Defectos e imperfecciones

Al analizar el trmino "imperfeccin de un material'', se presupone de un error en

la organizacin de dicho material, y muchas veces, tambin se enjuicia con
alevosa y asumimos que dicha imperfeccin, relacionada con algn tipo de
imagen de deformacin que es visualmente perceptible, le atribuyen al material el
valor de obsoleto y no siempre es as.

El arreglo de los tomos o iones en los materiales diseados tiene imperfecciones

o defectos. Frecuentemente stos defectos tienen un efecto profundo sobre las
propiedades de los materiales, y no necesariamente suceden a niveles macros, y
muchas otras veces, tales errores suelen ser aprovechados en la aplicacin de un
material a una necesidad determinada.

En este contexto, el material no se considera defectuoso desde el punto de vista

de la aplicacin. Las dislocaciones, que son defectos lineales en un material
suelen ser utilizadas para aumentar la resistencia de un material. En el uso de
materiales electrnicos, conductores de electricidad, es necesario eliminar stas
dislocaciones al menor ndice posible, con tal de garantizar la conductividad. El
mtodo para dar un color especfico a cristales se realiza a nivel de
imperfecciones, que al aumento de la cantidad de un material diferente, produce
que este cambie sus propiedades internas, al nivel de su propio color. As la
mxima pureza de un metal, tambin asegura el aumento en su conductividad.

Un grano es una porcin del material que contiene tomos con una disposicin
atmica idntica. Sin embargo, cada grano tiene una orientacin cristalogrfica
distinta. Los lmites de granos son regiones entre distintos granos de un material
policristalino. Recordando el concepto, " Los policristalinos estn formados de
pequeos y cuantiosos cristales orientados diversamente con respecto al
espacio." del captulo 3 de este documento. " Estos lmites se asumen como
una clase de defectos. La presencia de lmites de grano ayuda en realidad a
endurecer materiales metlicos.
Existen tres tipos de defectos: puntuales, lineales (dislocaciones) y superficiales.

Defectos puntuales

Los defectos puntuales son alteraciones o discontinuidades de la red cristalina con

respecto a la ideal, provocadas poruno o varios tomos. Se originan por el
movimiento de tomos durante el calentamiento o procesado del material,
introduccin de impurezas o por aleacin. (Una aleacin es una mezcla slida
homognea de dos o ms metales, o de uno o ms metales con algunos
elementos no metlicos)

Estos defectos distorsionan la read a lo largo de cientos de tomos. Una

dislocacin que se propaga por el material ordenado encontrar cerca del defecto
puntual una regin estructural desordenada. Para continuar su movimiento y
vencer al defecto, la dislocacin necesita un esfuerzo mayor. Se incrementa por
tanto la resistencia mecnica del material.

stas interrupciones localizadas en arreglos atmicos o inicos no permiten que

dichos tomos tengan una estructura cristalina perfecta. As las impurezas son
elementos o compuestos presentes en las materias primas o en el procesamiento.

Los defectos puntuales se pueden introducir por el movimiento de los tomos o

iones al aumentar la energa por calentamiento, durante el procesamiento del
material, por introduccin de impurezas o por dopado. Los dopantes son
elementos o compuestos que se agregan en forma deliberada y en cantidades
conocidas en lugares especficos de una microestructura, buscando un efecto
benfico en las propiedades de dicho material.
 Se subdividen en:

Vacancia:
se produce cuando falta un tomo o in en su sitio normal en la red cristalina.
Esta se origina durante la solidificacin a alta temperatura o como
consecuencia de los daos provocados por la radiacin (intencional). En la
ausencia de un tomo aumenta el desorden normal o entropa del material, lo
cual aumenta la estabilidad termodinmica de un material cristalino. Todos los
materiales cristalinos tienen defectos de vacancia.
El sintetizado es un proceso mediante el cual se forma una masa densa
calentando materiales pulverizados compactados. Con este proceso se
fabrican los capacitores, y se asume como un tratamiento trmico. Existe una
relacin entre la temperatura y la concentracin de vacancia, este
comportamiento de Arrhenius, obedece a que la concentracin de vacancias a
temperatura ambiente es pequea. Al aumentar la temperatura, aumenta en
forma exponencial dicha cantidad, con la siguiente relacin.

Para determinar la cantidad de vacancias por centmetros cbicos, usamos los

datos del material, y su parmetro de red. Dado un material, por ejemplo cobre
FCC, donde el parmetro es 0.36151nm, la cantidad de tomos de cobre, o puntos
de red por cm, est dado por el residuo de dividir la cantidad de tomos por celda,
siendo sta FCC seran 4, sobre el parmetro de red, en centmetros, y el
resultado es (n) la cantidad de tomos por centmetros cbicos.
Defecto Intersticial:
Se forma cuando se inserta un tomo o ion adicional en la estructura cristalina en
una posicin normalmente desocupada. Los tomos intersticiales son mayores
que los huecos intersticiales que ocupan y menores que los tomos reticulares
que los rodean, es decir, aquellos que definirn su nmero de coordinacin. Si hay
dislocaciones en los cristales al tratar de mover estos tipoos de defectos, se
encuentran con resistencia a su movimiento, con lo que se vuelve difcil crear
deformacin permanente en metales y aleaciones. La cantidad de tomos se
mantiene prcticamente constante a pesar del aumento trmico.

Defecto sustitucional:
Cuando un tomo es sustituido con un tipo distinto de tomo o ion, los tomos
sustitucionales ocupan el sitio normal en la red. Pueden ser mayores que los
tomos o iones normales en la estructura cristalina, en cuyo caso se reducen los
espacios interatmicos vecinos, o pueden ser menores, lo cual causar que los
tomos vecinos tengan distancias interatmicas mayores. Si el defecto
sustituciones es mayor que los tomos normales la red se comprime, si es menor
la red se expande (tensin). El nmero de defectos sustitucionales no depende de
la temperatura.