Transistor BJT, Curvas Caractersticas

Sheyla Cisneros, Valeria Andrade

Universidad Nacional de Chimborazo
Facultada de Ingeniera en Electrnica y Telecomunicaciones.
Riobamba 060150
sheyla@hotmail.com, vale_tefis2013 @hotmail.es
Abstracto: Como sabemos, los transistores de unin bipolar, o a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de hace unas
tambin llamados BJT por sus siglas en ingls, son fabricados dcadas. Gracias a ellos fue posible la construccin de
especficamente sobre un monocristal de Germanio (Ge), receptores de radio porttiles llamados comnmente
Silicio(Si) o Arseniuro de galio (AsGa), los mismos que tienen las "transistores", televisores que se encendan en un par de
cualidades de semiconductores, en su estado intermedio entre
segundos, televisores en color, entre otras variadas aplicaciones.
conductores como los metales y los aislantes teniendo un ejemplo
de este ltimo el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se
contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales
son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones
NP. Los transistores BJT se pueden entender como un Fuente de
corriente (salida) controlada por corriente (entrada). Teniendo a
su vez una pequea ganancia de corriente estos a su vez constan
de tres terminales: Base, Emisor y Colector. Para la ejecucin de
la prctica tomamos los conceptos indicados en clase

I. PALABRAS CLAVES

BJT, Base, Emisor, Colector, Zona de Operacin Activa, Zona

de Operacin Corte, Zona de Operacin Saturacin.
Ilustracin 1 Transistor
II. INTRODUCCIN
Operacin del Transistor
En esta prctica trataremos el tema sobre un dispositivo, el cual
ha revolucionado la vida de todos nosotros el transistor, que es Un transistor NPN es exactamente la misma con los roles de los
sin duda uno de los mejores inventos del hombre diseado para electrones y huecos intercambiados. El ancho de la regin de
operar en circuitos electrnicos como amplificador, oscilador o empobrecimiento se redujo a causa de la polarizacin aplicada
conmutador. El trmino Transistor es un acrnimo de transfer y y el resultado fue un intenso flujo de portadores mayoritarios del
resistor (resistencia de transferencia)y se compone de tres material tipo P al material tipo N. La unin P-N de un transistor
terminales: colector, base y emisor de estos estudiaremos las se polariza en inversa en tanto que la otra se polariza en directa.
principales caractersticas bsicas del transistor bipolar as como
sus aspectos fsicos, sus estructuras bsicas, la simbologa
utilizada y su curva caracterstica. Se abarcar igual el tema de
la polarizacin, el efecto transistor, la prueba de los transistores
con multmetros tanto digital como anloga que son
indispensables en estos dispositivos mencionados
anteriormente.

III. FUNDAMENTOS TERICOS

Transistor . .
Ilustracin 2 Operacin Del Transistor

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que

cumple mltiples funciones como: amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la
contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de
transferencia"). Los transistores son elementos que han
facilitado, en gran medida, el diseo y la fabricacin de circuitos
electrnicos con un tamao muy reducido. Los mismos tienden
Configuracin en Base Comn
En la regin activa la unin base-emisor se polariza en directa,
en tanto que la unin colector-base se polariza en inversa.
La terminologa de BC se deriva del hecho de que la base es
comn tanto a la entrada como a la salida de la configuracin.
La base se conecta a las masas tanto de la seal de entrada como entonces con una polaridad que soporte la direccin resultante
a la de salida.Esto implica que la corriente de colector, es decir, de la corriente. En el caso del transistor NPN las polaridades se
la corriente de salida, sea ms pequea que la corriente de invierten.
entrada. Por lo tanto, la ganancia de corriente que es el cociente
entre la corriente de salida y la de entrada, va a ser menor que
la unidad y no vamos a obtener ganancia.

La caracterstica principal de estos circuitos es que tienen mucha

ganancia de tensin, es decir, la tensin de salida va a ser mucho
mayor que la tensin de entrada.

Ilustracin 5. Polarizacin Transistor PNP.

Configuracin en Emisor Comn

Este tipo de configuracin en Emisor Comn, se denomina

as porque el emisor es comn y sirve de referencia para las
terminales de entrada y salida respectivamente. Siendo en
este caso comn para las terminales Base y Colector.

Ilustracin 3 . Configuracin en Base Comn del Transistor PNP.

Ilustracin 6 Notacin en la configuracin Emisor Comn para un

. Transistor PNP

Ilustracin 4. Salida del Colector en Base Comn.

Polarizacin

La polarizacin apropiada de la configuracin de Base Comn

en la regin activa se determina de inmediato con la
aproximacin apropiada. La flecha del smbolo define la
direccin del flujo convencional de las fuentes de CD se insertan
Ilustracin 7. Caractersticas de un Transistor de Si en Emisor Comn.
 Beta Ilustracin 9. Notacin para la configuracin Colector Comn, en un
En el modo de CD los niveles de e estn relacionados por Transistor PNP.

una cantidad llamada beta y definida por la siguiente

ecuacin. = IV. LISTA DE MATERIALES
tem Cantidad Material Descripcin
Donde e se determinan en un punto de operacin particular
en las caractersticas. 1 2 Transistores NPN

2 2 Transistores PNP
Polarizacin.
3 2 Resistor 1K a 100K a
La polarizacin correcta de un amplificador en Emisor Comn W
se determina de manera parecida a la de la configuracin en Tabla 1. Materiales para la prctica.
Base Comn. El primer paso es indicar la direccin de
establecida por la flecha del smbolo del transistor.
Seguidamente, se introducen las otras corrientes, teniendo en
V. CLCULOS MATEMTICOS
cuenta la relacin de la ley de las corrientes de Kirchhoff: +
= Es . Finalmente se introducen las fuentes con polaridades NPN
que soporten las direcciones resultantes.
ACTIVA

= 0,7

5 + 1106 + 0,7 = 0
4,3
= 1106 = 4,3
Ilustracin 8. Determinacin de la Polarizacin para Emisor Comn.
= 114
Configuracin en Colector Comn.
= = (114)(4,3106) = 0,490
La configuracin en Colector Comn se utiliza sobre todo para
= 5 (0,57) = 4,43
igualar impedancias, puesto que tiene una alta impedancia de
entrada y una baja impedancia de salida, lo contrario de las OPERACIN DE CORTE
configuraciones en Base Comn y en Emisor Comn.
= 0
 = = (114)(0) = 0

= = (114)(43 ) = 4,9 Esquema 3. Regin de Operacin Corte en Configuracin NPN.

= 1000(4,9) 5 = 100

VI. ESQUEMAS DE CIRCUITOS UTILIZADOS

Esquema 3. Regin de Operacin Corte en Configuracin PNP.

Esquema 1. Regin de Operacin Activa en Configuracin NPN.

Esquema 4. Regin de Operacin Saturacin en Configuracin NPN.

Esquema 2. Regin de Operacin Activa en Configuracin PNP.

Esquema 5. Regin de operacin Saturacin en Configuracin PNP.

 + 1000(0) + 5 = 0 C
I
O

N

=
5
5 + 100000() + 0,7 = 0


S

A
=
T
4
U
3
R
A
VII. CONCLUSIONES

Llegamos a concluir que un transistor NPN en un circuito amplificador X. AUTORES

permitir que una seal de AC (corriente alterna) se amplifique. La
cantidad de amplificacin puede variar dependiendo de los valores de Cristian Adrin Camas Tacuri. Nacido el 07
resistencia de las resistencias elctricas utilizadas en el circuito. Los de enero de 1997 en la Ciudad de Caar.
transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor Estudi en el colegio Fisco-Misional San
dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una Jos de Calasanz y en la actualidad
pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn realizo mis estudios de tercer nivel en la
es amplificada en la salida del colector.que el rectificador de onda Universidad Nacional de Chimborazo. Una
completa en un circuito empleado para convertir una seal de corriente de mis metas que me he propuesto es
de entrada en corriente continua de salida. terminar mi Carrera y seguir con mi maestra para luego
desarrollarme en mi campo de trabajo laboral.
Una conclusin importante es que mediante el proceso de la prctica
llegamos a determinar los valores de las corrientes y voltajes de la Base,
Emisor y del Colector, as como tambin desarrollamos la
configuracin en Emisor Comn. Mi nombre es Joffre Javier Torres Dvila,
nac el de 3 de Enero de 1996 en la ciudad
de Pias, provincia de El Oro. Los
estudios primarios fueron realizados en la
escuela Dr. Federico Gonzales Suarez.
VIII. AGRADECIMIENTOS Con la continuidad de los estudios, mi
formacin secundaria la realice en la
Agradezco profundamente a mi docente por impartir sus Unidad Educativa Ocho de Noviembre, con la especialidad en
conocimientos, para que por medio de ellos podamos seguir Fisicomatemtico. Como ltimo dato, estoy cursando el tercer
consiguiendo nuestra formacin acadmica. semestre de Ingeniera Electrnica & Telecomunicaciones en la
Universidad Nacional de Chimborazo.
As mismo como el buen desempeo de nuestro equipo.
Mi nombre es Israel Alejandro
Torres
IX. BIBLIOGRAFIA Torres, nac en Cariamanga,
provincia de Loja el 20 de marzo
de 1996, tengo 20 aos, mis
estudios primarios los realice en
la escuela fiscal Jorupe, llegando a ser Abanderado del
[1] Electronica: Teoria de Circuitos y Dispositivos Pabelln Nacional,
Electronicos. seguidamente realice mis estudios secundarios en la
Unidad
Educativa Monseor Santiago Fernndez Garca, para
finalmente graduarme con honores y llegando a alcanzar
el puesto de Abanderado del Pabelln Cantonal, en la
especialidad de Fisico-Matematicas. Finalmente ingrese a
la Universidad
Nacional de Chimborazo para realizar mis estudios de
Tercer Nivel, en la carrera de Ingeniera Electrnica y
Telecomunicaciones.

XI. ANEXOS

Ilustracin 1. Voltaje Colector-Emisor.

Ilustracin 2. Voltaje Base-Emisor

 Ilustracin 3. Corriente Emsor.

Ilustracin 6. Curva Caracterstica utilizando NI ELVIS

Ilustracin 4. Voltaje Emisor-Colector

Ilustracin 7. Curva Caracterstica utilizando NI ELVIS

Ilustracin 5. Curva Caracterstica utilizando NI ELVIS

Ilustracin 8. Curva Caracterstica utilizando NI ELVIS.

XII. GUIAS DE PRACTICA.