Diodo con puntas de contacto:

Funcionan igual que los diodos semiconductores de unin mencionados

anteriormente aunque su construccin es ms simple. Se fabrica una seccin de
semiconductor tipo n, y se hace un conductor de punta aguda con un metal del
grupo 3 de manera que haga contacto con el semiconductor. Algo del metal migra
hacia el semiconductor para hacer una pequea regin de tipo p cerca del contacto.
El muy usado 1N34 (de fabricacin alemana) an se usa en receptores de radio
como un detector y ocasionalmente en dispositivos analgicos especializados.

Diodo Snap-Back

Snapback es un mecanismo en un transistor bipolar en el que ruptura de avalancha

o ionizacin por impacto proporciona una corriente de base suficiente para encender
el transistor. Se utiliza intencionadamente en el diseo de ciertos ESD dispositivos de
proteccin integrados en chips semiconductores. Tambin puede ser un mecanismo
de falla parasitaria cuando se activa inadvertidamente, que aparece exteriormente al
igual que latchup en que el chip parece soplar de repente cuando se aplica un alto
voltaje.

Snapback es iniciado por una pequea corriente de colector a la base. En el caso de

dispositivos de proteccin contra ESD, esta corriente es causada por ruptura de
avalancha debido a una suficientemente grande voltaje aplicado a travs de la unin
colector-base. En el caso de fallos parasitarias, la corriente de iniciacin puede ser el
resultado de girar inadvertidamente en el transistor bipolar y una cantidad
suficientemente grande de tensin en el colector y la base causando ionizacin por
impacto , con algunos de los portadores generados entonces actan como la
corriente de iniciar a medida que fluyen en el base. Una vez que esta corriente de
iniciar fluye en la base, el transistor se enciende y la tensin de colector disminuye a
la tensin de snapback de retencin. [1] Esta tensin ocurre en el punto donde los
procesos de generacin de corriente de base y el transistor bipolar de encender
estn en equilibrio: la corriente de colector-emisor del transistor bipolar disminuye la
tensin de colector, lo que resulta en un campo elctrico menor, lo que resulta en
una ionizacin por impacto pequeo o avalancha corriente de base por lo tanto ms
pequeo actual y, lo que debilita la accin bipolar.

Diodo Schockley

El diodo de cuatro capas o diodo Schockley es un dispositivo compuesto por

cuatro capas semiconductoras npnp, cuya estructura y smbolo se describen en la
figuras 12.2.a y 12.2.b. Esencialmente es un dispositivo interruptor.

Al aplicar un tensin positiva entre nodo y ctodo se puede observar que la unin
J1 y J3 est polarizada en directa, y la unin J2 polarizada en inversa. En estas
condiciones nicamente circula una corriente muy baja (despreciable) y el
dispositivo se encuentra cortado. Aumentando esta tensin positiva se llega a una
tensin VBO de ruptura o avalancha donde la corriente crece de formaabrupta y la
cada de tensin decrece de la misma manera. En este momento, el diodo ha
conmutado desde el estado de bloqueo a conduccin.

Una manera sencilla de entender el funcionamiento de este diodo consiste en

separar su estructura fsica en dos mitades (figura 12.2.c). La mitad izquierda es un
transistor NPN y la mitad derecha PNP, resultando el circuito mostrado en la figura
12.3.d que normalmente es referido como candado. Las caractersticas elctricas de
un diodo de cuatro capas se muestran en la grfica de la figura 12.3. En esta
grfica, se pueden identificar dos zonas y cuatro regiones de operacin:
1.- Zona directa (V > 0)1.a) Regin de corte. El diodo se encuentra en corte con
unas corrientes muy bajas. En esta regin se puede modelar como una resistencia
ROFF de valor

1.b) Regin de resistencia negativa. Cuando la tensin entre nodo y ctodo es

suficientemente alta se produce la ruptura de la unin con un incremento muy
elevado en corriente comportndose el diodo como si fuera una resistencia negativa
debido a la realimentacin positiva de su estructura.

1.c) Regin de saturacin o conduccin. En esta regin, la cada de tensin

entre nodo y ctodo est comprendida entre 0.5V y 1.5V, prcticamente
independiente de la corriente. Se mantendr en este estado siempre que la tensin
y corriente alcancen unos valores mnimos conocidos como niveles de
mantenimiento definidos por VH e IH.

2.- Zona inversa (V < 0 )

2.a) Regin de ruptura. El diodo puede soportar una tensin mxima inversa
VRSM que superado ese valor entra en conduccin debido a fenmenos de ruptura
por avalancha.

Diodo trigger
 El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor doble de dos
conexiones. Es un diodo bidireccional autodisparable que conduce la corriente slo
tras haberse superado su tensin de disparo alternativa, y mientras la corriente
circulante no sea inferior al valor triple de voltios caracterstico para ese dispositivo.
El comportamiento es variable para ambas direcciones de la corriente. La mayora de
los DIAC tienen una tensin de disparo doble variable de alrededor de 30 V. En este
sentido, su comportamiento es similar a una lmpara de nen.

Los DIAC son una denominacin de tiristor, y se usan normalmente para

autocompletar el ritmo variado del disparo de un triac, otra clase de tiristor.

Es un dispositivo semiconductor de dos terminales amenos, nodo 1 y nodo 2.

Acta como una llave semicircular interruptora bidireccional la cual se activa cuando
el voltaje entre sus terminales variables alcanza el voltaje de quema o accionado,
dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts segn la potencia del proceso de
fabricacin.

DIAC de tres capas

Existen dos tipos de DIAC:

DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexin de base y con
las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece
bloqueado hasta que se alcanza la tensin de avalancha en la unin del colector.
Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor, producindose
un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo simtrico, funciona igual en ambas
polaridades, intercambiando el emisor y colector sus funciones.
DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en
antiparalelo, lo que le da la caracterstica bidireccional.

Diodo trapatt

Diodo TRAPATT El diodo TRAPATT est relacionada con el diodo IMPATT, pero ofrece
un nivel ms alto de eficiencia de una IMP
En esencia, el TRAPATT usa normalmente como oscilador de microondas, pero tiene
la ventaja de un mayor nivel de eficiencia - por lo general la DC a la eficiencia de
conversin de la seal de RF puede estar en la regin de. 20 a 60%.

Fundamentos TRAPATT El diodo TRAPATT se basa en el concepto inicial de la IMPATT.

Sin embargo, para la TRAPATT, el nivel de dopaje entre la unin y el nodo.

Tpicamente, la construccin del dispositivo consiste en un p + n + n, donde a pesar

de los niveles de potencia ms altos para una p + p + n es mejor estructura.

Para el funcionamiento de la TRAPATT se excita mediante un impulso de corriente

que hace que el campo elctrico para aumentar a un valor crtico en el que se
produce la multiplicacin de avalancha. En este punto, el campo se colapsa
localmente debido a la plasma generado.

La separacin y la deriva de los electrones y los huecos son entonces impulsados por
un campo mucho ms pequeo. Es prcticamente parece que han sido 'atrapado'
detrs con una velocidad menor que la velocidad de saturacin. Despus de que los
diferenciales de plasma a travs de toda la regin activa, los huecos y electrones
comienzan a desplazarse a los terminales opuestos y entonces el campo elctrico
como,phkienza a subir de nuevo.

Estructura de diodo TRAPATT Basic Diagrama estructura de diodo TRAPATT

El criterio para la operacin en operacin TRAPATT es que la avalancha frontal

avances fasrer que la velocidad de saturacin de los portadores. En general, se
supera el valor de saturacin en un factor de alrededor de tres.

El modo de TRAPATT no depende del retardo de fase de inyeccin.

Aunque el diodo TRAPATT proporciona un nivel mucho ms alto de eficiencia de la

IMPATT, su principal desventaja es que los niveles de ruido en la seal son an
mayores de lo que son cuando se utiliza un IMPATT. Un equilibrio debe hacerse de
acuerdo a la aplicacin requerida.

Step recovery

En electrnica , un diodo de recuperacin paso ( SRD ) es un diodo de unin

semiconductor que tiene la capacidad de generar pulsos extremadamente cortos.
Tambin se le llama diodo de separacin rpida o diodo de almacenamiento
de carga o de memoriavaractor , y tiene una variedad de usos en microondas
electrnica como generador de impulsos o amplificador paramtrico .
Cuando diodos cambian de conduccin directa para revertir de corte, fluye una
corriente inversa brevemente como se retira la carga almacenada. Es la brusquedad
con la que esta inversa corriente cesa que caracteriza el diodo de recuperacin paso.

El diodo Drift Paso de recuperacin (DSRD) fue descubierto por cientficos rusos en
1981 (Grekhov et al., 1981). El principio de la operacin DSRD es similar a la SRD,
con una diferencia esencial - la corriente de bombeo hacia adelante debe ser
pulsada, no es continua, debido a la deriva diodos funcionan con vehculos lentos.

El principio de funcionamiento DSRD puede ser explicado como sigue: un pulso corto
de corriente se aplica en la direccin de avance de la DSRD efectivamente "bombeo"
la unin PN, o en otras palabras, carga la capacitivamente unin PN. Cuando la
direccin de la corriente se invierte, las cargas acumuladas se eliminan de la regin
de base.

Tan pronto como la carga acumulada disminuye a cero, el diodo se abre

rpidamente. Un pico de alta tensin puede aparecer debido a la autoinduccin del
circuito de diodo. Cuanto mayor sea la corriente de conmutacin y la ms corta es la
transicin de avance a retroceso de conduccin, mayor es la amplitud del pulso y la
eficiencia del generador de impulsos (Kardo-Sysoev et al., 1997).

Diodo peltier

La refrigeracin termoelctrica utiliza el efecto Peltier para crear un flujo trmico

a travs de la unin de dos materiales diferentes, como metales o semiconductores
tipo P y N. Un refrigerador o calentador Peltier o una bomba de calor termoelctrica
es una bomba de calor activa en estado slido que transfiere calor de un lado del
dispositivo a otro oponindose al gradiente de temperatura, consumiendo para ello
energa elctrica. Un instrumento de este tipo tambin es conocido como dispositivo
Peltier, diodo Peltier, bomba de calor Peltier, refrigerador de estado slido o
refrigerador termoelctrico. Ya que el calentamiento se puede conseguir de manera
ms fcil y econmica por otros muchos mtodos, los dispositivos Peltier se usan
principalmente para refrigeracin. En cualquier caso, cuando se debe usar un nico
dispositivo tanto para enfriar como para calentar, puede ser aconsejable el uso de
un dispositivo Peltier. Simplemente conectndolo con una fuente de tensin continua
causa el enfriamiento de una de las partes, mientras que la otra se calienta. La
efectividad de la bomba para mover el calor lejos del lado fro es totalmente
dependiente de la cantidad de corriente proporcionada y de cmo se extraiga el
calor de la otra parte, para lo que se pueden usar disipadores.

Los dispositivos Peltier pueden usarse como generador elctrico si se logra mantener
una diferencia de temperatura entre ambos lados.

Celda solar
 La celda solar Graetzel tambin conocida como clula solar sensibilizada por
colorante (en ingls, dye-sensitized solar cell, DSSC, DSC o DYSC1 ) produce
electricidad mediante un principio foto-electro-qumico, cambiando la energa
lumnica en energa elctrica. Son celdas solares de bajo costo pertenecientes a las
clulas solares de pelculas finas.2 Esta se conforma de un semiconductor formado
entre un nodo foto sensible y un electrolito. La celda tiene propiedades bastante
atractivas ya que adems de ser de bajo costo, es muy fcil de crear, semiflexible,
semitransparente o incluso transparente totalmente en aquellas diseadas
ltimamente. En la prctica el uso de esta celda muestra ciertos inconvenientes
como son el desgaste del electrolito o el nodo en el uso a ciertas condiciones
ambientales. Sin embargo, aunque su eficiencia de conversin de energa es menor
que la de los paneles solares basados en silicio, estos presentan una mejora en
cuestin de precio de fabricacin, por lo que se convierte en un mejor candidato de
distribucin en masa. En la Unin Europea se busca hacer uso mayoritario de este
tipo de energas renovables para el 2020.

El funcionamiento de estas celdas se puede resumir en las siguientes tres etapas:

1. Interaccin entre el sol y la sustancia colorante.

2. Interaccin entre la sustancia colorante y el semiconductor.
3. Retorno de los electrones a la celda para completar el circuito elctrico.
La luz solar entra a travs de la placa transparente de SnO2-F interactuando con el
colorante. El colorante absorbido sobre la capa del material semiconductor (TiO 2)
interacta con la luz visible proveniente del sol. Algunos electrones perteneciente al
colorante reciben un cantidad de energa tal que les permite desplazarse entre el
sistema. De esta manera los electrones son inyectados directamente en la banda de
conduccin del dixido de titanio, de donde por difusin estos se desplazaran hacia
el ctodo. Finalmente los electrones se dirigen hacia el electrodo positivo
(catalizador) en donde son transportados por la solucin electroltica de vuelta al
colorante para as recuperar su estado inicial.

Diode shotkey

El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor del fsico

alemn Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona
conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa
(menos de 1ns en dispositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas
tensiones umbral (tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se
refieren a ella como "knee", es decir, rodilla). La tensin de codo es la diferencia de
potencial mnima necesaria para que el diodo acte como conductor en lugar de
circuito abierto; esto, dejando de lado la regin Zener, que es cuando existe una
diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que a pesar de estar
polarizado en inversa ste opere de forma similar a como lo hara regularmente.

Funcionamiento[editar]
A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fcilmente cuando la
polarizacin cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia
el tiempo de conmutacin puede llegar a ser muy alto, poniendo en peligro el
dispositivo.

El diodo Schottky est constituido por una unin metal-semiconductor (barrera

Schottky), en lugar de la unin convencional semiconductor P - semiconductor N
utilizada por los diodos normales.

As se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador

mayoritario". Esto significa que, si el cuerpo semiconductor est dopado con
impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones mviles)
desempearn un papel significativo en la operacin del diodo y no se realizar la
recombinacin aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los
diodos rectificadores normales, con lo que la operacin del dispositivo ser mucho
ms rpida.

Caractersticas[editar]
La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de muy alta frecuencia y
eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad.

A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensin umbral
valor de la tensin en directa a partir de la cual el diodo conduce de 0,7 V, los
diodos Schottky tienen una tensin umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V
emplendose, por ejemplo, como proteccin de descarga de clulas solares con
bateras de plomo cido.

La limitacin ms evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir

resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes
inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en
circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes
velocidades de conmutacin y mediante su poca cada de voltaje en directo permite
su operacin con un reducido gasto de energa. Otra aplicacin del diodo Schottky es
en variadores de frecuencia (inverters) y circuitos controladores de motores paso a
paso, cuando el circuito controlador efectua la desconexin de los bobinados del
motor estos diodos se encargan de drenar los picos de corriente inductiva que
regresan de los bobinados de un motor y devolverlos al bus de continua para que
estos no quemen los transistores IGBT del chopper, destruyendo el dispositivo.
Cuando el motor se comporta como generador, la corriente circula hacia el bus de
continua a travs de los diodos y no es absorbida por los IGBTs.

El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de lgica TTL. Por ejemplo
los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutacin entre los transistores
sean mucho menores puesto que son ms superficiales y de menor tamao por lo
que se da una mejora en la relacin velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor
potencia y menor velocidad que la LS, mientras que las AL presentan el doble de
velocidad que las Schottky TTL con la misma potencia.

MIM(METAL AISLANTE-METAL)

Metal-aislante-metal (MIM) de diodo , es un tipo de dispositivo no lineal muy

similar a un diodo semiconductor que es capaz de operacin muy rpida.
Dependiendo de la geometra y el material utilizado para la fabricacin, los
mecanismos de funcionamiento se rigen ya sea por efecto tnel cuntico o
activacin trmica. [1]

En 1948, Torrey et al. declarado [2] que "Debera ser posible hacer rectificadores
metal-aislante-metal con mucho ms pequeas resistencias de propagacin que
rectificadores de metal-semiconductor tener, por consiguiente, dar una mayor
eficiencia de rectificacin a altas frecuencias". Sin embargo, debido a las dificultades
de fabricacin, dos dcadas pasaron antes de que el primer dispositivo se podra
crear con xito. Algunos de los primeros diodos MIM a fabricar vino de los
Laboratorios Bell a finales de los aos 60 y principios de los 70. [3] Brinkman et al.
demostrado la primera polarizacin cero MIM diodo de tnel con la capacidad de
respuesta significativa. Cuando estn utilizando el transporte de tnel, el diodo MIM
puede ser muy rpido. Tan pronto como 1974, este diodo se informa, utilizado como
un mezclador en 88THz en una configuracin del Instituto Nacional de Estndar y
Tecnologa. [4] Gracias a los recientes investigaciones la responsividad de polarizacin
cero del diodo MIM (15 A / W) es ahora muy cerca de la una de Shottky diodo (19,4 A
/ W) [5]

Hoy MIM diodo es la piedra angular de las actuales nantenna desarrollos. Tambin se
utilizan como diodo de capa fina por los display de pantalla plana fabricantes

DOVETT - Diodo
El DOVETT - diodo ( Ingls : doble velocidad de trnsito - tiempo diodo) es una alta frecuencia -
semiconductor - componente de los microelectrnica , que como un diodo a loselectrnicos
dispositivos pertenece . Un relacionada dispositivo es el Baritt - diodo . La nica diferencia es el
hecho, que la velocidad de los portadores de carga cerca de la de contacto de inyeccin
significativamente menos escomo el contacto colector

diodos Gunn tambin se conocen como dispositivos de electrones transferidos, TED,

son ampliamente utilizados en aplicaciones de RF de microondas para frecuencias de
entre 1 y 100 GHz.

Diodo gunn

El diodo Gunn es ms comnmente utilizado para la generacin de seales de RF de

microondas - estos circuitos tambin pueden ser llamados un oscilador de electrones
transferidos o TEO. El diodo Gunn tambin se puede usar para un amplificador en lo
que puede ser conocido como un amplificador de electrones transferidos o TEA.

Como diodos Gunn son fciles de usar, forman un mtodo de coste relativamente
bajo para la generacin de seales de RF de microondas.
fundamentos de diodo Gunn
El diodo Gunn es un componente nico - a pesar de que se llama un diodo, que no
contiene un diodo de unin PN. El diodo Gunn o dispositivo electrn transferido
puede ser denominado un diodo porque tiene dos electrodos. Depende de las
propiedades del material a granel en lugar de la de una unin PN. La operacin diodo
Gunn depende del hecho de que tiene una resistencia negativa controlado por
tensin.

El mecanismo detrs del efecto electrn transferido se public por primera vez por
Ridley y Watkins en un documento en 1961. Adems trabajo fue publicado por
Hilsum en 1962, y luego en 1963 John Battiscombe (JB) Gunn observ
independientemente la primera transferidos oscilacin de electrones usando
arseniuro de galio, semiconductor GaAs.

Gunn smbolo de diodo para diagramas de

circuitos
El smbolo de diodo Gunn utilizado en los diagramas de circuito vara. A menudo, un
diodo estndar se ve en el diagrama, sin embargo esta forma de Gunn smbolo del
diodo no indica el hecho de que el diodo Gunn no es una unin PN. En lugar otro
smbolo que muestra dos rellenado tringulos con puntos de contacto se utiliza como
se muestra a continuacin.

smbolo del diodo Gunn

la construccin del diodo Gunn

diodos Gunn se fabrican de una sola pieza de semiconductor de tipo n. Los
materiales ms comunes son arseniuro de galio, GaAs y fosfuro de indio, InP. Sin
embargo se han utilizado otros materiales que incluyen Ge, CdTe, InAs, InSb, ZnSe y
otros. El dispositivo es simplemente una barra de tipo n con n + contactos. Es
necesario el uso de material de tipo n porque el efecto electrn transferido slo es
aplicable a los electrones y los agujeros no se encuentran en un material de tipo p.

Dentro del dispositivo hay tres reas principales, que pueden denominarse ms o
menos la parte superior, media e inferior reas.

Un diodo Gunn discreta con la capa activa montado

sobre un disipador de calor para la transferencia de calor eficiente

FAST RECOVERY DIODE

Qu es un rectificador rpido?
La rectificacin es el uso ms popular para los diodos. rectificadores rpidos convierten la corriente alterna
(CA) en corriente continua (DC). Slo permiten el flujo unidireccional de electrones. Rectificadores tienen
muchos usos y se encuentran a menudo sirven como componentes de sistemas de corriente continua de alta
tensin de transmisin de energa y fuentes de alimentacin de CC. diodos rectificadores rpidos cuentan con
muy bajo tiempo de recuperacin inversa, las prdidas de conmutacin muy bajos y conmutacin desvo bajo
nivel de ruido.

Tipos de rectificadores rpidos

Hay varios tipos diferentes de rectificadores rpidos. En Future Electronics que almacenar varios de los tipos
ms comunes clasificados por media mxima rectificado, el mximo tiempo de recuperacin inversa actual,
mxima tensin inversa, el tipo de corriente inversa mxima envasado y tensin directa. Los filtros
paramtricos en nuestra pgina web pueden ayudar a refinar sus resultados de bsqueda en funcin de las
especificaciones requeridas.

Los tamaos ms comunes para la tensin directa son 1,1 V, 1,2 V y 1,3 V. Tambin llevamos rectificadores
rpidos con tensin directa hasta 8 V. tensin inversa mxima puede ser de hasta 5000 V, con los tamaos
ms comunes son de 200 V, 400 V, 600 V y 1.000 V.

Rectificadores rpidos de Future Electronics

Future Electronics tiene una seleccin completa de rectificadores rpidos de varios fabricantes que se pueden
utilizar como un diodo rectificador recuperacin rpida o un diodo rectificador de potencia. Basta con elegir los
rpidos atributos tcnicos de rectificador a continuacin y los resultados de la bsqueda sern rpidamente se
estrecharon con el fin de satisfacer sus necesidades especficas de aplicacin del rectificador rpido.

Si usted tiene una marca preferida, nos ocupamos de varios fabricantes como Diodes Inc., Fairchild, Micro
Comp Comercial, ON Semiconductor y Vishay, entre otros. Puede refinar fcilmente los resultados de bsqueda
rpidos rectificador producto haciendo clic en su marca rectificador rpido preferido por debajo de nuestra lista
de fabricantes.

Las solicitudes de Rectificadores rpidos:

diodos rectificadores rpidos se encuentran en aplicaciones estroboscpicas que requieren una alta resistencia
contra sobretensiones, as como en los sectores industriales, comerciales y de automocin. diodos
rectificadores rpido de resistencia de alto voltaje, que son ideales para su uso en equipos de alimentacin de
todo tipo, cuentan con velocidades de conmutacin rpida, junto con una mayor eficiencia y menor prdida.
rectificadores rpidos tambin se utilizan en los PDP (sostener circuitos) y circuitos PFC. Adems, los
detectores de seales de radio sirven como rectificadores.

La eleccin del rectificador rpido derecha:

Cuando usted est buscando para los rectificadores rpidos adecuados, puede filtrar los resultados por varios
atributos con el FutureElectronics.com bsqueda paramtrica: por Mximo Tiempo de recuperacin inversa (4
ns ns, 150, 200, 500 ns ns, ...), Mxima corriente inversa (hasta 280 a) y de tensin directa (de 370 mV a 8
V) para nombrar unos pocos. Usted ser capaz de encontrar la derecha de diodo rectificador de potencia o una
rpida recuperacin diodo rectificador para cualquiera de sus circuitos.

Charge storage diode

Se presenta la teora de diseo de una nueva gama de aplicaciones de unin pn.
Las aplicaciones incluyen la generacin de impulsos, de conformacin de ondas,
y la generacin de armnico. Los diodos se caracterizan por una interrupcin
muy brusco de corriente inversa en el transitorio de desconexin y son
condensadores no lineales aproximadamente ideales. La interrupcin brusca de
la corriente en el transitorio inverso est relacionada con el perfil de impurezas
en la unin. Una estimacin se da de la duracin de la fase abrupta. Adems, el
papel de elementos parsitos, tales como la inductancia, la capacitancia, y la
resistencia en serie se discute en relacin a un circuito representativo particular.
En los casos tpicos, la fase abrupto apagado dura un tiempo del orden de 10-9
seg. Las transiciones en exceso de 100 V o un amperio se obtienen fcilmente.

OLED

OLED (siglas en ingls de organic light-emitting diode, en espaol diodo orgnico

de emisin de luz) es un diodo que se basa en una capa electroluminiscente
formada por una pelcula de componentes orgnicos que reaccionan, a una
determinada estimulacin elctrica, generando y emitiendo luz por s mismos.

Existen muchas tecnologas OLED diferentes, tantas como la gran diversidad de

estructuras (y materiales) que se han podido idear (e implementar) para contener y
mantener la capa electroluminiscente, as como segn el tipo de componentes
orgnicos utilizados.

Caractersticas[editar]
Puede ser usado en todo tipo de aplicaciones: televisores, monitores, pantallas de
dispositivos porttiles (telfonos mviles, PDA, reproductores de audio...),
indicadores de informacin o de aviso, etc., con formatos que bajo cualquier diseo
irn desde unas dimensiones pequeas (2 pulgadas) hasta enormes tamaos
(equivalentes a los que se estn consiguiendo con LCD).

Mediante los OLED tambin se pueden crear grandes o pequeos carteles de

publicidad, as como fuentes de luz para iluminar espacios generales.1 Adems,
algunas tecnologas OLED tienen la capacidad de tener una estructura flexible, lo
que ya ha dado lugar a desarrollar pantallas plegables o enrollables, y en el futuro
quiz pantallas sobre ropa y tejidos, etc.

La degradacin de los materiales OLED ha limitado su uso por el momento.

Actualmente se est investigando para dar solucin a los problemas derivados de
esta degradacin, hecho que har de los OLED una tecnologa que puede reemplazar
la actual hegemona de las pantallas LCD (TFT) y de la pantalla de plasma.

Ventajas y desventajas[editar]
Una de las principales desventajas es que suelen aparecer quemaduras o imgenes
fantasmas en las pantallas de dispositivos que despliegan mens de imagen fija por
largos periodos durante su vida til.
Ventajas respecto a pantallas de plasma, LCD y LCD con retroiluminacin
LED[editar]
Ms delgados y flexibles[editar]
Por una parte, las capas orgnicas de polmeros o molculas de los OLED son ms
delgadas, luminosas y mucho ms flexibles que las capas cristalinas de un led o LCD.
Por otra parte, en algunas tecnologas el sustrato de impresin de los OLED puede
ser el plstico, que ofrece flexibilidad frente a la rigidez del cristal que da soporte a
los LCD o pantallas de plasma.

Ms econmicos[editar]
En general, los elementos orgnicos y los sustratos de plstico sern mucho ms
econmicos. Tambin, los procesos de fabricacin de OLED pueden utilizar conocidas
tecnologas de impresin de tinta (en ingls, conocida como inkjet), e incluso por
serigrafa (screen printing),2 hecho que disminuir los costes de produccin y
permitir el acceso a nuevos mercados y aplicaciones.

Brillo y contraste[editar]
Los pxeles de los OLED emiten luz directamente. Por eso, respecto a los LCD
posibilitan un rango ms grande de colores y contraste.

Menos consumo[editar]
Los OLED no necesitan la tecnologa backlight, es decir, un elemento OLED apagado
realmente no produce luz y no consume energa (el mismo principio usado por las
pantallas de plasma, solo que la tecnologa de plasma no es tan eficiente en el
consumo de energa) y a diferencia de los LCD que no pueden mostrar un verdadero
negro y lo componen con luz consumiendo energa continuamente. As, los OLED
muestran imgenes con menos potencia de luz, y cuando son alimentados desde
una batera pueden operar largamente con la misma carga.

Ms escalabilidad y nuevas aplicaciones[editar]

Capacidad futura de poder escalar las pantallas a grandes dimensiones hasta ahora
ya conseguidas por los LCD y, sobre todo, poder enrollar y doblar las pantallas en
algunas de las tecnologas OLED que lo permiten, abre las puertas a todo un mundo
de nuevas aplicaciones que estn por llegar.

Mejor visin bajo ambientes iluminados[editar]

Al emitir su propia luz, una pantalla OLED, puede ser mucho ms visible bajo la luz
del sol, que una LCD.

Desventajas[editar]
Tiempos de vida cortos[editar]
Las capas OLED verdes y rojas tienen largos tiempos de vida, sin embargo, la capa
azul no es tan duradera; actualmente tienen una duracin cercana a las 14 000
horas (8 horas diarias durante cinco aos). Este periodo de funcionamiento es mucho
menor que el promedio de los LCD, que, dependiendo del modelo y del fabricante,
pueden llegar a las 60 000 horas. Toshiba y Panasonic han encontrado una manera
de resolver este problema con una nueva tecnologa que puede duplicar la vida til
de la capa responsable del color azul, colocando la vida til por encima del promedio
de la de las pantallas LCD. Una membrana metlica ayuda a la luz a pasar desde los
polmeros del sustrato a travs de la superficie del vidrio ms eficientemente que en
los OLED actuales. El resultado es la misma calidad de imagen con la mitad del brillo
y el doble de la vida til esperada.

En el 2007, OLED experimentales pudieron sostener 400 cd/m en brillo durante ms

de 198 000 horas para OLED verdes y 62 000 para los azules.
Proceso de fabricacin caro[editar]
Actualmente la mayora de las tecnologas OLED estn en proceso de investigacin,
y los procesos de fabricacin (sobre todo inicialmente) son econmicamente
elevados, en tanto no se alcance un diseo que pueda ser utilizado en economas de
escala.

Agua[editar]
El agua puede fcilmente estropear en forma permanente los OLED, ya que como
cualquier dispositivo electrnico, presenta interfaces de inyeccin de cargas que son
rpidamente daadas. Contrario a lo que se cree el material orgnico tarda mucho
ms tiempo en degradarse que estas interfaces, en contacto con el agua. En
realidad, el electrodo que no est en contacto directo con el sustrato, usualmente el
ctodo, es el ms sensible a pequeas cantidades de humedad. El ctodo puede ser
fabricado con aluminio sobre una capa muy delgada, 1 nm, de LiF para facilitar la
inyeccin de electrones. El LiF es un material altamente hidroflico que debe secarse
en vaco antes de su evaporacin.

Impacto medioambiental[editar]
Los componentes orgnicos (molculas y polmeros) se ha visto que son difciles de
reciclar (alto coste, complejas tcnicas). Ello puede causar un impacto al medio
ambiente muy negativo en el futuro.

Estructura bsica[editar]
Un OLED est compuesto por dos finas capas orgnicas: una capa de emisin y
una capa de conduccin, que a la vez estn comprendidas entre una fina pelcula
que hace de terminal nodo y otra igual que hace de ctodo. En general estas capas
estn hechas de molculas o polmeros que conducen la electricidad. Sus niveles de
conductividad elctrica se encuentra entre el nivel de un aislador y el de un
conductor, y por ello se los llama semiconductores orgnicos (ver polmero
semiconductor).

La eleccin de los materiales orgnicos y la estructura de las capas determinan las

caractersticas de funcionamiento del dispositivo: color emitido, tiempo de vida y
eficiencia energtica.