SFV-Fundamentos Celdas

FUNDAMENTOS FISICOS DE LAS CELDAS SOLARES

INTRODUCCION

Las celdas solares son dispositivos de conversin directa que transforman (directamente, sin
procesos intermedios) la potencia del sol en potencia elctrica DC. Puesto que la potencia P = IV,
entonces es necesario comprender como se generan la corriente I y el voltaje V en la celda. A su
vez, I es el resultado de cargas en movimiento en una direccin determinada. Entonces es necesario
comprender como se generan las cargas y como son dirigidas en una direccin determinada. Las
cargas estn ya en el material pero en los semiconductores en estado ligado. Bajo la accin de la luz,
las cargas se vuelven libres, capaces de formar una corriente. Las cargas son dirigidas en una
direccin determinada para formar una corriente gracias a la accin de un campo elctrico creado en
la celda.

ESTRUCTURA DE BANDAS DE LOS SEMICONDUCTORES

Los semiconductores son materiales cuya resistividad elctrica est entre 10-4 y 1010 W-cm,
mientras que la resistividad de los metales vara entre 10-4 y 10-6 W-cm. Materiales semiconductores
son por ejemplo, Si, Ge, P, As; compuestos qumicos como CuAlS2, CuInS2, etc. A muy bajas
temperaturas, los semiconductores se comportan como aislantes, mientras que a altas temperaturas
se pueden llegar a comportar como metales1,2.

Aunque las celdas solares pueden fabricarse de diferentes materiales, consideraremos el Si,
por ser el material ms frecuentemente empleado. Este semiconductor tiene la siguiente estructura
electrnica:

Si(14) (1s2 2s2 2p6 3s2 3p2).

De los 14 electrones, los primeros 10 se encuentran fuertemente ligados al ncleo, mientras

que los 4 exteriores, denominados electrones de valencia, estn menos fuertemente ligados al ncleo
y en capacidad de interactuar con los otros tomos y juegan un papel importante en el efecto
fotovoltico.

Para formar un cristal, gran nmero de tomos de Si se enlazan a travs de sus electrones de
valencia (enlace covalente). En un slido cristalino, cada tomo de Si comparte uno de sus 4
electrones de valencia en un enlace covalente con cada uno de los 4 tomos vecinos. El slido
consiste de unidades de 5 tomos de Si: el tomo original mas 4 tomos vecinos con los cuales
comparte sus electrones de valencia. Los enlaces entonces se encuentran saturados (Fig.3.1).

27
Capitulo 3

En este caso, no hay electrones libres y si a bajas temperaturas se aplica un campo elctrico al
cristal de Si, la conductividad es cero (no hay corriente elctrica). A temperatura ambiente, la
conductividad no es cero ya que por efecto trmico se rompen enlaces que dejan electrones libres y
huecos, que contribuyen a la conductividad del material. En este caso, el nmero de huecos es igual
al nmero de electrones libres y se habla de un semiconductor intrnseco o tipo i.

En el caso anterior hemos considerado Si cristalino puro. Si se introduce una impureza (un
tomo diferente de los que conforman la red cristalina de Si), como por ejemplo As o P, con 5
electrones de valencia, 4 de ellos se emplearn en los enlaces con los tomos vecinos de Si y uno
quedar dbilmente ligado. Este electrn de valencia libre se comporta como un electrn de la
banda de conduccin del cristal. Puesto que hay un electrn donado por cada tomo de impureza, se
habla entonces de semiconductores donadores o tipo n (Fig.3.2).

Figura.3.1 Celda elemental de Si

Figura.3.2 Efecto de una impureza de P

 SFV-Fundamentos Celdas

Similarmente, si se introduce un tomo de Al o B, que tienen 3 electrones de valencia, faltar

un electrn para saturar un enlace covalente con un Si vecino. Este hueco se comporta como una
carga positiva y es relativamente libre de moverse por el cristal. El semiconductor se denomina
tipo p (Fig.3.3).

Figura.3.3 Efecto de una impureza de B

En los tomos libres, los electrones ocupan niveles discretos de energa. Al formarse el slido,
la densidad de tomos es del orden de 1022 tomos/cm3 y los tomos se aproximan entre s. Debido
a la proximidad, los niveles discretos de energa de los tomos individuales se superponen formando
zonas en donde los niveles estn tan prximos que forman un continuum o banda. La Fig.3.4
muestra la estructura de bandas de energa de tres semiconductores.

Figura.3.4 Estructura de bandas de tres semiconductores

29
Captulo 3

En este diagrama de niveles de energa se observan tres bandas: la banda de valencia cuyo
borde superior es Ev, la banda prohibida entre Ev y Ec, y la banda de conduccin entre Ec y Evac.

La banda prohibida se denomina as porque los electrones no pueden tener energas dentro de
los valores de la banda. Los electrones de la banda de valencia pueden hacer transiciones a la banda
de conduccin y viceversa. El ancho de la banda prohibida Eg depende del semiconductor (Tab.
3.1).

En la Fig.3.4 se observa tambin el nivel de Fermi, Ef, que es la energa a la cual la

probabilidad de ocupacin de estados es de 1/2. En un semiconductor tipo i, Ef se encuentra en la
mitad de la banda prohibida mientras que en uno tipo n se ha desplazado hacia el borde inferior de
la banda de conduccin, debido a que los electrones donados estn dbilmente ligados y por
consiguiente, la energa necesaria para llevarlos a la banda de conduccin es ms pequea que Eg.
Por el contrario, en un semiconductor tipo p, Ef est desplazado hacia Ev. En el caso en que

dos semiconductores tipo p y n estn en contacto y en equilibrio trmico, Ef es igual para

ambos semiconductores puesto que Ef corresponde a la energa libre por electrn y esta debe ser
igual en ambos semiconductores.

La teora de bandas explica la conductividad elctrica de diferentes tipos de materiales. En los

semiconductores a temperaturas de 0 K (Kelvin), todos los electrones se encuentran en la banda de
valencia y por sta razn no hay conductividad. Esta aumenta a medida que aumenta la temperatura.
La razn para ello es la presencia de electrones en la banda de conduccin, todos excitados por
efecto trmico. La conductividad elctrica de un semiconductor puede aumentarse por accin de la
luz, como se ver enseguida.

TABLA 3.1
Eg de Semiconductores
MATERIAL Eg (eV)
Si 1.14
Ge 0.67
GaA 1.4
GaP 2.25
Te 0.33
CdS 2.42
CdTe 1.45
CdSe 1,72
Cu2O 2.1
TiO2 3.0
Cu2S 1.2

30
 SFV-Fundamentos Celdas

INTERACCIN DE LA RADIACIN CON LA MATERIA

La radiacin proveniente del sol tiene una distribucin espectral como se da en la Fig.3.5.
Puesto que la energa de los fotones que componen la luz y la longitud de onda de la luz, estn
relacionadas por la ecuacin E = h c/ (h:constante de Planck = 6.62 * 1034 J.s ; c=velocidad de la
luz = 3*108 m/s), su energa est dada por

E = 1.24( m / )eV (3.1)

Los fotones ms energticos corresponden a las menores longitudes de onda (UV: Ultra
violeta y color violeta) y los menos energticos al infrarrojo y en el visible, al rojo.

Figura.3.5 Espectro de la radiacin solar

Cuando un fotn interacta con un cristal, por ejemplo Si-i, hay una cierta probabilidad de que
sea absorbido por un electrn de la banda de valencia. Si la energa absorbida por el electrn es
superior a Eg, el electrn brinca a la banda de conduccin convirtindose en un electrn de
conduccin y dejando en la banda de valencia un hueco. Se produce entonces un par electrn-
hueco.

31
Captulo 3

Figura. 3.6 Procesos elementales en un slido

Los electrones excitados pierden rpidamente su energa en interaccin con la red del slido
mediante la emisin de fotones (termalizacin), decayendo a la base de la banda de conduccin. En
la base de la banda de conduccin, el electrn es capaz de difundirse en el slido a distancias del
orden de 10 mm. La longitud de difusin depende de varios factores, como son la clase de
semiconductor, pureza qumica y grado de cristalinidad. De la base de la banda de conduccin, los
electrones regresan a la banda de valencia mediante la emisin de un fotn, si antes no son por
ejemplo, recolectados y conducidos a un circuito externo. Este efecto de recombinacin debe ser
reducido en la celda solar porque reduce la corriente y la eficiencia de la misma.

De acuerdo a lo anterior, es importante observar entonces que la conductividad del material

aumenta por efecto de la absorcin de radiacin de longitud de onda adecuada (efecto de
fotoconductividad). De esta manera se liberan por efecto de la luz los electrones con los cuales se
puede generar una corriente. Existe por consiguiente una longitud de onda crtica por debajo de la
cual la energa de los fotones no alcanza a producir excitacin de electrones de la banda de valencia
a la banda de conduccin. Para el Si con un Eg de 1.14 eV (Tab. 3.1), se tiene una longitud de onda
crtica de 1.09 mm. Fotones con energas inferiores a 1.14 eV absorbidos por el material, se
transforman en calor aumentando su temperatura. Esto quiere decir que tanto la luz visible como el
infrarrojo cercano excitan en este material los electrones de la banda de valencia a la de conduccin.

JUNTURAS PN

Cuando con dos materiales p y n se produce una juntura pn, los electrones que se encuentran
en exceso en el semiconductor n migran hacia el semiconductor p y los huecos del semiconductor p

32
 SFV-Fundamentos Celdas

al semiconductor n. De esta manera, se establece un campo elctrico en la interfase de la juntura

(Fig.3.7). Este campo elctrico en la juntura es el responsable de establecer la corriente elctrica a
partir de los electrones que en su difusin en el slido alcanzan la regin de la juntura donde se
encuentra el campo elctrico3.

Figura.3.7 Campo elctrico en la interfase de la juntura pn

El potencial asociado depende de la concentracin de impurezas y de portadores intrnsecos.

Para Si, con niveles de impurezas de 1015/cm3 tanto en el n como en el p, se tienen potenciales de
550 mV.

Mediante la absorcin de fotones, se forman pares electrn-hueco tanto en el semiconductor

tipo p como en el n. Debido a la difusin, los portadores de carga minoritarios en cada
semiconductor alcanzan la juntura, en donde el campo elctrico existente se encarga de desplazarlos
a la regin donde estos electrones y huecos son portadores de carga mayoritarios: la regin p se
carga positivamente mientras la n negativamente, dando lugar a una fuerza electromotriz y en un
circuito exterior acoplado, a una corriente. De esta manera se tiene el efecto fotovoltico,
fundamento de las celdas solares.

La Fig.3.8 muestra la estructura de bandas de energa para una juntura pn, los procesos que
producen el efecto fotovoltico y los mecanismos de prdidas. Hay sin embargo dos mecanismos de
prdidas inherentes que limitan la conversin de energa solar en electricidad: el exceso de energa
de los fotones que se transforma en calor por la termalizacin de los electrones y los fotones que no
son absorbidos por el material, por poseer energa inferior al ancho de banda.

33
Captulo 3

I. Absorcin de luz hv > Eg

II. Termalizacin de electrones "calientes"

III. Recombinacin no radiactiva

IV. Recombinacin radiactiva

V. Separacin de cargas (efecto fotovoltico)

Figura 3.8 Diagrama de bandas de energa de una juntura pn (adaptado de Bloss et al 4)

Puesto que en este caso se tiene el mismo material base para los semiconductores n y p, se
habla entonces de homojunturas pn.

Otros tipos de dispositivos que se pueden emplear para la recoleccin de estos electrones son
las heterojunturas pn, las junturas pin (i: material semiconductor intrnseco entre los dos materiales
p y n), las barreras Schottky y las junturas MIS (Metal - Insulator-Semiconductor: Metal-Aislante-
Semiconductor). Las heterojunturas aprovechan mejor el espectro solar mientras que las Schottky y
MIS disminuyen las prdidas por recombinacin superficial.

HETEROJUNTURAS

La heterojunturas, por tratarse de dos materiales diferentes, permiten aprovechar mejor el

espectro solar. La luz incidente debe ser absorbida en la vecindad de la zona de la juntura. La
Fig.3.9 muestra el diagrama de bandas de una heterojuntura, en la cual se tiene un dispositivo con
"ventana" -"absorbedor". La luz comienza a absorberse directamente en la juntura si el ancho de
banda del semiconductor n (ventana) es suficientemente grande.

Por tratarse de materiales diferentes, ellos deben tener varias caractersticas fsicas
comparables para que ajusten (similares constantes de red, coeficientes de expansin trmica y
afinidad electrnica) y para reducir las prdidas de voltaje. Tambin es conveniente introducir capas
intermedias (junturas pn, n+n) para compensar las diferencias entre la ventana y el absorbedor.

Celdas de este tipo son las CIS (CuInSe2), CIGS -Cu(In,Ga)Se2-, las cuales son supremamente
promisorias y se encuentran en desarrollo.

34
 SFV-Fundamentos Celdas

Figura 3.9 Diagrama de bandas de una heterojuntura con ventana multicapas (adaptado de Bloss et al.4)

ELEMENTOS DE UNA CELDA DE Si-c

Desde el punto de vista comercial y del desarrollo del mercado, las celdas ms importantes de
acuerdo a la estructura cristalina son las de Si-c y Si-m (homojunturas de Si; c: cristalino, m:
multicristalino).

Los elementos esenciales de una celda tpica de Si-c son:

Un contacto-ventana superior que permite la recoleccin de cargas negativas y la transmisin

de una fraccin de la radiacin solar, los semiconductores tipo n y p, y el contacto inferior colector
de cargas positivas (Fig.3.10).

Puesto que en la direccin de la radiacin se encuentra primero el n y luego el p, esta

configuracin es np (anteriormente las celdas comerciales de Si eran pn).

El diagrama de bandas muestra el comportamiento de electrones y huecos en la juntura.

35
Captulo 3

Figura 3.10 Elementos esenciales de una celda solar (adaptado de Hamakawa 5)

CARACTERISTICAS DE LAS CELDAS SOLARES

Caracterstica IV
La Fig.3.11 muestra la caracterstica IV (Intensidad contra voltaje V) de una celda solar6:

I = C R - Is [exp(qV/kT ) - 1] (3.2)

en donde C es una constante, R es la irradiacin solar (W/m), Is es la corriente de saturacin

del diodo, q la carga elctrica elemental (q=1.60 * 10-19 Coulomb), k la constante de Boltzmann (k=
1.38 * 10-23 J/K) y T la temperatura absoluta en Kelvin.

Sin iluminacin, la caracterstica es la de un diodo. La relacin entonces es:

Id = - Is [ exp (qV/kT) - 1] (3.3)

36
 SFV-Fundamentos Celdas

Isc, Voc

Figura 3.11 Caracterstica IV de una celda solar

Dos importantes valores caractersticos de las celdas solares son el voltaje de circuito abierto
Voc y la corriente de corto circuito Isc.

Para circuito abierto I=O y entonces

Voc = ( kT / q ) * ln [ ( C * R / Is ) + 1 ]

Voc ( kT / q ) * ln [ C * R / Is ] (3.4)

Para corto circuito, V=O y por consiguiente

Isc = C * R (3.5)

La corriente Isc es entonces una funcin lineal de la irradiacin solar. Esta propiedad permite
emplear las celdas solares como sensores para la medicin de la irradiacin.

Potencia
La potencia que suministra una celda es

P = IV (3.6)

Esta potencia es el rea bajo la curva IV definida por el V de operacin.

Si V=O , I = Isc y P= 0

Si V=Voc , I = 0 y P= 0

37
Captulo 3

La potencia mxima que se puede obtener de la celda es el rea del mximo rectngulo que se
puede inscribir dentro de la curva IV (Fig.3.11). Vmp es el valor del voltaje para el cual se tiene Pmp e
Imp es la corriente correspondiente:

Pmp = Vmp * Imp (3.7)

Pmp puede calcularse tericamente a partir de las ecuaciones (3.7) y (3.2):

P = C R V - Is * V [exp(qV/kT ) - 1]

La condicin para mxima potencia se obtienen cuando dP/dV=0, o sea

Imp = Is * (q/kT) Vmp [exp (q Vmp/kT)] C R [1- (kT/q Vmp)] (3.8)

Vmp = (kT/q) ln [{(CR/Is)-1}/{1+(q Vmp/kT)}]

Voc - (kT/q) ln {1+(q Vmp/kT)} (3.9)

La potencia mxima Pmp se da entonces como

Pmp = Imp Vmp CR [ Voc - (kT/q) * ln {1+(q Vmp/kT)} - kT/q ] (3.10)

= CR (Em / q)

en donde

Em = q [ Voc - (kT/q) * ln {1+(q Vmp/kT)} - kT/q ] (3.11)

es la energa entregada por cada fotn a la carga en el punto de mxima potencia.

Vatiaje pico
El vatiaje pico, Wp, es el vatiaje mximo entregado por la celda solar (o mdulo) cuando el
mdulo se expone a las condiciones estndar: 1000 W/m de irradiacin a incidencia normal, AM
1.5 y temperatura de celda de 25C (Ver seccin 5.3).

Factor de llenado
El factor de llenado FF est definido como

FF = Vmp * Imp / (Voc *Isc) (3.12)

FF es entonces el cociente entre la mxima potencia obtenible y el producto Voc * Isc. FF es

por lo tanto la desviacin que presenta una celda de la rectangularidad y es una medida de la calidad
de la celda (Fig.3.12).

38
 SFV-Fundamentos Celdas

Figura.3.12 Factor de llenado

Eficiencia de las celdas solares

La eficiencia de las celdas solares, , se define como

Potencia maxima electrica

= (3.13)
Potencia solar incidente

La eficiencia se da entonces como

= Voc * Isc * FF / (A * R) (3.14)

Puesto que Isc es una funcin lineal de la radiacin solar R, entonces

= (C * FF / A) * ( kT / q ) * ln [ C * R / Is ] (3.15)

Dependencia de Isc, Voc, P y e de la irradiacin

La Fig.3.13 muestra como varan Isc, Voc y como funciones de R en una celda de CdS-Cu2S.

39
Captulo 3

Figura.3.13 Dependencia de Isc, Voc Y e con R (celda es de CdS-Cu2S)

Es muy importante observar que el voltaje V alcanza cerca del 90% de Voc con niveles muy
bajos de irradiacin (20 mW/cm) mientras que Isc es una funcin lineal de R. Esta es una diferencia
importante con los procesos de conversin fototrmica en los cuales la eficiencia es una funcin
creciente de R.

Efecto de la temperatura
La temperatura afecta la corriente y el voltaje de una celda solar. La corriente aumenta
mientras que el voltaje disminuye. El efecto combinado es que la potencia de la celda solar
disminuye con la temperatura.

Circuitos equivalentes
La Ec.(3.2) describe el circuito equivalente ideal de la celda solar (Fig.3.14a). Pero en efecto
se presentan resistencias de tal manera que la corriente generada se ve disminuida. De acuerdo a la
Fig.3.4b, la celda solar es un generador de corriente (V casi constante) cuya corriente IL es reducida
por la corriente del diodo Is. Las cadas de voltaje estn representadas por las resistencias en serie y
en paralelo Rs y Rsh. La corriente est dada por

I= Il - Is {exp [(q(V + I Rs)/(kT)]-1} - V/Rsh ; IL = C R (3.16)

40
 SFV-Fundamentos Celdas

Figura.3.14 Circuitos equivalentes

EFICIENCIA MAXIMA Y PERDIDAS

La eficiencia mxima terica de las celdas solares ha sido calculada por Loferski como
funcin del ancho de la banda prohibida (irradiadas con el espectro solar fuera de la atmsfera,
AM0) (Fig.3.15)7.

Figura.3.15 Eficiencia mxima de las celdas solares vs ancho de banda (de Loferski 7)

Se puede observar que entre los materiales ms prometedores figuran los semiconductores
compuestos como el GaAs, CdTe y AlSb.

41
Captulo 3

En el caso del Si, la diferencia que existe entre la eficiencia mxima terica y la obtenida en la
prctica es mnima, debido especialmente a que se trata de un material muy bien caracterizado en la
industria de semiconductores.

Las celdas solares tienen prdidas de diferentes tipos. Si se considera una celda de Si
cristalina, la cual es sensible al 44% de la energa que incide sobre ella, cerca de 16% de la energa
se disipa en procesos internos, dando lugar a una eficiencia lmite de 28%. Otros procesos reducen
la eficiencia a 14-22 % (Fig.3.16)

Figura.3.16 Prdidas en celdas solares de Si (adaptado de Hamakawa5)

Recientemente se han introducido nuevos conceptos (como el PESC -Pasivated emitter solar
cell; Buried contact -el contacto grabado) que han permitido la reduccin de prdidas y que las
celdas de Si-c alcancen cifras rcord de eficiencia a nivel de laboratorio de 24.2 % (ver sec. 1.4).

42
 SFV-Fundamentos Celdas

REFERENCIAS

1. A. Grove, Physics and Technology of Semiconductor Devices, J. Wiley (1967) New York
2. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, J. Wiley (1981) New York
3. H. Hovel, Solar Cells, Academic Press (1975) New York
4. W.H. Bloss et al., Photovoltaics: Solar electricity, en World Solar Summit (1993) Pars
5. Y. Hamakawa, Photovoltaic Power, en Scientific American 256 (1987) Nr. 4, 86
6. S. Angrist, Direct Energy Conversion, Fourth Edition, Allyn and Bacon (1982) Boston
7. J.J. Loferski, Recent Research on Photovoltaic Solar Energy Converters, en Proceedings of the IEEE, 51 (1963)
667-674

43