9/10/2012

ENGENHARIA MECNICA

IMPERFEIES EM SLIDOS

1 Manuel Houmard

mhoumard@ufmg.br
Sala 3304 Bloco 1 Escola de Engenharia

INTRODUO

| Grandes nmeros de defeitos ou imperfeies existem

em todos os materiais puros e ligas,
ligas monofsicos e
polifsicos, brutos ou processados.

| Defeito cristalino: Irregularidade na rede cristalina

com uma ou mais das suas dimenses na ordem de
um dimetro atmico.

| A maioria
i i das
d propriedades
i d d d
dos materiais
t i i so

influenciadas pela presena de imperfeies.

| Os defeitos exercem um papel importante na difuso,

transformao de fase e deformao dos materiais. 2

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QUESTES PARA TRATAR

| De onde aparecem os defeitos ?

| Quais so os tipos de defeitos existentes nos slidos ?

| Pode o nmero e o tipo de defeito variar ou ser

controlado ?

| Como os defeitos afetam as propriedades dos

materiais ?

| So defeitos indesejveis ? 3

SOLIDIFICAO

| A solidificao resulta da moldagem do material fundido.

| Duas etapas:
y Formao de ncleos
y Crescimento dos ncleos para formao dos cristais estrutura

| Inicia com o material fundido (completamente lquido) e os

cristais crescem at se encontrarem.

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ncleos Crescimento dos Estrutura de gros
lquido cristais

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SOLIDIFICAO

| Os gros podem ser:

y Equiaxiais (~ o mesmo tamanho em todas as direes)
y Colunares (gros alongados)
~ 8 cm

heat
flow
Shell of
Columnar in equiaxed grains
area with less due to rapid
undercooling cooling (greater
T) near wall 5

O processo de fabricao responsvel da maioria dos defeitos

TIPOS DE IMPERFEIES

| Vacncias (lacunas)
| tomo intersticial Defeitos
f pontuais
p
| tomo substitucional

| Discordncias aresta
| Discordncias espiral Defeitos lineares

| Superfcies
p externas
| Contorno entre fases
| Defeitos de empilhamento Defeitos planares
| Contorno de gro
| Contorno de macla (twin) 6

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DEFEITOS PONTUAIS - LACUNAS

| Vacncias ou lacunas:
Stios atmicos vagos na estrutura.
estrutura

Vacncia
(vazio)
distoro
do plano

Os defeitos pontuais so formados durante a

solidificao do cristal e processamento dos materiais.
7
Resultado do deslocamento dos tomos de suas
posies normais.

DEFEITOS PONTUAIS - AUTO-INTERSTICIAIS

| Auto-Intersticial:
tomo do cristal que se encontra comprimido no
interior de um stio intersticial, um pequeno
espao vazio que normalmente no ocupado.

Auto-
intersticial
di
distoro

do plano

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NMERO DE LACUNAS EM EQUILBRIO

| O nmero de lacunas em equilbrio varia com a

temperatura:
Energia necessria para
N de lacunas formao de uma lacuna
em equilbrio
Nv Q
N total de = exp v
N kT Temperatura absoluta
stios atmicos em kelvin
Constante de Boltzmann
(1,38 x 10 -23 J/tomo-K)
(8,62 x 10 -5 eV/tomo-K)
Cada stio da rede 9
um stio potencial
para formao da lacuna

MEDIR A ENERGIA DE ATIVAO

| Podemos obter Qv a partir de um experimento:

Nv
= exp Q v Inclinao
kT Nv
N ln
N
-Q v /k
Nv
N
Dependncia 1/T
exponencial
A partir de um grfico experimental
T de ln Nv/N versus 1/T possvel
10
determinar a energia de ativao
Concentrao de defeitos

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ESTIMATIVA DA CONCENTRAO DE LACUNAS

| Calcule o n de lacunas em equilbrio por m3 de Cobre a

uma temperatura de 1000C.
= 8,4 g /cm 3
ACu = 63,5 g/mol
| Dados:
Q v = 0,9 eV/tomo NA = 6,02 x 1023 tomos/mol
0.9 eV/tomo
N Q
| Resposta: v = exp v -4
N kT = 2.7 x 10
1273K
8,62 x 10-5 eV/tomo-K
NA
Para 1 m3 , N = x x 1 m3 = 8.0 x 1028 stios
ACu 11

Nv = (2,7 x 10-4)(8,0 x 1028) stios = 2,2 x 1025 lacunas/m3

DEFEITOS PONTUAIS - IMPUREZAS

Dois resultados de impurezas (B) adicionados ao hospedeiro (A):

| Soluo slida de B em A (distribuio aleatria de defeitos):
Os tomos de
Os tomos do
impureza
soluto ou tomos OU preenchem os
de impurezas
espaos vazios
tomam o lugar
ou interstcios
dos tomos
hospedeiros ou os Soluo slida Soluo slida que existem entre
Substitucional os tomos
substituem. Intersticial
hospedeiros.
((ex.,, Cu em Ni)) (ex., C em Fe)
| Soluo slida de B em A mais partculas de uma nova fase
(usualmente para grandes quantidades de B):
Nova segunda fase de partculas
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composio diferente
normalmente estruturas diferentes.

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IMPUREZAS SUBSTITUCIONAIS

| Fatores que influenciam na formao de soluo slida

substitucionais:
b tit i i
Regra de Hume-Rothery

1. Diferena de raio atmico dos dois tipos de tomos < 15%

Pode promover distores na rede e assim formao de nova fase
2. Ter mesma estrutura cristalina
3 Eletronegatividades prximas
3.
Maior diferena de eletronegatividade dos tomos, maior
tendncia de formar compostos intermetlicos.
4. Mesma ou maior valncia que o hospedeiro
Um metal ter maior tendncia de dissolver um outro metal 13
de maior valncia do que um de menor valncia.

APLICAO DA REGRA DE HUMEROTHERY

Elemento Raio Estrutura Eletrone- Valncia

atmico cristalina gativi-
(nm) dade

1- Quem se dissolveria Cu 0.1278 CFC 1.9 +2

C 0.071
mais no Zn, o Al ou a H 0.046
Ag? O 0.060
Ag 0.1445 CFC 1.9 +1
Al 0 1431
0.1431 CFC 1.55
1 +3
3
Co 0.1253 HC 1.8 +2
2. Mais Zn ou Al no Cr 0.1249 CCC 1.6 +3
Cu? Fe 0.1241 CCC 1.8 +2
Ni 0.1246 CFC 1.8 +2
Pd 0.1376 CFC 2.2 +2
14
Zn 0.1332 HC 1.6 +2

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ESPECIFICAO DA COMPOSIO

Porcentagem em peso (%p): m1

| C1 = x 100
m1 + m2
m1 e m2 = massa dos elementos 1 e 2

n1
| Porcentagem atmica (%a): C 1' = x 100
n1 + n 2
n1 = nmero de moles do componente 1

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Converso usando os pesos atmicos ou densidades

DEFEITOS LINEARES - DISCORDNCIAS

| Discordncias ou deslocaes:
y so defeitos lineares em torno do qual alguns tomos esto
desalinhados.
y escorregamento entre os planos cristalinos resulta quando se
move as discordncias.
y produz uma deformao permanente (plstica).
y Esto associadas com a cristalizao do material e a sua
deformao (maior ocorrncia), podendo ser uma linha
adicional ou a ausncia de uma linha de tomos.

Esquema do zinco (HC):

antes da deformao: aps ensaio de trao:

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escorregamentos

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DEFEITOS LINEARES - DISCORDNCIAS

| Discordncia aresta, linha ou cunha ():

- Defeito associado com a distoro produzida no
reticulado cristalino p
pela p
presena
de um semi-
plano extra de tomos.
- Vetores de Burgers (b) so perpendiculares
discordncia para este tipo de defeito.

| Discordncia espiral ou hlice:

- Defeito associado com a distoro criada no
reticulado cristalino quando planos normalmente
paralelos
l l so
unidos
id para formar
f uma rampa

helicoidal.
- Vetores de Burgers (b) so paralelos
discordncia.

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Vetor de Burgers (b): expressa a magnitude e a direo da distoro
da rede cristalina

DISCORDNCIA DE ARESTA

| Envolve um plano
extra de tomos.

| O vetor de Burgers
perpendicular a
direo da linha de
discordncias.

| Envolve zonas de
trao e compresso.

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MOVIMENTO DE DISCORDNCIA DE ARESTA

| O movimento de discordncia (durante uma deformao)

ocorre atravs do pulo sucessivo de um semi
semi-plano
plano de
tomos (da esquerda para a direito aqui).

| As ligaes durante o escorregamento so quebradas e

reformadas sucessivamente .

a a

b c b c

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DISCORDNCIA ESPIRAL
Linha AB linha da discordncia
- posio dos tomos acima do plano
| Produz distores na rede de escorregamento crculos abertos
- abaixo crculos fechados

Linha de b
discordncia
Vetor de Burgers b,
paralelo direo da
linha de discordncia 20

Monocristal de SiC - Linhas escuras:

degraus de escorregamento superficiais

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ARESTA, ESPIRAL, E DISCORDNCIAS MISTAS

Mistas

A
aresta

A discordncia pura espiral espiral

B discordncia pura aresta 21
entre A e B discordncia mista

VISUALIZAO DAS DISCORDNCIAS

| Discordncias observadas por micrografia eletrnica de

transmisso (MET - 450x) numa liga de titnio:

22

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DISCORDNCIAS E ESTRUTURAS CRISTALINAS

Escorregamentos de discordncias Vista de dois

planos
preferidos nas direes e planos empacotados.
empacotados.
p
direes empacotadas
plano empacotado (de baixo) plano empacotado (de cima)
Comparao entre estruturas cristalinas:
Planos de
CFC: muitos planos e direo empacotados;
escorregamento
HC: somente um plano, e trs direes;
preferencial
CCC: nenhum

Amostras usadas Mg (HC)

em teste de trao:
23
Al (CFC)

DEFEITOS PLANARES EM SLIDOS

| Defeitos Interfaciais so contornos que possuem duas

di
dimenses e, normalmente,
l separam regies
i d
dos
materiais de diferentes estruturas cristalinas e/ou
orientaes cristalogrficas.

| Essas imperfeies incluem:

y Superfcies externas
y Defeitos de empilhamento
y Contorno entre fases: Existem em materiais com mltiplas
fases, atravs dos quais h uma mudana repentina nas
caractersticas fsicas e/ou qumicas.
y Contorno de gro 24
y Contorno de macla ou twin

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SUPERFCIE EXTERNA

| A superfcie externa o tipo mais bvio, ao longo do

qual termina a estrutura do cristal.

| Os tomos da superfcie no esto ligados ao n

mximo de vizinhos mais prximos, isso implica num
estado energtico maior que no interior do cristal.

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FALHA DE EMPILHAMENTO

| A falha de empilhamento se encontra em metais CFC

quando existe uma interrupo na sequencia de
empilhamento ABCABCABC...

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CONTORNO DE GROS

| Materiais policristalinos so formados por

monocristais com diferentes orientaes

cristalogrficas.

| A fronteira entre os monocristais uma parede, que

corresponde a um defeito bidimensional (planar).

| Este defeito refere-se ao contorno que separa dois

pequenos
p q gros ((ou cristais),
g ) com diferentes
orientaes cristalogrficas, presentes num material
policristalino.

| No interior do gro todos os tomos esto arranjados

segundo um nico modelo e nica orientao, 27

caracterizada pela clula unitria.

CONTORNO DE GROS ( ENTRE FASES)

Caractersticas:
- Empacotamento menos eficiente
- Energia mais elevada
- Favorece a nucleao de novas fases 28
(segregao)
- Favorece a difuso

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CONTORNO DE MACLA

| Este tipo de contorno, tambm denominado de Twins

(cristais gmeos), um tipo especial de contorno de gro,
onde existe uma simetria em espelho da rede
cristalina.
| Os tomos de um lado do contorno so imagens dos
tomos do outro

29

DEFEITOS VOLUMTRICOS OU DE MASSA

| Defeitos em trs dimenses introduzidos durante o

processamento do material e/ou fabricao do
componente.

| Tipos de defeitos volumtricos:

y Incluses: Presena de impurezas estranhas.
y Precipitados: Aglomerados de partculas com
composio diferente da matriz (hospedeiro).
y P
Porosidade:
id d O i i
Origina-se d id a presena de
devido d gases,
durante o processamento do material.
y Fases: Ocorre quando o limite de solubilidade
ultrapassado.
y Estrias segregacionais: Presente principalmente em 30
materiais semicondutores dopados.

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INCLUSES E PRECIPITADOS

Incluses:

IIncluses
l de d xido
id de
d cobre
b (Cu
(C 2O) em
cobre de alta pureza (99,26%),
laminado a frio e recozido a 800C.

Precipitados:

Precipitados em matriz metlica de

Alumnio AA 3104 utilizada para a
fabricao de latas.
31

POROSIDADE

Compactado
C d d
de p
de
d f
ferro,
compactao uniaxial em matriz
de duplo efeito, a 550 Mpa.

Compactado de p de ferro aps

sinterizao a 1150C, por
120min em atmosfera de
hidrognio.
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SEGUNDA FASE

Micro-estrutura composta Gro de perlita: Constitudo

por veios de grafita sobre por lamelas alternadas de
uma matriz perltica. duas fases: ferrita (Fe-) e
cementita (Carboneto de 33

ferro).

EXAME MICROSCPICO

| Cristalitos (gros) e contorno de gro variam

consideravelmente de tamanho; eles podem ser
bastante grandes.
y Um nico cristal de quartzo, ou diamante, ou Si.
y Postes de iluminao feitos em Al e lates de lixo
gros evidentes a olho nu.

| Cristalitos (gros) podem ser bastante reduzidos (mm

ou menor) necessrio observao com um
microscpio.

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Aula de laboratrio de materiais

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CONCLUSO

| Defeitos pontuais, lineares e planares existem em

slidos.

| O numero e tipo de defeitos pode ser variado e

controlado (ex. A temperatura controla a
concentrao de lacunas).

| Os defeitos modificam as propriedades dos materiais

(ex. Os contornos de gros controlam o
escorregamento das discordncias dentro de um
gro).

| Os defeitos podem ser desejados ou indesejados (ex.

As deslocaes podem ser boas ou no dependendo se 35

a deformao plstica desejada).

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