UniversidaddeCarabobo

FacultaddeIngeniera
DepartamentodeElectrnicayComunicaciones
ElectrnicaI
Prof.CsarMartnezReinoso

Gua de Ejercicios

Parte I. Semiconductores

1. Un electrn de un determinado material se encuentra en estado estacionario con un

nmero cuntico n=3, al ser el material excitado a travs de un campo elctrico,
dicho electrn se ubica en un estado estacionario con un nmero cuntico n=6.
Determinar:
a. La energa cintica que posee el electrn en su estado inicial.
b. La energa potencial que posee el electrn en su estado inicial.
c. La frecuencia de irradiacin de energa durante la transicin.
d. La longitud de onda de la energa emitida durante la transicin.
e. La energa total que posee el electrn en su estado final.

2. Dos electrones se encuentran orbitando en estado estacionario alrededor de su

ncleo describiendo trayectorias concntricas y circulares sobre el mismo plano, el
primer electrn posee una rbita de radio 2,12. Determinar:
a. El nmero cuntico del nivel de energa que debe poseer el segundo electrn
para que el rea efectiva entre las dos trayectorias sea de 2,12*10-18m2.
b. La frecuencia de la energa emitida cuando el segundo electrn trasciende a
un estado estacionario con un nmero cuntico n=5.

3. Un electrn posee una energa potencial cuantizada inicial de -6,789eV, luego de

experimentar una transicin a un estado estacionario final, su energa potencial es
de -1,086eV. Determinar:
a. El radio de la rbita final del electrn.
b. La energa cintica inicial del electrn.
c. La frecuencia de la radiacin resultante durante la transicin entre el estado
estacionario inicial y el final.
d. La energa resultante en la transicin es irradiada o absorvida? Por qu?.

4. Un electrn posee una energa cintica cuantizada inicial de 8,690*10-20J,

experimenta una transicin a un estado estacionario final irradiando energa a una
frecuencia de 6,88*1014Hz. Determinar:
a. La energa mecnica inicial del electrn.
b. El radio de la rbita final del electrn.
c. La energa potencial final del electrn.

5. Determinar el nmero de electrones por unidad de volumen en la banda de

conduccin en un cristal de silicio intrnseco a:
a. T=100K
b. T=300K
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6. Determinar analtica y grficamente el valor de temperatura en el cual el ancho de la

banda prohibida de un cristal de germanio es igual al ancho de la banda prohibida
de un cristal de silicio. Cul es dicho nivel de energa?

7. Determinar el porcentaje de cambio de la resistividad de un cristal de silicio

intrnseco cuando su temperatura pasa de 20C a 30C. Considerar que para este
cambio de temperatura la movilidad tanto de los huecos como de los electrones
permanecen constantes.

8. Un cristal de germanio intrnseco posee un ancho de su regin prohibida de 0,72eV.

Determinar:
a. Conductividad del material.
b. Resistividad del material.
c. Porcentaje de flujo de corriente de desplazamiento debido a huecos y
electrones.

9. En un semiconductor extrnseco de tipo P en equilibrio trmico (0K), la

concentracin de impurezas aceptoras es 1,6*1016m-3, cuando se incrementa la
temperatura a 400K. Determinar el porcentaje de incremento de concentracin de
electrones y huecos.

10. Se tiene un semiconductor de silicio intrnseco de longitud 25cm y rea de seccin

transversal 0,125cm2, el ancho de la regin prohibida se encuentra en 1,1eV. Al
semiconductor se le aplica un potencial elctrico en sus extremos, generando un
campo elctrico interno que es funcin de la posicin de la forma que se muestra en
el siguiente grfico. Considerar las movilidades de electrones y huecos constantes
n=1350cm2/V*s y p=480cm2/V*s respectivamente. Determinar:
a. El grfico de la aceleracin media tanto de los huecos como de los electrones
en funcin de la posicin en el conductor.
b. La resistencia del material.
c. El grfico de la densidad de corriente de desplazamiento debido a los huecos
en el material.
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11. Se ha dopado un material de silicio intrnseco a T=300K con una concentracin de

impurezas aceptantes NA=1014cm-3 y una concentracin de tomos donantes
ND=1015cm-3. Determinar las nuevas concentraciones de electrones y huecos luego
del dopaje.

12. Un material de germanio intrnseco a 300K se dopa con una concentracin de

tomos donores de 1016cm-3 y con una concentracin de tomos aceptores de
4*1015cm-3. Si debido a una fuente de luz en el borde de una de sus caras, se genera
un exceso de pares electrn-hueco a una concentracin del 80% de la concentracin
inicial de electrones luego del dopaje. Considerar que las movilidades de electrones
y huecos son respectivamente: n=1350cm2/V*s y p=480cm2/V*s, as como los
coeficientes de difusin de electrones y huecos son respectivamente: Dn=34cm2/s y
Dp=13cm2/s.
a. Considerando el efecto de recombinacin independiente de la distancia y un
tiempo de vida media de los huecos de 5s, determinar el tiempo que tarda la
concentracin de huecos en caer al 30% de su valor inicial luego de apagar
la fuente de luz.
b. Determinar la resistividad del material cuando el efecto de recombinacin ha
cesado por completo, tanto en tiempo como en distancia.
c. Considerando el efecto de recombinacin independiente del tiempo,
determine la densidad de corriente de difusin de huecos en x=Lp=2 y en
x=Lp.

13. Una muestra de silicio de longitud L=2cm y rea de seccin transversal A=1cm2 a
300K, posee una concentracin de tomos donantes de 1016cm-3 y de impurezas
aceptantes de 5*1015cm-3. Si debido a una fuente de luz en el borde de una de sus
caras, se genera un exceso de pares electrn-hueco a una concentracin dos veces la
concentracin inicial de huecos luego del dopaje. Las caractersticas del material
son las siguentes: movilidades n=1350cm2/V*s y p=480cm2/V*s, tiempos de vida
media p=1s y n=1,5s, longitudes de difusin Lp=15cm y Ln=20cm, coeficientes de
difusin Dn=34cm2/s y Dp=13cm2/s. Determinar:
a. La resistencia del material semiconductor justo antes de colocar la fuente de
luz.
b. Considerando el efecto de recombinacin independiente de la distancia, el
tiempo que tarda la concentracin de huecos y de electrones en el material
en caer al 67% de su valor inicial luego de apagar la fuente de luz.
c. Considerando el efecto de recombinacin independiente del tiempo, la
densidad de corriente en la cara opuesta del material.

14. Se tiene un material semiconductor de silicio a 300K, de dimensiones w=2cm,

d=6cm, por el que se hace circular una corriente de 1A en el sentido +i, dicho
material est sometido a un campo magntico constante de 10Wb/cm2 que acta en
sentido +k. Se midi la tensin V12 dando como resultado -2V. Determinar:
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a. Tipo de material.
b. Densidad de carga en el material.
c. Coeficiente de Hall.
d. Concentracin de electrones y huecos en el semiconductor.

15. Se tiene un material semiconductor de germanio a temperatura T=300K, de ancho

w=2cm y alto d=4cm, por el que se hace circular una corriente de 0,5A en el sentido
+j, dicho material est sometido a un campo magntico constante de 10Wb/cm2 que
acta en sentido +k. Se midi la tensin V12 dando como resultado 3V. Determinar:
a. Densidad de carga en el material.
b. Coeficiente de Hall.
c. Concentracin de huecos en el material.
y

2 1 x