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[]'SpDS,UUDS

Sern,r:Dndu1DreS
[]'spDs.1'UDS
Sem'~Dndu1DreS
diodos
transistores
tiristores
optoetetrrcs
circuitos integrados

4~ edio revista

HILTON ANDRADE DE MELLO


Eng.o Eletrnico e Nuclear
Master Of Science. Engineer - Stanford Univefsity. Califrnia
Chefe. da Divislo de Eletrnica do
Instituto de Engenharia Nuclear

EDMONDINTRATOR
Eng.O EletrOnico e Nuclear
Master of Science - University of Wisconsin
Departamento de Reatores da
Comissio Nacional de Energia Nuclear

RIO DE JANEIRO
SO PAULO

Dt liVROS IrCNICOS E CIENllflCOS EDIIORA


Copyright 1972,1974, 1978e 1980, Hilton Andrade de Mello e Edmond tntrator

Proibida a reproduio, mesmo


parcial, por qualquer processo,
tem autorizalo expressa do
autor e do editor.

CAPA I Nelson Aires de Oliveira

1~ ediio 1972
'Z!ediio 1974
ReimpreSS8s 1976 (duas) e 1977 (duas)
~ edio 1978
4~ edio 1980

(Prepareda pelo Centro de Catalogao-na-fonte do


SINDICATO NACIONAL DOS EDITORES DE LIVROS, RJ)

Melto, Hilton Andrade de, 1939-


M485d Dispositivos semicondutores: diodos, transistores,
fotossens(veis, circuitos integrados lporl Hilton de
Malto e Edmond Intrator. 3. ed. rev. e ampl. Rio de
Janeiro, Livros Tcnicos e Cient(ficos, 1980,
xiv,225p. ilust. 23cm.

Primeira edilo por Ao Livro Tcnico.


Apndice: "Dissipadores de calor para dispositivos
18micondutores' ,.

1. Semicondutores. I. Intrator, Edmond. 11. no


tulo.

CDD - 621.38152
74-03S6 CDU ~ 621.315.5

Direitos reservados por:


LIVROS n!CNICOS E CIENTFICOS EDITORA S.A.
Av. Venezuela, 163 - CEP 20 220
Rio de Janeiro, RJ
1980
Impresao no Brasil
A
Marll de Pau/a, Adrllne e M6nica
A
E/eanor e Miriam

HAM
EI
"A cincia sem a f conduz dvida; a f sem a cincia conduz
superstio. As duas reunidas do a certeza, e para uni-Ias no se
deve jamais confundi-tas."
Eliphas Lvi "

* LA CABBALE;Papus, 2.e ed. Librairie Gnrale des Sciences Occultes, Paris, 1903.
PREFAcIO DA 3~ EDIAO

Com satisfao verificamos a excepcional aceitao do nosso livro Dispositivos Semlcon-


autores o qual j est sendo utilizado como livro-texto em vrias escolas tcnicas de Eletrnica
do Pa Is e como livro de referncia, por conter detalhes prticos, pelos estudantes de Engenha-
ria.
A segunda edio j tendo sofrido cuidadosa reviso e correo de alguns erros da pri-
meira, alm de uma ampliao, poderia parecer primeira vista que, aps somente trs anos
dessa segunda edio, no se justificaria uma terceira. Isso poderia ser vlido em muitos cam-
pos da Cincia e da Tecnologia, mas no no da Eletrnica, onde inovaes e novos componen-
tes surgem quase diariamente. Os laboratrios de pesquisas oferecem continuamente novos dis-
positivos ou refinamentos de componentes j existentes, os fabricantes de dispositivos sernieon-
dutores no perdem tempo em comercializar o novo produto, nem os engenheiros de projetos
em lanar mo das novas opes que Ihes so oferecidas.
Torna-se, ento, obrigao do autor de uma obra didtica tentar acompanhar esse r-
pido progresso, reformulando ou modernizando sua obra original. Foi o que procuramos fazer
nessa terceira edio, e o leitor que comparar o contedo e o Indice da primeira edio com a
presente notar as seguintes diferenas:
- um captulo novo, Estudo dos Tirlstores, que rene os retificadores controlados de
sillcio, mencionados rapidamente como "outros diodos", no Cap. 2 da primeira edio, e os
triaes e diacs, componentes no abordados na primeira edio;
- no Capo 2, Estudo dos Diodos, aparecimento de seis novos tipos de diodos: Step
Becovery, Back, Schottky, Pln, Gunn, Impatt;
- no Capo 3, Estudo dos Transistores, vasta ampliao dos estudos dos transistores de
efeito de campo, que eram superficialmente mencionados na primeira edio, e tambm dos
transistores de unijuno;
- no Cap. 5, Estudo da Optoetetrnlce, acrscimo ao estudo das clulas fotossenslveis
(Cap. 4 da primeira edio), dos diodos emissores de luz, fotoacopladores e displays digitais.
Acompanhando essa ampliao do livro, foi feita nova reviso geral, que resultou em v-
rias modificaes, tais como simplificaes de desenhos, melhor apresentao de alguns itens,
simplificao da parte explicativa dos circuitos equivalentes do transistor bipolar, atualizao
e ampliao dos exerclcios no fim de cada cap(tulo.
Se a rpida evoluo do campo dos dispositivos semicondutores pode ser acompanhada r:
at certo ponto, pela feitura de adies sucessiw$, de um livro sobre o assunto, ela tambm
causa dificuldades aos autores, principalmente com relao aos componentes que so utiliza-
dos como exemplos no texto; de fato, tais componentes tornam-se obsoletos e na realidade
seria um trabalho impraticvel mudar todos os exemplos do livro para utilizar os ltimos dis-
positivos existentes no mercado. Tivemos o cuidado de utilizar exemplos que continuem v-
lidos com a substituio das especificaes e caracterlsticas dos componentes utilizados ria
poca da redao pelas de componentes de que o leitor realmente poder dispor na poca de sua
utilizao.
Esperamos ento ter atingido, nessa terceira ediio, os objetivos que acabamos de men-
cionar, e agradecemos uma vez mais a acolhida de nossa obra no meio tcnico brasileiro.

HAM
EI
INTRODUAO

A experincia por ns adquirida, nas Escolas Tcnicas de Eletrnica e nas Escolas de En-
genharia, tem-nos mostrado uma lacuna que um dos maiores obstculos aos que pretendem
iniciar o estudo de circuitos utilizando dispositivos semicondutores.
Trata-se da falta de livros que possam ser usados pelas Escolas Tcnicas como textos pa-
ra os seus cursos de EOletrnica.De um lado, existe um grande nmero de livros "de bolso" que
tratam, em poucas pginas, do estudo dos dispositivos semicondutores, limitando-se quase ex-
clusivamente a apresentar esquemas de circuitos. De outro lado, os livros de Engenharia, onde
a formulao matemtica constitui uma barreira quase intransponvel para quem se inicia no
assunto.
A nossa idia foi fazer o presente livro de tal forma que contenha exatamente o que os
outros livros no contm, que o estudo amplo e detalhado dos dispositivos semicondutores
numa linguagem scesstvet, mas rigorosa. Deste modo, este livro poder ser usado como livro-
texto nas Escolas Tcnicas, antecedendo o estudo de outros que se dedicam exclusivamente a
circuitos. Temos certeza que o livro tambm ser extremamente til aos estudantes de Engenha-
ria Eletrnica, para um primeiro contato com os dispositivos semicondutores.
t talvez logo no Cap. 1 que melhor se aplica o que foi dito acima: a dificuldade de expor
as caractersticas gerais dos semicondutores sem entrar em detalhes matemticos e sem cair em
explicaes demasiadamente triviais, que acabam por incutir idias erradas na mente do estu-
dante. Esperamos ter conseguido uma explanao acessvel e correta.
No Cap. 2, dada nfase aos trs tipos principais de diodos - o diodo retificador, o do-
do Zener e o diodo tnel - e ainda so descritos vrios tipos de diodos que encontram aplica-
es nos circuitos prticos. O Capo 3 focaliza principalmente o transistor bipolar e o transistor
de efeito de campo, descrevendo ainda o transistor de unijuno. Procuramos apresentar aplica-
es tpicas de cada componente, sem transformar essa obra numa coletnea de circuitos, j
que o nmero de livros que tratam de circuitos transistorizados elevado e que, aps o estudo
desses dois captulos, o leitor dever estar bem preparado para assimil-Ios.
Os captulos seguintes e o apndice apresentam novidades em relao a outros livros. O
estudo dos tiristores (Cap. 41 descreve em detalhes o funcionamento, as caractersticas e as a-
plicaes dos retificadores controlados de silfcio, dos triacs e dos diacs. O Capo 5. Estudo da
Optoetetrntce , dividido entre o estudo das diversas clulas fotossensveis, dos diodos emis-
sores de luz e dos displays, largamente utilizados em painis de controle, computadores, rel-
gios digitais etc.
A descrio dos processos de fabricao de dispositivos semicondutores (Cap. 6) detm-
se nos processos modernos, realmente utilizados pelos fabricantes atuais. Quanto ao Capo 7,
MicroeletrtSnica, apresenta uma descrio dos princpios dos famosos circuitos integrados.* Fi-
nalmente, no apndice, so descritos, pela primeira vez, num livro, a utilizao e o clculo de
dissipadores de calor para dispositivos semicondutores.
Queremos aqui registrar nosso agradecimento s firmas, nacionais e estrangeiras, que nos
forneceram, graciosamente, ou nos autorizaram a reproduzir curvas caractersticas e especifica-
es de componentes de sua fabricao, bem como desenhos e esquemas de circuitos extremos
de algumas de suas publicaes: IBRAPE, Indstria Brasileira de Produtos Eletrnicos e Eltri-

*Para estudo mais aprofundado dos Circuitos Integrados, ver Circuitos Integrados, por
Hilton A. Mello, Ed. Edgard Blcher, 1975.
cos S. A., PHILCO Rdio e Televiso Ltda., MOTOROLA Semiconductor Products Ine., FAIR-
CHILD Semiconductor, RCA Corporation, DIALlGHT e HEWLETT PACKARD Optoelectro-
nics Division. Sem a colaboraO desses fabricantes, no poderrarnos ter apresentado muitos
dos exemplos prticos, com valores reais, que procuramos incluir para ilustrar o texto. I in-
dispensvel tambm agradecer Direo do Instituto de Engenharia Nuclear, autorizando-nos
a utilizar a publicaO IEN-65-2, Dissipadores de Calor para Componentes de Semiconduto-
res, de autoria de Hilton A. de Mello, que, devidameme atualizada e adaptada, constitui o apn-
dice do livro.
Apresentamos, portanto, o presente trabalho com a esperana de ser til aos estudantes
de Escolas Tcnicas e de Escolas de Engenharia, bem como aos professores, na organizao de
seus cursos. Receberemos, com prazer, crrtlcas e sugestes de todos aqueles que quiserem opinar
sobre o livro e gostar(amos de terminar agradecendo a colaborao de todas as pessoas que aju-
daram em sua feitura, seja na parte de datilografia, de desenho ou de reviso, seja com suges-
tes construt ivas.

HAM
EI
SUMARIO

Captulo 1. ESTUDO DOS SEMICONDUTORES, 1


1 .1. Constituio Atmica da Matria, 1
1.1.1. tomos e Molculas, 1
1 .1.2. Constituio dos tomos, 4
1 .1.3. Reaes Ourmlcas. 8
1.1.4. Estados Estveis de um tomo, 9
1.2. Condutores, Isolantes e Semicondutores, 10
1 .3. Estudo dos Semicondutores, 12
1.3.1. Estudo dos Cristais, 12
1.3.2. Ligaes Covalentes, 15
1.3.3. Quebra de Ligaes Cova lentes, 16
1.3.4. Impurezas, 18
1.3.4.1. Impurezas Doadoras, 18
1.3.4.2. Impurezas Aceitadoras, 19
1.3.4.3. Constncia do Produto pn , 21
1.3.4.4. Clculo de n e p em um cristal, 21
1.3.5. Transporte de Eltrons e Buracos em um Semicondutor, 22
1.3.5.1. Estudo Sucinto da Difuso, 23
1.3.5.2. Estudo Sucinto do Drift, 24
1.3.6. Resistividade de um Material Semicondutor, 25
1.3.7. Estudo das Junes PN, 27
1.3.7.1. Estudo Geral, 27
1.3.7.2. Polarizaes Direta e Inversa, 31
1.3.7.3. Capacitncias Apresentadas por uma Juno, 33

Cap!'tulo 2. ESTUDO DOS DIODOS, 38


2.1. Generalidades sobre Diodo de Juno, 38
2.2. Diodo Retificador, 43
2.2.1. Funcionamento com Tenso Contfnua, 44
2.2.2. Funcionamento com Tenso Alternada, 47
2.2.3. Limitaes, 49
2.2.4. Aplicaes, 53
2.2.5. Diodos Retificadores Comerciais, 56
2.3. Diodo Zener,56
2.3.1. Funcionamento, 56
2.3.2. Especificaes da Tenso Zener, 57
2.3.3. Impedncia Dinmica, 58
2.3.4. Efeito da Temperatura, 59
2.3.5. Limitaes, 60
2.3.6. Aplicaes, 63
2.3.6.1. Proteo de Circuitos, 63
2.3.6.2. Proteo de Medidores, 63
2.3.6.3. Supresso de Fascas, 64
2.3.6.4. Regulao da Tenso Alternada, 64
2.3.7. Diodos Zener Comerciais, 65
2.4. Diodo Tnel, 67
2.4.1. Funcionamento, 67
2.4.2. Aplicaes, 69
2.5. Diodo com Capacitncia Dependente da Tenso, 71
2.6. Outros Diodos, 75
2.6.1. Diodo Step Recovery, 75
2.6.2. Diodo Back, 75
2.6.3. Diodo Schottky, 77
2.6.4. Diodo Pin, 77
2.6.5. Diodo Gunn, 80
2.6.6. Diodo Impatt, 80
2.6.7. Diodo de Contato de Ponta, 80
2.6.8. Retificador Metlico, 81

CapCtulo 3. ESTUDO DOS TRANSISTORES, 84


3.1. Transistor Bipolar, 84
3.1 .1. Funcionamento , 84
3.1.2. Ganho, B8
3.1.3. Convenes Relacionadas ao Transistor Bipolar, 91
3.1.3.1. Nomenclatura dos Terminais, 91
3.1.3.2. Convenes para Correntes e Tenses, 93
3.1.4. ligaes, 95
3.1 .4.1. Configuraes, 95
3.1.4.2. Estudo da Ligao Base Comum, 96
3.1.4.3. Estudo da Ligao Emissor Comum, 103
3.1.4.4. Estudo da Ligao Coletor Comum, 111
3.1.5. Parmetros e Circuitos Equivalentes, 112
3.1.5.1. Funcionamento do Transistor em Regime Alternado, 113
3.1.5.2. Circuito Equivalente Intuitivo, 115
3.1.5.3. Circuito Equivalente em T, 118
3.1.5.4. Circuito Equivalente H Cbrido,121
3.1.5.5. Medio dos Parmetros H, 125
3.1.6. Caraeterfsticas de AmplificaO, 129
3.1 .6.1. CaracterCsticasde Amplificao em Funo dos
Parmetros H, 129
3.1.6.2. Comparao Entre as Trs ligaes do Transistor
como Amplificador, 134
3.1.7. limitaes, 139
3.1.7.1. Limitaes de Corrente, 140
3.1.7.2. Limitaes de Tenso,l40
3.1.7.3. Limitades de Potncia, 143
3.1.7.4. Limitaes de Temperatura, 145
3.1. 7.5. Limitaes de Freqncia, 145
3.1.8. Tipos de Transistores Bipolares, 147
3.2. Transistor de Efeito de Campo, 153
3.2.1. Transistor de Efeito de Campo de Juno, 154
3.2.2. Transistor de Efeito de Campo com o Gatilho Isolado (MOS), 159
3.2.3. Especificaes e Limitaes, 164
3.2.4. Circuito Equivalente, 166
3.2.5. Aplicaes, 168
3.3. Transistor de Unijuno, 172
3.3.1. Funcionamento, 172
3.3.2. Aplicaes, 176
3.4. Outros Tipos de Transistores, 177
Capitulo 4. ESTUDO DOS TIRISTORES, 182
4.1. Retificador Controlado de Silfcio, 182
4.1.1. Funcionamento, 182
4.1.2. Controle pelo Gatilho, 186
4.1.3. Aplicaes, 186
4.1.3.1. Controle de Fase em um Circuito Retificador Monofsico
de Meia Onda, 187
4.1.3.2. Circuito de Retardo, 187
4.2. Triacs e Diacs, 188
4.2.1. Estudo dos Triacs, 188
4.2.2. Estudo dos Diacs, 190
4.2.3. Aplicaes, 191

Capitulo 5. ESTUDO DA OPTOELETRONICA, 195


5.1. Clulas Fctossenstveis, 196
5.1.1. Funcionamento,196
5.1 .1.1. Fotorresistores, 197
5.1.1.2. Fotodiodos, 197
5.1.1.3. Fototransistores, 198
5.1.1.4. Clulas Fotovoltaicas, 199
5.1.2. Caracterfstlcas, 200
5.1.2.1. Resposta Espectral, 200
5.1.2.2. Sensibilidade, 201
5.1.2.3. Resposta de Freqncia, 202
5.1.3. Aplicaes, 203
5.1.3.1. Aplicaes dos Fotorresistores, 203
5.1.3.2. Aplicaes dos Fotodiodos e Fototransistores, 205
5.1.3.3. Aplicaes das Clulas Fotovoltaicas, 207
5.2. Diodo Emissor de Luz, 207
5.2.1. Funcionamento, 207
5.2.2. Aplicaes, 211
5.3. Foto-acoplador, 211
5.4. Displays Usando Diodos Emissores de Luz, 212
5.5. Displays de Cristais Uquidos, 217

Capitulo 6. TECNOLOGIA DOS SEMICONDUTORES, 221


6.1. Tecnologia Bsica, 221
6.2. Fabricao de Dispositivos Semicondutores, 223
6.2.1. Processo de Difuso Selecionada, 223
6.2.2. Fabricao de Transistores Tipo Mesa, 224
6.2.3. Fabricao de Transistores Tipo Mesa-Epitaxial, 225
6.2.4. Fabricao de Transistores Tipo Planar, 225

Capitulo 7. MICROELETRONICA,228
7.1. Divises da Microeletrnica, 228
7.2. Fabricao de Circuitos Integrados Monol(ticos, 230
7.2.1. Detalhes Fundamentais sobre a Tcnica, 230
7.2.2. Fabricao de Resistores, 232
7.2.2.1. Resistores Difundidos, 232
7.2.2.2. Resistores Depositados, 233
7.2.3. Fabricao de Capacitores, 234
7.2.3.1. Capacitores de Juno, 234
7.2.3.2. Capacitores Depositados, 234
7.2.4. Fabricao de Indutncias, 235
7.2.5. Fabricao de Diodos, 235
7.2.6. Fabricao Simultnea de Todos os Componentes de um
Circuito, 236
7.3. Aplicaes dos Circuitos Integrados, 239
7.3.1. Circuitos Digitais, 239
7.3.2. Circuitos Lineares, 243
7.3.2.1. Amplificadores Operacionais, 243
7.3.2.1.1. Amplificador para uma Ponte de
Termistores,246
7.3.2.1.2. Amplificador de Alta Impedncia de
Entrada para um Transdutor Piezo-eltrico, 248
7.3.2.1.3. Fonte de Tenso de Elevada Preciso, 248
7.3.2.1.4. Oscilador Senoidal, 249
7.3.2.1 .5. Controlador de Temperatura, 250
7.3.2.2. Outros Exemplos de Circuitos Lineares Integrados, 250
7.3.2.2.1. Circuito Integrado TAA320 (lBRAPE), 250
7.3.2.2.2. Circuito Integrado TAA310 (JBRAPEI, 251
7.3.2.2.3. Circuito Integrado CA3.000 (RCA), 252

AP~NDICE. DISSIPADORES DE CALOR PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES, 256


1. Introduo, 256
2. Princfpios da Transmisso de Calor, 257
3. Estudo Geral dos Dissipadores de Calor, 258
3.1. Ao de um Dissipador de Calor, 258
3.2. Constituio dos Dissipadores de Calor, 259
3.3. Geometria dos Dissipadores de Calor, 259
3.4. Problemas do Superdimensionamento, 260
'3.5. Problemas do Isolamento Eltrico, 260
3.6. Conveco Forada e Outros Meios de Refrigerao, 261
3.7. Disparo Trmico, 262
3.S. Proteo dos Circuitos, 263
4. Clculo dos Dissipadores de Calor, 264
4.1. Equao Bsica para o Clculo dos Dissipadores de Calor, 264
4.2. Dissipadores de Calor para Transistores, 265
4.2.1. Transistores de Baixa Potncia, 265
4.2.2. Transistores de Potncia, 267
4.3. Dissipadores de Calor para Diodos Zener, 269
4.4. Dissipadores de Calor para Diodos Retificadores, 271
4.5. Tratamento dos Dissipadoresde Calor por Analogias Eltricas, 274

fNDICE ALFASE:TICO, 279


===================Captulo 1

Estudo dos Semicondutores

A nossa experincia tem-nos mostrado que o estudo terico dos semiconduto-


res a maior barreira encontrada pelos estudantes quando se iniciam neste campo.
Muitas vezes, com o intuito de simplificar ao mximo a apresentao, so utilizadas
analogias e explicaes que incutem idias muitas vezes absurdas na mente ainda
inexperiente do estudante.
Tivemos um grande cuidado com estas explicaes simplificadas e sempre que
possvel fizemos comentrios a respeito das analogias utilizadas. Assim, quando o
estudante l que "o tomo um pequeno sistema solar em miniatura" e que "os
eltrons giram em torno do ncleo do mesmo modo que os planetas giram em tor-
no do Sol", esta analogia entre os dois sistemas apenas parcial, no devendo o
leitor preocupar-se em demasia com a mesma.
ainda interessante observar que o estudo resumido que fazemos a seguir
o fruto do trabalho incessante de um grande nmero de pesquisadores em todo o
mundo, que at hoje perscrutam a matria, procurando descobrir os seus detalhes
mais ntimos.

1.1. CONSTITUIAO ATMICA DA MATRIA

1.1.1. TOMOS E MOLCULAS

Suponhamos que estamos observando uma gota de gua. Conhecemos per-


feitamente todas as propriedades da gua, como ponto de solidificao, massa es-
pecfica etc. Imaginemos que esta gota dividida em duas outras menores; se pro-
curarmos determinar as caractersticas destas duas gotas, verificaremos que elas
so as mesmas da gota original, ou seja, as mesmas da substncia gua.
Uma pergunta evidente deve ter-se formulado na mente dos nossos leitores:
ser possvel continuar a subdividir cada vez mais a gota de gua, obtendo pores
cada vez menores que ainda apresentam as mesmas caractersticas da gua? A res-
posta no.
2 ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES / CAPo 1

Todas as substncias apresentam uma poro mnima que ainda retm as suas
propriedades. Esta menor poro de qualquer substncia que ainda mantm as suas
propriedades chamada de molcula da substncia.
Sem dvida alguma, o prprio leitor no se conformaria em parar neste pon-
to: ser que a prpria molcula no pode ser subdividida, embora com a perda das
propriedades da substncia original ?
Caso consegussemos "observar diretamente" (isto apenas imaginrio) o que
exste dentro de uma molcula de gua, veramos que a mesma constituda por
trs estruturas, sendo duas destas iguais entre si e uma terceira diferente. Chamemos
as duas estruturas iguais de H e a estrutura diferente de O, apenas para facilitar a
nossa referncia. Estas estruturas, evidentemente,
no esto livres dentro da molcula: certas foras
ligam-nas entre si, de uma certa forma que no nos H
interessa no momento.
Se representarmos estas foras por setas, po-
deremos, para efeito do nosso comentriovrepre-
sentar a molcula da gua como na Fig. 1.1. Este
/\
O.-- ...-H
desenho no propriamente a molcula da gua,
mas sim uma representao adotada para caracte-
rizar as trs estruturas que interagem de uma certa
forma. Fig. 1.1. Representao esquem-
tica da molcula da gua.
Deixemos por algum tempo a molcula da -
gua e faamos a mesma anlise para outra substn-
cia, por exemplo, o cido sulfrico.
Ao observarmos a molcula do cido sulf-
rico, veremos que a mesma constituda por duas
estruturas iguais a que chamamos anteriormente de
H, quatro estruturas iguais a que chamamos de O e
uma nova estrutura que chamaremos de S.
De acordo com nossa conveno, podera-
mos representar esta molcula como na Fig. 1.2
(lembramos que as setas so apenas para indicar Fig. 1.2. Representao esquem-
uma interao entre as estruturas representadas tica da molcula do cido sulfri-
co.
e que, para no congestionar o desenho, no re-
presentamos todas as setas possveis).
Caso analisssemos a molcula do conheci-
do gs carbnico, esta se apresentaria formada
por duas estruturas iguais a que chamamos de O
e uma nova estrutura que chamaremos de C. Por-
tanto, poderamos represent-Ia como na Fig. 1.3.
Da mesma forma, o gs conhecido como me-
tano teria na sua molcula uma estrutura C e qua-
tro estruturas H, como na Fig. 1.4.
Fig. 1.3. Representao esquem-
Podemos parar por aqui, pois achamos que tica da molcula do gs carb-
o leitor j percebeu o fato de as mesmas estruturas nico.
1.1ICONSTlTUIAOATMICA DA MAT~RIA 3

se agruparem diferentemente, formando as molculas das diferentes substncias.


Mas no existem apenas as estruturas apresentadas
nos nossos exemplos. Foram descobertas na natu-
reza 92 (noventa e duas) estruturas, e o homem
conseguiu criar artificialmente outras, como o
caso do plutnio, material estratgico para a fa-
bricao de bombas atmicas.
Estas estruturas, que constituem as mol-
culas de todas as substncias, so chamadas to-
mos, palavra de origem grega que significa indivi- Fig. 1.4. Representao esquemd-
sivel. De fato, este nome foi dado porque se jul- tica da molcula de metano.
gava que estes tomos constituam um todo absolutamente indivisvel. Preferimos
cham-los de estruturas, porque mais adiante veremos que estes tomos so estru-
turas formadas por diversas partculas fundamentais.
Estes tomos correspondem aos chamados elementos. Assim, a estrutura que
chamamos de H corresponde ao tomo do elemento hidrognio, O ao tomo do
elemento oxignio, C ao tomo do elemento carbono e assim sucessivamente.
interessante observar que as letras por ns utilizadas correspondem aos
smbolos qumicos convencionais, sendo dados outros exemplos, a seguir:

o - Oxignio Ag - Prata
H - Hidrognio P -- Fsforo
S - Enxofre eu -Cobre
C - Carbono Pt - Platina
Si - Silcio AI - Alumnio
Ge - Germnio Sn - Estanho
Cd - Cdrnio Na - Sdio
Pb-Chumbo Cl- Cloro
In - Indo Au -Ouro

Portanto, podemos definir a molcula da gua dizendo que a mesma cons-


tituda por dois tomos de hidrognio e um tomo de oxignio. Quimicamente,
a molcula da gua representada por H2 O. O leitor deve pensar um pouco a res-
peito de tudo o que dissemos e verificar que, quando representamos a molcula da
gua por H2 O, estamos, na realidade, nos referindo a algo muito mais profundo,
que dizer que dois tomos de hidrognio e um tomo de oxignio interagem de
uma certa forma no espao formando a molcula da gua.
A beleza de toda esta explicao consiste no fato de que com apenas os seus
92 (noventa e dois) elementos a natureza construiu todos os seus materiais.
Algumas substncias so constitudas por um nico elemento (substncias
simples), como o oxignio, que constitudo apenas pelo elemento oxignio. A
molcula da substncia oxignio composta por dois tomos do elemento oxig-
nio, sendo por isto chamada de diatmica, acontecendo o mesmo com a mol-
cula do hidrognio.
4 ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES / CAP. 1

J os gases raros como o argnio, o xennio etc. apresentam a sua molcula


constituda apenas por um nico tomo, sendo por isto chamadas de molculas
monoatmicas.
evidente que a molcula de qualquer substncia composta apresenta-se
constituda por mais de um tomo. O cloreto de sdio (sal de cozinha), por exem-
plo, apresenta sua molcula constituda por um tomo de cloro e um tomo de s-
dio (NaCI).

1.1.2. CONSTITUIO DOS TOMOS

Aps muitos anos de pesquisas, foi possvel aos cientistas descobrir a estru-
tura ntima dos tomos, verificando-se um fato verdadeiramente surpreendente. As
pesquisas mostraram que os tomos de todos os elementos so constitudos pelos
mesmos tipos de partculas fundamentais, variando as propriedades entre os mes-
mos pelo diferente nmero de partculas.
O tomo de qualquer elemento consta essencialmente de uma parte chamada
ncleo, onde est concentrada praticamente toda a massa do tomo, e de partculas
chamadas eltrons, que giram em tomo deste ncleo. A Fig. 15 ilustra esquemati-
camente o tomo de um elemento.

...--u--__ /
ELE TRONS
I
t0::1--+-T-- NUCLEO

Fig. 1.5. Representao esquemtica do tomo de um elemento.

Os eltrons so partculas diminutas que possuem a massa de 9 ;11 X 10 -2 8 g


e uma carga eltrica negativa igual a 1,6 X 10 -1 9 coulornbs e que giram em tomo do
ncleo com grande velocidade.
Quanto ao ncleo, as experincias mostraram ser o mesmo constitudo por
dois tipos de partculas: os protons e os nutrons. Os prtons so partculas que a-
presentam uma carga eltrica positiva e de mesmo valor absoluto que a do eltron
e uma massa de 1.836,12 vezes a massa do eltron. Os nutrons, conforme o nome
indica, so partculas sem carga eltrica e que apresentam uma massa de 1.838,65
vezes a massa do eltron. Uma concluso imediata que os prtons e os nutrons
tm aproximadamente a mesma massa e que esta cerca de 2.000 vezes a massa do
eltron. Portanto, vlida a afirmao de que praticamente toda a massa do tomo
est concentrada no seu ncleo. A Fig. 1.6 ilustra mais detalhadamente o tomo de
um elemento.
Um fato importante que o nmero de prtons no interior do ncleo de um
tomo igual ao nmero de eltrons circulando em tomo do mesmo. Ora, como os
nutrons no possuem carga eltrica, isto significa que o campo eltrico criado pelos
1.1 /CONSTlTUICOAT()MICA DA MATRIA 5

pr tons anulado pelo campo eltrico criado pelos eltrons, resultando deste fato
que o campo eltrico criado externamente por um tomo nulo.

CONVENO
/
O PROTON
A
NEUTRON
/
e ELETRON

Fig. 1.6. Representao esquemdtica do tomo de um elemento.


o nmero de prtons de um tomo (que igual ao nmero de eltrons) re-
presentado pela letra Z e denominado nmero atmico. A soma do nmero de pr-
tons e do nmero de nutrons representada pela letra A e denominada nmero
de massa:
nmero de prtons = nmero de eltrons = Z = n." atmico;
nmero de prtons + nmero de nutrons = A = n:" de massa.
Portanto, o nmero de nutrons de um tomo igual diferena entre o
nmero de massa e o nmero atmico:
nmero de nutrons = A - Z.
Para exemplificar, observe a constituiao do tomo do elemento hlio, na
Fig. 1.7:
nmero de prtons = 2;
nmero de massa = 4;
nmero de nutrons = 4 2 = 2;
nmero de eltrons = 2.
O leitor deve observar um fato interessan-

@
te. Verificamos no estudo da molcula que as
p
molculas de todas as substncias eram forma-
2n
das pelas mesmas estruturas e que estas estrutu-
ras so os chamados tomos. Agora, constata-
mos que todos os tomos so constitudos ba-
sicamente pelos mesmos tipos de partculas,
que so chamadas de eltron, prton e nutron.
Os tomos dos diversos elementos diferenciam-
se, ento, pelo nmero destas partculas que Fig. 1.7. Representao esquemd-
possuem. Eis outros exemplos que ilustram este tica do tomo do elemento hlio.
fato:
tomo de hidrognio: n.? de prtons = n.? de eltrons = 1;
n.o de massa = 1;
n." de nutrons = 1 - 1 = O.
6 ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES / CAP.. 1

Observe que o hidrognio tem o seu tomo constitudo apenas por um prton
e um eltron, no possuindo nutrons.
tomo de siltcio: n? de eltrons n? de pr tons = 14;
n? de massa 28;
n? de nu trons 14.
tomo de germnio: n? de eltrons n? de prtons 32;
n? de massa 70;
n? de nutrons 38.
interessante chamar a ateno do leitor para o fato de que os ncleos de
certos elementos recebem denominaes especiais, como, por exemplo, o ncleo do
elemento hlio, constitudo por dois protons e dois nutrons, chamado particula
alfa , sendo muito utilizado para bombardear outros ncleos, produzindo reaes
nucleares.
Retomemos as nossas explanaes, considerando, por exemplo, o tomo do
elemento ouro, que tem um nmero atmico igual a 79, um nmero de massa
igual a 197 e, conseqentemente, possui 118 nutrons.
Ser que todos os 79 eltrons do tomo de ouro so caracterizados pelas
mesmas grandezas. caractersticas, isto , ser que todos eles possuem a mesma
velocidade, a mesma energia, giram em rbitas dispostas identicamente no espao
etc. ?
Esta talvez a parte mais delicada destas sucintas explanaes sobre Fsica
Atmica, e a resposta a tal pergunta no nada intuitiva para ser apresentada.
Na realidade muitos pesquisadores trabalharam com afinco para resolver este pro-
blema.
Foi verificado que os eltrons esto distribudos em camadas em tomo do
ncleo, e estas camadas so chamadas, a partir da mais interna, K, L, M etc.
Num tpico especial da Fsica, chamado Mecnica Quntica, que so es-
tudadas e demonstradas as diversas noes que sero resumidas a seguir. Entre-
tanto, este estudo demasiado complicado tendo-se em vista o elevado nvel
da matemtica utilizada.
Verifica-se no estudo da Mecnica Quntica que as camadas so caracteriza-
das por uma grandeza chamada nmero quntico principal, que representado pela
letra n. Assim, a camada K corresponde ao nmero quntico n = 1; a L correspon-
de a n = 2, e assim sucessivamente. .
A Mecnica Quntica prova tambm que em cada camada h um nmero m-
ximo permissvel de eltrons que no pode ser ultrapassado, e este nmero indica-
do na tabela a seguir:
Camada n Nmero mximo de eltrons
K 1 2
L 2 8
M 3 18
N 4 32
O 5 50
P 6 72
Q 7 98
1.1/CONSTITUIAO A TOMICA DA MA TtRIA 7

importante observar que, embora este nmero no possa ser ultrapassado,


podem existir menos eltrons que este mximo, dizendo-se, ento, que a camada
no est saturada.
Portanto, simbolicamente, o tomo pode ser representado como na Fig. 1.8.
Entretanto, atente bem que esta apenas uma representao simblica de um siste-
ma que, na realidade, um sistema tridimensional; alm disto, nesta representao
no estamos representando-a-zzzz descrita por cada eltron, mas sim representan-

'"
ELETRONS EM
CAMADAS

,
NUCLEO

Fig. 1.8. Representao simblica do tomo de um elemento.

do toda uma camada por uma circunferncia. Vejamos como exemplos as estrutu-
ras de alguns tomos (apenas as estruturas das camadas):

K L M N O P Q
Cobre 2 8 18 1
Prata 2 8 18 18 1
Carbono 2 4
Gerrnnio 2 8 18 4
Silcio 2 8 4
ndio 2 8 18 18 3
Fsforo 2 8 5
Alumnio 2 8 3

Poderamos agora fazer uma importante pergunta: ser~que todes os eltrons


de uma mesma camada apresentam as mesmas caractersticas? De incio, verifica-se
8 ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES / CAPo t

a possibilidade de dois eltrons, embora pertencendo mesma camada, terem rbi-


tas diferentemente dispostas no espao. Existe um outro nmero quntico, chama-
do nmero quntico mogntico e que se relaciona com esta orientao no espao.
Este nmero quntco representado por mr, e eltrons de uma mesma camada com
diferentes ml' tm rbitas com diferentes orientaes no espao.
Alm disso, h um fenmeno interessante que ocorre com o eltron: o fen-
meno da rotao do eltron em tomo de si mesmo, num movimento anlogo ao que
a Terra tem em relao ao seu eixo de rotao. Este movimento de rotao do el-
tron em tomo de si mesmo chamado spin do eltron,e existe, conseqentemente,
um outro nmero quntico que leva em conta este movimento (ms)'
Finalmente, consideremos um eltron descrevendo uma rbita elptica em
tomo do ncleo. Um outro nmero quntico leva em conta a excentricidade desta
rbita, sendo este nmero chamado de nmero quntico orbital (m).
Portanto, verificamos que a situao de um eltron perfeitamente definida,
quando so indicados todos os seus quatro nmeros qunticos, a saber, nmero
quntico principal, nmero quntico magntico, nmero quntico orbital e o
spin:

n = n9 quntco principal;
m[ = n9 quntco magntico;
m = n9 quntico orbital;
mIO = spin.

importante que o leitor compreenda que estes nmeros quntcos no surgi-


ram de uma hora para outra, criados arbitrariamente pelo homem. Estes nmeros,
na realidade, so grandezas que surgem no desenvolvimento matemtico da Mecni-
ca Quntica,
Para finalizar estas explicaes sobre teoria atmica, cumpre salientar que
existe na Fsica Atmica um famoso princpio, chamado princpio de excluso de
Pauli, que diz que dois eltrons de um tomo -no podem apresentar igualdade dos
seus quatro nmeros qunticos. Isto significa que dois eltrons de um tomo dife-
riro entre si nem que seja apenas com relao ao seu spin, Para o estudo que pre-
tendemos empreender, analisaremos a camada como um todo, sem atentarmos para
as diferenas ntimas dentro de cada camada devido aos outros nmeros qunticos.
Isto significa que consideraremos apenas o nmero quntico principal que defme a
camada.

1.1.3. REAES QUMICAS

Verificamos anteriormente a estrutura dos tomos, sendo que a partir de


agora no mencionaremos mais os diversos nmeros quntcos, mas somente o n-
mero quntico principal que defme a camada.
Os eltrons da camada K (mais interna) esto rigidamente ligados ao ncleo,
e precisaramos dar uma elevadssma energia a estes eltrons para que eles pudes-
1.1/CONSTlTUIOATaMICA DA MATtRIA 9

sem escapar do tomo, medida que as camadas vo-se afastando do ncleo, os


eltrons vo ficando mais fracamente ligados ao mesmo. So exatamente os el-
trons da camada mais externa que normalmente tornam parte nas reaes qumi-
cas, por serem estes os que mais facilmente se deslocam. Esta ltima camada
chamada de camada de valncia, e os eltrons da mesma so chamados de eltrons
de valncia, Para exemplificar a ao destes eltrons de valncia, vejamos corno se
processa a reao entre o cloro e o sdio, resultando o cloreto de sdio. Inicialmen-
te, vejamos a constituio dos tomos do cloro e do sdio:

Cloro I~;
M7
Sodo
r KL 82
1 M 1

o eltron isolado da camada de valncia do sdio est .fracamente ligado ao


ncleo. J a camada de valncia do cloro pode receber eltrons, pois tem apenas se-
te eltrons e o nmero mximo de eltrons permissvel para a camada M 18.
O que se passa, ento, que o eltron de valncia do sdio abandona o tomo e
recebido pela camada de valncia do cloro. Quando isto se verifica, o tomo de clo-
ro, que era neutro, fica com uma carga negativa igual do eltron que recebeu, en-
quanto que o tomo de sdio fica com urna carga eltrica positiva igual do eltron
que perdeu. Dizemos, ento, que o tomo de sdio tornou-se um on positivo (tam-
bm chamado cation) e o tomo de cloro um ron negativo (tambm chamado
anion). A seguir, estes dois ons, possuindo cargas eltricas de sinais opostos, se
atraem, formando a molcula do cloreto de sdio. Portanto, torna-se claro como os
eltrons da valnca tornam parte nas reaes quimcas.
Devemos chamar a ateno dos leitores para o fato de existirem outros fen-
menos nos quais tornam parte os eltrons de outras camadas e mesmo o ncleo dos
tomos, mas tal estudo no significativo para o objetivo deste livro.

1.1.4. ESTADOS ESTVEIS DE UM TOMO

Verificamos haver equilbrio de cargas em um tomo, no apresentando o


mesmo, nas suas condies normais, nenhum campo eltrico externo. No pargrafo
anterior, salientamos como os eltrons de valncia participam das reaes qumicas.
Uma pergunta poder-se-ia fazer agora: se os tomos j tm um equilbrio de
cargas, por que razo os mesmos interagem uns com os outros nas reaes qumi-
cas? A resposta a esta pergunta no simples de justificar, em virtude da matem-
tica necessria. Conseqentemente, apresentaremos apenas as concluses mais im-
portantes.
Sabemos que, de um modo geral, todos os sistemas fsicos procuram ficar
com um mnimo de energia interna possvel. Isto significa que, se um sistema no
est com esta energia mnima, sempre que possvel ele procurar atingir este nvel.
No caso da .estrutura atmica, deve, portanto, existir um determinado nmero de
eltrons nas camadas que faz com que o sistema fique com uma energia mnima.
10 ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES I CAPo 1

Prova-se que a estrutura mais estvel aquela em que h 8 eltrons na camada de


valncia do tomo em questo (no caso de s existir a camada K, este nmero
igual a 2).
Por exemplo, o tomo de hidrognio apresenta apenas a camada K e nesta
apenas um eltron. Isto significa que relativamente fcil para o hidrognio tomar
parte em reaes quncas, procurando obter uma configurao mais estvel.
J o elemento hlio tem apenas a camada K, existindo nesta 2 eltrons. Con-
seqentemente, este elemento possui uma alta estabilidade sendo um elemento qui-
micamente inerte, no formando compostos com outros elementos. Outros elemen-
tos inertes so o nenio, o argOnio, o criptOnio e o xennio. Abaixo apresentamos
a constituio dos tomos de cada um destes elementos, e o leitor pode verificar
que todos eles possuem 8 eltrons na ltima camada, apresentando, portanto, uma
grande estabilidade.

Nenio
{
L
K 82 Crptno I K2
L 8
M 18
N 8

Argno I K2
L 8
M8
XenOnio
K
L
M
N
O
2
8
18
18
8

O leitor pode agora observar um fato interessante, analisando novamente a


reao do cloro com o sodo do pargrafo anterior. O cloro, ao receber o eltron do
sdio, ficou com a seguinte constituio: K 2, L 8 eM 8, que a constituio b-
sica do argono; o sodo ao perder o seu eltron, ficou com a constituio K 2 e
L 8, que a estrutura bsica do neono.
Ora, acabamos de ver que elementos como o nenio, argnio etc. apresentam
uma alta estabilidade qumica. Portanto, quando dois elementos se combinam, na
realidade, eles esto procurando ficar com uma formao tal de eltrons que lhes d
maior estabilidade.

1.2. CONDUTORES, ISOLANTES E SEMICONDUTORES

Definimos como um semicondutor o material que apresenta uma condutivi-


dade entre a alta condutividade dos condutores e a baixa condutividade dos isolan-
tes. , portanto, conveniente caracterizar os condutores e os isolantes antes de ca-
racterizar os semicondutores.
Inicialmente, estudemos os condutores, tomando O cobre para exemplo. Sua
constituio eletrnica vimos ser a seguinte: K 2, L 8, M 18, N 1. O que caracteriza
o material bom condutor o fato de os eltrons de valncia (no caso do cobre, o
1.2/ CONDUTORES, /SOLANTES E SEM/CONDUTORES 11

eltron da camada N) estarem fracamente ligados ao tomo, podendo ser facihnente


deslocados do mesmo. Ora, consideremos, por exemplo, uma barra de- cobre que
possui um nmero extremamente elevado de tomos de cobre e apliquemos uma di-
ferena de potencial entre os extremos desta barra. Os eltrons da camada de valn-
cia de todos os tomos facihnente se deslocaro sob a ao do campo eltrico pro-
duzido pela diferena de potencial aplicada (Fig 1.9), originando-se uma corrente
eltrica no material.

fJ?~~~
'"

A B

+: 11-
Fig. 1.9. Representao esquemtica do deslocamento de cargas de um condutor.

Outros materiais que apresentam uma constituio anloga do cobre, com


um nico eltron na camada de valncia, so o ouro e a prata, dois outros excelen-
tes condutores de eletricidade.
Obviamente, os materiais isolantes devem corresponder aos materiais que
apresentam os eltrons de valncia rigidamente ligados aos seus tomos. Entre os
prprios elementos simples, existem vrios que apresentam os eltrons de valncia
rigidamente ligados aos tomos. Entretanto, verifica-se que se consegue uma resis-
tividade muito maior com substncias compostas, como o caso da borracha, mica,
teflon, baquelita etc. ( mais ou menos intuitivo que quando os tomos se combi-
nam, formando estruturas complexas, os eltrons ficam mais fortemente ligados
a estas estruturas).
Logicamente, entre estes dois grandes grupos de materiais - condutores e iso-
lantes - acha-se um grupo de materiais conhecidos como semicondutores, que apre-
sentam uma resstvdade maior que a dos condutores e menor que a dos isolantes.
Na Tab. 1.1, apresentamos um quadro com os valores das resistividades de di-
versos materiais. Embora no haja uma separao bem defrnida entre os semicondu-
12 ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES / CAPo 1

tores e os dois outros grupos, os semicondutores apresentam uma resistividade que


varia de 10-2 a 106 ohm- em.

Tab. 1.1. Rellistividade de Divenos Materiais

Substncia Resiatvidee (ohm-cm}

Prata 1.6 X 10-6


Cobre 1,7 X 10-6
Ouro 23 X 10-6
Alumnio X 10-6
Germnio ("puro") 47
Silcio ("puro'') 21,4 X 104
Vidro 1012 a 1013
mbar 5 X 1016
Mica 9 X 1016
Quartzo fundido 75 X 1018

1.3. ESTUDO DOS SEMICONDUfORES

1.3.1. ESTUDO DOS CRISTAIS

Quando os tomos se agrupam formando as molculas das diversas substn-


cias. o arranjo destes tomos no espao pode ou no obedecer a uma disposio sis-
temtica e ordenada. Todas as substncias cujos tomos se posicionam no espao,
formando uma estrutura ordenada. 810 chamadas de substncias cristalinas. Consi-
deremos, por exemplo, o caso do cobre, cujos tomos se dispem no espao for-
mando a estrutura da Fig. 1.10.
z

~~----y

x
Fig.1.10. Cubo de faces centradas.
1.3/ ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES 13

Nesta figura, representamos uma clula (chamada clula unitria) que, trans-
ladada nas trs direes, reproduz o cristal no espao. A rede gerada pelo desloca-
mento dos pontos da clula unitria chamamos de rede do cristal.
No caso do cobre, tomos da clula unitria estio localizados nos vrtices e
nos centros das faces do cubo representado na Fig. 1.10.
A esta rede, em que os tomos ocupam os vrtices e os centros das faces dos
cubos, chamamos de rede do cubo de faces centradas (alm do cobre, outros exem-
plos 810 O alumnio, O ehumbo ete.).
Existe um outro tipo de rede cubica, na qual os tomos ocupam os vrtices
e os centros dos cubos. ~ chamada rede do cubo de corpo centrado (por exemplo,
csio, ferro, ltio, nobo etc.). Esta rede ilustrada na Fig. 1.11.
z

~----y

x
Fig. 1.11. Cubo de corpo centrado.
Um fato extremamente interessante que tomos de um mesmo elemento po-
dem gerar diferentes substncias, dependendo de estes tomos formarem uma estru-
tura cristalina ou no. Por exemplo, se tomos de carbono se agruparem sem urna
estrutura defnda (forma amorfa), obtm-se-o material conhecido como grafita que
usado, por exemplo, para fabricar escovas de mquinas eltricas. Por outro lado,
se tomos de carbono formarem uma rede cristalina obtm-se o famoso diamante,
cuja estrutura ilustrada na Fig. 1.12.

"TOMOS

Fia. 1.12. Clula unitrja do diamante. Observe que h tomos de carbono nos vrtices, nos
centros das faces e no interior da clula. As setas bidire?>nais indicam ligaes covalentes
(veja Item 1.3.2).
14 ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES / CAPo 1

Um fato importante que tanto o germnio como o silcio apresentam exa-


tamente o mesmo tipo de estrutura que o diamante (portanto, basta, na Fig. 1.12,
substituir os tomos de carbono por Ge ou Si),variando apenas a dimenso a (cons-
tante da rede). Temos, para os 3 casos:

Material Valordea
Diamante 3,56 X 10-8 em
Germnio 5;65 X 10-8 em
Silcio 5,43 X 10-8 em.

Antes de prosseguirmos, vejamos mais uma vez a constituio dos tomos do


carbono, germnio e silcio.

Carbono Germnio Siltcio


K2 K 2 K 2

I L 4 l L 8
M18
L 8
M4
N 4

Uma vez que nos interessa apenas a camada de valncia, a maneira mais prti-
ca de representar os tomos destes elementos a indicada na Fig. 1.13, na qual es-
tamos apenas representando a camada de valncia (4 eltrons) e, no ncleo, repre-
sentamos a carga +4, necessria para anular o campo eltrico produzido por estes
quatro eltrons.
,
./ElETRON

CAMADA DE
A
--- VALENCIA

Fig. 1.13. Representao simplifica da dos tomos de C, Ge e Si.


1.3/ ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES 15

1.3.2. LIGAES COVALENTES

Na Fig. 1.12, verificamos que, quando a clula unitria vai-se repetindo no


espao, cada tomo tem ligaes com quatro tomos vizinhos (ver o cubo represen-
tado na parte esquerda inferior dessa figura, repetida na Fig. 1.14).
J verificamos que, de um modo geral, os elementos procuram ficar com oito
eltrons na ltima camada, por ser este nmero de eltrons o que lhes d maior esta-
bilidade.
A natureza parece ter juntado os dois fatos anteriores e achado a soluo ideal
para o problema. De fato, verificou-se que cada eltron compartilhado simulta-
neamente por dois tomos vizinhos, como indica esquematicamente a Fig. 1.14.

,/ ""
,/
",
""
r'--
I
I
I
I
I
I
B

Fig.1.14. Esta figura a repetio do canto inferior esquerdo da Fig. 1.12. O tomo A est
a igual distncia dos tomos B, C, D e E. As setas indicam ligaes covalentes: o tomo A,
por exemplo, tem 4 eltrons da sua prpria camada de valncia e possui mais 4 que simulta-
neamente pertencem aos tomos B, C, D e E.

Queremos significar nesta representao que um eltron do tomo A, alm de


pertencer ao prprio tomo, tambm pertence ao tomo B; da mesma forma, o el-
tron que pertence propriamente ao tomo B compartilhado pelo tomo A e assim
sucessivamente. Deste modo, torna-se evidente que cada tomo "possuir dinamica-
mente" 8 eltrons.
Isto significa que cada tomo, com este tipo de ligao, consegue obter uma
estrutura de elevada estabilidade. Este tipo de ligao, em que cada eltron com-
partilhado simultaneamente por dois tomos, chamado ligao cova/ente, e nela
residem as caractersticas inerentes aos materiais semicondutores.
Atente para a diferena enorme que existe entre o carbono na forma de gra-
fita e na forma de diamante. Na grafita, os eltrons tm a sua individualidade e,
conseqentemente, possuem uma relativa facilidade de se locomover sob a ao de
um campo eltrico. J no diamante, as ligaes covalentes prendem os eltrons
rigidamente estrutura, resultando da uma elevada resistvidade para o material.
16 ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES / CAPo 1

1.3.3. QUEBRA DE LIGAOES COYALENTES

At aqui, portanto, verificamos a estrutura dos materiais como o C, o Ge e o


Si, com as suas ligaes covalentes. Torna-se bvio que, se no houvesse nenhum
modo de romper estas ligaes covalentes, estes materiais comportar-se-iam sempre
como materiais isolantes, pois no existiriam eltrons passveis de se deslocar, cons-
tituindo uma corrente eltrica.
Agora, consideremos o efeito da temperatura sobre estes materiais. Conside-
remos, inicialmente, que temos um cristal, por exemplo, de silcio a -273 C (ou
seja, 0 Kelvin ou absolutos). Nesta temperatura, as ligaes covalentes ficam in-
tatas e, conseqentemente, o cristal se comporta como um material isolante, uma
vez que no existem eltrons passveis de se deslocar no cristal.
Consideremos agora a temperatura ambiente normal, digamos 25C. A esta
temperatura, algumas ligaes covalentes so rompidas e, quando este fato se veri-
fica, um eltron abandona a ligao, tornando-se livre. Entretanto, quando o el-
tron abandona a ligao, para todos os efeitos fica um saldo de carga positiva no
local anteriormente ocupado pelo eltron, uma vez que o tomo era neutro e um
eltron o abandonou. Representamos a ausncia do eltron na ligao covalente, na
Fig. 1.15, por urna circunferncia, tendo dentro um sinal +, e a esta ligao cova-
lente incompleta chamamos de buraco (em ingls, hole)1.
Existe uma energia determinada que produz a quebra de uma ligao covalen-
te. Assim, para o germnio, a energia necessria (Eg) para provocar a quebra de
uma ligao covalente igual a 0,7 ey2; para o silcio, tal energia de 1,11 eY.
Assim o leitor entende que o acrscimo da temperatura, fornecendo esta energia,
produz a ruptura de ligaes covalentes.

LIGAO COVALENTE
/'

,,/
/ LIGAO COVALENTE

=::(J====::(~_; (/ "'O""''' """RACO


~ __ ELTRON aUE ABANDONOU A
LlI3AO COVALENTE

Fig.1.15. Formao de um buraco.

I Nas Figs. 1.12 e 1.14. representamos uma ligao covalente por uma seta bidirecional
~. A partir de agora. representamos por = porque tal notao facilita as explicaes
futuras.
2 O eltron-volt (eV) uma unidade de energia muito usada na Fsica Atmica e equi-
vale a 1.6 X 10 -19 joules.
1.3/ ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES 17

o fato que faz com que os semicondutores tenham propriedades to diferen-


tes das dos metais que, alm do eltron que ficou livre para se locomover, existe
um fenmeno novo que a existncia do buraco.
Mostraremos a seguir que este buraco se comporta como se fosse uma part-
cula de carga eltrica positiva de mesmo valor absoluto da do eltron. Isto significa
que este buraco pode mover-se sob a ao de um campo eltrico do mesmo modo
que o eltron, porm em sentido contrrio, em virtude da sua carga oposta. Veja-
mos esquematicamente como representar este deslocamento do buraco. Considere-
mos vrios tomos, como indica a Fg. 1.16, e suponhamos que uma ligao cova-
lente quebrada no tomo 4, ficando, portanto, um eltron livre de se deslocar.
Toma-se, ento, bastante fcil para um eltron de uma ligao covalente do tomo
3 preencher o buraco deixado pelo primeiro eltron. Quando o eltron abandona a
ligao covalente do tomo 3, a deixa um buraco que pode ser preenchido por um
eltron de uma ligao covalente do tomo 2 e assim sucessivamente. O leitor pode
facilmente verificar que, ao mesmo tempo em que os eltrons vo-se deslocando
para a direita, o buraco vai-se deslocando para a esquerda! . Quando o eltron pre-
enche um buraco e completa novamente a ligao covalente, dizemos que houve
uma recombinao .

ELTRON
uv"'

Fig. 1.16. O eltron e o buraco se deslocamem sentidosopostos.

Na realidade, o leitor deve verificar que no existe propriamente uma part-


cula que corresponda ao buraco. O movimento dos eltrons presos s ligaes cova-
lentes, como sugere a Fig. 1.16, que caracteriza, para todos os efeitos, o desloca-
mento de uma carga positiva em sentido contrrio ao do eltron, associando-se esta
carga positiva a uma partcula apenas para facilidade de raciocnio.
Atente o leitor para a diferena enorme que existe entre um condutor como o
cobre (em que apenas existem os eltrons) e um sernicondutor como o germnio ou
silcio (em que existem os eltrons e os buracos).

1 O leitor deve lembrar que o sentido do campo eltrico o sentido de deslocamento

de.cargaseltricas positivas colocadas neste campo; da, os eltrons se deslocaremem sentido


oposto ao campo eltrico. O mecanismodo deslocamentode portadores sob ao de um campo
eltrico chamadode drift e estudado no Item 1.3.5.2.
18 ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES / CAPo 1

Consideremos, agora, um semicondutor puro. Antes de tudo, precisamos es-


clarecer o que isto significa, uma vez que, na prtica, no conseguimos uma pureza
absoluta. Quando nos referimos a um semicondutor puro, estamos supondo, na
prtica, que apenas uma parte em 109 partes do material constituda por impure-
zas, no tendo, portanto, estas impurezas efeito aprecivel no comportamento do
semicondutor. A tal tipo de semicondutor, no qual as impurezas existentes so ape-
nas as que no puderam ser eliminadas no processo de purificao do cristal, chama-
mos de semicondutor intrnseco (o termo intrnseco quer dizer exatamente que as
caractersticas so prprias do semicondutor e no das impurezas).
Uma concluso importante que podemos obter que, em um semicondutor
intrnseco, o nmero de buracos sempre igual ao nmero de eltrons, uma vez
que, ao ser uma ligao covalente quebrada, surgem simultaneamente um buraco e
um eltron, e, quando os buracos e os eltrons se recombinam, ambos so elimina-
dos no processo! .

1.3.4. IMPUREZAS

Consideremos novamente a rede cristalina esquematizada na Fig. 1.12. Com


o avano tecnolgico, o homem conseguiu substituir nesta rede um determinado n-
mero de tomos de germano ou silcio por tomos de uma determinada impureza.
Estas impurezas, propositalmente colocadas no semicondutor e que proporcionam
propriedades caractersticas ao mesmo, sero estudadas a seguir.

1.3.4.1. Impurezas Doadoras

Consideremos a constituio bsica, por exemplo, do elemento fsforo:


K = 2, L = 8 e M = 5. Este elemento apresenta, como vemos, 5 eltrons na sua ca-
mada de valncia (elemento pentavalente).
Suponhamos que, por meio de um processo tecnolgico qualquer, consegui-
mos substituir um tomo de germnio da rede cristalina por um tomo de fsforo.
Ora, o fsforo tem 5 eltrons na sua camada de valncia, enquanto que o germnio
tem apenas 4. Isto significa que apenas 4 eltrons do fsforo tomaro parte nas li-
gaes covalentes, enquanto o quinto eltron no participar das mesmas, ficando,
portanto, fracamente ligado ao ncleo. Para dar uma idia de como este eltron
est fracamente ligado, podemos indicar que a energia necessria para arrancar este
eltron e deix-lo livre de apenas 0,01 eV, valor este que deve ser comparado com
a energia de 0,7 eV necessria para quebrar uma ligao covalente no germno ,

1 Logicarnente, quando h uma recombinao, a energia dos buracos e eltrons elimi-


nados lbcrada de alguma forma: algumas vezes, ftons so emitidos e, outras, a energia
liberada adicionada energia de vibrao da rede (emisso de fnons).

2 As impurezas indesejveis, anteriormente mencionadas, atingem a concentrao de


1 tomo de impureza para 109 tomos do material semicondutor; as impurezas proposital-
mente adicionadas tm, por exemplo, uma concentrao de 1 tomo para 106 tomos do
material sernicondutor,
1.3/ ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES 19

Como vemos, a substituio de tomos de germno por tomos de uma im-


pureza pentavalente faz com que surjam eltrons fracamente ligados ao ncleo.
Uma vez que estas impurezas fornecem (ou doam) eltrons, elas so chamadas de
impurezas doadoras ou impurezas do tipo N (N de negativo, relacionando-se car-
ga do eltron). Outros materiais pentavalentes usados como impurezas do tipo N
so o antimnio e o arsnico.
Ao semicondutor intrnseco, ao qual so adicionadas impurezas do tipo N,
chamamos de semicondutor- tipo N.

1.3.4.2. Impurezas Aceitadoras

Imaginemos agora que, em vez de urna impureza pentavalente, substitumos


tomos de germnio por impurezas trivalentes, como o ndio, o alumnio, o glio
ou o boro, Consideremos, por exemplo, o ndio, que tem a seguinte constituio:
K = 2, L = 8, M = 18, N = 18 e O = 3. Como vemos, este elemento possui trs
eltrons na sua camada de valncia.
Facilmente verificamos que, se um tomo de ndio tomar o lugar de um to-
mo de germnio na rede cristalina, uma ligao covalente ficar incompleta, uma
vez que o germnio tem 4 eltrons e o ndio, apenas 3 eltrons. Isto significa que,
quando foi feita tal substituio, foi criado um buraco. Estas impurezas trivalen-
tes, que do origem a buracos na rede cristalina, so chamadas de impurezas aceita-
doras ou do tipo P. O nome aceitadoras origina-se do fato de estas impurezas cria-
rem buracos que podem aceitar eltrons, e o nome tipo P relaciona-se carga posi-
tiva do buraco.
Ao material intrnseco, ao qual so adicionadas impurezas aceitadoras, d-se
o nome de material semicondutor tipo P. A adio de impurezas, criando buracos e
eltrons, ilustrada na Fig. 1,17.
/
ELETRON EXTRA
DO FSFORO
BURACO: AUS.NCIA DE UM
ELTRON NA LIGAO COVALENTE
G. /

e
p

G,

(a)
(b)

Fig. 1.17. Efeito das impurezas tipo N e tipo P.


20 ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES / CAP. 1

Convm, agora, focalizar alguns detalhes de nomenclatura. Verificamos, no


estudo dos condutores, que a partcula fundamental Que se desloca, por exemplo,
no cobre o eltron com wnacarga eltrica de 1,6 X 10-19 coulombs. Toma-se,
portanto, bastante coerente usar-se a denominao de portador de carga eltrica
para o eltron, uma vez que, quando do seu deslocamento produzindo a corrente
eltrica, ele transporta consigo uma determinada carga eltrica. Analogamente, po-
demos dizer que o buraco um portador de carga eltrica, pois verificamos que ele
se comporta como uma partcula de carga eltrica positiva.
Podemos, portanto, afrrnar que, nos semicondutores, h dois tipos de porta-
dores de carga, os eltrons e os buracos. Quando tratamos do semicondutor intrn-
seco, chegamos concluso de que o nmero de eltrons sempre igual ao nmero
de buracos.
Agora, suponhamos que so adicionadas impurezas tipo N a um semicondutor
intrnseco. Ora, vimos que tais impurezas fazem com que suIjam eltrons fraca-
mente ligados estrutura. Dois fatos ocorrero, ento, no semicondutor:
a) o nmero de eltrons presentes no semicondutor aumentar, tendo-se em
vista os eltrons introduzidos pelas impurezas;
b) o nmero de buracos presentes no semicondutor diminuir, porque,exis-
tindo mais eltrons, maior ser a recombinao dos buracos com os eltrons.
Portanto, num semicondutor tipo N, temos, predominando como portadores
de carga, os eltrons, existindo um nmero menor de buracos.
Da, falarmos tecnicamente que, num semicondutor tipo N, os eltrons so
portadores em maioria e os buracos portadores em minoria.
Para completar o raciocnio, suponhamos que impurezas tipoP(boro, alum-
nio, ndio etc.) so adicionadas ao silcio. Neste caso, obviamente, o nmero de bu-
racos aumentar, por causa dos buracos criados pelas impurezas aceitadoras, e o n-
mero de eltrons decrescer, porque, havendo mais buracos, aumenta a probabilida-
de de recombnao dos eltrons com os mesmos.
Conseqentemente, temos que, num semicondutor tipo P, os buracos so por-
tadores em maioria e os eltrons portadores em minoria. Na Tab. 1.2, resumimos o
que acabamos de dizer.
Tab. 1.2. "Portadores" em um Semioondutor

Eltrons - Portadores em maioria


Material tipo N
(Impurezas doadoras - P, As ... ) {
Buracos - Portadores em minoria
Eltrons - Portadores em minoria
Material tipo P
(Impurezas aceitadoras - B, AI ... ). {
Buracos - Portadores em maioria

Finalizando, vale a pena observar que, em um semicondutor, o nmero de


portadores sempre expresso em termos de sua "concentrao", isto , do nmero
de portadores por unidade de volume do material semicondutor, resultando da que

em
_3 c=
n (nmero de eltrons) e p (nmero de buracos) so expressos em unidades de

de eltrons
em
:3 ou
nmero de buraco9
em
3
1.3/ ESTUDO DOS SEM(cONDUTORES 21

1.3.4.3. Constncia do Produto pn

Como complemento a este estudo, vale a pena mencionar que possvel pro-
var matematicamente que, dado um cristal a uma certa temperatura, o produto do
nmero de eltrons e do nmero de buracos presentes no mesmo constante, isto ,

pn = constante para uma dada temperatura:


20 6
no silcio, pn = 2,2 X 10 cm- j (para T = 3000K)
no germnio,pn = 5,7 X 1026 cm-6.

Uma vez que oproduto pn constante para uma dada temperatura, se aumen-
tamos o nmero de eltrons, adicionando, por exemplo, impurezas tipo N, o nme-
ro de buracos diminuir para manter constante o produto. Analogamente, se adi-
cionamos impurezas tipo P, o nmero de buracos aumentar e o nmero de eltrons
decrescer. Estes fenmenos foram fisicamente explicados quando falamos em por-
tadores em maioria e portadores em minoria.

1.3.4.4. Clculo de n e p em um Cristal

Inicialmente, consideremos o caso de um nico tipo de impurezas, por exem-


plo, um cristal de silcio dopado como ND tomos de fsforo por em" (impureza
doadora). Calculemos n e p.
Ora, podemos considerar que, na temperatura ambiente, todos os tomos de
fsforo perderam seus eltrons extras ficando onzados, De conseqncia, teremos,
aproximadamente:
n = n.o de eltrons por em3 ~ ND (cada tomo de fsforo fornece um el-
tron). .
Conseqentemente, teremos para o silcio:

pn = 2,2 X 10'0 cm" j

22 X 1020
p::><_'~--
- ND

Exemplo. SeND = 1,1 X 10 16 tomos/cm",

n ~ 1,1 X 1016 eltrons/em";


2,2 X 1020 I
P =~ 1,1 X 1016
_ 4
- 2 X 10 buracos em .
3

Observemos que, neste caso, o nmero de eltrons cerca de 1012 vezes o n-


mero de buracos.
Um clculo inteiramente aniogo pode ser feito para o caso de um cristal do-
pado exclusivamente com NA tomos por em" de uma impureza aceitadora.
22 ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES / CAP. 1

Consideremos, agora, o caso em que esto presentes os dois tipos de impure-


zas, isto , suponhamos um cristal dopado com N D tomos de uma impureza doa-
dora e NA tomos de uma impureza aceitadora (por unidade de volume).
Geralmente, na temperatura ambiente, podemos considerar
nmero de el-
trons como a diferena entre N D e NA, isto ,

e, conseqentemente,

para o silcio,

para o germnio,

Quando N D > NA, o cristal dito do tipo N e, quando NA> N n , o cristal


dito do tipo P, e procede-se inversamente, isto ,

Conseqentemente,
_ 2,2 X 1020
para o silcio,
n = NA-Nn'
_ 5,7 X 1026
para o germnio,
n = NA =No '

necessrio, neste ponto, fazer um comentrio de extrema importncia para


os nossos leitores. Devemos ressaltar que os clculos feitos nesta seo so aproxi-
mados, considerando-se que h ionizao completa das impurezas adicionadas na
temperatura em questo (no caso, temperatura ambiente). Nos casos em que isto
no ocorre, um clculo bem mais complexo necessrio, envolvendo estudos de
Mecnica Quntica, assunto que foge ao escopo deste livro.

1.3.5. TRANSPORTE DE ELTRONS E BURACOS EM UM SEMICONDUTOR

Antes de entrarmos no estudo das junes, vamos estudar sucintamente os


processos que governam o deslocamento de portadores em um material sernicondu-
tor, isto , os processos conhecidos como difuso e drift: .

1 Este termo, drift, que literalmente significa "arrastamento", mantido por n6s no ori-
ginal americano, praticamente usado por todos os especialistas brasileiros. Alguns autores utili-
zam a palavra "deriva" para este fenmeno.
1.3/ ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES 23

1.3.5.1. Estudo Sucinto da Difuso

Para exemplificar este fenomeno de difuso, imaginemos um recipiente A,


contendo um gs, colocado em um outro recipiente B como indica a Fig. 1.18.
Ora, dentro do recipiente A, temos um elevado nmero de molculas do gs,
enquanto que, no restante espao do recipiente B, no existem molculas do gs.
Suponhamos, agora, que, por um processo qualquer, a tampa do recipiente A reti-
rada. O gs do recipiente A comear a se deslocar penetrando no espao restante
do recipiente B, e este deslocamento se dar at que haja um equilbrio. No caso,
este equilbrio significa que tantas molculas saem do recipiente A e entram no res-
tante espao de B, quantas entram no recipiente A. A Fig. 1.19 ilustra o fenmeno.
Vemos, portanto, que quando temos duas regies contguas, onde existem
nmeros diferentes de molculas, as molculas tendem a se mover para a regio de
menor nmero de molculas. Este fenmeno chama-se difuso do gs.

,
..... :. .-- GAS
':'.~'.~~
.. ". " .. ,
'.. .

Fig. 1.18. Gs contido no reservatrio A.

. ..
J

.; ltlt ;:~
I.
.
. .tA. '..,".,
.. ....

t. li' '

Fig. 1.19. Difuso do gs.

Este fenmeno, que exemplificamos para o caso do gs, um fenmeno es-


tatstico de aplicao muito mais geral explicando, por exemplo, o deslocamento
de portadores em um material semicondutor de um ponto onde a concentrao dos
mesmos maior para pontos de menor concentrao.
24 ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES / CAPo 1

1.3.5.2. Estudo Sucinto do Drift

Consideremos um cristal, por exemplo, tipo N de silcio que possua uma con-
centrao uniforme de eltrons, na ausncia de um campo eltrico. Ora, se para
existir o fenmeno de difuso necessrio
uma diferena na concentrao de portado-
res, como consideramos uma concentra-
o constante de eltrons, no haver o fe-
nmeno da difuso.
Sabemos ainda que, devido ao fenme-
no de agitao trmica, os eltrons no cris-
tal possuem um movimento randmico,
como apresenta a Fig. 1.20, que indica que
o eltron que abandona uma certa regio
(A) retoma mesma aps diversos percur-
sos randmicos (percursos sem direo de-
terminada) .
Sabemos tambm que o eltron, pos-
suindo uma carga eltrica negativa, desloca- Fig. 1.20. Movimento de um eltron
em um cristal, quando no h campo
se no sentido contrrio ao campo eltrico
eltrico.
que lhe aplicado.
Fazemos, ento, a pergunta: que acontece quando aplicamos um campo el-
trico ao cristal mencionado? fcil concluir que, devido influncia do campo
eltrico, um eltron que abandonou o ponto A acabar num ponto B, havendo um
deslocamento lquido do portador no cristal. A Fig. 1.21 ilustra o comportamento
do eltron nestas circunstncias.
Sem entrar nos detalhes fsicos envolvidos, verifica-se que a velocidade do el-
tron no cristal proporcional ao campo eltrico aplicado, isto ,

Ve = vel. do eltron = Mn . E.

Analogamente, para os buracos,

Vp = vel. do buraco = Mp' E.

As grandezas MneM p so chamadas mobilidades do eltron e do buraco, res-


pectivamente, e aproximadamente os seguintes valores podem ser utilizados:

Ge Si

}J.n 3.900 1.350


cm2
unidade: --
V . s
J.l.p 1.900 480
1.3/ ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES 25

-E

Fig.1.21. Deslocamento de um eltron em um cristal sob efeito de um campo eltrico.

Estes fenmenos de difuso e drift so enormemente importantes no estudo


dos semicondutores e recomendamos ao leitor uma ateno especial para os mes-
mos.

1.3.6. RESISTNIDADE DE UM MATERIAL SEMICONDUTOR

Verificamos, nos Itens 1.3.3 e 1.3.5.2, que eltrons e buracos se deslocam


sob a ao de um campo eltrico (drift), e deve ser evidente para o leitor que as cor-
rentes de buracos e eltrons se somam em um material semicondutor, uma vez que
os buracos tm carga positiva deslocando-se no sentido do campo eltrico, enquanto
os eltrons tm carga eltrica negativa deslocando-se no sentido contrrio ao cam-
po eltrico. Ora, os eltrons que se deslocam no sentido contrrio ao do campo el-
trico na realidade fornecem uma corrente (sentido convencional) no mesmo sentido
da dos buracos, a esta se adicionando.
Forosamente, ento, a resistividade de um cristal depende do nmero de el-
trons e buracos presentes no mesmo, e pode-se provar que:
1

onde,
p = resistividade do material semicondutor;
q = 1,6 X 10-19 coulombs = valor absoluto da carga do eltron;
Iln e /-Ip= mobilidades dos eltrons e buracos;
n e p = nmeros de eltrons e buracos por unidade de volume do
material.

Para obter-se p em ohm . m, utiliza-se q em coulombs, n e p em portadores por

3 m2
m ,Pne/-lpem ~
26 ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES / CAP. 1

A formula acima bsica para o estudo dos semicondutores, permitindo a de-

terminao da resistividade ou da condutividade ( a == ~ )

Exemplo de aplicao

Em um cristal de silcioND == 1,1 X 1016 atomos/cm". Calcule p.


Verificou-se, no Item 1.3.4.4, que, para este cristal,

n ~ 1,1 X 1016 eltrons/em" e


4
p ~ 2 X 10 buracos/em";

teremos, ento, para a resistividade deste cristal de silcio:

1
p ==
Q{J.1nn + IJ.pp) ,

q == 1,6 X 10-19 coulombs;

n == 1,1 X 1016 eItrons Iem 3 == I, 6 X 1016 X 106 eltrons ==


m3
== 1,6 X 1022 eletrons/m";

p == 2 X 104 buracos/em? == 2 X 104 X 106 buracos/nr' ==

= 2 X 1010 buracos/m";

em2
IJ.n == 1.350y- 1.350 X 10-4
.s

2
em2
!J.p == 480 == 480 X 10-4 ~
Y .s v ,s

1
p==
1,6 X 10-19 (1. 350 X 10-4 X 1,6 X 1022 + 480 X 10-4 X 2 X 101O') ==

1
1,6 X 10-19 (2.160 X 10111+ 960 X 106);

desprezando a 2.a parcela, correspondente aos buracos,


_ I
1 10
p = 1,6 X 10 19 X 2.160 X 10111 == 3.456 X 10-1 == 3.456 ==

== 2,89 X 10-3 ohm . m == 0,289 ohm . em.


1.3/ ESTUDO DOS SEM/CONOUTORES 27

1.3.7. ESTUDO DAS JUNOES P-N


1.3.7.1. Estudo Geral
Suponhamos um cristal de silcio ou germnio, no qual imaginamos que, por
meio de urn processo qualquer, foi feita uma dopagem! diferente em duas regies
do mesmo (P esquerda e N direita).
Ora, sabemos que as partculas (eltrons e buracos) esto em constante movi-
mento randOmico (sem direo detenninada) , movimento este causado pela energia
trmica fornecida pela temperatura ambiente. Observando a superfcie imaginria
de separao entre as duas regies, temos esquerda da mesma, urna regio de ele-
vada concentrao de buracos e, direita, uma baixa concentrao (inversamente
para os eltrons).
Torna-se, .portanto, razoavelmente lgico que, estando os buracos submetidos
a urn movimento randmco e havendo um nmero maior de buracos no lado es-
querdo, mais buracos devero atravessar a superfcie do lado esquerdo para o direito
(e inversamente para os eltrons).
Como o leitor verifica, este fenmeno anlogo ao que explanamos para o
caso do gs. Trata-se, portanto, de urn processo de difuso de buracos, do lado de
maior concentrao para o de menor concentrao. Do mesmo modo, existe o fe-
nmeno de difuso de eltrons de uma regio de alta concentrao para urna regio
de baixa concentrao.
Este fenmeno de difuso de grande importncia no estudo dos semicondu-
tores, como ser verificado nos captulos subseqentes.
Como mencionamos, este fenmeno de difuso completamente geral e ser
particularmente usado por ns, governando o deslocamento de portadores entre
duas regies que apresentam diferentes nmeros de portadores.
Agora, podemos, propriamente, entrar no estudo das junes.
Consideremos um cristal de silcio, ao qual, por meio de um processo tecnol-
gico que no nos interessa no momento, so adicionadas, de um lado do mesmo,
impurezas do tipo N e, do outro lado, impurezas tipo P. Estas duas regies confi-
nam na chamada juno (referindo-se juno das duas regies), como indica a Fig.
1.22.

TIPO P TIPO N

f _
JUNAO

Fig. 1.22. Juno PN.


1 Dopagem, Propositalmente usamos este termo, derivado do ingls doping (que signi-
fica o adicionarnento de impurezas ao cristal), porque o mesmo j comum entre os estudantes
brasileiros. .
28 ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES / CAPo 1

Conforme verificamos, no semcondutor tipo N, os tomos das impurezas per-


dem os seus eltrons ficando carregados positivamente (ons positivos), enquanto
que os eltrons doados ficam livres para se deslocar no cristal. Podemos, ento, re-
presentar o semicondutor tipo N como na Fig. 1.23.

CONVENES
,
r (f.'- (!f ATOMO DA IMPUREZA DOADORA

(tf <t>- <t>-


(t)- e- (!)-
,
ELETRON PRATICAMENTE LIVRE

Fig. 1.23. Semicondutor tipo N.

Analogamente, para o semicondutor tipo P, podemos usar a representao da


Fig.1.24.

CONVENOES
I

e+ e+ e+ ATOMO DA IMPUREZA ACEITADORA

e+ e+ e+
e+e+e+ BURACO

Fig. 1.24. Semicondutor tipo P.

Conseqentemente, podemos representar o cristal com as regies N e P como


indica a Fig. 1.25, onde estamos supondo que no existe nenhuma interao entre
. as duas regies.

JUNAO

p
J N

@- ctf -
(!)- @- e-
G)- - (!)-

Fig. 1.25. Juno PN ao ser formada (nenhuma interao entre as regies considerada).

Devemos lembrar que, quando os tomos da impureza substituem os tomos


do germnio ou silcio, eles ficam presos na rede, ou seja, apenas os eltrons pratica.
1.3/ ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES 29

mente livres, fornecidos pelas impurezas pentavalentes, e os buracos, fornecidos pe-


las impurezas trivalentes, podem se deslocar sob efeito de um campo eltrico.
Analisemos, agora, a situao representada na Fig. 1.25 com mais detalhes.
No lado tipo N h muito mais eltrons que no lado tipo P e, inversamente, no lado
tipo P h muito mais buracos que no lado tipo N. Conseqentemente, ter incio
um processo de difuso de eltrons do lado N para o lado P e de buracos do lado P
para o lado N, como indica a Fig. 1.26.

JUNAO

p l N

e++ e++ 6-
+ - - -
<t> <t> @
e+ e+ e- + - @)- (f)- e-
ee +
6- -- - e (f)- @-
Fig. 1.26. Deslocamento (difuso) de buracos da regio P para aN e de eltrons daN para aP.

Ora, sabemos que um eltron pode se recombinar com um buraco, formando


novamente uma ligao covalente completa. Observando a juno das duas regies,
percebemos que, devido difuso, os eltrons e os buracos forosamente se encon-
traro na mesma.
Imaginemos que os eltrons mais prximos juno j se encontraram e se
recombinaram. Neste momento, teramos, ento, a situao representada na
Fig.l.27.

REGIAO DE TRANSICAO
P N

e+e+ e (f) -e -(f)


e+8+ e (f) -(t) -@
8+8+ 8 (f) - -

CARGAS DESCOBERTAS

Fig. 1.27. Formao da regio de transio.


30 ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES I CAPo 1

claro que os eltrons e os buracos que se recombinaram deixaram prximos


juno ons positivos e negativos, respectivamente, resultantes do arrancamento
dos eltrons e dos buracos.
Estes ons so chamados de cargas descobertas, e a regio em torno dajuno
onde se formaram estas cargas descobertas chamada de regio de transio.
Agora o leitor deve observar a Fig. 1.27 e verificar como estas cargas desco-
bertas comeam a repelir a aproximao de novos portadores de carga.
Torna-se fcil entender, agora, por que o processo de difuso no prossegue
continuamente: as cargas descobertas comeam a repelir a injeo de novos porta-
dores na juno.
Deve ser observado e bem entendido o que se passa quando da formao da
. juno P N. Logo que esta formada, tem incio o processo de difuso estudado
com o deslocamento de eltrons do lado N para o lado P e de buracos do lado P
para o lado N. medida que estes buracos e eltrons vo se recornbinando na jun-
o, vo surgindo as cargas descobertas que tendem a impedir a injeo de novos
portadores; este processo continua at que haja um equilbrio. O leitor deve tam-
bm lembrar que, tanto na regio P como na N, pares eltron-buraco esto sem-
pre sendo gerados por quebras de ligaes covalentes e sempre se recombinando,
completando ligaes covalentes.
De tudo que foi visto at aqui, conclui-se que uma juno P-N um sistema
fsico, no qual esto se processando uma srie de fenmenos dinmicos, e, nestas
explicaes, procuramos dar uma idia geral sobre os mesmos.
Reconsideremos agora a Fig. 1.27, onde observamos a formao das cargas
descobertas. Como vemos, estas cargas do origem a uma diferena de potencial
Vo , e esta diferena de potencial pode ser esquematicamente representada por uma
bateria com a polaridade indicada (Fig. 1.28).

p N

e+8+ 8 e --@ -@
e+e+ e e e -<t>
0+e+ e e -@ -<t>

Fig. 1.28. Barreira de potenciaL


1.3/ ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES 31

Vimos que as cargas descobertas tendem a se opor injeo de novos porta-


dores. Em outras palavras, a diferena de potencial Va criada pelas cargas descober-
tas o obstculo ao deslocamento de novos portadores para a juno.
Da, esta diferena de potencial surgida na juno, em virtude de as cargas
descobertas, ser chamada de barreira de potencial (por tender a "barrar" o desloca-
mento dos eltrons e buracos). Em virtude da existncia desta barreira de poten-
cial, a regio de cargas descobertas tambm chamada de regio de barreira de po-
tencial! .

1.3.7.2. Polarizaes Direta e Inversa

Suponhamos uma juno com sua barreira de potencial Va, qual vamos ligar
uma bateria. Ora, tendo a bateria dois terminais, duas possibilidades surgem:

a) ligao do terminal positivo da bateria ao lado N;


b) ligao do terminal positivo da bateria ao lado P.

Consideremos o caso no qual o terminal positivo da bateria ligado ao lado


N e o terminal negativo ao lado P, como indica a Fig. 1.29.

p N

+e+e e <) e -<>-


- "e +e e e <) -@- +
+e+e e (l) e -G)-

- II'I!)I! +
Fig. 1.29. Polarizao inversa.

Ora, sabemos que a barreira de potencial tende a impedir o deslocamento dos


eltrons e dos buracos para a juno. Uma vez que no tipo N os eltrons esto fra-
camente ligados estrutura, estes eltrons sero atrados para o terminal positivo da
bateria, afastando-se, portanto, da juno. Fato anlogo ocorrer com os buracos
do tipo P, que sero atrados pelo terminal negativo da bateria. Isto significa que a
bateria est tendo um efeito semelhante ao da barreira de potencial, tendendo a
afastar mais os portadores da juno. Podemos dizer que a bateria awnenta a bar-
reira de potencial, tornando praticamente impossvel o deslocamento dos portado-
res.
! Vrios nomes so usados, como regiiio de transio, regiiiode barreira de potencial, Te-
giiio de cargas descobertas; em ingls, bastante usada a expresso depletion region .
32 ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES / CAP. ,

Um medidor de corrente conectado em srie com a juno deveria, portanto,


ler urna corrente nula. Na realidade, urna corrente muito pequena (da ordem de
grandeza de- alguns microamperes) pode ser observada, fato este que deve ser um
tanto estranho para o leitor.
Entretanto, j verificamos que no prprio semicondutor tipo N existem bura-
cos presentes, embora estes sejam em minoria. Ora, claro que estes buracos exis-
tentes no lado N sero repelidos pelo terminal positivo da bateria. Da mesma for-
ma, os eltrons em minoria que existem no lado P sero repelidos pelo terminal ne-
gativo da bateria. Portanto, os portadores em minoria sero injetados na juno,
constituindo a corrente da ordem de alguns microamperes,j mencionada, e que se
chama corrente inversa, urna vez que a este tipo de polarizao d-se o nome de
polarizao inversa. , tambm, muito comum chamar esta corrente de corrente
de fuga da juno P-N.
Com base nesta explicao, podemos justificar o fato de a corrente de fuga
ser menor para os dodos de silcio do que para os de germnio. De fato, vimos, no
Item 1.3.4.3, que o produto pn tem o valor 2,2 X 1020 cm-6 e 5,7 X 1026 cm-6,
respectivamente para o silcio e o germnio. Portanto, para uma dada temperatura
e dopagem, o nmero de portadores em minoria ser bem menor para o silcio do
que para o germnio e, conseqentemente, a corrente de fuga, que devida a estes
portadores, ser menor para os transistores de silcio.
Imaginemos, agora, que conectamos o terminal positivo da bateria no lado P
e o terminal negativo ao ladoN, como indica a Fig. 1.30.

p N

e +e+ ---
-
+ e 8++e+ -(f)--
e 8++e+ ---() (f)

+ :111111~-
Fig. 1.30. Polarizao direta.

Conforme facilmente se verifica, urn fenmeno inverso ao estudado anterior-


mente ocorre, uma vez que os eltrons do lado N sero repelidos pelo terminal nega-
tivo da bateria e tendero a penetrar na juno. Fato semelhante se dar com os bu-
racos do lado P, que sero repelidos pelo terminal positivo conectado ao lado P.
Conseqentemente, surgir uma corrente bem maior que a do caso anterior, e esta
corrente ser fundamentalmente devida a portadores em maioria. Lembramos ao
leitor que, na realidade, para que haja realmente a injeo dos portadores, necess-
rio que a ao da bateria sobrepuje o efeito da barreira de potencial. Este tipo de
1.3/ ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES 33

polarizao recebe o nome de polarizao direta, enquanto que a corrente que cir-
cula (da ordem de miliamperes) chamada corrente direta.
Nos captulos subseqentes, o leitor tomar conhecimento das aplicaes des-
ta particularidade da juno P-N. de praticamente no deixar circular nenhuma cor-
rente, quando est polarizada inversamente, e deixar passar uma corrente aprecivel,
quando est polarizada diretamente.

1.3.7.3. Capacitncias Apresentadas por uma Juno

Suponhamos uma juno P-N polarizada inversamente, como indica a


Fig. 1.31, na qual esto tambm indicadas as cargas descobertas.
W
P N
W=LARGURA DA REGIO
+e+e e @ -(t) -~
-
- +e+e e @ -<t) -<t) -+
DE TRANSiO

+e+e e e -<t> -~

-*1 1: +
Fig. 1.31. Regio de transio.
Relembramos, agora, que, em um capacitor, as trs grandezas -tenso, carga
eltrica e capacitncia -esto relacionadas, como indica a Fig. 1.32.

Q=CV

Q
Fig. 1.32. Capacitar convencional.
A capacitncia C uma grandeza caracterstica do capacitor. Vemos pela fr-
mula que, medida que a tenso aumenta, a carga eltrica tambm aumenta. Por
exemplo:
para uma tenso VI, a carga Ql ser: Ql = C VI;
para a tenso V2, a carga Q2 ser: Q2 = C V2

Retomemos, agora, juno que estvamos estudando. Ora, verificamos que,


medida que a tenso inversa vai aumentando, mais cargas descobertas vo-se for-
mando; portanto, este efeito apresentado pela juno anlogo ao descrito para o
capacitor. Isto significa que, para todos os fins, a juno apresenta uma capacitn-
cia, e esta capacitncia chamada capacitncia de transio.
34 ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES / CAPo 1

Est fora do escopo deste livro deduzir a frmula matemtica que permite
calcular esta capactncia, mas vamos apresentar as principais concluses a que se
chega. Chamando de W a espessura da regio de transio, de A a rea da juno e
de a permissividade do material semicondutor! , temos que a capactncia de tran-
sio CT dada por:

o leitor pode verificar que esta frmula a mesma que d o valor da capaci-
tncia de um capacitor de placas planas de rea A, distncia Wentre as placas e die-
ltrico de permissividade .
importante observar que a espessura da regio de transio W varia de acor-
do com a tenso inversa aplicada (maior a tenso, maior o nmero de cargas desco-
bertas, maior W) e, conseqentemente, a capacitncia dada pela frmula no uma
capacitncia fixa, mas sim uma capacitncia varivel, de acordo com a tenso inversa.
A capacitncia de transio varia para os diodos existentes comercialmente de
5 a 100 picofarads.
Em muitos circuitos, no h necessidade de considerarmos esta capacitncia;
entretanto, em algumas aplicaes de alta freqncia, a mesma pode apresentar efei-
tos bastante sensveis que no podem ser ignorados pelo projetista.
Este fenmeno de variao da capacitncia de transio com a tenso inversa
utilizado na fabricao de um componente que ser estudado adiante e que tem
como propriedade fundamental apresentar uma capacitncia dependente da tenso.
Agora, trataremos de outra capacitncia que surge numa juno P-N e que
tem um efeito muito mais importante que a capacitncia de transio, quando a
juno est polarizada diretamente.
Imaginemos uma juno diretamente polarizada. J verificamos que a polari-
zao direta, diminuindo o efeito da: barreira de potencial da juno, provoca a in-
jeo, por exemplo, de buracos do lado P para o lado N. Considerando apenas a in-
jeo dos buracos do lado P para o lado N, teramos a situao esquematizada na
Fig. 1.33.
p N

+ +
e e e -+
+
BURACOS
-
-+ -+ SENDO
8 8+8+ INJETADOS
~

e e+e+ -
+:'1,1-
Fig. l.33. Buracos sendo injetados na regio N.

I e = K . o' onde K a constante dieltrica do material e EO a pennissividade do vcuo.


farad
Para o silcio, K = 11 ,7 e, para o germnio, K = 16,3. Para o vcuo EO = 8,86 X 10-14 em .
1.3/ ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES 35

. Obviamente, isto apenas parte do que ocorre,pois ao mesmo tempo em que


os buracos so injetados do lado P para o lado N, eltrons so injetados do lado N
para o lado P.
Ora, sendo os buracos injetados no lado N, onde h abundncia de eltrons,
eles iro forosamente se recombinar com estes eltrons.
Se traarmos uma curva representando o nmero de buracos injetados no lado
N, teramos algo como na Fig. 1.34.

v
+ :~II-

~ ,. 11 -
I--

I _
JUIIAO

Fig,' 1.34. Injeo de buracos.

Nesta figura, Pt o nmero de buracos por unidade de volume injetado no la-


do N, Pn o valor do nmero de buracos longe da juno, isto , Pn o nmero de
buracos que existe no material N em equhbrio (observe que a polarizao no
mexe com a concentrao dos portadores longe da juno). .
Vemos que o nmero de buracos vai decrescendo pelo processo de recombi-
nao at atingir o valor Pn. Caso a tenso aplicada aumente, o nmero de buracos
injetados Pt aumentar, obtendo-se, ento, diversas curvas, dependendo da tenso
direta aplicada, como indica a Fig. 1.35.
p

REGto EM
P4------====-----=:::......:.:.::~:.;...::..-..
n EQUILIBRIO
Fig. 1.35. Portadores injetadospara diferentestenses.
36 ESTUDO DOS SEM/CQNDUTORES / CAPo 1

Toma-se. ento. evidente que a variao da tenso direta provoca uma varia-
o no nmero de portadores injetados. o que. em essncia. representa uma varia-
o da carga total que existe no materialN (pois cada portador transporta uma car-
ga determinada).
Isto significa que uma variao da tenso direta provoca uma variao da car-
ga. fenOmeno este que pode ser atribudo existncia de uma capacitnca, que no
caso chamada de capacitncia de difuso. sendo sua ordem de grandeza de algu-
mas centenas de microfarads.
Uma observao importante deve agora ser feita. Quando tratamos da capa-
ctnca de transio. consideramos uma juno polarizada inversamente e. quan-
do tratamos da capactnca de difuso. consideramos uma polarizao direta.
O leitor. pensando um pouco. pode chegar concluso de que a capacitnca de
transio tambm existe para a polarizao direta e a capacitnca de difuso tam-
bm existe para a polarizao inversa. O que ocorre apenas que, quando ajuno
est polarizada inversamente, O valor da capacitncia de difuso muito menor
que o da capactnca de transio e. conseqentemente. para esta polarizao, con-
sdera-se apenas a capacitncia de transio. Analogamente, para a polarizao di-
reta, consideramos apenas a capacitncia de difuso, por ser a capacitncia de tran-
sio desprezvel face. a esta.
Finalizamos o Capo I, deixando claro para o leitor que neste apresentamos
explicaes simplificadas para os fenmenos fsicos que ocorrem realmente em um
semicondutor, pois um maior detalhamento exigiria conhecimentos matemticos
fora do escopo deste livro. Os leitores que possurem tal base e quiserem aprofun-
dar-se no assunto devero consultar um livro especfico de Fsica dos Sernicondu-
teres".

Exerccios

1. Caracterizar com preciso as diferenas entre:


a) tomo e molcula;
b) prton, nutron e eltron.
2. Como constitudo o tomo de antimnio?
3. Quantos parmetros so necessrios para caracterizar o estado de um eltron de um
tomo?
4. Pensar um pouco na origem dos nmeros qunticos e responder: estes nmeros so
totalmente independentes entre si?
S. Por que os gases raros so inertes?
6. Caracterizar as diferenas entre condutores, isolantes e semicondutores.
7. Que entendemos por rede cristalina?
8. Qual a diferena bsica entre a grafita e o diamante?
9. Que entendemos por ligao covalente e quais as energias (em eltron-voft) neces-
srias para romper ligaes covalentes no silcio e no gerrnnio?

Iyer por exemplo, Introduo F(sico dos Semiconutores. Hilton A. Mello e


Ronaldo S. De Biasi. Editora Edgard Blucher Ltda.
1.3/ ESTUDO DOS SEM/CONDUTORES 37

10. Considerar um cristal e ilustrar o deslocamento de eltrons e buracos.


11. Que entendemos por semicondutor puro ou intrnseco? Ser que isto significa um
semicondutor sem nenhuma impureza?
12. Que so impurezas doadoras e aceitadoras? Dar exemplos.
13. Que acontece quando uma impureza, por exemplo, tipo N, adicionada a um cristal?
14. Observar o cubo de faces centradas da Fig. 1.10.

A clula unitria representada na figura gera a rede do cristal, quando transladada nas 3
direes (x, y e z), Isto significa que um tomo que est no meio de uma face na realidade per-
tence a dois cubos adjacentes. Analogamente, um tomo que est em um vrtice pertence a 8
cubos simultaneamente.
Supondo que um material cristalino possua a rede da Fig. 1.10, tendo o cubo uma aresta
igual a a, pede-se calcular o nmero de tomos por unidade de volume que o cristal possui.
Calcular o nmero de tomos por em3 para o caso do silcio, cuja clula unitria est re-
presentada naFig. 1.13, com a aresta do cubo a = 5,43 X 10-8 em.
15. Que so portadores em maioria e em minoria? Caracterizar para cristais tipo P e N
quais so os portadores em maioria e em minoria.
16. ExpliCif o fenmeno de difuso e dar 3 exemplos em que se verifica este fenmeno.
17. Explicar o transporte de portadores por drift .
18. Que mobilidade de um portador? Qual a importncia desta grandeza?
19. Um cristal de silcio dopado com 1,1 X 1016 tomos de boro/cm3 e 9 X 1015 to-
mos de fsforo/cm3 . Calcular n, p ea resistividade do cristal.
20. Considerar um cubo do cristal anterior com aresta igual a 1 em, Calcular a resistn-
cia que este cubo possui entre duas faces opostas.
21. Que uma juno PN? Numa juno deste tipo, h alguma desoontinuidade na es-
trutura cristalina?
Ateno: no estamos perguntando se h mudana do tipo de dopante, mas sim se h
mudana na estrutura cristalina.
22. Explicar o aparecimento de uma barreira de potencial quando da formao de uma
juno.
23. Que entende o leitor por regio de transio?
24. Explicar as polarizaes direta e inversa de uma juno.
25. Explicar a existncia das capacitncias de uma juno e discutir a influncia da pola-
rizao (direta e inversa) sobre estas capacitncias.
===================Capftulo 2

Estudo dos Diodos

Vimos, no Capo 1, o que vem a ser um material semicondutor e de que manei-


ra formada uma juno de dois tipos de materiais semicondutores, um do tipo P
e outro do tipo N, bem como as principais propriedades desta juno. O dispositivo
obtido dessa maneira chamado diodo semicondutor de juno: "dodo", por ser
um elemento com dois terminais ou eletrodos; "semicondutor", para dferenc-lo
do diodo a vcuo ou do diodo a gs; e, finalmente, "de juno", porque existem
outros diodos semicondutores que no so baseados no processo normal de juno,
descrito no captulo precedente, como o caso do diodo Schottky, do diodo de
contato de ponta e do retificador metlico.
O diodo de juno, por sua vez, pode ser de vrios tipos: diodo retificador,
diodo Zener, diodo com capacitnca dependente da tenso, diodo tnel, diodo
controlado de silcio, fotodiodo etc. Aps um estudo geral do diodo de juno, es-
tudaremos com detalhes os dois tipos de diodos de juno mais importantes: o
diodo retificador e o diodo Zener; falaremos a seguir, do diodo tnel, do diodo
com capacitncia dependente da tenso e de uma srie de outros diodos. Deixamos
o estudo do diodo controlado de silcio para o Capo 4 (Estudo dos Tiristores) e o
estudo do fotodiodo para o Capo 5 (Estudo da Optoeletrnica).

2.1. GENERALIDADES SOBRE mODO DE JUNO

O diodo de juno formado pela juno de dois tipos de materiais semcon-


dutores, um do tipo P, outro do tipoN. A aplicao de uma tenso contnua exter-
na, por exemplo, por meio de uma bateria, pode ser feita de duas maneiras: o plo
positivo da bateria ligado ao material tipo P, que corresponde polarizao direta
do diodo (Fig. 2.1), e o plo positivo, ligado ao terminal tipoN, que corresponde
polarizao inversa da juno (Fig. 2.2).
J explicamos, no Capo I, que a polarizao direta permite que o diodo con-
duza facilmente, oferecendo uma resistncia baixa e que, ao contrrio, no caso da
polarizao inversa, o diodo oferece uma alta resistncia passagem da corrente.
2.1/ GENERALIDADES SOBRE 01000 DE JUNO 39

r-- P N - N p

+ III 11-
11'

Fig, 2.1. Diodo de juno: polarizaodi- Fg, 2.2. Diodo de juno: polarizaoin-
reta. versa.
No caso de polarizao direta, variando-se a tenso aplicada ao diodo e medin-
do-se, ao mesmo tempo, em um voltmetro colocado em paralelo com o diodo, a
tenso nele aplicada e, em um ampermetro colocado em srie, a corrente que cir-
cula (Fig. 2.3), possvel levantar experimentalmente a curva que traduz a corrente
i em funo da tenso v, como mostra a Fig. 2.4.
/
VOLTlMETRO
ti....,

I
/
/
/
./
'/
AMPERIMETRO
o

.'
Fig. 2.3. Circuito para levantar a curvaca- Fig. 2.4. Curvacaractersticatpica de um
racterstica de um diodo (polarizaodire- diodo de silcio(polarizaodireta).
ta).

A curva da Fig. 2.4 peculiar ao diodo de juno, variando de um tipo para


outro nos seus valores de tenso e corrente, embora sua forma bsica se mantenha
sempre a mesma. O fabricante fornece a curva ou dados que permitem fixar pontos
dessa curva. Note-se que o diodo tnel e o diodo controlado de Si, embora de jun-
o, no apresentam exatamente a curva acima, por razes que sero explicadas nos
pargrafos respectivos.
Verificamos nessa curva que a corrente cresce, de incio, muito lentamente
com o aumento da tenso e, a seguir, muito rapidamente, atingindo correntes eleva-
das para valores ainda pequenos de tenso: surge, ento, a necessidade de limitar es-
ta corrente (por exemplo, por meio de uma resistncia externa conforme mostra a
Fig. 2.3), a fim de se evitar que uma excessiva corrente venha a danificar o diodo.
Continuando a aumentar a tenso, aps aproximadamente 0,3 V, para um diodo fei-
to com o germnio, e 0,7 V, para um diodo feito com silcio, conforme mostra a
Fig. 2.5, a resistncia do diodo se torna desprezvel, comparada com a resistncia
externa colocada no circuito, e a relao tenso-corrente se torna linear, obedecen-
do Lei de Ohm. Nota-se que essa "resistncia do diodo" , na realidade, uma re-
40 ESTUDO DOS DIODOS / CAPo 2

sstncia ou impedncia AC 1 OU dinmica, sendo fomecida pela inclinao da curva


caracterstica: quanto mais prxima da vertical for essa curva, menor ser a impe-
dnsa dinmica,j que, a uma mesma variao de tenso, correspondera uma maior
variao de corrente.

I (",A)

400

2
z
-C
2
11:

'"
(l)

200

150
;
,

100
J ~~
I
"
(~
50
/
I
o
o 0,25 Q,5O
..- o,~
~
1,5 2,5
vIvI

Fig. 2.5. Curvas caractersticas tpicas de um diodo de silcio e de um diodo de gennnio (pola-
rizao direta).

Se fizermos a mesma experincia com polarizao inversa (Fig. 2.6), obtere-


mos curvas do tipo indicado na Fig. 2.7, onde os valores negativos da corrente e da
tenso indicam a polarizao inversa, isto , uma tenso maior no terminal N que

1 De propsito, introduzimos estas abreviaturas, abusivamente utilizadas pelos engenhei-


ros:
AC (Alternating Current) = Corrente Alternada;
DC (Direct Current) = Corrente Contnua.
2.1 / GENERALIDADES SOBRE 01000 DE JUNO 41

no terminal P, e uma corrente circulando no sentido inverso do primeiro caso: a


curva estar traada, portanto, no terceiro quadrante.
Novamente, o "aspecto da curva" apresentada mais ou menos o mesmo para
todos os diodos de juno - exceto, para o diodo tnel e o diodo controlado de
Si - desde que os diodos sejam do mesmo material, variando os valores para cada
tipo de diodo.
VOLTMETRO
,..----i 11-----..

P N

-=-
-- v

+
,
MICROAMPERIMETRO

Fig. 2.6. Circuito para levantar a curva caracterstica de um diodo (polarizao invena).

A respeito do aspecto da curva, comentaremos a seguir sobre algumas caracte-


rsticas muito importantes. Primeiro, enquanto a tenso no atinge o valor marcado
- Vz - chamado tenso Zener ou tenso de ruptura, cuja razo de ser ser expli-
cada com detalhes no pargrafo sobre diodo Zener - a corrente muito menor
que a corrente direta e ser da ordem de microamperes ou mesmo nanoamperes.
Identificamos aqui esta corrente: a corrente de fuga da juno, estudada no
Capo 1.
v..
Z
-, -y(YI 14 22 to 4 2
y !5O 120
.o 50 o
I
J 20
o,oe

" 40
0.1

-%
,
I

10

.0

Pis.2.7. Curvas cuacterstk:as tpicas de um diododegennnio (o) e de um diodo de silcio


(b) (polarizaio inversa).

Em segundo lugar, verificamos na curva que esta baixa corrente varia muito
pouco com o aumento da tenslO inversa, at que seja atingida a tenso - Vz -.
Notamos que o valor dessa tenso Zener varia de um tipo de diodo para outro, nu-
ma faixa que cobre desde alguns volts at milhares de volts.
42 ESTUDO DOS 010005 / CAP. 2

Em terceiro lugar, atingido este ponto, a corrente aumenta bruscamente,


sendo limitada somente pelo circuito externo, podendo danificar o diodo, a menos
que ele tenha uma construo especial que permita sua utilizao nesta regio, cha-
mada regio Zener, Nesta regio Zener, embora a corrente esteja crescendo muito,
a tenso quase no se altera. Veremos a importncia desse fato no pargrafo sobre
diodos Zener.
Com respeito s diferenas entre as caractersticas inversas de diodos de Ge e
de Si, notamos o seguinte: a corrente inversa do diodo de Ge maior que a do dio-
do de Si, conforme foi discutido no Capo 1. Para diodos de baixa potncia, nos
quais a corrente direta limitada a dezenas de mA, a corrente inversa da ordem
de dezenas de p.A, para diodos de Ge, e alguns /-tA ou menos, para diodos de Si.
Para diodos de alta potncia, que suportam correntes diretas da ordem de centenas
de mA at centenas de ampres, a corrente inversa chega a ser da ordem de centenas
de ilA at alguns mA, para diodos de Si, ou alguns mA, para diodos de Ge. O joe-
lho da curva, isto , a regio de transio nas imediaes do ponto de tenso Zener,
forma um ngulo muito mais fechado no caso do Si, o que significa que a transio
entre as regies de baixa e alta corrente mais abrupta para o Si do que para o Ge.
Reunindo as curvas da Fig. 2.5 e da Fig. 2.7, temos as curvas caractersticas
i em funo de v para diodos de Ge e Si, observando-se que as escalas de corrente e
tenso so diferentes para o primeiro quadrante dos eixos (i e v positivos - polari-
zao direta) e para o terceiro quadrante (i e v negativos - polarizao inversa),
para que possam aparecer, numa mesma figura, todas as caractersticas dos dodos
(Figs. 2.8 e 2.9).

I(A)

15
,
I'

10

I
:I I
1/
150 100 50
./ v(V)
-vt 10 0,2 0,4 0,6 01'

I "
- O,!

-llmA

Fig. 2.8. Curva caracterstica tpica de um diodo de Ge.


2.2/01000 RETIFICADOR 43

Nesse ponto, podemos ressaltar a diferena entre diodo retificador e dodo


Zener. O primeiro, no seu funcionamento normal, no deve atingir a regio Zener:
o fabricante especifica, ento, um valor mximo de tenso inversa que no deve ser
ultrapassado, tpico de cada diodo, chamado tenso inversa de pico, e que menor
que a tenso Zener. O diodo Zener, pelo contrrio,j especialmente fabricado pa-
ra trabalhar nesta regio inversa. Vamos, agora, estudar com mais detalhes o diodo
retificador, deixando o dodo Zener para o pargrafo subseqente.

I(mA)

120

100

80

&O

40

-V(V) 14 12 10 8 6 4
20

o
./ V(mV)
2 o 200 400 600 !IOJ

I 20

I 40

I
, 60

I
80

-J(mA)

Fig.2.9. CUlVa caracterstica tpica de um diodo de Si.

2.2. mODO RETIFICADOR

No esquema de um circuito eletrnico, os componentes so representados por


meio de smbolos. O leitor j conhece e j utiliza os smbolos de um resistor e de
urna bateria. O smbolo grfico de um diodo semicondutor retificador indicado
na Fig. 2.l0, com as posies do terminal P, chamado anodo e do tenninalN, cha-
mado catodo.
CATODO (REGIO N)

-~~----"'/-
ANODO (REGIO p) /

Fig. 2.10. Smbolo grfico de um diodo retificador.

Corno trabalha o diodo retificador? Sabemos que a tenso medida entre dois
terminais pode ser contnua (por exemplo, a tenso fomecida por baterias, pilhas,
ESTUDO DOS DIODOS / CAP. 2

dnamos) ou alternada, invertendo o seu sentido em intervalos de tempo determina-


dos. Durante a metade de um ciclo, um terminal positivo em relao ao outro, o
qual serve de referncia, e, durante o semicilo seguinte, esse mesmo terminal nega-
tivo em relao ao segundo. Essa tendo alternada a fornecida por um alternador,
pela Lght, nas nossas casas e fbricas. Oue acontece com o diodo semicondutor
quando aplicamos nele uma tendo contnua e quando aplicamos uma tenso alter-
nada?

2.2.1. FUNCIONAMENTO COM TENSO CON'IDroA

Estudemos a montagem esquematzada na Fig. 2.11, onde uma carga - o re-


sistor R - alimentada por uma bateria de V volts atravs de um diodo semcon-
dutor. Vamos considerar primeiro o caso da polarizao direta.

+
V _
- R

Fig. 2.11. O diodo semicondutor com tenso contnua aplicada.


Seja; a corrente que circula no circuito e v a tenso entre os termnais do dio-
do. Aplicando-se a Lei de Ohm a malha indicada, temos:
V=v+iR
ou
v = V - iR.
Verificamos, ento que a relao entre v e i linear e pode ser representada
por uma reta, num grfico que tenha v no eixo das abscissas e i no eixo das ordena-
das (Fig. 2.12): a chamada reta de carga do circuito, que pode ser traada de
modo simples. Procuram-se os pontos de interseo da reta com os eixos, isto , faz-
se i = 0, obtendo-se v = V, que o ponto no qual a reta de carga corta o eixo das
=
abscissas, e, a seguir, v 0, obtendo-se

; = ~, que o ponto de interseo com o eixo das ordenadas.

necessrio notar ainda que, na equao acima, v e i so variveis, enquanto


que VeR so dados constantes do circuito. Com essa nica equao, impossvel
determinar a tenso nas extremidades do diodo (v) e a corrente circulante (i), j
que qualquer par de valores correspondendo a um ponto da reta de carga satisfaz
equao. Entretanto, um nico par de valores a soluo do problema. Como de-
termin-lo? Necessitamos de mais uma relao entre ve i, alm da equao dada.
Esta relao fornecida, no sob forma de uma equao, mas sob forma grfica,
exatamente pela curva caracterstica do diodo.
2.2/01000 RETIFICADOR 45

Superpondo, ento, a caracterstica do diodo utilizado no circuito com a reta


de carga, podemos dizer que o par de valores (v, i) que satisfaz ao problema deve es-
tar .stuado, ao mesmo tempo, sobre a reta de carga e sobre a caracterstica do dio-
do: s existe uma soluo, a interseo da reta com a curva. Esse ponto particular
chamado ponto de operao, ponto quiescente ou ponto Q do diodo e permite ob-
ter graficamente a soluo, pela leitura da tenso V' e da corrente r, que so a ten-
so e a corrente de operao do diodo (Fig. 2.12).

lImA)

s!
vIR

100
r-, '1'. ,('tf
~ ~V
N "<fi
$
"-
<, ~ mO
/
r-, -, <,
<,
o ~V V(V)
o 0,5 l.V 1,5 V 2 z,!!

Fig. 2.12. Curva caracterstica do diodo e reta de carga do circuito da Fig. 2.11.

Os valores V, V', [I, bem como a tenso aplicada na resistncia, V - V',


podem ser medidos experimentalmente, conforme mostra a Fig. 2.13.
v'

v v-v'

Fig.2.13. Medida experimental das tenses e corrente do circuito da Fig. 2.11.

E quando a polarizao for inversa? Nesse caso, s circula a fraca corrente de


fuga do diodo (desde que o valor mximo de tenso inversa no seja ultrapassado),
corrente essa que, por ser muito menor que a corrente direta, ser geralmente des-
prezada. No h necessidade de traar reta de carga nesse caso.

Exerccio 2.1
O diodo de gennnio, cuja caracterstica dada na Fig. 2.8, colocado em srie num cir-
coito com os seguintes valores:
46 ESTUDO DOS DIODOS / CAPo2

1.0 caso: V== 20V;R == 4 n.


2.0 coso: V == 5 V; R = 10 n.
Determinar, para cada caso, a corrente no circuito, as tenses aplicadas no diodo e na re-
sistncia, para as duas condies de polarizao direta e inversa.
SolUiiol: 1.0 caso.
a) Polarizao direta. A equao da reta de carga :
V =v+iR
20 == V+4i.
20
Para traar a reta, necessitamos de 2 pontos. Quando v == O, ternos i ="4 = 5 A, que
=
fornece o primeiro ponto, no eixo vertical. O segundo ponto seria v 20 V, quando i O, mas =
no pode ser marcado diretamente no eixo horizontal positivo, que s fornecido com gradua-
o at 0,8 V.
Calculamos, ento, um outro ponto qualquer da reta, por exemplo, quando v = 0,8 V:
20 =0,8 + 4i;
20 -0,8 = 48 A
4 ,.
Marcando o ponto (V == 0,8 V, i = 4,8 A) no grfico, traamos a reta e verificamos que a
interseo da mesma oom a caracterstica do diodo se d aproximadamente no ponto V = 0,55
V, i = 4,9 A. A tenso na resistncia , ento, 20 - 0,55 = 19,45 V. Outra maneira de calcular
=
essa tenso multiplicar o valor enoontrado para i pela resistncia: 4,9 X 4 19,6 V, valor que
concorda oom o anterior, dentro da preciso do processo grfico utilizado.
b) Polarizao inversa. A equao da reta :
- V=v+iR;
- 20 = v+4i.
Quando i == O, V == - 20 V, podemos marcar esse ponto no grfico. Mas, quando V = O,
20 ,
i = - 4" = - 5 A, que esta fora de escala. Calculamos, ento, o ponto 1= - 0,1 mA, V ==
== - 20 + 4 X 0,0001 "'" - 20 V. Podemos traar a reta de carga no terceiro quadrante oomo
sendo uma vertical, com boa aproximao, e a interseo com a caracterstica se d no ponto
V == - 20 V, i = - O ,035 mA. A queda na resistncia no pode ser determinada pela construo
grfica. Com efeito, usando o valor encontrado para a oorrente, teremos como queda na carga
0,035 X 4 == 0,14 m V, desprezvel frente tenso da bateria de 20 V e tambm desprezvel
frente tenso na carga de 19,6 V, quando da polarizao direta.
2.0 caso.
a) Polarizao direta. Nesse caso, a reta de carga passa pelos pontos (v= O, i == 0,5 A) e
(v= 0,8 V,; == 0,42 A), e o ponto de operao do diodo (v = 0,36 V,i = 0,45 A). A queda
=
na resistncia : 5 - 0,36 4,64 V ou ainda 0,45 X 10 == 4,5 V.
b) Polarizao inversa. A reta passa pejos pontos (V= - 5 V, i = O) e (v"'" 5 V, i = - 0,1
mA). O ponto de interseo com a caracterstica (v"", - 5 V, i o.: -0,03 mA). A queda na re-
sistncia desprezvel.
Nesse exemplo, reparamos, ento, que, na polarizao direta, a oorrente determinada
principalmente pela resistncia externa (4,9 A em vez de 5 A, no 1.0 caso, 0,45 A em vez de
0,5 A, no 2.0 caso) e que a queda de tenso no diodo pequena comparada com a queda na re-
sistncia (0,55 V contra 10,45 V, no 1.0 caso, e 0,36 V contra 4,64 V, no 2.0 caso).

1 Deixamos a cargo do leitor as construes grficas mencionadas neste exemplo, deven-


do ser usada a curva caracterstica da Fig. 2.8.
2.2/01000 RETIFICADOR 47

Na polarizao inversa, a corrente circulante a corrente de fuga do diodo, aproximada-


mente 30 JJA, desprezvel face COrrente direta (4,9 A, no 1.0 caso, 0,45 A, no 2.0 caso), e pra-
ticamente toda tenso aplicada aparece nos terminais do diodo, sobrando na resistncia de carga
uma tenso desprezvel, frente tenso que aparece quando da polarizao direta (O,14 mV
contra 19,45 V, no 1.0 caso, 0,3 mV contra 4,64 V, no 2.0 caso).

o exemplo foi feito com um diodo de germno. No caso do diodo de silcio,


as concluses so anlogas, com a diferena que a queda de tenso no diodo, na
conduo direta, maior, e que a corrente inversa menor.
O diodo retificador no , normalmente, utilizado num circuito de alimenta-
o contnua, mas num de alimentao alternada. Serviu o presente estudo para dar
uma idia de como se comporta o dodo retificador nas duas situaes de polariza-
o direta e inversa e chegar s concluses que seguem.
No caso da conduo direta, o diodo deixa passar uma corrente que depende
principalmente da resistncia externa do circuito, quando maior que a resistncia
prpria do diodo, o que verdadeiro na maioria dos casos. Em conseqncia, a
queda de tenso no diodo pequena em comparao com a tenso total: cerca de
0,3 a 0,5 V para os diodos de Ge e cerca de 0,5 a 0,8 V para diodos de Si.
Para fns prticos, considera-se, em primeira aproximao, que um diodo de
Ge oferece uma queda de 0,3 ou 0,4 V e um diodo de Si, de 0,6 ou 0,7 V, sem ne-
cessidade de traar as retas de carga sobre as curvas caractersticas. Deve ser frisado
ainda que esses valores so vlidos para diodos de potncia baixa e mdia, sendo
mais elevados para diodos de alta potncia.
No caso da polarizao inversa, a corrente circulante desprezvel e toda ten-
so aplicada aparece nas extremidades do diodo, no sobrando praticamente nada
na resistncia de carga. Vamos utilizar essas concluses no estudo do funcionamen-
to do diodo com tenso alternada.

2.2.2. FUNCIONAMENTO COM TENSO ALTERNADA


Vamos agora aplicar ao circuito da Fig. 2.11, em vez de uma tenso contnua
fornecida pela bateria, uma tenso alternada senoidal fomecida, por exemplo, pelo
secundrio de um transformador cujo primrio ligado rede de alimentao, con-
forme mostra a Fig. 2.14. A forma de onda da tenso aplicada ao circuito mos-
trada na Fig. 2.151

Fig.2.14. O diodo semicondutor com tenso alternada aplicada.

1 O leitor deve atentar para o fato de termos colocado no eixo das abscissasdiretamente
wt em lugar de t. Como wt um ngulo, so atribudos valores tais como 'Ir /2, 'Ir, 3'Ir/2 etc. rad-
anos.
48 ESTUDO DOS 010005 / CAPo 2

Vm ----

H~-'--t--+-r-------------t~
wt

Fig.2.15. Forma de onda alternada senoidal.


Lembramos as noes bsicas sobre ondas alternadas senoidais. O valor ins-
tantneo da onda, no caso a tenso, em qualquer instante, v, o valor mximo posi-
tivo Vm e o mximo negativo - Vm. O valor eficaz da onda 'Vej, o valor m-
dio ou contnuo zero, e existem entre essas diversas grandezas as seguintes rela-
es:
_ Vm
v= V m sen wt, Vef - y"l"' w = 2rr[,

sendo w a pulsao e [ a freqncia da onda. A alimentao da Light tem atual-


mente freqncia de 60 ciclos por segundo.
Lembramos que o valor eficaz aquele que deve ser utilizado para clculo da
dissipao de calor. provocada pela corrente numa resistncia R , segundo as frmu-
las:

Potncia
V2
= 1f
ou P = l~fR,

sendo lef a corrente eficaz que circula na resistncia.


Consideremos o primeiro serniciclo da tenso alternada, de O a n . Nesse inter-
valo, a tenso positiva e a polarizao do diodo direta: ele deixa passar uma cor-
rente que tem a mesma forma de onda senoidal da tenso aplicada, com exceo das
partes inicial e final do semciclo, que apresentam uma certa distoro devida ao fa-
to de o incio da caracterstica do diodo no ser linear (Fig. 2.16).

a.: -~
Fig. 2.16. Circuito com diodo e resistor: semiciclopositivo de tenso.
2.2/01000 RETIFICADOR 49

No semiciclo seguinte, de 1T a 21T, a tenso se toma negativa e o diodo pola-


rizado inversamente: agora oferece uma resistncia muito alta passagem da corren-
te, circulando somente a corrente de fuga que pode ser desprezada em comparao
com a corrente direta, principalmente se esta for elevada (Fig. 2.17).

+
I " \ ,,- \

I
I \
\ , I \
\

I_..".~+\__
-+O... 2-r1t_. wf
, I \
\

o n;. 10 21t wf

Fig. 2.17. Circuito com diodo e resstor: semiciclo negativo de tenso.

A forma de onda de corrente resultante na resistncia indicada na Fg. 2.18,


onde se desprezou a corrente inversa e onde foram considerados vrios ciclos de ten-
so alternada: v-se que a corrente obtida no mais alternada, pois nunca inverte
seu sentido. No significa isto que seja uma corrente constante, pois ela varia, sain-
do do zero para crescer at um mximo e voltar ao zero, mas sem tomar-se negativa:
uma corrente contnua pulsativa. O diodo, transformando uma onda alternada
numa onda contnua, efetuou uma retificao, donde seu nome de diodo retifica-
dor.

Wf

Fig. 2.18. Forma de onda retificada.

2.2.3. LIMITAOES

As lmtaes do dodo retificador so as tenses e correntes mximas que


pode suportar sem danificar-se e sem reduzir apreciavelmente a sua vida: a tenso
mxima inversa ou tenso de pico inversa, menor que a tenso Zener, e a corrente
50 ESTUDO DOS 010005 / CAPo 2

mxima direta. Para dodos de baixa potncia, utilizados em circuitos de baixa cor-
rente, o dado de corrente mxima geralmente o nico fornecido pelo fabricante.
Para dodos de potncia mais elevada, alm da corrente mxima, o fabricante espe-
cifica ainda uma dissipao mxima numa temperatura fixada, geralmente 2SoC, em
mW ou W. Esse ltimo dado significa que, fixada a corrente que circula pelo diodo,
a tenso nele aplicada no deve ultrapassar um valor tal que o produto IV seja maior
que a mxima dissipao permitida, na temperatura de referncia.
Para diodos retificadores de potncia, a dissipao mxima depende tambm
dos meios utilizados para dissipar o calor produzido no diodo, e o dado de dissipa-
o mxima muitas vezes fornecido sob a forma da elevao de temperatura do in-
vlucro do diodo at a juno, pela potncia dissipada, isto , por um coeficiente
CjW ou CjmW. (A explicao e a utilizao de tal dado so esclarecidas no Apn-
dice.) Devido s capactncias apresentadas pelododo de juno (Cap. 1), o seu de-
sempenho se modifica nas altas freqncias, existindo, ento, um limite de freqn-
cia, acima do qual o diodo deixa de funcionar satisfatoriamente.

Exerccio 2.2

o diodo BY 127 da IBRAPE colocado no circuito da Fig. 2.19, onde a tenso de ali-
mentao alternada, com 117 V eficazes. Mostrar as formas de onda de tenso e corrente en-
tre os pontos A e B e entre B e C, para os casos em que R =
IDO .n e R =
50 n. Os valores-li-
mite do diodo foram ultrapassados em algum caso?

Soluo
As limitaes do diodo BY 127 so:
B Corrente na conduo mdia mxima:
1 A;
Corrente recorrente ou de pico mxima:
tOA;
Tenso inversa de pico mxima: 8DO V;
R Tenso inversa transitria de pico:
1.250 V.
As suas caractersticas so:
Corrente inversa a 1.250 V: menor que
c 10}J.A;
Queda de tenso direta para 5 A: menor
que 1,5 V.
Entenderemos melhor o significado das
grandezas acima durante o desenvolvimento do
exemplo ..
Fig.2.19. O circuito retificador.

A forma de onda da tenso de entrada senoidal, com um valor mximo para o pico da
sende de 117 X Y2 = 166 V.
Consideremos, primeiro, o semiciclo positivo. O diodo polarizado diretamente. Atin-
gindo a tenso aplicada, aproximadamente 0,6 V (trata-se de um diodo de Si), este passa a con-
duzir e, de acordo com a caracterstica mencionada acima, a queda no mesmo no ultrapassa
1,5 V, enquanto. a corrente no ultrapassa 5 A. Podemos, ento, representar as trs formas de
onda (tenso de entrada, tenso no diodo e tenso na resistncia), como na Fig. 2.20.
2.2/ DIODO RETIFICADOR 51

TENSO NA ENTRADA (V)

/66t-----~

-+---+---~------1~ W t
TENSO NO DIODD (V)

rvl

-4----~~==~------~wt
TENSO NA CARGA (V)

fi) /651----+-.,.....,..

-I-------JL------L-----t. wt

Fig. 2.20. Tenses correspondentes ao circuito da Fig. 2.19 para polarizao direta.

Notamos que a queda no diodo desprezvel, frente queda na resistncia, a no ser


para os valores muito pequenos da tenso de entrada, quando o diodo ainda no atingiu a plena
conduo. Notamos ainda que a forma de onda na carga senoidal, a no ser no incio e no fim
do ciclo, quando urna ligeira distoro acontece. A forma de onda da corrente reproduz a for-
166 V
ma da tenso na carga, tendo um valor rnaxirno de
o
""i"fi
= 1,66 A, no primeiro caso, e de
166 V
-- - 3,32 A no segundo, como na Fig. 2.21.
50 fi
CORRENTE (A)
CORRENT (A)

3,321---- ...

(b)

-+--=----~----+(A) ,

Fig. 2.21. Formas de onda da corrente.


52 ESTUDO DOS D/ODOS / CAP. 2

No semiciclo negativo, o diodo polarizado inversamente, circula a corrente de fuga, me-


nor que 10 J.lA. Fazendo o clculo com esse valor, obtemos 1 mV de queda na resistncia, no
primeiro caso, e 0,5 mV, no segundo. Esses valores so inteiramente desprezveis, frente aos n-
veis de tenso do circuito: podemos dizer que toda tenso inversa aparece no diodo. As formas
de onda so ento as da Fig. 2.22.

TENSO NA ENTRADA (V)

----~--r-------r-----------.GVf

-/6 6 I-----I-_~
TENSO NO 0/000 (V)

---+--~------+---------~GVt

-/66 I----+ __ ~
TENSO NA CRGA ( V)

'1J ZERO
--~--~------~----------~GVt

Fig. 2.22. Tenses correspondentes ao circuito da Fig. 2.19 para polarizao inversa.

o leitor pode verificar que, para o traado das formas de onda acima, utilizamos exclusi-
vamente dados caractersticos fornecidos pelo fabricante, sem lanar mo das curvas caracters-
ticas! .
Podemos agora responder segunda parte da pergunta. Os valores-lirnite do diodo foram
ultrapassados em algum caso?
Vemos imediatamente que os valores-lirnite de tenso inversa no foram ultrapassados: a
tenso inversa de pico mxima de 166 V, menor que 800 V, e, tendo-se em vista que no con-
sideramos nesse circuito possveis' cargas indutivas, no existe tenso transitria 2
Quanto aos dados de corrente, vemos que a oorrente recorrente, ou seja, a oorrente de
peo em cada ciclo, no atinge 10 A, sendo de 1,66 A, no primeiro caso, e de 3,32 A, no segun-
do. Para o outro valor-limite de corrente, precisamos calcular a oorrente mdia no circuito: sen-
1
do um circuito retificador de meia onda, sabemos que a corrente mdia vale - da corrente
'Ir

1 Apresentamos apenas as formas de onda correspondentes a um ciclo; deixamos a cargo


_do leitor considerar vrios ciclos da tenso de entrada e verificar todas as formas de onda.
2 Lembramos que uma tenso transitria (ou corrente), como o nome indica, a tenso
, antes de a tenso de regime ter sido
que existe, por exemplo, logo aps ligar-se o circuito, isto
atingida.
2.2/01000 RETIFICADOR 53

. . 1~6 .. 3J2
maxnna, ou seja, -- = 0,53 A, no primeiro caso, e -- = 1,06-A, no segundo, ultrapassan-
~ ~
do, ento, nesse ltimo caso, o valor-limite.

2.2.4. APLICAOES

Inmeras so as aplicaes do diodo retificador. Substitui com vantagens os


seus correspondentes a vcuo e a gs em quase todas as aplicaes, alm de poder
preencher funes que lhe so prprias. A aplicao mais importante a retificao
em fontes de alimentao contnua, em dobradores de tenso, em instrumentos de
medida etc. Entre outras aplicaes, podemos citar: como chave, em circuitos l-
gicos usados em computadores digitais; em circuitos limitadores e grampeadores' ;
em circuitos de polarizao de transistores; em receptores de A. M. e F. M., como,
conforme o caso, detectores, misturadores, discrirninadores; em circuitos de amor-
tecimento, conforme ser explicado a seguir.

b:,
y

SEM 01000

(o) y

(b)

15:.rc )
Fig. 2.23. O diodo num circuito de amortecimento.

Nos circuitos de pulsos, em que existem cargas indutivas, aparecem tenses


transitrias indesejveis, que podem prejudicar o funcionamento do circuito ou
mesmo danificar componentes como transistores. No circuito da Fig. 2.23, no qual
um pulso positivo aplicado ao primrio do transformador, pode aparecer no se-
cundrio uma onda, conforme a indicada, devido indutncia do transformador.
O diodo em srie com a resistncia polarizado inversamente no instante do pulso
positivo, no interferindo no circuito; quando aparece a tenso negativa, o diodo
passa a conduzir e o pulso negativo, em vez de ser lanado no estgio seguinte, dis-
sipado na resistncia, servindo, ento, o diodo para "amortecer" tenses ou oscila-
es indesejveis.

1 Usamos a seguinte nomenclatura, em correspondncia aos termos americanos:


clamping circuirs = circuitos grampeadores;
clipping circuit = circuito s limitadores.
54 ESTUDO DOS OIOOOS / CAPo 2

2.25. moDOS RETIFICADORES COMERCIAIS

Existem diodos retificadores comerciais para todas as finalidades, com gran-


des diferenas nas suas caractersticas e nos valores-limite. O valor mximo da cor-
rente direta na conduo varia de centenas de mA, para diodos de baixa potncia,
at centenas de A, para diodos de alta potncia. Da mesma maneira, a faixa de va-
lores da mxima tenso inversa de pico situa-se entre dezenas de V e centenas de V
ou, mesmo, at milhares de V.
Na Fig. 2.24, vemos trs diodos retificadores comerciais' , um de baixa po-
tncia, outro de potncia mdia, um terceiro de alta potncia.

Fig.2.24. Trs diodos retificadores comerciais da IBRAPE: BY127, OA31, BYY15.


Na rabo 2.1, a seguir, so dados os principais valores-limite para uma srie de
diodos comerciais da IBRAPE: corrente na conduo, tenso inversa de pico e da-
dos referentes dissipao mxima. Damos tambm valores da corrente de fuga, a
uma certa temperatura, para uma certa tenso inversa, e valores de tenso direta pa-
ra uma certa corrente direta, o que equivale a fixar dois pontos da curva caracte-
rstica do dodo, pontos esses que so tpicos para a faixa de funcionamento normal
do diodo.

O leitor deve atentar para a possibilidade de alguns dos componentes comerciais cita-
dos a seguir terem-se tornado obsoletos; este fato no invalida os exemplos prticos oferecidos
aqui e no decorrer do livro, j que componentes com caractersticas semelhantes devero exis-
tir no mercado. A esse respeito, recomendamos ao leitor ler a observao contida no Prefcio.
Notamos ainda que existem no comrcio pontes retificadoras num nico invlucro, o
, que evita a necessidadede montar um circuitoretificador completo. Um exemplo a ponte re-
tificadora de onda completa BY179 da IBRAPE, composta de quatro diodos de Si e utilizada
para as aplicaes comuns de retificao: aceita tenso eficaz de entrada de at 280 V, fornece
corrente mdia at 1 A, e funciona em freqncias at 400 Hz.
N
11.I
<,
tl

Tab. 2.1. Quadro Comparativo de Alguns Diodos Reticadores Comerciais da mRAPE tl
O
~lT1
ESPECIFICAES MXIMAS CARACTEIw.)TICAS
:::!
::!!
Corrente inversa Queda de tenso na
Tenso
~
Corrente Kjuno Tfmdx. conduo tl
Diodo mdia na inversa invlucro (OC) O
:!J
conduo pico (V) (OC/W)
-ID(mA) para - VD(V) e TI (oC) + VD(V) paraID(A)
(A)

BY127 1 800 150 <0,01 1.250 25 <1,5 5

BYZ13 6 200 6,0 ISO <0,6 200 125 1,4 5

Si BYX13/1.200 20 600 1,1 150 <1,4 600 125 2 100

BYY15 40 400 1,0 150 <2 400 125 1,8 200

BYX14/1.200 150 600 0,28 190 15 600 175 1,8 750

Ge OA31 12 85 5 75 <4 85 75 <0,7 12

81
56 ESTUDO DOS D/DO OS / CAPo 2

2.3. mODO ZENER

2.3.1. FUNCIONAMENTO

Conforme vimos, no pargrafo 2.1, a diferena essencial entre o diodo retifi-


cador e o Zener deve-se ao fato de que o primeiro no deve atingir a zona Zener,
sob pena de possvel destruio, enquanto o segundo projetado e fabricado para
trabalhar nesta regio. Tentemos agora explicar o motivo do aparecimento desta
regio Zener.
Quando o diodo polarizado inversamente, circula no mesmo uma corrente
muito pequena, a corrente de fuga. medida que a tenso inversa cresce, cresce
tambm o campo eltrico existente na regio de transio. Esse campo pode
acelerar suficientemente os eltrons livres, fazendo com que estes adquiram bastan-
te energia para provocar, por choque, o rompimento de ligaes covalentes. Consi-
deremos, no incio, a situao de um eltron livre. Este, sofrendo acelerao do
campo eltrico, rompe uma ligao covalente e passam a existir agora, em vez de
um, trs portadores de carga - I buraco e 2 eltrons. Esses 2 eltrons podem ser
acelerados e provocar, por sua vez, a quebra de 2 outras ligaes, fornecendo agora
7 portadores - 4 eltrons e 3 buracos. Em pouqussimo tempo, h, ento, uma
multiplicao de portadores de carga, uma avalanche, e a corrente aumenta, sendo
limitada somente pela resistncia externa do circuito: a tenso nos bornes do diodo
se mantm aprox.iJnadamente constante, o que indica que o diodo tem nessa regio
uma resistncia muito pequena. Esse tipo de fenmeno chamado ruptura do
juno por avalanche ou, mais simplesmente, ruptura por avalanche.
Dependendo da construo da juno, da tenso aplicada e da corrente, pode
produzir-se uma ruptura, mesmo que os eltrons livres no tenham sido acelerados o
suficiente para romper ligaes covalentes. o caso em que o campo eltrico pro-
duzido pela aplicao da tenso inversa suficiente para provocar, por ele mesmo, a
quebra de ligaes covalentes e, portanto, a multiplicao rpida dos portadores de
carga: esse tipo de ruptura chamado ruptura Zener, e o ponto no qual se inicia a
tenso Zener. Nesse caso, tambm a corrente aumenta bruscamente e a tenso no
diodo se mantm quase constante.
Praticamente, a ruptura por avalanche distingue-se da ruptura Zener pelo seu
coeficiente de temperatura, explicado adiante. Costuma-se chamar de regio Zener
e tenso Zener regio e tenso, nas quais a corrente inversa do diodo cresce
rapidamente e a tenso se mantm praticamente fixa, qualquer que seja o motivo
fsico real da ruptura. Em qualquer caso, o diodo sempre chamado diodo Zener.

Fig. 2.25. Smbolos grficos de um diodo Zener.


2.3/01000 ZENER 57

Apresentamos, na Fig. 2.25, os smbolos usados para representar o diodo


Zener num diagrama esquemtico, observando-se que no existe um nico smbolo,
como no caso do diodo retificador. Como no h acordo entre os diversos autores e
fabricantes, recomendamos e utilizaremos neste livro o primeiro smbolo represen-
tado na figura.

2.3.2. ESPECIFICAOES DA TENSO ZENER

Existem diodos Zener comerciais com tenses Zener variando de alguns volts
at centenas de volts. Como se deseja, para a utilizao prtica desse dispositivo,
que a regio da ruptura seja bem definida e que a tenso se mantenha a mais cons-
tante possvel durante a ruptura, prefere-se fabricar os diodos Zener com Si em vez
de Ge, j que a regio da ruptura dos. diodos de Si mais definida, conforme foi ve-
rificado na Fig. 2.7.
Cada diodo Zener comercial tem a sua tenso Zener caracterstica. Entretan-
to, essa tenso varia ligeiramente com a corrente, pois a caracterstica no exata-
mente vertical. Por exemplo, para o diodo OAZ203 (Fig. 2.26), o fabricante forne-
ce os seguintes dados, sendo lz a corrente Zener e Vz a tenso Zener mdia:
para -lz = 1 mA - Vz = 6,2V
para - lz = 5 mA - Vz = 6,3 V
para - lz = 20 mA - Vz = 6,4 V .

-V(VI 8 1 6 5 4 :3 2
, 1
f
,
I .1
I

I
5
I
I
10
I I
I I
I I
I I
I.
20
I I
I
I I
I I
11 I
30
I
I
I
I
I
I I
I
40
-rImA)

Fig.2.26. Curva caracterstica inversa do diodo Zener OAZ203.

Falamos acima em tenso Zener mdia, porque os valores da tenso Zener va-
riam para o mesmo tipo de diodo de uma unidade para outra, dentro das tolerncias
de fabricao que podem ser 10%, 5%, 1% ou ainda menores, dependendo do tipo.
Isso obriga o fabricante a fornecer valores mnimos, mdios e mximos para a ten-
so Zener, conforme mostram a Fig. 2.26 e o quadro da pgina seguinte.
58 ESTUDO DOS DIODOS / CAPo 2

Diodo OAZ203

Caractersticas a 250C

Tenso Zener para Valores tpicos


mino md. mx.
-lz = 1 mA - Vz =5,8 6,2 6,6V
-lz = 5 mA - Vz = 6,1 6,3 6,8V
-lz = 10mA - Vz =6,1 6,4 6,9V

Vemos, na Fig. 2.27, as curvas caractersticas de trs diodos Zener comercasi.:


OAZ201 (Vz mdia a 5 mA = 5,6 V), OAZ203 (Vz mdia a 5 mA = 6,3 V) e
OAZ213 (Vz mdia a 5 mA = 12,2 V)1 .

~v(V) 14 12 10 8 6 4 2
O

"'/ /
.gj 20
0/ r<>
22 1

N N
V <
~ o 40

/
I I
I I
I
60
I
,
I

80
-I
(mA)

Fig, 2.27. Curvas caractersticas de trs diodos Zener.

2.3.3. IMPEDNCIA DINMICA

o fato de a tenso Zener no se manter exatamente constante com a variao


da corrente inversa indica que o diodo Zener no tem, na regio inversa, uma resis-
tncia nula, mas apresenta uma certa resistncia, embora baixa, a mpedncia din-
mica, a qual corresponde inclinao da caracterstica.

1 Apenas para facilitar a notao, no estarnos aqui colocando os sinais negativos mas o
leitor deve entender - lz e - Vz.
2.3/01000 ZENER 59

A impedncia dinmica varia de um diodo Zener para outro, dependendo da


sua tenso Zener, e, para o mesmo diodo, varia com a corrente. Para tenso Zener
baixa (por exemplo, do diodo OAZ201 da Fig. 2.27), a mpednca R, alta para as
baixas correntes, no sendo reto o joelho da curva: o diodo OAZ201 tem Rz =
= 340 n para lz = 1 mA. Quando a corrente cresce, a caracterstica se aproxima de
uma linha vertical e a mpednca dinmica diminui; para o mesmo diodo, temos
Rz = 40 n para lz = 5 mA, e Rz = 4,7 n para lz = 20 mA. Os valores acima de
Rz so valores mdios correspondendo s tenses Zener mdias.
Para diodos de Vz mais elevados, nas baixas correntes, Rz mais baixo, por-
que o joelho da curva quase reto: Rz = 21 n para 1 mA, para o diodo OAZ213.
Mas, quando a corrente se eleva, a caracterstica no to vertical quanto aquela
dos diodos de baixa tenso e a impednca maior para diodos de alta tenso: 7 n
para 20 mA, para o diodo OAZ213.
Como, do ponto de vista dos circuitos que utilizam diodos Zener, geralmen-
te mais interessante ter diodos cuja mpednca dinmica seja a menor possvel, a
fun de obter a mnima variao de tenso, quando a corrente se modifica, deve o
projetista ter cuidado na escolha do diodo e da corrente de operao.

2.3.4. EFEITO DA TEMPERATURA

Conforme vimos no Capo I, muitas das caractersticas dos dispositivos sem-


condutores dependem da temperatura. E a tenso Zener tambm sofre variaes?
Em que sentido?
A resposta primeira pergunta afirmativa: a tenso Zener varia com a tem-
peratura. O sentido da variao depende do efeito causador da ruptura: se a ruptura
for por avalanche, a tenso Zener cresce com a temperatura, isto , o coeficiente de
temperatura da tenso positivo. Se a ruptura for do tipo Zener, a tenso Zener
decresce com a temperatura: o coeficiente de temperatura negativo.
Nas aplicaes prticas, se a temperatura do equipamento, na qual vai ser uti-
lizado o diodo Zener, variar, importante saber em que sentido vai variar a tenso
Zener e, s vezes, procura-se um ponto tal que esta tenso no varie ou, pelo menos,
varie o mnimo possvel, isto , um ponto no qual o coeficiente de temperatura seja
nulo. Esse coeficiente de temperatura varia para cada diodo, pois depende da ten-
so Zener, e, para um mesmo diodo, varia com a corrente no qual ele operado.
Os diodos com tenses Zener maior que aproximadamente 6 volts, tm coefi-
ciente de temperatura positivo, conforme vemos na Fig. 2.28; os diodos com ten-
ses menores que aproximadamente 4,5 volts tm coeficiente de temperatura nega-
tivo (Fig. 2.29). Por exemplo, o dodo OAZ203, com tenso Zener mdia de 6,3 V,
tem os seguintes coeficientes de temperatura: para lz = 1 mA, + 0,5 mV/oC, o que
significa que a tenso Zener cresce de 0,5 mV para cada grau centgrado de aumen-
to da temperatura. medida que a corrente cresce, o coeficiente de temperatura
tambm aumenta:

para-lz =5 mA coeficiente de temperatura = + 1,7 mV 1C;


para-lz = 20 mA coeficiente de temperatura = + 2,6 mV/oC.
60 ESTUDO DOS DIODOS / CAPo 2

Para diodos de tenso mais elevada, o coeficiente tambm mais elevado. Por
exemplo, o dodo OAZ213 com tenso Zener mdia = 12,2 V tem os coeficientes:

para - lz = 1 mA coeficiente de temperatura =


+ 9,2 mV/oC;
para - lz = 5 mA coeficiente de temperatura = + 9,3 mV 1C;
para+J, = 20 mA coeficiente de temperatura = + 9,4 mV 1C.

-V(V) 8 7 6 5 4 :3 2 10 -V(V) 7 6 5 4 3 2 J. OO

2
f.#' 2

4 4

6 6

8 8

10 10

12 1.2

14 14
-550, ~ 55
16 16
25"1 '-'-- 25
18 18
100' c i 100" C
20 20
-I -I
(mAl (mA)

Fig. 2.28. Variao da curva caracterstica Fig. 2.29. Variao da curva caracterstica
de um diodo Zener com a temperatura de um diodo Zener com a temperatura
(coeficiente positivo). (coeficiente negativo).

Para diodos cuja tenso Zener compreendida entre 4,5 e 6 volts, o coeficien-
te de temperatura passa de negativo a positivo, medida que a corrente cresce (Fig.
2.30). Por exemplo, o diodo OAZ20l - tenso mdia 5,6 V - tem os seguintes
coeficientes:
para Iz = 1 mA -18 , mV/oC,
para lz = 5 mA -0,6mV/oC;
para Iz = 20 mA + 1,0 mV/oC.
Torna-se possvel, ento, segundo as indicaes do fabricante, saber qual ser
a variao da tenso Zener na faixa de temperatura prevista para o funcionamento
do aparelho, de acordo com a corrente fixada que atravessa o diodo e, em casos es-
peciais, escolher a corrente de operao de tal modo que o coeficiente de tempera-
tura seja o mais prximo possvel de zero. Por exemplo, no caso do OAZ201 citado
acima, escolher-se-ia uma corrente compreendida entre 5 a 20 mA, intervalo no qual
O coeficiente de temperatura, passando de negativo a positivo, anula-se em algum
ponto.
2.3/ DIODO ZENER 61

,
-vM 7 6 5 4 3 2 i O
;#.~ --- -5' O

<,
-,
"- i'- 25

100 De
e
e
2
4

6
8

10

12
14
-550
16
250
18
J.OO F
20
-I
(mA)

Fig. 2.30. Variao da curva caracterstica de um Zener com a temperatura (coeficientes positi-
vo" nulo e negativo).

Exerccio 2.3

A partir de uma tenso de 12 volts, deseja-se obter urna tenso constante de 6 volts numa
resistncia de 300 n. Escolher o diodo Zener a utilizar e a resistncia em srie, procurando oti-
mizar o projeto do ponto de vista do coeficiente de temperatura e da impedncia dinmica.
Soluo. O circuito utilizado representado na Fig. 2.31.

R
+

J.2V

Fig.2.31. O circuito do Exerc. 2.3.

Fazendo o projeto com o valor desejado da tenso Zener, 6 V, a corrente ti ser:

. 6V
/1 = 3'n = 20 mA.
A corrente iz depende do ponto de funcionamento escolhido para o diodo e, portanto, a
corrente ie a resistncia R tambm vo depender dessa escolha.
62 ESTUDO DOS OIOOOS / CAP. 2

Entre os diodos Zener fabricados pela IBRAPE, encontramos trs que oferecem uma ten-
so prxima de 6 volts, para algum valor da corrente. As caractersticas desses trs diodos so
listadas a seguir:
Tenso Zener Na .Coeficiente Impedncia
Diodo Mnima Mdia Mxima corrente de dinmica
(V) (V) (V) de temperatura mdia

BZZI0 5,3 6,0 6,6 lmA '-1,0 mVfC 2800


OAZ201 5,6 5:J 6,2 20 mA +I,OmVf'C 4,7 O
OAZ202 5,6 6,0 6,3 5mA +0,8mVfC 30 O

Cada um dos diodos oferece uma vantagem definida: o BZZIO pede menor corrente
(1 mA), o OAZ201 tem menor impedncia (4,7 n), o OAZ202 tem menor coeficiente de tem-
peratura (0,8 mVfC). Qual ser ento a nossa escolha?
Se a capacidade da fonte de 12 V for limitada (pouco superior aos 20 mA necessrios pa-
ra a carga), seremos obrigados a usar o BZZlO que tem, entretanto, alta impedncia dnmica
(justamente por trabalhar numa regio de baixa corrente, junto ao joelho da caracterstica) e al-
ta tolerncia de fabricafo (tenso Zener variando de S.3 a 6,6 V). Se no houver esse tipo de
limitao para a fonte, ser prefervel escolher o OAZ202, em 5 mA, ou mesmo o OAZ201 em
20 mA, embora, nesse ltimo caso, seja necessrio observar que o diodo estabilizador est soli-
citando tanta corrente da fonte quanto a carga.
Sendo os coeficientes de temperatura desses dois diodos muito prximos, a escolha
poder ento recair sobre o OAZ201, que oferece menor impedncia dinmica (justamente por
trabalhar numa regio de corrente mais alta). Supondo que a temperatura ambiente possa va-
riar de 25C a 75C (~T=50C), a variao de tenso ser de 50 X 1 mV =50 mV e as tenses
extremas, em 75C, sero 5,65 Ve 6,25 V.
12-6
Nesse ltimo caso,iz =20mA,i=il +iz =40mA eR =--;w- = 150 n.
Verificamos, ento, que, nesse tipo de projeto, necessrio adotar um compromisso en-
tre diversos fatores: consumo de corrente, estabilidade desejada, faixa de temperatura na qual o
circuito vai funcionar.

2.3.5. LIMITAOES

As limitaes do diodo Zener so: a corrente mxima direta - caso venha a


trabalhar naquela regio - ,a corrente mxima inversa e a mxima dissipao. Esse
ltimo dado muito importante e depende da temperatura na qual o diodo vai ope-
rar; para os diodos de potncia, depende tambm dos meios utilizados para dissipar
O calor produzido, conforme j assinalamos no caso dos diodos retificadores e con-
forme ser visto com detalhes no apndice. .
Quando se necessita de tenso Zener elevada, prefere-se, s vezes, colocar v-
rios diodos de baixa tenso em srie, em vez de usar um diodo de alta tenso, pois
esses ltimos tm coeficiente de temperatura maior, hnpedncia dinmica maior e
necessitariam ser de dissipao maior. Os diodos de baixa tenso em srie podem
ter dissipaes mais baixas, por dividirem entre si a dissipao total.
Notamos que existem diodos Zener de tolerncia muito pequena, em relao
tenso, e de grande estabilidade, em relao temperatura, que servem como ele-
mentos de referncia de grande preciso. So constitudos geralmente de dois ou
trs diodos em srie colocados no mesmo invlucro, sendo um ou dois no sentido
direto, a fm de conseguir uma compensao dos efeitos de temperatura.
2.3/ DIODO ZENER 63

2.3.6. APLICAES

Inmeras so as aplicaes do dodo Zener, substituindo, nos circuitos transis-


torizados, a sua correspondente em equipamentos a vlvula, a reguladora de tenso
VR. O aproveitamento da caracterstica da regio Zener (tenso constante com cor-
rente varivel) leva, com efeito, aplicao mais importante do diodo Zener: regu-
lao de tenso em fontes reguladas. Entre outras aplicaes, citamos: como chave,
em circuitos limitadores, em circuitos de estabilizao da polarizao de transisto-
res, na proteo de circuitos, na proteo de medidores, na supresso de fascas e na
regulao de tenso alternada.

2.3.6.1. Proteo de Circuitos

Os circuitos eltricos e eletrnicos costumam ser protegidos contra sobrecar-


gas de tenso ou corrente por fusveis que interrompem a corrente quando esta ul-
trapassa um valor prefixado. Em certos casos, torna-se difcil escolher um fusvel
que interrompa o circuito no momento de uma sobrecarga e, ainda assim, no che-
gue a fundir quando operado continuamente no valor mximo de corrente, perto da
sobrecarga.
Uma soluo para esse problema consiste em escolher um fusvel que esteja a
fastado do ponto de fuso, quando o circuito operar no valor mximo de corrente,
e colocar em paralelo com a carga um diodo Zener com tenso um pouco superior
tenso mxima permissvel para a carga (Fig, 2.32). Havendo um surto! de volta-
gem, essa tenso ultrapassada, atingida a tenso Zener, o diodo oferece uma re-
sistncia muito menor que a carga, a corrente aumenta muito e funde o fusvel que
abre o circuito.

RESISTNCIA
FusVEL

DE PROTEO

Fig. 2.32. Diodo Zener em proteo de circuitos.

2.3.6.2 .. Proteo de Medidores

Uma aplicao baseada no mesmo princpio exposto acima a proteo de


medidores com diodo Zener: para evitar que uma tenso alta demais possa ser apli-
cada inadvertidamente a um medidor colocado numa escala baixa, podendo danifi-
car O sensvel sistema de medio, coloca-se um diodo Zener em paralelo com o me-
I A palavra "surto", no sentido de "impulso", "arrancada", traduz a palavra inglesa
surge, sendo, s vezes, utilizada nas folhas de especificaes de componentes.
64 ESTUDO DOS D IODOS I CAPo 2

didor, cuja tenso pouco maior que a tenso mxima aceitvel; ultrapassada esta
tenso, o diodo Zener conduz e, praticamente, toda corrente passa por ele, deixan-
do o medidor fora do circuito (Fig. 2.33).
+

Fig. 2.33. Diodo Zener em proteo de medidores.


2.3.6.3. Supresso de Fascas

Quando so interrompidos circuitos em que existem cargas indutivas (trans-


formadores, rels, solenides), aparecem oscilaes transitrias com amplitudes que
podem ultrapassar o valor normal de funcionamento e provocar fascas nos contatos
do interruptor. Para evitar a aplicao dessas altas tenses ao circuito e o faisca-
mento dos contatos, pode-se colocar um diodo Zener em paralelo com a carga indu-
tiva, com uma resistncia de proteo em srie, para absorver a oscilao, tanto com
alimentao DC (Fig. 2.34) ou AC (Fig. 2.35)

+~

Fig. 2.34. Diodo Zener em circuito de su- Fg. 2.35. Diodo Zener em circuito de su-
pressode fascas (alimentao OC). pressode fascas (alimentao AC).

2.3.6.4. Regulao da Tenso Alternada

Quando a rede de alimentao AC varia a sua tenso, o efeito pode ser preju-
dicial em muitos casos, citando-se como exemplo a alimentao de filamentos de
vlvulas osciladoras - uma vez que a freqncia de oscilao se desloca com a varia-
o da tenso da rede - e a alimentao de lmpadas fornecedoras de luz para clu-
las fotoeltricas - porque uma ligeira variao da tenso da rede modifica a intensi-
dade luminosa da lmpada e a resposta da clula fotoeltrica.
Para diminuir essas variaes, usam-se dois diodos Zener em oposio (Fig.
2.36). No semiciclo positivo, o diodo de cima entra na regio Zener quando a ten-
2.3/ DIODO ZENER 65

so alternada iguala a tenso de ruptura, estando o outro sempre polarizado direta-


mente e funcionando praticamente como um curto circuito. No semcclo negativo,
o diodo de cima funciona como um curto e o de baixo limita a tenso no valor Ze-
ner. Quando a tenso AC altera seu valor, seja para mais ou menos, os diodos Zener
limitam a onda de tenso sempre nos mesmos valores. fixados pelas suas tenses Ze-
ner. v

,, ,
\
I \
I \

\ I
\
\ I
(o) \ I (b )
,-
Fis- 2.36. Diodos Zener em circuito de regulao de tenso alternada e formas de onda na
carga.

2.3.7. mODOS ZENER COMERCIAIS


Existem diodos comerciais com tenses Zener variando de alguns volts at
centenas de volts, dissipaes permissveis variando de algumas centenas de mW at
alguns W e correntes mximas de algumas centenas de mA at dezenas de A.

Fis.2.37. Trs diodos Zener comerciais da Ibrape: OAZ201, BZZIO, BZZ14.


Vemos, na Fig. 2.37, o aspecto de tres diodos Zener e apresentamos a seguir
um quadro comparativo de alguns diodos Zener da Ibrape com seus principais valo-
res caractersticos.
81

Tab. 2.2. Quadro Comparativo de Alguns Diodos Zener Comerciais da IBRAPE

CARACTERSTICAS A 25C

Tenso Zener
Para cor- Impedncia Para cor- Coeficiente de Para cor- Dissipao
Diodo rente Zener dinmica R rente Zener temperatura rente Zener (mW)
Mnima Mdia Mxima -lz(mA) (n) -lz (mA) (mVfC) -lz (mA)
(V) (V) (V)

BZZI0 5,3 6P 6,6 1 27 5 +1,0 5 280

OAZ201 5,2 5,6 6P 5 45 5 -0,6 5 320

OAZ202 5,6 6,0 6,3 5 24 5 +0,8 5 320

OAZ203 6,1 6,3 6,8 5 9,5 5 + 1,7 320


~
5

O
O
OAZ213 9,4 12,2 15,3 5 12 5 +9,3 5 320
~
O
Mfn. Mx.

BZZ14 5,3 5,6 6,0 20 <13 20 -0,4 +2,5 20 8W O
O
ti)
....
~
:'b
I\l
2.4/ DIODO TONEL 67

2.4. mODO TNEL


Estudamos em detalhe o comportamento de uma juno PN, salientando as
baixas concentraes de impurezas utilizadas, conduzindo a larguras das regies de
transio da ordem de, por exemplo, 5 mcra' (5j.l). Se:por outro lado, utilizarmos
dopagens muito mais elevadas do que as normalmente utilizadas para os diodos de
juno, a largura da regio de transio se reduzir drasticamente, alcanando largu-
ras de apenas centsimo de micron (0,0 If..l). Na realidade, o comportamento de um
diodo assim constitudo totalmente diferente do diodo de juno estudado, pois
existe elevada probabilidade de um eltron "passar" atravs da barreira de poten-
cial, sendo este fenmeno conhecido pelo nome de Efeito Tnel. Em conseqncia,
os diodos assim projetados so chamados de diodos tnel.

2.4.1. FUNCIONAMENTO

A perfeita compreenso do mecanismo interno de funcionamento de um dio-


do tnel difcil, pois exige conhecimento de Mecnica Quntica, estando fora do
alcance deste livro. Vamos, portanto, focalizar nossa ateno no no mecanismo in-
terno que se processa, mas no comportamento externo apresentado pelo dispositi-
vo.
Na Fig. 2.38, apresentamos a curva caracterstica de um diodo tnel.

POLARIZAAO [ POLARIZAAo
INVERSA 4- --'DIRETA

Fig. 2.38. Curva caracterstica de um diodo tnel.

medida que a tenso direta vai aumentando, a partir da origem, a corrente


vai aumentando, comportando-se o dispositivo quase como se fosse um resistor de
baixo valor de resistncia. Quando atingida a tenso Vp, chamada de tenso de
pico, a corrente cai bruscamente, apresentando o dispositivo uma regio de "resis-
tncia negativa", isto , uma regio em que medida que a tenso aumenta a cor-
rente diminui. Na realidade, esta regio estende-se desde o ponto A (caracterizado

I Micra = plural de rncron (1 mCIOn = 10 -4 em).


68 ESTUDO DOS D/ODOS / CAPo 2

por Vp e Ip) at o ponto B (chamado de ponto de vale! , caracterizado por Vv e Iv);


os parmetros Vv e I v so, respectivamente, chamados de tenso e corrente de vale.
A partir do ponto de vale, a corrente passa novamente a subir e pode ser veri-
ficado, na Fig. 2.38, que, para a tenso Vd (chamada de tenso direta de pico), o
dispositivo atinge novamente a corrente Ip.
Observamos de imediato que, para urna dada corrente, entre Iv e Ip, trs valo-
res de tenso so possveis para o diodo tnel, enquanto que para uma dada tenso,
um nico valor de corrente possvel, sendo este fato ilustrado na Fig. 2.39. O fato
de trs nveis diferentes de tenso serem possveis para urna mesma corrente que
possibilita o uso do diodo tnel em circuitos digitais.
1

I
I
--------+ I
I
I

v
v.'.2

Fig. 2.39. Ilustrao do fato de a uma mesma corrente corresponderem 3 valores de tenso, em
um diodo tnel.

Na Fig. 2.40, apresentamos o smbolo grfico utilizado para representar um


diodo tnel.

Fig. 2.40. Smbolo grfico utilizado para representar um diodo tnel.

Entre as caractersticas mais importantes de um diodo tnel, podemos citar a


corrente de pico (Ip), a tenso de pico (Vp), a razo entre as correntes de pico e de
vale e a capacitncia total dajuno.
A Tab. 2.3 apresenta os valores tpicos desses parmetros, para 3 diodos tnel
fabricados com materiais diferentes.

1 o nome vale provm da analogia com o "vale de uma regio montanhosa".


24/ DIODO TNEL 69

Tab. 2.3. Parmetros tpicos de 3 diodos tnel fabricados com materiais diferentes.

Material Ip (mA) Ip/lv Vp(mV) Cj (pF)

Germnio 1,0 4,4 65 7,0

Silcio 0,10 2,5 75 80

Arsenieto de
10 10 160 20
glio

Normalmente, na maioria das aplicaes dos diodos tneis, procura-se uma al-
ta razo I p/I v e conseqentemente, conforme se pode verificar na tabela, a grande
maioria feita de germnio e de arsenieto de glio, uma vez que difcil obter altas
razes Ip/lv utilizando o silcio.

2.4.2. APLICAES

A seguir, vamos analisar o comportamento de um circuito que utiliza um dio-


do tnel e verificar o deslocamento do ponto de operao do dispositivo, caracteri-
zando os circuitos biestvel, monoestvel e astvel.
Na Fig. 2.41, apresentamos um circuito bsico, sendo possvel variar tanto
Vcc como Rj .

Fig. 2.41. Circuito bsico utilizando um diodo tnel. O sinal v T o sinal de disparo (trigger)
e o indutor L adicionado para tornar menor o tempo de comutao do circuito.

Na Fig. 2.42, apresentamos o caso em que Vcc e R L foram escolhidos de tal


forma que a reta de carga correspondente intercepta as regies de resistncia positi-
va nos pontos P, e P1.
Verificamos de imediato que existem dois pontos de operao estveis, PI e
P2; quanto ao ponto M, sobre a regio de resistncia negativa, obviamente trata-se
de um ponto instvel.
70 ESTUDO DOS D/ODOS / CAP. 2

-.,.----..-

Vcc V

Fig. 2.42. Ilustrao do comportamento biestvel de um circuito com diodo tnel. A reta de
carga intercepta as 2 regies de resistncia positiva ..

Suponhamos que o diodo est no ponto de operao PI e que um pulso de


disparo (trigger) aplicado ao mesmo, aumentando a tenso V, de tal forma, que a
tenso de pico Vp seja atingida; o diodo tnel disparar, deslocando-se e seu ponto
de operao ao longo da curva tracejada PtARP2; o diodo ficar no ponto Ps at
que um novo comando seja dado. Se agora um sinal de disparo negativo for aplica-
do, tal que a tenso V seja reduzida abaixo da tenso de vale Vv, o diodo comutar
novamente, deslocando-se o seu ponto de operao ao longo da curva P 2 CDP 1 , vol-
tando o dispositivo para o ponto inicial P t
A razo de o ponto de operao se deslocar horizontalmente para a direita, a
partir do ponto A (trecho AR), e para a esquerda, a partir do ponto C (trecho CD),

Vcc V

Fig, 2.43. Ilustrao do comportamento monoestvel de um circuito com diodo tnel. A reta
de carga intercepta apenas uma regio de resistncia positiva.
2.5/01000 COM A CAPACITNCIA DEPENDENTE DA TENSO 71

deve-se ao fato de a corrente no indutor no poder variar instantaneamente; ora, as


transies de A para B e de C para D so muito rpidas e, conseqentemente, o n-
dutor impedir que a corrente varie durante essas transies. Portanto, com tal reta
de carga, o circuito apresentar um comportamento biestvel.
Deixamos a cargo do leitor, ao analisar as Figs. 2.43 e 2.44, estudar o desloca-
mento do ponto de operao para os circuitos monoestvel e astvel.

Fig. 2.44. Ilustrao do comportamento astvel de um circuito com diodo tnel. A reta de car-
ga intercepta apenas a regio de resistncia negativa.

Um comentrio adicional deve ser feito sobre o indutor L. possvel mostrar


que podemos obter um menor tempo de comutao, se o aludido indutor (de or-
dem de 100 nH) for adicionado ao circuito. Caso no haja preocupao com o
tempo de comutao, podemos suprimir tal componente.
Finalizando este estudo, podemos afirmar que entre as vantagens do diodo t-
nel salientam-se a alta velocidade, a boa estabilidade e o baixo consumo, Entre as
suas desvantagens, temos a baixa tenso de sada e o fato de, por ter apenas 2 ter-
minais, no apresentar nenhum isolamento entre a sada e a entrada, o que muitas
vezes cria srios problemas para o seu uso.

2.5. mODO COM A CAPACITNCIA DEPENDENTE DA TENSO

Conforme vimos no Capo I, o diodo de juno apresenta duas capacitncias,


uma de difuso, quando polarizada diretamente, e uma de transio, quando polari-
zada inversamente. Essa ltima se origina por causa do espaamento existente entre
os portadores de carga, repelidos pelo campo eltrico criado pela polarizao. Pode-
se, ento, fazer a analogia do diodo com um capacitor, sendo as placas do mesmo,
as extremidades da regio de transio, e o dieltrico , o material semicondutor em
tomo dajuno. .
Sabemos que a capacitnca de um capacitor inversamente proporcional
espessura do dieltrico, ou seja, largura da regio de transio. Essa largura depeno
72 ESTUDO DOS OIOOOS / CAPo 2

de da tenso aplicada: quanto maior a tenso, maior o campo eltrico, maior o afas-
tamento dos portadores, maior a "espessura do dieltrico" e, portanto, menor a ca-
pactncia do diodo, conforme o estudado na Seo 1.3.7.3.
O diodo construido para trabalhar dessa maneira, o chamado diodo com ca-
pacitncia dependente da tenso, e, dependendo do fabricante recebe nomes par-
ticulares, como Varactor, Varicap, Varactron e, tendo em vista a sua aplicao em
sintonizadores, chamado tambm de Tuner. Na Fig. 2.45, apresentamos o smbolo
grfico utilizado para representao dos diodos com capacitncia dependente de
tenso.

Fig.2.45. Smbolo grfico do diodo com capacitncia dependente da tenso.

Como exemplo de um varactor, apresentamos a seguir os dados do BBI06, da


IBRAPE, que um diodo encapsulado em um invlucro plstico, cujas dimenses so
apresentadas na Fig. 2.46.

CATaDO

2~[TI
LI-2,JI
~2,9~

dimenses em mm

Fig.2.46. Detalhes do invlucro do Varactor BB106, da Ibrape (dimenses em mm).

Na Fig. 2.47, apresentamos a curva tpica de variao da capacitncia com a


tenso inversa aplicada, verificando-se que, para variaes da tenso inversa de 1 a
10 volts, a capacitncia varia de aproximadamente 35 pF aIO pF.
2.5/0/000 COM A CAPAC/TNC/A DEPENDENTE DA TENSO 73

30

20

.tt.
/0

O
0,/ /0 VR(V) 100

Fig. 2.47. Curva de variao da capacitncia, em funo da tenso inversa para o Varactor
BBI06, da Ibrape.

A seguir, resumimos as caractersticas mais importantes a considerar no uso


dos varactores, exemplificando-as para o BB 106 ..

Tenso inversa contnua VR mx =28V

iVR = 3 V, CD > 20 pF
Capacitncia para!= 0,5 MHz
lV = 25 entre 4
R V,CD e 5,6 pF

Corrente inversa para VR = 28 V IR <50mA

CD (VR = 3 V)
Razo de capacitncias CD (VR - 25 V) = 4,5 a 6,0.

Entre as aplicaes dos diodos com capactncia dependente da tenso, .


podemos citar o controle automtico de freqncia em receptores de televiso, mo-
dulao de freqncia, multiplicao de freqncia nas faixas de VHF -UHF , gerao
de harmnicos, amplificadores paramtricos, sintonia de osciladores etc.
Como exemplo de uma aplicao dos varactores, apresentamos na Fig. 2.48,
o uso do varactor BBI06, em seletor de canais a varactor, sendo esta unidade conhe-
cida comercialmente como Selectronic.
r ----------------------------~---------------------------------~
\/ I \/ \/ I

I V VI
I
r------------...J
I
1 r-I------------------I--I--I-J
: i 11--
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
li !
L----------------J.----11'ENTbA-I~G----{t----I~L~~------~1t--i~E;So------SA(A;It-
UHF 12V ALlMENTAAO
12V DESINTONlA FI
COMUTA~ BANDA

Fig. 2.48. Uso do varactor BB106 em um seletor de canais a varactor (Selectronic). Cortesia da
Ibrape,
2.6 /OUTROS DIODOS '75

2.6. OUTROS DlODOS

2.6.1. DIODO STEP RECOVERY

Suponhamos que temos um diodo diretamente polarizado e queremos leva-lo


para o estado de corte. J verificamos que os portadores em minoria esto acumu-
lados nas proximidades da juno, conforme mostramos na Fig. 1.34. Para levar o
diodo ao corte, temos que, inicialmente, remover este excesso de portadores e, a se-
guir, ,carregar a capacitnca da juno (capactnca de transio) para o valor da
tenso inversa presente. Evidentemente, estes dois processos levam um certo tempo
para serem completados, conduzindo ao chamado "tempo de recuperao" do dio-
dOI.

Por outro lado, possvel, projetando adequadamente o diodo, fazer com que
os portadores fiquem acumulados em uma regio muito pequena, bem nas proximi-
dades da juno; alm disto, tomando cuidados especiais no sentido de alcanar
uma baixa capacitnca de transio, conseguimos obter um diodo que possui um
tempo de recuperao diminuto; tais diodos so chamados de Step Recovery ou
Snap-off', e so muito utilizados para gerar formas de ondas rpidas e pulsos de
curta durao.

2.6.2. DIODO BACK

Ao estudarmos o diodo tnel, analisamos a sua curva caracterstica, verifican-


do a existncia da corrente de pico (Ip) e de uma corrente de vale (Iv). fcii, pois,
imaginar um diodo tnel, em que, por escolha adequada do material semicondutor e
das dopagens utilizadas, a corrente de pico Ip seja da mesma ordem de grandeza da
l,mA
5

1.

0,1 0,1

Fig. 2.49. Curva caracterstica de um diodo inverso.


I Em ingls, diode recovery time.
76 ESTUDO DOS D/ODOS / CAPo 2

corrente de vale Iv. Evidentemente, a curva caracterstica de tal diodo ter ento o
aspecto apresentado na Fig. 2.49, conforme o leitor pode verificar observando a
Fig. 2.38 e supondo que a corrente I p comea a se reduzir, e aproximar-se de Iv.
A primeira concluso que tiramos que um diodo assim fabricado conduz
melhor a corrente com polarizao inversa do que com polarizao direta; da este
diodo ser chamado de diodo inverso, ou diodo Backward ou simplesmente diodo
Back. Como normalmente estes diodos so utilizados na regio do 30 quadrante
(regio inversa), os catlogos geralmente apresentam sua curva caracterstica como a
da Fig. 2.50.
s l,mA

Fig. 2.50. Curva caracterstica de um diodo inverso, como normalmente apresentada pelos
fabricantes.

o leitor no deve esquecer que este um dispositivo de efeito tnel e que as


altas correntes que circulam com a polarizao inversa so resultantes do efeito t-
nel, um fato que no acontece com os diodos comuns de juno.
Entre as vantagens do diodo Back sobre o diodo comum podemos citar:
a) o diodo Back muito menos sensvel temperatura(- 0,1 mV/oC) do que
os diodos de juno (- 2 mV/C);
b) os diodos de juno s comeam efetivamente a conduzir para uma tenso
direta entre 0,6 e 0,7 V (silcio); conseqentemente, para sinais de pequena ampli-
tude, por exemplo, 300 mV, a eficincia de retificao ser muito pequena, pois os
diodos comuns praticamente apenas iniciaro a conduo; por outro lado, o diodo
Back apresentar uma enorme eficincia para esta aplicao, pois conduz para n-
veis baixssimos de tenso.
Como exemplo de um diodo inverso, mencionamos o AEY31 da Philips, que
um diodo de germnio, previsto para trabalhar como detector, em aplicaes de
baixo nvel, na faixa X de freqncias (8,2 - 12,5 GHz).
2.6 /OUTROS DIODOS 17

2.6.3. DlODO SCHOTTKY

Tivemos oportunidade de estudar detalhadamente os diodos de juno, ana-


lisando todo o comportamento de uma juno P-N. Um outro tipo de diodo, bas-
tante diferente do diodo de juno, o diodo Schottky, que constitudo por uma
camada tipo N sobre a qual depositada uma camada metlica, originando-se, na
interface entre as duas camadas, uma barreira de potencial; esta barreira bloqueia o
escoamento de eltrons at que seja aplicada uma tenso direta adequada, geralmen-
te bem menor que a necessria para levar conduo os diodos de juno.
Entre as vantagens do diodo Schottky sobre o diodo de juno salientamos:
a) o tempo de recuperao nos diodos Schottky bem menor, resultando um
dispositivo duas ou trs vezes mais rpido;
b) a queda de tenso direta bem menor que nos diodos de juno, sendo da
ordem de 0,2 a 0,3 V para diodos de baixa potncia. Por outro lado, os diodos
Schottky de potncia, quando bem construidos, podem apresentar uma queda dire-
ta de apenas 0,6 V para uma corrente da ordem de 100 A, o que obviamente dimi-
nui as perdas no diodo.
Na realidade, h aplicaes em que os diodos Schottky apresentam um com-
portamento extremamente superior ao dos diodos de juno comum, em funo de
sua baixa queda na conduo e reduzido tempo de comutao, salientando-se as
aplicaes em circuitos digitais (gates DTL), circuitos de modelao de pulsos etc.
Por outro lado, a excepcional eficincia de retificao, da ordem de 95% para VHF
e UHF, toma este tipo de diodo ideal para projetos de misturadores e moduladores
que requerem uma ampla faixa dinmica.
Como exemplo de um diodo Schottky, citamos o BAW95E da Philips, bastan-
te utilizado como misturador na faixa X de freqncias.

2.6.4. DlODO PIN

Um diodo PIN, conforme esta sigla sugere, um diodo de silcio que consiste
em uma camada de material intrnseco (alta resistividade), contido entre duas cama-
das fortemente dopadas (baixa resistividade), dos tipos P e N.
Quando esse diodo diretamente polarizado, so injetados portadores de car-
ga (eltrons e buracos) na regio intrnseca I; essas cargas tm um tempo de vida de-
terminado nessa regio, antes de se recombinarem. A existncia dessas cargas, na
regio intrnseca, que determina o valor da condutncia do diodo. Quanto s suas
aplicaes, elas resultam da caracterstica do mesmo com relao freqncia de
operao: a condutncia do diodo permanece praticamente constante, quando se
varia a freqncia, at que se atinja uma freqncia to, funo das caractersticas
dodiodo, quando ento a condutncia comea a cair aproximadamente na razo de
6 dB/oitava. Portanto, podemos visualzar o funcionamento de um diodo tipo
PIN, dizendo que abaixo de to, o diodo se comporta como se fosse um diodo de jun-
ao comum; para freqncias acima de to , o diodo se comporta essencialmente com
uma resistncia pura, cujo valor pode ser controlado por um sinal De. Na Fig. 2.51,
apresentamos a curva que relaciona a "resistncia para radofreqncia" e a corrente
de polarizao para o diodo PIN HP-5082-3OO3, da Hew/ett Packard.
78 ESTUDO DOS 010005 / CAPo2

~b-+-------~~~------------~--~

MrNIMA

CORRENTE DE POLARIZAO

Fig. 2.51. Resistncia para radofreqncia em funo da corrente de polarizao, para o diodo
PIN HP-5082-3003. Cortesia da Hewlett-Packard.

Tendo em vista a caracterstica ilustrada na Fig. 2.51, fica evidente a possibili-


dade de aplicao dos diodos PIN no projeto de atenuadores e de comutadores na
faixa de radofreqncas,
Nas Figs. 2.52 e 2.53, apresentamos os esquemas de atenuadores, tipo srie e
paralelo, respectivamente, usando diodosPIN.

_ POLARIZAO DE CONTROLE

C ~'N
RF," ----11 t--- ....
--- ....
It---- -------4
.... RFOUT

Fig. 2.52. Atenuador de RF tipo srie, usando um diodo PIN. Cortesia da Hewlett-Packard.
2.6 /OUTROS DIODOS 79

RF,N RFOUT

,.IN LZ
L,
I
POLARIZAO DE
C
I CONTROLE

Fig. 2.53. Atenuador de RF tipo paralelo, usando um diodo PIN. Cortesia da Hewlett-Packard.

Como exemplo fmal, apresentamos, na Fig. 2.54, um circuito atenuado r para


controle automtico do ganho (AGC), usando diodosPIN, e, na Fig. 2.55, a corres-
pondente curva relacionando a atenuao com a tenso de AGe, no caso para a fre-
qncia de 45 MHZ.
~~~ ~ U~
~~-----r~~~--~~~
.01 .01
o,
43
11'0
r(OI

+ 111 V +AGC

Fig. 2.54. Atenuador com diodos PIN da srie 5082-3080, para controle automtico de ganho.
Cortesia da Hewlett -Packard.

-r--......
O

10 ....
20 ~

30 \
40 \
~O
O Z 4 6 8 10
TENSO DE A GC (volt.)

Fig. 2.55. Atenuao em funo da tenso de AGe, para o atenuador da Fig. 2.54, para
45 MHZ. Cortesia da Hewlett-Packard.
80 ESTUDO DOS DIODDS / CAPo 2

2.6.5. mODO GUNN


Em 1963, J. B. Gunn verificou o fato de que surgiam oscilaes de micro-
ondas em cristais de arsenieto de Glio e de fosfeto de Indio, quando so aplicados
campos eltricos mais intensos que um certo valor crtico. Este efeito, posterior-
mente chamado de Efeito Gunn, tornou-se amplamente conhecido, pois possibilitou
a gerao de oscilaes de microondas, utilizando dispositivos de estado slido, no
caso os chamados diodos Gunn.
Evidentemente, o projeto e o uso desses diodosGunn exigem um conhecimento
do campo das microondas, o que no o objetivo deste livro. De qualquer maneira,
necessrio o leitor tomar conhecimento de sua existncia e saber que os mesmos
podem ser utilizados no projeto de osciladores de microondas; geralmente so dis-
positivos feitos para trabalhar em uma dada faixa de freqncia (por exemplo, ban-
da X), sendo a freqncia final de trabalho determinada pela caracterstica da "ca-
vidade" que acoplada ao dispositivo.
Como exemplo de diodo Gunn, mencionamos o CXYIIA/B, um diodo de ar-
senieto de Glio, geralmente utilizado para o projeto de osciladores na faixa X de
freqncias.

2.6.6. mODO IMPATT

Os diodos Impatt so diodos especiais, feitos para aplicaes com ondas mi-
limtricas, provindo o nome Impatt da abreviao do nome em ingls IMPact
A valanche Transit Time, nome este que d uma idia do seu funcionamento; de
fato, estes dispositivos so diodos de juno, que operam com suficiente tenso in-
versa para causar avalanche; a associao desse processo de avalanche com o drift
(deriva) dos portadores produz uma regio de resistncia negativa, na faixa de fre-
qncias de microondas. Estes dispositivos so conseqentemente utilizados para
o projeto de osciladores e amplificadores, abrangendo desde as faixas C at a ban-
da KU, de microondas, incluindo 'aplicaes em sistemas de telemetria, sistemas
de aterrissagem e de navegao tipo Doppler, sistemas de alarmas etc.

2.6.7. mODO DE CONTATO DE PONTA

Existe um outro tipo de diodo semicondutor cujo princpio no se baseia na


formao da juno P-N, mas utiliza o contato de um material condutor, que pode
ser ouro ou platina, sobre uma fatia de material semicondutor (Ge ou Si): o cha-
mado diodo de contato de ponta, cuja construo vista na Fig. 2.56. O contato
acima descrito tem propriedades de um retificador, acreditando-se que h formao
de uma pequenssima juno P-N na regio do contato, embora o mecanismo real
do fenmeno no esteja bem esclarecido at agora.

Fig. 2.56. Diodo de contato de ponta.


2.6/ OUTROS DIODOS 81

o diodo de ponta de contato , cronologicamente, mais antigo que o diodo de


juno, mas foi por ele suplantado, devido s qualidades superiores do ltimo:
maior capacidade de corrente, maior tenso inversa, maior reprodutibilidade, maior
robustez. Entretanto, o diodo de contato de ponta ainda encontra aplicaes
devido ao seu desempenho satisfatrio nas altas freqncias, pois no apresenta os
mesmos problemas de capacitncia do diodo de juno, discutidos na Se. 1.3.7.3.
A curva caracterstica, tpica de um diodo de ponta de contato dada na
Fig. 2.57. O smbolo desse diodo o mesmo do diodo retificador. Notamos que a
curva caracterstica bastante parecida com as curvas do diodo de juno, pelo me-
nos na parte direta, pois a regio inversa no apresenta com a mesma intensidade a
regio Zener de ruptura.
I(mA)

i.0

5 I
/
-vN ) 08 Op 04 02 O / 0.5 ~.O v(V)

10

- .I(MoA)

Fig.2.57. Curva caracterstica, tpica de um diodo de contato de ponta.

As limitaes do diodo de ponta so as mesmas dos outros diodos: tenso in-


versa de pico, corrente mxima na conduo. As principais aplicaes so em cir-
cuitos de comutao e como detector, em AM e FM.

2.6.8. RETIFICADOR METLICO

Muito antes do desenvolvimento dos dispositivos semicondutores modernos,


j eram utilizados dois dispositivos apresentando caractersticas de retificao, ba-
seados no contato por presso entre um metal e um material sernicondutor, sem ha-
ver propriamente a formao de uma juno PN: eram os chamados retificadores
metlicos de xido de cobre, ou de selnio. Devido s suas caractersticas inferiores
comparadas com as dos diodos de Ge ou Si - ocupam mais espao, tm menor ca-
pacidade de corrente, menor tenso inversa de pico e sofrem envelhecimento, ou
seja, alterao das caractersticas com o uso - foram suplantados por estes na maio-
ria das aplicaes. Ainda utilizado hoje o retificador de Se, cuja constituio
apresentada na Fig. 2.58.
82 ESTUDO DOS OIOOOS / CAPo 2

DISCOS RETIFICADORES

Fig. 2.58. Retificador de selnio.

Para obter as correntes de tenses desejadas, costumamos colocar vrios des-


ses retificadores em associao srie, paralelo ou mista. As limitaes do retificador
de selnio so as mesmas do diodo retificador, sendo tambm o mesmo o seu sm-
bolo.

Exerccios
..
1. De que maneira formado um diodo semicondutor de j~no ?
2. Indicar, em esquema, as polarizaes direta e inversa de um diodo de juno.
3. Esboar a curva caracterstica tenso-corrente de um diodo de juno, indicando as
regies de polarizao direta e inversa.
4. Num diodo polarizado inversamente circula alguma corrente? Por qu?
5. A corrente de fuga de um diodo cresce, decresce ou mantm-se estvel com a tempe-
ratura?
6. Um circuito retificador de meia-onda alimentado com uma tenso de 300 Vefica-
zes e tem urna carga de 10 n. De acordo com as especificaes mximas fornecidas
no quadro comparativo de alguns diodos retificadores comerciais da Ibrape, escolher
o diodo adequado.
7. Verificamos que a corrente de fuga de um diodo dobra a aproximadamente cada
10C de aumento de temperatura, se o diodo for de germnio; e a aproximadamente
6C de aumento, se for de silcio. As especificaes das correntes de fuga de um
diodo de Ge e de um diodo de Si, a 25C, so respectivamente de 25 e 0,1 mcroam-
pres, Comparar as correntes de fuga desses diodos na temperatura de 55C.
8. NaFig. 2.5, determinar graficamente as impedncias dinmicas do diodo de Ge para
uma variao de tenso de 0,3 a 0,4 Vedo diodo de Si para uma variao de tenso
de 1,3 a 1,4 V.
9. Descrever e justificar as limitaes do diodo semicondutor.
10. Os diodos Zener comerciais so de silcio ou de germno? Por qu?
11. Descrever o efeito da temperatura sobre a tenso Zener.
12. Podemos fazer funcionar um diodo retificador na regio Zener? Por qu?
13. Podemos fazer funcionar um diodo Zener na regio direta? Por qu?
14. Qual a diferena prtica entre a ruptura por avalanche e a ruptura Zener?
15. No seu funcionamento, o diodo tnel polarizado direta ou inversamente?
2.6 I OUTROS DIODOS 83

16. Na maioria das aplicaes dos diodos tneis, procura-se uma razo Ip/Iv alta ou bai-
xa? Por qu?
17. Explicar de que maneira o indutor L, colocado no circuito da Fig. 2.41, permite que
seja menor o tempo de comutao do circuito.
18. Explicar detalhadamente o comportamento monoestvel de um circuito com diodo
tnel (Fig. 2.43).
19. Explicar detalhadamente o comportamento astvel de um circuito com diodo tnel
(Fig.2.44).
20. Quais os problemas que podem surgir pelo fato de o diodo tnel no apresentar isola-
mento entre a sada e a entrada?
21. O diodo utilizado como capacitor dependente de tenso polarizado direta ou inver-
samente? Por qu?
22. Explicar de que maneira o fato da capacitncia de um diodo variar com a tenso per-
mite que o mesmo seja utiliz'ado para controlar automaticamente a freqncia em v-
rios circuitos.
23. Tanto o diodo Zener quanto o diodo Back so utilizados normalmente nas suas regi-
es inversas. Explicar por que suas aplicaes so inteiramente diferentes.
24. Explicar o funcionamento dos atenuadores usando um diodo PIN (Figs. 2.52 e 2.53).
25. Em que aplicaes ainda utilizado o diodo de ponta de contato?
26. Podemos utilizar diodos de ponta de contato em circuitos retificadores de alta potn-
cia?
27. Entre os diodos estudados, quais deles no so diodos de juno ?
28. Indicar, entre os diodos estudados, aquele (ou aqueles) mais apropriado(s) para cada
urna das aplicaes seguintes: retificao, deteco em alta freqncia, regulao de
tenso, retificao de potncia, oscladores, proteo de circuitos, controle automti-
co de freqncia, circuitos de comutao, sintonizadores, gerao de harmnicos, ge-
rao de pulsos de curta durao, retificao para baixos nveis de tenso, circuitos
digitais, moduladores, controle automtico de ganho, circuitos de microondas, gera-
o de harmnicos.
=============================Captu 10 3

Estudo dos Transistores

No presente captulo, vamos estudar os importantes dispositivos conhecidos


como transistores, dispositivos semicondutores tendo em geral duas junes e trs
terminais externos. Da mesma forma que o diodo semicondutor anlogo ao diodo
a vcuo, o transistor anlogo' ao triodo, sendo capaz de realizar a maioria das fun-
es deste e ainda possuindo caractersticas prprias que possibilitam seu uso em
novas aplicaes.
Mostraremos, em primeiro lugar, de que maneira o transistor mais usual. o
bipolar' , construdo; explicaremos, a seguir, as bases de seu funcionamento. indi-
cando suas modalidades de utilizao e respectivas curvas caractersticas, bem como
os seus parmetros e circuitos equivalentes, e exporemos as limitaes e os diversos
tipos usuais de transistores bipolares. Estudaremos, a seguir, outro tipo import an-
tssimo de transistor, o transistor de efeito de campo, vendo sucessivamente () t run-
sistor de efeito de campo de juno, o transistor de efeito de campo tipo MOS e
suas aplicaes. Finalmente, veremos o funcionamento e aplicaes do transistor de
unijuno, e mencionaremos outros tipos de transistores.

3.1. TRANSISTOR BIPOLAR

3.1.1. FUNCIONAMENTO

O transistor mais comum, chamado transistor bipolar, formado por regies


alternadas de materiais semicondutores tipo P e tipo N, de modo a obter duas JUII-
es, Vemos esquematizados, na Fg. 3.1, os dois tipos existentes de transistores
bipolares, o PNP e o NPN, dependendo da regio que a intermediria.

I Este nome, bipolar, resulta do fato de o funcionamento deste tipo de transistor cnvol-
ver portadores com cargas opostas (eltrons c buracos).
3.1 / TRANSISTOR BIPOLAR 85

JUNES JUNES

/' ;1
p N P N P N

(a) (b)

Fig. 3.1. Os dois tipos de transistores bipolarcs: (a) PNP; (b) NPN.

Veremos, a seguir, como funciona um transistor e, caso o leitor esteja esque-


cido do funcionamento de uma juno P-N, dever reler o assunte. antes de prosse-
guir. Com efeito, o transistor pode ser considerado, para facilitar a explicao do
seu funcionamento, como sendo resultante da unio de dois diodos com a regio
central reduzida, conforme ilustra a Fig. 3.2.

[TI I
I

[TI
Fig. 3.2. Um transistor considerado como unio de dois diodos.

Se no aplicado nenhum campo eltrico externo ao conjunto, isto , se as


junes no so polarizadas, os portadores se deslocam em qualquer direo e a cor-
rente nula. Vejamos de que maneira a situao se modifica quando um campo el-
trico aplicado por meio de baterias externas, utilizando para exemplo um transis-
torNPN.
Inicialmente, polarizemos a primeira juno diretamente, como est indicado
na Fig. 3.3.

N p N

Fig. 3.3. Um transistor com uma juno polarizada diretamente.


86 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3

Colocando o miliampermetro no circuito e uma resistncia de proteo para


limitar a intensidade da corrente, mediremos o valor da corrente direta de um diodo
de.juno. Com efeito, temos simplesmente uma juno P-N polarizada d iretamen-
te.
Vamos agora polarizar a segunda juno. A primeira idia que surge a pola-
rizao desta juno tambm diretamente, como indica a Fig. 3.4, a fim de obter
uma elevada corrente.

N p N

Fig.3.4. Um transistor com as duas junes polarizadas diretamente.

Um pouco de raciocnio mostra que este modo de polarizao no traz vanta-


gens, pois sempre circulam altas correntes nas junes e a variao da corrente de
uma das junes tem pouca influncia na corrente da outra.
Poderamos pensar agora em inverter os sentidos das duas baterias, mas neste
caso as duas junes ficariam polarizadas inversamente e somente circulariam as
correntes de fuga das junes. Resta, portanto, a alternativa de polarizar umajun-
o diretamente e a outra inversamente. Inicialmente, para facilitar a explicao,
suponhamos que polarizamos a juno da direita inversamente, como indicado na
Fig. 3.5, deixando o terminal da esquerda aberto.

M3 (Opf.mA)

N p N

tI FUGA

+
V2

Fig.3.5. Um transistor com uma juno aberta c a outra polarizada inversamente.

Neste caso, circula na juno a corrente de fuga j estudada no Capo 1, da or-


dem, por exemplo, de 10 /J.A(0,01 mA).
.11 / TRANSISTOR SIPOLAR 87

Polarizemos agora a juno da esquerda diretamente, como indica a Fig. 3.6,


mantendo a juno da direita polarizada inversamente.

M4 (lmA) M (0,98mA)
3
r----( I t--.....-..t p ~--{/~-...,
-
N N

f
M2 (O,02mA)

+ +

Fig.3.6. Um transistor com uma juno polarizada diretamente c a outra inversamente.

Com surpresa, verificamos o fato de a corrente no terminal da direita aumen-


tar bruscamente (no exemplo, de 0,01 mA para 0,98 mA), apesar de a juno da di-
reita estar polarizada inversamente; alm disto, no terminal ligado regio P, circula
uma baixa corrente (0,02 mA), e, no terminal da esquerda, a soma das duas corren-
tes anteriores (1 mA = 0,02 mA + 0,98 mA).
Para entendermos o fato de a corrente no terminal da direita ser praticamente
igual corrente no terminal da esquerda, a despeito da polarizao inversa da jun-
o da direita, observemos a Fig. 3.7, onde os eltrons abundantes na regio N da
esquerda so "injetados" na direo da juno pelo campo eltrico presente (o mo-
do trivial de dizer isto que os eltrons, praticamente livres na regio N da esquer-
da, so repelidos pelo terminal negativo da bateria e se deslocam na direo da jun-
o).

,
ELETRON SENDO
N
~NJETAOO

- =- ~
- --:..::.
- = ---~""'Q.
Ia
_-_-~= ~ : -= -=, ::-rR ::-_
l'i""'I 1'i""'I'
- --= 'J:l I;!] ,
A -
- - -- - - - - -I@ + -W"!- -_
:: .:=. ~ ~ -=: =':.l.O -l'\I-
==--=..--=.-- - - 10 EB '\I71

+ +

Fig. 3.7. Injeo de eltrons num transistor NPN (a largura da regio central esta muito exage-
rada).
88 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo3

Os eltrons injetados na regio N atingem a juno da esquerda, atravessam-na


e penetram na regio P, onde h um elevado nmero de buracos presentes, havendo
um processo de recombinao; entretanto, se a largura da regio P for bastante re-
duzida, muitos eltrons injetados conseguem atingir a juno da direita. Suponha-
mos, por exemplo, que um eltron atinja o pontoA, representado na Fig. 3.7; ora,
este eltron ser atrado pelas cargas descobertas positivas (ons positivos), localiza-
dos na regio N, da direita, percorrer esta regio e ser finalmente captado no ter-
minal positivo da bateria V2.
Evidentemente, medida que os eltrons vo sendo injetados na regio N da
esquerda para a regio P central, eltrons vo sendo injetados pelo terminal negativo
da bateria VI nesta regioN.
At aqui falamos em termos de eltrons se deslocando. mas sabemos que o
deslocamento destes eltrons traduzido em termos de correntes convencionais, em
sentido oposto ao do deslocamento dos mesmos. Na Fig. 3.7. so ilustradas as cor-
rentes li lz e h do circuito (convencionais). O leitor deve observar que I, = lz +
+h.

3.1.2. GANHO

Quando se trabalha com vlvulas ou transistores, deseja-se obter um ganho,


isto , obter uma corrente, ou uma tenso de sada maior que a corrente ou tenso
de entrada. No caso do triodo, chama-se ganho de tenso razo entre a variao
da tenso de placa (varivel de sada) e a variao de tenso de grade (varivel de en-
trada), na ligao catodo em terra. No caso apresentado para um transistor, consi-
derando o terminal da esquerda como o de entrada e o da direita como o de sada.
obtemos como expresso do ganho de corrente:
Corrente de sada _ 0,98
Ganho de corrente = C t d d - 1 00
orren e e entra a ,
= 0,98.

Notamos que o ganho de corrente definido acima um ganho contnuo (ou


OC), pois envolve variveis contnuas. Geralmente, o projetista est interessado no
ganho alternado (ou AC) do sistema, isto , na razo entre a variao da varivel de
sada, em torno do ponto de operao, e a variao da varivel de entrada que origi-
nou a variao na sada. Na Fig. 3.7, o ganho AC seria a razo entre a variao da
corrente no medidor M3 e a variao da corrente no medidor MI . Por exemplo, su-
ponhamos que a corrente de entrada (h) varie senoidalmente em torno do valor de
I mA, variando h tambm senoidalmente em torno do valor de 0,98. A Fig. 3.8
ilustra um exemplo das variaes de h e h em torno dos valores contnuos. Neste
exemplo, temos para os ganhos:

Ganho OC = h = 0,98 = 098'


11 1,00 "
_ ~h _ 0,96_
GanhoAC - ~/I - 1,00 - 0,96.
3. T / TRANSISTOR SIPOLAR 89

-+ ~~--------~~------------~----~I
(o)

1,94

0,02
~~ ~~~ ~r13'O'96mA
-..f
ts )

Fig. 3.8. Variao das correntes 11 e l3 em torno de 1 mA e 0,98 mA, respectivamente. (Ga-
l3 f)./3
nho OC =-=0 98'ganhoAC= -- =0 96.)
I, " f).1I'

Verificamos que, neste exemplo, os ganhos DC e AC pouco diferem, o que


uma conseqnca de as variaes consideradas para as correntes terem sido grandes,
quase iguais aos prprios valores DC.
Geralmente, considera-se o ganho AC do transistor para pequenas variaes
em torno do ponto de operao. Esse ganho depende de vrios fatores que sero
examinados futuramente.
Tanto o ganho DC quanto o ganho AC, no exemplo, foram menores que a
unidade. Surge, ento, a pergunta: de que maneira o transistor amplifica, se a cor-
rente de sada menor que a corrente de entrada? Existem duas respostas: a pri-
meira que o transistor nem sempre utilizado de acordo com a configurao estu-
dada acima, existindo outras maneiras de ligar o mesmo, que sero vistas na Se.
3.1.4, e que so capazes de fornecer ganho de corrente maior que 1; a segunda res-
posta que, mesmo nessa configurao em que o ganho de corrente menor que a
unidade, obtemos ganhos de tenso e de potncia maiores que I, ou seja, obtemos
90 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3

amplificao de tenso e de potncia. Examinemos essa afirmativa. Considerando


somente o transistor, sem levar em conta as resistncias externas colocadas no cir-
cuito - carga, resistncias de polarizao, resistncias de proteo, cujo efeito estu-
daremos mais tarde - as tenses de entrada e sada do transistor so dadas pelos
produtos das correntes de entrada e sada, respectivamente, pelas resistncias das
junes 1 e 2. Mas a juno polarizada diretamente tem uma resistncia baixa,
25 n, por exemplo, e a juno polarizada inversamente tem uma resistncia elevada,
50 kn por exemplo. Conseqentemente, as tenses sero:
Tenso de entrada = Correntede entrada X Resistncia de entrada = 1 mA X
X 25 n=0,025V.

Tenso' de sada = Corrente de sada X Resistncia de sada = 0,98 mA X


X 50kn=4,9V.
Temos, ento, para o ganho de tenso:

Tenso de sada 4,9


Ganho de tenso =T ensao
- d e en t ra d a = 0025
, = 1.960.

Outra forma de calcular este ganho multiplicar o ganho de corrente pela ra-
zo entre as resistncias de sada e entrada:

Ganho de tenso = h X R2 =.h. X R2 = 0,98 X 50 .0 00= 1.960.


li XRI li RI 2 5

Por sua vez, o ganho de potncia dado por qualquer uma das expresses se-
guintes:
Potncia de sada
Ganho de potncia = Potncia de entiada

(Corrente de sarda)? X Resistncia de sada


(Corrente de entrada)" X Resistncia de entrada
2
= 0,98 X 50.000 = 1 920
12 25 ..
Resistncia de sada
Ganho de potncia = (Ganho de corrente)? X
Resistncia de entrada
=
= 1.920.

Resistncia de entrada
Ganho de potncia = (Ganho de tenso)? X ---=R=-e-s:-is-t=-n-c-=-ia-d-;-e-sa-c:-o-d-a-
= 1.920.
Ganho de potncia = Ganho de corrente X Ganho de tenso = 1.920.

Notemos que os ganhos foram calculados de maneira muito simplificada, sem


levar em conta o circuito externo do transistor , e servem apenas para dar uma idia
do funcionamento do mesmo. Verificamos, portanto, que, embora o ganho de cor-
3. l/TRANSISTOR 81POLAR 91

rente seja menor que a unidade, obtemos ganhos de tenso e potncia elevados, de-
vido passagem da corrente de uma regio de baixa resistncia, a primeira juno,
para uma regio de alta resistncia, a segunda juno. Desse fato originou-se o no-
me do dispositivo, Transistor, que provm da contrao das duas palavras inglesas
Transfer Resistor, ou seja, Resistor de Transferncia.
Apresentamos at agora o funcionamento do transistor NPN, mas o transistor
PNP funciona de maneira inteiramente anloga. Entretanto, para que a primeira
juno seja polarizada diretamente e a segunda inversamente, necessrio inverter o
sentido das duas baterias com relao s Figs. 3.6 e 3.7.
Notamos que, no caso do transistor PNP, os portadores em maioria do lado P
so os buracos, principais responsveis agora pelo fluxo de corrente. O funciona-
mento do transistor PNP, com o movimento das cargas, est esquematizado na Fig.
3.9 e convidamos o leitor a fazer, com a ajuda da figura, o mesmo estudo que foi
feito para o transistor NPN.

p N p
\., ,,.

Fig. 3.9. Injeo de buracos no transistor PNP (a largura da regio central est muito exagera-
da).

Uma vez entendido o funcionamento bsico do transistor, vamos estudar as


diversas maneiras de lg-lo num circuito e vamos traar as suas curvas caractersti-
cas, da mesma maneira que foram levantadas as curvas caractersticas do diodo. An-
tes, porm, torna-se necessrio estudar certas convenes relacionadas ao transistor,
a fim de podermos utilizar uma simbologia mais rigorosa e simplificada.

3.1.3. CONVENES RELACIONADAS AO TRANSISTOR BIPOLAR

3.1.3.1. Nomenclatura dos Terminais

Os trs terminais de um transistor recebem os nomes de emissor, base e cole-


tor, da mesma maneira que os terminais de um triodo so chamados de catodo, gra-
de e placa. A Fig. 3.10 mostra um transistor PNP e um NPN com a denominao
dos terminais e a representao simblica que usaremos daqui por diante em todos
os circuitos.
92 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3

E c E c

(a) (b)

Fig. 3.10. Representao simblica de transistores: (a) PNP; (b) NPN (E = emissor, B = base e
C = coletor).

Os nomes escolhidos para os terminais do transistor justificam-se da seguinte


maneira: o terminal da esquerda chamado emissor, pois aquele que emite os por-
tadores de carga em direo parte central- chamada base - portadores esses que
so recolhidos ou "coletados" pelo terminal direito, conseqentemente charr.ado
coletar. Na representao simblica, o transistor PNP diferencia-se do NPN unica-
mente pelo sentido da seta representativa do terminal emissor. Podemos reparar
que esse sentido est de acordo com a direo convencional da corrente eltrica: no
caso do transistor PNP, o emissor, sendo do tipo P, "emite" buracos cujo sentido de
deslocamento coincide com a corrente convencional; 110 caso do transistor NPN, o
emissor, tambm emite portadores para a base, mas, como nesse caso se trata de el-
trons a corrente por eles produzida ter o sentido inverso do deslocamento desses
portadores e, portanto, para fora do transistor. O sentido de deslocamento real, f-
sico, dos buracos e dos eltrons, bem como o sentido das correntes convencionais
nos transistores PNP e NPN, so indicados na Fig, 3.11. Nesta figura, estamos agora

~IB 118
+ + + +
V.i. V2 Vi V2

.:s
-
IE E C IE E C IC

+ +
Vi. Vz
(a)

Fig. 3.11. Sentidos das correntes nos transistores: (o) PNP; (b) NPN, polarizados normal-
mente.
3.1 / TRANSISTOR SIPOLAR 93

usando as correntes IE, IB e IC, respectivamente, correntes de emissor, base e cole-


tor, em lugar de I I , h e h , tendo em vista os nomes dos terminais.

3.1.3.2. Convenes para Correntes e Tenses

Consideremos a Fig. 3.12, na qual apresentamos uma caixa com quatro termi-
nais externos, no nos interessando que tipo de circuito existe dentro da caixa. Es-
te conjunto de componentes eltricos, representado simplesmente por uma caixa
com quatro terminais externos, chamado de quadripolo.

o ~
, ....
CIRCUITO
EN TRAOA SAlDA
QUALQUER ~
(\.
..,

Fig. 3.12. Quadripolo: qualquer circuito que possa ser considerado como uma caixa com qua-
tro terminais externos.

Ora, o transistor pode perfeitamente ser considerado como um quadripolo,


pois um terminal comum entrada e sada, sendo tal procedimento ilustrado na
Fig.3.13.

Fig.3.13. Um transistor considerado como quadripoo.

No estudo dos quadripoIos, a conveno geral utilizada para as correntes


consider-Ias positivas, quando entrando no quadripolo, e a conveno para a tenso
entre um ponto e o ponto comum consider-Ia positiva, quando o potencial deste
ponto maior que o potencial do ponto comum, isto , VI positiva quando o po-
tencial do ponto 1 maior que o do ponto comum, e analogamente para V2 A
Fig. 3.14 ilustra como correntes e tenses so definidas em um quadripolo.

Fig.3.14. Definio dos sentidos das correntes e tenses em um quadripolo genrico.


94 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3

A importncia destes conceitos que os fabricantes de componentes, quando


apresentam as folhas de especificaes e curvas caractersticas de transistores, utili-
zam esta conveno, e, devemos ter sempre em mente que, na Fig. 3.11, definimos
as correntes de acordo com as baterias presentes no circuito.
Para exemplificar, consideremos a Fig. 3.1I(a). Nesta figura, a corrente IE
est penetrando o emissor, sendo, portanto, positiva; j as correntes IB e Ic esto
saindo dos terminais B e C e, conseqentemente, IB e Ic so negativas. Anloga-
mente, para o transistor NPN da Fig. 3.l1(b),teramosIE negativa e IB elc posi-
tivas. Estas explicaes so resumidas na Fig. 3.15.

-
IE ~

lIB IE >0 I.e: < O

(o)
18<0 Ia >0
(b)
IC< O IC > O

Fig. 3.15. Sentidos das correntes nos transistores: (a) PNP; (b) sr, polarizados normalmen-
te. (Para o transistor PNP,IE >O,IB <O e IC <O; para o NPN,IE <O,lB >0 e IC >0.)

Para a conveno das tenses, comparamos as Figs. 3.13 e 3.14 e verificamos


que as tenses entre emissor e base (VEB) e coletor e base (VCB} sero consideradas

positivas quando seus potenciais forem maiores que potencial da base. Conside-
rando, ento,
transistor polarizado normalmente, a juno emissor-base est pola-
rizada diretamente e, portanto, VEB positiva para o transistor PNPe negativa para
o NPN; a juno coletor-base est polarizada inversamente e, portanto, negativa
para o transistor PNP e positiva para o NPN. Estas concluses so resumidas na
Fig. 3.161 e, em conjunto com as convenes de corrente, encontraro importante
aplicao, quando tratarmos das curvas caractersticas dos transistores.

+u--+-""'\ ~-+--o+

+o--+-----J~--+--o
VEB> O ~ < O (VeE> O)
VCB < O (VBC> O) VCB>O
(o) (b)
Fig. 3.16. Sentidos das tenses nos transistores: (a) PNP; (b) NPN, polarizados normalmente,
com o terminal base comum entrada c sada. (Para o transistor PNP, VEB >0 e VCB <O;
para o NPN, VEB <O e VCB >0.)

I Representamos, nessa figura, as tenses com os sentidosreais, quando o transistor est


polarizado normalmente, usando as tenses VBC e VBE; mas devemos ter em mente que VCB =
=-VBOc VEB=-VBE
.11 / TRANSISTOR 81POLAR 95

3.1.4. LIGAOES

3.1.4.1. Configuraes

Existem trs maneiras de ligar um transistor bipolar num circuito, dependen-


do de qual terminal comum entrada e sada, sendo tais configuraes indicadas
nas Figs. 3.17(a),(b) e (c).

y PNP
(a)
y NPN

:S: :S: PNP


(b)

NPN

:S: :s: P NP
(e)

NPN

Fig. 3.17. As trs ligaes do transistor: (a) base comum; (b) emissor comum; (c) coletor co-
mum.

Na Fig. 3.17(a), vemos que a base comum entrada e sada do circuito;


essa ligao chamar-se-a, portanto, ligao ou configurao base comum (abreviada
por ligao BC), s vezes ainda chamada base em term, porque, geralmente, coloca-
mos o terminal comum na terra do circuito. Vemos ainda que essa ligao exata-
mente aquela que utilizamos para descrever anteriormente o funcionamento de um
transistor, quando procuramos verificar a relao existente entre a corrente de
coletor (corrente do terminal de sada) e a corrente do emissor (corrente do termi-
nal de entrada).
As Figs. 3.17(b) e 3.17(c) ilustram as duas outras possibilidades para ligao
de um transistor: a ligao emissor comum (ou emissor em terra) e coletor comum
(ou coletor em terra), abreviadas, respectivamente, por EC e CC.
O leitor pode facilmente verificar a correspondncia entre as ligaes de um
transistor e as ligaes de um triodo: grade comum, catodo comum e placa comum,
respectivamente.
96 ESTUDO DOS TRANSISTORES
/ CAPo 3

3.1.4.2. Estudo da Ligao Base Comum

Consideremos, por exemplo, um transistor PNP, ligado com a base comum,


como est indicado na Fig, 3.18.

~ E C ~

Fig.3.18. Transistor PNP ligado com a base comum.

Inicialmente, observamos que o transistor est polarizado normalmente, isto


, a juno base-emissor polarizada diretamente e a juno coletor-base, inversamen-
te (na prtica, podemos utilizar apenas uma bateria para a polarizao das duas jun-
es, com a ajuda de um circuito de polarizao resistivo).
Se abrirmos o circuito no terminal do emissor, a corrente neste terminal ser
nula, isto '!E= O, conforme ilustra a Fig. 3.19 .
.!c:..!c8o

Fig. 3.19. Transistor PNP em um circuito base comum, com o emissor aberto.

Neste caso, estaremos em presena de um diodo (coleto r-base) polarizado in-


versamente, circulando no mesmo a corrente de fuga que chamaremos de ICBO.
conveniente explicarmos esta nomenclatura para as correntes de fuga. De um modo
geral, nesta nomenclatura, os dois primeiros ndices representam os terminais entre

os quais parmetro medido, e ltimo, o estado em que se encontra o terceiro
terminal:
O = Open-circuited terminal = terminal aberto;
S = Short-circuited terminal = terminal em curto.
Por exemplo, lCBO representa a corrente de fuga entre o coletor e a base,
quando o emissor est aberto; do mesmo modo'!CEO representa a corrente de fuga
entre o coletor e o emissor, quando a base est aberta.
.11 / TRANSISTOR BIPOLAR 97

Retomemos agora ao estudo da ligao base comum. Representando num


grfico a corrente IC em funo de VCB (tenso coletor-base), teremos, no caso em
que iE = O, a corrente de saturao ICBa igual, por exemplo, a 0,01 mA (ver Fig.
3.20). O leitor deve observar que, no grfico,/C < O e VCB < O, de acordo com as
convenes da Se. 3.1.3.2.
IC

leso
---===~======*===========~r-----~8
1=0
E

Fig. 3.20. Transistor PNP em um circuito base comum com o emissor aberto. le em funo de
VeB, quando IE =0. Note que1e<0 e VCB <O, de acordo com a conveno.

Se, agora, fecharmos o circuito de entrada, de acordo com a Fig. 3.18, ser in-
jetada uma corrente pelo emissor. Sabemos que aparecer no coletor essa mesma
corrente de emissor multiplicada pelo ganho de corrente do transistor, mais a cor-
rente ICBa que j existia na ausncia de IE. A expresso da corrente do coleror le
ser, ento:
le = teso + a.IE,
onde a. = ganho de corrente.
Se, por exemplo, h for igual a 1 mA e o ganho do transistor igual a 0,98, te-
remos:
Ie = 0,01 + 0,98 X 1= 0,99 mA.
Variando a resistncia em srie com o einissor, poderemos variar a corrente
do emissor. Quando IE for igual a 2 mA, por exemplo, teremos:
IC = 0,01 + 0,98 X 2 = 1,97 mA,
e assim por diante. Crescendo o valor de IE, obtemos os valores correspondentes de
le, usando a frmula acima; colocando esses valores no grfico da Fig. 3.20, obte-
remos as curvas representadas na Fig, 3.21. Observamos que IE positivo, de acor-
do com a conveno.
Vemos, ento, na Fig. 3.21, as curvas caractersticas de um transistor PNP,
quando ligado em base comum, curvas estas s vezes fornecidas pelos fabricantes.
Entretanto, em vez de utilizar o terceiro quadrante, como nesta figura, os fabrican-
tes normalmente utilizam o primeiro quadrante. bastando para isto marcar nos ei-
xos do grfico -Ie e - VeB em lugar de IC e VCB. Procedendo-se desta forma,
so obtidas as curvas da Fg. 3.22.
98 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3

Ieeo
1 vcs
lE:: o !
-1
IE i mIA
-2
!E 2mA
...... - 3
IE 3mA

Fig. 3.21. Transistor PNP ligado com a base comum: curvas caractersticas IC em funo de
VCB, tendoIE como parmetro.

- Ie(mA)

...IE 8rr IA
8

6
6

4
4

2
2

O O L -vcs(v)
4 8 12 16 f 20
leso

Fig. 3.22. As mesmas curvas da Fig. 3.21 traadas no primeiro quadrante; neste caso, os eixos
representam -IC e - VCB.

No caso de um transistor NPN, tendo-se em vista que IE < O, Ic > O e


VCB > O, teremos
as curvas da Fig. 3.23.
3.1 /TRANS/STOR S/POLAR 99

IC(mA)

IE -4, ~A
/
4
-3
3
-2
2
-1
i
O Vca( V)
2 4 6 8 10

Fig. 3.23. Transistor NPN ligado com a base comum: curvas caractersticas IC em funo de
VCB, tendolE como parmetro.

A seguir, conveniente fazer alguns comentrios sobre as curvas caractersti-


cas dos transistoresNPN ouPNP com base comum.
Iniciabnente, devemos notar, na Fig. 3.22, que, na escala em que esta foi de-
senhada, no observamos o que acontece esquerda do eixo das ordenadas. Na Fg .
.3.24, desenhamos de novo a Fig. 3.22, desta feita usando escalas diferentes para as
regies direita e esquerda do eixo das ordenadas. Vamos explicar com mais de-
talhes essa figura.

8
/IF' 8m~

6 6

I-

4h 4

2. 2
.i

O -VCB (V)
0,5 O 4 8 12 .16 20

Fig. 3.24. Curvas caractersticas de um transistor PNP com base comum, mostrando a regio
esquerda do eixo das ordenadas.
100 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAP. 3

Para tal, desenhamos novamente a Fig. 3.18 na Fig. 3.25, desta feita represen-
tando a tenso VBC'

~ E C ~

Fig. 3.25. Transistor PNP ligado com a base comum.

Considerando-se a malha da direita, podemos observar:


Vee == VBe + IeRL'
Ora, sendo VBe e Ic variveis, esta equao representa uma reta, dois pontos
da qual so facilmente determinados. De fato, temos:

para VBC == O,Ic == :~e ;

paraIe == 0, VBC == Vce


Podemos, ento, traar a reta de carga DC, do mesmo modo que procedemos
no caso dos diodos, sobrepondo-a s curvas caractersticas da Fig. 3.24, sendo este
procedimento ilustrado na Fig. 3.26.

- IC (mA)

6 IE' 6m

4 4

Vcc
RL ~ ~ 2
0--""""
i
C' i'-..B O V CB
O 4 A'VCC 1Z 16 20

Fig. 3.26. Traado da reta de carga sobre as curvas caractersticas e regies de funcionamento.
3.1 /TRANS/STOR B/POLAR 101

Os pontos A e E so os dois pontos cujas coordenadas foram obtidas anterior-


mente. Entre os pontos B e E temos a chamada regio normal (tambm chamada
ativa ou linear) de funcionamento do transistor, porque nesta regio a juno base-
emissor est polarizada diretamente e a juno coletor-base inversamente. Por
exemplo, se, a partir do ponto A, vamos aumentando a corrente de emissor, o pon-
to de operao vai-se deslocando ao longo da reta de carga, passando pelos pontos
C, De, finalmente, atingindo o ponto E. Para este ponto, evidentemente VCB =
= O, e, se aumentarmos a corrente de emissor, a tenso VCB mudar de polaridade
e a juno base-coletor ficar diretamente polarizada a partir do ponto E. Portan-
to, as duas junes esto diretamente polarizadas, e dizemos que o transistor est
saturado, pois, por mais que aumente a corrente de emissor, a corrente de coletor
pouco varia. Por este motivo, a regiso esquerda do eixo das ordenadas e acima
da curva correspondente alE = O chamada regio de saturao.
Finalmente, analisemos o que ocorre abaixo do ponto B, que corresponde a
IE = O. Abaixo deste ponto, a corrente de emissor inverte o seu sentido, significan-
do isto que a juno base-emissor comea a ficar inversamente polarizada. Conse-
qentemente, na regio abaixo do ponto B, ambas as junes esto inversamente
polarizadas, e dizemos que o transistor est cortado. A regio correspondente
chamada regio de corte.
Apenas para destacar melhor as regies, apresentamos, na Fig. 3.27, um es-
quema sem escalas determinadas, a ttulo de ilustrao.
-IC

REGIAO ATIVA
REGIAO DE
SATURAo

REGIO DE
CORTE

Fig. 3.27. Regies de funcionamento de um transistor, definidas nas curvas caractersticas com
base comum.

O leitor deve agora retomar Se. 3.1.1, onde comentamos que para o fun-
cionamento do transistor as baterias devem ser ligadas, como na Fig. 3.6, de tal
forma que a juno base-emissor fique polarizada diretamente e a juno base-cole-
tor polarizada inversamente. Fica, ento, claro que nos estvamos referindo re-
gio normal ou ativa de funcionamento do transistor. Neste mesmo circuito, se a
102 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3

corrente IE vai aumentando (aumentando Fi ), o transistor vai-se aproximando da


saturao. Se, por outro lado, IE vai diminuindo (diminuindo Fi ), o transistor se
aproxima do corte.
Nas aplicaes normais em amplificadores, procuramos manter o transistor
trabalhando na regio ativa. Quando o transistor utilizado como chave, so apro-
veitadas as propriedades especiais das regies de saturao e corte.
Outro comentrio digno de nota o fato de as curvas se manterem pratica-
mente horizontais at valores nulos de tenso VCB, o que permite a utilizao do
transistor na ligao base comum com tenses de coletor muito baixas.
Finalmente, notamos que as curvas para diversas correntes IE no so exata-
mente horizontais: isto mostra que o ganho de corrente (o) no exatamente cons-
tante para todos os valores de V CB, mas que cresce ligeiramente quando - VCB (ou
VCB, para o transistor NPN) aumenta. Por exemplo, podemos verificar, na Fig.
e
3.28, que para uma corrente IE de I mA para uma VCB de - 2 V, Ic igual a
- 0,91 mA, dando para relao entre Ic e IE o valor Q = 0,9; para o mesmo IE e
uma tenso VCB igual a - 10 V, Q toma-se igual a 0,92, porque temos agora uma
Ic de 0,93 mAl.

-IC (m A)

-V (V)
CB
--+---~~--------------------~------~--
2 10

Fig.3.28. Variao de Q com a tenso coletor-base.

O fenmeno do crescimento do ganho com o aumento da tenso inversa co-


letor-base, demonstrado acima para o ganho contnuo ou OC, tambm vlido para
o ganho alternado ou AC, sendo a explicao para este fenmeno apresentada a se-
guir.
Quando cresce a tenso inversa de um diodo, a largura da zona de transio
cresce (Cap. 1) e, portanto, a largura real da base do transistor,W, diminui (Fig.
3.29), diminuindo, portanto, a probabilidade de recombinao dos portadores inje-
tados pelo emissor - pois a distncia que eles tm de percorrer para atingir o cole-
tor menor - e, conseqentemente, um nmero maior deles alcanao coletor,
provocando um ligeiro aumento de ganho.

1 O leitor deve lembrar que/= =te +IBO; no exemplo,lCBO = 0,01 mA.


3.1 I TRANSISTOR BIPOLAR 103

Aproveitamos a ligao base comum para introduzir noes importantes acer-


ca do funcionamento do transistor (convenes de sinal, regies de operao, varia-
o do ganho com a tenso inversa aplicada). Essas noes sero utilizadas e com-
plementadas no estudo da segunda ligao do transistor, a ligao emissor comum.

ZONA OE TRANSiO
(muito aumentado)

+ -

Fig. 3.29. Diminuio da largura real da base do transistor, quando a tenso inversa coletor-
base aumenta.

3.1.4.3. Estudo da Ligao Emissor Comum

Na ligao emissor comum, o terminal comum entrada e sada o emissor.


Essa ligao tambm chamada emissor em terra, porque o terminal comum geral-
mente colocado na terra do circuito. A entrada o terminal da base e a sada conti-
nua sendo o coleto r (Fg. 3.30) .
.2fL

Fig. 3.30. Transistor PNP ligado com o emissor comum.

No funcionamento normal do transistor, as regras de polarizao j explicadas


devem ser respeitadas, em qualquer ligao: juno emissor-base polarizada direta-
mente e juno coletor-base polarizada inversamente. No caso do transistor PNP da
Fig. 3.30, a juno base-emissor polarizada diretamente por meio da bateria VBB
e a juno coletor -base inversamente, pela bateria VCC , com o terminal negativo no
coletor. Novamente, salientamos que, em geral, no so usadas duas baterias para
polarizao do transistor, mas uma s, com auxlio de um divisor resistivo.
104 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3

Nesta nova ligao, estamos interessados na relao entre as correntes do cole-


tor e da base, respectivamente, grandezas de sada e de entrada. Ora,j conhecemos
a relao entre a corrente do coletor e a do emissor, apresentada no estudo da liga-
o base comum:
Ie = alE + leso- (3.1)
E conhecemos tambm a relao que existe entre as trs correntes do transistor,
pois j vimos que a corrente de base a diferena entre as correntes do emissor e do
coletor:
(3.2)
Trabalhando com essas duas equaes, vamos eliminar IE, que no nos inte-
ressa nesse caso, e obter a relao procurada entrele e IB:

IE =IB +Ie
Substituindo IE na Eq. 3.1, temos:
Ie = a(IB + Ic) + IeBO;
Ie = aIB + ale + IeBO;
Ie - ale = aIB + IeBO;
Ie(l-a)=aIB +IeBO;

I =~l +IeBO (3.3)


e l-a B l-a
a
Considerando {3= -I- , a Eq. 3.3 torna-se:
-a
lc = {31B + ({3 + I)IeBO (3.4)
Deixamos como exerccio para o leitor verificar que

;e!~ = ({3 + I) . IeBO.

Pela Eq. 3.4, verificamos que, quando lB = O, le = ({3+ 1) Iceo- Isto signi-
fica que, sem corrente na entrada, isto , com a entrada aberta (Fig. 3.3 I ), circula
uma corrente no coletar igual a (~ + I) vezes a corrente de fuga Ic BO , corrente de
fuga em base comum. Em outras palavras, ({3+ I) IeBO a corrente de fuga em
emissor comum, que muitas vezes representada por IeEO.

I~+1)ICBO

Fig.3.31. Transistor PNP em um circuito emissor comum com a base aberta.


3.1 / TRANSISTOR SIPOLAR 105

Podemos, agora, reescrever a Eq. 3.4 introduzindo ICEO, obtendo a Eq. 3.5 e,
comparando com a equao em base comum, temos:

Emissor comum: Ic = {3ls + ICEO (3.5)


Base comum: Ic = ale + Iceo- (3.1)

Por analogia, conclumos, ento, que o parmetro {3 o ganho de corrente em


emissor comum, isto , a relao entre as correntes de sada e entrada, da mes.na
maneira que a foi definido como o ganho de corrente em base comum. necess-
rio frisar que esses ganhos so internos, intrnsecos do transistor; os ganhos reais
dos circuitos iro depender das resistncias colocadas nos mesmos. Alm disto,
salientamos que devemos considerar a e i3 como sendo os ganhos DC ou AC do tran-
sistor, dependendo de que anlise esteja sendo feita.
possvel, agora, traar as curvas caractersticas da ligao emissor comum,
colocando nos eixos cartesianos a corrente do coletor IC (corrente negativa, porque
est saindo, no transistor PNP), e a tenso VCE (tenso negativa, porque a tenso
do emissor mais positiva que a tenso do coletor, de acordo com a conveno do
pargrafo 3.3.2, sendo agora o emissor o terminal comum). Na ausncia de corren-
te de base (IB = O), a corrente que circula IC = ICE O (Fig. 3.32).
IC(A)

ICEO V,
J.5 10 5 O

16=1 mA
1
zu
r-
~
~ ~

-> ~
4Jl- ~ ---
-- 2
~
y,......,.,
-s- 3

Fig.3.32. Transistor PNP, ligado com emissor comum: curvas caractersticas IC em funo de
VCE, tendo IB como parrnetro (IC <O, IB <O e VCE <O).

Atribuindo valores absolutos crescentes aIB (notando que IB negativo), ob-


temos uma famia de curvas representadas na Fig. 3.32, de acordo com a Eq. 3.5,
que mostra que a corrente de entrada Zg multiplicada pelo fator (3 para fornecer a
corrente de sada Ic. Vemos na Fig. 3.33a mesma famrlia de curvas, agora no pri-
meiro quadrante, como geralmente fornecida pelo fabricante:
106 ESTUDO OOS TRANSISTORES / CAPo 3

-IC ()

_IAOml
3
-~ ~
l.J9.-.
L.- 1>.(

~ ~ ~

:.----
~ "n
2 ~
~
?>c ~
.-::;..
. i.--"

1
zO -
10

O -V
C
O 5 10 15

Fig. 3.33. As mesmas curvas da Fig. 3.32, traadas no primeiro quadrante.

No caso de utilizar um transistor NPN (Figs. 3.34 e 3.35), basta inverter o


sentido das duas baterias, e as curvas caractersticas tm O mesmo aspecto, porm os
sinais das correntes de base e coleto r e da tenso coletor-emissor so contrrios aos
do transistor PNP, de acordo com as convenes j mencionadas.

- Ie
+
Ves
Vcc

Fig.3.34. Transistor NPN, ligado com o emissor comum.

Das curvas caractersticas em emissor comum, tiramos as seguintes concluses


importantes:
I. O ganho de corrente da ligao emissor comum bem maior que o ganho
da ligao base comum; assim, se O' for, por exemplo, 0,98, leremos:

O'
8=- =49.
l-o:
3.1 / TRANSISTOR SIPOLAR
107

Obtemos, ento, em emissor comum, um ganho de corrente maior que a uni-


dade e, conseqentemente, ganhos de tenso e potncia geralmente mais elevados
que no caso da ligao base comum. Valores tpicos de ~ para transistores comer-
ciais variam entre 20 e 900.

1
~

--
~

~ ~ t- - ...-
I-- ~

~
~

I--~
I--

t-- f.--
I--~
I-- ..-
I..~

. O
I-- I--
I-- ~
I--
~ I--
~ I--~ j~
f....-- ~
I--
t.,...- I-- I-- z.(
---
0,4
I..-

""'-
- 1--
~~
1P
-
: I ~
I ! O VCE(V
O 4 678 1.0

Fig. 3.35. Transistor NPN, ligado com o emissor comum: curvas caractersticas IC em funo
de VCE, tendo IB como parmetro (lC> O, IB > O e VCE > O).

2. Devido ao valor elevado do {3,a corrente de fuga em emissor comum, ICE O ,


bem maior que a corrente de fuga em.base comum. Por exemplo, se um transistor
tiver (3= 100, leso = 0,01 mA, ICEO ser: IeEO = ((3 + 1) IeBO = 1,01 mA.
Muitas vezes, nas curvas caracter~ticas dadas pelo fabricante, no possvel
ler a corrente ICBO devido ao seu valor "muito baixo, enquanto que ICEO pode, ge-
ralmente, ser lida no grfico. De qualquer maneira, o fabricante sempre fornece va-
lores numricos tpicos do transistor, incluindo valores das correntes de fuga, os
quais dispensam, em muitos casos, o uso das curvas caractersticas.
3. Observamos que as curvas em EC so mais inclinadas que as curvas em Se.
Vimos que a inclinao das curvas em BC devida ao aumento de a com o aumento
da tenso inversa coletor-base; correspondendo ao aumento de a, por exemplo, de
0,97 para 0,98, temos um aumento de (3de
0,97 0,98
1 - 0,97 para 1 _ 0,98' ou seja, de 32 para 49.

Vemos, portanto, que embora a varie ligeiramente, causando uma inclinao


muito reduzida nas curvas em BC, {3varia muito mais, causando a forte inclinao
das curvas em EC. Com efeito, para o mesmo lB, por exemplo, 10 mA, teremos,
708 ESTUDO DOS TRANSISTORES I CAPo 3

para dois valores de VCE, 1,5 V e 7 V, dois valores de [3,18 e 22 e, conseqente-


mente, dois valores de IC, 0,18 e 0,22 A (Fig. 3.35). Estamos considerando aqui a
relao entre as correntes contnuas do transistor e no a variao dessas correntes,
e, portanto, o ganho ao qual nos referimos o ganho OC; entretanto, as concluses
so perfeitamente vlidas para o ganho AC.
4. Na Fig. 3.36, desenhamos novamente a Fig. 3.34, desta feita definindo as
correntes e tenses do circuito.

Fig.3.36. Fig. 3.34 com indicao das correntes e tenses.

Observando a malha da direita, podemos escrever:


VCC = VCE + IRL
e, analogamente ao que fizemos no caso da ligao base comum, podemos traar
esta "reta de carga" sobre as curvas caractersticas do transistor. Este procedimento
ilustrado na Fig. 3.37.
IC< A)

J.:-- ~ J...--
~ ~ ~ ~ ...
I-- ~ I-- I---
I--
0,6
ICS
['.D
1\.- ~
-
~
r---- I--
4~
~
j.....- ~ 10-

I--'" ~
~ ~
0,6 Ir"
~~ ~
~ ~ I--
I I-- I--
~ 1?5 ~
r;.. l.--t-K -
0,4

0,2
~
iI'"
n-
I

I -, -,
C"- "-~
1.0

I s
v:
I ~ O Vc
o VCES 2 4 6 A8 10
Fig. 3.37. Traado da reta de carga sobre as curvas caractersticas e regies de funcionamento.
3.1 / TRANSISTOR BIPOLAR 109

Para esta reta de carga, quando a corrente injetada na base de 20 mA, o


ponto de funcionamento do transistor o ponto que chamamos de C na figura.
medida que a corrente de base aumenta, o ponto de operao se aproxima do
ponto D, atingindo este, para I B , igual a aproximadamente 45 mA.
Se a corrente de base ultrapassa este valor de 45 mA (no exemplo), o ponto
de funcionamento continua sendo o ponto D. Dizemos, ento, que o transistor es-
t saturado. Note que, a partir deste ponto, a corrente Ic permanece igual a IcS e
VCE permanece igual a VCES.
Podemos facilmente mostrar que, medida que IB cresce (aproximao do
ponto D), a tenso coletor-base vai-se aproximando de zero e que, para uma cer-
ta corrente 1B, a tenso VCB se anula. Se a corrente TB aumenta ainda, VCB muda-
r de sentido e a juno coletor-base tambm ficar diretamente polarizada. Por
exemplo, na Fig. 3.36, suponhamos dois casos:
lI:! Caso:
RL = lOD VCC =8 V IC =0,6A VBE = 0,6 V.
Conseqentemente:
VCE = VCC - ICRL = 8 - 0,6 X 10 = 2 volts,
e
VCB = VCE - VBE = 2 - 0,6 = 1,4 volts.

;z<! Caso:
RL = lOD Vcc =8 V 1c =0,75 A VBE = 0,7V.
Conseqentemente:
VCE = Vec =IcR: =8- 0,75 X 10 = 0,5 volts,
e
VCB = VCE - VBE =0,5 -0,7 = -0,2 volts.
Vemos, nestes exemplos, que quando VBE passou de 0,6 V para 0,7 V (au-
mentando IB), VCB passou de 1,4 V para -0,2 V, o que significa que o transistor
foi da regio linear para a regio de saturao (para VCC = 8 V e RL = lOD).
Entre os pontos B e D, temos a chamada regio ativa (tambm chamada linear
ou normal) e, abaixo do ponto B, a chamada regio do corte. Deixamos a cargo do
leitor verificar por que chamamos a regio abaixo do ponto B de regio de corte.
5. Finalmente, quando observamos as curvas para uma faixa ampla de corren-
tes de coletor, verificamos que o espaamento entre as curvas IB menor para bai-
xas correntes IC, torna-se maior para valores mdios de 1c e volta a ser menor para
altas correntes de coletor. Isto significa que o ganho de corrente pequeno para
baixas correntes de coletar, aumenta quando Ic cresce, at atingir um mximo, e
torna a decrescer quando Ic continua aumentando.
Podemos justificar esta concluso acerca do ganho, lembrando que espaa-
mento entre as curvas IB corresponde a uma certa variao de Ic; diminuindo o es-
paamento, temos, para uma mesma variao de IB, uma variao correspondente
de Ic menor e, portanto, um ganho menor, conforme ilustra a Fig. 3.38.
110 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAP. 3

-IC(mA)

IY-... ,
~'l-~ ~ ~~C }I. r>
10 / i~'

8 .....
~ ~ P
,1 r- ~
~~ ~
A
6v

4
.... ~
iOO ~ ~ - ,<I sr 1321=5 D}\A
t:.
2' t 16
50f.\. ~
2

O~A

o 6 !O 15 20 25 30 35 40

Fig.3.38. Variao do ganho nas curvas caractersticas em EC.

o fabricante, s vezes, fornece uma curva de variao do ganho com a corren-


te do coletor, que tem o aspecto da Fig. 3.39. preciso lembrar que essa curva va-
ria bastante de um transistor para outro. Se no assinalamos 'esse fenmeno no caso
da ligao EC, porque o a: varia pouco com a corrente do coletor, e o efeito , s
vezes, difcil de ser notado nas curvas. Entretanto, esta pequena variao do a cor-
responde a uma variao grande do (3, que provoca o efeito indicado nas curvas em
EC.

400

300
c\'T"~
\.1<)& ~ -- r----,.....

e=
!""!

1..-
200
~ I ,.C~'T9A
ecl!.!." ... - .......r-

100
~
~
--.-
I-
~
~~~
......
r-

-I c(mA)
o
2 1 2
l l 1 10 10
Fig. 3.39. O ganho em funo da corrente do coletor para os transistores BCl77, BC178 (A e
B) e BC179 (A e B) da Ibrape.
3.1 ! TRANSISTOR SIPOLAR 111

Exerccio 3.1
Um transistor NPN, tendo < = 0,98 c ICBO = 6 }1 A, ligado em emissor comum. Utiliza
uma nica bateria de polarizao de 15 V, da seguinte maneira: emissor em terra, coletor ligado
ao terminal positivo da bateria atravs de um resistor RC; base ligada ao mesmo terminal posi-
tivo atravs de um resistor R I , e terminal negativo da bateria em terra. Pede-se:
a) Fazer o esquema do circuito.
b) Calcular /3 e ICEO.
e) Sabendo que IE = 2,5 mA, calcular IC e IB.

d) Sabendo ainda que VCE= 5 V e VBE= 300 mV, calcular RCe R"
Soluo. a) Deixamos a cargo do leitor.

b)/3=_a_= 0,98 =49.


l-a 1-0,98
ICEO = (/3 + I) ICBO = (49 + I) 6 = 300 I.,A.
e) IC = te + ICBO.
le = te + teso = 0,98 X 2,5 + 0,006 = 2,456 mA.
ts=!c + IB
IB =IE -Ie = 2,5 - 2,456 = 0,044 mA.
d) Na malha que inclui a bateria, o resistor Re e a juno coletor-emissor, podemos es-
crever:
Vee = VeE + IC Re (que a prpria equao da reta de carga do transistor).
Ento:
VCC-VCE
RC= = --15-5 = 4,07 kn.
le 2,456
Na malha que inclui a bateria, o resstor R 1 e a juno base-emissor, podemos escrever:
rcc= VBE + IBR,
VCC- VBE 15 - 0,3 3
R, = :--- =3 4kn.
IB 0,044
Notamos que a maneira acima apresentada de polarizar um transistor por meio de uma
nica bateria, utilizando um resistor da base para essa bateria, a mais simples; veremos um ou-
tro meio mais utilizado num prximo exerccio.
3.1.4.4. Estudo da L!gao Coletor Comum
A terceira maneira de ligar o transistor colocar o coleto r como terminal co-
mum, obtendo-se a configurao coletor comum, tambm chamada coletor em ter-
ra, ou ainda, seguidor de emissor (Fig. 3.40). O terminal de entrada a base e o de
sada agora o emissor, em vez do coletor, como na ligao emissor comum.

Vcc
+

Fig. 3.40. Transistor NPN, ligado com o coletor comum.


112 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3

No so fornecidas, geralmente, curvas caractersticas especficas para o caso


da ligao CC. Com efeito, essas curvas dariam a relao entre ft: (grandeza de sa-
da) e 18 (grandeza de entrada). Podem ser utilizadas, ento, as curvas em EC, que
do a relao entre I C e 18, devido ao fato de as correntes IC e IE serem muito pr-
ximas em valor.
O ganho em corrente de ligao CC ligeiramente superior ao da ligao EC
(porque, para o mesmo valor de 18, IE ligeiramente maior que Ic), mas, em pri-
meira aproximao, pode-se considerar o ganho de corrente da ligao CC como
sendo igual a (3. Quanto ao ganho em tenso, prova-se que sempre menor que a
unidade, da mesma maneira que o ganho em corrente da ligao BC menor que 1.
Conseqentemente, o ganho em potncia da ligao CC , geralmente, menor que o
da ligao EC.
Do estudo acima para as trs ligaes, conclui-se que, do ponto de vista da
amplificao, a ligao EC a que apresenta as melhores caractersticas, pois for-
nece amplificao de corrente e tenso e, portanto, ganho de potncia elevado. ,
conseqentemente, a ligao mais utilizada.
A ligao BC capaz de fornecer amplificao de tenso, mas no de corren-
te, e a ligao CC fornece amplificao de corrente, mas no de tenso. Ambas as
ligaes tm, portanto, ganhos de potncia reduzidos ~ so utilizadas em casos es-
peciais, principalmente quando se deseja obter circuitos com impedncias de entra-
da ou sada elevadas ou reduzidas.
Aps o estudo do prximo item, estaremos em condies de concluir com
mais preciso acerca das propriedades das trs ligaes do transistor.

3.l.5. PARMETROS E CIRCUITOS EQUIVALENTES


Os catlogos fornecidos pelos fabricantes de transistores, quando completos,
apresentam trs sries de dados que so: as limitaes do transistor (descritas na
Se. 3.1.7), as caractersticas,j vistas no item anterior - fornecidas sob a forma de
curvas caractersticas, dados numricos ou, geralmente, de ambos - e, finalmente,
os parmetros, que vamos estudar a seguir.
Os parmetros do transistor so utilizados conjuntamente com os circuitos
equivalentes do mesmo. Que vem a ser parmetro? Que vem a ser circuito equiva-
> lente? Qual a finalidade dos mesmos? A resposta torna-se aparente, quando consi-
deramos o funcionamento do transistor em regime alternado, isto , seu funciona-
mento em torno de um ponto de operao De. Vamos esclarecer esses conceitos,
estudando sucessivamente: o funcionamento do transistor em regime alternado e a
necessidade de um circuito equivalente para os clculos relacionados a esse funcio-
namento; a apresentao de um circuito equivalente intuitivo para o transistor; e,
finalmente, a derivao de dois circuitos equivalentes mais apropriados para clculos
prticos, o circuito equivalente em T e o circuito equivalente hbrido, juntamente
com os parmetros a eles associados. Como conseqncia desse estudo, veremos, na
Se. 3.1.6, a obteno das frmulas que permitem calcular as principais caractersti-
cas do transistor utilizado como amplificador (ganhos de tenso e de corrente, im-
v~dncias de entrada e de sada), em funo dos parmetros j vistos e das resistn-
cias externas colocadas no circuito do transistor.
3.1 / TRANSISTOR HIPOLAR 113

3.1.5.1. Funcionamento do Transistor em Regime Alternado

No seu funcionamento normal como amplificador, o transistor colocado


num ponto de operao escolhido pelo projetista, isto , trabalha com um rerto va-
lor da corrente do coletor e um certo valor da tenso de coletor, determinados
pela tenso que alimenta o transistor (Vcd, pela resistncia de carga (RiJ, e pela
polarizao da juno emissor-base, a qual determina a corrente de base. Vemos re-
presentados, nas Figs. 3.41 e 3.42, o esquema simplificado de um estgio amplifica-
dor EC e as curvas caractersticas do transistor, sobre as quais foi superposta a reta
de carga.

IC

;j~~
10
pV
r-.b..-- ~ l----"

[)... ~ f--- I--


+ 4
<, !>o

r-, o VeE

o ia 1~ 20 25 Vee 35 40

Fig. 3.41. Esquema simplificado de um es Fig. 3.42. Curvas caractersticas c reta de.
tgio amplificador EC. carga do circuito da Fig. 3.41.

Seja agora o circuito da Fig. 3.43, no qual, para simplificar a anlise, no foi
representado o circuito de polarizao da base: supomos simplesmente que existe
uma corrente IB (contnua) na base do transistor.

Fig.3.43. Estgio amplificador EC com uma corrente de base eontnua Jg.

Vejamos O que acontece, quando o sinal a ser amplificado injetado na base


do transistor. Tratando-se de um sinal alternado, ser designado por ts, servindo as
letras minsculas para dferenci-lo da corrente contnua Io. Sem perda de genera-
lidade, para novamente simplificar a anlise, podemos supor que esse sinal senoi-
dal (com valor mximo ib mx.) e que este sinal est superposto ao sinal contnuo
IB, conforme mostra a Fig. 3.44.
114 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3

1.-~_..-, --j_ ...........


----'
-----

-i-------~r---------------~,.~p.

Fig.3.44. Sinal a ser amplificado pelo circuito da Fig. 3.41.

A corrente de base do transistor vai agora variar entre lB + ibmx. e IB -


- ibmx. , e a variao correspondente da corrente do coletor ser lida nas curvas ca-
ractersticas, nas intersees das correntes de base mencionadas e da reta de carga, o
que ilustrado na Fig. 3.45. Conhecendo-se, ento, a variao do sinal de entrada,
podemos determinar' a variao do sinal de sada graficamente e, portanto, calcular
o ganho do estgio.

IC(rriA)

I\,.
,'l ~.
10 ~~
r

62
8
r-,
~
.~\
"\.~ ~
~
,
~
..
Q
-
2,3
6

4
"
....-
.......
'-!B
<, -l-' ~

......
'li
~
.~10'

50
2 .....
<, o VCE( V)
o 5 to .15 20 25 30 35 40
Fig, 3.45. Determinao grfica da variao da correntede sada em funo da corrente de en-
trada, no circuito da Fig. 3.41. No caoo,lB = 100 J.lA, ibmx. = 50 j.:A e a corrente de coletor
varia de 2,3 mA a 6,2 mA.

Entretanto, essa soluo grfica no sempre possvel, tendo-se em vista que


nem sempre o projetista dispe das curvas caractersticas do transistor que deseja
utilizar, seja porque tais curvas no constam das folhas de especificaes do fabri-
3.1 / TRANSISTOR BIPOLAR 115

cante, seja porque ele dispe somente de catlogos gerais que fornecem caractersti-
cas, limitaes e parmetros, mas no as curvas. Mesmo no caso que seja possvel o
processo grfico, este no prtico, uma vez que exige o traado da reta de carga,
sendo portanto demorado e fastidioso; e, principalmente, este processo no pre-
ciso, j que as curvas caractersticas fornecidas pelo fabricante so curvas mdias,
que no podem levar em conta as tolerncias de fabricao dos transistores, e que,
quando o nvel do sinal a ser amplificado reduzido, torna-se praticamente impos-
svel a marcao sobre as curvas.
Uma soluo mais racional para este problema consiste, ento, em evitar a so-
luo grfica, substituindo o transistor por um circuito eltrico composto pelos
componentes que forem necessrios para representar o funcionamento do mesmo li-
gados de maneira conveniente: fontes de tenso ou corrente, resistores, capacitores.
Conhecido esse circuito (que chamamos circuito equivalente) e os valores dos tais
componentes (que chamamos parmetros), toma-se possvel substituir o transistor
pelo seu circuito equivalente e resolver o problema pelo clculo, aplicando os mto-
dos conhecidos de anlise de circuitos.
De acordo com a funo do transistor e a freqncia de utilizao, vrios cir-
cuitos equivalentes podem ser utilizados, escolhendo-se o mais adequado para a an-
lise em questo.

3.1.5.2. Circuito Equivalente Intuitivo

Vamos traar o circuito equivalente de um transistor da maneira mais intui-


tiva, considerando o funcionamento do mesmo, obtendo o chamado circuito equi-
valente intuitivo. J que usamos para estudo do funcionamento a ligao BC, a
mais simples e evidente, traaremos, em primeiro lugar, o circuito equivalente para
esta ligao.
Consideremos o transistor em BC da Fig. 3.46: temos trs terminais, sendo o
terminal de base comum entrada e sada. necessrio colocar entre esses trs
terminais os componentes que traduzem o desempenho do transistor.

: :-
E C

E
r---'
ICIRCUITO I C
o--; EQUIVALENTE r--o
~
B
L-1-J
O O
B

Fig. 3_46. Substituio de um transistor ligado com a base comum pelo seu circuito equiva-
lente.

o que vemos entre os terminais do emissor e da base? Um diodo polarizado


diretamente, que representaremos por uma resistncia 'eb, de baixo valor, e que
exatamente a resistncia dinmica da juno emissor-base (ver Se, 2.1). Lembra-
mos que, para o traado dos circuitos equivalentes e a determinao das par-
116 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo3

metros, estamos interessados no funcionamento AC do transistor, de modo que,


para obtermos a resistncia "eb consideramos a inclinao da curva do diodo no
ponto de operao considerado, como est ilustrado na Fig. 3.47 .
.Ia

~ ~~ ~ VBE

Fi. 3.47. Curva caracterstica do diodo base-emissor. Atente para a distino entre a resis-
Vo
tnciaOC e a resistncia r eb: resistncia OC = 10; resistncia em torno do ponto
.1VBE
P='eb = AlB .

Vejamos agora os terminais do coletor e da base. Que existe entre os mes-


mos? Um -diodo polarizado inversamente, que representamos pela resistncia din-
mica da juno eoletor-base, res . a qual tem um valor elevado.
Portanto, baseado exclusivamente nos dois argumentos anteriores teramos
um circuito como sugerido na Fg. 3.48, onde as tenses ve e Vc indicam as varia-
es das tenses de entrada e de sada em tomo de VE B e VC B.

E
+
~
--- ie

+
C

v. r.b rcb

I Iv'
B
Fi&- 3.48. Uma primeira idia para o circuito equivalente de um transistor com a base comum.
3.1 / TRANSISTOR SIPOLAR 717

Entretanto, verificamos facilmente que o circuito equivalente no est com-


pleto, pois sabemos que a corrente do emissor aparece no coletor multiplicado por
a, o que no pode ser traduzido simplesmente pela presena das duas resistncias
acima citadas. necessrio acrescentar uma fonte de corrente, entre os terminais
coletor e base, de valor o:ie, que representa exatamente o efeito desejado. Temos,
ento, o circuito da Fig. 3.49.
i. ie

+
E0------.., ~---------~---~------
__~C
,+

'cb
I~
B

Fig. 3.49. Circuito equivalente intuitivo de um transistor na ligao BC.

Para mostrar que este circuito ainda no est completo, basta observar a Fig.
3.28, onde ilustramos o fato de as caractersticas no serem horizontais: quando
aumentamos - VCB (em valor absoluto), a corrente Ic aumenta ligeiramente para
manter a mesma corrente de emissor. No exeinplo da Fig. 3.28, Ic varia de 0,91
mA a 0,93 mA para manter IE = 1 mA, quando - VCB varia de 2 a 10 volts.
Podemos esquematizar do seguinte modo:
VCB aumenta,
Ic aumenta para manter IE constante,
mas IB =IE -IC e,portanto,
IB (e, conseqentemente, VEB) dever diminuir para manter IE constante.
Conseqentemente, o aumento de VCB causa uma diminuio em VEB (e em
18), e este fenmeno pode ser traduzido no nosso circuito equivalente incluindo um
gerador de tenso em srie com Teb, tendo o valor /J.Vc onde /J. um fator de pro-
porcionalidade a ser determinado. O circuito equivalente intuitivo completo apre-
sentado na Fig. 3.50.

E
+
-- i.
-- ic

+
C

-lie
rcb Vc

Fig. 3.50. Circuito equivalente intuitivo completo de um transistor ligado com a base comum.
118 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3

Observe que quando Vc variar, ;;,vc variar e, conseqentemente, ve = ie'eb +


+ J.i.V c tambm variar.
Na realidade, o gerador introduzido traduz um efeito importante em um tran-
sistor, que uma dependncia das grandezas de entrada em relao s grandezas de
sada.
Em resumo, a Fig. 3.50 apresenta o circuito equivalente completo intuitivo
de um transistor com a base comum, onde, eb , "cb , a e J..L so os parmetros do
mesmo. Notamos que o circuito intuitivo de fcil obteno para a ligao BC,
mas tornar-se-ia mais complicado se fosse tentada uma representao em EC ou CC.
Por outro lado, os parmetros no so de fcil determinao, no podendo ser me-
didos diretamente. Devido a esses motivos, procurou-se obter circuitos equivalentes
mais prticos, e foram desenvolvidos o circuito equivalente em T e o circuito equi-
valente hbrido, descritos a seguir.

3.1.5.3. "Circuito Equivalente em "T"


At alguns anos atrs, era bastante utilizado o circuito equivalente em T, o
qual, embora tambm fizesse uso de parmetros de determinao indireta, tinha a
vantagem sobre o circuito intuitivo de apresentar um s gerador em vez de dois, e
de ter os pontos do emissor e do coletor ligados entre si, o que simplificava o clcu-
lo dos circuitos complexos. O circuito equivalente em T, mostrado na Fig. 3.51,
apresentado aqui pelo seu valor histrico e para ilustrar o tipo de anlise que pode
ser feita para relacionar dois circuitos equivalentes diferentes; hoje em dia, seu uso
foi substitudo pelo do circuito equivalente hrbrido, cujos parmetros podem ser
medidos diretamente.

E
+
--
re
-ic
C

I
L~
+
ia

v.J r'
b
V,

8
Fg, 3.51. Circuito eq uivalente em T de um transistor na ligao Be.

Para manter a validade do modelo, necessrio relacionar os parametros do


circuito em T, tambm chamados parmetros r com os parmetros j conhecidos
do circuito intuitivo. De que maneira isso realizado? Simplesmente escrevendo as
equaes dos dois circuitos e comparando os parmetros. Vamos primeiro escrever
Ve em funo de ie e ic. Os dois circuitos foram desenhados novamente na Fig.
3.52, com as correntes indicadas em detalhes, para poder escrever com mais facili-
dade as equaes.
.1 1 / TRANSISTOR SIPOLAR 119

No circuito equivalente intuitivo,


ve=iereb +p.vc (3.6)
Como
v, =(ic + exie)rcb. (3.7)
temos
ve=iereb +/1(ic+Qie)rcb (3.8)
ou
ve = ieC'eb + 1100rcb) + Wcb io (3.9)

No circuito em T;
ve = i,'e + (ie + ic)rb" (3.10)
ou
ve = ie(re + 'b') + ic'b' (3.l1)

E0--=.,
+ ..

v1
'Cb

1~
Ia)

o-------~--------------o-
Ib)
B

Fig. 3.52. Comparao dos circuitos equivalentes intuitivo e em T para um transistor na ligao
Be: (a) circuito intuitivo; (b) circuito em T.

Comparando as Eqs. 3.9 e 3.11, temos:


, (3.12)
'b = I1rcb
e
'e + 'b' = 'eb + Jl.Q'cb (3.13)

'e = 'eb + /lQTcb - /l'cb (3.14)

'e =reb -Wcb(1-Q) (3.15)

Vamos agora escrever vc em funo de ie e ic.

No circuito intuitivo;

(3.16)
ou
(3.17)
120 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAP. 3

No circuito em T:
vc = (ie + a ie}Te + (ie + ie}Tb' (3.18)
ou
ve = ie(rb' + aTe) + ie(re + rb'). (3.19)

Comparando as Eqs. 3.17 e 3.19, temos:


reb=re+rb'

ou, tendo-se em vista a Eq. 3.12, podemos escrever:


reb = Te + jJrcb (3.20)

e, portanto,
re = (1- jJ)reb' (3.21)
E ainda:
(3.22)
ou
(3.23)

= Teb(a-J..l)
a= (3.24)
Teb (I jJ)'

e, finalmente,
a-jJ
a=-- (3.25)
l-Ji'

Conhecidos, ento, os parmetros reb, reb, a e ,u,torna-se possvel calcular os


parmetros (re, Tb', Te e a), do circuito equivalente em T, mais simples de manejar.
O quadro a seguir resume as frmulas de transformao dos parametros.
Dados Parmetros do circuito em T
Te = Teb - JiTeb (1 -a)
ri> j.J.reb

Te = (I - ,u)Teb

a-Ji
a = I-J..l

~ interessante notar que, no circuito equivalente intuitivo, a nterao entre a


sada e a entrada representada pelo gerador ,uVe em srie com reb, enquanto que,
no circuito equivalente em T, esta nterao representada por n'. Alm disto,
como IJ. um nmero muito pequeno (10-4, por exemplo), temos que a ~ a , Te~
~Teb, mas rj,' *Teb eTe *Teb'
O processo descrito acima pode, muitas vezes, ser seguido: se for desejado
um certo circuito, a partir de um outro j conhecido, desenha-se o novo circuito,
escrevem-se as equaes dos dois e, comparando os valores dos componentes, tm-se
dois circuitos absolutamente idnticos, quando vistos da entrada e da sada, um dos
quais pode ser prefervel para uma certa aplicao.
.11 / TRANSISTOR S/POLAR 121

3.1.5.4. Circuito Equivalente Hbrido

o circuito equivalente que acaba de ser visto foi deduzido a partir das carac-
tersticas fsicas do transistor. Outros circuitos, mais apropriados em muitos casos,
podem ser construdos a partir de consideraes mais ligadas s funes do transis-
tor dentro de um circuito eltrico, sendo calculadas a seguir as relaes entre os pa-
rmetros dos diversos circuitos equivalentes.
Um destes circuitos, o chamado circuito equivalente hbrido (ou H), encontra
grande aplicao, e seus parmetros so geralmente fornecidos pelos fabricantes,
para os transistores de baixa e mdia freqncia. interessante notar tambm que
esses parmetros podem ser medidos diretamente no transistor. Esse circuito ori-
gina-se quando se considera o transistor como sendo um quadripolo, ou seja, um
conjunto de componentes eltricos representados simplesmente por uma caixa,
com quatro terminais externos (Fig. 3.53). Sabemos que o transistor s possui trs
terminais, mas como um dos trs sempre comum entrada e sada, podemos re-
present-lo por meio de um quadripolo, lembrando que dois terminais - um de en-
trada e outro de sada - , so na realidade um nico terminal (ver Se. 3.1.3.2).
Estamos interessados somente nas grandezas que podem ser medidas no exterior da
caixa - tenses e correntes alternadas em torno de um certo ponto de operao
DC.

Fig. 3.53. Quadripolo.

Se a excurso do sinal em torno do ponto de operao pequena, podem ser


escritas relaes lineares entre as quatro grandezas. Para deduzir o circuito equiva-
lente que aqui nos interessa, vamos exprimir a tenso de entrada VI e a corrente de
sada;2 em funo da corrente de entrada il e da tenso de sada V:z:

VI = hs : I + hi z V2; (3.26)
2 = hz I I + h2 2 V2 (3.27)

Os fatores h u , hs , h:l1 e h22 so justamente os parmetros do circuito


equivalente e so chamados parmetros H ou hbridos. Analisando o significado de
cada um destes parmetros, entenderemos por que o circuito obtido a partir das
equaes acima chamado circuito equivalente hbrido.
Faamos primeiro V2 = O: isso equivale a colocar em curto a sada do quadr-
polo. Nesse caso temos:

(3.28)

Verificamos que h11 a relao entre a tenso e a corrente de entrada. Tem,


portanto, a dimenso de uma resistncia, sendo a prpria resistncia de entrada do
122 ESTUDO OOS TRANSISTORES / CAPo 3

quadripolo (ou seja, do transistor), isto , a resistncia vista entre os terrninais de


entrada do mesmo, quando a sada est em curto-circuito.
Que vem a ser h21 ? a relao entre a corrente de sada e de entrada do qua-
dripolo. , portanto, um nmero adirnensional que representa o ganho de corrente
do transistor, ainda com a sada em curto.
Da mesma maneira, fazendo agora i1 = O, o que equivale a deixar a entrada
em aberto, temos:

ic= O. (3.29)

Vemos que h12 um nmero adirnensional, relao entre as tenses de entra-


da e sada: um ganho de tenso inverso (com a entrada aberta). Finalmente, h22,
relao entre a corrente e a tenso de sada, tem a dimenso do inverso de uma re-
sistncia, ou seja, de uma condutncia, sendo a condutncia de Sada do transistor.
, ento, o inverso da resistncia vista entre os terminais de sada, quando a entrada
est aberta.
Resumindo, h12 e h21 so nmeros adimensionais, hi: uma resistncia e
h22 uma condutncia. Por isso, esses parrnetros e, conseqentemente, o circuito
equivalente correspondente, so chamados hrbrdos. Nota-se que, escolhendo
outras equaes para representar o quadripolo, poderamos ter chegado a par-
metros com dimenso de resistncia ou de condutncia, unicamente.
Notamos, ainda, que todas as consideraes acima foram feitas para um qua-
dripolo genrico, sem levar em conta qual o terminal comum do transistor.
Portanto, os resultados aplicam-se, qualquer que seja a configurao na qual o tran-
sistor utilizado: para cada uma delas, teremos parmetros com valores diferentes.
Para distngui-los, sero acrescentados a cada um dos parmetros os ndices e, b, c,
de acordo com a ligao -EC,BC e CC,respectivamente. Desse modo, podemos
traar agora o circuito equivalente hbrido genrico para o transistor, lembrando
que h12 e h21 so admensionas, que h u uma resistncia e h22, uma condutncia,
obtendo a Fig. 3.54.

i1
+0------.,. ,..----r-----Q+

Fig. 3.54. Circuito equivalente hbrido genrico.


3.1 / TRANSISTOR SIPOLAR 123

Com efeito, comparando o circuito com as equaes, vemos que, quando a


sada curto-crcuitada (V2 = O), temos, realmente, VI = hll,il ei2 = h21,ii ,e,
quando a entrada aberta (i1 = O), temos VI = h12 V2 e i" = h22 v".
Para particularizar o circuito para uma das trs ligaes, basta colocar o ndice
correspondente nos parametros (e, b ou c) e identificar VI e i, e Vl e ;2 como as
tenses e correntes de entrada e sada, respectivamente, da ligao em estudo.
Na Fig. 3.55, ilustramos o circuito equivalente hbrido de um transistor liga-
do com o emissor comum.
B ..!L.-
~ C
+0-----,

E
Fig. 3.55. Circuito equivalente hbrido de um transistor ligado com o emissor comum.

Notamos ainda que, em vez dos ndices 11, 12,21 e 22, so utilizados comu-
mente os seguintes ndices:
= II (do ingls input , entrada);
o = 22 (do ingls output, sada);
f = 21 (do inglsforward, para frente);
r = 12 (do ingls reverse , reverso).

Por exemplo:
hie = hs: e = resistncia de entrada do transistor em EC com sada em
curto;
h/b =h 21 b = ganho de corrente direto do transistor em BC, com sada
em curto etc.

Podemos reparar que os parmetros hfb e hfe correspondem aos valores que
definimos anteriormente como o: e {3,respectivamente.
O leitor deve ter notado que o circuito da Fig. 3.54 exatamente aquele do
circuito equivalente intuitivo da Fig. 3.501 Surge, ento, a pergunta: qual a utili-
dade de todas essas consideraes a respeito de quadripolos? A resposta que o cir-
cuito da Fig. 3.50 era intuitivo somente para a ligao BC, enquanto que os circui-
tos equivalentes hrbrdos so mais gerais, pois so vlidos para qualquer ligao, mo-

1 Notar que, na Fig. 3.55, o gerador est representado com sentido oposto ao da Fig.
3.50; entretanto, conforme pode ser verificado no exemplo a seguir, o parmetro h21 b negati-
VO.
124 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAP. 3

dificando somente os parmetros. Comparando agora o circuito hbrido com o cir-


cuito em T, verificamos que o segundo varia de uma ligao para outra, utilizando,
entretanto, os mesmos parmetros,
Apresentamos a seguir os valores dos parmetros H para o transistor OC711
da IBRAPE, na ligao BC, no ponto de operao - VCR = 2 V, -IE = 3 mA e para
t= 1.000 Hz e T= 25oC:
h nb = 17n;
h12b =8.10-4;
h21 b = -0,979;
hnb = 1,6 pn-1 ;.

Para a ligao EC, no ponto de operao - VCE = 2 V; -Ic = 3 mA e para


t= 1.000 Hz e T= 25oC, temos:

hll e = 0,8 kn;


h12e = 5,4 ,10-4;

h21e = 47;
h22e = 80j.ln-1

Para maior ilustrao, apresentamos tambm os valores dos parrnetros H para


dois modernos transistores de silcio, para Ic = 2 mA, VCE = 5 V;f= I kHz e T=
= 25C;

para o transistor BC546A:


llle = 2,,7k!1;
h12e = 1,5 X 10-4;

h21 e 220;

h22e = 18 j.tn-1

E para o transistor BCS47C, nas mesmas condies:


h11e = 8,7 kS1;
hn; = 3 X 10-4;
h21e = 600;
h22e = 60 ,un-1
Comparando os dados acima, o fato que mais chama a ateno o grande
aumento do ganho em EC (dado pelo parmetro h21e), de 47 para 220 (BC546A),
e para 600 (BCS47C), atribuvel ao uso do silcio em vez de germnio, como era o
OC71, e ao grande avano das tcnicas de fabricao nos transistores modernos.
Devemos notar que todos os parmetros mantm-se dentro de uma faixa de
tolerncia de fabricao, tendo sido apresentados acima os valores tpicos .. Obser-
I Transistor j obsoleto. Ver comentrio no Prefcio.
3..1 /TRANS/STOR 8/POLAR 125

vamos tambm que os parmetros H (como todos os outros parmetros) dependem


do ponto de operao do transistor; com efeito, sabemos que o parmetro
a (= - h21 b) e a inclinao das curvas caractersticas, que so relacionadas com esses
parmetros, modificam-se com a tenso e a corrente do coletor. E como os par-
metros variam tambm com a freqncia de operao e a temperatura, justifica-se
mencionar todas essas condies quando so oferecidos dados numricos para os
parmetros.
Notamos tambm que, tendo em vista que hi: e h22 so sempre muito peque-
nos, eles podem ser desprezados, numa primeira aproximao, para efeito de ante-
projeto e conhecimento da ordem de grandeza dos resultados, ficando o circuito
equivalente do transistor simplificado, conforme mostra a Fig. 3.56. Esse circuito
simplificado cotresponde a desprezar a condutncia de sada do transistor (h22) e o
ganho inverso (hl2), ou seja, a influncia da sada do transistor sobre a entrada - a
chamada realimentao interna do transistor. A validade dessas aproximaes
depende obviamente do circuito onde o transistor est sendo utilizado e da preci-
so desejada para os clculos.

Fig, 3.56. Circuito equivalente hfbrido simplificado de um transistor.

3.1 .5. S. Medio dos Parmetros "H"

Vamos apresentar agora circuitos para medio dos parmetros H; para essa
finalidade, vamos lanar mo das definies dos parmetros, dadas em (3.28) e
(3.29) e procurar reproduzir num circuito as condies exigidas para a determi-
nao dos mesmos.
Considerando os parmetros em BC, vemos, na Fig. 3.57, um circuito que
permite a medio de hl1 b- Para fixar o ponto de operao desejado, a tenso
quiescente do coletor obtida atravs da bateria varivel Vcc . e a corrente quies-
cente do emissor atravs da bateria varivel VE E' O gerador vs excita o circuito na
freqncia de interesse; para evitar que esse sinal seja desviado atravs de R2 (um
resistor de proteo) e da bateria VEE, em vez de entrar no transistor, a indutncia
126 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3

L colocada em srie, funcionando - naquela freqncia - como uma impedncia


muito elevada, aproximando-se de um circuito aberto para o sinal.

Fig. 3.57. Circuito de medio para o parmetro h 11 b-

Fig.3.58. Equivalente AC do circuito da Fig.3.S7.

Do ponto de vista AC, o circuito simplifica-se para aquele da Fig. 3.58, e


podemos identificar as tenses VI e V2 da Fig. 3.54 com-v, e vc, respectivamente, e
as correntes iI e ix com ie e ic, respectivamente. Particularizando agora a definio
de h u dada em (3.28) para a ligao BC, temos:

h11 b VI I
= -:--
11 V2 o
3.1 / TRANSISTOR SIPOLAR 127

Temos ento ie == s
V ~1 ve ,desprezando a capacitncia de C na freqncia
de operao. Utilizando uma tenso do gerador vs muito maior que a tenso emis-
sor-base Ve, podemos escrever ie == ~~ ,e

Ve
h11b ==-.Rl.
Vs

Medindo ento ve e v. obtemos hn b.

Com o mesmo circuito, porm acrescentando o resistor R3 , Fig. 3.59, medi-


mos agora h21 b dado por:

h21b == ~21
'I V2 == O
== ~c
'e IVc == O
Entretanto, como o valor de h21b (igual a- a) muito prximo da unidade, toma-
se mais fcil medir I + h21 b : Conseqentemente:

I + h21 b == 1 + ~c I == ie :- c I - V
3
X RI
'e Vc = O 'e vc = O - R3 VS '
_ V3
j que a corrente atravs R, ie + ic - R3 .

Notamos que para o sinal AC, ainda podemos considerar v c aproximadamente


igual a zero, pois a fraca corrente de base produz no resistor R3 (de baixo valor)
uma queda muito baixa. Medindo ento V3 e vs, calculamos hZ1 b-

Fig.3.59. Circuito de medio para o parmetro h21 b.

o circuito da Fig. 3.60 permite a medio de hiz. A polarizao do transis-


tor obtida da mesma maneira explicada anteriormente, e o gerador "s agora
colocado no coletor. Devido presena da ndutnca L, o lao do emissor consi-
derado aberto na freqncia de operao, e ie = O.
128 ESTUDO DOS TRANSISTORES I CAPo 3

Temos ento, usando (3.29):

h1Zb = :~ I. li O
_ Ve
V
I
ie O

e medindo ve e vc, obtemos h1Zb.

- ic

Vc

Fig. 3.60. Circuito de medio para o parmetro h 12 b-

Acrescentando ao circuito precedente o resistor R3 (Fig. 3.61), temos:

hzzb=- iz I ic
=- I =-x--
V3 1
V2 il = O Vc ie = O R3 VC

j que a corrente em R3 ic (pois ie = O) e ic = ~ Medindo V3 e vc, obtemos


R3
h22 b.

Vcc

Fig. 3.61. Circuito de medio para o parmetro h21b.


3. 1 / TRANSISTOR SIPOLAR 129

Da mesma maneira, podem ser projetados circuitos para medio dos par-
metros li nas outras ligaes, ou ainda, podem ser calculados a partir dos parme-
tros medidos na ligao base comum.
Uma vez escolhido o tipo de circuito equivalente a ser utilizado numa deter-
minada aplicao e conhecidos os parmetros correspondentes, podemos calcular as
caractersticas do transistor como amplificador.

3.1.6. CARACTERSTICAS DE AMPLIFICAO

Agora que j estudamos alguns circuitos equivalentes do transistor com seus


respectivos parmetros, podemos determinar as caractersticas de amplificao do
mesmo, sem ter que recorrer s curvas caractersticas. Quais as grandezas que neces-
sitamos conhecer, quando o transistor utilizado como amplificador? Os ganhos
de tenso e de corrente e as resistncias de entrada e de sada. Notamos que os pa-
rmetros li correspondem exatamente a essas grandezas, nos casos particulares da
sada em curto ou da entrada aberta. Ora, quando o transistor est funcionando
normalmente num circuito complexo, nenhuma dessas condies preenchida:
existem resistncias externas na entrada e na sada. Procuraremos, ento, calcular
essas grandezas em funo dos parmetros do transistor e das resistncias externas
do circuito. E, aps aplicar esses conceitos ao caso do circuito equivalente hbrido,
estaremos em condies de fazer uma comparao entre as caractersticas de ampli-
ficao do transistor em cada uma de suas ligaes, confirmando os resultados apro-
ximados mencionados no final da Se. 3.1.4.4.

3.1.6.1. Caractersticas de Amplificao em Funo dos Parmetros "H"

Seja o transistor da Fig, 3.62 ligado em Be, destinado a amplificar o sinal do


gerador eg - o qual tem uma resistncia interna Rg - e fornecer o sinal amplificado
resistncia de carga RL. Notamos que, nesta figura, no foi representado o cir-
cuito de polarizao do transistor, j que estamos interessados somente no fun-
cionamento alternado. Salientamos tambm que a anlise a seguir vlida para
transistores PNP e NPN.

Fig. 3.62. Amplificador constitudo por um transistor com a base comum (o circuito de pola-
rizao no est representado).
130 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3

Vamos substituir o transistor pelo seu circuito equivalente, obtendo a Fig.


3.63. Sejam vj e vo as tenses de entrada e de sada e ij e io, as correntes de entrada
e de sada, respectivamente. O transistor tratado como quadrpolo e so dados os
parmetros hj (= hu),ho (=h'l'l),hf(::h'ld e hr(=h12). Colocamos na entrada do
circuito o gerador eg em srie com o resistor Rg (que pode ser considerado como a
resistncia interna do gerador).

r-- - - - - -- - -,
+
-
I;

I
N! N/J I

I
I
I
I
I
Vi I h,ii ho RL
I
I
I
I
I
I I
I I
L __ ..J
- - - - - - -
Fig.3.63. Circuito equivalente de um amplificador utllizan~o p~metros hfbridos,

Verificamos que o estudo que vamos fazer inteiramente geral, aplicando-se


a qualquer uma das configuraes, desde que os parmetros sejam os corresponden-
tes configurao em estudo. Por exemplo, se for o caso de um amplificador com
transistor ligado em base comum, teremos hjb ' hrb, hfb e hOb.
Considerando os ns I e 11, podemos escrever:
N]:
. v/-h,vo
'1= h, ou vj=hjij+hrvo;

N lI:

= hfij + ho "o ;
io

mas como "o = - io RL' temos

- ~; = hJi; + ho voou O = hfil + (ho + R~)vO '

ou seja, temos o seguinte sistema:


Vi = hjij + hrvo'

0= hfij +(ho + R~ ho'


Para resolver esse sistema, calculando Ij e io, podemos utilizar a regra de
Cramer. Chamando 6 o determinante do sistema, temos;
3./ / TRANS/STR S/POLAR 131

hi
I::. =
h + -1
o RI

Vi h,

1
o
+ RL ho
ij = --------=--~
'I::.

hj vi

hf O
Vo =-------

o ganho de corrente, que denominaremos Ai, ser:

io
yo
RL
- Ri1 (- hfVj)
Aj=-.- =
'i ii 1 1
vj(ho +R ) ho + RI
L

o ganho de tenso Av ser:

1
Vo
Ay=- =----
h/Vi) t:(- - hf
-:::::
- hf - hfRI
vi Vj I::. hj lJ;,RL + hj
- + I::.h
RI

A resistncia de entrada rj ser:


hj
+ IJ.h
Vi Vi X I::. RL hi + I::.h RL
-:- ==
ri ::::: ----1- :::::----=
li 1 1 + ho RI
vi (ho + -) ho +-
RL RL
132 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3

Verificamos, corno era de esperar, que essas trs caractersticas (Ai, Av, ri)
dependem da resistncia de carga RL, mas no d resistncia do gerador Rg,j que
consideramos a tenso de entrada como sendo Vi e no eg, e que a corrente que en-
tra no transistor a mesma que sai do gerador.
Para determinar a resstenca de sada, ve , colocamos em curto o gerador eg
(mantendo no circuito o resistor Rg) e aplicamos urna tenso Vo na sada no cir-
cuito, como indica a Fig. 3.64.

R,
-
ij
no II
-
io

I
MALHA
Vi
I , hf ij ho
I
Vo

h, Vo

t l
Fig. 3.64. Circuito utilizado para clculo da resistncia de sada, o'

Vamos agora escolher corno equaes do circuito a equao da malha I e a


equao do n 11.
- h,vl()
Malha!: i = ----
I hi + Rg

N lI: io = hfii + hev .

A resistncia de sada 70 ser:

Vo Vo
ro - - - --------- =
io h (h,vo ) + ho ve - hJh, + ho
f hi + Rg hi + Rg

_-::--:-h.:..i _+--::-R-7g,---:--:--:::- = hi + Rg
- hfh, + hiho + hoRg ~ + hoRg .

A resistncia de sada, por sua vez, no depende de RL (que no foi conside


rada no circuito da Fig. 3.64), mas depende de Rg.
3. 1 I TRANSISTOR BIPOLAR 133

Resumindo os resultados, temos as expresses (3.30) a (3.33) nas quais, fri-


samos novamente, devemos substituir os valores dos parmetrosH da ligao consi-
deradas para obter as caractersticas daquela ligao.

io hf
Ai =-;- = -~-- (3.30)
li 1 + hoRL

Vo
Av (3.31)
Vi

Ti
Vi
=_=
~RL + hI
(3:32)
ii 1 + hoRL

vo hi +Rg
TO (3.33)
ii I:::.h + hoRg

onde

~ = hiho - h,hf .

Somente para confirmar, o leitor pode verificar que, substituindo RL = O


(isto significa colocar a sada em curto) nas equaes de Ai e ri, obtemos Ai = hf
e ri = hi, confirmando as definies dadas para estes dois parmetros: ganho de
corrente e resistncia de entrada, ambos com a sada em curto-circuito.
Vale a pena introduzir neste ponto algumas noes complementares acerca
dos circuitos equivalentes apresentados. Referindo-nos Fig. 3.,0, o leitor observa
que neste circuito foram apenas consideradas resistncias e fontes, no tendo sido
levadas em conta as capactncias existentes entre os diversos terminais do transis-
tor. Analogamente vlvula a vcuo, em que consideramos as capactancas ntere-
letrdicas Cgp (grade-placa), Cpk (placa-catodo) e Cgk (grade-catodo), poderamos
ter considerado as capactncias entre a base e o emissor e a base e o coletor, as
quais correspondem, no caso de um transistor funcionando na regio linear, s capa-
citncias de junes polarizadas direta e inversamente, respectivamente. :e bvio
que, se ntroduzrmos as capactncias mencionadas, no teremos mais "resistn-
cias" de entrada e sada, mas sim, no caso geral, "mpedncias" de entrada e sada.
De modo correspondente, os ganhos Ai e Av dependeriam destas capactncas, o
que na realidsde explica a variao destes valores com a freqncia.
Na Fir,. 3.65, repetimos a Fig. 3.50, correspondente ao circuito equivalente
intuitivo de um transistor ligado com a base comum, desta feita incluindo as capaci-
tncias Ceb e Ccb entre o emissor e a base e o coletor e a base, respectivamente.
134 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAP. 3

Por exemplo, se quisermos realizar qualquer clculo relacionado a este transis-


1 I
tor, devemos agora considerar as reatncias --- e --- ,onde f a freqn-
21rf Ceb 21rf Ccb
cia considerada. Quando fazemos uma anlise em baixa e mdia freqncias, reti-
ramos as capactncias do circuito, recaindo, ento, no estudo feito anteriormente.
Para altas freqncias, entretanto, imperiosa a considerao dos elementos reat-
vos do transistor.

E
ie
- ic
C
+ +
Ceb

ve
t .olie
rcb Ccb
Vc

Fig. 3.65. Considerao das capacitncias intereletrdicas.

3.1.6.2. ComparaioEntre as Trs Ligaes do Transistor como Ampli-


ficador
Estamos, agora, em condes de comparar o desempenho do transistor como
amplificador, de acordo com o tipo de ligao, complementando as noes apresen-
tadas. Basta estudarmos a variao das caractersticas Ai,Av, e ri em funo da
resistncia de carga e a variao de ro em funo da resistncia do gerador, para
cada configurao. Este estudo ser feito utilizando os parmetros H. Inicialmen-
te, vejamos a variao da resistncia de entrada.
Utilizando a expresso (3.32),

i::lhRL + hi
ri = 1 + hoRL '

verificamos os casos extremos:


- quando RL tende a zero, ri tende para hi;
- quando RL tende para o infmito, ri tende para
/':,.h
hiho - h,hf = h. _ hrhf
- ou
ho ho I To'
3.1 / TRANSISTOR BIPOLAR 135

Colocando na expresso de Ti, valores tpicos dos parmetros H para um dado


transistor na ligao BC, por exemplo, obtemos, variando o valor de RL de zero a
infinito, a CQ1Vaem BC da Fig. 3.66. Repetindo o clculo com parmetros para as
ligaesEC e CC.obtemos as outras curvas da mesma flgura.

Fig. 3.66. Resistncia de entrada em funo da resistncia de carga para as trs ligaes do tran-
sistor.

Observando as curvas traadas na Fg, 3.66, podemos tirar as seguintes con-


cluses: para uma resistncia de carga pequena, a resistncia de entrada da ligao
BC pequena e praticamente independente da carga; para a ligao EC, Ti maior e
ainda independente da carga; crescendo RL , ambas as resistncias tendem para apro-
ximadamente o mesmo valor; para o estgio CC, a resistncia de entrada igual
quela da ligao EC para RL = O e cresce rapidamente com o aumento da carga.
Passemos agora a analisar como a resistncia de sada To varia em funo da
resistncia do gerador Rg. Utilizamos a expresso (3.33):

hi +Rg
To =
6.h + hoRg ,

h h
quando Rg tende para O, To tende para 6. ~ = h I ; quando Rg tende

I
para 00 ,To tende para - .
h ;ho - hrh r
ho
Variando agora o valor de Rg de zero a nfinto e introduzindo em (3.33)
valores para os parmetros nas trs ligaes, obtemos as trs curvas da Fig. 3.67.
Vemos ento que, para baixos valores de Rg, To baixa em CC, e para valores
altos de Rg, to elevada em BC. A resistncia de sada mantm um valor interme-
dirio no caso da ligao EC.
136 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3

'0

h
'~
l::.he __ """,-

.i:
hOe

111COLETOR CO~ _,_


hic
l::.hc-- __ I--__ ~ hoc

Rg

Fig. 3.67. Resistncia de sada em funo da resistncia do gerador para as trs ligaes do
transistor.

Vejamos agora a variao do ganho de corrente Ai, dado por (3.30):

_ hr
Ai - 1 + hoRL '

quando RL tende para , Ai tende para hr ; quando RL tende para 00, Ai tende
para O.
Repetindo o processo descrito acima, obtemos as trs curvas da Fig. 3.68.
Ai

COLETOR COMUMIII
/
h ,/ t
t~ EMISSOR COMUM
II

htb _ ~----------~
t
BASE COMUM 1

O~ ~~ R
L

Fig. 3.68. Ganho de corrente em funo da resistncia de carga para as trs ligaes do tran-
sistor.
3.1 / TRANSISTOR BIPOLAR 137

Da Fig. 3.68, chegamos s seguintes concluses: para RL pequeno, os ganhos


de corrente em EC e CC so bem maiores que em BC e praticamente iguais entre
si, com uma pequena vantagem para a ligao CC; crescendo RL, Ai diminui no
caso das ligaes EC e CC, enquanto Ai em BC mantm-se aproximadamente
constante; para valores altos de RL, os trs ganhos decrescem, sendo praticamen-
te iguais.
Devemos agora, como ultimo passo, considerar a variao do ganho de ten-
so Av, utilizando a expresso (3.31):

quando RL tende para O, Av tende para O; quando RL tende para oo,Av tende para
_ hf
Lh .
Repetindo novamente os clculos, temos as trs curvas da Fig. 3.69, nas quais
podemos ver que o ganho de tenso cresce com RL , exceto para a ligao CC,
onde praticamente constante.
Av

G~ ~~RL

_ ht e
b.. he
Fig. 3.69. Ganho de tenso em funo da resistncia de carga para as trs ligaes do transistor.

Podemos agora, comparando as Figs. 3.66,3.67,3.68 e 3.69, resumir os pon-


tos importantes. Em primeiro lugar, diremos que a ligao EC a mais utilizada,
por apresentar os maiores ganhos de corrente e de tenso, na faixa normal das re-
sistncias de carga, e por oferecer resistncias de entrada e de sada mdias. As liga-
es BC e CC encontram utilidades nos casos em que as resistncias externas tm
valores baixos ou altos, em que desejada ainda uma amplificao razovel, ou nos
casos em que so procuradas altas ou baixas resistncias de entrada ou de sada.
138 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3

Esse ltimo caso chamado um casamento de resistncias ou mais geralmente um


casamento de impedncias.
Para rpida consulta, apresentamos, a seguir, um quadro, no qual so resu-
midas as caractersticas de cada ligao, dando ainda, entre parnteses, um valor t-
pico para cada grandeza. Devemos ressaltar que se trata apenas de fornecer uma
ordem de grandeza desses valores, os quais variam muito de acordo com o tipo de
transistor e as resistncias externas.

LIGAO

BC EC CC
pequena mdia grande
ri (50 n) (1,2 kn) (2 Mn)
grande mdia pequena
ro (200 kn) (30 kn) (50 n)
baixo alto alto
Ai (." 1) (100) (\00)

alto alto baixo


Av (1.000) (1.000) (1)
Ganho de potncia = A r4 v mdio alto pequeno
(1.000) (100.000) (100)

Exerccio 3.2
O transistor T2 do circuito da Fig. 3.70 tem os seguintes parmetros:
hie = 1 kn. hre = 6 X 10-4

hfe = 50, hoe = 25 umhos,


Calcular:
a) A carga De do transistor T, .
b) A carga A C do transistor T, .

Fig.3.70. '0 circuito do Excrc. 3.2 (valores dos rcsistorcs em ohms).


3.1 / TRANSISTOR BIPOLAR 139

Nota: Vimos, no Exerc. 3.1, a maneira mais simples de polarizar um transistor. Vemos,
na Fig, 3.70, a maneira mais usual, aquela que fornece mais estabilidade para o ponto de opera-
o, quando a temperatura varia. No caso do transistor T" os resistores de polarizao so:
resistor do coletor Rs, resistores de base R 3 e R . Esses resistorcs tm que ser levados em conta,
quando do clculo das cargas DC e AC dos transistores.
Soluo. a) Tendo em vista que o capacitor C, isola a tenso contnua do coletor de TI
do resto do circuito, a carga De de TI constituda pela soma dos rcsistorcs do coletor e do
emissor:
RDC = R I + R, = 4,7 + 3,3 = 8 k.\1.
este valor que ser utilizado para o traado da reta de carga De do transistor TI .
b) A carga AC, vista do coletor de TI' ser dada pelo valor do paralelo dos resistores
R I , R 3' R4 e da resistncia de entrada de T2, ou seja, de ri de T2 (o resistor R2, sendo curto-
circuitado pelo capacitor C, para sinais alternados, no entra no clculo).
Ento:
RAe=RIIIR3I1R.llri

Precisamos, ento, calcular ri; j obtivemos a expresso (3.32):


f},hRL + hi
ri = .
1 + ho RL
que, no caso da ligao do emissor comum, deve ser considerada como
6heRL + hie
ri =
1+ hoeRL
onde RL representa a carga AC de T2, isto , a associao em paralelo dos resistores R; eR.:
680 . 1.000
RL =Rs U R. = 680111.000 = 680 + 1.000
= 405.\1
.
Para f},he' temos:
6he = hiehoe - hrehfe =
= 103 25 .10-6 - 6 .10-4 50 =
= 250.10- 4 - 300.10- 4 =- 50 '10-4
Portanto,
- 50 . 10-4 405 + 103 _--=2:.:..:,0'--2-::5....,+:-::1-::-.0:....:0_0
.... = 973,6 n.
ri= 1 + 25 .10- .103 1 + 0,025
Finalmente:
RAe '- 4.7001110.000114.70011973,6 = 644.\1.

3.1.7 LlMITAOES

Como qualquer outro componente eletrnico, o transistor, no seu funciona-


mento normal, no deve ultrapassar os valores-limite de corrente, tenso, potncia,
temp~ratura e freqncia, fornecidos pelo fabricante, sob pena de desempenho no
satisfatrio, diminuio do tempo de vida ou mesmo destruio do componente.
s especificaes correspondentes potncia dissipada e temperatura esto
exaustivamente tratadas no apndice, quando discutimos o uso de dissipadores de
calor. Portanto, nesta seo discutiremos, com mais detalhes, as limitaes de cor-
rente, tenso e freq ncia,
140 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3

3.1.7.1. Limitaes de Corrente

o fabricante especfica a corrente de coletor mxima absoluta que pode


circular no transistor, embora esta definio no seja muito clara, uma vez que na
realidade, desde que a potncia dissipada no ultrapasse o valor especificado pelo fa-
bricante, a corrente de coletor pode ser aumentada quase sem destruir o material do
transistor. Entretanto, mesmo sem exceder a potncia especificada, a corrente pode
ser to alta que destrua os fios internos de conexo dos dispositivos, embora a cor-
rente necessria para tal seja bem maior que a especificada como corrente mxima
absoluta.
O que acontece que verificamos que o ganho {3 dependente da corrente de
coletar (ver Fig. 3.39) e, portanto, para valores muito elevados de corrente o ganho
praticamente nulo. O que o fabricante faz, ento, estabelecer um ganho mnimo
para {3 e fixar a mxima corrente absoluta para que ele possa garantir este mnimo
de {3.
Na Fig. 3.71 so apresentadas as curvas caractersticas de um transistor e de-
limitada a faixa possvel de operao, quando pensamos apenas em termos da cor-
rente de coletor.

./ LlMI ~AO DE CORR NTE

0,8 ~
./

l.---- ---.- -:::-;-


.-----

----
0,6 ~
/"

0,4 :.--
0,2

Vc
o 5 10 15 20 25 X> 35 40

Fig. 3.71. Delimitao da regio de funcionamento de um transistor, apenas considerando a


limitao de TC.

Ainda com relao especificao de correntes, o fabricante, s vezes, fornece


os valores-limite da corrente de base e da corrente de emissor.

3.1.7.2. Limitaes de Tenso

Como limitao de tenso, o fabricante fornece geralmente os valores mxi-


mos das tenses entre os trs terminais, ou seja, os valores mximos de VEB' VCB e
VCE' quando as junes so polarizadas inversamente. Sabemos que, no funciona-
3.1 / TRANSISTOR SIPOLAR 141

mento normal do transistor, a juno emissor-base polarizada diretamente, mas o


fabricante costuma dar a tenso mxima inversa, caso a juno venha a ser polariza-
da inversamente, fato que acontece quando o transistor utilizado como chave.
Quanto juno coletor-base, ela normalmente polarizada inversamente, havendo,
portanto, necessidade de fornecer os valores mximos inversos de VCB e VCE' S6
para lembrana do leitor, devemos mencionar que VCB + VBE =
VCE e,portanto,
dados valores a VBE e VCE' VCB' -est automaticamente defmido: VCB =
= VCE - VBE
Por exemplo, se, num circuito, um transistor de silcio est funcionando
com VBE = 0,6 V e VCE = 10 V (transistor NPN), forosamente a tenso inversa
presente na juno coletor-base ser: VCB = 10 - 0,6 = 9,4 V.
Os limites dessas tenses so fixados devido ao efeito de ruptura que acontece
quando se aumenta a tenso inversa de uma juno, efeito que estudamos em de-
talhes no Capo 2. Por exemplo, se a tenso inversa entre a base e o coletor for
aumentando para IE = O, ser atingida a tenso de ruptura (tenso Zener) e haver
um brusco acrscimo da corrente de coletor.
Este fato se d tambm para corrente de emissor diferente de zero e em con-
junto temos o representado na Fig. 3.72.

Ie

Fig. 3.72. Curvas caractersticas da ligao base comum, mostrando a regio de ruptura.

Com referncia a estafigura, devemos notar que o fabricante fornece a tenso


B V CBO 1 , que a tenso de ruptura entre o coletor e a base com o emissor aberto
(IE = O).
Geralmente, tambm especificada pelo fabricante a tenso mxima permis-
svel entre o coletor e o emissor com a base aberta. Esta especificao dada em
termos de B V CEO' a tenso de ruptura entre o coletor e o emissor com a base
aberta. Evidentemente, tambm atingida a ruptura para correntes de base diferen-
o
tes de zero e conjunto de curvas representativas deste fenmeno ilustrado na Fig.
3.73.

I BVCBO: a letraB significa ruptura (em ingls, breakdown).


142 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3

BVCEO BVCBO VCE

Fig. 3.73 Curvas caractersticas da ligao emissor comum, mostrando a regio de ruptura.

Outras vezes, o fabricante menciona apenas os valores mximos absolutos


VCEO e VCES entre o coletor e o emissor, quando o terminal base est aberto e em
terra, respectivamente. Por exemplo, a Ibrape apresenta para o transistor Bel07:
Tenso mxima entre o coletor e o emissor com a base
em curto (VBE = O) VCES = 50 v.
Tenso mxima entre o coletor e o emissor com a base
aberta VCRO = 45 V.
Outras vezes, o fabricante fornece o valor da fnxima tenso permissvel entre
o coletor e o emissor em funo da resistncia em srie com a base do transistor,
para uma dada corrente de coletor. Por exemplo, a Ibrape apresenta o grfico da
Fig. 3.74 para o transistor BD 115 (transistor de silcio para alta tenso).
vCER (v)

300

200 --- -
~mA

100

I
~~RRS

RS (kIlJ
o 0,1
10 100

Fig. 3.74. Tenso mxima permissvel entre coletor c emissor em funo de RB para uma dada
corrente de colctor,
3.1 / TRANSISTOR SIPOLAR 143

Finalmente, devemos mencionar que, com relao tenso base-emissor, os

fabricantes fornecem o valor BVEBO correspondente tenso de ruptura entre a

base e o emissor, quando o coletor est aberto. Outros fabricantes, em vez de indi-
carem o BVEBO' fornecem a mxima tenso absoluta entre a base e o emissor para
o caso do coletor aberto. Por exemplo, para o transistor Be107, a Ibrape fornece:
Mxima tenso absoluta entre o emissor e a base com o coletor aberto
VEBO = 6 volts.
Para finalizar este rpido estudo sobre as especificaes de tenso, apresen-
tamos, na Fig. 3.75, as curvas caractersticas de um transistor com o emissor
comum, representando os limites mximos de Ic e VCE'

.; L1MI ACO DE OF RE NTE


./

-- ---.---- I-'""

-
--
I~
os (J)

~ ~
t...-- I-

-
0,6
~ :..-
If"'"

0,4 ,,- - ~ ~ 9
~
0,2 ...,
~
VCE (V)
o 5 10 15 20 25 t 30 35 45

VCE mdx.

Fig. 3.75. Delimitao da regio de funcionamento de um transistor, apenas considerando as


limitaes de I C e V CE'

3.1.7.3 Limitaes de Potncia

Alm das limitaes de corrente e tenso, a limitao de potncia das mais


importantes para transistores, como tambm para todos os dispositivos semicon-
dutores e, mesmo, para todos os componentes eltricos. No funcionamento do tran-
sistor, o calor gerado na juno coletor-base, onde quase toda a tenso externa ('
aplicada. Por exemplo, num circuito com o emissor comum, a potncia gC1'>)(13no
transistor dada aproximadamente por I C X V CJ:' .
144 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3

Essa limitao de potncia, ou seja, a mxima potncia que o transistor pode


dissipar com segurana, depende da temperatura mxima permissvel para a juno
(especificada pelo fabricante), da mxima temperatura ambiente de operao do
circuito (avaliada pelo projetista) e dos meios utilizados para dissipar o calor produ-
zido na juno (aletas de resfriamento ou dissipadores de calor). Esse assunto ser
discutido em detalhes no Apndice.
Entretanto, devemos aqui mostrar um aspecto interessante do problema. Con-
sideremos o transistor dissipando a potncia.
P=Ic VCE
Ora, se considerarmos Ic e VCE as variveis e se fixarmos a mxima potncia
que o transistor pode dissipar, Pmx.. devemos ter:
Ic VCE ~Pmx.
Portanto, dado Pmx. podemos atribuir valores a VCE' verificar o valor de
Ic correspondente e traar a curva representada na Fig. 3.76.
Para os leitores interessados em Matemtica, podemos mencionar que a curva
traada na Fig. 3.76 um ramo de uma hiprbole, pois, chamando x e y as variveis,
xy = constante a equao de uma hiprbole.

I
I
I
I
I
I
I
I

I
-T---
I

I
--- -----
VCEt

Fig. 3.76. Traado da curva IC X VCE = Consto = P mx: Devemoster ICI . VCEl = IC2 .
VCE2 =Pmx.

Podemos agora, considerando em conjunto as limitaes de corrente, tenso e


potncia, apresentar a Fig. 3.77, onde delimitada a regio de funcionamento.
.1 7 / TRANSISTOR BIPOLAR 745

o ~~~~~~=t::::j=:r...-JL..JVCE(V)
5 J,5 20 25 30 35 40
VCEmx.
Fig. 3.77. Delimitao da regio de .funcionamento de um transistor, considerando as limita-
es de corrente, tenso e potncia.

3.1_7.4. Limitaes de Temperatura

No Apndice, iremos verificar que a dissipao mxima permissvel para o


transistor depende da temperatura mxima permissvel para a juno, a qual cons-
titui, portanto, uma limitao no uso do mesmo. Outro efeito importante do
aumento de temperatura de causar o crescimento da corrente de fuga leso ' devi-
do, lembramos, ao aumento do nmero de portadores em minoria, liberados pela
quebra de um nmero maior de ligaes covlentes (ver Capo 1). Crescendo lceo-
cresce tambm a corrente leso e, conseqentemente, deslocam-se as curvas carac-
tersticas do transistor, trazendo problemas para a polarizao do mesmo.

3.1.7.5. Limitaes de Freqncia

. O transistor tambm limitado em freqncia, ou seja, existe um valor mxi-


mo de freqncia acima do qual no se pode garantir o seu funcionamento com as
caractersticas de ganho especificadas. Esse fato devido a vrios fatores internos
do transistor, como seja, tempo de trnsito (ou de deslocamento) dos portadores de
carga de um terminal para outro, capacitncias parasitas nas junes, capacitncias
de difuso e transio, fatores que dependem da construo e do processo de fabri-
cao do transistor. Quando a freqncia cresce, o tempo de trnsito dos portadores
de carga pode tornar-se comparvel com a durao de um ciclo do sinal, e as capaci-
tncias tornam-se importantes.
O fabricante costuma especificar a freqncia de corte do transistor, na qual
o ganho - o cx.(hfb) ou (3(hfe) que consideramos at agora - cai a 0,707 do seu valor
146 ESTUDO DOS TRANSISTORES I CAPo 3

para baixas freqncias, ou seja, o: ou ~ na freqncia de corte = 0,707 de o: ou ~


em baixas freqncias. Essa freqncia de corte geralmente simbolizada por IC/.,
para a ligao BC, e por I(J' para a ligao EC, a relao entre as duas, tirada da
relao j conhecida entre o: e ~, I(J = IC/.(l - 0:0), onde 0:0 o valor vlido em
baixas freqncias, o que mostra que o transistor pode trabalhar em freqncias
mais altas em BC do que emEC, para a mesma reduo de ganho.
Outra maneira de especificar uma freqncia mxima de operao fornecer
a freqncia na qual o ganho de corrente ~ se torna igual unidade. Esta freqncia
denominada IT e aproximadamente igual a o:JC/. (no esquea que ao o valor
de o:para baixas freqncias).
Podemos, portanto, resumir as seguintes especificaes de freqncia:
IC/. = freqncia de corte para a ligao base comum;
I(J = freqncia de corte para a ligao emissor comum = IC/.(1 - 0:0);

h= freqncia na qual ~ = l;[T = aolC/.


Portanto, se traarmos em um grfico as variaes de ~ e o: com 'a freqncia,
teremos as curvas representadas na Fig. 3.78. Notar que estamos usando, nesta figu-
ra, os ganhos em decibel; por exemplo, se, em determinada freqncia, o ganho
o: e, em baixas freqncias ao' o ganho em db relativo a baixas freqncias ser:
o:
ganho em db = 2010g - .
ao
Geralmente, as freqncias de corte dos transistores comuns so menores que
as freqncias de corte das vlvulas a vcuo e, quando se quer utilizar o transistor
em circuitos de altas freqncias, a anlise torna-se mais complicada e, em geral, lan-
a-se mo de transistores especialmente construidos para trabalhar em altas freqn-
cias.
Acabamos de passar em revista as principais caractersticas e limitaes dos
transistores. De acordo com esses parmetros, existem numerosos tipos de transis-
tores. Vamos citar os mais importantes e, como ilustrao, mostraras caractersticas
e limitaes de um caso tpico.

GANHO DE CORRENTE ( db)

20

10

O~-L __~ ~~L- __

-10 '-- ~ --:-'--':-_ f (MHl)

f,5 fT ta:

Fig.3.78. Variao de C/. e (J em funo da freqncia de operao de um transistor.


3.1 /TRANS/STOR B/POLAR 147

3.1.8. TIPOS DE TRANSISTORES BIPOLARES

Grande o nmero de tipos de transistores oferecidos no mercado por diver-


sos fabricantes. O projetista deve escolher o tipo mais adequado para a aplicao em
vista, levando em conta fatores tcnicos, econmicos e muitas vezes o simples fato
de ter disponvel um certo tipo de transistor.
possvel classificar o transistor que j estudamos, o transistor de juno
bipolar, em vrias subdivises, de acordo com as diversas caractersticas e limita-
es, que esto intimamente ligadas s diversas tcnicas de fabricao.
Os transistores podem ser classificados de vrias maneiras. Em primeiro lugar,
podemos divid-los em transistores de germnio e de silcio, sabendo-se que esses
ltimos tm correntes de fuga menores que os correspondentes de Ge, suportando,
portanto, temperaturas de juno mais elevadas.
A seguir, um transistor bipolar pode ser do tipo PNP ou NPN. Tambm pode-
mos classificar quanto freqncia, distinguindo-se os transistores de baixa freqn-
cia, de mdia freqncia, de alta freqncia e de freqncia muito alta, dependendo
do valor da freqncia de corte; um tipo especial de transistor de alta ou muito alta
freqncia o transistor de comutao.
Outra classificao diz respeito potncia: existem transistores de baixa,
mdia e alta potncia, o que depende das resistncias trmicas do transistor e da
temperatura mxima permissvel para a juno, assunto estudado com detalhes no
Apndice.
Para cada tipo de transistor, o fabricante fornece as limitaes do mesmo e as
especificaes que mais interessam em cada caso, como, por exemplo, as caracte-
rsticas de dissipao para os transistores de potncia, as caractersticas de comuta-
o para os transistores de mesmo nome e os parmetros do tipo r ou H para os
transistores utilizados de preferncia como amplificadores em baixa e alta freqn-
cia.
Como exemplo de uma folha de especificaes completa, reproduzimos, com
permisso da Philco Rdio e Televiso Ltda., a folha referente aos transistores
PA6003 e PB6003 (Fig. 3.79). Os diversos quadros e as diversas figuras foram nu-
merados dentro da folha, a fim de possibilitar os comentrios sobre os mesmos,
quando estes se fizerem necessrios.
No Quadro 1, o fabricante identifica os transistores (PA6003 e PB6003),
indica o material (silcio) e o processo de fabricao (planar epitaxial, descrito no
Capo 6). Informa-nos ainda tratar-se de um par complementar NPN-PNP, ou seja,
de dois transistores de caractersticas semelhantes, sendo um do tipo PNP e outro
do tipo NPN, o que permite aplicaes especiais em vrios circuitos.
No Quadro 2, so indicadas as aplicaes principais desses transistores e as
especificaes mximas, ou seja, as limitaes absolutas mximas que no devem ser
ultrapassadas. As especificaes de potncia so as mais detalhadas e a explicao
das mesmas ser entendida com o estudo do Apndice, utilizando-se ainda os dados
trmicos fornecidos no Quadro 4.
A Fig. 3.79 (a) mostra um esquema do encapsulamento do transistor eperrni-
te identificar os trs terminais para montagem no circuito.
148 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3

PA 6003
PB 6003

."ea,.
O

CAItACTllltISTIC:.uElnItc.u !,C) PA 6003 NPN PB 6003 . PNP

o
-V
,.
a
O

Resistlncia trmica junao-embalaprn


Resistncia. trmica junlct-am.hiente
..
125OC/W
278'C/W
..
,12S'C/W
2OO'C/W
F.tor de degradalo trmica j~mbalagem. 8.OmWI'C 8,OmW{"C

."ea
Fator de d~ tbmica ;~ambiente 3.6mW,.c 5.OmW{"C
.
,. Para o Mnefttcr P8 to03 (PNP). COrl"eflta Incf~ lIm llna1 r\efItfvo.

O *' D ,....,. "1'MIco


** c.- DIuIptt4 . " .

Fig. 3.79. Folha de especificaes dos transistores PA6003 c PB6003 da Philco (continua).
3. 1 / TRANSISTOR S/POLAR 149

TRANSISTORES PH I LCO
cARACTUtmcAS nmlCAS TiPlCAS

CUICltISTICAS IE COlfTOI CWCTlIS11CAS H COLET"

1
~...
1
." 1 .~~~~~~~

I.. ~
I~J..."iI!'I~:..ulJ-++H

I. I.'
i .~I--l.l+-I--l......j.....j
e
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Va - mISIO _ - WIllS Va lIII5Io j'd)_ .WIllS Va . llIISAoaJUlOI_
( e1
. WIllS

(C) IUIIO DE eOItE.TE EI FUtIIa DA WaCITAllcIA DE SADA EI fUIIGAG DA


CAUCTEISTICAS DE COLETOI COItE.TE DE COLUGI POl.IIUW ,.nau COlETOR1AS(
'" ,. . ....Io~ I
1
~ I:

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~
\

I I
.I f-IH-IH-1-++l+---ff++H
, Q4 QII \2 ., tO , 2 5 10 20 50 m200

Va - mISIO (lfrSOl - vllm k { ~ )'01 lIA

PARAMETROS"IBRIDO' (f 1 K"z) tlpIcos NPN PNP

PARAlIIETRO st,'IBOLO PA 6003 PB 6003 UNIDAJ)E CONDIOES

lI'l Rt!naa de "' h;. Q) Q) oIun


IC 10 mA. V
CE - 10 V

oue
a
CondutAnci.a di: aaIda h~ 115 115 ~mho IC 10 mA. VCE - 10 V

'"
O RW.imeota&o interna de teNIo h. 1.8 1.8 ,,10'"
'e 10 mA, VCE - 10 V

G.nho de ClW'I'Uttc h,. 130 130 - IC - 10 mA. VCE - 10 V

vAlllla OOS , mos CIII a 'lIIIGM Ds , ETlOS COI 'lIIlCiO DOS NIlIIaIOS C8II
TElPOlTUIA AllllEITE CIlllEllTE DE COlET TWO COUTllR.EIISSOI

===1!-,:~
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..::.-1

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I
" - '" kClIIIII1tDlaJUlOl._ Va.lIII5Io_.1OI.15

PHIlCO RADIO E TELEVISO UOA Rua Sta VHgmra 299 Tatuape Sao Paulo c. Postal 4153

Fig. 3.79. (Continuao.) Folha de especificaes dos transistores PA6003 e PB6003 da Philco.
150 ESTUDO DOS TRANSISTORES I CAPo 3

o Quadro 3 fornece as caractersticas principais dos dois transistores. Reparar


na indicao da temperatura, 25C, necessria j que todas essas caractersticas
variam muito com a temperatura. Os dados BVCBO' BVCES' BVEBO e ICBO j
foram explicados anteriormente. O dado LV CEO s encontra utilidade em algumas
aplicaes especiais, e sua explicao foge ao escopo desse livro.
O "ganho de corrente esttico em emissor comum", hFE' corresponde ao
ganho contnuo ou DC que j definimos. Reparar na grande variao do valor de
30 a 300, correspondendo s tolerncias de fabricao. O ganho AC indicado,
hfe = 1,5, corresponde praticamente a fixar a freqncia de corte f T do transistor
para a qual, conforme j vimos, hfe = 1. Justifica-se esse dado devido ao valor
prtico da freqncia indicada, 100 MHz.
As tenses de saturao base-emissor e coletor-ernissor so dados importantes,
quando o transistor for utilizado em comutao: estando na saturao, so os va-
lores mnimos que podem ser obtidos (para as condies de Ic e IB indicadas).
Finalmente, o dado Cob corresponde praticamente capacitncia Ccb j mencio-
nada.
Na ltima coluna desse quadro, "Condies", todos os valores de tenso e
corrente so positivos. Reparar, ento, na frase contida no quadro seguinte, o de
nmero 4, que diz que "para o transistor PB6003 (PNP) tenses e correntes indi-
cadas tm sinal negativo": isto est de acordo com as convenes j estudadas.
Essa observao vlida tambm para o Quadro 5 e as curvas, nas Figs. 3.79 (c) a
3.79 (k).
A Fig. 3.79(b) mostra o esquema do dissipa dor de calor que pode ser adqui-
rido para esses transistores e com o uso do qual tornam-se vlidas as especificaes
mximas com dois asteriscos.
As Figs. 3.79(c) a 3.79(f) representam as CUrvascaractersticas em emissor
comum dos transistores. Reparar que nas Figs. 3.79(c) e (e) so mostradas altas
tenses do coletor, permitindo visualizar a regio de ruptura, nas temperaturas de
25C [Fig. 3. 79 (c) ] e de 75C [Fig. 3.79(e)].
A Fig. 3.79(d) mostra as curvas para altas correntes Ic e a Fig. 3.79(f) para
baixissimas tenses do coletar, ressaltando a regio de saturao. Notamos que o
valor ICEO (para IB = O) pequeno demais para ser lido em qualquer curva.
A Fg. 3.79(g), ganho de corrente em funo da corrente do coletor, do
tipo apresentado na Fig. 3.39, e a Fig. 3.79(h) mostra a variao da capacitncia
de sada em funo da polarizao coletor-base: o fenmeno assinalado no Capo 1
e que encontra uma aplicao prtica nos diodos com capactnca dependente da
tenso (verCap. 2).
O Quadro 5 fornece os parmetros H, em emissor comum, na freqncia de
I kHz, na temperatura de 2SoC e no ponto de operao IC = 10 mA, VCE = 10 V.
J assinalamos que esses parmetros variam com a temperatura e com o ponto de
operao. As Figs. 3.79(1), (j) e (k) permitem determinar esses parmetros em
outra temperatura e num outro ponto de operao, conforme vamos exemplficar
no exerccio a seguir.
3.1 / TRANSISTOR SIPOLAR 151

Exerccio 3.3

No circuito da Fig. 3.80, determinar:


a) O ponto de operao do transistor.
b) A resistncia de entrada do circuito.
e) O ganho de corrente do circuito.
d) O ganho de tenso do circuito.

r-----------~----------+~5V

PA6003

Fig. 3.80 O circuito do Exerc. 3.3.

Nota. Para facilidade de clculos, utilizamos, para polarizar o transistor, o circuito


mais simples, aquele apresentado no Exerc. 3.1, em vez daquele do Exerc. 3.2. R, , ento, o
resstor de polarizao da base, R. o do coletor e R. representa a carga do circuito, que poderia
ser, por exemplo, a resistncia de entrada de um outro estgio amplificador.
VCC 15
Soluo. a) Com os valores VCC = 15 V e -R = -3-- = 50 mA, traamos a reta de
00
carga sobre as caractersticas do coletar para o transistor PA6003 (ver Fig. 3.79{d) ).
Para detenninar o ponto de operao, precisamos conhecer a corrente de base. Supondo
VBE = 0,7 V (o transistor de Si), ternos: .
- Vcc- VBE _ 15 -0,7 _14,3 -O 21
I B- - - -, mA.
R! 68 68

Podemos, com boa aproximao, considerar a interseo da reta de carga com a curva
I B = 0,2 mA, corno sendo o ponto de operao. Ternos, ento:
IC=30mAe VCE=6V.
O leitor deve confirmar esses resultados fazendo a construo grfica. Por outro lado, po-
demos fazer urna verificao no circuito do coletor: a sorna da queda de tenso em Ra mais o
VCE de operao deve ser igual ao valor da tenso de alimentaio:
1c;R. + VCE= VCC'
No caso, 30 X 0,3 + 6 = 15 V, confirmando os resultados grficos.
b) A resistncia de entrada do transistor dada pela expresso (3.32):
l::.heRL + hie
"1= 1 + hoeRL
sendo RL = R.1R3 = 3001300 = 150 .n (estamos supondo que a reatnca do capacitor C,
desprezvel na faixa de freqncia em questo).
152 ESTUDO DOS TRAN$/STORES / CAP. 3

Os parmetros H so dados no Quadro 5 da Fig. 3.79. Entretanto, so vlidos para a tem-


peratura de 25C, a freqncia de 1 kHz e o ponto de operao IC = 10 mA, VCE = 10 V. Su-
pondo que a temperatura ambiente e a freqncia do sinal sejam iguais aos valores acima, preci-
samos corrigir os parmetros para o ponto de operao I C = 30 mA, VCE = 6 V, utilizando
para esse fim as Figs. 3.79 (i) e (k).
Utilizamos, primeiro, a Fig. 3.79 (j).Para IC = 30 mA, os parmetros do Quadro 5 sero
multiplicados pelos seguintes valores, dados pelas intersees da curva de cada parmetro
COma linha vertical IC = 30 mA (observar que as escalas do grfico so logartmicas):
hie 420 X 0,6 = 252 n;
hoe = 115 X 2,8 = 322 p.mhos;
hre = 1,8.10-4 X 2,1 = 3,78 . 10-4;
hfe 130 X 1,4 ee 182.
Os valores acima calculados sofrem nova modificao para VCE = 6 V. Utilizamos a
Fig. 3.79 (k) (reparando agora que a escala vertical do grfico linear):
hie 252 X 0,95 = 239,4 n;
hoe = 322 X 1,14 = 367,08 ~.rnhos;
hre = 3,78 10-4 X 0,9 = 3,402 .10-4;
hfe 182 X 0,86 = 156,52.
Ento:
hiehoe - hrehfe
239,4 X 367,1 . 10-6 - 3,4 . 10-4 X 156,52 =
0,087 9 - 0,0532 =
0,0347;
0,0347 X 150 + 239,4
1 + 367,1.10-6 X 150

5,205 + 239,4 = 244,6 = 231 84 '" 232 n.


1 + 0,055 1 1,055 1 '

c) A expresso do ganho de corrente dada por (3.30):


hfe
Aie=
1 + hoeRL
I! necessrio frisar que, na expresso acima, consideramos como corrente de entrada a
corrente na base do transistor. No circuito da Fig. 3.80, a corrente de entrada, aquela que deve
ser amplificada, na realidade a corrente ig do gerador, a qual se divide entre o resistor RI e a
resistncia de entrada do transistor que acabamos de calcular. Normalmente, seria, ento, neces-
srio calcular qual a parcela ib que realmente representa o sinal no transistor, sendo a outra
parcela perdida em R I Mas, nesse caso, verificamos que R I (68 kn) muitas vezes maior que
ri (232 n) e podemos, portanto, considerar que toda corrente ig atinge a base do transistor.
Logo:
156,52
Aie = 1,055 1 = 148,3.
Entretanto, o ganho de corrente do circuito no este; seria se tivesse simplesmente um
resistor de 150 fi do coletor do transistor para a terra. Havendo, na realidade, dois resistores de
300 n em paralelo (R a e R 3) e considerando-se somente R 3 como carga til, metade da corren-
te amplificada do coletor passa para R 3' sendo a outra metade perdida em R 2 (neste caso, em
3.2/ TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO 153

que R. = R,). Conseqentemente, o ganho de corrente igual metade do valor que acaba de
ser calculado:
148,3
-- = 74,15 e.74.
2

d) (3.31)

- 156,5 x 150
0,0347 X 150 + 239,4 = - 95~7.
Provavelmente, o leitor perguntar se este ganho de tenso correto. A resposta afrma-
tiva, uma vez que, considerando a tenso no coletor, esta a mesma para os resistores em para-
lelo R, e R,. Do lado da entrada, toda tenso do gerador aparece na base do "transistor, no
sofrendo influncia de R I' Tal no seria o caso, se tivesse sido considerada a resistncia interna
do gerador.

Como ilustrao, apresentamos, finalmente, na Fig. 3.81, a fotografia de seis


transistores comerciais da Ibrape. Os trsprmeros da esquerda para a direita
(OC71, ADY26 e OC24) so transistores mais antigos, de gerrnnio. Os trs ltimos
(BC 177, BCY3l e BLY 14) so transistores mais recentes, de silcio. Notamos a
diversidade dos invlucros utilizados, sendo que os trs maiores (ADY26, OC24 e
BLY14), correspondem evidentemente'a transistores de potncia.

Fig.3.81. Seis transistores da Ibrapc: OC71, ADY26, OC24, BC177, BCY31 e BLYI4.

3.2. TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO

Estudamos detalhadamente O comportamento dos transistores bipolares


observando, na oportunidade, que este nome provm do fato de atuarem nesses
transistores, dois tipos de portadores, os eltrons e os buracos. Existe um outro "
154 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAP. 3

tipo de transistores, chamados transistores de efeito de campo, cujo funcionamento


se baseia apenas em um dos dois tipos de portadores, sendo portanto conhecidos
como transistores unipolares. Estes transistores encontram uma aplicao muito
grande no campo da Eletrnica, tanto linear como digital, justificando um cuida-
doso estudo do seu funcionamento e aplicaes. Os transistores de efeito de campo,
por sua vez, podem ser de dois tipos: de juno e com o gatilho isolado.

3.2.1. TRANSISTR DE EFEITO DE CAMPO DE JUNO

O transistor de efeito de campo de juno consiste em um estreit canal de


material semicondutor (silcio tipo P ou tipo N), em cuja extremidade so feitos
contatos hmicos, e uma juno na sua regio intermediria. Os dois terminais
ligados aos contatos hmicos so chamados dreno (drain-D) e fonte (source-S), e o
terminal ligado regio semicondutora, de tipo oposto ao do canal, chamado
gatilho (gate-C). A Fig. 3.82 ilustra a constituio fsica dos transistores de efeito
de campo com canais tipo N e tipo P, e os smbolos utilizados para represent-Ias
em circuitos.

D D

CANAL TIPO N
p

G G

JUNES $ $

D D

G G
O-- 0-

S S
(a) (b)

Fig. 3.82. Constituio fsica e smbolo dos transistores FET (Field Effect Transistor) de
juno: (a) canal tipo N; (b) canal tipo P. A nomenclatura dos terminais a seguinte: D =
= =
dreno (drain), S fonte (source) e G = gatilho (gate).
3.2/ TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO 155

Dependendo de o material do canal ser do tipo N ou do tipo P, a seta, no


smbolo grfico, aponta para dentro ou para fora do transistor; no FET com canal
tipo P, por exemplo, a seta dirigida para fora do transistor. Com efeito, se o mate-
rial do canal tipoP, o gatilho corresponder ao material tipo N e, portanto, a seta
dever apontar para fora, de modo idntico ao descrito para o transistor bipolar.
Os dois tipos de transistores de 'efeito de campo de juno, apresentados nas
Figs. 3.82(a) e (b) so chamados de transistores de efeito de campo com canal tipo
N e com canal tipo P, respectivamente.
Para entendermos o funcionamento deste tipo de transistor, devemos lembrar
que a largura da regio de transio de uma juno varia com a tenso inversa apli-
cada a essa juno, conforme foi amplamente verificado no estudo das junes P-N;
quanto maior a tenso inversa aplicada, maior a largura da regio de transio, isto
, maior a regio onde no h portadores livres. No transistor de efeito de campo de
juno, ao polarizarmos inversamente a juno P-N existente, ser criada uma
regio de transio que se estender para dentro do canal N, estreitando a regio do
canal onde existem portadores de carga disponveis, conseqentemente aumentando
a resistncia eltrica" existente entre o dreno e a fonte.
Na Fig. 3.83, ilustramos, para um transistor com canal tipo N, como a varia-
o da tenso inversa aplicada conduz a um estreitamento do canal, com o conse-
qente aumento da sua resistncia, uma vez que a rea da seo transversal diminui.

o o
+ +

.,\\~l: LI I
r-
P
G
_.~
, \tl~__
I L
2 I
I-I
I_I Vos
I I + I I
_I L. _ J L.

s s
(o) ( b )

Fig. 3.83. Influncia da tenso inversa V GS (tenso negativa no caso) sobre a set%o til do
canal. No exemplo, I V GS2 I > \ VGSI\ e, conseqentemente, I D2 < I DI. Observar que, no
caso, a rea til do canal diminui, aumentando a sua resistncia. Conseqentemente, pan uma
mesma tenso VDS, a corrente de dreno no segundo caso ser menor.
156 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3

Em resumo, as variaes da tenso aplicada entre o gatilho e a fonte, refletem-


se em variaes da resistncia efetiva entre o dreno e a fonte, o que implica em
variaes na corrente de dreno.
Vamos agora estudar detalhadamente um transistor de efeito de campo, no
caso o FET BFWIO da Ibrape, que um transistor de silcio com canal tipo N, fa-
bricado pela tcnica planar-epitaxial, estudada no Capo 6.
Na Fig. 3.84, apresentamos os detalhes do invlucro do BFWlO, observando
a existncia do terminal 1, conectado ao invlucro, servindo, portanto, como uma
ligao para "blindagem".

DIMENS6ES.m mm
""
~
~
"t
($

,
I
I

I
t

5,8max 5,3max /2,7min

Fig. 3.84. Invlucro do FET BFWlO da Ibrape.

Na Fig. 3.85, so apresentadas as vrias caractersticas do BFWI O, onde se ve-


rifica que s foram fornecidas as curvas para uma polarizao inversa da juno
(lembrar que sendo o canal tipo N, VGS < O significa uma polarizao inversa da
juno).
Procuremos agora explicar o 'aspecto geral de uma curva para uma dada tenso
VGS, isto , fixada uma tenso VGS, por que as curvas tm o aspecto apresentado
na Fg. 3.85. Na Fig. 3.86, apresentamos apenas uma das curvas da Fg. 3.85, para
facilitar a explicao.
3.2/TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO 157

BFWIO
-
1111111 I ,- O
(mA) Valores rotco:
T:
OS= 15V ! rrr rn
= 25C 15
VGS=O -:

10

, " , -o+~ V +
,~
I~
. ,
: V
\' 5

l
'/' V
T
++

4 2 o 10 Vos (V) 20

Fig. 3.85. Curvas caractersticas do FET BFWIO da Ibrape.

Fig. 3.86. Anlisede uma das curvas da Fig. 3.85.

Para baixas tenses VDS' portanto, no trecho A da curva, podemos assimilar


este trecho a uma linha reta, indicando que a relao entre I D e V DS linear; isto ,
o dispositivo comporta-se como uma resistncia de valor aproximado VolIo para
baixas tenses VDS (no caso para VGS = - IV). Na regio B, a corrente permanece
aproximadamente igual a Ia, isto , o dispositivo comporta-se nesta regio como
uma fonte de corrente de valor igual alo. A razo de a corrente de dreno no aumen-
158 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3

tar continuamente, quando VDS aumenta, dada pelo fato de a corrente de dreno
produzir uma queda de tenso no prprio canal, aumentando, desta forma, a tenso
inversa entre o gatilho e a fonte, o que produz a conseqente reduo na corrente
de dreno.
Ainda digno de nota o fato de, medida que a tenso VGS se toma mais
negativa, a corrente de dreno se aproximar de zero. Para elevadas tenses inversas
entre o gatilho e a fonte, dizemos que o dispositivo est cortado e a regio corres-
pondente na Fig. 3.85 (junto ao eixo das abscissas) chamada regio de corte. Por
outro lado, no existe propriamente uma regio de saturao, conforme identifi-
camos no caso do transistor bipolar.
A seguir, resumimos as principais caractersticas do transistor BFWI0, confor-
me apresentadas pelo fabricante.
Algumas caractertsticas do FET BFW 10 da lbrape
Mxima tenso entre dreno e fonte 30 V
Mxima tenso entre gatilho e fonte (dreno aberto) 30 V
Dissipao mxima de potncia 300 mW
Corrente de dreno para V DS = 15V, V GS = O entre 8 e 20 mA
Admitncia de transferncia (fonte comum) para
VDS = 15V, VGS = O V e f = 200 MHz > 3,2 mA/V.
Provavelmente o nico parmetro novo para muitos leitores a adrnitncia de
transferncia do FET, isto , a razo entre a variao que surge na corrente de dreno
(IJ.ID) e a variao da tenso entre o gatilho e a fonte (IJ.VGs), que deu origem
variao de corrente de dreno, isto ,

o leitor pode calcular aproximadamente esse parmetro , utilizando a curva da


Fig. 3.85, e verificando, para VDS = 15V, que, em tomo de VGS = O V, uma varia-
o de 1 volt em VGS causa uma variao de aproximadamente 4,5 mA na corrente
de dreno, conduzindo ao valor acima de 3,2 mA/V.
Obviamente, ao leitor familiarizado com as vlvulas pentodo, fica patente a
similaridade de comportamento entre esse tipo de vlvula e um FET.
Um outro fato importante que, se a tenso VDS for continuamente aumen-
tada, haver um ponto em que haver a ruptura da juno; entretanto, como pode
ser verificado, essa tenso superior a 30V, e portanto o aumento brusco da corren-
te de dreno quando atingida a tenso de ruptura, no aparece na curva caracters-
tica da Fig. 3.85.
Um outro aspecto a considerar nos transistores de efeito de campo a sua
elevadrssima impedncia de entrada, quando comparada com as dos transistores
bipolares; essa elevada impedncia resulta do fato de termos na entrada uma "jun-
o inversamente polarizada", conseguindo com facilidade mpedancas que chegam
a 1010 ohms, o que possibilita aplicaes virtualmente impossveis com transistores
bipolares.
3.2 /TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO 159

Com relao aplicao dos transistores de efeito de campo em circuitos de


comutao, uma extraordinria vantagem dos mesmos a de no apresentarem
nenhuma tenso de off set, isto , no apresentarem nenhuma tenso residual
quando esto fortemente conduzindo, o que significa que, quando esto conduzin-
do, comportam-se como se fossem uma resistncia. Nos transistores bipolares, h
sempre uma tenso residual, o que ocasiona inmeros problemas na sua utilizao
como chave.

3.2.2. TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO COM GATILHO ISOLADO (MOS)

Um outro tipo de transistor de efeito de campo com enormes aplicaes na


atual era da Eletrnica, mormente tendo em vista a facilidade de integrao , o
transistor de efeito de campo de gatilho isolado, tambm chamado de transistor de
efeito de campo tipo MOS ou, abreviadamente, MOSFET, sigla essa resultante do
nome em ingls, Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. 1
Na Fig. 3.87, ilustramos a estrutura de um MOSFET com canal tipo N. 2
O

5;02

5 (b J
Fig. 3.87. Constituio fsica de um MOSFET com canal tipo N.

Nesse transistor utilizado um substrato tipo P de alta resistividade e so di-


fundidas inicialmente duas regies tipo N de alta condutividade, que serviro para
os contatos do dreno e da fonte. A seguir, uma fina camada de xido de silcio
(Si02) crescida abrangendo as reas das regies N do dreno e da fonte. Finalmente,
uma camada de alumnio vaporizada sobre essa camada de xido, constituindo o
contato para o gatilho do transistor.

I Este transistor tambm chamado de IGFET, sigla do nome em ingls: Insulate Gate
Field Effect Transistor.

2 Somente aps ler a explicao dada a seguir, o leitor compreender por que se trata de
um MOSFET com canal tipo N.
760 ESTUDO DOS TRANSISTORES I CAPo 3

Vamos agora analisar o comportamento de uma estrutura como a da Fig.


3.87. Se aplicarmos uma tenso entre o dreno e a fonte (gatilho aberto), a juno
superior, ou a inferior, estar cortada, dependendo da polaridade da tenso apli-
cada entre o dreno e a fonte. Por exemplo, se o dreno for positivo em relao
fonte, a juno superior ficar inversamente polarizada. Conseqentemente, a
corrente que circular entre o dreno e a fonte ser bastante baixa, na realidade
a corrente de fuga da aludida juno.
Suponhamos agora que uma tenso positiva aplicada entre o gatilho e a
fonte. Ora, devido ao xido de silcio ser um material isolante, cargas de sinal
oposto polaridade do gatilho sero induzidas na superfcie do xido metlico,
contgua regioP do substrato, ou seja, a aplicao da tenso indicada entre o ga-

CARGAS INDUZIDAS
(CANAL TIPO N)

Fig.3.88. Ilustrao da formao do "canal" em um MOSFET.

tilho e a fonte produz um "canal" constitudo de portadores idnticos aos das re-
gies tipo N, permitndo deste modo o estabelecimento de uma corrente entre o
dreno e a fonte. A Fig. 3.88 ilustra este fenmeno.
Observemos que o substrato na Fig. 3.88 do tipo P e o "canal" formado,
ligando as duas regies N, tambm do tipo N, dizendo-se, portanto, que o FET
representado nesta figura tem canal tipo N.
Nas Figs. 3.89 e 3.90, so apresentadas, respectivamente, a estrutura e a
formao do canal em um MOSFET com canal tipo P (observar que o substrato
tipo N e que VGSdeve ser negativa).
3.2/ TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO 161

Fig. 3.89. Estrutura de um MOSFET com canal tipo P.

CANAL P LIGANDO
O DRENO E A
FONTE
G
N
+
5;02

Fig. 3.90.' Formao do canal tipo P quando aplicada a tenso entre o gatilho e a fonte; no
caso, V GS deve ser negativa para induzir cargas positivas, isto , gerar um canal tipo P.

Nos exemplos dados at agora para o MOSFET,caracterizamos um dispositivo


para o qual a sua corrente de dreno aumenta medida que aumenta a condutividade

do canal, ou seja, a tenso aplicada cria um canal que aumenta a condutividade da


162 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAP. 3

regio existente entre o dreno e a fonte. Um transistor de efeito de campo assim


constitudo chamado de FET sem canal pr-formado ou, em ingls, de tipo
enhancement.
Existe uma outra possibilidade, que pr-fabricar o canal e "diminuir" a
condutividade deste canal com a tenso aplicada entre o gatilho e a fonte. Esse
tipo chamado de FET com canal pr-formado ou, em ingls, de tipo depletion.
Nesse caso, o transistor fabricado de modo a j apresentar um canal tipo N;
uma tenso de polarizao negativa gera cargas positivas no canal tipo N, que se
recombinam com os eltrons a existentes, diminuindo a condutividade do canal.
Como ilustrao, apresentamos, na Fig. 3.91, as curvas caractersticas de um
MOSFET com canal tipo N, correspondente respectivamente a um tipo enhancement
(a) e a um tipo depletion (b).

+8 V 10

-zv

-4 V

- 6V

Vos Vos
(o) (b)

Fig. 3.91. Curvas caractersticas de um MOSFET tpico, com canal tipo N: (a) tipo enhancement
e (b) tipo depletion.

Notamos ainda mais um fato interessante. O MOSFET tipo enhancement s


trabalha na regio ativa se a tenso V GS tiver uma polaridade defrnida, por exem-
plo, se o transistor for de canal tipo N, VGS dever ser positiva, de acordo com a
Fig. 3.91 (a); se VGS diminuir e se tornar negativa, o transistor estar cortado. En-
tretanto, no caso do MOSFET tipo depletion, vemos que ele est na regio ativa
quando VG~ for negativa - no caso do canal tipo N, Fig. 3.91(b) - e tambm se
manter na regio ativa se VGS se tornar positiva. Temos ento duas maneiras de
operar o MOSFET tipo depletion: no modo chamado exatamente depletion, quan-
do V GS for negativa, e no modo chamado enhancement, quando VGS for positiva.
Essas possibilidades encontram aplicaes em alguns circuitos, embora a nomencla-
tura possa prestar-se a confuso. (Ver a Fig. 3.92 para esclarecimentos.)
Vamos agora verificar como representar graficamente um MOSFET. No caso
do FET de juno, no havia problema, pois h apenas as duas possibilidades rela-
cionadas com o tipo do canal (P ou N); entretanto, no caso dos MOSFET, alm do
tipo de canal, devemos caracterizar tambm se o dispositivo do tipo depletion ou
do tipo enhancement.
3.2/ TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO 163

MODO

"ENHANCEMENT"

MODO

"DEPLE TlON "

__---------------4

Fig, 3.92. Transistor MOSFET tipo depletion com canal tipo N, funcionando no modo depletion
e no modo enhancement.
,
Na Fig. 3.93, apresentamos os quatro smbolos utilizados, para a representa-
o dos MOSFET.

(Q) (b)

(c ) (d)

Fig. 3.93. Smbolos utilizados para representar os MOSFET. Tipo depletion: (a) com canal
N; (b) com canal P. Tipo enhancement; (c) com canal N; (d) com canal P.
164 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3

o leitor observa nesses smbolos que, para o tipo depletion, o trao cont-
nuo entre o dreno e a fonte; por outro lado, para o tipo enhancement, h uma des-
continuidade no smbolo grfico, entre o dreno e a fonte. Alm disso, deve ser
observado que o terminal indicado com a letra B refere-se ao substrato; algumas
vezes esse terminal est ligado internamente fonte e outras vezes fica a critrio do
projetista a sua coneco.
Vamos agora analisar brevemente as vantagens de um MOSFET. A principal
sem sombra de dvida a sua elevadissma impedncia de entrada, oriunda da ca-
mada de isolante (Si02) existente na entrada, conseguindo atingir valores da ordem
de 1016 ohms, Uma outra vantagem que este tipo de transistor possibilita a fcil
fabricao de complexos arranjos integrados, com aplicaes extraordinrias no
campo digital.
Como exemplo de um MOSFET, apresentamos o BFS28 da Ibrape, que um
FET com dois gatilhos, como canal tipo N pr-forrnado (depletion), que pode ser
usado em vrias aplicaes de comunicao, instrumentao e controle.
Uma informao de ordem prtica deve ser dada a respeito dos transistores
MOSFET. Verificamos que a camada de xido de silcio que fornece o isolamento
na entrada uma camada finssima e, portanto, h o perigo de cargas eletrostticas,
formadas durante o transporte ou a manipulao, furarem esta camada de isolante,
destruindo o transistor. Por esse motivo, os MOSFET so fornecidos com um anel
de borracha condutiva, curto-circuitando todos os terminais do dispositivo; s deve-
mos retirar esse anel quando o transistor estiver soldado no circuito correspondente.

3.2.3. ESPECIFICAES E LIMITAES

No estudo que fizemos at agora dos transistores de efeito de campo, defini-


mos apenas o parmetro que chamamos de admitncia de transferncia. Do mesmo
modo como ocorre com os transistores bipolares, numerosas especificaes so
importantes para definir perfeitamente o comportamento e as limitaes dos tran-
sistores de efeito de campo.
Como exemplo concreto das limitaes de um transistor de efeito de campo,
apresentamos a seguir os dados referentes ao transistor BFS28 da Ibrape.

Limitaes de tenso
Tenso mxima entre o dreno e a fonte 20V
Tenso mxima entre o gatilho e a fonte 20V"
Tenso mxima de pico, no repetitivas,
entre o gatilho e a fonte (t";; 10 m/s) 50V*

Limitaes de corrente
Corrente mxima de dreno 20 mA

"Especificaes vlidas para os dois gatilhos do dispositivo.


3.2/ TRANSISTOR OE EFEITO DE CAMPO 165

Limitaes trmicas

Potncia total mxima dissipvel at


tarnb == 25C 200mW
Temperatura de armazenamento - 65 a + 125C
Temperatura mxima da juno 135C.

Normalmente so dadas caractersticas dos transistores de efeito de campo,


que fornecem informaes sobre as regies de corte e conduo normal, e tambm
dados sobre o comportamento do dispositivo para sinais de pequena amplitude.
Para o transistor BFS28, por exemplo, as seguintes especificaes so obtidas direta-
mente do catlogo do fabricante.

Corrente inversa do gatilho 1 < InA


( VCS == 8 V; VC2-S == O V; VDS == O V;
1j == 135C).

Corrente inversa do gatilho 2 < 1nA


(VCS==8V; VC1_S==OV; VDS==OV;
Tj == 135C).

Tenso entre o gatilho 1 e a fonte 0,6 a 2,8 V


(ID == 10 mA; VDS == 13 V; + VC2-S == 4 V).

Admitncia de transferncia (YfsJ


(ID == 10 mA; VDS == 13 V; VC2-S == 4 V;
Tamb = 2S0C).

I= 1 kHz IYfs I > 8mA/V


t= 200 mHz IYfs I 12,1 mA/V (Tpico)
i= 500 mHz IYfs I 11,2 mA/V (Tpico).

3.2.4. CIRCUITO EQUIVALENTE

Antes propriamente de analisarmos um possvel circuito equivalente para um


transistor de efeito de campo, conveniente retomarmos ao estudo dos quadripolos
da Se. 3.1.5.4 e apresentarmos algumas informaes complementares.
Da mesma forma como escrevemos as Eqs. 3.26 e 3.27, que conduziram de-
finio dos parmetros hbridos, nada nos impede de escrever as correntes de entra-
da e sada, como funes das tenses de entrada e sada, isto , podemos escrever:
166 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3

t, = Yl1 VI + YI2 V2 (3.34)


i2 = Y21 VI + Y22 VZ (3.35)

claro que cada um dos 4 parmetros j-j , ,Y12 ,Y21 e Y22 poderia ser obtido
da seguinte maneira:

iI
YII para v2 =O
VI
il
YI2 para VI =O
Vz
i2
Y21 = para V2 =O
VI
iz
Y22= para Vt = O.
V2

Torna-se, portanto, bastante claro que todos os parmetrosy assim deftnidos


so expressos em unidades de amperes/volts, ou seja, em rnhos sendo, conseqente-
mente, chamados de parmetros-admitncia,
Obviamente, do mesmo modo que fizemos com os parmetros hbridos (h),
podemos desenhar um circuito equivalente para o quadripolo, utilizando os parme-
trosy. A Fig. 3.94 ilustra tal circuito equivalente.

i, ;2

+
A B
~
+

v, I Y"
, Y,2 ~
+ >2, ~ Y22
I V
2

Fig. 3.94. Circuito equivalente de um quadripolo, usando os parmetrosy.

Observemos que este circuito nada mais que uma visualizao direta das
Eqs. 3.34 e 3.35. De fato, lembrando que Y11 uma admitncia e queYlz V2 um
gerador de corrente dependente da tenso V2 , podemos escrever observando o n A:

e para o n B:

iz = YZI VI + Y22 Vz

A utilizao do circuito da Fig. 3.94 para o caso de um transistor de efeito de


campo imediata, definindo o n A, por exemplo, como o gatilho (G), o n B como
3.2/ TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO 167

o dreno (D) e o terminal comum entrada e sada como a fonte (S). Alm disso,
tendo em vista a nomenclatura j abordada no estudo dos parmetros hbridos,
chamaremos:

Yis = admitncia de entrada (I) com a fonte (s) comum;


Yos = admitncia de sada (o) com a fonte (s) comum;
Yfs = admitncia de transferncia direta (f), com a fonte (s) comum;
Y rs = admitncia de transferncia inversa (r), com a fonte (s) comum.
Normalmente, a adrnitncia de transferncia inversa (Yrs) desprezvel resul-
tando um circuito equivalente extremamente simples para o FET, como indicado na
Fig.3.95.

G
------,

Yrs VI

Fig. 3.95. Circuito equivalente de um transistor de efeito de campo, com a fonte comum.

evidente que o parmetro Y [s: de vital importncia para a caracterizao dos


FET, o parmetro por ns definido, quando iniciamos o estudo desses transistores.
De um modo geral, Yis, Yos e Yfs so parmetros representados por nmeros
complexos, que apresentam conseqentemente um componente real e um compo-
nente imaginrio:

Yis = [comp. real de Yis] + [comp. imag. de Yis];


Yos = [comp. real de Yos] + [comp. imag. de Yos];
Yfs = [comp. real de Yfs] + [comp. imag. de Yfs]'

Alguns desses componentes, dada a sua importncia prtica, recebem nomes e


simbologia especiais; por exemplo, o componente real de Yfs obviamente chamado
de condutncia direta de transferncia e normalmente designado por gfs; por
outro lado, o componente real da admitncia de sada Yo s chamado de condutn-
cia de sada e normalmente representado por go' enquanto que o componente
real de Yis a condutncia de entrada e designado por gi' Portanto, para freqn-
cias at, digamos, 100 kHz possvel utilizar no circuito equivalente apenas os
componentes reais, obtendo o circuito da Fig. 3.96.
168 ESTUDO DOS TRANSISTORES !CAP. 3

G o

g; go

s
Fig. 3.96. Circuito equivalente para baixas freqncias, de um transistor de efeito de campo
com a fonte comum.

3.2.5. APLICAES

Do mesmo modo como explanado para os transistores bipolares, os transisto-


res de efeito de campo podem operar com qualquer dos seus terminais como termi-
nal comum entrada e sada. Na Fig. 3.97, so apresentados os trs circuitos b-
sicos, chamados de fonte comum (common source), gatilho comum (commongate)
e dreno comum (common drain).

~AiOA
ENTRA~

(o)

~AOA

ts )

~AiOA
ENTRAO~

(e)

Fig. 3.97. Configuraes bsicas de um amplificador usando FET: (a) fonte comum; (b) gati-
lho comum; (c) dreno comum.

Na Fig. 3.98, apresentamos um amplificador com a fonte comum, estando


presentes tambm as baterias de polarizao.
3.2/ TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO 169

Vo

Fig, 3.98. Amplificadorutilizando um FET com a fonte comum.

Evidentemente um srio inconveniente de tal circuito a necessidade de duas


fontes para polarizao; na Fig. 3.99, apresentamos o circuito de um amplificador
com fonte comum, autopolarizado.

L
-:-VDD
+

Fig. 3.99. Amplificadorutilizando um FET com a fonte comum, autopolarizado.

Como exemplo mais prtico de aplicao; apresentamos na Fig. 3.100, o es-


quema bsico de um pr-amplificador para ser utilizado com um microfone de
condensador, verificando-se que o sinal de entrada est sendo, neste exemplo,
aplicado entre o gatilho e o dreno, o que faz com que o capacito r de acoplamento
esteja dentro do lao de realimentao, aumentando o seu valor efetivo. O estgio
com fonte comum de sada possibilita utilizar longos cabos de ligao sem afetar
a resposta de freqncia.
Com relao s aplicaes dos MOSFET, a sua elevadssima impedncia de
entrada possibilita aplicaes excepcionais no campo linear; entretanto, sem sombra
de dvidas a maior aplicao dos MOSFET na integrao de complexos circuitos
integrados, hoje to difundidos no campo digital; na realidade, so fabricados, utili-
zando tais dispositivos, desde circuitos lgicos simples at circuitos complexos
como, por exemplo, uma memria completa de acesso randrnico (RAM) com 1025
bits, ou O circuito lgico completo de uma mquina de calcular porttil}
1 Ver Circuitos Integrados, Hilton A. Mello.Ed. Edgard BlucherLtda.
170 ESTUDO DOS TRANSISTORES /CAP. 3

r---~p---~p---------.-12 Vdc
CABO DO MICROFONE

SAlDA

Fig. 3.100. Pr-amplificador para microfone de condensador.


Para finalizar essa Seo, vamos apresentar um exerccio de aplicao, utili-
zando um FET de juno.
Exerccio 3.4
O circuito mostrado na Fig. 3.101 do tipo dreno comum, tambm chamado de segui-
dor de fonte, por analogia com o circuito a transistor do tipo coletor comum, tambm chamado
de seguidor de emissor. A carga do FET composta de um capacitor de 100 pF em paralelo
com um resistor de 200 n. Supondo que o FET utilizado apresenta as curvas caractersticas da
Fig. 3.102, determinar o ponto de funcionamento do circuito, quando (o) VI = - 6 V
e(b) VI =OV.

Yoo =20V
It10
G ~~~
+ .->--------:~:'---.t,..~ET VoS

j~ VGS ... 5/
--
~------~--------

V,
~ R
:~200ft -- c
-r- lOOPF
t
+ +
---~---------~t-~----~.-------~~
Fig.3.101. O circuito do Exerc. 3.4.
3.2/ TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO 171

=+3V

\
25 \
IOS
mo
=+2V \ 10 = 20 mA,

20 MPS/05~~ VOS = 16 V.
FET ,
=+ IV
\
\

\: I
\
~S=OV ,

PONTO OE
-IV \ I FUNCIONAMENTO.
--------~----~t~ -2V 1\ 110 =0,
...3V
/ VOS=20V .

10 15 20
-4V
VOS-VOLTS

Fig.3.102. Curvas caractersticas do FET utilizado no crcuitoda Fig. 3.101.

Soluio. (a) VI = - 6 V.

Quando V I = - 6 V, o transistor de efeito de campo estar cortado e, conseqente-


mente, teremos

Ves=V, =-6V e ID=O.


(b)V,=OV.

Observando a Fig. 3.101, podemos escrever as seguintes equaes:

VDS= VDD-ID R (3.36)

VDS= VDD- V, + Vcs- (3.37)

A Eq, 3.36 corresponde reta de carga do circuito e traada nas curvas da Fig. 3.102
utilizando por exemplo os dois pontos:

ID=O, VDS=20V
ID=20mA; VDS=20-0,02x200=16V.

A Eq. 3.37 corresponde chamada curva de pola'izaO e tambm est traada na Fig.
3.102, conectando os seguintes pontos:
172 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3

para V GS = O, VDS = 20 - O+ O = 20 V
para VGS = - 1 V, VDS = 20 - 1 + O = 19 V
para VGS = - 2 V, VDS = 20 - 2 + O = 18 V
para VGS = - 3 V, VDS = 20 - 3 + O = 17 V.

Notar que temos que determinar vrios pontos, pois no temos uma reta, como no caso
da reta de carga; da termos chamado de "curva de polarizao".
A interseo da "reta de carga" e da "curva de polarizao" , ambas traadas utilizando as
curvas caractersticas do transistor, fornece o ponto de operao do circuito, para o valor espe-
.cificado de VI (no caso VI = O V):

ID= 5,5 mA; VDS=18,9V; VGS=-l,1 V.

3.3. TRANSISTOR DE UNUUNO

3.3.1. FUNCIONAMENTO

O transistor de unjuno constitudo por uma fatia de material semicondu-


tor tipo N, sobre a qual so feitos dois contatos hmicos B 1 e 82 (bases), e uma
juno P-N, por meio de um contato de alumnio (tipo P), que faz o papel de emis-
sor.. O transistor possui, portanto, um emissor, duas bases e uma nica juno com
propriedade de retificao, resultando desse fato o seu nome.
Nas Figs. 3.103(a) e (b), 840 ilustrados, respectivamente, os detalhes constru-
tivos e o smbolo utilizado para transistores de unijuno. Notar que foi utilizada a
abreviao inglesa UJT para o transistor de unijuno.

B2

E-- .......
UJT

(b) B,

Fig.3.103. Transistor de unijunio: (a) construo; (b) smbolo.

Inicialmente, devemos fazer referncias Fig. 3.103(a), onde do apresenta-


dos aspectos construtivos de um transistor de unijuno, e mencionar que entre as
bases B1 e B2 h um percurso direto sem nenhuma juno ntermedra. Portanto,
entre as bases B1 e B2, o dispositivo apresenta a caracterstica de um resistncia
hmica.
3.3/ TRANSISTOR DE UNIJUNCO 173

Na Fig. 3.104, apresentamos um transistor de unijuno em wn circuito


onde esto presentes duas fontes de polarizao, VEE e VBB .

...------.+

V ss

Fig. 3.104. Transistor de unijuno poJarizado por duas baterias. Observe que estamos utili-
zando o smbolo da Fig, 3.103(b) para representar o transistor.

Quando a base Bl est aberta, isto , quando fB2 = 0, teremos apenas, no


circuito, a juno E - Bl, polarizada diretamente pela bateria VEE. Isto significa
que, quando 1B2 = 0, a curva caracterstica relacionando 1E e VE ser a de um
diodo comum. Este fato ilustrado na curva Ida Fig. 3.105.

MGIO DE RESISTNCIA
REGIO DE CORTE NEGATIVA REGIO DE SATURAO

V (SA-T.)
e
VI'

A
'V 50MA
CARACTERlsTICA DO DIODO EIIISSOlt - ~ UM

Fij.3.105. Curvas caractersticas relacionando I E e V E de um transistor de unijuno.

Quando, entretanto, o circuito de sada fechado atravs da bateria VBB, a


curva relaconando.Jj, e VE transforma-se na curva 11 da Fig. 3.105. O leitor deve
174 ESTUDO DOS TRANSISTORES /CAP. 3

atentar que, nesta figura, representamos a corrente IE no eixo das abscissas e a


tenso VE no eixo das ordenadas, o que explica a aparncia diferente da curva I,
da de um diodo comum. Alm disso, devemos salientar que a curva 11 foi traada
para uma dada tenso VBB' obtendo-se curvas com aspecto semelhante para dife-
rentes tenses VDO .
Partindo do ponto A, medida que a tenso VE aumenta, a corrente vai
aumentando lentamente at que seja atingido o ponto B (chamado ponto de pico),
a partir do qual a tenso diminui e a corrente aumenta. Portanto, o trecho BC
caracterizado pelo fato, aparentemente contraditrio, de uma diminuio da tenso
provocar um aumento da corrente. Isto explicado se considerarmos que no trecho
BC, o dispositivo apresenta uma "resistncia negativa", caracterstica que permite
a aplicao do transistor de unijuno em osciladores (geradores dentes de serra,
multivibradores etc). O ponto C chamado ponto de vale.

Como a corrente correspondente ao ponto de pico(Ip) bastante reduzida


(por exemplo, 20 flA), a regio esquerda desse ponto chamada regio de corte;
por razes opostas, a regio da curva correspondente a correntes maiores que a
corrente de vale chama-se regio de saturao; a regio intermediria entre os pon-
tos de pico e de vale corresponde regio de resistncia negativa. Essas trs regies
so tambm ilustradas na Fig. 3.105.
Vamos agora estudar alguns parmetros importantes dos transistores de uni-
juno. Inicialmente vamos novamente observar que entre as bases B, e B2 temos
apenas um resistor (bloco de material tipo N), cuja resistncia vamos chamar de
R BB. Chamando R B 1 e R B 2 respectivamente as resistncias entre as bases B 1 e B 2 e
a superfcie N da juno PN, podemos escrever:

Se VOB a tenso aplicada entre as bases, a tenso entre a base B 1 e a supero


fcie N da juno ser:

onde

O parmetro 11 chamado de razo intrnseca de corte (Intrinsic stand-off


ratio) e somente se VE for maior que 11 VOB a juno ficar diretamente polarizada.
Este fato explica por que quando VE == O, temos o ponto A , correspondendo cor-
rente que chamamos delEO' na Fig. 3.105.
A Fig. 3.106, ilustra todos esses parmetros.
3.3 /TRANSISTOR DE UNIJUNAO f15

At (tipo P)

V88
,
V =1JV88

Fig. 3.106. Ilustrao do significado de R Bl' R B2 c 1) = R R B~ . Apenas se VE > n VBB


. -
a junao r'ica diiretamente po lar'iza d a. BI + B2

Mesmo aps a juno estar diretamente polarizada, a corrente permanecer


com um baixo valor, at que seja ultrapassado um certo nvel mnimo VD' conheci-
do como "queda de tenso na juno";' conseqentemente a tenso de pico Vp
ser dada por

Esta uma frmula muito importante relacionando os pararnetros de um


transistor de unijuno. A seguir, apresentamos a ordem de grandeza desses parme-
tros, para um transistor de unijuno tpico:

RBB 4,5 aIO KS1;

77 O,5aO,75;
VD 0,5 a 0,6 V.

Na Fig. 3.107, apresentamos as curvas caractersticas de sada de um transis-


tor de unijuno, mostrando a relao entre a corrente 1B 2 e a tenso de sada entre
as bases, para diferentes valores da corrente no emissor (JE)'

I Alguns autores chamam este parmetro de "tenso de corte" (cutin voltage),


176 ESTUDO DOS TRANSISTORES /CAP. 3

Vaa(V)

lE=O

40 I /
I IE:.101ftA

I ftE=20f'IIA

30
/ ~=3OfnA

I / 1/ / /!E'40mA

ZO
/ J~ 0 E:l5OmA

I V/ V~ ~

I 1// ~ ~
10

I .: ~ ~
I1 ~ ~ 100"""

o ~ 182 (mA)
O 4 8 12 16

Fig.3.107. Curvas caractersticas relacionando I B2' VBB e IE de um transistor de unijuno.-

3.3.2. APLICAES

Corno exemplo. de aplicao. de um transistor de unjuno.apresentamos, na


Fig. 3.108, o. esquema de um oscilador de relaxao, onde apenas uma bateria
utilizada (VB).
+ V8

R, R3

82
+

8, Vo

VE
C
R4

Fig.3.108. Exemplo de aplicao do transistor de unijuno: um oscilador de relaxao.


3.4 /OUTROS TIPOS DE TRANSISTORES 171

Suponhamos que Vp seja a tenso de pico para o valor de VB e as resistncias


R3 e R4 utilizadas. Ao ligarmos o circuito, o capacitor C comea a se carregar por
meio de RI; portanto, a tenso VE aumenta at que seja atingido o ponto de pico
Vp. quando ento o transistor conduz e o capacitor se descarrega, surgindo um
pulso na base B r- As Figs. 3.109(a) e (b) ilustram as formas de onda que seriam
obtidas em tal' circuito.

.t
(11 )

Fig. 3.109. Oscador de relaxao: (a) forma de onda de VE; (b) fonna de onda no termi-
nalB, (Vo)'

Este tipo de circuito utilizando um transistor de unijuno muito emprega-


do no comando de tiristores, conforme ser verificado no Capo 4.

3.4. OUTROS TIPOS DE TRANSISI'ORES


Os pesquisadores, nos laboratrios das grandes fbricas de dispositivos sem-
condutores, procuram continuamente melhorar as caractersticas e as limitaes dos
transistores utilizados e tambm descobrir novos tipos com caractersticas diferen-
tes, que permitam aplicaes at ento fora do campo dos tr-ansistores e; de maneira
geral, dos sernicondutores. Foram, ento, criados numerosos tipos de transistores,
muitos dos quais baseados no mesmo princpio de operao do transistor bipolar,
mas fabricados por meio de tcnicas novas ou modificaes das tcnicas j conhe-
cidas (transistor de barreira de superfcie, transistor drift ; transistor de avalanche
etc.). No Cap. 6, sero dadas explicaes a respeito das tcnicas de fabricao dos
dispositivos semicondutores. Outros tipos de transistores baseiam-se em princpios
diferentes do transistor bipolar: por exemplo, o transistor de efeito de campo, estu-
dado na Se. 3.2, e o transistor de contato de ponta. Esse transistor citado aqui
devido a seu valor histrico, pois no mais fabricado. Derivado do diodo de conta-
to de ponta, estudado no Capo 2, consiste em duas pontas metlicas apoiadas numa
fatia de material semicondutor (Fig. 3.110).
178 ESTUDO DOS TRANSISTORES / CAPo 3

r-----------~----------+~5V
RZ=300

PA6003

Fig. 3.110. Transistor de contato de ponta.

No processo de fabricao, so criadas, na regio de contato das pontas, duas


junes retificadoras, funcionando um terminal como coletor e outro como emissor.
A caracterstica principal do transistor de contato de ponta o fato de ter um Ct
maior que a unidade, o que representa uma vantagem na utilizao em osciladores,
mas pode provocar instabilidade em amplificadores. Outra vantagem deste tipo de
transistor so as freqncias de corte maiores que para os transistores de juno. Por
outro lado, esse tipo de transistor apresenta desvantagens, como fragilidade, devido
a sua construo, alta corrente de fuga e alto rudo, tendo sido abandonado em
favor do transistor de juno ou do diodo tnel, dependendo das aplicaes. Nota-
mos ainda que o smbolo do transistor bipolar O prprio adotado para o transistor
de contato de ponta, relembrando a sua constituio fsica com as pontas apoiadas
na base, embora a construo do transistor de juno seja totalmente diferente.

Exerccios

1. Como formado um transistor'?


2. Qual a maneira normal de polarizar um transistor? Por qu?
3. Repetir todo o estudo feito na Se. 3.1.1, utilizando um transistor PNP.
4. Explicar a diferena entre ganho alternado (ou AC) e contnuo (ou De).
5. Completar. Por conveno, corrente que num transistor
............. ; corrente que , Tambm por
conveno, a tenso entre um terminal e o terminal oomum entrada e sada
......................... quando o potencial desse terminal .
que o potencial do terminal comum.
6. Fazer a correspondncia entre as ligaes de um transistor e as ligaes de um triodo
a vcuo.
7. Desenhar o esquema de um transistor NPN ligado com a base comum.
8. Nas curvas caractersticas em base comum de um transistor, identificar e explicar as
regiesde funcionamento.
9. Explicar o motivo da variao de a com a tenso coletor-base.
3.4 / OUTROS TIPOS DE TRANSISTORES 179

10. Verificar a relao:

1
--.={3+1.
l-a

11. Nas curvas da Fig. 3.35, supondo VCC = 6 V, o ponto de operao lC = 0,46 A e
VCE = 3 V, determinar IB e RL.
12. Na primeira concluso da Se, 3.1.4.3, est dito que ''valores tpicos de {3para
transistores comerciais variam entre 20 a 900". Calcular os valores corresponden-
tes de a.
13. Nas curvas caractersticas em emissor comum de um transistor, identificar e expli-
car as regies de funcionamento.
14. Desenhar o esquema de um transistor PNP ligado com o coletor comum.
15. Explicar o que vem a ser o circuito equivalente e os parmetros de um transistor e
qual sua finalidade.
16. Partindo das caractersticas fsicas de um transistor, deduzir o circuito equivalente
intuitivo, no caso da ligao base comum.
17. Dados os parmetros do circuito equivalente em T,Te' 1j" Te e a. calcular os parme-
tros do circuito equivalente intuitivo, "eb- "cb- a e i'.
18. A partir dos seguintes valores dos parmetros do circuito equivalente em T para um
transistor, calcular a e {3,supondo i' = O; Te = 5,5 n, Tb = 500 n, Te = 625 n;
a = 0,98.
19. Escrever o conjunto de equaes do quadripolo que permite definir parmetros com
dimenso de resistncia.
20. Repetir o Exerc. 19 para parmetros com dimenso de condutncia.
21. Vimos na Se. 3.1.5.3 o mtodo utilizado para obter os parmetros do circuito
equivalente em T, li partir dos parmetros do circuito equivalente intuitivo. Baseado
nesse mtodo. obter os parmetros do circuito equivalente hbrido a partir dos par-
metros do circuito equivalente intuitivo, para uma dada ligao (por exemplo, base
comum).
22. Repetir o Exerc, 21, obtendo os parmetros H em funo dos parmetros T, para
uma dada ligao.

23. Utilizando ainda o mesmo mtodo de anlise de circuito dos Exercs. 21 e 22, obter
os parmetros H na ligao BC, em funo dos parmetrosH na ligao EC. (Aten-
tar para o fato de que, nesse caso, o circuito o mesmo para as duas ligaes, mas a
nomenclatura dos terminais diferente.)

24. Observando as variaes dos ganhos de corrente e de tenso em funo da resistn-


cia de carga (Figs. 3.68 e 3.69), estudar a variao do ganho de potncia em funo
dessa mesma resistncia, para as trs l~aes do transistor.
25. Resumir as caractersticas e as aplicaes principais das trs ligaes do transistor
26. Identificar, na folha de especificaes dos transistores PA60003 e PB6003 da Phiico
(Fig. 3.79), a "corrente de coletor mxima absoluta", definida na Se, 3.1.7.L Esse
valor pode ser marcado nas curvas caractersticas? possvel determinar o ganho da
corrente para este valor Iver Fig. 3.79 (g)?
27. Identificar, na folha de especificaes dos transistores PA6003 e PB6003 da Phileo
(Fg. 3.79), as limitaes de tenso definidas na Se. 3.1.7.2. possvel marcar esses
valores nas curvas caracterfstcas?
180 ESTUDO DOS TRANSISTORES /CAP. 3

28. Verificar a possiotldade de traar, nas curvas caractersticas dos transistores


PA6003 e PB6003 da Philco (Fig. 3.79), as curvas de dissipao mximas (hiprbo-
les) correspondentes aos valores dados na mesma folha de especificaes (360, 480,
500 e 800 mW).
29. Identificar, na folha de especificaes dos transistores PA6003 e PB6003 da Philco
(Fig. 3.79), a limitao de temperatura definida na Se. 3.1.7.4.
30. Existe, na folha de especificaes dos transistores PA6003 e PB6003 da Philco
(Fig. 3.79), alguma limitao de freqncia? No caso afumativo, de que forma
apresentada?
31. Os transistores PA6003 e PB6003 da Philco so classificados, na folha de especifi-
caes como sendo de "mdia potncia" e "alta freqncia". Comparando as limi-
taes de potncia e de freqncia desses transistores com os dados corresponden-
tes dos seguintes transistores da Ibrape, classificar esses transistores com respeito
potncia e freqncia.

Transistor Potlneill Mdximll fr(MHz)


(W)

BCl77 0,30 150


BDl38 6,5 75
BF180 0,15 675
BU105 10 7.,5
BCY31 0,25 1,7

32. Para o transistor BCl77 da Ibrape, calcular fOt e f13, utilizando o valor de tr dado no
Exerc, 31 e tomando como valor do ganho fi = 100.
33. No Exerc, 3.3 do texto, supe-se que um segundo estgio amplificador igual quele
apresentado est conectado no lugar do resistor R, . Refazer os clculos do exerc-
cio para esse caso.
34. Descrever o princpio de funcionamento do transistor de efeito de campo.
35. Refazer o estudo do funcionamento de um FET, utilizando um transistor com canal
P.
36. Qual a grande vantagem dos transistores de efeito de campo?
37. Utilizando a Fig. 3.102, estimar o valor da admitncia de sada do FET em torno
dos seguintes pontos de operaio: VDS =
15 V e Ycs =-2 V; VDS = 10 V e
Ves=-IV;VDS= 5VeVeS=-3V.
38. Qual a diferena entre o transistor de efeito de campo (FET) e o transistor de efeito
de campo com gatilho isolado (MOSFET)?
39. Descrever o princpio de funcionamento de um transistor de efeito de campo de
gatilho isolado.
40. Esboar as curvas caractersticas, do tipo daFig. 3.91, para um MOSFET tipico,
com canal tipo P, do tipo enJuzncement e do tipo depletion.
41. Citar uma vantagem e uma desvantagem dos transistores de efeito de campo de
gatilho isolado.
42. Esboar um circuito amplifICador utilizando um FET com o gatilho comum, com a
pol.arizaio adequada.
3.4 /OUTROS TIPOS DE TRANSISTORES 181

43. Repetir o Exerc. 42 para a ligao dreno comum,


44. Refazer o Exerc. 3.4, no texto, colocando no circuito o transistor BFWI0 daIbrape,
cujas curvas caractersticas so dadas na Fig. 3.85, e utilizando uma fonte VDD de
15 V.
45. Resumir o funcionamento de um transistor de unijuno.
46. Explicar o que se chama de resistncia negativa do transistor de unijuno; algum
outro dispositivo semicondutor j estudado apresenta tambm tal caracterstica'?
47. A curva caracterstica do transistor de unijuno lembra a curva caracterstica do
diodo tnel. Qual a principal diferena entre elas'?
==================Capftulo 4

Estudo dos Tiristores

Tiristores so dispositivos semicondutores que apresentam caractersticas


similares s vlvulas tiratron; na realidade, so "chaves semicondutoras", constitu-
das por quatro ou mais camadas semicondutoras (por exemplo P-N-P-N), apre-
sentando dois estados estveis; a situao da chave em cada um desses estados
depende da realimentao regenerativa associada com a sua estrutura, conforme
veremos posteriormente.
Entre os tiristores, vamos apenas nos limitar aos dois tipos mais importantes,
que so os retificadores controlados de silcio e os triacs. Os diacs, embora no se
enquadrem como tiristores, sero tambm estudados neste captulo, apenas por
motivos didticos.

4.1. RETIFICADOR CONTROLADO DE SILCIO

4.1.1. FUNCIONAMENTO

O retificador controlado (ou controlvel) de silcio, abreviado SCR (segundo


a denominao em ingls Silicon ControIled Rectifier), um dispositivo semicon-
dutor, composto de quatro camadas de silcio, duas do tipo P e duas do tipo N,
alternadamente, formando portanto trs junes, A Fig. 4.1 (a) apresenta a estru-
tura de um SeR e a Fig;.4.1(b) apresenta o smbolo grfico utilizado para a sua
representao.
4.1 I RETIFICADOR CONTROLADO DE SILI'CIO
183

ANODO
1
p

ANODO

GAT ILHO GATILHO


P

N CATODO
(b)

1
(a)
CATO DO

Fig.4.1. (a) Estrutura e (b) smbolo grfico de um retificador controlado de silcio.

Um pouco de raciocnio mostrar ao leitor que o SeR pode ser encarado


como dois transistores, umPNP e um NPN, como sugerido na Fig. 4.2(a)

TRANSISTOR
(PNP)

N
p

TRANSISTOR 2
(NPN)
80--_-1

8 ....
_ .....
_~

K K
(o) (b)

Fig. 4.2. (a) Estrutura e (b) modelo de um SeR constitudo por dois transistores.
184 ESTUDO DOS TIRISTORES /CAP. 4

Para entender a ao regenerativa que acontece com o SeR, podemos utili-


zar o modelo da Fg. 4.2(b) conectando uma tenso de alimentao Vcc, uma
resistncia limitadora RL e aplicar um pulso positivo ao gatilho do SCR, isto ,
base do transistor 2 do modelo; este procedimento ilustrado na Fig. 4.3.

Fig. 4.3. Modelo de um SCR polarizado e com comando no gatilho.

Suponhamos que o seR est no estado de corte, isto , I = O; quando um


pulso positivo aplicado base do transistor 2, este conduz, fazendo com que
IC2 aumente; ora, como IBI = IC2' o transistor 1 ser forado para a conduo,
fazendo com que ICI aumente; fmalmente como IB2 = ICI' o transistor 2 condu-
zir mais fortemente, o ciclo se repetir e rapidamente o SCR ir para o estado de
conduo, sendo a corrente IA limitada pela resistncia RL; mesmo que o pulso
original aplicado base do transistor Tz seja retirado, o seR continuar no estado
de conduo, enquanto for mantida a corrente IA (no exemplo, manter IA fixa
significa manter VCC e RL fixos).
Esta explicao do funcionamento do SCR bastante simplificada, servindo
apenas para dar uma idia do mesmo, ficando caracterizados trs pontos vitais do
funcionamento:

a) uma corrente aplicada ao gatilho do SCR possibilita o seu disparo;


b) a corrente IA deve ser mantida com um valor mnimo para manter o SCR
conduzindo;
c) se IA for diminuindo, um valor IA mnimo ser atingido (chamado de cor-
rente de manuteno) que provocar o corte de seR.

Como no podemos neste livro analisar detalhadamente todos os fenmenos


fsicos que ocorrem nos seR, vamos estudar as caractersticas externas apresentadas
pelos mesmos, que so realmente as mais importantes para a sua aplicao.
4.1 / RETIFICADOR CONTROLADO DE SIL/C/O 185

Na Fig. 4.4, apresentamos a curva caracterstica simplificada de um SCR para


o caso de no haver nenhum sinal aplicado ao gatilho.

-- G

IC

v v
(80)

Fig.4.4. Curva caracterstica de um SCR (gatilho aberto).

Inicialmente, devemos observar a conveno de que a tenso considerada


positiva (direta) quando o ano do est a um potencial positivo em relao ao catodo.
Inversamente, tenses negativas correspondem polarizao inversa.
Suponhamos que partimos da origem e que vamos aumentando a tenso V
(positiva); no incio, a corrente permanece praticamente nula (regio de corte), at
que atingida a tenso V(BO)' chamada de tenso de disparo (breakover); neste
momento, o SeR entra bruscamente em conduo, deslocando-se o ponto de fun-
cionamento do ponto A para o ponto B, no qual o valor da corrente uma funo
de elementos externos ao SCR (tenso e resistncia limitadora).
Imaginemos agora que, a partir do ponto B, vamos diminuindo a tenso V,
aproximando-nos do ponto C; como podemos verificar, IH a mnima corrente que
poder ser mantida, pois caso a tenso, seja ainda mais diminuda, o dispositivo ser
bruscamente cortado; da a corrente IH ser chamada de corrente de manuteno.'
Na regio do terceiro quadrante, medida que a tenso vai ficando mais nega-
tiva, a corrente permanece praticamente nula (fIO) at atingir a tenso de ruptura
V(BR)R' quando ento a corrente inversa aumenta bruscamente, sendo novamente
controlada externamente.

I IH == holding current == corrente de manuteno.


186 ESTUDO DOS TIRISTORES / CAPo 4

4.1.2. CONfROLE PELO GATILHO

O processo descrito anteriormente para conseguir a comutao do SCR (au-


mentar a tenso externa) provoca a conduo do SCR sempre para o mesmo valor
de tenso e no se presta para urna aplicao muito ampla; tendo em vista maior
flexibilidade no uso e no controle mais preciso do dispositivo, um outro terminal
- o gatilho - est disponvel em um SCR.
De fato, a tenso de disparo de um SCR pode ser controlada, quando injeta-
mos um sinal no gatilho; a influncia da corrente de gatilho sobre a tenso de dispa-
ro do seR pode ser apreciada na Fig. 4.5.

Fig.4.5. Influncia da corrente de gatilho sobre a tenso de disparo.

Quando a corrente de gatilho zero, a tenso aplicada deve atingir a tenso


de disparo V(BO)' conforme verificamos na Fig. 4.4, correspondente ao gatilho
aberto. medida que injetamos uma corrente no gatilho o ponto de disparo vai ca-
minhando para a esquerda, o que significa que, com esta corrente aplicada ao gati-
lho, necessitamos uma tenso menor para lev-lo conduo.
Na aplicao do seR, o que fazemos normalmente operar com tenses me-
nores do que a tenso de disparo V(BO)' controlando o disparo pela corrente apli-
cada ao gatilho. Com este procedimento protegemos tambm o seR contra uma
dissipao instantnea de potncia muito elevada, o que ocorreria se o mesmo real-
mente atingisse a tenso de disparo V(BO).
Uma vez que o SCR esteja no estado de conduo, o sinal do gatilho pode ser
retirado sem afetar o seu estado; para Iev-lo novamente para o corte necessrio
reduzir a corrente do mesmo, abaixo do valor IH anteriormente mencionado.

4.1.3. APLlCA6ES

As aplicaes do seR incluem controle de motores eltricos, circuitos de co-


mutao, detectores, geradores de pulsos e, principalmente, retificao controlada,
quando ele faz um papel correspondente ao do tiratron nos circuitos de vlvulas.
Vejamos dois exemplos tpicos de aplicao.
4.1 / RETIFICADOR CONTROLADO DE SILlCIO 187

4.1.3.1. Controle de Fase em um Circuito Retificador Monofsico de Meia


Onda

Como um primeiro exemplo de aplicao, ilustramos na Fig. 4.6 o uso de um


SCR comandado por um transistor de unijuno, no controle de potncia aplicada
a uma carga RL. O circuito de disparo, com o transistor de unijuno, foi estudado
na Se. 3.3.2. Nesta aplicao, o ngulo de disparo controlado, quando variamos
a resistncia R, o que sigrtifica variar a constante de tempo de carga do capacitor C;
quando a tenso sobre o capacitor atinge o valor de disparo do transistor de unijun-
o, este entra em conduo e o capacitor C se descarrega, gerando um pulso na ba-
se B 1. Esse pulso leva o SCR ao estado de conduo, quando ento a tenso da rede
aplicada sobre a carga RL.

Fig.4.6. Controle de fase em um circuito monofsico de meia onda.

Fazendo a resistncia R variar, tambm variamos o instante do ciclo da onda


alternada, no qual se d a conduo do transistor de uniuno e portanto do SCR;
o diodo Zener fornece a tenso de polarizao para o funcionamento do transistor
de unijuno.
Durante o semcclo negativo da onda alternada de entrada, o SCR levado ao
estado de corte, entrando novamente em conduo no mesmo ponto do prximo
semiciclo positivo.

4.1.3.2. Circuito de Retardo

Como outro exemplo de aplicao de um SCR, apresentamos na Fig. 4.7 um


circuito de retardo de tempo, utilizando novamente um transistor de unijuno para
o disparo do SCR.
O funcionamento similar ao anteriormente exemplificado, no sentido de
que variando a resistncia Rz, conseguimos variar o ponto de disparo do SCR. Su-
ponhamos que o capacitor C1 est descarregado e que fechamos a chave S, no ins-
tante t = O; inicialmente, tanto o transistor de unijuno com o SCR esto corta-
dos, e portanto o capacitor C1 comea a se carregar atravs de R 1 e Rz. Quando a
tenso sobre o capacitor C1 atinge o ponto de pico do transistor de unjuno, este
conduz, e o resultante pulso na base Bz aplicado no gatilho do SCR, levando-o a
conduo e, conseqentemente, aplicando tenso sobre a carga RL. A partir do
188 ESTUDO DOS TIRISTORES /CAP. 4

momento em que o circuito ligado, o tempo de retardo, at que a tenso seja apli-
cada carga, ser uma funo da constante de tempo Cl (Rl + R2), a qual pode ser
ajustada dentro de certos limites.

ALU."TAplo

Fig.4.7. Circuito de retardo de tempo usando um SCR.

4.2. TRIACS E DIACS

4.2.1. ESTUDO DOS TRIACS

No estudo dos SCR,. verificamos que os mesmos conduzem apenas para tendo
e correntes correspondentes ao primeiro quadrante, apresentando o comportamento
de uma chave aberta (at a tendo de disparo) para tenses e correntes correspon-
dentes ao terceiro quadrante.
Os triacs, por outro lado, do tiristores bidirecionais, apresentando um com-
portamento similar para o primeiro e o terceiro quadrantes.
Na Fig. 4.8, apresentamos a curva caracterstica de um triac, observando o
comportamento similar com tendo e correntes, positivas e negativas.
Com relao conveno de sinais, necessrio observar que nos triacs os ter-
minais do chamados de MTl (Main Terminal L = terminal principall),MT2 (Main
Terminal 2 = terminal principal 2) e G (gate). Para os triacs, as tenses do conside-
radas positivas quando o terminal MT2 est a um potencial positivo em relao ao
terminal MT1, conforme ilustrado na Fig. 4.9, onde apresentado o smbolo grfi-
co para representao de um triac.
Uma diferena fundamental entre os triacs e os SCR que, sendo os triacs
bklreconas, eles possibilitam um controle ao longo' de um ciclo inteiro da tenso
alternada (360) a partir de um sinal de comando do gatilho positivo ou negativo.
4.2/ TRIACS E DIACS 189

19 aUAORANTE

v
(80)

----~------~========~r_----_r--~----_vv~~-----v (80)

- - - - - - - IH-

32 ()UAORANTE

Fig.4.8. Curva caracterstica de um triac.

MT2

v
G
MT1

Fig.4.9. Smbolo grfico de um triac.


190 ESTUDO DOS TlRISTORES ICAP. 4

4.2.2. ESTUDO DOS DIACS

Os diacs, tambm chamados de dispositivos de disparo bidirecionais, so dis-


positivos semicondutores de silcio que, embora possuindo uma estrutura de trs
camadas como os transistores, possuem apenas dois terminais externos; alm disso,
por causa do seu projeto interno, apresentam em ambos os sentidos (tenso positiva
e negativa) uma alta impedncia, at que seja atingida uma tenso de disparo V(BO)'
quando entram em uma regio de resistncia negativa, sendo a corrente nesta regio
funo de elementos externos ao dac,
Sob o ponto de vista didtico, fica sempre uma dvida, onde situar os diacs,
pois na realidade no so diodos, no so transistores e tambm no so tiristores de
acordo com a nossa definio inicial; preferimos introduzir este breve estudo nesta
seo sobre tiristores porque os diacs so fundamentalmente utilizados no comando
dos tiristores. Alguns fabricantes enquadram os diacs junto com os tiristores em
seus catlogos, enquanto outros abrem uma seo especial abrangendo os mesmos.
A Fg, 4.1O(a) apresenta a curva caracterstica do diac BRlOO, da Ibrape, e a
Fig. 4.1O(b), o smbolo grfico de um diac.

V(BO}JI[ Vw m
10mA
1

<,
AV

1(80 II DIAC
I(80) m VwI V(BOlI V

~ 10m A

(o) (b)

Pis.4.10. (o) Curva caracterstica do diac BRlOO da Ibrape. (b) Smbolo grfico de um diac.

Por causa de suas propriedades bidirecionais, os diacs so muito utilizados no


controle de triacs, quando queremos variar a potncia aplicada a uma carga; as apli-
caes dos diacs sero vistas simultaneamente com a aplicao dos triacs na Se.
4.2.3; entretanto, registramos aqui os seguintes comentrios:

a) I(BO)I e I(BO)III so as correntes, no primeiro e no terceiro quadrantes,


respectivamente, correspondentes aos pontos de disparo do diac;
b) V WI e V W 11I so as tenses correspondentes a uma corrente determinada,
no primeiro e no terceiro quadrantes, tendo se usado na definio uma corrente
igual a 10 mA;
c) somente quando So atingidas as tenses de disparo V(BO)I e V(BO)III'
referentes ao primeiro e ao terceiro quadrantes que o dispositivo entra na regio
de resistncia negativa;
4.2 /TRIACS E DIACS 191

d) na Fig. 4.11, apresentamos um circuito que ilustra a utilizao de um diac;


medida que a tenso V cresce, o capacitor se carrega, at que seja atingido o pon-
to de disparo do diac; neste momento, o capacitor se descarrega atravs do diac, no
eletrodo de comando do dispositivo a ser comandado, originando a sua comutao.

DIAC
R
DISPOSITIVO
A SER
v COMANDADO
(TRIAC)

Fig. 4.11. Ilustrao do uso de um diac.

4.2.3. APLICAOES

Na Fig. 4.12, apresentamos o circuito bsico de um regulador eletrnico de


luz! utilizando um triac e um diac, servindo este ltimo para gerar o sinal de dispa-
ro para o triac.
Como possivelmente este o primeiro circuito com triacs que o leitor estuda,
vamos procurar analisar cuidadosamente o seu funcionamento.

f
v R

-
C.A.

s
CARGA

Fig.4.12. Circuito bsico de um regulador eletrnico de luz.

De incio, verificamos que o triac est em srie com a carga (lmpada), de for-
ma que, quando o triac est cortado, nenhuma potncia aplicada mesma. Supo-
nhamos que a chave S fechada no momento em que V = O; medida que a tendo
V e, conseqentemente, Vc (no capacitor) comea a subir (senoidalmente), inicia-se
I Em ingls, Light Dimmer.
192 ESTUDO DOS TIRISTORES /CAP. 4

a carga do capacitor C. Quando a tenso de alimentao V for tal que Vc Seja igual
tenso de disparo do diac, este' conduzir; neste momento o capacitor se descarrega
atravs do diac, injetando um pulso de corrente no gatilho do triac, levando-o brus-
camente conduo; durante o restante do ciclo, a partir deste momento, a tenso
de alimentao V estar toda aplicada sobre a carga (a menos, claro, da queda de
tenso no triac, que baixa).
Efetuamos o controle da intensidade de luz variando a resistncia R; de fato,
quando R aumenta, aumenta o tempo para que o capacitor se carregue at a tenso
de disparo do diac, e, portanto, numa menor frao do tempo a tenso de alimenta-
o ser aplicada lmpada, o que acarretar uma dmnuo em seu brilho. Inver-
samente, medida que R diminui, mais rapidamente a tenso no capacitor atingir
a tenso de disparo do diac, e, conseqentemente, durante maior parte do ciclo, a
tenso de alimentao ser aplicada lmpada, o que aumentar o seu brilho.
Evidentemente, sendo tanto o diac quanto o triac dispositivos bidirecionais,
toda a seqncia acima se repetir a cada meio ciclo.
O circuito da Fig. 4.12, embora apresente o comportamento bsico previsto,
sofre desvantagens, salientando-se entre elas uma grande hsterese', e uma faixa relati-
vamente pequena de atuao do controle.
Alm disso, no apresenta nenhum meio de suprimir a radofreqnca gerada
na sua operao, o que pode causar srias interferncias eltricas para receptores de
ondas curtas e AM.
Sem entrar em maiores consideraes, apresentamos, nas Figs. 4.13 e 4.14,
dois circuitos, o primeiro com uma nica constante de tempo (do tipo estudado
anteriormente) e o segundo com duas constantes de tempo, sendo este ltimo mais
elaborado e possuindo, portanto, uma lsterese menor e maior faixa de atuao do
controle.

Fig. 4.13. Regulador de luz com uma nica constante de tempo.

I Chamamos de histerese , neste caso, a diferena de posicionamento do potencimetro


de controle, para iniciar o acendimento da lmpada e para apagd./Q, aps estar acesa.
4.2/ TRIACS E DIACS 193

Fig.4.14. Regulador de luz com duas constantes de tempo.

Em ambos os casos, podemos observar uma estrutura de eliminao de inter-


ferncia, constituda por C1 e L; o indutor L limita a taxa de crescimento da corren-
te do circuito e o capacitor C1, em paralelo com li alimentao, impede que os
sinais de alta freqncia sejam transmitidos para o circuito exterior atravs de
linhas de alimentao (o capacitor funciona como um curto para as altas freqn-
cias geradas no regulador de luz).

Exerccios

1. Baseado na Fig. 4.3, mas sem consultar o texto, explicar o funcionamento de um


SeR comandado pelo gatilho.
2. A que fator (ou fatores) deve ser atribuda a existncia da tenso de ruptura
V(BR)R?
3. Quando a corrente de gatilho de um SCR aumenta, a tenso de disparo aumenta ou
diminui?
4. Numa fonte de alimentao CC para um amplificador de som, seria utilizado um
diodo retificador comum ou um tiristor? Por qu?
5. As tenses inversas de pico mximas dos diodos controlados de Si da Ibrape
BTW47/600RM e BTW47/l000RM so, respectivamente, 600 V e 1000 V. Qual a
tenso inversa de pico mxima do diodo BTW47/1600RM?
6. Explicar as semelhanas e as diferenas entre um tiristor e um triac.
7. Explicar as semelhanas e as diferenas entre um diac e um triac.
S. Um diac pode ser utilizado para controlar um tiristor?
9. As tenses de disparo VrBO)I-e VrBO)IIl de um diac no so necessariamente
iguais em valor absoluto. Por exemplo, para o diac BRIOO da Ibrape, o fabricante
define uma "assmetra da tenso de disparo" I V(BO)I - V(BO)III 1< 3 V. Quais as
desvantagens de ter um dac com assimetria elevada?
194 ESTUDO DOS T1RISTORES /CAP. 4

10. Num circuito retificador controlado, monofsico, de onda completa, seria utilizado
um diodo retificador comum, um tiristor, um diac ou um triac?
11. Nos circuitos das Figs. 4.13 e 4.14, identificar as diversas constantes de tempo em
funo dos componentes resistivos e capacitivos.
==================Capftulo 5

Estudo da Optoeletrnica

.o moderno campo da Optoeletrnica' extremamente vasto, abrangendo o


estudo dos dispositivos cujo funcionamento envolve. fenmenos pticos e eltricos,
como os diversos tipos de clulas fotossensveis, geradores de luz, moduladores,
displays etc. Neste livro, vamos nos restringir ao estudo dos diversos tipos de clulas
fotossensveis, (foteltricas, fotocondutivas e fotovoltaicas), dos diodos emissores
de luz (LED), dos fotacopladores e dos displays usando diodos emissores de luz.
Como complemento, sero tambm estudados os chamados "displays de cristais
lquidos" ,j hoje to utilizados em relgios digitais de pulso, embora esses displays
no sejam na realidade constitudos de materiais semicondutores. Resumindo, este
captulo ser dividido da seguinte forma:

r Clulas foteltricas
a gs
{ a vcuo

Fotorresistores
Clulas fotossensveis Clulas fotocondutivas Fotodiodos
{ F ototransistores

1 Clulas fotovoltaicas

I Este captulo substitui o Capo 4 (Estudo dos Dispositivos Fotossensveis) das 1~ e 2~


edies, sendo englobados sob o nome geral de Optoeletrnica vrios outros dispositivos, cujo
funcionamento envolve fenmenos pticos e eltricos.
196 ESTUDO DA OPTOELETRNICA / CAPo 5

Diodos emissores de luz

Fotacopladores

usando diodos emissores de luz


Displays
{
de cristais lquidos

5.1. CLULAS FOTOSSENSNEIS

5.1.1. FUNCIONAMENTO

As clulas foteltricas (a gs ou a vcuo) no sero abordadas neste livro,


sendo somente analisadas as clulas constitudas de materiais semicondutores.En-
tretanto, sobre as clulas foteltricas, conveniente lembrar que o seu funciona-
mento baseia-se no fenmeno de emisso foteltrica, isto , na emisso de eltrons
de uma superfcie quando sobre a mesma incide um feixe luminoso.
A teoria corpuscular explica que a luz composta de pequenos corpsculos,
chamados f6tons, que possuem uma energia determinada. Esta energia dos fotons
pode ser calculada teoricamente por meio de uma expresso bastante simples. Cha-
mando E a energia de um fton e [ a freqncia da luz utilizada, temos a seguinte
frmula:
E=h[,
onde h uma constante conhecida pelo nome de constante de Planck.!

O famoso cientista Albert Einstein foi quem explicou o fenmeno da emisso


foteltrica, baseado na teoria corpuscular da matria proposta por M. Planck. A
explicao de Einstein para o fenmeno foteltrico foi a seguinte:
Suponhamos que um feixe luminoso incida sobre uma superfcie metlica.
Isto equivale a dizer que um certo nmero de ftons est incidindo sobre a superf-
cie. Na sua trajetria, um fton pode chocar-se com os eltrons dos tomos do
material metlico. Ao se processar este encontro, o f6ton cede parte ou toda a sua
energia ao eltron. Se esta energia recebida for suficiente, o eltron pode abando-
nar o tomo do qual fazia parte, caminhar at a superfcie do material e a se proje-
tar no espao com uma certa velocidade inicial.
Este o princpio bsico de funcionamento de todas as clulas foteltricas.
Elas constam de um material que deve emitir os eltrons quando expostos a um
fluxo luminoso.
As clulas fotocondutivas baseiam-se num fenmeno inteiramente diferente.
No Capo 1, foi estudada a constituio dos sernicondutores com suas ligaes cova-
lentes. Quando um fluxo luminoso incide sobre o material sernicondutor, os ftons
podem fornecer aos eltrons energia suficiente para produzir a ruptura de ligaes

I h = constante de Planck = 6,625610- 34 joule . segundo.


5.1 /CLULAS FOTOSSENSIVEIS 197

covalentes- um eltron abandona a ligao covalente deixando um buraco no seu


lugar. Portanto, a ao dos ftons ocasiona a produo de pares eltron-buraco, o
que provoca o aumento da condutividade do semicondutor. Este fenmeno co-
nhecido como fotocondutividade (observar que neste caso no h "emisso" de
eltrons, como no caso anterior).
Entre os dispositivos que funcionam baseados no fenmeno da fotoconduti-
vidade, temos os fotorresistores, os fotodiodos e os fototransistores.
Quanto s clulas fotovoltaicas, elas na realidade so fotodiodos especial-
mente projetados para fornecerem uma fora eletromotriz quando expostas a um
feixe de luz.

5.1.1.1. Fotorresistores

Os fotorresistores so constitudos simplesmente pelo material semicondutor:


quando o fluxo luminoso incide sobre os mesmos, a sua condutividade aumenta ou,
falando em termos de resistncia, a sua resistividade diminui. Os materiais mais
utilizados para a construo dos fotorresistores so o sulfeto de cdmio e o sulfeto
de chumbo. Cabe aqui uma observao importante com relao ao nome destes
componentes. Est sendo muito utilizada a caracterizao dos fotorresistores pelas
iniciais do seu nome em ingls: Light Dependent Resistor. Da, serem os mesmos
chamados de LDR. Posteriormente, sero estudados os tipos de fotorresistores
existentes no Brasil e as especificaes de tais componentes.

5.1.1.2. Fotodiodos

Com relao aos fotodiodos, estes so constitudos de maneira anloga aos


diodos de juno j estudados. A juno do diodo polarizada inversamente e,
portanto, circula no diodo a corrente de saturao que j foi devidamente estudada
( uma corrente de portadores em minoria, isto , eltrons no tipo P e buracos no
tipo N). Quando incide na regio de transio um feixe luminoso, so quebradas
ligaes covalentes, aumentando a concentrao dos portadores em minoria e, con-
seqentemente, provocando a variao da corrente de saturao. Esta variao da
corrente de saturao atua no circuito associado ao fotodiodo.
Normalmente, os fabricantes fornecem grficos que indicam a variao da
corrente de saturao em funo da tenso inversa aplicada ao diodo, tendo como
parmetro o fluxo luminoso que incide sobre a juno ou o iluminamento da mes-
ma. Os leitores que j estudaram algo sobre iluminao sabem que o fluxo luminoso
expresso em lmens. Para a aplicao em fotodiodos e fototransistores, esta unida-
de muito grande; da, utilizar-se o seu submltiplo, o mililmen, que igual a um
milsimo de lmen. Tambm muito comum utilizar-se como parmetro no o
fluxo luminoso, mas diretamente o iluminamento da juno. A grandeza ilumina-
mento medida em termos da sua unidade que se chama luxo Daremos um exemplo
para esclarecer a diferena entre o fluxo luminoso e o iluminamento. Suponhamos
que uma superfcie tem uma rea de 1 m2 e que sobre ela incide o fluxo luminoso
de 10 lmens. O iluminamento produzido nesta superfcie pelo fluxo luminoso em
questo, ser
198 ESTUDO DA OPTOELETRaNICA / CAPo 5

10 lmens = 10 lux [1 lux = 1 lmen .]


m2 m2

Na Fig. 5.1, apresentamos o grfico que relaciona a corrente inversa com a


tenso inversa, tendo o iluminamento como parmetro, para um fotodiodo tpico.
Oeta
_ Vrf.V)50
o lux-
40
_
30 20 10 rVnoFit-U
100 lux - - __ .:. _ _ _ _ __
ZOOlux--- _

400 lux- - - - - - - - - - - ----------------4


100 lux_ - - - - - - - - -.---------------f
100

MaO lux - - - - - - - - - ----------------1

Fig. 5.1. Curva caracterstica de um fotodiodo tpico.

Conforme mencionamos, a corrente de saturao aumenta ao aumentar o ilu-


minamento. Alm disto, verifica-se o fato da necessidade de especfcao da tempe-
ratura em que foi obtido o grfico em questo.

S.1.1.3. Fototransistores

Os fototransistores so constitudos basicamente de duas junes, havendo


uma janela que permite a incidncia da luz sobre a juno base-emissor, aumentan-
- Ie
mA

807 lux
-
2
6451ux

1,5 V

430 lux
!

0,5 y_---------------- 215 lux

~==================~- 1 2 3 4 5 6
o lux

7 -Vc

Fig, 5.2. Curva caracterstica de um fototransistor NPN.


5.1 /CtLULAS FOTOSSENSIVEIS 199

do a condutividade deste diodo base-emissor, com o conseqente aumento da


corrente de coletor.
So tambm fornecidos, pelos fabricantes, grficos que relacionam a variao
da corrente de coletor com a tenso de coletor, tendo como parmetro o ilumina-
mento (Fig. 5.2). Este grfico anlogo ao apresentado para os transistores comuns
para os quais fornecida a variao da corrente de coleto r com a tenso de coletor
tendo como parmetro a corrente de base.

5.1.1.4. Clulas Fotovoltaicas

Quanto s clulas fotovoltaicas, conforme o nome indica, tais clulas produ-


zem uma tenso eltrica quando submetidas ao de um fluxo luminoso. Vejamos
uma explicao bastante simplificada da operao destas clulas. Consideremos,
novamente, a Fig. 5.1, onde apresentada a variao da corrente de fuga da tenso
inversa, tendo como parmetro o iluminamento. Se ampliarmos esta figura em
torno da origem, observaremos vrios detalhes que no foram observados anterior-
mente. A Fig. 5.3 ilustra o que se obteria na realidade ao observar-se o que acontece
em torno da origem.

Tenso Inversa
V
Xc
11IJ.

1112 O

Fig.5.3. Fig. 5.1 ampliada em torno da origem.

Quando a tenso se torna positiva, o diodo fica polarizado diretamente, ou


seja, a partir do ponto M (para o fluxo luminoso 1>1), Lemos duas correntes super-
postas no diodo: uma corrente de fuga e uma corrente direta, em sentido contrrio
anterior. Por isso, a curva vai-se aproximando do eixo das abscissas, at que no
ponto N atinge o aludido eixo. Neste ponto, o diodo est com a tenso E nos seus
terminais, mas a corrente que circula no mesmo nula. Isto significa que o diodo,
pela ao do fluxo luminoso 1{>1, est dando origem a uma fora eletromotriz de
valor E.
Lembre-se, por exemplo, de uma pilha que possui uma fora eletromotriz E
e uma resistncia interna r. Quando circula uma corrente I na pilha, a diferena de
potencial existente nos seus terminais dada por:

v= E-Ir.
200 ESTUDO DA OPTOELETRONICA / CAPo 5

Portanto, quando no circula corrente na pilha (I = O), a tenso V igual a


E. Verificar a analogia com a explicao que estvamos apresentando: o diodo
est com uma certa tenso nos seus termnas, mas no est sendo percorrido por
nenhuma corrente; logo, a tenso observada nos seus terminais corresponde a
uma fora eletromotriz.
Uma outra caracterstica que deve ser observada nas clulas fotovoltaicas a
corrente Ic, que existe quando a tenso no diodo nula. Esta corrente , conse-
qentemente, uma corrente de curto-circuito, uma vez que a tenso nula.

5.1.2. CARACTERSTICAS

Os dispositivos fotossensveis apresentam trs importantes caractersticas, que


so a resposta espectral, a sensibilidade e a resposta em freqncia.

5.1.2.1. Resposta Espectral

Suponhamos que sobre um dispositivo fotossensvel, incida um fluxo lumino-


so. Surge a pergunta, se o comportamento do dispositivo o mesmo quando incide
sobre ele um feixe de luz infravermelha ou um feixe de luz ultravioleta. Para res-
ponder a esta pergunta ternos que considerar a chamada resposta espectral do dis-
positivo em questo, isto , o seu comportamento com energia radiante de diferen-
tes freqncias. Esta indicao fornecida pelo fabricante que, na maioria dos
casos, fornece uma curva relacionando a sensibilidade relativa com o comprimento
de onda da luz utilizada.

too
%

80

c 60
>
:
CI>
o::

40
~c
"g

:
'iii 20
c::
cn
O
4.000 6.000 8.000 )..Ao

Fig.5.4. Resposta espectral dos fotorresistores de sulfeto de cdrnio.


5.1 / Ct:LULAS FOTOSSENS/'IIE/S 201

interessante lembrar que sendo c a velocidade da luz (300.000 krn/s), o


comprimento de onda e f a freqncia, temos a seguinte relao entre estas grande-
zas:
= c/i
Nas Figs. 5.4 e 5.5 so mostradas as curvas de resposta espectral de fotorre-
sistores de sulfeto de cdmio, de fotodiodos e fototransistores de germnio .
Observa-se que a curva espectral .100
para o sulfeto de cdmio passa por um
mximo em torno de 7.000 angstrrn".
o
>
%

80
(
:;: I
Portanto, estes dispositivos so excelentes S!
60
Q:: J
para aplicaes na regio visvel (lembre-
se que a regio visvel do espectro vai de
1.000 a 8.000 ). ~o 40 /
Quanto aos fotodiodos e fototran-
sistores de germnio, apresentam o mxi-
~
:Q
.~ 20
1/

mo em torno de 1,55 mcron", sendo,
portanto, especialmente indicados para a
regio infravermelha, embora possam ser
tn
\
tambm usados na rego visvel, onde Fig. 5.5. Resposta espectral dos
apresentam uma razovel sensibilidade. fotossemicondutores de gennnio.

5.1.2.2. Sensibilidade

Imaginemos, agora, que um fluxo luminoso (com uma dada freqncia) est
incidindo no dispositivo e faamos variar o iluminamento. Podemos verificar a varia-
o da corrente no dispositivo oriunda da variao de 1 lux no iluminamento. Por
exemplo, ao dizermos que a sensibilidade de um certo fotodiodo de 10 rnicro-
ampres/lux, estarnos dizendo que a variao de 1 lux no iluminarnento produz
uma variao de 10 mcroampres na corrente de saturao do diodo.
bastante oportuno fazer no momento uma recordao a respeito de uma
grandeza fsica chamada temperatura de cor. Entende-se por temperatura de cor de
um corpo a temperatura na qual a sua curva de variao da radincia espectral em
funo da freqncia aproximadamente a mesma do corpo negro mesma tempe-
ratura. Em outras palavras, isto significa que, na temperatura de cor, o corpo emite
aproximadamente as mesmas radiaes e com as mesmas intensidades que o corpo
negro a esta temperatura.
Esta caracterstica muito importante quando queremos determinar a sensi-
bilidade de um dispositivo fotossensvel, pois, como j verificamos, estes apresen-
tam uma curva de resposta espectral. Ora, todo corpo que est emitindo radiaes o
faz numa gama de comprimentos de onda e, portanto, na hora de medir a sensibili-
dade do dispositivo importante saber que comprimentos de onda a lmpada que
utilizada est' emitindo, pois as radiaes emitidas vo sensibilizar o dispositivo fo-
tossensrvel, com maior ou menor intensidade. O nico meio de caracterizar a fonte

1 1 angstrm = 1 A = 10- 1 em; 1 mcron = 1 /J = 10-' em; portanto 1 /J = 10' A.


202 ESTUDO DA OPTOELETR()NICA / CAPo 5

utilizada indicar a sua temperatura de cor, pois, sendo esta dada, basta verificar a
curva de distribuio do corpo negro nesta temperatura e teremos a curva de distri-
buio da fonte em questo. Portanto, se algum tenta medir a sensibilidade de um
dispositivo fotossensvel, pode encontrar resultados diferentes apenas por estar
usando uma fonte de diferente temperatura de cor que a utilizada pelo fabricante
quando realizou o teste.
Como exemplo, extramos do catlogo da Ibrape os dados referentes ao foto-
diodo OAP12 e ao foto transistor OCP70.
Diodo OAP12 - Sensibilidade medida por meio de uma lmpada ncandescen-
o
te de tungstnio de temperatura de cor 2.500 K: maior que 5 microampres para
100 lux (5 iJ.A/100 lux).
Transistor OCP70 - Sensibilidade medida por meio de uma fonte de luz de
o
temperatura de cor igual a 2.700 K: maior que 130 mA/lmen para uma rea sens-
vel de 7 mm" .
No primeiro exemplo, a sensibilidade foi indicada em termos do iluminamen-
to, isto , foi dada a variao da corrente para uma variao determinada do ilumi-
namento (no caso 5 pA para cada 100Iux).
No segundo caso, a sensibilidade, em vez do iluminamento (lux) foi dada em
termos do fluxo luminoso (lmen); entretanto, sempre que utilizado o fluxo lumi-
noso, indicada a rea sensvel (no caso 7 mm").

5.1.2.3. Resposta de Freqncia

Suponhamos um dispositivo fotossensvel no qual pode incidir o fluxo lumi-


noso 4>A ou o fluxo luminoso 4>B' indicados na Fig. 5.6 .

....,.oor_-----:=_-- - - - - - - - -r
" '\ ~m

1---........;;----- - - - - - - - - t V

Fig. 5.6. Fluxos luminosos com freqncias diferentes.


5.1 / CELULAS FOTOSSENSIVEIS 203

A diferena entre os fluxos tPA e tPB est na freqncia da componente alter-


nada que maior para o fluxo tPB'
Ser que a sensibilidade do dispositivo a mesma nos dois casos?
Verificamos que, medida que a freqncia aumenta, a sensibilidade do dis-
positivo vai diminuindo, existindo uma freqncia em que a sensibilidade cai de
3 db comparada com a sensibilidade para baixas freqncias.
Esta freqncia chama-se freqncia de corte do dispositivo fotossensvel. Por
exemplo, o fotorresistor B873103 tem uma freqncia de corte de alguns ciclos por
segundo, enquanto os fotodiodos tm uma freqncia de corte da ordem de 50 kc/s
e os fototransistores, uma freqncia de corte da ordem de 3 kc/s.

5.1.3. APLlCAOES

A seguir, apresentamos aplicaes dos dispositivos fotossensveis, visando a


tomar o leitor apto a entender os diferentes processos da utilizao de tais compo-
nentes.

5.1.3.1. Aplicaes dos Fotorresistores

Do catlogo da Ibrape, obtemos os dados correspondentes aos seguintes fotor-


resstores:

Tipo ORPll ORP30 RPY43

Resposta espectral Visvel Visvel Visvel


Tenso de alimentao mxima 300 V 350 V 400 V
Dissipao mxima (T amb. = 25C) O,4W 1,2W 0,75W
Resistncia inicial com 250 lux 1,7Kn 0,331W 1,5Kn

A seguir, veremos uma aplicao tpica de um fotorresistor em um circuito fo-


tocontrolado para a operao de um rel. Na Fig. 5.7, uma fonte de tenso Vali-
menta um circuito em srie constitudo pelo fotorresistor e pela bobina do rel.

FONTE
DE v
TENSAO

Fig.5.7. Circuito fotocontrolado para operao de um rel,


204 ESTUDO DA OPTOELETRONICA / CAPo 5

Quando no h fluxo luminoso, a resistncia do LDR alta e a corrente que


circula na bobina do rel no suficiente para o seu acionamento. Quando o fluxo
luminoso incide sobre o fotorresistor, a sua resistncia diminui e a corrente atinge
um valor suficiente para operar o rel. Conseqentemente, com este simples circuito
possvel efetuar o controle automtico de portas, alarma contra ladres, controle
de iluminao em um recinto, contagem industrial etc.
Analisemos, agora, neste circuito, o problema da potncia dissipada pelo
fotorresistor. Seja r a resistncia do fotorresistor (que uma funo do fluxo lumi-
noso) e R a resistncia da bobina do rel (Fig. 5.8).

- I

v
R

Fig.5.8. Circuito equivalente da Fig. 5.7.

A corrente I do circuito igual a:

V
1=--
r+R

A potncia dissipada em r ser dada por;

P-Pr- (_V_)2 r- ~_y2_,r


- - r+R - r2 +2Rr+R2

Portanto, a potncia uma funo de r e, conseqentemente, vai variar com o fluxo


luminoso.
Matematicamente prova-se que a expresso acima passa por um mximo, no
momento em que a resistncia do fotorresistor igual resistncia da bobina do
rel, isto , quando r = R. Portanto, substituindo, na expresso, r por R, obteremos
a potncia mxima dissipada no fotorresistor.
5.1 /CtLULAS FOTOSSENSIVEIS 205

Um outro fator importante a considerar a mxima tenso que pode ser apli-
cada ao fotorresistor. fcil verificar que esta se dar quando o fluxo luminoso for
o menor possvel, pois neste caso a resistncia do fotorresistor ser a mxima poss-
vel e quase toda tenso de alimentao ser aplicada no mesmo.
Quanto corrente mxima que circular no fotorresistor,esta se dar quando
o fluxo luminoso for mximo, pois, neste caso, a resistncia total do circuito ser
mnima.

5.1.3.2. Aplicaes dos Fotodiodos e Fototransistores

Como exemplo de aplicao, suponhamos que uma fbrica produza um pro-


duto que levado em uma correia transportadora para a etapa final de empacota-
mento. Na Fig. 5.9, ilustrado um processo para realizar a contagem deste produto.
O fluxo luminoso proveniente de uma lmpada interrompido quando o produto
acabado se interpe entre a lmpada e o fotodiodo.

Circuito
Associado

Produto acabado

/
/
$ I
,/
~

Fig. 5.9. Contagemde um produto acabado.

Quando isto ocorre, a corrente no diodo diminui e, conseqentemente, o


sinal aplicado -na base do transistor amplificador TI diminui (Fig. 5.10). A corrente
de coletor deste transistor decresce e, conseqentemente, temos um pulso de tenso
que aplicado ao sistema contador de pulsos obtendo-se, portanto, a indicao do
nmero de interrupes, ou seja, do nmero de objetos que passaram frente lm-
pada. Na realidade, podemos completar a idia, dizendo que possvel idealizar um
sistema de Controle pelo qual, automaticamente, quando o sistema contador de
pulsos acusa um certo valor, interrompido o enchimento da caixa, uma nova caixa
toma a posio da anterior e todo o ciclo se repete.
206 ESTUDO DA OPTOELETR6NICA / CAPo 5

+ve e

R2

LUI
SISTEMA

RI CONTADOR
C2
'OTODIODO DE
RS
PULSOS

Fig. 5.10. Circuito tpico de aplicao de um fotodiodo.

Quanto ao fototransistor, este serve basicamente para a mesma aplicao,


havendo neste caso uma amplificao no prprio transistor. Na Fig. 5.11, temos
um circuito tpico de aplicao de um foto transistor. De modo anlogo ao anterior,
temos um pulso no coletor do transistor cada vez que o fluxo luminoso interron-
pido e deixa de atingir o fototransistor.

~----------~-------------vcc

Fig. 5.11. Circuito tpico de aplicao de um fototransistoI.


5.2/01000 EMISSOROE LUZ 207

5.1.3.3. Aplicaes das Clulas Fotovoltaicas

Quanto s clulas fotovoltaicas, uma das aplicaes mais comuns nos chama-
dos fotmetros, que so instrumentos utilizados pelos fotgrafos para obterem uma
indicao do iluminamento em um dado 10caJ. Quando a luz incide sobre a fotoc-
lula, que normalmente de selnio, produzida uma tenso que aplicada a um
milivoltmetro graduado em unidades de intensidade de luz.
Uma outra aplicao bastante importante para as clulas fotovoltaicas
como detetor de som numa projeo cinematogrfica (Fig. 5.12). A luz proveniente
da fonte excitadora passa atravs da trilha sonora, sendo audiomodulada de acordo
com a exposio em cada trecho da trilha sonora. A clula fotovoltaica recebe a luz
aps passar pela trilha sonora e converte a mesma em um sinal eltrico que ampli-
ficado a flm de alimentar o alto-falante.
Finalmente, uma aplicao moderna de grande importncia das clulas foto-
voltaicas nas chamadas "baterias solares". Um grande nmero de clulas so colo-
cadas lado a lado e ligadas de maneira conveniente, em srie, paralelo, ou em combi-
nao srie-paralelo. Sendo exposto luz solar, o conjunto pode fornecer energia
suficiente para o funcionamento dos instrumentos de um farol ou de urna estao
meteorolgica isolados, e, principalmente, de um satlite artificial.

Trilha ~nora

Fig. 5.12. Aplicao de wna clula fotovoltaica no cinema sonoro.

5.2. mODO EMISSOR DE LUZ

5.2.1. FUNCIONAMENTO

Verificamos no Capo I a gerao de pares eltron-buraco, por exemplo, por


influncia da temperatura, campo eltrico etc.
Inversamente, a recombnao de um par eltron-buraco envolve a liberao
de uma certa quantidade de energia. Na maioria dos casos, essa energia liberada na
recombinao transferida para a rede cristalina, na forma de vibraes mecnicas;
entretanto, em condies especiais: essa energia pode ser irradiada na forma de
ondas luminosas. Um cristal de fosfeto de glio, por exemplo, emite uma luz verme-
lho-alaranjada ao ser iluminado por uma radiao ultravioleta; nesse caso, a radiao
ultravioleta gera um grande nmero de portadores (eltrons e buracos) e estes, ao se
recombinarem, emitem a luz vermelho-alaranjada indicada.
208 ESTUDO DA OPTOELETRNICA / CAPo 5

Por outro lado, sabemos que, em uma juno polarizada diretamente, h um


grande nmero de portadores e, conseqentemente, h um grande nmero de re-
combinaes; o que se faz ento utilizar uma juno polarizada diretamente, mas
projetada de tal forma (materiais e nveis de dopagem adequados) que as recombi-
naes resultam na emisso de luz visvel. Os dispositivos assim resultantes so cha-
mados de diodos emissores de luz ou LED, nome este resultante das iniciais no
nome em ingls, Light Emitting Diodes. Apresentamos, na Fig. 5.13, as dimenses
tpicas de um diodo emissor de luz, no caso o LED n~ 521.9189, da Dialight.

J:,
'is
~:
'-- 0.33
C"

V
\.
4,i3 -I
12'7MIN
0,151
CATfDO

'
ANODO
1
I.DENTlFICAO
CATODO
0,156
1:.0,46
'T

T;4
,-
L
1,14
m
--O
--o
DO

4,06
DIMENSES EM mm 3,156
DIA

Fig.5.13. Dimenses fsicas de um LED tpico, no caso o 521.9189. Cortesia da Dialighr.

Nas Figs. 5.14, 5.15 e 5.16, apresentamos respectivamente a curva caracters-


tica dret de tenso x corrente, o brilho do LED, em funo da corrente direta, e a
curva de emisso espectral do mesmo, isto , a percentagem de luz emitida em
funo do compriinento de onda.

40~~~--~~~--~~~~~~
20+-~--~4--4--+--+--~~~~
~
~
lU
IX:
o
I~~~~~~~~~~~~~
4+--+--+--+--+-~--+-~~~~~
lU
~
Z
lU
o:
a:
o
u o.i~t~~t~~~!3~~~
OA+--+--+-~~r-4--+--~-+--~

0.2i--I---f--+--+--+---+--++-+---+----l

O.I~~~~~~~~~~A-~~~
O 0.2 0.40.6 0.8 I 1.2 1.4 1.6 1.8 2
TENSO DI RETA

Fig.5.14. Curva caracterstica direta para o LED 521.9189, da Dialight .


5.2/01000 EMISSOR DE LUZ 209

10
7 ~TA =25OC
4
o 2
> /~
~ I
<l
...J
O. 7
ILI O. A
a::
O O. 2
:J:
...J O .1 Y ,
a:: 0.0 7
11) 0.04 r7

0.0 2
0.0 I
0.1 0.20.40:71 2 4 7 10 20 40 100
CORRENTE DIRETA
Fig. 5.15. Brilho relativo em funo da corrente direta, para o LED 521.9189, da Dialight,
tomando-se como referncia o brilho para a corrente de 20 mA.

1.0
= 20 (
"
IF 11I A
e o. TA a250C
>
~ 0.8
e
..J
11I 0.1
IK
..J
C 0.6
ac
~ 0.5
u
11I
IL 0.4
li)
11I
0.3
J \
o
te
li)
tO
0.2
I \
V \
::E

0.1

o
~V r-,
100 620 640 110 680 700
COMPRIMENTO DE ONDA (nM)

Fig.5.16. Curva de emisso espectral para o LED 521.9189 da Dialight+,

A seguir, resumimos as principais caractersticas do aludido LED.

, Comparar a Fig. 5.16 com as Figs. 5.4 e 5.5 e ver que agora estamos usando o com-
primento de onda expresso em nanrnetros, (nM), isto : 1 n M = 10- m = 10 . = 10- u . O 3

nanmetro a unidade oficial a ser utilizada, mas usamos nos grficos anteriores A
". e J.I. para
familiarizar o leitor com estas unidades.
210 ' ESTUDO DA OPTOELETRNICA /CAP. 5

LED - 521.9189 - Dialight


Mxima corrente CC direta: 40 mA.
Mxima tenso inversa: 3 V.
Queda de tenso tpica na conduo: 1,6 V.
Corrente inversa para VI = 3 V: 0,1 J1 A ~
Como ilustrao, apresentamos, nas Figs. 5.17 e 5 .l8, fotografias de alguns
diodos emissores de luz da Dialight.

Fig. 5.17. Acima, um diodo da srie 559 e abaixo um diodo da srie 558 .. Cortesia da Dialight,

Fig.5.18. Exemplos de diodos emissores de luz da srie 521. Cortesia da 'Dialight.


5.3/ FOTA COPLADOR 211

5.2.2. APLICAOES

Para a aplicao de um LED, procedemos da seguinte forma:


a) escolhemos o brilho desejado para o mesmo e, utilizando a Fig. 5.13, veri-
ficamos qual a corrente direta necessria; muitas vezes no escolhemos um brilho
muito intenso para no ser necessria uma corrente muito alta, o que poderia carre-
gar a sada do circuito ao qual o LED vai ser ligado;
b) escolhido 1
D ' verificamos a queda de tenso VD sobre o LED;
c) calculamos a resistncia a ser colocada em srie com o LED para produzir a
corrente desejada.

A Fig. 5.19 ilustra este procedimento; no caso O LED ser usado para indicar
O estado do ponto A, isto , quando VA for alta, o LED acender com uma intensi-
dade que depender da corrente, ou seja, da resistncia R selecionada.
LED
A R

+v-
O

Fig.5.19. Ilustrao do clculode R para manter um dado brilho no LED.

5.3. FOTACOPLADOR

Em muitas aplicaes, necessrio um perfeito isolamento eltrico entre a


entrada e a sada de um dado circuito eltrico, para evitar comandos esprios nos
rels de linha, em sistemas telefnicos ou, por exemplo, no acoplamento de com-
putadores s suas unidades perifricas. Com estas aplicaes em vista, foram criados
os chamados fotacopladores, que, conforme o nome indica, fazem opticamente o
acoplamento entre dois circuitos, sem na realidade ser feita uma ligao eltrica,
atingindo portanto o isolamento almejado.
Como exemplo de um fotacoplador, citamos o CNY43 da Ibrape (Philips),
que consiste de um dodo emissor de luz (LED) de arsenieto de glio, acoplado a
um fototransistor NPN de silcio, ambos obviamente conjugados em um mesmo
invlucro. O funcionamento do conjunto simples, uma vez que as variaes do
sinal eltrico provocam variaes na corrente do LED e conseqentemente no seu
brilho; esta variao de intensidade da luz detectada pelo foto transistor que ento
transmite o sinal novamente na forma eltrica aos circuitos de sada. Na Fig. 5.20,
apresentamos, em forma esquemtica, a constituio de um fotacoplador (a) e as
curvas caractersticas (b) externas de um sistema assim constitudo, verificando-se a
semelhana com as curvas de um transistor, onde a corrente de entrada 11faz o
papel de corrente de base.
212 ESTUDO DA OPTOELETRNICA / CAPo5

20

16
1,' '2M. "--

r -
II
a"
<
E e . A
8
V
5 "

4
4 "
(o)
J
2",,..

o 2 4 6 8
(b)

Fig. 5.20. Associao de um LED e um transistor, constituindo um fotacoplador.

5.4. "DlSPLAYS" USANDO DlODOS EMISSORES DE LUZ

Um passo bvio, estando disponveis os diodos emissores de luz, arranj-los


de modo conveniente, formando ento um disp/ay. Na Fig. 5.21, apresentamos um
grupo de LED arranjados de modo a formar sete segmentos (A a G).

Fig.5.21. Grupamentos de diodos emissores de luz, formando um dispiay digital.

Por exemplo, se neste display quisermos que o n~ 4 acenda, os segmentos B,


C, G e F devem ser acesos. Convm observar que cada segmento composto por um
grupo de diodos emissores de luz, e todos estes diodos acendem simultaneamente,
iluminando todo o segmento. Para a utilizao, o fabricante fornece a numerao
dos pinos e indica que pinos devem ser acionados (sinal alto) para iluminar cada
segmento. Na Fig. 5.22, apresentamos os detalhes do display 745.0012 da Dialight.
5.4 / "DISPLA YS" USANDO D/ODOS EMISSORES DE LUZ 213

7450012
PONTO DE
REFERENCIA

~,6~
3'18F===~O=.~
n .JL~'I
6 6s.Jl.!l.! 4
'11 2 54
'13~~I'_/C ~
',I d
.JL..Ii---

Fig. 5.22. Detalhes do display 745.0012 da Dialight,

Para este display, o seguinte acionamento necessrio, para iluminar cada um


dos segmentos.

Pino 1 Segmento B.

Pino 2 Segmento A.

Pino 3 Segmento G.

Pino 4 Segmento F.

Pino 5 Ponto decimal.

Pino 6 Segmento C.

Pi.l10 7 Segrnento D.

Pino 8 Segmento E.

Pino 9 Catodo comum.

Obviamente, tratando-se de circuitos digitais, necessrio haver uma decodifi-


cao, a partir do sinal nas linhas de entrada (por exemplo, com pesos 8-4-2-1) para
possibilitar acender os nmeros certos do display. Estes decodificadores so tam-
bm fornecidos pelos fabricantes dos displays, Apresentamos, na Fig. 5.23, o deco-
dificador 704.l554 da Dialight que eum decodificador que recebe um sinal digital
em BCD (8-4-2-1) e faz a decodificao para acender os segmentos adequados de
um display com sete segmentos.
Como exemplo final, apresentamos, na Fig. 5.24, um diagrama esquemtico
da utilizao de um tal decodificador para acionar um display ,
214 ESTUDO DA OPTOELETR6NICA / CAPo 5

Vcc f o b c d e
0,26 CJ 9

O,O~\

~'~X6 L6,69-f
. NOM. 16 IS 14 13 12 11 10 9

([I ALei)

+
,254
T 22, I
704-155
4= MAX.
I 2 3 4 5 6 7 8

0,58
MAX. .1
- "_0,36 ~
MIN.
I- 7,1
MAX.
2 4 LT R
6
R
S
6 I 6
N
O I O

Fig.5.23. Exemplo de um decodificador, no caso o 704.1554 da Dialight.

Vcc
+5V
Rz RI
R7 R6 R5 ~
'"
~ ~
2 I W 16 I-
F
4 2 15
LT_ 3 14 G I~
I v
RBO_ 4 13 A

RBI - 5 12 B

8 6 11 C

I 7 10 O
E
GND- 8 9
DEC ~--------------~RM8--------~~~~_

R71 680.0. 1/4W locrd


I 510.n. !/4W 5%

Fig. 5.24. Diagrama esquemtico da utilizao do decodificador da Fig. 5.23.

Por exemplo, se nas entradas 8-4-2-1 estiver presente o n<?5 (5 = 80 + 41 +


+ 2 + 1'), ou seja, se apenas as linhas 4 e 1 estiverem no estado alto, os segmentos
A, F, G, C e D sero acesos, surgindo o n'? 5 no display. Evidentemente possvel
5.4/ "DISPLA YS" USANDO DIODOS EMISSORES DE LUZ 215

combinar vrios displays simples, como o da Fig. 5.22, formando-se ento unidades
completas de leitura.
Nas figuras seguintes apresentamos o aspecto de alguns displays digitais, no
caso, unidades completas j com os respectivos decodificadores. Trata-se de dois
displays da Dialight; nas Figs. 5.25 e 5.26, e de uma srie de displays da Hewlett
Packard, nas Figs. 5.27 e 5.28.

Fig. 5.25. Displays com diodos emissores de luz de fosfeto de glio, modelo 730.6007. Cortesia
da Dialight.

Fig. 5.26. Dtsplay da srie 739, pronto para montagem em um painel. Cortesia da Dialight,
216 ESTUDO DA OPTOELETRONICA / CAPo5

Fig. 5.27. Dispiays LED numricojhexadecimais da srie 5082-7300, hermeticamente selados.


Cortesia da Hewlett Packard.

fig.5.28. Display alfanumrico HDSP-2000. Cortesia da Hewlett Packard.


5.5/ "DISPLA YS" DE CRISTAIS LlQUIDOS 217

5.5. "DISPLAYS" DE CRISTAIS LIQUIDOS

Os cristais lquidos so substncias que possuem muitas propriedades que


fazem seu uso extremamente atrativo para a construo de displays planos. Estes
j so to utilizados atualmente (por exemplo em relgios de pulso), que resolvemos
introduzir esta seo na presente edio, apesar do fato de os materiais utilizados
no serem na realidade materiais semicondutores.
A primeira dvida que se deve ter formado no leitor, baseado nas informaes
dadas anteriormente-sobre as substncias cristalinas, como podemos chamar de
"lquido" a uma substncia normalmente tida como um "slido rgido", como
sempre o leitor deve ter considerado os cristais.
Estas substncias chamadas de cristais lquidos, partilham vrias propriedades,
inerentes simultaneamente aos cristais e aos lquidos, isto , mecanicamente essas
substncias assemelham-se mais aos lquidos (quanto viscosidade), mas ao mesmo
tempo apresentam algumas propriedades pticas tpicas dos cristais, como o espalha-
mento de luz em arranjos simtricos e o fato de refletirem cores diferentes depen-
dendo do ngulo sob o qual so vistas. Basicamente, h trs grupos diferentes de
cristais lquidos, os chamados esmticos (smectic), nemticos (nematic) e colest-
ricos (cholesteric), cada grupo desses sendo caracterizado pela arrumao das
molculas da substncia. Na realidade, a grande maioria das aplicaes dos cristais
lquidos na forma de disp/ays feita utilizando os cristais nemticos, nos quais as
molculas so arranjadas com seus eixos maiores paralelos, no estando entretanto
separados em camadas. Na Fig. 5.29, apresentamos esquematicamente o arranjo das
molculas em um cristal nemtico.

Fig. 5.29. Arrumao das molculas em um cristal nemtico.


218 ESTUDO DA OPTOELETRNICA / CAPo 5

Um detalhe fundamental e muitas vezes mal entendido pelos alunos que um


cristal lquido no gera nenhuma luz; o que ele faz apenas modificar as caracters-
ticas da luz que sobre ele incide, de acordo com figuras geomtricas preestabeleci-
das, permitindo visualizar no display essas figuras.
Na Fig. 5.30, apresentamos a constituio bsica de um display de cristallqui-
do e os mtodos de seu iluminamento, verificando-se que a substncia cristalina
prensada entre dois eletrodos, que podem, ou no, ser transparentes. Nas Figs. 5.30
(a) e (b), temos o caso de um eletrodo transparente e o outro refletor e, nas Figs.
5.30 (c) e (d), temos o caso de ambos os eletrodos serem transparentes. No primeiro
caso, temos uma clula de cristal lquido chamada de refletora e no segundo caso
uma clula dita transmissora.

FONTE DE LUZ
FONTE DE LUZ
~ ..
:::.... ELECTRODO ~~
)..... __ REFLETOR ~)-"
e <, ,....-
e"
<l--i--~i~1 _.t --.Je-=-~I/' ELECTRODO
REFLETOR
OBSERVADOR ,
L ELECTRODO /' -'\ '- ELECTRODO
TRANSPARENTE IX TRANSPARENTE
(o) OBSERVADOR (b )

FONTE OBSERVADOR
DE LUZ
-----:~--i=
I
<1------1
<J 'O':,__..
I I
L_
6<, -,
OBSERVADOR \\
ELECTRODOS ELECTRODqs
II re~ FONTE DE LUZ
TRANSPARENTES TRANSPARENTES
(c) (d)

Fig. 5.30. Mtodos de iluminamento de um display lquido.

Um mtodo de operao do display fazer com que o campo eltrico varie


dentro do cristal lquido, formando o contorno a ser visualizado. Por causa destas
alteraes no campo, a luz presente no ambiente ser refletida de modo diferente ao
longo deste percurso, de forma que o olho do observador, do lado de fora, observa
no display exatamente a figura desejada. Evidentemente, adotando um processo
conveniente para gerar um campo eltrico de acordo com o contorno que queremos
(codifcao}, possvel vsualzar nmeros, letras etc. O leitor deve atentar para a
grande diferena existente entre estes displays e os que utilizam diodos emissores de
luz, que realmente geram uma luz visvel.
5.5/ "DISPLA YS" DE CRISTAIS uautoos 219

Finalmente, neste breve resumo sobre displays de cristais lquidos, devemos sa-
lientar a forte influncia da temperatura sobre o comportamento dos mesmos, pois
um aumento excessivo de temperatura pode eliminar os efeitos pticos, devido a
transformaes mesomrficas no cristal.
Na realidade j so fabricados displays que suportam temperaturas variveis,
adequadas para vrias aplicaes industriais. Por exemplo, para o projeto de relgios
de pulso so utilizados cristais lquidos que suportam uma temperatura de armaze-
namento de OC a 55C e uma temperatura de operao de gOC a 4g0C (conside-
ramos a temperatura do pulso da ordem de 2gC).

Exerccios

1. Inicialmente, sem recorrer ao livro, veja se consegue caracterizar o funcionamento de


cada uma das clulas fotossensveis. Caso no consiga, sugerimos ler novamente o
captulo, antes de se aventurar nas demais perguntas.
2. Considerar um metal, sobre o qual incide um fluxo luminoso de comprimento de
onda . Seja WT a energia necessria para deslocar um eltron at a superfcie do
metal (esta energia chamada funo de trabalho).
a) Se Vo a velocidade inicial de emisso do eltron, escrever a equao que traduz
o raciocnio de Einstein.
1 c
[Resposta. hf = WT + "2 mv~; onde f =~ (c velocidade da luz

= 300.000 km/s). 1
= 4.000 e W
b) Se T = 2 eV, calcular a velocidade inicial com que o eltron
abandona o metal.
(Resposta. v = 6,2 X 107 cm/s.)
3. Explicar sucintamente o que so resposta espectral, sensibilidade e resposta de fre-
qncia de um elemento fotossensvel.
V' r
4. Verificamos no Item 5.1.3.1 (Fig. 5.8) que P = ------. Mostrar que a
r? + 2Rr +R2
potncia dissipada R passa por um mximo quando r = R.
dP
(Sugesto. dI' = derivada deP em relao a r = O.)

5. Na Fig. 5.10, ilustramos um fotodiodo associado a um amplificador, utilizando um


transistor PNP. Fazer um esquema, utilizando um transistor NPN.
6. Se o brilho do LED 521.9189 igual a 1 (numa unidade conveniente) para uma
corrente direta de 20 mA, qual o brilho para 1 mA? Para 5 mA? Para 40 mA? (Ver
Fig.5.15.)
7. Comparar a curva de emisso espectral do LED 521.9189 (Fig. 5.16) com a faixa do
espectro na regio visvel, para determinar se esse LED funciona principalmente nas
regies infravermelha, visvel, ou ultravioleta.
8. Baseado na Fig, 5.21 e na descrio dos pinos no texto, determinar quais os pinos
que devem estar alimentados para o display apresentar os nmeros seguintes: 0,1,
2,4,7,9.
220 ESTUDO DA OPTOELETRNICA / CAPo5

9. Baseado na Fig. 5.24, determinar quais as linhas de entrada que devem estar no esta-
do alto, para surgirem cada algarismo, de O a 9, no display.
10. Alm dos displays de algarismos, existem os de letras do alfabeto e de outros smbo-
los, sendo alguns exemplos mostrados na Fig. 5.28. Obviamente esses displays so
mais complexos que os numricos. Entretanto, utilizando um display numrico em
forma de 8, ~uais as letras do alfabeto que poderiam ser por ele representadas?
11. No caso da pergunta do Exerc. 10 - display numrico representando letra do alfa-
beto - poderia ser utilizado um decodificador do tipo mostrado na Fig. 5.24?
Por qu?
12. Observar as Figs. 5.4, 5.5 e 5.16 e verificar, conforme salientado na nota ao p da
pg. 209. que os comprimentos de onda esto expressos em unidades diferentes nos
trs grficos. Transformar os valores do comprimento de onda existente nas Figs.
5.4 e 5.5 para nanrnetros, que a unidade oficial a ser utilizada.
================== Captulo 6

Tecnologia dos Semlcondutores

Neste captulo, procuramos apresentar os principais mtodos para a fabrica-


o de dispositivos de semicondutores, no s para dar ao leitor uma viso mais
completa sobre o assunto, mas tambm porque as noes aqui apresentadas so
bsicas para o Capo 7 (Microeletrnica).

6.1. TECNOLOGIA BSICA

Evidentemente, o passo inicial para a fabricao de dispositivos de semicon-


dutores utilizando o silcio a obteno do mesmo, o que feito pela reduo do
xido de silcio, obtendo-se neste processo silcio com 98% de pureza. Uma vez que
necessitamos reduzir o nvel de impurezas para a faixa de um tomo de impureza
para cada 109 tomos de silcio, um processo adicional de purificao deve ser
utilizado.
Usa-se, ento, o chamado processo de fuso por zona, que se baseia no fato de
as impurezas serem mais solveis na fase lquida do silcio do que na fase slida. A
idia, ento, fundir o silcio em um ponto da barra inicialmente impura; se o
ponto de aquecimento , a seguir, deslocado ao longo da barra (o que implica em
deslocar a fase lquida no mesmo sentido), as impurezas, como so mais solveis
na fase lquda, tambm se deslocaro no sentido do movimento do aquecimento.
Esta operao repetida um grande nmero de vezes, at que as impurezas estejam
concentradas numa das extremidades da barra, possuindo o restante da barra um
nvel aceitvel de impurezas. A extremidade impura ento desprezada, ficando-se
apenas com a parte purificada.
Poderia parecer, neste ponto, que temos o silcio apto para a fabricao de
dispositivos semicondutores; entretanto, a estrutura cristalina do cristal obtido est
cheia de anomalias. A fim de obter um cristal em que a rede cristalina tenha a per-
feio exigida, fundimos o cristal anteriormente obtido e fazemos o chamado cres-
cimento. Um mtodo para fazer tal crescimento o chamado mtodo de
222 TECNOLOG/A DOS SEM/CONDUTORES / CAPo 6

Czochralsky , que consiste em colocar em contato com o material fundido uma se-
mente perfeita do cristal em questo com a orientao desejada; a seguir, esta se-
mente lentamente retirada permitindo a solidificao do material em torno da
mesma, crescendo, portanto, o cristal com a mesma estrutura cristalina da semente
usada. Por meio deste processo, consegue-se, por exemplo, uma barra cilndrica de
2,5 em de dimetro e digamos 10 em de comprimento.
extremamente importante notar, neste ponto, que possvel adicionar ao
material fundido, antes da colocao da semente, a impureza tipo P (boro, ndio ...)
ou N (fsforo, antimnio ...) desejada, crescendo o cristal, respectivamente, tipo P
ou tipoN.
Ainda nesta fase de preparao do material, o cilindro obtido cortado em
pastilhas (wafers) de aproximadamente 2,5 em de dimetro e 200 mcrons
(1 mcron = 10-4 em) de espessura, sendo o corte destas pastilhas feito por meio
de serras anulares de diamante.
Finalmente, as pastilhas so polidas (processos mecnicos ou qumicos), a
fim de apresentar uma superfcie livre de imperfeies.

L....---p_l
Ento, as pastilhas esto prontas para sofrer o
chamado processo epitaxial. Suponhamos, por exem-
plo, que impurezas tipo P tenham sido adicionadas
ao silcio fundido, sendo, portanto, obtidas pastilhas
Fig.6.1. Pastilha de silcio
tipo P. Esquematicamente, representaremos tal pas-
tipoP.
tilha como na Fig. 6.1.
A idia fazer crescer em cima da camada tipo P da Fig. 6.1 uma camada
tipo N, mantendo a mesma estrutura cristalina da camada tipo P. Em outras pala-
vras, no deve haver nenhuma descontinuidade na estrutura global resultante,
obtendo-se, portanto, uma estrutura que um nico cristal. Apenas o que acontece
que, numa regio, as impurezas so do tipo P e, na outra regio, as impurezas so
do tipo N. O crescimento da camada epitaxial feito em fornos especiais e o nome
epitaxial, na realidade, significa "arranjado em cima", dando idia do processo.
Na Fig. 6.2, esquematicamente, est representada a estrutura resultante aps a
formao da camada epitaxial, sendo a mesma bsica para a fabricao dos circuitos
integrados pelo processo chamado epttaxial-ifundido (ver Capo 7).

~ada epitaxial(fz)
TIPO N

~istividade (P~.)
TIPO N

Fig.6.2. EstruturaepitaxialP-N.

Outra possibilidade , por exemplo, obter as pastilhas iniciais do tipo N e


fazer crescer uma camada epitaxial tambm tipo N, com resistividade diferente da
inicial (Fig. 6.3). A estrutura obtida usada na fabricao, por exemplo, dos tran-
sisto~es tipo mesa-epitaxial.
6.2/ FABRICAO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES 223

r----T-I-P-O-N-- ....
~ epitoxial

TIPO P

Fig.6.3. Estrutura epitaxialN.N.

6.2. FABRICAO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES

At agora, descrevemos propriamente as etapas preliminares para a obteno


das pastilhas de silcio e para a obteno das estruturas epitaxiais. A seguir, estuda-
remos os mtodos principais para a fabricao de transistores, sendo que nos limi-
taremos aos tipos mais modernos como os transistores mesa, mesa-epitaxial, planar-
epitaxial, mormente, porque a tcnica pianar-epitaxial a tcnica bsica para a
fabricao de circuitos integrados pelo mtodo epitaxial-difundido que ser discuti-
do noCap. 7.

6.2.1. PROCESSO DE DIFUSO SELECIONADA

Antes, porm, de estudarmos cada um destes grupos, discutamos alguns


pontos fundamentais. Na Se. 1.3.5.1, estudamos o fenmeno da difuso e verifica-
mos que h sempre o deslocamento de partculas de um ponto onde a sua concen-
trao elevada para pontos de concentrao redu- .'Gos:.con1-edo':-bta.:
zida. Suponhamos, ento, uma pastilha de silcio .'_0 ... o; '. , '.".

tipo N, colocada em contato com um gs contendo


uma impureza tipo P (boro, por exemplo); devido Sillcio tipo N
ao fenmeno da difuso, o boro comear a pene-
trar no silcio, como indica a Fig. 6.4. Fig. 6.4. Difuso do boro no
Imaginemos, agora, que queremos que o silcio.
boro penetre apenas em regies selecionadas da pastilha de silcio. Para conseguir
este objetivo, devemos proteger a superfcie do silcio com um material que impea
a penetrao da impureza nas regies indesejveis. Isto feito deixando a superfcie
do silcio se oxidar e abrindo janelas no xido exatamente onde o boro deve pene-
trar.! A Fig. 6.5 ilustra o processo da difuso selecionada, onde o boro consegue
penetrar no silcio exatamente onde o xido no protege a superfcie do cristal.
oportuno salientar neste ponto que, se a pastilha fosse mantida tempera-
tura ambiente durante a difuso, um tempo praticamente infinito seria necessrio
para a penetrao da impureza. A fim de acelerar o processo, a pastilha colocada
em um fomo (fomo de difuso), onde temperaturas da ordem de 1.100 a 1.300C
so mantidas.

1 A abertura das janelas no xido feita por um processo fotolitogrfico, inteiramente


anlogo ao usado para a fabricao de circuitos impressos.
224 TECNOLOG/A DOS SEM/CONDUTORES IcA.p, 6

,: .:, :.,: 'Gs" .'' m' '. 'a':. impurza ,'. ' .... " :, I -: : I
'. ,'. ' . ,. '.' ' " ' '. '.; '. I" : Oxido de sil(cic:!
UlZ, ?lU' .. .' J2VZaZi';a: '. .'. '. vaz,?l?ZZ2a
ti ':tU l'Iu).'r 'l:i:I:i*I,li1:.:tt4

) Silcio N
J
Fig. 6.5. Difuso selecionada.

6.2,2. FABRICAO DE TRANSISTORES TIPO MESA

Para a fabricao de um transistor NPN tipo mesa, partimos de uma pastilha


de silcio tipo N, a qual constituir o coletor do transistor [Fig. 6.6 (a)]; em segui-
da, difundimos uma impureza tipo P (boro) para a formao da base do transistor
[Fig. 6.6 (b)]; depois fazemos a oxidao da superfcie tipo P e retiramos o xido
na regio em que o emissor deve ser difundido [Fig. 6.6(c)]; o prximo passo a
difuso de uma impureza tipo N (por exemplo, fsforo), formando o emissor do
transistor [Fig. 6.6(d)].
Agora, temos o passo final que exatamente o que caracterizar a estrutura
tipo mesa. Na Fig. 6.6(e), repetimos a Fig. 6.6(d), apenas hachurando as regies da
estrutura que so inertes, isto , que servem apenas para aumentar a rea da juno
base-coletor, A idia , ento, a retirada destas regies, obtendo a estrutura final
tipo mesa, ilustrada na Fig. 6.6(1) (a prpria figura ilustra a razo deste nome),j
com os contatos feitos para o emissor, a base e o coletor.
Observao. As figuras abaixo so puramente ilustrativas, no se referindo
propriamente ao aspecto de um transistor antes de ser encapsulado.

P
(d, 1 LlLJ_N__ __

B E
Fsforo
HHH xido
(o, ~2U'" paN/r L~ \
(f) C 'J--oc
Fig. 6.6. Fabricao de transistores tipo mesa.
6.2/ FABRICAO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES 225

6.2.3. FABRICAO DE TRANSISTORES TIPOMESA-EPITAXIAL


Como o nome indica, a fabricao destes transistores comea com uma estru-
tura epitaxial consistindo em duas regies tipo N, uma com uma baixa resistividade,
e outra epttaxial, com alta resistividade, como indica a Fig. 6.7.

r---: :":",'
(e-tD""'ii7"ta-x"":'"ia-:t:T)
---,~ resistividade
N
~a resistividade
N

Fig. 6.7. Estrutura epitaxial para a fabricao dos transistores tipo mesa-epitaxial.

As outras etapas so idnticas ao processo anteriormente descrito, resultando


a Fig. 6.8.
B E

I--===-~N-Epitaxial(rna faixa de 1 a2.n. em}

N(P na faixa de 0.010 0.001 .fi em)


~f--4'"
~ -4C

Fig.6.8. Transistor tipo mesa-epitaxial.

A vantagem desta estrutura comparada com o tipo mesa simples que pode-
mos, independentemente, ajustar as resistividades das duas camadas tipoN e, deste
modo, ter um transistor que apresente uma baixa tenso de saturao e uma alta
tenso de ruptura da juno base-coletor.
No caso anterior s uma camada N existe e, se esta camada muito dopada
(baixa resistividade) para reduzir a tenso de saturao, a tenso de ruptura tam-
bm reduzida. Por outro lado, se doparmos fracamente esta regio (alta resistivida-
de), a tenso de ruptura ser elevada, mas a tenso de saturao ser tambm eleva-
da, o que um fator desfavorvel em circuitos de comutao.
No caso do transistor tipo mesa-epitaxial, a camada de baixa resistividade per-
mite uma reduo da tenso de saturao, ao mesmo tempo que a camada de alta
resistividade proporciona uma elevada tenso de ruptura.

6.2.4. FABRICAO DE TRANSISTORES TIPO PLANAR

Conforme o leitor pode facilmente verificar nas figuras anteriores, a juno


base-coletor sempre fica exposta ao meio ambiente durante a fabricao, o que
requer um cuidadoso tratamento superficial, uma vez que a existncia das impure-
zas na superfcie altera de modo significativo as caractersticas do transistor.
226 TECNOLOG/A DOS SEM/CONDUTORES / CAPo 6

o transistor planar simplesmente obtido usando-se o mesmo processo de


mscaras com xido de silcio, usado para formar o emissor do transistor mesa-epi-
taxial, sendo que no transistor planar tanto a base como o emissor so formados
pela difuso de impurezas adequadas atravs destas mscaras. Na Fig. 6.9, o proces-
so completamente ilustrado e observamos que, por meio das mscaras, as dimen-
ses do transistor so todas precisamente controladas e que em nenhum ponto as
junes so expostas ao meio ambiente, reduzindo consideravelmente os riscos de
contaminao superficial.'
Obviamente, podemos fabricar transistores usando exclusivamente as tcnicas
planar e epitaxial, combinando as vantagens dos dois processos. Neste caso, parti-
mos de uma estrutura epitaxial, como a discutida no Item 6.2.3, e por meio da tc-
nica planar difundem-se a base e o emissor. Este o processo utilizado para a fabri-
cao de circuitos integrados e preferimos tratar no Capo 7 os detalhes deste proces-
so.

Novacamoda

(d)~"S;O'

Fsforo(N)

Emissor B05e

(c) Ip ,I (f)
"'------~
N N

Fig. 6.9. Fabricao do transistor tipo planar.

1 O leitor observa que, sempre que fazemos a difuso atravs de uma mscara, as impu-

rezas, alm de penetrarem verticahnente, tambm o fazem horizontalmente sob o xido, como
ilustrado abaixo, protegendo as junes. Apenas por facilidade de desenho no representamos
a penetrao horizontal das impurezas, mas o leitor deve sempre ter este fato em mente.
6.2 I FABRICAO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES 227

Exerccios

1. Explique com suas prprias palavras o processo de purificao, conhecido como puri-
ficao por zona, e indique at que ponto se consegue eliminar as impurezas indese-
jveis.
2. Explicar o processo de Czochralsky para o crescimento de cristais.
3. Explicar o que se entende por crescimento epitaxial e caracterizar a importncia deste
processo.
4. Explicar as diferenas entre os transistores mesa, mesa-epitaxial e planar-epitaxial.
5. Como se consegue fazer a difuso de uma impureza em regies selecionadas de um
cristal de silcio?
6. Por que so utilizadas temperaturas elevadas durante o processo de difuso?
7. No Item 6.2.4, falamos da vantagem de a juno ficar formada embaixo do xido
durante o processo de difuso. Pensar um pouco e explicar quais os efeitos da conta-
minao superficial mencionada.
==================Capftulo "7

Microeletrnica

7.1. DIVISOES DA MICROELETRNICA 1

o advento da Microeletrnica foi um dos mais notveis avanos tecnolgicos


no campo da Eletrnica, se-ido fundamentalmente oriundo das especificaes rgi-
das exigidas pela pesquisa espacial, com relao a peso, dimenses, potncia consu- .
mida e confiabilidade. Era impossvel satisfazer as restries impostas nestes casos
com os circuitos convencionais, usando componentes discretos.
O campo da Microeletrnica pode ser divido em trs grupos. No primeiro,
temos o uso de minsculos componentes (ainda convencionais), montados em uni-
dades extremamente compactas, como o caso dos rnicromdulos. No segundo
grupo, temos os chamados circuuos integrados, e este grupo pode ser dividido em
dois subgrupos, a saber. circuitos de semicondutores e circuitos de deposio.l
A concepo bsica inerente aos circuitos integrados a construo de todos
os componentes de um circuito (componentes passivos e ativos) numa mesma estru-
tura. Em outras palavras, os transistores, diodos, resistores etc. so todos fabricados,
interligados e includos em um mesmo invlucro. Por exemplo, um amplificador DC
completo, com todos os seus componentes, fabricado e encapsulado em um inv- .
lucro semelhante ao de um transistor comum (evidentemente o nmero de termi-
nais pode ser diferente).
Na Fig. 7.1, apresentamos alguns tipos de circuitos integrados, sendo de notar
alguns invlucros tpicos da tecnologia integrada.

I Um estudo completo sobre Microeletrnica pode ser encontrado no livro Circuitos


Integrados. de Hilton A. Mello, Ed. Edgard Blucher Ltda.

2 Em ingls, chamados Thin-film circuits. O nome que adotamos, circuitos de deposio,

no uma traduo literal, mas ilustra como o circuito fabricado.


7.1 / D/I//SOES DA M/CROELETR6N/CA 229

Fig. 7.1. Alguns tipos de invlucros utilizados na tecnologia de circuitos integrados.

Para ilustrar melhor a classificao anterior, consideremos o caso dos circuitos


integrados de semicondutores. Estes podem ser subdivididos em dois grupos: os
circuitos monoliticos': e os circuitos hibridos.
Nos circuitos monolticos todos os componentes so fabricados por meio de
uma tecnologia especial dentro da pastilha de silcio, enquanto que, nos circuitos
hbridos, vrias destas pastilhas so colocadas em um mesmo invlucro e so conec-
ta das entre si. Na fabricao destes circuitos integrados de semicondutores, o que
fazemos ,uma srie de difuses sucessivas, usando mscaras adequadas at comple-
tar a estrutura desejada (exatamente o que fazemos para obter o transistor planar).
Os circuitos de deposio, como O nome indica, so circuitos obtidos pela
"deposio" de camadas de materiais adequados, formando os diversos compo-
nentes. Por exemplo, a deposio sucessiva de camadas de materiais metlico, iso-
lante e metlico d origem a um capacitar.
Tambm interessante observar que existem os chamados circuitos integrados
de deposio compatveis, significando-se com isto circuitos fabricados por tcnicas
de deposio que so compattveis com o processo de fabricao dos circuitos mono-
liticos. Por exemplo, em um circuito monolitico , quando necessitamos de elevados
valores de capacitnca ou resistncia, possvel obt-Ias usando tcnicas de depo-
sio.
Finalmente, somente para ser mais completo, podemos mencionar que o ter-
ceiro grupo em que a Microeletrnica se divide, o dos chamados dispositivos funcio-
nais, diz respeito a dispositivos nos quais um pedao de material tratado de modo
a adquirir as funes completas de um circuito, embora no possamos precisar qual
a regio do aludido material que possui esta ou aquela propriedade. Por exemplo,
um filtro de quartzo pode funcionar perfeitamente como um circuito sintonizado,

1 Do grego mono (simples) e Itthos (pedra), Portanto, o nome indica uma "nica pedra"
ou um "nico cristal".
230 MICROELETR6NICA /CAP. 7

embora no possamos precisar qual a parte do material que est fazendo o papel
da indutncia do circuito sintonizado. Isto , nos dispositivos funcionais, as carac-
tersticas globais dos materiais so utilizadas.
Na Fig. 7.2, apresentamos um quadro com a classificao feita anteriormente,
devendo ser mencionado que este serve apenas para dar uma orientao geral, sendo
os detalhes omitidos.

..
M I CROELETRONICA

Fig. 7.2. O campo da Microeletrnica.

7.2. FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS MONoLtncoS

7.2.1. DETALHES FUNDAMENTAIS SOBRE A TCNICA

Conforme j mencionamos, os circuitos integrados monolticos so aqueles


em que todos os componentes do circuito so fabricados em um nico cristal de
silcio e interligados formando o circuito. Finalmente, a pastilha de silcio encap-
sulada em invlucros, como ilustra a Fig. 7.1.
Neste livro, focalizaremos apenas os circuitos integrados monolticos, mas o
leitor deve lembrar que existem outros tipos, como os circuitos de deposio, os
hbridos etc.
Ora, um circuito completo consta de transistores, diodos, capacitores, resis-
tores etc., interligados de modo que o conjunto apresente uma determinada carac-
terstica. Vamos, portanto. estudar separadamente, como todos estes componentes
podem ser fabricados, usando exclusivamente um material sernicondutor como o
silcio.
Inicialmente, estudemos o ponto fundamental de partida dos circuitos mono-
lticos, que uma estrutura epitaxial constituda por uma regio P e uma regio N
(crescida eptaxalmente) e cujas resstvidades so individualmente controladas,
como indica a Fig. 7.3. A regio P chamada substrato e, na realidade, ter por
funo dar resistncia mecnica ao conjunto.
7.2/ FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS MONOL/tICOS 231

N CAMADA EPlTAXIAl

~---------------- I
p : SUBSTRATO

Fig.7.3. Estrutura epitaxial.

O primeiro passo para a fabricao monoltica a abertura de ilhas tipo N,


o que feito protegendo a superfcie da estrutura epitaxial da Fig. 7.3 com xido
de shco! e retirando o mesmo apenas nas regies onde ser feita a difuso de uma
substncia tipo P (boro), at que a impureza difundida encontre o substrato, for-
mando assim as aludidas ilhas tipo N. Este processo ilustrado na Fig. 7.4.

Ca) I N
P

r SI02
N
Cb) [
p

E
,
BORO BORO BOR0.JANELA ABERTA NO OXIDO

ce) 'li wzza ':\.vnmUl/]


ILHAS TIPO N

Cd~.N
) p N p N p N

Fig. 7.4. Abertura das ilhas tipo N.

O motivo para a abertura das ilhas tipo N pode ser facilmente compreendido:
em uma das ilhas ser colocado um resistor em outra um transistor, e assim sucessi-
vamente? Posteriormente, estes elementos sero interconectados, completando o
circuito, mas no deve haver nenhuma interao entre os mesmos atravs do cristal,

I A abertura de janelas no xido de silcio feita por um processo inteiramente anlogo


ao usado para a fabricao de circuitos impressos (processo fotolitogrfico).
2 Na realidade, em muitos circuitos, possvel fabricar mais de um elemento na mesma
ilha.
232 MICROELETRONICA /CAP. 7

devendo toda a interao ser feita pelas interconexes. A idia bvia , ento, a liga-
o do substrato tenso mais negativa do circuito. Assim procedendo, as junes
P-N, formadas entre as ilhasN e o substrato, ficaro todas inversamente polarizadas,
como indica a Fig. 7.5. Isto significa que os componentes estaro isolados por meio
de junes inversamente polarizadas. 1
JUNES INVERSAMENTE
POLARIZADAS

-v
p (TENSAO MAIS NEGATIVA
DO CIRCUITO)

Fig. 7.5. Isolamento das ilhas tipo N.


Podemos agora analisar como cada componente fabricado em um cristal de
silcio.

7.2.2. FABRICAO DE RESISTORES

7.2.2.1. Resistores Difundidos

A fabricao de resistores na forma integrada baseia-se no fato de o material


sernicondutor apresentar uma resistividade que funo das impurezas adicionadas
ao silcio. Por exemplo, se num cristal puro,NA tomos de boro (impureza tipo P)
so adicionados por em" , a resistividade do material ser dada aproximadamente
por (verCap. 1):

1
p= r~p NA q '

onde
2
= mobilidade para buracos = 480 vem ;
. s
= nmero de tomos por em" de impurezas adicionadas;
= valor absoluto da carga do eltron = 1,6 X 10-19 coulombs.

J Existe um outro tipo de circuito integrado, chamado de fases mltiplas, em que o iso-
lamento das ilhas feito por meio de uma camada de xido, como indicado abaixo:

CAMADA DE OXIDO DE SILICIO

'-----0 _P Eif]
7.2/ FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS MONOL/'rICOS 233

Em funo da resistividade, a resistncia de um bloco de material dada pela


clssica frmula indicada na Fig. 7.6.

R = resistncia em ohrns;
R = J... P = resistividade em n . m;
P A
{ I = comprimento em m;
A =r rea em m .

Conseqentemente, variando a resistividade


(funo de nmero de impurezas adicionadas) ou
Fig. 7.6. Resistncia de um as dimenses do bloco de cristal, podemos ajustar
bloco de material. a resistncia do bloco para o valor desejado.
A Fig. 7.7 ilustra como, usando a estrutura epitaxial estudada, podemos fabri-
car um resistor, sendo tambm indicado o percurso da corrente no corpo do mate-
rial tipo P.
, ,
ALUMINIO ALUMINIO _ 2
Si0

CAMADA EPITAXIAL N

SUBSTRATO P

Fig.7.7. Constituio de um rsistor difundido.

7.2.2.2. Resistores Depositados

Quando valores elevados de resistncia so necessrios, o que exigiria uma


rea grande do cristal usando-se o processo de difuso, uma soluo para o proble-
ma fabricar o resistor depositando uma camada de material metlico conforme
ilustrado na Fig. 7.8.
Variando o material empregado e as dimenses do resistor, podemos obter o
valor desejado de resistncia.

, ~
MATERIAL METALICO (NICROME TANTALO..)

~
// /
/
"// /// // ////
~,
OXIDO,--

Fig.7.8. Resistor de deposio.


234 MICROELETR()NICA / CAPo 7

7.2.3 FABRICAO DE CAPACITORES

Fundamentalmente, dois tipos de capacitores so usados na forma integrada:


capacitores de juno e capacitores de deposio.

7.2.3.1. Capacitores de Juno

Estes capacitores se baseiam no fato de uma juno P-N apresentar uma capa-
citncia cujo valor depende da tenso inversa aplicada juno, tendo sido este fe-
nmeno cuidadosamente estudado no Capo 1. Portanto, o simples uso de umajun-
o P-N inversamente polarizada pode proporcionar o valor de capacitncia dese-
jado. .
Por exemplo, na Fig. 7.9 apresentamos as capacitncias tpicas de um transis-
tor integrado, no qual o coletor (camada epitaxial) tem uma resistividade de
0,1 n . em. Para este transistor, a juno base-coletor tem uma capacitnca de
aproximadamente 350 picofarads por milmetro quadrado (pF/mm2); portanto, se
quisermos saber o valor da capacitncia em picofarads basta multiplicar este nmero
pela rea da juno expressa em mm? .

JUNO COlETOR-SUBSTRATO:
IV 350 pF/mm2

SUBSTRATO p

Fig. 7.9. Capacitncias de um transistor.

Advertimos ao leitor que 'estes valores foram mencionados como exemplo,


apenas para ilustrar as diferentes possibilidades existentes. Estas capactncas de-
pendem da geometria (dimenses), dopagem etc.
O grande inconveniente do seu uso o fato de elas dependerem fortemente da
tenso e da temperatura. Alm disto, apenas valores limitados de capactncia
podem ser obtidos.

7.2.3.2. Capacitores Depositados

Um processo de fabricao de capacitores que compatvel com o processo


de fabricao de circuitos integrados a deposio, como indica a Fig. 7.10.
7.2/ FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS MONOL/t/COS 235

ALUMINIO
~'\\.~;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;~=D~ELTRICO OXIDO

Fig.7.10. Capacitor de deposio.

Inicialmente, no topo do xido de silcio que cobre o substrato, depositamos


o alummo que servir como uma das placas do capacitor; a seguir, depositamos
um m,aterial dieltrico (por exemplo, xido de t nt alo) e, finalmente, uma nova de-
posio de alumnio produz a outra placa do capacitor. Por este processo, variando
o dieltrico utilizado, conseguimos obter valores de capacitncias muito mais eleva-
dos que as capacitncias de juno. Um valor tpico obtido, usando xido de tanta-
10, de 3.000 pF /mm2, salientando a dependncia bem menor com a temperatura.

7.2.4. FABRICAO DE INDUTNCIAS

Embora um grande esforo tenha sido empregado ao tentarmos obter indu-


tncias na forma integrada, ainda no chegamos a uma soluo que permita obt-Ias
com valores prticos para serem usados. Algumas vezes, empregamos o artifcio de
usar um circuito para "simular" uma indutncia, mas esta criticamente dependen-
te da temperatura.
Portanto, o que fazemos atualmente adicionar as indutncias externamente
ao circuito integrado, aguardando um progresso da tecnologia que permita a integra-
o eficiente de ndutncas.

7.2.5. FABRICAO DE mODOS

Ora, sendo um diodo constitudo apenas por uma juno P-N, possvel,
conectando terminais de um transistor, obter um diodo ou, ento, simplesmente,
usando a juno base-emissor ou base-coletor. O que fazemos, ento, usar o alu-
mnio (durante a fase de interligao dos componentes) para ligar os terminais
convenientes do transistor. Na Fig. 7.11, so ilustradas as configuraes utilizadas.

Fig. 7.11. Configuraes de um transistor usadas como diodos.

Com relao fabricao de trnsistores, por uma questo de espao, trata-


mos deste assunto na seo seguinte.
236 MICROELETR6NICA I CAPo 7

7.2.6. FABRICAO SIMULTNEA DE TODOS OS COMPONENTES DE UM


CIRCUITO

O leitor verifica, com facilidade, que todos os processos usados para fabrca-
o dos componentes de um circuito integrado partem da estrutura epitaxial j
estudada. A idia, no caso, fabricar todos os componentes simultaneamente numa
pastilha de silcio e, finalmente, interligar todos os componentes pela deposio de
alumnio, completando o circuito.
Para exemplificar a fabricao simultnea de diferentes componentes, mostra-
mos, na Fig. 7.12, como um transistor e um resistor so fabricados e interligados
numa mesma pastilha usando a tcnica planar-epitaxial.

--r
(a) Estrutura epitaxial inicial.

I TRANSISTOR NI I RE5aSTOR NI
P

(b) Pastilha pronta para sofrer a difuso (c) Pastilha j com as ilhas formadas e com
para formao das ilhas.

r
a superfcie novamente oxidada.

Cil.r,rc:::a .~
(d)
r rr p

~
Pastilha pronta para sofrer a difuso da
base do transistor e do corpo do resistor.
(e) Pastilha j com a base e o resistor difun-
didos e a superfcie novamente oxidada.

(f)
~ D1J
Pastilha pronta para sofrer a difuso do
emissor e preparao do contato do co-
(g)
~
Pastilha j com emissor difundido e o
contato do coletor preparado.
letor.

(h) Pastilha j com o alumnio depositado


fazendo os contatos (emissor do tran-
sistor ligado ao resistor).
Fig.7.12. Fabricao simultnea de um transistor e um resstor.

Com relao Fig. 7.12, conveniente fazer alguns comentrios.


7.2/ FABRICAO DE CIRCUITOS INTEGRADOS MONOL/'r/COS 237

1. No so ilustradas as etapas para abrir as janelas necessrias no xido de


silcio. Conforme j mencionamos, trata-se de um processo fotolitogrfico bastante
semelhante ao usado para a fabricao de circuitos impressos;
2. Na Fig. 7.12(f), o leitor verifica que, ao mesmo tempo em que se abriu a
janela para difuso do emissor, tambm se abriu uma janela em cima da regio do
coletor (regio epitaxial). Sabemos que, aps todos os componentes terem sido
fabricados, os mesmos so interligados por meio de alumnio depositado na super-
fcie da estrutura. Ora, o alumnio um elemento aceitador e, caso ele esteja em
contato com um material tipo N, existe a possibilidade de formao de uma juno
P-N. Por exemplo, consideremos a Fig. 7.13, na qual queremos fazer contato com a
base, o emissor e o coletor nos pontos C, B e E.

ALUMINIO ( TIPO p)

SUBSTRATO

Fig.7.13. Contato entre o alumnio e o semicondutor.

Caso simplesmente depositemos o AI, como est indicado na Fig. 7.13, h a


possibilidade de formao de junes P-N entre o AI (tipo P) e o cristal constituinte
do emissor e do coletor do transistor (tipo N). Entretanto, verificou-se que o AI no
forma tal juno com o material tipo N, caso a dopagem deste ltimo seja bastante
elevada.
Uma vez que, ao fazermos a difuso do emissor do transistor, usamos uma
elevada concentrao de portadores, no h formao de juno entre o AI e o emis-
sor. Por outro lado, sendo o coletor fracamente dopado, originar-se-ia uma juno
entre o AI e o coletar do transistor. A soluo para este problema simples e bas-
tante engenhosa: antes de fazermos a deposio do alumnio, utilizamos a prpria
difuso do emissor para produzir na regio do coletor, onde o alumnio vai ser
depositado, uma elevada concentrao tipo N; a seguir, podemos fazer a deposio
do alumnio sem o perigo de formao de junes! (Fig. 7.14).

3. Com relao Fig. 7.12 (h), devemos notar que, aps as janelas terem sido
abertas no xido, o alumnio depositado em toda a superfcie da pastilha. A

I Tais contatos, em que no so formadas junes, so chamados contatos hmicos, e,


no caso oposto, contatos retificadores.
238 MICROELETR6NICA /CAP. 7

seguir, ento, retiramos o alumnio indesejado, deixando apenas as conexes neees-


srias,

77"7'" .,...,."
XIOO

I BASE J
N
COLETOR

P
(o, (bl

Fig.7.14. Preparao para deposio do alumnio: (a) janelas abertas no xidona regio do
coletor e na regio da base; (b) pastilha aps a difuso do emissor e j com as janelas abertas no
xido para deposio do alumnio.

4. Conforme verificamos, o corpo do resstor integrado constitudo por um


material tipo P e, obviamente, o que fazemos aproveitar a prpria difuso das
bases dos transistores (tipo P) para formar tambm o corpo dos resistores do circui-
to. Assim sendo, formam-se, numa s etapa, as bases dos transistores e corpos dos
resistores do circuito. O inconveniente deste procedimento o fato de os valores de
resistncias ficarem limitados pela concentrao de impurezas usadas para fabricar
as bases dos transistores. Quando valores, elevados de resistncias so necessrios,
usamos o resistor depositado discutido na Se. 7.2.2.2.
Neste exemplo, fizemos apenas um transistor e um resistor, mas o leitor pode
facibnente imaginar que, usando a tcnica descrita, transistores, diodos, capacitores
etc. podem ser fabricados e interligados, constituindo um circuito completo.
Deve ser notado que as pastilhas de silcio tm em torno de 2,5 em de dime-
tro e, normalmente, um circuito completo apenas utiliza uma pequena frao da

CONTATO PARA
O CIRCUITO

CIRCUITO

(o)
Pastilha de Silcio

Fig. 7.15. Numa pastilha completa so fabricados diversos circuitos.


7.3/ APLICAES DOS CIRCUITOS INTEGRADOS 239

rea disponvel da pastilha. Isto permite a fabricao simultnea, numa mesma pas-
tilha, de centenas e at milhares de circuitos idnticos simultaneamente. Na Fig.
7.15 mostramos como numa pastilha podem ser fabricados centenas e mesmo
milhares de circuitos idnticos. 1
A seguir, a pastilha cortada por meio de uma ponta de diamante (processo
semelhante ao usado para cortar vidro) e os circuitos individuais [Fig. 7.1 5 (b) ]
esto prontos para serem encapsulados.
Dependendo do tamanho, finalidade, nmero de terminais etc., usamos o
invlucro adequado, sendo alguns destes invlucros ilustrados na Fig. 7.1.

7.3. APLICAES DOS CIRCUITOS INTEGRADOS

Nas explanaes anteriores, o leitor verificou a possibilidade de fabricao si-


multnea de um circuito completo, partindo de uma estrutura epitaxial e utilizando
a chamada tecnologia planar. O termo circuito completo sugere que o utilizado r de
um circuito integrado escolhe um circuito que apresente o desempenho por ele
desejado. J de incio, torna-se evidente que os fabricantes de circuitos integrados
no podem fabricar todos os tipos de circuitos que so usados pelos projetistas,
sendo o primeiro problema encontrado por estas fbricas a seleo dos circuitos a
fabricar. A seguir, analisamos alguns tipos de circuitos existentes nos campos digital
e lnear.'

7.3.1. CIRCUITOS DIGITAIS

exatamente o campo digital que permite um fantstico xito dos circuitos


integrados, porque, com um grupo relativamente pequeno de alguns circuitos espe-
ciais, conseguimos a realizao de um sistema lgico completo. Alm disto, os
circuitos digitais so mais flexveis com relao variao dos componentes do
circuito, quando comparados com os circuitos lineares.
Na Fig. 7.16, apresentamos alguns tipos de circuitos digitais, circuitos estes j
fabricados por um grande nmero de companhias do ramo de semicondutores.
Observaes: 1. Nos circuitos da Fig. 7. 16, representamos apenas duas entradas
para cada circuito, existindo circuitos com um nmero mais elevado de entradas. 2.
Vrios circuitos podem ser fabricados em uma mesma pastilha e encapsulados no mes-
mo invlucro. Por exemplo, podemos ter quatro circuitos E com duas entradas cada
um em um mesmo invlucro, como sugere a Fig. 7.17. Como as etapas de solda e
encapsulamento so as mais caras do processo, conseguimos uma substancial redu-
o no preo procedendo deste modo.

I Para a fabricao de vrios circuitos idnticos, o que se faz uma repetio das msca-

ras utilizadas para abrir as janelas no xido de silcio. Existem mquinas automticas para a re-
petio de uma mscara original, possibilitando a gerao de uma mscara total para a pastilha.
Da, todos os circuitos poderem ser fabricados ao mesmo tempo.
2 Um estudo detalhado das aplicaes dos circuitos integrados encontrado ro livro
Circuitos Integrados, de Hilton A. Mello, Ed. Edgard Blucher Ltda.
240 MICROELETR()NICA / CAPo 7

Tipo de Circuito Representao Simblica Tabela de Funciona-


mento'

x y f
X O O O
Circuito OU O 1 1
Y 1 O 1
~ 1 1 1

x y f
X O O O
~XY
Circuito OU-EXCLUSIVO' y O 1 1
1 O 1
1 1 O

X x y f
O O O
Circuito E Y O 1 O
~
1 O O

b1
1 1 1

X x y
.,(X+VI f
y O O 1
Circuito NO OU O 1 O
1 O O
1 1 O
X
x y f
y O O 1
Circuito NO E
~ O 1 1
1 O 1
1 1 O
Fig.7.16. Circuitos digitais.

etapas de solda e encapsulamento so as mais caras do processo, conseguimos


uma substancial reduo no preo procedendo deste modo.

INVLUCRO COMUM

Fig. 7.17. Quatro circuitos E com duas entradas cada.

I Os americanos chamam a esta tabela de trutn table.


2 Utilizaremos a seguinte notao: x = complemento de x, isto , se x = O, x = 1; se
x=l,x=O.
7.3/ APLICAES DOS CIRCUITOS INTEGRADOS 241

Alm dos circuitos anteriormente mencionados, vrios circuitos digitais j so


encontrados no mercado, como matrizes de diodos, bancos de flip-flops, de codifica-
dores, memrias para leitura (read only memory), adicionadores binrios, registra-
dores de deslocamento (shift registers) etc. Portanto, praticamente certo que o
projetista de equipamentos digitais possa escolher os circuitos digitais a serem
utilizados no seu projeto.
No devemos deixar de dizer que um estudo cuidadoso por parte do projetista
deve ser feito, por exemplo, para selecionar os circuitos para o seu caso especfico,
para satisfazer s condies de velocidade, tenses de alimentao, potncia dissipa-
da, fan-in, fan-out' etc. Por exemplo, para a linha mais rpida de circuitos integra-
dos digitais, estamos falando de tempos de propagao da ordem de 3 nanossegun-
dos, enquanto outra linha pode apresentar uma velocidade bem mais reduzida, por
exemplo, 15 nanossegundos. Por outro lado, a potncia dissipada no primeiro caso
maior que no segundo, havendo, portanto, um compromisso entre tempo de propa
gao e potncia dissipada.
Todos estes fatos devem ser de conhecimento do projetista, e queremos
deixar claro que a tcnica de utilizao de circuitos integrados no consiste sim-
plesmente em "gruparem-se bloquinhos" de circuitos at obter o circuito completo.
A seguir, para completar estas explanaes, apresentamos alguns circuitos di-
gitais comerciais, fornecendo os circuitos eltricos e as representaes lgicas corres-
pondentes, tendo estes exemplos carter puramente ilustrativo, pois possivelmente
estes circuitos especficos no sero mais fabricados quando da publicao da
presente edio.

Me 310 (MOTOROLA) - ~ircuito duplo NO OU ("NOR,,)2.


Especificaes bsicas:
Potncia dissipada: 27 mWjcircuito.
Tempo de propagao: 6,5 nanossegundos.

r-,
7
8
I.... 6= 7 +8

r-,
9
I.... 5 = 9+10
10

(b) Esquema lgico


(o) Circuito eltrico

Fig. 7.18. Circuito integrado MC 310 da Motorola.

I Fan-in e fan-out : termos em ingls que significam. respectivamente, o nmero de en-


tradas e o nmero mximo de circuitos idnticos que podem ser ligados sada do circuito
digital.

Z Os circuitos e especificaes dos circuitos da Motorota foram extrados do Livro: The


Microelectronics Data Book - Motorola Semiconductor Products Inc. Segunda edio.
242 MICROELETRNICA / CAPo 7

MC 302 (MOTOROLA) - flip-flop RS.


Especificaes bsicas:
Potncia dissipada: 42mW.
Tempo de propagao: 10,5 nanossegundos.

n+i
R S Q

O i i

i O O

2,4k 2,4k n
i O O Q

875 2k 8
2k
NO
i i Determinado
2
VEE

(a) Circuito eltrico (c) Tabela de funcionamento

6 5
S Q

10 4 _
R Q

(b) Esquema lgico

Fig.7.19. Circuito integrado MC 302 da Motorola.

MC 502 (MOTOROLA) - NO E ("NAND") com 8 entradas.


Especificaes bsicas:
Potncia dissipada: 15 mW/invlucro.
Tempo de propagao: 12 nanossegundos.
4VcC

1
100
4,Ok 1,3k
2
3
l' 12.3.5.6.7.9.13
12 5

1 6
7

9
1.3

10 TERRA

(a) Circuito eltrico (b) Esquema l~ico

Fig.7.20. Circuito integrado MC 502 da Motorola.


7.3/ APLlCA()ES DOS CIRCUITOS INTEGRADOS 243

MC 912 (MOTOROLA) - Semi-adconador (Half adder).


Especificaes bsicas:
Potncia dissipada: 5,5 ou 11,5 mW (depende da entrada).
Tempo de propagao: 66 nanossegundos.

g=(a+b)(c .o)

(b) Esquema lgica

(o) Circuito eltrica

Fig. 7.21. Circuito integrado MC 912 da Motorola - Valores tpicos: R, = 1,5 krz ; Rz
= 3,6 kU.

7.3.2. CIRCUITOS LINEARES

No campo dos circuitos lineares, o xito no foi to grande como no caso dos
circuitos digitais, uma vez que na realidade poucos so os circuitos lineares "de uso
geral", em contraste com os blocos digitais. Mas alguns tipos de circuitos foram lan-
ados com sucesso no campo linear como amplificadores operacionais, amplifica-
dores de radiofreqncia, amplificadores de freqncia intermediria etc.

7.3.2.1. Amplificadores Operacionais

Incontestavelmente, o tipo de circuito integrado linear de maior uso o ampli-


ficador operacional, fabricado por diversas indstrias. Nas Figs. 7.22 e 7.23 so
apresentados os circuitos de dois amplificadores da Fairchil Semiconductor, res-
pectivamente, o J1A 702A e o J1A 709.1
Nas Tabs. 7.1 e 7.2 so dadas as principais caractersticas destes dois amplifi-
cadores, sendo tambm apresentadas as definies correspondentes a cada especif-
cao.

, As informaes bsicas relativas aos circuitos integrados da Fairchild foram obtidas


do livro: Fairchild Semiconductor Integrated Circuits - Data Catalog - 1970.
244 MICROELETRNICA / CAPo 7

8 +
~--------~--.---~--~V
R3
8k

5
compenaao
de
Terra -+--06 } ire'lUncia
.....
Entrada
inversora
Entrada no 03'-- __ +__...... R
inversora 12
2,6k

R R
8 9 1j.
'--2,4k
__ 480
.....
__ 240
..... ~ 4 V-

Fig. 7.22. Amplificador operacional pA702A da Fairchild Semiconductor.

Entradal paro
cO/IIplnaao di freqncia

r----9-_~-+ -+_~ _,--_,--~~7_oV+

R7
Q!5 U R{5
30k li
Sao'da

R9
2 IO~ S Sa"da po,!.
Entrada
inversora I\to c:ompensaao
3 18k
Enl,ada no Ot,3
inversora QtO!
RJ2
SoOk
!tU
n 4
V-

Fig.7.23. Amplificador operacional pA709 da Fairchild Semiconductor.


7.3/ APL/CAOES DOS CIRCUITOS INTEGRADOS 245

Tab. 7.1. Caractersticas Eltricas Principais do Amplificador ILA709 da Fairchild Semi-


conductor
TA = + 25 C (Temperatura ambiente)
9 VS";; Vs .,;; 15 V (Alimentao)

Parmetro Condio M(n. Ttpico Mdx. Unidade

Offset da tenso de
entrada RS';;; 10 krz 1,0 5,0 mV

Offset da corrente de
entrada 50 200 nA

Corrente de polarizao
de entrada 200 500 nA

Resistncia de entrada 150 400 kn

Resistncia de sada 150 n


Potncia consumida VS=15V 80 165 mW

. Ganho de tenso para RL;;. 2 kn


sinais grandes -55C.;;; TA " 125C 25.000 45.000 70.000
VS=15V

Tab.7.2. Caractersticas Eltricas Principais do Amplificador JlA702A da Fairchild Semi-


conductor

TA = 25C (Temperatura ambiente)


v+ = 12 V
(Alimentao)
V- = -6V

Parmetro Condio M(n. T(pco Mdx. Unidade

Offset da tenso de entrada RS" 2 kn 0,5 2,0 rnV

Offset da corrente de entrada 180 500 nA

Corrente de polarizao de
entrada 2,0 5,0 JlA

Resistncia de entrada 16 40 kn

Resistncia de sada 200 500 n


Potncia consumida 90 120 mW

Ganho de tenso para sinais RL;;. 100 kn


grandes
V=12V 2.500 3.600 6.000
V-=-6V
246 MICRDELETR(}NICA / CAPo 7

DEFINIES DE ALGUNS TERMOS REFERENTES AOS AMPLIFICADORES


OPERACIONAIS DA FAIRCHILD SEMICONDUcrOR

Offset da tenso de entrada (input offset voltage). A tenso que deve ser aplicada
aos terminais da entrada para obter tenso de sada nula. O offset da tenso
de entrada pode ser tambm definido para o caso em que duas resistncias
iguais so inseridas em srie com os terminais de entrada.

Offse: da corrente de entrada (input offset current], A diferena entre as correntes


nos dois terminais de entrada para produzir uma tenso de sada nula.

Corrente de polarizao de entrada {input bias currenr), O valor mdio das duas
correntes de entrada.

Resistncia de entrada (input resistance). A resstnca observada em qualquer dos


terminais de entrada com o outro curto-circuitado.

Resistncia de salda (output resistance}. A resistncia observada no terminal de


sada com tenso de sada nula. Este parmetro defndo somente para sinais
de pequena amplitude e para freqncias acima de algumas centenas de hertz,
para eliminar a influncia do drift e da realimentao trmica.

Potncia consumida (power consumption}, A potncia de corrente contnua neces-


sria para operar o amplificador com a tenso de sada nula e nenhuma cor-
rente de carga.

Ganho de tenso para sinais grandes (large signal voltage gain}. A relao entre a
mxima excurso da tenso de sada com carga e a variao na tenso de en-
trada necessria para variar a tenso de sada de zero at a excurso mxima.

Como no podia deixar de ser, os fabricantes tiveram que fazer um circuito


cujas caractersticas pudessem ser "modeladas" de acordo com as necessidades do
projetista. Por exemplo, a Fig. 7.24 ilustra como, adicionando os capacitores C1 e
C2 e o resistor RI, podem ser alteradas as caractersticas do amplificador p.A709
da Fairchild Semiconductor.
A seguir, para facilitar o estudo do leitor neste campo, so apresentadas algu-
mas aplicaes de amplificadores operacionais integrados.

7.3.2.1.1. Amplificador para uma Ponte de Termistores'

Na Fig. 7.25, a sada diferencial de uma ponte a terrnistores amplificada por


10, sendo nula a tenso de sada quando a ponte est balanceada. Neste circuito, a
variao da tenso de equilfbrio da ponte devida ao amplificador menor que 1 mV
na faixa de temperatura de -55C a + 125C.

I As aplicaes dos circuitos integrados da Falrchild foram obtidas do seguinte livro:


Fairchil Semiconductor Linear Integrated Circuiss Applications Handbook ; de James N. Giles.
CURVAS TPICAS :-a
t.l
"-
RESPOSTA DE FREQNCIA PARA EXCURSO DA TENSO DE SADA :t-
VRIOS GANHOS A LAO FECHADO EM FUNO DA FREQNCIA il!
100, '''' , iiiri ,.;;;_.,
..,-,'" , 80 i i 111 I 1111 I 111 I II11 ;. I 32~ ~
...
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BO
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C)
100 1k 10k ioos 1M 10M 100 1k 10k lOOk 1M 10M lk 10k lOOk 1M 10M

(a) FREQNCIA - HZ (b) FREQNCIA - HZ (c) FREQNCIA - HZ ~


t)
5l
CIRCUITO PARA
R2
COMPENSAO DE

FREQNCIA

(d)

Fig. 7.24. Curvas caractersticas do amplificador p.A709 da Fairchild Semiconductor, ilustran-


do a influncia de componentes externos. R2 = 50 n, quando o amplificador for operado com
carga capacitiva. ~
"
248 MICROELETRONICA / CAPo 7

IOk

A">_7~_ .. e

R1.
1k

Fig. 7.25. Amplificador para uma ponte a terrnistores utilizando o p.A702A da Fairchild
Semiconductor.

7.3.2.1.2. Amplificador de Alta Impedncia de Entrada para um Transdutor


Piezeltrico

No amplificador ilustrado na Fig. 7.26, o ganho de tenso do circuito 3, a


impedncia de entrada maior que 5 Mil, e a freqncia de corte inferior 1 Hz.

J.O _

:>7_..._.0

R:s C2
50l 4,7JJ.

Fig.7.26. Amplificador de alta impedncia de entrada para um transdutor piezeltrioo utili-


zando o IJ.A702A da Fairchild Semiconductor.

7.3.2.1.3. Fonte de Tenso de Elevada Preciso

Na Fig. 7.27, ilustrado o uso do amplificador j.LA 702A numa fonte de ten-
so precisa, fornecendo a tenso de + 10 V e a corrente de 100 mA.
7.3/ APLICAOES DOS CIRCUITOS INTEGRADOS 249

.,eV

+jJV !H4111

SU055

3,111 +lOV,lOOIllA

Fig. 7.27. Fonte de tenso precisa (+ 10 V, 100 mA) utilizando o jA.A70ZA da Fairchild
Semiconductor.

7.3.2.1.4. OsciladorSenoidal

Na Fig. 7.28, apresentado o circuito de um oscilador senoidal utilizando o


JJ.A702A. Com os componentes indicados, a freqncia de oscilao de 1 kHz, o
Ds
FD-'OO Re
470k

200k
i%

Fig. 7.28.0sciJador senoidal de 1 kHz utilizando o jlA702A da Fairchild Semiconductor,


250 MICROELETR()NICA / CAPo 7

valor pico a pico da tenso de sada de cerca de 8 V e o tempo de estabilizao


de aproximadamente 50 ms.

7.3.2.1.5. Controladorde Temperatura


Na Fg. 7.29, apresentado um controlador eletrnico para estabilizao de
temperatura em fomos, no qual mais que 100 W podem ser dissipados no aquece-
dor, mantendo-se a temperatura dentro da faixa de O,SoCem tomo do valor desejado.

,....,.,;....
ZlSA
e.II

4TO
"-
R4 sr d.
5,1' ,..., tur.

Fig. 7.29. Controlador de temperatura utilizando o I-LA 709 da Fairchild Semiconductor.

Nos exemplos das Ses. 6.3.2.1.1 a 6.3.2.1.5, foram utilizados os amplifica-


dores operacionais IJ-A702A e p.A709 da Fairchild Semiconductor. A seguir, so
apresentados circuitos integrados lineares de outros fabricantes e uma aplicao
tpica dos mesmos.

7.3.2.2. Outros Exemplos de Circuitos Lineares Integrados

7.3.2.2.1. Circuito Integrado TA A 320 (IBRAPEl


Descrio. Circuito integrado monoltico, consistindo em um transistor de
efeito de campo e um transistor NPN em um invlucro TO-I8. O amplificador foi
idealizado para amplificadores de udio com uma elevada mpednca de entrada
(por exemplo, pick-up de cristal).
Especificaes
Impednca de entrada: > 1011 ohms,
Tenso de alimentao: - 20 V.
Dissipao total: 200 mW (mx.) a 25C.
Tenso de rudo equivalente: 25 IJ-Vpara
-Ib= lOmA:-VDS=10V;
B = 50 Hz a 15 kHz.
1 Os dados referentes aos circuitos integrados da Ibrape (Philips) foram obtidos do livro:

Philips Data Handbook - Semiconductors and Integrated Circuits. Parte 5, janeiro, 1969.
1.3/ APLICAES DOS CIRCUITOS INTEGRADOS 251

Esquema (Fig. 7.30)

r----- o
,
I
I
I I
I
I
GHI-----...
I
I I
I I
L_ ---1
S
Fig.7.30. Esquema do TAA320 da/brape.

Aplicao. Amplificador de udio de 2 W usando o TAA320 e o transistor


BD115 (Fig. 7.31).

~~--C=J---------~---------o+

V8"100v

Fig.7.31. Amplificador de udio de 2 W usando o TAA320 sIbrape.

7.3.2.2.2. Circuito Integrado TAA3JO [Ibrape]

Descrio. Circuito integrado monoltico destinado a aplicaes onde h ne-


cessidade de um pr-amplificador de alto ganho.
Especificaes
Ganho de tenso: 100 dB (tpico).
Figura de rudo: < 4 dB.
Impedncia de entrada: 20 kn (a 1.000 Hz).
Tenso de alimentao: 7 V.
252 MICROELETR()NICA /CAP. 7

Esquema (Fig. 7.32)

Fig.7.32. Esquema do TAA310 dalbrape ..


Aplicao. Pr-amplificador para gravadores (Fig. 7.33).

47); 10k

0,64J.1.

v,o-jlH--+---(

'6n

L _

CHAVE NA POSio REPRODUO

Fig. 7.33. Pr-amplificador para gravadores usando o TAA310 da Ibrape.

7.3.2.2.3. CircuitoIntegrado CA3.000 (RCAl


Descrio. Amplificador DC apresentando sadas push-pull, alta mpednca
de entrada (0,1 MO), e um ganho de aproximadamente 30 dB para freqncias at
lMHz.
Especificaes
Ganho de tenso: 37 dB tpico a 1 kHz.
Faixa larga de AGC: 90 dB tpico.
Temperatura de operao: - 55 a + 125C.
Operao com uma faixa larga de tenses de alimentao.
-------
, Dados extrados do manual: RCA Linear Integrated Ctrcuiu.
7.3/ APLICAOES DOS CIRCUITOS INTEGRADOS 253

Esquema (Fig. 7.34)

Rs.o

2 5 3 (_) 4
VEE

Fig. 7.34. Esquema do CA3.000 da RCA.

Aplicao. Osclador a cristal at 1 MHz pela conexo de um cristal entre os


terminais 8 e 1 e uso de dois resistores externos (Fig. 7.35).
T----I Ol~-----.
~~~-----------usv

80 00-+--0(1

-SV

1.000

Fig. 7.35 . Oscilador a cristal usando o CA3.000 da RCA.


254 MICROELETRONICA / CAPo i

Exerccios

1. Procurar caracterizar com suas prprias palavras o que entender por um circuito
integrado.
2. Caracterizar a diferena entre circuitos integrados de semieondutores e circuitos de
deposio. Que entende o leitor por circuitos integrados de deposio compatveis?
3. A palavra monolttico o que realmente representa no campo dos circuitos inte-
grados?
4. Que entende o leitor por um circuito integrado hbrido?
S. Em termos da FJ8. 7.3, procurar visualizar todas as vantagens de se partir de uma
"estrutura epitaxial" (vale a pena rever os conceitos do Capo 6).
6. Para que serve fundamentahnente o substrato em um circuito integrado?
7. Para que se formam unas tipo N na fabricao de um circuito integrado monoltico?
8. Na Fig. 7.4 (c) ilustrada a difuso de impurezas tipo P na regio N epitaxial, por
meio de janelas abertas na camada de SiO. superficial: pensar um pouco e dizer
como podem ser abertas estas janelas no xido de silcio.
9. Que caracteriza um circuito integrado de fases mltiplas? Quais as vantagens e
desvantagens que antevemos para este tipo de circuito integrado, quando compa-
rado com os circuitos integrados monolticos? .
10. Descrever como podem ser fabricados resistores, capacitores e transistores utilizan-
do a tecnologia planar-epitaxial.
11. Caso necessitemos de valores de resistores e capacitores mais elevados que os forne-
cidos pelo cristal, como podemos obter tais valores usando mtodos de deposio?
12. Os indutores so amplamente usados na tecnologia dos circuitos integrados?
13. Observar que na Fig. 7.9 so apresentadas as capacitncias por unidade de rea das
diversas junes de um transistor (apenas um exemplo tpico); pensar um pouco e
descrever como estas capacitncias podem influenciar no comportamento deste
transistor integrado.
14. Descrever com suas palavras como podem ser fabricados simultaneamente transis-
tores, dodos, resistores e capacitores de um circuito integrado.
15. Por que antes da deposio do alumnio para fazer as interlgaes dos diversos com-
ponentes de um circuito integrado utilizamos a difuso do emissor para fazer uma
deposio tipo N de alta dopagem na regio do coletor? Por que no precisamos
fazer isto na base?
16. Atentar para a Fig. 7.15 e descrever como podem ser feitos simultaneamente em
uma pastilha de aproximadamente 2,5 em de dimetro, milhares (dependendo de
cada circuito individual) de circuitos integrados idnticos.
17. Por que no campo digital foi obtido mais sucesso com os circuitos integrados?
18. Quais as vantagens de fabricar diversos circuitos idnticos em um mesmo invlucro?
19. O que so fan-in efan-out de um circuito digital?
20. No campo linear, qual o tipo de circuito integrado mais amplamente utilizado? Jus-
tificar.
21. Estudar detalhadamente as definies dos termos referentes a amplificadores opera-
cionais e ver a faixa de valores para os casos dos amplificadores operacionais IlA 709
ep.A702A.
7.3/ APLICA()ES DOS CIRCUITOS INTEGRADOS 255

22. Observar a Fig. 7.24 relacionada ao amplificador operacional ILA709. Se usarmos


CI = 500 pF, RI = 1,5 kn e C2 = 20 pF, qual ser o ganho a lao fechado em
100 kHz para Vs= 15 VeTA = 25C. Neste mesmo caso, qual ser o valor pico a
pico mximo da tenso de sada do amplificador?
====================================== Apndlce

DIssipadores de Calor para


Dispositivos Semlcondutores

1. INTRODUO

o presente apndce, aps justificar o uso dos dissipadores de calor, apresenta


o clculo dos mesmos para os vrios tipos de dispositivos semicondutores.
A fim de facilitar a utilizao futura, foram includos os grficos de uso mais
corrente e apresentados vrios exemplos de clculo.
Um importante aspecto da utilizao de dispositivos sernicondutores a in-
fluncia da temperatura sobre os mesmos, devendo-se verificar cuidadosamente as
especifies dos fabricantes com relao aos dados trmicos. Alm disto, estudos
experimentais mostram que a simples reduo metade da temperatura de operao
conduz, em m dia, a uma duplicao da vida do dispositivo semicondutor. Assim
sendo, se utilizarmos um dispositivo que permita reduzir a temperatura de operao
dajuno de um transistor, poderemos fazer com que o mesmo dissipe maior potn-
cia e tenha uma temperatura de juno mais baixa que a temperatura mxima per-
missvel, o que aumentar a sua vida.
A Fig. A.l ilustra como o uso de um dissipador de calor pode afetar a tempe-
ratura da juno de um transistor. Por exemplo, se a temperatura mxima permis-
svel para a juno de um transistor fosse de 90C, este no poderia dissipar a po-
tncia de 1 watt sem o uso de um dissipador de calor, pois a temperatura de juno
ultrapassaria o valor mximo. Por outro lado, o uso de um dissipador de calor pode-
ria, por exemplo, permitir que o mesmo dissipasse 2 watts com uma temperatura de
juno de apenas 75C. .
Portanto, nenhum projetista de equipamentos que utiliza dispositivos semi-
condutores pode desconhecer a tcnica do uso dos dissipadores de calor, pois,
muitas vezes, a utilizao dos mesmos, conduzindo a uma vida maior, compensa os
2 /PRINCf1:>IOS DA TRANSMISSO OE CALOR 257

gastos adicionais, devendo ainda levarmos em conta o fator de confabilidade do


equipamento.

Sem dissipador

Com dissipador de
-oo
,
I elevada capacidade

75 -'---
I
I
50

o 0,5 1

Fig. A.l. Influncia de um dissipador de calor.

Devemos observar que a tcnica adotada durante o projeto do circuito deve


prever a necessidade do uso de dissipadores de calor, projetando a parte estrutural
com as dimenses adequadas.

2. PRINCJl>IOS DA TRANSMISSO DE CALOR

Entendemos por transmisso de calor o transporte de uma quantidade de ca-


lor de um ponto para outro do espao, podendo esta transmisso ser realizada por
trs diferentes processos: conduo, radiao e conveco.
Na radiao, uma parte da energia contida em um corpo transformada em
energia radiante e transportada atravs do espao, at encontrar outro corpo, onde,
ento, uma parte ou toda a energia transformada novamente em calor.
A conveco o processo que ocorre quando s partculas de matria mudam
a sua posio no espao. Verifica-se nos gases e nos lquidos, sendo acompanhada da
conduo de calor de partcula para partcula, a menos que a temperatura seja cons-
tante em cada ponto do fluido.
Na conveco, h a distinguir a conveco natural e a conveco forada. Na
conveco riatural, a diferena de temperatura existente entre os pontos do fluido
d origem a diferentes densidades nestes pontos, originando-se uma corrente de
conveco, em funo do deslocamento das partculas mais densas para baixo e das
menos densas para cima. Outras vezes, estabelece-se uma diferena de presso exter-
na e, quando o efeito de conveco natural desprezvel face ao oriundo da diferen-
a de presso, chamamos a este processo especialmente de conveco forada.
258 DISSIPADORES DE CALOR / APtNDICE

3. ESTUDO GERAL DOSDISSIPADORES DE CALOR

3.1. AO DE UM DISSIPADOR DE CALOR

Como o nome indica, tais dispositivos tm como finalidade eliminar o calor


que gerado nos componentes: melhor ser a qualidade de um dissipador quanto
maior for sua capacidade de reduzir a temperatura de operao.
A Fig. A.2 d uma idia da ao de um dissipador de calor em um dispositivo
semicondutor.

Juno onde
gerodo o calor

/
eo< do l-pon-en-te---'

3
H
: /1
1 1 g- ~
Contato ertre o bOle I Q. ,:J
de montalJem e o i' ;.
j'~
dissipadot de calor I / ~ ~
I I

Meio ambiente

Fig. A.2. Ao de um dissipador de calor.

o calor gerado na juno atravessa o corpo do componente, atinge a sua base


de montagem (ou quando no h base de montagem, o seu invlucro), atravessa o
contato realizado entre o componente e o dissipador de calor, percorre o corpo do
mesmo, atinge a sua superfcie externa e dai irradiado para o meio ambiente.
oportuno um comentrio a respeito da nomenclatura utilizada para os dissi-
padores de calor.
Os transistores de baixa potncia e alguns de mdia potncia, normalmente,
no possuem uma base para montagem, e, conseqentemente, o modo de colocar o
dissipador de calor adapt-lo ao seu invlucro.
3/ ESTUDO GERAL DOS DISSIPADORES DE CALOR 259

Como as potncias em jogo so pequenas, um tipo de dissipador muito utiliza-


do uma pequena asa de alumnio, a qual adaptada diretamente ao corpo do
transistor. Estes dissipadores recebem o nome especial de aletas de resfriamento .
Mas isto no impede que, por exemplo, sejam usados dissipadores de maior capaci-
dade, mormente nos transistores de mdia potncia. J os transistores de alta potn-
cia apresentam uma base de montagem, que adaptada ao dissipador de calor.

3.2. CONSTITUIO DOS DISSIPADORES DE CALOR

O primeiro assunto a abordar no estudo dos dissipadores de calor diz respeito


ao material de que os mesmos so constitudos. Os materiais mais utilizados so o
alumnio e o cobre. O alumnio o mais utilizado e pode ser usado em duas verses:
o anodizado brilhante e o anodizado enegrecido. claro que o alumnio enegrecido
necessita de uma menor rea para manter a mesma descarga trmica, tendo em vista
as leis do corpo negro. Dependendo das aplicaes, ainda pode ser usado o magnsio,
que tem excelente condutibilidade trmica, mas muito caro e no resiste bem sob
condies salinas, enquanto que tanto o lato como o a<1no se prestam para essa
aplicao em funo da baixa condutibilidade trmica que apresentam.
Uma tcnica utilizada, quando o chassi de alumnio ou outro material de ele-
vada condutibilidade trmica, us-lo como dissipado r de calor, devendo-se estudar
cuidadosamente se as condies no so severas e se a superfcie escolhida para dis-
sipar o calor no aquecida por outros componentes. oportuno acrescentar que
se pode prever, em certos casos, dissipadores que sirvam de parte estrutural, conse-
guindo-se com isto montagens extremamente compactas.

3.3. GEOMETRIA DOS DISSIPADORES DE CALOR

A capacidade de um dissipado r de calor uma funo de diversos parmetros,


tais como o material empregado, a rea exposta, o acabamento das suas superfcies,
os nveis de temperatura do dissipador e do ar ambiente. Entretanto, os fatores pre-
dominantes so a forma geomtrica e a rea efetiva da superfcie. Alm disso, h um
fator muito importante a considerar, que o de penetrao do ar nas irregularidades
microscpicas da superfcie do dissipador, originando uma pelcula de ar aderida
superfcie do dissipador. Esta camada (filme ou camada-limite) forma uma cobertu-
ra que dificulta a transmisso de calor, uma vez que o ar tem baixa condutibilidade
trmica. O que se tem ento em mira, no projeto de um dissipador de calor, des-
truir esta camada-limite e, conseqentemente, aumentar a capacidade de dissipao
para o meio ambiente. O efeito desta camada-limite traduzido pelo coeficiente de
filme (h), e este coeficiente de filme funo da viscosidade, da condutibilidade
temperatura e da velocidade do fluido, fatores estes que so normalmen-
aplicao em questo. A soluo para tal problema destruir meca-
nicarnente a camada-limite pela escolha de um formato adequado para a superfcie
do dissipador, o que far com que a energia cintica das molculas do fluido des-
truam a camada com uma perda mnima da energia do fluido. Por exemplo, um dis-
sipador realizado na forma de uma placa plana de alumnio exige uma elevada velo-
260 DISSIPADORES DE CALOR / AP~NDICE

cidade do fluido para destruir a camada-limite, o que implica em uma elevada perda
de energia.
Estas explicaes justificam o nmero imenso de formas de dissipadores de
calor, algumas extremamente exticas, mas criadas com a finalidade de melhorar a
troca de calor.

3.4. PROBLEMAS DO SUPERDIMENSIONAMENTO

Uma pergunta geralmente feita a respeito dos dissipadores de calor se no


seria mais prtico utilizar o melhor dissipador de calor fornecido por uma indstria,
em lugar de perder tempo com o seu dimensionamento correto. claro que, do
ponto de vista trmico, o problema poderia ser resolvido deste modo. Quando,
porm, se trata de uma organizao que utiliza grande nmero de dissipadores de
calor nos seus projetos, importante o dimensionamento correto do dissipador
adequado, pois, medida que os dissipadores de calor vo tendo melhores caracte-
rsticas, maiores vo sendo os seus preos e dimenses. Portanto, o dimensionamen-
to correto representa normalmente uma economia de preo e de espao.
No Brasil, ainda no se sente tanto este problema, em virtude do reduzido n-
mero de dissipadores de calor disponveis, mas, em muitos pases, existem muitas
indstrias que produzem dissipadores de calor, e, portanto, h muita probabilidade
de se encontrar o dissipador adequado para cada caso em questo.

3.5. PROBLEMAS DO ISOLAMENTO ELTRICO

Nos transistores de baixa potncia, normalmente, nenhum dos terminais (base,


emissor e coletor) ligado ao seu invlucro, enquanto que nos transistores de alta
potncia isto acontece regularmente.
Ento, nos transistores de baixa potncia o dissipador de calor adaptado ao
seu invlucro, no havendo normalmente nenhum problema relacionado ao isola-
mento entre o transistor e o dissipador de calor.
Nos transistores de potncia, como o coletor ligado ao seu corpo, temos a
distinguir dois tipos de circuitos. O primeiro tipo aquele em que o coletor ligado
massa, o que facilitar bastante a montagem, em virtude de no se necessitar de
nenhum isolamento entre a base de montagem do transistor e o dissipador de calor
(que pode estar fazendo contato com o chassi). O outro caso aquele em que o co-
letor no ligado massa, quando, ento, podemos adotar duas solues. A primei-
ra isolar a base de montagem do transistor do dissipado r de calor, no havendo
nenhum problema, caso o dissipador faa contato com o chassi. A segunda no
isolar a base de montagem do transistor do dissipador, mas sim isolar o dissipador
de calor do chassi. Esta ltima tcnica no muito utilizada, pois deixa um pouco
a desejar com relao confiabilidade do equipamento.
Com referncia aos dodos Zener, o problema semelhante aos transistores de
baixa potncia.
Para os dodos retificadores de elevada potncia, foi adotada uma soluo
interessante, que foi a construo de dodos com as mesmas caractersticas eltricas,
3/ ESTUDO GERAL DOS DISSIPADORES DE CALOR 261

mas uma ligao inversa dos eletrodos (por exemplo, BYX38-300 e BYX38-300R).
Portanto, o projetista tem a liberdade de escolher qual dos eletrodos quer ligado ao
dissipado r de calor (que poder estar em contato com o chassi).
Analisemos, agora, alguns problemas inerentes ao uso do isolamento anterior-
mente mencionado. Conforme indica a Fig. A.2, o calor gerado najuno do cole-
tor de um transistor percorre o corpo do transistor, atinge a base de montagem do
mesmo, atravessa o corpo do dissipado r de calor, atinge a superfcie do dissipador
e da irradiado para o meio ambiente.
Portanto, o material isolante usado entre a base de montagem e o dissipador
de calor deve, ao mesmo tempo, apresentar uma elevada condutibilidade trmica e
uma reduzida condutibilidade eltrica. O material mais utilizado para tal fim a
mica, que preenche estes dois requisitos. Ainda se costuma intercalar uma arruela
de chumbo, pois esta se adapta s irregularidades da superfcie do dissipador, fazen-
do um bom contato trmico. Transistores de potncia isolados deste modo apresen-
tam uma resistncia de contato entre a base de montagem e o dissipador de calor da
ordem de O~oC/W.
Outro artifcio usado para diminuir esta resistncia trmica de contato colo-
car uma graxa de silicone entre as superfcies, pois este material penetra nas bolsas
de ar que ficam formadas nas irregularidades das superfcies, melhorando bastante o
contato, uma vez que apresenta uma condutibilidade trmica cerca de 20 vezes
maior que a do ar.
Com relao ao isolamento eltrico, a tcnica mais moderna a fabricao de
dissipadores de calor cobertos por uma camada de material isolante na regio onde
ficam montados os transistores, devendo este material apresentar uma baixa resis-
tncia trmica. Alguns fabricantes tm disponveis pastilhas de xido de berlio,
para serem usadas do mesmo modo que a mica. Mas, em qualquer caso, sempre
aconselhvel a utilizao de uma graxa de silicone, com a fmalidade mencionada.

3.6. CONVECO FORADA E OUTROS MEIOS DE REFRIGERAO

Um grande nmero de aplicaes dos dissipadores de calor feita utilizando a


conveco livre, isto , o deslocamento do fluido que se d em funo da diferena
de densidades entre os seus diversos pontos. Entretanto, com a evoluo dos equipa-
mentos transistorizados, surgiram casos em que se exigia uma alta dissipao em es-
truturas compactas, tomando-se, ento, necessrio o uso de ventiladores deslocando
o fluido ambiente e aumentando, deste modo, a capacidade de dissipao de calor.
Somente com a conveco natural seriam necessrias enormes reas de dissipadores
de calor, o que impediria um projeto compacto. Na Fig. A.3, observada a influn-
cia do uso da refrigerao forada.
Um outro tipo de refrigerao mais eficiente por meio de um lquido, uma
vez que, para a mesma velocidade de escoamento, a relao entre os coeficientes de
transmisso de calor para a gua e para o ar de cerca de 133.
Entretanto, estes sistemas de refrigerao por lquido so muito caros, sendo
apenas usados em dispositivos que requerem uma excepcional confiabilidade, como
os equipamentos espaciais.
262 DISSIPADORES DE CALOR / APtNDICE

3.7. DISPAROT~RMICO

Suponhamos que, por um motivo qualquer, a temperatura da juno de um


transistor varia: a corrente de fugalco varia no mesmo sentido, e,conseqentemen-
te, a corrente de coletor e a dissipao do transistor. Esta variao na dissipao
provocar uma nova variao na temperatura da juno, completando-se um lao.

c
110
100
90
80
70
60
50
4
30
Temp. ambiente
2 25C Watts
1~-'-+~~~~~~~+-~~~~-'-+
04 8 12 16 20.2428 32 3640 4448 52 56 60

Fig. A.3. Comparao entre a conveco natural e a conveco forada.

Dependendo das caractersticas dos circuitos, dos transistores, do sistema de


resfriamento etc., este lao pode apresentar um ganho maior que a unidade, signifi-
cando isto uma realimentao positiva, que pode conduzir destruio do transistor
pela ultrapassagem das especificaes mximas.
Este fenmeno, conhecido como disparo trmico (thermal runaway) , pode ser
interpretado da seguinte forma:
a) uma variao na corrente de coletor provoca uma variao na potncia li-
berada;
b) uma variao na potncia liberada provoca uma variao na temperatura da
juno;
c) uma variao na temperatura da juno provoca uma variao na corrente
de coletor.
Ento, a condio para que no haja um disparo trmico que o ganho deste
lao seja menor que a unidade para qualquer freqncia.
Os meios disponveis para impedir o disparo trmico so a realimentao de
corrente contnua (estabilizao), a compensao de temperatura e os sistemas efe-
tivos para a refrigerao da juno de coleto r , salientando-se que em alguns casos
so usados todos os processos, concomitantemente.
3/ ESTUDO GERAL DOS DISSIPADORES DE CALOR 263

bastante complicado o estudo terico do disparo trmico, a fm de que


sejam tomadas medidas de segurana que no possibilitem o seu aparecimento, em
virtude da necessidade do conhecimento de todos os parmetros que influenciam na
estabilidade trmica. O que fazemos, geralniente, a verificao experimental da
mxima dissipao e mxima temperatura ambiente permissveis e do efeito das
tcnicas de estabilizao e compensao para o circuito em questo.
Ento, no projeto de um circuito, duas condies trmicas devem ser satisfei-
tas. A primeira que a temperatura da juno no ultrapasse a mxima temperatura
permissvel, o que obtido pela seleo do sistema adequado de refrigerao. A se-
gunda a estabilizao do circuito contra o disparo trmico, utilizando os diversos
circuitos de estabilizao.
No estudo que fazemos a seguir, apenas abordamos o clculo dos dissipadores
de calor, mas, alm disto, dever ser verficada cuidadosamente a estabilizao do
circuito contra o disparo trmico, mormente nos estgios de elevada potncia, em
que os transistores so utilizados perto de suas caractersticas mximas.

3.8. PROTEO DOS CIRCUITOS

Alguns equipamentos utilizam transistores de elevada potncia muito caros


e, portanto, torna-se aconselhvel a proteo dos transistores, inclusive tendo-se em
vista a responsabilidade do equipamento. Pode ser previsto de modo relativamente
fcil um circuito para proteger o transistor, por exemplo, contra um disparo trmi-
co.
Um modo de aplicao desta tcnica de proteo colocar um termostato no
dissipador de 'calor, que, em conjunto com um disjuntor, pode desligar o circuito
ou, ento, dar alarma quando a temperatura atinge um valor perigoso para o transis-
tor em questo. Um arranjo muito usado colocar o termostato de tal forma que
quando a temperatura atinge um certo valor, ele fecha o contato, provocando uma
sobrecarga no circuito, o que faz com que o disjuntor interrompa a alimentao.
A Fig. AA ilustra esta aplicao.

Disjuntor
normalmente
fechado

<)R
> Circuito cujos
Fonte da transistores
alimentao devem ser
Termos tato (colocado
no dlssi podor de
~I
) ~ t
~
,I
protegidos
a

!
e
calor) fecha quando I !
"..,...--~'-
aquece
~j
I
Fig. A.4. Proteo dos transistores de um circuito.
OlSSIPAOORES OE CALOR I APtNOICE

4. CLCULO DOS DISSIPADORES DE CALOR

4.1. EQUAO BSICA PARA O CLCULO DOS DISSIPADORES DE CALOR

De acordo com a Fig. A.S, ser utilizada a seguinte nomenclatura:


TJ Temperatura da juno.
TBM Temperatura da base de montagem (transistores de potncia).
TC = Temperatura do invlucro (transistores de baixa potncia e diodos
Zener).
TDC Temperatura do dissipador de calor.
TA = Temperatura ambiente.
Km = Resistncia trmica do corpo do transistor ou do diodo.
, = Resistncia trmica do contato entre o componente e o dissipado r de
calor.
Kdc = Resistncia trmica do dissipador de calor, levando. em conta o coefi-
ciente de filme.

TJ TeM Toe

411
~ ~
o
411

'1:1
o
..
..
CIo.
o
.c :;
'1:1
o
'1:1
o
o
.0.

:! c

o
..
41
c
41 -
..
Q)

c:
Q)
o

E
:s
o
'e
TA
:.
E
o
"'O c 411 '1:1.2 o
o .0

-
01 '1:1
2 o
..
Q.
0 E ti 0
o-
8 ti
E
..
CIo.
o
u c
o ti
u
2E
o o e 8'1:1
U u

I
to- Km
t
K ., . Kd
c---tI
l- I< -I
Fig.A.S. Nomenclatura utilizada no estudo dos dissipadores de calor.

Sendo P a potncia em watts que transformada em calor, obtm-se:

TJ - TA =P(Km +Kc + Kdc)' (A.l)


que a equao bsica para o clculo dos dissipadores de calor.
Estudaremos, a seguir, os disspadores de calor para os dispositivos semcon-
dutores mais comuns, isto , transistores, diodos retificadores e diodos Zener.
4 lCLCULO DOS DISSIPADORES DE CALOR 265

4.2. DISSIPADORES DE CALOR PARA TRANSISTORES

Os transistores tm, normalmente, uma temperaturmxima permissvel para


a juno na faixa de 85 a 100C, para os transistores de germno, e 150 a 200C,
para os transistores de silcio. primeira vista, pode parecer que os transistores de
germnio devem suportar uma temperatura maior de juno, em virtude de serem
menos sujeitos influncia da temperatura. Entretanto, o valor de Ico para os tran-
sistores de silcio bem menor que para os de germnio, o que faz com que os tran-
sistores de silcio possam ser usados em temperaturas mais elevadas.

4.2.1. Transistores de Baixa Potncia

A seguir, vrios exemplos ilustram o clculo dos dissipadores de calor para os


transistores de baixa potncia.
1. Qual a mxima potncia que o transistor ocrz' pode dissipar continua-
mente, se for utilizado em um circuito onde a temperatura ambiente pode variar de
20 a 45 C, sem o uso de qualquer processo adicional de resfriamento (transistor nu)?
Das folhas de especificaes so obtidos os seguintes dados trmicos para o
transistor OC72:
Temperatura mxima da juno para operao contnua 75C.
Temperatura mxima da juno para operao inter-
mitente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90C.
Aumento da temperatura da juno no ar livre:
- Sem aleta de refrigerao e sem nenhum dissipador
de calor adicional (transistor nu) .. .. . . . . .. . . . . . K = 0,4C/mW.
- Com aleta de resfriamento tipo 56.200 (Fig. A.6) e
dissipado r de calor de no mnimo 12.5 em? . . . . . .. K =O,3C/mW.

-i~ I
I
75
I

10

~.
,..:
7' l'\
10
m
... T'"V

cotas em mm

Fig. A.6. Aleta de resfriamento tipo 56.200.


I Este transistor j obsoleto, mas ilustra os parmetrospara um transistor de germnio.
266 DISSIPADORES DE CALOR IAP~NDICE

Tem-se, de acordo com a Eq. A.1:


T, - TA = p. K,
onde K a resistncia trmica total entre a juno e o meio ambiente.
Conhecendo os valores de TJrnx. = 75C e TArnx. = 45C, podemos calcular
a mxima potncia que pode ser dissipada pelo transistor sem exceder a temperatu-
ra permissvel para a juno.
Para o transistor nu, temos:
K = O ,4CjmW ,
TJ rnax.
' - TA rnax.
' c = 75 - 45 = lQ. = 75 W
P rnx. = ~CjmW 04, 04, m .

Portanto, no caso do transistor nu, a mxima potncia que pode ser dissipada
no ambiente considerado de 75 mW.
Se, para este mesmo caso, o transistor fosse utilizado com uma aleta do tipo
56.200 e um dissipador adicional de no mnimo 12,5 em? de rea, a nova potncia
que poderia ser dissipada seria:

75 - 45 30
Prnx. = 03, = 03
, = 100mW.

2. Verificar qual a mxima potncia que pode ser dissipada pelo transistor
ocn, se o mesmo for utilizado com a aleta 56.200 e um dissipador de no mnimo
12,5 cm2 de rea, em um ambiente de temperatura mxima de 25C.
Este um importante clculo, porque corresponde a um dado apresentado
pela IBRAPE em suas folhas de especificaes:

P TJrnx. - TArnx. = 75 - 25 =2Q = 166 W


rnx.= K 03, 03, m.

Portanto, necessrio observar que as potncias indicadas pelo fabricante do


transistor se referem a valores definidos de TA rnx. e de K.
3. Qual a mxima potncia que o transistor BCI07 pode dissipar, se for utili-
zado em um circuito onde a temperatura ambiente pode variar entre 20 a 45C, sem
o uso de qualquer processo adicional de resfriamento (transistor nu)?
Das folhas de especificaes do BC107, obtemos:
Temperatura mxima de juno .
Resistncia trmica entre a juno e o ar livre .
Temos, de acordo com a Eq. A.1:
TJ - TA =p. K.
Conhecendo-se os valores TJmx. = 17SoC e TA rnx. = 45C, podemos calcular
a mxima potncia que o transistor pode dissipar, sem exceder a temperatura per-
missvel para a juno:
TJrnx. - TA mx. 175 - 45
Prnx. = K 0,5 260mW.
4 /CALCULO DOS DISSIPADORES DE CALOR .267

Para fmalizar os comentrios a respeito dos transistores de baixa potncia,


lembramos que estes transistores tambm podem ser usados com outros tipos de
dissipadores, embora tal procedimento no seja usual. Na Fig. A.7, mostramos a in-
fluncia de dissipadores de baixa, mdia e alta capacidades em um transistor de
mdia potncia.

4.2.2. Transistores de Potncia

J foram abordados os processos para a fixao dos transistores de potncia

T
J
=c

.tOO

25~ __ +-__~ __~ __~ __-+__~ ~ __+-~


O 0,5 J. 2 2,5 3 3,5 4 Wattl

Fig. A.7. Influncia da capacidade de um dissipador na temperatura da juno de um transistor.

aos dissipadores de calor. A montagem tpica de um transistor de potncia ilustra-


da na Fig. A.8.

A seguir, so resolvidos alguns problemas de aplicaes.


1. Em um circuito dever ser utilizado um transistor BDY38 , sendo a mxima
temperatura ambiente de so'c.
Qual a mxima potncia-que este transistor poder
dissipar?
Das folhas de especificaes, so obtidos os dados trmicos para o transistor
BDY38:
Temperatura de juno mxima... ..... .... 20(tC.
Resistncia trmica entre a juno e a base de
montagem. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . . . . K = 1,SOC{W.
Suponhamos que seja feito um contato como o indicado na Fig. A.8, de for-
trmica do contato de Kc = o~oc/w.
ma que a resistncia
Tendo em vista a Eq. A.1 e que os valores de TJmBx. e de TAmx. 810 respecti-
vamente 90C e 60C, podemos escrever:
268 DISSIPADORES DE CALOR / APiNDICE

PARAFUSOS

L mina de mico com


4/2214 WZlMIllll14 valll --- graxa de sillcon.

Tubo poro isolar


0- os terminais

02224 piO Ia 111111 1/2111lS ~ Disaipador de calor

~ _ Terminol poro o
coletor

PORCAS

Fig. A.S. Montagem tpica de um transistor de potncia em um dissipador de calor.

90C - 60C = P(W) . (1 ,SoC/W + O,SoC/W + Kdc C/W),


30/P = 2 + Kdc' (A.2)
Esta frmula d a relao entre a mxima potncia que pode ser dssipada pe-
lo BDY38 no ambiente considerado (sem ultrapassar 1Jrnx)e o valor de Kdc (resis-
tncia trmica do dissipador de calor}.
claro que, quanto menor o valor de Kdc' isto , quanto maior for a capaci-
dade de o dissipador transmitir o calor para o meio ambiente, maior poder ser a
potncia dissipada sem ultrapassar 1Jrnx., ou vice-versa, sabendo-se potncia que
deve ser dissipada, podemos calcular o valor de Kdc e assim selecionar o dissipador
adequado.
Para completar o exemplo, suponhamos que a potncia dissipada seja de 5 W.
Entrando na Eq. A.2 com este valor, obtemos Kdc = 4C/W.
De posse deste dado, podemos, em um catlogo, selecionar o dissipador que
possui tal resistncia trmica. Entretanto, o caso mais simples aquele em que
usada uma placa de alumnio como dissipador de calor. Para este caso, podemos
obter as dimenses de tal placa por meio das curvas da Fg, A.9. Por exemplo, no
caso presente, entrando com o valor de 4C/W, obtemos:

Chapa de alumnio brilhante: 160 cm2 (- 13 X 13 em").


Chapa de alumnio enegrecida: 100 em' (10 X 10 em').

Notar que j tnhamos chamado a ateno para a menor rea requerida pela
chapa enegrecida.
., /CALCULO DOS OISSIPAOORES OE CALOR 269

Muitas vezes, impossvel, por razes de espao, calcular um dissipador na


forma de uma placa plana. Nestes casos, temos mesmo de ou reformular o projeto,
de modo a no deixar o transistor dissipar a potncia indicada, ou, ento, utilizar, se
for mais econmico do que substituir o transistor, um dissipador de calor especial,
apresentando melhores qualidades que a placa plana.

4.3. DISSlPADORES DE CALOR PARA DIODOS ZENER

A linha atual dos diodos Zener fornecidos pela IBRAPE consta de vrios tipos
de diodos distribudos em sries distintas, de acordo com a potncia dissipada.

I
ALUMINIO DE 3mm

c/w
6 \
\ I\.

4
-,r-,-,"-
"N!.. r--...... r--
<,
2
~ to-
-
-... r--

o I

O -400 200 400 Area do dissipador


( cm2)
a) alumnio brilhante
b) alumnio eneorecido

Fig. A.9. Grfico que relaciona a resistncia trmica comas dimenses de uma placa plana de
alumnio de 3 nun de espessura.

Vamos utilizar em nossos exemplos, diodos da srie BZZ (BZZ14-BZZ29),


cujas caractersticas trmicas so apresentadas a seguir.

Resistncia trmica entre a juno e o ar ambiente livre 70C/W.


Resistncia trmica entre a juno e o invlucro. . . . . lOoC/W.
1. Qual seria a mxima temperatura da juno de um diodo Zener BZZ14,
(V z = 5,6 V) se o mesmo fosse utilizado em um circuito dissipando uma potncia
de 1 W, em um ambiente cuja temperatura varie de 25 a 50C?
270 DISSIPADORES DE CALOR / AP~NDICE

Utilizando o dispositivo sem nenhum dissipador, teremos:


TJmx. - TAmx.
P = K
TJmx. = KP + TAmx. = 70 X 1 + 50 = 120C.
2. O diodo BZZ15 (VZ = 6,2 V) deve dissipar a potncia de 6 W no mesmo
ambiente do Ex. 1. Calcular o dissipador de calor que deve ser usado.
Vimos que, de um modo geral:

TJ - TA = P(Km + Kc + Kdc)'
No caso,

TJmx. = 150C.
TAmx. = 50C.
Km = lOC/W (veja especificaes).
Kc = ser desprezado.
Kdc ?
TJmx. - TA mx. _ K = 150 - 50
p m 6
Nas folhas de especificaes dos diodos da srie BZZ, temos o grfico da Fig.
AJO.
K. Re.i"~ncla trmica entre a invlUCroe o ambiente
~oo

50

......
20 ...... .........

~o '-",
.......
......
i"o..
r-,
2

.1
1.0 20 se ~OO 200 '00 UlOO
REA - em2 (UMA FACE)

Fig. A.IO. Dissipadores para diodos Zener da srie BZZ14-20. O grfico vlido para um ds-
sipador de alumnio brilhante de 1,6 mm de espessura, montado verticalmente.

Entrando no mesmo com Kdc 6,67C/W, obtemos S =100 em"; podemos, =


portanto, usar uma chapa de (10 X 10) cm2 de alumnio (espessura = 1,6 mm)
montada verticalmente.
4/cALCULO DOS DISSIPADORES DE CALOR 271

4.4. DISSIPADORES DE CALOR PARA DIODOS RETIFICADORES

A Fig. A.ll ilustra o deslocamento do fluxo trmico gerado na juno destes


componentes.

TJ Temperatura da juno.
Tc = Temperatura do invlucro.
TDC = Temperatura do dissipador de calor.
TA = Temperatura ambiente.
Km Resistncia trmica do corpo do diodo.
K; Resistncia trmica do contato.
Kdc Resistncia trmica do dissipado r de calor (inclui o coeficiente de
filme).

Corpo dodiodo

f')
" Contato entre o
diodo e .0 dissipador

~
,.. Corpo do dissi pador
o

- - Camada

>'
limite

Meio ambiente

Fig. A.II. Fluxo trmico em um diodo retificador.

Podemos, ento, escrever:


TJ - TA =P(Km +Kc +Kdc)'
onde P a potncia que convertida em calor na juno.
Nos casos de elevada potncia, o fabricante dos diodos normalmente fornece
curvas que permitem a determinao imediata da rea do dissipador necessria.
272 DISSIPADORES DE CALOR I APtNDICE

Exemplo de clculo. Um diodo BYZlQl utilizado em um circuito monof-


sico com carga capacitiva, e durante a sua conduo tem uma corrente mdia de 2 A,
em local onde a temperatura ambiente varia entre 15 e 45C. Calcular a rea do
dissipador de calor necessria.
Nas folhas de especificaes deste diodo so obtidos os grficos das Figs. A.12
e A.l3.

BYZI0A BYZ13

c c
o
<t: 11:
o CURVA FASES
~ 50 ::>
CARGA
x 15
.J
'o>
-"'"~ ::
A 1 C

..
.J

t-
o
75 o
o
B 6
:3
quolquer

R ou L
t-
C
W
"'"11: o 1 R ou L
"'" ooi=...
z
,,., IX
t- W
a..
o
o, 5
25 ~
....

o 50
o 2 4

Fig. A.12. Grfico para o clculo de dissipadores de calor para os diodos BYZI0 a BYZ13.

BVZIO A BVZI!
rt/w
.,
.;
..
.~ ESPESSURA
!:-~ -oo -- O.!U.4 (ZO S . G)

'" !o<:
o
j""'"
- -S.OZ4mmU . 5.W.~

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eu
'0 -~
....~..;

',I"':

-'"
le
0::'" A-O
O ,50 400 4000 2j~O.ooo ~OO .000
Arta da alt~a = Larg.x Alt. ( em

Fig. A.13. Grfico para o clculo de dissipadores de calor para os diodos BYZIO a BYZ13.

I Os diodos BYZIO a BYZ13 foram substitudos pelos diodos da srie BYX38. O mto-
do de clculo exatamente o mesmo.
4 /CALCULO DOS DISSIPADORES DE CALOR 273

A mxima temperatura permissvel para a juno de 150C.


Na curva esquerda da Fig. A.l2, entramos com o valor de 10 (mdia) = 2 A,
levantamos uma vertical at encontrar a curva correspondente a circuito monofsico
com carga capacitiva. A partir do ponto de encontro, traamos uma horizontal para
a direita e uma perpendicular na curva da direita, a partir do ponto do eixo das
abscissas que indica a temperatura mxima ambiente (45C). O encontro desta per-
pendicular com a horizontal anteriormente traada permite verificar sobre qual das
retas inclinadas da curva da direita estamos, ou seja, verificar o valor da soma de
K; + Kdc. No caso presente, procedendo do modo indicado, obtemos:
Kc + Kdc = 7C/W.
Outro dado obtido das folhas de especificaes a resistncia trmica de con-
tato

Temos, ento:

De posse deste dado, entramos na curva da Fig. A .13, que relaciona a resistn-
cia trmica do dissipador de calor com as suas dimenses (estes dissipadores so pla-
cas planas, sendo por isso mais chamados, para estes diodos, de aletas).
Neste grfico, so observados os seguintes detalhes:
a) existem curvas traadas para o caso em que se use uma nica aleta e para o
caso em que se usem aletas empilhadas;
b) as curvas foram traadas para o cobre. Para o caso de outro material em-
pregado na constituio de aleta, a espessura indicada para o cobre deve ser multi-
plicada pela frao:

Condutibilidade trmica do cobre )


( Condutibilidade trmica do material em questo

c) para o caso em que preferido o empilhamento, por exemplo, por proble-


mas de espao, temos o seguinte dado prtco:

Espaamento das aletas


Altura da aleta ~ 0,15;

fi) foram traadas as curvas para duas espessuras de cobre:

0,914 mm(20SWG) e 1,625 mm(16SWG).

Suponhamos que temos disponvel o cobre 16 SWG e que vamos usar uma
c
nica aleta. Entrando com o valor anteriormente achado de 6,4 C/W, obtemos, no
ponto de encontro da curva adequada, uma rea de 50 em" para a aleta de refrigera-
o. Podemos, pois, usar uma aleta quadrada de 7 em de lado.
274' DISSIPADORES DE CALOR / AP~NDICE

4.5. TRATAMENTO DOS DISSIPADORES DE CALOR POR ANALOGIAS


ELTRICAS

Um mtodo interessante de estudar os dissipadores de calor a utilizao de


analogias eltricas, baseando-se tal tratamento no fato de os dois fenmenos serem
re'gidos pelas mesmas equaes.
Portanto, possvel utilizar esta analogia com a seguinte nomenclatura:

Grandeza trmica Grandeza eltrica antiloga Stmbolo

Potncia trmica Gerador de corrente P


Temperatura Tenso T

TA = Temperatura ambiente.
TJ = Temperatura da juno.
TBM = Temperatura da base de montagem ou do invlucro.
TDC = Temperatura do dissipador de calor.

Grandeza trmica Grandeza eltrica anloga Stmbolo

Resistncia trmica Resistncia eltrica K

Km = Resistncia trmica do corpo componente.


Kc = Resistncia trmica do contato entre o corpo do componente e o dissipador de
calor.
Kdc = Resistncia trmica do dissipador de calor, incluindo o coeficiente de filme.


Tendo em vista percurso que o fluxo trmico faz at o ar ambiente, obte-
mos o circuito srie da Fig. A.l4.

~------------------.~

Fig. A.14. Circuito eltrico anlogo do circuito trmico.


4 /CLCULO DDS DISSIPADORES DE CALOR 275

Aplicando a Lei de Ohrn a este circuito, obtemos a mesma equao anterior-


mente obtida (A.l):
TJ - TA = P(Km + Kc + Kdc)
Um aprimoramento pode ser feito neste tratamento, acrescentando as capaci-
dades trmicas da juno, da base de montagem (ou invlucro) e do dissipador de
calor. Estas capacidades dizem respeito possibilidade de o calor ser transferido di-
retamente destas trs regies para o ar ambiente, o que quer dizer que estas capaci-
dades devem ser colocadas no circuito eltrico, como indica a Fig. A.15. Normal-
mente, estas capacidades podem ser desprezadas, mas fizemos questo de apresent-
Ias, pois, tendo em vista a existncia das mesmas, j podemos prever a existncia de
constantes de tempo associadas com a eliminao do calor de um componente.

c-J

Fig. A.l5. Circuito completo levando em conta as capacidades trmicas da juno, da base de
montagem (ou invlucro) e do dissipador de calor.

Foram verificados cuidadosamente os diversos problemas inerentes escolha


do dissipador de calor para um dispositivo de semicondutor, mas, em princpio, foi
intuitivamente feita uma hiptese que muitas vezes no real. Tal hiptese foi
admitir que apenas um transistor usado em um dissipado r de calor.
Ser analisado, agora, o caso mais complexo, em que desejamos usar mais de
um transistor em um mesmo dissipador.
Suponhamos que queremos montar n transistores, dissipando as potncias
P 1 P n em um mesmo dissipador. Para abordar o problema, imaginemos que ini-
cialmente estes transistores so montados em dissipadores individuais. claro,
ento, que o circuito da Fig. A.l4 ser repetido para todos os transistores, obtendo-
se o conjunto de circuitos da Fig. A.16.
O que fazemos agora imaginar que as reas destes dissipadores individuais
so variadas, at obtermos uma situao em que todos os dissipadores apresentem a
mesma temperatura, isto , at que seja satisfeita a condio:
TDC1 = TDC2 = = TDCn.

Nesta situao, podemos conectar os dissipadores, desde que a condutibili-


dade trmica seja idntica para os mesmos, e considerar TDC a temperatura comum.
276 DISSIPADORES DE CALOR / APtNDICE

TDei

K den

Fig. A.16. Hiptese inicial de os vrios transistores estarem montados em dissipadores indi-
viduais.

Conectando todos os pontos dos circuitos equivalentes, correspondentes tempera-


tura do dissipador, obtemos o circuito da Fig. A .17.
Podemos, ento, escrever:

TDC-TA =(P1 +P2 + +Pn)Kdctotal


Conhecendo os valores das resistncias trmicas dos transistores e dos conta-
tos e selecionando os valores seguros das temperaturas das junes, podemos deter-
minar as temperaturas dos dissipadores de calor.

K
de totol

Fig. A.I7. Vrios transistores num dissipador comum.


4 /CALCULO OOS DISSIPADORES DE CALOR 277

Para qualquer transistor, o valor da temperatura do dissipador de calor dado


por:
TDei = TJi- Pi(Kmi + Kcj) (i = 1, 2, ... n).
Assim, se TDCM o menor valor encontrado, este ser considerado como a
temperatura do dissipador de calor comum. Obtemos, ento:

TDCM - TA = Kdc total ~ Pio


i=1
E, finalmente:

Observamos que quanto menor TDCM menor ser K total e, conseqentemen- dc


te, maior ser a rea necessria do dissipador.
claro que, procedendo deste modo, alguns transistores trabalharo folgados.
Surge, ento, a idia de, quando ldarmos com vrios transistores, grup-los, isto ,
colocar em dissipadores separados os de maior e os de menor dissipao. Mas no h
inconveniente srio em deixar os transistores trabalharem folgados.

Exerccios

1. Quais os processos conhecidos de transmisso de calor? Explicar resumidamente


estes processos.
2. Qual a diferena entre conveco natural e conveco forada?
3. Estudar a Fig. A.2 e identificar com cuidado todas as regies e superfcies indicadas.
4. Descrever os materiais e os tipos de dissipadores de calor mais utilizados.
5. Que entende o leitor por camada limite e que conexo tem esta camada com as for-
mas dos dissipadores de calor?
6. Explicar os problemas relacionados ao isolamento eltrico dos dissipadores de calor.
7. Corno fazer o isolamento do corpo de um transistor de potncia de um dissipador
de calor? Explicar a razo do uso da graxa de silicone.
8. Observar a Fig. A.3 e procurar entender detalhadamente a ao da velocidade de
escoamento do fluido na conveco forada.
9. A refrigerao por lfquido amplamente utilizada?
10. Explicar o que se entende por disparo trmico e os mtodos usados para combat-Io.
11. Em alguns equipamentos, so utilizados transistores bastante caros que devem ser
protegidos quanto eventual destruio devido a um disparo trmico. Corno pode
ser isto conseguido?
12. Qual a equao bsica para o clculo dos dissipadores de calor? Explicar cuidadosa-
mente o que significam todos os smbolos nesta equao.
13. Por que os transistores de silcio podem ser usados em temperaturas mais elevadas
que os de germnio?
278 DISSIPADORES DE CALOR! AP!NDICE

14. No Cap. 3 anexamos a folha de especificao completa dos transistores PA6003 e


PB6003 (Fig. 3.79). No Quadro 4 desta figura so apresentadas as caractersticas
destes transistores:
Resistncia trmica entre a juno e o meio ambiente:
Sem dissipador: K = 27P,oC!W.
Com dissipador: K = 200CjW.
a) Estudar atentamente o dissipador de calor sugerido pela PHILCO para estes tran-
sistores.
b) Estudar os dados trmicos fornecidos.
c) Observar que a PHILCO usa o nome "embalagem" em lugar de "invlucro",
como usamos no texto.
cl) Provar que, para a temperatura ambiente igual a 25C, os dados 360 mWe 500
mW especificados no Quadro 2 da Fig. 3.79 para os transistores usados com e
sem dissipador so corretos.
e) Calcular a mxima potncia que pode ser dissipada por estes transistores em um
ambiente cuja temperatura ambiente mxima de 45C.
Resposta. Sem dissipador = 280 mW.
Com dissipador = 400 mW.
15. Estudar atentamente, referindo-se Fig. A.8, a montagem de um transistor de po-
tncia em um dissipador de calor.
16. Na Fig. A.9, so dadas as curvas da variao da resistncia trmica em funo da
rea para placas de alumnio brilhante e enegrecido de 3 mm de espessura. Quais as
vantagens e desvantagens da utiIizao de placas de alumnio?
17. Referindo-se aos diodos Zener e retificadores, pensar e dizer se h alguma diferena
essencial no clculo dos dissipadores de calor para estes componentes, quando com-
parado com o clculo para transistores.
18. Como so utilizadas as analogias eltricas para o estudo dos dissipadores de calor?
19. Que representam as capacidades trmicas introduzidas na Fig. A.15 e qual a influn-
cia das mesmas?
20. Reler o ltimo pargrafo do apndice e mencionar as vantagens e desvantagens de
transistores trabalharem folgados em um circuito.
,
Indice Alfabtico

Abertura de Ilhas, 231 Clculo de n e p em um cristal, 21


Abertura de janelas no xido, 223 Camada epitaxial, 222
Admitncia de transferncia deum FET, 158 Capact ncas,
Alfa de um transistor bipolar, 97 difuso, 36
Amplificao de um transistor bipolar, intereletrdica, 133
caractersticas, 129 transio, 33
Amplificador operacional, Capacitores integrados,
aplicaes, 246 de deposio, 235
exemplos, 243 difundidos, 234
resposta de freqncia, 247 Cargas descobertas, 30
Analogias entre processos trmico e eltri- Cation,9
co,274 C lulas fotcltricas, 196
Angstrrn, 201 C lulas fotossens veis,
Anion, 9 aplicaes, 203
tomos, classificao, 195
camadas, 6 respo sta espectral, 200
constituio, 4 resposta de freqncia, 202
definio, 3 sensibilidade, 201
exemplos, 3 temperatura de cor, 201
smbolos qu micos, 3 Clulas fotovoltaicas, 199
silcio e gcrmanio, 6 Circuitos digitais,
generalidades, 240
Fan-in,241
Fan-out, 241
Circuito equivalente de um FET, 167
Back,75 Circuito equivalente de um transistor bi-
Base de um transistor bipolar, 92 polar,
Beta de um transistor bipolar, 104 em T, 118
Breakdown, 141 hbrido ou H, 121
Buracos, intuitivo, 115
clculo da concentrao, 21 Circuitos grampeadores (clamping), 53
formao, 16 Circuitos integrados,

-~--~----
280 (NDICE ALFA8!:TlCO

aplicaes, aplicaes, 211


digitais, 239 brilho, 209
lineares, 243 curva caracterstica, 208
deposio, 229 dsplays, 212
fabricao, 230 funcionamento, 207
hbridos, 229 par metros tpicos, 210
monolticos, 229 resposta espectral, 209
Circuito s limitadores (clipping) , 53 Diodo Impatt , 80
Coletor de um transistor bipolar, 92 Diodo integrado, 235
Concentrao de portadores, 20 Diodo Gunn, 80
Conduo de calor, 257 Diodo de juno,
Condutores, 10 curvas caracter sticas, 39
Constante de Planck, 196 generalidades, 38
Constante de uma rede cristalina, 14 retificador, 43
Contatos, Zener,41
ohmicos,237 Diodo Inverso, 76
retificadores, 237 Diodo PIN, 77
Conveco, 257,261 Diodo Retificador,
Convenes em um transistor bipolar, aplicaes, 53
correntes, 93 comerciais, 54, 54
tenses, 93 com tenso alternada, 47
Corrente de fuga, 32-88 com tenso contnua, 44
Corrente de polarizao, 246 limitaes, 49
Corte, Diodo Schottky, 77
freqncia, 146 Diodo Step Recovery, 75
regio, 101 Diodo Tunel,
Cristais, 12 aplicaes, 69
Cristais lquidos, funcionamento, 67
defini o, 217 ponto de pico, 68
nemticos,217 ponto de vale, 68
Cristal de Silcio resst ncia negativa, 67
crescimento, 221 smbolo grfico, 68
purificao, 221 Diodo Zener
Cubo do corpo centrado, 13 aplicaes, 63
Cubo de faces centradas, 13 comerciais, 65
Czochralsky,222 efeito de temperatura, 59
funcionamento, 56
mpednca dinmica, 58
limitaes, 62
proteo de circuitos, 63
Decodificadores,214 regulao de tenso alternada, 64
Depletion, 162 smbolo grfico, 57
Diacs, Disparo trmico, 262
definio, 190 Dispositivos fotossensveis (vidc optoclc-
curva caracterstica, 190 trnica)
smbolo grfico, 190 Display,
aplicaes, 191 com cristais lquidos, 217
Diamante, 13 com LED 212
Difuso, 22 exemplos, 215-216
Difuso selecionada, 223 Dissipadores de calor,
Diodo back, 75 ao, 258
Diodo contato de ponta, 80 clculo, 264
Diodo controlado de silcio, 182 constituio, 259
Diodo emissor de luz (LED), equao bsica, 264
flVDICE ALFABt:TlCO 281

geometria, 259 alfa (0<),97


isolamento eltrico, 260 beta (J3), 104
para diodos retificadores, 271 Gatilho,
para diodos Zener, 269 de em FET, 154
para transistores, 265-267 de um Tiristor, 184
supcrdimensionamento, 260 Germanio, 12
Dopagem, 27 Grafita,13
Dreno de um FET, 154
Drift, 17-22-24

Hbridos,
circuitos integrados, 229
Einstein, 196 parmetros, 121
Eltron,4 Hole, 16
Eltron livre, 11
Eltron-volt, 16
Emisso foteltrica, 196
Enhancement, 162
Emissor de um transistor bipolar, 92 Insulated Gate FET, 159
Epitaxial, Ilhas num cristal,
estrutura, 222-231 abertura, 231
crescimento, 222 finalidade, 231
processo, 222 Irnpedncia de entrada,
Estados estveis, 9 de um FET, 158
Estrutura das camadas de diversos tomos, 7 de um MOSFET, 164
Impurezas,
aceitadoras, 19
caracterizao, 18
doadoras, 18
Fabricao de capacitores integrados, 234 Indutncias integradas, 235
Fabricao de resistores integrados, 232 Intrnseco,
Field Effect transistor-FET, 153 semicondutor,18
Fluxo luminoso, 197 Inversa,
Fluxo trmico em um diodo retificador, 271 polarizao, 31
Fonte de um FET, 154 Ion,9
Fotacoplador,211 Isolantes, 10
Fotodiodos, 197-205
Fotons, 196
Fotorresistores, 197-203
Fotossensveis,
clulas, 19S Juno P-N,
resposta espectral dos dispositivos, 200 barreira de potencial, 30
resposta freqncia dos dispositivos, 202 capacitncias,33
sensibilidade dos dispositivos, 201 correntes de fuga, 32
Fototransistores, 198-205 estudo geral, 27
Fuga, formao, 28
correntes, 32-86 polarizao direta e inversa, 31
Fuso por zona, 221 regio de transio, 29

Ganhos de corrente de um transistor bi- Ligao,


polar, base comum, 96
282 {NDICE ALFASETlCO

coletor comum, 111


emissor comum, 103
Ligaes,
do transistor bipolar, 95 Parmetrosr, 118
comparao das, 134 Parmetros H ou hfbridos, 121
Ligaes <4valentes, medio dos, 125
conceituao, 15 Parmetrosde um FET,166
quebra de, 16 Parmetros de um transistor bpolar, 112
Light DeJ1&1ldent Resistor (LDR) , 197 Partcula alfa, 6
Light Dimmer, 191 Partculas fundamentais, 3
Limitaes do transistor bipolar, Pastilha de um cristal, 222
corrente, 140 Planar, 225
freqncia, 145 Planar-epitaxal, 226
potncia, 143 Planck,196
temperatura, 145 Polarizao,
tenso, 140 direta e inversa, 31
Lumen, 197 Ponte de terrnistores, 246
Lux,l97 Ponto de operao, 45
Ponto Q 45
Ponto quiescente, 4S
Ponto de vale,
do diodo tunel, 68
Medio dos parmetros H, 125 do transistor de unijuno, 173
Mesa, 224 Portadores de carga eltrica,
Mesa-epitaxal, 225 concentrao,20
Mtodo de Czochralsky, 222 definio, 20
Microeletrnica, 228-229 em maioria, 20
Micron, 201 em minoria, 20
Mobilidade, 24 Princpio da Excluso de Pauli, 8
Molculas, Princpios da transmisso de calor, 257
definio, 2 Processo,
exemplos, 2 da difuso selecionada, 223
mono e diatnicos, 3-4 epitaxial-difundido, 222
Monolticos, 229 Czochralsky, 222
MOSFET,l59 fotolitogrfico, 231
Produto p n, 21
Proteo de um circuito, 263
Proton,4
Purificao de um cristal, 221
Nanmetro, 201
Nutron, 4
Ncleo, 4
Nmero atmico, 5
Nmero de massa, 5 Quadripolo, 93
Nmeros qunticos, 6

Off-set, Radiao do calor, 257


da corrente de entrada, 246 Reaes qumicas, 8
da tenso de entrada, 246 Reeombinao,7
xido de Silcio, 159 Rede cristalina, 12
(NDICE ALFASETlCO 283

Regio de barreira de potencial, 31


Regio de transio, 30
Regies de um transistor bipolar,
corte, 101 Tenso de offset, 159
funcionamento, 100-108 Tenso inversa,
normal, ativa ou linear, 101 de pico mximo, 50
saturao,101 transitria de pico, 50
Resistncia negativa, Tenso Zener,
do diodo tunel, 67 efeito da temperatura, 58
do transistor de unijuno, 173 especificaes, 57
Resistncia do transistor bipolar, generalidades, 56
de entrada, 129-131 Tiristor, 182
de sada, 129-132 Transistor bipolar,
Resistividade, alfa (0<), 97
clculo da, 25 beta (ti), 104
tabela de, 12 capacitncias intereletrdicas, 122
Resistores integrados, caractersticas de amplificao, 129
depositados, 233 circuito equivalente,
difundidos, 232 em T, 118
Reta de carga, hlbrido ou H, 121
para diodos, 44 intuitivo,115
para transistores, 100 como amplificador, 134
Retificador - Veja diodo Retificador corrente de fuga, 86
Retificador controlado de Silcio, folha de especificaes, 148-149
aplicaes, 186 freqncias de corte, 146
controle pelo gatilho, 186 funcionamento, 84
corrente de manuteno (IH)' 185 funcionamento com tenso alternada, 113
curva caracterstica, 185 ganho,88
definio, 182 injeo de portadores, 88
estrutura, 182 lipio,
funcionamento, 183 base comum, 96
modelo, 183 coletor comum, 111
smbolo grfico, 183 emissor comum, 103
tenso de disparo (VBO), 185 limitaes,
Retificador metlico, 81 de corrente, 140
Rutura, de freqncia, 145
avaanche, 56 de potncia, 143
Zener,56 de temperatura, 145
de tenslo, 140
parmetros e circuitos equivalentes, 112
PNPeNPN,84
regio,
Saturao, de corte, 101
regio, 101 normal, ativa ou linear, 101
Semente de um cristal, 222 de funcionamento, 100-108
Semioondutores, de saturaio, 101
concentrao,10 resistncia de entrada, 129-131
intrnsecos, 18 resistncia de sada, 129-132
puros e impuros, 18 tipos, 147
Silicio, 12-14 traado da reta de carga, 100
Spn, 8 Transistor de contato de ponta, 177
Substncias ~imples, 4 Transistor de efeito de campo d juno
Substrato, 230 (FET),
Surto de tenso, 63 adnrltnciade transferncia, 158
284 INDICE ALFAB!TlCO

aplicaes, 168 Transmisso de calor, 257


circuito equivalente, 167 Triacs,
constituio fsica, 154 definio, 188
curvas caractersticas, 157 nomenclatura dos terminais, 188
especificaes, 164 convero de sinais, 188
funcionamento, 156 curva caracterstica, 189
impedncia de entrada, 158 smbolo grfico, 189
limitaes, 164 aplicaes, 191
parrnetros admitncia, 166 Tunel,
regio de corte, 158 diodo,67
regio de saturao, 158
smbolo, 154
tenso de offset, 159
Transistor de efeito de campo com gatilho
isolado (MOSFET), Unijuno,
aplicaes, 168 transistor, 172
constituio fsica, 159
dcpletion, 162
enhancement, 162
especificaes, 164
funcionamento, 160 Valncia,9
impcdncia de entrada, 164 Varactor, 72
limitaes, 164 Varactron,72
smbolos, 163 Varicap,72
Transistor de unijuno,
aplicaes, 176
construo, 172
curvas caractersticas, 173, 176
ponto de pico, 173 "Wafers",222
ponto de vale, 173
razo intrnseca de corte, 174
regies de funcionamento, 173
resistncia negativa, 173
smbolo, 172 Zener,56