UNIVERSIDADE FEDERAL DE PERNAMBUCO

CENTRO DE TECNOLOGIA E GEOCIÊNCIA

DEPARTAMENTO DE ELETRÔNICA E SISTEMAS

CONFIGURAÇÃO EMISSOR COMUM

Henrique Müller Vasconcelos

Vitor Nunes de Lima

11 de Julho de 2004
Conteúdo
1 Objetivo 2

2 Metodologia 2
2.1 Diagrama do circuito . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2.2 Resultados esperados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2.3 Resultados obtidos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.3.1 Comportamento de VCE X VBE e IC X VBE . . . . . . . . . . 4
2.3.2 Comportamento do Ganho X VBE do Ganho X IC . . . . . . . 6
2.3.3 Medição da resistência de entrada e saída e da transcondutância 7
2.4 Análise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.4.1 Cálculo de IS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.4.2 Relação entre as análises para pequenos e grandes sinais . . . 8

3 Conclusão 10

4 Apêndice - Preparação 11

1
1 Objetivo
O transistor é um dispositivo de fundamental importância para a eletrônica, suas
aplicações variam desde amplificação de sinais a até o projeto de circuitos lógico
digitais e de memória.
Essa prática teve como objetivo estudar o comportamento desse dispositivo, mais
especificamente, obter os parâmetros do modelo para pequenos sinais da configu-
ração emissor comum e relacioná-los com a curva para grandes sinais.

2 Metodologia
2.1 Diagrama do circuito
O circuito básico utilizado na prática foi o seguinte:

+12V

Rcarga
R2 20k
47k
R1
10k 50%

Rb
Ven 3,3k

Figura 1: Diagrama do circuito utilizado. Configuração emissor comum com o

transistor bipolar NPN.

Foram feitas alterações no circuito da figura 1 em algumas etapas do experimento,

essas alterações serão mostradas no momento adequado.

2.2 Resultados esperados

Utilizando valores obtidos no datasheet do transistor 2N3904 e sabendo que:
Vbe Vbc
Ie = −IES (e VT − 1) + αR ICS (e VT − 1) (1)
Vbc Vbe
Ic = −ICS (e VT
− 1) + αD IES (e VT
− 1) (2)
Ib = −(Ie + Ic ) (3)
Os resultados esperados para os gráficos de VCE X VBE , IC X VBE , ganho de
tensão X VBE e ganho de tensão X IC estão mostrados nas figuras 2,3,4 e 5.

2
 VCE X VBE
12
IC X VBE

10
335,46263µ

8 123,4098µ

45,39993µ
VCE

IC
16,7017µ
4
6,14421µ
2
2,26033µ

0 831,52872n
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
VBE (V) VBE

Figura 2: Comportamento esperado Figura 3: Comportamento esperado

para VCE XVBE para IC XVBE

Ganho de tensão X VBE Ganho de tensão X IC

350
250
300

200
250
Ganho de tensão

Ganho de tensão

200 150

150 100

100
50

50
0
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 0,0 100,0µ 200,0µ 300,0µ 400,0µ 500,0µ 600,0µ 700,0µ
VBE IC (A)

Figura 4: Comportamento esperado Figura 5: Comportamento esperado

para o Ganho X VBE para o Ganho X IC

Para obter os resultados esperados para a resistência de entrada, resistência de

saída e a transcondutância do circutio, deve-se refazer o modelo para pequenos do
circuito sinais usando os valores do datasheet. Esse procedimento está mostrado
abaixo.
Rb
Ven 3,3k Vsa

+
R2
47k Vp rp gmvp Rsa Rcarga
- 20k

R1
10k 40%

Figura 6: Circuito equivalente para pequenos sinais da configuração utilizada

3
 Segundo o datasheet e as condições de da prática, utilizou-se β = 300, IC =
0, 3mA, VT = 28mV , VA = 100V . Logo temos:
IC 0, 3mA
gm = = = 10, 7mΩ−1
VT 28mV
β 300
rπ = = = 28kΩ
gm 10, 7m
VA 100
rsa = = = 333, 3kΩ
IC 0, 3m
Como esses valores pode-se estimar a resistência de entrada e saída e a transcon-
dutância do circuito como todo.
ven
Ren = = 21, 18kΩ
ien
vsa
Rsa = = 18, 87kΩ
isa
isa
Gm = = 9, 03mΩ−1
vsa
O que resulta no seguinte circuito equivalente:
Ven Vsa

21,18k
gmvp 18,87k

Figura 7: Circuito equivalente ao da figura 6

2.3 Resultados obtidos

A obtenção dos dados foi feito em três etapas diferentes que serão apresentadas
a seguir em separadamente.

2.3.1 Comportamento de VCE X VBE e IC X VBE

Nessa etapa o circuito utilizado foi seguinte:

+12V

Rcarga
20k
Vsa
R2
R1 47k
2N3904

Figura 8: Circuito utilizado para os construir os gráficos de VCE X VBE e IC X VBE

4
 Para realizar as medidas variou-se a posição do cursor do potenciômetro a fim
de que a tensão VBE assumisse valores entre 0,0V e 1,0V e coletou-se VCE para cada
tensão VBE . Para obter o valor de IC basta fazer uma simples conta:
12 − VCE
IC =
Rcarga

As dificuldades de realizar esse procedimento apareceram no momento de coletar

a tensão VCE quando a tensão VBE estava entre 0,5V e 0,6V, pois ,como era esperado,
nessa região a variação de VCE era muito abrupta e uma pequena variação na posição
do cursor do potenciômetro causava uma grande variação na tensão coletada. A
solução encontrada para esse problema foi inverter a maneira o qual se fazia a coleta
dos dados, ao invés de variar VBE e coletar VCE , variou-se VCE e armazenou-se a
tensão VBE correspondente. Dessa maneira foi possível obter diversos pontos na
região de variação abrupta.
Outra dificuldade foi no momento de medir a tensão VBE , pois, como a corrente
IB é muito pequena e resistência de entrada do mutímetro é aproximadamente 1M Ω,
logo, ao colocar o multímetro na base há uma grande variação de VCE . A solução
encontrada foi colocar um resistor grande (∼ 10M Ω) para aumentar a resistência
de entrada do aparelho de medição e considerar a um divisor de tensão entre esse
resistor e o multímetro. Dessa maneira a influência do multímetor no circuito ficou
desprezível.
Obteve-se o seguinte resultados:

Resultado esperado para VCE X VBE

Pontos experimentais
12

10

8
VCE (V)

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0

VBE (V)

Figura 9: Resultado de VCE X VBE

5
 Resultado esperado de IC X VBE
Pontos experimentais

335,46263µ

123,4098µ
IC (A)

Região linear

45,39993µ

16,7017µ

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0

VBE (V)

Figura 10: Resultado de IC X VBE

2.3.2 Comportamento do Ganho X VBE do Ganho X IC

Nesta etapa utilizou-se o circuito mostrado na figura 1, onde ven era uma sinal
senoidal de amplitude e freqüência igual a 20mV e 1kHz respectivamente. Para obter
os dados, variou-se o cursor do potenciômetro e coletou-se os valores de IC , VBE e
da amplitude do sinal senoidal da saída (vsa ).
A dificuldade encontrada nessa etapa foi basicamente a mesma da anterior. Podia
ser visto claramente que ao se colocar o multímetro na base o sinal de saída visto
no osciloscópio mudava completamente. A solução utilizada foi a mesma descrita
anteriormente.
Obteve-se os seguintes resultados:

Resultado esperado do Ganho X VBE

350 Pontos experimentais

300

250
Ganho de tensão

200

150

100

50

0
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0
VBE

Figura 11: Resultado do Ganho X VBE

6
 Resultado esperado do Ganho X IC
250 Pontos experimentais

200
Ganho de tensão

150

100

50

0,0 100,0µ 200,0µ 300,0µ 400,0µ 500,0µ 600,0µ 700,0µ

IC (A)

Figura 12: Resultado do Ganho X IC

2.3.3 Medição da resistência de entrada e saída e da transcondutância

Nessa etapa da prática utilizou-se o mesmo circuito da figura 1, porém o poten-
ciômetro foi fixado de tal forma que corrente IC permanecesse em 0,3mA.O proced-
imento usado para a medição foi o mesmo descrito na seção 2 da preparação.
A dificuldade encontrada foi manter a corrente do coletor fixa em 0,3mA, porém
esse problema foi resolvido reajustando o cursor do potenciômetro.
Obteve-se o seguinte resultado:

Rsa = 18, 4kΩ

Ren = 12, 98kΩ
Gm = 8, 3mΩ−1

2.4 Análise
Para fazer a análise dos resultados obtidos, primeiro iremos determinar o valor
de IS do transistor e verificar se está de acordo com os valores típicos. Em seguida
será feita um relação entre as análise para pequenos e grande sinais.

2.4.1 Cálculo de IS
Na região linear mostrada na figura 10, a equação de IC pode ser simplificada
da seguinte forma:
Como nessa região VBE > 0 e VBC < 0 podemos reescrever a equação 2 de uma
forma mais simplificada.

7
 Vbc Vbe
Ic = −ICS (e VT − 1) + αD IES (e VT − 1) (4)
| {z } | {z }
∼0 Vbe
∼αD IES e VT
Vbe
Ic ≈ IS e VT (5)
Fazendo a regressão linear de ln Ic X VBE dos pontos experimentais da devida
região, temos:

-7,5 Pontos na região ativa

Regressão Linear

-8,0

-8,5
ln(IC)

-9,0

-9,5

-10,0 IS = 0,268pA

0,56 0,57 0,58 0,59 0,60 0,61 0,62 0,63 0,64

VBE (V)

Figura 13: Regressão linear para o cálculo de IS

O resultado obtido para IS foi na ordem de 10−13 , o que se encaixa perfeitamente

com os valores típicos.

2.4.2 Relação entre as análises para pequenos e grandes sinais

Os resultados mostrado nas figuras 9 e 10 representa o comportamento do tran-
sistor para grandes sinais e as figuras 11 e 12 mostra o ganho de pequenos sinais
para cada ponto de operação. O que será feito agora é mostrar a relação entre esses
resultados.
Na configuração emissor comum a tensão de entrada é Vbe e a tensão de saída é
Vsa , o ganho de tensão será alto se para uma pequena variação de Vbe (o pequeno
sinal) haja uma grande variação de Vce , ou seja, ∆Vce
∆Vbe
deve ser um valor alto. Dessa
relação podemos chegar a seguinte conclusão:
∂Vce
Ganho = | | (6)
∂Vbe
Superpondo o dois gráficos (VCE X VBE e Ganho X VBE ) pode-se enxergar esse
fato claramente.

8
 Pontos de VCE X VBE
Pontos do ganho X VBE

Ponto de ganho máximo

Ponto onde |DVCE/DVBE| é máximo

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0

VBE (V)

Figura 14: Gráficos superpostos de VCE X VBE e Ganho X VBE

Pode-se perceber que o valor de VBE onde ∆V ce

∆Vbe
é máximo é o mesmo valor onde
o Ganho é máximo, o que está de acordo com o que foi dito acima.
A relação entre o gráfico IC X VBE e Ganho X IC pode ser visto comparando
os valores de IC correspondente a região linear da figura 10 e os valores de IC onde
o ganho é relativamente alto da figura 12. Percebesse que a faixa de valores é a
mesma, ou seja, essa é a região ativa do transistor.

9
3 Conclusão
Essa prática foi bastante gratificante em dois aspectos, tanto no ponto de vista
de verificar os conhecimentos teóricos no laboratório, como também no momento de
implementar soluções a problemas inesperados.
Pelo lado de verificar os conhecimentos teóricos, foi possível observar claramente
o transistor funcionado como um amplificador de sinais, que é uma das principais
funções do transistor, como também foi visto que seu comportamento para grandes
sinais se encaixou muito bem com o resultado esperado e a relação entre pequenos
e grandes sinais ficou bastante clara e bem explicada pela teoria. Ou seja, em geral
o transistor se comportou muito bem com aquilo que era previsto.
Além disso, outro fato que deve ser comentado é o aprendizado adquirido com as
dificuldades que surgiam durante a realização da prática. A situação de se deparar
com um problema, entender o porquê, achar uma solução prática e depois disso
tudo verificar de os resultados obtidos estão de acordo com o esperado foi uma
tarefa bastante motivadora.

10
4 Apêndice - Preparação

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