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ELECTRONICA
,
ANALOGICA
Fernando Ramrez Rojas
!l\casa abiertaaltiempo
Universidad Autnoma Metropolitana
Azca potza leo
I
I
\
ELECTRONICA ANALOGICA
COLECCIN
LIBRO DE TEXTO
1993
Fernando Ramrez Rojas
El.lECTRONICA ANALOGICA
UNIDAD AZCAPOTZALCO
Rector
Lic. Edmundo Jacobo Molina
Secretario
Mtro. Adrin de Garay Snchez
Coordinador de Extensin Universitaria
Jos Lever
Jefa de la Seccin Editorial
Mtra. Silvia Pappe
Diseo de portada
Luisa Martnez
Cuidado de la edicin
Ma. Emilia Gonzlez
ISBN 970-620-301-X
Prlogo II
7
IV.3 Anlisis en CD (polarizacin) 81
IV.4 Anlisis en pequea seal 84
IV.S Anlisis comparativo entre un emisor comn y el Par Cascodo CE - CB 88
IV.6 Circuitos con cargas activas 90
8
VII. RESPUESTA EN FRECUENCIA
VII.l Introduccin 155
VII.2 Filtro pasivo de paso bajo de ler. orden (LP) 160
VII.3 Filtro pasivo de paso alto de ler. orden (l-IP) 164
VIIA Modelo hbrido 1t de alta frecuencia 169
VII.S Estimacin de la respuesta en frecuencia mediante el anlisis del circuito en frecuen-
cias bajas, frecuencias medias y frecuencias altas 174
VII.5.1 Anlisis a freeuencias medias 177
VII.S.2 Anlisis a frecuencias altas 179
VII.S.3 Anlisis a frecuencias bajas 188
VII.S.3.1 Efecto de los capacitores de acoplo eB y Ce 189
VII.S.3.2 Efecto del capacitor de desvo CE 199
VII.6 Mtodo de las Constantes de Tiempo para obtener la respuesta en frecuencia de sis-
temas electrnicos 212
VIII. RETROALIMENTACION
VIII.l Introduccin 231
VIII.2 Relaciones bsicas de los sistemas reU'oalimentados 231
VIII.3 Caractersticas generales de amplificadores con retroalimentacin negativa 232
VillA Tipos de amplificadores y sus modelos 235
VIII.S Conceptos de sistemas retroalimentados 236
VIII.S.l Topologa de amplificadores retroalimentados 239
VIIL5.2 Anlisis de las resistencias de entrada y de salida 245
Vlll.6 El amplificador retroalimentado real 249
VIII.6.1 Anlisis del bloque "P" 251
VIII.6.2 Identificacin de los puntos de muestreo y comparacin en circuitos con
transistores 257
VIII.6.3 Mtodo de anlisis aproximado para amplificadores retroalimentados
reales 261
Ejemplo I. Amplificador colector comn 262
Ejemplo 11. Amplificador emisor degenerado 269
Ejemplo 111. Amplificador con dos transistores 277
10
PROLOGO
~-e-m-ic-o-n-d-u-ct-o-re:J
c-==--]~=~
L Unin PN (DiOdO~
~-~-=J
Transistores bi polares
_
-----=r
[ y de efecto de campo
ELECTRONICA
ANALGICA \
de un OPAMP
J
Cir-cu~it~s-b--si-c-o-s
} Apuntcs dc
clcctrnica analgica
~~'";~~'[;;'"' I
discrctos basados
en el OPAMP
- Cllcuitos
[
--..
lineales
f~~g~~dOS J -
!I
Estos apuntes se encuentran divididos en nueve captulos, los cuales se estructuraron de la siguiente
forma:
En el primer captulo se establecen las convenciones y el modelo electrnico del transistor que se
utilizan en el resto de los captulos,
El captulo 2 presenta un mtodo de anlisis de circuitos desarrollado en la Universidad Autnoma
Metropolitana Azcapotzalco desde el ao de 1984, el cual se ha venido enriqueciendo gracias a la
contribucin de profesores y alumnos de la Licenciatura de Electrnica. Esta es la primera publica-
cin de dicho mtodo de anlisis y se emplea mucho en la mayora de los captulos.
En los captulos 3, 4, 5 Y 6, se presentan y analizan los cuatro circuitos bsicos de acoplamiento
directo: Par Darlington, Par Cascodo, Reguladores de Corriente y Par Diferencial.
El captulo 7 muestra el anlisis de circuitos electrnicos desde el punto de vista de su respuesta en
frecuencia, presentando dos mtodos de anlisis: por circuitos elctricos a travs del anlisis de su
Funcin de Transferencia y mediante el Mtodo de las Constantes de Tiempo.
En el captulo 8 se presenta la Teora de Retroalimentacin aplicada a circuitos electrnicos,
mostrando detalladamente las tcnicas de anlisis empleadas.
En el captulo 9 se estudian los amplificadores de potencia, principalmente el Amplificador en
Simetra Complementaria. Se incluye tambin un Mtodo Simplificado de Diseo de Amplificadores
de Potencia en Simetra Complementaria.
Se incluyen tres apndices conteniendo el desarrollo del Modelo Hbrido "n" en base comn, un
anlisis del circuito de acoplamiento directo "Par Cascodo" y una serie de ejercicios propuestos sobre
los nueve captulos anteriores.
Hago notar que estos apuntes se han realizado gracias a la contribucin del M. en C. Jerry Reider Burstin,
y de varios profesores y alumnos de la Licenciatura de Electrnica de la Universidad Autnoma
Metropolitana Azcapotzalco, cuyos nombres aparecen en los crditos.
12
CAPITULO 1
CONVENCIONES Y MODELO
DEL TRANSISTOR
I.1 FACTORES DE RELACION PARA INECUACIONES
En la mayora de los anlisis de circuitos electrnicos, se presentan relaciones entre parmetros que
simplifican o facilitan el anlisis y la interpretacin de los resultados que se obtienen. Tales relaciones
corresponden a los casos en que un parmetro es "mucho mayor ()" o "mucho menor<)" que otro.
Sin embargo, para poder manejar estas expresiones en forma prctica, se necesita sustituir las relaciones
anteriores por un "factor conocido" que permita obtener valores definidos para los parmetros. Por
experiencia, se ha observado que un factor de 10 unidades cumple aproximadamente con las relaciones
propuestas.
Ejemplo:
l. Resistencias en paralelo
R, a)R,IIR, = R,
b) 1 =1, + /, =/,
2. Resistencias en serie
Si R,R, tomando
<; +-
I R,2 IOR, 1
+ >
V, R, .se obtiene lo siguiente:
- <- v a)R, +R,= R,
+ ?
V ;> R, b)V=V+V,=V,
'<-
~ =:> R, se comporta como corto circuito virtual.
15
3. Polarizacin de/lransislor bipolar de unin
\1,.?IOI. I
4. Respuesta en frecuencia
Cuando se dibuja el Diagrama de Bode (magnitud y fase) de un circuito, se considera que los polos y ceros
del sistema comienzan a tener efecto una dcada (10) antes del lugar (frecuencia) en que se encuentran, y
su efecto permanece constante una dcada despus del lugar en que se encuentran.
En algunos casos, se desea que un capacitor se comporte como fuente de voltaje, lo cual se logra haciendo
que la constante de tiempo de descarga del capacitor sea "mucho mayor ()" que el semiperiodo de
alguna seal (T/2):
Por convencin y para que los anlisis presentados en estos apuntes sean claros, se propone la siguiente
nomenclatura para indicar algunas caractersticas de las seales:
16
Ejemplo:
1
1 .. t
Se considera un anlisis de seal grande cuando el comportamiento dcl transistor es no-lineal, es decir,
cuando la relacin entre ( y VI" es no lineal.
El modelo matemtico del transistor bipolar de unin es el que corresponde al Modelo de Ebers-Moll
para seal grande.
BO~-
17
Activa directa
Rompinent(}
Saturacitn ',.
('f...>-+--+--.-J
Rompimiento
Activa Inversa
En la regin de activa directa, que es donde el transistor se emplea como amplificador, la corriente de
colector est controlada por el voltaje de la unin base-emisor mediante la relacin:
Obsrvese que la corriente de colector no slo depende del voltaje base-emisor, sino que tambin
depende del voltaje colector-emisor.
/c = F( V/lb) En el transistor, el emisor presenta un dopado muy fuerte, la base un dopado medio y el
colector tiene un dopado ligero. Adems, el ancho de la base es pequeo comparativamente
con el ancho del emisor y del colector.
Al operar el transistor en Activa Directa, la unin BE se polariza en directa y la unin BC
en inversa. Cuando el emisor inyecta portadores a la base, stos se convierten en portadores
minoritarios, que son afectados por la polarizacin inversa de la unin Be, constituyendo
el flujo de estos portadores la corriente de colector.
Ejemplo:
n++ ,
"
1 p+: I n
I
E-----1 p,,~
," ,\.......-- n1'1 I
1
J
e
)'~
.' ............ I /p"
: : ' I- r
( VII' I > VII'n ) VBE , /c ,
o n
V
BE - - - - ,
. /
c,----'
.
1
18
Para un VOE se tiene una eierta eoneentracin de portadores en la base, y aquellos que
son "eubiertos" por ta regin de deplesin de la unin BC, eonstituyen la eorriente de
eoleetor le .
"
Si el voltaje de la unin BE aumenta (VnE > V. E.), aumenta la "pendiente" de la distribucin
de portadores minoritarios en la base, cJn lo eual aumenta el "rea" cubierta por la regin
de deplesin de la unin BC, aumentando as la eorriente de coleetor a le > le .
I 'ti
____-"'<:,"-~::cc---:.:.c.
II~-----
----1- _
-'
.Vet::
Se observa qll~ la prolongacin de las curvas de ic vs "n: ' eOlia al senlieje negativo de v o :
en un punto que corresponde al voltaje de EARLY (V).
19
1.5 EFECTOS CAPACITIVOS DE LA UNiN PN
P
+
+ - +
+ ~p"J
N
+ N
+ + P lI
- + +
_ _ _~-'--~'-'-~L~ + " .... X
Cj -+----+J-J f-l
ID
\
(,>(.
J
i
"'t.
) a; VD
1
Id<I,
I 1
20
Polarizacin inversa iD ~ 1,
En polarizacin inversa se fonna la capacitancia de juntura (C), debida a la carga manifestada por las
impurezas ionizadas dentro de la regin de carga espacial. La dependencia dc esta capacitancia con el
voltaje aplicado es:
I
I
I
I
I
_ _ _ _ _ _ _ _ _-L _ _L-._ _LI ---+. VD
'Va 'Va
donde: 2
Unin BE
Esta unin se polariza en directa, por lo que presenta dos efectos capacitivos: Cj y C d
~'
n++ I '\
1
p+
\~p
I
r
~
E '1
""1,
Cj .. _ _ _ ~Q
Ch~f---
21
En el dibujo se tiene que:
Unin BC
Esta unin se polariza en inversa presentando solamente el efecto capacitivo C~ .
1.
p+
1
n-
I I
~C
I
1 I
I I
I
:
yf-l
Cl'
En el dibujo:
e =e -
) . Capacitancia de unin del colector
Los transistores de baja potencia tienen una base delgada, con lo cual se logran betas (~ = le /1 B) elevadas,
pero el voltaje de IUptura VegO es pequeo. Esto se debe a que el voltaje de mptura se produce cuando la
regin de deplesin de la unin BC alcanza a la regin de deplesin de la unin BE (el ancho efectivo de
la base es cero), y como el ancho fsico de la base es pequeo, el voltaje de mptura se presenta a un valor
pequeo.
1
E
r h C
l W
I I
t
Ancho reducido
22
-L---=======t=-!-------.v CE
VCEO
> l
Los transistores de potencia tienen una base muy ancha, presentando betas (~= le/ls) pequeas, pero
el voltaje de ruptura V CEO es elevado. Esto es as porque las regiones de deplesin de las uniones Be y BE
requieren de un voltaje muy elevado para unirse en la base (ancho efectivo de la base igual a cero), debido
a que el ancho fsico de la base es grande.
Transistores de potencia
<---Ia~ ---------~
~-~C
+. 1
i
Aneho grande
.-c-----j
1.7 DEPENDENCIA DE LA GANANCIA EN CORRIENTE DEL TRANSISTOR DEBI-
DO A LAS CONDICIONES DE OPERACIN (NIVEL DE CORRIENTE DE CO-
LECTOR Y TEMPERATURA)
125C
25C
_ - - - - - - - - - - . . -55C
-L----j---t--------t-------.le (mA)
.01.1 10 lOO
La beta del transistor ~ = le IIB no es un parmetro constante. Su valor depende del tipo de transistor y de
las condiciones de operacin del mismo, como puede observarse de la grfica anterior.
Con el fin de analizar cuantitativamente los circuitos que se presentarn, se supondr que los parmetros
del transistor empleado en la mayora de los anlisis tienen un vaior promedio dado por las siguientes
cantidades:
VA~ lOO v
V BE = 0.6 v
VeE
SAY
= 0.6 V
Estos valores se considerarn posteriormente como "Valores de Referencia".
Se considera un anlisis en pequea seal cuando el comportamiento del transistor es lineal, es decir,
cuando la relacin entre (y v., (componente de AC) es lineal.
24
(No lineal)
(Lineal)
Como se observa, para que la relacin entre ic Y v'o sea lineal, se requiere que las variaciones
de i c Y V BE sean pequeas. Esta condicin sc puede obtener matemticamente a partir de la relacin entre
i c Y V OE de la siguiente forma:
I
1-,= 1CQ e""" V r
+ 1
como i, = i c - 1CQ entonces:
~ l~ 2 l!g ,
" VT Vi + 2: VT 2 Vi + 61 V -,v-. + ...
r
25
v
Si s~ cumple que v,VT (VI' = 25 mV @ To ,"' 125CJ ). ~ntonces los factores V,. elevados a potencias
de 2 o mayores, tendern a cero y el trmino que domina ser el trmino lineal para Vi'
(3..)"_
. leQ
1,- =-V.=g O
V.. . ' "" V porque
VI'
para n = 2, 3, 4, ...
Por lo tanto, el modelo de pequea seal para el transistor depender de donde se encuentre el punto
de operacin Q del transistor.
le
~ _ .
....-------oC
+
80>------1
VeE
+
Los parmetros gm' r., r" y r" del Modelo Hbrido lt, se obtienen a partir del Modelo de Ebers-Moll para
seal grande. El procedimiento consiste en encontrar la pendiente de la tangente al punto de operacin
definido en las curvas i e vs v' i. vs v i e vs vCE e i. vs vCE respectivamente.
A continuacin se presenta el desarrollo matemtico para cada uno de estos parmetros:
Transconductancia (gm]
Definicin die \
gm=-dv v =0
BE L-"
26
/
UJ
Definicin
'O
.L._==:'-- ~ V 81:
27
Resistencia de salida [rJ
Definicin
__=
VA
- ...L -... V
Cfi
!'J.l
c
=-- _!S&
I,v !'J. V8E I
- VA
I ~A I
<ti
Definicin
...L------------~VCE
El comportamiento del transistor (en pequea seal) en funcin de la frecuencia, se modela mediante las
capacitancias C" C"' y C'" A continuacin se explican dichas capacitancias:
Esta capacitancia se elebe a la capacitancia ele juntura elel emisor Cj , y a la capacitancia de elifusin elc la
base Ch'
I
I
I
1
E.----1 :~
I
I
~ I
I
I
e:, ~u
Cb -------" I
I 1
I I
I I h C
I
I
I
I
~
I
!
I
yp
e
"
29
Capacitallcia de slIbsfralO l C..J
Esta capacitancia se forma entre el colector y el substrato o cucrpo del transistor dc la unin colector
substrato.
E B C
I I
1 )1 1
I I
\. Il
I
I
I
I
I I I I
I I \..p I I
\.~
,,
=== /,~c",
\ --- - - - -
--- -- - -
p Substrato
Las resistencias asociadas a los contactos metlicos de las terminales del transistor. constituyen los
elementos parsitos del mismo.
<
~ rh
.
E
[ex r h "r l.
C
V
l J
30
1.9.5 Modelo completo de pequea seal para el transistor bipolar de unin
rb re'
Bo-- r" C
rrr ~ g",v,
Ea--- Ir" oE
VA
r =- c,'
" 1CQ
r~ = flPo r o
C",,=la3pf r,., ~ l a 3Q
e 1111
=0.2alJf
.
r" = 50 a 5000
e 1("
=0.2 al pf r, = 20a 5000
A frecuencias medias las reactancias de las capacitancias Crr y C" son muy grandes comparativamente con
r.r r,
los valores dc 11"" y 1I por lo que se considerarn como circuitos abiertos.
Las resistencias debidas a los contactos metlicos de las terminales, presentan valores muy pequeos
respecto a los valores de r
11
I r " y r 1I , y se considerarn cOlno corto circuito.
31
El modelo hbrido TI: simplificado ser el siguiente:
r.
--l\/V'v-- I
I
I I
B e
~r"
+
VI fr, c1gm V,
)
E
r. se tomar en cuenta solamente cuando su valor sea del mismo orden que las resistencias resultantes
(r r).
del circuito que se analice. De lo contrario se considerar como circuito abierto J' ~ !JI'"
R.
32
CAPlfULOl1
Este mtodo fue desarrollado durante el trimestre 84-0 en la Universidad Autnoma Metropolitana
Azcapotzalco como consecuencia de la imparticin del curso de Electrnica IV, Yde la necesidad de contar
con una forma de cxposicin de la materia que fuera lo ms sencilla, clara y exacta posible respecto al
anlisis de los circuitos que contienen el curso.
El Mtodo de Paralelos Aparentes evita el desarrollo algebraico que implica el planteamiento de los
sistemas de ecuaciones y su solucin, permitiendo encontrar fcilmente los resultados exactos de las
resistencias de entrada y salida y de la ganancia en voltaje, a partir de los circuitos completos (caso general)
que se analizan, facilitando la interpretacin de los resultados y, adems, se pueden obtener todos los casos
particulares que de dichos resultados se deriven.
1I.3 RESTRICCIONES
La aplicacin del mtodo se restringe a circuitos que cumplan con las siguientes condiciones:
1. El circuitofunciona a pequea seiJa/. Esto permite que los dispositivos activos se puedan representar
por un modelo lineal.
2. El circuito funciona a frecuencias medias. A frecuencias medias la magnitud de las reactancias
asociadas a los efectos capacitivos e inductivos del circuito, es mucho mayor que el valor de las
resistencias del mismo, pudiendo considerar de esta manera que el circuito presenta un comp011a-
miento resistivo.
3~ Se puede llevar al circu.ito a UlUl topologta formada por dos vell/anos cuyos elementos sean
resistencias y una o dosfuemes de voltaje controladas. Si el circuito contiene varios dispositivos
activos de tal forma que se tengan ms de dos ventanas en el circuito completo, se proceder a
analizarlo por grupos (topolgicos) que contengan dos ventanas y que cumplan con la presente
restriccin.
Con base en lo anterior, se presentan a continuacin los modelos de los dispositivos activos (transistor
y vlvulas) que se usarn en las secciones siguientes:
Modelo para el Transistor Bipolar de Unin (B.JT)
80--, ,-----,----oc
+
rn r"
Ge>-- ,-----'t------{) D
+
r"
Go-----, r-----,-.-~p
+
r"
(*) Este parmetro " ~ " no existe para el transistor de efecto de campo ni para la vlvula al vaco. Se
define solamente para completar la "analoga" con el modelo BJT.
Se supone que existe una analoga directa entre los parmetros de los modelos anteriores. La analoga es:
36
-~r~- ----~-----
r r
__.. __ .~_,L
----~~------
r" r" r
" ----
v" v, v,
B G G
1----------- --~- --------
E S K
e
~---~~-- ~---- I-------~ -~~--
D
1----------
P
Por anlisis tradicional se entender el planteamiento y solucin de los sistemas de ecuaciones correspon-
dientes al circuito que se estudia (por el mtodo de corrientes de maBas o voltajes nodales), o bien, se
puede trabajar con el circuito reducido a paltir de ciertas aproximaciones que se propongan.
A continuacin se presentan los resultados obtenidos con este tipo de anlisis para tres de las
configuraCiones bsicas del BJT: Base comn, Colector comn y Degeneracin de emisor (la configura-
cin de Emisor comn no se muestra por lo simple que resulta su anlisis). Aun cuando estos resultados
se refieren a configuraciones bsicas del B.JT, esto no impide que los mismos resultados (con las
sustituciones correspondientes) se puedan aplicar a circuitos con transistores de efecto de campo o
vlvulas.
Circuito en AC
r ",1
e
+
+
V,' r'-.J
v,
B
L---------<O>---------+------()--'
37
Circuito a Pequea Scal
g",v J
r
R.' E
Circuito Equivalente
--_J\
R: E
\--+~O--~-{+-)--./\f',I\---c>----t----.
e
+ +-
+
Vi V, V" R 1AC
Valores exactos obtenidos por el anlisis de las corrientes de malla del circuito:
(R lAc + rJ r,
r - ------''---'''''---'''-''--
- R
LAC
+ r" + r, (1 + .t)
R'+r
.< ,
38
1
r_ ~--
1-1 1
, gm 0
1-1" 1
Circuito en AC
r..ul
r;
E
-D~
R'
.~ B +--
vvv +
+ -.
+
v >R LAC
v.,.' "-' "
v;
-- C
- -
U v
_L
r,uf
r, +
v,
R..'
~-----A, \ ~--()-----Ie-- ...----,+----,
B
+
v, c
'-----------<O}-----------
39
Circuito Equivalentl'
r, r.,u
R
r-_'I /,' \~_-+_--c>--<lB>-----'\l\rn.l\r_.-.;Ei-_-{)---+_~
+ v,
+ +
Vi RlAC
'---------0---
Valores exactos:
R ,AC [rn + r" (1 + P" ) l + r" r n
r ::::::
r =__r-""-O[_R-,,-_:_+_r2n~l_ _
,.1 R: + r n + r" ( 1 + p" )
Resultados particulares:
1
r sal =8-
m
40
Configuracin con Degeneracin de Emisor
Circuito en AC
+
+
v, ~
v"
r, r .1"<1/
R.,' e
+ +
r,
+
v, ~ RlAC
v, v"
Circuito Equivalente
~ '~d
~_",R,,:,\~---r>--~--_~--'-"<B--------A,r\,/\~~~E-~~I--_~
+ ---- + VI
+ +
-'
41
Valores exactos:
R [R_AyJ
A - LAC E tJ""
v - RE [ Y, + R uc + r" ( I + ~" ) ] + Y, ( r" + RLAc )
Resultados particulares:
Este mtodo se puede aplicar para analizar cualquier circuito que contenga uno o varios elementos activos
(transistores o vlvulas). El anlisis consiste en obtener directamente las expresiones de las resistencias
de entrada y de salida del circuito completo o de cada etapa de ste.
Apoyndose en los resultados anteriores, se puede determinar tambin la ganancia en voltaje del circuito
total o de las etapas del mismo, aplicando divisores de voltaje entre las resistencias reales y equivalentes
de la configuracin. Esto resulta ms sencillo que el anlisis por malla o por nodos.
El nombre del mtodo se justifica por los resultados que se obtienen al aplicarlo, ya que las expresiones
correspondientes a los valores exactos de las resistencias de entrada y salida aparentan ser un paralelo
exacto de las ramas que forman una de las ventanas del circuito. El paralelo exacto "desaparece" debido
a la existencia de la fuente de voltaje controlada, la cual introduce los factores I + }. o l + 11., segn sea
el caso, los cuales transforman el paralelo exacto en paralelo aparente.
42
Explicacin del mtodo
o sus equivalentes
o sus equivalentes
Paso 1
Dibujar la topologa del circuito de tal fOTIlla que presente dos ventanas formadas por resistencias y una
o dos fuentes de voltaje controladas.
Ejemplo:
Regla l. El factor I +~" slo podr afectar a la resistencia r" (o su equivalente), mientras que el factor
I + /.1" slo podr afectar a la resistencia r" (o su equivalente).
Paso 2
Escribir la expresin de la resistencia equivalente que se quiera calcular. considerando que la fuente de
voltaje controlada se pasiva (se iguala a cero). Esta expresin contiene el paralelo exacto de las ramas
de la ventana que forma el circuito.
Ejemplo:
ri r.,..
/.1y, R,
+-
+
v v, R, R1AC
+
43
R, [ R, + N,." I
r,=R, 11 1R,+R"cJ= .
- " R,+R,+R,~\(
R,R:
r",,=R,+R, 11 R:=R,+ _.!........!.......
R,+R:
r r,u/
~ty,
R' R,
A ;;' A
V V V +
-+ ...-
v:9 ~
-
V,
+
R,
>
<
;>
Rle
='=
Regla 2. Si R , (o R,) est en serie con la ventana que contiene a R, (o R, ). se afecta R, (o R ,) (la
resistencia contraria de la serie) por su factor cOITespondiente en el numerador nicamente.
Ejemplo:
r,ml
J.l"V I
+
R,
J
R:t VI R,
+
=..:=-
44
R:' R, FACTOR
r,"OR,+ R' + R -
.W _
.' ,
Regla 3. Si R, (o R,) est en paralelo con la rama que contiene a R, (o R, l, se afecta R, (o R2 ) (la misma
resistencia que se toma como referencia para el paralelo) por su factor correspondiente en el denominador
nicamente.
Ejemplo:
L 11,,1',
+
R,
v,
R, ~R'"
=-
R, l R, + R1AC ]
[ r
i
= R, + R 1AC
+ R, [';'CTOR
11.6 ANA LISIS DE CIRCUITOS CON EL METODO DE PARALELOS APARENTES
A continuacin se presentan varios circuitos con transistores bipolares de unin analizados con el Mtodo
de Paralelos Aparentes. Nuevamente se repite que el procedimiento de anlisis es vlido tambin para
circuitos con transistores de efecto dc campo o con vl vulas al vaco.
Paso 1
r .'<11
~--A.R/\: ~
+ - +
+
V, ",
+
'----------------0--.-+-----------(:>--'
B
45
Paso 2
r~r
, . 11 [ .
'" +
R
IAC
r[r+R .]
] =' " {,le
R' r
IIR'=r+'
.' " R .,-' +rIt
r =r R:r. ( l + J.l" )
+ -::.-.::..~_:....:~
.,,,1,, R' +r
.' Il
Paso 1
ri r.w<l
R'
.'
+ +
Vi V R IAC
"
46
Paso 2
[r + R '] = Ro [ r. + R,.']
n .< r+r+R'
o .<
lI:
r. = r + RUlC ro ( I + ~" )
,. R
LAC + ro
Paso 1
r, r ., .. /
+ +
Vi
V"
---{)-------.+-------o--'
47
Paso 2
r,=r,+R E 1I [r,,+RlCl
r,,,,=r,,+R E 1I [r,+R:]
Re [r, + R:]
r =r + ---"'----"--'--'-
_"'/ " R.+r
1: n:
+R'.'
Las expresiones de las resistencias de entrada y de salida y de la ganancia en voltaje para cada una de
las configuraciones anteriores, coinciden con los resultados que se obtienen empleando el anlisis
tradicional. Para comprobarlo es necesario reacomodar las expresiones de manera que presenten la misma
estructura.
A partir de los resultados encontrados por este mtodo (resultados exactos), se pueden obtener todos
los casos particulares que se deriven de stos, sustituyendo las aproximaciones correspondientes en cada
expresin (por ejemplo: ro RLAC ; R: r., etc).
Como ejemplo para mostrar la aplicacin de este mtodo al anlisis de circuitos ms complicados, se
presenta un circuito par diferencial con cargas activas y fuente de cOlTiente. Se obtendrn los valores de
r, ' r", y A,", en modo comn puro.
,. t'
48
Q7
V
",
r=r=r=r
v. ()-- \----<) v. (/1 "4 "2 (15
" Q, Q, '2
,----i----r
r"1 = r = 2r
"2 ":,-
"~
Q,
Al analizar el circuito en modo comn puro, se puede aplicar el concepto del medio circuito. Por lo
tanto el circuito de pequea seal queda como sigue:
Paso 1
e, I
r \r-'--o---,---o..J
", +
r
",1
o------+---------o--'----{)
Paso 2
,,] 04 "1
,." = .11
r + r"1
1
[\3" 3+~]
49
Valor exacto para r"", (regla 2):
r + r (1
[R'~!tl + 11" )]
1Ir +
"l
r =r 11
.'''', "4 "1 r"1 +R'' +r11
1
R,
I;Q
=r "1 [
1>.
_P,-,-+2]
3
Como ltimo ejemplo, se aplica el Mtodo de Paralelos Aparentes, a una configuracin de Par Darlington,
en forma traslapada, es decir, se analiza la posicin relativa de las resistcncias r Y r .. ' y despus, la K
posicin relativa de las resistencias r1[2 y r"2 ,como si fueran dos mallas independien~es, '
"EQ
r1[60 C'iO
~.., = ~'" =~..
R, so
Q, r /tI = ~ " X
rl
->
+ Q, R1A ("
v, r"1 = ~ ""2
r
Eo
- - gm,
- gm, =13
"
Paso!
r K r
EO "EQ
r 1l",V, r
R.' ", +-
",
+ + v, +
+ + r"2
v, rv v., v, rK, v" R LAC
+ !J."2 v2
50
Paso 2
l'
"EQ
= l' "2
11 [1' "1 + l'11
2
11 (1' /tI + R ., )]
l'
L:~
[1'": + l'"1 (1 + f~ " )]
r
:lJ:/j
=r III
+
r +r +r
n~ "1 "~
1'[1'+1'(1+13)]
Il') ti... "1 ti
1'" ( 1'" + R, )]
1'''' [ 1'", + --;--;;-:--;'"R
1f 11, .'
2
l' ~ ~ ~ _ .-~-,-~-=--:-
"IOQ l'
11-,
(1' 11 + R., )
1
l' (1+13 )+1' +~'-~-
"2 " <J r+
II
r n + R .'
2 1
51
CAPITULO III
PAR DARLINGTON
/
111.1 INTRODUCCIN
El Par Darlington es lin sistema formado por dos transistores que permite tener una ganancia en corriente
elevada, por lo que se le emplea mucho en circuitos de potencia.
Existen dos tipos de pares Darlington:
Cada tipo de Par Darlington se puede representar como un solo transistor equivalente con una ~
equivalente asociada a ste. A continuacin se presentan cada lll10 de los Pares Darlingtoll, haciendo un
anlisis en CD para los dos tipos y un anlisis en pequea seal para el tipo CC-CE.
E",u EEQ
C"(.I en)
Anlisis en CD
Las principales relaciones de voltajes y corrienles para el Par Darlington Ce-CE se presentan ,r conti-
nuacin:
55
-
r;vc: CH.
~+
+ +
e(
+
+)
B Q, Ve,.;'
",:,,-'1
VUI.., v("/;'
+~
V
." --------..-
+
V
''',
Q, Ver
"'
)
E
Voltajes Corrientes
Caracterstica
principal del
tipo CC-CE
Q, nunca se satura
Ganancia de corriente
le, Ir
Sean 13, =1 y 13, = I '
8 8
1 2
con e
Pero:
Como:
Sigue:
Finalmente:
56
Par Darlington emisor-comn emisor-comn
Para este tipo de Par Darlington, los dos transistores (Q I Y Q,) se encuentran en configuracin de emisor
comn.
Con base en el compOltamiento de voltaje y corriente de este tipo de Par Darlington, se definen los
siguientes transistores equivalentes:
E'ooQ E"Q
EEQ EEQ
BEQ~ Q, ~~
-. B EQ QEQ PNP EQUIV ALENTE
Q I siempre determina la posicin del emisor y la polaridad del transistor equivalente en el par.
Anlisis ell CD
De la misma fonna que en el caso anterior, se presentan a continuacin las principales relaciones de voltajes
y corrientes para el Par Darlington CE-CE:
57
B
e
------+
V cu
+ +\
~ 1"
+
~ 1",
/VCB' +
+
VEB
. ,
+ Q, V rc Vcri
--
1" J" I
1" I
+---
---
1"
Q,
)
B Q, VeE , V aC2 B Q,
+ + - Je,
~-V ---+
1"., J"
BE )
E B
Voltajes Corrientes
Ganancia de corriente
1 1
A,CI R e2
Sea PI
B
Y p'=r 8
I 2
[Po =~:
EQ I con e
Pero:
As:
Queda:
58
1II.3 POLARIZACION DEL PAR DARLINGTON
Debido a que cualquiera de los tipos del Par Darlington, se puede analizar como un transistor equivalente,
los mtodos de polarizacin del par sern los mismos que se emplean para polarizar a un solo transistor,
usando el valor de la p" equivalente en las ecuaciones correspondientes, y tomando en cuenta el voltaje
de encendido de la unin base-emisor equivalente para cada configuracin.
El anlisis en pequea seal consistir en obtener el modelo hbrido 11: para el transistor equivalente
(r'eQ , r"EQ , gm ) en configuracin de emisor-comn, a partir del modelo compuesto del Par Darlington:
EQ
@
)1
E +/,
r
",
i"
+
r
", r
"2
I,.E i.,
59
lh
80-=:::",
+.?
v <>r
~ <'. 'EQ
/ i
PI = -.2
II
I =-'.-'. y
8, lh I
~I = ~,=~o
Puede considerarse:
le
/ el =/El =/8 =2
A
2
P"
Entonces:
60
1 - _
e,
---
61
~r =1'- ", (1", '\
"ti V
8H1
Q
r -~~
Vii
",-- - 1,_,
} )
r "1 -
_R r
1-"" ,....._
,.---- --
r =
/'" (~::~, L
/e, -C_- -".VC/;"l
/ c, ----
~r"'=~d 1
~ ~=====~~~~~~=::V"C:E'-'
d V C:
2
Q
1) Transconductancia equivalente
,
\' '" (J
~@;)
i
Q ~ +-'-
1
+
rn,
+ vh
I i gm1vh
1
r
", li" +
O
Q
-
Se toma: i <
= i 1 + i,.~. ',.
, '
pues 1
,I
l
'2
Como:
Por lo tanto:
La gm es la gm del transistor Q, dividida entre 2. Esto es as porq~e la corriente i, es casi igual a i,., ,
EQ
es decir, el transistor Q, contribuye con la mayora de la corriente de salida i,.. Entonces solamente el
voltaje v,'.., tiene control sobre i'., ~ i . Ycomo se tiene que V h I = v" Y v" = v" 1
+'v"" ' entonces solamente ~
la mitad del voltaje de entrada ,e" ticne efecto sobre el control de'la corriente i, .l'or tanto. la transcon-
ductancia equivalente es:
63
g""
gml:'U =2
2) r, equivalente
r
'EQ
l
b
:-...=i+--.@)
+ vb r
I ",
L -_ _ +-_ _---'
;)
Vb
'----------., r------+Q
r,, r
"~
rf!)
O------------------<~E?='---
Transformando el modelo del transistor a fuente de voltaje para simplicar el anlisis, resulta:
r
'EQ
1
~
B EQ + VI
EI !-lIV I r CI (.
"1 .......--
,:-.+-Oo--+---.fi\/\/\r-.....---{+~ \r-+.....---OCEQ
B, C,
+
r
+ V. v, ",
E, + fl",v,
L------.o---------<~------+------+-----o
EEQ
Nota: El valor de r, depende de la terminacin que tenga el' circuito a la salida (entre CEQ y EEQ):
circuito abiert~ corto circuito o algn valor de resistencia.
64
Clculo de rneQ con terminaciu de circuito abierto a la salida (ie = O)
i) (r. , + r. ) , -r 1 =V,
" '
ii) - r
"
1
'
+ ( r'2+ r", + r", ) 1, = - Jl", v, + Jl"2 v,
iii) v I =1.... r TT]
iv) v,=(l-I,)r
, "
o bien:
Al. + BI, = V,
el, + DI, =0
Resolviendo para ( :
M VD
I =-' =--'---
, 1'.. AD-BC
Entonces:
V AD-BC BC
r =-'-=-----=A--
'EQ l.D D
Sustituyendo:
65
AD- BC= r" r" (~l .., + 1 ) + r., r", + r" r", + r,,' (~l", + 1 ) + ...
... r/t r,.\ +r~ r(J2 +rIr. r r"l rtz ro:! +1)
11 -r'(1I
/t
2 2
AD-BC
D
Finalmente:
.
Para r 1t , si la terminacin del circuito es corto circuito, se tendr lo siguiente:
EQ
66
I. BEQ r fl"j VI i, CEQ
--+
'1 E I CI +--
BI + VI
B,
+
r
+ V, v, r ", v,=O
"
..t"2 V2
E,
EEQ
rlt -
EQ
El circuito se reduce a:
l, r'1 flo j v
--- BEQ
BI + VI
E I
B,
CI CEQ
+ V, r
" v, =0
Lo-F r1I :
1Q
E,
_ EEQ
II r"l) ( 1 + ~" )
t) y 2)
Queda finalmente:
r 11
fQ
=r 1(1
+ r (1 + P"
11
A )
2
~ 2r
!tI
; para v =O (corto circuito a la salida)
67
Resumiendo:
para i,. = O
para v,. = O
3) r" equivalente:
r
"EQ
J...lo,v r
CEO~
1
BEO + VI EI "1 CI
BI r B,
'1
+
r
R.'
(:) Vi r
"
0 ",
(:) + V,
E,
-+O
-:fEO
i) r ., 1 ., '
- r 1 -O =V . +~
", v
2
ii) -r 1
"2 ,(
+ (r0 1 + r "2 + r., ) 1, - rrc 1:..., =~
(JI
v_~
I 02
V
2
iv) VI = - r'11,
v) v, = r" (/, - 1, )
68
i') ro, 1< =V<
-r 1, o
",
o -r /, o
"
Resolviendo el sistema para 1, :
.I
/ =--'
, !:>
V, Vx !:>
r =-=---=-V
"E<2 / : <MI!:>
.l
M .t
'
r r
=:: _~2 _ 2
[ ,
r :::: r
"EQ "2 1':d,1 V,
3)
69
S) fl "1 r II I =~r
""]
yrn:.._
[l+ll
_1" f'..,
]=r +RIJ" r"..._
1(.,
=rIr..,.+r
1 "
~r"
1
Por lo tanto:
r = r
"EQ "2 2rnI r"1 +r/tI r"1
Adems: r
1
= ~"r 2
, con lo cual resulta:
r =r
"EQ "2
3
-2 r_," ::;; r1tl:.~Q ::;; 2r_")
70
De este modelo se observa lo siguiente:
1) La resistencia de entrada del par es un poco mayor a la resistencia Y, del transistor Q, . Sin embargo,
como Q trabaja con un nivel de corriente de base que es ~. veces menor que la corriente de base de
Q" la resistencia de entrada del par resulta mucho mayor que la resistencia Y, del transistor Q, .
2) La resistencia de salida del par es un poco menor que la resistencia Y" del transistor Q,. Esto se debe
a la presencia del colector del transistor Q, conectado al colector del transistor Q" lo cual genera
una impedancia que se encuentra en paralelo con la Y" del transistor Q, .
3) La transconductancia equivalente del par es la mitad del valor de la trasconductancia del transistor
Q" debido a que el voltaje aplicado a la entrada del par se divide en dos partes iguales en las uniones
base-emisor de Q, y Q,. Adems el transistor Q, maneja casi la totalidad de la corriente de salida
del par, por lo cual slo el voltaje de entrada aplicado a la unin base-emisor de Q, (Ih de Vi)
controlar la corriente de salida de par.
Para este anlisis se emplearn valores numricos, considerando que los circuitos se encuentran polariza-
dos con una corriente de colector de le = ImA (le = lmA para el par Darlington).
,
EMISOR COMUN
le = ImA
VA = loov
V r =25mV
~,,=200
Re =5KQ
grn =40mA IV
Y,=5KQ
r,,= looKQ
r. =20MQ
, =r, =5KQ
r.'
A = V"v. = _ g R =_ 200''(r R )
v , '" e " e
',. A
A =-;-= f' = 200
I lb <l
71
PAR DARLlNGTON
le'" ImA
r-+--- r~al '
r VA'" looV
____----t--o v" VT ", 25mV
VO+--l Fe [3" = 200
Q, Re "'5KQ
gm I "'0.2mAIV g m, ",40mA1V
r '" IQ r =5KQ
" "
r ",2MQ
"] r
", '" looKQ
r
", = 4000MQ r
", = 20MQ
r '" 1,958,872Q E 3~
1.5MQ '" - 2I , 2MQ = 2r ]
~ [ ni
2 -
3 r 2 "'66.6 KQ
r (}EQ "'-
72
Comparando los resultados entre s se observa lo siguiente:
1) La r i ' del Par Darlington es ms grande que la del emisor comn, debido a que QI del par, demanda
una corriente de entrada ~o veces menor que la que demanda el emisor comn.
2) La r,o' ' del Par Darlington es menor que la del emisor comn.
3) La Av = V o / Vi para el Par Darlington es la mitad de la Av del emisor comn. Esto se debe a que la
g m del Par es la mitad de la g del emisor comn (ver el anlisis que se present al obtener la
lit
EQ
g del par Darlington).
/liBO
El efecto de Q, es:
73
CAPITULO IV
~,<y
A
- x A
A =--"=---
f x, l+~A
Como se puede observar la r wl ' est limitada por el valor de r" y, por lo tanto, la ganancia Av mxi-
ma que se podra obtener estara limitada al valor de -gmr" = -fl", en el caso de que Re fuera mucho
mayor que r,,'
En cuanto a la respuesta en frecuencia del emisor comn, se puede asegurar que el ancho de banda
(BW) para Av ' = 1'" Iv, se reduce conforme se aumenta la ganancia en voltaje A,. = v" Iv, ' Esto se debe a
77
que la capacitancia colector-base (e,) del transistor se refleja hacia la base A,. veces ms grande que su
valor original.
Por Miller:
2
I Z 2 + +
o---1L----J1-o
+ +
V, Z2
V2
-~-
-=
Donde:
__Z_ kz
Z2 - - -
Z, - 1- k k- I
2 V
k=-< I
v,
---j "
e
R.' 2
+ + + +
V,
o
Vi
e'L V. r, r
"
V
k=A =--" < I
v Vi
I
z,
78
SI
o-wv--r-r-
V+
R,
V+ (I+Av)C
I
C V+
r"
2
+
v"
O'----'-_~--I~-"'-I' h
Si la ganancia es alta (Av 1), esta capacitancia tendr un valor elevado, lo cual produce que su
reactancia sea pequea a una frecuencia menor quc si su valor fuera cercano a C,' (lo cual oculTira si la
ganancia en voltaje Av fuera menor o igual a la unidad).
Este hecho no permite que un emisor comn con ganancia elevada de voltaje, se pueda emplear como
amplificador de banda ancha (BW grande) o en altas frecuencias.
Las caractersticas de un transistor en configuracin de base comn son:
ri Ru,c
R,
+ r-+--+-DV" r"" = r" + (RE 11 R, 11 r,) (1 + J..l,)
V".
Vi
La configuracin base comn presenta un ancho de banda (BW) muy grande comparado con el de
emisor comn. Esto se debe a que la configuracin de CB no presenta alguna capacitancia en el trayecto
de retroalimentacin v. (colector) a Vi (emisor).
Otra ventaja de ~B es su elevada resistencia de salida, con la cual se podra lograr una ganancia en
voltaje mxima de Av = gmr,", (r"" rJ mucho mayor que la ganancia mxima de un emisor comn.
La desventaja de CB es su resistencia de entrada baja comparada con la que presenta un CE. Si la
configuracin se va a emplear como amplificador de voltaje, entonces se requiere de una r' alta, como
la de CE.
79
Del anlisis anterior se concluye que para obtener un amplificador con un ancho de banda elevado,
resistencia de entrada alta, resistencia de salida alta y ganancia en voltaje elevada, se necesitan combinar
las caractersticas de las configuraCiones anteriores: CE y CB.
El Par Cascodo es un circuito de acoplamiento directo formado por una etapa de entrada en emisor comn
y una etapa de salida en base comn.
La caracterstica de resistencia de entrada alta la proporciona el emisor comn, y la resistencia de salida
alta y ganancia en voltaje elevada las proporciona el circuito en base comn.
Como base comn presenta un ancho de banda grande, entonces la etapa del emisor comn deber
presentar tambin un ancho de banda grande, para lo cual se requiere que su ganancia en voltaje sea mnima
(para el caso del Par Cascodo, la ganancia en voltaje del emisor comn es Av = -1.0 para RfA(' r).
6+;" "
r, =rn Cli r ' = (~ r) 11 r
R,
v, o----A./Vv
v., L I I CE. v
"
~ _ >R LAC
A = v"
v v.,
, v
BW grande para Av --
v
"
.,
80
Circuito con transistores:
Ru.c
v"
+ V;, Q,
Vi Q,
(+ V,.,.
+Vo- Q,
l' +
V BE -
2
Q,
+
-
vR F.
Del circuito se observa que los dos transistores manejan la misma corriente de colector le (suponiendo
[3,, 1), por lo que los valores de los parmetros del modelo hbrido 1t de los dos transistores son iguales.
Para polarizar el Par Cascado, se fija la corriente le polarizando primero al transistor Q, en emisor
comn por el mtodo conocido (R/lB [3"R E ).
81
+ Vcc:
RI !JCI RR8
(I
Q,
R,
- -
f"~ -
RE
R,
V 'O---V
B8 R+R
1 ,
cc
R8B = RIIIR,
P(VBB -. VB ON )
R
Ahora, haciendo que se cumpla que RE ;: se obtiene lo siguiente:
(VBB- V 8E )
f ~ ON
e, RE
o bien:
f
CI
~..l.[ R,
R R +R
V _V
ce ON
BE
]
El,
Como el transistor Q, presenta una ganancia en voltaje de -l.O (se demostrar ms adelante), y si se
aplica voltaje de pequea seal en la base de QI' en su colector no habr una variacin muy grande de
v ' por lo que el voltaje colector-emisor de polarizacin de QI (VeE ) se puede fijar a un valor cercano al
Ve:
eE
,para que el resto del voltaje disponible de la fuente de alimentacin lo pueda aprovechar el
SAT 1
transistor Q" el cual s va a proporcionar toda la ganancia en voltaje del Par Cascado.
82
Basndose en este criterio, se establece que el valor del voltaje de polarizacin V" para Q, debe cumplir
con la condicin:
V2V
/' BE,:!
+V.
Ct
+VRE
SA l'l
donde:
El circuito de polarizacin para Q, se disea tomando en cuenta que el valor de voltaje + V" debe ser
independiente, lo ms posible, de la conexin de la base del transistor Q,. Esto se logra haciendo que la
corriente J" a travs de las resistencia R, y R, sea mucho mayor que la corriente de base Jode Q,.
Del siguiente circuito para Q,: '
Jc,
I =._-'-
n,
[3 + 1
_ _V-'-CL'_ I c,
210-' (1)
R, + R., [3
.......... (2)
IV.4 ANALlSIS EN PEQUEA SEAL
El anlisis en pequea seal consistir en obtener el modelo para el circuito equivalente del Par Cascodo
(r.nEQ, r "EQ ,8 m ) en emisor comn a partir del modelo completo del par.
EQ
+ O-'-~...j
Vi
-~
r
"2
.-----.----+--_-{+-}__l-_..--_e_---,
+ + +
r r r
Vi V,
" ", ",
Bo- e
+ >- '>
v >r
b
<
nEQ
+ 8m E/ b <
r
"EQ
-
E~ E
84
Redibujando el circuito original se tiene:
l'!t l'
EQ "EQ
Jl"2 V2 Q-i
'h
-. G @
+
@ + +
+
v, vh v, 1'" l'
~12
R,
o--
@~
Clculo de los parmetros del modelo hbrido 1t equivalente en configuracin de Emisor Comn
1) 1', equivalente:
l'
l' "t:Q
o'u
~J
~"2V2 l'
+- . ~'A
'VVv
- +---
> ;,
<
;,
v, >1'
< ;>1'
>1'"
< I > "
< .> "2
~~
85
Por el MPA:
VALaR EXACTO
Considerando ",
t""12
1, Il"2 == g"':,":,
r y r"1 r ,queda: !t 2
Entonces:
r ==Arll r
f}f~Q 1-'"" 11
Ahora:
rn EQ == Po..
A r si r,,
.. A"r"
t-'
r ::;::p"r"
"EQ 2
SI rlJ - P,r"
3) Transconductancia equivalente
", '" o
+
V
"
r,.
86
Tomando V h = v, e i,. = ie2=/ 1-g v cuando ve = O.
1"2
.
Del circuito se observa que la carga del colector de Q, es:
r
R.l:Q =r") IIr IIr"2 =-::'lIr
1'. 2 <1.
J, J
1 r.
pero re. ::;: _:::: - rol entonces:
) g... ~,.
Por lo tanto:
l
ve =-g R F-Q v=-grv=-g-v=-v
1 m e. 1 IIl ' I
2 /11
1 ) gm
V
",
Av, =-=-1.0
v,
Este valor de amplificacin de voltaje de Q, (emisor comn) slo es vlido para el caso en que
R e r,.. Si esto no se cumple, entonces el valor de la ganancia de voltaje de Q, vara (no es -1.0). Ver el
apndice C para los casos en que RUle = r,. y RUle r,..
Continuando con el anlisis:
1, -- g'" V "2 -- - g (- v)
1M 1 -
- g vI -
- g '" v.
ni
Por lo tanto:
1
g"'EQ=~
. /,
87
El modelo hbrido lt equivalente para la configuracin Cascodo es:
80------, .---------.-----{) C
E o-----~----------------<>__--__OE
1) La resistencia de entrada del par es alta, igual al valor de la resistencia de entrada de la configuracin
de un solo transistor en emisor comn.
2) La resistencia de salida del Par es muy alta comparada con el valor de la resistencia r" del transistor
Q,. Esto se debe a que el emisor del transistor Q, no se encuentra conectado a tierra, sino que tiene
una resistencia (entre emisor y tien'a) de valor r", la cual, junto con r. y R" se reflejan r.acia el
colector de Q" produciendo as un valor muy grande para r" .
3) La transconductancia equivalente es igual a la transconductaHha de cualquiera de los transistores,
debido a que ambos transistores manejan la misma corriente de colector, la cual est controlada con
e.1 voltaje de la unin base-emisor ( v.) del transistor Q, .
4) Como no existe un trayecto de retroalimentacin ( C") de la salida (colector) hacia la entrada (base)
en el circuito equivalente, el Par Cascodo presenta una buena respuesta en frecuencia, es decir, tiene
un ancho de banda grande.
Para este anlisis se considera que ambos circuitos se encuentran polarizados con una corriente de colector
1e = lmA.
EMISOR COMUN
1e = ImA gm=40mAIV
r.= 5KIJ.
.--+--- r.m
ri +-~Ov" r,,= 100KIJ.
88
Y,' -Y,-5Ko.
y '=y
.WJ/ ()
= 100Ko.
v
A v = --"
V.
= - g Re = - 200 .' (
(Y
) Re )
, In
PARCASCODO
VA = lDOV
r--+----r~al
Y
"1 = Y"2
+--0 V" ~,,=200
+ V;, o---lQ,
V;~QI
Yn =Y =5Ko.
7t
EQ
g m =g m =40mAIV
EQ
Y"EQ = (Ap""
Y ) 11 Y11 = 20Mo. 11 Y~l
Y =Y/tEQ =5Ko.
Y.,..,~
=Y EQ = 20Mo. 11 Y
D ~
v
Av = v'.'
1
= - gm Re = - 200 ; (
EQ
Y
"EQ
Re )
89
La funcin de Q, es la de proporcionar una impedancia de entrada grande, mientras que Q, tiene la
funcin de proporcionar tina impedancIa de salida alta, con lo cual se puede lograr tambin una ganan-
cia en voltaje elevada (recurdese que el Par Cascodo se compoIta como un amplificador de transcon-
ductancia).
En algunos sistemas electrnicos se requiere obtener ganancias elevadas (de voltaje o corriente) para
mejorar las caractersticas del mismo, como en el caso de los sistemas retroalimentados, en los cuales, al
tener una ganancia de lazo elevada, el sistema mejora en su respuesta en frecuencia, distorsin, no
linealidad, impedancias de entrada y salida, variaciones de Vee ' etc. Como ejemplo, los amplificadores
operacionales tienen una etapa de amplificacin de voltaje diferencial (con una ganancia muy elevada
Av-t = ).
Tanto en el circuito de emisor comn como en el Par Cascodo, para lograr obtener las ganancias
mximas de stos, se necesitaran emplear resistencias fsicas de carga de valor muy alto
R ue r" o R ue ~f" . Esto traera como consecuencia la necesidad de emplear valores muy altos
de la fuente de alimentacin V ec debido a la gran cada de tensin que se producira en la resistencia de
colector (en CD).
Este problema se puede resolver utilizando fuentes de corriente como cargas activas en los circuitos.
La caracterstica de las fuentes de cOlTiente es que presentan una resistencia de valor muy elevado en CA,
con pequeas cadas de tensin entre sus terminales en CD. Una fuente de corriente ideal puede sopoItar
cualquier cada de tensin entre sus terminales y presenta una resistencia infinita a las seales de CA.
Considerando fuentes de corriente ideales, las ganancias en voltaje mximas que tendran las configu-
raciones de emisor comn y Par Cascodo seran:
Vi o---jQ
AV -- - gr-
ro l' - -
11
fA'" (--4000)
MAX
90
PAR CASCaDO CON CARGA ACTIVA
Si r I-l APo r : (1
AV -_gAr-_AIl
- mI-'" ,,- tJ o-..." (-800,000)
MAX
Si r = p"
A r :
1-1 (J
(-400,000)
Sin embargo, las fuentes de corriente reales constmidas con transistores, presentan resistencias de valor
finito a las seales de CA, por lo que la ganancia en voltaje mxima que se puede obtener con estos circuitos,
se ver afectada por la resistencia asociada a las fuentes de corriente como cargas activas.
91
CAPITULO V
CIRCUITOS DE CORRIENTE
CONSTANTE'
V.l INTRODUCCION
Las Fuentes de Corriente (reguladores) con transistores tienen dos usos principales en los circuitos
integrados analgicos:
Una Fuente de Voltaje es un elemento natural que se puede generar por qumica o por mecnica.
Una Fuente de Corriente no existe. Existen Reguladores de Corriente que emplean generacin de
voltaje como fuente de energa primaria.
Las caractersticas ideales para una Fuente de Voltaje y para una Fuente (Regulador) de corriente se
muestran a continuacin:
v
+
v ---------- j----------
~-------------. , L- + V
Para construir dichas fuentes, se pueden emplear transistores bipolares de unin, ya que las earactels-
ticas de ste se aproximan bastante a las caractersticas ideales de las fuentes. Obsrvense las caractersticas
de i ti vs V BE Yde i c vs v ee como aproximaciones a las caractersticas ideales de las Fuentes de Voltaje y
Corriente respectivamente.
'e
L -<.... Veto:
V m:
Aproximacin a una Aproximacin a una
Fuente de Voltaje Fuente de Corriente
95
De lo anterior se observa que si la carga en un circuito con transistores se encuentra conectada en el
emisor, el transistor se comporta como Fuente de Voltaje (ver la figura 1); y si la carga se encuentra
en el colector, el transistor se comportar como un Regulador de Corriente (ver la figura 2).
ll,,=ete
+
VI. = ete
Para ambos circuitos se requiere de un voltaje de referencia VR El transistor se emplea para transformar
los niveles de corriente que maneja la carga respecto a la corriente (I B) que se demanda del voltaje de
referencia (VR ) Esto es, al demandar un nivel bajo de corriente al voltaje de referencia, se asegura que el
valor de ste permanezca lo ms constante posible, permitiendo obtener as una buena regulacin del
voltaje en la carga (V) o de la corriente en la carga (I,,) .
Uno de los problemas que se presenta en los dos circuitos anteriores, es lograr un voltaje de referencia
constante, independiente de las variaciones de Vee , h,e ' temperatura, etc.
Algunos circuitos que permiten lograr un voltaje de referencia a partir de la fuente de alimentacin se
muestran a continuacin.
D,
96
En el circuito (A), VR es sensible a las variaciones de Vee , h FC y temperatura.
En el circuito (B), VR y VBC presentan distinta variacin respecto a la temperatura.
En el circuito (e) se presenta el mismo problema que tiene el circuito (B), a menos que el diodo D,
presente las mismas caractersticas de la unin BE del transistor.
Si el diodo D, en el circuito (e) se sustituye por una unin base-emisor de un transistor Q, que sea
idntico al transistor Q" entonces el Regulador de Corriente ser insensible a las variaciones de tempera-
tura, pues el voltaje de referencia VR, producido por la unin BE del transistor Q" compensar las
variaciones producidas en la unin BE del transistor Q" Un ejemplo de este circuito es el Espejo de
Corriente.
~V
EE
Espejo de Corriente
En este circuito, el voltaje de referencia se genera mediante la cada de tensin en la unin base-emisor
del transistor Q,. En la rama formada por la resistencia RR y el transistor Q, fluye una corriente de
referencia 1R' que se reflejar a la rama fOlmada por la carga y el transistor Q I como una corriente 1". Por esta
razn al circuito se le llama Espejo de Corriente.
El valor de la corriente de salida 1.. puede ser insensible a variaciones de las fuentes de alimentacin (si
Ve," - (- V",,) V." ) Ya variaciones de ~ y temperatura (si Q I es idntico a Q, y ~ 1 ).
A continuacin se presentan los anlisis en CO y en CA para el Espejo de Corriente.
97
V.2.! Anlisis en en [/" = F ( IR)]
+ Vec
t..
l. ~ earga
r,.,,
le .. , +
Va 2
Id"
~\
21e IR
1-1 - - ' =o=; le1 = - - = (1)
R el J3 2' 1e =1 2 (1
0
1+-
13"
Si 13,, 1 entonces:
Vee - (- VEO) - VBE ,
RR
Este circuito se utiliza en circuitos monolticos, en los cuales se puede lograr que los transistores Q, y
Q, sean idnticos, .
Si el valor de 130 no es mucho mayor que 1, entonces de la ecuacin (1) se observI que 1" =le IR . *
Para reducir este error si los transistores no tienen una 13" muy alta, se emplea el siguiente cir~uito:
98
IR 1 v"
carga
-----+
Q,
lB ,
Ic , lc,
Q,
En el calcetar de Q, se obtiene:
pero:
entonces:
2
1=1+ --/.
R c, ~J ~" + 1) e,
Pero como Q, '" Q, y V", = VIIC, ' se cumple que 1e, = le, = (, y resulta:
~.-_.I~R
E l =1..
" (~ 2
I +=,~~
~"+~,,
1" difiere en un factor de 2/(~:' + ~J de la Iu- Aun cuando ~" no sea muy alta, se puede considerar que:
~
~
En algunos circuitos, como en este caso, se utilizan dos fuentes de alinlcntacin: + Vcc y - Vu : . Esto
se hace as con el objeto de poder realizar acoplamiento directo con otros circuitos_
99
V.2.2 Anlisis en CA [Clculo de r"., a pequea seal]
Dibujando el circuito de pequea seal del Espejo de Corriente original, se obtiene lo siguiente:
r .u
@ Q f{[;)
+
+
RR r v, r carga
v, ", "
@ -
Para los Reguladores de Corriente, se definen cuatro caractersticas principales: Compliancia, Rango de
Operacin, % de Regulacin y Figura de Mrito.
A continuacin se presenta la definicin de cada una de ellas, basndose en el anlisis del Espejo de
Corriente presentado anteriormente.
Las grficas para i vs. v e i e vs. v eE para el circuito del Espejo de Corriente, se muestra a continuacin:
Q "2 2
100
I
I
I
1MAX I--;;---- '
~I
1 /
di =.__
__
0
I
I
dV(J ro I
COMPLIANClA
( ~V"MAX)
---' I
I
CARACTERISTICAS
DE i" vs v" EN
I lA CARGA
I
I
L-------------;I---~--,--,-:----:-------.... v"
O , V ee - (- Vee)
I
I '
I I
I I
L I
I ' CARACTERISTICAS DE
--------. i e vs V eE EN EL
, ,
TRANSISTOR Q,
-~--~- --.v
V ee ," + V V J' V CE2
~ -,---------,:-J~ <- I
1
I
1
~I
~_x
}<>r,,,, 1
I
carga
+--- - ..J
1 - I
101
A partir de las grficas anteriores y del modelo dc la Fuente, se definen la~ siguientes caractersticas:
1) Compliancia
Es el mximo incremento de voltaje v" que se puede generar en la carga (L\v" ) sin que el circuito
x
pierda su funcionamiento como Regulador de Corriente. Para lograr est<i se necesita que los
transistores que forman la fuente se mantengan operando en la regin de activa directa.
Para el Espejo de Corriente anterior, la compliancia es:
Compliancia =( + V ee ) - (Ver ) - ( - V cr )
2SAT
lIas
2) Rango de Operacin
El Rango de Operacin para la Fuente de Corriente se define como el intervalo de voltajes dentro
del cual, los transistores que forman la Fuente de Corriente operan en la regin de activa directa.
Para el circuito anterior, este rango sera:
3) % de Regulacin
Es el porcentaJ'e de variacin de la corriente de salida respecto a la corriente / , cuando se conecta
"MAX
una carga al Regulador de Corriente.
4) Figura de Mrito
La Figura de Mrito se define como el voltaje de Thevenin del Regulador de Corriente a circuito abierto.
Entre ms alto es el valor de la Figura de Mrito, son mejores las caractersticas del Regulador: mayor
r."" ' mejor regulacin, etc.
Para el Espejo de Corriente anterior, la figura de mrito es:
VA
VtI =/e r =/e -=V
!1 / A
2 2
e,
Para mejorar las caractersticas del Espejo de Corriente, se puede aumentar el valor de la res istencia de
salida incluyendo resistencias en los emisores de los transistores Q 1 Y Q, . Esto permite mejorar el % de
Regulacin y la Figura de Mrito de la Fuente.
carga
,...-t-,-.-r
tI''''
e,
Se suponc, solamente:
p, ' [3, I
Entonces:
\03
Donde:
En la prctica:
RE
0.2~ TE
~ 5.0
2
Si no se observa esta restriccin, la discrepancia entre los valores de VBE y V B, causar que ya no se
" entre 1" e IR'
cumpIaIa relaclon ' ,
Para el clculo de r"" , se considera el circuito completo con los modelos de pequea seal pues el emisor
de Q, no est puesto a tierra de CA.
Corto-circuito externo
en la unin CB de Q,
1
+ +
r
",
104
El transistor Q, con el corto-circuito en la unin CE se modela como sigue:
G Q---.--------.------1r--o 0, r0.,
'Y o--~--__<o'0'
r r,
",
1 1
r 1 =r/tI 1I-lIr
g ('1
=g- = r('.
mI mi JI
r
",
+ v.,
Rs, R E, carga
105
R,:, [ R" + r" ( I + fl.., ) ]
r !Uf ~ r"2 + -"----''----''----.:....._ Valor exacto
De este resultado se observa que la r,.., para este circuito es mayor que la r.../ del Espejo de Corriente sin
resistencias de emisor.
Si se cumple que R s, RE y R E r" entonces se obtiene lo siguiente:
La resistencia de emisor
1","/ = r .., + RE, ( 1 + ~'" ) REo se refleja hacia el colector
de"Q, como RE, ( I + ~'" )
RE, no puede ser muy pequea porque la r.../ de la fuente disminuye (tiende a r).
RE no puede ser muy alta porque la cada de tensin en ella en CD ser muy alta y se pierde compliancia
, de la fuente, ( V
RE ,= -
.' REo' 1.. ) .
Para aumentar todava ms la resistencia de salida del Espejo de Corriente, se necesita aumentar el valor
de la resistencia de emisor (RE)' pero esto ocasionara que la Compliancia de la Fuente se redujera
demasiado. Para evitar esto, se tsa la resistencia de salida de un emisor comn (1") como resistencia de
ensor RE ' lo cual evita que se genere una cada de tensin elevada sobre 1".., permitiendo as tener una
Compliania alta para la Fuente. Obsrvese en el diagrama del Espejo de Corriente Cascodo, que el transistor
Q, acta como fuente de corriente para el ensor del transistor QI' presentndole una resistencia de valor 1"". '
Considerando VBE = O.6Vy VEE = O.6V, se tiene del circuito que VEE) =O.6V, lo cual permite lograr
~~m
106
.-------.--0 + Vcc
. - - - - j - - - rwl
Haciendo un anlisis en CD similar al que se realiz para el Espejo de COlTiente anterior, se puede
demostrar que:
~
Vcc- 2VBC - (- VEE )
1"=1
el
= RR Y
_I_c_,_=_I_c,_=_lc_,_=_I_c_,_1 para~,, I
Para calcular el valor de r,,,/ por el MPA, se plantea el siguiente circuito, en el cual los transistores
Q, y Q4 se consideran como resistencias de valor r, (= l/g.l debido a la conexin que presentan
(colector y base en corto circuito): J
r ., \~-----,
carga
107
Como r, = r, r", y suponiendo R. (r,. + r,. ) y r, + r, -) O, entonces:
1~ J.j . I~ " 1~ ).\
1) r 11 r = r
r j .. 1t.1 t'i..
2) (r, + r, ) 11 RR = r, + r,.
J~ I~ J~)2
3) v, -7 O
Por lo tanto, el nodo A se comporta, aproximadamente, como una tierra virtual (su potencial es muy
cercano a cero volts porque r,. y r,. son muy pequeas), por lo que el circuito simplificado queda como
}, '4
sIgue:
carga
Valor exacto
si
108
Para 1" = lmA Ycon los valores de referencia:
Esta Fuente es una variacin del Espejo de Corriente. Se pueden obtener corrientes de salida muy
pequeas con corrientes de referencia grandes, lo cual permite que la resistencia de referencia RR no sea
de valor grande, ahorrando de esta manera rea de integracin.
donde
o bien:
con
109
Para propsitos de diseo. IR e 1" son datos conocidos y permiten detemnar el valor requerido para R", '
El circuito de pequea seal de la Fuente de Con'iente Widlar. se dibuja considerando que el transistor
Q, se comporta como una resistencia de valor r,. debido al corto circuito que presenta entre colector y
base. ']
r.\'/~I
@Q @ 9
+
v, r,, r
d
",
RR r,. carga
']
RE,
~",v,
r
" @
+-
+ v,
r,. carga
']
Valor exacto
ComorX re :
2 jl
110
Si se cumple que RE, r", , entonces:
r,:-
~'
=r +R
"2 {';2
(1+IIJ
r"2
Para esta Fuente de Corriente se tiene la ventaja de que la r,"/ es alta comparada con la del Espejo de
COITiente sencillo.
Una de las aplicaciones de las Fuentes (Reguladores) de COITiente, es como carga activa en circuitos
amplificadores. A continuacin se mnestra el anlisis de un circuito emisor comn con carga activa (la
aplicacin de la Fuente de Corriente como elemento de polarizacin se ver en el siguiente captulo
correspondiente al Par Diferencial).
V.7.! Anlisis en eD
Del circuito:
~~-~,
le, '.\'(jl
-----j--{) +
le, k" VEe2 = V ec
'
- Vc!'
. '1
+0-----.-----1 Q,
v.
'~
-
'e , le:!
If
r----------- [REF
1--(
"Re = CONSTANTE
\-'rl"., . - V
elO2
111
Superponiendo las grficas anteriores en una soia, resulta:
ie, ic~
.Ji
!
580mV= VD"
570
fl \
560
V CE =v
O Vec l
(>
1-
L Q, y Q, en
activa directa
~I
QI - saturado L Q2 -- saturado
v"
V ee
!,,
,
----~------------- I - - -
2
i,
_______J_____ -----------------+--t----",-----
O ----'-----I---'--+I--- v'
IR
VI' In T = 0.570V
s
De esta funcin de transferencia se observa que el circuito presentar una ganancia en voltaje muy alta
debido a la pendiente de la curva.
La Fuente de Corriente formada por Q2 y Q, se puede modelar como una Fuente de Corriente ideal con
su resistencia asociada.
112
r
",
v"
Vi Q
l r.l:aJ
A pequea seal, la resistencia que presenta la Fuente de Corriente al colector del transistor
Q, es ' .." = '''2 . Por lo tanto, el modelo del circuito a pequea seal queda:
+0------,
+ +
v r, r
I ", V"
o-----~---__<~
-=-
r
r
w,
=: r"1 1I r"2 ::::-E.
2
AV =
, =-"
,
.,"/ 2
113
Con los valores de referencia. se obtiene:
A
v
=- 4000
2
= _ 2000
r
.....1
= IOOK
2 =50K
114
CAPITULO VI
PAR DIFERENCIAL
(PAR AC()PLADO POR EMISOR)
VI.1 INTRODUCCION
Un sistema amplificador muy bien construido puede manejar seales del orden de 2mV aproximadamente
como mnimo con respecto a tierra. La razn de esto es, que a ese nivel de amplitud el ruido es muy
apreciable en la seal que se desea amplificar.
l (grande)
R
~~' dtJ:~R'
A A ."
+ ~VV\--O-
v.,. "'--' A
- ~
-r
~
Sistema de
terminacin
simple
%- ij
Ruido
1
Distorsin por ruido
ambiental inducido en la lnea
de transmisin de la
seal
\v., =Av I
Con un Par Diferencial se pueden manejar seales del orden de 2..V debido al mecanismo de
funcionamiento del Par, el cual permite rechazar seales en modo comn, como lo sera el ruido. Para
lograr esto, se requiere que el Par Diferencial reciba una seal diferencial.
Para obtener una seal diferencial a partir de una fuente de seal referida a tierra, se puede emplear
algn circuito que se pueda modelar como si fuera un transformador con derivacin central en el
secundario.
R,
+
v
+ "
v,
11
117
Al enviar una seal diferencial a travs dc una lnca de transmisin, el ruido afectar a las lneas activas
con la misma amplitud (seal en modo comn), mientras que la seal enviada se encontrar en fomla
diferencial entre las dos lneas activas.
1(grande)
.','-----j 1-1- -
VI = v.,. + v,
} v" = K (v, - v, )
donde:
La funcin principal del Par Diferencial es RECHAZAR seales en modo comn y AMPLIFICAR
seales en modo diferencial. Para lograr esto, el mecanismo de funcionamiento del Par es tal que, en
modo diferencial, se comporta como un emisor comn (con ganancia - 8 m (r" 11 R c ,
y en modo comn
se comporta como un emisor degenerado (con ganancia aproximada de - Rc IR EE ). Como generalmente
el valor de RE' es muy alto, entonces esta ganancia es muy pequea.
118
Av" = -g,fie Av = -Rc/R EE
<
(grande) (pequea)
t--~--.{) + +
v 12 v
+ ,-------{Q "" + Q "<
v.12 v.
'" - -'L ~-'L R EE
-
Re Re
+ -
+ O- O- +
V
V
",
-l
1"" 1
le, le,
l-
V
"2
- -
Q, Q,
+
+
V. F., - - V. E,
V. V
" "
Anlisis en CD
Este anlisis est dividido en dos partes. En la primera parte se estudia el comportanliento de las cOlTientes
de colector le, e le, como funcin del voltaje diferencial Vi" .
En la segunda parte se estudia el comportamiento del voltaje de salida diferencial v" en funcin del
voltaJ'e de entrada diferencial v . "
'"
119
VI.2.1 Anlisis del comportamiento de 1c, el c, en funcin de Vid
-~ l'.
"
+ Vo'""' - V8~'
"'2
+ v.';, :::: O
Tambin:
J 1 "BEI/Vr
el SI e e("BEI-v8E2YVr : :; ; e (Vjl-vi2YVT
/c ISz eVBE2IVr:=
2
lc
Por lo tanto: T =
C2
e'i/vT (1)
Se define: I=
Vid Vi, - v'l I como voltaje diferencial de entrada
le
1 =_2
0. a
"
Despejando le de la ecuacin 2:
J
Pero, de (1):
le
lc, = le, le: =le, e-'id/vT (4)
120
alEE
le = - ; (5)
I 1 + e-vidlVr
En fonna anlogo para le :
2
alEE ....................................................................................................................................(6)
1 + eVidlVT
A continuacin se muestran grficamente los resultados obtenidos para le e le en funcin del voltaje
d1'ferencl'al V . . ' ,
',/
0.5 aJEE
-RANGO DE OPERAClN-1
UNEAL (4VT)
UMITE DE OPERACIN (8VT)
'\
L-- . --'
121
En la grfica se puede observar el rango de v, de operacin lim:al. que va dcsde - 2 Vrhasta + 2 V r , as
como el lmite de operacin (respecto a v, ) d~l Par Diferencial, desde - 4 V, hasta + 4 V r . Se le llama
lmite de operacin porque, para estos val~res de v i, , se produce una conmutacin de corriente de una
rama hacia la otra en el Par Diferencial, es decir, cuando Vi es - 4 Vr la corriente de colector del transistor
Q, es casi igual al valor de la fuente de corriente de polariz5cin (aJE/)' mientras que el transistor Q, tiene
una corriente de colector casi cero. Cuando v. es + 4 V, sucede lo contrario.
'"
VI.2.2 Anlisis del comportamiento de v en funcin de v.'d UJ
1 + e1~ ,I IVT )
1
i) es del tipo
1 '/2 e'/2
1 + e-O>::::: e;K/2 -1-+ e-x:::::; ex12 + e- x12
1
ii) esdel tipo
Por lo tanto:
~x12 .>:/2 -x/2
e e - e
e
xl2
+e
-.>:/2 -.>:/2
e +e
x/2 e x/2 + e -:</2
u -11
e -e sinh u e -e
11 -"
122
Si u=Yz : tanh (~)- cce'_/cc'_--=e_-_'Icc'
2 - ex/2+e-x/2
V.
'd
Conx=--
V-
.
T
--------,-------,
V. V
'd "d
VT - 0.462
2VT - 0.762
3 V., - 0.905
4Vr
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _...L - 0.964 _
V
"d
-aJ'ERC
La funcin dc transferencia del Par Diferencial v ",] vs. v.'d se puede emplear para ....,generar una seal
senoidal a partir de una seal triangular cuya amplitud est comprendida entre - 2Vr y + 2 V r . La senoidal
puede tener menos del 1% de distorsin ..
123
,
D1STORSION < 1%
v v'J
-1
"J
I
T - - - -
I
----1L---=+-~---1------
I
.. V.
',1
f---+----.... t
~~
I ~~---------
I 1--
l v.
I
I '"
I
I
TRIANGULAR
.Para que el Par Diferencial pueda RECHAZAR seales en modo comn y AMPLIFICAR seales
en modo diferencial, requiere que los transistores Q, y Q, del Par, operen en la regin de activa directa
y que la fuente de corriente tenga la mxima compliancia (sus transistores deben operar tambin en la
regin de activa directa).
El Rango de Rechazo a Seales en Modo Comn, es el intervalo del voltaje de entrada en el cual el Par
Diferencial puede rechazar seales de modo comn. Este intervalo depende del tipo y valor de Re ' as
como del tipo de la fuente de corriente lEE. El criterio para determinar los lmites superior e inferior del
intervalo, consiste en asegurar que en dichos lmites todos los transistores del circuito operen en la regin
de activa directa. Esto se logra con valores de Re pequeos.
124
Ejemplo:
IK
5001JA 500IJA
V il 0 - - - - - QI Q2 j - - - - - - - { ) V
'2
-15V + V
CE,"::! +I V =I - 15V+O.6V+O.6V= -13.8V
Y ~
BE
El lmite superior del voltaje comn de entrada al circuito est determinado por la cada de tensin sobre
las resistencias Re' Considerando un Ve"
' . .
= O.6V para Q, y Q, (Veo = V CE.'"' - V 8E =
O6
. V - O6V
. = O. OV), entonces e11 umte supenor sera:
.,""EOS)
y
+ Vee
L.;:J
L_
Q ,
Cada de tensin sobre Re
Voltaje CB mnimo en el lmite de saturacin
Estos lmites obtenidos son vlidos si al circuito se le aplican seales en modo comn puro. Si la seal
de entrada presenta componentes de seal comn y de seal diferencial, entonces estos lmi tes varan de
acuerdo a la amplitud de la seal diferencial que se aplique al circuito.
125
En el ejemplo anterior, si el valor de N,. aumenta, el lmite superior del intervalo se reduce. El Par
Diferencial se disea para que presente el mayor Rango de Rechazo a Seales en Modo Comn, para
lo cual se deben conectar resistencias Ne de valor pequeo.
El Par Diferencial se considera un circuito de cuatro pares de terminales. por lo que su funcin de
transferencia se expresar en forma de matriz de transferencia.
El anlisis del Par en pequea seal se puede hacer desde dos puntos de vista diferentes pero relacionados
entre s:
+ o +
v. v
" ", v"1 -A,1v.'1 +Apv.
~ '2'
- Amplificador ~
Diferencial v"2 : : : A 21 v.'1 + A2'1V.'2
N
+ +
v. v
" ",
O !- ~
+
v". =A nnv.'e +A t"m-- ,v.
m 'el
Amplificador
Diferencial V
"el
=A,<1II-<"mV.'., +A dm V.',/
+ .
+
v. v",
'd
126
donde ~* = A'''' [A A
A,,,-d ]es la matriz de transferencia.
m
l/m-<T11 Jrn
Se definen:
v. + v
'1 '2
Vi" =--2--; V. ::::: V
'd '1
- V
'2
v
"1
+ v"2
2 v
"d
=v "1
- V
(/2
El anlisis del circuito, con los voltajes diferenciales y comunes, se puede hacer de dos formas: con
hase en los elementos A,I' A '" A" YA" del anlisis anterior o aplicando el Concepto del Medio Circuito.
VI.4.1 Anlisis del Par Diferencial en funcin de los voltajes de entrada y de salida referidos a tierra.
Clculo de la matriz A
+ o-- All o +
v. v
" A l, ",
-----o v =A 1I v'1 + A I2 V i1
- - ",
+ o- A '2 ._----{)
+ v"~ =A 21;
v I +A.--. .,v./1
v V
" "2
o- A~2
L-- .____ _
-
\!
"1
-=A"v_'1 +A,"v
- '2
donde:
l'
",
A =\' - \ ",') '" (]
",
A 11 =\'-
11 v" "
,- ~. (]
. "
127
v v
A = _."2 A =....:2
21 V
v. '" ()
22 v. V. '" n
" " " "
+ +
v.
"
+v
.l-'
VI v2 v"
-+g
r mI
v +r-
v +gm2 --
R= 0
7t '/C EE
entonces:
v.'1 - ve v.'2 - V
e v
+gm (V." -V)+g (V. -V)+-'--
r'lt
- ' =0
e m e 12
R EE
128
(
g ni
+~JV'
r
Tt
+(g +~JV.
'[ YIf. -(2g m '2 m r7f. R JV e =0
+1.+_
1
EE
1
&11/ +-;:
+ V.)
V" = 2g
( m +- + - 1)" R1
rrr;
(V
'[ '2
EE
b) Obtencin de V en funcin de v. y V .
"1 '. '2
Sustituyendo el valor de v, .
V + v.
" '2
v=-gR
{JI m c'
= _ gmRc
2
129
rJ 1 + 2g R,.,.(1 1 +- )~
1 'v, - v " - V.""
=
" R.
-~-
2
l m
1+
,. [3,.
1
'
2g )?n( 1 + ~,,)
= _ g",Rc
2
= _ gmRc
2
............................(7)
130
As pues, por analoga de las ecuaciones (7) y (8), Ytomando en cuenta que por simetra se cumple que
A" =A 22 YA 12 =A" ,queda:
1+ gmR (11+--B"1)
liE
g",R c
A" = --2-
1+ I
2g",l?'f ( 1 + n
VI.4.2Anlisis del Par Diferencial en ~uncin de los voltajes de entrada y de salida diferenciales y
comunes. Clculo de la matriz A
+ 0----1 +
A,.",
--- v"
l' = \ v
1fI "
+ A ,-".-d", v.'el
.
V
',/
, V
",)
0~----1
A,",
l31
v.12
'"
v. =.v. - V.
'd " 12
(voltaje de entrada diferencial)
v.
'd
V. =V.
'1 '<o
+-
2 (voltaje nodal de entrada 1)
V
'd
V. = V . - -
/2 /<. 2 (voltaje nodal de entrada 2)
v1>1 +v1>2
V"'---
tic2
(voltaje de salida comn)
V
"d
V =v - - (voltaje nodal de salida 2)
"2 u<. 2
Se definen:
132
~. '" o
, Amplificacin de Modo Comn a Modo Diferencial
'd
V
"d
A<1111 =V.- , Amplificacin en Modo Diferencial Puro
'd ,,
~. "" (1
Para encontrar los valores de A,... ' A''''_dm' Adm-,m y A"m en tlminos de A" ' A 12 , A2I YA22 se procede
como Sigue:
Para v :
"c
v =- v +v )
"(: 2l ( "1 2
v(11 =A"v.'1 +A 12 v;
'2
v"2 =A 2I v'1 +A,Y
-- '2
Substituyendo:
Agrupando:
.......................(9)
Para V
"d
:
v ==v -v
"d "1 "";!
133
V"" =A" h ~}A" (v" - '~/)-A" (v,.
+ + '~/)-A" (v., - '~/)
1 1 1 1
v",/ =A 11 vi, +-A
2 11 v' J +A 1::.,
v --A
2 12 v'd -A,.1',
v -'2-A 21 v'd -A 22 v'. ~ -A"v
2 ~. 'd
v.." = (A" +A,,-A 2I -A,,) v,.. +~ (A" -A"-A,, +A,,) v," =A"",..",'\ +A".y,., (10)
.
A"m'''m=A''m~'''=O solamente se cumple si A" =A" Y A,,=A 2I , lo cual resulta cuando el Par
Difcrencial est balanceado de manera que gmi = g111... , r = r1f y r"1 = r (los transistores del Par son
It "'l
l 2
idnticos). . '
Para A,m Y A"m , se sustituyen los valores de A" YA" obtenidos en el anlisis anterior (IV .4.1):
~Rc
Acm = + 2
134
glllR c
2
1+ g",R {I+
1+
E
._---';l_~
tf l
2g",R {1 + ~,,)
E
~---
1
1
g",R" 1+ ~"
=
1+ 20
0111 ;;.
{1 1)
R 1 +--
A
1-'"
"A - Ji"'R_c _
vlido slo cuando r,, Re
n" - I+ 2g",Rli/i (1 + rFJ
1-'"
1 1 +1
A = _ 8",Rs:.
+ g",R c{ 1 + t J_
"m 2 I
1+--------
2 R
8", ce
(l+l..~
~,,)
135
=
La Razn de Rechazo en Modo Comn (CMRR) se defme como la relacin, en dB, entre la amplificacin
en modo diferencial (A,,) y la amplificacin en modo comn (A,,). Entre ms grande sea el valor del
CMRR, el Par Diferencial rechazar ms las seales en modo comn, esto es, la amplificacin de las
seales en modo comn ser muy pequea comparada con la amplificacin de las seales en modo
diferencial.
Aflm
CMRR = 20 log A
,m
136
1\ ~+I l
l l + - ,-= l ~'-'-
Pero'' e -= l - -= le' entonces:
( ~,,) e ~fl e
u"
le R ee ) '
CMRR -= 20 log 2 V
( r
I \ -=
CMI'R .-. 20 log (leeR
V'T
ee
) va'l'd
lOSO'1 o cuan do r,, R e
Del resultado anterior se observa que la Razn de Rechazo a Seales en Modo Comn (CMRR),
depende solamente de la figura de mrito (le.Ree) de la fuente de corriente que se emplea para polarizar
al Par Diferencial.
El anlisis del Par Diferencial mediante el concepto del Medio Circuito se puede aplicar a un Par que opere
en Modo Comn Puro o Modo Diferencial Puro, y no requicrc que sc cumpla la restriccin quc r" sea
mucho mayor que Re' es decir, este tipo de anlisis es ms general en ese aspecto,
-0+
v
...2...-",
,-----\ Q,
v., +
,
R ee
-
137
V
"<1
V ==v +_=v
", "1 2 ",
v
",
v";:: =v1/ - -2= v",
1,
Este resultado significa que los voltajes nodales en los colectores de los transistores contienen, cada
uno de ellos, el voltaje de salida en modo comn.
Tomando el modelo a pequea seal y partiendo a R':E en dos resistencias 2RHE en paralelo:
+ +
V,
Como V es igual para los dos transistores y v.'1 = v,.2 = v.'(. entonces:
I!
Por lo tanto, el circuito se puede dividir en dos mitades idnticas, pudiendo as analizar solamente una
mitad.
138
l
-
Re Re
+ --O +
V v
~-'" -'L-'"
Vi,
+ r"
-
gmvh r
" -0
~ gmvh rrt ~h
VI> = VI = V2
<R
e
'-<>----------4--'L-_~------~---D -
r, r $<11,
VV\,-~--{)~j
L- ---'
139
Nota: Como la R i", de la fuente de voltaje Vi se considera de O 12 , entonces la resistencia r" conectada
entrc colector y base. se puede dibujar como se muestra en el diagrama.
r. = r + 2REFr" (1 + ~)
',Ir r,.
Este valor coincide con la resistencia de entrada de un emisor degenerado en el cual se cumplen las
condiciones propuestas anteriormente.
Obsrvese que el valor de r",u se puede determinar de la expresin para ri, :
2RE [Re + ro (1 + ~) ]
2R,,+R c +ro
Si ro Re y ro 2R.. entonces:
- - - - Valor exacto
Si r. R c y r. Re entonces:
140
Clculo de la amplificaci6n en modo comn puro (A ,,J
Re
vo, , : : : : : _ - - V ......................................................................(a)
r" + Re '
VX = v. -
/"
Vh - J.l V
(. h
...................................................................... (b)
r.
V
h
=---
r +r
V
,
. (e)
n "u.. .
~
A = - ' = -Re- - [ 1-(1+ 11 ) ~ J - - Valor exacto
V
1:/11
i r + R C'
,. "
t'"
r +r 1t l.!IU
cm rfJ .
r1C + rUI
2R A )
1+--'(l+
r p"
141
V1.6.2 Anlisis en Modo Diferencial Puro
Re
v",/+ -v
"d
.----IQ, Q,f----,
v.
~
2
o entonces v", = O, Y
v v"d
v =v +~= +-
"1c 2 2
v v
v =v -~=-~
"2 (".2 2
Este resultado significa que los voltajes nodales en los colectores de los transistores representan, cada
uno de ellos, la mitad del voltaje de salida diferencial.
Tomando el modelo de pequea seal en modo diferencial puro:
142
V.
+ --"!
2
En modo diferencial puro, cuando uno de los transistores proporciona corriente de AC al nodo E
(g",v, > O), el otro transistor demanda la misma cantidad de corriente (g",v, < O) del nodo E, por lo que la
cOlTiente neta sobre R EE es cero (debido a la componente de pequea seal). Por tanto, la cada de tensin
sobre R"" cs cero y se puede sustituir por un COIto circuito.
+ +
V.
v, r, v, V
+ '" + 2
',
Es obvio que basta con analizar tan slo una mitad del circuito.
143
r /2
'd
+
+
v.
.2 + vh ~ r,
2
2 - <
Por inspeccin:
r.
-=r
2
'd
If
~ ~
r.' =2r
1t
@ @
o
t
-{)
r
J
r,,$
"
r.
'd
'i
144
Re Re
r.wl .-
d
r r"2
"1
-
v
A Jm =~.' . (a)
V.
'J
v.
'J
v =.- ...................................................................... (b)
" 2
V
A e/m =--
"d = - g
ni
(r 11 R el
(J
V.
'd
145
VI.6.3 Anlisis de la resistencia de entrada
Q, 12, Q,
Vi,. V.
~
R EE 2 2
- -
-VEE -VEE
+Vcc V +Vcc
r. r.
'd 'd
Q,
Ir
+ 'd
-VEE
146
La resistencia de entrada en B 1 YB2 no es:
Vi V;
Se ca1cu1a: l.., = l..'e + I.'d =-r. " + -r. d ,
'. 'd
r. =21'
'd '
>
(B" + 1) 2Ri1'
<
Calcular 1'.. ' 1''''', ' A,,", 1',,,, r".J,,' A"", YCMRR para el siguiente circuito:
1"7
+ V CC = + 15V
V BE =0.6V
V CE =0.6V
SAT
14.7K RI
v. v. VA = lDOV
'1 "
R, 29.4K 13.. = 200
- VE< = - 15V
+ 15V-0.6V-(-15V)
IR , = R2 lmA
29.4Kil
gm=40mAIV
r.=5Kil
ro= 100Kil
gm=80mAIV
148
r.=2.5KQ
r =50KQ
"
r Jl APo r (J
IOOK lOOK
V"2
V,O-- Q
'1
50K
- VCC = - l5V
..-----.----..-----~
+
5K lOOK
V"
IOOK
o>-------------<~-------<O_---__r
8. =40mA/V
149
Rcdibujando el circuito para aplicar el MPA:
r, r r,ul,
5K J.1"vlo
--:~
100K
r
,,,,,
= 100Kn 11 r = lOOKn 11 [IOOKn + 2 (50Kn) [5Kn (11" + 1 )
x 2 (50Kn ) + 5Kn
lJ
r", , =99.947Kn
100Kn
lOKn + 100Kn
[1 1- ( + 11,) 5Kn +
5Kn]
(r;, - 5K)
A,m = - 0.9844
r.12
',
+
+
v. v
2 + 100K 100K 2
2 2
150
r. =.o 2 (5KQ) =.o lOKQ
'd
Resumen de resultados
r i =.o
,.
6.738MQ r
'd
= 10Kn
r.,
, = 99.947Kn
A dm = -2000
151
- - - - - - - -
(~APITULO VII
RESPUESTA EN FRECUENCIA
,
VII.! INTRODUCCION
Para un sistema electrnico, al cual se le aplica una seal de entrada X (/) Y responde con una seal de
salida Y (/), se puede definir su funcin de transferencia, mediante la relacin de las Transformadas de
Laplace correspondientes a X (1) Y Y (/) de la siguiente forma:
+ +
X(I) A Y(I)
f
se definen: X(s) =L (X(I)}
Y(s) = L (Y(s)}
y (s) ( s + a ) ( s + a, ) .. ' ( s + a )
F(s) --~-"
- "
X (s) (s+b,,)(s+b,) ... (s+b m )
Los valores de "s" para los cuales el valor de F(s) se hace cero, se llaman CEROS de la funcin de
transferencia (s = - all , s = -a, ,... , s = -a,,). Los valores de "s" para los cuales el valor de F(s) se
indetermina, se llaman POLOS ( s = -b", s = -b, ,..., s = -bm ). /
155
Corno se observa en la figura anterior. la Transformada de Laplace permite obtener la Funcin de
Transferencia del Sistema Electrnico. Dicha funcin es un concepto matemtico abstracto que permite
predecir el comportamiento del sistema en el tiempo. Se prefiere estudiar el comportamiento del sistema
a travs de la Funcin de Transferencia F(s) en el dominio de la variable compleja "s", porque su
anlisis puede ser menos complicado que el tratar de estudiar al sistema directamente en el dominio del
tiempo "t" a travs de la Ecuacin Diferencial Integral que lo detine.
La funcin F(s), por ser una funcin compleja (con parte real e imaginaria) de variable compleja
(tambin con parte real e imaginaria), requiere de cuatro dimensiones para representarse grficamente.
Debido a esta limitante, se pueden usar dos formas de representacin grfica para dicha funcin, las cuales
son las siguiente:
1) Graficar independientemente las panes real e imaginaria de la funcin F(s).
l/lO) ;/1}
<J -'0
7 7
IF(s) I
En las grficas anteriores, al hacer un cOlte transversal' I de las superficies generadas, mediante el plano
IF(s) I y joo (cr = O), Yel plano F(s) y joo (cr = O) , se obtiene el perfil de la superficie correspondiente en
dichos planos. .
j>
Al dibujar la grfica del perfil obtenido en el semiplano formado por IF(s) I y jOO > O (cr = O), Y IF(s)
y joo > O (cr = O) ,se obtiene el Diagrama de Bode o de Respuesta en Frecuencia de un sistema cuya
funcin de transferencia es F(s).
" NOTA: Estos cortes corresponden a la excitacin de F(s) con una seal senoidal pura del tipo
:tjllJl - .
e = coSOOI JsenOOI ,
157
IFUro) I (lag)
+--- MAGNITUD
I-------==;:I-------ro (lag)
I
I
F(jro) (lin) :
L~~~--"..----:-~:;~
Diagrama de Bode o diagrama de Respuesta en Frecuencia
La ubicacin de los polos y ceros de la Funcin de Transferencia F(s) en el plano complejo "s", permite
conocer el comportamiento y la respuesta del sistema, cuando a ste se le aplican seales de pmeba como
son:
1) Impulso \
~ Generan la Respuesta Transitoria del sistema
Escaln
Por ejemplo, si se analiza un sistema de segundo orden con dos polos complejos y conjugados en el
plano "s", se tienen las siguientes relaciones:
Plano u s " Donde:
rod 0= ro .,JI-l"~
11
ro Frecuencia de resonancia
0=
ro 0= ro .,JI- 2l"
"" ~
1; 0= Coeficiente de amortiguamiento
158
Respuesta Transitoria al Escaln Unitario
I
OOd = 00" (1 - ,'
K, X
" 1
/""'\ .........
1.0 1.0 '-./
/
t X ----.
I Sistema
I - X" t
Respuesta en Frecuencia
X"
( log )
X; X;
-4dB/dec
)
Sistema I ---. X"
~2'
() =()
l' 11
V 1-2,
En este captulo se estudiar la Respuesta en Frecuencia de dos redes pasivas de Paso B ajo y de Paso
Alto (en las secciones VIl.2 y VIl.3 respectivamente), y el comportamiento del modelo hbrido 1t en alta
frecuencia (en la seccin VIl.4).
El anlisis y diseo de circuitos con transistores, respecto a su respuesta en frecuencia, se puede realizar
de varias maneras:
Para el circuito RC mostrado, se obtendr su funcin de transferencia F(s), evalundola a lo largo del eje
jID (a = O) para conocer su respuesta en frecuencia.
Considerando a la resistencia R y al capacitorC como dos impedancias Z(s) y -Z,(s), el circuito se puede
dibujar como se muestra a continuacin:
+ +
v, (s) Z2(S) V.(s)
F(s) = Vo(s)
V(s)
. _ _~-,,-(,,-,s)c-l-'.-(s,,--)_ Z2(S)
F(s) =
[Z(s) + Z,(s)] l(s)
160
1
Tomando: 2, (s) = R, 2, (s) = sC
1
F(s)= sC 1 =_-,,-1_
1 sRC+ l l +sRC
R+-
sC
V-
r;z~
~~
Esta funcin tiene un polo real y negativo y un cero en el infinito:
F(s) =O
jl
_-",1__ = O
1+ s,RC
--~------f---~a
l
RC
l + s,RC ---> =
l
sl' = RC
s, -7 00
Para conocer el valor de la funcin a lo largo del eje Jl, se toma s =jl, a = O.
a kjb \_
- -kl lajbl= .,.-y-~
I 'Ia"+b"
\
161
1(/~-=ARCTAN
J'b + b/k I
--~= ARCT4N-'-
k (/~ (/
1
11" (j0l) 1
.y 1 + (00/00,,)'
162
Para las expresiones anteriores se obtienen las siguientes curvas:
20/og IFUw) I
0.1 1,0 10
OdB 1"='''''''''=:::::::::::==:=---'07-:,,-,-----.-~. --c----+-. w/w"
,,
,,
-3dB ,,
,
-20 dB/dec
""\/,,
,
,,
CARACTERSTICA DE MAGNITUD ,
,
,,
,
,
-20dB
1.0 10
0 -~j-,--'-------------+I---------------tl- W/W,.
0
CARACTERsTICA DE FASE
-45 0
- 45"/dec
-900
Las curvas en trazo continuo representan la funcin exacta tanto para la magnitud cOln<J para la fase.
163
Las lneas en trazo intenumpido constituyen la llamada aproximacin asinttica.
En general, para una red pasiva de Paso Bajo, la Funcin de Transferencia F(s) tiene el siguiente for-
mato:
Por ejemplo, si no se cumple que la fuente de voltaje excitadora sea ideal y la respuesta no se observa
sobre un circuito abierto, la red pasiva tendr la siguiente configuracin:
De acuerdo con el fonnato general de la Funcin de Transferencia, la relacin entre V,,(s) y VJs) ser:
RL
donde: K = , R,,, = ( R + R,) 11 RL
R,+R+RL
RL
donde: K= , R,,=RIIRL
R+RL .
Obsrvese que en la Funcin de Transferencia F 2(s), el voltaje definido corno V,(s) se comporta corno
una fuente de voltaje independiente ideal.
Para el circuito Re mostrado, se obtendr su Funcin de Transferencia F(s), evalundola a lo largo del
J
eje jw =O) para conocer su respuesta en frecuencia.
164
-
C
If- -o Ntese que la excitacin proviene
+ + de una fuente de voltaje y la res-
puesta se observa sobre un circui-
rv V(s) R> Vo(s)
to abierto.
<
- --
-o
2,(.1')
------O-------C-----.-----o
+ +
V(s) ~ 2,(.1') VJs)
V(s)
F(s) =-'-'-
- V/s)
.I'RC
F( s) =----'1 R-'----- ----
I +sRC
-+R
sC
F(s) = sRC
1 +sRC
165
Esta tlmcin tiene un polo real y negativo y un cero en el origen:
F (s)
p
--7 co F (s,) =O
jl
V- V-
sRC s,RC
"
1 +sI'RC
--7 co
1 + s,RC
=O
V- V- I
RC
1 + sl'ReO' O s,RC= O
V- V-
1
.1'1' = RC s , =0
Para conocer el valor de la funcin a lo largo del eje jl, se toma s =jl, cr = O.
jlRC
F (jl) = F(s) \'"iW 1+ jlRC 1 + jlRC
jlRC
a jb
-k-
I=k 1 'b I .".--,
la} 1= k '1a-+b-
jb
\ a k = ARC TAN b/k = ARC TAN I!.
alk a
l
00 =-
" Re
167
Para las expresiones anteriores se obtienen las siguientes curvas:
20/og IF (w) I
0.1 1.0 10
OdB lt----------:~::::::======""" ......~""f--.)/Wl'
-3dB
CARACTERSTICA DE MAGNITUD
-20dB
+900
CARACTERSTICA DE FASE
+45
Las curvas en trazo continuo representan la funcin exacta tanto para la magnitud como para la fase.
168
Las lneas en trazo interrumpido constituyen la llamada aproximacin asinttica.
En general, para una red pasiva de Paso Alto, la Funcin de Transferencia F(s) tiene el siguiente formato:
Por ejemplo, si no se cumple que la fuente de voltaje excitadora sea ideal y la respuesta no se observa
sobre un circuito alJierto, la red pasiva tendr la siguiente configuracin.
R, C
1-
+ + +
V,(s) V/s) R V,,(s) RL .
--o
De acuerdo con el formato general de la Funcin de Transferencia, la relacin entre V.,(s) y V,(s) ser:
M-'(S-)- R 11 RL
C~V-,(s-) =-R-,+-R-I~IR- I + --=1:..-_ _
L
sC [R, + (R 11 RJ ]
R IIR L
donde: K =
R+RIIR
-, R,
lo'
= R + (R 11 R L)
s l.
V (s)
Fo(s) =-'-' = I . -----'----
. V(s) l + l
sC [R 11 R,J
Debido a la presencia de las capacitan~ias C. y C, en el modelo hbrido 1t del transistor en altas frecuencias,
los valores de la impedancia de entrada en la base del transistor 2,(s), la ganancia en corriente de (. e i,
(~" (s)) y la relacin de corrientes entre i, e i, (u" (s)), no son constantes, pues dependen de la frecuencia
a la que opera el transistor.
169
zw . .
Se busca conocer ~ = - - en altas frecuencias, para lo cual se coloca un corto ClrclIlto a la salIda
.. .
" l,(s)
(V, = O)
Y se analiza, en primer lugar, el comportamiento de la impedancia de entrada en la base del
transistor Z,(s).
Z,(s)
les)
..o-@
13
"
=Z-(s)
- I
lh (s) vco" ,
como V, = O =c} l,(s) = gY.cs)
r I
.-~'----
, s(C.+C,,)
Zh(S) = I
r + ---''---- 1+ sr. (C. + C,,)
, s (C.+C,,)
jO)
Esta impedancia de entrada exhibe un polo real y negativo y un cero en el infinito. El diagrama de Bode
correspondiente a la magnitud es:
170
20log IZ" (jO) I
----------------- 20log r,
Como V,,(s) = Z,,(s) 1,,(.1'). se ve que
V,,(s) disminuye en altas frecuencias
-20dB/dec con 1,,(.1') constante en magnitud,
/
'--------~---------------''''-. . O)
r,
V,,(s) = 1,,(.1')
1 +sr,(C,+C,,)
Por lo tanto:
1(,') r~
~ (.1')=-'~=_ - f-',, _ _
" 1,,(.1') I + sr, (C, + C )
"
Se define l~ '" ~,
como la frecuencia a la cual la magnitud de ~" decae 3dB por debajo de su
e,,)
r,(C,
valor en baja frecuencia (frecuencia de corte de ~" J:
A
f-'"
U J
l = 1 +J'(~"O) / l~ J
171
El diagrama de Bode para la magnitud I~" (jO) ) es similar al de IZ, (jO) ) lI
20/og IZ (jOI
b
-20dBldec
,/
CJ,.
C =c = o
Para 00 O)
~
: I~ o
(joo)j =~=
0)/00
oo~. ~
O) o
~
T
OOT = ~o O)~
C.+C"
172
y el valor de C n se puede calcular mediante la siguiente expresin:
I Cn = m
gm - C"
r
I
Para el clculo de Uo (s) =(s)/I, (s), se plantea la siguiente relacin:
u,,(s) = p"
1-'"
l
(1+A) 1+ sr(c+c)]
n n
1+ 1-'0
A
"
I .J,)"
.
,,~ +
1 +_n-:-n,
1+ p"
Ce)
Tomando p" 1:
Uo
u (s) - ~~--~-::;-:-
" - r (C +C )
1+ s n . Po 1-1
u
u (jm) = - _ o_
o m
I +j-
mr
ol, es tambin la frecuencia de corte de a,. , y esto explica el por qu un transistor en confIguracin de
base comn tiene una extraordinaria respuesta en frecuencia.
Este mtodo de anlisis se presenta aplicado a un ejemplo en particular, para obtener la respuesta en
frecuencia de una etapa de amplificacin con un transistor en configuracin de emisor comn.
+Vcc
Re
R Ce
-j
R.- CB
+
+
+ V ,. R,.
v.,. "v Vi R,
Re Ce
Se dibuja ahora el circuito para seal pequea, pero tomando en cuenta las capacitancias tanto externas
al transistor como parsitas internas del dispositivo:
R,
+
+ +
Vi V"
174
Esta red es excesivamente complicada para su anlisis. Como las magnitudcs de Cn y C. son mucho
menores a las de CE' C B y Ce (en un circuito bien diseado), entonces es posible definir las bandas de
frecuencias que siguen, si se considera que el amplificador contiene redes tanto de paso alto como de paso
bajo.
EFECTO DE . EFECTO DE
REDESHP BANDA DE PASO ',REDESLP
20log Av
o 13dB
L- ~ ~ ~ _'__+. J
r; fe f"
(00) (oo e) (00,,) (00)
175
R, CB c. Ce
+
+ r" +
v.
rv V . v. RB Re RL
v"
R, CB C. Ce
+
+
vb ~ r"
+
rv v, Vi
RB Re Vu RL
176
R .' c. Ce
-1
+
+ vh ro +
C.
rv v, v., RB Re V RL
"
+ +
r. r
"
. v.,
!., =R-
.'
177
v= R i
, .t.\
Tambin: v .1
=R i
.' .'
A ' = _ g,fl,R,
v R,
r.=5KQ
gm=40mAlV ro = l00KQ
~o = 200 R.=20KQ f r = IS0MHz
R,=600Q C.=SpF
VA = l00V C.=37.4pF
Queda:
178
Vn.5.2 Anlisis a frecuencias altas
+ + +
v"(s)
V(s)
[(.1')=-'-'- Transformacin de fuente a equivalente Norton.
, R,
ZJs)
R, = R, 11 R. 11 r,
v (s)
C: sC, [V,,(s) - Vi(s)] +gYi(S) +8 ,.
=O
o bien:
1 - sCl-lV " (s) = [(s)
B:
(R , + sC 11
+ sC1) 1V(s)
'
' ,
179
Resolviendo el sistema de ecuaciones para V,(s) y V.(s), resulta:
1+ RyC.s 1
V,(s) =R, ..................................( I )
1 + (RxC. + (R, + R y + gmR,R) C.) s + R,RyC.Cl ,(s)
......................(2)
C.
I--s Funcin con un polo real y negativo y un cero
A (s) - V,,(s) - R gm
real y positivo.
v - V,(s) - - gm y
s
1
A (s) = -190. 8.00 x lO"
v s
1+ 6
42.0x 10
jffi
..
6
-42.0x 10 + 8.00 x 10'
180
+45.6dB f - - - - - - , .
-20dB/dec
OdB--+---+
6
42.0 x 10 rad/seg 8.00 x 10' rad/seg
(6.68 MHz) (1.27 GHz)
*------ 2.28 dec ---7'
La ganancia en voltaje Av'(s) se obtiene a partir de la ecuacin (2) sustituyendo J.(s) = V~~.) :
V(s)=-gRR
" m r ~
As pues:
Esta funcin tiene dos polos reales y negativos, un cero real y positivo y un cero en el infmito.
181
Con valores numricos: R, = 600Q, R. = 522fL R, = 4.76KQ, R," = 40mA/V, C. = 37.4I'F,
C, = 51'F:
1- s 1- s
A;(s) = - 166
8.oox 10'
-------"=~~-;2;---
1+ s + s
1.84 x 10 2.15 x 10"
jro
------*------'l'~'---_j----------.____O_____ (J
- Ll7 x 10
- 1.85 'x 106 + 8,00 x 109
182
2010g IAv' Uro) I
+44.4dB --
-20dB/dec
OdB -j----------:-::-:--cc:-r--'k--+--;;--I-------.. ro
---g5x 10' 306x 10 lJ 1.17 x 10' 8.00x 10" (rad/seg)
(294 KHz) (48.6 MHz) r (185 MHz) (1.27 GHz) (f)
- 11.6 dB .
-45.1 dB
+___---- 2.80 dec - - - - . _.
.84 dec
: <4-------+- :
-20
/dB/dec
t
183
Anlisis de los resultados
La razn por la cual Ay'(s) = V,,(s) IV,(s) tiene una frecuencia de corte alta ms pequea que AV<s) = V,,(s)
IV;(s) es:
Donde Z.(s) es la impedancia total entre la base del transistor y tierra (incluye r., C.' C.' Ro Y R).
Su valor ya est dado en la ecuacin (1) obtenida anteriormente:
I +RC,s
,. 2 1 (s)
I + (R,C. + (R, + R, + gmR,R,) C,') s + R,R,.c.C"s'
Entonces:
V;(s) R,
V,(s) = R,
Numricamente:
s
1
AV<s) = - 190
s
1+ 6
4.20 x 10
184
Con base en las expresiones anteriores se observa que:
V.(s)
Av'(s)~AV<s)' - '-
V,(s)
C
1--' s
A '(s) ~ _ g R _.':'.-. R, l +R,.C,s
v m y l +R }'C11S R .<
o sea:
S S
9 1 ~- 6
1 - -s- -
A'(s)=l66" 8.00xI0'.
v (1+s )(
1.85 x 10
1+ S)
1.17 xIO
'1
A continuacin se dan los diagramas de polos y ceros correspondientes. Se ve que la funcin V;(s) IV,(s)
y por tanto Z,(s) es la que introduce el lmite de ancho de banda. La limitante principal se debe a que la
impedancia en la base de un transistor es fuertemente capacitiva. Si la excitacin proviene de una fuente
de seal cuya impedancia de salida sea alta, esta caracterstica capacitiva en la base causa una disminucin
en la amplificacin de voltaje a altas frecuencias.
185
jlfJ
: +-- Cancelacin
polo-cero
jlfJ V(s)/V/s)
,
- 1.17 x 10:
'
- 1.85 x 10
.
--}/~--O;...t---*---_+------------------.---.;---. (J
- 42.0 X lO
jlfJ
--')C)(r-------o~---+_-----------------c.:..:o_- ... (J
-1.I7xlO' -1.85xI0 +8.xlO'
2. Efecto Miller
Se puede explicar la fuerte limitacin en el ancho de banda causado por la componente capacitiva en la
base del transitor si se considera el efecto de amplificacin que el circuito produce sobre Cp
+
V,,(s)
Circuito exacto
R"
186
Circuito aproximado
Considerando que la ganancia del circuito a frecuencias medias es Av = v" Iv; = - gmR,., se puede aplicar
el Teorema de Miller al circuito exacto, resultando lo siguiente:
+
o----e:z=J--o+ +
I
V,(s) VJs) V,(s) Z=-
sCv
Z l/sC
Z=--=--~-
1 - Av 1 - (- gmR)
y considerando
resulta:
1 1
Z ~Z=-=--
2 sC sCEQ
" 2
por lo tanto
C EQ = C, + C, = C, + [1 + gJ?,J C"
187
Entonces del circuito aproximado se obscrva quc pr,'scnta dos redes de paso bajo, cuyas frecuencias dc
corte se encuentran en:
I
ffi=--------''-------
I (R, 11 RB 11 r,) [C, + (1 + g"R) C,J
I I
ffi2 =R C RC
1l 2 EQ2 )' I!
Cuando se aplica el Teorema de MilIer a un circuito para analizar su respuesta en frecuencia, solamente
es vlida la frecuencia ms pequea que se obtenga, puesto que en las frecuencias mayores a sta, la
ganancia en voltaje Ay = v/v, que se emplea en dicho teorema para los clculos de Z. y Z, ' ya no tiene
un valor constante.
De acuerdo a lo anterior, la frecuencia menor es 00, ' la cual representa una aproximacin de la frecuencia
de corte alta del circuito exacto. Comparando el valor exacto con el valor aproximado obtenido por MilIer
se obtiene lo siguiente:
Valor real para f H = 294 KHz.
Valor aproximado por MilIer:fH = 307 KHz.
Este valor constituye una aproximacin razonable, pues representa un error de s610 el 4.4%.
Clculo de las ganancias en voltaje Ay(s) = V.,(s) I V,(s) Y Av' = V.(s) I V,(s) .
Se redibuja el circuito:
188
2,(s)"
R.' C. 2,(s)'
1l-t_-t--~
+ Vh~) f' +
El anlisis de este circuito es extremadamente complicado pues 2,.(s)' y por tanto 2,{s)" varan con la
frecuencia. Del mismo modo, 2",ls)' y 2,js)" tambin lo hacen. As pues, las expresiones para las
frecuencias de corte de paso alto debido a C R, CE y Ce no son explcitas, resultando una funcin de
transferencia de alto orden. Para obtener una solucin que sea fcil de interpretar se pueden separar los
efectos de C. y Ce por un lado y Ce por el otro.
Se supone CE' muy grande de modo que el emisor est bien derivado a tierra:
+ +
189
R,
+ + +
1 1 + sR,CB ,
Z = R, + sCB = sC
B
' Z2(S) = R B
Vb(s) Z2(S)
V,(S) Z(s) + Z2(S) 1 + sR,C
--=-"'-".B + R
sCB B
Vb(s) = R; = sRB'CB
V,(S) 1 + sR,CB+sR;CB l+s(R,+R;)CB
sCB
Vb(s) = sR;CB
V,(s) I + seR, + R;) CB
190
2) Para la malla de salida:
V,,(s) -1 Vo(s),
joo
--------,)~~.-------------------_e)_---- (J
I
=------'''----
_-'--_+ R +R'8,f
sRo'C, Ru'
191
= -=-R~8_'-c
R , +R' 8 1+ I
s(R, +R;) C8
Vb(s) _ R, 1
v,(s) - R, 00
I + --..b!'
s
Con:
I
OOL8 =-c(R=--+--cR=--)-C=-
, B 8
R'
B I R,R; I
-. = - (R IIR')
R s R .v +R'
B
R s
' 8
I Rx
=-(R
R s
IIRB IIr)=-
R
, 1t
,
20/0g Vb (joo)
V,
~LB
-I------'-~----------_.oo
20/og ;x,
R, I
=R, ..JI + (OOL8/00)'
192
2) Para la malla de salida:
jm
- - - - - - - ' ) ( , - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - ( ) - - - - - - - - - - - - - - - . <J
V,,(s)
Vh(s) =- gmR"
I
I + s(R A + RJ Ce
sRLCe
= -g"/?,- ---'---m-
I +-----'&..
s
V,,(s) I
Vh(s) = - g./?, m
I +-----'&..
Con: s
1
m = ---'------
'_C (R A + R/. ) Ce
193
R"R,.
~-----::-
R +R = R, 11 R, =,.
t - (>
11 Re' 11 R,
,
=R \
A ,.
V
20/og _" (jm)
V.
"-+20dB/dec
/
- + - - - - - - - fI -- - - - - - - - - - - - m
mLC
V 1
_" (jro) - gR'
V. - m y -1J+(m u 1m)'
m
1 +--m
s
AJ(s) = - g)t' ,
1
194
No se puede ilustrar el diagrama de polos y ceros ni el diagrama de Bode para la magnitud, puesto que
no se conocen las posiciones relativas de OOLe Y OOw . Se requiere aplicar los valores numricos.
R Cn
~f-'----I--'
V,(s) -1- V/s)
'-------~---_.-
JOO
V,,(s) _ I _ I
V(s) --l-l-SR.'CH -~=-=
----,-_.- vR'C
sR. Cll B B
195
2010g J:, (joo)
V
00'
Ul v I
-+-------,......- - - - - - - -..... 00 -" (j00)
Vi
+20dBlde,'
La expresin de V,,(s) I V,(s) es la misma que se obtuvo en el anlisis anterior para Vals) I V,(s) .
Por lo tanto, la expresin comple.ta para A,,(s) = V,,(s)/V,(s) ser:
V (s) V,(s) l
A,,(s)=-"_ - = -g.fi
V,(s) Vi(s) y
Para estas funciones tambin se requiere aplicar los valores numricos si se desean obtenerlos diagralli.l"
correspondientes.
Evaluando las funciones anteriores resulta:
Tomando Ce = I~F , CB = I~F Yconsiderando los otros valores numricos dados:
-1
RA = r 11 Re =( l 3+ l ,) = 9.09KQ
" 100 X 10' 10x 10'
R; 1 3+ 1 3)-' =4.00Kil
=R. 11 r =(20xIO 5xIO
1
(9.09 X lO' + 10 X lO') X lO""
196
= 217 rad/seg (34.6 Hz)
jJ
)( )(
- 217 - 52.4
;'ro de 2" orden
1 _
A/s) = - 190 --;(--::-::-2-'4")-l~2~5"'0')
1+~ 1+~
jJ
-.tfr~----------
-1),<.-(-------*-----11.., "- (J
197
Los diagramas de respuesta en haja frecut.::ncia correspondientes a las expresiones anteriores, se
muestran a continuacin:
+44.4dB
+ 32.0dB \
+20dB/dec.
((JLa = ((J,. constituye el
lmite inferior
de la banda de
+40dB/dec paso
:<'1 e
O dB -I-~/--------~i -=.- - - - - - + 1: -=---------..
(01.8
((J
8.29 52.4 217 (j)
radlseg rad/seg radlseg
( 1.32 Hz) ( 8.34 Hz ) ( 34.6 Hz )
+ 32.0 dB
8.29
radlseg
( 1.32 Hz)
198
VII.5.3.2 Efecto del capacitor de desvo Ce
Se suponen CB y Ce muy grandes de modo que el acoplamiento a la fuente excitadora y a la carga son
perfectos, pero el emisor no est bien derivado a tierra:
R,
~ r,
+
+ Vh(s) + gm Vh(s) r"
+
Se toma:
R,'
--l\IV'v-------,
,---.J\
r"
+
+ Vh(s) r, +
L------_.o>-- ~ __<~---------'
199
Planteando las ecuaciones de malla del circuito resultante:
Z (s) - (3 r
I(s)= ~, "" 'V'(s)
" Z,(s) [R,' + r, + Rw : + r" (1 + (3)] + (R: + r,) (r" + RLAC ) ,
Como: V,,(s) = RLAJ,,(s) , y V,(s) = V: (s) - R:I,(s), entonces la ganancia en voltaje A ,,(s) queda:
A (s) = V,,(s)
v V,(s) V: (s) - R:I,(s)
La funcin resultante es semejante a la del circuito amplificador con un solo transistor bipolar en
configuracin de emisor degenerado excepto que R, ha sido sustituido por 2is). Para conocer el
comportamiento en funcin de la frecuencia, se substituye 2,,(s) por su ecuacin:
Z R"
k)= I +sR e
E E
200
Esta funcin tiene la fonna:
s
1+-
<
A v(s) = K - - -sZE-
1+-
(O"
donde:
201
El diagrama dc Bodc para la magnitud dc Av (jw) es:
+20dB/dec
20/og IKI +----,/
-I----------i--------r----w
ro",;
donde:
s 1 +JQ
1+-
s
A,,{s) = - 4.85 10 - 190 393
s
1+ 393 1+-
s
+ 20dB/dec
+ 13.7dB +-----~
OdB -1--------------+-------------------_. l
10 393 (j)
rad/seg rad/seg
(1.59 Hz) (62.6 Hz)
203
La caracterstica con pendiente de +20dBldc(' implica proporcionalidad directa:
como: R y = ro 11 Re 11 R L = r" 11 R uc
entonces: R, ~ Rue
La frecuancia <OZE correspondiente al cero est dada por el inverso de la constante de tiempo en la red
del emisor:
p"r" -RE I
P,r"Ri:.'E ~ RECE
Como la frecuencia <OpE correspondiente al polo es la que constituye el verdadero lmite inferior en la
banda de paso, en lo que al emisor se refiere, es necesario seleccionar el valor del capacitor de emisor
poniendo atencin a este punto. Esto se hace notar en contraste con el caso de los capacitores de
acoplamiento, para los cuales las frecuencias correspondientes a los polos constituan el lmite inferior de
la banda de paso, antes de analizar el efecto del capacitor de emisor.
204
I
2010g Av UOl) I LIMITE INFERIOR
DE LA BANDA DE PASO
I
2010g g R
m y
I . :.;._~l_+---
__B_A_N_D_A_D_E_P_A_S_O_-
+ 20dB/dec
R'
B
+40dB/dec
0------'---4)
,
---1--
I
------/-----------+00
1
. RB'C.
(EFECTO DE POLO)
2010g 1"
C>'I'
R
\'
I --- --- ----- --- -- -- -- ---- ---- - -------- ---
L-- BANDA DE PASO
-,.-------------
+ 20dB/,dec
2010g I K\ +--------/
-_----;.------,"----'--------_00
1
RECE
(EFECTO DE CERO) (EFECTO DE POLO)
205
Ahora, para la ganancia en voltaje A,.'(s) = VJs)/V,<.v). resulta:
V,,(s) RlAcil/(s)
Av (s)=--=
V{s) R +R.
,
R~" V,'(s)
"
Sustituyendo las expresiones correspondientes a l/s) e I,,(s) y simplificando el resultado, se obtiene:
v (s)
Av'(s) =-'-'- = K'
V,(s)
Funcin semejante a Av(s) excepto que sus parmetros tienen valores diferentes.
Donde:
K' ~
R n_.
__ -R LAC (A
p"
r -R)
E /1
I
R"C..
La expresin anterior para Av' (s) se puede escribir de otra forma mediante la siguiente transformacin:
I+ _s_ _S_(OOz; + 1)
00' (O's
Av' (s) = K' _ _ = K'
",ZE ---'Z"'E--;-_ _----c:-
00'
l+~
s
00'
I +---!:L
s
donde:
. 00 '
A '=K'-ff....
Vi> roZE'
206
Sustituyendo las expresiones de mp ; , mlE' Y K' en la ltima expresin, y simplificando el resultado se
obtiene:
A,:.'(s) =
m'
l +~ZE
s
Av'(s) = K'
mf'E'
I+-~-
s
s 10
1+- 1+--
A '(s) = - 4.69 _l--. = - 166 _ _s.....
v s 353
1+ 353 1 +-.1'-
+ 44.4d8
+20dB/dec
+ 13.4dB -+-------../
;
OdB -+-------'-------------'---------- m
10 353 (f)
nu//sl'g J"(Ul/Sl'g
(159 Hz) (56.2 Hz)
207
En cuanto a la relacin entre las magnitudes de. 00,; y 007.E', se pueden aplicar los mismos conceptos
que para OOlE . Sin embargo, es ms sencillo encontrar el valor de CE en trminos de la magnitud
del polo para la funcin A.,(s), para luego encontrar la magnitud de rop ; .
Para conocer la respuesta global en el rango de bajas frecuencias se puede suponer que los efectos de
CH y Ce' por un lado y CE' por el otro, son mutuamente excluyentes, es decir, no se afectan entre s. En
realidad, esto no es cierto pero, como ya se indic, el anlisis exacto es tan complicado que se acostumbra
tomar la superposicin de los efectos como si se cumpliera lo antes supuesto.
20/og iAvUoo)1
+ 45.6dB
+ 20BIdee --...
+41.7dB
0.20
: 4
dee .
~ +40dBldee
+ 14.5dB
0.68dee
-28.6dB
1'+-- + 40dBIdee
208
+44.4dB
+20B/dec _ _
+40.2dB
0.21
_ dec _
: .-----------..:
~ .
+ 15.4dB +40dB/dec.
OOzr,:'
- . 0.62dec
..
)~B'
:
(J)~E'
(OLe
OdB-t----+-1- - I I I --+ ro
10.0 52.4 217 353 (f)
rad/seg rad/seg rOO/seg rad/seg
( 1.59Hz) "'-- (8.34Hz) (34.6Hz) (56Hz)
+ 60dlJ/dec
- 27.7dB-
/ . - - + 40dlJ/dec
Los diagramas de Bode resultantes para las magnitudes de Av Uro) y Av' Uro) se obtienen de la superpo-
sicin de los efectos de Ce Y C8 por un lado, y CE por el otro. En el caso particular dado por los valores
numricos, el lmite inferior de la banda de paso ocurre debido al efecto de CE'
Los diagramas para las tres bandas de frecuencia (LF, MF YHF), se pueden conjuntar en uno solo. Se
ve como se logra una funcin de tipo continuo para-la magnitud respecto a la frecuencia, sin escalona-
mientos ni discontinuidades. A continuacin se dan los diagramas completos para las magltudes tanto de
Av Uro) como Av'Uro).
209
1) Diagrama completo de la Respuesta en Frecuencia para la ganancia en voltaje AvUro).
+ 45.6dB -------------------~------~---------~
+41.7dB
+ 14.5dB------------
210
2) Diagrama completo de la Respuesta en Frecuencia para la ganancia en voltaje A;(jro).
+ 44.4dB -----------------~----___r--------~
+ 40.2dB
+ 15.4dB
OdB ~--~I---_+I---+_I - - - - j f - - - - - -:>,;----_ 00
353 25.6 x 10) 1.85 X lO' (f)
- I1.6dB
rad/seg rad/seg rad/seg
- 27.7dB (52.6Hz) (4.07 KHz) (294KHz)
(f,') (fe') (fH')
- 45.1dB - - - - -- -- -- -- - - - -- -- - -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- - -- -- -- -- -- ---
211
VII.6 METODO DE LAS CONSTANTES DE TIEMPO PARA OBTENER LA RES-
PUESTA EN FRECUENCIA DE SISTEMAS ELECTRONICOS
Este mtodo de anlisis y diseo de sistemas electrnicos respecto a su respuesta en frecuencia, tiene las
siguientes limitaciones:
Una gran ventaja de este mtodo es que las frecuencias de corte coH YCOL se pueden conocer calculando
las constantes de tiempo asociadas al circuito, pudiendo relacionar de esta manera la respuesta en
frecuencia del circuito con los componentes especficos que producen dicha respuesta.
C2 C2
Re Red
a frecuencias altas afrecuencias bajas
CI conteniendo resistores C" conteniendo resistores
y fuentes controladas y fuentes controladas
Para una red elctrica formada por resistores, fuentes controladas, "n" capacitores independientes a
frecuencias altas y "m" capacitores independientes a frecuencias bajas, se pueden establecer las siguientes
reglas:
1) El valor aproximado de la frecuencia de corte alta coH se obtiene mediante la siguiente expresin:
1
COH = -'l-~l'----'l-I
- + - + ... + -
COH
I
coH2 coH /1
con:
donde R,;" significa la resistencia de Thevenin calculada en las terminales del capacitor C" con
todos los dems capacitores considerados como circuitos abiertos.
212
2) El valor aproximado de la frecuencia de corte baja 001. se obtiene mediante la siguiente expresin:
con:
1
=--_.
1
=--'
1
=----
00
L
1
R-I J C'
I
00
L
2
R-22 C2 '
. 00
, m Roo
I.
mm
e m
donde Rm: significa la resistencia de Thevenin calculada en las terminales de capacitol' Cm con
todos los dems capacitores considerados como cortos circuitos.
Re
R, Ce
IOK +
220K
R, Cn l~F +
--<r--j +
+ + I~F
RL
V
V V R, + " lOK
RE
22K C
IK
" lO0~F
0----
-
VT =25mV g",=40mAIV
V, = lOOV r.= 5Ko.
~,,=200 r,,= lOOKI:l
Ie = lmA r. ~.r"
R8 = R, 11 R, = 20KI:l ~,,=4000
R"c = Re 11 R L = 5KI:l C, = 37.4pF
C. = 5pF
213
R,
+
v, c.
v
PuraA =--"
v v., pues R:. =0.
,
v.=O R.
Por lo tanto:
1
4.7 X lO' x 5 X 10- 12
PuraA = v. O)
1
=--.....::.-_-
v vs
H R:" C" + R:. C.
con:
214
,--------------_._---------------_.,
R,
-{)
,-. +
v. =0 R" Vb R' RY
L-.
B
+ 8 Vb m
1 -
-o
R
A' A
r R';" 1
v.< =0
vv V
+ 1 ~
.2;R
-O
Por lo tanto:
1
00" 12 12
103.3 x 10' x 5 X 10- + 522 x 37.4 x 10-
Resumiendo:
215
R, C8 Ce
+
+ + r, r +
Vb "
v ., rv v, R8 Re v Re
"
con:
-O
r R;;, 1"
0---.
v.=o
, ~R
")..,
<
R-
88
=R 8 '=4KQ
V.=o
,
+
Vb R'
8
Por lo tanto:
1 1 1
7
(J)L = 4 x 10' x 10'" + 25 x 100 x lO'" + 19-x-IO-:''-x-IO-...
con:
R .'
r R;;' ,
1
+ + +
v,=O v., R' Ry
v. 8
~ gmvb Vo
R~
Bn
'=R'+R
8 =4600
.J
217
R,
V,=O
R - ' = R 11
tE E [ (r+11.)+ R+ 11RR.)(r
r.(l
B +r \
.,
11 R, + ro + R
B
"loAd
UC
1
= R 11
E
[r + R 11 R ] =270,
n R
\3" + I
.'
R,
v.' =0 R'
8
Por lo tanto:
1_-;- +
_-..0. 1 + _ _-71_-,-
00'
L
4600 x 10'" 27 x 100 x 10'" 19 x 10' x 10'"
OOL' =640.4 radlseg (l02Hz)
Resumiendo:
218
R'
ParaA'=v/v= B .A v
v , s R., +R'
B
v
A =--"
v v., dB - -
v
A'=--" dB----
v v
.'
45.48dB -- 1 /
OdB +---+--11----------------11-6--\--6---.. . . ro
t (72.6
~12Hz)
1.86 x 10
(297KHz)
42.5 x 10
(6.77MHz)
(radlseg)
(J)
640.4
(102Hz)
219
Ejemplo 2. Anlisis de un amplificador de dos etapas con tmnsistores bipolares. Configuracin Par
Cascodo.
+Vcc
Re
lOK Ce
+
R,
ltF
+
RL
e vo lOK
'+ -
+ + ltF
v, v; R.
+
va
con:
r R", 1 '/"
~-+-~~.--'\
'" \~~lt---~
+ +
v.=o
, R'
o r" 11 r,
J
+
v.=o
, R' K 12
: v~
o
: 9._
L ~---___..---_~-.-.:__._.-----_-------J
4' _. _ _
ro
+ +
v.=o
R'
B
r" 11 r 'j
.. - -
_----- ---- - - ----_ .
221
Por lo tanto:
1
OO=-------=----~~---~----
H 25 x 5 x 10- + 25 x 50 x 10- 12 + 5 x 10' x 5 X 10- 12
12
ooH=37.9x 10 radlseg
, (6.03 MHz)
con:
RO'/tI =R'
B
IIR =5220 ,f
Por lo tanto:
, 1
roH :::: -12 12 12 ) 12
522x50xlO +1070x5xlO +25x50x10 +5xlO x5xlO
Resumiendo:
222
grn V '2 Ce
t-----{+-}--.---1
+ + +
vrv
., Vi
V"
con:
r
R -,
EE.
= R 11--"-
ER+l = r f) = 25Q (ver el ejemplo 1)
1-'0
+ +
V,=O R'
B
I V Ruc
"
R;;,
.J
,~- - - - .. - _. _. - - _ - - -=
-- - - _ - _.. - _..
R-
BB
= R 8 11
1
[r + 3,,ro]
2 =R
1II 81
= 20kQ
223
r"
r---~~---_---1+-+--.J\,I\!',~~-+-<o-o
+
R'
r"
Por lo tanto:
l 1 1 l
(0= + + x
L 4 x 10' X 10-6 25 x 100 x 10-6 20 x 10' x 100 X 10-<> 20 X lO' X 10-<>
con:
r. + R. 11 R'J
R - '= R 11 2 '=27U (ver ejemplo 1)
EF. E ( 13+1
"
R-
BB = RB I =20KU
224
Por lo tanto:
1 1 1 1
------ + + +---"-
4600 x 10-< 27 x 100 X 10-< 20 X lO' x 100 X 1O-{; 20 x lO' X 10-6
Resumiendo:
RB: .
Para A '
v
= v"Iv
.f
= R +R'
Av
.' B
225
d) Los diagramas de respuesta en frecuencia correspondientes. son los siguientes:
v
A
v
=--"-
Vi
dB - -
v
A ":=-2. dB _
v v,
46.0dB
44.8dB
,
.... : - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - :
.- ... - .... ~ ~
'
~ ~
~ \
,
226
CONCLUSIONES SOBRE LOS RESULTADOS OBTENIDOS CON EL METODO DE
LAS CONSTANTES DE TIEMPO
1. Comparando los diagramas de respuesta en frecuencia obtenidos para el Emisor Comn y el Par
Cascado, se observa que el Par Cascado presenta un mayor ancho de banda para Av' = v" Iv, que el
Emisor Comn.
2. Este mtodo permite conocer Ia(s) pmte(s) del circuito que inf!uye(n) en mayor proporcin en los
valores de ()II' ()H', ()L y 0\':
a) Para ()II y ()/I' influyc ms la mayor constante de tiempo R,;" C", la cual generalmente se asocia
a la mayor resistencia de Thevenin (R,;" ) que se obtuvo en el circuito a frecuencias altas.
b) Para 00 / y ooL' influye ms la menor constante de tiempo R",:, C"" la cual generalmente se asocia
a la menor resistencia de Thevenin (R",: ) que se obtuvo en el circuito a frecuencias bajas.
3. A travs de los ejemplos presentados puede observarse lo sencillo del mtodo para obtener una
aproximacin al valor de las frecuencias de corte alta y baja, lo cual, en combinacin con lo dicho
en el punto (2), pennite realizm' anlisis y diseos de la respuesta en frecuencia de circuitos
electrnicos, de una manera simple.
227
CAPITULO VIII
RETROALIMENTACION
VIII.1 INTRODUCCION
El empleo de la retroalimentacin negativa en los sistemas electrnicos permite mejorar las caractersticas
de stos e insensibilizarlos contra variaciones de algunos parmetros internos y externos del sistema.
(3) . X,,=AX,
(4) . Xf =AX
P"
donde se defme:
Scmpre se debe cumplir que XI seu' del' mismo tipo que Xi yX,. Del circuito anterior, para retroalimen-
tacin ncgativa, se dcbe cumplir:
231
(6) .. [iX -iJ
' .' I
X=X-RAX
, " tJ I
o bien,
I=
D I + I3A - - - Factor de Desensitivizacin I
Se define tambin:
AXi A
(1 + I3A) Xi 1+ I3A
Si I3A > O ( 13 > Oy A > O o 13 < O y A < O ) se tiene retroalimentacin negativa, cuyo efecto es disminuir
la amplificacin del circuito (amplificadores),
Si I3A < O se tiene retroalimentacin positiva, cuyo efecto es aumentar la amplificacin del circuito
(osciladores).
1) El sistema se hace insensible a las variaciones de los parmetros del bloque "A",
Como se puede observar, no aparece el factor de amplificacin "A" en la ganancia del sistema
retroalimentado, lo cual permite desensitivizar al amplificador respecto de los parmetros de los elementos
activos del mismo.
232
,
i
Sea un amplificador con una frecuencia de corte mil con la siguiente funcin de transferencia:
A(s)=-~
A"
S
1+--
mil
2010g IA(jm) I
2010gA" l----------~G
" m
l
Al retroalimentar se obtiene:
) AW ~ 1
Aj.s = 1 + ~A(s) = 1 + ~A" 1 + _ _5_'_
(1 + ~A) mil
1
Ais)=A - - -
l' "[ s
1+-
mil
I
A
A (s)=-~
I S
1+-
mil
I
donde:
I =
A"/l+A
"
A~"
Y milI = (1 + AA
p"
) mil
Nota: Esto es vlido solamente para sistemas de primer orden como el del ejemplo.
233
20/og IA (jo I
r-----~---"
. .
20/og A"
3) Reduce la distorsin introducida por la nolinealidad de los elementos que forman el amplificador.
v" (V)
SIN RETROAl.lMENTACIN~
(GANANCIA "A" MUY ALTA) 5 ~. I
4 :
3 : / ..- - - CON RETROAl.lMENTACIN
2 (GANANCIA AI= l/(3)
1
----l-.L...--7=.L...~=-'--:;t"---'---;=c'--;=~~_;I=~\-,.
v, (111 V)
-600 -1 600
-2
-3
-4
. -5
Si el amplificador introduce mido, el efecto de ste sobre la salida del amplificador se minimiza con
un valor elevado del producto ~A.
Ejemplo:
A =
A . = _.I - No depende de "A", que es el bloque en el cual se introduce el mido.
I + ~A ~
Los amplificadores se clasifIcan en funcin del tipo de seales que manejan a la salida y a la entrada.
GV = ve . A =A
Vi
, V V -Id
RL-JOQ
1 ~}
rxal
Vi
Idealmente: r., ~ =
i---'
A A
'VVv
~R;
Idealmente: r i ~ O
1
r .,<tl
- m.
235
1
-~
0-1,. ( ~,. ~
'_ ~ 3c__~.t._ ",_v,_~
+ -0-- Idealmente: r ...... ~
G
__ .>_,_",
.. -+--0--- .5 R
i
i.---+- -_..!!........
, O-
} f!-,I ~~R,
Idealmente: r i ...... O
O- ..... -- -
.-
:i,s
-7+
~
-
ii
-
i :
~ .
,-------------,r-------;---,--------,
FUENTE
DE
SEAL
.v
I-~
. RED
DE
+
Vi
COMPARAaON -=--
AMPllFICADOR
BAS/CO
<fA" -
RED
DE
MUFSIREO
+ .
v,,: CARGA
r-=-;- ,-----------'
'--r-----,---'
i
~
RED
+ DE
v REIROAllMEN-
TACION"p"
236
FUENTE DE SEAL: Este bloque representa la seal que va a ser amplificada. La fuente de seal
siempre se modela como una fuente ideal para los sistemas retroalimentados, y puede ser de voltaje
o de corriente.
o t t.,
RED DE MUESTREO: Esta red tiene como funcin muestrear o medir la seal de salida, la cual puede
ser de voltaje o de corriente.
. .....
A
+ CARGA
v"
----
'-------'
Muestreo de Voltaje,
muestreo de Nodo, o
muestreo en Paralelo (Shunt)
------~--~~.:..:.:.:.:.:.~-==_l---I
A CARGA
--L_----l--q .. ~-L-_--.J
~
;,--.
- - - L_ _ j - - - - -
Muestreo de Corriente,
muestreo de Malla, o
muestreo en Serie (Series)
237
Obsrvese que el voltaje se muestrea en paralelo y la corriente se muestrea en serie, es decir el
bloque "P" se comporta como un vltmetro o un amprmetro respectivamente.
RED DE COMPARACION: Esta red compara la seal de entrada o de referencia X, con la seal de
retroalimentacin XI' generando una seal de error Xi = X, _. X/que se aplica a la entrada del bloque "A".
..... .
~=
+ +
A
v, Vi
- -
..
Fuellle
de
seal
c-_~
I
Comparacin de Voltaje,
comparacin de Malla, o
comparacin en Serie (Series)
-------'--.-
1
~'- ..
'"1'>---+------4~---------
'""-'-""--"
c[= A
::~:. lI~""""'""'~',e-,J==
Cothparacin de Corriente,
comparacin de Nodo, o
comparacin en Paralelo (Shunt)
Obsrvese ahora que el voltaje se compara en serie y la corriente se compara en paralelo, es decir,
el bloque "P" se comporta como una fuente de voltaje o de corriente respectivamente.
RED DE RETROALIMENTACIN: Generalmente este bloque cst formado por una red pasiva, la
cual puede contener resistores, capacitores e inductores. En la mayora de los casos es una red puramente
resistiva. Una funcin de la red de retroalimentacin es convertir la seal muestreada de la salida a la forma
de seal apropiada para su comparacin.
238
AMPLU'ICADOR BASICO: El amplificador bsico es alguna de las cuatro configuraciones presen-
tadas en la seccin anterior. Este circuito amplifica la diferencia de seales que se obtiene de la red de
comparacin, siendo tambin responsable de la desensitivizacin y el control de la salida en un sistema
retroalimentado.
Existen cuatro tipos bsicos de amplificadores retroalimentados con un solo lazo de retroalimentacin y
son los siguientes:
CV MV
...
+ +
-- +
SEAL v, v A v.. CARGA
- - -
..... : ....
I + +
VI ~ v..
- -
MV = Muestreo de Voltaje
CV = Comparacin de Voltaje
CC
...... ,_.
MC
SEAL A CARGA
II
-+ si
~
MC = Muestreo de Corriente
CC = Comparacin de Corriente
239
3. Amplificador Retroalimentado de TranscoIlductancia (current-series feedbck o series-series feed-
back)
Cv MC i"
---+
.......
+ +
SEAL v, Vi A CARGA
- -
:-----
~.
---- :,I"
MC = Muestreo de Coniente
CV = Comparacin de Voltaje
i,
-+ CC MV
+
v"
MV = Muestreo de Voltaje
CC =Comparacin de Coniente
240
Considerando que el bloque ~ se comporta idealmente, para cada topologa se definen las siguientes
seales, ganancias y resistencias de entrada y salida:
ri CV A MV r .'(I/
-- l
,--
r
I A'a~
. y y\---
I
S
~" ~A."
+4 + + ....-J +
E
Vx V V
;::
~.
Vi
" "
A
L
-. - - -
~~V"
+ + +
VI V V
- -
" -"
Ganancias: Resistencias:
V
A -tA =-"- r.' = r., (1 + ~Av ) =rD
v Vi r
A ,. =A V I.
R
lAC
--4 '=
r =_.~=~
r r
''r 1 + ~A, D'
VI
~=-
v"
241
ii) Cuando la red de comparacin es una red en serie, la resistencia de entrada del sistema
retroalimentado aumenta respecto al valor de la r del amplificador.
iii) Cuando la red de muestreo es una red en paralelo, la resistencia de salida del sistema retroali-
mentado disminuye respecto al valor de la r,", del amplificador.
r.
' ce A Me
i i i i
t,
-4 -4 ---"-+ ~
~A' t,-' t
S 4 +--
E
RLAC
A
L
L.. c-- -
l
--- .....
~3i" ji"
-- i
"
Ganancias: Resistencias:
i r::;:;: Ti Ti
A~AI=O';
li i 1+ 3A D
A=oA, \ r"'''I =o r",,1 (1 + tJAA i ) = r.~u P'
I _ Ru.C -) o
3=o!?
lo
D =o 1 + PA,
D' =o 1 + 3A i
i) Las resistencias de entrada y salida del amplificador (r, y r,,,,l, mejoran su valor al retroalimentarlo
(r. y r, ), pues r cs pequea y r ,"es grande, lo cual se aproxima ms a lo ideal para un
'1 .IU'! ''''1
amplificador de corriente,
ii) Cuando la red de comparacin es una red en paralelo, la resistencia de entrada del sistema
retroalimentado disminuye respecto al valor de la r, del amplificador.
iii) Cuando la red de muestreo es una red en serie, la resistencia de salida del sistema retroalimentado
aumenta respecto al valor de la r"" del amplificador.
r.
'1 ev A Me
1
S
---"-
E + +
v, r,.",
A
L
L- ~ __
-- 1"
GO!laflCS: Resis!ell('as:
= r. (l +!le ) = r D
r' r ' t..J M ,
r = r ",' (1 +!le
JJ
rn
)= r
_,,,/
D'
.\IIl
r
[) = 1 + BG"
1)' = 1 + j)(;",
2.43
Obsrvese que la resistencia de cnlrada retroalimenlada (1', ) es mayor respecto a la resistencia' d
I
entrada del amplificador de transconduct:mcia (1') por el factor de desensitivizacin D = I + pG M' siendo
la red de comparacin una red en serie. Asimismo, la resistencia de salida del sistema rctroalimentado
(1''''1) es mayor respecto a la resistencia de salida del amplificador de transconductancia (1',.,,) por el factor
de desensitivizacin D = I + P.G tJ '"
,siendo la red de muestreo una red en serie.
De lo anterior se puede concluir lo siguiente:
i) Las resistencias de entrada y salida del amplificador (ri y 1',), mejoran su valor al retroalimen-
, ), pues r. es grande y l' / es grande, lo cual se aproxima ms a lo ideal para un
tarlos (l'.'1 y r .,u,'r .'u,/
amplificador de transconduetaneia.
ii) Cuando la red de comparacin es una red en serie, la resistencia de entrada del sistema
retroalimentado aumenta respecto al valor de la r i del amplificador.
iii) Cuando la red de mucstreo es una red en serie, la resistencia de salida del sistema retroalimentado
aumenta respecto al valor de la 1'"" del amplificador.
r.
' ce A MV
--'i
~-
---L A
l'
A'U I
S
~R",iiV
1:::::; + ...-J+
E
A
tI', v v
-
"
v
"
L --o
~ L_
--
'--.-.
i
( Dpv"
o
+
v
+
v
" "
Ganancias: Resisrencias:
r. r
r. =--'-=......!.
' 1 + pR M D
l' l'
r
R m =RM I
RUC -) "" ""r
::;::~_.w_'_=~
l + P.R
tJ m
D'
i
p=~
V"
D' = 1 + PR m
244
Obsrvese que la resistencia de entrada retroalimentada (r. ) es menor respecto a la resistencia de
'[
entrada del amplificador de h'ansresistencia (r) por el factor de desensitivizacin D = 1 + ~RM' siendo la
red de comparacin una red en J;laralelo. Asimismo, la resistencia de salida del sistema retroalimentado
(r'"1) es menor respecto a la resistencia de salida del amplificador de transresistencia (r,J por el factor
de desensitivizacin D' = I + ~R,", siendo la red de muestreo una red en paralelo,
De lo anterior se puede concluir lo siguiente:
i) Las resistencias de entrada y salida del amplificador (ri Yr,.,), mejoran su valor al retroalimentarlo
(r. y r / ), pues r. es pequea y r, es pequea, lo cual se aproxima ms a lo ideal para un
~ 'Uf ~ ~al '
amplificador de transresistencia,
ti) Cuando la red de comparacin es una red en paralelo la resistencia de entrada del sistema
retroalimentado disminuye respecto al valor de la r i del amplificador.
iii) Cuando la red de muestreo es una red en paralelo, la resistencia de salida del sistema retroali
mentado disminuye respecto al valor de la r,., del amplificador.
Clculo de las resistencias de entrada (rI ) y de salida (r..'U / ) para un circuito retroalimentado, considerando
f
ideal al bloque "W',
r.
'{
cv
~I
v
"
~ l.
+
Vi
-
t, A x.. X..
e
A
R
G
A
+
vI
f) X..
..
245
donde:
por lo tanto:
v.l
= v + llAv.
I t J , ,= (1 + 1 - 'v.
AA) ,
V, (1 + I3A) v,
r.=-:-= =r(I+I3A)
' l..< Vi Ir;. '
r.
' ee
r---- ---+
,
l'
~--- e
~; ~ri
l- A
A X" X" R
G
A
l
---+ _J
~ X
"
donde:
por lo tanto:
246
como v = ir; , resulta:
r.,
MV
S A.~.I"~ I~
E
X., X, ~AXiVVV -J
A
L
.
+
XI P vx
-
donde:
X, = X., - Xf . X~ = O . XI = PAv
1 J:
por lo tanto:
. v, -A (- f3v) (l + PA) v,
1o = ------
247
entonces:
V v, r,,,1
r :::: 2 =:; :::::. --""-~
rsu /
r = - - - cuando se tiene muestreo de voltaje
"" 1 + 13,1
-----
iv) Resistencia de salida cuando se tiene muestreo de corriellle
r
Me '''J
I
S
~:r
E I..-J
x, x,
A
L
--
i
-"-
>----.-
XI (3
donde:
por lo tanto:
entonces:
v (l + 13,1) ir
r
.,"(AI
=-=
i, i, ., '"'=rsal (l +13,1)
248
r mJ = r,", (1 -1- ~A) cuando se tiene muestreo de corriente
Hasta el momento se ha supuesto que el bloque "W' se comporta idealmente, esto es, que sus resistencias
de entrada y de salida son:
En un sistema retroalimentado real lo anterior no se cumple, por lo cual es necesario ineluir en el anlisis
de dichos sistemas, el valor de las resistencias de entrada (r. ) y salida (r, ) del bloque "~", considerando
f\ I -'''11
sus efectos de carga sobre el bloque "A".
Las expresiones obtenidas en las secciones anteriores para los sistemas retroalimentados, se siguen
cumpliendo an al considerar los efectos de carga del bloque "W' sobre el bloque "A". La nica diferencia
ser el valor obtenido en cada expresin:
- - - - - - - - A =-"
x
1 e r x,
s
E
I I
M
1 e
A
X x, A X
"
R
A G
L r I-< A
) l
"
I -- \
r ,..I
XI ~ X
"
249
AmplifIcador Retroalimentado Ideal Amplificador Retroalimentado Real
A = A A = A'
I + ~A I 1 + ~A'
r.' = r., ( I + ~A ) para ev r ' = R., ( I + ~A' ) para ev
r.' = rl(
,
I + ~A) para ce r ' =RI(l
,
+ ~A') para ce
lb-----~.----A.
__1
e
= X"
X, M
_
~~l
-.J
)(, X; A X"
~ f
I I
~ ~
r- +
I r.
I
'p
A' - Ganancia del bloque "A" considerando los efectos de carga del bloque "A"
P (r.'l} y r.mp
I )
A " - Ganancia del bloque "A" considerando los efcctos de carga del bloque "A" p
I ) sin
(r.'p y r..'Up
considerar la resistencia de carga del sistema
250
R, - Resistencia que presenta el bloque "A" a la entrada, junto con los efectos de carga del bloque
"A"
P ( r m1fl )
R, .' R,
cv 1 ce --
+ o-b- ~
v,
.;>
A t ~< r. A
- o
r.<atl}
v_,,-,,--
'AA f
---~
>"'/~
<
--_._---
-<>'
R,o,-Resistencia que presenta el bloque "A" a la salida, junto con los efectos de carga del bloque "W'
(r )
'~
Salida Entrada
0----- 1-------<0
XI X"
1:>---------1
r _"'1(\
'---------'
f--------{~
r
'~
La funcin de transferencia del bloque "W' se calcula como la relacin XI IX", aplicando una fuente de
prueba a la entrada (de voltaje o corriente segn el tipo de muestreo) y dndole una tenninacin a la salida,
(dependiendo del tipo de amplilicndor y del bloque de comparacin) la cual podr ser:
251
i) Circuito abierto cuando la cO"'l'ar(lcill es de l'o[wje
i,= O
~ f'
(Terminacin en circuito
Ic----Jl''
abierto (i,= O)
~~ ~,.
+ + V, + +
v.. Vi A =0 V.I, v; r.=
, 00 A
- - - ~
i
~
V/ P + p
.,v
r; r;
I.
TerminacIn en
circuito abierto (i =O)
~ =!L
v"
Iv"'o
para comparacin de corriente y muestreo de voltaje
253
~ =.'L I
1" Yj"'tl
para comparacin de corriente y muestreo de corriente 1
La terminacin es en corto circuito (VI = O) debido a que, idealmente, sa es la impedancia que le presenta
el bloque "A", a travs del bloque de comparacin de (~orriente cuando la fuente de seal de corriente
se pasiva (i, = O).
--
SEAL
~
i ce i SEAL
~
, ce -c.
i
----'-
A
r, A
.6
,. =0 ri=O
~ L f--
il Ir
--'-+
L--
~
+ +
VI J3 .., vL J3
~I , en
ermm{lClon
carIO circuito (VI = O)
--
La resistencia de entrada r. se calcula aplicando una fuente de prueba a la entrada del bloque "~" y
'p
dndole una terminacin a la salida, de la misma forma que en el clculo de la funcin de transferencia
de "W'.
I
I VI I VI
I _ I _
~ 1..----0---4
r
;ll
= v,
iC(
I "'Il
para comparacin de voltaje
r
i ll
= v,
i..
I v=o
para comparacin de corriente
254
La resistencia de salida r.",~ se calcula aplicando una fuente de prueba a la salida del bloque "P", y
dndole una terminacin a la entrada dependiendo del tipo de muestreo que se tenga.
1
-~
---0--,
+ 1 -1- ,1
J3 v"
1
1 V" '
1
- 1
--o-~ -----{5--1
,---
r .ml = -
.
V, para muestreo de corriente
P l .< i
"
"o
Para muestreo de voltaje, la terminacin es COito circuito debido a que, idealmente, sa es la impedancia
que le presenta el bloque "A", a travs del bloque de muestreo de voltaje cuando lafuente de seal de
entrada al bloque "A" se pasiva (Xi = O).
--
MV
-. e
i
" -
MV
---
i
"
-
~::
+ r......1 =0 -1- e
A A
A +
- AX, v R A AX=O
, v R
" " G
G
--
- A
'----
=! - A
[~--t
"
----+
J3 +
v
"':'r
T.ermmaCl
- \ ' n en
cono circuito (v" = O)
-
255
Para muestreo de corriente, la terminacin es circuito abierto debido a que, idca lmerite, sa es la
impedancia que le presenta el bloque"A", a travs del bloque dc muestreo de corriente cuando la fuente
de seal de entrada al bloque "A" se pasiva (Xi = O).
Me -~-
Me -':':""'r--
e e
~Axl'
A
A 6 r
6 A
R
A
R
G
AX.=O
'? ,,,' ;:::::?
00
G
A 1- A
L-. L- '----
i i
~ ----"-
11 +
v"- 11
1-
V:r-
. 1
Terminacin en
circuito abierto (i" = O)
ev MV ev Me
r.<<ll
p ------. l"
+ ()-- + +
v r v v r
'~ " '11
0- -----o
ee MV ee Me
rxalp r. v r_,<.111\ r.
'~ " '~
-0- -o
256
VIII.6.2 Identificacin de los puntos de muestreo y comparacin en circuitos con transistores
De acuerdo con el funcionamiento del transistor bipolar, el cual consiste en controlar la corriente de
colector mediante el voltaje base-emisor, se pueden tener dos tipos de retroalimentacin:
1. Retroalimentacin local. Se presenta cuando existe la resistencia de emisor RE' teniendo los
siguientes dos casos:
---~o+
v"
---0+
Tipo de muestreo:
a) Si el punto de muestreo coincide con la definicin del voltaje de salida, el muestreo es de voltaje,
independientemente del nodo del transistor (emisor o colector).
257
MV
..... - - -
1/
r---~~--D + -- - - - ------1 MV
\.','
/
r-----..---{) +
I V'O
l-
b) Si lo anterior no se cumple, el punto de muestreo slo se podr encontrar en el emisor y ser muestreo
de corriente_
.-----{) +
v"
---------1
L+---
1----------
L,------' Me
Tipo de comparacin:
+0--
+ v-,
CV
I
c) El colector queda excluido como punto de comparacin.
1. Retroalimentacin local. Se presenta cuando existe la resistencia de source R" teniendo los siguientes
dos casos:
-1- O- MV
+
v,
Vi
/ -----o +
--.-L
-
/
CV vI
R
.-L-
v
"
-1-
-1-
J-t
v.
0+
.-L-
-
V
, -
v,
259
2. Retrolllimentacicn global () externa. Se presenta cuando cxiste(n) algn(os) c1clnento(s) conecta-
dn(s) entre dos nodos de un mismo transistor o de varios transistores.
Tipo dc mucstrco:
a) Si el punto de muestreo coincide con la definicin del voltaje de salida, el muestreo es de voltaje
independientemente del nodo del transistor (source o drain).
MV
:/
f---.'--{) +
v
~-~
- - - --->1---,
'-----------_._---------------------'
b) Si lo anterior no se cumple, el punto de muestreo slo podr encontrarse en la terminal de source
y ser muestJ:eo de corriente.
t"
.----{IJ---"I ~
I
I
Me
1
Tipo de comparacin:
Para un transistor de efecto de campo, slo puede existir comparacin de voltaje y ser en la terminal
de souree o en la terminal de gate, quedaildo excluida la terminal de drain como punto de comparacin.
260
VIII.6.3 Mtodo de anlisis aproximado para amplificadores retroalimentados reales
esos casos), se considerar que las resistencias de entrada (1') y salida (1',) del bloque "A" son ideales
de acuerdo al tipo de amplificador representado por este bloque. Esta consideracin es necesaria para
simplificar el anlisis de los sistemas retroalimentados, sin embargo, podr comprobarse posterionnente
que dicha consideracin no introduce errores significativos, y constituye una buena aproximacin al
comportamiento real del sistema.
Los pasos propuestos para este mtodo de anlisis son los siguientes:
l. Sistema retroalimentado
11. Sistema sin retroalimentacin (Se abre la retroalimentacin como un paso auxiliar en el anlisis
del sistema)
5. Dibujar el circuito auxiliar resultante en pequea seal (este circuito consiste del circuito en
Pequea seal del bloque "A", incluyendo adems a las resistencias r.'(l y r.''''(1/ como efectos de
carga).
6. Calcular: A' = X/X: ' A" = A' I
R
R Y R,,,.
-) o ti
.
R ---J -
;
LAC lAC
l' =R.DparaCV
'1 '
,.'{ = R, ID para CC
,. / = R
\<J, { ,,'
/ ID' para MV
La explicacin para cada paso del mtodo de anlisis, se har mediante tres ejemplos diferentes:
261
Ejemplo l. An,lisis de un amplificador con un transistor en configuracin de colector comn. Calcular
Af,ryr,.
'r _", f
Circuito Propuesto
R,
r
'
R,'
+
v, rv v, R, +
r.
'
R'
~._-l------..j
+
RB=R, 11 R,
+
V,_ I\..J v,
262
Paso 2: Identificar los puntos y tipos de muestreo y comparacin.
\r----c)--~p-------I Q
+ + v, MV
+ ..-/"
v , '\.., +
RLAC v"
r A
' CV -- MV
f I
+ + M
I~-
'-+ -O-
+ ~-J :>
v, v, '> R1AC
"::?N
v+ v
+
L "
- Clculo de p:
\' I
p = -!
\'
" ''" 11
por ser comparacin de voltaje.
263
\'
Del circuito: \' :::: \' . entonces: ~ = _-.:.:.
I ,. \'"
J3 = 1,0
por lo tanto:
- Clculo de r :
'~
;=0
f --
;
---+ .---:-
O
O
_-' ~v,
I
J3 r
'1\
r =
p
~'I
l.. if~l)
por ser comparacin de voltaje.
- Clculo de r ,'u ,p
,
---.
+
v, v,,=O
-
~-f ~-----
264
Del circuito: v, 'o O, por lo tanto:
R - Rm.l
li
-r~r
-
~'
+ 4-
:. !" _T""
+
Vi
r _mlp =0
Vi
;;
V
+
" 1
r. =
'p
00
:' ~uc
O-
~-- V
Av =...:'.
v. ,
J
A'v =._~V "-
v
- Clculo de A>
Del circuito: v" = g",v".
l l r"Ruc
r" +R uc
v,,~ , v.,
= V,=
Por lo tanto:
265
- Clculo de {':
E "-A'I
, - \
1I 1..t('
~"r-'l
, <~,
- '-'", ,,- t"
- Clculo de R,:
- Clculo de R,",:
Del circuito, pasivando v; = O, resulta que v, = v" = O Y la fuente de corriente controlada es cero y se
abre en sus terminales (gmvh, = O), quedando:
~
~
Paso 7: Calcular D = 1 + [3A~ y D' = l + [3A;'.
A panir de este paso, se vuelve a trabajar eon el sistema retroalimcntado, pero tomando en cuenta los
efectos de carga del bloque "[3". El sistema retroalimentado con efectos de carga se puede modelar como
se muestra a continuacin:
CV MV
r
' r
"'/1
R_,,,E
J\
I
fR 9
+o-t: v
+
-l +
~R
v, v, A
>. v"
- ~
LAC
o--- "
'---{)
+ +
V v
-"
Ahora, el bloque [3 se considera ideal, pues sus efectos de carga ya estn incluidos en R, R,", YA:'.
266
ID' = I +~,,]
Paso8:CalcularA vI =A'ID;A
v
'=A"ID';r
V v '1
y r I .
'''''j
- Clculo de Av:
1
- Clculo de A ' :
'1
A '=
'1
~"
I + ~"
]
lA.; = 1.0 1
- Clculo de r. :
'1
r =RD=r
' ,
+~JRIACJ
(,;,+(1 +R
r
[ ti
" fAC
'L- 11
[i-r+ RR
PllnLAC I
267
- Clculo de r"'fI :
Los resultados obtenidos mediante las tcnicas de retroalimentacin y mediante el anlisis del ampli-
ficador como un circuito elctrico, se muestran a continuacin en forma comparativa:
~-
v
A
vI
=~
V
+ 1.0 + 1.0
.'
r.
'1
rrr. + P,.RJ.AC r
"
+ (1 + 13) R'AC
l--~- /l,, 1.0
Como se puede observar, los resultados son iguales, excepto el correspondiente a r. , en el cual el valor
'1 .
obtenido por retroalimentacin tiene un error muy pequeo: un factor de uno (1.0) comparado con 13". Este
error se debe a la aproximacin hecha al considerar que el bloque "A" no presenta efectos de carga al
bloque "13".
268
Ejemplo 11. Anlisis de un amplificador con un transistor en configuracin de emisor degenerado.
Calcular: AI,r' Y r I .
,IU
f
Circuito Propuesto
,--------.-0 + Vcc
R, Ce
I
r.
CB '1
R.,,' r
'<"1 +
~I
v"
R.
+
v, ~
V
R,
Re
'-------(>---_.----0.----
269
Paso 2: Identiticar los puntos y tipos de muestreo y comparacin.
r
R: r ' .--- j~ ,
J\j\/\--~+D--~H--+::--+-V-i -l
Q~
/' +
_Me
+
v, v,
RE
ev
-----o---+------~~-----------'
r.
' ev A Me t"
+o-t
_.~
..... ~~
+ +
t
~
v, Vi V RJAC
"
-o
--
~
-
'----
t
----".
~Rf
+
V
-
270
Paso 4: Aislar al bloque "W' y calcular ~ = X IX"I~
,r y r "'I
rl
- Clculo de ~:
-iR
A=_" -"=-R
P i" E
- Clculo de r .
'1\
i,= O
---+
O---j----.---j----{J-, ---
1,
r
'1\
f-;:;l
~
271
- Clculo de r , :
." ~
r .,ulp =-
vi
..
...
I;,,"'0
por ser muestreo de corriente.
v
r =--'--=R
'''/p
Vx
/R E E
-----------------------~------,
------------, i
--+
Ru,c
L_
L- c =~'- - - - - -
M
Vi
272
Paso 6: Calcular G~ = vV; : G:"' = G~ I R, Y R"".
RuC --? Il
- Clcu lo de G~ :
r" r(.
V =:: - - - - v. :::: - - - V
/".
y., +y I R (+ r
.w 1I 11 . 11:
Por lo tanto:
- Clculo de G>
- Clculo de R :
I R=R+r , f: J{ ]
- Clculo de R.", :
Del circuito, pasivando v: = O, resulta que v, = v,.,. = O Y la fuente de cOll'iente controlada es cero y se
abre en sus terminales (1:",1',,, = O), quedando:
~.=R"+r,,J
. 7'. Calcular D = I + "G.
Paso P If y D' = 1+ 1>(;' , ~I
273
A partir oc este paso. se \'ue!vc a trahajar con el sistcnla ntroalilllcntado pero tomando en cuenta los
efectos de carga Jd hloque "~". El sistema retroalimentauo con efectos dc carga se puede Inodelar como
se muestra a continuacin:
+ ~~t-C_V+"+CH_--=--::,--~~~C_'-""~~--~....-~+--+_M_C +--_r'+"\_'-."J
v~ ~ ~, R uc'
--0----
+
V
f
Ahora, el bloque ~ se considera ideal, pues sus efectos de carga ya estn incluidos en Ri ' R".{ Y C;: .
D= l +(-R )( 8"r,,r, I
E
" (r" + RE + RUle) (R" + r,))
c* e:,'
Paso 8: Calcular C M = ; ;G m = D' ; r, y r,"y'
- Clculo de" G M :
274
Suponiendo r" R" y r,, R"A'" resulta:
- Clculo de G m ' ,
f
- Clculo de r. :
'
r.
'(
=Rf)
,
r = r -+- R. + ~/',,~.~
'r n l: r"
275
I r=r
'1 If
+(n~rl)R,.
p"
--
,
~ C,!cuio de r.",, :
A continuacin se muestran en forma comparativa, los resultados obtenidos del anlisi s del amplificador
mediante tcnicas de retroalimentacin y mediante tcnicas de circuitos elctricos.
~
--
Resultados por Resultados por Condiciones
Tcnicas de Tcnicas de
Retroalimentacin Circuitos Elctricos
~ .. _-
i
GMI - -" - ~" ~" r,,R'AC
v .' r,+(I+~JRE r, + (1 + ~J RE r,, RE
~.~ ~.
r.
'1
r,+(l + ~JRE r, + O + ~J RE r,, RLAC
rr, RE
-----
L r.n,'
- ~
r" + REO + 11,.) r" +Rp + 11,.)
~
r, RE
Como se puede observar, para este easo los resultados obtenidos son idnticos.
276
Ejemplo 111. Anlisis de un amplificador con dos transistores. Calcular A, 1"1 Y r",,.
Circuito Propuesto
Ce
'-~~--i f---~-,
r--I---r""f
l' f
' "
R' i. ____- - - - - - 1 Q, +
----Wr--- I f---t-----<i>-1
Cn R,..
+
v, ~
L -_ _ ~ .J
,.
"
R,'
+
+
v,
'--- --l
277
Paso 2: ldcntillear los puntos y tipos de muestrco y comparacin.
Q,
+
+
v,
~ - MC
,
A MC
..-+ ~ ....
~
Q,
o-
Y( ~R<: e,
E
'r
---Jo- --~
'\I\/'v---
R, R,..,
- Clculo de ~:
ti I
.....- -+
A./
:~"
RF
v=O
I
~
<:>R E
" '
rL':!.
f-' -
l"
I
""'o
por ser comparacin de corriente.
278
RE i
2 "
Del circuito: i= -~--, entonces:
R F + Re
R,.,
- Clculo de r. :
'11
v =0
......0--+----.- ~ - FI R
'._'--t----fD--'
r
'~
L-- . ---l
r;
f\
= v"
l,
I
,-=" (1
por ser comparacin de coniente.
v
Del circuito: i, = R .II'R .', entonces;
,. El
v
r =-~'~-=R 11 R
'11 V, F El
1-;:-
UI = R,.. 11 RE 2
- Clculo de r .'UI ~
:
1
-"t>
--o
_ _ _ _ _ _ _ _ _--J
r ,,,11\
279
r :::; --:-~
l' I por ser muestreo de l'OITH.'ntc.
'''I JI l
, ',,"'1'
1',
Del circuito: i =: entonces:
, R,+ R",
v,
r
-""11
- -v,- - = R,. + R",_
Ir,
.'Cl ~
=R"+R,,'1
,. - - - -- . - - -- - --
.' Ri
1
_-.!.
r
'11
--+-----{)--~.---+---+-.+--~ - - - - 0 - - '
Q N
r
' p ~
cv Me . "
:
,, ~
L V pQ
+
-
,
l( :~
-
: I
: H- 1
,
r..,,1
f
N
~r 'p
:
.... J
L
--'----------~~-:~--J:--
:L.... V pQ
~~i ':1._ r
_,;_ _.... _o.,'= }.,
N
Q ,---------------_ ..
280
Observacin
Debido a la Topologa del circuito, los elementos encerrados en lnea discontinua, forman otro sistema
retroalimentado de Transconductancia, como se muestra en el diagrama anterior. Este nuevo circuito se
debe analizar nuevamente como un sistema retroalimentado, modelndolo posteriormente como un
amplificador de Transconductancia, como se muestra en la patte inferior, y sustituyndolo en el circuito
original.
Para el modelo del Amplificador de Transconductancia, encerrado en lnea discontinua en la patte inferior
de la pgina antel10r, y basndose en los resultados obtenidos en el Ejemplo n, se tiene lo siguiente (para el
caso en que l' R 1AC y l' 1' ):
" "'11
G'=G'
- ~"2
~~-
"' MI
I R"C-~"
.....
1'_
"2
+ (1 + PA
"2
) r.'o
l' '
1{
= l' JI:;!
+ (1 + ~"2 ) r.'fl
---------------'
Finalmente, el circuito auxiliar en pequea seal resulta:
,------------------------------_._-,
.' R, R.,../
~
_ ........_--..1 ~" l", ]~T:-' .'._._._.'_'._'._._._.__ '_:~ R;i t _:"_"__
4... _i_'.
0-4--'.......
.i::'..... -.... -.--..: 1 N
L --------------
A, = '7
ti
. Clculo de A; :
r
'''',
'c'" 'v I'IJ
Del circuito: i = I
" r"'l
r
+ R uc
281
Por lo tanto:
5 '" A, =-=
.'
"
lA" ,
I --:~
= A-,'
R
UC
----} II
G'II
"' m
[(r 11 R(. 1I r ') (r ,
"1l 1 ' .'" P
III~)]
11 1
- Clculo de R;:
Del circuito:
- Clculo de Roo':
r.
' ee 1;.' Me
--
1.,
-. -..
,---
r 1
l ~
t" f~ t"
.J
j ; l s,,1
.;;
{
1-
i i
--+ A.AA -4
V v v
Re .2
;:R
{2 E
282
D=l+PAI'=l+-~-
R
.. R
[
r
r'"I'c'
1 +R
m [(g)(r IIR cllr')(r , llr
"'1 "1 1 '1 ,,' ) /tI
)'J ]
R ,.. I E _ .ml! LAC
2
E
2
[C'g (r
"'1 mI "1
11 Re
I
11 r.') (r
'1 .,,, O
I 11 r
nI
)J
Paso 8: Calcular A I = ;
A'
;A
A;'
'r D' , Ti! Y r"'lj "
- Calcular de Al:
r 'G '
___":'L--"Y._ [(g ) (r 11 Re 11 r.') (r I
r ' +R "'1 "1 -1 '["'P
11 r )J
re 1
.ml, IAC~_ _ _
A I =
1+
R +R
R [r'C'
_--'2._..
+R r'
ml( m( [(g )(r 11 Re 11 r') (r
mI "1 1 ' '" 11
I 11 r
/1
)J ]
1
F /:;.1. "'// LAC
'------~-
- Clculo de A':
'(
A'=
I
R
1 + ----"'--- [C "'' g mi (r"1 11 Re 1 11 r')
'[
I 11 r.)J
(r><lll "1
R ,..+ R E
2
- Clculo de r :
'f
R, (RF+Re,l1l r.,
r
'( D D
Clculo de r .'''[I :
Los resultados obtenidos no se pueden simplificar, pues no se conocen los valores relativos de algunas
de las resistencias.
283
CAPITULO IX
AMPLIFICACION DE POTENCIA
IX.! CONCEPTOS BASICOS DE LA AMPUFICACION DE POTENCIA
Pre-Amplificador Amplificador
x, de Potencia X" Dispositivo
X-
s (Amplificador de --'- (Amplificador de de Carga
pequea seal) seal grande)
[ientede
Alimentacin
P cc
,-
"
]
Amplificador
PL , Dispositivo
,, -,
P, de Potencia de Carga
"
Donde:
Fuente de f-V-,c",-c ~J
Alimentacin "
287
l
T .""t>,~"l~
B e
+-~~Resislellcia
rrrnica al
amhi<'llle
~~~_. +
Esta potencia representa la energa cintica de los electrones (E,,.J, la cual se convierte en calor por el
bombardeo del colector por esos electrones (Pe)'
donde:
Pi - Es la potencia de excitacin.
PLAr
1) =~- 100%
P ee
288
IX.2 CLASES DE OI'ERACION PARA AMPLIFICADORES
Para algunos circuitos de potencia se han desarrollado amplificadores que no quedan comprendidos en
la clasificacin anterior, dando lugar a los amplificadores clase "D ", clase" F", clase "c" y clase "[{".
La eficiencia depende de la clase del amplificador:
A. Amplificador clase "A" : 11..,." = 25% o 50% dependiendo dcl tipo de acoplamiento.
Un amplificador clase "A" con acoplamiento directo. puede presentar la siguiente confIguracin:
-~---o + V,<.
+
1'" N,
N,
N. CH
-----j f-----+----i Q,
+
+
v
289
r-----------------------'--------
/
/
/
/
/
/ /
/ /
/ /
/ /
/ /
/ /
/ / /
/ / /
le / /
/ /
/ I
/ I I
I I
I /
/ I
QI V /
. ~==~"'"'~--- lI{o'(j 1/
/
/
I
P ce = T f Vcci c (/) Rl. dI =TI f Vcc (lc + i. (/)) dI
T
o
T
o Q
Para una seal i" (/) peridica, se cumple que su integral en un perodo completo es cero:
f i. (t) dI = O
T
por lo tanto:
290
2) Potencia Disipada en la Carga (RJ.
donde:
Para obtener la mxima eficiencia del amplificador, el transistor debe estar polarizado para Mxima
Variacin Simtrica en la carga, entonces:
V~c
P('('= Vcc1cQ = 2R,.
v'
100% = . '}
/8R
,." 100% = 25%
V;,/2R,
291
Amplificador cla.\l' "'1-\" con aco!)!amiento din.::cto: 11 '''.1\ = 25 f
}(.
La mxima potencia disipada en el colector del transistor (Q,), se onticnc cuando no hay seal, es decir:
-V mm
, V,
c- c,
c c - 'R
c 1-~2-
Q Q'
"
maxP e ~ V ec 'c - ,;. R L cuando no hay seal (V", ~ 'm ~ O).
Q Q
De esta ecuacin se observa que para obtener 1.0 Walt de disipacin en la carga en AC
(maxPI.AC ~ I.OW), se requiere que el transistor Q, sea capaz de soportar 2.0 Watts de disipacin en el
colector; es decir: .
Este tipo de amplificador se emplea para eliminar la componente de OC sobre la carga R ,., mejorando as el
aprovechamiento de energa en la carga, con respecto al amplificador anterior con acoplamiento directo.
292
+
v,
~'-------DC
,,-AC
~ -=-<~Q=----V
Il f: Q I
/'11:::' R'/.
-------r---+-- - - - -----------
-1 ~ v c;;
2Vn
Como puede observarse de la grfica, el circuito queda polarizado para Mxima Variacin Simtrica
en v , con un Ve = V(.,., y la cOll'ientc 1,. ser igual al valor pico mximo de la seal que puede mancJ'ar
" I-:Q. Q
este amplificador; es decir le = 1m
. d"lSIpa da en 1aQcarga es:
L a potencia
(V I )/2
100% = ---"'-!!'~-
( V I
100% = 50-'-""'-- J
~1"/(" ~"("I("
o ~
Para obtener la mxIma efIcIencIa en la carga en AC. se supone un V, 1 = OV y. por lo tanto. el valor
mximo de V ser V"". y la I ser leU:
nI m
,,"
V'/'" ec
InaxP = --- = V leti
'"e 2 2
Entonces. la mxima ellciencia queda:
ma'xP,
"M"
11 - -F)- -
nla.\ -
. 100% = 50%
ce
2) Relacin entre Pe y P L
..le
La mxima potencia disipada en el colector del transistor (Qcl, se obtiene cuando no hay seal, es decir:
De esta ecuacin se observa que para obtener 1.0 Watt de disipacin en la carga en AC (maxP L ), se
requiere que el transistor Q sea capaz de soportar 2.0 Watt de disipacin en el colector, es decir: <le
294
B.l Amplificador clase "B"
Este tipo de amplificador de potencia permite aumentar la eficiencia 11 y disminuir la potencia manejada
por los transistores del amplificador.
Existen dos configuraciones principales: el amplificador push-pull y el amplificador en simetra
complementaria.
- Amplificador push-pull
;I
Q2
/ 1.-
/
le
/
/ /
/ / /
T ""':\
J",
/
/Q
le' -I--+-- 1 .__--=o'&V'---__ V CE
Q .V~
: m""
v
: C EQ
r-:----~:::::===~~~:~- ... V CE
295
1) Potencia Promedio entregada por la Fuent~ de Alimen!acin {V-,-J.
La forma de onda dc la corriente entregada por la fuente de alimentacin es pulsante, como se nlucstra
en la grfica siguiente:
,------------------------------------,
1
Valor promedio dc la corriente: IW = ~
11:
Por lo tanto, la potencia entregada por la fuente de alimentacin para operar a los dos transistores del
amplificador, ser:
1 ) V V,_,_
P" =2 -'" Vcc = 2 It ---
( TI: l. n:
La mxima potencia de la carga en AC, se obtiene cuanelo V,c = O. es e1ecir. cuanelo Vm = Ve = Vec
o ~ 'ut ~
para cada transistor, y el valor ele 1", sera:
_.~!!!-_ V cc
1m Re Re (para Vm = V,-cl
La mxima potencia en la carga en AC ser:
296
2
V 1 V' V
InaXP :::: _..!!!-'!!.. .::::: -~- =~
"AC 2 2R" 2R,
maxP, , rJR
Vce' n
AC .... L
ll m ;lJ{ ::::: --1'-- . 100% = --2-~- 100% = - 100%
ce 2Vec 17rR L 4
TI
'lm<lx = 78.5%
La mxima potencia disipada por los colectores de los transistorcs, se obtiene derivando la ecuacin
planteada en el inciso (3) con respecto a Vm ' y obtcniendo el mximo dc dicha funcin, esto es:
~ \/'
maxE', (Q, ' Q,)=~c' para un 1', _ 2 11,,-
. le' 1<, rr
De esta ecuacin se observa que para obtener 10.0 Watts de disipacin en la carga en AC
(m axP,.A(' = 10,0 W), se req uiere una maxP c = 004 (maxP,) = 4.0 W, lo que equivale a seleccionar
transIstores con una capacidad de 2,0 Watls cada uno, .
Con este tipo de amplificador se puede obtener, en la carga. hasta cinco veces la potencia especificada
en cada transistor.
i) Sin seal aplicada al amplificador, no hay potencia disipada en los transistores, ni en la carga.
ii) Para obtener 10.0 Walts en la carga, cada transistor debe manejar 2,0 Watls,
iii) No existe componente de DC en la carga.
iv) La eficiencia mxima es del 78,5%.
Para obtener una potencia de salida (P,) elevada, se requiere que el voltaje de salida (vJ y la con'iente de
salida (i,) sean elevadas. Esto se logra consttuyendo el amplificador de potencia con dos etapas: la primera
etnpa (driver o pre-excitador) funciona corno amplificador de voltaje y la segunda etapa (etapa de salida)
ser un amplificador de transconductancia (amplifica la corriente de salida a partir del voltaje que recibe
de la primera etapa).
Fuente de Alimentacin
!
Amplificador de Potencia
Driver Etapa de
o salida V"' l", p,.
Pre-excitador (nmplificador
(amplificador de transcon-
de voltaje) ductancia)
298
IX.4.I Etapa de salida (amplificador de transconductancia)
Las configuraciones con transistores bipolares que presentan amplificacin de corriente a pattir de un
voltaje de entrada son: emisor comn y colector comn.
Para lograr una alta eficiencia con esas configuraciones, se requiere que operen en clase "B", por lo
que se hacen necesarios dos transistores: uno para manejar el semicicIo positivo de la seal y el otro para
manejar el semicicIo negativo.
Las formas de onda para las configuraciones de EC y CC operando como amplificadores cIase "B" se
muestran a continuacin:
v, --{) v" t
EMISOR COMUN
--'.
vio---
COLECTOR COMUN
299
Si se stlInanlos \'ulta.lcs de salida (le l~q;[lrcs de t;-ansistnrcs de clda cunligllraCH)I1. sc obtiene la forma
de unua cOlnp\cta de la seal dc entrada. La configurac'l{lIl de cnlisor ('olnllll tiene los sl'lllicic1os montados
sohre las componentes de De dc + V,.,. y - Vn ., micntras quc la configuracin dc colector comn
presenta los semiciclos de la seal sin componente de De. Por lo anterior. la configuracin de colector
cOlnn facilita la SlIlna de voltajes en un nodo, mientras que ell'lnisor cOlnn requiere de un sUlnador
ms clahorado a causa de la componcnte de De.
En la figura que se muestra a continuacin se obscrva la suma dc los voltajes dc sal ida en un nodo (para
la configuracin de colector comn):
\' f:
j
+ Ver
0,
Y,
/N;;:O
\:TI \',
R, ll"
SWJ/(/
\'"
-
R"
0,
~ l'c..,
-Vcc -] V
Al sumar las seales en un nodo, las resistencias de carga de cada transistor quedan en paralelo,
resultando una resistencia equivalente entre el nodo de slIma (los emisores de los transistores) y tierra. El
circuito toma entonces la forma que se muestra en la siguiente figura:
.---j0,
Vi
+
'----jQ,
300
El amplificador de potencia en simetra complementaria es un amplificador que opera en clase "B" (en
principio; prcticamente opera en clase "AB") teniendo una eficiencia mxima terica de 78.5%.
El principio de funcionamiento de este amplificador se basa en dos configuraciones de seguidor emisor
construidas con transistores complementarios (npn y pnp) como se muestra a continuacin:
IJ ~--_.-
Q,
e
+ v
"
+ Vcc
(-) R L (+)
~
-
-
Q, ( + V
cc
Esta conexin de los transistores complementarios Q, y Q, (cada uno operando en clase "B") presenta
simetra respecto a la lnea punteada.
En este circuito cuando V; > Oel transistor Q, conduce y Q, se corta, teniendo los flujos de corriente
que se indican con el nmero 1. Cuando v; < O, Q, conduce y Q, se corta y el flujo de corriente es el que
+0.6V
+-.;..----~c_-----I~t
-0.6V '.
( VIIE,)
-A ... .. ,---'-
-0.06V
V nE"! ~-l---:7"+-'-+---VRl:;;1
0.6V
v"
( V IIE )
: .;
I
~ .. ..
-A + 0.6V
'\7 t
301
se muestra ahora C()n ('1 nmero 2. l.()s vollaj('s desarroilados sobre R f se alternan con l:t polaridad indicada.
El ngulo de conduccin de cada transistor es de Be == 1~O\l (clase '"13'). La ganancia en corriente es el
valor de la hl de los transistores.
El problerrm que se presenta es el voltaje necesario que requieren las uniones baseemisor de cada
transistor para "encender". Esto es, mientras \', no sea mayor que los voltajes de encendido de las uniones
base-emisor, los transistores no conducen, introduciendo Distorsin de Cruce, COIllO puede observarse
en la grlica anterior.
Para reducir esta distorsin se necesita inciuir, en la configuracin bsica del amplificador, un circuito
de prepolarizacin, cuya funcin es la de montar la seal Vi sobre componcntes de voltaje directo de
+0.6V y -0.6V (aproximadamente) para Q, y Q, respectivamente, de manera que cada transistor comience
a conducir para voltajes de 1', > O y v, < O, y no v, > 0.6 V Y v, < -0.6 V como en el circuito original. En la
tigura siguiente se muestra un circuito que cumple con la condicin anterior:
B .O.6V+
'e 'e
+
----1~ ... B
I
+ +
'~
7 -;?
\JIU;"
V, val' SL -
I -----------.. Vtu: O-
E E
0.6V O.6V
( (/ ) ( !J )
Aplicando el circuito (b) a la configuracin original del amplifIcador, resultara el siguiente circuito:
'e ,
+
-- ie
I -.
Vee
:
0.6V Rc - 0.6V
v,
+ + 0.6V
v, -
0.6V
+ V
- ec
le
l
~
le
2
302
Como no es prctico emplear fuentes de O.6V independientes de las fuentes de V cc" se pueden emplear
divisores de voltaje resistivos para generar los voltajes de + O.6V.
+
v.,
Las resistencias Re se incluyen en los emisores de los transistores para lograr estabilidad trmica del
circuito. El valor de R"debe ser pequeo (ID, O.SD) para no "perder" voltaje de salida en esas resistencias.
Las uniones baseemisor de los transistores varan su voltaje de "encendido" si varia la temperatura,
mientras que el voltaje de prepolarizacin generado por las resistencias R, y R, no presenta la misma
variacin de voltaje de las uniones, por lo que, si existe alguna variacin de temperatura, aparecera de
nuevo la distorsin de cruce. Para evitaresto, se prefiere modificar el circuito como aparece a continuacin:
Q,
+
O.6V
:0-b
'-."::C
+
O6V
'---0 v
Q,
-vcc
Este circuito permite acoplar trmicamente las uniones base..emisor de los transistores con los diodos
de prepolarizacin montndolos en el mismo disipador, con el objeto de compensar las variaciones de
voltajes de las uniones pn debidas a cambios en la temperatura, evitando as que aparezca la distorsin
de cruce a cualquier temperatura.
Al incluir el circuito de prepolarizacin se presentan dos nuevos problemas: la resistencia dinmica
de entrada r, del ampliEcador tiende a disminuir y la variacin mxima de l'" queda muy abajo de
I veel (V" < I Veel).
IIM\
30:\
- Anlisis de r, y v"
A. Comportamiento de v
+/"
VR
1
R"
"
------.. - Q, + V
lB , "
D,
lID, 1,,1
+
v,
D,
1/", I'I~
1,,1 R,
."-- Q:
+ \/r-{"
1,,1 R"
-J
V ee - ll6V
RR
------1----L--.~ VD
0.6V
304
g S -
"
_VRB, , ]
R
n
De esta ecuacin se observa que la corriente de prepolarizacin de los diodos (para que mantengan
un volt'\e de encendido de 0.6V) depende de la cada de tensin en las resistencias Ra- .
Como Is, depende de la cada de tensin en RIJ' entonces al disminuir VRB disminuye Is, .
Cuando Q, conduce, la corriente de polarizacin del diodo D, disminuye, debido a que I s, disminuye e
lB , aumenta:
El diodo D, estar en el lmite de conduccin cuando suceda que lB = I s ' lo cual ocurrir para un
I I .'
determinado valor del voltaje de entrada, al cual se llamar V.
1). ICRITlCO
(V.) : V
'OUT 'CHIT
= V n - 0.6 V. En este
1
momento se tendr la mxima corriente de base de Q, (In) y la mnima corriente en el diodo DI (lo = O).
~------_._---------------_-:' ,
=0.
v.
\ 'our
----l---~-----+vI)
I D, =0 I
-----.
V 0----4
'ClUT
305
- Clcul" uc \1 (cuando \' = V )
. A"
"
LasqxprcSlpn~s(icJ~,.~) J"
"C/o:/1
s"ln:
(1) ..
7= .. V,,- 06V A
/, = (~ ..
A
+ 1) /"
,R R" + (~.. + 1) (R" + R;)
Lo que se desea es que el valo~ de\!.. se acerque. lo ms posible a VII' lo cual se lograr si R" < R,
(Re' RE aumentan) y si se puedUevar al transistor Q, al borde de saturacin (EOS) (~.. aumenta, RH
disminuye).''''',.,
Ejettlplo numrico:
* Vd/ores de Referencia:
V,.,=20V; ~".+ 1 =40; R,.. +R,.= IOQ; R,,=2Q;R,,=SQ; R B = IkQ; v=v
, 'OUT
* Si ~" + I se aumenta a 80
J= 20V - 0.6V 10.7SmA
/1 IKQ + So,x;loq
7 =~v-o.~= 10.78mA
B IKO+40x200
o ,
JEc~40x 10.78x lO' A =431.1mA
7= 20V-0.6V =21.56mA
B 5000 + 40 x IOn
: D (OFF) R"
: I
RI.
+ D, 7",~
v, ............ '''Q, (Corle)
V ~5.54W
'011"1"
r'CRrr ~ 24.94111A
V'CHIT 5.543 V
ri~-l-~ 2494 10-' 222.2n
i
CRJT
. X A
Mientras ms negativa sea la fuente (- VeJ, ms pequeo ser el valor de r, puesto que el circuito
demandar una corriente 1; muy alta.
Resumiendo los resultados del anlisis anterior:
+Vec
Ro
Q,
DI RE
;~ -
D, RE
Q,
RB
-O-Vce
)
Para los valores de Vee = 20V; RE +R L=lOQ(RE=2Q, RL~8Q), ~,,+1=40 y RB=IKU,setiene
lo siguiente:
308
Q >" = 4.434 V < Vee
2) r = 2~2_2U < R B
3) VieHIT - 5.543V < V ee
Para mejorar el amplificador, se tratar de hacer que \1" sea cercano a VCC' Esto se logra haciendo que
los transistores Q, y Q,lleguen al lmite de saturacin. La configuracin que resulta cuando v alcanza el
valor de V (D, apagado) es:
'['HIT
~ D, (OFF)
V :
'CRIT (}----e
En esta configuracin Q, nunca podr llegar a saturarse, porque la unin Be no puede polarizarse en
directa (Va < Ve ) .
I I
Para que Q, llegue al lmite de saturacin (EOS) y el valor de \1" pueda ser cercanO a V ec ' se necesita
que Va > Ve Yque el diodo D, se mantenga en conduccin, tal como se observa en la siguiente figura:
I I
V,0---'
309
o bien. que la corriente de has,,"' de{!I'""ScH1mny()r'oigtlal-:qu((Ia Cocri'nle de base Ihniul'a para si.lturacill
Ull ~ J,: ), Y que el diodo J) sL'"lllantengaeil '(:()l1uuccin L~Om() se :.llnccia ac . . mtinuacin:
I - 1"""
\i
V("("
/
+ /" ,
----- Q,
D,
R,
l' 0--
+
v R,
"
Vcc
9+
R"
V, +
Q,
D,
R
Vi 0----
D,
V, +
Q,
R.
--- V ec
El utilizar una fuente de voltaje (V) o de corriente (1) independicntes de V ee resulta imprctico, por lo
que la fuente de voltajc se simula con un capacitor que permita lograr una constante de tiempo alta, de
manera que casi no se descargue y proporcione el voltaje V" haciendo que la cada de tcnsin sobre R/2
permanezca prcticamente constante, como se aprecia en la figura siguiente:
310
En el circuito de la figura anterior, la resistencia R ll se divide en dos parte iguales. La razn de esto es:
1) Establecer un trayecto de corriente desde la fuente de alimentacin hasta uno de los nodos de los
capacitares (C,aC,), permitiendo as que los capacitares puedan cargarse a un voltaje inicial, igual
al voltaje de Thevenin generado entre sus extremos.
2) Dejar "libres" a los nodos "x", de manera que el voltaje generado en dicho nodo por el eapacitor
cuando se apliquc seal al amplificador vare libremente su valor, de acuerdo al voltaje de la seal
de salida sumado con el voltaje inicial de carga del capacitor (C,aC,), pudiendo tener valores dc
voltaje en el nodo "x" con respecto a tierra, mayores al valor de la fuente de alimentacin ( V ee ).
Se prefiere conectar los capacitares C , y C, a V" en lugar de V, ' ya que se tiene mayor disponibilidad
de corriente en el nodo "y" para cargar a los capacitares.
Obsrvese que si la constante de tiempo de descarga de los capacitares es alta, la diferencia de potencial
sobre las 1<,/2 conectada a los diodos, permanece casi constante, compoltndose como fuente de corriente
y permitiendo que los transistores puedan llegar al borde de saturacin.
311
IX.4.1.2 Circuito Bootstntp
;: +V("(_
R,12 Q
o
R.12
D,
P
lver
+
-+
8
/s,
I
Q,
+ v" _
v, -~
R,. -==
D, C.,
N
t-'-"----+---fQ,
Las trayectorias principales de carga y descarga de los capacitares se muestran en la siguiente figura
para el capacitar C8 ,
Carga Descarga
Q, - Corte ; Q, - Activa Q, - Activa Q, - Corte
;. V cc
~.
+Vcc
R./2
+
Vc -C8
,
r
'--r--+-----i Q I
+
V:r:5' R,
312
Considerando que RE R/2, y que r"e (resistencia dinmica de la unin base-emisor) R/2,
entonces durante la descarga del capacitor, la constante de tiempo que se presenta, est dada por la relacin:
Si el amplificador va a operar a una frecuencia mnimafMIN ' el pelodo de la seal correspondiente ser
mximo TMAX ([M/N'" I/TMAx). Para lograr que el capacitor no alcance a descargarse en cada semiciclo
de la seal (TMAx /2), se propone que su constante de tiempo de descarga ""t" sea mucho mayor que la
duracin de cada semiciclo (TMA /2):
Re
8 B
>~
-1"
M/N JMIN
Por lo tanto:
2) Determinacin de R n
entonces:
Para v., > O, suponiendo VaSAT '" O, entonces VE'IMAX '" Vee
.
- VeE'SA7' '" VeC'
R
La corriente 1H por lo menos, debe tluir por la resistencia de base 'j"- I.YI' para poder saturar a Q"
adems deber tlt:':~:por esta resistencia, una cOlTiente "extra" para IlIante~er en conduce in al diodo D,
313
. . . 1('
t/"I) y que \". se ""transmita" a la hasl'lk: (j._ EntonLl'~ lac,~lda'lk tCllsill ;..uhrl' "'i: ;\! estar.} dada por la
diferencia de tensin l'ntre los plintos ."Q" y P cll<lI11hl :,..'\ <lInpllricadm opere a Inxlna seal
(V YV para V ~ l' ):
'"\fA' 1'1 M.-I.' '\1l \ "
Entonces:
R
Yel valor de -,!!. ser:
/<1' V(J-VI'
..' < ._,,----.
2 --
3) Clculo de r,
Q,
V
D, 1 DI
'MIIXO--------
r
r
-~
1.
'Mil,\'
N
lI D,
It en
R,.
1 -
R.12
M dIe e Il
NI< /2
-Ve!
314
adems:
con:
VN = V -O.6V
'MAX
VQ = V"o\111X + V.c.n
Vl'= Vi +O.6V
MAX
V
'MAX
r='-~-
. 1
'AMX
4) Determinacin de las corrientes de carga y descarga de los capacitores del circuito Bootstrap
.-----~---~~-~o + V""
R,,/2
Qt----,
1- - - - I
I
1 _ _ .. I
D,
8,,/2
315
1,
__ -v"---(- v,, )
---- - I
", R. /2 ",
con:
VQ =V"MAX + VCR
VN = V --O.6V
'Mil);:
VM =V"MAX - Ven
Ejemplo numrico:
Para
VE =Vec-VCE =20V-OV=20V
1 .<tI1
Re 90.
V =-- V =----20Vo= 18V
"MAX RE + Re E'MAX lO. + 90.
20V =2A
10.+90.
316
2(28.3 V - 20.6 V)
308.0.
50 x 10-' A
R. 308.0.
- < 1541:2
2 2
R
Se selecciona una ; de 100.0. (R. = 200.0.), con lo cual se genera el siguiente valor de l. (para Vi = O):
R.
- = 100.0.
2
R. = 200.0.
/,=97mA
- Clculo de c.
e = 10 10 = 1250.F
'MIN F R 40 Hzx 200.0.
JMIN H
[;:N = 1250llF I
- Clculo de Ti
R.
Para -2 = 100.0. Y V'MAX = V ce =,20V
VN = V -0.6V=20V-0.6V= 19.4V
'MAX
VQ = V
"MAX
+ V c = 18V + 1O.3V = 28.3V
Vp=V. +0.6V=20V+0.6V=20.6V
'MAX
/" , = 27mA
317
1, . = 1[> - 1[>, = 117 x 10' A - 27 x 10 ' ,1 = 90111/\
I/..t.\ I
V
' M 1\' JQV
r =l~" = ---'=---,- = 222.2n
, 'MAX 90 X 10' A
[-,=222.2n ;;:Jl
~
- Corriente de carga del capacitar Cll
~
- Resumen de los resultados numricos
.
(para v _
= V ):
_'",M:::A.:c.' -,
83mAi
loon le = 160mA
Q II V
....- - + - - - - -
lB
10m 'MAX
77mA1 /' SOmA
...------I-~=.-I Q,
CB + In v{}MAX ~18v
l. =90mA 1().3V
v. RE
I
'MAX -+ +
'MAX -~RI.=9n
20v . + I -=2Amp I
CB 1O.3v "MAX ...L
N
loon = 160mA
jle
I
M
loon
~----------o
---- R
C
- V,.,. = - 20v
'----277mA
318
Nota: Todos los valores son aproximados porque se calcularon sin tomar en cuenta las corrientes de
carga y descarga (l60mA + lGOmA) de los capacitares del Bootstrap que se derivan del nodo
de salida (lGOmA + lGOmA).
Las fuentes de eorrientc que sustituycn al circuito Bootstrap sc construycn con transistOl"cs y pucden scr
dc dos tipos:
+ V:r:
+
R:
D 2v JW
---->-
1n
!1"
Carga
--V,-t"
Los diodos D.! y D/I se pucdcn sustituir por un diodo Zencr (D) para aplicar un voltaje de rcfercncia
en la base dcl transistor.
La cOlTienle de salida para cste circuito se calcula con la siguientc relacin:
.' 19
2. Fuente de corriente "sink" (pozo)
V.
]Carga
L..- . ---'
Las caractersticas del circuito Bootstrap en comparacin con las caractersticas de las Fuentes de
Corriente son:
a) El circuito Bootstrap es ms sencillo y econmico, pero slo funciona para frecuencias mayores a
lafM1N
b) Las Fuentes de Corriente emplean un circuito ms elaborado, no tan econmico como el anterior,
pero permiten que el amplificador funcione desde frecuencia cero o DC.
320
1. CC-CE
~r
~-(
NPN-EQ ReE
EEa
PNP - EQ ----1
2. CE-CE
CEa
RBE
B lCa
NPN-EQ PNP - EQ R. E
Con los Pares Darlington anteriores, se pueden tener cuatro configuraciones dc amplificadores: dos
configuraciones complementarias y dos configuraciones casi-complementarias.
r--~-~----"--{) + V ec
~-
L -
321
--------------
D,
Vio--~
D,
Vi 0---+
Configuraciones
casi-complementarias
El circuito de la siguiente figura corresponde a una configuracin que permite tener retroalimentacin
en la etapa de salida (con muestreo de voltaje y comparacin de voltaje).
D,
Vi
:::L
.-
D4 _
+ l,
322
Cuando Q I Y Q, conducen, la confIguracin del circuito es la siguiente:
-MV
Los diodos del circuito de prepolarizacin que se emplean para compensar el voltaje de las uniones
base-emisor de los transistores de salida, se pueden sustituir por un circuito llamado Multiplicador de
VHE , cuya funcin es la de permitir un ajuste muy exacto del voltaje necesario para reducir la distorsin
decmce.
- Anlisis
323
......(2)
R
1+_1
R,
RI
Se define n =1+R ~
donde n es el nmero de uniones base-emisor que se quieren compensar con el circuito multiplicador
de V. c
Generalmente la resistencia R, se divide cn dos (R, variable y R, fija) con el objeto de poder hacer
un ajuste fino del voltaje de Vc",- El preset R, se co~~cta entre ba;~ y emisor para proteccin de los
transistores de potencia. En caso de que el pre~et se "abriera", el transistor QM se satura (Ve" ~ O) y los
transistores de potencia se apagan.
El amplificador de potencia se puede polarizar con una o dos fuentes de alimentacin, presentando as
siguientes configuraciones:
1,
Q,
324
2. Una fuente de voltaje (+ 2Vcc )
+2Vcc
1,
Q,
lCARGA
~+2Vcc
+f~;l
DA RE
+ e
Cv
~
;f +
DB
+-+V .........
ce
RE
("~
DESCARGA
1,
Cuando se emplea una sola fuente de voltaje (+ 2 Ver)' se requiere el uso de los capacitores de
acoplamiento C i y C", para evitar que las componentes de OC se apliquen a la fuente de Vi o a la carga R/..
La desventaja que se presenta al emplear capacitores de acoplamiento, es que la respuesta en frecuencia
del amplificador se ve afectada por stos. Un amplificador de este tipo no puede funcionar desde Oc.
[_0_:r:::m:i:_
Amplificador de Potencia
I
El pre-excitadores un amplificador con un transistor en configuracin de emisor comn con carga activa
que permite tener una ganancia en voltaje muy alta.
Generalmente. el pre-excitador sustituye a una de las fuentes de corriente o circuito Bootstrap de la
red de prepolarizacin. El circuito bsico consiste en un transistor en emisor comn con carga activa y
retroalimentado como se muestra a continuacin.
325
R,
El colector del transistor Q" se comporta como fuente de corriente para la red de prepolarizacin.
conservando la simetra de las fuentes de corriente de valor 1. de dicha red. Este circuito es un amplificador
de transresistencia. Para que n.mcione como pre-excitador de los transistores de salida, en el circuito de
colector se introduce el circuito de prepolarizacin (diodos o multiplicador de V R,), y los transistores de
potencia en configuracin de seguidor emisor, como se observa en la siguieute figura.
~ 1,
Q,
+
BIAS
RE
R,
CC +
Ri Ci \ v"
; ~J\/\I\r-1I
R,
L-o~ ---,_+~
.. " ' - ' - - " ' - ' - ' - - - -
'--------------~_
Ntese que QA acta como una n.lente de corriente similar a la fuente' de corriente 1,.. Adems, para que
en el nodo de los emisores se logre un voltaje de + VEC = (1/2) [ + 2Vccl se debe cumplir que IC = J,.
A
+
BIAS
v"
+
R,
p t--,--.-
t
(+)
3) Para Vi < OV, 'e < 1, y la corriente "extra" que no puede absorber c1transistor QA' fluye a la carga
RJ. a travs delt;ansistor Q, (y del capaeitor C,,) que entra en conduccin mientras Q2 se corta.
1\
BIAS
+
e
C"
v, +
R,
t
R, C,
"~LR' Q"
327
~~
~~
1) Clculo de R, y R,
r----------'---------------
/
donde: /B =---,'-'-
A ~"M1N
1.,
El valor de R, ser:
328
R,
ri
Ric~ll- MV
,.,
--:-+
i, ~ -
o
i,
1I
+ +
Vi
V RL
"
-
TIERRA VIRTUAL
(VB ~ OV)
A
I Av<~~-% \
l _ . _.: _ _ "':"'_.~-:.
y su valor, nrrr"lh".(e, es del orden '\. 411 a :00 para ampificadorcs de potencia.
- Delcrminacin de R i
A partir de la potencia de salida P" sobr.; "na msi~tencia de carga R L se puede determinar el valor de
1\ I\V
V"' V" Y V" para una onda senoidaL
y adems:
329
AV
Conociendo V'M.I.\" Y 11,.11..1.\ para lograr P, (V ) . St.~ puede detl'l'minar el \'alor de 1\ :
I/AX ')1..1\ \
y I R' = IA,I
R, -1 donde \ R' =. r , 1
- Determinacin de C,
~ dB
v,
0.5dB
C=_I_=-_-,---I_-
, 21tJ;R 21t (113) f M, ,/?
330
IX.4.3 Mejoras al amplificador de potencia (cambio de topologa de transresistencia a topologa de
voltaje)
El pre-excitador clase "A" cstudiado anteriormente, usa una sola fucnte de alimentacin de 2 VeC'
En algunos casos, sc prefiere rcferir la seal de entrada al centro de la fuente de alimentacin empleando
dos fuentes de + V ee y - VCC' con lo cual puede eliminarse el eapaeitor de salida (eJ, y como el rizo es
simtrico en las fuentes de+ Vee y - V ee ' se cancela cn el punto medio del amplificador (V,,) , aumentando
la Razn de Rechazo a la Fuente de Alimentacin (al RIZO) PSRR.
+ 0-
V
.~~
o~--- ------_..t
Este circuito prcsenta un PSRR bajo y una relacin seal a mido (SIN) pobre,
331
+ 0-
V,
~
-
~-/-~
~'1R,
Q, -
o-t----------------------+ {
El circuito mostrado anteriormente presenta un PSRR ms alto y una mejor relacin seal a ruido (S/N).
Por lo anterior, se prefiere referir la entrada al centro de la fuente de alimentacin, y esto se puede logrAr
cambiando la topologa del Amplificador de transresistencia (R M ) (invierte fase) a Amplificador de
voltaje (Av) (no invielte fase).
Para cambiar la topologa del amplificador de trasresistencia a amplificador de voltaje, se cambia el punto
de comparacin de la base del pre-excitador QA al emisor dc un transistor QE que se incluye para la
conversin del amplificador. Los circuitos bsicos de Jos pre-excitadores como amplificadores de
transresistencia y de voltaje, se muestran a continuacin:
332
ce
\
v; 0--+----1 QA
(a) (b)
Obsrvese en el circuito anterior, que la base del transistor QA sigue recibiendo una corriente
proporcional a la seal de salida retroalimentada, quedando de esta forma, inalterado el funcionamiento
del amplificador, en lo que al pre-excitador QA y la etapa de potencia (QI y Q,) se refiere.
El circuito completo para el amplificador de voltaje se muestra a continuacin:
Filtro LP
-de rizo (opcional)
--0 +V
ce
<-O.6v
e, / . . . . . . . . <Ov
~--[Q2
+ o----j H----f
v,
-4 R,
R,.
-- Filtro LP
de rizo (opcional)
R 1 Y R, en la base de Qc deben polarizar la base a un valor ligeramente negativo - 0.6 V) para que
V,,=OV.
Se incluyen tambin dos filtros de rizo R,C, y R,e, con el objeto de disminuir, lo ms posible, el rizo
de las fuentes de alimentacin + Ve, y - Vec> para evitar quc dichas variaciones en las fuentes de
alimentacin, produzcan variaciones en la polarizacin del transistor Q,,, el cual podra amplificadas como
si se tratara de la seal de entrada. Al aumentar la ganancia de lazo del ampliticador por la introduccin
del transistor Q", las etapas de entrada del ampliticador se van haciendo cada vez ms sensibles a las
variaciones de las fuentes de alimentacin (rizo), no pudiendo distinguir entre seal y rizo.
333
La red de retroalimentacin est fonnaua mr R f_.\' R, .. de modo que:
El capacitor Ce se calcula para que su reactancia (Xc. ) a la frecuencia mnima de operacin (f~f1N) sea
aproximadamente 0.1 Re' es decir, se necesita que la re~istencia Re; se encucntre concctada al emisor dc
Q,. y a la resistencia R,., a partir de la frccuencia mnima de operacin (/"/N)'
CV
jf I
Q,
R"
MV
--
+ + Q" +
RE
V
.' Rp >
;>
v.,
QE
;>R c
el v
" <
<' E Q,
- - -
o- L..-_
A
'------------- - V v
+ ,.
R
;:-,
Vi. ;:-Re
- t
Rp =R,IIR,
Se puede reemplazar al transistor QE por un par diferencial, lo cual permite lograr una amplificac;in
desde DC (fMlN ~ O) Yaumentar la ganancia de lazo. .
El circuito, con esta configuracin, se muestra en la siguiente fIgura:
334
-----------------------------------,
_----fQ,
t t---t-------QA
FILTROS PASA
ALTO Y PASA BAJO
R,
'---+----.-..JVV\,---4>----.....- - Q -Vcc
le,
'--------------------_._-------------
Obsrvese que ahora el voltaje de prepolarizacin en la base de Qli es aproximadamente cero volts,
pudiendo conectar directamente Vi a la entrada del amplificador. Los filtros HP y LP sc cmplean
generalmente, para determinar las frecuencias dc corte (lmites) de la banda de paso del amplificador.
- Topologa del circuito retroalimentado
.
<='-~
J[ Q,
~R, MV
QE ~
~
-J ~R'
+ + +
>
v .' Vi
Y'!'J
REE ?
fReE
v. <
<
R
l.
- - ":LfQE' -
0------
~-
AAA
VR~
~RG
+
V,
~-
-
335
IX.4.4 Mtodo simplificado de diseo de amplificadores de potencia en simetra complementaria
Este mtodo de diseo se presenta con un ejemplo numrico que cumple con las especificaciones
propuestas en el inciso "A", empleando la configuracin mostrada en el inciso "B".
R, 12
9
+---\----.-- QA
L_+t-~VVV .---+-----~-----.-..-_o - V cc
C- R
'I ,.
"'='" 13
336
C) Configuracin propuesta para la fuente de alimentacin
--TI
TI
~
,.--'
Ll-
- _1 +
Fo
~
-
lcc
o
t D,Le' D,L Yo ~Co
l20vAC ~ II'~_ ~V, I
COM
fl)H z
+ r I~ y, I D" -' D4 L Co
+F
" T+ o
~
------ -- ~
i) Clculo de Vee
La ecuacin emprica para determinar la potencia de salida P" en [uncin de la fuente de alimentacin
es la siguiente:
P" -"1 L :L 4)
R +
2
Vee
+ . ,.,." , ,.. ,.., , -., . ".. ".,.,., (1)
De la ecuacin (1) se obtiene la expresin para Vee como funcin de la potencia de salida:
---
RL 2(RL+ :L +4)
4Q 18
8Q 25
-- --
16Q 40.5
--~---
...
337
Entonces para Rl. = Xi) Y P" = 36W, se tiene:
V,,= 16.97V(~17.0V)
Por lo tanto, el valor de la corriente promedio (lec) entregada por la fuente de alimentacin ser:
1"
/\
1" , ,,
,, ,,
,, ,
, ,
,-'- -- ~\-
,, ,,
._~.....li,'--~,~"~--"'--_~--'"-- ~-'I
- - - Conduccin de QI
- -'- - - - C', Conduccin de Q,
, .
I /\ l
1ce =~'l
n' (' =-x3.00=0.955A
1t
\ lcc =0.94
338
1) Transfornuulor [ 1', l
Voltaje: Tomando en cuenta una cada de tensin de aproximadamente 1.0V ( @ Ir = I.OA) en polari-
zacin directa para los diodos D" D" D, Y D" el voltaje V, en el secundario dcl transfo011ador ser:
30.0 + 1.0
., 2. = 21.9V
[v, = 22VJ
Corriente: Considerando que se tiene un puente rectificador de onda completa y carga resistiva, la
capacidad de corriente del secundario se calcula de la siguiente manera:
~
2 2
1t n
I =---- 1, = - - - = x 0.955 = 1.66A
, 4{2 ce 4{2
El margen de corriente (2.0 - 1.(6) A se utiliza para alimentar el resto del amplificador (10 que no
es Q, y Q,).
El transformador T, se especifica como:
Voltaje: Los diodos deben sop0l1ar un voltaje inverso igual al voltaje pico de todo el secundario. Se
acostumbra especificar el doble del valor anterior para tener un margen de proteccin para los diodos.
[ VRIIM = 200V I
Corriente: Los diodos lkbcn conducir una cOlTiente promedio igual a la mitad dc la corriente total (/('(.).
Se acostumbra especificar el doble del valor anterior para tener un margen de proteccin para los diodos.
339
Los rectificadores se seleccionan con base en los valores de 1FAV Y VRWW
Para determinar el valor del filtro (capacitar) C", se caleula la media geomtrica entre los lmites
o\Jt',nidos para el capacitor C" con los siguientes criterios:
Valor mnimo: Se obtiene el valor mnimo de C" cuando su reactancia, a la frecuencia de rizo; es la
dcima parte del valor de la resistencia equivalente de la fuente (C" se comporta como cortocircuito para
el voltaje de rizo).
1
C =. -----~=. 737.tF
"M/N 2n x 120 x 1.8
~: =.737~tF
~'-----'
340
Valor mximo: Se obtiene el valor mximo de Co cuando su constante de tiempo asociada con R EQ es
diez veces mayor que el perodo de la frecuencia de rizo (/) (Cose comporta como fuente de voltaje).
CoMAX I
R e
6Q D
=HlT
I
l l
Donde: T , =-=-=
J, 120 8.33mseg
3
C _ 10'( 10 x 8.33 X 10- = 4 629 F
Entonces: oMAX - REQ 18.0 ,~
Generalmente se especifica el valor comercial prximo superior, con un voltaje mayor o igual que el
voltaje de salida de la fuente de alimentacin (Vee)
4) Proteccones [Fa]
Los fusibles se especifican con un valor comercial prximo superior al valor de la con-iente pico mxima
en la carga.
F o : 120VI220V
3.0A
Clculo de los valores mximos de voltaje, corriente y potencia para los tnmsistores Q, y Q,.
341
, ' ,o, , ' .. ~ '-_.
RE
+ v"
l
R, R" -
i) Clculo de la potencia disipada por cada transistor. Para un amplificador clase "AB", se obtuvo la
expresin de la mxima potencia disipada en los transistores de potencia: '
2 2
ii) El voltaje entre colector y emisor que debe sclpOltar cada transistor, se obtiene considerando a un
transistor en corte, y al otro al borde ele saturacin. El transistor qte est en crte deber soportar
un voltaje igual a la fuente de alimentacin total.
iii) La mxima corrientecle colector que deben manejar los transistores, generalmente se especifica
al doble de la corriente pico mxima en la carga.
/\
leMAX =2/,=2x3.00=6.00A
(
Pv
MAX
2 Pe
MAX
= 11.39W
/\
ICM 2 I L,
. MAX
= 21" = 6.00A
Consultanelo el Manual de Transistores de Potencia, se seleccionan los transistores siguientes:
342
,---- -~
--
TRANSISTOR VCEO I CM p @ 1; = 200"C h'EM/N @ I c- =4.0A e
"
("CfW)
--- -------- -----~
Empleando un circuito elctrico para encontrar el disipadnr adecuado a cada transistor, se proponen las
siguientes analogas:
ej
, ..... Resistencia Trmica entre la juntura (unin) del transistor y su encapsulado (case).
ej ,;
t Pe'MA,X
Pe = II.39W
MAX
e = 1.52C/W
"
e" = 1.0 C/W (se propone para un montaje con mica y grasa de silicn)
e",= ?
T = 200C
Jm."
T" = 25 oC
343
Del circuito. para una T = 200 "c. sc obtiene: . ,\.,
I nn....
l' -1'
D _ 1",,",'( II
, (MAX - O +O +O
l' n .'u
TIMAX -1'u
OJ' -O
PC <".'
MAX
Sustituyendo valores:
200 - 25 " ,
OH' =1139 - 1.52 - 1.0 = 12.84 C/W
344
Curvas Trmicas del Disipador
de Aluminio Modelo 1637
e," (OCIW)
15 1-
13 --
~""""" -8
'11 -- ~ '"
W 20 ~, ~ 5~
Aluminio Natural
- - Aluminio Anodizado Negro
Las resistencias de emisor se proponen de 0.5Q con una potencia de disipacin de:
1\2 2
P D = 1" Re = (3,00) X 0.5 = 4.5Watts
Re = 0.5W4.5W
2 unidades de lQ/5W
en paralelo
Para R.e se usa un valor que se encuentre en el intervalo de 22Q OS; RBe OS; 100Q, Con R.e = looQ la
especiticacin del par 2N3055 - MJ2955 pasa de V ceo = 60V a VCCR = 70V, con lo cual queda asegurado
el lmite de voltaje colector - emisor para dichos transistores.
A travs de R. e aparece un voltaje V. e del transistor de salida correspondiente y que nunca excede los
1.5V. Entonces:
I R. e = lOOQ/O,5W I
6) Excitadores clase "B" [Q, Y Q,l
Clculo de los valores mximos de voltaje, corriente y potencia para los transistores Q, y Q,.
345
i) Clculo de la corriente pico mxima de Q:< y Q.
/\ /\
Con el valor de h",
...t' M/N
de los transistores '2N3055 - MJ2955, se obtiene el valor de le
.1
= le 4
de la
sIguIente lOfIna:
/\
/\ /\
1" 3.00
lc , =le =-h--=20= l50mA
. . f"F'MIN ~
ii) Los excitadores estarn sujetos prcticamente al mismo voltaje que los transistores de salida, esto
es, el V eE ser:
'MAX
Po ~ 569.5mW
MAX ,
VCED 2 60.0V
lCM 2 l50mA
Para aumentar el margen de seguridad de los transistores con respecto al V<EO se selecciona el par
complementario TIP29BrrIP30B, los cuales tienen un VCfiO =80V> 60.0V.
Tomando la especificacin de la resistencia de la juntura al ambiente dada por el fabricante aja
= 62.5 C/W, se puede calcular el potencial trmico de la unin 1'. para la potencia de trabajo PD =
J MAl(
569.5mW. -
r--------__.J
t P D MAX
+ T = 25C
"
TJ = PI' -"MAX}II
e +T <l
= 569.5 x lO" x 62.5 + 25 = 60.59 OC
Como TJ = 60.59 oC < T'mal( = 150 oC, los excitadores Q, y Q, no requieren disipador.
1Q" Q, - TIP29BrrIP30B \
Tomando una 13"ror igual al producto de las betas de los transistores, resulta:
,
Entonces la cOlTiente de base pico de Q,y Q, ser:
1\ .'. j c," ,.
/\ /\ 1 1ao '
la, =1., =13-"-= -SOO =3-75mA (~4_0mA)
ror
/\ -1
l, = 21'1 = 2x4.0x 10 =8mA
--.-----------.-~o+ V ee
@t-----.
t----+--J
B
1
A
S
.------1
" - - - - - - - - - - { ) - V ee
- Clculo de R/2
V
Q
= Vee; V = 30.0; 1.2 = 15.6V
p
348
/\
Al aplicar al amplificador la,mxima
A
amplitud de la seal de entrada (v. = V '~X ), se genera en la salida
I
/\ /\
Vp =V +1 Re + 2V.E =24.0+3.0xO.5+2(1.5)=28.5
MAX MAX MAX (MAX)
RB VQMAX -VP
1NF _ MAX
2 I.
V - Vp
ee 30 - 1.2 = 12mA
I
.
=--""-,---'-
R. 2400
La potencia disipada en R. 12 ser:
R.=24000
R
. ;, = 1200Q/0.5W
1,= 12mA
- Clculo de C.
C. se calcula para que se comporte como una fuente de voltaje a partir de la frecuencia mnima de
operacin (perodo mximo de la seal).
l
C. donde TMAX =----- con fM/N = 20Hz
R TMAX JMIN
2.
2C . =IO ,
1
Entonces: TMAX = 20 = 50.0mseg
349
10 x 50.0 x 10-' = 20S.3 F
2(1200) ~
IC8=220~F/25V I
ii) Diseo de la Fuente de Corriente con Transistor
D, R,
D,
~--lQ,
lREF .V,
--1
B
1
A
S
------0 -Vec
- Clculo de R-,
Del circuito:
1.2 - 0.6 = son
12 x 10-'
[ R, = 50n/0.25W I
R, puede estar formada por el paralelo de dos resistencias de 100n, o una resistencia fija de 33n y un
preset de 27n.
350
- Seleccin de Q,
-1
PeMItX ;:: 2Vee 1.=
.\
60x 12x 10' = nOmW
Con base en los clculos anteriores, se selecciona un transistor TIP30B con las siguientes especifica-
cIOnes:
TIP30B (PNP)
Pv =2W> nOmW
1 =__
1 ,_ = 12 x 10-' = 300..tA
B.. h.fE 40
M1N
Proponiendo una IREe = IOIB, = 10 x 300 x lO"" = 3mA, entonces el valor de RREe ser:
351
Para los diodos D, y D, se propone emplear los diodos de pequea seal lN4148 o1N914.
DIODO
IN914 75mA
IN4148 75mA
1,M
.-
R'M f'+
QM Ve.
R'MA
R'M
R'M
Como el voltaje colector-emisor de trabajo de QM es cercano a 4 VD' (4 x 0.6 = 2.4 V), se puede
seleccionar un transistor BC547B o 2A237B, con las siguientes especificaciones:
= 62.5mW
PD
M t .> Pe = V eE 1 =2.4 x 12 X 10-' = 28.8mW
MAX . $
----sin disipador
QM-BC547B
Este transistor tiene una k,. de 150. Con dicho valor se obtiene una l. de:
T~ M
1, 12 x 10-'
l. =--- = SO.v\
M k'ETYP 150
612.40 - - , (6800)
Para n = 4, se tiene:
R'M=20400 - - (18000)
R'M
A
=4700 (fija)
R'M
8
=4700 (preset)
Los valores de "n" que se obtienen con los valores mximo y mnimo de R2M son:
8
R 'M
n=l + -
1800 8
= 1+--=4 2
RUf 470'
R 1800
n= 1+ -'M= 1 +--=291
R2M 940'
Entonces, los valores propuestos de R1M' R2M Y R2M son:
A 8
353
I R c, = 1800 /O.5W I
10) Par diferencial [Q", QE' , lEE' RmI
+ Vcc
REE
r., lliE~
QE Q;
-+ Q.
IR CE~ lB
Rc E
-VCC
30.0-0.6 =4045.870
7.26x IO-J
El valor de R EE se ajusta con:
4700/0.5W (preset)
355
Con base en los datos anteriores, se propone,emplc~r el transistor TIP30B (2) con:
I
Qc' Qc' - TIP30B 1
Como la impedancia de entrada del Par Diferencial es alta, el valor de la impedancia de entrada dada
como especificacin (r; = IOKn), deber ser igual al valor de R. del circuito. Por esto, se propone
R. = IOKn, y para que el Par Diferencial est balanceado, se propgne RF = R. = IOKn . Obsrvese en
. el ~ircuito que ambas resistencias (R. y R,.), estn conectadas entre las bases Dde Qc y Qc' respectiva-
: mente. R. est conectada tambin a t~erra fsica, y R F est conectada al nodo de salida, el cual presenta
. un potencfal de cero volts (tierra virtual) cuando no hay seal aplicada. De esta manera, cada base de los
transistores Qc y Qc' "ve" el mismo valor de resistencia conectadas al mismo potencial de cero volts.
La ganancia en voltaje (Av) del amplificador retroalimentado de voltaje, est determinada por la
relacin de v" v;,
y y tambin' por el bloque ~ de retroalimentacin, de la siguiente forma (suponiendo
una ganancia de lazo "Av" muy grande):
+ +
'Rv
A "
l'
? v
Ro "
'--_, . .-J
356
y los valores de Vo y v; son:
Vo=.. PoPL = ..J36.0x 8 = 16.97V ~ 17.0V
V; = 1.0VRMS ~ dato proporcionado en las especificaciones del amplificador
Despejando el valor de R G:
Por lo tanto:
Despejando a CG:
C = l = 1
G 21tf M1N (0.1) R G 21t (20) (0.1) (560)
CG = 142.IJ.lF _ _o (l50.tF)
357
12) Filtro de rizo superior [Rx ' C.I ,'.
Por lo tanto:
X = I O IR
CX 2rtJ;C, "
C = I 1
, 2rtJ; (0.1) R, = 2rt (120) (0.1) (39)
C, = 340.071lF - - , (330.tF)
[5 = 330llFl50V I
13) Filtro de rizo inferior [R", C,]
R = R CE = 180 = 180
, 10 10
IR, = 180/0.5W 1
C,=736.82IlF _ _o (10001lF)
I C, = l000IlF/5~
14) Filtros LP y HP [Ro , Cn , R,p, C IP]
o o
La red formada por las resistencias R. y R IP , Y por los capacitores C. y CLP ' forman dos filtros
D D
(aproximadamente): un filtro pasa bajas (LP) fonnado por R IP y C IP , y un filtro pasa altas (HP) formado
por R. y C. Estos filtros afectan la respuesta en frecuencia del amplificador en la siguiente forma:
D o
IAvl dB 0.5dB
l."
f------+-I---~I- - - - - - - - - + - j--+-- - -f
C.D
' /1,
: 11 IR. o:
HP
1
ro - -=--=-::c--
- L __ H_R_LP_C_,P_ _
\
359
La relacin entre las frecuencias mnima y mxima (JWN y !"u) con las frccuencias de corte respectivas
(JL y fH)' son las siguientes:
-0.5dB
o bien:
1
-v + (lL)2 =
1 0.944
f M /N
l
1;. = 0.3493fMIN ; f L="3 f M/N
1
= -0.5dB
~(fMAX)2 F dEl
J 11
o bien:
l
~ 1 + (fMAX )2 =0.944
f"
con:
360
Entonces, para C8 resulta:
D
C8D =
21t
(1"3\~fMINRBo = 21t (1\
"3/ 20I)(lOx 10) 1
C8 = 2.38flF - - , (3.3flF)
D
FILTROHP
R8
D
= 10KO/0.5W
C8
D
=3.3flF/IOV
fe =4.82Hz
f.flN = 13.8Hz
con:
I I 1
Rl.p = 10 R BD
= "lO x 10 x 10 = 10000
C _ I _ I
I.P - 21t (3fuAx ) R Le - 21t (3) (20 x 10' ) (1000)
C Le = 2.65nF - - (2.7nF)
FILTROLP
361
LISTA DE COMPONENTES
- Transistores
Q,- TIP30B
QM-- BC547B
QA - TIP29B
-Diodos
- Resistencias
RE - 0.5Q/4.5W x 2
(2 de H2I5Wen paralelo) x 2
RaE - IOOQ/O.5W x 2
Ra
1.2KQ10.5W X 2
2
R, - 50Q/O.25W
(2 de lOOQ/O.25Wen paralelo)
R2M - 470Q/O.5W
A
Re - l80Q/O.5W
E
362
Re.. - 404SDJO.SW
Rn - IOKDJO.5W
o
RF - lOKilIO.SW
R, - 39Q10.5W
R, - lSQlO.5W
R LP - lKQlO.SW
- Capacitares
Co - 2200I1FISOV x 2
C n - 220I1FI2SV
C, - 330l1FISOV
C,. - IOOOI1FISOV
C n - 3.311F11OV
o
- Transformador
- Fusibles
F o - 120V1220V - 3.0A
363
APENDICEA.
EJERCICIOS PROPUESTOS
1. MODELO HIBRIDO 1t PARA EL TRANSISTOR BIPOLAR DE UNION
I.l
a) Calcular los parmetros del modelo hbrido 1t para un transistor con las siguientes caractersticas:
~. '" 200
1e '" ImA
Q
b) Si la corriente de polarizacin le aumenta o disminuye qu sucede COn los valores de r" ro' r" y
gm (aumentan, disminuyen, no seQalteran)? Justificarla respuesta con base en las curvas del transistor.
c) Establecer una relacin general entre r" r", r" y gm' Y la corriente de polarizacin leQ'
d) Cul es la condicin para que un circuito funcione a seal pequea? Justificar la respuesta.
e) Por qu el modelo de seal grande del BJT es no-lineal y el modelo de seal pequea es un modelo
lineal? Justificar la respuesta.
g) Son iguales los modelos de pequea seal para un transistor NPN y un PNP? Por qu?
h) Deducir el modelo de pequca seal para un transistor de efecto de campo JFET en Fuente Comn.
1I.1
Para cada configuracin que se muestra, calcular r:, r",,', Av = v" IV i Y Av' '" v. Iv,.
a) Emisor Comn
+Vec
Re
Ce
R, Cs r ,oi'
~"I\ v----H---t--+-i Q +
+
+ Vo RL
v, Vi
RE lc E
367
+Vcc
R,
,
ri
Q
,
+ r5tl /
Vi R,
RE CE V+ RL
.- -
"
Nota: Excepto para el Emisor Comn, emplear el modelo hbrido 1t utilizando la fuente de voltaje
controlada y aplicar el mtodo de corrientes de malla.
368
E
E
H.2
Repetir el anlisis anterior, aplicando el Mtodo de Paralelos Aparentes para detenninar las expre-
siones de r,' y r,",', y auxilindose de divisores de voltaje, obtener las expresiones de
Av = ve Iv; y Av' ,= ve Iv, . Compararlos resultados de esta parte (H.2) con el punto anterior (U.l).
HU
Obtener el transistor equivalente para el Par Darlington CC - CE en Emisor Equivalente Comn.
Calcular la f3 equivalente y el modelo de pequea seal equivalente (r1C , r"EQ ,y g m ). Cul es su
.. (> EQ EQ
caracteflshca prmclpal?
HI.2
UU
Qu aplicaciones puede tener el Par Darlington CC - CE YCE - CE?
IV.I
A qu se debe que el Par Cascodo presente un ancho de banda ms grande que un Emisor Comn
con idntica ganancia en voltaje Av' = v" Iv,? Explicar.
IV.2
Qu criterios se aplican para polarizar al transistor Q, (EC) y cules para el transistor Q, (BC)?
J lIslftcar la respuesta.
--o v"
+ V88 o - - - - - i Q,
Vi 0-----1 Q,
V.I
Para un espejo de corriente, explicar que significan los siguientes conceptos; regulacin, compliancia
y rango de operacin. .
V.2
Para la fuente de corriente Widlar que se muestra, cunto debe valer RE para obtener una figura de
mrito de JOVA ?
,---.----,---0+ Vcc
J" = ImA
J3 " = 200
VA =' 100
V BE =0.6V
V CE =0.6V
J"(l/
VT =25mV
r l1 Pfy
370
VI. PAR DIFERENCIAL
Vl.l
VL2
Explicar conceptualmente cmo es posible que el Par Diferencial puede amplicar seales en modo
diferencial y rechazar seales en modo comn,
VL3
Para qu valor de v;J se produce la conmutacin de corTiente de una rama hacia la otra del Par
Diferencial? En qu familia lgica se emplea y qu ventajas tiene sobre las dems familias lgicas?
VL4
VI.5
Por qu I\"..... /t" -:::: 1\".", ,,,, -:= o'.' i,<)u condiciones debe cumplir el circuito para que sea vjlida esta
relacin'!
VI.6
VILl
VIL2
Por qu si los polos tienen una componente real e imaginaria, presentan una respuesta oscilatoria
amortiguada como respuesta transitoria a una entrada escaln. y un pico resonante en la respuesta en
frecuencia '!
VIU
(',Qu' l'S la Respuesta en l:rccllcncia de una funcin lk transferencia'? Cu;1 L'S su ()rigen (de dnde
proviene r.)
:171
VU.4
VIl.S
Cmo son, comparativamente. los diagramas de Bode de Magnitud de ~,,(jro) y 0." (jro)? Con qu
configuracin del transistor estn relacionados?
VIl.6
Por qu es vlido separar el anlisis en frecuencia de un Amplificador con transistor en tres partes:
Frecuencias Bajas, Medias y Altas?
VII.?
Mediante el Mtodo de las Constantes de Tiempo, calcular las frecuencias de corte f L y f" para
v v
Av = --" y f L * y J;* para Av' =-", para los siguientes circuitos:
v., v.'
a) Emisor Comn
~----+--{) + Vcc
Re
10K Ce
....-----jl f----, 1c = lmA
R, CB ItF Q
--'V\I'v---j1----4-----1 +
60012 + ItF
+ v"
372
b) Emisor Degenerado
Re
IOK CC
lilF
+ I C =lmA
Q
Rl,
+ R B =R I 11 R2 =20KO
v, R2 IOK
22K
c) Base Comn
R CE
, --1 f----.,...--"
6000 + lilF
IC
Q
= lmA
R 8 = R,II R 2 = 20KO
d) Colector Comn
R, IC = ImA
Q
600n 1.tF
R8 =R I IIR 2 =20KO
...-----.1 r---+--,
Vi CE
v
"
373
VIII. RETRALlMENTACIN
VIII. I
VIII.2
Explicar (se puede emplear dibujos) cmo es el efecto de carga del bloque A al ~ y del bloque ~ al A,
para los dos tipos de muestreo y los dos tipos de comparacin.
VlIl.3
Indicar los pasos a seguir para analizar un circuito retroalimentado, explicando cada llno de ellos.
VillA
VOLTAGE-SERIES FEEDBACK,
VOLTAGE-SHUNT FEEDBACK,
CURRENT-SERIES FEEDBACK y
CURRENT-SHUNT FEEDBACK?
VIII.5
Calcular A, AJ', ,. , r.', ,. / Y ,. /' para los siguientes circuitos. Dibujar la topologa del circuito y
~r '1 "U f ''''f .
el circuito auxiliar con los efectos de carga de la red de retl"Oalimentacin.
a) Circuito 1
r---------------.------------------,
+ VDD
R' Ce C,
.'
f-
+ +
Re Rs RL
v"
374
b) Circuito 2
+VDD
RD
Ca
I
R', Co
+
-1
+ v" RL
v' rv Re Rs
.'
-
c) Circuito 3
d) Circuito 4
R, R e,
~-----lQ2
+
R ,. v,,
375
e) Circuito 5
t) Circuito 6
I
>--~--{)v"
\ +
+ ...
r
A A"A
+0 +
; ~ri
<;
+ A vv e
_ vo
:;= 0-
376
g) Circuito 7
R,
R,
+
v'., rv
IX.!
IX.2
Calcular la eficiencia mxima 11 M AX para un amplificador clase "A" con acoplamiento directo y con
acoplamiento por transformador. Cunta potencia manejan el transistor y la carga?
IX.3
r-----.---0 + Vce
377
IXA
IX.5
IX.6
Explicar cmo funciona el pre-excitador c1asc "A" de un amplificador de potencia, indicando las
trayectorias de las corrientes para cada semiciclo de la seal de entrada.
IX.7
Por qu se prefiere alimentar cl amplificador con dos fucntes simtricas en vez de utilizar slo una
fuente de voltaje?
IX.8
378
APENDICEB
Partiendo del modelo hbrido 1ten emisor comn, se obtiene la siguiente secuencia de transformaciones:
'Vv I
@Ol--+---{...-}---+----O
;. ~r.
+ <
0--+-----------0
381
La fuente de comente que h" ClIdado en praie ~on r,. tiene tambinel voltaje de c~ntrol v, en Sl!S
mismas terminales. por lo cual se campana como una resistencia de valor IIg m " Esto sucede as porque al
aplicar un voltaje ", a dicha fuente, sta responde con una corriente proporcional al voltaje aplicado y a
la constante 11 gm"
'+.,'
=? :t
l
/'.
ig,,,v,
3~ +
, r ,
----+------<>----"0
Como r, = f~, entonces el paralelo de las resistencias r, y 1/8 m lo domina la resistencia 118 m Y el
circuito se puede simplificar:
I~
~FE
382
La resistencia 11g", corresponde a la resistencia base-emisor vista desde el emisor, y se le llama
resistencia de juntura del emisor r,. Cambiando la polaridad del voltaje de control vh (= - v,) se obtiene
el circuito final del Modelo Hbridb 1t en Base Comn:
383
APENDICEC
PARCASCODO
PARCASCODO
RL - Resistencia de carga que presenta la etapa en Base Comn a la etapa Emisor Comn.
ce
+
+
+ -)-_JVV\,---j-<>]
/-l"V2 r
"~
v, r v, r
", " Ru.e
+
0--- --- ------.-.--------+-- o
A VOl' =g m R IAC
2) Si R,.,
.....
= r" =} A..'IX' = -2 ; R,Te = 2r'j
A l'
=_" c.......
A ,...
t.r"
2
387
Las ecuaciones correspondientes para A" ,R, ,A" YAv son:
fC "fe tiC
R = r,(r" + R/AC)
LEC r,( 1 + ~.J + r" + R IAC
R
A lAC -(1+ )
VBC r +R J1"
" LAC
Como se puede observar, los valores de las ganancias en voltaje dependen de la relacin. entre r" y
R lAc '
388
BIBLIOGRAFIA
l. Paul R. Gray and Robert G. Meyer. Anlisis y Diseo de Circuitos Integrados Annlgicos. Prentice
Hall.
2. Jacob Millman and Arvin Grabe!. Microelectronics. Mc Graw Hill.
3. M.S. Ghausi. Circuitos Electrnicos Discretos e Integrados .lnteramericana.
4. Adel S. Sedra and Kenneth C. Smith. Dispositivos Electrnicos y Amplificacin de Seales.lnter-
americana.
5. c.J. Savant, Martin S. Roden and Gordon L. Carpenter. Diseo Electrnico. Addison-Wesley Ibero-
americana.
6. Robert Boylestad and Louis Nashelsky. Electrnica Teora de Circuitos. Prentice Hall.
7. David Bez Lpez. Anlisis de Circuitos por Computadora usando SPICE. Alfaomega.
389
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