Medida de Quatro Pontas

Autor: Mauricio Massazumi Oka

Verso 1.0 (janeiro 2000)

Introduo

A tcnica de medida de quatro pontas largamente usada para a medida de

resistividades e resistncias de folha. O mtodo em si no novo, tendo sido empregado
j em 1916 para a medida de resistncia de terra. Trata-se, em princpio, de um mtodo
no destrutivo, muito embora a presso exercida pelos eletrodos sobre a superfcie da
amostra possa vir a danificar o material caso venha a ser excessivamente alta. A grande
vantagem do mtodo a simplicidade da medida, incluindo se o fato de no ser
necessrio um bom contato ohmico entre o eletrodo e a amostra.

Princpio

A geometria das pontas usualmente empregada na medida de quatro pontas mostrada

na Fig. 1. Quatro eletrodos so dispostos linearmente. A corrente injetada atravs de
dois dos eletrodos e medida a tenso sobre os outros dois. A configurao mais usual
utilizar os dois eletrodos externos para a injetar corrente e os dois internos, para medir a
queda de tenso, mas em princpio qualquer das possveis combinaes pode ser usada.
No caso em que se tem as pontas com espaamentos variados sobre uma superfcie semi-
infinita prova se que a resistividade dada por:

2 (V / I )
=
[1 / s1 + 1 / s 3 1 /( s1 + s 2 ) 1 /( s 2 + s 3 )]

onde s1, s2 e s3 so os espaamentos entre as pontas e V e I so a tenso medida e a

corrente injetada, respectivamente.

Fig. 1: Geometria empregada na medida de quatro pontas.

Para o caso em que as pontas esto igualmente espaadas (s = s1 = s2 = s3) a equao

da resistividade reduz-se a:
 V
= 2s
I

Em muitos casos prticos a aproximao de um substrato semi-infinito no vlido e

a equao da resistividade necessita de um fator de correo geomtrico. A Fig. 2 mostra,
a ttulo de exemplo, os fatores de correo (F) para alguns casos mais comuns.

a)
b)
Fig. 2: Fatores de correo para a medida de quatro pontas, com real = Fmedido. a)
Superfcie plana. b) Cilindro circular.

Para um caso bastante til na prtica, de um filme com espessura t e resistividade 1

sobre uma segunda camada de espessura infinita e resistividade 2 prova-se que:

kn kn
medido = 1 (1 + 4 [ ])
n =1 1 + (2nt / 15) 2 4 + (2nt / 15) 2

onde:

2 1
k=
2 + 1
 Vamos analisar um pouco mais detidamente os casos em que a camada 2 um isolante
ideal e um condutor ideal. Quando a camada 2 um isolante, a expresso acima pode ser
aproximada, para situaes em que t/s menor que 1 por:

1 0.73(t / s ) medido

No caso em que a camada 2 um condutor ideal ou um material com resistividade

bastante baixa, s podemos encontrar uma soluo analtica para o caso em que t/s seja
maior que 0.5. Ou seja, caso se deseje uma medida deste tipo, necessrio garantir que s
< 2t de modo que quanto menor a espessura da camada que se deseja medir, menor tem
de ser o espaamento entre as pontas.
Quando se tem, por exemplo, a necessidade de medir uma camada fina de dimenso
reduzida, necessrio duas correes. As correes so, em geral, consideradas
independentes entre si e so dados em termos da medida V/I. Ou seja, nesse caso,

= F1 F2 medido

onde F1 o fator de correo da proximidade de borda e F2 o fator de correo da

espessura fina.

Quando se analisa filmes finos usual avaliar o filme, no em termos de resistividade,

mas em termos de resistncia de folha (Rs). A resistncia de folha definida por:

Rs = / t

de modo que a relao entre resistncia e resistncia de folha dada por:

l l
R= = Rs
Wt W

onde l o comprimento do elemento resistivo, W a sua largura e t a sua espessura. Ou

seja, a resistncia de folha pode ser definido como sendo a resistncia de um elemento
resistivo que tenha uma certa unidade de comprimento e largura padro. Da mesma forma
que para a resistividade, a resistncia de folha pode ser dada por:

Rs = F * (V / I )

onde F* o fator de correo geomtrico para a resistncia de folha. Para o caso em que a
medida feita com quatro pontas dispostas linearmente, igualmente espaadas, a corrente
sendo injetada pelas duas pontas da extremidade e a queda de potencial sendo medidas
nas pontas internas, prova-se que o fator de correo (F*) dado por /ln2 4,532.
Com relao instrumentao, a nica ressalva que a fonte de corrente e o medidor
de tenso precisam ter terras distintos. Vale ainda lembrar que uma das grandes
vantagens do mtodo que no h necessidade de garantir um bom contato ohmico para
nenhuma das quatro pontas, o que simplifica de sobremaneira a execuo das medidas.
Possveis Fontes de Erro da Medida

Dimenso da Amostra

O erro mais bvio no uso da tcnica ocorre quando no se efetua todas as correes
decorrentes das limitaes geomtricas.

Corrente de fuga do Substrato

Se a amostra medida for uma juno p-n, como por exemplo uma camada epitaxial
tipo n ou p sobre um substrato do tipo inverso, a corrente de fuga pode causar erro de
medida. Esta corrente pode ser alta em junes defeituosas ou quando esta juno sofre
despolarizao. Este ultimo caso ocorre quando a resistncia de folha torna-se maior que
1000 /quadrado ou se a corrente usada muito alta. Em casos de dvida necessrio
efetuar medidas para vrias correntes e efetuar a medida na faixa em que a medida
independente da corrente usada.

Espaamento das pontas

Conforme visto, o espaamento entre as agulhas entra diretamente no clculo da

resistividade. Portanto qualquer erro na determinao do espaamento reverte em erro de
leitura. Se o espaamento entre as agulhas for ligeiramente diferente do valor nominal de
s teremos:

d 1
= (3x1 5x 2 + 5x3 3x 4 )
4s

onde xi o deslocamento da posio da i-sima ponta em relao sua posio nominal.

Luz

A luz incidindo sobre a superfcie pode adicionar uma tenso espria devido ao efeito
fotovoltaico.

Temperatura

Como a resistividade dos semicondutores costumam variar de forma considervel com

a temperatura, um erro de at alguns porcentos pode ser introduzido, tanto pela falta de
controle da temperatura ambiente quanto pelo aquecimento da amostra por efeito Joule
devido corrente injetada. Este ultimo caso ocorre principalmente quando se mede
amostras com baixa resistividade, quando uma corrente considervel necessria para
obter uma leitura confivel da tenso. Para amostras com resistividades maiores que 10
.cm, por exemplo, uma diferena de 5o na temperatura causa uma diferena de 4% na
leitura da resistividade.
Efeito termoeltrico

Gradientes de temperatura causados tanto pelo ambiente quanto por uma corrente
excessivamente alta podem gerar tenses devido ao efeito termoeltrico. Diminuir a
corrente minimiza o problema.

Injeo pelas pontas

Em amostras com altos tempos de vida mdio dos portadores pode haver modulao
da condutividade, prejudicando a determinao da resistividade.

Correntes Induzidas

Em sistemas que trabalham em corrente contnua pode ocorrer das correntes esprias
induzidas na amostra serem retificadas nos contatos das pontas. Para evita o problema o
sistema tem de estar bem blindado. Recomenda-se efetuar a medida em vrias direes e
se for constatado leituras que variem conforme a direo necessrio melhorar a
blindagem ou eliminar as fontes das correntes induzidas.

Corrente Injetada

Se a corrente injetada for muito alta causando aquecimento da amostra, a prpria

condutividade pode ser modulada.

Tenso Aplicada

Se o campo eltrico torna-se muito alto a mobilidade dos portadores se satura

resultando uma resistividade maior que a real.

Aplicao do Medidor de Quatro Pontas para Levantar o Perfil de Resistividade

Muitas vezes importante determinar o perfil de resistividade em microeletrnica,

tanto lateralmente quanto em profundidade. Para realizar a perfilometria lateral basta
realizar sucessivas medidas com pequenos deslocamentos laterais. Para a perfilometria
em profundidade do silcio usual combinar as medidas pelo mtodo das quatro pontas
com a remoo de sucessivas camadas de silcio, que pode ser feito por uma oxidao
andica seguida da remoo deste xido. a resistncia de folha da i-sima camada
removida dada por:

Ri Ri +1
Rs =
Ri +1 Ri

onde Ri e Ri+1 so os valores da resistncia de folha medidas antes e depois da remoo

da camada de espessura x de silcio.
 Conhecida a espessura da camada removida (x) e supondo que a resistividade
essencialmente constante numa camada fina do material pode-se determinar a
resistividade da camada por:

Ri Ri +1
( x) = x
Ri +1 Ri

Bibliografia

1) W. R. Runyan, Semiconductor Measurements and Instrumentation, McGraw-Hill,

New York, 1975.
2) S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2a Edio, John Wiley & Sons, New
York, 1981.