dos materiais:
Diamagnetismo: o movimento angular dos eltrons em torno do ncleo (orbital) confere um carter magntico aos
tomos e, quando um material submetido a um fluxo magntico, a fora magntica do campo tende a afetar o
carter magntico de seus tomos ao perturbar o movimento orbital dos eltrons. Como consequncia, os eltrons
dos tomos do material tendem a adequar seu movimento orbital de forma a expulsar o campo magntico aplicado,
resultando em um comportamento natural conhecido como diamagnetismo, comum a todos os materiais. Contudo,
a intensidade desta repulso diamagntica se mostra bastante fraca devido constante agitao trmica dos tomos
em direes caticas, que atenuam acentuadamente as reaes dos tomos aos campos magnticos aplicados.
Paramagnetismo: o carter magntico dos tomos depende tambm do momento angular dos eltrons em torno de
seu eixo (movimento spin), que faz os eltrons atuarem como diminutos ims conhecidos como spins magnticos.
Na presena de um fluxo magntico, os eltrons tendem a alinhar seus spins no sentido das linhas do fluxo e, caso
os tomos de um material apresentem desequilbrios entre os movimentos orbital e spin, tal que o alinhamento dos
spins no sentido do fluxo exceda o efeito da repulso diamagntica, observa-se que o material exibe uma natureza
magntica no sentido de facilitar o fluxo do campo magntico por seu meio. Este efeito, chamado paramagnetismo,
tambm se mostra bastante fraco devido agitao trmica dos tomos, podendo o material vir a exibir um com-
portamento praticamente indiferente ao campo devido equivalncia dos efeitos diamagntico e paramagntico.
Ferromagnetismo: o carter magntico dos tomos, como um todo, decorre ainda do equilbrio entre os seus spins.
Sabe-se que os eltrons ocupam os nveis de energia aos pares girando em sentidos opostos (spins contrrios), tal
que os efeitos dos spins se anulam mutuamente. A presena de nveis com spins incompletos em um tomo resulta
ento em um desequilbrio entre os grupos de spins contrrios, o que confere ao tomo um forte comportamento
magntico que excede em muito a repulso diagmagntica. Esta natureza magntica pode ainda no se limitar aos
tomos, mas em toda uma diminuta regio do material devido concateno dos efeitos magnticos dos tomos, o
que produz um vetor-campo de orientao magntica, chamado dipolo magntico (Figura 4.1-a), e faz o material
exibir regies, denominadas domnios magnticos (Figura 4.1-a), naturalmente disseminadas por seu meio. Este
efeito, chamado ferromagnetismo, se mostra menos sensvel agitao trmica dos tomos devido concatenao
de efeitos magnticos, o que confere ao material uma elevada capacidade de interao com campos magnticos.
Na ausncia de um campo magntico, as orientaes dos domnios magnticos normalmente se estabelecem de
forma aleatoria pelo material e seus efeitos tendem a se anular mutamente. Porm, quando expostos ao de um
campo magntico, os domnios podem ter seus dipolos facilmente rearranjados (polarizados) no sentido das linhas
de fluxo magntico aplicado (Figura 4.1-b). Assim, materiais que exibem o ferromagnetismo constituiem-se em
um caminho bastante permevel a campos magnticos, ao atrair (ou ser atrado) fortemente as linhas do fluxo.
Contudo, como o nmero de dipolos magnticos orientados proporcional intensidade do campo magntico
aplicado e a quantidade de dipolos disponveis finito, a capacidade de polarizao do material pode atingir um
limite, chamado saturao magntica, quando todos os seus dipolos se encontram orientados (Figura 4.1-c).
Alm disso, com a retirada do campo magntico, pode ocorrer que alguns dipolos magnticos no retornam s
suas disposies originais (Figura 4.1-d), permanecendo um resduo de polarizao magntica no material. Este
efeito, chamado magnetismo residual ou remanescncia magntica e conhecida como imantao, produz atrasos na
reorientao dos dipolos no sentido oposto ao estabelecido inicialmente e resulta na chamada histerese magntica.
46
CAPTULO 4: Materiais e dispositivos magnticos
material
ferro-
magntico

domnio
magntico
dipolo
magntico
(a) (b) (c) (d)
Figura 4.1: (a) Representao de domnios e diplos magnticos; (b) polarizao parcial na presena de campo
magntico externo; (c) polarizao total dos dipolos (saturao); (d) remanescncia magntica (imantao).
4.1.2) PERMEABILIDADE MAGNTICA E CLASSIFICAO DOS MATERIAIS
A propriedade magntica que expressa a maior ou menor capacidade de polarizao da estrutura atmica de um
material na direo das linhas de um fluxo de campo magntico aplicado, de modo impor uma oposio ou a se deixar
atravessar por estas linhas de fluxo, denominada permeabilidade magntica (unidade: H/m, H = Henry).
O vcuo, sendo ausncia de matria, considerado o meio material ideal por no interagir a campos magnticos
aplicados, sendo sua permeabilidade (o) uma constante universal, dada por: o = 4 x 10-7 H/m. A permeabilidade do
vcuo pode ser ento empregada como fator de comparao para expressar o comportamento magntico dos materiais
em relao ao vcuo, por meio de um parmetro denominado permeabilidade relativa r (adimensional), definida por:

r (4.1)
o
onde = r x o refere-se ento permeabilidade magntica absoluta do meio material em questo.
O conceito de permeabilidade magntica similar condutividade eltrica, sendo relutividade a propriedade
que expressa o comportamento oposto (similar resistividade). Esta semelhana propicia o conceito de oposico que
um corpo material exibe a um campo magntico aplicado, chamada relutncia (similar resistncia eltrica).
Com base nos efeitos de polarizao magntica vistos anteriormente, conclui-se ento que os materiais podem
ser classificados basicamente em quatro tipos com base em suas reaes a campos magnticos aplicados:
1) Indiferente: o material praticamente no exerce ao sobre as linhas de um fluxo magntico aplicado. Neste caso,
a permeabilidade relativa considerada referncia e igual ao do vcuo (r = 1). Exemplos: ar, cobre, baquelite, etc.
2) Diamagntico: o material tende a afastar levemente as linhas de fluxo magntico aplicado devido ao predomnio
do diamagnetismo natural. Logo, a qualidade magntica do material inferior ao do vcuo e sua permeabilidade
relativa deve ser ligeiramente menor que 1. Exemplos: prata (r = 1 20 x 106), zinco (r = 1 10 x 106), etc.
3) Paramagntico: o material atrai levemente as linhas de fluxo magntico aplicado, devido ao predomnio de seu
paramagnetismo. Logo, a qualidade magntica do material superior ao do vcuo e sua permeabilidade relativa
deve ser ligeiramente maior que 1. Exemplos: alumnio (r = 1 + 22 x 106), platina (r = 1 + 33 x 105), etc.
4) Ferromagntico: o material atrai (ou atrado) fortemente as linhas de fluxo de um campo magntico aplicado
devido presena de dipolos magnticos em sua estrutura, que se orientam intensamente no sentido das linhas do
fluxo. Apresenta ento permeabilidade relativa muito superior do vcuo ( r >> 1) e caracteriza-se por exibir
saturao e reteno magnticas. O termo ferromagntico reside no fato do ferro ser, por excelncia, o principal
material para aplicaes magnticas. Exemplos: ferro macio (r = 6000), nquel (r = 50), cobalto (r = 60), etc.
4.1.3) MAGNETIZAO, RETENTIVIDADE MAGNTICA E CICLO DE HISTERESE
O comportamento dos materiais como meio de propagao de campos magnticos denominado magnetizao.
Este efeito descrito pela relao entre a densidade de linhas de fluxo magntico B (T, Tesla, ou Wb/m2 Wb = Weber)
circulante pela rea de uma amostra do material e a intensidade do campo magntico H (A/m) aplicado amostra,
atravs da permeabilidade magntica (H/m) do material. O fenmeno da magnetizao ento definido por:
B H (4.2)
Logo, a equao (4.2) expressa que, quanto mais permevel magneticamente for um meio material (), maior
ser a quantidade de linhas de fluxo (B) que o material se deixa atravessar em resposta a um campo (H) aplicado.
A magnetizao dos materiais pode ser representada por visualizao grfica da variao da densidade de linhas
de fluxo magntico em funo da intensidade do campo magntico aplicado ao material, denominadas curvas de
magnetizao ou curvas B x H (Figura 4.2). Neste caso, os materiais podem apresentar dois comportamentos distintos:
Meios no-saturveis: em meios no-ferromagnticos (diamagnticos, paramagnticos e indiferentes), as curvas de
magnetizao mostram que as fracas interaes com campos magnticos aplicados caractersticas destes materiais,
resultam em densidades de linhas de fluxo magntico bastante reduzidas e de comportamento praticamente linear
47
(Figura 4.2-a), bem como na ausncia de um magnetismo residual (densidade de fluxo nula com a retirada do campo
magntico aplicado) e saturao magntica (Figura 4.2-a), vindo estes materiais ser tambm conhecidos como meios
no-saturveis. Uma medida da permeabilidade magntica pode ento ser obtida da declividade da reta (B/H) e
conclui-se que a permeabilidade magntica dos meios no-saturveis mantm-se independente do campo magntico
aplicado. Assim, a equao (4.2) pode ser definida em toda a curva de magnetizao para estes materiais.
Meios ferromagnticos: no caso dos materiais ferromagnticos, as curvas mostram que a magnetizao do material
exibe inicialmente uma baixa densidade de fluxo (Figura 4.2-a), devido a uma certa inrcia na polarizao inicial
dos dipolos magnticos causada pelo fato das dificuldades oferecidas orientao de cada domnio serem diferentes
em intensidade. No entanto, para nveis de campo magntico mais elevados, a magnetizao do material passa a
aumentar de forma exponencial, em decorrncia da forte interao entre o campo magntico circulante com os
dipolos magnticos disseminados no material, que se orientam em grande quantidade no sentido das linhas de fluxo
magntico aplicado (Figura 4.2-a). Como conseqncia, as densidades de linhas de fluxo magntico podem alcanar
nveis bastante elevados nestes materiais quando comparado aos materiais no-ferromagnticos (Figura 4.2-a).
Alm disso, com a retirada do campo magntico aplicado (H = 0), observa-se que a curva de magnetizao dos
materiais ferromagnticos apresenta um efeito residual (B 0), que ocorre devido ao fato do material tender a se
opor, a cada instante, tanto ao crescimento quanto ao decrescimento do fluxo magntico por sua estrutura, pois sua
reao retirada do campo no sentido de manter a orientao dos dipolos. Como conseqncia, o material pode
no se desmagnetizar completamente quando a intensidade do campo magntico reduzida a zero, restando ento,
como mencionado anteriormente, uma remanescncia magntica chamada magnetismo residual Br (Figura 4.2-a).
A presena de um resduo de magnetizao Br para H > 0 implica que um campo magntico de intensidade Hc
e sentido oposto ao aplicado (H < 0), chamada fora coercitiva (Figura 4.2-a), necessrio para promover o retorno
dos dipolos magnticos de polarizao remanescente s suas orientaes originais (desmagnetizao do material).
Alm disso, como a quantidade de domnios magnticos que permanecem orientados proporcional ao nmero de
domnios previamente orientados, ento o montante da fora coercitiva Hc aumenta na proporo do magnetismo
residual Br (Figura 4.2-b). Contudo, os montantes de Hc e Br so independentes, pois um material ferromagantico
pode apresentar elevados magnetismos residuais mas foras coercitivas comparativamente pequenas, e vice-versa.
Como o nmero de dipolos magnticos limitado, a intensidade do campo magntico pode atingir nveis nos
quais os domnios se encontram orientados praticamente em sua totalidade e, desse modo, aumentos de intensidade
de campo no mais se refletem na densidade de fluxo, que se mantm constante (Figura 4.2-b), vindo o material a
perder sua capacidade de atrair linhas de fluxo magntico por seu meio. Este efeito, como mencionado, chamado
saturao (Figura 4.2-b), sendo ento os materiais ferromagnticos tambm conhecidos como meios saturveis.
Logo, conclui-se que a permeabilidade magntica dos meios ferromagnticos varia em funo da intensidade de
campo aplicado. Uma medida da permeabilidade destes materiais precisa ento ser obtida por meio do levantamento
da relao = B/H em pontos da curva de magnetizao e, desse modo, os fabricantes de materiais disponibilizam
informaes sobre o comportamento magntico de seus produtos por meio de grficos dos ciclos de histerese.
B (Wb/m2)
B (Wb/m2) B (Wb/m2)
curva normal de
magnetismo magnetizao saturao
residual meios
saturao
ferromagnticos
Br
fora meios no H (A/m)
coercitiva saturveis
lao ou ciclo
- Hc 0 H (A/m) 0 H (A/m) de histerese
magntica
(a) (b) (c)
Figura 4.2: (a) Efeitos da magnetizao; (b) intensidades de magnetizao e saturao; (c) ciclo de histerese.
Os montantes de magnetismo residual e fora coercitiva de um material ferromagntico expressa a propriedade
retentividade magntica, definida como a maior ou menor capacidade de um material em manter uma magnetizao
permanente, ou seja, expressa a capacidade do material em permanecer imantado aps a retirada do campo aplicado.
Para o caso de um material ferromagntico submetido a um campo magntico alternado de certa intensidade,
seus dipolos so ento orientados nos dois sentidos do fluxo aplicado e promovem magnetismos residuais, bem como
correspondentes foras coercitivas, tambm nos dois sentidos do fluxo. Como consequncia, o comportamento da
densidade de fluxo magntico no material perfaz um ciclo fechado ao longo do tempo de sua magnetizao alternada.
Como a remanescncia magntica representa um atraso na polarizao de dipolos magnticos no sentido contrrio,
efeito conhecido como histerese, ento a forma grfica deste comportamento cclico da magnetizao dos materiais
ferromagnticos denominada lao ou ciclo de histerese magntica (Figura 4.2-c). Alm disso, se a intensidade do
campo aplicado for suficientemente elevada, o correspondente lao de histerese pode exibir tambm o efeito saturao
48
do material (Figura 4.2-c). Adicionalmente, como intensidades de campos distintos exibem comportamentos cclicos
distintos, ento diversos laos de histerese podem ser obtidos, sendo o conjunto de pontos de mxima densidade de
fluxo dos laos chamado curva normal de magnetizao do material (Figura 4.2-c). A magnitude das reas dos laos
de histerese magntica expressa, portanto, uma medida da propriedade retentividade magntica do material.
Uma remanescncia magntica pode tambm ser interpretada como a parcela da energia entregue ao material e
no devolvida ao sistema gerador do campo aplicado, sendo a fora coercitiva uma medida do gasto de energia deste
sistema para desmagnetizar o material. Logo, a magnetizao residual e sua correspondente fora coercitiva em si
representam gastos de energia para o sistema, chamadas perdas por histerese, sendo ento a rea do ciclo de histerese
uma medida destas perdas (quanto maior a rea, maior as perdas). Assim, para aplicaes magnticas como motores e
transformadores, onde a eficincia um aspecto fundamental, procura-se empregar materiais que apresentam laos de
histerese de menor rea possvel. Contudo, materiais de elevado magnetismo residual (fceis de serem magnetizados)
e de elevada fora coercitiva (difceis de serem desmagnetizados), encontram amplo emprego na obteno de ms
permanentes e na construo de dispositivos para armazenamento de informaes (fitas e cartes magnticos).
4.1.4) INDUO ELETROMAGNTICA, INDUTNCIA E CORRENTES DE FOUCAULT
Como mencionado no Captulo 2, a incidncia de linhas de fluxo magntico () variante no tempo em qualquer
material induz no mesmo uma tenso eltrica tambm variante no tempo, denominada fora eletromotriz (fem), sendo
este fenmeno descrito pela Lei de Faraday (fem = d/dt) e conhecido como induo eletromagntica.
Como toda carga eltrica em movimento gera campo magntico ento, alm de ms naturais ou artificiais em
movimento (giratrio, linear, etc.), fluxos magnticos variantes no tempo podem ser tambm produzidos por correntes
variantes no tempo, estabelecidas pelos chamados sinais de tenso (por exemplo, tenso alternada e rdio-frequncia).
Assim, para um meio material percorrido por corrente variante no tempo, o campo magntico produzido pode
induzir foras eletromotrizes no prprio material (denominada fora contra-eletromotriz ou fcem) e em qualquer meio
imerso neste campo tal que ocorra uma concatenao (abrao) de fluxo entre eles (Figura 4.3-a). No entanto, devido
Lei de Lenz (sinal negativo na lei de Faraday), a fem auto-induzida no material (fcem) age em oposio variao
do fluxo magntico que a induziu (e, portanto, em oposio corrente que produziu o fluxo magntico), ou seja, se o
fluxo aumenta, uma fcem induzida de modo a se opor ao seu crescimento e, se o fluxo diminui, a fcem induzida
inverte seu sentido para evitar esta queda. Similarmente, se em outro meio material imerso no campo magntico
variante no tempo prover um caminho fechado, ento a fem produzida neste meio induz tambm uma corrente em seu
interior (Figura 4.3-b) que, por sua vez, produz um fluxo magntico em oposio variao do fluxo magntico
original, ou seja, se este fluxo tende a aumentar, a corrente induzida no material imerso no campo produz um fluxo
magntico de sentido oposto ao original (caso da Figura 4.3-b) e, se o fluxo magntico original tende a diminuir, a
corrente induzida inverte seu sentido para produzir um fluxo magntico de mesmo sentido do campo original.
A capacidade de um meio material em induzir foras eletromotrizes de modo a se oporem s variaes de fluxo
magntico denominada indutncia (unidade: H, Henry), sendo indutncia prpria a capacidade de induzir uma fem
em si mesmo (fcem), e indutncia mtua a capacidade deste de induzir uma fem em qualquer outro meio imserso em
seu campo. A indutncia mtua consiste ento na transferncia de energia eltrica entre meios por campo magntico.
Como meios ferromagnticos normalmente so condutores eltricos (com exceo das chamadas ferrites), uma
consequncia da induo eletromagntica na magnetizao alternada consiste na circulao de correntes eltricas no
interior destes materiais (Figura 4.3-c) em consequncia de foras eletromotrizes induzidas em seu meio, o que resulta
em perdas eltricas por efeito Joule, chamadas perdas no ferro ou de Foucault, sendo as correntes induzidas chamadas
parasitas ou de Foucault. Uma tcnica para mitigar este problema consiste na laminao longitudinalmente direo
do fluxo magntico na forma de placas ou chapas, que so isoladas eletricamente por um esmalte isolante e agrupadas
para formar os chamados ncleos magnticos laminados (Figura 4.3-d). Esta medida acarreta em maior dificuldade
para a induo de correntes parasitas devido diminuio do livre caminho para a circulao destas correntes no meio
ferromagntico, o que resulta na reduo de seu montante e na diminuio do problema de perdas por Foucault.
ncleo
linha de fluxo
ferromagntico
magntico
fluxo
alternado
concatenado
fem
induzida
sinal de corrente lminao
corrente corrente induzida
dispositivo prximo parasita
(a) (b) (c) (d)
Figura 4.3: (a) Efeito induo magntica; (b) corrente induzida; (c) perdas de Foucault; (d) ncleo laminado.
49
4.2) MATERIAIS E DISPOSITIVOS MAGNTICOS

Diversas aplicaes Eletrotcnicas, tais como indutores, motores, geradores, transformadores, rels, eletroms,
etc., devem seu adequado funcionamento ao uso de materiais com elevada permeabilidade magntica para se obter um
guiamento de linhas de fluxo magntico mais eficiente, de modo a se estabelecer um campo magntico mais intenso
ou produzir efeitos indutivos mais eficientes em condutores ou em acoplamentos magnticos entre circuitos.
4.2.1) MATERIAIS E LIGAS FERROMAGNTICAS
Como visto, os meios ferromagnticos apresentam elevada capacidade de polarizao no sentido de um fluxo
de um campo magntico aplicado (r >> 1), sendo porisso os materiais de maior emprego para aplicaes magnticas.
Dentre estes meios, o mais antigo exemplo de material ferromagntico conhecido a chamada magnetita (04Fe3).
Alm da promoo de efeitos indutivos, os materiais ferromagnticos podem ser tambm aproveitados para
proteger um dispositivo contra influncias externas, denominada blindagem magntica, que consiste no princpio da
relutncia mnima: quando dois meios materiais de permeabilidades diferentes apresentam-se como caminhos para um
fluxo magntico, este flui para o de menor relutncia (maior permeabilidade) para minimizar a perda de energia.
Materiais ferromagnticos normalmente apresentam comportamento magntico favorvel com a temperatura,
com sua permeabilidade aumentando at temperaturas inferiores a um certo valor denominado Ponto Curie, acima do
qual passam a exibir comportamento paramagntico (exemplos: ferro: 770 oC; cobalto: 1127 oC; nquel: 354 oC).
Porm, regimes de trabalho imprprios podem submeter estes materiais a temperaturas acima de suas especificaes
de projeto, o que faz os mesmos desenvolverem a chamada fadiga magntica, caracterizada por um envelhecimento
do material ao longo do tempo, que acarreta na reduo da permeabilidade e aumento de suas perdas por histerese.
Materiais puros que exibem o ferromagnetismo raro na natureza, sendo seus exemplos se resumindo ao ferro,
que o principal componente para a produo de materiais ferromagnticos usados comercialmente, alm do cobalto,
nquel e suas ligas. Alguns exemplos de materiais de comportamento ferromagntico so descritos a seguir:
a) Ferro puro: embora apresente perdas por histerese relativamente baixas, tem seu emprego restrito a circuitos de
corrente contnua devido condutividade eltrica elevada, que favorece as perdas de Foucault. Contudo, na forma
de ligas e com a laminao, pode-se melhorar algumas de suas propriedades para aplicao em circuitos de sinais.
b) Ligas de ferro-silcio: o acrscimo de pequenas quantidades de silcio (at 6,5%), alm de tratamentos trmicos,
confere ao ferro aumentos de permeabilidade e nveis de saturao, diminuio da fadiga magntica e aumentos da
resistividade (o que reduz as perdas por correntes parasitas), mantendo reduzidas as perdas por histerese.
So materiais baratos e largamente empregados como ncleo magntico em motores, transformadores, rels,
geradores, etc., normalmente fabricados na forma de chapas isoladas entre si para diminuir as correntes parasitas.
O acrscimo de silcio torna o ferro mais quebradio, razo pela qual a porcentagem de silcio limitada. Em
mquinas estticas (transformadores) empregam-se normalmente ncleos com porcentagens mais altas de silcio e
em mquinas rotativas (motores e geradores), porcentagens mais baixas. Uma variao na fabricao destas ligas
refere-se a chapas de ferro-silcio de gro orientado, usadas na tecnologia de ncleos de transformadores para uso
em telefonia, eletrnica e comunicao, e para transformadores monofsicos e trifsicos de elevada potncia.
c) Ligas de ferro-nquel: caracterizam-se por apresentar alta permeabilidade (r at 100.000), alto ponto de saturao
porm baixa resistividade. So empregadas principalmente em telecomunicao e na fabricao de ncleos para
rels, bobinas, blindagens magnticas e transformadores para sinais de pequena amplitude. Nomes comerciais:
Rhometal (at 35 % de nquel), Permalloy-45 (45% de nquel), Permalloy-78, Nicalloy (35 a 50 % de nquel),
Mumetal (76 Ni, 17 Fe, 5 Cu, 2 Cr), Hypernik, Anhyster e outras ligas com composio at 80% de nquel.
d) Ligas de ferro-cobalto: apresentam elevada permeabilidade e alto ponto de saturao, porm elevado custo. So
empregados nas mesmas aplicaes que as ligas de ferro-nquel. Nomes comerciais: Hyperco e Permendur.
e) Ferrites: constituem-se de ncleos compactados e sinterizados, contendo uma mistura de ps, basicamente xido
de ferro (material cermico) com acrscimos diversos de nquel, zinco, mangans, magnsio e silcio, alm de um
aglomerante (polisterol ou goma-laca) que tem a funo de colar os gros do p. Caracterizam-se por apresentar
elevada resistividade eltrica (faixa entre 1 e 106 m) e boas caractersticas magnticas, sendo empregadas em
ncleos de transformadores e indutores que operam em circuitos de altas freqncias (por exemplo, filtros de rdio
freqncia), devido ao fato das perdas por Foucault se acentuarem quanto maior a freqncia do fluxo magntico
(conseqncia da lei de Faraday). Outros exemplos: ferrites base de nquel-zinco e mangans-zinco.
f) Ligas para ms artificiais: caracterizam-se por apresentar ciclos de histerese bastante largos (horizontalmente e
verticalmente), o que os permite exibir um forte magnetismo residual estvel devido ao elevado nmero de dipolos
continuamente orientados, comportando-se ento como ms permanentes. So ligas poucos sensveis a variaes
de temperatura e ao de foras mecnicas, podendo ser moldadas de modo a apresentar formatos personalizados
para se adequarem sua finalidade. Como exemplo de ligas para ms artificiais tem-se o Alnico (Al + Ni + Co),
materiais cermicos (estrncio e brio), e ligas de materiais mais raros, tais como NdFeB (neodmio-ferro-boro) e
Sm-Co (samrio-cobalto), onde estes ltimos apresentam fora magntica maior que os outros. Usos: motores CC,
microfones e auto-falantes dinmicos, discos rgidos, indstria automotiva e aeroespacial, chaves de fenda, etc.
50
4.2.2) BOBINAS MAGNTICAS
Linhas de fluxo de campo magntico produzidas por corrente em um fio esticado se distribuem ao longo do fio
(exemplo da Figura 4.3-a), o que resulta em fraca induo de foras eletromotrizes no fio ou em um condutor prximo
a ele devido ao espalhamento do campo. Contudo, para o mesmo fio pode-se aumentar a densidade das linhas de fluxo
magntico com a diminuio do volume ocupado pelo fluxo no espao, por meio de um tranado helicoidal do fio em
torno de seu eixo para se obter a chamada bobina magntica (Figura 4.4-a). Com isso, as linhas de fluxo fundem-se
entre si e passam a se concatenar com as voltas do fio, as chamadas espiras, obtendo-se uma maior concentrao de
linhas de fluxo e, portando, fem auto-induzidas mais intensas (Figura 4.4-a) e indutncias mais elevadas.
Assim, bobinas magnticas constituem-se de um fio condutor (cobre, alumnio ou ligas metlicas) enrolado em
uma nica camada ou em vrias camadas, e construdos com a finalidade especfica de armazenar energia eltrica na
forma de campo magntico ao seu interior. Logo, bobinas magnticas so os dispositivos que introduzem a grandeza
indutncia nos circuitos eltricos, sendo o smbolo L sua designao e Henry (H) sua unidade de medida.
Para a intensificao das linhas de fluxo magntico em uma bobina tem-se que, supondo uma dada corrente i
fixa, a variao da indutncia L da bobina (equacionalmente: L . i ) obtida basicamente de dois modos:
1) Nmero de espiras: como cada volta do fio em torno de seu eixo (espira) contribui individualmente para a induo
da fem total em uma bobina ento, quanto maior a quantidade espiras, maior o fluxo magntico concatenado
pelas espiras da bobina, maior a fcem induzida e, portanto, maior a indutncia da bobina (Figura 4.4-b).
2) Tipo e formato do ncleo: o chamado ncleo constitui-se no meio pelo qual circulam as linhas de fluxo magntico
produzido pela bobina, alm de prover um suporte s espiras. Para pequenas indutncias pode-se construir bobinas
sem apoio (ncleo de ar) ou sobre um ncleo slido no-ferromagntico e, para a obteno de indutncias maiores,
emprega-se materiais ferromagnticos por oferecerem um caminho mais permevel ao fluxo magntico, o que
permite um aumento nas linhas de fluxo para a mesma corrente, que passam a circular mais prximas bobina
(Figura 4.4-c). Como linhas de fluxo perfazem um caminho fechado no espao, pode-se ainda empregar ncleos de
formato mais fechado para se elevar a densidade de fluxo magntico e obter maiores indutncias (Figura 4.4-d).
ar
sinal de corrente
i i
espira i ar
i ar
fcem fcem
fcem fcem

ncleo ncleo
em I em U
(a) (b) (c) (d)
Figura 4.4: Aumento do efeito indutivo (indutncia) em um fio: (a) formato de bobina; (b) aumento no nmero
de espiras; (c) acrscimo de ncleo ferromagntico em I; (d) acrscimo de ncleo ferromagntico em O (U+I).
A indutncia de uma bobina pode ser ainda intensificada com o aumento da seo do ncleo tranversal ao fluxo
magntico, devido ao aumento da rea de circulao do fluxo, porm um aumento no comprimento da bobina reduz
sua indutncia pelo fato do fluxo ter que percorrer um maior caminho no espao. Como exemplo, a indutncia de uma
bobina de comprimento , N espiras em camada simples e ncleo de rea A e permeabilidade determinada por:
A N2
L (4.3)
Bobinas magnticas (smbolos esquemticos na Figura 4.5-a) so geralmente chamadas de indutores e choques
quando empregadas em circuitos eletro-eletrnicos (exemplos de aparncias na Figura 4.5-b), e enrolamentos quando
da construo das chamadas mquinas eltricas, sendo algumas das caractersticas construtivas descritas como:
a) Bobinamento: tipos tubular e panqueca (de uma ou vrias camadas), tipo honeycomb e tipo toroidal.
b) Ncleo: para a obteno de altas indutncias utiliza-se material ferromagntico (ferro-silcio, ligas ferromagnticas
em geral e ferrites) e para aplicaes que exigem indutncias menores pode-se utilizar ncleo de ar ou um ncleo
no saturvel (cermica, baquelite, papelo, plstico, etc.) com a funo de prover apoio mecnico aos fios.
c) Circuito magntico: tipos aberto (I, U, E) e fechado (O, B). Indutores de ncleo tipo O so chamados de reatores.
d) Valor fixo, varivel e ajustvel: nos tipo fixo a indutncia definida pelo fabricante. Os tipo ajustvel (trimmers
indutivos) consistem de bobinas construdas com ncleos cilndricos de ferrite que se deslocam por rosqueamento,
o que causa mudanas no meio pelo qual circulam as linhas de fluxo magntico e, desse modo, na indutncia. Nos
tipo varivel, a variao da indutncia pode ser tambm obtida atravs de mltiplos terminais retirados de alguns
pontos da bobina, chamados taps, que propiciam mudanas no nmero de espiras entre dois terminais quaisquer.
51
Reatores saturveis so outro tipo de indutor varivel, que consiste de bobinas com ncleos ferromagnticos
contendo pequenos intervalos de ar chamados gaps, onde a indutncia pode ser ajustada a partir da saturao do
ncleo, resultando em um fluxo magntico praticamente constante (a permeabilidade do ncleo limita-se do
ar). Neste caso, a indutncia L do conjunto passa a variar inversamente com a corrente i na bobina (L = / i).
Alm de caractersticas construtivas, a indutncia de uma bobina definida tambm pela faixa de freqncia
em que ir atuar. Bobinas com poucas espiras e ncleo de ar ou ferrite so geralmente usadas em circuitos de sinais de
alta freqncia, ou que trabalham com variaes muito rpidas de corrente. Para circuitos com sinais de mdia e baixa
freqncia, so utilizadas bobinas com grande nmero de espiras e ncleo de ferrite ou liga ferromagntica laminada.
L L
L L
ncleo no- ncleo
ferromagntico ferromagntico 1 2 3 4 5 6 7
(a) (b)
Figura 4.5: (a) Smbolos esquemticos de bobinas magnticas; (b) tipos de indutores: 1- ncleo de ar, 2- toroidal,
3- ncleo de ferro laminado, 4- ncleo plstico, 5- ncleo de ferrite, 6- bobina tipo honeycomb, 7- choque de RF.
Como mencionado, uma fem induzida no prprio condutor pelo qual circula uma corrente variante no tempo
(fcem), age em oposio a esta corrente devido Lei de Lenz. Este efeito, interpretado ento como uma resistncia
passagem da corrente, expresso por uma grandeza chamada reatncia indutiva XL , dada desse modo em ohms ().
Como quanto maiores so a frequncia f da corrente (d./dt) e a indutncia L da bobina, maior a fcem induzida, ento
maior ser a oposio corrente, ou seja, a reatncia indutiva XL depende diretamente da indutncia prpria da bobina
e da freqncia angular do sinal de corrente (equacionalmente: XL = 2f L). Como essa oposio atrasa o aumento ou
a diminuio de corrente em ralao fcem induzida na bobina, ento uma consequncia da reatncia indutiva reside
no atraso da corrente no tempo em relao tenso aplicada aos terminais da bobina. Porm, se a bobina conectada
a uma fonte de tenso contnua no tempo, a corrente e o fluxo magntico na bobina tambm sero constantes e, desse
modo, a reatncia indutiva apresentar valor nulo e a oposio corrente limita-se resistncia do fio da bobina.
Na prtica, alm da indutncia prpria e da resistncia do fio, uma bobina magntica pode apresentar tambm
alguns efeitos indesejveis que necessitam de alguma medida para a sua mitigao. Dentre os efeitos, pode-se citar:
Acoplamentos magnticos indevidos: fluxos magnticos variveis no tempo gerados pela bobina podem causar
interferncias em outros componentes devido a indutncias mtuas. Este problema pode ser mitigado envolvendo a
bobina com um invlucro metlico (normalmente de alumnio) ligado ao terra do circuito, no qual so induzidas
correntes que geram campos magnticos em oposio ao fluxo magntico da bobina, o que resulta em um efeito
blindagem devido ao confinamento do campo dentro do invlucro. Porm, estas correntes induzidas na blindagem
representam perdas, que podem ser reduzidas posicionando-se o invlucro suficientemente distante da bobina.
Efeitos capacitivos: uma bobina pode apresentar diversas capacitncias, tais como entre espiras, entre camadas de
espiras, entre espiras e o suporte da bobina (chassi), entre bobina e blindagem (quando houver), etc. Esses efeitos
capacitivos configuram-se em uma reatncia capacitiva para a bobina, que pode se tornar comparvel reatncia
indutiva para sinais de altas freqncias tal que, se forem iguais (na chamada freqncia de ressonncia), a bobina
se torna um tanque ressonante (o que aproveitado em algumas aplicaes) e, acima da freqncia de ressonncia,
a bobina tende a comportar-se como um curto-circuito. Existem ento configuraes especiais de bobinamentos
destinadas a reduzir estes efeitos capacitivos, tais como o de dupla camada escalonado e o tipo panqueca.
Bobinas magnticas possuem um extenso campo de aplicaes. Alm de motores, geradores, transformadores
e indutores diversos, a gerao de campo magntico circulante em bobinas pode ser empregada tambm em sensores,
transmissores e receptores de rdio, rels, eletroms, equipamentos de ressonncia magntica, radares de velocidade
de veculos, trancas eltricas e fontes chaveadas, bem como em antigas aplicaes tais como reatores magnticos para
lmpadas fluorescentes e dispositivos de leitura e gravao de informaes em fitas K7, fitas de vdeo e disquetes.
Como a reatncia indutiva aumenta com a frequncia, os indutores podem ser empregados tambm como filtro
de sinais para, por exemplo, eliminar ruidos induzidos em um circuito. Este o caso dos chamados choques de RF,
que so bobinas construdas para trabalhar principalmente como filtro srie (filtro de linha) no bloqueio passagem
de sinais de frequncias acima de um valor especificado (circuitos conhecidos como filtros passa-baixa), de modo
que, acima desta freqncia, o indutor apresenta uma alta reatncia indutiva, o que dificulta a passagem dos sinais.
Choques de RF so normalmente construdos em ncleos cilndricos ou toroidais de ferrite de alta permeabilidade,
encapsulados em material epoxi e contendo uma cobertura de esmalte vinlico (aparncia na Figura 4.5-b-7).
52
4.2.3) MQUINAS ELTRICAS
As chamadas mquinas eltricas so equipamentos destinados transferncia de energia eltrica entre circuitos
distintos por meio de acoplamento magntico, sendo classificadas basicamente em dois tipos de acordo com as partes
constituintes: mquinas fixas ou estticas (transformadores) e mquinas girantes ou rotativas (motores e geradores).
Transformadores fazem uso da indutncia mtua entre bobinas, chamadas enrolamentos, para a transferncia de
potncia eltrica entre circuitos, constituindo-se basicamente por dois (ou mais) enrolamentos que compartilham um
mesmo ncleo (normalmente ferromagntico), para possibilitar uma concatenao mais eficiente das linhas de fluxo
magntico produzidas em uma bobina com a outra bobina (Figura 4.6-a). Para seu funcionamento, uma das bobinas,
chamada enrolamento primrio, aplicado uma tenso variante no tempo (por exemplo: alternada), e o consequente
fluxo magntico produzido pela corrente variante no tempo nesta bobina induz na mesma uma fcem VP , chamada
tenso primria, e uma fem VS (tenso secundria) na outra bobina, chamada enrolamento secundrio (Figura 4.6-a).
Considerando um acoplamento magntico entre bobinas praticamente total (todas as linhas de fluxo produzidas
em um enrolamento se concatenam com o outro enrolamento), pode-se definir que a razo entre a tenso primria (VP)
e a tenso secundria (VS) proporcional razo entre o nmero de espiras do enrolamentos primrio (NP) e do enro-
lamento secundrio (NS), o que determina a chamada relao de transformao de um transformador, dada por:
VP N
P (4.4)
VS NS
Logo, se NP > NS , o transformador funciona como um tipo abaixador de tenso (VS < VP) e, se NP < NS , um tipo
elevador de tenso (VS > VP). Existem tambm transformadores com relao de transformao igual a 1, usados para
manter a mesma tenso entre o primrio e o secundrio, mas isolando eletricamente um circuito do outro.
Assim, os transformadores (smbolos esquemticos na Figura 4.6-b) so fundamentais para a transmisso de
energia eltrica em diferentes tenses e correntes, bem como para modificar a impedncia de circuitos eltricos, sendo
fabricados em diversos tamanhos/potncias (Figura 4.6-c) e classificados em diversos tipos como: nvel de tenso de
trabalho (alta, mdia e baixa), finalidade (transformadores de fora, de distribuio, de potencial, de corrente, etc.),
nmero de fases (monofsico e polifsico), tipo de ncleo (ferromagntico ou de ar) e nmero de bobinas (2, 3, etc.).
Os transformadores so largamente empregados em redes eltricas de baixa, mdia e alta tenso, da gerao
carga. Os de baixa tenso so utilizados por consumidores finais na converso de voltagem (110/220 V) ou ainda, para
suprir diferentes tenses requeridas por diferentes equipamentos com os chamados transformadores de mltiplos taps
(exemplo: 220/6+6 V). Os chamados transformadores de potencial e de corrente so empregados para adequar tenso
e corrente, respectivamente, aos nveis requeridos por medidores de grandezas eltricas. Existem ainda os chamados
autotransformadores, formados por uma nica bobina em um ncleo ferromagntico e por trs terminais para fixar os
nveis de tenso primria e secundria, que se caracterizam por ser mais baratos e leves que os transformadores de
enrolamento duplo padro, no fornecendo, entretanto, um isolamento eltrico entre os circuitos propiciado por estes.
Uma caracterstica importante dos transformadores reside em seu ganho de potncia aproximadamente unitrio,
isto , a potncia requerida no secundrio refletida no primrio. Isto implica que em um transformador abaixador de
tenso, por exemplo, a menor tenso no secundrio em relao ao primrio acompanhada por uma maior corrente no
secundrio em relao ao primrio, tal que a potncia se mantm a mesma (equacionalmente: P = VP IP = VS IS).
Outro efeito reside no conceito de que um circuito conectado no primrio de um transformador, por exemplo do
tipo abaixador, o enxergar como uma impedncia alta pelo fato da corrente ser baixa comparvel ao sencundrio, do
mesmo modo que um circuito conectado no secundrio do transformador o enxergar como uma impedncia elevada
pelo fato da corrente ser baixa comparada ao primrio. Esta caracterstica dos transformadores pode ser utilizada em
circuitos de pequenos sinais, baixas potncias e altas freqncias para executar um efeito denominado casamento de
impedncias, sendo empregado em equipamentos de udio e RF para acoplamentos entre estgios de amplificadores,
entre amplificadores e auto-falantes e entre microfones e amplificadores, bem como na recepo de sinais em equipa-
mentos de rdio, TV e radar como forma de acoplar a estes dispositivos sinais eltricos captados por uma antena.
i
ncleo ncleo
de ar ferromagntico
VP NP NS VS
com tap auto-

central transformador
(a) (b) (c)
Figura 4.6: Transformadores (a) esquema de funcionamento; (b) smbolos esquemticos; (c) aparncias.
53
Motores eltricos (smbolos esquemticos na Figura 4.7-a) so dispositivos destinados converso de energia
eltrica em mecnica, formados por uma parte fixa (esttica), chamada estator, e uma parte mvel (girante), chamada
rotor. Dependendo do tipo do motor, as funes do estator e do rotor podem ser desempenhadas por ims permanentes
ou por eletroms construdos com enrolamentos instalados em ranhuras suportadas por um ncleo ferromagntico e
com acesso ou no por conexes eltricas, sendo o espao entre eles chamado entreferro. O ncleo do rotor, por sua
vez, normalmente montado sobre um eixo macio de ao apoiado sobre mancais (tambm chamados rolamentos),
sendo ainda o conjunto total estator-rotor protegido do meio por um invlucro denominado carcaa (Figura 4.7-b).
O princpio de funcionamento dos motores baseia-se no surgimento de um torque sobre o rotor, proveniente da
tendncia deste em alinhar seu campo com campos magnticos produzidos no estator. Como resultado deste torque, o
rotor executa um movimento em torno de seu eixo (movimento rotacional), que pode ser aproveitado em inmeras
aplicaes em Eletrotcnica para imprimir um giro ou deslocamento a diversos mecanismos acoplados ao seu eixo,
tais como hlices, polias, engrenagens, ps, peas dentadas, bem como enrolamentos, ims permanentes, etc.
Como exemplo, para o caso de rotores com eletroms, a tendncia ao alinhamento de campos provm de uma
fora perpendicular aos fios do eletrom, chamada fora magntica (Fmg) ou de Lorentz, quando este conduz uma
corrente eltrica imerso em um fluxo magntico (Figura 4.7-c). A fora de Lorentz surge quando uma carga eltrica q
em movimento com velocidade v atravessa um campo magntico de induo B transversal a v (Figura 4.7-c), tal que:
Fmg q v B (4.5)
Os motores so construdos nos mais variados modelos para diferentes aplicaes (aparncias na Figura 4.7-d).
Os chamados motores CA (corrente alternada) so os mais utilizados devido ao fato da distribuio de energia eltrica
ser em tenso alternada e esta poder propiciar um efeito de campo girante. Estes de motores pode ser classificados nos
tipos monofsicos (1) e trifsicos (3), bem como em em dois tipos com base em suas caractersticas construtivas:
Motor sncrono: caracteriza-se por apresentar velocidade constante e independente do torque aplicado ao seu eixo.
So geralmente mais caros, sendo utilizados em aplicaes que necessitam de velocidades estveis sob a ao de
cargas variveis no rotor, ou quando se requer grande potncia com torque constante. So construdos em diversos
tipos, tais como im permanente, histerese, relutncia, de posio angular (motores de passo), etc.
Motor assncrono ou tipo induo: so motores CA que caracterizam-se por apresentar velocidade ligeiramente
varivel com o torque aplicado ao seu eixo, efeito chamado escorregamento. Devido grande simplicidade, baixo
custo, robustez e de ser possvel controlar sua velocidade com o auxlio de conversores de freqncia, os motores
de induo so os de maior emprego na indstria, sendo aplicados em quase todos os tipos de acionamentos encon-
trados na prtica. So subdivididos em trifsicos (MIT), dos tipos rotor em gaiola e rotor bobinado, e monofsicos
(MIM), dos tipos rotor em gaiola (tipos fase dividida, capacitor de partida e plos sombreados) e rotor bobinado.
Os chamados motores CC (corrente contnua) compem-se de estator constitudo por um eletrom (chamado
enrolemento de campo) ou im permanente, e de rotor constitudo por bobinas (chamadas enrolamento de armadura)
conectadas ou no a um anel condutor segmentado denominado comutador (peas de cobre montadas sobre o eixo do
rotor e supridas de tenso por escovas). Motores CC podem ser classificados como tipo im permanente com ou sem
escova (motor CC brushless) e tipos srie e shunt paralelo. Caracterizam-se por propiciar fcil variao de velociade
mas, devido a custos mais elevados e problemas com fascamentos, tm sido substitudos pelos motores de induo.
Motores eltricos apresentam diversas vantagens comparados a outros tipos, tais como custo reduzido, bom
rendimento e grande versatilidade de adaptao aos mais diversos tipos de carga. So largamente utilizados em linhas
de produo industriais (esteiras, prensas, compressores, bobinadoras, sistemas de bombeamento, etc.), sistemas de
arrefecimento (ventiladores, evaporadores e exaustores) e aparelhos eletrodomsticos (geladeiras, mquinas de lavar,
liquidificadores, ventiladores, etc.), alm de carros eltricos e equipamentos mdicos, odontolgicos e hospitalares.
conexes eltricas
Fmg
entreferro estator v
rotor I e-
B
Fmg motores de
passo motor de induo 1
B
M N S
ventilador
M eixo Fmg
carcaa
mancal I motores CC motor de induo 3
(a) (b) (c) (d)
Figura 4.7: Motores eltricos: (a) smbolos esquemticos; (b) descrio das partes principais; (c) princpio de
funcionamento e esquema de atuao da fora magntica em uma espira; (d) aparncias de tipos diversos.
54
Os geradores eltricos, por sua vez, so mquinas rotativas baseadas no efeito da indutncia mtua (similar aos
transformadores), destinadas transformao de energia mecnica de movimento em energia eltrica. Desse modo, os
geradores operam de modo contrrio aos motores, sendo que na maioria dos casos diferem destes apenas por detalhes
construtivos, alm do tipo de dispositivo acoplado ao eixo do rotor, que consiste em uma mquina chamada turbina.
Turbinas para gerao eltrica so equipamentos constitudos por ps que captam a energia cintica contida em
um fluido em movimento e a converte em energia mecnica de rotao. O fludo utilizado podem ser gua canalizada
por tubulaes em geradores hidrulicos (exemplo na Figura 4.8-a), ou ar em movimento em geradores elicos
(exemplo na Figura 4.8-b), bem como substncias em elevado estgio de expanso por altas temperaturas, tais como
gases (turbinas a gs) e vapor dgua (turbinas a vapor). Tipos mais comuns: Francis, Kaplan (Figura 4.8-a) e Pelton.
Os geradores eltricos recebem classificaes similares aos motores, ou seja, geradores de corrente alternada
(sncronos ou de induo) ou corrente contnua, e monofsicos ou polifsicos. So construdos com as mais diversas
capacidades, desde pequenas potncias, os chamados grupos geradores (Figura 4.8-c), at grandes centrais geradoras.
Em geradores de corrente aternada, o rotor consiste de um eletrom ou m permanente, onde a rotao da
turbina causa um efeito de campo magntico variante no tempo para os enrolamentos do estator e, com isso, a induo
de foras eletromotrizes nestes enrolamentos que, ao serem conectados a um circuito externo, produz a circulao de
correntes eltricas. No caso de geradores do tipo corrente contnua, o estator formado por ims permanentes e, com
a rotao do rotor, ocorre um efeito de campo magntico variante para os enrolamentos do rotor, sendo neste induzida
uma fem que, ao ser acoplado a um circuito externo por escovas, produz ento a circulao de correntes eltricas.
estator
rotor
eixo da
turbina
ps fluxo
distribuidoras de gua
ps da turbina (tipo
turbina Kaplan)
(a) (b) (c)
Figura 4.8: (a) Partes de um gerador hidrulico; (b) turbina elica; (c) grupo gerador (a diesel ou gs natural).
4.2.4) RELS ELETROMECNICOS E TRANSDUTORES
Rels eletromecnicos so dispositivos constitudos basicamente por um eletrom separado eletricamente de

uma lmina metlica flexvel (ou lmina metlica rgida conectada a uma mola de rearme), bem como trs terminais
para contato eltrico (Figura 4.9-a). O eletrom consiste de um ncleo ferromagntico envolto por uma bobina e a
lmina metlica flexvel contm uma pea de material ferromagntico. Uma das extremidades da lmina fixada a
um terminal de contato, chamado central (C), e a outra extremidade mvel para estabelecer conexes eltricas com
dois contatos metlicos fixos, chamados normalmente fechado ou NF, e normalmente aberto ou NA (Figura 4.9-a).
O mecanismo de atuao do rel eletromecnico consiste na flexo da lmina metlica, ocasionda pela atrao
magntica entre o ncleo da bobina e a pea ferromagntica da lmina. Com isso, caso a corrente na bobina do rel
no produza um campo magntico intenso o suficiente para atrair a pea ferromagntica da lmina metlica flexvel, o
contato mvel da lmina permanece conectado eletricamente ao contato NF (Figura 4.9-a) e, caso a corrente na
bobina supere um certo valor mnimo tal que o campo magntico gerado seja suficiente para atrair a lmina metlica,
a flexo desta resulta na interrupo do contato NF e o fechamento do terminal mvel com o contato NA. Logo, o rel
pode ser entendido como uma chave liga/desliga acionada magneticamente por uma corrente conduzida na bobina.
Assim, de acordo com o efeito desejado, um rel pode ser empregado de modo a obedecer duas lgicas:
Lgica normalmente fechado: o circuito conectado entre os terminais C e NF e deve permanecer funcionando
enquanto a corrente no circuito conectado bobina no atingir o valor limite para fazer a lmina metlica atuar.
Lgica normalmente aberto: o circuito conectado entre os terminais C e NA dever ser acionado apenas quando
a corrente no circuito conectado bobina for no mnimo o valor limite que faz a lmina metlica atuar.
A vantagem dos rels eletromecnicos (smbolos esquemticos na Figura 4.9-b) reside em propiciar isolao
eltrica entre dois circuitos de potncias distintas: o circuito de controle, normalmente de baixa potncia (pequenas
tenses e correntes) e conectado bobina, e o circuito controlado, conectado entre os terminais C e NA ou NF (ou
ambos), normalmente de maior potncia (tenses correntes mais elevadas). Alm disso, os circuitos de controle e
controlado podem ser CC ou CA, sendo que, caso a bobina seja energizada em tenso CC, um diodo frequentemente
utilizado em paralelo com a bobina para propiciar um caminho de dissipao da energia armazenada em seu campo.
O rel eletromecnico (aparncias na Figura 4.9-c) um dispositivo com vrias aplicaes em comutao de
circuitos eltricos em geral, tal como acionamentos de cargas eltricas (motores, resistncias, capacitores, lmpadas,
55
compressores, bombas dgua, bicos injetores, etc.), alm de controles em linhas de produo, sistemas de acesso (tal
como catracas), sistemas de movimentao (portas, janelas, etc.), processos fabricao, composies de trens, etc.
lmina metlica NF pisto

contatos eltricos sinal de adio
flexvel C pneumtico
NF
C onda de
NA
NA udio sensor
terminais NF im
ncleos
da bobina ferromagnticos C bobina
diafragma mvel
NA
(a) (b) (c) (d) (e)
Figura 4.9: Rels: (a) detalhes construtivos, (b) smbolos esquemticos, (c) aparncias; (d) detalhes construtivos
do microfone dinmico; (e) dispositivo sensor de posio linear magnetoestrictivo para aplicaes hidrulicas.
Como mencionado no Captulo 1, transdutores so dispositivos que transformam um tipo de energia em outro.
Neste sentido, motores e geradores constituem-se em transdutores do tipo eletromecnico, que empregam o magne-
tismo para funcionar. Outros exemplos so microfones, auto-falantes e certos sensores chamados magnetoestrictivos.
Os chamados microfones de bobina mvel, tambm conhecidos como dinmicos, constituem-se basicamente de
um m envolto por um conjunto diafragma-bobina com liberdade de movimento (Figura 4.9-d). O im empregado
pode ser natural ou artificial (exemplo: neodymium) e o diafragma consiste de uma membrana fina e elstica ligado
bobina. A incidncia de uma onda de udio (som) na membrana causa vibraes na mesma, que as transmite bobina
e esta, por estar imersa on campo magntico do m, passa a interpretar este campo como sendo varivel no tempo,
resultando assim na induo de uma fem nos terminais da bobina proporcional s ondas sonoras (Figura 4.9-d).
Os chamados auto-falantes de bobina mvel, por sua vez, so dispositivos que apresentam construo similar
ao dos microfones dinmicos, apresentando ento um princpio de funcionamento inverso ao destes, isto , convertem
o sinal eltrico (tenso/corrente) injetado na bobina em vibraes no diafragma, vindo este a executar um movimento
de compresso e descompresso do ar em sua volta, que se propagam pelo meio e constituem-se no som emitido.
Por fim, a chamada magnetoestrico um efeito reversvel que ocorre em certos materiais ferromagnticos
denominados magnetoestrictivos, que apresentam suaves deformaes elsticas quando so submetidos a um campo
magntico e, de modo inverso, apresentam acentuada variao na permeabilidade magntica quando so submetidos a
deformaes elsticas causadas por esforos de trao ou compresso em seu corpo. Este ltimo efeito explorado na
construo de bobinas de indutncia varivel com a fora aplicada ao ncleo magnetoestrictivo, para a construo de
alguns dispositivos transdutores eletromecnicos empregados em prensas automticas, sistemas de medio e controle
de presso (Figura 4.9-e), bem como em medidores de deformaes e produo e deteco de ultra-som. Exemplos:
ferro, nquel e ligas de ferro com cromo e cobalto, que em finas pastilhas apresentam elevada magnetoestrico.
Problema 1: Seja uma bobina com ncleo de ar alimentada por tenso alternada e conduzindo uma certa corrente.
Introduzindo-se um ncleo de material A observa-se que a corrente na bobina permanece a mesma e introduzindo-se
um ncleo de material B observa-se uma diminuio na corrente. A interpretao: o material A provavelmente do
tipo indiferente e o material B provavelmente do tipo ferromagntico procedente? Explique.
NA Problema 2: O circuito ao lado trata-se de um indicador visual de temperatura

NTC L1
C atravs de duas lmpadas L1 ou L2 , que utiliza um resistor tipo NTC como
V1 L2 sensor para detectar ultrapassagem de um certo valor limite de temperatura.
V2
NF Explique qual lmpada indica temperatura acima e abaixo deste valor limite.
Problema 3: O circuito ao lado mostra uma fonte de tenso alternada vo que alimenta 1
k
um transformador de dois taps (1 e 2) no enrolamento secundrio, onde uma chave k
inicialmente na posio 1 conecta uma lmpada L ao transformador. Pede-se: vS 2 L
a) Explique o que acontece com o brilho emitido pela lmpada L quando a chave k
comutada para a posio 2.
b) Elevando-se a tenso da fonte vo observa-se que, a partir de certos valores de tenso, o brilho emitido pela lmpada
praticamente no mais se alterava. Explique uma possvel causa.
c) A fonte vS substituda por uma fonte de tenso continua e observa-se que a lmpada no acende. Explique porque.
56
CAPTULO 5: INTRODUO TEORIA DOS SEMICONDUTORES
Eletrnica conhecida como a cincia e tecnologia do controle de cargas eltricas em um meio, tal como um
gs, vcuo ou material slido. Sua histria divide-se basicamente em dois perodos: o primeiro, conhecido como a era
dos tubos a vcuo (as chamadas vlvulas eletrnicas), baseava-se no aproveitamento do chamado efeito termoinico e
apresentava o problema de consumir muita energia para funcionar, e o segundo, conhecido como era dos transistores,
est fundamentado em componentes baseados em certos materiais slidos chamados semicondutores. Para diferenciar
da tecnologia dos tubos a vcuo, a teoria dos semicondutores ento conhecida como Fsica do Estado Slido.
O estudo dos materiais semicondutores se mostra importante em razo do seu atual emprego em larga escala na
construo de diversos tipos de componentes eletrnicos como: diodos, transistores (TBJ, FET, UJT, etc.), tiristores
(SCR, Diac, Triac, etc.), termosensores, fotosensores, circuitos integrados, etc., que so empregados na construo de
diversos dispositivos para processar sinais eltricos em sistemas de comutao, comunicao, computao e controle.
5.1) SEMICONDUTOR INTRNSECO
Como mencionado no Captulo 1, os materiais semicondutores caracterizam-se por apresentar um pequeno gap
entre as bandas de valncia e de conduo, em torno de 1 eV. Este fato acarreta em concentraes de portadores livres
bem inferiores ao dos condutores (~1023 cm-3), porm superior ao dos isolantes (~106 cm-3), resultando ento em uma
semicondutncia. No entanto, o montante desta semicondutncia um critrio insuficiente para definir totalmente o
comportamento funcional dos materiais e ligas pertencentes a esse grupo, pois pode-se obter substncias e misturas de
materiais que atendem a essa concentrao de portadores livres, mas que no possuem comportamento semicondutor.
Alm disso, a estrutura atmica tambm no define o comportamento semicondutor, pois os materiais estanho, silcio,
germnio e carbono pertencem ao grupo IV-A mas, apesar desta semelhana, o estanho condutor, silcio e germnio
so classificados como semicondutores e o carbono na forma cristalina (diamante) um excelente isolante eltrico.
A estrutura atmica dos semicondutores se caracteriza por um arranjo na configurao chamada rede cristalina,
ou seja, so cristais. Os exemplos de maior emprego na fabricao de componentes de uso geral so principalmente o
silcio e o germnio. Contudo, devido maior dependncia com a temperatura e limitaes na capacidade de tenso e
corrente do germnio, atualmente h um amplo predomnio dos dispositivos baseados no silcio, razo pela qual o
breve estudo sobre o fenmeno da conduo eltrica nos semicondutores visto adiante fundamentar-se neste material.
Para aplicaes com finalidades mais especficas, encontram-se ainda outros tipos de materiais semicondutores,
tais como selnio, glio, arsenieto de glio, nitreto de glio, sulfeto de cdmio, fosfeto de ndio e xidos metlicos.
5.1.1) FENMENOS DE TRANSPORTE EM SEMICONDUTORES
Os tomos de silcio apresentam quatro eltrons na camada de valncia (tomos tetravalentes) e, para se tornar
quimicamente estvel, o arranjo cristalino do material silcio formado por tomos posicionandos entre outros quatro
tomos vizinhos por ligao covalente (compartilhamento de eltrons) para a obteno de oito eltrons na camada de
valncia. A Figura 5.1-a mostra uma representao planar simplificada da estrutura atmica do material silcio.
energia contatos eltricos
ligao
+4
covalente BC
silcio puro
a baixas
+4 +4 BV temperaturas
+4
Bandas
2o banda totalmente
ons de
eltrons de preenchidas I=0
+4 silcio
valncia o
1 banda
VS
(a) (b) (c)
Figura 5.1: (a) Estrutura bidimensional de um cristal de silcio; (b) representao do silcio por bandas
de energia a baixas temperaturas; (c) conduo eltrica nula no cristal de silcio a baixas temperaturas.
Como visto no Captulo 2, materiais condutores eltricos so capazes de conduzir correntes utilizveis quando
submetidos diferenas de potencial compatveis, devido grande quantidade de eltrons livres presentes no material.
Logo, para o cristal de silcio, este tambm depender da existncia de eltrons que possam se deslocar pelo material
de modo a se constituir corrente. No entanto, apesar do pequeno gap entre a BV e a BC, a disponibilidade de energia
57
CAPTULO 5: Introduo teoria dos semicondutores
trmica a baixas temperaturas insuficiente para fazer com que eltrons de valncia possam se deslocar para a banda
de conduo do material e, desse modo, a banda de valncia permanece totalmente preeenchida e a banda de
conduo vazia (Figura 5.1-b). Assim, devido ao fato da banda de conduo no apresentar eltrons livres que possam
se deslocar pelo material em resposta a uma diferena de potencial aplicado, o cristal de silcio praticamemente no
conduz corrente utilizvel a baixas temperaturas, comportando-se ento como um material isolante (Figura 5.1-c).
Porm, em temperaturas mais elevadas (por exemplo, temperaturas normais de trabalho ou ambiente), a maior
disponibilidade de energia trmica no material poder quebrar de ligaes covalentes de modo a permitir que eltrons
da banda valncia se desloquem para a banda de conduo e se tornem lives, restando vacncias na banda de valncia
constitudas por ligaes covalentes incompletas, denominadas lacunas ou buracos (Figura 5.2-a). Como cada eltron
que se desloca para a banda de conduo cria uma lacuna na banda de valncia, ento o conjunto formado chamado
par eltron-lacuna (Figura 5.2-b). Alm disso, como todo eltron tende a retornar ao seu nvel de energia original,
ocorrem tambm destruio de pares devido s recombinaes entre eltrons e lacunas. Assim, pode-se conseguir um
nmero limitado de portadores de carga livres em um semicondutor para uma determinada energia trmica presente.
Seja ento uma amostra de silcio submetido a uma tenso eltrica e um par eltron-lacuna criado por energia
trmica, representada na Figura 5.2-c com a letra A. Em resposta ao campo eltrico aplicado, os eltrons livres no
material podem ento se deslocar em sentido contrrio ao campo e constituir uma corrente na banda de conduo do
material (Figura 5.2-c), se assemelhando conduo dos metais. Contudo, uma ligao qumica incompleta na banda
de valncia do material (lacuna) possibilita com que um eltron de valncia situado em rbita vizinha (representado
por B na Figura 5.2-c) se desloque para esta ligao incompleta tambm em resposta ao campo eltrico aplicado,
deixando em seu lugar uma ligao incompleta em B correspondente a uma lacuna. O mesmo pode acontecer ao
eltron em uma rbita vizinha em C que, ao preencher a lacuna situada em B, cria uma lacuna em C, bem como um
eltron na orbita em D se deslocar para a lacuna em C e criar uma lacuna em D e assim sucessivamente (Figura 5.2-c).
Observa-se ento que as lacunas tambm adquirem liberdade de movimento em resposta a um campo eltrico
aplicado, se locomovendo porm em sentido contrrio aos dos eltrons como se fossem cargas positivas. Assim, por
meio de um mecanismo similar, as lacunas podem tambm ser consideradas portadores de carga livres e de sinal
positivo. A importncia do conceito de lacuna que, apesar de constituir-se em uma abstrao terica de carga livre,
esta participa conceitualmente da conduo de corrente no material, o que comprovado pelo chamado Efeito Hall.
Conclui-se ento que as bandas de valncia e conduo representam dois percursos pelo qual eltrons podem se
deslocar em um cristal semicondutor, com as lacunas no sentido contrrio (Figuras 5.2-d). Porm, com o objetivo de
facilitar a definio e estudo dos chamados semicondutores extrnsecos, as lacunas, apesar de no se constiturem
fisicamente em carga eltrica, normalmente so consideradas, no lugar dos eltrons de valncia, como um segundo
tipo de portador de carga livre para o estudo da conduo de corrente nos semicondutores. Assim, pode-se conceber
que os semicondutores possuem dois dois tipos de portador de carga livre: eltrons livres e lacunas, sendo este aspecto
a principal caracterstica eltrica que deferenciam os semicondutores dos materiais condutores e isolantes.
ligao
energia
covalente par electron-lacuna eltrons na BV e BC
incompleta +4
(lacuna) eltron
BC livre
energia silcio a T >> 0 K
+4 +4 +4 BV lacuna
BC lacunas na BV
E
2o banda I0
eltron
deslocado +4 BV
para a BC 1o banda VS
A B C D
(eltron livre)
(a) (b) (c) (d)
Figura 5.2: (a) Silcio puro em elevao de temperatura, criao de pares eltron-lacuna por quebra de ligao
covalente; (b) representao por bandas de energia; (c) conduo dos portadores livres; (d) correntes resultantes.
Seja n (cm3) a concentrao de eltrons livres e p (cm3) a concentrao de lacunas em material semicondutor.
Para semicondutores denominados intrnsecos, tal como os ditos puros, tem-se que, como a energia trmica produz
portadores aos pares, a concentrao de eltrons livres ento igual a de lacunas a qualquer temperatura, tal que:
n p ni (5.1)
3
em que ni (portadores livres/cm ) um parmetro do material dependente da temperatura, chamado concentrao
intrnseca, que determina o nmero de pares eltron-lacuna a uma determinada temperatura T do material, dado por:
EGO

n Ao T e
2
i
3 KB T
(5.2)
-6 -3
onde Ao (cm K ) uma constante do material independente da temperatura, EGO (eV) a largura da banda proibida a
0 K (ou a energia necessria para desfazer a ligao covalente) e KB = 8,62 x 10-5 eV/K a constante de Boltzmann.
58
Logo, semicondutores intrnsecos caracterizam-se por apresentar uma grande sensibilidade temperatura. Na
temperatura ambiente, contudo, um cristal de silcio puro praticamente no apresenta portadores livres se comparado
ao germnio, sendo esta a principal razo do silcio ser superior ao germnio na fabricao de dispositivos eletrnicos,
pois componentes menos sensveis temperatura so necessrios para o correto funcionamento de circutos em geral.
Como visto no Captulo 2, a condutividade eltrica dos materiais, expressa pela equao (2.3), proporcional
concentrao de eltrons livres. Para os semicondutores, como tanto eltrons livres quanto lacunas contribuem para o
processo da conduo de corrente, ento a expresso da condutividade (S/m) para estes materiais deve ser ampliada
para considerar a contribuio de ambos os tipos de portadores de carga livres presentes no material, ou seja:
n e n p e p (5.3)
onde p , chamada mobilidade das lacunas, expressa a facilidade com que estas se movimentam na bande de valncia.
Como n = p = ni nos semicondutores intrnsecos, ento a condutividadade neste caso pode ser redefinida por:
e ni (n p ) (5.4)
Com base na equao (5.2) observa-se ento que a condutividade do semincondutor intrnseco, expresso pela
equao (5.4), apresenta elevada dependncia da temperatura, por ser funo da concentrao intrnseca ni . Logo, a
condutividade do material intrnseco aumenta com a temperatura, ou seja, semicondutores so materiais tipo NTC.
Como tambm visto no Captulo 2, a densidade de corrente de conduo, dada na equao (2.2), proporcional
ao campo eltrico aplicado atravs da condutividade dos materiais. Logo, para os semicondutores intrnsecos, tem-se:
J E e ni (n p ) E (5.5)
A Tabela 5.1 apresenta algumas propriedades de interesse para o silcio, onde observa-se que a mobilidade dos
eltrons livres (n) maior que a de lacunas (p). Esta diferena docorre do fato dos eltrons de valncia dependerem
da existncia de ligaes incompletas na banda de valncia (lacunas) para se deslocarem pelo cristal, enquanto que os
eltrons livres tm a disposio uma grande quantidade de nveis de energia desocupados na banda de conduo.
Tabela 5.1: Algumas propriedades de interesse para o silcio.

Propriedade Valor Propriedade Valor
nmero atmico 14 densidade de tomos do cristal (cm-3) 5 x 1022
constante Ao (cm-6 K-3) 5,23 x 1035 constante de difuso de eltrons livres Dn a 300 K (cm2/s) 34
EGO (EG a 0 K) em eV 1,21 constante de difuso de lacunas Dp a 300 K (cm2/s) 13
EG a 300 K em eV 1,12 p a 300 K (cm2/V s) 500
-3
ni a 300 K (cm ) 1,5 x 1010
n a 300 K (cm2/V s) 1300
Baseado nos dados da Tabela 5.1, pode-se obter uma estimativa para o valor da resistividade do silcio puro
(intrnseco) temperatura ambiente padro (300 K). Empregando-se a equao (5.4), tem-se ento que:
Si,300 K e ni,Si, 300 K ( n,Si, 300 K p ,Si, 300 K ) 1,6 1019 1,5 1010 (1300 500) 4,32 106 S / cm
1 1
Si, 300 K 2,3 105 cm 2300 m
Si,300 K 4,32 106
Com base neste resultado, observa-se ento que a resistividade do silcio puro bastante elevada comparada aos
metais (em torno de 107 m), o que decorre pelo fato da concentrao de portadores livres no silcio temperatura
ambiente (ni = 1,5 x 1010 cm3, Tabela 5.1) ser mais prxima da observada em materiais isolantes (106 cm3). Como
consequncia, alm de elevada sensibilidade com a temperatura, um semicondutor tipo intrnseco pode no apresentar
portadores livres suficientes para produzir correntes utilizveis, o que inviabiliza seu emprego direto na construo de
componentes eletrnicos. Contudo, como ser visto mais adiante, a mitigao dessas deficincias pode ser conseguida
com a alterao do equilbrio entre as concentraes de lacunas e eltrons livres estabelecidas na forma intrnseca, por
meio de um processo artificial chamado dopagem, para a obteno dos chamados semicondutores extrnsecos.
Materiais semicondutores com elevada sensibilidade a incidncia de energia em sua sua forma pura podem, no
entanto, serem aproveitados para a obteno de alguns tipos de dispositivos sensores, vistos a seguir.
5.1.2) COMPONENTES SEMICONDUTORES PUROS
Diversas aplicaes em Eletrotcnica requerem um controle sobre alguma varivel fsica interna ou externa ao
processo, empregando-se para isso dispositivos sensores para o monitoramento da varivel e converso da mesma em
uma grandeza eltrica para avaliao e ao. Logo, dispositivos sensores so construdos com base em materiais nos
quais alguma de suas propriedades eltricas sofre grande alterao quando submetida a um estmulo externo.
Como visto anteriormente, a condutividade eltrica dos semicondutores intrnsecos, notadamente os puros,
caracterizam-se por uma elevada dependncia da temperatura devido fcil criao de pares eltron-lacuna com o
fornecimento de energia trmica ao material. Logo, os semicondutores puros podem ser empregados na construo de
componentes sensores resistivos variveis com a temperatura, denominados genericamente de termistores.
59
Termistores (smbolo esquemtico na Figura 5.3-a) so ento resistores e resistncias sensveis ao da tem-
peratura, que encontram largo emprego no monitoramento e controle de temperaturas em equipamentos e ambientes.
No caso dos termistores semicondutores (aparncia na Figura 5.3-b), estes se comportam como resistncias tipo NTC
devido variao inversa da resistividade com a temperatura. Esta alterao caracteriza-se por uma diminuio da
resistncia da ordem de 3% por oC, o que proporciona uma maior sensibilidade comparada aos termistores metlicos,
porm, com temperaturas de trabalho menores que estes. Materiais: xidos de nquel, cobre, mangans e zinco.
Uma aplicao prtica dos termistores semicondutores em rels de proteo de motores, onde o aquecimento
destes por efeito Joule tem correlao com a corrente nos enrolamentos. Desse modo, em caso de sobrecorrente no
motor, o sobreaquecimento resultante permite ao termistor interpretar esta condio adversa a um rel para que este
comande o desligamento do motor. Outras aplicaes consistem na medio e controle automtico de temperatura em
fornos, estufas e na estabilizao do ponto de operao de circuitos submetidos a grandes variaes de temperatura.
Resposta relativa (%)

75
50
T 25 C
0
4000 8000 12400 ()
(a) (b) (c) (d) (e)
Figura 5.3: Termistores: (a) smbolo esquemtico, (b) aparncia; fotorresistores: (c) smbolo
esquemtico; (d) aparncia de um LDR comercial; (e) exemplo de resposta espectral (silcio).
A chamada fotorresistividade consiste em uma outra forma de obteno da variao da condutividade eltrica
dos materiais, baseada no fornecimento de energia por incidncia de radiao eletromagntica ao material. Devido ao
pequeno gap de energia, alguns semicondutores puros podem ento ser aproveitados como sensores de luz resistivos,
chamados fotorresistores ou fotocondutores, que fazem uso da energia luminosa incidente para a quebra de ligaes
covalentes e gerao de pares eltron-lacuna em excesso a aqueles gerados pela energia trmica do material, variando
ento sua resistividade invsersamente intensidade da luz incidente, similar ao efeito da temperatura nos termistores.
Fotorresistores (smbolo esquemtico na Figura 5.3-c, onde as setas indicam o sentido da radiao) so ento
componentes semicondutores tipo transdutores que convertem energia luminosa na forma eltrica, ao ter modulada
sua resistividade pela radiao incidente. O chamado LDR (light dependent resistor) um exemplo de fotorresistor
semicondutor comercial (aparncia na Figura 5.3-d), tambm chamado clula fotocondutiva, que encontra emprego
em dispositivos de deteco de intensidade luminosa para atuao em circuitos de controle, automao e comutao.
O fotorresistor de maior aplicao consiste em uma clula de sulfeto de cdmio dopada com um pouco de prata,
antimnio ou ndio. As vantagens destes dispositivos residem na elevada capacidade de dissipao (300 mW) e tima
sensibilidade ao espectro visvel (em escurido, acima dos 1 M e, com luz forte, inferior a 1 k), podendo operar
diretamente um rel e controlar, por exemplo, um circuito de maior potncia. Outros materiais: sulfeto de chumbo,
que apresenta um mximo de sensibilidade em 29000 , sendo ento empregado para deteco de infravermelho
(vide Tabela 1.7), e selnio, que bastante sensvel faixa do espectro visvel, particularmente perto do azul.
Como visto no Captulo 1, o comprimento de onda e a energia Ef de um fton so inversamente proporcionais
( = 12400/Ef ). Como a energia EG do gap a mnima necessria para a excitao de um eltron da banda de valncia
para a de conduo, ento um comprimento de onda mximo C = 12400/EG , chamado valor de corte, necessrio
para a criao de eltrons livres por fotoexcitao, ou seja, um fotorresistor um dispositivo seletivo de freqncia.
Como exemplo, a Figura 5.3-e apresenta um esquema grafico da resposta espectral do silcio, onde a regio grifada
corresponde faixa de luz visvel. Neste caso, como EG 1 eV para o silcio, seu valor de corte C 12400 se situa
na faixa do infravermelho. Com base no grfico da Figura 5.3-e observa-se tambm que a resposta do silcio apresenta
um valor mximo de sensibilidade e conclui-se que respostas espectrais dependem do tipo da radiao incidente.
5.2) SEMICONDUTOR EXTRNSECO
Quando em um cristal semicondutor intrnseco so introduzidas impurezas tal que isto resulte no predomnio de
um tipo de portador de carga livre, este passa a ser denominado semicondutor extrnseco. Este expediente, chamado
dopagem, baseia-se em um processo tecnolgico sofisticado, que consiste na introduo de tomos de certos materiais
com teor controlado para produzir um perfeito espalhamento destes tomos no semicondutor, de modo a aumentar sua
condutividade eltrica e diminuir sua dependncia com a temperatura em relao forma intrnseca.
Os nveis usuais de dopagem so da ordem de 1 tomo de impureza para cada 109 a 107 tomos de silcio, o que
garante a permanncia da maioria de suas propriedades e apenas as caractersticas eltricas mudam acentuadamente.
60
5.2.1) DOPAGEM E CLASSIFICAO
Como visto, os portadores livres nos semicondutores intrnsecos so criados aos pares sob influncia apenas da
energia trmica, tal que: n = p. O processo de dopagem tem ento o objetivo de introduzir artificialmente tomos de
impurezas de modo a provocar um desequilbrio entre as concentraes destes portadores, tal que: n p. Assim, de
acordo com o tipo de impureza introduzida, obtm-se duas classificaes para os semicondutores extrnsecos:
TIPO P: estes materiais so resultantes da introduo de tomos de elementos qumicos trivalentes, denominados
impurezas tipo P. Este artifcio possibilita estabelecer o predomnio de lacunas no semicondutor devido ao fato do
tomo de impureza trivalente formar trs ligaes covalentes com trs tomos de silcio vizinhos, restando uma
ligao covalente incompleta do tomo de impureza (Figura 5.4-a), que constitui-se ento em uma lacuna. Como
estas ligaes incompletas podem receber eltrons da banda de conduo, estas impurezas so tambm chamadas
aceitadoras. Materiais normalmente empregados como impurezas aceitadoras: alumnio, boro e glio.
Alm disso, o aumento na concentrao de lacunas acarreta tambm em uma maior taxa de recombinao, o
que faz decrescer a quantidade de eltrons livres existentes no semicondutor. Assim, as lacunas no cristal tipo P
passam a ser chamadas de portadores majoritrios, e os eltrons livres de portadores minoritrios.
A Figura 5.4-b exemplifica o esquema de bandas de energia de um cristal tipo P, onde observa-se um elevado
nmero de lacunas na banda de valncia, produzido principalmente pela dopagem, bem como uma quantidade
comparativamente pequena de eltrons livres na banda de conduo, produzida apenas por energia trmica.
TIPO N: estes materiais resultam da introduo de tomos de elementos qumicos pentavalentes, denominados
impurezas tipo N. Neste caso, o predomnio de eltrons livres no semicondutor estabelecido devido ao fato de
um tomo de impureza pentavalente formar quatro ligaes covalentes com quatro tomos de silcio vizinhos para
se tornar estvel, obrigando o quinto eltron do tomo de impureza a ocupar a banda de conduo (Figura 5.4-c),
resultando ento no aumento artificial do nmero de eltrons presentes na banda de conduo do cristal. Logo,
como estes tomos pentavalentes proporcionam eltrons extras ao material, os mesmos so tambm denominados
impurezas doadoras. Materiais normalmente empregados como impurezas doadoras: arsnio, antimnio e fsforo.
Similarmente, o aumento na concentrao de eltrons livres por dopagem acarreta tambm em uma maior taxa
de recombinao, o que faz decrescer a quantidade de lacunas existentes no semicondutor. Desse modo, os eltrons
livres no cristal tipo N passam a ser chamados de portadores majoritrios e as lacunas de portadores minoritrios.
A Figura 5.4-d exemplifica o esquema de bandas de energia de um cristal tipo N, onde observa-se um elevado
nmero de eltrons livres na banda de conduo, produzido principalmente pela dopagem, bem como um nmero
comparativamente pequeno de lacunas na banda de valncia, produzido apenas pela energia trmica fornecida.
ligao covalente
+4 eltron
incompleta +4
livre
(lacuna) energia energia
+4 +3 +4 BC +4 +5 +4 BC
on de on de
+4 impureza BV +4 impureza BV
aceitadora doadora
(a) (b) (c) (d)
Figura 5.4: Criao de portadores livres por dopagem em um cristal de silcio: (a) tipo P; (b) representao por
bandas do predomnio de lacunas no semicondugor tipo P; (c) tipo N; (d) predomnio de eltrons livres no tipo N.
5.2.2) CONDUTIVIDADE E DENSIDADE DE CORRENTE DE CONDUO
Como visto anteriormente, os semicondutores intrnsecos caracterizam-se por apresentar iguais concentraes
de portadores livres (eltrons e lacunas), tal que: n = p = ni . Logo, pode-se inferir que o produto destas concentraes
resulta no quadrado da concentrao intrnseca ni , o que define a chamada lei da ao de massas, dada por:
n p ni2 (5.6)
No caso dos semicondutores extrnsecos, o aumento da dopagem resulta, como visto, no aumento da taxa de
recombinao devido ao aumento da concentrao de majoritrios, o que acarreta no decrscimo da concentrao de
minoritrios. Porm, em condies de equilbrio trmico (criao de pares eltron-lacuna constante), observa-se que a
diminuio de minoritrios proporcional ao aumento de majoritrios, tal que o produto das concentraes se mantm
constante. Assim, verifica-se que os semicondutores extrnsecos tambm obedecem a lei da ao de massas.
Alm disso, supondo que o processo de dopagem resulte na concentrao ND (tomos/cm3) de tomos doadores
ou concentrao NA (tomos/cm3) de tomos aceitadores, tem-se que, como um tomo doador se torna um on positivo
61
ao ceder eltron e um tomo aceitador se torna um on negativo ao receber eltron, ento estas impurezas produzem
uma concentrao ND de ons positivos e NA de ons negativos no material. Porm, como a dopagem no resulta em
eletrizao do material, a soma das cargas positivas (lacunas e ons +) deve ser igual das cargas negativas (eltrons
livres e ons ), tal que o semicondutor extrnseco deve obedecer a chamada lei da neutralidade de carga, dada por:
p ND n N A (5.7)
A anlise da lei de ao de massas e da lei da neutralidade de carga permite definir a propriedade condutividade
eltrica para o caso dos semicondutores extrnsecos com base nas caractersticas de cada material, de modo que:
TIPO P: como visto, sabe-se que o cristal tipo P no apresenta impurezas doadoras (ND = 0) e que a concentrao
de lacunas muito superior de eltrons livres, ou seja, p >> n. Logo, a equao (5.7) pode ser reduzida a:
pP N A (5.8)
onde o ndice P adicionado para descrever o material tipo P. Tem-se ento que a concentrao pP de portadores
majoritrios no material tipo P (lacunas) se resume concentrao NA de tomos aceitadores dada pela dopagem.
Assim, como pP >> nP , tem-se que na definio da condutividade e da densidade de corrente do material tipo P
podem ser considerados apenas a contribuio dos portadores majoritrios (lacunas) corrente, o que resulta:
P pP e p N A e p (5.9)
J p ( pP e p ) E ( N A e p ) E (5.10)
onde P a condutividade eltrica para o material tipo P e Jp a densidade de corrente de conduo de lacunas.
Pela lei da ao de massas, tem-se que a concentrao nP de minoritrios no material P (eltrons livres) resulta:
n2 n2
nP pP ni2 nP i i (5.11)
pP NA
TIPO N: analogamente, como o cristal tipo N no apresenta impurezas aceitadoras (NA = 0) e a concentrao de
eltrons livres muito superior de lacunas, ou seja, n >> p, tem-se que a equao (5.7) pode ser reduzida a:
nN N D (5.12)
onde o ndice N adicionado para descrever o material tipo N. Tem-se ento que a concentrao nN de majoritrios
no material tipo N (eltrons livres) se resume concentrao ND de tomos doadores dada pela dopagem.
Similarmente para o cristal tipo N, como nN >> pN ento as equaes da condutividade e densidade de corrente
podem agora considerar apenas a contribuio dos portadores majoritrios (eltrons livres) corrente, tal que:
N nN e n N D e n (5.13)
J n ( nN e n ) E ( N D e n ) E (5.14)
onde N a condutividade para o material tipo N e Jn a densidade de corrente de conduo de eltrons livres.
Similarmente, pela lei da ao de massas, a concentrao pN (lacunas) de minoritrios no material N dada por:
ni2 n2
nN pN ni2 pN i (5.15)
nN ND
Com base nas definies de condutividade vistas para o caso extrnseco, pode-se avaliar o impacto da dopagem
na mitigao dos problemas apresentados pelo caso intrnseco, notadamente as elevadas resistividade e dependncia
da temperatura. Logo, como a condutividade funo da concentrao e mobilidade dos portadores livres, o estudo da
variao destes parmetros com a temperatura permite a comparao entre os materiais intrnseco e extrnseco:
Caso intrnseco: o aumento de temperatura em um material qualquer provoca um maior grau de agitao trmica
da estrutura atmica do material, o que acarreta em perda de mobilidade dos portadores livres presentes devido ao
maior nmero de colises. Para o caso dos semicondutores intrnsecos, no entanto, a facilidade na criao de pares
eltron-lacuna por energia trmica, compensa em excesso a diminuio das mobilidades destes portadores livres, o
que acarreta ento na elevada dependncia da condutividade dos materiais intrnsecos em relao temperatura.
Caso extrnseco: devido lei da ao de massas, a criao de pares eltron-lacuna por energia trmica exerce uma
elevao na concentrao de majoritrios e minoritrios no material extrnseco. No entanto, sendo a concentrao
de minoritrios muito inferior a de majoritrios, observa-se que esta criao de cargas livres adicionais acarreta em
aumentos mais perceptveis no nmero de minoritrios. Assim, como a condutividade dos materiais extrnsecos se
resume contribuio dos majoritrios e estes dependem basicamente da dopagem, tem-se que a criao de pares
eltron-lacuna por energia trmica exerce menor compensao para a perda de mobilidade dos portadores livres e
conclui-se ento que a influncia da temperatura na condutividade destes materiais atenuada pela dopagem.
Para o estudo da resistividade do material extrnseco, o exerccio a seguir exemplifica a eficcia da dopagem no
aumento da condutividade eltrica de um semicondutor tipo extrnseco em comparao ao material intrnseco.
Comentrio: um aspecto importante do processo de dopagem consiste no fato de, por exemplo, se em um material
tipo P for acrescentada impurezas doadores superior concentrao de impurezas aceitadoras, este passa do tipo P
para tipo N, e vice-versa, devido ao anulamento mtuo por recombinao. Assim, sobre uma amostra de determinado
tipo pode-se criar uma regio do outro tipo, sobre esta regio criar novamente o tipo anterior e assim sucessivamente.
Este efeito explorado na prtica para a construo dos diversos dispositivos eletrnicos discretos e integrados.
62
Exerccio 1: Seja uma amostra de silcio tipo N, cuja dopagem uniforme consiste de 1 tomo de impureza doadora
para cada 108 tomos de silcio. Determine a resistividade do silcio a 300 K e compare com o caso intrnseco.
Soluo
Como a concentrao de tomos do silcio de 5 x 1022 tomos/cm3 (Tabela 5.1) e a dopagem consiste de 1 tomo
de impureza para cada 108 tomos de silcio, ento cada cm3 do material conter 5 x 1014 tomos de impureza.
Logo, ND = 5 x 1014 tomos/cm3, ou seja, da equao (5.12) tem-se: nN ND = 5 x 1014 eltrons livres/cm3.
1 1 1
Assim, de (5.13): N ,300 K 9,62 cm 9,62 10-2 m
N ,300 K N D e n, 300 K 5 10 1,6 1019 1300
14
ni2 (1,5 1010 ) 2

Alm disso, de (5.15), onde ni = 1,5 x 1010 cm-3 a 300 K (Tabela 5.1): pN 4,5 105 cm 3
ND 5 1014
Comparando-se a resistividade desta amostra tipo N (9,62 x 10-2 m) com a do caso intrnseco (2300 m), tem-se:
Si ,300 K , amosta intrnseca 2300
24000
Si ,300 K , amosta extrnseca 9,62 102
Este resultado ilustra ento uma sensvel reduo na resistividade do material, por um fator de 24000, obtida com a
introduo de apenas 1 tomo de impureza para cada 108 tomos de silcio, o que resultou no aumento da concen-
trao de eltrons livres, de n = ni = 1,5 x 1010 cm-3 do caso intrnseco, para nN = 5 x 1014 cm-3 do caso extrnseco.
5.2.3) EFEITO HALL
Denomina-se efeito Hall o fenmeno da induo de campo eltrico em um meio material conduzindo corrente e
imerso em um campo magntico transversal a esta corrente. Este efeito aproveitado em mtodos experimentais para
a caracterizao de materiais, bem como em diversos dispositivos sensores, e confirma o comportamento das lacunas
como portador de carga livre positiva. O mecanismo de funcionamento do efeito Hall discutido a seguir.
Como mencionado no Captulo 4, uma carga eltrica q com velocidade v e imersa em um campo de induo
magntica B transversal a v, fica submetida a uma fora magntica Fmg perpendicular ao plano v-B, de modo que:
Fmg q v B
Para uma corrente I de sentido convencional circulando no sentido positivo do eixo x de um sistema cartesiano,
e imersa em um campo magntico de vetor induo B no sentido positivo do eixo y, observa-se que as cargas eltricas
constituintes da corrente so submetidas a uma fora magntica Fmg perpendicular ao plano I-B no sentido positivo do
eixo z (Figura 5.5-a), independemente do sinal de carga (q = e+ ou q = e) que constitui a corrente (Figura 5.5-a).
Logo, se definidos os sentidos de I e B no meio material, o sentido da fora magntica Fmg tambm estar definido.
Fmg e v B Fmg e (v ) B face 1 face 1
z z face 1
z d EH I B VH d I
EH B VH
Fmg Fmg
B face 2 face 2
e+ e v d I
face 2 w w
B y B y
I, v I y condutor e
w semicondutor tipo P
x x x semicondutor tipo N
(a) (b) (c) (d)
Figura 5.5: (a) Fora magntica e independncia com o sinal de carga; (b) amostra de material condutor para teste
do efeito Hall; campo eltrico e tenso de Hall no caso de material: (c) condutor e cristal tipo N, (d) cristal tipo P.
Seja ento uma amostra de material condutor percorrida por uma corrente eltrica I de sentido convencional no
eixo x e imersa em um campo magntico de induo B no sentido do eixo y, tal que os portadores de carga livres da
corrente fiquem sujeitos a uma fora magntica no sentido do eixo z (Figura 5.5-b). Como a amostra de material
condutor (por exemplo, metais), tem-se ento que a corrente eltrica no material ser constituda de eltrons livres,
que desse modo sofrem um deslocamento para a face 1 da amostra devido fora magntica aplicada, o que acarreta
em uma falta de eltrons na face 2 (Figura 5.5-c). Observa-se ento que a face 1 resulta negativamente eletrizada e a
face 2 positivamente eletrizada, o que faz surgir um campo eltrico EH entre as cargas opostas e, como conseqncia,
uma diferena de potencial VH entre as faces da amostra (Figura 5.5-c). Este fenmeno conhecido como efeito Hall,
sendo o campo induzido EH denominado campo de Hall e a ddp VH denominada tenso ou fem de Hall.
O efeito Hall pode ser tambm observado em semicondutores. Neste caso, para uma amostra de semicondutor
extrnseco qualquer (tipo P ou N) e definidos os mesmos sentidos de corrente e de induo magntica, tem-se que:
Amostra tipo N: como a corrente ser constituda majoritariamente por eltrons livres, a induo de uma tenso
de Hall apresenta igual polaridade ao caso dos condutores, com o potencial positivo na face 2 (Figura 5.5-c).
63
Amostra tipo P: sendo a corrente no material formada majoritamente por lacunas, nota-se o surgimento de uma
tenso de Hall com potencial positivo na face 1 da amostra (Figura 5.5-d). Esta fato evidencia ento que a fora
magntica sujeita as lacunas a um deslocamento para a face 1 da amostra, que se torna positivamente carregada, e
acarreta em um excesso eltrons na face 2, que fica negativamente carregada, resultando na fem de Hall observada.
Assim, pode-se observar que o efeito Hall demonstra o comportamento das lacunas como portador de carga
livre positiva e pode ser empregado para determinar o tipo de semicondutor extrnseco, isto , se o potencial positivo
da tenso de Hall for observado na face 1, ento trata-se de uma amostra tipo P e, se na face 2, de uma amostra tipo N.
No efeito Hall, a induo de um campo eltrico tem como finalidade restabelecer o estado de equilbrio alterado
pela ao das linhas de induo magntica sobre as cargas livres constituintes da corrente e, desse modo, uma fora
eltrica Fel deve surgir nestes portadores para equilibrar a fora magntica Fmag a eles aplicados, tal que:
Fel = Fmag eE = evB v = E/B (1)
onde o mdulo do campo eltrico de Hall na amostra pode ser determinado por (Figura 5.5-c): E = VH /d (2)
Seja a densidade de corrente na amostra, dada por: J = I/A, onde A = w d (Figura 5.5-c). Empregando-se os
resultados (1) e (2), e com base na definio da densidade de corrente dada pela equao (2.1), vista no Captulo 2,
tem-se que a tenso de Hall em uma amostra de material qualquer pode ento ser determinada matematicamente por:
I E I n e VH BI
J nev ne VH (5.16)
wd B wd B d new
onde observa-se que a tenso de Hall proporcional s instensidades de corrente e do campo magntico aplicado e
inversamente proporcional espessura w da amostra de material por onde o campo magntico incidido.
Medindo-se os parmetros w, I, B e VH de uma amostra de material pode-se ento empregar o efeito Hall para
determinar a concentrao de eltrons livres (n) do material com base na equao (5.16),
bem como determinar a mobilidade n dos eltrons livres com a relao: n = / (n e),
onde = /(R A) e R a resistncia da amostra de comprimento e rea A.
O efeito Hall normalmente pouco mensurvel na maioria dos materiais devido
baixssima velocidade de deriva dos eltrons, sendo melhor observvel em cristais semi-
condutores que apresentam eltrons de elevada mobilidade (Si, InAs e InSb), nos quais
obtem-se tenses de Hall at 100 mV e resposta a correntes de freqncias at 20 kHz.
Sensores de efeito Hall encontram diversas aplicaes, tais como em ponteiras de
corrente (aparncias na Figura 5.6), medidores de rotao (rodas, engrenagens, indicador
de velocidade para automveis, etc.), sistemas de ignio eletrnica, sensores de presso Figura 5.6: Ponteiras de
e de fluxo, interruptores especiais, smartphones, sistemas de posicionamento global, etc. corrente de efeito Hall.
5.3) JUNO PN
Como visto, os cristais P e N apresentam maior condutividade e menor dependncia com a temperatura compa-
rado forma intrnseca. Contudo, estes materiais tm pouca finalidade prtica individualmente (por exemplo, constru-
o de resistores em CI's), mas podem ser combinados no chamado cristal PN para formar a chamada juno PN, cujo
comportamento desempenha o efeito mais simples de controle de carga, que o de chave liga-desliga. A juno PN
constitui-se ento no bloco construtivo bsico que fundamenta a operao dos diversos dispositivos eletrnicos.
Para o estudo da juno PN, sero vistos a definio de densidade de corrente total em materiais extrnsecos,
bem como os conceitos de camada de depleo, barreira de potencial e modos de polarizao do cristal PN.
5.3.1) CORRENTE DE DIFUSO E DENSIDADE DE CORRENTE TOTAL
A dopagem, sendo um processo artificial de introduo de portadores de carga livres, possibilita a produo de
semicondutores extrnsecos com concentrao de carga no uniforme pelo meio material. Como consequncia dessa
diferena de concentrao de portadores livres, em um material extrnseco pode ocorrer a tendncia ao deslocamento
de carga no sentido da regio de maior para a de menor concentrao, o que constitui-se em um tipo de fluxo eltrico
denominado corrente de difuso (o efeito Thomson, visto no Captulo 2, representa um outro exemplo deste tipo de
corrente). Logo, adicionalmente s densidades de corrente do tipo conduo descritas anteriormente, motivadas por
um gradiente de potencial aplicado (campo eltrico), em semicondutores extrnsecos podem ser tambm estabelecidas
densidades de corrente do tipo difuso, motivadas por um gradiente de concentrao de portadores livres. Assim, a
densidade de corrente total nestes materiais apresenta a contribuio de duas componentes: conduo e difuso.
Para a definio da densidade de corrente de difuso de portadores livres em semicondutores extrnsecos, seja
como exemplo uma amostra de material tipo P com concentrao p(x) de lacunas que se reduz ao longo do sentido
positivo de um eixo x atribudo amostra (Figura 5.7-a), de modo a resultar em um gradiente de concentrao dp/dx
de lacunas no sentido oposto ao eixo x (gradiente um vetor que define o sentido de maior crescimento de um campo
escalar). Como resultado, na amostra de material P estabelecida ento que a tendncia circulao de uma corrente
do tipo difuso no sentido do eixo x, ou seja, das regies de maior para as de menor concentrao (Figura 5.7-a).
64
Como o gradiente a quantificao dos nveis de dopagem, ento a densidade de corrente de difuso de lacunas
ser proporcional ao gradiente da concentrao estabelecido na amostra. Alm disso, como o deslocamento de carga
depende da agitao trmica do material, tem-se que uma corrente de difuso ser tambm funo de um parmetro
dependente da temperatura que caracteriza a facilidade dos portadores livres se moverem pelo meio material, neste
caso descrito por uma propriedade do material semicondutor denominada constante de difuso de lacunas.
Assim, a densidade de corrente de difuso de lacunas JDp (A/cm2) definida matematicamente por:
dp
J Dp D p e
dx
onde e a carga elementar e Dp (cm2/s) a constante de difuso de lacunas do semicondutor. O sinal negativo decorre
do fato do gradiente de concentrao de lacunas (dp/dx) ter sentido contrrio ao da corrente de difuso.
Analogamente, para uma amostra de material semicondutor tipo N com dopagem no uniforme (Figura 5.7-b),
tem-se que a densidade de corrente de difuso de eltrons livres JDn (A/cm2) definida matematicamente por:
dn
J Dn Dn e
dx
onde dn/dx e Dp (cm2/s) so, respectivamente, o gradiente e a constante de difuso de lacunas no semicondutor, sendo
o sinal positivo devido ao fato do gradiente de concentrao e o sinal da carga livre (eltron) serem ambos negativos.
corrente de difuso de lcunas corrente de difuso de eltrons livres
eltron
lacuna livre
dp/dx dn/dx
0 x 0 x
(a) (b)
Figura 5.7: Amostras extrinsecas com dopagem no uniforme: (a) tipo P; (b) Tipo N.
Assim, em termos gerais, a densidade de corrente total de lacunas em um semicondutor extrnseco formada
pela soma de duas parcelas distintas, referentes s correntes de conduo e difuso de lacunas, o que resulta:
dp
J p ( p e p ) E Dp e (5.17)
dx
Analogamente, a densidade de corrente total de eltrons livres em um semicondutor extrnseco formada pela
soma das parcelas referentes s correntes de conduo e difuso de eltrons livres, o que resulta:
dn
J n (n e n ) E Dn e (5.18)
dx
Como correntes de conduo e difuso so dependentes da temperatura, tem-se a que as constantes de difuso
(Dp e Dn) e as mobilidades (p e n) no so independentes, estando associadas pela chamada Relao de Einstein:
Dp D
n VT (5.19)
p n
em que VT = T/11600 (V) uma medida da energia trmica em um material, denominado potencial termodinmico ou
equivalente volt de temperatura, onde T a temperatura absoluta do material, dada em Kelvins.
5.3.2) JUNO PN, CAMADA DE DEPLEO E BARREIRA DE POTENCIAL
O cristal PN um bloco semicondutor formado por dois setores de material extrnseco com dopagem uniforme,
um primeiro de material tipo P chamado substrato ou regio P, e um segundo de material N denominado substrato ou
regio N, tal que observa-se uma variao abrupta na concentrao de lacunas da regio P, onde so majoritrios, para
a regio N (minoritrios), tal que pP >> pN , assim como na concentrao de eltrons livres da regio N (majoritrios)
para a regio P (minoritrios), tal que nN >> nP (Figura 5.7-a). A fronteira entre os dois substratos ento denominada
juno abrupta ou juno PN (Figura 5.8-a) e observa-se que, apesar da dopagem em cada substrato ser uniforme, o
cristal PN constitui-se em um caso especial de material semicondutor extrnseco com dopagem no uniforme.
Seja ento uma representao hipottica do instante de formao de um cristal PN dada na Figura 5.8-b, que
mostra os portadores majoritrios e os ons de dopagem em cada regio. Assim, devido s diferenas de concentrao
de portadores livres entre os substratos, ocorre inicialmente um processo de difuso de majoritrios das regies de
maior para as de menor concentrao, ou seja, eltrons livres do lado N migram para o lado P, assim como lacunas do
lado P migram para o lado N, o que constitui-se em uma corrente de difuso de majoritrios de P para N no sentido
convencional (Figura 5.8-b). Contudo, ao sair da regio N, um eltron deixa o on positivo a que est associado e, ao
65
entrar na regio P, se torna minoritrio e pode se recombinar com uma lacuna prxima da juno e fazer restar apenas
o on negativo associado, assim como uma lacuna, ao migrar do lado P para o lado N, deixa o on negativo a que est
associado e se recombina com um eltron no lado N, fazendo restar o on positivo associado. Como consequncia
destas migraes e recombinaes, a regio prxima da juno se torna gradualmente desprovida de portadores livres,
restando apenas camadas de ons fixos, sendo ento chamada de camada ou regio de depleo (Figura 5.8-c).
Como as camadas de ons na regio de depleo so de sinais contrrios, tem-se ento o estabelecimento de um
campo eltrico Eo entre os ons no sentido do lado N para o lado P (Figura 5.8-c). Porm, devido ao sentido do campo
eltrico formado, observa-se tambm que o mesmo retardador para os majoritrios em cada substrato e, desse modo,
tende a se opor difuso destes portadores atravs da juno. Assim, a medida que a largura da regio de depleo
aumenta, o campo eltrico Eo vai se tornando intenso o suficiente para cessar o processo de difuso de majoritrios e a
largura da camada de depleo se estabiliza. O campo Eo resulta em uma ddp Vo (Figura 5.8-c), chamada potencial de
contato, que constitui-se ento em uma barreira de potencial contra a difuso dos majoritrios atravs da juno PN.
substrato substrato lacuna P N eltron regio ou camada de depleo
ou regio P ou regio N livre
lacunas (pP) eltrons livres

Eo
(nN)
eltrons livres
(nP) lacunas (pN)
ons corrente de difuso ons
de majoritrios Vo
juno abrupta ou juno PN aceitadores doadores
(a) (b) (c)
Figura 5.8: Cristal PN: (a) regies, nveis de concentrao de portadores livres e juno PN; (b) representao do
instante de formao, ons de impureza e portadores majoritrios; (c) camada de depleo e barreira de potencial.
O anulamento das correntes de difuso de majoritrios no cristal PN pode ser tambm entendido com base no
efeito da campo Eo da barreira de potencial nos portadores minoritrios em cada substrato. Seja ento a representao
do cristal PN dada na Figura 5.9-a, que mostra os portadores minoritrios em cada substrato (eltrons livres no lado P
e lacunas no lado N) e o campo eltrico Eo da barreira estabelecida na camada de depleo. Com base na Figura 5.9-a
observa-se ento que o campo Eo da barreira acelerante para os minoritrios em cada substrato e, desse modo,
eltrons livres no lado P tendem a atravessar a juno para o lado N devido ao campo da barreira, assim como lacunas
da regio N tendem a atravessar para a regio P, o que constituem-se em correntes do tipo conduo, visto serem
consequncias de um campo eltrico (neste caso, o da barreira). Esta tendncia a um fluxo de minoritrios atravs da
juno entendida ento como uma corrente de conduo de minoritrios de N para P no sentido convencional, que
desse modo tem sentido contrrio ao da corrente de difuso de majoritrios (Figura 5.9-b). Como o cristal PN est
isolado (sem aplicao de tenso), conclui-se que a corrente resultante no cristal deve ser nula e, portanto, entende-se
que a corrente de difuso de majoritrios anulada pela corrente de conduo de minoritrios no cristal PN isolado.
Assim, conclui-se que o cristal PN apresenta uma barreira de potencial confinada em sua camada de depleo,
que produz um efeito retardador para os majoritrios, mas acelerante para os minoritrios em cada substratro, tal que
uma condio de equilbrio de corrente estabelecida no cristal isolado, onde uma corrente de difuso de majoritrios
do lado P para o lado N anulada por igual corrente de conduo minoritrios do lado N para o lado P (Figura 5.9-b).
P N P N P N
corrente de Eo corrente de Eo
(NA) (ND)
Eo majoritrios minoritrios
dV/dx
(tipo difuso) (tipo conduo)
x1 x2 x
V 2 V1 = Vo
V1 V2
corrente de conduo de minoritrios Vo n1 ni2 /NA n2 ND
(a) (b) (c)
Figura 5.9: Efeitos da barreira: (a) conduo de minoritrios; (b) equilbrio de correntes; (c) esquema da barreira.
Relacionando-se a condio de equilbrio de correntes no cristal PN isolado com as parcelas das densidades de
corrente totais definidas pelas equaes (5.17) e (5.18), observa-se ento que a primeira parcela refere-se corrente de
conduo de minoritrios, cuja varivel de campo eltrico E consiste no campo da barreira de potencial (E = Eo), e a
segunda parcela refere-se corrente de difuso de majoritrios, cujo gradiente de concentrao refere-se variao de
portadores livres entre as regies P e N. Assim, estudando-se o anulamento das densidades de corrente totais, pode-se
obter uma medida do potencial de contato Vo da barreira de potencial estabelecido no cristal PN isolado.
66
Seja ento o cristal PN isolado com concentraes uniformes de NA tomos aceitadores na regio P e ND tomos
doadores na regio N visto na Figura 5.9-c, onde o campo eltrico Eo da barreira pode ser definido como a variao de
um potencial eltrico V na camada de depleo ao longo da dimenso x do cristal, tal que: Eo = dV/dx. Estudando-se
o anulamento das correntes no cristal PN definindo-se, por exemplo, que a densidade de corrente total de eltrons
livres nula no cristal, isto , fazendo Jn = 0 na equao (5.18), e empregando-se a relao de Einstein, tem-se que:
dn dV 1 Dn dn 1
J n (n e n ) Eo Dn e 0 Eo dV VT dn
dx dx n n dx n
Como a concentrao de portadores livres (majoritrios e minoritrios) uniforme em cada substrato, pode-se
ento integrar este resultado desde um ponto qualquer x1 no substrato P, de potencial V1 e concentrao n1 , at um
ponto qualquer x2 no substrato N, de potencial V2 e concentrao n2 (Figura 5.9-c), tal que resulta:
dn V2 n2 1 n
dV VT dV VT dn V2 V1 Vo VT n 2
n n n1
V1 n1
Como n1 a concentrao de eltrons livres no lado P, onde minoritrio, ento da equao (5.11) tem-se que:
n1 = nP ni2/NA . Como n2 a concentrao de eltrons livres no lado N, onde majoritrio, ento da equao (5.12)
tem-se que: n2 = nN ND . Assim, aplicando-se estas indentidades no resultado obtidoa acima, tem-se finalmente que:
n n N N
Vo VT n 2 VT n N VT n D 2 A (5.20)
n1 nP ni
cujo resultado expressa, portanto, uma medida do potencial Vo da barreira estabelecida no cristal PN isolado.
Similarmente, fazendo-se Jp = 0 na equao (5.17) e procedendo-se como anteriormente, obtm-se:
p N N
Vo VT n P VT n A 2 D
pN ni
que o mesmo resultado da equao (5.20), como teria de se esperar.
Exerccio 2: Calcular o valor da barreira de potencial Vo em um cristal PN de silcio a 300 K, considerando ambas as
regies P e N com dopagens uniformes iguais de 1 tomo de impureza para cada 108 tomos de silcio.
Soluo
Como visto no Exerccio 1, a dopagem de 1 tomo de impureza por 108 tomos de silcio produz a concentrao de
tomos doadores (substrato N) e aceitadores (substrato P) da ordem de 5 x 1014 tomos/cm3. Desse modo, tem-se
que: ND = NA = 5 x 1014 cm-3. Considerando ni = 1,5 x 1010 cm-3 (Tabela 5.1) na equao (5.20), tem-se ento:

N A ND T N A ND 300 5 1014 5 1014
Vo VT n n n Vo 0,54 V

1,5 1010 2

2 2
ni 11600 ni 11600

Este resultado coerente com o observado na prtica para valores de barreira de potencial de um cristal PN de
silcio, situado tipicamente entre 0,5 e 0,7 V. Para cristais PN de germnio, a barreira situa-se entre 0,2 e 0,3 V.
5.3.3) MODOS DE POLARIZAO DO CRISTAL PN
Como visto anteriormente, o cristal PN isolado apresenta uma situao de equilbrio de corrente causado pela
barreira de potencial da camada de depleo, que retardadora ocorrncia de uma corrente de majoritrios do lado P
para o lado N, mas acelerante ocorrncia de uma corrente de minoritrios do lado N para o lado P (Figura 5.9-b).
Contudo, a aplicao de uma tenso eltrica no cristal pode estabelecer um campo eltrico em seu interior de
modo a se opor ou favorecer o campo eltrico da barreira, o que causa uma perturbao no equilbrio de correntes ao
previlegiar um dos tipos e resulta em montantes distintos em cada sentido de corrente. Assim, a polaridade da tenso
aplicada determina comportamentos operativos diferentes e define os chamados modos de operao do cristal PN:
1) POLARIZAO DIRETA: um cristal PN encontra-se polarizado diretamente quando o potencial eltrico no
terminal do substrato P maior que o potencial no terminal do substrato N, tal como mostrado na Figura 5.10-a.
Como resultado, a ddp aplicada no cristal, chamada tenso direta, estabelece um campo eltrico Eapl no sentido
P N, ou seja, contrrio ao campo Eo da barreira (Figura 5.10-a) e, portanto, a favor da difuso dos majoritrios.
Desse modo, se a tenso direta for maior que o potencial Vo da barreira, ento o campo aplicado Eapl ser maior
que o campo Eo da barreira, o que causa um desequilbrio entre correntes estabelecido no crital PN isolado, com o
surgimento de uma corrente de portadores majoritrios no sentido P N, chamada corrente direta (Figura 5.10-a),
que caracteriza-se por ser utilizvel, visto o nmero de portadores livres disponvel (majoritrios) ser substancial.
Como quanto maior a tenso direta, maior o campo eltrico aplicado no cristal PN, ento maior a corrente
direta resultante. Contudo, a corrente direta limitada pelas resistncias dos substratos e da regio de depleo, e
apresenta um valor limite para o cristal PN no se danificar, denominado corrente direta mxima IF.
Como o fato de um portador majoritrio, ao atravessar a juno, se tornar minoritrio do outro lado, ento a
corrente direta constitui-se em cada substrato em um efeito denominado injeo de minoritrios.
67
A conduo eltrica no cristal PN pode ser tambm visualizada por um esquema de bandas de energia, onde o
desnvel de energia caracteriza a barreira de potencial (Figura 5.10-b). Neste caso, com a energia fornecida pelo
campo eltrico aplicado, os eltrons livres do lado N podem ento migrar para o lado P e percorrer este substrato
at o seu terminal, assim como eltrons de valncia vindos do lado N para o P resultam em um deslocamento de
lacunas no lado P para o N, que percorrem este substrato at o seu terminal (Figura 5.10-b). Alm disso, como os
eltrons livres injetados no lado P (injeo de minoritrios) podem se recombinar com lacunas neste substrato (e o
percorrer at o seu terminal como eltron de valncia), estas recombinaes implicam na emisso de energia na
forma de radiao (Figura 5.10-b), o que explorado nos chamados diodos emissores de luz, vistos no Captulo 6.
P N energia P N
Eapl
Eo Eapl
barreira de
BC potencial
(corrente de majoritrios) emisso de radiao

corrente direta VS BV
(a) (b)
Figura 5.10: Cristal PN no modo polarizao direta: (a) circuito de polarizao simplificado e corrente
direta (difuso de majoritrios); (b) representao do efeito conduo no cristal por bandas de energia.
1) POLARIZAO REVERSA: um cristal PN encontra-se polarizado reversamente quando o potencial eltrico no

terminal do substrato N maior que o potencial no terminal do substrato P, tal como mostrado na Figura 5.11-a.
Como resultado, a ddp aplicada, chamada tenso reversa, estabelece um campo Eapl no sentido N P, ou seja,
de mesmo sentido do campo Eo da barreira de potencial (Figura 5.11-a) e, portanto, a favor dos minoritrios. Neste
caso, verifica-se tambm um desequilbrio entre correntes, com o estabelecimento uma corrente no sentido N P
formada por minoritrios, chamada corrente de saturao reversa IS , que caracteriza-se por ser constante, devido
concentrao minoritrios ser limitada pela gerao trmica, e ter valor praticamente desprezvel, visto o nmero
de portadores de carga livres disponvel para constituir a corrente reversa (minoritrios) ser muito pequeno.
Alm disso, como os majoritrios no lado P (lacunas) so atrados pelo potencial negativo em seu terminal,
assim como os majoritrios do lado N (ltrons livres) so atrados pelo potencial positivo em seu terminal, tem-se
que a polarizao reversa resulta em um aumento da largura da camada de depleo (Figura 5.11-a), devido ao
desalojamento de ons prximos juno, bem como um aumento da barreira de potencial (Figura 5.11-b). Assim,
a camada de depleo e o potencial da barreira sero tanto maiores quanto maior for a tenso reversa aplicada.
A polarizao reversa, contudo, apresenta um limite para cristal PN no se danificar, chamado tenso de ruptura
BV (breakdown voltage), a partir do qual a corrente reversa aumenta intensamente devido a efeitos cumulativos,
resultando na chamada corrente de ruptura. Um dos efeitos de ruptura ocorre quando eltrons livres, ao penetrarem
na camada de depleo, colidem com tomos da rede cristalina, cedem energia para quebrar ligaes qumicas e
criam eltron livres adicionais que, ao serem tambm acelerados pelo campo, colidem com outros tomos, geram
eltrons adicionais, e assim sucessivamente, resultando num processo chamado multiplicao por avalanche. Outro
mecanismo consiste no chamado efeito Zener, onde prprio campo eltrico reverso aplicado poder extrair eltrons
de tomos da rede cristalina e ocasionar tambm uma elevada corrente reversa de ruptura no cristal.
P N P N
energia Eapl
Eapl Eo
barreira
BC de
potencial
(corrente de minoritrios)
BV
VS corrente reversa
(a) (b)
Figura 5.11: Cristal PN em polarizao reversa: (a) circuito de polarizao simplificado e corrente de
saturao reversa (conduo de minoritrios); (b) representao do efeito por bandas de energia.
Assim, a caracterstica eltrica essencial da juno PN sua ao praticamente unidirecional (conduz de P para
N; no conduz de N para P), o que resulta em um simples efeito chave liga-desliga. Este comportamento a base de
funcionamento de diversos dispositivos eletrnicos, tais como diodos e transistores, vistos nos captulos a seguir.
68
CAPTULO 6: DISPOSITIVOS A JUNO PN - I: DIODOS
Como mencionado, o princpio fundamental da Eletrnica, que o efeito controle de carga, pode ser obtido de
forma mais simples por meio do emprego de uma chave liga-desliga. Os componentes
emissor ou coletor ou
que executam este efeito so denominados diodos e seu desenvolvimento remonta aos catodo anodo
antigos dispositivos baseados no fenmeno da emisso terminica, chamados diodos e
a vcuo (Figura 6.1), at o atual predomnio dos dispositivos a semicondutor.
Como visto no Captulo 5, um cristal PN apresenta a capacidade de conduzir
correntes eltricas utilizveis quando em polarizao direta (formada por majoritrios)
e de conduzir uma corrente desprezvel quando em polarizao reversa (formada por calor vcuo
minoritrios), se comportando ento como uma chave liga-desliga. Assim, o prprio K A
cristal PN constitui-se em um dispositivo eletrnico chamado diodo de juno bipolar,
Figura 6.1: Diodo a vcuo.
ou simplesmente diodo, que largamente empregado em diversos tipos de circuitos.
Este captulo tem o objetivo de fazer um breve estudo dos diodos ditos de finalidade geral, alm de outros tipos.
6.1) ASPECTOS GERAIS
Diodos de juno bipolar so dispositivos eltricos constitudos por um simples cristal PN, com substratos de
dopagem uniforme e respectivos terminais. So componentes ditos no controlveis, no sentido de que sua corrente
no pode ser ajustada a qualquer tempo, ditos no-lineares, no sentido de que o efeito chave liga-desliga do cristal PN
pode deformar um sinal a ele aplicado, e ditos polarizados, no sentido de que o cristal PN tem comportamento distinto
em polarizao direta e reversa. Este efeito chave, denominado caracterstica retificadora, possibilita o emprego dos
diodos em diversos circuitos eletrnicos, tais como os chamados retificadores, ceifadores, multiplicadores de tenso,
grampeadores e reguladores de tenso, bem como para a proteo de componentes, bloqueio de sinais e rudos, etc.
6.1.1) SMBOLOS, CONVENES E ESPECIFICAES MXIMAS
Os smbolos esquemticos do diodo de juno bipolar apresentam o formato de uma seta (Figura 6.2-a), que
indica explicitamente o sentido convencional da conduo de uma corrente direta no diodo (P N). Similar ao diodo
a vcuo, o substrato N do cristal PN do diodo semicondutor chamado catodo (K), por contribuir com eltrons para a
formao da corrente direta, e o substrato P chamado anodo (A), por receber estes eltrons (Figura 6.2-b). Tais
notaes podem ser acrescentadas ao smbolo do diodo como indicativo dos terminais dos substratos (Figura 6.2-c).
Alm disso, como o diodo um dispositivo polarizado, ou seja, a conexo de seus terminais em um circuito no
pode ser invertida, conveniente adotar uma conveno para a corrente, chamada ID, e a tenso entre seus terminais,
chamada VD , que so usualmente os sentidos da corrente e da tenso em polarizao direta (Figura 6.2-c). Logo, em
polarizao reversa, ID e VD assumem valores negativos. Assim, a potncia PD dissipada no diodo pode ser obtida por:
PD VD I D (6.1)
Supondo VA o potencial eltrico no terminal anodo e VK o potencial no terminal catodo do diodo (Figura 6.2-c),
ento a tenso VD entre os terminais do diodo em qualquer polarizao pode ser determinada por: VD = VA VK.
Os materiais empregados em sua fabricao so basicamente o silcio (exemplos de cdigos: 1N4148, 1N914 e
srie 1N4000) e o germnio (exemplos: AA119, 1N60 e OA90), e apresentam diversos formatos e capacidades de
dissipao (Figura 6.2-d e Figura 6.2-e), podendo apresentar uma faixa em uma das extremidade para indicar o
terminal catodo (Figura 6.2-d) ou ainda a impresso do prprio smbolo como indicativo dos terminais (Figura 6.2-e).
anodo catodo
A K
P N P N faixa
indicativa
(b) do catodo
ID
A K
VA VK
VD
(a) (c) (d) (e)
Figura 6.2: Diodo semicondutor: (a) smbolos esquemticos, (b) constituio e nomenclaturas; (c) convenes de
variveis; aparncias diversas: (d) diodos retificadores de pequeno sinal, (e) diodos retificadores de potncia.
69
CAPTULO 6: Dispositivos a juno PN I: diodos
Como qualquer componente eltrico, os diodos no podem ter seus limites de tenso e corrente ultrapassados
para no causar danos permanentes e faz-los se comportar como um curto ou circuito aberto. Logo, como visto no
Captulo 5, um cristal PN, e por conseguinte um diodo, apresenta basicamente duas especificaes mximas:
1) Corrente direta mxima (IF): a mxima corrente suportada pelo diodo em polarizao direta, podendo esta ser
especificada como potncia mxima. As folhas de dados dos fabricantes (chamados data sheets) definem duas
classes de diodos: grandes sinais (> 0,5 W) e pequenos sinais ( 0,5 W). Logo, circuitos com diodos devem sempre
prover condies para que no sejam ultrapassados os limites de corrente ou potncia dos diodos (colocando, por
exemplo, resistores em srie). Exemplos: 1N914 (potncia mxima = 250 mW); srie 1N4000 (IF = 1,0 A).
2) Tenso de ruptura (BV): a tenso mxima suportada pelo diodo em polarizao reversa (exceo: diodo zener,
visto mais adiante). As folhas de dados fornecidos pelos fabricantes apresentam vrias nomenclaturas para a tenso
de ruptura, tais como: PIV, PRV, VRM , VRWM , V(BR). Exemplos: 1N4001 (BV = 50 V), 1N4004 (BV = 400 V).
6.1.2) CARACTERSTICA CORRENTE-TENSO E MODOS DE OPERAO
Tenso e corrente so grandezas facilmente mensurveis nos terminais de qualquer componente eltrico. Desse
modo, uma forma de se conhecer o princpio de funcionamento de um dispositivo reside no levantamento da chamada
caracterstica corrente-tenso (ou tenso-corrente), tambm chamada caracterstica I-V, que expressa de forma grfica
o comportamento da corrente eltrica conduzida pelo dispositivo, em funo da tenso aplicada em seus terminais.
Assim, considerando as convenes adotadas para corrente e tenso no diodo (Figura 6.2-b), o 1 quadrante da
caracterstica I-V do diodo refere-se ao seu comportamento em polarizao direta (VD e ID positivos), e o 3 quadrante
(VD e ID negativos) refere-se ao seu comportamento em polarizao reversa (Figura 6.3-a). A Figura 6.3-b mostra
ento a caracterstica I-V tpificada para um diodo de juno comum, normalmente levantada experimentalmente.
O grfico da caracterstica I-V do diodo representa ento o comportamento do cristal PN polarizado, visto no
Captulo 5. Em polarizao direta, a corrente direta no diodo se inicia com tenses aplicadas superiores ao da barreira
de potencial do cristal PN, o que pode ser expresso por um valor limite V chamado tenso de limiar, acima da qual
considera-se que o diodo conduz efetivamente, at o limite mximo IF ser atingido (Figura 6.3-b). Em polarizao
reversa verifica-se que o diodo conduz uma corrente praticamente desprezvel, definida no Captulo 5 como corrente
de saturao reversa IS , at que o limite de tenso de ruptura BV do diodo seja atingido (Figura 6.3-b).
Assim, com base na caracterstica I-V, pode-se definir dois modos de operao para o diodo (Figura 6.3-b):
1) Modo conduo: consiste na operao do diodo na chamada regio de conduo da caracterstica (Figura 6.3-b),
correspondente ao comportamento quando a tenso aplicada superior ao limiar, ou seja, VD > V. Nesta regio
observa-se que a corrente direta no diodo apresenta uma certa inrcia inicial, devido ao retardo dos majoritrios em
reagir ao campo eltrico aplicado, e passa a aumentar intensamente at o valor mximo IF ser atingido, resultando
ento em um comportamento no linear (na verdade, exponencial) para a corrente (Figura 6.3-b).
2) Modo corte ou bloqueio: consiste na operao do diodo na chamada regio de corte ou bloqueio da caracterstica
(Figura 6.3-b), quando uma tenso reversa aplicada at o limiar de ruptura, ou mesmo uma tenso direta igual ou
inferior ao limiar V, ou seja, BV < VD V, onde a corrente no diodo se resume de saturao reversa IS.
Visto que as tenses e correntes direta e reversa distinguem entre si por vrias ordens de grandeza, freqente a
utilizao de escalas distintas para representar a caracterstica I-V, como exemplificado na Figura 6.3-c. Alm disso,
sendo os materiais semicondutores, como estudado, dependentes da energia trmica ambiente, as caractersticas I-V
dos diodos so normalmente levantadas experimentalmente para uma determinada temperatura de referncia.
ID ID
ID (A)
P N IF
IS
polarizao 1,0
direta
VD > 0 , ID > 0 0,5
-BV
0 -100 -20 -10
VD 0 V VD
P N 0 0,5
regio de IS VD (V)
polarizao corte ou regio de 10 nA
reversa bloqueio conduo
VD < 0 , ID < 0
(a) (b) (c)
Figura 6.3: Caracterstica corrente-tenso de um diodo de juno: (a) definio dos quadrantes de polarizao,
(b) comportamento e definio das regies de operao; (c) exemplificao das ordens de grandeza nos eixos.
Uma propriedade prtica do cristal PN reside no fato da juno se relacionar com grandezas acessveis em seus
terminais. Assim, o comportamento da caracterstica I-V do diodo nas regies de conduo e corte pode ser expresso
pela chamada equao de Shockley, que relaciona a tenso VD e corrente ID em seus terminais, e definida por:
70
VD
I D I S e T 1
V
(6.2)
onde a corrente de saturao IS empregada como fator de escala, VT (V) o potencial termodinmico (VT = T/11600)
e o termo um fator admensional dependente do semicondutor, empregado como ajuste para o comportamento
exponencial da regio de conduo. Para o silcio, adotado prximo de 2 quando deseja-se uma especificao mais
suave para o comportamento exponencial, e se aproxima de 1 para comportamentos exponenciais mais acentuados.
Alm disso, a avaliao de alguns parmetros presentes na equao de Shockley demonstra que:
1) No modo conduo, onde VD >> VT , tem-se que: exp(VD /VT) >> 1. Nesse caso, a equao (6.2) se resume a:
VD
V
ID IS e T (6.3)
ou seja, a corrente direta varia exponencialmente com a tenso aplicada quando em conduo (Figura 6.3-b).
2) No modo corte, onde VD < 0 e |VD| >> VT , tem-se que: exp(VD /VT) << 1 e a equao (6.2) se resume a: ID = IS ,
isto , a corrente no diodo se resume ao valor de saturao reversa, de sentido contrrio ao da corrente direta.
Como mencionado, a temperatura influencia na caracterstica corrente-tenso do diodo e a equao (6.2), que
traduz esta caracterstica, apresenta duas grandezas dependentes da temperatura: VT e IS . A equao para VT exprime
por si sua relao funcional com a temperatura. Em relao corrente de saturao, dados experimentais mostram que
IS aumenta 7 % para cada aumento de 1 C na temperatura do diodo. Logo, para um aumento de 10 C, IS aumenta em
(1,07)10, cujo resultado aproximadamente 2. Conclui-se ento que IS duplica com qualquer elevao de temperatura
igual a 10 C. Assim, conhecida a corrente IS temperatura To , pode-se determinar IS a qualquer temperatura T por:
T To
I S (T ) I S (To ) 2 10 (6.4)
Do exposto observa-se ento que a corrente no diodo aumenta com a temperatura e
ID T3 > T2 > T1
conclui-se que a tenso necessria para um diodo conduzir a mesma corrente direta diminui
com o aumento da temperatura (figura ao lado). Neste caso, para cada aumento de 1 oC na
temperatura, tem-se tipicamente uma queda na tenso direta da ordem de 2,5 mV/oC. Assim,
a tenso VD(T) aplicada em um diodo uma temperatura qualquer T, necessria para que este
conduza a mesma corrente verificada quando o mesmo submetido a uma tenso VD (To)
VD
temperatura de referncia To , pode ser determinado com base na equao:
VD (T ) VD (To ) 0,0025 (T To ) (6.5)
o
Diodos de silcio apresentam temperatura mxima de trabalho em torno de 150 C e os de germnio em torno
de 100 oC, o que representa uma justificativa para o predomnio dos diodos de silcio em relao aos de germnio.
Exerccio 1: Determine a variao de tenso aplicada em um diodo de silcio em conduo a 300 K, necessria para
que a corrente direta aumente 10 vezes. Considere o parmetro de ajuste exponencial () tendendo aos seus extremos.
Soluo
Com visto na equao (6.3), o diodo exibe um comportamento exponencial quando em modo conduo. Logo,
considerando-se dois pontos quaisquer de sua caracterstica (figura ao lado), tem-se: ID
VD1 VD 2 ID2 2
VT VT
ponto 1: I D1 I S e ; ponto 2 : I D 2 I S e
Como o aumento de corrente deve ser 10 vezes maior ento: ID2 = 10 ID1. Logo: ID1 1 VD
VD 2 VD1 VD 2 VD1
VT VT VT VD1 VD2
I D 2 10 I D1 IS e 10 I S e e 10
ID 2
VD 2 VD1 1
n(10) VD 2 VD1 VT n(10)
VT ID2
300
VD 21 n(10) VD 21 0,06
11600 ID1
Logo, para um comportamento exponencial mais suave ( 2, figura ao lado), VD
VD21 VD21
necessria uma variao de tenso de VD21 = 0,12 V para aumentar em 10 vezes a
corrente, e para um comportamento mais acentuado ( 1, figura ao lado), apenas VD21 = 0,06 V. Assim, diodos
em conduo com exponenciais mais acentuadas necessitam de menor alterao na tenso para variar sua corrente.
6.2) ANLISE DE CIRCUITOS COM DIODOS

A teoria de Circuitos Eltricos constitui-se na principal ferramenta de clculo de circuitos e seus fundamentos
baseiam-se no pressuposto que de que todos os componentes do circuito so lineares (aqueles em que a aplicao de
uma tenso senoidal resulta em corrente tambm senoidal). Para o emprego desta teoria, o funcionamento real dos
componentes de um circuito usualmente representado por meio de esquemas eltricos de comportamento linear,
71
chamados modelos, que so obtidos por meio da combinao de cinco componentes eltricos bsicos lineares ideais:
resistor, capacitor, indutor, fonte de tenso e fonte de corrente. A aplicao de modelos esquemticos podem produzir
resultados pouco precisos, mas que so teis como avaliao qualitativa do funcionamento do circuito em estudo.
Circuitos de corrente contnua com diodos podem ser calculados com o auxlio da caracterstica I-V dos diodos
e do conceito de reta de carga, cujos resultados so mais precisos por considerar o comportamento real dos diodos.
Para o caso de clculo de circuitos com diodos sem o auxlio de caractersticas I-V, pode-se empregar modelos
esquemticos lineares que representam um funcionamento aproximado do comportamento no linear dos diodos.
Como o diodo tem modos de operao distintos, estes modelos so normalmente baseados na linearizao por partes
da caracterstica I-V e so classificados em dois tipos: grandes sinais e pequenos sinais e altas freqncias.
Os modos de operao distintos dos diodos implicam tambm na necessidade de se fazer suposies sobre seu
funcionamento e na aplicao de regras para avaliar estas suposies. Alm disso, o tipo de fonte de tenso no circuito
determina como o ponto de operao dos diodos se altera no tempo, o que resulta em dois mtodos de anlise:
Anlise CC: mtodo usado em circuitos de corrente contnua, isto , onde todas as fontes de tenso so contnuas
no tempo (CC). Neste caso, cada diodo estar necessariamente funcionando em apenas um modo de operao.
Anlise CA: mtodo empregado para o caso em que ao menos uma das fontes de tenso do circuito for variante no
tempo (por exemplo, CA). Neste caso, cada diodo presente poder funcionar em mais de um modo de operao.
Estes aspectos de mtodos e modelos de anlise de circuitos com diodos so discutidos nos itens a seguir.
6.2.1) CONCEITO DE RETA DE CARGA
Como mencionado, circuitos CC com diodos podem ser calculados com o emprego das caractersticas I-V dos
diodos, dados pelo fabricante por meio de seus catlogos de especificaes de produtos (data sheets). Neste caso, o
ponto de operao de um diodo determinado por meio de mtodo grfico com auxlio de uma equao obtida do
circuito que expressa a relao matemtica entre a corrente ID e a tenso VD do diodo, chamada reta de carga.
Assim, seja como exemplo o circuito da Figura 6.4-a, onde uma fonte de tenso CC de valor VS alimenta um
resistor limitador de corrente R e um diodo de juno D. Como o diodo est polarizado diretamente pela fonte VS , sua
caracterstica I-V nesta regio apresentada na Figura 6.4-b. Sejam VD e ID , respectivamente, a tenso e a corrente no
diodo. Aplicando a Lei de Kirchoff das Tenses (LKT) no circuito, a expresso matemtica de ID ser dada por:
V VD
VS R I D VD 0 ID S
R
Considerando-se ID e VD como as variveis da equao obtida, observa-se que a relao entre ambas linear, o
que define ento a linha ou reta de carga do diodo. Neste caso, como ID e VD so tambm as variveis dos eixos da
caracterstica I-V do diodo, pode-se desenhar a reta de carga no grfico da caracterstica I-V, tal como mostrado na
Figura 6.4-b. Como a reta de carga do diodo contempla o comportamento do circuito e a caracterstica I-V representa
o funcionamento do diodo, ento ambas tem que ser satisfeitas simultneamente. Logo, o ponto Q de interseco entre
os grficos, chamado ponto de operao, funcionamento ou repouso, o nico que satisfaz estas exigncias e define
assim a corrente e a tenso no diodo, dadas respectivamente pelos valores IDQ e VDQ obtidos no grfico (Figura 6.4-b).
Analisando a Figura 6.4-b pode-se observar que a inclinao da reta de carga e suas interseces com os eixos
dependem apenas de VS e R, significando que o ponto de operao pode sofrer mudanas se houver alteraes nestes
parmetros. Estas variaes esto representadas na Figura 6.4-c, onde nota-se que o aumento de VS resulta em retas de
carga paralelas, pois ID aumenta com VS , e na Figura 6.4-d nota-se que um aumento de R resulta na reduo de ID.
ID ID ID
reta de carga VS3 /R VS /R1 R3 > R 2 > R 1
VS3 > VS2 > VS1
R VS VS2 /R VS /R2
R Q3 Q2
ID Q1
VS VD Q ponto de VS1 /R VS /R3
IDQ Q2
operao VD Q3 VD
Q1
0 VDQ VS VD 0 VS1 VS2 VS3 0 VS
(a) (b) (c) (d)
Figura 6.4: (a) Circuito simples com diodo; (b) 1 quadrante da caracterstica I-V do diodo, reta de carga e ponto de
operao Q; mudana do ponto de operao do diodo considerando as situaes: (c) VS variando, (d) R variando.
Exerccio 2: Para o circuito e segmento de polarizao direta da caracterstica I-V do diodo dados a seguir, pede-se:
a) Considere VS = 10 V e determine a potncia consumida no diodo e a potncia fornecida pela fonte VS.
b) Considere VS = 2 V e determine a potncia consumida no diodo.
c) Supondo que o resistor de 4 seja retirado do circuito (ou curto-circuitado), determine o valor da fonte VS para que
o ponto de operao do diodo seja o mesmo ponto de operao obtido no clculo do item a).
72
ID (mA)
200
(a) 150 Q1
140 reta a
20 I1 I2 4
100
5 ID VD
VS
(A) (B) 50 reta b
Q2
0
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VD (V)
0,88
Soluo
a) Para o clculo das potncias, necessrio antes determinar a distribuio de correntes e tenses no circuito. Logo:
Aplicando a Lei de Kirchoff das Correntes (LKC) no n (a), obtm-se: I1 = I2 + ID (1)
Para VS = 10 V, aplicando LKT na malha (A) do circuito e empregando o resultado obtido em (1), tm-se:
10 20 I1 5 I 2 0 10 20 I 2 I D 5 I 2 0 I 2 0,4 0,8 I D (2)
Aplicando LKT na malha (B) do circuito e empregando o resultado obtido em (2), tem-se:
5 I 2 4 I D VD 0 5 0,4 0,8 I D 4 I D VD 0 I D 0,25 0,125 VD (3)
A equao (3) apresenta uma relao linear entre ID e VD e constitui-se ento na reta de carga do diodo. Como
uma reta pode ser traada se conhecido pelo menos dois pontos pertencentes mesma, tem-se:
para: VD = 0,4 V ID = 0,2 A = 200 mA ; para: VD = 1,2 V ID = 0,1 A = 100 mA
Com estes dois pontos pode-se ento traar a reta de carga na caracterstica I-V do diodo (reta a na figura) e,
na interseco destas, obtm-se o ponto de operao (Q1) do diodo: VDQ = 0,88 V e IDQ = 140 mA = 0,14 A
Logo, da equao (2), tem-se: I 2 0,4 0,8 I DQ 0,4 0,8 0,14 I 2 0,288 A
E da equo (1), tem-se: I1 I 2 I DQ 0,288 0,14 I1 0,428 A
Assim, tem-se: PD VDQ I DQ 0,88 0,14 0,123 W , Pfonte VS I1 10 0,428 4,28 W
b) Para VS = 2 V e procedendo-se como no item a), obtm-se a reta de carga ID = 0,05 0,125 VD (reta b) e o ponto
de operao Q2: VDQ = 0,4 V e IDQ = 0 A. Logo, PD = 0 W pois conclui-se que o diodo se encontra no modo corte.
c) Com a incgnita VS , o resistor de 4 substitudo por um curto e considerando-se VD = 0,88 V e ID = 0,14 A (ponto
(a) de operao do diodo obtido no item a), tem-se (circuito ao lado):
Aplicando LKT na malha (A) do circuito, obtm-se:
20 I1 0,14 A 5 I 2 0,88 0 I 2 0,176 A (1)
I2
0,88 V Aplicando LKC no n (a) e com o resultado (1), obtem-se:
VS 5 I1 I 2 I D 0,176 0,14 I1 0,316 A (2)
(A) Aplicando LKT na malha externa e usando o resultado (2), tem-se:
VS 20 I1 0,88 0 VS 20 0,316 0,88 VS 7, 2 V
6.2.2) MODELOS DO DIODO PARA GRANDES SINAIS E BAIXAS FREQUNCIAS
Os chamados modelos do diodo para grandes sinais e baixas frequncias baseiam-se na linearizao por partes
da caracterstica I-V do diodo. Os modos de operao do diodo so aproximados por segmentos de reta e seu compor-
tamento traduzido por componentes eltricos lineares e ideais, obtendo-se basicamente trs modelos (Figura 6.5):
1) Modelos do diodo no modo corte: como os montantes de corrente dos diodos no modo corte so desprezveis, a
linearizao desta regio se resume a uma reta correspondente condio de corrente nula. Logo, o modelo do
diodo no modo corte corresponde a uma chave aberta com uma tenso VD qualquer acessvel em seus terminais
(Figura 6.5), sendo os limites de VD dependente do modelo para o modo conduo adotado, vistos a seguir.
2) Modelos do diodo no modo conduo: o modelo adotado para o diodo quando operando em conduo depende
dos montantes de tenso aplicados ao circuito e da preciso exigida nos resultados da anlise. A linearizao da
regio de conduo da caracterstica I-V do diodo resulta basicamente em 3 alternativas de modelos esquemticos:
2.1) Aproximado do real: este modelo baseia-se na maior aproximao possvel do modo conduo do diodo, ao
empregar um segmento de reta para considerar os efeitos da tenso de limiar e do comportamento exponencial
da regio de conduo (Figura 6.5-a). Esta reta ento traduzida por uma fonte de tenso CC representando o
valor de limiar V , em srie com uma resistncia Rf de valor igual ao inverso da declividade da reta (tg ).
Neste caso, observa-se que a corrente ID no diodo pode assumir qualquer valor positivo quando em conduo,
isto , ID > 0, e a tenso VD em seus terminais pode assumir qualquer valor igual ou menor que o de limiar
quando em corte, isto , VD V. Logo, a tenso VD ser dada por: VD = V + Rf ID , que reside na equao do
73
segmento de reta que lineariza a regio de conduo. Este modelo pode ser empregado quando as quedas de
tenso no diodo so comparveis aos montantes de tenso aplicados ao circuito e so exigidos resultados mais
precisos com a aplicao de um modelo mais completo para expressar o comportamento real do diodo.
2.2) Aproximado do real simplificado: este modelo reside em uma simplificao do modelo aproximado do real,
ao considerar apenas uma tenso nos terminais do diodo igual a um valor de limiar V tpico em um ponto
mdio da regio de conduo (Figura 6.5-b). Neste caso, como a declividade do segmento de reta infinita, o
resistor srie Rf do modelo aproximado do real assume o valor nulo (tg Rf = 1/tg = 0 ) e o
modelo se resume a uma fonte CC representando o valor de limiar V tpico (Figura 6.5-b). Contudo, pode-se
observar que as condies de operao permanecem as mesmas, isto , a corrente ID no diodo pode assumir
qualquer valor positivo (ID > 0) quando em conduo, e a tenso assumir qualquer valor menor ou igual ao de
limiar quando em corte (VD V). Semelhante ao modelo aproximado do real, este modelo empregado
quando as quedas de tenso no diodo so comparveis aos montantes de tenso aplicados ao circuito.
2.3) Diodo ideal: este modelo expressa o comportamento de uma chave liga-desliga ideal, no sentido de que este
age como um curto-circuito (chave fechada) quando em conduo, e como um circuito aberto (chave aberta)
quando em corte (Figura 6.5-c). Logo, a corrente ID no diodo pode assumir qualquer valor positivo (ID > 0)
quando em conduo, e a tenso VD assumir qualquer valor negativo (VD 0) quando em corte. O modelo do
diodo ideal pode ser empregado quando as quedas de tenso no diodo so desprezveis perante aos montantes
de tenso aplicados, alm de propiciar uma compreenso inicial do funcionamento do circuito, porque no
preciso considerar os efeitos da tenso de limiar e do comportamento exponencial da regio de conduo.
ID A
ID ID
A
A V A A A
ID V ID
VD Rf VD VD ID
K
K K K K
K
Rf
1
0 V VD tg 0 V VD 0 V VD
(a) (b) (c)
Figura 6.5: Modelos do diodo: (a) aproximado do real; (b) aproximado do real simplificado; (c) diodo ideal.
6.2.3) ANLISE CC
Fontes de tenso contnuas caracterizam-se por apresentar um valor constante ao longo do tempo. Logo, em
circuitos eltricos onde todas as fontes de tenso so do tipo contnuas, chamados circuitos CC, as quedas de tenso e
fluxos de correntes nos componentes do circuito em regime permanente tambm so constantes no tempo.
Logo, na anlise de circuitos CC com diodos conclui-se que cada diodo estar operando em um nico ponto de
operao constante no tempo, ou seja, cada diodo estar funcionando em apenas um modo de operao (conduo ou
corte). Contudo, em uma verificao inicial do esquema eltrico do circuito, pode ocorrer que os modos de operao
dos diodos no estejam claramente identificveis, sendo necessrio descobrir em qual modo de operao cada diodo
se encontra. Este problema acarreta ento na necessidade de se fazer suposies sobre o modo de operao de cada
diodo e de se testar a veracidade destas suposies (a chamada prova) com base em regras pr-estabelecidas.
Assim, a tcnica geral de anlise de circuitos CC com diodos baseia-se em um mtodo de suposio e prova, na
qual deve-se admitir uma hiptese sobre o estado de cada diodo e testar se a mesma verdadeira ou falsa, at que se
encontre a suposio verdadeira, onde os resultados da anlise do circuito devero fornecer esta indicao.
A anlise CC de circuitos com diodos consiste basicamente nas seguintes etapas (fluxograma na Figura 6.6):
1) Inicialmente, identifica-se o nmero de suposies gerais possveis caso tenha-se mais de um diodo presente no
circuito. Estas suposies gerais so compostas por hipteses parciais admitidas para cada diodo individualmente.
Como cada diodo poder funcionar em dois modos de operao (conduo ou corte), tem-se ento que o nmero
total de suposies gerais ser determinado por 2n, onde n o nmero de diodos presentes no circuito.
2) Preliminar aos clculos do circuito propriamente, conveniente antes realizar uma anlise da disposio dos diodos
e demais componentes do circuito para se descobrir, dentre as suposies gerais existentes, quais so as realmente
possveis, o que elimina clculos desnecessrios com hipteses improvveis. O mtodo de anlise CC de circuitos
com diodos se limitar ento em determinar qual das suposies gerais restantes (possveis) a verdadeira.
3) Para uma dada suposio geral possvel e de acordo com a preciso exigida nos clculos, substitui-se cada diodo
pelo seu modelo esquemtico correspondente (Figura 6.5). Com a aplicao dos modelos esquemticos para os
diodos, o circuito torna-se linear e pode-se ento proceder com os clculos pela teoria de Circuitos Eltricos.
Assim, de acordo com a suposio geral feita, bem como o modelo do diodo adotado (ideal ou aproximados) e
as condies de operao verificadas na definio dos modelos do diodo vistas no item 6.2.2, observa-se que:
74
3.1) A hiptese do diodo se encontrar em conduo ser verdadeira se ID > 0. Desse modo, se a corrente no diodo
for nula ou negativa (ID 0) a hiptese ser falsa e deve-se ento testar outras suposies gerais possveis.
3.2) A hiptese do diodo estar no corte ou bloqueio ser verdadeira se VD 0 para o diodo considerado ideal, ou
VD V se adotado um dos modelos aproximados do real. Desse modo, se VD > 0 (diodo ideal) ou VD > V
(modelos aproximados), a hiptese ser falsa e deve-se ento testar outras suposies gerais possveis.
3.3) Deve-se observar que uma suposio geral verdadeira somente se todas as hipteses parciais que a compem
so verdadeiras. Logo, se um resultado comprovar que determinada hiptese parcial falsa, ento a hiptese
geral falsa e pode-se interromper os clculos desta hiptese para testar outras suposies gerais possveis.
4) O processo de suposio e prova da anlise CC se encerra ento quando a suposio geral verdadeira encontrada
e, com a identificao do funcionamento dos diodos, pode-se por fim determinar os demais clculos do circuito.
Analise preliminar Fazer uma hiptese Clculos: Hiptese sim Demais

(hipteses possveis dentre as possveis anlise de verdadeira?
clculos
para os diodos) e aplicar modelos circuitos (prova)
no
Figura 6.6: Fluxograma sucinto do mtodo de suposio e prova da anlise CC de circuitos contendo diodos.
Exerccio 3: Para o circuito e caracterstica corrente-tenso linearizada dos diodos empregados, fornecidos a seguir,
determine o valor da tenso de sada Vo do circuito para os seguintes casos de fontes de tenso de entrada V1 e V2:
(a) V1 = V2 = 5 V ; (b) V1 = V2 = 0 V ; (c) V1 = 0 V e V2 = 5 V
+5V
modo corte modo conduo
ID A ID A
4,7 k
300 D1 VD ID
0,7 V
+V1 Vo K
K
300 D2 0 0,7 VD (V) 0

+V2 0,7 VD (V)
Soluo
O esquema mostrado acima e esquerda bastante utilizado para tornar mais simples a representao de um
circuito. No caso, as fontes V1 , V2 e 5 V representam potenciais em relao uma referncia implcita de 0 V.
Como as fontes so contnuas, ento a resoluo do problema consiste na anlise CC. Alm disso, baseado na
caracterstica I-V linearizada, pode-se obter os modelos em conduo e corte dos diodos, mostrados na figura acima.
O circuito apresenta dois diodos comuns (n = 2) e, portanto, existem 2n = 22 = 4 suposies gerais: D1 e D2 em
conduo; D1 em conduo e D2 no corte; D1 no corte e D2 em conduo; e D1 e D2 no corte. Adicionalmente, pode-se
observar que, se as fontes V1 e V2 apresentarem o mesmo valor de tenso, ento os ramos do circuito com diodos sero
eletricamente iguais e conclui-se que os diodos estaro funcionando necessariamente no mesmo modo de operao.
(a) V1 = V2 = 5,0 V :
Com base na anlise preliminar, sendo ambas as fontes V1 e V2 iguais, ento os diodos tem modos de operao
iguais. Assim, conclui-se que h 2 hipteses gerais possveis: D1 e D2 em conduo, e D1 e D2 no corte. Testes:
I = 2 ID1 ID1 ID2 Vo I=0 ID1 = 0 ID2 = 0 Vo

A A A A
4,7 k 0,7 V 0,7 V 4,7 k VD1 VD2
K K K K
1 300 300 1 300 300
5V 5V
5V 5V 5V 5V
(a) (b)
Suposio geral 1: D1 e D2 em conduo
Substituindo-se o modelo fornecido dos diodos em conduo, obtm-se o circuito da figura (a). Como os
ramos com diodos so iguais, ento pode-se definir que: ID1 = ID2 e a corrente I pode ser dada por: I = 2 ID1.
Aplicando LKT (Lei de Kirchoff das Tenses) na malha 1, tem-se:
5 4700 2 I D1 0,7 300 I D1 5 0 I D1 72 A 0
75
Como ID1 = ID2 < 0 ento, de acordo com regra 3.1), esta hiptese geral falsa. Desse modo, deve-se
prosseguir com o mtodo da anlise CC e testar outras hipteses gerais possveis.
Suposio geral 2: D1 e D2 no corte
Substituindo-se o modelo fornecido dos diodos no corte, obtm-se o circuito da figura (b). Similarmente,
como os ramos com diodos so iguais, pode-se definir ento que: VD1 = VD2 .
Aplicando LKT na malha 1, tem-se que: 5 VD1 5 0 VD1 0 V 0,7 V
Como VD1 = VD2 < 0,7 V, tem-se ento que, de acordo com regra 3.2), ambas as hipteses parciais so
verdadeiras e, portanto, a suposio geral verdadeira. Assim, aplicando LKT na malha externa, tem-se:
5 Vo = 0 Vo = 5 V
(b) V1 = V2 = 0 V :
Similarmente, com V1 e V2 iguais, os diodos esto no mesmo modo de operao: D1 e D2 em conduo, e D1
e D2 no corte. Contudo, como no h aplicao de tenso no lado do catodo dos diodos (V1 = V2 = 0 V), pode-se
deduzir que a fonte fixa de 5 V suficiente para fazer os diodos D1 e D2 conduzir por ser maior que os seus
limiares (0,7 V). Logo, a suposio geral D1 e D2 em conduo aparenta ser a hiptese verdadeira. Teste:
Suposio geral: D1 e D2 em conduo
Substituindo-se os diodos pelos modelos em conduo I = 2 ID1 ID1 ID2 Vo
obtm-se o esquema de circuito ao lado (lembrar que fonte A A
4,7 k
de tenso nula modelada como curto-circuito). Novamente, 0,7 V 0,7 V
como os ramos com diodos so iguais, tem-se que: ID1 = ID2 1 K K
e, desse modo, a corrente I pode ser definida por: I = 2 ID1.
Assim, aplicando LKT na malha 1, tem-se: 300 300
5V
5 4700 2 I D1 0,7 300 I D1 0
I D1 I D 2 0, 44 mA 0
Como ID1 = ID2 > 0 ento, de acordo com regra 3.1), pode-se concluir que ambas as hipteses parciais so
verdadeiras e, portanto, a suposio geral verdadeira. Aplicando-se LKT na malha externa, tem-se ento:
5 4700 2I D1 Vo 0 Vo 5 4700 2 0,44 103 Vo 0,86 V
(c) V1 = 0 V e V2 = 5 V :
Com V1 = 0 V ento, de acordo com a suposio verdadeira encontrada no item (b), pode-se presumir que o
diodo D1 est provavelmente operando no modo conduo. Similarmente, com V2 = 5 V ento, de acordo com a
suposio verdadeira obtida no caso (a), pode-se presumir que o diodo D2 est provavelmente no corte. Teste:
Suposio geral: D1 em conduo e D2 no corte
Substituindo-se o modelo do diodo D1 em conduo e do diodo D2 no corte, obtm-se o circuito abaixo.
Neste caso, tem-se que ID2 = 0 e, portanto, I = ID1.
Aplicando LKT na malha 1, tem-se: I = ID1 ID1 ID2 = 0 Vo
A A
5 4700 I D1 0,7 300 I D1 0
4,7 k VD2
I D1 0,86 mA 0 0,7 V
K K
Aplicando LKT na malha 2, tem-se: 1 2
300 I D1 0,7 VD 2 5 0 300
300
VD 2 300 0,86 103 0,7 5
5V
VD 2 4,04 V 0,7 V 5V
Como ID1 > 0 ento, de acordo com a regra 3.1), a hiptese parcial D1 em conduo verdadeira. Alm
disso, sendo VD2 < 0,7 V ento, com base na regra 3.2), a hiptese parcial D2 no corte tambm verdadeira.
Logo, a suposio geral verdadeira. Assim, aplicando LKT na malha externa, tem-se:
5 4700 I D1 Vo 0 Vo 5 4700 0,86 103 Vo 0,96 V
Obs: o comportamento deste circuito lembra o da porta lgica AND: se as entradas V1 e V2 so altas (5 V), a sada
ser alta (5 V - item a), e se ao menos uma for baixa (0 V), a sada ser baixa (0,86 V - item b; 0,96 V - item c).
6.2.4) ANLISE CA
Fontes de tenso variveis, tambm chamadas sinais, caracterizam-se por apresentar alteraes em seu valor ao
longo do tempo, podendo conter tambm inverso de polaridade. Desse modo, as quedas de tenso e correntes nos
demais componentes do circuito em regime permanente tambm apresentam comportamento variante no tempo.
Assim, em circuitos com diodos onde pelo menos uma fonte do circuito for variante no tempo (por exemplo,
fonte alternada, dita CA), observa-se que um diodo poder funcionar em mais de um modo de operao devido sua
tenso de polarizao ser tambm variante no tempo, ou ainda, vrios diodos presentes no circuito podero assumir
mais de uma combinao possvel de modos de operao. Neste caso, a estratgia da suposio e prova da anlise CC
de circuitos com diodos vista anteriormente se mostra inadequada e necessita ser adaptada para esta situao.
76
Esta adaptao origina a chamada anlise CA, que consiste em determinar, para cada suposio geral possvel,
uma equao, denominada caracterstica de transferncia (CT), que expressa o comportamento do sinal do circuito
que se quer estudar, chamada varivel de sada, em funo dos sinais aplicados ao circuito, chamadas variveis de
entrada. Adicionalmente, como cada suposio geral apresenta condies para a sua veracidade, deve-se determinar
tambm os limites impostos s variveis de entrada para que cada caracterstica de transferncia seja verdadeira.
Caracterstica de transferncia consiste de em uma relao matemtica entre variveis de entrada e sada de um
circuito. Por exemplo, para um circuito qualquer exemplificado na Figura 6.7-a, sendo a fonte de tenso vS a varivel
de entrada e o sinal de tenso vo a varivel de sada, ento a caracterstica de transferncia consistir de uma equao
que contempla o comportamento da sada vo em funo da entrada vS, isto , vo = f(vS). Assim, se o sinal de entrada vS
tiver alteraes no valor, a caracterstica de transferncia determinar que modificaes sofrer a varivel de sada vo.
Alm disso, caractersticas de transferncia definidas por relaes entre correntes e tenses consistem de equaes de
retas (y = m x + b), onde a declividade (m) define como o sinal de entrada refletido na sada, que pode ser: igual
(Figura 6.7-b), atenuado (Figura 6.7-c), amplificado (Figura 6.7-d), ou tambm com inverso de fase (Figura 6.7-e).
vo
vo vo vo
varivel de varivel
entrada de sada
circuito vS
vS qualquer vo vS vS vS

C.T.: vo = m vS + b = 45 0o < < 45 45 < < 90 > 90

m = declividade m = tg = 1 0<m<1 m>1 m<0
(a) (b) (c) (d) (e)
Figura 6.7: Caracterstica de transferncia (C.T.): (a) variveis de entrada e sada e definies; consequncias da
declividade (m) para o sinal de sada: (b) mesma amplitude, (c) atenuao, (d) amplificao, (e) inverso de fase.
A anlise CA de circuitos com diodos consiste basicamente nas seguintes etapas (fluxograma na Figura 6.8):
1) Listar as suposies gerais existentes sobre o funcionamento dos diodos. Em certos casos, pode-se realizar uma
anlise da disposio dos diodos para determinar quais das suposies gerais so realmente possveis.
2) Aplicar os modelos aproximados ou ideal e resolver o circuito pela teoria de Circuitos Eltricos (Leis de Kirchoff).
3) Para cada hiptese feita, determinar a caracterstica de transferncia e a condio para que a mesma seja verdadeira,
onde estas condies so determinadas com base nas mesmas regras adotadas para a anlise CC, ou seja:
Modo conduo: ID > 0 para os modelos ideal e aproximados do real;
Modo corte ou bloqueio: VD 0 para o diodo ideal e VD V para os modelos aproximados do real.
Nesta etapa, deve-se atentar para o atendimento de alguns requisitos para os clculos do circuito:
3.1) O sinal de entrada deve ser tratado como varivel desconhecida para determinar as caractersticas e condies,
ou seja, sem considerar sua forma de onda, que ser empregada apenas na realizao da etapa 4.
3.2) A equao de uma caracterstica de transferncia deve ser expressa de modo que as nicas incgnitas sejam as
variveis de entrada e sada, pois os demais parmetros do circuito devem ser considerados conhecidos;
3.3) As condies para cada suposio geral possvel consistem de inequaes que contemplam limites impostos
apenas varivel de entrada do circuito, ou seja, independem da varivel de sada.
3.4) Como a caracterstica I-V do diodo (e conseqentemente seus modelos) no apresenta descontinuidades, ento
tanto as caractersticas de transferncia quanto as respectivas condies so contguas (complementares) em
seus limites (pontos de fronteira), o que pode ser usado para testar se os clculos e resultados esto corretos.
4) Obter os demais resultados (usualmente, formas de onda do sinal de sada para um determinado sinal de entrada).
Fazer uma Clculo de circuitos

Analise preliminar Todas as
hiptese dentre (caractersticas de hipteses sim Demais
(hipteses possveis
as possveis e transferncia e possveis? clculos
para os diodos)
aplicar modelos respectivas condies)
no
Figura 6.8: Fluxograma simplificado da mtodologia de anlise CA de circuitos com diodos.

O comportamento de chave liga-desliga dos diodos explorado em diversas classes de circuitos para modificar
formas de onda de sinais eltricos. A seguir so introduzidos os fundamentos de alguns destes tipos de circuitos.
77
6.2.4.1) Retificadores com diodos
Retificadores so circuitos utilizados para converter tenso alternada (e conseqentemente corrente alternada),
que geralmente se dispe, em tenso (corrente) contnua, que os circuitos eletrnicos necessitam para funcionar.
Seja ento o circuito apresentado na Figura 6.9-a, constitudo por uma fonte de tenso vS (varivel de entrada),
que alimenta uma resistncia de carga RL com uma tenso vL (varivel de sada) atravs de um diodo D.
A K A K
D V Rf vD
vS RL vL vS iD RL vL vS RL vL
(a) (b) (c)
Figura 6.9: Retificador de meia-onda com diodo: (a) esquema do circuito; (b) circuito de clculo
para o modo em conduo do diodo; (c) circuito de clculo para o modo em bloqueio do diodo.
Como a fonte vS variante no tempo, ento a tenso de polarizao do diodo poder lev-lo tanto conduo
quanto ao corte. Logo, deve-se realizar a anlise CA para estas duas hipteses possveis para a operao do diodo.
Adotando-se o modelo aproximado do real para o diodo como exemplificao dos clculos da anlise CA e
considerando-se o sinal vS como varivel de entrada e a tenso vL como varivel de sada do circuito, tem-se:
Suposio 1: D em conduo
Substituindo-se o modelo aproximado do real do diodo no modo conduo obtm-se o circuito da Figura 6.9-b.
Aplicando LKT na malha do circuito e considerando-se iD > 0 como condio do diodo em conduo, tem-se:
vS V
vS V R f iD RL iD 0 iD 0 v S > V condio
RL R f
que a condio para que esta suposio seja verdadeira. Assim, a equao da tenso de sada vL ser dada por:
vL RL iD RL
vS V v = RL v RL V caracterstica de transferncia
RL R f
L S
RL + R f RL + R f
Esta equao expressa o comportamento da sada vL em funo da entrada vS , isto , vL = f(vS), considerando os
demais parmetros conhecidos, o que define a caracterstica de transferncia do circuito para o modo conduo do
diodo. Desse modo, se a entrada vS satisfazer a condio vS > V , ento o diodo est em conduo e a equao da
caracterstica pode ser empregada para determinar a forma de onda da sada vL de acordo com o sinal entrada vS .
Alm disso, pode-se observar que a equao da caracterstica uma reta de declividade m = RL/(RL + Rf), tal
que: 0 < m < 1, ou seja, o sinal de entrada sofre atenuao na sada, que ocorre devido queda de tenso no diodo.
Suposio 2: D no corte
Substituindo-se o modelo no corte do diodo (Figura 6.9-c), observa-se que a corrente no circuito nula. Logo, a
equao da sada vL ser dada por: vL = RL iD vL = 0 V caracterstica de transferncia
Aplicando-se LKT na malha do circuito, tem-se: vS vD vL = 0 vD = vS (1)
Sendo vD V a condio para o diodo no corte ento, do resultado (1), tem-se que: vS V condio
Desse modo, se a entrada vS satisfazer a condio vS V , ento o diodo est no corte e a caracterstica de
transferncia obtida pode ser usada para determinar o comportamento da sada vL em funo do sinal de entrada vS.
Teste da veracidade dos resultados: com base na recomendao 3.4 da anlise CA, pode-se observar que as duas
condies obtidas (vS > V e vS V ) so complementares. Alm disso, com a introduo do ponto de fronteira
entre as duas condies (vS = V) na caracterstica de transferncia para o diodo em conduo, obtm-se: vL = 0,
que igual ao resultado para o diodo no corte. Assim, conclui-se que os clculos realizados esto corretos.
Supondo-se que a fonte vS seja um sinal de tenso sendoidal vS = Vm sen(t) ento, com base nas caractersticas
de transferncia e respectivas condies obtidas, pode-se determinar a forma de onda da sada vL com base na forma
de onda desta entrada. A Figura 6.10-a mostra ento o comportamento da sada vL , onde observa-se que, enquanto a
entrada vS for menor ou igual ao nvel de limiar do diodo (vS V), a sada vL ser nula segundo sua correspondente
caracterstica de transferncia e, quando vS ultrapassa o limiar do diodo (vS > V), surge o sinal de entrada atenuado na
sada vL segundo sua correspondente caracterstica de transferncia. Conclui-se ento que este circuito converte tenso
de entrada CA em uma tenso CC pulsante, pois a sada vL sempre positiva ou nula e, desse modo, a corrente flui na
carga RL somente em um sentido. Como mencionado, este processo chamado retificao e, como a tenso na carga
surge em apenas meio ciclo do sinal de entrada, o circuito porisso denominado retificador de meia onda.
Na Figura 6.10-a observa-se tambm que o diodo no inicia sua conduo no tempo t = 0, mas a partir de um
certo ngulo i , chamado ngulo de conduo de corrente, exigido para que a tenso da fonte vS se iguale tenso de
limiar V de modo a vencer a barreira de potencial do cristal PN. Logo, quando t = i ento vS = V e obtm-se:
78
V
vS Vm sen(t ) V Vm sen(i )
i arcsen
(6.6)
Vm
Com base na equao (6.6) observa-se que quanto maior o valor mximo do sinal de entrada (Vm) em relao ao
limiar do diodo (V), menor ser o ngulo de conduo i. Logo, se Vm >> V ento i 0 e, neste caso, conclui-se
que a queda de tenso no didodo pode ser desprezada e o mesmo pode ser modelado como ideal. Assim, considerando
V = 0 V Rf = 0 (modelo do diodo ideal), tem-se o comportamento do sinal de sada vL para a entrada vS mostrado
na Figura 6.10-b, onde as caractersticas de transferncia e respectivas condies sero agora definidas por:
Suposio 1: D em modo conduo: vL = vS (caracterstica de transferncia), para vS > 0 (condio). Logo, a
sada passa a acompanhar totalmente a entrada devido declividade unitria da caracterstica (m = 1).
Suposio 2: D no modo corte: vL = 0 (caracterstica de transferncia), para vS 0 (condio).
vS , vL vS , vL vL para
Vm Vm Vm >> V
V
vL
0 2 3 t 0 2 3 t
i
vS vS
- Vm - Vm
(a) (b)
Figura 6.10: Formas de onda de entrada e sada do retificador de meia-onda para diodo modelado
como: (a) aproximado do diodo real, com identificao do ngulo de conduo; (b) diodo ideal.
Os sinais assim retificados constituem-se de ondulaes, mas os circuitos de corrente contnua exigem nveis de
tenso praticamente constantes no tempo. A reduo destas ondulaes para nveis praticamente constantes de tenso
pode ser obtida com a introduo de um capacitor em paralelo com a carga RL , de modo a armazenar energia para
momentneos fornecimentos carga, funcionando como um filtro. A Figura 6.11-a mostra ento o retificador de meia
onda com um capacitor de filtro C, onde observa-se que a tenso de sada vL agora definida pela tenso do capacitor.
Para o estudo do efeito filtragem do capacitor, a Figura 6.11-b mostra a forma de onda da tenso de carga vL
para uma entrada senodial vS = Vm sen(t), modelando o diodo como ideal (Vm >> V), e uma chave k que se fecha no
instante t = 0 s para a entrada vS. Nota-se ento que, no primeiro quarto de ciclo do sinal de entrada vS (0 /2), o
diodo entra em conduo (vS > 0) e a tenso no capacitor acompanha a entrada vS , com o capacitor carregando-se at
Vm , ou seja, vL = Vm (Figura 6.11-b). Porm, entre os instantes de tempo /2 e t1, observa-se que a entrada vS , que
polariza o anodo do diodo (VA), passa a diminuir de valor e se torna menor que a tenso do capacitor, que polariza o
catodo do diodo (VK), o que resulta na polarizao reversa (pois VD = VA VK < 0) e no bloqueio do diodo. Este fato
permite ento ao capacitor se descarregar sobre a carga RL at o instante t1, onde a entrada vS volta a ser maior que a
tenso no capacitor, o que faz o diodo entrar novamente em conduo e carregar o capacitor (vL segue novamente a
entrada vS), at o instante 5/2, onde o diodo entra de novo no corte, e assim sucessivamente (Figura 6.11-b).
A forma de onda de tenso vL na carga resulta ento em comportamento aproximadamente constante, contendo
ainda uma certa ondulao, denominada ripple (Figura 6.11-b), que surge devido ao descarregamento/carregamento
do capacitor. A Figura 6.11-c mostra um resultado similar considerando-se o modelo aproximado do real do diodo,
onde observa-se que a tenso na carga RL no segue totalmente a entrada vS devido queda de tenso no diodo.
vL descarregamento do capacitor vL vL com
k VA VK
carregamento do capacitor capacitor
t=0s D Vm Vm
ripple
vS C RL vL vL s/ vL com vL s/
cap. capacitor cap.
0 /2 t1 5/2 t 0 /2 3/2 t
(a) (b) (c)
Figura 6.11: (a) Circuito retificador de meia onda contendo capacior de filtro; forma de onda da tenso de carga
vL e formao do ripple, considerando o modelo do diodo como: (b) ideal (Vm >> V) e (c) aproximado do real.
Contudo, uma tenso de sada do retificador (vL) com a presena de um ripple acentuado pode no ser adequada
para alimentar cargas que exigem uma tenso CC praticamente constante. Neste caso, como o ripple resultado do
descarregamento do capacitor na carga, deve-se ento buscar maneiras de reduzir a descarga do capacitor.
79
Uma forma de diminuir o descarregamento do capacitor de modo a reduzir o ripple consiste no aumento da
resistncia de carga RL (com, por exemplo, a conexo de resistncias de carga com menor consumo de potncia), o
que acarreta na diminuio da corrente de descarga do capacitor. Similarmente, outra forma consiste em introduzir um
capacitor de maior capacitncia, pois isto implica em maior capacidade de armazenamento de energia e, portanto, em
uma maior capacidade de fornecimento de eletricidade resistncia
vL C3 > C2 > C1
de carga e em menor descarregamento do capacitor (Figura 6.12).
Vm C3
Estas prticas para a atenuao do ripple podem ser tambm C2
entendidas observando-se que, durante o descarregamento, a carga RL C1
e o capacitor C formam um circuito RC autnomo. Desse modo, pela
teoria de Circuitos Eltricos, sabe-se que a rapidez da descarga do
capacitor se d pela chamada constante de tempo = RC. Neste caso, 0 t
como um pequeno valor de comparado ao perodo da sinal implica
Figura 6.12: Atenuao do ripple na carga
em uma descarga mais rpida, ento necessita-se elevar o parmetro
como resultado do aumento da capacitncia.
com o aumento de C e/ou RL de modo a reduzir ao mximo o ripple.
Uma melhoria importante do retificador de meia-onda para a atenuao do ripple advm da observao de que
o carregamento do capacitor ocorre apenas durante o semiciclo positivo do sinal de entrada vS (Figura 6.11). Este fato
sugere que, se o semiciclo negativo for tambm aproveitado para o carregamento do capacitor, ento consegue-se uma
maior eficincia na retificao de um sinal, pois o descarregamento e, por conseguinte o ripple, ser menor. Este o
caso dos chamados retificadores de onda completa, classificados em dois tipos: meia amplitude e amplitude completa.
Seja ento na Figura 6.13-a um circuito retificador com diodos que emprega um transformador em cujo lado
secundrio se encontra disponvel um divisor de igual nmero de espiras, chamado tap central ou center tap. O tap
central possibilita a obteno de dois retificadores de meia-onda, um para cada semiciclo (positivo e negativo) da
tenso no secundrio do transformador, de modo a direcionar para o capacitor a meia-onda de cada semiciclo no
mesmo sentido. Como os dois semiciclos so aproveitados, ento o capacitor C demorar um tempo menor para ser
recarregado, o que reduz os nveis de ripple na tenso de sada da carga (Figura 6.13-b). Como apenas meia amplitude
do secundrio aproveitada, este circuito retificador de onda completa ento denominado de meia-amplitude.
vS , vL vL com
Vm capacitor
vS /2 Vm/2
vP
vS /2
C RL vL 0 t
vL sem
transformador vS capacitor
abaixador -Vm
(a) (b)
Figura 6.13: (a) Retificador de onda completa e meia amplitude; (b) forma de onda de sada na carga.
Similarmente, a Figura 6.14-a mostra um circuito que emprega o conjunto de 4 diodos conectados em um
formato conhecido como ponte retificadora ou ponte de diodos, que promove o desvio de ambos os semiciclos
positivo e negativo da tenso do secundrio do transformador para que incidam no capacitor no mesmo sentido. Logo,
com o aproveitamento dos dois semicilos, tem-se tambm um menor tempo de descarregamento para o capacitor e a
reduo dos nveis de ripple (Figura 6.14-b). Como neste caso utilizada a amplitude total da tenso no secundrio do
transformador, ento este circuito chamado retificador de onda completa em ponte. Alm disso, por ser comum a
construo destes retificadores, a Figura 6.14-c mostra a aparncia de um CI (circuito integrado) de ponte de diodos.
vS , vL vL com capacitor
Vm
vP vS
C RL vL 0
vL sem
t
transformador vS
capacitor
abaixador -Vm
(a) (b) (c)
Figura 6.14: (a) Retificador de onda completa em ponte; (b) forma de onda de sada; (c) CI em ponte comercial.
O filtro capacitivo empregado at aqui o mais simples e, na necessidade de uma melhor filtragem, pode-se
empregar configuraes mais eficientes, tais como as mostradas nas Figuras 6.15-a e b. Estes filtros baseiam-se no
fato de todo sinal peridico no senoidal, como o caso das ondulaes de ripple, poder ser decomposto em sinais
80
senoidais de freqncia mltipla de um valor fundamental (exemplo: 60 Hz), chamadas harmnicas. Assim, como a
reatncia de um indutor aumenta com a freqncia e a de um capacitor diminui, ento parte das harmnicas de maior
freqncia tendem a ser bloqueadas para a carga pelo indutor em srie e parte tendem a ser desviadas de volta fonte
pelo capacitor em paralelo, restando na sada apenas uma componente CC e harmnicas de menor freqncia.
Quando um projeto de retificador no atende sozinho todos os requisitos de corrente que a carga exige, pode-se
empregar ainda certos CIs chamados reguladores de tenso, que possuem apenas trs terminais (Figura 6.15-c) e tm
como exigncia apenas que seja aplicada uma tenso na entrada (pino 1) no mnimo 3 V acima da tenso que se deseja
na sua sada para a carga (pino 3). Uma srie destes reguladores chamada 78XX, onde XX o valor da tenso de
regulao. Exemplos: CI 7806 e CI 7812, onde a tenso de sada regulada em 6 V e 12 V, respectivamente.
progresso do sinal at a carga D1 CI regulador de tenso
1 3
L L
D D
C RL C1 C2 RL C 2
RL
D2
(a) (b) (c)
Figura 6.15: Filtragem: (a) LC em L, (b) LC em ; (c) fonte CC com CI regulador de tenso comercial.
O princpio de funcionamento dos retificadores com diodos pode ser utilizado tambm para se obter um efeito
multiplicador de tenso, que consiste na obteno na sada, em termos ideais, de mltiplos (2x, 3x, 4x, etc.) do valor
mximo do sinal de entrada (exemplo: dobrador de tenso da Figura 6.16-a). Estes circuitos so empregados quando
necessita-se obter nveis de tenso CC maiores que o valor mximo disponvel pela fonte de tenso de entrada.
Outra aplicao da ponte de diodos vista anteriormente consiste na construo de fontes para o fornecimento de
dois nveis de tenso CC (positivo e negativo) em relao a um terminal de referncia 0 V (exemplo na Figura 6.16-b),
denominadas fontes simtricas, empregadas na polarizao de componentes eletrnicos (exemplo: amplificadores
operacionais) e equipamentos que necessitam de nveis de tenso CC +/ para o seu correto funcionamento.
+VCC
Vm D1 C
2Vm
C1 Vm
-Vm
0V
C
C2 Vm
D2
VCC
(a) (b)
Figura 6.16: Outras aplicaes: (a) duplicador de tenso tipo dobrador; (b) fonte simtrica com diodos.
6.2.4.2) Ceifadores com diodos
O comportamento chave dos diodos pode tambm ser aproveitado para selecionar uma parte do sinal de entrada
a ser transferida sada, chamados ceifadores. Estes circuitos podem empregar fontes de tenso CC, cujas polaridades
definem nveis de referncia positivos ou negativos para a seleo do sinal de entrada. A disposio dos diodos no
circuito, por sua vez, define qual parte do sinal de entrada, acima ou abaixo dos nveis de referncia, ser transferida
sada, ou seja, a lgica de ceifamento. Estas combinaes definem os trs tipos de circuitos ceifadores com diodos:
Limitadores ou grampos: selecionam a parte do sinal de entrada abaixo de um nvel positivo, chamado grampo
positivo ou +, ou acima de um nvel negativo, chamado grampo negativo ou (exemplos nas Figuras 6.17-a e b).
Detetores de pico: selecionam a parte da entrada acima de um nvel positivo, chamado detetor de pico positivo ou
+, ou abaixo de um nvel negativo, chamado detetor de pico negativo ou (exemplos nas Figuras 6.17-c e d).
Fixadores: resultam da associao de um grampo + e um grampo para selecionar uma faixa dos sinal de entrada
(exemplo na Figura 6.17-e), ou um grampo + e um detetor de pico +, ou um grampo e um detetor de pico .
Circuitos ceifadores so ento empregados para deformar a forma de onda de um sinal requerida por alguma
aplicao. Por exemplo, grampos e fixadores podem ser empregados para a proteo de cargas contra nveis de tenso
elevados, e detetores de pico para a contagem de eventos de ultrapassagem de um nvel de referncia especfico.
Outra aplicao do efeito chave dos diodos consiste na introduo de um nvel CC para o sinal de entrada,
denominados grampeadores CC (exemplo na Figura 6.17-f), que so utilizados quando se necessita acrescentar um
nvel CC +/ a um pequeno sinal para que este possa ultrapassar um componente do circuito com mnima atenuao.
81
R vo vS R vo vo
D D
VR
vS vS
VR -VR
VR vo
vS
(a) (b)
R vo vo R vo vS
D D
VR
vS vS
VR -VR
VR vS vo
(c) (d)
R vS vo
D1 D2 vo C vo 2Vm
VR1
vS vS D Vm
VR2 VR2
VR1 vo
-Vm vS
(e) (f)
Figura 6.17: Esquemas simplificados de alguns circuitos ceifadores com diodos: (a) grampo +, (b) grampo ,
(c) detetor de pico +, (d) detetor de pico , (e) fixador com grampo + e grampo ; (e) grampeador CC +.
Exerccio 4: Para o circuito fornecido abaixo, considere o modelo ideal para o diodo e determine a forma de onda da
sada vo para uma entrada vS composta por um sinal senoidal de amplitude 20 V e uma componente CC de 10 V.
A K A K
vo iD vo vo
D vD
5 k 5 k 5 k (2)
vS vS (1) vS (1)
20V 20V 20V
(A) (B)
Soluo
Analisando-se o circuito observa-se que, apesar da presena de uma fonte CC (20 V), a fonte variante no tempo
vS poder polarizar o diodo D em seus dois modos de operao (conduo e corte), ou seja, deve-se proceder com a
anlise CA de circuitos com diodos para se determinar a forma de onda da sada vo . Assim:
Suposio 1: D em conduo: com o modelo do diodo ideal em conduo, tem-se o esquema da figura (A). Logo:
Aplicando LKT na malha externa, tem-se: vS vo 0 vo = v S caracterstica de transferncia
Aplicando LKT na malha 1 e lembrando-se que iD > 0 a condio do diodo em conduo, tem-se:
v 20
vS 5000 iD 20 0 iD S 0 v S > 20 V condio
5000
Suposio 2: D no corte: com o modelo do diodo ideal no corte, tem-se o esquema da figura (B). Logo:
Aplicando LKT na malha 2, tem-se: 20 vo 0 vo 20 V caracterstica de transferncia
Aplicando LKT na malha 1 e lembrando-se que vD 0 a condio do diodo ideal no corte, tem-se:
vS vD 20 0 vD vS 20 0 v S 20 V condio
Teste de veracidade: observa-se que as condies obtidas (vS > 20 V e vS 20 V) so complementares e que, com a
introduo do ponto de fronteira (vS = 20 V) nas caractersticas, obtem-se o vS , vo (V)
mesmo resultado (vo = 20 V), comprovando que os clculos esto corretos.
30
A entrada vS fornecida descrita por: vS = 10 + 20 sen(t). Com base nas vo
caracterticas de transferncia e respectivas condies, reescritas a seguir: 20
vo vS para vS 20 V
10
v o 20 V para vS 20 V vS
obtm-se ento a forma de onda da sada vo mostrada na figura ao lado, onde 0 /2 3/2 t
observa-se que o circuito apresenta o comportamento de detetor de pico + . 10
82
Exerccio 5: Para o circuito dado ao lado, adote V = 0,7 V e Rf = 0 como

modelo do diodo empregado (aproximado do real simplificado), e determine: 200
D
a) As caractersticas de transferncia e respectivas condies, considerando vL
como varivel de estudo do circuito (varivel de sada). vS 300 vL
b) A forma de onda de vL para um sinal triangular de amplitude 12 V para vS . 5V
c) A forma de onda da tenso no diodo D para a mesma entrada vS do item b).
Soluo
(a)
200 i iD iL iL iL
A 200 A
vD
vS 0,7 V 300 vL vS 300 vL
K K
(1) (2) (1)
5V 5V
(A) (B)
a) Como h apenas um diodo no circuito, ento h 2 suposies possveis: D em conduo e D no corte. Assim:
Suposio 1: D em conduo - com o modelo do diodo em conduo, tem-se o esquema da figura (A). Logo:
v 5,7
Aplicando LKT na malha 1: vS 200 i 0,7 5 0 i S
200
Aplicando LKT na malha 2: 5 0,7 300 iL 0 iL 0,019 A
ou ainda, com LKT na malha 2: 5 0,7 vL 0 v L = 5,7 V caracterstica de transferncia
Aplicando LKC no n (a) e lembrando-se que iD > 0 a condio do diodo em conduo, tem-se que:
v 5,7
i iD iL iD i iL S 0,019 0 v S > 9,5 V condio
200
Suposio 2: D no corte - com o modelo do diodo no corte, tem-se o esquema da figura (B). Logo:
v
Aplicando LKT na malha externa: vS 200 iL 300 iL 0 iL S
500
Logo: vL 300 iL 300 vS / 500 v L 0,6 v S caracterstica de transferncia
Aplicando LKT na malha 1 e considerando-se vD 0,7 V como condio para o diodo no corte, tem-se:
5 vD vL 0 vD vL 5 vD 0,6 vS 5 0,7 V v S 9,5 V condio
Teste de veracidade: como as condies obtidas (vS > 9,5 V e vS 9,5 V) so complementares e o ponto de
fronteira (9,5 V) produz o mesmo resultado nas caractersticas (vL = 5,7 V), ento os clculos esto corretos.
b) Para um sinal de onda triangular de amplitude 12 V como entrada vS e com base vS , vL (V)
nas caracterticas de transferncia e respectivas condies, reescritas a seguir: 12
vL 5,7 V para vS 9,5 V 9,5 vS

vL 0,6 vS para vS 9,5 V 5,7
obtm-se ento a forma de onda da sada vL mostrada na figura ao lado. Pode-se 0 2 3 t
observar que o circuito apresenta comportamento similar a um grampo +, porm
-7,2 vL
com grande atenuao (40%) do sinal de entrada na sada (pois vL = 0,6 vS). Isto
deve-se ao fato do resistor que tem a funo de desacoplar o sinal de entrada para -12
a sada (200 ) ser comparvel carga do circuito (300 ), o que no uma realidade prtica, pois normalmente o
resistor de desacoplamento deve ter o menor valor possvel para reduzir ao mximo sua queda de tenso.
c) A mudana da varivel a ser estudada implica em nova relao entrada-saida.
Logo, as caractersticas de transferncia considerando a tenso no diodo (vD)
200 vD
como varivel de sada devem ser novamente calculadas, porm as condies D
so as mesmas pois so limites impostos varivel de entrada vS e vS 300 vL
independem da varivel de sada. Assim, com novos clculos (circuito ao 5V (1)
lado), obtm-se:
v D 0,7 V para v S 9,5 V vL , vD (V)

v L 0,6 v S 5 para v S 9,5 V 5,7
vL
Neste exerccio, porm, a forma de onda da tenso no diodo pode tambm 0,7
ser obtida com o auxlio da forma de onda da tenso vL obtida no item b). Com 0 t
-5
base no circuito ao lado e aplicando-se LKT na malha de 1, obtm-se: -7,2 vD
5 vD vL 0 v D v L 5 (1) -12,2
Como a forma de onda de vL conhecida do item b), pode-se ento obter a forma de onda da tenso vD no diodo
resolvendo graficamente a equao (1), o que apresentado no grfico acima.
83
Exerccio 6: Para o circuito dado a seguir, determine a forma de onda da tenso de sada vL para um sinal de tenso
de entrada vS = 8 sen(t). Dados dos diodos: V = 0,7 V e Rf = 0 (modelo aproximado do real simplificado).
Soluo
(a) (b)
10 10 i A
iD1 K iL
D1 D2 vD2
0,7V
vS 10 k vL vS K A 10 k vL
(2)
5V (1) 5V
5V 5V
(A) (d)(c)
n 2
O circuito apresenta dois diodos retificadores (n = 2) e, portanto, existem 2 = 2 = 4 suposies gerais: D1 e D2
em conduo; D1 em conduo e D2 no corte; D1 no corte e D2 em conduo; e D1 e D2 no corte.
Contudo, analisando-se a disposio dos diodos e das fontes CC, observa-se que a suposio geral D1 e D2 em
conduo no possvel pois, supondo os diodos ideais, se ambos estivessem em conduo (chave fechada), a tenso
vL na carga apresentaria dois valores proporcionados pelas fontes CC: +5 V e -5 V, o que circuitalmente impossvel.
Como a fonte vS variante no tempo, deve-se ento fazer a anlise CA com as trs suposies gerais restantes.
Suposio geral 1: D1 em conduo e D2 no corte - com os modelos dos diodos, tem-se o circuito da figura (A):
v 5,7
Aplicando LKT na malha 1, tem-se: vS 10 i 0,7 5 0 i S i 0,1vS 0,57
10
Aplicando LKT na malha formada pelos pontos a-b-c-d do circuito na figura (A), tem-se:
5 0,7 vL 0 v L = 5,7 V caracterstica de transferncia
vL 5,7
Logo, a corrente na carga ser dada por: iL 4
0,57 103 A
10 104
Aplicando LKC no n (a) e considerando iD 1 > 0 como condio para o diodo D1 em conduo, tem-se:
i iD1 iL iD1 i iL 0,1vS 0,57 0,57 103 0,1vS 0,57 0 vS 5,7 V condio (1)
Aplicando LKT na malha 2 e considerando vD2 0,7 V como condio para o diodo D2 no corte, tem-se:
5 0,7 vD 2 5 0 vD 2 10,7 V 0,7 V condio (2)
Como a condio (2) sempre verdadeira, basta satisfazer a condio (1). Logo: vS > 5,7 V condio
(a) (b) (a) (b)
10 10 i iD2
A K iL A K iL
0,7V
vD1 vD2 vD1
vS (1) 10 k vL vS 10 k vL
K A K A
5V (1) 5V
5V 5V (2)
(d) (c) (d) (c)

(B) (C)
Suposio geral 2: D1 e D2 no corte - com os modelos dos diodos, tem-se o circuito da figura (B). Logo:
vS
Aplicando LKT na malha externa, tem-se: vS 10 iL 104 iL 0 iL
10.010
10.000
Logo: vL 104 iL vS vS v L = vS caracterstica de transferncia
10.010
LKT na malha 1 e considerando vD1 0,7 V como condio do modelo para o diodo D1 no corte, tem-se:
10
vS 10 iL vD1 5 0 vD1 vS vS 5 vS 5 0,7 vS 5,7 V (condio 1)
10.010
LKT na malha a-b-c-d e considerando vD2 0,7 V como condio do modelo para o diodo D2 no corte, tem-se:
10
vS 10 iL vD 2 5 0 vD 2 vS vS 5 vS 5 0,7 vS 5,7 V (condio 2)
10.010
Logo, com o conjunto verdade para as condies 1 e 2 obtidas, tem-se: 5,7 vS 5,7 V condio
Suposio geral 3: D1 no corte e D2 em conduo - com os modelos dos diodos, tem-se o circuito da figura (C):
v 5,7
LKT na malha a-b-c-d do circuito: vS 10 i 0,7 5 0 i S i 0,1vS 0,57
10
LKT na malha 2: 5 0,7 vL 0 v L = 5,7 V caracterstica de transferncia
v 5,7
Logo, a corrente na carga ser dada por: iL L4 0,57 103 A
10 104
84
LKC no n (b) e considerando iD2 > 0 como a condio para o diodo D2 em conduo, obtm-se:
i iD2 iL iD2 iL i 0,57 103 0,1vS 0,57 0,1vS 0,57 0 vS 5,7 V condio (1)
LKT na malha 1 e considerando a condio vD1 0,7 V como condio para o diodo D1 no corte, tem-se:
5 vD1 0,7 5 0 vD1 10,7 V 0,7 V condio (2)
Como a condio (2) sempre verdadeira, basta satisfazer a condio (1). Logo: vS < 5,7 V condio
Teste de veracidade: as condies (vS > 5,7 V , 5,7 vS 5,7 V e vS < 5,7 V) e caractersticas de transferncia
(vL = 5,7 V, vL = vS e vL = 5,7 V) so complementares em seus limites. Concui-se que os clculos esto corretos.
Para vS = 8 sen(t) e caracterticas de transferncia e respectivas condies: vS , vL (V)
vL 5,7 V para vS 5,7 V 8 vS

vL vS para 5,7 vS 5,7 V 5,7
v 5,7 V para v 5,7 V
L S
vL
obtm-se a forma de onda de sada vL mostrada na figura ao lado e nota-se 0 2 3 t
que trata-se de um ceifador tipo fixador. Comparado ao Exerccio 5, nota-se
tambm um comportamento praticamente ideal para vL, pelo fato do resistor - 5,7
que desacopla a entrada da sada (10 ) ser bem menor que a carga (10 k). -8
Exerccio 7: Com base nos resultados do exerccio 6, desenhe o grfico da caracterstica de transferncia total do
circuito e obtenha, por mtodo grfico, a forma de onda da sada vL para o mesmo sinal de entrada vS do exerccio 6.
Soluo vL (V) vL (V)
Com base nas equaes das caractersticas de
transferncia e nas correspondentes condies obtidas 5,7 5,7 t3 t4
3
no exerccio 6, pode-se obter o comportamento grfico - 5,7 =1 2 2
da varivel vL do sinal de sada em funo da varivel 0 5,7 vS (V) 0 t
vS do sinal de entrada, mostrado na figura ao lado, o t1 2 t2
que constiui-se ento no grfico total da caracterstica - 5,7 - 5,7
de transferncia do circuito visto no exerccio 6.
-8 0 8
O mtodo grfico para a obteno da forma de forma de onda do
onda da sada a partir do grfico da caracterstica de t1 vS (V)
/2 sinal de sada
transferncia consiste em desenhar ponto a ponto a t2
forma de onda da sada por meio da correspondncia forma de onda do
t sinal de entrada
entre o sinal de entrada e a caracterstica, de modo que 3
3/2
cada valor do sinal entrada em dado instante de tempo t4
correponde a um valor na sada no mesmo instante de 2
tempo, tal como exemplificado na figura ao lado. t
6.3) COMPORTAMENTOS DO DIODO EM PEQUENOS SINAIS

Certas formas de onda de pequena amplitude (at centenas de mV), denominadas pequenos sinais, consistem de
informaes (udio, dados, etc.) que necessitam ser transmitidas em um circuito com a melhor conformidade possvel
e, desse modo, no podem sofrer bloqueio e deformaes significativas em sua propagao pelo circuito. Logo, em
circuitos de diodos com a presena de pequenos sinais, deve-se prover condies para que estes ultrapassem os diodos
com mnimas distores, o que resulta em modelos esquemticos para os diodos distintos dos vistos anteriormente.
Alm disso, cristais PN apresentam um efeito capacitivo quando em conduo, que se torna tanto mais pronunciado
quanto mais rpida for a variao do sinal (frequncia), o que pode resultar em um retardo relevante no chaveamento
liga-desliga do diodo. Como pequenos sinais so geralmente de alta frequncia, os modelos esquemticos do diodo
para pequenos sinais devem contemplar tambm este efeito capacitivo. Estes assuntos so abordados a seguir.
6.3.1) MODELO DO DIODO PARA PEQUENOS SINAIS E ALTAS FREQUNCIAS
O mecanismo usualmente utilizado para possibilitar a ultrapassagem do pequeno sinal pelo diodo, bem como o
referido efeito capacitivo presente nos cristais PN em conduo, resultam na combinao de um elemento hmico e
um elemento capacitivo para a obteno do modelo do diodo para pequenos sinais e altas frequncias, vistos a seguir.
6.3.1.1) Resistncia incremental

Seja a situao representada no circuito exemplo dado na Figura 6.18-a, em que um sinal de pequena amplitude
vS = Vm sen(t) necessita ser transferido carga RL atravs do diodo D com mnimas distores. Para possibilitar
adequadamente esta transferncia, ao pequeno sinal normalmente adicionado um nvel CC VR (Figura 6.18-a), de
85
montante suficiente para polarizar o diodo na regio de conduo em um ponto de operao conveniente, de modo a
estabelecer uma corrente IDQ no circuito devido a uma tenso VDQ aplicada pelo nvel CC VR (Figura 6.18-b). Como
consequncia, observa-se que a variao do pequeno sinal vS resulta em uma oscilao do ponto de operao do diodo
entre valores Qmax e Qmin em torno do ponto de repouso Q (Figura 6.18-b). Conclui-se ento que apenas a regio de
conduo em torno do ponto de operao Q consiste no comportamento do diodo "percebido" pelo pequeno sinal vS .
VD
ID d ID ID
I D I S e VT
d VD Q Q2
D Qmax
vS VR + Vm Q
IDQ A
VR Qmin
RL vL Q1
VR Vm rd
0 V VDQ VD
VR
vS K 0 VD
(a) (b) (c) (d)
Figura 6.18: (a) Circuito exemplo de pequeno sinal e nvel CC; (b) regio de conduo percebida pelo pequeno
sinal; (c) modelo do diodo para pequenos sinais; (d) deformao do sinal de acordo com o ponto de operao Q.
Assim, como a derivada dID/dVD em torno do ponto Q consiste em uma aproximao linear da curva na regio
de conduo percebida pelo pequeno sinal (Figura 6.18-b), este clculo pode ser utilizado para definir o modelo do
diodo em conduo para o pequeno sinal, o que resulta na obteno de uma condutncia incremental gd dada por:
d ID d ( I S eVD / VT ) VD
1
VD Q
1 I DQ
gd I S e VT I e VT
gd
d VD Q d VD Q VT Q S
VT VT
I DQ
em que o termo IS exp(VDQ/VT) corresponde corrente IDQ no diodo estabelecida pela nvel CC da fonte VR.
Definindo a chamada resistncia incremental rd , referente ao inverso da condutncia incremental gd , tem-se
que modelo do diodo para pequenos sinais se resume a um elemento hmico de valor rd (Figura 6.18-c), tal que:
1 VT
rd (6.7)
gd I DQ
Com base na equao (6.7) observa-se ento que, quanto mais fortemente o diodo for polarizado em conduo
pela fonte VR , maior ser a corrente IDQ do ponto de repouso e menor ser a resistncia incremental rd percebida pelo
pequeno sinal, o que desejvel pois resulta em menor atenuao do sinal ao passar pelo diodo. Outra razo para se
estabelecer pontos de operao com polarizao forte do diodo em conduo reside no comportamento mais linear em
regies da caracterstica I-V com correntes elevadas, o que resulta em menor distoro da corrente no diodo causada
pelo pequeno sinal, do que em regies de correntes mais baixas, que tem uma forma mais no linear (Figura 6.18-d).
Observa-se ento que os modelos de diodos percebidos por cada componente de tenso do circuito (VR e vS) so
lineares e, portanto, todo o circuito tem comportamento linear. Assim, na soluo do circuito pode ser empregado o
princpio da superposio de efeitos, em que as conseqncias de cada fonte de energia no circuito podem ser
calculadas separadamente (Figura 6.19), e a tenso total na carga RL ser ento determinada por: vL = VLQ + vLCA.
A K A K
D V Rf rd
vS
RL vL IDQ RL vS iDCA RL
VR VLQ vLCA
VR
Figura 6.19: Superposio de efeitos na anlise de circuitos de pequenos sinais: polarizao (a) CC e (b) CA.
6.3.1.2) Capacitncia de difuso
Como visto no Captulo 5, o cristal PN em polarizao direta e em conduo apresenta uma corrente dita direta
formada por portadores majoritrios que, ao sarem de sua regio e atravessarem a juno PN, se tornam minoritrios
no outro lado e constituem-se em um efeito em cada substrato do cristal chamado injeo de minoritrios.
Seja, como exemplo, o cristal PN em conduo mostrado na Figura 6.20-a, onde eltrons livres do substrato N
so injetados no substrato P e se tornam minoritrios neste lado. Com a inverso da polarizao do cristal, tem-se que
os eltrons injetados no lado P devem retornar ao lado N (Figura 6.20-b) para estabelecer as condies de equilbrio
86
reversas no cristal. Similarmente, com a reduo de tenso no cristal PN em conduo, parte dos eltrons injetados no
lado P devem retornar ao lado N para estabelecer uma condio de menor corrente. Em ambos os casos, entende-se
que os eltrons injetados representaram cargas em excesso aos minoritrios do lado P e seu retorno representa ento
um descarregamento de carga acumulada, o que constitui-se em um efeito capacitivo no cristal chamado capacitncia
de difuso, designada por CD. Igual raciocnio pode ser realizado para a injeo de lacunas do lado P para o lado N.
A capacitncia de difuso ento comum aos cristais PN. No entanto, este efeito se torna relevante apenas se os
tempos de carregamento e descarga de minoritrios injetados forem comparveis aos perodos dos sinais aplicados ao
cristal (sinais de alta frequncia). Como grandes sinais so geralmente de baixas freqncias, o efeito da capacitncia
de difuso pode ser desprezado nos modelos de diodos vistos anteriormente mas, como pequenos sinais so geral-
mente de altas freqncias, este efeito deve ser considerado. Assim, o modelo completo do diodo para pequenos sinais
consiste no paralelo (acrscimo de efeito) da resistncia incremental rd e a capacitncia de difuso CD (Figura 6.20-c).
Para a definio da capacitncia de difuso, seja q a carga total de minoritrios em certo instante injetada nos
substratos do diodo em conduo. Como quanto maior a penetrao das cargas injetadas em cada substrato, maior o
tempo de retorno destas e maior o efeito de carga acumulada, a capacitncia de difuso proporcional ao chamado
tempo de vida mdio das cargas injetadas, que descreve o tempo para que estas se recombinem com majoritrios em
cada substrato. Como a taxa com que minoritrios injetados so recombinados conceitualmente uma medida da
corrente direta ID, pode-se definir que: ID = q /. Sendo o modelo do diodo definido em torno de um ponto de operaco
Q (Figura 6.18-b), ento a capacitncia de difuso descreve as condies de aumento ou reduo da carga acumulada
em torno do ponto Q. Assim, supondo que uma variao VD na tenso direta produza uma variao q na carga
injetada em torno do ponto Q, a relao q/VD expressa ento o efeito da capacitncia de difuso CD , de modo que:
q dq d ( I D ) d ID
CD gd
VD Q d VD Q d VD Q d VD Q
pois q = ID . Com a equao da condutncia incremental gd , tem-se que a capacitancia de difuso ento dada por:
I DQ
CD (6.8)
VT
de onde conclui-se que o efeito da capacitncia de difuso ser tanto mais pronunciado quanto maior a corrente direta
(maior quantidade de carga injetada) e maior o tempo de vida mdiodos minoritrios injetados pela corrente direta.
A
e- e-
P N P N rd CD
injeo de minoritrios (acmulo de carga) descarregamento de carga K

(a) (b) (c)
Figura 6.20: (a) Injeo de carga; (b) retorno de carga; (c) modelo completo do diodo para pequenos sinais.
6.3.2) TEMPO DE RECUPERAO REVERSA
No estudo dos circuitos com diodos vistos anteriormente, presumiu-se que os sinais eram de baixas freqncias,
o que permitiu supor um chaveamento conduo-corte (ON-OFF) dos diodos praticamente instantneo. No entanto,
devido ao efeito de carga acumulada causada pela capacitncia de difuso e de um retardo para se atingir os nveis de
corrente e largura da regio de depleo em polarizao reversa, as condies de equilbrio reversas no cristal PN no
podem ser estabelecidas de imeditato com a comutao ON-OFF, o que representa uma importante limitao tcnica.
Para o estudo da comutao conduo-corte dos diodos, seja na Figura 6.21-a um ciruito com diodo suposto
chaveado instantneamente do modo conduo (t < 0) para o modo corte (t 0) por um sinal de entrada em degrau. A
Figura 6.21-c exemplifica o comportamento transitrio da corrente ID no diodo, onde observa-se que so necessrios
dois intervalos de tempo para o total estabelecimento das condies de equilbrio reversas no diodo:
Tempo de armazenamento (ta): corresponde ao perodo gasto com o descarregamento da carga acumulada devido
ao efeito da capacitncia de difuso, onde observa-se a conduo de uma considervel corrente reversa.
Tempo de transio (tt): corresponde ao perodo necessrio para a camada de depleo aumentar de modo a se
adequar tenso reversa aplicada, e a corrente se reduzir para atingir o nvel da corrente de saturao reversa (IS).
Assim, o intervalo total para a comutao ON-OFF do diodo, denominado tempo de recuperao reversa trr ,
definido como a soma dos tempos de armazenamento e transio, ou seja: trr = ta + tt ( Figura 6.21-c).
Um exemplo de limitao tcnica causada pelo tempo de recuperao reversa consiste na retificao de sinais
de altas freqncias, onde os diodos podem no realizar a comutao ON-OFF suficientemente rpida para evitar que
uma parte considervel de um semiciclo seja transferido carga (Figura 6.21-d). Neste caso, pode-se empregar diodos
de comutao rpida denominados fast recovery, que apresentam tempos de recuperao reversa da ordem de ns.
87
ID vS , vL
vS
VF VF/R
D ta tt IS
vS R
iD 0 t 0 t
-VR -VR/R
trr
(a) (b) (c) (d)
Figura 6.21: Estudo da comutao instantnea de um diodo: (a) circuito exemplo; (b) sinal de entrada em degrau;
(c) componentes do tempo de recuperao reversa; (d) distoro na retificaco de um sinal de frequncia elevada.
6.4) CRISTAIS PN DE FINALIDADE ESPECFICA
O efeito chave liga-desliga do cristal PN consiste na aplicao bsica dos diodos comuns, ditos retificadores.
No entanto, diversos comportamentos do cristal PN adicionais ao efeito chave podem ser aproveitados para aplicaes
distintas da retificao, o que resultam nos chamados diodos de finalidade especfica, alguns dos quais vistos a seguir.
6.4.1) DIODO ZENER
Como mencionado, diodos comuns no so projetados para suportar tenses superiores s de ruptura reversa.
Contudo, fatores construtivos como maior dopagem e maior capacidade de dissipao condicionam o chamado diodo
zener (smbolos esquemticos na Figura 6.22-a e aparncias na Figura 6.22-b) a suportar esta condio de ruptura.
A Figura 6.22-c mostra a caracterstica I-V tpica do diodo zener. Observa-se ento que as regies de conduo
e corte so similares s de um diodo comum e, para VD < -BV, o diodo zener atinge a chamada regio de ruptura, onde
passa a conduzir correntes reversas utilizveis. Assim, conclui-se que o zener pode ser empregado para funcionar
intencionalmente em um modo ruptura e, desse modo, conduz bem corrente nos dois sentidos (Figura 6.22-b).
Seja IZ a definio da corrente reversa do zener na ruptura. Analisando a regio de ruptura do zener observa-se
ento que, a partir de um joelho de tenso, quando IZ atinge um certo valor em mdulo IZK , o zener passa a exibir
uma tenso reversa em mdulo VZ entre seus terminais, que se mantm praticamente constante at um limite em
mdulo IZM quando o zener por fim se queima (Figura 6.22-b). Logo, se IZ for mantida nos limites IZK IZ IZM , o
zener exibe um efeito prtico em que a tenso em seus terminais se mantm constante, chamada funo regulao de
tenso, onde VZ chamada tenso de regulao do zener. Este efeito reside na principal aplicao dos zeners.
Com base na Figura 6.22-b observa-se que a linearizao da caracterstica I-V nas regies de conduo e corte
resultam nos mesmos modelos para os modos conduo e corte do zener vistos anteriormente. Para o modo ruptura
tem-se que, desprezando o joelho de tenso, pode-se definir um modelo esquemtico formado por uma fonte de tenso
de valor -VZ percorrida por uma corrente IZ < 0 (Figura 6.22-d). Porm, pode-se optar por um esquema invertido, e
geralmente mais prtico, formado por uma fonte de tenso VZ percorrido por uma corrente IZ > 0 (Figura 6.22-d).
ID modelos na
regio de regio de ruptura ID
regio de
ruptura conduo
-BV corte A
-VZ VD
joelho de -VZ -VZ IZ < 0 0
tenso 0 VD
- IZK V K
K
funo - IZ
regulao VZ IZ > 0
de tenso - IZM
A
(a) (b) (c) (d)
Figura 6.22: Diodo zener: (a) simbologias; (b) aparencias diversas; (c) caracterstica I-V; (d) modelo na ruptura.
Com base nos modelos, tem-se que a potncia PZ dissipada do zener na ruptura pode ser determinada por:
PZ VZ I Z (6.9)
Com a especificao de potncia mxima PZM na ruptura dada pelo fabricante, pode-se ento determinar a
corrente mxima IZM do zener na ruptura, tal que: IZM = PZM /VZ. Com relao a IZK , esta pode ser estimada de forma
prtica adotando-se um valor de 10 a 20 % de IZM para garantir que tenso reversa ultrapasse o joelho de tenso.
Zeners comercialmente disponveis apresentam tenso de regulao entre 2 e 200 V e potncia entre e 50 W.
Exemplos: srie BZX79C da Phillips: BZX79C5V2 (VZ = 5,2 V), BZX79C12V (VZ = 12 V), etc.
88
Exerccio 8: Para o circuito e caracterstica corrente-tenso linearizada dos zeners empregados no circuito fornecidos
a seguir, determine a forma de onda da tenso de sada vL considerando um sinal de entrada vS = 8 sen(t).
modo corte modo conduo
ID A K A
10 ID
DZ1
-5 vD 0,7 0,7 V iD > 0
10 k vL - 5,0 ruptura
vS K
0 K -5,0
DZ2 VD (V)
iZ > 0 0 VD (V)
0,7 5V 0,7
A
Soluo
Como visto, um zener apresenta 3 modos de operao (conduo, corte e ruptura). Assim, com a presena de 2
zeners no circuito (n = 2), existem ento 3n = 32 = 9 combinaes que definem as suposies gerais (tabela abaixo).
Como tambm visto, um zener conduz nos dois sentidos de corrente (conduo e ruptura). Contudo, como os
zeners esto em srie ento, se um estiver no corte, o outro tambm dever
DZ1 DZ2 Possvel ?
estar no corte tal que a corrente em ambos seja nula, ou seja, se admitido um
zener no corte, ento o outro no poder estar em conduo ou na ruptura. conduo conduo no
Alm disso, com base na disposio dos zeners no circuito observar-se conduo corte no
que os mesmos tem polarizaes contrrias. Logo, caso um dos zeners esteja conduo ruptura sim
corte conduo no
em conduo, o outro necessariamente dever estar na ruptura, e vice-versa,
para que ambos os zeners estejam conduzindo corrente simultneamente. corte corte sim
corte ruptura no
Assim, pode-se concluir que, das 9 suposies gerais existentes para a
ruptura conduo sim
operao dos zeners, apenas 3 so possveis (tabela): DZ1 em conduo e DZ2
ruptura corte no
na ruptura, DZ1 e DZ2 no corte, e DZ1 em ruptura e DZ2 em conduo.
Como a entrada vS variante no tempo, deve-se ento realizar a anlise ruptura ruptura no
CA das suposies gerais possveis. Para os zeners na ruptura, conveniente empregar o modelo invertido (terminais
e fonte invertidos), pois desse modo pode-se julgar os modos conduo e ruptura com base na mesma regra: iZ > 0.
(a) (a)
iZ iZ
10 i iL 10 iL 10 i iL
A A
A 5V
0,7 V vDZ1
K K K
vS 10 k vL vS 10 k vL vS 10 k vL
K K
K
vDZ2 0,7
(1) 5V (2) (1) (2)
(1) V
A A A
(A) (B) (C)

Suposio geral 1: DZ1 em conduo e DZ2 em ruptura Figura (A)
v 5,7
LKT na malha 1: vS 10 i 0,7 5 0 i S 0,1vS 0,57
10
v
Logo, a corrente na carga ser dada por: iL L4 5,74 0,57 103 A
10 10
LKC no n (a) e considerando iZ > 0 como condio para ambos os zeners em conduo e ruptura, obtm-se:
i iZ iL iZ i iL 0,1vS 0,57 0,57 103 0,1vS 0,57 0 vS 5,7 V condio
Suposio geral 2: DZ1 e DZ2 no corte Figura (B)
vS
LKT na malha externa: vS 10 iL 104 iL 0 iL
10.010
10.000
Logo: vL 104 iL vS vS vL = vS caracterstica de transferncia
10.010
LKT na malha 1: vDZ 2 vDZ 1 vL 0 vDZ 1 vDZ 2 vL vDZ 1 vDZ 2 vS (1)
A anlise das condies no corte para ambos os zeners deve ser realizada com auxlio do resultado (1). Neste
caso, como as condies para DZ1 e DZ2 no corte so, respectivamente, - 5 vDZ1 0,7 V e - 5 vDZ2 0,7 V ento,
manipulando-se convenientemente estas duas inequaes para se obter o resultado (1), tem-se que:
5 vDZ 1 0,7 5 vDZ 1 0,7 5 vDZ 1 0,7

5 vDZ 2 0,7 (1) 5 vDZ 2 0,7 0,7 vDZ 2 5
5,7 vDZ 1 vDZ 2 5,7 V (2)
89
Dos resultados (1) e (2), tem-se ento: 5,7 vDZ 1 vDZ 2 5,7 5,7 v S 5,7 V condio
Suposio geral 3: DZ1 em ruptura e DZ2 em conduo Figura (C)
v 5,7
LKT na malha 1: vS 10 i 5 0,7 0 i S 0,1vS 0,57
10
v 5,7
Logo, a corrente na carga ser dada por: iL L4 0,57 103 A
10 104
LKC no n (a) e considerando iZ > 0 como condio para ambos os zeners em conduo e ruptura, obtm-se:
i iZ iL iZ iL i 0,57 103 0,1vS 0,57 0,1vS 0,57 0 vS 5,7 V condio
Teste de veracidade: as condies (vS > 5,7 V , 5,7 vS 5,7 V e vS < 5,7 V) e caractersticas de transferncia
(vL = 5,7 V, vL = vS e vL = 5,7 V) so complementares em seus limites. Concui-se que os clculos esto corretos.
Para um sinal de entrada vS = 8 sen(t) e com base nas caracterticas de vS , vL (V)
transferncia e respectivas condies, reescritas a seguir: 8 vS
vL 5,7 V para vS 5,7 V 5,7

vL vS para 5,7 vS 5,7 V vL
v 5,7 V para v 5,7 V
L S
0 2 3 t
obtm-se ento a forma de onda da sada vL mostrada na figura ao lado, onde
observa-se que o circuito comporta-se como um ceifador tipo fixador. Este - 5,7
resultado similar ao obtido com o circuito do exerccio 6, ou seja, ambos os -8
circuitos desempenham a mesma funo. Porm, o circuito deste exerccio de implementao mais simples por
necessitar apenas de dois zeners para produzir o mesmo efeito. Por outro lado, o circuito do exerccio 6 se mostra
mais verstil por permitir que a faixa do sinal de entrada seja ajustada a qualquer tempo pelas fontes de tenso CC.
6.4.1.1) Regulador de tenso com zener
Reguladores de tenso so circuitos que tem a finalidade de manter a tenso na sada praticamente constante,
independentemente de variaes na tenso de entrada e/ou no montante de carga. Devido ao seu comportamento na
ruptura, os diodos zeners podem ento ser empregados na construo destes circuitos para fornecer um nvel de tenso
praticamente constante na carga, alm de outras aplicaes onde se necessite de um patamar de referncia de tenso.
Seja ento o esquema simplificado de um circuito regulador de tenso com zener mostrado na Figura 6.23-a. A
fonte VS polariza reversamente o diodo zener DZ e representa um circuito retificador com filtro capacitivo qualquer
que fornece tenso entre um valor mnimo VSmin e mximo VSmax devido presena de ripple em seus terminais, mas
supostos suficiente para fazer o zener operar em seu modo ruptura. A sada de carga do circuito modelada por uma
resistncia RL que pode variar entre um mnimo RLmin e um mximo RLmax . Por fim, uma resistncia RS empregada
para limitar a corrente fornecida pela fonte VS e proteger o zener e a carga, bem como causar uma queda de tenso em
si mesmo de modo a propiciar condies ao zener para regular a tenso na carga RL em um valor VL especificado.
Admitindo-se ento o zener exercendo sua funo regulao de tenso, pode-se substitu-lo por seu modelo na
ruptura (modelo invertido) e, introduzindo-se as consideraes de variao na fonte de entrada VS e na resistncia de
carga RL , tem-se a esquematizao do circuito regulador de tenso mostrada na Figura 6.23-b, tal que VL = VZ .
(a)
RS RS IS IZ IL
VS
D K
VSmax
vS C VSmax RLmax
VSmin VS DZ RL VS RL VL
VSmin VZ RLmin
A
malha de entrada malha de sada
(a) (b)
Figura 6.23: Regulador de tenso com zener: (a) esquema simplificado; (b) efeito regulao e parmetros limites.
Seja IS a corrente fornecida pela fonte de entrada VS , IZ a corrente consumida no zener na ruptura e IL a corrente
consumida na resistncia de carga RL (Figura 6.23-b). Equacionando-se o circuito regulador, tem-se ento que:
V VZ
Aplicando LKT na malha de entrada (malha da fonte), tem-se: VS RS I S VZ 0 I S S (1)
RS
onde conclui-se que IS depende das variaes na tenso de entrada VS , mas independe de variaes na carga RL .
90
VZ
Aplicando LKT na malha de sada (malha de carga), tem-se: VZ RL I L 0 IL (2)
RL
onde conclui-se que IL depende das variaes na carga RL , mas independe das variaes na tenso de entrada VS .
V VZ V
LKC no n (a) e com os resultados (1) e (2), tem-se: I S I Z I L I Z I S I L S Z (3)
RS RL
onde conclui-se que a corrente IZ no zener depende das variaes em VS e RL para regular a tenso na carga.
Assim, como VS e RL variam no tempo, pode-se deduzir que a corrente IZ do zener na ruptura atinge em certos
instantes um valor mnimo IZmin e em certos instantes um valor mximo IZmax . Porm, como deve-se ter IZK IZ IZM
para o zener exercer sua funo regulao de tenso, ento tem-se duas condies limites para a operao do circuito:
IZmin IZK : ou seja, a corrente mnima no zener no pode ser menor que sua especificao IZK , pois abaixo desse
valor o zener perde a funo regulao de tenso ao entrar no corte e funcionar como chave aberta. Com base no
resultado (3) e na Figura 6.23-b, tem-se que a corrente IZ = IS IL no zener ser mnima (IZmin) quando IS mnima
(ISmin), ou seja, quando VS = VSmin , e IL mxima (ILmax), ou seja, quando RL = RLmin , o que resulta na condio:
V VZ VZ
I Z min I ZK I Z min I S min I L max I ZK S min I ZK (6.10)
RS RL min
IZmax IZM : ou seja, a corrente mxima no zener no pode ultrapassar sua especificao IZM , pois acima desse
valor o zener se queima e resulta em um curto ou em um circuito aberto. Com base novamente no resultado (3) e
na Figura 6.23-b, tem-se ento que a corrente IZ = IS IL no zener ser mxima (IZmax) quando IS mxima (ISmax),
ou seja, quando VS = VSmax , e IL mnima (ILmin), ou seja, quando RL = RLmax , o que resulta na condio:
V VZ VZ
I Z max I ZM I Z max I S max I L min I ZM S max I ZM (6.11)
RS RL max
Exerccio 9: Deseja-se construir um regulador de tenso com zener com entrada VS = 10 10% V, de modo a suprir
em 5 V uma carga RL que pode funcionar a vazio ou consumir uma potncia mxima de 0,6 W. Para isso, dispe-se de
um diodo zener cujas especificaes na ruptura so: VZ = 5 V e PZM = 2 W. Determine a faixa de valores dentro da
qual dever ser escolhido o resistor RS para que o zener efetivamente mantenha a tenso na carga RL em 5 V.
Soluo
Especificaes da carga RL do circuito:
Operao a vazio: RLmax ILmin = 0 A
P 0,6
PL max 0,6 W PL max VL I L max VZ I L max I L max L max 0,12 A
VZ 5
Especificaes do zener a ser empregado como regulador de tenso:
IZM : PZM 2 W VZ I ZM I ZM PZM / VZ 2 / 5 0, 4 A
IZK : como mencionado anteriormente, pode-se estimar IZK na prtica adotando-se um valor entre 10 e 20% da
especificao IZM . Neste caso, adotando-se IZK como 10% de IZM , tem-se ento que: IZK = 0,04 A.
Especificaes da fonte de entrada VS do circuito: VS = 10 10% V VSmin = 9 V e VSmax = 11 V
Para o zener efetivamente manter a tenso na carga RL em 5 V ento o resistor RS deve ser dimensionado tal que as
duas condies para o zener executar sua funo regulao de tenso sejam satisfeitas. Desse modo:
Da condio IZmin = ISmin ILmax IZK , tem-se ento que:
VS min VZ 9 5
I L max I ZK 0,12 0,04 RS 25
RS RS
Da condio IZmax = ISmax ILmin IZM , tem-se ento que:
VS max VZ 11 5
I L min I ZM 0 0,4 RS 15
RS RS
Logo, deve-se escolher um resistor na faixa 15 RS 25 , pois se RS for menor que 15 , o zener pode vir a se
danificar e, se maior que 25 , o zener pode vir a operar em seu modo corte e perder a funo regulao de tenso.
Exerccio 10: Para o regulador com zener, sabe-se que a corrente mxima atingida pela fonte VS (ISmax) menor que o
parmetro IZM do zener empregado, isto , ISmax < IZM . Que concluso pode-se obter com relao carga RL ?
Soluo
Da condio ISmax ILmin IZM (caso limite para o zener no se queimar) tem-se que, como ISmax < IZM , ento,
mesmo se a corrente mnima na carga (ILmin) for nula, a corrente no zener no poder atingir seu limite mximo IZM .
Desse modo, se ILmin pode ser nula ento RL pode ser infinita, isto , a carga pode operar a vazio (em aberto) que o
zener no ter ultrapassada a sua especificao mxima de corrente (IZM). Esta situao consitui-se em uma condio
de projeto desejvel para o circuito regulador de tenso, pois propicia segurana em uma eventual abertura da carga.
91
6.4.2) COMPONENTES OPTOELETRNICOS
Optoeletrnica conhecida com a tecnologia de materiais e componentes que associa a ptica com a eletrnica
para o aproveitamento de mecanismos de converso de energia eltrica em luminosa, e vice-versa. Os dispositivos
construdos para este fim, denominados componentes optoeletrnicos, so baseados em dois efeitos da matria:
Eletroluminescncia: consiste no mecanismo de converso de energia eltrica em radiao eletromagntica (energia
luminosa). Exemplos de dispositivos que fazem uso deste efeito so os diodos emissores de luz (LEDs) e o laser.
Efeito Fotovoltaico: consiste no mecanismo de converso de energia luminosa em energia eltrica (ou seja, inverso
Eletroluminescncia), sendo o fotodiodo e a clula solar exemplos de dispositivos que fazem uso deste efeito.
Dispositivos optoeletrnicos com mecanismos inversos podem tambm ser associados para se estabelecer um
acoplamento tico na construo dos chamados optoacopladores. Alguns destes dispositivos so vistos a seguir.
6.4.2.1) Diodos emissores de luz
No estudo da conduo do cristal PN visto no Captulo 5, observou-se que a corrente direta consiste na injeo
de minoritrios em cada substrato. Neste caso, quando, por exemplo, eltrons livres do lado N so injetados no lado P
e se tornam minoritrios, estes podem facilmente se recombinar com lacunas do lado P e emitir o excesso de energia
na forma de radiao na passagem da banda de conduo para a banda de valncia (Figura 6.24-a). Sendo o silcio e o
germnio opacos passagem de luz, esta energia ento absorvida na forma de calor nos cristais PN baseados nestes
materiais. Porm, os chamados diodos emissores de luz, ou apenas LEDs (Light-Emitting Diode), so construdos
com base em semicondutores de comportamento translcido (transparente) a estas radiaes e, desse modo, permitem
que grande parte da radiao emitida por recombinaes eltrons-lacunas se propague para o meio exterior ao cristal.
Os LED`s so ento componentes empregados apenas em circuitos CC, de modo a serem levados conduo
para realizar sua finalidade especfica, que produzir luz utilizvel. Como quanto maior a corrente direta, maior a
taxa de recombinao nos substratos, ento a intensidade da luz emitida pelo LED proporcional corrente direta.
Como visto no Captulo 1, a energia de uma radiao proporcional sua frequncia (Ef = h f) e, com base na
Figura 6.24-a, observa-se que a frequncia da luz emitida por um LED, e portanto sua cor, depende essencialmente da
energia do gap (EG). Assim, os LEDs distinguem-se pela cor de luz, variando do infra-vermelho (gap pequeno) at a
cor azul (maior gap), sendo a faixa espectral emitida bastante estreita (mas no monocromtica como em um laser).
Os LED`s construdos com base no material arsenieto de glio (GaAs) emitem infra-vermelho e, com a adio
de fsforo (ou ndio) para formar o fosfato arsenieto de glio (GaAsP), obtem-se gaps maiores e, desse modo, LEDs
de luz visvel (vermelho, laranja, amarelo, at a cor verde), sendo no LED azul empregado o nitreto de glio (GaN).
A Figura 6.24-b mostra os smbolos esquemticos do LED, onde as setas simbolizam o sentido da radiao, e
algumas de suas aparncias mais comuns so apresentadas na Figura 6.24-c. Exemplos de LEDs comerciais bastante
utilizados so as sries TIL da Texas Instrument (exemplo: TIL221), srie CQV (Philips) e srie LD (Icotron).
A caracterstica I-V dos LED`s similar ao do diodo comum, apresentando tenso de limiar tpica em torno de
1,2 a 3 V, potncias mximas at 0,2 W ou correntes mximas at 100 mA, e pequena tenso reversa de ruptura (5 V).
Similar aos demais diodos, um LED no consegue por si s limitar sua corrente e um elemento resistivo deve ser
empregado para proteger o LED de sua especificao de corrente mxima (circuito exemplo na Figura 6.24-d).
Os LEDs apresentam diversas vantagens como baixa potncia, vida longa e rpido chaveamento liga-desliga.
LEDs infra-vermelhos so usados em sistemas onde exige-se luz no visvel, tais como sistemas de controle, alarmes
e sensores de presena. Os de luz visvel so empregados em equipamentos para indicar avisos luminosos, nveis de
intensidade, indicadores de 7 segmentos para mostrar nmeros e letras (Figura 6.24-e), etc. A associao de LED's de
cores primrias de luz (vermelho, verde a azul) so empregados em lmpadas (Figura 6.24-f), bem como telas de TV
e de computadores, que apresentam vantagens como tamanho reduzido, elevada vida til e baixo consumo.
O chamado LED laser (aparncia na Figura 6.24-g), constitui-se de um cristal PN com faces paralelas polidas
para funcionar como uma cavidade ptica e produzir luz coerente, sendo comumente empregados em dispositivos e
equipamentos de leitura e armazenamento, bem como sistemas de comunicao de alta velocidade (fibras ticas).
energia P N
+VS
Eapl
BC R
EG
radiao
BV emitida
A K
bicolor RGB
(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g)
Figura 6.24: Diodo emissor de luz: (a) mecanismo de emisso; (b) smbolos esquemticos; (c) aparncias
diversas; (d) circuito de polarizao; (e) mostrador de 7 segmentos; (f) lmpadas de LED; (g) diodo laser.
92
Exerccio 11: Para o circuito e caracterstica I-V linearizada do LED empregado a seguir, sabe-se que a especificao
de corrente direta mxima do LED 100 mA. Determine a faixa de valores do resistor R para que o LED emita luz.
modo conduo
ID (mA) ID (mA) A
50 modo corte 1,5 V
80 A 80 ID
R 9
9V LED VD
K
K
0 R f 0, 72 / 0, 08 9
1,5 2,22 VD (V) 0 1,5 2,22 VD (V)
Soluo
Como visto, o LED emite luz quando funciona no modo conduo e, neste caso, deve-se ter ID > 0. Alm disso,
a corrente no LED no deve ultrapassar sua especificao de corrente mxima, ou seja, tem-se tambm que ID 0,1 A.
Assim, a soluo do problema consiste em obter a faixa de valores para o resistor R tal que: 0 < ID 0,1 A. Assim,
substiuindo-se o modelo fornecido para o LED no modo conduo, obtm-se o circuito abaixo e tem-se que:
LKC no n (a): I1 = ID + I2 (1) (a)
Aplicando LKT na malha (A) e com o resultado (1), tem-se:
9 50 I1 1,5 9 I D 0 9 50 I D I 2 1,5 9 I D 0 50 I1 ID I2
A
59 I D 50 I 2 7,5 (2)
9V 1,5 V R
9 I D 1,5 9
LKT na malha (B): 9 I D 1,5 R I 2 0 I 2 (3) (A)
R K
(B)
Aplicando o resultado (3) no resultado (2), tem-se que:
59 I D 50 I 2 7,5 59 I D 50
9 I D 1,5 7,5 I 7,5 R 75
59 R 450
D
R
7,5 R 75
Para a condio ID > 0, tem-se: 0 7,5 R 75 0 R > 10
59 R 450
pois, como R > 0 (no existe resistor de valor negativo), ento o denominador da frao sempre positivo.
7,5 R 75
Para a condio ID 0,1 A, tem-se: 0,1 7,5 R 75 5,9 R 45 R 75
59 R 450
Interpretao: o n (a) do circuito consiste em um divisor de corrente para o paralelo entre o LED e o resistor R.
Logo, se R < 10 , ento o resistor R desvia toda a corrente da fonte (I1) e no permite que o LED entre em modo
conduo (LED apaga) e, se R > 75 , ento a corrente desviada para o LED suficiente para faz-lo queimar.
6.4.2.2) Fotodiodo e clula fotovoltaica
Como estudado no Captulo 5, a corrente reversa em um cristal PN formada por portadores minoritrios e a
incidncia de energia em um semicondutor, por exemplo luminosa, pode acarretar em quebras de ligaes covalentes
e a criao de pares eltron-lacuna, o que ocasiona um aumento relevante na concentrao de minoritrios, mas no de
majoritrios. Logo, conclui-se que um cristal PN polarizado reversamente pode ser empregado como um dispositivo
tipo fotodetetor, denominado fotodiodo, cuja corrente reversa controlada pela incidncia de luz no cristal.
O fotodiodo constitu-se em um componente sensor de luminosidade formado por um invlucro contendo um
cristal PN e uma janela transparente para possibilitar a incidncia de energia luminosa no cristal e este produzir pares
eltron-lacuna proporcional intensidade de luz incidente (Figura 6.25-a). Esta incidncia ocorre diretamente sobre a
regio da juno PN, pelo fato dos portadores gerados distante da juno apresentarem maior probabilidade de se
recombinarem antes de conseguir atravessar camada de depleo e alcanar o outro substrato. Como a sensibilidade
luz indicente para a criao de pares eltron-lacuna dependente do gap de energia entre as bandas de valncia e de
conduo, ento o fotodiodo constitui-se em um dispositivo seletivo de frequncia similar ao fotorresistor.
A Figura 6.25-b apresenta alguns smbolos esquemticos do fotodiodo, onde as setas simbolizam o sentido da
radiao, e a Figura 6.25-c mostra a aparncia comercial destes dispositivos. A Figura 6.25-d exemplifica um circuito
de polarizao reversa de um fotodiodo, onde um resistor R deve ser usado para limitar a corrente no dispositivo.
A Figura 6.25-e exemplifica a caracterstica I-V de um fotodiodo, situada no 3 quadrante devido polarizao
reversa, onde o parmetro L (W/cm2) refere-se densidade de energia luminosa incidente na juno e o comporta-
mento quase constante da corrente reversa em relao tenso aplicada se deve foto-gerao limitada de portadores
livres. O estabelecimento de uma reta de carga na caracterstica (Figura 6.25-e) permite ento observar o efeito detetor
de luz, onde a corrente reversa no fotodiodo controlada proporcionalmente pela quantidade de radiao incidente.
Os materiais normalmente empregados para a construo de fotodiodos so germnio, silcio e selnio, sendo a
corrente reversa tpica da ordem de at dezenas de A. Os fotodiodos so empregados em diversas aplicaes, tais
como sensor de luz em chaves e controles pticos, bem como sistemas de comunicao digitais por fibra tica.
93
ID (A)
+VS
janela A L3 > L2 > L1 > Lo potencial
R fotovoltaico
P Lo = 0 W/cm2
luz
N 0 VD (V)
L1
invlucro K L2 reta de
opaco L3 carga
(a) (b) (c) (d) (e)
Figura 6.25: Fotodiodo: (a) aspectos, (b) smbolos, (c) aparncias, (d) polarizao, (e) caracterstica I-V.
Na Figura 6.25-e observa-se tambm que a corrente reversa no cristal PN sob iluminamento no se reduz a zero
quando a tenso aplicada nula (VD = 0), ou seja, quando os terminais so curto-circuitados. Isto decorre pelo fato dos
minoritrios foto-gerados em cada regio poderem migrar para o outro lado devido ao campo eltrico acelerante da
camada de depleo, e continuarem a produzir uma corrente exteriormente ao cristal. Logo, para reduzir a corrente no
cristal sob iluminamento a zero (ID = 0), deve-se aplicar uma tenso direta (VD > 0), o que equivalente a abrir os
terminais do cristal. Como resultado, observa-se uma tenso eltrica resultante entre seus terminais (Figura 6.25-e),
chamada potencial fotovoltaico, devido ao efeito separao de cargas de sinais contrrios causada pela migrao dos
minoritrios foto-gerados atravs da juno. Como nesta regio (4 quadrante), corrente e tenso tem mesmo sentido,
o cristal PN sob iluminamento se comporta ento fisicamente como uma fonte de tenso. Assim, com a conexo de
uma carga nos terminais do cristal, tem-se a produo de corrente eltrica na carga, o que constitui-se na converso da
energia luminosa em eltrica, ou seja, o cristal PN sob iluminamento funciona como um gerador de energia eltrica.
Este mecanismo de converso de energia, denominado efeito fotovoltaico, originou um dispositivo conversor
fotoeltrico chamado clula fotovoltaica, ou clula solar, que emprega luz ambiente como fonte de energia primria
para a produo de eletricidade. A Figura 6.26-a mostra o esquema construtivo de uma clula fotovoltaica, constituda
por um cristal PN formado por uma estreita camada de material tipo N sobre um substrato P, de modo a permitir que a
maior parte da radiao incidente no substrato N consiga atingir a do substrato P regio prxima juno PN.
A Figura 6.26-b mostra a caracterstica I-V tpica de uma clula solar para alguns nveis de radiao incidente,
onde VV definida como a tenso em seus terminais e IV a corrente resultante da conexo de uma carga RL em seus
terminais (Figura 6.26-a). A potncia PV de sada da clula solar ser dada ento por: PV = VV IV , e observa-se que, se
VV = 0 (terminais em curto), ento PV = 0, e se IV = 0 (terminais em aberto), ento PV = 0, ou seja, a potncia nula
para os valores extremos de carga. Desse modo, pode-se determinar um ponto de mximo fornecimento de potncia
da clula solar para uma determinada radiao incidente, usualmente definido por uma reta de carga (Figura 6.26-b).
As clulas solares (smbolos esquemticos na Figura 6.26-c e aparncia na Figura 6.26-d) so em sua maioria
fabricadas empregando o silcio como material base e produzem um potencial fotovoltaico tpico em torno de 0,6 V.
As tecnologias atuais para a construo de clulas baseadas no silcio so classificadas basicamente em trs tipos:
Silcio monocristalino: a tecnologia historicamente mais utilizada, pelo fato de sua fabricao ser processo bem
constitudo. So, em geral, as que apresentam as maiores eficincias, podendo atingir 18%.
Silcio policristalino: esta tecnologia apresenta eficincia (13%) inferior s clulas de silcio monocristalino, sendo
contudo mais baratas por exigirem um processo de fabricao menos rigoroso e de custo mais reduzido.
Silcio amorfo: difere das demais por apresentar alto grau de desordem na estrutura dos tomos e baixa eficincia
na converso de energia comparada aos outros tipos (7%), que ainda se reduz ao longo da vida til. No entanto,
seu processo de fabricao o mais simples e barato e apresenta a possibilidade de fabricao com grandes reas.
Clulas fotovoltaicas, e o conjunto destas (baterias solares), so empregadas como fonte de energia em satlites,
calculadoras, carregadores de baterias, geradores de energia em locais de difcil acesso rede eltrica, proteo contra
corroso catdica, sinalizao, sensores de monitoramento, estaes repetidoras de telecomunicao, etc.
radiao L3 > L2 > L1
grade metlica IV (A) PV (W)
ponto de
L3 mxima
2,0
potncia
VV L2
camada e+ N RL 1,5
E L1 reta de
de 1,0 carga
depleo e- P L=0
IV
base metlica 0 0,6 VV (V)
(a) (b) (c) (d)
Figura 6.26: Clula fotovoltaica: (a) aspectos construtivos, (b) caracterstica corrente-tenso e ponto de mxima
transferncia de potncia; (c) smbolos esquemticos; (d) aparncia comercial de um conjunto (bateria solar).
94
6.4.2.3) Optoacopladores
Os chamados optoacopladores so dispositivos construdos com a associao de um componente emissor de luz

e um fotodetetor em um mesmo invlucro, empregado para acoplamentos entre circuitos eltricos distintos por meio
de um sinal tico. Logo, pode-se obter uma isolao eltrica entre os circuitos, pois o nico contato entre os mesmos
um feixe de luz e, desse modo, possvel controlar um circuito de alta tenso e potncia (circuito de sada conectado
ao fotodetetor), por um circuito de tenso e potncia comparativamente menor (circuito de entrada ligado ao emissor).
O optoacoplador de diodos (smbolo na Figura 6.27-a e aparncias na Figura 6.27-b) um dispositivo formado
por um LED (usualmente infra-vermelho) no lado de entrada e um fotodiodo no lado de sada. A Figura 6.27-c mostra
o esquema simplificado de circuito fotocontrolado com um optoacoplador de diodos, onde a tenso de sada dada
por: VSADA = V2 R2 I2. Assim, qualquer alterao na luz emitida pelo LED por meio de I1 no circuito de controle,
atingir o fotodiodo e o far estabelecer no circuito controlado uma mudana em VSAIDA via alterao da corrente I2 .
R1 I1 I2 R2
VENT VSAIDA
V1 V2
circuito de entrada (controle) circuito de sada (controlado)

(a) (b) (c)
Figura 6.27: Optoacoplador LED-fotodiodo: (a) smbolo esquemtico; (b) aparncias; (c) circuito-exemplo.
6.4.3) DIODO SCHOTTKY
O chamado diodo Schottky (smbolo na Figura 6.28-a) constitui-se de uma juno metal-semicondutor formado
por um substrato metlico (alumnio, ouro ou prata) e um substrato semicondutor (silcio ou arsenieto de glio) tipo N
pouco dopado (Figura 6.28-b). Este tipo de juno tambm apresenta
uma caracterstica retificadora, em conseqncia de uma barreira de A semicond. K
potencial chamada barreira de Schottky, ocasionada pela diferena de metal
tipo N
concentraes de portadores entre o metal e o semicondutor. Neste
caso, o efeito acmulo de carga da injeo de minoritrios em cada juno
substrato inexistente, pelo fato dos dois substratos s possuirem
eltrons livres como portadores majoritrios e, desse modo, o tempo (a) (b)
de recuperao reversa deste diodo se resume ao de transio. Assim,
Figura 6.28: Diodo Schottky: (a) smbolo
o diodo schottky caracteriza-se por apresentar uma rpida comutao
esquemtico; (b) estrutura fsica.
ON-OFF, com tempos de recuperao reversa de ordem inferior a ns,
possibilitando ento sua aplicao em circuitos que trabalham com sinais eltricos de elevada frequncia, tais como
microprocessadores, bem como em retificadores de pequenos sinais e freqncias da ordem de at 300 MHz.
6.4.4) VARICAP
Como visto no Captulo 5, o cristal PN se caracteriza por apresentar regies de portadores majoritrios de sinais
contrrios (eltrons e lacunas), separados por uma regio ausente de cargas livres (camada de depleo). Entende-se
ento que os substratos P e N do cristal se comportam como placas carregadas com cargas de sinais contrrios e a
camada de depleo desempenha a funo de material dieltrico entre os substratos, o que define um efeito capacitivo
chamado capacitncia de transio ou de juno (Figura 6.29-a). Este efeito ento comum a todos os cristais PN.
Com base na Figura 6.29-a observa-se que a capacitncia de transio de um cristal PN (CT) pode ser definida
por: CT = A/W, onde W a largura da regio de depleo, A a rea da juno e a permissividade dieltrica do
semicondutor. Como uma das consequncias da polarizao reversa em um cristal PN, vista no Captulo 5, reside no
aumento da largura W da camada de depleo com o aumento da tenso reversa, tem-se ento que a capacitncia de
transio pode ser ajustada de forma inversa pela tenso reversa aplicada ao cristal (Figura 6.29-b). Conclui-se ento
que o cristal PN pode se comportar como um capacitor varivel, cuja capacitncia resultante em seus terminais se
ajusta automaticamente com a tenso reversa aplicada, sem precisar de movimentos mecnicos entre placas metlicas.
O comportamento de capacitncia controlada por tenso empregado na construo de um diodo de finalidade
especfica chamado varicap, varactor, epicap ou diodo de sintonia (smbolo esquemtico na Figura 6.29-c e aparncias
na Figura 6.29-d), que apresenta fatores construtivos como grande rea de juno e nvel de dopagem especificamente
dimensionado para maximizar o efeito da capacitncia de transio. O varicap largamente empregado na montagem
dos chamados circuitos tanques ressonantes (princpio que baseia a sintonia de um sinal de onda eletromagntica)
para a recepo de sinais em aparelhos como rdios, TVs, celulares e outros equipamentos de telecomunicao.
95
P W N
CT (F)
cargas dieltrico cargas 0 tenso reversa (V)

armazenadas armazenadas
(a) (b) (c) (d)
Figura 6.29: (a) Esquema da capacitncia de transio em um cristal PN; (b) variao da capacitncia de
transio com a tenso reversa aplicada; varicap: (c) smbolo esquemtico, (d) aparncias comerciais.
6.4.5) VARISTORES
Descargas atmosfricas e chaveamento de cargas indutivas podem causar perturbaes transitrias, tais como
sobretenses rpidas chamadas surtos de tenso, e danificar equipamentos mais sensveis. Assim, comum o emprego
de supressores de surtos em redes eltricas e nos mais diversos equipamentos para reduzir ou eliminar este problema.
Os chamados varistores (smbolo na Figura 6.30-a e aparncas nas Figuras 6.30-b e c) constituem-se de um tipo
de filtro utilizado em equipamentos para limitar (grampear) sinais de tenso a partir de um certo nvel, propiciando
ento proteo contra sobretenses transitrias
I eventuais provindas da rede eltrica.
O tipo mais comum de varistor so os de
-BV xidos metlicos (MOV), que so constitudos
BV V por pequenos grnulos de xido de zinco (ZnO)
orientados randomicamente e sinterizados com
pequena quantidade de outros xidos metlicos
(cobalto, mangans e bismuto, etc.). Outros
materiais empregados so o dixido de estanho
sobretenso (SnO2) e dixido de titnio (TiO2).
O funcionamento do varistor baseado
(a) (b) (c) (d)
no fato da fronteira entre cada par de gros de
xido metlico se comportar como uma juno
Figura 6.30: Varistores: (a) smbolo esquemtico; (b) aparncias PN, equivalendo-se eletricamente a uma rede
diversas; (c) aparncia do tipo alta tenso; (d) caracterstica I-V. de pares de diodos zener em srie um de costas
para o outro. Em tenses normais de trabalho aplicadas em seus terminais (eletrodos), o varistor praticamente no
conduz corrente nos dois sentidos, comportando-se como uma chave aberta e permitindo que toda a tenso seja
transferida ao restante do equipamento. Porm, quando atingido o seu limite de grampeamento, o varistor passa a
conduzir intensamente nos dois sentidos devido ruptura da rede de zeners (causada por uma combinao de efeitos
de emisso terminica e tunelamento), resultando em um comportamento de chave fechada de baixa resistncia.
A Figura 6.30-d mostra a caracterstica I-V tpica de um varistor, onde observa-se ento que este apresenta um
efeito de ceifamento de picos de tenso quando ultrapassado os seus limites de ruptura. Logo, estes dispositivos so
empregados na proteo de diversos equipamentos de baixa potncia (fontes, reatores eletrnicos, no-breaks, etc.),
bem como em subestaes para a proteo de alimentadores. Os varistores, contudo, no provem proteo contra
sobretenses de longa durao, necessitando de sensores de calor e, se necessrio, do seccionamento do equipamento.

Problema 1: Para um diodo de juno PN de silcio (considerar = 2) a 20 oC, determinar:
a) A tenso reversa para que a corrente atinja 95 % do seu valor de saturao.
b) A razo, em mdulo, entre as correntes direta e reversa, para uma tenso direta e reversa de 0,2 V, respectivamente.
c) A corrente direta para as tenses de 0,5 V, 0,6 V e 0,7 V aplicadas aos terminais do diodo considerando IS = 10 nA.
d) Se IS = 1 nA, qual ser a tenso aplicada ao diodo para um corrente direta de 2,5 A ?
e) Se ID = 70 mA quando VD = 0,65 V a 20 oC, qual o valor da corrente de saturao para a temperatura de 50 oC?
Problema 2: Um diodo est funcionando a uma tenso direta de 0,7 V. Qual a relao entre as correntes mxima e
mnima neste diodo numa gama de temperaturas entre 55 e 100 oC ? Considere = 2.
Problema 3: Determine a cor emitida por um diodo emissor de luz, cuja energia do gap (EG) igual a 2 eV.
96
Problema 4: Para o circuito e segmento de polarizao direta da caracterstica I-V do diodo fornecidos, pede-se:
a) Para VS = 6 V, determine o ponto de operao do diodo empregado no circuito.
b) Para VS = 6 V, mede-se a tenso no diodo e obtm-se 1,0 V. Pergunta-se: o diodo tem problemas? Explique.
c) Para VS = 6 V, mede-se a corrente no diodo e obtm-se 200 mA. Pergunta-se: o diodo tem problemas? Explique.
d) Se VS = 5 V, determine o resistor a ser trocado com o de 6 para se ter o mesmo ponto de operao do item a).
ID (mA)
200
30 150
D 6
VS 100
50
Problema 4
0
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VD (V)
Problema 5: Montou-se o circuito fornecido e observou-se uma leitura de 5 V no voltmetro. Pergunta-se: h algum
problema no circuito? Se sim, explique um possvel causa. Se no, explique o funcionamento do circuito.
Problema 6: Para o circuito fornecido, determine a potncia dissipada no diodo D e no resistor de 9 . Considere o
modelo aproximado do real para o diodo, onde: V = 0,5 V , Rf = 5 .
Problema 7: O circuito fornecido apresenta o comportamento de uma porta lgica OR. Pede-se: determine a tenso
de sada Vo para as seguintes entradas V1 e V2: a) V1 = V2 = 5 V ; b) V1 = V2 = 0 V ; c) V1 = 5 V e V2 = 0 V.
Considere o modelo aproximado do real simplificado para os diodos D1 e D2 , onde: V = 0,7 V.
+V1
200
10 D 1 D D1
9 +V2 +Vo
10 V 4V
10 V 4V 200 D2 4,8 k
Problema 5 Problema 6 Problema 7
Problema 8: Para o circuito fornecido, determine o valor limite da razo entre os resistores R1 e R2 para que o LED
emita luz. Adotar modelo aproximado do real simplificado para o LED, onde: V = 1,6 V.
Problema 9: Para o circuito dado, sabe-se que a corrente direta mxima do LED empregado 75 mA. Determine a
faixa de valores para o resistor R tal que o LED emita luz e explique o que acontece com o LED se os limites da faixa
forem ultrapassados. Adotar modelo aproximado do real simplificado para o LED, onde: V = 1,5 V.
Problema 10: O circuito fornecido um indicador visual de luminosidade atravs do brilho de um LED, que emprega
um LDR como sensor de luz. Explique a relao entre a intensidade de luz no LDR e o brilho do LED.
R1 R R
4V LED R2 9V 20 LED VS LED LDR
Problema 11: Montou-se um circuito retificador para alimentar aparelhos de rdio (figura dada). Explique o que
acontecer com o ripple da tenso de sada com relao a: 1) volume do som ; 2) tamanho (potncia) dos aparelhos.
Problema 12: O circuito dado uma aplicao prtica de controle de luminosidade ambiente atravs do emprego de
um diodo, um interruptor do tipo duplo e uma lmpada incandescente L. Explique o funcionamento do circuito.
97
Problema 13: Para o circuito dado e caractersticas I-V linearizadas dos diodos empregados, pede-se:
a) Obtenha o modelo esquemtico dos diodos para cada modo de operao e respectivas condies de funcionamento.
b) Enumere as hipteses existentes para os modos de operao dos diodos e explique quais so as realmente possveis.
c) Para a entrada vS e sada vL, determine as caractersticas de transferncia do circuito e respectivas condies.
d) Determine a forma de onda da tenso de sada vL para um sinal de tenso de entrada vS = 15 sen(t) .
ID
diodo D
S1 200
D D
0 VD
vS 800 vL
vS C 220 V S2 ID
DZ diodo DZ
L
-10
0 VD (V)
Problema 14: A figura dada apresenta duas relaes grficas da varivel de sada vo em funo da varivel de entrada
vS , que expressam a caracterstica de transferncia geral de determinados circuitos. Para cada grfico, pede-se:
a) Determine as equaes da caracterstica de transferncia e respectivas condies.
b) Com base no valor da declividade das retas (), interprete como o sinal de entrada refletido na sada.
c) Obtenha a forma de onda da sada vo para uma entrada vS = 10 sen(t).
Problema 15: A figura fornecida mostra a representao de um determinado circuito com didos, onde vS o sinal de
entrada e as variveis v1 e v2 so os sinais de sada de interesse do circuito, bem como as equaes da caracterstica de
transferncia e respectivas condies para a sada v1 e a relao entre as sadas v1 e v2. Pede-se:
a) Determine o valor das constantes a e b. Explique o clculo realizado e o significado da constante a.
b) Desenhe o grfico da caracterstica de transferncia com base nas equaes fornecidas.
c) Desenhe a forma de onda do sinal de sada v1 para o sinal de entrada vS fornecido (forma de onda triangular).
d) Desenhe a forma de onda do sinal de sada v2 para o mesmo sinal de entrada vS fornecido no item d).
vS (V)
vo (V) vo (V) v1 4 se: vS 5 + v1
12

+vS v1 a vS se: 6 vS 5
v b se: v 6
=-2 =2 1 S + v2 0 2 t
= - 0,5 = 0,5
0 vS (V) 0 vS (V) v2 v1 3
-12
Problema 14 Problema 15
Problema 16: O circuito dado trata-se de um indicador visual de luminosidade atravs do brilho de uma lmpada L,
que emprega um resistor tipo LDR como sensor de luz e um optoacoplador LED-fotodiodo para o acoplamento entre
os circuitos. Explique a relao entre a luz incidente no LDR e a intensidade da luz emitida pela lmpada L.
Problema 17: Deseja-se montar um regulador de tenso com zener para obter 9 V na carga RL (circuito fornecido),
considerando um sinal de entrada VS = 14 2 V. As especificaes do zener a ser empregado no circuito so: VZ = 9 V
e PZ = 1,8 W. Adote a regra prtica IZK = 10% de IZM e determine a faixa de valores em que deve variar a resistncia
de carga RL para que o zener consiga efetivamente regular a tenso de sada em 9 V.
Problema 18: Deseja-se projetar um regulador de tenso com zener para fixar em 12 V a tenso em uma carga RL.
Para isso, ser necessrio o emprego de dois zeners em srie (figura dada), com as seguintes especificaes:
Zener DZ1 : VZ = 8 V , IZK = 20 mA , IZM = 200 mA ; Zener DZ2 : VZ = 4 V , IZK = 30 mA , IZM = 250 mA
A variao da resistncia de carga dada por: RL = 200 50%. Determine a faixa de tenso de entrada VS para que
os zeners consigam efetivamente regular a tenso de sada em 12 V . Explique o clculo realizado.
60 30
R L DZ1
LDR VS DZ RL VS RL
V1 V2
DZ2
98
CAPTULO 7: DISPOSITIVOS A JUNO PN - II: TBJ
Similar aos diodos a vcuo, os chamados triodos o vcuo, genericamente conhecidos como vlvulas, consistem
no aproveitamento do efeito da emisso termoinica para realizar um controle de carga entre placas metlicas. Neste
caso, alm da placa emissora (catodo), onde produzido o efeito termoinico, e da
emissor ou grade coletor ou
placa coletors (anodo), os triodos a vcuo apresentam uma terceira placa, chamada catodo anodo
grade, caracterizada pela presena de furos para a retirada de apenas uma pequena
parcela dos eltrons emitidos pelo catodo e permitir maior parte destes eltrons
alcanar o anodo (Figura 7.1). Isso propicia um controle de corrente entre as placas, e
denominado efeito transstor, e proporciona um elevado ganho de corrente entre a
corrente do catodo para o anodo e a relativamente pequena corrente da grade, o que calor
pode ser utilizado para se produzir um efeito amplificador de sinais, bem como um
comportamento ativo de chave liga-desliga controlada por corrente. K G A
O chamado transistor bipolar de juno, genericamente conhecido como TBJ
Figura 7.1: Triodo a vcuo.
ou BJT, um triodo semicondutor desenvolvido nos Laboratrios Bell em 1947, que
substituram gradativamente as vlvulas termoinicas (pelo fato destas apresentar o inconveniente de consumir muita
energia devido ao efeito termoinico), bem como tem possibilitado novas inovaes teconolgicas, tais como diversos
tipos de transistores e os chamados circuitos integrados. Desse modo, praticamente todos os equipamentos eletrnicos
projetados e construdos atualmente fazem largo emprego destes componentes semicondutores em seus circuitos.
Este captulo visa realizar um breve estudo sobre o funcionamento e a anlise CC de circuitos com TBJs.
7.1) ASPECTOS GERAIS

O transistor bipolar de juno, ou TBJ, um cristal semicondutor formado por trs substratos, denominados
emissor (cujo terminal pode ser indicado por E), base (B) e coletor (C), que desempenham funes similares das
placas do triodo a vcuo, necessitando ento apresentar diferentes aspectos fsicos, descritos a seguir (Figura 7.2-a):
Emissor: o substrato mais densamente dopado dos trs, devido sua funo como fornecedor dos portadores de
carga livres necessrios ao funcionamento do TBJ. Possui tamanho intermedirio entre os substratos base e coletor.
Base: o substrato de menor dopagem e menor dimenso dos trs, devido sua funo residir em recolher apenas
uma pequena quantidade dos portadores livres injetados pelo emissor, permitindo que a maioria alcance o coletor.
Coletor: tem a funo de recolher a maioria dos portadores livres da base vindos do emissor. Apresenta dopagem
intermediria entre o emissor e a base, bem como o maior tamanho por disipar mais calor que os outros substratos.
Alm disso, para obter-se o efeito transistor (controle de corrente por corrente), necessria a formao de duas
junes PN com os substratos, denominadas juno emissor-base ou JE e juno coletor-base ou JC (Figura 7.2-a), o
que implica em duas combinaes possveis entre cristais P e N e resulta em duas famlias de TBJ's (Figura 7.2-a):
TBJ NPN: constitudo por um substrato tipo P (base) entre dois substratos tipo N (emissor e coletor). Neste caso,
como o substrato emissor tipo N o responsvel por fornecer portadores livres aos outros substratos para o devido
funcionamento do TBJ, ento as correntes no TBJ NPN sero formadas majoritariamente por eltrons livres.
TBJ PNP: constitudo por um substrato tipo N (base) entre dois substratos tipo P (emissor e coletor). Neste caso,
como o substrato emissor do tipo P, as correntes no TBJ PNP sero formadas majoritariamente por lacunas.
Portanto, cada juno PN apresentam suas respectivas camadas de depleo: emissor-base (EB) e coletor-base
(CB) e, como quanto mais densamente dopado um substrato, menor a camada de depleo em seu lado, tem-se que a
largura da camada EB menor que a CB pelo fato do substrato emissor ser o de maior dopagem (Figura 7.2-b).
A presena de duas junes PN permite ento entender o TBJ como um dispositivo constitudo por dois cristais
PN entre o terminal da base e os terminais emissor e coletor, o que define os dois diodos do TBJ (Figura 7.2-a):
Diodo emissor: corresponde ao cristal PN observado entre os terminais do emissor (E) e da base (B).
Diodo coletor: corresponde ao cristal PN observado entre os terminais do coletor (C) e da base (B).
Emissor Base Coletor Emissor Base Coletor
E N P N C E N P N C
P N P P N P
JE JC camada de depleo camada de depleo
diodo diodo emissor-base (EB) coletor-base (CB)
emissor B coletor B
(a) (b)
Figura 7.2: Constituio fsica e nomenclaturas do TBJ: (a) substratos e diodos; (b) camadas de depleo.
99
CAPTULO 7: Dispositivos a juno PN II: TBJ
Tal como nos diodos, os TBJs de silcio so mais amplamente empregados que os de germnio, por oferecerem
especificaes de tenso e corrente mais elevadas, menor sensibilidade temperatura e menores correntes reversas,
razo pela qual a teoria abordada neste captulo limitar-se ao estudo de transistores bipolares de juno de silcio.
Os smbolos esquemticos dos transistores bipolares de juno tipos NPN e PNP apresentam uma seta para
identificar o terminal emissor e o sentido da corrente neste terminal quando o diodo emissor do TBJ se encontra em
seu modo conduo. No caso do TBJ NPN, a seta aponta para fora no smbolo (Figura 7.3-a) pelo fato do substrato
emissor tipo N injetar eltrons livres (majoritrios) na base com o diodo emissor em conduo, o que corresponde a
uma corrente de direo contrria no sentido convencional (das cargas positivas). Para o TBJ PNP, a seta aponta para
dentro no smbolo (Figura 7.3-b) pelo fato do substrato emissor tipo P injetar lacunas (majoritrios) na base e, como
lacunas so portadores de carga positivas, a direo da corrente j corresponde ao sentido convencional.
Como os substratos do transistor bipolar de juno disponibilizam trs terminais, este dispositivo apresenta seis
variveis (trs correntes e trs tenses) acessveis em seus terminais, exemplificadas na Figura 7.3-c, tal que:
a) Correntes de emissor (IE), base (IB) e coletor (IC). Como o substrato emissor tem a funo de fornecer os portadores
livres para o TBJ funcionar, tem-se ento uma relao matemtica bsica entre as correntes do TBJ, dada por:
I E IC I B (7.1)
b) Tenses entre o coletor e o emissor (VCE ou VEC), entre o coletor e a base (VCB ou VBC) e entre a base e o emissor
(VBE ou VEB). Neste caso, pode-se estabelecer que: VCE = VEC , VCB = VBC e VBE = VEB .
TBJ tipo NPN TBJ tipo PNP
IC IC
terminal coletor (C) terminal coletor (C) VCB VBC
C C
IB B IB B
terminal terminal VCE VEC
base (B) base (B)
VBE E VEB E
terminal emissor (E) terminal emissor (E) IE IE
(a) (b) (c)
Figura 7.3: Smbolos esquemticos do TBJ: (a) NPN e (b) PNP; (c) variveis de tenso e corrente do TBJ.
Os TBJs NPN e PNP podem ser empregados conjuntamente em circuitos para se obter determinado efeito e a
escolha de qual utilizar para cada aplicao depende da convenincia determinada pelas condies de projeto, sendo
semelhantes as especificaes de fabricao de TBJs NPN e PNP de mesmo tipo e as diferenas bsicas dadas por:
Sentido positivo de correntes e tenses: como as correntes so formadas por eltrons livres no NPN e lacunas no
PNP, ento os sentidos positivos de correntes e tenses no TBJ NPN so opostos aos do PNP (Figura 7.3-c).
Tempos de comutao: como a mobilidade das lacunas menor que a dos eltrons livres (Tabela 5.1), ento o PNP
normalmente tem comutao mais lenta que o NPN, pois as correntes em seus substratos so formadas por lacunas.
Os TBJ's apresentam diversas aparncias e so classificados normalmente em dois grupos quanto potncia
dissipada: de pequeno sinal ( 0,5 W) e de potncia (> 0,5 W). Os de potncia podem apresentar um encapsulamento
metlico, bem como furos para encaixe em dissipador metlico (geralmente de alumnio) para facilitar a conduo de
calor (exemplos na Figura 7.4-a). Em geral, os de maior potncia so empregados em estgios finais de circuitos.
A nomenclatura dos TBJs de origem norte-americana utiliza a sigla 2N para a sua codificao (exemplos:
2N2222, 2N3055 e 2N2906) e a europia apresenta uma codificao mais completa, composta por duas letras: 1o letra
(tipo de material): A = germnio, B = silcio; 2o letra (emprego bsico): C = aplicaes gerais e udio, D = potncia e
F = rdio-freqncia (exemplos: tipos NPN: BC548, BD135 e BF494; tipos PNP: BC558, BD136 e BF495).
TBJs de pequeno sinal TBJs de potncia
opo de teste
de diodos
bornes de teste
para identificao
de terminais e tipo
de TBJ
(a) (b)
Figura 7.4: (a) Aparncias de alguns de transistores bipolares de juno; (b) multmetro com opes de testes.
Alm da capacidade de dissipao, as folhas de dados dos TBJs fornecidas pelos fabricantes apresentam ainda
diversas especificaes, tais como corrente de coletor mxima (ICM) e ganhos de corrente (onde os TBJs de menor
potncia geralmente apresentam ganhos maiores devido s suas aplicaes mais comuns), bem como limites de tenso
reversa de ruptura entre dois terminais quaisquer do TBJ e correntes reversas entre dois terminais considerando um
terceiro terminal em aberto. Algumas destas especificaes dos TBJs sero melhor definidas mais adiante quando do
estudo das caractersticas corrente-tenso apresentadas pelas chamadas configuraes de circuitos com TBJs.
100
Excessos de tenso ou corrente podem danificar os diodos do TBJ, deixando-os em curto ou aberto, o que exige
o emprego de medidores especiais para detectar correntes de fuga demasiadas, ganhos de correntes baixos e tenses
de ruptura insuficientes. Alm disso, comum a realizao de testes com os TBJ's antes de sua montagem, tais como:
Por ser um dispositivo polarizado, deve-se identificar os terminais de um TBJ. Neste caso, pode-se utilizar a folha
de dados do componente ou multmetros que disponibilizam bornes de teste (Figura 7.4-b), onde a correta conexo
dos terminais do TBJ nos bornes indicada pela medio de um ganho de corrente F (visto adiante) mdio.
A opo de teste de diodos de multmetros (Figura 7.4-b) permite verificar as condies dos diodos do TBJ, por
meio da leitura da tenso de limiar tpica de cada diodo. Neste caso, s possvel identificar o terminal da base.
Outro teste consiste na medio da resistncia entre os terminais coletor e emissor, que deve ser da ordem de M,
ou na razo entre as resistncias reversa e direta dos diodos emissor e coletor, que deve ser maior que 1000.
7.2) MODOS DE OPERAO DO TBJ

Como visto anteriormente, o TBJ constitudo pelos diodos emissor e coletor. Logo, baseado na teoria vista no
Captulo 6, tem-se que cada diodo apresenta um valor de limiar V e, desse modo, pode-se polarizar estes diodos em
conduo ou corte dependendo da tenso aplicada entre os seus terminais, o que determina comportamentos distintos
para o TBJ. Assim, as quatro combinaes possveis de polarizao simultnea dos diodos (esquemas explicativos na
Figura 7.5) definem os quatro modos de operao possveis para o TBJ (resumo na Tabela 7.1), descritos a seguir:
CORTE OU BLOQUEIO ATIVO DIRETO SATURADO ATIVO REVERSO
E C E C E C E C
N P N N P N N P N N P N
VBE V B VBC V VBE > V B VBC V VBE > V B VBC > V VBE V B VBC > V
E C E C E C E C
P N P P N P P N P P N P
VEB V B VCB V VEB > V B VCB V VEB > V B VCB > V VEB V B VCB > V
(a) (b) (c) (d)
Figura 7.5: Esquemas simplificados da polarizao dos diodos para a obteno dos modos de operao do TBJ.
1) MODO CORTE OU BLOQUEIO: este modo de operao atingido quando ambos os diodos emissor e coletor
do TBJ se encontram polarizados no modo corte, isto , com tenso entre seus terminais menor que os respectivos
limiares de cada diodo (Figura 7.5-a), ou mesmo reversas. Desse modo, o valor das correntes no TBJ so da ordem
de correntes reversas de diodos e podem ser consideradas praticamente nulas, tal que: IE = IC = IB 0.
2) ATIVO DIRETO: este modo de operao atingido quando o diodo emissor polarizado em conduo e o diodo
coletor no corte, isto , com tenso aplicada entre os terminais emissor e base (diodo emissor) maior que seu nvel
de limiar e tenso entre os terminais coletor e base (diodo coletor) menor ou igual ao seu limiar (Figura 7.5-b).
A Figura 7.6-a mostra o mecanismo de funcionamento do TBJ no modo ativo direto, exemplificada para o TBJ
NPN. Com o diodo emissor em conduo, tem-se ento uma corrente direta no terminal emissor (IE) formada por
eltrons livres do substrato emissor tipo N (majoritrios). Estes portadores, ao serem injetados na base tipo P, se
tornam minoritrios neste substrato e, como a base fina e pouco dopada, uma pequena parcela dos eltrons livres
injetados so capturados devido a recombinaes com lacunas da base, o que resulta em uma pequena corrente no
terminal da base (IB). Por sua vez, o diodo coletor, por estar no corte, conduz corrente reversa e, como o campo
eltrico da barreira de potencial confinado na camada de depleo de um cristal PN acelerante para minoritrios
(vide Captulo 5), a maior parcela dos eltrons livres injetados pelo emissor na base, por se tornarem minoritrios,
so atrados para o substrato coletor pelo campo acelerante da camada de depleo coletor-base (Figura 7.6-a), o
que resulta na corrente do terminal coletor (IC). Logo, apesar da corrente IC no coletor ser do tipo reversa, esta
comparvel corrente de emissor IE por ser formada pela maioria dos majoritrios injetados na base pelo emissor.
Como conseqncia, tem-se idealmente que, se a tenso direta no diodo emissor for mantida, ento a corrente
de emissor se mantm constante e, como as correntes de base e coletor so formadas pelos majoritrios do emissor,
ento estas tambm se mantm constantes, independentemente de alteraes na tenso reversa do diodo coletor.
Assim, conclui-se que o TBJ no modo ativo direto apresenta um efeito ativo de controle de corrente por corrente, o
que permite o conceito de ganho e a definio dos chamados ganhos de corrente CC do TBJ (vistos mais adiante).
A Figura 7.6-b demonstra este mecanismo com base no modelo de bandas de energia. Com o diodo emissor em
conduo, eltrons livres do substrato emissor (que formam IE) adquirem energia suficiente para ocupar rbitas
disponveis na BC da base. Alguns destes eltrons injetados podem se recombinar com lacunas da base e fluir para
101
o seu terminal (IB), mas a maior parte apresenta vida mdia suficiente para alcanar a juno coletor-base, ocupar
rbitas disponveis na BC no coletor e fluir para o seu terminal (IC). Como a BC na base tem maior energia que no
coletor, ento os eltrons liberam energia na forma de calor ao penetrar no substrato coletor (Figura 7.6-b), sendo
esta a razo para o coletor ser o maior substrato do TBJ, pois este deve ter condies para dissipar o calor liberado.
campos das barreiras de potencial
energia
N P N
E e C emissor base coletor
e
e N P N
VBE VCB liberao

B BC de calor
E C
BV
IE IC
IB JE JC
B
(a) (b)
Figura 7.6: Mecanismo de conduo dos modos ativo direto e saturado de um TBJ NPN.
3) SATURADO: este modo de operao atingido quando ambos os diodos emissor e coletor esto polarizados em
conduo (Figura 7.5-c). Como o diodo coletor tambm levado conduo, ocorre ento que a corrente reversa
do diodo coletor do TBJ, quando no modo ativo direto, passa a sofrer uma oposio devido ao diodo coletor tender
tambm a conduzir uma corrente direta. Logo, a denominao para este modo de operao decorre devido perda
do controle da corrente de coletor pela corrente de emissor obtida no modo ativo direto, ou seja, alteraes em IE
no so mais refletidos integralmente em IC, e diz-se ento que o TBJ saturou. Desse modo, as correntes do TBJ
na saturao mantm o mesmo sentido do ativo direto pois, para poder inverter a corrente e conduzir diretamente,
a corrente no diodo coletor precisa antes anular a corrente reversa estabelecida no modo ativo direto.
4) MODO ATIVO REVERSO: este modo de operao atingido quando o diodo emissor est no corte e o diodo
coletor em conduo (Figura 7.5-d). Observa-se ento que estas polarizaes dos diodos do TBJ so contrrias aos
do modo ativo direto, ou seja, o substrato coletor passa a executar a funo do emissor (fornecer portadores para o
TBJ funcionar), e vice-versa. Neste caso, apesar de executar tambm um efeito controle de corrente, o modo ativo
reverso apresenta ganhos de corrente muito baixos devido s referidas inverses de funo, sendo ento raramente
empregado (exemplo: certos circuitos de comutao analgica), razo pela qual no ser abordado nesta apostila.
As particularidades de funcionamento dos transistores biplares de juno em seus modos de operao resultam
ento essencialmente em duas aplicaes bsicas destes dispositivos nos mais diversos tipos de circuitos eletrnicos:
1) Chaveamento: consiste no aproveitamento do efeito chave liga-desliga propiciados pelos modos saturado e corte,
respectivamente, do TBJ. Este efeito chave amplamente empregado em circuitos comutadores e digitais.
2) Amplificao: consiste no aproveitamento do ganho de potncia (ganho de corrente e/ou tenso) propiciado pelo
efeito controle de corrente do modo ativo direto, que encontra amplo emprego em circuitos de sinais analgicos.
Tabela 7.1: Polarizaes dos diodos emissor e coletor do TBJ e conseqentes modos de operao.
MODOS DE OPERAO DO TBJ
DIODOS DO TBJ
Corte ou Bloqueio Ativo Direto Saturado Ativo Reverso
Diodo emissor (JE) corte conduo conduo corte
Diodo coletor (JC) corte corte conduo conduo
7.3) CONFIGURAES DO TBJ

Dispositivos de trs terminais, como o TBJ, necessitam de
corrente corrente
pelo menos duas malhas para seu funcionamento em um circuito.
de entrada dispositivo de de sada
Neste caso, geralmente uma das malhas se distingue por conter o
terminal que conduz a corrente dita de entrada do dispositivo, 1 3 terminais 2
fornecida por uma fonte de sinal qualquer, e a segunda malha se ventrada 3 carga
distingue pelo terminal que conduz a corrente dita de sada do malha de entrada malha de sada
dispositivo pelo fato de alimentar uma carga ou o restante do
circuito (Figura 7.7). Com isso, o terceiro terminal caracteriza-se
Figura 7.7: Conjunto de malhas mnimo para a
por ser comum aos outros dois terminais ao pertencer ambas as
polarizao de um dispositivo de trs terminais.
malhas de entrada e sada do dispositivo (Figura 7.7).
102
Para o TBJ, como este apresenta um efeito controle de corrente por corrente, a escolha da corrente de entrada
do TBJ define tambm a chamada corrente de controle, que determina o comportamento do TBJ (modos de operao),
e a malha de entrada consiste na chamada malha de controle. A escolha da corrente de sada do TBJ define ento a
chamada corrente controlada e a malha de sada consiste na chamada malha controlada. Porm, por ser bem menor
que as correntes de emissor e coletor, a corrente de base no utilizada como corrente de sada por resultar em um
circuito ineficiente ao ter-se uma corrente de entrada maior (IE ou IC) controlando uma corrente de sada menor (IB).
Definidos ento os terminais que conduziro as correntes de entrada e de sada, o terceiro terminal do TBJ, cuja
corrente no empregada como corrente de controle ou controlada, define as chamadas configuraes do TBJ:
1) Configurao Base Comum ou BC: a corrente de emissor IE a de entrada (controle) e a corrente de coletor IC a
de sada (controlada), ou seja, a corrente de base IB no empregada no efeito controle de corrente do TBJ. Como
IC IE ento pode-se tambm definir a corrente de coletor como entrada e a de emissor como sada do TBJ.
2) Configurao Emissor Comum ou EC: a corrente de base IB a de entrada (controle) e a corrente de coletor IC a
de sada (controlada), ou seja, a corrente de emissor IE no utilizada no efeito controle de corrente do TBJ.
3) Configurao Coletor Comum ou CC: a corrente de base IB a de entrada (controle) e a corrente de emissor IC a
de sada (controlada), ou seja, a corrente de coletor IC no utilizada no efeito controle de corrente do TBJ.
Como o funcionamento de um TBJ depende apenas de como esto polarizados os seus diodos emissor e coletor,
ento os modos de operao do TBJ podem ser alcanados em qualquer das trs configuraes existentes, que no
entanto distinguem-se pelos ganhos de corrente devido s diferentes composies entre correntes de entrada e sada.
Similarmente ao visto para o diodo, o comportamento do TBJ em seus modos de operao pode ser visualizado
por meio de caractersticas I-V, que relacionam variveis de tenso e corrente mensurveis em seus terminais. Porm,
como o TBJ apresenta seis parmetros de estudo (trs variveis de corrente e trs de tenso), ento os grficos destas
caractersticas I-V se mostram mais complexos e dependem da configurao empregada, do tipo de malha (entrada ou
sada) e da necessidade de se fixar uma terceira varivel do TBJ para se estabelecer uma condio de funcionamento
bsica. Como mencionado, por ter pouca utilidade prtica, o modo ativo reverso no ser abordado nestes estudos.
Alm disso, as curvas das caractersticas I-V do TBJ na regio ativa direta apresentam certas particularidades
devido ao chamado efeito Early, visto a seguir, que determina um comportamento um pouco diferente do idealizado.
7.3.1) EFEITO EARLY
Como visto na Figura 7.2-b, o TBJ possui duas regies de depleo: emissor-base (EB), que compe o diodo
emissor, e coletor-base (CB), que compe o diodo coletor. Desse modo, pode-se observar que a largura da base entre
as duas regies, chamada largura efetiva da base, a que realmente apresenta portadores de carga livres.
Como visto no Captulo 5, a largura da camada de depleo praticamente no se altera quando o cristal PN est
em polarizao direta, mas aumenta quando este polarizado reversamente. Supondo um TBJ no modo ativo direto,
isto , com o diodo emissor no modo conduo e o diodo coletor no modo corte, tem-se ento que a largura efetiva da
base basicamente controlada pela tenso reversa no diodo coletor. Este efeito de modulao da largura efetivamente
ocupada pela base, denominado efeito Early, ocasiona quatro alteraes no funcionamento idealizado do TBJ:
1) Aumento da corrente de emissor (IE): o estreitamento da largura efetiva da base causa um aumento da concentrao
de majoritrios neste substrato, o que resulta em um aumento na diferena de concentrao entre majoritrios da
base e minoritrios do emissor. Sendo correntes de difuso proporcionais ao gradiente de concentrao e a corrente
de emissor direta e, portanto, de difuso, ento IE aumenta com a elevao da tenso reversa no diodo coletor.
2) Diminuio da corrente de base (IB): a diminuio da largura efetiva da base acarreta em diminuio do caminho
que os portadores injetados na base pelo emissor devem percorrer para atingir o substrato coletor, o que acarreta
em menor possibilidade de recombinao destes portadores e, portanto, na diminuio da corrente da base.
3) Aumento da corrente de coletor (IC): a elevao da corrente de emissor e a dimiuio da corrente da base acarretam
ento no aumento da corrente de coletor, que tende a se aproximar ainda mais da corrente de emissor.
4) Ruptura por punch-through: para tenses reversas muito elevadas no diodo coletor, a largura efetiva da base pode
se reduzir praticamente a zero (isto , as as camadas de depleo se fundem) e causar uma corrente excessivamente
elevada (corrente de ruptura) conhecida como perfurao ou punch-through, resultando na queima do TBJ.
Assim, a ao do efeito Early causa variaes nas correntes do TBJ no modo ativo direto (e nos seus ganhos de
corrente), resultando em certa inclinao nas curvas da caracterstica I-V do TBJ na regio ativa direta, vistas a seguir.
7.3.2) CONFIGURAO BASE-COMUM
Para exemplificar o estudo da configurao base comum, seja o circuito de polarizao de um PNP mostrado na
Figura 7.8-a (para o NPN, a anlise anloga), onde observa-se que a corrente de base no participa do efeito controle
pelo fato do terminal da base pertencer s malhas de entrada e de sada. Analisando-se o circuito, tem-se ento que:
A ddp VEB consiste em uma tenso direta no diodo emissor do TBJ. Considerando uma tenso de limiar tpica em
torno de 0,5 V para o diodo emissor, tem-se ento que, se VEB 0,5 V, ento IE = 0 A e o diodo emissor se encontra
no corte e, se VEB > 0,5 V, ento IE > 0 A e, desse modo, o diodo emissor se encontra em conduo.
103
Similarmente, a ddp VBC a tenso reversa no diodo coletor, ou seja, como VBC = VCB, ento VCB a tenso direta
no diodo coletor. Considerando-se um limiar tpico VCB = 0,5 V para o diodo coletor, tem-se que, se VBC 0,5 V,
ento o diodo coletor se encontra no corte e, se VBC < 0,5 V, o diodo coletor se encontra no modo conduo.
VBC3 > VBC2 > VBC1 IC (mA) IE3 > IE2 > IE1
IE E C IC IE IE3
P P
N
regio de regio
VEB VBC3 saturao IE2 ativa
B
VBC
RE RC direta
VBC2
IB IE1
VC VBC1 ICBO
VE malha de malha de ruptura
IE = 0 A
entrada sada
0 0,5 VEB 0
- 0,5 BVCBO VBC (V)
regio de corte
(a) (b) (c)
Figura 7.8: (a) Circuito com TBJ PNP para estudo da configurao base comum; (b) caracterstica I-V de entrada
em base comum tpica para um PNP; (c) caracterstica I-V de sada em base comum tipificada para um TBJ PNP.
Assim, com base nestas observaes, pode-se agora realizar um estudo sobre as caractersticas corrente-tenso
de entrada e sada para o entendimento do funcionamento de um TBJ PNP na configurao base comum:
(1) Caracterstica de entrada: na Figura 7.8-a observa-se que a corrente de emissor IE e a ddp VEB so nas variveis
de entrada do TBJ, ou seja, curvas IE x VEB (Figura 7.8-b) residem na caracterstica I-V de entrada em base comum.
Como mencionado, para o levantamento das caracterstica I-V do TBJ necessrio estabelecer uma condio de
funcionamento bsica, o que neste caso consiste em manter uma varivel na malha de sada em um valor fixo,
normalmente a tenso VBC, para que esta malha no interfira no comportamento das variveis de entrada. Com base
na Figura 7.8-b, observa-se ento que a caracterstica I-V de entrada em base comum consiste em um conjunto de
curvas da caracterstica I-V do diodo emissor em polarizao direta, o que consequncia do efeito Early pois,
como visto, aumentos na tenso reversa no diodo coletor (VBC) causa aumentos na corrente de emissor IE.
(2) Caracterstica de sada: na Figura 7.8-a observa-se que a corrente de coletor IC e a tenso VBC no diodo coletor
residem nas variveis de sada do TBJ, ou seja, curvas IC x VBC constituem-se na caracterstica I-V de sada do TBJ
em base comum. Similarmente, para a malha de entrada no interfir no levantamento da caracterstica I-V de sada,
deve-se estabelecer uma condio de funcionamento bsica para a malha de entrada, sendo normalmente adotado a
corrente de emissor IE como varivel da malha de entrada a ser mantida em um valor fixo (Figura 7.8-c).
Observa-se ento que a caracterstica I-V de sada em base comum constitui-se de infinitas curvas, distintas
para cada corrente IE fixada, onde pode-se distinguir os trs modos de operao do TBJ com aplicaes prticas:
(2.1) Modo corte ou bloqueio: corresponde regio para IE = 0 A (diodo emissor no corte) e VBC 0,5 V (diodo
coletor no corte), que so, como visto, as condies para o modo corte de um TBJ (Figura 7.8-c). Neste modo,
a corrente de coletor IC assume um pequeno valor ICBO , chamada corrente reversa de coletor para a base com
o emissor em aberto (Figura 7.8-c), pois IE = 0 A pode ser obtido desconectando-se o terminal emissor do
TBJ. Alm disso, a regio de corte estende-se at VCB atingir o valor limite BVCBO , chamada tenso de ruptura
entre o coletor e a base com o emissor aberto (Figura 7.8-c), quando o TBJ se queima por punch-through.
(2.2) Modo ativo direto: corresponde regio onde IE > 0 A (diodo emissor em conduo) e VBC 0,5 V (diodo
coletor no corte), que so, como visto, as condies para o modo ativo direto de um TBJ (Figura 7.8-c).
Como mencionado, no modo ativo direto ocorre um efeito controle de corrente por corrente, o que permite
a conceituao de um ganho de corrente com a razo entre as correntes de sada e entrada do TBJ, tal que:
I
F C (7.2)
IE
onde F (ou HFB) chamado ganho de corrente direta em base comum. Logo, tem-se que IC = F IE e, como
IC IE , ento F 1 (exemplo: F = 0,995). Este efeito controle de corrente confere ao modo ativo direto do
TBJ em base comum uma importante aplicabilidade, que consiste em circuitos isoladores chamados buffer.
Na Figura 7.8-c observa-se tambm que as curvas na regio ativa direta apresentam uma leve inclinao, o
que causada pelo Efeito Early pois, como visto, um aumento da tenso reversa VBC no diodo coletor acarreta
em um aumento na corrente de coletor IC , que se aproxima mais da IE fixada (Figura 7.8-c). Logo, conclui-se
que o ganho de corrente F no constante e aumenta com o aumento da tenso reversa no diodo coletor.
(2.3) Modo saturado: corresponde regio da caracterstica em que ambos os diodos emissor e coletor do TBJ se
encontram em conduo, ou seja, IE > 0 A e VBC < 0,5 V, o que define, como visto, as condies do modo
saturado do TBJ (Figura 7.8-c). Observa-se ento que esta regio caracteriza-se por decrscimos na corrente
de coletor IC pois, para o diodo coletor tambm conduzir uma corrente direta, este necessita antes anular a
corrente reversa estabelecida no modo ativo direto. Isto acarreta ento na perda do efeito controle de corrente
caracterstico do modo ativo direto, ou seja, tem-se que a relao IC = F IE no se aplica ao modo saturado.
104
7.3.3) CONFIGURAO EMISSOR-COMUM
Para exemplificar o estudo da configurao emissor comum, seja o circuito de polarizao de um NPN dado na
Figura 7.9-a (para o PNP, a anlise anloga), onde observa-se que a corrente de emissor no participa do efeito
controle pelo fato do terminal da emissor pertencer s malhas de entrada e de sada. Com base no circuito, tem-se que:
Como visto, VBE a tenso direta no diodo emissor e, desse modo, se VBE 0,5 V ento IB = 0 A (pois IE = 0 A) e o
diodo emissor est corte e, se VBE > 0,5 V, ento IB > 0 A (pois IE > 0 A) e o diodo emissor est em conduo.
Aplicando LKT no TBJ tem-se que: VCE = VBE VBC , onde VBC a tenso direta do diodo coletor. Supondo um
valor tpico VBE = 0,7 V para o diodo emissor em conduo e uma tenso de limiar tpica VBC = 0,5 V para o diodo
coletor, tem-se que: VCE = 0,7 0,5 = 0,2 V. Logo, se VCE 0,2 V, ento VBC 0,5 V e o diodo coletor entra no
corte. Para assegurar que o diodo coletor est decididamente no corte, normalmente adota-se VCE 0,3 V e tem-se
ento que, se VCE 0,3 V, o diodo coletor est no corte e, se VCE < 0,3 V, o diodo coletor entra em conduo.
VCE3 > VCE2 > VCE1 IC (mA) IB3 > IB2 > IB1
VBC C IC IB
IB IB3 regio
B N regio de
P VCE RC saturao ativa
N VCE1 IB2
direta
RB VBE E VCE2
IB1
IE VC ICEO
VCE3
malha de malha de IB = 0 A ruptura
VB
entrada sada
0 0,5 VBE 0
0,3 BVCEO VCE (V)
regio de corte
(a) (b) (c)
Figura 7.9: (a) Circuito com TBJ NPN para estudo da configurao emissor comum; (b) caracterstica I-V de
entrada em emissor comum para o NPN; (c) caracterstica I-V de sada em emissor comum tipificada para o NPN.
Assim, com base nestas observaes, pode-se agora realizar um estudo das caractersticas corrente-tenso de
entrada e sada para o entendimento do funcionamento do TBJ NPN em emissor comum, visto a seguir:
(1) Caracterstica de entrada: na Figura 7.9-a observa-se que a corrente de base IB e a ddp VBE no diodo emissor so
as variveis de entrada do TBJ, ou seja, curvas IB x VBE constituem-se na caracterstica I-V de entrada do TBJ em
emissor comum, onde VCE normalmente fixada como condio de funcionamento bsica para a malha de sada
(Figura 7.9-b). Na Figura 7.9-b observa-se ento que, similar configurao BC, a caracterstica I-V de entrada do
TBJ constitui-se de um conjunto de curvas do diodo emissor em polarizao direta para cada VCE fixada, causado
pelo efeito Early pois aumentos em VCE fazem aumentar a polarizao reversa do diodo coletor, o que reduz IB .
(2) Caracterstica de sada: na Figura 7.9-a observa-se que a corrente de coletor IC e a tenso VCE constituem-se nas
variveis de sada do TBJ, ou seja, curvas IC x VCE residem na caracterstica I-V de sada do TBJ NPN em emissor
comum, onde a corrente de base IB fixada como condio bsica para a malha de entrada (Figura 7.9-c).
Similar configurao BC, observa-se que a caracterstica de sada constitui-se de infinitas curvas, distintas
para cada corrente de base IB fixada, onde distingue-se os trs modos de operao do TBJ com aplicaes prticas:
(2.1) Modo corte ou bloqueio: corresponde regio onde IB = 0 A (diodo emissor no corte) e VCE 0,3 V (diodo
coletor no corte), que caracterizam o modo corte do TBJ (Figura 7.9-c). Como IB = 0 A reside em desconectar
o terminal base do circuito, ento a corrente do TBJ no corte definida por um valor ICEO , chamada corrente
reversa de coletor para o emissor com a base em aberto. Alm disso, observa-se que a ddp VCE pode se elevar
at um valor limite de ruptura BVCEO , denominada tenso de ruptura entre coletor e emissor com a base em
aberto (Figura 7.9-c), cuja causa deve-se tambm ruptura do TBJ devido ao efeito punch-through.
(2.2) Modo ativo direto: corresponde regio da caracterstica onde que IB > 0 A (diodo emissor em conduo) e
VCE 0,3 V (diodo coletor no corte), que so, como visto, as condies do modo ativo direto (Figura 7.9-c).
Assim, similar configurao BC, no modo ativo direto ocorre um efeito controle de corrente por corrente e
pode-se ento definir uma relao de ganho entre as correntes de sada IC e de entrada IB do TBJ, tal que:
I
F C (7.3)
IB
onde F (ou CC e HFE) chamado ganho de corrente direta em emissor comum, tal que IC = F IB . Neste caso,
como IC >> IB ento F >> 1 (exemplo: F = 200). Este alto ganho de corrente confere ao modo ativo direto
do TBJ em emissor comum uma importante aplicao, que consiste na amplifio de sinais analgicos.
Como os modos de operao do TBJ, como mencionado, independem da configuao adotada, os ganhos
F e F so dependentes entre si. Aplicando-se ento as equaes (7.2) e (7.3) na relao IE = IC + IB , tem-se:
F F
F ou F (7.4)
1 F F 1
105
Similar configurao BC, nesta regio da caracterstica de sada observam-se inclinaes para as curvas
devido ao feito Early, pois aumentos de VCE provocam aumentos na tensor reversa do diodo coletor, o que
causa aumentos em IC . Logo, o ganho F no constante e, a rigor, a relao IC = F IB s vale pontualmente.
Comparando-se as Figuras 7.8-c e 7.9-c, observa-se tambm que as inclinaes das curvas na regio ativa
direta em emissor comum so mais pronunciadas, ou seja, o ganho F mais sensvel ao efeito Early que o
ganho F. Para exemplificar esta sensibilidade, supondo um leve aumento no ganho F , de 0,995 para 0,996
(variao de 0,1%) ento, com base na equao (7.4), tem-se que o ganho F sofre um aumento de 200 para
250 (variao de 25%). Desse modo, a especificao de ganho F apresenta grande tolerncia e os projetos
com TBJs devem ser desenvolvidos de modo a no depender demais do valor exato deste parmetro.
(2.2) Modo saturado: corresponde regio da caracterstica tal que ambos os diodos emissor e coletor do TBJ se
encontram em conduo, ou seja, IB > 0 A e VCE < 0,3 V, o que define as condies para o modo saturado do
TBJ (Figura 7.9-c). Similar ao observado no estudo da configurao base comum, nesta regio observa-se um
decrscimo na corrente de coletor IC devido tendncia do diodo coletor do TBJ em conduzir uma corrente
tambm direta por estar em conduo, o que acarreta na perda do controle de corrente estabelecido no modo
ativo direto. Logo, pode-se concluir que a relao IC = F IB tambm no se aplica ao modo saturado.
7.3.4) CONFIGURAO COLETOR COMUM
A identificao do TBJ na configurao coletor comum se mostra

menos trivial que nas configuraes base e emissor comum, pelo fato de
um circuito de polarizao do TBJ no exibir claramente o coletor como
o terminal comum s malhas de entrada e sada, necessitando ento da IB
R VBE VC
observao de algumas caractersticas do circuito para esta identificao. B
IE Vsada
Como exemplificao, a Figura 7.10 mostra um circuito simples de
polarizao de um TBJ NPN, onde observa-se que o terminal coletor, por VB entrada RE
sada
estar conectado diretamente a uma fonte VC , desempenha uma funo de
referncia de tenso constante para os terminais base e emissor do TBJ.
Alm disso, a ausncia de um resistor em srie com o terminal do coletor
Figura 7.10: TBJ em coletor comum.
do TBJ identifica que a carga do circuito est sendo desempenhada pelo
resistor RE conectado ao terminal emissor, ou seja, a corrente de emissor IE est desempenhando a funo de corrente
de sada do circuito. Estas duas constataes identificam ento um TBJ na configurao coletor comum.
Como IC IE , tem-se que as relaes de corrente de entrada IB e de sada IE so muito similares das observadas
para o TBJ em emissor comum e, assim, as caractersticas I-V de entrada e sada na configurao coletor comum so
basicamente as mesmas e normalmente so tambm utilizadas em estudos da configurao do TBJ em coletor comum.
Alm disso, considerando que IE = IC + IB e, como IC = F IB dada pela equao (7.3), ento a relao de ganho
entre as correntes de sada IE e de entrada IB no modo ativo direto do TBJ em coletor comum definida por:
I E F 1 I B (7.5)
Com base na Figura 7.10 observa-se que, sendo IB pequena, a queda de tenso em RB tambm pequena e, a
menos da pequena queda VBE , a tenso VB ser quase toda aplicada na sada (Vsada), o que faz a configurao coletor
comum apresentar um ganho de tenso (razo entre Vsada e VB) aproximadamente unitrio. Este efeito, denominado
seguidor do emissor, encontra utilidade no acoplamentos entre fontes e cargas para casamento de impedncias.
7.4) ANLISE CC DE CIRCUITOS COM TBJ

Tal como adotado para os diodos, na anlise CC de circuitos com TBJs pode-se empregar as caractersticas I-V
de um TBJ fornecidos pelo fabricante e determinar seu ponto de operao com o auxlio do conceito de reta de carga,
bem como empregar modelos esquemticos lineares dos modos de operao do TBJ, admitir hipteses para o seu
funcionamento e provar a veracidade da hiptese feita com base em regras pr-estabelecidas. Alm disso, os circuitos
com TBJs vistos at aqui empregavam fontes CC distintas para as malhas de entrada e sada para efeito didtico, o
que no uma realidade prtica devido ao conceito de linhas de alimentao. Esses assuntos so abordados a seguir.
7.4.1) LINHAS DE ALIMENTAO
Equipamentos eletrnicos geralmente dispem de apenas uma fonte de tenso CC (fontes retificadoras, pilhas,
baterias, etc.) para o funcionamento e fornecimento de potncia aos seus componentes. Circuitos eletrnicos so ento
normalmente implementados por meio de trilhas condutoras, chamadas linhas de alimentao, para a distribuio de
nveis de tenso ao longo dos estgios do circuito, onde o potencial positivo da fonte CC distribudo pela chamada
linha do positivo e o potencial de referncia de tenso pela chamada linha de referncia (Figura 7.11). Alm disso, um
106
circuito poder prover tambm um nvel de tenso negativo, distribudo pela chamada linha do negativo (Figura 7.11).
Por se tratar de um componente eletrnico, um TBJ requer ento a linha do
aplicao de uma tenso CC para sua polarizao em determinado positivo
ponto de operao e fornecimento de energia para poder executar IB IC IE
C E
sua funo. Neste caso, na polarizao de um TBJ tem-se que uma B B
mesma fonte CC empregada para fornecer tanto a corrente no
E C
terminal de entrada quanto a corrente no terminal de sada do TBJ.
0 V IE IB IC linha de
Como exemplificao, para um TBJ NPN em emissor ou
coletor comum, tem-se que os terminais da base e do coletor do IB IC IE referncia
C
TBJ devem ser conectados linha do positivo, com o terminal do B B
E
emissor conectado linha de referncia, para que estes terminais

conduzam as correntes no sentido esperado em funcionamento E C
IE IB IC linha do
normal (Figura 7.11). Para o PNP, como o sentido das correntes
contrrio s do NPN, ento o terminal do emissor deve ser levado negativo
linha do positivo, e os terminais da base e do coletor levados
Figura 7.11: Esquemas simplificados para a
linha de referncia, para que o sentido das correntes nos terminais
conexo de TBJs NPN e PNP entre linhas de
tambm seja o esperado (Figura 7.11). Para a linha do negativo, as
alimentao de referncia, positivo e negativo.
conexes dos TBJs seguem a mesma lgica (Figura 7.11).
7.4.2) RETA DE CARGA
Similar aos diodos, o ponto de operao de um TBJ pode ser identificado com o auxlio da reta de carga do TBJ
e da caracterstica I-V de sada. Neste caso, como a caracterstica de sada apresenta infinitas curvas, deve-se tambm
determinar a corrente de entrada do TBJ para se identificar em qual das curvas est o ponto de operao do TBJ.
Seja ento o circuito de polarizao simplificado de um TBJ NPN dado na Figura 7.12-a e a caracterstica I-V
de sada em emissor comum do TBJ dada na Figura 7.12-b. O circuito redesenhado na Figura 7.12-b com a linha do
positivo refletida para os lados de modo a formar as malhas de entrada e sada do TBJ. Assim, equacionando tem-se:
V VBE
LKT na malha de entrada: VC RB I B VBE 0 I B C (1)
RB
onde adota-se um VBE tpico para obter IB e descobrir em qual curva da caracterstica de sada o TBJ se encontra.
V VCE
LKT na malha de sada: VC RC I C VCE 0 I C C (2)
RC
o que define a relao entre as variveis IC e VCE da malha de sada e, desse modo, a reta de carga do TBJ.
Desse modo, supondo que a equao (1) resulte em um valor IB1 ento, traando-se a reta de carga (equao 2)
na caracterstica I-V de sada do TBJ, tem-se que a interseco entre a curva referente a IB1 e a reta de carga define o
ponto de operao Q e, portanto, os valores ICQ e VCEQ para o TBJ (Figura 7.12-c). Neste caso, conclui-se que o TBJ
se encontra no modo ativo direto e o ganho de corrente direta em emissor comum ( F) ser dado por: F = ICQ/IB1.
Similarmente, supondo que a equao (1) resulte em um valor IB3 ento obtem-se o ponto de operao Q com a
reta de carga e conclui-se que o TBJ est saturado, ou ainda, se o resultado da equao (1) for desprezvel (IB 0),
tem-se o ponto de operao Q e conclui-se que o TBJ est modo corte (Figura 7.12-c). Conclui-se ento os modos
corte e saturado do TBJ no podem ser atingidos sem que o ponto de operao transite pela regio ativa direta.
Assim, conclui-se que o ponto de funcionamento do TBJ caminha por meio de retas de carga, onde os modos
de operao podem ser atingidos atravs da mudana de algum parmetro do circuito. Como exemplo, na equao (1)
observa-se que o resistor RB controla a corrente de base IB do TBJ e, da equao (2), observa-se que a reta de carga
no depende de RB . Logo, se RB , ento IB 0 e o TBJ se encontra no corte (ponto Q na Figura 7.12-d), e se RB
diminuir gradativamente, ento IB aumenta proporcionalmente e o ponto de operao do TBJ passa a transitar pela
regio ativa direta, com IB controlando IC , at atingir a regio de saturao do TBJ (ponto Q na Figura 7.12-d).
linha do reta de carga I IC
+ VC VC IC B3
VC IB3
positivo IC
IB RC Q IB2 RC Q IB2
RC
RC VCE
Q IB1 IB1
RB RB VBE ICQ
VC malha de malha VC IB = 0 Q IB = 0 Q
linha de entrada de sada 0 0
VCEQ VC VCE VC VCE
referncia
(a) (b) (c) (d)
Figura 7.12: Emprego de reta de carga: (a) circuito com TBJ simplicado; (b) circuito redesenhado; (c) pontos de
operao estabelecidos pela reta de carga; (d) controle do ponto de operao do TBJ por meio de alteraes em RB.
107
Exerccio 1: Para o circuito e caracterstica I-V de sada em emissor comum dados a seguir, determine o ponto de
operao do TBJ para os casos: a) RB = 3,3 M; b) RB = 5,5 k ; c) RB = 3,3 k. Caso o ponto se encontre na regio
ativa direta, determine as demais variveis do TBJ e os ganhos de corrente direta. Considere um VBE tpico de 0,7 V.
IC (mA)
IB = 1 mA
210 3
200
+4V 180 IB = 0,8 mA
150 IB = 0,6 mA
2
RB 20 120
IB = 0,4 mA
90
60 IB = 0,2 mA
30
IB = 0 A 1
0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 VCE (V)
Soluo
Substituindo o potencial da linha do positivo por uma fonte de 4 V e
refletindo esta fonte para formar as malhas de entrada e de sada, obtem-se VCB
IC
o circuito da figura ao lado, onde VBE = 0,7 V (dado do problema). Assim: VCE
3,3 IB 20
LKT na malha de entrada: 4 RB I B 0,7 0 I B (1) RB 0,7 V
RB IE
4 VCE
LKT na malha de sada: 4 20 I C VCE 0 I C 4 V entrada
4V
20 sada
que consiste ento na equao da reta de carga do TBJ no circuito.
Determinando dois pontos quaisquer para desenhar a reta de carga no grfico caractersitca I-V do TBJ, tem-se:
Para: VCE = 0 V IC = 200 mA ; Para: IC = 0 A VCE = 4 V
Com base na equao da reta de carga, observa-se que a mesma no depende do valor do resistor RB. Desse modo,
a reta traada no grfico da caractersitca se mantm a mesma para os 3 casos de valor para RB a serem analisados.
a) RB = 3,3 M: da equao (1), tem-se que: IB = 0,001 mA 0 A. Logo, com a interseco da reta de carga com a
curva da caracterstica I-V referente corrente de base 0 A, obtm-se o ponto 1 mostrado no grfico. Conclui-se
ento que o TBJ encontra-se no modo corte ou bloqueio, tal que: ICQ 0 A e VCEQ = 4 V.
b) RB = 5,5 k: da equao (1) tem-se que: IB = 0,6 mA e o ponto de operao 2 visto no grfico da caracterstica,
onde conclui-se que TBJ se encontra no modo ativo direto, tal que: VCEQ 1,6 V e ICQ 120 mA. Neste caso:
3 3
Da equao (7.1), tem-se: I E I C I B I CQ I B 120 10 0,6 10 I E = 120,6 mA
Aplicando LKT no TBJ, tem-se que: 0,7 VCB VCE 0 VCB VCEQ 0,7 VCB = 0,9 V
I CQ 0,120
Da equao (7.2), tem-se que: F F 0,995
IE 0,1206
120 103
I CQ
Da equao (7.3), tem-se que: F F 200
IB 0,6 103
ou ainda, da equao (7.4), obtm-se igualmente que: F F (1 F ) 0,995 (1 0,995) 200
c) RB = 3,3 k: da equao (1) tem-se que IB = 1 mA e obtm-se o ponto 3 mostrado no grfico da caracterstica.
Neste caso, conclui-se que o TBJ se encontra no modo saturado, tal que: VCEQ 0,2 V e ICQ 190 mA.
7.4.3) MODELOS ESQUEMTICOS DO TBJ
Semelhante ao estudo dos diodos, os modelos do TBJ e as regras de prova so baseados na linearizao por
partes das caractersticas I-V do TBJ. Neste caso, como as caractersticas de entrada e sada so distintas, a construo
de modelos para cada modo de operao do TBJ deve compor-se de esquemas parciais obtidos de cada caracterstica,
onde normalmente desconsidera-se o efeito Early para clculos prticos de circuitos com TBJ. Alm disso, como os
modos de operao de um TBJ independem de sua configurao, os modelos e provas podem ser obtidos para uma
determinada configurao e empregada tambm nas demais. Por fim, como o sentido das correntes e tenses do NPN
oposto ao do PNP, pode-se construir modelos para o NPN e, com inverso de sentidos, obter-se os modelos do PNP.
Assim, adotando-se as caractersticas I-V de entrada e sada do TBJ NPN em emissor comum como objetos de
anlise para a construo de esquemas parciais e modelos gerais dos modos de operao do NPN, seja na Figura 7.13
o grfico destas caractersticas e suas respectivas regies de operao linearizadas por partes, onde estabelece-se que:
108
Caracterstica I-V de entrada: devido ao efeito Early, esta caracterstica consiste, como visto, de infinitas curvas
da relao IB x VBE do diodo emissor do NPN em polarizao direta (Figura 7.9-b). Neste caso, desprezando-se o
efeito Early, pode-se definir uma curva tpica de um diodo em polarizao direta e, adotando-se ento uma tenso
tpica VBE = 0,7 V, tem-se a caracterstica I-V de entrada linearizada mostrada na Figura 7.13, onde observa-se que:
Regio de conduo: o esquema parcial para o diodo emissor em conduo resulta em uma fonte CC de 0,7 V
entre os terminais base e emissor, conduzindo uma corrente IB qualquer no terminal da base (Figura 7.13);
Regio de corte: o esquema parcial do diodo emissor no corte resulta em uma chave aberta entre os terminais
base-emissor do diodo, que apresenta uma tenso VBE qualquer entre estes terminais (Figura 7.13).
Caracterstica I-V de sada: como visto anteriormente, esta caracterstica consiste de infinitas curvas da relao
IC x VCE , que mostram o comportamento das regies saturao, ativo direto e corte do TBJ NPN (Figura 7.9-c).
Neste caso, como IC desprezvel na regio de corte, pode-se adotar um valor nulo para IC no modo corte e, como
VCE bem pequena na regio de saturao (VCE < 0,3 V), pode-se adotar um valor nulo para VCE no modo saturado.
Alm disso, deprezando-se o efeito Early, tem-se que as inclinaes das curvas da regio ativa direta so nulas, o
que implica em ganhos F e F fixos e correntes IC constantes e independentes de VCE no modo ativo direto. Estas
consideraes resultam na caracterstica I-V de sada linearizada dada na Figura 7.13, onde observa-se que:
Regio de corte: o esquema parcial para o comportamento do NPN no corte constitui-se de uma chave aberta
entre os terminais coletor e emissor, com uma tenso VCE qualquer entre estes terminais (Figura 7.13);
Regio ativa direta: sendo IC constante, controlada e independente de VCE , o esquema parcial do NPN na regio
ativa direta consiste ento de uma fonte de corrente controlada por corrente entre os terminais coletor e emissor,
de valor IC = F IB (ou mesmo: IC = F IE ), com uma tenso VCE qualquer entre estes terminais (Figura 7.13);
Regio de saturao: o esquema parcial para o NPN na regio de saturao constitui-se de uma chave fechada
entre os terminais coletor e emissor, que conduz uma corrente IC qualquer entre estes terminais (Figura 7.13).
Caracterstica I-V de entrada modelo do TBJ no Caracterstica I-V de sada
(diodo emissor) modo modo saturado regio de
conduo IB B C IC IC
IB saturao
regio
IB C
B ativa direta IC
0,7 V
IC E
0,7 V E
C
E IE F IB
0 modelo do TBJ no (F IE) VCE
0 VCE
0,5 0,7 VBE (V)
modo ativo direto E modelo do TBJ
valor tpico IB B C IC no modo corte regio de corte
F IB IB = 0 B C IC = 0 C E
modo corte 0,7 V (F IE)
B VCE VCE
E VBE VCE
VBE IE E
E IE = 0
Figura 7.13: Linearizao das caractersticas I-V de entrada e sada em EC e construo de modelos do TBJ NPN.
Com o agrupamento dos modelos parciais obtm-se ento os modelos finais para os modos de operao do TBJ
NPN, apresentados na Figura 7.14. Por finalidade prtica, apresenta-se tambm os modelos sobre o smbolo do NPN.
MODO CORTE MODO ATIVO DIRETO MODO SATURADO
VCB VCB 0,7 V
IB = 0 B C IC = 0 IB B C IC = F IB IB B C IC
F IB IC = F IE
0,7 V (F IE) 0,7 V
VBE VCE VCE
E E E
IE = 0 IE = IC + IB = (F + 1) IB IE = IC + IB
IC = 0 IC = F IB = F IE IC
VCB VCB 0,7 V
C C C
IB = 0 B IB B IB B
VCE VCE 0V
VBE E 0,7 V E 0,7 V E
Figura 7.14: Modelos de polarizao CC e equacionamento bsico para os modos de operao do TBJ NPN.
109
Como mencionado anteriormente, invertendo-se as correntes e tenses dos componentes dos modelos obtidos
para os modos de operao do NPN, pode-se ento determinar os modelos para o TBJ PNP, mostrado na Figura 7.15.
MODO CORTE MODO ATIVO DIRETO MODO SATURADO
E E E
VEB VEC VEC
F IB
IB = 0 IC = 0 IB
0,7 V (F IE) IC = F IB IB 0,7 V IC
B C B C IC = F IE B C
VBC VBC 0,7 V
VEB 0,7 V 0,7 V
E E E
IB = 0 B IB B IB B
VEC VEC 0V
VBC C VBC C 0,7 V C

IC = 0 IC = F IB = F IE IC
Figura 7.15: Modelos de polarizao CC e equacionamento bsico para os modos de operao do TBJ PNP.
Com base no modelo esquemtico do TBJ NPN no modo ativo direto (Figura 7.14), pode-se deduzir a equao
para um clculo aproximado da potncia dissipada no NPN em qualquer modo de operao, determinada ento por:
PTBJ _ NPN 0,7 I B VCE IC VCE IC (7.6)
visto IB ser bem pequena. Similarmente, com base no modelo do TBJ PNP no ativo direto (Figura 7.15), tem-se:
PTBJ _ PNP 0,7 I B VEC IC VEC IC (7.7)
7.4.4) METODOLOGIA DA ANLISE CC
Como mencionado, a anlise CC de circuitos com TBJ's consiste em admitir hipteses sobre a operao de cada
TBJ, aplicar o modelo esquemtico correspondente, processar os clculos pela teoria de Circuitos Eltricos e provar
as suposies at a obteno da hiptese verdadeira. Semelhante ao visto para os diodos, a definio dos critrios de
julgamento das hipteses baseia-se nas linearizaes das caractersticas I-V do TBJ e, assim, pode-se estabelecer que:
1) Modo corte: com base na linearizao da caracterstica I-V de entrada do NPN em emissor comum (Figura 7.13),
observa-se que uma tenso de entrada VBE menor que o limiar adotado (0,7 V) leva o diodo emissor ao corte. Logo,
a hiptese do TBJ NPN operando no modo corte verdadeira se VBE 0,7 V e falsa se VBE > 0,7 V. Por deduo, a
hiptese para o TBJ PNP operando no modo corte verdadeira se VEB 0,7 V e falsa se VEB > 0,7 V.
2) Modo ativo direto: com base na linearizao da caracterstica I-V de sada em emissor comum para o TBJ NPN
(Figura 7.13), pode-se observar que a tenso de sada VCE assume qualquer valor positivo. Desse modo, a hiptese
para o TBJ NPN operando no modo ativo direto verdadeira se VCE > 0, e falsa se VCE 0. Por deduo, tem-se
que a hiptese para o TBJ PNP operando no modo ativo direto verdadeira se VEC > 0, e falsa se VEC 0.
3) Modo saturado: para um melhor entendimento do critrio de prova para o TBJ no modo saturado, ser analisado a
caracterstica I-V de sada do TBJ NPN em emissor comum sem considerar o efeito Early, dada na figura abaixo.
Seja IBcalc e ICcalc as correntes de base e coletor, respectivamente, obtidas nos IC I
Bcalc > IBmin (V)
clculos do circuito com o TBJ na hiptese saturado. Analisando-se a caracterstica
I-V de sada (figura), observa-se ento que, para cada curva correspondente a uma IBmin
IC calc 1
corrente de base, h uma correspondente corrente de coletor na regio ativa direta.
IBcalc < IBmin (F)
Logo, para o valor da corrente de coletor ICcalc deve existir uma curva na regio
ativa direta da caracterstica correspondente a uma corrente de base IBmin (figura).
Considerando um ganho de corrente direta F para o TBJ no ativo direto ento, de regio de regio ativa VCE
acordo com a equao (7.3), tem-se que o valor de IBmin pode ser determinado por: saturao direta
I C calc
I B min (7.8)
F
Similarmente, na caracterstica I-V de sada deve existir tambm uma curva correspondente corrente de base
IBcalc. Observa-se ento que o par ICcalc e IBcalc existe no funcionamento do TBJ apenas se o valor de IBcalc for maior
que IBmin (figura) e, neste caso, o ponto de operao dado pela interseco entre a curva referente a IBcalc e o valor
de ICcalc (ponto 1) se encontra claramente na regio de saturao. Assim, a hiptese para um TBJ (NPN ou PNP)
operando no modo saturado verdadeira se IBcalc IBmin e falsa se IBcalc < IBmin. Assim, IBmin pode ser entendida
como a corrente mnima para saturar um TBJ quando este conduz uma certa corrente IC no modo ativo direto.
110
Exerccio 2: Para o circuito fornecido a seguir, sabe-se que o ganho de corrente direta em emissor comum do TBJ
empregado vale 100. Determine as variveis de tenso e corrente do TBJ para: a) RB = 6,6 k ; b) RB = 3,3 k
+4V Soluo
50 Redesenhando o circuito com a colocao do potencial da
50 linha do positivo (4 V ) refletido de modo a formar as malhas de
RB RB entrada e de sada, obtm-se o circuito dado na figura ao lado.
VBE 4V Realizando uma anlise preliminar antes de se proceder
4V com os clculos da anlise CC, observa-se que a fonte de 4 V na
entrada sada
malha de entrada maior que o VBE tpico (0,7 V) e, desse modo
esta fonte suficiente para para levar o diodo emissor do TBJ
NPN ao modo conduo. Assim, conclui-se que o TBJ estar operando no modo ativo direto ou no modo saturado.
a) RB = 6,6 k: empregando o mtodo da suposio e prova da anlise CC de circuitos com TBJ, tem-se ento que:
Suposio 1: TBJ no modo saturado
Empregando-se o modelo esquemtico do NPN para o modo saturado, obtm-se o circuito da figura abaixo.
LKT na malha de entrada: B C
4 6600 I B 0,7 0 I B I Bcalc 0,5 mA I IC
B
0,7 V 50
LKT na malha de sada: 6,6 k
4 50 IC = 0 IC = ICcalc = 0,08 A
E
I C calc 0,08 4 V entrada IE sada 4 V
Da equao (7.8), tem-se: I B min 0,8 mA
F 100
Como IBcalc < IBmin conclui-se ento que a hiptese do TBJ estar saturado falsa, visto que o par IBcalc e ICcalc
no existe na operao do TBJ empregado no circuito. Assim, deve-se testar outra hiptese possvel.
Suposio 2: TBJ no modo ativo direto VCB
IB B C IC = 100 IB
Empregando-se o modelo do NPN para o modo ativo direto,
obtm-se o esquema de circuito da figura ao lado. Logo: 100 IB 50
0,7 V
LKT na malha de entrada: 6,6 k
4 6600 I B 0,7 0 I B 0,5 mA VCE
E 4V
Corrente de coletor: IC F I B 100 0,5103 50 mA 4V entrada IE = 101 IB sada
LKT na malha de sada:
4 50 IC VCE 0 VCE 4 50 50 103 VCE 1,5 V
Como VCE > 0 ento conclui-se que a suposio do TBJ estar no ativo direto verdadeira.
Clculo das demais variveis do TBJ:
I E IC I B 0,05 50 103 50,5 mA ou ainda: I E ( F 1) I B 101 I B 101 50 103 50,5 mA
LKT no TBJ: VCE 0,7 VCB VCB VCE 0,7 1,5 0,7 0,8 V
b) RB = 3,3 k: empregando-se o mtodo da suposio e prova da anlise CC de circuitos com TBJ, tem-se:
Suposio 1: TBJ no modo ativo direto
Empregando-se o modelo do TBJ NPN para o modo ativo IB B C IC = 100 IB
direto, obtm-se o circuito da figura ao lado. Logo:
100 IB 50
LKT na malha de entrada: 0,7 V
3,3 k
4 3300 I B 0,7 0 I B 103 A 1,0 mA VCE
E 4V
LKT na malha de sada:
3
4V entrada sada
4 50 100 I B VCE 0 VCE 4 50 100 10
VCE = 1,0 V < 0 suposio falsa
Suposio 2: TBJ no modo saturado
Com o modelo do modo saturado (circuito ao lado), tem-se: 0,7 V
LKT na malha de entrada: B C
4 3300 I B 0,7 0 I B I B calc 1,0 mA IB IC
0,7 V
LKT na malha de sada: 3,3 k 50
4 50 IC 0 IC IC calc 0,08 A
E
I C calc 4 V entrada IE sada 4V
0,08
Da equao (7.8), tem-se: I B min 0,8 mA
F 100
Como IBcalc > IBmin , a suposio TBJ saturado verdadeira (existe o par IBcalc e ICcalc na operao do TBJ).
Clculo das demais variveis do TBJ:
I E I C I B 0,08 0,001 0,081 A ; Com base no modelo do TBJ: VBC = 0,7 V
111
Exerccio 3: Para o circuito dado a seguir, sabe-se que o ganho de corrente direta em emissor comum do TBJ 199.
Determine a leitura do voltmetro ideal V para os casos: a) R = 1 k ; b) R = 6 k ; c) R = 36 k
+6V
70 circuito a ser equivalenciado 70 70

9 k
A
I I RTH
B 6V
(a) V 9 k 6V
IR 6V R 10 VTH 10
VBE I entrada sada
R
10 B
(a) (b)
Soluo
O n (a) do circuito (figura) consiste em um divisor de corrente que controla a corrente de base do TBJ pois, se
o resistor R for suficientemente pequeno, a corrente no resistor de 9 k (I) pode ser deviada IC IB3
em sua totalidade para a referncia (IR = I) e levar o TBJ ao corte ao fazer IB = 0 ou, se R for
suficientemente elevado, a corrente I pode ser desviada para a base a ponto de IB saturar o IB2
TBJ. Assim, a medida que R aumenta, o ponto de operao do TBJ caminha do corte para a R IB1
saturao passando pela regio ativa direta (figura ao lado). Este controle pode ser tambm
IB = 0
entendido com base no efeito divisor de tenso entre os resistores R e 9 k, pois a tenso
em R define o potencial na base e, portanto, determina a tenso aplicada ao diodo emissor 0 VCE
do TBJ, tal que, se R aumenta, a tenso no mesmo (e na base) aumenta a ponto de levar o TBJ do corte saturao.
O rearranjo do circuito mostrado na figura (a) pode ser ainda reduzido com o equivalente de Thevenin entre os
pontos A e B, resultanto no esquema da figura (b), onde VTH e RTH (tenso e resistncia de Thevenin) so dadas por:
6 6R
VTH : ddp entre os pontos A e B do circuito isolado: VTH R I R VTH (1)
9000 R 9000 R
RTH : resistncia equivalente entre os pontos A e B do circuito isolado, com a fonte de 6 V nula (em curto):
9000 R
RTH 9 k / / R RTH (2)
9000 R
a) R = 1 k : com base nas equaes (1) e (2), obtm-se que:
VTH = 0,6 V ; RTH = 900 . IC = 0
Neste caso, observa-se que o valor da fonte equivalente de Thevenin
(0,6 V), que polariza a base do TBJ, no suficiente para levar o diodo 70
IB = 0
emissor do TBJ conduo, que necessita pelo menos de 0,7 V. Logo, VCE
conclui-se que o TBJ est no modo corte. A figura ao lado mostra ento 900
a situao do circuito, onde empregado a representao mais prtica 0,6 V IE = 0 6V
0,6 V
do modelo no corte sobre o smbolo do TBJ (Figura 7.14). Assim, como 10
o voltmetro mede a ddp entre coletor e emissor do TBJ (VCE), tem-se: entrada sada
LKT na sada: 6 VCE = 0 leitura do voltmetro = VCE = 6 V
b) R = 6 k: com base nas equaes (1) e (2), tem-se: VTH = 2,4 V e RTH = 3,6 k.
Como VTH > 0,7 V ento o diodo emissor do TBJ est em conduo
e conclui-se que o TBJ est no modo ativo direto ou saturado. Assim: IC
Suposio 1: TBJ no modo saturado (circuito ao lado)
IB 70
LKT na malha de entrada e considerando IE = IC + IB , obtm-se: 0V
2, 4 3600 I B 0,7 10( I C I B ) 0 3610 I B 10 I C 1,7 (3) 3,6 k
0,7 V IE = IC + IB
LKT na malha de saida e considerando IE = IC + IB , obtm-se:
6 70 I C 0 10( I C I B ) 0 10 I B 80 I C 6 (4) 2,4 V 10 6 V
Resolvendo o sistema de equaes (3) e (4), obtm-se: entrada sada
IB = IBcalc 0,26 mA e IC = ICcalc 75 mA
Prova: IBmin = 0,075/ 199 0,38 mA > IBcalc suposio falsa
Suposio 2: TBJ no modo ativo direto (circuito ao lado) IC = 199 IB
LKT na entrada: 2, 4 3600 I B 0,7 10 200 I B 0 I B 0,3 mA IB 70
VCE
LKT na saida: 6 70 199 I B VCE 10 200 I B 0
3,6 k
VCE 6 70 199 0,3 103 10 200 0,3 103 1,2 V 0,7 V IE = 200 IB
Como VCE > 0 ento a suposio TBJ no ativo direto verdadeira 2,4 V 10 6 V
Assim: leitura do voltmetro = VCE = 1,2 V entrada sada
112
c) R = 36 k: das equaes (1) e (2) tem-se que: VTH = 4,8 V e RTH = 7,2 k.
Novamente, VTH > 0,7 V e conclui-se que o TBJ est no modo ativo IC
direto ou saturado. Porm, como discutido inicialmente, aumentos em R
IB 70
levam o TBJ do corte (R = 1 k, item a) para a saturao passando pelo 0V
ativo direto (R = 6 k, item b). Desse modo, para R = 36 k, razovel 7,2 k
0,7 V IE = IC + IB
supor que o TBJ poder j ter atingido o modo saturado. Teste:
Suposio: TBJ no modo saturado (circuito ao lado) 4,8 V 10 6 V
LKT na malha de entrada e sabendo que IE = IC + IB , obtem-se: entrada sada
4,8 7200 I B 0,7 10( I C I B ) 0 7210 I B 10 I C 4,1 (5)
LKT na saida e sabendo que IE = IC + IB , tem-se: 6 70 I C 0 10( I C I B ) 0 10 I B 80 I C 6 (6)
Resolvendo o sistema de equaes (5) e (6), resulta: IB = IBcalc 0,47 mA e IC = ICcalc 75 mA
Prova: IBmin = ICcalc / F = 0,075/ 199 0,38 mA < IBcalc suposio TBJ saturado verdadeira
Assim: leitura do voltmetro = VCE = 0 V
Exerccio 4: Para o circuito fornecido abaixo, determine a relao entre os resistores RB e RC para que o voltmetro,
considerado ideal, apresente uma leitura de 2 V. Dado: ganho de corrente direta em emissor comum do TBJ = 300.
+5V
malha de IE
0,7 V
entrada
V 2V
IB
IC = 300 IB 5V
RB 5V
RB
RC RC
malha de sada
Soluo
O circuito dado trata-se da polarizao de um TBJ PNP (pois, como visto, o emissor do PNP o terminal que
levado linha do positivo) e semelhante ao circuito de polarizao do NPN visto no Exerccio 2. Como o voltmetro
mede a tenso entre os terminais emissor e coletor do TBJ (VEC), tem-se que VEC = 2 V > 0 e conclui-se ento que o
PNP est no modo ativo direto. Logo, aplicando-se o modelo do PNP no ativo direto (figura dada), tem-se:
LKT na malha de entrada: 5 0,7 RB I B 0 I B 4,3 (1)
RB
LKT na malha de sada: 5 2 RC IC 0 3 RC 300 I B 0 I B 3
(2)
300 RC
4,3 3 RB
Igualando-se os resultados (1) e (2), tem-se ento: 430
RB 300 RC RC
Este resultado coerente visto que a corrente de base, por ser numericamente bem inferior s correntes de coletor
e emissor, normalmente necessita de um resistor limitador de corrente comparativamente mais elevado.
7.4.5) APLICAES BSICAS DO TBJ
Como mencionado, um TBJ apresenta essencialmente duas aplicaes prticas: chaveamento e amplificao.
Estas funcionalidades so fundamentadas basicamente nas particularidades do comportamento das caractersticas I-V
de sada em cada configurao do TBJ, sendo uma breve discusso destas aplicaes apresentada a seguir:
1) TBJ como chave: o efeito chave liga/desliga do TBJ aplicado em circuitos comutadores e digitais, e consiste no
aproveitamento das condies de tenso e corrente de sada do TBJ polarizado em seus modos saturado e corte.
Analisando-se a regio de corte das caractersticas I-V de sada do TBJ, observa-se que o modo corte se mostra
eficiente tanto na configurao emissor comum (ponto Q1 na Figura 7.16-a), e por conseguinte em coletor comum,
quanto em base comum (ponto Q1 na Figura 7.16-b), pelo fato da corrente de sada (IC) ser praticamente nula, o
que resulta em um comportamento de chave aberta para o TBJ bem prximo do ideal. Contudo, o modo saturado
se mostra mais eficiente em emissor comum (ponto Q2 da Figura 7.16-a), e por conseguinte em coletor comum,
pois o TBJ comporta-se como uma chave fechada bem prximo do ideal por apresentar uma tenso de sada (VCE)
prxima de zero (< 0,3 V), o que no se verifica na configurao base comum (ponto Q2 na Figura 7.16-b).
Alm disso, as condies de saturao e corte do TBJ em emissor comum e coletor comum so mais facilmente
atingidas devido ao fato do controle da pequena corrente de entrada (IB) ser mais simples, pois basta, por exemplo,
aplicar uma tenso nula no terminal da base do TBJ para cort-lo, ou elevada o suficiente para satura-lo.
2) TBJ como amplificador: o efeito amplificao de sinais empregado principalmente em circuitos analgicos e
consiste no aproveitamento das condies de tenso e corrente de sada do TBJ polarizado na regio ativa direta.
113
O efeito amplificador necessita de um ganho de potncia para o sinal de sada, o que implica na obteno de um
ganho de corrente, tenso ou ambos (P = V I). Neste caso, as trs configuraes do TBJ apresentam propriedades
desejveis em seu funcionamento para aplicao em circuitos amplificadores, sendo algumas descritas a seguir:
Configurao base comum (BC):
Apesar do ganho de corrente baixo (F 1), pode-se obter um bom ganho de tenso, o que proporciona um
ganho de potncia maior que a configurao coletor comum e menor que a configurao emissor comum.
Apresenta baixa resistncia de entrada e alta resistncia de sada.
Como F praticamente contante, a corrente de sada determinada praticamente pela corrente de entrada e,
desse modo, alteraes na carga quase no se refletem na corrente de sada e, por conseguinte, na corrente de
entrada. Logo, a malha de entrada praticamente independe da carga, como se estivesse isoada da carga, o que
faz a configurao base comum ser empregada, como mecionado, em um circuito isolador chamado buffer.
Configurao emissor comum (EC):
Proporciona tanto ganho de tenso como de corrente (F) elevados e, portanto, o maior ganho de potncia.
Apresenta mdia resistncia de entrada e alta resistncia de sada;
Causa inverso de fase (defasagem de 180) entre os sinais de entrada e sada (ilustrao na Figura 7.16-c).
Configurao coletor comum (CC):
Apresenta baixo ganho de tenso (< 1) mas alto ganho de corrente ( F +1) e, assim, bom ganho de potncia;
Apresenta resistncia de entrada muito alta e resistncia de sada muito baixa.
A disposio dos resistores de polarizao e a caracterizao do tipo de fonte que alimenta o terminal da base
de um TBJ, podem identificar qual o verdadeiro emprego deste TBJ (chave ou amplificao) em um circuito:
Uma fonte VB conectada diretamente ao terninal base e o terminal emissor aterrado por um resistor (Figura 7.16-d)
pode identificar o TBJ como amplificador pois, exceto pela pequena queda de tenso VBE no diodo emissor, a maior
parte da tenso VB incide no resistor RE , implicando que o emissor est amarrado (bootstrap) tenso de entrada,
o que produz uma corrente de emissor bem estvel e, portanto, um ponto de operao firme na regio ativa direta.
Um resistor em srie com o terminal da base e o emissor aterrado (Figura 7.16-e) indica um TBJ como chave pelo
fato da fonte VB na base operar como uma fonte de corrente pois, como VBE pequena, a maior parte de VB incide no
resistor RB e pode-se facilmente levar o TBJ para a saturao ou corte controlando a corrente de base por VB.
IC (mA) +VC +VC

IC (mA) + VC
IB3 IE3
RC
Q2 IB2 Q2 RC RC
IE2 +VB
RB
IB1 IE1
+VB RB
+VB
0,7 V
IB = 0 Q1 IE = 0 A Q1
RE 0,7 V
0 0,3 VCE (V) -0,5 0
VBC (V)
(a) (b) (c) (d) (e)
Figura 7.16: Efeito chave nas configuraes do TBJ: (a) emissor comum, (b) base comum; (c) efeito inverso
de fase na configurao emissor comum; distino do emprego do TBJ: (d) como amplificador; (e) como chave.
Exerccio 5: Para o circuito fornecido a seguir, determine a potncia dissipada no TBJ e a fornecida pela fonte de
tenso do circuito. Dado: ganho de corrente direta em base comum do TBJ empregado = 0,996.
IB +9V
IC = 249 IB
5 k VCB
VCB
5 k
N VCE
P IB 9V
5 k
N 0,7 V IE = 250 IB
20 9V
20
20
entrada sada
9V
Soluo
O circuito fornecido consiste na polarizao de um TBJ NPN com seus teminais conectados entre as linhas de
referncia e do negativo, o que equivale conexo entre as linhas do positivo e referncia (vide figura central).
Analisando-se o circuito observa-se que o terminal do coletor do TBJ est conectado diretamente ao terminal da
base por um resistor (5 k), tal que o diodo coletor do TBJ e o resistor de 5 k ficam em paralelo (figura). Logo, caso
o diodo emissor do TBJ entre em modo conduo, tem-se que a consequente corrente IB na base produz uma tenso no
resistor de 5 k que provoca uma tenso VCB reversa no diodo coletor do TBJ (figura central), tal que o diodo coletor
114
se encontra no corte, e conclui-se ento que o TBJ opera no modo ativo direto. Este efeito, chamado polarizao com
realimentao do coletor ou realimentao negativa, amplamente utilizado em circuitos amplificadores por fazer o
TBJ trabalhar firmemente no modo ativo direto ao impedir que o diodo coletor de entre em conduo e sature o TBJ.
Como a linha do positivo (9 V) suficiente para conduzir o diodo emissor do TBJ NPN, conclui-se ento que o
TBJ est operando no modo ativo direto (circuito redesenhado direita) devido realimentao negativa. Assim:
F 0,996
Ganho de corrente direta em emissor comum: F 249
1 F 1 0,996
LKT na malha de entrada: 9 5000 I B 0,7 20 I E 8,3 5000 I B 20 250 I B 0 I B 0,83 mA
LKT na malha de sada: 9 VCE 20 250 I B 9 VCE 20 250 0,83 103 0 VCE 4,85 V
Como IC = 249 IB , tem-se ento que: IC 249 0,83 103 IC 0,207 A
Assim, da equao (7.6), tem-se que a potncia dissipada no TBJ ser: PTBJ VCE I C 4,85 0, 207 1,0 W
Com base no esquema do circuito, observa-se que a potncia fornecida pela fonte de tenso ser dada por:
Pfonte 9 I B 9 I C 9 I B I C 9 (0,83 103 0,207) Pfonte 1,87 W
Exerccio 6: Para o circuito de polarizao CC de um TBJ NPN mostrado ao lado, sabe-se que + 10 V
o ganho de corrente direta em emissor comum do TBJ empregado igual a 50. Pede-se:
a) Considere RC = 100 e determine o valor limite do resistor RB para o TBJ permanecer no RC
RB
modo saturado. Explique se este limite mnimo ou mximo.
b) Considere RB = 9,3 k e determine o valor limite do resistor RC para que o TBJ permanea
no modo ativo direto. Explique se este limite mnimo ou mximo.
Soluo
a) Seja RC = 100 e RB uma incgnita. Admitindo-se o TBJ no modo saturado, tem-se o circuito abaixo. Logo:
LKT na malha de entrada:
IC
9,3
10 RB I B 0,7 0 I B I Bcalc
RB IB
0 V 100
LKT na malha de sada: 10 100 IC 0 IC IC calc 0,1 A RB
0,7 V
I C calc
0,1 10 V 10 V
Da equao (7.8), tem-se: I B min 2 103 A
F 50 entrada sada
Para satisfazer a condio IBcalc IBmin do TBJ saturado, tem-se ento:
9,3 9,3
I Bcalc I B min 2 103 RB 4650 RB 4,65 k
RB 2 103
Assim, RB limite = 4,65 k e, com base na inequao obtida, conclui-se que este limite IB2
IC
mximo. Desse modo, valores para RB menores que 4,65 k propiciam correntes IB na
base suficientes para saturar o TBJ. Como discutido na Figura 7.12-d, isto ocorre pelo IB1
fato do resistor RB poder controlar a corrente de base no TBJ, tal que uma diminuio IB = 0 R B
gradativa em RB faz IB aumentar at fazer o TBJ saturar (ilustrao na figura ao lado). 0 VCE
Observao: o valor de RB limite pode tambm ser obtido analisando-se o problema dual, isto , admitindo-se o
TBJ operando no ativo direto, mas julgando-se a condio VCE 0 para que esta hiptese seja falsa.
b) Seja RB = 9,3 k e RC uma incgnita. Admitindo-se o TBJ no modo ativo direto, tem-se o circuito abaixo. Logo:
LKT na malha de entrada: 10 9300 I B 0,7 0 I B 1,0 mA
IC = 50 IB
LKT na malha de sada: 10 RC 50 I B VCE 0 IB
VCE RC
3
VCE 10 RC 50 10 VCE 10 0,05 RC 9,3 k
Para a condio VCE > 0 do TBJ no modo ativo direto, tem-se ento: 0,7 V
10 V 10 V
VCE 0 10 0,05 RC 0 RC 200 entrada sada
Assim, RC limite = 200 e, com base na inequao obtida, conclui-se que este 10 IC (mA)
limite mximo. Desse modo, valores de RC menores que 200 propiciam RC reta de carga:
aumentos na tenso VCE do TBJ de modo a mant-lo na regio aiva direta. 10 VCE
IC
Como ilustrao, a figura ao lado mostra apenas a curva da caracterstica para RC
RC
IB = 1 mA (IB independe de RC) e a influncia da reduo em RC na reta de carga
IB = 1 mA
e no ponto de operao, que faz o TBJ caminhar para a regio ativa direta.
Observao: similarmente, RC limite pode ser tambm calculado analisando-se o
problema dual, isto , admitindo-se o TBJ operando no modo saturado, mas
julgando-se a condio IBcalc < IBmin para que esta hiptese seja falsa. 0 10 VCE (V )
115
Exerccio 7: Para o circuito dado a seguir, determine a faixa de valores que dever estar o resistor R para que o TBJ
permanea no modo ativo direto. Dado: ganho de corrente direta em emissor comum do TBJ empregado = 150.
+5V
circuito a ser equivalenciado
200 200 200
8,6 k
RTH
8,6 k
R 5V VTH 5V
5V
R I entrada sada
Soluo
5R 8600 R
VTH R I (1) ; RTH 8,6 k / / R (2)
8600 R 8600 R
Para que o diodo emissor entre em conduo e leve o TBJ ao modo ativo direto, R deve ser tal que VTH > 0,7 V :
5R 0,7 8600
De (1): VTH 0,7 V 0,7 5 R 0,7 8600 R R 1,4 k
8600 R 5
R limite para o TBJ no saturar: aplicando-se o modelo para o TBJ no IC = 150 IB
ativo direto, obtm-se o circuito ao lado. Como deve-se ter VCE > 0, ento: IB 200
LKT na malha de entrada: VCE
V 0,7 RTH
VTH RTH I B 0,7 0 I B TH (3) 0,7 V 5V
RTH VTH
LKT na malha de sada e com o resultado (3), tem-se: entrada sada
V 0,7
5 200 150 I B VCE 0 VCE 5 3 104 TH 0 3 104 VTH 5 RTH 2,1 104 (4)
RTH
R (k)
Aplicando-se os resultados (1) e (2) na inequao obtida em (4), tem-se finalmente:
saturado
5R 8600 R
3 104 5 2,1 104 R 2,1 k 2,1
8600 R 8600 R ativo
direto
Logo, conclui-se que, quando 1,4 k < R < 2,1 k, o TBJ permanecer no modo ativo direto 1,4
e, se R < 1,4 k, o TBJ entra no modo corte e, se R > 2,1 k, o TBJ entra no modo saturado. corte
0
7.5) TPICO COMPLEMENTAR: FOTOTRANSISTOR
O chamado fototransistor um dispositivo optoeletrnico sensor de luminosidade formado por trs substratos
(emissor, base e coletor), no qual a radiao incidente por uma janela, ao atingir a regio da juno coletor-base, causa
uma combinao dos efeitos transistor e fotoeltrico (Figura 7.17-a). Assim, o fototransisor (smbolo esquemtico na
Figura 7.17-b) um cristal semicondutor (materiais: germnio, silcio ou selnio) de constituio semelhante ao TBJ,
onde o substrato base comumente desprovido de terminal por ter apenas a funo de controle de corrente e, desse
modo, apenas os terminais coletor e emissor do fototransistor so acessveis (aparncias comerciais na Figura 7.17-c).
C L3 > L2 > L1 optoacoplador
IC
L3
luz N R1 R2
Q3 L2
P V1 V2
Q2 L1
N
L = 0 W/cm2 Q1
E C circuito de circuito
E VCE controle controlado
(a) (b) (c) (d) (e)
Figura 7.17: Fototransistor: (a) constituio fsica; (b) smbolos esquemticos; (c) aparncias; (d) caracterstica
corrente-tenso, reta de carga e pontos de operao; (e) circuito exemplo de optoacoplador LED-fototransistor.
A Figura 7.17-d mostra a caracterstica I-V de um fototransistor, onde as curvas so levantadas para diferentes
intensidades luminosas L (W/cm2). O traado de uma reta de carga nesta caracterstica I-V permite ento observar um
princpio de funcionamento do fototransistor semelhante ao de um TBJ operando na configurao emissor comum:
116
A ausncia de luz incidente (L = 0) estabelece um ponto de operao no fototransistor (Q1) no qual a corrente de
coletor IC se mostra bastante reduzida por ser formada apenas por portadores livres criados por gerao trmica.
Neste ponto, entende-se ento que o fototransistor se encontra em seu modo corte ou bloqueio (Figura 7.17-d).
Um aumento de radiao incidente na juno coletor-base (L > 0) resulta na fotogerao de portadores minoritrios
adicionais na regio da camada de depleo do diodo coletor, o que possibilita um aumento da corrente reversa no
diodo coletor (IC) e, por conseguinte, de igual modo na corrente direta do diodo emissor (IE = IC). Logo, quanto
maior a intensidade de luz incidente, maior a quantidade de portadores minoritrios gerados e maior a corrente
no fototransistor. Assim, a variao na incidncia luminosa causa no fototransistor um efeito controle de corrente
por luz devido alterao da corrente circulante coletor-emissor, quando observa-se que o mesmo opera na regio
da caracterstica correspondente ao seu modo ativo direto (por exemplo, ponto Q2 mostrado na Figura 7.17-d).
O aumento demasiado da radiao incidente na regio da juno coletor-base pode alcanar o limite de criao de
portadores livres destes substratos, quando observa-se que o fototransistor atinje seu modo saturado (por exemplo,
ponto Q3 na Figura 7.17-d), o que acarreta na perda do efeito controle de corrente por luz do dispositivo.
A injeo de minoritrios na base pelo substrato emissor para constituir a corrente direta no diodo emissor pode
ser interpretada como uma corrente de entrada na base e, desse modo, entende-se que a corrente gerada pela radiao
incidente multiplicada por um ganho de corrente F, o que confere elevada sensibilidade ao fototransistor, sendo
esta sua principal vantagem em relao ao fotodiodo. Contudo, por possuir duas junes PN e apresentar ento efeitos
capacitivos mais pronunciados, a velocidade de comutao ON-OFF do fototransistor menor que a do fotodiodo.
Assim, fotodiodos caracterizam-se por apresentar correntes tpicas da ordem de A e tempos de comutao da
ordem de ns, sendo aplicados onde se exija um rpido chaveamento, tal como sistemas de comunicao digitais. Os
fototransistores, por sua vez, comutam em s mas suportam correntes tpicas da ordem de mA, sendo aplicados onde
se exija elevada sensibilidade (devido, por exemplo, posio distante do dispositivo sensor), tais como em controles
remotos, sensores de presena, leitores de cdigos de barra, sistemas de contagem em processos industriais, etc.
A Figura 7.17-e mostra um circuito optoacoplador que emprega um par LED-fototransistor, sendo seu princpio
de funcionamento similar ao dispositivo LED-fotodiodo visto anteriormente, com semelhaentes vantagens na isolao
eltrica e diferenas de potncia entre circuitos de entrada (circuito de controle) e sada (circuito controlado).
Problema 1: Para o circuito e caracterstica I-V de sada em emissor comum do TBJ empregado, fornecidos a seguir,
determine o ponto de operao (VCEQ e ICQ) e as demais variveis do TBJ. Caso o ponto se encontrar na regio ativa
direta, determine tambm os ganhos de corrente direta. Adotar o valor tpico VBE = 0,7 V para a soluo.
IC (mA) IB = 1,1 mA
+7 V 180 IB = 0,9 mA
150
IB = 0,7 mA
50 120
IB = 0,5 mA
9 k 90
IB = 0,3 mA
60
IB = 0,1 mA
30
IB = 0 mA
0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 VCE (V)
Problema 2: Para o circuito e caracterstica I-V de sada em emissor comum do TBJ empregado, fornecidos a seguir,
determine o ponto de operao (VCEQ e ICQ) e as demais variveis do TBJ. Caso o ponto se encontrar na regio ativa
direta, determine tambm os ganhos de corrente direta. Adotar o valor tpico VBE = 0,7 V para a soluo.
+7 V IC (mA) IB = 1,1 mA
180 IB = 0,9 mA
19 k 50 150
IB = 0,7 mA
120
IB = 0,5 mA
90
IB = 0,3 mA
1 k 60
IB = 0,1 mA
30
IB = 0 mA
0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 VCE (V)
117
Problema 3: Para o circuito fornecido, sabe-se que o ganho de corrente direta em base comum do TBJ empregado
0,996. Prove em qual regio de operao se encontra o TBJ e determine a potncia fornecida pela fonte de tenso.
Problema 4: Para o circuito dado, sabe-se que o ganho de corrente direta em emissor comum do TBJ empregado
150. Prove em qual regio de operao se encontra o TBJ e determine sua potncia dissipada.
Problema 5: Para o circuito fornecido, sabe-se que o ganho F do TBJ empregado 0,995. Pede-se:
a) O modo de operao do TBJ empregado est explcito no circuito. Explique.
b) Determine o valor do resistor RE tal que a leitura do ampermetro, considerado ideal, seja 200 mA.
+9V
+6V 2,3 k
30 k 100
RE
10 k
100
100 A
12 V
Problema 6: Para o circuito fornecido, sabe-se que o ganho de corrente direta em emissor comum do TBJ empregado
100. Determine a leitura do voltmetro presente no circuito.
Problema 7 Para o circuito fornecido, sabe-se que F = 100 para o TBJ. Determine o valor dos potenciais V1 e V2 .
Problema 8: Para o circuito dado, determine o valor do resistor RB para que o voltmetro mea 1 V. Dado F = 200.
+4V + 15 V
+5V
500
100
9 k + V1 40
44 k RB
+5V
V + V2 V
1 k
1 k
15 V
Problema 9: Para o circuito fornecido, determine o valor limite do resistor RB para que o TBJ atue na regio ativa
direta. Explique se este limite mnimo ou mximo. Dado: ganho F do TBJ empregado = 0,98.
Problema 10: Para o circuito dado, sabe-se que o ampermetro ideal A mede 1,0 mA e que ambos os diodos coletor e
emissor do TBJ empregado esto em conduo. Determine o valor do resistor RC. Dado: F do TBJ empregado = 200.
Problema 11: Para o circuito dado, sabe-se que o ganho F do TBJ empregado 125. Pede-se:
a) Determine o valor de RB tal que a ddp entre o coletor e o emissor do TBJ seja 1,0 V . Dado: RC = 40 .
b) Determine o valor de RC tal que a ddp entre o coletor e a base do TBJ seja 1,3 V. Adote RB obtido no item a).
+ 10 V
+ 14 V +9V
A
200
3,2 k RC RC
RB
RB
400 100 100
118
Problema 12: O circuito fornecido consiste de um simples indicador visual de temperatura por meio do brilho de um
LED, que emprega um termistor tipo NTC como sensor de energia trmica ambiente (temperatura). Pede-se:
a) Explique a relao entre a temperatura no termistor NTC e o brilho proporcionado pelo LED.
b) No circuito percebe-se que, acima de um certo valor de temperatura no NTC, a intensidade da luz emitida pelo
LED praticamente no mais se alterava. Cite um possvel motivo e explique.
Problema 13: O circuito fornecido um indicador visual de intensidade de luminosidade ambiente atravs do brilho
de uma lmpada L, que emprega um resistor LDR como sensor de luz e um optoacoplador LED-fototransistor para
acoplamento entre circuitos. Explique a relao entre a luminosidade incidida no LDR e a luz emitida pela lmpada L.
Problema 14: O circuito dado contm um TBJ NPN polarizado em determinado ponto de operao. Deseja-se trocar
este TBJ por um equivalente do tipo PNP, conectando seus terminais emissor, base e coletor nos mesmos do NPN.
Explique que adequao deve-se realizar no circuito para que o PNP funcione no mesmo ponto de operao do NPN.
+ VC + V1 + VC
L
LED RC
NTC R1
RB V2
optoacoplador R2
RE LDR RE
Problema 15: Montou-se o circuito fornecido e verificou-se que a leitura do voltmetro V, em perfeito estado, media
0 V, que no era o valor esperado. Foram feitas ento 4 suposies para explicar o problema: 1) o resistor R1 pode
estar em aberto; 2) o resistor R2 pode estar em curto-circuito; 3) o resistor RC pode estar em aberto; 4) o resistor RE
pode estar em curto. Investigue cada uma destas suposies e explique se as mesmas so palusveis ou no.
Problema 16: Montou-se o circuito dado e observou-se que o voltmetro, em perfeito estado, media 0 V. Pergunta-se:
com apenas esta observao pode-se concluir desde j que o circuito apresenta problemas? Se sim, cite e explique
duas possveis causas com componentes do circuito. Se no, explique porque.
Problema 17: O circuito fornecido um melhoramento do regulador de tenso com zener. O TBJ aqui o elemento
de controle de tenso e trabalha no modo ativo direto devido conexo em realimentao negativa (resistor de 50 ),
sendo o zener o elemento de referncia de tenso para o TBJ. Neste exerccio, a carga RL pode funcionar a vazio ou
dissipar uma potncia mxima de 500 mW, o ganho F do TBJ 99 e os dados do Zener so: VZ = 5,7 V, IZK = 15 mA
e IZM = 100 mA. Determinar a faixa de tenso da entrada VS para que a tenso VL da carga seja regulada em 5 V.
+ VC + 0,4 V
R1
RC 250
10 k
50
VS RL VL
R2 RE V 150 V DZ
119
APNDICE: RESPOSTAS DE ALGUNS EXERCCIOS PROPOSTOS
CAPTULO 1
[1] M = 4 g/cm3 [2] mistura = 1,02 g/cm3 [3] A/B = 0,8 [4] Aumento de 2%
-5 o -1
[5] 2 x 10 C [6] Tfinal = 171,8 oC [7] Tfinal = 275,8 oC [8] Cu, 20C = 4,8 cm
[9] TJ = 30 C ; 1 = 0,3 cal/s ; 2 = 0,16 cal/s ; 3 = 0,14 cal/s
o
RT1 = 66,67 oCs/cal ; RT2 = 125 oCs/cal ; RT3 = 357,1 oCs/cal

[10] Variao na temperatura do material B 28% maior que do material A
[13] a) absorvido = 1550 (caminho: nvel 6 nvel 5 nvel 2) ; c) limite = 2480 (limite mximo)
[14] hlim = 2,7 m = limite mximo
CAPTULO 2
[1] 2 < a/b < 5 [2] RA = 7 ; RB = 3

[3] VJ = 1,7 V ; 5 A
[4] Vjuno = 4 V ; I1 = I3 = 1 A , I2 = 0 A ; R1 = R2 = R3 = 2
[5] RB = 24 ; RC = 27 ; RD = 26,25 V (volts)
[6] A, 20 C = 4 x 10-4 oC -1 ; B, 20 C 3,89 x 10-4 oC -1 2,5 V = 2,5 - 0,1 x
[7] A, 20 C = 0,001 oC -1 ; B, 20 C = 0,00125 oC -1 1,7 V = 18,2 - x
[8] a) 2,33 x 10-4 oC -1 ; 10-4 oC -1 ; 4,33 x 10-4 oC -1 6
0,7
c) m = 0,003 0 8 14 x(cm)
[11] a) RCC, cabo, 50 C = 16,62 /km ; b) f = 178,57 Hz
CAPTULO 3
[1] 2,46 mm [2] a) C , Q , Vcapacitor = V ; b) C , Q = constante , Vcapacitor

[3] Vmax 1 = 442 V , Vmax 2 = 553 V apenas o dieltrico 2
CAPTULO 6
[1] a) - 0,15 V ; b) 52,5 ; c) 0,2 mA , 1,44 mA , 10,45 mA ; d) 0,395 V ; e) 1,447 A

[2] IDmax/IDmin = 20
[3] cor laranja [13] d) vS , vL (V)
[4] a) VDQ = 0,8 V , IDQ = 40 mA ; d) 8 b) conduo ruptura 12,5
15
[6] P9 = 1,44 W ; PD = 0 W corte - corte 10
vL
[7] a) 4,21 V ; b) 0 V ; c) 4,13 V c) vL = 10 V
[8] R1 / R2 1,5 para: vS > 12,5 V 0 2 t
[9] 50 R 100 vL = 0,8 vS
[17] RL min = 300 ; RL max para: vS 12,5 V
-12 vS
-15
[18] 16,5 VS 19,2 V
CAPTULO 7
[1] IB = 0,7 mA ; VCQ = 1,0 V ; ICQ = 120 mA ; IE = 120,7 mA ; VCB = 0,3 V ; F = 0,994 ; F = 171
[2] IB = 0 A ; VCQ = 7,0 V ; ICQ = 0 A ; IE = 0 A ; VCB = 6,65 V
[3] VCE 1,47 V > 0 TBJ no modo ativo direto ; Pfonte 0,34 W
[4] IBcalc = 0,53 mA , IBmin = 0,4 mA IBcalc > IBmin TBJ no modo saturado ; PTBJ 0 W
[5] b) RE = 45 [6] TBJ no bloqueio ; leitura do voltmetro = 4 V
[7] a) V1 = 8,35 V ; V2 = 1,57 V
[8] RB = 8,6 k [9] RBlimite 17,5 k (limite mnimo) [10] RC = 39
[11] a) RB = 5,66 k ; b) RC = 22,4
[15] 1) plausvel ; 2) plausvel ; 3) no plausvel ; 4) plausvel
[17] 6,5 VS 10,7 V
120

Materiais elétricos: propriedades e aplicações

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UNIVERSIDADE FEDERAL DE GOIS

ESCOLA DE ENGENHARIA ELTRICA,

Ementa: estudo dos materiais e dispositivos condutores, semicondutores, isolantes

Prof. Dr. Gelson Antnio Andra Brigatto

CAPTULO 1: Tpicos introdutrios ............................................................................................................................... 1

O ramo da Engenharia Eltrica exibe uma permanente seqncia de desenvolvimentos e descobertas

1.1) PROPRIEDADES DE INTERESSE DOS MATERIAIS

Os materiais raramente atendem a todos os requisitos tcnicos necessrios ao desenvolvimento de um bom

1.1.1) PROPRIEDADES ELTRICAS

1.1.2) PROPRIEDADES MAGNTICAS

Quando submetidos a fluxos de campo magntico, os materiais desempenham determinados comportamentos

1.1.3) PROPRIEDADE FSICAS

1.1.3.1) Estado fsico

Arranjos cristalinos: nestes a distribuio ocorre em uma forma

1.1.3.2) Massa especfica

1.1.4) PROPRIEDADES MECNICAS

1.1.4.1) Resistncia mecnica

Tabela 1.2: Resistncia mecnica esforos de trao de alguns materiais.

Tabela 1.3: Mdulo de elasticidade de alguns materiais de interesse.

1.1.4.3) Outras propriedades mecnicas de interesse

Dentre as demais propriedades mecnicas de interesse em aplicaes Eletrotcnicas, pode-se mencionar:

1.1.5) PROPRIEDADES TRMICAS

Temperatura um parmetro muito importante para o desempenho de qualquer dispositivo ou equipamento,

1.1.5.1) Dilatao trmica

Exerccio 2: A figura ao lado mostra uma plataforma P apoiada horizontalmente sobre um P

1.1.5.2) Condutividade trmica

Exerccio 3: Seja duas barras A e B de mesma seo e submetidas a temperaturas TJ

1.1.5.3) Calor especfico

Tabela 1.6: Calor especfico de alguns materiais.

1.1.6) PROPRIEDADES QUMICAS - RESISTNCIA CORROSO

1.1.7) FATOR CUSTO DOS MATERIAIS

1.1.7.1) Exemplo de caso: cobre versus alumnio

1.2) MODELO DA MATRIA POR BANDAS DE ENERGIA

1.2.1) NVEIS DE ENERGIA ESTACIONRIOS

Tabela 1.7: Comprimentos de onda no vcuo de algumas ondas eletromagnticas.

(a) (b) (c)

1.2.2) BANDAS DE ENERGIA E CLASSIFICAO ELTRICA DOS MATERIAIS

Banda de Conduo (BC)

(a) (b) (c)

1.3) TPICOS COMPLEMENTARES

1.3.1) PILHAS E BATERIAS

(a) (b) (c) (d) (e)

(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (h)

1.3.3) FIBRA TICA

raio de normal (N)

1.3.5) CLULA COMBUSTVEL A HIDROGNIO

1.4) EXERCCIOS PROPOSTOS

2.1) FENMENO DA CONDUO ELTRICA

O fenmeno da conduo eltrica em um material qualificada pela propriedade denominada condutividade

2.1.1) CONDUTIVIDADE E RESISTNCIA ELTRICAS

2.1.2) FATORES QUE INFLUENCIAM NA RESISTNCIA ELTRICA

2.1.2.1) Grau de impureza e imperfeies no material

A presena de impurezas em materiais condutores, notadamente

Tabela 2.1: Resistividade e coeficiente de temperatura da resistividade de alguns materiais a 20 oC.

a) Clculo da resistncia corrente contnua de um fio do cabo de alumnio em /km e a 50 oC :

2.1.2.3) Efeito pelicular

2.2) MATERIAIS E DISPOSITIVOS CONDUTORES

2.2.1) OS METAIS E SUAS CARACTERSTICAS

2.2.2) LIGAS METLICAS

2.2.3) CARVO PARA FINS ELTRICOS

2.2.4) CONEXES ELTRICAS

2.2.5) CONDUTORES ELTRICOS

isolamento capa protetora blindagens