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EN2719

Dispositivos Eletrnicos

Semicondutores: fundamentos
Prof. Carlos Reis
Sala-705-1-A
Estrutura do tomo
Um tomo a menor partcula de um elemento que mantm as
caractersticas deste elemento.
Cada um dos conhecidos 109 elementos possui tomos que so diferentes
dos tomos de todos os outros elementos. Isso d a cada elemento uma
estrutura atmica nica. De acordo com a modelo clssico de Bohr, os
tomos tm uma estrutura do tipo planetria que consiste de um ncleo
central rodeado por eltrons em rbita.

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O ncleo formado de partculas carregadas positivamente chamadas 2
prtons e partculas sem cargas chamadas neutrons. As partculas bsicas
de carga negativa so chamadas de eltrons.
Nmero atmico
Todos os elementos esto dispostos na tabela peridica de forma ordenada
de acordo com o seu nmero atmico. O nmero atmico igual ao
nmero de prtons no ncleo, que o mesmo que o nmero de eltrons em
um tomo eletricamente neutro.
Por exemplo, o Hidrognio tem um nmero atmico 1 e o Hlio tem um
nmero atmico 2. Em seus estados normais (eletricamente neutros), todos
os tomos de um dado elemento tm o mesmo nmero de eltrons e
prtons. As cargas positivas cancelam as cargas negativas, e o tomo tem
uma carga lquida nula!

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tomo do Hidrognio tomo do Hlio
Camadas eletrnicas e rbitas
Os eltrons orbitam o ncleo de um tomo em certas distncias a partir do
ncleo. Os eltrons prximos do ncleo tm menos energia do que aqueles
que se encontram em rbitas mais distantes.
Sabe-se que os eltrons s podem ter valores discretos (separados e
distintos) de energias dentro de estruturas atmicas. Portanto, os eltrons s
podem orbitar em distncias discretas em relao aos ncleos.

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Nveis de energia
Cada distncia (discreta) a partir do ncleo corresponde a um determinado
nvel de energia e chamada de rbita. Em um tomo, as rbitas so
agrupadas em faixas de energia conhecidas como camadas atmicas. Um
dado tomo tem um nmero fixo de camadas atmicas e cada camada tem
um nmero mximo (fixo) de eltrons em nveis de energia permitidos
(rbitas).

As distncias entre os nveis de energia


dentro de uma camada atmica so muito

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menores do que as distncias entre as
camadas.

As camadas so denominadas 1, 2, 3...etc,


sendo 1 a mais prxima do ncleo.
tambm comum na literatura denominar
as camadas com as letras K, L, M, e assim
por diante.
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Eltrons de valncia
Os eltrons que se encontram nas camadas
mais distantes do ncleo tm maior energia
e esto ligados com menor intensidade ao
tomo do que os que esto mais prximos
do ncleo.

Isto ocorre porque a fora de atrao entre o


ncleo carregado positivamente e os
eltrons, que tm carga negativa, diminui

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com o aumento da distncia em relaao ao
ncleo.

A camada mais externa conhecida como a camada de valncia e os


eltrons que a se encontram so chamados de eltrons de valncia.
Os eltrons de valncia contribuem nas reaes qumicas e nas ligaes no
interior da estrutura de um material, determinando ainda as suas
propriedades eltricas. 6
Ionizao
Quando um tomo absorve energia oriunda de uma fonte de calor ou de luz,
por exemplo, as energias dos eltrons aumentam. Como os eltrons de
valncia possuem mais energia e so mais fracamente ligados ao tomo,
podem facilmente saltar para rbitas mais elevadas dentro da camada de
valncia quando esta energia externa absorvida.
Se um eltron de valncia adquire uma quantidade suficiente de energia,
pode at escapar da sua camada, livrando-se da influncia do tomo. A
sada de um eltron de valncia deixa o tomo, previamente neutro, com
um excesso de carga positiva (mais prtons do que eltrons). O processo de

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perda de um eltron de valncia conhecido como ionizao e o tomo com
carga positiva resultante chamado de on positivo.

Energia

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on positivo
eltron livre
Nmero de eltrons em uma camada atmica
O nmero mximo de eltrons (Ne) que pode existir em um camada de um
tomo um fato da natureza e pode ser calculado pela seguinte frmula:

Ne 2n2
Onde n o nmero que indica a posio da camada, lembrando que n=1
indica a camada mais prxima do ncleo.
Assim, cabem, no mximo:

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2 eltrons na primeira camada (K)
8 eltrons na segunda camada (L)
18 eltrons na terceira camada (M) .... etc...

Todas as camadas em um tomo devem estar completamente ocupadas,


exceto a camada de valncia.
Em cada camada, os eltrons se distribuem em subcamadas ou subnveis,
representados pelas letras s, p, d, f, em ordem crescente de energia, da
seguinte forma: 8
Subnivel s p d f
Nmero mximo de eltrons 2 6 10 14

O nmero de subnveis de energia em cada


camada depende do nmero de eltrons na
correspondente camada:

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A energia do primeiro nvel, que rene os eltrons mais prximos ao ncleo,
inferior energia de todos os subnveis do segundo nvel. Por sua vez, a
energia do segundo nvel inferior de todos os subnveis do terceiro nvel.
A diferena entre a energia mdia de dois nveis sucessivos vai decrescendo
medida que cresce sua distncia do ncleo, e, simultaneamente, vai
crescendo a quantidade de subnveis.
A partir do terceiro nvel, h um solapamento de energias, ou seja, o
subnvel de menor energia do quarto nvel (4s) tem uma energia inferior ao
subnvel de maior energia do terceiro nvel (3d). Esse fenmeno repete-se 9
em nveis superiores: no sexto nvel, o subnvel 6s tem energia inferior ao 4f
do quarto nvel.
Diagrama de Pauling
Para determinar como os eltrons de distribuem nos diversos nveis de
energia da estrutura de um tomo, conveniente utilizar o chamado
Diagrama de Pauling, que sintetiza um mtodo desenvolvido por Linus
Pauling.
2 6 10 14

K
L
M

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N
O
P
Q

No diagrama, as setas indicam a ordem crescente dos nveis de energia:


1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 3d10 4p6 5s2 4d10 5p6 6s2 4f14 5d10 6p6 7s2 5f14 6d10 10
Note que como a energia de 4s2 menor, esta posio vem antes de 3d10.
Assim, seguindo o diagrama de Pauling, podemos determinar a distribuio
eletrnica de qualquer elemento qumico, como por exemplo:

2 6 10 14

K
L
M
N

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O
P
Q

Exerccio:
Determine quantos eltrons ocupam a camada de valncia de cada um
dos elementos Germnio e Silcio. 11
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Da tabela peridica temos os nmeros atmicos destes elementos:

Germnio = 32 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 3d10 4p2 K=2, L=8, M=18 e N=4
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Silcio=14 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2 K=2, L=8, M=4 Camada de
valncia
Bandas de energia
Quando os tomos no esto isolados, mas juntos em um material slido,
como o caso de um cristal, as foras de interao entre eles so muito
intensas, provocando alteraes nos nveis de energia. Estas modificaes no
so significativas para as camadas mais prximas do ncleo, que se
encontram completamente preenchidas de eltrons.
Mas, no caso das camadas mais externas, principalmente a camada de
valncia, estas alteraes so expressivas porque os eltrons so
compartilhados por muitos tomos vizinhos.
Devido influncia do intenso campo eltrico entre os ncleos dos tomos e

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os eltrons que so por eles compartilhados, os nveis de energia se
subdividem ou se espalham formando bandas de energia.

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r=Od (>> Oa)

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Cada um dos N tomos tem seus prprios nveis de energia. Os nveis de
energia so idnticos, discretos e distintos.
Os dois subniveis mais externos (3s e 3p da camada M) do tomo do Silcio
contm dois eltrons s e dois eltrons p. Portanto, existem 2N eltrons
preenchendo 2N possveis nveis s, tendo todos o mesmo nvel de energia.
Dos 6N possveis nveis p, somente 2N esto preenchidos e todos estes tm o
mesmo nvel de energia.
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Oc<r<Od

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Aparentemente no h qualquer subdiviso de nveis de energia, embora haja
alguma tendncia.

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r=Oc

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A interao entre os eltrons das camadas mais externas dos tomos vizinhos
torna-se mais intensa, dando inicio subdiviso dos nveis de energia.

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Ob<r<Oc

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As energias correspondentes aos nveis s e p de cada tomo se modificam um
pouco. A energia que corresponde ao nvel s de um tomo isolado agora se
encontra espalhada em 2N nveis. De forma similar, h 6N nveis em
correspondncia a um nico nvel p de um tomo isolado.

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Como N um nmero muito grande (~1029 tomos/m3) e a energia de cada
nvel da ordem de poucos eV, os nveis que resultam deste espalhamento
esto muito prximos um do outro - da ordem de ~10-23 eV para um cristal
de 1 cm3.
Esta coleo de nveis de energia muito prximos um do outro que
chamada de banda de energia.

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R=Ob

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A distncia entre os nveis discretos desaparece completamente. 8N nveis se
encontram distribudos de maneira praticamente contnua. Pode-se apenas
afirmar que 4N nveis esto preenchidos e 4N nveis esto vazios

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R=Oa

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A banda de 4N nveis preenchidos de eltrons est separada da banda de 4N
nveis vazios por uma regio chamada de banda proibda, ou gap de
energia ou ainda band gap.
A banda de energia inferior que est completamente preenchida com eltrons
(eltrons de valncia) chamada de banda de valncia e a banda mais
externa, que est vazia, chamada de banda de conduo.

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Material Isolante, Semicondutor e Condutor
Todos os materiais so feitos de tomos e estes tomos contribuem para as
propriedades eltricas destes materiais, inclusive a habilidade de conduzir a
corrente eltrica.
Para discutir o problema da condutividade eltrica, um tomo pode ser
representado pela camada de valncia e uma parte central que inclui todas as
camadas internas e o ncleo. Este conceito mostrado abaixo para o caso de
um tomo de Carbono.

centro

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Condutor
Um condutor um material que conduz a corrente eltrica facilmente. Os
melhores condutores so os materiais de um nico elemento, tais como 21
Cobre, Prata, Ouro e Alumnio, que tm como caracterstica tomos com
somente um eltron de valncia fracamente ligado ao tomo.
Este eltron de valncia pode facilmente se desligar do tomo e se tornar um
eltron livre. Portanto, um material condutor tem muitos eltrons livres, que
quando se movem em uma mesma direo perfazem a corrente eltrica.

Isolante
Um isolante um material que no conduz a corrente eltrica em condies
normais. Os bons isolantes so geralmente compostos e no materiais de um
nico elemento. Seus eltrons de valncia esto fortemente ligados aos
correspondentes tomos. Consequentemente, h poucos eltrons livres em
um material isolante.

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Semicondutor
Um semicondutor em seu estado intrnseco (puro) no um bom condutor,
nem um bom isolante. Os semicondutores de um nico elemento mais
comuns so o Silcio, o Germnio e o Carbono. O semicondutor composto tal
como o Arseneto de Glio tambm bastante usado. Os semicondutores de
um nico elemento tm como caracterstica tomos com 4 eltrons de
valncia. 22
Material Isolante, Semicondutor e Condutor
A distino entre estes materiais, sob o ponto de vista da conduo eltrica,
se deve estrutura das correspondentes bandas de energia.

Banda de conduo

Band gap Banda de conduo

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Band gap Banda de conduo
Sobreposio
Banda de valncia Banda de valncia Banda de valncia

Isolante Semicondutor Condutor

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Material Condutor
No diagrama de bandas mostrado abaixo, a banda de conduo est apenas
parcialmente preenchida com eltrons. Deste modo, com pouca energia
adicional, eltrons podem migrar para nveis superiores que estejam vazios,
viabilizando a conduo eltrica.

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importante lembrar que se todos os nveis de energia em uma banda esto
ocupados por eltrons, no h movimento de eltrons e a banda no contribui
para a conduo de corrente eltrica.

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Na estrutura de bandas abaixo, as bandas de conduo e de valncia se
sobrepem parcialmente. Isto ocorre porque os nveis mais baixos da banda
de conduo podem ser ocupados por eltrons que tenham menos energia do
que requerem os nveis mais altos da banda de valncia.

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Os eltrons na banda de valncia se deslocam para a banda de conduo
onde se movem facilmente, viabilizando a conduo eltrica.

O nvel mais alto de energia na banda de conduo ocupado por eltrons, em


um cristal, na temperatura de zero Kelvin, chamado de Nvel de Fermi.
Quando eltrons absorvem energia bastante para ultrapassar este nvel, ento
ocorre conduo eltrica. 25

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