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REGIS TROJAN FEROLDI

Modulao senoidal bipolar PWM aplicada em inversores


de frequncia

LONDRINA
2011
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE LONDRINA
CURSO DE GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA

Modulao senoidal bipolar PWM aplicada em inversores


de freqncia

Trabalho de concluso de curso submetido


Universidade Estadual de Londrina como parte
dos requisitos para a obteno do grau de
Engenheiro Eletricista.

REGIS TROJAN FEROLDI

Londrina, outubro de 2011.


Modulao senoidal bipolar PWM aplicada em inversores
de freqncia

Regis Trojan Feroldi

Este trabalho foi julgado adequado para a concluso do curso de engenharia


eltrica e aprovado em sua forma final pela Coordenao do Curso de
Engenharia Eltrica da Universidade Estadual de Londrina.

________________________________

Prof. Dr. Carlos Henrique Gonalves Treviso

Orientador

_____________________________________

Profa. Maria Bernadete de Morais Frana

Coordenadora de TCC

Banca examinadora:

___________________________________

Prof. Msc. Andr Luiz Batista Ferreira

____________________________________

Prof. Dr. Walter Germanovix


Dedico este trabalho ao meu
pai, minha me e aos
meus avs, que tanto
batalharam e me
proporcionaram todas as
oportunidades.
Agradecimentos
Agradeo ao meu pai, minha me, minha irm, a todos os outros
familiares, Fernanda e a todos os meus amigos, que sempre me apoiaram e
me incentivaram em todo o caminho percorrido at aqui.

Agradeo aos professores que contriburam indiretamente ao longo do


curso para a realizao deste trabalho, ao professor orientador Treviso as
orientaes e o suporte dados ao longo de todo o trabalho, ao amigo Cristiano
a companhia durante as alegrias e tristezas ao longo deste projeto, ao
professor Andr os conselhos, aos tcnicos Older, Lus Mathias e Lus
Fernando o suporte tcnico e a todas as outras pessoas que contriburam
sua maneira para a realizao deste trabalho.
Resumo do trabalho de concluso de curso apresentado Universidade
Estadual de Londrina como parte dos requisitos necessrios para obteno do
grau de Engenheiro Eletricista.

Modulao senoidal bipolar PWM aplicada em inversores


de freqncia

Regis Trojan Feroldi

OUTUBRO/2011

Orientador: Carlos Henrique Gonalves Treviso

Palavras-chave: Eletrnica de potncia, Modulao por largura de pulso,


inversores, PWM.

Este trabalho busca validar a teoria de que possvel diminuir as perdas


por distoro em inversores atravs da escolha da tcnica de modulao por
largura de pulso mais adequada para cada aplicao. Para atingir esse objetivo
foram desenvolvidos dois trabalhos em paralelo, um utilizando a modulao
senoidal bipolar PWM e outro a modulao senoidal unipolar PWM. Ao final foi
feita uma comparao de seus resultados e uma anlise para determinar qual
dentre as tcnicas de modulao testadas mais eficiente.
Contedo
Lista de siglas .................................................................................................................................ix
Lista de figuras............................................................................................................................... x
Lista de tabelas ............................................................................................................................. xii
1 Introduo ............................................................................................................................. 1
2 Reviso bibliogrfica .............................................................................................................. 2
2.1 Inversores de frequncia ............................................................................................... 2
2.2 A modulao PWM - Pulse Width Modulation ............................................................. 4
2.2.1 A modulao bipolar ............................................................................................. 7
2.2.2 A modulao unipolar ........................................................................................... 8
2.2.3 O ndice de modulao (M) ................................................................................... 9
2.3 Filtros ............................................................................................................................. 9
2.3.1 Filtro de sada do inversor ................................................................................... 13
2.4 Diodos de potncia...................................................................................................... 15
2.5 Transistores de potncia.............................................................................................. 16
2.5.1 Transistores MOSFET ........................................................................................... 16
2.6 Isolao das excitaes da base e da porta ................................................................. 17
2.6.1 Optoacopladores ................................................................................................. 18
2.7 Proteo de dispositivos e circuitos ............................................................................ 19
2.7.1 Dissipadores ........................................................................................................ 19
2.7.2 O circuito de snubber .......................................................................................... 20
2.8 Transformadores ......................................................................................................... 21
3 Desenvolvimento prtico .................................................................................................... 25
3.1 O sistema proposto ..................................................................................................... 25
3.2 1 etapa Circuito de controle ................................................................................... 25
3.2.1 O gerador de onda triangular .............................................................................. 26
3.2.2 O comparador PWM............................................................................................ 27
3.2.3 O circuito de atraso ............................................................................................. 29
3.3 2 etapa Isolao dos pulsos PWM .......................................................................... 30
3.3.1 O drive isolador de pulso..................................................................................... 30
3.3.2 O funcionamento do drive isolador de pulsos .................................................... 31
3.3.3 Fontes Independentes ......................................................................................... 33
3.3.4 O funcionamento das fontes independentes ...................................................... 33
3.3.5 Projeto do transformador da fonte de alimentao ........................................... 38
3.4 3 etapa Circuito de potncia ................................................................................... 43
3.4.1 O inversor ............................................................................................................ 43
3.4.2 O snubber ............................................................................................................ 47
3.4.3 O filtro de sada ................................................................................................... 48
3.4.4 Dissipadores ........................................................................................................ 53
3.5 A montagem ................................................................................................................ 53
4 Resultados e anlise ............................................................................................................ 55
4.1 Prottipos .................................................................................................................... 55
4.1.1 Drive isolador de pulsos ...................................................................................... 55
4.1.2 Inversor e filtro .................................................................................................... 55
4.2 Circuito de controle e drive isolador de pulso ............................................................ 56
4.2.1 Circuito de controle ............................................................................................. 56
4.2.2 Drive isolador de pulso ........................................................................................ 59
4.3 Circuito do inversor ..................................................................................................... 61
5 Concluses........................................................................................................................... 79
6 Referncias bibliogrficas .................................................................................................... 80
7 Apndice.............................................................................................................................. 83
7.1 Projeto da placa de circuito impresso do drive isolador de pulso .............................. 83
7.2 Esquemtico do circuito do drive isolador de pulso ................................................... 87
7.3 Esquemtico do circuito completo .............................................................................. 88
Lista de siglas
PWM Pulse Width Modulation

MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

FPB Filtro Passa-Baixa

FPA Filtro Passa-Alta

FPF Filtro Passa-Faixa

FRF Filtro Rejeita-Faixa

PCB Printed Circuit Board

CI Circuito Integrado

RMS Root Mean Square

CA Corrente Alternada

CC Corrente Contnua

TBJ Transistor Bipolar de Juno

ILED Infra-red Light-Emitting Diode

DC Direct Current

LED Light-Emitting Diode

SMD Surface Mount Device

AWG American Wire Gauge

DIP Dual In-line Package

Vin Tenso de alimentao

Vout Tenso de sada

fm Frequncia da modulante

fp Frequncia da portadora
Lista de figuras
Figura 2.1 - Inversor monofsico em meia ponte .................................................................. 2
Figura 2.2 - Circuito simplificado de um inversor monofsico em ponte completa .......... 3
Figura 2.3 - Inversor com as chaves T1 e T3 conduzindo ................................................... 3
Figura 2.4 - Inversor com as chaves T2 e T4 conduzindo ................................................... 4
Figura 2.5 - Pulso quadrado e parmetros para clculo da razo cclica ......................... 5
Figura 2.6 - Modulao por mltiplos pulsos a partir de uma onda quadrada.................. 5
Figura 2.7 - Modulao senoidal bipolar PWM ...................................................................... 6
Figura 2.8 - Modulao bipolar ................................................................................................. 7
Figura 2.9 - Modulao unipolar .............................................................................................. 8
Figura 2.10 - Smbolo de um FPB e sua resposta em freqncia .................................... 10
Figura 2.11 - Smbolo de um FPA e sua resposta em freqncia..................................... 11
Figura 2.12 - Smbolo de um FPF e sua resposta em freqncia .................................... 12
Figura 2.13 - Smbolo de um FRF e sua resposta em freqncia .................................... 12
Figura 2.14 - Exemplo de um FPB com um resistor e um capacitor ................................ 12
Figura 2.15 - FPB de sada para modulao bipolar .......................................................... 13
Figura 2.16 - Esquema de um transistor MOSFET ............................................................. 17
Figura 2.17 - Inversor monofsico em ponte e circuito gerador dos pulsos de controle
..................................................................................................................................................... 18
Figura 2.18 - Exemplo de um circuito optoacoplador ......................................................... 19
Figura 2.19 - Circuito do snubber .......................................................................................... 21
Figura 2.20 - Transformador com secundrio aberto ......................................................... 23
Figura 2.21 - Transformador com carga no secundrio ..................................................... 23
Figura 3.1 - Viso geral do circuito em diagrama de blocos.............................................. 25
Figura 3.2 - Diagrama de blocos do circuito de controle .................................................... 26
Figura 3.3 - Esquemtico do circuito gerador da onda triangular ..................................... 26
Figura 3.4 - Esquemtico do comparador PWM ................................................................. 28
Figura 3.5 - Circuito lgico de atraso .................................................................................... 29
Figura 3.6 - Esquemtico do drive isolador de pulso .......................................................... 30
Figura 3.7 - Esquemtico das quatro fontes independentes. ............................................ 34
Figura 3.8 - Caminho da corrente durante o ciclo ativo do transistor .............................. 35
Figura 3.9 - Caminho de roda livre ........................................................................................ 36
Figura 3.10 - Transformador com dois secundrios ........................................................... 38
Figura 3.11 - Curva de histerese de um ncleo de ferrite .................................................. 40
Figura 3.12 - Esquemtico do inversor ................................................................................. 43
Figura 3.13 - Esquemtico do inversor para simulao ..................................................... 44
Figura 3.14 - Pulso PWM em M2 ........................................................................................... 45
Figura 3.15 - Pulso PWM em M1 ........................................................................................... 45
Figura 3.16 - Forma de onda da tenso de sada ............................................................... 46
Figura 3.17 - Forma de onda da corrente na sada do inversor ....................................... 46
Figura 3.18 - O circuito do snubber ....................................................................................... 47
Figura 3.19 - Configurao do filtro ....................................................................................... 49
Figura 3.20 - Esquema da montagem em bancada ............................................................ 53
Figura 4.1 - Prottipo do drive isolador de pulso ................................................................. 55
Figura 4.2 - Prottipo do inversor .......................................................................................... 56
Figura 4.3 - Triangular gerada pelo circuito utilizando o CI LM566 .................................. 56
Figura 4.4 - Triangular na entrada do comparador PWM................................................... 57
Figura 4.5 - Onda senoidal utilizada na comparao PWM .............................................. 58
Figura 4.6 - Pulsos complementares gerados pela comparao PWM........................... 58
Figura 4.7 - Cruzamento dos pulsos PWM complementares ............................................ 59
Figura 4.8 - Pulsos PWM complementares com atraso ..................................................... 59
Figura 4.9 - PWM aplicado porta do MOSFET da fonte independente ........................ 60
Figura 4.10 - Tenso entre os terminais do transformador da fonte independente ....... 60
Figura 4.11 - Pulsos PWM obtidos na sada do drive isolador de pulso.......................... 61
Figura 4.12 - Forma da tenso de sada saturada .............................................................. 62
Figura 4.13 - Sada do inversor sem distoro para Vin = 30 V ....................................... 62
Figura 4.14 - Tenso de sada para Vin = 60 V ................................................................... 63
Figura 4.15 - Tenso de sada para Vin = 90 V ................................................................... 64
Figura 4.16 - Tenso de sada para Vin = 120 V ................................................................. 64
Figura 4.17 - Tenso de sada para Vin = 180 V ................................................................. 65
Figura 4.18 - Tenso de sada com Vin = 204 V ................................................................. 65
Figura 4.19 - Tenso de sada para fp = 100 kHz ............................................................... 67
Figura 4.20 - Tenso de sada para fp = 50 kHz ................................................................. 68
Figura 4.21 - Tenso de sada para fp = 30 kHz ................................................................. 68
Figura 4.22 - Tenso de sada com fm = 1 kHz e fp = 100 kHz ........................................ 69
Figura 4.23 - Tenso de sada com fm = 1 kHz e fp = 50 kHz .......................................... 70
Figura 4.24 - Tenso de sada com fm = 1 kHz e fp = 30 kHz .......................................... 70
Figura 4.25 - Tenso de sada com fm = 1 kHz e fp = 25 kHz .......................................... 71
Figura 4.26 - Tenso de sada com fm = 1 kHz e fp = 20 kHz .......................................... 71
Figura 4.27 - Tenso de sada com fm = 1 kHz e fp = 15 kHz .......................................... 72
Figura 4.28 - Tenso em cada um dos braos do inversor para usando modulao
bipolar ......................................................................................................................................... 74
Figura 4.29 - Tenso em cada um dos braos do inversor para usando modulao
unipolar....................................................................................................................................... 75
Figura 4.30 - Sada do inversor para modulao unipolar (fm=1kHz e fp=50kHz) ........ 75
Figura 4.31 - Sada do inversor para modulao bipolar (fm=1kHz e fp=100kHz) ........ 76
Figura 4.32 - Sada do inversor para modulao unipolar (fm=1kHz e fp=25kHz) ........ 76
Figura 4.33 - Sada do inversor para modulao bipolar (fm=1kHz e fp=50kHz) .......... 77
Figura 4.34 - Sada do inversor para modulao unipolar (fm=1kHz e fp=15kHz) ........ 77
Figura 4.35 - Sada do inversor para modulao bipolar (fm=1kHz e fp=30kHz) .......... 78
Figura 7.1 - Arquivo PCB do circuito de drive ...................................................................... 85
Figura 7.2 - Top layer ............................................................................................................... 86
Figura 7.3 - Bottom layer ......................................................................................................... 86
Lista de tabelas
Tabela 4.1 - Variao de Vin (R=1k, fm=60Hz, fp=100kHz) .............................................. 63
Tabela 4.2 - Variao da carga resistiva (Vout-rms=110V, fm=60Hz, fp=100kHz) ......... 66
Tabela 4.3 - Carga indutiva (fm=60Hz, fp=100kHz) ............................................................ 66
Tabela 4.4 - Variao de fp (Vin=60V, fm=60Hz, R=1k) .................................................. 67
Tabela 4.5 - Variao de fp (Vin=60V, fm=1kHz, R=1k) .................................................. 69
1 Introduo
Atualmente, com um sistema de energia eltrica consolidado - onde se
utilizam uma tenso CA na transmisso, na distribuio e consequentemente
nos pontos consumidores residenciais, comerciais e industriais uma
crescente preocupao com a eficincia energtica e uma alta demanda de
energia, torna-se cada vez mais importante o desenvolvimento dos inversores
de frequncia, que so equipamentos capazes de fornecer uma tenso CA a
partir de uma alimentao em tenso CC.

Este trabalho pretende validar a teoria de que possvel diminuir as


perdas por distoro em inversores atravs da escolha de uma modulao
PWM adequada [1]. Para obter tal resultado, foi feita uma comparao entre
duas tcnicas de modulao senoidal PWM, a bipolar e a unipolar. Devido
complexidade de se desenvolver as duas tcnicas em um nico trabalho de
concluso de curso, este trabalho desenvolveu somente a modulao senoidal
bipolar PWM, enquanto que outro trabalho desenvolveu em paralelo a
modulao senoidal unipolar PWM.

A modulao senoidal bipolar PWM gera pulsos de largura varivel, de


forma que vrios harmnicos podem ser eliminados devido a esta tcnica de
chaveamento [1]. Contudo, para uma maior qualidade do sinal senoidal de
sada, ainda se faz necessrio o uso de filtros na sada dos inversores. Outra
caracterstica importante desta tcnica de modulao senoidal PWM que os
pares de transistores do inversor devem ter mesma frequncia de
chaveamento. Inversores que utilizam tcnica de comutao dos pares de
transistores em frequncias diferentes so chamados de hbridos.

Para melhor entender o conceito das tcnicas de modulao e dos


circuitos necessrios para uma experimentao prtica, foi realizada uma
reviso bibliogrfica dos assuntos relevantes. Posteriormente, esto expostos
os circuitos utilizados no desenvolvimento do projeto assim como suas
descries de funcionamento. Por fim, os resultados obtidos so mostrados,
em forma de tabelas e de grficos, e analisados.

1
2 Reviso bibliogrfica
2.1 Inversores de frequncia
Inversores so conversores CC-CA, ou seja, sua funo consiste em
converter uma tenso contnua (CC) aplicada em sua entrada em uma tenso
alternada (CA) simtrica, de amplitude e freqncia desejadas em sua sada.

Os inversores podem ser utilizados em muitas aplicaes industriais,


como por exemplo, no acionamento de mquinas CA em velocidade varivel,
em fontes auxiliares, em sistemas de energia ininterrupta, na gerao de
tenso CA em NO-BREAKS e em amplificadores de udio.

Os inversores podem ser classificados em monofsicos ou trifsicos. Os


monofsicos podem ser classificados como de meia ponte ou ponte completa.
A figura 2.1 expe um inversor com configurao de meia ponte com uma
carga puramente resistiva.

Figura 2.1 - Inversor monofsico em meia ponte

Da figura observa-se que este inversor necessita de uma fonte CC de


trs terminais e a tenso sobre os transistores quando estes no esto
conduzindo Vs, e no apenas Vs/2.

A figura 2.2 mostra o circuito simplificado de um inversor monofsico em


ponte completa, que tem como carga um motor monofsico. Nesta
configurao o inversor alimentado com uma fonte CC unipolar e a tenso
em cima dos transistores quando eles no esto conduzindo igual da fonte,
ou seja, Vin.

2
Figura 2.2 - Circuito simplificado de um inversor monofsico em ponte
completa

Ao chavear os pares de transistores T1 e T3 ou T2 e T4, potncia da


fonte se transfere para o motor. A diferena entre o chaveamento dos dois
pares de transistores que ao chavear T1 e T3 a corrente flui do ponto A para
o B na figura 2.3, fazendo o rotor girar em um sentido. Ao chavear T2 e T4, a
corrente fui de B para A, figura 2.4, fazendo o rotor girar em sentido contrrio.

Figura 2.3 - Inversor com as chaves T1 e T3 conduzindo

A forma de onda da tenso CA obtida na sada de um inversor ideal


uma senoidal, mas na prtica no possvel conseguir uma senoidal perfeita,
sem a presena de harmnicos. Para obter inversores com sada senoidal, so
necessrios filtros nas sadas dos pulsos para eliminar as componentes
harmnicas. Harmnicos tambm podem ser minimizados atravs de tcnicas
de chaveamento. Normalmente para aplicaes de baixa e mdia potncia so

3
aceitveis tenses de onda quadrada, enquanto que para aplicaes em
potncia elevada se faz necessrio o uso de tenses de onda senoidal com
baixa distoro [1].

Figura 2.4 - Inversor com as chaves T2 e T4 conduzindo


possvel obter a tenso CA na sada de duas formas [1]:

1. Variando-se a amplitude da tenso CC de entrada sem variar o ganho


do inversor;

2. Se a tenso de entrada no puder se controlada, varia-se o ganho do


inversor atravs do controle modulao por largura de pulso (Pulse
Width Modulation PWM).

2.2 A modulao PWM - Pulse Width Modulation


A modulao PWM baseia-se na variao da largura dos pulsos, que
so gerados atravs da comparao de um sinal analgico com um sinal de
referncia, geralmente uma onda triangular ou dente-de-serra.

A variao da largura de um pulso feita variando-se o tempo em que o


pulso permanece em nvel alto. A relao entre o tempo em que o pulso est
em nvel lgico alto e o perodo total do pulso chamada de razo cclica (D),
que est definida pela equao abaixo [4]:

D = t(on) / T (2.1)

Na equao 2.1 t(on) o tempo em que o pulso permanece em nvel alto


e T o perodo total do pulso, como exemplificado na figura 2.5.

4
Figura 2.5 - Pulso quadrado e parmetros para clculo da razo cclica
Como visto na figura 2.5, a forma de onda gerada pela modulao PWM
tem somente dois estados, um nvel alto e um nvel baixo, assim, as chaves
disparadas por esta forma de onda comutaro apenas entre esses dois estados

Normalmente o sinal analgico utilizando na comparao que gera os


pulsos PWM ou uma onda quadrada ou uma onda senoidal. No caso do uso
de ondas quadradas, o sinal modulado pode possuir um ou mltiplos pulsos por
semiciclo, conforme a freqncia da onda quadrada. Porm, estes pulsos
possuem mesma largura ou razo cclica [1]. A figura 2.6 demonstra as
caractersticas citadas dos pulsos da modulao por largura de pulsos
mltiplos.

Figura 2.6 - Modulao por mltiplos pulsos a partir de uma onda


quadrada

No caso da modulao PWM senoidal, o sinal analgico uma onda


senoidal e a largura de cada um dos pulsos do sinal modulado variada em
proporo amplitude da onda senoidal. A vantagem da comparao com uma

5
senoidal que o fator de distoro e os harmnicos de mais baixa ordem so
reduzidos significativamente [1].

Para obter a modulao PWM senoidal normalmente so utilizados um


gerador de onda triangular e um gerador de onda senoidal. Estas duas ondas
so aplicadas em um dispositivo comparador, como por exemplo, um
amplificador operacional, e na sua sada resultam os pulsos modulados. O sinal
analgico ou modulante (onda senoidal) aplicado na porta no-inversora do
comparador, enquanto que o onda de referncia ou portadora (onda triangular)
entra na porta inversora. Quando o nvel da onda senoidal for maior que o da
onda triangular, a sada satura em +Vcc. Caso contrrio a sada ter nvel
baixo. A figura 2.7 exemplifica esta operao.

Figura 2.7 - Modulao senoidal bipolar PWM


A escolha do sinal de referncia outro ponto importante, pois a forma
de onda utilizada na modulao determina a quantidade de contedo
harmnico. Sabe-se, de [4], que ondas triangulares so preferveis s ondas
dentes de serra porque sua simetria fornece menos componentes harmnicos.

Existem dois tipos de esquemas para gerar a modulao PWM senoidal,


a modulao bipolar e a modulao unipolar.

6
2.2.1 A modulao bipolar
Este esquema apresenta sada diferencial com um brao defasado em
180 (graus) do outro, como mostra a figura 2.8. Enquanto o brao A a prpria
sada do comparador o brao B passa por uma porta inversora. Com esta
configurao so obtidas as formas de onda complementares que so
aplicadas em cada um dos braos do inversor. A amplitude de cada um dos
pulsos varia de um valor de referncia 0 (zero) at ao valor +Vcc. Assim, a
sada diferencial, neste caso de um inversor, apresenta dois nveis de sada,
+Vcc e -Vcc, justificando o nome bipolar.

A figura 2.8, retirada de [5], mostra o esquema de gerao da modulao


bipolar. Ao utilizar este tipo de modulao, para obter a forma de onda da
tenso diferencial explicitada, as chaves do inversor devem comutar com
mesma frequncia.

Figura 2.8 - Modulao bipolar

7
2.2.2 A modulao unipolar
Na modulao unipolar a tenso diferencial de sada varia entre trs
nveis de tenso, 0V Vcc e +Vcc. Para conseguir essa variao na sada do
inversor, possvel usar uma chave de cada par (T1 ou T3 e T2 ou T4) mais
lentas. Neste caso uma chave, por exemplo, T1, ficar conduzindo
continuamente em meio ciclo e no semiciclo seguinte quem conduzir
continuamente, por exemplo, ser T2. Desta forma, a frequncia de comutao
de T1 e T2 ser a mesma da onda senoidal, enquanto que a freqncia de
comutao de T3 e T4 ser igual da onda triangular de referncia [5]. A figura
2.9 exemplifica a gerao dos pulsos para a modulao unipolar.

Comparando as figuras 2.8 e 2.9, percebe-se algumas diferenas claras


entre os dois tipos de modulao. Na modulao bipolar nota-se a existncia
de uma sada diferencial com dois nveis de tenso e uma sada de modo
comum constante. J para a modulao unipolar a sada diferencial apresenta
trs nveis de tenso e a sada de modo comum varivel e tambm tem trs
nveis.

Figura 2.9 - Modulao unipolar


8
2.2.3 O ndice de modulao (M)
De [5], define-se ndice de modulao (M) como:

M = f / fm (2.2)

Na equao 2.2, f a diferena entre a frequncia da onda portadora


(fp) e a frequncia da onda modulante e fm a frequncia da onda modulante.
Portanto, para se obter altos ndices de modulao necessrio que a
frequncia da onda portadora seja elevada e maior que a frequncia da
modulante.
Em [4], observa-se que na modulao senoidal bipolar PWM os
harmnicos presentes no sinal modulado so da ordem de grandeza do ndice
de modulao. Portanto, para este tipo de modulao alcanar resultados
satisfatrios necessrio utiliz-la com altos ndices de modulao, ou seja,
com altos valores de frequncia para a portadora [5], o que facilita a ao dos
filtros de sada.

2.3 Filtros
Em vrios tipos de aplicaes interessante mudar a amplitude das
componentes de frequncia em um sinal ou eliminar por completo algumas
amplitudes de determinadas frequncias. O processo que realiza essas
funes chama-se filtragem. Sistemas lineares invariantes no tempo que
mudam a forma do espectro so conhecidos como filtros modeladores de
frequncia (do ingls frequency-shaping filters) enquanto que os sistemas que
so desenvolvidos para permitir a passagem sem distoro de algumas
freqncias essenciais e atenuar ou eliminar outras frequncias so
conhecidos como filtros seletores de frequncia (do ingls frequency-selective
filters) [6].

Uma aplicao onde os filtros modeladores de frequncia so


comumente encontrados em sistemas de udio. Eles so utilizados para
permitir ao usurio modificar as quantidades relativas da energia de baixa
frequncia (bass) e de alta frequncia (treble). Esse tipo de filtro tambm
usado em sistemas de udio de alta fidelidade, onde so chamados de
equalizadores e so normalmente includos no circuito de pr-amplificao para
compensar as caractersticas da resposta de auto-falantes [6].

9
Os filtros seletores de frequncia foram desenvolvidos para selecionar
ou rejeitar determinadas faixas de frequncia com acurcia. Um exemplo tpico
de aplicao ocorre quando os rudos em gravaes de udio esto em uma
freqncia mais elevada que a da msica ou da voz, sendo possvel remov-
los com um filtro que selecione apenas as frequncias mais baixas. Os filtros
que selecionam as frequncias mais baixas ou rejeitam as mais altas so
conhecidos como filtros passa-baixa (FPB). A figura 2.10 mostra seu smbolo
assim como o comportamento da sua resposta em frequncia.

Observando o grfico da resposta em freqncia de um FPB possvel


definir um conceito muito utilizado, o da frequncia de corte. Na figura 2.10,
percebe-se que o filtro responde at um determinado valor de frequncia e que
valores acima daquela frequncia so rejeitados. Essa frequncia que est no
limite entre a regio selecionada e a atenuada conhecida como frequncia de
corte.

Figura 2.10 - Smbolo de um FPB e sua resposta em freqncia

Um filtro passa alta (FPA) apresenta uma resposta inversa ao de um


FPB. Ele seleciona as frequncias elevadas e atenua as mais baixas. Na figura
2.11 visualiza-se a simbologia utilizada para represent-los e as caractersticas
da sua reposta em frequncia.

10
Figura 2.11 - Smbolo de um FPA e sua resposta em freqncia

Um filtro passa faixa (FPF), figura 2.12, seleciona uma banda de


frequncia e atenua as freqncias superiores e inferiores a essa banda. Neste
caso existem duas frequncias de corte, que definem os limites inferior e
superior da seleo. O filtro rejeita faixa (FRF), figura 2.13, semelhante ao
FPF, porm um FRF atenua as frequncias dentro da faixa selecionada e
responde s frequncias superiores e inferiores aos limites determinados.
Os filtros seletores de freqncia so amplamente implementados
utilizando-se de circuitos eltricos [6]. Um dos exemplos mais simples o FPB
composto de um resistor e um capacitor, como mostra a figura 2.14. Como a
impedncia capacitiva inversamente proporcional freqncia [6,8], o
capacitor visto como um curto circuito pelas altas frequncias e como uma
impedncia infinita pelas baixas frequncias, selecionando as baixas
frequncias.
De um modo geral, filtros que so implementados com capacitores,
indutores e resistores so conhecidos por filtros passivos e so assim
chamados porque a faixa do sinal selecionado no sofre nenhum tipo de
amplificao. J os filtros ativos, que so comumente formados por
amplificadores operacionais, selecionam a faixa de frequncia desejada e
ainda so capazes de amplificar o sinal filtrado [7].

11
Figura 2.12 - Smbolo de um FPF e sua resposta em freqncia

Figura 2.13 - Smbolo de um FRF e sua resposta em freqncia

Figura 2.14 - Exemplo de um FPB com um resistor e um capacitor

12
2.3.1 Filtro de sada do inversor
Como o princpio da modulao PWM amostrar um sinal analgico
atravs da variao de ton, a quantidade de harmnicas necessrias para
representar o sinal de sada grande [4]. Para tentar eliminar essas
componentes indesejadas e recompor o sinal original, se faz necessrio o uso
de um filtro.
Como o PWM gerado a uma freqncia de pelo menos 100kHz e a
freqncia do sinal desejada na sada do inversor de 60Hz, utiliza-se um filtro
do tipo passa-baixa (FPB).
Normalmente, no recomendado utilizar um filtro passa-baixa simples,
formado por um indutor e um capacitor. Recomenda-se a utilizao de um filtro
com pelo menos dois plos, para reduzir a emisso de radiao
eletromagntica e tambm para evitar que o filtro produza picos excessivos de
tenso [5]. Assim, a configurao de filtro utilizada, que suficiente para a
aplicao em inversores com modulao PWM bipolar, contm dois indutores e
cinco capacitores e est exposta na figura 2.15.

Figura 2.15 - FPB de sada para modulao bipolar

Na figura, utilizando-se do teorema de Thevenin [8], observa-se que o


filtro formado por quatro capacitores que so vistos em paralelo pela carga,
um capacitor em paralelo com a carga e dois indutores em srie a carga.
Para efeito de projeto, a frequncia de corte deste filtro determinada
pela equao 2.3, de [5]:

13
Onde, da figura 2.15:
L = L1 + L2;
C = C1//C2//C3//C4;
Observa-se que o capacitor C5 no entra no clculo da capacitncia
equivalente porque a carga no o enxerga em paralelo com os demais. O valor
de C5 utilizado na prtica, de [5], igual ao de C1, C2, C3 e C4.
Substituindo as expresses para L e C na equao anterior, obtm-se:

As expresses para L e C so obtidas aplicando o equivalente Thevenin


em cima da carga. Lembrando que para fazer esta anlise, a fonte de tenso
deve ser considerada aterrada [8].
A funo de transferncia de um filtro passa-baixa dada pela equao
2.5 enquanto que a funo de transferncia de um filtro de segunda ordem est
expressa na equao 2.6.

Comparando a equao 2.5 com a equao 2.6 encontram-se algumas


equivalncias, como:

14
O fator Q muito importante porque causa uma influncia determinante
na resposta em frequncia do filtro. Um valor de Q recomendado para se obter
boas respostas utilizando filtro de Butterworth 0,707. Devido s suas
caractersticas de banda suave e resposta de fase, recomendada a utilizao
de um filtro Butterworth de segunda ordem [5]. Os valores de capacitncia e
indutncia podem ser encontrados com as frmulas abaixo:

Determinados os valores para os capacitores e para os indutores, deve-


se determinar o valor da frequncia de corte. Um valor recomendado para a
frequncia de corte o de uma dcada a menos do que o valor da frequncia
de chaveamento [5].

2.4 Diodos de potncia


Os diodos de potncia tem funcionamento e construo similar ao dos
diodos comuns, sendo constitudos de uma juno pn e possuindo dois
terminais, o anodo e o catodo. Eles apresentam maior capacidade de potncia,
porm possuem resposta em frequncia menor [1].

Dependendo das caractersticas de recuperao e das tcnicas de


fabricao, os diodos de potncia podem ser classificados em trs categorias:
diodos padro ou genricos, diodos de recuperao rpida e diodos Schottky.

Neste trabalho foram utilizados diodos de recuperao rpida e, por este


motivo no sero abordados com mais detalhes os outros dois tipos existentes.

Diodos de recuperao rpida apresentam um tempo de recuperao


normalmente menor que 5s. Eles so amplamente utilizados em circuitos
conversores CC-CC e CC-CA, nos quais a velocidade de recuperao tem

15
sempre importncia crtica [1]. Esses diodos cobrem faixas de correntes de
menos de 1 A a centenas de amperes, com especificaes de tenses de 50 V
a aproximadamente 3000 V.

2.5 Transistores de potncia


Transistores de potncia possuem caractersticas de entrada em
conduo e de corte controladas. Eles so utilizados como elementos de
chaveamento e so operados na regio de saturao, resultando em uma
baixa queda de tenso quando est em conduo [1].

Atualmente existem transistores de potncia com altas velocidades de


chaveamento e, por isso, so muito empregados em conversores CC-CC e CC-
CA. Uma caracterstica importante destes componentes que possuem diodos
conectados em antiparalelo para fornecer fluxo bidirecional de corrente.

Os transistores de potncia geralmente so classificados em quatro


categorias:

1. transistores bipolares de juno (TBJs);


2. transistores de efeito de campo de semicondutores de metal sobre
xido (do ingls metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
MOSFETs);
3. transistores de induo esttica;
4. transistores bipolares de porta isolada.

Neste trabalho foram utilizados transistores de potncia do tipo


MOSFET, por isso s ser feita uma abordagem mais detalhada destes
transistores.

2.5.1 Transistores MOSFET


Ao contrrio dos TBJs, que so controlados por corrente, um MOSFET
de potncia controlado por tenso, exigindo apenas uma nfima corrente de
entrada [2]. Eles apresentam uma alta velocidade de chaveamento, com
tempos de chaveamento da ordem de nanossegundos. Devido essas
caractersticas, esse componentes esto sendo amplamente utilizados em
conversores de alta freqncia e baixa potncia [1].

16
Existem dois tipos de MOSFETs, os de depleo e os de enriquecimento.
Para mostrar os do tipo depleo, considera-se um MOSFET de depleo de
canal n, que so formados por um substrato de silcio do tipo p, com dois
silcios n+ fortemente dopados para conexes de baixa resistncia. Possuem
trs terminais, chamados de porta, dreno e fonte [1,2]. Como mostra a figura
2.16, a porta isolada do canal por uma fina camada de xido de silcio.

Figura 2.16 - Esquema de um transistor MOSFET


Tambm possvel perceber atravs da figura que uma tenso
aplicada entre os terminais de porta e fonte (VGS). Se VGS for negativa, alguns
eltrons na rea do canal n sero repelidos e uma regio de depleo ser
criada abaixo da camada de xido, resultando em um canal efetivo mais
estreito. Se VGS for negativo o suficiente, o canal ser completamente fechado,
oferecendo uma grande resistncia entre o dreno e a fonte de forma que no
haver fluxo de corrente entre esses dois terminais. Se V GS for positivo, o
canal torna-se mais largo e a corrente entre o dreno e a fonte aumenta devido
diminuio da resistncia entre esses terminais [1,2].

2.6 Isolao das excitaes da base e da porta

Para operar transistores MOSFETs de potncia como chaves, uma


apropriada tenso de porta tem de ser aplicada para excit-los de modo que
saturem e tenham uma pequena queda de tenso quando estiverem
conduzindo.
A tenso de controle deve ser aplicada entre os terminais de porta e
fonte. Os inversores, assim como os circuitos conversores de potncia em
17
geral, requerem mltiplos transistores e cada um deles deve ser excitado
individualmente.
A figura 2.17 mostra um inversor monofsico em ponte completa e o
circuito gerador dos pulsos de controle que so aplicados nas portas dos
MOSFETs.

Figura 2.17 - Inversor monofsico em ponte e circuito gerador dos pulsos


de controle

O inversor alimentado pela tenso CC Vs com o terminal terra T


enquanto que o circuito gerador lgico est conectado ao terminal terra C. Os
pulsos gerados pelo circuito lgico devem ser aplicados entre os terminais de
porta e fonte dos MOSFETs. Os MOSFETs 2 e 4 esto com suas fontes
conectadas no mesmo referencial do gerador lgico, porm os MOSFETs 1 e 3
no esto. Para esses pulsos poderem ser aplicados nestes dois transistores,
necessrio que haja uma isolao e uma interface entre o circuito lgico e os
transistores de potncia [1]. Para isso existem duas maneiras de se isolar os
sinais de controle, que devem ser aplicados na porta, em relao ao terra, ou
utilizando transformadores de pulso ou optoacopladores.
Os optoacopladores so construdos em CIs, o que os torna muito
menores que os transformadores de pulso, e alguns modelos tem capacidade
de operar em altas freqncias.

2.6.1 Optoacopladores
Os optoacopladores combinam um diodo emissor de luz infravermelha
(do ingls infra-red light-emitting diode ILED) e um fototransistor de silcio. O

18
sinal de entrada aplicado ao ILED e a sada obtida atravs do fototransistor.
A figura 2.18 expe um exemplo de optoacoplador:

Figura 2.18 - Exemplo de um circuito optoacoplador


Como a transmisso do sinal feita pelo ILED e pelo fototransistor, a
sada de um optoacoplador isolada eletricamente da sua entrada.

2.7 Proteo de dispositivos e circuitos


Em circuitos de potncia, como em conversores CC-CC e em inversores,
normal ocorrerem tenses transitrias, que so causadas principalmente pelo
chaveamento em alta freqncia na presena de indutncias [4]. Mesmo em
circuitos detalhadamente projetados, as condies de curto circuito podem
ocorrer, causando um fluxo excessivo de corrente atravs dos componentes.

A operao confivel de conversores requer a certeza de que todos os


tempos e condies do circuito no excedam s especificaes de potncia
dos dispositivos, necessitando de proteo contra sobretenses,
sobrecorrentes e sobre aquecimento.

2.7.1 Dissipadores
Devido s perdas de chaveamento e durante o perodo de conduo,
gerado calor dentro do dispositivo de potncia [1]. Esse calor deve ser
transferido do dispositivo para manter a temperatura de operao deles dentro
de uma faixa especificada. Em um resfriamento mdio, o calor tem de fluir do
dispositivo para o encapsulamento e depois do encapsulamento para um
dissipador de calor.

19
Uma ampla variedade de dissipadores de alumnio est disponvel
comercialmente e eles utilizam paletas de resfriamento para aumentar a
capacidade de transferncia do calor.

A rea de contato entre o dispositivo e o dissipador muito importante


para minimizar a resistncia trmica entre o encapsulamento e o dissipador. As
superfcies devem ser chatas, lisas e livres de sujeira, corroso e oxidaes.
Normalmente so aplicadas pastas de silicone para melhorar a capacidade de
transferncia de calor e para diminuir a formao de xidos e corroses.

2.7.2 O circuito de snubber


Os snubbers so implementados para amortecer as oscilaes de alta
freqncia geradas durante os processos de comutao em circuitos de
potncia, como em conversores CC-CC ou CC-CA. Essas oscilaes so
geradas devido s indutncias parasitas e s capacitncias intrnsecas
existentes nos semicondutores e nas trilhas [4].

Na prtica, os snubbers servem para evitar picos elevados de tenso,


que so causados pelas oscilaes em alta freqncia, nos semicondutores,
evitando uma possvel queima dos mesmos. Recomenda-se, portanto, o uso de
snubbers em todos os semicondutores em circuitos de potncia [4].

Como os snubbers dissipam uma potncia baixa e utilizam poucos


componentes com tamanho reduzido, sua implementao na placa de circuito
impresso no acarreta em grande ocupao de espao, possibilitando sua
montagem ser bem prxima ao componente semicondutor.

Para dimensionar os componentes do snubber, primeiro determina-se a


potncia (P) a ser dissipada no resistor. A partir deste valor e do valor mximo
de tenso aplicado sobre o MOSFET (Vmx), possvel determinar o valor da
resistncia do snubber (Rsnubber):

O dimensionamento do capacitor feito considerando um fator de


descarga do capacitor de 90%:

20
Isolando C, encontra-se:

Onde:

;
R o valor da resistncia do snubber;
C o valor da capacitncia do snubber;
t o tempo necessrio para o capacitor descarregar at atingir
90% da carga inicial.

Com essas equaes e com o tempo de carga e descarga do capacitor


sendo determinados em funo da freqncia de operao do inversor,
possvel projetar o circuito de snubber, que est representado na figura 2.19.

Figura 2.19 - Circuito do snubber

2.8 Transformadores

Um transformador formado por dois ou mais enrolamentos acoplados


por um fluxo magntico. Se um desses enrolamentos, o primrio, conectado
em uma fonte de tenso alternada, um fluxo alternado ser produzido e sua
amplitude depender da tenso aplicada, da freqncia desta tenso e do
nmero de espiras. O fluxo mtuo tambm estar vinculado ao outro
enrolamento, o secundrio, onde induzir uma tenso cujo valor depender do

21
nmero de espiras no secundrio, da magnitude do fluxo mtuo e da
freqncia [3].

A essncia do funcionamento de um transformador requer apenas a


existncia de um fluxo mtuo variante no tempo interligando dois enrolamentos.
Este processo poderia ocorrer atravs de um acoplamento atravs do ar, mas o
acoplamento entre os enrolamentos mais efetivo usando um ncleo de ferro
ou outro material ferromagntico porque o fluxo fica confinado em uma
trajetria definida e com alta permeabilidade que conecta os dois
enrolamentos.

O ncleo de pequenos transformadores usados em circuitos de


comunicao com alta freqncia e baixo nvel de energia feito de
compressas de materiais ferromagnticos, tambm conhecidos como ferrite.

Da condio sem carga, ou com o secundrio aberto, figura 2.20, de um


transformador deduz-se a equao para a fora eletro motriz induzida no
enrolamento primrio. Nesta configurao, uma pequena corrente, chamada de
corrente de excitao, flui atravs do primrio e estabelece um fluxo alternado
no circuito magntico, que, por sua vez, induz uma fora eletro motriz e 1 igual
[3]:

Onde:

1 o fluxo acoplado no enrolamento primrio;


o fluxo atravs do ncleo, que acopla ambos enrolamentos;
N1 o nmero de espiras no enrolamento primrio.

22
Figura 2.20 - Transformador com secundrio aberto
Para a anlise da condio com carga, figura 2.21, considera-se as
caractersticas de um transformador ideal. Em um transformador ideal as
resistncias dos enrolamentos so desprezveis, no h disperso do fluxo, isto
, todo fluxo est confinado no ncleo, no existem perdas de energia no
ncleo e a permeabilidade do ncleo to alta que uma mnima fora magneto
motriz necessria para estabelecer o fluxo [3].

Figura 2.21 - Transformador com carga no secundrio

Considerando essas definies, pode-se afirmar que uma tenso


aplicada nos terminais de primrio igual fora eletro motriz induzida pelo
fluxo mtuo. Tambm pode ser dito que a tenso induzida no enrolamento
secundrio igual tenso medida nos seus terminais.

Matematicamente, de [3]:

23
Das equaes 2.16 e 2.17, possvel encontrar que:

Em um transformador ideal, pode-se afirmar que a potncia instantnea


aplicada no primrio igual potncia instantnea de sada no secundrio [3].
Assim:

Ento, a tenso transformada com uma proporo direta ao nmero de


espiras em seus enrolamentos, enquanto que a corrente transformada com
uma proporo inversa ao nmero de espiras dos enrolamentos.

Transformadores tambm so usados para transferir impedncias, assim


como tenso e corrente, de um enrolamento para o outro. A equao 2.21,
usada para referir impedncias, mostra que elas so transformadas na
proporo do quadrado da relao do nmero de espiras.

24
3 Desenvolvimento prtico
3.1 O sistema proposto
Para facilitar o entendimento do trabalho como um todo, ele foi dividido
em trs partes, onde cada uma tem uma funo diferente. O diagrama de
blocos abaixo mostra cada uma delas.

Circuito de Isolao dos Circuito de


controle pulsos PWM potncia

Figura 3.1 - Viso geral do circuito em diagrama de blocos


A primeira etapa consiste da modulao PWM senoidal do tipo bipolar.
Esto presentes aqui o circuito que gera a onda triangular e o circuito que faz a
comparao entre as ondas triangular e senoidal.

A segunda etapa funciona basicamente como uma interface entre o


circuito gerador dos pulsos PWM e o circuito de potncia e ser mais bem
detalhada, assim como as outras duas etapas, posteriormente.

A terceira e ltima etapa abrange o circuito de potncia. Nela esto


includos o circuito do inversor e os seus circuitos auxiliares como filtro e
snubber.

3.2 1 etapa Circuito de controle


A etapa onde implementada a modulao bipolar senoidal PWM
consiste de trs circuitos distintos, que so o circuito gerador da onda
triangular, o circuito comparador PWM e um circuito de atraso que garante que
os pulsos complementares estejam atrasados o suficiente para no conduzirem
simultaneamente os dois MOSFETs do mesmo brao.

25
Gerador da Comparador Circuito de
triangular PWM atraso

Figura 3.2 - Diagrama de blocos do circuito de controle


3.2.1 O gerador de onda triangular
O circuito utilizado foi implementado utilizando o CI LM566, que um
gerador de funes (onda quadrada e triangular), e seu esquemtico est
exposto na figura 3.3.

V1
12Vdc R1
22k
SET = 0.5

6V

R3
100k
C1
C3 U1 47p U2A
4

5.6n 5 3 C4 TL074A
6 MOD SQWOUT 4 3 TRIANG
TRES TRWOUT +
7 1
TCAP 47u
2
-
LM566C OUTPAD
R2 C2
11

10k 2.2n
SET = 0.5

0 0

Figura 3.3 - Esquemtico do circuito gerador da onda triangular


Neste trabalho foi utilizada somente a onda triangular proveniente deste
circuito (porta quatro) e sua frequncia foi estabelecida como 100 kHz, que a
frequncia de chaveamento definida para os MOSFETs do inversor. Para obt-
la, utiliza-se a relao abaixo [9]:

Onde:

V+ tenso de alimentao do CI;


V5 a tenso aplicada na porta cinco do CI;

26
R0 o resistor de tempo (do ingls timing resistor), usado para
determinar a frequncia das ondas;
C0 o capacitor de tempo (do ingls timing capacitor), usado para
determinar a frequncia das ondas;

Para obter a frequncia de 100 kHz usou-se um trimpot de 10k (R2)


para R0, possibilitando um ajuste de frequncia conforme a variao da
resistncia. Outro parmetro de ajuste da frequncia V 5 e para control-la
usou-se um divisor de tenso entre a alimentao e a porta cinco usando um
potencimetro (R1).
Como ser mostrado adiante, o CI utilizado como comparador um
LM318, que deve ser alimentado preferencialmente por uma tenso simtrica
[11], ou seja, +Vcc e Vcc. Neste trabalho o LM318 foi alimentado por uma
tenso assimtrica para reduzir o nmero de fontes utilizadas. Assim, na porta
destinada para +Vcc foi aplicada uma tenso de 12 V enquanto que a porta
-Vcc foi conectada no referencial terra (0 V).
Para simularmos uma configurao de simetria, na sada da onda
triangular, porta quatro, colocou-se um capacitor para filtrar o nvel DC do sinal
gerado pelo LM566 e em seguida adicionou-se um nvel DC de 6 V. Por fim, a
onda triangular j deslocada de 6 V foi aplicada em um seguidor de tenso e
sua sada conectada ao circuito comparador.

3.2.2 O comparador PWM


Para gerar o pulso PWM foi feita a comparao da onda triangular,
gerada no circuito com o CI LM566, com uma onda senoidal em 60 Hz de um
gerador de funes de bancada. A figura 3.4 mostra o esquemtico do circuito
implementado para este fim.
Na entrada TRIANG conectada a sada do circuito gerador da onda
triangular. O amplificador operacional U16B, um TL074, utilizado para
condicionar a onda triangular de modo que possamos ajust-la para obteno
da melhor comparao com a onda senoidal. Para isso utilizam-se os
potencimetros R35 e R34.

27
R35 12V
10k
12V

0 U16B
4
TL074A R11 7 5 U17
5 + 1k LM318
TRIANG R33 7 3 PAD1
+
6 - 6
R10 2
3.3k -
INPAD 11 10K OUTPAD
R30 4 8 1
1k

R34
10k 0
0 0
12V

12V R31 7 5 U18


6V 1k LM318
3 PAD2
+
6
C13 R36 U16A 2
4 -
47u 100k TL074A OUTPAD
3 + R32 4 8 1
V6 1 1k
VOFF = 2 -
VAMPL =
FREQ = 60Hz 11
0

0
0

Figura 3.4 - Esquemtico do comparador PWM


Atravs do potencimetro R34 possvel ajustar o ganho do estgio
amplificador, variando os valores da tenso de pico a pico da onda triangular na
sada. O potencimetro R35 ajusta o nvel DC da triangular na sada ao variar
sua resistncia entre a alimentao e a porta no inversora do amplificador
operacional.

A onda senoidal tambm deslocada de 6 V para poder ser comparada


com a onda triangular e seus ajustes de amplitude e frequncia so alterados
diretamente no gerador de funes.

Os amplificadores operacionais U17 e U18, ambos so LM318, so


responsveis pela comparao entre as duas ondas, triangular e senoidal, que
gera o pulso PWM. Para gerar os pulsos complementares que sero aplicados
s chaves do inversor, cada LM318 faz uma comparao diferente. Enquanto
um recebe a triangular na sua porta inversora, o outro a recebe na sua porta
no-inversora. O mesmo procedimento se repete para a onda senoidal. Desta
forma, as duas sadas, PAD1 e PAD2, j esto defasadas de 180 uma em
relao outra.

28
3.2.3 O circuito de atraso
Antes dos pulsos serem aplicados no drive e consequentemente nos
transistores do inversor, necessrio garantir que os dois MOSFETs do
mesmo brao no conduzam simultaneamente, pois isso causaria um curto
circuito na fonte de alimentao do inversor, levando a uma sobrecorrente que
pode danificar os componentes do inversor, principalmente os MOSFETs.

Para evitar este problema foi implementado um circuito lgico, que est
localizado entre a sada do comparador e o drive isolador de pulsos. Seu
esquemtico apresentado na figura 3.5.

U15A
4081
PAD1
1 PWM1
3
INPAD 2
OUTPAD
R28 4049
C11 10k U14A
0 2 1
47p
4049
C12 R29 U14B
0 10k 4 3
47p
U15B
4081

4 PWM2
PAD2 6
5
OUTPAD
INPAD

Figura 3.5 - Circuito lgico de atraso

Para entender melhor o funcionamento deste circuito considera-se a


situao em que a entrada PAD1 receba um sinal de nvel lgico baixo. Assim,
a sada da porta AND U15A (HEF4081B) tambm receber nvel lgico baixo, o
que, ao passar pela porta inversora, ativa a multiplicao da porta AND U15B
(HEF4081B). Percebe-se que a multiplicao em uma porta s ativada
quando o pulso PWM aplicado outra est em nvel baixo, garantindo que os
pulsos complementares no estejam em nvel lgico alto ao mesmo tempo, o
que teoricamente sanaria os problemas mencionados.

Porm, a resposta dos transistores MOSFETs mais lenta e mesmo


assim eles ainda podem conduzir simultaneamente. Para resolver isto, foi

29
colocado um circuito RC (capacitores C11 e C12, potencimetros R28 e R29)
na sada das portas inversoras U14A e U14B (HEF4049B). A constante de
tempo no carregamento do capacitor varia conforme os valores de resistncia e
capacitncia utilizados. Usando um potencimetro torna-se ento possvel
ajustar o atraso de um pulso com relao ao outro atravs da variao da
resistncia e calibrar um melhor ponto para o funcionamento do inversor
quando a corrente fornecida pela fonte e exigida pelo mesmo seja a menor
possvel.

Ao atender s condies impostas, as sadas PWM1 e PWM2, que so


complementares, podem ser aplicadas s entradas do drive isolador de pulsos
e suas sadas podem ser conectadas aos gates dos MOSFETs do inversor.

3.3 2 etapa Isolao dos pulsos PWM

3.3.1 O drive isolador de pulso


Para o acionamento correto das chaves do inversor no se deve aplicar
diretamente os pulsos PWM nos gates dos MOSFETs. necessrio fazer um
condicionamento desses pulsos antes de utiliz-los para adequar seu nvel de
tenso de acordo com os limites aceitos pelas chaves do inversor.

O circuito utilizado para fazer este tratamento dos pulsos PWM utiliza
optoacopladores e ser referenciado neste trabalho como drive isolador de
pulso. Seu esquemtico encontra-se na figura 3.6.

Figura 3.6 - Esquemtico do drive isolador de pulso

30
O circuito do drive isolador de pulso atua como uma interface entre o
circuito de potncia e o circuito de controle. Alm de fazer o tratamento do sinal
PWM para que ele possa ser aplicado com uma amplitude apropriada
suportada pelos gates dos transistores, ele faz o isolamento dos pulsos para
que cada MOSFET do inversor tenha um referencial independente, permitindo
que eles sejam disparados individualmente.

3.3.2 O funcionamento do drive isolador de pulsos


O primeiro estgio deste circuito consiste de um acoplador ptico ou
optoacoplador, que neste caso foi escolhido o circuito integrado (CI) 6N137
devido alta velocidade de resposta dos seus fotodiodos, o que evita a
deformao da onda de sada para altas freqncias de trabalho.

O 6N137 recebe o sinal proveniente da primeira etapa, circuito de


controle, em sua entrada (porta 2). Internamente o CI possui um diodo emissor
de luz (LED) e um fotodiodo [14]. O fotodiodo sensvel luz, ou seja, quando
o LED est conduzindo ele emite uma luz que, detectada pelo fotodiodo o faz
conduzir tambm. Como o acionamento do fotodiodo feito atravs da sua
sensibilidade luz e no atravs de uma ligao eltrica e a alimentao do
6N137 feita por uma fonte com referencial terra independente, pode-se
afirmar que sua sada est isolada eletricamente da sua entrada.

Outro ponto importante para o entendimento deste circuito so os


diodos zener. O diodo zener (Z5) conectado porta 8 do 6N137 possui tenso
de polarizao reversa de 5,1V e serve para limitar a tenso de alimentao do
CI neste valor, j que o mesmo no aceita valores superiores de tenso. Os
outros dois diodos zener, Z6 e Z7, conectados s portas 6 e 5 respectivamente,
alteram as tenses de referncia da sada do opto acoplador. Analisando
internamente o CI 6N137, verifica-se que quando o transistor intrnseco ao CI
conduz, o pino de sada (pino 6) recebe a tenso de polarizao reversa do
diodo zener Z7, que de 3,6V. Quando este mesmo transistor no est
conduzindo, a tenso forada na sada do CI a soma das tenses de
polarizao reversa dos diodos zener Z6 e Z7. Sendo o valor desta tenso para
Z6 de 6,8V, a amplitude na sada de 10,4V (3,6V + 6,8V). Sem os diodos
zener, a tenso de sada variaria entre 0V e 5V, e, com eles, ela varia de 3,6V a

31
10,4V. Este incremento dos valores de sada ajuda na excitao do CI CD4049
[15, 16].

Dentro do opto acoplador, em srie com o fotodiodo, existe uma porta


inversora que defasa o sinal de entrada em 180. Por isso foi necessrio
implementar um estgio inversor depois do optoacoplador. Assim, ao defasar
novamente a onda em 180, ela voltar a ficar em fase com o pulso de entrada.
Este estgio inversor foi implementado utilizando o CI CD4049A (SMD) porque
ele possui em seu interior seis portas inversoras, e, ao conect-las em paralelo,
a corrente que passa em cada inversora reduzida.

O ltimo estgio do drive isolador de pulso consiste de dois transistores


bipolares, um NPN e outro PNP, que esto conectados com seus emissores em
comum. O BC337 (NPN) tem seu coletor conectado fonte de alimentao
(Vcc) enquanto que o BC327 (PNP) tem seu coletor conectado ao referencial
terra. Desta forma, quando o pulso PWM aplicado na base destes
transistores, que tambm esto ligadas em comum, eles iro atuar como um
amplificador. Durante o ciclo ativo do pulso, o transistor NPN conduz enquanto
que o transistor PNP est aberto, fazendo com que a tenso de sada seja Vcc.
Durante o outro perodo do pulso, o transistor PNP conduz e o NPN abre,
jogando a tenso de referncia na sada.

Para garantir que a parte negativa do pulso PWM na sada seja


interpretada como nvel lgico baixo, foi colocado um capacitor em paralelo
com o diodo zener Z7, de 3,6V, e, este capacitor foi conectado ao pino negativo
da tenso de sada. Assim, quando o transistor PNP conduz e o pino positivo
da sada recebe o valor da tenso de referncia (terra), a diferena de potencial
entre os terminais da sada ser negativa, pois estaremos tomando a diferena
entre a tenso de referncia e a tenso do capacitor, que est fixada em 3,6V.
Este artifcio no influenciar o reconhecimento do nvel lgico alto durante o
ciclo ativo do pulso, pois como o valor de Vcc de aproximadamente 15V, a
diferena de potencial na sada ser a subtrao de 3,6V dos 15V, resultando
em um valor ainda suficientemente positivo.

A sada do drive isolador de pulso conectada em uma das chaves do


inversor. Como o inversor possui quatro chaves, so necessrios quatro

32
circuitos idnticos ao apresentado acima, um para acionar cada uma das
chaves do inversor.

3.3.3 Fontes Independentes


Para alimentar o circuito do drive isolador de pulsos se faz necessrio o
uso de fontes independentes, pois cada drive dever ter sua referncia de terra
isolada da referncia dos outros drives. Como sero utilizados quatro circuitos
de drive, um para cada chave do inversor, sero necessrias quatro fontes
isoladas, uma para cada drive isolador de pulso. A figura 3.7 mostra o
esquemtico das quatro fontes.

possvel perceber, na figura 3.7, a presena de dois transformadores


com o primrio em paralelo, sendo que cada um deles apresenta um
enrolamento primrio e dois enrolamentos de secundrio. Considerando uma
das principais caractersticas dos transformadores, que tem seus
enrolamentos isolados eletricamente, obtm-se as quatro fontes isoladas a
partir dos quatro enrolamentos secundrios.

3.3.4 O funcionamento das fontes independentes

O circuito da fonte alimentado por uma tenso de 12 volts e em


paralelo com a tenso de entrada foi colocado um capacitor para mant-la
constante, ou seja, para tentar minimizar as variaes de tenso no
barramento. Esta tenso de 12 volts alimenta o amplificador operacional e os
transformadores, alm de fornecer tenso para o divisor de tenso conectado
porta trs do amplificador operacional.

O amplificador operacional CA3140 gera a forma de onda que ser


aplicada porta do MOSFET IRF540 atravs da comparao de uma onda
triangular com um nvel DC obtido atravs do divisor de tenso formado pelo
resistor R4 e o trimpot TRIMP1.

O MOSFET IRF540 o responsvel pela transferncia de potncia do


circuito. Como o nvel DC est aplicado na porta no-inversora do amplificador
operacional e a onda triangular na porta inversora, temos que o ciclo ativo do
transistor ocorre quando, na comparao, o nvel DC for maior que o nvel de
tenso da onda triangular.

33
Figura 3.7 - Esquemtico das quatro fontes independentes.

Em cada um dos secundrios dos transformadores, conectado um


capacitor em paralelo para manter o nvel de tenso da fonte constante.
Tambm conectado um diodo, entre o enrolamento secundrio e o capacitor,
para determinar o sentido da transferncia de energia, no permitindo, por
qualquer motivo, que a tenso do capacitor seja descarregada de volta no
enrolamento secundrio do transformador.

Na situao de ciclo ativo do transistor, onde ele est conduzindo, uma


corrente flui da fonte de alimentao (12 volts) para o terra, passando pelo
enrolamento primrio dos transformadores. Este caminho est representado
pela linha vermelha na figura 3.8.

A corrente percorre esse caminho devido ao diodo D1, que est


polarizado reversamente, obrigando a corrente a passar pelo enrolamento
primrio dos transformadores. Desta forma, a tenso dos enrolamentos
primrios assume o valor dos 12 volts da fonte e a corrente que circula no
primrio provoca a induo de uma tenso nos secundrios dos
transformadores, que polariza diretamente os diodos D2, D3, D4 e D5, que por
sua vez conduzem e carregam os capacitores C2, C4, C6 e C9. So estes

34
capacitores que suprem a potncia da carga, ou neste caso, alimentam o
circuito drive isolador de pulso.

Figura 3.8 - Caminho da corrente durante o ciclo ativo do transistor

No caso de o nvel DC ser menor que o nvel de tenso da onda


triangular, o amplificador operacional aplica tenso zero em sua sada (porta
seis) e o transistor IRF540 entra em estado de corte, ou seja, ele no conduz.
Mesmo com o transistor cortado, a corrente de magnetizao do ncleo ainda
precisa circular, e ela o faz atravs da roda livre, figura 3.9, formada pelo diodo
D1. Ao continuar circulando, esta corrente polariza reversamente Z1, de forma
que o sentido da tenso nos enrolamentos primrios inverta e ela assuma o
valor de tenso dado pela expresso abaixo:

Onde:

Vprim o valor da tenso nos enrolamentos primrios;


VZ o valor da tenso de polarizao reversa do diodo zener Z1;
VD1 o valor da tenso de polarizao direta do diodo D1.

35
Pela equao 3.2, constata-se que o sentido da tenso sobre os
enrolamentos primrios o inverso do sentido da tenso durante o ciclo ativo
e tem valor aproximadamente igual ao do diodo zener Z1. Com esta tenso
com sentido contrrio aplicada, a variao da corrente que flui pelos
enrolamentos primrios tambm negativa, causando assim a diminuio do
valor desta corrente at zero. Durante este perodo de corte do transistor, os
diodos nos secundrios so polarizados reversamente e no conduzem.

vlido lembrar que durante o ciclo ativo do transistor ocorre a


magnetizao do ncleo e durante o perodo de corte ocorre a
desmagnetizao do ncleo. E, para que no ocorra a saturao do ncleo, a
energia de desmagnetizao deve ser igual energia acumulada durante a
magnetizao. Assim, tem-se que:

Figura 3.9 - Caminho de roda livre

Sabe-se que a energia a potncia aplicada em um determinado


perodo de tempo e que a potncia dada pela multiplicao entre tenso e
corrente, tornando a equao 3.3 igual :

36
Onde:

Vmag a tenso de magnetizao;


Imag a corrente de magnetizao;
tmag o tempo de magnetizao;
Vdmag a tenso de desmagnetizao;
Idmag a corrente de desmagnetizao;
tdmag o tempo de desmagnetizao.

Escrevendo a equao 3.3 em funo das correntes e indutncias de


magnetizao e de desmagnetizao, tem-se que:

Como as indutncias para a magnetizao e a desmagnetizao so


iguais indutncia do primrio dos transformadores, para a equao 3.5 ser
verdadeira as correntes de magnetizao e desmagnetizao tambm devem
ser iguais. Pode-se afirmar tambm que a corrente em um indutor no possui
descontinuidade [4]. Assim, considerando que a corrente de magnetizao
seja igual corrente de desmagnetizao, a equao 3.4 se resume a:

Outro conceito conhecido, de [4], que:

Substituindo tmag e tdmag na equao 3.6, obtm-se que:

E, por fim, ao isolar Dmax, percebe-se que o valor do ciclo ativo mximo
(razo cclica mxima) depende dos valores das tenses de magnetizao e
desmagnetizao, ou seja, est ligado diretamente ao valor do diodo zener Z1,

37
pois a tenso de magnetizao ser sempre constante e com valor de 12
volts.

Substituindo os valores utilizados neste projeto, que so de 12 V para


Vmag e 20 V para Vdmag (valor da tenso de polarizao reversa do diodo zener
Z1), encontra-se que:

Para esses parmetros de tenso, conclui-se que para haver a total


desmagnetizao do ncleo o tempo do ciclo ativo do transistor deve ser no
mximo 62,5% do perodo.

3.3.5 Projeto do transformador da fonte de alimentao


O transformador utilizado na fonte possui um enrolamento primrio e
dois enrolamentos secundrios, como mostra a figura 3.10.

Figura 3.10 - Transformador com dois secundrios


Este transformador foi projetado para alimentar o circuito do drive
isolador de pulso, sendo alimentado por uma fonte externa com 12 volts em
seu enrolamento primrio. Levando em considerao as perdas existentes, os
enrolamentos secundrios foram projetados para uma tenso de 15 volts. Com
essas informaes, mais alguns dados sobre as condies de trabalho e os

38
parmetros fsicos do ncleo utilizado, possvel dimensionar este
transformador.

Dados necessrios para o projeto:

Adotou-se fs = 20kHz e Dmx = 0,45

O projeto foi feito baseando-se em um ncleo EE 25/10/5, que era o


disponvel no momento. Este ncleo possui as seguintes caractersticas
construtivas [22] :

Ap = 0,48 cm4
Le = 4,28 cm ou 43 mm
Ae = 0,312 cm2 ou 31,00mm
Al = 1300 nH/esp2

Onde:

Al o fator de indutncia do ncleo e geralmente fornecido


pelos fabricantes;
Ae a rea efetiva do ncleo, ou seja, a rea pela qual flui o
campo magntico;
Le o caminho magntico efetivo do ncleo;
Ap um fator fsico do ncleo que dado pela multiplicao da
rea efetiva (Ae) com a rea de janela (Aj), que rea disponvel para
os enrolamentos, ou seja, o espao onde os fios so enrolados.

O dimensionamento do transformador:

Utilizando a frmula abaixo, calcula-se a energia armazenada no ncleo,


de [4]:

39
Onde Bmx deve ser um valor de densidade do campo magntico que
mantenha a permeabilidade constante em condies de variaes de
temperatura e com campo magntico Hmx aplicado.

Analisando a curva de histerese de um ncleo de ferrite, como a da


figura 3.11, e supondo que o ncleo sofrer uma temperatura mxima de
100C, o Bmx utilizvel gira em torno de 250mT. Considerando um ncleo
com entreferro, este valor tende a ser um pouco mais alto devido inclinao
da curva de magnetizao. Conforme a literatura [4], um valor tpico de Bmx
que pode ser utilizado de 300mT.

Figura 3.11 - Curva de histerese de um ncleo de ferrite


Desta forma, aplicando os valores na equao 3.12, encontra-se o valor
de Em:

40
Sabendo que a freqncia de trabalho de 20kHz, sabe-se que o
perodo total de um ciclo o inverso da frequencia de trabalho, ou seja:

Levando em considerao um Dmx de 0,45:

O prximo passo calcular a indutncia de um enrolamento do


transformador. Parte-se do pressuposto de que a energia armazenada no
ncleo (Em) seja igual energia armazenada pelo indutor, de [4]:

Sabe-se que:

Ou tambm que:

Substituindo a equao 3.15 na equao 3.13 e isolando a varivel L,


encontra-se:

Onde:

V o valor da tenso no enrolamento;


t o tempo no qual o enrolamento estar submetido
tenso V, ou seja, o tempo tON.

Considerando que o enrolamento primrio do transformador


alimentado por uma tenso de 12 volts e que t ON j foi determinado e vale
22,5 , tem-se:

41
Conhecendo o valor da indutncia, possvel determinar o nmero de
espiras necessrias atravs da seguinte equao:

ou (3.17)

Substituindo os valores de L e AL, encontra-se que:

Ou, segundo [4], tambm possvel determinar o valor de espiras do


enrolamento primrio do transformador a partir da frmula abaixo:

Para calcular o nmero de espiras do secundrio, utiliza-se a relao de


tenso entre primrio e secundrio, j conhecida:

Como os dois secundrios so idnticos, ambos possuem 36,25 espiras.

Para determinar o dimetro do fio de cobre a ser utilizado, buscou-se


conhecer a grandeza do maior valor de corrente que circular pelos
enrolamentos, e que neste caso ser a corrente do primrio. Assim, pela
equao 3.15:

Considerando que esta corrente no elevada e no circular


constantemente pelos enrolamentos, alm do fato do ncleo usado ser
relativamente pequeno para o nmero de espiras a serem enroladas, adotou-se
um fio de cobre de bitola 23 AWG, que suporta correntes de at 0,73 A.

42
3.4 3 etapa Circuito de potncia

3.4.1 O inversor
O inversor utilizado neste trabalho foi projetado para fornecer em sua
sada uma tenso CA senoidal de 110 V RMS com freqncia de 60 Hz e para
alimentar uma carga com potncia mxima de 500 W. A tipologia utilizada foi a
do inversor em ponte completa, que possui quatro MOSFETs dispostos em
dois braos, como mostra a figura 3.12. Os MOSFETs utilizados so do tipo
IRF840, pois cada um suporta uma tenso de at 500 V e uma corrente de at
8 A [23].

Figura 3.12 - Esquemtico do inversor


No esquemtico apresentado j esto includos o filtro de sada e o
snubber, que so circuitos auxiliares ao inversor e que servem,
respectivamente, para filtrar as harmnicas de alta frequncia geradas pelo
chaveamento dos MOSFETs e para proteger os mesmos contra bruscas
variaes de tenso e corrente que podem ser geradas pelas oscilaes em
alta freqncia e podem levar os componentes queima [1].

Nos conectores G1, G2, G3 e G4 so aplicados os pulsos PWM


provenientes das sadas do drive isolador de pulsos. Os conectores G2 e G4
recebem os pulsos complementares de G1 e G3.

Para alcanar uma sada alternada com tenso de 110 V RMS preciso
alimentar o circuito com uma tenso contnua de aproximadamente 200 V. Este

43
valor foi encontrado considerando-se o valor de pico da tenso CA mais 30%
para compensar as perdas.

Onde:

a tenso de alimentao do inversor;

A carga, que pode ser puramente resistiva ou indutiva, conectada no


conector de sada. Para melhor demonstrar o comportamento do inversor, foi
feita uma simulao no ORCAD para uma carga RL e, foram encontradas as
formas de onda da corrente e tenso de sada assim como os pulsos PWM
aplicados na porta dos MOSFETs. O esquemtico usado est na figura 3.13.

V1 = 0 V1 V3
V2 = 5 12
TD = 0
TR = 0.49m V5
TF = 0.49m 200 M1 M3
PW = 0.01m U1 R1
PER = 1m 2
IRF840 IRF840
50
L1
0 I
50m
LM318
V2
VOFF = 2.5
VAMPL = 1.75 M2 1 M4
FREQ = 60

IRF840 IRF840

V1 = 0 V4 V7
V2 = 5 12
TD = 0
TR = 0.49m
TF = 0.49m
PW = 0.01m U2
PER = 1m

LM318
V6
VOFF = 2.5
VAMPL = 1.75
FREQ = 60

V1 = 0 V11 V13
V1 = 0 V8 V10 V2 = 5 12
V2 = 5 12 TD = 0
TD = 0 TR = 0.49m
TR = 0.49m TF = 0.49m
TF = 0.49m PW = 0.01m U4
PW = 0.01m U3 PER = 1m
PER = 1m

LM318
LM318 V12
V9 VOFF = 2.5
VOFF = 2.5 VAMPL = 1.75
VAMPL = 1.75 FREQ = 60
FREQ = 60

Figura 3.13 - Esquemtico do inversor para simulao


A seguir esto expostas as formas de onda obtidas nos gates dos
MOSFETs M1 e M2, a corrente e a tenso de sada.

Destas trs figuras (3.14, 3.15 e 3.16) possvel tirar algumas


concluses. Primeiro, os pulsos em M1 e em M2 esto realmente defasados

44
em 180, e segundo, que a tenso de sada a diferena entre as formas de
onda dos pulsos M1 e M2.

12V

8V

4V

0V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms
V(M3:g,M4:d)
Time

Figura 3.14 - Pulso PWM em M2


12V

8V

4V

0V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms
V(M1:g,V2:-)
Time

Figura 3.15 - Pulso PWM em M1


Para entender o grfico da corrente, figura 3.17, primeiro analisa-se o
comportamento de um indutor, j que a carga de sada predominantemente
indutiva. Da equao da tenso de um indutor, sabe-se que quando uma
tenso positiva aplicada entre seus terminais, a corrente apresenta uma

45
derivada positiva. O raciocnio semelhante para uma tenso negativa, onde a
derivada de corrente negativa. Assim, como os MOSFETs so chaveados a
100 kHz, as derivadas de corrente mudam de sentido com esta frequncia e
formam uma onda senoidal de 60 Hz devido ao sinal modulante ser uma onda
senoidal em 60 Hz.

400V

200V

0V

-200V

-400V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms
V(R1:1,L1:1)
Time

Figura 3.16 - Forma de onda da tenso de sada


4.0A

2.0A

0A

-2.0A

-4.0A
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms
I(R1)
Time

Figura 3.17 - Forma de onda da corrente na sada do inversor

46
A partir desta simulao possvel, atravs de uma comparao, saber
o quo prximo do esperado foram os resultados prticos obtidos.

3.4.2 O snubber
O circuito do snubber consiste de um diodo, um capacitor e um resistor
que so inseridos em paralelo com o MOSFET, como apresentado na figura
3.18. Basicamente, o circuito funciona da seguinte maneira, quando o MOSFET
S1 est aberto o capacitor C4 carregado via diodo DR4 e quando ele est
conduzindo o capacitor descarrega via R12.

Figura 3.18 - O circuito do snubber


O circuito de snubber o responsvel por proteger o inversor de
variaes instantneas de tenso e corrente.

Projeto do circuito de snubber

Seguindo o procedimento visto na reviso bibliogrfica, possvel


projetar os componentes do snubber.

1. Verifica-se a tenso mxima de operao do MOSFET

Deseja-se que a sada do inversor tenha amplitude mxima de 110 V


RMS. Assim, para atender este requisito, a tenso de alimentao do circuito
do inversor deve ser pelo menos:

Para garantir a amplitude da sada, coloca-se uma margem de


segurana de 30% devido s perdas no circuito de potncia. Assim, a tenso
mxima aplicada sobre o MOSFET :

47
2. Dimensiona-se o resistor do snubber para dissipar 1W

Encontrado o valor mximo de tenso aplicada sobre o MOSFET e


sabida a potncia dissipada pelo resistor, calcula-se o valor da resistncia:

Conforme a disponibilidade dos valores comerciais de resistncia


adotou-se um resistor de 47 . Portanto,

3. Dimensiona-se o capacitor de modo que a tenso caia para 90% do seu


valor mximo
Adotou-se um fator de descarregamento de 90%, que equivale a uma
tenso de 90% de 202,8V aplicada no capacitor.

Sabe-se que a frequncia de chaveamento dos MOSFETs de 100kHz


e, portanto, que um perodo vale 10us. Outra condio imposta que a razo
cclica (D) vale 0,5. Desta forma, o tempo de descarregamento do capacitor
igual 5us.
Aplicando os valores encontrados na frmula de descarga do capacitor
(equao 2.14), encontra-se a capacitncia.

3.4.3 O filtro de sada


A configurao de filtro passa-baixas utilizado apresenta dois indutores
em srie com a carga, um capacitor em paralelo com a carga e quatro
capacitores que so vistos em paralelo pela carga. Devido aos valores
comerciais disponveis, foram usados alguns capacitores em paralelo para
alcanar os valores projetados. A figura 3.19 j mostra o filtro com seus valores
de capacitor e indutor dimensionados conforme o projeto.

48
Figura 3.19 - Configurao do filtro
Projeto do filtro de sada do inversor

A placa de circuito impresso do filtro do inversor destina um espao


limitado para os indutores. Devido a essas restries, este projeto ser feito
tomando o caminho reverso.

O ponto de partida o tamanho mximo permitido para o ncleo do


indutor, que deve ser um ncleo do tipo EE 30/15/7. Este ncleo de ferrite
fornece os seguintes parmetros de fabricao [24]:

Ap = 0,71 cm4;
Ae = 60 mm;
Le = 67 mm;

Aplicando essas informaes na equao 3.18 e isolando a varivel


correspondente energia, possvel encontrar qual a mxima energia que
pode ser armazenada neste ncleo.

Para encontrar a energia isola-se a varivel E:

49
De [4]:

Ku = 0,4;
Kj = 397;
Bmx = 0,3.

Em posse do valor mximo de energia suportado pelo ncleo e se


utilizando das equaes 3.19 e 3.20, determina-se o valor de cada um dos
indutores do filtro, ou seja, a indutncia de um ncleo.

Por motivos de segurana, considera-se o valor de Ipico sendo 20% maior


do que o encontrado. Assim, Ipico = 7,71 A.

Isolando L:

Nesta prxima etapa determina-se o valor da capacitncia do filtro


atravs da equao para a frequncia de corte:

Na reviso de literatura foi visto que a frequncia de corte do filtro deve


ser pelo menos uma dcada menor do que a frequncia de trabalho das
chaves do inversor [5]. Neste trabalho, esta frequncia de 100kHz, e,
portanto, a mxima frequncia de corte para o filtro deve ser 10kHz. Porm,
quanto menor a frequncia de corte menor so as influncias das harmnicas
de baixa freqncia sobre o sinal de sada. Mas, para se construir um filtro com

50
frequncias de corte muito baixas necessita-se de componentes muito
robustos. Assim sendo, o meio termo encontrado foi para o uso de uma
frequncia de corte de 5 kHz, onde os indutores e capacitores so viveis.

Para encontrar o valor da capacitncia, isola-se C na expresso 3.21:

Nesta equao, o valor de L a soma das duas indutncias presentes


no filtro, como demonstrado na reviso bibliogrfica. A partir desta informao,
L = 59,12uH + 59,12uH ou L = 2 x 59,12uH.

Substituindo estes valores na equao 3.22:

Ressalta-se que este valor encontrado para C o equivalente a quatro


capacitores vistos em paralelo pela carga, o que resultaria em quatro
capacitores de 2,1425uF. Para facilitar a implementao do filtro em termos de
valores comerciais, utilizou-se oito capacitores de 1uF, totalizando uma
capacitncia equivalente de 8uF.

Projeto do indutor do filtro

O projeto dos indutores parte dos parmetros do ncleo, j citados


anteriormente. O primeiro clculo feito foi para encontrar o fator de indutncia
(AL), equao 3.23, de [4]:

Conforme catlogo do fabricante [24], para obter este fator de indutncia


com o ncleo 30/15/7 se faz necessrio o uso de entreferro. Calcula-se, ento,
o entreferro usando as equaes 3.24 e 3.25:

51
Onde:


0 vale 410-7;

O valor encontrado para e substitudo na equao 3.25:

O entreferro total deve ter 0,82mm, podendo ser feito em ambas as


extremidades do ncleo EE com metade deste valor, ou seja, 0,41mm. Para o
entreferro foram utilizadas folhas de papel. Mediu-se com um paqumetro a
espessura de uma folha e assim foi possvel encontrar um nmero estimado de
folhas necessrias para completar a espessura do entreferro.
Seguindo com o projeto do indutor, calculou-se o nmero de espiras
para uma indutncia de aproximadamente 59H:

Para dimensionar o fio de cobre que ser usado, primeiro calculou-se a


densidade de corrente (J) qual o indutor submetido:

Onde:
x um parmetro relacionado ao acrscimo de
temperatura, que foi considerado de 30C e fornece x=0,12.

52
A partir da densidade de corrente obtm-se qual a rea de cobre (ACu)
necessria:

Onde:
Ief obtido dividindo a potncia na sada do inversor pelo
valor da tenso quadrtica mdia aplicada (500W/110V = 4,54A).

O fio de cobre disponvel para enrolar o indutor o #23 AWG, que possui
uma rea de cobre de 0,002582 cm [4]. Para obter a rea de cobre calculada
foram necessrios aproximadamente 5 fios #23 AWG em paralelo, com mostra
a equao a seguir:

3.4.4 Dissipadores
Neste trabalho, o inversor est protegido de agitao trmica por
dissipadores de calor. Em circuitos que envolvem alta potncia, normalmente
os dissipadores so cuidadosamente projetados. Porm, em circuitos com
potncia mais baixa, como o deste trabalho, no se faz necessrio fazer o
dimensionamento dos dissipadores. Assim, o dissipador usado para este
inversor foi escolhido entre os disponveis em laboratrio.

3.5 A montagem
Para realizar os testes e obter os resultados, todo o sistema foi montado
em bancada assim como mostra o diagrama da figura 3.20.

Figura 3.20 - Esquema da montagem em bancada

53
Com exceo do circuito de potncia, todos os demais foram
alimentados por uma fonte regulada de tenso de 12 V. Em algumas etapas foi
preciso de uma fonte de 6 V, que foi obtida utilizando-se a prpria alimentao
de 12 V e um circuito com o regulador de tenso TL431 [25].

Para a alimentao do inversor, utilizou-se de at trs fontes simtricas


de 30 V em srie, alcanando uma tenso mxima de 180 V. Uma alternativa
para atingir tenses altas sem a necessidade de se utilizar vrias fontes em
srie, seria o uso de um variac e de uma ponte de diodos retificadora. Porm, a
primeira opo foi escolhida, pelo menos na fase de testes, porque as fontes
simtricas possuem limitao de corrente.

No diagrama de blocos desenhado para representar a montagem em


bancada, os blocos retangulares representam circuitos ou funes que foram
implementadas, sendo que destas, apenas a parte de controle, que inclui a
gerao das ondas triangulares e o comparador PWM, no foi desenvolvida em
prottipo. Ao contrrio, os circuitos do drive isolador de pulso e do inversor
foram implementados em placas de circuito impresso.

Os blocos circulares representam tenses externas com funo de


alimentao dos circuitos implementados e o bloco hexagonal significa que no
foi desenvolvido um circuito para desempenhar aquela funo, sendo utilizado
um equipamento externo, como neste caso, um gerador de funes.

54
4 Resultados e anlise

4.1 Prottipos
Nesta seo so apresentados os prottipos desenvolvidos para este
trabalho.

4.1.1 Drive isolador de pulsos


A figura 4.1 mostra o prottipo do drive isolador de pulsos, cujo projeto j
foi exposto neste trabalho.

Figura 4.1 - Prottipo do drive isolador de pulso


4.1.2 Inversor e filtro
O prottipo do inversor e do filtro, figura 4.2, utilizado neste trabalho
proveniente de um modelo genrico de inversores de ponte completa projetado
pelo professor orientador. O que se fez foi dimensionar os componentes, tanto
do inversor quanto do filtro, conforme os parmetros desta aplicao.

55
Figura 4.2 - Prottipo do inversor
4.2 Circuito de controle e drive isolador de pulso

4.2.1 Circuito de controle


Nesta seo so mostradas as formas de onda em pontos importantes
do circuito de controle.

A figura 4.3 mostra a onda triangular na sada do CI LM566, que foi


usado no circuito gerador da onda portadora. possvel observar que a
freqncia da triangular de aproximadamente 100 kHz, frequncia desejada
para a portadora.

Figura 4.3 - Triangular gerada pelo circuito utilizando o CI LM566

56
A onda triangular sofre algumas modificaes antes de ser aplicada no
comparador PWM. Devido ao uso de um comparador com terra virtual, ela
deslocada de aproximadamente 6 V, alm de ser amplificada para um valor de
pico a pico de aproximadamente 5 V, como mostra a figura 4.4. Esta triangular
comparada com uma onda senoidal de 60 Hz proveniente de um gerador de
funes, figura 4.5. Pode-se observar que a senoidal tambm foi deslocada em
aproximadamente 6 V para ficar no mesmo nvel de tenso.

Os sinais PWM deslocados de 180 gerados pela comparao esto


expostos na figura 4.6. Ao diminuir a escala do tempo por diviso no
osciloscpio, percebe-se que ambos os pulsos, por um pequeno perodo, esto
em nvel lgico alto simultaneamente, figura 4.7. Este fenmeno no
desejado e para isso esses pulsos foram condicionados ao serem aplicados em
um circuito lgico que atrasa um pulso em relao ao outro, evitando que
ambos coincidam em valor lgico alto, o que causaria a conduo de dois
MOSFETs do mesmo brao do inversor. A figura 4.8 mostra os pulsos PWM
complementares com seus respectivos atrasos.

Figura 4.4 - Triangular na entrada do comparador PWM

57
Figura 4.5 - Onda senoidal utilizada na comparao PWM

Figura 4.6 - Pulsos complementares gerados pela comparao PWM

58
Figura 4.7 - Cruzamento dos pulsos PWM complementares

Figura 4.8 - Pulsos PWM complementares com atraso

4.2.2 Drive isolador de pulso


Os resultados aqui apresentados mostram algumas ondas referentes ao
funcionamento do circuito do drive isolador de pulso, como a razo cclica do
pulso PWM aplicado porta do MOSFET da fonte independente, figura 4.9, e a
forma de onda entre os terminais do transformador, figura 4.10.

59
Figura 4.9 - PWM aplicado porta do MOSFET da fonte independente
Observa-se que a razo cclica deste pulso menor que 0,625, condio
necessria para o transformador no saturar e que foi demonstrada na seo
3.3.4. Na imagem seguinte, figura 4.10, percebe-se que durante o perodo ativo
do MOSFET o transformador tem os 12V da alimentao em seus terminais, e,
quando o MOSFET no est conduzindo, o ncleo desmagnetizado sob a
tenso igual do diodo zener, que aproximadamente 20 V. Para esta
medio a ponteira do osciloscpio estava multiplicada por 10.

Figura 4.10 - Tenso entre os terminais do transformador da fonte


independente
Os pulsos apresentados na figura 4.8 so os pulsos de sada do circuito
de controle, que so os mesmos aplicados na entrada do drive isolador de

60
pulso. Na sada do drive so obtidos os pulsos que so aplicados no inversor,
figura 4.11.

Figura 4.11 - Pulsos PWM obtidos na sada do drive isolador de pulso

4.3 Circuito do inversor


Para iniciar os testes com o inversor, foram fixados os valores da
frequncia modulante em 60 Hz, da frequncia da portadora em 100 kHz, da
carga em 1 k e da amplitude da portadora em 5 V.

Alimentou-se o inversor com 30 V e variou-se a amplitude da modulante


de modo que a forma de onda da tenso de sada estivesse no limiar de
saturao, obtendo a maior amplitude possvel sem distoro.

61
Figura 4.12 - Forma da tenso de sada saturada
A figura 4.12 mostra um exemplo onde a tenso de sada est saturada
devido amplitude da onda senoidal ter ultrapassado os limites de amplitude
da onda triangular, prejudicando a comparao e consequentemente a
modulao por largura de pulso, o que interfere na forma do sinal de sada. A
fim de evitar este problema, ajustou-se a amplitude da onda senoidal para que
a sada no apresentasse distoro, como o exemplo visualizado na figura
4.13.

Figura 4.13 - Sada do inversor sem distoro para Vin = 30 V

62
Com a amplitude da modulante ajustada, variou-se o valor da tenso de
alimentao do inversor (Vin) e monitorou-se as correntes de entrada e de
sada assim como a tenso de sada. Os valores anotados esto na tabela 4.1.

Tabela 4.1 - Variao de Vin (R=1k, fm=60Hz, fp=100kHz)

Vin [V] Vout [VRMS] Iin [mA] Iout [mA]


30 15,4 20 19
60 30,3 30 34
90 50,8 60 51
120 69,7 80 65
180 97,0 130 104
204 110,0 160 118

A seguir so apresentados os grficos da tenso de sada capturadas do


osciloscpio via comunicao serial e por meio de um software de captura de
tela.

Figura 4.14 - Tenso de sada para Vin = 60 V

63
Figura 4.15 - Tenso de sada para Vin = 90 V

Figura 4.16 - Tenso de sada para Vin = 120 V

64
Figura 4.17 - Tenso de sada para Vin = 180 V

Figura 4.18 - Tenso de sada com Vin = 204 V


Na sequncia, buscou-se avaliar o comportamento do inversor para uma
variao de carga resistiva. Para isso ajustou-se o inversor com uma tenso de
sada em 110 V eficaz, sinal da portadora como sendo sinal triangular de 5 V
de pico a pico e freqncia de 100kHz. Ajustou-se a modulante a fim de se
obter o maior valor de amplitude sem distoro para a tenso de sada. A carga
utilizada foi um reostato de 1k com mxima potencia de 1kW. Alimentou-se o
reostato com o inversor e monitorou-se as correntes de entrada e sada

65
conforme a carga era variada. Os resultados podem ser verificados na tabela
4.2.

Tabela 4.2 - Variao da carga resistiva (Vout-rms=110V, fm=60Hz,


fp=100kHz)

R [] Iin [mA] Iout [mA]


1000 190 117
800 210 145
600 230 191
400 280 279
200 400 504
100 600 872
Para analisar o comportamento do inversor com uma carga indutiva,
aplicou-se em sua sada um motor de induo monofsico com as seguintes
caractersticas:

Fabricante: Promeco;
Rotao: 15000 RPM;
Tenso de alimentao: 110 V;
Potncia: 150 W;
Corrente: 1,4 A;

Para este teste com carga indutiva, a freqncia da modulante foi


mantida em 60 Hz, a freqncia da portadora em 100 kHz e a tenso de
alimentao do inversor foi variada at a sada alcanar o valor da tenso
nominal do motor. Monitorou-se as correntes de entrada e de sada e os
resultados obtidos se encontram na tabela 4.3.

Tabela 4.3 - Carga indutiva (fm=60Hz, fp=100kHz)

Vin [V] Vout-rms[V] Iin [mA] Iout [mA]


60 34,5 150 436
90 50,0 240 469
120 66,0 330 490
180 100 400 555
195 110 440 590

66
Testado o comportamento do inversor com cargas de comportamento
resistivo e indutivo e trabalhando em diferentes valores de tenso e corrente,
foram realizados testes para avaliar a influncia da modulao na resposta do
inversor.

Primeiro, manteve-se a frequncia da onda senoidal, a modulante, em


60 Hz e diminui-se a frequncia da onda portadora, a triangular, visando
verificar o comportamento da sada para diferentes ndices de modulao.
Como o objetivo deste teste compreender o efeito da modulao sobre o
inversor, manteve-se a tenso de alimentao em um valor intermedirio, neste
caso, 60 V. A tabela 4.4 apresenta os resultados encontrados.

Tabela 4.4 - Variao de fp (Vin=60V, fm=60Hz, R=1k)

fp [Hz] Iin [mA] Iout [mA]


100k 30 34
50k 70 43
30k 160 60
As imagens a seguir, capturadas do osciloscpio, mostram a resposta do
inversor para cada uma das condies da tabela 4.4, possibilitando uma melhor
visualizao dos efeitos causados pela variao da freqncia da portadora.

Figura 4.19 - Tenso de sada para fp = 100 kHz

67
Figura 4.20 - Tenso de sada para fp = 50 kHz

Figura 4.21 - Tenso de sada para fp = 30 kHz


Entende-se que ao diminuir a frequncia da portadora, a forma de onda
da tenso de sada do inversor sofre uma distoro, que aumenta conforme a
diminuio da frequncia da portadora. Porm, devido baixa frequncia da
modulante no foi possvel observar, com o osciloscpio, o comportamento da
distoro, que est em uma freqncia muito superior. Para facilitar a

68
visualizao, estes testes foram repetidos para uma modulante com frequncia
de 1 kHz.

Tabela 4.5 - Variao de fp (Vin=60V, fm=1kHz, R=1k)

fp [Hz] Iin [mA] Iout [mA]


100k 90 40
50k 100 48
30k 200 70
25k 250 70
20k 370 88
15k 850 124

Os dados obtidos neste novo teste so exibidos na tabela 4.5, enquanto


que as figuras correspondentes a cada uma das condies impostas esto logo
abaixo.

Figura 4.22 - Tenso de sada com fm = 1 kHz e fp = 100 kHz

69
Figura 4.23 - Tenso de sada com fm = 1 kHz e fp = 50 kHz

Figura 4.24 - Tenso de sada com fm = 1 kHz e fp = 30 kHz

70
Figura 4.25 - Tenso de sada com fm = 1 kHz e fp = 25 kHz

Figura 4.26 - Tenso de sada com fm = 1 kHz e fp = 20 kHz

71
Figura 4.27 - Tenso de sada com fm = 1 kHz e fp = 15 kHz
Observando as imagens anteriores possvel perceber que para uma
portadora com freqncia menor que 50 kHz comeam a surgir algumas
distores na forma de onda da tenso de sada. Na freqncia de 50 kHz essa
distoro ainda muito pequena e quase imperceptvel, mas conforme esses
valores so diminudos a distoro aumenta.

Uma anlise quantitativa foi feita analisando-se a relao entre o ndice


de modulao e a distoro observada nas figuras.

Para fm = 1 kHz e fp = 100 kHz:

Para fm = 1 kHz e fp = 50 kHz:

Para fm = 1 kHz e fp = 30 kHz:

Para fm = 1 kHz e fp = 25 kHz:

Para fm = 1 kHz e fp = 20 kHz:

72
Para fm = 1 kHz e fp = 15 kHz:

Atravs da anlise dos clculos apresentados, confirma-se que quanto


menor o ndice de modulao maior a distoro sofrida pela tenso de sada.
Isto ocorre porque um ndice de modulao baixo significa uma pequena
quantidade de amostras dentro de um perodo do sinal modulante e, quanto
menor a quantidade de amostras, menor a preciso da modulao do sinal
de entrada. Outro efeito observado, desta vez pelos dados da tabela 4.5, que
h um aumento significativo da corrente de entrada quando ocorrem
diminuies do ndice de modulao, o que causa maiores perdas de energia
no inversor.

Para concluir sobre a importncia da escolha de uma tcnica de


modulao senoidal PWM adequada para as aplicaes em inversores, foi feita
uma anlise comparativa da tcnica de modulao senoidal bipolar PWM
desenvolvida neste trabalho com a tcnica de modulao senoidal unipolar
PWM, desenvolvida em [26].

A principal vantagem apresentada pela tcnica bipolar que seu circuito


possui um pequeno nmero de componentes, tornando sua implementao e
manuteno menos complexas e, consequentemente, seu custo mais baixo.

A desvantagem mais evidente, da modulao senoidal bipolar PWM em


relao modulao senoidal unipolar PWM, a maior quantidade de
distoro presente no sinal de sada. Esta distoro mais discrepante para
valores menores do ndice de modulao, no sendo muito perceptvel uma
diferena entre as duas tcnicas para ndices de modulao elevados.

Esta desvantagem se justifica pelo fato de que na modulao bipolar a


carga est sujeita a uma tenso diferencial que varia de Vcc a +Vcc, o que
acarreta em um alto valor de contedo harmnico.

73
Como visto na reviso bibliogrfica, para a tcnica bipolar a frequncia
de chaveamento dos MOSFETs do inversor a mesma frequncia da onda
portadora usada na modulao, enquanto que na tcnica unipolar a frequncia
de chaveamento duas vezes maior que a frequncia da portadora [26]. Ento,
para se ter um bom grau de comparao do comportamento dessas tcnicas
conforme a variao da frequncia de portadora, foram comparados os sinais
de sada do inversor com a frequncia de portadora utilizada para a tcnica
unipolar sendo metade da utilizada na tcnica bipolar. As figuras 4.28 e 4.29
mostram as tenses obtidas em cada um dos braos do inversor com a tcnica
bipolar e unipolar, respectivamente.

Percebe-se das figuras 4.28 e 4.29 que os pulsos obtidos com a tcnica
bipolar so complementares e com mesma frequncia, resultando em um pulso
na sada diferencial do inversor com frequncia igual das obtidas em cada um
dos braos. J ao utilizar a modulao unipolar os pulsos obtidos em cada um
dos braos alm de serem complementares esto defasados de 180 graus
entre si, fazendo com que a frequncia do pulso da sada diferencial seja
dobrada.

Figura 4.28 - Tenso em cada um dos braos do inversor para usando


modulao bipolar

74
Figura 4.29 - Tenso em cada um dos braos do inversor para usando
modulao unipolar

Para exemplificar a diferena de susceptibilidade distoro entre essas


duas tcnicas, so expostas algumas figuras da tenso de sada do inversor,
uma de cada tcnica alternadamente, onde o inversor est sujeito s mesmas
condies de alimentao e frequncia de chaveamento.

Figura 4.30 - Sada do inversor para modulao unipolar (fm=1kHz e


fp=50kHz)

75
Figura 4.31 - Sada do inversor para modulao bipolar (fm=1kHz e
fp=100kHz)

Figura 4.32 - Sada do inversor para modulao unipolar (fm=1kHz e


fp=25kHz)

76
Figura 4.33 - Sada do inversor para modulao bipolar (fm=1kHz e
fp=50kHz)

Figura 4.34 - Sada do inversor para modulao unipolar (fm=1kHz e


fp=15kHz)

77
Figura 4.35 - Sada do inversor para modulao bipolar (fm=1kHz e
fp=30kHz)
Mesmo trabalhando com um ndice de modulao maior que o
compatvel da modulao senoidal unipolar PWM, porm com mesma
frequncia de chaveamento, evidente a maior presena de distoro nas
formas de onda da tenso de sada do inversor quando se aplica a modulao
senoidal bipolar PWM.

78
5 Concluses

Com base nos resultados obtidos neste trabalho concluiu-se que


possvel diminuir as perdas por distoro em inversores apenas ajustando a
tcnica de modulao senoidal PWM. No caso da tcnica de modulao
senoidal bipolar PWM, constatou-se que a eficincia do inversor cai
bruscamente conforme se diminui o ndice de modulao. Portanto, esta
tcnica apresenta um melhor desempenho quando a onda portadora tem uma
frequncia muito superior frequncia da modulante, o que restringe sua
aplicao eficiente a circuitos que suportem trabalhar com altas frequncias.

Comparando esses resultados com os obtidos em [26], percebe-se que


a modulao senoidal bipolar PWM causa mais distores que a modulao
senoidal unipolar PWM, considerando parmetros de trabalho idnticos nos
dois casos. Assim, apesar das desvantagens de implementao, possvel
afirmar que mais vantajoso utilizar a tcnica unipolar em aplicaes que no
exigem um alto ndice de modulao do pulso PWM.

O trabalho foi concludo satisfatoriamente porque o sistema proposto


inicialmente foi implementado com sucesso e atravs dele os conceitos da
teoria de modulao por largura de pulso em estudo foram validados. Alm
disso, o desenvolvimento deste projeto proporcionou o aprendizado em
algumas reas tcnicas, como em projetos de layout de placa e na montagem
de prottipos.

Como sugesto para trabalhos posteriores que venham a


trabalhar com modulao PWM, deixa-se a experincia da dificuldade
encontrada na implementao do circuito de controle em protoboard devido s
altas frequncias envolvidas. Seria melhor desenvolver um prottipo para este
circuito depois de ajustado o controle, o que facilitaria na sua manuteno e na
realizao de testes aplicados, como por exemplo, em inversores.

79
6 Referncias bibliogrficas

[1] RASHID, Muhammad H.. Eletrnica de Potncia : Circuitos, dispositivos e


aplicaes. 2. Ed. So Paulo: MAKRON Books, 1999.

[2] SEDRA, A; SMITH, K. C.. Microeletronics Circuits. 4. Ed. Nova Iorque:


Oxford University Press, 2004.

[3] FITZGERALD, A. E.; KINGSLEY, Charles; UMANS, Stephen D.. Electric


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[4] TREVISO, Carlos H. G.. Apostila de eletrnica de potncia. 2006.

[5] CANNICO, Rodolfo Barreto. Amplificador de udio tipo classe D,


reposta em frequncia 20 Hz a 20 kHz, alta fidelidade e modulao
multiplexada. 2011. 118 f. Dissertao (Mestrado em Engenharia Eltrica)
Universidade Estadual de Londrina, Londrina.

[6] OPPENHEIM, Alan V.; WILLSKY, Alan S.; NAWAB, S. Hamid. Signals and
Systems. 2. Ed. Nova Jersey: Prentice-Hall, 1997.

[7] MALVINO, Albert Paul. Eletrnica. 4. Ed. So Paulo: MAKRON Books,


1997. V. 2.

[8] EDMINISTER, Joseph A.; NAHVI, Mahmood. Circuitos eltricos. 4. Ed.


So Paulo: BOOKMAN, 2003.

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[10] Texas Instruments. TL074 Datasheet. 1996.


http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/texasinstruments/tl074.pdf
(acessado em 23/10/11)

[11] National Semiconductor. LM318 Datasheet. 1994.


http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/nationalsemiconductor/DS007766.P
DF (acessado em 23/10/11)

80
[12] Philips Semiconductors. HEF4081B Datasheet. 1995.
http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/view/17734/PHILIPS/HEF4081B.html (acessado em 23/10/11)

[13] Philips Semiconductors. HEF4049B Datasheet. 1995.


http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/philips/HEF4049BF.pdf (acessado
em 23/10/11)

[14] Fairchild Semiconductor. 6N137 Datasheet. 2001.


http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/6N137.pdf (acessado em
23/10/11)

[15] BORSATO, Luiz Fernando Furlan. Controle do circuito de potncia do


mdulo de posicionamento de painel solar de baixo custo para uso
residencial. 2009. 50 f. Trabalho de concluso de curso (Graduao em
Engenharia Eltrica) Universidade Estadual de Londrina, Londrina.

[16] GUTANSKIS, Jos Augusto Machado. Estrutura mecnica e circuito de


potncia do mdulo de posicionamento de painel solar de baixo custo
para uso residencial. 2010. 52 f. Trabalho de concluso de curso (Graduao
em Engenharia Eltrica) Universidade Estadual de Londrina, Londrina.

[17] National Semiconductor. CD4049A Datasheet. 1988.


http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/8178/NSC/CD4049.html
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[18] Fairchild Semiconductor. BC327 Datasheet. 2002.


http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/BC327.pdf (acessado em
23/10/11)

[19] Fairchild Semiconductor. BC337 Datasheet. 2002.


http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/BC337.pdf (acessado em
23/10/11)

[20] Intersil Americas. CA3140 Datasheet. 2002.


http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/intersil/fn957.pdf (acessado em
23/10/11)

81
[21] Fairchild Semiconductor. IRF540N Datasheet. 2002.
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/IRF540N.pdf (acessado em
23/10/11)

[22] Thornton Eletrnica. NEE 25/10/5 Datasheet.


http://www.thornton.com.br/produtos/nee.htm (acessado em 23/10/11)

[23] Fairchild Semiconductor. IRF840 Datasheet. 2002.


http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/IRF840.pdf (acessado em
23/10/11)

[24] Thornton Eletrnica. NEE 35/15/7 Data sheet.


http://www.thornton.com.br/produtos/nee.htm (acessado em 23/10/11)

[25] Fairchild Semiconductor. TL431 Datasheet. 2003.


http://www.datasheetcatalog.org/datasheets/90/321931_DS.pdf (acessado em
23/10/11)

[26] ROSSI, Cristiano. Inversor de freqncia Modulao senoidal PWM


unipolar. 2011. 69 f. Trabalho de concluso de curso (Graduao em
Engenharia Eltrica) Universidade Estadual de Londrina, Londrina.

82
7 Apndice
7.1 Projeto da placa de circuito impresso do drive isolador de pulso

Como o circuito da fonte responsvel somente pela alimentao do


drive isolador de pulso, os dois circuitos foram projetados para ficarem no
mesmo prottipo. O apndice 7.2 mostra o esquemtico equivalente utilizado
no desenvolvimento do layout da placa de circuito impresso.

Para efeitos de projeto, buscou-se reduzir ao mximo o tamanho da


placa. Considerando essas restries fsicas, de incio j era sabido que esta
seria uma placa dupla face, ou seja, com trilhas em ambas as faces da placa.

O primeiro passo realizado, visando economizar espao, foi o de


distribuir os componentes em uma prancha de isopor, estudando as
alternativas de layout mais adequadas. Esta distribuio foi feita levando em
considerao as conexes do esquemtico, de modo que os componentes
que esto conectados entre si ficassem o mais prximo possvel. Esse
planejamento importante porque facilita a etapa de route das trilhas.

Esta etapa de montagem do circuito na prancha de isopor foi uma das


mais trabalhosas, pois vrios fatores precisam ser considerados, como, em
qual lado ser a entrada e em qual ser a sada dos sinais, qual a melhor
posio para os transformadores de forma que no ocupem tanto espao,
como distribuir componentes DIP e SMD de maneira que a placa tenha uma
configurao simtrica.

Depois de algumas tentativas, chegou-se a uma configurao aceitvel


para a placa. A etapa seguinte foi digitalizar esta configurao, obtida pela
distribuio dos componentes na prancha de isopor, atravs de um software
do tipo CAD eltrico. Neste projeto foi utilizado o P-CAD 2006.

Devido baixa variedade de bibliotecas que o P-CAD proporciona, foi


necessrio desenvolver o modelo de alguns componentes que no estavam
disponveis pelo programa. Em posse de todos os modelos que faltavam, foi
possvel transferir a configurao de placa para o computador.
83
Apesar de j ter a distribuio dos componentes digitalizada, antes de
routear a placa foi necessrio verificar se a resoluo visualizada em tela era
compatvel com a dimenso real dos componentes. Portanto, imprimiu-se o
arquivo PCB, ainda sem as trilhas, para realizar outro teste na prancha de
isopor. Percebeu-se, em vrios momentos, que na prtica, os componentes
no se encaixavam com facilidade. Assim, foi necessrio ajustar a distribuio
dos componentes no P-CAD e test-la novamente no isopor por vrias vezes,
at que no houvesse mais problemas.

Depois de finalizada esta parte de ajustes do layout da placa, iniciou-se


o routeamento da placa. Routear a placa significa conectar os componentes,
assim como esto conectados no esquemtico, atravs de trilhas de
cobre/estanho sobre as faces da placa. Esta etapa tambm foi feita com o P-
CAD 2006. Como o circuito foi projetado para ser o mais compacto possvel, o
trabalho de routear se tornou ainda mais complexo.

Como esta foi a primeira experincia em um projeto do layout de uma


placa, foram necessrias vrias tentativas de ligao das trilhas at ser
atingido um bom nvel. Na primeira tentativa de placa, o circuito funcionou
perfeitamente, mas antes disso, ocorreram muitos erros devido s dificuldades
encontradas com soldas mal feitas e trilhas rompidas. Para resolver estes
problemas, analisaram-se cada uma das dificuldades encontradas no
processo de montagem da placa e refez-se o projeto buscando san-las.

As dificuldades encontradas nesta primeira tentativa foram


principalmente com relao s soldas, pois alguns componentes que ocupam
uma grande rea na parte de cima da placa, como capacitores,
transformadores e circuitos integrados tipo DIP, tinham trilhas chegando aos
seus terminais tanto por cima (top layer) quanto por baixo (bottom layer). Para
evitar esse problema, o novo projeto foi feito com o objetivo de que os
componentes com essas caractersticas recebessem as trilhas somente por
um lado da placa, de preferncia pelo de baixo (bottom layer), o que facilitaria
muito na hora da montagem prtica.

84
Com o novo projeto pronto, percebeu-se que sua montagem ficou mais
fcil e que os problemas encontrados anteriormente no voltaram a aparecer,
deixando todo o processo mais prtico e eficiente.

Antes de a placa ser confeccionada, foi feita uma padronizao visando


facilitar a identificao dos componentes tanto no momento de soldar como no
de fazer testes. Para isso, todos os componentes com posicionamento
horizontal ou vertical foram nomeados de modo que a escrita de suas
referncias ficasse no mesmo sentido de leitura. Outro ponto importante de ser
ressaltado, que os componentes possuem o mesmo nome tanto no
esquemtico como no arquivo PCB, facilitando tambm o trabalho de
soldagem.

As figuras abaixo mostram alguns pontos do processo do projeto desta


placa. A figura 7.1 o arquivo PCB final, j as figuras 7.2 e 7.3 mostram
separadamente os layers TOP e BOTTOM. Essas mesmas imagens foram as
usadas para impresso em fotolito, que depois foi utilizado para confeco da
placa de circuito impresso.

Figura 7.1 - Arquivo PCB do circuito de drive

85
Figura 7.2 - Top layer

Figura 7.3 - Bottom layer

86
7.2 Esquemtico do circuito do drive isolador de pulso

87
7.3 Esquemtico do circuito completo
V
12Vd 1 R1 INV1
c 22k INPAD CD4049
A 3 2 INPAD
SET = V A V 12V
0.5 1 1
0 2
R5 1
R37 OPTO1 47
2 5 4 C1 0
47 6N137 0 470
4
0 2 8 T u
6 R4 BC337
1 R61 D2
V 7 1
9 15 G R4 TRAFO UF4007 V
6 7 6 1 1 10K
0 1 21 6 1
3 K 2 Z C17
R6 1N4747
1 7 470 OUTPAD
R3 1
0 D1 9 u
100 0 Z T TRIMP UF4007
2
C1 Z 1N473 9 10 K BC327 4 10 GND_
k 5 2 2 20K
1
C3 U1 47 4 U2A 1N4733
3 6 D3 1
5.6 5 3 p C4 TL074 GND_ UF400 V
6 MOD SQWOU 4 3 + TRIANG R39
n TRE TRWOUT A 1 7 2
7 T 47 1 Z C1 GND_ 0 75
TCA
S 2 - 1N4729 47 11 12 A C19 OUTPAD
u 4 6 1 10K
P
LM566C OUTPAD u 3 + O R4 MOS 470
R2 C2 11 2 TRIANG R38 6 2 IRF540
2.2n 2 2 - u
10k
SET = 0.5 J2 1 CA314 R4 10 GND_
14 15 10K 1k D4
JUMPER 481 0 1 2
0 0 1 GND_ TRAFO UF400 V
1 0 22 6 7 3
0 7 C2 OUTPAD
0 9 470
0 0
INV2 u
CD4049
A 4 10 GND_
INPAD A 3 2 INPAD 3
R25 12V V2 V2 D5 V
10k 4
12V U7A UF4007
408 R4 C2 OUTPAD
0 1 R4 OPTO2 47
5 5 4 470
1
4 U2 1 47
3 6N137 0 u
TL074A
B R5 7 5 U3 3 0 2 8 T
5 + 1k LM31 2 R4 BC337
3 R4
R2 7 3 + 8 7 1
4 7 15 G3 GND_
3 6 - 6 6 7 6 1 4
R4 2 R26 404 3 K 2
3.3 10K - C6 10k U6A R46
11 9
k R6 4 81 0 2 1 1
1k 47 0 Z5 Z6 T
5 1N4733 1N4736 9 10 K BC327
p 4
R2 0 404
10k
4 C7 R27 U6B GND_
0 0
0 10k 4 9 3 2
12V 47 Z C1 GND_
1N472
7 47
5 11 12 2
p U7B 9 u
408
12V R7 75 U4 1
6V 1k LM31 4
3 + 8 6 14 15
6 5 GND_
C5 R9 4 U5A 2
47 - 2
100
u 3 + R8 481
V k 1 1k
VOFF = 2 -
VAMPL = 4 TL074A
FREQ = 11 0
60Hz
0
0

INV3
CD4049
A
INPAD A 3 2 INPAD
V V
3 3
R51
R48 OPTO3 47 5 4
47 6N13 0
0 2 7 8 T
R50 BC337
5 R5
7 1K 15
4 G
6 7 6 1 2
3 2
R5 C3 C27 C2 C36
1
3 DR4 5 1u
9 1u DR3
Z8 Z T G1 R6 S UF400 1u 1u G R64 S UF400
0 1N473 1N473 9 10 K BC327 2 2
5 9 6 2 1 7 2 1 2 7
3 6 1 C31
GND_ 10 10R
IRF840 IRF840
3 R
Z1 C18 GND_ 1u
1N4729
0 47 11 12 3 R7 R7
u R6 C23 47k
1 R67 C24 47k
2
8 22n SAD 22
2 1k A1 2 1k n
L2 L1
J1 14 15 1 2 1 2
JUMPE GND_ V
202.8Vdc 59 59
1 R 3 7
u u
DR1 DR2
G4 R63 D7 UF400 C32 G R65 D8 UF400
INV4 2 7 3 2 7
CD4049
A 1 10R 1u 1 10R
INPAD A 3 2 INPAD IRF840 IRF840
V V
4 4 C34 C28 C3 C3
R7 1u 1u 1u
0 1u
3 R7
R5 R6 C26 47k
0 R66 C25 47k
3
R55 OPTO4 47
7 5 4 9 22n 22
47 6N13 0 R 1k 1k n
0 2 7 8 T s
R5 BC337
7 R59
7 15 G 1k
1
6
6 7 6 1 4
3 K 2
R5
1
8
0 Z11 Z1 T
1N473 1N473 9 10 K BC327
5 2 8
3 6
GND_
4
Z1 C2 GND_
1N472
3 47
2 11 12 4
9 u

14 15
GND_
4

88