CARACTERISTICAS BASICAS DEL

DIODO SEMICONDUCTOR (SILICIO Y

GERMANIO)
I. OBJETIVOS

Utilizar las caractersticas de operacin de los diodos semiconductores

II. MATERIALES
Una fuente de corriente continua variable

Un multmetro (Digital)

Un Miliampermetro y un Microampermetro. (DC).

 Un diodo semiconductor de Si y Ge

Un voltmetro de c.c. (Analgico)

Resistencia de 100

Cables y conectores. (Cocodrilo / Banano)

III. FUNDAMENTO TEORICO

EL DIODO

En 1904, Fleming invent el diodo al cual denomin vlvula y que consista en

un filamento caliente emisor de electrones situado dentro de un bulbo en vaco
a una corta distancia de una placa. En funcin de la tensin positiva o negativa
de la placa, se produca el paso de corriente en una direccin.

DIODO IDEAL

Se iniciar el estudio de los dispositivos electrnicos presentando el ms

sencillo de ellos: el diodo. El diodo ideal [3]es un dispositivo de dos terminales
nodo (+) y ctodo (-), en la figura 2.1 se presentan tanto su smbolo como sus
caractersticas.

Las caractersticas de un diodo ideal son las siguientes.

Permite la conduccin de corriente en una sola direccin.

Representa un circuito cerrado en la regin de conduccin
Representa un circuito abierto en la regin de no conduccin
EL DIODO SEMICONDUCTOR. CARACTERSTICAS Y POLARIZACIN

Un diodo semiconductor se forma al unir dos semiconductores extrnsecos p y

n del mismo material (Si o Ge). El punto de unin se denomina regin de
agotamiento, se conoce as debido a la carencia de portadores en esa regin
como resultado de la combinacin de electrones y huecos en ese punto.

Polarizacin
Cuando las terminales de un material semiconductor extrnseco se encuentran
sometidas a un diferencia de potencial (se dice que se encuentra en estado
polarizado), entonces se establece un campo elctrico en el interior del material
lo que ocasiona que las partculas formadoras del material tipo p sea atrado
hacia el potencial ms negativo, mientras que las partculas del material tipo n
son atradas hacia la terminal con potencial ms positivo, este hecho es un
principio fundamental de la electricidad: cargas distintas se atraen, cargas
opuestas se repelen.

Un fenmeno anlogo sucede cuando un material no conductor se encuentra

sometido a un campo elctrico intenso, las molculas se polarizan (+/-) y se
alinean con respecto al campo potencial obedeciendo el principio antes
enunciado.

Tres posibilidades de polarizacin se tienen para un diodo: sin polarizacin,

polarizacin inversa, polarizacin directa.

SIN POLARIZACIN (Vd = 0)

En este caso no existe ninguna presin (potencial) que obligue a los portadores
a fluir, por lo que no existe conduccin elctrica en ninguna direccin.

POLARIZACIN DIRECTA (Vd > 0)

Una fuente de voltaje en las terminales del diodo con polaridad positiva
aplicada en la parte P del diodo y polaridad negativa en la parte N del diodo
(ver figura 2.2) ocasiona que el diodo se active y pase al estado de conduccin,
al reducir la regin de agotamiento.
 Figura 2.2
unin p-n bajo
polarizacin
directa

POLARIZACIN INVERSA (Vd < 0)

Figura 2.3
Unin p-n bajo
polarizacin
inversa

Cuando el diodo se conecta como se muestra en la figura 2.3 se halla bajo

polarizacin inversa (p ((-) y n ((+)). En este caso una pequea corriente
despreciable del orden de 10-9 A para el Silicio y de 10-6 A para el Germanio
circula en direccin de n hacia p, esta corriente se conoce como corriente de
saturacin inversa.

MODELO MATEMTICO DEL DIODO

El modelo matemtico que representa el estado de conductividad del diodo es

el siguiente:
La ecuacin 2.1 se encuentra graficada y comparada con la curva de un diodo
real en la figura 2.4. Obsrvese el desplazamiento de la grfica real a la
derecha respecto a la de la ecuacin 2.1, esto se debe a la adicin del voltaje
debido a las resistencias de contacto y la resistencia interna del cuerpo del
diodo.

Figura 2.4 Caractersticas del diodo semiconductor de silicio

EFECTOS DE LA TEMPERATURA

La magnitud de la corriente de saturacin inversa Is se duplica por cada

incremento en 10 C de temperatura, obsrvese la figura 2.6. Advirtase de la
misma grfica que en polarizacin directa el potencial de estado encendido
(potencial de conduccin) del diodo se reduce (como resultado del incremento
de la temperatura).
 Figura 2.6
Variacin en
las
caractersticas
del diodo
debido a los
cambios de
temperatura

COMPARACIN ENTRE DIODO DE SILICIO Y GERMANIO

El diodo de Si tiene un PIV, un ndice de corrientes mayores as como un rango

ms amplio de temperaturas que el de Germanio.

Comparacin entre diodos de Si y Ge

Caracterstica Si Ge

PIV tpica 1000 V 400 V

hasta 200
Tmax menor a 100 C
C

Vt 0.7 V 0.3 V

Siendo Vt el potencial mnimo necesario en las terminales del diodo para iniciar
la conduccin, cuando este se encuentra polarizado en directa y se denomina
potencial de conduccin, de umbral o de disparo.
 Figura 2.7
Comparacin entre
diodos
semiconductores de Si
y de Ge

NIVELES DE RESISTENCIA Y PUNTO DE OPERACIN DEL DIODO

Como es sabido la relacin entre voltaje y corriente R=V/I dada por la ley de
Ohm se denomina resistencia, particularmente en un diodo el valor de esta
depende del punto de operacin (siempre y cuando este se site en la regin
de rpido crecimiento de la curva, es decir en las cercanas de Vt=0.7 volts
para Si y 0.3 V para Ge) y el tipo de seal aplicada.

Los valores o niveles de resistencia que se definen en los siguientes apartados

corresponden a la resistencia en el punto de unin p-n del diodo.

RESISTENCIA ESTTICA. SEAL CD

Si una seal (Vd) en cd se aplica al diodo, entonces se obtiene una seal de

respuesta Id en cd (siempre que una carga "impedancia" se halle conectada al
circuito del diodo), tales magnitudes definen la resistencia en cd o resistencia
esttica de acuerdo a la ecuacin.
Esta relacin es vlida para puntos situados en la regin de crecimiento vertical
de la curva, en el punto de inflexin y debajo de el la Rd ser mayor.

RESISTENCIA DINMICA. SEAL AC

Cuando se aplica una seal senoidal, el clculo de la Rd se lleva a cabo al

considerar una lnea tangente al punto Q tal como se observa en las figuras 2.9
y 2.10, en tal situacin la resistencia dinmica se define por:

La ecuacin 2.3 es de raro empleo ya que formalmente se define a la

pendiente de una curva en el punto Q, como la derivada en dicho punto, de
esta forma es posible demostrar que la resistencia dinmica est dada por:
RESISTENCIA PROMEDIO. SEAL AC

Si la seal senoidal es de gran amplitud, entonces es necesario emplear los

puntos extremos por los que oscila la respuesta de ID en ca para la
determinacin de la resistencia promedio en ca (vase la figura 2.11 y su
respectivo clculo)

RESISTENCIA TOTAL DE UN DIODO

El valor de la resistencia total del diodo queda determinado al agregar a la

resistencia de la unin p-n (antes estudiada) la resistencia del cuerpo del diodo
y la resistencia presentada por la conexin entre el material semiconductor y el
conductor metlico externo denominada resistencia de contacto, la suma de
estas ltimas se denota por rB.

El valor de rB vara entre 0.1 ohms para dispositivos de alta potencia, hasta 2
ohms para diodos de baja potencia de propsito general.

CIRCUITOS EQUIVALENTES PARA DIODOS

Un circuito equivalente es una combinacin de elementos elegidos de forma

apropiada para representar de la mejor manera las caractersticas terminales
reales de un dispositivo, sistema o similar, para una regin de operacin en
particular.
En lo sucesivo se emplear el calificativo modelo del diodo para referirse al
circuito equivalente del diodo. En la siguiente tabla se resumen los modelos del
diodo.

Tabla T1 Modelos de diodo

Obsrvese que la resistencia empleada en el modelo 1 es la resistencia

promedio que se puede determinar generalmente a partir de un punto de
operacin que se describe en la hoja de especificaciones del dispositivo.

Por ejemplo, para un diodo semiconductor de Si, si If = 10 mA (una corriente de

conduccin directa para el diodo), cuando Vd = 0.8 V. se tiene que:

HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE DIODOS

Estas son hojas de datos tcnicos detallados de las caractersticas del diodo,
los lmites de potencia, voltaje, frecuencia, temperatura etc

Puesto que:

TIEMPO DE RECUPERACIN INVERSO

 Se denota por Trr y es el tiempo requerido para que un diodo pase del estado
de polarizacin directa al estado de polarizacin inversa cuando se efecta tal
cambio de polaridad en sus terminales.

IV. PROCEDIMIENTO:

1. Usando el ohmmetro medir las resistencias directa e inversa del diodo.

Registrar los datos en la Tabla 1

2. Armar el circuito de la Figura 1.

a. Ajustando el voltaje con el potencimetro, observar y medir la corriente y el voltaje

directo del diodo, registrar sus datos en la Tabla 2. (Usar Miliampermetro).
 b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos,
proceder como en a) registrando los datos en la Tabla 3.

V. RESULTADOS OBTENIDOS

Diodo de Silicio 1N5817

R directa() R inversa(M)

244.5 0.039 M

TABLA 2

Vcc(v.) 0.143 0.168 0.206 0.267 0.368 0.474 0.750 1.067 1.279 1.491 1.807 2.325

Id(mA.) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v.) 0.131 0.148 0.166 0.184 0.203 0.215 0.233 0.245 0.252 0.257 0.262 0.270

Vcc(v.) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v.) 0 1.990 3.98 5.99 7.98 9.9 12 14.98 19.66

Id(uA.) 0 1.1 1.8 2.4 3.0 4.0 5.5 9.1 13.74

TABLA 3
3. Usando el ohmmetro medir las resistencias directa e inversa del diodo. Registrar
los datos en la Tabla 4. Diodo de Germanio

R directa() R inversa(M)
444.6 0.042 M

4. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de germanio, de manera similar al

paso 2, proceder a llenar las tablas 5 y 6

Vcc(v) 0.19 0.22 0.28 0.40 0.58 0.78 1.26 1.77 2.08 2.42 2.88
Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0
Vd(v) 0.163 0.202 0.243 0.319 0.417 0.518 0.734 0.950 1.085 1.218 1.393

TABLA 5

TABLA 6

Vcc(v) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
Vd(v) 0 0.982 2.00 3.96 6.94 7.96 9.920 11.86 14.79 17.88 19.76
1 3 0 0
Id(uA) 0 1 1.2 1.5 2 2.2 2.5 3 3.5 4.3 4.6