UNIVERSIDADE ESTADUAL DO MARANHO - UEMA

CENTRO DE CINCIAS TECNOLGICAS - CCT

CURSO DE ENGENHARIA DA COMPUTAO - ENGCOMP

MARLON MORAES
ERYCK ARAUJO
RAYANNE SALLES
ROBSON SOUSA
RODRIGO FRAZO MAIA

EFEITO HALL

So Lus
2013
 MARLON MORAES
ERYCK ARAUJO
RAYANNE SALLES
ROBSON SOUSA
RODRIGO FRAZO MAIA

EFEITO HALL

Trabalho apresentado ao Doutor

Rogrio Moreira Lima professor da
disciplina Eletricidade e
Eletromagnetismo do Curso de
Engenharia da Computao, da
Universidade Estadual do Maranho
(UEMA), para obteno da segunda
nota referente esta disciplina.

So Lus
2013
Sumrio

1. Introduo.........................................................................................

2. Fundamentao Terica...................................................................

3. Concluses........................................................................................

4. Referncias........................................................................................
 1. Introduo
No curso de Engenharia da Computao vemos muito dos nossos
estudos em diversas vezes ligados aos conceitos de Eletricidade e
Eletromagnetismo, que nos ajuda a elucidar grande parte de alguns temas
relacionados com o meio computacional.

Na rea de Telecomunicaes de superior importncia e base para

estudos de propagao de sinais, interferncia eletromagntica, envio e
distribuio de sinais e etc.

Por isso esse trabalho tem como objetivo explorar e mostrar uma breve
explicao sobre Efeito Hall que um dos estudos e aplicaes mais usados
na indstria e laboratrios de pesquisa pois permite determinar densidade de
portadores de carga livres, resistividade eltrica, mobilidade de eltrons e
mobilidade de buracos e etc.

Este efeito descreve o fenmeno fsico pelo qual se gera uma tenso
eltrica numa placa metlica percorrida por uma corrente, situada num campo
magntico perpendicular a ela e que perpendicular ao campo magntico e
direo da corrente.

O experimento descrito ao longo do trabalho, no qual se verifica o

efeito Hall, foi um grande feito que ajudou a guiar os cientistas da poca rumo
ao entendimento do que hoje achamos uma coisa natural: a corrente eltrica e
do que ela formada.

O efeito de Hall pode aproveitar-se, por um lado, para a medio de

campos magnticos e, por outro, para a determinao do tipo e da densidade
dos portadores de carga. Pode ser ainda utilizado em dispositivos de
comutao operados magneticamente.

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 2. Fundamentao Terica
Em 1879, Edwin H. Hall descobriu que quando um condutor
conduzindo uma corrente eltrica for colocado sob a ao de um campo
magntico perpendicular, h o aparecimento de uma voltagem numa direo ao
plano que contm a corrente e o campo magntico aplicado.

Utilizando um aparato experimental, como o esquematizado na figura

1, Hall (1879a, 1879b) observou o aparecimento de uma diferena de potencial

VH
( ) entre as bordas de um condutor retangular, praticamente

VH
bidimensional, submetido a um campo magntico (H). A partir de ento,

passou a ser chamada de voltagem Hall ou voltagem transversal e a sua

observao conhecida como efeito Hall.

Figura 1: Configurao experimental onde Hall observou pela primeira vez o

aparecimento de uma voltagem transversal (

V H ) entre as bordas de um condutor

retangular, submetido a um campo magntico (H) (HALL, 1879a, 1879b).

A voltagem Hall consequncia do desvio de portadores de carga

provocado pela fora magntica atuante. Essa fora, conhecida como fora de

Lorentz ( F L ) proporcional ao mdulo da carga (q), ao vetor velocidade do

portador de carga ( v ) e ao vetor campo magntico ( H ). Assim, podemos

descrever esta fora da seguinte forma:

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 F L =q v x H

. (1)

No equilbrio, a fora de Lorentz contrabalanceada pela fora

eletrosttica resultante do desvio de cargas,

=q EH
q v x H . (2)

onde E H o campo eltrico provocado pela separao de cargas, chamado

de campo eltrico Hall e dado por:

E H =v x H

. (3)

Conhecendo o valor de E H e sendo w a largura da placa condutora,

VH
o mdulo de ser dado por:

V H =E H w=vHw
. (4)

Assumindo um campo eltrico Hall uniforme, o nmero de portadores

(n) presentes no condutor pode ser obtido conhecendo-se a corrente (I) que
passa pelo condutor, uma vez que:

I =nqAv
. ou

I
n=
(qAv)'

(5)

onde A seo reta do condutor. Rearranjando a equao (5) e substituindo

em (4), temos que:

( IHw)
VH=
( nqA ) . (6)

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 Uma vez que A=w.d, onde d a espessura da amostra, a equao para
a tenso Hall pode, agora, ser dada em termos do campo magntico aplicado e

( IH )
VH=
( nqd ) . (7)

Diante desta anlise podemos concluir que medir a tenso Hall uma
tcnica apropriada para o clculo do nmero de portadores presentes em um
determinado condutor.

Conhecendo-se o valor da tenso Hall possvel tambm determinar

qual o tipo de portador, eltron ou buraco, o responsvel pela conduo
eltrica no material.

Quando I estiver na direo do eixo x positivo e H na direo de z, os

portadores de carga sero desviados para a esquerda, devido a fora de
Lorentz. Se os portadores possurem 18 carga positiva, a borda esquerda da
amostra ficar carregada positivamente e o ponto N num potencial mais
elevado do que M (veja figura 2). Quando os portadores forem negativos a
borda esquerda ficar negativa e o ponto N num potencial mais baixo do que
M. Estes comportamentos determinaro o sinal da tenso Hall.

Figura 2: Efeito Hall em condutores com portadores positivos (a) e portadores

negativos(b).

A constante e o ngulo Hall:

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 O efeito Hall proporciona ainda uma tcnica conveniente para a
medio de campos magnticos, pois pela equao (7) fcil concluir que

VH
diretamente proporcional ao campo magntico aplicado,

(C H IH )
VH= .
(d )

CH
onde grandeza , denominado coeficiente ou constante de Hall, um

parmetro que mede a intensidade da componente transversal em um

determinado material. Este parmetro que nos d a eficincia da gerao do
campo eltrico Hall.

Finalmente, a gerao do campo eltrico Hall juntamente com a

voltagem Hall no so os nicos parmetros fundamentais no efeito Hall. Na
presena de um campo magntico, o campo eltrico total na amostra (

E T = E
x EH
) no colinear com o campo eltrico aplicado (E). O efeito Hall

mostra que existe uma diferena na direo entre E T e

E dada pelo

H
ngulo 19 Hall ( ). Na figura 3 apresentada de forma esquemtica as

componentes transversal e longitudinal do campo eltrico.

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 Figura 3: Diagrama esquemtico mostrando que na presena de um campo

magntico o campo eltrico total na amostra ( ET ) no colinear com o campo

E
eltrico aplicado ( ).

Da figura 3, podemos concluir que:

EH
tan H =
E

E H = H EH
,

H
onde a mobilidade Hall dos portadores de carga. Ento,

tan H =H H
.

Assim, o valor do ngulo Hall depende somente do campo magntico

H
aplicado e da mobilidade Hall ( ), uma propriedade intrnseca de cada

material. Outra informao importante que o sinal do ngulo Hall coincide

com o sinal dos portadores de carga.

3. Concluses
Em 1879, foi publicado um artigo escrito pelo cientista Edwin Hall (1855
1938), que tinha como objetivo explicar um fenmeno muito interessante que
acontecia com circuitos eltricos quando estes eram submetidos a um campo
magntico: a presena de uma diferena de potencial. Na poca, no se
conhecia muito sobre a corrente eltrica; sabia-se da existncia da mesma,
mas suas caractersticas e propriedades, bem como sua constituio, eram
apenas especulaes.

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 E a partir desse estudo entende-se hoje o que seria corrente eltrica e
do que ela formada, sendo esse a base para diversos estudos da rea e para
diversas invenes que hoje so de suma importncia para a humanidade. Por
isso esse trabalho mostrou um pouco desse tema e explorou todas as suas
bases tericas e prticas que rondam esse tema.

4. Referncias
[1] HALLIDAY, D.; RESNICK, R., Fundamentos de Fsica, 4a ed. vol3

[2] NUSSENZVEIG, Moyss H. Curso de Fsica Bsica, Primeira

edio, 1997.
[3] TIPLER, Paul A. Fsica para Engenheiros, Sexta edio, Vol. 2,
2009.
[4] WENTWORTH, Stuart M. Fundamentos de eletromagnetismo
com aplicaes em engenharia / Stuart M Wentworth: traduo Abelardo
Podcameni. Glucio Lima Siqueira Rio de Janeiro: LTC. 2006.
[5] PERDOMO, Leonardo V.; MAESTRO, Lus Fernando. Construo
de montagem experimental para Efeito Hall, Dsponvel em: <
http://www.ifi.unicamp.br/~lunazzi/F530_F590_F690_F809_F895/F809/F809_sem1_2
002/981528%20981591.pdf >. Acessado 23 de dez. 2013.

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