Tema 4 Teoria

Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.
Tema 4
EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR.

BJT (Bipolar Junction Transistor).
1. Introduccin.
2. Estructura bsica.
3. Smbolos y convenios de signos.
4. Zonas de funcionamiento.
5. Corrientes en la zona activa
6. Ecuacin de Ebbers-Mll.
7. Curvas caractersticas en base comn.
7.1. Curvas Caractersticas de entrada
7.2. Curvas Caractersticas de salida
8. Curvas caractersticas en emisor comn.
8.1. Curvas Caractersticas de entrada
8.2. Curvas Caractersticas de salida
9. Curvas caractersticas en colector comn.
10. Curva de puntos caractersticos.
11. Punto de funcionamiento
12. Polarizacin del transistor
12.1. Circuito de polarizacin de base (polarizacin fija)
12.1.1. Dependencia con beta
12.1.2. Influencia de VCC
12.1.3. Influencia de RC
12.1.4. Influencia de RB
12.2. Efecto de RE
12.3. Circuito de polarizacin por divisor de tensin
13. El transistor como amplificador
14. El transistor como interruptor
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1.- INTRODUCCIN.
Hemos empezado la asignatura estudiando los materiales de los que estn

formados los principales dispositivos electrnicos de estado slido, los
semiconductores. Continuamos con el estudio del dispositivo semiconductor ms
sencillo, el diodo de unin. Dispositivo, que como hemos visto en los temas anteriores,
consta de dos partes diferenciadas con un terminal en cada una de ellas, es decir, se
trataba de un dispositivo de dos terminales. Siguiendo con el estudio de los dispositivos
electrnicos vamos a avanzar un paso ms y vamos a estudiar un dispositivo
semiconductor que consta de tres zonas distintas, con dos uniones pn y con un terminal
en cada una de las zonas, o lo que es lo mismo, estamos ante un dispositivo de tres
terminales: El transistor.
Sin ninguna duda, estamos ante uno de esos grandes inventos que han marcado
un punto de inflexin en la historia de la Humanidad, como en su da lo fueron el
descubrimiento del fuego, la invencin de la rueda o la mquina de vapor entre otros. El
descubrimiento del transistor a principios del siglo XX (1947) marc el comienzo de la
era de la electrnica. En apenas 60 aos el desarrollo experimentado y el grado de
penetracin en la vida cotidiana ha sido tal que hoy en da es difcil pensar en cmo
sera la vida sin los ordenadores, la telefona, la radio, la televisinY ha sido,
precisamente, el descubrimiento del transistor el culpable de esta revolucin
tecnolgica.
2.- CONSTRUCCIN DEL TRANSISTOR.
Aunque existen otros tipos de transistores (en este mismo curso veremos otros
en el tema 7) en este captulo vamos a abordar el estudio del transistor de unin bipolar,
tambin conocido por la iniciales de su denominacin en ingles BJT (Bipolar Junction
Transistor). El trmino bipolar hace referencia al hecho de que en la conduccin de la
corriente intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos). El termino
junction (unin) hace referencia a la estructura del dispositivo, ya que como veremos a
continuacin tenemos dos uniones pn en el transistor y mediante la polarizacin de estas
uniones conseguiremos controlar el funcionamiento del dispositivo.
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El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas. Podemos tener una zona de

material tipo n en medio de dos zonas de material tipo p, en este caso se denomina
transistor pnp, o bien tener una zona tipo p con dos zonas tipo n a cada lado, en cuyo
caso estaramos hablando de un transistor npn.
npn pnp
Figura 4.1.- Estructura del transistor BJT.
La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada una de
las zonas consta de un terminal por donde extraer las corrientes. Estos terminales se
representan por la inicial del nombre de la zona respectiva: E (emitter), B (base) y C
(colector).
La zona de emisor es la ms fuertemente dopada de las 3, es la zona encargada

de emitir o inyectar portadores mayoritarios hacia la base. Huecos en el caso de un
transistor pnp o electrones en el caso del transistor pnp.
La base tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se

trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su misin es la
de dejar pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por el emisor hacia el
colector.
La zona de colector, como su propio nombre indica es la encargada de recoger o

colectar los portadores que inyectados por el emisor han sido capaces de atravesar la
base. Es la zona con un nivel de dopado inferior de las tres.
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3.- SMBOLOS Y CONVENIO DE SIGNOS
Figura 4.2.- Sentidos de tensiones y corrientes en el BJT.
En la figura aparecen los smbolos que se utilizan para la representacin del

transistor de unin bipolar. Para las corrientes se han representado los sentidos reales de
circulacin de las mismas.
4.- ZONAS DE FUNCIONAMIENTO
Cuando en el tema 2 hablbamos de la unin pn veamos que tenamos dos

posibilidades de polarizacin de la misma, de tal forma que el diodo tena dos posibles
estados o zonas de trabajo: en directa y en inversa. Ahora estamos ante un dispositivo
que tiene dos uniones, una unin entre las zonas de emisor y base (que denominaremos
a partir de ahora unin de emisor JE) y otra unin entre las zonas de base y colector (de
que denominaremos unin de colector JC), cada una de las cuales puede ser polarizada
en las dos formas mencionadas anteriormente. As, desde el punto de vista global del
dispositivo tenemos cuatro zonas de funcionamiento posibles en funcin del estado de
polarizacin de las dos uniones.
De esta forma, si polarizamos las dos uniones en directa, diremos que el transistor
est trabajando en la zona de saturacin. En el caso de que la unin de emisor la
polaricemos en directa y la unin de colector en inversa, estaremos en la zona activa.
Cuando las dos uniones se polarizan en inversa, se dice que el transistor est en la zona de
corte. Por ltimo, si la unin de emisor se polariza en inversa y la unin de colector
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en directa, el transistor se encuentra en activa inversa. De las cuatro zonas, las 3

mencionadas en primer lugar son las ms interesantes desde el punto de vista del
funcionamiento del transistor, siendo la zona activa inversa una zona puramente terica
y sin inters prctico.
JE JC Zona de trabajo
Directa Inversa Activa
Directa Directa Saturacin
Inversa Inversa Corte
Inversa Directa Activa inversa
Figura 4.3.- Zonas de funcionamiento del transistor BJT.
Notar que en todo momento hablamos de polarizaciones en directa o en inversa

sin referirnos al signo de la tensin aplicada a dicha unin, ya que el mismo depender
del tipo de transistor npn o pnp en cuestin.
5.- CORRIENTES EN LA ZONA ACTIVA
Como acabamos de ver un transistor est trabajando en la zona activa cuando la

unin de emisor se polariza en directa y la unin de colector en inversa. En el caso de
un transistor pnp, para polarizar la unin de emisor en directa habr que aplicar una
tensin positiva del lado del emisor, negativa del lado de la base, o lo que es lo mismo
una tensin VBE positiva. De igual manera, para polarizar la unin de colector en
inversa hay que aplicar una tensin VCB negativa.
Vamos a comenzar el estudio suponiendo que la unin de emisor est polarizada

en directa y que la unin de colector est sin polarizar (figura 4.4a). En este caso
estamos ante una unin pn (la formada por el emisor y la base) idntica a la que
analizamos en el captulo 2 al abordar la polarizacin de la unin pn. En este caso,
aparece un campo elctrico que tiende a arrastrar a los huecos del emisor hacia la base y
a los electrones de la base hacia el emisor. Lo que origina una corriente neta en el
sentido de la zona p hacia la zona n, es decir, de emisor hacia la base. Dado que el
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emisor es mucho ms ancho que la base y adems su nivel de dopado es muy superior,
la cantidad de huecos en el emisor ser muy superior a la de los electrones en la base,
con lo que el trmino de corriente predominante ser el debido a los huecos. Es decir, la
corriente tendr dos trminos, uno debido a los electrones y otro debido a los huecos,
siendo predominante el segundo sobre el primero.
a) Polarizacin de la unin de emisor b) Polarizacin de la unin de colector
Figura 4.4.- Polarizacin (por separado) de la uniones de emisor y colector en un BJT.
A continuacin vamos a analizar la unin de colector suponiendo que est

polarizada en inversa y que la unin de emisor est en circuito abierto(figura 4.4b). Al
igual que en el caso anterior este caso fue analizado en el captulo 2 al tratar la
polarizacin inversa de la unin pn. Ahora aparece un campo elctrico de la zona n
hacia la zona p (de la base hacia el colector) que aleja a los portadores mayoritarios en
las respectivas zonas de la unin. Sin embargo, se establece una corriente debida a los
portadores minoritarios de cada una de las zonas, los huecos de la base (por ser zona n)
y los electrones del colector (zona p). De esta forma se establece una corriente en el
sentido de la base hacia el colector denominada ICO y que corresponde a la corriente
inversa de saturacin de la unin de colector.
Analicemos ahora la polarizacin simultnea de ambas zonas (figura 4.5), en

este caso, los huecos inyectados por el emisor (que dan lugar a la corriente IpE) al llegar
a la base, y a travs de un proceso de difusin, tendern a ir hacia el colector. En el
momento que dichos huecos alcancen la unin de colector, el campo elctrico que
tenemos debido a la polarizacin inversa de la unin de colector atrapar a los huecos
transportndolos hacia el colector (corriente IpC). Es decir, este campo elctrico se
encarga de recolectar los huecos inyectados por el emisor, evidentemente no todos los
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huecos inyectados por el emisor conseguirn alcanzar el colector, ya que tienen que
atravesar la base (material tipo n) por lo que algunos se recombinarn en la zona de base
dando lugar a la corriente IpE IpC). Por otra parte, seguiremos teniendo la corriente InE
debida a los electrones que van de la base al emisor por efecto de la polarizacin directa
de la unin de emisor. Y en la zona de colector tendremos la corriente ICO por estar la
unin de colector polarizada en inversa.
Figura 4.5.- Zonas de funcionamiento del transistor BJT.
Por tanto desde el punto de vista de las corrientes en los terminales del transistor,
y teniendo en cuenta que estamos en la zona activa, tendremos:
I E I pE InE
I C I pC ICO
IB I nE I pE I pC ICO
Si tenemos en cuenta que I pE InE , tendremos que IE I pE .
Por otra parte, podemos expresar I pC I pE , donde representa la fraccin de
portadores que inyectados por el emisor alcanzan el colector.
Con lo que podemos expresar la corriente de colector en la forma
ICI E ICO (4,1)
De la expresin anterior podemos deducir
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I I
C CO
IE
A partir de la cual podemos dar otra definicin de : Es la relacin entre el

incremento de la corriente de colector desde el corte (IC = ICO) y la variacin de la
corriente de emisor desde el corte (IE = 0)
El parmetro es conocido como ganancia de corriente en continua. En los

transistores comerciales, el valor real de dicho parmetro suele estar comprendido entre
0,9 y 0,998 y , en la mayora de los casos, ms cerca del segundo valor.
6.- ECUACIN DE EBBERS-MLL.
La expresin (4,1) slo es vlida en la regin activa (JE en directa y JC en

inversa). Donde la corriente de colector IC es independiente de la tensin de colector
VCB y depende nicamente de IE.
Si expresamos la corriente de emisor en funcin de la tensin VBE
V
EB
I E IES exp 1
VT
Si llamamos IC a la corriente que tendramos en el colector si el emisor

estuviera en circuito abierto
V
I C ICS exp VCB 1
T
Donde ICS es la corriente inversa de saturacin o corriente de fugas de la unin

de colector
Figura 4.6.- Sentidos de las variables de la ecuacin de Ebbers-Mll.
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V V
EB CB
I CI ES exp 1 ICS exp 1 Ecuacin de Ebbers Moll
V V
T T
En el tema 2, al estudiar la unin pn, veamos como para poder fijar el punto
de funcionamiento del diodo (VD e ID) necesitbamos un circuito de polarizacin. En
el caso que nos ocupa, tenemos dos uniones, lo que implica dos circuitos de
polarizacin. Dado que el transistor nicamente tiene tres terminales, estos dos
circuitos de polarizacin debern compartir un terminal, esto dar lugar a las
configuraciones de base comn, emisor comn y colector comn, en funcin de quien
sea el terminal que comparten ambos circuitos de polarizacin.
Base Comn Emisor Comn Colector Comn
Figura 4.7.- Configuraciones del BJT.
Por otra parte, en el estudio de la unin pn slo tenamos dos variables (VD e ID)
relacionadas con la ecuacin de Shockley, es decir, tenamos una nica curva. En el
caso del transistor tenemos hasta 6 variables involucradas (3 tensiones y 3 corrientes)
siendo la representacin grfica de las mismas no tan evidente como en el caso del
diodo. As, para representarlas grficamente, las variables se agrupan para formar lo que
se denomina curvas caractersticas de entrada y curvas caractersticas de salida.
Adems, estas curvas dependern del tipo de configuracin del transistor (base, emisor
o colector comn), con lo que a priori existirn 6 tipos de familias de curvas distintas:
Curvas caractersticas de entrada en base comn.

Curvas caractersticas de salida en base comn.
Curvas caractersticas de entrada en emisor comn.
Curvas caractersticas de salida en emisor comn.
Curvas caractersticas de entrada en colector comn.
Curvas caractersticas de salida en colector comn.

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7.- CURVAS CARACTERSTICAS EN BASE COMN.
7.1.- Curvas caractersticas de entrada.
Vamos a ver las curvas caractersticas de entrada para un transistor BJT pnp. Los
sentidos positivos de tensiones y corrientes son los representados en la figura 4.8.
Figura 4.8.- Sentidos positivos de las variables que intervienen en las curvas caractersticas de entrada en un BJT
pnp en base comn
En las curvas caractersticas de entrada en base comn se representa
IE f VEB ,VCB
Estas curvas aparecen representadas en la figura 4.8. En principio, si

observamos, es como si tuvisemos la curva caracterstica correspondiente a la unin de
emisor [IE = f(VEB)], sin embargo, la relacin entre estas dos variables se ve
influenciada por la tensin que tenemos a la salida (VCB). As, no tenemos una nica
curva, sino que tenemos una familia de curvas en funcin de la tensin VCB,. El origen
de este desdoblamiento de curvas est en lo que se denomina Efecto Early.
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Figura 4.9.- Curvas Caractersticas de Entrada en Base Comn en un BJT pnp.
Efecto Early
El efecto Early es tambin conocido como efecto de modulacin de anchura de

la base. Y es que al aumentar la polarizacin inversa de la unin de colector, la zona de
carga espacial correspondiente aumenta, por lo que la anchura efectiva de la base (la
zona n en un transistor pnp) disminuye. O al contrario, es decir, si la polarizacin
inversa de la unin de colector disminuye, la anchura efectiva de la base aumenta. En
resumen, vemos que hay una variacin de la anchura de la base con la tensin inversa
aplicada a la unin de colector.
V V
CB 2 CB1
W W
B2 B1
Figura 4.10.- Modulacin de la anchura efectiva de la base por efecto Early.
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Efecto Early en la caracterstica de entrada en base comn
En la curva caracterstica de entrada en base comn, al disminuir la anchura de

la base, el gradiente de la concentracin de huecos en la base aumenta, con lo que la
corriente de difusin aumentar.
I I Dp dp I I D dp,
pB1 pE 1
n n
pB 2 pE 2 p
dx dx
I IE1
E2
Figura 4.11.- Efecto Early. Aumento de la corriente de emisor.
De ah que, para una VEB dada, cuanto mayor sea la tensin inversa aplicada a la
unin de colector, mayor ser IE.
Figura 4.12.- Efecto Early en las caractersticas de entrada.
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7.2.- Curvas caractersticas de salida.
Figura 4.13.- Sentidos positivos de las variables que intervienen en las curvas caractersticas de salida en un BJT
pnp en base comn
En las curvas caractersticas de salida en base comn se representa:
IC f VCB , IE
Los sentidos positivos de tensiones y corrientes aparecen en la figura 4.12.
Figura 4.14.- Curvas caractersticas de salida en Base comn en un BJT pnp.
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En estas curvas aparecen claramente diferenciadas las tres zonas de inters

prctico del transistor: corte, saturacin y activa.
Regin de corte:
Est delimitada por la curva con IE = 0
Figura 4.15.- Corrientes en un BJT en Base Comn en la zona de corte.
Si el emisor est en circuito abierto (IE = 0). La nica corriente que tendremos en
el transistor ser la que hemos llamado ICO debida a la polarizacin inversa de la unin
de colector.
Como ICO es del orden de unos pocos A o incluso de los nA, aparece pegado al
eje.
ICBO es la notacin usada ms frecuentemente en la hojas de caractersticas (data

sheets) que proporcionan los fabricantes. ICBO es despreciable para transistores de
propsito general, pero es muy sensible con la temperatura, por lo que habr que tenerlo
presente segn que aplicaciones. La corriente IE ser 0 cuando el emisor est en circuito
abierto, aunque si la unin de emisor est en inversa (o incluso an estando en directa
pero con tensiones inferiores a la tensin de codo), estaremos en una situacin donde I E
es prcticamente 0, por lo que las corriente por los tres terminales del transistor son
nulas a efectos prcticos.
En resumen cuando las dos uniones estn polarizadas en inversa no hay

corrientes por el transistor, por eso se dice que estamos en la zona de corte.
Zona activa:
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El transistor trabaja en esta zona cuando la unin de emisor est polarizada en

directa y la unin de colector lo est en inversa.
Figura 4.16.- Polarizacin del BJT pnp en la zona activa.
En esta zona se cumple
IC I E ICO
Podemos despreciar ICO frente a IE
Por lo que IC = IE como (0,9 0,998) IC IE
Por tanto en la zona activa vemos como la corriente IC es igual a IE e

independiente de VCB.
Efecto Early en la caracterstica de salida en base comn
En realidad s que hay un pequeo aumento de la corriente de colector a medida

que aumenta (en valor absoluto) la tensin VCB. Es decir, las curvas no son
perfectamente horizontales sino que tienen una pequea pendiente positiva. Esto se debe
al efecto Early o de modulacin de anchura de la base.
Al aumentar el mdulo de la tensin VCB (recordemos que es positiva del lado del
colector para un transistor pnp) estamos aumentando la polarizacin inversa de la unin de
colector. Esto har que la zona de carga espacial correspondiente a esta unin aumente, por
lo que la anchura efectiva de la base (donde existen portadores) disminuir. Esta
disminucin de la anchura efectiva de la base tendr como consecuencia que los portadores
inyectados por el emisor van a tenerlo ms fcil a la hora de atravesar la misma. Es decir,
aumentar en nmero de portadores que llegarn al
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colector o, lo que es lo mismo, aumentar . Si aumenta y si tenemos en cuenta que I C =

IE . Para un determinado valor de IE, a medida que aumenta VCB aumenta y por lo tanto
aumenta IC.
Figura 4.17.- Efecto Early en las caractersticas de salida.
No obstante, esta dependencia de IC con VCB es apenas apreciable ya que

aunque, efectivamente se produzca un aumento de , el valor del mismo siempre ser
muy prximo a la unidad por lo que se seguir cumpliendo que IC IE . De ah que las
curvas, en la zona activa, incluso considerando el efecto Early sean prcticamente
horizontales, es decir, el dispositivo, en esta zona se comporta como una fuente de
corriente.
Regin de saturacin:
En esta zona de trabajo las dos uniones del transistor estn polarizadas en directa
Figura 4.18.- Polarizacin del BJT pnp en la zona de saturacin.
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En esta zona las dos uniones estn polarizadas en directa, anulndose la corriente
de colector en apenas 0,2 V.
Manteniendo la polarizacin directa de la unin de emisor, es decir, para una

corriente de emisor dada, para tensiones negativas de VCB o incluso positivas por debajo
de la tensin de codo (menores de 0,6 V aproximadamente) estamos en la situacin de
zona activa (curvas horizontales).
A medida que polarizamos en directa la unin de colector, en dicha unin

aparece una corriente (que crece exponencialmente con la tensin aplicada) que se
opone a la debida a los portadores que vienen desde el emisor atravesando la base. Si
adems tenemos en cuenta que al polarizar la unin de colector en directa estamos
aplicando un campo elctrico que tambin se opone a la llegada de portadores desde la
base, tenemos como resultado que en apenas unas pocas dcimas de voltio la tensin
por el terminal de colector cae a 0.
Figura 4.19.- Detalle de corrientes en la zona de saturacin.
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8.- CURVAS CARACTERSTICAS EN EMISOR COMN.
8.1.- Curvas caractersticas de entrada.
En la figura aparecen representados los convenios de tensiones y corrientes

positivas que se han tenido en cuenta para representar las distintas curvas. Ntese que a
diferencia del caso anterior ahora vamos a trabajar con un transistor npn.
Figura 4.20.- Sentidos positivos de las variables que intervienen en las curvas caractersticas de entrada en un BJT
npn en emisor comn
En las curvas caractersticas de entrada en base comn se representa
IB f VBE ,VCE
Como se puede ver en la figura, no hay una nica curva que relacione IB con
VBE, sino que hay una familia de curvas en funcin de VCE. De nuevo, al igual que en el
caso anterior, este desdoblamiento de curvas se debe al efecto Early.
Figura 4.21.- Curvas Caractersticas de Entrada en Emsior Comn para un BJT npn.
95
Efecto Early en la caracterstica de entrada en emisor comn
Si observamos las tensiones aplicadas en la figura 4.20, vemos como la tensin

VBE es positiva, con lo que la unin de emisor estar polarizada en directa. Por otra
parte, la tensin VCE tambin es positiva. Si observamos en el tringulo de tensiones en
los terminales del transistor, podemos obtener la tensin entre colector y base, que es
precisamente la que nos dice el estado de polarizacin de la unin de colector.
V V V
CB CE BE
Por tanto siempre que estemos aplicando tensiones VCE > VBE, tendremos que la
tensin VCB ser positiva y por tanto la unin de colector estar polarizada en inversa, es
decir, estaremos en la zona activa.
Figura 4.22.- Tringulo de tensiones en un BJT.
De la misma expresin se deduce que si mantenemos VBE constante, un aumento de

VCE implica un aumento de la tensin VCB, o lo que eso mismo, estamos aplicando una
mayor polarizacin inversa a la unin de colector, lo que lleva implcito (como ya se ha
descrito anteriormente) una disminucin de la anchura efectiva de la base. Es decir, el
parmetro disminuye (habr menos portadores que se recombinan en la base).
Las componentes de las corrientes, en este caso sern:
IE InE I pE
IC InC ICO
IB I pE I nE InC ICO
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Si tenemos en cuenta que InC InE , tendremos que
IB I pE I nE 1 ICO , de donde deducimos que si aumenta, IB disminuye. De ah que no

tengamos una nica curva de entrada, sino que la relacin entre IB y VBE depende de la
tensin VCE. Y cuando mayor sea VCE, menor es la corriente IB.
Figura 4.23.- Efecto Early en las caractersticas de entrada.
8.2.- Curvas caractersticas de salida.
Figura 4.24.- Sentidos positivos de las variables que intervienen en las curvas caractersticas de salida en emisor
comn en un BJT npn.
En las caractersticas de salida en emisor comn se representa
IC f VCE , IB
97
Los sentidos positivos de tensiones y corrientes son los que aparecen

representados en la figura 4.20
Figura 4.25.- Curvas caractersticas de salida en Emisor Comn en un BJT npn.
Al igual que en el caso anterior, vamos a intentar justificar el porqu de la forma

de las curvas en cada una de las zonas de inters:
Zona activa:
Se corresponde con la zona no sombreada de las curvas, por encima de la curva

IB = 0 y para tensiones VCE superiores a 0,2 V.
En la zona activa se sigue cumpliendo
98
IC I E ICO
Si tenemos en cuenta que las corrientes que aparecen representadas en las curvas
son IC e IB, eliminamos la variable IE sabiendo que IE I B IC , transformamos la expresin

4,1 en:
IC IB 1 I CO
1 1
Si denominamos la expresin anterior se transforma en
1
ICI B1 ICO (4,2)
Si despreciamos el valor de ICO
IC IB
Tenemos que IC no depende de la tensin VCE y depende nicamente del valor

de IB. As, las curvas en la zona activa deberan ser perfectamente horizontales. Esto
sera cierto si fuera constante, pero como vimos en el caso anterior, el parmetro
depende de la tensin VCE debido al efecto Early.
Efecto Early en la caracterstica de salida en emisor comn.
Anteriormente se analiz que un aumento de la polarizacin inversa de la unin

de colector (en este caso mediante un aumento de la tensin VCE) trae consigo una
disminucin de la anchura efectiva de la base, lo que se traduce en un aumento del del
transistor. En las curvas de salida en base comn las corrientes implicadas eran IC e IE
que estaban relacionadas precisamente mediante (IC = IE). Sin embargo, debido a que
mantiene sus valores muy prximos a la unidad, las variaciones del mismo no afectan
significativamente a las curvas de salida, por eso en la zona activa las curvas eran
horizontales a todos los efectos.
En el caso que nos ocupa, las corrientes estn relacionadas a travs de , no de
como en el caso anterior. As, mientras los valores de estn comprendidos tpicamente
99
entre 0,9 y 0,998, los valores de correspondientes variarn entre 9 y 499. Lo cual nos
viene a demostrar que pequeas variaciones de implican grandes cambios de . Por
ello las curvas caractersticas de salida en emisor comn, en la zona activa, estn
sensiblemente ms inclinadas que las de base comn.
Figura 4.26.- Efecto Early en las caractersticas de salida.
En el ejemplo de la figura, podemos observar como un incremento en el valor de

del 0,1 % implica un incremento en el valor de del 25 %
0,90,998 1
9499
0,1%
1 0,995 2 0,996
1 25% 2
199 249
Es por ello que van a haber grandes diferencias para cada transistor individual
dentro de las misma familia, esto es, dos transistores idnticos (misma numeracin, del
mismo fabricante, en principio, exactamente iguales) pueden tener valores de
completamente dispares.
Figura 4.27.- Especificaciones de la ganancia de corriente ( hFE) de un BJT.
100
Figura 4.28.- Especificaciones de la ganancia de corriente ( hFE) de un BJT.
Es interesante hacer notar que el dato que ofrece el fabricante de transistores es

la ganancia de corriente en continua (hFE)
h IC (4,3)
FE
IB
Por otra parte, de la expresin (4,2) podemos obtener el valor de

II (4,4)
C CO
IB ICO
Comparando las expresiones (4,3) y (4,4), podemos ver como hFE y no son
exactamente lo mismo, aunque a efectos prcticos sus valores son realmente similares
(debido al pequeo valor de ICO). Es por ello que en la prctica se habla indistintamente
de hFE o sin hacer distinciones
Regin de Corte:
101
Queda delimitada por la curva IB = 0 que marca el lmite entre las zonas activa y
de corte.
Figura 4.29.- Corrientes en un BJT en Emisor Comn en la zona de corte.
Para IB = 0, segn la ecuacin (4,2)
IC 1 I CO ICEO
Pero , segn hemos visto anteriormente, puede valer hasta 499, lo cual nos
indica que a pesar de tener la entrada en circuito abierto, podemos tener una corriente
entre el colector y el emisor de 500 ICO. Y si bien el valor ICO, suele ser muy pequeo,
en determinadas condiciones (altas temperaturas, transistores de germanio, etc.) y al
estar multiplicado por un factor de 500, la corriente ICEO puede tener una importancia
relativa. Es por esto que la curva de IB = 0 esta sensiblemente ms separada del eje
horizontal que en el caso de las curvas en base comn.
Regin de Saturacin:
Razonando de forma anloga a como lo hicimos en las caractersticas de salida

en base comn. Vemos como en apenas 0,2 V (para un transistor de silicio) la corriente
de colector cae a 0 debido a que al estar las dos uniones polarizadas en directa, las
corrientes se anulan entre s.
Figura 4.30.- Cada de las corrientes en la zona de saturacin.
102
9.- CURVAS CARACTERSTICAS EN COLECTOR COMN.
Desde el punto de vista de diseo de un circuito con un transistor en la

configuracin colector comn, se utilizan las caractersticas de emisor comn.
En el caso de las caractersticas de entrada, en colector comn tendramos
I B f VCB ,VEC , que seran muy similares a las de emisor comn. Respecto a las
caractersticas de salida, en emisor comn seran IE f VEC , IB . Teniendo en cuenta que

debido a que 1; IC IE, por tanto las caractersticas en colector comn
seran casi idnticas a las de emisor comn. Es por ello que, como
se ha dicho anteriormente, para el diseo de circuitos de
transistores en colector comn, se utilizan las caractersticas en
emisor comn.
10.- CURVA DE PUNTOS CARACTERSTICOS
Como se ha visto en los apartados anteriores, la corriente de colector depende de

la corriente presente en el terminal de base, que a su vez depende principalmente de la
tensin aplicada a la unin emisor-base. Con el fin de delimitar las distintas zonas de
funcionamiento del transistor, y en consecuencia conseguir la polarizacin adecuada
segn las distintas aplicaciones que se quiera realizar del mismo, resulta til representar
la corriente IC frente a la tensin VBE. El resultado obtenido es la grfica de la figura
4.31. Teniendo en mente el circuito en emisor comn que aparece en la figura anterior,
para valores negativos de VBE el transistor se encuentra en corte, por lo que la corriente
IC toma un valor muy pequeo, prximo a IC0. Lo mismo sucede para tensiones positiva
que se encuentran por debajo de la tensin de codo o tensin umbral de la unin emisor-
base (figura 4.23) ya que para esas tensiones la corriente de base es prcticamente cero,
y por lo tanto tambin lo ser IC. Una vez superada la tensin umbral, la corriente de
base crece exponencialmente con la tensin VBE, obtenindose valores muy altos de la
corriente de colector, hasta que se alcanza la saturacin. En la figura 4.31 se muestran
valores caractersticos que se obtienen a partir de esta grfica y que servirn de
referencia para desarrollar los modelos equivalentes del transistor trabajando en gran
seal.
103
Figura 4.31.- Grfica de la corriente de colector en funcin de la tensin base-emisor. En la tabla se muestran los
valores ms caractersticos de dicha grfica para transistores de Silicio y germanio.
11.- PUNTO DE FUNCIONAMIENTO.
Figura 4.32.- Circuito para la polarizacin de un BJT.
Analizando las tensiones de la malla de entrada
VBB RB I B VBE (4,5)
104
Esta expresin en el plano de las caractersticas de entrada es una recta, cuya

interseccin con la curva VCE correspondiente nos dara el par de valores IB, VBE del
punto de funcionamiento. Sin embargo, no conocemos VCE, para calcularla tenemos que
analizar la malla de salida.
VCC RC I C VCE
Ahora la interseccin de esta recta con la curva de IB correspondiente nos

proporciona el punto IC, VCE de polarizacin. Pero desconocemos IB, y para calcular IB
necesitamos VCE y para calcular IB hay que saber VCE. Estamos, aparentemente, en un
punto sin salida. Para resolver este problema necesitamos el uso de mtodos numricos
iterativos.
En primer lugar agrupamos todas las curvas caractersticas de entrada en una

nica. Encontramos la interseccin con la recta (4,5) con dicha curva procediendo de
forma anloga a como hicimos en el captulo 2 para obtener el punto de funcionamiento
en la unin pn (mtodo iterativo partiendo de una solucin inicial). De esta forma
obtenemos una solucin inicial IB1. Con este valor podemos ir a las caractersticas de
salida y obtener IC1 y VCE1. Si ahora suponemos el valor VCE1 calculado anteriormente
podemos volver a las caractersticas de entrada y calcular el nuevo IB2 y VBE2. De forma
que ahora la nueva corriente de base es IB2 con lo que tenemos un nuevo punto IC2,
VCE2. As seguiramos iterando hasta que la solucin converja en un punto, de forma
que tendramos determinado el punto de funcionamiento.
Vemos como la obtencin del punto de funcionamiento, o punto de polarizacin

del transistor, necesita de mtodos de clculo relativamente complejos, abordables
nicamente con el empleo de potentes calculadoras, o en su defecto, ordenadores
personales. Es, por tanto, evidente la necesidad del empleo de simplificaciones para
calcular el punto de funcionamiento.
105
a) b)
Figura 4.33.- Obtencin del punto Q de funcionamiento en las curvas caractersticas de entrada (a) y en las de
salida (b).
Teniendo en cuenta los puntos ms representativos de la caracterstica tensin

corriente IC-VBE, indicados en la tabla de la figura 4.31, podemos suponer que no hay
corriente de base hasta que la tensin emisor-base supera la tensin umbral, punto a
partir del cual la corriente IC, y por tanto IB, crecen de forma brusca. As, a efectos
prcticos, podemos sustituir las caractersticas de entrada y de salida de la configuracin
en emisor comn por las representadas en la figura 4.34
Figura 4.34.- Aproximacin de las caractersticas de entrada y de salida de un transistor en la configuracin de

emisor comn cuando se trabaja en gran seal.
En el caso de las caractersticas de entrada, consideraremos una nica curva,

como se ha comentado anteriormente, y adems supondremos que no hay corriente por
el terminal de base hasta que no se supere la tensin umbral de 0,7V. A partir de este
106
punto, por el terminal de base puede circular cualquier corriente, valor que estar
limitado por el circuito de polarizacin.
En cuanto a las caractersticas de salida, para cualquier valor de la corriente de

base, el transistor se comporta como una fuente de corriente, manteniendo el valor de IC
constante hasta que la tensin VCE cae por debajo de los 0,2V, momento en que se corta
la corriente por el terminal de colector, ya que el valor de VBE es inferior a la tensin
umbral. Concretando:
V V I 0 Corte
BE BE ,ON C
V V I C I B Activa
V
CE CE ,sat
VBE VBE ,ON V I CI B saturacin

CE CE ,sat
Esta aproximacin la utilizaremos siempre que trabajemos con el transistor

como amplificador para seales de entrada por encima de algunos cientos de mV y
tambin en las aplicaciones como interruptor.
12.- POLARIZACIN DEL TRANSISTOR.
La polarizacin del transistor consiste en aplicar las tensiones adecuadas a las

uniones de emisor-base y colector -base que permitan situar al transistor en la regin de
funcionamiento adecuada a la aplicacin que se persigue, en ausencia de la seal de
entrada. Si la aplicacin que se persigue es la utilizacin del transistor como
amplificador, situaremos el punto de trabajo en aquella zona dnde tenga un
comportamiento ms o menos lineal. Como ya se ha visto en la curva de puntos
caractersticos del transistor, este comportamiento se puede apreciar en la zona activa,
tal y como muestra la figura 4.35.
Aplicando una seal variable a la unin base-emisor (VBE) obtenemos una

corriente de salida, en este caso IC, de forma muy semejante a la seal aplicada. Si lo
que se pretende es que el transistor se comporte como un circuito abierto, situaremos el
punto de funcionamiento en la regin de corte. En esta regin para cualquier variacin
107
de la tensin VBE, obtendremos la misma corriente IC, cuyo valor es tan pequeo que se
puede considerar cero. De igual modo, si lo que se busca es el comportamiento como
cortocircuito, nos situaremos en la zona de saturacin, dnde podemos obtener
cualquier valor de IC sin cambios apreciables en la tensin VBE. Una vez elegida la zona
de funcionamiento, hay que procurar que el punto de trabajo sea lo ms estable posible,
con el fin de asegurar su correcto funcionamiento para un amplio rango de seales de
entrada.
Figura 4.35.- Ilustracin del comportamiento aproximadamente lineal del transistor en la zona activa.
La polarizacin del transistor se logra a travs de los circuitos de polarizacin

que fijan sus corrientes y tensiones. En la figura 4.36 se muestran los circuitos de
polarizacin ms tpicos basados en resistencias y fuentes de alimentacin.
La eleccin de un circuito u otro depender de la aplicacin y del grado de

estabilidad que se desea del punto de polarizacin.
108
Polarizacin de base Polarizacin de base con RE
Polarizacin por divisor de tensin Polarizacin por divisor de tensin con RE
Polarizacin por realimentacin Polarizacin por realimentacin Polarizacin de emisor con dos
de emisor de colector (autopolarizacin) fuentes de tensin
Figura 4.36.- Diferentes circuitos empleados en la polarizacin de un transistor
12.1.- Circuito de polarizacin de base (polarizacin fija).
Como punto de partida en el anlisis de la estabilidad del punto de polarizacin

segn el circuito de polarizacin seleccionado, nos fijaremos en el circuito de
109
polarizacin fija. En la figura 4.37 se indican los sentidos de las corrientes y tensiones
reales cuando se encuentra el transistor trabajando en la zona activa.
Tomando como punto de partida para el anlisis de dicho circuito la malla de

entrada:
V V R I B
IB V V (4,5)
CC BE
CC BE B
RB
Planteando la expresin de la malla de salida:
VCC VCE RC IC
Figura 4.37.- Sentidos de las corrientes y tensiones en el circuito de polarizacin fija trabajando en la zona activa..
Si representamos dicha expresin sobre las curvas caractersticas del

transistor en la configuracin en emisor comn obtenemos la recta de carga esttica de
dicho circuito, cuya interseccin con la curva de IB, obtenida a travs de la expresin
(4,5), nos fija el punto de polarizacin. En esta figura 4,38 se han indicado los valores
mximos y mnimos de la tensin VCE para la zona activa en funcin del valor fijado
para IB.
ICIB VCC VCE RC IB

Si IB 0 V V V
CE CE CC
Si I I V V
B B ,sat CE CE ,sat
110
Figura 4.38.- Representacin de la recta de carga esttica de un circuito de polarizacin fija sobre las
caractersticas de salida en emisor comn.
12.1.1.- Dependencia con
Tomando un valor de IB que nos sita el punto de trabajo en la zona intermedia

de la zona activa, analizaremos la estabilidad de dicho punto ante posibles variaciones,
tanto de los parmetros internos del transistor, como de las variables externas. Como es
sabido, un incremento en la temperatura provoca un incremento en la del transistor,
efecto que se ve representado en la figura 4,39. Si en un principio se ha fijado el punto
de trabajo en la posicin Q1 para una IB constante establecida por el circuito de entrada,
un incremento de la temperatura de T1 a T2 nos llevar a una nueva del transistor de
forma que el nuevo valor 2 > 1. Si aumenta la , permaneciendo constante la IB, se
obtienen mayores valores de la corriente IC, ya que IC IB, por lo que el punto de
trabajo se ha trasladado a la posicin Q2, caracterizado por los nuevos valores de IC2 y
VCE2.
De forma analtica:
IB V V V V
CC BE
RB IC
CC BE
ICIB RB
111
Dnde podemos confirmar la dependencia directa de la corriente IC con la del

transistor.
Figura 4.39.- Modificaciones del punto de trabajo en un circuito de polarizacin fija cuando se producen
variaciones en la temperatura (T2 >T1)
12.1.2.- Influencia de VCC.
La inestabilidad del punto de trabajo con la temperatura se ve acentuada con el

incremento en la tensin de alimentacin del circuito, tal y como se muestra en la
figura 4.40. Cuanto mayor sea VCC, mayor ser el desplazamiento del punto Q ante una
variacin de .
Figura 4.40.- Desplazamiento del punto de trabajo en un circuito de polarizacin fija cuando se producen
variaciones en la temperatura e incrementos en la tensin de alimentacin V CC.
112
12.1.3.- Influencia de RC
Los desplazamientos en el punto Q se pueden compensar, en cierta medida,

modificando algunos elementos del circuito. Como se aprecia en la figura 4,41, cuanto
mayor sea RC menor ser el desplazamiento del punto Q ante una variacin de .
Figura 4.41.- Compensacin del desplazamiento del punto de trabajo en un circuito de polarizacin fija a medida
que aumenta RC.
12.1.4.- Influencia de RB
En cambio, si se intenta compensar estas variaciones modificando el valor de R B

se corre el riesgo de entrar en la regin de saturacin. Por ejemplo, si se toma el valor de
RB = RC nos encontramos en el lmite con dicha regin (figura 4.42)
I C1 V V V V I C ,sat
CC BE CC BE
R
B R
C
Para valores de RB < RC se garantiza que llevamos el transistor a saturacin

I V V V V Saturacin
CC BE CC BE
C2 RB R
C
113
Figura 4.42.- Riesgo de llevar el transistor a la zona de saturacin al intentar compensar las variaciones del punto
Q modificando RB.
12.2.- Efecto de RE.
El problema del desplazamiento del punto Q con las variaciones de que

acabamos de analizar, se puede compensar aadiendo una resistencia en el terminal de
emisor, tal y como se muestra en la figura 4.43
Figura 4.43.- Polarizacin de base con resistencia de emisor
Partiendo de la malla de entrada
VCC RE I E VBE RB I B cte. (4,6)
Por otro lado tenemos:
114
IE I B IC IE 1I C I E IC
I C IB
Por lo tanto, si aumenta, aumenta la corriente IC, y en consecuencia la IE.

Debido a este aumento de IE, aumentar la cada de tensin en la resistencia de emisor
REIE. Si tenemos en cuenta la expresin (4,6), en la que podemos considerar constante
la tensin VBE, el razonamiento anterior nos lleva a que la cada de tensin en la
resistencia de base debe disminuir (RBIB), por lo tanto, debe disminuir la corriente IB.
Si disminuye IB, disminuye IC, compensando de esta manera el incremento que dicha
corriente ha experimentado debido al aumento de . En definitiva, la resistencia de
emisor origina una tensin que contrarresta las variaciones de . En otras palabras,
podemos decir que el circuito reacciona oponindose a la causa que ha originado la
perturbacin.
En la figura 4.44 se ha comparado ambos tipos de circuito de polarizacin de

base, sin y con resistencia de emisor. En el caso de tener RE (figura 4.43), la nueva recta
de carga esttica ser:
VCC RC I C VCE RE IE
I E IC
VCC RC RE I C VCE
Cuya pendiente ser -1/(RC+RE), menor que en el caso de polarizacin de base

sin resistencia de emisor (-1/RC)
La curva indicada por IB2(T2) se corresponde con la nueva corriente de base

debida a la compensacin realizada por la RE. A pesar de la perdida en la tensin VCE
del punto de polarizacin se ve claramente la disminucin en las variaciones del punto
Q, que son incluso menores que las que se produciran en el caso de modificar la IB al
mismo valor en el caso de polarizacin de base sin RE.
115
Figura 4.44.- Correccin de la variacin del punto Q debido al efecto opuesto de la resistencia de emisor.
El valor de la RE no puede ser cualquiera, como es lgico, sino aquel que nos
haga el punto Q estable frente a las variaciones de . Teniendo en cuenta la expresin
(4,6):
E B
VR I VR I
CCE BE B
I V V
C
I CI B IB IC
CC BE
R RB
E
1I E IC
Si
R
Si R 100 RB , la expresin anterior se puede simplificar
B
R
E E
IC VCC VBE
a , lo que convierte al circuito insensible a las variaciones de . En este
RE
caso se dice que el circuito es estable.
El anlisis realizado se puede llevar a cabo para el resto de circuitos

representados en la figura 4.36, observndose que unos circuitos son ms estables que
otros debido a su configuracin.
116
12.3.- Circuito de polarizacin por divisor de tensin.
Uno de los circuitos ms empleados en amplificacin es el que utiliza

polarizacin por divisor de tensin, que ya ha sido presentado en la figura 4.36, y en el
cual el valor de R1 y R2 determinan la ubicacin del punto Q. El motivo de su
utilizacin es la mejora que se obtiene en la estabilidad del punto de polarizacin. La
razn fsica de esta mejora tambin se encuentra en la resistencia de emisor RE. Si IC
tiende a aumentar como consecuencia del aumento de la del transistor, se produce un
aumento de la cada de tensin en la RE, y por tanto una disminucin de la tensin en la
unin emisor-base. Al disminuir VBE, si tenemos en cuenta las caractersticas de entrada
en la configuracin de emisor comn, disminuye IB, por lo tanto, IC aumentar menos de
lo que lo hara de no haberse instalado la resistencia RE.
Con el fin de analizar este circuito, una herramienta muy prctica es la

simplificacin del circuito de base empleando el teorema de Thvenin, como se muestra
en la figura 4.45.
a) b) c)
Figura 4.45.- Circuito de polarizacin por divisor de tensin: (a) sentidos de las corrientes y tensiones trabajando
en la zona activa. (b) Puntos de referencia para realizar la simplificacin mediante el teorema de
Thvenin. (c)Circuito resultante.
Tomando como referencia los puntos A y B de la figura 4.45b se obtiene un

circuito de dos mallas, dnde la tensin y resistencia efectiva vista desde el terminal de
la base son:
117
RTH R1 R2 R1 R2
R R
1 2
V R
V CC 2
TH
R1 R2
Es necesario determinar R1 y R2 para establecer el punto de polarizacin

requerido, as como lograr la mxima estabilidad posible del mismo. Analizando el
circuito equivalente resultante:
VTH RE I E VBE RTH IB

IE IB IC IE 1I C IE IC
ICI B
V V
IC TH BE
R
R TH
E
Si en esta expresin hacemos que R R 100 RTH , se puede

E
TH
R
E
simplificar a
V V
IC TH BE
RE
Consiguindose un circuito estable frente a las variaciones de .
Segn lo comentado anteriormente, si se eligen R1 y R2 de tal forma que

1
RTH 100 RE , habremos conseguido lo que se denomina un Circuito Estable,
pero en ciertas aplicaciones interesan valores de RTH mayores, por lo que es habitual
1
considerar RTH 10 RE obtenindose lo que se conoce como Divisor Firme.
A partir de la condicin de estabilidad tambin podemos calcular R1 y R2. Una

vez obtenido el valor de RTH,
118
R1 R2
RTH R1 R2
R1 R2
En la mayora de las aplicaciones R1 >R2, por lo tanto:
RTH R1 R2 R2 R2
R R 1 R2 R
1 2 1
1
Para el caso de un circuito estable: R2 100 RE , y en el caso de un divisor
1
firme: R2 10 RE .
13.- EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR.
Atendiendo a las condiciones de estabilidad del punto Q, el circuito sta

completamente especificado. Se conocen los valores de RE, R1 y R2 que satisfacen esta
condicin, pero tal vez el punto de polarizacin no est colocado de manera ptima y,
de hecho, se puede descubrir que el transistor se encuentra en la zona de corte o de
saturacin.
Si la aplicacin que se persigue es como amplificador de una seal, tenemos que

colocar el punto de trabajo en una posicin que me permita la mxima amplitud y la
mnima distorsin en la seal de salida. En el circuito de la figura 4.46a, a parte de la
tensin de polarizacin VBB se ha introducido una seal variable vb, que es la seal que
se quiere amplificar. Si sobre la caracterstica de entrada trazamos la recta que
representa al circuito de entrada, considerando vb = 0
VBB RB I B VBE
obtenemos la posicin del punto Q (figura.4.46b)
119
a) b)
c) d)
Figura 4.46.- Circuito amplificador, (a) sentido de las corrientes y tensiones, (b) caracterstica de entrada con la
situacin del punto Q, (c)Tensin total aplicada a la entrada, (c)variacin en la corriente de base
segn el valor de vBB.
Para cualquier otro valor de la tensin vb, el punto de trabajo de mover hacia
arriba y hacia abajo a lo largo de la curva caracterstica, tal y como se indica en la
figura 4.46b (vBB =VBB+vb). Como esa parte de la caracterstica de entrada se puede
considerar lineal, la corriente iB = IB+ib adquirir una forma similar a la seal de
entrada.
Trasladando el punto de trabajo a las caractersticas de salida, y teniendo en cuenta

que iC iB, la seal que se obtiene a la salida, vCE, es similar a la de la entrada pero
amplificada (figura. 4.47). Si queremos obtener la mxima excursin (amplitud de la seal
sin distorsin) de vce, el punto Q lo hemos de situar en el centro de la recta de carga, de
esta manera aseguramos la mxima distancia hacia corte y hacia saturacin.
120
Figura 4.47.- Desplazamiento del punto Q a lo largo de la recta de carga segn la seal de entrada y tensin v CE
que se obtiene a la salida
Si el punto de trabajo lo situamos cerca de la zona de corte, para el mismo valor

de pico de la seal de entrada anterior, se corre el riesgo de que la seal de salida salga
recortada (distorsionada) por alcanzar dicha regin (distorsin por corte) (fig.4.48a). Lo
mismo ocurre si situamos el punto Q cerca de la zona de saturacin, siendo, por
consiguiente, la distorsin es por saturacin (fig.4.48b)
a) b)
Figura 4.48.- Distorsin de la seal de salida, (a) por corte, (b) por saturacin
Si, por otra parte, la seal de entrada es pequea, el punto Q se puede situar en
valores ms bajos de IB, y por tanto de IC, obteniendo as una seal de salida sin
distorsin con una menor disipacin de potencia en condicin esttica.
121
14.- EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR.
La polarizacin de base es muy til en los circuitos digitales, la razn es que, por
lo general, estos circuitos se disean para funcionar en las regiones de saturacin y
corte. Por ello, se va a obtener a la salida una tensin prxima a la de alimentacin
(valor alto de tensin) y tambin prxima a cero (valor bajo de tensin). Dicho de otra
manera, no se emplea ningn punto Q que no est situado en la regin de saturacin o
corte, por lo que la estabilidad de dicho punto pasa a un segundo plano. En la figura
4.49a se muestra un esquema de polarizacin de base al cual se le aplica una tensin vi
que puede tomar valores muy altos, prximos a VCC, o bien prximos a cero.
Si en dicho circuito se hace que vi = 0, la tensin en la unin emisor-base no ser

suficiente para que haya una corriente de base apreciable, por lo que se puede
considerar que IB = 0, y en consecuencia IC = 0.
a) b)
Figura 4.49.- Circuito de polarizacin de base. (a) esquema de circuito apto para funcionar como interruptor. (b)
puntos de trabajo de dicho circuito sobre las caractersticas de salida.
En esta situacin, la cada de tensin en la resistencia de colector ser nula, y

toda la tensin de alimentacin, VCC, la tenemos en los terminales de colector y emisor,
por tanto, a la salida, V0 = VCC. Esta situacin se corresponde con el punto de trabajo Q1
mostrado en la fig.4.49b. Por el contrario, si vi = VCC, la corriente de base ser muy
elevada, al igual que IC, llevando el transistor a la zona de saturacin, posicin
representada por Q2. En esta zona VCE 0,2V, valor que se puede considerar cero en
comparacin con las tensiones que estamos manejando y, por tanto, V0 = 0. En la figura
4.50 se han representado los circuitos equivalentes del transistor trabajando en ambas
situaciones. Si vi = 0 el transistor se comporta como un circuito abierto (4.50a) y si
vi = VCC se puede considerar al transistor como un cortocircuito (4.50b).
122
a) b)
Figura 4.50.- Circuito equivalente del transistor, (a) trabajando en la zona de corte, (b) trabajando en saturacin
123

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Tema 4. El Transistor de Unin Bipolar.

EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR.

Hemos empezado la asignatura estudiando los materiales de los que estn

2.- CONSTRUCCIN DEL TRANSISTOR.

El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas. Podemos tener una zona de

Figura 4.1.- Estructura del transistor BJT.

La zona de emisor es la ms fuertemente dopada de las 3, es la zona encargada

La base tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se

La zona de colector, como su propio nombre indica es la encargada de recoger o

3.- SMBOLOS Y CONVENIO DE SIGNOS

Figura 4.2.- Sentidos de tensiones y corrientes en el BJT.

En la figura aparecen los smbolos que se utilizan para la representacin del

4.- ZONAS DE FUNCIONAMIENTO

Cuando en el tema 2 hablbamos de la unin pn veamos que tenamos dos

en directa, el transistor se encuentra en activa inversa. De las cuatro zonas, las 3

Figura 4.3.- Zonas de funcionamiento del transistor BJT.

Notar que en todo momento hablamos de polarizaciones en directa o en inversa

5.- CORRIENTES EN LA ZONA ACTIVA

Como acabamos de ver un transistor est trabajando en la zona activa cuando la

Vamos a comenzar el estudio suponiendo que la unin de emisor est polarizada

a) Polarizacin de la unin de emisor b) Polarizacin de la unin de colector

Figura 4.4.- Polarizacin (por separado) de la uniones de emisor y colector en un BJT.

A continuacin vamos a analizar la unin de colector suponiendo que est

Analicemos ahora la polarizacin simultnea de ambas zonas (figura 4.5), en

Figura 4.5.- Zonas de funcionamiento del transistor BJT.

Si tenemos en cuenta que I pE InE , tendremos que IE I pE .

Por otra parte, podemos expresar I pC I pE , donde representa la fraccin de

portadores que inyectados por el emisor alcanzan el colector.

Con lo que podemos expresar la corriente de colector en la forma

ICI E ICO (4,1)

De la expresin anterior podemos deducir

A partir de la cual podemos dar otra definicin de : Es la relacin entre el

El parmetro es conocido como ganancia de corriente en continua. En los

6.- ECUACIN DE EBBERS-MLL.

La expresin (4,1) slo es vlida en la regin activa (JE en directa y JC en

Si llamamos IC a la corriente que tendramos en el colector si el emisor

Donde ICS es la corriente inversa de saturacin o corriente de fugas de la unin

Figura 4.6.- Sentidos de las variables de la ecuacin de Ebbers-Mll.

Base Comn Emisor Comn Colector Comn

Figura 4.7.- Configuraciones del BJT.

Curvas caractersticas de entrada en base comn.

Curvas caractersticas de salida en colector comn.

7.- CURVAS CARACTERSTICAS EN BASE COMN.

7.1.- Curvas caractersticas de entrada.

En las curvas caractersticas de entrada en base comn se representa

Estas curvas aparecen representadas en la figura 4.8. En principio, si

Figura 4.9.- Curvas Caractersticas de Entrada en Base Comn en un BJT pnp.

El efecto Early es tambin conocido como efecto de modulacin de anchura de

Figura 4.10.- Modulacin de la anchura efectiva de la base por efecto Early.

Efecto Early en la caracterstica de entrada en base comn

En la curva caracterstica de entrada en base comn, al disminuir la anchura de

Figura 4.11.- Efecto Early. Aumento de la corriente de emisor.

Figura 4.12.- Efecto Early en las caractersticas de entrada.

7.2.- Curvas caractersticas de salida.

En las curvas caractersticas de salida en base comn se representa:

Los sentidos positivos de tensiones y corrientes aparecen en la figura 4.12.

Figura 4.14.- Curvas caractersticas de salida en Base comn en un BJT pnp.

En estas curvas aparecen claramente diferenciadas las tres zonas de inters

Est delimitada por la curva con IE = 0

Figura 4.15.- Corrientes en un BJT en Base Comn en la zona de corte.

ICBO es la notacin usada ms frecuentemente en la hojas de caractersticas (data

En resumen cuando las dos uniones estn polarizadas en inversa no hay

El transistor trabaja en esta zona cuando la unin de emisor est polarizada en

Figura 4.16.- Polarizacin del BJT pnp en la zona activa.