Eletronica Industrial CEFET PDF

www.mecatronicadegaragem.blogspot.
com
Centro Federal de Educao

Tecnolgica de Santa Catarina
Gerncia Educacional de Eletrotcnica
ELETRNICA INDUSTRIAL
CURSO TCNICO DE ELETROTCNICA
Florianpolis, 2003
www.mecatronicadegaragem.blogspot.com
1. ELETRNICA: BREVE HISTRICO
No incio do sculo, com o surgimento da vlvula eletrnica, houve um grande avano na produo de
equipamentos e dispositivos fabricados com a finalidade de executar muitas tarefas teis para a poca. Rdios,
telgrafos, telefonia e at mesmo a televiso tiveram seu desenvolvimento por causa das vlvulas. Voc deve
estar se perguntando:
O que uma vlvula eletrnica? Observe a figura abaixo.
catodo
anodo
filamento
Uma vlvula um dispositivo composto por duas placas metlicas encapsuladas em vidro evacuado.
Dentro desse bulbo de vidro, tambm h um filamento que, conectado a uma bateria, aquece uma das placas, o
catodo, gerando um fluxo de eltrons que tende a se deslocar em direo segunda placa, polarizada
positivamente, chamada anodo. Quando invertemos a polarizao da placa, cessa o fluxo de eltrons, ou seja,
cessa a corrente eltrica dentro do tubo. Podemos concluir, a partir disso, que possvel fazer circular a
corrente em um nico sentido dentro de uma vlvula diodo.
Pg. 2/38
2. SEMICONDUTORES
Semicondutores so materiais slidos ou lquidos, capazes de mudar com certa facilidade de sua
condio de isolante para a de condutor, isto , podem sofrer grandes alteraes em sua condutividade.
2.1. Condutividade eltrica

a capacidade de conduzir corrente eltrica sob
aplicao de uma tenso, tem uma das mais amplas
faixas de valores que qualquer outra propriedade fsica
da matria. Metais como cobre, prata e alumnio so
excelentes condutores, mas isolantes como diamante e
vidro so condutores muito pobres. Em baixas
temperaturas, semicondutores puros se comportam
como isolantes. Sob temperaturas mais altas ou luz ou
com a adio de impurezas, porm, pode ser aumentada
dramaticamente a condutividade de semicondutores
podendo ser alcanados nveis que se aproximam dos
metais. As propriedades fsicas de semicondutores so
estudadas em fsica do estado slido.
2.2. Eltrons de conduo e lacunas

Os semicondutores comuns so fabricados a partir de elementos qumicos (semimetais) como silcio,
germnio e selnio; alm de combinaes como: arseneto de glio, seleneto de zinco e telureto de
chumbo. O aumento da condutividade com a temperatura, luminosidade ou impurezas surge de um
aumento no nmero de eltrons de conduo que
so os portadores da corrente eltrica. Em um
semicondutor puro, ou intrnseco (inerente), como o
silcio, os eltrons de valncia, ou eltrons
exteriores de um tomo (ltima camada), formam
pares e so compartilhados entre tomos vizinhos
formando ligaes covalentes que mantm coesa a
estrutura do cristal. Estes eltrons de valncia no
so livres para produzir corrente eltrica. Para
produzir eltrons de conduo, temperatura ou luz
usada para excitar os eltrons de valncia para fora
de suas ligaes, deixando-os livre para produzir
corrente. A deficincia de eltrons, ou lacunas, surgem no lugar de onde saram os eltrons
excitados, o que faz com que outros eltrons livres ou de valncia possam vir a completar aquele par
na ligao covalente. Diz-se que as lacunas so os "portadores positivos" de eletricidade. Esta a
origem fsica do aumento na condutividade eltrica de semicondutores com a temperatura. Devido
dupla possibilidade de conduo de corrente, por eltrons livres e por lacunas, a condutividade pode
aumentar expressivamente nestes cristais.
2.3. Dopagem
Outro mtodo para produzir portadores de carga eltrica livres adicionar impurezas, ou dopar, ao
semicondutor. A diferena no nmero de eltrons de valncia entre o material dopante (doadores ou aceitadores
de eltrons), e o cristal intrnseco, d lugar a semicondutores extrnsecos (artificiais) dopados negativamente
(tipo negativo ou n) ou positivamente (tipo positivo ou p). Cada tomo de silcio possui quatro eltrons de
Pg. 3/38
valncia. So necessrios dois eltrons de tomos distintos para formar uma ligao covalente. No semicondutor
de silcio tipo n, tomos como o fsforo (P) com cinco eltrons de valncia, substituem tomos de silcio e
provem eltrons extras. Como sobram eltrons (carga negativa), o semicondutor do tipo n. No semicondutor
de silcio tipo p, tomos com trs eltrons de valncia, como o alumnio (Al), produzem uma deficincia de
eltrons, ou uma lacuna que age como um portador de carga positiva. Os eltrons extras e as lacunas podem
produzir corrente eltrica. Acrescente-se que quando um eltron ocupa a rbita de uma lacuna, devolve a
energia cintica que possui, desaparecendo duas cargas livres (o eltron e a lacuna). A este processo chama-se
recombinao.
2.4. Juno pn
Quando regies de semicondutor do tipo p e tipo n so adjacentes dentro de um mesmo cristal, forma-se
um diodo semicondutor. A regio de contato chamada juno pn. Um diodo um dispositivo de dois
terminais que tem uma condutncia baixa corrente eltrica em uma direo mas uma alta condutncia eltrica
na outra direo.
As propriedades de condutncia da juno pn dependem da polaridade e valor da tenso sobre o

dispositivo. Sries de junes pn so usadas para fazer transistores e outros dispositivos semicondutores como:
clulas fotoeltricas, tiristores, laser, retificadores, e etc.
Pg. 4/38
3. DIODO SEMICONDUTOR
O Diodo semicondutor um elemento que tem a funo de deixar passar a corrente em um sentido (para
um lado) e no deixar passar a corrente em sentido contrrio. Esse componente muito utilizado em circuitos
que precisam transformar corrente alternada em corrente contnua, como se ver na tarefa que envolve
retificadores de tenso.
ANODO CATODO
I
Como exemplo, podemos analisar o funcionamento do circuito abaixo e que utiliza um diodo entre a
lmpada e a fonte de tenso.
1a Situao: Diodo polarizado diretamente
A lmpada acende porque o diodo est diretamente

polarizado (o circuito fecha e a corrente passa para a
lmpada)
V
2a Situao: Diodo polarizado reversamente
circuito no percorrido por corrente, pois o

diodo est "bloqueado" (reversamente polarizado).
V
3.1. Como construdo um diodo?
A funo bsica do diodo semicondutor deixar passar a corrente eltrica em um sentido e no

deixar passar no sentido inverso. A construo feita usando um material semicondutor, o qual
permite que sua capacidade de conduo seja alterada pela adio de impurezas (negativas ou
positivas). Em um dos lados so adicionadas cargas positivas e no outro, negativas, separadas por uma
barreira que no permite que elas se recombinem. Para que haja a circulao de corrente, necessrio
que se aplique a ele uma polarizao adequada. Como voc observou no experimento, a corrente s
passa pelo diodo quando o terminal do ANODO est ligado ao plo positivo da bateria e o CATODO
ligado ao plo negativo.
Pg. 5/38
BARREIRA DE POTENCIAL
Regio P Regio N
Anodo Catodo
3.2. Principais especificaes do diodo

Os diodos disponveis no mercado possuem especificaes que se referem sua capacidade de
corrente direta, tenso reversa, freqncia de operao, potncia mxima e podem identificados nas
folhas de dados dos componentes da seguinte forma:
GRANDEZA Simbologia / unidade Ex: Diodo 1N4001
Corrente Direta Mxima IDM (A) 1A

Corrente de Fuga (inversa) IF (A) 10A
Tenso de Pico inversa (reversa) VBr (V) 50V
Potncia Mxima PDM (W) 1W
3.3. A Curva do diodo e a Reta de Carga
ID Corrente no diodo
VD Tenso no diodo
IS Corrente de saturao (corrente mxima
no diodo considerando-o como um curto).
Q Ponto quiescente ou ponto de trabalho.
Vc Tenso de corte (tenso no diodo para
corrente nula).
Vcc Tenso da fonte.
RL Resistncia da carga.
IF Corrente de fuga (com o diodo na
polarizao reversa).
O grfico acima mostra a curva caracterstica de um diodo. Quando VD e ID so positivos temos o

comportamento do diodo na polarizao direta. Quando VD e ID so negativos temos o diodo na polarizao
reversa.
Na polarizao reversa temos uma pequena corrente de fuga (IF - 10 A para o diodo 1N4001) e o ponto
de quebra (VBR 50V para o diodo 1N4001) ou seja, a mxima tenso reversa que o diodo suporta.
Na polarizao direta observamos o V (aproximadamente 0,7V para os diodos de silcio e 0,3V para os
diodos de germnio). A inclinao desta curva significa uma resistncia que o diodo apresenta quando
polarizado diretamente, isto : aumenta a tenso VD com o aumento da corrente que passa por ele.
Pg. 6/38
Este grfico apresenta tambm o traado de uma reta de carga. Qual a sua utilidade? De posse da curva
de um determinado diodo podemos determinar o seu ponto de trabalho (Q ponto quiescente). Desta forma
podemos determinar a reta de carga da seguinte forma:
Primeiro: Determina-se a tenso de corte VC = VCC e IS = Zero (na prtica a tenso da fonte).
Segundo: Determina-se a corrente de saturao considerando que o diodo um curto Is = VCC/RL e VD
= Zero.
Terceiro: Unindo-se os dois pontos acima, encontra-se o ponto quiescente (Q) no encontro com a curva
caracterstica do diodo.
Quarto: O ponto Q fornece a tenso e a corrente no diodo (VD e ID). Com estes dois pontos podemos
determinar a potncia dissipada pelo diodo (PD = VD x ID). De posse destes dados podemos escolher o diodo
para o circuito comparando os valores calculados com as especificaes tcnicas do componente.
3.4. Modelos do Diodo
3.4.1. Diodo Ideal

ID
Aqui ele um
curto circuito.
Aqui ele um
circuito aberto.
VD
3.4.2. Diodo com V

ID
V VD
3.4.3. Exemplo - 1
Calcule a corrente no diodo de silcio do circuito a seguir:
Considerando o modelo 1
Diodo ideal...
20
ID = = 100 mA
200
A potncia no diodo zero.
Pg. 7/38
Diodo com V = 0,7V diodo de silcio
20 0 , 7
ID = = 96 , 5 mA
200
A potncia no diodo : PD = VD x ID = 67,6 mW
3.4.4. Exemplo - 2
Calcule a corrente no diodo de silcio do circuito a seguir:
Diodo ideal.
3
ID = = 100mA
30
A potncia no diodo zero.
Diodo com V = 0,7V diodo de silcio
3 0 ,7
ID = = 76 ,7 mA
30
A potncia no diodo : PD=VD*ID = 53,7 mW
OBSERVAES:
H uma diferena entre as consideraes feitas para o clculo da potncia dissipada no diodo. Isto est
relacionado com as tenses aplicadas no diodo.
Logo, quando no for especificado, fica por conta do bom senso adotar o primeiro ou o segundo
modelo. Normalmente para tenses muito baixas, o 0,7V do diodo faz diferena ... como no clculo de uma
fonte de 3V, por exemplo, onde VD representa mais de 20%.
1) Qual a potncia dissipada num diodo de silcio com polarizao direta, se a tenso do
diodo for de 0,7 V e a corrente de 100 mA?
2) Determinar a reta de carga, o ponto quiescente (Q) e a potncia dissipada pelo diodo no
circuito a seguir, dada a sua curva caracterstica.
Pg. 8/38
3) Para os circuitos a seguir, utilizando-se os trs modelos de diodos, calcular o valor das
correntes nos diodos (D) e analisar os resultados obtidos.
Circuito 1:
Especificaes do diodo: V = 0,7 V e RD = 10

Circuito 2:
Especificaes do diodo: V = 0,7 V e RD = 10
4) O circuito abaixo apresenta um problema. Identific-lo e propor uma soluo.
5) Identificar a condio das lmpadas no circuito abaixo, de acordo com a seguinte

conveno:
- lmpada acende;
- lmpada no acende;
- lmpada acende com sobrecarga de tenso, podendo danificar-se.
Especificaes das lmpadas: VL = 6 V e PL = 120 mW
6) Esboar a curva caracterstica de um diodo de silcio com V = 0,7 V e VBR = 50 V.

Explicar com suas palavras cada parte do grfico.
7) Para o circuito da Figura 1, calcular a corrente e a potncia dissipada pelo diodo.

Considerar o modelo do diodo com V.
FIGURA 1
Pg. 9/38
8) Qual o valor da tenso reversa sobre o diodo, no circuito da Figura 2?
FIGURA 2
9) Aqui esto alguns diodos e suas especificaes de tenso de ruptura (VBR) e corrente
mxima (DM):
Diodo VBR (V) DM (A)
1N914 75 0,2
1N4001 50 1,0
1N1185 120 35,0
10) Qual desses diodos rompe-se, quando utilizado no circuito da Figura 3?
FIGURA 3
11) Quais os diodos relacionados no exerccio anterior, que podem ser utilizados no circuito da
Figura 4?
FIGURA 4
12) No circuito da Figura 5, VD = 5 V. O diodo est aberto ou em curto ?
FIGURA 5
13) No circuito da Figura 6, a resistncia R est em curto. Qual ser a tenso sobre o diodo? O
que acontecer ao diodo?
FIGURA 6
Pg. 10/38
14) O que h de errado com o circuito da Figura 7?
FIGURA 7
15) Para o circuito da Figura 10, calcular a corrente de saturao, a tenso de corte e o ponto
Q, dado a curva caracterstica do diodo. Qual o valor da potncia dissipada pelo diodo?
FIGURA 10
Pg. 11/38
4. DIODO EMISSOR DE LUZ (LED)
O diodo emissor de luz (LED) um tipo de diodo que funciona da mesma forma que os diodos comuns,
com a diferena de que o LED, quando polarizado diretamente, emite luz. Os LED's so muito utilizados em
circuito de sinalizao, e podem ter sua luminosidade controlada pela corrente que circula por ele. Sua tenso de
funcionamento varia entre 1,2 e 2,5 V. Existem LED's que trabalham emitindo radiao infravermelha
(invisvel) e so muito utilizados em circuitos de alarme contra roubo ou leitores de cdigo de barras em cartes
de plstico. O circuito abaixo mostra como podemos montar um circuito adequado para polarizar um diodo.
Podemos testar um LED simplesmente usando um multmetro analgico na escala de menor resistncia e
aplicando as ponteiras do instrumento ao componente para verificar se o mesmo acende. Existem aparelhos que
possuem uma funo especfica para teste de diodos.
A figura abaixo mostra como podemos ligar um LED a uma bateria atravs de um resistor de 390
para que este apresente uma luminosidade adequada.
12 V
I
Pg. 12/38
5. CIRCUITOS RETIFICADORES
A finalidade dos circuitos retificadores converter tenso alternada em tenso contnua (num nico
sentido). Para isso utilizamos tambm os transformadores que podem abaixar ou elevar a tenso alternada
(transformadores abaixadores e transformadores elevadores).
5.1. Tipos de transformadores

O primrio ou o secundrio pode ser constitudo de enrolamento nico ou mltiplo. Para o nosso estudo
vamos considerar alguns exemplos de transformadores:
5.1.1. Especificaes resumidas de um transformador

Exemplo 1. 110+110 V / 16+16V - 8VA. um transformador com dois enrolamentos no primrio
(tipo 4); o secundrio tambm com dois enrolamentos (tipo 2 ou tipo 3) com derivao central ou Center-Tap
que fornece 16V eficazes em cada enrolamento e uma corrente de 250mA em cada enrolamento (total de
500mA - 8VA). Os valores fornecidos so todos valores eficazes. A forma de onda senoidal.
Exemplo 2. 0 110 - 220V / 15V - 15 VA. um transformador que possui o primrio com derivao
central (tipo 3) e o secundrio com enrolamento nico (tipo 1 ou tipo 4) e fornece 1A.
O primrio e o secundrio do transformador esto assim relacionados (isto sem levar em conta as
perdas... um transformador ideal):
N1 V 1 I 2 N1
= e = onde: V1 I 1 = V2 I 2
N2 V2 I1 N 2
onde: N1 = nmero de espiras do primrio
N2 = nmero de espiras do secundrio
I1 = corrente no primrio
I2 = corrente no secundrio
Pg. 13/38
5.2. Retificadores de Meia-Onda
5.3. Retificadores de Onda Completa
5.3.1. Transformador com derivao central
5.3.2. Retificador em ponte para transformador com enrolamento nico no secundrio
Pg. 14/38
RESUMINDO: Retificadores Ideais (considerando diodos ideais).
ONDA COMPLETA EM PONTE

GRANDEZAS MEIA ONDA (Transf. c/ deriv. (Transf. sem deriv.
central) central)
Nmero de diodos 1 2 4
Tenso de pico de sada V2p 0,5V2p V2p
Tenso de pico inversa V2p V2p V2p
Freqncia de ondulao FENT 2FENT 2FENT
Corrente mdia no diodo Icarga 0,5Icarga 0,5Icarga
Vsaida ( pico ) 2 V saida ( pico ) 2 V saida ( pico )
Tenso mdia de sada

2 V2 eficaz 2 2 V2 eficaz 2 2 V2 eficaz
Tenso mdia de sada

Pg. 15/38
6. FILTRO CAPACITIVO
Depois que o sinal retificado, a tenso produzida na sada contnua, porm pulsante, inadequada para
alimentar circuitos que exijam uma tenso contnua constante. Para obtermos uma tenso mais estvel, usamos
um capacitor na sada em paralelo com a carga. A tenso sobre a carga, com a presena do capacitor em
paralelo, se tornar "quase contnua" porque o capacitor se carrega at o valor mximo da tenso retificada e
tende a permanecer com esse valor. Pode-se observar com o auxlio do Osciloscpio.
A finalidade do filtro capacitivo tornar a tenso de sada mais prxima possvel de uma tenso
contnua e constante. Este tipo de fonte aplicada em equipamentos que admitem pequenas variaes na tenso
de alimentao. Estas variaes recebem o nome de tenso de ondulao ou ripple.
O grfico abaixo mostra que a tenso de sada varia desde o valor de pico at um valor mnimo.
Enquanto esta tenso esta aumentando o capacitor carregado. Dependendo do valor do capacitor e tambm do
valor carga (RL) o capacitor descarrega com maior ou menor rapidez. Se a rapidez da descarga for maior, a
inclinao da reta de descida ser maior. Com isso chega-se a um valor mnimo mais distante do valor de pico.
Logo a ripple ser tambm maior. Fazendo uma aproximao podemos dizer que a tenso de sada (Vmf) est no
ponto mdio entre o valor mximo (de pico) e o valor mnimo.
VRL Tenso de sada da fonte filtrada ou tenso

na carga
V2p Tenso no secundrio do trafo ou na sada
do filtro considerando o diodo ideal
Vmf Tenso mdia fornecida pela fonte
Vr Tenso de ripple ou tenso de ondulao
A tenso de ripple est assim

Vmf
relacionada: V r = onde:
f RL C
Vr = tenso de ripple
Vmf = tenso de sada da fonte (mdia)
f = freqncia de entrada (freq. da rede)
C = capacitncia
Pg. 16/38
Logo, quanto maior for a constante de descarga do capacitor (R x C) menor ser a tenso de ripple. Com
isso podemos perceber que aumentando a resistncia de carga (diminuindo a corrente) ou aumentando o
capacitor ou ambos, diminumos a tenso de ripple (diferena entre o valor mximo e mnimo). Como a tenso
de sada o valor de pico menos a metade do ripple, conclumos que a tenso de sada da fonte aumenta.
RESUMINDO: Retificadores Ideais (considerando diodos ideais) com filtros (com capacitor):
MEIA ONDA COMPLETA EM PONTE

GRANDEZAS
ONDA (Transf. c/ deriv. central) (Transf. sem deriv. central)
Nmero de diodos 1 2 4
Tenso de pico de sada V2p 0,5V2p V2p
Tenso de pico inversa 2V2p V2p V2p
Freqncia de ondulao FENT 2FENT 2FENT
Corrente mdia no diodo Icarga 0,5Icarga 0,5Icarga
Tenso mdia de sada V2p 0,5V2p V2p
2 V2eficaz
Tenso mdia de sada 2 V2eficaz 2 V2eficaz
2
Deste modo voc tem elementos suficientes para calcular e implementar uma fonte filtrada.
EXEMPLOS:
Basicamente temos dois tipos de problemas para ilustrar o assunto fonte filtrada.
Exemplo 1. Tenho um transformador e quero montar uma fonte filtrada com ele. O trafo que possuo
de 110+110V / 12 + 12V 10VA. Logo, o trafo disponvel possui enrolamento com derivao central e pode
fornecer 416mA em cada enrolamento de 12 V (isto significa fornecer 24V / 416mA ou 12V/ 832mA).
Escolha do retificador:
Para um transformador com derivao central vamos escolher um retificador de onda completa (melhor
aproveitamento do trafo) com 2 diodos.
Especificaes dos diodos
A tenso mxima na sada do retificador ser : Vp = V2eficaz 2 V = 16,3V
Especificaes dos diodos: Tenso reversa maior que 2 V2 2 = 33,9V
Os diodos devem suportar uma corrente maior que 416mA
Especificando o capacitor
Adotando como tenso de ripple 1 Volt e freqncia da rede 60Hz teremos tenso mxima de 16,3 V e
tenso mnima de 15,3V e portanto a tenso mdia ser de 15,8V, para isso o capacitor dever ter capacitncia
igual a 6.933 F.
A tenso suportada pelo capacitor dever ser maior que 16,3V. A carga ter uma resistncia igual a
18,4
Exemplo 2. Quero projetar uma fonte filtrada para fornecer uma corrente de 2 Ampres a 20 V. A tenso
de ripple mxima adotada ser de 5%. A tenso mxima ser de 20,5 V e a mnima de 19,5 V.
Neste caso tenho as especificaes da carga e vou dimensionar o trafo e os outros componentes.
Especificando o transformador
Vamos escolher um transformador com secundrio nico (sem derivao central). Poderamos escolher
outro tipo transformador. De acordo com o transformador escolhido temos que utilizar um retificador em ponte
(4 diodos). A resistncia da carga (RL) ser de 10.
Para que a tenso na carga seja 20V, a tenso de pico na sada do transformador ser de:
20,5 + 2 V = 21,9V . Logo, a tenso eficaz no secundrio do transformador ser 15,5V.
Pg. 17/38
Considerando a rede local, este transformador dever ter o primrio para 220V e o secundrio
para 15,5V / 40VA.
A relao de espiras de 14,2 (V1/V2)
Especificando os diodos
A corrente suportada pelo diodo dever ser maior que 1,3 A (40VA/15,3/2).
A tenso reversa (breakpoint) deve ser maior que 21,9V.
Especificando o capacitor
Considerando a corrente na carga 2 A; freqncia da rede 120Hz; obtemos 16.666 F e tenso
maior que 21,9V
Desenhe o esquema eltrico da fonte indicando as especificaes dos componentes e as
tenses nos principais pontos.
Pg. 18/38
7. Especificaes do Diodo Zener
1) V - Tenso de conduo na polarizao direta, onde VD V
2) VZ - Tenso Zener (dada pelo fabricante). Como VZ sofre uma pequena variao em
funo de IZ, o fabricante fornece um valor obtido por uma corrente de teste IZT.
3) IZM - Corrente Zener mxima
4) IZm ou IZK - Corrente Zener mnima. Caso no seja dado o valor de IZK considera-se IZm
como sendo 10% de IZM ou seja:
IZm = 0,1 IZM
5) PZM - Potncia Zener mxima. O diodo Zener dissipa esta potncia quando sua corrente
atinge o valor IZM, ou seja:
PZM = VZ IZM
6) RZ - Resistncia Zener. Esta resistncia reflete a pequena variao de VZ em funo de

IZ e pode ser calculada por:
V z
Rz =
I z
EXEMPLO: Diodo 1N961 - especificaes dadas pelo fabricante
Corrente zener mxima IZM 32 mA

Corrente zener mnima IZm 0,25 mA
Tenso Zener VZ 10 V
Resistncia Zener RZ 8,5
Potncia mxima PDM 350 mW
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
11 10.5 10 9.5 9 8.5 8 7.5 7 6.5 6 5.5 5 4.5 4 3.5 3 2.5 2 1.5 1 0.5 0 0.5 1
Pg. 19/38
8. Diodo Zener como Regulador de Tenso
8.1. Introduo
Como vimos anteriormente, o Diodo Zener tem uma peculiaridade interessante: enquanto
ele est operando na Regio Zener (inversamente polarizado) sua tenso praticamente constante (no
varia mais do que 5%) para grandes variaes de corrente (s vezes, mais de 100x) que por ele circula.
No entanto, para se conseguir esta condio, existe um valor mnimo de corrente que garanta a
presena da Tenso Zener sobre o diodo, j definida como IZmin. Por outro lado, o Diodo Zener
tambm tem um limite mximo de corrente para que ele no queime, chamada de IZMAX.
Vejamos, ento, como garantir que um Diodo Zener opere dentro dos limites de corrente
estabelecidos pelo fabricante e com isso us-lo na sua principal funo: um bom regulador de tenso.
Observe a figura do circuito eletrnico e as equaes a seguir.
RS
+ + IS = IZ
VE = R S I S + V Z
VE IS VZ
IZ
-
O resistor RS colocado para limitar a corrente que passa no Diodo Zener (IS = IZ) e, ao
mesmo tempo, apresentar a diferena de tenso que existir entre VE e VZ. Se a corrente IZ possui
valores mnimos e mximos para que o Diodo Zener opere satisfatoriamente, o resistor RS dever ser
escolhido entre um valor mnimo e um mximo para garantir que a corrente IZ esteja dentro da faixa
permitida. Vejamos os clculos:
VE V Z
R Smin =
VE V Z I Zmax
RS =
IZ VE V Z
R Smax =
I Zmin
Note que para o clculo do valor mximo de RS, utilizamos o valor mnimo de corrente IZ, e vice-versa.
Somente a partir do clculo dos valores para RS (mnimo e mximo) poderemos escolher
um valor comercial adequado para ser utilizado no circuito.
EXEMPLO: Calcule os limites do resistor RS colocado para limitar a corrente do Diodo Zener 1N961
Corrente zener mxima IZM 30 mA RS = ?

Corrente zener mnima IZm 0,25 mA + +
Tenso Zener VZ 10 V
12 V IZ VZ =10 V
-
12 10 12 10
R S min = = 66,6 R SMax = = 8.000
30mA 0,25mA
VALORES COMERCIAIS = 68 < RS < 6K8 (sempre ENTRE os valores encontrados)
Pg. 20/38
8.2. Regulador de tenso para carga e fonte fixas

O que ocorre quando colocamos uma carga para ser alimentada por esta fonte de tenso?
Pela figura abaixo, verificamos que a corrente IS deve se dividir em duas: IZ e IL. Logo, devemos
alterar nossa forma de clculo do resistor RS, pois a corrente que passa nele diferente da corrente que
passa no Diodo Zener (IS IZ). O clculo de RS deve levar em conta que a diviso de corrente deve ser
feita de forma a garantir que o Diodo Zener sempre receba sua corrente IZ dentro dos limites
estabelecidos.
RS
+
IS
+
RL VZ = VL IS = IZ + IL
VE IZ IL
- VE = R S I S + V Z
Note que a equao de tenso no se alterou, apenas a equao de corrente, pois IS agora
a soma da corrente que circula nos dois ramos. A funo do resistor RS continua a mesma, controlar a
corrente que a fonte fornece ao circuito, alm de receber a diferena de tenso existente entre VE e
VZ. A alterao em relao ao clculo anterior dos valores limites de RS que agora devemos levar em
conta o valor de IL, alm de IZ. Vejamos como ficam os clculos:
VE V Z
R Smin =
I Zmax + I L
VE V Z
RS = VE V Z
IZ + IL R Smax =
I Zmin + I L
Note que para o clculo do valor mximo de RS, utilizamos o valor mnimo de corrente IZ, e vice-versa.
EXEMPLO: Calcular os limites do resistor RS que deve ser colocado para garantir a corrente exigida
pela carga e pelo Diodo Zener especificado abaixo:
RS
+ Corrente zener mxima IZM 60 mA
Corrente zener mnima IZm 0,5 mA
14 V IS IZ IL 1K
Tenso Zener VZ 6,2 V
6,2V 14 6,2V 14 6,2V

IL = = 6,2mA R S min = = 117 R SMax = = 1.164
1 K 60 + 6,2mA 0,5 + 6,2mA
VALORES COMERCIAIS = 120 < RS < 1K (sempre ENTRE os valores encontrados)
Pg. 21/38
9. TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR (BJT)
9.1. Introduo
DIODO chave: aberta/fechada no h controle da corrente
O princpio do transistor controlar a corrente. Ele montado numa estrutura de cristais

semicondutores, de modo a formar duas camadas de cristais do mesmo tipo intercaladas por uma
camada de cristal do tipo oposto, que controla a passagem de corrente entre as outras duas, Figura 6.1.
FIGURA 6.1 Aspectos construtivos e smbolos dos transistores bipolares
Cada uma das camadas, Figura 6.2, recebe um nome em relao a sua funo na operao do
transistor:
FIGURA 6.2 Portadores nos transistores bipolares
Base (B): dopagem mdia e muito fina. Assim, a maioria dos portadores lanados do emissor para
a base, conseguem atravess-la dirigindo-se ao coletor;
Coletor (C): levemente dopado, coleta (recolhe) ao portadores que vm da base. Ele muito maior
que as outras camadas, pois nele que se dissipa a maior parte da potncia gerada pelos
circuitos transistorizados;
Emissor (E): fortemente dopado, tem por funo emitir portadores de carga para a base (e- no
transistor NPN e lacunas no PNP).
9.2. Barreiras de potencial

Da mesma forma que na juno PN dos diodos, nas duas junes J1 e J2 dos transistores, Figura
6.3, surgem devido recombinao dos portadores barreiras de potencial, cujos valores a 25oC so V
= 0,7 V para semicondutores de silcio e V = 0,3 V para semicondutores de germnio.
Pg. 22/38
FIGURA 6.3 Barreiras de potencial nos transistores bipolares
9.3. Princpio do transistor

O comportamento bsico dos transistores nos circuitos eletrnicos fazer o controle da
passagem de corrente entre o emissor e o coletor, atravs da base. Isto conseguido, polarizando-se
adequadamente suas junes.
9.3.1. Polarizao direta da juno E B

A juno E B funciona como um diodo quando polarizada diretamente, ou seja, por ela
circula uma elevada corrente (B) de portadores majoritrios (e-), Figura 6.4. Existe uma pequena
corrente (corrente de fuga) em sentido contrrio, devido aos portadores minoritrios.
FIGURA 6.4 Polarizao direta da juno E B
9.3.2. Polarizao reversa da juno B C

Polarizando-se reversamente a juno C B a barreira de potencial aumenta, diminuindo o
fluxo de corrente de portadores majoritrios, Figura 6.5. Os portadores minoritrios atravessam a
barreira de potencial com facilidade no sentido contrrio, produzindo uma corrente reversa
desprezvel.
Pg. 23/38
FIGURA 6.5 Polarizao reversa da juno B C
9.3.3. Polarizao completa

Polarizando-se diretamente a juno E B e reversamente a juno B C, o fluxo de e- livres
na primeira, que antes dirigia-se ao terminal da base, agora, devido a maior atrao exercida pelo
coletor, dirige-se quase que totalmente para ele, atravessando a outra juno sem encontrar
dificuldades, Figura 6.6.
FIGURA 6.6 Polarizao completa do transistor bipolar
Como a base mais fina e menos dopada, os portadores do emissor saturam a base atravs de
recombinaes. Assim, uma pequena parte dos portadores saem pela base e a maioria sai pelo coletor.
9.3.4. Tenses e correntes nos transistores NPN e PNP

Da Figura 6.7, tem-se que: NPN: E = C + B e VCE = VBE + VCB ;
PNP: E = C + B e VEC = VEB + VBC .
FIGURA 6.7 Tenses e correntes nos transistores bipolares
Pg. 24/38
As correntes de portadores minoritrios, por serem muito menores que as correntes de

portadores majoritrios, sero sempre desprezadas.
9.3.5. Efeito de amplificao

Aumentado-se a corrente B aumenta o nmero de recombinaes, aumentando-se a corrente C,
pois B controla a corrente entre o emissor e o coletor.
Como B << C, uma pequena variao em B (iB), Figura 6.8, provoca uma grande variao
em C (iC). Portanto, verifica-se que iC um reflexo amplificado de iB.
FIGURA 6.8 Efeito de amplificao no transistor NPN
Como o transistor possibilita a amplificao de um sinal, ele chamado de componente ativo.

O efeito de amplificao do transistor chamado de ganho de corrente (), sendo expresso pela
equao:
i
= C
i B
9.3.6. Configuraes bsicas
Base Comum
Emissor Comum
Coletor Comum
Pg. 25/38
9.4. Principais caractersticas

Caracterstica de entrada: relao entre a corrente e a tenso de entrada, para vrios valores
constantes da tenso de sada.
Caracterstica de sada: relao entre a corrente e a tenso de sada, para vrios valores
constantes da corrente de entrada.
Estas caractersticas, em forma de curva, permitem o clculo dos resistores de polarizao.
9.5. Configurao emissor comum (EC)

a configurao mais utilizada em circuitos transistorizados, Figura 6.9. Por isso, os diversos
parmetros dos transistores fornecidos pelos manuais tcnicos, tm como referncia esta configurao.
FIGURA 6.9 Configurao emissor comum (EC)
Para esta configurao, tem que:

Base (B): entrada de corrente;
Coletor (C): sada de corrente;
Emissor (E): terminal comum s tenses de entrada e sada.
Curva caracterstica de entrada
VCE = cons tan te VBE B ;
caracterstica de base;
controla-se B, variando-se VBE.
FIGURA 6.10 Curva caracterstica de entrada EC
Pg. 26/38
Curva caracterstica de sada
B = cons tan te VCE C ;
caracterstica de sada ou de coletor;
regies:
corte: C 0 ;
saturao: VCE 0 ;
ativa: regio entre o corte e a
saturao (B linear).
FIGURA 6.11 Curva caracterstica de sada EC
Ganho de Corrente
C
h FE = =
B
Como C >> B, >> 1. Logo, o transistor na configurao EC, funciona como um amplificador
de corrente.
Como a inclinao da curva caracterstica de sada varia para cada valor de B, o ganho de
corrente no constante. Os valores tpicos de so de 50 a 900.
9.6. Limites dos transistores

tenso mxima de coletor: VCEmax;
corrente mxima de coletor: Cmax;
potncia mxima de coletor: PCmax;
para EC: PCmax = VCEmax x Cmax;
tenso de ruptura da junes (BV):
BVCBO = tenso de ruptura entre C e B,
com E aberto;
BVCEO = tenso de ruptura entre C e E,
com B aberto;
BVCES = tenso de ruptura entre C e E,
com B em curto.
FIGURA 6.12 Limites do transistor bipolar
9.7. Polarizao dos transistores bipolares

As principais aplicaes dos transistores so na amplificao de sinais e como chave. Para tanto,
o transistor deve estar polarizado.
Pg. 27/38
9.7.1. Ponto quiescente (Q)

Polarizar um transistor fix-lo num ponto de operao em corrente contnua, que esteja
dentro de sua regio de operao. A polarizao tambm chamada de polarizao DC, pois fixa
atravs de resistores externos, valores de correntes e tenses contnuas no transistor. O ponto de
trabalho do transistor chamado de ponto de operao esttica ou ponto quiescente (Q). A escolha do
ponto Q feita em funo da aplicao do transistor (regies de corte, saturao ou ativa.
QA: regio ativa (grandes variaes

em B, C e VCE);
QB: regio de saturao (VCE 0);
QC: regio de corte (C 0).
FIGURA 6.13 Regies de trabalho do transistor bipolar
9.7.2. Reta de carga

A reta de carga, Figura 6.14, o lugar geomtrico de todos os pontos quiescentes possveis,
para uma determinada polarizao e depende da configurao adotada.. Para determin-la, necessita-se
de apenas dois pontos de operao conhecidos.
FIGURA 6.14 Reta de carga do transistor bipolar
9.7.3. Circuitos de polarizao EC
Para que transistor trabalhe na regio ativa:

juno E B: polarizada diretamente;
juno B C: polarizada reversamente.
Para tanto, utilizam-se duas fontes de

alimentao e resistores para limitar as
correntes e fixar o ponto Q do circuito.
FIGURA 6.15 Circuito de polarizao EC
Pg. 28/38
VBB VBE
Malha de entrada: VBB + R B B + VBE = 0 B = C = B
RB
Malha de sada: VCC + R C C + VCE = 0 VCE = VCC R C C
9.7.4. Circuito de polarizao EC com corrente de base constante
RB > RC para garantir a polarizao direta da

juno E B e reversa da juno B C;
elimina-se a fonte de alimentao VBB

simplificao.
FIGURA 6.16 Circuito de polarizao EC

com corrente de base constante
VCC VBE
Malha de entrada: VCC + R B B + VBE = 0 B = C = B
RB
9.8. Influncia da temperatura no comportamento dos transistores

O material semicondutor sensvel temperatura, ou seja, com o aumento da temperatura
ocorre a gerao de novos portadores.
Nos transistores, a variao de temperatura (T) altera o ganho de corrente (), a tenso base-
emissor (VBE) e a corrente de fuga (F).
a variao de VBE com a temperatura

desprezvel;
a F e o podem apresentar variaes

acentuadas;
T grande variao em C,
sem variao em B circuito instvel.
FIGURA 6.17 Influncia da temperatura no
transistor bipolar
Pg. 29/38
o ponto Q do circuito ao lado, deve fixar

os valores de CQ e VCEQ;
na malha de sada um aumento na

temperatura, provoca um aumento de CQ e
da queda de tenso em RC (VRC). Como VCC
= constante, esse aumento de VRC tem de ser
compensado pela diminuio de VCEQ. A
diminuio de VCEQ provoca novo aumento
de CQ, gerando uma realimentao positiva
que provoca a instabilidade do circuito;
soluo: realimentao negativa, ou seja,

FIGURA 6.18 Variao do ponto Q em colocar em srie com o emissor um resistor
funo da temperatura RE.
9.8.1. Circuito de polarizao EC com corrente de emissor constante
aumentando a temperatura, aumenta C, E,

VRC e VRE, diminuindo VCEQ realimentao
positiva instabilidade;
com o aumento de VRE, diminui VRB (VBE

constante);
com a diminuio de VRB, diminui BQ. Assim,

CQ diminui compensando seu aumento inicial;
o aumento de VRE gera uma realimentao

FIGURA 6.19 Circuito de polarizao EC negativa, que garante a estabilidade do circuito e
com corrente de emissor contante do ponto Q.
Como a realimentao negativa faz CQ voltar ao seu valor original, o mesmo acontece com EQ
que mantm-se constante. Por isso, esse circuito de polarizao conhecido por polarizao EC com
corrente de emissor constante.
Malha de entrada:
VCC + R B B + VBE + R E E = 0 E = C + B = B + B = ( + 1) B
VCC VBE
VCC + R B B + VBE + R E ( + 1) B = 0 B = C = B
R B + ( + 1) R E
Malha de sada:
VCC + R C C + VCE + R E E = 0 VCE = VCC R C C R E E
como: >> 1 C E VCE = VCC (R C + R E ) C
Pg. 30/38
9.8.2. Circuito de polarizao EC com divisor de tenso na base
este circuito uma outra forma de

solucionar o problema da
instabilidade;
o circuito projetado para fixar o

valor da tenso no resistor RB2
(VRB2);
VRB2 = VBE + VRE fixado o

valor de VRB2, como VBE
constante, VRE tambm permanece
constante. Assim, garante-se a
estabilidade de EQ e CQ,
FIGURA 6.20 Circuito de polarizao EC com
divisor de tenso na base independente da variao de ;
R B2
Malha de entrada: >> 1 B 0 VB = VCC
R B1 + R B2
VB + VBE + VRE = 0 VRE = VB VBE
VRE
mas: VRE = VE = R E E E =
RE
como: >> 1 C E
Malha de sada:
VCC + R C C + VCE + R E E = 0 VCE = VCC RC C RE E
como: >> 1 C E VCE = VCC (R C + R E ) C
Determinao da Reta de Carga
(a) Ponto de saturao: VCEsat = 0

VCC
Malha de sada: VCC = VCEsat + (R C + R E ) Csat Csat =
RC + RE
(b) Ponto de corte: Ccorte = Ecorte = 0

Malha de sada: VCC = VCEcorte + (R C + R E ) Ccorte VCEcorte = VCC
A reta de carga do circuito de polarizao EC com divisor de tenso na base, apresentada na

Figura 6.21.
Pg. 31/38
FIGURA 6.21 Reta de carga do circuito de polarizao EC com divisor de tenso na base
9.9. Transistor como chave

O transistor operando na regio de saturao e de corte funciona como uma chave, ou seja,
como um elemento de controle on off, Figura 6.22, conduzindo corrente ou no.
FIGURA 6.22 Analogia transistor bipolar chave
Para que o transistor comporte-se como uma chave, utiliza-se o circuito de polarizao EC com
corrente de base constante com duas fontes de alimentao, Figura 6.23.
FIGURA 6.23 Circuito de polarizao para o transistor bipolar operando como chave
Para que o transistor trabalhe na regio de corte (Q1), figura 6.24:
VE < VBE Ccorte 0 VS = VCEcorte = VCC chave aberta
Pg. 32/38
Para que o transistor trabalhe na regio de saturao (Q2) Figura 6.13:
VE > VBE C = Csat VS 0 chave fechada
VE VBE
Malha de entrada: VE + R B B + VBE = 0 B = C = B
RB
O corte do transistor depende apenas da tenso VE, ento, para a determinao do ponto de
saturao tem-se que:
VE VBE
Bsat = Csat = Bsat e VCEsat = VCC R C Csat
RB
FIGURA 6.24 Reta de carga para o transistor bipolar operando como chave
9.10. Reguladores Srie

Pode-se usar um transistor na configurao coletor comum, para melhorar o desempenho de um
regulador zener, Figura 6.25. A tenso zener a tenso na base do transistor, de modo que a tenso de
sada expressa por:
VS = VZ VBE
Esta tenso de sada fixa. Se a tenso de entrada variar, a tenso zener permanecer
aproximadamente constante e, tambm, a tenso de sada. Assim, o circuito funciona como um
regulador de tenso.
Pg. 33/38
FIGURA 6.25 Regulador srie
A vantagem deste regulador sobre o regulador zener comum, visto no captulo 5, que como a
corrente atravs de RS dada por:
RL
RS = Z + B mas: B =

Esta corrente de base muito menor que a corrente de carga, podendo-se utilizar um diodo
zener com menor capacidade de corrente do que aquele do regulador zener comum.
Para projetar um regulador srie, deve-se considerar a potncia dissipada no transistor que
dada por:
VCE = VE VS
PD = VCE C onde:
C E
Como os terminais C E do transistor esto em srie com a carga, a corrente de carga deve
passar atravs do transistor, que chamado de transistor de passagem. Devido a sua simplicidade, os
reguladores srie so amplamente empregados.
A principal desvantagem de um regulador srie, a potncia dissipada no transistor de
passagem. Desde que a corrente de carga no seja muito grande, o transistor de passagem no aquece
demais. Mas, quando a corrente de carga muito elevada, o transistor de passagem tem que dissipar
uma boa quantidade de potncia, aumentando a temperatura interna do equipamento. Em alguns casos,
pode ser necessrio um ventilador para diminuir o calor.
Pg. 34/38
9.11. Exerccios
Determinar as seguintes quantidades para a configurao da figura 1: B, C, VCE, VB e VC.
Resp.: B = 47,08 A - C = 2,35 mA VCE = 6,83 V VB = 0,7 V VC = 6,83 V
Figura 1
Para o circuito da figura 2, determinar: B, C, E ,VCE, VB, VC e VE.

Resp.: B = 40,1 A - C =E = 2,01 mA VCE = 13,97 V VB = 2,71 V VC = 15,98 V VE
= 2,01 V
Figura 2
Determinar o ponto Quiescente (Q) e a reta de carga para a configurao da figura 3.

Resp.: VCEQ = 12,22 V - CQ = 0,85 mA - Csat = 1,91 mA VCEcorte = 22 V
Figura 3
Pg. 35/38
Determinar VC e VB para o circuito da figura 4.

Resp.: VC = - 4,48 V VB = - 8,3 V
Figura 4
Determinar VC e VB para o circuito da figura 5.

Resp.: VC = 8,53 V VB = - 11,59 V
Figura 5
Para o circuito da figura 6, determinar: C, RC, RB e VCE.

Resp.: C = 3,2 mA RC = 1,87 k - RB = 282,5 k - VCE = 6 V
Figura 6
Pg. 36/38
Para o circuito da figura 7, determinar: C, VCC, e RB.

Resp.: C = 3,98 mA VCC = 15,96 V - = 199 RB = 763 k
Figura 7
Para o circuito da figura 8, determinar: BQ, CQ, VCEQ, VC, VB e VE.

Resp.: BQ = 29,24 A - CQ = 2,92 mA - VCEQ = 8,59 V - VC = 12,99 V - VB = 5,08 V VE =
4,38 V
Figura 8
Para o circuito da figura 9, determinar: RC, RE, RB, VCE e VB.

Resp.: RC = 4,7 k - RE = 1,2 k - RB = 356 k - VCE = 0,2 V VB = 3,1 V
Figura 9
Pg. 37/38
Para o circuito da figura 10, determinar: BQ, CQ, VCEQ, VC, VB e VE.
Resp.: BQ = 24,78 A - CQ = 1,98 mA - VCEQ = 6,9 V - VC = 8,28 V - VB = 2,05 V - VE = 1,35
V
Figura 10
Pg. 38/38

Eletronica Industrial CEFET PDF

Enviado por

Dados do documento

Título original

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Eletronica Industrial CEFET PDF

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

www.mecatronicadegaragem.blogspot.

Centro Federal de Educao

CURSO TCNICO DE ELETROTCNICA

1. ELETRNICA: BREVE HISTRICO

2.1. Condutividade eltrica

2.2. Eltrons de conduo e lacunas

As propriedades de condutncia da juno pn dependem da polaridade e valor da tenso sobre o

1a Situao: Diodo polarizado diretamente

A lmpada acende porque o diodo est diretamente

2a Situao: Diodo polarizado reversamente

circuito no percorrido por corrente, pois o

3.1. Como construdo um diodo?

A funo bsica do diodo semicondutor deixar passar a corrente eltrica em um sentido e no

3.2. Principais especificaes do diodo

GRANDEZA Simbologia / unidade Ex: Diodo 1N4001

Corrente Direta Mxima IDM (A) 1A

3.3. A Curva do diodo e a Reta de Carga

O grfico acima mostra a curva caracterstica de um diodo. Quando VD e ID so positivos temos o

3.4. Modelos do Diodo

3.4.1. Diodo Ideal

3.4.2. Diodo com V

Especificaes do diodo: V = 0,7 V e RD = 10

Especificaes do diodo: V = 0,7 V e RD = 10

4) O circuito abaixo apresenta um problema. Identific-lo e propor uma soluo.

5) Identificar a condio das lmpadas no circuito abaixo, de acordo com a seguinte

6) Esboar a curva caracterstica de um diodo de silcio com V = 0,7 V e VBR = 50 V.

7) Para o circuito da Figura 1, calcular a corrente e a potncia dissipada pelo diodo.

8) Qual o valor da tenso reversa sobre o diodo, no circuito da Figura 2?

10) Qual desses diodos rompe-se, quando utilizado no circuito da Figura 3?

12) No circuito da Figura 5, VD = 5 V. O diodo est aberto ou em curto ?

14) O que h de errado com o circuito da Figura 7?

4. DIODO EMISSOR DE LUZ (LED)

5.1. Tipos de transformadores

5.1.1. Especificaes resumidas de um transformador

5.2. Retificadores de Meia-Onda

5.3. Retificadores de Onda Completa

5.3.1. Transformador com derivao central

5.3.2. Retificador em ponte para transformador com enrolamento nico no secundrio

RESUMINDO: Retificadores Ideais (considerando diodos ideais).

ONDA COMPLETA EM PONTE

VRL Tenso de sada da fonte filtrada ou tenso

A tenso de ripple est assim

MEIA ONDA COMPLETA EM PONTE

7. Especificaes do Diodo Zener

1) V - Tenso de conduo na polarizao direta, onde VD V

3) IZM - Corrente Zener mxima

6) RZ - Resistncia Zener. Esta resistncia reflete a pequena variao de VZ em funo de

EXEMPLO: Diodo 1N961 - especificaes dadas pelo fabricante

Corrente zener mxima IZM 32 mA

8. Diodo Zener como Regulador de Tenso

Corrente zener mxima IZM 30 mA RS = ?

8.2. Regulador de tenso para carga e fonte fixas

6,2V 14 6,2V 14 6,2V

VALORES COMERCIAIS = 120 < RS < 1K (sempre ENTRE os valores encontrados)

9. TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR (BJT)

O princpio do transistor controlar a corrente. Ele montado numa estrutura de cristais

FIGURA 6.1 Aspectos construtivos e smbolos dos transistores bipolares

FIGURA 6.2 Portadores nos transistores bipolares

9.2. Barreiras de potencial

FIGURA 6.3 Barreiras de potencial nos transistores bipolares

9.3. Princpio do transistor

9.3.1. Polarizao direta da juno E B

FIGURA 6.4 Polarizao direta da juno E B

controla-se B, variando-se VBE.

caracterstica de sada ou de coletor;

RB > RC para garantir a polarizao direta da

elimina-se a fonte de alimentao VBB

a variao de VBE com a temperatura

a F e o podem apresentar variaes

o ponto Q do circuito ao lado, deve fixar

na malha de sada um aumento na

soluo: realimentao negativa, ou seja,

aumentando a temperatura, aumenta C, E,

com o aumento de VRE, diminui VRB (VBE

com a diminuio de VRB, diminui BQ. Assim,

o aumento de VRE gera uma realimentao

este circuito uma outra forma de

o circuito projetado para fixar o

VRB2 = VBE + VRE fixado o