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PERSPECTIVA

O renascimento do fsforo negro

XiLinga,HanWangb,1,ShengxiHuanga,FengnianXiac,eMildredS.Dresselhausa,d,1
Um
DepartamentodeEngenhariaEltricaeCinciadaComputaoedDepartamentodeFsica,MassachusettsInstituteofTechnology,
Cambridge,MA02139BMingHsiehDepartamentodeEngenhariaEltrica,UniversidadedoSuldaCalifrnia,LosAngeles,CA90089
EcDepartamentodeEngenhariaEltrica,UniversidadedeYale,NewHaven,CT06511
EditadoporJeanieLau,UniversidadedaCalifrnia,Riverside,CA,eaceitopeloConselhoEditorialem9defevereirode2015(recebidopararevisoem27deagostode2014)

Cemanosapssuaprimeirasntesebemsucedidanaformaagranelem1914,ofsforopreto(Ppreto)foirecentementeredescobertoda
Perspectivadeummaterialemcamadas2D,atraindoumenormeinteressedefsicosdematriacondensada,qumicos,dispositivossemicondutores
Engenheirosecientistasdemateriais.Semelhanteaosdicalcogenetosdegrafiteemetaldetransio(TMDs),oPpretotemumaestruturaemcamadas,
mascom
Umanicageometriadecamadanicaenrugada.PorqueogapdebandaeletrnicadiretadepelculafinaPpretopodeservariadode0,3eVacercade2
eV,
Dependendodaespessuradofilme,edevidosuaelevadamobilidadedoportadorepropriedadesanisotrpicasnoplano,oPpretopromissorparao
romance
AplicaesemnanoeletrnicaenanophotonicsdiferentesdografenoeTMDs.OPnegrocomonanomaterialjatraiumuito
Atenodospesquisadoresnoanopassado.Aqui,oferecemosnossasopiniessobreestematerialemergentecomoobjetivodemotivare
Inspirandocolegaspesquisadoresnacomunidadedemateriais2DeosleitoresdePNASparadiscutirecontribuirparaestenovoeemocionante
campo.Nstambmdamosnossasperspectivassobreofuturo2DefilmesfinosPdireodepesquisaP,comoobjetivodeauxiliarospesquisadores
provenientesdeumavariedadede
Disciplinasquedesejamtrabalharnestecampodepesquisaexcitante.

Fsforopreto|Nanoelectrnico|Optoeletrnicos|Anisotrpico|2Material

No incio de 2014, algumas pesquisas Aqui e pertence ao D18 2 hpointgroup Fnon (17, 18) e supercondutores (19,
Incluindo as lideradas pelos autores (Fig. 1 Ae B), que reduziu a simetria 20), bem como aplicaes em bat-
Fsforo preto reintroduzido (P preto) Comparado com o seu grupo IV contra- (21 23). Em 1953, Keyes (24)
A partir da perspectiva de uma pelcula na em Peas (tal como grafeno) tendo a D4
camadas 6h
Estudaram as propriedades eltricas do P. preto.
Material (1 6), no qual previamente unidi- Simetria de grupo de pontos. A camada nicaVale a pena notar que uma parte signicativa
Propriedades e aplicaes surgiram. O preto P inclui duas camadas atmicas e doisDo trabalho nas dcadas de 1970 e 1980 foi
Desde ento, o P preto, o altropo mais estvel Formado
Tipos de ligaes P P. O comprimento de ligao maispor alguns grupos japoneses que zeram
curto
Do elemento de fsforo, est a emergir De 0,2224 nm conecta os tomos de P mais prximos
Importante emprogresso na pesquisa da P negra,
Um semicondutor promissor com O mesmo plano, eo comprimento de ligao mais Incluindo
longoestudos fundamentais sobre (16,
Para a nanoelectrnica e nanopho- De 0,2244 nm conecta tomos de P entre o 25, 26) e as propriedades pticas (27 29), e
Tnicos (7, 8). Seu nico e poucos- O doping de tipo n com sucesso de P preto por
Superior e inferior de uma nica camada. O topo
Formas atmicas podem ser isoladas por tcnicasVista de preto P ao longo da direo zmostra Telrio (30).
Tais como esfoliao micromecnica, Uma estrutura hexagonal com ngulos de ligao Estes
de estudos iniciais de P preto como um volume
Dando origem a um tipo de Material 2D com 96,3 e 102,1 (11, 12). Material, entretanto, no recebeu muito
Muitas propriedades nicas no encontradas emOs primeiros trabalhos sobre o P preto podem Ateno da pesquisa
ser datados de de semicondutores
Membros da famlia de materiais 2D. Aqui, A primeira dcada do sculo passado. Bridgman Naquela poca, provavelmente devido ao
Apresentamos nossas perspectivas sobre este ltimo Papel dominante do silcio. Apenas a partir de 2014,
(13) obteve com sucesso P preto para o primeiro
Para a famlia de materiais 2D, que pode ser Tempo em 1914 por converso do branco phos- Baseando-se no estudo do grafeno,
Ponte entre o fosso de energia entre o de gra- Fsforo a uma presso de 1,2 GPa e um ele- Nitreto de boro hexagonal em camadas (hBN), e
Feno e dicalcogenetos de metais de transio Temperatura ambiente 200 C. Ao contrrio do TMDs na ltima dcada, o P preto foi
(TMDs), tais como dissulfureto de molibdnioForma branca do altropo de fsforo, preto Redescoberta a partir da perspectiva de uma
(MoS 2 ), disseleneto de molibdnio (mose 2 ),P estvel em temperaturas normais e pres- E material de lme no. Como resultado, a recente
Dissulfureto de tungstnio (WS 2 ) e tungstnioSures Bridgman foi premiado com o Nobel De pesquisa de P preta desde o incio de 2014
lenide (WsE 2 ). Alm disso, tambm oferecemos Em 1946 por "a inveno de uma Principalmente focado no material em seu single-
Produzir presses extremamente elevadas, como
Ponto de vista sobre a utilizao da anisotropia Camada, de poucas camadas, ou pelculas nas onde
Preto para desenvolver eletrnicos, fotnicos Be em como as descobertas que ele fez com novasSurgiram novas propriedades e novas aplicaes
Termoeltricos. O campo da fsica de alta presso ". Contudo,Podem ser desenvolvidos. Dentro de 1 ano, mais de
P preto um nico-elemental em camadas crys- 70
Naquele momento, no havia muito interesse Papis
em foram publicados em preto P lme no,
Material de tallina composto apenas por fsforoO material P preto em si. Alm disso,
tomos (9). Ao contrrio do grupo IV, Pesquisa em preto P tem sido relativamente silencioso
Contribuiesdoautor:XL,HW,SH,FXeMSDescreveu
Como grafeno, silicato ou Para 100 y. Existem apenas cerca de 100 publica-
opapel.
Germanene, cada tomo de fsforo tem cincoNos ltimos 100 anos em preto P ao nosso
Osautoresdeclaramnohaverconflitodeinteresses.
Eltrons da casca externa. Black P tem trs crys-
conhecimento. Contudo, a investigao
EsteartigoumPNASDirectSubmission.JLumeditorconvidado
Estruturas de talline (10): orthorhombic, simples
O P negro fez progressos constantes na decen-PeloConselhoEditorial.
convidado
Cbicos e rombodricos. Semicondutor Seguidas, incluindo o estudo de suas Aquemacorrespondnciapodeserendereada.Email:millie@mgm.
1

Puckered orthorhombic preto P de interesseestrutural (14, 15), transporte (16), ptico, Mit.eduouhan.wang.4@usc.edu.

Www.pnas.org/cgi/doi/10.1073/pnas.1416581112 PNAS | 14deabrilde2015

| Vol.112 | no.15 | 45234530

UMA B Alm disso, a nova fsica, como

De Poisson "relao s (56), e um edge quase plana
96,3 Banda (72) foram relatados devido ao aniso-
Estrutura trpico do favo de mel. Tambm um
gigantefoi
Efeito Stark
predito em fsforo no-quiral
102,1 Eno (73). O potencial da
Material termoeltrico de alto desempenho
5,3 Dispositivos (69) e sensores de gs superiores (70)
foi
Tambm explorada a partir de uma perspectiva
terica.
Essas previses indicam que o P preto um
Z Y Candidato promissor para muitos desses
UMA
B
UMA D Aplicaes.
D
C BC
X Comosuperaralacunaenergtica
X (Poltrona)
Para muitas aplicaes importantes em nano-
C 4 D G0W0
Eletrnica e nanophotnica, a moderada
Banda de P preto ( ~0,3 eV) em sua pelcula na
BSE(G0W
) 0
Forma (espessura >4 nm ou oito camadas) pode
2,0 DFTPBE

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2 Ponte entrede
Bandagem o zero
grafeno (74, 75) ea relao
G1W
1
Um grande intervalo de banda de muitos
0 BSE(G1W1)
1,5 Dicalcogenetos metlicos (1,5 2,5 eV) (76 79)
+Exp
(FIG. 2 A). A estrutura de banda de energia
2 P preto a granel obtido utilizando
1,0 Espectroscopia de fotoemisso(ARPES)
Mostrado na Fig. 1 C. Estudos recentes tm ex-
4 Perimentalmente demonstrado o forte op-
Condutividade eltrica da pelcula na de P preto
0,5
1naa Faixa de comprimento de onda de 5 m,
6 Preto como um candidato atraente para
E optoeletrnica de mdio-infravermelho como
0,0 detec- moduladores e potencialmente genera-
Tores,
0,6 0,4 0,2 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 2 3 -benzico.
eu voc Z T' Como os diodos emissores de luz
Nmerodecamadas
K(1) (LED) e lasers. Recentemente, detectores (64)
E imagiologia (62) foram dem-
FIG.1.EstruturadecristaleestruturadafaixadeP.preto(A)VistalateraldamalhadecristaldePpreto.Ointercalar
Em lmes nos P negros. Mais
Espaamentode0,53nm.(B)VistadecimadamalhadeumacamadapretaP.Osngulosdeligaosomostrados.Acorrelao
Asdirecesx,yezcorrespondentessoindicadasemAeB.xeycorrespondempoltronaeaoziguezague Caracterstica atraente de P preto para optoelec-
DireesdePpreto,respectivamente.(C)EstruturadebandadePpretoagraneltraadapormediesARPES.Umabanda Aplicaes trnicas a ampla faixa de
Diferenade0,3eVclaramenteobservada.Superpostonotoposoasbandascalculadasdocristalemmassa.Azul Do seu intervalo de banda variando o nmero da
Aslinhasslidaseaslinhastracejadasvermelhasindicamasfaixasvaziasecheias,respectivamente.AsdireesdomapeamentoARPESso
camada
(80) e com a aplicao da estirpe (5).
AolongodeU(LZ)eT',comoindicadonaprimeirazonadeBrillionmostradaemInset.EfaenergiadeFermi(1).(D)O
Evoluodafolgadebandacalculadapordiferentesmtodos,eaenergiadopicodeabsoroptica Vrios grupos teoricamente previam
A anao de gap de banda quasi-particu-
DeacordocomonmerodecamadadeempilhamentodePpretodepoucascamadas(31).CeDsoreproduzidascompermissoda
Refs.1e31,respectivamente. P preto de uma ou poucas camadas, estimando que
Pode variar de 0,3 eV na forma de massa a acima
Tanto na teoria quanto na experincia, abrangendo Conceitualmente novas tecnologias eletrnicas2,0 EV na sua forma de camada nica (5, 26),
e fotnicas.
como na Fig. 1 D. Isso foi conrmado
Mostrado
Temas da estrutura da banda (31 33); tensoDispositivos (6, 35, 71).
Utilizando espectros de extino relativos
(5 34 38); Defeitos (39); Intercalao (40); Estudos tericos recentes previram infravermelhos
E microscopia de tunelamento por varredura
E variedades estruturais [fsforo azul Que a monocamada P preta pode ter um
(STM)
2Medies. Conforme ilustrado na Fig. 3 A, Xia et
(41), nanotubos de fforo (42), fosfo- mobilidade elevada furo (10.000 centmetros V 1 s 1 ) (6).
ai. observou o pico de absoro em torno de
(2)
(43 47), e pilha de bila- Alm da espessura do P preto, a deformao 2.700 cm 1 ( ~0.3 eV), que se originou de
Yer fsforo (48)] para caracterizao Prever ser uma forma ecaz de ajuste
O intervalo de banda de P. preto. 3 B, o d I/ d V
mtodos (49 51); Estabilidade e passivao O intervalo de banda de P preto (5, 34 38). Rodin Curva de caracterizao STM em preto P
mtodos (52 55); Novas propriedades fsicasEt ai. (5) relataram que uma compresso uniaxial Medido por Liang et al. (81) indica que
(56, 57); E aplicaes promissoras em Pode transformar P preto de quase O gap de banda eletrnica de uma camada de preto
Electrnica (1 4, 58 61), fotnica (62 67), U m semicondutor de gap de banda direta para Pum 2,05 eV. Alm disso, compresso e
Termeltricas (68, 69) e sensores de gs Semicondutor de gap de banda direta, semimetal, Tenso pode levar a uma modicao signicativa
(70) dispositivos. Alm disso, as estruturas hbridas Ou metal. A modicao da energia A estrutura da banda P preta, especialmente
Entre o P preto e outros materiais 2D Estrutura de banda pode ser ainda mais rica em Cialmente nas suas formas de uma e poucas
Foram tambm estudados para aplicaes optoeletrnicas. P nanoribbon, controlando a borda a ser camadas
(72). Como (34,resultado, uma camada de lme no
es (45, 65) e o seu forte perl anisotrpico Em ziguezague ou poltrona, bem como preto
P pode cobrir um espectro de energia muito amplo
Ropy traz novas oportunidades para inventar Os grupos funcionais nos bordos (46). DentroE interagem fortemente com os

4524 | Www.pnas.org/cgi/doi/10.1073/pnas.1416581112 Lingetai.

UMA Visvel Prximo a IR

IV intermedirio Far-IR Mas a relao on off de seus transistores
Muito alta, sendo facilmente acima de 10 8 , e pode
Atingir 10 10 em alguns casos. Materiais TMD
So, portanto, atraentes para ultra-low-power
Nanoelectrnica. A mobilidade / on off rcio
Combinao para preto P cai em uma regio em
Frequncias (Hz) 10 15 10 14 10 13 10 12 A parcela no facilmente coberta por grafeno ou
(PHz) (THz) Dicalcogenetos de metais de transio tais como
MoS 2 . Trata-se de uma regio em que a
O material est em uma faixa de algumas centenas
TMDC: ~ 1,5-2,5 eV BP: ~ 0,3-2,0 eV Grafeno: intervalo zero Para mais de 1.000 cm 2V 1 s 1 e ao mesmo
tempo
vez que o on proporo fora do dispositivo precisa
Estar na faixa de cerca de 10 310 5 .
B 5 Tais propriedades do P preto podem ser
10
[99] Para a construo de frequncia de gigahertz
104 Eletrnica exvel de alta velocidade Eletrnica de lme. Li et ai. (1) medido
[98] [100]
Uma mobilidade Hall de cerca de 210 cm 2V 1 s
103 [97] [101] [102] Preto p [1] Eletrnica de potncia ultra baixa
at
Temperatura
1 ambiente e acima de 350 cm 2V 1 s
Grafeno [4] [3] [106] 1
Ao longo de uma direo escolhida aleatoriamente
102 [2] [107]
Somente RF Electronics [104]
[103] [108] Amostra P preta de 8 nm de espessura. Xia et ai. (2)
[105]
101 TMDC Mediram a sua mobilidade Hall ao longo do xdi-
De uma pelcula na de P preto de 15 nm de
100 de 600 cm 2V 1 s 1 temperatura
espessura
Acima
100 101 102 103 104 105 106 107 108 acima de 1.000 cm 2V 1 s 1 abaixo
ambiente
E
Relaodeligar/desligar 120 K (Fig. 4 B). Mobilidades de efeito de campo
Semelhantes foram tambm relatados por
FIG.2.Espectrodeondaselectromagnticaseespectrodemobilidade/offoff.(A)Aondaelectromagntica
Grupos (Fig. 4 A) (1, 4, 55, 63 65). Ao longo
Espectroeosintervalosdeintervalodebandadevriostiposdemateriais2D.Asfaixasdefreqnciacorrespondentesa
Asfendasdebandademateriais2Desuasaplicaesemoptoeletrnicatambmsoindicadas(96).(B)a"electrnicaA direo xem massa P preto, o Hall
Espectro",ouseja,oespectrodemobilidade/onoff,denanomateriaiscomregiesdedesempenhocorrespondentes Mobilidade dos furos excede 1.000 cm 2V 1 s 1
Indicadoparagrafeno(97102)(quadradospretosereasombreadacinza),pretoP(14)(pontosroxoseluz A 300 K e 55 000 cm 2V 1 s 1 a 30 K,
roxoreasombreada),eDTM[MoS2(103105),WsE2(106,107),eWS2 (108)](tringulosverdeseluz respectivamente. A mobilidade dos eltrons
reaverdesombreada)transistores.Ospontoscorrespondemadadosderefernciasespecficasindicadosaoladodeles.o
Sombreadassoosintervalospossveisaproximadosdedesempenhorelatadosparaosrespectivosmateriaisna
Xdireo tambm est perto de 1.000 cm 2V 1 s
literatura. A 300 K e est acima de 10 000 cm 2V 1 s 1 at
1

50 K (10). Esses recursos so

Construindo transstores de alta corrente e
Ondas no infravermelho mdio, prximo ao infravermelho Monocamadaede materiais TMD tm Ganhos de poder que so os mais importantes
Freqncia visvel onde muitas Atraiu muita ateno. Sua mo- Atributos para a construo de
Importantes aplicaes em defesa, medicina, Geralmente relativamente baixa (principalmente Amplicadores de potncia e lgica de alta
E comunicao mentira, tais como viso noturna, de 100 cm de V 1 s 1 ) nestes materiais, Circuitos.
2 velocidadeAlm disso, os transstores
Imagens trmicas e comunicao ptica.
Redes de comunicao.

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Comosuperaralacunanamobilidade/onoffUMA Incidentedepolarizaodaluz: B
RelaoEspectro 30 00
As propriedades de transporte de P 300
Entre o grafeno ea maioria das DTM 600
Previamente estudados. FIG.2 Bmostra o 20 900
Mobilidade / on off espectro relao onde ns 1200 Y Z
A mobilidade do material em 1500
Em relao relao corrente on off de tran - 10
180 0
Sistores habilitados por eles. Apesar do possvel X
Variaes da mobilidade em diferentes dispositivos
Condies operacionais, dispositivos transistorizados 0
Com base em diferentes materiais 2D em geral
Cair em zonas diferentes na mobilidade / em 1200 2400 3600 4800 6000
Off como mostrado na Fig. 2 B. Cada Nmerodeonda(cm1)
Regio do espectro corresponde a alguns
Domnios de aplicao chave em nanoelectrnica.
FIG.3.IntervalodebandadepelculafinaepretomonocamadaP.(A)Espectrodeextinorelativoinfravermelho
resolvidoporpolarizaode
UmapelculafinadePpretoquandoaluzpolarizadaaolongodasseisdirees,comomostradoemInset(uma
O grafeno um semimetal 2D com
micrografiapticadeumpreto
Pcomumaespessuradecercade30nm).(Barradeescala,20m.)(B)Doisespectrosdetneisrepresentativos
Mobilidade, mas a proporo de on off de grafeno
traadosnumregisto
EscalaemedidoemumasuperfciedePpreta,mostrandoumgapdebandalargacomumtamanhoestimadode2,05
Transistores muitas vezes inferior a 10 devido
eV.Insetshows
ImagemSTMdealtaresoluo(V bias=+1,2V,Iset=150pA)comumtamanhodevarrimentode2,43,6nm.AeBso
Zero bandgap. Por outro lado, muitos reproduzidas
Compermissoderefs.2e81,respectivamente.

Lingetai. PNAS | 14deabrilde2015

| Vol.112 | no.15 | 4525

Com sua estrutura ortorrmbica enrugada

UMA B
(T=15nm) (T=8nm) Do grupo de pontos D2 h, a massa efetiva de
(T=15nm) (T=8nm) Portadores de P preto ao longo da direo em
1000 ~T
1/2 ziguezague
cerca de 10 vezes maior que aquela ao longo da
Direco da poltrona (16), que induz
600
Forte anisotropia no plano em sua
(6), propriedades pticas (2, 6) e fones
300 Z Y (2). Tais propriedades so compartilhadas por
X
TMDs em camadas menos conhecidas, tais como
P=6,7x10 cm
12 2 rhe-
Dissulfureto de nio
(Res 2 ) e dis- rnio
100 Elenide (ReSe 2 ), e juntos podem
10 30 100 300
Um novo domnio de produtos eletrnicos e
Temperatura(K)
Pesquisa de dispositivos fotnicos onde os
C D 35 Propriedades anisotrpicas de materiais 2D podem
G ApsDeembedding
ser
Usado para inventar novos produtos eletrnicos e
30 |H21|2
MSG/MAG
optoeletrnicos.
Aplicaes de dispositivos trnicos. Aqui, ns
25 voc introduzimos
Dois exemplos possveis : ( i) dispositivos
LG=300nm plasmnicos
Com anisotropia intrnseca na sua ressonncia
20 Propriedades e ( ii) alta ecincia termo-
Eltrica usando a ortogonalidade no calor
S BP S 15
BP E direes de transporte de eltrons.
10 Fmax=20GHz Recentemente, Low et al. (83) relataram teo-
X Trabalho prvio que prev o plasmdeo
D SiO2 5 anisotrpico de ressonncia magntica em preto P
Propriedades
FT=12GHz atmico como mostrado na Fig. 5 Um. No
Cristais,
0 grafeno
Dispositivos plasmnicos com geometria de disco,
1 10
Freqncia de ressonncia plasmnica
Frequncia(GHz) Uma dependncia escalar da onda momentum
FIG.4. PropriedadeseletrnicasdefilmefinoPpreto.(A)Folhadecondutividademedidaemfunodatensodeporto
Vetor qdenido pelo tamanho dos discos.
Em claro contraste, o sistema eletrnico
Paradispositivoscomespessurasdiferentes:10nm(linhacontnuapreta),8nm(linhacontnuavermelha)e5nm(linhacontnuaverde),
Excitao 2em
comvaloresdemobilidadedeefeitodecampode984centmetros2V1s1,197centmetros2V1s1,e55centmetros V1P preto
s1 exibem um forte
,respectivamente.(Inserir)
Asmobilidadesdeefeitodecampoforamextradasdoajustedelinhadaregiolineardacondutividade(linhastracejadas).A
Anisotropia plana. A ressonncia plasmnica
Reproduzidocompermissodaref.1.(B)MobilidadeHallresolvidaemngulovs.temperatura.(Inset)Vistaesquemtica Em dispositivos P pretos tero um desvio vetorial
DeumaPdecamadanicapretamostrandodiferentesdireescristalinas.Breproduzidocompermissodaref.2.
Pendncia na dinmica. Assim, simplesmente por
(C)EsquemadaestruturadodispositivodetransistorPpreto.(D)GanhodecorrenteepotnciaemtransistoresPpretosem
Gigahertz.Somostradosoganhodecorrentedecurtocircuitoh21,ganhomximoestvel (MSG)/mximo Alterando a direo de polarizao linear
Da luz incidente, o plasmon reso-
Ganhodisponvel(MAG)eganhodepotnciaunilateralUdodispositivodecomprimentodecanalde300nmapsdesincrustao.
CeDsoreproduzidoscompermissodaref.58. Frequncia de transmisso da estrutura pode ser
Continuamente sintonizado (Fig. 5 B). A anao
Depender do nvel de anisotropia
Preto P lme no mostrou excelente corrente (Fig. 4 D). Comparado com o grafeno Em suas condutividades de direo xe y, o
saturao e uma em off relao atual Transistores, estes de primeira gerao high- Ambiente dieltrico e os
Acima de 10 5 (Fig. 4 A) (1), ambos oferecendo chave
Os transistores P de alta velocidade j Projeto do teste padro. Isto d
Vantagens sobre os transistores de grafeno para Desempenho superior de preto P para rdio- Mesmo com geometria altamente simtrica
Alog e eletrnica digital. Alguns detalhes freqncia (RF) em termos de (Como discos) um boto de sintonia adicional
Discusses sobre o contato eltrico (59, 82) Tenso e ganho de potncia devido ao bom A polarizao da luz que no est disponvel
E os efeitos do tampamento dieltrico (60) tm Propriedades de saturao atuais Plasmnicos convencionais base de metais e
Tambm foram relatados. Al 2 O 3 camadas exteriores O intervaloeramde banda P negro nito. Assim sendo, Grafeno plasmnico, onde o ma-
Efetivamente usado para proteger dispositivosNegro P negros
um candidato promissor para o futuroPropriedades isotrpicas.
Melhor estabilidade e conabilidade, bem como Alta tecnologia de eletrnica de lme no A termoeltrica outro campo em que
Para reduzir o nvel de rudo dos transistores Para operar no sistema multi-gigahertz As propriedades de transporte anisotrpico de
(53, 55). Recentemente, Wang et al. (58) dem-Freqncia e alm. nano-
Materiais podem permitir um desempenho
Onstrated a operao de preto P campo- Melhorias. Os dispositivos termoeltricos
Transistores de efeito (FETs) em gigahertz fre- AnisotropiaInPlaneparaDispositivo Sobre o efeito Seebeck para converter o uxo de
Pela primeira vez (Fig. 4 Ce D). Aplicaes calorenergia eltrica. Tais dispositivos tero
Em
O cho padro sinal solo (GSG) Embora o P preto possa oferecer Muitas aplicaes no desenvolvimento de estado
Almofadas foram fabricadas para realizar a transio Vantagens sobre o grafeno e as DTMs slido, eletrnicos portteis passivos
Sistemas
De um cabo coaxial de micro-ondas para Muitos domnios tradicionais da nanoelectrnica Tems. A ecincia de converso propor-
Coplanar. As medidas Nanophotonics, a aplicao mais emocionantecional para a proporo de um dispositivo 's
O resultado de segurana mostra que o curto-circuito Cao de P preto pode ainda surgir da sua Condutncia elctricos sua condutncia trmica,
Freqncia de corte de ganho de corrente fT Propriedades
12 GHz nicas a anisotropia no plano Que quanticado coletivamente pelo
E a frequncia mxima de oscilao (2, 6) que gera oportunidades para a concepo- Molecular de mrito (ZT). altamente
Fmax de 20 GHz em comprimento de canal de Conceitualmente
300 nm novos dispositivos e aplicaes. Desejvel para alcanar altas

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Freqncia de ressonncia freqentemente Tpico interessante para explorar a nova fsica

UMA Sintonizvel com polariza luz
em Em P. preto. Recentemente, Wang et al. (71) postadas
Um estudo que reporta as caractersticas altamente
Luz Linearmente Polarizada anisotrpicas
Excitons e
rmemente ligados em P preto, usando po-
Fotoluminescncia resolvida por larizao
Certas garantias. A energia de ligao da exciton foi
Extrada da diferena de energia entre
uma
D O pico de emisso excitnica e o quasi-
Gap de banda de partculas, que considerado como
Grandes como 0,9 0,1 eV. Esses resultados
Que o eltron, o fonon, o exciton e outros
Muitos efeitos do corpo em preto P esto cheios de
Novidades e tcnicas de espectroscopia so
Provavelmente desempenhar um papel crtico em
futuros estudos.
B Snteseemgrandeescalaemateriais
Estabilidade
O sucesso futuro do P preto na eletrnica
Aplicaes fotnicas sero criticamente
Dependem do desenvolvimento de sistemas de
Escala mtodos de sntese. Sntese de P preto
Pode ser rastreada at 100 anos atrs. Em 1914
Bridgman (13) relatou primeiro um mtodo
Converter P branco em P preto a uma taxa moderada
Temperatura de 200 C e uma alta presso de
1,2 GPa dentro de 5 30 min, enquanto recentemente
Rissi et ai. (87) relataram que o vermelho amorfo
P poderia ser transformado em preto cristalino
P a 7,5 0,5 GPa mesmo temperatura ambiente.
Por fuso de P negro a uma temperatura de
FIG.5. PropriedadesanisotrpicasdePpretoparaaplicaesdeplasmnicasetermoeltricas.(A)Esquemasdepreto
900 C e sob uma presso de 1 GPa,
Pbaseddispositivosplasmnicoscomanisotropiaintrnsecaemsuafreqnciaderessonncia.(Direito)Oplasmicocalculado
Preto P monocristais maiores do que 5 5
DispersesaolongodeambasasdirecesxeydeumcristalPnegro(adoptadoemodificadoapartirdareferncia83).(B)Esquema
MostrandoaortogonalidadeentreocalordominanteeasdireesdetransportedeeltronsnoPpretodecamadanica,como
10 mm 3 , conforme relatado por
Relatadonareferncia.69(inspiradoporumdesenhosemelhantenareferncia69).
Endo et ai. (88). Tcnicas alternativas
Sem usar alta presso tambm foram
Condutividade trmica simultaneamente, Variedades de oportunidades de pesquisa oferecem Desenvolvidos, como a tcnica envolvendo
Maximizar ZT. Em um artigo publicado recentemente Exploratrio para os experimentalistas. Mercrio como catalisador, desenvolvido por Krebs
(69), os clculos dos primeiros princpios revelaram Estudar estas fascinantes propriedades e Et ai. (89), o bismuto-uxo mtodo baseado
Que a monocamada P preta apresenta espacialmente Novas aplicaes com base nas suas Por Brown et al. (15), eo mtodo baseado
Condutas eltricas e trmicas anisotrpicas Estrutura anisotrpica, um mtodo convel Sobre uma reaco de transporte qumico por Lange
Tncias. Porque o proeminente sistema Identicar rapidamente e de forma no Et ai. (90) que pode usar um mtodo relativamente
Direco de transporte (poltrona) ortogonal Cristal de uma amostra de P preta simples
Enquanto evita catalizadores txicos ou
Para a direco de transporte de calor proeminente Urgentemente necessrio. A espectroscopia deMtodos IV foi de uxo "sujo "(91, 92). Contudo, para
(Zig-zag), a razo entre essas condutncias Da equipe da Yale / IBM para O melhor de nosso conhecimento, todos os
Pode ser signicativamente melhorada (Fig. 5Identicar B). Isto a orientao do cristal de P preto Desenvolvidos at agora focados na sn-
Previu que ZT em monocamada P preto pode Amostras, vrias dezenas de micrmetros de tamanho Tes de cristais negros em massa, mas no
Alcanar 2,5, que atender aos requisitos (2). A absoro de IR ao longo da poltrona Filme no ou formas 2D a uma escala de bolacha.
Para uso comercial, ao longo da poltrona A direo atinge um mximo devido este
provavelmente devido ao fato de que poucos tm
A 500 K. ZT tambm superior a 1 em Absoro anisotrpica de P preto, conforme Considerado P negro a partir da perspectiva
Temperatura ambiente com dopagem moderada Na Fig. 3 Uma. A espectroscopia Raman geralmente De um material 2D antes da recente re-
( ~2 10 12 cm 2 ). Assim, o P preto um Considerado um processo rpido e no destrutivo Vival de interesse neste material. No futuro
Material exvel mecanicamente que possa Mtodo de caracterizao de materiais e Investigao, mais esforo combinando competncias
Permitir energia de calor de alta ecincia ecaz para tamanhos de ocos at alguns Cincia e qumica de materiais devem ser
Converso a temperaturas ambiente ( ~300 K) Micrmetros ou mesmo menor. Os trs Dedicado ao desenvolvimento de uma
Sem qualquer engenharia complexa. Mais- Modos Raman tpicos em P preto, com A g1 , Mtodo de sntese para lmes nos P negros ou
Sobre, Lv et al. (84) abordou tambm as grandes B 2g e A g2 simetria, foram relatados para Nanosheets de uma ou poucas camadas na bolacha
Fatores de potncia termoeltricos em P Polarizao laser diferente dependem Onde mais oportunidades de aplicao se encontram.
Um nvel ptimo de dopagem. Zhang et ai. (85) Dncias, que esto fortemente relacionadas com Tambm importante desenvolver mtodos
Relatou que a poltrona semicondutora Cristal (86). A espectroscopia Pode sintetizar grande rea de cristal nico-no
Fosforeno nanoribbons so promissoras can- Caracterstica neste exclusivo connado e in- Filmes em que as propriedades anisotrpicas
Para aplicaes termeltricas. Estes Estrutura anisotrpica plana uma O P preto pode ser explorado em escalas maiores.

Lingetai. PNAS | 14deabrilde2015

| Vol.112 | no.15 | 4527

UMA Semicondutores, tais como silcio e III V

103 Materiais, para permitir uma melhor conabilidade
edesempenho. Existem muitas dessas tcnicas
102
Usado pela indstria de semicondutores que
Alo XBP
101 Pode tambm aplicar-se para proteger dispositivos
BareBP P negros
Tais e podem constituir uma
estudos
100 Importante para futuras pesquisas.
0 50 100 150
BP AlOx/BP Tempo(horas) Direesfuturas
Em resumo, j vimos algumas
B Atividades de pesquisa interessantes, mas
VTG espordicas
Desde o incio de 2014, demonstrando
Detectores, moduladores, transistores RF, sen-
BP Sores, etc., mas tanto o estudo fundamental
VSD E pesquisa de aplicaes em camadas P preto
BN Esto ainda na sua infncia com muitos no-
http://www.pdf.investintech.com/preview/66fb7214-25d6-11e7-922a-002590d31986/index.html 4/7
2017-4-20 www.pdf.investintech.com/preview/66fb7214-25d6-11e7-922a-002590d31986/index.html
G Resolvido problemas e idias inexploradas. Aqui,
BG
SiO2 Discutimos alguns tpicos para pesquisas futuras
VBG de P que pode ser de interesse para a pesquisa
Preto
2m
Comunidade em geral. Sobre as
Lado, ser muito interessante estudar o
FIG.6.EncapsulamentoprotetordematerialedispositivosPpretos.(A)imagensAFMerelaodeligado/desligadodepreto
Comportamento de vrios tipos de polaritons e
PFETspelculafinasemecomAlOxsobrecamadadeprotecoemfunodotempodeexposioambiente.Areproduzidocom
Sua dependncia da orientao cristalina em
Permissodaref.53.(B)MicrografiaesquemticaepticadeumdispositivoPpretocomcontactodegrafenocom
Uma nica camada e poucas camadas de P preto,
Encapsulamentodenitretodeboro.Asreastracejadasvermelhaepreta(Centro)mostramocristaldefsforopretoeumadas
Astirasdegrafeno,respectivamente.AcamadadeencapsulamentoBNtambmmostrada.Breproduzidocompermisso
comoe exciton polaritons. Avanado
Mon
Daref.94.
Transporte, como o ngulo-re-
Resolvido efeito Hall quntico em nica ou
poucos-
Camada preta P, so tpicos de pesquisa
Embora cristais em massa de P preto sejamExponencialmente
estveis no quadrado do intervalo de energia
importantes
Para compreender a dinmica da
Sob condies ambientais durante pelo menosDa alguns
camada. Neste ponto, o desenvolvimento de
Este material no limite de Quantum 2D
Meses, o P preto em sua camada nica e de poucas Mtodos camadas
de proteco social para abrandar e
Connamento, sujeito a fortes
Formulrios instvel na presena de Eliminar o processo de degradao necessria.
Isotropia. Para aplicaes nanoelectrnicas,
Da humidade e do oxignio no ar (49). Vrias experincias recentes demonstraram
Pelcula na P preto com espessuras na
Amostras de 10 nm de espessura sem Uso de alumnio oxidado como passivao
Gama de 4 10 nm pode oferecer o melhor trade-
A proteco pode degradar-se em dias, enquanto Para isolar a superfcie P preta do
off entre a mobilidade e sobre atual off
Gle-layer e amostras de poucas camadas podem Ambiente (53, 93), que funciona efetivamenteQue muito atraente para o desenvolvimento
dentro de horas. Mark Hersam 'grupo s na Reduzindo a degradao de uma espessura relativamente
Sistemas eletrnicos exveis de alta velocidade
A Northwestern University relatou Amostra ( ~5 nm). Outras tcnicas, como Pode operar na freqncia de multigigahertz
Espectroscopia detalhada de fotoeltrons de raios Revestimento
X de poli (metacrilato de metilo) (PMMA)
Gama e alm. Como um semicondutor com
(XPS), microscopia de fora atmica (AFM) e(4), grafeno e encapsulamento de hBN (Fig. Uma mobilidade respeitvel e uma banda
Espectroscopia infravermelha de transformada6 de B)Fourier
(94), foram igualmente propostas moderada analgica e digital
Eletrnica
(FTIR) caracterizaes que elucidam Mesma nalidade com vrios nveis de sucesso. Ser construdo com base no P. preto.
Os mecanismos de degradao subjacentes Em geral, o P preto possui boas propriedades Disponibilidade trmicas intrnsecastanto de tipo p quanto de tipo n
Preto P (53). Caracterizao XPS mostra Estabilidade eo material estvel em (dopado
De forma controlada usando telrio)
Que os picos de PO x apareceram aps exposio Temperatura se isolada da gua e oxi- Cristais pretos de P, metal complementar ox-
Preto para ar durante 1 dia, e FTIR Gen. Black P pode no ser to estvel como outros Ide semicondutor (CMOS)
Observou tambm o P O Materiais 2D, como grafeno e TMDs, em As realizaes podem ser realizadas usando
Modo de alongamento em cerca de 880 centmetros Presena 1 ede oxignio e gua, mas somente
Para P preto.fotnicas, o P preto o
aplicaes
Um P=Ostretchingmodeataroundound1,200cm J esto
1 , avanando no desenvolvimento de Adequado para dispositivos optoeletrnicos em
Sugerindo a formao de fosfato oxidado Mtodos ecazes de passivao para superar E meados
espectro infravermelho prximo varia. Por con-
Espcies de fsforo que levam degradao da Degradao. Aprendendo com a com- Trolling o nmero da camada e tenso, preto P
o material. No entanto, aps ser encapsu- Sucesso comercial de materiais relativamente Pode instveis
abranger a gama de espectro infravermelho
Por sobreposies de Al 2 O 3 , os ocos de P Como os semicondutores orgnicos ea tecnologia De grande interesse para aplicaes em
So estveis durante pelo menos vrias semanas Importncia
numa lgica de muitas substncias txicas Viso noturna e viso ptica
Ambiente ambiente (Fig. 6 A). Alm disso, Materiais instveis como mercrio cad- Redes de comunicao. Tambm possvel
Outras equipes relataram um deg- Tureto de magnsio (HgCdTe), acreditamos que Ligaa preta P com arsnico para formar preto
Radiao de P negro no ar (52, 54). Favron Estabilidade no deve ser vista como um P x As (1-x) (95). Nesta liga, a composio
Et ai. (54) publicou recentemente um estudo Impedindo a realizao de novas pesquisas De fsforo e de arsnio podem ser
A foto-oxidao do P preto exposto a material. muito provvel que boa passivaoVariou de 0% a 100%, portanto, po-
Laser in situ por Raman e transmis- E tecnologia de embalagem pode resolver esteAjustando - o gap da banda abaixo de 0,3 eV
sion electron spectroscopic characterization. sue. In fact, passivation and packaging are and toward 0.1 eV. Such alloys may have
The oxidation rate is predicted to depend essential even for many of the commercializedband gaps that can cover the spectral range

4528 | www.pnas.org/cgi/doi/10.1073/pnas.1416581112 Lingetal.

from 5m to 12m wavelength where to be accessed for potential electrical and ACKNOWLEDGMENTS.TheauthorsthankProf.David
many applications of infrared optoelectronicsoptical sensing applications in biomedical Tomanekforhiseffortinorganizingthefirstconference
solelyfocusedonblackphosphorus,InformalPhosphor
lie, such as high-performance thermal im- research. This material system also presents eneSymposium14.X.L.,S.H.,andM.S.D.acknowledge
aging and chemical sensing. Furthermore, challenges and opportunities for chemists andsupportfromGrantNSF/DMR1004147.H.W.acknowl
edgessupportfromtheArmyResearchLaboratory
expertise in chemistry and biology is needed biologists to work closely together with phys-(W911NF1420113).F.X.acknowledgessupportfrom
to access the biostability and biotoxicity of icists and engineers in this highly multidisci- theOfficeofNavalResearch(N000141410565),the
this phosphorus-based material. Their com- plinary eld to explore both the fundamentalsAirForceOfficeofScientificResearch(FA9550141
0277),andtheNationalScienceFoundation(CRISPNSF
patibility with various biological agents needsand applications of this emerging material. MRSECDMR1119826).

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