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OBJETIVOS
Obtener las caractersticas de un diodo de silicio y germanio.
Analizar las caractersticas tcnicas de un diodo.
MARCO TERICO
DIODO IDEAL
El diodo ideal es un dispositivo de dos termnales que tiene el smbolo y las caractersticas siguientes:
Proporciona una base comparativa respecto de las caractersticas de un dispositivo real. En forma ideal un diodo conducir
corriente en la direccin definida por la fecha en el smbolo, se comporta como circuito cerrado para la regin de conduccin, y
actuar como un circuito abierto al intentar establecer corriente en direccin opuesta. Para el diodo ideal:
DIODO SEMICONDUCTOR
Se forma uniendo material tipo p y material tipo n construidos a partir del mismo material base Ge o Si.
Los e- y los huecos en la regin de conduccin se combinarn, dando como resultado una
carencia de portadores en la regin cercana a la unin. Esta regin de iones positivos y
negativos recibe el nombre de regin de agotamiento por ausencia de portadores en la
misma.
SIN POLARIZACIN
Los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo n que se encuentra dentro de la regin de agotamiento pasarn
directamente al material tipo p. Supondremos que todos los portadores minoritarios del material tipo n que se encuentran en la
regin de agotamiento debido a su movimiento aleatorio pasarn directamente al material tipo p. Los portadores mayoritarios
(electrones) en el material tipo n deben superar las fuerzas de atraccin de la capa de iones positivos en el material tipo n, as
como la capa de iones en el material tipo p, para emigrar hacia el rea ms all de la regin de agotamiento del material tipo
p. Sin embargo el nmero de portadores mayoritarios es tan grande en el material tipo n que invariablemente habr un
pequeo nmero de portadores mayoritarios con suficiente energa cintica para pasar a travs de la regin de agotamiento
y llegar al material tipo p. En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado el flujo neto de carga en cualquier direccin para
un diodo semiconductor es cero.
Las caractersticas de un diodo de germanio o de silicio tienen la forma general mostrada en la figura # 1. Note el cambio en la
escala para ambos en la columna vertical y horizontal. En la regin de polarizacin inversa la comerte de saturacin inversa
es justamente constarte de 0 V al potencial Zener. En la regin de polarizacin directa la corriente crece realmente rpidamente
cuando se incrementa un poco el voltaje en el diodo. Note que la curva est subiendo casi verticalmente a un voltaje de
polarizacin directa de menos de 1 V.
La comente del diodo en polarizacin directa se limitar solamente por la red en que el diodo es conectado o por la mxima
comento o por el valor de potencia del diodo.
La resistencia de AC o Dinmica a un particular voltaje y comente del diodo puede ser determinada usando una lnea tangente
dibujada como esta en la figura #1. El resultado del voltaje ( ) y corriente () de desviacin puede ser determinado
siguiendo la ecuacin aplicada:
=
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EQUIPO Y MATERIALES:
Fuente: DC, Dispositivo de Medida Mltiple (DMM)
Resistores 1/4W: 1K, 1M,
Diodos: Silicio 1N4007 y 1N4148, Germanio 1N60
PROCEDIMIENTO
PARTE 1: Prueba del diodo
Escala de prueba de diodos del DMM
Usar la escala de prueba de diodo en el DMM y determinar la condicin de cada diodo.
CONEXIN DIRECTA
Rmedido = _______________
VR (V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9
VD (V)
ID = VR/ RMed (mA)
Tabla 3.
VR (V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9
VD (V)
ID = VR/ RMed (mA)
Tabla 4.
Rmedido = _____________
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Mida el voltaje VR calcule la corriente de saturacin inversa con la ecuacin =
|| Rm
(Si) (Ge)
Rm
VR MEDIDO
ID CALCULADO
RDC(Si ______) =
RDC(Ge ______) =
Mida el voltaje y la corriente (Haga esta medicin con cuidado y consulte con el profesor antes de efectuarlo)
de todos los componentes y apntelos, comprelos con los valores tericos y explique que es lo que sucede.
PARTE 5: Resistencia DC
Usando las curvas caractersticas de los diodos, determine el voltaje de diodo en los niveles de corriente indicados en la tabla
6, 7 y 8
CUESTIONARIO FINAL