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Universidade Federal de Campina Grande

Centro de Engenharia Eltrica e Informtica


Unidade Acadmica de Engenharia Eltrica

Ps-graduao em Engenharia Eltrica

SISTEMA HBRIDO CMOS E SENSORES


A NANOTUBOS DE CARBONO PARA
ETIQUETAS RFID

Marcos Eduardo do Prado Villarroel Zurita

TESE DE DOUTORADO

Campina Grande
31 de Julho de 2016
Universidade Federal de Campina Grande
Centro de Engenharia Eltrica e Informtica
Unidade Acadmica de Engenharia Eltrica

Marcos Eduardo do Prado Villarroel Zurita

SISTEMA HBRIDO CMOS E SENSORES A NANOTUBOS


DE CARBONO PARA ETIQUETAS RFID

Trabalho apresentado ao Programa de Ps-graduao


em Engenharia Eltrica da Unidade Acadmica de
Engenharia Eltrica da Universidade Federal de
Campina Grande como requisito parcial para obteno
do grau de Doutor em Engenharia Eltrica.

Orientador: Dr. Raimundo Carlos S. Freire


Co-orientador: Dr. Smail Tedjini

Campina Grande
31 de Julho de 2016
.
Dedico esse trabalho aos meus lhos Paloma, Samuel e
Saulo e minha esposa Silvana.
Agradecimentos

Primeiramente agradeo a Deus a quem tudo devo sem nada merecer, to pouco

agradeo e to mal tento seguir.

Agradeo a Silvana Zurita, minha eterna esposa e companheira de caminhada que

por tantos esforos e apoio dados durante esses anos, reconheo como co-autora deste

trabalho. Aos meus lhos, Paloma, Samuel e Saulo por me darem, de forma pura e

verdadeira, foras para seguir em frente e me esforar pelo melhor.

Ao meu pai, Sr. Carlos Zurita, meu eterno professor e referencial prossional que me

ensinou desde cedo o amor pelo conhecimento e pela engenharia. Agradeo a minha me,

por me ensinar valores e o amor a Deus. A eles sou profundamente grato por terem lutado

contra todas as adversidades educar e ensinar a mim e meus irmos, Marcelo e Ana.

Aos professores R.C.S. Freire e Smail Tedjini, orientadores deste trabalho por todo

apoio, conana e inestimveis contribuies.

Aos meus amigos e colegas de prosso, Professores Luiz Gustavo, Jos Medeiros,

Jos Maria, Otaclio Almeida, Nelber Ximenes, Fabola Linard, Ranoyca Alencar,

Raquel Aline, Bartolomeu Ferreira e Arton Carneiro por todo apoio prestado. De forma

especial aos Professores Marcos Lira e Fbio Rocha que me prestaram inestimvel

auxlio concedendo-me os computadores utilizados neste trabalho e aos meus

companheiros de sala, os professores Rafael Rocha e Francisco Riccelli, pela preciosa

amizade, companhia, motivao e por tantos auxlios que me prestaram no decorrer

destes anos.

Ao professor Elmar Melcher a quem muito devo do meu conhecimento em

microeletrnica e da minha trajetria acadmica. Aos meus amigos Francisco Osman,

Isaac Maia, Wilson Rosas, Yang Yu Ju e Jean Prost pelo apoio e tantas ajudas

prestadas.

Agradeo as pesquisadoras Raluca Savu e Mara Canesqui, pessoas adorveis que me

prestaram inestimvel ajuda no CCS Nano com a fabricao, montagem e caracterizao

vi
vii

dos nanossensores. Aos professores Antnio Augusto e Emmanuel Dupouy pela imensa

ajuda prestada na fabricao do ltimo circuito integrado projetado nesta tese.

Aos professores Edmar Gurjo, Glauco Fontgalland, Stanislav Moshkalev e Yuri

Catunda, membros da banca examinadora por suas valiosas contribuies para a

melhoria deste trabalho.

Por m, reconheo que ao longo dos quatro anos em que me dediquei a esta empresa

recebi a ajuda de muito mais pessoas do que sou capaz de me lembrar nesse momento. A

todas essas pessoas os meus mais sinceros agradecimentos.


O atesmo, a rigor, o mais ousado de todos os dogmas, pois constitui
a armao de uma negao universal.
G. K. CHESTERTON (Doze Tipos)
Resumo

A rpida difuso no mercado dos sistemas de identicao por radiofrequncia

(RFID) ocorrida nos ltimos anos tem impulsionado o surgimento de novas aplicaes e

necessidades nas mais diversas reas da ao humana. Paralelamente, a evoluo

tecnolgica tem expandido grandemente o universo de funcionalidades e recursos que

podem ser agregados s etiquetas RFID, originalmente projetadas apenas para fornecer

um cdigo de identicao e transportar uma pequena quantidade de dados. Dentre as

novas aplicaes, o uso de etiquetas RFID passivas como dispositivos sensores chama

particular ateno tanto pelos desaos tcnicos envolvidos quanto pelo potencial de

mercado que tal soluo apresenta.

Naturalmente os desaos tcnicos envolvidos na integrao de sensores a etiquetas

RFID no so os mesmos para os diferentes tipos de sensores existentes. A integrao

de sensores de gs a etiquetas RFID passivas envolve desaos particularmente difceis de

serem transpostos. Tais dispositivos so tipicamente grandes consumidores de energia,

ocupam um volume elevado para uma etiqueta comum e sua fabricao , na maioria

dos casos, incompatvel com o processo CMOS empregado na fabricao do circuito da

etiqueta. Adicionalmente, sensores de gs esto sujeitos contaminao, o que requer a

realizao peridica de procedimentos de limpeza e calibrao que, alm de inconvenientes,

necessitam comumente de instalaes laboratoriais para sua realizao. Devido a essas

diculdades, as poucas solues at ento existentes apenas solucionam parcialmente o

problema, alm de serem, em sua maioria, incompatveis com os atuais padres RFID, o

que diculta sua adoo comercial.

O presente trabalho apresenta uma nova soluo integrao de sensores de gs a

etiquetas RFID passivas. A soluo proposta envolve um sistema hbrido CMOS e

nanotubos de carbono integrados a uma etiqueta RFID, capaz no apenas de realizar

operaes de sensoriamento de gases especcos como tambm de limpar

autonomamente o sensor mediante um comando remoto. Alm disso, o sistema

ix
x

comporta mltiplos sensores externos, inclui um sensor de temperatura interno e suporta

que o ajuste e a calibrao de cada sensor possam ser realizados remotamente. A soluo

proposta supera os problemas e limitaes existentes nas solues anteriores e, ao

mesmo tempo, mantm a compatibilidade com os padres RFID atualmente em vigor.

Palavras-chave: RFID, sensor de gs, nanotubos de carbono, sensores sem o,

instrumentao eletrnica, circuitos CMOS, ultra baixo consumo, microeletrnica,

nanotecnologia.
Abstract

The fast market diusion of Radio-Frequency Identication systems (RFID) occurred

in recent years has driven the emergence of new applications and needs in many elds

of human activity. At the same time, technological developments have greatly expanded

the universe of features and functionalities which can be added to RFID tags, originally

designed to provide only an identication code and carry a small amount of data. Among

these new applications, the use of passive RFID tags as sensing devices attract particular

attention due to the technical challenges involved as well as the market potential of such

solution.

Naturally, the technical challenges involved in the integration of RFID sensor tags are

not the same for dierent types of sensors. The integration of gas sensors to passive RFID

tags is a challenge especially dicult to overcome. Such devices are typically consumes a

great amount of energy, occupy a high volume for a common label and its manufacturing is,

in most cases, incompatible with the CMOS process used to manufacture the tag circuit.

In addition, gas sensors are subject to contamination, requiring periodical cleaning and

calibration procedures, which is very inconvenient since it commonly requires laboratory

facilities for its realization. Because of these diculties, the few existing solutions only

partially solves the problem, and are mostly incompatible with current RFID standards,

which makes dicult its commercial adoption.

This paper presents a new solution to integrate gas sensors to passive RFID tags.

The proposed solution involves a hybrid CMOS and carbon nanotube system integrated

into an RFID tag, capable of performing specic gas sensing operations as well as to

autonomously clean the sensor by a remote command. Furthermore, the system

comprises multiple external sensors, includes an internal temperature sensor and

supports the remote adjustment and calibration of each sensor. The proposed solution

overcomes the problems and limitations identied in previous solutions and keeps, at the

same time, the compatibility with current RFID standards.

xi
xii

Keywords: RFID, gas sensors, carbon nanotubes, wireless sensors, electronic

instrumentation, CMOS circuits, ultra-low power, microelectronics, nanotechnology.


Lista de Figuras

2.1 Intensidade mxima permitida para o campo magntico na banda de 13,56

MHz ISM de acordo com as regulamentaes europeias e americanas (60

dBA/m 10 m e 42 dBA/m 10 m, respectivamente). A curva de menor

intensidade representa a intensidade do campo magntico gerado por um

leitor HF tpico (antena do tipo espiral quadrada, 10 x 10 cm, 6 espiras, I

= 125 mA). 15

2.2 Mxima potncia disponvel para uma etiqueta RFID operando em 915

MHz em funo de sua distncia da antena do leitor. Trs diferentes valores

para o ganho da antena foram considerados: +3 dBi, 0 e -3 dBi. 17

2.3 Classicao dos sensores RFID passivos proposta por G. Marrocco

(MARROCCO, 2010). 22

2.4 Nanotubo de carbono de parede nica (SWCNT). 33

2.5 Representao da quiralidade de um SWCNT. A direo do eixo central do

nanotubo e o comprimento de sua clula unitria so representados pelo

vetor T. O comprimento vetor quiral, Ch , representa a distncia entre dois


pontos equivalentes na parede do nanotubo. 34

2.6 Figura de mrito (FOM) dos conversores A/D reportados no ISSCC e no

Simpsio VLSI ao longo dos ltimos 10 anos (ZURITA et al., 2016). 45

2.7 Figura de mrito (FOM) dos conversores A/D reportados no ISSCC e no

Simpsio VLSI em funo da tecnologia de fabricao. Apenas

implementaes em processo CMOS foram consideradas (ZURITA et al.,


2016). 46

3.1 Diagrama de blocos do sistema proposto para a etiqueta sensora. 51

xiii
xiv

3.2 Diagrama de tempo da sequncia completa de leitura de um sensor. Apenas

os intervalos hachurados so levados em conta na determinao do tempo

total T1 . 53

4.1 Conversor A/D de aproximao sucessiva por redistribuio de carga. 54

4.2 Chave CMOS de dois polos. 55

4.3 Conversor A/D por redistribuio de carga adotado. 56

4.4 Micrograa do microchip fabricado. Em destaque no centro da imagem, a

matriz de capacitores do conversor A/D. 56

4.5 Diagrama esquemtico da matriz capacitiva (conversor D/A) de 10 bits. 60

4.6 Diagrama esquemtico do conversor tenso-tempo implementado para

compor o comparador no domnio do tempo. 62

4.7 Diagrama esquemtico completo do comparador no domnio do tempo. 62

4.8 Formas de onda dos sinais internos do Comparador no Domnio do tempo

para uma entrada diferencial de 30V. Os nmeros entre parntesis na

legenda indicam a qual dos conversores tenso/tempo as curvas se

correspondem, U1 ou U2, conforme a Figura 4.7. 64

4.9 Detalhe das formas de onda dos sinais de entrada no ip-op de comparao
no intervalo entre 1,026 s e 1,028 s quando a diferena de -30 V

detectada. Neste caso, uma atraso de 54 ps foi observado entre os dois

sinais. 65

4.10 Leiaute do comparador no domnio do tempo. 66

4.11 Diagrama esquemtico do circuito de controle do conversor A/D. 68

4.12 Leiaute completo do conversor A/D de 10 bits. As chaves dos capacitores

da matriz foram posicionadas prximas aos seus respectivos capacitores a

m de minimizar as capacitncias parasitas introduzidas pelas trilhas de

conexo. 69

4.13 Leiaute do segundo circuito integrado enviado para fabricao. No centro

o conversor A/D de 10 bits. 70

4.14 Resposta do conversor A/D de 10 bits simulado para uma entrada de 350

mV com V ref + = 600 mV e V ref = 100 mV. As capacitncias parasitas


do leiaute foram consideradas na simulao. 71

4.15 DNL e INL simulados para o conversor A/D de 10 bits projetado. 72


xv

4.16 Resposta em frequncia do conversor A/D de 10 bits para um sinal de

entrada de 2,918 kHz amostrado a 100 kHz. 73

4.17 Resposta em frequncia do conversor A/D ade 10 bits para um sinal de

entrada de 44,8 kHz amostrado a 100 kHz. 73

4.18 Micrograa do segundo circuito integrado fabricado. 74

5.1 Circuito de caracterizao do transistor PMOS para determinao do ponto

ZTC. 77

5.2 Curvas Id x Vgs para um transistor PMOS com W = 220 nm e L = 60 m


o o
caracterizado para temperaturas de -50 C a 150 C. 78

5.3 Sensor de temperatura projetado. O resistor de polarizao de M2 , Rext

externo ao circuito integrado. 79

5.4 Leiaute do sensor de temperatura projetado. 80

5.5 Curvas da resposta interna do sensor projetado. A linha contnua

corresponde a tenso no n interno Vsen enquanto que a curva refere-se a

corrente de dreno de M1 . A linha tracejada representa o que seria a

resposta perfeitamente linear. 81

5.6 Tenso de sada do sensor projetado (Vout ) considerando a resposta interna

(Vsen ) amplicada por M3 em funo da temperatura. 81

5.7 Micrograa da regio do circuito integrado onde o sensor de temperatura

foi posicionado. A micrograa foi composta com a imagem do leiaute para

exibir as camadas mais internas. 82

5.8 Arranjo implementado para o ensaio trmico do sensor fabricado. 83

5.9 Tenso de sada em funo da temperatura para o sensor fabricado. Os

crculos representam os pontos medidos empiricamente, a reta contnua

indica a resposta perfeitamente linear e a curva com marcadores em cruz

representa a resposta prevista por simulao. 84

5.10 Erro medido entre a curva de temperatura do sensor testado e a resposta

o
linear ideal dentro da faixa de -30 a 130 C. 85

6.1 Sensor em um arranjo do tipo Ponte de Wheatstone. 87

6.2 Diagrama esquemtico do circuito de condicionamento do sinal dos sensores. 88


xvi

6.3 Diagrama esquemtico da topologias a trs amplicadores do amplicador

de instrumentao clssico. 92

6.4 Diagrama esquemtico do amplicador operacional projetado. 93

6.5 Implementao do amplicador de instrumentao a partir do amplicador

diferencial de diferenas. 94

6.6 Amplicador Diferencial de Diferenas em arranjo tipo buer. 96

6.7 Diagrama do conversor digital/analgico projetado para o ajuste de oset


no circuito de condicionamento do sinal dos sensores. 99

6.8 Diagrama esquemtico do conversor digital/analgico empregado no

circuito de condicionamento do sinal dos sensores. 100

6.9 Diagrama esquemtico da matriz capacitiva implementada para o conversor

D/A de 8 bits. 101

6.10 Diagrama esquemtico do amplicador operacional projetado. 103

6.11 Curva caracterstica de entrada e sada da Soluo A para o Amplicador

Diferencial de Diferenas. 104

6.12 Curva de resposta ao degrau da Soluo A para o Amplicador Diferencial

de Diferenas. 105

6.13 Detalhe do comportamento transitrio da curva de resposta ao degrau no

intervalo entre 4,95 ms e 5,35 ms mediante a transio negativa do sinal de

entrada. 106

6.14 Resposta em frequncia da Soluo A para o Amplicador Diferencial de

Diferenas com a compensao de fase desativada (Cen = 0 V). 107

6.15 Resposta em frequncia da Soluo A para o Amplicador Diferencial de

Diferenas com a compensao de fase ativada (Cen = 1 V). 107

6.16 Curva caracterstica de entrada e sada da Soluo B para o Amplicador

Diferencial de Diferenas. 108

6.17 Curva de resposta ao degrau da Soluo B para o Amplicador Diferencial

de Diferenas. 109

6.18 Detalhe do comportamento transitrio da curva de resposta ao degrau no

intervalo entre 2,49 ms e 2,51 ms mediante a transio negativa do sinal de

entrada. 109
xvii

6.19 Resposta em frequncia da Soluo B para o Amplicador Diferencial de

Diferenas com a compensao de fase desativada (Cen = 0 V). 110

6.20 Resposta em frequncia da Soluo B para o Amplicador Diferencial de

Diferenas com a compensao de fase ativada (Cen = 1 V). 111

6.21 DNL e INL simulados para a sada da matriz capacitiva do conversor D/A

de 8 bits para tenses de sada entre 100 mV e 600 mV. 112

6.22 DNL e INL simulados para a sada da matriz capacitiva do conversor D/A

de 8 bits para tenses de sada entre 350 mV e 450 mV. 112

6.23 Curva caracterstica de entrada e sada do amplicador operacional

projetado para o conversor D/A. 113

6.24 Curva de resposta ao degrau do amplicador operacional projetado para o

conversor D/A. 114

6.25 Detalhe do comportamento transitrio da curva de resposta ao degrau no

intervalo entre 1,99 ms e 2,03 ms mediante a transio positiva do sinal de

entrada. 114

6.26 Resposta em frequncia do amplicador operacional projetado para o

conversor D/A. 115

6.27 DNL e INL simulados para a sada do conversor D/A de 8 bits completo

para tenses de sada entre 100 mV e 600 mV. 116

6.28 DNL e INL simulados para a sada do conversor D/A de 8 bits completo

para tenses de sada entre 150 mV e 650 mV. 117

6.29 DNL e INL simulados para a sada do conversor D/A de 8 bits completo

para tenses de sada entre 350 mV e 450 mV. 117

6.30 Resposta do circuito condicionador de sinal para um degrau de 250 mV

aplicado na entrada com ganho programado de 1x (Gain = 10002 , ZeroAdj


= 128). 118

6.31 Resposta do circuito condicionador de sinal para um degrau de 25 mV

aplicado na entrada com ganho programado de 10x (Gain = 00012 ,

ZeroAdj = 128). 119

6.32 Resposta do circuito condicionador de sinal para um degrau de 2,5 mV

aplicado na entrada com ganho programado de 100x (Gain = 00102 ,

ZeroAdj = 128). 119


xviii

6.33 Resposta do circuito condicionador de sinal para um degrau de 250 V


aplicado na entrada com ganho programado de 1.000x (Gain = 01002 ,

ZeroAdj = 128, Re = 31,5 M). 120

6.34 Resposta do circuito condicionador de sinal para um degrau de 25 V


aplicado na entrada com ganho programado de 10.000x (Gain = 01002 ,

ZeroAdj = 16, Re = 305 M). 120

6.35 Resposta do circuito condicionador de sinal para um degrau de 2,5 V


aplicado na entrada com ganho programado de 107 dB (Gain = 00002 ,

ZeroAdj = 128). 121

7.1 Representao do nano-sensor de gs a nanotubos de carbono. (1)

substrato de silcio oxidado, (2) eletrodos em ouro, (3) ao de conexo,

(4) nanotubos de carbono depositados por dieletroforese. Uma vista em

detalhe dos nanotubos de carbono depositados entre os eletrodos

mostrada na imagem em recorte (SAVU et al., 2015). 125

7.2 Pastilha de silcio com eletrodos para quatro nano-sensores. (SAVU et al.,
2012). 126

7.3 Fenda entre os eletrodos criada por FIB. 126

7.4 Micrograa lateral da fenda exibindo o corte de um dos eletrodos. 126

7.5 Micrograa obtida por FE-SEM de um nanossensor de gs a nanotubos de

carbono decorados fabricado no CCSNano (Unicamp) . 127

7.6 Caracterstica I-V para um sensor de MWCNTs decorados com cobre. 128

7.7 Resposta do sensor a quatro diferentes degraus de tenso. 129

7.8 Resposta do sensor a degraus de tenso de 4 e 5 Volts. 129

7.9 Caracterstica I-V para um sensor de MWCNTs decorados com cobre aps

o tratamento do contato. 130

7.10 Evoluo da resistncia do sensor ao longo do tratamento dos contatos. 130

7.11 Resposta do sensor a pulsos de O2 com diferentes presses e tenses de

polarizao de 1,0 a 2,0 Volts. 131

7.12 Resposta do sensor a pulsos de O2 com diferentes presses e tenses de

polarizao de 2,5 e 3,0 Volts. 132

7.13 Resposta do sensor a pulsos de O2 e tenso de polarizao de 3,5 Volts. 132


xix

7.14 Resposta do sensor a pulsos de O2 com diferentes presses e tenso de

polarizao de 3,5 Volts aps o tratamento do contato. 133

7.15 Resposta do sensor a pulsos de O2 com diferentes presses e tenso de

polarizao de 4 Volts. 133

7.16 Ensaio de limpeza do sensor para um nico pulso de tenso de 5 V. A

polarizao utilizada na medio foi de 4 V. 134

7.17 Recuperao parcial da capacidade sensora aps a aplicao de um nico

pulso de tenso. 135

7.18 Recuperao completa da capacidade sensora aps a aplicao de 4 pulsos

de 2 V de sobretenso. 135

8.1 Diagrama esquemtico contendo todo o circuito que precede a entrada do

circuito de condicionamento de sinal: os sensores, sua malha de polarizao

e o bloco multiplexador de entrada. 138

8.2 Diagrama esquemtico completo do circuito multiplexador para sensores. 139

8.3 Formas de onda dos principais sinais do circuito multiplexador para

sensores com o nano-sensor 1 selecionado para leitura ( sel<2:0> = 0002 ,


read_sens = 0, clear_sens = 1). 141

8.4 Formas de onda dos principais sinais do circuito multiplexador com o

nano-sensor 1 selecionado para limpeza ( sel<2:0> = 0002 , read_sens = 1,


clear_sens = 0). 142

8.5 Formas de onda dos principais sinais do circuito multiplexador com o sensor

de temperatura selecionado ( sel<2:0> = 1002 , read_sens = 1, clear_sens


= 1). 142

A.1 Algortimo para a converso A/D de um sinal sinalizado entre VREF /2 e

+VREF /2. 149

A.2 Diagrama de blocos de um conversor A/D por aproximaes sucessivas

baseado num conversor D/A. 150

A.3 Algortimo para a converso A/D baseado em um conversor D/A. 151

A.4 Conversor A/D por redistribuio de carga 153

A.5 Conversor A/D sinalizado por redistribuio de carga. 154

A.6 Conversor A/D por redistribuio de carga sinalizado. 155


xx

A.7 Etapa de Amostragem (t = 1 ). 156

A.8 Etapa de Reteno (t = 2 ). 157

A.9 Etapa de Redistribuio (t = 3.1 ). 157

A.10 Circuito equivalente do arranjo capacitivo para determinao de b4 e b3 . 158

A.11 Etapa de "Redistribuio"(t = 3.2 ). 158


Lista de Tabelas

2.1 Conversores A/D mais ecientes publicados no Simpsio VLSI e no ISSCC

desde 2008 46

4.1 Caractersticas dinmicas do segundo conversor A/D projetado. 74

6.1 Parmetros de dimensionamento dimensionamento da Soluo A para o

Amplicador Diferencial de Diferenas. 96

6.2 Parmetros aproximados de dimensionamento da Soluo B para o

Amplicador Diferencial de Diferenas. 98

6.3 Parmetros aproximados de dimensionamento do amplicador operacional

projetado para o conversor D/A. 102

xxi
Lista de Abreviaes

ADC Conversor analgico/digital (do ingls Analog to Digital Converter ).

ASIC Circuito integrado de aplicao especca (do ingls Application Specic Integrated
Circuit ).

BLF Frequncia do enlace de retroespalhamento (do ingls Backscatter-Link-Frequency ).

CI Circuito integrado.

CM OS Metal-oxido-semicondutor complementar (do ingls Complementary Metal Oxide


Semiconductor ).

CN T Nanotubo de carbono (do ingls Carbon NanoTube ).

COB Microchip diretamente montado na placa (do ingls Chip On Board ).

CRF ID RFID computacional (do ingls Computational RFID ).

DAC Conversor digital/analgico (do ingls Digital to Analog Converter ).

DEP Dieletroforese.

DIP Encapsulamento com duas linhas de pinos (do ingls Dual In-line Package ).

DN L No linearidade diferencial (do ingls Dierential Non Linearity ).

DM F Dimetilformamida ((CH3 )2 NCH).

EN OB Nmero efetivo de bits (do ingls Eective Number Of Bits ).

EP C Cdigo eletrnico de produto (do ingls Electronic Product Code ).

ESD Descarga eletrosttica (do ingls ElectroStatic Discharge ).

FFT Transformada rpida de Fourier (do ingls Fast Fourier Transform ).

xxii
xxiii

F IB Feixe de ons focalizado, (do ingls Focused Ion Beam ).

F M CW Onda contnua modulada em frequncia (do ingls Frequency-Modulated


Continuous-Wave ).

F oM Figura de mrito (do ingls Figure of Merit ).

HDP E Polietileno de alta densidade (do ingls High Density PolyEthylene ).

HEM S Servio mdico emergencial de sade (do ingls Health Emergency Medical Services ).

HF Alta frequncia (do ingls High Frequency ).

IN L No linearidade integral (do ingls Integral Non Linearity ).

LF Baixa frequncia (do ingls Low Frequency ).

LSB Bit menos signicativo (do ingls Least Signicant Bit ).

M OS Metal-oxido-semicondutor (do ingls Metal Oxide Semiconductor ).

M OX xido metlico (do ingls Metal OXide ).

M W CN T Nanotubo de carbono de parede mltipla (do ingls Multi-Walled Carbon


NanoTube ).

NF C Comunicao em campo prximo (do ingls Near Field Communication ).

N M OS Transistor MOS do tipo n.

NP Nanopartcula.

P ABS Poli(cido m-aminobenzeno sulfnico).

P M OS Transistor MOS do tipo p.

P T AT Proporcional temperatura absoluta (do ingls Proportional To Absolute


Temperature ).

PWM Modulao por largura de pulso (do ingls Pulse Width Modulation ).

RF ID Identicao por radiofrequncia (do ingls Radio Frequency IDentication ).

RT LS Sistema de localizao em tempo real (do ingls Real-Time Locating System ).


xxiv

SAR Registrador de aproximaes sucessivas (do ingls Successive Approximation


Register ).

SAW Onda acstica de superfcie (do ingls Surface Acoustic Wave ).

SE RF ID Etiquetas RFID com capacidade sensora (do ingls Sensor Enabled RFID ).

SDR Rdio denido por software (do ingls Software Dened Radio ).

SF DR Faixa dinmica livre de esprios (do ingls Spurious-Free Dynamic Range ).

SIN AD Relao sinal-rudo-distoro (do ingls SIgnal-to-Noise-And-Distortion ratio ).

SN DR Relao sinal-rudo e distoro, mesmo que SINAD (do ingls Signal to Noise and
Distortion Ratio ).

SN R Relao sinal-rudo (do ingls Signal to Noise Ratio ).

SW CN T Nanotubo de carbono de parede simples (do ingls Single-Walled Carbon NanoTube ).

T DC Comparador no domnio do tempo (do ingls Time Domain Comparator ).

T HD Distoro harmnica total DHT (do ingls Total Harmonic Distortion ).

U HF Ultra-alta frequncia (do ingls Ultra High Frequency ).

W ISP Plataforma de identicao e sensoriamento sem o (do ingls Wireless Identication


Sensing Platform ).

F E SEM Microscopia eletrnica de varredura com fonte de emisso de campo (do ingls Field
Emission Scanning Electron Microscopy ).
Sumrio

1 Introduo 1
1.1 Motivao 3

1.2 Objetivos 3

1.3 Organizao do Documento 3

2 Fundamentao Terica 5
2.1 Sistemas RFID 5

2.1.1 Classicao das Etiquetas RFID 8

2.1.1.1 Etiquetas Passivas 8

2.1.1.2 Etiquetas Ativas 10

2.1.1.3 Etiquetas Semi-Passivas 11

2.1.2 Limitaes de Tempo em Etiquetas RFID HF e UHF 11

2.1.3 Limitaes de Energia em Etiquetas RFID HF e UHF 14

2.2 Sensores RFID 18

2.2.1 Sensores RFID Ativos 19

2.2.2 Sensores RFID Passivos 22

2.2.3 Sensores RFID Semi-Passivos 24

2.2.4 Sensores Ligados ao Lado Analgico 25

2.2.5 Sensores Ligados ao Lado Digital 27

2.3 Sensores Para a Deteco de Gases 30

2.3.1 Sensores Nanotubos de Carbono 32

2.4 Sensores RFID Para a Deteco de Gases: Estado da Arte 37

2.4.1 Anlise das Solues Existentes 40

2.5 Conversores A/D Para Aplicao em Sensores RFID 44

3 Interface de Sensoriamento para Etiquetas RFID Passivas 48


3.1 Introduo 48

xxv
xxvi

3.2 Sistema Proposto 49

4 Conversor Analgico/Digital 54
4.1 Introduo 54

4.2 Matriz Capacitiva 57

4.3 Comparador de Baixo Oset 61

4.4 Registrador de Aproximaes Sucessivas 67

4.5 Conversor A/D Completo 69

4.6 Resultados Obtidos 70

4.7 Concluso 75

5 Sensor de Temperatura em Tecnologia CMOS 76


5.1 Introduo 76

5.2 Determinao do Ponto ZTC 77

5.3 Resultados Obtidos 80

5.3.1 Resultados Simulados 80

5.3.2 Resultados Medidos 82

5.4 Concluso 85

6 Condicionador de Sinal Para Sensores Nanotubos de Carbono 86


6.1 Introduo 86

6.2 Amplicador de Instrumentao de Ganho e Oset Programveis 90

6.3 Conversor Digital/Analgico de 8 bits 99

6.3.1 Matriz Capacitiva 99

6.3.2 Amplicador Operacional de Ultra-Baixo Consumo 102

6.4 Resultados Obtidos 104

6.4.1 Amplicador de Instrumentao 104

6.4.2 Conversor Digital/Analgico de 8 bits 111

6.4.2.1 Matriz Capacitiva 111

6.4.2.2 Amplicador Operacional 113

6.4.2.3 Conversor D/A Completo 115

6.4.3 Circuito Condicionador Completo 118

6.5 Concluso 121


xxvii

7 Nanossensor de Gs a Nanotubos de Carbono 123


7.1 Introduo 123

7.2 Fabricao 124

7.3 Resultados Obtidos 127

7.3.1 Ensaios de Tratamento dos Contatos 127

7.3.2 Ensaios de Sensoriamento de Gs 131

7.3.3 Ensaios de Limpeza do Sensor 134

7.4 Concluso 135

8 Multiplexador para Sensores 137


8.1 Introduo 137

8.2 O Circuito Multiplexador 138

8.3 Resultados Obtidos 140

8.4 Concluso 143

9 Concluses Gerais e Sugestes para Trabalhos Futuros 144


9.1 Concluses Gerais 144

9.2 Produo Acadmica 146

9.3 Sugestes para Trabalhos Futuros 147

A Conversores A/D por Aproximaes Sucessivas 148


A.1 Conversores A/D por Aproximaes Sucessivas 148

A.1.1 Aproximao Sucessiva Baseada em Converso D/A 149

A.1.2 Conversor A/D por Redistribuio de Carga 150

A.1.3 Conversor A/D Sinalizado por Redistribuio de Carga 152

A.2 Modelagem Matemtica do Conversor 156

A.2.1 A Redistribuio de carga 156

Referncias Bibliogrcas 160


Captulo 1
Introduo

A tecnologia de identicao por radiofrequncia, RFID, utiliza a comunicao por

radiofrequncia para a troca de dados entre um dispositivo porttil dotado de memria

(etiqueta) e uma estao de base (geralmente um computador ou leitor porttil). Um

sistema RFID constitudo tipicamente de etiquetas eletrnicas (tambm chamadas

 tags RFID), que contm uma memria de dados, uma antena de comunicao e um

controlador, e uma estao de base responsvel pela comunicao com as etiquetas

(FINKENZELLER, 2003).

Essa tecnologia oferece funcionalidades semelhantes s do cdigo barras, mas com

vantagens suplementares, tais como: a capacidade de leitura/escrita, capacidade de

memria, leitura independente da linha de viso entre o leitor e o rtulo e

condencialidade dos dados nela contidos (GARFINKEL; ROSENBERG, 2005).

Naturalmente, as vantagens tcnicas da tecnologia RFID sobre aquela baseada na

leitura ptica de cdigos de barras no por si suciente para que o mercado a adote em

substituio ou conjunto com esta ltima. Os custos envolvidos tem um papel

fundamental. O custo de inserir um cdigo de barras em um produto dilui-se, na maioria

das vezes, na impresso da sua prpria embalagem, ao passo que a incluso de uma

etiqueta RFID envolve, invariavelmente, custos adicionais, por vezes, superiores ao da

prpria embalagem. Neste sentido, tags RFID passivas so especialmente atrativas. Elas

no necessitam de uma bateria, retirando sua energia do prprio sinal de rdio irradiado

pelo dispositivo leitor. A inexistncia de uma bateria simplica signicativamente seu

processo de fabricao, permite a reduo de suas dimenses e suas exigncias quanto

resistncia mecnica do local onde ser acondicionada. Tudo isso tem impacto direto

sobre os custos da tecnologia. Atualmente o preo de uma etiqueta RFID passiva est

1
introduo 2

entre 7 e 15 centavos de dlar (RFID JOURNAL, 2013). Por essa razo, a identicao por

radiofrequncia baseada em etiquetas passivas ganhou grande popularidade,

revolucionando o mercado de identicao e rastreamento de produtos.

Paralelamente ao rpido desenvolvimento da tecnologia RFID no campo de

identicao e rastreabilidade, outras aplicaes, igualmente importantes, comeam a

ganhar espao. Tais aplicaes baseiam-se no acoplamento ou na combinao de RFID

com outras tecnologias (TEDJINI; PERRET, 2009). Esta tendncia dever aumentar o

potencial de desenvolvimento de etiquetas RFID, cuja cifra atingiu cerca de 19,3 bilhes

de dlares em 2014 (RNCOS, 2012), experimentando um crescimento anual de cerca de

10% (DAS; HARROP, 2011). importante notar que a RFID considerada como uma

das dez principais tecnologias em muitos pases do mundo. A abordagem mais

adequada, em termos de aplicao no campo da tecnologia da informao, o uso de

etiquetas RFID no s como identicadores, mas tambm e especialmente como

sensores, mantendo as duas vantagens fundamentais da RFID, ou seja, a comunicao

sem o e a possibilidade de operao sem alimentao prpria.

Neste sentido, vrias solues tm sido propostas nos ltimos anos, entretanto, muito

poucas para o sensoriamento de gases. De fato, dentre as diversas grandezas mais

comumente medidas, a concentrao de gases especcos parece estar entre as mais

difceis de serem integradas a etiquetas RFID passivas. A razo dessa diculdade deve-se

principalmente no consumo de energia dos sensores convencionais para essa aplicao.

A soluo apresentada neste trabalho consiste basicamente na adoo de nanossensores

a nanotubos de carbono para a deteco de gases e no desenvolvimento de um sistema de

instrumentao dedicado e de elevada ecincia, capaz de integra-los etiqueta. Alm da

microeletrnica necessria ao projeto e fabricao dos componentes CMOS que constituem

o sistema, a realizao desse trabalho envolveu tambm tarefas signicativas no campo

da nanotecnologia para a fabricao de nanossensores a nanotubos de carbono, bem como

para as baterias de ensaios com os sensores em laboratrio. Isto s foi possvel graas

a participao ativa do Centro de Componentes Semicondutores e Nanotecnologia (CCS

Nano) da Unicamp viabilizada pela parceria mediada pelo Namitec entre a Universidade

Federal de Campina Grande e a Unicamp.


1.1 motivao 3

1.1 Motivao

Observa-se que apesar do vasto campo de aplicaes das etiquetas RFID com

sensores integrados, objeto desta proposta, dois setores so de especial importncia: o

setor industrial e o setor agrcola.

A capacidade de monitorar o vazamento de gases de amnia (NH3 ) e dixido de

nitrognio (NO2 ) no ar de grande importncia, uma vez que tais compostos qumicos

afetam negativamente o meio ambiente e a sade humana. A presena de gs de amnia

especialmente preocupante em reas de elevada atividade agrcola, sendo provindo

diretamente dos resduos naturais dos animais. Tambm nas atividades de natureza

industrial, suas fontes incluem a fabricao de produtos qumicos bsicos, metais,

produtos txteis, bem como as emisses automotivas. A concentrao elevada de NH3

no ar pode resultar na irritao nos olhos e vias respiratrias dos seres humanos e pode

impactar negativamente a vida selvagem, gado e a prpria atividade agropecuria. O

dixido de nitrognio tambm um gs txico que pode causar problemas respiratrios

em seres humanos e inuenciar negativamente o crescimento da agricultura. Alm disso,

ambos os gases quando dispersados na atmosfera so considerados poluentes primrios

capazes de produzir chuva cida ou nevoeiros no nvel do solo (FORNARO, 2006).

1.2 Objetivos

Propor uma soluo para a integrao de sensores de gs a uma etiqueta de

identicao por radiofrequncia (RFID - Radio Frequency Identication ) passiva, isto ,


sem uma fonte de energia contnua, mantendo a mxima compatibilidade possvel com

os padres internacionais atualmente em vigor.

1.3 Organizao do Documento

Este trabalho composto por nove captulos, sendo este o primeiro deles. O restante

deste trabalho foi estruturado conforme descrio a seguir.

Captulo 2 - Neste captulo, so apresentados conceitos fundamentais para o

entendimento do trabalho realizado, assim como o a pesquisa bibliogrca nos


1.3 organizao do documento 4

trabalhos relacionados ao o tema proposto;

Captulo 3 - Neste captulo apresentada em alto nvel a soluo proposta para o

sensoriamento de gases baseado em etiquetas RFID passivas, mostrando como as

partes do sistema completo se relacionam;

Captulo 4 - Detalhes do projeto, concepo e testes do conversor A/D proposto

para o sistema;

Captulo 5 - Detalhes do projeto, concepo e testes do sensor de temperatura

proposto para o sistema;

Captulo 6 - Detalhes do projeto e testes do circuito condicionador de sinal para

sensores a nanotubos de carbono proposto;

Captulo 7 - Detalhes do projeto, concepo e testes do nano-sensor de gs a

nanotubos de carbono proposto para o sistema;

Captulo 8 - Detalhes do projeto do multiplexador para sensores de gs CNT

proposto para o sistema;

Captulo 9 - Concluses gerais relativas ao trabalho realizado bem como sugestes

para trabalhos futuros.


Captulo 2
Fundamentao Terica

Neste captulo so abordados os principais conceitos tericos sobre sistemas RFID

necessrios a correta compreenso do sistema proposto e das decises de projeto tomadas.

Neste intuito as principais caractersticas dos diferentes tipos de etiquetas so expostas

assim como as principais limitaes de tempo de resposta e energia de operao tanto

para sistemas HF quanto UHF. Em seguida, um resumo do levantamento realizado sobre

as principais solues acadmicas e comerciais para a integrao de sensores a etiquetas

RFID apresentado. Sensores para a deteco de gs so abordados de maneira mais

detalhada com especial nfase em sensores de gs a nanotubos de carbono, empregados

na soluo proposta. Por m, as suas ltimas sees consistem no estudo do estado da

arte de sensores RFID para a deteco de gases e na anlise dos conversores A/D mais

adequados aplicao em sensores RFID.

2.1 Sistemas RFID

A tecnologia de identicao por radiofrequncia, RFID, utiliza a comunicao por

radiofrequncia para a troca de dados entre um dispositivo porttil dotado de memria

(etiqueta) e uma estao de base (geralmente um computador ou leitor porttil). Um

sistema RFID constitudo tipicamente de etiquetas eletrnicas (tambm chamadas tags


RFID), que contm uma memria de dados, uma antena de comunicao e um controlador,

e uma estao de base responsvel pela comunicao com as etiquetas (FINKENZELLER,

2003).

Cada etiqueta RFID ao ser interrogada pela unidade leitora responde informado seu

nmero de identicao nico por meio da reexo do sinal emitido pelo prprio leitor.

A distncia de comunicao entre a etiqueta e a unidade leitora depende basicamente da

5
2.1 sistemas rfid 6

faixa de frequncia na qual a etiqueta opera, as dimenses de sua antena e da antena do

leitor, e da potncia do sinal emitido pela unidade leitora. Faixas de comunicao tpicas

esto entre 10 e 50 cm para dispositivos acoplados indutivamente e de 3 a 10 m para as

etiquetas operando em campo distante. Tais caractersticas motivam uso de etiquetas

RFID em substituio dos cdigos de barras em aplicaes como o monitoramento da

cadeia de abastecimento e gesto de bens. Outras aplicaes incluem a identicao de

pessoas em sistemas de segurana de imveis, passaportes e cartes de crdito

(WEINSTEIN, 2005). Outras aplicaes comuns incluem a coleta de pedgio em

autoestradas, gesto da cadeia de abastecimento, transporte pblico, controle de acesso

ao edifcio, rastreamento de animais, desenvolvimento de eletrodomsticos inteligentes,

controle de acesso remoto sem chave para automveis em edifcios e sistemas de passe

eletrnico autovirio.

O aumento do interesse por aplicaes industriais tem estimulado o desenvolvimento da

tecnologia RFID, tornando a camada fsica, responsvel por alimentar e comunicar-se com

uma etiqueta, cada vez mais robusta. Esta base slida, juntamente com a massicao

dos leitores RFID, atualmente disponveis at mesmo em aparelhos celulares, inspirou

duas categorias gerais de pesquisa. A primeira a de novos espaos de aplicao para a

tecnologia RFID convencional. A segunda a de avanos da prpria tecnologia RFID, tais

como no projeto da etiqueta, na ecincia do protocolo na arquitetura do leitor (YEAGER,

2009).

Uma srie de novas aplicaes para a tecnologia de RFID convencional tm sido

propostas na bibliograa cientca. Ranasinghe et al. (RANASINGHE et al., 2005), por

exemplo, apresentam arquiteturas de rede para um ambiente com suporte RFID no

qual os objetos podem ser perfeitamente rastreados e monitorados. Um exemplo mais

especco discute a implementao de um ambiente aprimorado com a tecnologia RFID

de forma a melhorar a qualidade de vida e a independncia de pessoas idosas

(PHILIPOSE et al., 2004). Nesse ambiente os participantes usam pulseiras integradas a

um pequeno leitor RFID capaz de relatar sua interao com objetos previamente

etiquetados. As atividades podem ser inferidas a partir destes dados e comunicadas aos

seus cuidadores.

Algumas etiquetas RFID com capacidades sensoras foram implementadas, de forma

rudimentar, a partir de etiquetas comerciais. Neste sentido, vrias abordagens foram


2.1 sistemas rfid 7

propostas. O -WISP, por exemplo, combina dois chips RFID comerciais numa nica

antena, juntamente com um acelermetro de 1-bit (PHILIPOSE et al., 2005). Em outro

artigo, Siden et al. propem um sensor RFID para a deteco de umidade em paredes

de edifcios e casas, por meio da adio de uma esponja apropriada na frente da antena

de uma etiqueta (SIDEN et al., 2007). A umidade na esponja dessintoniza a antena

alterando o seu coeciente de reexo, o que pode ser detectado pela unidade leitora.

Outra abordagem usa uma etiqueta customizada com um micro fusvel para detectar a

exposio de produtos alimentcios a temperaturas elevadas. Quando a temperatura se

eleva acima de um determinado limite o fusvel queima, desativando permanentemente a

etiqueta (WATTERS et al., 2002).

Avanos fundamentais na tecnologia RFID tambm tm sido propostos. Do lado da

etiqueta, existem vantagens e desvantagens entre congurabilidade, desempenho, tamanho

e custo. Otimizaes nesta rea so objeto de pesquisas em andamento. Alm disso,

melhorias na capacidade de deteco, computao, criptograa e de registro de dados

tm permitido o surgimento de novas aplicaes. Exemplos incluem infraestrutura e

monitoramento de objetos, deteco automtica de adulterao do produto, identicao

de agentes nocivos, e dispositivos biomdicos para o monitoramento no invasivo (WANT,

2004). Do lado do leitor, existem vrias oportunidades de melhoria. Exemplos incluem

a melhoria protocolo e da camada de enlace fsico, a reduo de custos, questes de

segurana e privacidade, e a integrao com diferentes sistemas. Avanos recentes avanos

na tecnologia de Rdio Denido por Software (SDR) podem ajudar nesta pesquisa. Um

leitor RFID denido por software pode permitir o controle direto sobre o protocolo de

comunicao (BUETTNER; WETHERALL, 2008). Outro problema comum que os leitores

comerciais so otimizados para a leitura de um grande nmero de etiquetas o mais rpido

possvel. A transmisso de dados do sensor de uma etiqueta RFID nessas condies

abaixo do ideal. necessrio melhorar exibilidade tanto do lado da etiqueta quanto

do lado da unidade leitora, a m de lidar com estes desaos. Neste sentido, De Donno

et al. propem uma abordagem alternativa para a leitura de etiquetas RFID. Em lugar

do sistema tradicional, baseado em uma unidade leitora enviando e recebendo dados em

enlace direto com as etiquetas, um terceiro elemento, chamado escutador RFID faria

o papel de receber os dados enviados pelas etiquetas (DONNO et al., 2010). Mltiplos

escutadores distribudos na zona de interrogao permitiriam a comunicao com etiquetas


2.1 sistemas rfid 8

mais distantes da unidade leitora e melhoraria a taxa de sucesso em localiza-las.

A evoluo das etiquetas RFID melhoradas para incluir sensores, criptograa e recursos

de processamento de dados levou alguns pesquisadores a reexaminar a prpria denio

destas etiquetas. O termo RFID Computacional, por exemplo, cujos primeiros registros

remontam a 2005 (CLARKE; FITZGERALD, 2005), designa computadores sem bateria que

colhem toda a sua energia de funcionamento a partir da interrogao de uma unidade

leitora (YEAGER, 2009). De maneira geral, pode-se dizer que a tecnologia de etiquetas

RFID passivas permitiu o surgimento de microplataformas de computao com recursos

de energia e comunicao sem o.

2.1.1 Classicao das Etiquetas RFID

Existem atualmente vrias tecnologias diferentes de RFID operando em bandas que

vo de 125 kHz a 5,8 GHz. Em alguns sistemas o acoplamento entre a etiqueta e o leitor

se d em campo prximo, limitando a distncia de interrogao a algumas dezenas de

centmetros, em outros, o acoplamento ocorre em campo distante permitindo distncias

de interrogao mais elevadas.

As principais distines entre as etiquetas RFID dizem respeito sua fonte de energia

e ao mtodo de comunicao empregado. Etiquetas RFID podem ser ativas (alimentadas

por uma fonte de energia prpria), passivas (tele-alimentadas) ou semi-passivas (possuem

bateria como fonte auxiliar de energia). Em relao ao mtodo de comunicao empregado

para o envio de dados entre a etiqueta e o leitor ( uplink ), as etiquetas ativas utilizam

um transmissor RF de baixo consumo, enquanto as etiquetas passivas e semi-passivas

modulam os dados na reexo do prprio sinal enviado de volta para a unidade leitora.

2.1.1.1 Etiquetas Passivas

Etiquetas passivas caracterizam-se por no possurem fonte de energia prpria. Toda

a energia necessria ao seu funcionamento provida pelo sinal de comunicao emitido

pela unidade leitora. A ausncia de uma bateria ou outras fontes de energia simplica

muito o processo de fabricao da etiqueta, reduz custos e permite sua implementao

em dimenses mnimas. Alm disso, etiquetas passivas no necessitam de manuteno

peridica para a troca de baterias o que eleva enormemente seu tempo de vida e as
2.1 sistemas rfid 9

torna virtualmente livres de manuteno. Esta caracterstica especialmente valiosa em

sistemas que operam com um grande nmero de etiquetas ou em aplicaes nas quais

as etiquetas se localizam em pontos de acesso difcil ou mesmo indesejvel, como o

caso de etiquetas de identicao animal implantadas subcutneamente (CHAWLA; HA,


2007; MACHADO; NANTES, 2004), etiquetas embutidas dentro de vigas na construo civil

(SIDEN et al., 2007) ou mesmo em passaportes, por exemplo.

A distncia de comunicao entre etiquetas passivas e a unidade leitora tipicamente

limitada pela energia de funcionamento exigida pela etiqueta. Quanto maior a potncia

mdia consumida pela etiqueta, mais prxima ela ter de estar da antena do leitor para

conseguir colher essa energia. possvel tambm aumentar a energia colhida por meio

do aumento da antena receptora e/ou transmissora, mas enquanto a primeira,

frequentemente, j projetada para as maiores dimenses aceitveis para a aplicao

alvo, a segunda indiretamente limitada por normas (ISO/IEC, 2010, 1999) e

regulamentaes locais.

Em um ambiente real, contendo obstculos, objetos reetores e atenuadores de sinal,

de diferentes formas e substncias, descrever a propagao de uma onda eletromagntica

algo bastante complexo. Entretanto, uma estimativa simples para sistemas RFID

operando em campo distante pode ser calculada pela frmula de Friis:

 2
Pr
= Gt Gr 1 ||2 |t r |2

(2.1)
Pt 4d
Na equao, Pr e Pt so as potncias recebida na antena da etiqueta e transmitida

pela antena do leitor, Gr e Gt os ganhos das antenas da etiqueta e da unidade leitora,

o coeciente de reexo na entrada da antena do leitor, t e r os vetores unitrios de

polarizao das antenas de transmisso e recepo, o comprimento de onda no espao

livre para a frequncia de transmisso e d a distncia entre a etiqueta e a antena da

unidade leitora. importante notar que, conforme a Eq. 2.1, a distncia de leitura de

uma etiqueta inversamente proporcional raiz quadrada da potncia recebida em sua

antena.

Etiquetas passivas enviam dados para o leitor por meio da reexo do sinal enviado pela

unidade leitora (comunicao por retro-reexo). Essa soluo extremamente econmica

no consumo de energia, mas limita as etiquetas a s poderem se comunicar quando a

potncia do sinal incidente elevada o suciente para alimentar todo o seu sistema. Alm
2.1 sistemas rfid 10

disso, a potncia do sinal reetido pela antena de uma etiqueta tipicamente uma pequena

frao daquela enviada pelo leitor. Para que a unidade leitora seja capaz de detectar e

decodicar corretamente a informao enviada pela etiqueta, a potncia do sinal reetido

precisa atingir um patamar mnimo ao ser recebido pelo leitor. Este requisito , na prtica,

outro fator limitante na distncia mxima de comunicao entre as partes.

2.1.1.2 Etiquetas Ativas

Etiquetas RFID ativas possuem uma fonte de energia prpria, geralmente uma

bateria e um transmissor RF de baixo consumo. Uma vez que no precisam retirar sua

alimentao da energia do sinal emitido pelo leitor, essas etiquetas podem operar a

distncias bem maiores da unidade leitora do que uma etiqueta passiva e possuem uma

melhor capacidade de comunicar-se em meio a obstculos. Considerando-se as potncias

de transmisso permitidas pelos padres estabelecidos, a distncia de comunicao entre

uma etiqueta RFID ativa e o leitor pode chegar a 15 metros, dependendo da banda de

frequncia (FINKENZELLER, 2010). Essa elevada distncia de comunicao pode

constituir um problema quando se trata de localizar a etiqueta. Para contornar esse

problema, tcnicas de triangulao, medio do tempo de comunicao e potncia do

sinal enviado, podem ser usadas do lado do leitor.

O fato de possuir uma fonte de energia contnua tambm elimina diversas restries

de projeto comuns etiquetas passivas como incapacidade de registrar eventos quando

no esto em zona de interrogao ou a impossibilidade de embarcar um relgio de tempo

real (RTC), comumente necessrio ao projeto de um registrador de dados, por exemplo.

Etiquetas ativas tipicamente incluem um microcontrolador e podem realizar tarefas de

processamento simples.

At o presente momento, etiquetas RFID ativas no possuem um padro especco

tal como existe para as passivas, o que, em alguns casos, ocasiona problemas de

incompatibilidade entre diferentes solues. As principais desvantagens das etiquetas

ativas so o custo elevado (tipicamente mais de 10 vezes superior s passivas (RIDA

LI YANG, 2010)) e a necessidade de troca peridica da bateria. Aplicaes que

necessitam de uso frequente do transmissor podem limitar o tempo de vida da bateria a

alguns meses ou mesmo a algumas semanas.


2.1 sistemas rfid 11

2.1.1.3 Etiquetas Semi-Passivas

Etiquetas semi-passivas (ou semi-ativas) assemelham-se s passivas na maior parte

dos aspectos, tal como a comunicao por retro-reexo, mas incluem uma fonte de

energia, geralmente uma bateria, tipicamente com propsito de aumentar a distncia de

comunicao da etiqueta que, nesses casos, passa a limitar-se apenas pela sensibilidade

do receptor da unidade leitora. Adicionalmente a fonte contnua de energia permite s

etiquetas semi-passivas eliminar as mesmas restries de projeto que as ativas. Uma vez

que no utilizam um transmissor ativo de RF, a durao da bateria de uma etiqueta

semi-passiva pode chegar a vrios anos.

2.1.2 Limitaes de Tempo em Etiquetas RFID HF e UHF

A temporizao da comunicao entre as etiquetas RFID e suas unidades leitoras

denida pelos respectivos padres ISO/IEC. Essa temporizao impe importantes

restries ao funcionamento das etiquetas e, consequentemente, a eventuais sistemas a

elas interligados. Neste sentido, o principal parmetro a ser considerado o tempo

mximo de resposta da etiqueta a um comando de leitura. Quando a unidade leitora

envia um comando de leitura a uma etiqueta especca, ela mantm o campo de leitura

ativo durante um intervalo limitado de tempo para que a etiqueta se alimente, receba e

interprete o comando e envie a resposta solicitada. Se a etiqueta no responder ao

comando dentro do tempo limite, o campo de leitura desligado e, consequentemente, a

alimentao da etiqueta se esgota.

Para etiquetas RFID do tipo HF compatveis com o padro ISO 15693-3, o protocolo

dene o tempo de resposta da etiqueta a um comando de leitura (T1 ) como (ISO, 2009):


4192/fC ,
mnimo

T1 = 4224/fC , nominal (2.2)



4256/fC , mximo

Sendo fC a frequncia do sinal da portadora da unidade de leitura.

Para etiquetas compatveis com o padro NFC, o protocolo estabelecido na ISO/IEC

14443 dene o tempo de resposta T1 como (ISO/IEC, 2000):


2.1 sistemas rfid 12


0
4096 2 /fC ,
mnimo

T1 = 4096 24 /fC , nominal (2.3)



4096 214 /fC , mximo

Resolvendo as Equaes 2.2 e 2.3 para a frequncia nominal da portadora (13,56 MHz),

os tempos mnimo e mximo resultantes para T1 so 309,14 s / 313,86 s para o protocolo


ISO/IEC 15693 e 302,06 s / 4949 ms para o protocolo ISO/IEC 14443.

Para etiquetas UHF, o protocolo EPC Classe 1 Gerao 2 (comumente referido por

EPC Class1 Gen2) esse tempo de resposta denido como (EPCGLOBAL, 2015):


T1_nom (1 |F rT |) 2 s,
mnimo

T1 = T1_nom , nominal (2.4)

T1_nom (1 + |F rT |) + 2 s,

mximo

sendo T1_nom o valor nominal correspondente de T1 e F rT , a frequncia de tolerncia

que depende do tempo de calibrao da etiqueta para o leitor (T Rcal ) e da frequncia do

enlace de retroespalhamento (do ingls, backscatter-link-frequency ) (BLF ). Seus valores

mximo e mnimo correspondentes so:

(
15%, para BLF = 640 kHz
F rT = (2.5)
4%, para 40 kHz BLF < 107 kHz.

O valor nominal de T1 denido como:

T1_nom = max(RTcal , 10 Tpri ) (2.6)

sendo RTcal o tempo de calibrao do leitor para a etiqueta e Tpri o perodo de um ciclo

da subportadora, podendo ser calculado como Tpri = 1/BLF . O parmetro RTcal dado

por:

(
2, 5 T ari, mnimo
RTcal = (2.7)
3, 0 T ari, mximo

sendo T ari o intervalo de tempo de referncia para a sinalizao entre a unidade leitora e a
etiqueta. Este valor varia de 6,25 s a 25 s. Dessa forma, os valores mximo e mnimo de

RTcal , de acordo com a Equao 2.7 sero 15,625 s e 75 s, respectivamente. Os valores

mnimo e mximo para BLF so 40 kHz e 640 kHz, logo, os valores correspondentes de

Tpri so 250 s e 1,5625 s.


2.1 sistemas rfid 13

Resolvendo a Equao 2.6 para os casos mnimo e mximo obtm-se T1_nomM IN e

T1_nomM AX iguais a:

T1_nomM IN = max(RTcalM IN , 10 TpriM IN )

= max(15, 625 s, 10 1, 5625 s) (2.8)

= 15, 625 s

T1_nomM AX = max(RTcalM AX , 10 TpriM AX )

= max(75 s, 10 250 s) (2.9)

= 250 s.
Finalmente, resolvendo a Equao 2.4 para as taxas de dados mnima e mxima (isto

, 40 kbps e 640 kbps) temos:

T1M IN = T1_nomM IN (1 |F rT640kHz |) 2 s

= 15, 625 s(1 0, 15) 2 s (2.10)


= 11, 28 s

T1M AX = T1_nomM AX (1 + |F rT40kHz |) + 2 s

= 250 s(1 + 0, 04) + 2 s (2.11)

= 262 s.
Ou seja, os valores mximo e mnimo do tempo de resposta so 262 s e 11,28 s,
respectivamente.

A anlise dos tempos de resposta estabelecidos pelos trs padres analisados revela

primeiramente que de todos, o de temporizao mais exigente o EPC Class1 Gen2. Um

eventual sistema de sensoriamento voltado para etiquetas compatveis com esse padro

ter cerca de um quarto de milissegundo para realizar todas as tarefas e responder ao

ncleo da etiqueta para que ele possa responder ao leitor a tempo. J um sistema de

sensoriamento de curta distncia para a faixa HF que vise a compatibilidade com ambos

os protocolos (ISO/IEC 15693 e ISO/IEC 14443), deve considerar a temporizao mais

restritiva imposta pelo protocolo ISO/IEC 15693, que quase to exigente quanto o

EPC Class1 Gen2, isto , T1 = 313, 86 s no mximo. Por outro lado, um sistema de

sensoriamento que necessite de um tempo de resposta mais elevado pode adotar o padro

NFC que permite um intervalo de resposta de quase 5 segundos.


2.1 sistemas rfid 14

2.1.3 Limitaes de Energia em Etiquetas RFID HF e UHF

A principal restrio de projeto em etiquetas RFID operando na faixa HF ou UHF , de

maneira geral, a energia escassa disponvel para o funcionamento do sistema. Entretanto,

as limitaes para sistemas HF e UHF no so exatamente as mesmas. Um estudo sobre

as principais questes concernentes s limitaes energticas de sistemas RFID operando

no espao livre para essas duas bandas de frequncia coberto nessa seo. Sistemas

operando em diferentes meios de transmisso ou em meios mistos necessitam uma anlise

mais complexa que foge ao escopo deste trabalho. Um exemplo de estudo desse tipo

foi realizado por Shengbo Hu et al. para a comunicao em meio misto ar-borracha de

etiquetas RFID UHF passivas embarcadas no interior de pneus (HU et al., 2014).

A magnitude do campo magntico gerado pela antena do leitor, pode ser aproximada

por duas equaes distintas, dependendo da distncia entre o ponto de observao e o

centro da antena. Para determinar qual das duas equaes melhor descreve a magnitude

do campo magntico a uma dada distncia, convm denir a distncia limite de operao

em campo prximo e campo distante, DLIM :


DLIM = (2.12)
2
onde o comprimento de onda correspondente da portadora do sinal que gera o campo

( ).

Em campo prximo, isto , para distncias de observao inferiores a DLIM , a

magnitude do campo magntico ao longo do eixo central de uma antena do tipo indutor

quadrado pode ser calculada por (FINKENZELLER, 2010):

N IR2
|H| = p (2.13)
2 (R2 + d2 )3
onde N o nmero de espiras, I a corrente que percorre a antena, R o raio mdio

da antena e d a distncia entre o centro do plano da a antena e o ponto de medio.

Em campo distante, isto , para d > DLIM , a magnitude do campo magntico pode ser

calculada por (LEHNER, 2010):

s 2
2
N IR 1 2  2
|H| = + (2.14)
4 d3 dc2 cd2
2.1 sistemas rfid 15

onde c a velocidade da luz no vcuo (c = 299.792.458 m/s).

Para a banda de 13,56 MHz ISM (13,56 MHz 7 kHz) as regulamentaes europeias

limitam a intensidade do campo magntico a 60 dBA/m a 10 m de distncia da antena do

leitor (ERC, 2014), ao passo que para as atuais regulamentaes Americanas esse limite de

apenas 42 dBA/m a 10 m de distncia da antena do leitor. No Brasil a Anatel estabelece

o limite de 106 mV/m a 30 m de distncia da antena do leitor (Resoluo n 506, de 1

de julho de 2008), o que equivale a cerca de 49 dBA/m (considerando a transmisso em

espao livre com impedncia caracterstica igual a 377 ) (ANATEL, 2008). Dessa forma,

um sistema RFID operando banda de 13,56 MHz ISM compatvel com as regulamentaes

americanas ou europeias ser tambm compatvel com as regulamentaes brasileiras.

Alm disso, espera-se que num futuro prximo as diferenas entre as regulamentaes

americanas ou europeias sejam harmonizadas (HULSHOF; MEZZ, 2015).

Considerando ambas as regulamentaes americanas e europeias, as Equaes 2.13

e 2.14 podem ser usadas para calcular a intensidade do campo magntico gerado por

um leitor operando na mxima potncia permitida conforme esboado na Figura 2.1. A

intensidade do campo magntico gerado por um leitor HF tpico ao longo do eixo central

de sua antena representada tambm no mesmo grco para ns de referncia.

Figura 2.1  Intensidade mxima permitida para o campo magntico na banda de 13,56 MHz
ISM de acordo com as regulamentaes europeias e americanas (60 dBA/m
10 m e 42 dBA/m 10 m, respectivamente). A curva de menor intensidade
representa a intensidade do campo magntico gerado por um leitor HF tpico
(antena do tipo espiral quadrada, 10 x 10 cm, 6 espiras, I = 125 mA).
2.1 sistemas rfid 16

De acordo com o padro ISO/IEC 15693-2 (ISO, 2006) as etiquetas RFID devem ser

capazes de operar com um campo magntico igual a 150 mA/m (103,5 dBA/m). Esta

intensidade de campo corresponde a uma distncia mxima de operao de

aproximadamente 1 metro, segundo as regulamentaes europeias ou 50 cm segundo as

regulamentaes americanas. Teoricamente, a distncia mxima de operao o limite

entre o campo prximo e o campo distante, onde o acoplamento magntico no mais

possvel. Isto corresponde a aproximadamente 3,5 m para a frequncia de 13,56 MHz.

Em outras palavras, teoricamente uma etiqueta que consumisse menos de 69,7 dBA/m

ou 51,7 dBA/m poderia operar a 3,5 m da antena leitora. Entretanto, na prtica, essas

distncias de comunicao so sempre menores, pois a colheita de toda a energia

indicada no grco para uma determinada distncia exigira que a antena da etiqueta

tivesse um fator de qualidade (Q) igual a 100 % para a antena da unidade leitora, o que

no apenas inalcanvel como tambm indesejvel para sistemas RFID, visto que

sistemas de comunicao com fator de qualidade elevado so muito diretivos, o que

torna crtico o alinhamento entre as antenas transmissora e receptora.

Se o padro ISO/IEC 14443-2 (padro NFC) (ISO/IEC, 2010) for adotado, a intensidade

de campo magntico mnima requerida para a operao da etiqueta 1,5 A/m (123,5

dBA/m), o que corresponde a uma distncia mxima de comunicao de 42 centmetros

pelas regulamentaes europeias ou 20 centmetros pelas regulamentaes americanas. O

microchip NF4 desenvolvido recentemente pela EM Microelectronic, requer apenas 0,7

A/m (116,9 dBA/m) para ser ativado (MICROELECTRONIC, 2014), ou seja, menos da

metade da intensidade de campo requerida pela ISO/IEC 14443-2. Este nvel de consumo

o tornaria capaz de operar a aproximadamente 54 centmetros de distncia do leitor,

considerando condies ideais e a regulamentao europeia. Se essa soluo comercial

for tomada como o estado-da-arte, possvel concluir que uma etiqueta similar incluindo

algum sistema de sensoriamento poder operar no mximo a meio metro de distncia da

antena leitora, visto que o sistema sensor ir drenar alguma energia adicional requerendo

uma intensidade de campo mais elevada para poder operar. Evidentemente, etiquetas

RFID ativas podem operar a distncias mais elevadas, j que sua energia no retirada

do campo gerado pela unidade leitora.

Para etiquetas UHF a transferncia de energia ocorre no mais por acoplamento

magntico, como no caso das etiquetas HF, mas atravs do campo eletromagntico
2.1 sistemas rfid 17

irradiado. A distncia limite entre os campos prximo e distante para etiquetas RFID

operando entre 868 MHz e 915 MHz, conforme a Equao 2.12 de pouco mais de 5

centmetros. Por esta razo, etiquetas RFID UHF operam quase sempre em campo

distante. Nesta situao, a potncia total recebida na antena da etiqueta pode ser

calculada como:

 2

Ptag = Preader Greader Gtag (2.15)
4d
sendo d a distncia entre a antena da etiqueta e a antena do leitor, o comprimento de
onda da portadora, Preader a potncia de sada do leitor, Greader e Gtag os ganhos das

antenas do leitor e da etiqueta, respectivamente.

Considerando o produto Preader Greader igual a 33 dBm, que a mxima potncia

radiada equivalente (PERP ) permitida pelas regulamentaes americana e europeia, Gtag


igual a -3, 0 e +3 dBi e f = 915 MHz ( = 0,3276 m), pode-se estimar a potncia

disponvel para uma etiqueta UHF distante entre 0 e 30 m da antena do leitor conforme

representado na Figura 2.2.

Figura 2.2  Mxima potncia disponvel para uma etiqueta RFID operando em 915 MHz em
funo de sua distncia da antena do leitor. Trs diferentes valores para o ganho
da antena foram considerados: +3 dBi, 0 e -3 dBi.

O Monza 6, um circuito integrado completo para etiquetas RFID UHF lanado em

2015 pela Impinj, requer apenas -22,1 dBm (6,2 W) de energia para ser ativado (IMPINJ,
2015), sendo capaz de operar a cerca de 25 metros de distncia do leitor (assumindo-se Gtag
2.2 sensores rfid 18

= +3 dBi). Este atualmente o CI comercial para etiquetas RFID de melhor desempenho

disponvel. Tomando-o como o estado-da-arte, pode-se armar que uma etiqueta similar

incluindo algum sistema de sensoriamento poder operar a uma distncia no superior a

25 metros, j que o sistema adicional ir requerer tambm alguma energia para funcionar.

Por exemplo, um sistema de sensoriamento que requeira 3 W para funcionar, integrado a


uma etiqueta UHF similar a Monza 6 que requer outros 6,2 W ir demandar um campo

de leitura de, ao menos, -20,4 dBm. A distncia mxima de operao dessa etiqueta

sensora ser algo em torno de 18 metros de acordo com a Figura 2.2.

2.2 Sensores RFID

A rpida disseminao dos sistemas RFID ocorrida na ltima dcada tornou essa

tecnologia um dos sistemas de computao mais onipresentes na histria (ZHANG et al.,


2009). Isto se deve sua ampla aplicabilidade, baixo custo e caractersticas tcnicas

atrativas frente a outras solues. A comunicao RFID rpida e simples e as diferentes

frequncias de trabalho padronizadas permitem uma boa adequao a cada aplicao. Sua

adoo na indstria permite melhorar os servios, reduzir o custo do trabalho, impedir a

falsicao de produtos e roubo, aumentar os ganhos de produtividade e manter padres

de qualidade.

A popularidade e vantagens tcnicas da tecnologia RFID fazem dela uma soluo

promissora para a implementao de sensores sem o. Neste sentido, vrios esforos tm

sido realizados para agregar a capacidade sensora tecnologia RFID, bem como o de

integra-la tecnologia WSN ( Wireless Sensor Network - Redes de Sensores Sem Fio),

tais como propostas por Mitsugi et al. (MITSUGI et al., 2007), Liu et al. (LIU et al.,
2007), Zhang e Wang (ZHANG; WANG, 2006) e Mitrokotsa e Douligeris (MITROKOTSA;

DOULIGERIS, 2009).

Diversas propostas para a integrao de sensores a etiquetas RFID, tanto acadmicas

quanto comerciais. De maneira geral, possvel classicar essas solues quanto forma

de alimentao (ativa, passiva ou semi-passiva) e quanto a forma de acoplamento entre o

sensor e a etiqueta, analgica ou digital. As sees a seguir iro apresentar um resumo

das principais solues pesquisadas segundo essa classicao.


2.2 sensores rfid 19

2.2.1 Sensores RFID Ativos

Sensores RFID ativos utilizam uma bateria para alimentar seu circuito de

comunicao, sensores a unidade de controle digital, em geral, um microcontrolador.

Isto os permite atingir uma longa distncia de comunicao e operar com taxas elevadas

de amostragem do sensor. Em contrapartida, o uso de uma bateria torna o dispositivo

mais volumoso e caro, ao passo que o tempo de vida do sensor reduzido.

Um sensor RFID ativo UHF (950 MHz) com antena impressa em papel de baixo

custo foi proposto por Ferrer-Vidal et al. (FERRER-VIDAL et al., 2006). O sensor emprega

baterias recarregveis de pelcula na (de forma a aumentar a vida til da etiqueta)

incorporadas ao prprio papel da antena. De maneira semelhante, um sensor RFID ativo

incluindo capacidades sensoras em um substrato de papel de baixo custo, alimentado por

uma bateria tambm foi proposto por Rida et al. (RIDA et al., 2007).

Considerando que o papel um dos mais baratos materiais orgnicos, no agressivo

ao meio ambiente e que pode facilmente ser adotado para a produo em larga escala,

sensores RFID dessa natureza possuem uma atraente vantagem para impulsionar o

mercado de etiquetas RFID com sensores integrados. Adicionalmente, o papel tambm

tem a vantagem de apresentar uma constante dieltrica prxima do ar, permitindo a

penetrao de 95 a 96% do sinal de RF incidente. As propriedades eltricas do papel

tambm podem ser facilmente caracterizadas por meio de estruturas ressonantes,

conforme demonstrado por Thompson et al. (THOMPSON et al., 2004).

O projeto de um sistema de identicao de rdio frequncia com sensor embarcado,

baseado em etiquetas RFID ativas foi proposto por Deng et al. (DENG et al., 2006). A

principal vantagem do sistema proposto que os sensores amostram os dados externos

independentemente e periodicamente com ou sem a presena de um leitor na zona de

ativao da etiqueta. Deng et al. propuseram duas arquiteturas diferentes para essas

etiquetas. Na primeira arquitetura, proposta vrios sensores podem ser embarcados em

uma nica etiqueta RFID, enquanto que na segunda arquitetura, cada sensor

embarcado num nico RFID. Alm disso, eles avaliaram uma das arquiteturas propostas

pelo desenvolvimento de um sistema de monitoramento de sade em tempo real (HEMS)

usando uma etiqueta sensora. No HEMS, o objetivo foi desenvolver um sistema de

monitorao constante, o qual deveria ser capaz de monitorar continuamente, reavaliar e


2.2 sensores rfid 20

diagnosticar doenas.

Uma etiqueta RFID ativa com sensores para monitorao de choque, inclinao e

temperatura foi implementada por Gessner e Reuter do Fraunhofer Institute (GESSNER;

REUTER, 2009). A etiqueta consiste num substrato polimrico no, um ASIC RFID com

a antena, um sistema de sensores com um transdutor micromecnico (MEMS) e um ASIC

para o tratamento de sinal dos sensores e interfaceamento com o ASIC RFID. Tanto

os ASICs quanto o chip contendo os sensores MEMS foram diretamente integrados ao

substrato da etiqueta sem encapsulamento (COB - Chip On Board).

Outra iniciativa notvel o projeto OpenBeacon que disponibiliza abertamente o

projeto completo de uma etiqueta RFID ativa para 2,4 GHz com suporte a sensores

(OPENBEACON, 2015). A etiqueta baseada em componentes comercias tais como o

microcontrolador PIC16F688 da Microchip (MICROCHIP, 2015) e o nRF24L01, um

transceptor de RF de baixo consumo produzido pela Nordic Semicondutor

(NORDICSEMI, 2015). Toda a etiqueta alimentada por uma bateria do tipo CR2032,

capaz de durar at 6 anos.

Uma etiqueta RFID ativa com sensor de vibrao embarcado atualmente

comercializada pela Bisa Technologies (BISA, 2015). Operando na faixa de 2,4 Ghz com

um alcance de 25 m, equipada com sensor de vibrao capaz de detectar e registrar

vibraes ou impactos de forma contnua ou ocasionais com sensibilidade de 200 mV/g.

A etiqueta destinada a sistemas de segurana e possui uma bateria com durao

estimada de 2 a 3 anos, quando ento deve ser descartada.

Uma famlia de etiquetas RFID ativas com sensores integrados produzida

comercialmente pela Evigia Systems. A famlia EV3, compatvel com a norma ISO

18000-7, composta pelas etiquetas EV3-ST, EV3-LPST, EV3-CST e EV3-CS1. Ela

incorpora sensores de temperatura, umidade, choque, luminosidade, de violao de lacre

e at mesmo de radiao (EV3-CS1). As etiquetas so ainda capazes de registrar os

dados coletados pelos sensores em memria, podendo armazenar at 512 kB de

informao antes de necessitarem de um leitor na zona de ativao para transferi-los.

Podem reportar o nvel de carga de suas baterias cuja durao estimada vai de 3,5 anos

para o EV3-LPST a 10 anos para a EV3-CS1 (EVIGIA, 2015).

A Thinlm Electronics fabrica comercialmente uma linha de etiquetas descartveis

com eletrnica embarcada chamada Smart Labels. A etiqueta ativa, alimentada por uma
2.2 sensores rfid 21

bateria de lme no, pode conter uma unidade de comunicao RFID padro NFC (ISO

14443), um sensor de temperatura, um boto e uma tela (THINFILM, 2015). Com

exceo do chip de controle e a bateria, todos os demais componentes so produzidos

por impresso.

H ainda outras etiquetas RFID ativas com sensores integrados produzidas

comercialmente tais como o TELID 310 da Microsensys (MICROSENSYS, 2015), as

produzidas pela Ankaref para sensoriamento de temperatura e umidade (ANKAREF,

2015), a Elpas produzida pela IOT Phillipines para a medio de temperatura (IOT,

2015), a AD-922-Tag fabricada pela Uconnect International que integra um acelermetro

e interface para outros sensores externos (UCONNECT, 2015), a FC-409T da Friendcom,

uma etiqueta RFID ativa com sensor de temperatura voltada para a monitorao de

animais (FRIENDCOM, 2015), ou ainda o sensor de temperatura RFID ativo para

13,56MHz (compatvel com o padro ISO 15693), produzido pela companhia alem

KSW-Microtec e comercializado desde 2002. A etiqueta possui a antena, o michochip

com o sensor e a bateria totalmente integrados em uma na etiqueta de papel (RFID

JOURNAL, 2002). Mais informaes sobre etiquetas RFID ativas com sensores integrados

comerciais e seus fabricantes podem ser encontradas em (HARROP; DAS, 2011).

Um importante avano no desenvolvimento de solues dedicadas ou comerciais de

etiquetas RFID ativas com sensores integrados est no surgimento de componentes no

mercado especcos para essa aplicao, como o caso do MLX90129, fabricado pela

Melexis Semiconductors (MELEXIS, 2015) desde dezembro de 2010. O MLX90129 integra

a interface de RF para 13,56 MHz, conforme a norma ISO-15693, interface com entrada

diferencial para sensores resistivos em ponte de Wheatstone com referencial de tenso

congurvel e memria interna de 3,5 kbits para registro de amostras (RACHWALSKI,

2010).

importante notar que no foram consideradas nesse estudo produtos comerciais

anunciados como RFID mas que no guardam compatibilidade com nenhuma de suas

normas estabelecidas, como o caso da etiqueta Ekahau A4+ fabricada pela Ekahau Inc.

(EKAHAU, 2015) destinada localizao de ativos, integrada a um sensor de movimento.

Apesar de anunciada como etiqueta RFID ativa, trata-se de uma etiqueta WI-FI (IEEE

802.11b/g).
2.2 sensores rfid 22

2.2.2 Sensores RFID Passivos

Entende-se por sensor RFID passivo uma etiqueta RFID passiva com um ou mais

sensores integrados e que capaz de comunicar unidade leitora dados oriundos da

leitura desse(s) sensor(es). A principal vantagem de um sensor RFID passivo em relao

aos sensores convencionais a capacidade de operar sem as limitaes impostas pela

necessidade de uma bateria integrada.

Gaetano Marrocco prope a classicao dos diferentes tipos de sensores RFID

passivos de acordo com o mecanismo de sensoriamento adotado e a modalidade de

transmisso utilizada para comunicar a informao do sensor (MARROCCO, 2010). A

classicao proposta por Marrocco pode ser representada na Fig. 2.3.

Figura 2.3  Classicao dos sensores RFID passivos proposta por G. Marrocco (MARROCCO,
2010).

Existem atualmente dois tipos bsicos de sensores RFID passivos: aqueles dotados

de ao menos um circuito integrado (encarregado de tarefas como comunicao,

tratamento da energia colhida pela antena, armazenamento de dados, etc.) e os sem

chip, constitudos apenas por componentes passivos e estruturas ressonantes. Os

chamados sensores RFID sem chip contam com uma importante e promissora linha de

pesquisa em mbito acadmico. Entretanto, o princpio de operao dessas etiquetas

bastante distinto das etiquetas RFID tradicionais, razo pela qual o procedimento e

aparato necessrio sua leitura diferem signicativamente daqueles abordados neste

trabalho. Por essa razo, as etiquetas sensoras sem chip, no so abordadas neste

estudo, embora importantes contribuies nesse tema tenham sido dadas por Shrestha et
2.2 sensores rfid 23

al. (SHRESTHA et al., 2009), Preradovic et al. (PRERADOVIC; KARMAKAR, 2010;

PRERADOVIC et al., 2011), Vena et al. (VENA et al., 2012a, 2012b), Kim et al. (KIM et al.,
2013), Perret et al. (PERRET et al., 2014), Amin et al. (AMIN et al., 2013, 2014) e Feng et
al. (FENG et al., 2015).

O princpio de funcionamento das etiquetas sem chip, as chamadas SAW tags,

abordado de maneira didtica e sucinta por Chawla e Dong-Sam Ha em (CHAWLA; HA,


2007) e em mais detalhes por Hartmann (HARTMANN, 2002). Maiores informaes sobre

esse tipo especco de etiqueta sensora podem ser encontradas em (PERRET, 2014).

Sensores RFID passivos com chip ou simplesmente Sensores RFID passivos conforme

referido no mbito deste trabalho, so etiquetas RFID passivas com ao menos um circuito

integrado e com um ou mais sensores a ela acoplados.

Um exemplo notvel da aplicao de sensores RFID passivos em larga escala o

OpenSense, uma etiqueta RFID produzida pela Thinlm para uso em garrafas (THINFILM,

2015). A etiqueta impressa em lme no projetada para ser xada por debaixo do

rtulo da bebida e possui um sensor de violao que se estende ao longo do lacre que

sela a abertura da garrafa. Comunicando-se no padro NFC (ISO 14443-A), a etiqueta

pode ser lida por qualquer pessoa com o auxlio de um smartphone com suporte a NFC,

obtendo da etiqueta detalhes sobre o produto engarrafado e se o lacre foi violado ou

no. A soluo foi adotada recentemente pela Diageo's Johnnie Walker, fabricante de

whiskies mundialmente conhecido, para uso na linha Blue Label, de alto valor agregado,

a m de possibilitar empresa um melhor controle da cadeia de distribuio e ajudar os

consumidores a vericar a autenticidade do produto (SWEDBERG, 2015).

Uma extensa linha de sensores RFID passivos produzida pela empresa espanhola

Farsens (FARSENS, 2015b). Os 17 tipos de etiquetas atualmente comercializadas

destinam-se medio de grandezas como temperatura, deformao, presso, orientao,

campo magntico, luz, umidade, resistncia e tenso eltrica, alm de etiquetas

sinalizadoras LED e atuadoras como rel. Todas elas se baseiam no ANDY100

(FARSENS, 2015a), um circuito integrado desenvolvido pela prpria empresa, compatvel

com a norma ISO/IEC 18000-6 que implementa uma etiqueta RFID completa do tipo

EPC Classe 1, Gerao 2 (C1G2) para a faixa de 860 MHz a 960 MHz. O chip

disponibiliza sadas reguladas de tenso de 1,2 V, 1,8 V e 2,5 V alm de uma interface

SPI de forma a poder alimentar e se comunicar com outros dispositivos externos como
2.2 sensores rfid 24

sensores ou um microcontrolador, por exemplo. Adicionalmente a empresa tambm

comercializa etiquetas RFID de propsito geral para o desenvolvimento dedicado de

sensores e atuadores, alm de tambm comercializar o chip ANDY100 individualmente.

2.2.3 Sensores RFID Semi-Passivos

Sensores RFID semi-passivos guardam grande semelhana estrutural e

comportamental com os sensores RFID passivos. Caso a potncia do sinal de RF

recebida seja sucientemente alta, podem operar tal qual um a verso passiva o faria.

Do contrrio, a alimentao provida pela bateria ou outra fonte de energia permitem sua

operao no modo semi-passivo. A operao no modo semi-passivo envolve tipicamente

atividades de sensoriamento, registro de tempo e de dados amostrados dos sensores.

Um sensor de temperatura RFID semi-passivo para a faixa de UHF, compatvel com

o protocolo EPC Gen-2 (EPCGLOBAL, 2015) foi proposto por Kim et al. em (KIM et al.,
2007). O sensor proposto opera como uma etiqueta RFID passiva quando potncia do

sinal de RF suciente para alimentar seu circuito e opera como uma etiqueta RFID

semi-passiva caso contrrio. Uma memria no voltil do tipo FeRAM de ultrabaixo

consumo empregada para registrar os dados amostrados do sensor.

A NFC-WISP, uma etiqueta RFID capaz de operar tanto na forma passiva quanto

semi-passiva, com um grande nmero de recursos foi proposta por Yi Zhao (ZHAO et al.,
2015). A etiqueta, baseada num microcontrolador reprogramvel de ultrabaixo consumo,

capaz de se comunicar com a maioria dos leitores RFID comerciais, inclusive por

smartphones com recurso de NFC, atravs do protocolo ISO-14443, e inclui um sensor

de temperatura e um acelermetro, uma memria ferroeltrica (FRAM) de 2 MB, leds e

uma tela monocromtica de ultrabaixo consumo do tipo E-ink (PERVASIVEDISPLAYS,

2015), capaz de reter a imagem aps programada, mesmo na ausncia de alimentao.

Opcionalmente, uma bateria recarregvel de lme no pode ser conectada etiqueta,

permitindo sua operao no modo semi-passivo e sendo recarregada remotamente,

sempre que a energia entregue pelo leitor exceda aquela necessria ao funcionamento da

etiqueta.

Uma etiqueta sensora RFID semi-passiva operando na faixa de UHF (860-960 MHz)

foi proposta por Guangwei et al. (LIU et al., 2014). A etiqueta foi desenvolvida com base

no circuito integrado SL900A AMS (AMS, 2015) que inclui um sensor de temperatura
2.2 sensores rfid 25

interno, agregando capacidade sensora ao dispositivo. Adicionalmente, os autores

implementaram um sistema de localizao da etiqueta, utilizando mltiplas antenas

leitoras em um ambiente controlado e etiquetas referenciais estacionrias. A localizao

da etiqueta sensora estimada pela comparao da potncia do sinal por ela devolvido a

cada antena leitora com o recebido de todas as etiquetas referenciais.

Etiquetas sensoras RFID semi-passivas tambm so produzidas comercialmente. Um

exemplo a linha de etiquetas customizveis produzidas pela PhaseIV (PHASEIV, 2015).

O fabricante desenvolveu um dispositivo CMOS chamado SensIC RFID ASIC capaz de

medir e transmitir a temperatura, assim como a leitura de sensores capacitivos externos

do tipo MEMS, podendo operar tanto no modo passivo quanto no modo ativo. Outro

exemplo de etiqueta sensora RFID semi-passiva comercial o sensor de temperatura sem

o ThermAssureRF produzido pela Evidencia (EVIDENCIA, 2015).

2.2.4 Sensores Ligados ao Lado Analgico

Tratam-se de etiquetas RFID equipadas com um sensor ligado ao seu front-end


analgico, isto , poro analgica do sistema da etiqueta. Este acoplamento feito

conectando-se o sensor diretamente em alguma parte da antena, distribuindo o material

sensitivo sobre a superfcie da antena ou mesmo fabricando-se a antena a partir do

prprio material sensor (TEDJINI et al., 2016).

Nessas etiquetas o sensor age como uma carga conectada antena cuja impedncia ir

variar conforme a mudana da grandeza medida (temperatura, umidade, luminosidade,

presso, etc). A variao da impedncia do sensor altera o coeciente de reexo da antena

modulando a potncia do sinal reetido para o leitor. A unidade leitora por sua vez deve

ser capaz de detectar a mudana na potncia do sinal recebido e extrair a informao

oriunda do sensor. A impedncia equivalente do sensor deve ser preferencialmente reativa

de forma a minimizar as perdas eltricas e, o que resulta em reduo da distncia mxima

de leitura da etiqueta. Por essa razo, os sensores para essas etiquetas devem comportar-se

idealmente como capacitores ou indutores varveis.

Philipose et al. implementaram uma etiqueta com sensor de posio a partir de

etiquetas RFID passivas comerciais (PHILIPOSE et al., 2005). A etiqueta, chamada

-WISP, baseava-se em duas etiquetas RFID ALL-9250 (915 MHz) da Alien Technology

(ALIENTECHNOLOGY, 2015) ligadas de forma a compartilharem a mesma antena. Em


2.2 sensores rfid 26

cada etiqueta, um dos terminais de conexo com a antena foi ligado em srie com um

sensor de posio do tipo tilt estando os sensores posicionados 180


o
um em relao ao

outro. Sensores tilt so basicamente constitudos de um par de eletrodos dentro de uma

pequena cmara com uma esfera de mercrio, que, dependendo da posio do sensor, ir

curto-circuitar ou no os eletrodos. Desta forma, dependendo da posio da etiqueta, se

voltada para cima ou para baixo, apenas a etiqueta correspondente era capaz de se

comunicar com o leitor.

Uma etiqueta RFID modicada para a medio de umidade foi implementada por

Jia et al. (JIA et al., 2008). A implementao foi feita a partir de uma etiqueta RFID

UHF comercial coberta com um lme de poliamida sensvel a umidade. O resultado

uma relao linear entre a umidade e a atenuao do sinal da antena. Sua principal

vantagem no necessitar de nenhum circuito adicional na etiqueta. Em contrapartida,

a medio da umidade s pode ser realizada comparando-se o sinal da etiqueta sensora

com o de outra etiqueta sem lme na mesma localidade ou com valores referenciais

previamente medidos. Uma soluo semelhante foi proposta por Siden et al. (SIDEN et
al., 2007) para o monitoramento de umidade no interior de estruturas de concreto em

edicaes. No sistema proposto, duas etiquetas, uma referencial e uma sensora cam

dispostas lado a lado, separadas por uma pequena distncia. A etiqueta sensora,

constituda de uma etiqueta comercial comum, anexada a uma espessa folha de material

higroscpico (polietileno de alta densidade - HDPE), enquanto a etiqueta referencial

idntica primeira, porm sem nenhum interposto at o concreto. O material

higroscpico age aumentando as perdas dieltricas no sinal de leitura que chega at a

antena da etiqueta, de maneira proporcional umidade absorvida. O nvel de umidade

ento estimado pelo sensor a partir da diferena da potncia que precisa ser aplicada no

sinal de leitura para conseguir ler a etiqueta sensora em relao necessria para ler a

etiqueta referencial.

Uma soluo para deteco de limiar de temperatura, deslocamento e nvel de uido

foi proposto por Bhattacharyya et al. (BHATTACHARYYA et al., 2010a). O mtodo de

deteco de limiar de temperatura proposto consiste basicamente em duas etiquetas

posicionadas uma logo acima da outra, com uma pequena placa metlica posicionada

logo atrs da mais elevada. A placa metlica ca contida em uma pequena embalagem

plana, imersa num lquido, inicialmente congelado, cuja temperatura de fuso coincide
2.2 sensores rfid 27

com o limiar de temperatura que se deseja detectar. No estado inicial, a placa metlica

ir prejudicar a comunicao da etiqueta de cima com o leitor, enquanto a etiqueta de

baixo se comunicar normalmente. Caso a etiqueta seja exposta a uma temperatura

acima do limiar por um tempo maior que o tolervel, o lquido se descongelar

permitindo que a placa metlica desa dentro da embalagem, bloqueando a comunicao

da etiqueta de baixo e liberando a da etiqueta de cima. Ainda que a etiqueta seja

novamente resfriada, a posio da placa metlica no se alterar mais, denunciando a

ocorrncia. O sensor de deslocamento proposto, adequado para a deteco de falhas

estruturais em edicaes, baseou-se na degradao do desempenho de uma etiqueta

UHF nas proximidades de um metal. Dessa forma, a etiqueta foi colocada a alguns

centmetros de distncia de uma placa metlica, por sua vez xada na estrutura cujo

deslocamento se deseja medir. Desde que a posio da etiqueta xa, deslocamentos na

estrutura iro aproximar ou afastar a placa metlica da etiqueta, aumentando ou

reduzindo sua interferncia na comunicao. A medio do deslocamento por sua vez

pode ser feita pelo leitor atravs da potncia necessria no sinal de comunicao para se

interrogar a etiqueta. Uma explicao mais detalhada desse mtodo pode ser encontrada

em (BHATTACHARYYA et al., 2009). O mtodo proposto de deteco de uido se baseia

no mesmo princpio, isto , a degradao no desempenho de comunicao da etiqueta

RFID UHF na presena de uidos. Em (BHATTACHARYYA et al., 2010b) Bhattacharyya

et al. propem uma nova forma de se detectar a exposio da etiqueta temperaturas

acima do limiar. O mtodo consiste em substituir o mecanismo descrito em

(BHATTACHARYYA et al., 2010a) por uma placa de metal associada a um polmero com

memria de forma. Quando resfriado o polmero mantm a placa de metal sob uma

etiqueta (etiqueta A) perturbando sua comunicao mas deixando a outra (etiqueta B)

livre. Caso a etiqueta seja aquecida acima da temperatura limite, o polmero reassume

permanentemente sua forma original, liberando a etiqueta A mas bloqueando a etiqueta

B, permitindo assim que o leitor identique a ocorrncia mesmo que a etiqueta volte a

ser resfriada.

2.2.5 Sensores Ligados ao Lado Digital

Nas etiquetas RFID com sensores ligados ao lado digital os sensores conectam-se ao

ncleo digital da etiqueta por meio de um circuito de tratamento do sinal do sensor e,


2.2 sensores rfid 28

frequentemente, um conversor analgico/digital. A informao oriunda do sensor

transmitida digitalmente mediante uma solicitao do leitor, atravs do protocolo de

comunicao convencionado, ou seja, conforme uma comunicao regular do padro

RFID.

Este tipo de soluo permite que os tratamento do sinal dos sensores seja realizado

diretamente na etiqueta, antes de envia-los ao leitor, tornando essa arquitetura bem mais

robusta variaes ambientais alheias s grandezas sensoreadas, bem como ao rudo do

canal de comunicao, j que os dados provenientes dos sensores so transmitidos por

codicao digital. Adicionalmente, tambm possvel associar mltiplos sensores uma

mesma etiqueta, alm amostrar e armazenar os dados de cada sensor para envio futuro

mediante uma solicitao do leitor.

A Bio-Thermo, produzida comercialmente em 2003, foi primeira etiqueta RFID

passiva com sensor digitalmente acoplado a ser comercializada(CHAN; MEJIA, 2006).

Operando na frequncia de 134,2 kHz, a etiqueta inclua um sensor de temperatura para

a faixa de 35
o
C a 45
o
C com exatido de 0,1
o
C e era encapsulada em vidro ( glass-tag )
para insero subcutnea em animais, conforme o padro ISO 11785 para identicao

de animais. Uma soluo semelhante foi proposta por Karn Opasjumruskit et al. em

2006 (OPASJUMRUSKIT et al., 2006). Opasjumruskit e sua equipe projetaram o microchip

completo de uma etiqueta RFID, para a faixa de frequncia de 100 kHz a 150 kHz, com

um sensor de temperatura embarcado, voltado para medio industrial, cobrindo a faixa

o o
entre -40 C e 120 C. O sensor de temperatura foi implementado a partir de uma fonte

de corrente do tipo PTAT (WIDLAR, 1965) e sua interface com a unidade de controle

implementada com um conversor A/D do tipo com resoluo de 8 bits.

Apesar do acoplamento digital dos sensores ao circuito de controle da etiqueta a

princpio envolver um conversor analgico-digital, esse no um componente

fundamental. Sensores de dois estados, como os de integridade de lacre, por exemplo,

dispensam qualquer tipo de conversor A/D e seu circuito de condicionamento de sinal

pode se resumir a um simples RC, tal como em (SWEDBERG, 2015). Sensores cuja

resposta de natureza contnua como os de temperatura, umidade, luminosidade,

presso, etc., tambm podem ser interfaceados sem um conversor A/D propriamente

dito. Isto pode ser feito com o auxlio de uma porta lgica do tipo schmitt trigger. Neste

caso, o sistema no ser capaz de realizar uma leitura proporcional grandeza medida,
2.2 sensores rfid 29

mas apenas detectar se essa grandeza est acima ou abaixo um determinado limiar

previamente denido. o caso de etiquetas destinadas a monitorar a temperatura de

conservao de alimentos, tais como as produzidas pela ThinFilm (THINFILM, 2015).

H ainda outras solues mais rebuscadas, tais como a proposta por Shenghua e

Nanjian (SHENGHUA; NANJIAN, 2007). Nesta soluo, um sensor de temperatura foi

integrado uma etiqueta RFID UHF empregando um oscilador cuja frequncia

linearmente dependente da temperatura. O sinal oscilante ento aplicado em um

contador durante um intervalo xo de tempo, perfazendo a medio. Suas principais

desvantagens so a necessidade de calibrao e a implementao de um gerador de

pulsos constantes, tornando a exatido da medida muito dependente de parmetros

vulnerveis s variaes do processo de fabricao do chip.

Namjun Cho et al. propem em (CHO et al., 2005) uma etiqueta RFID UHF passiva

para o monitoramento ambiental de temperatura e luminosidade. Ambos os sensores

foram produzidos em juntamente com o restante do circuito da etiqueta em um s chip

na tecnologia CMOS 0,25 m. Cada um dos sensores foi integrado utilizando um

conversor A/D dedicado, o de temperatura empregou um conversor do tipo rampa

simples e o de luminosidade, um conversor de corrente em pulsos, cuja durao

diretamente proporcional intensidade da luz recebida pelo sensor (fotodiodo).

Em (BRENK et al., 2011) Brenk et al. relatam a implementao completo de uma

etiqueta RFID passiva, operacional em UHF (868 MHz), com alcance de leitura estvel

6,5 m do leitor, incluindo um sensor de temperatura interfaceado com a etiqueta por

meio de um conversor A/D por redistribuio de carga (MCCREARY; GRAY, 1975) com

resoluo de 8 bits, implementado em tecnologia CMOS de 130 nm. Uma evoluo desse

sistema pode ser encontrada em (USSMUELLER et al., 2012). No artigo, a etiqueta passa a

incluir um multiplexador analgico para trs sensores adicionais, alm do prprio sensor

de temperatura embarcado, tem capacidade de operar em UHF (900 MHz) e HF (13,56

MHz) e oferece suporte localizao da etiqueta via radar FMCW (HEIDRICH et al., 2010;
AUBERT et al., 2012).

A razo do emprego de um conversor A/D ser evitada em muitas solues se deve no

s ao aumento da complexidade do sistema (e consequentemente da rea total do chip),

mas principalmente s diculdades em se atender aos requisitos de consumo de energia

impostos pelo prprio sistema RFID, especialmente s etiquetas passivas. Por esse motivo,
2.3 sensores para a deteco de gases 30

a escolha e projeto do conversor A/D para a soluo proposta neste trabalho demandou

longo tempo de estudo e desenvolvimento, sendo tratado de maneira mais detalhada no

Captulo 3.

2.3 Sensores Para a Deteco de Gases

Instrumentos de monitoramento de gases so amplamente utilizados nas reas

automotiva, mdica, industrial e de anlise ambiental. Por essa razo, a mobilidade e

portabilidade requerida no emprego desses instrumentos implicam diretamente em

exigncias de miniaturizao e baixo consumo dos sensores neles empregados.

Adicionalmente, a crescente demanda pela automao na indstria e na agropecuria

requer, alm de instrumentos discretos, redes de sensores cujo nmero de pontos de

medio (ns) pode chegar casa dos milhares. Interligar to grande nmero de

sensores a um sistema central por meio de os quase impraticvel, alm de acarretar

em elevados custos, principalmente se o sistema envolver pontos de medio mveis.

Neste caso, a adoo de um sistema de comunicao sem os , indubitavelmente, a

melhor escolha.

A adoo de um sistema de comunicao sem os traz, no entanto, um problema

adicional. Em uma rede cabeada de sensores, os os de conexo tambm so responsveis

pela alimentao dos ns. No havendo mais conexo ada at os ns sensores, estes

passam a necessitar de uma fonte de energia local. Se esta fonte for uma bateria, sua

troca peridica implicar em custos e problemas de logstica, especialmente se o nmero

de ns sensores for elevado e/ou, os mesmos localizarem-se em pontos de difcil acesso.

Neste caso, o tempo de vida da bateria precisa ser maximizado, exigindo ainda mais que

o sistema do n sensor consuma o mnimo possvel de energia. Se o n utilizar fontes

alternativas de energia para se alimentar (solar, vibracional, cintica, trmica, etc.) ou a

prpria energia fornecida pela antena de leitura (tele-alimentao), haver muito pouca

energia disponvel, imponto requisitos de reduo de consumo ainda mais elevados do que

no caso de alimentao por baterias.

As exigncias de miniaturizao dos sensores, aliadas aos requisitos de baixo

consumo e integrao aos circuitos de condicionamento de sinal, converso

analgico-digital e comunicao, impulsionou o desenvolvimento dos sensores CMOS de


2.3 sensores para a deteco de gases 31

gs. Udrea e Gardner (UDREA; GARDNER, 2002) denem cinco abordagens bsicas de

projeto de sensores CMOS de gs, so eles:

1. Sensor qumico-resistivo: baseia-se na alterao da condutividade de uma camada

de xido metlico ou de polmero, na presena de um gs. Os sensores de xido

metlico so mais estveis, mas operam em temperatura elevada. Por outro lado,

sensores de polmero podem trabalhar sob temperaturas mais baixas (inferiores a

200 C) (SUEHLE et al., 1993). Quando implementados em tecnologia CMOS, os

aquecedores so feitos em polisilcio e implementados acima de uma na membrana

isolante a m de reduzir as perdas de energia. Sua fabricao requer vrios passos

adicionais ao processo CMOS convencional, impactando diretamente nos custos de

fabricao.

2. Sensor qumico-capacitivo: baseia-se na variao da capacitncia de um polmero

(isto , sua constante dieltrica ou espessura) quando exposto a um gs. A

mudana na capacitncia pode ser melhor detectada quando medida de forma

diferencial tendo um capacitor xo como referncia. O capacitor pode ser

fabricado lateralmente com dois eletrodos interdigitais, sobre os quais uma camada

de polmero depositada (BALTES et al., 1998) ou pode ter um arranjo vertical no

qual o segundo eletrodo um metal poroso, permitindo que as molculas do gs o

penetrem. A operao deste sensor envolve ciclos de absoro e adsoro, o que

requer sua exposio temperaturas elevadas ciclicamente. Em um sensor CMOS

isto geralmente implementado por uma resistncia de aquecimento posicionada

junto ao sensor, de forma semelhante ao sensor qumico-resistivo.

3. Sensor de ressonncia: baseia-se na alterao da frequncia de ressonncia de um

cantilever de silcio de acordo com a massa das molculas do gs absorvido por

uma camada sensvel de polmero localizada na ponta do cantilever (ZHOU et al.,


2003). Diferentes tipos de gases podem ser distinguidos pelas diferentes massas

moleculares absorvidas. Em geral, tais sensores utilizam atuadores piezoeltricos,

atuadores termomecnicos tambm podem ser empregados (LANGE et al., 1998).

Em ambas as abordagens, a frequncia de ressonncia resultante decai de forma

aproximadamente linear com o aumento da massa absorvida no cantilever. Um

importante requisito no projeto desses sensores otimizar o sistema de medio de


2.3 sensores para a deteco de gases 32

forma melhorar a relao sinal-rudo e reduzir a interferncia entre o atuador e o

transdutor piezoresistivo (RONCAGLIA et al., 2000).

4. Microcalormetro: detecta a mudana de sua temperatura de funcionamento

causada pela reao qumica ocasionada em um material ativo pela introduo de

um gs. Por esta razo, microcalormetros geralmente trabalham em temperaturas

muito elevadas, tipicamente acima de 250 C, o que diculta sua integrao com a

tecnologia CMOS (ZANINI et al., 1995). Por operar em temperatura elevada, a

estabilidade trmica e a conabilidade do sensor em longo prazo deve ser

cuidadosamente considerada.

5. chemFET: detecta a mudana na tenso de limiar de uma porta FET

especicamente projetada para esse propsito. As portas mais comumente

empregadas so a cataltica (Pd, Pt, Ir) (BRIAND et al., 2000), a polimrica

(COVINGTON et al., 2001) ou a suspensa (CUNNINGHAM et al., 2001). O chemFET

de porta suspensa baseado em uma fenda de ar entre uma camada de metal e

uma camada de isolante, associada a uma entrada que permita s molculas do gs

entrar e preencher a fenda. A presena do gs altera a constante dieltrica do meio

isolante, bem como a tenso de limiar da porta. ChemFETs de porta cataltica

requerem temperaturas de pelo menos 180 C para operar. Por esse motivo, para

reduzir a potncia consumida, esses sensores so geralmente fabricados como uma

estrutura suspensa em membranas de silcio. O ChemFET de porta polimrica

capaz de operar temperatura ambiente e costuma ser a estrutura cuja

implementao mais atrativa devido facilidade em se fazer a deposio de

pelcula polimrica sobre o substrato de silcio. Todavia, polmeros so geralmente

dependentes da temperatura e a sensibilidade deste tipo de sensor ainda um

problema.

Mais informaes sobre a atual tecnologia de sensoriamento de gases podem ser

encontradas em (LIU et al., 2012).

2.3.1 Sensores Nanotubos de Carbono

Os nanotubos de carbono (CNTs), descobertos em 1991 por Sumio Iijima (IIJIMA,

1991), so tubos de carbono graftico (grafeno) em escala molecular que apresentam


2.3 sensores para a deteco de gases 33

algumas propriedades nicas. Podem ser divididos em duas categorias: os nanotubos de

carbono de parede nica (SWCNTs, do ingls Single-Walled Carbon Nanotubes ) e os

nanotubos de paredes mltiplas (MWCNTs, do ingls Multi-Walled Carbon Nanotubes ).


Um nanotubo de carbono de parede nica pode ser compreendido como uma folha de

grate enrolada em cilindro com alta relao de aspecto. O seu dimetro da ordem de

alguns nanmetros e o seu comprimento pode variar de dezenas de nanometros a alguns

milmetros (Figura 2.4). Um CNT de paredes mltiplas semelhante a um CNT de

parede nica, porm, com mais de uma parede de carbono em seu interior.

Figura 2.4  Nanotubo de carbono de parede nica (SWCNT).

Devido a sua estrutura molecular nica, os nanotubos de carbono esto entre os

materiais mais rgidos e mais fortes conhecidos (TREACY et al., 1996), e esto entre os

condutores trmicos mais ecientes (BERBER et al., 2000) alm de apresentarem vrias

propriedades eltricas e pticas inovadoras. Estas caractersticas nicas tornam os

nanotubos de carbono potencialmente teis em uma ampla variedade de aplicaes em

nanotecnologia, sensores, atuadores, eletrnicas e pticas (FUNG et al., 2005, 2005; KONG
et al., 2000; SIN et al., 2006).

Um CNT pode ser metlico ou semicondutor, de acordo com uma propriedade chamada

quiralidade. A quiralidade, representada por um par de ndices ( , n m) que denem o

chamado o vetor quiral (DRESSELHAUS et al., 1995; SAITO et al., 1992), ilustrada na

Figura 2.5 . Os nmeros inteiros nem denotam o nmero de vetores unitrios ao longo

de duas direes no reticulado cristalino do grafeno. Se m = 0, a estrutura dos nanotubos


do tipo zigzag e se n = m, a estrutura do tipo armchair. Caso contrrio, sua estrutura

do tipo quiral. Em um SWNT, se (n m) um mltiplo de trs o nanotubo do tipo

metlico, caso contrrio, semicondutor.

Sensores convencionais, tais como os baseados na tecnologia CMOS tm de lidar com

o problema da baixa sensibilidade na temperatura ambiente. Por outro lado, pesquisas


2.3 sensores para a deteco de gases 34

Figura 2.5  Representao da quiralidade de um SWCNT. A direo do eixo central do


nanotubo e o comprimento de sua clula unitria so representados pelo vetor
T . O comprimento vetor quiral, Ch , representa a distncia entre dois pontos
equivalentes na parede do nanotubo.

envolvendo nanotubos de carbono tm demonstrado que suas propriedades elctricas so

altamente sensveis a quantidades extremamente pequenas de gases, tais como o lcool,

amnia (NH3 ), dixido de carbono (CO2 ) e xido de nitrognio (NOx ), mesmo na

temperatura ambiente, enquanto que outros materiais como xidos metlicos precisam

ser aquecidos por um aquecedor adicional, a m de funcionar normalmente. Esta

sensibilidade elevada elimina a necessidade de tecnologias auxiliares como

pr-concentrao, simplicando sua construo e permitindo que os mesmos sejam

produzidos com baixo custo, dimenses e peso reduzidos (LIU et al., 2012).

Adicionalmente, os nanotubos de carbono tambm superam materiais sensores

convencionais em termos de capacidade de adsoro, relao rea-de-superfcie/volume e

tempo de resposta, resultando em mudanas signicativas em suas propriedades

eltricas, tais como capacitncia e resistncia (THAI et al., 2011). Ademais, ao contrrio

dos sensores de xido metlico, que exigem tcnicas de microfabricao, fornecimento de

energia e eletrnica complementar, sensores CNT so mais simples de se fabricar e

podem responder como simples impedncias, alm de possurem boa resistncia contra

corroso e uma melhor largura de banda (MEHDIPOUR et al., 2010).

Tanto os nanotubos de parede nica quanto os de parede mltipla mostram-se

adequados a deteco de gases. Yang et al. empregaram SWCNTs na construo da

antena de uma etiqueta RFID passiva, a m de tornar a resposta da etiqueta sensvel

presena de gases txicos (YANG et al., 2009). Outro sensor de gases (CO2 e NH3 ) sem

o, alimentado passivamente, utilizando MWCNTs ao invs de SWCNTs, foi


2.3 sensores para a deteco de gases 35

desenvolvido por Ong et al. (ONG et al., 2002). No projeto, uma etiqueta passiva do tipo

ressonante (RLC) foi revestida por uma pelcula isolante (SiO2 ) e uma uma pelcula

sensvel aos gases a base de nanotubos de carbono (MWCNTs) e dixido de silcio

(SiO2 ). A absoro de dos gases pela pelcula de MWCNT-SiO2 altera sua

permissividade e a condutividade, consequentemente, muda a frequncia de ressonncia

da etiqueta.

Quando empregados como materiais sensores, CNTs podem ser decorados com

nanopartculas (NPs) a m de aumentar sua sensibilidade e seletividade (GELAMO et al.,


2009). Nanopartculas de metais como Pd, Al, Pt, Sn e Rh tem sido empregadas para

decorar CNTs, permitindo a deteco seletiva de gases como H2 , NH3 (SAVU et al., 2012),

NO2 (KIM et al., 2006), CH4 (LU et al., 2004), H2 S e CO (STAR et al., 2006). Outra

soluo para aumentar a sensibilidade e seletividade dos nanotubos de carbono

combina-los com outros materiais sensores. Seong J. Kim reporta em (KIM, 2010) um

sensor para deteco de gs de vapor de lcool baseado num lme composto de SWCNT

e silano, sendo capaz de detectar concentraes inferiores a 0,1% de lcool no ar. Em

(WISITSORAAT et al., 2007) Wisitsoraat e Sberveglieri propem um sensor de lme no

de MWCNT-SnO2 para a deteco de CO, etanol e NO2 .

Outra aplicao de sensores de gs a nanotubos de carbono na deteco de

descargas parciais geradas pela decomposio do hexauoreto de enxofre (SF6 ).

Detectar a ocorrncia de descargas parciais um mtodo efetivo de avaliar a condio de

um disjuntor a gs isolante. Descargas parciais geradas pela decomposio do SF6

provocam o aumento da condutividade dos CNTs, indicando a alterao da concentrao

do gs no disjuntor (DING et al., 2005).

Os sensores de gs a nanotubos de carbono do tipo qumico-resistivo podem ser

construdos, basicamente, por duas abordagens distintas:

Sensores em lme no: consiste na deposio de um composto base de

nanotubos de carbono entre um par de eletrodos formando um lme no cujo valor

da resistncia estar associado concentrao do(s) gs(es) alvo.

Nanossensores: consiste na deposio de uma pequena quantidade de nanotubos

alinhados entre dois microeletrodos de forma que cada extremidade de cada

nanotubo toque em um dos eletrodos, conectando-os.


2.3 sensores para a deteco de gases 36

Sensores de lme no so geralmente os mais simples de serem construdos, podendo

ser fabricados por tcnicas de deposio qumica ou de impresso (THAI et al., 2011; RIDA
LI YANG, 2010). Suas dimenses vo, tipicamente, de uma frao de centmetros alguns

centmetros. O principal problema deste tipo de sensor que o lme sensvel mais

susceptvel a reter contaminantes, inclusive molculas dos prprios gases alvo. Esses

contaminantes alteram a resposta do sensor reduzindo sua sensibilidade e necessitam de

algum processo de limpeza especco para serem removidos, tal como aquecimento, por

exemplo.

Nanossensores so mais complexos de serem construdos. Seus eletrodos so feitos

por processo de microfabricao e a deposio dos nanotubos alinhados entre os eletrodos

comumente feita por processo de dieletroforese (DEP) (SEICHEPINE et al., 2012). As

dimenses totais do sensor podem ser reduzidas a algumas dezenas micrometros. Sua rea

mnima os torna menos susceptveis a reter contaminantes e mais fceis de serem limpos,

o que pode ser feito de forma puramente eltrica pela aplicao de um pulso de corrente

entre os eletrodos, gerando o aquecimento dos nanotubos e a expulso das molculas

externas ao sensor. Adicionalmente, conforme explicado na Seo 2.3.1, nanotubos de

carbono podem ainda ser decorados com nanopartculas (NPs) a m de aumentar sua

sensibilidade e seletividade aos gases de interesse.

A capacidade de miniaturizao e integrao dos nanossensores de gs a nanotubos

de carbono aliada a seu baixo consumo os torna extremamente adequados ao sistema de

deteco de gases utilizando etiquetas RFID passivas que aqui se prope realizar.

Entretanto, a fabricao dos nanossensores, bem como dos nanotubos decorados para

deteco seletiva de gases, complexa e exige um apurado domnio de tcnicas que

ultrapassam o foco deste trabalho.

O uso de nanotubos de carbono na fabricao de sensores passa pela escolha do tipo

de nanotubo a ser empregado, os de parede simples (SWCNT) ou de parede mltipla

(MWCNT). A princpio, os sensores MWCNT devem ser menos sensveis do que os

baseados em SWCNTs, j que a corrente medida (e o rudo associado) deve passar atravs

de todo o volume de um MWCNT incluindo todas as paredes internas, ao passo que

apenas a frao de corrente que ui atravs da parede exterior sofre a maior variao

devido reao com os gases. No entanto, estudos das propriedades eltricas MWCNT

(MOSHKALEV et al., 2008) revelaram que para distncias inferiores a 1 m, a redistribuio


2.4 sensores rfid para a deteco de gases: estado da arte 37

de corrente entre as camadas grafticas pequena, ou seja, para MWCNTs conectados

lateralmente e separao curta entre eletrodos a maior frao de corrente passa atravs

da parede mais externa. Em termos de congurao sensora, isto pode efetivamente

transformar um MWCNT curto e conectado lateralmente, em um CNT de parede simples

de grande dimetro, proporcionando uma maior relao sinal/rudo na deteco de gases.

Um nanossensor para gases de N2 , Ar e O2 baseado em MWCNTs decorados com titnio

utilizando o princpio acima descrito foi concebido por Gelamo et al. (GELAMO et al.,
2009).

2.4 Sensores RFID Para a Deteco de Gases: Estado da Arte

A fabricao dos sensores de gs a nanotubos de carbono bastante simples quando

comparada com a dos sensores CMOS convencionais. O mtodo mais simples, e talvez

o mais explorado em aplicaes de baixo, custo consiste simplesmente em depositar uma

na camada de polimrica base de nanotubos de carbono entre dois eletrodos metlicos

por impresso (RIDA LI YANG, 2010; BACCARELLI et al., 2012; YANG et al., 2009). Sensores

de CNT so tambm simples de se utilizar, comportando-se como impedncias cujos

parmetros se relacionam com os gases medidos. Alm disso, so capazes de operar

temperatura ambiente e consomem bem menos energia que os demais sensores de gs

(WANG; YEOW, 2009). Todas essas caractersticas tornam esse tipo de sensor o mais

vantajoso para aplicaes portteis e de ultrabaixo consumo, tais como os sensores RFID

passivos.

O primeiro sensor passivo sem o baseado em CNT relatado foi implementado por

Keat G. Ong et al. (ONG et al., 2002). Conforme citado na Seo 2.3.1, o sensor destina-se

deteco de gases de CO2 e NH3 , consistindo num circuito ressonante revestido por

uma pelcula isolante (SiO2 ) e uma pelcula sensvel aos gases composta de MWCNT

e dixido de silcio (SiO2 ). A absoro de dos gases pela pelcula de MWCNT-SiO2

altera sua permissividade e a condutividade, consequentemente, muda a frequncia de

ressonncia da etiqueta. Entretanto, a estrutura proposta, alm de no se tratar de um

RFID propriamente disto, ainda tem sua aplicabilidade limitada, uma vez que opera em

baixa frequncia (cerca de 18,5 MHz), magneticamente acoplada, o que reduz sua mxima

distncia de leitura uma dezena de centmetros.


2.4 sensores rfid para a deteco de gases: estado da arte 38

A primeira implementao de uma etiqueta sensora UHF passiva para a deteco de

gases utilizando um sensor de nanotubos de carbono foi reportada por Li Yang et al. em

(YANG et al., 2009). Trata-se de uma etiqueta RFID sem chip implementada em papel,

empregando tcnicas de impresso previamente validadas em (YANG et al., 2007). O

sensor foi depositado na etiqueta por impresso, com auxlio de uma impressora

piezoeltrica (Dimatix DMCLCP-11610), utilizando uma tinta composta por SWCNT

da CarbonSolutions (CARBONSOLUTIONS, 2014) e DMF (dimetilformamida,

(CH3 )2 NCH). A etiqueta projetada consiste basicamente numa antena dipolo, um

pequeno circuito em microta e o sensor de CNT como elemento central. O circuito foi

ajustado para operar na banda de frequncia UHF do padro RFID europeu (868 MHz).

Vericou-se que, na frequncia de trabalho, a impedncia do sensor na ausncia de gs

era de (51, 6 j6, 1) ao ar livre, mudando para (97, 1 j18, 8) quando exposto ao

gs de amnia. A alterao na impedncia descasa a antena gerando um aumento na

potncia do sinal reetido para a antena do leitor de 10,8 dBi, permitindo a deteco

remota da presena do gs.

Uma etiqueta sensora sem o para a deteco de amnia com sensor baseado em

lmes nos de nanotubos de carbono impressos em papel foi proposto por Baccarelli et
al.. Trata-se de uma etiqueta sem chip, formada por um circuito sintonizado para a

frequncia de 868 MHz. Um reticador diodo utilizado para dobrar a frequncia do

sinal de entrada. O sinal resultante ento aplicado a uma ponte de Wheatstone contendo

um sensor CNT resistivo em cada um dos braos, em antiparalelo. A sada diferencial da

ponte alimenta a antena de sada. Na ausncia de gs, a ponte permanece em equilbrio e

o sinal na antena de sada idealmente nulo. Na presena de gs, a ponte sai do equilbrio

e o sinal de 1736 MHz irradiado pela antena de sada. Uma vez que a resistncia dos

sensores de CNT est diretamente relacionada com a concentrao do gs de amnia, a

amplitude do sinal irradiado pela etiqueta, diretamente proporcional ao desiquilbrio da

ponte, ser santo maior quanto maior for a concentrao de NH3 detectada (BACCARELLI

et al., 2012).

Outro sensor sem o baseado em nanotubos de carbono foi proposto por Hoseon Lee

et al. (LEE et al., 2011). Assim como o sensor de Baccarelli (BACCARELLI et al., 2012),

no se trata de uma etiqueta RFID propriamente dita, uma vez que no h o elemento

de identicao nica. O sensor proposto consiste basicamente numa antena conectada


2.4 sensores rfid para a deteco de gases: estado da arte 39

a uma malha ressonante da qual o sensor CNT faz parte. Havendo a presena de gs

de amnia a frequncia de ressonncia da malha se altera, o que pode ser detectado pelo

sinal reetido para o leitor. O sensor foi construdo a partir de um polmero composto de

SWCNT e PABS (poli(cido m-aminobenzeno sulfnico)), que apresenta boa sensibilidade

e seletividade ao gs de amnia. O polmero foi ento depositado por impresso sobre

um par de eletrodos metlicos previamente gravados em uma etiqueta de papel espesso,

juntamente com os demais componentes da malha ressonante implementados em microta.

A etiqueta foi submetida a um sinal de RF varrido entre 4 GHz e 6 GHz e os ensaios

realizados para diferentes concentraes de gs de amnia (0 ppm, 50 ppm, 75 ppm e

100 ppm) e para o gs disperso de forma no controlada por um frasco de amnia de

uso domstico. Observou-se que a frequncia de ressonncia da etiqueta decaiu cerca de

120 MHz da frequncia original (4,6 GHz) quando exposta ao gs disperso de forma no

controlada e com uma taxa de cerca de 112 kHz/ppm para os ensaios concentrao

controlada. Durante os ensaios, aps cada exposio de cerca de 18 minutos, o sensor foi

descontaminado usando gs de nitrognio antes do ensaio seguinte.

Outro sensor sem o baseado em nanotubos de carbono foi proposto por Hoseon Lee

et al. (LEE et al., 2011). Assim como o sensor de Baccarelli (BACCARELLI et al., 2012),

no se trata de uma etiqueta RFID propriamente dita, uma vez que no h o elemento

de identicao nica. O sensor proposto consiste basicamente numa antena conectada

a uma malha ressonante da qual o sensor CNT faz parte. Havendo a presena de gs

de amnia a frequncia de ressonncia da malha se altera, o que pode ser detectado pelo

sinal reetido para o leitor. O sensor foi construdo a partir de um polmero composto de

SWCNT e PABS (poli(cido m-aminobenzeno sulfnico)), que apresenta boa sensibilidade

e seletividade ao gs de amnia. O polmero foi ento depositado por impresso sobre

um par de eletrodos metlicos previamente gravados em uma etiqueta de papel espesso,

juntamente com os demais componentes da malha ressonante implementados em microta.

A etiqueta foi submetida a um sinal de RF varrido entre 4 GHz e 6 GHz e os ensaios

realizados para diferentes concentraes de gs de amnia (0 ppm, 50 ppm, 75 ppm e

100 ppm) e para o gs disperso de forma no controlada por um frasco de amnia de

uso domstico. Observou-se que a frequncia de ressonncia da etiqueta decaiu cerca de

120 MHz da frequncia original (4,6 GHz) quando exposta ao gs disperso de forma no

controlada e com uma taxa de cerca de 112 kHz/ppm para os ensaios concentrao
2.4 sensores rfid para a deteco de gases: estado da arte 40

controlada. Durante os ensaios, aps cada exposio de cerca de 18 minutos, o sensor foi

descontaminado usando gs de nitrognio antes do ensaio seguinte.

A primeira implementao de uma etiqueta passiva compatvel com os padres RFID

existentes e integrada a um sensor de gs baseado em nanotubos de carbono foi reportada

por Cecilia Occhiuzzi et al. em (OCCHIUZZI et al., 2011b) e (OCCHIUZZI et al., 2011a). A

etiqueta foi construda a partir de um chip RFID passivo comercial produzido pela NXP

(NXPSEMICONDUCTORS, 2015) conectado a um indutor em anel acoplado indutivamente

a uma antena dipolo em cobre, tendo um lme polimrico base de SWCNT como

elemento casador entre as impedncias do indutor e da antena. O prottipo, operando

em 915 MHz, foi capaz de detectar a presena de amnia pela alterao do casamento

chip-antena, provocando uma diferena de cerca de 10% na potncia necessria ativao

da etiqueta, em relao ao estado inicial (sem amnia). Em contrapartida, a exposio

da etiqueta ao gs de amnia provocou alteraes irreversveis no sensor. Isto sugere

que tal abordagem necessite ainda de aprimoramentos, do contrrio a etiqueta exigiria

algum tratamento de descontaminao aps cada deteco. Outro ponto crtico parece

ser o casamento entre a antena e o anel indutivo com o chip, cuja regularidade depende

diretamente da reprodutibilidade do sensor polimrico com as mesmas caractersticas

eltricas.

Informaes adicionais sobre o processo de fabricao de sensores de nanotubos de

carbono por impresso podem ser encontradas em (YUN et al., 2008), (RIDA LI YANG,
2010) e (THAI et al., 2011).

2.4.1 Anlise das Solues Existentes

Conforme exposto na seo anterior, todas as solues existentes para a deteco de

gases utilizando etiquetas sensoras passivas baseiam-se ou na alterao dos parmetros de

um circuito ressonante associado antena (etiquetas sem chip) ou na modulao direta

da impedncia da antena da etiqueta. De maneira geral, enquadram-se na categoria

de sensores acoplados analogicamente, descrita na Seo 2.2.4. Embora num primeiro

momento essa soluo possa ser vantajosa quanto simplicidade e os custos envolvidos,

ela impe algumas limitaes. Dentre elas, pode-se citar:

Incompatibilidade com os padres RFID atuais: exceto a soluo proposta


2.4 sensores rfid para a deteco de gases: estado da arte 41

por Cecilia Occhiuzzi (OCCHIUZZI et al., 2011b), as etiquetas desenvolvidas por Keat
G. Ong (ONG et al., 2002), Li Yang (YANG et al., 2009), Baccarelli (BACCARELLI et al.,
2012) e Hoseon Lee (LEE et al., 2011) no seguem nenhum dos atuais padres RFID.
Por essa razo, os leitores atualmente no mercado so incapazes de l-los. Sua adoo

implicaria na necessidade de se desenvolver e comercializar leitores dedicados, o que

limitaria sua aplicao e acarretaria em custos adicionais.

Preciso limitada: uma vez que a informao sobre a presena e concentrao

do gs est em uma impedncia associada antena, a comunicao desta

informao se d de forma analgica, isto , na frequncia de ressonncia da

etiqueta sensora (ONG et al., 2002; LEE et al., 2011), na potncia do sinal devolvido

ao leitor (BACCARELLI et al., 2012; YANG et al., 2009) ou na potncia do sinal de

ativao da etiqueta (OCCHIUZZI et al., 2011b). Nos sistemas em que a informao

est na potncia do sinal devolvido ao leitor ou na potncia do sinal de ativao da

etiqueta tem-se uma maior sujeio ao rudo, problema especialmente notvel em

ambientes industriais, mas que vem se tornando cada vez mais comum tambm em

ambientes domsticos devido grande difuso de equipamentos que empregam

fontes chaveadas de baixa qualidade e de lmpadas uorescentes compactas

(DOLARA; LEVA, 2012). Na prtica, a adoo desses sistemas acaba requerendo

tambm outra etiqueta (no sensora) a poucos centmetros de distncia da

etiqueta sensora para servir como referencial de comparao para o leitor (JIA et
al., 2008; SIDEN et al., 2007). Sistemas em que a informao est na frequncia de

ressonncia so mais robustos ao rudo do canal, entretanto esto sujeitos a outras

fontes de impreciso tais como variaes das condies do ambiente que afetam

no somente o prprio sensor como tambm os demais componentes da malha

ressonante, especialmente quando impressos em papel. Alm disso, como a

concentrao do gs altera a frequncia de ressonncia, necessrio reservar uma

janela espectral adequada para cada etiqueta na mesma zona de leitura. Para uma

rea coberta por muitos sensores a faixa espectral total reservada pode se tornar

bastante larga, gerando problemas com outros sistemas existentes. No sistema

desenvolvido por Baccarelli (BACCARELLI et al., 2012), por exemplo, observou-se

uma variao de 120 MHz a partir da frequncia original de 4,6 GHz em um dos

ensaios realizados. Isto signica que se 10 sensores como estes estivessem numa
2.4 sensores rfid para a deteco de gases: estado da arte 42

mesma zona de leitura, uma faixa de pelo menos 1,2 GHz deveria ser reservada

para monitora-los.

Inadequao para mltiplos sensores: A incluso de mltiplos sensores numa

mesma etiqueta sem chip envolveria separao em frequncia ou separao de

domnio. Na separao por domnio, um dos sensores estaria associado amplitude

do sinal e o outro frequncia de ressonncia da malha. Isto implica que um

sensor deveria ter a resposta puramente resistiva varivel medida enquanto o

outro uma resposta puramente reativa. Todavia, o que foi observado nos trabalhos

anteriores que sensores a nanotubos de carbono apresentam variao tanto

resistiva quanto reativa na presena de gs (ONG et al., 2002; YANG et al., 2009; LEE
et al., 2011; OCCHIUZZI et al., 2011a), inviabilizando tal soluo. Na separao em

frequncia cada sensor estaria associado a uma malha ressonante numa frequncia

distinta das demais e todas as malhas compartilhariam da mesma antena. Por

alocar cada sensor em uma faixa de frequncia distinta, esta soluo acabaria

recaindo no mesmo problema descrito no item anterior, quando mltiplas etiquetas

de frequncia de ressonncia varivel ocupam a mesma zona de leitura. Deve-se

ressaltar ainda que ambas as solues podem ser inviveis para uso simultneo

com sensores mais complexos, como acelermetros ou giroscpios, por exemplo.

Inexistncia de um identicador nico: Etiquetas operando na mesma

frequncia dentro da mesma zona de leitura so diferenciadas pelo leitor mediante

protocolos de gesto de coliso. A adoo de tais protocolos implica na existncia

de um identicador nico para cada etiqueta e em um circuito na etiqueta capaz

de implementar o protocolo e reconhecer seu identicador nico. Com exceo da

soluo proposta em (OCCHIUZZI et al., 2011b), que utiliza uma circuito integrado

RFID comercial, as demais solues no possuem chip para agregar tal

funcionalidade, s podendo ser diferenciadas pelo leitor mediante frequncias de

operao distintas, o que acarreta, mais uma vez, numa faixa espectral de operao

tanto maior quanto mais sensores forem cobertos pela mesma zona de leitura.

Ajuste esttico: O ajuste de um sistema de medio o conjunto de operaes

realizadas num sistema de medio para que ele fornea as indicaes

correspondentes aos valores dados da grandeza a medir (ISO, 2008). Num sistema
2.4 sensores rfid para a deteco de gases: estado da arte 43

eletrnico de medio, essas operaes podem envolver o ajuste da diferena de

potencial ou corrente sobre o sensor, tenso referencial e o valor do ganho do

amplicador associado ao sinal do sensor (quando existir). Uma vez ajustado o

sistema de medio precisa ser calibrado. O processo de calibrao, neste caso,

consiste basicamente na realizao de ensaios prvios em condies controladas e a

comparao dos resultados obtidos com os de um instrumento referencial. Os

parmetros matemticos que devem ser aplicados resposta do sensor para que a

sua leitura se aproxime quela dada pelo instrumento de referncia so

parmetros de calibrao do sistema de medio. Naturalmente, tanto os

parmetros de ajuste quanto os de medio variam de um sensor para o outro,

ainda que sejam do mesmo tipo e tenham sido produzidos da mesma forma devido

variaes no processo de produo e nos prprios valores dos componentes do

circuito. Alm disso, o ajuste de cada sistema de medio pode precisar ser refeito

de tempos em tempos a m de minimizar os erros medio inseridos pela

deteriorao dos componentes do sistema e do prprio sensor. Por essa razo, cada

etiqueta sensora possui um conjunto particular de valores para esses parmetros

que devem ser aplicados na leitura dos sensores. Em todas as etiquetas sensoras

estudadas na Seo 2.2.4 o ajuste do sistema de medio para cada etiqueta foi

feito de maneira manual e envolvia ou a mudana de algum parmetro fsico de

carter permanente (como a alterao de distncias entre componentes ou do

comprimento da antena), ou a alterao de parmetros prprios da comunicao

como a potncia emitida pelo leitor ou a frequncia de comunicao. Enquanto o

ajuste por meio de alteraes de carter permanente tem a desvantagem de no

poder ser desfeito num eventual reajuste dos sistema, a mudana dos parmetros

de comunicao exige que cada unidade leitora conhea previamente os parmetros

atuais de ajuste de cada sensor, alm dos de calibrao. Isto signica que um leitor

no poder ler corretamente uma etiqueta sensora at que todos os parmetros

referentes essa etiqueta tenham sido informados a ele por um ente externo.

Inexistncia de uma memoria de usurio: Uma memria integrada a cada

etiqueta, passvel de acesso remoto pela unidade leitora, agrega um importante

recurso. Informaes como o nmero e tipo de sensores disponveis, bem como

seus parmetros de calibrao e ajuste, podem ser registradas diretamente em cada


2.5 conversores a/d para aplicao em sensores rfid 44

etiqueta, permitindo que o leitor calcule corretamente as grandezas amostradas,

sem que haja a necessidade de um registro prvio de tais parmetros do lado do

leitor. Esse recurso especialmente valioso se a leitura da etiqueta sensora precisar

ser feita por diferentes equipamentos sem acesso a um banco de dados central.

Alm disso, a memria tambm pode ser utilizada para armazenar o histrico das

medidas realizadas ao longo de um dado intervalo. Esse recurso pode ser utilizado,

por exemplo, na cadeia de distribuio de produtos, cando cada unidade da cadeia

responsvel por ler e registrar na etiqueta os valores coletados pelos sensores. Mais

uma vez, apenas a soluo de Occhiuzzi dispe desse recurso.

2.5 Conversores A/D Para Aplicao em Sensores RFID

Uma boa maneira de identicar os tipos de conversores A/D mais adequados para

aplicaes de sensoriamento RFID a partir da anlise e comparao de um grande

nmero de implementaes destes conversores. Neste sentido, um levantamento de dados

foi realizado a partir do relatrio gerado por Boris Murmann (MURMANN, 2015) que rene

os dados de mais de 400 conversores analgico/digitais publicados nos ltimos 18 anos na

Conferncia Internacional de Circuitos de Estado Slido ( IEEE International Solid-State


Circuits Conference - ISSCC) e no Simpsio de Integrao em Muito Larga Escala ( VLSI
Symposium ). No intuito de identicar as implementaes de melhor ecincia energtica

os conversores reportados foram agrupados por ano de publicao e classicados quanto

a sua gura de mrito (FoM) e tipo. O resultado desse levantamento apresentado na

Figura 2.6.

A anlise da Figura 2.6 revela que desde 2007, ano aps ano, os conversores de maior

ecincia energtica so os do tipo Aproximao Sucessiva (SAR) (CRANINCKX; PLAS,


2007), seguidos pelos tipos Pipeline e Sigma-Delta. Mais especicamente, exceto pelo

conversor proposto por Patil et al. (PATIL et al., 2015), todos os conversores A/D que

obtiveram uma gura de mrito inferior a 7 fJ por passo de converso so do tipo

Aproximao Sucessiva baseados em redistribuio de carga por capacitores chaveados,

cuja primeira implementao foi proposta por McCreary e Gray (MCCREARY; GRAY,
1975). Embora o marco de 7 fJ/Passo-de-converso seja puramente arbitrrio nesta

anlise, no sendo ele prprio uma exigncia para a adequao a aplicao em etiquetas
2.5 conversores a/d para aplicao em sensores rfid 45

Figura 2.6  Figura de mrito (FOM) dos conversores A/D reportados no ISSCC e no Simpsio
VLSI ao longo dos ltimos 10 anos (ZURITA et al., 2016).

RFID sensoras, este limiar evidencia o potencial de economia de energia desse tipo de

conversor analgico/digital.

Por outro lado, um aspecto importante de sistemas microeletrnicos o processo de

fabricao utilizado. Por essa razo, um novo levantamento foi realizado com base no

mesmo relatrio. Desta vez, tomando-se os conversores A/D do tipo CMOS publicados

desde 1997 at 2015, agrupando-os por tecnologia de fabricao e classicados quanto

a sua gura de mrito (FoM) e tipo. O resultado desse levantamento apresentado na

Figura 2.7.

Os conversores A/D mais ecientes publicados no Simpsio VLSI e no ISSCC desde

2008 esto listados com maiores detalhes na Tabela 2.1.

Conforme a Tabela 2.1, praticamente todos os conversores de mais alta ecincia

energtica foram implementados em tecnologia CMOS igual ou superior a 90 nm. Uma

exceo notvel o conversor proposto por Jeong et al. (JEONG et al., 2015), um A/D

do tipo Aproximao Sucessiva capacitores chaveados de 8 bits (ENOB = 7,5) com

uma gura de mrito inferior a 7 fJ/passo-de-converso, de baixssimo consumo (cerca

de 120 nW), implementado em 180 nm, uma tecnologia relativamente antiga. A elevada

economia de energia deste conversor obtida reciclando-se a carga utilizada na converso

anterior pelo capacitor de maior peso e a reutilizando nas converses seguintes, evitando
2.5 conversores a/d para aplicao em sensores rfid 46

Figura 2.7  Figura de mrito (FOM) dos conversores A/D reportados no ISSCC e no Simpsio
VLSI em funo da tecnologia de fabricao. Apenas implementaes em processo
CMOS foram consideradas (ZURITA et al., 2016).

o chaveamento desnecessrio do respectivo capacitor e poupando ciclos de converso.

Tabela 2.1  Conversores A/D mais ecientes publicados no Simpsio VLSI e no ISSCC desde
2008
FOM fs P Tecn.
Ref. Tipo ENOB
(fJ/passo-de-conv.) (MHz) (uW) (nm)
(ELZAKKER et al., 2008) SAR 4,4 1,00 1,90 8,7 65
(SHIKATA et al., 2011) SAR 6,3 1,10 1,20 7,5 40
(HARPE et al., 2012) SAR 6,5 4,00 17,44 9,4 90
(TAI et al., 2012) SAR 3,2 0,10 0,17 9,1 90
(HARPE et al., 2013) SAR 2,2 0,04 0,10 10,1 65
(LIOU; HSIEH, 2013) SAR 2,4 0,50 0,50 8,7 90
(CHEN; HSIEH, 2014) SAR 2,0 0,25 0,20 8,6 90
(HARPE et al., 2014) SAR 4,4 0,03 0,35 11,3 65
(TAI et al., 2014) SAR 0,9 0,20 0,08 8,9 40
(PATIL et al., 2015) Asinc. 3,7 80,00 24,00 6,4 28
(LIU et al., 2015) SAR 2,4 0,08 0,11 9,1 65
(JEONG et al., 2015) SAR 6,6 0,10 0,12 7,5 180
(HARPE et al., 2015) SAR 1,5 0,10 0,09 9,2 65
(DING et al., 2015) SAR 5,5 6,40 46,00 10,4 40

Deve-se ainda notar que um conversor A/D adequado para aplicaes de sensoriamento

RFID deve no apenas apresentar uma reduzida gura de mrito como tambm um baixo

consumo de energia. Algumas solues tal como o conversor assncrono proposto em


2.5 conversores a/d para aplicao em sensores rfid 47

(PATIL et al., 2015) ou o conversor pipeline proposto em (LIM; FLYNN, 2015) alcanam

uma gura de mrito bastante reduzida mediante taxas de amostragem elevadas e com

um consumo de energia bem mais elevado do que outras solues similares com taxas de

amostragem mais baixas.

Por m, a partir da anlise dos dois levantamentos apresentados, parece claro que o

conversor A/D do tipo Aproximao Sucessiva a capacitores chaveados o mais

adequado para aplicaes de ultra baixo consumo, tal como em etiquetas RFID

sensoras, especialmente se essas etiquetas forem passivas. De fato, a adequao de tais

conversores conrmada pela implementao reportada em (BRENK et al., 2011). Nela,

um conversor analgico-digital de 8 bits do tipo Aproximao Sucessiva capacitores

chaveados foi projetado para integrar um sensor de temperatura a uma etiqueta RFID

passiva. A etiqueta sensora, operando na faixa UHF, foi capaz de comunicar-se e

realizar medidas a 6,5 metros de distncia da antena do leitor.


Captulo 3
Interface de Sensoriamento para
Etiquetas RFID Passivas

Conforme exposto no captulo anterior, as solues atualmente existentes ao

sensoriamento de gases por etiquetas RFID passivas possuem uma srie de limitaes e

inconvenientes de ordem tcnica e comercial. Prope-se aqui uma soluo que agregue a

capacidade de sensoriamento de gases a etiquetas RFID passivas capaz de superar os

problemas identicados nas solues at ento existentes.

3.1 Introduo

Em linhas gerais, a maior parte das limitaes e inconvenientes identicados em

todas as solues estudadas no captulo anterior advm da forma como a capacidade

sensora agregada a etiqueta RFID. Nelas a presena do gs afeta a sensibilidade da

antena receptora ou a frequncia de ressonncia da etiqueta. A alterao da frequncia

de ressonncia da etiqueta torna a soluo incompatvel com os padres RFID

atualmente em vigor, alm de dicultar a incluso de mais de um sensor na mesma

etiqueta. Por outro lado, a mudana da sensibilidade da antena receptora, embora

compatvel com os padres RFID atuais, no reduz a diculdade em incluir mltiplos

sensores alm de reduzir a distncia de comunicao com o leitor e degradar a relao

sinal/rudo, afetando diretamente a preciso da leitura do sensor. Alm disso, ambas as

solues impem srias diculdades ao processo de ajuste e calibrao estticos, um

grande inconveniente em sistemas de instrumentao.

Para superar os problemas identicados, prope-se primeiramente que o circuito sensor

seja associado no ao front-end analgico da etiqueta, mas ao ncleo digital da etiqueta (o

48
3.2 sistema proposto 49

front-end analgico deve ser mantido otimizado e em conformidade com os padres RFID

em vigor). Para isso, um sistema capaz de fazer a interface entre mltiplos sensores de

gs e o ncleo digital proposto e projetado. Por m, prope-se tambm a mudana do

tipo de sensor de gs adotado nas solues at ento existentes. Conforme ser explicado

na seo seguinte, essa mudana afeta diretamente o sistema.

A soluo proposta detalhada ao longo deste captulo. Uma anlise das restries de

energia e tempo de resposta, principais limitantes do sistema, apresentada inicialmente

de forma a auxiliar a compreenso do problema e das escolhas feitas posteriormente.

3.2 Sistema Proposto

O ncleo de uma etiqueta RFID o sistema responsvel pela implementao das

funcionalidades do padro RFID adotado. Este ncleo pode facilmente ser projetado para

acrescentar o suporte ao controle de um sistema externo tal como o que aqui se prope.

Entretanto, a integrao de sensores a sistemas digitais envolve, ao menos, um conversor

analgico/digital, exceto para sensores de resposta naturalmente binria tal como o sensor

de violao de lacre (SWEDBERG, 2015), ou sensores de deteco de passagem por valor

limiar (THINFILM, 2016) (embora o circuito de condicionamento de sinal deste ltimo

possa ser tambm considerado como um conversor A/D de um nico bit). Para possibilitar

a medio da concentrao de um determinado gs, e no apenas a deteco de sua

presena no entorno do sensor, necessrio adotar um conversor analgico digital de

mltiplos bits de resoluo. Naturalmente, quanto mais elevada for a resoluo desse

sensor, tanto maior ser a exatido possvel de ser alcanada por esse sistema.

Entretanto, as limitaes de energia intrnsecas etiquetas RFID passivas, conforme

exposto na Seo 2.1.3, exigem que o conversor A/D adotado possua caractersticas de

ecincia energtica bem acima daquelas apresentadas por implementaes

convencionais, especialmente quando essas caractersticas so acompanhadas pela

exigncia simultnea de velocidade de operao imposta pelas limitaes de tempo

discutidas na Seo 2.1.2. Nesse sentido, o levantamento realizado na Seo 2.5 permitiu

identicar com boa segurana o tipo de conversor A/D mais adequado ao cumprimento

desses requisitos.

Um dos problemas identicados nas solues atualmente existentes ao sensoriamento


3.2 sistema proposto 50

de gases utilizando etiquetas RFID passivas o tipo de sensor adotado. Todas elas

empregam algum variante de sensor de lme no de nanotubos de carbono. Embora o

processo de produo deste tipo de sensor relativamente simples e possa ter custos bem

reduzidos em larga escala, ele possui inconvenientes relevantes: uma vez contaminados

tornam-se pouco sensveis ao gs de interesse. A recuperao da sensibilidade requer

geralmente algum processo de limpeza tipicamente laboratorial como a exposio em N2

sob presso ou o aquecimento de todo o sensor a temperaturas elevadas em uma estufa

(o que pode destruir a etiqueta ou limitar sua vida til). Ainda assim, observa-se nesses

sensores uma espcie de efeito memria que se traduz na queda de sua sensibilidade

aps a limpeza em relao a sensibilidade original. A soluo proposta para esse

problema adotar outro tipo de sensor de gs. Este outro sensor, detalhado no Captulo

7, embora tambm se baseie em nanotubos de carbono, no apresenta as desvantagens

de contaminao dos sensores de lme no e podem ser limpos eletricamente.

Possuir um sensor de temperatura integrado tambm um importante recurso tanto

pela capacidade de sensoriamento da temperatura em si, quanto pela possibilidade que

esta informao agrega melhoria da preciso na medio das demais grandezas. Assim

como os sensores de gs a nanotubos de carbono, outros sensores tambm sofrem inuncia

da temperatura na resposta s grandezas medidas. Ter a informao da temperatura na

qual os demais sensores esto operando d a capacidade unidade leitora de aplicar

correes aos valores lidos (parte do processo de calibrao), melhorando a preciso das

medidas realizadas.

Uma vez identicada a necessidade da adoo de um conversor A/D para o sistema

proposto e denido o tipo dos sensores que sero empregados, torna-se evidente a

necessidade de se incluir no sistema um circuito de condicionamento de sinal dos

sensores para o conversor A/D. De maneira geral, as mesmas restries impostas ao

conversor analgico/digital tambm se aplicam ao circuito de condicionamento de sinal,

isto , ele deve consumir o mnimo de energia possvel e entregar o sinal condicionado na

sada a tempo do A/D ainda poder digitaliza-lo e enviar o valor correspondente ao

ncleo digital da etiqueta antes que o tempo limite de resposta se esgote. Valores mais

precisos dos limites de energia e tempo dependem do padro RFID a ser adotado,

conforme previamente explicado nas Sees 2.1.3 e 2.1.2.

Por m, o suporte a mltiplos sensores requer um multiplexador capaz de comutar a


3.2 sistema proposto 51

entrada do circuito de condicionamento de sinal entre cada um dos sensores. tambm

conveniente que esse mesmo circuito tenha o suporte a limpeza dos sensores, uma vez que

essa tarefa tambm estar sujeita a multiplexao. O diagrama de blocos de uma etiqueta

RFID genrica integrada ao sistema de sensoriamento, ora proposto, apresentado na

Figura 3.1

Figura 3.1  Diagrama de blocos do sistema proposto para a etiqueta sensora.

Dos trs macroblocos constituintes da etiqueta, os identicados como Front-End


Analgico e Ncleo Digital constituem uma etiqueta RFID convencional, sendo o

macrobloco Interface Para Sensores o sistema proposto. Os dois primeiros macroblocos

no sero detalhados no escopo deste trabalho, j que no sofrem alteraes em relao

aos de uma etiqueta convencional, salvo pela mnima alterao provocada pelo

acrscimo das portas de entrada e sada de dados ao Ncleo Digital para possibilitar sua

comunicao com a Interface Para Sensores.

Em linhas gerais, o sistema proposto pode ser integrado tanto a etiquetas RFID HF

quanto UHF, uma vez que seu princpio de funcionamento no depende da frequncia de

comunicao do sistema, como o caso das solues identicadas na Seo 2.4. Contudo,

a operao no padro UHF impe restries mais elevadas ao consumo de energia e tempo

de resposta da etiqueta. O cumprimento dessas restries requer, muito provavelmente,

o acesso a tecnologias de fabricao CMOS superiores a 130 nm, no disponveis ao

laboratrio ao qual este trabalho est vinculado. Por essa razo, a adoo de etiquetas

RFID na banda UHF para a validao do sistema proposto limitaria a implementao de

todo o sistema ao nvel de simulao.

Por outro lado a adoo de etiquetas RFID HF para a validao do sistema impe

restries mais brandas ao consumo de energia, embora ainda sejam bastante severas

quando comparadas a sistemas convencionais. Para frequncia de operao de 13,56 MHz


3.2 sistema proposto 52

dois padres distintos esto previstos em norma: ISO/IEC 14443 e ISO/IEC 15693. As

principais diferenas entre eles dizem respeito aos mtodos de modulao empregados e a

potncia mnima do campo de interrogao requerido pela etiqueta. Tendo em vista que

o padro ISO/IEC 15693 impe restries aos tempos de resposta da etiqueta quase to

severos quanto o EPC Class1 Gen2 para UHF, preferiu-se adotar o padro RFID ISO/IEC

14443, tambm conhecido como NFC.

Tendo-se denido os blocos constituintes do sistema proposto e o padro RFID

adotado, possvel equacionar a relao entre os tempos de resposta de cada bloco e os

tempos limite impostos pelo padro ISO/IEC 14443:

TAF E + TCore + TADC + TSCC + TM U X + TSens T1 (3.1)

sendo TAF E o tempo de resposta do front-end analgico para uma operao de

transmisso, TCore o tempo necessrio para que o ncleo digital da etiqueta complete

todas as operaes relativas decodicao de comandos e ao controle da interface para

sensores, TADC o intervalo de tempo necessrio para que o conversor A/D realize uma

converso (incluindo o tempo de amostragem/reteno), TM U X o tempo consumido

pelo circuito multiplexador e TSCC o tempo consumido pelo circuito de

condicionamento de sinal dos sensores para que ele apresente na sada o sinal

condicionado correspondente ao sinal aplicado em sua entrada pelo circuito

multiplexador, TSens o tempo de resposta do sensor, isto , o tempo necessrio a partir

de sua alimentao para que ele fornea uma sada correta em relao grandeza de

interesse. Finalmente, T1 o tempo mximo permitido pelo padro ISO/IEC 14443 para

que a etiqueta responda a um comando do tipo "`leitura"', ou seja, 4949 ms, conforme

detalhado na Seo 2.1.2. Dada a complexidade do conversor A/D e a elevada restrio

de consumo imposta ao circuito de condicionamento de sinal, previsvel que esses dois

blocos sejam os maiores consumidores de tempo do sistema.

O diagrama de tempo da sequncia completa de leitura de um sensor apresentado

na gura Fig 3.2.

Por m, importante ressaltar que a soluo proposta pode ser inteiramente

integrada num nico chip de tecnologia hbrida. Esta realizao consiste em

implementar o circuito correspondente aos blocos da etiqueta RFID juntamente com o

sistema proposto utilizando uma tecnologia, conforme uxo de projeto convencional, e


3.2 sistema proposto 53

Figura 3.2  Diagrama de tempo da sequncia completa de leitura de um sensor. Apenas os


intervalos hachurados so levados em conta na determinao do tempo total T1 .

ao nal, fabricar os nano-sensores de gs a nanotubos de carbono na superfcie superior

da pastilha, aps a camada de passivao, utilizando o processo de dieletroforese (VAZ et


al., 2008; SEICHEPINE et al., 2012). Essa tcnica foi proposta e validada por Akinwande

et al. (AKINWANDE et al., 2008).

Nos captulos seguintes o sistema proposto e os sensores de temperatura e gs que o

integram so explorados mais detalhadamente.


Captulo 4
Conversor Analgico/Digital

4.1 Introduo

Durante a reviso bibliogrca realizada no incio deste projeto, foram examinadas

diversas solues para a implementao de um conversor A/D adequado a aplicaes de

ultra baixo consumo como o caso de etiquetas RFID. Dentre todas as pesquisadas,

as solues mais adequadas foram baseadas em conversores de aproximao sucessiva

por redistribuio de carga, conforme exposto na Seo 2.5. Este tipo de conversor foi

proposto originalmente por McCreary e Gary, seu diagrama apresentado na Figura 4.1

(MCCREARY; GRAY, 1975). Um sensor RFID passivo para a banda de UHF implementado

com esse tipo de conversor demonstrou excelente desempenho, podendo ser lido e fazer

medies a 6,5 m de distncia da antena leitora (BRENK et al., 2011).

Figura 4.1  Conversor A/D de aproximao sucessiva por redistribuio de carga.

A anlise do ciclo de operao do conversor de aproximao sucessiva por

redistribuio de carga original revelou pontos que poderiam ser aprimorados a m de

melhorar seu desempenho. No conversor original, ao passar do estado de Amostragem

54
4.1 introduo 55

para o de Reteno (vide Apndice A), todas as chaves associadas aos capacitores

precisam ser comutadas, ao mesmo tempo, de Vin para o terra. Em aplicaes de baixo

consumo, este tipo de operao indesejvel, pois a comutao de cada chave, entre

diferentes nveis de tenso, dissipa energia.

A explicao para esse fenmeno est no fato de que, tratando-se da tecnologia

CMOS, a implementao de tais chaves feita geralmente por um par complementar de

transistores MOS conectados em srie, tal como ilustrado na Figura 4.2. O consumo

esttico deste tipo de chave muito baixo visto que, para cada estado, um dos

transistores estar em corte e seu canal agir apenas como uma impedncia de valor

elevado. Por outro lado, durante a comutao de um estado para outro, haver um

intervalo de tempo em que ambos os transistores estaro conduzindo e o ramo entre os

dois polos da chave se comportar como duas impedncias de baixo valor em srie.

Nessa situao, dependendo da diferena de potencial entre os polos da chave e da

resistncia de canal de cada transistor, a corrente que os percorre poder atingir nveis

elevados, dissipando uma quantia signicativa de energia.

(a) Implementao por (b) Circuito


transistores MOS. equivalente.
Figura 4.2  Chave CMOS de dois polos.

Uma forma de minimizar esse problema, sugerida por Andrea Agnes (AGNES et al.,
2008), consiste em permutar as tenses VREF + e VREF no circuito original. Nesta

soluo, ao passar do estado de Amostragem para o de Reteno, apenas a chave S1


precisa ser comutada, poupando signicativamente o consumo nesta etapa.

Adicionalmente, esta soluo minimiza outro problema relacionado ao chaveamento em

circuitos MOS, a chamada injeo de cargas que degrada a preciso do conversor

(SHEU; HU, 1984; WEGMANN et al., 1987). Outro benefcio resultante dessa mudana

que a chave S3 , responsvel por comutar o capacitor de ponderao, pode ser eliminada,
4.1 introduo 56

cando o capacitor a conectado diretamente com a chave S1 .


A modelagem em nvel de transistores do circuito modelado na Figura 4.3 foi divida em

trs partes: matriz capacitiva, comparador de baixo oset e registrador de aproximaes

sucessivas. A implementao de cada parte detalhada nas sees seguintes, por m, o

conversor completo relatado na Seo 4.5.

Figura 4.3  Conversor A/D por redistribuio de carga adotado.

importante salientar que o conversor A/D aqui relatado baseou-se emb outra

implementao de um conversor A/D de 8 bits, fabricado anteriormente, cuja

micrograa apresentada na Figura 4.4. A implementao anterior foi feita seguindo a

mesma topologia e fabricada na mesma tecnologia e processo CMOS, o que permitiu o

aperfeioamento do projeto, principalmente a reduo das capacitncias parasitas e a

diminuio das cargas injetadas pelo circuito de chaveamento. O mesmo circuito

integrado incluiu tambm o sensor de temperatura (destacado na parte superior

esquerda da gura), detalhado no Captulo 5.

Figura 4.4  Micrograa do microchip fabricado. Em destaque no centro da imagem, a matriz


de capacitores do conversor A/D.
4.2 matriz capacitiva 57

4.2 Matriz Capacitiva

Conforme detalhado na Seo A.1.2, a matriz capacitiva que compe esse tipo de

conversor integra tanto o conversor D/A quanto o circuito de amostragem e reteno

(A/R). Por essa razo, a matriz capacitiva desse conversor muitas vezes referida

apenas por conversor D/A. De fato, na primeira implementao desse conversor

(verso de 8 bits), a matriz capacitiva foi conectada ao registrador de aproximaes

sucessivas por meio de um circuito capaz de testa-la isoladamente como um conversor

D/A. Esse recurso permitiu validar o conversor D/A empregado no ajuste de oset do

Circuito de Condicionamento de Sinal do Sensor.

Alm das alteraes entre o circuito esboado na Figura 4.3 em relao ao da Figura 4.1

j explicadas anteriormente, deve-se notar ainda outra mudana importante, a resoluo

do conversor, que saltou de 5 para 10 bits. Entretanto, ao migrar de um projeto de 5

bits para um de 10 bits, a topologia inicialmente seguida torna-se desvantajosa devido s

dimenses requeridas para os capacitores associados aos bits de maior peso. Adotando-

se o capacitor ligado a b0 em 120 fF, por exemplo, o capacitor ligado a b9 deveria ter

61,44 pF, o que requereria uma rea de silcio de 30976 m2 apenas para esse capacitor.

Por essa razo, optou-se por adotar a topologia escalonada, na qual um conversor de N
bits composto pela associao de dois conversores, um de M bits e outro de K bits,

sendo N = M + K. Neste caso, dois conversores de 5 bits associados em cascata por um

capacitor de escalonamento, Cs. Desta forma, o maior capacitor do circuito passa a ser

de 1,92 pF.

Conforme Allen e Holberg (ALLEN; HOLBERG, 2002), o valor do capacitor de

escalonamento calculado por:

2N/2
Cs = Cu (4.1)
2N/2 1
sendo Cu o valor do capacitor associado ao bit de peso 0, aqui referido como capacitor

unitrio.

Tal como qualquer circuito a capacitor chaveado, a matriz capacitiva que compe o

conversor est sujeita ao rudo trmico cuja potncia expressa por:

kB T
T2 = (4.2)
CT
4.2 matriz capacitiva 58

sendo kB a constante de Boltzmann expressa em Joules por Kelvin, T a temperatura

absoluta e CT a capacitncia total. Neste circuito, todos os capacitores esto sujeitos a

carga e descarga durante a mesma converso, logo, o rudo trmico expresso na Equao

4.2 deve ser calculado em dobro. Por outro lado, a potncia do rudo de quantizao de

um conversor analgico/digital de N bits expressa por:

2
2 VIR
Q = (4.3)
12 22N
onde VIR a faixa de tenso de entrada do conversor A/D, isto , VIR = VREF + VREF . O

dimensionamento adequado da capacitncia unitria (CU ) deve ser feito de forma a obter

um rudo trmico sempre inferior ao rudo de quantizao. Sabendo-se que a capacitncia

total da matriz capacitiva pode ser calculada como:

CT = CU 2N/2 + 1

(4.4)

pode-se calcular a capacitncia unitria que gera um rudo trmico de potncia menor

que o rudo de quantizao como sendo dada por

24 kB T 22N
CU 2
(4.5)
VIR (2N/2 + 1)
Aplicando-se N = 10 bits, T = 300 K e VIR = 500 mV Equao 4.5, obtm-se

CU 12, 63 fF, que um valor bastante baixo, podendo ser facilmente satisfeito.

Adicionalmente, duas no idealidades adicionais devem ser consideradas: o

descasamento das capacitncias em decorrncia das capacitncias parasitas presentes ao

longo de todas as conexes dos capacitores e o descasamento nas dimenses dos

capacitores, decorrentes de imprecises do processo de fabricao. As capacitncias

parasitas podem ser reduzidas por um bom leiaute e sua inuncia pode ser diminuda

atravs do aumento da capacitncia unitria. Da mesma maneira, o erro de

descasamento nas dimenses pode ser minimizado atravs do aumento das dimenses

das placas dos capacitores, o que tambm implica no aumento da capacitncia.

Obteve-se aps algumas simulaes, capacitncias parasitas da ordem de alguns fF com

conexes de tamanho estimado quelas necessrias ao posterior leiaute do circuito. Por

essa razo, foi adotado CU 120 fF, reduzindo as capacitncias parasitas a apenas uma

pequena frao da capacitncia total. Alm disso, o novo valor quase 10 vezes superior
4.2 matriz capacitiva 59

ao mnimo valor denido pela Equao 4.5, dando uma boa margem de segurana entre

o rudo trmico e o de quantizao para um conversor de 10 bits.

O diagrama esquemtico completo da matriz capacitiva apresentado na Figura 4.5.

O circuito completo foi modelado e simulado para a tecnologia IBM CMOS 0,18 m
(IBM-7HV) na qual foi posteriormente fabricado.

A m de permitir uma melhor adequao do leiaute da matriz capacitiva geometria

em centroide comum, o capacitor unitrio foi dividido em duas partes iguais de 60 fF, o

que corresponde a duas reas quadradas de cerca de 5,5 x 5,5 m cada. Com isso, o

capacitor de escalonamento (CS ) foi calculado em 123,87 fF. A tcnica de leiaute em

centroide comum foi empregada com o intuito de minimizar o problema de descasamento

entre os valores relativos dos capacitores do circuito, uma das maiores fontes de

impreciso deste tipo de conversor. Nessa tcnica, os componentes so distribudos no

leiaute de forma simtrica em torno de um ponto central de forma que eventuais

descasamentos nas mscaras durante o processo de fabricao do microchip acarrete em

um erro aproximadamente igual para todos os componentes, mantendo as relaes

proporcionais entre os seus valores. Da mesma forma, variaes de dopagem e espessura

dos dieltricos tendem a afetar de maneira similar os componentes circunvizinhos.

Alm disso, os transistores NMOS das chaves complementares foram redimensionados

de forma a minimizar as distores inseridas pelo chaveamento na tenso de sada do

conversor (VO ), tendo sido a relao da chave NMOS associada ao capacitor unitrio

estabelecida como 5/0,18. As chaves associadas aos bits b3 e b4 , isto , T P3 /T N3 e

T P4 /T N4 tiveram suas dimenses mantidas em relao a T P2 /T N2 , pois se notou em

simulao que a carga parasita injetada por dimenses maiores superava a reduo das

perdas de conduo. O mesmo se fez para T P9 /T N9 e T P8 /T N8 em relao a T P7 /T N7 .


O transistor dummy T N11 foi acrescentado com o objetivo de compensar a injeo de
cargas introduzida pelas chaves de amostragem. Para que sua atuao na compensao

da injeo de cargas seja efetiva, o transistor T N11 precisa ser comandado de forma

sincronizada ao instante da injeo das cargas, o que requer algum atraso em relao ao

comando direto da porta de passagem I3 . Para gerar esse atraso, trs inversores foram

adicionados em srie com o inversor ligado a T N10 .


4.2 matriz capacitiva 60

Figura 4.5  Diagrama esquemtico da matriz capacitiva (conversor D/A) de 10 bits.


4.3 comparador de baixo oset 61

No intuito de melhorar a regularidade da estrutura capacitiva, reduzindo o

descasamento nas dimenses dos capacitores que formam o anel mais externo do

conversor, um anel de capacitores dummy foi acrescentado (componente Cr no diagrama

esquemtico). No leiaute, esses capacitores passam a formar o anel mais externo da

matriz de capacitores, garantindo a regularidade dos anis internos.

Por m, dois inversores de tenso (componente V_INVERTER na Figura 4.5) foram

necessrios para assegurar o desligamento das chaves CMOS I1 e I2 durante a fase de

redistribuio de carga, quando as tenses nos seus drenos podem se tornar negativas

o suciente para polariza-los na regio de trodo ou mesmo de saturao caso fossem

comandadas somente com tenses entre 0 e VDD .

4.3 Comparador de Baixo Oset

Como comparador de baixo oset implementou-se o comparador no domnio do tempo


(TDC), inicialmente proposto por Agnes et al. (AGNES et al., 2008).

Ao invs de comparar as tenses de entrada utilizando um pr-amplicador e um

latch tal como nas implementaes convencionais, o comparador no domnio do tempo

transforma primeiramente ambas as tenses de entrada para o domnio do tempo por

meio de um gerador de rampa cujo diagrama apresentado na Figura 4.6.

Quando o sinal de comparao ( compare ) est em `0', o capacitor C1 carregado

atravs de M1 ao mesmo tempo que quaisquer cargas parasitas em R1 remanescentes da

converso anterior (representadas pela capacitncia parasita Cp ) so descarregadas atravs


de M5 e a sada cmpOut colocada em nvel lgico baixo. Quando o sinal de comparao

levado para nvel lgico alto, o transistor M2 atua como uma chave fechada e M4 passa a

se comportar como uma fonte de corrente constante cuja corrente proporcional tenso

de entrada V in, descarregando o capacitor C1 com taxa constante atravs das resistncias

R1 + rds2 + rds4 . Quando a tenso na placa superior do capacitor C1 atinge a tenso de

limiar do transistor M6 ele comuta, levando a sada cmpOut para nvel lgico `1'.

O mesmo procedimento realizado simultaneamente para ambas as entradas. O

conversor tenso/tempo cuja tenso de entrada for mais elevada ir comutar a sada de

`0' para `1' mais rapidamente que o outro. A comparao no domnio do tempo ento

realizada por um simples ip-op do tipo D, tal como pode ser visto no diagrama
4.3 comparador de baixo oset 62

Figura 4.6  Diagrama esquemtico do conversor tenso-tempo implementado para compor o


comparador no domnio do tempo.

completo do comparador mostrado na Figura 4.7.

Figura 4.7  Diagrama esquemtico completo do comparador no domnio do tempo.

As principais vantagens deste comparador em relao aos comparadores

convencionais o baixssimo consumo durante a comparao, consumo praticamente

nulo aps a comparao e a capacidade de comparar tenses de modo comum

virtualmente nulas mesmo com alimentao simples (no simtrica).

Uma melhora feita em relao ao projeto original (AGNES et al., 2008) foi a adio

do transistor dummy M3 , cujo papel compensar as cargas parasitas induzidas pelo

chaveamento de M2 no sinal de entrada V in.


4.3 comparador de baixo oset 63

Assumindo-se rds2 << R1 e rds4 >> R1 , a mnima diferena de tenso que o TDC

capaz de detectar pode ser calculada por (AGNES et al., 2008):

2
t VR1
Vin = (4.6)
R1 C1 Vout
sendo Vin = Vin_p Vin_m , t o mnimo intervalo de tempo necessrio entre as entradas
do ip-op para que ele funcione corretamente, VR1 a diferena de potencial em R1 e

Vout a queda de tenso no capacitor.

A m de minimizar o t, um ip-op tipo D foi especialmente projetado para o

comparador. Simulaes ps-leiaute (com parasitas inclusos), revelaram t 26 ps, o

que mais de 5 vezes mais rpido que a clula padro equivalente da biblioteca. Para

este projeto a resistncia rds2 no pode ser desprezada de forma que seu valor mdio

foi computado como parte de R1 . O valor aproximado do capacitor C1 foi 700 fF, de

forma que o valor para o produto R1 C1 foi aproximadamente 0,87 s e VR1 180 mV. O

transistor M6 foi dimensionado para operar em inverso forte, de forma que Vout 490
mV. O valor resultante calculado para Vin foi aproximadamente 20 V.
A simulao ps-leiaute revelou um valor praticamente igual, Vin = 21 V. A razo

do pequeno aumento em relao ao valor terico deve-se a perda de linearidade na curva de

descarga do capacitor C1 na regio prxima a da comutao de M6 , conforme evidenciado


na Figura 4.8 (curvas Vcap (1) e Vcap (2) ). Essa perda de linearidade se deve a injeo de

cargas atravs da capacitncia de porta de M6 (Cgs + Cgd + Cgb ) decorrente da comutao.


Seu efeito tende a ser tanto maior quanto maior for a capacitncia de porta de M6 frente

capacitncia C1 . Se por um lado a reduo desse efeito requer a reduo do produto

W L do transistor, por outro lado no se pode reduzir demasiadamente a largura do

canal (L), sob pena de sofrer efeitos de canal curto, levando o transistor a operar com

valores reduzidos de tenso limiar, diminuindo Vout ) e, consequentemente, reduzindo

indesejavelmente o tempo de comparao e a mnima diferena detectvel (Vin ).

Embora no seja possvel notar na Figura 4.8, a diferena de -30 V aplicada na

entrada do comparador provoca um pequeno atraso de cerca de 54 picossegundos no sinal

de entrada CLK do ip-op em relao ao sinal de entrada D. Essa diferena mostrada


na Figura 4.9, uma ampliao das formas de onda DFF_CLK, DFF_D e cmpO da

Figura 4.8 no intervalo entre 1,026 s e 1,028 s. Apesar disso, a preciso terica deste

comparador de aproximadamente 108 V devido ao rudo trmico associado a C1 .


4.3 comparador de baixo oset 64

Figura 4.8  Formas de onda dos sinais internos do Comparador no Domnio do tempo para uma
entrada diferencial de 30V. Os nmeros entre parntesis na legenda indicam a
qual dos conversores tenso/tempo as curvas se correspondem, U1 ou U2, conforme
a Figura 4.7.

O leiaute do comparador projetado apresentado na Figura 4.10. As quatro reas

quadradas maiores so os capacitores C1 dos dois conversores tenso/tempo, divididos

em duas partes cada de forma a melhorar sua distribuio em centroide comum. Da

mesma forma, as quatro reas retangulares sobre as quais os capacitores se sobrepem

so os resistores R1 tambm divididos em duas partes e posicionados em centroide comum.


Todos os demais componentes esto distribudos de forma espelhada em torno da linha

mediana horizontal, exceto alguns que compem ao ip-op de comparao (rea central

direita) para o qual a no simetria no afeta a preciso do comparador.


4.3 comparador de baixo oset 65

Figura 4.9  Detalhe das formas de onda dos sinais de entrada no ip-op de comparao no
intervalo entre 1,026 s e 1,028 s quando a diferena de -30 V detectada.
Neste caso, uma atraso de 54 ps foi observado entre os dois sinais.
4.3 comparador de baixo oset 66

Figura 4.10  Leiaute do comparador no domnio do tempo.


4.4 registrador de aproximaes sucessivas 67

4.4 Registrador de Aproximaes Sucessivas

O circuito de controle gerador da sequncia de sinais de aproximaes sucessivas para

o conversor D/A e do sinal de comparao para o TDC foi implementado a partir de

latches, ip-ops tipo D, e portas elementares, conforme o diagrama da Figura 4.11.

Todos os componentes digitais utilizados foram expressamente projetados e

customizados para essa aplicao ( full-custom design ) a m de poupar o mximo

possvel de energia. Nenhuma biblioteca externa de componentes digitais foi utilizada.

Embora o diagrama da Figura 4.11 no evidencie, nem todos os ip-ops, latches e

portas lgicas possuem o mesmo dimensionamento e implementao. Simulaes

revelaram que as sadas b7 a b9 , por exemplo, deveriam comandar entradas cuja

capacitncia parasita era signicativamente maior do que as demais. Por essa razo, as

portas NOR7 a NOR9 foram projetadas com transistores de maior porte do que os

empregados nas portas NOR0 a NOR6. Da mesma forma, o ip-op FF16, para o qual
o reset no necessrio, foi otimizado eliminando os componentes internos de

implementao do circuito de reset, necessrio aos demais ip-ops do circuito. Outra

diferena notvel est entre implementao dos ip-ops e dos latches. Enquanto os

ip-ops foram implementados utilizado a abordagem clssica, baseada em portas

NAND, os latches foram implementados com base em portas de transmisso CMOS

(SICARD, 2007). O sistema completo totalizou 484 transistores MOS.


4.4 registrador de aproximaes sucessivas 68

Figura 4.11  Diagrama esquemtico do circuito de controle do conversor A/D.


4.5 conversor a/d completo 69

4.5 Conversor A/D Completo

Na integrao dos componentes do conversor A/D, a entrada V ref _p do comparador

foi conectada a um pad para poder ser ligada externamente (pino Vof s ). A inteno

permitir a compensao de eventuais erros de oset introduzidos por assimetria ou

imperfeies entre os componentes dos dois conversores tenso/tempo que constituem o

comparador.

O leiaute completo do conversor A/D de 10 bits apresentado na Figura 4.12. Tal como

se pode notar, o eixo de simetria do Comparador no Domnio do Tempo foi posicionado

sobre o eixo de simetria da matriz capacitiva de forma a reduzir o impacto de eventuais

erros de alinhamento das mscaras durante o processo de fabricao. Assim como previsto,

o posicionamento das chaves de comando dos capacitores da Matriz Capacitiva prximo

dos capacitores correspondentes reduziu o comprimento das interconexes entre as chaves

e os capacitores, mas aumentou o das chaves com o circuito de comando (compreendido

dentro da grande rea retangular do lado esquerdo da gura).

Figura 4.12  Leiaute completo do conversor A/D de 10 bits. As chaves dos capacitores da
matriz foram posicionadas prximas aos seus respectivos capacitores a m de
minimizar as capacitncias parasitas introduzidas pelas trilhas de conexo.

Foi projetado um circuito integrado contendo o circuito completo do conversor, pads


de entrada e sada digital, (sadas b0 ..b9 e endConv e entradas clk e rst) pads de entrada

analgica (V ref _p, V ref _m, Vin e Vof s ). Alm disso, foram mantidos os terras digital e
4.6 resultados obtidos 70

analgico isolados, o circuito dos pads alimentados por uma linha dedicada e alimentaes
isoladas para as partes digitais e analgicas do conversor. O leiaute completo do circuito

integrado contendo o novo conversor projetado apresentado na Figura 4.13.

Figura 4.13  Leiaute do segundo circuito integrado enviado para fabricao. No centro o
conversor A/D de 10 bits.

4.6 Resultados Obtidos

Assim como foi feito com o conversor A/D anterior, a anlise do funcionamento do

conversor parte da observao dos principais sinais referentes sua operao mediante um

valor conhecido aplicado na entrada. Os sinais referentes converso do valor V in = 350


mV, com os referenciais V ref + e V ref iguais a 600 mV e 100 mV, respectivamente, so
apresentados na Figura 4.14. Nesta simulao o conversor foi alimentado com 1,0 V e a

frequncia utilizada para o sinal de relgio foi 2,78 MHz.

Conforme previsto em teoria, aps a descida do sinal de controle da chave de

amostragem, smp, o valor da tenso na sada do DAC deve assumir

DAC _Out = V in + V ref , ou seja, 250 mV neste caso. O que se nota no grco

que a tenso DAC_Out vai para cerca de -247 mV, um erro de 3 mV portanto. Em

seguida, a chave associada a b9 comutada fazendo-se ADC _Out = 200h. Nesta

situao o valor terico para a sada do DAC

DAC _Out = V in + V ref +(V ref + V ref )/2, ou seja, 0 V, o que coincide com

o apresentado no grco (salvo por uma pequena tenso na ordem de microvolts que no

pode ser notada pela escala). Meio perodo de relgio depois o comparador recebe o

comando de comparao (clkCmp). A tenso na sada do DAC ento comparada com


4.6 resultados obtidos 71

Figura 4.14  Resposta do conversor A/D de 10 bits simulado para uma entrada de 350 mV
com V ref + = 600 mV e V ref = 100 mV. As capacitncias parasitas do leiaute
foram consideradas na simulao.

0 V e o resultado entregue alguns nanosegundos depois na sada CmpOut. Conforme

pode-se notar a sada da comparao `0', indicando que o valor da sada DAC _Out foi

considerado superior a zero. Com esse resultado da comparao, o Registrador de

Aproximaes Sucessivas comuta a chave associada a b9 novamente para `0' e refaz o

mesmo procedimento para a chaves b8 a b0 , obtendo porm `1' como resposta do

comparador para todas elas. O que se observa que a tenso na sada do DAC, a cada

passo, aproxima-se mais de 0, conforme previsto em teoria. Ao nal, o sinal de m de

converso, endConv , colocado em nvel lgico `1' sinalizando o valor

ADC _Out = 1F F h(511) como resposta do conversor, o que condiz com o esperado.

Nota-se ainda que os rudos de chaveamento no sinal de sada do conversor D/A

(DACOut) praticamente inexistem, um requisito importante quando se eleva a

resoluo do conversor A/D. Isto demonstra a eccia alcanada pelo

redimensionamento dos componentes do Comparador no Domnio do Tempo. Da mesma

forma, o rudo decorrente da atuao da chave de amostragem tambm foi severamente

minimizado, graas ao circuito de compensao de injeo de cargas acrescentado na

matriz capacitiva (transistor T N11 e inversores). A reduo dos picos de transio nos

degraus de tenso da forma de onda do sinal de sada do D/A em relao quela do


4.6 resultados obtidos 72

projeto anterior tambm revela a melhora feita no dimensionamento das chaves de

comando dos capacitores da matriz.

A determinao das caractersticas de No Linearidade Diferencial (DNL) e No

Linearidade Integral (INL) do novo A/D foi feita por simulaes do comportamento

esttico do conversor. Para isso foram determinadas as respostas do conversor para

16384 valores de tenso de entrada distintos cobrindo linearmente a faixa de tenses

entre V ref + e V ref . Ambas as caractersticas esto representadas na Figura 4.15. Os

mximos valores de DNL foram +0,562 LSB e -0,125 LSB. Os valores mximos de INL

foram +0,698 LSB e -0,886 LSB.

Figura 4.15  DNL e INL simulados para o conversor A/D de 10 bits projetado.

O consumo mdio simulado foi 7,29 W, sendo 4,3 W consumidos pela parte

analgica (Matriz Capacitiva e Comparador) e 2,99 W pela parte digital (Registrador

de Aproximaes Sucessivas e Inversores de Tenso).

Para a caracterizao do comportamento dinmico do conversor operando a 118.000

amostras por segundo, foram realizadas transformadas de Fourier (FFT) nas respostas do

conversor para duas senoides nas frequncias de 2,918 kHz (frequncia inferior a um dcimo

da frequncia de Nyquist) e 44,841 kHz (frequncia prxima a frequncia de Nyquist),

amostradas com em 65536 pontos cada e normalizadas para 0 dB. Na simulao, ambas

as senoides tiveram seu valor mdio denido em 350 mV e suas amplitudes em 500 mV

de forma a exercitarem toda a faixa de tenses de entrada para V ref + = 600 mV e

V ref = 100 mV. O espectro de sada para os dois casos apresentado nas Figuras 4.16

e 4.17.
4.6 resultados obtidos 73

Figura 4.16  Resposta em frequncia do conversor A/D de 10 bits para um sinal de entrada
de 2,918 kHz amostrado a 100 kHz.

Figura 4.17  Resposta em frequncia do conversor A/D ade 10 bits para um sinal de entrada
de 44,8 kHz amostrado a 100 kHz.
4.6 resultados obtidos 74

Com base na resposta em frequncia foram calculados os parmetros dinmicos do

conversor, conforme apresentado na Tabela 4.1. Para o clculo da Distoro Harmnica

a a
Total (THD) foram levadas em conta as harmnicas de 2 a 5 ordem.

Tabela 4.1  Caractersticas dinmicas do segundo conversor A/D projetado.

Parmetro Valor para Valor para


fIN = 2,92 kHz fIN = 44,81 kHz
SNDR 58,93 59,24
SNR 59,05 59,36
THD -74,82 -74,83
SFDR 77,94 78,04
ENOB 9,50 9,55

Por m, a Figura de Mrito do conversor foi calculada utilizando a equao (WALDEN,

1994):

PWR
F oM = (4.7)
fS 2EN OB
para a qual PWR o consumo do conversor em Watts e fS a taxa de amostragem em

Hz. O resultado para fS = 118 kHz, P W R = 7, 29 W e EN OB = 9, 5 85,32 fJ por

passo de converso.

O projeto do circuito integrado contendo o conversor foi fabricado na mesma tecnologia

e processo do projeto anterior, isto IBM7HV. Sua micrograa apresentada na Figura

4.18.

Figura 4.18  Micrograa do segundo circuito integrado fabricado.

At o momento da redao deste texto, circuito integrado ainda no pode ser testado

adequadamente. Testes preliminares de caracterizao esttica indicam um consumo


4.7 concluso 75

mdio de 8,02 W para uma alimentao de 1,0 V e 2,8 MHz de frequncia de relgio.

Ensaios para a determinao do DNL e INL ainda no foram realizados, bem como os

necessrios para caracterizao dinmica.

4.7 Concluso

O segundo conversor projetado apresentou caractersticas estticas e dinmicas bem

superiores quelas do primeiro projeto. Enquanto a Figura de Mrito do primeiro

conversor projetado foi de 313 fJ por passo de converso, este ltimo obteve 85,32 fJ por

passo de converso, ou seja, uma melhora na ecincia de quase quatro vezes. Se

comparada Figura de Mrito do conversor fabricado, essa diferena sobe para mais de

8,6 vezes. Embora seja prevista uma queda nas mtricas do conversor fabricado em

relao aos previstos em simulao, espera-se que os cuidados adicionais com os quais

este segundo conversor foi feito, decorrentes da experincia ganha com o primeiro

projeto, acarretem em disparidades menores do que aquelas observadas no primeiro

circuito integrado.

Por m, deve-se notar que o conversor projetado pode se comunicar de forma

sncrona ou assncrona com o ncleo digital da etiqueta RFID. Se interfaceado de forma

sncrona, o ncleo digital da etiqueta pode controlar a resoluo do conversor

simplesmente interrompendo o sinal de relgio no momento correspondente resoluo

desejada, uma vez que sua temporizao determinstica e ela sempre realizada do bit

de maior peso para o de menor peso, sendo a sada atualizada durante a sequncia de

converso. Ao operar com resoluo reduzida, o conversor ir consumir menos energia e

a etiqueta poder ser lida a maiores distncias. Esse recurso pode ser utilizado, por

exemplo, para criao de dois modos de operao da etiqueta, o modo de deteco e o

modo de medio. No modo de deteco o conversor A/D opera com baixa resoluo, de

forma que o valor medido apenas indicar a presena ou no do gs no local. No modo

de medio o conversor A/D utilizado com resoluo mxima e o resultado passa a

indicar a concentrao do gs medida no local. Esse ltimo modo ir requerer o aumento

da potencia do campo leitor, a aproximao do leitor etiqueta ou o armazenamento de

mais energia antes da operao (requerendo mais tempo para executar a tarefa).
Captulo 5
Sensor de Temperatura em Tecnologia
CMOS

5.1 Introduo

A escolha do sensor foi feita com base na exigncia de baixo consumo, sendo esta

a diretriz primaz nos critrios de seleo do sensor a ser adotado. Adicionalmente, a

capacidade de integrao do sensor aos processos de fabricao de circuitos integrados j

estabelecidos tambm uma caracterstica desejvel, tanto pela simplicao do sistema

quanto pela eliminao de, ao menos, dois terminais do circuito integrado que seriam

necessrios para a conexo com o sensor.

Com base nos critrios acima expostos, adotou-se o sensor proposto por Filanovsky e

Allam (FILANOVSKY; ALLAM, 2001). Seu princpio de funcionamento baseia-se em dois

diferentes efeitos presentes na corrente de dreno de dispositivos MOS. Desprezando-se a

o efeito da modulao da largura do canal, a corrente de dreno de um dispositivo MOS

polarizado na regio de saturao pode ser expressa por (ALLEN; HOLBERG, 2002):

Cox W
ID = (VGS VT )2 (5.1)
2L
sendo a mobilidade dos portadores majoritrios e VT a tenso de limiar, ambos

inversamente proporcionais temperatura. A reduo da mobilidade dos portadores

ocasiona a reduo da corrente de dreno. Por outro lado, a reduo da tenso de limiar

aumenta a corrente de dreno. Segundo Filanovsky e Allam (FILANOVSKY; ALLAM,


2001), para a maioria das atuais tecnologias CMOS, existe um ponto de polarizao dos

transistores para o qual os efeitos da mobilidade dos portadores e do limiar de tenso

cancelam-se mutuamente em uma vasta faixa de temperaturas. Este ponto chamado

76
5.2 determinao do ponto ztc 77

`ponto de polarizao ZTC' (do ingls, Zero Temperature Coecient ). Conhecendo-se o

ponto de polarizao ZTC de um transistor possvel projetar uma fonte de corrente

constante independente da temperatura de forma bastante simples. Filanovsky e Lim

demonstram que se essa corrente constante for aplicada em outro dispositivo MOS

operando como diodo, a queda de tenso em VGS ser (FILANOVSKY; LIM, 2002):

r !
ID
VGS = VGSF + V T T 1 (5.2)
IDF
sendo VGSF e IDF a tenso de porta-fonte e a corrente de dreno de polarizao do transistor

correspondentes ao seu ponto de equilbrio trmico e V T o coeciente de temperatura da

tenso de limiar.

Dessa forma, ca estabelecida uma relao linear entre a temperatura e a tenso de

porta-fonte do transistor conectado como diodo. Seguindo-se essa abordagem possvel

implementar sensores de temperatura lineares com correntes de polarizao muito baixas

em processos CMOS comuns. Para tanto, basta arbitrar-se baixos valores para a relao

W/L do transistor da fonte de corrente. Brenk et al. implementaram um sensor de

temperatura deste tipo com a corrente de referncia na ordem de 30 nA em tecnologia

CMOS 0,13 m (BRENK et al., 2009).

5.2 Determinao do Ponto ZTC

Para projetar esse sensor o primeiro passo conhecer o ponto ZTC do transistor na

tecnologia adotada (IBM7HV). Com esse intuito, um transistor PMOS com W=220 nm

e L=60 m foi caracterizado em simulao utilizando o circuito representado na Figura

5.1. Foram determinadas as curvas da corrente de dreno (Id) em funo da tenso de

porta-fonte (Vgs) para temperaturas entre -50 a 150 graus Celsius, com passo de 25 graus

Celsius, conforme esboado na Figura 5.2.

Figura 5.1  Circuito de caracterizao do transistor PMOS para determinao do ponto ZTC.
5.2 determinao do ponto ztc 78

A anlise da Figura 5.2 revela que para o transistor em questo, na tecnologia

CMOS7HV (0,18 m) da IBM, o ponto ZTC encontra-se em cerca de 12 nA, o que

corresponde a uma tenso de polarizao na porta de cerca de 720 mV. Entretanto o

ponto ZTC em transistores PMOS no to bem denido quanto em transistores

NMOS. Conforme se pode notar na Figura 5.2 as curvas correspondentes a temperaturas

mais elevadas tendem a se interceptar em pontos de corrente ligeiramente mais elevada

do que as de temperatura mais baixas. Como se espera que esse sensor seja empregado

o
na maior parte do tempo em temperaturas bem abaixo de 150 C, adotou-se o ponto

ZTC ligeiramente mais baixo que o mediano de forma a minimizar o desvio na faixa de

temperatura de maior uso, no caso o par 10 nA, 700 mV. Outra alternativa seria

empregar um transistor NMOS em lugar do PMOS, contudo, isso implicaria ou no

aumento da corrente de trabalho ou no aumento da largura do transistor. Tendo em

vista que a reduo do consumo a diretriz principal do projeto e que mesmo o

transistor PMOS adotado j possui um L bastante elevado, optou-se por tentar

primeiramente a soluo PMOS.

Figura 5.2  Curvas Id x Vgs para um transistor PMOS com W = 220 nm e L = 60 m


caracterizado para temperaturas de -50 o C a 150 o C .

Uma vez determinado o ponto ZTC, foi possvel projetar o sensor de temperatura,

conforme mostrado na Figura 5.3. O transistor M1 foi polarizado no ponto ZTC de forma
5.2 determinao do ponto ztc 79

a atuar como uma fonte de corrente termicamente estvel. Por sua vez, o NMOS M0 ,
conectado como diodo, age como sensor de temperatura, tendo sua tenso de porta-fonte

(Vsen ) dependente da temperatura, de acordo com a Equao 5.2 (FILANOVSKY; LIM,


2002).

Figura 5.3  Sensor de temperatura projetado. O resistor de polarizao de M2 , Rext externo


ao circuito integrado.

Deve-se notar que o transistor M2 no faz parte do sensor propriamente dito. Seu

papel no circuito atuar como buer de sada para a tenso Vsen , uma vez que a

corrente no ramo que atravessa os canais de M0 e M1 extremamente baixa para excitar

o pad de sada do circuito integrado e instrumentos externos de medio. Isto s

necessrio para poder validar o sensor proposto, uma vez que sua sada precisar ser

medida por instrumentos externos ao circuito integrado. Na ocasio da implementao

completa do sistema de sensoriamento de gs para etiquetas RFID, esse transistor

poderia ter suas dimenses reduzidas drasticamente ou mesmo ser eliminado,

dependendo das caractersticas do circuito de condicionamento de sinal. Por essa razo,

o terminal de dreno de M2 foi deixado em aberto de forma a permitir a medio do

consumo do sensor de forma independente dele. Ao mesmo tempo, a polarizao do

dreno de M2 por um resistor externo permite tambm reduzir as distores na resposta

do sensor introduzidas pelo buer de sada, j que o resistor pode ser deixado parte do

ambiente de ensaio trmico do sensor.

O leiaute do sensor projetado mostrado na Figura 5.4. Embora a relao de valores

de R1 e R2 que dene a tenso de polarizao Vbias seja teoricamente indiferente faixa

de temperaturas de trabalho, optou-se por implementar os resistores em polisilcio

dopado P+, cujo coeciente de variao trmica o mais baixo disponvel pelo processo

de fabricao. Os dois resistores podem ser identicados no leiaute como as duas

grandes reas retangulares do lado esquerdo. A rea retangular do lado direito superior
5.3 resultados obtidos 80

o transistor M2 , no lado direito inferior transistor M0 , elemento sensor. Entre os

transistores M0 , M2 e os resistores, pode-se notar o transistor M1 , estendendo-se

verticalmente. Por m, um anel do tipo moat foi colocado ao redor de todo o sensor a

m de isola-lo de eventuais correntes parasitas de circuitos adjacentes. As dimenses

totais do circuito so aproximadamente 63 m por 74 m.

Figura 5.4  Leiaute do sensor de temperatura projetado.

5.3 Resultados Obtidos

5.3.1 Resultados Simulados

O circuito do sensor de temperatura cujo projeto foi apresentado na seo anterior foi

simulado na faixa de temperaturas de interesse, isto , de -50 a 150 graus Celsius, sendo

observadas a tenso de sada e a corrente de dreno em M1 . O resultado dessa simulao

apresentado na Figura 5.5.

Mesmo polarizado ligeiramente fora do ponto ZTC a resposta do sensor mostrou-se

bastante linear (linha contnua entre 45 mV e 270 mV) conforme se pode notar pela

comparao com a curva referencial (linha com marcadores circulares). Considerando-se

o intervalo entre -50 e 130 graus Celsius, a mxima variao observada inferior a 3 mV,

o que corresponde a uma preciso de cerca de 2,5 graus Celsius. A curva com marcadores
5.3 resultados obtidos 81

quadrados corresponde a corrente de dreno de M1 no mesmo intervalo de temperaturas,

apresentando uma variao de cerca de 8% dentro do intervalo de 200 graus Celsius. Por

m, a resposta externa do sensor (Vout ) temperatura apresentada na Figura 5.6. A

simulao foi feita adotando Rext = 3,3 k.

Figura 5.5  Curvas da resposta interna do sensor projetado. A linha contnua corresponde a
tenso no n interno Vsen enquanto que a curva refere-se a corrente de dreno de
M1 . A linha tracejada representa o que seria a resposta perfeitamente linear.

Figura 5.6  Tenso de sada do sensor projetado (Vout ) considerando a resposta interna (Vsen )
amplicada por M3 em funo da temperatura.
5.3 resultados obtidos 82

5.3.2 Resultados Medidos

O sensor projetado foi fabricado em tecnologia CMOS 180 nm, processo IBM7HV, por

meio do programa de pesquisa da MOSIS ( MOSIS Research Program ), no mesmo circuito


integrado em que o primeiro conversor analgico/digital (ADC de 8 bits) foi fabricado. A

micrograa da regio do o microchip que contm o sensor mostrada na Figura 5.7. A

micrograa foi composta com a imagem do leiaute para exibir as camadas mais internas j

que apenas as conexes do sensor com os pads puderam ser visualizadas com o microscpio
utilizado.

Figura 5.7  Micrograa da regio do circuito integrado onde o sensor de temperatura foi
posicionado. A micrograa foi composta com a imagem do leiaute para exibir
as camadas mais internas.

O posicionamento do sensor nas proximidades dos pads vrtice superior esquerdo foi

arbitrada para reduzir eventuais distores causadas por conexes longas sob efeito da

temperatura e, ao mesmo tempo, para deixa-lo afastado da regio do conversor A/D,

mais propensa a correntes esprias de substrato em razo do chaveamento das portas

lgicas do Registrador de Aproximaes Sucessivas. Pelo mesmo motivo, o pad de sada

do sensor foi posicionado em meio a outros pads de interface analgica e afastado dos pads
de entrada e sada digital.

o o
O sensor fabricado foi testado para diferentes temperaturas entre -30 C e 130 C. Os

testes foram divididos em duas partes: testes de resfriamento, para temperaturas abaixo

o
de 24 C (temperatura ambiente) e testes de aquecimento para temperaturas acima de 24

o
C.

o
Para aquecer o sensor a temperaturas acima de 24 C, um resistor cermico de 20

W, atuando como fonte de calor, foi acoplado ao lado inferior do encapsulamento do


5.3 resultados obtidos 83

circuito integrado utilizando pasta trmica para melhorar o contato trmico entre as duas

partes. O arranjo mostrado na Figura 5.8. Do lado oposto do resistor de aquecimento

foi acoplado um termopar (tipo K) conectado a um instrumento referencial de medio.

A massa total do arranjo relativamente grande, o que proporciona uma resposta lenta,

mas tambm bastante estvel quando o equilbrio trmico estabelecido. O arranjo foi

colocado no interior de uma pequena caixa de poliestireno fechada de forma no hermtica.

Figura 5.8  Arranjo implementado para o ensaio trmico do sensor fabricado.

Primeiramente foram realizados os testes de resfriamento. Para isso, a caixa de

poliestireno contendo o sensor de temperatura foi colocada no interior de um

refrigerador comercial. Refrigerador foi ajustado para diferentes temperaturas e as

medidas tomadas aps cada estabilizao trmica. O papel da caixa de poliestireno

durante esses testes foi o de assegurar um ambiente termicamente mais estvel para o

sensor, uma vez que a atmosfera interna de um refrigerador comercial tpico costuma ser

bastante turbulenta devido a circulao forada de ar frio. Durante esses testes

nenhuma corrente foi aplicada resistncia de aquecimento. A temperatura mais baixa

o
alcanada foi -30 C.

Os testes de aquecimento foram realizados aps o m dos testes de resfriamento.

Para esses testes, a caixa contendo o arranjo com o sensor foi removida do refrigerador.

Aps a estabilizao trmica com a temperatura ambiente, uma sequncia progressiva de

degraus de corrente foi aplicada resistncia de aquecimento. Cada degrau de corrente

foi mantido at que se observasse o equilbrio trmico quando ento as medidas eram

o
tomadas.A temperatura mais alta testada foi 130 C. Embora o sensor tenha sido

o o
projetado para poder operar at a 150 C, evitou-se temperaturas acima de 130 C para
5.3 resultados obtidos 84

evitar o desolamento da tampa cermica do encapsulamento que protege o microchip. A

resposta do sensor de temperatura medida apresentada na Figura 5.9.

Figura 5.9  Tenso de sada em funo da temperatura para o sensor fabricado. Os crculos
representam os pontos medidos empiricamente, a reta contnua indica a resposta
perfeitamente linear e a curva com marcadores em cruz representa a resposta
prevista por simulao.

Conforme se pode notar, a resposta emprica do sensor de temperatura ainda mais

linear do que aquela prevista em simulao. Como em simulao o desvio observado na

resposta do sensor em relao a um referencial linear se deve principalmente devido a

uma pequena variao no ponto ZTC de M1 , acredita-se que essa melhora se deva a uma

fortuita variao de processo na fabricao do transistor.

O erro entre a curva de temperatura do sensor testado e a resposta linear ideal dentro

o o
da faixa de testes (-30 C a 130 C ) representada na Figura 5.10. O maior erro observado

o
ocorre em 130 C , sendo de aproximadamente 1,8 o C , ou 1,38 %. O erro absoluto inferior

o o o
a 0,1 C para temperaturas abaixo de 60 C e menor do que 0,5 C for temperaturas entre

o o
60 C e 115 C.
O consumo do sensor ainda no pode ser medido com boa preciso, pois os

instrumentos disponveis para os ensaios so incapazes de medir correntes menores do

que 100 nA, sendo esse limite o valor registrado, o que implica num consumo estimado

de 100 nW, j que a tenso de alimentao 1 V. O valor previsto em teoria 110 nW.
5.4 concluso 85

Figura 5.10  Erro medido entre a curva de temperatura do sensor testado e a resposta linear
ideal dentro da faixa de -30 a 130 o C .

5.4 Concluso

O sensor de temperatura projetado foi fabricado e testado com excelentes resultados

empricos. A resposta do sensor fabricado foi ainda mais linear do que aquela prevista

em simulao, o que comprova o acerto das decises de projeto tomadas. Alm disso, a

corrente de trabalho extremamente reduzida do sensor torna desprezveis as distores de

medida causadas pelo aquecimento dos prprios componentes, alm do benefcio direto

de economia de energia. A potncia consumida por esse sensor to baixa que torna

seguro armar que o mesmo pode ser adotado em etiquetas RFID sensoras HF ou UHF

sem impactos signicativos nas distncias de leitura.


Captulo 6
Condicionador de Sinal Para Sensores
Nanotubos de Carbono

6.1 Introduo

A capacidade de ajuste remoto permite que a unidade leitora possa corrigir o ajuste

da etiqueta sensora sem a necessidade de contato ou interveno fsica, um recurso valioso

em casos em que a etiqueta est em pontos de difcil acesso ou encerrada no interior de

um compartimento lacrado, por exemplo. Isso tambm permite a eliminao de terminais

de acesso e componentes de ajuste externos (tais como resistores ou trim-pots ) no caso de


uma implementao completa em silcio, o que aumenta o potencial de miniaturizao do

sistema. Em alguns casos, o ajuste do sistema de medio de um sensor pode ser utilizado

para otimizar a faixa de leitura para uma aplicao particular, ajustando seus limites

faixa de valores possveis da aplicao em questo. Uma vez ajustado, os parmetros do

ajuste podem ser memorizados na etiqueta para a realizao das medies futuras.

O sinal de tenso relativo a leitura de um dos sensores entregue pelo bloco

Multiplexador precisa ser corretamente tratado antes de ser entregue ao conversor A/D.

Dois tratamentos bsicos foram previstos, o ajuste de zero e o ajuste de ganho, ambos

programveis de maneira a poderem ser alterados remotamente pela unidade leitora da

etiqueta RFID.

O ajuste de zero de um sistema de medio o ajuste que tem como objetivo tornar

a sada do sistema nula quando a grandeza que se deseja medir for nula (ISO, 2008).

Em um sistema de medio eletrnico, uma forma bastante comum de implementar

esse ajuste compondo-se o sensor em um arranjo do tipo Ponte de Wheatstone, conforme

ilustrado na Figura 6.1(a). Neste arranjo, a tenso de resultante ( Vs ) do divisor formado

86
6.1 introduo 87

pelo resistor Rp e pelo sensor (Rs) comparada com a tenso referencial (Vref ) resultante
do divisor formado por R1 e R2. O ajuste de zero nesse arranjo resume-se a ponderar

R1 e R2 de forma a igualar a tenso Vref tenso Vs quando a grandeza medida pelo

sensor for nula. Nessa situao resultante ser V M = V s V ref = 0. Caso a resistncia

do sensor cresa com o aumento da grandeza medida, a tenso resultante ir se elevar

proporcionalmente ao aumento da grandeza. Caso contrrio, o aumento da grandeza

provocar uma elevao negativa em VM.

(a) Tenso referencial (Vref) xa. (b) Tenso referencial ajustvel.


Figura 6.1  Sensor em um arranjo do tipo Ponte de Wheatstone.

Apesar deste arranjo permitir o ajuste de zero de maneira bastante simples, esse ajuste

requer a alterao dos valores dos componentes do brao direito da ponte (resistores R1 e

R2 ), o que comumente feito substituindo por um trim-pot ou potencimetro, conforme

a Figura 6.1(b). Em ambos os casos, o ajuste requer interferncia manual direta. Na

soluo adotada, a tenso referencial gerada por meio de um conversor D/A a capacitores

chaveados, permitindo que o ajuste de zero possa ser programado pela entrada digital

ZeroAdj de 8 bits, podendo assumir valores entre Vref- e Vref+.


Alm disso, como o sistema completo de medio, neste caso, integra a unidade

leitora, parte do ajuste pode ser feito na etiqueta e a outra parte pelo leitor. Essa

estratgia permite que zero da grandeza para o sistema etiqueta corresponda no ao

zero real da grandeza, mas a um valor mnimo pr-determinado, coerente com uma

aplicao especca.

O segundo ajuste feito pelo circuito de condicionamento de sinal, ajuste de ganho,

realizado por um amplicador de instrumentao de ganho programvel. O diagrama

completo do circuito de condicionamento de sinal dos sensores apresentado na Figura


6.1 introduo 88

6.2.

Figura 6.2  Diagrama esquemtico do circuito de condicionamento do sinal dos sensores.

Na Figura 6.2 possvel identicar o amplicador de instrumentao (componente

U1 ) com o respectivo circuito de controle de ganho por realimentao formado pelos

resistores R1 a R3 , os quatro inversores lgicos e as chaves S0 a S4 , implementadas por

portas de transmisso CMOS. O circuito proposto prev cinco valores de ganho distintos,

controlados (ou programados) pelas entradas digitais g0 a g3 que compem a palavra

digital gain. Para gain = 00012 e gain = 00102 , o ganho em corrente contnua ser

denido pelos resistores R1 a R3 conforme a equao

 
R(N +1) + RonN
Av1,2 = 1+ (6.1)
R1 + Ron4
para a qual N o valor decimal da palavra de ganho ( gain ), R(N +1) o valor do resistor

associado ao ganho e RonN a resistncia de conduo da chave SN .


Para gain = 01002 , o ganho ser denido por R1 e pelo resistor externo (Re )

conectado entre o terminal Rext e a sada Vout . Esse resistor de ganho externo ao circuito

de condicionamento de sinais pode ser tanto deixado externo ao circuito integrado

quanto internamente posicionado nas vizinhanas do prprio circuito. A primeira

alternativa permite a adoo de ganho arbitrrio que pode facilmente ser de valor

elevado, uma vez que grandes valores de resistncia no costumam ser um problema na
6.1 introduo 89

escala de circuito. Por outro lado, essa alternativa implica em dois pads adicionais no

circuito integrado, o que inclui o prprio terminal de sada do amplicador de

instrumentao, diretamente ligado entrada do conversor A/D. Externar este terminal

pode ter impacto considervel no rudo do sistema, degradando o sinal medido. uma

escolha perfeitamente vlida em um circuito de caracterizao mas para uma soluo

nal essa desvantagem deve ser cuidadosamente ponderada. Em contrapartida, a

colocao do resistor Rg no prprio circuito integrado traz a vantagem de poupar os dois

pads externos e reduzir o rudo, mas tambm elimina a possibilidade de um ajuste

arbitrrio do ganho associado e pode ter impacto signicativo na rea de silcio caso o

valor da resistncia seja muito elevado. Para essa congurao, o ganho pode ser

calculado conforme a equao

 
Re + Ron2
Av3 = 1 + (6.2)
R1 + Ron4
O ganho unitrio obtido com a palavra gain = 10002 que fecha a chave S3 e abre

a chave S4 , colocando o amplicador na congurao de seguidor de tenso. Para ganho

mximo a palavra gain deve ser zero, fazendo com que as chaves S0 a S3 quem abertas

e o amplicador passe a operar em malha aberta. Nessa situao, o circuito interno de

compensao em frequncia do amplicador no mais necessrio e pode ser desligado, o

que feito com auxlio da porta OU de quatro entradas conectadas a palavra de ganho.

O ajuste de oset do amplicador, correspondente ao ajuste de zero do sensor,

implementado pelo conversor digital/analgico de 8 bits (DAC-8b), cuja tenso de sada

denida pela palavra digital ZeroAdj de oito bits. Mais uma vez, buscando-se minimizar

o consumo de energia, adotou-se um conversor D/A a capacitores chaveados (tambm

chamado conversor D/A por redistribuio de carga). A tenso de oset do circuito,

identicada como V cm, ligada a um terminal de mesmo nome para ser futuramente

conectada a um pad externo do circuito integrado de teste para ns de caracterizao. A

entrada Vbias refere-se tenso de polarizao comum ao amplicador de instrumentao

e ao amplicador interno de sada do conversor D/A. As entradas analgicas V ref + e

V ref referem-se s tenses referenciais superior e inferior do conversor D/A, podendo

inclusive assumir valores acima e abaixo dos de alimentao. Por m, a entrada rst
destina-se ao reset do conversor, devendo ser ativada por um breve perodo antes de

da programao do oset para garantir que qualquer carga residual ou parastica nos
6.2 amplificador de instrumentao de ganho e oset programveis 90

capacitores do conversor seja eliminada a m de no distorcer o valor analgico da tenso

de sada desejada.

O projeto de cada um dos componentes do sistema ser discutido em mais detalhes

nas sees seguintes.

6.2 Amplicador de Instrumentao de Ganho e Oset


Programveis

Ao contrrio da anlise bibliogrca sobre conversores A/D, no foi possvel

identicar em todas as fontes pesquisadas uma convergncia em torno de uma topologia

de amplicadores de instrumentao que se mostre mais indicada ao uso em etiquetas

RFID sensoras.

Amplicadores de instrumentao baseados nas trs topologias clssicas, isto , trs

amplicadores, realimentao de corrente ou realimentao resistiva caracterizam-se

por apresentar uma excelente linearidade e elevada capacidade de ganho mas, por outro

lado, apresentam ecincia enrgica limitada. Seu consumo tipicamente est na faixa de

dezenas de W a dezenas de mW. Amplicadores de Instrumentao de topologia

chopper, em contrapartida, apresentam uma elevada ecincia energtica, mas no a

mesma linearidade das topologias clssicas e seu ganho DC tipicamente da ordem de

20 dB (10 V/V), s alcanando o valor mximo para sinais de frequncia na ordem de

dezenas ou centenas de Hertz. Adicionalmente, na topologia chopper o ganho em

corrente alternada denido por uma relao entre capacitncias que so, por sua vez,

chaveadas por um circuito de controle. Por essa razo, a implementao do recurso de

ganho programvel requer ou a mudana da frequncia de chaveamento dos capacitores

ou a mudana mesma das capacitncias. Tais solues implicam em problemas com

injeo de cargas parasitas, elevao do oset residual e da potncia do rudo no sinal de

sada. A melhor soluo, portanto, parece depender da aplicao de destino.

Para uma etiqueta sensora RFID cuja aplicao requeira o monitoramento contnuo

de sinais variantes no tempo com frequncia igual o maior que alguns Hertz, como sinais

biolgicos, por exemplo, o amplicador de instrumentao em topologia chopper parece

ser o mais indicado. Um exemplo de aplicao desse tipo pode ser visto em (YEAGER et al.,
2010), uma etiqueta sensora RFID UHF para a faixa de 900 MHz. Nela um amplicador

em topologia chopper utilizado para amplicar o sinal de um termopar que ento


6.2 amplificador de instrumentao de ganho e oset programveis 91

aplicado em um conversor A/D. A etiqueta completa foi capaz de operar a 3 m de distncia

da antena leitora.

Para etiquetas sensoras cuja aplicao requeira o monitoramento intermitente de sinais

em momentos pontuais, o amplicador de instrumentao em uma das trs topologias

clssicas parece ser a melhor soluo. Um exemplo da aplicao de um amplicador de

topologia clssica em um sistema de sensoriamento sem o pode ser visto em (BULT et al.,
1996).

O sistema que se prope neste trabalho no se destina a monitorao contnua no

tempo mas a medies da concentrao de gases em momentos pontuais. Por outro lado,

as resistncias dos sensores de nanotubos de carbono projetados devem assumir um valor

entre 100 k e 300 k com variao de 0,001% a 20% mediante a exposio ao gs alvo,

conforme explicado em maiores detalhes no Captulo 7. Assumindo o pior caso, isto ,

RS = 100 k e RS = 0, 001%, se o sensor for polarizado por resistor de pull-up tal como

na Figura 6.1, com RP = 200 k e VDD = 1, 2 V , a menor variao do sinal do senor

ser de 2, 67 V . Como a faixa de tenses de entrada do conversor A/D projetado de

500 mV (valores inferiores podem ser utilizados, mas com perda de linearidade), o ganho

correspondente para o amplicador de 106,57 dB, bem acima do ganho tpico de um

amplicador chopper em corrente contnua. Por essas razes uma topologia clssica foi

adotada.

Dentre as trs topologias clssicas, a de realimentao de corrente que apresenta a

menor ecincia energtica, tendo sido por isso descartada. Entre as topologias a trs

amplicadores e realimentao resistiva (dois amplicadores), a ltima opo a mais

eciente em termos de consumo. Em contrapartida, essa topologia apresenta uma baixa

rejeio de modo comum (CMRR) e rudo muito elevado para altos ganhos, o que a torna

dicilmente empregvel para ganhos acima de 60 dB. Dessa forma, a topologia clssica

a trs amplicadores se mostra a mais adequada para a soluo proposta. O diagrama

esquemtico da sua implementao clssica apresentado na Figura 6.3.

Algumas variaes da topologia a trs amplicadores foram estudadas na tentativa

de implementar o amplicador de instrumentao com as caractersticas adequadas, isto

, impedncia de entrada elevada, ganho da ordem de 107 dB, baixssimo consumo

(menor que 10 W ), tenso de alimentao no simtrica e no superior a 1,2 V. Por

tratar-se de um projeto que tem a limitao de consumo como sua principal diretriz, a
6.2 amplificador de instrumentao de ganho e oset programveis 92

Figura 6.3  Diagrama esquemtico da topologias a trs amplicadores do amplicador de


instrumentao clssico.

implementao do amplicador utilizando transistores operando na regio sub-limiar

uma escolha bastante natural. Contudo, amplicadores de ganho muito elevado

operando na regio sub-limiar costumam requerer transistores com a largura do canal

bastante elevada ou mesmo W e L simultaneamente elevados. Tais caractersticas so

inconvenientes para o leiaute e podem dar origem ao descasamento no desprezvel do

par diferencial. Por essa razo, decidiu-se testar as duas alternativas (implementao em

inverso forte e em sub-limiar) a m de estabelecer de forma mais segura uma boa

soluo.

Partindo primeiramente das implementaes em inverso forte, tentou-se a soluo

baseada em amplicadores de um estgio na entrada e tipo Miller na sada, mas ela

no se mostrou capaz de cumprir os requisitos de ganho e consumo. A soluo baseada

em trs amplicadores do tipo Miller operando em inverso forte atendeu aos requisitos

de ganho e impedncia de entrada mas apresentou um consumo muito mais elevado do

que a especicao. Alm disso, ambas as implementaes necessitam resistores de valor

elevado para atender ao ganho especicado sem elevar demasiadamente o consumo. Esta

armao pode ser melhor compreendida analisando-se o ganho deste amplicador cuja

equao expressa por (BALBINOT; BRUSAMARELLO, 2010):

 
2R56 R24
V out = V in 1 + (6.3)
Rg R13
sendo R56 = R5 = R6 , R13 = R1 = R3 e R24 = R2 = R4 , conforme a Figura 6.3.

Dessa forma, um ganho muito elevado requer o aumento das relaes R56 /Rg e R24 /R13 ,
o que no pode ser feito reduzindo-se muito R13 sob pena de sobrecarregar os estgios de
6.2 amplificador de instrumentao de ganho e oset programveis 93

sada dos amplicadores A1 e A2 com cargas de impedncia muito baixas nem reduzindo-

se muito Rg a ponto de torna-lo prximo a resistncia de conduo da prpria porta

de transmisso CMOS que precisar chave-lo juntamente com outras resistncias para

controlar o ganho. A consequncia natural o aumento das resistncias de R24 e R56 .


Quando assumem valores muito altos, tais resistores requerem uma grande rea de silcio

para serem implementados, o que se soma ainda a rea dos capacitores de compensao dos

trs amplicadores, resultando numa grande rea total ocupada somente pelo amplicador

de instrumentao.

Naturalmente, refazer as solues anteriores utilizando amplicadores com transistores

operando na regio sub-limiar seria uma alternativa vlida, mas no livraria o problema

da rea ocupada pelos resistores. Buscou-se ento uma alternativa que permitisse reduzir

o nmero de resistores e ainda fosse capaz de atender aos requisitos. A implementao

baseada no Amplicador Diferencial de Diferenas, proposto inicialmente por Sackinger

e Guggenbuhl (SACKINGER; GUGGENBUHL, 1987) mostrou-se uma alternativa atrativa.

Seu diagrama esquemtico mostrado na Figura 6.4.

Figura 6.4  Diagrama esquemtico do amplicador operacional projetado.

De maneira abstrata, o Amplicador Diferencial de Diferenas (ADD) pode ser

entendido como uma variante da topologia a trs amplicadores ilustrado na Figura 6.3.

Neste caso, os dois amplicadores que compem o primeiro estgio (A1 e A2) so

implementados pelo par de amplicadores diferenciais formados pelos transistores M1a,b ,


M2a,b , M3 , M4 e M5a,b . Ao mesmo tempo, o espelho de corrente formado pelos

transistores M3 e M4 vincula os dois pares diferenciais do primeiro estgio, forando uma

sada nica, tal como faria o estgio de entrada diferencial do terceiro amplicador (A3)
6.2 amplificador de instrumentao de ganho e oset programveis 94

na implementao clssica. Por m, os transistores M6 e M7 formam o estgio de sada

tal como tambm o faria o estgio de sada do terceiro amplicador na implementao

clssica. Como os resistores de realimentao interna existentes na implementao

clssica no possuem equivalentes diretos no ADD, o controle do ganho pode ser

implementado por uma realimentao externa, tal como ilustrado na Figura 6.5.

Figura 6.5  Implementao do amplicador de instrumentao a partir do amplicador


diferencial de diferenas.

Nessa situao, o ganho do amplicador de instrumentao ser dado por:

 
R1
Av = 1+ (6.4)
R2
Naturalmente a congurao como buer no inversor, til para a determinao do

slew rate, correspondente a Av = 1, implica em R1 = 0 na Equao 6.4,

independentemente do valor de R2 , ou seja, pode ser obtida conectando-se diretamente a

sada (Vout ) entrada Vin e eliminando-se R2 . Da mesma forma como se faria em um

amplicador operacional comum.

Contrariamente implementao clssica na qual amplicadores de dois estgios so

ligados em cascata multiplicando-se os ganhos, o amplicador de instrumentao

implementado a partir do Amplicador Diferencial de Diferenas possui apenas dois

estgios entre as entradas e a sada. A realizao de um amplicador de ganho elevado

nessas condies requer que os prprios transistores de amplicao tenham o ganho

elevado. Essa condio pode ser satisfeita sem que um consumo de corrente elevado seja

necessrio, projetando o amplicador para operar com os transistores na regio

sub-limiar.

Admitindo-se que os pares diferenciais do Amplicador Diferencial de Diferenas so

perfeitamente casados, isto , M1a = M1b = M2a = M2b e que ambos so polarizados
6.2 amplificador de instrumentao de ganho e oset programveis 95

pelo mesmo valor de corrente, ou seja, M5a = M5b com um espelho de relao unitria

(M3 = M4 ), pode-se concluir da anlise de pequenos sinais que seu ganho total dado

por:

  
1 1
AvDC = gm1 gm6 (6.5)
gds1 + gds3 gds6 + gds7
Para transistores MOS operando em regime sub-limiar na regio de saturao, a

transcondutncia pode ser calculada por:

ID
gm = (6.6)
mVT
sendo m o parmetro de inclinao sub-limiar e VT a tenso termodinmica. Da mesma

forma, a resistncia de dreno-fonte pode ser calculada como:

D ID
rds = (6.7)
mVT
para a qual D o coeciente de abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL).

Aplicando as Equaes 6.6 e 6.7 na Equao 6.5, e considerando que o parmetro m entre
transistores do mesmo tipo aproximadamente igual, pode-se aproximar o ganho total

do amplicador por:

1
AvDC (6.8)
(D1 + 2D3 )(D6 + D7 )
Como o efeito de abaixamento de barreira induzido pelo dreno est fortemente

relacionado com a distncia entre os terminais de dreno e fonte do transistor, o

coeciente D , e consequentemente o ganho AvDC pode ser dimensionado ajustando-se o

valor de L. De maneira mais especca, o coeciente D inversamente proporcional a L


e a tenso entre dreno e fonte, VDS .
Tendo o dimensionamento das medidas L dos transistores em funo do ganho

almejado como ponto de partida, diversas implementaes foram tentadas para

diferentes combinaes de tenso de alimentao (VDD ), tenso de modo comum (VCM )

e correntes I5 e I6. A melhor combinao de parmetros no evidente num primeiro

momento devido s implicaes que a melhora de uma caracterstica traz sobre as

demais. Ao nal, duas implementaes alcanaram bons resultados sendo reportadas a

seguir.
6.2 amplificador de instrumentao de ganho e oset programveis 96

Os parmetros aproximados de dimensionamento da primeira implementao

satisfatria do Amplicador Diferencial de Diferenas (Soluo A) so apresentados na

Tabela 6.1.

Tabela 6.1  Parmetros de dimensionamento dimensionamento da Soluo A para o


Amplicador Diferencial de Diferenas.
VDD VCM I6 /I5 CC AvDC
M1,2 M3,4 M5 M6 M7 M8
(mV) (mV) (nA/nA) (pF) (terico)
925 425 1800/100 108/22 234/40 11/2 186/1,5 324/4,5 60/22 0,8 104 dB

Os dados de tenso nominal e correntes de polarizao denem o consumo desta

soluo em 1,85 W, chegando a 2,0 W se for alimentado com VDD = 1 V. O slew rate
foi calculado adaptando-se para o caso do ADD o caso geral para amplicadores de dois

estgios descrito por Palmisano et al. (PALMISANO et al., 2001). Neste caso,

considerando-se o arranjo ilustrado na Figura 6.6(a) para uma carga capacitiva CL


conectada na sada, o slew rate pode ser calculado como:

 
I5 I6
SR = minimo , (6.9)
CC CL + CC
De outra forma, se o amplicador for conectado conforme o arranjo ilustrado na Figura

6.6(b) (equivalente ao arranjo da Figura 6.6(a) com Vcm = 0 V), haver uma corrente

de polarizao mdia igual a I5 /2 uindo atravs dos dois transistores do par diferencial

ligados a tenso de modo comum, por consequncia, apenas a outra metade de I5 estar

disponvel para a carga e descarga do capacitor de compensao CC . Neste caso, a Equao

6.9 pode ser reescrita como:

 
I5 I6
SR = minimo , (6.10)
2CC CL + CC

(a) Buer convencional. (b) Buer com polarizao Vcm.


Figura 6.6  Amplicador Diferencial de Diferenas em arranjo tipo buer.

Este segundo arranjo compatvel com aquele descrito na Figura 6.2, razo pela qual

a Equao 6.10 foi utilizada no dimensionamento do amplicador. Para os parmetros


6.2 amplificador de instrumentao de ganho e oset programveis 97

dados na Tabela 6.1, e considerando as duas capacitncias de carga possveis no projeto,

isto , 4 pF e 7,5 pF (relativas aos conversores A/D de 8 e 10 bits, respectivamente), o

slew rate calculado foi 62,5 mV/s para ambos os casos (o primeiro termo da Eq. 6.10 foi

dominante nas duas situaes).

O ganho terico do amplicador, utilizado como ponto de partida do projeto, foi

calculado pela equao 6.8 como sendo 103,6 dB. Embora esse valor esteja abaixo da

especicao estabelecida (107 dB), ele apenas reete a relaxao dos parmetros dos

transistores realizada aps as simulaes que indicaram o ganho adequado, conforme

exposto na Seo 6.4.

Para um amplicador de dois estgios tipo Miller, a capacitncia de compensao Cc


pode ser calculada por:

gm1
CC (6.11)
2 GBW
para a qual gm1 a transcondutncia do transistor de entrada M1 e GBW o produto

ganho-largura de banda desejado. No caso do ADD, o transistor de entrada M1a s

contribui com metade do sinal de sada do primeiro estgio em relao ao equivalente

Miller, por essa razo a Equao 6.11 pode ser reescrita para o ADD como:

gm1
CC (6.12)
4 GBW
Dessa forma, para GBW = 100 kHz e gm1 = 1 A/V (obtido por simulao), o

capacitor de compensao calculado foi CC 796 fF. Adotou-se CC = 800 fF. Alm

disso, o amplicador foi projetado para um oset de sada igual a 400 mV que o valor

mediano da faixa de entrada do conversor A/D em operao nominal (Vref = 150 mV e

Vref + = 650 mV).

Finalmente, o transistor M9 foi dimensionado de forma a atuar como pseudo-resistor

quando Cen = 1 V, agindo juntamente o capacitor CC na compensao de fase do

amplicador. Seu dimensionamento foi feito com base nas simulaes de resposta

frequencial. O valor elevado de da largura do seu canal decorre da necessidade de se

manter o valor da resistncia de canal sucientemente alta mesmo para um valor elevado

de tenso porta-fonte. Ao mesmo tempo, o controle desse transistor (via entrada Cen),
permite desligar a compensao de fase caso o amplicador passe a operar em malha

aberta, tornando sua resposta mais rpida nessa situao.


6.2 amplificador de instrumentao de ganho e oset programveis 98

Os parmetros aproximados de dimensionamento da segunda implementao

satisfatria do Amplicador Diferencial de Diferenas (Soluo B) so apresentados na

Tabela 6.2.

Tabela 6.2  Parmetros aproximados de dimensionamento da Soluo B para o Amplicador


Diferencial de Diferenas.
VDD VCM I6 /I5 CC AvDC
M1,2 M3,4 M5 M6 M7 M8
(mV) (mV) (nA/nA) (pF) (terico)
950 450 600/400 35/2 30/2 45/2 24/1 52/1 2/24 1,2 83,7 dB

Conforme se pode notar, esta ltima implementao possui grandes diferenas em

relao a Soluo A. Primeiramente, o requisito de ganho foi relaxado no projeto de 107

dB para 80 dB. Esse ganho no atende o caso mais exigente de sensoriamento (variao

da entrada de 0,001%, tipicamente obtida no sensoriamento do Nitrognio) mas atende

ao sensoriamento de gases mais reagentes ao sensor cuja resposta requer ganhos bem mais

modestos (da ordem de 40 a 60 dB).

A reduo do requisito de ganho teve impacto no dimensionamento de todos os

componentes do amplicador. O primeiro benefcio direto foi a reduo drstica das

dimenses dos transistores. Enquanto na Soluo A a porta dos maiores transistores

(M3,4 ) ocupa uma rea de aproximadamente 9360 m 2 (234 40 m), na Soluo B

essa rea de aproximadamente 90 m (transistores M5a,b , 45 2 m). O segundo

impacto notvel foi o aumento da corrente de polarizao do primeiro estgio que saltou

de 100 nA na Soluo A para 400 nA na Soluo B.

O aumento de I5 foi feito para melhorar o slew rate que na Soluo A era limitado pelo
primeiro estgio do amplicador. Na Soluo A essa melhora virtualmente invivel pois

todo transistores do primeiro estgio, que j so bastante grandes, teriam que ter seus

comprimentos aumentados ainda mais. Em contrapartida ao aumento de I5 , a corrente

no segundo estgio foi reduzida em um tero, passando a ser de 600 nA. Embora essa

reduo tenda a limitar o slew rate ela permite reduzir o consumo total do amplicador,

bem como as dimenses dos transistores do segundo estgio. Com a reduo da corrente

total de polarizao, consumo total da Soluo B de apenas 1,33 W em tenso nominal


(950 mV), ou, 1,4 W se alimentada com 1 V.

Adotou-se para essa implementao um produto ganho-largura de banda mais elevado,

GBW = 500 kHz. A capacitncia de compensao calculada foi CC = 1,2 pF. O slew
rate terico para essa implementao, considerando CL = 4 pF e CL = 7,5 pF foi 115
6.3 conversor digital/analgico de 8 bits 99

mV/s e 69 mV/s, respectivamente. Desta vez, o segundo termo da Equao 6.10 foi

predominante nos dois casos.

6.3 Conversor Digital/Analgico de 8 bits

Mais uma vez, buscando-se minimizar o consumo de energia, adotou-se um conversor

D/A a capacitores chaveados (tambm chamado conversor D/A por redistribuio de

carga), cujo diagrama geral apresentado na Figura 6.7.

Figura 6.7  Diagrama do conversor digital/analgico projetado para o ajuste de oset no


circuito de condicionamento do sinal dos sensores.

Conforme se pode notar, esse conversor composto por dois componentes principais,

a matriz capacitiva, responsvel pela converso do valor digital aplicado nas entradas b0
a b7 (conectadas porta ZeroAdj ) na tenso analgica correspondente (dacOut), e um

amplicador operacional conectado como buer, responsvel por isolar a matriz

capacitiva da carga conectada na sada do conversor (V out), evitando que esta

descarregue ou distora a tenso ali presente. As subsees seguintes trataro mais

detalhadamente do projeto de cada um desses componentes.

6.3.1 Matriz Capacitiva

A matriz capacitiva que compe o ncleo do conversor digital/analgico projetado e

segue basicamente o mesmo arranjo daquele empregado no projeto do primeiro conversor

analgico/digital fabricado. Seu diagrama esquemtico simplicado apresentado na

Figura 6.8.

Da mesma forma que na matriz capacitiva do conversor A/D, um conjunto de

capacitncias de peso binrio chaveada por um conjunto de chaves comandadas por


6.3 conversor digital/analgico de 8 bits 100

Figura 6.8  Diagrama esquemtico do conversor digital/analgico empregado no circuito de


condicionamento do sinal dos sensores.

uma palavra binria. A diviso da matriz de 8 bits em duas partes de 4 bits cada,

conectadas em cascata por um capacitor de escalonamento CS para evitar o uso de

capacitores demasiadamente grandes nos bits mais elevados tambm vlida e aplicvel

neste caso, tal como ilustrado na Figura 6.8, sendo seu valor calculado por:

24 16C
CS = C 4
= (6.13)
2 1 15
Seu princpio de funcionamento bastante simples, consistindo basicamente em um

divisor de tenso capacitivo entre a tenso de referencia superior, Vref + , e inferior, Vref .
Diferentemente do conversor A/D, neste caso no necessria uma sequncia especca

de chaveamento dos capacitores para o correto funcionamento do conversor, salvo pelo

comando das chaves de descarga da matriz, S1a e S1b que devem ser fechadas antes da

carga de uma nova palavra digital na entrada. Ao mudar a palavra digital na entrada do

conversor, as chaves iro posicionar as placas inferiores dos capacitores em um dos trilhos

de referncia (Vref + ou Vref ), fazendo com que os capacitores se carreguem de acordo

com seu peso e diferena de potencial. Como os ns Vx e dacOut so justamente os ns

centrais do divisor capacitivo, sua tenso ser a tenso do prprio divisor. Sendo assim, a

tenso de sada dacOut pode ser calculada diretamente pela equao (MALOBERTI, 2007):

 
b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0
dacOut = Vref + 0
+ 1+ 2+ 3+ 4+ 5+ 6+ 7 (Vref + Vref ) (6.14)
2 2 2 2 2 2 2 2

O projeto seguiu as mesmas diretrizes do conversor D/A empregado no conversor

analgico/digital de 8 bits validado experimentalmente, porm com algumas alteraes.

O diagrama esquemtico da matriz capacitiva implementada mostrado na Figura 6.9.


6.3 conversor digital/analgico de 8 bits 101

Figura 6.9  Diagrama esquemtico da matriz capacitiva implementada para o conversor D/A
de 8 bits.
6.3 conversor digital/analgico de 8 bits 102

Primeiramente foram eliminados os inversores de tenso responsveis pelo comando das

chaves de reset da matriz (I1 e I2), no mais necessrios uma vez que tanto Vx quanto

dacOut s assumem valores positivos de tenso. Da mesma forma, foram eliminadas

tambm as chaves de amostragem associadas Vin e a chave associada Vref .


Alguns melhoramentos aplicados ao conversor A/D de 10 bits tambm foram adotados

nesse projeto. A capacitncia unitria adotada foi de 120 pF, ao invs de 98 pF, como

no conversor D/A do A/D de 8 bits. Tambm se adotou o mesmo dimensionamento das

chaves de comando dos capacitores utilizado no A/D de 10 bits a m de reduzir a injeo

de carga pelas chaves.

6.3.2 Amplicador Operacional de Ultra-Baixo Consumo

Conforme exposto na Seo 6.3, a matriz capacitiva do conversor D/A no capaz

de comandar cargas conectadas sua sada, seno capacitivas de valor muito menor do

que a da sua prpria rede. Por essa razo, um buer de sada necessrio ao conversor

D/A. Esse buer de sada geralmente implementado por um amplicador operacional,

ao invs de um simples estgio de ganho, a m de minimizar as distores no sinal de

tenso introduzidas pelo buer.


Para atender s caractersticas da carga a qual o conversor ser conectado, isto , o

amplicador de instrumentao e circuito de programao do ganho, foi projetado um

amplicador operacional de ultra-baixo consumo, utilizando transistores polarizados na

regio sub-limiar, da mesma forma como descrito na Seo 6.2. Adicionalmente, para

a tenso de polarizao das fontes de corrente, Vbias , adotou-se o mesmo valor que foi

empregado nas duas verses do amplicador de instrumentao (250 mV), de forma a

simplicar o circuito referencial de tenso e poupar energia. O diagrama esquemtico do

amplicador projetado apresentado na Figura 6.10

Os parmetros aproximados de dimensionamento do amplicador operacional

projetado so apresentados na Tabela 6.3.

Tabela 6.3  Parmetros aproximados de dimensionamento do amplicador operacional


projetado para o conversor D/A.
VDD VCM I6 /I5 RC CC AvDC
M1,2 M3,4 M5 M6 M7
(mV) (mV) (nA/nA) (M) (fF) (terico)
925 400 40/860 10/5 5,6/2 6,4/4 117/1 118/3 1,8 190 94 dB
6.3 conversor digital/analgico de 8 bits 103

Figura 6.10  Diagrama esquemtico do amplicador operacional projetado.

Conforme se pode notar, o ganho previsto em teoria para este amplicador bastante

elevado, aproximadamente 94 dB. Embora esse no tenha sido um requisito diretor do

projeto, o ganho elevado minimiza a distoro de tenso entre a entrada e a sada do

buer sendo, portanto, uma caracterstica desejvel. Ao mesmo tempo, esse ganho foi

alcanado sem a necessidade do emprego de transistores de dimenses elevadas o que

se deve basicamente baixa corrente de polarizao do primeiro estgio (40 nA). Isto

foi possvel graas a baixa capacitncia de carga especicada, CL = 2 pF, e a baixa

capacitncia de compensao, CC = 190 fF.

Os transistores de comprimento elevado no segundo estgio, bem como a corrente de

polarizao, mais de vinte vezes mais elevada do que a do primeiro estgio, foram

necessrios para dar ao amplicador capacidade de comandar as cargas resistivas que

compem o circuito de programao de ganho associado ao amplicador de

instrumentao.

O consumo total do amplicador de apenas 832 nW em tenso nominal (925 mV), ou,

900 nW se alimentado com 1 V. Adotou-se para esse projeto um produto ganho-largura

de banda igual 500 kHz. O slew rate terico de 393 mV/s, sendo limitado pelo segundo
termo da Equao 6.10.
6.4 resultados obtidos 104

6.4 Resultados Obtidos

Os resultados relatados nesta seo referem-se queles obtidos em simulao, uma

vez que o circuito de condicionamento de sinal dos sensores no chegou a ser enviado

para fabricao para a realizao de testes experimentais. Em vista da variedade dos

componentes cujo projeto relatado neste captulo, a exposio dos resultados obtidos

est divida em subsees, uma para cada componente.

6.4.1 Amplicador de Instrumentao

A curva caracterstica de entrada e sada da Soluo A para o Amplicador

Diferencial de Diferenas utilizado para implementar o amplicador de instrumentao

foi simulada para as caractersticas nominais projetadas de alimentao e carga. O

resultado apresentado na Figura 6.11.

Figura 6.11  Curva caracterstica de entrada e sada da Soluo A para o Amplicador


Diferencial de Diferenas.

Conforme se pode notar, a resposta do amplicador se mostra bastante linear no

intervalo entre 150 mV e 780 mV, o que corresponde a VSS + 150 mV e VDD - 145 mV,
6.4 resultados obtidos 105

cobrindo com boa margem de segurana a faixa de entrada projetada para o conversor

A/D (150 mV a 650 mV). As tenses de saturao inferior e superior situam-se

aproximadamente em 0 V e VDD , respectivamente. Alm disso, o oset indicado na

curva Vout = 400,54 mV, praticamente o valor exato projetado (400 mV).

A resposta ao degrau para uma entrada de 175 mV a 675 mV apresentada na Figura

6.12.

Figura 6.12  Curva de resposta ao degrau da Soluo A para o Amplicador Diferencial de


Diferenas.

A pior resposta transitria ocorre no nal da transio negativa, entre 4,9 e 5,3 ms. O

detalhe desse intervalo apresentado na Figura 6.13. Apesar do sobressalto levar a sada

do amplicador a saturao negativa a durao desse evento inferior a 100 s, sendo

desprezvel em relao ao tempo limite de resposta do sistema (maior que 200 ms). A

mesma gura tambm permite calcular o slew rate no pior caso. Observa-se uma variao

de 675 mV para 200 mV num intervalo de 10 s, o que corresponde a um slew rate de 47,5

mV/s. O valor simulado razoavelmente inferior ao valor terico (62,5 mV/s), uma

diferena de 24%. O consumo medido foi praticamente igual ao projetado, 1,87 W para

VDD = 925 mV.


6.4 resultados obtidos 106

Figura 6.13  Detalhe do comportamento transitrio da curva de resposta ao degrau no


intervalo entre 4,95 ms e 5,35 ms mediante a transio negativa do sinal de
entrada.

A resposta em frequncia do amplicador foi caracterizada para duas condies

distintas: sem compensao de fase, quando a entrada Cen = 0 V, e com compensao

de fase, quando a entrada Cen = 1 V. Para ambos a maior carga (7,5 pF) foi utilizada.

A resposta para os dois casos apresentada nas Figuras 6.14 e 6.15.

Os resultados apresentados nas Figuras 6.14 e 6.15 indicam que o ganho especicado

(107 db) foi atingido com uma pequena margem de sobra, 107,51 dB. A margem do

amplicador sem a compensao de fase de aproximadamente -3,4 graus, sendo a fase

de 45 graus correspondente a cerca de 40 kHz. Em outras palavras, para Cen = 0 V,

o amplicador em malha aberta no deve operar com sinais de entrada acima de 40

kHz. Embora esse amplicador no se destine a amplicao de sinais desse tipo, essa

caracterizao importante para prever o comportamento do componente mediante a

presena de rudo. A faixa de passagem correspondente ao ganho mximo reduzido de 3

dB tambm indicada na gura, neste caso, 10,88 Hz.


6.4 resultados obtidos 107

Figura 6.14  Resposta em frequncia da Soluo A para o Amplicador Diferencial de


Diferenas com a compensao de fase desativada (Cen = 0 V).

Figura 6.15  Resposta em frequncia da Soluo A para o Amplicador Diferencial de


Diferenas com a compensao de fase ativada (Cen = 1 V).
6.4 resultados obtidos 108

Com a compensao de fase ligada, a faixa de passagem correspondente ao ganho

mximo reduzido de 3 dB cai quase dez vezes, cando igual a 1,11 Hz. Da mesma forma,

o produto ganho faixa de passagem cai de cerca de 326 kHz para pouco mais de 104 kHz

com uma margem de fase de 46,46 graus. Ainda assim, o GBW obtido um pouco maior

do que o denido em projeto (100 kHz).

Os mesmos testes realizados em simulao para o amplicador da Soluo A foram

repetidos para a Soluo B. A curva caracterstica de entrada e sada foi simulada para

as caractersticas nominais projetadas de alimentao e carga da Soluo B. O resultado

apresentado na Figura 6.16.

Figura 6.16  Curva caracterstica de entrada e sada da Soluo B para o Amplicador


Diferencial de Diferenas.

A resposta do amplicador se mostra bastante linear no intervalo entre 150 mV e 800

mV, o que corresponde a VSS + 150 mV e VDD - 140 mV, atendendo adequadamente a

faixa de entrada do conversor A/D. As tenses de saturao inferior e superior situam-se

aproximadamente em 0 V e VDD , respectivamente. O oset indicado na curva Vout =

399,87 mV, apenas 130 V abaixo do projetado (400 mV).

O teste de resposta ao degrau para uma entrada de 250 mV a 650 mV e CL = 4 pF

apresentada na Figura 6.17.


6.4 resultados obtidos 109

Figura 6.17  Curva de resposta ao degrau da Soluo B para o Amplicador Diferencial de


Diferenas.

Figura 6.18  Detalhe do comportamento transitrio da curva de resposta ao degrau no


intervalo entre 2,49 ms e 2,51 ms mediante a transio negativa do sinal de
entrada.
6.4 resultados obtidos 110

Assim como na Soluo A, a pior resposta transitria ocorre no nal da transio

negativa, neste caso em torno de 2,5 ms. O detalhe desse intervalo apresentado na

Figura 6.18. Observa-se uma variao de 650 mV para 460 mV num intervalo de 1,5 s, o

que corresponde a um slew rate de 126,7 mV/s. O valor simulado est um pouco acima

do valor terico para uma carga de 4 pF (115 mV/s). Assim como no primeiro caso, o

consumo medido foi praticamente igual ao projetado, 1,34 W para VDD = 950 mV.

Tal como realizado para a Soluo A, caracterizou-se a resposta em frequncia do

amplicador para duas condies distintas: sem compensao de fase e com compensao

de fase. A carga de 7,5 pF foi utilizada em ambos os casos. A resposta apresentada nas

Figuras 6.19 e 6.20.

As simulaes indicam um ganho em corrente continua igual a 80,93 dB, quase 1 dB

acima do ganho especicado (80 db). A margem de fase do amplicador sem a

compensao de fase de aproximadamente -6,9 graus, sendo a fase de 45 graus

correspondente a cerca de 50 kHz. A faixa de passagem correspondente ao ganho

mximo reduzido de 3 dB foi 2,07 kHz, bem acima do resultado obtido pela Soluo A.

Figura 6.19  Resposta em frequncia da Soluo B para o Amplicador Diferencial de


Diferenas com a compensao de fase desativada (Cen = 0 V).

Com a compensao de fase ligada, a faixa de passagem correspondente ao ganho


6.4 resultados obtidos 111

mximo reduzido de 3 dB cai para 63,05 Hz. Da mesma forma, o produto ganho faixa de

passagem cai de 1,17 MHz para aproximadamente 480 kHz com uma margem de fase de

53,77 graus. O GBW obtido um pouco menor do que o denido em projeto (500 kHz).

Figura 6.20  Resposta em frequncia da Soluo B para o Amplicador Diferencial de


Diferenas com a compensao de fase ativada (Cen = 1 V).

6.4.2 Conversor Digital/Analgico de 8 bits

6.4.2.1 Matriz Capacitiva

A matriz capacitiva foi simulada para os 256 valores possveis de entrada (deve-se

notar que seus bits de entrada so invertidos), com VDD = 1 V, Vref + = 600 mV e Vref
= 100 mV. O consumo mdio simulado foi 843 nW.

A determinao das caractersticas de No Linearidade Diferencial (DNL) e No

Linearidade Integral (INL) do novo A/D foi feita por simulaes do comportamento

esttico do conversor. Para isso foram determinadas as respostas de tenso do conversor

para os 256 possveis cdigos de entrada considerando dois pares de tenses referenciais

distintos. O primeiro par foi ajustado de modo a obter uma tenso de sada entre 100

mV e 600 mV, que a mais ampla faixa de entrada para o sistema projetado, idntica a
6.4 resultados obtidos 112

do conversor A/D. O segundo par considerado foi ajustado de modo a obter uma tenso

de sada entre 350 mV e 450 mV, o que corresponde a 50 mV acima e abaixo da tenso

de modo comum de trabalho do amplicador de instrumentao.

As caractersticas DNL e INL para o par 100 mV e 600 mV esto representadas na

Figura 6.21. Os mximos valores de DNL foram +0,417 LSB e -0,0302 LSB. Os valores

mximos de INL foram +0,179 LSB e -0,503 LSB.

Figura 6.21  DNL e INL simulados para a sada da matriz capacitiva do conversor D/A de 8
bits para tenses de sada entre 100 mV e 600 mV.

Figura 6.22  DNL e INL simulados para a sada da matriz capacitiva do conversor D/A de 8
bits para tenses de sada entre 350 mV e 450 mV.
6.4 resultados obtidos 113

As caractersticas DNL e INL para o par 350 mV e 450 mV esto representadas na

Figura 6.22. Os mximos valores de DNL foram +0,417 LSB e -0,0283 LSB. Os valores

mximos de INL foram +0,2 LSB e -0,406 LSB. Enquanto na faixa mais ampla o maior

limitante o baixo valor da tenso mnima, prxima a tenso de terra, na faixa mais

estreita o maior limitante preciso esperado seriam as cargas parasitas injetadas pelo

chaveamento. Ainda assim, as linearidades do conversor permanecem praticamente as

mesmas nas duas faixas de tenso.

6.4.2.2 Amplicador Operacional

A curva caracterstica de entrada e sada do amplicador operacional projetado foi

simulada para as caractersticas nominais de alimentao e carga. O resultado

apresentado na Figura 6.23.

Figura 6.23  Curva caracterstica de entrada e sada do amplicador operacional projetado


para o conversor D/A.

O teste de resposta ao degrau para uma entrada de 150 mV a 650 mV e CL = 4 pF

apresentada na Figura 6.24.

A pior resposta transitria ocorre no nal da transio positiva, em torno de 2 ms. O

detalhe desse intervalo apresentado na Figura 6.25. A mesma gura tambm permitiu

calcular o slew rate como sendo 185 mV/s. O consumo medido foi praticamente igual

ao projetado, 1,87 W para VDD = 925 mV.


6.4 resultados obtidos 114

Figura 6.24  Curva de resposta ao degrau do amplicador operacional projetado para o


conversor D/A.

Figura 6.25  Detalhe do comportamento transitrio da curva de resposta ao degrau no


intervalo entre 1,99 ms e 2,03 ms mediante a transio positiva do sinal de
entrada.

A resposta em frequncia do amplicador operacional foi determinada para uma carga

de CL = 2pF e condies nominais de operao (VDD = 925 mV, VCM = 400 mV). O

resultado apresentado na Figura 6.26.

Conforme se pode notar em corrente contnua do amplicador opracional


6.4 resultados obtidos 115

Figura 6.26  Resposta em frequncia do amplicador operacional projetado para o conversor


D/A.

aproximadamente 97 dB, caindo 3 dB desse valor em 5,30 Hz. O produto ganho faixa de

passagem obtido foi aproximadamente 494 kHz, o que praticamente igual ao valor

especicado no projeto (500 kHz). Por m, a margem de fase apresentada foi 63,34

graus, o que deixa uma boa margem de conforto para operar com sobressaltos e

transitrios mnimos a cada mudana da tenso de sada do conversor D/A.

6.4.2.3 Conversor D/A Completo

A determinao das caractersticas de No Linearidade Diferencial (DNL) e No

Linearidade Integral (INL) do novo A/D foi feita por simulaes do comportamento

esttico do conversor. Para isso foram determinadas as respostas de tenso do conversor

para os 256 possveis cdigos de entrada considerando inicialmente os mesmos pares de

tenses referenciais empregados na simulao da matriz capacitiva, isto , aquele

correspondente s tenses de sada entre 100 mV e 600 mV e aquele correspondente s

tenses de sada entre 350 mV e 450 mV.


6.4 resultados obtidos 116

As caractersticas DNL e INL para o par 100 mV e 600 mV esto representadas na

Figura 6.27. Os mximos valores de DNL foram +0,428 LSB e -0,12 LSB. Os valores

mximos de INL foram +0,151 LSB e -0,947 LSB.

Figura 6.27  DNL e INL simulados para a sada do conversor D/A de 8 bits completo para
tenses de sada entre 100 mV e 600 mV.

Nota-se claramente uma elevada degradao da linearidade diferencial e integral para

cdigos inferiores a 24 (cerca de 147 mV). Essa degradao proveniente do amplicador

operacional na etapa de sada do conversor, pois como se pode notar na Figura 6.21, ela

no observada na sada da matriz capacitiva. De fato, a anlise curva caracterstica de

entrada e sada do amplicador operacional (Figura 6.23) revela que a regio de maior

linearidade est limitada a tenses de sada entre 135 mV e 780 mV, aproximadamente.

Por essa razo, uma nova caracterizao do conversor D/A foi realizada para tenses

referenciais ajustadas de modo a obter tenses de sada entre 150 mV e 650 mV. O

resultado apresentado na Figura 6.28. Dessa vez, os mximos valores de DNL foram

+0,422 LSB e -0,037 LSB e os valores mximos de INL foram +0,14 LSB e -0,431 LSB.

Conforme esperado, as distores observadas na Figura 6.27 desapareceram.

As caractersticas DNL e INL para o par 350 mV e 450 mV esto representadas na

Figura 6.29. Os mximos valores de DNL foram +0,424 LSB e -0,0502 LSB. Os valores

mximos de INL foram +0,201 LSB e -0,398 LSB. As duas caractersticas apresentam

resultados muito semelhantes aos da matriz capacitiva, o que revela a boa adequao do
6.4 resultados obtidos 117

Figura 6.28  DNL e INL simulados para a sada do conversor D/A de 8 bits completo para
tenses de sada entre 150 mV e 650 mV.

amplicador operacional projetado.

Figura 6.29  DNL e INL simulados para a sada do conversor D/A de 8 bits completo para
tenses de sada entre 350 mV e 450 mV.
6.4 resultados obtidos 118

6.4.3 Circuito Condicionador Completo

O circuito condicionador de sinal completo, tal como ilustrado na Figura 6.2, foi

testado para vrias combinaes de ganho e oset. Em todos os testes foram aplicados

na entrada sinais do tipo degrau compatveis com o ganho, a m de avaliar a resposta

do circuito na situao mais exigente. Os resultados das simulaes para Ganho = 1x,

10x, 100x, 1.000x, 10.000x e 224.000x (107 dB) so apresentados nas Figuras 6.30 a 6.35.

O consumo total do circuito para Ganho = 1x e 107 dB, foi de aproximadamente 2,82

W. Para os demais casos, o consumo medido foi 2,89 W. A diferena observada se deve
a dissipao de energia na malha de realimentao que tanto na congurao de ganho

unitrio quanto na congurao de 107 dB (que opera em malha aberta), no envolve

nenhum resistor.

Figura 6.30  Resposta do circuito condicionador de sinal para um degrau de 250 mV aplicado
na entrada com ganho programado.
de 1x (Gain = 10002 , ZeroAdj = 128).

Conforme se pode notar, o atraso na estabilizao da resposta do circuito

condicionador tanto maior quanto mais elevado for o ganho programado. Esse

comportamento se deve a caracterstica de produto ganho faixa de passagem do

amplicador operacional.
6.4 resultados obtidos 119

Figura 6.31  Resposta do circuito condicionador de sinal para um degrau de 25 mV aplicado


na entrada com ganho programado.
de 10x (Gain = 00012 , ZeroAdj = 128).

Figura 6.32  Resposta do circuito condicionador de sinal para um degrau de 2,5 mV aplicado
na entrada com ganho programado.
de 100x (Gain = 00102 , ZeroAdj = 128).
6.4 resultados obtidos 120

Figura 6.33  Resposta do circuito condicionador de sinal para um degrau de 250 V aplicado
na entrada com ganho programado de 1.000x (Gain = 01002 , ZeroAdj = 128,
Re = 31,5 M). .

Figura 6.34  Resposta do circuito condicionador de sinal para um degrau de 25 V aplicado


na entrada com ganho programado de 10.000x (Gain = 01002 , ZeroAdj = 16,
Re = 305 M). .
6.5 concluso 121

Figura 6.35  Resposta do circuito condicionador de sinal para um degrau de 2,5 V aplicado
na entrada com ganho programado.
de 107 dB (Gain = 00002 , ZeroAdj = 128).

6.5 Concluso

O projeto do circuito condicionador de sinais para etiquetas RFID sensoras envolveu

extensa pesquisa e se mostrou, sob alguns aspectos, mais desaador do que a do prprio

conversor A/D. Embora algumas implementaes de sensores sem o encontradas na

pesquisa bibliogrca tenham sido realizadas utilizando Amplicadores de Instrumentao

em topologia chopper, a alternativa aqui proposta, se mostrou bastante promissora. As

duas solues propostas para o Amplicador de Instrumentao foram capazes de atender

ao requisito de ganho mesmo com um consumo extremamente baixo, comparvel, em p

igualdade queles apresentados por amplicadores chopper no estado-da-arte (DENISON et


al., 2007). Alm disso, o consumo de todo o circuito condicionador de sinais cou inferior

a 3 W, uma marca notvel se considerado que alm da ordem de ganhos envolvidos, o

circuito ainda apresenta recursos de ganho e oset programveis. Por m, deve-se notar

que embora o consumo desta unidade seja compatvel com aplicaes RFID HF e UHF, os

tempos de resposta observados limitam o seu uso pleno ao RFID do tipo NFC. Entretanto,

aplicaes RFID HF no padro ISO/IEC 15693 e UHF Class1 Gen2 tambm podem ser
6.5 concluso 122

atendidas sob a condio de manuteno do campo leitor por tempo superior ao de leitura

da etiqueta, recurso esse disponvel em vrios leitores comerciais.


Captulo 7
Nanossensor de Gs a Nanotubos de
Carbono

7.1 Introduo

Os nanotubos de carbono (CNT) apresentam uma elevada relao de

superfcie/volume, o que os torna muito adequados para aplicaes de deteco de gs

(MEYYAPPAN, 2004). Sua principal vantagem sobre os sensores de gs convencionais,

base de xido metlico (MOX), seu baixo consumo de energia. Alm disso, os sensores

de gases baseados em CNT apresentam bom desempenho quando decorados por

nanopartculas sensveis aos gases de interesse.

Existem basicamente duas conguraes distintas para sensores de nanotubos de

carbono: a congurao como transistor de efeito de campo e a congurao

qumico-resistiva. Transistores de efeito de campo baseados em nanotubos de carbono

de parede simples (SW-CNT FETs)apresentam elevada sensibilidade, mas requerem um

processo de fabricao bastante complexo (KUPRIYANOV, 1996). Sensores CNT do tipo

qumico-resistivo no requerem um processo de fabricao to complexo como os CNT

FETs e podem ser fabricados de duas maneiras diferentes (GELAMO et al., 2009):

Filmes nos de nanotubos de carbono metlicos e semicondutores misturados e

depositados entre dois eletrodos;

Nano-sensores formados por uma pequena quantidade de nanotubos de carbono que

conectam dois microeletrodos separados por poucos micrometros de distncia.

Sensores de lme no so geralmente os mais simples de construir. Mtodos comuns

de fabricao so por deposio qumica e por impresso a jato de tinta (THAI et al.,

123
7.2 fabricao 124

2011; RIDA LI YANG, 2010). Apesar de sua simplicidade, sensores CNT de lme no

podem ser facilmente contaminados por gases ou outras substncias. Sua resposta

costuma sofrer alteraes aps a primeira exposio ao gs alvo. O sensor continua

apresentando respostas distintas na presena e na ausncia do gs, porm, com menor

variao entre elas (OCCHIUZZI et al., 2011a). Isso se deve adeso de molculas do gs

s paredes dos nanotubos e, no caso dos sensores polimricos, prpria estrutura do

polmero. Alguns procedimentos permitem o restabelecimento total ou parcial da

resposta original, tal como a limpeza por nitrognio ou o aquecimento do sensor. No

entanto, tais procedimentos podem ser, em alguns casos, mais inconvenientes do que

seria a prpria troca de baterias em etiquetas ativas.

Por outro lado, os nano-sensores CNT so fabricados por tcnicas de

microfabricao, claramente mais complexas do que a deposio qumica ou impresso

por jato de tinta. Entretanto, esses sensores so menos susceptveis contaminao,

dado que os contaminantes podem ser evaporados da superfcie dos nanotubos de

carbono por um pulso de corrente. Alm disso, o tamanho reduzido destes

nano-sensores, aliado a sua alta sensibilidade, devido ao forte auto-aquecimento por

efeito de Joule (GELAMO et al., 2009), os torna muito atraentes para serem utilizados em

microreatores.

, portanto, no intuito de se solucionar o problema gerado pelo uso de sensores de

lme no a nanotubos de carbono que se prope o uso de nano-sensores CNT. A

fabricao desses sensores requer recursos laboratoriais e expertise especcos

nanotecnologia que esto alm das competncias do laboratrio vinculado a este projeto.

Por essa razo, a fabricao dos sensores foi realizada pelo Centro de Componentes

Semicondutores e Nanotecnologias (CCSNano) da Unicamp, que conta com pessoal de

pesquisa e desenvolvimento experiente na fabricao de nano-sensores. O trabalho ali

realizado ser detalhado na seo seguinte.

7.2 Fabricao

O desenho esquemtico simplicado do nano-sensor de gs a nanotubos de carbono

fabricado ilustrado na Figura 7.1. Embora os eletrodos mostrados na ilustrao sejam

recobertos de ouro, foi tambm empregado em alguns sensores eletrodos de alumnio, bem
7.2 fabricao 125

como a ao de conexo.

Figura 7.1  Representao do nano-sensor de gs a nanotubos de carbono. (1) substrato de


silcio oxidado, (2) eletrodos em ouro, (3) ao de conexo, (4) nanotubos de
carbono depositados por dieletroforese. Uma vista em detalhe dos nanotubos de
carbono depositados entre os eletrodos mostrada na imagem em recorte (SAVU
et al., 2015).

Dois tipos de nano-sensores foram fabricados a partir das pastilhas com

microeletrodos apresentadas. Um baseado em MWCNTs decorados com nanopartculas

de cobre, e outro baseado em MWCNTs decorados com nanopartculas de titnio. Em

cada pastilha de silcio foram fabricados quatro nanosensores, conforme mostrado na

Figura 7.2. Na micrograa possvel identicar cada sensor por uma letra especca (A,

B, C e D), posicionada acima da fenda onde os nanotubos esto depositados. A

localizao da fenda indicada por uma pequena marcao abaixo de cada par de

eletrodos. O nmero no centro entre os eletrodos d identicao nica a cada pastilha

de sensores.

Os dois eletrodos de cada nano-sensor na pastilha so inicialmente conectados entre

si. Depois de nalizada sua fabricao, a separao dos eletrodos juntamente com a fenda

realizada por FIB (feixe de ons focalizado), conforme mostrado na Figura 7.3. Este

procedimento permitiu a criao de microsensores a MWCNT baseados em nanoestruturas

suspensas, bem mais sensveis presena de gases do que a congurao convencional, na

qual os nanotubos cam em contato trmico direto com o xido de silcio do substrato

(GELAMO et al., 2009).

O detalhe lateral em corte da fenda apresentado na Figura 7.4. Na gura possvel


7.2 fabricao 126

Figura 7.2  Pastilha de silcio com eletrodos para quatro nano-sensores. (SAVU et al., 2012).

Figura 7.3  Fenda entre os eletrodos criada por FIB.

visualizar a espessura do eletrodo (645,1 nm) e a espessura da camada de

titnio-tungstnio (60,8 nm) depositada para a aderncia dos nanotubos.

Figura 7.4  Micrograa lateral da fenda exibindo o corte de um dos eletrodos.


7.3 resultados obtidos 127

Na Figura 7.5 so mostradas as imagens obtidas por microscopia eletrnica de

varredura com fonte de emisso de campo (FE-SEM) de um nanosensor fabricado com

nanotubos multi-walled decorados com cobre.

(a) Nanosensor de nanotubos decorados com (b) Nanosensor de nanotubos decorados com
cobre. cobre (detalhe).
Figura 7.5  Micrograa obtida por FE-SEM de um nanossensor de gs a nanotubos de carbono
decorados fabricado no CCSNano (Unicamp) .

7.3 Resultados Obtidos

7.3.1 Ensaios de Tratamento dos Contatos

A curva caracterstica V-I de um dos nano-sensores fabricados (MWCNTs decorados

com Cobre) para uma tenso de entrada de -1 V a 1 V mostrada na Figura 7.6.

A resposta no linear se deve ao precrio contato eltrico entre os eletrodos do sensor

e os nanotubos de carbono que aps a deposio ainda se d de forma muito supercial.

Conforme se pode notar, a resistncia do sensor para correntes de at 1 A

aproximadamente 333 k. J para correntes maiores que 6 A, a resistncia cai para

cerca de 43,5 k. Por consequncia desse contato precrio, o dispositivo apresenta pouca

ou nenhuma sensibilidade ao gs de destino.

Uma das formas de se solucionar o problema do contato precrio entre eletrodos e

nanotubos pela aplicao de degraus progressivos de potencial no sensor, mediante a

exposio controlada do gs de destino, at que se observe a uma alterao notvel da

sensibilidade do sensor. A aplicao de potenciais progressivos no sensor ir aquecer os

nanotubos fazendo com que o mesmo `se solde' ao metal de revestimento dos eletrodos,
7.3 resultados obtidos 128

Figura 7.6  Caracterstica I-V para um sensor de MWCNTs decorados com cobre.

melhorando e estabilizando o contato eltrico entre eles. Para o sensor em questo, quatro

degraus foram aplicados com diferentes duraes, conforme a Figura 7.7.

O primeiro degrau, de 200 mV, foi aplicado por 50 segundos. O resultado, mostrado na

Figura 7.7(a), no apresenta alterao da resistncia mdia do sensor, permanecendo seu

valor em torno de 6,2 M. O segundo degrau aplicado teve o valor ajustado para 1,0 V,

sendo mantido por 200 segundos, de acordo com a Figura 7.7(b). Ao contrrio do primeiro

ensaio, uma alterao na resposta do sensor comeou a ser notada. Para esse teste, a

resistncia inicial do sensor foi 114 k, sendo alterada para 104 k ao nal do ensaio.

Para o terceiro degrau foi utilizada uma amplitude de 2,0 V, porm, aps 50 segundos de

exposio no foi observada nenhuma alterao signicativa. O quarto degrau aplicado

teve sua amplitude xada em 3,5 V, sendo capaz de provocar uma mudana signicativa

na resistncia do sensor, conforme mostrado na Figura 7.7(d). Por m, foram aplicados

mais dois degraus de tenso, um de 4,0 V e outro de 5,0 V, conforme mostrado nas Figuras

7.8(a) e 7.8(b).

O degrau de 4,0 V no provocou mudanas signicativas na resistncia mdia do sensor,

ao passo que na aplicao do degrau de 5,0 V uma reduo percentual de cerca de 10% foi

observada. Os resultados indicam que tratamento do contato majoritariamente ocorrido

para o degrau de 3,5 V foi consolidado, estando o sensor pronto para operar. A curva

caracterstica V-I de do nano-sensores para uma tenso de entrada de -1 V a 1 V aps o


7.3 resultados obtidos 129

(a) Resposta do sensor a um degrau de 200 mV. (b) Resposta do sensor a um degrau de 1 V.

(c) Resposta do sensor a um degrau de 2 V. (d) Resposta do sensor a um degrau de 3,5 V.


Figura 7.7  Resposta do sensor a quatro diferentes degraus de tenso.

(a) Resposta do sensor a um degrau de 4 V. (b) Resposta do sensor a um degrau de 5 V.


Figura 7.8  Resposta do sensor a degraus de tenso de 4 e 5 Volts.
7.3 resultados obtidos 130

tratamento do contato mostrada na Figura 7.9. Tal como se pode notar, a nova curva

caracterstica perfeitamente linear. Alm disso, a resistncia do sensor foi reduzida para

aproximadamente 11 k.

Figura 7.9  Caracterstica I-V para um sensor de MWCNTs decorados com cobre aps o
tratamento do contato.

A evoluo da resistncia do sensor ao longo do tratamento dos contatos ilustrada

na Figura 7.10. Os pontos foram calculados pelo ajuste linear das curvas I-V levantadas

durante o tratamento do contato. Em todas as curvas a tenso considerada no clculo foi

variada de -1,0 V a 1,0 V.

Figura 7.10  Evoluo da resistncia do sensor ao longo do tratamento dos contatos.


7.3 resultados obtidos 131

7.3.2 Ensaios de Sensoriamento de Gs

Os ensaios de sensoriamento de gs foram realizados em dois momentos distintos, antes

e aps o tratamento dos contatos. Nos primeiros testes, feitos antes do tratamento do

contato, foram aplicados pulsos de O2 de diferentes presses e tempos de durao. Em

2
todas as medidas a presso de vcuo de 1,0 10 mBar. Os resultados para o sensor

polarizado com tenses de 1,0 a 2,0 V so apresentados nas Figuras 7.11. Nos quatro

ensaios no perceptvel nenhuma capacidade sensora ao gs, salvo pela sutil reduo de

resistncia mdia observada na Figura 7.11(b) mediante elevada presso (120 mBar).

(a) Resposta do sensor a 1,2 mBar de O2 , 1 V. (b) Resposta do sensor a 120 mBar de O2 , 1 V.

(c) Resposta do sensor a 1,2 mBar de O2 , 1,5 V. (d) Resposta do sensor a 1,2 mBar de O2 , 2 V.
Figura 7.11  Resposta do sensor a pulsos de O2 com diferentes presses e tenses de
polarizao de 1,0 a 2,0 Volts.

Os testes foram repetidos para polarizaes de 2,5 e 3,0 Volts, os resultados so

reportados na Figura 7.12. Nota-se que a partir de 2,5 V o sistema comea a apresentar

sensibilidade ao O2 . No entanto, aps a retirada o gs, no se observa a recuperao da

resposta, mesmo aps longos intervalos de tempo. O aumento da potncia aplicada no


7.3 resultados obtidos 132

sensor provoca o aumento de temperatura dos nanotubos, fazendo com que stios em sua

estrutura comecem a car ativos para a adsoro de molculas de O2 . No entanto, a

sada do gs no provoca a dessoro destas molculas adsorvidas, permanecendo a

resposta alterada.

(a) Resposta do sensor a 6,0 mBar de O2 , 2,5 V. (b) Resposta do sensor a 1,0 mBar de O2 , 3 V.
Figura 7.12  Resposta do sensor a pulsos de O2 com diferentes presses e tenses de
polarizao de 2,5 e 3,0 Volts.

As medidas feitas aps o tratamento dos contatos apresentaram notvel melhora na

sensibilidade, alm de agregar a capacidade de recuperao da resposta do sensor aps a

retirada do gs, embora essa recuperao ainda seja parcial e lenta. Os ensaios realizados

para a polarizao de 3,5 V so apresentados nas Figuras 7.13 e 7.14.

(a) Resposta do sensor a 1,0 mBar de O2 , 3,5 V. (b) Resposta do sensor a 5,0 mBar de O2 , 3,5 V.

Figura 7.13  Resposta do sensor a pulsos de O2 e tenso de polarizao de 3,5 Volts.

Como os ensaios realizados para a polarizao de 3,5 V foram feitos durante o processo

de tratamento dos contatos, a recuperao observada pode ser apenas efeito da melhora

dos contatos eltricos, no necessariamente uma recuperao real da capacidade sensora.


7.3 resultados obtidos 133

(a) Resposta do sensor a 50 mBar de O2 , 3,5 V. (b) Resposta do sensor a 100 mBar de O2 , 3,5 V.
Figura 7.14  Resposta do sensor a pulsos de O2 com diferentes presses e tenso de polarizao
de 3,5 Volts aps o tratamento do contato.

Por essa razo, novos ensaios foram realizados para uma polarizao de 4,0 Volts. O

resultado apresentado na Figura 7.15.

(a) Resposta do sensor a 10,0 mBar de O2 , 4 V. (b) Resposta do sensor a 50 mBar de O2 , 4 V.


Figura 7.15  Resposta do sensor a pulsos de O2 com diferentes presses e tenso de polarizao
de 4 Volts.

A anlise dos ensaios realizados com a polarizao de 4,0 Volts demonstra, mais uma

vez, uma lenta recuperao da capacidade sensora aps a exposio ao O2 , indicando que

grande parte dos stios dos nanosensores que adsorveram molculas do gs as mantiveram

adsorvidas aps a retirada do O2 . Como resultado prtico, a sensibilidade do sensor foi

fortemente reduzida aps a exposio ao gs.


7.3 resultados obtidos 134

7.3.3 Ensaios de Limpeza do Sensor

A limpeza do sensor de gs consiste em submet-lo a um tratamento capaz de forar

a dessoro das molculas do gs adsorvido durante o processo de sensoriamento. O

tratamento utilizado nesse caso utiliza pulsos de tenso de amplitude superior quela

utilizada no sensoriamento. Testou-se inicialmente a dessoro por um nico pulso de

tenso, sendo este 1 Volt superior a tenso de medio (4 V), neste caso, um pulso de 5

V. O resultado do ensaio apresentado na Figura 7.16.

Figura 7.16  Ensaio de limpeza do sensor para um nico pulso de tenso de 5 V. A polarizao
utilizada na medio foi de 4 V.

Mesmo com um pulso apenas 1,0 V superior ao da tenso de polarizao aplicada

no sensoriamento, e da durao do pulso aplicado ter sido de apenas 1 s, observou-se

um ganho signicativo na corrente, indicando que houve dessoro das molculas de O2

adsorvidas na superfcie dos nanotubos, durante a injeo do gs. Entretanto, as medidas

de sensoriamento feitas aplicando a dessoro por pulso de potencial aps a evacuao da

cmara de teste demonstraram que a aplicao de um nico pulso curto de tenso no

suciente para a recuperao total da sensibilidade do sensor, conforme pode ser visto na

Figura 7.17.

Aps a realizao de novos ensaios com pulsos repetitivos de 1 V e 2 V de sobretenso,

estabeleceu-se uma sequncia de 4 pulsos com 2 V de sobretenso, ou seja, 2 V acima do

potencial empregado na polarizao do sensor durante as medies, como sendo sucientes

para o completo restabelecimento da sensibilidade dos nano-sensores. A aplicao da


7.4 concluso 135

Figura 7.17  Recuperao parcial da capacidade sensora aps a aplicao de um nico pulso
de tenso.

metodologia descrita bem como o total restabelecimento da sensibilidade do sensor pode

ser observado na Figura 7.18, obtida em um ensaio realizado com 1 mBar de Oxignio, o

sensor polarizado com 3 Volts para leitura e limpo com 4 pulsos 5 V com 1 segundo de

durao cada.

Figura 7.18  Recuperao completa da capacidade sensora aps a aplicao de 4 pulsos de 2


V de sobretenso.

7.4 Concluso

Uma primeira verso do sensor proposto para ser aplicado ao sensoriamento de gases

com etiquetas RFID passivas foi fabricada e testada com sucesso. Apesar dos sensores

terem sido fabricados e testados para a deteco do Oxignio, resultados semelhantes


7.4 concluso 136

podem ser obtidos para o gs de Amnia (NH3 ), que tambm se apresenta muito reativo.

Embora nos ensaios realizados a potncia envolvida no sensoriamento do O2 tenha

sido relativamente alta para aplicaes com etiquetas RFID passivas, cerca de 850 W no
ltimo ensaio, deve-se notar que elas referem-se a um sensor cuja resistncia de apenas

11 k. Essa resistncia pode ser aumentada mediante a ligao em srie de vrios nano-

sensores de resistividade semelhante ao testado, ou pela deposio reduzida de nanotubos.

A ltima alternativa parece mais promissora, embora deva impactar na sensibilidade do

sensor, uma vez que existiro menos elementos sensores no dispositivo. Estima-se que

para um sensor fabricado com a resistncia nal (aps o tratamento dos contatos), igual a

150 k, a potncia necessria para o sensoriamento caia para 60 W, aproximadamente.

possvel ainda reduzir drasticamente a potncia consumida no sensor empregando-se

sensores de gs a nanotubos de carbono do tipo FET. Entretanto, esta soluo no foi

explorada neste trabalho devido a diculdade de produo regular dessas estruturas cuja

soluo requer o aperfeioamento das atuais tcnicas de nanofabricao.

Conforme previsto inicialmente, os ensaios de limpeza do sensor adotado mostraram

excelentes resultados, provando que, ao contrrio dos sensores de lme no, possvel

limpar completamente os nano-sensores de forma totalmente eletrnica, sem a

necessidade de interveno humana. Embora os pulsos de limpeza utilizados tenham

durao de 1 segundo, essa tarefa quando implementada numa etiqueta sensora no

precisa retornar nenhuma resposta imediata ao leitor, podendo utilizar todo o tempo

disponvel do protocolo de interrogao para armazenar energia e realizar a tarefa. Por

m, observa-se que mesmo com a ordem de grandeza da potncia consumida e os

tempos de limpeza envolvidos nos ensaios realizados com o nano-sensor fabricado, os

resultados obtidos so compatveis com a aplicao em etiquetas RFID do tipo NFC

(ISO/IEC 14443).
Captulo 8
Multiplexador para Sensores

8.1 Introduo

O bloco multiplexador tem a nalidade de permitir que mltiplos sensores possam

compartilhar do mesmo circuito de condicionamento de sinal e conversor A/D. Conforma

esboado na Figura 8.1, trata-se de um bloco bastante simples, composto basicamente por

um multiplexador digital de 8 canais (MUX 3:8), quatro portas de transmisso CMOS

( SW0 a SW3 ) e seis transistores MOS operando como chaves. A malha de polarizao dos

sensores, formada pelos resistores Rr0 a Rr3 e Rc0 a Rc3 externa ao circuito integrado,
de forma a permitir a adoo de valores adequados resistncia de cada nano-sensor. A

entrada correspondente ao sensor de temperatura no explicitada nesse diagrama.

Duas formas de polarizao foram previstas. A primeira destina-se leitura dos

sensores e feita pelos resistores Rr0 a Rr3 ligados linha v_read, conectada a V Sens
atravs do chave PMOS M4 , comandada pelo sinal de entrada read_sens. Como essa

forma de polarizao voltada para a leitura dos sensores, os resistores Rr0 a Rr3
devem ser arbitrados de forma a minimizar tanto quanto possvel o valor da corrente de

polarizao, de maneira a reduzir o consumo de energia da etiqueta durante as

operaes de leitura dos sensores.

A segunda forma de polarizao destina-se limpeza dos sensores e feita pelos

resistores Rc0 a Rc3 ligados linha v_clear, conectada V Sens atravs da chave PMOS
M5 , comandada pelo sinal de entrada clear_sens. Conforme explicado no Captulo 7, a

limpeza de um nano-sensor CNT pode ser feita pela aplicao de um pulso de corrente

mais elevada do que a corrente de polarizao para sensoriamento. A escolha dos valores

dos resistores Rc0 a Rc1 deve ser feita de maneira a satisfazer esse valor de corrente.

Como no h um controle preciso do dimetro nem do nmero de nanotubos em cada

137
8.2 o circuito multiplexador 138

Figura 8.1  Diagrama esquemtico contendo todo o circuito que precede a entrada do circuito
de condicionamento de sinal: os sensores, sua malha de polarizao e o bloco
multiplexador de entrada.

nanosensor, a resistncias dos sensores podem diferir. Por essa razo, conveniente que

as resistncias de polarizao Rr e Rc sejam externas a etiqueta, de maneira a poderem

ser adequadamente escolhidas para cada caso.

A implementao em nvel de transistores do circuito multiplexador para sensores ser

discutida em mais detalhes na seo seguinte.

8.2 O Circuito Multiplexador

O circuito completo do multiplexador para sensores apresentado na Figura 8.2.

Apesar de apenas quatro sensores externos terem sido previstos nesta implementao,

o circuito multiplexador pode ser facilmente expandido para comportar sete sensores

externos, sendo a oitava linha reservada ao sensor de temperatura interno. A m de

simplicar a implementao e reduzir a rea de silcio ocupada na verso implementada,

o MUX digital foi otimizado eliminando os componentes responsveis pelas sadas no

utilizadas.

Tanto as operaes de leitura quanto de limpeza agem sobre apenas um dos quatro

sensores de cada vez. A seleo de qual dos quatro sensores externos sofrer a ao
8.2 o circuito multiplexador 139

Figura 8.2  Diagrama esquemtico completo do circuito multiplexador para sensores.

de leitura ou limpeza feita pela seleo de um dos quatro primeiros endereos do MUX

atravs da entrada sel<2:0> (3 bits, sel0 a sel2 ). Essa seleo ativa uma das linhas s_0 a

s_3 e provoca o fechamento de uma das chaves NMOS (M0 a M3 ), conectando o terminal
esquerdo do sensor correspondente ao terra. Simultaneamente, a porta de transmisso

CMOS ativada pela mesma linha do MUX conecta o terminal direito do sensor sada

Vout destinada entrada do circuito de condicionamento de sinal. Caso seja selecionada

linha s_4, a entrada proveniente do sensor de temperatura (TSensIn ) conectada sada


do circuito multiplexador atravs da chave SW4 .
Os transistores M0 a M3 foram dimensionados em aproximadamente 40/0,34 m. O
8.3 resultados obtidos 140

elevado valor de W foi utilizado a m de reduzir a resistncia de conduo da chave,

estimada por simulao em cerca de 55 . Evitou-se tambm a adoo do valor mnimo

para a largura do canal (180 nm) a m de aumentar a robustez do transistor descargas

eletrostticas, visto que tero o dreno conectado ao terminal externo do circuito

integrado. Pelas mesmas razes, as chaves M4 e M5 foram dimensionadas em 210/0,34

m, apresentando uma resistncia de conduo de aproximadamente 45 . Dessa forma,

a resistncia total das chaves que polarizam os nano-sensores de cerca de 100 , ou

seja, cerca inferior a 0,003% da resistncia somada do sensor com resistor de polarizao

de leitura junto. Isto assegura uma baixa distoro no sinal do sensor introduzida pelo

circuito de multiplexao como tambm reduz as perdas na polarizao. Por m, os

transistores NMOS e PMOS que compem as portas de transmisso SW0 a SW4 foram

dimensionados em aproximadamente 30/0,34 m e 60/0,34 m, respectivamente.

Deve-se notar que a tenso V Sens utilizada na polarizao de leitura e limpeza dos

sensores proveniente de um terminal externo ao circuito, podendo exceder a tenso de

trabalho do restante do sistema.

8.3 Resultados Obtidos

O circuito concebido foi simulado em quatro situaes distintas: nenhum sensor

selecionado ( sel<2:0> = 1112 , clr_sens = 1 e read_sens = 1), nano-sensores CNT 1 a 4

selecionados para leitura ( sel<2:0> = 0002 a 0112 , clr_sens = 1 e read_sens = 0),


nano-sensores CNT 1 a 4 selecionados para limpeza ( sel<2:0> = 0002 a 0112 , clr_sens
= 0 e read_sens = 1) e sensor de temperatura selecionado ( sel<2:0> = 1002 , clr_sens
= 1 e read_sens = 1). Resistores foram utilizados para simular os nano-sensores, tendo

sido testados valores de 100 k a 250 k. Os resistores de polarizao de leitura foram

ajustados de modo obter correntes na malha entre 4 A e 6 A. As formas de onda dos

principais sinais do circuito multiplexador para sensores para o nano-sensor 1

selecionado so apresentadas na Figura 8.3. Para a simulao em questo a resistncia

adotada para o nano-sensor foi 100 k e para o resistor de polarizao, 200 k.

Admitiu-se ainda que a tenso de alimentao do circuito inicialmente nula e atinge

seu valor de regime aps 10 ns, ou seja, uma transio bem mais abrupta do que a

esperada em um caso real, para o qual a tenso de regime dicilmente atingida antes
8.3 resultados obtidos 141

de um microssegundo.

Figura 8.3  Formas de onda dos principais sinais do circuito multiplexador para sensores
com o nano-sensor 1 selecionado para leitura (sel<2:0> = 0002 , read_sens =
0, clear_sens = 1).

As formas de onda relativas ao modo de limpeza do sensor so exibidas na Figura

8.4. No grco possvel distinguir dois momentos distintos. At 1 s nenhum sensor

est selecionado ( sel<2:0> = 0002 ), resultando em uma diferena de potencial entre os

terminais do sensor ( cntI0 e cntO0 ) virtualmente nula. Em 1 s o sensor 1 selecionado

( sel<2:0> = 1002 ) e a linha de alimentao habilitada (clear_sens = 0). Como resultado

a corrente no sensor salta de 119 nA para 7,19 A, o que provocaria a limpeza do sensor

em um caso real.

Por m, as formas de onda da simulao de leitura do sensor de temperatura so

exibidas na Figura 8.5. Conforme se pode notar, at 8 s nenhum sensor foi selecionado,

dando tempo de estabilizao para a sada do sensor de temperatura. Em 8 s o sensor de


temperatura selecionado e sua tenso de sada repassada para a sada do multiplexador

com uma queda de apenas 2 mV.


8.3 resultados obtidos 142

Figura 8.4  Formas de onda dos principais sinais do circuito multiplexador com o nano-sensor
1 selecionado para limpeza (sel<2:0> = 0002 , read_sens = 1, clear_sens = 0).

Figura 8.5  Formas de onda dos principais sinais do circuito multiplexador com o sensor de
temperatura selecionado (sel<2:0> = 1002 , read_sens = 1, clear_sens = 1).
8.4 concluso 143

8.4 Concluso

O circuito multiplexador para sensores foi implementado e simulado em nvel de

transistores, apresentando o comportamento esperado, isto , introduzindo o mnimo de

alterao nos sinais medidos e com consumo mnimo. Foram testadas em simulao as

quatro situaes previstas, isto , nenhum sensor selecionado, um nano-sensor

selecionado para leitura, um nano-sensor selecionado para limpeza e o sensor de

temperatura selecionado para leitura. Em todos os casos simulados o comportamento do

multiplexador mostrou-se adequado.


Captulo 9
Concluses Gerais e Sugestes para
Trabalhos Futuros

9.1 Concluses Gerais

Neste trabalho foi apresentado o estado-da-arte das solues existentes para o

sensoriamento utilizando etiquetas RFID passivas, com foco especial no sensoriamento

de gases. O estudo sobre o estado-da-arte de conversores A/D para aplicaes de

ultrabaixo consumo tambm foi realizado. O estudo envolveu relatrio de mais de 400

conversores publicados nos ltimos anos e permitiu uma clara identicao da soluo

mais adequada ao sensoriamento por etiquetas RFID passivas. Tambm foi realizado um

estudo das solues existentes para o sensoriamento de gases. Esse estudo conduziu

adoo de nano-sensores de gs a nanotubos de carbono como a soluo mais apropriada

para o sistema proposto.

A deteco e medio de gases demanda, tipicamente, muito mais energia do que a

disponvel em etiquetas RFID compatveis com os protocolos e regulamentaes vigentes

em muitos pases. Por essa razo, a integrao de sensores de gs a etiquetas RFID

passivas impe desaos que foram muito pouco explorados at o momento. As poucas

solues propostas at ento apenas resolvem o desao de forma parcial e apresentam

inconvenientes que as tornam dicilmente aplicveis fora do ambiente laboratorial.

Para solucionar o problema, um sistema completo de instrumentao embarcada de

ultrabaixo consumo foi proposto. O sistema integra um conversor A/D de 10 bits com

resoluo varivel, um circuito de condicionamento de sinal para os sensores de gs,

digitalmente ajustvel, um sensor de temperatura de ultrabaixo consumo e

nano-sensores de gs em nanotubos de carbono. O consumo total do sistema foi

144
9.1 concluses gerais 145

estimado em 10,4 W com o conversor A/D em resoluo mxima e o circuito

condicionador de sinais congurado para um ganho de 10 mil vezes. O consumo total do

sistema incluindo os nano-sensores de gs estimado em cerca de 70 W utilizando

nano-sensores com resistncia de 150 k. Mesmo se e forem utilizados nano-sensores

semelhantes aos fabricados em laboratrio, com resistncia de aproximadamente 11 k,

o consumo total do sistema inferior a 1 mW (860 W). Ambos os valores so

compatveis com os limites impostos pelo padro ISO/IEC 14443 e regulamentaes

vigentes. Em outras palavras, o sistema proposto pode ser aplicado em uma etiqueta

RFID comercial e perfeitamente compatvel com o padro NFC, no requerendo leitores

dedicados para poder funcionar.

O amplicador de instrumentao do circuito de condicionamento de sinal dos

sensores foi implementado a partir de um amplicador diferencial de diferenas

projetado com transistores operando na regio sub-limiar. Esta soluo apresentou

resultados em simulao comparveis aos do estado-da-arte de amplicadores de

instrumentao de ultra baixoconsumo.

Dois circuitos integrados foram projetados e fabricados em tecnologia CMOS 180 nm

contendo o mais complexo componente de todo o sistema proposto, o conversor A/D de

ultrabaixo consumo capacitores chaveados, alm de um sensor de temperatura

tambm de ultra baixo consumo. O primeiro circuito integrado foi validado

experimentalmente enquanto o segundo, contendo o conversor A/D melhorado dever

ser testado em breve. O sensor de temperatura implementado em tecnologia CMOS foi

validado experimentalmente e apresentou uma resposta de linearidade acima daquela

prevista em teoria, conrmando sua adequao para o projeto proposto.

O nanosensor de gs a nanotubos de carbono, cuja adoo sugerida como parte da

soluo proposta, foi fabricado com sucesso e apresentou boa sensibilidade para a medio

de O2 . Os ensaios de limpeza do sensor tambm mostraram excelentes resultados, tendo

sido capazes de restaurar integralmente a sensibilidade do sensor aps a adsoro do gs

medido.

importante notar que a soluo proposta mantm a capacidade de ser inteiramente

integrada num nico chip de tecnologia hbrida (CMOS e nanotubos de carbono), tal

como foi proposto no incio desse projeto. Nessa soluo, o circuito correspondente aos

blocos da etiqueta RFID e o sistema proposto podem ser fabricados em processo CMOS
9.2 produo acadmica 146

seguindo o uxo de projeto convencional, e os nano-sensores de CNT fabricados na

superfcie da pastilha, aps a camada de passivao. Outra alternativa integrar a

pastilha da etiqueta sensora pastilha com os nano-sensores conectando-os lado a lado

num mesmo encapsulamento. Nos dois casos, as dimenses da soluo nal seriam

limitadas unicamente pela antena de comunicao.

Finalmente, conclui-se que o sistema aqui proposto apresenta uma soluo vivel para

o sensoriamento de gases utilizando etiquetas RFID passivas, superando os problemas e

limitaes encontrados nas solues at ento existentes.

9.2 Produo Acadmica

Durante o desenvolvimento deste trabalho foram publicados 4 artigos em eventos,

sendo 1 em conferncia internacional e 3 em nacionais. Alm disso, um artigo foi publicado

na revista internacional Journal of Sensors, na poca com Fator de Impacto 1,118. Estas

publicaes esto listadas a seguir:

1. (ZURITA et al., 2016) - ZURITA, M.; FREIRE, R.C.S.; TEDJINI, S.; MOSHKALEV,
S.A. A Review of Implementing ADC in RFID Sensor. Journal of Sensors,
v. 2016, Article ID 8952947, 14 pages, 2016.

2. (TEDJINI et al., 2016) - TEDJINI, S.; ANDIA-VERA, G.; ZURITA, M.; FREIRE,

R.C.S.; DUROC, Y. Augmented RFID 2016 IEEE Topical


Tags. In:

Conference on Wireless Sensors and Sensor Networks (WiSNet), pp.


67-70, 2016, Austin, TX, EUA, 2016.

3. (OLIVEIRA; ZURITA, 2015b) - OLIVEIRA, M. H. G. ; ZURITA, M. E. P. V.

Utilizao da Linguagem VHDL-AMS no Estudo de Sistemas Digitais Analgicos e

Mistos. In: Congresso Brasileiro de Educao em Engenharia, 2015, So

Bernardo do Campo / SP. Anais dos XLIII Congresso Brasileiro de Educao em

Engenharia, 2015.

4. (OLIVEIRA; ZURITA, 2015a) - OLIVEIRA, M. H. G. ; ZURITA, M. E. P. V. .

Modelagem e Simulao de Circuitos Analgicos e Mistos Utilizando a Linguagem

VHDL-AMS. In: Encontro Nacional de Estudantes de Engenharia Eltrica


9.3 sugestes para trabalhos futuros 147

(ENEEL), 2015, Paulo Afonso. Anais do X Encontro Nacional de Estudantes de

Engenharia Eltrica, 2015.

5. (MENEZES et al., 2016) - MENEZES, A.C.A.; 1, RODRIGUES, R.A.A.; GURJO,

E.C.; ZURITA, M.E.P.V. Crack Sensoring Devices Construction by Means of

Microwave Resonant Circuit Design. In: MOMAG 2016, Porto Alegre, Brasil,

2016.

9.3 Sugestes para Trabalhos Futuros

Como forma de se dar continuidade a este trabalho, algumas sugestes so

apresentadas:

Implementao de uma etiqueta RFID completa conforme as especicaes

propostas neste trabalho;

Fabricao e validao experimental do circuito condicionador de sinais em processo

CMOS;

Fabricao e validao experimental do circuito multiplexador para nano-sensores

de gs em processo CMOS;

Aprimoramento dos nano-sensores para obteno de um nanosensor de impedncia

elevada;

Estudo da viabilidade de aperfeioamento do sistema proposto pela adoo de

sensores do tipo chem-FET a nanotubos de carbono.


Apndice A
Conversores A/D por Aproximaes
Sucessivas

A.1 Conversores A/D por Aproximaes Sucessivas

Conversores A/D por aproximaes sucessivas constituem uma das mais populares

abordagens para implementar conversores A/D devido a sua razovel rapidez de converso

e moderada complexidade de circuito.

Os conversores A/D por aproximaes sucessivas empregam um algortimo conhecido

como busca binria para determinar a palavra digital que melhor representa o valor

analgico na sua entrada. Conhecendo-se os valores mximo e mnimo que a entrada

pode assumir, o algortimo inicia a busca comparando a entrada com um valor arbitrrio

entre esses valores (geralmente parte-se do valor mdio). Se o valor de entrada for maior do

que o valor comparado a busca continua somando-se um degrau ao valor de comparao.

Se o valor da entrada for menor que o valor comparado, a busca continuar subtraindo-se

1
o degrau do valor de comparao. Esse degrau tipicamente vale da faixa de valores no
4

incio da busca ((Vmax Vmin )/4), sendo reduzido pela metade a cada novo ciclo de busca.

A busca termina quando o valor do degrau atinge um valor mnimo especicado (JOHNS,

1997).

Cada ciclo da busca dene o valor de um bit do valor digital convertido, de acordo com

o resultado da comparao entre valor de entrada e o valor de comparao. Se o valor da

entrada for maior que o de comparao, o bit valer '1', caso contrrio, '0'. O primeiro

ciclo dene o bit de maior peso (bN ), no segundo ciclo, o bit de peso imediatamente inferior

(bN 1 ) e assim sucessivamente. Desta forma, uma converso A/D de N bits ir requerer

N ciclos de relgio para ser completada.

148
a.1 conversores a/d por aproximaes sucessivas 149

O algortimo para a converso A/D de um sinal sinalizado entre VREF /2 e +VREF /2


apresentado na Figura A.1.

Figura A.1  Algortimo para a converso A/D de um sinal sinalizado entre VREF /2 e
+VREF /2.

A.1.1 Aproximao Sucessiva Baseada em Converso D/A

O diagrama de blocos do conversor A/D por aproximaes sucessivas baseado num

conversor D/A apresentado na Figura A.2.

A entrada analgica a ser digitalizada primeiramente amostrada e armazenada pelo

bloco de Amostra e Reteno (A/R). Em seguida, o valor amostrado comparado com


a.1 conversores a/d por aproximaes sucessivas 150

Figura A.2  Diagrama de blocos de um conversor A/D por aproximaes sucessivas baseado
num conversor D/A.

aquele gerado pelo conversor D/A e o resultado informado ao Registrador de

Aproximaes Sucessivas (RAS). O RAS e a Lgica de Controle so partes inteiramente

digitais responsveis por realizar a busca binria. Ao nal da converso, o valor digital

na sada do RAS corresponder a tenso VD/A que diferir do sinal de entrada por

0.5LSBV . Neste tipo de arquitetura, a preciso e a velocidade do conversor A/D so

tipicamente determinadas pelo conversor D/A.

A.1.2 Conversor A/D por Redistribuio de Carga

A abordagem inicial de utilizar um conversor D/A separado e ajusta-lo para se

igualar tenso de entrada (com preciso de LSB Volts) pode ser modicada conforme o

uxograma apresentado na Figura A.3. Nele, o sinal de erro V igual diferena entre o

sinal de entrada Vin e a sada do conversor D/A, VD/A . Como consequncia, V sempre

comparado com o terra (conforme pode ser visto na parte superior do uxograma) e o

objetivo passa tornar esse sinal de erro prximo a zero, por uma diferena de LSB Volts.

A primeira publicao de um conversor A/D capacitor chaveado utilizando essa

abordagem coube a McCreary em 1975 (MCCREARY; GRAY, 1975). Nela, o conversor

D/A, o circuito de A/R e a poro de diferena do comparador foram todos integrados

num nico circuito. A verso unipolar desse conversor apresentada na Figura A.4 e sua

operao pode ser resumida em 3 passos (JOHNS, 1997):

1. Amostragem: Neste primeiro passo todos os capacitores so carregados com a

tenso do sinal de entrada Vin . Simultaneamente o comparador reinicializado,

isto , qualquer carga residual presente na sua entrada no inversora descarregada


a.1 conversores a/d por aproximaes sucessivas 151

Figura A.3  Algortimo para a converso A/D baseado em um conversor D/A.


a.1 conversores a/d por aproximaes sucessivas 152

atravs da chave S2 , restabelecendo sua tenso de limiar de comparao.

2. Reteno: O sinal amostrado no passo anterior retida neste passo. O

comparador retirado do estado de reinicializao pela abertura da chave S2 e

todos os capacitores so comutados para o terra. Isto faz com que a tenso nas

placas superiores (Vx ), que era inicialmente zero, passe a valer Vin , retendo assim

o sinal de entrada Vin nos prprios capacitores. Por m, a chave S1 comutada

para Vref para servir ao prximo passo.

3. Redistribuio: Primeiramente o maior capacitor (16C) comutado para Vref ,


fazendo com que a a tenso Vx torne-se Vin + Vref /2. Se a tenso Vx for negativa,

isto signicar que Vin maior que Vref /2, devendo o bit b4 ser considerado como

sendo igual a '1' e a chave correspondente mantida em Vref . Caso contrrio o bit b4
ser '0' e a chave correspondente comutada de volta para o terra. Este processo

repetido at que o bit de menor peso (b0 ) tenha sido denido, nalizando a converso.

Deve-se notar a existncia de um capacitor unitrio (C) adicional no circuito. Seu

propsito tornar a capacitncia total um nmero de diviso exata por dois, isto , 2N C ,
ao invs de (2N 1)C . Por esta razo, este capacitor ser referenciado neste trabalho

como "capacitor de ponderao".

A.1.3 Conversor A/D Sinalizado por Redistribuio de Carga

A converso A/D sinalizada pode ser feita adicionando-se uma entrada de Vref ao

circuito da Figura A.4(a), conforme a Figura A.5. Se Vx for menor que zero no primeiro

passo da redistribuio, a sequncia continuar como anteriormente descrita. Caso

contrrio, os capacitores devero ser comutados entre Vref e zero e mantidos em Vref
cada vez que Vx for maior que zero, atribuindo-se '1' ao bit correspondente.

A mesma estrutura empregada na converso de sinais no sinalizados, aps uma

pequena modicao, pode tambm servir converso de sinais sinalizados, usando

apenas uma tenso de referncia (Vref ), conforme esboado na Figura A.6. Assumindo

que a tenso do sinal de entrada varia entre Vref /2, o processo de converso se d em 3

etapas (JOHNS, 1997):

1. Amostragem: Neste primeiro passo todos os capacitores so carregados com a


a.1 conversores a/d por aproximaes sucessivas 153

(a) Amostragem.

(b) Reteno.

(c) Redistribuio.
Figura A.4  Conversor A/D por redistribuio de carga
a.1 conversores a/d por aproximaes sucessivas 154

Figura A.5  Conversor A/D sinalizado por redistribuio de carga.

tenso do sinal de entrada Vin , exceto o capacitor de maior peso (16C), que

carregado com Vref /2. Simultaneamente o comparador reinicializado pelo

fechamento da chave S2 .

2. Reteno: O comparador retirado do estado de reinicializao pela abertura da

chave S2 e todos os capacitores, salvo o de maior peso, so comutados para o terra.

Isto faz com que a tenso nas placas superiores (Vx ), que era inicialmente zero, passe

a valer Vin /2. Ao nal dessa etapa o sinal da tenso de entrada, Vin , determinado
pelo sinal da tenso de sada do comparador.

3. Redistribuio: Se na etapa anterior o valor de Vx foi positivo (signicando que

Vin negativo), o maior capacitor (16C, neste caso) comutado para o terra e

o bit b4 igualado a '1'. Caso contrrio dever ser mantido em Vref /2 e o bit b4
igualado a 0. fazendo com que a a tenso Vx torne-se Vin /2 Vref /4. A partir

desse ponto a determinao dos demais bits prosseguir como no caso no sinalizado.

A sada binria gerada por esse mtodo zero quando Vin = Vref /2 e 31 (para

um conversor de 5 bits), quando Vin = Vref /2. Naturalmente, se for desejada uma

sada codicada em complemento de dois, por exemplo, um codicador dever ser

adicionado ao circuito.
a.1 conversores a/d por aproximaes sucessivas 155

(a) Amostragem.

(b) Reteno.

(c) Redistribuio.
Figura A.6  Conversor A/D por redistribuio de carga sinalizado.
a.2 modelagem matemtica do conversor 156

A.2 Modelagem Matemtica do Conversor

A modelagem apresentada nesta seo refere-se apenas ao ncleo analgico de um

Conversor Analgico-Digital por Aproximaes Sucessivas de 5 bits, no tendo sido

includos nem o Registrador de Aproximaes Sucessivas (RAS), nem a Unidade de

Controle.

A.2.1 A Redistribuio de carga

Assumindo que no circuito da Figura 4.3 a tenso de referencial inferior (VREF ) seja

assumida como zero, isto , adotando 0 VREF + como Faixa de Fundo de Escala, o

circuito equivalente na etapa de Amostragem (t = 1 ) pode ser esboado como na Figura


A.7. Nesta situao, todos os capacitores cam conectados entre Vin e o Vx , carregando-se
portanto com a tenso Vin Vx aps algum intervalo de tempo. Desde que a queda de

tenso nas chaves possa ser desprezada, a tenso Vx ser igual a zero e a tenso nal

nos capacitores igual a Vin . Como os capacitores esto todos em paralelo, a capacitncia

equivalente ser 2C e a carga total nas placas superiores dada por:

Qx (1 ) = 2CVin (A.1)

Figura A.7  Etapa de Amostragem (t = 1 ).

Na etapa de reteno (t = 2 ) a chave S2 aberta e a chave S1 comutada para o terra,

conforme a Figura A.8. Como a carga nas placas superiores conservada, a tenso em Vx
alterada para Vin .
O primeiro estgio da etapa de "Redistribuio"se inicia com teste do bit mais

signicativo (MSB). Conforme explicado na Seo A.1.2, a chave conectada ao capacitor


a.2 modelagem matemtica do conversor 157

Figura A.8  Etapa de Reteno (t = 2 ).

de maior valor, isto , b4 , comutada para VREF +, conforme indicado na Figura A.9.

Figura A.9  Etapa de Redistribuio (t = 3.1 ).

Nesta situao, o circuito equivalente do arranjo capacitivo pode ser modelado

conforme a Figura A.10(a), na qual o capacitor superior o capacitor ligado a b4 e o

inferior, o capacitor equivalente do paralelo dos demais capacitores do circuito. As

fontes V1 e V2 indicadas representam as tenses nos respectivos capacitores no instante

imediatamente anterior comutao de b4 . Como no instante imediatamente anterior

comutao de b4 a tenso em todos os capacitores era Vin , temos que V1 = V2 = Vin .


A soluo do circuito equivalente resulta em:

VREF
Vx (3.1 ) = Vin + (A.2)
2
Ou seja, se Vin > VREF /2, Vx ser negativo e a sada do comparador resultar em nvel

lgico '1'. Caso contrrio, isto , se Vin < VREF /2, Vx ser positivo e a sada do comparador
resultar em nvel lgico '0'. Como esse teste revela se a tenso de entrada (Vin ) est na

metade inferior ou superior da Faixa de Fundo de Escala (F SR = VREF ), a resposta do

comparador indica diretamente o nvel lgico do MSB, neste caso, b4 . Aps a determinao
a.2 modelagem matemtica do conversor 158

do MSB, a Unidade de Controle do conversor dever comutar a chave b4 de volta para o

terra caso o bit b4 tenha sido considerado igual a zero.

(a) Circuito equivalente (b) Circuito (c) Circuito


para determinar o MSB. equivalente para equivalente para
MSB=0. MSB=1.
Figura A.10  Circuito equivalente do arranjo capacitivo para determinao de b4 e b3 .

No segundo estgio o conversor determina o nvel lgico do segundo bit mais

signicativo (b3 , neste caso). Para isto a chave b3 comutada para o VREF +, conforme

indicado na Figura A.11. Se a resposta do estgio anterior resultou em b4 = 0 , o

capacitor de maior valor foi conectado ao terra e o circuito equivalente do arranjo

capacitivo pode ser modelado conforme a Figura A.10(b). Do estgio anterior temos que

V1 = Vin + VREF /2 e V2 = V3 = Vin + VREF /2. A soluo do circuito equivalente, para

esses valores resulta em:

VREF
Vx (3.2 ) = Vin + (A.3)
4

Figura A.11  Etapa de "Redistribuio"(t = 3.2 ).

Da mesma forma, para o caso em que a resposta do estgio anterior resultou em b4 = 1,


o capacitor de maior valor permaneceu conectado ao VREF e o circuito equivalente arranjo
a.2 modelagem matemtica do conversor 159

capacitivo pode ser modelado conforme a Figura A.10(c). Para os mesmos valores das V1
V3 , citados anteriormente, a soluo do modelo resulta em:

VREF VREF
Vx (3.2 ) = Vin + + (A.4)
2 4
Mais uma vez, a determinao do nvel lgico do bit b3 ser feita diretamente pelo nvel

lgico da sada do comparador, devendo a chave b3 ser reconectada ao terra caso o

resultado seja '0'.

O processo de converso procede da mesma forma nos estgios seguintes, de maneira

que a tenso Vx para um conjunjo qualquer de N bits pode ser generalizada como:

N  
X bN i
Vx = Vin + VREF (A.5)
i=1
2i

importante notar que durante toda a etapa de "Redistribuio", a carga total nas

placas superiores dos capacitores (placas conectadas ao n Vx ) permanece igual a 2CVin


(MCCREARY; GRAY, 1975). Ao nal da converso a carga total estar distribuda entre

os capacitores conectados ao terra e os conectados VREF . Sabendo que a carga em um

capacitor dada por Q = CV e tomando como base a Equao A.5, pode-se denir a

carga na placa superior dos capacitores conectados a VREF como:

N  
X bN i
QH = C(VREF Vx ) (A.6)
i=1
2i1
De forma complementar, a carga na placa superior dos capacitores conectados ao terra

pode ser calculada por:

" N   #
X 1 bN i 1
QL = CVx + (A.7)
i=1
2i1 2n1
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