LABORATORIO DE

CIRCUITOS
ELECTRONICOS 1
INFORME DE LABORATORIOS 6, 7, 8 & 9
TEMA:
DIODO ZENER
TRANSISTOR BIPOLAR- POLARIZACIONES- PARTE 1
TRANSISTOR BIPOLAR- POLARIZACIONES- PARTE 2
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

PRESENTADO POR:
SARMIENTO MILLIO ALEJANDRO

DOCENTE:
Ing. GIOVANNA CHANI

ESCUELA PROFESIONAL:

Ingeniera Elctrica

CUI:
20113472

AREQUIPA - 2016
 1
SESION 06: DIODO ZENER

ACTIVIDADES
1.-

I ( mA ) Rz()
0.1332 253
0.2665 271
0.3553 291
1 301
2 315
5 339
10 623
20 921
30 1293
40 1472

I ( mA ) Rz()
29.623 0.20 6.7518

29.243 0.40 13.6911

 2
28.932 0.55 19.0375

28.812 0.60 20.8323

28.764 0.65 22.6453

28.615 0.70 24.4753

28.562 0.75 26.3145

28.471 0.80 28.1654

RL VO IR IZ IL

100 1.188uV 3.119mA -3.119mA 13.69mA

120 1.42uV 13.39mA -3.11mA 13.39mA

140 1.66uV 3.11mA -3.11mA 13.15mA

160 1.90uV 3.11mA -3.11mA 12.93mA

 3

Vi VO IR IZ IL

15 12 3.11mA -3.11mA 13.63mA

18 12 6.09 -6.09mA 16.36mA

20 12 8.08mA 25.08pA 18.18mA

22 12 10.07mA -10.07mA 25.07mA

V.- CUESTIONARIO:
1. Con los datos de las tablas 1 y 2 dibujar la grfica de la caracterstica tensin corriente.

2. Cmo funciona un diodo zener?

En el diodo zener se puede trabajar de 2 formas:
Apagado Vth < Vz El diodo no conduce
Encendido Vth > Vz El diodo conduce
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3. Qu diferencias existen entre un diodo zener y un diodo de potencia?
Que el diodo de potencia trabaja con altos niveles de corriente y voltaje.
4. Qu valores importantes encontramos en las hojas tcnicas del fabricante para un diodo
zener?
La resistencia interior del diodo zener afecta mucho a su grafica como se especifica en la siguiente
imagen.

Primeramente el Zener es un diodo que al polarizarlo en inversa mantiene constante la tensin en sus
bornes a un valor llamado tensin de Zener, pudiendo variar la corriente que lo atraviesa entre el margen
de valores comprendidos entre el valor minimo de funcionamiento y el correspondiente a la potencia de
zener mxima que puede disipar. Si superamos el valor de esta corriente el zener se destruye.

5. Analizar el comportamiento del circuito con diodo zener, las especificaciones y cuidados a tener
en cuenta.

6.-En qu condiciones de carga y tensin de entrada se producen los valores extremos de VZ?
El diodo zener mantiene la tensin prcticamente constante entre sus extremos para un amplio rango de
corriente inversa.
Si vamos disminuyendo la tensin inversa se volver a restaurar la corriente de saturacin Is, cuando la
tensin inversa sea menor que la tensin zener. El diodo podr cambiar de una zona a la otra en ambos
sentidos sin que para ello el diodo resulte daado.
El progresivo aumento de la polarizacin inversa hace crecer el nivel de corriente y no debe
sobrepasarse un determinado nivel de tensin especificado por el fabricante pues en caso contrario se
daara el diodo, adems siempre debemos tener en cuenta la mxima potencia que puede disipar el
diodo y trabajar siempre en la regin de seguridad.
 5

7.-Cunto vale Vz en dichas condiciones?Estn estos valores dentro de la

tolerancia especificada por el fabricante?
Para asegurar que el diodo permanezca en la regin de tensin constante (ruptura), se examinan los dos
extremos de las condiciones de entrada salida:

La corriente a travs del diodo IZ es mnima cuando la corriente de carga IL es mxima y la

fuente de tensin VAA es mnima.

La corriente a travs del diodo IZ es mxima cuando la corriente de carga IL es mnima y la

fuente de tensin VAA es mxima.

8.-Dibuje un regulador zener y explique cmo funciona

9.- cuales son las aplicaciones del diodo zener

Diodo Zener Como Elemento de Proteccin del Circuito

Diodo Zener Como Recortador
Diodo Zener como Regulador de Voltaje

10.- Halle los valores tericos de la tabla 3 y 4 y compare los valores tericos con la prctica.
CONCLUSIONES:

Usamos el Proteus 8 Professional para simular los circuitos con Diodos Zener..
Antes de usar un diodo zener debemos darnos cuenta de la capacidad de amperios que puede
recibir para que funcione correctamente, darnos cuenta en si sobre los cdigos de este diodo
porque ah nos indica todas sus caractersticas.
Para usar un diodo zener, este solo funciona cuando esta polarizado inversamente a
comparacin de otros diodos.
Las aplicaciones de un diodo zener dependen de donde lo conectemos
Podemos usar al diodo zener como un elemento de proteccin porque estabiliza los valores de
tensin que llega a un circuito.
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Podemos usarlo como rectificador de onda.
podemos usar un zener como un regulador de tensin, ya que su impedancia har que reciba
menor corriente
Este diodo es el nico que hace eficaz su tensin de ruptura.

BIBLIOGRAFIA

http://www.educachip.com/usos-habituales-diodo-zener/
http://www.ecured.cu/Diodos_de_potencia
https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
http://www.uv.es/~marinjl/electro/diodo.html

SESION 07: EL TRANSISTOR BIPOLAR POLARIZACIONES PARTE 1

V CE IB V 470 IC dc V 330
7.75mV 28.42uA 2.24V 4.77uA 167 9.29V
22.39mV 225.79uA 79.97V 14.21uA 62 79.35V
22.44mV 369.48uA 119.97V 14.23uA 38 119.34V
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V CT V ET IC V CE
6.46mv 4.29V 4.26mA 2.16V
4.47mV 4.29V 4.24mA 183mV
4.32 4.27V 2.83mA 46.75mV
V.- CUESTIONARIO:
a) Explicar el funcionamiento del transistor bipolar y sus curvas de funcionamiento.
El funcionamiento de un transistor NPN se da cuando el diodo B-E se encuentra polarizado en directa
y el diodo B-C se encuentra polarizado en inversa. En esta situacin gran parte de los electrones fluyen
del emisor a la base, consiguen atravesar sta, debido a su poco grosor y dbil dopado, y llega al
colector. El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede ser de
germanio o silicio. En ambos casos el dispositivo tiene 3 patillas y son: el emisor, la base y el colector.
El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad
de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor), una cantidad mayor a sta, en
un factor que se llama amplificacin.
ZONA DE SATURACION: El diodo colector esta polarizado directamente y el transistor se comporta
como una pequea resistencia. En esta zona un aumento adicional de la corriente de base no provoca un
aumento de la corriente de colector, sta depende exclusivamente de la tensin entre emisor y colector.
ZONA DE CORTE: El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a mantener el circuito
base emisor abierto, en estas circunstancias la corriente de colector es prcticamente nula y por ello se
puede considerar el transistor en su circuito C-E como un interruptor abierto.
ZONA ACTIVA: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de corriente determinada por
la corriente de base. A pequeos aumentos de la corriente de base correspondes grandes aumentos de la
corriente de colector de forma casi independiente de la tensin entre emisor y colector. Para trabajar en
esta zona el diodo B-E ha de estar polarizado en directa, mientras que el diodo B-C, ha de estar
polarizado en inversa.

b) Explicar el funcionamiento de la polarizacin de base.

En polarizacin en base o tambin llamado base comn se utiliza para hallar los parmetros de
saturacin y de corte: I C (saturacion) y V CE ( corte) . A diferencia del emisor comn en este caso se
usa el en los clculos.
c) Explicar el funcionamiento de la polarizacin de emisor
En polarizacin de emisor o tambin llamado emisor comn lo utilizamos para poder hallar el punto quieto
(Q) .En este caso no se toma en cuenta el valor d ya que es irrelevante.
e) Dibujar las rectas de carga a
partir de las tablas llenadas, en una
sola hoja para poder hacer
comparaciones, una por cada tabla.
TABLA 1 TABLA 2
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f) Explicar los puntos Q obtenidos y las variaciones de la rectas de carga DC.

g) Comprobar tericamente la ganancia de la configuracin del circuito 1 y Explicar la ganancia
experimental de la tabla 1.
162 163.23
62 62.96
38 39.83

h) Comprobar tericamente y Explicar la configuracin del circuito 2, los valores esperados y las
aplicaciones de ella.

VI. OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES:

A mayor intensidad de corriente menor ser la tensin la tensin de colector emisor.

Las aplicaciones de un transistor son: switch y amplificador
Usamos el Proteus 8, para la simulacin.
Para que el transistor trabaje como amplificador, debe polarizarse correctamente.
En la experiencia hemos logrado verificar las tres zonas de un transistor.
Los transistores BJT dependen de la polarizacin, as estos trabajarn tanto como NPN o PNP

BIBLIOGRAFIA

http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema5.pdf
https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar

SESION 08: EL TRANSISTOR BIPOLAR POLARIZACIONES PARTE 2

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V CT V ET IC V CE

5.99V 0.40V 1.11mA 4.86V

6.73V 1.47V 1.46mA 5.26V

7.84V 1.99V 1.98mA 5.85V

V CT V ET IC V CE V

1.61V 694.78mV 1.297mA 6.02V 1.30V

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7.32V 693.66mV 1.297mA 8.02V 1.306V

10.32V 692.04mV 1.3mA 11.01V 1.30V

V.- CUESTIONARIO:
j) Explicar el funcionamiento de la polarizacin por divisor de tensin
La polarizacin de divisor de tensin divide la tensin entre Vcc y tierra y nos permite hallar los
parmetros Ic, Ie, Vce, Ve, Vc.
k) Explicar el funcionamiento de la polarizacin de emisor con dos alimentaciones
m) Dibujar las rectas de carga a partir de las tablas llenadas, en una sola hoja para poder hacer
comparaciones, una por cada tabla.
TABLA 1 TABLA 2

o) Comprobar
tericamente la
ganancia de la
configuracin del
circuito 1 y Explicar
la ganancia
experimental de la tabla 1.

= IC / IB
= 1.11mA / 8uA
= 138

p) Comprobar tericamente y Explicar la configuracin del circuito 2, los valores esperados y las
aplicaciones de ella.
= IC / IB
= 1.297mA / 8.7uA
= 149

CONCLUSIONES:

Para calcular el punto Q usaremos las resistencias Re y Rc aplicndoles un divisor de tensin y

hallar Ic.
Para calcular Vce usaremos la corriente Ic que pasa por Rc y halaremos Vc, mediante la
segunda ley de kirchoff calculamos Vce
Hallamos el punto Q relacionando Ic y Vce, es el punto de operacin
Usamos el programa Proteus 8.0 para simular los circuitos
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Para calcular Rbase, haremos paralelo entre R1 y R2
VB se halla con el equivalente thevenin que en este caso sera el divisor de tensin en R2
producido por Vcc.
Las mediciones deben ser instantneas sin mantener durante mucho tiempo la conexin.

BIBLIOGRAFIA:

https://www.youtube.com/watch?v=akgnxBJsbKA
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/curvascaracteristicas.html
http://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-4/bipolar-junction-transistors-bjt/

SESION 09 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

1. Presentar las mediciones efectuadas en cada circuito con el diseo original.
2. Dibujar las rectas de carga a partir de las tablas llenadas, en una sola hoja para poder hacer
comparaciones, una por cada tabla.
3. Explicar los puntos Q obtenidos y las variaciones de la rectas de carga DC.
4. Dgame cmo funciona un JFET, incluyendo en su explicacin la tensin de estrangulamiento y
la tensin de corte puerta-fuente.

El transistor de Efecto de Campo

Con los transistores bipolares observbamos como una pequea corriente en la base de los mismos se
controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los
que la corriente se controla mediante tensin. Cuando funcionan como amplificador suministran una
corriente de salida que es proporcional a la tensin aplicada a la entrada. Caractersticas generales:

Por el terminal de control no se absorbe corriente.

Una seal muy dbil puede controlar el componente

La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico

Se empezaron a construir en la dcada de los 60. Existen dos tipos de transistores de efecto de campo
los JFET (transistor de efecto de campo de unin) y los MOSFET. Los transistores MOS respecto de los
bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicacin ms frecuente la encontramos en los circuitos
integrados.
Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y Drenaje
(D, Drain). Segn su construccin pueden ser de canal P o de canal N. Sus smbolos son los siguientes:

Smbolo de un FET de canal N Smbolo de un FET de canal P

La curva caracterstica del FET define con precisin como funciona este dispositivo. En ella distinguimos
tres regiones o zonas importantes:

Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensin VGS.
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Zona de saturacin.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET, amplifica y
se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin que existe entre Puerta (G) y
Fuente o surtidor (S) , VGS.
Zona de corte.- La intensidad de drenador es nula.

Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones tpicas: Surtidor comn (SC), drenador
comn (DC) y Puerta comn (PC). La ms utilizada es la de surtidor comn que es la equivalente a la de
emisor comn en los transistores bipolares.

Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentran en la amplificacin de seales

dbiles.

I. CARACTERSTICAS DE SALIDA
Al variar la tensin entre drenador y surtidor vara la intensidad de drenador permaneciendo constante la
tensin entre puerta y surtidor.
En la zona hmica o lineal se observa como al aumentar la tensin drenador surtidor aumenta la
intensidad de drenador.
En la zona de saturacin el aumento de la tensin entre drenador y surtidor produce una saturacin de la
corriente de drenador que hace que esta sea constante. Cuando este transistor trabaja como amplificador
lo hace en esta zona.
La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad de drenador nula.
La zona de ruptura indica la mxima tensin que soportar el transistor entre drenador y surtidor.

Es de destacar que cuando la tensin entre puerta y surtidor es cero la intensidad de drenador es
mxima.

5. Dibuje las curvas de drenador y la curva de transconductancia de un JFET.

6. Compare el transistor JFET con el transistor de unin bipolar. Sus comentarios debern incluir
las ventajas y desventajas de cada uno de ellos.

Ventajas del FET con respecto al BJT

Impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012) M.

Generan un nivel de ruido menor que los BJT.
Son ms estables con la temperatura que los BJT.
Son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar ms
dispositivos en un CI.
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Se comportan como resistencias controladas por tensin para valores pequeos de tensin
drenaje-fuente.
La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para
permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.
Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

Desventajas de los FET

Los FETs presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.
Los FETs presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.
Los FETs se pueden daar debido a la electricidad esttica.

BJT
Controlado por corriente de base.
Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos y electrones.
IC es una funcin de IB.
(beta factor de amplificacin)
Altas ganancias de corriente y voltaje.
Relacin lineal entre Ib e Ic.
JFET
Controlado por tensin entre puerta y fuente.
Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos (canal p) electrones (canal
n).
ID es una funcin de Vgs.
gm (factor de transconductancia).
Ganancias de corriente indefinidas y ganancias de voltaje menores a las de los BJT.
Relacin cuadrtica entre Vgs e Id.

7. Cmo puede saber si un FET est trabajando en la regin hmica o en la regin activa?

Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

ZONA HMICA o LINEAL:

En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un
parmetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y
distintos valores de VGS.

ZONA DE SATURACIN:

En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por
VGS

ZONA DE CORTE:

La intensidad de drenador es nula (ID=0).

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11. Dibuje un seguidor de fuente de JFET y explique cmo funciona.

El transistor FET (Transistor de efecto de campo) se puede utilizar como elemento activo de
muchos amplificadores. Una de las configuraciones es: El amplificador seguidor de ctodo al que se le
conoce tambin con el nombre de circuito drenador comn o nodo comn.

Este tipo de amplificador tiene una baja impedancia de salida, por lo que es utilizado principalmente como
adaptador de impedancias. La salida se obtiene del resistor (resistencia) RS y la ganancia es
aproximadamente igual a 1. Esta ganancia no es 1 debido a que existe una pequea diferencia de tensin
entre la entrada (patilla compuerta G) y la salida (patilla fuente S): VGS.

La ganancia de este amplificador se obtiene con la ayuda de la frmula:

AV = gm x Rs/ [1 + (gm x Rs)].

De la frmula se deduce que la seal de salida est en fase con la seal de entrada pues no existe el
signo menos que indica inversin de fase. La impedancia de salida se obtiene con la siguiente frmula:

Ro = Rs / [1 + (gm x Rs)].

12. Qu magnitud de entrada controla la corriente de salida en un BJT? Y en un

JFET? Si las magnitudes son diferentes, explquelo.

La corriente de salida es controlada por la corriente de entrada y amplificada en un factor llamado B.de
ah que se dice que la corriente de salida es una variable que depende tanto de la intensidad de corriente
a la entrada como de la B del transistor.
Sin embargo, el transistor BJT presenta mayor sensibilidad a los cambios en la seal aplicada, es decir, la
variacin de la corriente de salida es mayor en los BJT que en los FET para la misma variacin de la
tensin aplicada. Por ello, tpicamente, las ganancias de tensin en alterna que presentan los
amplificadores con BJT son mucho mayores que las correspondientes a los FET.
8. Un JFET es un dispositivo que controla el flujo de corriente aplicando una tensin a la puerta.
Explique esta afirmacin.

En los transistores FET se crea un campo elctrico que controla la anchura del camino de conduccin del
circuito de salida sin que exista contacto directo entre la magnitud controlada (corriente) y la magnitud
controladora (tensin).
De forma anloga a como en los transistores bipolares existen dos tipos NPN y PNP,
En los transistores de efecto de campo se habla de transistores FETs de canal n y de canal p.

9. Realizar la simulacin del circuito desarrollado y comparar tericamente

10. Nombrar las aplicaciones de los JFET y de los MOSFET.

Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:

Resistencia controlada por tensin.

Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).

Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

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Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensin para valores pequeos de
tensin de drenaje a fuente.
Los FET so ms estables con la temperatura que los BJT.

OBSERVACIONES:

Los JFET pueden ser de dos tipos los de canal N y los de canal P

Los FET consumen poca potencia

En general los FET son ms estables con la temperatura

Los transistores FET son unipolares, en los que el nivel de conduccin depender nicamente
de un nico tipo de portadores: de los electrones en los de canal n y de los huecos en los de
canal p

Para probar la resistencia del canal drenador-fuente del JFET, se debe conectar el terminal de
puerta al terminal de fuente.

CONCLUSIONES:

Los transistores FET se crea un campo elctrico que controla la anchura del camino de
conduccin del circuito de salida sin que exista contacto directo entre la magnitud controlada
(corriente) y la magnitud controladora (tensin)
El transistor FET (Transistor de efecto de campo) se puede utilizar como elemento activo de
muchos amplificadores
Los FETs son controlados con tensin, mas no con corriente.
Presentan alta impedancia de entrada
Una caracterstica importante de los FET es que son muy estables frente a cambios de
temperatura.
Su construccin al ser mucho ms sencilla que los BJT pues son usados en circuitos integrados.

BIBLIOGRAFIA:

http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnicas/electro_gen/teoria/tema-7-teoria.pdf
http://www.info-ab.uclm.es/labelec/Solar/Componentes/Transistor_unipolar/JFET.htm
http://www.fceia.unr.edu.ar/eca1/files/teorias/TransistoresdeEfectoDeCampo.pdf