Engenharia Eltrica

Materiais Eltricos

Semicondutores

Docente:
Danilo Brito Almeida

Discente:
Andr Almeida Santos
Bruno dos Santos de Matos
Jsley Llio F. Souza
Lucas Bomfim Lacerda
Renato Coelho do Nascimento

Vitria da conquista BA
12 de Janeiro de 2016

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1. Introduo
Atualmente sistemas completos so implementados em chips que so centenas de
vezes menores que um nico componente utilizado em circuitos anteriores. Os
circuitos integrados (CIs) atuais possuem mais de dez milhes de transistores em uma
rea menor que a de uma unha. Novos projetos e sistemas surgem semanalmente. O
engenheiro encontra-se cada vez mais limitado em seu conhecimento em funo da
extensa abrangncia dos avanos. Atingiu-se um ponto em que o proposito bsico do
encapsulamento simplesmente oferecer maneiras de manusear o dispositivo ou
sistema e prover um mecanismo para conexo com o restante do circuito. Tudo isso
graas ao advento e uso da tecnologia de semicondutores.

2. Semicondutores
Os materiais semicondutores apresentam propriedades de conduo eltrica
intermediria entre aquelas inerentes aos isolantes e condutores. A sua caracterstica
mais interessante a possibilidade de controle de sua condutividade eltrica atravs
da alterao controlada de sua composio qumica.
Os materiais semicondutores so constitudos de tomos de um nico elemento
qumico com quatro eltrons na camada de valncia. Estes tomos tendem a se
arranjar ordenadamente em uma estrutura cristalina com os tomos vizinhos
compartilhando seus eltrons de valncia em uma ligao covalente. Os elementos
mais utilizados nessas ligaes so o Germnio (Ge) e o silcio (Si).

Figura 1: Ligao covalente de eltrons de Silcio e sua representao simblica.

Fonte: [1]

Nessas ligaes, os eltrons esto fortemente ligados ao par de ncleos

interligados. Assim os materiais formados por essas estruturas puras apresentam
caractersticas de boa isolao eltrica.
Para se realizar mudanas nas caractersticas do semicondutor puro realizado um
processo qumico chamado de dopagem onde uma determinada quantidade tomos
de impurezas introduzida no cristal alterando suas propriedades fsicas. Este
processo pode ser realizado com materiais doadores ou receptores formando
semicondutores do tipo n e do tipo p, respectivamente.

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 Um semicondutor do tipo n formado quando, na dopagem, introduzido uma
quantidade de tomos contendo excesso de um eltron de valncia em relao ao
tomo do semicondutor puro, ou seja, inserindo um tomo que contenha cinco
eltrons. Um exemplo dessa formao ocorre quando tomos de fsforos so inseridos
na estrutura cristalina do semicondutor. Com isso, um eltron fica sobrando na ligao
covalente que ocorre na estrutura cristalina, como mostra a Figura 2.

Figura 2: Dopagem de silcio com tomo de fsforo.

Fonte: [1]

O eltron extra no participa de nenhuma ligao e permanece um uma rbita

prpria possuindo energia de ligao muito menor do que os eltrons na rbita de
valncia. Sendo assim, ele pode ser facilmente liberado pelo tomo de fsforo,
passando a se mover livremente pela estrutura o cristal semicondutor. Com a adio
dessas impurezas doadoras, o cristal que era puro e isolante passa a ser condutor de
corrente eltrica devido ao aumento do nmero de eltrons livres, Figura 3.

Figura 3: Eltrons livres no silcio dopado com fsforo.

Fonte: [1]

Um semicondutor do tipo p formado quando, na dopagem, introduzido uma

quantidade de tomos com deficincia de um eltron de valncia em relao ao tomo
do semicondutor puro, ou seja, inserindo um tomo que contenha trs eltrons. Um

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exemplo dessa formao ocorre quando tomos de ndio so inseridos na estrutura
cristalina do semicondutor, Figura 4.

Figura 4: Dopagem de silcio com tomo de ndio.

Fonte: [1].

O tomo de ndio realiza trs das quatro ligaes covalentes do cristal puro. A
ausncia do quarto eltron se comporta como uma lacuna, atraindo qualquer eltron
que esteja perto, para completar sua ligao. Com a adio dessas impurezas
receptoras, as lacunas se comportam como cargas positivas que podem transitar em
um cristal quando submetido a uma tenso externa aplicada, configurando uma
corrente eltrica, Figura 5.

Figura 5: Movimento de lacunas em um semicondutor sujeito a uma ddp.

Fonte: [1].

Os eltrons dos semicondutores tipo n e as lacunas do semicondutores do tipo p

so conhecidos como portadores de carga negativa e carga positiva, respectivamente.
Com o aumento desses portadores no processo de dopagem possvel aumentar a

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condutividade eltrica do material. Dessa forma possvel controlar o nvel de
conduo eltrica de um semicondutor alterando o nvel de impurezas na hora da
dopagem durante a sua etapa de fabricao.
Quando os semicondutores tipo n e p so acoplados entre si eles formam um
disposto que pode se comportar tanto como condutor quanto um isolante, o diodo
semicondutor. Este dispositivo fabricado utilizando-se tcnicas altamente
sofisticadas e tambm recebe o nome de juno pn.
Aps a formao da juno pn, alguns eltrons livres se difundem do
semicondutor tipo n para o semicondutor tipo p. O mesmo ocorre com as lacunas no
semicondutor tipo p que se difundem para o semicondutor tipo n. Durante o processo
de difuso, parte dos eltrons livres se recombinam com lacunas na regio prxima
juno. A consequncia disso que no lado da juno n aparecer ons positivos no
neutralizados e do lado p ons negativos no neutralizados, fazendo aparecer uma
regio que no tem cargas livres, com cargas fixas rede cristalina, chamada de regio
de cargas descobertas ou regio de depleo, Figura 6.

Figura 6: Juno pn com regio de depleo.

Fonte: [1].

Com a regio de depleo formada cria-se uma barreira de potencial que se ope
difuso dos portadores de cargas, lacunas no lado p e eltrons no lado n, quando a
juno no est polarizada. O comportamento eltrico do diodo ser definido pela
aplicao de uma tenso externa, podendo ser aplicada ao diodo uma polarizao
direta ou inversa.
Na polarizao direta, o lado p submetido a um potencial positivo relativo ao
lado n do diodo. Nessa situao, o polo positivo da fonte repele as lacunas do material
p em direo ao polo negativo, enquanto os eltrons do lado n so repelidos do polo
negativo em direo ao polo positivo. A Figura 7 apresenta um esquema dessa
polarizao, utilizando a simbologia do diodo para diagramas de circuitos.

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 Figura 7: Polarizao direta do diodo.
Fonte: [1].

Se a tenso aplicada for menor do que a tenso da barreira de depleo os eltrons

e lacunas no tem energia suficiente para atravessar a barreira. Apenas alguns poucos
eltrons e lacunas passam a barreira, produzindo uma pequena corrente. Mas se a
tenso aplica for maior do que a tenso da barreira de depleo, como mostra a Figura
8, os eltrons e lacunas adquirem energia suficiente para superar a barreira,
produzindo com resultado um grande aumento da corrente eltrica atravs do diodo.
Neste caso o diodo dito estar em conduo.

Figura 8: Diodo com polarizao direta, com tenso aplicada maior do que a tenso da barreira de depleo.
Fonte: [1].

Para o diodo de silcio, a corrente aumentar efetivamente quando a tenso

aplicada entre os terminais passar de aproximadamente 0,6V ou 0,7V, potencial em
que a barreira de depleo ser vencida.
Na polarizao inversa, o lado n fica submetido a um potencial positivo relativo
ao lado p do componente, para tal, basta inverter os terminais da fonte externa. Nesta
situao, os polos da fonte externa atraem os portadores de cada lado da juno, ou
seja, eltrons do lado n e lacunas do lado p so afastados das proximidades da juno,
Figura 9. Com esse afastamento, a regio de depleo aumenta, assim como o valor

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do seu potencial. Logo, o fluxo de eltrons e lacunas torna-se mais difcil, resultando
em uma corrente praticamente nula.

Figura 9: polarizao inversa do diodo.

Fonte: [1].

Os diodos de silcio apresentam grandes vantagens sobre o diodo de germnio.

Embora a tenso de polarizao do germnio, 0,3V, seja menor do a do silcio, 0,7V,
o silcio suporta correntes nominais maiores e temperaturas maiores do que os diodos
de germnio, podendo trabalha em faixas de 200C enquanto o germnio suporta
valores menores do que 100C. Vale lembrar tambm que o silcio um dos materiais
mais abundantes da terra, facilitando a sua construo.
Os semicondutores assim como os outros materiais condutores e isolantes de
corrente eltrica possuem a capacidade de limitar o fluxo dessa corrente por eles. Essa
limitao ao fluxo de eltrons chamada de resistncia. Os materiais condutores tem
baixa resistncia eltrica, j os isolantes tem valores de resistncia muito altos, e os
semicondutores apresentam resistncia intermediria. A resistncia desses materiais
diretamente proporcional a sua resistividade e seu comprimento, e inversamente
proporcional a sua rea, como mostrado na equao 1.

= (1)

A resistividade caracterstica intrnseca de um material e atravs dela pode-se

determinar se este condutor, semicondutor ou isolante. A tabela com a resistividade
desses materiais mostrada abaixo.

Condutor Semicondutor Isolante

=10 .cm =50 .cm(germnio) =10 .cm
=50x10 .cm(silcio)
Tabela 1: Valores tpicos de resistividade dos materiais.

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 Alm de variar com comprimento e rea de seo transversal, a resistncia da
maioria dos materiais varia com a mudana de temperatura. Nos condutores, por
exemplo, percebe-se que tomando uma determinada amostra com uma resistncia
inicial R0 e na temperatura T0, conforme a temperatura aumenta, a resistncia
tambm aumenta de forma linear. Por isso os condutores tem um coeficiente de
temperatura da resistncia positivo. No entanto, essa linearidade deixa de ser vlida
para certos valores de temperatura, a partir dos quais a resistncia diminui
exponencialmente de maneira bem lenta, sendo quase impossvel chegar a uma
resistncia de 0. A Figura 10 ilustra esse comportamento.

Figura 10: Variao da resistncia em funo da temperatura para materiais condutores.

Fonte: [4].

Esse comportamento dos condutores pode ser explicado pelo fato de que quando
a temperatura aumenta, aumenta tambm a agitao dos tomos constituintes do
condutor, e por consequncia h maior dificuldade para o fluxo de eltrons.
J nos semicondutores e ametais, percebe-se que o nmero de eltrons livres
aumenta com a elevao da temperatura. Isso significa que mais eltrons vem da
banda de valncia para a banda de conduo atravessando o gap da regio proibida.
Sendo assim, como o nmero de eltrons aumenta, a resistncia para os no-metais e
os semicondutores diminui com o aumento da temperatura; por esse motivo esses
materiais tem um coeficiente de temperatura da resistncia negativo. A Figura 11
apresenta um esquema das bandas de energia de um semicondutor.

8
 Figura 11: Bandas de energia.
Fonte: [3].

Vrios componentes podem ser criados a partir dessa caracterstica do

semicondutor ter sua resistncia eltrica dependente da temperatura. Um desses
componentes o termistor. Estes dispositivos eltricos tm a sua resistncia eltrica
alterada termicamente, isto , apresentam um valor de resistncia eltrica para cada
temperatura absoluta.
So muito usados para controlar/alterar a temperatura em dispositivos
eletroeletrnicos, como alarmes, termmetros, circuitos eletrnicos de compensao
trmica, dissipadores de calor, ar-condicionado, etc. Eles so fabricados de material
semicondutor, tais como xido de nquel, cobalto ou magnsio e sulfeto de ferro. A
temperatura de trabalho de um termistor baixa ficando entre as escalas de -90C e
130C.
A resistncia eltrica dos termistores pode variar tanto de forma proporcional ou
inversa com o aumento de temperatura ao qual o sensor for exposto. Por essa
caracterstica feita uma classificao do termistores, sendo NTC (Negative
Temperature Coeficiente) e PTC (Positive Temperature Coeficiente), como pode ser
visto na Figura 12 os grficos das curvas desses termistores.

Figura 12: Curvas dos sensores PTC e NTC.

Diferentemente do diodo, o termistor no polarizado eletricamente. Sua

representao grfica e formato fsico podem ser observados na Figura 13.

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 Figura 13: representao grfica e formato fsico dos termistores NTC e PTC.

O NTC mais utilizado do que o PTC, devido a maior facilidade de ser

manufaturado. O PTC tem como sua peculiaridade possuir um ponto de transio,
somente a partir de uma determinada temperatura exibir uma variao hmica com
a variao da temperatura.
O diferencial do NTC ser muito mais sensvel a variaes de temperatura, porm,
o fato de ser mais sensvel faz com que se comporte de forma no linear. A curva que
define o comportamento da temperatura pela temperatura tem um comportamento
exponencial. A variao de sua resistncia eltrica com a temperatura no linear que
pode ser vista como uma funo exponencial decrescente, conforme funo
aproximada dada a seguir.

1 1
[( )]
= 0 0 (2)

Onde:
a resistncia do termistor na temperatura ;
0 a temperatura do termistor na temperatura 0 ;
a constante do material.

Os termistores possuem uma constante de tempo, que considera o tempo levado

para que se atinja 63% do valor da prxima temperatura. A constante de tempo do
sensor depende diretamente da sua massa e do acoplamento trmico da amostra.
No caso de consumo de potncia, a corrente necessria para que o termistor
comece a atuar da ordem de 100mA, o que representar uma dissipao de potncia
de aproximadamente 2mW/C. A estabilidade do termistor NTC abrange
temperaturas de -50C at 150C, os termistores so sensores muito estveis e
sensveis a variaes pequenas de temperatura.

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3. Concluso
Ao final do trabalho identifica-se a grande importncia que os semicondutores
exercem nos dias atuais, trazendo possibilidades intermedirias entre dois estados de
materiais que so fundamentais para a rea da engenharia eltrica, os condutores e os
isolantes. Com isso possvel a criao de dispositivos que trabalham muito bem em
vrios tipos de situaes diferentes e em diversos graus de complexidade, sendo
possvel a criao de componentes eletrnicos tais como diodos, transstores,
microprocessadores, nanocircuitos, entre outros.
Fica bastante claro tambm a importncia do processo de criao desses materiais
e suas principais caractersticas em nvel atmico, onde todo o processo de purificao
e dopagem realizado, tornando-os materiais importantssimos para a eletrnica
atual.

4. Referncias
[1] PATRCIO, Carlos Augusto. Semicondutores. So Paulo: UNESP/Campus
de Guaratinguet. 35p. Apostila.
[2] LABORATRIO DE MATERIAIS. Apostila de Materiais Eltricos.
In:_____. Materiais semicondutores. Foz do Iguau: Unioste Campus Foz do
Iguau. Cap. 15, p. 397 443.
[3] PEREIRA, Matias Santos. MATERIAIS SEMICONDUTORES. 2011. 38f.
Trabalho de concluso do componente curricular Materiais Eltricos. Universidade
de Uberaba, Minas Gerais.
[4] ELECTRICAL4U. Electrical Resistance and Laws of Resistance.
Disponvel em: <http://www.electrical4u.com/electrical-resistance-and-laws-of-
resistance/>. Acesso em 09 de janeiro de 2016, s 20:00h.
[5] Termistor. Disponvel em: http://www.corradi.junior.nom.br/termistor.pdf.
Acessado em 09 de janeiro de 2016, s 22:00h.
[6] Shackelford, James F. Introduo cincia dos materiais para engenheiros
/ James F. Shackelford ; traduo Daniel Vieira ; reviso tcnica Nilson C. Cruz.
So Paulo: Pearson Prentice Hall, 2008.
[7] Boylestad, Robert L. Dispositivos eletrnicos e teoria de circuitos, 8 edio
/ Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky; traduo Rafael Monteiro Simon; reviso
tcnica Jos Bueno de Camargo, Jos Lucimar do nascimento, Antonio Pertence
Junior. So Paulo: Prentice Hall, 2004.

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