CIRCUITOS DE DISPAROS PARA TIRISTORES

PARTE II

1. UJT sincronizado por lnea para un SCR.

La compatibilidad entre un UJT y los SCR, trae excelentes ventajas,

como por ejemplo:

El UJT genera una salida de tipo pulso, la cual es excelente para

lograr el encendido seguro de un SCR sin poner en riesgo la
capacidad de disipacin de energa de la compuerta SCR.
El punto de disparo del UJT es inherentemente estable sobre un
rango amplio de temperaturas. Puede hacerse incluso ms estable
con un poco de esfuerzo adicional, anulando la inestabilidad de
temperatura de los SCR.
Los circuitos de disparo del UJT son fcilmente adaptables para
control de retroalimentacin.

Figura 1. UJT Sincronizado Por lnea Para Un SCR

El circuito de la Figura 1, es el mtodo clsico para disparar un SCR con

un transistor monounin. El diodo zener (ZD1) recorta la forma de onda
de entrada a la tensin zener (generalmente cercano a 20 V para uso
con una fuente de alimentacin de 120 V CA) durante el medio ciclo
positivo de la lnea. Una vez que la tensin cd V S se ha establecido, CE
comienza a cargarse a travs de RE. Cuando CE alcanza el pico de la
tensin del UJT, el UJT se dispara, creando un pulso de tensin a travs
de R1. Esto dispara al SCR, permitiendo de este modo, el flujo de
corriente a travs de la carga para el resto del medio ciclo positivo.
Este arreglo de circuito proporciona una sincronizacin automtica entre
el pulso de disparo del UJT y la polaridad del SCR, es decir, siempre que
el UJT entregue un pulso, se garantiza que el SCR tendr la correcta
polaridad de tensin nodo a ctodo para encenderse.

Ahora se presentar un mtodo para dimensionar todos los

componentes de la Figura 1, se asume que el UJT es 2N4947, que tiene
las siguientes caractersticas tpicas a una tensin de alimentacin de
20V.

r BB =6 k
I V =4 mA
=0.60
V =3 V
I P =2 A V

El diodo zener en este caso es 1N4747A, el cual tiene una tensin de

ruptura zener de 20 V, luego la corriente a travs de R 1 antes del disparo
estar dada por:

considerar a R2 y R1 debido a que estas son muchoms pequeas que r BB

sin
20 V
I R1=
R2 +6 k+ R1

20 V
I R 1= =3.3 mA
6 k

Dado que la mayora de los SCR se dispara a un V GK de cerca de 0.7 1

V, es razonable permitir que V R1 no suba ms de 0.3 V mientras que el
UJT est esperando por la seal de disparo. Por lo tanto:

V R 1 0.3 V
R1= = =100
I R 1 3.3 mA

Dado que RE debe ser lo bastante pequea, para permitir que corriente
suficiente fluya dentro del emisor para activar el UJT, de igual manera,
deber ser lo bastante grande para impedir que el UJT se bloquee, es
decir que no debe permitir que el emisor transporte una corriente igual
a la corriente de valle, despus que el condensador se haya descargado,
entonces:

V s V V 20V 3 V
R Emin= = =4.25 k
IV 4 mA

Lo que significa que RE deber ser mayor al valor anteriormente descrito,

para permitir que el UJT se apague, por lo tanto el valor de R E ser de 10
k. Al proseguir se observa que:

V P = V B 2 B 1+V D =( 0.60 ) (20 V ) +0.6 V =12.6 V

V S V P 20 V 12.6 V
R Emax= = =3.7 M
IP 2 A

Lo que significa que RE debe ser ms pequeo que 3.7 M con el fin de
suministrar suficiente corriente de emisor para disparar el UJT. Para
dimensionar RE, en situaciones como estas es considerable tomar la
media geomtrica, dando como resultado:

R E= ( 4.25 k )( 3.7 M )

R E=125 k

Tomando como valor del potencimetro ms cercano de 100 k ; para

calcular el valor de CE, es necesario saber que el tiempo de carga V P se dar a
la mitad del periodo de la lnea, por lo tanto para una frecuencia de 60 Hz, el
tiempo de medio ciclo es de cerca de 8.3 ms, por lo tanto:

R Etotal C E =8.3 ms

8.3 ms
C E= =0.083 F
100 k

Luego el tamao estndar ms cercano es 0.082 F. R 2 a veces es difcil de

determinar, a menudo est determinada mediante referencia a grficas, las
hojas de especificaciones detalladas por los fabricantes contienen grficas
para determinar esta resistencia, estableciendo principalmente un valor para
obtener una buena estabilidad trmica, en muchos casos esto se obtiene
cuando R2 es igual a 1 k.

La corriente promedio permitida a travs del zener durante medio ciclo

positivo es:

P media 2 W
I= = =100mA
VZ 20V

Por lo tanto el valor de RD, viene dado por:

120V 20 V
R D= =1 k
100 mA

Es considerable utilizar un valor ms grande como margen de seguridad, por lo

tanto:

R D=2.2 k

La potencia disipada por esta resistencia, se puede determinar si se asume

una cada de tensin de 100 V a travs del resistor:

(100 V )2
PRd = =4.5 W
2.2 k

El circuito de la Figura 1, se logr simular en la plataforma Proteus, obteniendo

las siguientes formas de ondas. Cabe resaltar que los clculos anteriormente
realizados son aproximados.
Figura 2. Circuito Montado En La Plataforma Proteus.

Figura 3. Forma de Onda VS (Diodo Zener)

Figura 4. Forma de Onda en la Carga (potencimetro al 100% de
su valor hmico).

Figura 5. Forma de Onda en la Carga (potencimetro

aproximadamente al 50% de su valor hmico).

Figura 5. Forma de Onda en la Carga (potencimetro

aproximadamente al 3% de su valor hmico).
Conclusiones: El transistor de unijuntura es utilizado para generar
pulsos de disparos para SCR y TRIACs. Este presenta grandes ventajas
cuando es utilizado en estos tipos de circuitos, produciendo as una
caracterstica nica en estos tipos de circuitos de disparos. Para que se
garantice una sincronizacin entre el pulso de disparo del UJT y la
polaridad de la tensin alterna a travs del SCR, estos circuitos no
deben estar conectados a una fuente independiente del circuito de
potencia.

Anexo:
Datasheet C106B
 UJT 2N4947
Bibliografa:

[1] Maloney, T. (2006). Electrnica industrial moderna. 5th ed. Mxico:

Pearson Educacin, pp.198 - 202.