Aula 13

Conduo eltrica em slidos

Fsica Geral F-428

1
 Propriedades eltricas dos slidos
Sero considerados aqui somente slidos cristalinos
(tomos dispostos em estrutura peridica regular 3D
chamada de rede cristalina)
Clula unitria: unidade bsica da rede cristalina:

a @361 pm

Cobre (metal condutor): Silcio (semicondutor) e

rede cbica de faces diamante (isolante): fcc
centradas (fcc) modificada
2
Os slidos cristalinos:
Exemplos em uma pequena janela da tabela peridica
que vai ser de interesse nesta aula:

Boro Carbono Nitrognio

Alumnio Silcio Fsforo

Glio Germnio Arsnio

3
(Os nmeros no canto inferior esquerdo so as densidades em g/cm3 a 293 K)
Os slidos cristalinos:
Exemplos em uma pequena janela
Cristal de Si

Boro Carbono Nitrognio

Fsforo
Alumnio Silcio

Glio Germnio Arsnio

4
A diversidade das ligas

Boro Carbono Nitrognio

Alumnio Silcio Fsforo

As
Glio Germnio Arsnio

Ga

5
 Propriedades eltricas dos slidos
!
R=
1. Resistividade r temperatura ambiente: A
Unidade SI: W 1 )
m (r o inverso da condutividade s: =
2. Coeficiente de temperatura da resistividade a:
Unidade SI: K-1 1 d
=
Se afr positivo, a resistividade aumenta com a dT
temperatura (ou seja, a condutividade diminui); se fr
negativo, a resistividade diminui com a temperatura (ou
seja, a condutividade aumenta).
3. Concentrao de portadores de carga n = nmero de
portadores de carga por unidade de volume
Unidade SI: m-3
6
Classificao de slidos segundo suas
caractersticas de condutividade eltrica:

Isolantes (p. ex. diamante, quartzo)

Condutores (os metais, como cobre, prata)

Semicondutores (p. ex. germnio, silcio)

7
Alguns valores caractersticos:
Coeficiente de
Concentrao de
Resistividade temperatura da
Material portadores de carga
r(W m) resistividade
n (m-3)
(K-1)
Isolante ~ 104 1018 -- --

Positivo e Muito mais alta do que

Condutor ~ 10-6 10-8 pequeno a dos semicondutores
(Cu: 410-3) (Cu: 91028)

Negativo e
Semicondutor intermedirio elevado Si: 11016
(Si: -7010-3)

8
 Teoria de bandas
A teoria de bandas teve um importante sucesso inicial
para explicar de maneira simples esse comportamento
muito diferente dos slidos no tocante
condutividade eltrica (condutores, semicondutores
e isolantes).

Inicialmente, precisamos entender o que acontece

com os nveis de energia quando colocamos muitos
tomos juntos....
9
 Formao de bandas de energia em
um slido cristalino -1
Para recordar,...o nosso velho conhecido
tomo de hidrognio:

Potencial coulombiano
Energia

10
 Formao de bandas de energia em um
slido cristalino - 2
Vimos que para um tomo isolado:

os seus eltrons ocupam os vrios

nveis de energia, em ordem
crescente de energia e obedecendo
sempre o princpio de excluso de

Energia
Pauli.
eltron

Como exemplo, no caso dos 29

eltrons de um tomo de 29Cu

11
Formao de bandas de energia em um slido
cristalino - 3

Por exemplo, se tivermos dois tomos distantes....

..as funes de onda dos vrios eltrons no se
sobrepem, e tudo fica praticamente inalterado, cada
um dos tomos com seus eltrons nos seus nveis....
distncia >> 260 pm

12
Formao de bandas de energia em um slido
cristalino - 4
Agora vamos aproximar os dois tomos...

..as funes de onda dos eltrons mais distantes dos ncleos

atmicos (os mais externos) comeam a se sobrepor, e o
nmero de nveis (estados) de energia superiores dobra....

13
Formao de bandas de energia em um slido
cristalino - 5
E se tivermos muitos tomos prximos..., digamos N
tomos, como na rede cristalina do cobre slido, cada nvel
do tomo isolado se desdobrar em N nveis!

Agora pense que esse N pode ser to grande

quanto 1023 - 1024 tomos..... os nveis vo ficar
muito prximos.. Vo formar uma banda. 14
Formao de bandas de energia em um
slido cristalino - 6

bandas

Um tomo Poucos Um mol de

isolado tomos tomos
prximos

15
Formao de bandas de energia em um
slido cristalino - 7

Nveis Bandas
de de
energia energia

Um Dois Trs Muitos

tomo tomos tomos tomos

16
 Nveis (ou bandas) de energia
Exemplo: sdio Na (Z=11)

1
Banda 3s meio cheia

6 banda proibida

2 Banda 2p cheia
Banda 2s cheia
Energia

2
Banda 1s cheia
tomos de Na tomos de Na
isolados em Na metlico

tomos de sdio se aproximando para a direita

17
( distncia r entre os tomos crescendo para a esquerda )
Conduo eltrica : qual o segredo??

Banda de
Primeira
banda Banda de
Conduo
Conduo
desocupada

Eg

Energia

ltima Banda de
Banda de
Valncia
banda Valncia
ocupada

1s2 2s2 2p6 1s2 2s2 2p6 3s1

( 10Ne ) ( 11Na )
18
Exemplos de valores de Eg:

Isolantes eV Semicondutores eV
Diamante 5,33 Silcio 1,14
xido de zinco 3,2 Germnio 0,67
Cloreto de prata 3,2 Telrio 0,23

Eg muito maior no caso dos isolantes!

19
Importante distinguimos :
Banda de valncia: os eltrons que eram os das
ltimas camadas dos tomos individuais agora
no pertencem mais a um nico tomo e
ocupam a banda de valncia;

Banda de conduo: a banda de maior

energia que est parcialmente ocupada por
eltrons, ou ento desocupada;

Banda proibida (ou gap ou lacuna): onde no

pode haver eltrons (no h estados!).
20
Conduo eltrica

Banda de conduo

Banda de valncia

Condutor Semicondutor Isolante

As bandas ocupadas de energias mais baixas no so mostradas.

Apenas mostramos as bandas de valncia e de conduo.

21
 Metais e Isolantes
Para haver uma corrente eltrica com cargas se movendo em uma dada
direo, precisamos excitar eltrons para estados de energia maior. Se no h
estados prximos acessveis (desocupados) para os eltrons mais energticos
ocuparem, ento no haver corrente! Este o caso dos isolantes.
Nos metais, os eltrons na banda de valncia podem facilmente ocupar nveis
mais energticos desocupados. Esses eltrons na banda de conduo podem
ganhar energia e se mover livremente atravs do metal, como o fazem as
molculas de um gs.

Estados desocupados

Energia de Fermi EF
Estados ocupados

Isolante Metal
22
Propriedades de transporte (por exemplo, a
condutividade eltrica e trmica) dependem de...

Estrutura eletrnica + ocupao dos estados;

Densidade dos portadores de carga;

Espalhamento dos portadores de carga;

Resposta aos campos externos.

A condutividade dos metais muito maior do

que a dos semicondutores principalmente por
causa da diferena em n. 23
 Energia de Fermi
Para o metal no seu estado fundamental (o que ocorre
em T = 0 K), todos os eltrons ocupam os nveis de
menor energia possvel compatveis com o princpio
de excluso de Pauli.
Chamemos de EF a energia do ltimo estado ocupado
por eltrons em T = 0 K.
Em T = 0 K, todos os estados com E < EF esto
ocupados, e todos os com E > EF esto vazios.
Metal Li Na K Rb Cs Cu Ag Au Mg Al
EF 4,72 3,12 2,14 1,82 1,53 4,07 5,51 5,54 7,3 11,9
(eV)
24
Probabilidade de ocupao P(E) para T=0 K :

P(E) = 1 para E < EF e P(E) = 0 para E > EF .

25
 Como fica P(E) para temperaturas
acima do zero absoluto?
P(E) dado pela distribuio de Fermi Dirac:
1
P( E ) = ( E E F ) k BT
1+ e
kT ~0,025 eV para temperatura T = 300 K
kT ~0,086 eV para temperatura T = 1000 K !
(k = constante de Boltzmann = 8,62 10-5 eV/K)

26
 Ao aplicarmos uma ddp, surge corrente eltrica se
eltrons puderem aumentar sua energia cintica...

Condutor: corrente eltrica surge porque existem

vrios nveis de energia prximos (na banda de
valncia) que os eltrons podem ocupar;

Isolante e semicondutor: para um eltron passar para

um nvel de energia mais alta, ele precisa pular a
banda proibida (ou seja, o gap)*.

*Obs.: por isso mesmo que a condutividade do semicondutor aumenta com o aumento da 27
temperatura.
Excitando um eltron em um metal e em um
semicondutor....

Semicondutor

Metal
O eltron sobe para um nvel
com maior energia, deixando
eltron seu estado anterior vazio: ficou
EF eltron um buraco. Este buraco
buraco
tambm vai participar da
condutividade eltrica, e se
buraco
comportar como uma carga +e.

28
 Densidade de portadores
T=0K T muito alta:
todos os eltrons na alguns eltrons na
camada de valncia camada de conduo
Semicondutor
Banda de Banda de Banda de
conduo conduo conduo
Metal
No zero Alguns eltrons Alta
absoluto T=0 K tm E > EF temperatura
Nvel de

eltron Fermi

EF eltron Banda de Banda de Banda de

valncia valncia valncia

buraco Apesar de haver probabilidade de

eltrons possurem E > EF , eles no
buraco podem ocupar a banda proibida
(densidade de estados = 0).
A agitao trmica fornece energia apenas para
os eltrons com energias prximas da energia de
Fermi, porque:
Etrmica ~ kBT ~ 10-3 10-2 eV
29
EF ~ eV
 Metal
Densidade de estados qunticos [ n de estados / (m3.joule) ] :
8 2 me 3 / 2
N( E ) = E1 / 2
h3

N(E) dE = n de nveis de energia disponveis para

os eltrons no intervalo de energia entre E e E+dE
por unidade de volume

Probabilidade de ocupao P(E) [Estatstica de Fermi-Dirac] :

P(E) = probabilidade de que o nvel de energia
E esteja ocupado por um eltron

1
P( E ) = ( E E F ) / k BT
1+ e
1
Def. de EF P( E = E F ) = = 50% 30
2
 Metal
Densidade de estados ocupados: N 0 ( E ) = N ( E ) P( E )

P(E)

N(E)
=
Energia (eV)

Muitos estados
disponveis
Poucos estados Alta probabilidade
disponveis de ocupao

Baixa probabilidade Muitos estados

de ocupao ocupados

Poucos estados 31
ocupados
 Metal
Densidade de estados ocupados: N 0 ( E ) = N ( E ) P( E )

8 2 m 3 / 2
N( E ) = E1 / 2
h3

Para T = 0 K, o n de eltrons de conduo do metal (por unid. de vol.) :

EF
8 2 m 3 / 2 2 E F3 / 2
n = N 0 ( E )dE =
N ( E )dE =
0 0
h3 3

T = 0 K N0(E) = N(E) quando E<EF ( pois P(E<EF)=1 )

N0(E) = 0 quando E>EF ( pois P(E>EF) = 0 )

2/3
Portanto, em T = 0 K: 3 h 2 2 / 3 0.121h 2 2 / 3
EF = n n
16 2 m m 32
Ex. 1) Qual a energia de Fermi do ouro, um metal monovalente com massa molar de
197 g/mol e densidade de 19,3 g/cm3?
Dados: hc = 1240 keV.pm, meltron = 511 keV/c, NA = 6,021023 mol-1
[Halliday, 41.10 (7 ed.), 12 (8 ed.), 28 (9 ed.)]

33
Ex. 1) Qual a energia de Fermi do ouro, um metal monovalente com massa molar de
197 g/mol e densidade de 19,3 g/cm3?
Dados: hc = 1240 keV.pm, meltron = 511 keV/c, NA = 6,021023 mol-1
[Halliday, 41.10 (7 ed.), 12 (8 ed.), 28 (9 ed.)]

Resposta: 2/3 2
3 h 2/3
Energia de Fermi de um metal: EF = n
16 2 m
Nmero de eltrons de conduo por unidade de volume do metal: n = nt nel.val., onde nt o
nmero de tomos do metal por unidade de volume e nel.val. o nmero de eltrons de valncia.
Metal monovalente nel.val. = 1 eltron/tomo
Massa do eltron: m @9,10910-31 kg
3
eltron 19,3g / cm 23 tomos eltrons 8 eltrons
n = 1
6,02 10 5,90 10 22 = 5,90 10
tomo 197 g / mol mol cm 3 pm 3

2/ 3
3 h2 2 / 3
E F = n 5,53 eV 34
16 2 m
Ex. 2) O zinco um metal bivalente. Para esse elemento, calcule:
a) a concentrao de eltrons de conduo;
b) a energia de Fermi;
c) a velocidade de Fermi;
d) o comprimento de onda de de Broglie correspondente velocidade determinada no
item (c).
Dados do zinco: Densidade 7,133 g/cm, massa molar 65,37 g/mol
[Halliday, 41.22 (7 ed.), 25 (8 ed.), 27 (9 ed.)]

35
Ex. 2) O zinco um metal bivalente. Para esse elemento, calcule:
a) a concentrao de eltrons de conduo;
b) a energia de Fermi;
c) a velocidade de Fermi;
d) o comprimento de onda de de Broglie correspondente velocidade determinada no
item (c).
Dados do zinco: Densidade 7,133 g/cm, massa molar 65,37 g/mol
[Halliday, 41.22 (7 ed.), 25 (8 ed.), 27 (9 ed.)]

Respostas:
Metal bivalente nel.val. = 2 eltrons/tomo

eltrons 7,133g / cm 3 23 tomos 29 eltrons

a) n = nel .val . nt. 2
6,02 10 1,31 10
tomo 65,37 g / mol mol m3
2/ 3
3 h2 2 / 3
b) E F = n 9 ,43 eV
16 2 m

me v F2 2EF 2EF 6
c) EF = vF = = 2
c 0 ,0061c ou 1,82 10 m/s
2 me me c

d) h h hc
= = = 0 ,40 nm
p mel v F v
( )
mel c 2 F 36
c
 Concentrao de portadores nos semicondutores
Agitao trmica faz com que alguns poucos eltrons da banda de
valncia (BV) adquiram energia para passar para a banda de conduo
(BC)
Buracos: estados desocupados deixados na BV oferecem espao
para eltrons da BV se locomoverem
Recombinao: quando um eltron da BC encontra um buraco da BV
Portadores de carga: buracos da BV (cargas +e) e eltrons da BC

eltron
Banda de
conduo
Banda de conduo
Banda de
valncia
buraco

Banda de valncia
37
Semicondutor
Densidade de portadores
Em metais: n no varia com T
qualquer perturbao faz as cargas se deslocarem
Em semicondutores: n varia com T
os portadores precisam ser criados com um
gasto finito de energia

Isolantes e semicondutores
( aumento do nmero de portadores )
condutividade

Metais ( nmero de
portadores constante
com T & colises mais
frequentes com os
Temperatura ons da rede) 38
Conditividade de semicondutores
Eltrons & buracos so responsveis pela
condutividade intrnseca dos semicondutores.
Por isso, quanto maior T, mais portadores de
carga teremos e maior ser a condutividade.

Mas podemos dar uma mozinha....

Como? P. ex. dopando o semicondutor....

39
 Dopagem de semicondutores

Dependendo do tipo de tomo dopante:

Semicondutores tipo n

Semicondutores tipo p

40
 Semicondutor dopado tipo n
Como aumentar o nmero Cristal de Si
de portadores de carga em 4+
semicondutores ?

5+

Eltron extra
P : [Ne] 3s2 3p3
Si: [Ne] 3s2 3p2

P
Si:
41
 Semicondutor dopado tipo n
Silcio: [Ne] 3s2 3p2
Banda de valncia: 4 eltrons, que participam de ligaes covalentes com
tomos vizinhos valncia 4
Ao fornecer energia Egap para um eltron da BV, ele passar para a banda
de conduo e poder vagar pelo material p. ex. se houver uma ddp)
Dopagem: adio de impurezas (1 em ~107 tomos da rede
cristalina) em um semicondutor
1. tomo doador: possui valncia maior do que os tomos da rede
Os eltrons excedentes no formam nenhuma ligao
Os eltrons excedentes so fracamente ligados ao doador tipo n
N eltrons na BC > n buracos na BV Banda de conduo
Portadores em maioria: eltrons
Portadores em minoria: buracos
Semicondutor dopado tipo n (n: negativo)
Nvel de energia dos
eltrons doados fica muito 42
prximo da BC Banda de valncia
Nveis de dopantes doadores Ed
Os eltrons doados (sobrando )
Tipo n
esto em um nvel bem prximo do
Banda de conduo fundo da banda de conduo e
podem facilmente passar para a
banda de conduo p. ex. bastando
apenas que a temperatura seja
suficientemente alta. Uma vez l,
tm muitos estados sua
Banda de valncia disposio !

43
Falamos agora em condutividade extrnseca!
Semicondutor dopado tipo p
Cristal de Si
Como produzir buracos ? 4+

3+

Buraco extra
Al: [Ne] 3s2 3p1
Si: [Ne] 3s2 3p2

Si:
Al
44
 Semicondutor dopado tipo p
Silcio: [Ne] 3s2 3p2 valncia 4
Dopagem:
2. tomo aceitador: possui valncia menor do que os tomos da rede
Surgem lacunas (buracos) nas ligaes covalentes impurezarede
Basta um pequeno ganho de energia para um eltron preencher o buraco
Um novo buraco criado, ou seja, como se o buraco se movesse
n buracos na BV > n eltrons na BC
Portadores em maioria: buracos
tipo p
Portadores em minoria: eltrons
Semicondutor dopado tipo p (p: positivo)

Falamos agora em
condutividade
Nvel aceitador,
extrnseca! muito prximo da 45
BV
Nveis de dopantes aceitadores Ea
Tipo p H nveis de energia disponveis
para eltrons bem prximo do topo
Banda de conduo da banda de valncia. Eltrons
podem facilmente passar para esse
nvel, p. ex. bastando que a
temperatura seja suficientemente
alta. Isso acontecendo, deixam
Banda de valncia
tambm buracos na banda de
valncia!

46
 Exemplos de dopagem em Ge
Tipo n Tipo p

Banda de conduo Banda de conduo

Nveis da
impureza
Ec
doadora Ed
Nveis da
Eg= Ec Ev = 0,67 eV impureza
aceitadora Ea

Ev
Banda de valncia Banda de valncia

(As em Ge) (Ga em Ge)

Ec - Ed = 0,013 eV Ea - Ev = 0,011 eV 47
 Semicondutores dopados
Semicondutor Semicondutor

- EF
+
EF Aps dopagem:
-
nova energia de Fermi
+
(o valor exato depende de T!)

Semicondutor tipo p Semicondutor tipo n 48

Silcio dopado com alumnio Silcio dopado com fsforo
Por exemplo: variao de EF(T) em
semicondutor tipo n

Nvel do doador

49
Semicondutores dopados
Concentrao de portadores de carga em
semicondutores intrnsecos (no-dopados): ~ 1016 m-3

Concentrao de portadores de carga em

semicondutores dopados: 1025 m-3

Ainda assim
~ 1/10.000
do cobre !
(~1029 m-3)
50
O que acontece se pusermos um semicondutor tipo p
em contato com um semicondutor tipo n?

Semicondutor p Semicondutor n

-
+
Eltron
Buraco -
+

51
 Juno pn
Inicialmente, assim que os dois
semicondutores (um p e um n) so postos
em contato, aparecero correntes que
causaro a formao de uma carga espacial
nos dois lados do plano da juno.

A regio da carga espacial chamada zona

de depleo*, de largura d0, em que h
reduo do n. de cargas mveis.
A movimentao inicial das cargas cria
tambm uma ddp V(x) ao longo da zona de
depleo conforme mostrado na figura ao
lado
52
* (depleo = reduo)
Juno pn: o que acontece logo depois de juntarmos?
Corrente de difuso
Semicondutor p

Semicondutor n

-
-
+
+
Barreira para os portadores
majoritrios
Facilita movimentao dos
portadores minoritrios

Corrente de deriva
Quando no h ddp aplicada, as duas correntes so iguais. 53
 Juno pn
Movimento dos portadores em maioria
Semicondutor p
Corrente de difuso do lado p para n:
Eltrons do lado n prximos da juno tendem a Semicondutor n
passar para o lado p, onde h poucos eltrons
O inverso ocorre com os buracos do lado p
Carga espacial: -
Quando eltron sai do lado n, deixa a impureza -
+
doadora (tomo preso rede) positivamente +
carregada
Ao chegar no lado p, recombina-se com um
buraco, deixando a impureza aceitadora
negativamente carregada
O inverso ocorre com os buracos.
As regies que surgem formam a zona de
depleo (= reduo do nmero de
54
portadores de carga mveis).
 Juno pn quando sujeita a uma ddp

Corrente (Idifuso - Ideriva)

Corrente de difuso ddp direta
Corrente de deriva Idifuso >> Ideriva
Corrente resultante

voltagem

ddp inversa Corrente de difuso

Idifuso < Ideriva Corrente de deriva
Corrente resultante

A juno funcionar como um retificador, s deixando passar corrente em um sentido.

55
Efeitos da ddp aplicada juno pn
Para a polarizao
direta, a zona de
depleo fica mais
estreita e a barreira de
potencial diminui
(V0 diminui).
Para a polarizao
inversa, a zona de
depleo fica mais
larga e a barreira de
potencial aumenta
(V0 aumenta).
56
 Juno de semicondutores:
muitas outras aplicaes
Diodo retificador : juno pn

LED (light-emitting diode): diodo emissor de luz

Fotodiodo

Laser semicondutor
Transistor (juno
pnp ou npn): funciona
como amplificador.
57
Ex. 3) A funo probabilidade de ocupao P(E) abaixo pode ser aplicada tanto a metais
como a semicondutores. Nos semicondutores, a energia de Fermi est praticamente a
meio caminho entre a banda de valncia e a banda de conduo. No caso do germnio,
a distncia entre a banda de conduo e a banda de valncia 0,67 eV. Supondo que T =
290 K, determine a probabilidade:
a) de que um estado na extremidade inferior da banda de conduo esteja ocupado;
b) de que um estado na extremidade superior da banda de valncia esteja ocupado.
Dados: kB = 8,6210-5 eV/K, P(E ) =
1
( E E F ) k BT
e +1
[Halliday, 41.29 (7 ed.), 33 (8 e 9 eds.)]

58
Ex. 3) A funo probabilidade de ocupao P(E) abaixo pode ser aplicada tanto a metais
como a semicondutores. Nos semicondutores, a energia de Fermi est praticamente a
meio caminho entre a banda de valncia e a banda de conduo. No caso do germnio,
a distncia entre a banda de conduo e a banda de valncia 0,67 eV. Supondo que T =
290 K, determine a probabilidade:
a) de que um estado na extremidade inferior da banda de conduo esteja ocupado;
b) de que um estado na extremidade superior da banda de valncia esteja ocupado.
Dados: kB = 8,6210-5 eV/K, P(E ) =
1
( E E F ) k BT
e +1
[Halliday, 41.29 (7 ed.), 33 (8 e 9 eds.)]

Respostas: BC
Germnio:
Eg = 0,67 eV
EF = Eg/2 = 0,335 eV
BV

a) Extremidade inferior da banda de conduo Econd EF = Eg Eg/2 = Eg/2

1 1
P(Econd ) = = 1,51 10 6
e ( Econd EF ) k BT + 1 e
E g 2 k BT
+1
b) Extremidade superior da banda de valncia Eval EF = 0 EF = Eg/2
1 1 59
P(E val ) = ( Eval E F ) k BT = E g 2 k BT
= 1 P( E cond ) 0,9999985
e +1 e +1
Ex. 4) No silcio puro temperatura ambiente, a concentrao de eltrons na banda de
conduo 51015 m-3 e a concentrao de buracos na banda de valncia tem o mesmo
valor. Suponha que 1 em cada 107 tomos de silcio seja substitudo por um tomo de
fsforo.
a) Que tipo de semicondutor o novo material: n ou p?
b) A concentrao de que tipo de portador aumenta com esse tipo de dopagem?
c) Qual razo entre a concentrao de portadores de carga (eltrons e buracos) no
material dopado e a concentrao no material no dopado?
Dados do silcio: massa molar 28,086 g/mol, massa especfica 2,33 g/cm
[Halliday, 41.32 (7 ed.), 36 (8 ed.), 38 (9 ed.)]

60
Ex. 4) No silcio puro temperatura ambiente, a concentrao de eltrons na banda de
conduo 51015 m-3 e a concentrao de buracos na banda de valncia tem o mesmo
valor. Suponha que 1 em cada 107 tomos de silcio seja substitudo por um tomo de
fsforo.
a) Que tipo de semicondutor o novo material: n ou p?
b) A concentrao de que tipo de portador aumenta com esse tipo de dopagem?
c) Qual razo entre a concentrao de portadores de carga (eltrons e buracos) no
material dopado e a concentrao no material no dopado?
Dados do silcio: massa molar 28,086 g/mol, massa especfica 2,33 g/cm
[Halliday, 41.32 (7 ed.), 36 (8 ed.), 38 (9 ed.)]
Respostas:
a) Valncia do Si = +4 O semicondutor ser tipo n, pois P tem 1 eltron a mais que o Si.
Valncia do P = +5
b) O dopante do tipo doador a concentrao de eltrons aumenta no material
c) Concentrao de eltrons vindos do dopante:

P eltron 1t P 10 7 el 2,33 g / cm 3 6,02 10 23 t Si / mol

n = 1
el
7 nSi = 5,0 10 21 el / m 3

t P 10 t Si t Si 28,086 g / mol
d) Concentrao de portadores (eltrons na banda de conduo + buracos na banda de valncia)
no material no dopado: nelSi = 2 5 1015 el / m3 = 1,0 1016 el / m3 nelP + nelSi 5 61
Razo = Si
5,0 10
n el
Ex. 5) A prata funde a 961 C. No ponto de fuso, que frao dos eltrons de conduo
est em estados com energias maiores que a energia de Fermi, que 5,5 eV?
Dados: kB = 8,6210-5 eV/K, [K] = [C] + 273,15
[Halliday, 41.42 (7 ed.), 46 (8 ed.), 50 (9 ed.)]
Resposta:
A frao de eltrons de conduo em um metal com energia maior que a energia de Fermi igual
rea sob a parte da curva P(E)N(E) acima de EF dividida pela rea sob a curva inteira (problema
41.24 [7 ed.], 27 [8 ed.], 21 [9 ed.]):

Probabilidade de ocupao: 1
P(E ) =
e ( E E F ) k BT + 1
Densidade de estados: 8 2me E
3
n de eltrons por unidade de
N (E ) = volume, por unidade de energia
h3
Densidade de estados
ocupados:
n N (E F )P(E F )E

n 3k BT
3
8 2me E F
N (E F ) =
h 3 frac =
1 n 2E F
P(E F ) =
2
E 2k B T EF = 5,5 eV e T = 1234,15 K
3 => a frao de eltrons de conduo
EF 8 2me 2 E F3 / 2 62
n= N (E )dE = com E > EF aproximadamente 0,029
0 h3 3
Ex. 5) A prata funde a 961 C. No ponto de fuso, que frao dos eltrons de conduo
est em estados com energias maiores que a energia de Fermi, que 5,5 eV?
Dados: kB = 8,6210-5 eV/K, [K] = [C] + 273,15
[Halliday, 41.42 (7 ed.), 46 (8 ed.), 50 (9 ed.)]
Resposta: (Clculo aproximado)
A frao de eltrons de conduo em um metal com energia maior que a energia de Fermi igual
rea sob a parte da curva P(E)N(E) acima de EF dividida pela rea sob a curva inteira (problema
41.24 [7 ed.], 27 [8 ed.], 21 [9 ed.]):

Probabilidade de ocupao: 1
P(E ) =
e ( E E F ) k BT + 1
Densidade de estados: 8 2me E
3
n de eltrons por unidade de
N (E ) = volume, por unidade de energia
h3
Densidade de estados
ocupados:
n N (E F )P(E F )E

n 3k BT
3
8 2me E F
N (E F ) =
h 3 frac =
1 n 2E F
P(E F ) =
2
E 2k B T EF = 5,5 eV e T = 1234,15 K
3 => a frao de eltrons de conduo
EF 8 2me 2 E F3 / 2 63
n= N (E )dE = com E > EF aproximadamente 0,029
0 h3 3
Clculo exato : integrao numrica

Densidade de estados ocupados: N0(E) = P(E)N(E)

E
N (E )dE
0 ( E E F ) k BT
dE
N (E > E F ) EF e EF +1
frac = 0 = =
N 0 (E > 0)
E
N 0 (E )dE
0
e(
0
E E F ) k BT
+1
dE

Fazendo a integrao numrica (o valor encontrado anteriormente apenas uma aproximao):

frac @0,020 => somente 2,0% dos eltrons de conduo possuem energia maior que a
energia de Fermi quando a prata funde

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Resumo:
Estruturas cristalinas
Nveis de energia em um slido
cristalino: bandas
Banda de valncia, banda de conduo,
banda proibida;
Metais, isolantes, semicondutores;
Energia de Fermi;
Semicondutores dopados (tipo n e p);
Aplicaes da juno pn: diodo
retificador, diodo emissor de luz (LED),
transistores, diodo de tunelamento, ...
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