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Introduo eletrnica em RF

Prof. Fernando Rangel de Sousa


Agenda
Viso geral da rea
Um pouco de histria do rdio
Aspectos tecnolgicos
Aspectos de sistemas
Aspectos de circuitos
Posicionamento do estado da arte
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Introduo eletrnica em RF 2
Why learning RF?
Fast increasing number of
applications, including some kind
of wireless communication
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Introduo eletrnica em RF 3
Associated market

communications
WMAN
WPAN

multimidia
60 GHz for
http://www.comlab.hut.fi/opetus/4210/presentations/25_wpan.pd

(person
centered)
centered ) WLAN

Car tracking

http://www.nitrobahn.com/conceptz/self-driving-cars-is-that-the-future/
http://engweb.info/courses/wdt/lecture04/WIMAX_Technology_r.html
Self driving
cars
Space
communication
f

RFID

www.yourdictionary.com/computer/802-11
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Mobile
WBAN
Phone

Wireless sensor
Networ
k

networks
Defense

2G, 3G,
4G

http://giladlotan.org/thesis/methodology.html
http://www.fmv.se/WmTemplates/page.aspx?id=2160 Introduo eletrnica em RF 4
The vision of a Guru (Jan Rabaey)
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Introduo eletrnica em RF 5
http://bwrc.eecs.berkeley.edu/People/Faculty/jan/presentations/SwarmKeynote%20MSE11.pdf
Frequency allocation
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Introduo eletrnica em RF 6
http://www.anatel.gov.br/Portal/verificaDocumentos/documento.asp?numeroPublicacao=98580&assuntoPublicacao=
Quadro%20de%20Atribui%E7%E3o%20&caminhoRel=Cidadao&filtro=1&documentoPath=radiofrequencia/qaff.pdf
RF spectrum
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Introduo eletrnica em RF 7
Service distribution
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Introduo eletrnica em RF 8
What changes in RF?
Wire and devices Conexes have
the same physical dimension of
the signal wavelength.
Parasitic effects are very
important
Wire are modeled as transmission
lines (distributed behavior)
Capacitors, resistors e indutors
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present resonant behavior


Introduo eletrnica em RF 9
RF tradeoffs (chalenges)
Transmission of high data-rates, in narrow-
bandwidth and noisy channels.
Transmit to longer distances using low power
radios.
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Introduo eletrnica em RF 10
AM Broadcasting
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Introduo eletrnica em RF 11
Source: Prof . Duttons notes
Cell phones
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Source: Prof . Duttons notesIntroduo eletrnica em RF 12


RFID
Bateryless receiver
Energy

Information
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Introduo eletrnica em RF 13
Why modulate ?
Antenna size for efficiency a fraction of
Ex: f=1 kHz =c/f=3108/103 =300 km !!!

Modulation
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Modulation - process of varying a periodic waveform, in order to use that


signal to convey a message
Introduo eletrnica em RF 14
Why modulate?
Less sensible to interference

Electromagnetic wave propagation ->


simpler, less lossy, less dispersive
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Smaller and more directive antennas

Introduo eletrnica em RF 15
Modulation
Representation of a modulated
signal:

x(t ) a(t ) cosct (t )


a(t) e (t) are function of time
a(t)-> modulates the amplitude of x(t)
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(t) -> modulates the phase of x(t)

Introduo eletrnica em RF 16
Frequency conversion

fRF=fLOfI
UP-Conversion

fLO

fI fLO f
OL fI 0 fLO-fI fLO+fI
FI
DOWN-Conversion

fRF fIF=fRFfLO
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fLO fRF f
0 fRF- fRF+fLO
RF fLO fLO
OL

Introduo eletrnica em RF 17
Basic analog transceiver
IF
PA

LO2 LO1

0 RF f IF f
0 f

RF IF
LNA
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LO1 LO2

Introduo eletrnica em RF 18
RF transceivers
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Introduo eletrnica em RF 19
Modern Integrated transceivers
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Introduo eletrnica em RF 20
WLAN transceiver
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Introduo eletrnica em RF 21
Agenda
Viso geral da rea
Um pouco de histria do rdio
Aspectos tecnolgicos
Aspectos de sistemas
Aspectos de circuitos
Posicionamento do estado da arte
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Introduo eletrnica em RF 22
Before Marconi (1)
(1820-1870) Oerstedt, Ampere, Faraday,
Maxwell developed the theoretical basis for
the radio revolution.
Oerstedt: flowing currents induce magnetic fields
Ampere: mutual forces between current carrying
conductors
Faraday: Magnetism could be transformed in
electricity
Maxwell : Unified the concepts
Olivier Heaviside: Compacted the original 20
Maxwell equations in 4, as we know them today
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Schwab, A.J.; Fischer, P.; , "Maxwell, Hertz, and German radio-wave history," Proceedings of
the IEEE , vol.86, no.7, pp.1312-1318, Jul 1998, doi: 10.1109/5.681365

Introduo eletrnica em RF 23
Before Marconi (2)
Hertz (1857-1894): Demonstrated the Maxwell
predictions.
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Schwab, A.J.; Fischer, P.; , "Maxwell, Hertz, and German radio-wave history," Proceedings of
the IEEE , vol.86, no.7, pp.1312-1318, Jul 1998, doi: 10.1109/5.681365

Introduo eletrnica em RF 24
Marconi experiments
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Introduo eletrnica em RF 25
Birth of Radio
First tranmission at Villa Griffone (Italy), in
1885.
Transmission across the Atlantic Ocean, in
1901.
In 1896, Marconi was awarded the British
patent 12039: Improvements in transmitting
electrical impulses and signals and in
apparatus therefore, for radio
The famous 7777 ("four-seven's) patent
Improvements in apparatus for wireless
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telegraphy was issued to Marconi's Wireless


Telegraph Company on April 26, 1901.
Corazza, G.C.; , "Marconi's history [radiocommunication]," Proceedings of the IEEE , vol.86, no.7,
pp.1307-1311, Jul 1998
Introduo eletrnica em RF 26
doi: 10.1109/5.681364
Patent 7777

The 1904 U.S. version


of the 7777 patent, US
patent No. 763,772,
was found to be invalid
in a celebrated 1943
Supreme Court
decision. There are
some that claim this
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decision affirmed
Nikolai Tesla as the
inventor of radio
Introduo eletrnica em RF
http://www.marconicalling.com/museum/html/objects/ephemera/objects-i=651.001-t=2- 27
n=0.html
http://www.sparkmuseum.com/RADIOS.HTM
Landell de Moura

Brazilian pioneer on the


wireless voice transmission
(1900).
Brazilian patent N. 3279
issued in March 9, 1901.
"Wireless Telegraph US
patent N.775.846, Nov 22,
1904.
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"Wireless Telephone US
patent N.775.337, Nov 22,
1904.
Introduo eletrnica em RF 28
J.C. Bose
The galena detector (1904)
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Sengupta, D.L.; Sarkar, T.K.; Sen, D.; ,


"Centennial of the semiconductor
diode detector," Proceedings of the
IEEE , vol.86, no.1, pp.235-243, Jan
1998 Introduo eletrnica em RF 29
doi: 10.1109/5.658775
E. H. Armstrong

Regenerative
receiver (1912)
Superheterodyn
e receiver (1919)
FM Radio (1935)
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Brittain, J.E.; , "Electrical engineering Hall of Fame-Edwin H. Armstrong," Proceedings of the IEEE , vol.92, no.3, pp. 575- 578, Mar
2004, doi: 10.1109/JPROC.2003.823150
Armstrong, E.H.; , "Some recent developments inIntroduo
the audionreceiver,"
eletrnicaProceedings
em RF of the IEEE , vol.51, no.8, pp. 1083- 1097, Aug. 1963 30
Agenda
Viso geral da rea
Um pouco de histria do rdio
Aspectos tecnolgicos
Aspectos de sistemas
Aspectos de circuitos
Posicionamento do estado da arte
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Introduo eletrnica em RF 31
System level notions
Mobile network cells
Blockers
DSP (W/Hz)

Piso de rudo

Interferncia

Sinal de interesse

Interferncia

Banda de recepo
Interferncia fora da faixa

Frequncia (Hz)
Si
Ni
The receivers hard task

Circuito RF
S0
N0
GSM Power Mask
Unidades para sinais RF
Pwatt
PdBm 10 log
1mW
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Introduo eletrnica em RF 37
Why modulate ?
1 -Antenna size for efficiency a fraction of
Ex: f=1 kHz =c/f=3108/103 =300 km !!!

Modulation
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Modulation - process of varying a periodic waveform,


Introduo eletrnica em RF in order to use that signal to convey
38 a
message
Why modulate?

Less sensible to interference

Electromagnetic wave propagation ->


simpler, less lossy, less dispersive
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Smaller and more directive antennas

Introduo eletrnica em RF 39
Modulation

Representation of a modulated
signal:

x(t ) a(t ) cosct (t )

a(t) e (t) are function of time


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a(t)-> modulates the amplitude of x(t)


(t) -> modulates the phase of x(t)
Introduo eletrnica em RF 40
Frequency conversion

fRF=fLOfI
UP-Conversion

fLO

fI fLO f
OL fI 0 fLO-fI fLO+fI
FI
DOWN-Conversion

fRF fIF=fRFfLO
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fLO fRF f
0 fRF- fRF+fLO
RF fLO fLO
OL

Introduo eletrnica em RF 41
Heterodyne receivers
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Introduo eletrnica em RF 42
Direct Conversion Receivers
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Introduo eletrnica em RF 43
Notions about Technology
Passive devices
Linhas de transmisso

As leis de Kirchhoff
no se aplicam
quando o comprimento
de onda se aproxima
das dimenses do
circuito
Os valores de tenso e
de corrente mudam
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em funo da posio
e do tempo
Introduo eletrnica em RF 46
Linhas de transmisso

As leis de
Kirchhoff voltam a
ser aplicveis se
tomarmos um
elemento
diferencial do
circuito
O modelo
considera as
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perdas hmicas no
condutor e no
dieltrico
Introduo eletrnica em RF 47
Componentes passivos em RF

Anlise AC convencional
Resistncia: Impedncia independe da
freqncia
Capacitor: XC= 1/C
Indutor: XL= L
Mas na realidade, um indutor pode se
comportar como um capacitor (ou vice-
versa) em funo da freqncia de
operao
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Abram um capacitor eletroltico e vejam sua


construo interna
Introduo eletrnica em RF 48
Condutor em HF
Efeito pelicular (condutor cilndrico)

l
RDC
r 2
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r
L RDC
Introduo eletrnica em RF 49 2
Resistor
Modelo simples de um resistor em altas freqncias

Ls R

Efeito
pelicular Cp Capacitncia
parasita
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1
Z R jLs
1
jC p
R
Introduo eletrnica em RF 50
Resistores tpicos
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Introduo eletrnica em RF 51
Capacitores

O capacitor mais comum aquele


formado por placas paralelas, em
que :
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Introduo eletrnica em RF 52
Modelo de um Capacitor

Resistncia Perdas no
Efeito dos terminais dieltrico
pelicular
Rp

Ls Rs

C
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1
Z C jLs Rs
1
jC
Rp
Introduo eletrnica em RF 53
Escolha do capacitor
Em funo da grande diversidade de
capacitores disponves, escolher
aquele que se adequa sua
aplicao um verdadeiro dilema.
Fatores a considerar: tamanho,
perdas, tenso, tolerncia, custo,
construo.
O primeiro passo a guiar a escolha
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determinar o tipo de dieltrico.

Introduo eletrnica em RF 54
Dieltricos tipicamente encontrados

Ar
Vidro
Cermica
Mica
Filmes plsiticos
Aluminio
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Tntalo

Introduo eletrnica em RF 55
Fator de dissipao
Desconsiderando-se Ls e Rp,
calculam-se o fatores de
dissipao e de potncia do
capacitor por
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Introduo eletrnica em RF 56
Capacitor x temperatura
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Introduo eletrnica em RF 57
Construo dos capacitores
SMD

Axial

Radial
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Integrado

Introduo eletrnica em RF 58
Capacitor varivel
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Introduo eletrnica em RF 59
Tabela comparativa entre tipos de
capacitores
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Introduo eletrnica em RF 60
Indutor
L Rs

Cp

1
ZL
1
jC p
jL Rs
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Introduo eletrnica em RF 61
Tipos de indutores
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Introduo eletrnica em RF 62
http://www.newark.com/pdfs/techarticles/vishay/Inductors101.pdf
Clculo de indutores
http://en.wikipedia.org/wiki/Inductor
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Introduo eletrnica em RF 63
Seo transversal de um processo CMOS
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Introduo eletrnica em RF 64
Componentes Ativos
O transistor em RF
Viu-se que em altas
frequncias no se pode
prever o comportamento
de um capacitor apenas
a partir de sua
capacitncia, assim
como um indutor no se
comporta como apenas
uma indutncia. Modelos
mais complexos so
necessrios.
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Acontece a mesma coisa


com os transistores,
cujos modelos devem
prever a dependncia do
comportamento com a
frequncia.
Introduo eletrnica em RF 66
Modelo do transistor em RF

Modelo para altas


frequncias

Modelo para
baixas
frequncias
Modelo para altas
frequncias
compacto
Efeitos do encapsulamento e
terminais

Indutncia dos
terminais
relevante em RF
Obtendo o modelo a partir do
datasheet
Encontrando r e C
Resumo de procedimentos para
encontrar parmetros do modelo
Defina o ponto de operao DC do transistor
Encontre o valor de gm
Encontre no datasheet o valor de hfe
correspondente ao ponto de operao DC
Calcule r
Encontre no datasheet o valor de C ou Cbc
(capacitncia da juno base-coletor)
Encontre no datasheet o valor da frequncia de
transio fT
Calcule C
Estime rx a partir do valor da constante de tempo
da juno base-coletor, encontrada no manual.
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Introduo eletrnica em RF 71
Representao de circuitos por
quadripolos lineares
Quadripolos lineares
Um quadripolo um circuito com dois
acessos (portas), cada um deles conectado
por dois plos.
Podem ser passivos ou ativos, lineares ou
no-lineares, estveis ou no-estveis.
A relao entre entradas e sadas
totalmente descrita por uma matriz
caracterstica
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Introduo eletrnica em RF 73
Representao por matriz de impedncias
(parmetros Z)
Na representao por parmetros de
impedncia, o circuito representado
por uma matriz, cujos coeficientes tm
unidades de impedncia
z11 z12
[Z ]
z21 z22
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V1 V1 V2 V2
z11 z12 z21 z 22
I1 I 2 0
I2 I1 I 2 0
I2 I1 074
I1 0 eletrnica em RF
Introduo
Obteno dos parmetros Z
Alimenta-se um acesso do quadripolo com
uma fonte de corrente
A outra porta colocada na condio de
circuito-aberto
Mede-se a tenso na porta associada ao
parmetro procurado

V1
z11
I1
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I 2 0

Introduo eletrnica em RF 75
Representao por matriz de admitncias
(parmetros Y)
Na representao por parmetros de
admitncia, o circuito representado
por uma matriz, cujos coeficientes tm
unidades de admitncia
y11 y12
[Y ]
y21 y22
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I1 I1 I2 I2
y11 y12 y21 y22
V1 V V2 V1 V V2 V1 76
2 0 V1 0 eletrnica em RF
Introduo 2 0
0
Obteno dos parmetros Y
Alimenta-se um acesso do quadripolo com
uma fonte de tenso
A outra porta colocada na condio de
circuito-aberto
Mede-se a tenso na porta associada ao
parmetro procurado

I1
y11
V1 V
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2 0

Introduo eletrnica em RF 77
Parmetros S
A modelagem por parmetros Z ou Y i nconveniente em
altas frequncias pois se baseam em curto-circuitos e
circuitos abertos. Estas impedncias so crticas, pois
esto associadas a coeficientes de reflexo elevados.
A modelagem por parmetros S implica em adotar as ondas
incidentes e refletidas nas portas de acesso ao quadripolo
como variveis de sinal.
Alm disso, em vez de considerar curto-circuitos ou circuitos
abertos, impem-se terminaes com impedncia igual
impedncia caracterstica do sistema de medio.

Z0 Z0
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Introduo eletrnica em RF 78
Obteno da matriz S

ZS a1 a2
b1 TWO-PORT
PORT b2
Z0 Z0
NETWORK ZL

Interpretao
da matriz S
Definio de ai e bi
Significado da matriz S
S11 o coeficiente de reflexo na entrada do
quadripolo (quando no h reflexo na sada)
b1 Z in Z 0
S11 in
a1 a2 0
Z in Z 0
S21 o ganho de tenso do quadripolo
(considerando as condies de adaptao)
V2
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b2 Z0 V2
S 21 2
a1 a2 0
V1 VS
Z0
I2
Introduo eletrnica em RF0 ,V2 0 81
Reflexo nas portas
S
2
Z0 Z0

1 L
Se ZLZ0, ento
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Introduo eletrnica em RF 82
Converso entre matrizes
Tcnicas de circuito

Redes passivas
Circuito RLC
A diviso entre altas e baixas freqncias
acontece na ressonncia
Na ressonncia (0), a parte reativa da
impedncia se cancela

1 1
I C L R Y j C
R L
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1
0
LC
Introduo eletrnica em RF 85
Circuito RLC Ressonncia
A parte reativa da impedncia se
anula, mas as correntes individuais
nos componentes so
surpreendentemente grandes

V RI
V R
IL I
XL 0 L
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V
IC 0 RC I
XC
Introduo eletrnica em RF 86
Fator de qualidade

energia armazenada
Q
potncia mdia dissipada
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Q depende da carga do
circuito !
Introduo eletrnica em RF 87
Q do circuito tanque (QL)

Na ressonncia, o pico
1 2
Etot CV pk
de energia no capacitor 2
ou indutor igual a
energia total armazenada 2
na rede a q.q. instante
1 V pk
Pavg
O circuito RLC torna-se 2 R
um resistor
O Q do circuito tanque 1
CV pk2
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tambm pode ser


identificado como Q do
Q 0 2 2 0 RC
circuito com carga: QL
1 V pk
(loaded Q). 2 R
Introduo eletrnica em RF 88
Outras faces de QL
QL pode ser escrito de outras
maneiras:

R R
Q Q
0 L LC
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Introduo eletrnica em RF 89
Q ntrinseco de um componente

Usando a definio do fator de


qualidade, pode-se obter o
fator de qualidade intrnseco
de um indutor ou capacitor
(QU - Q unloaded)
QU uma figura de mrito
relativa s perdas por
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dissipao do componente

Introduo eletrnica em RF 90
Q ntrinseco de um indutor
Como o Q a relao entre
energias armazenada e
dissipada, tem-se para o
circuito srie:
Ls

Ls
Rs QL , S
Rs
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Introduo eletrnica em RF 91
Q ntrinseco de um indutor (2)
Como o Q a relao entre
energias armazenada e
dissipada, tem-se para o
circuito paralelo:

Lp Rp
RP
QL , S
LP
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Introduo eletrnica em RF 92
Q ntrinseco de um capacitor
Como o Q a relao entre
energias armazenada e
dissipada, tem-se para o
circuito srie:

1
QC ,S
Cs Rs
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Introduo eletrnica em RF 93
Q ntrinseco de um capacitor(2)
Como o Q a relao entre
energias armazenada e
dissipada, tem-se para o
circuito paralelo:

QC , P CP RP
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Introduo eletrnica em RF 94
Transformao de impedncias

Ls

Lp Rp
Zp
Zs
Rs
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j0 L p R p
Z P Z S j0 Ls Rs
j0 L p R p
Introduo eletrnica em RF 95
Transformao de impedncias

Rp
RS
1 Q 2

2
Q
Ls L p
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1 Q 2

Introduo eletrnica em RF 96
Carta de Smith
Origens
A carta de Smith foi originalmente
concebida por volta de 1930 por
Phillip Smith, engenheiro do Bell
Labs.
Smith buscava um mtodo fcil
para resolver problemas
relacionados teoria de RF, que
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envolviam clculos entediantes.

Introduo eletrnica em RF 98
Uso da carta de Smith
Mesmo com o avano das ferramentas
EDA, a carta de Smith continua sendo
bastante til para representar
impedncias complexas.
Alm disso, por ser um mtodo
grfico, permite uma rpida
compreenso do problema de
adaptao de impedncia, sem ser
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necessrio recorrer equaes


complicadas.
Introduo eletrnica em RF 99
Construo da carta de Smith
A carta de Smith permite
representar o coeficiente de
reflexo em um porta.
No baco, possvel visualizar o
mapeamento entre o coeficiente
de reflexo e a impedncia da
porta normalizada em relao a
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uma impedncia de referncia.

Introduo eletrnica em RF 100


Carta de Smith
Z L Z0 zL 1

Z L Z0 zL 1

R X
zL j
Z0 Z0
Construo da carta de Smith
R X
Z L R jX zL j r jx
Z0 Z0

zL 1 r jx 1
p jq p jq
zL 1 r jx 1

r 2 1 x2 2x
p q
2 2 (r 1) 2 x 2 (r 1) 2 x 2
1 1
p 1 q
2

x x
2 2
r 1 pr 1 r 2 1
2
p q
2
x
r 1 r 1 1 p
Demonstrar
Construo da carta de Smith
2 2
r 1
p q 2

r 1 r 1
Construo da carta de Smith
2 2
1 1
p 1 q
2

x x
Carta de Smith bsica
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Introduo eletrnica em RF 105


Observaes sobre a carta de Smith

A carga que coincide com a impedncia de


referncia localiza-se no centro da carta.
As cargas aberto e curto-circuito
encontram-se sobre o eixo das abcissas, com
ordenadas -1 e +1 respectivamente.
Todos os crculos se intersectam em um
nico ponto, na coordenada (0,1)
O crculo ZERO, onde no h resistncia
(R=0) o maior entre todos
O crculo que corresponde a uma resistncia
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infinita reduzido a um ponto na coordenada


(1,0)

Introduo eletrnica em RF 106


Localizao de impedncias

Z L R jX

R X
zL j
Z0 Z0

z L r jx
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Introduo eletrnica em RF 107


Manipulao de impedncias
Adicionar um capacitor em srie com
uma impedncia implica em um
deslocamento no sentido anti-horrio,
em torno de um crculo de resistncia
constante.
Adicionar um indutor em srie com
uma impedncia implica em um
deslocamento no sentido horrio, em
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torno de um crculo de resistncia


constante.
Introduo eletrnica em RF 108
Manipulao de impedncias
Reunindo as cartas Z e Y
Agenda
Viso geral da rea
Um pouco de histria do rdio
Aspectos tecnolgicos
Aspectos de sistemas
Aspectos de circuitos
Posicionamento do estado da arte
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Introduo eletrnica em RF 111


Circuitos
Panorama geral
Ao se tornar expert em RF, voc
domina o projeto de diversos
circuitos, entre eles:
LNA
Mixer
PLL
Osciladores
PA
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Introduo eletrnica em RF 113


Colpitts

Noes de projeto de um oscilador


bsico
Sistema em malha fechada

Vi(s) Vo(s)
H(s)

G(s)

Vo ( s) H ( s)

Vi ( s) 1 H ( s)G ( s)
Critrio de Barkhausen
Vi(s) Vo(s)
H(s)

Se s j1 ,
G(s)

H ( j1 )G ( j1 ) 1
Vo ( s) H ( s) H ( j1 )G ( j1 ) 1800

Vi ( s) 1 H ( s)G ( s)
Denominador se anula
quando:

H (s)G(s) 1
Condies de Barkhausen para oscilador
LC com nico transistor

VDD VDD

L RP C L RP C
IBIAS

IBIAS
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Realimentao na base: Realimentao no emissor:


realimentao negativa realimentao positiva

Introduo eletrnica em RF 117


Oscilador LC com realimentao de
emissor
VDD VDD

L RP C L RP C
Soluo k/Gm

Q Q Transformador
de impedncia
1/Gm 1/Gm
IBIAS

IBIAS
Carga vista do emissor = 1/Gm
Reduz drasticamente o Q do circuito tanque
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e conseqentemente o ganho do circuito!


No oscila.

Introduo eletrnica em RF 118


Oscilador LC com realimentao de
emissor: implementaes

VDD VDD VDD


n:1

1/Gm

1/Gm
IBIAS

1/Gm

IBIAS

IBIAS
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Transformador explcito
Colpitts Hartley

Introduo eletrnica em RF 119


Oscilador Colpitts

VDD

RP L

Q C1 C1

RP L
1/Gm
C2 C2
IBIAS

1/Gm
Oscilador Colpitts Rede ressonante

C1
C1 L RP C1 C2/(C1+C2)
L RP C2 L RP
C2 1/Gm
Gm/(C20)2 Gm/(C20)2

1
L RP Req 2 L L C1 C2/(C1+C2)
C1
Gm
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C1 C2/(C1+C2) C1 C2
RP|| Req
n

Introduo eletrnica em RF 121


Oscilador Colpitts modelo

VDD
Vout

RP L C1 Vin

1/Gm
Vout LL RP

GmVin
C2
Q C1

1/Gm Vin

C2
Vout
IBIAS

2IBIASsint

LL Req Ceq
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Introduo eletrnica em RF 122


Oscilador Colpitts equaes de projeto

Vout
VDD 1

2IBIASsint
LL Req Ceq
RP L
LCeq
Vout
C1
Q
C1C2 1
1/Gm Vin
Ceq Req RP || 2
C2 C1 C2 n Gm
IBIAS

C1 Vin
n
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Vout
C1 C2 n

Introduo eletrnica em RF 123


Oscilador Colpitts equaes de projeto
Vout

2IBIASsint
VDD
LL Req Ceq

RP L Na ressonncia,
Vout

Q C1
Vin 1
Vin Vout 2 I BIAS Req 2 I BIAS RP || 2
1/Gm
C2
n n Gm
IBIAS

Vout 2 I BIAS RP (1 n)
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Amplitude de oscilao dependente da corrente de


polarizao e da resistncia efetiva do circuito
tanque!!!

Introduo eletrnica em RF 124


Oscilador Colpitts start-up
Vout
Ao ligar, o sinal de sada muito

gmVinsint
VDD
LL Req Ceq
pequeno, assim pode-se considerar a
transcondutncia para pequenos
sinais
RP L
Vout
Vin 1
Q C1
Vout g mVin Req g mVin RP || 2
1/gm Vin n n gm
C2
1
IBIAS

gm g m,min
RP (n n )
2
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Uma escolha razovel garantir gm=5*gm,min

Introduo eletrnica em RF 125


Technical skill is mastery of complexity
while creativity is mastery of simplicity.

Habilidade tcnica o domnio da


complexidade, ao passo que
criatividade a mestria da
simplicidade.
E. Christopher Zeeman
A master piece: the Colpitts oscillator
Complexity and simplicity
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Introduo eletrnica em RF 127


The Colpitts Oscillator

What you should learn to start


understanding it
High-level abstraction
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Introduo eletrnica em RF 129


Linear system theory
The Barkausen criterium
Vi(s) Vo(s)
H(s)

G(s)

Se s j1 ,
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Vo ( s) H ( s) H ( j1 )G ( j1 ) 1

Vi ( s) 1 H ( s)G ( s)
H ( j1 )G ( j1 ) 1800
Introduo eletrnica em RF 130
Circuit-level abstraction

VDD

RP L

Q C1 C1

RP L
1/Gm
C2 C2
IBIAS

1/Gm
Passive network analysis and Resonance

C1
C1 L RP C1 C2/(C1+C2)
L RP C2 L RP
C2 1/Gm
Gm/(C20)2
Gm/(C20)2

1
L RP Req 2 L L C1 C2/(C1+C2)
C1
Gm
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C1 C2/(C1+C2) C1 C2
RP|| Req
n

Introduo eletrnica em RF 132


Electronic Circuit Analysis
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Introduo eletrnica em RF 133


Nonlinear electronics
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Introduo eletrnica em RF 134


Synthesis capability

Vout
VDD 1

2IBIASsint
LL Req Ceq
RP L
LCeq
Vout
C1
Q
C1C2 1
1/Gm Vin
Ceq Req RP || 2
C2 C1 C2 n Gm
IBIAS

C1 Vin
n
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Vout
C1 C2 n

Introduo eletrnica em RF 135


ENGINEERING
INTUITION
Magic
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Presented at
ISCAS 2012
Introduo eletrnica em RF 137
Agenda
Viso geral da rea
Um pouco de histria do rdio
Aspectos tecnolgicos
Aspectos de sistemas
Aspectos de circuitos
Posicionamento do estado da arte
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Introduo eletrnica em RF 138


WBAN

Pesquisas em RF na UFSC
Grupo de Pesquisas em RF
e Instrumentao sem fio
Linhas de Pesquisa
Circuitos de RF, RFIC, MMIC
Instrumentao sem fio
Biosensores
Bioeletrnica
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Introduo eletrnica em RF 140


Sensor de temperatura alimentado
por RF
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Introduo eletrnica em RF 141


Sensor de temperatura alimentado
por RF (2)
Arquitetura
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Introduo eletrnica em RF 142


Sensor de temperatura alimentado
por RF (3)
Implementao em circuito
integrado, tecnologia 180 nm.
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Introduo eletrnica em RF 143


Sensor de temperatura alimentado
por RF (4)
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Introduo eletrnica em RF 144


VGA superregenerativo
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Introduo eletrnica em RF 145


VGA Superregenerativo
Princpio de operao
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Introduo eletrnica em RF 146


VGA Superregenerativo
Implementao em tecnologia
integrada de 180 nm
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Introduo eletrnica em RF 147


Sensor de glicose implantado
Sensor ISFET (parceria com a
UNICAMP e com DEF/UFSC)

Circuito de leitura
Au/Ti
GND
Grafeno

Epxi
Azul da prssia / GOD
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Dixido de silcio
Silcio

Introduo eletrnica em RF 148


Sensor de glicose implantado
Modelagem do ISFET e
desenvolvimento de
condicionador de sinais
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Introduo eletrnica em RF 149


Sensor de glicose implantado
Alimentao por RF
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Introduo eletrnica em RF 150


Sensor de glicose implantado
Otimizao de eficincia
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Introduo eletrnica em RF 151


Colheita de energia
Para alimentar sistemas
implantados, uma alternativa o
gradiente de temperatura entre
corpo e ambiente
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Introduo eletrnica em RF 152


Oscilador alimentado por TEG
Circuito opera a partir de 20 mV,
gerando um sinal senoidal de 100
kHz
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Introduo eletrnica em RF 153


Osciladores integrados
Opera a partir de 60 mV em 2
GHz.
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Introduo eletrnica em RF 154


Oscilador Hartley de ultra baixo
consumo
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Introduo eletrnica em RF 155


Transceptor HBC
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Introduo eletrnica em RF 156


Antenas miniaturizadas
Antena baseada em ressonncia
de ordem ZERO
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Introduo eletrnica em RF 157


Amplificador de baixo rudo
LNA com reuso de corrente
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Introduo eletrnica em RF 158


Equipe
6 doutorandos: Fabian, Maicon, Paulo, Arturo, Heron, Roddy

5 mestrandos :Gustavo Carlyle, Ronaldo, Mateus, Fabrcio


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5 alunos de IC: Kaleo, Luccas, Lucas, Luiza, Aron

Introduo eletrnica em RF 159


Bibliography
John Rogers, Calvin Plett; Radio Frequency Integrated Circuit
Design; 2nd edition, Artech House; Boston, 2010
Chris Bowick, RF Circuit design, 2nd edition, Newnes, 2008.
B. Razavi, RF Microelectronics, Second Edition, Prentice Hall,
2011.
Thomas Lee; "The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated
Circuits", 2nd ed, Cambridge University Press, 2004.
Bosco Leung; VLSI for Wireless Communication, Prentice Hall,
2002.
R. Ludwig, P. Bretchko; RF Circuit Design- Theory and applications;
Prentice Hall, 2000.
Donald O. Pederson, Kartikeya Mayaram, Analog Integrated Circuits
for Communication: Principles, Simulation and Design, Springer, 2nd
edition, 2007..
http://rfic.ufsc.br

Paul J. Nahin, The Science of the Radio, 2nd edition, Springer,


2001.
Thomas H. Lee, The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated
Circuits, 2nd edition, Cambridge University Press, 2003.

Introduo eletrnica em RF 160


Contato

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Introduo eletrnica em RF 161