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3UREOHPD
D Un determinado transistor MOSFET de enriquecimiento para el que Vt=1V y
2
K=0.25mA/V se va a utilizar polarizado en su regin de saturacin. Si la corriente
de drenador ID debe ser de 4mA, hallar el valor de VGS y el valor mnimo necesario
de VDS.

E Repetir el apartado anterior si la corriente de drenador debe ser de ID=16mA.

6ROXFLyQ D 9*6 99'6PLQ 9 E 9*6 99'6PLQ 9

3UREOHPD
Un transistor de enriquecimiento NMOS con una tensin umbral Vt de 2V y un factor
de transconductancia K=0.1mA/V2 se utiliza como una resistencia lineal controlada por
tensin. Hallar el rango de valores de VGS para el que se obtiene una resistencia
comprendida entre 0.5k: y 5k:.

6ROXFLyQ 9d 9*6 d 9

3UREOHPD
Un transistor MOSFET de deplexin canal n con IDSS=9mA, K=1mA/V2 y Vp=-3V tiene
sus terminales de puerta y fuente conectados a tierra. Hallar la regin de

D VD=0.1V.
funcionamiento del transistor y la corriente de drenador ID cuando:

E VD=1V.
F VD=3V.
G VD=5V.

6ROXFLyQ D 2KPLFD,' P$E 2KPLFD,' P$F 6DWXUDFLyQ,' P$G Saturacin,' P$

3UREOHPD
Un transistor NMOS de deplexin con IDSS=9mA, K=1mA/V2 y Vp=-3V tiene su terminal
de puerta conectado a tierra y una fuente de 1V conectada al terminal de fuente. Hallar
el mnimo valor de drenador VD necesario para que el dispositivo est trabajando en
saturacin. Cul es el valor de la corriente de drenador que se obtiene para el valor
de tensin VD determinado?

6ROXFLyQ 9'PLQ 9,' P$


3UREOHPD
Un transistor MOSFET de deplexin canal n trabajando en la regin ohmica con
VDS=0.1V, conduce una corriente de drenador de valor ID=1mA cuando VGS=-1V, y de
valor ID=3mA cuando VGS=1V. Hallar el valor de K y la tensin umbral Vp.

6ROXFLyQ . P$99S 9

3UREOHPD
Un transistor MOSFET de deplexin canal n trabajando en saturacin con VDS=5V,
conduce una corriente de drenador de valor ID=5mA cuando VGS=-1V, y de valor
ID=45mA cuando VGS=1V. Hallar el valor de IDSS y la tensin de pinch-off Vp.

6ROXFLyQ ,'66 P$9S 9

3UREOHPD
D A partir de la expresin de la corriente de drenador ID en saturacin de un MOSFET
de enriquecimiento canal n, hallar una expresin que represente la variacin
porcentual (%) del valor de la corriente de drenador por C en funcin de la
variacin porcentual del valor del factor de transconductancia K por C, del

E Si el valor de la tensin umbral Vt disminuye 2mV cada C de aumento de la


coeficiente de temperatura de Vt en V/C, de VGS y de Vt.

temperatura, hallar el coeficiente de temperatura de K que hace que el valor de la


corriente de drenador ID disminuya un (0.2%)/C cuando el transistor NMOS est
polarizado con VGS=5V, y el valor de la tensin umbral es Vt=1V.

6ROXFLyQ D  w,'  ,' w.  . w9


  7
 E w.  .   &
w7 w7 w7 9*6  9W w7

3UREOHPD

caractersticos de los transistores Q1 y Q2 son Vt=2V, PnCOX=20PA/V2, L1=L2=10Pm y


Considerar el circuito de la figura, en el que los valores de los parmetros

W1=50Pm. Sabiendo que k = (1/2) Pn COX (W/L)

D Hallar el valor de R para el que se establece una corriente de drenador

E Hallar el valor de W2 (ancho de la puerta del transistor Q2) para el que Q2


ID=0.4mA en el transistor Q1.

trabaja en la saturacin con una corriente ID=0.6mA.


V D D = 1 0V

R 2 = 10k: R

Q2 Q1

6ROXFLyQ D 5 N: E : PP


3UREOHPD
Analizar el circuito de la figura para determinar el valor de la corriente de drenador ID y
la tensin de drenador VD, teniendo en cuenta que los parmetros caractersticos del
2
transistor NMOS son Vt=1V y K=0.5mA/V .

V DD = 1 0 V

10M :
5 k:

ID

10M :

6ROXFLyQ ,' P$9' 9

3UREOHPD
D Analizar el circuito de la figura para determinar el valor de la corriente de drenador
ID y la tensin de drenador VD, teniendo en cuenta que los parmetros
caractersticos del transistor MOSFET de deplexin son Vp=-1V e IDSS=0.5mA.

E Hallar los nuevos valores de RS y RD para los que se obtiene una corriente de
drenador ID=0.5mA y una tensin de drenador VD=4V.

V DD = 1 0 V

R G1 = 8 .5 M : R D = 3 2 k:

R G2 = 1 .5 M : R S= 1 6 k:

6ROXFLyQ D ,' P$9' 9E 56 N:5' N:


3UREOHPD
Calcular las corrientes y tensiones sealadas en los circuitos de la figura teniendo en
2
cuenta que para todos los dispositivos |Vt|=1V y K=0.5mA/V . Suponer que la
expresin de la corriente de drenador en la regin de saturacin para todos los
transistores tanto de deplexin como de enriquecimiento es

ID=K(VGS-VP,T)2.

10 V + 6V 10V

I1

V4

V2 V3

V5

- 10V - 4V

a) b) c) d)

+ 5V 10V 1 0V 10 V 10V

I7

10 M :

V6 V8 V9

10M :

- 5V

6ROXFLyQ D , P$ E 9 9F 9 9 G 9 99 9H 9 9 I , P$J 9 9
e) f) g) h)

K 9 


3UREOHPD
Hallar el valor de las tensiones VDS1 y VDS2 sealadas en el circuito de la figura teniendo
en cuenta que las caractersticas de los transistores NMOS Q1 y Q2 empleados son las
dadas por las figuras F1 y F2 respectivamente.

V DD = + 4 V

Q1 +
V DS1
-

+
V DS2
Q2 -

V TT= - 2 V

,' P$ ,' P$

 
V G S1 = + 1.5V V G S2 = 6.0V

 V G S1 = + 1.0V  V G S2 = 5.5V

 V G S1 = + 0.5V  V G S2 = 5.0V

 
V G S1 = 0V V G S2 = 4.5V

 V G S1 = -0.5V  V G S2 = 4.0V

 V G S1 = -1.0V  V G S2 = 3.5V
V G S1 = -1.5V V G S2 = 3.0V
9'6 9 9'6 9
           

6ROXFLyQ 9'6 99'6 9


fig ura F 1 fig ura F 2

3UREOHPD
D En el circuito representado en la figura, los transistores NMOS Q1, Q2 y Q3 son
idnticos, siendo sus parmetros caractersticos Vt=2V y K=20PA/V2. Determinar el

E Repetir el apartado D suponiendo que se intercambian las conexiones de la


valor de la corriente I0 y de la tensin V0.

F Repetir el apartado D suponiendo que se sustituye el transistor Q2 por un transistor


resistencia RD y del transistor Q2.

NMOS de deplexin conectado como resistencia (conectando los terminales G y S


del transistor), siendo sus parmetros caractersticos Vp=-2V e IDSS=0.08mA.
6V

Q2 IO
R D = 1 0K:

VO

Q1 Q3

6ROXFLyQ D , ,' P$9 9'6 9E , ,' P$9 9'6 9F , ,' P$9 9'6 9


3UREOHPD
Determinar el punto de trabajo de los transistores Q1 y Q2 en el circuito de la figura,
teniendo en cuenta que los parmetros caractersticos del transistor son Vt1=2.5V,
2 2
Vt2=3V, K1=0.08mA/V , K2=0.125mA/V , y que en el circuito VDD=12V, VTT=-4V, VGG=11V,
RG=1M: y RS=2k:.
V DD

Q1

RG
Q2

V GG RS

V TT

6ROXFLyQ ,' P$9'6 9,' P$9'6 9

3UREOHPD
Determinar el punto de polarizacin de los transistores Q1 y Q2 en el circuito de la
figura, teniendo en cuenta que los parmetros caractersticos del transistor son Vt1=-

R1=100k: y R2=300k:. 1RWD Suponer K2=0.2mA/V .


3V, Vt2=1V, K1=0.12mA/V2, y que en el circuito VDD=4V, V1=15V, RD1=1k:, RD2=18k:,
2

V DD

R D1
R1

I D1

Q1

R D2

I D2

Q2
V1

R2

6ROXFLyQ ,' P$9'6 9,' P$9'6 9


3UREOHPD
Calcular y justificar en qu regin estn polarizados los transistores en el circuito de la
figura, teniendo en cuenta que los parmetros caractersticos del transistor MOSFET

VBE=0.7V y E=200.
2
de enriquecimiento canal n son Vt=2V y K=0.2mA/V , y para el transistor bipolar npn

V DD = 1 2 V

2M : 4 .4 5 k:
1 6 k:

1M :

Q1

Q2

2M : 0 .5 6 k: 83:

6ROXFLyQ ,' P$\9'6 9,& P$9&( 9