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Fora cada carga exerce sobre outra chama-se fora Coulomb ou eltrica.
Valor escalar fora Coulomb vcuo:
1 q q2
F E=
4 r 2
Onde:
=k o
Onde:
k constante dieltrica material ( k = 1 para vcuo);
o permitividade vcuo ( o= 8,85* 1012 2 2
C / Nm );
Todas cargas livres mltiplos inteiros quantum carga. Eletro tem carga e,
proto carga +e.
Campo eltrico fora por unidade carga. Assim surge seguinte equao:
FE
E=
q
Onde:
E campo eltrico [N/C];
W =qV
Onde:
W trabalho realizado contra foras campo eltrico para transportar
carga pontual entre dois pontos [J];
V tenso ou variao de potencial [V];
Potencial num ponto trabalho realizado contra foras campo eltrico para
transportar carga teste positiva desde infinito at ponto. Potencial infinito
zero.
Onde:
x distncia entre cargas pontuais [m];
q
C=
V
Onde:
C Capacidade condensador [F];
q
I=
t
Onde:
I Intensidade corrente [A];
V
R=
I
Onde:
R resistncia eltrica condutor [];
Onde:
resistividade eltrica condutor [];
R=R o+ R o (T T o)
Onde:
temperatura T :
= o + o (T T o )
q
P=V
t
Onde:
P potncia eltrica [W];
P=VI
P=I 2 R
Leis Kirchhof
Lei Ns: soma todas intensidades corrente chegam n igual soma todas
intensidades corrente partem do n.
H campo magntico regio espao quando carga que move nessa regio
fica sujeita fora devido seu movimento.
Magnete aponta plo norte para plo sul. Linhas campo magntico saem
plo norte entram plo sul.
Direo e sentido fora exercida sobre carga positiva que move campo
magntico determinada regra mo direita.
Expresso matemtica fora exercida sobre carga que move num campo
magntico seguinte:
F M =qvBsin
Onde:
Variao fora exercida por campo magntico sobre condutor percorrido por
corrente eltrica representada seguinte expresso:
F M =I ( L) Bsin
Onde:
=NIABsin
Onde:
momento sobre espira plana [Nm];
Pela regra octeto, ltima camada deve ter 8 eltrons como caso gases
nobres, excetuando hidrognio e hlio que emparelham com 2, logo quando
tem menos eltrons estes ficam desemparelhados. [5]
[5] O que so eltrons
desemparelhados?,https://br.answers.yahoo.com/question/ndex?
qid=20080218061127AAgmtBb
Materiais diamagnticos diminuem ligeiramente densidade fluxo magntico
numa bobina. Materiais ferromagnticos aumentam fortemente densidade
fluxo magntico numa bobina.
M =BAcos
Onde:
M fluxo campo magntico [Wb];
2
A rea superfcie plana [ m ];
Segundo lei Lenz fora eletromotriz induzida tem polaridade oposta variao
fluxo campo magntico que a provocou. Se fluxo campo magntico atravs
condutor aumentar, corrente produzida pela fora eletromotriz induzida
gerar um fluxo que tende cancelar aumento anterior.
=N M / t
Onde:
valor mdio fora eletromotriz induzida [V];
M / t
Onde:
grandeza mdia fora eletromotriz induzida, sua polaridade
depende sentido corrente [V];
BLv
Onde:
L comprimento condutor retilneo [m];
De acordo Lei Lenz fora eletromotriz induzida ope processo. Neste caso
fora exercida pelo fluxo campo magntico gerado pela corrente induzida
ope movimento condutor.
=2 NABfcos 2 ft
Onde:
N nmero espiras bobina;
2
A rea cada espira [ m ];
f frequncia rotao [ Hz ];
Enquanto corrente fornecida pelo gerador, fios bobina sofrem efeitos uma
fora retardadora devido interao entre corrente e campo. Assim trabalho
necessrio para rodar bobina origina energia eltrica fornecida pelo gerador
e perdas devidas atritos, que so pequena frao energia entrada.
mdio =NIABsin
Onde:
=Li/ t
Onde:
L coeficiente auto-indutncia bobina [H];
Quando fluxo campo magntico criado por bobina atravessa rea outra
bobina, mutuamente induzidas foras eletromotrizes bobinas. Fora
eletromotriz induzida segunda bobina (tambm designada bobina
secundria) proporcional variao corrente no tempo da primeira bobina
(tambm designada bobina primria). Esta fora eletromotriz induzida
representada seguinte expresso:
s=Mi p / t
Onde:
s fem induzida bobina secundria [V];
E=(1/2) L I 2
Onde:
E energia armazenada bobina [J];
v =v 0 sinwt
Onde:
v voltagem instantnea gerada pela bobina [V];
v0 valor mximo ou amplitude voltagem [V];
v =v 0 sinwt
Onde:
f frequncia revolues por segundo [Hz];
T =1/ f
Onde:
T perodo voltagem [s];
V ef =v 0 / 2
I ef =i 0 / 2
Onde:
V ef valor eficaz tenso [V];
2
P=I ef R
Onde:
P energia trmica gerada [W];
V =I X L
Onde:
X L=2 fl
Onde:
X C =(1/2)fc
Onde:
C capacidade condensador [F];
Z = R 2+( X L X C )2
Onde:
Z impedncia circuito [];
Tenso aplicada circuito deste tipo representada atravs seguinte:
V =IZ
Onde:
ngulo fase entre tenso e corrente [];
f 0=1/(2 LC)
Onde:
f0 frequncia ressonncia [Hz];
Potnciadissipada=V ef I ef cos
Onde:
V ef valor eficaz tenso [V];
fator potncia;
Fator potncia tem valor unitrio para resistncia pura, mas valor nulo para
uma indutncia pura ou condensador puro.
Razo entre diferenas potencial igual razo entre nmero espiras em cada
bobina:
V 1 /V 2=N 1 / N 2
Onde:
Razo entre correntes inversa razo entre nmero espiras em cada bobina:
I 1 / I 2=N 1 / N 2
Onde: