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UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

Escuela de Ingenieras Elctrica, Electrnica y de Telecomunicaciones

DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
TALLER DE REFUERZO #1: Diodos
Prof: Javier Ardila, Juan Moya & Elkim Roa

1. Para el circuito de la Fig.1 bosqueje la corriente Ix a medida que la tensin DC de Vx crece desde -5
hasta 5V. Suponga dos casos: a) Vx=1V y b) Vx=-1V. Observe que el diodo es ideal.

2. Suponiendo que la corriente en el circuito de la Fig. 2, Iin es de la forma I i n =I O sin(2 f t ) [A];


donde Io es relativamente grande. Bosqueje la tensin Vout como una funcin del tiempo.

Fig. 1 Fig. 2

3. Asumiendo que Von, 0.8 V para los diodos de la Fig. 3, determine una expresin para la relacin
Vout/Vin de pequea seal Cul es el cambio de tensin en Vout si la tensin Vin cambia de 2.4 a
2.5V? Asuma el coeficiente de emisin n=1 y temperatura ambiente.

Fig. 3
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4. Encuentre el punto de polarizacin de la tensin Vx y la corriente Ix del circuito mostrado en la Fig.


4, sabiendo que el diodo sigue el modelo exponencial con Is=10^-9 A y n=1.2. Tenga en cuenta que
Vcc=10V y Icc = 5mA.

Fig. 4

5. Consider the circuit shown in Fig. 5, where Is=2x10^-15A and n=1. Calculate VD1 and Ix for Vx =
0.5V, 0.8V, 1V, and 1.2V. Note that VD1 changes little for Vx >0.8V.

6. We have received the circuit shown in Fig. 6 and wish to determine R1 and Is. Measurements
indicate that Ix=1mA for Vx=1.2V and Ix=2mA for Vx=1.8V. Calculate R1 and Is. (n=1).

Fig. 6
Fig. 5

7. Como una aproximacin de mano, se puede considerar que la corriente de saturacion del diodo Is se
duplica por cada 5C de aumento en temperatura cuando el diodo est en la regin de polarizacin
directa. Con esta informacin, se tienen diodos diferentes (reas de unin diferentes), con n=1 para
todos, a los cuales se les ha medido la tensin VD a diferentes temperaturas y con diferentes corrientes
de unin (ID). Para cada caso, estime la tensin del diodo a 1mA y 25C.

a) 620mV @ 10uA y 0C, c) 590mV @ 100uA y 100C, e) 850mV @ 10mA y -50C.


b) 790mV @ 1A y 50C, d) 700mV @100mA y 75C,
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6. Asumiendo para el circuito de la Fig. 7 que la seal sinusoidal de baja frecuencia y con una amplitud
relativamente grande, que el diodo es ideal y que la condicin inicial del capacitor es de 0V; por favor
bosqueje la seal Vout como una funcin del tiempo para al menos un periodo de Vin.

Fig. 7

7. Realice la deduccin de una expresin que permita estimar la tensin de rizado para el rectificador
mostrado en la Fig. 8. Tenga en cuenta que los diodos presentan una cada de aproximadamente Von V.

Fig. 8

8. Encuentre una expresin para aproximar la corriente pico Ipk que experimenta cada diodo cuando se
encuentra en estado de conduccin De qu depende este valor?, Cul es la tensin mxima de reversa
que experimenta cada diodo?

9. Un adaptador de 3V usa un rectificador de media onda y debe entregar una corriente promedio de
0.5A a su carga con una tensin de rizado no mayor a 300mV. Para la frecuencia de operacin de la red
elctrica estndar de una casa Colombiana, encuentre el valor apropiado para el condensador de
filtrado.

10. Un rectificador de onda completa tiene una seal de entrada V i n=V O cos t [V], donde Vo = 3V
y =2(60Hz). Asumiendo una cada en los diodos Von 750mV, determine la amplitud de la tensin
de rizado con un condensador de 1000uF y una resistencia de carga de 30.
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11. Una pieza de material semiconductor de silicio tipo n, tiene una longitud de 0.1um y una seccin
transversal de 0.05um x 0.05um, manteniendo una diferencia de potencial de 1V entre sus extremos. Si
el nivel de dopado es de 10^17 cm^-3, calcule la corriente total que circula por el material a una
temperatura de 27C y a 120C. Asuma n = 1350 cm/(V.s) y p = 480cm/(V.s) para el silicio y
recuerde que adems la relacin de densidad de portadores en el silicio intrnseco sigue la relacin:

Con T dada en Kelvin. Eg= 1.12eV, k=1.38x10^-23 J/K.

12. Fig.9 shows a p-type bar of silicon that is subjected to electron injection from the lefth and hole
injection for the right. Determine the total current flowing through the device if the cross section area is
equal to 1um x 0.7um.

Fig. 9
13. Una unin pn tiene ND= 5x10^17 cm^-3 y NA = 4x10^16 cm^-3. Determine:
a) La concentracin de portadores minoritarios y mayoritarios en ambos lados de la unin.
b) Calcule la tensin de barrera a 10C, 25C y 50C.

14. Un oscilador requiere el perfil de capacitancia variable mostrado en la Fig. 10. Si se usa una unin
pn para tal propsito, encuentre NA y ND.

15. En la Fig. 11, los diodos presentan corrientes de saturacin Is1 e Is2. Demuestre que el equivalente
paralelo se comporta como un dispositivo exponencial, adems encuentra la corriente que pasa por
cada diodo si la corriente total del circuito es la que se muestra (Itot).

VD (V)

Fig. 11
Fig. 10