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PROFESOR GUA:
RODRIGO ERNESTO PALMA BENKE
MIEMBROS DE LA COMISIN:
ROBERTO CRDENAS DOBSON
LORENZO REYES CHAMORRO
SANTIAGO DE CHILE
01-Nov-12
SANTIAGO DE CHILE 2012
RESUMEN DE LA MEMORIA PARA OPTAR AL TTULO DE INGENIERO CIVIL ELECTRICISTA
POR: ANDRS ALBERTO QUEZADA NOVOA
FECHA: 1 DE NOVIEMBRE DE 2012
PROF. GUA: Sr. RODRIGO PALMA BEHNKE
ii
a mi familia
iii
Agradecimientos
iv
ndice de contenido
CAPTULO 1: Introduccin ............................................................................ 2
1.1. Motivacin ..................................................................................... 2
1.2. Objetivo general ............................................................................. 3
1.3. Objetivos especficos....................................................................... 3
1.4. Estructura del trabajo ..................................................................... 3
CAPTULO 2: Estado del arte ........................................................................ 4
2.1. Generacin fotovoltaica ................................................................... 5
2.1.1. Irradiacin solar ........................................................................ 5
2.1.2. La celda fotovoltaica .................................................................. 6
2.1.3. Desarrollo mundial del mercado solar .......................................... 7
2.1.4. Principio bsico de un inversor solar ............................................ 7
2.1.5. Inversores solares de poder, historia ........................................... 8
2.1.6. Topologas de inversores fotovoltaicos ......................................... 9
2.1.7. Maximum Power Point Tracker para sistemas fotovoltaicos ........... 11
2.2. Compuertas electrnicas de potencia .............................................. 12
2.2.1. MOSFET ................................................................................. 13
2.2.2. IGBT ...................................................................................... 13
2.2.3. Comparacin .......................................................................... 14
2.2.4. Circuitos de disparo para compuertas de poder ........................... 15
2.2.5. Snubbers ............................................................................... 16
2.3. Convertidores DC-DC .................................................................... 18
2.3.1. Reductor de voltaje (Buck) ....................................................... 18
2.3.2. Elevador de voltaje (Boost) ...................................................... 19
2.3.3. Convertidor Buck-Boost ........................................................... 21
2.4. Convertidores DC-AC .................................................................... 23
2.4.1. Medio puente monofsico ......................................................... 23
2.4.2. Puente completo monofsico .................................................... 24
2.5. Mtodos de control para conversores de poder ................................. 25
2.5.1. Modulacin por ancho de pulso ................................................. 26
2.5.2. Inyeccin a la red .................................................................... 27
v
2.6. Controladores de seales digitales .................................................. 29
2.7. Simulaciones computacionales para diseo en electrnica de potencia 31
2.7.1. Software Power Simulation ....................................................... 32
2.7.2. Software SIMULINK ................................................................. 34
2.7.3. Software PSpice ...................................................................... 35
CAPTULO 3: Diseo y simulacin del inversor fotovoltaico ............................. 37
3.1. Puente inversor ............................................................................ 38
3.1.1. Mdulo puente H ..................................................................... 39
3.1.2. Filtro de salida ........................................................................ 40
3.1.3. Simulacin puente inversor ...................................................... 42
3.2. Convertidor DC/DC Boost .............................................................. 44
3.2.1. Simulacin puente Boost .......................................................... 49
3.3. Snubbers..................................................................................... 50
3.4. Driver IGBT ................................................................................. 52
3.5. Simulacin Boost e inversor ........................................................... 56
3.6. Interfaz de seal digital ................................................................. 58
3.7. Sensores ..................................................................................... 59
3.7.1. Sensor de corriente ................................................................. 60
3.7.2. Sensor de voltaje .................................................................... 61
3.7.3. Sensor de temperatura ............................................................ 62
3.8. Control........................................................................................ 63
3.8.1. Boost MPPT ............................................................................ 64
3.8.2. Conexin a la red (PLL) ............................................................ 67
3.8.3. Seal PWM para puente inversor ............................................... 68
3.9. Protecciones ................................................................................ 69
3.9.1. Protecciones mecnicas............................................................ 69
3.9.2. Protecciones programadas ........................................................ 69
CAPTULO 4: Pruebas y anlisis .................................................................. 71
4.1. Sensores ..................................................................................... 73
4.1.1. Sensor de voltaje continuo ....................................................... 73
4.1.2. Sensor de voltaje alterno ......................................................... 76
vi
4.1.3. Sensor de corriente ................................................................. 77
4.2. Conversor Boost ........................................................................... 78
4.2.1. Prueba en lazo abierto ............................................................. 78
4.2.2. Simulacin Boost en lazo de voltaje ........................................... 78
4.2.1. Prueba Boost en lazo de voltaje ................................................ 81
4.3. Inversor de Voltaje ....................................................................... 82
4.3.1. Simulacin en lazo abierto ........................................................ 82
4.3.2. Prueba en lazo abierto ............................................................. 83
4.3.3. Prueba de lazo de sincronizacin ............................................... 87
4.4. Anlisis energtico del inversor ...................................................... 90
4.5. Anlisis econmico ....................................................................... 92
CAPTULO 5: Conclusiones ......................................................................... 97
5.1. Trabajo futuro .............................................................................. 99
CAPTULO 6: Glosario ............................................................................... 100
CAPTULO 7: Referencias .......................................................................... 101
CAPTULO 8: Anexos ................................................................................ 103
8.1. Uso de PSim: .............................................................................. 103
8.2. Clculo de transformada discreta de Fourier (DFT) en MATLAB. ......... 106
8.3. Diseo de filtro digital Butterworth ................................................ 107
8.4. Lista de componentes. ................................................................. 108
8.5. Cotizacin de construccin y montaje de circuito impreso ................. 111
8.6. Hojas de datos ............................................................................ 112
8.6.1. IGBT ..................................................................................... 112
8.6.2. Inductancias .......................................................................... 119
8.6.3. Condensadores ...................................................................... 121
vii
ndice de Tablas
Tabla 1: Resumen comparativo IGBT, MOSFET y BJT ..................................... 14
Tabla 2: Datos de referencia para un circuito Snubber ................................... 17
Tabla 3: Estados de las compuertas para el inversor de medio puente ............. 24
Tabla 4: Estados de conmutacin para el VSI puente completo ....................... 25
Tabla 5: Resultados de la simulacin del inversor .......................................... 43
Tabla 6: Relacin de ESR para condensadores, fuente [21] ............................ 46
Tabla 7: Resultados simulacin elevador tensin ........................................... 50
Tabla 8: Resultados simulacin inversor Boost .............................................. 57
Tabla 9: Resultado simulacin Boost MPPT ................................................... 66
Tabla 10: Lista elementos primera versin inversor ....................................... 71
Tabla 11: Elementos versin final inversor ................................................... 73
Tabla 12: Prueba lazo abierto conversor Boost .............................................. 78
Tabla 13: Resultados simulacin PSim ......................................................... 83
Tabla 14: Armnicos generados por el inversor ............................................. 87
Tabla 15: Eficiencia total del inversor .......................................................... 90
Tabla 16: Inversores FV comerciales ........................................................... 92
Tabla 17: Lista de componentes adquisicin local ......................................... 109
Tabla 18: Lista de componentes adquisicin internacional ............................. 110
viii
ndice de Figuras
Figura 1: Sistema general de un inversor fotovoltaico [1]................................. 2
Figura 2: Generacin energtica global [2] ..................................................... 4
Figura 3: Irradiacin solar en el mundo [3] .................................................... 6
Figura 4: Modelo circuital celda fotovoltaica .................................................... 6
Figura 5: Crecimiento de la generacin fotovoltaica en el mundo [5] ................. 7
Figura 6: Diagrama de bloques de un inversor solar [4] ................................... 8
Figura 7: Hitos en la evolucin de inversores SMA [6] ...................................... 9
Figura 8: Tendencias generales en la tecnologa de inversores [6] ..................... 9
Figura 9: Topologas de inversores FV conectados a la red [6] ........................ 10
Figura 10: Sanyo HIT 215W, curva caracterstica de V,I y P [8] ...................... 12
Figura 11: Caractersticas de dispositivos semiconductores de potencia [1] ...... 13
Figura 12: Smbolo elctrico y caracterstica i-v de un MOSFET [1] .................. 13
Figura 13: Smbolo elctrico y caracterstica i-v de un IGBT [1] ...................... 14
Figura 14: Capacitancias parsitas MOSFET [4]. IGBT con diodo inverso .......... 15
Figura 15: Circuitos estndar utilizados como Snubbers ................................. 17
Figura 16: Convertidor DC-DC Step Down [4] ............................................... 18
Figura 17: Formas de onda de un conversor Buck [4] .................................... 19
Figura 18: Conversor DC-DC Step Up [4]. .................................................... 20
Figura 19: Formas de onda tpicas de un conversor Boost [4] ......................... 21
Figura 20: Configuracin bsica del convertidor DC-DC Buck-Boost [4] ............ 22
Figura 21: Formas de onda tpicas del convertidor Buck-Boost [4] ................... 23
Figura 22: Inversor medio puente monofsico [4] ......................................... 24
Figura 23: Forma de onda ideal para modulacin tipo onda cuadrada [4] ......... 24
Figura 24: Inversor puente completo monofsico [4] ..................................... 25
Figura 25: Esquema de lazo cerrado de control ............................................. 26
Figura 26: Modulacin por ancho de pulso .................................................... 27
Figura 27: Esquema simplificado conexin a la red ........................................ 28
Figura 28: Esquema general de un PLL ........................................................ 29
Figura 29: Tarjeta de control que utiliza un DSC ........................................... 29
Figura 30: Arquitectura del DSC TMS320F28x [13]........................................ 30
Figura 31: Conversin de seales anlogas a digital [1] ................................. 31
Figura 32: Interfaces PSim ......................................................................... 32
Figura 33: Estructura de trabajo del software PSim [14] ................................ 33
Figura 34: Interfaces SIMULINK .................................................................. 35
Figura 35: Interfaces PSpice ....................................................................... 36
Figura 36: Esquema de bloques inversor propuesto ....................................... 38
Figura 37: Mdulo puente H ....................................................................... 39
Figura 38: Esquema en EAGLE para el puente inversor H4 ............................. 40
Figura 39: Esquemtico filtro LC diseado .................................................... 41
ix
Figura 40: Circuito impreso para filtro LC ..................................................... 42
Figura 41: Configuracin bloque IGBT en PSim ............................................. 42
Figura 42: Esquema de simulacin inversor con carga resistiva en PSIM .......... 43
Figura 43: Simulacin del inversor con carga resistiva ................................... 44
Figura 44: Anlisis de frecuencia en PSim .................................................... 44
Figura 45: Esquemtico puente Boost en Eagle ............................................. 46
Figura 46: Diseo del circuito impreso del puente Boost ................................. 47
Figura 47: Esquemtico de bobina Boost en Eagle ......................................... 47
Figura 48: Diseo del circuito integrado para la bobina Boost ......................... 47
Figura 49: Esquemtico del link DC del puente Boost en Eagle ........................ 47
Figura 50: Diseo del circuito impreso del link DC ......................................... 48
Figura 51: Esquemtico del filtro de entrada para el puente Boost en Eagle ...... 48
Figura 52: Diseo del circuito impreso para filtro de entrada para puente Boost 48
Figura 53: Esquema de simulacin para conversor Boost ............................... 49
Figura 54: Simulacin elevador de tensin ................................................... 49
Figura 55: Esquema Snubber VSI ................................................................ 50
Figura 56: Formas de onda tpicas para la apertura de un IGBT [22] ............... 51
Figura 57: Esquemtico snubber IGBT en Eagle ............................................ 52
Figura 58: Diseo de circuito impreso para snubber, en puente inversor .......... 52
Figura 59: Conexin del Driver IGBT ........................................................... 53
Figura 60: Caracterstica de salida IGBT SGL160 [20] .................................... 54
Figura 61: Esquema de diseo del circuito de disparo .................................... 55
Figura 62: Distancia entre Driver e IGBT ...................................................... 55
Figura 63: Esquemtico de Driver IGBT en Eagle .......................................... 56
Figura 64: Diseo de circuito impreso para Driver IGBT ................................. 56
Figura 65: Esquema de simulacin inversor Boost en PSim ............................. 57
Figura 66: Resultado de la simulacin del Boost inversor................................ 57
Figura 67: Adaptacin seales DSC al driver IGBT ......................................... 58
Figura 68: Esquemtico del transductor de seales en Eagle .......................... 59
Figura 69: Diseo de circuito impreso del transductor de seales .................... 59
Figura 70: Esquema de diseo para el sensor de corriente ............................. 60
Figura 71: Diseo de circuito impreso para sensor de corriente ....................... 60
Figura 72: Esquema de diseo para el sensor de voltaje DC ........................... 61
Figura 73: Diseo de circuito impreso para sensor de voltaje DC ..................... 61
Figura 74: Esquema de diseo para el sensor de voltaje AC ........................... 62
Figura 75: Diseo de circuito impreso para sensor AC .................................... 62
Figura 76: Esquema circuital sensor de temperatura ..................................... 63
Figura 77: Diseo de circuito impreso para sensor de temperatura .................. 63
Figura 78: Esquema control PWM Boost ....................................................... 64
Figura 79: Lazo de control MPPT, mtodo de perturbacin .............................. 65
x
Figura 80: Simulacin Boost MPPT ............................................................... 65
Figura 81: Resultado de la simulacin Boost MPPT ......................................... 66
Figura 82: Laso PLL para sincronizacin con la red ........................................ 67
Figura 83: Simulacin lazo de control PLL .................................................... 68
Figura 84: Control PWM para puente inversor ............................................... 68
Figura 85: Lazo de proteccin, sobre voltaje y corriente ................................. 70
Figura 86: Primera versin del inversor ........................................................ 71
Figura 87: Versin final inversor ................................................................. 72
Figura 88: Sensor de Voltaje filtrado ........................................................... 74
Figura 89: Filtro digital sensor Voltaje en DSC .............................................. 75
Figura 90: Ganancia sensor de voltaje DC .................................................... 75
Figura 91: Prueba sensor Voltaje AC ............................................................ 76
Figura 92: Seal de salida sensor tensin AC ................................................ 77
Figura 93: Sensor de corriente.................................................................... 77
Figura 94: Creacin controlador Boost, PSim ................................................ 79
Figura 95: Simulacin loop de control Boost ................................................. 80
Figura 96: Simulacin loop de control Boost ................................................. 80
Figura 97: Diagrama de simulacin Boost VSI ............................................... 81
Figura 98: Prueba de lazo de voltaje con referencia de 70V y carga de 143 .... 82
Figura 99: Prueba de lazo de voltaje con referencia de 100V y sin carga .......... 82
Figura 100: Simulacin VSI ........................................................................ 83
Figura 101: Voltaje a la salida del VSI ......................................................... 84
Figura 102: Grfico en MATLAB de seal experimental del VSI ........................ 84
Figura 103: Anlisis FFT de 0 a 1800 Hz ...................................................... 85
Figura 104: Anlisis FFT de 1200 a 3200 Hz ................................................. 85
Figura 105: Anlisis FFT de 15kHz a 17kHz .................................................. 86
Figura 106: Prueba en DSC de loop PLL ....................................................... 88
Figura 107 : Salida VSI (arriba), sensor VAC (abajo) ..................................... 88
Figura 108: Inversor y red desfasados ......................................................... 89
Figura 109: Inversor sincronizado con la red ................................................ 89
Figura 110: Prueba energtica inversor ........................................................ 90
Figura 111: Seal de osciloscopio para prueba energtica .............................. 91
Figura 112: Simulacin prueba energtica .................................................... 91
Figura 113: Flujo de caja para inversor desarrollado. ..................................... 94
Figura 114: Grfico de flujo de caja para inversor desarrollado ....................... 94
Figura 115: Flujo de caja para inversor Power One. ....................................... 95
Figura 116: Grfico de flujo de caja para inversor Power One ......................... 95
Figura 117: Esquema circuital y simulacin en PSim [18] .............................. 103
Figura 118: Diseo de un controlador Boost en SmartControl ........................ 104
Figura 119: Anlisis de sensibilidad para un controlador en SmartControl........ 104
xi
Figura 120: Esquema circuital DSC en PSim [18] ......................................... 105
Figura 121: Cotizacin construccin y montaje circuito impreso ..................... 111
xii
CAPTULO 1: Introduccin
1.1. Motivacin
Un inversor fotovoltaico conectado a la red, permite reducir los costos de
inversin al implementar un generador solar elctrico, porque maximiza la
transferencia de potencia y no requiere el uso de bateras para almacenamiento.
2
1.2. Objetivo general
El objetivo general de esta memoria de ttulo es lograr disear y construir un
inversor MPPT fotovoltaico de 2kW de potencia nominal que sirva como base para
desarrollos en esta rea.
3
CAPTULO 2: Estado del arte
4
principales componentes para desarrollar un inversor elctrico orientado a
generacin fotovoltaica, comenzando por explicar cmo funciona este tipo de
generacin, sus aplicaciones ms generales, la electrnica de potencia utilizada
para mejorar eficiencia y produccin, el mercado energtico fotovoltaico en Chile
y por ltimo, herramientas y consideraciones importantes para poder desarrollar
un prototipo de inversor solar.
Los colores en el mapa muestran la irradiacin solar entre los aos 1991 y 1993,
datos que fueron registrados gracias a la tecnologa satelital, donde se puede
apreciar la concentracin de irradiacin en la zona tropical.
5
Figura 3: Irradiacin solar en el mundo [3]
( )
Ecuacin 1
6
k: Constante de Boltzman (1.3806x10^-23 [J/K]).
ipv: Corriente del panel [A].
I0: Corriente inversa de saturacin del diodo [A].
T: Temperatura de operacin de la celda en [K].
7
Figura 6: Diagrama de bloques de un inversor solar [4]
8
entrega en el 2009 contempla inyeccin trifsica por cada inversor, con potencias
mnimas de 5kW y una eficiencia de hasta 98%.
9
topologa string para potencias medias, multistring para potencias medias - altas
trifsicas y modular AC para sistemas de baja potencia monofsicos.
Los equipos que utilizan solo un arreglo de paneles solares y se conectan a la red
se llaman string como lo indica su configuracin en la Figura 9(b). Este sistema
aventaja al centralizado en su capacidad de trabajar en el punto de mxima
potencia por cada arreglo de paneles y en su versatilidad para expandir el
sistema. La desventaja es que aumenta la cantidad de equipos, por ende la
cantidad de conexiones y distribucin fsica de los dispositivos.
10
La topologa multi-string como la de la Figura 9(c), es la mezcla de las anteriores
y segn la cantidad de mdulos FV en serie a un conversor dc/dc, optimiza la
eficiencia y mejora los problemas de las configuraciones (a) y (b), pero aumenta
la cantidad de equipos y monitoreo.
11
Figura 10: Sanyo HIT 215W, curva caracterstica de V,I y P [8]
12
Figura 11: Caractersticas de dispositivos semiconductores de potencia [1]
2.2.1. MOSFET
Compuerta electrnica utilizada en aplicaciones en las que el voltaje no supera los
200V y es necesaria una alta frecuencia de conmutacin de hasta 100kHz [1].
Este dispositivo es muy utilizado por sus bajas prdidas en conmutacin y por su
fcil control por un pequeo voltaje y carga, lo que facilita su encendido y
apagado. Su representacin esquemtica es la que se muestra a continuacin,
donde la corriente fluye desde el Drain hacia el Source, gracias a la capa de
tipo N generada por la polarizacin de Gate
2.2.2. IGBT
Los IGBTs combinan la facilidad de accionamiento de un MOSFET con el bloqueo
de altos voltajes, de hasta 5kV a frecuencias menores a 100kHz, permitiendo su
uso en aplicaciones de potencias desde fracciones de kW hasta MW.
13
Figura 13: Smbolo elctrico y caracterstica i-v de un IGBT [1]
Al igual que los MOSFETs, posee una alta impedancia de compuerta, necesitando
una pequea potencia para su activacin. Los IGBTs poseen un voltaje de
encendido pequeo, por ejemplo de 2V para mdulos de 1200V.
2.2.3. Comparacin
Las diferencias entre IGBTs y MOSFETs, se deben principalmente a las estructuras
que componen el tercer electrodo de cada uno llamados drain y collector,
respectivamente. Esto provoca que el voltaje en estado encendido del MOSFET
sea mayor al del IGBT [9], por esta razn y por su estructura interna de mayor
tamao, un IGBT de las mismas dimensiones que un MOSFET puede manejar
corrientes y voltajes mayores. Sin embargo, por estas caractersticas sufre
mayores prdidas en las conmutaciones.
14
2.2.4. Circuitos de disparo para compuertas de poder
Para lograr que una compuerta de poder encienda o apague, es necesario en
algunas ocasiones, un complejo circuito electrnico. En el caso de los MOSFETs,
esto es muy sencillo y solo basta con aplicar una tensin positiva del orden de
10V para cerrar el dispositivo [4]. Para lograr eficiencia en la conmutacin y una
elevada velocidad de switcheo, se debe sintonizar la forma en que se entrega la
seal de conmutacin en la compuerta (Gate). Un circuito de disparo diseado
para un MOSFET es similar al de un IGBT, porque este ltimo posee interiormente
un MOSFET, por lo que sirve para ambas tecnologas.
Figura 14: Capacitancias parsitas MOSFET [4]. IGBT con diodo inverso
15
La mnima resistencia en serie (RG) para accionar un MOSFET es usualmente
limitada por la caracterstica de recuperacin del diodo inverso (Figura 14), que
poseen la mayora de los mdulos IGBT y MOSFET, por lo que la caracterstica
di/dt del diodo es funcin de esta resistencia R G. Si esta corriente inversa es
muy alta, producir oscilaciones indeseadas al abrir el IGBT. Tambin es deseable
una resistencia de Gate mayor para reducir los peaks de voltaje cuando se apaga
el semiconductor, esto es porque el tiempo de apertura es mayor. El problema es
que al utilizar una resistencia ms elevada, la inmunidad al ruido decrece y
adems se producirn mayores prdidas en el switcheo. Es recomendable en este
caso utilizar circuitos supresores de transcientes, llamados tambin Snubbers.
Cuando se conmuta, el IGBT consume energa desde el circuito Gate Driver, esta
energa es proporcional a la frecuencia de switcheo y a la carga total de entrada.
La corriente promedio que debe proporcionar el circuito est dada por la siguiente
ecuacin:
Ecuacin 2
2.2.5. Snubbers
Los circuitos snubbers son usados para controlar los peaks de tensin en los
semiconductores de potencia, producidos cuando un semiconductor switchea,
especficamente en la apertura, produciendo voltajes oscilantes en los diodos de
recuperacin inversa. Existen varios circuitos estndares (Figura 15), pero cada
topologa y valor de sus componentes debe ser diseada para cada aplicacin, ya
que dependen directamente de la potencia de trabajo.
16
Figura 15: Circuitos estndar utilizados como Snubbers
17
2.3. Convertidores DC-DC
Comnmente llamado controlador de carga por sus primeros usos, su funcin
principal es convertir niveles de voltaje continuo a otros niveles, ya sea
aumentndolos o disminuyndolos.
18
Figura 17: Formas de onda de un conversor Buck [4]
( ) ( )
Ecuacin 3
Ecuacin 4
Se puede apreciar en la
19
Figura 18: Conversor DC-DC Step Up [4].
( )( )
Ecuacin 5
Ecuacin 6
( )
Ecuacin 7
Ecuacin 8
20
Figura 19: Formas de onda tpicas de un conversor Boost [4]
( )
Ecuacin 9
Ecuacin 10
21
Figura 20: Configuracin bsica del convertidor DC-DC Buck-Boost [4]
Luego el valor de la inductancia L, que determina el lmite entre CCM y DCM para
el convertidor Buck-Boost, est dado por la siguiente ecuacin:
( )
Ecuacin 11
Ecuacin 12
22
Figura 21: Formas de onda tpicas del convertidor Buck-Boost [4]
23
A continuacin se muestra el esquema circuital y una tabla con los estados
posibles de operacin:
Figura 23: Forma de onda ideal para modulacin tipo onda cuadrada [4]
24
Figura 24: Inversor puente completo monofsico [4]
Esta topologa tiene como ventaja que existen dos compuertas electrnicas
capaces de abrir bajo cargas mayores a la de un medio puente, ya que existen
dos switch en serie. Al igual que el inversor anterior, dos switch de una misma
pierna no pueden estar cerrados al mismo tiempo porque provoca un corto
circuito. Los condensadores C+ y C- no son necesarios para la inyeccin de
corriente por parte del inversor y se utilizan como referencia para la onda de
disparo para las compuertas. A continuacin se muestra una tabla con los estados
posibles de funcionamiento:
25
denota por E(s). ste parmetro con unidades de voltaje (variable a controlar)
debe ser procesado por un controlador digital, que puede ser un computador, un
microprocesador o cualquier circuito lgico que pueda procesar la seal para que
este bloque de procesamiento GC(S) pueda entregar a la salida, una seal para
cambiar el funcionamiento de la planta. En este ejemplo, sera el ciclo de trabajo
de la compuerta electrnica, lo que tiene una directa relacin con el voltaje a la
salida de un conversor, como se indica en el captulo 2.3.
26
Figura 26: Modulacin por ancho de pulso
27
Para inyectar potencia a la red, es necesario generar en el inversor una tensin
alterna de la misma frecuencia, amplitud y fase que la red pblica (en Chile,
220Vrms y 50Hz). Adems es necesaria una tensin mayor en el equipo inversor,
para que la corriente fluya desde sta hacia la red, y no viceversa.
Ecuacin13
28
detector de fase es una onda sinusoidal. En el estado de sincronismo esta
frecuencia es proporcional a la frecuencia de entrada. Por ltimo, se llama divisor
de frecuencia a la realimentacin de este diagrama, el cual divide la frecuencia
del oscilador controlado en partes proporcionalmente a la frecuencia de entrada,
resultando en estado de sincronismo, igual a la referencia.
29
Figura 30: Arquitectura del DSC TMS320F28x [13]
30
Figura 31: Conversin de seales anlogas a digital [1]
31
2.7.1. Software Power Simulation
PSIM es un software de simulacin desarrollado especficamente para la
electrnica de potencia y de control de motores. Con una simulacin rpida,
interfaz fcil de usar y procesamiento de forma de onda, PSIM proporciona un
entorno eficaz y eficiente para la electrnica de potencia y control de motores.
32
El entorno de simulacin de PSIM es interactivo. Permite a los usuarios cambiar
los parmetros de simulacin y controlar las formas de onda en medio de una
simulacin. Esto hace que sea extremadamente fcil para afinar un sistema hasta
lograr el rendimiento deseado.
PSIM Basic tiene una amplia biblioteca que contiene numerosos elementos de
ingeniera elctrica para el diseo de las estructuras de poder, componentes
elctricos y lazos de control.
33
Clculos de prdidas elctricas y anlisis trmicos.
Extensa librera de manejo y control de motores.
34
Figura 34: Interfaces SIMULINK
La integracin completa con Allegro HDL y OrCAD Capture ofrece a los clientes
una opcin entre las herramientas esquemticas para capturar sus diseos.
35
2.7.3.1. Principales caractersticas
Permite determinar qu componentes son ms estresados mediante
avanzados anlisis y observa los rendimientos de los componentes
mediante el anlisis de Monte Carlo para evitar fallos de circuitos.
La tecnologa avanzada del rendimiento de simulacin ahorra tiempo,
mejora la fiabilidad y acelera la convergencia en diseos ms grandes.
La interfaz MATLAB-SIMULINK permite crear a nivel de sistema variadas
pruebas con verdaderos diseos elctricos, emulando aplicaciones del
mundo real.
36
CAPTULO 3: Diseo y simulacin del inversor
fotovoltaico
Para que este inversor, pueda inyectar potencia a una carga, es necesario de
sensores para poder lograr un control y sincronizacin de la forma en que las
compuertas electrnicas de potencia funcionan. Por lo que se escogen sensores
de corriente, voltaje y temperatura para los rangos de tensin y corrientes que
utiliza el inversor.
Para que el sistema est completo es necesario de una unidad de control digital
para que pueda tomar decisiones mediante los sensores y poder actuar en la
conmutacin de las compuertas. Se utiliza el dispositivo DSC TMS320F28335
como unidad de control, por ser un micro computador recomendado por el
software de simulacin, probado por el autor en el proyecto Eolian II y por ser
reconocido como base de experimentacin en sistemas mas complejos que el
propuesto.
37
energizar los diferentes consumos del sistema. A continuacin se describe en
detalle cada uno de los temas diseados y un esquema del sistema propuesto.
38
3.1.1. Mdulo puente H
El puente est conformado por cuatro compuertas, cuatro bases para montar los
drivers de las compuertas, red de 5[Vdc] para alimentar estos ltimos y dos
circuitos snubber (diseo de snubber, ver 3.3).
El ancho de las pistas recomendada para una corriente continua de 20A, se puede
calcular segn [19], entregando como resultado menos de 4mm para pistas de un
largo de 10cm. Su principio es igual al clculo de cables, salvo que se determina
por el alto de la pista, que generalmente para un circuito impreso es del orden de
micro metros. Los pads utilizados por los componentes IGBT en su encapsulado
TO247 tienen un ancho de 4mm. La mayora de los espacios de conexin son
amplios y varan en cada IGBT, por lo que finalmente se disean reas mximas
que minimicen la impedancia de las pistas entre nodos, lo cual se logra con un
polgono de bordes suavizados y no mayores a 45, como se muestra en la figura
a continuacin.
39
El puente inversor se disea en doble capa y con la capacidad de que el circuito
de disparo sea desmontable para cada IGBT, permitiendo mnima distancia entre
el driver y el elemento, un remplazo prctico y una forma de medir fcilmente.
40
Ecuacin 14
( )
Ecuacin 15
( )
Ecuacin 16
Luego L*C tiene que ser del orden de 4e-9[H*F].En el mercado es difcil encontrar
condensadores para corriente alterna de alta capacidad, por lo que es ms
prctico partir escogiendo uno, Panasonic P/N: ECQ-U2A225ML, con una
capacidad de 2.2 [F] y para un funcionamiento en 275[Vac]. Se disponen 5 de
ellos en paralelo, logrando una capacidad total de 11F. Entonces la inductancia
tiene que ser del orden de 3.63e-4 (Ecuacin 16), Cooper Bussmann P/N:
CTX100-10-52LPR, la cual posee una inductancia de 100[H], resiste una
corriente de 17.6 [A], se comienza a saturar a los 13[A] y tiene una resistencia
de 0.0109 []. Se disponen cuatro en serie logrando una inductancia total de
400[H] y 0.0436 [].
41
Figura 40: Circuito impreso para filtro LC
42
Figura 42: Esquema de simulacin inversor con carga resistiva en PSIM
43
Figura 43: Simulacin del inversor con carga resistiva
44
El ciclo de trabajo del IGBT estar determinado por el voltaje de salida y el de
entrada. El de salida es menos de 320Vdc y el de entrada depende totalmente de
la irradiacin de los paneles. En esta simulacin se utilizar 150Vdc
correspondiente a la configuracin en serie de paneles trabajando en mxima
potencia. El ciclo de trabajo D se calcula segn la Ecuacin 6, resultando en:
Ecuacin 17
Ecuacin 18
Ecuacin 19
Ecuacin 20
45
Algunos textos recomiendan realizar un filtro pasa bajos en la entrada del
conversor (panel FV) dado por la Ecuacin 14. Donde fC se escoge de 2 rdenes
de magnitud menor que la de switcheo, en este caso se tom 200Hz, resultando
Cmin=6330[F].
46
Figura 46: Diseo del circuito impreso del puente Boost
47
Figura 50: Diseo del circuito impreso del link DC
Figura 51: Esquemtico del filtro de entrada para el puente Boost en Eagle
Figura 52: Diseo del circuito impreso para filtro de entrada para puente Boost
48
3.2.1. Simulacin puente Boost
El esquemtico en PSim es el siguiente; notar que se adoptan los valores
resistivos de los arreglos de condensadores e inductancias dados por las hojas de
datos de stos (ver Anexo 0).
49
Los resultados mediante las herramientas de anlisis de PSim, se muestran en la
tabla a continuacin, donde en la Figura 53, se aprecia como se mide el voltaje o
corriente en cada elemento.
3.3. Snubbers
El diseo de un circuito Snubber se basa en estimaciones y referencias de los
mismos fabricantes de semiconductores. Para ajustar este circuito o
dimensionarlo especficamente, se deben realizar pruebas de switcheo a cada
IGBT utilizado en el sistema inversor. Es por esto que solo se remite a sealar el
esquema circuital del diseo a implementar, con valores para el condensador
asignado por consideraciones de Powerex [11].
50
El diseo que se propone es el que se muestra en la Figura 55. El condensador a
utilizar es de polipropileno metalizado marca Arcotronics P/N: A72QT2470,
soporta temperaturas de hasta 100 C y es de muy baja impedancia, logrando
alcanzar 3700 dV/dt. Se escoge esta topologa para evitar las oscilaciones
provocadas por un Snubber sin diodo, cuyo ejemplo se puede apreciar en la seal
roja de la Figura 56.
La resistencia que descarga el condensador en cada ciclo tiene que ser capaz de
disipar la potencia en un tiempo inferior al del perodo de trabajo, se recomienda
[11] que este sea 1/3 fs, esto es 3/10kHz= t*=0.3ms. Si el valor del condensador
es de C=0.047uF, el valor de R esta dado por la dinmica de carga. Un peak de
tensin como el que se muestra en la Figura 56, es tpicamente de un 50% del
valor nominal de la fuente de tensin, cuando no se utiliza un Snubber. En este
caso el bus es de 300V, entones el peak de tensin alcanzara los 450V,
aproximadamente y si deseamos que el condensador se descargue en un 80% en
cada ciclo, esto sera que disminuya su valor desde Vf=450V a 300+0.2*150=
Vc=330V.
( )
Ecuacin 21
51
Figura 57: Esquemtico snubber IGBT en Eagle
52
Figura 59: Conexin del Driver IGBT
Para estimar la fuente de poder de este circuito al igual que los condensadores se
utiliza la Ecuacin 2, donde de la hoja de datos se estima que la carga de entrada
para un voltaje de +15V es de 350nC y la frecuencia de switcheo en 10kHz,
entonces:
Ecuacin 22
Luego la potencia total que debe suministrar la fuente al circuito est dada por
ISxVG, donde VG=15+15=30V, entonces:
Ecuacin 23
( )
Ecuacin 24
Para una resistencia mnima de Gate de 3.9 (recomendada por el fabricante del
IGBT), la corriente peak es de 30/3.9=7.69 [A]. Para el IGBT propuesto, el
tiempo de duracin pico de tensin, debe producirse en menos de 40+90[ns]
(Tiempos de encendido y apagado en hoja de datos). Esto significa que si este
53
peak de corriente se considera constante por el tiempo de encendido ms el de
apagado, la energa utilizada es:
Ecuacin 25
( ) ( )
Ecuacin 26
( )
( )
Ecuacin 27
54
Desde la seal de control al circuito que maneja el IGBT se recomienda utilizar un
condensador de 1nF para obtener una inmunidad al ruido de alta frecuencia. ste
se dispone entre la seal y la tierra de la fuente de energizacin del circuito. Se
dispone de una resistencia de 10kohms entre gate y emitter (contactos del
IGBT) para disipar inductancias mutuas entre estos terminales, consejos de
diseo segn referencia [24].
Otro punto de diseo importante es que las seales de disparo hacia los
transistores, deben tener la mnima distancia posible, para disminuir la posibilidad
de captar o inducir ruidos electromagnticos y, para que los tiempos en que tarde
un pulso sea el menor posible para todos, ya que se est trabajando con
frecuencias hasta de 20kHz. Por lo tanto todos los cables y circuitos de seales
PWM fueron diseadas bajo esta configuracin, donde el largo de los cables de
conexin o pistas en el circuito impreso son de dimensiones similares y mnimas
posibles, como se muestra a continuacin.
55
Luego de desarrollar y confirmar la disponibilidad comercial de los componentes
se desarrolla su diseo esquemtico y de la tarjeta de circuito impreso, las cuales
se ilustran a continuacin.
56
Figura 65: Esquema de simulacin inversor Boost en PSim
57
3.6. Interfaz de seal digital
El control del puente inversor y el elevador de voltaje consideran cinco
compuertas IGBT, manejadas por el DSC. El diseo estara completo si no es
porque el TMS320F28335 trabaja con seales digitales de 3.3V CMOS y no es
compatible con el driver, que es de 5V de nivel lgico, adems de la poca
corriente que es capaz de inyectar el DSC al driver. Por ello, es necesario utilizar
un conversor Hex inverter 7404D, circuito integrado, capaz de levar tensin de
3.3V a 5V y aumentar la corriente de salida a 20mA.
Si las seales PWM llegasen a coincidir en la misma rama del puente inversor, se
creara un cortocircuito, lo cual produce grandes prdidas y hasta la destruccin
del IGBT. Una compuerta AND de tres entradas C.I. 7411 resuelve el problema.
Como se observa en el esquema, se utiliza adems una tercera seal EN1, que
es para inhabilitar las seales PWM 1 y 2, por si se desea desactivar por algn
otro pin del DSC, como por ejemplo un lazo de corriente que detecte un valor
peligroso para el sistema.
58
Figura 68: Esquemtico del transductor de seales en Eagle
3.7. Sensores
Las seales ADC recibidas en el DSP deben ser acondicionadas entre 0-3 V, esta
es el rea de operacin segura SOA. Adems, el circuito de medicin debe ser
elctricamente desacoplado de las seales del DSP, para poder medir en cualquier
rango de voltaje y polaridades.
59
3.7.1. Sensor de corriente
El circuito para medir la corriente en continua y en alterna, se basa en un chip de
efecto Hall (Allegro Micro System P/N: ACS712).Este CI puede medir 30 [A],
puede ser alimentado con 5[V] y tiene una salida de 0 a 5[V]. Para transformar
este nivel de voltaje a 0-3[V], se utiliza un simple divisor de tensin, por lo que el
esquemtico del sensor queda como se muestra a continuacin:
60
3.7.2. Sensor de voltaje
El diseo incluye un total de 2 mediciones de voltaje; una en DC y otra en AC. Un
OpAmp optoacoplado marca Texas Instruments P/N: ISO122JP es utilizado para
desacoplar todas las mediciones de voltaje hacia el DSP. Este OpAmp es un
dispositivo de ganancia unitaria y puede medir una seal bipolar de hasta 50 kHz.
Todos los OpAmp deben ser alimentados por una fuente aislada de 15V,
conversor dc-dc marca RecoPower P/N: RD-0515D. Para la medicin en corriente
continua, basta con el OpAmp y un divisor de tensin para acomodar el nivel de
voltaje en el ADC. Para la medicin de AC, se requiere de otros circuitos para
asegurar que no se entrar al nivel de voltajes negativos de la seal. Esto se
logra con el OpAmp inversor marca Texas Instruments P/N: OPA2131UA que
compara una referencia de voltaje dado por un circuito marca Texas Instruments
P/N: REF3312AIDBZT que traslada la seal sinusoidal de amplitud 5V, a niveles
positivos entre 0 y 3V. Cabe destacar que esta referencia de voltaje tambin
puede ser entregada por el DSC por un pin llamado Vref del perifrico ADC. El
esquema diseado se muestra a continuacin:
61
Figura 74: Esquema de diseo para el sensor de voltaje AC
Una elevada temperatura puede ser causa por un mal funcionamiento del sistema
o falla, y el tiempo de vida de los IGBT se reduce drsticamente incluso llegando
a ocasionar su destruccin.
62
Figura 76: Esquema circuital sensor de temperatura
3.8. Control
El diseo de los lazos de control para el inversor diseado se realiza en la sub
aplicacin de Power Simulation, llamada SmartControl. Esta herramienta permite
disear fcilmente un controlador para un esquema de planta predefinido en el
software o implementado por el usuario.
63
A continuacin se describen los lazos de control diseados para el inversor
fotovoltaico.
64
Figura 79: Lazo de control MPPT, mtodo de perturbacin
65
W/m2 en un perodo de 0.05 s. Este modelo de panel fotovoltaico incluido en
PSim posee variados tems que deben ser ajustados para simular el
comportamiento de un panel FV, sin embargo como no es del inters del
diseador, se utiliza en la simulacin un panel estndar de 60 W que viene como
ejemplo en el software.
66
3.8.2. Conexin a la red (PLL)
Para sincronizar el inversor con la red, se deben ajustar la fase, amplitud y
frecuencia, para ello se utiliza el sensor de voltaje AC que se disea en el punto
3.7.2. La seal que arroja el sensor, est modificada bajo parmetros conocidos
en trminos de amplitud, pero la fase y frecuencia se pueden obtener de sta. El
sistema de control para generar una seal sinusoidal que controle el inversor,
generalmente se basa en un lazo de control conocido como PLL, que en espaol
significa lazo de anclaje de fase, su forma de trabajo ya se expuso en el estado
del arte.
La seal de salida Vsync de este control se sincroniza con la seal de entrada Vin,
la fuente Vnoise es usada para representar ruido en la entrada. La seal de
entrada es multiplicada con el coseno de la salida: si la fase es la misma, el
resultado es cero, si no, es procesada por el filtro digital tipo Butterworth, en
MATLAB (Ver anexo 0), ste es del tipo pasa bajos que filtra frecuencias ms
altas que la de la red. El ZOH o retenedor de orden cero, en espaol, es
necesario para discretizar el lazo y el diferencial 1/z es para crear un retardo de
perodo de 1/10kHz para generar puntos de muestreo en un lazo digital. Sigue un
controlador del tipo PI, que adapta el resultado de la seal para que esta
multiplicacin entre el inverso con el directo de la seal de entrada sea cero y la
67
seal generada tipo diente de sierra sea el nico valor a ser utilizado para
generar la seal de salida.
Las seales de referencia para generar los PWM provienen del lazo de control PLL
y adems se agregan algunos desplazamientos a las seales, para ajustar el
tiempo real de espera que poseen las etapas circuitales que disparan los IGBTs.
68
3.9. Protecciones
El dispositivo posee protecciones para resguardarse a si mismo y a la red de
cualquier estado de malfuncionamiento. Se proponen protecciones del tipo
mecnicas automticas y otras programables en el DSC que funcionan en base a
los sensores del sistema.
69
se activa por el DCS. El esquema de activacin del Trip y luces de sealizacin de
falla se esquematiza en la siguiente figura.
70
CAPTULO 4: Pruebas y anlisis
N Elemento Descripcin
1 Puente Boost Etapa elevadora de tensin
2 Puente Inversor Etapa inversora de corriente
3 Link DC Boost Condenadores elevadores de tensin
4 Sensor Voltaje AC Sensor
5 Sensor Voltaje DC Sensor
6 Interfaz Sensores DSC Acondicionamiento de seales
7 Interfaz DSC-VSI Acondicionamiento de seales
8 Fuente 5V DC Alimentacin del sistema
9 Interfaz FV Interruptor y sensor de corriente
10 DSC Controlador digital
11 Interfaz red Interruptor, sensor de corriente y rels de conexin
12 Inductancia Boost Inductancia elevadora de tensin
13 Filtro capacitivo FV Filtro para proteger paneles FV
14 Filtro inductivo AC Filtrado de PWM
15 Filtro capacitivo AC Filtrado de PWM
Tabla 10: Lista elementos primera versin inversor
71
En esta versin preliminar se logra realizar pruebas bajo carga del puente
elevador y su control bajo un potencimetro conectado al DSC, simulando un
sensor. Tambin se hicieron pruebas a los sensores y al puente inversor, las
cuales no fueron satisfactorias por que existan errores de diseo.
72
N Nombre Descripcin
1 Puente Boost Etapa elevadora de tensin
2 Link DC Boost Condenadores elevadores de tensin
3 Puente Inversor Etapa inversora de corriente
4 Inductancia Boost Inductancia elevadora de tensin
5 Interfaz DSC-VSI Acondicionamiento de seales
6 Filtros AC Filtrado de PWM
7 Filtro capacitivo FV Filtro para proteger paneles FV
8 Interfaz Sensores DSC Acondicionamiento de seales
9 Fuente Sensores Fuente 15V DC
10 Fuente Sistema Fuente 5 y 12V, Sensores I y V AC, Rels, Trip y Precarga
11 DSC Controlador digital
12 Banco de Interruptores Interruptores y porta fusibles
Tabla 11: Elementos versin final inversor
4.1. Sensores
Los sensores son probados en los rangos de funcionamiento, conocidos en las
etapas de simulacin, para luego obtener sus ganancias y comportamiento real.
Gracias a la primera versin del inversor, se tiene conocimiento del ruido que
provoca la conmutacin de los IGBT en stos, por lo que se utiliza una fuente
independiente para energizar los sensores.
73
Figura 88: Sensor de Voltaje filtrado
Al existir ruido de amplitud de 300mV, lo que representa un 10% del rango del
DSC, no es posible realizar un control en lazo cerrado, porque el DSC no distingue
entre 30 o 60 V. Para solucionar esto se utiliza un filtro pasivo LC y un filtrado
digital en el microcontrolador, resultando en la Figura 88 (derecha).
( )
Ecuacin 28
Para reducir el estrs en el switcheo del IGBT Boost, se aade un filtro digital en
el DSC, el cual se limita a 500Hz, mejorando la estabilidad del lazo de tensin. El
filtro digital utilizado es de tipo Butter con coeficientes mostrados en Figura 89.
Su diseo se adjunta en Anexo 0.
74
Figura 89: Filtro digital sensor Voltaje en DSC
2 y = 0.0069x + 0.0105
R = 0.9999
Voltaje salida [V]
1.5
Series1
1
Linear (Series1)
0.5
0
0 50 100 150 200 250 300 350
Voltaje entrada [V]
75
4.1.2. Sensor de voltaje alterno
Este sensor posee un rango de medicin entre +330V y -330V, su salida est
centrada en 1.5429 V con mximos de 2.2V y 0. El grfico de pruebas
experimentales se muestra a continuacin:
1.8
1.6 Series2
Linear (Series2)
1.4
1.2
1
-300 -200 -100 0 100 200 300 400
Voltaje de entrada [V]
Este sensor presenta algunos errores al pasar por el nivel creciente de tensin de
1.6Vdc, su causa es un retardo que se produce en el OpAmp en conjunto con la
referencia de voltaje, el cual est dentro de este rango. En la siguiente imagen se
aprecia este problema.
76
Figura 92: Seal de salida sensor tensin AC
Las tensiones mximas y mnimas cumplen con el rango de entrada para el DSC,
el cual es de 0 a 3V, por lo que no existe problema para obtener una onda
sinusoidal en el lazo PLL, ya que el filtro eliminar este ruido.
2.5
2
1.5 I Sensor 2
1 Linear (I Sensor 2)
0.5
0
1.55 1.6 1.65 1.7
Voltaje salida [V]
77
4.2. Conversor Boost
Las pruebas del conversor estn limitadas por las capacidades de la fuente DC
utilizada, la que est limitada por una corriente de entrada de 1A.
Vin[V] 40
Iin[A] 8.08
Pin[W] 323.2
Vout[V] 76.2
Iout[A] 3.46
Pout[W] 263.652
Eff[%] 81.6%
Temp[C] 28
Fsch[Hz] 10000
Ciclo trabajo[p.u.] 0.5
Carga[] 21.9
Tabla 12: Prueba lazo abierto conversor Boost
78
Figura 94: Creacin controlador Boost, PSim
79
Figura 95: Simulacin loop de control Boost
80
4.2.1. Prueba Boost en lazo de voltaje
En esta prueba, se utiliza el control PI discreto simulado anteriormente, con una
referencia de 100V. El cdigo que se carga en el DSC para esta prueba se extrae
del siguiente esquema de bloques. La referencia de voltaje impuesta es de 70V y
las pruebas son realizadas con el inversor conectado a una carga de 143 .
Se observa que el filtrado pasivo funciona al igual que el digital en el DSC, ya que
la tensin lograda en el link DC es estable. Se hacen pruebas de conexin y
desconexin de cargas y la referencia tambin se mantiene constante, con
oscilaciones y variaciones de tensin casi imperceptibles por los multmetros
utilizados.
81
Figura 98: Prueba de lazo de voltaje con referencia de 70V y carga de 143
Figura 99: Prueba de lazo de voltaje con referencia de 100V y sin carga
82
Figura 100: Simulacin VSI
El programa de simulacin PSim entrega un anlisis del grfico con los resultados
de la tabla a continuacin:
83
Figura 101: Voltaje a la salida del VSI
84
4
3.5
2.5
|Voltaje| [V]
1.5
0.5
3.5
2.5
|Voltaje| [V]
1.5
0.5
1200 1400 1600 1800 2000 2200 2400 2600 2800 3000
Frecuencia [Hz]
85
4
3.5
2.5
|Voltaje| [V]
1.5
0.5
1.52 1.54 1.56 1.58 1.6 1.62 1.64 1.66 1.68 1.7
Frecuencia [Hz] 4
x 10
Ecuacin 29
86
750 0.145105386
850 0.155542597
950 0.163862472
1150 0.222609833
1750 0.131050986
1850 0.127065012
2050 0.142710783
2150 0.118463111
2250 0.162890648
2350 0.152263037
2450 0.099554474
15750 0.072871973
15850 0.320600895
15950 0.242996054
16050 0.315063267
16150 0.213857978
Tabla 14: Armnicos generados por el inversor
87
Figura 106: Prueba en DSC de loop PLL
88
Figura 108: Inversor y red desfasados
89
4.4. Anlisis energtico del inversor
Este punto tiene como finalidad establecer la eficiencia lograda por los sistemas
elevador e inversor. La prueba se realiza segn esquema de la Figura 110, donde
la forma de medir de los multmetros depende si es continua o alterna. Esta
prueba se realiza energizando con el inversor una carga resistiva de 143 y a su
vez el sistema es energizado gracias en un transformador variable monofsico de
2A en conjunto con un puente rectificador completo y un condensador de 6000F.
Las dimensiones de la fuente de energizacin se realizaron segn disponibilidad
de materiales y se sobredimensionaron sus capacidades.
La prueba energtica se lleva a cabo a este nivel de potencia por las limitaciones
de la fuente de energizacin utilizada, y se estima que al trabajar a mayores
tensiones las perdidas deben disminuir, segn ecuacin de perdidas.
90
Ecuacin 30
Las formas de onda son bastantes similares entre si, comprobando la buena
aproximacin de las simulaciones con la experimentacin.
91
4.5. Anlisis econmico
El inversor propuesto debe ser de bajo costo, esta referencia se debe comparar
entre el costo de un inversor comercial de una potencia equivalente, y el sistema
diseado.
92
Estos valores son de una recopilacin realizada en internet en variadas pginas
comerciales, como www.solarshop-europe.net, en Enero del 2012. Estos valores
no incluyen transporte ni impuestos, los cuales corresponden al 26% del producto
al internarse a Chile (impuesto de internacin 6% y sobre este el IVA 19%) y un
envo para un peso de 20kg mediante la compaa FEDEX.com, desde Berln,
Alemania hacia Santiago de Chile, cuesta 640 Euros, que al da 01/11/2012
equivalen a $810US.
Si se escoge el inversor marca Power One, que posee un valor local de $1,569US,
este podra llegar a tener un valor en Chile de $2,787US. Este inversor posee una
eficiencia mxima de 96%.
Tomando como ejemplo una planta solar ficticia, que produce 5MWh al ao con
un inversor de 2kWh y eficiencia del 100%, el inversor Power One producira
4.8MWh al ao y el inversor diseado en este proyecto producira 4MWh al ao.
Ecuacin 31
Ecuacin 32
Ahora bien, el dinero si tiene valor en el tiempo, por lo que se realiza un anlisis
tcnico econmico mas acabado, mediante el software gratuito RETScreen
(disponible en www.retscreen.net). Se desprende el siguiente resultado,
considerando locacin geogrfica Tocopilla, Chile. En base a una planta
fotovoltaica de 2000Wp, considerando 24 paneles de 85W, a un costo en Chile de
$290.46US cada uno, el valor total del arreglo de paneles es de $6971US
(cotizacin en www.sodimac.cl).
93
Se utiliza el mtodo de anlisis opcin N2 en el software, en ndices econmicos
se utiliza una taza de inflacin anual del 5% y una vida del proyecto de 20 aos.
Para el inversor diseado, que posee una eficiencia del 80% y un costo de
$1466US, el resultado de evaluacin econmica arrojado por RETScreen es:
94
Para el inversor Power One con eficiencia de 96% y un valor en Chile de
$2787US, se muestra el siguiente resultado en RETScreen.
95
Se realiza un anlisis de sensibilidad para estimar qu eficiencia se debe alcanzar
para que sea indistinto escoger un inversor u otro, y se llega a que si el inversor
diseado posee una eficiencia de 83%, sera indistinto comprar un inversor u
otro, para un proyecto de estas caractersticas.
96
CAPTULO 5: Conclusiones
Para lograr disear un inversor fotovoltaico fue necesario cumplir con el objetivo
de conocer variadas topologas de convertidores y comprender cabalmente su
funcionamiento, esto se refleja en el estado del arte. Por otro lado para lograr
que un conversor funcione segn lo desea el investigador, es necesario llevar las
simulaciones a la prctica, donde el nmero de elementos necesarios se eleva
notablemente y es necesario construir sistemas adicionales para realizar simples
pruebas. Es aqu donde se gener el real aprendizaje, al momento de fusionar
conocimientos avocados al estudio del momento, con teoras aprendidas, como
ejemplo se puede mencionar el caso de la construccin de un rectificador
monofsico que se utiliz para energizar la etapa de corriente continua, o la
utilizacin de un transformador y reguladores de tensin LDO para reducir ruidos
en los sensores. Tambin mediante la fase experimental se comprueba las
simulaciones de controladores digitales y rutinas de programacin para el
accionamiento de los conversores mediante el DSC.
Como se indica en los objetivos, se disea este inversor con eficiencias elctricas
de hasta un 90% y con topologas simples de mnimos componentes, esta parte
se aprecia en todo el capitulo de diseo y se comprueba con las simulaciones
realizadas en PSim, logrando resultados satisfactorios. Sin embargo al momento
de construccin e implementacin del dispositivo, es inevitable el aumento de
elementos para solucionar detalles fuera de la visin preliminar de diseo,
resultando en un sistema de gran complejidad. A pesar de ello, no aumenta
considerablemente el costo del inversor, ya que se refiere a las compras
nacionales. Luego no se pudo construir un inversor de menos de $900 US, que
era lo presupuestado a grandes rasgos, por motivos de importacin y
construccin de solo una unidad. Sobre la eficiencia del inversor es notable que se
pueda alcanzar eficiencias mayores al 80% en cada una de las dos etapas
97
conversoras. Sin embargo, se debe comparar con sistemas comerciales, los
cuales rodean un 95% de eficiencia total. En este proyecto las pruebas de
eficiencia no se realizaron en condiciones estndares de temperatura y voltajes
de entrada. A partir de la optimizacin de estas condiciones es posible minimizar
el efecto de las prdidas en conversiones, lo que deja abierto un espacio de
mejora en esta rea, lo que repercutira en su evaluacin econmica.
98
5.1. Trabajo futuro
Se desea delinear los puntos necesarios para guiar a cualquier investigador a
perfeccionar el presente sistema, estos puntos son:
99
CAPTULO 6: Glosario
100
CAPTULO 7: Referencias
[1] N. Mohan, Power Electronics and Drives, 2003 ed., Minnesota: MNPERE,
2003.
[4] Rashid, Power Electronics Handbook, San Diego: Academic Press, 2001.
[5] EPIA, Global Market Outlook for Photovoltaics until 2013, 2009.
[8] Texas Instruments, DSP Controllers: A Perfect Fit for Solar Power
Inverters, 2006.
[11] Powerex Inc, General Considerations for IGBT and Intelligent Power
Modules, Youngwood, 2000.
101
[15] MathWorks, SIMULINK, Simulation and Model-Based Design, MathWorks,
United States, 2012.
[22] Semikron, Application Notes for IGBT and MOSFET Modules, 2008.
[23] E. R. Motto, Hybrid Circuits Simplify IGBT Module Gate Driver, Powerex
Inc., Pennsylvania, 2000.
[25] Phillips, 74HC/HCT11 Data Sheet, Triple 3-input AND gate, Diciembre
1990.
[26] Phillips, 74HC04; 74HCT04 Data Sheet, Hex inverter, julio 2003.
[27] Allegro MicroSystems, INC., ACS712 Data Sheet, Fully Integrated, Hall
Effect-Based Linear Current Sensor IC , Octubre 2011.
102
CAPTULO 8: Anexos
Otra herramienta muy poderosa que posee este software es SimCoder [18], el
cual permite simular controladores digitales, como lo es un DSC, adems de
exportar el cdigo en C para su programacin. Esta aplicacin es muy fcil de
Anexo 103
utilizar y agiliza el proceso de diseo de control sin la necesidad de aprender
cdigo C para programar los puertos de un microcontrolador.
Anexo 104
Figura 120: Esquema circuital DSC en PSim [18]
Anexo 105
8.2. Clculo de transformada discreta de
Fourier (DFT) en MATLAB.
Descripcin:
Ejemplo
Resumiendo:
Y = fft(y,NFFT)/L;
f = Fs/2*linspace(0,1,NFFT/2+1);
Pata graficar:
plot(f,2*abs(Y(1:NFFT/2+1)))
xlabel('Frecuencia (Hz)')
ylabel('|Y(f)|')
Anexo 106
8.3. Diseo de filtro digital Butterworth
Descripcin: Filtro digital creado en MATLAB, para utilizar en PSim.
( )
Ecuacin 33
Ejemplo:
Para disear un filtro pasa bajos tipo Butterworth con una frecuencia de corte de
fc = 30 Hz, asumiendo que la frecuencia de muestreo es fs = 10 kHz, usando
MATLAB, se tiene:
Anexo 107
8.4. Lista de componentes.
Descripcin Precio [US] Cantidad Total [US]
TLP250 OPTOACOPLADOR IGBT SMD $ 3.53 5 $ 17.66
INDUCTANCIA 10uH,10%,500mA $ 0.44 5 $ 2.18
ECAP 2.2uF/50V SMD0430 20%,85C $ 0.14 18 $ 2.59
CMCAP 0.47uF 16V 10% X7R 1206 $ 0.08 18 $ 1.35
CMCAP 0.1uF 16V X7R 10% 0603 $ 0.04 10 $ 0.40
CMCAP 1000PF 50V X7R 10% 1206 $ 0.05 4 $ 0.22
PCAP 0.47UF 630V 10% P20.5mm $ 0.24 3 $ 0.73
PCAP 0.01UF 630V 10% 10mm $ 0.08 1 $ 0.08
TCAP 10UF 6.3V 10% 125C SMD C $ 0.15 2 $ 0.31
TCAP 0.47UF/35V,20%,-50-85C $ 0.30 2 $ 0.60
74HC04D HEX INVERTERS.SMD $ 0.33 1 $ 0.33
74HC11 TRIPLE 3 INPUT NAND $ 0.35 2 $ 0.71
RES 3K3 SMD0603 1/10W 1% 10U $ 0.09 4 $ 0.36
RES 38K3 SMD0603 1/10W 1% (10u) $ 0.09 4 $ 0.36
RES 1M0 SMD0603 1/10W 1% (10u) $ 0.09 4 $ 0.36
RES 470K SMD0603 1/10W 1% 10u $ 0.09 4 $ 0.36
RES 5K60 SMD0603 1/10W 1% $ 0.09 4 $ 0.36
RES 4K7 1/10W 1% 0603 10u $ 0.09 4 $ 0.36
RES 10K SMD0805 1/8W 5% 10u $ 0.08 10 $ 0.75
RES 5K60 SMD0603 1/10W 1% $ 0.09 10 $ 0.90
RES 47K0 SMD0603 1/10W 1% 10U $ 0.09 4 $ 0.36
RES 12K0 SMD0603 1/10W 1% (10u) $ 0.09 8 $ 0.72
RES 24K9 SMD0603 1/10W 1% 10u $ 0.09 5 $ 0.45
RES 12K 1/4W 1% 1206 10u $ 0.15 5 $ 0.77
RES 1K0 SMD0603 1/10W 1% 10u $ 0.09 10 $ 0.90
RES 33K SMD0603 1/10W 1% 10u $ 0.09 1 $ 0.09
RES 7K5 CEMENTO 5W 5% $ 0.27 2 $ 0.54
RES 4R70 1/4W 1% 1206 10U $ 0.16 5 $ 0.82
POT 15VT.RECTAN 200 OHM 3006P $ 0.30 2 $ 0.60
RES 10R SMD0603 1/10W 5%(10u) $ 0.09 5 $ 0.45
RES 200R 1/10W 1% 0603 (10u) $ 0.13 5 $ 0.67
REGLETA 2T-PCB 90 15A $ 0.34 12 $ 4.10
REGLETA HEMBRA 2T 90 15A $ 0.55 24 $ 13.20
REGLETA 2T-PCB 180 15A $ 0.34 12 $ 4.10
REGLETA 4T-PCB 90 15A $ 0.44 4 $ 1.74
PIN HEADER 40X1 FILA EN ANGULO $ 0.73 2 $ 1.46
PIN HEADER 40X1 FILA $ 0.46 3 $ 1.37
SOCKET PCB 10X1 FILA $ 0.41 5 $ 2.03
HOUSING SLIM 2x1 2.54mm $ 0.05 2 $ 0.11
HOUSING SLIM 4x1 2.54mm $ 0.08 10 $ 0.75
HOUSING SLIM 3x1 2.54mm $ 0.07 25 $ 1.72
Anexo 108
TERMINAL PARA CONECTOR SLIM $ 0.04 44 $ 1.83
BASE DIP16/0.3" PARA C. INTEGRADO $ 0.11 4 $ 0.43
BASE DIP28/0.6" PARA C. INTEGRADO $ 0.19 1 $ 0.19
REGLETA 5T 10mm 20A 131-5PHC $ 2.29 2 $ 4.58
REGLETA 3T 10mm 20A 131-3PHC $ 1.43 2 $ 2.87
REGLETA 2T 10mm 20A 131-2PHC $ 1.23 2 $ 2.46
HEADER PCB 2P 0.1" RECTO $ 0.05 35 $ 1.90
HOUSING 2t 0.1" CABLE $ 0.06 35 $ 2.11
TERMINAL CRIMP PARA HEADER 0.1" $ 0.04 40 $ 1.50
FUSIBLE 3.15A 5X20MM RAPIDO (5u) $ 0.46 3 $ 1.37
PORTAFUSIBLE 5X20MM PCB $ 0.72 3 $ 2.17
INT C/TECLA (ON)-OFF-(ON) PCB 250VAC/6A $ 0.99 1 $ 0.99
TACT SWITCH PCB SPST 5MM 4P $ 0.11 4 $ 0.43
LED 3MM AMAR DIF 10mcd 70 $ 0.04 10 $ 0.35
LED ROJO TR 0805 120mcd $ 0.17 5 $ 0.84
RELE SPDT 5VDC 15A AT1RC5V PCB AT1RC-5V $ 1.43 2 $ 2.87
ZENER 1N4745A 16V/1W $ 0.12 10 $ 1.17
TLP250 OPTOACOPLADOR IGBT SMD $ 3.53 4 $ 14.13
TCAP 3.3UF/50V, 10%,-50-85C $ 0.72 3 $ 2.16
ECAP 100UF 100V 20% 105C 13*20 $ 0.19 10 $ 1.94
ECAP 2.2uF/50V SMD0430 20%,85C $ 0.14 4 $ 0.58
CMCAP 0.47uF 16V 10% X7R 1206 $ 0.08 20 $ 1.50
CMCAP 0.1uF 16V X7R 10% 0603 $ 0.04 10 $ 0.40
RES 2K4 SMD0805 1/8W1% 10u $ 0.10 2 $ 0.21
REGLETA 2T-PCB 90 15A $ 0.34 20 $ 6.83
ECAP 100uF/6.3V SMD0660 20%,85C $ 0.78 2 $ 1.56
ECAP 1000uF/6.3V SMD0830 20%,105C $ 0.71 2 $ 1.43
SCHOTTKY 1N5819M-13 40V 1A $ 0.20 2 $ 0.41
INDUCTOR SMD POWER 100uH 3.6A $ 0.94 1 $ 0.94
RES 2K 1/4W 1% 1206 10u $ 0.15 1 $ 0.15
RES 3K3 1/4W 1% 1206 (10u) $ 0.15 1 $ 0.15
RES 330R 1/4W 1% 1206 10u $ 0.15 1 $ 0.15
RES 56R 1/4W 1% 1206 10u $ 0.15 1 $ 0.15
RES 4R70 1/4W 1% 1206 10U $ 0.16 1 $ 0.16
HEADER 3T 2mm RECTO $ 0.04 2 $ 0.07
HOUSING 3T 2mm PARA CABLE $ 0.05 2 $ 0.10
TERMINAL PARA HOUSING 2mm $ 0.04 30 $ 1.19
POT CUADRADO 1VUELTA 10K 3386P $ 0.49 2 $ 0.98
REG. VOLT. LM2575S-ADJ SWITCH 1.23-37V/1 $ 3.28 2 $ 6.55
PIN HEADER 40X1 FILA $ 0.46 1 $ 0.46
REG. VOLT. L7905CV -5V/1,5A $ 0.60 1 $ 0.60
REG. VOLT L7805CV 5V/1,5A $ 0.52 1 $ 0.52
TRANS. MMBT2222A NPN 0,6A/40V $ 0.05 20 $ 1.04
Total [US] $ 140.33
Tabla 17: Lista de componentes adquisicin local
Anexo 109
Descripcin Precio [US] Cantidad Total [US]
IGBT ULTRA FAST 600V 160A TO264 $ 10.10 5 $ 50.50
IC ISOLATED DRIVER OPTO 8SOIC $ 1.61 5 $ 8.05
INDUCTOR TOROID PWR 100UH 17.6A $ 10.34 8 $ 82.74
CAP ALUM 2700UF 200V 20% SNAP $ 10.87 5 $ 54.35
CAP FILM 2.2UF 275VAC RADIAL $ 1.71 5 $ 8.55
SENSOR CURRENT 30A 5V BI 8-SOIC $ 4.52 2 $ 9.04
IC OPAMP GP 4MHZ DUAL FET 8SOIC $ 5.40 1 $ 5.40
IC VREF SERIES PREC SOT-23-3 $ 3.00 1 $ 3.00
DIODE ULTRAFAST 1000V 80A TO-247 $ 5.93 1 $ 5.93
isolating OpAmp $ 21.70 4 $ 86.80
CONV DC/DC 2W DL +/-15VOUT SIP7 $ 8.00 5 $ 40.00
PWR SUPP AC/DC 20W 5V OUT MED $ 27.94 1 $ 27.94
IC SENSOR THERMAL 2.3V SC70-5 $ 0.25 3 $ 0.75
FUENTE 12VDC $ 27.94 1 $ 27.94
DIODE SNUBBER 3A $ 0.44 4 $ 1.74
R GATE 5 OHM $ 1.04 5 $ 5.18
Kit TM30f28335 Delfino $ 99.00 1 $ 99.00
Tota[US] $ 516.90
Tabla 18: Lista de componentes adquisicin internacional
Anexo 110
8.5. Cotizacin de construccin y montaje de
circuito impreso
Anexo 111
8.6. Hojas de datos
8.6.1. IGBT
Anexo 112
Anexo 113
Anexo 114
Anexo 115
Anexo 116
Anexo 117
Anexo 118
8.6.2. Inductancias
Anexo 119
Anexo 120
8.6.3. Condensadores
Anexo 121
Anexo 122
Anexo 123