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UNIVERSIDADE FEDERAL DE CAMPINA GRANDE

CENTRO DE ENGENHARIA ELTRICA E INFORMTICA


PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA

Tese

Identificao de Faltas de Alta Impedncia em


Sistemas de Distribuio

Wellinslvio Costa dos Santos

Campina Grande - Paraba - Brasil


c Wellinslvio Costa dos Santos, Setembro de 2016

Wellinslvio Costa dos Santos

Identificao de Faltas de Alta Impedncia em Sistemas de


Distribuio

Tese apresentada Coordenao do Programa de Ps-


Graduao em Engenharia Eltrica da Universidade Fede-
ral de Campina Grande, em cumprimento s exigncias do
Programa de Doutoramento em Cincias no Domnio da
Engenharia Eltrica.

rea de Concentrao: Processamento da Energia

Benemar Alencar de Souza, D.Sc.


Orientador

Nbia Silva Dantas Brito, D.Sc.


Orientador

Campina Grande - Paraba - Brasil


Setembro de 2016
iii

c
Copyright 2013 de Huilman Sanca Sanca. Texto editado em LATEX2e

FICHA CATALOGRFICA ELABORADA PELA BIBLIOTECA CENTRAL DA UFCG

S237i Santos, Wellinslvio Costa dos.


Identificao de faltas de alta impedncia em sistemas de distribuio /
Wellinslvio Costa dos Santos. - Campina Grande, 2016.
117 f. : il. color.

Tese (Doutorado em Engenharia Eltrica) - Universidade Federal de


Campina Grande, Centro de Engenharia Eltrica e Informtica, 2016.
"Orientao: Prof. D. Sc. Benemar Alencar de Souza, Prof. D. Sc. Nbia
Silva Dantas Brito".
Referncias.

1. Sistemas de Distribuio - Proteo. 2. Transitrios Eletromagnticos


- Anlise. 3. Diagnstico de Faltas. 4. Localizao de Faltas. 5. Sistemas de
Potncia. I. Souza, Benemar Alencar de. II. Brito, Nbia Silva Dantas. III.
Ttulo.
CDD: 621.315(043)
iv
AGRADECIMENTOS

Acima de todas as coisas, a Deus, que sempre me guiou nas minhas decises.

Aos professores orientadores Benemar Alencar de Souza e Nbia Silva Dantas Brito por
tornarem possvel esse trabalho e pela compreenso, pacincia, amizade e experincia. Ao
professor Flvio Costa por ter sido o meu incentivador e primeiro orientador na pesquisa. Aos
professores membros da banca Washington Neves, Francisco Marcos, Ronaldo Aquino e Roberto
Firmino pela suas sugestes e conhecimentos. Aos funcionrios da COPELE, em especial ngela
e Pedro, pela disposio e colaborao.

Aos meus pais Jos Wellingthon dos Santos e Slvia Costa dos Santos por serem meus
exemplos na constituio de uma famlia.

s minhas tias Tnia Maria (in memorian) e Rita de Cssia por ajudarem na minha criao
e por todas as palavras de incentivo.

minha esposa Jani Cleide por compreender minhas ausncias e cuidar to bem da nossa
famlia.

Ao meu filho Carlos Jos que com um simples sorriso consegue me encorajar a enfrentar as
dificuldades dirias.

Aos meus amigos e parceiros de pesquisa Felipe Vigolvino, Fagner Arajo, Francisco das
Chagas, Ana Vitria, Alana Kelly, Huilman Sanca, Caio Junqueira e rica Mangueira.

A todos que direta ou indiretamente foram responsveis por esse momento to importante
em minha vida.

Finalmente CAPES, que proporcionou o suporte financeiro para a realizao deste traba-
lho.

v
O unico lugar onde o sucesso vem antes do trabalho e no diciona
rio.
DESCONHECIDO
RESUMO

Uma tcnica baseada em anlise de transitrios eletromagnticos proposta para identificar fal-
tas de alta impedncia (FAI) em redes de distribuio. O algoritmo dispensa conhecimento dos
parmetros dos alimentadores e faz uso da transformada wavelet discreta (TWD) para monito-
rizar fenmenos transitrios associados a distrbios no sistema de distribuio. A metodologia
proposta avaliada atravs de simulaes em um programa de transitrios eletromagnticos
(EMTP) em um sistema de 13,8 kV, que foi modelado a partir de dados de uma rede de dis-
tribuio brasileira real. Alm de FAI, foram simulados outros tipos de distrbios, tais como
faltas de baixa impedncia, chaveamentos de novas linhas e bancos de capacitores. Os resul-
tados obtidos demonstraram que o mtodo capaz de detectar a perturbao logo aps o seu
incio e distingui-la de outros distrbios, alm de proporcionar uma reduo significativa da
regio de localizao da FAI.

Palavras-chave: Proteo de sistemas de distribuio, anlise de transitrios eletromagnticos,


diagnstico de faltas, localizao de faltas, faltas de alta impedncia, sistemas de potncia,
transformada wavelet.

vii
ABSTRACT

An electromagnetic transient analysis-based technique is proposed to identify high impedance


faults (HIF) in distribution networks. The algorithm dispenses knowledge of the feeder para-
meters and makes use of discrete wavelet transform (TWD) to monitor transient phenomena
associated with disturbances in the distribution system. The proposed methodology is evalua-
ted through simulations in an electromagnetic transient program (EMTP) in a 13.8 kV system,
which was modeled from actual Brazilian distribution network data. Besides HIF, other types
of disturbances were simulated, such as low impedance fault, and switching of lines and capa-
citor banks. Obtained results have shown that the method is able to detect the disturbance
soon after its inception and distinguish it from other disorders, as well as providing a significant
reduction in the region of its location for maintenance crews.

Keywords: Power distribution protection, electromagnetic transient analysis, fault diagnosis,


fault location, high impedance faults, power systems, wavelet transforms.

viii
SUMRIO

Lista de Figuras xiii

Lista de Tabelas xviii

Lista de Smbolos xx

Glossrio xxi

Captulo 1 Introduo 1

1.1 Motivao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

1.2 Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

1.3 Originalidade - Relevncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

1.4 Contribuies . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

1.5 Produo Bibliogrfica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

1.6 Estrutura do Trabalho . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

Captulo 2 Reviso Bibliogrfica 8

2.1 Principais Caractersticas de uma FAI . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

2.2 Mtodos para Diagnstico de FAI . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

2.2.1 Mtodos Baseados no Desequilbrio das Tenses . . . . . . . . . . . . . . 13

2.2.2 Mtodos Baseados na Teoria das Ondas Viajantes . . . . . . . . . . . . . 14

ix
Sumrio x

2.2.3 Mtodos Baseados na Transformada Wavelet (TW) e Redes Neurais Ar-


tificiais (RNA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

2.3 FAI no Contexto das Redes Inteligentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

2.4 Sntese Bibliogrfica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

Captulo 3 Modelo de FAI Proposto por Santos (2011) 22

3.1 Ensaios de Campo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22

3.2 Modelagem do Sistema de Distribuio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

3.3 Modelo de FAI proposto por Santos (2011) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

3.4 Gerao da base de dados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Captulo 4 Aprimoramento do Modelo de Santos (2011) 42

4.1 Modelo Proposto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

4.2 Gerao da Base de Dados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

Captulo 5 Fundamentos da Transformada Wavelet 50

5.1 A Transformada Wavelet Discreta (TWD) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

5.2 Filtros Wavelet de Detalhe e de Aproximao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

5.3 Energia no Domnio Wavelet . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53

Captulo 6 Diagnstico de FAI - Mtodo Proposto 56

6.1 Etapa de Deteco de FAI . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57

6.2 Algoritmo de Estimao do Local da FAI . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63

Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 65

7.1 Simulaes e modelos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65

7.2 Avaliao do Mtodo de Identificao de FAI no ATP . . . . . . . . . . . . . . . 68


Sumrio xi

7.2.1 Influncia da taxa de amostragem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69

7.2.2 Localizaes diferentes dos pontos de monitoramento . . . . . . . . . . . 70

7.2.3 Quantidades diferentes de pontos de monitoramento e insero de Gera-


o Distribuda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71

7.2.4 Ocorrncia de FAI em locais diferentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72

7.2.5 Ocorrncia de outros distrbios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74

7.2.6 Faltas de baixa e de alta impedncia simultneas . . . . . . . . . . . . . 76

7.3 Implementao no RTDSTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78

7.4 Avaliao do mtodo de diagnstico embarcado em um microcontrolador . . . . 86

7.5 Avaliao do mtodo de diagnstico com dados reais . . . . . . . . . . . . . . . . 90

Captulo 8 Concluses 92

Referncias Bibliogrficas 94

Apndice A Configurao do alimentador simulado 100

A.1 Dados do alimentador simplificado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100

Apndice B Padro IEEE COMTRADE 104

B.1 Principais parmetros do padro COMTRADE . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104

Apndice C Simulaes em tempo real via RTDSTM 107

C.1 Hardware do RTDSTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108

C.1.1 Giga-Transceiver Workstation InterFace Card (GTWIF) . . . . . . . . . 109

C.1.2 Carto de Processamento de Dados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110

C.1.3 Cartes Digitais de Entrada e Sada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110

C.2 Softwares do RTDSTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113


Sumrio xii

C.2.1 File Manager . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113

C.2.2 Mdulo Draft . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114

C.2.3 Mdulo TLine . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114

C.2.4 Mdulo Runtime . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115

C.2.5 Mdulo CBuilder . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116


LISTA DE FIGURAS

1.1 Percentual de mortes provocadas por acidentes no SDEE brasileiro em 2014.


(Fonte: (ABRADEE, 2015). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

2.1 Formao de uma FAI. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

2.2 Desenvolvimento do arco eltrico: (a) sem arco; (b) incio do arco; (c) arco no
solo gerando fulguritos; (d) processo de extino do arco. . . . . . . . . . . . . . 11

2.3 Oscilografia real de uma FAI: (a) tenso sem presena de afundamentos percep-
tveis; (b) corrente de uma FAI com presena de suas principais caractersticas.
(NAM et al., 2001) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

3.1 Estrutura montada em uma fazenda na cidade de Boa Vista - PB composta por
diferentes superfcies de contato e um poste onde foram instalados TC e TP. . . 23

3.2 Correntes de FAI em terrenos secos: (a) areia; (b) asfalto; (c) brita; (d) cala-
mento; (e) grama; (f) solo local. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

3.3 Correntes de FAI em terrenos molhados: (a) areia; (b) asfalto; (c) brita; (d)
calamento; (e) grama; (f) solo local. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

3.4 Modelo utilizado para simular a FAI. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29

3.5 Detalhamento da intermitncia observada em correntes de FAI. . . . . . . . . . . 30

3.6 Curva v x i correspondente a um ciclo do regime permanente de uma FAI:(a)


areia; (b) asfalto; (c) brita; (d) calamento; (e) grama; (f) terra local. . . . . . . 31

3.7 Resistncia R2 em funo do tempo: (a) considerando-se shoulder ; (b) desconsiderando-


se shoulder (URIARTE, 2003). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

xiii
LISTA DE FIGURAS xiv

3.8 Processo de clculo de R2 no calamento: (a) Valor absoluto da tenso referente


FAI; (b) Valor absoluto da corrente referente FAI; (c) Valor da resistncia
em relao ao tempo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33

3.9 Curva correspondente funo polinomial estimada para a resistncia R2 : (a)


areia; (b) asfalto; (c) brita; (d) calamento; (e) grama; (f) terra local. . . . . . . 35

3.10 Simulao de uma FAI em terra local: (a) tenso; (b) corrente. . . . . . . . . . . 36

3.11 Comparao entre as correntes de FAI simuladas e medidas. . . . . . . . . . . . 37

3.12 Processo de construo da base de dados. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

4.1 Registro oscilogrfico de FAI no calamento com dois ciclos de shoulder. . . . . . 44

4.2 Registro oscilogrfico de FAI no calamento sem ciclos de shoulder. . . . . . . . 44

4.3 Registro oscilogrfico de FAI na brita com um ciclo de intermitncia. . . . . . . 45

4.4 Registro oscilogrfico de FAI na brita sem ciclos de intermitncia. . . . . . . . . 45

4.5 Modelo de FAI proposto. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

4.6 Processo de construo da base de dados. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

4.7 Correntes de FAI na areia: (a) sem intermitncia e com um ciclo de shoulder ;
(b) com um ciclo de intermitncia e de shoulder. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

4.8 Correntes de FAI no calamento: (a) com um ciclo de intermitncia e de shoulder ;


(b) sem ciclos de intermitncia e com um de shoulder. . . . . . . . . . . . . . . . 49

5.1 Decomposio wavelet em dois nveis de resoluo. . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

5.2 Processo de construo das curvas de energia: (a) sinal teste; (b) coeficientes
wavelet de detalhe; (c) curva de energia de uma janela deslizante dos coeficientes
wavelet de detalhe. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55

6.1 Mtodo de identificao de FAI proposto. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56

6.2 Exemplo de registro oscilogrfico de uma FAI. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58

6.3 Exemplo de registros oscilogrficos de faltas de baixa impedncia. . . . . . . . . 59


LISTA DE FIGURAS xv

6.4 Curvas provenientes de uma simulao FAI registradas na subestao: (a) tenso
no domnio do tempo; (b) energia dos coeficientes wavelet de detalhe da tenso;
(c) corrente no domnio do tempo; (d) energia dos coeficientes wavelet de detalhe
da corrente. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60

6.5 Atuao do algoritmo de deteco proposto: (a) Energia d ; (b) Sinalizador do


distrbio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61

7.1 Modelo do banco de capacitores (WHITAKER, 1999). . . . . . . . . . . . . . . . . 67

7.2 Modelo das faltas de baixa impedncia (SOUZA et al., 2005b). . . . . . . . . . . . 68

7.3 Anlise de uma FAI na barra 10 considerando uma frequncia de amostragem de


15,35 kHz: (a) energias dos coeficientes de detalhe; (b) nveis mximos de energia. 69

7.4 Anlise de uma FAI na barra 10 considerando uma frequncia de amostragem de


61,44 kHz: (a) energias dos coeficientes de detalhe; (b) nveis mximos de energia. 70

7.5 Anlise de uma FAI na barra 10 considerando uma frequncia de amostragem


de 107,52 kHz: (a) energias dos coeficientes de detalhe; (b) nveis mximos de
energia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70

7.6 Nveis mximos de energia resultantes da ocorrncia de uma FAI aplicada na:
(a) barra 13; (b) barra 19; (c) barra 39; (d) barra 47. . . . . . . . . . . . . . . . 73

7.7 Falta de baixa impedncia aplicada na barra 10: (a) energia d ; (b) energia c . . 74

7.8 Falta de baixa impedncia aplicada na barra 80: (a) energia d ; (b) energia c . . 75

7.9 Energizao de ramos: (a) barras 10-11; (b) barras 30-31. . . . . . . . . . . . . . 75

7.10 Chaveamento de banco de capacitores: (a) 0,9 Mvar; (b) 1,8 Mvar. . . . . . . . . 76

7.11 Faltas simultneas na mesma fase: (a) Energias d para FAI na barra 13 + FAI
na barra 80; (b) Energias c para FAI na barra 13 + FAI na barra 80; (c) Energias
d para FAI na barra 13 + falta de baixa impedncia na barra 80; (d) Energias
c para FAI na barra 13 + falta de baixa impedncia na barra 80. . . . . . . . . 77
LISTA DE FIGURAS xvi

7.12 Faltas simultneas em diferentes fases: (a) Energias d para FAI na barra 13 fase
A + FAI na barra 80 na fase C; (b) Energias c para FAI na barra 13 fase A +
FAI na barra 80 fase C; (c) Energias d para FAI na barra 13 fase A + falta de
baixa impedncia na barra 80 fase C; (d) Energias c para FAI na barra 13 fase
A + falta de baixa impedncia na barra 80 fase C. . . . . . . . . . . . . . . . . . 78

7.13 Sistema teste de 13 barras. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79

7.14 Configurao dos postes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79

7.15 Sistema teste de 13 barras simulado no RTDSTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80

7.16 Bloco que simula o modelo de FAI proposto. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81

7.17 Bloco de clculo das energias d . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81

7.18 Corrente de FAI resultante da simulao no RTDSTM . . . . . . . . . . . . . . . 82

7.19 Energias d nas barras: (a) 675; (b) 671; (c) 632; (d) 633. . . . . . . . . . . . . . 83

7.20 Energia d nas barras: (a) 675; (b) 671; (c) 632; (d) 633. . . . . . . . . . . . . . 84

7.21 Energia d nas barras: (a) 675; (b) 671; (c) 632; (d) 633. . . . . . . . . . . . . . 85

7.22 Mdulo de desenvolvimento do microcontrolador ADuC7026. . . . . . . . . . . . 86

7.23 Circuito condicionador de sinais proposto por Silva (2010). . . . . . . . . . . . . 87

7.24 Sinal de tenso vindo do RTDSTM (azul) e sinal tratado pela placa condiciona-
dora de sinais (verde). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88

7.25 Plataforma experimental para avaliao de sinais externados do RTDSTM . . . . 89

7.26 LED vermelho acionado indicando que uma FAI foi detectada. . . . . . . . . . . 89

7.27 LED amarelo acionado indicando que um distrbio diferente de FAI foi detectado. 90

7.28 Mtodo de deteco aplicado em registro oscilogrfico real de FAI na areia: (a)
tenso; (b) corrente; (c) energia d . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91

7.29 Mtodo de deteco aplicado em registro oscilogrfico real de FAI no calamento:


(a) tenso; (b) corrente; (c) energia d . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91

A.1 Diagrama unifilar do modelo do alimentador escolhido. . . . . . . . . . . . . . . 100


LISTA DE FIGURAS xvii

A.2 Configurao das cruzetas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100

A.3 Estrutura dos postes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101

C.1 Racks do RTDSTM disponveis no comrcio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109

C.2 Carto GTWIF. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110

C.3 Carto GPC de processamento de dados. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111

C.4 Carto para entrada e sada de sinais analgicos: (a) Carto GTAO; (b) Carto
GTAI. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112

C.5 Carto para entrada e sada de sinais digitais: (a) Carto GTDO; (b) Carto
GTDI. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112

C.6 Outros cartes do RTDSTM : (a) Carto GTFPI; (b) Carto GTNET. . . . . . . 113

C.7 Interface do File Manager. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114

C.8 Interface do mdulo Draft. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115

C.9 Interface do mdulo TLine. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115

C.10 Interface do mdulo Runtime. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116

C.11 Interface do mdulo CBuilder. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117


LISTA DE TABELAS

2.1 Comparao entre os SDEE atuais e redes inteligentes. . . . . . . . . . . . . . . 19

2.2 Comparao entre os mtodos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

3.1 Nmero de testes de FAI realizados (SANTOS, 2011). . . . . . . . . . . . . . . . 27

3.2 Nveis das correntes de falta (SANTOS, 2011). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27

3.3 Parmetros das funes polinomiais de R2 (t) e a qualidade de sua aproximao. 36

3.4 Parmetros das funes polinomiais de R2 (t) e a qualidade de sua aproximao. 37

3.5 Variveis de simulao. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

3.6 Grandezas das bases de dados. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41

4.1 Anlise estatstica da intermitncia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

4.2 Anlise estatstica do shoulder. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

4.3 Grandezas das bases de dados. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

7.1 Cenrios e detalhes dos pontos de monitoramento. . . . . . . . . . . . . . . . . . 67

7.2 Avaliao de diferentes cenrios com seis pontos de monitoramento. . . . . . . . 71

7.3 Avaliao com e sem GD com seis pontos de monitoramento. . . . . . . . . . . . 72

7.4 Avaliao com e sem GD com oito pontos de monitoramento. . . . . . . . . . . . 72

7.5 Especificaes do Transformador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79

7.6 Cargas concentradas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80

A.1 Comprimentos dos trechos do alimentador escolhido. . . . . . . . . . . . . . . . 102

A.2 Cargas ao longo do alimentador escolhido. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103

xviii
LISTA DE TABELAS xix

B.1 Tipos de arquivo do padro COMTRADE. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104

B.2 Registros e campos dos arquivos de configurao. . . . . . . . . . . . . . . . . . 106

C.1 Hardware do RTDSTM : Cartes acessveis pela parte frontal do equipamento. . 109

C.2 Hardware do RTDSTM : Cartes acessveis pela parte traseira do equipamento. . 109
LISTA DE SMBOLOS

cj - Coeficientes de aproximao da escala j.

dj - Coeficientes de detalhe da escala j.

d - Energia dos coeficientes wavelet de detalhe.

c - Energia dos coeficientes wavelet de aproximao.

g - Coeficientes do filtro de aproximao da transformada wavelet discreta.

h - Coeficientes do filtro de detalhe da transformada wavelet discreta.

j - j-sima escala.

Jmax - Nmero mximo de decomposies (escalas) de um sinal.

R1 (t) - Resistncia variante no tempo 1 do modelo de FAI.

R2 (t) - Resistncia variante no tempo 2 do modelo de FAI.

k - instante em que a tenso e a corrente alcanam seus valores mximos, no


k-simo semiciclo.

v(k ) - Valor mximo da tenso no k-simo semiciclo.

i(k ) - Valor mximo da corrente no k-simo semiciclo.

R(k ) - Resistncia de falta no k-simo semiciclo.

R2 - Coeficiente de determinao.

fs - Frequncia de amostragem.

xx
GLOSSRIO

ABRADEE - Associao Brasileira de Distribuidores de Energia Eltrica.

ACP - Anlise de Componente Principal.

ANEEL - Agncia Nacional de Energia Eltrica.

ATP - Alternative Transients Program.

CAPES - Coordenao de Aperfeioamento de Pessoal de Nvel Superior.

CHESF - Companhia Hidro Eltrica do So Francisco.

ClBayes - Classificador Bayes.

CNPq - Conselho Nacional de Desenvolvimento Cientfico e Tecnolgico.

COD - Centro de Operao da Distribuio.

CSCT - Chave Simples Controlada por TACS.

dbj - Wavelet me Daubechies j.

EMTP - Electromagnetic Transients Program.

FAI - Falta de Alta Impedncia.

GD - Gerao Distribuda.

GPS - Global Positioning System.

GTAO - Giga-Transceiver Analogue Output.

GTAI - Giga-Transceiver Analogue Input.

GTDO - Giga-Transceiver Digital Output.

GTDI - Giga-Transceiver Digital Input.

GTFPI - Giga-Transceiver Front Panel Interface.

GBH - Global Bus Hub.

xxi
Glossrio xxii

GTWIF - Giga-Transceiver Workstation InterFace Card.

GTNET - Giga-Transceiver Network Interface Card.

LT - Linha de Transmisso.

RDP - Registrador Digital de Perturbao.

RNA - Redes Neurais Artificiais.

RPF - Regime Permanente de Falta.

RTDSTM - Real Time Digital Simulator.

RVT - Resistncia Variante no Tempo.

SE - Subestao.

SNR - Relao Sinal para Rudo.

SIN - Sistema Interligado Nacional.

TC - Transformador de Corrente.

Tdq0 - Transformada de Park.

TNA - Transient Network Analyser.

TP - Transformador de Potencial.

TW - Transformada Wavelet.

TWC - Transformada Wavelet Contnua.

TWD - Transformada Wavelet Discreta.

UFCG - Universidade Federal de Campina Grande.


CAPTULO 1

INTRODUO

Um sistema de potncia tpico dividido em trs subsistemas: gerao, transmisso e distri-


buio. Conceitualmente, um sistema de distribuio de energia eltrica (SDEE) o conjunto
de instalaes e equipamentos eltricos pertencentes a uma distribuidora em sua rea de con-
cesso, inclusive as demais instalaes de distribuio e as demais instalaes de transmisso,
contratualmente disponibilizadas distribuidora, no integrantes da rede bsica (ANEEL, 2011).

No Brasil predominam os sistemas de distribuio com configurao radial, que se caracte-


rizam por apresentarem tronco trifsico estendido e ramais trifsicos ou monofsicos (SOUZA,
1997). Devido a isso, um defeito em um determinado ponto do sistema pode provocar o desa-
bastecimento de um grande nmero de clientes, alm de expor as pessoas sob risco de morte.
Desta forma, um diagnstico rpido dos defeitos constitui uma etapa crucial no processo de
isolamento das reas afetadas e de envio das equipes de manuteno.

Dentre os diversos distrbios que podem ocorrer em um SDEE, as faltas de alta impedn-
cia (FAI) recebem ateno especial. Resumidamente, uma FAI ocorre quando um condutor
primrio energizado entra em contato com uma superfcie de baixa condutividade, resultando
em correntes de falta da mesma ordem de grandeza da corrente de carga e de outros distrbios
comuns aos SDEE. Esse distrbio pode ser resultante do contato do condutor com rvores, de
problemas em isoladores ou do rompimento do condutor eltrico e sua queda ao solo, por exem-
plo. Como consequncia, os sistemas de proteo convencionais baseados em sobrecorrente tm
dificuldade em detectar esse tipo de falta.

Dada a sua importncia, pesquisas relacionadas com FAI tm recebido destaque por parte da
comunidade cientfica e, nos ltimos anos, o destaque tem sido dado aos trabalhos relacionados
com a etapa de diagnstico (LAZKANO et al., 2000; MORETO, 2005; YANG et al., 2007; MILIOUDIS
et al., 2012). Devido pouca quantidade de pontos de observao de oscilografias nos SDEE,
quando comparados aos sistemas de transmisso, registros reais de FAI no so comuns, o

1
Captulo 1 Introduo 2

que torna as simulaes computacionais de importncia crucial para o desenvolvimento de


mtodos de diagnstico. Neste sentido, o autor deste trabalho apresentou um modelo de FAI
em sua Dissertao de Mestrado, o qual foi desenvolvido baseando-se em dados reais obtidos em
ensaios de campo (SANTOS, 2011). Esse modelo foi aprimorado ao longo da pesquisa realizada
no doutorado, que incluiu ainda a deteco e a estimao do local de ocorrncia de FAI.

1.1 MOTIVAO

Anualmente, a Associao Brasileira de Distribuidores de Energia Eltrica (Abradee) realiza


campanhas para alertar a populao sobre os riscos dos acidentes com a rede eltrica, nas quais
so divulgados dados dos acidentes ocorridos nas distribuidoras do pas. Entre 2001 e 2014,
o nmero de acidentes relatados nos SDEE diminuiu de 1046 para 777. No mesmo perodo,
o nmero de mortes tambm foi reduzido de 381 para 299 (ABRADEE, 2015). No entanto,
mesmo com a reduo dos acidentes, as FAI tm sido repetidamente referidas como uma das
principais causas de morte. Por exemplo, em 2013 e 2014, FAI foram a terceira maior causa
de acidentes, resultando em 30 e 53 mortes, respectivamente. A partir destes nmeros, pode-se
observar a necessidade urgente de solues mais confiveis para identificar FAI em redes de
distribuio. Uma amostra desses dados apresentada na Figura 1.1, os quais se referem s
mortes decorrentes de acidentes no SDEE brasileiro em 2014.

1.2 OBJETIVOS

Este trabalho tem como objetivo geral propor um mtodo para identificar FAI e como
objetivos especficos:

Apresentar uma anlise crtica do estado da arte acerca do tema diagnstico de FAI;

Aprimorar o modelo de FAI desenvolvido na Dissertao de Mestrado do autor deste


trabalho;

Propor um mtodo que seja capaz de diferenciar sinais provenientes de FAI de outros
distrbios comuns em SDEE;
Captulo 1 Introduo 3

Propor um mtodo que seja capaz de proporcionar uma reduo significativa s equipes
de manuteno da regio de sua localizao.

Acidentes no Sistema de Distribuio de Energia Eltrica


Brasileiro em 2014 (Fonte: Abradee)

Diversos
18,1%
Construo / Manut.
Predial
Abalroamento 21,5%
2,7%
Servios de Telefonia
e Tv a Cabo
2,3%
Ligao Eltrica
Operao de Guindaste Clandestina
7,0% 8,1%

Furto de Condutor
Antena de TV
1,0%
4,1%
Queda de poste
1,7% Poste Energizado
2,0%
Cerca/Varal Energizado Pipa
3,4% 2,3%
Cabo Energizado no Solo
17,8% Poda de rvore
4,4%

Figura 1.1. Percentual de mortes provocadas por acidentes no SDEE brasileiro em 2014. (Fonte:
(ABRADEE, 2015).

1.3 ORIGINALIDADE - RELEVNCIA

Neste trabalho, um algoritmo para identificao de FAI nos SDEE proposto. Ele detecta
a FAI, distingue-a de outras perturbaes e calcula a rea mais provvel do sistema na qual
o distrbio tenha ocorrido. A tcnica analisa os componentes de baixa e alta frequncias
induzidos por FAI em pontos estratgicos do SDEE, sem a necessidade de sincronizao dos
dados, nem do conhecimento dos parmetros do alimentador ou das cargas. As energias dos
coeficientes wavelet de detalhe e aproximao so calculadas nas barras monitoradas e utilizadas
para identificar a rea onde a FAI est localizada.

Na literatura, vrios mtodos utilizados para detectar e localizar faltas em linhas de trans-
misso tm sido propostos (IZYKOWSKI et al., 2006; COSTA, 2014; LOPES et al., 2015). Vrios
Captulo 1 Introduo 4

artigos que relatam tcnicas de deteco de FAI (COSTA et al., 2015; AUCOIN; RUSSELL, 1982;
BENNER; RUSSELL, 1997; KIM; RUSSELL, 1993; STOUPIS et al., 2004; PETERSON et al., 2005;
WANG et al., 2009).

Em relao etapa de localizao, essa uma questo complexa devido topologia tpica dos
SDEE, alm da questo da observabilidade. Devido a isso, mtodos tradicionais de localizao
de faltas em linhas de transmisso no se adequam para este tipo de sistema (VIANNA et al., 2016;
SAHA et al., 2010). At mesmo o uso de algoritmos mais sofisticados, tais como os baseados
nos tempos de reflexo de ondas viajantes, no produzem resultados satisfatrios. Como os
alimentadores de distribuio so geralmente curtos, e portanto, o tempo de propagao das
ondas nos condutores muito pequeno, taxas de amostragem muito elevadas so requeridas.
Alm disso, o nmero de ramificaes dos SDEE constitui um complicador (SAHA et al., 2010).

1.4 CONTRIBUIES

Na Dissertao de Mestrado, o autor deste trabalho props um modelo de FAI baseado em


dados reais obtidos em ensaios de campo, que simula as principais caractersticas da corrente
de falta. A anlise dos resultados obtidos mostrou boa correlao entre os sinais produzidos
pelo modelo proposto e os sinais reais provenientes dos ensaios, alcanando coeficientes de
determinao R2 na faixa compreendida entre 82% e 99% de proximidade entre esses sinais.
A anlise minuciosa das correntes resultantes dos ensaios reais em uma mesma superfcie de
contato, mostrou a existncia de diferenas significativas em algumas de suas caractersticas.
Motivado por esses observaes, melhorias no modelo foram realizadas ao longo do Curso de
Doutorado.

Em relao etapa de identificao do distrbio propriamente dita, anlise cuidadosa do


estado da arte foi realizada, o que conduziu ao desenvolvimento de algumas propostas apresen-
tadas ao longo deste trabalho. Em termos de contribuies para o estado da arte, destacam-se
as seguintes:

Um modelo de FAI que considera: i) a corrente dependente da superfcie de contato;


ii) dentro de uma mesma superfcie de contato, pequenas variaes na corrente de falta
baseadas em anlises estatsticas de registros oscilogrficos (sinais de tenso e corrente)
Captulo 1 Introduo 5

obtidos em ensaios de campo;

Um mtodo que distingue uma FAI de outros distrbios comuns nos SDEE, baseado
no clculo da energia dos coeficientes wavelet de detalhe e aproximao das tenses e
correntes;

Um mtodo que reduz o espao de busca do local de ocorrncia da FAI e que dispensa
conhecimento prvio das caractersticas do sistema a ser monitorado.

1.5 PRODUO BIBLIOGRFICA

No status atual, a pesquisa que vem sendo realizada produziu os artigos enumerados a
seguir.

Artigos publicados em peridicos:

1. SANTOS, W.C.; SOUZA, B.A.; BRITO, N.S.D.; COSTA, F.B. & PAES, M.R.C.
High impedance faults: from field tests to modeling. Journal of Control, Automation
and Electrical Systems, v. 24, p. 885-896, 2013. DOI: 10.1007/s40313-013-0072-8.

2. COSTA, F.B.; SOUZA, B.A.; BRITO, N.S.D.; SILVA, J.A.C.B.; SANTOS, W.C..
Real-Time Detection of Transients Induced by High-Impedance Faults Based on the
Boundary Wavelet Transform. IEEE Transactions on Industry Applications, v. 51,
p. 5312 - 5323, 2015. DOI: 10.1109/TIA.2015.2434993.

3. SANTOS, W.C.; LOPES, F.V.; SOUZA, B.A. & BRITO, N.S.D. High impedance
fault detection and location in smart grids. Transaction on Power Delivery, 2016.
DOI: 10.1109/TPWRD.2016.2548942.

Artigos publicados em anais de conferncias nacionais e internacionais:

1. SANTOS, W.C.; BRITO, N.S.D.; SOUZA, B.A. & PEREIRA, F.A. High impedance
fault modeling based on statistical data. International Conference on Power Systems
Transients 2015 - IPST 2015, Cavtat - Croatia, June 2015.
Captulo 1 Introduo 6

2. LOPES, F.V.; SANTOS, W.C.; FERNANDES JUNIOR, D.; NEVES, W.L.A.;


BRITO, N.S.D. & SOUZA, B.A. A transient based approach to diagnose high im-
pedance faults on smart distribution networks. In: IEEE PES Conference on Inno-
vative Smart Grid Technologies (ISGT Latin America), Sao Paulo, 2013.

3. SANTOS, W.C.; LOPES, F.V.; SOUZA, B A.; NEVES, W.L.A.; BRITO, N.S.D. &
FERNANDES JUNIOR, D. High impedance fault detection and location based on
electromagnetic transient analysis. In: International Conference on Power System
Transients (IPST), Vancouver, 2013.

4. SILVA, J.A.C.B.; COSTA, F.B.; SANTOS, W.C.; NEVES, W.L.A. & SOUZA, B.A.
High impedance fault location case study using wavelet transform and artificial neu-
ral networks. In: International Conference on Electricity Distribution (CIRED),
Estocolmo, 2013.

5. SANTOS, W.C.; COSTA, F.B.; BRITO, N.S.D. & SOUZA, B A. Consideraes


sobre diferentes maneiras de modelagem de faltas de alta impedncia. In: Simpsio
Brasileiro de Sistemas Eltricos (SBSE), Goinia, 2012.

6. SILVA, J.A.C.B.; COSTA, F.B.; SANTOS, W.C.; LIRA, G.R.S.; SOUZA, B.A.;
BRITO, N.S.D.; PAES JUNIOR, M.R.C. & NEVES, W.L.A. High impedance fault
location case study with developed models from field experiments. In: Internacional
Conference On Electricity Distribution (CIRED), Frankfurt, 2011.

7. SANTOS, W.C.; LIRA, G.R.S.; COSTA, F.B.; SILVA, J.A.C.B.; SOUZA, B.A.;
BRITO, N.S.D. & PAES JUNIOR, M.R.C. Staged-fault testing for high impedance
fault data collection and simulation support. In: Internacional Symposium on High
Voltage Engineering, Hannover, 2011.

8. COSTA, F.B.; LIRA, G.R.S.; SANTOS, W.C.; SILVA, J.A.C.B.; SOUZA, B.A.;
BRITO, N.S.D.; PAES JUNIOR, M.R.C. High impedance fault detection. In: In-
ternacional Symposium on High Voltage Engineering (ISH), Hannover, 2011.

9. SOUZA, B.A.; BRITO, N.S.D.; LIRA, G.R.S.; SANTOS, W.C.; SILVA, J.A.C.B.;
ANDRADE, J.P.P.; COSTA, F.B. & PAES JUNIOR, M.R.C. Um sistema de detec-
o e localizao de faltas de alta impedncia. In: Congresso de Inovao Tecnolgica
em Energia Eltrica (VI CITENEL), Fortaleza, 2011.
Captulo 1 Introduo 7

10. COSTA, F.B.; SOUZA, B.A.; BRITO, N.S.D.; SANTOS, W.C.; SILVA, J.A.C.B;
LIRA, G.R.S.; PAES JUNIOR, M.R.C. Post-analysis of faults and high impedance
faults. In: Conferncia Brasileira sobre Qualidade de Energia Eltrica (CBQEE),
Cuiab, 2011.

11. LOPES, F.V.; SANTOS, W.C.; FERNANDES JUNIOR, D.; NEVES, W.L.A. &
SOUZA, B.A. An adaptive fault location method for smart distribution and trans-
mission grids. In: Innovative Smart Grid Technologies (ISGT Latin America), Me-
dellin, 2011.

12. SANTOS, W.C.; COSTA, F.B.; SILVA, J.A.C.B.; LIRA, G.R.S.; SOUZA,B.A.;
BRITO, N.S.D. & PAES JUNIOR, M.R.C. Automatic building of a simulated high
impedance fault database. In: IEEE/PES Transmission & Distribution Latin Ame-
rica (T&D-LA), So Paulo, 2010.

1.6 ESTRUTURA DO TRABALHO

Alm deste captulo introdutrio, o trabalho foi estruturado conforme a seguir:

Captulo 2: resumo da reviso bibliogrfica;

Captulo 3: apresentao do modelo de FAI proposto por Santos (2011);

Captulo 4: proposta de modelo de FAI;

Captulo 5: fundamentos da transformada wavelet;

Captulo 6: descrio minuciosa do mtodo para diagnstico de FAI proposto.

Captulo 7: avaliao do desempenho do mtodo para diagnstico de FAI proposto.


CAPTULO 2

REVISO BIBLIOGRFICA

Neste captulo apresenta-se um resumo do levantamento do estado da arte sobre o tema FAI.
Dada a vasta literatura disponvel, selecionaram-se os trabalhos mais relevantes para o desen-
volvimento do mtodo proposto neste documento. A Reviso Bibliogrfica concluda com uma
tabela na qual se apresentam, de forma resumida, as principais caractersticas dos mtodos aqui
selecionados.

2.1 PRINCIPAIS CARACTERSTICAS DE UMA FAI

A principal caracterstica de uma FAI a baixa amplitude da corrente de falta, que


normalmente, da mesma ordem de grandeza da corrente provocada por outros fenmenos, tais
como energizao de cargas e chaveamento de banco de capacitores, o que dificulta os ajustes do
sistema de proteo por sobrecorrente (ADAMIAK et al., 2006). Alm dessa, outras caractersticas
so observadas durante o processo de formao de uma FAI, as quais so descritas a seguir.

Conforme Nakagomi (2006), um condutor eltrico ao se romper no mantm, inicialmente,


um contato eltrico firme ao tocar uma superfcie de alto valor resistivo. Esse contato, entre-
tanto, se intensifica medida que os eltrons livres do ar so acelerados pelo campo eltrico
formado entre o condutor e a superfcie. Quando um certo limiar de energia cintica alcan-
ado, as molculas neutras do ar so ionizadas, liberando novos eltrons livres. A repetio
do processo de colises sucessivas dos eltrons com molculas neutras, em um curto espao de
tempo (denominada de avalanche), torna o ar um condutor eltrico, originando os arcos eltri-
cos (Figura 2.1). Durante o estabelecimento do arco comum que ocorra um centelhamento, ou
seja, uma sequncia rpida de rompimentos momentneos do dieltrico. Alm do rompimento
do condutor propriamente dito, FAI podem ser provocadas por rvores que toquem os fios,
problemas em isoladores, ou qualquer outra forma de contato entre condutores energizados e

8
Captulo 2 Reviso Bibliogrfica 9

superfcies de alta impedncia.

Figura 2.1. Formao de uma FAI.

O arco eltrico pode ser definido como "uma descarga de eletricidade entre eletrodos em um
gs ou vapor (gerado a partir dos eletrodos), que apresenta uma queda de tenso prximo ao
ctodo, da ordem do potencial de excitao do vapor do eletrodo, na qual a corrente pode ter
praticamente qualquer valor superior a um valor mnimo, que de cerca de 100 mA"(GUILE,
1971). No estado da arte, arcos eltricos constituem um tema largamente estudado, entretanto,
segundo Jeerings & Linders (1989), a maioria dos estudos trata de arcos com altas intensidades
de corrente e dos mecanismos de extino de arco presentes em dispositivos de proteo. No
caso dos arcos provenientes de uma FAI, o conceito tradicional de arco deve ser alterado, visto
que a impedncia deste tipo de falta predominantemente resistiva, enquanto que a maioria
desses fenmenos produz arcos fortemente indutivos, como por exemplo nos arcos que ocorrem
no interior de disjuntores. Outra caracterstica importante diz respeito s superfcies de contato,
que pelo fato de serem no-homogneas, requerem modelo de impedncia que considere camadas
com diferentes resistividades. Essa considerao afeta diretamente a caracterstica no-linear
da falta.

Arcos em linhas de transmisso podem alcanar alguns metros de comprimento e a corrente


inicial, alguns milhares de ampres, podendo vaporizar o condutor e contribuir para a manu-
Captulo 2 Reviso Bibliogrfica 10

teno da baixa resistncia de arco. Por outro lado, uma FAI pode gerar arcos com poucos
centmetros e com correntes com pouco mais de uma centena de ampres. Em tais casos, os
baixos valores de correntes no conseguem vaporizar o condutor e manter o arco de forma
sustentada, provocando muitas vezes uma descontinuidade na corrente (JEERINGS; LINDERS,
1989).

A presena de arcos eltricos em FAI leva ao surgimento de algumas peculiaridades na forma


de onda da corrente, tais como: assimetria entre os semiciclos, distoro na forma de onda, cres-
cimento progressivo seguido de momentos de constncia na amplitude, alm de intermitncia.

Experimentos realizados por Emanuel et al. (1990), mostraram que a corrente proveniente de
um FAI assimtrica, sendo o semiciclo positivo maior em amplitude que o negativo. Segundo
os autores, esse comportamento independe da amplitude da corrente, do formato dos eletrodos e
do material utilizado em sua fabricao. Os fatores mais influentes so a porosidade, a umidade
da superfcie de contato e slica, normalmente, presente nas superfcies de contato. Quando
aquecida, a slica forma uma espcie de "mancha catdica"que emite eltrons, o que facilita o
rompimento do dieltrico quando o condutor est submetido a uma tenso positiva.

O desenvolvimento de um arco eltrico proveniente de uma FAI ilustrado de forma es-


quemtica na Figura 2.2. Quando o arco iniciado, a distribuio do campo eltrico no solo
alterada, causando um crescimento acentuado do campo eltrico entre o condutor e a superfcie
de contato. Fatores como emisso terminica, altos gradientes de campo e o fato da camada
condutora do solo ficar mais profunda no decorrer do tempo, fazem com que o arco avance
solo adentro. A conduo de corrente eltrica atravs da superfcie de contato acaba criando
fulguritos, que so estruturas tubulares rochosas decorrentes da vitrificao da slica presente
do solo.

Com a penetrao do arco na superfcie de contato, a rea ao seu redor comea a perder
umidade, forando sua extino. A partir desse estgio a umidade de outra rea do solo pode
difundir-se, provocando uma reignio do arco, ou outro ponto do condutor pode tocar o solo,
dando incio formao de um novo arco. Esse processo ocorre na fase inicial da falta, sendo
conhecido como intermitncia, o que provoca o surgimento de componentes de altas frequncias
nas tenses e correntes do local de falta (NAKAGOMI, 2006).

Em registros oscilogrficos de FAI comum se observar o crescimento da envoltria da


Captulo 2 Reviso Bibliogrfica 11

Tenso (V)

Tenso (V)
Profundidade (cm)
Profundidade (cm)

Tenso (V)
Tenso (V)

Profundidade (cm) Profundidade (cm)

Figura 2.2. Desenvolvimento do arco eltrico: (a) sem arco; (b) incio do arco; (c) arco no solo gerando
fulguritos; (d) processo de extino do arco.

corrente de falta. Esse comportamento conhecido como buildup e deve-se, principalmente,


acomodao fsica do cabo, ou seja, ao tempo que este leva para assentar-se completamente ao
solo, estabelecendo a resistncia de contato final da FAI. Normalmente, a corrente de falta pode
alternar o buildup com instantes de constncia por alguns ciclos, instantes esses denominados
shoulder (NAM et al., 2001).

Neste sentido, as caractersticas tipicamente encontradas nas correntes de FAI so as se-


guintes:

Assimetria: corrente de falta tem diferentes valores de pico para o semiciclo positivo e
negativo;

No linearidade: a curva caracterstica da tenso em funo da corrente no-linear;

Buildup: a amplitude da corrente de falta aumenta para o seu valor mximo gradualmente;

Shoulder : intervalos no buildup por alguns ciclos;


Captulo 2 Reviso Bibliogrfica 12

Intermitncia: alguns ciclos em que o fio energizado interrompe o contato com o solo.

Todas essas caractersticas so funes das condies geomtricas, espaciais, ambientais e


eltricas do sistema (KAUFMANN; PAGE, 1960). Como consequncia das variaes dessas condi-
es, inclusive durante a ocorrncia da FAI, o comportamento das grandezas eltricas envolvidas
neste distrbio possui uma componente aleatria importante. Esse fato requer uma compre-
enso melhor do fenmeno para que se possa ento, desenvolver um modelo mais fidedigno.
Para ilustrar, apresenta-se na Figura 2.3 uma oscilografia real de uma FAI. Conforme se v, as
caractersticas de no linearidade e assimetria ocorrem em todo o sinal, ao passo que o buildup
ocorre em torno de 0,55 segundos, o shoulder entre 0,3 e 0,4 segundos e a intermitncia, por
volta de 0,3 segundos.

Shoulder Buildup
Intermitncia

10
Tenso (kV)

-10
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
Tempo (s)
(a)
Corrente (A)

50
0
-50
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
Tempo (s)
(b)

No linearidade Assimetria

Figura 2.3. Oscilografia real de uma FAI: (a) tenso sem presena de afundamentos perceptveis; (b)
corrente de uma FAI com presena de suas principais caractersticas. (NAM et al., 2001)
Captulo 2 Reviso Bibliogrfica 13

2.2 MTODOS PARA DIAGNSTICO DE FAI

No contexto dos sistemas eltricos de potncia, o diagnstico de um distrbio constitui uma


etapa importante na busca pela melhoria da qualidade do servio, visto que um diagnstico
rpido e preciso permite a eliminao imediata do distrbio, desativando apenas a parte defei-
tuosa do sistema. Aps a eliminao, um estudo minucioso do distrbio fundamental para
prevenir novos problemas. Esse raciocnio tambm se aplica s FAI. Neste sentido, um resumo
do estudo dos principais mtodos de diagnstico propostos at o momento apresentado a
seguir.

2.2.1 Mtodos Baseados no Desequilbrio das Tenses

Dentre os mtodos pertencentes essa categoria, destaca-se o mtodo proposto por Malagodi
(1997), que baseou-se no fato de, aps o rompimento de um condutor, as tenses do alimentador
jusante do ponto de falta apresentarem desequilbrio significativo, o qual pode ser detectado
pelo monitoramento de seus componentes de sequncia negativa ou zero. Atravs de simulaes
computacionais, o autor observou que com a medida de desequilbrio de tenso possvel
detectar o rompimento do condutor.

A filosofia da proteo de rompimento de condutor requer a instalao de sensores em


pontos estratgicos do alimentador, acoplada a um sistema de comunicao de cada sensor
com o Centro de Operao da Distribuio (COD), de modo que atravs dos sinais enviados
pelos sensores, se possa localizar o defeito. Neste caso, o nvel de proteo do alimentador
depender da sua topologia e da quantidade de sensores instalados. O grande desafio deste tipo
de proteo a confiabilidade do processo de distino entre um rompimento de cabo com alta
impedncia e uma abertura monopolar de um equipamento de proteo montante do local de
rompimento de cabo.

Outro ponto a ser observado o fato qua as FAI podem ser provocadas pelo contato com
uma superfcie de alta impedncia, a exemplo de rvores. Em tais casos, no ocorre rompimento
de condutores e portanto, o desequilbrio das tenses reduzido.
Captulo 2 Reviso Bibliogrfica 14

2.2.2 Mtodos Baseados na Teoria das Ondas Viajantes

Os mtodos pertencentes a essa categoria baseiam-se na anlise das componentes de alta


frequncia do sinal e portanto, taxas de amostragem altas so requeridas. Como resultado, so
passveis de implementao apenas em registradores digitais de perturbaes (RDP).

Em Silva (1992), um mtodo baseado na reflexo e refrao dos impulsos eltricos de tenso
ou corrente no ponto de falta proposto. O tempo de trnsito dos sinais injetados no sistema ao
longo do alimentador analisado, permitindo a verificao de descontinuidades nos condutores
do SDEE. Detectado o rompimento do alimentador, considera-se a possibilidade de ocorrncia
de dois grupos de eventos distintos: abertura/fechamento de chaves ou ocorrncia de uma
falta, sendo essas ltimas de baixa ou alta impedncia. Portanto, para identificar uma falta,
Silva (1992) prope a criao de uma base de dados com as respostas esperadas aos impulsos
injetados no SDEE. Assim, aps comparar as medies com os padres disponveis na base de
dados, a distino das FAI com os outros eventos realizada.

O ponto principal desse mtodo a construo de uma base de dados, a qual construda
off-line. A modelagem do sistema que ir compor a base de dados feita conforme as leis de
propagao das ondas viajantes, de forma que os componentes do sistema so representados
pelas suas impedncias caractersticas e seus parmetros distribudos, resultando em tempos
de trnsito das ondas viajantes em cada componente.

O grande potencial desse mtodo a possibilidade de localizar o ponto de ocorrncia do


defeito. Considerando que a onda injetada viaja aproximadamente na velocidade da luz, as
distncias percorridas pelas ondas viajantes ao longo do alimentador partido podem ser esti-
madas. Assim, analisando a resposta no tempo do mtodo (diferena entre a resposta padro
e a resposta que indicou a falta) e calculando-se os instantes de emisso do impulso e de in-
cidncia das ondas refletidas na descontinuidade do alimentador, torna-se possvel calcular a
distncia entre o ponto do defeito e a subestao, sem, contudo, indicar o local exato da FAI
em virtude das ramificaes usualmente verificadas nas linhas de distribuio.

Outros mtodos baseados na teoria das ondas viajantes baseiam-se na propagao de ondas
transitrias originadas pelo prprio distrbio, sem requerer processamentos off-line nem gerao
de pulsos eltricos. Em Lopes et al. (2011), um mtodo para deteco e localizao de FAI
Captulo 2 Reviso Bibliogrfica 15

baseada no monitoramento de componentes de alta frequncia por meio da transformada de


Park (Tdq0) apresentado. O mtodo auto-adaptativo s condies operacionais do SDEE
e pode ser aplicado em tempo real. Em contrapartida, a localizao do defeito requer sistemas
especiais de aquisio de dados com taxas de amostragem na ordem de 100 kHz, o que torna o
mtodo dispendioso para implementao em campo. A deteco da FAI entretanto, pode ser
realizada utilizando taxas de amostragem tpicas de RDP, o que torna o mtodo apropriado
para o monitoramento de distrbios em SDEE trifsicos.

2.2.3 Mtodos Baseados na Transformada Wavelet (TW) e Redes Neurais Artificiais


(RNA)

Nesta categoria, crescente a quantidade de publicaes, dentre as quais selecionou-se os


trabalhos considerados aqui mais relevantes.

Yang et al. (2004) propuseram um mtodo para proteo de SDEE areos baseado na TW em
conjunto com uma RNA. A partir da extrao das caractersticas dos sinais de tenso e corrente
da FAI via TW ortonormal, o mtodo realiza as etapas de deteco e classificao. O mtodo
foi avaliado utilizando uma frequncia de amostragem de 3.840 Hz (ou seja, 64 amostras/ciclo),
portanto, passvel de implementao em rels digitais e RDP. Visando tornar o mtodo mais
robusto, foram simulados, alm das FAI, chaveamentos de cargas e de bancos de capacitores
para treinamento da RNA. No mtodo, o valor do coeficiente wavelet de detalhe da 1a escala
referente ao instante inicial da falta, foi dividido em cada caso pelo valor do coeficiente wavelet
de detalhe em regime permanente, obtendo-se assim, o coeficiente de variao de cada corrente e
tenso. Esses parmetros foram considerados como as entradas da RNA treinada com o mtodo
backpropagation. O uso de uma RNA composta por seis entradas e trs sadas foi proposto. A
primeira sada indica a ocorrncia (ou no) de falta, a segunda sada indica a ocorrncia (ou
no) de um chaveamento ou de uma falta e a ltima sada, a fase de ocorrncia da falta. O
desempenho do mtodo foi avaliado com 600 registros simulados (500 para o treinamento e 100
para o teste), resultando em uma taxa de acerto entre 98% e 100%.

Sedighi et al. (2005) propuseram um mtodo que combina a TW com tcnicas estatsticas.
Os autores utilizaram como sinal de anlise a corrente no incio do alimentador. O mtodo
Captulo 2 Reviso Bibliogrfica 16

possui trs etapas bsicas: coleta de dados, pr-processamento e classificao do evento. Dados
reais foram obtidos aps simulaes em campo de FAI em um sistema-teste composto de um
alimentador radial sem cargas instaladas, com tenso de 20 kV e comprimento de 19,5 km.
As FAI foram aplicadas a cerca de 8,5 km de distncia da fonte. As correntes no incio do
alimentador foram registradas utilizando-se um transformador de corrente conectado a um
registrador com frequncia de amostragem de 24,67 kHz.

Foram realizados testes em sete tipos de superfcie (asfalto, cimento, solos molhados ou secos
e em uma rvore) e em duas localizaes diferentes: 8.209 m e 8.446 m de distncia do incio do
alimentador. Nas anlises iniciais, as formas de onda apresentaram-se distorcidas, antes mesmo,
da aplicao das FAI, fato este justificado pela ocorrncia de correntes de fuga nos isoladores
originadas devido s caractersticas do local do teste: uma ilha, com muita umidade e isoladores
cobertos de sal. Para evitar uma operao indevida dos rels, o mtodo foi programado para
distinguir FAI de correntes de fuga nos isoladores, incluindo esse tipo de corrente como sendo
uma nova classe de distrbio a ser analisada. Registros com sinais transitrios provenientes de
chaveamentos de capacitores, cargas e transformadores, alm de faltas de baixa impedncia,
foram obtidos por simulao usando o programa EMTP. Os registros gerados foram includos
na etapa de diagnstico.

Os autores utilizaram 120 registros, os quais foram analisados e classificados nas seguintes
classes: FAI, corrente de fuga em isoladores ou transitrios comuns. Inicialmente, executou-se
uma etapa de pr-processamento off-line dos dados coletados, na qual se realizou a extrao
e a seleo das caractersticas mais relevantes de cada classe. A extrao das caractersticas
foi realizada a partir de transformaes e combinaes das amostras de entrada (medies)
originais, de forma a transformar conjuntos de medies em conjuntos de caractersticas. Essa
operao foi realizada via TW com a wavelet me Reverse Biorthogonal (rbior3.1), tomando-se
os coeficientes de detalhe da corrente da 1a e da 2a escala.

Devido ao grande nmero de caractersticas observadas nos registros avaliados, utilizou-se o


mtodo de Anlise de Componente Principal (ACP) para minimizar a complexidade computa-
cional do mtodo. A etapa final de classificao do evento foi realizada via Classificador Bayes
(ClBayes), usando metade dos dados de cada classe para o treinamento do mtodo e a outra
metade para o teste. Ao final, obteve-se uma taxa de acerto de 96,7%. Mesmo com esse bom
Captulo 2 Reviso Bibliogrfica 17

desempenho, o mtodo utiliza ferramentas matemticas sofisticadas, sendo portanto, de difcil


implementao em tempo real.

Lazkano et al. (2000) propuseram um mtodo para deteco de FAI baseado na extino e
reignio do arco eltrico. O mtodo usa a TW para decompor o sinal da corrente de neutro
no incio do alimentador utilizando a wavelet db4 e decomposio at a 4a escala. O processo
de deteco dos arcos foi realizado atravs do uso de critrios obtidos da anlise tempo versus
frequncia dos sinais. Os dados utilizados foram provenientes de simulaes em um sistema
teste de 20 kV, considerando-se diferentes tipos de superfcies e situaes climticas. Para
avaliar a etapa de deteco, o mtodo foi aplicado s correntes de neutro das simulaes reali-
zadas. Observou-se que, para os casos de correntes de falta acima de 2 A, 100% das FAI foram
detectadas com sucesso. Em testes considerando situao de operao normal, nenhum caso
de falso alarme foi verificado, resultando em uma taxa de acerto de aproximadamente 99,5%.
Por usar diretamente as informaes de alta frequncia advindas da TW, este mtodo pode
ser influenciado por transitrios comuns no alimentador. Alm disso, esse mtodo s realiza a
deteco da FAI, no sendo aplicado na sua localizao.

Mokhtari & Aghatehrani (2005) propuseram um mtodo para deteco de FAI baseado na
TW e RNA. O mtodo composto de duas etapas: extrao de caractersticas (via TW usando
a wavelet me db4) e deteco (via RNA de trs camadas). Devido s similaridades entre FAI
e chaveamentos transitrios, o mtodo foi desenvolvido para ser capaz de diferenciar as duas
categorias. Foram feitas simulaes no programa PSCAD/EMTDC de um sistema de 20 kV e
20 km, sendo as correntes no incio do alimentador as variveis de anlise. Foram utilizados:
110 simulaes de FAI e transitrios de chaveamento na etapa de treinamento, 3200 simulaes
de FAI, 2000 simulaes de chaveamento de capacitores e 1700 simulaes de chaveamentos de
cargas na etapa de teste. Ao final, o mtodo mostrou um bom desempenho, no entanto, por
se basear em RNA, esse mtodo no muito indicado para sistemas que podem apresentar
configuraes diferentes, visto que seriam necessrios novos treinamentos.

Recentemente, Costa et al. (2011) avaliaram as caractersticas de FAI reais, ensaiadas em


diversas superfcies de contato, em um SDEE brasileiro. As anlises foram feitas nos domnios
do tempo e wavelet, sendo comprovada que as caractersticas das FAI dependem da superfcie de
contato e das condies ambientais (superfcies secas ou molhadas). Com base nas informaes
Captulo 2 Reviso Bibliogrfica 18

extradas no domnio wavelet, um mtodo para deteco de FAI foi proposto, no qual uma
FAI detectada quando pelo menos uma das energias janeladas dos coeficientes wavelet (nas
trs primeiras escalas) referentes s correntes de fase apresenta um aumento brusco. De fato,
no regime permanente, essas energias apresentam valores aproximadamente constantes, o que
permite deteces bastante precisas de FAI atravs de variaes rpidas das energias. A wavelet
me utilizada foi a db4.

Aps a deteco, a FAI separada dos demais eventos (classificada), por meio da anlise
das energias dos coeficientes wavelet de detalhe e de aproximao. O comportamento das
energias dos coeficientes wavelet dos demais eventos, tais como faltas e transitrios devidos ao
chaveamento de cargas, foi avaliado. Bons resultados foram obtidos na deteco de FAI, porm
o mtodo apresentou um baixo rendimento na deteco de FAI ocorridas em asfalto seco e brita
seca. De acordo com os autores, esse tipo de falta no apresentou a formao visvel do arco
eltrico nos ensaios, o que dificultou a visualizao e extrao das caractersticas de FAI nos
domnios do tempo e wavelet. Mesmo assim, trata-se de um mtodo passvel de implementao
em tempo real.

2.3 FAI NO CONTEXTO DAS REDES INTELIGENTES

Nos ltimos anos, o conceito de redes inteligentes se popularizou bastante, motivando os


pesquisadores para o desenvolvimento de tcnicas inteligentes tanto para os sistemas de trans-
misso quanto de distribuio de energia eltrica. Com o avano da tecnologia nos campos da
computao, do controle e das comunicaes, a expectativa de que em um futuro prximo,
todos os equipamentos eltricos sejam supervisionados e interconectados, o que permitir o
monitoramento dos sistemas de transmisso, distribuio e dos centros consumidores em tempo
real.

Dentre as principais caractersticas das redes inteligentes, destacam-se aqui a possibilidade


de deteco e a localizao automtica de distrbios, o que permitir a reconfigurao do
alimentador e a consequente redistribuio do fluxo de potncia a partir da realizao de diag-
nsticos em tempo real. Esse procedimento reduzir significantemente o tempo de reparo do
sistema, o que resultar em melhoria dos ndices de continuidade do sistema sero melhorados.
Captulo 2 Reviso Bibliogrfica 19

No mbito das FAI, essa tendncia se mantm e a expectativa o desenvolvimento de tcnicas


aplicveis em tempo real, capazes de aliar simplicidade computacional com eficincia e que
sejam auto-adaptveis s diferentes configuraes do sistema (MILIOUDIS et al., 2012, 2015).

Visando distinguir o SDEE tradicional de redes inteligentes, apresenta-se na Tabela 2.1 um


resumo das principais caractersticas de cada um deles.

Tabela 2.1. Comparao entre os SDEE atuais e redes inteligentes.


Sistema
Caractersticas
Atual Smart Grids
Rels de Proteo Eletromecnicos Digitais
Comunicao Sentido nico Sentido Duplo
No de sensores Poucos Muitos
Pontos monitorados Poucos Muitos
Restabelecimento do sistema Manual Automtico

2.4 SNTESE BIBLIOGRFICA

Concluda a anlise da bibliografia especializada, construiu-se a Tabela 2.2, na qual apresentam-


se as principais caractersticas de cada mtodo. Nessa tabela, incluiu-se o mtodo proposto neste
documento, o qual baseia-se no clculo das energias dos coeficientes wavelet de detalhe e de
aproximao da TWD. O mtodo distingue uma FAI de outros distrbios como faltas de baixa
impedncia, chaveamento de linhas e de bancos de capacitores, alm de estimar sua localizao.
Ao final, constatou-se que:

Os mtodos propostos por Silva (1992), Sedighi et al. (2005), Mokhtari & Aghatehrani
(2005) no se aplicam em tempo real, visto que baseiam-se na comparao de medies
realizadas em campo com padres pr-estabelecidos, disponveis em bases de dados cons-
trudas off-line. Essa caracterstica no condiz com a filosofia de redes inteligentes, nas
quais podem haver reconfiguraes automticas do sistema e o monitoramento deve ser
realizado on-line.

Os mtodos propostos por Malagodi (1997), Lopes et al. (2011), Lazkano et al. (2000),
Costa et al. (2011) divergem basicamente nos sinais monitorados e nas respectivas funda-
mentaes tericas, podendo serem implementados em tempo real. Os mtodos propostos
Captulo 2 Reviso Bibliogrfica 20

por Lopes et al. (2011) e Costa et al. (2011) se baseiam na anlise das componentes de alta
frequncia geradas pelas FAI, o que requer uma taxa de amostragem elevada. Embora
RDP com taxas de amostragem da ordem de 5 MHz j estejam disponveis no mercado,
sabe-se que taxas de 256 amostras/ciclo (tpicas de RDP convencionais) so suficientes
para a deteco de uma FAI. Portanto, conclui-se que os mtodos propostos por Malagodi
(1997), Lopes et al. (2011), Lazkano et al. (2000), Costa et al. (2011) podem ser utilizados
em redes inteligentes.

A tendncia atual no campo de deteco de FAI o desenvolvimento de mtodos que


possam ser aplicados em tempo real, no necessitem de procedimentos off-line e sejam
programados com rotinas de fcil implementao computacional. Desta forma, os resulta-
dos apresentados neste documento podem colaborar para o desenvolvimento de pesquisas
que envolvam deteco FAI, servindo como base para a implementao de novos mtodos
aplicveis s redes inteligentes.
Captulo 2 Reviso Bibliogrfica
Tabela 2.2. Comparao entre os mtodos.
Mtodos
Modelos Malagodi Silva Lopes Yang Sedighi Lazkano Mokhtari Costa Mtodo
(1997) (1992) et al. et al. et al. et al. Aghatehrani et al. Proposto
(2011) (2004) (2005) (2000) (2005) (2011)
Tcnicas Deseq. de Resp. ao TW+ TW+ TW+
empregadas tenses impulso Tdq0 RNA ACP+ TW RNA TW TW
ClBayes
Uso em tempo
X - X - - X - X X
real
Distingue FAI
de outros - X - X X - X - X
distrbios
Requer
parmetros do - - - X X - X - -
alimentador
Requer
procedimentos - X - X X - X - -
off-line
Requer mais
um ponto de X - X - - - - - X
observao
Taxa de
- - 100 kHz 3,84 kHz 24,67 kHz 6,4 kHz 4 kHz 15,35 kHz 15,35 kHz
amostragem
Sinais Impulso Tenses e Tenses e Corrente Tenses e Tenses e
Tenses Correntes Corrente
monitorados de tenses correntes correntes de neutro correntes correntes
e correntes

21
CAPTULO 3

MODELO DE FAI PROPOSTO POR SANTOS (2011)

De modo geral, a concepo de mtodos para diagnstico de FAI requer o uso de sinais simu-
lados, uma vez que a execuo da etapa de testes e validao em um alimentador em operao
pode provocar desligamento no-programado e consequentemente, danos financeiros tanto
concessionria, quanto aos consumidores. Na prtica, a gerao dos sinais simulados feita
atravs do uso de um modelo representativo do fenmeno e quanto mais prximo o modelo do
fenmeno real, mais confivel ser o diagnstico. A construo do modelo representativo do
fenmeno constitui uma etapa crucial no desenvolvimento dos mtodos de diagnstico.

A construo do mtodo de diagnstico proposto neste trabalho utilizou um modelo, que


constitui um aprimoramento do modelo proposto pelo autor deste trabalho em sua Dissertao
de Mestrado (SANTOS, 2011). Um resumo do processo de construo do modelo de Santos
(2011) apresentado a seguir.

3.1 ENSAIOS DE CAMPO

A construo do modelo de FAI concebido por Santos (2011) foi feita a partir do estudo do
comportamento de sinais reais de FAI, os quais foram obtidos de ensaios de campo realizados
em uma fazenda localizada a cerca de 15 km da subestao da cidade de Boa Vista, PB. A
escolha do local e do alimentador foi feita visando minimizar a ocorrncia de acidentes e garantir
espao suficiente para montar o experimento e abrigar a equipe com segurana. Com o auxlio
de um programa de gerenciamento pertencente concessionria de energia local, foi possvel
obter os nveis de curtos-circuitos slidos na regio onde o ensaio foi realizado, os quais seriam
da ordem de 475, 410 e 404 ampres para curtos-circuitos trifsicos, bifsicos e monofsicos,
respectivamente. A realizao dos ensaios foi feita usando a estrutura mostrada na Figura 3.1
e descrita de forma sucinta a seguir.

22
Captulo 3 Modelo de FAI Proposto por Santos (2011) 23

Figura 3.1. Estrutura montada em uma fazenda na cidade de Boa Vista - PB composta por diferentes
superfcies de contato e um poste onde foram instalados TC e TP.

Foram usados:

Sete tipos de superfcies de contato (secas e molhadas), constitudas de pequenas reas


dispostas paralelamente e revestidas de grama, calamento, brita, asfalto, areia, solo local
e rvore;

Um poste de transio de dois metros de altura instalado prximo s superfcies de con-


tato, visando diminuir os esforos mecnicos no condutor vindo do poste da concessionria
j existente na propriedade. Nele, foram instalados um transformador de potencial (TP)
e um transformador de corrente (TC) para captura dos sinais de tenso e corrente pro-
duzidos pelas FAI;

Escada e vara de manobra para instalao e substituio de possveis elos fusveis danifi-
cados durante os ensaios;

Um cabo energizado em 13,8 kV vindo do poste da concessionria e conectado a um dos


isoladores fixados no poste de transio. A extremidade do cabo foi conectada a um
isolador em srie com uma vara de manobra, a ser manobrada por um tcnico de linha
viva da concessionria;
Captulo 3 Modelo de FAI Proposto por Santos (2011) 24

Uma plataforma isolante (andaime) para o tcnico manobrar o cabo energizado;

Um elo fusvel instalado no poste da concessionria, do qual se derivou a fase submetida


ao curto, visando proteo do sistema eltrico conectado ao ramal;

Trs pontos de medio: o primeiro no local da falta; o segundo e terceiro, a cerca de um


e onze quilmetros de distncia montante da falta, respectivamente. O uso de mais de
um ponto de medio teve como objetivo avaliar o nvel de perturbao provocado por
uma FAI ao longo do alimentador;

Dois registradores digitais de perturbao (RDP) para realizao das medies: um RDP
no local da falta (Figura 3.1) e outro nos pontos montante do local da falta. Ao fi-
nal, cada ensaio foi medido simultaneamente em dois locais distintos. Adotou-se disparo
manual dos RDP com 30 segundos de monitorao, visto que normalmente, as FAI no
sensibilizam os parmetros monitorados pelos RDP e no havia disponibilidade de comu-
nicao entre os aparelhos.

Os testes foram realizados entre os dias 27 e 29 de maio de 2010 e conforme procedimento


apresentado a seguir. Ilustraes dos registros oscilogrficos das correntes de FAI so mostrados
nas Figuras 3.2 e 3.3. Observa-se que as correntes em terrenos molhados alcanaram valores
mais elevados do que em terrenos secos. Ou seja, quanto mais mido o terreno, maior a
possibilidade da proteo por sobrecorrente conseguir detectar a falta.

Procedimento para aplicao de FAI:

1. Isolao e sinalizao da rea do ensaio com fitas e cones, visando evitar o trnsito de
pessoas e animais no momento da FAI;

2. Instalao e configurao dos RDP;

3. Escolha da superfcie de contato;

4. Preparao do andaime e do tcnico de linha viva;

5. Comunicao entre as equipes do instante de incio do teste atravs de sinal de rdio;

6. Fechamento do elo fusvel de proteo;


Captulo 3 Modelo de FAI Proposto por Santos (2011) 25

7. Disparo no RDP local;

8. Aproximao e contato do condutor energizado com a superfcie;

9. Permanncia de 20 segundos da FAI e posterior afastamento do condutor do solo;

10. Comunicao entre os membros da equipe do final do teste atravs de sinal de rdio;

11. Anlise visual do registro oscilogrfico;

12. Troca do elo fusvel, se necessrio;

13. Repetio dos passos 6 a 13, por pelo menos quatro vezes para cada superfcie;

14. Repetio dos passos 1 a 14 para cada uma das superfcies.


Corrente (A)

10
0
-10
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Tempo (s)
(a)
Corrente (A)

1
0
-1
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Tempo (s)
(b)
Corrente (A)

0,5
0
-0,5
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Tempo (s)
(c)
Corrente (A)

5
0
-5
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Tempo (s)
(d)
Corrente (A)

50
0
-50
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Tempo (s)
(e)
Corrente (A)

0,5
0
-0,5
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Tempo (s)
(f)

Figura 3.2. Correntes de FAI em terrenos secos: (a) areia; (b) asfalto; (c) brita; (d) calamento; (e)
grama; (f) solo local.
Captulo 3 Modelo de FAI Proposto por Santos (2011) 26

Corrente (A)
100
0
-100
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Tempo (s)
(a)
Corrente (A)

5
0
-5
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Tempo (s)
(b)
Corrente (A)

50
0
-50
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Tempo (s)
(c)
Corrente (A)

20
0
-20
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Tempo (s)
(d)
Corrente (A)

100
0
-100
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Tempo (s)
(e)
Corrente (A)

50
0
-50
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Tempo (s)
(f)

Figura 3.3. Correntes de FAI em terrenos molhados: (a) areia; (b) asfalto; (c) brita; (d) calamento;
(e) grama; (f) solo local.

Cada superfcie foi testada em condies secas e molhadas, resultando em um total de


129 testes (Tabelas 3.1 e 3.2). Devido a dificuldades operacionais, os ensaios na superfcie
"rvore"no foram realizados. Ao final, observaram-se os seguintes fatos:

As superfcies "asfalto", "brita"e "solo local"secas produziram arcos imperceptveis, de


modo que o tempo limite de gravao do RDP foi alcanado sem rompimento do elo
fusvel;

As superfcies "areia"e "calamento"secas produziram arcos eltricos fracos;

A superfcie "grama"seca produziu arcos eltricos fortes, o que resultou na atuao do elo
fusvel;
Captulo 3 Modelo de FAI Proposto por Santos (2011) 27

As superfcies "solo local"e "grama"molhadas produziram arcos eltricos fortes, o que


resultou na atuao do elo fusvel;

As superfcies "areia"e "brita"molhadas produziram arcos eltricos perceptveis, de modo


que em alguns casos, o elo de proteo se fundiu;

As superfcies "asfalto"e "calamento"molhados produziram, em alguns casos, arcos el-


tricos fracos, sem rompimento do elemento fusvel.

Tabela 3.1. Nmero de testes de FAI realizados (SANTOS, 2011).


Nmero de ensaios
Superfcie de contato
Ponto remoto (1 km) Ponto remoto (11 km)
Seca 5 5
Grama
Molhada 5 5
Seco 5 5
Calamento
Molhado 5 8
Seca 5 5
Brita
Molhada 5 5
Seco 5 5
Asfalto
Molhado 5 7
Seca 4 6
Areia
Molhada 5 4
Seca 5 9
Solo local
Molhada 5 6

Tabela 3.2. Nveis das correntes de falta (SANTOS, 2011).


Superfcie de contato Corrente (A)
Seca < 60
Grama
Molhada < 90
Seco < 10
Calamento
Molhado < 20
Seca -
Brita
Molhada < 50
Seco -
Asfalto
Molhado < 20
Seca < 10
Areia
Molhada < 50
Seca -
Solo local
Molhada < 60
Captulo 3 Modelo de FAI Proposto por Santos (2011) 28

3.2 MODELAGEM DO SISTEMA DE DISTRIBUIO

Para simular a FAI, a empresa forneceu os dados georreferenciados do alimentador, assim


como, as cargas distribudas ao longo dos transformadores. A modelagem do sistema foi feita,
considerando:

Linhas trifsicas no transpostas a parmetros distribudos e constantes com a frequncia;

Trechos compostos por um nico tipo de cabo: cabo 4 AWG;

Cargas de pontos prximos ao longo do alimentador, agrupadas em uma nica barra,


resultando em um alimentador com 90 barras (Apndice A - Figura A.1);

Fator skin para os cabos de 0,33;

Resistividade da terra de 350 m;

Modelo de impedncia constante para as cargas;

Cargas modeladas como circuitos RL paralelos, conectados entre cada fase de cada barra
e a terra;

Fator de potncia mdio de 0,955;

Configurao do alimentador para obteno dos parmetros, conforme Apndice A.

3.3 MODELO DE FAI PROPOSTO POR SANTOS (2011)

O modelo de Santos (2011) baseou-se nos modelos propostos por Nam et al. (2001) e Wai
& Yibin (1998), e utiliza duas resistncias variantes no tempo (RVT), em srie e controladas
por TACS no ATP; uma chave simples controlada por TACS (CSCT), que foi acrescida de
forma a dar incio falta e simular a descontinuidade da corrente de falta; uma chave comum
ligada a jusante do ponto de falta, para simular o rompimento do condutor. Ao final, o modelo,
que simula as caractersticas de no-linearidade, assimetria, buildup, shoulder e intermitncia,
ilustrado na Figura 3.4.
Captulo 3 Modelo de FAI Proposto por Santos (2011) 29

Alimentador
Chave comum
Subestao
CSCT ...
Ponto de falta Cargas

R1(t)
RVTs
R2(t)

Figura 3.4. Modelo utilizado para simular a FAI.

O ajuste dos parmetros do modelo foi feito usando formas de onda reais das tenses e
correntes obtidas no local de aplicao de falta dos ensaios de campo. Dentre as oscilografias
obtidas nos ensaios em cada solo, apenas uma foi escolhida como referncia para ser usada na
parametrizao do modelo computacional daquela superfcie de contato.

O funcionamento da chave CSCT baseou-se em observaes das oscilografias dos ensaios


de FAI. Constatou-se que nos casos em que ocorria intermitncia da corrente de falta, o arco
eltrico costumava cessar no zero da tenso e aps alguns ciclos, sua reignio ocorria prxima a
um pico de tenso. Uma rotina na linguagem MODELS foi elaborada no sentido de simular esse
comportamento, sendo possvel configurar o nmero de ciclos at a reignio do arco eltrico.

Durante os ensaios de FAI, observou-se que a ocorrncia de intermitncia predominou para


dois tipos de solo: terra local e brita. Esse fato se explica pela caracterstica prpria da consti-
tuio de ambas as superfcies. A presena de partculas slidas maiores, quando comparadas s
encontradas nos outros solos, faz com que haja uma menor densidade dessas superfcies. O arco
se forma por meio da umidade existente na dada superfcie, se extinguindo por alguns ciclos
devido s altas temperaturas que secam a rea de contato, eliminando o caminho condutor com
a terra. A reignio dada quando o condutor encontra outro ponto de contato suficientemente
mido para a formao do arco, ou quando a umidade em volta do primeiro ponto de contato
do condutor se difunde, voltando a umedecer a regio.

Na Figura 3.5 apresenta-se um registro oscilogrfico, colhido durante os ensaios de FAI


realizados, no qual possvel observar que o arco se estabelece durante a passagem por um pico
de tenso e depois se extingue na passagem pelo zero de tenso. Neste sentido, a anlise da
variao do ngulo de incidncia neste tipo de falta se mostra desnecessria.
Captulo 3 Modelo de FAI Proposto por Santos (2011) 30

2
Tenso (pu)

-2
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
Tempo (s)

50
Corrente (A)

-50
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
Tempo (s)

Figura 3.5. Detalhamento da intermitncia observada em correntes de FAI.

No modelo, os valores de R1 foram ajustados considerando apenas valores correspondentes


a um ciclo do regime permanente na condio de FAI. A escolha do ciclo foi feita a partir do
momento que no houve mais variaes considerveis das amplitudes dos ciclos subsequentes
(NAM et al., 2001), ou seja, no regime permanente de falta (RPF). Alm disso, para simplificar a
implementao do modelo no ATP, apenas 32 amostras do ciclo selecionado foram consideradas
(Figura 3.6). A resistncia R1 simula as caractersticas de no-linearidade e assimetria entre os
semiciclos da corrente de falta, as quais ocorrem durante todo o perodo de falta.

A corrente correspondente a uma tenso no intervalo de falta foi calculada da seguinte forma
(NAM et al., 2001).

in+1 in
in + v, se vn < v(t) < vn+1


vn+1 vn
i(t) = , (3.1)

i , se v(t) = v

n n

sendo: v(t) a tenso no alimentador no ponto de falta; v = v(t) vn ; vn e in tenso e corrente


da curva caracterstica na amostra n, respectivamente.
Captulo 3 Modelo de FAI Proposto por Santos (2011) 31

1 1

0.5 0.5

Tenso (pu)
Tenso (pu)

0 0

-0.5 -0.5
Curva ascendente Curva ascendente
Curva descendente Curva descendente
-1 -1
-10 -5 0 5 10 -10 -5 0 5 10
Corrente (A) Corrente (A)
(a) (b)

1 1

0.5 0.5
Tenso (pu)

0 Tenso (pu) 0

-0.5 -0.5
Curva ascendente Curva ascendente
Curva descendente
Curva descendente
-1
-40 -20 0 20 40 -1
-20 -10 0 10 20
Corrente (A)
(c ) Corrente (A)
(d)

1 1

0.5 0.5
Tenso (pu)
Tenso (pu)

0 0

-0.5 -0.5
Curva ascendente Curva ascendente
Curva descendente Curva descendente
-1 -1
-100 -50 0 50 100 -100 -50 0 50 100
Corrente (A) Corrente (A)
(e) (f)

Figura 3.6. Curva v x i correspondente a um ciclo do regime permanente de uma FAI:(a) areia; (b)
asfalto; (c) brita; (d) calamento; (e) grama; (f) terra local.

Conforme mostrado na Figura 3.6, cada valor de tenso tem dois valores correspondentes
de corrente. Para que a escolha dos valores a serem usados na Equao 3.3 se desse de forma
correta, a curva total foi dividida em duas partes: uma correspondente ao crescimento da tenso
e corrente (ascendente) e outra sua diminuio (descendente). O algoritmo implementado em
Captulo 3 Modelo de FAI Proposto por Santos (2011) 32

linguagem MODELS distingue a curva correta a ser usada por meio do clculo da derivada da
tenso no ponto de aplicao da falta. Caso a derivada seja positiva, a curva a ser usada ser
a ascendente, caso contrrio, a curva descendente.

A resistncia R1 (razo entre a tenso e a corrente em um ciclo do regime permanente na


condio de uma FAI) foi estimada como segue (NAM et al., 2001).

v(t) v(t)
R1 (t) = = (3.2)
i(t) in+1 in
in + (v(t) vn )
vn+1 vn
Como os fenmenos de buildup e shoulder esto relacionados com a variao da amplitude
da corrente de falta, a resistncia R2 foi calculada considerando apenas os mximos valores
absolutos da tenso e corrente. Segundo Uriarte (2003), podem-se considerar duas curvas para
simular as caractersticas relacionadas com a amplitude da corrente de FAI em seus primeiros ci-
clos (Figura 3.7). A primeira curva, alm de considerar o buildup, tambm leva em considerao
intervalos de constncia no crescimento da corrente (shoulder ). Santos (2011) utilizou uma fun-
o polinomial para aproximao dos pontos obtidos nos ensaios, simulando consequentemente,
a caracterstica de shoulder.
2000
Com shoulder
Sem shoulder
1500
Resistncia (Ohm)

1000

500

0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
Tempo (s)

Figura 3.7. Resistncia R2 em funo do tempo: (a) considerando-se shoulder ; (b) desconsiderando-se
shoulder (URIARTE, 2003).

Considerando-se k o instante em que a tenso e a corrente alcanam seus valores mximos,


no k -simo semiciclo, o processo de clculo de R2 no calamento ilustrado na Figura 3.8 e
descrito a seguir.

Dividindo-se os valores de v(k ) por i(k ) obtm-se o comportamento da resistncia total


Captulo 3 Modelo de FAI Proposto por Santos (2011) 33

R(k ), que a soma de R1 (k ) e R2 (k ). Nas FAI, as correntes tm caractersticas predominan-


temente resistivas, podendo ser consideradas em fase com as tenses (NAM et al., 2001).

Assumindo que as caractersticas de no-linearidade e assimetria da corrente de falta so as


mesmas em todos os ciclos, pode-se considerar R1 (k ) aproximadamente constante para todo o
restante dos ciclos no perodo de falta. Subtraindo-se R1 (k ) de R(k ), obtm-se R2 (k ).

Para considerar os efeitos de buildup e shoulder na resistncia R2 (k ), Santos (2011) realizou


uma regresso polinomial de acordo com o seguinte modelo

an tn + an1 tn1 + + a1 t + a0 , se t

/ RP F
R2 (t) = , (3.3)
10 , se t RP F
5

no qual n o grau da funo e os parmetros ak so determinados levando-se em considerao


o mtodo dos mnimos quadrados.
15
Tenso (kV)

10

0
0 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30
Tempo (s)
(a)
30
Corrente (A)

20

10

0
0 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30
Tempo (s)
(b)
R(k)
2000
Resistncia (Ohm)

R1(k)
1500
R2(k)
1000 R2(t) estimado

500

0
0 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30
Tempo (s)
(c)

Figura 3.8. Processo de clculo de R2 no calamento: (a) Valor absoluto da tenso referente FAI;
(b) Valor absoluto da corrente referente FAI; (c) Valor da resistncia em relao ao tempo.
Captulo 3 Modelo de FAI Proposto por Santos (2011) 34

Durante as simulaes, aps o perodo que a corrente tem variaes significativas em sua
amplitude, a equao que rege o comportamento da resistncia R2 substituda por um valor
constante prximo a zero, permitindo, desse modo, que apenas R1 tenha influncia no RPF.

Para se ter um parmetro da aproximao proporcionada pelas equaes de R2 (t) frente


aos pontos medidos R2 (k ) foi escolhido o coeficiente de determinao R2 . Esse coeficiente
normalmente empregado em situaes prticas como as apresentadas neste caso, uma vez que
possibilita anlises mais confiveis que possveis inspees visuais realizadas nos grficos de
resistncia (The Mathworks, 2007).

O coeficiente de determinao R2 uma medida da capacidade que um modelo ajustado para


um conjunto de parmetros possui em representar um determinado conjunto de dados (LIRA,
2008). Ele definido como sendo 1 (um) menos a razo entre a soma quadrtica dos erros entre
sinais medidos e calculados (SSE) e a soma dos erros quadrticos com relao mdia do sinal
medido (SST), de acordo com as seguintes equaes (The Mathworks, 2007; SPIEGEL et al., 2001):

m
X
SSE = [rmed (j) rest (j)]2 , (3.4)
j=1

m
X
SST = [rmed (j) r med (j)]2 , (3.5)
j=1

SSE
R2 = 1 , (3.6)
SST
em que, rmed (j) e rest (j) so os valores medidos e estimados das resistncias, respectivamente;
m o nmero de amostras; e rmed o valor mdio das resistncias medidas.

Se SSE for pequeno, ou seja, os valores da resistncia estimados pela funo polinomial forem
prximos dos valores de resistncia medidos, o coeficiente de determinao R2 se aproximar
de 1 (um), indicando, portanto, uma boa concordncia entre as formas de onda dos sinais de
resistncia estimados e medidos (LIRA, 2008).

Na Tabela 3.3 so apresentados os parmetros das funes polinomiais que devem estimar os
valores das resistncias medidos para cada tipo de solo. Foram utilizadas funes de at oitavo
grau. Alm dos parmetros, o coeficiente de determinao R2 apresentado para possibilitar
Captulo 3 Modelo de FAI Proposto por Santos (2011) 35

a verificao da qualidade dos ajustes realizados. Na Figura 3.9 so apresentadas as formas de


onda das funes polinomiais encontradas para cada tipo de superfcie de contato.

2000 15000
R2(k) R2(k)

Resistncia (Ohm)
Resistncia (Ohm)
1500 R2(t) estimado 10000 R2(t) estimado

1000
5000
500

0 0
0 0,05 0,10 0,15 0,20 0 0,05 0,10 0,15 0,20
Tempo (s) Tempo (s)
(a) (b)
1500 1500
R2(k) R2(k)

Resistncia (Ohm)
Resistncia (Ohm)

1000 R2(t) estimado 1000 R2(t) estimado

500 500

0 0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0 0,1 0,2 0,3
Tempo (s) Tempo (s)
(c) (d)

250 600
R2(k) R2(k)
Resistncia (Ohm)
Resistncia (Ohm)

200
R2(t) estimado 400 R2(t) estimado
150

100 200

50

0 0
0 0,05 0,10 0,15 0,20 0 0,1 0,2 0,3
Tempo (s) Tempo (s)
(e) (f)

Figura 3.9. Curva correspondente funo polinomial estimada para a resistncia R2 : (a) areia; (b)
asfalto; (c) brita; (d) calamento; (e) grama; (f) terra local.

Todo o processo de modelagem foi feito para os seis tipos de superfcies, dos quais, se tinham
dados reais obtidos nos ensaios de campo (grama, calamento, asfalto, areia, brita e terra local).
As caractersticas de buildup, shoulder, no-linearidade, assimetria e intermitncia da corrente
de falta foram consideradas nas simulaes. Na Figura 3.10 est ilustrada a tenso e corrente
de uma FAI simulada considerando-se os dados obtidos nos ensaios em terra local.

Quanto maior for a abrangncia de caractersticas de modelos simulados frente aos fen-
menos ocorridos no sistema eltrico, maior ser a confiabilidade de algoritmos de diagnstico
baseados nessas simulaes. O modelo apresentado contempla as principais caractersticas de
FAI, mostrando-se com grande potencial no auxlio de futuros trabalhos que tratem da deteco
e localizao desse tipo de falta.
Captulo 3 Modelo de FAI Proposto por Santos (2011) 36

Tabela 3.3. Parmetros das funes polinomiais de R2 (t) e a qualidade de sua aproximao.
Superfcie a8 a7 a6 a5 a4 a3 a2 a1 a0 R2
Areia 6,9e11 -5,7e11 2,0e11 -3,7e10 4,1e9 -2,6e8 9,4e6 -1,7e5 1,7e3 0,978
Asfalto 3,0e12 -2,8e12 1,1e12 -2,2e11 2,9e10 -2,1e9 8,4e7 -1,7e6 1,4e4 0,946
Brita 7,0e7 -1,7e8 1,7e8 -9,1e7 2,8e7 -5,2e6 5,6e5 -3,3e4 1,0e3 0,944
Calamento 4,7e9 -7,9e9 5,3e9 -1,8e9 3,6e8 -4,0e7 2,4e6 -7,7e4 1,3e3 0,963
Grama 3,6e10 -3,3e10 1,2e10 -2,6e9 3,0e8 -2,1e7 8,2e5 -1,7e4 2,1e2 0,954
Solo local 0 0 0 -3,1e6 2,7e6 -8,3e5 1,0e5 -6,8e3 5,1e2 0,977

20

10
Tenso (kV)

-10

-20
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Tempo (s)
(a)
100

50
Corrente (A)

-50

-100
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Tempo (s)
(b)

Figura 3.10. Simulao de uma FAI em terra local: (a) tenso; (b) corrente.

O resultado final obtido pelo modelo de FAI, basicamente, se traduz na forma de onda da
corrente de falta. Isso se deve ao fato desse tipo de falta, na maioria dos casos, no afetar for-
temente os nveis de tenso ao longo do alimentador (EPRI REPORT, 1982). Ento, para avaliar
o modelo, foram feitas comparaes entre as correntes de FAI simuladas e as correntes reais
medidas. Na Figura 3.11 so apresentadas comparaes entre as correntes de FAI simuladas e
medidas nas diversas superfcies de contato escolhidas.

O coeficiente de determinao R2 foi calculado para cada caso, a fim de se ter uma melhor
compreenso da proximidade entre os dados reais e os simulados. Na Tabela 3.4 esto apresen-
tados os valores de R2 . A maioria dos valores ficou acima de 0,92, demonstrando que o modelo
de FAI se aproxima muito dos valores medidos nos ensaios. No caso do asfalto, que obteve o
Captulo 3 Modelo de FAI Proposto por Santos (2011) 37

Corrente Medida 2 2
15 R =0,9797 3
Corrente Medida R =0,8279
Corrente Simulada Corrente Simulada
10 2

5 1
Corrente (A)

Corrente (A)
0 0

-5 -1

-10 -2

-15 -3
0 0,02 0,04 0,06 0,08 0,10 0,12 0,14 0,16 0,18 0,20 0 0,02 0,04 0,06 0,08 0,10 0,12 0,14 0,16 0,18 0,20 0,22
Tempo (s) Tempo (s)
(a) (b)

2
Corrente Medida R =0,9227 2
40 Corrente Simulada
30 Corrente Medida R =0,9884
Corrente Simulada
20
20
10

Corrente (A)
Corrente (A)

0 0

-10
-20
-20

-40 -30
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30
Tempo (s) Tempo (s)
(c) (d)

2 2
100 Corrente Medida R =0,9632 100 R =0,9439
Corrente Simulada Corrente Medida
50 50 Corrente Simulada
Corrente (A)
Corrente (A)

0 0

-50 -50

-100 -100
0 0,02 0,04 0,06 0,08 0,10 0,12 0,14 0,16 0,18 0,20 0,22 0 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30 0,35
Tempo (s) Tempo (s)
(e) (f)

Figura 3.11. Comparao entre as correntes de FAI simuladas e medidas.

menor valor de R2 entre os estudados, se destaca a ocorrncia de rudos de alta frequncia in-
terferirem na medio. Tais rudos estiveram presentes nas outras medies, mas no chegaram
a interferir to fortemente nas comparaes devido s correntes de falta terem amplitudes bem
superiores s dos rudos, o que no ocorreu com o asfalto.

Tabela 3.4. Parmetros das funes polinomiais de R2 (t) e a qualidade de sua aproximao.
Superfcie R2
Areia 0,9797
Asfalto 0,8279
Brita 0,9227
Calamento 0,9884
Grama 0,9632
Solo local 0,9439

Ao final, pode-se concluir que o modelo proposto por Santos (2011) visou obter a melhor
Captulo 3 Modelo de FAI Proposto por Santos (2011) 38

aproximao entre os registros simulados e um dos registros reais obtidos nos ensaios de campo
para cada superfcie de contato.

3.4 GERAO DA BASE DE DADOS

Para a gerao de uma base de dados simulada de forma automtica, foi utilizada uma
metodologia para construo de base de dados baseada no mtodo proposto por Souza et al.
(2005a), que prope a execuo do seguinte algoritmo:

Seleo do sistema eltrico a ser implementado;

Seleo do software para simulao das faltas;

Modelagem do sistema eltrico;

Seleo das variveis de simulao das FAI;

Simulao das FAI.

As variveis de simulao escolhidas referentes s FAI so: superfcie de contato, local de


aplicao da FAI, ocorrncia de intermitncia e condio de operao do sistema.

As condies de carregamento das cargas variaram entre 25 e 100% em passos de 25% da


capacidade instalada. Nove dentre as noventa barras do sistema foram escolhidas como locais
de falta. Um resumo das variveis de simulao apresentado na Tabela 3.5.

Tabela 3.5. Variveis de simulao.


Variveis de simulao Especificao
Tipo de falta AT
Carregamento (%) 25, 50, 75, 100
Local da falta (barra) 10, 23, 30, 44, 49, 56, 63, 68, 90
Intermitncia Sim ou No
Superfcie de contato Asfalto, areia, brita, calamento, grama e terra local

No ATP, os parmetros referentes s variveis de simulao, so ajustados no corpo do


arquivo de entrada (.atp) de acordo com as variveis especficas para cada cenrio de falta.
Como os dados fornecidos pelo ATP no obedecem formatao IEEE COMTRADE (Apndice
B), fez-se o uso da rotina MODELS do ATP. Para isso, adotou-se a seguinte metodologia:
Captulo 3 Modelo de FAI Proposto por Santos (2011) 39

Extraram-se os valores de tenso e corrente fornecidos pelo ATP no incio do alimentador,


na frequncia de amostragem de 15360 Hz, que a mesma de alguns RDP encontrados
no mercado;

Criou-se um arquivo com os dados convertidos para um formato similar ao IEEE COM-
TRADE.

Apesar de j estarem em um formato similar ao IEEE COMTRADE, os dados, que devem


ser inteiros, so escritos pela MODELS como variveis reais.

A automatizao propriamente dita iniciou-se com a programao do conversor, o qual


consiste numa rotina em C++ para ler os dados em nmeros reais, convert-los em nmeros
inteiros e escrev-los em um novo arquivo, agora no formato IEEE COMTRADE.

O procedimento desenvolvido fornece os dados correspondentes a um tipo de falta especfico.


Para construir a base de dados necessrio unir as diversas situaes de falta, as quais so
obtidas a partir da combinao das variveis de simulao.

Para tornar o processo de construo da base de dados ainda mais prtico, concentram-se
as variveis de cada caso no incio do arquivo (.atp), fazendo-se uso da funo $PARAMETER
do ATP. Com esta funo possvel transformar as constantes de cada caso em variveis de
simulao.

Mediante a criao de um arquivo para processamento em lote (.bat), a simulao de todos


os casos definidos nos arquivos .atp realizada automaticamente. O arquivo .bat tem como
objetivos: simular cada caso; apagar os arquivos de sada do ATP que no so de interesse
da aplicao em questo; executar o programa em C++ convertendo, assim, os arquivos de
dados fornecidos pelo ATP em um arquivo .dat no padro IEEE COMTRADE e renomear
estes arquivos de sada de forma padronizada.

Uma nomenclatura especfica foi estabelecida para cada caso, de forma que a partir dela
fosse possvel saber todas as condies ocorridas no cenrio de falta. Pode-se tomar como
exemplo

RDP(S)_fAT_BAR10_ARE_C25
Captulo 3 Modelo de FAI Proposto por Santos (2011) 40

Neste caso, a oscilografia da falta foi obtida a partir de um RDP localizado na sada da
subestao, com o registro de uma falta entre a fase A e a terra, na barra 10, tendo como
superfcie de contato a areia, com um carregamento de 25% da carga instalada.

Baseando-se na rotina $PARAMETER do ATP, programou-se uma rotina em MATLAB


rpara gerar todas as configuraes de falta desejadas. Para isso, a rotina:

1. Escreve os arquivos .atp de todas as combinaes possveis das variveis (base de regis-
tros);

2. Escreve o arquivo .bat, seguindo uma nomenclatura sistemtica para os arquivos;

3. Escreve os arquivos .cfg do padro IEEE COMTRADE, conforme os dados da base de


dados a ser construda.

Na Figura 3.12 est apresentado de forma ilustrativa o processo de construo da base de


dados.

Figura 3.12. Processo de construo da base de dados.

A base de dados foi dividida em seis partes, cada uma com o nome da superfcie de contato
usada em suas simulaes. Na Tabela 3.6 apresentada a quantidade de registros de cada base
e do total.
Captulo 3 Modelo de FAI Proposto por Santos (2011) 41

Tabela 3.6. Grandezas das bases de dados.


Base de dados Superfcie de contato Nmero de registros
I Areia 72
II Asfalto 72
III Brita 72
VI Calamento 72
V Grama 72
VI Terra local 72
Total 432
CAPTULO 4

APRIMORAMENTO DO MODELO DE SANTOS (2011)

4.1 MODELO PROPOSTO

O estudo minucioso do modelo proposto por Santos (2011) possibilitou sua melhoria. Inicial-
mente, calculou-se a mdia e o desvio padro para a quantidade de ciclos (repeties) e durao
das caractersticas de intermitncia e shoulder nas correntes de falta (Tabelas 4.1 e 4.2). Ao
final, apesar da existncia de um comportamento padro para cada superfcie, constataram-se:

Variaes entre registros de uma mesma superfcie de contato;

Variaes nas caractersticas de shoulder e intermitncia nos registros de uma mesma


superfcie de contato.

Estas constataes so ilustradas nas Figuras 4.1 a 4.4, nas quais so apresentados registros
oscilogrficos obtidos em ensaios de FAI no calamento e na brita com variaes das caracte-
rsticas de shoulder e intermitncia.

Tabela 4.1. Anlise estatstica da intermitncia.


Ciclos (vezes) Durao (ciclos de 1/60 s)
Superfcie de contato
Mdia Desvio Padro Mdia Desvio Padro
Areia 0,30 0,48 1,67 0,58
Asfalto 1,17 0,75 4,40 1,52
Brita 1,14 1,07 3,09 2,83
Calamento 0,80 0,63 4,43 2,30
Grama 0,00 0,00 0,00 0,00
Terra 0,60 0,89 1,50 0,71

A partir da anlise dessas figuras, observa-se:

Na Figura 4.1 possvel observar que aps o crescimento da corrente de falta h uma es-
tabilizao da corrente entre 0,1 e 0,2 segundos sucedido de um novo aumento da corrente

42
Captulo 4 Aprimoramento do Modelo de Santos (2011) 43

Tabela 4.2. Anlise estatstica do shoulder.


Ciclos (vezes) Durao (ciclos de 1/60 s)
Superfcie de contato
Mdia Desvio Padro Mdia Desvio Padro
Areia 1,00 0,82 4,44 1,33
Asfalto 1,23 0,83 2,82 0,75
Brita 0,63 0,74 2,75 0,50
Calamento 0,85 0,69 3,78 1,20
Grama 0,92 0,86 5,50 2,00
Terra 1,50 0,71 5,30 1,41

em torno dos 0,2 segundos. H um novo perodo de parada no crescimento da corrente


entre 0,25 e 0,5 segundos e um novo crescimento s volta a ocorrer por volta dos 0,5
segundos at que o valor mximo de corrente de falta alcanado;

Na Figura 4.2 observa-se um aumento da corrente no incio da falta at seu valor mximo
sem que haja intervalos de constncia na corrente de falta at esse valor ser alcanado;

Na Figura 4.3 observa-se intermitncia da corrente de falta no incio do segundo ciclo,


ficando com o semiciclo positivo aproximadamente igual a zero;

Na Figura 4.4 no houve interrupes crescimento da corrente e nem instantes de descon-


tinuidade da mesma.

A efetiva contribuio do modelo aqui proposto est na insero dessas variaes nos regis-
tros simulados, ou seja, da aleatoriedade do fenmeno, que representa uma das suas principais
caractersticas (Figura 4.5).

No modelo, diferenas entre as superfcies de contato continuam sendo consideradas, porm


com a adio de variaes na intermitncia e shoulder observadas em registros reais nos ensaios
de campo. Assim, ainda que pertencentes a uma mesma superfcie de contato, cada registro
dessa base de dados apresentar caractersticas de intermitncia e shoulder distintas.

As alteraes em relao ao modelo proposto por Santos (2011) ocorreram no compor-


tamento da chave CSCT e da resistncia R2 (t) que so responsveis pelas caractersticas de
intermitncia e shoulder, respectivamente.

Para a caracterstica de intermitncia, essas diferenas foram aplicadas nas simulaes


variando-se o nmero de vezes e a durao de aberturas e fechamentos da chave CSCT. J
Captulo 4 Aprimoramento do Modelo de Santos (2011) 44

20

Voltage (kV)
10

-10

-20
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
Time (s)

40

20
Current (A)

-20

-40
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
Time (s)

Figura 4.1. Registro oscilogrfico de FAI no calamento com dois ciclos de shoulder.

20

10
Tenso (kV)

-10

-20
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Tempo (s)

20

10
Corrente (A)

-10

-20
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Tempo (s)

Figura 4.2. Registro oscilogrfico de FAI no calamento sem ciclos de shoulder.


Captulo 4 Aprimoramento do Modelo de Santos (2011) 45

20

10
Tenso (kV)
0

-10

-20
0 0,05 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 0,35 0,4 0,45 0,5
Tempo (s)

100

50
Corrente (A)

-50

-100
0 0,05 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 0,35 0,4 0,45 0,5
Tempo (s)

Figura 4.3. Registro oscilogrfico de FAI na brita com um ciclo de intermitncia.


20

10
Tenso (kV)

-10

-20
0 0,05 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 0,35 0,4 0,45 0,5
Tempo (s)

100

50
Corrente (A)

-50

-100
0 0,05 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 0,35 0,4 0,45 0,5
Tempo (s)

Figura 4.4. Registro oscilogrfico de FAI na brita sem ciclos de intermitncia.


Captulo 4 Aprimoramento do Modelo de Santos (2011) 46

Alimentador
Chave 2
Subestao
CSCT ...
Ponto de falta Cargas

R1(t)
Variaes na intermitncia
RVT
R2(t) Variaes no shoulder

Figura 4.5. Modelo de FAI proposto.

variaes na quantidade e durao dos intervalos de constncia da funo exponencial de R2 (t)


permitiram a insero de diferenas de shoulder entre os registros de cada base.

Em relao ao shoulder, ao invs de utilizar uma funo polinomial para realizar a apro-
ximao dos pontos de R2 (k ), utilizou-se uma funo exponencial. Essa escolha foi feita no
sentido de tornar possvel a insero de pequenos instantes de constncia no buildup entre os
registros de cada base de dados. Tais variaes foram observadas nos registros obtidos nos
ensaios de campo, mas no foram consideradas pelo modelo inicial de Santos (2011).

A resistncia R2 (t) obtida pela linearizao R2 (k ) usando o mtodo dos mnimos quadra-
dos. Por exemplo, a resistncia obtida no solo local foi

R2 (t) = 817, 4 e13,4t . (4.1)

Para implementar as variaes nos registros de cada base de dados, nomenclaturas especficas
foram atribudas para cada perodo de tempo de decaimento da resistncia R2:

Aos perodos em que o valor da resistncia segue o decaimento da funo exponencial foi
dado o nome de tempo de espera;

Aos perodos em que os valores da resistncia permaneceram constantes se deu o nome


de tempo de constncia;

Um ciclo composto por um tempo de espera e por um tempo de constncia.


Captulo 4 Aprimoramento do Modelo de Santos (2011) 47

No processo de construo da base de dados, cada registro criado, mesmo que perten-
cente a uma mesma superfcie de contato, apresentar valores diferentes de tempos de espera,
constncia e at de nmero de ciclos. Valores esses respeitando as mdias e desvios padro cor-
respondentes a cada superfcie de contato. Esses mesmos conceitos so usados para as variaes
de intermitncia entre os registros.

4.2 GERAO DA BASE DE DADOS

O procedimento de gerao da base de dados foi praticamente o mesmo utilizado por Santos
(2011). A diferena est na aplicao de parmetros de intermitncia e shoulder diferentes para
cada registro de uma mesma base.

As mdias e desvios padro calculados nas Tabelas 4.1 e 4.2 foram usadas para que registros
com as mesmas variveis de simulao tivessem diferentes comportamentos de intermitncia e
shoulder.

Na Figura 4.6 est apresentado de forma ilustrativa o processo de construo da base de


dados.

Aplicao de parmetros de shoulder


e intermitncia diferentes
para cada registro .atp

Figura 4.6. Processo de construo da base de dados.

A base de dados foi dividida em seis partes, cada uma com o nome da superfcie de contato
usada em suas simulaes. Na Tabela 4.3 apresentada a quantidade de registros de cada
Captulo 4 Aprimoramento do Modelo de Santos (2011) 48

base e do total. Para ilustrar, apresentam-se nas Figuras 4.7 e 4.8 correntes obtidas no ponto
de falta resultantes dos registros oscilogrficos obtidos das bases da areia e do calamento,
respectivamente. A partir desse modelo, cada um dos 36 registros de cada superfcie ter
caractersticas prprias de shoulder e intermitncia. Nos registros apresentados nas Figuras 4.7
e 4.8 pode-se observar a ocorrncia registros pertencentes a uma mesma base onde um tem o
aparecimento de intermitncia e no outro no.

Tabela 4.3. Grandezas das bases de dados.


Base de dados Superfcie de contato Nmero de registros
I Areia 36
II Asfalto 36
III Brita 36
IV Calamento 36
V Grama 36
VI Terra local 36
Total 216

10

5
Corrente (A)

-5

-10
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Tempo (s)
(a)

10

5
Corrente (A)

-5

-10
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Tempo (s)
(b)

Figura 4.7. Correntes de FAI na areia: (a) sem intermitncia e com um ciclo de shoulder ; (b) com
um ciclo de intermitncia e de shoulder.
Captulo 4 Aprimoramento do Modelo de Santos (2011) 49

20

10

Current (A)
0

-10

-20
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Time (s)
(a)

20

10
Current (A)

-10

-20
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Time (s)
(b)

Figura 4.8. Correntes de FAI no calamento: (a) com um ciclo de intermitncia e de shoulder ; (b)
sem ciclos de intermitncia e com um de shoulder.
CAPTULO 5

FUNDAMENTOS DA TRANSFORMADA WAVELET

O desenvolvimento do mtodo de diagnstico proposto neste trabalho baseou-se no uso da


transformada wavelet, cujos fundamentos so apresentados a seguir.

5.1 A TRANSFORMADA WAVELET DISCRETA (TWD)

A transformada wavelet (TW) tem sido uma das ferramentas matemticas mais estudadas
na rea de sistemas de potncia nas ltimas dcadas, em particular na rea de diagnstico
de distrbios. A TW constitui uma ferramenta poderosa para processamento de sinais no
estacionrios, ou seja, sinais cujo contedo espectral varia com o tempo, que o caso dos sinais
provenientes de uma FAI.

O conceito bsico das wavelets derivado da transformada de Haar, proposta em 1910,


porm, apenas na dcada de 80 as wavelets foram matematicamente formuladas. O marco
decisivo na histria das wavelets foi o trabalho de Grossman & Morlet (1984), no qual os
autores propuseram a Transformada Wavelet Contnua (TWC). A partir dessa pesquisa, a
comunidade cientfica iniciou o refinamento matemtico da teoria das wavelets, com destaque
s contribuies de Daubechies (1992), que iniciou o conceito da transformada wavelet discreta.

Atravs de operaes de escalonamentos e translaes em uma funo base, a transformada


wavelet decompe um sinal em diferentes faixas de frequncias (escalas ou nveis de resoluo).

Na maioria das aplicaes prticas, predomina a verso discreta, denominada de transfor-


mada wavelet discreta (TWD), que comumente implementada na forma de um banco de filtros
(BRITO et al., 2012):

X
cj+1(k) = g(n 2k) cj (n), (5.1)
n

50
Captulo 5 Fundamentos da Transformada Wavelet 51

X
dj+1 (k) = h(n 2k) cj (n). (5.2)
n

Sendo: cj+1(k) e dj+1 (k) os coeficientes wavelet de aproximao e de detalhe da escala de


resoluo j + 1, respectivamente; g e h os filtros passa-baixa e passa-alta, respectivamente.

No mbito de processamento de sinais, as Equaes 5.1 e 5.2 representam um processo de


filtragem digital, seguido de sub-amostragem por um fator de dois. Esse processo ilustrado
na Figura 5.1. Os blocos com o smbolo 2 representam a operao de subamostragem por
dois, enquanto os demais blocos representam a convoluo do sinal de entrada com os filtros g
e h.

Conforme se v, o sinal de entrada c0 aps ser apresentado a um estgio da TWD (ou 1a


escala), decomposto nas componentes c1 e d1 , que so respectivamente, os coeficientes wavelet
de aproximao e de detalhe. A componente c1 retm o contedo de baixa frequncia do sinal
c0 , enquanto que a componente d1 , retm o contedo de alta frequncia. A componente c1 pode
ainda, ser decomposta em mais duas componentes c2 e d2 , e assim, por diante.
c2(k)
g(k) 2
c1(k) 0 - fs /8 Hz
g(k) 2
c0(k) 0 - fs /4 Hz d2(k)
h(k) 2
0 - fs /2 Hz d1(k) fs /8 - fs /4 Hz
h(k) 2
fs /4 - fs /2 Hz

Figura 5.1. Decomposio wavelet em dois nveis de resoluo.

Segundo o teorema da amostragem de Nyquist (OPPENHEIM; SCHAFER, 1989), um sinal


amostrado a uma frequncia de amostragem fs , possui um espectro de frequncia limitado
variando de [0; fs /2]. Assumindo g e h como filtros digitais espelhados em quadratura, o
espectro de frequncia do sinal de entrada passa a ser dividido pela metade. Consequentemente,
os coeficientes wavelet de aproximao e de detalhe da 1a escala possuem espectro de frequncia
[0; fs /4] e [fs /4; fs /2], respectivamente. O espectro de frequncia para os coeficientes wavelet
de aproximao e de detalhe, em uma dada escala j, so respectivamente:

[0; fs /2j+1], (5.3)


Captulo 5 Fundamentos da Transformada Wavelet 52

[fs /2j+1; fs /2j ]. (5.4)

No fim do processo de decomposio, o sinal de entrada decomposto em termos dos


coeficientes wavelet de detalhe dos diversos nveis de resoluo 1,2,...,J e dos coeficientes wavelet
de aproximao da escala J. O nmero de decomposies (estgios ou escalas) da TWD
limitado pelo nmero de amostras (kT ) do sinal de entrada, o qual deve ser uma potncia de
dois. O nmero mximo de decomposies, Jmax , obtido conforme:

[kT = 2Jmax 1 ]. (5.5)

Os coeficientes de ambos os filtros dependem da wavelet me selecionada. Neste trabalho,


selecionou-se a wavelet Daubechies 4 (db4), visto que j se demonstrou a sua adequabilidade
na deteco de transitrios rpidos, tais como aqueles induzidos por FAI (SEDIGHI et al., 2005;
COSTA et al., 2015).

5.2 FILTROS WAVELET DE DETALHE E DE APROXIMAO

Os coeficientes g(l) dos filtros de aproximao e h(l) dos filtros de detalhe da TWD satisfa-
zem as seguintes propriedades (PERCIVAL; WALDEN, 2000):

L L +
X X
2
X
g(l) = 2, g (l) = 1, g(l)g(l + 2n) = 0, (5.6)
l=1 l=1 l=

L
X L
X +
X
2
h(l) = 0, h (l) = 1, h(l)h(l + 2n) = 0, (5.7)
l=1 l=1 l=

com n N e l = 1, 2, ..., L, em que L o nmero de coeficientes dos filtros de aproximao e


detalhe. Alm disso, esses filtros tambm so filtros espelhados em quadratura:

g(l) = (1)l h(L l + 1), (5.8)

h(l) = (1)l+1 g(L l + 1), (5.9)


Captulo 5 Fundamentos da Transformada Wavelet 53

O nmero de coeficientes dos filtros de aproximao e detalhe, assim como seus respectivos
valores, dependem da wavelet me utilizada. Por exemplo, os coeficientes dos filtros escala da
wavelet me db4 so (DAUBECHIES, 1992):


1+ 3 3+ 3 3 3 1 3
g(1) = , g(2) = , g(3) = , g(4) = . (5.10)
4 2 4 2 4 2 4 2
De acordo com a Equao 5.9, os coeficientes dos filtros de detalhe da wavelet me db4 so:

h(1) = g(4), h(2) = g(3), h(3) = g(2), h(4) = g(1). (5.11)

5.3 ENERGIA NO DOMNIO WAVELET

Vrias tcnicas de diagnstico de faltas usam os coeficientes de detalhe para detectar compo-
nentes de alta frequncia no sinal monitorado que surgem devido a falhas. No entanto, os rudos
presentes podem dificultar o desempenho desses mtodos, uma vez que podem ser confundidos
erroneamente com transitrios eletromagnticos. Este problema ainda mais preocupante no
caso de FAI, visto que transitrios de tenso e de corrente so comumente atenuados ao longo
da linha (LOPES et al., 2015). Visando minimizar o efeito do rudo eltrico, a energia dos coe-
ficientes wavelet de detalhe d - aqui referida como d - vem sendo utilizada (SAHA et al., 2010;
COSTA et al., 2015).

Outros distrbios, tais como faltas de baixa impedncia e chaveamentos de novos ramos e
bancos de capacitores podem causar transitrio suficiente para afetar d . Assim, como FAI no
afetam significativamente as amplitudes das correntes e tenses, as energias dos coeficientes de
aproximao c - aqui referidos como c - foram tambm calculados neste trabalho.

O teorema de Parseval estabelece que a energia do sinal original seja igual soma das
energias dos coeficientes wavelet nos diferentes nveis de resoluo com a energia dos coeficientes
de aproximao no nvel de resoluo J (BURRUS et al., 1998). Isso significa que a energia do
sinal pode ser particionada da seguinte forma:

kT kT
kT
X 2J
X J X
X 2j

|c0 (k)|2 = |cJ (k)|2 + |dj (k)|2 . (5.12)


k=1 k=1 j=1 k=1
Captulo 5 Fundamentos da Transformada Wavelet 54

PkT P k2TJ
sendo: |c0 (k)| : energia do sinal original; k=1 |cJ (k)|2 : energia dos coeficientes wavelet
k=1
2

P k2Tj
de aproximao da escala J; k=1 |dj (k)|2 : energia dos coeficientes wavelet de detalhe da escala
j.

Confinando-se um trecho especfico dos coeficientes, obtm-se a energia entre os coeficientes


km e kn :

kn
X
Ej (km , kn ) = |dj (k)|2 , (5.13)
k=km

sendo: 1 km kn kj /2j

O mtodo de deteco de distrbios proposto neste trabalho baseia-se no uso da energia de


uma janela deslizante dos coeficientes da escala j, como segue:

 
kjanela kjanela
Ej 1, , se 1 k


2 j 2j



j (k) =   . (5.14)
kjanela kjanela kT
, k , se

Ej 1 + k k j


2 j 2 j 2

Conforme se v, j representa uma sequncia de valores de energia resultante de uma janela


kjanela
deslizante nos coeficientes, de tamanho fixo e igual a 2j
. A janela se movimenta amostra
por amostra, sequencialmente, e a cada passo, a energia da janela calculada conforme Equao
5.13.

O processo de construo de uma curva de energia de uma janela deslizante dos coeficientes
wavelet de detalhe ilustrado na Figura 5.2. Utilizou-se um nico estgio da TWD, a wavelet
me Daubechies 4 (DAUBECHIES, 1992) e uma janela de comprimento igual ao nmero de
coeficientes wavelet equivalente a um ciclo do sinal original.
Captulo 5 Fundamentos da Transformada Wavelet 55

4
x 10
2

1
Tenso (V)

-1

-2
0.1 0.11 0.12 0.13 0.14 0.15 0.16 0.17 0.18 0.19 0.20
Janela 500 Tempo (s)
Janela 2 (a)
Janela 1
Valor dos coeficientes

4000
wavelet de detalhe

2000

-2000

-4000
0.1 0.11 0.12 0.13 0.14 0.15 0.16 0.17 0.18 0.19 0.20
Tempo (s)
7 (b)
x 10
4

3
Energia xd

1 xd(500)
xd(1) xd(2)
0
0.1 0.11 0.12 0.13 0.14 0.15 0.16 0.17 0.18 0.19 0.20
Tempo (s)
(c )

Figura 5.2. Processo de construo das curvas de energia: (a) sinal teste; (b) coeficientes wavelet de
detalhe; (c) curva de energia de uma janela deslizante dos coeficientes wavelet de detalhe.
CAPTULO 6

DIAGNSTICO DE FAI - MTODO PROPOSTO

O mtodo para diagnstico de FAI proposto neste trabalho baseia-se na anlise dos transit-
rios eletromagnticos induzidos pela FAI para detectar a perturbao e identificar a rea do
alimentador monitorado, onde a FAI supostamente est localizada. O fluxograma do mtodo
apresentado na Figura 6.1 e o algoritmo correspondente logo a seguir.

Falta de Alta Impedncia Registros Oscilogrficos obtidos


em diferentes pontos do SDEE

Clculo de No Distrbio
xd e x c xd > r ? no detectado
Equipes de
Manuteno Sim

Por mais No Outro distrbio


Mtodo de de 150 ms? diferente de faltas
diagnstico
de FAI Sim
Centro de Operao No FAI detectada
da Distribuio Afundamentos
detectados?
Sim FAI localizada na regio
delimitada pelas trs barras
Falta slida com maiores energias.
detectada

Figura 6.1. Mtodo de identificao de FAI proposto.

Algoritmo: Deteco e Localizao de FAI

1. Monitoramento contnuo do alimentador;

2. Captura dos dados oscilogrficos obtidos em pontos diferentes distribudos ao longo do


alimentador;

3. Anlise dos dados pelo mtodo de diagnstico de FAI:

56
Captulo 6 Diagnstico de FAI - Mtodo Proposto 57

(a) Clculo das energias dos coeficientes wavelet de detalhe (d ) e de aproximao (c );

(b) Comparao do valor de d com o limiar de tolerncia (d ) estabelecido:

i. Caso d no ultrapasse o valor de d , nenhum distrbio foi detectado e retorna


para o passo 2;

ii. Caso contrrio, algum distrbio foi detectado e segue para o passo c.

(c) Comparao do tempo de durao de d acima de d com o tempo de referncia de


150 ms:

i. Caso o tempo de ultrapassagem do limiar seja menor que 150 ms, ento um
distrbio transitrio foi detectado;

ii. Caso contrrio, uma falta de baixa impedncia no extinta ou uma FAI podem
ter sido detectadas.

(d) Anlise de c a fim de detectar afundamentos de tenso:

i. Caso c apresente valores abaixo do limiar de c em regime permanente, ento


um afundamento de tenso foi detectado e o diagnstico de uma falta de baixa
impedncia no extinta pelo sistema de proteo;

ii. Caso contrrio, o diagnstico de uma FAI e segue para o passo e.

(e) Estimao da localizao da FAI a partir da regio geogrfica delimitada pelos trs
pontos de monitoramento com as maiores energias calculadas.

O detalhamento das etapas de deteco e localizao apresentado a seguir.

6.1 ETAPA DE DETECO DE FAI

O desenvolvimento do algoritmo de deteco de FAI foi precedido de estudo do compor-


tamento de uma base de registros oscilogrficos simulados, resultantes da operao do SDEE
em condies normais e sob falta, tanto nos domnios do tempo quanto wavelet. Ao final,
constatou-se o seguinte:

As FAI no provocam o surgimento de afundamentos de tenso nem sobretenses signi-


ficativas. Portanto, a presena de FAI em tais ocorrncias pode ser descartada (Figura
6.2);
Captulo 6 Diagnstico de FAI - Mtodo Proposto 58

Faltas de baixa impedncia provocam transitrios nos sinais de tenso e corrente, alm
de afundamentos de tenso. Portanto, FAI e faltas de baixa impedncia podem ser
diferenciadas atravs da anlise de variaes na amplitude das tenses (Figura 6.3);

A energia d resultante de uma FAI apresenta valores mnimos e quase constantes antes da
sua ocorrncia (regime permanente), os quais aumentam bruscamente logo aps o incio
do distrbio (Figura 6.4);

Como FAI no so normalmente detectadas pelo sistema de proteo, ou seja, no so


prontamente extintas, a energia d permanece com valores elevados durante vrios ciclos
(Figura 6.4);

Em algumas situaes, como por exemplo, presena de rudos nas medies de tenso e
corrente, oscilaes na energia d podem ocorrer mesmo durante o regime permanente;

A distncia entre o ponto de ocorrncia do distrbio e o de monitoramento inversamente


proporcional aos nveis de energia gerados;

Considerando-se os registros simulados no ATP, a energia d dos sinais de tenso assume


valores maiores que os dos sinais de corrente. Diante desse fato, sero apresentadas apenas
as energias das tenses nesta avaliao.

20
Voltage (kV)

10

-10

-20
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
Time (s)

40

20
Current (A)

-20

-40
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
Time (s)

Figura 6.2. Exemplo de registro oscilogrfico de uma FAI.


Captulo 6 Diagnstico de FAI - Mtodo Proposto 59

4
x 10
2

Tenso (V)
0

-1

-2
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Tempo (s)
4
x 10
2

1
Tenso (V)

-1

-2
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Tempo (s)

Figura 6.3. Exemplo de registros oscilogrficos de faltas de baixa impedncia.

Na Figura 6.4 apresentado um exemplo de um caso simulado de FAI onde tenso e corrente
foram registrados na subestao. Pode-se ver que o incio do distrbio no est claro no domnio
do tempo, mas as energias d apresentam um rpido crescimento no instante inicial da FAI,
permitindo assim a deteco do momento no qual os transitrios eletromagnticos induzidos
pela falta chegam ao ponto de monitoramento. Outra observao que pode ser feita que a
energia d dos sinais de tenso assumem valores mais elevados que nos sinais de corrente aps
o incio da perturbao.

O algoritmo de deteco de FAI se baseia na identificao do ponto ngreme da curva de


energia d das tenses ou correntes, o que ocorre quando um dado limiar ultrapassado. Os
valores de energia inferiores ao limiar so descartados e os transitrios advindos dos distrbios
so detectados. O limiar auto adaptativo d foi ajustado com base nos valores da energia d de
regime permanente, conforme proposto por Santoso et al. (1997):

d = (1 + ) max(d(past) ). (6.1)
Captulo 6 Diagnstico de FAI - Mtodo Proposto 60

4
x 10
2

Tenso (V)
0

-2
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Tempo (ms)
5
x 10 (a)
2
Energia xd
da tenso

1 Rpido crescimento
da energia
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Tempo (ms)
(b)
100
Corrente (A)

-100
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Tempo (ms)
60 (c)
da corrente
Energia xd

40 Rpido crescimento
da energia
20

0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Tempo (ms)
(d)

Figura 6.4. Curvas provenientes de uma simulao FAI registradas na subestao: (a) tenso no
domnio do tempo; (b) energia dos coeficientes wavelet de detalhe da tenso; (c) corrente no domnio
do tempo; (d) energia dos coeficientes wavelet de detalhe da corrente.

Sendo: d(past) : conjunto de amostras de energia correspondentes a um ciclo da frequncia


do sistema, computado imediatamente antes da amostra referente ultrapassagem do limiar;
max(): funo que calcula o valor mximo do conjunto de amostras de energia analisadas; :
margem de tolerncia.

O clculo do limiar d feito repetidamente at que a primeira amostra ultrapasse esse valor.
Esse instante indica que transitrios eletromagnticos foram detectados. O limiar mantido
constante e igual ao calculado antes de sua ultrapassagem. Isso permite que rudos no afetem
a deteco de distrbios e evita a possibilidade do limiar ficar acima dos valores de energia,
enquanto o sistema estiver submetido a perturbaes.
Captulo 6 Diagnstico de FAI - Mtodo Proposto 61

Enquanto a energia d indica a presena de transitrios eletromagnticos no sistema moni-


torado, a energia c indica a ocorrncia de afundamentos ou elevaes de tenso. Neste sentido,
foram criados tambm os limiares auto adaptativos c e c+ que so responsveis por distin-
guir FAI de faltas de baixa impedncia ou manobras de chaveamento. A energia c no deve
ser inferior ao limiar c , seno um afundamento de tenso ser detectado, nem superior a c+ ,
seno uma elevao de tenso ser detectada. A formulao de c e c+ dada por:

c = (1 ) min(c(past) ), (6.2)

c+ = (1 + ) max(c(past) ). (6.3)

Santoso et al. (1997) adotaram o limiar como sendo de 10% do valor mximo dos coeficientes
wavelet de detalhe, o que resultou em um valor de = 0, 1. Esse procedimento foi adotado no
mtodo proposto para deteco de FAI para ambas as energias d e c .

Um exemplo ilustrando a atuao do algoritmo de deteco apresentado na Figura 6.5,


onde se apresentam a energia d da tenso e o sinalizador de deteco de distrbio. Conforme
se v, o sinalizador muda seu estado para 1 logo aps o incio do distrbio, nesse instante, o
clculo do limiar d interrompido e a contagem do tempo no qual a energias ficam acima do
limiar iniciada.
5
x 10
2
Rpido crescimento
Energia xd

da energia
1

0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Tempo (ms)
(a)
Sinalizador de
Distrbio

Durao do distrbio
1
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Tempo (ms)
(b)

Figura 6.5. Atuao do algoritmo de deteco proposto: (a) Energia d ; (b) Sinalizador do distrbio.
Captulo 6 Diagnstico de FAI - Mtodo Proposto 62

De acordo com as normas brasileiras, em redes de transmisso e distribuio com tenso


nominal at 345 kV, dispositivos de proteo devem ser devidamente coordenados para detectar
e eliminar perturbaes em at 150 ms (ANEEL, 2011; ONS, 2009). Assim, se c < c < c+
e d > d nos 150 ms consecutivos aps a deteco, o distrbio classificado como FAI. Se
houver uma falha no sistema de proteo e uma falha de baixa impedncia persistir no SDEE
por mais de 150 ms, c detectar a queda de tenso e c < c , descartando a possibilidade de
uma ocorrncia FAI.

O algoritmo da etapa de deteco apresentado logo a seguir.

Algoritmo: Deteco de FAI detalhado

1. Monitoramento contnuo do alimentador;

2. Captura dos dados oscilogrficos obtidos em diferentes pontos distribudos ao longo do


alimentador;

3. Anlise dos dados pelo mtodo de deteco de FAI:

(a) Clculo dos coeficientes wavelet de detalhe (d) e de aproximao (c) da primeira
escala;

(b) Clculo das energias dos coeficientes de detalhe (d ) e de aproximao (c ) conside-


rando janelas de um ciclo;

(c) Clculo dos limiares d , c e c+ ajustado para 10% de tolerncia de variao das
energia d e c obtidas no ltimo ciclo;

(d) Caso a energia d apresente valores maiores que o limiar d por um tempo maior que
150 ms, ento uma falta foi detectada;

(e) Caso a energia c apresente valores maiores que o limiar c+ ou menores que o limiar
c (considerando 10%) por um tempo maior que 150 ms, ento uma elevao ou
afundamento de tenso detectado, respectivamente;

(f) Caso uma falta e um afundamento forem detectados, ento o diagnstico de uma
falta de baixa impedncia no extinta;

(g) Caso apenas uma falta for detectada, ento o diagnstico de uma FAI.
Captulo 6 Diagnstico de FAI - Mtodo Proposto 63

6.2 ALGORITMO DE ESTIMAO DO LOCAL DA FAI

A anlise do estado da arte mostrou que a localizao exata de uma FAI ainda um desafio
para a comunidade cientfica. A maioria das tcnicas propostas at o momento requerem
o conhecimento dos parmetros do alimentador, demandam alto esforo computacional e se
aplicam no modo off-line (SAHA et al., 2010). Consequentemente, essas tcnicas so geralmente
inadequadas para aplicaes on-line em redes inteligentes.

O mtodo aqui proposto no fornece o ponto exato da FAI, mas uma estimativa de sua
localizao e baseia-se: i) no fato da ocorrncia de transitrios eletromagnticos nos pontos
de monitoramento ao longo do alimentador indicarem a proximidade do ponto de falta, ii) na
anlise dos valores mximos das energias d das tenses em pontos diferentes do alimentador.

Caso uma FAI seja detectada, o mtodo calcula as energias mximas nas barras monitora-
das e estima a localizao geogrfica da FAI na regio geogrfica compreendida entre as trs
barras com os valores d mais relevantes. Com isso possvel estimar a localizao da FAI e,
consequentemente, melhorar os ndices de continuidade do sistema.

A comparao da amplitude dos transitrios em pontos diferentes do SDEE fornece infor-


maes relevantes sobre a rea de ocorrncia de uma falta. Por exemplo, se uma FAI ocorreu
mais prxima da barra R do que da barra S, os transitrios so mais atenuados na barra S
(DAS, 2010). Alm disso, quanto maior o nmero de pontos monitorados, maior a exatido da
metodologia proposta. Esse mtodo adequado para SDEE nos quais sejam disponveis vrios
pontos de monitoramento e canais de comunicao.

Um importante ponto a ser destacado o fato do mtodo de estimao da localizao de


FAI depender das medies das energias nos diversos pontos de monitoramento ao longo do
alimentador, em casos em que hajam condutores rompidos a montante de algum ponto de
monitoramento, este ponto deixar de ser considerado nesta anlise.

Apresentam-se logo a seguir, a formulao matemtica adotada para estimar a localizao


de uma FAI, seguida do algoritmo da etapa de localizao.
Captulo 6 Diagnstico de FAI - Mtodo Proposto 64

Formulao matemtica para estimao do local da FAI

maximos = [max(d (barra1))max(d (barra2))max(d (barra3)) max(d (barraN))]; (6.4)

[max1, posicao1] = max(maximos);

maximos(posicao1) = 0;

[max2, posicao2] = max(maximos);

maximos(posicao2) = 0;

[max3, posicao3] = max(maximos);

Algoritmo: Localizao de FAI detalhado

1. Armazenamento em um vetor dos valores das energias d durante os 150 ms de observao;

2. Clculo do maior valor entre as energias d dos diversos pontos de monitoramento;

3. Retirada desse valor do vetor dos valores mximos;

4. Clculo do segundo maior valor entre as energias d dos diversos pontos de monitoramento;

5. Retirada desse valor do vetor dos valores mximos;

6. Clculo do terceiro maior valor entre as energias d dos diversos pontos de monitoramento;

7. Retirada desse valor do vetor dos valores mximos;

8. Estimao da localizao da FAI a partir da localizao geogrfica dos pontos de moni-


toramento onde foram obtidas as trs maiores energias d ;

9. Envio de informao para o centro de operao sobre o diagnstico de uma FAI;


CAPTULO 7

AVALIAO DO MTODO PROPOSTO

A etapa de avaliao foi realizada atravs da aplicao do mtodo proposto a uma base de dados
composta de registros simulados provenientes de FAI e de outros distrbios comuns aos SDEE.
Uma vez que o algoritmo de deteco se baseia na anlise dos transitrios eletromagnticos
e considerando que a taxa de amostragem de 15360 Hz a taxa usual dos equipamentos de
oscilografia vendidos no mercado, esta foi a adotada nas simulaes computacionais. Uma
sntese desta etapa apresentada a seguir.

7.1 SIMULAES E MODELOS

Para avaliar o algoritmo desenvolvido, simulaes de FAI foram realizadas utilizando o


programa ATP (LEUVEN EMTP CENTER, 1987). Alm de FAI, tambm foram simuladas: faltas
de baixa impedncia; manobras de chaveamento; faltas de baixa e alta impedncia simultneas,
considerando diferentes quantidades e posies dos dispositivos de monitoramento. Como o
algoritmo proposto depende da deteco de transitrios induzidos por FAI, tambm foram
analisadas taxas de amostragem diferentes. Um resumo da metodologia adotada nesta etapa
apresentado a seguir.

Metodologia

1. Seleo do alimentador. O sistema simulado foi o especificado no Apndice A.

2. Seleo do modelo de FAI. O modelo utilizado foi o proposto neste trabalho apresentado
no Captulo 4.

3. Modelagem do rudo. Em virtude dos coeficientes wavelet de detalhe serem sensveis s


componentes de alta frequncia do sinal e, por conseguinte, ao rudo presente nos sinais
reais, a emulao desse componente tambm foi realizada. Segundo Costa (2014), os

65
Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 66

componentes de alta frequncia devido ao rudo em registros oscilogrficos, em regime


permanente, possuem distribuio de probabilidade normal e esto presentes em perodos
com ou sem distrbios. O rudo pode ser quantificado pela frmula de razo sinal-para-
rudo (SNR) conforme a seguir (SEDRA; SMITH, 2009):
 
Asinal
SNRdB = 20. log , (7.1)
Aruido

sendo A o valor eficaz (RMS) da amplitude do sinal. Neste trabalho, considerou-se um


rudo de 60 dB.

4. Escolha dos pontos de monitoramento. No algoritmo proposto, a estimao da localizao


da FAI definida com base no nmero e posio dos dispositivos de monitoramento
instalados no alimentador. Resumidamente, o alimentador foi dividido em diversas reas
monitoradas por um dispositivo especfico para cada uma delas. As reas que possuem os
dispositivos de monitoramento com as trs maiores energias detectadas so selecionadas
para efeitos de inspeo. Para analisar o desempenho do algoritmo proposto em relao
ao nmero e posio dos dispositivos de monitoramento, trs cenrios diferentes foram
considerados, os quais esto apresentados na Tabela 7.1.

Para cada caso avaliado, a estimao do local da FAI foi considerada como sendo a razo
entre o nmero de barras pertencentes s reas monitoradas selecionadas para inspeo e
a quantidade total de barras no alimentador modelado, ou seja, 90 barras neste trabalho.
Por exemplo, se a estimao do local de FAI recai na regio compreendida por 30% das
barras, isso significa que apenas 27 barras sero inspecionadas, ao invs das 90 barras do
sistema.

5. Modelagem do banco de capacitores. O banco de capacitores conectado ao barramento


de 13,8 kV da subestao foi modelado considerando elementos discretos ligados em Y-
isolado, com o neutro ligado terra atravs de uma capacitncia (CT ) de 250 pF, conforme
ilustrado na Figura 7.1. Considerou-se alm da prpria capacitncia do capacitor, suas
resistncias e indutncias intrnsecas (WHITAKER, 1999).

A capacitncia C representa o banco de capacitores e o seu valor em Farads obtido a


partir da potncia reativa nominal do banco. A indutncia L representa a indutncia
equivalente obtida a partir da indutncia interna intrnseca do banco de capacitores e a
Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 67

Tabela 7.1. Cenrios e detalhes dos pontos de monitoramento.


Nmero de Posio dos Dispositivos rea monitorada por
Cenrio Dispositivos de de monitoramento cada dispositivo
Monitoramento (nas barras)
32 Barra 1 37
44 Barra 38 44
49 Barra 45 49
1 6
54 Barra 50 64
76 Barra 65 76
90 Barra 78 90
18 Barra 1 37
39 Barra 38 44
47 Barra 45 49
2 6
59 Barra 50 64
71 Barra 65 76
83 Barra 78 90
16 Barra 1 23
32 Barra 24 37
44 Barra 38 44
3 8
49 Barra 45 49
54 Barra 50 63
64 Barra 64 69 e 78 84
76 Barra 70 77
90 Barra 85 90

indutncia do reator limitante de corrente, cujos valores so respectivamente 5 mH e 100


mH. Finalmente, RESR a resistncia em srie equivalente do banco de capacitores. Este
parmetro permite que as perdas no banco sejam expressas em uma nica resistncia no
circuito equivalente (WHITAKER, 1999).

Foram considerados bancos de capacitores de 1,8 Mvar e 0,9 Mvar.

RESR

CT

Figura 7.1. Modelo do banco de capacitores (WHITAKER, 1999).


Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 68

6. Modelagem das faltas de baixa impedncia. Faltas monofsicas foram aplicadas apenas
na fase A (faltas AT), considerando resistncias de 1 e 10 nas barras 10 e 80, res-
pectivamente. O modelo de falta de baixa impedncia usado est apresentado na Figura
7.2.

Figura 7.2. Modelo das faltas de baixa impedncia (SOUZA et al., 2005b).

7. Modelagem do processo de energizao de ramos do alimentador. Para simular a ener-


gizao de ramos do alimentador, interruptores foram inseridos entre as barras 10-11 e
30-31. Com o chaveamento dessas chaves, foi possvel avaliar a influncia de transitrios
de chaveamento nos pontos de monitoramento.

7.2 AVALIAO DO MTODO DE IDENTIFICAO DE FAI NO ATP

A etapa de avaliao do algoritmo de identificao de FAI proposto foi dividida em seis par-
tes: 1) a influncia taxa de amostragem; 2) identificao de FAI considerando diferentes pontos
monitorados; 3) identificao de FAI considerando diferentes quantidades de dispositivos de
monitoramento, com e sem gerao distribuda (GD); 4) FAI em diferentes locais; 5) desempe-
nho do algoritmo durante faltas slidas e energizaes de ramos e bancos de capacitores; e 6)
faltas de alta e baixa impedncia simultneas.
Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 69

7.2.1 Influncia da taxa de amostragem

As taxas de amostragem utilizadas durante a converso analgico-digital de sinais de tenso


e corrente tm forte influncia sobre tcnicas de diagnstico de faltas baseadas em transitrios
eletromagnticos (LOPES et al., 2013). De fato, quanto maior o nmero de amostras por ciclo,
mais precisa a representao dos componentes de alta frequncia. Para avaliar a influncia da
taxa de amostragem no algoritmo de identificao de FAI, uma FAI na barra 10 foi simulada e
os respectivos registros nas barras monitoradas foram analisados usando frequncias de amos-
tragem de 15,36 kHz, 61,44 kHz e 107,52 kHz. Nestes casos foram assumidos os dispositivos de
monitoramento distribudos de acordo com o cenrio 1 descrito na Tabela 7.1. Os resultados
obtidos so mostrados nas Figuras 7.3, 7.4 e 7.5.
6
x 10
6
Barra 32
Energias d

Barra 44
x

4
Barra 49
Barra 54
2
Barra 90
Barra 76
0
100 200 300 400 500
Tempo (ms)
6
x 10 (a)
6
Nveis mximos
de Energias

0
32 44 49 54 90 76
Barras
(b)

Figura 7.3. Anlise de uma FAI na barra 10 considerando uma frequncia de amostragem de 15,35
kHz: (a) energias dos coeficientes de detalhe; (b) nveis mximos de energia.

Para sinais amostrados a 107,52 kHz, observa-se uma influncia mais relevante de rudos
sobre as energias dos coeficientes wavelet de detalhe em regime permanente. Essa influn-
cia foi menor para taxas de amostragem de 15,36 kHz e 61,44 kHz. No entanto, para todas
as frequncias de amostragem analisadas, o algoritmo proposto detectou corretamente a FAI,
identificando-a dentro da regio entre as barras 32, 44 e 49, resultando em uma estimativa da
localizao da FAI em cerca de 47,8% das barras. Por conseguinte, uma vez que os resultados
foram satisfatrios para todas as taxas de amostragem avaliadas e considerando a disponibili-
dade comercial de dispositivos com frequncia de amostragem de 15,36 kHz, apenas essa taxa
foi usada nas sees seguintes deste trabalho.
Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 70

6
x 10
6
Barra 32

Energias d
Barra 44

x
4
Barra 49
Barra 54
2
Barra 90
Barra 76
0
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
Tempo (ms)
6
x 10 (a)
6
Nveis mximos
de Energias

0
32 44 49 54 90 76
Barras
(b)

Figura 7.4. Anlise de uma FAI na barra 10 considerando uma frequncia de amostragem de 61,44
kHz: (a) energias dos coeficientes de detalhe; (b) nveis mximos de energia.
6
x 10
3
Barra 32
Barra 44
Energias d
x

2
Barra 49
Barra 54
1 Barra 90
Barra 76
0
100 200 300 400 500
Tempo (ms)
6
x 10 (a)
3
Nveis mximos
de Energias

0
32 44 49 54 90 76
Barras
(b)

Figura 7.5. Anlise de uma FAI na barra 10 considerando uma frequncia de amostragem de 107,52
kHz: (a) energias dos coeficientes de detalhe; (b) nveis mximos de energia.

7.2.2 Localizaes diferentes dos pontos de monitoramento

Para analisar o uso de diferentes localizaes dos pontos monitorados, o algoritmo proposto
foi aplicado para as FAI aplicadas nas barras 19, 63, 66 e 79, considerando-se dispositivos de
monitoramento nos cenrios 1 e 2 descritos na Tabela 7.1.

As barras com as energias d mais relevantes em ordem decrescente e a rea estimada


para a localizao do ponto da FAI para cada caso avaliado so apresentadas na Tabela 7.2. A
Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 71

partir dos resultados obtidos, conclui-se que a utilizao de diferentes pontos de monitoramento
pode alterar as barras com maiores nveis de energia d , mas no compromete o desempenho
do algoritmo. Para ambos os cenrios avaliados, foi obtido a mesma rea estimada para a
localizao da FAI.

Tabela 7.2. Avaliao de diferentes cenrios com seis pontos de monitoramento.


Barras com nveis rea estimada para a
Localizao da FAI mximos de d localizao da FAI
Cenrio 1 Cenrio 2 Cenrio 1 Cenrio 2
19 32,49,44 18,39,47 54,44% 54,44%
63 76,54,49 59,47,83 36,67% 36,67%
66 76,90,54 71,83,59 45,56% 45,56%
79 76,90,54 83,59,71 45,56% 45,56%

7.2.3 Quantidades diferentes de pontos de monitoramento e insero de Gerao


Distribuda

Anlise de resultados mostrou que a rea estimada para a localizao de FAI depende direta-
mente do nmero de dispositivos de monitoramento no alimentador. Para avaliar o desempenho
do algoritmo proposto quando so utilizadas quantidades diferentes de dispositivos de monito-
ramento, FAI nas barras 19, 63, 66 e 79 foram simuladas e, ento, analisadas considerando os
cenrios 1 e 3 descritos na Tabela 7.1. Uma vez que a GD uma tendncia futura das redes
de distribuio, as simulaes foram realizadas considerando o sistema modelado com e sem
GD. Nos casos de o sistema com GD, duas plantas de gerao com tenso de 10o p.u. nas
barras 36 e 88 foram includas de forma simplificada. Para a anlise realizada, foi considerado
a insero de GD com uma potncia gerada de 40% da demanda. Os resultados obtidos esto
representados nas Tabelas 7.3 e 7.4.

A partir da Tabela 7.3, observa-se que os resultados so semelhantes para as FAI nas barras
19, 66 e 79. No entanto, para a FAI na barra 63, as barras com energias energias d mximas
foram diferentes. A insero da GD resultou em transitrios mais relevantes na barra 90,
tornando os nveis de energia d maiores do que aqueles na barra 49. Mesmo assim, a estimativa
da localizao da FAI em todos os casos foi satisfatria, sendo de 54,44% no pior caso quando
foram utilizados seis pontos monitorados.
Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 72

Em relao Tabela 7.4, observa-se que a estimao da localizao da FAI apresentou


resultados melhores com o aumento dos dispositivos de monitoramento, alcanando valores
na faixa de 30%. Na verdade, observa-se que com a reduo da rea monitorada por cada
dispositivo, o desempenho do algoritmo melhorado. Novamente a GD alterou os nveis d nos
pontos monitorados, mas no provocou falha do algoritmo, atestando sua aplicabilidade mesmo
em SDEE com GD.

Tabela 7.3. Avaliao com e sem GD com seis pontos de monitoramento.


Barras com nveis rea estimada para a
Localizao da FAI mximos de d localizao da FAI
Sem GD Com GD Sem GD Com GD
19 32,49,44 32,49,44 54,44% 54,44%
63 76,54,49 76,54,90 36,67% 45,56%
66 76,90,54 76,90,54 45,56% 45,56%
79 76,90,54 76,90,54 45,56% 45,56%

Tabela 7.4. Avaliao com e sem GD com oito pontos de monitoramento.


Barras com nveis rea estimada para a
Localizao da FAI mximos de d localizao da FAI
Sem GD Com GD Sem GD Com GD
19 32,16,49 16,32,49 46,67% 46,67%
63 76,54,49 76,54,90 30,00% 31,11%
66 76,90,54 76,90,64 31,11% 30,00%
79 76,90,64 76,90,64 30,00% 30,00%

7.2.4 Ocorrncia de FAI em locais diferentes

Para avaliar o desempenho do algoritmo proposto para as FAI em locais diferentes, simulou-
se FAI nas barras 13, 19, 39 e 47 considerando o cenrio 1 descrito na Tabela 7.1. Na Figura
7.6 so apresentados os nveis mximos das energias d nos pontos monitorados para cada caso.
Como os componentes de baixa frequncia no apresentam variaes considerveis, as formas
de onda c no foram apresentadas.

Anlise dos resultados mostrou que para todos os casos avaliados, a FAI foi detectada
corretamente. Alm disso, as energias d mximas nos pontos monitorados variaram, como
esperado, de acordo com a proximidade entre o local da falta e os dispositivos de monitoramento.
Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 73

x 10 x 10
Nveis Mximos de xd

Nveis Mximos de xd
10
10 8
6
5 4
2
0 0
32 44 49 54 90 76 32 44 49 54 90 76
Barras Barras
(a) (b)
6 6

Nveis Mximos de xd
x 10
Nveis mximos de xd

x 10

4
6
3
4
2
1 2

0 0
32 44 49 54 90 76 32 44 49 54 90 76
(c) Barras (d) Barras

Figura 7.6. Nveis mximos de energia resultantes da ocorrncia de uma FAI aplicada na: (a) barra
13; (b) barra 19; (c) barra 39; (d) barra 47.

Para as FAI nas barras 13 e 19, os trs maiores valores de energia d foram verificados nas
barras 32, 44 e 49, de modo que o algoritmo proposto indica a FAI como sendo, provavelmente,
localizada na regio entre as barras 1 a 37, 38 a 44 ou 45 a 64. Esta concluso resulta em uma
rea estimada para a localizao da FAI de cerca de 54,44% do total do alimentador.

Para as FAI nas barras 39 e 47, os valores mximos de d foram detectados nas barras 44,
49 e 56, identificando que a FAI est localizada entre as barras 45 a 49, 38 a 44 ou 50 a 64.
Como resultado, tendo em conta as sadas do algoritmo proposto, as equipes de manuteno
iriam inspecionar 27 barras, ao invs das 90 barras do alimentador, ou seja, apenas uma rea
estimada de 30% de seu comprimento total.

Deve ser salientado que o tempo de incio e trmino dos transitrios so detectados indi-
vidualmente por cada dispositivo de monitoramento, demonstrando que o algoritmo proposto
no requer aparelhos de Global Positioning System (GPS) ou outros dispositivos para sincroni-
zao de dados. Alm disso, o algoritmo simples, requer uma pequena carga computacional
e no precisa de informaes sobre os parmetros do alimentador e das cargas, de modo que
possa dar suporte, com boa confiabilidade e generalidade, tanto a SDEE tradicionais quanto
redes inteligentes com reconfigurao automtica. Para tanto, necessrio apenas um canal de
comunicao entre os dispositivos de monitoramento e o centro de operao da distribuidora.
Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 74

7.2.5 Ocorrncia de outros distrbios

Esse experimento avalia a capacidade de seletividade do mtodo proposto. Para isso, foram
aplicadas alm das FAI, faltas de baixa impedncia, energizao de ramos do alimentador e
chaveamento de bancos de capacitores.

1. Faltas de baixa impedncia (Figuras 7.7 e 7.8): aplicaram-se uma por vez, faltas de baixa
impedncia nas barras 10 e 80. Em ambos os casos, observou-se crescimento rpido das
energias dos coeficientes wavelet de detalhe, d , e diminuio das energias dos coeficientes
wavelet de aproximao, c . Como consequncia, de acordo com o fluxograma mostrado
na Figura 6.1, mesmo com a deteco de transitrios nos pontos monitorados, a anlise
de componentes de baixa frequncia indica que a perturbao no uma FAI. Mesmo
que o sistema de proteo falhasse e as energias d permanecessem acima do limiar d por
mais de 150 ms, a falta de baixa impedncia no seria confundida com uma FAI devido
queda da energia c , garantindo a seletividade do algoritmo proposto.
8
x 10
3
Barra 32
Barra 44
Energias x d

2 Barra 49
Barra 54
1 Barra 90
Barra 76
0
100 200 300 400 500
Tempo (ms)
9 (a)
x 10
15
Energias x c

10

0
100 200 300 400 500
Tempo (ms)
(b)

Figura 7.7. Falta de baixa impedncia aplicada na barra 10: (a) energia d ; (b) energia c .

2. Energizao de ramos (Figura 7.9): energizaram-se um por vez, os ramos ligados pelas
barras 10-11 e 30-31. Em ambos os casos, observou-se um crescimento rpido das energias
d , enquanto que as energias c no apresentaram variaes relevantes. No entanto, essas
caractersticas tiveram duraes menores que 150 ms, o que indica que os transitrios
Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 75

7
x 10
8 Barra 32
Barra 44
6

Energias x d
Barra 49
4 Barra 54
Barra 90
2 Barra 76

0
100 200 300 400 500
Tempo (ms)
9 (a)
x 10
15
Energias x c

10

0
100 200 300 400 500
Tempo (ms)
(b)

Figura 7.8. Falta de baixa impedncia aplicada na barra 80: (a) energia d ; (b) energia c .

detectados no foram induzidos por uma FAI. Alm disso, as energias d foram maiores
para as barras prximas s chaves 10-11 e 30-31, o que pode ser usado pelas equipes de
operao para avaliar e monitorar os procedimentos de comutao no alimentador.
7
x 10
10 Barra 32
Barra 44
Energias x d

Barra 49
5 Barra 54
Barra 90
Barra 76

0
100 200 300 400 500
Tempo (ms)
7 (a)
x 10
4

3
Energias x d

0
100 200 300 400 500
Tempo (ms)
(b)

Figura 7.9. Energizao de ramos: (a) barras 10-11; (b) barras 30-31.

3. Chaveamento de banco de capacitores (Figura 7.10): chavearam-se um por vez, bancos


de capacitores de 0,9 Mvar e 1,8 Mvar instalados na subestao. Tambm neste caso,
observou-se crescimento das energias d , porm com tempo de durao acima do limiar
d de apenas 30 ms, no atingindo o perodo de 150 ms esperado para os casos FAI.
Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 76

O banco de capacitores simulado foi um banco de potncia fixa, mas mesmo se o banco
fosse do tipo chaveado, o comportamento das energias seria semelhante. Isso porque o
tempo de entrada dos conjuntos de capacitores comandado por um controlador de fator
de potncia, que tem o objetivo de evitar picos de corrente na rede devido a entrada
do banco. Esse tempo ajustado na escala de segundos (WEG, 2013). Neste sentido,
a energia d de um chaveamento de banco de capacitores chaveado no ficaria acima do
limiar de forma contnua e, consequentemente, no seria confundida com uma FAI.

4 Barra 32
x 10
10 Barra 44
Barra 49
Energias x d

Barra 54
5 Barra 90
Barra 76

0
100 200 300 400 500
5 Tempo (ms)
x 10
4 (a)

3
Energias x d

2
1

0
100 200 300 400 500
Tempo (ms)
(b)

Figura 7.10. Chaveamento de banco de capacitores: (a) 0,9 Mvar; (b) 1,8 Mvar.

7.2.6 Faltas de baixa e de alta impedncia simultneas

Para avaliar a influncia de faltas de alta e baixa impedncia simultneas sobre o algoritmo
de identificao, quatro casos foram simulados: FAI simultneas na mesma fase; FAI simult-
neas em diferentes fases; FAI e falta de baixa impedncia simultneas na mesma fase; FAI e
falta de baixa impedncia simultneas em diferentes fases. Em todos os casos, os defeitos foram
aplicados nas barras 13 e 80. Nas Figuras 7.11 e 7.12 so apresentados os resultados obtidos.

Anlise de resultados mostrou que em todas as simulaes, os nveis de energia d mais rele-
vantes foram detectados nas barras mais prximas aos distrbios. No entanto, a reduo da rea
de busca da FAI foi comprometida, uma vez que as maiores energias estaro em dispositivos de
monitoramento de reas que no fazem fronteira, de tal maneira que as equipes de manuteno
Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 77

5 9
x 10 x 10
14 15

12 Barra 32
Barra 44
10 Barra 49

Energias x d

Energias x c
Barra 54 10
8 Barra 90
Barra 76
6
5
4

0 0
50 100 150 200 250 300 350 400 50 100 150 200 250 300 350 400
Tempo (ms) Tempo (ms)
(a) (b)

7 9
x 10 x 10
7 15

6 Barra 32
Barra 44
Energias x d

Energias x c

5 Barra 49
Barra 54 10
Barra 90
4
Barra 76

3
5
2

0 0
100 200 300 400 500 600 700 800 100 200 300 400 500 600 700 800
Tempo (ms) Tempo (ms)
(c ) (d)

Figura 7.11. Faltas simultneas na mesma fase: (a) Energias d para FAI na barra 13 + FAI na
barra 80; (b) Energias c para FAI na barra 13 + FAI na barra 80; (c) Energias d para FAI na barra
13 + falta de baixa impedncia na barra 80; (d) Energias c para FAI na barra 13 + falta de baixa
impedncia na barra 80.

teriam para inspecionar quase todo o alimentador. Mesmo assim, as reas monitoradas com os
maiores valores de energia d ainda so um bom indicador da localizao das FAI ao longo do
alimentador, de tal forma que, mesmo com faltas simultneas, o algoritmo proposto pode dar
apoio para uma anlise ps-falta.

Verificou-se ainda que os transitrios apareceram em medies de condutores sos devido


ao acoplamento mtuo entre as fases. No entanto, as energias d em fases com distrbio so
mais elevadas do que aqueles nas fases ss, o que permite a seleo de fase com distrbio. Alm
disso, verificou-se que a energia d maior do que o limiar d durante um intervalo menor que
150 ms, mesmo para faltas de baixa impedncia simultneas, de modo que o algoritmo proposto
pode distingui-las de FAI. Ainda em relao a faltas de baixa impedncia, afundamentos so
Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 78

5 9
x 10 x 10
12 15
Barra 32
Barra 44
10 Barra 49
Barra 54

Energias x d

Energias x c
8 Barra 90 10
Barra 76

4 5

0 0
50 100 150 200 250 300 350 400 50 100 150 200 250 300 350 400
Tempo (ms) Tempo (ms)
(a) (b)
7 10
x 10 x 10
2.5 2

2 Barra 32
1.5
Energias x d

Energias x c
Barra 44
Barra 49
1.5 Barra 54
Barra 90 1
1 Barra 76

0.5
0.5

0 0
100 200 300 400 100 200 300 400
Tempo (ms) Tempo (ms)
(c ) (d)

Figura 7.12. Faltas simultneas em diferentes fases: (a) Energias d para FAI na barra 13 fase A +
FAI na barra 80 na fase C; (b) Energias c para FAI na barra 13 fase A + FAI na barra 80 fase C; (c)
Energias d para FAI na barra 13 fase A + falta de baixa impedncia na barra 80 fase C; (d) Energias
c para FAI na barra 13 fase A + falta de baixa impedncia na barra 80 fase C.

observados nas medies de condutores em falha, ao passo que elevaes de tenso so vistas
nas medies de condutores sos.

De acordo com as informaes fornecidas concessionrias, faltas simultneas so raras, mas


no impossveis. Portanto, ainda que no fornecendo uma boa estimativa do local da FAI
em casos de faltas simultneas, o algoritmo foi capaz de detectar FAI, sem a necessidade de
sincronizao de dados, nem de parmetros das cargas e do alimentador.

7.3 IMPLEMENTAO NO RTDSTM

Para avaliar o mtodo de deteco de FAI em uma aplicao em tempo real, implementou-se
o sistema de distribuio de treze ns proposto pelo IEEE (SUBCOMMITTEE, 2006) no RTDSTM ,
o qual apresentado na Figura 7.13.
Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 79

650

646 645 632 633 634

611 684 692 675


671

652 680

Figura 7.13. Sistema teste de 13 barras.

As linhas que interligam os ns esto sobre postes com diferentes configuraes. As princi-
pais podem ser observadas na Figura 7.14.
2.5 4.5 7.0

5.0
4.0 4.0

0.5 0.5 0.5

24.0 24.0 24.0

ID-500 ID-505 ID-510

Figura 7.14. Configurao dos postes.

O transformador modelado foi trifsico, Y Y-aterrado, abaixador e tem as seguintes confi-


guraes apresentadas na Tabela 7.5.

Tabela 7.5. Especificaes do Transformador.


Tipo de Potncia Primrio Secundrio Resistncia Reatncia
conexo (kVA) (kV) (kV) (%) (%)
Abaixador 500 4,16 0,48 1,1 2,0

A carga est localizada em 8 das 13 barras com as potncias apresentadas na Tabela 7.6.

Devido ao compromisso do RTDSTM em realizar simulaes em tempo real, os sistemas


eltricos, modelos e rotinas simulados tm que ser simplificados, de forma que o programa seja
executado em um tempo abaixo do passo de integrao escolhido. No RTDSTM pertencente a
Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 80

Tabela 7.6. Cargas concentradas.


N Fase A Fase A Fase B Fase B Fase C Fase C
(kW) (kVAr) (kW) (kVAr) (kW) (kVAr)
634 160 110 120 90 120 90
645 0 0 170 125 0 0
646 0 0 230 132 0 0
652 128 86 0 0 0 0
671 385 220 385 220 385 220
675 485 190 68 60 290 212
692 0 0 0 0 170 151
611 0 0 0 0 170 80

UFCG o menor passo de integrao possvel de ser simulado de 50 s. O sistema completo


foi modelado no RTDSTM , sendo apresentado na Figura 7.15. Ell=
kV 13.8

SUB

AC Type
1e-6

1e-6

1e-6
C
A

Deteco FAI

Tensao FAI_in
IA632
FAI1
BanCAP

BancCAP
ChavCargas

Chav_Car
Iniciar Iniciar aEnergia
1
0 Iniciar Iniciar Energia
Alimiar

Limiar
aContador4

Contador4
C
End #2 A

Name = PI65032
SECTION
RISC

PI
A End #1

C
B

RISC
A End #1 End #2 A A Trf = XFM1 A
Tmva = 0.500 MVA
2.0377e-004
0.0754 3.3961E-4 0.1256
B PI B B B
#1 L #2
SECTION
2.0377e-40.0754 3.3961E-4 0.1256
C C C C
Name = PI63233 4.16 0.48

RISC RISC
Dynamic R-L Load
3.5326e-4

3.5326e-4

3.5326e-4

3.5326e-4

5.8876e-4

5.8876e-4

5.8876e-4

5.8876e-4

C
End #2 A

N2 A B C
646
RISC
Name = PI63271
Dynamic R-L Load

Dynamic Load (R-L)


SECTION
RISC

634
PI
RISC

A End #1
645

C
B

Dynamic Load (R-L)


C
RISC

671C
B

FAI
A

N1 N2
FAI
0
Dynamic Load (R-L)

1 R1+R2
C

BRK1
RISC

671D
B

BRK1A
0
1
A

BRK2

BRK1
FAI
BRK1A

BRK1B

BRK1C

N7 N8 N9
1.0 /_ 1.0
BUS3
RISC
2.0377e-004 0.0754
A End #1 End #2 A

B PI B
SECTION
2.0309e-4 2.0377e-4 0.0754
C C
3.4056e-4

3.4056e-4

Name = 69275
0.0755
RISC
Dynamic R-L Load

3.5326e-4

3.5326e-4

3.5326e-4

3.5326e-4

Dynamic R-L Load


45.984

91.967

91.967

91.967

A B C
692
0.0179 RISC
RISC

611

Dynamic Load (R-L)


0.2034

675
2.0594e-4

BRK3 BRK4
0 0
1 BRK3 1 BRK4
BRK3A

BRK3B

BRK4A

BRK4B
BRK3C

BRK4C

0.0179
Dynamic R-L Load

A B C
1

RISC
RISC
652

Dynamic Load (R-L)


67
C
End #2 A

Name = 67180
SECTION
RISC

PI
A End #1

C
B

Figura 7.15. Sistema teste de 13 barras simulado no RTDSTM .

Como as linhas simuladas so muito curtas, o uso de um passo de integrao pequena


necessrio, hajam visto s reflexes dos transitrios eletromagnticos ocorrerem muito rapida-
mente. Mesmo com essa restrio, o modelo de FAI proposto nesse trabalho foi simulado e uma
corrente com as principais caractersticas de FAI foi obtida. O bloco que simula a FAI e o que
calcula as energias d so apresentados nas Figuras 7.16 e 7.17, respectivamente.
Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 81

FAI
N1 N2
FAI
0
1 BRK1 R1+R2
BRK1A
0
1 BRK2

BRK1
FAI

BRK1A

BRK1B

BRK1C
N7 N8 N9
1.0 1.0

Figura 7.16. Bloco que simula o modelo de FAI proposto.

Deteco FAI

Tensao FAI_in
IA632
FAI1
BanCAP

BancCAP
ChavCargas

Chav_Car
Iniciar Iniciar aEnergia
1
0 Iniciar Iniciar Energia
Alimiar

Limiar
aContador4

Contador4

Figura 7.17. Bloco de clculo das energias d

A FAI foi aplicada na barra 675 e a corrente de FAI obtida no ponto de falta apresentada
na Figura 7.18. Nela possvel observar uma forma de onda similar s obtidas nos ensaios de
campo. A corrente de falta alcanou valores de pico na faixa de 50 A.
Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 82

IBRKA
0.1

0.05

0
kA

-0.05

-0.1
0 0.08333 0.16667 0.25 0.33333 0.41667 0.5

Figura 7.18. Corrente de FAI resultante da simulao no RTDSTM .

Com o objetivo de avaliar o desempenho do mtodo de diagnstico, as energias d nas barras


675, 671, 632 e 633 foram calculadas e so apresentadas na Figura 7.19. A sequncia escolhida
segue o critrio de proximidade do ponto da FAI. Observa-se que quanto mais prximo ao ponto
de FAI, maiores os valores de energia. Alm disso, com exceo do ponto 633, mais distante da
FAI, todos os outros pontos prximos permaneceram acima do limiar de aps o ocorrncia do
distrbio.
Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 83

1.2E-6 Energia Limiar

1E-6

8E-7

6E-7

4E-7
0 0.08333 0.16667 0.25 0.33333 0.41667 0.5
Tempo (s)
(a)

9E-7 Energia Limiar

8E-7

7E-7

6E-7

5E-7

4E-7
0 0.08333 0.16667 0.25 0.33333 0.41667 0.5
Tempo (s)
(b)
8E-7 Energia Limiar

7E-7

6E-7

5E-7

4E-7
0 0.08333 0.16667 0.25 0.33333 0.41667 0.5
Tempo (s)
(c)

1.15E-9 Energia Limiar

1.1E-9

1.05E-9

1E-9
0 0.08333 0.16667 0.25 0.33333 0.41667 0.5
Tempo (s)
(d)

Figura 7.19. Energias d nas barras: (a) 675; (b) 671; (c) 632; (d) 633.

Para a avaliao do mtodo, alm das FAI, foram simulados chaveamentos de bancos de
capacitores e energizao de linhas.

O modelo de banco de capacitores utilizado nas simulaes do ATP foi simulado no RTDSTM .
Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 84

Como esperado, houve o aparecimento transitrios eletromagnticos, mas esses no foram su-
ficientes para ultrapassar o limiar de tolerncia por mais de 150 ms. Na Figura 7.20 so
apresentadas as energias d para um chaveamento de banco de capacitores na barra 675.

0.03 Energia Limiar

0.02

0.01

0
0 0.08333 0.16667 0.25 0.33333 0.41667 0.5
Tempo (s)
(a)
0.00005 Energia Limiar

0.00004

0.00003

0.00002

0.00001

0
0 0.08333 0.16667 0.25 0.33333 0.41667 0.5
Tempo (s)
(b)

1.2E-6 Energia Limiar

1E-6

8E-7

6E-7

4E-7
0 0.08333 0.16667 0.25 0.33333 0.41667 0.5
Tempo (s)
(c)

2.5E-9 Energia Limiar

2E-9

1.5E-9

1E-9
0 0.08333 0.16667 0.25 0.33333 0.41667 0.5
Tempo (s)
(d)

Figura 7.20. Energia d nas barras: (a) 675; (b) 671; (c) 632; (d) 633.
Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 85

Em relao energizao de cargas, foi feito o chaveamento das cargas entre os ns 675
e 692. Os transitrios foram to pequenos que no ultrapassaram o limiar de tolerncia. Na
Figura 7.21 so apresentadas as energias d para a energizao de cargas entre os ns 675 e 692.
Energia Limiar
0.00058

0.00056

0.00054

0.00052

0.0005
0 0.08333 0.16667 0.25 0.33333 0.41667 0.5
Tempo (s)
(a)
Energia Limiar
0.00058

0.00056

0.00054

0.00052

0.0005
0 0.08333 0.16667 0.25 0.33333 0.41667 0.5
Tempo (s)
(b)
Energia Limiar
0.00056

0.00054

0.00052

0.0005
0 0.08333 0.16667 0.25 0.33333 0.41667 0.5
Tempo (s)
(c)
0.00056 Energia Limiar

0.00054

0.00052

0.0005
0 0.08333 0.16667 0.25 0.33333 0.41667 0.5
Tempo (s)
(d)

Figura 7.21. Energia d nas barras: (a) 675; (b) 671; (c) 632; (d) 633.
Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 86

A anlise de resultados indica que as simulaes no RTDSTM puderam confirmar a viabili-


dade do clculo das energias dos coeficientes wavelet em tempo real.

7.4 AVALIAO DO MTODO DE DIAGNSTICO EMBARCADO EM UM MICRO-


CONTROLADOR

Com os bons resultados obtidos no mtodo implementado diretamente no RTDS, decidiu-se


avanar nos testes e embarcar o mtodo no microcontrolador ADuC7026 (ANALOG DEVICES,
2004). O microcontrolador recebe das sadas analgicas do RTDSTM tenses de um dos ns
da simulao. O microcontrolador faz o processamento dessas tenses e d como resultado
uma sada digital informando se foi detectada uma FAI ou outro distrbio. Na Figura 7.22
apresentado o mdulo de desenvolvimento base do microcontrolador utilizado.

Figura 7.22. Mdulo de desenvolvimento do microcontrolador ADuC7026.

As principais caractersticas do ADuC7026 esto listadas abaixo:

Unidade central de processamento baseado em arquitetura ARM7, RISC 16/32- bits;

Frequncia de operao de 41.78MHz;

12 conversores A/D com resoluo de 12 bits;

4 conversores D/A com resoluo de 12 bits;

Suporte para debug e carregamento de cdigo atravs de interface JTAG;

Interface de comunicao UART/SPI/I2C;


Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 87

Firmware para carregamento serial in-circuit pr-gravado em fbrica, o que permite gra-
var o firmware desenvolvido atravs da interface UART;

Disponibilidade de mais de 40 pinos de interface digital geral (GPIO).

Para realizar a integrao entre as sadas analgicas do RTDSTM e as entradas analgicas


do microcontrolador foi necessrio utilizar um circuito condicionador de sinais. O ADuC7026
opera em suas entradas analgicas com tenses entre 0 e +3 V. Os sinais externados pelo carto
GTAO do RTDSTM gera sinais analgicos com valores de pico entre 10 V. Para realizar esse
condicionamento foi utilizado o circuito condicionador de sinais proposto por Silva (2010). O
diagrama eltrico do circuito apresentado na Figura 7.23.

Figura 7.23. Circuito condicionador de sinais proposto por Silva (2010).

Em resumo, o circuito condicionador de sinais pode ser dividido em quatro estgios:

Primeiro estgio: O circuito transdutor de tenso se destina a transformar a tenso de


entrada em valores menores e isolar eletricamente o circuito primrio do circuito secun-
drio;

Segundo estgio: O circuito inversor do sinal tem por objetivo inverter o sinal que vem da
sada do transdutor de tenso. Nesta aplicao o circuito inversor tem sua importncia
devido inexistncia de um circuito somador puro, uma vez que todo circuito somador
inversor;
Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 88

Terceiro estgio: O circuito somador-inversor tem por objetivo somar uma componente
contnua ao sinal de entrada e torn-lo positivo;

Quarto estgio: Filtro para eliminar o rudo oriundo da fonte de tenso contnua, respon-
svel pelo ganho DC.

A tenso analgica externada pelo RTDSTM e o sinal j tratado pela placa condicionadora
so apresentados na Figura 7.24.

Figura 7.24. Sinal de tenso vindo do RTDSTM (azul) e sinal tratado pela placa condicionadora de
sinais (verde).

Com o sinal condicionado, o mtodo de diagnstico foi implementado no microcontrolador


ADuC7026. A fim de se acompanhar o andamento dos testes, trs LEDs foram utilizados como
sinalizadores das sadas obtidas.

LED Vermelho: FAI detectada, ou seja, a energia calculada permaneceu acima do limiar
de tolerncia por mais de 150 ms;

LED Amarelo: distrbio diferente de FAI detectado, ou seja, a energia calculada ultra-
passou o limiar, mas por uma durao menor que 150 ms;

LED Verde: sinalizador de controle do bom funcionamento do clculo do limiar de tole-


rncia.

A plataforma experimental (Figura 7.25) consistiu dos seguintes equipamentos: RTDSTM ,


microcontrolador, placa condicionadora de sinais e fonte de tenso.
Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 89

Figura 7.25. Plataforma experimental para avaliao de sinais externados do RTDSTM .

As simulaes de FAI, chaveamento de banco de capacitores e a energizao de cargas foram


repetidas e o resultado esperado foi alcanado. Em FAI o LED vermelho foi acionado, como
mostra a Figura 7.26, e nas manobras de chaveamento o LED amarelo foi acionado, como
apresentado na Figura 7.27.

Figura 7.26. LED vermelho acionado indicando que uma FAI foi detectada.
Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 90

Figura 7.27. LED amarelo acionado indicando que um distrbio diferente de FAI foi detectado.

7.5 AVALIAO DO MTODO DE DIAGNSTICO COM DADOS REAIS

Durante os ensaios de FAI, alm dos registros no ponto de aplicao da falta, tambm foram
registradas oscilografias a 11 km de distncia. Esses dados reais provenientes dos ensaios foram
avaliados pelo mtodo de diagnstico.

Por se tratar de um alimentador rural, a corrente em regime permanente baixa, mas,


mesmo assim, o mtodo foi capaz detectar a FAI. Deve-se observar que a interferncia dos
transformadores de corrente e potencial no inabilitou a deteco dos transitrios eletromag-
nticos. Nas Figuras 7.28 e 7.29 so apresentadas os sinais de tenso e corrente no domnio no
tempo e a energia d de registros oscilogrficos obtidos nos ensaios de FAI nas superfcies areia
e calamento, respectivamente.

Observa-se que no domnio do tempo as variaes nas amplitudes das tenses so pratica-
mente imperceptveis. J nas correntes, mesmo com uma diferena de corrente considervel em
relao ao regime permanente, a proteo por sobrecorrente no atuou nesses casos. Em ambos
os casos as energias dos coeficientes de detalhe das tenses ultrapassou o limiar de tolerncia e
permaneceu acima desse limiar aps o incio da falta por um perodo acima de 150 ms.
Captulo 7 Avaliao do Mtodo Proposto 91

4
x 10
2

Tenso (V)
0

-2
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Tempo(s)
(a)
Corrente (A)

100

-100
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Tempo(s)
(b)
Energias x d

0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Tempo(s)
(c)

Figura 7.28. Mtodo de deteco aplicado em registro oscilogrfico real de FAI na areia: (a) tenso;
(b) corrente; (c) energia d .

4
x 10
2
Tenso (V)

-2
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Tempo(s)
(a)
Corrente (A)

50

-50
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Tempo(s)
(b)
Energias x d

20

10

0
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Tempo(s)
(c)

Figura 7.29. Mtodo de deteco aplicado em registro oscilogrfico real de FAI no calamento: (a)
tenso; (b) corrente; (c) energia d .
CAPTULO 8

CONCLUSES

Um mtodo para deteco e estimao da localizao de FAI foi proposto, o qual baseou-se
na anlise dos transitrios eletromagnticos induzidos pela FAI para detectar a perturbao e
identificar a rea do alimentador monitorado onde a FAI supostamente est localizada. Fazendo
uso das energias dos coeficientes wavelet de detalhe e de aproximao, os sinais de alta frequncia
do distrbio so analisados, como tambm as variaes das amplitudes das tenses.

Embora possa ser usado em aplicaes off-line, o mtodo foi concebido preferencialmente,
para aplicaes em tempo real e no requer: i) informaes sobre os parmetros de alimen-
tadores; ii) informaes sobre o carregamento do sistema de energia; iii) alta preciso na sin-
cronizao de tempo dos dispositivos. O algoritmo proposto simples de ser implementado,
sendo aplicvel em qualquer SDEE, desde que existam pontos de monitoramento com canais
de comunicao interligados ao longo do sistema.

Os resultados obtidos at o momento, indicam que o mtodo proposto eficaz e confivel.


Em todos os cenrios analisados, a FAI foi detectada e uma boa estimao de sua localizao
foi alcanada. Por fim, o mtodo foi desenvolvido de modo que possa ser incorporado em
dispositivos de redes de distribuio.

O mtodo foi implementado no RTDSTM e avaliado com a simulao de um sistema-teste


do IEEE de 13 barras. Observou-se a aplicabilidade do clculo das energias dos coeficientes
wavelet de detalhe em tempo real e seu potencial para ser embarcado em dispositivos fsicos e
implantado efetivamente nos SDEE. Ao final, o mtodo foi embarcado em um microcontrolador
e, em uma configurao conhecida como HIL (hardware-in-the-loop), recebeu como entradas
tenses analgicas advindas do RTDSTM e controlou o estado de um disjuntor na simulao.

Como proposta de trabalhos futuros, sugere-se realizar o desenvolvimento de um dispositivo


fsico que seja capaz de identificar FAI em redes de distribuio reais. Isso poder ser feito
usando um microcontrolador ou um processador digital de sinais (DSP), no qual ser embar-

92
Captulo 8 Concluses 93

cado o algoritmo do mtodo apresentado neste trabalho. O dispositivo deve receber tenses
e correntes advindas de transformadores de potencial e de corrente e enviar um alerta para o
centro de operao da concessionria de energia local, auxiliando, assim, o processo de tomada
de deciso para deslocamento das equipes de manuteno.

Ao final, a pesquisa desenvolvida resultou nas seguintes contribuies relevantes para o


estado da arte:

1. Um melhoramento na modelagem de FAI.

2. Um mtodo inovador de diagnstico de FAI.

3. A validao e teste do mtodo em simulaes com diversas situaes de distrbios dife-


rentes.

4. A implementao do mtodo no RTDSTM e a observao de sua aplicabilidade em tempo


real.

5. A implementao do mtodo em um microcontrolador e a observao de sua aplicabilidade


em tempo real.
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APNDICE A

CONFIGURAO DO ALIMENTADOR SIMULADO

A.1 DADOS DO ALIMENTADOR SIMPLIFICADO

88
89 87 90
86
84 85 77 76
41 81 80 74 75
83 82
16 44
40 79 73
15 43 78 64
39 72 70 71
22 42 65 66
14 62 67 69
27 23 68
21 9 8 63
26 28 13 12 38 61 60 59
20 7
50 51
25
37 24 18 17 11 10 6 5 53 54 57 58
29 19 3 45 52 55
30 4 56
36 2 46
31 47
35 1
32 48
Religador 49
34 33

Subestao

Figura A.1. Diagrama unifilar do modelo do alimentador escolhido.

Figura A.2. Configurao das cruzetas.

100
Apndice A Configurao do alimentador simulado 101

Figura A.3. Estrutura dos postes.


Apndice A Configurao do alimentador simulado 102

Tabela A.1. Comprimentos dos trechos do alimentador escolhido.


DE PARA Comprimento(m) DE PARA Comprimento(m)
SE BVA 1 430 54 57 200
1 2 430 57 58 2000
2 3 900 58 59 1200
3 4 1900 59 60 2000
3 5 1500 60 61 2000
5 6 1000 59 62 1100
5 45 2000 62 63 2500
5 50 1300 62 64 1100
5 38 2000 64 65 2000
6 7 2000 65 66 2000
7 8 1000 66 67 1400
7 9 1000 67 68 1400
6 10 1500 66 72 1200
10 11 1500 72 69 1200
11 12 1500 72 70 1800
12 13 1500 70 71 1800
12 14 1800 66 73 2500
14 15 1800 73 74 2500
15 16 2000 74 75 2000
11 17 1700 74 77 2100
17 18 1700 75 76 2500
18 19 2000 64 78 2000
18 20 1500 78 79 2000
20 21 1500 79 80 2300
21 22 1000 80 81 1500
21 23 1200 81 84 1500
18 24 1300 81 82 2000
24 25 1200 82 83 2000
25 26 1000 80 85 2400
26 27 500 85 86 3000
26 28 600 86 87 1600
25 29 1300 87 88 3000
29 37 1500 86 89 1200
37 36 1500 85 90 2000
29 30 1500 38 39 1500
30 31 1500 39 42 1200
31 35 1100 39 40 1000
31 32 1200 40 43 1100
32 33 1000 43 44 1000
32 34 1000 40 41 1600
50 51 1500 45 46 600
51 52 1200 45 47 2000
52 54 1200 47 48 2000
54 55 1000 48 49 2400
55 56 1000
Apndice A Configurao do alimentador simulado 103

Tabela A.2. Cargas ao longo do alimentador escolhido.


BARRA Carga(kVA) BARRA Carga (kVA)
1 0 46 20
2 0 47 15
3 75 48 25
4 285 49 15
5 502,5 50 1245
6 35 51 150
7 10 52 20
8 15 53 0
9 30 54 0
10 15 55 10
11 30 56 5
12 5 57 0
13 10 58 0
14 10 59 20
15 10 60 80
16 20 61 315
17 30 62 35
18 15 63 45
19 40 64 30
20 15 65 60
21 15 66 45
22 35 67 25
23 30 68 5
24 30 69 10
25 15 70 15
26 15 71 25
27 15 72 10
28 5 73 25
29 60 74 25
30 10 75 15
31 10 76 25
32 15 77 25
33 15 78 100
34 5 79 20
35 15 80 90
36 35 81 5
37 15 82 15
38 360 83 15
39 0 84 75
40 0 85 30
41 55 86 10
42 20 87 25
43 20 88 5
44 15 89 5
45 45 90 5
APNDICE B

PADRO IEEE COMTRADE

As informaes fornecidas pelos rels digitais, RDP e programas de simulao tm feito com
que quantidades cada vez maiores de dados se formem continuadamente. Estas informaes
podem ser geradas, transmitidas e armazenadas em diferentes formatos, dependendo do sistema
de aquisio e transmisso empregado.

B.1 PRINCIPAIS PARMETROS DO PADRO COMTRADE

A diversidade de formato dificultava a anlise dos dados, uma vez que exigia mais do analista,
at que em 1991 adotou-se o padro COMTRADE (IEEE Standard COMmon Format for
TRAnsient Data Exchange for Power Systems) (IEEE POWER SYSTEM RELAYING COMMITTEE,
1991). Um formato aberto, para o qual todos os outros formatos pudessem ser convertidos.
Este padro foi revisado em 1997 e em 1999, definindo um formato comum dos arquivos de
dados que possibilita o intercmbio dos arquivos entre os vrios sistemas de anlise de falta,
testes e simulao.

Trs tipos de arquivos so gerados no padro COMTRADE. Cada qual possui uma classe
especfica de informao. O nome desses arquivos tem extenso que designa o tipo (Tabela
B.1).

Tabela B.1. Tipos de arquivo do padro COMTRADE.


Tipo Extenso
Cabealho .hdr
Configurao .cfg
Dados .dat

Os arquivos so sequenciais e os campos de cada registro so delimitados por vrgula. Isto


, as informaes so organizadas em linhas numa ordem padronizada, sendo os dados em cada
linha separados por vrgulas.

104
Apndice B Padro IEEE COMTRADE 105

Arquivos de cabealho: so arquivos de texto criados pelo programa conversor com o obje-
tivo de permitir que os dados possam ser impressos e entendidos pelo usurio. Arquivos deste
tipo podem conter qualquer informao desejada. Por exemplo: nome da subestao, identifica-
o do equipamento (linha de transmisso, transformador, reator, dentre outros), comprimento
da linha, relao de transformao do transformador de potencial ou de corrente e localizao do
defeito. As informaes contidas em um arquivo de cabealho dependem apenas do conversor
fornecido pelo fabricante do dispositivo de registro.

Arquivos de configurao: so criados pelo programa conversor como um arquivo de texto.


O formato dos dados predefinido para que possam ser lidos e interpretados corretamente pelo
programa computacional de anlise, o qual os associar aos valores armazenados no arquivo de
dados correspondente. Os arquivos de configurao so organizados conforme a Tabela B.2.

O campo ccccc no registro tipo 3 quase no usado. O fator de converso do canal ax + b,


sendo a e b nmeros reais dados nos campos correspondentes do registro tipo 3. x o valor da
amostra do arquivo .dat a ser convertido. Isto , o valor convertido de x corresponde a ax + b
em unidades uu especificadas no campo correspondente.

Arquivos de dados: so arquivos do tipo ASCII, ou binrio, criados pelo programa conversor.
Os dados de um arquivo deste tipo possuem formato predefinido de modo que possam ser lidos
e interpretados pelo programa de anlise, o qual os associar conforme especificado no arquivo
de configurao correspondente.

Um arquivo de dados deve conter os valores organizados em linhas e colunas, de modo que
cada linha corresponda a um conjunto de valores da primeira amostra de canal precedido de
um nmero seqencial e o tempo do conjunto de amostras. O nmero de linhas varia de acordo
com o de amostras, o que define o tamanho do arquivo.

A primeira coluna deve conter o nmero da amostra. A segunda, o tempo da amostra, em


micro segundos, do incio do registro. As demais colunas devem conter os valores amostrados
da tenso, da corrente e do estado, os quais devem ser inteiros com seis dgitos e separados por
vrgula. Valores inexistentes devem ser representados por 999999 e as informaes de estado
por 0 ou 1.

Todos os dados fornecidos pelo ATP para formao da Base de Dados sero convertidos
Apndice B Padro IEEE COMTRADE 106

para o padro COMTRADE.

Tabela B.2. Registros e campos dos arquivos de configurao.


No Registro Campo Descrio do campo
Nome e identificao Station name Nome da subestao
1
da subestao Id Nome do registrador
Nmero e tipo de TT Nmero total de canais
2 canais nnt,nnt Nmero de canais tipo t
t ={A: analgico/D: digital}
Nome dos canais, nn, id Nmero e nome do canal
unidades, fatores de p Identificao de fase (A, B, C, N)
converso e informaes cccccc Circuito ou componente monitorado
dos canais uu Unidade do canal (V, A, kV, etc.)
a, b Componentes do fator de converso
3
skew Nmero real
min, max Menor e maior valor da taxa de
amostragem do canal id
m Estado normal ou de alarme do canal
(apenas para canais digitais).
4 Frequncia nominal IF Frequncia nominal em Hz (50, 60).
Taxa de amostragem e nrates N de taxas de amostragem
nmero de amostras diferentes no arquivo .dat
5
sssss1, endsamp1 Taxa de amostragem em Hz
sssssn, endsampn e ltima amostra nessa taxa
Data e hora da mm/dd/yy Ms, dia e ltimos dgitos do ano.
6
primeira amostra hh:mm:ss:ssssss Hora, minuto e segundo.
Data e hora do trigger mm/dd/yy Ms, dia e ltimos dgitos do ano.
7
hh:mm:ss:ssssss Hora, minuto e segundo.
Tipo de arquivo de dados ft Informa se o arquivo de dados
8
ASCII ou binrio.
APNDICE C

SIMULAES EM TEMPO REAL VIA RTDSTM

Nas ltimas dcadas, a anlise de transitrios eletromagnticos em sistemas eltricos de potncia


(SEP) tem sido tradicionalmente realizada por meio de simulaes computacionais fazendo uso
de softwares baseados na regra trapezoidal de integrao, dentre os quais destaca-se o ATP
(LEUVEN EMTP CENTER, 1987). Dessa maneira, equaes integrais so transformadas em
equaes algbricas, cuja soluo calculada em instantes discretos no tempo, os quais so
usualmente denominados de passo de integrao. Em computadores convencionais, a soluo
das equaes do sistema em estudo pode durar vrios segundos, o que constitui na denominada
simulao em tempo de execuo. Com o avano da tecnologia digital, tornou-se possvel
resolver tais equaes algbricas sem extrapolar o perodo do passo de integrao adotado
durante as simulaes. Desta forma, a simulao ficou mais realstica e introduziu-se o conceito
de simulaes em tempo real.

O RTDSTM foi especialmente projetado para o estudo dos fenmenos de natureza eletro-
magntica em tempo real, sendo composto por uma combinao de hardware e software que
funciona como Transient Network Analyser (TNA), equipamento tradicionalmente utilizado na
anlise de sistemas eltricos no domnio contnuo do tempo.

Diferentemente do TNA analgico, no qual as variveis do sistema so contnuas no tempo,


o RTDSTM capaz de avaliar o modelo do SEP apenas em instantes discretos no tempo. A
tcnica utilizada para soluo dos sistemas simulados a anlise nodal, semelhante aos algorit-
mos bsicos empregados em programas do tipo EMTP (Electromagnetic Transients Program)
(DOMMEL, 1996). Porm, devido atuao de diversos processadores de alta velocidade traba-
lhando em paralelo, as solues do SEP simulado so obtidas em um intervalo de tempo muito
menor que as constantes de tempo do sistema em estudo, fato este que tem tornado o RTDSTM
um dos equipamentos mais utilizados no mbito de simulaes em tempo real.

Adicionalmente, o RTDSTM possui uma interface de entradas e sadas, o que permite o

107
Apndice C Simulaes em tempo real via RTDSTM 108

intercmbio de informaes analgicas e digitais entre o simulador e equipamentos reais, como


rels de proteo, RDP e equipamentos de monitoramento e controle. Desta forma, torna-
se possvel o comissionamento e avaliao destes dispositivos, sem que haja a necessidade de
grandes laboratrios de alta tenso ou ensaios em campo. Vale ainda salientar que outra poten-
cialidade do RTDSTM referente a possibilidade de incorporao s simulaes em tempo real
de modelos de componentes do sistema eltrico ou de algoritmos de proteo e controle criados
pelo prprio usurio, permitindo a interao destes com os modelos j existentes no RTDSTM .
Esta funcionalidade de grande relevncia, pois permite avaliar a atuao de algoritmos de
forma segura e simples.

Neste captulo so apresentadas algumas caractersticas do RTDSTM , o qual foi utilizado


durante a implementao e avaliao do algoritmo proposto.

C.1 HARDWARE DO RTDSTM

Conforme mencionado anteriormente, o simulador RTDSTM possui um hardware de proces-


samento paralelo cuja arquitetura montada em unidades modulares denominadas usualmente
de racks. Estes mdulos possuem cartes de processamento e de comunicao, sendo capazes
de simular sistemas eltricos em tempo real com um nmero limitado de barras e equipamentos.
Esta capacidade comumente definida como 54 ns por rack, de forma que, para a simulao
de sistemas eltricos mais complexos, pode-se utilizar outros racks funcionando em conjunto.
Assim, o sistema eltrico inteiro dividido em subsistemas e cada um destes rodado em um
rack distinto.

Como o RTDSTM utilizado neste trabalho dispe de apenas um rack, os cartes responsveis
pela comunicao entre diferentes racks no sero apresentados. Na Figura C.1 so ilustrados
alguns tipo de racks do RTDSTM j disponveis no comrcio.

Nas tabelas a seguir so listados os principais componentes de um simulador RTDSTM tpico


classificados com base no local de acesso aos seus respectivos terminais (na parte frontal ou
traseira do rack ).
Apndice C Simulaes em tempo real via RTDSTM 109

Figura C.1. Racks do RTDSTM disponveis no comrcio.

Tabela C.1. Hardware do RTDSTM : Cartes acessveis pela parte frontal do equipamento.
Nome do Carto Descrio do Carto
PB5 PB5 Processor Card
GTWIF Giga-Transceiver Workstation InterFace Card
GTNET Giga-Transceiver Network Interface Card
Low Voltage Digital I/O Interface Panel
250 Vdc Voltage Digital Output Interface Panel

Tabela C.2. Hardware do RTDSTM : Cartes acessveis pela parte traseira do equipamento.
Nome do Carto Descrio do Carto
GTAO Giga-Transceiver Analogue Output
GTAI Giga-Transceiver Analogue Input
GTDO Giga-Transceiver Digital Output
GTDI Giga-Transceiver Digital Input
GTFPI Giga-Transceiver Front Panel Interface
GBH Global Bus Hub

C.1.1 Giga-Transceiver Workstation InterFace Card (GTWIF)

O GTWIF fornece a interface de comunicao entre a rede local (LAN) e o RTDSTM .


Para cada carto GTWIF atribudo um endereo IP, permitindo que qualquer computador
conectado rede local possa se comunicar com o simulador. atravs deste carto que se torna
possvel interagir com o sistema eltrico modelado durante as simulaes em tempo real.

Basicamente, ao iniciar uma simulao, o carto GTWIF acessado continuamente em


Apndice C Simulaes em tempo real via RTDSTM 110

tempo real, at que um comando de parada seja emitido. Alm disto, o GTWIF fornece
um relgio (contador dos passos de integrao) para todos os processadores, sincronizando os
clculos, coordenando a comunicao entre os demais cartes do RTDSTM e, por fim, garantindo
que o clculo do SEP em estudo e as operaes de entrada e sada do simulador no extrapolem
o passo de integrao mnimo. Na Figura C.2 apresentado um carto GTWIF.

Figura C.2. Carto GTWIF.

C.1.2 Carto de Processamento de Dados

O rack instalado na UFCG do modelo mdio dentre os vrios disponibilizados atualmente


pela empresa RTDSTM Technologies. Basicamente, o referido RTDSTM possui trs placas de
processamento do tipo GPC, que constitui uma verso anterior ao carto do tipo PB5 menci-
onado anteriormente na Tabela C.1. Mesmo assim, as funes destes cartes so semelhantes,
sendo responsveis tanto pelo clculo das solues dos SEP simulados como das rotinas de
controle e proteo incorporadas s simulaes em tempo real. Na Figura C.3 apresentado
um modelo atual da placa de processamento de dados do RTDSTM da UFCG.

C.1.3 Cartes Digitais de Entrada e Sada

Estes cartes so disponibilizados pelo fabricante do RTDSTM com o objetivo de possibilitar


a realizao de testes com dispositivos reais de controle e proteo. Em resumo, estes cartes
servem como uma interface entre o RTDSTM e o equipamento sob avaliao, permitindo acessar
os sinais de entrada e sada provenientes da simulao em tempo real do sistema eltrico em
estudo.
Apndice C Simulaes em tempo real via RTDSTM 111

Figura C.3. Carto GPC de processamento de dados.

Estes cartes so integrantes de uma famlia denominada GT-I/O (Gigabit Transceiver -


Input/Output) e so conectados aos cartes de processamento de dados do RTDSTM por meio
de links de fibra tica de 2 GHz, fornecendo isolao tica com relao ao simulador.

O famlia GT-I/O composta pelos seguintes componentes:

Carto GTAO (Giga-Transceiver Analogue Output): empregado na gerao de sinais


analgicos cujos valores de pico so da ordem de 10 V por meio de 12 canais de sada
de 16 bits. Estas sadas so submetidas a um processo de oversampling e ento so
disponibilizadas a cada 1 s. Na Figura C.4(a) ilustrado um carto GTAO.

Carto GTAI (Giga-Transceiver Analogue Input): utilizado para a entrada de sinais ana-
lgicos disponibilizados por equipamentos externos ao RTDSTM . Este carto possui dois
canais para converso do tipo analgico para digital, ambos de 16 bits e com seis entradas
cada. De forma similar ao carto GTAO, as entradas do carto GTAI suportam sinais de
entrada com valores de pico da ordem de 10 V. Na Figura C.4(b) ilustrado um carto
GTAI.

Carto GTDO (Giga-Transceiver Digital Output): usado para gerar sinais digitais de 7
a 24 V atravs de 64 canais digitais de sada, o que propicia a comunicao com equipa-
mentos externos. Na Figura C.5(a) ilustrado um carto GTDO.

Carto GTDI (Giga-Transceiver Digital Input): possui 64 canais de entrada digital e


usado como interface de entrada para sinais digitais entre 0 e 5 V provenientes de
equipamentos externos ao RTDSTM . Na Figura C.5(b) ilustrado um carto GTDI.
Apndice C Simulaes em tempo real via RTDSTM 112

(a) (b)

Figura C.4. Carto para entrada e sada de sinais analgicos: (a) Carto GTAO; (b) Carto GTAI.

(a) (b)

Figura C.5. Carto para entrada e sada de sinais digitais: (a) Carto GTDO; (b) Carto GTDI.

Carto GTFPI (Giga-Transceiver Front Panel Interface): utilizado como interface para
entrada ou sada de sinais a partir do painel frontal do RTDSTM . Na Figura C.6(a)
ilustrado um carto GTFPI.

Carto GTNET (Giga-Transceiver Network Interface Card ): usado para interface de


protocolos de rede com o RTDSTM . Dentre os protocolos pr-instalados neste carto
encontra-se o IEC 61850, atualmente incorporado em vrios dispositivos de proteo ins-
talados no SIN. Desta forma, o GTNET pode ser configurado para: enviar mensagens
GSSE ou GOOSE, contendo o status de at 32 sadas binrias do simulador; receber
mensagens GSSE ou GOOSE de 5 Intelligent Electronic Devices (IED) externos, para
um total de 32 entradas binrias. Este carto ainda fornece a funcionalidade playback
encontrada nas caixas de teste de rels, o que permite que registros oscilogrficos cap-
turados por IEDs possam ser carregados e reproduzidos no prprio RTDSTM . Assim,
torna-se possvel realizar a anlise de eventuais causas de falhas de operao do sistema
de proteo por meio de registros oscilogrficos reais provenientes de distrbios no sistema
eltrico. Na Figura C.6(b) ilustrado um carto GTNET.
Apndice C Simulaes em tempo real via RTDSTM 113

(a) (b)

Figura C.6. Outros cartes do RTDSTM : (a) Carto GTFPI; (b) Carto GTNET.

C.2 SOFTWARES DO RTDSTM

Dentre os softwares que compem o RTDSTM , podem ser verificados diferentes nveis de
programao. No nvel mais baixo esto os modelos referentes aos componentes de sistemas
eltricos como, por exemplo, LT, transformadores, geradores, entre outros. Estes componentes
so baseados nos algoritmos e equacionamentos comumente encontrados em programas do tipo
EMTP, porm otimizados para simulao em tempo real. Por outro lado, em um nvel mais alto,
encontra-se a Graphical User Interface (GUI), a qual conhecida como RSCAD. Basicamente,
esta interface permite a implementao de circuitos e componentes do SEP, alm de possibilitar
a simulao dos mesmos e a visualizao e gravao dos resultados. Neste contexto, sabe-se que
o software RSCAD composto por um grupo de mdulos, dentre os quais se destacam, neste
trabalho, o File Manager, o mdulo TLine, o mdulo Draft, o mdulo Runtime e o mdulo
Component Builder (CBuilder ). A seguir, a descrio dos referidos mdulos.

C.2.1 File Manager

Mdulo que serve para organizar e acessar os projetos referentes aos SEP e componentes de
controle e proteo elaborados para avaliao em tempo real. Dependendo das configuraes
adotadas, qualquer usurio que esteja conectado rede LAN do RTDSTM pode acessar os
projetos salvos, facilitando o intercmbio de informaes entre computadores distintos. Na
Figura C.7 ilustrada a interface do File Manager.
Apndice C Simulaes em tempo real via RTDSTM 114

Figura C.7. Interface do File Manager.

C.2.2 Mdulo Draft

Mdulo que serve como uma interface grfica para implementao dos diagramas esque-
mticos a serem simulados em tempo real, incluindo os modelos criados pelo prprio usurio.
No lado direito da tela deste mdulo so encontradas as bibliotecas que contm os modelos
dos componentes para implementao dos SEP bem como dos sistemas de controle, proteo
e automao. Desta forma, cada modelo disponibilizado em forma de cone, bastando para
o usurio selecion-lo e posicion-lo no campo para elaborao dos sistemas (lado esquerdo da
tela do mdulo), onde os elementos so inseridos de acordo com a configurao do SEP em
estudo. Na Figura C.8 apresentada a interface do mdulo Draft.

C.2.3 Mdulo TLine

Neste mdulo denominado de TLine possvel modelar LT operantes em corrente alternada


(AC) ou contnua (DC). Para tanto, os dados da LT so inseridos como entradas do mdulo
e, ento, convertidos para um modelo compatvel com o mdulo Draft utilizado na modelagem
do SEP.

O mdulo TLine permite a simulaes de LT considerando tanto o modelo de Bergeron


quanto o modelo com parmetros variveis na frequncia. Alm disto, os parmetros de sequn-
cia da LT em anlise tambm podem ser usados como entradas do mdulo TLine para calcular
Apndice C Simulaes em tempo real via RTDSTM 115

Figura C.8. Interface do mdulo Draft.

Figura C.9. Interface do mdulo TLine.

o modelo compatvel com o mdulo Draft (apenas para o modelo de Bergeron). Na Figura C.9
ilustrada a interface do referido mdulo.

C.2.4 Mdulo Runtime

Conforme evidenciado na Figura C.10, o mdulo Runtime permite que o usurio controle a
simulao em tempo real do RTDSTM . Assim, uma vez que a compilao do sistema modelado
no mdulo Draft seja finalizada sem erros, torna-se possvel inicializar a simulao em tempo
real. Alm disso, pode-se dizer que o mdulo Runtime permite uma interao dinmica com
a simulao atravs de botes de comando, onde faltas, fechamento de disjuntores ou disparo
Apndice C Simulaes em tempo real via RTDSTM 116

Figura C.10. Interface do mdulo Runtime.

de rotinas de proteo, por exemplo, podem ser aplicadas a qualquer momento em pontos
pr-definidos do sistema em estudo.

Outra potencialidade do mdulo Runtime diz respeito ao monitoramento contnuo das gran-
dezas do sistema eltrico simulado, tais como tenso, corrente e potncia. Adicionalmente, as
variveis de sada dos modelos construdos pelo prprio usurio tambm podem ser visualiza-
dos. Em todos estes casos os sinais so atualizados sempre que algum evento detectado na
simulao, permitindo a anlise do comportamento transitrio do SEP avaliado.

C.2.5 Mdulo CBuilder

O mdulo CBuilder (ver C.11) consiste em um ambiente de criao de novos componentes


de controle e do sistema eltrico por meio da implementao de rotinas de programao na
linguagem C. Desta forma, os componentes criados neste mdulo podem ser incorporados s
simulaes em tempo real, interagindo com os componentes j existentes no RTDSTM .

Neste trabalho, utiliza-se o mdulo CBuilder para implementar as funes do sistema locali-
zador de faltas, permitindo a avaliao do algoritmo proposto como se este estivesse incorporado
em IED reais.
Apndice C Simulaes em tempo real via RTDSTM 117

Figura C.11. Interface do mdulo CBuilder.

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