Material Es

MATERIALES PARA INGENIERA 1
CARRERA DE INGENIERA
ELECTROMECNICA
REA DE LA ENERGIA, LAS INDUSTRIAS Y LOS

RECURSOS NATURALES NO RENOVABLES
CARRERA DE INGENIERA ELECTROMECNICA
ASIGNATURA: Materiales Para Ingeniera
DOCENTE: Ing. Gonzalo Riofro
RESPONSABLE: Jefferson Coronel
1.1. Materiales: Clasificacin en Funcin del Tipo de Enlace
Una forma de clasificar los materiales para ingeniera es en funcin de su enlace

atmico.
Comparando las temperaturas de fusin de los diferentes tipos de enlace, es posible

obtener una idea bastante aproximada de sus energas de enlace relativas. El punto de
fusin de un slido indica la temperatura a la que debe ser sometido el material para
proporcionarle la energa trmica suficiente para que se produzca la rotura de sus
enlaces cohesivos. En la siguiente tabla aparecen unos ejemplos representativos.
Tabla 1.1.1. Comparacin entre las temperaturas de fusin de algunos de los

materiales ms representativos.
ELECTROMECNICA
Existen cuatro tipos principales de enlace atmico, tres enlaces primarios (inico,
covalente y metlico) y el enlace secundario. Se distinguen tres materiales estructurales
fundamentales (metales, cermicos y polmeros), que estn relacionados directamente
con los tres tipos de enlace primario (metlico, inico y covalente, respectivamente). En
la tabla 1.1.2 se resume el carcter del enlace asociado con los cuatro tipos
fundamentales de materiales para ingeniera.
Tabla 1.1.2. Carcter del enlace de los cuatro tipos fundamentales de materiales
para ingeniera.
La clasificacin de los materiales para ingeniera asigna un determinado tipo de enlace,

o combinacin de enlaces, a cada categora. Los metales estn constituidos por enlaces
metlicos. Los cermicos y vidrios implican enlaces inicos, aunque generalmente con
un fuerte carcter covalente. Los polmeros poseen normalmente fuertes enlaces
covalentes a lo largo de las cadenas polimricas, pero existen enlaces secundarios
dbiles entre cadenas adyacentes. El enlace secundario acta como un eslabn dbil en
la estructura, proporcionando resistencias y temperaturas de fusin caractersticamente
bajas. Los semiconductores tienen una naturaleza predominante covalente, aunque
algunos compuestos semiconductores tienen un fuerte carcter inico. Estas cuatro
categoras de materiales para ingeniera son, por tanto, los tipos bsicos. (Shackelford,
2005, pgs. 53-55)
1.2. Estructura Cristalina: Perfeccin
Una vez que se han establecido firmemente las distintas categoras de los materiales
para ingeniera, puede iniciarse la caracterizacin de estos. Se comenzara con la
ELECTROMECNICA
estructura a escala atmica, que es cristalina para la mayora de materiales; es decir, los
tomos del material estn dispuestos de una manera regular y repetitiva.
Deben identificarse los siete sistemas cristalinos y las catorce redes cristalinas. Las
estructuras cristalinas de la mayora de los metales pertenecen a uno de los tres tipos
relativamente sencillos. Los compuestos cermicos, que tienen una amplia variedad de
estructuras cristalinas. Algunas son relativamente sencillas, pero otras, como las de los
silicatos, son bastante complejas. El vidrio es no cristalino, los polmeros comparten dos
caractersticas con los cermicos y los vidrios. En primer lugar, sus estructuras
cristalinas son relativamente complejas. En segundo lugar, a causa de esta complejidad
el material no cristaliza fcilmente. Los semiconductores elementales, como el silicio,
poseen una estructura caracterstica (la cubica del diamante), mientras que los
compuestos semiconductores tienen estructuras similares a la de los compuestos
cermicos ms sencillos.
1.3. Siete Sistemas y Catorce Redes
La principal caracterstica de la estructura cristalina es que es regular y repetitiva.

Cuantificar la repetitividad exige decidir que unidad estructural es la que se repite. En
realidad cualquier estructura cristalina puede describirse como un modelo formado a
base de repetir varias unidades estructurales. En la prctica, por lo general se escoge la
estructura ms sencilla como unidad estructural representativa, denominada celda
unidad. En la Figura 3.2 se representa la geometra de una celda unidad general. La
longitud de las aristas de la celda unidad y los ngulos entre los ejes cristalogrficos se
denominan constantes de red o parmetros de red. La caracterstica clave de la celda
unidad es que contiene una descripcin completa de la estructura como un todo, ya que
la estructura completa puede ser generada mediante el agolpamiento repetido de celdas
unidad adosadas cara a cara a lo largo del espacio tridimensional.
ELECTROMECNICA
La descripcin de las estructuras cristalinas mediante celdas unidad tiene una ventaja
importante. Todas las estructuras posibles se reducen a un pequeo nmero de
geometras de la celda unidad bsica, lo que se demuestra de dos formas. Primero, slo
existen siete celdas unidad nicas que pueden disponerse de manera que rellenen
completamente el espacio tridimensional. Son los siete sistemas cristalinos, que se
definen y muestran en la Tabla 3.1.
ELECTROMECNICA
ELECTROMECNICA
Segundo, hay que considerar cmo pueden agruparse los tomos (vistos como esferas
rgidas) dentro de una celda unidad. Para hacer esto de una forma general, se comenzar
considerando los puntos reticulares, puntos tericos dispuestos peridicamente en el
espacio tridimensional, en lugar de tomos reales o esferas. De nuevo, existe un nmero
limitado de posibilidades, conocidas como las 14 redes de Bravais, definidas en la
Tabla 3.2. El agrupamiento peridico de celdas unidad de la citada tabla genera puntos
de red, agrupaciones de puntos con idnticos contornos en el espacio tridimensional.
Estas redes son esqueletos sobre los que se construyen las estructuras cristalinas,
situando tomos o grupos de tomos en los puntos reticulares o cerca de ellos. La Figura
3.3 muestra la posibilidad ms simple, en la que se sita un tomo en cada punto
reticular. Algunas estructuras metlicas sencillas son de este tipo. Sin embargo, se sabe
que existe un gran nmero de estructuras cristalinas reales, y la mayora de ellas
resultan tener ms de un tomo asociado a cada punto reticular. Se vern muchos
ejemplos de estas estructuras cristalinas en los cermicos y polmeros comunes.
(Shackelford, 2005, pgs. 62-65)
ELECTROMECNICA
EJEMPLO 3.1
Dibjense los cinco puntos de red de las estructuras cristalinas bidimensionales.
Solucin
Las geometras de la celda unidad son:
i. Cuadrado simple.
ii. Rectngulo simple.
iii. Rectngulo centrado (o rombo).

ELECTROMECNICA
iv. Paralelogramo.
v. Hexgono centrado
ELECTROMECNICA
|
1.4. Estructuras Metlicas, Cermicas, Polimricas y Semiconductoras
1.4.1. Estructuras Metlicas
Conocidas ya las reglas estructurales bsicas, es posible proceder a describir

sistemticamente las principales estructuras cristalinas asociadas a los materiales
importantes en ingeniera. En el caso del primer grupo, los metales, la enumeracin es
bastante simple, la mayora de los metales elementales a temperatura ambiente poseen
una de tres estructuras cristalinas.
En la Figura 3.4 se presenta la estructura cbica centrada en el cuerpo (bcc, body
centered cubic). Se trata de la red de Bravais cbica centrada en el cuerpo con un tomo
situado en cada punto reticular. Hay un tomo en el centro de la celda unidad y un
octavo de tomo en cada uno de los ocho vrtices de la celda unidad. (Cada tomo
situado en el vrtice es compartido por ocho celdas unidad adyacentes.) Por tanto,
existen dos tomos en cada celda unidad bcc. El factor de empaquetamiento atmico
(APF, atomic packing factor) para esta estructura es 0.68 y representa la fraccin de
volumen de la celda unidad ocupada por esos dos tomos. Entre los metales que adoptan
tpicamente esta estructura est el Fe- (la forma estable a temperatura ambiente), V, Cr,
Mo y W. Las aleaciones que tienen como constituyente predominante uno de estos
metales tendern a poseer tambin esta estructura. Sin embargo, la presencia de
elementos aleantes disminuye la perfeccin cristalina
ELECTROMECNICA
La Figura 3.5 muestra la estructura cbica centrada en las caras (fcc, face-centered
cubic), que corresponde a la red de Bravais cbica centrada en las caras, con un tomo
en cada punto reticular. Hay medio tomo (es decir, un tomo compartido por dos celdas
unidad) en el centro de cada cara de la celda unidad, y un octavo de tomo en cada uno
de los vrtices de la celda unidad, lo que hace un total de cuatro tomos en cada celda
unidad fcc. El factor de empaquetamiento atmico para esta estructura es 0.74, un valor
ligeramente mayor que el de 0.68 correspondiente a los metales bcc. De hecho, un APF
de 0.74 es el mayor posible que puede obtenerse al llenar el espacio agrupando esferas
ELECTROMECNICA
rgidas del mismo tamao. Debido a esto, a veces la estructura fcc se conoce como
cbica de empaquetamiento compacto (ccp, cubic cise packed).
Los metales tpicos que presentan esta estructura son el Fe- (estable entre los 912 y los
1394 C), Al, Ni, Cu, Ag, Pt y Au.
ELECTROMECNICA
La estructura hexagonal compacta (hcp, hexagonal close packing) (Figura 3.6) es la

primera que se va a encontrar con una estructura ms compleja que la de su red de
Bravais (hexagonal). Hay dos tomos asociados a cada punto de la red de Bravais. Hay
un tomo centrado dentro de la celda unidad y varias fracciones de tomos en los
vrtices de la celda unidad (cuatro 1/6 tomos y cuatro 1/12 tomos), lo que proporciona
un total de dos tomos por celda unidad. Como indica el trmino compacto, esta
estructura es tan eficiente, desde el punto de vista de empaquetamiento de esferas, como
la estructura fcc. Las dos estructuras, hcp y fcc, tienen un factor de empaquetamiento
atmico de 0.74.
ELECTROMECNICA
Al analizar las estructuras metlicas, se vern con frecuencia las tiles relaciones entre
tamao de la celda unidad y radio atmico dadas en la Tabla 3.3. (Shackelford, 2005,
pgs. 66-68)
EJEMPLO 3.2
Utilizando los datos de los Apndices 1 y 2, calclese la densidad del cobre.
Solucin
El Apndice 1 muestra que se trata de un metal con una estructura fcc. La longitud,
l, de la diagonal de una cara en la celda unidad es:
l=4 r tomo Cu = 2 a
4
a= r tomo Cu
2
A partir de los datos del Apndice 2, sacamos el radio atmico, y tenemos:
4
a= (0.128 nm)
2
ELECTROMECNICA
a=0.362 nm
La densidad de la celda unidad (que contiene cuatro tomos) es
nA
=
V cN A
g
4 tomos63.55
=
mol 1 x 10 7 nm 3
tomos * ( 1 cm
)
( 0.362 nm )30.6023 x 1024
mol
g
=8.89 3
cm
1.4.2. Estructuras Cermicas
La gran variedad de composiciones qumicas de los cermicos se refleja en sus

estructuras cristalinas. Muchas de estas estructuras cermicas tambin describen
compuestos intermetlicos. Por otra parte, es posible definir un factor de
empaquetamiento inico (IPF, ionic packing factor), similar al APF definido en el caso
de las estructuras metlicas. El IPF es la fraccin de la celda unidad ocupada por los
distintos aniones y cationes.
Se comenzar por los cermicos con la frmula qumica ms sencilla, MX, donde M es
un elemento metlico y X es un elemento no metlico, en este grupo tenemos como
ejemplo la estructura del cloruro de cesio (CsCl) la estructura del CsCl se construye
+
sobre la red de Bravais cbica simple con dos iones (uno Cs + y otro Cs +)
asociados a cada punto reticular. Aunque el cloruro de cesio es un ejemplo de una

ELECTROMECNICA
estructura compuesta, no representa a ningn cermico comercial importante, por otra
parte el cloruro de sodio es compartida por muchos materiales cermicos de
importancia. Algunos xidos cermicos con esta estructura son MgO, CaO, FeO y NiO.
O2 X2
La slice, (Si ), est incluida en la categora M , y es quiz el compuesto
cermico ms importante, que entra en la composicin de muchos minerales de la
corteza terrestre. La slice, aisladamente o en combinacin con otros xidos cermicos
(formando los silicatos), representa una gran fraccin de los materiales cermicos a
O
disposicin de los ingenieros. Por eso es tan importante la estructura del Si 2 .
Desafortunadamente no es una estructura sencilla. De hecho, no existe una nica
estructura para describirla, sino muchas (en diferentes condiciones de presin y
temperatura).
M2 X3 AL 2 X3
La frmula qumica incluye la estructura del corindn ( ),
de gran importancia. Se trata de una red de Bravais rombodrica, pero se aproxima
mucho a una red hexagonal.
Si se analizan ahora los cermicos con tres especies atmicas, puede verse que la
X
frmula M'M" 3 incluye una importante familia de cermicos de aplicacin
O3
electrnica que poseen la estructura de la perovskita (CaTi ).
M2 X4
La frmula M' '' incluye una importante familia de cermicos con
AL2 O4
aplicaciones magnticas, basados en la estructura de la espinela (Mg )
Los cermicos magnticos con importancia comercial estn basados realmente en una
versin ligeramente modificada de la estructura de la espinela.
Antes de terminar con los materiales cermicos, es conveniente ver algunos importantes
materiales que constituyen una excepcin a la descripcin general de los cermicos
como compuestos. En primer lugar, la Figura 3.18 presenta la estructura cristalina en
forma de capas del grafito, la forma estable del carbono a temperatura ambiente.
Aunque es monoatmico, el grafito es mucho ms cermico que metlico. Los anillos
hexagonales de tomos de carbono estn fuertemente unidos mediante enlaces
ELECTROMECNICA
covalentes. Los enlaces entre capas, sin embargo, son enlaces de Van der Waals, lo que
explica la naturaleza desmenuzable del grafito y su empleo como lubricante seco. Es
interesante contrastar la estructura del grafito con la forma del carbono estabilizada a
alta presin, la cbica del diamante, que desempea un papel muy importante en la
tecnologa del estado slido debido a que el silicio semiconductor posee esa estructura.
(Shackelford, 2005, pgs. 70-78)
EJEMPLO 3.3
Calclese el factor de empaquetamiento inico (IPF) del MgO, que tiene la

estructura del NaCl (Figura 3.9).
Solucin
2
O
2 +
Tomando Mg +2 r , y con los datos del Apndice 2, se obtiene
a=2 r
a=2 ( 0.078 nm ) +2 ( 0.132 nm )=0.420 nm.
Entonces,
V celda unidad=a3=(0.420 nm)3=0.0741 nm 3
2+ 2
En cada celda unidad hay cuatro iones Mg

y cuatro iones O , lo que

proporciona un volumen inico total de:
16
O2=
3
[ ( 0.078 nm )3+ ( 0.132 nm)3 ]=0.0465 nm3
4
Mg 2+ + 4 x r 3
3
4
4 x r 3
3
Finalmente, el factor de empaquetamiento inico es

ELECTROMECNICA
0.0465nm 3
IPF=
0.0741nm 3
IPF=0.627
1.4.3. Estructura Polimricas
Los materiales polmeros presentan una estructura tipo cadena de largas molculas
polimricas, la mayora de los polmeros comerciales no presentan un alto grado de
cristalinidad, se tratarn dos ejemplos relativamente simples: el polietileno y el nylon.
EJEMPLO 3.5
Calclese el nmero de tomos de C y H en la celda unidad del polietileno (Figura

3.20), sabiendo que la densidad es de 0.9979 g/cm3.
Solucin
En la Figura 3.20 se indican las dimensiones de la celda unidad, que permiten calcular
el volumen:
V =( 0.741 nm )( 0.494 nm )( 0.255 nm )=0.0933 nm 3
C2 H 4
En la celda unidad habr un mltiplo (n) de unidades de , con una masa
atmica, m:
n [ 2 ( 12.01 ) +4 ( 1.008 ) ] g
m= =( 4.66 x 1023 n ) g
0.6024 x 1024
Por tanto, la densidad de la celda unidad es

ELECTROMECNICA
( 4.66 x 1023 n ) g 1 x 107 nm 3 g
= 3
x( ) =0.9979 3
0.0933 nm 1 cm cm
Resolviendo para obtener n,

n=2.00
Como resultado, habr
4 (= 2n) tomos de C + 8 (= 4n) tomos de H por celda unidad.
1.4.4. Estructuras Semiconductoras
La tecnologa desarrollada por la industria de los semiconductores para la obtencin de

monocristales ha permitido obtener cristales con un grado de perfeccin
extraordinariamente alto. Las estructuras perfectas descritas en esta seccin se
aproximan a la estructura de los materiales reales mucho ms que en cualquier otra
categora de materiales. Una sola estructura domina la industria de los semiconductores.
Los semiconductores elementales (Si, Ge y Sn gris) comparten la estructura cbica del
diamante.
Esta estructura est construida sobre una red de Bravais fcc, con dos tomos asociados
a cada punto reticular y ocho tomos en cada celda unidad. Una caracterstica clave de
esta estructura es que incorpora la configuracin tetradrica de enlace de los elementos
del grupo IV A.
Un pequeo grupo de elementos contiguos a los del grupo IV A forma compuestos
semiconductores, que suelen ser compuestos del tipo MX, con combinaciones de
tomos con una valencia media de + 4. Por ejemplo, el GaAs combina la valencia + 3
del galio con la valencia + 5 del arsnico, y el CdS combina la valencia + 2 del cadmio
con la valencia + 6 del azufre. El GaAs y el CdS son ejemplos de compuestos del tipo
III-V y compuestos del tipo II-VI, respectivamente. Muchos de estos compuestos
sencillos MX cristalizan en una estructura fuertemente relacionada con la cbica del
diamante. (Shackelford, 2005, pgs. 79-84)
EJEMPLO 3.6
ELECTROMECNICA
Obtngase el factor de empaquetamiento atmico (APF) de la estructura cbica
del diamante (Figura 3.23).
Solucin
Debido a la geometra tetradrica de los enlaces de la estructura cbica del diamante, los
tomos estn situados a lo largo de las diagonales del cubo. Un examen de la Figura
3.23 revela que esta orientacin de los tomos conduce a la igualdad.
2 r Si= ( diagonal de cubo )= a

1 3
4 4
ELECTROMECNICA
8
a= r Si
3
El volumen de la celda unidad es, entonces, El volumen de la celda unidad es, entonces,
V celda unidad=a3=(4.62)3 r si3 =98.5si 3
El volumen de los ocho tomos de silicio en la celda unidad es
4
V tomos=8 x r 3=98.5 r si 3
3 si
lo que proporciona un factor de empaquetamiento atmico de
3
33.5 r si
APF = 3
=0.340
98.5 r si
1.5 Posiciones, Direcciones y Planos de Red
Existen algunas reglas bsicas que es necesario conocer para describir la geometra en, y
alrededor de, una celda unidad. Es importante ver que estas reglas y la notacin
asociada son utilizadas uniformemente por cristalgrafos, gelogos, cientficos de
materiales y otros profesionales que trabajan con materiales cristalinos.
En la Figura 3.26 se muestra la notacin empleada para describir las posiciones de la red
expresadas como fracciones o mltiplos de las dimensiones de la celda unidad. Por
ejemplo, la posicin centrada en el cuerpo de la celda unidad se proyecta en el punto
medio de cada una de las aristas de la celda unidad y se designa con la posicin
111
222 .
Un aspecto de la naturaleza cristalina es que una posicin determinada en una red dada
es estructuralmente la misma posicin en cualquier otra celda unidad de la misma
estructura.
ELECTROMECNICA
En la Figura 3.28 se muestra la notacin empleada para describir las direcciones

reticulares. Debe hacerse notar que estas direcciones estn siempre representadas por
un conjunto de nmeros enteros, que se obtienen de una manera directa; en primer lugar
se identifican las posiciones enteras ms pequeas cruzadas por la lnea que parte del
origen de los ejes cristalogrficos. Con el fin de distinguir la notacin para una
direccin de la de una posicin, los nmeros enteros que designan la direccin se
encierran entre corchetes del tipo [ ], lo que constituye la designacin estndar de las
direcciones especficas de la red.
ELECTROMECNICA
Cuando una direccin se mueve a lo largo de un eje negativo, debe indicarse a travs de

la notacin. Por ejemplo, la barra sobre el ltimo nmero entero de la direccin [ 11 1
] en la Figura 3.28 indica que la lnea que parte del origen ha cortado la posicin 11-1.
El conjunto de direcciones, estructuralmente equivalentes, se denomina familia de
direcciones y se designa mediante parntesis angulares, < >. Un ejemplo de diagonales
del cuerpo en el sistema cbico es

<111> = [111], [ 111 ], [ 1 1 1 ], [ 11 1 ], [ 111 ], [ 1 11 ], [ 11 1 ], [ 11 1 ].
En la Figura 3.30 se muestra la notacin para describir los planos reticulares, es decir,
los planos de la red cristalogrfica. Como en el caso de las direcciones, estos planos se
expresan como un conjunto de nmeros enteros, conocido como ndices de Miller.
ELECTROMECNICA
Obtener estos nmeros enteros requiere un proceso ms elaborado que para las
direcciones. Los enteros representan los inversos de los puntos de interseccin con los
ejes. Al igual que los corchetes en el caso de las direcciones, los parntesis constituyen
la notacin estndar en el caso de los planos.
La notacin general para los ndices de Miller es (hkl), y puede ser usada para
cualquiera de los siete sistemas cristalinos. Al igual que para las direcciones
estructuralmente equivalentes, pueden agruparse planos estructuralmente equivalentes
en una familia de planos, donde los ndices de Miller se encierran entre llaves, {hkl} o
{hkil}. En la Figura 3.32 se muestra que las caras de la celda unidad en el sistema cbico
constituyen la familia {100} con

{100} = (100), (010), (001), ( 1 00 ), (0 1 0), (00 1 ). (Shackelford, 2005, pgs.
86-91)
ELECTROMECNICA
EJEMPLO 3.8
Empleando la Tabla 3.2, enumrense las posiciones de los puntos reticulares

centrados en las caras para (a) la red de Bravais cbica centrada en las caras (fcc),
y (b) la red ortorrmbica centrada en las caras (feo).
Solucin
11 1 1 11
0 0 ,0 ,
(a) Para las posiciones del centro de las caras: 22 , 2 2 22
11 1 1 11
1, 1 1
22 2 2 , 22 .
(b) La respuesta es la misma que para el apartado (a). Los parmetros de la red no
aparecen en la notacin de las posiciones reticulares.
EJEMPLO 3.10
Hgase una lista con los miembros de la familia de direcciones <110> en el sistema
cbico.
ELECTROMECNICA
Solucin
Esa familia de direcciones corresponde a todas las diagonales de las caras de la celda
unidad, y como existen dos diagonales en cada una de las caras, se tienen un total de 12
miembros:
] , [ 1 10 ] , [ 11
110 =[ 110 ] , [ 1 10 0 ] , [ 101 ] , [ 10 1 ] , [ 101 ] , [ 1 0 1 ] , [ 011 ] , [ 01 1 ] , [ 0 11
] , [ 0 11
].
EJEMPLO 3.13
Realcese una lista con los planos de la familia {110} en el sistema cbico.
Solucin
{ 110 }=( 110 ) , ( 1 1 0 ) , ( 110

) , ( 11
0 ) , ( 101 ) , ( 10 1 ) , ( 1 01 ) , ( 1 0 1 ) , ( 011 ) , ( 01 1 ) , ( 0 1 1 ) ,(0 11)

Bibliografa
Shackelford, J. F. (2005). Introduccion a la ciencia de materiales para
ingenieros. Madrid (Espaa): Pearson Educacion, S.A.

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REA DE LA ENERGIA, LAS INDUSTRIAS Y LOS

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RESPONSABLE: Jefferson Coronel

1.1. Materiales: Clasificacin en Funcin del Tipo de Enlace

Una forma de clasificar los materiales para ingeniera es en funcin de su enlace

Comparando las temperaturas de fusin de los diferentes tipos de enlace, es posible

Tabla 1.1.1. Comparacin entre las temperaturas de fusin de algunos de los

La clasificacin de los materiales para ingeniera asigna un determinado tipo de enlace,

1.2. Estructura Cristalina: Perfeccin

1.3. Siete Sistemas y Catorce Redes

La principal caracterstica de la estructura cristalina es que es regular y repetitiva.

Dibjense los cinco puntos de red de las estructuras cristalinas bidimensionales.

ii. Rectngulo simple.

iii. Rectngulo centrado (o rombo).

1.4. Estructuras Metlicas, Cermicas, Polimricas y Semiconductoras

1.4.1. Estructuras Metlicas

Conocidas ya las reglas estructurales bsicas, es posible proceder a describir

La estructura hexagonal compacta (hcp, hexagonal close packing) (Figura 3.6) es la

Utilizando los datos de los Apndices 1 y 2, calclese la densidad del cobre.

A partir de los datos del Apndice 2, sacamos el radio atmico, y tenemos:

La densidad de la celda unidad (que contiene cuatro tomos) es

1.4.2. Estructuras Cermicas

La gran variedad de composiciones qumicas de los cermicos se refleja en sus

asociados a cada punto reticular. Aunque el cloruro de cesio es un ejemplo de una

Calclese el factor de empaquetamiento inico (IPF) del MgO, que tiene la

a=2 ( 0.078 nm ) +2 ( 0.132 nm )=0.420 nm.

proporciona un volumen inico total de:

Finalmente, el factor de empaquetamiento inico es

1.4.3. Estructura Polimricas

Calclese el nmero de tomos de C y H en la celda unidad del polietileno (Figura

V =( 0.741 nm )( 0.494 nm )( 0.255 nm )=0.0933 nm 3

Por tanto, la densidad de la celda unidad es

Resolviendo para obtener n,

Como resultado, habr

4 (= 2n) tomos de C + 8 (= 4n) tomos de H por celda unidad.

1.4.4. Estructuras Semiconductoras

La tecnologa desarrollada por la industria de los semiconductores para la obtencin de

2 r Si= ( diagonal de cubo )= a

V celda unidad=a3=(4.62)3 r si3 =98.5si 3

El volumen de los ocho tomos de silicio en la celda unidad es

lo que proporciona un factor de empaquetamiento atmico de

1.5 Posiciones, Direcciones y Planos de Red

En la Figura 3.28 se muestra la notacin empleada para describir las direcciones

Empleando la Tabla 3.2, enumrense las posiciones de los puntos reticulares

{ 110 }=( 110 ) , ( 1 1 0 ) , ( 110

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