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LONDRINA
2011
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE LONDRINA
CURSO DE GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA
________________________________
Orientador
_____________________________________
Coordenadora de TCC
Banca examinadora:
___________________________________
____________________________________
OUTUBRO/2011
CI Circuito Integrado
CA Corrente Alternada
CC Corrente Contnua
DC Direct Current
fm Frequncia da modulante
fp Frequncia da portadora
Lista de figuras
Figura 2.1 - Inversor monofsico em meia ponte .................................................................. 2
Figura 2.2 - Circuito simplificado de um inversor monofsico em ponte completa .......... 3
Figura 2.3 - Inversor com as chaves T1 e T3 conduzindo ................................................... 3
Figura 2.4 - Inversor com as chaves T2 e T4 conduzindo ................................................... 4
Figura 2.5 - Pulso quadrado e parmetros para clculo da razo cclica ......................... 5
Figura 2.6 - Modulao por mltiplos pulsos a partir de uma onda quadrada.................. 5
Figura 2.7 - Modulao senoidal bipolar PWM ...................................................................... 6
Figura 2.8 - Modulao bipolar ................................................................................................. 7
Figura 2.9 - Modulao unipolar .............................................................................................. 8
Figura 2.10 - Smbolo de um FPB e sua resposta em freqncia .................................... 10
Figura 2.11 - Smbolo de um FPA e sua resposta em freqncia..................................... 11
Figura 2.12 - Smbolo de um FPF e sua resposta em freqncia .................................... 12
Figura 2.13 - Smbolo de um FRF e sua resposta em freqncia .................................... 12
Figura 2.14 - Exemplo de um FPB com um resistor e um capacitor ................................ 12
Figura 2.15 - FPB de sada para modulao bipolar .......................................................... 13
Figura 2.16 - Esquema de um transistor MOSFET ............................................................. 17
Figura 2.17 - Inversor monofsico em ponte e circuito gerador dos pulsos de controle
..................................................................................................................................................... 18
Figura 2.18 - Exemplo de um circuito optoacoplador ......................................................... 19
Figura 2.19 - Circuito do snubber .......................................................................................... 21
Figura 2.20 - Transformador com secundrio aberto ......................................................... 23
Figura 2.21 - Transformador com carga no secundrio ..................................................... 23
Figura 3.1 - Viso geral do circuito em diagrama de blocos.............................................. 25
Figura 3.2 - Diagrama de blocos do circuito de controle .................................................... 26
Figura 3.3 - Esquemtico do circuito gerador da onda triangular ..................................... 26
Figura 3.4 - Esquemtico do comparador PWM ................................................................. 28
Figura 3.5 - Circuito lgico de atraso .................................................................................... 29
Figura 3.6 - Esquemtico do drive isolador de pulso .......................................................... 30
Figura 3.7 - Esquemtico das quatro fontes independentes. ............................................ 34
Figura 3.8 - Caminho da corrente durante o ciclo ativo do transistor .............................. 35
Figura 3.9 - Caminho de roda livre ........................................................................................ 36
Figura 3.10 - Transformador com dois secundrios ........................................................... 38
Figura 3.11 - Curva de histerese de um ncleo de ferrite .................................................. 40
Figura 3.12 - Esquemtico do inversor ................................................................................. 43
Figura 3.13 - Esquemtico do inversor para simulao ..................................................... 44
Figura 3.14 - Pulso PWM em M2 ........................................................................................... 45
Figura 3.15 - Pulso PWM em M1 ........................................................................................... 45
Figura 3.16 - Forma de onda da tenso de sada ............................................................... 46
Figura 3.17 - Forma de onda da corrente na sada do inversor ....................................... 46
Figura 3.18 - O circuito do snubber ....................................................................................... 47
Figura 3.19 - Configurao do filtro ....................................................................................... 49
Figura 3.20 - Esquema da montagem em bancada ............................................................ 53
Figura 4.1 - Prottipo do drive isolador de pulso ................................................................. 55
Figura 4.2 - Prottipo do inversor .......................................................................................... 56
Figura 4.3 - Triangular gerada pelo circuito utilizando o CI LM566 .................................. 56
Figura 4.4 - Triangular na entrada do comparador PWM................................................... 57
Figura 4.5 - Onda senoidal utilizada na comparao PWM .............................................. 58
Figura 4.6 - Pulsos complementares gerados pela comparao PWM........................... 58
Figura 4.7 - Cruzamento dos pulsos PWM complementares ............................................ 59
Figura 4.8 - Pulsos PWM complementares com atraso ..................................................... 59
Figura 4.9 - PWM aplicado porta do MOSFET da fonte independente ........................ 60
Figura 4.10 - Tenso entre os terminais do transformador da fonte independente ....... 60
Figura 4.11 - Pulsos PWM obtidos na sada do drive isolador de pulso.......................... 61
Figura 4.12 - Forma da tenso de sada saturada .............................................................. 62
Figura 4.13 - Sada do inversor sem distoro para Vin = 30 V ....................................... 62
Figura 4.14 - Tenso de sada para Vin = 60 V ................................................................... 63
Figura 4.15 - Tenso de sada para Vin = 90 V ................................................................... 64
Figura 4.16 - Tenso de sada para Vin = 120 V ................................................................. 64
Figura 4.17 - Tenso de sada para Vin = 180 V ................................................................. 65
Figura 4.18 - Tenso de sada com Vin = 204 V ................................................................. 65
Figura 4.19 - Tenso de sada para fp = 100 kHz ............................................................... 67
Figura 4.20 - Tenso de sada para fp = 50 kHz ................................................................. 68
Figura 4.21 - Tenso de sada para fp = 30 kHz ................................................................. 68
Figura 4.22 - Tenso de sada com fm = 1 kHz e fp = 100 kHz ........................................ 69
Figura 4.23 - Tenso de sada com fm = 1 kHz e fp = 50 kHz .......................................... 70
Figura 4.24 - Tenso de sada com fm = 1 kHz e fp = 30 kHz .......................................... 70
Figura 4.25 - Tenso de sada com fm = 1 kHz e fp = 25 kHz .......................................... 71
Figura 4.26 - Tenso de sada com fm = 1 kHz e fp = 20 kHz .......................................... 71
Figura 4.27 - Tenso de sada com fm = 1 kHz e fp = 15 kHz .......................................... 72
Figura 4.28 - Tenso em cada um dos braos do inversor para usando modulao
bipolar ......................................................................................................................................... 74
Figura 4.29 - Tenso em cada um dos braos do inversor para usando modulao
unipolar....................................................................................................................................... 75
Figura 4.30 - Sada do inversor para modulao unipolar (fm=1kHz e fp=50kHz) ........ 75
Figura 4.31 - Sada do inversor para modulao bipolar (fm=1kHz e fp=100kHz) ........ 76
Figura 4.32 - Sada do inversor para modulao unipolar (fm=1kHz e fp=25kHz) ........ 76
Figura 4.33 - Sada do inversor para modulao bipolar (fm=1kHz e fp=50kHz) .......... 77
Figura 4.34 - Sada do inversor para modulao unipolar (fm=1kHz e fp=15kHz) ........ 77
Figura 4.35 - Sada do inversor para modulao bipolar (fm=1kHz e fp=30kHz) .......... 78
Figura 7.1 - Arquivo PCB do circuito de drive ...................................................................... 85
Figura 7.2 - Top layer ............................................................................................................... 86
Figura 7.3 - Bottom layer ......................................................................................................... 86
Lista de tabelas
Tabela 4.1 - Variao de Vin (R=1k, fm=60Hz, fp=100kHz) .............................................. 63
Tabela 4.2 - Variao da carga resistiva (Vout-rms=110V, fm=60Hz, fp=100kHz) ......... 66
Tabela 4.3 - Carga indutiva (fm=60Hz, fp=100kHz) ............................................................ 66
Tabela 4.4 - Variao de fp (Vin=60V, fm=60Hz, R=1k) .................................................. 67
Tabela 4.5 - Variao de fp (Vin=60V, fm=1kHz, R=1k) .................................................. 69
1 Introduo
Atualmente, com um sistema de energia eltrica consolidado - onde se
utilizam uma tenso CA na transmisso, na distribuio e consequentemente
nos pontos consumidores residenciais, comerciais e industriais uma
crescente preocupao com a eficincia energtica e uma alta demanda de
energia, torna-se cada vez mais importante o desenvolvimento dos inversores
de frequncia, que so equipamentos capazes de fornecer uma tenso CA a
partir de uma alimentao em tenso CC.
1
2 Reviso bibliogrfica
2.1 Inversores de frequncia
Inversores so conversores CC-CA, ou seja, sua funo consiste em
converter uma tenso contnua (CC) aplicada em sua entrada em uma tenso
alternada (CA) simtrica, de amplitude e freqncia desejadas em sua sada.
2
Figura 2.2 - Circuito simplificado de um inversor monofsico em ponte
completa
3
aceitveis tenses de onda quadrada, enquanto que para aplicaes em
potncia elevada se faz necessrio o uso de tenses de onda senoidal com
baixa distoro [1].
D = t(on) / T (2.1)
4
Figura 2.5 - Pulso quadrado e parmetros para clculo da razo cclica
Como visto na figura 2.5, a forma de onda gerada pela modulao PWM
tem somente dois estados, um nvel alto e um nvel baixo, assim, as chaves
disparadas por esta forma de onda comutaro apenas entre esses dois estados
5
senoidal que o fator de distoro e os harmnicos de mais baixa ordem so
reduzidos significativamente [1].
6
2.2.1 A modulao bipolar
Este esquema apresenta sada diferencial com um brao defasado em
180 (graus) do outro, como mostra a figura 2.8. Enquanto o brao A a prpria
sada do comparador o brao B passa por uma porta inversora. Com esta
configurao so obtidas as formas de onda complementares que so
aplicadas em cada um dos braos do inversor. A amplitude de cada um dos
pulsos varia de um valor de referncia 0 (zero) at ao valor +Vcc. Assim, a
sada diferencial, neste caso de um inversor, apresenta dois nveis de sada,
+Vcc e -Vcc, justificando o nome bipolar.
7
2.2.2 A modulao unipolar
Na modulao unipolar a tenso diferencial de sada varia entre trs
nveis de tenso, 0V Vcc e +Vcc. Para conseguir essa variao na sada do
inversor, possvel usar uma chave de cada par (T1 ou T3 e T2 ou T4) mais
lentas. Neste caso uma chave, por exemplo, T1, ficar conduzindo
continuamente em meio ciclo e no semiciclo seguinte quem conduzir
continuamente, por exemplo, ser T2. Desta forma, a frequncia de comutao
de T1 e T2 ser a mesma da onda senoidal, enquanto que a freqncia de
comutao de T3 e T4 ser igual da onda triangular de referncia [5]. A figura
2.9 exemplifica a gerao dos pulsos para a modulao unipolar.
M = f / fm (2.2)
2.3 Filtros
Em vrios tipos de aplicaes interessante mudar a amplitude das
componentes de frequncia em um sinal ou eliminar por completo algumas
amplitudes de determinadas frequncias. O processo que realiza essas
funes chama-se filtragem. Sistemas lineares invariantes no tempo que
mudam a forma do espectro so conhecidos como filtros modeladores de
frequncia (do ingls frequency-shaping filters) enquanto que os sistemas que
so desenvolvidos para permitir a passagem sem distoro de algumas
freqncias essenciais e atenuar ou eliminar outras frequncias so
conhecidos como filtros seletores de frequncia (do ingls frequency-selective
filters) [6].
9
Os filtros seletores de frequncia foram desenvolvidos para selecionar
ou rejeitar determinadas faixas de frequncia com acurcia. Um exemplo tpico
de aplicao ocorre quando os rudos em gravaes de udio esto em uma
freqncia mais elevada que a da msica ou da voz, sendo possvel remov-
los com um filtro que selecione apenas as frequncias mais baixas. Os filtros
que selecionam as frequncias mais baixas ou rejeitam as mais altas so
conhecidos como filtros passa-baixa (FPB). A figura 2.10 mostra seu smbolo
assim como o comportamento da sua resposta em frequncia.
10
Figura 2.11 - Smbolo de um FPA e sua resposta em freqncia
11
Figura 2.12 - Smbolo de um FPF e sua resposta em freqncia
12
2.3.1 Filtro de sada do inversor
Como o princpio da modulao PWM amostrar um sinal analgico
atravs da variao de ton, a quantidade de harmnicas necessrias para
representar o sinal de sada grande [4]. Para tentar eliminar essas
componentes indesejadas e recompor o sinal original, se faz necessrio o uso
de um filtro.
Como o PWM gerado a uma freqncia de pelo menos 100kHz e a
freqncia do sinal desejada na sada do inversor de 60Hz, utiliza-se um filtro
do tipo passa-baixa (FPB).
Normalmente, no recomendado utilizar um filtro passa-baixa simples,
formado por um indutor e um capacitor. Recomenda-se a utilizao de um filtro
com pelo menos dois plos, para reduzir a emisso de radiao
eletromagntica e tambm para evitar que o filtro produza picos excessivos de
tenso [5]. Assim, a configurao de filtro utilizada, que suficiente para a
aplicao em inversores com modulao PWM bipolar, contm dois indutores e
cinco capacitores e est exposta na figura 2.15.
13
Onde, da figura 2.15:
L = L1 + L2;
C = C1//C2//C3//C4;
Observa-se que o capacitor C5 no entra no clculo da capacitncia
equivalente porque a carga no o enxerga em paralelo com os demais. O valor
de C5 utilizado na prtica, de [5], igual ao de C1, C2, C3 e C4.
Substituindo as expresses para L e C na equao anterior, obtm-se:
14
O fator Q muito importante porque causa uma influncia determinante
na resposta em frequncia do filtro. Um valor de Q recomendado para se obter
boas respostas utilizando filtro de Butterworth 0,707. Devido s suas
caractersticas de banda suave e resposta de fase, recomendada a utilizao
de um filtro Butterworth de segunda ordem [5]. Os valores de capacitncia e
indutncia podem ser encontrados com as frmulas abaixo:
15
sempre importncia crtica [1]. Esses diodos cobrem faixas de correntes de
menos de 1 A a centenas de amperes, com especificaes de tenses de 50 V
a aproximadamente 3000 V.
16
Existem dois tipos de MOSFETs, os de depleo e os de enriquecimento.
Para mostrar os do tipo depleo, considera-se um MOSFET de depleo de
canal n, que so formados por um substrato de silcio do tipo p, com dois
silcios n+ fortemente dopados para conexes de baixa resistncia. Possuem
trs terminais, chamados de porta, dreno e fonte [1,2]. Como mostra a figura
2.16, a porta isolada do canal por uma fina camada de xido de silcio.
2.6.1 Optoacopladores
Os optoacopladores combinam um diodo emissor de luz infravermelha
(do ingls infra-red light-emitting diode ILED) e um fototransistor de silcio. O
18
sinal de entrada aplicado ao ILED e a sada obtida atravs do fototransistor.
A figura 2.18 expe um exemplo de optoacoplador:
2.7.1 Dissipadores
Devido s perdas de chaveamento e durante o perodo de conduo,
gerado calor dentro do dispositivo de potncia [1]. Esse calor deve ser
transferido do dispositivo para manter a temperatura de operao deles dentro
de uma faixa especificada. Em um resfriamento mdio, o calor tem de fluir do
dispositivo para o encapsulamento e depois do encapsulamento para um
dissipador de calor.
19
Uma ampla variedade de dissipadores de alumnio est disponvel
comercialmente e eles utilizam paletas de resfriamento para aumentar a
capacidade de transferncia do calor.
20
Isolando C, encontra-se:
Onde:
;
R o valor da resistncia do snubber;
C o valor da capacitncia do snubber;
t o tempo necessrio para o capacitor descarregar at atingir
90% da carga inicial.
2.8 Transformadores
21
nmero de espiras no secundrio, da magnitude do fluxo mtuo e da
freqncia [3].
Onde:
22
Figura 2.20 - Transformador com secundrio aberto
Para a anlise da condio com carga, figura 2.21, considera-se as
caractersticas de um transformador ideal. Em um transformador ideal as
resistncias dos enrolamentos so desprezveis, no h disperso do fluxo, isto
, todo fluxo est confinado no ncleo, no existem perdas de energia no
ncleo e a permeabilidade do ncleo to alta que uma mnima fora magneto
motriz necessria para estabelecer o fluxo [3].
Matematicamente, de [3]:
23
Das equaes 2.16 e 2.17, possvel encontrar que:
24
3 Desenvolvimento prtico
3.1 O sistema proposto
Para facilitar o entendimento do trabalho como um todo, ele foi dividido
em trs partes, onde cada uma tem uma funo diferente. O diagrama de
blocos abaixo mostra cada uma delas.
25
Gerador da Comparador Circuito de
triangular PWM atraso
V1
12Vdc R1
22k
SET = 0.5
6V
R3
100k
C1
C3 U1 47p U2A
4
5.6n 5 3 C4 TL074A
6 MOD SQWOUT 4 3 TRIANG
TRES TRWOUT +
7 1
TCAP 47u
2
-
LM566C OUTPAD
R2 C2
11
10k 2.2n
SET = 0.5
0 0
Onde:
26
R0 o resistor de tempo (do ingls timing resistor), usado para
determinar a frequncia das ondas;
C0 o capacitor de tempo (do ingls timing capacitor), usado para
determinar a frequncia das ondas;
27
R35 12V
10k
12V
0 U16B
4
TL074A R11 7 5 U17
5 + 1k LM318
TRIANG R33 7 3 PAD1
+
6 - 6
R10 2
3.3k -
INPAD 11 10K OUTPAD
R30 4 8 1
1k
R34
10k 0
0 0
12V
0
0
28
3.2.3 O circuito de atraso
Antes dos pulsos serem aplicados no drive e consequentemente nos
transistores do inversor, necessrio garantir que os dois MOSFETs do
mesmo brao no conduzam simultaneamente, pois isso causaria um curto
circuito na fonte de alimentao do inversor, levando a uma sobrecorrente que
pode danificar os componentes do inversor, principalmente os MOSFETs.
Para evitar este problema foi implementado um circuito lgico, que est
localizado entre a sada do comparador e o drive isolador de pulsos. Seu
esquemtico apresentado na figura 3.5.
U15A
4081
PAD1
1 PWM1
3
INPAD 2
OUTPAD
R28 4049
C11 10k U14A
0 2 1
47p
4049
C12 R29 U14B
0 10k 4 3
47p
U15B
4081
4 PWM2
PAD2 6
5
OUTPAD
INPAD
29
colocado um circuito RC (capacitores C11 e C12, potencimetros R28 e R29)
na sada das portas inversoras U14A e U14B (HEF4049B). A constante de
tempo no carregamento do capacitor varia conforme os valores de resistncia e
capacitncia utilizados. Usando um potencimetro torna-se ento possvel
ajustar o atraso de um pulso com relao ao outro atravs da variao da
resistncia e calibrar um melhor ponto para o funcionamento do inversor
quando a corrente fornecida pela fonte e exigida pelo mesmo seja a menor
possvel.
O circuito utilizado para fazer este tratamento dos pulsos PWM utiliza
optoacopladores e ser referenciado neste trabalho como drive isolador de
pulso. Seu esquemtico encontra-se na figura 3.6.
30
O circuito do drive isolador de pulso atua como uma interface entre o
circuito de potncia e o circuito de controle. Alm de fazer o tratamento do sinal
PWM para que ele possa ser aplicado com uma amplitude apropriada
suportada pelos gates dos transistores, ele faz o isolamento dos pulsos para
que cada MOSFET do inversor tenha um referencial independente, permitindo
que eles sejam disparados individualmente.
31
10,4V. Este incremento dos valores de sada ajuda na excitao do CI CD4049
[15, 16].
32
circuitos idnticos ao apresentado acima, um para acionar cada uma das
chaves do inversor.
33
Figura 3.7 - Esquemtico das quatro fontes independentes.
34
capacitores que suprem a potncia da carga, ou neste caso, alimentam o
circuito drive isolador de pulso.
Onde:
35
Pela equao 3.2, constata-se que o sentido da tenso sobre os
enrolamentos primrios o inverso do sentido da tenso durante o ciclo ativo
e tem valor aproximadamente igual ao do diodo zener Z1. Com esta tenso
com sentido contrrio aplicada, a variao da corrente que flui pelos
enrolamentos primrios tambm negativa, causando assim a diminuio do
valor desta corrente at zero. Durante este perodo de corte do transistor, os
diodos nos secundrios so polarizados reversamente e no conduzem.
36
Onde:
E, por fim, ao isolar Dmax, percebe-se que o valor do ciclo ativo mximo
(razo cclica mxima) depende dos valores das tenses de magnetizao e
desmagnetizao, ou seja, est ligado diretamente ao valor do diodo zener Z1,
37
pois a tenso de magnetizao ser sempre constante e com valor de 12
volts.
38
parmetros fsicos do ncleo utilizado, possvel dimensionar este
transformador.
Ap = 0,48 cm4
Le = 4,28 cm ou 43 mm
Ae = 0,312 cm2 ou 31,00mm
Al = 1300 nH/esp2
Onde:
O dimensionamento do transformador:
39
Onde Bmx deve ser um valor de densidade do campo magntico que
mantenha a permeabilidade constante em condies de variaes de
temperatura e com campo magntico Hmx aplicado.
40
Sabendo que a freqncia de trabalho de 20kHz, sabe-se que o
perodo total de um ciclo o inverso da frequencia de trabalho, ou seja:
Sabe-se que:
Ou tambm que:
Onde:
41
Conhecendo o valor da indutncia, possvel determinar o nmero de
espiras necessrias atravs da seguinte equao:
ou (3.17)
42
3.4 3 etapa Circuito de potncia
3.4.1 O inversor
O inversor utilizado neste trabalho foi projetado para fornecer em sua
sada uma tenso CA senoidal de 110 V RMS com freqncia de 60 Hz e para
alimentar uma carga com potncia mxima de 500 W. A tipologia utilizada foi a
do inversor em ponte completa, que possui quatro MOSFETs dispostos em
dois braos, como mostra a figura 3.12. Os MOSFETs utilizados so do tipo
IRF840, pois cada um suporta uma tenso de at 500 V e uma corrente de at
8 A [23].
Para alcanar uma sada alternada com tenso de 110 V RMS preciso
alimentar o circuito com uma tenso contnua de aproximadamente 200 V. Este
43
valor foi encontrado considerando-se o valor de pico da tenso CA mais 30%
para compensar as perdas.
Onde:
V1 = 0 V1 V3
V2 = 5 12
TD = 0
TR = 0.49m V5
TF = 0.49m 200 M1 M3
PW = 0.01m U1 R1
PER = 1m 2
IRF840 IRF840
50
L1
0 I
50m
LM318
V2
VOFF = 2.5
VAMPL = 1.75 M2 1 M4
FREQ = 60
IRF840 IRF840
V1 = 0 V4 V7
V2 = 5 12
TD = 0
TR = 0.49m
TF = 0.49m
PW = 0.01m U2
PER = 1m
LM318
V6
VOFF = 2.5
VAMPL = 1.75
FREQ = 60
V1 = 0 V11 V13
V1 = 0 V8 V10 V2 = 5 12
V2 = 5 12 TD = 0
TD = 0 TR = 0.49m
TR = 0.49m TF = 0.49m
TF = 0.49m PW = 0.01m U4
PW = 0.01m U3 PER = 1m
PER = 1m
LM318
LM318 V12
V9 VOFF = 2.5
VOFF = 2.5 VAMPL = 1.75
VAMPL = 1.75 FREQ = 60
FREQ = 60
44
em 180, e segundo, que a tenso de sada a diferena entre as formas de
onda dos pulsos M1 e M2.
12V
8V
4V
0V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms
V(M3:g,M4:d)
Time
8V
4V
0V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms
V(M1:g,V2:-)
Time
45
derivada positiva. O raciocnio semelhante para uma tenso negativa, onde a
derivada de corrente negativa. Assim, como os MOSFETs so chaveados a
100 kHz, as derivadas de corrente mudam de sentido com esta frequncia e
formam uma onda senoidal de 60 Hz devido ao sinal modulante ser uma onda
senoidal em 60 Hz.
400V
200V
0V
-200V
-400V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms
V(R1:1,L1:1)
Time
2.0A
0A
-2.0A
-4.0A
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms
I(R1)
Time
46
A partir desta simulao possvel, atravs de uma comparao, saber
o quo prximo do esperado foram os resultados prticos obtidos.
3.4.2 O snubber
O circuito do snubber consiste de um diodo, um capacitor e um resistor
que so inseridos em paralelo com o MOSFET, como apresentado na figura
3.18. Basicamente, o circuito funciona da seguinte maneira, quando o MOSFET
S1 est aberto o capacitor C4 carregado via diodo DR4 e quando ele est
conduzindo o capacitor descarrega via R12.
47
2. Dimensiona-se o resistor do snubber para dissipar 1W
48
Figura 3.19 - Configurao do filtro
Projeto do filtro de sada do inversor
Ap = 0,71 cm4;
Ae = 60 mm;
Le = 67 mm;
49
De [4]:
Ku = 0,4;
Kj = 397;
Bmx = 0,3.
Isolando L:
50
frequncias de corte muito baixas necessita-se de componentes muito
robustos. Assim sendo, o meio termo encontrado foi para o uso de uma
frequncia de corte de 5 kHz, onde os indutores e capacitores so viveis.
51
Onde:
0 vale 410-7;
Onde:
x um parmetro relacionado ao acrscimo de
temperatura, que foi considerado de 30C e fornece x=0,12.
52
A partir da densidade de corrente obtm-se qual a rea de cobre (ACu)
necessria:
Onde:
Ief obtido dividindo a potncia na sada do inversor pelo
valor da tenso quadrtica mdia aplicada (500W/110V = 4,54A).
O fio de cobre disponvel para enrolar o indutor o #23 AWG, que possui
uma rea de cobre de 0,002582 cm [4]. Para obter a rea de cobre calculada
foram necessrios aproximadamente 5 fios #23 AWG em paralelo, com mostra
a equao a seguir:
3.4.4 Dissipadores
Neste trabalho, o inversor est protegido de agitao trmica por
dissipadores de calor. Em circuitos que envolvem alta potncia, normalmente
os dissipadores so cuidadosamente projetados. Porm, em circuitos com
potncia mais baixa, como o deste trabalho, no se faz necessrio fazer o
dimensionamento dos dissipadores. Assim, o dissipador usado para este
inversor foi escolhido entre os disponveis em laboratrio.
3.5 A montagem
Para realizar os testes e obter os resultados, todo o sistema foi montado
em bancada assim como mostra o diagrama da figura 3.20.
53
Com exceo do circuito de potncia, todos os demais foram
alimentados por uma fonte regulada de tenso de 12 V. Em algumas etapas foi
preciso de uma fonte de 6 V, que foi obtida utilizando-se a prpria alimentao
de 12 V e um circuito com o regulador de tenso TL431 [25].
54
4 Resultados e anlise
4.1 Prottipos
Nesta seo so apresentados os prottipos desenvolvidos para este
trabalho.
55
Figura 4.2 - Prottipo do inversor
4.2 Circuito de controle e drive isolador de pulso
56
A onda triangular sofre algumas modificaes antes de ser aplicada no
comparador PWM. Devido ao uso de um comparador com terra virtual, ela
deslocada de aproximadamente 6 V, alm de ser amplificada para um valor de
pico a pico de aproximadamente 5 V, como mostra a figura 4.4. Esta triangular
comparada com uma onda senoidal de 60 Hz proveniente de um gerador de
funes, figura 4.5. Pode-se observar que a senoidal tambm foi deslocada em
aproximadamente 6 V para ficar no mesmo nvel de tenso.
57
Figura 4.5 - Onda senoidal utilizada na comparao PWM
58
Figura 4.7 - Cruzamento dos pulsos PWM complementares
59
Figura 4.9 - PWM aplicado porta do MOSFET da fonte independente
Observa-se que a razo cclica deste pulso menor que 0,625, condio
necessria para o transformador no saturar e que foi demonstrada na seo
3.3.4. Na imagem seguinte, figura 4.10, percebe-se que durante o perodo ativo
do MOSFET o transformador tem os 12V da alimentao em seus terminais, e,
quando o MOSFET no est conduzindo, o ncleo desmagnetizado sob a
tenso igual do diodo zener, que aproximadamente 20 V. Para esta
medio a ponteira do osciloscpio estava multiplicada por 10.
60
pulso. Na sada do drive so obtidos os pulsos que so aplicados no inversor,
figura 4.11.
61
Figura 4.12 - Forma da tenso de sada saturada
A figura 4.12 mostra um exemplo onde a tenso de sada est saturada
devido amplitude da onda senoidal ter ultrapassado os limites de amplitude
da onda triangular, prejudicando a comparao e consequentemente a
modulao por largura de pulso, o que interfere na forma do sinal de sada. A
fim de evitar este problema, ajustou-se a amplitude da onda senoidal para que
a sada no apresentasse distoro, como o exemplo visualizado na figura
4.13.
62
Com a amplitude da modulante ajustada, variou-se o valor da tenso de
alimentao do inversor (Vin) e monitorou-se as correntes de entrada e de
sada assim como a tenso de sada. Os valores anotados esto na tabela 4.1.
63
Figura 4.15 - Tenso de sada para Vin = 90 V
64
Figura 4.17 - Tenso de sada para Vin = 180 V
65
conforme a carga era variada. Os resultados podem ser verificados na tabela
4.2.
Fabricante: Promeco;
Rotao: 15000 RPM;
Tenso de alimentao: 110 V;
Potncia: 150 W;
Corrente: 1,4 A;
66
Testado o comportamento do inversor com cargas de comportamento
resistivo e indutivo e trabalhando em diferentes valores de tenso e corrente,
foram realizados testes para avaliar a influncia da modulao na resposta do
inversor.
67
Figura 4.20 - Tenso de sada para fp = 50 kHz
68
visualizao, estes testes foram repetidos para uma modulante com frequncia
de 1 kHz.
69
Figura 4.23 - Tenso de sada com fm = 1 kHz e fp = 50 kHz
70
Figura 4.25 - Tenso de sada com fm = 1 kHz e fp = 25 kHz
71
Figura 4.27 - Tenso de sada com fm = 1 kHz e fp = 15 kHz
Observando as imagens anteriores possvel perceber que para uma
portadora com freqncia menor que 50 kHz comeam a surgir algumas
distores na forma de onda da tenso de sada. Na freqncia de 50 kHz essa
distoro ainda muito pequena e quase imperceptvel, mas conforme esses
valores so diminudos a distoro aumenta.
72
Para fm = 1 kHz e fp = 15 kHz:
73
Como visto na reviso bibliogrfica, para a tcnica bipolar a frequncia
de chaveamento dos MOSFETs do inversor a mesma frequncia da onda
portadora usada na modulao, enquanto que na tcnica unipolar a frequncia
de chaveamento duas vezes maior que a frequncia da portadora [26]. Ento,
para se ter um bom grau de comparao do comportamento dessas tcnicas
conforme a variao da frequncia de portadora, foram comparados os sinais
de sada do inversor com a frequncia de portadora utilizada para a tcnica
unipolar sendo metade da utilizada na tcnica bipolar. As figuras 4.28 e 4.29
mostram as tenses obtidas em cada um dos braos do inversor com a tcnica
bipolar e unipolar, respectivamente.
Percebe-se das figuras 4.28 e 4.29 que os pulsos obtidos com a tcnica
bipolar so complementares e com mesma frequncia, resultando em um pulso
na sada diferencial do inversor com frequncia igual das obtidas em cada um
dos braos. J ao utilizar a modulao unipolar os pulsos obtidos em cada um
dos braos alm de serem complementares esto defasados de 180 graus
entre si, fazendo com que a frequncia do pulso da sada diferencial seja
dobrada.
74
Figura 4.29 - Tenso em cada um dos braos do inversor para usando
modulao unipolar
75
Figura 4.31 - Sada do inversor para modulao bipolar (fm=1kHz e
fp=100kHz)
76
Figura 4.33 - Sada do inversor para modulao bipolar (fm=1kHz e
fp=50kHz)
77
Figura 4.35 - Sada do inversor para modulao bipolar (fm=1kHz e
fp=30kHz)
Mesmo trabalhando com um ndice de modulao maior que o
compatvel da modulao senoidal unipolar PWM, porm com mesma
frequncia de chaveamento, evidente a maior presena de distoro nas
formas de onda da tenso de sada do inversor quando se aplica a modulao
senoidal bipolar PWM.
78
5 Concluses
79
6 Referncias bibliogrficas
[6] OPPENHEIM, Alan V.; WILLSKY, Alan S.; NAWAB, S. Hamid. Signals and
Systems. 2. Ed. Nova Jersey: Prentice-Hall, 1997.
80
[12] Philips Semiconductors. HEF4081B Datasheet. 1995.
http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/view/17734/PHILIPS/HEF4081B.html (acessado em 23/10/11)
81
[21] Fairchild Semiconductor. IRF540N Datasheet. 2002.
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/IRF540N.pdf (acessado em
23/10/11)
82
7 Apndice
7.1 Projeto da placa de circuito impresso do drive isolador de pulso
84
Com o novo projeto pronto, percebeu-se que sua montagem ficou mais
fcil e que os problemas encontrados anteriormente no voltaram a aparecer,
deixando todo o processo mais prtico e eficiente.
85
Figura 7.2 - Top layer
86
7.2 Esquemtico do circuito do drive isolador de pulso
87
7.3 Esquemtico do circuito completo
V
12Vd 1 R1 INV1
c 22k INPAD CD4049
A 3 2 INPAD
SET = V A V 12V
0.5 1 1
0 2
R5 1
R37 OPTO1 47
2 5 4 C1 0
47 6N137 0 470
4
0 2 8 T u
6 R4 BC337
1 R61 D2
V 7 1
9 15 G R4 TRAFO UF4007 V
6 7 6 1 1 10K
0 1 21 6 1
3 K 2 Z C17
R6 1N4747
1 7 470 OUTPAD
R3 1
0 D1 9 u
100 0 Z T TRIMP UF4007
2
C1 Z 1N473 9 10 K BC327 4 10 GND_
k 5 2 2 20K
1
C3 U1 47 4 U2A 1N4733
3 6 D3 1
5.6 5 3 p C4 TL074 GND_ UF400 V
6 MOD SQWOU 4 3 + TRIANG R39
n TRE TRWOUT A 1 7 2
7 T 47 1 Z C1 GND_ 0 75
TCA
S 2 - 1N4729 47 11 12 A C19 OUTPAD
u 4 6 1 10K
P
LM566C OUTPAD u 3 + O R4 MOS 470
R2 C2 11 2 TRIANG R38 6 2 IRF540
2.2n 2 2 - u
10k
SET = 0.5 J2 1 CA314 R4 10 GND_
14 15 10K 1k D4
JUMPER 481 0 1 2
0 0 1 GND_ TRAFO UF400 V
1 0 22 6 7 3
0 7 C2 OUTPAD
0 9 470
0 0
INV2 u
CD4049
A 4 10 GND_
INPAD A 3 2 INPAD 3
R25 12V V2 V2 D5 V
10k 4
12V U7A UF4007
408 R4 C2 OUTPAD
0 1 R4 OPTO2 47
5 5 4 470
1
4 U2 1 47
3 6N137 0 u
TL074A
B R5 7 5 U3 3 0 2 8 T
5 + 1k LM31 2 R4 BC337
3 R4
R2 7 3 + 8 7 1
4 7 15 G3 GND_
3 6 - 6 6 7 6 1 4
R4 2 R26 404 3 K 2
3.3 10K - C6 10k U6A R46
11 9
k R6 4 81 0 2 1 1
1k 47 0 Z5 Z6 T
5 1N4733 1N4736 9 10 K BC327
p 4
R2 0 404
10k
4 C7 R27 U6B GND_
0 0
0 10k 4 9 3 2
12V 47 Z C1 GND_
1N472
7 47
5 11 12 2
p U7B 9 u
408
12V R7 75 U4 1
6V 1k LM31 4
3 + 8 6 14 15
6 5 GND_
C5 R9 4 U5A 2
47 - 2
100
u 3 + R8 481
V k 1 1k
VOFF = 2 -
VAMPL = 4 TL074A
FREQ = 11 0
60Hz
0
0
INV3
CD4049
A
INPAD A 3 2 INPAD
V V
3 3
R51
R48 OPTO3 47 5 4
47 6N13 0
0 2 7 8 T
R50 BC337
5 R5
7 1K 15
4 G
6 7 6 1 2
3 2
R5 C3 C27 C2 C36
1
3 DR4 5 1u
9 1u DR3
Z8 Z T G1 R6 S UF400 1u 1u G R64 S UF400
0 1N473 1N473 9 10 K BC327 2 2
5 9 6 2 1 7 2 1 2 7
3 6 1 C31
GND_ 10 10R
IRF840 IRF840
3 R
Z1 C18 GND_ 1u
1N4729
0 47 11 12 3 R7 R7
u R6 C23 47k
1 R67 C24 47k
2
8 22n SAD 22
2 1k A1 2 1k n
L2 L1
J1 14 15 1 2 1 2
JUMPE GND_ V
202.8Vdc 59 59
1 R 3 7
u u
DR1 DR2
G4 R63 D7 UF400 C32 G R65 D8 UF400
INV4 2 7 3 2 7
CD4049
A 1 10R 1u 1 10R
INPAD A 3 2 INPAD IRF840 IRF840
V V
4 4 C34 C28 C3 C3
R7 1u 1u 1u
0 1u
3 R7
R5 R6 C26 47k
0 R66 C25 47k
3
R55 OPTO4 47
7 5 4 9 22n 22
47 6N13 0 R 1k 1k n
0 2 7 8 T s
R5 BC337
7 R59
7 15 G 1k
1
6
6 7 6 1 4
3 K 2
R5
1
8
0 Z11 Z1 T
1N473 1N473 9 10 K BC327
5 2 8
3 6
GND_
4
Z1 C2 GND_
1N472
3 47
2 11 12 4
9 u
14 15
GND_
4
88