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UniversidaddeCarabobo

FacultaddeIngeniera
DepartamentodeElectrnicayComunicaciones
ElectrnicaI
Prof.CsarMartnezReinoso

Gua de Ejercicios

Parte IV. Transistores FET

1. Para el circuito de la figura, con K=1/2nCoxW/L=2mA/V2, |VT|= 4V y =200.


Determinar:
a. Punto de operacin del transistor M1.
b. Punto de operacin del transistor Q2.
c. Valores mximos de voltaje drenaje-fuente y de corriente de drenaje que
pueden estar presentes en el circuito correspondiente al transistor M1.

2. Para el circuito de la siguiente figura, los parmetros de los dispositivos son:


|VT|=3V, K=1/2nCoxW/L=4mA/V2, IDSS=12mA, |VP|=3V. Considerar despreciable
el efecto de modulacin del canal y el efecto Early (VA=). Determinar:
a. El punto de operacin de M1.
b. El punto de operacin de J1.
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3. Para el circuito de la siguiente figura, los transistores M2 y M3 son exactamente


iguales, los parmetros de los dispositivos son: |VT|=3V, K=1/2nCoxW/L=2mA/V2,
IDSS=10mA, |VP|=2V. Considerar despreciable el efecto de modulacin del canal y
el efecto Early (VA=). Determinar:
a. La corriente de polarizacin definida por la fuente de corriente.
b. El punto operacin de J1.

4. Para el circuito de la siguiente figura, los transistores M1 y M2 son exactamente


iguales, al igual que los transistores J1 y J2, los parmetros de los dispositivos son:
|VT|=3V, K=1/2nCoxW/L=2mA/V2, IDSS=16mA, |VP|=3V. Considerar despreciable
el efecto de modulacin del canal y el efecto Early (VA=). Determinar:
a. El punto de operacin de J1.
b. Grfico de la recta de carga en DC para J2, indicando los valores de inters
en dicho grfico.
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5. Para el circuito de la figura, J1 posee las siguientes caractersticas, IDSS=9mA y


|VP|=2V y J2 IDSS=12mA y |VP|=3V. Considerar despreciable el efecto de
modulacin de la longitud del canal para ambos dispositivos (VA=). Determinar:
a. Punto de operacin de J1.
b. Punto de operacin de J2.
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6. Para el circuito de la figura, J1 es exactamente igual a J2 y poseen las siguientes


caractersticas, IDSS=9mA y |VP|=2V. Tambin se conoce que M3, M4 y M5
tambin son exactamente iguales y sus caractersticas son K=1/2nCoxW/L=2mA/V2
y |VT|=2V. Considerar despreciable el efecto de modulacin de la longitud del canal
para todos los dispositivos (VA=). Determinar:
a. Punto de operacin de M3.
b. Punto de operacin de M4.
c. Punto de operacin de M5.