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ESCUELA DE INGENIERIA
ELECTRNICA
ELECTRNICA II
AMPLIFICADORES A BAJAS
FRECUENCIAS Y PEQUEAS
SEALES
AGENDA
El transistor de unin.
Anlisis grfico de la configuracin emisor comn (E.C).
El Cuadripolo y el modelo hbrido.
Anlisis de un amplificador empleando los parmetros h.
Teorema de Miller y su dual.
Amplificadores de una etapa y en cascada.
Modelo hbrido simplificado en E.C y C.C.
El transistor a efecto de campo.
Anlisis grfico S.C.
Polarizacin del FET.
El FET como resistencia variable.
INTRODUCCIN
Amplificacin de seales.
INTRODUCCIN
Definicin de notacin:
Para seales DC
VCE , I E , I C ...
Para seales AC o valores instantneos totales
vCE , iE , iC ...
INTRODUCCIN
Que configuracin
presenta?
Polarizacin de Base
INTRODUCCIN
Que configuracin
presenta?
Emisor comn
Polarizacin de Base
INTRODUCCIN
Ic
Polarizacin de Base
INTRODUCCIN
INTRODUCCIN
Fuente AC
INTRODUCCIN
Capacitores de acople
INTRODUCCIN
INTRODUCCIN
Ejemplo:
Establecer el valor que debe tener el capacitor de acople si
R=2K y el rango de frecuencia de la fuente AC es de 20Hz a
20Khz.
X Condensador 0.1 RL
X C 0.1 2000 a 20Hz.
X C 200
1
XC
2 fC
Despejando el valor del condensador:
1
C 39.8 F
2 (20) X C
INTRODUCCIN
Ejemplo:
Establecer el valor que debe tener el capacitor de acople en
el punto E, si la frecuencia de la fuente AC es de 1Khz.
Ejemplo:
Establecer el valor que debe tener el capacitor de acople en
el punto E, si la frecuencia de la fuente AC es de 1Khz.
RTH 375
X Condensador 0.1 RTH
X C 37.5
1 1
XC C 4.2 F
2 fC 2 (1000) X C
INTRODUCCIN
Ejercicios:
a) Establecer el valor que debe tener el capacitor de acople
si RL=820 y el rango de frecuencia de la fuente AC es
de 2Khz a 15Khz.
0
INTRODUCCIN
0
INTRODUCCIN
0
INTRODUCCIN
Ic
ic
iC I c ic
INTRODUCCIN
IC [mA]
IB=400A
IB=300A
A
IB=200A
Q
Ic
IB=100A
B
ic VCE [V]
IB=0A
0 2 4 6
Recta de carga
En un diseo se busca que QDC=0.5
INTRODUCCIN
?
INTRODUCCIN
VBE [V]
Q
VBEQ
A
B
IB [mA]
0 I BQ
Cuando IB es mximo, el voltaje VBE es mximo, sin embargo, si se observa la
grafica IC vs VCE, se detalla que para un valor mximo de IB genera un valor
mnimo de VCE, de esta se puede concluir que hay una inversin de la seal AC de
entrada.
INTRODUCCIN
Por lo tanto:
VBE
VCE
INTRODUCCIN
iE iC iB iC iB
iC 1
iE iC
iE
iE ( 1)iB
1 iB (1 )iE
INTRODUCCIN
vin iB
Q1
iE VCC
VBB
Reemplazando:
RB RC
iB
vin vBE iB
VCC
VBB
Reemplazando:
RB RC
iB
vin vBE iB
VCC
VBB
Para diseo:
vin VBB vBE VCEQ
VCC QDC 0.5
VCEQ VCE ( corte )
2
INTRODUCCIN
Si se cumple la relacin:
iB
vin Q1
vBE
iE VCC
VBB
VBE VBE vBE
Sea:
IC IC 0e VT
iC I C 0 e VT
VBE vBE
IC I E iC I C 0 e VT
e VT
IC I B VT=25mV.
MODELOS
vin vin
iC I C 1 IC IC
VT VT
MODELOS
I C vin vin
iB r
VT iB
Impedancia de entrada.
VT
r
gm IB
MODELOS
B C B C
iB vin r gm vin
Q1
iE
E E
Modelo r
MODELOS
B C B C
vin r gm vin vin r iB
E E
Modelo r Modelo o hibrido
MODELOS
ie IC gm comn.
VT
re r ( 1)re
IE
MODELOS
Modelo completo :
til si:
Se usa solo la zona activa del transistor BJT.
La seal de entrada alterna sobre la juntura Base- Emisor cumple la
relacin:
vbe 2VT VT 26mV
cu
rx ru
B C
r gm vbe ro
E E
MODELOS
Modelo simplificado :
B C
r gm vbe ro
E E
Ganancia de corriente alterna
Ganancia inversa
I CQ 0
de tensin
1
gm r ro
VT gm gm
0 hFE 1x10 4
MODELOS
RB =100K RC =3K
iB
vin Q1 VCC =10V
0.7V
iE
VBB =3V
MODELOS
RB =100K RC =3K
iB
vin Q1 VCC =10V
0.7V
iE
VBB =3V
MODELOS
RB =100K RC =3K
iB
vin Q1 VCC =10V
0.7V M2
iE
VBB =3V
M1
MODELOS
VCE 3.1V
MODELOS
VT 100
r r 3
1087
gm I B 92 x10
3
IC 2.3 x10
gm gm 3
3
92 x10 mS
VT 26 x10
MODELOS
RB =100K RC =3K
iB
vin Q1 VCC =10V
0.7V
iE
VBB =3V
MODELOS
RB =100K RC =3K
iB
vin Q1
0.7V
iE
MODELOS
RB =100K RC =3K
iB
vin Q1
0.7V
iE
MODELOS
RB =100K RC =3K
vx r gm vx
vin
MODELOS
RB =100K RC =3K
vx r gm vx
vin
MODELOS
Modelo Hibrido:
Usado como modelo solo para frecuencias bajas y medias <100Khz
I1 I2
V1 Red de dos puertos (CUADRIPOLO) V2
I1 I2
Zi V1 f ( I1 ,V2 ) Zo
I 2 g ( I1 ,V2 )
MODELOS
Modelo Hibrido:
Usado como modelo solo para frecuencias bajas y medias <100Khz
I1 I2
V1 Red de dos puertos (CUADRIPOLO) V2
I1 I2
Zi V1 f ( I1 ,V2 ) Zo
I 2 g ( I1 ,V2 )
MODELOS
Modelo Hibrido:
Impedancia de entrada Zi :
Modelo Hibrido:
Impedancia de entrada Zi :
Mediante un osciloscopio o un multmetro digital sensible (DMM) para medir
los voltajes Vs y Vi.
Ambos voltajes pueden ser de pico a pico, pico, o valores RMS siempre y
cuando los dos niveles empleen el mismo estndar. La impedancia de entrada
se determina, por tanto, de la siguiente forma:
MODELOS
Modelo Hibrido:
Impedancia de salida Zo :
La impedancia de salida se determina en las terminales de salida si se mira
hacia atrs en el sistema con la seal aplicada igual a cero.
MODELOS
Modelo Hibrido:
V1 f ( I1 ,V2 ) I 2 g ( I1 ,V2 )
V1 h11 I1 h12V2 I 2 h21 I1 h22V2
V1
h11 Resistencia de entrada (con la salida en corto
I1 V 0 circuito)
2
V1
h12 Ganancia inversa de voltaje (con entrada
I2 I1 0
abierta)
MODELOS
Modelo Hibrido:
V1 f ( I1 ,V2 ) I 2 g ( I1 ,V2 )
V1 h11 I1 h12V2 I 2 h21 I1 h22V2
I2
h21 Ganancia de corriente (salida en corto
I1 V2 0
circuito)
I2
h22 Conductancia de salida (con entrada abierta)
V2 I1 0
MODELOS
Modelo Hibrido:
Asociacin de los parmetros h:
h11 hi _ h12 hr _ h21 hF _ h22 hO _
E Emisor
B Base
C Colector
Modelo general:
I1 hi _ I2
+ +
+ 1
V1 V2 hr _ I1hF _ V2
-
- hO _ -
MODELOS
Modelo Hibrido:
Modelo de parmetros h para Modelo de parmetros h para
emisor comn: colector comn:
Teora
IC Practica, Laboratorio
I C
hFE hFE
IB VCE 0
I B VCEQ Constante
MEDIDA DE
PARAMETROS
Medicin de parmetros H
Emisor Comn: RC
iB
Modelo de parmetros h para RB
emisor comn: Q1
vbe hiE iB hrEVce
VCC
iE
VBB
iC hFE iB hOEVce
Teora
VBE VBE
Practica, Laboratorio
hrE hrE
VCE I B 0
VCE I BQ Constante
Teora
IC I C
Practica, Laboratorio
hoE hoE
VCE I B 0
VCE I BQ Constante
Anlisis Matemtico
Emisor Comn:
RB RC
iB
vin Q1 VCC
iE
VBB
PARAMETROS H
Anlisis Matemtico
Emisor Comn:
RB I1 hiE I2 RC=ZL
+ +
+ 1
vin V1 V2 hrE I1hFE V2
- hOE
- -
Vo=V2 Io=I2
Vi=V1 Ii=I1
PARAMETROS H
Anlisis Matemtico
Emisor Comn:
RB I1 hiE I2 RC=ZL
+ +
+ 1
vin V1 V2 hrE I1hFE V2
- hOE
- -
V2 i2 Z L i2 hFE i1 V2 hoE
i2 A1i1 i2 hFE i1 ( Z L i2 )hoE
i2 hFE
V2 A1Z L i1
i1 1 Z L hoE
PARAMETROS H
Anlisis Matemtico
Emisor Comn:
RB I1 hiE I2 RC=ZL
+ +
+ 1
vin V1 V2 hrE I1hFE V2
- hOE
- -
Anlisis Matemtico
Emisor Comn: V2 (hiE hoE ) Ai Z LV1
hFE Z L
V2 Ai Z L V2 1 Z L hoE
V1 hiE hrE V1 hiE hrE
hFE Z L
AV
hiE (1 Z L hoE ) hrE hrE hoE Z L
Se asume 0
hFE Z L hFE Z L
AV
hiE (1 Z L hoE ) hiE
PARAMETROS H
Matemtico
Cualquier configuracin:
hF _ Z L
AV
hi _ (1 Z L ho _ ) hr _ hr _ ho _ Z L
Si hi _ > hr _ ho _ Z L
hF _ Z L
AV
hi _
hF _
Ai
1 Z L ho _
Si 1 > ho _ Z L
Ai hF _
PARAMETROS H
Anlisis Matemtico
Cualquier configuracin:
hr _ hF _ Z L
Z i hi _
1 Z L ho _
Valor aproximado:
Z i hi _
hi _ RB
Zo
ho _ (hi _ RB ) hF _ hr _
PARAMETROS H
Ejemplo:
Determine las ganancias de corriente y voltaje, adems de las
impedancias de entrada y salida.
hiE 1.1Kh hrE 2.4 x104 Z L 1K
hFE 50 hoE 24 x10 S RB 200
6
hFE Z L
AV
hiE (1 Z L hoE ) hrE hrE hoE Z L
50 1x103
AV
1.1x103 (1 1x103 24 x10 6 ) 2.4 x10 4 2.4 x10 4 24 x10 6 1x103
AV 44.38
PARAMETROS H
Ejemplo:
Determine las ganancias de corriente y voltaje, adems de las
impedancias de entrada y salida.
hiE 1.1Kh hrE 2.4 x104 Z L 1K
hFE 50 hoE 24 x10 S RB 200
6
hFE Z L 50 1x103
AV
6
4
hiE (1 Z L hoE )
3 3
1.1x10 (1 1x10 24 x10 ) 2.4 x10
AV 45.45
hFE 50
Ai 6
48.82
1 Z L hoE 1 24 x10 1x10 3
PARAMETROS H
Ejemplo:
Determine las ganancias de corriente y voltaje, adems de las
impedancias de entrada y salida.
hiE 1.1Kh hrE 2.4 x104 Z L 1K
hFE 50 hoE 24 x10 S RB 200
6
Ai hFE 50
hrE hFE Z L
Z i hiE
1 Z L hoE
4
2.4 x10 50 1x10 3
Z i 1.1x10 3
6
1088.3
1 1x10 24 x10
3
PARAMETROS H
Ejemplo:
Determine las ganancias de corriente y voltaje, adems de las
impedancias de entrada y salida.
hiE 1.1Kh hrE 2.4 x104 Z L 1K
hFE 50 hoE 24 x10 S 6
RB 200
Z i hiE
Z i 1.1x10 3
hiE RB
Zo
hoE (hiE RB ) hFE hrE
PARAMETROS H
Ejemplo:
Determine las ganancias de corriente y voltaje, adems de las
impedancias de entrada y salida.
hiE 1.1Kh hrE 2.4 x104 Z L 1K
hFE 50 hoE 24 x10 S RB 200
6
1.1x10 200 3
Zo 6 4
24 x10 (1.1x10 200) 50 2.4 x10
3
Z o 67.708 x10 3
PARAMETROS H
Ejercicio:
Curva AC:
PARAMETROS H
Curva AC:
Z L RC || RL Rac Z L
PARAMETROS H
Curva AC:
vce ic Z L iC I CQ ic
vce
vCE VCEQ ic Z L iC I CQ
vCEQ vCE ZL
ic
ZL
PARAMETROS H
Curva AC:
Curva AC:
VCEQ
iC ( sat ) I CQ ; vCE 0
RAC
Valor mayor a I C ( sat )
PARAMETROS H
iC ( sat ) 1
RDC RC RE
I C ( sat )
IB=200A
QDC
VCE [V]
0 VCE ( corte )
vCE ( corte )
PARAMETROS H
Curva AC:
Problemas de distorsin si no se selecciona un punto QAC apropiado.
PARAMETROS H
Curva AC:
Seleccin del QAC apropiado.
VCEQ
QAC 0.5
vCE ( corte )
VCEQ I C Q RAC
Cuando hay una resistencia de emisor
RE, pero no hay un capacitor en
paralelo, es necesario recalcular la
RAC.
hFE 1
RAC ZL RE
hFE
PARAMETROS H
Curva AC:
Diseo garantizando un
QAC apropiado.
VCEQ I C Q RAC
Curva AC:
Diseo garantizando un
QAC apropiado.
VCEQ I C Q RAC
Parmetros AC importantes:
Voltaje pico de salida:
vo ( pico ) vi ( pico ) AV
Voltaje pico a pico de salida:
Ejemplo:
Disee un amplificador en configuracin emisor comn que cumpla con
las siguientes caractersticas. Use ecuaciones aproximadas.
RL 1K AV 20
Asuma:
Vcc 12V VBE 0.7V hFE 200 hiE 3.5 x103
PARAMETROS H
200 Z L RDC RC RE
20
3.5 x103 RDC 640
Z L 350 Se calcula RAC:
Z L RC || RL RAC Z L
I CQ
12 vCE ( corte ) 8.48V
350 640
Se halla el QDC:
I CQ 12.12mA VCEQ
QDC
VCEQ I CQ RAC VCE ( corte )
VCEQ 4.24V QDC 0.35
PARAMETROS H
Ejemplo:
Determinar los valores de R1 y R2 VBB RB I B VBE I E RE
Asumiendo =hFE VBB 2 x103 606 x10 7
Regla de diseo:
0.7 12.12 x103 100
RB 0.1 RE
RB 2 x103 VBB 2.033V
Despejamos R1 y R2
RB 2 x10 3
Ejemplo:
R1 11.8 K R2 2.4 K
Z i RB || Z i ( transistor )
Z i RB || Z1
Ejemplo:
538.4
11.8K
2.4K
100
PARAMETROS H
Ejercicio:
Disee un amplificador en configuracin emisor comn que cumpla con
las siguientes caractersticas. Use ecuaciones aproximadas.
a) RL 920 AV 40
b) RL 5.6 K AV 20
c) RL 920 AV 10
d) RL 12.3K AV 2
e) RL 1.2 K AV 1
Asuma:
Vcc 24V VBE 0.7V hFE 130 hiE 3.8 x103
PARAMETROS H
Z i RX RS Impedancia de entrada.
Vi RX Vo V2 V1 Vo
V1 AV (TOTAL )
RS RX V2 V1 Vi Vi
PARAMETROS H
Vo V2 V1 RX RX
1 AV
V2 V1 Vi RS RX Zi
AV RX
AV (TOTAL )
Zi
PARAMETROS H
Ejemplo:
Disee un amplificador con |AVT|=30 si los parmetros son:
VCC 12V hFE 200 hiE 3.5 x103
RL 1x10 3
RC 1.3 x10 3
3.5 x103 RB
hFE Z L 200 Z L
AV Z L RC || RL 565.2
hiE 3.5 x103
AV 32.29
PARAMETROS H
Ejemplo:
Disee un amplificador con |AVT|=30 si los parmetros son:
VCC 12V hFE 200 hiE 3.5 x103
RL 1x10 3
RC 1.3 x10 3
Asumiendo RE=300
RB 6 x10 3
RB 2 x10 3
Ejemplo:
Disee un amplificador con |AVT|=30 si los parmetros son:
VCC 12V hFE 200 hiE 3.5 x103
RL 1x10 3
RC 1.3 x10 3
41079.338
30
Zi
Z i 1369.31 Z i Z1 ' RS
1369.31 1270 RS
RS 99.31
PARAMETROS H
hFE Z L
AV
hiE (1 hoE Z L ) hFE RE hrE hFE Z L
hrE hFE Z L
Z1 hiE hFE RE
1 hoE Z L
PARAMETROS H
Emisor seguidor:
Cuando la salida se toma de la
terminal del emisor del transistor,
a la red se le denomina como
emisor-seguidor.
hFE
Ai
1 hoE Z L
hFC Z L
AV
hiC (1 hoC Z L ) hrC hFC Z L
hrC hFC Z L
Z1 hiC
1 hoC Z L
PARAMETROS H
0 AV 1 hiC hiE
hrC 1 hrE
Valor aproximado:
hrC 1
hFC (1 hFE )
hoC hoE
PARAMETROS H
Z L RL || RE RDC RE R AC Z L
Con un QAC=0.5:
VCEQ VCC
I CQ I CQ
RAC RDC RAC
Aproximaciones:
hFC Z L
AV
hiC (1 hoC Z L ) hFC Z L
hFC Z L
Z1 hiC
1 hoC Z L
PARAMETROS H
Configuracin Base Comn:
Ai hFB
hFB Z L
AV
Z1
VCC
I CQ
RDC RAC
Z1 ' Z1 || RE
Z i Z1 ' RS
PARAMETROS H
hiE hoE
hiB hoB
D D
hiE hoE hrE (1 hFE ) hFE (1 hrE ) hiE hoE
hrB hFB
D D
PARAMETROS H
Ai 1
Z L RC || RL
Para un QAC=0.5