PRACTICA N 4

Fecha: 25 10 -2011

TEMA: EL BJT COMO INTERRUPTOR (EN CONMUTACION).

OBJETIVO:
Usar el BJT como interruptor en un circuito que comande un foco o un
motor CC de baja potencia, a travs de la existencia o no de claridad en el
ambiente o la temperatura respectivamente.

MATERIALES:

Un transistor 2N3904
Una fuente de VCC
Cable multipar
Project board
Potencimetro (1k)
Una LDR
Multmetro
Un Rel
Un Diodo
Foco (12v)

MARCO TEORICO.

TRANSISTOR

Es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple

funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El trmino "transistor" es la contraccin en
ingls de transfer resistor ("resistencia de
transferencia"). Actualmente se los encuentra
prcticamente en todos los aparatos domsticos de uso
diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de
audio y video, hornos de microondas, lavadoras,
automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras,
calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos,
ecgrafos, reproductores mp3, telfonos mviles, etc.

Transistor de unin bipolar (BJT)

Se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de

galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre
conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato
de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son
del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de
aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos
aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As)
o Fsforo (P).

La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde
la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras
dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la
base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est
mucho ms contaminado que el colector).

Fotorresistencia (LDR)
Es un componente electrnico cuya resistencia disminuye con
el aumento de intensidad de luz incidente. Puede tambin ser
llamado fotorresistor, fotoconductor, clula fotoelctrica o
resistor dependiente de la luz (LDR) siglas en ingls light-
dependent resistor. Su cuerpo est formado por una clula o
celda y dos patillas. En la siguiente imagen se muestra su
smbolo elctrico.

El valor de resistencia elctrica de un LDR es bajo, cuando hay luz incidiendo en l

(puede descender hasta 50 ohms) y muy alto, cuando est a oscuras (varios
megaohmios).

Caractersticas
Un fotorresistor est hecho de un semiconductor de alta resistencia como el sulfuro
de cadmio, CdS. Si la luz que incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los
fotones son absorbidos por la elasticidad del semiconductor dando a los
electrones la suficiente energa para saltar la banda de conduccin. El electrn
libre que resulta, y su hueco asociado, conducen la electricidad, de tal modo que
disminuye la resistencia. Los valores tpicos varan entre 1 M, o ms, en la
oscuridad y 100 con luz brillante.
Las clulas de sulfuro del cadmio se basan en la capacidad del cadmio de variar su
resistencia segn la cantidad de luz que incide la clula. Cuanto ms luz incide, ms
baja es la resistencia. Las clulas son tambin capaces de reaccionar a una amplia
gama de frecuencias, incluyendo infrarrojo (IR), luz visible, y ultravioleta (UV).

La variacin del valor de la resistencia tiene cierto retardo, diferente si se pasa de

oscuro a iluminado o de iluminado a oscuro. Esto limita a no usar los LDR en
aplicaciones en las que la seal luminosa vara con rapidez. El tiempo de respuesta
tpico de un LDR est en el orden de una dcima de segundo. Esta lentitud da
ventaja en algunas aplicaciones, ya que se filtran variaciones rpidas de iluminacin
que podran hacer inestable un sensor (ej. tubo fluorescente alimentado por
corriente alterna). En otras aplicaciones (saber si es de da o es de noche) la
lentitud de la deteccin no es importante.
Se fabrican en diversos tipos y pueden encontrarse en muchos artculos de
consumo, como por ejemplo en cmaras, medidores de luz, relojes con radio,
alarmas de seguridad o sistemas de encendido y apagado del alumbrado de calles.

Tambin se fabrican fotoconductores de Ge:Cu que funcionan dentro de la gama

ms baja "radiacin infrarroja".

Termistor

Smbolo NTC

Smbolo PTC

Un termistor es un sensor resistivo de temperatura. Su funcionamiento se basa en

la variacin de la resistividad que presenta un semiconductor con la temperatura.
El trmino termistor proviene de Thermally Sensitive Resistor. Existen dos tipos de
termistor:
NTC (Negative Temperature Coefficient) coeficiente de temperatura
negativo
PTC (Positive Temperature Coefficient) coeficiente de temperatura positivo

Su funcionamiento se basa en la variacin de la resistencia

de un semiconductor con la temperatura, debido a la
variacin de la concentracin de portadores.
Para los termistores NTC, al aumentar la temperatura,
aumentar tambin la concentracin de portadores, por lo
que la resistencia ser menor, de ah que el coeficiente sea
negativo.

Para los termistores PTC, en el caso de un semiconductor con un dopado muy

intenso, ste adquirir propiedades metlicas, tomando un coeficiente positivo en un
margen de temperatura limitado.

Usualmente, los termistores se fabrican a partir de xidos semiconductores, tales

como el xido frrico, el xido de nquel, o el xido de cobalto.

Sin embargo, a diferencia de los sensores RTD, la variacin de la resistencia con la

temperatura es no lineal. Para un termistor NTC, la caracterstica es hiperblica.
Para pequeos incrementos de temperatura, se darn grandes incrementos de
resistencia. Por ejemplo, el siguiente modelo caracteriza la relacin entre la
temperatura y la resistencia mediante dos parmetros:

, con
Dnde:
RT es la resistencia del termistor NTC a la temperatura T (K)

R0 es la resistencia del termistor NTC a la temperatura de referencia T0 (K)

B son la temperatura caracterstica del material, entre 2000 K y 5000 K

A es una constante que depende del resistor.

Para los termistores se emplean en su fabricacin xidos semiconductores de nquel,
zinc, cobalto, tc.

La caracterstica tensin-intensidad (V/I) de un resistor NTC presenta un carcter

peculiar, ya que cuando las corrientes que lo atraviesan son pequeas, el consumo
de potencia (R I2) ser demasiado pequeo para registrar aumentos apreciables de
temperatura, o lo que es igual, descensos en su resistencia hmica; en esta parte
de la caracterstica la relacin tensin-intensidad ser prcticamente lineal y en
consecuencia cumplir la ley de Ohm.

Si seguimos aumentando la tensin aplicada al termistor, se llegar a un valor de

intensidad en que la potencia consumida provocar aumentos de temperatura
suficientemente grandes como para que la resistencia del termistor NTC disminuya
apreciablemente, incrementndose la intensidad hasta que se establezca el
equilibrio trmico.

PROCEDIMIENTO:

1. Comprobamos que el transistor (o los transistores) a ser usado este en buenas

condiciones. Identificamos sus terminales y medimos su HFE. Dibuje el
transistor usado con el nombre de cada uno de sus terminales y alguna otra
caracterstica importante que se pueda obtener del catalogo. (en caso de usar mas
de un transistor elabore una tabla y dibujo para cada uno)

PARAMETROS VALOR APARIENCIA FISICA Y TERMINALES:

HFE 220
IC 56 mA.
POTENCIA 0.132 W
OTROS (Codigo) 2N3904

2. OPCION 1: Disear y calcular un circuito que encienda un foco cuando

haya oscuridad, y el foco se apague cuando haya claridad en el ambiente
(averige y detalle las caractersticas elctricas del foco a usar). Todos los
transistores que usen deben estar en conmutacin. Para mejorar la
sensibilidad y asegurar que el transistor este en conmutacin puede usar un
potencimetro en la resistencia de base. Usar un RELE y un foco (NO un LED)
 CIRCUITO PROPUESTO:

CLARIDAD

OSCURIDAD

CALCULOS:

DATOS CONOCIDOS:
HFE = 183 medido con el multimetro
Vf = 12v
LDR (con luz) = 190
LDR (con luz) = 23000 K
CLCULOS:

If =

Icmax = 83,33mA con el LDR tapado (sin luz)

Icrele medido en vacio = 28mA = Icmax con el LDR

HFE =

Ibsat = 1,53mA

Nodos
ILDR = IR1 + Ibsat

VR1 = IR1*R1 = (ILDR - Ibsat) R1

VLDR = ILDR *LDR

Malla 1:

VLDR + VR1 = 12v

(ILDR*LDR) + ((ILDR-Ibsat)* R1) = 12V

190ILDR + ((ILDR Ibsat) + 1000) = 12v

190ILDR + 1000ILDR 1,53v = 12v

1190 ILDR = 10,47v

ILDR = 8,872mA

VLDR = 8,872mA * 0,190 = 1,685v

VR1 = 12v 1,685v = 10,315v

Malla 3:
VR1 VRb VBE = 0

VRb + VBE = VR1

VRb = VR1 VBE

VRb = 10,315 0,7V = 9,615V

 VRb = Ib * Rb Rb =

Explique tcnicamente el funcionamiento del circuito diseado. (Para qu se

coloca un diodo en antiparaleo a la bobina del rel?)

El circuito funciona de la siguiente manera, cuando la LDR est expuesta a la

claridad, su resistencia es baja y por lo tanto la corriente busca el camino que le
ofrezca la menor resistencia, que en este caso sera por la LDR y por la resistencia
de base (Rb); lo que hace que exista una corriente de base (Ib) y al existir esta,
tambin existe una corriente de colector (Ic); pero en este caso hemos calculado
las resistencias para que el punto de trabajo este en el punto de saturacin en el
punto de corte, entonces en el primer caso tenemos cuando la LDR est expuesta a
la claridad tenemos una corriente de colector mxima (Ic max) y un voltaje colector-
emisor (Vce) igual a cero voltios, lo que hace al rel normalmente cerrado que se
abra y no permita el paso de corriente, ni del voltaje positivo del foco, por lo tanto
lo mantendr apagado.

En el segundo caso exponemos al LDR a la oscuridad, lo que hace que su

resistencia suba, y sea lo suficientemente alta, como para no permitir el paso de
corriente por ella; y por lo tanto no existe una corriente de base (Ib) ni tampoco
una corriente de colector (Ic), entonces tenemos que el punto de trabajo Q, se
encuentra en el punto de corte con una Ic= 0 y Vce max, lo que hace que en rel se
cierre y permita que pase la corriente y voltaje positivo al foco y este logre
encenderse.
El potencimetro nos ayuda a lograr variar la intensidad de luz del foco.

Para qu se coloca un diodo en antiparaleo a la bobina del rel?

Se coloca un diodo en antiparalelo, debido a que, cuando existe una carga que pasa
por la bobina del rele, esta se queda un poco cargada con energia lo cual hace que
este en peligro el transistor y lo logra daar. El diodo lo que hace es proteger al
transistor de cualquier amenaza que pueda ocacionar el rele, ya que si existiera una
descarga el diodo es el que se quemaria y se daaria.

3. Armar lo diseado y comprobar su correcto funcionamiento.

Como el transistor debe estar en conmutacin, el punto de trabajo del transistor

de carga que comanda la bobina del rel y este al el foco (o motor) debe cambiar
de la zona de corte a la de saturacin. Compruebe que eso suceda midiendo,
llenando y comentando los siguientes cuadros de resultados.

Vcc = 12V (medido)

BOBINA DEL RELE ACTIVADA:

VCE (V) Ic (mA) Zona de trabajo

Transistor de carga. 11,9 0.02 Zona de Corte

 UBICACIN DEL PUNTO DE TRABAJO EN LA RECTA DE CARGA.
ic

(0 V ; 28 mA)

(11.9 V ; 0.02
mA)

(12 V ;0 mA) Vce

El punto de trabajo se encuentra en el Ic mnimo y en el Vce mximo, ya que el foco se

encuentra encendido, lo que quiere decir que la resistencia en la base del transistor es
lo sufrientemente alta como para no permitir que circula ninguna corriente por la
base del transistor, por lo tanto no existe una Ibase, y como consecuencia tampoco
existe una Icolector, lo que hace que el voltaje colector-emisor sea mximo y el
rel normalmente cerrado se cierre, permitiendo as que el foco se prenda, el punto
de trabajo Q del transistor se encuentra en el punto de Saturacin.

BOBINA DEL RELE DESACTIVADA:

 VCE (V) Ic (mA) Zona de trabajo

Transistor de carga. 0.28 27 Zona de Corte

UBICACIN DEL PUNTO DE TRABAJO EN LA RECTA DE CARGA.

ic

(0 V ; 28 mA)
(27mA, 0.28

(12 V ; 0 Vce
mA)
El punto de trabajo se encuentra en el Ic mximo y en el Vce mnimo, ya que el foco se
encuentra apagado, lo que quiere decir que la resistencia en la base del transistor es
muy pequea y permite que circula la corriente por la base del transistor, por lo
tanto si existe una Ibase, y como consecuencia tambin existe una Icolector, lo que
hace que el voltaje colector-emisor sea 0V y el rel normalmente cerrado se abra,
permitiendo as que el foco se apague, el punto de trabajo Q del transistor se
encuentra en el punto de Corte
CONCLUSIONES.

Adems de sus propias conclusiones. Diga: Qu aplicaciones puede

tener este circuito? Qu dificultades tuvo?, etc

El circuito diseado cumpli los objetivos debido a que el LDR funcion

correctamente al ser sometido a la luz el circuito funcionaba en corte
mientras que cuando no estaba expuesta a la luz el circuito funcionaba en
saturacin.
El Potencimetro tena la funcin de mejorar la sensibilidad y dar seguridad
en la conmutacin del transistor.
En una modificacin que se realiz en Rb el circuito mejor en los resultados;
es decir ampliamos notablemente el valor de la resistencia Rb y el foco gan
en intensidad, por lo tanto haba ms emisin de luz.
El diodo protege al transistor de la descarga que puede darnos la bobina del
rel, por lo cual al momento de dirigirse el diodo recibe la descarga y no llega
al transistor.
Le colocamos una resistencia de base para que pueda activar al circuito
debido a que el aumento del valor de la resistencia del LDR al no permitir que
llegue la luz sumada al de la resistencia de base hace que exista una
corriente de base (Ib), por lo tanto tambin existe una corriente de colector
(Ic)
Al trabajar con el transistor en conmutacin, es decir en la zona de corte y de
saturacin, permite que se abra o se cierra el rel, funcionando como
interruptor que hace que se encienda o se apague el foco.

Qu aplicaciones puede tener este circuito?

Este circuito puede ser aplicado a gran escala en la iluminacin publica,

remplazando algunos componentes electrnicos por otros, por ejemplo la ldr
por una fotoclula.

Qu dificultades que tuvimos?

La dificultad ms grande fue que la resistencia de la ldr era muy variable,

por ejemplo mediamos dos veces y nos mostraba diferentes valores de
resistencia cuando realizamos diferentes comprobaciones.

BIBLIOGRAFIA.

http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor

http://es.wikipedia.org/wiki/LDR
 http://es.wikipedia.org/wiki/Archivo:Termistor_disco.jpg

ANEXO

Simule el circuito y muestre su funcionamiento (para simular la LDR,

NTC o PTC utilice una resistencia variable, o dos resistencias de distinto
valor en dos circuitos diferentes)

CON OSCURIDAD:

CON CLARIDAD:
CON OSCURIDAD:

CON CLARIDAD: