MATERIALES INDUSTRIALES

PQ-314 A
Comportamiento trmico, defectos
y difusin de los metales

Ing. Csar Batalla Orosco

LIMA - PER
 13. COMPORTAMIENTO TERMICO DE LOS METALES

Muchos importantes fenmenos metalrgicos dependen fuertemente de la temperatura a

la que se producen, en los ltimos aos se han hecho grandes avances para determinar la
teora de estos fenmenos dependientes de la temperatura, siendo la Termodinmica, la
Cintica y la Mecnica Estadstica las ciencias que ms han contribuido.

P1,T1,V1,S1,E1,H1,F1
2 4 P3,T3,V3,S3,E3,H3,F3

P2,T2,V2S2,E2,H2,F2 P4,T4,V4,S4,E4,H4,F4
1 3
DEFECTOS Y DIFUSIN DE LOS METALES
DEFECTOS EN LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS DE LOS METALES

(Lugares vacantes)

(Dislocaciones)

(Lmites de grano)
(Poros, grietas, inclusiones)
DEFECTOS PUNTUALES LUGARES VANTES EN LAS
ESTRUCTURAS CRISTALINAS
DEFECTOS PUNTUALES LUGARES VACANTES EN LAS
ESTRUCTURAS CRISTALINAS

CATION INTERSTICIAL

VACANTE DE CATION

VACANTE DE ANION
DEFECTOS PUNTUALES LUGARES VACANTES EN LAS
ESTRUCTURAS CRISTALINAS
DEFECTOS PUNTUALES LUGARES VACANTES EN LAS
ESTRUCTURAS CRISTALINAS
DIFUSIN DE LOS ATOMOS EN LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS

La interdifusin de los
tomos A y B. Cualquier
tomo A B tienen la misma
probabilidad de moverse en
cualquier direccin. Los
gradientes de concentracin
producen un flujo neto de los
tomos A hacia el lado de los
tomos B y viceversa.
DIFUSIN DE LOS ATOMOS EN LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS

Difusin de los tomos de

cobre en el nquel. Al
final, los tomos de cobre
estn uniformemente
distribuidos en todo el
nquel.
DIFUSIN DE LOS ATOMOS EN LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS

Mecanismos de difusin en los

materiales.
(A) Difusin por vacantes o por
sustitucin de tomos,
(B) difusin intersticial,
(C) difusin intersticial desajustada,
(D) difusin por intercambio y en
crculo.
DIFUSIN DE LOS ATOMOS EN LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS

Puesto que los tomos son

forzados o deformados al
pasar entre otros durante la
difusin, se requiere una
energa alta. Esta cantidad
es la energa de activacin
Q. Generalmente el tomo
sustitucional requiere
mayor energa que el
intersticial. Normalmente se
necesita menos energa
para forzar un tomo
intersticial
DIFUSIN DE LOS ATOMOS EN LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS

La densidad de flujo
durante la difusin se define
como el nmero de tomos
que pasan a travs de un
plano de rea unitaria por
unidad de tiempo.
DIFUSIN DE LOS ATOMOS EN LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS

lustracin del gradiente

de concentracin.
DIFUSIN DE LOS ATOMOS EN LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS

Difusin de los tomos

en la superficie de un
material, lo que
representa la aplicacin
de la segunda ley de
Fick.
DEFECTOS PUNTUALES LUGARES VACANTES EN LAS
ESTRUCTURAS CRISTALINAS

n0 nv
 DEFECTOS PUNTUALES LUGARES VACANTES EN LAS
ESTRUCTURAS CRISTALINAS

La entropa de mezclado Sm derivada de los gases ideales se expresa

como:
Sm = DS = -n k [C Ln C + (1-C) Ln (1-C)
Sm = entropa de mezclado
n = nmero total de tomos = nA + nB
k = constante de Boltzmann
C = concentracin de tomos A = nA / n
1-C = concentracin de tomos A = nB / n

Aplicando la entropa de mezclado a los lugares vacantes

n = nmero total de tomos = no + nv
Cv = concentracin de lugares vacantes = nv / (no + nv )
Co = concentracin de posiciones ocupadas por tomos = no / (no + nv )
 DEFECTOS PUNTUALES LUGARES VACANTES EN LAS
ESTRUCTURAS CRISTALINAS
Sm = - k [nv Ln (nv / (no + nv))+ no Ln (no / (no + nv))]
Sm = - k [(nv Ln nv nv Ln (no + nv) + no Ln no no Ln (no + nv)]
Sm = k [(no + nv) Ln (no + nv) - nv Ln nv - no Ln no ]
Aplicando la ecuacin de la Energa libre para los lugares vacantes
Fv = nv w - Sm T
Fv = nv w - k T[(no + nv) Ln (no + nv) - nv Ln nv - no Ln no ]
La energa libre es mnima cuando el cristal est en equilibrio
dFv / dnv = w - kT [(no + nv)( 1 / (no + nv)+ Ln (no + nv) - nv (1 / nv) - Ln nv - 0 ]
dFv / dnv = w kT [Ln ((no + nv) / nv)] , para hallar el mnimo igualamos la derivada a cero

0 = w + kT [Ln (nv /(no + nv) )]

nv /(no + nv = e- ( w / kT) ,pero nv <<< nv

nv /no = e -( w / kT)

Donde w = trabajo para formar un mol de lugares vacantes

k = Constante de Boltzmann = 1.38 x 10 -23 Joules / tomos-K
T = Temperatura absoluta ( K)
nv = N de lugares vacantes ; no = N de tomos
 DEFECTOS PUNTUALES LUGARES VACANTES EN LAS
ESTRUCTURAS CRISTALINAS

nv /no = e - ( w / kT)

Si a la potencia de esta ecuacin la multiplicamos y dividimos por el

Nmero de Avogadro = 6.023 x 10 23 tomos / mol tenemos que

Qf = w N
R = kN

nv /no = e -(Qf / RT)

Donde Qf = Calor de activacin para formar un mol de lugares vacantes

R = Constante de los gases = 2 cal /mol ; T = Temperatura absoluta ( K)
nv = N de lugares vacantes ; no = N de tomos
 DEFECTOS PUNTUALES LUGARES VACANTES EN LAS ESTRUCTURAS
CRISTALINAS
PROBLEMA.-El valor experimental del Calor de activacin para formar un mol de lugares
vacantes en El Cobre es de 20,000 cal y R = Constante de los gases = 2 cal /mol - K

nv /no = e -(Qf / RT)

nv /no = e -(20,000 / 2T)

nv /no = e -(10,000 / T) es f (T)

A temperatura cero absoluto = 0 K

) =
nv /no = e -(10,000 / 0) = e -(
)
1/e (
nv /no = 0
A temperatura ambiente = 27 C = 300 K nv /no = e -(10,000 / 300) = e -(100 /3)
nv /no = 3.338 x 10 -15

A 1350 K ( - 5 C temp. Fusin ) nv /no = e -(10,000 /1350) = e -(1000 /135)

nv /no = 6.067 x 10 -4

A temperatura cercana a la Fusin hay 1 lugar vacante por cada 1000 tomos y a la
temperatura ambiente habr un lugar vacante por cada 100,000 tomos.
 DEFECTOS PUNTUALES LUGARES VACANTES EN LAS
ESTRUCTURAS CRISTALINAS
+ nv w

Fv
Energa
nv
n1
n0

-
-TS

La Energa Libre en funcin del nmero de lugares vacantes

 MOVIMIENTO DE LUGARES VACANTES

nv /no = e -(Qf / RT)

Donde Qf = Calor de activacin para formar un mol de lugares vacantes

R = Constante de los gases = 2 cal /mol ; T = Temperatura absoluta ( K)
nv = N de lugares vacantes ; no = N de tomos

Falta incluir una variable importante y es el tiempo para obtener el nmero de

lugares vacantes. Es corto a temp. cercana a la fusin y largo a la temp. ambiente

q0 es la energa que requiere un

tomo btener el tomo para pasar al lugar vacante
y la probabilidad de que salte es
proporcional a e -(q0 / kT)

p= Constante x e -(q0 / kT)

 MOVIMIENTO DE LUGARES VACANTES

rv =A e -(q0 / kT)

Donde q0= Calor de activacin por tomo que salta al lugar vacante
k = Constante de Boltzmann ; T = Temperatura absoluta ( K)
A = Constante ; no = N de tomos

Si a la potencia de esta ecuacin la multiplicamos y dividimos por el

Nmero de Avogadro = 6.023 x 10 23 tomos / mol tenemos que

Qm = q 0 N
R =kN
rv =A e -(Qm / RT)

Donde rv = Es el nmero de tomos que saltan a un lugar vacante

Qm = Es la energa de activacin para el movimiento de lugares vacantes (cal/mol)
R = Constante de los gases = 2 cal /mol ; T = Temperatura absoluta ( K)
 MOVIMIENTO DE LUGARES VACANTES

PROBLEMA.-El valor de la constante A para el cobre es de 10 15 y la energa de activacin

Qm = 29,000 cal /mol . Calcular rv para 300 K y 1350 K.

rv =A e -(Qm / RT) = 10 15 e -(29,000 / 2T) = 10 15 e -(14,500 / T)

A 300 K
rv = 10 15 e -(14,500 / 300) = 10 15 e -(145/3)

rv ( 300 K)= 10 -6 saltos /seg.

A 1350 K
rv = 10 15 e -(14,500 / 1350) = 10 15 e -(10.7407)

rv ( 1350 K)= 2.16 x10 10 saltos /seg.

A temperatura cercana a la Fusin el lugar vacante se mueve aproximadamente

21,600 millones de veces por segundo y a la temperatura el lugar vacante se
movera una vez cada 106 segundos cada 11 das.
 MOVIMIENTO DE LUGARES VACANTES

El nmero de saltos que el tomo promedio hace por segundo cuando el cristal contiene
un nmero en equilibrio de lugares vacantes. Esta cantidad es fraccional a nv / n0

ra = (nv / n0) A e -(Qm / RT)

Pero nv /no = e -(Qf / RT)

ra = e -(Qf / RT) A e -(Qm / RT)

ra = Ae -[(Qf+Qm) / RT)
La proporcin a la cual salta un tomo o se mueve de un lugar a otro en un cristal,
depende de 2 energas: Qf el trabajo para formar un mol de lugares vacantes y Qm la
barrera de energa que se debe vencer para poder mover un mol de tomos dentro de los
lugares vacantes. Como ambas energas son aditivas , la proporcin del salto atmico es
extremadamente sensitiva a la temperatura
 MOVIMIENTO DE LUGARES VACANTES

PROBLEMA.-El valor de la constante A para el cobre es de 10 15 y la energa de activacin

Qm = 29,000 cal /mol y Qf Calor de activacin para formar un mol de lugares vacantes en
el Cobre es de 20,000 cal y R = Constante de los gases = 2 cal /mol - K
Calcular ra para 300 K y 1350 K.

ra =A e [(Qf + Qm )/ RT] = 10 15 e [(29,000+20,000) / 2T) = 10 15 e -(24,500 / T)

A 300 K
ra = 10 15 e -(24,500 / 300) = 10 15 e -(245/3)

ra ( 300 K)= 3.409x10 -21 saltos /seg.

A 1350 K
rv = 10 15 e -(24,500 / 1350) = 10 15 e -(10.7407)

ra ( 1350 K)= 1.31 x10 7 saltos /seg.

 DEFECTOS LINEALES DISLOCACIONES
DISLOCACIN.- Imperfeccin lineal alrededor de la cual los tomos del
cristal estn desalineados

DE BORDE O ARISTA ( cua, lnea)

Semiplano de tomos cuya arista (borde) termina dentro del cristal.

HELICOIDAL
Apilacin de planos en espiral a lo largo de la lnea de dislocacin.

MIXTAS De carcter doble: arista y helicoidal

 DEFECTOS LINEALES DISLOCACIONES

Dislocacin de borde .-Una dislocacin de

borde se crea en un cristal por la interseccin
de un semiplano extra de tomos
DEFECTOS LINEALES DISLOCACIONES
DEFECTOS LINEALES DISLOCACIONES
DEFECTOS LINEALES DISLOCACIONES
DEFECTOS LINEALES DISLOCACIONES
DEFECTOS LINEALES DISLOCACIONES
DEFECTOS LINEALES DISLOCACIONES
DEFECTOS LINEALES DISLOCACIONES
DEFECTOS LINEALES DISLOCACIONES
 DEFECTOS LINEALES DISLOCACIONES HELICOIDALES

(C) HELICOIDAL A LA IZQUIERDA Y (D) HELICOIDAL A LA DERECHA

DEFECTOS LINEALES DISLOCACIONES
DEFECTOS LINEALES EN LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS
DEFECTOS LINEALES EN LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS

DISLOCACIONES VISTAS EN UN MICROSCOPIO METALOGRAFICO

DEFECTOS INTERFACIALES EN LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS
DEFECTOS INTERFACIALES LIMITES DE GRANO
DEFECTOS INTERFACIALES LIMITES DE GRANO
DEFECTOS INTERFACIALES -MACLAS
DEFECTOS INTERFACIALES EN LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS
DEFECTOS DE VOLUMEN EN LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS
DEFECTOS DE VOLUMEN EN LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS
DEFECTOS DE LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS