Como Testar IGBTs e MOSFETs de Potncia com o Multmetro

(INS010)

Detalhes
Escrito por Newton C Braga

Muito se apregoa que o multmetro o mais til de todos os instrumentos com que o profissional da
eletrnica pode contar. No entanto, a maioria dos usurios deste instrumento, baseados unicamente no que
aprendem nos cursos tcnicos e de engenharia, apenas sabem us-lo nas medidas bsicas: tenso, corrente e
resistncia. O multmetro muito mais do que um medidor de apenas trs grandezas: sabendo us-lo
podemos obter muito mais que isso, testando componentes, tendo idia sobre formas de onda e distoro de
um circuito e at detectando sinais de RF. Veja neste artigo algumas destas aplicaes incomuns do
multmetro.

No nosso livro Curso de Instrumentao Eletrnica O Multmetro, insistimos no fato de que no basta
saber usar o multmetro na medida de trs grandezas bsicas, corrente, resistncia e tenso, para se poder
dizer que a sua finalidade est completa.
O multmetro muito mais, mas para que ele possa ser usado em funes que vo alm de simples medidas
diretas preciso saber interpretar suas indicaes.
O movimento da agulha, a oscilao de valores de uma escala digital, a escala usada e o modo como o
instrumento ligado ao circuito em teste so alguns fatores que poucos profissionais sabem interpretar e fazer
corretamente.
Com um simples multmetro,mesmo de baixo custo, testes de componentes e de circuitos podem revelar
coisas que os leitores no imaginam. Alguns testes incomuns que podem ser feitos com um multmetro so
analisados neste artigo.

Como Testar IGBTs

Os IGBTs so amplamente utilizados em inversores de freqncia, controles de potncia, fontes chaveadas e
conversores DC/DC.
Estes componentes possuem caractersticas hbridas, com uma porta isolada como um MOSFET e junes
entre o coletor e emissor como um transistor bipolar.
A figura 1 mostra o smbolo adotado para representar um IGBT.

Um dos testes mais comuns para a prova de um IGBT o teste dinmico que consiste em se colocar como
carga uma lmpada de 40 a 100 W no seu coletor e alimentar o circuito com uma tenso de at 20 VDC.

Com a comporta ligada ao emissor do transistor, ele deve permanecer no corte e com isso a lmpada
apagada.

Ligando a comporta ao coletor (o que deve ser feito com um resistor de 10 k ohms), o transistor satura e a
lmpada acende. Este procedimento dinmico mostrado na figura 2.

Se a lmpada permanecer acesa nas duas prova o IGBT est em curto e se permanecer apagada, o IGBT
est aberto. O leitor deve estar atento para a mxima tenso que pode ser aplicada entre a comporta e o
emissor do transistor que em geral 20 V.

Se o teste for feito com tenses maiores, a tenso aplicada comporta deve ser sempre inferior 20 V.

No entanto, um teste semelhante pode ser feito com multmetro analgico e mesmo com alguns tipos de
multmetros digitais que tenham tenso de prova suficiente para satur-lo, quando colocados nas escalas de
resistncias ou teste de diodos. Para esta finalidade podemos inicialmente fazer um teste de curto-circuito,
conforme mostra a figura 3.
Medimos inicialmente a resistncia entre os terminais de gate e o coletor e depois entre o gate e o emissor.
Nas duas medidas devemos ter leituras de altas resistncias. Por alta resistncia entendemos valores acima
de 10 M ohms.
Se em qualquer das medidas tivermos uma leitura de baixa resistncia ou mesmo mdia (entre 10 k e 1M
ohms), o IGBT est inutilizado por curto ou ainda fuga excessiva. Se ele passar neste teste, medimos a
resistncia entre coletor e emissor.
Num sentido ela deve ser alta e no outro baixa, pois devemos considerar o diodo de proteo que estes
componentes tm, conforme mostra a figura 4.

Uma leitura de baixa resistncia nas duas medidas indica um IGBT em curto e uma leitura de resistncia algo
baixa onde deveria ser muito alta (entre 10 k e 1 M) indica um componente com fugas. Em ambos os casos,
o componente no deve ser utilizado.
Dependendo da tenso da bateria do multmetro, pode ser realizado um teste de comutao relativamente
simples. Para isso, utilizamos a conexo da figura 4 com o multmetro numa escala intermediria de
resistncias.
Tocando com uma chave de fendas ou fazendo uma ponte entre o gate (g) e o coletor (C) do transistor, ele
deve comutar.
Isso far com que a resistncia caia, passando de um valor muito alto para um valor mais baixo que depende
das caractersticas do IGBT em teste e do prprio multmetro.
No entanto, preciso levar em conta que a bateria interna de alguns multmetro no tem tenso suficiente
para levar o componente a conduo. Para no ter dvidas se este teste se aplica com o multmetro de que
se dispe, ser interessante tentar com um IGBT que sabemos estar em bom estado.
Uma forma de se testar um IGBT com o multmetro no caso de no ser possvel a prova direta descrita a
mostrada na figura 5.
Uma bateria de 9 V fornece a tenso necessria polarizao do componente e com isso uma leitura de
corrente aumentando com o toque pode ser feita para o caso de um componente em bom estado.

Como Testar Power MOSFET

Partindo do princpio de que em muitas aplicaes os MOSFETs de potncia substituem os IGBTs, o
procedimento de teste de um poderia ser considerado vlido para o outro.
No entanto, existem algumas diferenas a serem consideradas o que nos leva a um procedimento algo
diferenciado e que passamos a descrever.
Assim, o teste dinmico, que tambm pode fazer uso do multmetro, consiste em alimentar o MOSFET de
potncia com uma tenso contnua entre 12 e 25 V, conforme mostra a figura 6.

A carga tanto pode ser uma lmpada de acordo com a tenso usada na alimentao como um resistor de 1 a
2,2 k ohms x 2 W ou de dissipao maior se usarmos o multmetro.
Sem polarizao de comporta, o transistor permanece no corte e a lmpada apagada. A tenso medida no
caso do resistor deve ser nula ou muito baixa.
Se a lmpada permanecer acesa ou com brilho reduzido, ou ainda se a tenso medida no for nula, isso
indica um transistor em curto ou com fugas.
Numa segunda etapa, ligamos a comporta do transistor ao positivo da alimentao, conforme mostra a figura
7.

Isso deve fazer com que o transistor v saturao e temos duas possibilidades de indicao. No caso da
lmpada, ela deve acender com bom brilho e no caso do multmetro a tenso indicada deve subir para bem
perto da tenso de alimentao.
Veja que este teste feito desta forma no caso de transistores MOSFET de canal N.
Para MOSFETs de canal P devemos inverter as polaridades das tenses aplicadas.
O uso do multmetro sem nenhum componente adicional tambm pode ajudar a revelar o estado de um
MOSFET de potncia. Para isso devemos considerar se este componente possui ou no o diodo de
proteo interna, conforme mostra a figura 8.

Colocando o multmetro numa escala intermediria de resistncias (Ohms x10 ou ohms x100) medimos a
resistncia entre o dreno (d) e a fonte (s), nos dois sentidos, conforme mostra a figura 9.
Num sentido ( quando o diodo se encontra polarizado no sentido direto) temos uma baixa resistncia. No
sentido inverso (quando o diodo se encontra polarizado no sentido inverso) temos uma alta resistncia.

Entendemos por alta resistncia, neste caso, valores acima de 1 M ohms.

Duas resistncias baixas indicam que o transistor est em curto.

Uma resistncia intermediria (entre 10 k e 1 M) onde deveria ser lido um valor muito maior, praticamente
infinito, indica um transistor em curto.

A resistncia entre a comporta e qualquer dos outros demais eletrodos (dreno e fonte) deve ser sempre
muito alta em qualquer sentido, conforme mostra a figura 10.

Esta elevada resistncia, bem acima dos 10 M ohms, deve-se presena do xido que isola a comporta do
substrato do componente.
Uma resistncia anormalmente baixa nesta medida indica um transistor danificado (em curto ou com fugas).
O teste dinmico tambm possvel. Para isso temos a configurao mostrada na figura 11 para o caso em
que a tenso da bateria interna do multmetro suficiente para polarizar a comporta do componente.
Com as pontas de prova na posio indicada, a leitura deve ser de uma alta resistncia inicialmente.
Fazendo uma ponte com uma chave de fendas ou um fio entre o dreno e a comporta do MOSFET devemos
ter sua conduo com o multmetro acusando uma queda de resistncia.Se a resistncia no se alterar sinal
que o componente est com problemas.
Para ter certeza que seu multmetro confivel neste teste, dadas suas caractersticas eltricas, tente antes
com um MOSFET que voc sabe que est em bom estado.

Concluso
Com um pouco mais de pacincia pode-se ir alm no uso do multmetro no teste de IGBTs e Power
MOSFETs.
Podemos at determinar algumas de suas caractersticas dinmicas, utilizando para isso alguns componentes
externos adicionais.
No entanto, para os leitores que trabalham com estes componentes e s vezes tm dvidas se eles esto
bons ou no, o simples teste de estado que descrevemos pode ser de muita utilidade.