Liceul Tehnologic Aurel

Rainu

DOCUMENT PENTRU OBTINEREA

CALIFICATULUI DE CALIFICARE

PROFESIONALA NIVEL IV

Filiera: Tehnologica

Domeniul:Electronica automatizari

Profil: Tehnic

Specializare: Tehnician in automatizari

Indrumator:
Candidat:

Prof.Radua Cristinel
Deftu Gabriela Diana

Clasa a XII E
 Iunie 2017

TEMA PROIECTULUI:

CIRCUITE DE AUTOMATIZARE CU DIODE

SEMICONDUCTOARE
Cuprins

Cap1
Argument......................................................................
2

Cap2 Continut propriu-

zis.......................................................3

2.1
Generalitati..................................................................
4

2.2 Circuite de automatizare cu diode

semiconductoare......4

2.3 Diode
semiconductoare................................................4

2.4

2.5

Sanatatea si securitatea in
munca.........................................

Bibliografie ...................................................................
........

Anexe............................................................................
..........
Cap 1 Argument

tiinta este un ansamblu de cunotine abstracte i generale,fixate ntr-un

sistem coerent obinut cu ajutorul unor metode adecvate i avand menirea
de a explica , prevedea i controla un domeniu determinat al realitaii
obiective.

Materialele semiconductoare stau

la baza tuturor componentelor i circuitelor electronice discrete sau
integrate. Pentru o nelegere mai uoar a principiilor de funcionare a
elementelor fundamentale din circuitele electronice, dioda i
tranzistorul,enumerm n continuare cteva noiuni
elementare care fac parte din abecedarul semiconductorilor:
materialele semiconductoare au conductibilitatea electric mai
mare dect cea a izolatorilor dar mai micdect cea a metalelor.
conductibilitatea electrica semiconductorilor este foarte sensibill la
variaiile de temperatur: ea crete odatcu creterea temperaturii.
spre deosebire de metale, a cror conductibilitate este asigurat
exclusiv de electroni, conductibilitatea electric a semiconductorilor este
asigurat att de electroni (-), ct i de goluri (+).
dac densitatile de electroni i de goluri care particip la conducie sunt
egale, se spune despre semiconductor c este intrinsec.
dacdensitile de electroni i de goluri care particip la conducie
nu sunt egale, se spune despre semiconductor ceste extrinsec. n funcie
de care tip de purttori de sarcineste majoritar, se disting doutipuri de
semiconductori extrinseci: semiconductori de tip n, n care densitatea
electronilor este mai mare dect densitatea golurilor. n acest tip de
semiconductori electronii sunt purttori majoritari de sarcin, iar golurile
sunt purttorii minoritari. semiconductori de tip p, n care densitatea
golurilor este mai mare dect densitatea electronilor. n acest caz,
golurile sunt purttori majoritari de sarcin, iar electronii sunt purttorii
minoritari. Observaie: dei, n cazul semiconductorilor extrinseci
densitile purttorilor de sarcin electricpozitiv, respectiv negativ care
particpla conducie nu sunt egale, toui, la nivel macroscopic, ei nu au
sarcinelectric n exces (sunt neutri).

Cap 2 Continut propriu-zis

2.1Generalitati

Jonciunea semiconductoare. Dioda

Dac dou astfel de zone sunt realizate n aceeai pastil de material
semiconductor se genereaz o jonciune semiconductoare. Datorit
diferenei de concentraie de purttori majoritari de acelai fel din cele
dou zone, golurile din regiunea p vor difuza n regiunea n i electronii din
regiunea n vor difuza n regiunea p. Ca urmare a acestui proces de difuzie
va apare o sarcin spaial negativ n regiunea iniial de tip p i o sarcin
spaial pozitiv n regiunea iniial de tip n. Astfel, n vecintatea jonciunii
se va genera o zon srcit de purttori majoritari, zoncare se numete
regiune de trecere. Datorit acestei separri de sarcin, n regiunea de
trecere va apare un cmp electric intern, Eint, cmp a crui intensitate crete
odat cu creterea cantitii de sarcin difuzate i care se opune procesului
de difuzie. Cnd el a devenit suficient de intens se ajunge la o situaie de
echilibru n care cantitatea de sarcin difuzat rmne constant.
n reprezentrile grafice calitative de sub jonciunea semiconductoare se
pot observa distribuiile unor mrimi semiconductoare considerate:
densitatea de sarcinn exces (x). Aici trebuie menionat faptul cdatorit
mobilitii mai mari a electronilor fade goluri ei difuzeaz pe o lungime
mai mare, dar ariile suprafeelor din grafic care corespund celor dou
tipuri de sarcini sunt egale.
densitile de goluri, i electroni n.
potenialul electric, V(x). Se poate observa existena unei bariere de
potenial care se opune difuziei purttorilor majoritari prin jonciune.
intensitatea cmpului electric, E(x) = -dV(x)/dx.

Pentru caracteristica volt-amperic a jonciunii semiconductoare s-a stabilit

urmtoarea dependen matematic:=1kT

n care: e sarcina elementar, 1,6.10-19C k constanta Boltzmann,

1,38.1023J.K-1T- temperatura jonciunii, K

Dioda semiconductoare alimentare a circuitului Ei valoarea rezistenei

rmn constante, coordonatele punctului static de funcionare, ui , nu se
modific.

Dioda semiconductoare este un dispozitiv electronic cu doua borne de acces

realizat dintr-o jonctiune pn. Partile componente si simbolul diodei sunt
prezentate in figura de mai jos.de la semiconductorul p catre
semiconductorul de tip n dioda conduce in sens direct , avand o rezistenta
mica curentul electric trece usor prin ea . In sensul opus de la conductorul
de tip n la conductorul de tip p (sens invers) dioda prezinta o rezistenta
electrica mare conducand rau curentul electric .
Caracteristica electrica tensiune-curent a unei jonctiuni pn cuprinde doua
domenii distincte :