Tema 1: Diodos

Objetivos:
Conocer las caractersticas del silicio como material semiconductor
Entender los mecanismos de conduccin en una unin p-n

Contenidos:
Leccin 1: Silicio intrnseco. Silicio dopado. Intensidad de arrastre y de difusin
Leccin 2: Unin p-n. Zona de transicin. Polarizacin directa e inversa. Diodo de unin
y Zener.

Electrnica 0
 Semiconductores
Semiconductor: material de conductividad intermedia entre la de los metales
y la de los aislantes, que se modifica por la temperatura, y las impurezas
Diagrama de bandas

Banda de Banda de
conduccin Banda de
conduccin conduccin
Eg Eg

Banda de Banda de Banda de

valencia valencia valencia
Aislante Semiconductor Conductor
Eg=5-10eV Eg=0,5-2eV No hay Eg
A 0K, tanto los aislantes como los semiconductores no conducen, ya que
ningn electrn tiene energa suficiente para pasar de la banda de valencia a la
de conduccin. A 300K, algunos electrones de los semiconductores alcanzan
este nivel. Al aumentar la temperatura aumenta la conduccin en los
semiconductores (al contrario que en los metales).

Electrnica 1
Silicio intrnseco
Silicio: semiconductor ms usado para fabricar dispositivos electrnicos
Elemento del grupo IV del sistema peridico
Estructura atmica (14 electrones): 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
Forma enlace covalente

Los electrones libres y los

A 300K se rompe 1 enlace
huecos
Estructuradejados por estos se
cristalina:
por cada 1,710 9 tomos y
mueven
cbica aleatoriamente
centrada por
en las
se origina un electrn
la estructura cristalina
caras
libre(fcc)
y una carga +
Constantemente se rompen y
reconstruyen enlaces
A 0K No hay enlaces covalentes rotos Generacin-Recombinacin

Curso 2011-2012 Electrnica 2

Silicio intrnseco: conduccin elctrica

El
Se electrn libre con carga negativa se mueve por accin
mueve tambin
del campo electrico.
Es ms, se comporta como un portador de carga positiva
Y la carga
llamado + o hueco dejado por el electrn?
hueco

Electrnica 3
 Silicio intrnseco: conduccin elctrica (2)
Se produce el movimiento de los pares electrn-hueco en presencia de un campo
elctrico, contribuyendo ambos a la corriente elctrica

Hasta ahora hemos considerado al silicio como un Semiconductor Intrnseco:

No hay impurezas en la red cristalina

La densidad de portadores negativos o electrones (n) es igual a la densidad
de portadores positivos o huecos (p)
n = p = ni

Semiconductor extrnseco o dopado: Propiedades alteradas por introduccin de

tomos de impurezas de elementos de diferente valencia (np)

Para semiconductores intrnsecos y extrnsecos se cumple la Ley de Accin de

Masas
n p = n i2
Electrnica 4
 Silicio dopado: Tipo-n
Si introducimos impurezas donadoras del grupo V del sistema peridico
(fsforo, P) en la estructura cristalina, tenemos un Silicio dopado tipo-n.

Los portadores de
carga mayoritarios
son los electrones
Si aplicamos un
campo elctrico, los
electrones de
conduccin se
desplazan en sentido
opuesto al campo

Los electrones generados se denominan portadores de carga extrnsecos y su densidad coincide aprox.
con la de tomos de impureza nn0 ND porque su nmero domina a los pares electrn-hueco
A 0K
Si el por
tomo
la temperatura
generados deaumenta
fsforo
ionizacin trmicacubre los cuatro
el electrn enlacesfcilmente
se desliga covalentesdelde la red, ede
tomo introduce
un electrn
fsforo, queadicional
permanece ligado
fijoalentomo
la redde fsforo
como un por
in fuerzas
positivoelectrostticas n i2
Los huecos son minoritarios y su densidad se calcula con la Ley de Accin de Masas p n0
ND

Electrnica 5
 Silicio dopado: Tipo-p
Si introducimos impurezas aceptoras del grupo III del sistema peridico (boro,
B) en la estructura cristalina, tenemos un Silicio dopado tipo-p

Los huecos son

responsables de la
conduccin elctrica
Si aplicamos un
campo elctrico, los
huecos se desplazan
en el sentido del
campo

La densidad de los huecos generados coincide aprox. con la de tomos de impureza pp0 NA porque
Anmero
Si
su 0K
la eldomina
tomoa los
temperatura de boroelectrn-hueco
aumenta
pares slo cubre generados
un electrn tres
de de
un los cuatro
tomo de Sienlaces
por ionizacin covalentes
adyacente
trmica de la
se desliga
red, con
cubriendo lo que
la introduce
falta de una
electrn falta
en el de electrn
boro, ligado
generndose al
untomo
hueco de boro n i2
Los electrones son minoritarios y su densidad se calcula con la Ley de Accin de Masas n p0
NA

Curso 2011-2012 Electrnica 6

 Intensidad de arrastre
Jp Jn En un gas de portadores de carga
libres, existe una relacin lineal entre
la velocidad media y el campo
elctrico aplicado:
vp = + p
vn = - n

siendo
n la movilidad de los electrones

p la movilidad de los huecos

La densidad de corriente de arrastre (A/cm2) es:

siendo q la carga del electrn (1,610-19 C)
J p = + q J pp =v+p q= pq vp p p (huecos)
(huecos) n la concentracin de electrones (cm-3),
J n = q J nn = vnq= nq vnn n (electrone
(electrone
s) s) p la concentracin de huecos (cm-3),
vn la velocidad media de los electrones (cms-1)
vp la velocidad media de los huecos (cms-1)
Electrnica 7
 Intensidad de difusin
Jn Jp

n1 n2<n1 p1 p2<p1
dn dp
0 0
dx dx
Cuando la concentracin de electrones no es Si existe un gradiente en la concentracin
uniforme, stos se mueven por difusin y la de huecos, stos tambin se mueven por
densidad de corriente a la que dan origen es difusin y la densidad de corriente que
proporcional al gradiente de la concentracin originan es proporcional a dicho
de electrones gradiente pero de sentido opuesto

dn(x) dp(x)
J n = qD n J p = qD p
dx dx
Electrnica 8
 Unin p-n: Introduccin
Silicio tipo p Silicio tipo n

B- B- B- B- P+ P+ P+ P+

B- B- B- B- P+ P+ P+ P+

- +
Dos regiones de un semiconductor muy prximas, con distinto dopado
En la interfaz, el perfil de dopado tiene un gradiente muy pronunciado difusin
Los portadores mayoritarios difunden de una zona a otra, donde se recombinan
En una zona cercana a la unin llamada regin de carga espacial, aparece una carga
elctrica igual a la concentracin de impurezas campo elctrico
El campo elctrico limita la difusin de portadores a la zona de transicin o desercin
Electrnica 9
Unin p-n: zona de transicin

La neutralidad de carga total en

la zona de transicin exige:
NA xn
qN A x p = qN D x n =
ND xp

El campo elctrico resultante se opone a la difusin de

huecos en la regin n y de electrones en la p
Aparece una diferencia de potencial que acta como barrera
que debe ser vencida para que los huecos se difundan en la
zona n y los electrones en la p
Cuanto mayor sea la tensin de la barrera, menor ser el
nmero de portadores que podrn vencerla y menor ser la
intensidad de difusin

Electrnica 10
Unin p-n: potencial intrnseco
IDifusin
Algunos de los huecos generados
IArrastre trmicamente en la zona n se difunden al
borde de la regin de deplexin y por accin
del campo elctrico pasan a la zona p
De la misma forma los electrones pasan a la
zona n. Estas dos corrientes forman la
corriente de arrastre
En condiciones de equilibrio no existe corriente externa por lo que las
corrientes de difusin y arrastre deben ser iguales. IArrastre = IDifusin
Sin potencial externo aplicado se puede demostrar que el potencial de la
barrera es

N N Relacin de Einstein
VI = VT ln D 2 A Dn/n= Dp/ p= kT/q = VT
ni
(VT = 26mV a 300K)

Electrnica 11
Unin p-n: polarizacin

Circuito abierto: Circuito cerrado (unin polarizada):

i=0 Si V = 0 Si V 0 (V < VI)

IArrastre = IDifusin i=0 i0
V = VI - VU

Electrnica 12
 Unin p-n: polarizacin directa e inversa
Polarizacin directa: Polarizacin inversa:
0 < V < VI V<0

En general:
VU = VI - V,
siendo: V < VI

Menos carga espacial Ms carga espacial

2 s N A + N D
Menor intensidad de campo Wdep = x n + x p = (VI V ) Mayor intensidad de campo
q N A N D
Menor barrera de potencial Mayor barrera de potencial
Corriente i = iD-iA iD grande Corriente i = iA-iD iA pequea
Curso 2011-2012 Electrnica 13
 Unin p-n: clculo de corrientes
Polarizacin directa:
Aumenta la difusin de portadores Jn Jp
mayoritarios
Exceso de concentracin de minoritarios
en las zonas neutras que decrece
exponencialmente hasta np0 y pn0
Las corrientes de portadores minoritarios
son de difusin y ambas tienen el mismo
sentido, luego Jtotal=Jn+Jp

dn(x)
J n = qD n
dx V Dp
VT Dn
i = A J total = ISat e 1 ISat = A q n i2 +
Lp ND Ln NA
dp(x)
J p = qD p
dx
Siendo Ln,p las longitudes de difusin e ISat la corriente de saturacin
Electrnica 14
Unin p-n: caracterstica i-v

Polarizacin directa:
Sabemos que la relacin i-v es exponencial
V V

i = ISat e VT 1 ISat e VT

Y en polarizacin inversa?
Aumenta la barrera de potencial para los
portadores mayoritarios, la corriente es
muy pequea, tiene sentido opuesto, y es
debida al arrastre de los minoritarios.
Buena aproximacin: i = ISat

Electrnica 15
 Diodo de Unin
Dispositivo no lineal de 2 terminales Caracterstica

i pendiente = 1/rD
i-v
i asntota
nodo - Ctodo Modelo
+ v
Diodo fuente
Aproximaciones con zonas lineales o modelos: ideal resistencia
Diodo ideal: V>0 conduce
V<0 no conduce i=0 Modelo
Modelo de fuente constante: asntota V fuente
V> V conduce
V
V< V no conduce i=0 -ISat
0 V
Modelo de fuente y resistencia: pendiente 1/rD
V> V conduce con cada de tensin
V< V no conduce i=0

Electrnica 16
 Fenmenos de ruptura: diodo Zener
La unin p-n alcanza la tensin de ruptura, Vz si se
i
polariza fuertemente en la zona inversa
La corriente aumenta considerablemente
Se debe a dos fenmenos: - VZ
Ruptura por avalancha: generacin de nuevos
pares electrn-hueco en la zona de transicin v

Ruptura Zener: campo elctrico muy fuerte en

la zona de transicin, que hace que los
portadores pasen la barrera de potencial por i
efecto tnel
+ -
Diodo Zener: Dopando muy fuertemente la unin (Wdep v
) con tensiones inversas pequeas ( 5V) se puede dar
la ruptura de la unin
Aprovecha la zona de ruptura para obtener una tensin
+ -
estable de referencia Vz
Electrnica Vz 17