Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
Cap tu o 11::
Osciladores de microondas
ndice.
I t d i definicin
Introduccin: d fi i i de
d osciladores.
il d
Principios generales del diseo de osciladores.
Osciladores de un p
puerto de resistencia negativa.
g
Condiciones de estabilidad de las oscilaciones.
Osciladores de dos puertos.
Condiciones de diseo de osciladores basados en transistores.
Osciladores basados en resonadores dielctricos.
Co c us o es.
Conclusiones.
Fundamentos:
La seal alterna de salida se obtiene a ppartir de la energa
g continua de ppolarizacin
del dispositivo.
Podra definirse el oscilador como: un circuito que transforma la energa continua en
energa
g alterna.
La seal alterna se puede estudiar en el dominio del tiempo o de la frecuencia.
Componentes:
U
Un elemento
l de
d resistencia
i i negativa,
i tpicamente
i un dispositivo
di i i activo
i que puede
d ser
un diodo o un transistor.
Una estructura resonante pasiva que fuerza una oscilacin sinusoidal.
Una estructura de acoplamiento entre las dos anteriores.
Elementos activos utilizados: Alimentacin DC
Dispositivos de dos terminales:
RF
Diodo GUNN: ruido de fase pequeo.
Diodo IMPATT: potencia de salida alta y buena eficiencia.
OSCILADOR
Dispositivos de tres terminales: BJT y FET.
Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009.
Tema 11: Osciladores en microondas
Microondas-11- 4
CLASIFICACIN DE OSCILADORES
Vi (s) Vo (s)
+ A L(s)
V0 (s ) = A L(s ) [Vi (s ) + H (s ) V0 (s )] V0 (s ) A
V0 (s ) A L (s )
=
= sin limitador Vi (s ) 1 A H (s )
Vi (s ) 1 A L(s ) H (s )
Los polos del sistema estn dados por:
1 A L(s ) H (s ) = 0
Para la condicin de rgimen estacionario, los polos estn
en el eje imaginario y la condicin de oscilacin viene dada
por la condicin de Barkhausen:
Re[A L( j0 ) H ( j0 )] = 1
Im[A L( j0 ) H ( j0 )] = 0
Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009.
Tema 11: Osciladores en microondas Microondas-11- 9
OSCILADORES DE UN PUERTO DE RESISTENCIA
NEGATIVA
Z in (I , ) = Rin (I , ) + jX in (I , )
RL Rin((I,w))
D Depende
d dde lla corriente
i y en menor
medida de la frecuencia.
Impedancia de carga del circuito a la que
se transfiere la energa de la oscilacin:
Define la capacidad de oscilacin
Z L ( ) = RL + jX L ( )
RL ( ) + Rin (I , ) = 0
Depende de la frecuencia de sintona
[Z L ( ) + Z in (I , )] I = 0 Condicin de oscilacin: I0 en la
X L ( ) + X in (I , ) = 0 frecuencia de microondas en ausencia de
Define la frecuencia de oscilacin seal de microondas
microondas.
Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009.
Tema 11: Osciladores en microondas
Microondas-11- 10
OSCILADORES DE UN PUERTO DE RESISTENCIA
NEGATIVA
RT (I , ) = RL + Rin (I , ) < 0
La Rin tiene que ser menos negativa hasta alcanzar I0 (amplitud de oscilacin) a la
frecuencia w0.
A las condiciones anteriores hay que aadir una condicin de estabilidad de la
oscilacin.
Definicin:
D fi i i se di
dice que una oscilacin
il i es estable
bl cuandod cualquier
l i variacin
i i que
se produzca en los parmetros de la oscilacin (I,w), los efectos en dichos
parmetros debern compensarse de forma que no haya desplazamientos en el
valor de la oscilacin (I0 ,w0).
Cuantificacin del parmetro de estabilidad de la oscilacin:
Desarrollo de ZT (I,w)
(I w) en serie de Taylor y extraccin de condiciones.
condiciones
A partir de la representacin de las curvas del elemento activo y de la carga.
s I 0 , s0
Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009.
Tema 11: Osciladores en microondas
Microondas-11- 14
CONDICIONES DE ESTABILIDAD DE LA OSCILACIN
DE UN OSCILADOR (III)
( )
Si la variacin es tal que I>0, la compensacin de dicha variacin deber hacer <0
I Z T Z T* RT X T X T RT
Im <0 >0
RL I I I
R X L RL
pero : L = = =0
I I
Rin Rin ( X L + X in ) X in (Rin )
>0
I I
-Zin(I)
I0, w0
-Zin((I))
I0, w0
ai ai Red pasiva de
Red activa de
bi bi sintona
N puertos
N puertos
aN aN
bN bbN
ZL ZT
Red de a1 Transistor a2 Red de
carga,
L in [S] out T terminacin
sintona
b1 Zout b2
Zin
Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009.
Tema 11: Osciladores en microondas
Microondas-11- 19
OSCILADORES A TRANSISTOR: CONFIGURACIONES
s
j =1
ij = 1; i = 1,2,3
Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009.
Tema 11: Osciladores en microondas
Microondas-11- 21
DESCRIPCIN DE UN TRANSISTOR COMO
RED DE TRES PUERTOS
Matriz de tres puertos Parmetros de la expresin anterior:
b1 s11 s12 s13 a1 a1 = s11 + s12 + s21 + s22
b = s a = [S ] a 11 = 1 s11 s12
s s
2 21 22 23 2 33 2 12 = 1 s11 s21
22 = 1 s22 s21
b3 s31 s32 s33 a3 a3 21 = 1 s22 s12
Dependencia entre los parmetros [S ]33 Transformar en la nueva red de dos
3 3 puertas (supongamos que se conecta
s ij = 1; j = 1,2,3 sij = 1; i = 1,2,3
una carga de coeficiente al emisor)
i =1 j =1
s s s s
s11 = s11 13 311 s12 = s12 13 321
Expresiones de los parmetros [S ]33en s33 s33
funcin de los dados s23 s31 s23 s32
s21 = s21
1
s22 = s22
1
11 12 11 21 2 11
s 33
s 33
s11 = s11 + s12 = s12 + s13 =
4 4 4
2 22
s21 = s21 + 22 12 s22 = s22 + 22 21 s23 =
4 4 4
2 12 2 21
s31 = s32 = s33 =
4 4 4
Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009.
Tema 11: Osciladores en microondas
Microondas-11- 22
OSCILADORES A TRANSISTOR
Solucin, continuacin.
Obtencin
Ob i dde lla circunferencia
i f i de
d
estabilidad en el plano T
CT =
(s' 22 's '11
*
) *
= 1.0833 RT =
s'12 ss'21
= 0.665
2 2 2 2
s '22 ' s'22 '
(Z 0 + N 2 R ) + Z 0 = 2Z 0 + N 2 R = 1 + s
Ejemplo de DRO basado en configuracin paralela y serie